JP7066739B2 - Talbot X-ray microscope - Google Patents

Talbot X-ray microscope Download PDF

Info

Publication number
JP7066739B2
JP7066739B2 JP2019555869A JP2019555869A JP7066739B2 JP 7066739 B2 JP7066739 B2 JP 7066739B2 JP 2019555869 A JP2019555869 A JP 2019555869A JP 2019555869 A JP2019555869 A JP 2019555869A JP 7066739 B2 JP7066739 B2 JP 7066739B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ray
detector
microscope system
microbeams
talbot
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019555869A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2020516896A (en
Inventor
ユン,ウェンビン
ルイス,シルビア・ジア・ユン
カーズ,ヤーノシュ
バイン,デイビッド
シシャドリ,スリバトサン
Original Assignee
シグレイ、インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by シグレイ、インコーポレイテッド filed Critical シグレイ、インコーポレイテッド
Priority claimed from US15/954,380 external-priority patent/US10304580B2/en
Publication of JP2020516896A publication Critical patent/JP2020516896A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7066739B2 publication Critical patent/JP7066739B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21KTECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K7/00Gamma- or X-ray microscopes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J35/00X-ray tubes
    • H01J35/02Details
    • H01J35/04Electrodes ; Mutual position thereof; Constructional adaptations therefor
    • H01J35/08Anodes; Anti cathodes
    • H01J35/112Non-rotating anodes
    • H01J35/116Transmissive anodes
    • GPHYSICS
    • G21NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21KTECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K2207/00Particular details of imaging devices or methods using ionizing electromagnetic radiation such as X-rays or gamma rays
    • G21K2207/005Methods and devices obtaining contrast from non-absorbing interaction of the radiation with matter, e.g. phase contrast

Description

関連出願の相互参照
本特許出願は、2017年4月15日に出願された「タルボX線顕微鏡(TALBOT X-RAY MICROSCOPE)」と題される米国仮特許出願番号第62/485,916号の優先権利益を主張し、2015年5月15日に出願された「周期構造の測定、特徴付けおよび分析のためのX線方法(X-RAY METHOD FOR MEASUREMENT, CHARACTERIZATION, AND ANALYSIS OF PERIODIC STRUCTURES)」と題される米国特許出願番号第14/712,917号の一部継続出願である。米国特許出願番号第14/712,917号は、2015年4月29日に出願された「X線干渉計イメージングシステム(X-RAY INTERFEROMETRIC IMAGING SYSTEM)」と題される米国特許出願番号第14/700,137号の一部継続出願である。米国特許出願番号第14/700,137号は、2014年10月29日に出願された「X線干渉計イメージングシステム(X-RAY INTERFEROMETRIC IMAGING SYSTEM)」と題される米国特許出願番号第14/527,523号(現在は消滅)の一部継続出願である。米国特許出願番号第14/527,523号は、2013年10月31日に出願された「X線位相コントラストイメージングシステム(X-ray Phase Contrast imaging System)」と題される米国仮特許出願番号第61/898,019号、2013年11月7日に出願された「微細な副供給源のアレイからなるX線源(An X-ray Source Consisting of an Array of Fine Sub-Sources)」と題される米国仮特許出願番号第61/901,361号、および2014年4月17日に出願された「二次元位相コントラストイメージング装置(Two Dimensional Phase Contrast Imaging Apparatus)」と題される米国仮特許出願番号第61/981,098号の利益を主張し、これら全ての開示は、引用によって全文が本明細書に援用される。
Mutual reference to related applications This patent application is filed on April 15, 2017, under the title of "TALBOT X-RAY MICROSCOPE", US Provisional Patent Application No. 62 / 485, 916. "X-RAY METHOD FOR MEASUREMENT, CHARACTERIZATION, AND ANALYSIS OF PERIODIC STRUCTURES" filed on May 15, 2015, claiming priority interests. This is a partial continuation application of US Patent Application No. 14 / 712,917 entitled. US Patent Application No. 14 / 712,917 is the US Patent Application No. 14 / entitled "X-RAY INTERFEROMETRIC IMAGING SYSTEM" filed on April 29, 2015. This is a partial continuation application of No. 700,137. US Patent Application No. 14 / 700,137 is the US Patent Application No. 14 / entitled "X-RAY INTERFEROMETRIC IMAGING SYSTEM" filed on October 29, 2014. This is a partial continuation application for Nos. 527 and 523 (currently extinguished). US Patent Application No. 14 / 527,523 is the US Provisional Patent Application No. 1 entitled "X-ray Phase Contrast Imaging System" filed on October 31, 2013. No. 61 / 898,019, entitled "An X-ray Source Consisting of an Array of Fine Sub-Sources" filed on November 7, 2013. US Provisional Patent Application No. 61 / 901,361, and US Provisional Patent Application No. entitled "Two Dimensional Phase Contrast Imaging Amplifier" filed on April 17, 2014. Claiming the interests of No. 61 / 981,098, all of these disclosures are incorporated herein by reference in their entirety.

さらに、本願は、2016年12月2日に出願された「X線顕微鏡法のための方法(METHOD FOR X-RAY MICROSCOPY)」と題される米国仮特許出願番号第62/429,587号および2016年12月3日に出願された「複数のマイクロビームを使用したX線測定技術(X-RAY MEASUREMENT TECHNIQUES USING MULTIPLE MICRO-BEAMS)」と題される米国仮特許出願番号第62/429,760号の利益を主張し、これらは両方とも、引用によって全文が本明細書に援用される。 In addition, the present application is U.S. Provisional Patent Application No. 62 / 429,587 and entitled "METHOD FOR X-RAY MICROSCOPY" filed on December 2, 2016. US provisional patent application number 62/429,760 entitled "X-RAY MEASUREMENT TECHNIQUES USING MULTIPLE MICRO-BEAMS" filed on December 3, 2016. Claiming the interests of the issue, both of which are incorporated herein by reference in their entirety.

背景
a.発明の分野
本技術は、X線を使用した干渉計システムに関し、特に周期的マイクロビームのシステムを使用して物体を照射してこの物体のさまざまな構造的および化学的特性を求める干渉計測定、特徴付けおよび分析システムに関する。
Background a. Fields of Invention The art relates to interferometer systems that use X-rays, especially interferometer measurements that illuminate an object using a periodic microbeam system to determine the various structural and chemical properties of this object. Regarding characterization and analysis systems.

b.先行技術の説明
先行技術のX線顕微鏡は、一般に、X線光学部品(たとえば、ゾーンプレート)の分解能および/または検出器の画素サイズの分解能によって制限される。市販のX線顕微鏡システムの中には分解能が100nm未満のものもあるが、このようなシステムでは視野が非常に制限され、大きな視野を有する高分解能X線顕微鏡法は、分解能が1ミクロンよりも小さい状態では画像を生成するのが困難である。
b. Description of Prior Art Prior art X-ray microscopes are generally limited by the resolution of X-ray optics (eg, zone plates) and / or the resolution of the detector pixel size. Some commercially available X-ray microscopy systems have a resolution of less than 100 nm, but such systems have a very limited field of view, and high-resolution X-ray microscopy with a large field of view has a resolution greater than 1 micron. It is difficult to generate an image in a small state.

従来より、先行技術のタルボシステムは、低分解能イメージングに使用されてきた。必要なのは、スループットを向上させた状態でタルボ干渉縞を高分解能イメージングに利用する顕微鏡システムである。 Traditionally, the prior art Talbot system has been used for low resolution imaging. What is needed is a microscope system that utilizes Talbot fringes for high-resolution imaging with improved throughput.

概要
ここに概略を記載している本技術は、マイクロスケールまたはナノスケールビーム強度プロファイルを有するマイクロビームのアレイを使用して物体のマイクロスケールまたはナノスケール領域の選択的照射を行うX線顕微鏡法のためのシステムを含む。アレイ検出器は、この検出器の各画素が単一のマイクロビームに対応するX線のみを検出するように位置決めされ、これにより、特定の限定的なマイクロスケールまたはナノスケール領域が照射された状態で、X線検出器から生じた信号を識別することができる。これにより、空間分解能を損なうことなく、高効率かつ大型の画素検出器を使用した顕微鏡法が可能になる。
Overview The technique outlined here is an X-ray microscopy technique that uses an array of microbeams with a microscale or nanoscale beam intensity profile to selectively irradiate a microscale or nanoscale region of an object. Includes a system for. The array detector is positioned so that each pixel of this detector detects only the X-rays corresponding to a single microbeam, thereby illuminating certain limited microscale or nanoscale regions. Can identify the signal generated by the X-ray detector. This enables highly efficient and large microscopic microscopy using a large pixel detector without compromising spatial resolution.

実施形態では、マイクロスケールまたはナノスケールのビームは、一組のタルボ干渉縞を生成することによって提供されてもよく、この一組のタルボ干渉縞は、干渉パターンのアンチノードを備えるビームに対応する一組の微細X線マイクロビームを作成する。いくつかの実施形態では、マイクロビームまたはナノビームのアレイは、従来のX線源およびX線イメージング要素(たとえば、X線レンズ)のアレイによって提供されてもよい。 In embodiments, a microscale or nanoscale beam may be provided by producing a set of Talbot fringes, the set of Talbot fringes corresponding to a beam with an antinode of the interference pattern. Create a set of fine X-ray microbeams. In some embodiments, the array of microbeams or nanobeams may be provided by an array of conventional X-ray sources and X-ray imaging elements (eg, X-ray lenses).

実施形態では、検出器も物体も、一組のタルボ構築縞(アンチノード)の同一のウエストまたは「焦点深度」範囲内に設置される。いくつかの実施形態では、検出器は、下流の任意の後続のアンチノードの組に(タルボ距離の整数倍だけ離れて)設置される。いくつかの実施形態では、物体は、X線ビームの伝搬方向に対して垂直なx方向およびy方向への平行移動を可能にするマウント上に位置決めされて、顕微鏡スケールの「スキャンされた」透過画像を構築することができる。いくつかの実施形態では、物体は、X線ビームの伝搬方向に対して垂直な軸を中心とした回転を可能にするマウント上に位置決めされて、顕微鏡スケールのデータの収集をラミノグラフィまたはトモグラフィ画像再構築に使用することができる。 In embodiments, both the detector and the object are placed within the same waist or "depth of focus" range of a set of Talbot-building fringes (antinodes). In some embodiments, the detector is installed in any subsequent set of antinodes downstream (a fraction of the Talbot distance apart). In some embodiments, the object is positioned on a mount that allows translation in the x and y directions perpendicular to the propagation direction of the X-ray beam and is "scanned" transmission on a microscope scale. Images can be constructed. In some embodiments, the object is positioned on a mount that allows rotation about an axis perpendicular to the direction of propagation of the X-ray beam to collect microscope-scale data in a laminography or tomography image. Can be used for reconstruction.

選択された数のマイクロビームを遮断するためにビーム経路にさらなるマスキング層が挿入されてもよく、これにより、より大きな画素サイズを有する検出器を残りのマイクロビームで使用することができる。また、マスキング層を使用することにより、検出効率が向上した検出器を残りのマイクロビームで使用することができる。このようなマスキング層は、調査対象の物体の前に設置されてもよく、物体と検出器との間に設置されてもよく、または検出器構造自体の一部として設計されてもよい。 An additional masking layer may be inserted in the beam path to block a selected number of microbeams, which allows a detector with a larger pixel size to be used with the remaining microbeams. Further, by using the masking layer, the detector with improved detection efficiency can be used in the remaining microbeam. Such a masking layer may be placed in front of the object under investigation, may be placed between the object and the detector, or may be designed as part of the detector structure itself.

