JP7026200B2 - Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing methods, substrate processing equipment, and programs - Google Patents
Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing methods, substrate processing equipment, and programs Download PDFInfo
- Publication number
- JP7026200B2 JP7026200B2 JP2020217792A JP2020217792A JP7026200B2 JP 7026200 B2 JP7026200 B2 JP 7026200B2 JP 2020217792 A JP2020217792 A JP 2020217792A JP 2020217792 A JP2020217792 A JP 2020217792A JP 7026200 B2 JP7026200 B2 JP 7026200B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- reactant
- gas
- wafer
- sic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- XYHQVAPHEPCBGJ-UHFFFAOYSA-N NC1CC=CCCCC1 Chemical compound NC1CC=CCCCC1 XYHQVAPHEPCBGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
本開示は、半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置、およびプログラムに関する。 The present disclosure relates to a semiconductor device manufacturing method, a substrate processing method, a substrate processing apparatus, and a program.
半導体装置の製造工程の一工程として、基板上に、シリコン(Si)と窒素(N)と酸素(O)を含む膜、すなわち、シリコン酸窒化膜(SiON膜)を形成する処理が行われることがある(例えば特許文献1参照)。 As one step of the manufacturing process of the semiconductor device, a process of forming a film containing silicon (Si), nitrogen (N) and oxygen (O), that is, a silicon oxynitride film (SiON film) is performed on the substrate. (See, for example, Patent Document 1).
本発明は、基板上に形成されるSiON膜またはSiO膜の基板面内膜厚均一性を向上させることを目的とする。 An object of the present invention is to improve the uniformity of the film thickness in the substrate surface of the SiON film or the SiO film formed on the substrate.
本発明の一態様によれば、
(a)基板に対してNおよびHを含む第1反応体を供給することで、前記基板の表面にNH終端を形成する工程と、
(b)前記基板に対して原料としてSiCl4を、前記SiCl4が気相中で中間体を生じさせない条件下で供給することで、前記基板の表面に形成されたNH終端と、前記SiCl4と、を反応させて、前記反応に対してセルフリミットがかかるSiCl終端されたSiおよびNを含む層を形成する工程と、
(c)前記基板に対してOを含む第2反応体を供給することで、前記SiCl終端されたSiおよびNを含む層と、前記第2反応体と、を反応させる工程と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことにより、前記基板上にSi、OおよびNを含む膜、または、SiおよびOを含む膜を形成する工程を有する
技術が提供される。
According to one aspect of the invention
(A) A step of forming an NH termination on the surface of the substrate by supplying the first reactant containing N and H to the substrate.
(B) The NH termination formed on the surface of the substrate and the SiCl 4 by supplying SiC4 as a raw material to the substrate under the condition that the SiCl 4 does not generate an intermediate in the gas phase. To form a layer containing SiC-terminated Si and N, which are self-limited to the reaction.
(C) A step of reacting the SiC-terminated layer containing Si and N with the second reactant by supplying the second reactant containing O to the substrate.
A technique comprising a step of forming a film containing Si, O and N, or a film containing Si and O on the substrate is provided by performing a cycle in which the above steps are performed non-simultaneously a predetermined number of times.
本発明によれば、基板上に形成されるSiON膜またはSiO膜の基板面内膜厚均一性を向上させることが可能となる。 According to the present invention, it is possible to improve the uniformity of the film thickness in the substrate surface of the SiON film or the SiO film formed on the substrate.
<本発明の一実施形態>
以下、本発明の一実施形態について、主に、図1~図6を用いて説明する。
<One Embodiment of the present invention>
Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described mainly with reference to FIGS. 1 to 6.
(1)基板処理装置の構成
図1に示すように、処理炉202は加熱機構(温度調整部)としてのヒータ207を有する。ヒータ207は円筒形状であり、保持板に支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータ207は、ガスを熱で活性化(励起)させる活性化機構(励起部)としても機能する。
(1) Configuration of Substrate Processing Device As shown in FIG. 1, the
ヒータ207の内側には、ヒータ207と同心円状に反応管203が配設されている。反応管203は、例えば石英(SiO2)または炭化シリコン(SiC)等の耐熱性材料により構成され、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。反応管203の筒中空部には、処理室201が形成される。処理室201は、基板としてのウエハ200を収容可能に構成されている。この処理室201内でウエハ200に対する処理が行われる。
Inside the
処理室201内には、ノズル249a,249bが、反応管203の下部側壁を貫通するように設けられている。ノズル249a,249bには、ガス供給管232a,232bがそれぞれ接続されている。
ガス供給管232a,232bには、ガス流の上流側から順に、流量制御器(流量制御部)であるマスフローコントローラ(MFC)241a,241bおよび開閉弁であるバルブ243a,243bがそれぞれ設けられている。ガス供給管232aのバルブ243aよりも下流側には、ガス供給管232cが接続されている。ガス供給管232bのバルブ243bよりも下流側には、ガス供給管232d,232eがそれぞれ接続されている。ガス供給管232c,232d,232eには、ガス流の上流側から順に、MFC241c,241d,241eおよびバルブ243c,243d,243eがそれぞれ設けられている。
The
図2に示すように、ノズル249a,249bは、反応管203の内壁とウエハ200との間における平面視において円環状の空間に、反応管203の内壁の下部より上部に沿って、ウエハ200の配列方向上方に向かって立ち上がるようにそれぞれ設けられている。すなわち、ノズル249a,249bは、ウエハ200が配列されるウエハ配列領域の側方の、ウエハ配列領域を水平に取り囲む領域に、ウエハ配列領域に沿うようにそれぞれ設けられている。ノズル249a,249bの側面には、ガスを供給するガス供給孔250a,250bがそれぞれ設けられている。ガス供給孔250a,250bは、反応管203の中心を向くようにそれぞれ開口しており、ウエハ200に向けてガスを供給することが可能となっている。ガス供給孔250a,250bは、反応管203の下部から上部にわたって複数設けられている。
As shown in FIG. 2, the
ガス供給管232aからは、原料(原料ガス)として、例えば、Siと塩素(Cl)とを含むクロロシラン系ガスが、MFC241a、バルブ243a、ノズル249aを介して処理室201内へ供給される。原料ガスとは、気体状態の原料、例えば、常温常圧下で液体状態である原料を気化することで得られるガスや、常温常圧下で気体状態である原料等のことである。クロロシラン系ガスとしては、例えば、テトラクロロシラン(SiCl4)ガスを用いることができる。SiCl4ガスは、1分子中に、SiとClとの化学結合(Si-Cl結合)を4つ含んでいる。
From the
ガス供給管232bからは、第1反応体(窒化剤)として、例えば、窒素(N)と水素(H)とを含む窒化水素系ガスが、MFC241b、バルブ243b、ノズル249bを介して処理室201内へ供給される。窒化水素系ガスとしては、例えば、アンモニア(NH3)ガスを用いることができる。NH3ガスは、1分子中に、NとHとの化学結合(N-H結合)を3つ含んでいる。
From the
ガス供給管232c,232dからは、不活性ガスとしての窒素(N2)ガスが、それぞれMFC241c,241d、バルブ243c,243d、ガス供給管232a,232b、ノズル249a,249bを介して処理室201内へ供給される。N2ガスは、パージガス、キャリアガス、希釈ガス等として作用する。
From the
ガス供給管232eからは、第2反応体(酸化剤)として、例えば、酸素(O)を含む酸化ガスが、MFC241e、バルブ243e、ガス供給管232b、ノズル249bを介して処理室201内へ供給される。酸化ガスとしては、例えば酸素(O2)ガスを用いることができる。
From the
主に、ガス供給管232a、MFC241a、バルブ243aにより、原料供給系が構成される。主に、ガス供給管232b、MFC241b、バルブ243bにより、第1反応体供給系が構成される。主に、ガス供給管232c,232d、MFC241c,241d、バルブ243c,243dにより、不活性ガス供給系が構成される。主に、ガス供給管232e、MFC241e、バルブ243eにより、第2反応体供給系が構成される。
The raw material supply system is mainly composed of the
上述の各種供給系のうち、いずれか、或いは、全ての供給系は、バルブ243a~243eやMFC241a~241e等が集積されてなる集積型供給システム248として構成されていてもよい。集積型供給システム248は、ガス供給管232a~232eのそれぞれに対して接続され、ガス供給管232a~232e内への各種ガスの供給動作、すなわち、バルブ243a~243eの開閉動作やMFC241a~241eによる流量調整動作等が、後述するコントローラ121によって制御されるように構成されている。集積型供給システム248は、一体型、或いは、分割型の集積ユニットとして構成されており、ガス供給管232a~232e等に対して集積ユニット単位で着脱を行うことができ、集積型供給システム248のメンテナンス、交換、増設等を、集積ユニット単位で行うことが可能なように構成されている。
Of the various supply systems described above, any or all of the supply systems may be configured as an integrated
反応管203の側壁下方には、処理室201内の雰囲気を排気する排気管231が接続されている。排気管231には、処理室201内の圧力を検出する圧力検出器(圧力検出部)としての圧力センサ245および圧力調整器(圧力調整部)としてのAPC(Auto Pressure Controller)バルブ244を介して、真空排気装置としての真空ポンプ246が接続されている。APCバルブ244は、真空ポンプ246を作動させた状態で弁を開閉することで、処理室201内の真空排気および真空排気停止を行うことができ、さらに、真空ポンプ246を作動させた状態で、圧力センサ245により検出された圧力情報に基づいて弁開度を調節することで、処理室201内の圧力を調整することができるように構成されている。主に、排気管231、圧力センサ245、APCバルブ244により、排気系が構成される。真空ポンプ246を排気系に含めて考えてもよい。
An
反応管203の下方には、反応管203の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ219が設けられている。シールキャップ219は、例えばSUS等の金属材料により構成され、円盤状に形成されている。シールキャップ219の上面には、反応管203の下端と当接するシール部材としてのOリング220が設けられている。シールキャップ219の下方には、後述するボート217を回転させる回転機構267が設置されている。回転機構267の回転軸255は、シールキャップ219を貫通してボート217に接続されている。回転機構267は、ボート217を回転させることでウエハ200を回転させるように構成されている。シールキャップ219は、反応管203の外部に設置された昇降機構としてのボートエレベータ115によって垂直方向に昇降されるように構成されている。ボートエレベータ115は、シールキャップ219を昇降させることで、ウエハ200を処理室201内外に搬入および搬出(搬送)する搬送装置(搬送機構)として構成されている。
Below the
基板支持具としてのボート217は、複数枚、例えば25~200枚のウエハ200を、水平姿勢で、かつ、互いに中心を揃えた状態で垂直方向に整列させて多段に支持するように、すなわち、間隔を空けて配列させるように構成されている。ボート217は、例えば石英やSiC等の耐熱性材料により構成される。ボート217の下部には、例えば石英やSiC等の耐熱性材料により構成される断熱板218が水平姿勢で多段に支持されている。
