JP7182574B2 - Elevator control device and elevator control method - Google Patents

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Description

本発明はエレベーター制御装置およびエレベーター制御方法に関し、例えば、ヒートパイプ式の冷却装置を備えたエレベーターシステムに好適なものである。 TECHNICAL FIELD The present invention relates to an elevator control device and an elevator control method, and is suitable for, for example, an elevator system equipped with a heat pipe type cooling device.

近年、一般的なエレベーターの設置個所および利用頻度の増加に伴い、エレベーターが備える電気部品の寿命を伸ばす必要がある。例えば、エレベーターの駆動および停止を繰り返す中で、電力変換装置の半導体素子の寿命は短くなる傾向にあるため、この半導体素子の劣化を防ぐ技術が求められている。 In recent years, with the increase in installation locations and usage frequency of general elevators, it is necessary to extend the life of electrical components provided in elevators. For example, as elevators are repeatedly driven and stopped, the life of semiconductor elements in electric power converters tends to be shortened, so there is a demand for a technique for preventing deterioration of these semiconductor elements.

特許文献1には、駆動停止を繰り返す負荷、あるいは負荷量が急変するような負荷の駆動回路に用いられる電力変換装置の半導体素子における温度リップルを抑制し、該半導体素子の寿命を延ばすようにした電力供給装置が開示されている。 In Patent Document 1, temperature ripple is suppressed in a semiconductor element of a power conversion device used in a drive circuit for a load that repeatedly stops driving or a load whose amount of load changes suddenly, thereby extending the life of the semiconductor element. A power supply is disclosed.

特開2010-246246号公報JP 2010-246246 A

電力変換装置における半導体素子の温度変化を緩和するため、ヒートパイプ式冷却器を採用したものが一般的に知られている。しかしながら、ヒートパイプ式冷却器では、ヒートパイプ内に混入されている冷却用の液体が気化して冷却性能を発揮するまで一定の時間を要する。そのため、特許文献1の技術に適用した場合、例えば、エレベーターが一定時間停止してから稼働する場合に半導体素子の温度変化が大きくなり、半導体素子の寿命が短くなることが課題であった。このような現象は、エレベーターがあまり利用されなくなる時間帯や、エレベーターがよく利用される時間帯になり始めるタイミングに顕著に現れる。 2. Description of the Related Art A heat pipe type cooler is generally known to mitigate temperature changes in semiconductor elements in a power converter. However, in the heat pipe cooler, it takes a certain amount of time for the cooling liquid mixed in the heat pipe to evaporate and exhibit its cooling performance. Therefore, when the technique of Patent Document 1 is applied, for example, when an elevator is stopped for a certain period of time and then starts to operate, the temperature change of the semiconductor element becomes large, and the life of the semiconductor element is shortened. Such a phenomenon appears conspicuously at the time when the elevator is not used much or when the time when the elevator starts to be used frequently.

本発明は以上の点を考慮してなされたもので、エレベーターを制御するインバータにおける半導体素子の長寿命化を提案しようとするものである。 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in consideration of the above points, and proposes to extend the life of a semiconductor element in an inverter for controlling an elevator.

かかる課題を解決するため本発明においては、エレベーター制御装置は、エレベーターを動作させるためにモータに交流電力を供給するインバータと接続され、インバータを制御することでエレベーターの動作を制御するエレベーター制御装置であって、インバータは、直流電力を前記交流電力に変換する半導体素子を有し、インバータには、半導体素子を冷却するための冷却器が熱的に結合して取り付けられており、冷却器の冷却性能は、半導体素子の温度に応じて変動し、エレベーター制御装置は、エレベーターが停止している間に冷却器が第一の温度に達すると、半導体素子へ電力を供給させる指令をインバータに送ることを特徴とするようにした。 In order to solve such problems, in the present invention, an elevator control device is an elevator control device that is connected to an inverter that supplies AC power to a motor to operate the elevator, and that controls the operation of the elevator by controlling the inverter. The inverter has a semiconductor element for converting DC power into the AC power, and the inverter is thermally coupled with a cooler for cooling the semiconductor element. The performance varies according to the temperature of the semiconductor device, and the elevator controller sends a command to the inverter to supply power to the semiconductor device when the cooler reaches a first temperature while the elevator is stopped. is characterized.

また本発明においては、エレベーターを動作させるために半導体素子を用いてモータに交流電力を供給するインバータを制御することで、前記エレベーターの動作を制御するエレベーター制御方法であって、前記インバータには、前記半導体素子と熱的に結合されて前記インバータを冷却する冷却器が取り付けられており、前記エレベーターが停止しているかどうかを判断する第1のステップと、前記冷却器の温度が第一の温度である場合、前記インバータにより前記半導体素子に電力を供給する第2のステップと、を備えるようにした。 Further, in the present invention, there is provided an elevator control method for controlling the operation of the elevator by controlling an inverter that supplies AC power to a motor using a semiconductor device to operate the elevator, wherein the inverter includes: A cooler is mounted that is thermally coupled with the semiconductor device to cool the inverter, a first step of determining whether the elevator is stopped, and the temperature of the cooler is a first temperature. , a second step of supplying power to the semiconductor element by the inverter.

本発明によれば、エレベーターを制御するインバータにおける半導体素子の長寿命化を実現できる。 According to the present invention, it is possible to extend the life of a semiconductor element in an inverter that controls an elevator.

本発明の第1の実施形態における、エレベーターの概略構成図である。1 is a schematic configuration diagram of an elevator according to a first embodiment of the present invention; FIG. ヒートパイプの冷却器の概略構成である。It is a schematic structure of the cooler of a heat pipe. 第1の実施形態におけるフローチャートである。4 is a flow chart in the first embodiment; 第1の実施形態における半導体と冷却器の温度変化のグラフである。4 is a graph of temperature changes of the semiconductor and the cooler in the first embodiment; 第2の実施形態におけるフローチャートである。It is a flow chart in the second embodiment. 第2の実施形態における半導体と冷却器の温度変化のグラフである。It is a graph of the temperature change of the semiconductor and cooler in the second embodiment. 第3の実施形態におけるフローチャートである。It is a flow chart in a 3rd embodiment. 第3の実施形態における半導体と冷却器の温度変化のグラフである。It is a graph of the temperature change of the semiconductor and cooler in the third embodiment. 第4の実施形態におけるフローチャートの実施例1である。It is Example 1 of the flowchart in the fourth embodiment. 第4の実施形態におけるフローチャートの実施例2である。It is Example 2 of the flowchart in the fourth embodiment.

以下、本発明の一実施の形態に関連する図面について詳述する。 The drawings related to one embodiment of the present invention will be described in detail below.

(エレベーター制御装置の構成と処理)
図1は、本発明の一実施形態に係るエレベーター制御装置を含んだエレベーター全体の概略構成図である。
(Configuration and processing of elevator control device)
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of the entire elevator including an elevator control device according to one embodiment of the present invention.

エレベーターの一般的な構成も交えて、本実施形態のエレベーター制御装置を説明する。電力変換装置113は、一定周波数の三相交流電源101から出力されたR,S,T相の三相交流電力を、内部に備えるコンバータ102によって直流電力に変換する。この直流電力を平滑コンデンサ103で平滑化した後、インバータ(IGBT)104において可変周波数のU、V、W相の三相交流電力に変換して、モータ106に供給している。電力変換装置113から電力供給を受けたモータ106は、綱車107を回転させ、主ロープ108で吊るされている乗りかご109と、つり合い重り110と、を昇降させ、エレベーターを動作させている。 The elevator control device of the present embodiment will be described together with the general configuration of the elevator. Power conversion device 113 converts R, S, and T-phase three-phase AC power output from constant-frequency three-phase AC power supply 101 into DC power by converter 102 provided therein. After this DC power is smoothed by a smoothing capacitor 103 , it is converted into three-phase AC power of variable frequency U, V, and W phases by an inverter (IGBT) 104 and supplied to a motor 106 . A motor 106 supplied with power from a power conversion device 113 rotates a sheave 107 to raise and lower a car 109 suspended by a main rope 108 and a counterweight 110 to operate the elevator.