1:1デューティサイクル吸収格子のためのタルボ干渉縞パターンの従来例を示す図である。It is a figure which shows the conventional example of the Talbot interference fringe pattern for a 1: 1 duty cycle absorption lattice. アンチノードを「焦点深度」範囲として示す図1Aのパターンからの詳細を示す図である。It is a figure which shows the detail from the pattern of FIG. 1A which shows an anti-node as a "depth of focus" range. 1:1デューティサイクルπ/2位相シフト格子のための発散タルボ干渉縞パターンの従来例を示す図である。It is a figure which shows the conventional example of the divergence Talbot interference fringe pattern for a 1: 1 duty cycle π / 2 phase shift lattice. 1:1デューティサイクルπ位相シフト格子のための発散タルボ干渉縞パターンの従来例を示す図である。It is a figure which shows the conventional example of the divergence Talbot interference fringe pattern for a 1: 1 duty cycle π phase shift lattice. 1:3デューティサイクルπ位相シフト格子のための発散タルボ干渉縞パターンの従来例を示す図である。It is a figure which shows the conventional example of the divergence Talbot interference fringe pattern for a 1: 3 duty cycle π phase shift lattice. さまざまな位相格子周期における位相格子および自己像を示す図である。It is a figure which shows the phase grid and self-image in various phase grid periods. 本発明の実施形態に係る顕微鏡の概略図である。It is a schematic diagram of the microscope which concerns on embodiment of this invention. 埋設されたターゲットマスクを有する基板を示す図である。It is a figure which shows the substrate which has the embedded target mask. 埋設されたターゲットマスクを有する代替的な基板を示す図である。It is a figure which shows the alternative substrate which has an embedded target mask. ソース電子ビームを斜角でターゲットに打ち込むシステムを示す図である。It is a figure which shows the system which shoots a source electron beam into a target at an oblique angle. 微細構造を有するターゲットを示す図である。It is a figure which shows the target which has a fine structure. モリブデンについての最適厚み対加速電圧のプロットを示す図である。It is a figure which shows the plot of the optimum thickness vs. acceleration voltage for molybdenum. 図3Aの実施形態のマイクロビーム、物体および検出器の概略図である。FIG. 3 is a schematic diagram of a microbeam, an object and a detector according to an embodiment of FIG. 3A. 図3Aの実施形態のマイクロビーム、物体および検出器の概略断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the microbeam, object and detector of the embodiment of FIG. 3A. 調査対象の物体の前にマスクを設置した本発明の実施形態に係る顕微鏡の概略図である。It is the schematic of the microscope which concerns on embodiment of this invention which put the mask in front of the object to be investigated. 図5の実施形態のマイクロビーム、物体および検出器の概略図である。FIG. 5 is a schematic diagram of a microbeam, an object, and a detector according to an embodiment of FIG. 図5の実施形態のマイクロビーム、物体および検出器の概略断面図である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of the microbeam, object and detector of the embodiment of FIG. シンチレータを備える実施形態のマイクロビーム、物体および検出器の概略断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of an embodiment of a microbeam, object and detector comprising a scintillator. シンチレータとシンチレータイメージングシステムとを備える実施形態のマイクロビーム、物体および検出器の概略断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of an embodiment of a microbeam, object and detector comprising a scintillator and a scintillator imaging system. 調査対象の物体の前にマスクを設置した本発明の実施形態に係る顕微鏡の概略図である。It is the schematic of the microscope which concerns on embodiment of this invention which put the mask in front of the object to be investigated. 図5の実施形態のマイクロビーム、物体および検出器の概略図である。FIG. 5 is a schematic diagram of a microbeam, an object, and a detector according to an embodiment of FIG. 図5の実施形態のマイクロビーム、物体および検出器の概略断面図である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of the microbeam, object and detector of the embodiment of FIG. 検出器およびシンチレータにマスクを備える実施形態のマイクロビーム、物体および検出器の概略断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of an embodiment of a microbeam, object and detector comprising a mask on the detector and scintillator. 検出器およびシンチレータおよびシンチレータイメージングシステムにマスクを備える実施形態のマイクロビーム、物体および検出器の概略断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a microbeam, an object and a detector of an embodiment comprising a detector and a scintillator and a scintillator imaging system with a mask. 顕微鏡データを収集する方法を示す図である。It is a figure which shows the method of collecting the microscope data.

発明の実施形態の詳細な説明
本技術は、マイクロスケールまたはナノスケールビーム強度プロファイルを有するマイクロビームのアレイを使用して物体のマイクロスケールまたはナノスケール領域の選択的照射を行うX線顕微鏡法のためのシステムを含む。各マイクロビームは、このマイクロビームの強度の0.8倍~0倍であるより低いX線強度の領域によって他のマイクロビームから分離される。アレイ検出器は、この検出器の各画素が単一のマイクロビームに対応するX線のみを検出するように位置決めされ、これにより、特定の限定的なマイクロスケールまたはナノスケール領域が照射された状態で、X線検出器から生じた信号を識別することができる。いくつかの例では、イメージングされる物体と検出器とは、同一のタルボ回折次数内に位置決めされる。本システムでは、空間分解能は、供給源サイズおよび検出器画素サイズから切り離される。
Detailed Description of Embodiments of the Invention This technique is for X-ray microscopy in which an array of microbeams having a microscale or nanoscale beam intensity profile is used to selectively irradiate a microscale or nanoscale region of an object. Including the system of. Each microbeam is separated from the other microbeams by a region of lower X-ray intensity that is 0.8 to 0 times the intensity of this microbeam. The array detector is positioned so that each pixel of this detector detects only the X-rays corresponding to a single microbeam, thereby illuminating certain limited microscale or nanoscale regions. Can identify the signal generated by the X-ray detector. In some examples, the object to be imaged and the detector are positioned within the same Talbot diffraction order. In this system, spatial resolution is decoupled from source size and detector pixel size.

タルボ縞を使用したイメージングは、一般に、タルボ干渉パターンを生成するための格子(しばしば、位相シフト格子)と、結果として生じたパターンを第2の格子および/またはアレイX線検出器を用いて分析することとを必要とする。 Imaging with Talbot fringes generally analyzes the resulting pattern with a grid (often a phase shift grid) to generate the Talbot interference pattern and / or an array X-ray detector. Need to do.

図1Aは、平面波によって照射されたときに50/50デューティサイクルおよびピッチpを有する吸収格子Gによって生成されるタルボ干渉縞を示す。干渉縞は、格子の背後に生成され、タルボ距離Dのところに50/50デューティサイクルを有するピッチpを再構築し、タルボ距離Dは、以下の式で表される。 FIG. 1A shows Talbot interference fringes produced by an absorption grid G with a 50/50 duty cycle and pitch p when illuminated by a plane wave. Interference fringes are generated behind the grid and reconstruct the pitch p with a 50/50 duty cycle at the Talbot distance DT , where the Talbot distance DT is expressed by the following equation.

Figure 0007066739000001
Figure 0007066739000001

式中、pはビーム分割格子の周期であり、λはX線波長である。
X線照射器として、タルボ干渉パターンは、ビーム分割格子を好適に選択することにより、対応するミクロンスケールの寸法を有する明るいアンチノードを生成することができる。24.8keVのエネルギを有するX線ならびに50/50デューティサイクルおよび1ミクロンピッチを有する吸収格子では、タルボ距離は、D=4cmである。図1の図における縞のx方向およびy方向の縮尺はかなり異なっており、これらの縞は、横方向(すなわち、伝搬方向に対して垂直)にミクロンスケールおよびピッチを有してもよいが、数百ミクロンから数センチメートルのスケールの焦点深度を有してもよい。
In the equation, p 1 is the period of the beam dividing lattice and λ is the X-ray wavelength.
As an X-ray irradiator, the Talbot interference pattern can generate bright antinodes with corresponding micron-scale dimensions by suitably selecting a beam-splitting grid. For X-rays with an energy of 24.8 keV and an absorption grid with a 50/50 duty cycle and 1 micron pitch, the Talbot distance is DT = 4 cm. The x- and y-direction scales of the fringes in the figure of FIG. 1 are quite different, and these fringes may have micron scale and pitch laterally (ie, perpendicular to the propagation direction). It may have a focal depth on the scale of hundreds of microns to several centimeters.

タルボ距離のさまざまな分数における縞パターンは、実際には、元の格子特徴のサイズよりも小さくてもよい。したがって、これらのアンチノードは、より高い分解能を達成するための、物体の照射に使用される複数のマイクロビームとして機能してもよい。 The fringe pattern at various fractions of the Talbot distance may actually be smaller than the size of the original grid features. Therefore, these antinodes may function as multiple microbeams used to illuminate the object to achieve higher resolution.

アンチノードがその最も微細な寸法を維持する範囲(焦点深度)は、タルボ縞のピッチpに関連し、以下の式で表される。 The range (depth of focus) at which the antinode maintains its finest dimensions is related to the pitch p of the Talbot fringes and is expressed by the following equation.

Figure 0007066739000002
Figure 0007066739000002

たとえば20keVおよび格子周期が1ミクロンのX線のアンチノードに相当するウエストまたは「焦点深度」は、約数センチメートルである。 For example, the waist or "depth of focus" corresponding to an X-ray antinode with a grid period of 1 micron at 20 keV is about a few centimeters.

図1Bは、上記のアンチノードのうちの1つのDOFであると考えることができる部分を有する図1Aのアンチノードの拡大部分を示す。いくつかの例では、アンチノードは、ノードとは20%以上異なっているビームの部分であり、たとえば「アンチノード」と「ノード」との間のコントラスト比は1.2:1であってもよい。予め定められた量未満だけアンチノードが変化する範囲(たとえば、アンチノード半値全幅変化が5%以内である長さ範囲)によって定義されるビーム「ウエスト」の厳密な定義は、さまざまなタルボパターンについて定義されてもよい。なお、所与の干渉パターンは、照射に使用することができる多くの微細な「ウエスト」を有してもよく、使用する格子によっては、格子ハーフピッチよりもさらに微細な寸法を有する場合もある。また、これらの「ウエスト」は、格子からさまざまな距離のところに生じてもよく、前に定義した分数タルボ距離のところでなくてもよい。 FIG. 1B shows an enlarged portion of the antinode of FIG. 1A having a portion that can be considered to be a DOF of one of the above antinodes. In some examples, an anti-node is a portion of the beam that differs by more than 20% from the node, even if the contrast ratio between the "anti-node" and the "node" is 1.2: 1. good. The exact definition of the beam "waist" defined by the range in which the antinode changes by less than a predetermined amount (eg, the length range in which the antinode full width at half maximum change is within 5%) is for various Talbot patterns. It may be defined. It should be noted that a given interference pattern may have many fine "waist" that can be used for irradiation, and depending on the grid used, it may have dimensions even finer than the grid half pitch. .. Also, these "waist" may occur at various distances from the grid and may not be at the previously defined fractional Talbot distance.