The
反応管203内には、温度検出器としての温度センサ263が設置されている。温度センサ263により検出された温度情報に基づきヒータ207への通電具合を調整することで、処理室201内の温度が所望の温度分布となる。温度センサ263は、反応管203の内壁に沿って設けられている。
A
図3に示すように、制御部(制御手段)であるコントローラ121は、CPU(Central Processing Unit)121a、RAM(Random Access Memory)121b、記憶装置121c、I/Oポート121dを備えたコンピュータとして構成されている。RAM121b、記憶装置121c、I/Oポート121dは、内部バス121eを介して、CPU121aとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ121には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置122が接続されている。
As shown in FIG. 3, the
記憶装置121cは、例えばフラッシュメモリ、HDD(Hard Disk Drive)等で構成されている。記憶装置121c内には、基板処理装置の動作を制御する制御プログラムや、後述する成膜処理の手順や条件等が記載されたプロセスレシピ等が、読み出し可能に格納されている。プロセスレシピは、後述する成膜処理における各手順をコントローラ121に実行させ、所定の結果を得ることができるように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、プロセスレシピや制御プログラム等を総称して、単に、プログラムともいう。また、プロセスレシピを、単に、レシピともいう。本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、レシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、それらの両方を含む場合がある。RAM121bは、CPU121aによって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域(ワークエリア)として構成されている。
The
I/Oポート121dは、上述のMFC241a~241e、バルブ243a~243e、圧力センサ245、APCバルブ244、真空ポンプ246、温度センサ263、ヒータ207、回転機構267、ボートエレベータ115等に接続されている。
The I /
CPU121aは、記憶装置121cから制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置122からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置121cからレシピを読み出すように構成されている。CPU121aは、読み出したレシピの内容に沿うように、MFC241a~241eによる各種ガスの流量調整動作、バルブ243a~243eの開閉動作、APCバルブ244の開閉動作および圧力センサ245に基づくAPCバルブ244による圧力調整動作、真空ポンプ246の起動および停止、温度センサ263に基づくヒータ207の温度調整動作、回転機構267によるボート217の回転および回転速度調節動作、ボートエレベータ115によるボート217の昇降動作等を制御するように構成されている。
The
コントローラ121は、外部記憶装置123に格納された上述のプログラムを、コンピュータにインストールすることにより構成することができる。外部記憶装置123は、例えば、HDD等の磁気ディスク、CD等の光ディスク、MO等の光磁気ディスク、USBメモリ等の半導体メモリ等を含む。記憶装置121cや外部記憶装置123は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成されている。以下、これらを総称して、単に、記録媒体ともいう。本明細書において記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置121c単体のみを含む場合、外部記憶装置123単体のみを含む場合、または、それらの両方を含む場合がある。なお、コンピュータへのプログラムの提供は、外部記憶装置123を用いず、インターネットや専用回線等の通信手段を用いて行ってもよい。
The
(2)基板処理工程
上述の基板処理装置を用い、半導体装置の製造工程の一工程として、基板としてのウエハ200上にSiON膜を形成する基板処理シーケンス例、すなわち、成膜シーケンス例について、図4を用いて説明する。以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。
(2) Substrate processing step The figure shows an example of a substrate processing sequence for forming a SiON film on a
図4に示す成膜シーケンスでは、
ウエハ200に対してNおよびHを含む第1反応体としてNH3ガスを供給することで、ウエハ200の表面にNH終端を形成するステップAと、
ウエハ200に対してNおよびHを含む第1反応体としてNH3ガスを供給することで、ウエハ200の表面にNH終端を形成するステップBと、
ウエハ200に対して原料としてSiCl4ガスを供給することで、ウエハ200の表面に形成されたNH終端と、SiCl4と、を反応させて、SiCl終端されたSiN層を形成するステップCと、
ウエハ200に対してOを含む第2反応体としてO2ガスを供給することで、SiCl終端されたSiN層と、O2ガスと、を反応させるステップDと、を行う。
In the film formation sequence shown in FIG. 4,
Step A of forming an NH termination on the surface of the
Step B of forming an NH termination on the surface of the
Step C to form a SiC-terminated SiN layer by reacting the NH-terminated surface formed on the surface of the
Step D of reacting the SiCl-terminated SiN layer with the O 2 gas by supplying the O 2 gas as the second reactant containing O to the
具体的には、上述のステップAを行った後に、SiCl4が気相分解しない条件下で、上述のステップBとステップCとステップDとを非同時に行うサイクルを所定回数行う。これにより、ウエハ200上にSiON膜を形成する。なお、図4では、ステップA,B,C,Dの実施期間をそれぞれA,B,C,Dと表している。
Specifically, after performing the above-mentioned step A, a cycle in which the above-mentioned step B, step C, and step D are performed non-simultaneously is performed a predetermined number of times under the condition that SiCl4 does not undergo gas phase decomposition. As a result, a SiON film is formed on the
本明細書では、図4に示す成膜シーケンスを、便宜上、以下のように示すこともある。ここで、Pはウエハ200に対してパージガスを供給し、ウエハ200上に残留するガス等を排除するパージステップを意味する。以下の他の実施形態等の説明においても同様の表記を用いる。
In the present specification, the film formation sequence shown in FIG. 4 may be shown as follows for convenience. Here, P means a purge step in which purge gas is supplied to the
NH3→P→(NH3→P→SiCl4→P→O2→P)×n ⇒ SiON NH 3 → P → (NH 3 → P → SiCl 4 → P → O 2 → P) × n ⇒ SiON
本明細書において「ウエハ」という言葉を用いた場合は、ウエハそのものを意味する場合や、ウエハとその表面に形成された所定の層や膜との積層体を意味する場合がある。本明細書において「ウエハの表面」という言葉を用いた場合は、ウエハそのものの表面を意味する場合や、ウエハ上に形成された所定の層等の表面を意味する場合がある。本明細書において「ウエハ上に所定の層を形成する」と記載した場合は、ウエハそのものの表面上に所定の層を直接形成することを意味する場合や、ウエハ上に形成されている層等の上に所定の層を形成することを意味する場合がある。本明細書において「基板」という言葉を用いた場合も、「ウエハ」という言葉を用いた場合と同義である。 When the term "wafer" is used in the present specification, it may mean the wafer itself or a laminate of a wafer and a predetermined layer or film formed on the surface thereof. When the term "wafer surface" is used in the present specification, it may mean the surface of the wafer itself or the surface of a predetermined layer or the like formed on the wafer. In the present specification, the description of "forming a predetermined layer on a wafer" means that a predetermined layer is directly formed on the surface of the wafer itself, a layer formed on the wafer, or the like. It may mean forming a predetermined layer on top of it. The use of the term "wafer" in the present specification is also synonymous with the use of the term "wafer".
(ウエハチャージおよびボートロード)
複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)される。その後、図1に示すように、複数枚のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内へ搬入(ボートロード)される。この状態で、シールキャップ219は、Oリング220を介して反応管203の下端をシールした状態となる。
(Wafer charge and boat load)
A plurality of
(圧力調整および温度調整)
処理室201内、すなわち、ウエハ200が存在する空間が所望の処理圧力(真空度)となるように、真空ポンプ246によって真空排気(減圧排気)される。この際、処理室201内の圧力は圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ244がフィードバック制御される。また、処理室201内のウエハ200が所望の処理温度(成膜温度)となるように、ヒータ207によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への通電具合がフィードバック制御される。また、回転機構267によるウエハ200の回転を開始する。真空ポンプ246の稼働、ウエハ200の加熱および回転は、いずれも、少なくともウエハ200に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。
(Pressure adjustment and temperature adjustment)
Vacuum exhaust (vacuum exhaust) is performed by the
(成膜処理)
その後、以下のステップA~Dを順次実施する。
(Film film processing)
After that, the following steps A to D are sequentially carried out.
[ステップA]
このステップでは、処理室201内のウエハ200に対してNH3ガスを供給する。具体的には、バルブ243bを開き、ガス供給管232b内へNH3ガスを流す。NH3ガスは、MFC241bにより流量調整され、ノズル249bを介して処理室201内へ供給され、排気管231より排気される。このとき、ウエハ200に対して、ウエハ200の側方からNH3ガスが供給される。このときバルブ243c,243dを開き、ガス供給管232c,232d内へN2ガスを流すようにしてもよい。
[Step A]
In this step, NH3 gas is supplied to the
本ステップにおける処理条件としては、
NH3ガス供給流量:100~10000sccm
N2ガス供給流量(各ガス供給管):0~10000sccm
各ガス供給時間:1~30分
処理温度:300~1000℃、好ましくは700~900℃、より好ましくは750~800℃
処理圧力:1~4000Pa、好ましくは20~1333Pa
が例示される。なお、本明細書における「300~1000℃」のような数値範囲の表記は、下限値および上限値がその範囲に含まれることを意味する。よって、「300~1000℃」とは「300℃以上1000℃以下」を意味する。他の数値範囲についても同様である。
The processing conditions in this step are
NH 3 gas supply flow rate: 100 to 10000 sccm
N 2 gas supply flow rate (each gas supply pipe): 0 to 10000 sccm
Each gas supply time: 1 to 30 minutes Processing temperature: 300 to 1000 ° C, preferably 700 to 900 ° C, more preferably 750 to 800 ° C.
Processing pressure: 1 to 4000 Pa, preferably 20 to 1333 Pa
Is exemplified. The notation of a numerical range such as "300 to 1000 ° C." in the present specification means that the lower limit value and the upper limit value are included in the range. Therefore, "300 to 1000 ° C" means "300 ° C or higher and 1000 ° C or lower". The same applies to other numerical ranges.
