JP7156432B2 - Position detection device, lens module and imaging device - Google Patents
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Description
本発明は、磁気センサを備えた位置検出装置、レンズモジュールおよび撮像装置に関する。 The present invention relates to a position detection device, a lens module, and an imaging device having a magnetic sensor.
これまでに、磁気センサを用いた位置検出装置が提案されている。本出願人は、例えば位置検出装置を備えたカメラモジュールを提案している(例えば特許文献1参照)。このカメラモジュールでは、位置検出装置が、焦点合わせを行う際に移動するレンズの位置検出を行うようになっている。また、レンズ保持部材の移動位置を検知する位置検知磁石と磁気検知部材とを有するレンズ駆動装置も提案されている(例えば特許文献2参照)。
Position detection devices using magnetic sensors have been proposed so far. The applicant of the present application has proposed, for example, a camera module provided with a position detection device (see
ところで、磁気センサを用いた位置検出装置に対しては、より高い位置検出精度を有することが求められている。 By the way, a position detection device using a magnetic sensor is required to have higher position detection accuracy.
したがって、高い検出精度を発現することのできる位置検出装置を提供することが望まれる。 Therefore, it is desired to provide a position detection device capable of exhibiting high detection accuracy.
本発明の一実施態様としての位置検出装置は、磁気センサと、第1の磁界発生部と、第2の磁界発生部とを有する。第1の磁界発生部は、第1の方向において互いに離間して配置された第1の磁石および第2の磁石を含んで第1の磁界を発生する。第2の磁界発生部は、第2の磁界を発生し、第1の磁界発生部および磁気センサに対し第1の方向と直交する第2の方向に沿って移動可能に設けられている。第1の方向において、磁気センサの中心位置は第1の磁石と第2の磁石との間の領域のうちの第1の磁石と第2の磁石との中間位置以外の位置にある。磁気センサは、第2の方向と直交する平面に沿った第1の磁界と平面に沿った第2の磁界とが合成された検出対象磁界の方向に対応した検出信号を生成し、第2の磁界発生部の位置の変化を検出可能である。 A position detection device as an embodiment of the present invention has a magnetic sensor, a first magnetic field generator, and a second magnetic field generator. The first magnetic field generator includes a first magnet and a second magnet spaced apart from each other in a first direction and generates a first magnetic field. The second magnetic field generator generates a second magnetic field, and is provided movably along a second direction perpendicular to the first direction with respect to the first magnetic field generator and the magnetic sensor. In the first direction, the center position of the magnetic sensor is at a position other than the middle position between the first magnet and the second magnet in the area between the first magnet and the second magnet. The magnetic sensor generates a detection signal corresponding to the direction of a detection target magnetic field obtained by synthesizing a first magnetic field along a plane perpendicular to the second direction and a second magnetic field along the plane, A change in the position of the magnetic field generator can be detected.
本発明の一実施態様としてのレンズモジュールは、磁気センサと、第1の磁界発生部と、第2の磁界発生部と、レンズとを有する。第1の磁界発生部は、第1の方向において互いに離間して配置された第1の磁石および第2の磁石を含んで第1の磁界を発生する。第2の磁界発生部は、第2の磁界を発生し、第1の磁界発生部および磁気センサに対し第1の方向と直交する第2の方向に沿って移動可能に設けられている。レンズは、前記第2の磁界発生部と連動して、前記第1の磁界発生部および前記磁気センサに対し前記第2の方向に沿って移動可能に設けられている。第1の方向において、磁気センサの中心位置は第1の磁石と第2の磁石との間の領域のうちの第1の磁石と第2の磁石との中間位置以外の位置にある。磁気センサは、第2の方向と直交する平面に沿った第1の磁界と平面に沿った第2の磁界とが合成された検出対象磁界の方向に対応した検出信号を生成し、第2の磁界発生部の位置の変化を検出可能である。 A lens module as one embodiment of the present invention includes a magnetic sensor, a first magnetic field generator, a second magnetic field generator, and a lens. The first magnetic field generator includes a first magnet and a second magnet spaced apart from each other in a first direction and generates a first magnetic field. The second magnetic field generator generates a second magnetic field, and is provided movably along a second direction perpendicular to the first direction with respect to the first magnetic field generator and the magnetic sensor. A lens is provided movably along the second direction with respect to the first magnetic field generator and the magnetic sensor in conjunction with the second magnetic field generator. In the first direction, the center position of the magnetic sensor is at a position other than the middle position between the first magnet and the second magnet in the area between the first magnet and the second magnet. The magnetic sensor generates a detection signal corresponding to the direction of a detection target magnetic field obtained by synthesizing a first magnetic field along a plane perpendicular to the second direction and a second magnetic field along the plane, A change in the position of the magnetic field generator can be detected.
本発明の一実施態様としての撮像装置は、撮像素子と、レンズモジュールとを有する。レンズモジュールは、磁気センサと、第1の磁界発生部と、第2の磁界発生部と、レンズとを有する。第1の磁界発生部は、第1の方向において互いに離間して配置された第1の磁石および第2の磁石を含んで第1の磁界を発生する。第2の磁界発生部は、第2の磁界を発生し、第1の磁界発生部および磁気センサに対し第1の方向と直交する第2の方向に沿って移動可能に設けられている。レンズは、前記第2の磁界発生部と連動して、前記第1の磁界発生部および前記磁気センサに対し前記第2の方向に沿って移動可能に設けられている。第1の方向において、磁気センサの中心位置は第1の磁石と第2の磁石との間の領域のうちの第1の磁石と第2の磁石との中間位置以外の位置にある。磁気センサは、第2の方向と直交する平面に沿った第1の磁界と平面に沿った第2の磁界とが合成された検出対象磁界の方向に対応した検出信号を生成し、第2の磁界発生部の位置の変化を検出可能である。 An imaging device as an embodiment of the present invention has an imaging element and a lens module. The lens module has a magnetic sensor, a first magnetic field generator, a second magnetic field generator, and a lens. The first magnetic field generator includes a first magnet and a second magnet spaced apart from each other in a first direction and generates a first magnetic field. The second magnetic field generator generates a second magnetic field, and is provided movably along a second direction perpendicular to the first direction with respect to the first magnetic field generator and the magnetic sensor. A lens is provided movably along the second direction with respect to the first magnetic field generator and the magnetic sensor in conjunction with the second magnetic field generator. In the first direction, the center position of the magnetic sensor is at a position other than the middle position between the first magnet and the second magnet in the area between the first magnet and the second magnet. The magnetic sensor generates a detection signal corresponding to the direction of a detection target magnetic field obtained by synthesizing a first magnetic field along a plane perpendicular to the second direction and a second magnetic field along the plane, A change in the position of the magnetic field generator can be detected.
本発明の一実施態様としての位置検出装置によれば、高い検出精度を発現することができる。 According to the position detection device as one embodiment of the present invention, high detection accuracy can be achieved.
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
1.一実施の形態
レンズを駆動するための第1の磁界を発生する第1の磁界発生部と、第2の磁界を発生すると共にレンズと一体に移動する第2の磁界発生部と、レンズの位置検出を行うための磁気センサとを有するレンズモジュールを備えた撮像装置の例。
2.変形例
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The description will be given in the following order.
1. One Embodiment A first magnetic field generator that generates a first magnetic field for driving a lens, a second magnetic field generator that generates a second magnetic field and moves integrally with the lens, and the position of the lens An example of an imaging device with a lens module having a magnetic sensor for detection.
2. Modification
<1.一実施の形態>
[撮像装置100の構成]
最初に、図1および図2を参照して、本発明における一実施の形態としての撮像装置100の構成について説明する。
<1. one embodiment>
[Configuration of imaging device 100]
First, referring to FIGS. 1 and 2, the configuration of an
図1は、撮像装置100の全体構成例を表す斜視図である。図2は、撮像装置100の内部を模式的に示す説明図である。なお、図2では、理解を容易にするために、撮像装置100の各構成要素を、図1に示した対応する各構成要素とは異なる寸法および配置で描いている。
FIG. 1 is a perspective view showing an example of the overall configuration of an
撮像装置100は、例えば、光学式手振れ補正機構とオートフォーカス機構とを備えたスマートフォン用のカメラの一部を構成する。撮像装置100は、例えば、CMOS等を用いて画像を取得する撮像素子としてのイメージセンサ200と、被写体からの光をイメージセンサ200に導くレンズモジュール300とを備えている。
The
[レンズモジュール300の構成]
レンズモジュール300は、本発明の一実施の形態に係る位置検出装置1と、駆動装置3と、レンズ5と、筐体6と、基板7とを有している。位置検出装置1は、磁気式の位置検出装置であり、被写体から入射した光(以下、単に入射光)がイメージセンサ200の撮像面に結像するように、入射光の焦点合わせを自動的に行う際にレンズ5の位置を検出するものである。駆動装置3は、入射光の焦点合わせを行うためにレンズ5を移動させるものである。筐体6は、位置検出装置1および駆動装置3などを収容し、それらを保護するようになっている。基板7は、上面7aを有している。上面7aは、本発明の「平面」に対応する一具体例である。なお、図1では基板7を省略し、図2では筐体6を省略している。
[Configuration of lens module 300]
The
ここで、図1および図2に示したように、U軸、V軸およびZ軸を定義する。U軸、V軸およびZ軸は、互いに直交している。本実施の形態では、Z軸が基板7の上面7aに対し垂直であり、U軸およびV軸は、いずれも、基板7の上面7aに対して平行である。さらに、本実施の形態では、+Z方向を上方向とし、-Z方向を下方向とする。
また、本実施の形態における+Z方向および-Z方向、すなわち、Z軸に平行な方向が本発明の「第2の方向」に対応する一具体例である。
Here, as shown in FIGS. 1 and 2, the U-axis, V-axis and Z-axis are defined. The U-axis, V-axis and Z-axis are orthogonal to each other. In this embodiment, the Z-axis is perpendicular to the
Also, the +Z direction and the −Z direction in the present embodiment, that is, the direction parallel to the Z axis, is a specific example corresponding to the “second direction” of the invention.