したがって、タルボ縞のパターンは、空間内に伝搬する「マイクロビーム」のアレイに似ている。これらの縞は、図1に示されたように平行なマイクロビームであってもよく、または収束もしくは発散するX線ビームを使用して取得されてもよい。タルボ干渉パターンのさらなる例は、図2A~図2Cに示されている。 Therefore, the pattern of Talbot fringes resembles an array of "microbeams" propagating in space. These fringes may be parallel microbeams as shown in FIG. 1 or may be acquired using a convergent or divergent X-ray beam. Further examples of Talbot interference patterns are shown in FIGS. 2A-2C.

図2Aは、1:1の格子-空間幅比からπ/2ラジアン位相シフトを導入する格子210-1-90(断面を図示)によって生成される強度パターンを示す。図2Bは、1:1の格子-空間幅比にπラジアン位相シフトを導入する格子210-1-180によって生成される強度パターンを示す。図2Cは、1:3の格子-空間幅比にπラジアン位相シフトを導入する格子210-3-180によって生成される強度パターンを示す。図2A~図2Cのシミュレーションでは、ロンキー(たとえば、線/空間矩形波)プロファイルを有する格子および十分な空間コヒーレンスを有する点放射源を想定する。 FIG. 2A shows the intensity pattern produced by a grid 210-1-90 (shown in cross section) that introduces a π / 2 radian phase shift from a 1: 1 grid-space width ratio. FIG. 2B shows the intensity pattern produced by grid 2101-180, which introduces a π radian phase shift into a 1: 1 grid-spatial width ratio. FIG. 2C shows the intensity pattern produced by the grid 210-3-180, which introduces a π radian phase shift into a grid-space width ratio of 1: 3. The simulations of FIGS. 2A-2C assume a grid with a longy (eg, line / spatial square wave) profile and a point source with sufficient spatial coherence.

図2Dは、πおよびπ/2の位相格子周期における二次元位相格子および自己像を示す。図2Dに示されるように、π周期の格子は、市松模様状であり、「メッシュ」自己像を生成する。π/2周期を有する格子も市松模様状であるが、コントラストが反転した市松模様自己像を生成する。本技術のX線顕微鏡は、π周期、π/2周期または他の周期を有する格子を利用してマイクロビームを生成することができる。 FIG. 2D shows a two-dimensional phase grid and self-image in the π and π / 2 phase grid periods. As shown in FIG. 2D, the π-period grid is checkered and produces a "mesh" self-image. A grid with a π / 2 period is also checkered, but produces a checkered self-image with inverted contrast. The X-ray microscope of the present technology can generate a microbeam by utilizing a grid having a π period, a π / 2 period, or another period.

多くの実施形態では、このビーム分割回折格子は、低吸収の位相格子であるが、π/2もしくはπラジアン、またはπもしくはπ/2の何分の1かもしくは倍数などの他の所定のもしくは予め定められた値の相当なX線位相シフトをもたらす位相格子である。これらの格子は、一次元であってもよく、または二次元であってもよい。いくつかの実施形態では、調査対象の物体は、回折格子の下流の、以下の式によって表される分数タルボ距離Dのところに設置される。 In many embodiments, the beam split grating is a low absorption phase grating, but other predetermined or such as π / 2 or π radians, or a fraction or multiple of π or π / 2. A phase grating that results in a significant X-ray phase shift of a predetermined value. These grids may be one-dimensional or two-dimensional. In some embodiments, the object under investigation is placed downstream of the grating at the fractional Talbot distance DN represented by the following equation.

Figure 0007066739000003
Figure 0007066739000003

式中、pはビーム分割格子の周期であり、Dは平面波照射のための分数タルボ距離であり、λは平均X線波長であり、Nは物体が設置されるタルボ分数次数(N=1,2,3,...)である。いくつかの例では、物体は、回折格子の下流の、分数タルボ距離ではない距離のところに設置されるが、その代わりに、波面が分析対象の周期的領域に対応するアンチノードおよびノードの領域で構成される距離のところに位置する。 In the equation, pl is the period of the beam splitting lattice, DN is the fractional Talbot distance for plane wave irradiation, λ is the average X-ray wavelength, and N is the Talbot fractional order on which the object is placed (N). = 1, 2, 3, ...). In some examples, the object is placed downstream of the grating at a distance that is not a fractional Talbot distance, but instead the area of antinodes and nodes where the wavefront corresponds to the periodic area of analysis. It is located at a distance consisting of.

格子パラメータ(たとえば、π位相シフト格子対π/2位相シフト格子)によっては、最適なタルボ距離(N)は、対象の干渉パターンに合わせて選択されてもよく、または用途に最も適したものにされてもよい。 Depending on the grid parameters (eg, π phase shift grid vs. π / 2 phase shift grid), the optimum Talbot distance ( Na ) may be selected according to the interference pattern of interest, or the one most suitable for the application. May be.

1.マイクロビームのアレイとしてのタルボ縞
本明細書に開示されているそれを使用する顕微鏡システムおよび方法は、物体を照射するのに使用されるマイクロスケールまたはナノスケールX線ビームのアレイを作成するさまざまな技術を使用して形成されてもよい。一例として、光学システムを使用して、複数の配列されたX線源または代替的に微細構造のアレイを備えた透過ターゲットを有するX線源をイメージングすることにより、X線光学システムの焦点深度内に供給源箇所の画像に対応する「マイクロビーム」を提供することができる。
1. 1. Talbot fringes as an array of microbeams The microscopy systems and methods using it disclosed herein create a variety of microscale or nanoscale X-ray beam arrays used to illuminate an object. It may be formed using technology. As an example, an optical system is used to image an X-ray source with multiple arranged X-ray sources or an alternative transmission target with an array of microstructures within the depth of focus of the X-ray optical system. Can provide a "microbeam" corresponding to an image of the source location.

タルボ縞、特に位相格子によって形成されるタルボ縞は、X線を有効なマイクロビームのアレイに向ける非常に効率的な方法である。タルボアンチノードの有効横寸法(ビームが円形に構築される場合にはビーム径)は、適切なビーム分割格子を使用して縞を構築することにより、非常に小さく(たとえば、20nmまたは300nmなどのサブミクロン)することができる。タルボ干渉パターンは、透過時に調査対象の物体を照射するのに使用した場合、アレイ検出器を使用して検出および分析することができる個別のマイクロまたはナノプローブのアレイを提供する。このように、X線顕微鏡システムは、高スループットでサブミクロン(たとえば、0.3μm)空間分解能を達成することができる。検出器がタルボ縞のピッチに対応する画素サイズを有するように選択され、物体も検出器もタルボ縞の有効「焦点深度」内に設置される場合、各画素は、「マイクロビーム」のうちの1つからの透過X線を検出している。 Talbot fringes, especially those formed by phase grids, are a very efficient way to direct X-rays to a valid array of microbeams. The effective lateral dimension of the Talbot antinode (beam diameter if the beam is constructed in a circle) is very small (eg, 20 nm or 300 nm) by constructing the fringes using a suitable beam splitting grid. Can be submicron). The Talbot interference pattern provides an array of individual micro or nanoprobes that can be detected and analyzed using an array detector when used to illuminate an object under investigation during transmission. Thus, the X-ray microscope system can achieve submicron (eg, 0.3 μm) spatial resolution at high throughput. If the detector is selected to have a pixel size corresponding to the pitch of the Talbot fringes and both the object and the detector are placed within the effective "depth of focus" of the Talbot fringes, each pixel will be of the "microbeam". The transmitted X-ray from one is detected.

複数のマイクロビームの強度とマイクロビーム間の領域の強度との間のコントラストは、マイクロビーム間のX線が減衰されるようにマイクロビームと同一のピッチの吸収格子を設置することによって、さらに向上させることができる。 The contrast between the intensity of multiple microbeams and the intensity of the region between the microbeams is further improved by installing an absorption grid with the same pitch as the microbeams so that the X-rays between the microbeams are attenuated. Can be made to.

上記の同時係属中の米国特許出願および米国仮特許出願に見られるように、x次元およびy次元において物体をスキャンすることにより、マイクロスケールまたはナノスケールプローブを物体上で移動させることができ、移動範囲がタルボ縞ピッチと同程度であるかまたはそれよりも大きい場合には、比較的低分解能のX線画素アレイ検出器を用いて物体の透過の高分解能「マップ」を取得することができる。システムの「分解能」は、もっぱらマイクロビームのサイズによって決まり、検出器画素サイズからは独立している。 By scanning an object in x-dimensional and y-dimensional, microscale or nanoscale probes can be moved and moved over the object, as seen in the co-pending US patent application and US provisional patent application above. If the range is similar to or greater than the Talbot fringe pitch, a relatively low resolution X-ray pixel array detector can be used to obtain a high resolution "map" of the transmission of the object. The "resolution" of the system is solely determined by the size of the microbeam and is independent of the detector pixel size.

このようなシステムの概要が図3Aに示され、より詳細に図4Aおよび図4Bに示されている。供給源011は、電子111をターゲット100に提供して、X線ビーム888を生成し、X線ビーム888は、格子G1を通過した後にマイクロビームのアレイを作成する。このX線の供給源は、公知の制約を満たして、好ましくはサブミクロンサイズまでのビームレットのアレイを実現する。X線の供給源は、単一の点もしくは線供給源であってもよく、または吸収(一次元もしくは二次元)格子と対にされた従来の供給源などの周期構造供給源であってもよい。代替的に、スループットの増大をもたらす主な成果は、供給源サイズを空間分解能から切り離すことであり、これにより、大型であるためにハイパワーである供給源を使用することができる。より大きなX線パワーを可能にする本技術の1つの新機軸は、周期的パターンAに従ってパターンを付けられたX線源を利用する。このようなシステムが図3Aに示されている。示されているこの構成では、X線源11は、ターゲット100を有し、ターゲット100は、基板1000と、周期pを有する周期的2Dパターンで配置された要素サイズaの個別の微細構造700を含む領域1001とを有する。電子111を打ち込まれると、これらは、周期pを有する周期的パターンでX線888を生成する。いくつかの例では、X線生成微細構造、X線遮断マスクおよび/または本明細書に記載されている他の要素を含んでもよいターゲット100は、X線生成器を実現することができる。 An overview of such a system is shown in FIG. 3A, and more in detail in FIGS. 4A and 4B. Source 011 provides electrons 111 to target 100 to generate an X-ray beam 888, which creates an array of microbeams after passing through grid G1. This source of X-rays meets known constraints and preferably implements an array of beamlets up to submicron size. The source of X-rays may be a single point or line source, or a periodic structure source such as a conventional source paired with an absorption (one-dimensional or two-dimensional) lattice. good. Alternatively, the main outcome of the increased throughput is to separate the source size from the spatial resolution, which allows the use of sources that are high power due to their large size. One innovation in the art that enables greater X-ray power utilizes an X-ray source patterned according to the periodic pattern A0 . Such a system is shown in FIG. 3A. In this configuration shown, the X-ray source 11 has a target 100, which is a substrate 1000 and a separate microstructure 700 of element size a arranged in a periodic 2D pattern with a period p0 . It has a region 1001 including. When the electrons 111 are driven in, they generate X-rays 888 in a periodic pattern with period p0 . In some examples, the target 100, which may include an X-ray generation microstructure, an X-ray blocking mask and / or other elements described herein, can implement an X-ray generator.