成膜処理を実施する前のウエハ200の表面には、自然酸化膜などが形成されている場合がある。上述の条件下でウエハ200に対してNH3ガスを供給することにより、自然酸化膜などが形成されたウエハ200の表面に、NH終端を形成することが可能となる。ウエハ200の表面に形成されたNH終端を、H終端と同義にとらえることもできる。なお、本ステップにおけるウエハ200に対するNH3ガスの供給、ウエハ200の表面にNH終端を形成する処理は、実質的な成膜処理(ステップB,C,D)よりも前に行われることから、それぞれを、プリフロー、前処理とも称する。
A natural oxide film or the like may be formed on the surface of the
本実施形態のように、ウエハ200に対するNH3ガスの供給をウエハ200の側方から行う場合、NH終端の形成は、ウエハ200の外周部において先行して開始され、ウエハ200の中央部においては開始が遅れる傾向がある。この現象は、ウエハ200の表面にトレンチやホールなどの凹部を含むパターンが形成されている場合に特に顕著となる。本ステップにおいて、NH3ガスの供給時間が1分未満となると、ウエハ200の外周部にNH終端を形成することはできても、ウエハ200の中央部にNH終端を形成することが困難となる場合がある(ローディング効果)。NH3ガスの供給時間を1分以上の時間とすることで、NH終端を、ウエハ200の外周部から中央部にわたり均一に、すなわち、略均等な量および密度で形成することが可能となる。ただし、NH3ガスの供給時間が30分を超えると、ウエハ200の表面におけるNH終端の形成反応が飽和した状態で、ウエハ200に対するNH3ガスの供給が継続される場合がある。その結果、NH終端の形成に寄与しないNH3ガスの使用量が無駄に増え、ガスコストが増加する場合がある。NH3ガスの供給時間を30分以下の時間とすることで、ガスコストの増加を抑制することが可能となる。
When the NH 3 gas is supplied to the
ウエハ200に対してNH3ガスをプリフローすることでウエハ200の表面にNH終端を形成した後、バルブ243bを閉じ、処理室201内へのNH3ガスの供給を停止する。そして、処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留するガス等を処理室201内から排除する。このとき、バルブ243c,243dを開き、処理室201内へパージガスとしてN2ガスを供給する(パージステップ)。パージステップにおける処理圧力は例えば1~100Paの圧力とし、N2ガスの供給流量は例えば10~10000sccmの流量とする。
After forming the NH termination on the surface of the
第1反応体としては、NH3ガスの他、ジアゼン(N2H2)ガス、ヒドラジン(N2H4)ガス、N3H8ガス等の窒化水素系ガスを用いることができる。 As the first reactant, hydrogen nitride-based gas such as diimide (N 2 H 2 ) gas, hydrazine (N 2 H 4 ) gas, and N 3 H 8 gas can be used in addition to NH 3 gas.
不活性ガスとしては、N2ガスの他、Arガス、Heガス、Neガス、Xeガス等の希ガスを用いることができる。この点は、後述するステップB,C,Dにおいても同様である。 As the inert gas, a rare gas such as Ar gas, He gas, Ne gas, and Xe gas can be used in addition to the N 2 gas. This point is the same in steps B, C, and D described later.
[ステップB]
このステップでは、ステップAと同様に、処理室201内のウエハ200に対してNH3ガスを供給する。具体的には、バルブ243b~243dの開閉制御を、ステップAにおけるバルブ243b~243dの開閉制御と同様の手順で行う。NH3ガスは、MFC241bにより流量制御され、ノズル249bを介して処理室201内へ供給され、排気管231より排気される。このとき、ウエハ200に対して、ウエハ200の側方からNH3ガスが供給される。
[Step B]
In this step, as in step A, NH3 gas is supplied to the
本ステップにおける処理条件としては、
NH3ガス供給時間:1~60秒、好ましくは1~50秒
が例示される。他の処理条件は、ステップAにおける処理条件と同様とする。
The processing conditions in this step are
NH 3 gas supply time: 1 to 60 seconds, preferably 1 to 50 seconds is exemplified. Other processing conditions are the same as the processing conditions in step A.
上述の条件下でウエハ200に対してNH3ガスを供給することにより、ステップAと同様に、ウエハ200の表面にNH終端が形成されることとなる。これらにより、後述するステップCにおいて、ウエハ200上で所望の成膜反応を進行させることが可能となる。図5(A)に、NH終端が形成されたウエハ200の表面の部分拡大図を示す。ウエハ200の表面に形成されたNH終端を、H終端と同義にとらえることもできるのは上述の通りである。なお、1サイクル目におけるステップBでは、ステップAで行ったウエハ200の表面にNH終端を形成する処理を補完することとなる。2サイクル目以降におけるステップBでは、後述するSiON層の表面にNH終端を形成する処理を行うこととなる。
By supplying NH 3 gas to the
ウエハ200の表面にNH終端を形成した後、バルブ243bを閉じ、処理室201内へのNH3ガスの供給を停止する。そして、上述のステップAのパージステップと同様の処理手順、処理条件により、処理室201内に残留するガス等を処理室201内から排除する。
After forming the NH termination on the surface of the
なお、本ステップで用いるガスとしては、NH3ガスの他、上述のステップAで例示した各種窒化水素系ガスを用いることができる。なお、ステップAとステップBとで互いに異なるガスを用いてもよい。例えば、ステップAでNH3ガスを用い、ステップBでN2H2ガスを用いてもよい。 As the gas used in this step, in addition to the NH3 gas, various hydrogen nitride-based gases exemplified in the above-mentioned step A can be used. It should be noted that different gases may be used in step A and step B. For example, NH 3 gas may be used in step A and N 2 H 2 gas may be used in step B.
[ステップC]
このステップでは、処理室201内のウエハ200、すなわち、ウエハ200の表面に形成されたNH終端に対してSiCl4ガスを供給する。具体的には、バルブ243a,243c,243dの開閉制御を、ステップAにおけるバルブ243b~243dの開閉制御と同様の手順で行う。SiCl4ガスは、MFC241aにより流量制御され、ノズル249aを介して処理室201内へ供給され、排気管231より排気される。このとき、ウエハ200に対して、ウエハ200の側方からSiCl4ガスが供給される。
[Step C]
In this step, SiC4 gas is supplied to the
本ステップにおける処理条件としては、
SiCl4ガス供給流量:10~2000sccm、好ましくは100~1000sccm
SiCl4ガス供給時間:60~180秒、好ましくは60~120秒
処理温度:300~1000℃、好ましくは700~900℃、より好ましくは750~800℃
処理圧力:1~2000Pa、好ましくは20~1333Pa
が例示される。他の処理条件は、ステップAにおける処理条件と同様とする。
The processing conditions in this step are
SiCl4 gas supply flow rate: 10 to 2000 sccm, preferably 100 to 1000 sccm
SiCl4 gas supply time: 60 to 180 seconds, preferably 60 to 120 seconds Treatment temperature: 300 to 1000 ° C, preferably 700 to 900 ° C, more preferably 750 to 800 ° C.
Processing pressure: 1 to 2000 Pa, preferably 20 to 1333 Pa
Is exemplified. Other processing conditions are the same as the processing conditions in step A.
上述の条件下でウエハ200に対してSiCl4ガスを供給することにより、ウエハ200の表面に形成されたNH終端と、SiCl4と、を反応させることが可能となる。具体的には、図6に示されているように、SiCl4におけるSi-Cl結合、および、ウエハ200の表面に形成されたNH終端におけるN-H結合を、それぞれ切断することが可能となる。そして、SiCl4におけるSi-Cl結合が切断されたSiを、ウエハ200の表面に形成されたNH終端におけるN-H結合が切断されたNに結合させ、Si-N結合を形成することが可能となる。Siから切り離されたCl、および、Nから切り離されたHは、それぞれ、HCl等のガス状物質を構成してウエハ200の表面から脱離し、排気管231より排気される。
By supplying SiCl4 gas to the
また、本ステップでは、上述の反応の過程において、SiCl4におけるSi-Cl結合のうちSi-N結合に変換されなかったSi-Cl結合を、切断することなく保持することが可能となる。すなわち、本ステップでは、SiCl4を構成するSiが有する4つの結合手のうち3つの結合手にそれぞれClを結合させた状態で、SiCl4におけるSi-Cl結合が切断されたSiを、ウエハ200の表面に形成されたNH終端におけるN-H結合が切断されたNに結合させることが可能となる。
Further, in this step, in the process of the above reaction, it is possible to retain the Si—Cl bond which was not converted into the Si—N bond among the Si—Cl bonds in SiC4 without breaking. That is, in this step, in a state where Cl is bonded to each of the three bonding hands among the four bonding hands of Si constituting SiCl 4 , the Si obtained by breaking the Si—Cl bond in SiCl 4 is transferred to the
本明細書では、ステップCにおいてウエハ200の表面で進行する上述の反応を、吸着置換反応とも称する。本ステップでは、上述の吸着置換反応を進行させることにより、ウエハ200上に、SiおよびNを含み、表面の全域がSiCl終端された層、すなわち、SiCl終端されたシリコン窒化層(SiN層)を形成することが可能となる。図5(B)に、SiCl終端されたSiN層が形成されたウエハ200の表面の部分拡大図を示す。なお、図5(B)では便宜上Clの一部の図示を省略している。SiCl終端されたSiN層は、SiCl終端を構成するClがそれぞれ立体障害として作用すること等により、この層の形成後にウエハ200に対するSiCl4ガスの供給をさらに継続しても、ウエハ200上へのさらなるSiの堆積が進行しない層となる。すなわち、SiCl終端されたSiN層は、さらなるSiの吸着反応に対してセルフリミットがかかる層となる。このことから、SiN層の厚さは、ウエハ面内全域にわたり1原子層未満(1分子層未満)の均等な厚さとなる。なお、ウエハ200の表面に形成されたSiCl終端を、Cl終端と同義にとらえることもできる。