(レンズ5)
レンズ5は、その光軸方向がZ軸と一致するような姿勢で、基板7の上面7aの上方に配置されている。また、基板7は、レンズ5を通過した光を通過させる開口部7Kを有している。図2に示したように、レンズモジュール300は、レンズ5と基板7の開口部7Kとを順次通過した被写体からの光がイメージセンサ200に入射されるように、イメージセンサ200に対して位置合わせされている。
(lens 5)
The
(位置検出装置1および駆動装置3)
次に、図2~図5を参照して、本実施の形態に係る位置検出装置1および駆動装置3について詳細に説明する。図3は、レンズモジュール300のうちの位置検出装置1および駆動装置3を示す斜視図である。図4は、駆動装置3の複数のコイル41~46を示す斜視図である。図5は、駆動装置3の要部を示す側面図である。
(
Next, the
位置検出装置1は、第1の保持部材14と、第2の保持部材15と、複数の第1のワイヤ16と、複数の第2のワイヤ17とを有している。第2の保持部材15は、レンズ5を保持するものである。第2の保持部材15は、例えば、その内部にレンズ5を装着できるように構成された筒状の形状を有している。なお、位置検出装置1は、第1のワイヤ16および第2のワイヤ17を有しなくともよい。
The
第2の保持部材15は、第1の保持部材14に対しレンズ5の光軸方向、すなわちZ軸方向に沿って移動可能に設けられている。本実施の形態では、第1の保持部材14は、その内部にレンズ5と第2の保持部材15とを収容できるように構成された箱状の形状を有している。複数の第2のワイヤ17は、第1の保持部材14と第2の保持部材15とを接続し、第2の保持部材15が第1の保持部材14に対してZ軸方向に移動できるように、第2の保持部材15を支持している。
The second holding
第1の保持部材14は、基板7の上面7aの上方において、基板7に対してU軸方向およびV軸方向の双方に移動可能に設けられている。複数の第1のワイヤ16は、基板7と第1の保持部材14とを接続しつつ、第1の保持部材14が基板7に対してU軸方向およびV軸方向に移動できるように第1の保持部材14を支持している。基板7に対する第1の保持部材14の相対的な位置が変化すると、基板7に対する第2の保持部材15の相対的な位置も変化する。
The first holding
位置検出装置1は、第1の磁界MF1を発生する第1の磁界発生部11と、第2の磁界MF2を発生する第2の磁界発生部12と、磁気センサ20とをさらに有している。第1の磁界発生部11は、互いに異なる位置に離間して配置された第1の磁石および第2の磁石を含んでいる。具体的には、第1の磁界発生部11は、上記した第1の磁石および第2の磁石として、基板7の上面7aに沿って磁気センサ20を挟むように配置された磁石31Aおよび磁石34Aを有している。なお、磁石31Aおよび磁石34Aは、駆動装置3を構成する要素でもある。第1の磁界MF1は、磁石31Aおよび磁石34Aがそれぞれ発生する磁界が合成された磁界である。磁石31Aおよび磁石34Aは、第1の磁性材料を主成分としており、例えば直方体形状をなしている。第1の磁性材料としては、例えばNdFeBなどのネオジム系磁石材料が挙げられる。磁石31Aおよび磁石34Aは、第1の残留磁束密度の温度係数を有している。磁石31Aおよび磁石34Aは、第1の保持部材14に固定されている。すなわち、第1の磁界発生部11は、第1の保持部材14によって保持されている。磁石31Aおよび磁石34Aは、レンズ5を保持する第2の保持部材15をZ軸に沿って移動させる駆動力を発生する駆動用磁石である。さらに、磁石31Aおよび磁石34Aは、磁気センサ20にバイアスを印加するためのバイアス磁石であってもよい。
The
図3に示したように、磁石31Aは、磁石31Aの+U方向の端に位置する端面31A1を有している。磁石34Aは、磁石34Aの-V方向の端に位置する端面34A1を有している。
As shown in FIG. 3, the
第2の磁界発生部12は、第1の磁界発生部11に対する相対的な位置が変化可能に設けられている。第2の磁界発生部12は、例えば磁石13を有している。したがって、第2の磁界MF2は磁石13が発生する磁界である。磁石13は、第1の磁性材料と異なる第2の磁性材料を主成分としており、例えば磁石31Aおよび磁石34Aと同様に直方体形状を有している。但し、磁石13の形状は、磁石31Aおよび磁石34Aの形状と異なる。第2の磁性材料としては、例えばNdFeBなどのネオジム系磁石材料が挙げられる。あるいは、第2の磁性材料としてSmCoを用いてもよい。磁石13は、第2の残留磁束密度の温度係数を有しているとよい。ここで、磁石13が有する第2の残留磁束密度の温度係数の絶対値は、磁石31Aおよび磁石34Aが有する第1の残留磁束密度の温度係数の絶対値よりも小さいことが望ましい。磁石13は、レンズ5を保持する第2の保持部材15の位置検出を行うための第2の磁界MF2を発生する位置検出用磁石である。
The second
また、磁石13は、磁石31Aの端面31A1(図3)および磁石34Aの端面34A1(図3)の近傍の空間に位置するように、第2の保持部材15に固定されている。すなわち、第2の磁界発生部12は、第2の保持部材15によって保持されている。第1の保持部材14に対する第2の保持部材15の相対的な位置がZ軸方向に沿って変化すると、第1の磁界発生部11に対する第2の磁界発生部12の相対的な位置もZ軸方向に沿って変化するようになっている。
磁気センサ20は、それが配置された所定の検出位置における検出対象磁界MFを検出し、検出対象磁界MFの方向に対応した検出信号を生成する。磁気センサ20は、磁石31Aの端面31A1および磁石34Aの端面34A1の双方の近傍に位置するように基板7に固定されている。後述するように、磁石31Aから磁気センサ20までの距離と、磁石34Aから磁気センサ20までの距離は、互いに異なっている。磁石13は、例えば磁気センサ20の上方に配置されている。
The
本実施の形態では、所定の検出位置は、磁気センサ20が配置されている位置である。前述のように、第1の磁界発生部11の位置に対する第2の磁界発生部12の位置が変化すると、上記所定の検出位置と第2の磁界発生部12との間の距離が変化する。検出対象磁界は、検出位置における第1の磁界MF1と第2の磁界MF2との合成磁界MFである。磁気センサ20は、合成磁界MFを検出することにより、第2の磁界発生部12の位置の変化を検出可能である。なお、第1の磁界MF1および第2の磁界MF2は、後出の図6に示されている。合成磁界MFは、後出の図10Aに示されている。第1の磁界発生部11、第2の磁界発生部12および磁気センサ20の位置関係、ならびに磁気センサ20の構成については、のちに詳述する。
In this embodiment, the predetermined detection position is the position where the
駆動装置3は、磁石31A,31B,32A,32B,33A,33B,34A,34Bと、コイル41,42,43,44,45,46とを含んで構成されている。図1および図2に示したように、磁石31Aは、レンズ5から見て-V方向に位置している。磁石32Aは、レンズ5から見て+V方向に位置している。磁石33Aは、レンズ5から見て-U方向に位置している。磁石34Aは、レンズ5から見て+U方向に位置している。すなわち、駆動装置3では、例えば基板7の上面7aに沿った正方形あるいは長方形の領域の四辺に磁石31A,32A,33A,34Aがそれぞれ配置されている。磁石31B,32B,33B,34Bは、それぞれ、磁石31A,32A,33A,34Aの上方(+Z方向)に位置している。また、磁石31A,31B,32A,32B,33A,33B,34A,34Bは、第1の保持部材14に保持されている。
The driving
図3に示したように、磁石31A,31B,32A,32Bは、それぞれU軸方向を長手方向とする直方体形状を有している。磁石33A,33B,34A,34Bは、それぞれV軸方向を長手方向とする直方体形状を有している。磁石31A,32Bの磁化の方向は、+V方向である。磁石31B,32Aの磁化の方向は、-V方向である。磁石33A,34Bの磁化の方向は、+U方向である。磁石33B,34Aの磁化の方向は、-U方向である。図5において、磁石31A,31Bに描かれた矢印は、それぞれ、磁石31A,31Bの磁化の方向を表している。
As shown in FIG. 3, the
図1および図2に示したように、コイル41は、磁石31Aと基板7との間に配置されている。コイル42は、磁石32Aと基板7との間に配置されている。コイル43は、磁石33Aと基板7との間に配置されている。コイル44は、磁石34Aと基板7との間に配置されている。コイル45は、磁石31A,31Bとレンズ5との間に配置されている。コイル46は、磁石32A,32Bとレンズ5との間に配置されている。また、コイル41,42,43,44は、それぞれ基板7に固定されている。コイル45,46は、それぞれ第2の保持部材15に固定されている。
As shown in FIGS. 1 and 2,
コイル41には、主に、磁石31Aから発生する磁界が印加される。コイル42には、主に、磁石32Aから発生する磁界が印加される。コイル43には、主に、磁石33Aから発生する磁界が印加される。コイル44には、主に、磁石34Aから発生する磁界が印加される。
A magnetic field generated mainly by the
また、図2、図4および図5に示したように、コイル45は、磁石31Aが延在するU軸に沿って延びる第1の導体部45Aと、磁石31Bが延在するU軸に沿って延びる第2の導体部45Bと、第1の導体部45Aと第2の導体部45Bとを接続する2つの第3の導体部45C,45Dとを含んでいる。また、コイル46は、図4に示したように、磁石32Aが延在するU軸に沿って延びる第1の導体部46Aと、磁石32Bが延在するU軸に沿って延びる第2の導体部46Bと、第1の導体部46Aと第2の導体部46Bとを接続する2つの第3の導体部46C,46Dとを含んでいる。
2, 4 and 5, the
コイル45の第1の導体部45Aには、主に、磁石31Aから発生する磁界の+V方向の成分が印加される。コイル45の第2の導体部45Bには、主に、磁石31Bから発生する磁界の-V方向の成分が印加される。コイル46の第1の導体部46Aには、主に、磁石32Aから発生する磁界の-V方向の成分が印加される。コイル46の第2の導体部46Bには、主に、磁石32Bから発生する磁界の+V方向の成分が印加される。
The +V direction component of the magnetic field generated by the
駆動装置3は、それぞれコイル41~44の内側において基板7に固定された4つの磁気センサ30をさらに有している。後述するように、4つの磁気センサ30は、手振れの影響を低減するためにレンズ5の位置を変化させる際に用いられる。
The
コイル41の内側に位置する磁気センサ30は、磁石31Aから発生する磁界を検出し、磁石31Aの位置に対応した信号を生成するようになっている。コイル42の内側に位置する磁気センサ30は、磁石32Aから発生する磁界を検出し、磁石32Aの位置に対応した信号を生成するようになっている。コイル43の内側に位置する磁気センサ30は、磁石33Aから発生する磁界を検出し、磁石33Aの位置に対応した信号を生成するようになっている。コイル44の内側に位置する磁気センサ30は、磁石34Aから発生する磁界を検出し、磁石34Aの位置に対応した信号を生成するようになっている。磁気センサ30は、例えば、ホール素子等の磁界を検出する素子によって構成することができる。なお、駆動装置3は、コイル41の内側に位置する磁気センサ30またはコイル42の内側に位置する磁気センサ30のいずれか一方のみを有するようにしてもよい。同様に、駆動装置3は、コイル43の内側に位置する磁気センサ30またはコイル44の内側に位置する磁気センサ30のいずれか一方のみを有するようにしてもよい。
A
次に、図3および図6を参照して、第1の磁界発生部11、第2の磁界発生部12および磁気センサ20の位置関係について詳しく説明する。図6は、位置検出装置1の要部を示す斜視図である。ここで、図6に示したように、+X方向および+Y方向を定義する。+X方向および+Y方向は、いずれも、基板7の上面7a(図2参照)に対して平行な方向である。+X方向は、+U方向から+V方向に向かって45°回転した方向である。+Y方向は、+V方向から-U方向に向かって45°回転した方向である。また、+X方向とは反対の方向を-X方向とし、+Y方向とは反対の方向を-Y方向とする。
なお、+X方向および-X方向、すなわちX軸に平行な方向は、本発明の「第1の方向」に対応する一具体例である。
Next, the positional relationship among the first
Note that the +X direction and the −X direction, that is, the direction parallel to the X axis are specific examples corresponding to the “first direction” of the present invention.
図6において、符号MF1を付した矢印は、検出位置における第1の磁界MF1を表している。本実施の形態では、第1の磁界発生部11および磁気センサ20は、検出位置における第1の磁界MF1の方向が-Y方向となるように設けられている。検出位置における第1の磁界MF1の方向は、例えば、磁気センサ20に対する磁石31A,34Aの相対位置と、磁気センサ20に対する磁石31A,34Aの姿勢とによって調整することができる。磁石31A,34Aは、検出位置を含むYZ平面に対して対称に配置されていることが好ましい。
In FIG. 6, the arrow labeled MF1 represents the first magnetic field MF1 at the detection position. In this embodiment, the first
図6において、符号MF2を付した矢印は、検出位置における第2の磁界MF2を表し、磁石13内に描かれた矢印は、磁石13の磁化の方向を表している。また、第2の磁界MF2の方向は、第1の磁界MF1の方向とは異なる。
In FIG. 6, the arrow labeled MF2 represents the second magnetic field MF2 at the detection position, and the arrow drawn inside the
検出対象磁界MFの方向は、第1の磁界MF1の方向および第2の磁界MF2の方向のいずれとも異なり、これらの間の方向である。検出対象磁界MFの方向の可変範囲は180°未満である。本実施の形態では、第2の磁界MF2の方向は、第1の磁界MF1の方向に直交する-X方向である。この場合、検出対象磁界MFの方向の可変範囲は、90°未満である。 The direction of the magnetic field MF to be detected is different from both the direction of the first magnetic field MF1 and the direction of the second magnetic field MF2, and is the direction between them. The variable range of the direction of the magnetic field MF to be detected is less than 180°. In this embodiment, the direction of the second magnetic field MF2 is the -X direction orthogonal to the direction of the first magnetic field MF1. In this case, the variable range of the direction of the magnetic field MF to be detected is less than 90°.