この構造化された供給源のターゲット100における各微細構造700は、独立した、相互にインコヒーレントなX線副供給源(または、供給源箇所)の役割を果たす。これらの供給源箇所の干渉は、他の供給源箇所に対して横方向にずれたサンプル平面内に一組の縞を生じさせる。構造化された供給源のピッチおよび供給源とG1との間の距離は、これらの縞がサンプル平面内で重なり合うことを確実にするように選択することができる。焦点が合った流束の増加は、使用する供給源箇所の数に比例する。 Each microstructure 700 in the target 100 of this structured source serves as an independent, mutually incoherent X-ray sub-source (or source location). The interference of these source points creates a set of streaks in the sample plane that are laterally offset with respect to the other source points. The pitch of the structured source and the distance between the source and G1 can be selected to ensure that these streaks overlap in the sample plane. The increase in focused flux is proportional to the number of source locations used.

いくつかの例では、供給源は、G1格子周期よりも大きなコヒーレンス長を有するようにG1格子210-2Dから十分に離れている。個々の副供給源の見かけ上の幅がSであり、供給源とG1との間の距離がZであり、放射波長がLである場合、L*Z/S>p1となり、式中、p1はG1周期である。 In some examples, the source is well separated from the G1 grid 210-2D so that it has a coherence length greater than the G1 grid period. When the apparent width of each sub-source is S, the distance between the source and G1 is Z, and the emission wavelength is L, then L * Z / S> p1 and p1 in the equation. Is the G1 cycle.

X線照射ビーム(マイクロビーム)のアレイ888-Mが形成されると、調査対象の物体240は、個別の相互作用場所のアレイ282に照射される。多くの実施形態では、サンプル248は、ビーム分割格子の下流のタルボ距離のところに設置される。これらの位置は、位置コントローラ245を使用して、マイクロビームの伝搬方向に対して垂直なx次元およびy次元においてスキャンすることができ、マイクロビームと物体との相互作用によって生じるX線照射ビーム889-Tは、アレイ検出器290によって検出することができる。 Once the array 888-M of X-ray irradiation beams (microbeams) is formed, the object 240 under investigation is irradiated to the array 282 at the individual interaction sites. In many embodiments, the sample 248 is installed at a Talbot distance downstream of the beam splitting grid. These positions can be scanned using the position controller 245 in the x and y dimensions perpendicular to the direction of propagation of the microbeam, and the X-ray irradiation beam 889 produced by the interaction of the microbeam with the object. -T can be detected by the array detector 290.

アレイ検出器290は、この検出器の各画素が単一のマイクロビームに対応するX線のみを収集するように位置決めされるように位置合わせされる。これは、一般に、アンチノードの「焦点深度」内である。マイクロビームのピッチと一致する画素ピッチを有する検出器と対にされて、各画素が物体上の所与の位置における単一のマイクロビームの相互作用のみからX線を検出するように位置合わせされた複数のマイクロビームを使用することによって、10~10平行マイクロビーム検出システムの等価物を作成することができる。 The array detector 290 is aligned so that each pixel of this detector is positioned to collect only the X-rays corresponding to a single microbeam. This is generally within the "depth of focus" of the anti-node. Paired with a detector that has a pixel pitch that matches the pitch of the microbeams, each pixel is aligned to detect X-rays only from the interaction of a single microbeam at a given position on the object. By using a plurality of microbeams, it is possible to create an equivalent of 10 2 to 10 4 parallel microbeam detection systems.

次いで、x座標およびy座標において物体をスキャンすることができる。これにより、物体の特性の「マップ」が並行して生成されるが、移動範囲は、単にマイクロプローブのピッチに対応するように小さくなる可能性がある(しかし、スキャンされたエリア間のいくらかの重なりは、隣接する「マップ」について収集されたデータ間の相対的較正を提供するのに適切であろう)。マップ内の各箇所におけるデータは、タルボ縞の横寸法によってのみ分解能が制限されるため、より大きな画素を有するより安価なおよび/またはより効率的な検出器を使用して、高分解能画像を収集することができる。 The object can then be scanned at the x and y coordinates. This will generate a "map" of the properties of the object in parallel, but the range of movement may simply be smaller to correspond to the pitch of the microprobe (but some between the scanned areas). Overlaps would be appropriate to provide relative calibration between the data collected for adjacent "maps"). Data at each location in the map is limited in resolution only by the lateral dimensions of the Talbot stripes, so high resolution images are collected using cheaper and / or more efficient detectors with larger pixels. can do.

次いで、各画素によって生成された「マップ」は、デジタル方式でつなぎ合わせられて、マイクロビームの数に関連する量だけ(たとえば、10分の1まで)対応するデータ収集時間を減少させながら、物体の特性の大規模「マクロマップ」を生成してもよい。 The "maps" generated by each pixel are then digitally stitched together to reduce the corresponding data acquisition time by an amount related to the number of microbeams (eg, up to a quarter ). You may generate a large "macro map" of the properties of the object.

ある程度のトモグラフィ分析を達成するために、物体の限定的な角度調節もモーションプロトコルに追加されてもよく、これは、X線と物体との相互作用および対応する検出器画素が両方とも複数のマイクロビームの全ての焦点深度内にとどまっている限りなされてもよい。 Limited object angle adjustments may also be added to the motion protocol to achieve some tomographic analysis, which is the interaction of X-rays with the object and the corresponding detector pixels both in multiples. It may be done as long as it stays within the entire depth of focus of the microbeam.

1.1 代替的なX線源
いくつかの例では、X線源ターゲットは、微細構造マスクを備えてもよい。図3Bは、埋設された微細構造マスクを有する基板1000を示す。図3Bの基板1000は、薄膜1002と、第1の基板部分1004と、第2の基板部分1006とを含む。基板部分1004および1005は、ダイヤモンド、Be、サファイアなどの低原子元素材料で形成されてもよい。薄膜1002に打ち込まれる電子ビームは、薄膜内にX線を発生させる。発生したX線は、微細構造700によって遮断されて、有効なX線副供給源のアレイを作成する。微細構造700は、基板部分1004上に設置され、基板部分1006によって被覆または封入されてもよい。代替的に、それらは、図3Cのターゲット1000に示されるように、微細構造を単一の基板部分内に埋設することによって形成されてもよい。
1.1 Alternative X-ray Source In some examples, the X-ray source target may include a microstructure mask. FIG. 3B shows a substrate 1000 with an embedded microstructure mask. The substrate 1000 of FIG. 3B includes a thin film 1002, a first substrate portion 1004, and a second substrate portion 1006. Substrate portions 1004 and 1005 may be made of a low atomic element material such as diamond, Be, sapphire. The electron beam emitted into the thin film 1002 generates X-rays in the thin film. The generated X-rays are blocked by the microstructure 700 to create an array of effective X-ray sub-sources. The microstructure 700 may be placed on the substrate portion 1004 and covered or encapsulated by the substrate portion 1006. Alternatively, they may be formed by embedding the microstructure within a single substrate portion, as shown in Target 1000 of FIG. 3C.

ターゲット1000における微細構造要素の1つのパターンのみが図3A~図3Cに示されているが、他の実現例も可能であり、本開示の範囲内であると考えられる。たとえば、ターゲット1000は、微細構造とマスクとの任意の組み合わせによって形成された複数のターゲットパターンを含み得て、複数のターゲットパターンのうちの1つ以上は、基板内に複数の深さを有し得る。 Although only one pattern of microstructural elements in the target 1000 is shown in FIGS. 3A-3C, other implementations are possible and are considered to be within the scope of the present disclosure. For example, the target 1000 may include a plurality of target patterns formed by any combination of microstructure and mask, one or more of the plurality of target patterns having a plurality of depths within the substrate. obtain.

いくつかの例では、電子ビームは、斜角でターゲットに入射してもよい。図3Dは、1つ以上の電子ビーム11が20°~80°などの斜角でターゲット1000に打ち込まれるシステムを示す。いくつかの例では、ターゲットへの電子ビームの入射角は、約60°であってもよい。斜角で入射する電子ビームを提供することによって、ターゲットからの高エネルギX線ビームが可能になり、ダイヤモンドなどの基板における散乱が減少する。 In some examples, the electron beam may enter the target at an oblique angle. FIG. 3D shows a system in which one or more electron beams 11 are launched into the target 1000 at an oblique angle such as 20 ° to 80 °. In some examples, the angle of incidence of the electron beam on the target may be about 60 °. By providing an electron beam incident at an oblique angle, a high energy X-ray beam from the target is possible and scattering on a substrate such as diamond is reduced.

図3Eは、基板1004(一般に、ダイヤモンドなどの低原子材料)と微細構造700とを有するターゲットを示す。本技術のいくつかの例では、ターゲットの厚みtは、微細構造700に放出されるX線と基板内で発生するX線との間のコントラストを向上させるように特定の材料について最適化することができる。いくつかの例では、厚みは、約2~10μmである。いくつかの例では、基板内のターゲット微細構造材料の深さは、特定の加速電圧を達成するように最適化されてもよい。図3Fは、モリブデン(Mo)微細構造についての最適厚み対加速電圧のプロットを示す。示されているように、最適深さ(単位:マイクロメートル)と加速電圧(単位:キロボルト)との間の関係は、およそ線形である。たとえば、60kVのエネルギでは、最適深さは約10ミクロンであろう。モリブデンについてのデータのみが表示されているが、他の材料についてのターゲット微細構造の最適深さも、特定の加速エネルギに合わせて最適化されてもよい。 FIG. 3E shows a target having a substrate 1004 (generally a low atomic material such as diamond) and a microstructure 700. In some examples of the technique, the target thickness t is optimized for a particular material to improve the contrast between the X-rays emitted to the microstructure 700 and the X-rays generated within the substrate. Can be done. In some examples, the thickness is about 2-10 μm. In some examples, the depth of the target microstructure material in the substrate may be optimized to achieve a particular acceleration voltage. FIG. 3F shows a plot of optimum thickness vs. acceleration voltage for molybdenum (Mo) microstructure. As shown, the relationship between the optimum depth (unit: micrometer) and the acceleration voltage (unit: kilovolt) is approximately linear. For example, at an energy of 60 kV, the optimum depth would be about 10 microns. Although only data for molybdenum is displayed, the optimum depth of the target microstructure for other materials may also be optimized for a particular acceleration energy.

いくつかの微細構造ターゲットは、導電層、微細構造と基板との間の熱伝導率を向上させるための層、および/または、拡散障壁をさらに備えてもよい。 Some microstructure targets may further include a conductive layer, a layer for improving thermal conductivity between the microstructure and the substrate, and / or a diffusion barrier.

1.3 X線源フィルタリング
マイクロビームがタルボ効果によって生成される実施形態では、調査対象の物体におけるX線ビームの帯域幅は、対象の予め定められたX線エネルギの+/-15%の範囲内でなければならない。これは、一般に、薄い金属箔などのフィルタを使用することによって達成される。
1.3 In embodiments where the X-ray source filtering microbeam is generated by the Talbot effect, the bandwidth of the X-ray beam in the object under investigation is in the range of +/- 15% of the predetermined X-ray energy of interest. Must be inside. This is generally achieved by using a filter such as a thin metal leaf.

