JP7161994B2 - ピクセルの受動マトリクスを包含する能動的熱パターン・センサ - Google Patents
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Description
- 下側電極と上側電極の間に配される焦電材料の少なくとも1つの部分によって形成され、それにおいて下側および上側のうちの第1の電極がピクセルの読み出し電極に対応する焦電キャパシタンスと、
- 前記ピクセルの焦電キャパシタンスの焦電材料の部分を、前記ピクセルの焦電キャパシタンスによる熱パターンの測定中に加熱可能な加熱素子と、
を含み、それにおいては、
- ピクセルの各行について、前記行のピクセルの加熱素子が、前記行のピクセルの焦電材料の部分を、ほかの行のピクセルの加熱素子とは独立して加熱することが可能であり、かつ
- ピクセルの各列について、前記列の各ピクセルの読み出し電極が、前記列のピクセルの焦電材料の部分と接触している少なくとも1つの第1の導電性部材によって互いに電気的に接続され、かつ形成され、かつほかの列のピクセルの読み出し電極を形成する第1の導電性部材とは明確に区別される。
- 各ピクセル内において、下側および上側のうちの第2の電極が、加熱素子とは明確に区別されるピクセルのバイアス印加電極に対応し、かつ
- ピクセルの各行内において、前記行のピクセルの加熱素子およびバイアス印加電極が、前記行のピクセルの焦電材料の部分の上または下に並置されて配列される。
- 各ピクセルの下側および上側のうちの第2の電極が、マトリクスのすべてのピクセルに共通する第2の導電性の層によって形成され、かつ基準電位と電気的に接続されることが可能であり、
- ピクセルの各行内において、少なくとも1つの第2の導電性部材が、ピクセルの加熱素子を形成し得る。
- 各ピクセルについて、下側電極と上側電極の間に配される焦電材料の少なくとも1つの部分によって形成される焦電キャパシタンスであって、それにおいて下側および上側のうちの第1の電極がピクセルの読み出し電極に対応する焦電キャパシタンスを製造するステップと、
- 前記ピクセルの焦電キャパシタンスの焦電材料の部分を、前記ピクセルの焦電キャパシタンスによる熱パターンの測定中に加熱可能な加熱素子を製造するステップと、
の実施を含み、それにおいて、
- ピクセルの各行について、前記行のピクセルの加熱素子が、前記行のピクセルの焦電材料の部分を、ほかの行のピクセルの加熱素子とは独立して加熱することが可能であり、かつ
- ピクセルの各列について、前記列の各ピクセルの読み出し電極が、前記列のピクセルの焦電材料の部分と接触している少なくとも1つの第1の導電性部材によって互いに電気的に接続され、かつ形成され、かつほかの列のピクセルの読み出し電極を形成する第1の導電性部材とは明確に区別される。
ΔQ=S.γ.ΔT
(C+Cp).ΔV=ΔQ=S.γ.ΔT
ΔQ/ζ=(S.γ.ΔT)/ζ
ζは、ピクセルによって測定が実行される間の積分時間に対応する。その種の電流読み出しは、第1にキャパシタンス、特に寄生キャパシタンスの値に不感であるという利点を有する。
Claims (13)
- いくつかのピクセル(102)の行および列のマトリクスを包含する熱パターン・センサ(100)であって、各ピクセル(102)は、少なくとも、
- 下側電極(108,112)と上側電極(110,114,130,145)の間に配される焦電材料の少なくとも1つの部分(106)によって形成される焦電キャパシタンスであって、前記下側電極(108,112)および上側電極(110,114,130,145)の一方が前記ピクセル(102)の読み出し電極に対応する、焦電キャパシタンスと、
- 前記ピクセル(102)の前記焦電キャパシタンスの前記焦電材料の部分(106)を、前記ピクセル(102)の前記焦電キャパシタンスによる熱パターンの測定中に加熱可能な加熱素子(116,130,145)と、
を含み、
- ピクセル(102)の各行について、前記行の前記ピクセル(102)の前記加熱素子(116,130,145)が、前記行の前記ピクセル(102)の前記焦電材料の部分(106)を、ほかの行の前記ピクセル(102)の前記加熱素子(116,130,145)とは独立して加熱することが可能であり、かつ
- ピクセル(102)の各列について、前記列の各ピクセル(102)の前記読み出し電極が、ピクセル(102)の前記列の全長にわたって延びており、また前記列の前記ピクセル(102)の前記焦電材料の部分(106)と接触しておりかつほかの列の前記ピクセル(102)の読み出し電極を形成する第1の導電性部材(112)とは明確に区別される、同一の第1の導電性部材(112)によって互いに電気的に接続され、かつ形成される、
熱パターン・センサ(100)。 - - 各ピクセル(102)内において、前記下側電極および上側電極の他方が、前記加熱素子(116)とは明確に区別される前記ピクセル(102)のバイアス印加電極(114)に対応し、かつ
- ピクセル(102)の各行内において、前記行の前記ピクセル(102)の前記加熱素子(116)および前記バイアス印加電極(114)が、前記行の前記ピクセル(102)の前記焦電材料の部分(106)の上または下に並置されて配列される、
請求項1に記載の熱パターン・センサ(100)。 - ピクセル(102)の各行内において、少なくとも1つの第2の導電性部材(130)が、前記行の前記ピクセル(102)のそれぞれの前記加熱素子と前記下側電極および上側電極の他方との両方を形成する、請求項1に記載の熱パターン・センサ(100)。
- さらに、前記マトリクスの各ピクセル(102)の前記上側電極を覆う誘電体層および前記誘電体層の上に配される第1の導電性の層を包含する、請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の熱パターン・センサ(100)。
- - 各ピクセル(102)の前記下側電極および上側電極の他方が、前記マトリクスのすべての前記ピクセル(102)に共通する第2の導電性の層(138)によって形成され、かつ基準電位と電気的に接続されることが可能であり、
- ピクセル(102)の各行内において、少なくとも1つの第2の導電性部材(130)が、前記ピクセル(102)の前記加熱素子を形成する、
請求項1に記載の熱パターン・センサ(100)。 - 前記第2の導電性の層(138)は、前記加熱素子(130)と前記読み出し電極(112)の間に配される、請求項5に記載の熱パターン・センサ(100)。
- 各第2の導電性部材(130)は、各ピクセル(102)内に、前記第2の導電性部材(130)の残りの部分より電気抵抗が大きい部分を包含する、請求項3、5、および6のいずれか一項に記載の熱パターン・センサ(100)。
- ピクセル(102)の各行について、前記行の各ピクセル(102)の前記加熱素子(116,130)は、ピクセル(102)のほかの行の前記加熱素子から明確に区別される少なくとも1つの第2の導電性部材によって互いに電気的に接続され、かつ形成され、前記行の前記ピクセル(102)のすべての焦電材料の部分(106)を同時に加熱可能である、請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の熱パターン・センサ(100)。
