JP7085946B2 - Plasma generator and heater warm-up method - Google Patents

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Description

本開示は、プラズマヘッドの温度を監視するプラズマ発生装置に関するものである。 The present disclosure relates to a plasma generator that monitors the temperature of a plasma head.

従来より、プラズマ発生装置に関し、プラズマヘッドの温度を監視する技術が種々提案されている。 Conventionally, various techniques for monitoring the temperature of a plasma head have been proposed for a plasma generator.

例えば、下記特許文献1に記載の大気圧プラズマ発生装置では、プラズマヘッドにおいて、反応容器の上端から第1の不活性ガスを導入し、反応容器の外側近傍に配置されたアンテナ又は電極に高周波電圧を印加することで、反応容器内で発生したプラズマが吹き出し口から一次プラズマとして吹き出し、この一次プラズマが混合ガス空間内に混合ガスを供給して形成されている混合ガス領域に衝突し、その混合ガスが雪崩れ現象的にプラズマ化し、二次プラズマとして混合ガス空間から吹きだす。その際、アンテナ又は電極は、高周波電流が流れることで発熱するが、アンテナ又は電極に密接して配設された非導電性放熱部材を通して放熱されることで、高温になるのが防止され、さらにその非導電性放熱部材の温度を検出し、検出温度が上限設定温度以上になったときには強制冷却手段を動作させて強制的に冷却し、下限設定温度以下になったとき強制冷却手段の動作を停止させて強制冷却を止める。 For example, in the atmospheric pressure plasma generator described in Patent Document 1 below, in the plasma head, a first inert gas is introduced from the upper end of the reaction vessel, and a high frequency voltage is applied to an antenna or an electrode arranged near the outside of the reaction vessel. By applying, the plasma generated in the reaction vessel is blown out as a primary plasma from the outlet, and this primary plasma collides with the mixed gas region formed by supplying the mixed gas into the mixed gas space, and the mixture is mixed. The gas turns into plasma in a snowfall phenomenon and is blown out from the mixed gas space as secondary plasma. At that time, the antenna or the electrode generates heat due to the flow of a high-frequency current, but the heat is dissipated through the non-conductive heat-dissipating member arranged in close contact with the antenna or the electrode to prevent the temperature from becoming high. The temperature of the non-conductive heat dissipation member is detected, and when the detected temperature exceeds the upper limit set temperature, the forced cooling means is operated to forcibly cool, and when the temperature falls below the lower limit set temperature, the forced cooling means is operated. Stop and stop forced cooling.

特開2008-47446号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2008-47446

しかしながら、上記特許文献1に記載の大気圧プラズマ発生装置は、プラズマ発生中のプラズマヘッドの温度調節が可能であるが、プラズマ発生前の暖機段階における温度上昇過程を監視することは困難であった。 However, although the atmospheric pressure plasma generator described in Patent Document 1 can control the temperature of the plasma head during plasma generation, it is difficult to monitor the temperature rise process in the warm-up stage before plasma generation. rice field.

そこで、本開示は、上述した点を鑑みてなされたものであり、プラズマヘッドから照射されるプラズマを加温するヒータの暖機中における温度上昇過程を監視することが可能なプラズマ発生装置とヒータ暖機方法を提供することを課題とする。 Therefore, the present disclosure has been made in view of the above-mentioned points, and is a plasma generator and a heater capable of monitoring the temperature rise process during warming of the heater that heats the plasma irradiated from the plasma head. The challenge is to provide a warm-up method.

本明細書は、プラズマヘッドと、プラズマヘッドから照射されるプラズマを加温するヒータと、ヒータの暖機状態を判定するための基準データが記憶された記憶装置と、ヒータの温度を計測する温度センサと、制御装置と、を備え、制御装置は、ヒータの暖機を開始する暖機開始処理と、ヒータの暖機中において、温度センサの温度計測によって第1温度を取得する第1温度取得処理と、第1温度の取得時点から所定時間経過した基準時点に対応するヒータの下限温度を、記憶装置の基準データに基づいて算出する算出処理と、基準時点において、温度センサの温度計測によって第2温度を取得する第2温度取得処理と、第2温度が下限温度以上である場合に、第2温度を第1温度とみなして、更に、算出処理及び第2温度取得処理を繰り返す繰返処理と、第2温度が下限温度未満である場合に、ヒータの暖機を停止する暖機停止処理と、を実行し、基準データは、第1温度を分類する温度範囲と、第1温度から下限温度までの温度差とを対応付けたデータテーブルであるプラズマ発生装置を開示する。 This specification describes a plasma head, a heater that heats the plasma emitted from the plasma head, a storage device that stores reference data for determining the warm-up state of the heater, and a temperature for measuring the temperature of the heater. A sensor and a control device are provided, and the control device acquires the first temperature by measuring the temperature of the temperature sensor during the warm-up start process of starting the warm-up of the heater and the warm-up of the heater. A calculation process that calculates the lower limit temperature of the heater corresponding to the reference time point after a predetermined time has passed from the acquisition time of the first temperature based on the reference data of the storage device, and the temperature measurement of the temperature sensor at the reference time point. The second temperature acquisition process for acquiring two temperatures, and when the second temperature is equal to or higher than the lower limit temperature, the second temperature is regarded as the first temperature, and the calculation process and the second temperature acquisition process are repeated . The return process and the warm-up stop process for stopping the warm-up of the heater when the second temperature is less than the lower limit temperature are executed , and the reference data includes the temperature range for classifying the first temperature and the first temperature. A plasma generator , which is a data table associated with a temperature difference from to the lower limit temperature, is disclosed.

本開示によれば、プラズマ発生装置は、プラズマヘッドから照射されるプラズマを加温
するヒータの暖機中における温度上昇過程を監視することが可能である。
According to the present disclosure, the plasma generator can monitor the temperature rise process during warming up of the heater that heats the plasma emitted from the plasma head.

大気圧プラズマ発生装置のプラズマヘッドを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the plasma head of the atmospheric pressure plasma generator. 大気圧プラズマ発生装置のプラズマヘッドの下端部を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the lower end part of the plasma head of the atmospheric pressure plasma generator. 大気圧プラズマ発生装置のプラズマヘッドの要部を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the main part of the plasma head of the atmospheric pressure plasma generator. 大気圧プラズマ発生装置の制御系統を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the control system of the atmospheric pressure plasma generator. ヒータ暖機方法の制御プログラムを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the control program of a heater warm-up method. 暖機運転中におけるヒータの温度上昇過程の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the temperature rise process of a heater during a warm-up operation. 第1温度とヒータの下限温度との対応関係の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the correspondence relation between the 1st temperature and the lower limit temperature of a heater. プラズマヘッド冷却方法の制御プログラムを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the control program of the plasma head cooling method. 産業用ロボットに取り付けられた大気圧プラズマ発生装置の概略構成を示す図である。It is a figure which shows the schematic structure of the atmospheric pressure plasma generator attached to the industrial robot.

全体構成
大気圧プラズマ発生装置は、大気圧下でプラズマを発生させるための装置である。図9に示すように、大気圧プラズマ発生装置10は、プラズマヘッド18、制御装置16、電力ケーブル140、及びガス配管180等を備える。大気圧プラズマ発生装置10は、制御装置16から電力ケーブル140を介してプラズマヘッド18に電力を伝送し、ガス配管180を介して処理ガス等を供給し、プラズマヘッド18からプラズマガスを照射させる。プラズマヘッド18は、産業用ロボット200のロボットアーム201の先端に取り付けられている。電力ケーブル140及びガス配管180は、ロボットアーム201に沿って取り付けられている。ロボットアーム201は、2つのアーム部205,205を1方向に連結させた多関節ロボットである。産業用ロボット200は、ロボットアーム201を駆動してプラズマヘッド18を移動させ、ワーク台5が支持するワークWにプラズマガスを照射する作業を行う。制御装置16は、処理ガス供給装置74及び加熱用ガス供給装置86を有する。処理ガス供給装置74は、窒素等の不活性ガスと酸素等の活性ガスとの少なくとも一方を処理ガスとして供給する。加熱用ガス供給装置86は、酸素等の活性ガス、若しくは、窒素等の不活性ガスを供給する。また、制御装置16には、表示装置115を備える。表示装置115は、各種の情報等が表示される画面を備える。
Overall configuration The atmospheric pressure plasma generator is a device for generating plasma under atmospheric pressure. As shown in FIG. 9, the atmospheric pressure plasma generator 10 includes a plasma head 18, a control device 16, a power cable 140, a gas pipe 180, and the like. The atmospheric pressure plasma generator 10 transmits power from the control device 16 to the plasma head 18 via the power cable 140, supplies the processing gas or the like via the gas pipe 180, and irradiates the plasma gas from the plasma head 18. The plasma head 18 is attached to the tip of the robot arm 201 of the industrial robot 200. The power cable 140 and the gas pipe 180 are attached along the robot arm 201. The robot arm 201 is an articulated robot in which two arm portions 205 and 205 are connected in one direction. The industrial robot 200 drives the robot arm 201 to move the plasma head 18 and irradiates the work W supported by the work table 5 with plasma gas. The control device 16 includes a processing gas supply device 74 and a heating gas supply device 86. The processing gas supply device 74 supplies at least one of an inert gas such as nitrogen and an active gas such as oxygen as a processing gas. The heating gas supply device 86 supplies an active gas such as oxygen or an inert gas such as nitrogen. Further, the control device 16 includes a display device 115. The display device 115 includes a screen on which various information and the like are displayed.