なお、インバータ104が有している半導体素子であるIGBTは、1in1,2in1,6in1,7in1,のどのタイプのスイッチング素子の形式でも良い。あるいは、コンバータ102とインバータ104で同じIGBTを用いるような構成をとっても良い。 It should be noted that the IGBT, which is a semiconductor element that the inverter 104 has, may be in the form of any type of switching element such as 1-in-1, 2-in-1, 6-in-1, and 7-in-1. Alternatively, the converter 102 and the inverter 104 may be configured to use the same IGBT.

エレベーター制御装置111は、例えばMPU(Micro Processing Unit)を用いて構成されており、MPUが所定のプログラムを実行することで実現される機能として、エレベーター制御部およびインバータ制御部を備える。任意の階や乗りかご109の中からエレベーターに対しての呼び出しがあった時、つまりエレベーターの乗りかご109を昇降させる指令があった時は、エレベーター制御部がその指令を受け、インバータ104を駆動させる指令をインバータ制御部へ送る。インバータ制御部はエレベーター制御部からの指令を受け、インバータ104に通電指令112を送り、それによりインバータ104が半導体素子であるIGBTに電力を供給して駆動させ、モータ106や綱車107を介して乗りかご109を制御している。なお、ブレーキ105は、エレベーターに対しての呼び出しがない時にモータ106に対して常時ブレーキをかけており、エレベーターに対しての呼び出しがあった時にブレーキを開放する。これにより、モータ106が稼働し、乗りかご109を昇降させている。 The elevator control device 111 is configured using, for example, an MPU (Micro Processing Unit), and includes an elevator control section and an inverter control section as functions realized by the MPU executing a predetermined program. When there is a call to the elevator from an arbitrary floor or car 109, that is, when there is a command to raise or lower the elevator car 109, the elevator control unit receives the command and drives the inverter 104. Sends a command to the inverter control unit. Upon receiving a command from the elevator control unit, the inverter control unit sends an energization command 112 to the inverter 104, whereby the inverter 104 supplies electric power to the IGBT, which is a semiconductor device, to drive the motor 106 and sheave 107. It controls the car 109 . Note that the brake 105 is constantly braking the motor 106 when there is no call to the elevator, and releases the brake when there is a call to the elevator. As a result, the motor 106 is activated to move the car 109 up and down.

図2は、ヒートパイプ式冷却器(以下、冷却器)の概略構成である。(a)は冷却器の正面図、(b)は側面図である。なお、冷却器はインバータ104を冷やすために電力変換装置113内に備えられているものである。 FIG. 2 is a schematic configuration of a heat pipe cooler (hereinafter referred to as cooler). (a) is a front view of a cooler, (b) is a side view. Note that the cooler is provided in the power converter 113 to cool the inverter 104 .

冷却器は、インバータ104に取り付けられ、熱伝導部材114とヒートパイプ116と冷却フィン115と温度検出器117と、を備えて構成される。ヒートパイプ116は、熱伝導部材114を介してインバータ104と熱的に結合されており、内部に混入された作動液が気化することで、インバータ104の熱を冷却フィン115側に移動させる。冷却フィン115は、ヒートパイプ116を放熱させることで、インバータ104の熱を受けて上昇したヒートパイプ116の温度を低下させ、気化されたヒートパイプ116内の作動液を再び液化させる。これにより、インバータ104の動作に応じて生じるIGBTの熱を、ヒートパイプ116を経由して冷却フィン115で放熱させ、インバータ104を冷却させることができる。 The cooler is attached to the inverter 104 and comprises a heat conducting member 114 , a heat pipe 116 , cooling fins 115 and a temperature detector 117 . Heat pipe 116 is thermally coupled to inverter 104 via heat conducting member 114 , and moves the heat of inverter 104 to cooling fin 115 by evaporating the working fluid mixed therein. The cooling fins 115 dissipate heat from the heat pipes 116 to lower the temperature of the heat pipes 116 that has risen due to the heat of the inverter 104 and liquefy the vaporized working fluid in the heat pipes 116 again. Thereby, the heat of the IGBT generated according to the operation of the inverter 104 can be dissipated by the cooling fins 115 via the heat pipe 116 to cool the inverter 104 .

インバータ104は、エレベーター制御装置111のインバータ制御部から駆動指令を受けることでIGBTを駆動させ、それによりIGBTの温度が上昇する。すると、熱伝導部材114,冷却フィン115,ヒートパイプ116の温度も同期して上昇し、ヒートパイプ116内の作動液の気化が進んで、冷却器の放熱量が増大する。つまり、インバータ104の半導体素子を冷却するためにインバータ104と熱的に結合して取り付けられている冷却器の冷却性能は、半導体素子の温度に応じて変動する仕組みになっている。なお、温度検出器117は、ヒートパイプ116の温度を検出し、同期しているIGBTの温度や冷却器全体の温度も同様に検出することができる。 The inverter 104 drives the IGBT by receiving a drive command from the inverter control unit of the elevator control device 111, thereby increasing the temperature of the IGBT. Then, the temperature of the heat conducting member 114, the cooling fins 115, and the heat pipe 116 also rises in synchronism, the vaporization of the working fluid in the heat pipe 116 progresses, and the heat radiation amount of the cooler increases. In other words, the cooling performance of the cooler that is thermally coupled to inverter 104 to cool the semiconductor elements of inverter 104 varies according to the temperature of the semiconductor elements. Note that the temperature detector 117 detects the temperature of the heat pipe 116, and can similarly detect the temperature of the synchronized IGBT and the temperature of the entire cooler.

ヒートパイプ116内の作動液は、IGBTの温度上昇とともに気化し、冷却器の上部へ移動する。気化したヒートパイプ116内の作動液は、冷却性能の高い状態に戻すために再度液化させる必要がある。そのため、気化後の作動液の移動方向である冷却器の上部に冷却フィン115を設置して、ヒートパイプ116の放熱を促進し、冷却器全体の温度低減を促している。このように、インバータ104においてIGBTがスイッチング動作を行うことでその温度が一定値以上となっている場合には、ヒートパイプ116内の作動液が気化することにより、冷却器の冷却性能が十分に発揮される。 The working fluid in the heat pipe 116 vaporizes as the temperature of the IGBT rises and moves to the upper part of the cooler. The vaporized working fluid in the heat pipe 116 needs to be liquefied again in order to return to a high cooling performance state. Therefore, the cooling fins 115 are installed on the upper part of the cooler, which is in the moving direction of the working fluid after vaporization, to promote the heat dissipation of the heat pipes 116 and to reduce the temperature of the entire cooler. In this way, when the temperature of the IGBTs in the inverter 104 is above a certain value due to the switching operation of the inverter 104, the working fluid in the heat pipe 116 is vaporized, so that the cooling performance of the cooler is sufficiently improved. demonstrated.

一方、エレベーターに対しての呼び出しがない時は、インバータ104は駆動しないためIGBTの温度が上昇することはない。この状態が一定時間以上続くと、ヒートパイプ116内の作動液は気化せず液化した状態に保たれるため、インバータ104が稼働してIGBTの温度が上昇した時に、ヒートパイプ116の作動液が気化して冷却器の冷却性能が十分に発揮できるようになるまでには時間がかかる。 On the other hand, when the elevator is not called, the inverter 104 is not driven, so the IGBT temperature does not rise. If this state continues for a certain period of time or more, the working fluid in heat pipe 116 does not evaporate and is kept in a liquefied state. It takes time to evaporate and reach the full cooling performance of the cooler.