In the present specification, the above-mentioned reaction that proceeds on the surface of the
本ステップにおける処理条件は、処理室201内に供給されたSiCl4が気相分解(熱分解)しない条件である。すなわち、上述の処理条件は、処理室201内に供給されたSiCl4が気相中で中間体を生じさせず、気相反応によるウエハ200上へのSiの堆積を進行させない条件である。言い換えれば、上述の処理条件は、ウエハ200上において上述の吸着置換反応だけを生じさせることができる条件である。本ステップにおける処理条件をこのような条件とすることにより、ウエハ200上に形成されるSiN層を、ウエハ面内厚さ均一性(以下、単に面内厚さ均一性ともいう)に優れた層とすることが可能となる。
The treatment conditions in this step are conditions in which SiCl 4 supplied into the
なお、成膜温度(処理温度)が300℃未満となると、ウエハ200上にSiN層が形成されにくくなり、ウエハ200上へのSiN膜の形成を実用的な成膜レートで進行させることが困難となる場合がある。また、ウエハ200上に形成されるSiN膜中にCl等の不純物が多く残留し、SiN膜の加工耐性が低下する場合もある。成膜温度を300℃以上の温度とすることにより、ウエハ200上へのSiN膜の形成を実用的な成膜レートで進行させることが可能となる。また、ウエハ200上に形成されるSiN膜を、不純物濃度が低く、加工耐性に優れた膜とすることも可能となる。成膜温度を700℃以上の温度とすることで、上述の効果が確実に得られるようになる。成膜温度を750℃以上の温度とすることで、上述の効果がより確実に得られるようになる。
When the film formation temperature (processing temperature) is less than 300 ° C., it becomes difficult to form a SiN layer on the
成膜温度が1000℃を超えると、処理室201内において、上述の吸着置換反応以外の反応が進行する場合がある。例えば、SiCl4におけるSi-Cl結合のうちSi-N結合に変換されなかったSi-Cl結合が切断され、SiN層の表面全体をSiCl終端させることが困難となる場合がある。すなわち、SiN層を、さらなるSiの吸着反応に対してセルフリミットがかかる層とすることが困難となる場合がある。また、処理室201内に供給されたSiCl4が気相分解(熱分解)して中間体を生じさせ、気相反応によるウエハ200上へのSiの堆積が進行する場合がある。これらの結果、ウエハ200上に形成されるSiN層の面内厚さ均一性、すなわち、SiN膜の基板面内膜厚均一性(以下、単に面内膜厚均一性ともいう)の低下を招く場合がある。成膜温度を1000℃以下の温度とすることにより、ここで述べた課題を解消することが可能となる。成膜温度を900℃以下の温度とすることで、ここで述べた課題を確実に解消することが可能となる。成膜温度を800℃以下の温度とすることで、ここで述べた課題をより確実に解消することが可能となる。
If the film formation temperature exceeds 1000 ° C., a reaction other than the above-mentioned adsorption / substitution reaction may proceed in the
これらのことから、成膜温度は、300~1000℃、好ましくは700~900℃、より好ましくは750~800℃とするのが望ましい。なお、ここに示す温度条件のうち、例えば700~900℃といった比較的高い温度条件は、ジクロロシラン(SiH2Cl2、略称:DCS)ガスやヘキサクロロジシラン(Si2Cl6、略称:HCDS)ガス等のクロロシラン系ガスを気相分解させるような温度条件である。つまり、700~900℃では、DCSガスやHCDSガスでは気相分解してしまい、ウエハ200に対するDCSガスやHCDSガスの供給をウエハ200の側方から行う場合、ウエハ200の外周部が厚くなり中央部まで行きわたらずに膜厚の均一性を図ることが困難となる。一方、SiCl4ガスは、DCSガスやHCDSガスが気相分解するような高い温度条件下であっても気相分解しない。よって、SiCl4ガスは、このような比較的高い温度帯で成膜処理を行う場合において、ウエハ200上に形成されるSiN膜の膜厚制御性を高めることが可能な原料であるといえる。
From these facts, it is desirable that the film formation temperature is 300 to 1000 ° C, preferably 700 to 900 ° C, and more preferably 750 to 800 ° C. Of the temperature conditions shown here, relatively high temperature conditions such as 700 to 900 ° C. are dichlorosilane (SiH 2 Cl 2 , abbreviated as DCS) gas and hexachlorodisilane (Si 2 Cl 6 , abbreviated as HCDS) gas. It is a temperature condition that causes gas phase decomposition of chlorosilane-based gas such as. That is, at 700 to 900 ° C., the DCS gas or HCDS gas undergoes gas phase decomposition, and when the DCS gas or HCDS gas is supplied to the
本実施形態のように、ウエハ200に対するSiCl4ガスの供給をウエハ200の側方から行う場合、SiN層の形成は、ウエハ200の外周部において先行して開始され、ウエハ200の中央部においては開始が遅れる傾向がある。この現象は、ウエハ200の表面に上述のパターンが形成されている場合に特に顕著となる。本ステップにおいて、SiCl4ガスの供給時間が60秒未満となると、ウエハ200の外周部にSiN層を形成することはできても、ウエハ200の中央部にSiN層を形成することが困難となる場合がある。SiCl4ガスの供給時間を60秒以上の時間とすることで、SiN層を、ウエハ200の外周部から中央部にわたり略均一に、すなわち、略均等の厚さおよび組成で形成することが可能となる。ただし、SiCl4ガスの供給時間が180秒を超えると、ウエハ200の表面におけるSiN層の形成反応が飽和した状態で、ウエハ200に対するSiCl4ガスの供給が継続される場合がある。その結果、SiN層の形成に寄与しないSiCl4ガスの使用量が無駄に増え、ガスコストが増加する場合がある。SiCl4ガスの供給時間を180秒以下の時間とすることで、ガスコストの増加を抑制することが可能となる。SiCl4ガスの供給時間を120秒以下の時間とすることで、ガスコストの増加を確実に抑制することが可能となる。
When the SiC4 gas is supplied to the
ウエハ200上にSiN層を形成した後、バルブ243aを閉じ、処理室201内へのSiCl4ガスの供給を停止する。そして、上述のステップAのパージステップと同様の処理手順、処理条件により、処理室201内に残留するガス等を処理室201内から排除する。
After forming the SiN layer on the
[ステップD]
このステップでは、処理室201内のウエハ200、すなわち、ウエハ200上に形成されたSiCl終端されたSiN層に対してO2ガスを供給する。具体的には、バルブ243e,243c,243dの開閉制御を、ステップAにおけるバルブ243b~243dの開閉制御と同様の手順で行う。O2ガスは、MFC241eにより流量制御され、ノズル249bを介して処理室201内へ供給され、排気管231より排気される。このとき、ウエハ200に対して、ウエハ200の側方から非プラズマ励起状態のO2ガスが供給される。すなわち、ノンプラズマの雰囲気下で熱励起されたO2ガスがウエハ200の側方からウエハ200に対して供給される。
[Step D]
In this step, O 2 gas is supplied to the
本ステップにおける処理条件としては、
O2ガス供給流量:100~10000sccm
O2ガス供給時間:1~120秒、好ましくは1~60秒
が例示される。他の処理条件は、ステップAにおける処理条件と同様とする。
The processing conditions in this step are
O 2 gas supply flow rate: 100 to 10000 sccm
O2 gas supply time: 1 to 120 seconds, preferably 1 to 60 seconds is exemplified. Other processing conditions are the same as the processing conditions in step A.
上述の条件下でウエハ200に対してO2ガスを供給することにより、ステップCでウエハ200上に形成されたSiCl終端されたSiN層の少なくとも一部を改質(酸化)させることができる。すなわち、O2ガスに含まれていたO成分の少なくとも一部をSiCl終端されたSiN層に添加させ、SiCl終端されたSiN層中にSi-O結合を形成することができる。SiCl終端されたSiN層が改質(酸化)されることで、ウエハ200上に、Si、OおよびNを含む層であるシリコン酸窒化層(SiON層)が形成される。図5(C)に、SiON層が形成されたウエハ200の表面の部分拡大図を示す。なお、O2ガスの供給時間を調整することにより、SiON層中のN濃度を調整することができる。
By supplying O 2 gas to the
SiON層を形成する際、SiCl終端されたSiN層に含まれていたClは、O2ガスによる改質反応の過程において、少なくともClを含むガス状物質を構成し、処理室201内から排出される。すなわち、SiCl終端されたSiN層中のCl等の不純物は、SiCl終端されたSiN層中から引き抜かれたり、脱離したりすることで、SiCl終端されたSiN層から分離することとなる。つまり、Cl等の不純物がSiN層から分離し、NHxCly、NOx等のガス状物質を構成してウエハ200から脱離し、排気管231より排気される。これにより、SiON層は、SiCl終端されたSiN層に比べてCl等の不純物が少ない層となる。
When the SiON layer is formed, the Cl contained in the SiCl-terminated SiN layer constitutes a gaseous substance containing at least Cl in the process of the reforming reaction with the O 2 gas, and is discharged from the
SiON層が形成された後、バルブ243eを閉じ、処理室201内へのO2ガスの供給を停止する。そして、上述のステップAのパージステップと同様の処理手順、処理条件により、処理室201内に残留するガス等を処理室201内から排除する。
After the SiON layer is formed, the
第2反応体としては、O2ガスの他、一酸化窒素(NO)ガス、亜酸化窒素(N2O)ガス、二酸化窒素(NO2)ガス、一酸化炭素(CO)ガス、二酸化炭素(CO2)ガス、水蒸気(H2Oガス)等の非プラズマ励起状態のO含有ガスを用いることができる。 The second reactants include O 2 gas, nitrogen monoxide (NO) gas, nitrogen suboxide (N 2 O) gas, nitrogen dioxide (NO 2 ) gas, carbon monoxide (CO) gas, and carbon dioxide (CO). A non-plasma excited O-containing gas such as CO 2 ) gas or water vapor (H 2 O gas) can be used.