プラズマヘッド18の構成
図1に示すように、プラズマヘッド18は、プラズマガス噴出装置12と加熱ガス噴出装置14とを備えている。以下の説明において、プラズマヘッド18の幅方向をX方向と、プラズマヘッド18の奥行方向をY方向と、X方向とY方向とに直行する方向、つまり、上下方向をZ方向と称する。
Configuration of Plasma Head 18 As shown in FIG. 1, the plasma head 18 includes a plasma gas ejection device 12 and a heated gas ejection device 14. In the following description, the width direction of the plasma head 18 is referred to as the X direction, the depth direction of the plasma head 18 is referred to as the Y direction, and the direction orthogonal to the X direction and the Y direction, that is, the vertical direction is referred to as the Z direction.

プラズマガス噴出装置12は、ハウジング20、カバー22、1対の電極(図3,4参照)24,26によって構成されている。図3に示すように、ハウジング20は、メインハウジング30、放熱板31、アース板32、下部ハウジング34、ノズルブロック36を含む。メインハウジング30は、概してブロック状をなし、メインハウジング30の内部には、反応室38が形成されている。また、メインハウジング30には、上下方向に延びるように、複数の第1ガス流路(図3では1本の第1ガス流路のみが記されている)50が形成されており、複数の第1ガス流路50は、X方向(図3では、紙面に対して垂直方向)に所定の間隔をおいて並んでいる。各第1ガス流路50の上端部は、反応室38に開口し、下端部は、メインハウジング30の底面に開口している。 The plasma gas ejection device 12 is composed of a housing 20, a cover 22, and a pair of electrodes (see FIGS. 3 and 4) 24 and 26. As shown in FIG. 3, the housing 20 includes a main housing 30, a heat sink 31, a ground plate 32, a lower housing 34, and a nozzle block 36. The main housing 30 is generally in the shape of a block, and a reaction chamber 38 is formed inside the main housing 30. Further, the main housing 30 is formed with a plurality of first gas flow paths (only one first gas flow path is shown in FIG. 3) 50 so as to extend in the vertical direction, and a plurality of first gas flow paths are formed. The first gas flow paths 50 are arranged at predetermined intervals in the X direction (in FIG. 3, the direction perpendicular to the paper surface). The upper end of each first gas flow path 50 is open to the reaction chamber 38, and the lower end is open to the bottom surface of the main housing 30.

放熱板31は、メインハウジング30のY方向における一方側の側面に配設されている。放熱板31は、複数のフィン(図示省略)を有しており、メインハウジング30の熱を
放熱する。また、アース板32は、避雷針として機能するものであり、メインハウジング30の下面に固定されている。アース板32には、複数の第1ガス流路50に対応して、上下方向に貫通する複数の貫通穴56が形成されており、各貫通穴56は、対応する第1ガス流路50に連結されている。
The heat radiating plate 31 is arranged on one side surface of the main housing 30 in the Y direction. The heat sink 31 has a plurality of fins (not shown) and dissipates heat from the main housing 30. Further, the ground plate 32 functions as a lightning rod and is fixed to the lower surface of the main housing 30. The ground plate 32 is formed with a plurality of through holes 56 penetrating in the vertical direction corresponding to the plurality of first gas flow paths 50, and each through hole 56 is formed in the corresponding first gas flow path 50. It is connected.

下部ハウジング34は、ブロック状をなし、アース板32の下面に固定されている。下部ハウジング34には、複数の貫通穴56に対応して、複数の第2ガス流路62が上下方向に延びるように形成されている。各第2ガス流路62の上端部は、対応する貫通穴56に連結され、下端部は、下部ハウジング34の底面に開口している。 The lower housing 34 has a block shape and is fixed to the lower surface of the ground plate 32. The lower housing 34 is formed so that a plurality of second gas flow paths 62 extend in the vertical direction corresponding to the plurality of through holes 56. The upper end of each second gas flow path 62 is connected to the corresponding through hole 56, and the lower end is open to the bottom surface of the lower housing 34.

図2に示すように、ノズルブロック36は、下部ハウジング34の下面に固定されており、下部ハウジング34の複数の第2ガス流路62に対応して、複数の第3ガス流路66が、上下方向に延びるように形成されている。各第3ガス流路66の上端部は、対応する第2ガス流路62に連結され、下端部は、ノズルブロック36の底面に開口している。 As shown in FIG. 2, the nozzle block 36 is fixed to the lower surface of the lower housing 34, and the plurality of third gas flow paths 66 correspond to the plurality of second gas flow paths 62 of the lower housing 34. It is formed so as to extend in the vertical direction. The upper end of each third gas flow path 66 is connected to the corresponding second gas flow path 62, and the lower end is open to the bottom surface of the nozzle block 36.

図3に戻り、カバー22は、概して枡形をなし、下部ハウジング34及びノズルブロック36を覆うように、アース板32の下面に配設されている。カバー22の下面には、貫通穴70が形成されている。その貫通穴70は、ノズルブロック36の下面より大きく、ノズルブロック36の下面が、貫通穴70の内部に位置している。また、カバー22の加熱ガス噴出装置14側の側面にも、Y方向に延びるように貫通穴72が形成されている。 Returning to FIG. 3, the cover 22 is generally box-shaped and is arranged on the lower surface of the ground plate 32 so as to cover the lower housing 34 and the nozzle block 36. A through hole 70 is formed on the lower surface of the cover 22. The through hole 70 is larger than the lower surface of the nozzle block 36, and the lower surface of the nozzle block 36 is located inside the through hole 70. Further, a through hole 72 is also formed on the side surface of the cover 22 on the heating gas ejection device 14 side so as to extend in the Y direction.

1対の電極24,26は、メインハウジング30の反応室38の内部において、対向するように配設されている。その反応室38には、上記図9に示したガス配管180を介して、処理ガス供給装置(図4参照)74が接続されている。処理ガス供給装置74は、上述したように、窒素等の不活性ガスと酸素等の活性ガスとの少なくとも一方を、処理ガスとして供給する装置である。これにより、反応室38に、処理ガスが供給される。尚、処理ガスはドライエアでも良い。 The pair of electrodes 24, 26 are arranged so as to face each other inside the reaction chamber 38 of the main housing 30. A processing gas supply device (see FIG. 4) 74 is connected to the reaction chamber 38 via the gas pipe 180 shown in FIG. As described above, the processing gas supply device 74 is a device that supplies at least one of an inert gas such as nitrogen and an active gas such as oxygen as a processing gas. As a result, the processing gas is supplied to the reaction chamber 38. The processing gas may be dry air.

また、加熱ガス噴出装置14は、保護カバー80、ガス管82、ヒータ83、連結ブロック84を含む。保護カバー80は、プラズマガス噴出装置12の放熱板31を覆うように配設されている。ガス管82は、保護カバー80の内部において、上下方向に延びるように配設されており、ガス管82には、上記図9に示したガス配管180を介して、加熱用ガス供給装置(図4参照)86が接続されている。但し、ガス配管180は、2つの異なるチューブであり、上記の反応室38と上記の処理ガス供給装置74に接続されたチューブと、ガス管82と加熱用ガス供給装置86に接続されたチューブとで構成される。加熱用ガス供給装置86は、上述したように、酸素等の活性ガス、若しくは、窒素等の不活性ガス(以下、ガスと表記する。)を供給する装置である。これにより、ガス管82内には、加熱用ガス供給装置86からガスが供給され、そのガスが下方に向かって流れる。また、ガス管82内には、例えば、概してコイル状のヒータ83が吊設されている。これにより、加熱用ガス供給装置86からガス管82に供給されたガスが加熱される。また、図1に示すように、ガス管82には、概して円筒状の熱電対カバー91が、ガス管82の長手方向(つまり、上下方向)に沿って付設されている。 Further, the heating gas ejection device 14 includes a protective cover 80, a gas pipe 82, a heater 83, and a connecting block 84. The protective cover 80 is arranged so as to cover the heat radiating plate 31 of the plasma gas ejection device 12. The gas pipe 82 is arranged so as to extend in the vertical direction inside the protective cover 80, and the gas pipe 82 is provided with a heating gas supply device (FIG. 9) via the gas pipe 180 shown in FIG. 4) 86 is connected. However, the gas pipe 180 is two different tubes, one is a tube connected to the reaction chamber 38 and the above processing gas supply device 74, and the other is a tube connected to the gas pipe 82 and the heating gas supply device 86. Consists of. As described above, the heating gas supply device 86 is a device that supplies an active gas such as oxygen or an inert gas such as nitrogen (hereinafter referred to as gas). As a result, gas is supplied from the heating gas supply device 86 into the gas pipe 82, and the gas flows downward. Further, for example, a coil-shaped heater 83 is suspended in the gas pipe 82. As a result, the gas supplied from the heating gas supply device 86 to the gas pipe 82 is heated. Further, as shown in FIG. 1, a generally cylindrical thermocouple cover 91 is attached to the gas pipe 82 along the longitudinal direction (that is, the vertical direction) of the gas pipe 82.