そこで本発明では、エレベーターの呼び出しがない状態が続いても冷却器の冷却性能を十分に発揮できるように、エレベーター制御装置111によりインバータ104への電力供給の制御を行う。以下ではその具体的な方法を、第1~第4の各実施形態において説明する。なお、以下の各実施形態において、エレベーター制御装置111を含むエレベーターシステムの構成は共通である。 Therefore, in the present invention, the power supply to the inverter 104 is controlled by the elevator control device 111 so that the cooling performance of the cooler can be fully exhibited even when the elevator is not called. Specific methods thereof will be described below in each of the first to fourth embodiments. In addition, in each of the following embodiments, the configuration of the elevator system including the elevator control device 111 is common.

(第1の実施形態によるエレベーター制御装置の処理)
図3は、第1の実施形態におけるエレベーター制御装置111のフローチャートである。本実施形態では、乗りかご停止中にヒートパイプの温度を判断し電力供給する例を説明する。
(Processing of the elevator control device according to the first embodiment)
FIG. 3 is a flow chart of the elevator control device 111 in the first embodiment. In this embodiment, an example will be described in which the temperature of the heat pipe is determined and power is supplied while the car is stopped.

ステップS1では、エレベーター制御部がエレベーターの乗りかご109が停止しているかどうか判定する。乗りかご109が停止していればステップS2に進み、そうでなければフローチャートを終了する。 In step S1, the elevator control unit determines whether the elevator car 109 is stopped. If the car 109 is stopped, the process proceeds to step S2, otherwise the flow chart ends.

ステップS2では、温度検出器117が検出したヒートパイプ(冷却器)116の温度が、冷却器の冷却性能を十分に発揮する温度(以下、T℃)を超えている状態、つまり、ヒートパイプ116の温度が冷却性能を発揮するために必要な第一の温度を超えているかどうかを判定する。ヒートパイプ116の温度がT℃を超えている場合はステップS3へ進み、そうでなければフローチャートを終了する。 In step S2, the temperature of the heat pipe (cooler) 116 detected by the temperature detector 117 exceeds the temperature (hereinafter referred to as T° C.) at which the cooling performance of the cooler is sufficiently exhibited, that is, the heat pipe 116 is above a first temperature required for cooling performance. If the temperature of the heat pipe 116 exceeds T° C., the process proceeds to step S3; otherwise, the flow chart ends.

ステップS3では、温度検出器117が検出したヒートパイプ116の温度がT℃であるかどうかを判定する。ステップS2でT℃を超えていると判定したヒートパイプ116の温度がT℃まで低下していればステップS4に進み、そうでなければステップS3の判定を繰り返すことで、ヒートパイプ116の温度がT℃に低下するまで待機する。 In step S3, it is determined whether the temperature of the heat pipe 116 detected by the temperature detector 117 is T°C. If the temperature of the heat pipe 116 determined to exceed T° C. in step S2 has decreased to T° C., the process proceeds to step S4. Wait until the temperature drops to T°C.

ステップS4では、インバータ制御部により、予め設定された時間t1秒の間、インバータ104のIGBTに電力供給されるように、通電指令112を出力する。ここで、ヒートパイプ116の温度がT℃以下になってしまうと、冷却器が意図した冷却性能を発揮できなくなってしまう。そのため、エレベーター制御部はステップS3の温度検出器117の検出内容、つまり、ヒートパイプ116の温度がT℃であることを受け、インバータ制御部に対してインバータ104へ通電指令112を出す指令を送る。この指令を受けて、インバータ制御部はインバータ104へ通電指令112を出力し、インバータ104にIGBTへの電力供給を行わせる。つまり、インバータ制御部は、エレベーターが停止している間に冷却器が第一の温度(T℃)に達すると、半導体素子へ電力を供給させる指令をインバータ104に送るということである。インバータ104は、インバータ制御部からの通電指令112に応じて、IGBTに対して所定の時間t1秒間だけ電力を供給し、ステップS5に進む。このように、所定の時間であるt1秒間の電力を供給することで、IGBTに対しての過剰な電力の供給を防ぐことができる。 In step S4, the inverter control unit outputs an energization command 112 so that power is supplied to the IGBTs of the inverter 104 for a preset time t1 seconds. Here, if the temperature of the heat pipe 116 becomes T° C. or lower, the cooler cannot exhibit the intended cooling performance. Therefore, the elevator control unit receives the content detected by the temperature detector 117 in step S3, that is, the temperature of the heat pipe 116 is T° C., and sends a power supply command 112 to the inverter 104 to the inverter control unit. . Upon receiving this command, the inverter control unit outputs an energization command 112 to the inverter 104 to cause the inverter 104 to supply power to the IGBTs. In other words, the inverter controller sends a command to supply power to the semiconductor device to the inverter 104 when the cooler reaches the first temperature (T° C.) while the elevator is stopped. The inverter 104 supplies power to the IGBT for a predetermined time t1 seconds in response to the energization command 112 from the inverter control unit, and proceeds to step S5. By supplying power for a predetermined time of t1 seconds in this way, it is possible to prevent excessive power from being supplied to the IGBT.

なお、ステップS3の判定で用いられる、IGBTへの電力供給を行うための閾値としての温度は、冷却器が冷却性能を十分に発揮する温度であれば良く、T℃以上の温度に設定されても良い。また、ステップS4でインバータ104のIGBTに電力供給を行う所定の時間t1秒は、例えば、0秒<t1秒<10秒で設定されるような値であり、これに限定されずに設定できる。ただし、t1の値が過剰に大きい設定になる(例えば6000)と、半導体素子であるIGBTの温度は上昇し続けて短寿命になるため、IGBTの温度が調節できる範囲でt1の範囲を適用することが好ましい。また、例えば、乗りかご109の積載量や昇降速度,インバータ104に用いているIGBTの定格容量,冷却器の性能,などといったエレベーターごとの特性でIGBT温度の上昇のパターンが変わるため、T℃の設定値もエレベーターごとの特性に合わせて変えることが好ましい。 It should be noted that the temperature as the threshold value for power supply to the IGBT used in the determination in step S3 may be any temperature at which the cooler can sufficiently exhibit its cooling performance, and is set to a temperature of T° C. or higher. Also good. Further, the predetermined time t1 seconds for supplying power to the IGBTs of the inverter 104 in step S4 is, for example, a value such as 0 seconds<t1 seconds<10 seconds, and can be set without being limited thereto. However, if the value of t1 is set to an excessively large value (for example, 6000), the temperature of the IGBT, which is a semiconductor element, will continue to rise and the life will be shortened. is preferred. In addition, the pattern of IGBT temperature rise changes depending on the characteristics of each elevator, such as the load capacity and lifting speed of the car 109, the rated capacity of the IGBT used in the inverter 104, the performance of the cooler, and so on. It is preferable to change the setting value according to the characteristics of each elevator.

ステップS5では、エレベーターに対しての呼び出しがあるかどうかを判定する。乗りかご109の呼び出しがある場合はステップS6へ進み、呼び出しに応じたエレベーターの運転が実施され、ステップS1に戻りフローチャートを繰り返す。そうでなければ、ステップS3に戻り、再びヒートパイプ116の温度がT℃になっているかどうかを判定する。これにより、乗りかご109が停止している間にヒートパイプ116の温度がT℃を下回ることがなく、冷却器は意図した冷却性能を維持できるため、エレベーターに対しての呼び出しがない状態が一定以上続いた後にインバータ104が運転された場合でも、半導体素子であるIGBTの温度は一定温度に維持され、温度変化が少なくなる。したがって、半導体素子の長寿命化を実現することができる。 In step S5, it is determined whether or not there is a call to the elevator. If there is a call for the car 109, the process proceeds to step S6, the elevator is operated according to the call, and the process returns to step S1 to repeat the flow chart. Otherwise, the process returns to step S3 to determine again whether the temperature of the heat pipe 116 has reached T°C. As a result, the temperature of the heat pipe 116 does not fall below T° C. while the car 109 is stopped, and the cooler can maintain the intended cooling performance, so that the state of no call to the elevator is constant. Even if the inverter 104 is operated after the above operation continues, the temperature of the IGBT, which is a semiconductor element, is maintained at a constant temperature, and the temperature change is reduced. Therefore, it is possible to extend the life of the semiconductor device.