次に、図7を参照して、磁気センサ20の構成について説明する。図7は、磁気センサ20の構成を示す回路図である。本実施の形態では、磁気センサ20は、検出対象磁界MFの方向に対応した検出信号として、検出対象磁界MFの方向が基準方向に対してなす角度に対応した検出信号を生成するように構成されている。本実施の形態では、基準方向は、+X方向である。
Next, the configuration of the
図7に示したように、磁気センサ20は、ホイートストンブリッジ回路21と、差分検出器22とを有している。ホイートストンブリッジ回路21は、電源ポートVと、グランドポートGと、2つの出力ポートE1,E2と、直列に接続された第1の抵抗部R1および第2の抵抗部R2と、直列に接続された第3の抵抗部R3および第4の抵抗部R4とを含んでいる。第1の抵抗部R1の第1端部および第3の抵抗部R3の第1端部は、それぞれ電源ポートVに接続されている。第1の抵抗部R1の第2端部は、第2の抵抗部R2の第1端部と出力ポートE1とにそれぞれ接続されている。第3の抵抗部R3の第2端部は、第4の抵抗部R4の第1端部と出力ポートE2とにそれぞれ接続されている。第2の抵抗部R2の第2端部および第4の抵抗部R4の第2端部は、それぞれグランドポートGに接続されている。電源ポートVには、所定の大きさの電源電圧が印加される。グランドポートGはグランドに接続される。
As shown in FIG. 7, the
本実施の形態では、第1~第4の抵抗部R1~R4の各々は、直列に接続された複数の磁気抵抗効果素子(MR素子)を含んでいる。複数のMR素子の各々は、例えばスピンバルブ型のMR素子である。このスピンバルブ型のMR素子は、磁化方向が固定された磁化固定層と、検出対象磁界の方向に応じて磁化の方向が変化する磁性層である自由層と、磁化固定層と自由層の間に配置された非磁性層とを有している。スピンバルブ型のMR素子は、トンネル磁気抵抗効果素子(TMR素子)でもよいし、巨大磁気抵抗効果素子(GMR素子)でもよい。TMR素子では、非磁性層はトンネルバリア層である。GMR素子では、非磁性層は非磁性導電層である。スピンバルブ型のMR素子では、自由層の磁化の方向が磁化固定層の磁化の方向に対してなす角度に応じて抵抗値が変化し、この角度が0°のときに抵抗値は最小値となり、角度が180°のときに抵抗値は最大値となる。図7において、塗りつぶした矢印は、MR素子における磁化固定層の磁化の方向を表し、白抜きの矢印は、MR素子における自由層の磁化の方向を表している。 In the present embodiment, each of the first to fourth resistance units R1 to R4 includes a plurality of magnetoresistive elements (MR elements) connected in series. Each of the plurality of MR elements is, for example, a spin-valve MR element. This spin-valve MR element has a magnetization fixed layer whose magnetization direction is fixed, a free layer which is a magnetic layer whose magnetization direction changes according to the direction of the magnetic field to be detected, and a magnetic layer between the magnetization fixed layer and the free layer. and a non-magnetic layer disposed in the The spin-valve MR element may be a tunnel magnetoresistive element (TMR element) or a giant magnetoresistive element (GMR element). In a TMR element, the nonmagnetic layer is a tunnel barrier layer. In a GMR element, the nonmagnetic layer is a nonmagnetic conductive layer. In the spin-valve type MR element, the resistance value changes according to the angle formed by the magnetization direction of the free layer with respect to the magnetization direction of the magnetization fixed layer, and the resistance value becomes the minimum value when this angle is 0°. , the resistance becomes maximum when the angle is 180°. In FIG. 7, solid arrows represent the magnetization direction of the magnetization pinned layer in the MR element, and white arrows represent the magnetization direction of the free layer in the MR element.
第1の抵抗部R1および第4の抵抗部R4にそれぞれ含まれる複数のMR素子における磁化固定層の磁化の方向は図6において符号MP1で示した方向(以下、方向MP1という。)である。これに対し、第2の抵抗部R2および第3の抵抗部R3に含まれる複数のMR素子における磁化固定層の磁化の方向は方向MP1と反対の符号MP2で示した方向(以下、方向MP2という。)である。本実施の形態では、基準平面内において、方向MP1に直交する2方向の各々は、第1の磁界MF1の方向および第2の磁界MF2の方向のいずれとも異なる。基準平面内において、方向MP2に直交する2方向は、方向MP1に直交する2方向と同じである。したがって、基準平面内において、方向MP2に直交する2方向の各々も、第1の磁界MF1の方向および第2の磁界MF2の方向のいずれとも異なる。出力ポートE1の電位と、出力ポートE2の電位と、出力ポートE1,E2の電位差は、検出対象磁界MFの方向が方向MP1に対してなす角度の余弦に応じて変化する。差分検出器22は、出力ポートE1,E2の電位差に対応する信号を検出信号として出力する。検出信号は、出力ポートE1の電位と、出力ポートE2の電位と、出力ポートE1,E2の電位差に依存する。また、検出信号は、検出対象磁界MFの方向に応じて変化するので、検出対象磁界MFの方向に対応した信号である。
The direction of magnetization of the magnetization fixed layers in the plurality of MR elements respectively included in the first resistance portion R1 and the fourth resistance portion R4 is the direction indicated by symbol MP1 in FIG. 6 (hereinafter referred to as direction MP1). On the other hand, the magnetization direction of the magnetization fixed layers in the plurality of MR elements included in the second resistance portion R2 and the third resistance portion R3 is the direction indicated by the sign MP2 opposite to the direction MP1 (hereinafter referred to as the direction MP2). ). In the present embodiment, each of the two directions orthogonal to the direction MP1 is different from both the direction of the first magnetic field MF1 and the direction of the second magnetic field MF2 in the reference plane. In the reference plane, the two directions perpendicular to the direction MP2 are the same as the two directions perpendicular to the direction MP1. Therefore, in the reference plane, each of the two directions perpendicular to the direction MP2 is also different from both the direction of the first magnetic field MF1 and the direction of the second magnetic field MF2. The potential of the output port E1, the potential of the output port E2, and the potential difference between the output ports E1 and E2 change according to the cosine of the angle formed by the direction of the magnetic field MF to be detected with respect to the direction MP1. The
なお、複数のMR素子における磁化固定層の磁化の方向は、MR素子の作製の精度等の観点から、上述の方向からわずかにずれていてもよい。 Note that the magnetization directions of the magnetization fixed layers in the plurality of MR elements may be slightly deviated from the above-described directions from the viewpoint of manufacturing accuracy of the MR elements.
ここで、図8を参照して、第1~第4の抵抗部R1~R4の構成の一例について説明する。図8は、図7に示した磁気センサ20における1つの抵抗部の一部を示す斜視図である。この例では、1つの抵抗部は、複数の下部電極162と、複数の磁気抵抗効果(MR)素子150と、複数の上部電極163とを有している。複数の下部電極162は図示しない基板上に配置されている。個々の下部電極162は細長い形状を有している。下部電極162の長手方向に隣接する2つの下部電極162の間には、間隙が形成されている。図8に示したように、下部電極162の上面上において、長手方向の両端の近傍に、それぞれMR素子150が配置されている。MR素子150は、例えば、下部電極162側から順に積層された磁化自由層151と非磁性層152と磁化固定層153と反強磁性層154とを含んでいる。磁化自由層151は、下部電極162に電気的に接続されている。反強磁性層154は、反強磁性材料を含んで構成され、磁化固定層153との間で交換結合を生じさせて磁化固定層153の磁化の方向を固定する。複数の上部電極163は、複数のMR素子150の上に配置されている。個々の上部電極163は細長い形状を有し、下部電極162の長手方向に隣接する2つの下部電極162上に配置されて隣接する2つのMR素子150の反強磁性層154同士を電気的に接続する。このような構成により、図8に示した抵抗部は、複数の下部電極162と複数の上部電極163とによって直列に接続された複数のMR素子150を有している。なお、MR素子150における磁化自由層151、非磁性層152、磁化固定層153および反強磁性層154の配置は、図8に示した配置とは上下が反対でもよい。
Here, an example of the configuration of the first to fourth resistance sections R1 to R4 will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a perspective view showing a part of one resistance part in the
次に、図9を参照して、第1の磁界発生部11における磁石31Aおよび磁石34Aと、磁気センサ20との位置関係の詳細について説明する。図9は、Z軸と直交する上面7aに沿った、磁石31Aおよび磁石34Aと、磁気センサ20との位置関係を模式的に表す平面図である。
Next, with reference to FIG. 9, the details of the positional relationship between the
図9に示したように、X軸方向において、磁気センサ20の中心位置P20は、磁石31Aと磁石34Aとの間の領域GPのうちの磁石31Aと磁石34Aとの中間位置P11以外の位置にある。中間位置P11は、後述の頂点31APおよび後述の頂点34APのそれぞれから等距離の線上の位置をいう。特に、磁気センサ20の全ての部分が、X軸方向において、領域GPのうちの中間位置P11以外の位置に設けられているとよい。
As shown in FIG. 9, in the X-axis direction, the center position P20 of the
また、第2の磁界発生部12の磁石13は、X軸方向において、磁石31Aと磁石34Aとの中間位置P11に配置されている。ここで、磁石13は、X軸方向において、磁石31Aと磁石34Aとの中間位置P11に配置されている、とは、X軸方向において、磁石13の一部が中間位置P11に存在するように、磁石13が領域GPに配置されていることを意味する。特に、第2の磁界発生部12の磁石13のX軸方向における中心位置P13が、X軸方向における中間位置P11にあるとよい。
The
また、磁石31Aは、V軸方向に沿った端面31A1と、その端面31A1に対し90±5°の角度をなす側面31A2とが交わる頂点31APを含んでいる。磁石34Aは、U軸方向に沿った端面34A1と、その端面34A1に対し90±5°の角度をなす側面34A2とが交わる頂点34APを含んでいる。したがって、端面31A1と端面34A1とは互いに90±5°の角度をなしており、側面31A2と側面34A2とは互いに90±5°の角度をなしている。端面31A1,34A1および側面31A2,34A2は、いずれも上面7aに対し実質的に垂直をなしている。磁石31Aおよび磁石34Aは、それぞれ、磁気センサ20からの距離が各々の頂点31AP,34APにおいて最小となる姿勢で配置されている。
ここで、端面31A1,34A1は、本発明の「第1の面」に対応する一具体例であり、側面31A2,34A2は、本発明の「第2の面」に対応する一具体例である。
The
Here, the end surfaces 31A1 and 34A1 are specific examples corresponding to the "first surface" of the present invention, and the side surfaces 31A2 and 34A2 are specific examples corresponding to the "second surface" of the present invention. .