熱電対カバー91内には、熱電対92が挿入されている。熱電対92の測温接点92Aは、熱電対カバー91の下端部からガス管82内に差し込まれ、ヒータ83の下側に配置されている。図1に示す矢印ARは、ガス管82内でガスが流れる方向を示している。従って、熱電対92は、ガス管82内におけるガスの下流側からヒータ83に近接する位置において、ガス管82内を流れるガスの温度を計測する。尚、大気圧プラズマ発生装置10において、熱電対92で計測される温度は、ヒータ83の温度又はプラズマヘッド18の温度として扱われる。 A thermocouple 92 is inserted in the thermocouple cover 91. The temperature measuring contact 92A of the thermocouple 92 is inserted into the gas pipe 82 from the lower end of the thermocouple cover 91 and is arranged below the heater 83. The arrow AR shown in FIG. 1 indicates the direction in which the gas flows in the gas pipe 82. Therefore, the thermocouple 92 measures the temperature of the gas flowing in the gas pipe 82 at a position close to the heater 83 from the downstream side of the gas in the gas pipe 82. In the atmospheric pressure plasma generator 10, the temperature measured by the thermocouple 92 is treated as the temperature of the heater 83 or the temperature of the plasma head 18.

図3に戻り、連結ブロック84は、ガス管82の下端に連結されるとともに、カバー22のY方向での加熱ガス噴出装置14側の側面に固定されている。連結ブロック84には、概してL字型に屈曲した連通路88が形成されており、連通路88の一端部は、連結ブロック84の上面に開口するとともに、連通路88の他端部は、連結ブロック84のプラズマガス噴出装置12側の側面に開口している。そして、連通路88の一端部がガス管82に連通し、連通路88の他端部が、カバー22の貫通穴72に連通している。
尚、プラズマガス噴出装置12は、アース板32を備え無くてもよい。
Returning to FIG. 3, the connecting block 84 is connected to the lower end of the gas pipe 82 and fixed to the side surface of the cover 22 on the heating gas ejection device 14 side in the Y direction. The connecting block 84 is formed with a connecting passage 88 that is generally bent in an L shape. One end of the connecting passage 88 opens to the upper surface of the connecting block 84, and the other end of the connecting passage 88 is connected. It is open on the side surface of the block 84 on the plasma gas ejection device 12 side. Then, one end of the communication passage 88 communicates with the gas pipe 82, and the other end of the communication passage 88 communicates with the through hole 72 of the cover 22.
The plasma gas ejection device 12 does not have to be provided with the ground plate 32.

大気圧プラズマ発生装置の制御系統
次に、大気圧プラズマ発生装置10の制御系統について説明する。大気圧プラズマ発生装置10は、上記図9に示したように、制御装置16を備える。更に、図4に示すように、制御装置16は、上述した処理ガス供給装置74、加熱用ガス供給装置86、及び表示装置115に加えて、コントローラ100、高周波電源102、駆動回路105、流量コントローラ103,104、制御回路106、通信部107、電力供給装置108、及び入力装置116等を備えている。コントローラ100は、CPU120、ROM122、RAM124等を備えるコンピュータ等により実現される。コントローラ100は、高周波電源102、駆動回路105、及び流量コントローラ103,104等を制御することにより、プラズマガス噴出装置12及び加熱ガス噴出装置14を制御する。また、コントローラ100は、制御回路106を介して、表示装置115に接続されている。これにより、コントローラ100の指令に従って、表示装置115に画像が表示される。更に、コントローラ100は、入力装置116に接続されている。入力装置116は、操作ボタン等により構成されており、操作ボタンへの操作による操作情報を出力する。これにより、操作ボタンへの操作による操作情報が、コントローラ100に入力される。通信部107は、不図示のネットワークに接続する通信機器と通信を行う。通信の形態は特に限定されず、例えば、LAN、シリアル通信等である。
Control system of the atmospheric pressure plasma generator Next, the control system of the atmospheric pressure plasma generator 10 will be described. As shown in FIG. 9, the atmospheric pressure plasma generator 10 includes a control device 16. Further, as shown in FIG. 4, in addition to the above-mentioned processing gas supply device 74, heating gas supply device 86, and display device 115, the control device 16 includes a controller 100, a high frequency power supply 102, a drive circuit 105, and a flow rate controller. It includes 103, 104, a control circuit 106, a communication unit 107, a power supply device 108, an input device 116, and the like. The controller 100 is realized by a computer or the like equipped with a CPU 120, a ROM 122, a RAM 124, and the like. The controller 100 controls the plasma gas ejection device 12 and the heated gas ejection device 14 by controlling the high frequency power supply 102, the drive circuit 105, the flow rate controllers 103, 104, and the like. Further, the controller 100 is connected to the display device 115 via the control circuit 106. As a result, the image is displayed on the display device 115 according to the command of the controller 100. Further, the controller 100 is connected to the input device 116. The input device 116 is composed of operation buttons and the like, and outputs operation information by operating the operation buttons. As a result, the operation information obtained by operating the operation buttons is input to the controller 100. The communication unit 107 communicates with a communication device connected to a network (not shown). The form of communication is not particularly limited, and is, for example, LAN, serial communication, or the like.

高周波電源102は、商用電源(不図示)から電極24,26へ給電する高周波の交流電力を生成し、生成した交流電力を電極24,26へ給電する。 The high-frequency power supply 102 generates high-frequency AC power to be supplied to the electrodes 24 and 26 from a commercial power source (not shown), and supplies the generated AC power to the electrodes 24 and 26.

流量コントローラ103は、例えばマスフローコントローラ等により実現される。流量コントローラ103は、処理ガス供給装置74から反応室38に供給される処理ガスの流量を制御する。また、流量コントローラ103は、供給される処理ガスの流量の値をコントローラ100へ出力する。 The flow rate controller 103 is realized by, for example, a mass flow controller or the like. The flow rate controller 103 controls the flow rate of the processing gas supplied from the processing gas supply device 74 to the reaction chamber 38. Further, the flow rate controller 103 outputs the value of the flow rate of the supplied processing gas to the controller 100.

流量コントローラ104は、流量コントローラ103と同様に、加熱用ガス供給装置86からガス管82に供給されるガスの流量を制御する。また、流量コントローラ103は、供給されるガスの流量値をコントローラ100へ出力する。 Like the flow controller 103, the flow controller 104 controls the flow rate of the gas supplied from the heating gas supply device 86 to the gas pipe 82. Further, the flow rate controller 103 outputs the flow rate value of the supplied gas to the controller 100.

駆動回路105には、電力供給装置108と、ヒータ83の下端付近に取り付けられた熱電対92が電気的に接続されている。電力供給装置108は、商用電源(不図示)から生成した交流電力をヒータ83へ給電する。駆動回路105は、コントローラ100に指示された目標温度となるように、熱電対92の出力値に基づき、電力供給装置108を制御することによって、ヒータ83を加熱し、ヒータ83の温度調節を行う。また、駆動回路105は、熱電対92の出力値に応じた温度をコントローラ100へ出力する。 A power supply device 108 and a thermocouple 92 attached near the lower end of the heater 83 are electrically connected to the drive circuit 105. The power supply device 108 supplies AC power generated from a commercial power source (not shown) to the heater 83. The drive circuit 105 heats the heater 83 and adjusts the temperature of the heater 83 by controlling the power supply device 108 based on the output value of the thermocouple 92 so as to reach the target temperature instructed by the controller 100. .. Further, the drive circuit 105 outputs the temperature corresponding to the output value of the thermocouple 92 to the controller 100.

大気圧プラズマ発生装置によるプラズマ処理
大気圧プラズマ発生装置10において、プラズマガス噴出装置12では、上述した構成により、反応室38の内部で処理ガスがプラズマ化され、ノズルブロック36の第3ガス流路66の下端からプラズマガスが噴出される。また、加熱ガス噴出装置14により加熱
されたガスがカバー22の内部に供給される。そして、カバー22の貫通穴70から、プラズマガスが、加熱されたガスとともに噴出され、ワークWがプラズマ処理される。
Plasma processing by the atmospheric pressure plasma generator In the atmospheric pressure plasma generator 10, in the plasma gas ejection device 12, the processing gas is converted into plasma inside the reaction chamber 38 by the above-mentioned configuration, and the third gas flow path of the nozzle block 36 is formed. Plasma gas is ejected from the lower end of 66. Further, the gas heated by the heating gas ejection device 14 is supplied to the inside of the cover 22. Then, plasma gas is ejected from the through hole 70 of the cover 22 together with the heated gas, and the work W is plasma-treated.

詳しくは、プラズマガス噴出装置12では、処理ガス供給装置74によって処理ガスが反応室38に供給される。その際、反応室38では、1対の電極24,26に電力が供給されており、1対の電極24,26間に電流が流れる。これにより、1対の電極24,26間に放電が生じ、その放電により、処理ガスがプラズマ化されて、プラズマガスとなる。反応室38で発生したプラズマガスは、第1ガス流路50内を下方に向かって流れ、貫通穴56を介して、第2ガス流路62に流れ込む。そして、プラズマガスは、第2ガス流路62及び第3ガス流路66内を下方に向かって流れる。これにより、第3ガス流路66の下端から、プラズマガスがカバー22の貫通穴70を通過して噴出される。 Specifically, in the plasma gas ejection device 12, the processing gas is supplied to the reaction chamber 38 by the processing gas supply device 74. At that time, in the reaction chamber 38, electric power is supplied to the pair of electrodes 24 and 26, and a current flows between the pair of electrodes 24 and 26. As a result, an electric discharge is generated between the pair of electrodes 24 and 26, and the electric discharge turns the processing gas into plasma to become plasma gas. The plasma gas generated in the reaction chamber 38 flows downward in the first gas flow path 50 and flows into the second gas flow path 62 through the through hole 56. Then, the plasma gas flows downward in the second gas flow path 62 and the third gas flow path 66. As a result, plasma gas is ejected from the lower end of the third gas flow path 66 through the through hole 70 of the cover 22.

