JP7178976B2 - Semiconductor manufacturing equipment and semiconductor device manufacturing method - Google Patents

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Description

本発明は、半導体装置のパッケージに形成されるネジ締結用の貫通孔に発生する樹脂バリを除去することが可能な半導体製造装置および半導体装置の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus and a semiconductor device manufacturing method capable of removing resin burrs generated in through holes for screw fastening formed in a semiconductor device package.

Ｓｉチップなどを搭載したトランスファーモールドタイプのパワー半導体装置において、下金型における上金型の固定ピンと対向する位置に上方に突出する突起を備え、樹脂封止時にネジ締結用の貫通孔を形成する方法が特許文献１に開示されている。 In a transfer mold type power semiconductor device equipped with a Si chip or the like, a protrusion projecting upward is provided at a position facing the fixing pin of the upper mold in the lower mold, and a through hole for screw fastening is formed at the time of resin sealing. A method is disclosed in US Pat.

特許文献１に記載の技術では、固定ピンの先端と下金型の突起が接触する位置に発生する樹脂バリの位置をパッケージの底面ではなく、ネジ締結用の貫通孔の内部とすることで樹脂バリの発生を減らすことができるという効果があった。 In the technique described in Patent Document 1, the position of the resin burr generated at the position where the tip of the fixing pin and the projection of the lower mold contact is not on the bottom surface of the package, but inside the through hole for screw fastening. There was an effect of being able to reduce the occurrence of burrs.

特開２００６－２５３２８１号公報JP 2006-253281 A

特許文献１に記載の技術では、突起の高さが低い場合には、ネジ締結用の貫通孔の内周に樹脂バリが発生する。樹脂バリを除去するために、搬送ピンをネジ締結用の貫通孔に挿入させる際に、樹脂バリが付着した箇所を起点にパッケージの底面側の樹脂にクラックが入りパッケージ欠けが発生するという問題があった。 In the technique described in Patent Literature 1, when the height of the projection is low, resin burrs occur on the inner periphery of the through hole for screw fastening. In order to remove the resin burr, when inserting the transfer pin into the through hole for screw fastening, there is a problem that the resin on the bottom side of the package cracks from the point where the resin burr adheres, and the package is chipped. there were.

そこで、本発明は、ネジ締結用の貫通孔に発生した樹脂バリを除去する際に、パッケージ欠けが発生することを抑制できる技術を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a technique capable of suppressing the occurrence of package chipping when removing resin burrs generated in through holes for screw fastening.

本発明に係る半導体製造装置は、上金型と、前記上金型と対向する下金型と、前記上金型内の上面に設けられた、貫通孔を有する筒状の固定ピンと、前記固定ピンの前記貫通孔を介して前記下金型側に突出しない位置と前記下金型側に突出する位置との間で移動可能な第１の可動ピンと、前記下金型の底部における前記固定ピンと対向する位置に設けられ、前記上金型側に突出しない位置と前記上金型側に突出する位置との間で移動可能な第２の可動ピンとを備え、前記第２の可動ピンは、前記固定ピンに対向する面に形成され、当該面の外周に連通する凹形状の樹脂だまりを有するものである。 A semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention includes an upper mold, a lower mold facing the upper mold, a cylindrical fixing pin having a through hole provided on an upper surface in the upper mold, and the fixing a first movable pin movable between a position where the pin does not protrude toward the lower mold through the through hole and a position where the pin protrudes toward the lower mold; and the fixed pin at the bottom of the lower mold. a second movable pin provided at a position facing the upper mold and movable between a position not protruding toward the upper mold and a position protruding toward the upper mold; It has a recessed resin reservoir formed on the surface facing the fixing pin and communicating with the outer circumference of the surface.

本発明によれば、ネジ締結用の貫通孔の形成時に固定ピンと第２の可動ピンとの間にはみ出した樹脂は、第２の可動ピンにおける固定ピンに対向する面の外周に連通する凹形状の樹脂だまりに溜められるため、貫通孔の内周に樹脂バリが発生することを抑制できる。樹脂バリは、樹脂だまりの形状に固まり、除去しやすい形状となるため、樹脂バリを除去する際にパッケージ欠けが発生することを抑制できる。 According to the present invention, the resin that protrudes between the fixing pin and the second movable pin when the through hole for screw fastening is formed forms a concave shape that communicates with the outer circumference of the surface of the second movable pin that faces the fixing pin. Since it is stored in the resin pool, it is possible to suppress the occurrence of resin burrs on the inner periphery of the through hole. Since the resin burr hardens in the shape of a resin pool and has a shape that is easy to remove, it is possible to suppress the occurrence of chipping of the package when removing the resin burr.

実施の形態１に係る半導体製造装置を用いて製造された半導体装置の断面図である。1 is a cross-sectional view of a semiconductor device manufactured using the semiconductor manufacturing apparatus according to Embodiment 1; FIG. 半導体装置の平面図である。1 is a plan view of a semiconductor device; FIG. 実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing the method of manufacturing the semiconductor device according to the first embodiment; 半導体製造装置が備える下金型の可動ピンの平面図と断面図である。3A and 3B are a plan view and a cross-sectional view of a movable pin of a lower mold provided in the semiconductor manufacturing apparatus; FIG. 樹脂バリを除去する工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the process of removing a resin burr. 実施の形態１に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。4 is a flow chart showing a method for manufacturing a semiconductor device according to Embodiment 1; 実施の形態２に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a semiconductor device according to a second embodiment; 実施の形態２において金型を型開きする際の上金型の固定ピン周辺の断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view of the periphery of the fixing pin of the upper mold when opening the mold in Embodiment 2; 実施の形態３に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a semiconductor device according to a third embodiment; 樹脂バリを除去する工程を示す拡大断面図である。FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view showing a step of removing resin burrs; 実施の形態４に係る半導体製造装置の断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view of a semiconductor manufacturing apparatus according to Embodiment 4; 実施の形態４に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。10 is a flow chart showing a method for manufacturing a semiconductor device according to Embodiment 4;

＜実施の形態１＞
本発明の実施の形態１について、図面を用いて以下に説明する。図１は、実施の形態１に係る半導体製造装置を用いて製造された半導体装置２００の断面図である。図２は、半導体装置２００の平面図である。なお、図１は、図２のＡ－Ａ線断面図である。 <Embodiment 1>
Embodiment 1 of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view of a semiconductor device 200 manufactured using the semiconductor manufacturing apparatus according to the first embodiment. FIG. 2 is a plan view of the semiconductor device 200. FIG. 1 is a sectional view taken along the line AA of FIG. 2. FIG.

最初に、半導体製造装置を用いて製造された半導体装置２００について説明する。図１と図２に示すように、半導体装置２００は、複数のリードフレーム１０５、ＩＣチップ２０７、パワートランジスタ２０８、およびパッケージ２０１を備えている。 First, a semiconductor device 200 manufactured using a semiconductor manufacturing apparatus will be described. As shown in FIGS. 1 and 2, the semiconductor device 200 includes a plurality of lead frames 105, IC chips 207, power transistors 208, and a package 201. FIG.