さらに、位置検出装置1は、以下の条件式(1)を満たしているとよい。
0<D<(G×2/5) ……(1)
ただし、DはX軸方向における磁石31Aの頂点31APと磁石34Aの頂点34APとの中間位置P11から磁気センサ20の中心位置P20までの距離である。Gは、X軸方向における磁石31Aの頂点31APと磁石34Aの頂点34APとの間隔である。
Furthermore, the
0<D<(G×2/5) ……(1)
However, D is the distance from the intermediate position P11 between the vertex 31AP of the
さらに、位置検出装置1は、以下の条件式(2)を満たしているとよい。
(G/6)<D<(G/3) ……(2)
Furthermore, the
(G/6)<D<(G/3) ……(2)
次に、図1から図5を参照して、駆動装置3の動作について説明する。はじめに、光学式手振れ補正機構とオートフォーカス機構について簡単に説明する。駆動装置3は、光学式手振れ補正機構およびオートフォーカス機構の一部を構成する。駆動装置3、光学式手振れ補正機構およびオートフォーカス機構は、撮像装置100の外部に設けられた制御部4(図1参照)によって制御される。
Next, the operation of the
光学式手振れ補正機構は、例えば、撮像装置100の外部のジャイロセンサ等によって手振れを検出できるように構成されている。光学式手振れ補正機構が手振れを検出すると、制御部4は、手振れの態様に応じて基板7に対するレンズ5の相対的な位置が変化するように、駆動装置3を制御する。これにより、レンズ5の絶対的な位置を安定化させて、手振れの影響を低減することができる。なお、基板7に対するレンズ5の相対的な位置は、手振れの態様に応じて、U軸に平行な方向またはV軸に平行な方向に変化する。
The optical camera shake correction mechanism is configured to detect camera shake using, for example, a gyro sensor or the like outside the
オートフォーカス機構は、例えば、イメージセンサ200またはオートフォーカスセンサ等によって、被写体に焦点が合った状態を検出できるように構成されている。制御部4は、被写体に焦点が合った状態になるように、駆動装置3によって、基板7に対するレンズ5の相対的な位置をZ軸に沿って変化させる。これにより、自動的に被写体に対する焦点合わせを行うことができる。
The autofocus mechanism is configured such that the
次に、光学式手振れ補正機構に関連する駆動装置3の動作について説明する。制御部4によってコイル41,42に電流が流されると、磁石31A,32Aから発生する磁界とコイル41,42から発生する磁界との相互作用によって、磁石31A,32Aが固定された第1の保持部材14は、V軸に沿って移動する。その結果、レンズ5も、V軸に沿って移動する。また、制御部4によってコイル43,44に電流が流されると、磁石33A,34Aから発生する磁界とコイル43,44から発生する磁界との相互作用によって、磁石33A,34Aが固定された第1の保持部材14はU軸に沿って移動する。その結果、レンズ5もU軸に沿って移動する。制御部4は、磁気センサ30によって生成される磁石31A,32A,33A,34Aの位置に対応した信号を測定することによって、レンズ5の位置を検出する。
Next, the operation of the
次に、オートフォーカス機構に関連する駆動装置3の動作について説明する。基板7に対するレンズ5の相対的な位置をZ軸に沿って移動させる場合、制御部4は、第1の導体部45Aにおいて+U方向の電流が流れ、第2の導体部45Bにおいて-U方向の電流が流れるようにコイル45に電流を流す。制御部4は、さらに第1の導体部46Aに-U方向の電流が流れ、第2の導体部46Bに+U方向の電流が流れるようにコイル46に電流を流す。これらの電流と磁石31A,31B,32A,32Bから発生する磁界によって、コイル45の第1の導体部45Aおよび第2の導体部45Bとコイル46の第1の導体部46Aおよび第2の導体部46Bとに、+Z方向のローレンツ力が作用する。これにより、コイル45,46が固定された第2の保持部材15は、+Z方向に移動することとなる。その結果、レンズ5も、+Z方向に移動する。
Next, the operation of the
基板7に対するレンズ5の相対的な位置を-Z方向に移動させる場合には、制御部4は、コイル45,46に、+Z方向に移動させる場合とは逆方向の電流を流す。
When moving the relative position of the
[撮像装置100の作用効果]
次に、本実施の形態に係る位置検出装置1、およびそれを備えた撮像装置100の作用および効果について説明する。本実施の形態に係る位置検出装置1は、レンズ5の位置を検出するために用いられる。本実施の形態では、基板7に対するレンズ5の相対的な位置が変化する場合、基板7および第1の保持部材14に対する第2の保持部材15の相対的な位置も変化する。前述のように、第1の保持部材14は第1の磁界発生部11を保持し、第2の保持部材15は第2の磁界発生部12を保持している。したがって、上述のようにレンズ5の相対的な位置が変化すると、第1の磁界発生部11に対する第2の磁界発生部12の相対的な位置が変化する。本実施の形態では、第1の磁界発生部11に対する第2の磁界発生部12の相対位置の変化の方向は、レンズ5の光軸方向すなわちZ軸に平行な方向である。
[Action and effect of imaging device 100]
Next, the operation and effects of the
第1の磁界発生部11に対する第2の磁界発生部12の相対位置が変化すると、基板7に対する第1の磁界発生部11の相対的な位置は変化しないが、基板7に対する第2の磁界発生部12の相対的な位置は変化する。そのため、第1の磁界発生部11に対する第2の磁界発生部12の相対位置が変化すると、第1の磁界MF1の強度および方向と第2の磁界MF2の方向は変化しないが、第2の磁界MF2の強度は変化する。第2の磁界MF2の強度が変化すると、検出対象磁界MFの方向および強度も変化し、それに伴い、磁気センサ20が生成する検出信号の値も変化する。磁気センサ20が生成する検出信号の値は、基板7に対する第2の磁界発生部12の相対位置に依存して変化する。制御部4は、磁気センサ20からの検出信号を測定することによって、基板7に対する第2の磁界発生部12の相対位置を検出するようになっている。基板7に対する第2の磁界発生部12の相対位置は、基板7に対するレンズ5の相対位置を表すものである。
When the relative position of the second
ここで、図10Aを参照して、方向MP1および方向MP2と、第1の磁界MF1および第2の磁界MF2とについて詳しく説明する。図10Aにおいて、符号RPは基準平面を表し、符号Pは検出位置を表している。図10Aでは、符号MF1を付した矢印で第1の磁界MF1を表し、符号MF2を付した矢印で第2の磁界MF2を表し、符号MFを付した矢印で検出対象磁界を表している。また、図10Aにおいて、X方向の軸はX方向の磁界の強度Hxを示し、Y方向の軸はY方向の磁界の強度Hyを示している。 The direction MP1 and the direction MP2 and the first magnetic field MF1 and the second magnetic field MF2 will now be described in detail with reference to FIG. 10A. In FIG. 10A, symbol RP represents a reference plane, and symbol P represents a detection position. In FIG. 10A, the arrow labeled MF1 represents the first magnetic field MF1, the arrow labeled MF2 represents the second magnetic field MF2, and the arrow labeled MF represents the magnetic field to be detected. In FIG. 10A, the X-direction axis indicates the X-direction magnetic field strength Hx, and the Y-direction axis indicates the Y-direction magnetic field strength Hy.
検出対象磁界MFは、第1の磁界MF1と第2の磁界MF2との合成磁界であることから、検出対象磁界MFの方向は、第1の磁界MF1の方向および第2の磁界MF2の方向のいずれとも異なり、第1の磁界MF1の方向と第2の磁界MF2の方向との間の方向である。図10Aでは、基準平面RP内において方向MP1に直交する2方向を、符号PP1および符号PP2で表している。基準平面RP内において方向MP2に直交する2方向は、方向PP1および方向PP2と同じである。前述の通り、本実施の形態では、方向PP1および方向PP2の各々は、第1の磁界MF1の方向および第2の磁界MF2の方向のいずれとも異なる。 Since the detection target magnetic field MF is a composite magnetic field of the first magnetic field MF1 and the second magnetic field MF2, the direction of the detection target magnetic field MF is the direction of the first magnetic field MF1 and the direction of the second magnetic field MF2. Unlike any other, it is in the direction between the direction of the first magnetic field MF1 and the direction of the second magnetic field MF2. In FIG. 10A, two directions perpendicular to the direction MP1 within the reference plane RP are denoted by PP1 and PP2. Two directions orthogonal to the direction MP2 in the reference plane RP are the same as the direction PP1 and the direction PP2. As described above, in the present embodiment, each of direction PP1 and direction PP2 is different from both the direction of first magnetic field MF1 and the direction of second magnetic field MF2.
図10Aにおいて基準方向(+X方向)から反時計回り方向に見て、検出対象磁界MFの方向が基準方向(+X方向)に対してなす角度を、検出対象角度と言い、記号θで表す。検出対象角度θは、検出対象磁界MFの方向を表す。本実施の形態では、磁気センサ20は、検出対象角度θに対応した検出信号を生成する。
When viewed counterclockwise from the reference direction (+X direction) in FIG. 10A, the angle formed by the direction of the detection target magnetic field MF with respect to the reference direction (+X direction) is called a detection target angle, and is represented by the symbol θ. The detection target angle θ represents the direction of the detection target magnetic field MF. In this embodiment, the
ここで、図10Bを参照して、本実施の形態における基板7に対するレンズ5の相対位置と検出対象角度θとの関係について説明する。図10Bは、基板7に対するレンズ5の相対位置と検出対象角度θとの関係を示す特性図である。図10Bにおいて、横軸は基板7に対するレンズ5の相対位置を示し、縦軸は対象角度θを示している。
Here, with reference to FIG. 10B, the relationship between the relative position of the
本実施の形態では、検出位置Pに対して第2の磁界発生部12が最も近いときの検出位置Pと第2の磁界発生部12との間の距離を最短距離とし、基板7に対するレンズ5の相対位置を、任意の位置にある第2の磁界発生部12と検出位置Pとの間の距離から最短距離を引いた値で表す。なお、ここでは、基板7に対するレンズ5の相対位置の可動範囲を、一例として0~0.3mmの範囲としている。
In this embodiment, the distance between the detection position P and the second magnetic
本実施の形態では、図10Bに示したように、基板7に対するレンズ5の相対位置が0~0.3mmの可動範囲で変化するとき、検出対象角度θは207°~240°の可変範囲で変化する。基板7に対するレンズ5の相対位置の変化に対する検出対象角度θの変化は直線的である。検出対象角度θは、検出対象磁界MFの方向を表す。従って、検出対象角度θの可変範囲の範囲は、基板7に対するレンズ5の相対位置の可動範囲に対応する検出対象磁界MFの方向の可変範囲に対応する。図10Aにおいて、符号θRで示した範囲は、検出対象角度θの可変範囲を表している。
In this embodiment, as shown in FIG. 10B, when the relative position of the
図10Aに示したように、本実施の形態では、基準平面RP内において、磁化固定層の磁化の方向に直交する方向PP1,PP2の各々は、第1の磁界MF1の方向および第2の磁界MF2の方向のいずれとも異なる。これにより、本実施の形態に係る位置検出装置1によれば、精度の高い位置検出を行うことが可能になる。
As shown in FIG. 10A, in the present embodiment, the directions PP1 and PP2 orthogonal to the magnetization direction of the magnetization fixed layer are respectively aligned with the direction of the first magnetic field MF1 and the direction of the second magnetic field within the reference plane RP. Different from any of the directions of MF2. As a result, the
また、本実施の形態では、X軸方向において、磁気センサ20の中心位置P20を、磁石31Aと磁石34Aとの間の領域GPのうちの中間位置P11以外の位置とした。このため、例えば実際に装着された磁気センサ20と磁石31Aおよび磁石34Aとの相対位置(実装相対位置)が、設計上の磁気センサ20と磁石31Aおよび磁石34Aとの相対位置(設計相対位置)とずれた場合であっても、磁気センサ20の出力信号の誤差を低減できる。以下、図11を参照して、磁気センサ20と磁石31Aおよび磁石34Aとの相対位置が磁気センサ20に印加される第1の磁界MF1に与える影響について説明する。
Further, in the present embodiment, in the X-axis direction, the center position P20 of the
図11は、本発明の一実施の形態の一実験例として、位置検出装置1における第1の磁界MF1の強度の位置依存性を表す特性図である。図11の最上位にある(A)は、領域GPにおけるX軸方向の位置[μm]と、領域GPにおける第1の磁界MF1の強さとの関係を表す特性図である。図11の(A)では、磁石31Aおよび磁石34Aが発生する第1の磁界MF1のうち、X軸方向成分の磁界Hxを破線で記載し、Y軸方向成分の磁界Hyを実線で記載している。図11の中位にある(B)は、第1の磁界MF1のX軸方向成分である磁界Hxの方向と、第1の磁界MF1のY軸方向成分である磁界Hyの方向とのなす角度θ[deg]が、領域GPにおけるX軸方向の位置[μm]に応じてどのように変化するかを表す特性図である。図11の最下位にある(C)は、図11の(B)に示した角度θの勾配[deg/μm]が、領域GPにおけるX軸方向の位置[μm]に応じてどのように変化するかを表す特性図である。図11の(A)に示したように、第1の磁界MF1のX軸方向成分である磁界HxおよびY軸方向成分である磁界Hyは、それぞれX軸方向の位置に応じて変動する。すなわち、図11の(B)に示したように、磁気センサ20に印加される第1の磁界MF1の向き(角度)は、磁気センサ20のX軸方向の位置に応じて変動する。その変動の勾配は、図11の(C)に示したように、X軸方向において、中間位置P11よりも、その近傍において、より小さくなる。したがって、磁気センサ20の中心位置P20を中間位置P11以外の位置とすることで、磁気センサ20の実装相対位置が設計相対位置とずれた場合であっても、磁気センサ20の出力信号の誤差を低減できる。
FIG. 11 is a characteristic diagram showing the position dependence of the strength of the first magnetic field MF1 in the