また、加熱ガス噴出装置14では、加熱用ガス供給装置86によってガスがガス管82に供給され、そのガス管82に供給されているガスが、ヒータ83により加熱される。これにより、ガス管82に供給されているガスが600℃~800℃に加熱される。その加熱されたガス(以下、加熱ガスと表記する。)は、連結ブロック84の連通路88を介して、カバー22の貫通穴72からカバー22の内部に流入する。そして、カバー22内に流入した加熱ガスは、カバー22の貫通穴70から噴出される。この際、ノズルブロック36の第3ガス流路66の下端から噴出されるプラズマガスが、加熱ガスによって保護される。これにより、加熱ガスに取り巻かれたプラズマガスが、プラズマヘッド18から放出され、適切にプラズマ処理を行うことが可能となる。 Further, in the heating gas ejection device 14, gas is supplied to the gas pipe 82 by the heating gas supply device 86, and the gas supplied to the gas pipe 82 is heated by the heater 83. As a result, the gas supplied to the gas pipe 82 is heated to 600 ° C to 800 ° C. The heated gas (hereinafter referred to as heating gas) flows into the inside of the cover 22 from the through hole 72 of the cover 22 through the communication passage 88 of the connecting block 84. Then, the heating gas that has flowed into the cover 22 is ejected from the through hole 70 of the cover 22. At this time, the plasma gas ejected from the lower end of the third gas flow path 66 of the nozzle block 36 is protected by the heating gas. As a result, the plasma gas surrounded by the heating gas is discharged from the plasma head 18, and the plasma treatment can be appropriately performed.

詳しくは、プラズマ処理時には、プラズマガスを噴出する貫通穴70から所定の距離、離れた位置にワークWが置かれ、そのワークWに貫通穴70からプラズマガスが噴出される。つまり、プラズマ処理時において、プラズマガスは空気中に噴出され、空気中に噴出されたプラズマガスがワークWに照射される。 Specifically, at the time of plasma processing, the work W is placed at a predetermined distance from the through hole 70 for ejecting the plasma gas, and the plasma gas is ejected from the through hole 70 into the work W. That is, at the time of plasma processing, the plasma gas is ejected into the air, and the plasma gas ejected into the air is irradiated to the work W.

コントローラ100は、入力装置116を介してプラズマ発生開始の指示を受け付けると、プラズマ発生制御を開始する。プラズマ発生制御において、コントローラ100は、高周波電源102に所定の電力を電極24,26に給電する制御を開始させ、流量コントローラ103,104にそれぞれ、処理ガス及びガスを、所定のガス流量での供給を開始させる。また、コントローラ100は、駆動回路105に、所定の温度になるように、ヒータ83の制御を開始させる。 When the controller 100 receives the instruction to start plasma generation via the input device 116, the controller 100 starts plasma generation control. In the plasma generation control, the controller 100 starts the control of supplying a predetermined electric power to the electrodes 24 and 26 to the high frequency power supply 102, and supplies the processing gas and the gas to the flow rate controllers 103 and 104 at a predetermined gas flow rate, respectively. To start. Further, the controller 100 causes the drive circuit 105 to start controlling the heater 83 so as to reach a predetermined temperature.

大気圧プラズマ発生装置におけるヒータの暖機運転
大気圧プラズマ発生装置10は、上述したように、ワークWをプラズマ処理する際において、ガス管82に供給されたガスを600℃~800℃にヒータ83で加熱している。そのため、大気圧プラズマ発生装置10の起動時等では、ヒータ83の暖機運転が行われる。ヒータ83の暖機運転中において、例えば、短絡又は断線等によって熱電対92が故障した場合には、熱電対92の計測温度が、例えば、室温を常に示したり、所定温度から上昇せずに一定温度を示したりすることから、熱電対92でヒータ83の温度を正確に計測することができなくなる。そのため、ヒータ83の温度調節が不能となり、ヒータ83が故障する虞がある。そこで、大気圧プラズマ発生装置10は、ヒータ83の暖機運転中において、ヒータ83の温度上昇過程を監視している。次に詳細する。
Warm-up operation of the heater in the atmospheric pressure plasma generator As described above, the atmospheric pressure plasma generator 10 heats the gas supplied to the gas pipe 82 to 600 ° C. to 800 ° C. when plasma-treating the work W. It is heated by. Therefore, the heater 83 is warmed up at the time of starting the atmospheric pressure plasma generator 10. During the warm-up operation of the heater 83, for example, when the thermocouple 92 fails due to a short circuit or disconnection, the measured temperature of the thermocouple 92 is constant, for example, without always indicating the room temperature or rising from a predetermined temperature. Since the temperature is indicated, the temperature of the heater 83 cannot be accurately measured by the thermocouple 92. Therefore, the temperature of the heater 83 cannot be adjusted, and the heater 83 may break down. Therefore, the atmospheric pressure plasma generator 10 monitors the temperature rise process of the heater 83 during the warm-up operation of the heater 83. The details will be described below.

図5は、ヒータ83の温度上昇過程を監視するためのヒータ暖機方法110が示されたフローチャートである。図5のフローチャートで示された制御プログラムは、コントローラ100のROM122に記憶されており、大気圧プラズマ発生装置10の起動時等において、ユーザが入力装置116で所定の操作を行うと、コントローラ100のCPU120により実行される。 FIG. 5 is a flowchart showing a heater warm-up method 110 for monitoring the temperature rise process of the heater 83. The control program shown in the flowchart of FIG. 5 is stored in the ROM 122 of the controller 100, and when the user performs a predetermined operation on the input device 116 at the time of starting the atmospheric pressure plasma generator 10 or the like, the controller 100 It is executed by the CPU 120.

以下、図5のフローチャートで示された各処理を、上述した図4に加えて、図6及び図7を用いて説明する。ちなみに、図6の曲線L1は、暖機運転中におけるヒータ83の温度変化の一例を示している。また、図7のデータテーブルDTは、コントローラ100のROM122に記憶されている。 Hereinafter, each process shown in the flowchart of FIG. 5 will be described with reference to FIGS. 6 and 7 in addition to FIG. 4 described above. Incidentally, the curve L1 in FIG. 6 shows an example of the temperature change of the heater 83 during the warm-up operation. Further, the data table DT of FIG. 7 is stored in the ROM 122 of the controller 100.

ヒータ暖機方法110が実行されると、先ず、暖機開始処理S110が行われる。この処理では、電力供給装置108からヒータ83への電力供給が開始されることによって、ヒータ83の暖機運転が開始される。 When the heater warm-up method 110 is executed, first, the warm-up start process S110 is performed. In this process, the warm-up operation of the heater 83 is started by starting the power supply from the power supply device 108 to the heater 83.

続いて、第1温度取得処理S112が行われる。この処理では、熱電対92によって温度MT1が第1温度として取得される。 Subsequently, the first temperature acquisition process S112 is performed. In this process, the thermocouple 92 acquires the temperature MT1 as the first temperature.

続いて、算出処理S114が行われる。この処理では、ヒータ83の下限温度LM1が算出される。ヒータ83の下限温度LM1とは、暖機運転によって温度上昇中にあるヒータ83の温度であって、第1温度として温度MT1が取得された時点から第1所定時間DP(例えば、10秒)が経過した時点において、電力供給装置108の許容変動範囲を考慮して想定されるヒータ83の最低温度をいう。尚、以下では、第1温度が取得された時点から第1所定時間DPが経過した時点を、基準時点と表記することがある。 Subsequently, the calculation process S114 is performed. In this process, the lower limit temperature LM1 of the heater 83 is calculated. The lower limit temperature LM1 of the heater 83 is the temperature of the heater 83 whose temperature is rising due to the warm-up operation, and the DP (for example, 10 seconds) for the first predetermined time from the time when the temperature MT1 is acquired as the first temperature is It means the minimum temperature of the heater 83 that is assumed in consideration of the allowable fluctuation range of the power supply device 108 at the time when it has elapsed. In the following, the time point at which the first predetermined time DP has elapsed from the time point at which the first temperature is acquired may be referred to as a reference time point.

ヒータ83の下限温度LM1は、第1温度と、データテーブルDTとから算出される。 The lower limit temperature LM1 of the heater 83 is calculated from the first temperature and the data table DT.

データテーブルDTによれば、0℃以上400℃未満の第1温度には、その第1温度に50℃加算された温度が、ヒータ83の下限温度として算出される。以下、ヒータ83の下限温度として、400℃以上500℃未満の第1温度には、その第1温度に20℃加算された温度が算出され、500℃以上600℃未満の第1温度には、その第1温度に5℃加算された温度が算出され、600℃以上650℃未満の第1温度には、その第1温度に3℃加算された温度が算出される。従って、データテーブルDTは、第1温度を分類する温度範囲(図7では、0℃以上400℃未満、400℃以上500℃未満、500℃以上600℃未満、及び600℃以上650℃未満)と、第1温度から下限温度までの温度差(図7では、50℃、20℃、5℃、及び3℃)とを対応付けたデータテーブルである。 According to the data table DT, for the first temperature of 0 ° C. or higher and lower than 400 ° C., the temperature obtained by adding 50 ° C. to the first temperature is calculated as the lower limit temperature of the heater 83. Hereinafter, as the lower limit temperature of the heater 83, the temperature obtained by adding 20 ° C. to the first temperature is calculated for the first temperature of 400 ° C. or higher and lower than 500 ° C., and the first temperature of 500 ° C. or higher and lower than 600 ° C. is calculated. The temperature obtained by adding 5 ° C. to the first temperature is calculated, and the temperature added by 3 ° C. to the first temperature is calculated for the first temperature of 600 ° C. or higher and lower than 650 ° C. Therefore, the data table DT has a temperature range for classifying the first temperature (in FIG. 7, 0 ° C. or higher and lower than 400 ° C., 400 ° C. or higher and lower than 500 ° C., 500 ° C. or higher and lower than 600 ° C., and 600 ° C. or higher and lower than 650 ° C.). , Is a data table associated with the temperature difference from the first temperature to the lower limit temperature (50 ° C, 20 ° C, 5 ° C, and 3 ° C in FIG. 7).