[所定回数実施]
ステップAを行った後、ステップB,C,Dを非同時に、すなわち、同期させることなく行うサイクルを所定回数(n回、nは1以上の整数)行うことにより、ウエハ200上に、所定膜厚のSiON膜を形成することができる。なお、上述のサイクルは複数回繰り返すのが好ましい。すなわち、ステップB,C,Dを非同時に行うサイクルを1回行う際に形成されるSiON層の厚さを所望の膜厚よりも小さくし、SiON層を積層することで形成されるSiON膜の膜厚が所望の膜厚になるまで、上述のサイクルを複数回繰り返すのが好ましい。
[Implemented a predetermined number of times]
After performing step A, steps B, C, and D are performed non-simultaneously, that is, a predetermined number of cycles (n times, n is an integer of 1 or more) performed without synchronization, whereby a predetermined film is formed on the
なお、ウエハ200上に形成されるSiON膜を面内膜厚均一性に優れた膜とするには、ステップCにおけるSiCl4ガスの供給時間を、ウエハ200の中央部で形成されるSiN層の厚さが、ウエハ200の外周部で形成されるSiN層の厚さと同程度となる時間とするのが好ましい。言い換えれば、ステップCにおけるSiCl4ガスの供給時間を、ウエハ200の中央部で、ウエハ200の表面に形成されたNH終端と、SiCl4ガスと、の間で生じる吸着置換反応の量が、ウエハ200の外周部で、ウエハ200の表面に形成されたNH終端と、SiCl4ガスと、の間で生じる吸着置換反応の量と同程度となる時間とするのが好ましい。例えば、ステップCにおけるSiCl4ガスの供給時間を、ステップBにおけるNH3ガスの供給時間よりも長くすることにより、ここで述べた作用効果を確実に得ることが可能となる。
In order to make the SiON film formed on the wafer 200 a film having excellent in-plane film thickness uniformity, the supply time of SiC4 gas in step C is set to the SiN layer formed in the central portion of the
また、ウエハ200上に形成されるSiON膜を面内膜厚均一性に優れた膜とするには、ステップAにおけるNH3ガスの供給時間を、ウエハ200の中央部で形成されるNH終端の量や密度が、ウエハ200の外周部で形成されるNH終端の量や密度と同程度となる時間とするのが好ましい。例えば、ステップAにおけるNH3ガスの供給時間を、ステップBにおけるNH3ガスの供給時間よりも長くすることにより、ここで述べた作用効果を確実に得ることが可能となる。また例えば、ステップAにおけるNH3ガスの供給時間を、ステップCにおけるSiCl4ガスの供給時間よりも長くすることにより、上述の作用効果をより確実に得ることが可能となる。
Further, in order to make the SiON film formed on the wafer 200 a film having excellent in-plane film thickness uniformity, the NH 3 gas supply time in step A is set to the NH termination formed in the central portion of the
これらのことから、ステップAにおけるNH3ガスの供給時間を、ステップCにおけるSiCl4ガスの供給時間よりも長くし、ステップCにおけるSiCl4ガスの供給時間を、ステップBにおけるNH3ガスの供給時間よりも長くするのが好ましい。さらに、ステップDにおけるO2ガスの供給時間を、ステップAにおけるNH3ガスの供給時間よりも短く、ステップBにおけるNH3ガスの供給時間よりも長くするのが好ましい。ステップA,B,C,Dにおける各種ガスの供給時間をこのようなバランスとなるように設定することで、ウエハ200上に形成されるSiON膜を、面内膜厚均一性に極めて優れた膜とすることが可能となる。
From these facts, the supply time of NH 3 gas in step A is made longer than the supply time of SiC 4 gas in step C, and the supply time of SiC 4 gas in step C is set to the supply time of NH 3 gas in step B. It is preferable to make it longer than. Further, it is preferable that the supply time of O 2 gas in step D is shorter than the supply time of NH 3 gas in step A and longer than the supply time of NH 3 gas in step B. By setting the supply times of various gases in steps A, B, C, and D so as to have such a balance, the SiON film formed on the
(アフターパージおよび大気圧復帰)
上述の成膜処理が終了した後、ガス供給管232c,232dのそれぞれからN2ガスを処理室201内へ供給し、排気管231より排気する。これにより、処理室201内がパージされ、処理室201内に残留するガスや反応副生成物等が処理室201内から除去される(アフターパージ)。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され(不活性ガス置換)、処理室201内の圧力が常圧に復帰される(大気圧復帰)。
(After purging and atmospheric pressure recovery)
After the above-mentioned film forming process is completed, N2 gas is supplied into the
(ボートアンロードおよびウエハディスチャージ)
その後、ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降され、反応管203の下端が開口される。そして、処理済のウエハ200が、ボート217に支持された状態で、反応管203の下端から反応管203の外部に搬出される(ボートアンロード)。処理済のウエハ200は、ボート217より取り出される(ウエハディスチャージ)。
(Boat unloading and wafer discharge)
After that, the
(3)本実施形態による効果
本実施形態によれば、以下に示す一つ又は複数の効果が得られる。
(3) Effects of the present embodiment According to the present embodiment, one or more of the following effects can be obtained.
(a)ステップAを行った後、SiCl4が気相分解しない条件下で、ステップBとステップCとステップDとを非同時に行うサイクルを所定回数行うことにより、ウエハ200上に形成されるSiON膜を、面内膜厚均一性に優れた膜とすることが可能となる。
(A) After performing step A, the SiON formed on the
というのも、ステップCを、上述の条件、すなわち、ウエハ200の表面に形成されたNH終端と、SiCl4と、の間で吸着置換反応だけが生じる条件下で行うことにより、ウエハ200上に形成されるSiN層を、表面の全域がSiCl終端された層とすることが可能となる。すなわち、SiN層を、さらなるSiの吸着反応に対して、つまり、さらなる吸着置換反応に対して、セルフリミットがかかる層とすることが可能となる。結果として、ウエハ200上に形成されるSiN層を、面内厚さ均一性に優れた層とすることが可能となる。さらに、その後のステップDにおいて、SiN層が改質(酸化)されることで形成されるSiON層を、面内厚さ均一性に優れた層とすることが可能となる。
This is because step C is carried out on the
このように、本実施形態によれば、ウエハ200上に形成されたNH終端、および、ウエハ200上に形成されたSiCl終端のみがウエハ200上へのSiON膜の形成に寄与する成膜メカニズムを活用することが可能となる。結果として、ウエハ200上に形成されるSiON膜を、面内膜厚均一性に優れた膜とすることが可能となる。
As described above, according to the present embodiment, only the NH termination formed on the
(b)ステップCにおけるSiCl4ガスの供給時間を、ステップBにおけるNH3ガスの供給時間よりも長くすることにより、ウエハ200上に形成されるSiCl終端されたSiN層を、面内厚さ均一性に優れた層とすることが可能となる。結果として、ウエハ200上に形成されるSiON膜を、面内膜厚均一性に優れた膜とすることが可能となる。すなわち、ローディング効果(基板表面積依存)を改善することが可能となる。
(B) By making the supply time of the SiC 4 gas in step C longer than the supply time of the NH 3 gas in step B, the SiC-terminated SiN layer formed on the
(c)ステップAにおけるNH3ガスの供給時間を、ステップBにおけるNH3ガスの供給時間よりも長くすることにより、実質的な成膜処理前のウエハ200の表面の外周部から中央部にわたり、NH終端を均一に形成することが可能となる。これにより、ウエハ200上に形成されるSiN層を、面内厚さ均一性に優れた層とすることが可能となる。結果として、ウエハ200上に形成されるSiON膜を、面内膜厚均一性に優れた膜とすることが可能となる。
(C) By making the supply time of NH 3 gas in step A longer than the supply time of NH 3 gas in step B, the
また、ステップAにおけるNH3ガスの供給時間を、ステップCにおけるSiCl4ガスの供給時間よりも長くすることにより、上述の効果がより確実に得られるようになる。 Further, by making the supply time of the NH 3 gas in step A longer than the supply time of the SiC 4 gas in step C, the above-mentioned effect can be obtained more reliably.
また、ステップAにおけるNH3ガスの供給時間を、ステップDにおけるO2ガスの供給時間よりも長くすることにより、上述の効果がより確実に得られるようになる。 Further, by making the supply time of NH 3 gas in step A longer than the supply time of O 2 gas in step D, the above-mentioned effect can be obtained more reliably.
(d)原料としてSiCl4ガスを用いることから、DCSガスやHCDSガスが気相分解するような比較的高い温度条件(700℃以上の温度条件)下でステップCを行っても、その際に形成されるSiN層の厚さを、ウエハ面内全域にわたり1原子層未満(1分子層未満)の均等な厚さとすることが可能となる。そのため、比較的高い温度条件下であっても、SiON膜の膜厚を、精密かつ安定的に制御することが可能となる。すなわち、比較的高い温度条件下であっても、ウエハ200上へのSiON膜の形成を制御性よく進行させ、高温化が可能な分、SiON膜の加工耐性(HF耐性)を向上させることが可能となる。
(D) Since SiCl4 gas is used as a raw material, even if step C is performed under relatively high temperature conditions (temperature conditions of 700 ° C. or higher) such that DCS gas and HCDS gas undergo atomic phase decomposition, at that time, The thickness of the formed SiN layer can be made uniform with less than one atomic layer (less than one molecular layer) over the entire surface of the wafer. Therefore, it is possible to precisely and stably control the film thickness of the SiON film even under relatively high temperature conditions. That is, even under relatively high temperature conditions, the formation of the SION film on the
なお、原料としてDCSガスやHCDSガスを用いる場合、例えば700℃以上の比較的高い温度条件下では原料が気相分解してしまい、原料を供給することでウエハ200上に形成されるSi含有層は、さらなるSiの吸着反応に対してセルフリミットがかからない層となる。そのため、比較的高い温度条件下では、これらの原料を供給することで形成されるSi含有層の厚さを、ウエハ面内全域にわたり1原子層未満(1分子層未満)の均等な厚さとすることは困難となる。すなわち、これらの原料を用いる場合、比較的高温の条件下では、気相反応が支配的になり、また過剰な気相反応が生じてしまいローディング効果を改善することができない。結果として、最終的に得られるSiON膜の膜厚を、精密かつ安定的に制御することは困難となる。また、原料が気相分解しない温度条件下で成膜して膜厚均一性を得たとしても加工耐性(HF耐性)は本発明と比較して劣ってしまうこととなる。
When DCS gas or HCDS gas is used as the raw material, the raw material undergoes gas phase decomposition under relatively high temperature conditions of, for example, 700 ° C. or higher, and the Si-containing layer formed on the
(e)ステップDにおいて、非プラズマ励起状態の第2反応体を用いることで、ステップCで形成されたSiCl終端されたSiN層の酸化を抑えることができ、SiN層中からNを全て脱離させることなく一部残すことが容易となる。これにより、ウエハ200上に、適正な組成のSiON膜を形成することが可能となる。
(E) In step D, by using the second reactant in the non-plasma excited state, the oxidation of the SiC-terminated SiN layer formed in step C can be suppressed, and all N is eliminated from the SiN layer. It becomes easy to leave a part without letting it. This makes it possible to form a SiON film having an appropriate composition on the
また、ステップDにおけるO2ガス供給時間、O2ガス供給流量、処理圧力、酸化ガス種等の酸化ガス供給条件を制御することで、SiON膜中のOやNの組成比率を制御することができ、これにより、形成されるSiON膜の加工耐性(HF耐性)を制御することが可能となる。 Further, by controlling the oxidation gas supply conditions such as the O 2 gas supply time, the O 2 gas supply flow rate, the processing pressure, and the oxidation gas type in step D, the composition ratio of O and N in the SiON film can be controlled. This makes it possible to control the processing resistance (HF resistance) of the formed SiON film.
(f)上述の効果は、第1反応体としてNH3ガス以外の上述の窒化水素系ガスを用いる場合や、第2反応体としてO2ガス以外の上述の酸化ガスを用いる場合や、N2ガス以外の上述の不活性ガスを用いる場合にも、同様に得ることができる。 (F) The above-mentioned effects are obtained when the above-mentioned hydrogen nitride gas other than NH 3 gas is used as the first reactant, when the above-mentioned oxidation gas other than O 2 gas is used as the second reactant, and when N 2 is used. The same can be obtained when the above-mentioned inert gas other than the gas is used.