具体的には、例えば上述の条件式(1)を満たすことにより、磁気センサ20の中心位置P20を中間位置P11に配置しようとした場合よりも磁気センサ20の位置ずれによる磁気センサ20の測定誤差を低減できる。特に上述の条件式(2)を満たすようにすることで、磁気センサ20の測定誤差をよりいっそう低減できる。
Specifically, for example, by satisfying the conditional expression (1) described above, the measurement error of the
図12は、レンズモジュール300における、XY面内の第1の磁界MF1の分布の一例を表す模式図である。図12に示したように、磁石31A~34Aは、各々の長手方向と直交する方向に着磁されている。また、磁気センサ20を通過する磁束はおおよそY軸方向に向いている。
FIG. 12 is a schematic diagram showing an example of distribution of the first magnetic field MF1 in the XY plane in the
また、本実施の形態では、第2の磁界発生部12は、X軸方向において、磁石31Aと磁石34Aとの中間位置P11に配置されるようにした。このため、位置検出装置1全体として重量バランスを取りやすいので、第2の磁界発生部12がZ軸方向に移動する際、レンズ5が所望の姿勢を維持しやすい。具体的には、例えばイメージセンサ200に対するレンズ5の光軸の傾きを小さく抑えることができる。特に、磁石13のX軸方向における中心位置P13が中間位置P11と一致するようにすれば、よりいっそう重量バランスを取りやすいので、第2の磁界発生部12がZ軸方向に移動する際、レンズ5の姿勢をより正確に維持しやすい。
In addition, in the present embodiment, the second magnetic
また、本実施の形態では、磁石31A,34Aの形状と磁石13の形状とが異なるようにした。そのため、第1の磁界発生部11における磁石31A,34Aを、レンズ5をZ軸に沿って移動させるための駆動源として好適な形状にしつつ、第2の磁界発生部12における磁石13を、磁石13のZ軸に沿った位置を磁気センサ20が検出するのに好適な形状とすることができる。そのうえ、本実施の形態では、第1の磁界発生部11における磁石31A,34Aの主成分である第1の磁性材料と第2の磁界発生部12における磁石13の主成分である第2の磁性材料とが異なるようにした。したがって、第1の磁界発生部11における磁石31A,34Aの形状と、第2の磁界発生部12における磁石13の形状とが異なっていても、磁石31A,34Aの熱減磁率と磁石13の熱減磁率とを近似させることができる。このため、撮像装置100では、位置検出装置1が設置される環境の温度が変化した場合であっても、第1の磁界発生部11および磁気センサ20に対する第2の磁界発生部12の相対位置の変動が生じにくくなる。すなわち、磁気センサ20によるレンズ5の位置検出の精度に対する環境温度の変化の影響が及びにくくなり、磁気センサ20によるレンズ5の位置検出精度における温度依存性を低減できる。その結果、本実施の形態の撮像装置100によれば、より正確にレンズ5の位置を変化させることができ、より良好な画像を取得することができる。
Moreover, in the present embodiment, the shape of the
また、本実施の形態では、磁石13が有する第2の残留磁束密度の温度係数の絶対値を、磁石31Aおよび磁石34Aが有する第1の残留磁束密度の温度係数の絶対値よりも小さくすることにより、環境温度の変化に伴う、磁気センサ20によるレンズ5の位置検出のずれをより小さくすることができる。
Further, in the present embodiment, the absolute value of the temperature coefficient of the second residual magnetic flux density possessed by the
ここで、図13Aに、参考例としての位置検出装置における温度特性を示す。図13Aにおいて、横軸はZ軸に沿ったレンズ5の実際の変位量[μm]を表し、縦軸は環境温度が25℃から65℃まで変動した時の、Z軸に沿ったレンズ5の実際の変位量に対する位置検出装置による測定値の最大の誤差[μm]を表している。なお、横軸の変位量[μm]は、基準位置を0としており、+Z方向の変位が正の値で表されており、-Z方向の変位量が負の値で表されている。この参考例では、磁石31A,34Aの構成材料および磁石13の構成材料としてNdFeBを使用している。本参考例では、さらに、磁石31A,34Aの各々の形状を長さ7mm×幅1mm×厚さ0.5mmの直方体とし、磁石13の形状を長さ1mm×幅0.8mm×厚さ0.5mmの直方体としている。その結果、磁石31A,34Aの熱減磁率が-3.5%であるのに対し、磁石13の熱減磁率が-4.51%となっている。図13Aに示したように、参考例としての位置検出装置では、Z軸に沿ってレンズ5が-400μmから+400μmまでの範囲において変位する際に、最大で6μmの誤差が生じることがわかる。
Here, FIG. 13A shows temperature characteristics in a position detection device as a reference example. In FIG. 13A, the horizontal axis represents the actual displacement [μm] of the
図13Bに、本実施の形態の位置検出装置1における温度特性の一実験例を示す。図13Bにおいて、横軸はZ軸に沿ったレンズ5の実際の変位量[μm]を表し、縦軸は環境温度が25℃から65℃まで変動した時の、Z軸に沿ったレンズ5の実際の変位量に対する位置検出装置による測定値の最大の誤差[μm]を表している。なお、横軸の変位量[μm]は、図13Aと同様、基準位置を0としており、+Z方向の変位が正の値で表されており、-Z方向の変位量が負の値で表されている。この実験例では、磁石31A,34Aの構成材料としてNdFeBを使用し、磁石13の構成材料としてSmCoを使用している。本実験例では、さらに、磁石31A,34Aの各々の形状を長さ7mm×幅1mm×厚さ0.5mmの直方体とし、磁石13の形状を長さ1mm×幅0.8mm×厚さ0.5mmの直方体としている。その結果、磁石31A,34Aの熱減磁率が-3.5%であり、磁石13の熱減磁率が-3.5%となっている。図13Bに示したように、本実験例では、Z軸に沿ってレンズ5が-400μmから+400μmまでの範囲において変位する際に、最大で0.6μmの誤差に抑えることができていることがわかる。
FIG. 13B shows an experimental example of temperature characteristics in the
<2.変形例>
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、センサ部として4つの抵抗部を用いてフルブリッジ回路を形成するようにしたが、本発明では、例えば2つの抵抗部を用いてハーフブリッジ回路を形成するようにしてもよい。また、複数の磁気抵抗効果素子の形状および寸法は、互いに同じであってもよいし、異なっていてもよい。また、抵抗部は、例えば磁気検出素子を含んでいてもよい。ここで磁気検出素子とは、磁界を検知する機能を有する任意の素子を指し、スピンバルブ型のMR素子に限らず、異方性磁気抵抗効果素子(AMR素子)や、ホール素子等(例えば平面ホール素子や垂直ホール素子)をも含む概念である。一般に、平面ホール素子は基板に対して垂直な感度軸を有する傾向があり、磁気抵抗効果素子や垂直ホール素子は基板に対して平行な感度軸を有する傾向があるが、本発明においては、基板、または、Z軸と直交する平面に対して平行な感度軸を有する磁気検出素子を用いることが好ましい。また、各構成要素の寸法や各構成要素のレイアウトなどは例示であってこれに限定されるものではない。
<2. Variation>
Although the present invention has been described above with reference to the embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications are possible. For example, in the above-described embodiment, a full-bridge circuit is formed using four resistors as the sensor section, but in the present invention, for example, two resistors are used to form a half-bridge circuit. good too. Also, the shapes and dimensions of the plurality of magnetoresistive elements may be the same or different. Also, the resistance section may include, for example, a magnetic sensing element. Here, the magnetic detection element refers to any element having a function of detecting a magnetic field, and is not limited to a spin valve type MR element, an anisotropic magnetoresistive effect element (AMR element), a Hall element, etc. (for example, a planar It is a concept that includes Hall elements and vertical Hall elements). In general, a planar Hall element tends to have a sensitivity axis perpendicular to the substrate, and a magnetoresistive effect element and a vertical Hall element tend to have a sensitivity axis parallel to the substrate. Alternatively, it is preferable to use a magnetic sensing element having a sensitivity axis parallel to a plane perpendicular to the Z axis. Also, the dimensions of each component, the layout of each component, etc. are examples, and are not limited to these.
また、本発明の位置検出装置は、レンズの位置検出を行うための装置に限定されるものではなく、レンズ以外の他の物体の空間上の位置検出を行うものであってもよい。 Further, the position detection device of the present invention is not limited to a device for detecting the position of a lens, and may be a device for detecting the spatial position of an object other than a lens.
また、上記実施の形態では、第1の磁石を、レンズおよびそれを保持する第2の保持部材を駆動するための駆動源として用いる第1の磁界を発生するものとしたが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明では、例えば磁気センサの磁気抵抗効果素子に対してバイアスを印加するバイアス磁石として、第1の磁石を用いてもよい。 Further, in the above embodiment, the first magnet is used as a drive source for driving the lens and the second holding member that holds the lens, and the first magnetic field is generated. is not limited to In the present invention, for example, the first magnet may be used as a bias magnet that applies a bias to the magnetoresistive element of the magnetic sensor.
また、上記実施の形態の位置検出装置1では、第1の磁石の主成分としての第1の磁性材料と、第2の磁石の主成分としての第2の磁性材料とが異なるようにすると共に、第1の磁石の形状と第2の磁石の形状とが異なるようにすることで、第1の磁石の熱減磁率と、第2の磁石の熱減磁率とを近づけるようにした。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、第1の磁石の主成分および第2の磁石の主成分をいずれも同じ磁性材料(例えば第1の磁性材料)としつつ、第1の磁石のパーミアンス係数(便宜上、第1のパーミアンス係数とする。)と、第2の磁石のパーミアンス係数(便宜上、第2のパーミアンス係数とする。)とが実質的に同一となるようにしてもよい。その場合、例えば、第1の磁石の形状と第2の磁石の形状とが互いに同一または相似となるようにするとよい。その場合であっても、第1の磁石の熱減磁率と、第2の磁石の熱減磁率とを近づけることができる。このため、第1の磁石の温度特性と第2の磁石の温度特性とが近似することとなり、位置検出精度の誤差を低減できる。
Further, in the
また、上記実施の形態では、基板7の上面7aに沿った正方形あるいは長方形の領域の四辺に磁石31A,32A,33A,34Aがそれぞれ配置されるようにしたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、図14に示した変形例としてのレンズモジュール300Aのように、基板7の上面7aに沿った正方形あるいは長方形の領域の四隅に磁石31A,32A,33A,34Aがそれぞれ配置されたものであってもよい。なお、レンズモジュール300Aでは、U軸に沿った方向が本発明の「第1の方向」に対応する。レンズモジュール300Aの場合、磁石31A,32A,33A,34Aにより取り囲まれた中央の領域にレンズ5が配置され、さらにそのレンズ5を取り囲むように、磁石31A,32A,33A,34Aとレンズ5との隙間にコイルCが配置されている。磁石31A,32A,33A,34Aは、それぞれコイルCの外側面に対向しており、コイルCの延在方向に対して直交する方向(図14に示した矢印の方向、もしくは矢印の方向と反対の方向)に着磁されているとよい。レンズ5およびコイルCは、保持部材により一体に保持されており、Z軸方向において一対の板ばねに挟まれている。保持部材に保持されたレンズ5およびコイルCは、一対の板ばねの弾性変形によって、Z軸方向に移動自在となっている。レンズモジュール300Aでは、UV平面に沿ってコイルCを横切る第1の磁界が磁石31A,32A,33A,34Aにより形成されている。コイルCに駆動電流が供給されると、コイルCの周囲に誘導磁界が発生し、レンズ5およびコイルCはZ軸方向に沿って変位するようになっている。
In the above embodiment, the
次に、図15を参照して、レンズモジュール300Aにおける磁石31Aおよび磁石34Aと磁気センサ20との位置関係の詳細について説明する。図15は、レンズモジュール300Aにおける、Z軸と直交する上面7aに沿った、磁石31Aおよび磁石34Aと、磁気センサ20との位置関係を模式的に表す平面図である。
Next, the details of the positional relationship between the
図15に示したように、U軸方向において、磁気センサ20の中心位置P20は、磁石31Aと磁石34Aとの間の領域GPのうちの磁石31Aと磁石34Aとの中間位置P11以外の位置にある。特に、磁気センサ20の全ての部分が、U軸方向において、領域GPのうちの中間位置P11以外の位置に設けられているとよい。また、レンズモジュール300Aでは、U軸方向における磁気センサ20の中心位置P20は、磁石31Aおよび磁石34Aの双方よりも中間位置P11に近い位置にあるとよい。すなわち、中心位置P20は、中間位置P11と後述する頂点31APとの中間位置P31と、中間位置P11との間、または、中間位置P11と後述する頂点34APとの中間位置P34と、中間位置P11との間、に位置するとよい。
As shown in FIG. 15, in the U-axis direction, the center position P20 of the
また、磁石31Aは、U軸方向に沿った端面31S1と、その端面31S1に対し45±5°の角度をなす側面31S2とが交わる頂点31APを含んでいる。磁石34Aは、U軸方向に沿った端面34S1と、その端面34S1に対し45±5°の角度をなす側面34S2とが交わる頂点34APを含んでいる。したがって、端面31S1と端面34S1とは互いに実質的に平行であり、側面31S2と側面34S2とは互いに90±5°の角度をなしている。端面31S1,34S1および側面31S2,34S2は、いずれも上面7aに対し実質的に垂直をなしている。磁石31Aおよび磁石34Aは、それぞれ、磁気センサ20からの距離が各々の頂点31AP,34APにおいて最小となる姿勢で配置されている。
The