このようにして、ヒータ83の下限温度LM1は、データテーブルDTに記憶されたデータに基づいて算出される。ヒータ83の下限温度LM1が算出されると、第1温度として温度MT1が取得された時点から第1所定時間DPが経過するまで、つまり、基準時点に到達するまで待機する(S116:NO)。そして、第1温度として温度MT1が取得された時点から第1所定時間DPが経過すると(S116:YES)、つまり、基準時点に到達すると、第2温度取得処理S118が行われる。この処理では、熱電対92によって温度MT2が第2温度として取得される。 In this way, the lower limit temperature LM1 of the heater 83 is calculated based on the data stored in the data table DT. When the lower limit temperature LM1 of the heater 83 is calculated, it waits until the first predetermined time DP elapses from the time when the temperature MT1 is acquired as the first temperature, that is, until the reference time is reached (S116: NO). Then, when the first predetermined time DP elapses from the time when the temperature MT1 is acquired as the first temperature (S116: YES), that is, when the reference time is reached, the second temperature acquisition process S118 is performed. In this process, the thermocouple 92 acquires the temperature MT2 as the second temperature.

続いて、第2温度として取得された温度MT2が下限温度LM1以上であるか否かが判定される(S120)。ここで、第2温度として取得された温度MT2が下限温度LM1未満である場合(S120:NO)には、第1温度として温度MT1が取得された時点から第1所定時間DPが経過したときに、つまり、基準時点に到達したときにおいて、第2温度として取得された温度MT2(つまり、ヒータ83の温度)が、下限温度LM1まで上昇していないと言える。そこで、異常があるとして、暖機停止処理S122が行われる。この処理では、電力供給装置108からヒータ83への電力供給が停止されることによって、ヒータ83の暖機運転が停止される。更に、表示装置115の画面において、例えば、全域が赤色で表示されると共に、暖機運転が停止された旨のメッセージが表示される。また、暖機運転が停止された旨のメッセージが、通信部107のネットワーク通信によ
って、大気圧プラズマ発生装置10を管理する管理者の端末、又は大気圧プラズマ発生装置10のサプライヤが運営するサポートデスクの端末に送信される。その後、ヒータ暖機方法110が終了する。
Subsequently, it is determined whether or not the temperature MT2 acquired as the second temperature is equal to or higher than the lower limit temperature LM1 (S120). Here, when the temperature MT2 acquired as the second temperature is less than the lower limit temperature LM1 (S120: NO), when the first predetermined time DP elapses from the time when the temperature MT1 is acquired as the first temperature. That is, it can be said that the temperature MT2 (that is, the temperature of the heater 83) acquired as the second temperature does not rise to the lower limit temperature LM1 when the reference time point is reached. Therefore, assuming that there is an abnormality, the warm-up stop process S122 is performed. In this process, the warm-up operation of the heater 83 is stopped by stopping the power supply from the power supply device 108 to the heater 83. Further, on the screen of the display device 115, for example, the entire area is displayed in red and a message indicating that the warm-up operation has been stopped is displayed. In addition, the message to the effect that the warm-up operation has been stopped is sent by the terminal of the administrator who manages the atmospheric pressure plasma generator 10 or the support desk operated by the supplier of the atmospheric pressure plasma generator 10 by the network communication of the communication unit 107. It is sent to the terminal of. After that, the heater warm-up method 110 ends.

これに対して、第2温度として取得された温度MT2が下限温度LM1以上である場合(S120:YES)には、みなし処理S124が行われる。この処理では、第2温度として取得された温度MT2が、上記の温度MT1に代えて、第1温度として扱われる。 On the other hand, when the temperature MT2 acquired as the second temperature is equal to or higher than the lower limit temperature LM1 (S120: YES), the deemed processing S124 is performed. In this process, the temperature MT2 acquired as the second temperature is treated as the first temperature instead of the above temperature MT1.

その後は、上記S114,S116,S118,S120の各処理が繰り返される。これによって、上記の算出処理S114では、第1温度として扱われる温度MT2と、データテーブルDTとから、ヒータ83の下限温度LM2が算出される。このようにして算出されるヒータ83の下限温度LM2は、上記の下限温度LM1と同様である。すなわち、ヒータ83の下限温度LM2とは、暖機運転によって温度上昇中にあるヒータ83の温度であって、第1温度として扱われる温度MT2が取得された時点から第1所定時間DPが経過した基準時点において、電力供給装置108の許容変動範囲を考慮して想定されるヒータ83の最低温度である。 After that, each of the above processes S114, S116, S118, and S120 is repeated. As a result, in the above calculation process S114, the lower limit temperature LM2 of the heater 83 is calculated from the temperature MT2 treated as the first temperature and the data table DT. The lower limit temperature LM2 of the heater 83 calculated in this way is the same as the above lower limit temperature LM1. That is, the lower limit temperature LM2 of the heater 83 is the temperature of the heater 83 whose temperature is rising due to the warm-up operation, and the first predetermined time DP has elapsed from the time when the temperature MT2 treated as the first temperature is acquired. At the reference time point, it is the minimum temperature of the heater 83 assumed in consideration of the allowable fluctuation range of the power supply device 108.

そして、第1温度として扱われる温度MT2が取得された時点から第1所定時間DPが経過すると(S116:YES)、つまり、基準時点に到達すると、上記の第2温度取得処理S118が行われることによって、温度MT3が第2温度として取得される。 Then, when the first predetermined time DP elapses from the time when the temperature MT2 treated as the first temperature is acquired (S116: YES), that is, when the reference time is reached, the above-mentioned second temperature acquisition process S118 is performed. The temperature MT3 is acquired as the second temperature.

第2温度として取得された温度MT3が下限温度LM2未満である場合(S120:NO)には、異常があるとして、ヒータ83の暖機運転が停止される(S122)。これに対して、第2温度として取得された温度MT3が下限温度LM2以上である場合(S120:YES)には、再び、みなし処理S124が行われ、第2温度として取得された温度MT3が、上記の温度MT2に代えて、第1温度として扱われる(S124)。 When the temperature MT3 acquired as the second temperature is less than the lower limit temperature LM2 (S120: NO), it is considered that there is an abnormality and the warm-up operation of the heater 83 is stopped (S122). On the other hand, when the temperature MT3 acquired as the second temperature is equal to or higher than the lower limit temperature LM2 (S120: YES), the deemed processing S124 is performed again, and the temperature MT3 acquired as the second temperature is set to the temperature MT3. Instead of the above temperature MT2, it is treated as the first temperature (S124).

以下同様にして、第1温度として扱われる温度MT3と、データテーブルDTとから、ヒータ83の下限温度LM3が算出され(S114)、更に、第1温度として扱われる温度MT3が取得された時点から第1所定時間DPが経過したときに(S116:YES)、つまり、基準時点に到達したときに、温度MT4が第2温度として取得される(S118)。そして、第2温度として取得された温度MT4が下限温度LM3未満である場合(S120:NO)には、異常があるとして、ヒータ83の暖機運転が停止される(S122)。これに対して、第2温度として取得された温度MT4が下限温度LM3以上である場合(S120:YES)には、第2温度として取得された温度MT4が、上記の温度MT3に代えて、第1温度として扱われる(S124)。 In the same manner thereafter, the lower limit temperature LM3 of the heater 83 is calculated from the temperature MT3 treated as the first temperature and the data table DT (S114), and further, from the time when the temperature MT3 treated as the first temperature is acquired. When the first predetermined time DP has elapsed (S116: YES), that is, when the reference time point has been reached, the temperature MT4 is acquired as the second temperature (S118). When the temperature MT4 acquired as the second temperature is less than the lower limit temperature LM3 (S120: NO), it is considered that there is an abnormality and the warm-up operation of the heater 83 is stopped (S122). On the other hand, when the temperature MT4 acquired as the second temperature is equal to or higher than the lower limit temperature LM3 (S120: YES), the temperature MT4 acquired as the second temperature is replaced with the above temperature MT3. It is treated as one temperature (S124).

このようにして、第2温度が、第1温度から算出された下限温度以上である限り、ヒータ暖機方法110が続行される。 In this way, as long as the second temperature is equal to or higher than the lower limit temperature calculated from the first temperature, the heater warm-up method 110 is continued.

以上より、大気圧プラズマ発生装置10は、ヒータ暖機方法110が実行されることによって、プラズマヘッド18に設けられたヒータ83の暖機中における温度上昇過程を監視することが可能である。 From the above, the atmospheric pressure plasma generator 10 can monitor the temperature rise process of the heater 83 provided in the plasma head 18 during the warm-up by executing the heater warm-up method 110.