2.幾何学的条件
図3Aに戻って、X線888は、配列されたX線源Aから距離Lのところに設置されたビーム分割格子G 210-2Dのための、個々に空間的にコヒーレントであるが相互にインコヒーレントである照射副供給源のアレイとして、配列された供給源から発生する。マイクロビームのアレイによって照射される物体240-Wの位置は、ビーム分割格子G 210-2Dからさらなる距離Dのところに設置されている。Aにおける各X線副供給源が画像形成プロセスに建設的に寄与することを確実にするために、配置の幾何学は、以下の条件を満たすべきである。
2. 2. Geometric Conditions Returning to FIG. 3A, the X-rays 888 are individually spatially coherent for the beam-splitting grid G1 210-2D installed at a distance L from the arranged X-ray sources A0. It originates from the arranged sources as an array of irradiation sub-sources that are mutually incoherent. The position of the object 240-W illuminated by the array of microbeams is located at a further distance D from the beam splitting grid G 1 210-2D. To ensure that each X-ray sub-source at A 0 contributes constructively to the image formation process, the geometry of the arrangement should meet the following conditions:

Figure 0007066739000004
Figure 0007066739000004

この条件が満たされる場合、Aの多くの副供給源からのX線は、同一の(重なり合う)タルボ干渉パターンを生成し、さまざまな相互にインコヒーレントな供給源が互いに干渉しないので、これらのタルボパターンは強度が増すことになる。したがって、物体240-Wにおける効果は、単一のコヒーレントな供給源が提供できる強度を超えてマイクロビームの強度(それとともに、信号対雑音比)を単純に増加させるというものである。この構成は、タルボ・ロー干渉計と呼ばれる。なお、配列されたX線供給源は、いくつかの実施形態では、均一なX線材料と、寸法aおよび周期pのアレイで配置された特定の箇所からのみX線が発生することを可能にするマスキングされた格子とを使用して提供されてもよい。また、配列されたX線源は、パターン付き電子ビームを使用したX線生成材料の選択的打ち込みによって提供されてもよい。 When this condition is met, X- rays from many sub-sources of A0 produce the same (overlapping) Talbot interference patterns, as various mutually incoherent sources do not interfere with each other. The Talbot pattern will be stronger. Therefore, the effect on the object 240-W is to simply increase the intensity of the microbeam (along with it, the signal-to-noise ratio) beyond the intensity that a single coherent source can provide. This configuration is called a Talbot low interferometer. It should be noted that the arranged X-ray sources can, in some embodiments, generate X-rays only from a uniform X-ray material and specific locations arranged in an array of dimensions a and period p0 . May be provided using a masked grid and. The arranged X-ray source may also be provided by selective implantation of an X-ray generating material using a patterned electron beam.

ビーム分割格子は、図3Aに示されるように、50/50デューティサイクルを有する振幅格子であってもよく、または他のデューティサイクルを有する振幅格子であってもよい。位相シフトビーム分割格子は、πまたはπ/2位相シフトの1Dまたは2D周期的パターンを備えてもよい。 The beam splitting grid may be an amplitude grid with 50/50 duty cycles or an amplitude grid with other duty cycles, as shown in FIG. 3A. The phase shift beam splitting grid may include a 1D or 2D periodic pattern of π or π / 2 phase shift.

調査対象の物体240-Wが周期的パターンのX線マイクロビームによって照射されることを確実にするために、格子と物体との間の距離Dは、分数タルボ距離のうちの1つ、すなわち以下に対応すべきである。 To ensure that the object 240-W under investigation is illuminated by a periodic pattern of X-ray microbeams, the distance D between the grid and the object is one of the fractional Talbot distances, ie: Should correspond to.

Figure 0007066739000005
Figure 0007066739000005

式中、nはゼロでない整数である。格子が透過格子、π位相シフト格子、またはπ/2位相シフト格子である場合、nの適切な値は異なってもよい。 In the equation, n is a non-zero integer. If the grid is a transmission grid, a π phase shift grid, or a π / 2 phase shift grid, the appropriate values for n may differ.

タルボ・ローシステムにおいてしばしば使用される別の式は、タルボ格子Gのピッチpを、配列された供給源におけるX線生成要素のサイズaに関連付ける。 Another equation often used in the Talbot-Lago system relates the pitch p1 of the Talbot grid G1 to the size a of the X - ray generating elements in the arrayed sources.

Figure 0007066739000006
Figure 0007066739000006

本発明のほとんどの実施形態では、式4~6に示された条件が満たされる干渉計システムを利用する。 Most embodiments of the present invention utilize an interferometer system that meets the conditions set forth in Equations 4-6.

いくつかの実施形態では、調査対象の物体240-Wは、x次元およびy次元において物体240-Wを平行移動させるように制御され得る位置コントローラ245上に装着されてもよい。いくつかの実施形態では、トモグラフィイメージングデータを生成するための物体のさらなる回転も、装着システムによって制御されてもよい。いくつかの実施形態では、5軸マウントまたはゴニオメータが使用されてもよい。 In some embodiments, the object 240-W under investigation may be mounted on a position controller 245 that may be controlled to translate the object 240-W in x and y dimensions. In some embodiments, further rotation of the object to generate tomographic imaging data may also be controlled by the mounting system. In some embodiments, a 5-axis mount or goniometer may be used.

なお、示されているこれらの実施形態は、一定の比率に従って描かれているわけではない。 It should be noted that these embodiments shown are not drawn according to a certain ratio.

3.検出器検討事項
ここに開示されているように、各画素が物体と単一のマイクロビームとの相互作用から発生するX線のみを検出するように位置決めされるように検出器ピッチが複数のマイクロビームのピッチにマッチングされて、隣接するマイクロビームに起因する画素間のクロストークが最小化される。そして、データ収集および物体の特性の「マップ」の最終的再構築が引き続き行われてもよく、各画素からの個別の信号をさらに逆畳み込みしなくてもよいことが分かる。(たとえば、散乱または蛍光に起因して)マイクロビームと画素との間にクロストークがある場合には、さらなる画像分析は、適切に較正できるのであればクロストークの一部を除去することができてもよい。透過X線、散乱X線および蛍光X線から信号を分離するためにエネルギ分解アレイ検出器も使用されてもよい。
3. 3. Detector considerations As disclosed here, the detector pitch is multiple micros so that each pixel is positioned to detect only X-rays generated from the interaction of the object with a single microbeam. Matched to the pitch of the beam, crosstalk between pixels due to adjacent microbeams is minimized. It can then be seen that data acquisition and final reconstruction of the "map" of the properties of the object may continue, without further deconvolution of the individual signals from each pixel. If there is crosstalk between the microbeam and the pixels (eg due to scattering or fluorescence), further image analysis can remove some of the crosstalk if properly calibrated. You may. An energy decomposition array detector may also be used to separate the signal from transmitted, scattered and fluorescent X-rays.

このマッチングは、検出器ピッチがマイクロビームのピッチと1:1マッチングされる場合、すなわち各ビームが検出器内に対応する単一の画素を有する場合に、最も単純明快に達成され、検出器は、物体およびマイクロビームに非常に近接して設置される。 This matching is most straightforwardly achieved when the detector pitch is 1: 1 matched with the pitch of the microbeams, i.e. each beam has a corresponding single pixel in the detector, and the detector is , Installed very close to objects and microbeams.

3.1 微細な検出器ピッチ
いくつかの実施形態では、マイクロビームのピッチの整数分の1である検出器ピッチ(たとえば、2Dアレイにおいて4つの画素が単一のマイクロビームに対応するX線を収集するように位置決めされることを示すであろうピッチの2x削減、または9つの画素が各マイクロビームに対応するX線を検出するように存在することを示すであろうピッチの3x削減)も使用されてもよい。これは、検出されるX線が何らかの空間構造を有する場合、たとえば所望のX線信号が物体からの小角度散乱に関連する場合に、いくつかの利点を提供することができる。そして、検出器の特定の画素は、散乱X線のみを検出するように位置合わせすることができる一方、非散乱ビームは、異なる画素によって収集されてもよく、または単に遮断されてもよい。
3.1 Fine detector pitch In some embodiments, a detector pitch that is an integral fraction of the pitch of the microbeam (eg, X-rays in which four pixels correspond to a single microbeam in a 2D array). Also a 2x reduction in pitch that would indicate that it is positioned to collect, or a 3x reduction in pitch that would indicate that 9 pixels are present to detect the X-rays corresponding to each microbeam). May be used. This can provide some advantages if the detected X-rays have some spatial structure, for example if the desired X-ray signal is associated with small angle scattering from an object. The particular pixel of the detector can then be aligned to detect only scattered X-rays, while the non-scattered beam may be collected by different pixels or simply blocked.

3.2 大きな検出器ピッチ
他の実施形態では、より大きな検出器画素が使用されてもよい。この場合、検出器の各画素の活性エリア(X線を電子信号に変換する部分)が対応するX線マイクロビームとおよそ同一のサイズである限り、タルボ縞のピッチよりも大きな画素サイズが使用されてもよい。したがって、検出器は、安価になるが、依然として「高分解能」信号を生成することができる(なぜなら、空間分解能は、検出器画素サイズではなく、タルボ縞と物体との相互作用量によって決まるからである)。
3.2 Large detector pitch In other embodiments, larger detector pixels may be used. In this case, as long as the active area (the part that converts X-rays into electronic signals) of each pixel of the detector is approximately the same size as the corresponding X-ray microbeam, a pixel size larger than the pitch of the Talbot fringes is used. You may. Therefore, the detector is cheaper, but can still generate a "high resolution" signal (because the spatial resolution is determined by the amount of interaction between the Talbot fringes and the object, not the detector pixel size. be).

この技術の1つの不利な点は、4つのタルボ縞のうちの1つだけが検出に使用され、他の縞は無駄になることである。特定のタルボ縞は未使用のまま終わるが、検出器画素中心間の距離にわたってスキャンを行うことによって、欠落している情報を依然として提供することができる。さらに、画素が大きくなることにより、検出されるマイクロビームについてさらに優れた検出効率を達成することができる。 One disadvantage of this technique is that only one of the four Talbot stripes is used for detection and the other stripes are wasted. Although certain Talbot fringes end up unused, scanning over the distance between detector pixel centers can still provide missing information. Further, by increasing the pixel size, it is possible to achieve even better detection efficiency for the detected microbeam.

図5~図12は、本発明のいくつかの実施形態におけるより大きな画素の使用を示す。図5は、図3Aのものと同様であるが、特定の数のマイクロビームを遮断するために物体240-Wの前にマスクが設置されたシステムの実施形態の概要を示す。示されているように、4つのマイクロビームのうちの3つが遮断され、4つのビームのうちの1つだけが物体を照射した後、検出器によって検出されるが、さまざまな用途のための予め定められたパターンに従っていかなる数のビームが遮断されてもよい。 5-12 show the use of larger pixels in some embodiments of the invention. FIG. 5 is similar to that of FIG. 3A, but outlines an embodiment of a system in which a mask is placed in front of an object 240-W to block a specific number of microbeams. As shown, three of the four microbeams are blocked and only one of the four beams is detected by the detector after illuminating the object, but in advance for a variety of applications. Any number of beams may be blocked according to a defined pattern.