ＩＣチップ２０７およびパワートランジスタ２０８は、トランスファーモールド封止によりパッケージ２０１が形成され、パッケージ２０１から複数のリードフレーム１０５の制御アウターリード２０２とパワーアウターリード２０４が突出している。パワートランジスタ２０８は、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）またはＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）などである。ここで、ＩＣチップ２０７およびパワートランジスタ２０８が半導体素子に相当する。 The IC chip 207 and the power transistor 208 are formed into a package 201 by transfer molding, from which the control outer leads 202 and the power outer leads 204 of the multiple lead frames 105 protrude. The power transistor 208 is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), a MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), or the like. Here, the IC chip 207 and the power transistor 208 correspond to semiconductor elements.

図１において左側のリードフレーム１０５は、制御アウターリード２０２と制御インナーリード２０３を備え、制御インナーリード２０３の上面にＩＣチップ２０７が搭載されている。図１において右側のリードフレーム１０５は、パワーアウターリード２０４、パワーインナーリード２０５、およびダイパッド２０６を備え、ダイパッド２０６の上面にパワートランジスタ２０８が搭載されている。 The lead frame 105 on the left side in FIG. The lead frame 105 on the right side in FIG. 1 includes a power outer lead 204, a power inner lead 205, and a die pad 206, and a power transistor 208 is mounted on the upper surface of the die pad 206. FIG.

制御インナーリード２０３とＩＣチップ２０７、ＩＣチップ２０７とパワートランジスタ２０８、およびパワートランジスタ２０８とパワーインナーリード２０５は、金属製ワイヤ２０９を用いて電気的に接続されている。図２に示すように、パッケージ２０１の長手方向両端部には、ネジ締結用の貫通孔１１３が１つずつ形成されており、貫通孔１１３は半導体製造装置を用いた樹脂封止時に形成される。 Control inner lead 203 and IC chip 207 , IC chip 207 and power transistor 208 , and power transistor 208 and power inner lead 205 are electrically connected using metal wires 209 . As shown in FIG. 2, one through-hole 113 for screw fastening is formed at each end of the package 201 in the longitudinal direction, and the through-hole 113 is formed during resin sealing using a semiconductor manufacturing apparatus. .

次に、図３～図５を用いて、半導体製造装置について説明する。図３は、実施の形態１に係る半導体装置２００の製造方法を示す断面図である。具体的には、図３（ａ）は、半導体製造装置において、リードフレーム１０５を下金型１０４に搭載する工程を示す断面図である。図３（ｂ）は、半導体製造装置において、ランナー１０８を介してキャビティ内に封止樹脂１０７を注入し、半導体装置２００のパッケージ２０１にネジ締結用の貫通孔１１３を形成する工程を示す断面図である。図３（ｃ）は、半導体製造装置において、可動ピン１０６を上金型１０１側に突出しない位置に移動させ、可動ピン１０３を下金型１０４側に突出する位置に移動させることにより、固定ピン１０２と可動ピン１０６との接触面に発生する樹脂バリを除去する工程を示す断面図である。 Next, a semiconductor manufacturing apparatus will be described with reference to FIGS. 3 to 5. FIG. 3A to 3C are cross-sectional views showing the method of manufacturing the semiconductor device 200 according to the first embodiment. Specifically, FIG. 3A is a cross-sectional view showing a process of mounting a lead frame 105 on a lower die 104 in a semiconductor manufacturing apparatus. FIG. 3B is a cross-sectional view showing the process of injecting the sealing resin 107 into the cavity through the runner 108 in the semiconductor manufacturing apparatus and forming the through hole 113 for screw fastening in the package 201 of the semiconductor device 200. is. FIG. 3(c) shows a semiconductor manufacturing apparatus in which the movable pin 106 is moved to a position where it does not protrude toward the upper die 101 side, and the movable pin 103 is moved to a position where it protrudes toward the lower die 104 side. FIG. 10 is a cross-sectional view showing a process of removing resin burrs generated on the contact surface between the movable pin 102 and the movable pin 106;

図４は、半導体製造装置が備える下金型１０４の可動ピン１０６の平面図と断面図である。具体的には、図４（ａ）は、可動ピン１０６の平面図であり、図４（ｂ）は可動ピン１０６の断面図である。図５は、樹脂バリ１１２を除去する工程を示す断面図である。 4A and 4B are a plan view and a cross-sectional view of a movable pin 106 of a lower mold 104 provided in the semiconductor manufacturing apparatus. Specifically, FIG. 4(a) is a plan view of the movable pin 106, and FIG. 4(b) is a sectional view of the movable pin 106. As shown in FIG. FIG. 5 is a cross-sectional view showing a step of removing resin burrs 112. As shown in FIG.

図３（ａ）～図３（ｃ）に示すように、半導体製造装置は、上金型１０１、下金型１０４、複数（例えば２つ）の固定ピン１０２、複数（例えば２つ）の可動ピン１０３、複数（例えば２つ）の可動ピン１０６、および樹脂だまり１１５（図４（ａ），（ｂ）参照）を備えている。 As shown in FIGS. 3A to 3C, the semiconductor manufacturing apparatus includes an upper mold 101, a lower mold 104, a plurality of (eg, two) fixed pins 102, and a plurality of (eg, two) movable molds. It has a pin 103, a plurality (for example, two) of movable pins 106, and a resin reservoir 115 (see FIGS. 4A and 4B).

下金型１０４は上金型１０１と対向する位置に配置されており、上金型１０１および下金型１０４で構成される金型はトランスファーモールド用金型である。金型は、図２に示す半導体装置２００の形状に対応しており、平面視にて長方形形状である。金型は内部に形成されるキャビティと連通するランナー１０８を備えており、ランナー１０８を介してキャビティ内に封止樹脂１０７が注入される。 The lower mold 104 is arranged at a position facing the upper mold 101, and the mold composed of the upper mold 101 and the lower mold 104 is a transfer mold. The mold corresponds to the shape of the semiconductor device 200 shown in FIG. 2, and has a rectangular shape in plan view. The mold has a runner 108 communicating with a cavity formed inside, and a sealing resin 107 is injected into the cavity via the runner 108 .

２つの固定ピン１０２は上金型１０１の長手方向両端部における内部の上面にそれぞれ設けられ、貫通孔１０２ａを有する筒状である。２つの可動ピン１０３は、固定ピン１０２の貫通孔１０２ａにそれぞれ挿通されており、固定ピン１０２の貫通孔１０２ａを介して下金型１０４側に突出しない位置（図３（ａ），（ｂ）参照）と、下金型１０４側に突出する位置（図３（ｃ）参照）との間で移動可能である。 The two fixing pins 102 are provided on the inner upper surface at both ends in the longitudinal direction of the upper mold 101, and have a cylindrical shape with through holes 102a. The two movable pins 103 are inserted through the through-holes 102a of the fixed pin 102, respectively, and do not protrude toward the lower mold 104 through the through-holes 102a of the fixed pin 102 (FIGS. 3A and 3B). ) and a position protruding toward the lower mold 104 (see FIG. 3(c)).