尚、ヒータ83の下限温度LM1,LM2,LM3は、ヒータ83への電力供給開始時点からの経過時間(つまり、ヒータ83の暖機時間)との関係が示された近似式から算出されてもよい。図6では、そのような近似式が、二点鎖線で示された曲線L2で表されている。曲線L2を示す数式は、コントローラ100のROM122に記憶される。 Even if the lower limit temperature LM1, LM2, LM3 of the heater 83 is calculated from an approximate formula showing the relationship with the elapsed time from the start time of power supply to the heater 83 (that is, the warm-up time of the heater 83). good. In FIG. 6, such an approximate expression is represented by a curve L2 shown by a two-dot chain line. The mathematical formula showing the curve L2 is stored in the ROM 122 of the controller 100.

そのような場合には、ヒータ83の下限温度LM1,LM2,LM3は、第1温度とし
て取得又は扱われる温度MT1,MT2,MT3が取得された時点から第1所定時間DPが経過した基準時点であって、ヒータ83への電力供給開始時点から経過時間が計時された時点を、図6の曲線L2で示された数式(近似式)に代入することよって算出される。
In such a case, the lower limit temperature LM1, LM2, LM3 of the heater 83 is set at a reference time point in which the first predetermined time DP has elapsed from the time when the temperatures MT1, MT2, MT3 acquired or treated as the first temperature are acquired. Therefore, it is calculated by substituting the time point when the elapsed time is measured from the time when the power supply to the heater 83 is started to the formula (approximate formula) shown by the curve L2 in FIG.

また、ヒータ83は、プラズマヘッド18に設けられていなくても、プラズマヘッド18から照射されるプラズマを加温するものであれば、ヒータ暖機方法110の対象となり得る。 Further, even if the heater 83 is not provided on the plasma head 18, it can be the target of the heater warm-up method 110 as long as it heats the plasma irradiated from the plasma head 18.

大気圧プラズマ発生装置におけるヒータの冷却運転
コントローラ100は、大気圧プラズマ発生装置10でワークWをプラズマ処理した後で、大気圧プラズマ発生装置10を停止する際には、処理ガス供給装置74による処理ガスの供給及び加熱用ガス供給装置86によるガスの供給を継続することによって、プラズマヘッド18の冷却を行う。プラズマヘッド18が冷却された後は、メンテンスのためにユーザがプラズマヘッド18に触れるケースがある。そのため、プラズマヘッド18の冷却は、プラズマヘッド18の表面温度が例えば40℃付近にまで低下することを想定して続行されるが、重ねて、プラズマヘッド18の温度を計測しながら行えば、更に好適に行うことが可能である。そこで、大気圧プラズマ発生装置10は、プラズマヘッド18の温度を計測しながらプラズマヘッド18の冷却を行っている。次に詳述する。
When the atmospheric pressure plasma generator 10 is stopped after the work W is plasma-processed by the atmospheric pressure plasma generator 10, the heater cooling operation controller 100 in the atmospheric pressure plasma generator is processed by the processing gas supply device 74. The plasma head 18 is cooled by continuing the gas supply and the gas supply by the heating gas supply device 86. After the plasma head 18 has cooled, there are cases where the user touches the plasma head 18 for maintenance. Therefore, the cooling of the plasma head 18 is continued on the assumption that the surface temperature of the plasma head 18 drops to, for example, around 40 ° C., but if the plasma head 18 is repeatedly cooled while measuring the temperature of the plasma head 18, further. It can be preferably performed. Therefore, the atmospheric pressure plasma generator 10 cools the plasma head 18 while measuring the temperature of the plasma head 18. The details will be described below.

図8は、プラズマヘッド18の温度を計測しながらプラズマヘッド18の冷却を行うためのプラズマヘッド冷却方法210が示されたフローチャートである。図8のフローチャートで示された制御プログラムは、コントローラ100のROM122に記憶されており、大気圧プラズマ発生装置10でワークWのプラズマ処理が行われている際において、コントローラ100のCPU120により実行される。従って、プラズマヘッド冷却方法210が実行される際は、処理ガス供給装置74による処理ガスの供給及び加熱用ガス供給装置86によるガスの供給が行われている。以下、図8のフローチャートで示された各処理を説明する。 FIG. 8 is a flowchart showing a plasma head cooling method 210 for cooling the plasma head 18 while measuring the temperature of the plasma head 18. The control program shown in the flowchart of FIG. 8 is stored in the ROM 122 of the controller 100, and is executed by the CPU 120 of the controller 100 when the plasma processing of the work W is being performed by the atmospheric pressure plasma generator 10. .. Therefore, when the plasma head cooling method 210 is executed, the processing gas is supplied by the processing gas supply device 74 and the gas is supplied by the heating gas supply device 86. Hereinafter, each process shown in the flowchart of FIG. 8 will be described.

コントローラ100のCPU120は、熱電対92で計測されたヒータ83の温度を使用して、図8のフローチャートで示された各処理を行う。ワークWがプラズマ処理されている最中のプラズマヘッド18の表面は、その位置によって温度が異なる。しかしながら、プラズマヘッド18の表面全域は、その冷却開始後から或る程度の時間が経過すると、同一温度に収束する傾向がある。そこで、図8のフローチャートで示されたプラズマヘッド冷却方法210では、熱電対92で計測されたヒータ83の温度をプラズマヘッド18の温度として使用している。 The CPU 120 of the controller 100 uses the temperature of the heater 83 measured by the thermocouple 92 to perform each process shown in the flowchart of FIG. The temperature of the surface of the plasma head 18 while the work W is being plasma-processed varies depending on its position. However, the entire surface of the plasma head 18 tends to converge to the same temperature after a certain period of time has passed since the start of cooling. Therefore, in the plasma head cooling method 210 shown in the flowchart of FIG. 8, the temperature of the heater 83 measured by the thermocouple 92 is used as the temperature of the plasma head 18.

プラズマヘッド冷却方法210が実行されると、1対の電極24,26間の放電及びヒータ83の加熱が停止されたか否かが判定される(S210)。この判定は、高周波電源102からの信号及び駆動回路105からの信号等に基づいて行われる。ここで、1対の電極24,26間の放電又はヒータ83の加熱が停止されていない場合(S210:NO)には、プラズマヘッド冷却方法210が終了する。 When the plasma head cooling method 210 is executed, it is determined whether or not the discharge between the pair of electrodes 24 and 26 and the heating of the heater 83 are stopped (S210). This determination is made based on a signal from the high frequency power supply 102, a signal from the drive circuit 105, and the like. Here, when the discharge between the pair of electrodes 24 and 26 or the heating of the heater 83 is not stopped (S210: NO), the plasma head cooling method 210 ends.

これに対して、1対の電極24,26間の放電及びヒータ83の加熱が停止されている場合(S210:YES)には、熱電対92で計測されたヒータ83の温度が所定温度以下であるか否かが判定される(S212)。ここで、所定温度とは、ユーザがプラズマヘッド18の表面に触れても支障がない程度の温度(例えば、40℃付近の温度)をいう。ここで、熱電対92で計測されたヒータ83の温度が所定温度以下である場合(S212:YES)には、プラズマヘッド冷却方法210が終了する。 On the other hand, when the discharge between the pair of electrodes 24 and 26 and the heating of the heater 83 are stopped (S210: YES), the temperature of the heater 83 measured by the thermocouple 92 is below the predetermined temperature. It is determined whether or not there is (S212). Here, the predetermined temperature means a temperature (for example, a temperature near 40 ° C.) that does not hinder the user from touching the surface of the plasma head 18. Here, when the temperature of the heater 83 measured by the thermocouple 92 is equal to or lower than the predetermined temperature (S212: YES), the plasma head cooling method 210 ends.

これに対して、熱電対92で計測されたヒータ83の温度が所定温度より高い場合(S
212:NO)には、冷却処理S214が行われる。この処理では、処理ガス供給装置74による処理ガスの供給及び加熱用ガス供給装置86によるガスの供給が継続される。
On the other hand, when the temperature of the heater 83 measured by the thermocouple 92 is higher than the predetermined temperature (S).
In 212: NO), the cooling process S214 is performed. In this treatment, the supply of the processing gas by the processing gas supply device 74 and the supply of the gas by the heating gas supply device 86 are continued.

続いて、第1報知処理S216が行われる。この処理では、プラズマヘッド18の冷却が行われている旨のメッセージが表示装置115の画面に表示される。更に、プラズマヘッド18の冷却が行われている旨のメッセージが、通信部107のネットワーク通信によって、大気圧プラズマ発生装置10を管理する管理者の端末、又は大気圧プラズマ発生装置10のサプライヤが運営するサポートデスクの端末に送信される。 Subsequently, the first notification process S216 is performed. In this process, a message indicating that the plasma head 18 is being cooled is displayed on the screen of the display device 115. Further, the message that the plasma head 18 is being cooled is operated by the terminal of the administrator who manages the atmospheric pressure plasma generator 10 or the supplier of the atmospheric pressure plasma generator 10 by the network communication of the communication unit 107. It is sent to the terminal of the support desk.

その後は、処理ガス供給装置74による処理ガスの供給又は加熱用ガス供給装置86によるガスの供給が異常停止したか否かが判定される。この判定は、流量コントローラ103,104からの信号等に基づいて行われる。ここで、処理ガス供給装置74による処理ガスの供給又は加熱用ガス供給装置86によるガス供給が異常停止した場合(S218:YES)には、第2報知処理S220が行われる。 After that, it is determined whether or not the supply of the processing gas by the processing gas supply device 74 or the supply of the gas by the heating gas supply device 86 has stopped abnormally. This determination is made based on the signals from the flow rate controllers 103 and 104 and the like. Here, when the supply of the processing gas by the processing gas supply device 74 or the gas supply by the heating gas supply device 86 is abnormally stopped (S218: YES), the second notification process S220 is performed.