図4は、第1の実施形態における半導体素子と冷却器の温度変化のグラフの一例である。 FIG. 4 is an example of a graph of temperature changes of the semiconductor element and the cooler in the first embodiment.

図4の通り、エレベーターの稼働頻度が所定の基準値以上であり、エレベーターが連続で稼働し続ける繁忙期では、半導体素子温度118は時間とともに上昇し、ヒートパイプ温度119は半導体素子温度118の上昇に伴い半導体素子であるIGBTを冷却し温度を下げている。一方で、エレベーターの稼働頻度が所定の基準値未満であり、例えば、エレベーターが停止している頻度が稼働頻度よりも多いような閑散期に移ると、半導体素子であるIGBTに電力が供給されないため、ヒートパイプ温度119は下がり続けてT℃以下になってしまうと冷却性能を発揮できない。そのため、ヒートパイプ温度119をT℃以上かつT℃付近に維持するように、IGBTに対してt1秒間だけ間欠的に電力を供給する、言い換えれば、IGBTに対しての電力の供給と停止を繰り返す構成している。これにより、半導体素子であるIGBTは大きな温度変化がなくなり寿命を延ばすことができる。 As shown in FIG. 4, in the busy period when the elevator operation frequency is equal to or higher than a predetermined reference value and the elevator continues to operate continuously, the semiconductor element temperature 118 rises with time, and the heat pipe temperature 119 rises as the semiconductor element temperature 118 rises. As a result, the IGBT, which is a semiconductor element, is cooled to lower the temperature. On the other hand, when the operating frequency of the elevator is less than a predetermined reference value, for example, when the elevator is stopped more frequently than the operating frequency, power is not supplied to the IGBT, which is a semiconductor element. , the heat pipe temperature 119 continues to drop to T° C. or lower, and the cooling performance cannot be exhibited. Therefore, power is intermittently supplied to the IGBTs for t1 seconds so as to maintain the heat pipe temperature 119 at T° C. or above and near T° C. In other words, power supply and stop to the IGBTs are repeated. Configure. As a result, the IGBT, which is a semiconductor element, does not undergo a large temperature change and can extend its life.

また、第1の実施形態において、インバータ制御部から通電指令112をインバータ104に送り、インバータ104がIGBTに電力を供給し駆動させるときに、誤ってブレーキ105に電力供給がされることでブレーキが開放され、不要にエレベーターを稼働させてしまう可能性がある。そのため、インバータ制御部はインバータ104に対して通電指令112を出す場合、エレベーターのブレーキ105に電力が供給されないように、ブレーキ105を開放するための電力を流す指令は出さない。これにより、半導体素子に電力を供給した際に、冷却器の冷却性能のみが半導体素子の温度に応じて変動し、エレベーターの誤作動を防ぐことができる。 Further, in the first embodiment, when the energization command 112 is sent from the inverter control unit to the inverter 104 and the inverter 104 supplies power to the IGBT to drive it, the brake 105 is erroneously supplied with power, causing the brake to stop. There is a possibility that it will be released and cause the elevator to operate unnecessarily. Therefore, when the inverter control unit issues the energization command 112 to the inverter 104, it does not issue a command to apply power for opening the brake 105 so that power is not supplied to the brake 105 of the elevator. As a result, when power is supplied to the semiconductor device, only the cooling performance of the cooler fluctuates according to the temperature of the semiconductor device, and malfunction of the elevator can be prevented.

以上説明した本発明の第1の実施形態によれば、以下の作用効果を得る。 According to the first embodiment of the present invention described above, the following effects are obtained.

(1)エレベーター制御装置111は、エレベーターを動作させるためにモータ106に交流電力を供給するインバータ104と接続され、インバータ104を制御することでエレベーターの動作を制御するエレベーター制御装置111であって、インバータ104は、直流電力を交流電力に変換する半導体素子を有し、インバータ104には、半導体素子を冷却するための冷却器が熱的に結合して取り付けられており、冷却器の冷却性能は、半導体素子の温度に応じて変動し、エレベーター制御装置111は、エレベーターが停止している間に冷却器が第一の温度に達すると、半導体素子へ電力を供給させる指令をインバータ104に送ることを特徴とする。このようにしたので、エレベーターを制御するインバータにおける冷却器の冷却性能を維持することによる半導体素子の長寿命化を実現できる。 (1) The elevator control device 111 is connected to the inverter 104 that supplies AC power to the motor 106 to operate the elevator, and controls the operation of the elevator by controlling the inverter 104. The inverter 104 has a semiconductor device that converts DC power into AC power, and a cooler for cooling the semiconductor device is thermally coupled to the inverter 104, and the cooling performance of the cooler is , varies according to the temperature of the semiconductor device, and the elevator controller 111 sends a command to the inverter 104 to supply power to the semiconductor device when the cooler reaches the first temperature while the elevator is stopped. characterized by With this configuration, the life of the semiconductor device can be extended by maintaining the cooling performance of the cooler in the inverter that controls the elevator.

(2)エレベーター制御装置111は半導体素子へ所定時間の電力の供給を行うとインバータ制御部は指令を停止することを特徴とする。このようにしたので、半導体素子の大きな温度変化を防ぐことができるため、半導体素子の長寿命化を実現できる。 (2) The elevator control device 111 is characterized in that when power is supplied to the semiconductor device for a predetermined period of time, the inverter control unit stops issuing commands. With this configuration, it is possible to prevent a large temperature change in the semiconductor element, so that it is possible to extend the life of the semiconductor element.

(3)エレベーター制御装置111は、インバータ制御部が指令を出す場合、エレベーターのブレーキ105を開放するための電力を流す指令は出さないことを特徴とする。このようにしたので、無駄な電力の供給を防ぐことができ、省電力化を図ることができる。 (3) The elevator control device 111 is characterized in that, when the inverter control unit issues a command, it does not issue a command to supply electric power for releasing the brake 105 of the elevator. Since it did in this way, supply of wasteful electric power can be prevented and power saving can be achieved.

(4)エレベーター制御装置111は、エレベーターを動作させるために半導体素子を用いてモータ106に交流電力を供給するインバータ104を制御することで、エレベーターの動作を制御するエレベーター制御方法を備えており、その制御方法は、インバータ104には、半導体素子と熱的に結合されてインバータ104を冷却する冷却器が取り付けられており、エレベーターが停止しているかどうかを判断する第1のステップと、冷却器の温度が第一の温度である場合、インバータにより半導体素子に電力を供給する第2のステップと、を備えることを特徴とする。このようにしたので、エレベーターの稼働状況に関わらず半導体素子の温度リップルを防ぎ、半導体素子の長寿命化するための制御方法を実現できる。 (4) The elevator control device 111 has an elevator control method for controlling the operation of the elevator by controlling the inverter 104 that supplies AC power to the motor 106 using a semiconductor device to operate the elevator, In the control method, the inverter 104 is equipped with a cooler that is thermally coupled to the semiconductor element to cool the inverter 104, and the first step of determining whether the elevator is stopped; and a second step of supplying power to the semiconductor device by means of an inverter when the temperature of is the first temperature. Since this is done, it is possible to realize a control method for preventing the temperature ripple of the semiconductor element regardless of the operating state of the elevator and extending the life of the semiconductor element.

(第2の実施形態によるエレベーター制御装置の処理)
図5は、第2の実施形態によるエレベーター制御装置の処理のフローチャートである。
(Processing of the elevator control device according to the second embodiment)
FIG. 5 is a flow chart of processing of the elevator control device according to the second embodiment.

ステップS1Aでは、エレベーター制御部がエレベーターの乗りかご109が停止しているかどうか判定する。乗りかご109が停止していればステップS2Aに進み、そうでなければフローチャートを終了する。 In step S1A, the elevator control unit determines whether the elevator car 109 is stopped. If the car 109 is stopped, the process proceeds to step S2A, otherwise the flow chart ends.