- 前記読み出し電極は、前記ピクセル(102)の前記下側電極に対応する、請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の熱パターン・センサ(100)。
- 前記読み出し電極は、前記ピクセル(102)の前記上側電極に対応する、請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の熱パターン・センサ(100)。
- 前記加熱素子のそれぞれは、いくつかの重ね合わされた導電性部材(150,152,156)を包含する、請求項1から請求項10のいずれか一項に記載の熱パターン・センサ(100)。
- いくつかのピクセル(102)の行および列のマトリクスを包含する熱パターン・センサ(100)を製造する方法であって、少なくとも、
- 各ピクセル(102)について、下側電極(108,112)と上側電極(110,114,130,145)の間に配される焦電材料の少なくとも1つの部分(106)によって形成される焦電キャパシタンスであって、前記下側電極(108,112)および上側電極(110,114,130,145)の一方が前記ピクセル(102)の読み出し電極に対応する、焦電キャパシタンスを製造するステップと、
- 前記ピクセル(102)の前記焦電キャパシタンスの前記焦電材料の部分(106)を、前記ピクセル(102)の前記焦電キャパシタンスによる熱パターンの測定中に加熱可能な加熱素子(116,130,145)を製造するステップと、
の実施を含み、
- ピクセル(102)の各行について、前記行の前記ピクセル(102)の前記加熱素子(116,130,145)が、前記行の前記ピクセル(102)の前記焦電材料の部分(106)を、ほかの行の前記ピクセル(102)の前記加熱素子(116,130,145)とは独立して加熱することが可能であり、かつ
- ピクセル(102)の各列について、前記列の各ピクセル(102)の前記読み出し電極が、ピクセル(102)の前記列の全長にわたって延びており、また前記列の前記ピクセル(102)の前記焦電材料の部分(106)と接触しておりかつほかの列の前記ピクセル(102)の読み出し電極を形成する第1の導電性部材(112)とは明確に区別される、同一の第1の導電性部材(112)によって互いに電気的に接続され、かつ形成される、
熱パターン・センサ(100)を製造する方法。 - 前記ピクセル(102)の前記下側電極(108)および/または前記ピクセル(102)の前記上側電極(110)および/または前記ピクセル(102)の前記加熱素子(116,130,145)の前記製造は、少なくとも1つの導電性材料のプリントによる少なくとも1つの堆積の実施を包含する、請求項12に記載の方法。
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FR3085078B1 (fr) | 2018-08-16 | 2020-07-17 | Idemia Identity & Security France | Procede de fabrication d'une matrice de pixels d'un capteur de motif thermique et capteur associe |
WO2020074075A1 (en) * | 2018-10-10 | 2020-04-16 | Joanneum Research Forschungsgesellschaft Mbh | Piezoelectric sensor |
FR3087533B1 (fr) * | 2018-10-19 | 2020-10-09 | Commissariat Energie Atomique | Capteur pyroelectrique avec revetement ameliore de resistance contre l'abrasion. |
FR3098905B1 (fr) | 2019-07-18 | 2022-05-20 | Commissariat Energie Atomique | Capteur et procede de capture de motif thermique a double integration |
FR3098906B1 (fr) | 2019-07-18 | 2021-06-18 | Idemia Identity & Security France | Matrice de pixels d'un capteur de motif thermique, capteur associé avec lignes de chauffe en serpentin |
FR3108756B1 (fr) | 2020-03-30 | 2022-04-01 | Commissariat Energie Atomique | Capteur de motif thermique |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001235364A (ja) | 1999-12-17 | 2001-08-31 | Matsushita Electric Works Ltd | 焦電型赤外線検知素子 |
JP2002269548A (ja) | 2001-03-12 | 2002-09-20 | Glory Ltd | 指紋センサ、指紋照合装置および指紋センサの製造方法 |
JP4137676B2 (ja) | 2003-03-19 | 2008-08-20 | 新日鉄エンジニアリング株式会社 | コークス乾式消火設備のガス出口フリュー部構造 |
WO2016051087A1 (fr) | 2014-10-03 | 2016-04-07 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Capteur d'empreintes digitales ou palmaires |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4394773A (en) | 1980-07-21 | 1983-07-19 | Siemens Corporation | Fingerprint sensor |
US4429413A (en) | 1981-07-30 | 1984-01-31 | Siemens Corporation | Fingerprint sensor |
FR2621757A1 (fr) * | 1987-10-09 | 1989-04-14 | Thomson Csf | Reseau neuronal programmable a polymere ferroelectrique |
FR2656689A1 (fr) * | 1989-12-29 | 1991-07-05 | Philips Electronique Lab | Element detecteur pyroelectrique et dispositifs pour la detection de phenomenes thermiques. |
NO951427D0 (no) | 1995-04-11 | 1995-04-11 | Ngoc Minh Dinh | Fremgangsmåte og anordning for måling av mönster i en delvis varmeledende overflate |