第2報知処理S220では、ガス供給の異常によってプラズマヘッド18の冷却が異常である旨のメッセージが表示装置115の画面に表示される。更に、ガス供給の異常によってプラズマヘッド18の冷却が異常である旨のメッセージが、通信部107のネットワーク通信によって、大気圧プラズマ発生装置10を管理する管理者の端末、又は大気圧プラズマ発生装置10のサプライヤが運営するサポートデスクの端末に送信される。その後、プラズマヘッド冷却方法210が終了する。 In the second notification process S220, a message indicating that the cooling of the plasma head 18 is abnormal due to the abnormality of the gas supply is displayed on the screen of the display device 115. Further, a message indicating that the cooling of the plasma head 18 is abnormal due to an abnormality in the gas supply is sent to the terminal of the administrator who manages the atmospheric pressure plasma generator 10 or the atmospheric pressure plasma generator 10 by the network communication of the communication unit 107. It is sent to the terminal of the support desk operated by the supplier of. After that, the plasma head cooling method 210 ends.

これに対して、処理ガス供給装置74による処理ガスの供給及び加熱用ガス供給装置86によるガス供給が異常停止していない場合(S218:NO)には、熱電対92が断線等の異常を示しているか否かが判定される(S222)。この判定は、熱電対92の出力電圧等に基づいて行われる。ここで、熱電対92が断線等の異常を示している場合(S222:YES)には、第3報知処理S224が行われる。 On the other hand, when the supply of the processing gas by the processing gas supply device 74 and the gas supply by the heating gas supply device 86 are not abnormally stopped (S218: NO), the thermocouple 92 shows an abnormality such as disconnection. It is determined whether or not the gas is present (S222). This determination is made based on the output voltage of the thermocouple 92 and the like. Here, when the thermocouple 92 indicates an abnormality such as disconnection (S222: YES), the third notification process S224 is performed.

第3報知処理S224では、熱電対92の異常によってプラズマヘッド18の冷却が異常である旨のメッセージが表示装置115の画面に表示される。更に、熱電対92の異常によってプラズマヘッド18の冷却が異常である旨のメッセージが、通信部107のネットワーク通信によって、大気圧プラズマ発生装置10を管理する管理者の端末、又は大気圧プラズマ発生装置10のサプライヤが運営するサポートデスクの端末に送信される。その後、プラズマヘッド冷却方法210が終了する。 In the third notification process S224, a message indicating that the cooling of the plasma head 18 is abnormal due to the abnormality of the thermocouple 92 is displayed on the screen of the display device 115. Further, a message indicating that the cooling of the plasma head 18 is abnormal due to the abnormality of the thermocouple 92 is sent to the terminal of the administrator who manages the atmospheric pressure plasma generator 10 or the atmospheric pressure plasma generator by the network communication of the communication unit 107. It is transmitted to the terminal of the support desk operated by 10 suppliers. After that, the plasma head cooling method 210 ends.

これに対して、熱電対92が断線等の異常を示していない場合(S222:NO)には、1対の電極24,26間の放電及びヒータ83の加熱が停止されてから第2所定時間が経過したか否かが判定される(S226)。この判定は、高周波電源102からの信号及び駆動回路105からの信号等が受信されることをトリガにして計測される経過時間に基づいて行われる。また、第2所定時間とは、ユーザがプラズマヘッド18の表面に触れても支障がない程度の温度(例えば、40℃付近の温度)にまで、プラズマヘッド18の表面全体が冷却するのに要する時間(例えば、20分)をいう。 On the other hand, when the thermocouple 92 does not show an abnormality such as disconnection (S222: NO), the second predetermined time after the discharge between the pair of electrodes 24 and 26 and the heating of the heater 83 are stopped. Is determined (S226). This determination is made based on the elapsed time measured by triggering the reception of a signal from the high frequency power supply 102, a signal from the drive circuit 105, and the like. The second predetermined time is required for the entire surface of the plasma head 18 to be cooled to a temperature at which the user can touch the surface of the plasma head 18 without hindrance (for example, a temperature near 40 ° C.). It refers to time (for example, 20 minutes).

ここで、1対の電極24,26間の放電及びヒータ83の加熱が停止されてから第2所定時間が経過した場合(S226:YES)には、第4報知処理S228が行われる。この処理では、プラズマヘッド18の冷却が異常である旨のメッセージが表示装置115の画面に表示される。更に、プラズマヘッド18の冷却が異常である旨のメッセージが、通信部107のネットワーク通信によって、大気圧プラズマ発生装置10を管理する管理者の端末、又は大気圧プラズマ発生装置10のサプライヤが運営するサポートデスクの端末に送信される。尚、それらのメッセージには、1対の電極24,26間の放電及びヒータ
83の加熱が停止されてから第2所定時間が経過しても、プラズマヘッド18の表面温度(正確には、ヒータ83の温度)が所定温度以下にならない旨が追加される。その後、プラズマヘッド冷却方法210が終了する。
Here, when the second predetermined time has elapsed (S226: YES) after the discharge between the pair of electrodes 24 and 26 and the heating of the heater 83 are stopped, the fourth notification process S228 is performed. In this process, a message indicating that the cooling of the plasma head 18 is abnormal is displayed on the screen of the display device 115. Further, a message indicating that the cooling of the plasma head 18 is abnormal is operated by the terminal of the administrator who manages the atmospheric pressure plasma generator 10 or the supplier of the atmospheric pressure plasma generator 10 by the network communication of the communication unit 107. It is sent to the terminal of the support desk. In those messages, the surface temperature of the plasma head 18 (to be exact, the heater) even after the second predetermined time has elapsed since the discharge between the pair of electrodes 24 and 26 and the heating of the heater 83 were stopped. It is added that the temperature of 83) does not fall below the predetermined temperature. After that, the plasma head cooling method 210 ends.

これに対して、1対の電極24,26間の放電及びヒータ83の加熱が停止されてから第2所定時間が経過していない場合(S226:NO)には、上述したS212の判定処理に戻る。 On the other hand, when the second predetermined time has not elapsed since the discharge between the pair of electrodes 24 and 26 and the heating of the heater 83 are stopped (S226: NO), the determination process of S212 described above is performed. return.

その後は、上述したようにして、熱電対92で計測されたヒータ83の温度が所定温度より高い場合(S212:NO)には、処理ガス供給装置74による処理ガスの供給及び加熱用ガス供給装置86によるガスの供給が継続させ(S214)、熱電対92で計測されたヒータ83の温度が所定温度以下である場合(S212:YES)には、プラズマヘッド冷却方法210が終了する。 After that, as described above, when the temperature of the heater 83 measured by the thermocouple 92 is higher than the predetermined temperature (S212: NO), the processing gas supply device 74 supplies the processing gas and the heating gas supply device. When the gas supply by the 86 is continued (S214) and the temperature of the heater 83 measured by the thermocouple 92 is equal to or lower than the predetermined temperature (S212: YES), the plasma head cooling method 210 ends.

このようにして、プラズマヘッド冷却方法210は、プラズマヘッド18の温度として使用されるヒータ83の温度(熱電対92で計測される温度)に基づいて、ユーザがプラズマヘッド18の表面に触れても支障がない程度の温度(例えば、40℃付近の温度)にまでプラズマヘッド18の表面温度が低下していると想定して、プラズマヘッド18の冷却を終了させる。 In this way, the plasma head cooling method 210 is based on the temperature of the heater 83 (the temperature measured by the thermocouple 92) used as the temperature of the plasma head 18, even if the user touches the surface of the plasma head 18. It is assumed that the surface temperature of the plasma head 18 has dropped to a temperature that does not hinder (for example, a temperature near 40 ° C.), and the cooling of the plasma head 18 is terminated.

以上より、大気圧プラズマ発生装置10は、プラズマヘッド冷却方法210が実行されることによって、メンテンス性の向上を図ったプラズマヘッド18の適切な冷却を行うことが可能である。 From the above, the atmospheric pressure plasma generator 10 can appropriately cool the plasma head 18 with improved maintainability by executing the plasma head cooling method 210.

尚、本開示は上記実施形態に限定されるものでなく、その趣旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
例えば、大気圧プラズマ発生装置10は、熱電対92に代えて、ヒータ83の温度又はガス管82内を流れるガスの温度を計測可能な他のセンサ、例えば、サーミスタ又は赤外線センサ等を備えてもよい。
The present disclosure is not limited to the above embodiment, and various changes can be made without departing from the spirit of the present invention.
For example, the atmospheric pressure plasma generator 10 may be provided with another sensor capable of measuring the temperature of the heater 83 or the temperature of the gas flowing in the gas tube 82, for example, a thermistor or an infrared sensor, instead of the thermocouple 92. good.

また、大気圧プラズマ発生装置10は、電力供給装置108で加熱されるヒータ83に代えて、液体又は気体等の高温流体で加熱されるヒータを備えてもよい。そのような場合には、高温流体の温度や流量が制御されることによって、ヒータの温度が調節される。 Further, the atmospheric pressure plasma generator 10 may include a heater heated by a high temperature fluid such as a liquid or a gas instead of the heater 83 heated by the power supply device 108. In such a case, the temperature of the heater is adjusted by controlling the temperature and flow rate of the high temperature fluid.