ステップS2Aでは、エレベーター制御部がエレベーターの乗りかご109が所定の時間(以下、t2時間)未満の停止時間かどうか判定する。乗りかご109がt2時間未満の停止時間であればステップS3Aに進む。そうでなければフローチャートを終了する。このようにすることで、連続して一定時間以上のエレベーターに対しての呼び出しがない場合、例えば、深夜帯といったような時間帯である閑散期に数時間エレベーターが運転しない状況で、繰り返し半導体に電流を供給することを止めることができる。そのため、エレベーターの稼働が著しく少ない時間帯において、IGBTに対しての無駄な電力の供給を防ぐことができる。なお、所定の時間であるt2時間は、例えば、1[時間]<t2で設定される値である。 In step S2A, the elevator control unit determines whether or not the elevator car 109 is stopped for less than a predetermined time (hereinafter referred to as t2 time). If the car 109 is stopped for less than t2, the process proceeds to step S3A. Otherwise, end the flowchart. By doing this, if there is no call to the elevator for a certain period of time or more in a row, for example, in a situation where the elevator does not operate for several hours during the off-peak period, such as late at night, the semiconductor repeatedly You can stop supplying current. Therefore, it is possible to prevent unnecessary power supply to the IGBTs during a time period when the elevator operation is extremely low. Note that the predetermined time t2 is a value set by, for example, 1 [time]<t2.

ステップS3AからステップS6Aまでは、第1の実施形態でのステップS2からステップS5と同様のフローチャートである。ただし、ステップS6Aのエレベーターの呼び出しがあるかどうかの判定で、呼び出しがなかった場合はステップS2Aに戻り、エレベーターの乗りかご109の停止時間を判定するところが第1の実施形態とは異なるところである。 Steps S3A to S6A are the same flowchart as steps S2 to S5 in the first embodiment. However, it is different from the first embodiment in that if there is no elevator call in step S6A, the process returns to step S2A to determine the stop time of the elevator car 109.

第2の実施形態は、例えば、会社での出退勤時や昼休みといったエレベーターの利用時間が集中する時間帯である繁忙期と比べて、閑散期のエレベーターの呼び出しがない状態などで適用できる。また、例えば、人口の少ない地方の駅で繁忙期と閑散期のエレベーターの運転時間の差が顕著であり、最終電車が23時で始発電車が6時で、連続しておよそ7時間エレベーターが駆動しない時間があるケースなどにも同様に適用できる。 The second embodiment can be applied, for example, in a state in which there is no call to the elevator during off-peak periods, as compared to busy periods, such as when employees are commuting to and from work or during lunch break, during which time the elevators are used intensively. Also, for example, at a rural station with a small population, the difference in elevator operating time between busy season and off-peak season is remarkable. It can be similarly applied to a case where there is time not to do so.

図6は、第2の実施形態における半導体と冷却器の温度変化のグラフの一例である。 FIG. 6 is an example of a graph of temperature changes of the semiconductor and cooler in the second embodiment.

図6の通り、閑散期においてヒートパイプ温度119がT℃以上かつT℃付近に維持される状態がt2時間を超える場合、IGBTへの電力の供給を停止するため、そのあと緩やかに温度が下降して、通常の部品の温度に戻る。まとめると、エレベーターが一定時間以上稼働しない場合、インバータ制御部は通電指令112を停止することで、夜間帯などの閑散期に電力消費を抑えている。 As shown in FIG. 6, when the heat pipe temperature 119 is kept above T° C. and near T° C. in the off season for more than time t2, the power supply to the IGBT is stopped, so the temperature gradually drops thereafter. to return to normal part temperature. In summary, when the elevator does not operate for a certain period of time or more, the inverter control unit stops the energization command 112, thereby suppressing power consumption during off-seasons such as nighttime.

以上説明した本発明の第2の実施形態によれば、以下の作用効果を得る。 According to the second embodiment of the present invention described above, the following effects are obtained.

(5)エレベーター制御装置111は、エレベーターが所定時間以上稼働しない場合、インバータ制御部は指令を停止することを特徴とする。このようにしたので、夜間の時間帯などの長時間動かない場合に、冷却器の意図した機能を維持するための電力供給を行わず、無駄な電力消費を抑えることができる。 (5) The elevator control device 111 is characterized in that the inverter control unit stops issuing commands when the elevator does not operate for a predetermined time or more. As a result, when the refrigerator does not move for a long period of time, such as during the nighttime, power is not supplied to maintain the intended function of the cooler, and wasteful power consumption can be suppressed.

(第3の実施形態によるエレベーター制御装置の処理)
図7は、第3の実施形態によるエレベーター制御装置の処理のフローチャートである。本実施形態では、エレベーターの稼働状況に関する情報をエレベーター制御装置111に予め記憶しておき、この情報に基づいて現在のエレベーターの稼働状況を判断した結果を用いて、インバータ104への通電を制御する例を説明する。なお、この情報はエレベーター制御装置111の製造時や設置時に予め設定されたものでも良いし、過去のエレベーターの運転履歴に基づいてエレベーター制御装置111自身が設定したものでも良い。
(Processing of the elevator control device according to the third embodiment)
FIG. 7 is a flow chart of processing of the elevator control device according to the third embodiment. In this embodiment, information about the operating status of the elevator is stored in advance in the elevator control device 111, and the result of determining the current operating status of the elevator based on this information is used to control the energization of the inverter 104. I will explain an example. This information may be set in advance when the elevator control device 111 is manufactured or installed, or may be set by the elevator control device 111 itself based on the past operation history of the elevator.

ステップS1Bでは、現在のエレベーターの稼働状況が前述の閑散期の状態であるかどうかを判定する。閑散期である場合はステップS2Bに進み、そうでなければフローチャートを終了する。なお、ステップS1Bの判定は、エレベーター制御装置111に予め記憶された上記の情報に基づいて行っても良いし、前述のステップS2Aと同様の方法で行っても良い。 In step S1B, it is determined whether or not the current operating status of the elevator is the above-described off-season. If it is the off-season, the process proceeds to step S2B, otherwise the flowchart ends. The determination in step S1B may be performed based on the above information stored in advance in the elevator control device 111, or may be performed in the same manner as in step S2A described above.

ステップS2Bでは、エレベーター制御装置111に予め記憶された上記の情報に基づいて、現在のエレベーターの状況が閑散期から繁忙期へと移行する所定の時間(以下、m分)前かどうかを判定する。エレベーターの状況が繁忙期へ移行するm分前であればステップS3Bへ進み、そうでなければステップS2Bの処理を繰り返すことで、繁忙期へ移行するm分前になるまで待機する。 In step S2B, based on the information previously stored in the elevator control device 111, it is determined whether or not the current elevator situation is a predetermined time (hereinafter referred to as m minutes) before the shift from the off season to the busy season. . If the state of the elevator is m minutes before shifting to the busy season, the process proceeds to step S3B. Otherwise, the processing of step S2B is repeated to wait m minutes before shifting to the busy season.

ステップS3Bでは、インバータ制御部により、インバータ104のIGBTに対して所定の時間(以下、t3秒間)電力を供給し、所定の時間(以下、t4秒間)電力の供給を停止する動作を繰り返すように、通電指令112を出力する。これにより、繁忙期に移行する過程で半導体素子の温度を徐々に上げていくことが可能となり、半導体素子の急な温度変化による劣化を防止することができる。この動作を続けて、繁忙期への移行前に半導体素子をT℃以上状態に維持し、ステップS4Bに進む。 In step S3B, the inverter control unit repeats the operation of supplying power to the IGBTs of the inverter 104 for a predetermined time (hereinafter referred to as t3 seconds) and stopping the power supply for a predetermined time (hereinafter referred to as t4 seconds). , and outputs the energization command 112 . As a result, it becomes possible to gradually raise the temperature of the semiconductor element in the process of shifting to the busy season, and it is possible to prevent deterioration of the semiconductor element due to sudden temperature changes. By continuing this operation, the semiconductor element is maintained at T° C. or higher before the shift to the busy season, and the process proceeds to step S4B.