本変形例としてのレンズモジュール300Aでは、U軸方向において、磁気センサ20の中心位置P20を磁石31Aと磁石34Aとの間の領域GPのうちの中間位置P11以外の位置とした。このため、例えば実際に装着された磁気センサ20と磁石31Aおよび磁石34Aとの相対位置(実装相対位置)が、設計上の磁気センサ20と磁石31Aおよび磁石34Aとの相対位置(設計相対位置)とずれた場合であっても、磁気センサ20の出力信号の誤差を低減できる。以下、図16を参照して、磁気センサ20と磁石31Aおよび磁石34Aとの相対位置が磁気センサ20に印加される第1の磁界MF1に与える影響について説明する。
In the
図16は、位置検出装置1Aにおける第1の磁界MF1の強度の位置依存性を表す特性図である。図16の最上位にある(A)は、領域GPにおけるU軸方向の位置[μm]と、領域GPにおける第1の磁界MF1の強さとの関係を表す特性図である。図16の(A)では、磁石31Aおよび磁石34Aが発生する第1の磁界MF1のうち、U軸方向成分の磁界Huを破線で記載し、V軸方向成分の磁界Hvを実線で記載している。図16の中位にある(B)は、第1の磁界MF1のU軸方向成分である磁界Huの方向と、第1の磁界MF1のV軸方向成分である磁界Hvの方向とのなす角度θ[deg]が、領域GPにおけるU軸方向の位置[μm]に応じてどのように変化するかを表す特性図である。図16の最下位にある(C)は、図16の(B)に示した角度θの勾配[deg/μm]が、領域GPにおけるU軸方向の位置[μm]に応じてどのように変化するかを表す特性図である。図16の(A)に示したように、第1の磁界MF1のU軸方向成分である磁界HuおよびV軸方向成分である磁界Hvは、それぞれU軸方向の位置に応じて変動する。すなわち、図16の(B)に示したように、磁気センサ20に印加される第1の磁界MF1の向き(角度)は、磁気センサ20のU軸方向の位置に応じて変動する。その変動の勾配は、図16の(C)に示したように、U軸方向において、中間位置P11よりも、その近傍において、より小さくなる。したがって、磁気センサ20の中心位置P20を中間位置P11以外の位置とすることで、磁気センサ20の実装相対位置が設計相対位置とずれた場合であっても、磁気センサ20の出力信号の誤差を低減できる。
FIG. 16 is a characteristic diagram showing the position dependence of the intensity of the first magnetic field MF1 in the position detection device 1A. (A) at the top of FIG. 16 is a characteristic diagram showing the relationship between the position [μm] in the U-axis direction in the region GP and the strength of the first magnetic field MF1 in the region GP. In FIG. 16A, of the first magnetic field MF1 generated by the
具体的には、レンズモジュール300Aにおける位置検出装置1Aは、例えば以下の条件式(3)を満たしているとよい。磁気センサ20の中心位置P20を中間位置P11に配置しようとした場合よりも磁気センサ20の位置ずれによる磁気センサ20の測定誤差を低減できるからである(図16の(C)参照)。
0<D<(G/4) ……(3)
ただし、DはU軸方向における磁石31Aの頂点31APと磁石34Aの頂点34APとの中間位置P11から磁気センサ20の中心位置P20までの距離である。Gは、U軸方向における磁石31Aの頂点31APと磁石34Aの頂点34APとの間隔である。
Specifically, the position detection device 1A in the
0<D<(G/4) ……(3)
However, D is the distance from the intermediate position P11 between the vertex 31AP of the
特に、位置検出装置1Aは、図17に示したように、以下の条件式(4)を満たしているとよい。磁気センサ20の測定誤差をよりいっそう低減できるからである。図17は、図16の(C)の一部を拡大したものである。
(G/12)<D<(G/5) ……(4)
In particular, the position detection device 1A preferably satisfies the following conditional expression (4) as shown in FIG. This is because the measurement error of the
(G/12)<D<(G/5) ……(4)
また、レンズモジュール300Aでは、図18の(A)に示したように磁気センサ20の中心位置P20を、磁石31Aと磁石34Aとの中間位置P11からずらすことにより、図18の(B)に示したように磁気センサ20の中心位置P20を中間位置P11に設ける場合と比較して、平面形状が円形であるレンズ5周辺のスペースを有効に利用することができる。その結果、所定の大きさのレンズ5を搭載する場合に、レンズモジュール300A全体としての占有面積を低減できる。よって、レンズモジュール300Aの小型化、およびレンズモジュール300Aを備えた撮像装置100の小型化に好適である。なお、図18は、本変形例としてのレンズモジュール300Aの効果を説明するための説明図である。また、レンズモジュール300Aでは、磁石31A,32A,33A,34Aの形状および配置位置について説明したが、磁石31B,32B,33B,34Bの形状および配置位置についても図14および図15に示した磁石31A,32A,33A,34Aの形状および配置位置と同様とすることができる。
Further, in the
なお、上記変形例では、例えば図14および図15に示したように、4つの磁石の平面形状が底角45°の直角二等辺三角形の輪郭を有するようにしたが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明は、第1の磁石および第2の磁石が、それぞれ、平面に対し90±5°の角度をなすと共に第1の方向に沿った第1の面と、平面に対し90±5°の角度をなすと共に第1の面に対し45±5°以下の角度をなす部分を含む第2の面とを含むものであり、第1の磁石における第2の面と第2の磁石における第2の面とは、第1の方向において対向し、第1の磁石における第1の面および第2の磁石における第1の面から遠ざかるほど第1の方向において互いに遠ざかるように設けられていればよい。例えば図19Aに示した磁石31A,34Aのように、U軸方向に沿った端面31S1,34S1と、それらの端面31S1,34S1に対し45±5°以下の角度θをなす側面31S2,34S2とを含み、平面形状が直角三角形状の輪郭を有するものであってもよい。また、例えば図19Bに示した磁石31A,34Aのように、平面形状が多角形状(図19Bでは六角形状)の輪郭を有するものであってもよい。また、例えば図19Cに示した磁石31A,34Aのように、平面形状が直線および曲線を含む輪郭を有するものであってもよい。さらには、例えば図19Dに示した磁石31A,34Aのように、湾曲した側面31S2,34S2を有するものであってもよい。
In the above modification, as shown in FIGS. 14 and 15, for example, the planar shape of the four magnets has an outline of an isosceles right triangle with a base angle of 45°, but the present invention is limited to this. not to be The present invention is characterized in that the first magnet and the second magnet respectively form an angle of 90±5° with respect to the plane and the first surface along the first direction and the a second face that is angled and includes a portion that forms an angle of 45±5° or less with respect to the first face, the second face on the first magnet and the second face on the second magnet; are provided so as to face each other in the first direction, and the farther away from the first surface of the first magnet and the first surface of the second magnet, the farther away from each other in the first direction. . For example, like the
また、本願発明の第1の面は、実際の磁石の外面(第1の表面)そのものではなく第1の表面を一部に含む幾何学的な第1の仮想面であり、本願発明の第2の面は、実際の磁石の外面(第2の表面)そのものではなく第2の表面を一部に含む幾何学的な第2の仮想面であってもよい。
Further, the first surface of the present invention is not the actual outer surface (first surface) of the magnet itself, but a geometric first imaginary surface partially including the first surface. The
また、上記実施の形態では、例えば図9に示したように、磁気センサ20の全ての部分が、X軸方向において、磁石31Aと磁石34Aとの間の領域GPに収まるようにしたが、本発明はこれに限定されるものではない。磁気センサの一部が、第1の方向において、第1の磁石と第2の磁石との間の領域からはみ出していてもよい。
Further, in the above embodiment, as shown in FIG. 9, for example, all parts of the
なお、直交とは、幾何学的に厳密に90°である概念に加え、90°から製造誤差程度、例えば±5°程度の誤差を含む概念である。 In addition to the concept of being geometrically strictly 90°, the concept of orthogonality includes an error of about ±5° from 90° due to manufacturing error.
本発明の一実施態様としての位置検出装置によれば、高い検出精度を発現することができる。 According to the position detection device as one embodiment of the present invention, high detection accuracy can be achieved.
100…撮像装置、200…イメージセンサ、300…レンズモジュール、1…位置検出装置、3…駆動装置、4…制御部、5…レンズ、6…筐体、7…基板、7a…上面、7K…開口部、11…第1の磁界発生部、12…第2の磁界発生部、13,31A,34A…磁石、14…第1の保持部材、15…第2の保持部材、16…第1のワイヤ、17…第2のワイヤ、20,30…磁気センサ、41~46…コイル、150…MR素子、162…下部電極、163…上部電極、151…磁化自由層、152…非磁性層、153…磁化固定層、154…反強磁性層、MF1…第1の磁界、MF2…第2の磁界、MF…合成磁界。
DESCRIPTION OF
Claims (20)
第1の方向において互いに離間して配置された第1の磁石および第2の磁石を含んで第1の磁界を発生する第1の磁界発生部と、
第2の磁界を発生し、前記第1の磁界発生部および前記磁気センサに対し前記第1の方向と直交する第2の方向に沿って移動可能に設けられた第2の磁界発生部と
を有し、
前記第1の方向において、前記磁気センサの中心位置は前記第1の磁石と前記第2の磁石との間の領域のうちの前記第1の磁石と前記第2の磁石との中間位置以外の位置にあり、
前記磁気センサは、前記第2の方向と直交する平面に沿った前記第1の磁界と前記平面に沿った前記第2の磁界とが合成された検出対象磁界の方向に対応した検出信号を生成し、前記第2の磁界発生部の位置の変化を検出可能であり、
前記第1の磁石および前記第2の磁石は、それぞれ、前記平面に対し90±5°の角度をなすと共に前記第1の方向に対し45±5°の角度をなす第1の面と、前記平面に対し90±5°の角度をなすと共に前記第1の面に対し90±5°の角度をなす第2の面とが交わる頂点を含み、
前記第1の磁石における前記第2の面と前記第2の磁石における前記第2の面とのなす角度は90±5°であり、
前記第1の磁石および前記第2の磁石は、それぞれ、前記磁気センサからの距離が各々の前記頂点において最小となる姿勢で配置されており、
以下の条件式(1)を満たす
位置検出装置。
0<D<(G×2/5) ……(1)
ただし、
D:第1の方向における第1の磁石の頂点と第2の磁石の頂点との中間位置から磁気センサの中心位置までの距離
G:第1の方向における第1の磁石の頂点と第2の磁石の頂点との間隔
である。 a magnetic sensor;
a first magnetic field generator that generates a first magnetic field including a first magnet and a second magnet spaced apart from each other in a first direction;
a second magnetic field generator that generates a second magnetic field and is movably provided along a second direction orthogonal to the first direction with respect to the first magnetic field generator and the magnetic sensor; have
In the first direction, the center position of the magnetic sensor is a region between the first magnet and the second magnet other than the intermediate position between the first magnet and the second magnet. in position,
The magnetic sensor generates a detection signal corresponding to the direction of a detection target magnetic field obtained by synthesizing the first magnetic field along a plane orthogonal to the second direction and the second magnetic field along the plane. and can detect a change in the position of the second magnetic field generator ,
The first magnet and the second magnet each have a first surface that forms an angle of 90±5° with respect to the plane and an angle of 45±5° with respect to the first direction; including a vertex that intersects a second plane that forms an angle of 90 ± 5° with respect to the plane and forms an angle of 90 ± 5° with respect to the first surface;
an angle between the second surface of the first magnet and the second surface of the second magnet is 90±5°;
The first magnet and the second magnet are arranged in a posture that minimizes the distance from the magnetic sensor at each of the vertexes,
Satisfies the following conditional expression (1)
Position detection device.
0<D<(G×2/5) ……(1)
however,
D: Distance from the intermediate position between the vertex of the first magnet and the vertex of the second magnet in the first direction to the center position of the magnetic sensor
G: the distance between the apex of the first magnet and the apex of the second magnet in the first direction
is.
(G/6)<D<(G/3) ……(2) 2. The position detection device according to claim 1, which satisfies the following conditional expression (2).