図6Aおよび図6Bは、このような実施形態をより詳細に示し、図4Aおよび図4Bのものと同様の図を示す。図4Aおよび図4Bとの比較によって分かるように、特定の数のマイクロビームのみが使用されるので、検出器におけるビームのピッチは実質的に大きくなり、より大きな画素サイズを有する安価な検出器が使用されてもよい。 6A and 6B show such embodiments in more detail and show similar figures to those of FIGS. 4A and 4B. As can be seen by comparison with FIGS. 4A and 4B, since only a certain number of microbeams are used, the pitch of the beams in the detector is substantially higher and cheaper detectors with larger pixel sizes are available. May be used.

図3~図6Bに示されるように、X線検出器は、X線の吸収に応答して電気信号を発生させる直接アレイ検出器として示されている。このような電子センサは、たとえば非晶質セレン(a-Se)における直接電子正孔対の作成によって、X線の吸収に応答して電気信号を直接作成してもよい。次いで、これらは、薄膜トランジスタ(TFT)のアレイを使用して電子信号に変換される。島津製作所(京都市、日本)のサファイアFPDなどのこのような直接型フラットパネル検出器(FPD)は、市販されている。 As shown in FIGS. 3-6B, the X-ray detector is shown as a direct array detector that produces an electrical signal in response to X-ray absorption. Such an electronic sensor may directly create an electrical signal in response to X-ray absorption, for example by creating a direct electron-hole pair in amorphous selenium (a-Se). These are then converted into electronic signals using an array of thin film transistors (TFTs). Such direct flat panel detectors (FPDs) such as Shimadzu's (Kyoto, Japan) sapphire FPDs are commercially available.

他の実施形態では、検出器は、X線にさらされたときに可視光または紫外光を放出するシンチレータを使用してもよい。活性X線検出領域は、たとえばタリウム(CsI(Tl))でドープされたヨウ化セシウムなどのシンチレータを提供することによって、または高Z材料、たとえば金(Au)のマスキング層を上部に有するシンチレータの均一なコーティングを検出器に提供することによって、定義されてもよい。 In other embodiments, the detector may use a scintillator that emits visible or ultraviolet light when exposed to X-rays. The active X-ray detection region is provided by a scintillator such as, for example, thallium (CsI (Tl)) doped cesium iodide, or of a scintillator having a high Z material, eg, a masking layer of gold (Au) on top. It may be defined by providing a uniform coating to the detector.

図7は、図6Bの実施形態の変形例であるが、蛍光スクリーンまたはシンチレータ280と組み合わせて検出器290-Sを使用する変形例を示す。シンチレータ280は、X線が吸収されるときに可視光子および/またはUV光子を放出する材料を備え、検出器290-Sは、それらの可視光子および/またはUV光子を検出する。典型的なシンチレータ材料は、ヨウ化セシウム(CsI)、タリウムドープCsI、イットリウム・アルミニウム・ガーネット(YAG)またはスルホキシル酸ガドリニウム(GOS)の層を備える。 FIG. 7 is a modification of the embodiment of FIG. 6B, but shows a modification in which the detector 290-S is used in combination with a fluorescent screen or a scintillator 280. The scintillator 280 comprises a material that emits visible and / or UV photons when X-rays are absorbed, and the detector 290-S detects those visible and / or UV photons. A typical scintillator material comprises a layer of cesium iodide (CsI), thallium-doped CsI, yttrium aluminum garnet (YAG) or gadolinium sulfoxylate (GOS).

従来のイメージングシステムでは、物体に非常に近接したシンチレータタイプの検出器を用いて高分解能画像を取得することができるが、シンチレータおよび電子要素の全体厚みは、各検出器画素がこの画素に対応するX線のみを収集するのに十分に薄くなければならない。 In conventional imaging systems, high resolution images can be obtained using a scintillator-type detector that is very close to the object, but the overall thickness of the scintillator and electronic elements corresponds to this pixel for each detector pixel. It must be thin enough to collect only X-rays.

しかし、本明細書に開示されているシステムでは、空間分解能は、検出器画素サイズの代わりにマイクロビーム888-Mの寸法によって定義される。これにより、より大きな画素、したがってより厚みのあるシンチレータ材料を使用することができる。なぜなら、このより大きな画素から生成される光子はどれも皆、予め定められたマイクロビームから生じたものであることが分かるからである。このより厚みのあるシンチレータは、所与のX線光子が吸収されて可視光に変換される確率を高め、ポテンシャル信号を増加させる。 However, in the systems disclosed herein, spatial resolution is defined by the dimensions of the microbeam 888-M instead of the detector pixel size. This allows the use of larger pixels and thus thicker scintillator materials. This is because it can be seen that all the photons generated from this larger pixel are generated from a predetermined microbeam. This thicker scintillator increases the probability that a given X-ray photon will be absorbed and converted to visible light, increasing the potential signal.

さらなるいくつかのX線光子は、シンチレータ材料内に二次電子を発生させ、この二次電子は、シンチレータ材料からのさらなる可視/UV放出を励起し得る。しかし、画素内の全てのX線光子が単一のマイクロビームから生じたものであることが分かっているので、この励起から生じるさらなる光子も、これらの空間的に定義されたX線に端を発するものであることが分かり、検出可能な全信号を単純に増加させる。 Some additional X-ray photons generate secondary electrons in the scintillator material, which can excite further visible / UV emission from the scintillator material. However, since it is known that all X-ray photons in the pixel originate from a single microbeam, additional photons resulting from this excitation also end in these spatially defined X-rays. It turns out to be emanating and simply increases all detectable signals.

図8は、シンチレータ280からの可視/UV光890が可視/UV光学システム320によって収集されて検出器290-SI上に投影される、シンチレータを使用したシステムのさらなる変形例を示す。可視/UV光学システムは、シンチレータの画像をさらに拡大する光学部品を備えてもよい。リレー光学系および拡大画像を使用する場合、電子検出器は、高分解能センサ自体を備えていなくてもよく、たとえば1024×1024画素を有し、各々が24μm×24μm平方である安価な市販のCCD検出器または相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサアレイが使用されてもよい。 FIG. 8 shows a further modification of the scintillator-based system in which visible / UV light 890 from the scintillator 280 is collected by the visible / UV optical system 320 and projected onto the detector 290-SI. Visible / UV optical systems may include optical components that further magnify the image of the scintillator. When using relay optics and magnified images, the electronic detector may not be equipped with the high resolution sensor itself, for example an inexpensive commercially available CCD having 1024 x 1024 pixels, each measuring 24 μm x 24 μm square. A detector or complementary metal oxide semiconductor (CMOS) sensor array may be used.

リレー光学系を有するいくつかの実施形態でも、より厚みのあるシンチレータが使用されてもよく、これにより感度が向上する。しかし、リレー光学系が使用される場合、検出がX線光学部品によって収集される視野に制限され、この視野は、場合によっては数百ミクロンほどでしかない場合もある。したがって、より大きな面積でデータを収集するには、数回の撮影から「つなぎ合わせる」ことが必要である。 In some embodiments with relay optics, thicker scintillators may also be used, which improves sensitivity. However, when relay optics are used, detection is limited to the field of view collected by the X-ray optics, which can be as small as a few hundred microns in some cases. Therefore, in order to collect data in a larger area, it is necessary to "join" from several shots.

図9、図10Aおよび図10Bは、物体240と検出器との間にマスキング構造297が設置されるさらなる実施形態を示す。この実施形態では、全ての利用可能なマイクロビーム888-Mが物体240を照射するが、たとえば金(Au)からなるマスキング層297は、4つのビームのうちの3つが検出器290に入らないようにする。これによっても、検出器290はより大きな画素を有することができ、やはり直接検出器のコストを削減し、シンチレータを使用する実施形態では、ポテンシャル検出器効率を向上させる。 9, 10A and 10B show a further embodiment in which a masking structure 297 is installed between the object 240 and the detector. In this embodiment, all available microbeams 888-M illuminate the object 240, but the masking layer 297, for example made of gold (Au), prevents three of the four beams from entering the detector 290. To. Again, the detector 290 can have larger pixels, also reducing the cost of the direct detector and improving the potential detector efficiency in embodiments that use a scintillator.

図11は、図9、図10Aおよび図10Bの実施形態のさらなる変形例であるが、X線の検出がシンチレータ280および可視/UV検出器290-Sを使用して達成されるさらなる変形例を示す。 FIG. 11 is a further variant of the embodiments of FIGS. 9, 10A and 10B, but further variants in which X-ray detection is achieved using a scintillator 280 and a visible / UV detector 290-S. show.

図12は、シンチレータ280からの可視/UV光890が可視/UV光学システム320によって収集されて検出器290-SI上に投影される、シンチレータを使用したシステムのさらなる変形例を示す。 FIG. 12 shows a further variant of the scintillator-based system in which visible / UV light 890 from the scintillator 280 is collected by the visible / UV optical system 320 and projected onto the detector 290-SI.

図7、図8、図11および図12に示されるシンチレータは、シンチレータの均一な層を備えるものとして示されているが、シンチレータ材料が画素の一部の上にのみ設置されるパターン付きシンチレータ材料を使用した実施形態も使用されてもよい。検出器の一部の上にシンチレータ材料を選択的に設置することは、マスキング層を使用して検出のために特定のマイクロビームを選択することの代替案として使用されてもよい。 The scintillators shown in FIGS. 7, 8, 11 and 12 are shown to have a uniform layer of scintillator, but the scintillator material is a patterned scintillator material in which the scintillator material is placed only on a portion of the pixel. The embodiment using the above may also be used. Selective placement of the scintillator material over a portion of the detector may be used as an alternative to selecting a particular microbeam for detection using a masking layer.

各画素内にさらなる構造を有する検出器も利用されてもよい。たとえば、典型的な検出器画素が2.5ミクロン×2.5ミクロン(6.25ミクロンの面積)であるが、マイクロビーム直径がわずか1ミクロンである場合、1ミクロンよりもわずかに大きく、「デッド」ゾーンによって取り囲まれ、マイクロビームの位置に対応するように位置決めされたシンチレータ材料の中心「スポット」を有する検出器画素が作成されてもよい。この構成では、マイクロビームからの全てのX線が検出されるはずであり、その一方で、検出器画素の全面積を使用する場合にスプリアス信号を生じさせるであろう散乱または回折X線の検出は減少する。 A detector having an additional structure in each pixel may also be utilized. For example, a typical detector pixel is 2.5 microns x 2.5 microns (6.25 microns 2 area), but if the microbeam diameter is only 1 micron, it is slightly larger than 1 micron. A detector pixel may be created that is surrounded by a "dead" zone and has a central "spot" of scintillator material positioned to correspond to the location of the microbeam. In this configuration, all X-rays from the microbeam should be detected, while the detection of scattered or diffracted X-rays that would produce a spurious signal when using the entire area of the detector pixels. Decreases.

同様に、いくつかの実施形態では、(シンチレータ材料などの)検出器構造がたとえば画素の外側部分にのみ位置決めされて、小角度で散乱したX線のみを検出し、直接透過したビームを検出しない画素も使用されてもよい。 Similarly, in some embodiments, the detector structure (such as a scintillator material) is positioned only on the outer part of the pixel, for example, to detect only small angle scattered X-rays and not directly transmitted beams. Pixels may also be used.