<他の実施形態>
以上、本発明の実施形態を具体的に説明した。しかしながら、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
<Other embodiments>
The embodiment of the present invention has been specifically described above. However, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the gist thereof.
例えば、ステップAにおけるNH3ガスのプリフローの後のパージステップ(ステップAにおけるNH3ガスのプリフローとステップBにおけるNH3ガスの供給との間のパージステップ)を省略してもよい。すなわち、図7や以下の成膜シーケンス例に示されているように、ステップAにおけるNH3ガスのプリフローと、ステップBにおけるNH3ガスの供給と、を連続して行うようにしてもよい。これにより、図4に示す成膜シーケンスと同様の効果が得られ、さらに、トータルでの処理時間を短縮させることができ、生産性を向上させることが可能となる。 For example, the purge step after the preflow of NH 3 gas in step A (the purge step between the preflow of NH 3 gas in step A and the supply of NH 3 gas in step B) may be omitted. That is, as shown in FIG. 7 and the following film forming sequence example, the preflow of NH 3 gas in step A and the supply of NH 3 gas in step B may be continuously performed. As a result, the same effect as that of the film forming sequence shown in FIG. 4 can be obtained, the total processing time can be shortened, and the productivity can be improved.
NH3→(NH3→P→SiCl4→P→O2→P)×n ⇒ SiON NH 3 → (NH 3 → P → SiCl 4 → P → O 2 → P) × n ⇒ SiON
また例えば、ステップAおよびステップBのうち少なくともいずれかのステップでは、ウエハ200に対して、プラズマで活性化(励起)させたNH3ガス、すなわち、プラズマ励起状態の第1反応体を供給するようにしてもよい。この場合においても、図4に示す成膜シーケンスと同様の効果が得られる。
Further, for example, in at least one of steps A and B, the
また例えば、ステップDでは、プラズマで活性化(励起)させたO2ガス、すなわち、プラズマ励起状態の第2反応体を供給するようにしてもよい。この場合においても、図4に示す成膜シーケンスと同様の効果が得られる。なお、この場合、第2反応体の酸化力を高めることができ、ステップDにおいて、ステップCでウエハ200上に形成されたSiCl終端されたSiN層を酸化させることで、ウエハ200上に、SiおよびOを含む層であるシリコン酸化層(SiO層)を形成することができる。この場合、上述のサイクルを所定回数行うことにより、ウエハ200上に、所定膜厚のSiO膜を形成することが可能となる。なお、第2反応体として、O3ガス、H2ガス+O2ガス、H2ガス+O3ガス等を用いる場合も第2反応体の酸化力を高めることができ、ステップDにおいて、ウエハ200上に、SiO層を形成することができ、上述のサイクルを所定回数行うことにより、ウエハ200上に、所定膜厚のSiO膜を形成することが可能となる。
Further, for example, in step D, O 2 gas activated (excited) by plasma, that is, a second reactant in a plasma excited state may be supplied. Also in this case, the same effect as that of the film forming sequence shown in FIG. 4 can be obtained. In this case, the oxidizing power of the second reactant can be increased, and in step D, the SiC-terminated SiN layer formed on the
また例えば、以下の成膜シーケンス例に示すように、ステップB,Cを非同時に行うセットを所定回数(n1回、n1は1以上の整数)行うことでSiN層を形成し、その後、ステップDを行いSiN層を酸化させることでSiON層を形成し、これを1サイクルとしてこのサイクルを所定回数(n2回、n2は1以上の整数)行うことにより、ウエハ200上に、SiON膜を形成するようにしてもよい。この場合においても、図4に示す成膜シーケンスと同様の効果が得られる。また、この場合、上述のセット数(n1)を制御することにより、形成されるSiON膜中のO濃度に対するN濃度、Si濃度の制御、すなわち、SiON膜の組成比の制御の制御性を高めることが可能となる。
Further, for example, as shown in the following film forming sequence example, a SiN layer is formed by performing a set in which steps B and C are performed non-simultaneously a predetermined number of times (n 1 time, n 1 is an integer of 1 or more), and then the SiN layer is formed. Step D is performed to oxidize the SiN layer to form a SION layer, which is regarded as one cycle, and this cycle is performed a predetermined number of times (n 2 times, n 2 is an integer of 1 or more) to form a SION on the
NH3→P→[(NH3→P→SiCl4→P)×n1→O2→P]×n2 ⇒ SiON
NH3→[(NH3→P→SiCl4→P)×n1→O2→P]×n2 ⇒ SiON
NH 3 → P → [(NH 3 → P → SiCl 4 → P) × n 1 → O 2 → P] × n 2 ⇒ SiON
NH 3 → [(NH 3 → P → SiCl 4 → P) × n 1 → O 2 → P] × n 2 ⇒ SiON
また、ステップAは、成膜する下地(ウエハ表面)の状態が、膜が形成されにくい状態にある場合には特に有効であるが、ウエハの表面状態によっては、ステップAを省略してもよい。 Further, step A is particularly effective when the state of the substrate (wafer surface) on which the film is formed is in a state where it is difficult for the film to be formed, but step A may be omitted depending on the surface state of the wafer. ..
例えば、以下の成膜シーケンス例に示すように、ステップAを行わずに、ステップB,C,Dを非同時に行うサイクルを所定回数(n回、nは1以上の整数)行うことにより、ウエハ200上に、所定膜厚のSiON膜を形成するようにしてもよい。この場合においても、図4に示す成膜シーケンスと同様の効果が得られる。 For example, as shown in the following film thickness sequence example, the wafer is formed by performing a cycle in which steps B, C, and D are performed non-simultaneously a predetermined number of times (n times, n is an integer of 1 or more) without performing step A. A SiON film having a predetermined film thickness may be formed on the 200. Also in this case, the same effect as that of the film forming sequence shown in FIG. 4 can be obtained.
(NH3→P→SiCl4→P→O2→P)×n ⇒ SiON (NH 3 → P → SiCl 4 → P → O 2 → P) × n ⇒ SiON
また例えば、以下の成膜シーケンス例に示すように、ステップB,Cを非同時に行うセットを所定回数(n1回、n1は1以上の整数)行うことでSiN層を形成し、その後、ステップDを行いSiN層を酸化させることでSiON層を形成し、これを1サイクルとしてこのサイクルを所定回数(n2回、n2は1以上の整数)行うことにより、ウエハ200上に、SiON膜を形成するようにしてもよい。この場合においても、図4に示す成膜シーケンスと同様の効果が得られる。また、この場合、上述のセット数(n1)を制御することにより、形成されるSiON膜中のO濃度に対するN濃度、Si濃度の制御、すなわち、SiON膜の組成比の制御の制御性を高めることが可能となる。
Further, for example, as shown in the following film forming sequence example, a SiN layer is formed by performing a set in which steps B and C are performed non-simultaneously a predetermined number of times (n 1 time, n 1 is an integer of 1 or more), and then the SiN layer is formed. Step D is performed to oxidize the SiN layer to form a SION layer, which is regarded as one cycle, and this cycle is performed a predetermined number of times (n 2 times, n 2 is an integer of 1 or more) to form a SION on the
[(NH3→P→SiCl4→P)×n1→O2→P]×n2 ⇒ SiON [(NH 3 → P → SiCl 4 → P) × n 1 → O 2 → P] × n 2 ⇒ SiON
また、基板処理に用いられるレシピは、処理内容に応じて個別に用意し、電気通信回線や外部記憶装置123を介して記憶装置121c内に格納しておくことが好ましい。そして、基板処理を開始する際、CPU121aが、記憶装置121c内に格納された複数のレシピの中から、処理内容に応じて適正なレシピを適宜選択することが好ましい。これにより、1台の基板処理装置で様々な膜種、組成比、膜質、膜厚の膜を、再現性よく形成することが可能となる。また、オペレータの負担を低減でき、操作ミスを回避しつつ、基板処理を迅速に開始できるようになる。
Further, it is preferable that the recipes used for the substrate processing are individually prepared according to the processing content and stored in the
上述のレシピは、新たに作成する場合に限らず、例えば、基板処理装置に既にインストールされていた既存のレシピを変更することで用意してもよい。レシピを変更する場合は、変更後のレシピを、電気通信回線や当該レシピを記録した記録媒体を介して、基板処理装置にインストールしてもよい。また、既存の基板処理装置が備える入出力装置122を操作し、基板処理装置に既にインストールされていた既存のレシピを直接変更してもよい。
The above-mentioned recipe is not limited to the case of newly creating, and may be prepared, for example, by modifying an existing recipe already installed in the substrate processing apparatus. When changing the recipe, the changed recipe may be installed on the substrate processing apparatus via a telecommunication line or a recording medium on which the recipe is recorded. Further, the input /
上述の実施形態では、一度に複数枚の基板を処理するバッチ式の基板処理装置を用いて膜を形成する例について説明した。本発明は上述の実施形態に限定されず、例えば、一度に1枚または数枚の基板を処理する枚葉式の基板処理装置を用いて膜を形成する場合にも、好適に適用できる。また、上述の実施形態では、ホットウォール型の処理炉を有する基板処理装置を用いて膜を形成する例について説明した。本発明は上述の実施形態に限定されず、コールドウォール型の処理炉を有する基板処理装置を用いて膜を形成する場合にも、好適に適用できる。 In the above-described embodiment, an example of forming a film using a batch-type substrate processing apparatus that processes a plurality of substrates at one time has been described. The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be suitably applied to, for example, a case where a film is formed by using a single-wafer type substrate processing apparatus that processes one or several substrates at a time. Further, in the above-described embodiment, an example of forming a film by using a substrate processing apparatus having a hot wall type processing furnace has been described. The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be suitably applied to the case where a film is formed by using a substrate processing apparatus having a cold wall type processing furnace.
これらの基板処理装置を用いる場合においても、上述の実施形態や変形例と同様な処理手順、処理条件にて成膜処理を行うことができ、上述の実施形態や変形例と同様の効果が得られる。 Even when these substrate processing devices are used, the film formation process can be performed under the same processing procedure and processing conditions as those of the above-described embodiment and modification, and the same effect as that of the above-mentioned embodiment and modification can be obtained. Be done.
また、上述の実施形態や変形例等は、適宜組み合わせて用いることができる。このときの処理手順、処理条件は、例えば、上述の実施形態の処理手順、処理条件と同様とすることができる。 In addition, the above-described embodiments and modifications can be used in combination as appropriate. The processing procedure and processing conditions at this time can be, for example, the same as the processing procedure and processing conditions of the above-described embodiment.