２つの可動ピン１０６は円柱状であり、２つの固定ピン１０２に対向する位置にそれぞれ設けられ、上金型１０１側に突出しない位置（図３（ａ），（ｃ）参照）と、上金型１０１側に突出する位置（図３（ｂ）参照）との間で移動可能である。可動ピン１０３，１０６は、サーボモーターおよびバネなどの駆動用部品により駆動されるが、その構成は一般的な構成であるため説明を省略する。ここで、可動ピン１０３が第１の可動ピン、可動ピン１０６が第２の可動ピンに相当する。 The two movable pins 106 are columnar and are provided at positions facing the two fixed pins 102, respectively, and do not protrude toward the upper mold 101 (see FIGS. 3A and 3C). It is movable between a position where it protrudes toward the mold 101 (see FIG. 3(b)). The movable pins 103 and 106 are driven by drive parts such as servo motors and springs, but the configuration thereof is a general configuration, so description thereof will be omitted. Here, the movable pin 103 corresponds to the first movable pin, and the movable pin 106 corresponds to the second movable pin.

次に、図４（ａ），（ｂ）と図５を用いて、樹脂だまり１１５について説明する。図４（ａ），（ｂ）に示すように、樹脂だまり１１５は、可動ピン１０６における固定ピン１０２に対応する面に形成され、当該面の外周に連通する凹形状である。 Next, the resin reservoir 115 will be described with reference to FIGS. As shown in FIGS. 4A and 4B, the resin reservoir 115 is formed on the surface of the movable pin 106 corresponding to the fixed pin 102 and has a concave shape communicating with the outer circumference of the surface.

樹脂だまり１１５は、凹部１１６と、複数の溝部１１７ａ，１１７ｂとを備えている。凹部１１６は、可動ピン１０６における固定ピン１０２に対応する面の中央部に形成され、平面視にて円形状である。溝部１１７ａ，１１７ｂは、可動ピン１０６における固定ピン１０２に対応する面の外周から凹部１１６に延びている。すなわち、溝部１１７ａ，１１７ｂは、凹部１１６を中心に一直線上に形成されている。 The resin reservoir 115 has a recess 116 and a plurality of grooves 117a and 117b. The concave portion 116 is formed in the central portion of the surface of the movable pin 106 corresponding to the fixed pin 102 and has a circular shape in plan view. Groove portions 117 a and 117 b extend from the outer periphery of the surface of movable pin 106 corresponding to fixed pin 102 to recess portion 116 . That is, the grooves 117a and 117b are formed on a straight line with the recess 116 as the center.

また、溝部１１７ａ，１１７ｂは、凹部１１６よりも深さが浅く、かつ、凹部１１６よりも幅が細くなっている。さらに、溝部１１７ａ，１１７ｂにおける外端部は、溝部１１７ａ，１１７ｂにおける外端部以外の部分よりも深さが浅くなっている。具体的には、溝部１１７ａ，１１７ｂにおける外端部は、外方に向かって深さが浅くなるテーパー形状である。これらの構造により、ネジ締結用の貫通孔１１３の形成時に、固定ピン１０２と可動ピン１０６との接触面にはみ出した封止樹脂１０７が溝部１１７ａ，１１７ｂから凹部１１６に溜まるようになっている。 The grooves 117 a and 117 b are shallower than the recess 116 and narrower than the recess 116 . Furthermore, the outer ends of the grooves 117a and 117b are shallower than the portions other than the outer ends of the grooves 117a and 117b. Specifically, the outer ends of the grooves 117a and 117b have a tapered shape that becomes shallower toward the outside. Due to these structures, when the through hole 113 for screw fastening is formed, the sealing resin 107 that protrudes from the contact surface between the fixed pin 102 and the movable pin 106 is accumulated in the recess 116 from the grooves 117a and 117b.

図５に示すように、樹脂だまり１１５で形成された樹脂バリ１１２は樹脂だまり１１５の形状を含む形状であり、樹脂バリ１１２における中央部の厚みが厚く、それ以外の部分の厚みが薄くなっている。特に、樹脂バリ１１２における溝部１１７ａ，１１７ｂに対応する部分の外端部がそれ以外の部分よりも厚みが薄くなっている。これにより、ネジ締結用の貫通孔１１３の形成後、可動ピン１０６を上金型１０１側に突出しない位置に移動させ、可動ピン１０３を下金型１０４側に突出する位置に移動させることで、樹脂バリ１１２を容易に除去することができる。 As shown in FIG. 5, the resin burr 112 formed by the resin pool 115 has a shape including the shape of the resin pool 115. The thickness of the central portion of the resin burr 112 is thick, and the thickness of the other portions is thin. there is In particular, the outer end portions of the portions of the resin burr 112 corresponding to the grooves 117a and 117b are thinner than the other portions. As a result, after the through hole 113 for screw fastening is formed, the movable pin 106 is moved to a position that does not protrude toward the upper mold 101 side, and the movable pin 103 is moved to a position that protrudes toward the lower mold 104 side. Resin burrs 112 can be easily removed.

なお、図４（ａ），（ｂ）では、２つの溝部１１７ａ，１１７ｂが示されているがこれに限定されることなく、固定ピン１０２と可動ピン１０６との間にはみ出した封止樹脂１０７が流れ込む箇所を点在させるために、溝部は凹部１１６に対して放射状に多数設ける方が望ましい。 4A and 4B show two grooves 117a and 117b, but the sealing resin 107 protruding between the fixed pin 102 and the movable pin 106 is not limited to this. It is preferable to provide a large number of grooves radially with respect to the concave portion 116 in order to scatter the points into which the gas flows.

次に、図３（ａ）～（ｃ）、図５、および図６を用いて半導体装置２００の製造方法について説明する。図６は、半導体装置２００の製造方法を示すフローチャートである。 Next, a method of manufacturing the semiconductor device 200 will be described with reference to FIGS. FIG. 6 is a flow chart showing a method of manufacturing the semiconductor device 200. As shown in FIG.

最初に、図３（ａ）に示すように、半導体素子が搭載されたリードフレーム１０５を下金型１０４に搭載し、金型の型締め動作を実行する（ステップＳ１）。次に、封止樹脂１０７の注入前に、可動ピン１０３が下金型１０４側に突出しない位置にある状態で、可動ピン１０６を上金型１０１側に突出する位置に移動させることにより、可動ピン１０６を固定ピン１０２に接触させる（ステップＳ２）。 First, as shown in FIG. 3A, the lead frame 105 on which the semiconductor element is mounted is mounted on the lower mold 104, and the mold is clamped (step S1). Next, before the sealing resin 107 is injected, the movable pin 106 is moved to a position where it projects toward the upper mold 101 in a state where the movable pin 103 does not project toward the lower mold 104 . The pin 106 is brought into contact with the fixed pin 102 (step S2).

次に、図３（ｂ）に示すように、ランナー１０８を介して金型のキャビティ内に封止樹脂１０７を注入し、半導体装置２００のパッケージ２０１を形成すると共に、半導体装置２００のパッケージ２０１にネジ締結用の貫通孔１１３を形成する（ステップＳ３）。 Next, as shown in FIG. 3B, the sealing resin 107 is injected into the mold cavity through the runner 108 to form the package 201 of the semiconductor device 200. Through holes 113 for screw fastening are formed (step S3).