ステップS4BからステップS6Bまでは、第1の実施形態のステップS3からステップS5までの処理フローと同様である。ただし、ステップS4Bでヒートパイプ116の温度がT℃でなかった場合、ステップS3BでIGBTへの電力の供給と停止を繰り返す動作を行うところが第1の実施形態と異なる。 Steps S4B to S6B are the same as the processing flow from steps S3 to S5 of the first embodiment. However, if the temperature of the heat pipe 116 is not T° C. in step S4B, the operation of repeatedly supplying and stopping power to the IGBT is performed in step S3B, unlike the first embodiment.

図8は、第3の実施形態における半導体と冷却器の温度変化のグラフの一例である。 FIG. 8 is an example of a graph of temperature changes of the semiconductor and cooler in the third embodiment.

図8の通り、エレベーター制御装置111に予め記憶された稼働時間についてのデータに基づいて、閑散期が終わるm分前から半導体素子に電力を供給している。上述したように、t3時間の電力の供給とt4時間の電力の供給停止により徐々に半導体素子温度118が上昇し、繁忙期への移行直前には、T℃以上かつT℃付近に半導体素子の温度を維持することができている。つまり、エレベーターの運転する時間帯を記憶する記憶装置を有しているエレベーター制御装置111は、記憶している時間帯のデータに基づき、稼働頻度が高くなる時間の一定時間前からインバータ制御部が通電指令112をインバータ104に送り、一定時間後に通電指令112を停止する動作を繰り返している。これにより、ヒートパイプ116の温度を効率的に上昇させ、繁忙期の時点では、ヒートパイプ116を冷却活性温度の状態にしておき、かつ半導体素子の大きな温度変化を緩和することができ、半導体素子の長寿命化を実現できる。 As shown in FIG. 8, power is supplied to the semiconductor devices from m minutes before the end of the off-season based on the data on the operating time pre-stored in the elevator control device 111 . As described above, the semiconductor element temperature 118 gradually rises due to the power supply at time t3 and the power supply stop at time t4. Able to maintain temperature. That is, the elevator control device 111, which has a storage device that stores the time period during which the elevator operates, starts the inverter control unit from a certain period of time before the time when the operating frequency becomes high, based on the stored time period data. The operation of sending the energization command 112 to the inverter 104 and stopping the energization command 112 after a certain period of time is repeated. As a result, the temperature of the heat pipe 116 can be efficiently raised, the heat pipe 116 can be maintained at the cooling activation temperature during the busy season, and a large temperature change in the semiconductor element can be mitigated, thereby reducing the temperature of the semiconductor element. It is possible to realize a long service life.

以上説明した本発明の第3の実施形態によれば、以下の作用効果を得る。 According to the third embodiment of the present invention described above, the following effects are obtained.

(6)エレベーター制御装置111は、エレベーターの稼働状況に関する情報を記憶しており、その情報に基づき、エレベーターの稼働頻度が所定の基準値以上となる繁忙期の開始時間の前から、インバータ104への前記指令の送信と停止を繰り返すことを特徴とする。このようにしたので、閑散期から繁忙期へ移行するタイミングで、予め半導体素子に電力を供給することで、大きな温度変化を防ぎ、半導体素子の長寿命化を図ることができる。 (6) The elevator control device 111 stores information about the operating status of the elevator. is characterized by repeating the transmission and stop of the command. By doing so, by supplying power to the semiconductor element in advance at the timing of transition from the off season to the busy season, it is possible to prevent a large temperature change and extend the life of the semiconductor element.

(第4の実施形態によるエレベーター制御装置の処理)
図9は、第4の実施形態によるエレベーター制御装置の処理のフローチャートの実施例1である。
(Processing of the elevator control device according to the fourth embodiment)
FIG. 9 is Example 1 of a flowchart of processing of the elevator control device according to the fourth embodiment.

第4の実施形態では、半導体素子の温度上昇係数を判定に使用する。ここで使用される半導体素子の温度上昇係数とは、所定の単位時間(例えば1秒間)におけるインバータ104のIGBTの温度上昇値であり、温度検出器117による温度検出値に基づいて算出される。これは同期するヒートパイプ116の温度上昇係数でもよい。実施例1である図9のフローチャートは、第1の実施形態のフローチャートの類似形態であり、図3の第1の実施形態のフローチャートにおけるステップS4が、第4の実施形態ではS4CからS6Cになっている。それ以外の第4の実施形態の処理は、第1の実施形態の処理と同様である。 In the fourth embodiment, the temperature rise coefficient of the semiconductor element is used for determination. The temperature rise coefficient of the semiconductor element used here is the temperature rise value of the IGBT of the inverter 104 in a predetermined unit time (for example, one second), and is calculated based on the temperature detected by the temperature detector 117 . This may be the temperature rise coefficient of the synchronized heat pipes 116 . The flowchart of FIG. 9, which is Example 1, is similar to the flowchart of the first embodiment, and step S4 in the flowchart of the first embodiment of FIG. 3 is changed from S4C to S6C in the fourth embodiment. ing. Other processes of the fourth embodiment are the same as those of the first embodiment.

ステップS4CからステップS6Cについて説明する。ステップ4Cでは、ヒートパイプ116の温度がT℃である判定をS3Cで下されているので、これ以上ヒートパイプ116の温度を下げないために半導体素子に電力の供給を開始し、ステップS5Cに進む。ここで、電力を供給する時間は設けない。 Steps S4C to S6C will be described. In step 4C, since it is determined in step S3C that the temperature of heat pipe 116 is T° C., power supply to the semiconductor element is started in order not to lower the temperature of heat pipe 116 any further, and the process proceeds to step S5C. . Here, the time for supplying power is not provided.

ステップS5Cでは、半導体素子の温度上昇係数が所定(以下、T1)以上かどうかを判定する。半導体素子の温度上昇係数がT1以上ならステップS6Cへ進みIGBTへの電力の供給を停止し、そうでなければステップS4Cの処理に戻る。インバータ104では、IGBTの個体差や、IGBTに供給する電流値によって、一定時間内の半導体素子の温度上昇値が変化し得る。こうしたケースを考慮したときに、第1の実施形態で説明したようにインバータ104への電力供給時間を一定とする手法では、半導体素子の大きな温度変化による劣化を防ぐことが安定して実現できない。そのため、本実施形態では、ステップS5Cにより半導体素子の温度の上昇具合を判定することで、部品の特性によらずに半導体素子の大きな温度変化を防いで、半導体素子の長寿命化を実現できるようにしている。 In step S5C, it is determined whether or not the temperature rise coefficient of the semiconductor element is equal to or greater than a predetermined value (hereinafter referred to as T1). If the temperature rise coefficient of the semiconductor element is equal to or higher than T1, the process proceeds to step S6C and stops the power supply to the IGBT. Otherwise, the process returns to step S4C. In the inverter 104, the temperature rise value of the semiconductor element within a certain period of time may change depending on the individual difference of the IGBTs and the current value supplied to the IGBTs. Considering such a case, the method of fixing the power supply time to the inverter 104 as described in the first embodiment cannot stably prevent deterioration of the semiconductor element due to a large temperature change. Therefore, in the present embodiment, by determining the degree of temperature rise of the semiconductor element in step S5C, it is possible to prevent a large temperature change of the semiconductor element regardless of the characteristics of the part, and to realize a long life of the semiconductor element. I have to.