<実施例> <Example>
(実施例1)
実施例として、図1に示す基板処理装置を用い、図4に示す成膜シーケンスにより、ウエハ上にSiON膜を形成した。ウエハとしては、表面にパターンが形成されていないベアウエハと、表面にパターンが形成されベアウエハの表面積の23倍の表面積を有するパターンウエハと、をそれぞれ用いた。各ステップにおける処理条件は、上述の実施形態における処理条件範囲内の所定の条件とした。
(Example 1)
As an example, the substrate processing apparatus shown in FIG. 1 was used, and a SiON film was formed on the wafer by the film forming sequence shown in FIG. As the wafer, a bare wafer having no pattern formed on the surface and a patterned wafer having a pattern formed on the surface and having a surface area 23 times the surface area of the bare wafer were used. The processing conditions in each step were predetermined conditions within the processing condition range in the above-described embodiment.
比較例として、図1に示す基板処理装置を用い、図4に示す成膜シーケンスのステップAを実施してウエハ上にNH終端を形成した後、ウエハに対してHCDSガスを供給するステップB’と、ウエハに対してNH3ガスを供給するステップC’と、ウエハに対してO2ガスを供給するステップD’と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことにより、ウエハ上にSiON膜を形成した。ウエハとしては、上述のベアウエハと、上述のパターンウエハと、をそれぞれ用いた。ステップA,B’,C’,D’における処理条件は、それぞれ、実施例のステップA~Dにおける処理条件とそれぞれ同様とした。 As a comparative example, using the substrate processing apparatus shown in FIG. 1, step A of the film forming sequence shown in FIG. 4 is performed to form an NH termination on the wafer, and then step B'to supply HCDS gas to the wafer. A SiON film is formed on the wafer by performing a non-simultaneous cycle of step C'for supplying NH 3 gas to the wafer and step D'for supplying O 2 gas to the wafer. Formed. As the wafer, the above-mentioned bare wafer and the above-mentioned pattern wafer were used, respectively. The processing conditions in steps A, B', C', and D'are the same as the processing conditions in steps A to D of the examples, respectively.
そして、実施例および比較例で形成したSiON膜の面内膜厚均一性をそれぞれ測定した。図8にその測定結果を示す。図8の縦軸は、SiON膜の面内膜厚均一性(%)を示している。面内膜厚均一性(%)の値が0である場合とは、SiON膜の膜厚が、ウエハの中央部から外周部にわたり均一であることを意味する。面内膜厚均一性(%)の値が0より大きい場合とは、SiON膜の膜厚が、ウエハの表面の中央部で最も厚く、外周部に近づくにつれて徐々に薄くなる分布、すなわち、中央凸分布を有することを意味する。面内膜厚均一性(%)の値が0より小さい場合とは、SiON膜の膜厚がウエハの表面の外周部で最も厚く、中央部に近づくにつれて徐々に薄くなる分布、すなわち、中央凹分布を有することを意味する。なお、面内膜厚均一性(%)の値は、0に近づくほど面内膜厚均一性が良好であることを示している。図8の横軸は、ウエハとしてベアウエハを用いた場合、および、ウエハとしてパターンウエハを用いた場合をそれぞれ示している。図8の白抜き柱状グラフは比較例を、網掛け柱状グラフは実施例をそれぞれ示している。 Then, the in-plane film thickness uniformity of the SiON films formed in Examples and Comparative Examples was measured, respectively. FIG. 8 shows the measurement result. The vertical axis of FIG. 8 shows the in-plane film thickness uniformity (%) of the SiON film. When the value of the in-plane film thickness uniformity (%) is 0, it means that the film thickness of the SiON film is uniform from the central portion to the outer peripheral portion of the wafer. When the value of the in-plane film thickness uniformity (%) is larger than 0, the film thickness of the SiON film is the thickest in the central portion of the surface of the wafer and gradually becomes thinner as it approaches the outer peripheral portion, that is, the center. It means that it has a convex distribution. When the value of the in-plane film thickness uniformity (%) is smaller than 0, the film thickness of the SiON film is the thickest at the outer peripheral portion of the surface of the wafer and gradually becomes thinner toward the central portion, that is, the central concave portion. Means to have a distribution. The value of the in-plane film thickness uniformity (%) indicates that the closer to 0, the better the in-plane film film uniformity. The horizontal axis of FIG. 8 shows a case where a bare wafer is used as a wafer and a case where a pattern wafer is used as a wafer. The white column graph in FIG. 8 shows a comparative example, and the shaded column graph shows an example.
図8によれば、実施例におけるSiON膜の面内膜厚均一性は、ウエハとしてベアウエハを用いた場合、および、ウエハとしてパターンウエハを用いた場合のいずれにおいても、比較例におけるSiON膜の面内膜厚均一性よりも、良好であることが分かる。これに対し、比較例におけるSiON膜の面内膜厚均一性は、ウエハとしてベアウエハを用いた場合には強い中央凸分布を示し、ウエハとしてパターンウエハを用いた場合には強い中央凹分布を示すことが分かる。すなわち、実施例におけるSiON膜の方が、比較例におけるSiON膜よりも、ウエハの表面積による面内膜厚均一性に対する影響を低く抑えることが可能となることが分かる。言い換えれば、実施例における成膜手法の方が、比較例における成膜手法よりも、いわゆるローディング効果(基板表面積依存性)を低く抑えることが可能となることが分かる。 According to FIG. 8, the in-plane film thickness uniformity of the SiON film in the examples is the surface of the SION film in the comparative example in both the case where the bare wafer is used as the wafer and the case where the pattern wafer is used as the wafer. It can be seen that it is better than the uniformity of the inner film thickness. On the other hand, the in-plane film thickness uniformity of the SiON film in the comparative example shows a strong fovea convex distribution when a bare wafer is used as the wafer, and a strong fovea concave distribution when a pattern wafer is used as the wafer. You can see that. That is, it can be seen that the SiON film in the examples can suppress the influence of the surface area of the wafer on the uniformity of the in-plane film thickness to be lower than that in the SiON film in the comparative example. In other words, it can be seen that the film forming method in the examples can suppress the so-called loading effect (substrate surface area dependence) lower than the film forming method in the comparative example.
(実施例2)
本実施例では、図1に示す基板処理装置を用いて、図4に示す成膜シーケンスにより、ウエハ上にSiON膜等を形成した。その際、ステップDにおける処理条件(酸化ガス供給条件)を変化させることにより、組成比が異なる複数のSiON膜等のサンプル1~5を作製した。そして、X線光電子分光法(XPS)により、サンプル1~5のそれぞれの膜のSi、N、Oの原子濃度を測定した。また、サンプル1~5のそれぞれの膜を1%に希釈したフッ化水素水溶液(DHF溶液)を用いてエッチングした際のウェットエッチングレート(WER)を測定した。図9(A)は、XPSにより測定したサンプル1~5のそれぞれの膜中のSi、N、Oの組成比を示す図である。図9(A)の縦軸は、各元素の原子濃度(Atomic %)を示しており、横軸は、サンプル1~5を示している。図9(B)は、サンプル1~5のそれぞれの膜のWERを示す図である。図9(B)の縦軸は、WER(Å/分)を示しており、横軸はサンプル1~5を示している。
(Example 2)
In this embodiment, the substrate processing apparatus shown in FIG. 1 was used to form a SiON film or the like on the wafer by the film forming sequence shown in FIG. At that time, by changing the treatment conditions (oxidizing gas supply conditions) in step D,
なお、サンプル1~5を作製した際のステップDにおける処理条件(酸化ガス供給条件)は、それぞれ次に示す通りである。O2ガス供給流量:0slm、O2ガス供給時間:0秒とは、ステップDを行わなかったことを意味する。他の処理条件は、上述の実施形態における処理条件範囲内の所定の条件とした。
The treatment conditions (oxidation gas supply conditions) in step D when the
(サンプル1)
O2ガス供給流量:0slm
O2ガス供給時間:0秒
(Sample 1)
O 2 gas supply flow rate: 0 slm
O 2 gas supply time: 0 seconds
(サンプル2)
O2ガス供給流量:3~5slm
O2ガス供給時間:10~15秒
処理圧力:500~1000Pa
(Sample 2)
O 2 gas supply flow rate: 3 to 5 slm
O 2 gas supply time: 10 to 15 seconds Processing pressure: 500 to 1000 Pa
(サンプル3)
O2ガス供給流量:3~5slm
O2ガス供給時間:100~120秒
処理圧力:500~1000Pa
(Sample 3)
O 2 gas supply flow rate: 3 to 5 slm
O 2 gas supply time: 100 to 120 seconds Processing pressure: 500 to 1000 Pa
(サンプル4)
O2ガス供給流量:3~5slm
O2ガス供給時間:100~120秒
処理圧力:2000~3000Pa
(Sample 4)
O 2 gas supply flow rate: 3 to 5 slm
O 2 gas supply time: 100 to 120 seconds Processing pressure: 2000 to 3000 Pa
(サンプル5)
H2ガス供給流量:0.5~2slm
O2ガス供給流量:3~5slm
H2ガス+O2ガス供給時間:20~30秒
処理圧力:50~200Pa
(Sample 5)
H2 gas supply flow rate: 0.5 to 2 slm
O 2 gas supply flow rate: 3 to 5 slm
H 2 gas + O 2 gas supply time: 20 to 30 seconds Processing pressure: 50 to 200 Pa
図9(A)に示されているように、リファレンスサンプルであるサンプル1では、ステップDを行っていないが、膜中にO成分が含まれていることが確認された。これは、成膜後に膜が大気に曝されることにより膜の表面が酸化されたことが原因と考えられる。また、図9(A)のサンプル2とサンプル3の測定結果に示されているように、ステップDにおける処理時間を長くすることにより、ウエハ上に形成されるSiON膜中のOの組成比率を高く、また、Nの組成比率を低くすることができることが確認された。また、図9(A)のサンプル3とサンプル4の測定結果に示されているように、ステップDにおける処理圧力を高くすることにより、ウエハ上に形成されるSiON膜中のOの組成比率を更に高く、また、Nの組成比率を更に低くすることができることが確認された。また、図9(A)のサンプル5の測定結果に示されているように、ステップDにおいて、O2ガスを供給する代わりに、H2ガス+O2ガスを供給することで、処理時間をサンプル3,4と比較して短く、処理圧力をサンプル2~4と比較して低くしても、ウエハ上に形成される膜中のOの組成比率を更に高く、また、Nの組成比率を更に低く(Nの組成比率をゼロに)することができることが確認された。なお、サンプル5は、SiON膜ではなく、SiO膜となることが確認された。つまり、ステップDにおける処理時間や処理圧力やガス種等の酸化ガス供給条件を制御することにより、SiON膜中のOやNの組成比率を制御可能であることが確認された。
As shown in FIG. 9A, in
また、図9(B)に示されているように、膜中におけるOの組成比率が低いほど、また、Nの組成比率が高いほどWERが小さく(HF耐性が高く)、膜中におけるOの組成比率が高いほど、また、Nの組成比率が低いほどWERが大きい(HF耐性が低い)ことが確認された。すなわち、ステップDにおける酸化ガス供給条件を制御することにより、SiON膜中におけるOやNの組成比率を制御することができ、それにより、膜の加工耐性(HF耐性)を制御できることが確認された。 Further, as shown in FIG. 9B, the lower the composition ratio of O in the membrane and the higher the composition ratio of N, the smaller the WER (higher HF resistance) and the higher the O in the membrane. It was confirmed that the higher the composition ratio and the lower the composition ratio of N, the larger the WER (lower HF resistance). That is, it was confirmed that the composition ratio of O and N in the SiON film can be controlled by controlling the oxidation gas supply condition in step D, and thereby the processing resistance (HF resistance) of the film can be controlled. ..