次に、図３（ｃ）と図５に示すように、樹脂封止完了後における金型の型開き前に、可動ピン１０６を上金型１０１側に突出しない位置に移動させ、可動ピン１０３を下金型１０４側に突出する位置に移動させることにより、固定ピン１０２と可動ピン１０６との接触面に発生する樹脂バリ１１２を除去する（ステップＳ４）。 Next, as shown in FIGS. 3C and 5, before the mold is opened after the completion of resin sealing, the movable pin 106 is moved to a position where it does not protrude toward the upper mold 101, and the movable pin 103 is is moved to a position projecting toward the lower die 104 side, thereby removing the resin burr 112 generated on the contact surface between the fixed pin 102 and the movable pin 106 (step S4).

次に、金型の型開きを実行し、金型に残った樹脂バリ１１２、すなわち、ステップＳ４において除去された樹脂バリ１１２をエアーまたは吸引により金型から除去する（ステップＳ５）。ここで、ステップＳ５での樹脂バリ１１２の除去は、自動金型清掃機構または手動のいずれかで実行される。 Next, the mold is opened, and the resin burrs 112 remaining on the mold, that is, the resin burrs 112 removed in step S4 are removed from the mold by air or suction (step S5). Here, the removal of the resin burrs 112 in step S5 is performed either by an automatic mold cleaning mechanism or manually.

以上のように、実施の形態１に係る半導体製造装置では、ネジ締結用の貫通孔１１３の形成時に固定ピン１０２と可動ピン１０６との間にはみ出した封止樹脂１０７は、可動ピン１０６における固定ピン１０２に対向する面の外周に連通する凹形状の樹脂だまり１１５に溜められるため、貫通孔１１３の内周に樹脂バリ１１２が発生することを抑制できる。樹脂バリ１１２は、樹脂だまり１１５の形状に固まり、除去しやすい形状となるため、樹脂バリ１１２を除去する際にパッケージ欠けが発生することを抑制できる。 As described above, in the semiconductor manufacturing apparatus according to the first embodiment, the sealing resin 107 that protrudes between the fixed pin 102 and the movable pin 106 when the through hole 113 for screw fastening is formed is not fixed by the movable pin 106 . Since it is stored in the recessed resin pool 115 communicating with the outer periphery of the surface facing the pin 102 , it is possible to suppress the generation of the resin burr 112 on the inner periphery of the through hole 113 . Since the resin burr 112 hardens into the shape of the resin pool 115 and has a shape that is easy to remove, it is possible to suppress the occurrence of chipping of the package when the resin burr 112 is removed.

また、実施の形態１に係る半導体装置の製造方法は、半導体素子が搭載されたリードフレーム１０５を下金型１０４に搭載する工程（ａ）と、可動ピン１０３が下金型１０４側に突出しない位置にある状態で、可動ピン１０６を上金型１０１側に突出する位置に移動させることにより、可動ピン１０６を固定ピン１０２に接触させる工程（ｂ）と、ランナー１０８を介してキャビティ内に封止樹脂１０７を注入し、半導体装置２００のパッケージ２０１にネジ締結用の貫通孔１１３を形成する工程（ｃ）と、可動ピン１０６を上金型１０１側に突出しない位置に移動させ、可動ピン１０３を下金型１０４側に突出する位置に移動させることにより、固定ピン１０２と可動ピン１０６との接触面に発生する樹脂バリ１１２を除去する工程（ｄ）とを備えている。 Further, the method of manufacturing the semiconductor device according to the first embodiment includes the step (a) of mounting the lead frame 105 on which the semiconductor element is mounted on the lower mold 104 and the step (a) of mounting the lead frame 105 on which the semiconductor element is mounted, The movable pin 106 is brought into contact with the fixed pin 102 by moving the movable pin 106 to a position protruding toward the upper die 101 side, and the runner 108 is interposed between the movable pin 106 and the cavity. A step (c) of injecting a stopper resin 107 to form a through hole 113 for screw fastening in the package 201 of the semiconductor device 200, moving the movable pin 106 to a position where it does not protrude toward the upper mold 101 side, and moving the movable pin 103 (d) of removing the resin burr 112 generated on the contact surface between the fixed pin 102 and the movable pin 106 by moving to a position protruding toward the lower mold 104 side.

したがって、上記のように、ネジ締結用の貫通孔１１３に発生した樹脂バリ１１２を除去する際に、パッケージ欠けが発生することを抑制できる。 Therefore, as described above, when removing the resin burr 112 generated in the through hole 113 for screw fastening, it is possible to suppress the occurrence of chipping of the package.

また、従来は、トランスファーモールド工程の後工程であるレジンカット工程で金型により樹脂バリ１１２を除去、またはめっき工程で水洗にて樹脂バリ１１２を除去していたが、トランスファーモールド工程内(半導体製造装置内)で、樹脂バリ１１２を除去した後、後工程に流すことができる。 Conventionally, the resin burrs 112 were removed by using a mold in the resin cutting process, which is a process after the transfer molding process, or by washing with water in the plating process. After removing the resin burrs 112 in the apparatus), the substrate can be sent to the post-process.

樹脂だまり１１５は、可動ピン１０６における固定ピン１０２に対向する面の中央部に形成された凹部１１６と、当該面の外周から凹部１１６に延びる、凹部１１６よりも深さが浅い複数の溝部１１７ａ，１１７ｂとを有する。 The resin reservoir 115 includes a recess 116 formed in the center of the surface of the movable pin 106 facing the fixed pin 102, and a plurality of grooves 117a shallower than the recess 116 extending from the outer circumference of the surface to the recess 116. 117b.

したがって、可動ピン１０３の先端面が樹脂バリ１１２における厚みの厚い部分に当接し、樹脂バリ１１２が除去しやすい形状となるため、パッケージ欠けが発生することをさらに抑制できる。 Therefore, the tip surface of the movable pin 103 abuts on the thick portion of the resin burr 112, and the shape of the resin burr 112 is such that the resin burr 112 can be easily removed.

複数の溝部１１７ａ，１１７ｂは凹部１１６に対して放射状に設けられたため、固定ピン１０２と可動ピン１０６との間にはみ出した封止樹脂１０７が流れ込む箇所を点在させることで、当該封止樹脂１０７を樹脂だまり１１５に効果的に溜めることができる。これにより、貫通孔１１３の内周に樹脂バリ１１２が発生することをさらに抑制できる。 Since the plurality of grooves 117 a and 117 b are provided radially with respect to the recess 116 , the portions where the sealing resin 107 protruding between the fixed pin 102 and the movable pin 106 flows are scattered, so that the sealing resin 107 can be effectively accumulated in the resin reservoir 115. Thereby, it is possible to further suppress the occurrence of resin burrs 112 on the inner periphery of through hole 113 .

複数の溝部１１７ａ，１１７ｂにおける外端部は、複数の溝部１１７ａ，１１７ｂにおける外端部以外の部分よりも深さが浅いため、樹脂バリ１１２がさらに除去しやすい形状となり、パッケージ欠けが発生することをさらに抑制できる。 Since the outer ends of the plurality of grooves 117a and 117b are shallower than the portions other than the outer ends of the plurality of grooves 117a and 117b, the resin burr 112 has a shape that makes it easier to remove, resulting in chipping of the package. can be further suppressed.