FR2749955B1 (fr) | 1996-06-14 | 1998-09-11 | Thomson Csf | Systeme de lecture d'empreintes digitales |
FR2755526B1 (fr) * | 1996-11-05 | 1999-01-22 | Thomson Csf | Systeme de lecture d'empreintes digitales avec resistances de chauffage integrees |
CA2293118A1 (en) * | 1999-12-24 | 2001-06-24 | Francis Picard | Bolometric fingerprint sensor |
DE10222616A1 (de) * | 2002-05-17 | 2003-12-04 | Univ Albert Ludwigs Freiburg | Fingerabdruck-Verifikationsmodul |
JP2004317403A (ja) * | 2003-04-18 | 2004-11-11 | Alps Electric Co Ltd | 面圧分布センサ |
US7173842B2 (en) * | 2004-03-31 | 2007-02-06 | Intel Corporation | Metal heater for in situ heating and crystallization of ferroelectric polymer memory film |
US20080220557A1 (en) * | 2007-03-06 | 2008-09-11 | Atmel Corporation | Sensor manufacture with data storage |
FR2959657B1 (fr) * | 2010-05-06 | 2012-06-22 | Commissariat Energie Atomique | Transducteur de variation temporelle de température, puce électronique incorporant ce transducteur et procédé de fabrication de cette puce |
JP5585241B2 (ja) * | 2010-06-25 | 2014-09-10 | セイコーエプソン株式会社 | 焦電型検出器、焦電型検出装置及び電子機器 |
US10036734B2 (en) * | 2013-06-03 | 2018-07-31 | Snaptrack, Inc. | Ultrasonic sensor with bonded piezoelectric layer |
FR3044407B1 (fr) | 2015-11-30 | 2020-05-22 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Capteur de motif thermique |
FR3046277B1 (fr) | 2015-12-23 | 2018-02-16 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Procede pour reconnaitre une fausse empreinte papillaire par eclairage structure |
FR3046275B1 (fr) | 2015-12-23 | 2018-12-07 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Capteur d'empreintes a eclairage oled |
FR3054697B1 (fr) | 2016-07-29 | 2019-08-30 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Procede de capture de motif thermique a chauffage optimise des pixels |
FR3054696B1 (fr) | 2016-07-29 | 2019-05-17 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Capteur de motif thermique a elements chauffants mutualises |
FR3063163B1 (fr) | 2017-02-21 | 2021-10-08 | Commissariat Energie Atomique | Capteur d'empreinte a led au nitrure de gallium. |
FR3064112B1 (fr) | 2017-03-16 | 2021-06-18 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif imageur optique |
FR3069354B1 (fr) | 2017-07-24 | 2019-08-30 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Capteur thermique avec deux portions pyroelectriques superposees, pour la mesure d'un differentiel de charges |
FR3073651B1 (fr) | 2017-11-13 | 2022-01-21 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'un empilement de couches pour un capteur thermique matriciel. |
-
2016
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001235364A (ja) | 1999-12-17 | 2001-08-31 | Matsushita Electric Works Ltd | 焦電型赤外線検知素子 |
JP2002269548A (ja) | 2001-03-12 | 2002-09-20 | Glory Ltd | 指紋センサ、指紋照合装置および指紋センサの製造方法 |
JP4137676B2 (ja) | 2003-03-19 | 2008-08-20 | 新日鉄エンジニアリング株式会社 | コークス乾式消火設備のガス出口フリュー部構造 |
WO2016051087A1 (fr) | 2014-10-03 | 2016-04-07 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Capteur d'empreintes digitales ou palmaires |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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