また、温度上昇係数と同様に、温度下降係数も判定に用いることもできる。なお、温度下降係数とは、所定の単位時間(例えば1秒間)におけるインバータ104のIGBTの温度下降値であり、温度検出器117による温度検出値に基づいて算出される。IGBTへの電力の供給を停止した場合に、半導体素子の温度がある一定の温度から下がるが、半導体素子の温度下降係数が所定以上であった場合に、これを温度検出器117が感知し、半導体素子への電力の供給を再開し、T℃以上かつT℃付近に半導体素子の温度を維持する。これにより、半導体素子の温度が急変するのを防ぎ、半導体素子の劣化を防ぐことができる。 In addition, the temperature decrease coefficient can also be used for the determination as well as the temperature increase coefficient. Note that the temperature drop coefficient is the temperature drop value of the IGBT of the inverter 104 in a predetermined unit time (for example, one second), and is calculated based on the temperature detected by the temperature detector 117 . When the power supply to the IGBT is stopped, the temperature of the semiconductor element drops from a certain temperature, but if the temperature drop coefficient of the semiconductor element is a predetermined value or more, the temperature detector 117 senses this, Power supply to the semiconductor element is restarted, and the temperature of the semiconductor element is maintained above T°C and near T°C. As a result, it is possible to prevent the temperature of the semiconductor element from suddenly changing, thereby preventing deterioration of the semiconductor element.

また、半導体素子の温度上昇係数および温度下降係数は、第3の実施形態で説明した閑散期から繁忙期への移行のフローチャートにも適用できる。図10は第4の実施形態の実施例2であり、図7で説明した第3の実施形態の類似形態である。 Further, the temperature rise coefficient and temperature fall coefficient of the semiconductor element can also be applied to the flow chart of transition from the off season to the busy season described in the third embodiment. FIG. 10 shows Example 2 of the fourth embodiment, which is similar to the third embodiment described in FIG.

図10の第4の実施形態が図7の第3の実施形態と異なる点は2つある。1つは、第3の実施形態のステップS3Bにおいて、第4の実施形態ではステップS3DとしてIGBTへの電力の供給を開始し電力の供給を停止しない点である。もう1つは、第3の実施形態のステップS5Bにおいて、第4の実施形態ではステップS5Dとして半導体素子の温度上昇係数がT1以上であればステップS6DとしてIGBTへの電力の供給を停止し、そうでなければステップS5Dに戻る点である。それ以外の第4の実施形態の処理フローは、第3の実施形態と同様である。 There are two points in which the fourth embodiment shown in FIG. 10 differs from the third embodiment shown in FIG. One is that in step S3B of the third embodiment, the power supply to the IGBT is started and stopped in step S3D in the fourth embodiment. Another is that in step S5B of the third embodiment, if the temperature rise coefficient of the semiconductor element is equal to or higher than T1 in step S5D in the fourth embodiment, power supply to the IGBT is stopped in step S6D. Otherwise, the process returns to step S5D. Other than that, the processing flow of the fourth embodiment is the same as that of the third embodiment.

第4の実施形態の処理フローにより、温度検出器117が検出測定できる半導体素子の温度データを記憶装置が有し、その温度データに基づき、冷却器の温度上昇係数が所定の係数以上になったことを温度検出器117が検出すると、インバータ制御部は通電指令112を停止する。また、温度検出器117が半導体素子の温度下降係数が所定以上になったことを検出すると、インバータ制御部は通電指令112を出すことができる。 According to the processing flow of the fourth embodiment, the storage device has temperature data of the semiconductor element that can be detected and measured by the temperature detector 117, and based on the temperature data, the temperature rise coefficient of the cooler is equal to or greater than a predetermined coefficient. When the temperature detector 117 detects this, the inverter controller stops the energization command 112 . Further, when the temperature detector 117 detects that the temperature decrease coefficient of the semiconductor element has exceeded a predetermined value, the inverter control section can issue an energization command 112 .

以上説明した本発明の第4の実施形態によれば、以下の作用効果を得る。 According to the fourth embodiment of the present invention described above, the following effects are obtained.

(7)エレベーター制御装置111は、冷却器の温度上昇係数が所定の係数以上になると、インバータ制御部は指令を停止することを特徴とする。このようにしたので、このようにしたので、エレベーターごとに異なる特性に応じて、インバータ104への電力の供給をする際に半導体素子の大きな温度変化を防ぐことができる。 (7) The elevator control device 111 is characterized in that the inverter control unit stops issuing commands when the temperature rise coefficient of the cooler becomes equal to or greater than a predetermined coefficient. Since this is done, it is possible to prevent a large temperature change in the semiconductor element when supplying power to the inverter 104 according to the characteristics that differ from elevator to elevator.

(8)エレベーター制御装置111は、半導体素子の温度下降係数が所定の係数以上になると、インバータ制御部は指令を出すことを特徴とする。このようにしたので、エレベーターごとに異なる特性に応じて、どのような時間帯であっても半導体素子の大きな温度変化を防ぐことができる。 (8) The elevator control device 111 is characterized in that the inverter control section issues a command when the temperature decrease coefficient of the semiconductor element becomes equal to or greater than a predetermined coefficient. Since this is done, it is possible to prevent a large temperature change of the semiconductor element in any time zone according to the characteristics that differ from elevator to elevator.

以上、各実施形態や各種変形例はあくまで一例であり、発明の特徴が損なわれない限り、本発明はこれらの内容に限定されるものではない。本発明の技術的思想の範囲内で考えられるその他の態様も本発明の範囲内に含まれる。 As described above, each embodiment and various modifications are merely examples, and the present invention is not limited to these contents as long as the features of the invention are not impaired. Other aspects conceivable within the scope of the technical idea of the present invention are also included in the scope of the present invention.

101…交流電源、102…コンバータ、103…平滑コンデンサ、104…インバータ、105…ブレーキ、106…モータ、107…綱車、108…主ロープ、109…乗りかご、110…つり合い重り、111…エレベーター制御装置(MPU)、112…通電指令、113…電力変換装置、114…熱伝導部材、115…冷却フィン、116…ヒートパイプ、117…温度検出器、118…半導体素子温度、119…ヒートパイプ温度 101 AC power supply 102 Converter 103 Smoothing capacitor 104 Inverter 105 Brake 106 Motor 107 Sheave 108 Main rope 109 Car 110 Counterweight 111 Elevator control Device (MPU) 112 Energization command 113 Power converter 114 Thermal conduction member 115 Cooling fin 116 Heat pipe 117 Temperature detector 118 Semiconductor element temperature 119 Heat pipe temperature

Claims (9)