また、半導体製造装置は、可動ピン１０３および可動ピン１０６を共に複数備えているため、複数のネジ締結用貫通孔１１３を同時に形成することができる。なお、可動ピン１０３および可動ピン１０６は共に２つに限定されることなく、貫通孔１１３の個数に合わせて３つ以上設けられていてもよい。 In addition, since the semiconductor manufacturing apparatus has a plurality of movable pins 103 and a plurality of movable pins 106, a plurality of through holes 113 for screw fastening can be formed at the same time. The number of movable pins 103 and movable pins 106 is not limited to two, and three or more may be provided according to the number of through holes 113 .

また、上金型１０１と下金型１０４とで構成される金型は、内部に形成されるキャビティと連通するランナー１０８を備えたトランスファーモールド用金型である。封止樹脂１０７の射出圧により固定ピン１０２と可動ピン１０６との接触面に樹脂バリが発生しやすいトランスファーモールドに対して効果的である。 Also, the mold constituted by the upper mold 101 and the lower mold 104 is a transfer mold mold provided with a runner 108 communicating with a cavity formed therein. This is effective for transfer molding in which resin burrs are likely to occur on the contact surface between the fixed pin 102 and the movable pin 106 due to the injection pressure of the sealing resin 107 .

＜実施の形態２＞
次に、実施の形態２について説明する。図７は、実施の形態２に係る半導体装置２００の製造方法を示す断面図である。具体的には、図７（ａ）は、半導体製造装置において、リードフレーム１０５を下金型１０４に搭載する工程を示す断面図である。図７（ｂ）は、半導体製造装置において、可動ピン１０６を上金型１０１側に突出しない位置に移動させ、可動ピン１０３を下金型１０４側に突出する位置に移動させることにより、固定ピン１０２と可動ピン１０６との接触面に発生する樹脂バリ１１２を除去する工程を示す断面図である。図７（ｃ）は、半導体製造装置において、金型の型開きを実行する工程を示す断面図である。図８は、実施の形態２において金型を型開きする際の上金型１０１の固定ピン１０２周辺の断面図である。なお、実施の形態２において、実施の形態１で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。 <Embodiment 2>
Next, Embodiment 2 will be described. 7A and 7B are cross-sectional views showing a method for manufacturing the semiconductor device 200 according to the second embodiment. Specifically, FIG. 7A is a cross-sectional view showing a process of mounting a lead frame 105 on a lower die 104 in a semiconductor manufacturing apparatus. FIG. 7(b) shows a semiconductor manufacturing apparatus in which the movable pin 106 is moved to a position where it does not protrude toward the upper die 101 side, and the movable pin 103 is moved to a position where it protrudes toward the lower die 104 side. 10 is a cross-sectional view showing a process of removing resin burrs 112 generated on the contact surface between 102 and movable pin 106. FIG. FIG. 7C is a cross-sectional view showing a process of opening a mold in the semiconductor manufacturing apparatus. FIG. 8 is a sectional view around fixing pin 102 of upper die 101 when the die is opened in the second embodiment. In the second embodiment, the same components as those described in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

図７（ａ）～（ｃ）と図８に示すように、実施の形態２では、固定ピン１０２における可動ピン１０６側の端部は、可動ピン１０６に向かって細くなるテーパー形状を有しており、固定ピン１０２における可動ピン１０６側の端部以外の部分は円筒状である。これにより、金型を型開きする際に、固定ピン１０２における可動ピン１０６側の端部とパッケージ２０１との引っ掛かりを低減することができる。ここで、固定ピン１０２における可動ピン１０６側の端部のテーパー角は、想定されるモールド成型後のパッケージ反りに応じて設定されている。 As shown in FIGS. 7A to 7C and 8, in the second embodiment, the end of the fixed pin 102 on the movable pin 106 side has a tapered shape that narrows toward the movable pin 106. A portion of the fixed pin 102 other than the end on the movable pin 106 side is cylindrical. As a result, when the mold is opened, the end of the fixed pin 102 on the movable pin 106 side and the package 201 can be less likely to get caught. Here, the taper angle of the end portion of the fixed pin 102 on the side of the movable pin 106 is set according to the expected package warpage after molding.

以上のように、実施の形態２に係る半導体製造装置では、固定ピン１０２における可動ピン１０６側の端部は、可動ピン１０６に向かって細くなるテーパー形状を有しているため、金型を型開きする際に、上金型１０１に設けられた固定ピン１０２を抜きやすくすることができる。 As described above, in the semiconductor manufacturing apparatus according to the second embodiment, the end portion of the fixed pin 102 on the movable pin 106 side has a tapered shape that tapers toward the movable pin 106. When opening, the fixing pin 102 provided on the upper mold 101 can be easily pulled out.

特に大型のパッケージ２０１では、長手方向両端部に貫通孔１１３があるため、モールド成型後のパッケージ反りにより固定ピン１０２が抜きにくくなる場合があるが、実施の形態２の構造を設けたことで、貫通孔１１３に対する固定ピン１０２の引き抜き力(応力)によるダメージを抑制し、貫通孔１１３におけるパッケージ欠けを抑制できる。 Particularly in a large package 201, since there are through holes 113 at both ends in the longitudinal direction, it may be difficult to pull out the fixing pin 102 due to package warpage after molding. It is possible to suppress the damage caused by the pullout force (stress) of the fixing pin 102 with respect to the through hole 113 and suppress the chipping of the package in the through hole 113 .

＜実施の形態３＞
次に、実施の形態３について説明する。図９は、実施の形態３に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。図９（ａ）は、半導体製造装置において、リードフレーム１０５を下金型１０４に搭載する工程を示す断面図である。図９（ｂ）は、半導体製造装置において、可動ピン１０６を上金型１０１側に突出しない位置に移動させ、可動ピン１０３を下金型１０４側に突出する位置に移動させることにより、固定ピン１０２と可動ピン１０６との接触面に発生する樹脂バリ１１２を除去する工程を示す断面図である。図１０は、樹脂バリ１１２を除去する工程を示す拡大断面図である。なお、実施の形態３において、実施の形態１，２で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。 <Embodiment 3>
Next, Embodiment 3 will be described. FIG. 9 is a cross-sectional view showing the method for manufacturing a semiconductor device according to the third embodiment. FIG. 9(a) is a cross-sectional view showing a process of mounting a lead frame 105 on a lower die 104 in a semiconductor manufacturing apparatus. FIG. 9B shows a semiconductor manufacturing apparatus in which the movable pin 106 is moved to a position where it does not protrude toward the upper die 101 side, and the movable pin 103 is moved to a position where it protrudes toward the lower die 104 side. 10 is a cross-sectional view showing a process of removing resin burrs 112 generated on the contact surface between 102 and movable pin 106. FIG. FIG. 10 is an enlarged sectional view showing a step of removing resin burrs 112. As shown in FIG. In addition, in Embodiment 3, the same components as those described in Embodiments 1 and 2 are denoted by the same reference numerals, and descriptions thereof are omitted.

図９（ａ），（ｂ）と図１０に示すように、実施の形態３では、固定ピン１０２における可動ピン１０６側の端部は、可動ピン１０６に向かって細くなるテーパー形状を有しており、固定ピン１０２における可動ピン１０６側の端部以外の部分は円筒状である。可動ピン１０６における固定ピン１０２側の端部は、固定ピン１０２に向かって細くなるテーパー形状を有しており、可動ピン１０６における固定ピン１０２側の端部以外の部分は円柱状である。 As shown in FIGS. 9A, 9B, and 10, in the third embodiment, the end of the fixed pin 102 on the movable pin 106 side has a tapered shape that narrows toward the movable pin 106. A portion of the fixed pin 102 other than the end on the movable pin 106 side is cylindrical. The end of the movable pin 106 on the fixed pin 102 side has a tapered shape that tapers toward the fixed pin 102, and the portion of the movable pin 106 other than the end on the fixed pin 102 side is cylindrical.