同様に、図11および図12におけるマスク297は、シンチレータ層からずらされるものとして示されているが、いくつかの実施形態では、マスキング層をシンチレータ層の上に直接配設してもよい。パターン付きシンチレータの他の実施形態も、当業者に公知であろう。 Similarly, the mask 297 in FIGS. 11 and 12 is shown to be offset from the scintillator layer, but in some embodiments the masking layer may be placed directly on top of the scintillator layer. Other embodiments of patterned scintillators will also be known to those of skill in the art.

3.0 顕微鏡データの収集方法
図13は、顕微鏡データを収集する方法を示す。データ収集は、2D「マップ」または3Dトモグラフィ画像を形成するのに使用されてもよい。
3.0 Method of collecting microscope data FIG. 13 shows a method of collecting microscope data. Data acquisition may be used to form 2D "maps" or 3D tomographic images.

ステップ4210において、X線源およびビーム分割格子、好ましくは位相格子を使用することによって、X線マイクロビームを生成する。いくつかの例では、X線源は、低質量密度の基板(たとえば、ダイヤモンドまたはBe)上または基板内に埋設された微細構造で構成されるX線ターゲットを利用する。いくつかの例では、X線源は、低質量密度の基板の上にコーティングされた薄膜を備え、X線ビームの一部を遮断するための「マスク」として機能する埋設微細構造をさらに備えるターゲットを利用する。いくつかの例では、X線源は、広域X線源であり、吸収格子と組み合わせて使用される。いくつかの例では、X線源は、マイクロフォーカスX線源である。 In step 4210, an X-ray microbeam is generated by using an X-ray source and a beam splitting grid, preferably a phase grid. In some examples, the X-ray source utilizes an X-ray target composed of microstructures embedded on or within a low mass density substrate (eg, diamond or Be). In some examples, the X-ray source comprises a thin film coated on a low mass density substrate, further comprising an embedded microstructure that acts as a "mask" to block a portion of the X-ray beam. To use. In some examples, the X-ray source is a wide area X-ray source and is used in combination with an absorption grid. In some examples, the X-ray source is a microfocus X-ray source.

X線源とビーム分割格子との間にフィルタリング方法を設置して(4220)、X線源からのX線の帯域幅をある帯域幅に制限する。いくつかの例では、照射ビームの帯域幅は、予め定められたタルボ距離を使用するか分数タルボ距離を使用するかによって、±15%であり得る。 A filtering method is installed between the X-ray source and the beam splitting grid (4220) to limit the bandwidth of the X-rays from the X-ray source to a certain bandwidth. In some examples, the bandwidth of the irradiated beam can be ± 15%, depending on whether a predetermined Talbot distance is used or a fractional Talbot distance is used.

調査対象の物体をタルボ距離のところに位置合わせする(4230)ことにより、マイクロビームのノード(最も暗い強度)およびアンチノード(最も高い強度)の領域は、伝搬方向に直交する方向(「x」方向および「y」方向と示される)に20マイクロメートル以下のピッチpを有する。最も高い強度の領域(一般に、マイクロビームの中心)と最も暗い強度の領域(一般に、ちょうどマイクロビーム間の領域)との間のコントラストは、好ましくは少なくとも20%であるが、場合によっては、アンチノードとノードとの間の1.2:1または2:1の強度比が十分なコントラストを提供する場合もある。いくつかの例では、照射ビームの帯域幅は、以下の式を満たす。 By aligning the object under investigation at the Talbot distance (4230), the microbeam node (darkest intensity) and anti-node (highest intensity) regions are orthogonal to the propagation direction (“x”). It has a pitch p of 20 micrometer or less in the direction and (denoted as "y" direction). The contrast between the highest intensity region (generally the center of the microbeam) and the darkest intensity region (generally just the region just between the microbeams) is preferably at least 20%, but in some cases anti. In some cases, a 1.2: 1 or 2: 1 intensity ratio between nodes may provide sufficient contrast. In some examples, the bandwidth of the irradiation beam satisfies the following equation.

Figure 0007066739000007
Figure 0007066739000007

マイクロビームの「ウエスト」内に検出器を位置合わせする(4240)ことにより、各検出器画素は、単一のマイクロビームに対応する信号を生成する。イメージングシステムによって形成されるマイクロビームでは、この位置は、イメージングシステムの焦点深度に対応してもよい。ほとんどの例では、検出器画素ピッチとマイクロビームとは、いくらかの拡大縮小はあるが同一または近似しているため、各マイクロビームの中心は、検出器画素の中心と一致する。 By aligning the detector within the "waist" of the microbeam (4240), each detector pixel produces a signal corresponding to a single microbeam. In the microbeam formed by the imaging system, this position may correspond to the depth of focus of the imaging system. In most cases, the center of each microbeam coincides with the center of the detector pixel because the detector pixel pitch and the microbeam are the same or similar with some scaling.

タルボシステムによって形成されるマイクロビームでは、これは、タルボ距離の何分の1かまたは整数倍の干渉パターンの位置に対応してもよく、そこでは自己複製画像が形成される。検出器の各画素が、(マイクロビーム間または検出器画素間のクロストークなしに)単一のマイクロビームにのみ対応する信号を生成する限り、検出器の厳密な位置決めにはいくらかの柔軟性がある。一般に、検出器は、全てのマイクロビームが対応する画素または一組の画素を有するように選択されるが、いくつかの実施形態では、検出器は、マイクロビームのサブセットのみを検出してもよい。いくつかの例では、検出器は、マイクロビームピッチpのゼロでない整数倍に等しい画素ピッチpを有するように選択することができる。 In the microbeam formed by the Talbot system, this may correspond to the position of an interference pattern that is a fraction or an integral multiple of the Talbot distance, where a self-replicating image is formed. As long as each pixel of the detector produces a signal corresponding to only a single microbeam (without crosstalk between microbeams or detector pixels), there is some flexibility in the exact positioning of the detector. be. Generally, the detector is chosen so that every microbeam has a corresponding pixel or set of pixels, but in some embodiments the detector may detect only a subset of the microbeams. .. In some examples, the detector can be selected to have a pixel pitch pd equal to a non-zero integral multiple of the microbeam pitch p.

各マイクロビームによって透過されたX線を検出器によって記録し(4250)、X線強度およびエネルギを表す対応する電子信号を記録する。 The X-rays transmitted by each microbeam are recorded by the detector (4250) and the corresponding electronic signals representing the X-ray intensity and energy are recorded.

一組のデータ点のみが要求される場合には、それ以上のデータを収集する必要はない。しかし、ほとんどの実施形態では、位置コントローラを使用して調査対象の物体を移動させて(4260)、物体の特性の1Dまたは2D「マップ」を構築する。これは、一般に、最も高い強度の各マイクロビーム領域のFWHMに対応して物体を数回移動させ、x次元およびy次元の両方の次元において移動させるように行われる。 If only one set of data points is required, no further data needs to be collected. However, in most embodiments, a position controller is used to move the object under investigation (4260) to build a 1D or 2D "map" of the properties of the object. This is generally done so that the object is moved several times corresponding to the FWHM of each microbeam region of highest intensity, moving in both x-dimensional and y-dimensional dimensions.

x次元および/またはy次元における2Dスキャンを超える情報が不要である場合には、本システムは、蓄積データを取得し、この場合には、当該技術分野において一般に周知であるさまざまな画像「つなぎ合わせ」技術を使用して、物体の大面積X線透過/吸収を示す2D強度「マップ」を合成することができる。 When no information beyond 2D scans in x-dimensional and / or y-dimensional is required, the system acquires stored data, in which case various images "joint" commonly known in the art. The technique can be used to synthesize a 2D intensity "map" showing large area X-ray transmission / absorption of an object.

一方、3D情報が要求される場合には、z軸に対してある角度で物体を回転させて(この回転は、x次元またはy次元のいずれかを中心とした回転であってもよい)、この代替的な回転位置においてX線検出器から一組のデータを収集する。このシステムは、これらのステップをループして、完全な一組のデータが収集されるまで、位置および回転の予めプログラムされたシーケンスにおいてX線情報を収集する。この時点で、このシステムは、続いて蓄積データを取得し、この場合には、当該技術分野において一般に周知であるさまざまな画像3D分析技術を使用して、物体の大面積X線透過/吸収の3D画像を合成する。 On the other hand, when 3D information is required, the object is rotated at an angle with respect to the z-axis (this rotation may be about either x-dimensional or y-dimensional). A set of data is collected from the X-ray detector at this alternative rotation position. The system loops through these steps to collect x-ray information in a pre-programmed sequence of position and rotation until a complete set of data has been collected. At this point, the system subsequently acquires stored data, in this case using a variety of image 3D analysis techniques commonly known in the art for large area X-ray transmission / absorption of the object. Combine 3D images.

上記の方法の変形例も実施されてもよい。たとえば、最初に固定回転位置でのX次元およびy次元におけるデータ収集のループを実行し、次いで回転設定を変更してさらなるデータを収集する代わりに、x位置およびy位置設定を固定したまま機械的機構によって物体を回転させる実施形態も実施されてもよい。z軸を中心とした物体の回転も、画像トモシンセシスで使用可能なさらなる情報を提供することができる。 Modifications of the above method may also be implemented. For example, instead of first running a loop of data collection in X and y dimensions at a fixed rotation position and then changing the rotation settings to collect more data, mechanically with the x and y position settings fixed. An embodiment in which an object is rotated by a mechanism may also be implemented. Rotation of the object around the z-axis can also provide additional information that can be used in image tomosynthesis.

4.限定および拡張
本願では、本発明者等が意図している最良の形態を含む本発明のいくつかの実施形態が開示されている。具体的な実施形態が示されているが、いくつかの実施形態についてのみ詳細に説明している要素を他の実施形態にも適用してもよいということが認識されるであろう。また、先行技術の中にあるとして記載されている詳細およびさまざまな要素も、本発明のさまざまな実施形態に適用してもよい。本発明および好ましい実施形態を説明するために具体的な材料、設計、構成および製造ステップを説明してきたが、このような説明は、限定的であるように意図されるものではない。変形および変更が当業者にとって明らかであり、本発明が添付の特許請求の範囲によってのみ限定されることが意図されている。
4. Limitations and Extensions The present application discloses several embodiments of the invention, including the best embodiments intended by the inventors. Although specific embodiments are shown, it will be appreciated that elements described in detail only for some embodiments may be applied to other embodiments. The details and various elements described as being in the prior art may also be applied to various embodiments of the invention. Although specific materials, designs, configurations and manufacturing steps have been described to illustrate the invention and preferred embodiments, such description is not intended to be limiting. Modifications and modifications are apparent to those skilled in the art and it is intended that the invention is limited only by the appended claims.