(G/6)<D<(G/3) ……(2)
第1の方向において互いに離間して配置された第1の磁石および第2の磁石を含んで第1の磁界を発生する第1の磁界発生部と、a first magnetic field generator that generates a first magnetic field including a first magnet and a second magnet spaced apart from each other in a first direction;
第2の磁界を発生し、前記第1の磁界発生部および前記磁気センサに対し前記第1の方向と直交する第2の方向に沿って移動可能に設けられた第2の磁界発生部とa second magnetic field generator that generates a second magnetic field and is movably provided along a second direction orthogonal to the first direction with respect to the first magnetic field generator and the magnetic sensor;
を有し、has
前記第1の方向において、前記磁気センサの中心位置は前記第1の磁石と前記第2の磁石との間の領域のうちの前記第1の磁石と前記第2の磁石との中間位置以外の位置にあり、In the first direction, the center position of the magnetic sensor is a region between the first magnet and the second magnet other than the intermediate position between the first magnet and the second magnet. in position,
前記磁気センサは、前記第2の方向と直交する平面に沿った前記第1の磁界と前記平面に沿った前記第2の磁界とが合成された検出対象磁界の方向に対応した検出信号を生成し、前記第2の磁界発生部の位置の変化を検出可能であり、The magnetic sensor generates a detection signal corresponding to the direction of a detection target magnetic field obtained by synthesizing the first magnetic field along a plane orthogonal to the second direction and the second magnetic field along the plane. and can detect a change in the position of the second magnetic field generator,
前記第1の磁石および前記第2の磁石は、それぞれ、前記平面に対し90±5°の角度をなすと共に前記第1の方向に沿った第1の面と、前記平面に対し90±5°の角度をなすと共に前記第1の面に対し45±5°以下の角度をなす部分を含む第2の面とを含み、The first magnet and the second magnet respectively have a first plane that forms an angle of 90±5° with respect to the plane and along the first direction and a plane that is 90±5° with respect to the plane. and a second surface including a portion that forms an angle of 45 ± 5° or less with respect to the first surface;
前記第1の磁石における前記第2の面と前記第2の磁石における前記第2の面とは、前記第1の方向において対向し、前記第1の磁石における前記第1の面および前記第2の磁石における前記第1の面から遠ざかるほど前記第1の方向において互いに遠ざかるように設けられており、The second surface of the first magnet and the second surface of the second magnet face each other in the first direction, and the first surface of the first magnet and the second surface of the second magnet face each other in the first direction. are provided so as to separate from each other in the first direction as the distance from the first surface of the magnet is increased,
以下の条件式(3)を満たすSatisfies the following conditional expression (3)
位置検出装置。Position detection device.
0<D<(G/4) ……(3)0<D<(G/4) ……(3)
ただし、however,
D:第1の方向における第1の磁石と第2の磁石との中間位置から磁気センサの中心位置までの距離D: Distance from the intermediate position between the first magnet and the second magnet in the first direction to the center position of the magnetic sensor
G:第1の方向における第1の磁石と第2の磁石との最小の間隔G: minimum spacing between the first magnet and the second magnet in the first direction
である。is.
(G/12)<D<(G/5) ……(4) 4. The position detection device according to claim 3, which satisfies the following conditional expression (4).
(G/12)<D<(G/5) ……(4)
第1の方向において互いに離間して配置された第1の磁石および第2の磁石を含んで第1の磁界を発生する第1の磁界発生部と、
第2の磁界を発生し、前記第1の磁界発生部および前記磁気センサに対し前記第1の方向と直交する第2の方向に沿って移動可能に設けられた第2の磁界発生部と
を有し、
前記第1の方向において、前記磁気センサの中心位置は前記第1の磁石と前記第2の磁石との間の領域のうちの前記第1の磁石と前記第2の磁石との中間位置以外の位置にあり、
前記磁気センサは、前記第2の方向と直交する平面に沿った前記第1の磁界と前記平面に沿った前記第2の磁界とが合成された検出対象磁界の方向に対応した検出信号を生成し、前記第2の磁界発生部の位置の変化を検出可能であり、
前記第1の磁石および前記第2の磁石は、いずれも、第1の磁性材料を主成分とすると共に第1の形状を有し、
前記第2の磁界発生部は、第2の磁性材料を主成分とすると共に第2の形状をなす第3の磁石を含む
位置検出装置。 a magnetic sensor;
a first magnetic field generator that generates a first magnetic field including a first magnet and a second magnet spaced apart from each other in a first direction;
a second magnetic field generator that generates a second magnetic field and is movably provided along a second direction orthogonal to the first direction with respect to the first magnetic field generator and the magnetic sensor;
has
In the first direction, the center position of the magnetic sensor is a region between the first magnet and the second magnet other than the intermediate position between the first magnet and the second magnet. in position,
The magnetic sensor generates a detection signal corresponding to the direction of a detection target magnetic field obtained by synthesizing the first magnetic field along a plane orthogonal to the second direction and the second magnetic field along the plane. and can detect a change in the position of the second magnetic field generator,
Both the first magnet and the second magnet are mainly composed of a first magnetic material and have a first shape,
The position detecting device , wherein the second magnetic field generating section includes a third magnet having a second shape and having a second magnetic material as a main component .
請求項5記載の位置検出装置。 6. The position detecting device according to claim 5 , wherein the absolute value of the temperature coefficient of the second residual magnetic flux density in the second magnetic material is smaller than the absolute value of the temperature coefficient of the first residual magnetic flux density in the first magnetic material. .
前記第2の磁性材料は、SmCoを含む
請求項5または請求項6記載の位置検出装置。 the first magnetic material comprises NdFeB;
7. The position detecting device according to claim 5 , wherein the second magnetic material contains SmCo.
請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の位置検出装置。 All parts of the magnetic sensor are positioned in the first direction at intermediate positions between the first magnet and the second magnet in the area between the first magnet and the second magnet. located in a position other than
The position detection device according to any one of claims 1 to 7 .
請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の位置検出装置。 The second magnetic field generating section is configured such that a part of the second magnetic field generating section exists in an intermediate position between the first magnet and the second magnet in the first direction. located in the region between one magnet and the second magnet
The position detection device according to any one of claims 1 to 7 .
請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の位置検出装置。 A center position of the second magnetic field generating section in the first direction is located at an intermediate position between the first magnet and the second magnet in the first direction.
The position detection device according to any one of claims 1 to 7 .
前記第1の保持部材に対し前記第2の方向に沿って移動可能に設けられ、前記第2の磁界発生部を保持する第2の保持部材と
をさらに有する
請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の位置検出装置。 a first holding member that holds the first magnetic field generator;
and a second holding member that is movably provided along the second direction with respect to the first holding member and holds the second magnetic field generating section . 1. The position detection device according to claim 1.
請求項11記載の位置検出装置。 The position detection device according to claim 11 , wherein the second holding member can hold a lens having an optical axis along the second direction.
請求項1から請求項12のいずれか1項に記載の位置検出装置。 The position detection device according to any one of claims 1 to 12 , wherein the magnetic sensor has a sensitivity axis parallel to a plane perpendicular to the second direction.
第1の方向において互いに離間して配置された第1の磁石および第2の磁石を含んで第1の磁界を発生する第1の磁界発生部と、
第2の磁界を発生し、前記第1の磁界発生部および前記磁気センサに対し前記第1の方向と直交する第2の方向に沿って移動可能に設けられた第2の磁界発生部と、
前記第2の磁界発生部と連動して、前記第1の磁界発生部および前記磁気センサに対し前記第2の方向に沿って移動可能に設けられたレンズと
を有し、
前記第1の方向において、前記磁気センサの中心位置は前記第1の磁石と前記第2の磁石との間の領域のうちの前記第1の磁石と前記第2の磁石との中間位置以外の位置にあり、
前記磁気センサは、前記第2の方向と直交する平面に沿った前記第1の磁界と前記平面に沿った前記第2の磁界とが合成された検出対象磁界の方向に対応した検出信号を生成し、前記第2の磁界発生部の位置の変化を検出可能であり、
前記第1の磁石および前記第2の磁石は、それぞれ、前記平面に対し90±5°の角度をなすと共に前記第1の方向に対し45±5°の角度をなす第1の面と、前記平面に対し90±5°の角度をなすと共に前記第1の面に対し90±5°の角度をなす第2の面とが交わる頂点を含み、
前記第1の磁石における前記第2の面と前記第2の磁石における前記第2の面とのなす角度は90±5°であり、
前記第1の磁石および前記第2の磁石は、それぞれ、前記磁気センサからの距離が各々の前記頂点において最小となる姿勢で配置されており、
以下の条件式(1)を満たす
レンズモジュール。
0<D<(G×2/5) ……(1)
ただし、
D:第1の方向における第1の磁石の頂点と第2の磁石の頂点との中間位置から磁気センサの中心位置までの距離
G:第1の方向における第1の磁石の頂点と第2の磁石の頂点との間隔
である。 a magnetic sensor;
a first magnetic field generator that generates a first magnetic field including a first magnet and a second magnet spaced apart from each other in a first direction;
a second magnetic field generator that generates a second magnetic field and is provided movably along a second direction orthogonal to the first direction with respect to the first magnetic field generator and the magnetic sensor;
a lens movably provided along the second direction with respect to the first magnetic field generator and the magnetic sensor in conjunction with the second magnetic field generator;
In the first direction, the center position of the magnetic sensor is a region between the first magnet and the second magnet other than the intermediate position between the first magnet and the second magnet. in position,
The magnetic sensor generates a detection signal corresponding to the direction of a detection target magnetic field obtained by synthesizing the first magnetic field along a plane orthogonal to the second direction and the second magnetic field along the plane. and can detect a change in the position of the second magnetic field generator ,
The first magnet and the second magnet each have a first surface that forms an angle of 90±5° with respect to the plane and an angle of 45±5° with respect to the first direction; including a vertex that intersects a second plane that forms an angle of 90 ± 5° with respect to the plane and forms an angle of 90 ± 5° with respect to the first surface;
an angle between the second surface of the first magnet and the second surface of the second magnet is 90±5°;
The first magnet and the second magnet are arranged in a posture that minimizes the distance from the magnetic sensor at each of the vertexes,
Satisfies the following conditional expression (1)
lens module.
0<D<(G×2/5) ……(1)
however,
D: Distance from the intermediate position between the vertex of the first magnet and the vertex of the second magnet in the first direction to the center position of the magnetic sensor
G: the distance between the apex of the first magnet and the apex of the second magnet in the first direction
is.
第1の方向において互いに離間して配置された第1の磁石および第2の磁石を含んで第1の磁界を発生する第1の磁界発生部と、 a first magnetic field generator that generates a first magnetic field including a first magnet and a second magnet spaced apart from each other in a first direction;
第2の磁界を発生し、前記第1の磁界発生部および前記磁気センサに対し前記第1の方向と直交する第2の方向に沿って移動可能に設けられた第2の磁界発生部と、 a second magnetic field generator that generates a second magnetic field and is provided movably along a second direction orthogonal to the first direction with respect to the first magnetic field generator and the magnetic sensor;
前記第2の磁界発生部と連動して、前記第1の磁界発生部および前記磁気センサに対し前記第2の方向に沿って移動可能に設けられたレンズと a lens movably provided along the second direction with respect to the first magnetic field generator and the magnetic sensor in conjunction with the second magnetic field generator;
を有し、 has
前記第1の方向において、前記磁気センサの中心位置は前記第1の磁石と前記第2の磁石との間の領域のうちの前記第1の磁石と前記第2の磁石との中間位置以外の位置にあり、 In the first direction, the center position of the magnetic sensor is a region between the first magnet and the second magnet other than the intermediate position between the first magnet and the second magnet. in position,
前記磁気センサは、前記第2の方向と直交する平面に沿った前記第1の磁界と前記平面に沿った前記第2の磁界とが合成された検出対象磁界の方向に対応した検出信号を生成し、前記第2の磁界発生部の位置の変化を検出可能であり、 The magnetic sensor generates a detection signal corresponding to the direction of a detection target magnetic field obtained by synthesizing the first magnetic field along a plane orthogonal to the second direction and the second magnetic field along the plane. and can detect a change in the position of the second magnetic field generator,
前記第1の磁石および前記第2の磁石は、それぞれ、前記平面に対し90±5°の角度をなすと共に前記第1の方向に沿った第1の面と、前記平面に対し90±5°の角度をなすと共に前記第1の面に対し45±5°以下の角度をなす部分を含む第2の面とを含み、The first magnet and the second magnet respectively have a first plane that forms an angle of 90±5° with respect to the plane and along the first direction and a plane that is 90±5° with respect to the plane. and a second surface including a portion that forms an angle of 45 ± 5° or less with respect to the first surface;
前記第1の磁石における前記第2の面と前記第2の磁石における前記第2の面とは、前記第1の方向において対向し、前記第1の磁石における前記第1の面および前記第2の磁石における前記第1の面から遠ざかるほど前記第1の方向において互いに遠ざかるように設けられており、The second surface of the first magnet and the second surface of the second magnet face each other in the first direction, and the first surface of the first magnet and the second surface of the second magnet face each other in the first direction. are provided so as to separate from each other in the first direction as the distance from the first surface of the magnet is increased,
以下の条件式(3)を満たすSatisfies the following conditional expression (3)
レンズモジュール。lens module.