また、可動ピン１０６における固定ピン１０２側の端部のテーパー角と、固定ピン１０２における可動ピン１０６側の端部のテーパー角は同じである。すなわち、可動ピン１０６における固定ピン１０２側の端部の直径は、固定ピン１０２における可動ピン１０６側の端部の直径と同じである。なお、直径が同じとは、完全に同じである場合だけではなく製造誤差などにより多少の違いがある場合も含むものとする。 Further, the taper angle of the end portion of the movable pin 106 on the fixed pin 102 side is the same as the taper angle of the end portion of the fixed pin 102 on the movable pin 106 side. That is, the diameter of the end of movable pin 106 on the fixed pin 102 side is the same as the diameter of the end of fixed pin 102 on the movable pin 106 side. It should be noted that the same diameter includes not only completely the same diameter but also a slight difference due to a manufacturing error or the like.

そのため、樹脂だまり１１５の平面視輪郭は、樹脂だまり１１５が形成される貫通孔１１３の長手方向中央部での平面視輪郭と同じ大きさであるが、それよりも下金型１０４側では貫通孔１１３の平面視輪郭よりも小さい。これにより、図１０に示すように、樹脂バリ１１２を除去する際、貫通孔１１３の内壁に接触させることなく樹脂バリ１１２を下金型１０４に落下させることができる。 Therefore, the outline of the resin reservoir 115 in plan view has the same size as the outline in plan view at the central portion in the longitudinal direction of the through hole 113 in which the resin reservoir 115 is formed. 113 is smaller than the plan view contour. Thereby, as shown in FIG. 10 , when removing the resin burr 112 , the resin burr 112 can be dropped onto the lower mold 104 without contacting the inner wall of the through hole 113 .

以上のように、実施の形態３に係る半導体製造装置では、可動ピン１０６における固定ピン１０２側の端部は、固定ピン１０２に向かって細くなるテーパー形状を有し、可動ピン１０６における固定ピン１０２側の端部の直径は、固定ピン１０２における可動ピン１０６側の端部の直径と同じである。 As described above, in the semiconductor manufacturing apparatus according to the third embodiment, the end portion of the movable pin 106 on the side of the fixed pin 102 has a tapered shape that tapers toward the fixed pin 102 . The diameter of the side end is the same as the diameter of the end of the fixed pin 102 on the movable pin 106 side.

したがって、樹脂バリ１１２を除去する際、貫通孔１１３の内壁に接触させることなく樹脂バリ１１２を下金型１０４に落下させることができるため、下金型１０４に落下した樹脂バリ１１２をエアーまたは吸引により金型から容易に除去することができる。 Therefore, when removing the resin burr 112, the resin burr 112 can be dropped onto the lower mold 104 without contacting the inner wall of the through hole 113. Therefore, the resin burr 112 dropped onto the lower mold 104 is removed by air or suction. can be easily removed from the mold by

＜実施の形態４＞
次に、実施の形態４について説明する。図１１は、実施の形態４に係る半導体製造装置の断面図である。図１２は、実施の形態４に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。なお、実施の形態４において、実施の形態１～３で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。 <Embodiment 4>
Next, Embodiment 4 will be described. FIG. 11 is a cross-sectional view of a semiconductor manufacturing apparatus according to Embodiment 4. FIG. FIG. 12 is a flow chart showing a method for manufacturing a semiconductor device according to the fourth embodiment. In Embodiment 4, the same components as those described in Embodiments 1 to 3 are denoted by the same reference numerals, and descriptions thereof are omitted.

実施の形態１～３では、トランスファーモールド方式による半導体製造装置および半導体装置の製造方法について説明を行ったが、実施の形態４は、半導体製造装置および半導体装置の製造方法にコンプレッションモールド方式を採用した例である。 In the first to third embodiments, the semiconductor manufacturing apparatus and the semiconductor device manufacturing method by the transfer molding method have been described, but in the fourth embodiment, the compression molding method is adopted for the semiconductor manufacturing apparatus and the semiconductor device manufacturing method. For example.

図１１に示すように、実施の形態４では、上金型１０１および下金型１０４とで構成される金型は、顆粒樹脂１２１を用いて成型を行うコンプレッションモールド用金型である。この金型には、封止樹脂１０７を注入するためのランナー１０８は設けられていない。 As shown in FIG. 11, in Embodiment 4, the mold composed of the upper mold 101 and the lower mold 104 is a compression mold mold that uses granular resin 121 for molding. This mold is not provided with a runner 108 for injecting the sealing resin 107 .

コンプレッションモールド方式は、下金型１０４の底部を構成する可動キャビティ１２０に配置された顆粒樹脂１２１を用いて成型を行う樹脂封止方式である。ここで、可動ピン１０３は、可動キャビティ１２０に形成された貫通孔１２０ａを介して上金型１０１側に突出しない位置と上金型１０１側に突出する位置との間で移動可能である。 The compression molding method is a resin sealing method in which molding is performed using granular resin 121 placed in a movable cavity 120 forming the bottom of the lower mold 104 . Here, the movable pin 103 is movable between a position where it does not protrude toward the upper mold 101 and a position where it protrudes toward the upper mold 101 through a through hole 120 a formed in the movable cavity 120 .

コンプレッションモールド方式では、例えば高熱伝導率を有する顆粒樹脂を可動キャビティ１２０に配置してパッケージ２０１の熱抵抗を低減し、低応力の特性を有する顆粒樹脂をさらに積層して配置することで、パッケージ２０１の反りを抑制できるなどの効果が得られる。 In the compression molding method, for example, granule resin having high thermal conductivity is arranged in the movable cavity 120 to reduce the thermal resistance of the package 201, and granule resin having low stress characteristics is further laminated and arranged to form the package 201. It is possible to obtain an effect such as suppressing the warpage of the wire.

次に、図１１と図１２を用いて、半導体装置２００の製造方法について説明する。最初に、下金型１０４の可動キャビティ１２０に顆粒樹脂１２１を配置する（ステップＳ１１）。 Next, a method for manufacturing the semiconductor device 200 will be described with reference to FIGS. 11 and 12. FIG. First, the granular resin 121 is placed in the movable cavity 120 of the lower mold 104 (step S11).

次に、半導体素子が搭載されたリードフレーム１０５を上金型１０１に搭載し、金型の型締め動作を実行する（ステップＳ１２）。下金型１０４を加熱して顆粒樹脂１２１を溶融させた状態で、可動キャビティ１２０を上金型１０１側に移動させる（ステップＳ１３）。 Next, the lead frame 105 with the semiconductor element mounted thereon is mounted on the upper mold 101, and the mold is clamped (step S12). With the lower mold 104 heated to melt the granular resin 121, the movable cavity 120 is moved toward the upper mold 101 (step S13).