Claims (20)

X線顕微鏡システムであって、
X線照射ビーム生成システムを備え、前記X線照射ビーム生成システムは、
X線源と、
ビーム分割格子とを備え、前記X線照射ビーム生成システムは、タルボ効果によって複数のX線マイクロビームを生成し、前記複数のX線マイクロビームは、焦点深度と、伝搬軸と、予め定められたX線エネルギについての前記軸に対して垂直な予め定められた強度プロファイルとを有し、前記X線顕微鏡システムはさらに、
調査対象の物体を焦点深度内に支持するように構成されたマウントを備え、前記マウントは、前記物体を前記複数のX線マイクロビームに対して移動させるように構成され、前記X線顕微鏡システムはさらに、
前記複数のX線マイクロビームと前記物体との相互作用から生じるX線を検出するための少なくとも1つのX線画素アレイ検出器を備え、前記検出器は、前記焦点深度内に複数の画素を備える、X線顕微鏡システム。
X-ray microscope system
The X-ray irradiation beam generation system is provided, and the X-ray irradiation beam generation system is provided.
X-ray source and
The X-ray irradiation beam generation system including a beam dividing lattice generates a plurality of X-ray microbeams by the Talbot effect, and the plurality of X-ray microbeams are predetermined with a depth of focus and a propagation axis. The X-ray microscopy system further has a predetermined intensity profile perpendicular to the axis for X-ray energy.
The mount comprises a mount configured to support the object under investigation within the depth of focus, the mount being configured to move the object relative to the plurality of X-ray microbeams, and the X-ray microscope system. moreover,
The detector comprises at least one X-ray pixel array detector for detecting X-rays resulting from the interaction of the plurality of X-ray microbeams with the object, and the detector comprises a plurality of pixels within the depth of focus. , X-ray microscope system.
前記ビーム分割格子は、前記予め定められたX線エネルギにおけるπ位相シフト格子またはπ/2位相シフト格子である、請求項1に記載のX線顕微鏡システム。 The X-ray microscope system according to claim 1, wherein the beam dividing grid is a π phase shift grid or a π / 2 phase shift grid at the predetermined X-ray energy. 前記X線源は、
電子ビームのためのエミッタと、
透過X線ターゲットとを備え、前記透過X線ターゲットは、第1の質量密度を有する第1の材料を備える複数の個別の微細構造と、前記第1の質量密度よりも低い第2の質量密度を有する第2の材料を備える基板とを備える、請求項1に記載のX線顕微鏡システム。
The X-ray source is
Emitters for electron beams and
A transmission X-ray target comprising a plurality of individual microstructures comprising a first material having a first mass density and a second mass density lower than the first mass density. The X-ray microscope system according to claim 1, comprising a substrate comprising a second material comprising.
前記電子ビームは、斜角で前記ターゲットに入射する、請求項3に記載のX線顕微鏡システム。 The X-ray microscope system according to claim 3, wherein the electron beam is incident on the target at an oblique angle. 前記X線源は、吸収格子と組み合わせて使用されるマイクロフォーカスX線源または広域X線源である、請求項1に記載のX線顕微鏡システム。 The X-ray microscope system according to claim 1, wherein the X-ray source is a microfocus X-ray source or a wide area X-ray source used in combination with an absorption grid. 前記複数のX線マイクロビームの帯域幅の半値全幅が前記予め定められたX線エネルギを中心とする30%となるように少なくとも1つのフィルタをさらに備える、請求項1に記載のX線顕微鏡システム。 The X-ray microscope system according to claim 1, further comprising at least one filter such that the full width at half maximum of the bandwidth of the plurality of X-ray microbeams is 30% centered on the predetermined X-ray energy. .. 前記マウントは、2つの直交する方向に前記物体を平行移動させるように構成される、請求項1に記載のX線顕微鏡システム。 The X-ray microscope system according to claim 1, wherein the mount is configured to translate the object in two orthogonal directions. 前記マウントは、前記伝搬軸に対して垂直な方向を中心として前記物体を回転させるようにさらに構成される、請求項に記載のX線顕微鏡システム。 The X-ray microscope system of claim 7 , wherein the mount is further configured to rotate the object about a direction perpendicular to the propagation axis. 前記検出器は、CCDベースの検出器であり、前記画素の中心が前記X線マイクロビームの中心に位置合わせされるように位置合わせされる、請求項1に記載のX線顕微鏡システム。 The X-ray microscope system according to claim 1, wherein the detector is a CCD-based detector and is aligned so that the center of the pixel is aligned with the center of the X-ray microbeam. 前記検出器からの出力信号を表示および分析するように構成された分析システムをさらに備える、請求項1に記載のX線顕微鏡システム。 The X-ray microscope system according to claim 1, further comprising an analysis system configured to display and analyze an output signal from the detector. 予め定められた数の前記X線マイクロビームを阻止するように位置決めされたマスクをさらに備える、請求項1に記載のX線顕微鏡システム。 The X-ray microscope system of claim 1, further comprising a mask positioned to block a predetermined number of the X-ray microbeams. 前記物体を透過した予め定められた数の前記X線マイクロビームを阻止するように前記検出器の上流に位置決めされたマスクをさらに備える、請求項1に記載のX線顕微鏡システム。 The X-ray microscope system of claim 1, further comprising a mask positioned upstream of the detector to block a predetermined number of X-ray microbeams that have passed through the object. 前記システムは、サブミクロン空間分解能を達成する、請求項1に記載のX線顕微鏡システム。 The X-ray microscope system according to claim 1, wherein the system achieves submicron spatial resolution. 各画素は、前記画素の中心に能動的検出領域を備え、前記能動的検出領域は、前記画素の総面積の50%未満を占める、請求項1に記載のX線顕微鏡システム。 The X-ray microscope system according to claim 1, wherein each pixel has an active detection area in the center of the pixel, and the active detection area occupies less than 50% of the total area of the pixel. 前記検出器の上流に設置され、前記X線マイクロビーム間のX線を吸収してX線マイクロビームと前記X線マイクロビーム間の領域との間の強度比を大きくするように位置決めされた減衰格子をさらに備える、請求項1に記載のX線顕微鏡システム。 Attenuation located upstream of the detector and positioned to absorb X-rays between the X-ray microbeams and increase the intensity ratio between the X-ray microbeams and the region between the X-ray microbeams. The X-ray microscope system according to claim 1, further comprising a lattice. 物体のX線透過を測定するための方法であって、
複数のアンチノードを備え、焦点深度を有するX線タルボ干渉パターンを生成するステップと、
複数の画素を備えるX線アレイ検出器を、前記複数の画素が前記X線タルボ干渉パターンの前記焦点深度内にあるように位置決めするステップと、
調査対象の物体を透過した前記アンチノードのうちの少なくともいくつかのX線が前記検出器によって検出されるように、前記焦点深度内に前記調査対象の物体を位置決めするステップとを備える、方法。
A method for measuring X-ray transmission of an object,
Steps to generate an X-ray Talbot interference pattern with multiple antinodes and depth of focus,
A step of positioning the X-ray array detector having a plurality of pixels so that the plurality of pixels are within the depth of focus of the X-ray Talbot interference pattern.
A method comprising the step of positioning the object under investigation within the depth of focus so that at least some X-rays of the antinode that have passed through the object under investigation are detected by the detector.
前記物体を透過した前記X線のうちの少なくとも一部が前記検出器によって検出されることを阻止するステップをさらに備える、請求項16に記載の方法。 16. The method of claim 16 , further comprising a step of preventing at least a portion of the X-rays that have passed through the object from being detected by the detector. 前記X線タルボ干渉パターンの少なくとも一部のX線が前記物体に到達することを阻止するステップをさらに備える、請求項16に記載の方法。 16. The method of claim 16 , further comprising a step of preventing at least a portion of the X-rays of the Talbot interference pattern from reaching the object. 前記阻止するステップは、前記物体の前にマスクを位置決めするステップを備える、請求項18に記載の方法。 18. The method of claim 18 , wherein the blocking step comprises a step of positioning the mask in front of the object. 前記マスクは、前記焦点深度内に位置決めされる、請求項19に記載の方法。 19. The method of claim 19 , wherein the mask is positioned within the depth of focus.
JP2019555869A 2017-04-15 2018-04-16 Talbot X-ray microscope Active JP7066739B2 (en)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201762485916P 2017-04-15 2017-04-15
US62/485,916 2017-04-15
US15/954,380 2018-04-16
US15/954,380 US10304580B2 (en) 2013-10-31 2018-04-16 Talbot X-ray microscope
PCT/US2018/027821 WO2018191753A1 (en) 2017-04-15 2018-04-16 Talbot x-ray microscope

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020516896A JP2020516896A (en) 2020-06-11
JP7066739B2 true JP7066739B2 (en) 2022-05-13

Family

ID=63792968

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019555869A Active JP7066739B2 (en) 2017-04-15 2018-04-16 Talbot X-ray microscope

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP7066739B2 (en)
WO (1) WO2018191753A1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3825659B1 (en) * 2019-11-19 2023-11-08 CSEM Centre Suisse D'electronique Et De Microtechnique SA Position encoder

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013529984A (en) 2010-06-28 2013-07-25 パウル・シェラー・インスティトゥート Method for X-ray phase contrast and dark field imaging using planar grating structure
JP2015047306A (en) 2013-08-30 2015-03-16 国立大学法人大阪大学 X-ray imaging apparatus and x-ray imaging method
JP2015507984A (en) 2012-02-24 2015-03-16 パウル・シェラー・インスティトゥート Several different types of non-invasive classification systems for microcalcification of human tissue
US20150260663A1 (en) 2013-10-31 2015-09-17 Wenbing Yun X-ray method for the measurement, characterization, and analysis of periodic structures

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150092924A1 (en) * 2013-09-04 2015-04-02 Wenbing Yun Structured targets for x-ray generation
CN111166363B (en) * 2014-05-01 2023-12-12 斯格瑞公司 X-ray interference imaging system

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013529984A (en) 2010-06-28 2013-07-25 パウル・シェラー・インスティトゥート Method for X-ray phase contrast and dark field imaging using planar grating structure
JP2015507984A (en) 2012-02-24 2015-03-16 パウル・シェラー・インスティトゥート Several different types of non-invasive classification systems for microcalcification of human tissue
JP2015047306A (en) 2013-08-30 2015-03-16 国立大学法人大阪大学 X-ray imaging apparatus and x-ray imaging method
US20150260663A1 (en) 2013-10-31 2015-09-17 Wenbing Yun X-ray method for the measurement, characterization, and analysis of periodic structures

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020516896A (en) 2020-06-11
WO2018191753A1 (en) 2018-10-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10304580B2 (en) Talbot X-ray microscope
JP6775035B2 (en) Methods and equipment for X-ray microscopy
US10352880B2 (en) Method and apparatus for x-ray microscopy
US10653376B2 (en) X-ray imaging system
US10466185B2 (en) X-ray interrogation system using multiple x-ray beams
CN106535769B (en) X-ray interference imaging system
US9719947B2 (en) X-ray interferometric imaging system
US20150055745A1 (en) Phase Contrast Imaging Using Patterned Illumination/Detector and Phase Mask
EP2830505B1 (en) Hybrid pci system for medical radiographic imaging
US20100091947A1 (en) Differential Interference Phase Contrast X-ray Imaging System
KR20170009909A (en) X-ray method for measurement, characterization, and analysis of periodic structures
JP2007203066A (en) X-ray optically transmissive grating of focal point-detector device for x-ray device
WO2007125833A1 (en) X-ray image picking-up device and x-ray image picking-up method
EP3143384B1 (en) X-ray system and method for measurement, characterization, and analysis of periodic structures
USRE48612E1 (en) X-ray interferometric imaging system
JP7066739B2 (en) Talbot X-ray microscope
EP3538879B1 (en) Grating-based phase contrast imaging
EP3610247B1 (en) Talbot x-ray microscope
JP2020038153A (en) Radiation image generating device

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191204

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20191204

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20201111

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20201222

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210928

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211220

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220329

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220427

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7066739

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150