また、プラズマヘッド冷却方法210が終了する際において、処理ガス供給装置74による処理ガスの供給及び加熱用ガス供給装置86によるガスの供給は、継続されても良いし、継続されなくても良い。 Further, when the plasma head cooling method 210 is completed, the supply of the processing gas by the processing gas supply device 74 and the supply of the gas by the heating gas supply device 86 may or may not be continued.

また、プラズマヘッド冷却方法210は、熱電対92の測温接点92Aが、例えば、プラズマヘッド18のメインハウジング30に埋め込まれた状態において実行されても良い。そのような場合には、プラズマヘッド冷却方法210は、ヒータ83を含めた加熱ガス噴出装置14がプラズマヘッド18に装備されていないケースに適用されることが可能である。 Further, the plasma head cooling method 210 may be executed in a state where the temperature measuring contact 92A of the thermocouple 92 is embedded in the main housing 30 of the plasma head 18, for example. In such a case, the plasma head cooling method 210 can be applied to a case where the heating gas ejection device 14 including the heater 83 is not equipped in the plasma head 18.

ちなみに、本実施形態において、大気圧プラズマ発生装置10は、プラズマ発生装置の一例である。加熱用ガス供給装置86は、ガス供給装置の一例である。熱電対92は、温度センサの一例である。ROM122は、記憶装置の一例である。データテーブルDTと、曲線L2で示された近似式は、基準データの一例である。第1所定時間DPは、所定時間の一例である。温度MT1,MT2,MT3は、第1温度の一例である。温度MT2,MT3,MT4は、第2温度の一例である。暖機開始処理S110は、暖機開始工程の一
例である。第1温度取得処理S112は、第1温度取得工程の一例である。算出処理S114は、算出工程の一例である。第2温度取得処理S118は、第2温度取得工程の一例である。暖機停止処理S122は、暖機停止工程の一例である。みなし処理S124は、繰返処理と繰返工程の一例である。
Incidentally, in the present embodiment, the atmospheric pressure plasma generator 10 is an example of the plasma generator. The heating gas supply device 86 is an example of a gas supply device. The thermocouple 92 is an example of a temperature sensor. ROM 122 is an example of a storage device. The data table DT and the approximate expression shown by the curve L2 are examples of reference data. The first predetermined time DP is an example of a predetermined time. The temperatures MT1, MT2, and MT3 are examples of the first temperature. The temperatures MT2, MT3, and MT4 are examples of the second temperature. The warm-up start process S110 is an example of the warm-up start process. The first temperature acquisition process S112 is an example of the first temperature acquisition process. The calculation process S114 is an example of the calculation process. The second temperature acquisition process S118 is an example of the second temperature acquisition process. The warm-up stop process S122 is an example of the warm-up stop process. The deemed process S124 is an example of a repeat process and a repeat process.

10 大気圧プラズマ発生装置
16 制御装置
18 プラズマヘッド
83 ヒータ
86 加熱用ガス供給装置
92 熱電対
108 電力供給装置
110 ヒータ暖機方法
122 ROM
DT 基準データ
DP 所定時間
L2 曲線
MT1 温度
MT2 温度
MT3 温度
LM1 下限温度
LM2 下限温度
LM3 下限温度
S110 暖機開始処理
S112 第1温度取得処理
S114 算出処理
S118 第2温度取得処理
S122 暖機停止処理
S124 繰返処理
10 Atmospheric pressure plasma generator 16 Control device 18 Plasma head 83 Heater 86 Heating gas supply device 92 Thermocouple 108 Power supply device 110 Heater warm-up method 122 ROM
DT reference data DP predetermined time L2 curve MT1 temperature MT2 temperature MT3 temperature LM1 lower limit temperature LM2 lower limit temperature LM3 lower limit temperature S110 warm-up start process S112 first temperature acquisition process S114 calculation process S118 second temperature acquisition process S122 warm-up stop process S124 Return processing

Claims (5)

プラズマヘッドと、
前記プラズマヘッドから照射されるプラズマを加温するヒータと、
前記ヒータの暖機状態を判定するための基準データが記憶された記憶装置と、
前記ヒータの温度を計測する温度センサと、
制御装置と、を備え、
前記制御装置は、
前記ヒータの暖機を開始する暖機開始処理と、
前記ヒータの暖機中において、前記温度センサの温度計測によって第1温度を取得する第1温度取得処理と、
前記第1温度の取得時点から所定時間経過した基準時点に対応する前記ヒータの下限温度を、前記記憶装置の前記基準データに基づいて算出する算出処理と、
前記基準時点において、前記温度センサの温度計測によって第2温度を取得する第2温度取得処理と、
前記第2温度が前記下限温度以上である場合に、前記第2温度を前記第1温度とみなして、更に、前記算出処理及び前記第2温度取得処理を繰り返す繰返処理と、
前記第2温度が前記下限温度未満である場合に、前記ヒータの暖機を停止する暖機停止処理と、を実行し、
前記基準データは、前記第1温度を分類する温度範囲と、前記第1温度から前記下限温度までの温度差とを対応付けたデータテーブルであるプラズマ発生装置。
With the plasma head
A heater that heats the plasma emitted from the plasma head, and
A storage device in which reference data for determining the warm-up state of the heater is stored, and
A temperature sensor that measures the temperature of the heater and
Equipped with a control device,
The control device is
The warm-up start process for starting the warm-up of the heater and the warm-up start process
During the warm-up of the heater, the first temperature acquisition process for acquiring the first temperature by measuring the temperature of the temperature sensor, and the first temperature acquisition process.
A calculation process for calculating the lower limit temperature of the heater corresponding to a reference time point in which a predetermined time has elapsed from the acquisition time point of the first temperature based on the reference data of the storage device.
At the reference time point, the second temperature acquisition process for acquiring the second temperature by measuring the temperature of the temperature sensor, and the second temperature acquisition process.
When the second temperature is equal to or higher than the lower limit temperature, the second temperature is regarded as the first temperature, and the calculation process and the second temperature acquisition process are repeated.
When the second temperature is less than the lower limit temperature, the warm-up stop process for stopping the warm-up of the heater is executed.
The reference data is a plasma generator which is a data table in which a temperature range for classifying the first temperature and a temperature difference from the first temperature to the lower limit temperature are associated with each other.
前記ヒータは、前記プラズマヘッドに設けられる請求項1に記載のプラズマ発生装置。 The plasma generator according to claim 1 , wherein the heater is provided on the plasma head. 前記ヒータに電力を供給する電力供給装置を備え、
前記制御装置は、
前記電力供給装置による電力供給を開始することにより、前記暖機開始処理を実行し、
前記電力供給装置による電力供給を停止することにより、前記暖機停止処理を実行する請求項1又は請求項2に記載のプラズマ発生装置。
A power supply device for supplying electric power to the heater is provided.
The control device is
By starting the power supply by the power supply device, the warm-up start process is executed.
The plasma generator according to claim 1 or 2 , wherein the warm-up stop process is executed by stopping the power supply by the power supply device.
前記プラズマヘッドにガスを供給するガス供給装置を備え、
前記温度センサは、前記ヒータに対して前記ガスの下流側で近接する位置に設けられた熱電対である請求項1乃至請求項3のいずれか1つに記載のプラズマ発生装置。
A gas supply device for supplying gas to the plasma head is provided.
The plasma generator according to any one of claims 1 to 3 , wherein the temperature sensor is a thermocouple provided at a position close to the heater on the downstream side of the gas.
プラズマヘッドから照射されるプラズマを加温するヒータを備えるプラズマ発生装置のヒータ暖機方法であって、
前記ヒータの暖機を開始する暖機開始工程と、
前記ヒータの暖機中において、前記ヒータの第1温度を取得する第1温度取得工程と、
前記第1温度の取得時点から所定時間経過した基準時点に対応する前記ヒータの下限温度を基準データに基づいて算出する算出工程と、
前記基準時点において、前記ヒータの第2温度を取得する第2温度取得工程と、
前記第2温度が前記下限温度以上である場合に、前記第2温度を前記第1温度とみなして、更に、前記算出工程及び前記第2温度取得工程を繰り返す繰返工程と、
前記第2温度が前記下限温度未満である場合に、前記ヒータの暖機を停止する暖機停止
工程と、を備え、
前記基準データは、前記第1温度を分類する温度範囲と、前記第1温度から前記下限温度までの温度差とを対応付けたデータテーブルであるヒータ暖機方法。
It is a heater warming method of a plasma generator equipped with a heater for heating plasma emitted from a plasma head.
The warm-up start process for starting the warm-up of the heater and
During the warm-up of the heater, the first temperature acquisition step of acquiring the first temperature of the heater and the first temperature acquisition step.
A calculation step of calculating the lower limit temperature of the heater corresponding to a reference time point in which a predetermined time has elapsed from the acquisition time point of the first temperature based on the reference data, and a calculation step.
In the second temperature acquisition step of acquiring the second temperature of the heater at the reference time point,
When the second temperature is equal to or higher than the lower limit temperature, the second temperature is regarded as the first temperature, and the calculation step and the second temperature acquisition step are repeated.
A warm-up stop step of stopping the warm-up of the heater when the second temperature is less than the lower limit temperature is provided.
The reference data is a heater warm-up method, which is a data table in which a temperature range for classifying the first temperature and a temperature difference from the first temperature to the lower limit temperature are associated with each other.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2868494B2 (en) * 1997-08-05 1999-03-10 日本アビオニクス株式会社 Pulse heating type bonding apparatus and its control method
US6140615A (en) * 1999-01-14 2000-10-31 Sanki Consys Co., Ltd. Heater apparatus for an aquarium

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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