次に、可動ピン１０３が下金型１０４側に突出しない位置にある状態で、可動ピン１０６を上金型１０１側に突出する位置に移動させることにより、可動ピン１０６を固定ピン１０２に接触させる（ステップＳ１４）。溶融した顆粒樹脂１２１により、半導体装置２００のパッケージ２０１を形成すると共に、半導体装置２００のパッケージ２０１にネジ締結用の貫通孔１１３を形成する（ステップＳ１５）。 Next, the movable pin 106 is brought into contact with the fixed pin 102 by moving the movable pin 106 to a position where it projects toward the upper mold 101 while the movable pin 103 is at a position where it does not project toward the lower mold 104 . (Step S14). The package 201 of the semiconductor device 200 is formed from the melted resin granules 121, and the through holes 113 for screw fastening are formed in the package 201 of the semiconductor device 200 (step S15).

次に、樹脂封止完了後における金型の型開き前に、可動ピン１０６を上金型１０１側に突出しない位置に移動させ、可動ピン１０３を下金型１０４側に突出する位置に移動させることにより、固定ピン１０２と可動ピン１０６との接触面に発生する樹脂バリ１１２を除去する（ステップＳ１６）。 Next, before the mold is opened after resin sealing is completed, the movable pin 106 is moved to a position where it does not project toward the upper mold 101 side, and the movable pin 103 is moved to a position where it projects toward the lower mold 104 side. Thereby, the resin burr 112 generated on the contact surface between the fixed pin 102 and the movable pin 106 is removed (step S16).

次に、金型の型開きを実行し、金型に残った樹脂バリ１１２、すなわち、ステップＳ１６において除去された樹脂バリ１１２をエアーまたは吸引により金型から除去する（ステップＳ１７）。ここで、ステップＳ１７での樹脂バリ１１２の除去は、自動金型清掃機構または手動のいずれかで実行される。 Next, the mold is opened, and the resin burrs 112 remaining on the mold, that is, the resin burrs 112 removed in step S16 are removed from the mold by air or suction (step S17). Here, the removal of resin burrs 112 in step S17 is performed either by an automatic mold cleaning mechanism or manually.

以上のように、実施の形態４に係る半導体装置の製造方法は、下金型１０４の底部を構成する可動キャビティ１２０に顆粒樹脂１２１を配置する工程（ｅ）と、半導体素子が搭載されたリードフレーム１０５を上金型１０１に搭載する工程（ｆ）と、下金型１０４を加熱して顆粒樹脂１２１を溶融させた状態で、可動キャビティ１２０を上金型１０１側に移動させる工程（ｇ）と、可動ピン１０３が下金型１０４側に突出しない位置にある状態で、可動ピン１０６を上金型１０１側に突出する位置に移動させることにより、可動ピン１０６を固定ピン１０２に接触させる工程（ｈ）と、溶融した顆粒樹脂１２１により、半導体装置２００のパッケージ２０１にネジ締結用の貫通孔１１３を形成する工程（ｉ）と、可動ピン１０６を上金型１０１側に突出しない位置に移動させ、可動ピン１０３を下金型１０４側に突出する位置に移動させることにより、固定ピン１０２と可動ピン１０６との接触面に発生する樹脂バリ１１２を除去する工程（ｊ）とを備えている。 As described above, the method of manufacturing a semiconductor device according to the fourth embodiment comprises the step (e) of placing resin granules 121 in movable cavity 120 forming the bottom of lower die 104, and A step (f) of mounting the frame 105 on the upper mold 101, and a step (g) of moving the movable cavity 120 to the upper mold 101 side while heating the lower mold 104 to melt the granular resin 121. and moving the movable pin 106 to a position where it projects toward the upper mold 101 in a state where the movable pin 103 does not project toward the lower mold 104, thereby bringing the movable pin 106 into contact with the fixed pin 102. (h), step (i) of forming through holes 113 for screw fastening in the package 201 of the semiconductor device 200 with the melted granular resin 121, and moving the movable pins 106 to a position where they do not protrude toward the upper mold 101 side. and a step (j) of removing the resin burrs 112 generated on the contact surface between the fixed pin 102 and the movable pin 106 by moving the movable pin 103 to a position projecting toward the lower mold 104 side. .

したがって、トランスファーモールド方式の場合と同様に、ネジ締結用の貫通孔１１３に発生した樹脂バリ１１２を除去する際に、パッケージ欠けが発生することを抑制できる。 Therefore, as in the case of the transfer molding method, when removing the resin burr 112 generated in the through hole 113 for screw fastening, it is possible to suppress the occurrence of chipping of the package.

実施の形態４に係る半導体製造装置では、上金型１０１および下金型１０４とで構成される金型は、顆粒樹脂１２１を用いて成型を行うコンプレッションモールド用金型である。トランスファーモールド方式では、金型にランナー１０８が設けられているため、ランナー１０８に封止樹脂１０７が残っていたが、コンプレッションモールド方式では、金型にランナー１０８が設けられていないため、ランナー１０８に残る封止樹脂１０７の分だけ封止樹脂１０７を削減することができる。これにより、半導体装置の製造コストを低減することができる。 In the semiconductor manufacturing apparatus according to the fourth embodiment, the mold composed of the upper mold 101 and the lower mold 104 is a compression mold for molding using the resin granules 121 . In the transfer molding method, runners 108 are provided on the mold, so the sealing resin 107 remains on the runners 108. However, in the compression molding method, the runners 108 are not provided on the mold, so the runners 108 are left with the sealing resin 107. The sealing resin 107 can be reduced by the remaining sealing resin 107 . Thereby, the manufacturing cost of the semiconductor device can be reduced.

ここで、実施の形態４に係る半導体製造装置においても、実施の形態２，３の場合と同様に、固定ピン１０２のみ、または固定ピン１０２と可動ピン１０６の両方がテーパー形状であってもよい。この場合、実施の形態２，３の場合と同様の効果が得られる。 Here, in the semiconductor manufacturing apparatus according to Embodiment 4, as in Embodiments 2 and 3, only fixed pin 102 or both fixed pin 102 and movable pin 106 may be tapered. . In this case, effects similar to those of the second and third embodiments are obtained.

なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。 In addition, within the scope of the invention, each embodiment can be freely combined, and each embodiment can be appropriately modified or omitted.

１０１ 上金型、１０２ 固定ピン、１０２ａ 貫通孔、１０３ 可動ピン、１０４ 下金型、１０５ リードフレーム、１０６ 可動ピン、１０７ 封止樹脂、１０８ ランナー、１１２ 樹脂バリ、１１３ 貫通孔、１１５ 樹脂だまり、１１６ 凹部、１１７ａ，１１７ｂ 溝部、１２０ 可動キャビティ、１２１ 顆粒樹脂、２００ 半導体装置、２０１ パッケージ、２０７ ＩＣチップ、２０８ パワートランジスタ。 101 upper mold, 102 fixed pin, 102a through hole, 103 movable pin, 104 lower mold, 105 lead frame, 106 movable pin, 107 sealing resin, 108 runner, 112 resin burr, 113 through hole, 115 resin pool, 116 concave portion, 117a, 117b groove portion, 120 movable cavity, 121 granular resin, 200 semiconductor device, 201 package, 207 IC chip, 208 power transistor.