0<D<(G/4) ……(3)0<D<(G/4) ……(3)
ただし、however,
D:第1の方向における第1の磁石と第2の磁石との中間位置から磁気センサの中心位置までの距離D: Distance from the intermediate position between the first magnet and the second magnet in the first direction to the center position of the magnetic sensor
G:第1の方向における第1の磁石と第2の磁石との最小の間隔G: minimum spacing between the first magnet and the second magnet in the first direction
である。is.
第1の方向において互いに離間して配置された第1の磁石および第2の磁石を含んで第1の磁界を発生する第1の磁界発生部と、 a first magnetic field generator that generates a first magnetic field including a first magnet and a second magnet spaced apart from each other in a first direction;
第2の磁界を発生し、前記第1の磁界発生部および前記磁気センサに対し前記第1の方向と直交する第2の方向に沿って移動可能に設けられた第2の磁界発生部と、 a second magnetic field generator that generates a second magnetic field and is provided movably along a second direction orthogonal to the first direction with respect to the first magnetic field generator and the magnetic sensor;
前記第2の磁界発生部と連動して、前記第1の磁界発生部および前記磁気センサに対し前記第2の方向に沿って移動可能に設けられたレンズと a lens movably provided along the second direction with respect to the first magnetic field generator and the magnetic sensor in conjunction with the second magnetic field generator;
を有し、 has
前記第1の方向において、前記磁気センサの中心位置は前記第1の磁石と前記第2の磁石との間の領域のうちの前記第1の磁石と前記第2の磁石との中間位置以外の位置にあり、 In the first direction, the center position of the magnetic sensor is a region between the first magnet and the second magnet other than the intermediate position between the first magnet and the second magnet. in position,
前記磁気センサは、前記第2の方向と直交する平面に沿った前記第1の磁界と前記平面に沿った前記第2の磁界とが合成された検出対象磁界の方向に対応した検出信号を生成し、前記第2の磁界発生部の位置の変化を検出可能であり、 The magnetic sensor generates a detection signal corresponding to the direction of a detection target magnetic field obtained by synthesizing the first magnetic field along a plane orthogonal to the second direction and the second magnetic field along the plane. and can detect a change in the position of the second magnetic field generator,
前記第1の磁石および前記第2の磁石は、いずれも、第1の磁性材料を主成分とすると共に第1の形状を有し、Both the first magnet and the second magnet are mainly composed of a first magnetic material and have a first shape,
前記第2の磁界発生部は、第2の磁性材料を主成分とすると共に第2の形状をなす第3の磁石を含むThe second magnetic field generator includes a third magnet having a second shape and having a second magnetic material as a main component.
レンズモジュール。lens module.
前記第1の保持部材に対し前記第2の方向に沿って移動可能に設けられ、
前記第2の磁界発生部および前記レンズを保持する第2の保持部材と
をさらに有する
請求項14から請求項16のいずれか1項に記載のレンズモジュール。 a first holding member that holds the first magnetic field generator;
provided movably along the second direction with respect to the first holding member,
17. The lens module according to any one of claims 14 to 16, further comprising a second holding member that holds the second magnetic field generator and the lens.
レンズモジュールと
を備え、
前記レンズモジュールは、
磁気センサと、
第1の方向において互いに離間して配置された第1の磁石および第2の磁石を含んで第1の磁界を発生する第1の磁界発生部と、
第2の磁界を発生し、前記第1の磁界発生部および前記磁気センサに対し前記第1の方向と直交する第2の方向に沿って移動可能に設けられた第2の磁界発生部と、
前記第2の磁界発生部と連動して、前記第1の磁界発生部および前記磁気センサに対し前記第2の方向に沿って移動可能に設けられたレンズと
を有し、
前記第1の方向において、前記磁気センサの中心位置は前記第1の磁石と前記第2の磁石との間の領域のうちの前記第1の磁石と前記第2の磁石との中間位置以外の位置にあり、
前記磁気センサは、前記第2の方向と直交する平面に沿った前記第1の磁界と前記平面に沿った前記第2の磁界とが合成された検出対象磁界の方向に対応した検出信号を生成し、前記第2の磁界発生部の位置の変化を検出可能であり、
前記第1の磁石および前記第2の磁石は、それぞれ、前記平面に対し90±5°の角度をなすと共に前記第1の方向に対し45±5°の角度をなす第1の面と、前記平面に対し90±5°の角度をなすと共に前記第1の面に対し90±5°の角度をなす第2の面とが交わる頂点を含み、
前記第1の磁石における前記第2の面と前記第2の磁石における前記第2の面とのなす角度は90±5°であり、
前記第1の磁石および前記第2の磁石は、それぞれ、前記磁気センサからの距離が各々の前記頂点において最小となる姿勢で配置されており、
以下の条件式(1)を満たす
撮像装置。
0<D<(G×2/5) ……(1)
ただし、
D:第1の方向における第1の磁石の頂点と第2の磁石の頂点との中間位置から磁気センサの中心位置までの距離
G:第1の方向における第1の磁石の頂点と第2の磁石の頂点との間隔
である。 an imaging device;
with a lens module and
The lens module is
a magnetic sensor;
a first magnetic field generator that generates a first magnetic field including a first magnet and a second magnet spaced apart from each other in a first direction;
a second magnetic field generator that generates a second magnetic field and is provided movably along a second direction orthogonal to the first direction with respect to the first magnetic field generator and the magnetic sensor;
a lens movably provided along the second direction with respect to the first magnetic field generator and the magnetic sensor in conjunction with the second magnetic field generator;
In the first direction, the center position of the magnetic sensor is a region between the first magnet and the second magnet other than the intermediate position between the first magnet and the second magnet. in position,
The magnetic sensor generates a detection signal corresponding to the direction of a detection target magnetic field obtained by synthesizing the first magnetic field along a plane orthogonal to the second direction and the second magnetic field along the plane. and can detect a change in the position of the second magnetic field generator ,
The first magnet and the second magnet each have a first surface that forms an angle of 90±5° with respect to the plane and an angle of 45±5° with respect to the first direction; including a vertex that intersects a second plane that forms an angle of 90 ± 5° with respect to the plane and forms an angle of 90 ± 5° with respect to the first surface;
an angle between the second surface of the first magnet and the second surface of the second magnet is 90±5°;
The first magnet and the second magnet are arranged in a posture that minimizes the distance from the magnetic sensor at each of the vertexes,
Satisfies the following conditional expression (1)
Imaging device.
0<D<(G×2/5) ……(1)
however,
D: Distance from the intermediate position between the vertex of the first magnet and the vertex of the second magnet in the first direction to the center position of the magnetic sensor
G: the distance between the apex of the first magnet and the apex of the second magnet in the first direction
is.
レンズモジュールと lens module and
を備え、 with
前記レンズモジュールは、 The lens module is
磁気センサと、 a magnetic sensor;
第1の方向において互いに離間して配置された第1の磁石および第2の磁石を含んで第1の磁界を発生する第1の磁界発生部と、 a first magnetic field generator that generates a first magnetic field including a first magnet and a second magnet spaced apart from each other in a first direction;
第2の磁界を発生し、前記第1の磁界発生部および前記磁気センサに対し前記第1の方向と直交する第2の方向に沿って移動可能に設けられた第2の磁界発生部と、 a second magnetic field generator that generates a second magnetic field and is provided movably along a second direction orthogonal to the first direction with respect to the first magnetic field generator and the magnetic sensor;
前記第2の磁界発生部と連動して、前記第1の磁界発生部および前記磁気センサに対し前記第2の方向に沿って移動可能に設けられたレンズと a lens movably provided along the second direction with respect to the first magnetic field generator and the magnetic sensor in conjunction with the second magnetic field generator;
を有し、 has
前記第1の方向において、前記磁気センサの中心位置は前記第1の磁石と前記第2の磁石との間の領域のうちの前記第1の磁石と前記第2の磁石との中間位置以外の位置にあり、 In the first direction, the center position of the magnetic sensor is a region between the first magnet and the second magnet other than the intermediate position between the first magnet and the second magnet. in position,
前記磁気センサは、前記第2の方向と直交する平面に沿った前記第1の磁界と前記平面に沿った前記第2の磁界とが合成された検出対象磁界の方向に対応した検出信号を生成し、前記第2の磁界発生部の位置の変化を検出可能であり、 The magnetic sensor generates a detection signal corresponding to the direction of a detection target magnetic field obtained by synthesizing the first magnetic field along a plane orthogonal to the second direction and the second magnetic field along the plane. and can detect a change in the position of the second magnetic field generator,
前記第1の磁石および前記第2の磁石は、それぞれ、前記平面に対し90±5°の角度をなすと共に前記第1の方向に沿った第1の面と、前記平面に対し90±5°の角度をなすと共に前記第1の面に対し45±5°以下の角度をなす部分を含む第2の面とを含み、The first magnet and the second magnet respectively have a first plane that forms an angle of 90±5° with respect to the plane and along the first direction and a plane that is 90±5° with respect to the plane. and a second surface including a portion that forms an angle of 45 ± 5° or less with respect to the first surface;
前記第1の磁石における前記第2の面と前記第2の磁石における前記第2の面とは、前記第1の方向において対向し、前記第1の磁石における前記第1の面および前記第2の磁石における前記第1の面から遠ざかるほど前記第1の方向において互いに遠ざかるように設けられており、The second surface of the first magnet and the second surface of the second magnet face each other in the first direction, and the first surface of the first magnet and the second surface of the second magnet face each other in the first direction. are provided so as to separate from each other in the first direction as the distance from the first surface of the magnet is increased,
以下の条件式(3)を満たすSatisfies the following conditional expression (3)
撮像装置。Imaging device.
0<D<(G/4) ……(3)0<D<(G/4) ……(3)
ただし、however,
D:第1の方向における第1の磁石と第2の磁石との中間位置から磁気センサの中心位置までの距離D: Distance from the intermediate position between the first magnet and the second magnet in the first direction to the center position of the magnetic sensor
G:第1の方向における第1の磁石と第2の磁石との最小の間隔G: minimum spacing between the first magnet and the second magnet in the first direction
である。is.
レンズモジュールと lens module and
を備え、 with
前記レンズモジュールは、 The lens module is
磁気センサと、 a magnetic sensor;
第1の方向において互いに離間して配置された第1の磁石および第2の磁石を含んで第1の磁界を発生する第1の磁界発生部と、 a first magnetic field generator that generates a first magnetic field including a first magnet and a second magnet spaced apart from each other in a first direction;
第2の磁界を発生し、前記第1の磁界発生部および前記磁気センサに対し前記第1の方向と直交する第2の方向に沿って移動可能に設けられた第2の磁界発生部と、 a second magnetic field generator that generates a second magnetic field and is provided movably along a second direction orthogonal to the first direction with respect to the first magnetic field generator and the magnetic sensor;
前記第2の磁界発生部と連動して、前記第1の磁界発生部および前記磁気センサに対し前記第2の方向に沿って移動可能に設けられたレンズと a lens movably provided along the second direction with respect to the first magnetic field generator and the magnetic sensor in conjunction with the second magnetic field generator;
を有し、 has
前記第1の方向において、前記磁気センサの中心位置は前記第1の磁石と前記第2の磁石との間の領域のうちの前記第1の磁石と前記第2の磁石との中間位置以外の位置にあり、 In the first direction, the center position of the magnetic sensor is a region between the first magnet and the second magnet other than the intermediate position between the first magnet and the second magnet. in position,
前記磁気センサは、前記第2の方向と直交する平面に沿った前記第1の磁界と前記平面に沿った前記第2の磁界とが合成された検出対象磁界の方向に対応した検出信号を生成し、前記第2の磁界発生部の位置の変化を検出可能であり、 The magnetic sensor generates a detection signal corresponding to the direction of a detection target magnetic field obtained by synthesizing the first magnetic field along a plane orthogonal to the second direction and the second magnetic field along the plane. and can detect a change in the position of the second magnetic field generator,
前記第1の磁石および前記第2の磁石は、いずれも、第1の磁性材料を主成分とすると共に第1の形状を有し、Both the first magnet and the second magnet are mainly composed of a first magnetic material and have a first shape,
前記第2の磁界発生部は、第2の磁性材料を主成分とすると共に第2の形状をなす第3の磁石を含むThe second magnetic field generator includes a third magnet having a second shape and having a second magnetic material as a main component.
撮像装置。Imaging device.
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