エレベーターを動作させるためにモータに交流電力を供給するインバータと接続され、前記インバータを制御することで前記エレベーターの動作を制御するインバータ制御部を備えるエレベーター制御装置であって、
前記インバータは、直流電力を前記交流電力に変換する半導体素子を有し、
前記インバータには、前記半導体素子を冷却するための冷却器が熱的に結合して取り付けられており、
前記冷却器の冷却性能は、前記半導体素子の温度に応じて変動し、
前記エレベーター制御装置は、前記エレベーターが停止している間に前記冷却器が第一の温度に達すると、前記半導体素子へ電力を供給させる指令を前記インバータに送り、
また、前記エレベーター制御装置は、前記エレベーターの稼働状況に関する情報を記憶しており、前記情報に基づき、前記エレベーターの稼働頻度が所定の基準値以上となる繁忙期の開始時間の前から、前記インバータへの前記指令の送信と停止を繰り返すことを特徴とする
エレベーター制御装置。
An elevator control device comprising an inverter control unit that is connected to an inverter that supplies AC power to a motor to operate an elevator, and that controls the operation of the elevator by controlling the inverter,
The inverter has a semiconductor element that converts DC power to AC power,
a cooler for cooling the semiconductor element is thermally coupled to and attached to the inverter;
The cooling performance of the cooler varies according to the temperature of the semiconductor element,
When the cooler reaches a first temperature while the elevator is stopped, the elevator control device sends a command to the inverter to supply power to the semiconductor device,
Further, the elevator control device stores information about the operation status of the elevator, and based on the information, starts the inverter from before the start time of the busy season when the operation frequency of the elevator is equal to or higher than a predetermined reference value. An elevator control device characterized by repeating the transmission of the command to and the stop .
エレベーターを動作させるためにモータに交流電力を供給するインバータと接続され、前記インバータを制御することで前記エレベーターの動作を制御するインバータ制御部を備えるエレベーター制御装置であって、An elevator control device comprising an inverter control unit that is connected to an inverter that supplies AC power to a motor to operate an elevator, and that controls the operation of the elevator by controlling the inverter,
前記インバータは、直流電力を前記交流電力に変換する半導体素子を有し、The inverter has a semiconductor element that converts DC power to AC power,
前記インバータには、前記半導体素子を冷却するための冷却器が熱的に結合して取り付けられており、a cooler for cooling the semiconductor element is thermally coupled to and attached to the inverter;
前記冷却器の冷却性能は、前記半導体素子の温度に応じて変動し、The cooling performance of the cooler varies according to the temperature of the semiconductor element,
前記エレベーター制御装置は、前記エレベーターが停止している間に前記冷却器が第一の温度に達すると、前記半導体素子へ電力を供給させる指令を前記インバータに送り、When the cooler reaches a first temperature while the elevator is stopped, the elevator control device sends a command to the inverter to supply power to the semiconductor device,
前記半導体素子の温度上昇係数が所定の係数以上になると、前記インバータ制御部は前記指令を停止することを特徴とするWhen the temperature rise coefficient of the semiconductor element becomes equal to or greater than a predetermined coefficient, the inverter control section stops the command.
エレベーター制御装置。Elevator controller.
エレベーターを動作させるためにモータに交流電力を供給するインバータと接続され、前記インバータを制御することで前記エレベーターの動作を制御するインバータ制御部を備えるエレベーター制御装置であって、An elevator control device comprising an inverter control unit that is connected to an inverter that supplies AC power to a motor to operate an elevator, and that controls the operation of the elevator by controlling the inverter,
前記インバータは、直流電力を前記交流電力に変換する半導体素子を有し、The inverter has a semiconductor element that converts DC power to AC power,
前記インバータには、前記半導体素子を冷却するための冷却器が熱的に結合して取り付けられており、a cooler for cooling the semiconductor element is thermally coupled to and attached to the inverter;
前記冷却器の冷却性能は、前記半導体素子の温度に応じて変動し、The cooling performance of the cooler varies according to the temperature of the semiconductor element,
前記エレベーター制御装置は、前記エレベーターが停止している間に前記冷却器が第一の温度に達すると、前記半導体素子へ電力を供給させる指令を前記インバータに送り、When the cooler reaches a first temperature while the elevator is stopped, the elevator control device sends a command to the inverter to supply power to the semiconductor device,
前記半導体素子の温度下降係数が所定の係数以上になると、前記インバータ制御部は前記指令を出すことを特徴とするWhen the temperature decrease coefficient of the semiconductor element becomes equal to or greater than a predetermined coefficient, the inverter control unit issues the command.
エレベーター制御装置。Elevator controller.
請求項1~3のいずれか1項に記載のエレベーター制御装置において、
前記インバータが前記半導体素子へ所定時間の電力の供給を行うと、前記インバータ制御部は前記指令を停止することを特徴とするエレベーター制御装置。
In the elevator control device according to any one of claims 1 to 3 ,
The elevator control device according to claim 1, wherein the inverter control unit stops the command when the inverter supplies power to the semiconductor device for a predetermined time.
請求項1~3のいずれか1項に記載のエレベーター制御装置において、
前記エレベーターが所定時間以上稼働しない場合、前記インバータ制御部は前記指令を停止することを特徴とするエレベーター制御装置。
In the elevator control device according to any one of claims 1 to 3 ,
The elevator control device, wherein the inverter control unit stops the command when the elevator does not operate for a predetermined time.
請求項1~3のいずれか1項に記載のエレベーター制御装置において、前記インバータ制御部が前記指令を出す場合、前記エレベーターのブレーキを開放するための電力を流す指令は出さないことを特徴とするエレベーター制御装置。 4. The elevator control device according to any one of claims 1 to 3, wherein when the inverter control unit issues the command, it does not issue a command to supply electric power for releasing the brake of the elevator. Elevator controller. エレベーターを動作させるために半導体素子を用いてモータに交流電力を供給するインバータを制御することで、前記エレベーターの動作を制御するエレベーター制御方法であって、前記インバータには、前記半導体素子と熱的に結合されて前記インバータを冷却する冷却器が取り付けられており、
前記エレベーターが停止しているかどうかを判断する第1のステップと、
前記冷却器の温度が第一の温度である場合、前記インバータにより前記半導体素子に電力を供給する第2のステップと、
予め記憶されている前記エレベーターの稼働状況に関する情報に基づき、前記エレベーターの稼働頻度が所定の基準値以上となる繁忙期の開始時間の前から、前記インバータへの指令の送信と停止を繰り返す第3のステップと、
を備えることを特徴とするエレベーター制御方法。
An elevator control method for controlling the operation of the elevator by controlling an inverter that supplies AC power to a motor using a semiconductor element to operate the elevator, wherein the inverter includes a semiconductor element and a thermal a cooler coupled to to cool the inverter;
a first step of determining whether the elevator is stopped;
a second step of supplying power to the semiconductor device by the inverter when the temperature of the cooler is a first temperature;
(3) repeatedly sending and stopping a command to the inverter from before the start time of a busy season when the operating frequency of the elevator is equal to or higher than a predetermined reference value, based on pre-stored information about the operation status of the elevator; a step of
An elevator control method comprising:
エレベーターを動作させるために半導体素子を用いてモータに交流電力を供給するインバータを制御することで、前記エレベーターの動作を制御するエレベーター制御方法であって、前記インバータには、前記半導体素子と熱的に結合されて前記インバータを冷却する冷却器が取り付けられており、An elevator control method for controlling the operation of the elevator by controlling an inverter that supplies AC power to a motor using a semiconductor element to operate the elevator, wherein the inverter includes a semiconductor element and a thermal a cooler coupled to to cool the inverter;
前記エレベーターが停止しているかどうかを判断する第1のステップと、a first step of determining whether the elevator is stopped;
前記冷却器の温度が第一の温度である場合、前記インバータにより前記半導体素子に電力を供給する第2のステップと、a second step of supplying power to the semiconductor device by the inverter when the temperature of the cooler is a first temperature;
前記半導体素子の温度上昇係数が所定の係数以上になると、前記半導体素子への電力供給を停止する第3のステップと、a third step of stopping power supply to the semiconductor element when the temperature rise coefficient of the semiconductor element becomes equal to or greater than a predetermined coefficient;
を備えることを特徴とするエレベーター制御方法。An elevator control method comprising:
エレベーターを動作させるために半導体素子を用いてモータに交流電力を供給するインバータを制御することで、前記エレベーターの動作を制御するエレベーター制御方法であって、前記インバータには、前記半導体素子と熱的に結合されて前記インバータを冷却する冷却器が取り付けられており、An elevator control method for controlling the operation of the elevator by controlling an inverter that supplies AC power to a motor using a semiconductor element to operate the elevator, wherein the inverter includes a semiconductor element and a thermal a cooler coupled to to cool the inverter;
前記エレベーターが停止しているかどうかを判断する第1のステップと、a first step of determining whether the elevator is stopped;
前記冷却器の温度が第一の温度である場合、前記インバータにより前記半導体素子に電力を供給する第2のステップと、a second step of supplying power to the semiconductor device by the inverter when the temperature of the cooler is a first temperature;
前記半導体素子の温度下降係数が所定の係数以上になると、前記半導体素子への電力供給を停止する第3のステップと、a third step of stopping power supply to the semiconductor element when the temperature decrease coefficient of the semiconductor element becomes equal to or greater than a predetermined coefficient;
を備えることを特徴とするエレベーター制御方法。An elevator control method comprising:
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