Claims (11)

上金型と、
前記上金型と対向する下金型と、
前記上金型内の上面に設けられた、貫通孔を有する筒状の固定ピンと、
前記固定ピンの前記貫通孔を介して前記下金型側に突出しない位置と前記下金型側に突出する位置との間で移動可能な第１の可動ピンと、
前記下金型の底部における前記固定ピンと対向する位置に設けられ、前記上金型側に突出しない位置と前記上金型側に突出する位置との間で移動可能な第２の可動ピンと、を備え、
前記第２の可動ピンは、前記固定ピンに対向する面に形成され、当該面の外周に連通する凹形状の樹脂だまりを有する、半導体製造装置。 upper mold;
a lower mold facing the upper mold;
a cylindrical fixing pin having a through hole provided on the upper surface in the upper mold;
a first movable pin that is movable between a position that does not protrude toward the lower mold through the through hole of the fixed pin and a position that protrudes toward the lower mold;
a second movable pin provided at a position facing the fixed pin on the bottom of the lower mold and movable between a position that does not project toward the upper mold and a position that projects toward the upper mold; prepared,
The semiconductor manufacturing apparatus, wherein the second movable pin has a recessed resin reservoir formed on a surface facing the fixed pin and communicating with an outer circumference of the surface. 前記樹脂だまりは、前記第２の可動ピンにおける前記固定ピンに対向する面の中央部に形成された凹部と、当該面の外周から前記凹部に延びる、前記凹部よりも深さが浅い複数の溝部とを有する、請求項１に記載の半導体製造装置。 The resin pool includes a recess formed in the center of a surface of the second movable pin facing the fixed pin, and a plurality of grooves shallower than the recess and extending from the outer periphery of the surface to the recess. 2. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, comprising: 複数の前記溝部は前記凹部に対して放射状に設けられた、請求項２に記載の半導体製造装置。 3. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 2, wherein said plurality of grooves are provided radially with respect to said recess. 複数の前記溝部における外端部は、複数の前記溝部における前記外端部以外の部分よりも深さが浅い、請求項３に記載の半導体製造装置。 4. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 3, wherein outer end portions of said plurality of groove portions are shallower than portions of said plurality of groove portions other than said outer end portions. 前記固定ピンにおける前記第２の可動ピン側の端部は、前記第２の可動ピンに向かって細くなるテーパー形状を有する、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体製造装置。 5. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein an end portion of said fixed pin on the side of said second movable pin has a tapered shape that tapers toward said second movable pin. . 前記第２の可動ピンにおける前記固定ピン側の端部は、前記固定ピンに向かって細くなるテーパー形状を有し、
前記第２の可動ピンにおける前記固定ピン側の端部の直径は、前記固定ピンにおける前記第２の可動ピン側の端部の直径と同じである、請求項５に記載の半導体製造装置。 an end of the second movable pin on the fixed pin side has a tapered shape that narrows toward the fixed pin;
6. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 5, wherein the diameter of the end of said second movable pin on the side of said fixing pin is the same as the diameter of the end of said fixing pin on the side of said second movable pin. 前記第１の可動ピンおよび前記第２の可動ピンを共に複数備えた、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の半導体製造装置。 7. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, comprising a plurality of said first movable pins and said second movable pins. 前記上金型と前記下金型とで構成される金型は、内部に形成されるキャビティと連通するランナーを備えたトランスファーモールド用金型である、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の半導体製造装置。 8. The mold according to any one of claims 1 to 7, wherein the mold composed of the upper mold and the lower mold is a mold for transfer molding provided with a runner communicating with a cavity formed therein. 10. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1. 前記上金型および前記下金型とで構成される金型は、顆粒樹脂を用いて成型を行うコンプレッションモールド用金型である、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の半導体製造装置。 8. The semiconductor according to any one of claims 1 to 7, wherein the mold composed of the upper mold and the lower mold is a compression mold for molding using granular resin. manufacturing device. 請求項８に記載の半導体製造装置を用いた半導体装置の製造方法であって、
（ａ）半導体素子が搭載されたフレームを前記下金型に搭載する工程と、
（ｂ）前記第１の可動ピンが前記下金型側に突出しない位置にある状態で、前記第２の可動ピンを前記上金型側に突出する位置に移動させることにより、前記第２の可動ピンを前記固定ピンに接触させる工程と、
（ｃ）前記ランナーを介して前記キャビティ内に封止樹脂を注入し、前記半導体装置のパッケージにネジ締結用の貫通孔を形成する工程と、
（ｄ）前記第２の可動ピンを前記上金型側に突出しない位置に移動させ、前記第１の可動ピンを前記下金型側に突出する位置に移動させることにより、前記固定ピンと前記第２の可動ピンとの接触面に発生する樹脂バリを除去する工程と、
を備えた、半導体装置の製造方法。 A method for manufacturing a semiconductor device using the semiconductor manufacturing apparatus according to claim 8,
(a) mounting a frame on which a semiconductor element is mounted on the lower mold;
(b) moving the second movable pin to a position where it projects toward the upper mold while the first movable pin does not project toward the lower mold; bringing a movable pin into contact with the fixed pin;
(c) injecting a sealing resin into the cavity through the runner to form through holes for screw fastening in the package of the semiconductor device;
(d) moving the second movable pin to a position where it does not protrude toward the upper die and moving the first movable pin to a position where it protrudes toward the lower die, thereby a step of removing resin burrs generated on the contact surface with the movable pin of 2;
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: 請求項９に記載の半導体製造装置を用いた半導体装置の製造方法であって、
（ｅ）前記下金型の底部を構成する可動キャビティに前記顆粒樹脂を配置する工程と、
（ｆ）半導体素子が搭載されたフレームを前記上金型に搭載する工程と、
（ｇ）前記下金型を加熱して前記顆粒樹脂を溶融させた状態で、前記可動キャビティを前記上金型側に移動させる工程と、
（ｈ）前記第１の可動ピンが前記下金型側に突出しない位置にある状態で、前記第２の可動ピンを前記上金型側に突出する位置に移動させることにより、前記第２の可動ピンを前記固定ピンに接触させる工程と、
（ｉ）溶融した前記顆粒樹脂により、前記半導体装置のパッケージにネジ締結用の貫通孔を形成する工程と、
（ｊ）前記第２の可動ピンを前記上金型側に突出しない位置に移動させ、前記第１の可動ピンを前記下金型側に突出する位置に移動させることにより、前記固定ピンと前記第２の可動ピンとの接触面に発生する樹脂バリを除去する工程と、
を備えた、半導体装置の製造方法。 A method for manufacturing a semiconductor device using the semiconductor manufacturing apparatus according to claim 9,
(e) placing the resin granules in a movable cavity forming the bottom of the lower mold;
(f) mounting a frame on which a semiconductor element is mounted on the upper mold;
(g) moving the movable cavity toward the upper mold while heating the lower mold to melt the resin granules;
(h) moving the second movable pin to a position where it projects toward the upper mold while the first movable pin does not project toward the lower mold; bringing a movable pin into contact with the fixed pin;
(i) forming through-holes for screw fastening in the package of the semiconductor device with the molten resin granules;
(j) moving the second movable pin to a position where it does not protrude toward the upper die and moving the first movable pin to a position where it protrudes toward the lower die, thereby a step of removing resin burrs generated on the contact surface with the movable pin of 2;
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising:
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