<本発明の好ましい態様>
以下、本発明の好ましい態様について付記する。
<Preferable Aspect of the Present Invention>
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described.
(付記1)
本発明の一態様によれば、
(a)基板に対してNおよびHを含む第1反応体を供給することで、前記基板の表面にNH終端を形成する工程と、
(b)前記基板に対して原料としてSiCl4を供給することで、前記基板の表面に形成されたNH終端と、前記SiCl4と、を反応させて、SiCl終端されたSiN層を形成する工程と、
(c)前記基板に対してOを含む第2反応体を供給することで、前記SiCl終端されたSiN層と、前記第2反応体と、を反応させる工程と、
を前記SiCl4が気相分解しない条件下で非同時に行うサイクルを所定回数行うことにより、前記基板上にSi、OおよびNを含む膜、または、SiおよびOを含む膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法、または、基板処理方法が提供される。
(Appendix 1)
According to one aspect of the invention
(A) A step of forming an NH termination on the surface of the substrate by supplying the first reactant containing N and H to the substrate.
(B) A step of supplying SiC as a raw material to the substrate to react the NH termination formed on the surface of the substrate with the SiC 4 to form a SiC-terminated SiC layer. When,
(C) A step of reacting the SiCl-terminated SiN layer with the second reactant by supplying the second reactant containing O to the substrate.
The present invention comprises a step of forming a film containing Si, O and N, or a film containing Si and O on the substrate by performing non-simultaneous cycles under the condition that the SiCl 4 does not undergo gas phase decomposition a predetermined number of times. A method for manufacturing a semiconductor device or a method for processing a substrate is provided.
(付記2)
付記1に記載の方法であって、好ましくは、
前記SiCl4が熱分解しない条件下で、前記サイクルを所定回数行う。
(Appendix 2)
The method according to
The cycle is performed a predetermined number of times under the condition that the SiCl 4 is not thermally decomposed.
(付記3)
付記1または2に記載の方法であって、好ましくは、
前記SiCl4が(気相中で)中間体を生じさせない条件下で、前記サイクルを所定回数行う。
(Appendix 3)
The method according to
The cycle is performed a predetermined number of times under conditions where the SiCl 4 does not produce an intermediate (in the gas phase).
(付記4)
付記1~3のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
気相反応が生じない条件下で、前記サイクルを所定回数行う。
(Appendix 4)
The method according to any one of
The cycle is performed a predetermined number of times under the condition that no gas phase reaction occurs.
(付記5)
付記1~4のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
前記基板の表面に形成されたNH終端と、前記SiCl4と、の間で吸着置換反応(だけ)が生じる条件下で、(b)を行う。
(Appendix 5)
The method according to any one of
(B) is carried out under the condition that an adsorption substitution reaction (only) occurs between the NH termination formed on the surface of the substrate and the SiCl4 .
(付記6)
付記1~5のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
前記SiCl4を構成するSiが前記基板の表面に形成されたNH終端を構成するNに結合して、Si-N結合が形成され、その際、前記SiCl4に含まれるSi-Cl結合のうちSi-N結合に変換されなかったSi-Cl結合が切断されることなく保持される条件下で、(b)を行う。
(Appendix 6)
The method according to any one of
The Si constituting the SiCl 4 is bonded to the N constituting the NH termination formed on the surface of the substrate to form a Si—N bond, and at that time, among the Si—Cl bonds contained in the SiCl 4 (B) is performed under the condition that the Si—Cl bond that has not been converted into the Si—N bond is retained without being cleaved.
(付記7)
付記1~6のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
前記SiCl4におけるSi-Cl結合、および、前記基板の表面に形成されたNH終端におけるN-H結合が切断され、前記SiCl4におけるSi-Cl結合が切断されたSiが、前記基板の表面に形成されたNH終端におけるN-H結合が切断されたNに結合して、Si-N結合が形成され、その際、前記SiCl4におけるSi-Cl結合のうちSi-N結合に変換されなかったSi-Cl結合が切断されることなく保持される条件下で、(b)を行う。
(Appendix 7)
The method according to any one of
The Si—Cl bond at the SiC4 and the Si at the NH termination formed on the surface of the substrate are cleaved, and the Si at which the Si—Cl bond at the SiC4 4 is cleaved is formed on the surface of the substrate. The N—H bond at the formed NH termination was bound to the cleaved N to form a Si—N bond, which was not converted to the Si—N bond among the Si—Cl bonds in the SiC4 . (B) is performed under the condition that the Si—Cl bond is retained without being broken.
(付記8)
付記1~7のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
前記SiCl4を構成するSiが有する4つの結合手のうち3つの結合手にそれぞれClが結合した状態で、前記SiCl4を構成するSiが前記基板の表面に形成されたNH終端を構成するNに結合する条件下で、(b)を行う。
(Appendix 8)
The method according to any one of
In a state where Cl is bonded to each of the three bonds of the four bonds of the Si constituting the SiCl 4 , the Si constituting the SiCl 4 constitutes the NH termination formed on the surface of the substrate. (B) is performed under the condition of binding to.
(付記9)
付記1~8のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
前記SiCl4を構成するSiが有する4つの結合手のうち3つの結合手にそれぞれClが結合した状態で、前記SiCl4におけるSi-Cl結合が切断されたSiが、前記基板の表面に形成されたNH終端におけるN-H結合が切断されたNに結合する条件下で、(b)を行う。
(Appendix 9)
The method according to any one of
Si in which the Si—Cl bond in the SiCl 4 is broken is formed on the surface of the substrate in a state where Cl is bonded to each of the three bonders out of the four bonders of the Si constituting the SiCl 4 . (B) is performed under the condition that the NH bond at the NH termination is bound to the cleaved N.
(付記10)
付記1~9のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
(b)における前記SiCl4の供給時間を、(a)における前記第1反応体の供給時間よりも長くする。
(Appendix 10)
The method according to any one of
The supply time of the SiCl 4 in (b) is made longer than the supply time of the first reactant in (a).
(付記11)
付記1~10のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
前記サイクルを所定回数行う前に、(d)前記基板に対して前記第1反応体を供給する工程を、さらに有する。
(Appendix 11)
The method according to any one of
It further comprises (d) supplying the first reactant to the substrate before performing the cycle a predetermined number of times.
(付記12)
付記11に記載の方法であって、好ましくは、
(d)における前記第1反応体の供給時間を、(a)における前記第1反応体の供給時間よりも長くする。
(Appendix 12)
The method according to Appendix 11, preferably.
The supply time of the first reactant in (d) is made longer than the supply time of the first reactant in (a).
(付記13)
付記11または12に記載の方法であって、好ましくは、
(d)における前記第1反応体の供給時間を、(b)における前記SiCl4の供給時間よりも長くする。
(Appendix 13)
The method according to Appendix 11 or 12, preferably.
The supply time of the first reactant in (d) is made longer than the supply time of the SiCl4 in (b).
(付記14)
付記1~13のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
(b)における前記SiCl4の供給時間を、前記基板の中央部で、前記基板の表面に形成されたNH終端と、前記SiCl4と、の間で生じる吸着置換反応の量が、前記基板の外周部で、前記基板の表面に形成されたNH終端と、前記SiCl4と、の間で生じる吸着置換反応の量と同程度となる時間とする。
(Appendix 14)
The method according to any one of
The supply time of the SiCl 4 in (b) is the amount of the adsorption substitution reaction occurring between the NH termination formed on the surface of the substrate at the center of the substrate and the SiCl 4 in the central portion of the substrate. The time is set to be about the same as the amount of the adsorption substitution reaction occurring between the NH termination formed on the surface of the substrate and the SiC4 4 in the outer peripheral portion.
(付記15)
付記1~14のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
(b)における前記SiCl4の供給時間を、前記基板の中央部で形成される前記SiN層の厚さが、前記基板の外周部で形成される前記SiN層の厚さと同程度となる時間とする。
(Appendix 15)
The method according to any one of
The supply time of the SiCl 4 in (b) is set to a time during which the thickness of the SiN layer formed in the central portion of the substrate becomes about the same as the thickness of the SiN layer formed in the outer peripheral portion of the substrate. do.
(付記16)
付記1~15のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
前記(a)では、前記基板の側方から前記基板に対して前記第1反応体を供給し、
前記(b)では、前記基板の側方から前記基板に対して前記SiCl4を供給し、
前記(c)では、前記基板の側方から前記基板に対して前記第2反応体を供給する。
(Appendix 16)
The method according to any one of
In (a), the first reactant is supplied to the substrate from the side of the substrate.
In the above (b), the SiC4 4 is supplied to the substrate from the side of the substrate.
In (c), the second reactant is supplied to the substrate from the side of the substrate.
(付記17)
付記1~16のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
前記基板の表面にはパターンが形成されている。前記パターンはトレンチやホール等の凹部を含む。
(Appendix 17)
The method according to any one of
A pattern is formed on the surface of the substrate. The pattern includes recesses such as trenches and holes.
(付記18)
付記1~17のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
(c)では、非プラズマ励起状態の前記第2反応体を供給する。すなわち、(c)では、ノンプラズマの雰囲気下で熱励起された前記第2反応体を供給する。
(Appendix 18)
The method according to any one of
In (c), the second reactant in a non-plasma excited state is supplied. That is, in (c), the second reactant that is thermally excited in a non-plasma atmosphere is supplied.
(付記19)
本発明の他の態様によれば、
基板が処理される処理室と、
前記処理室内の基板に対してNおよびHを含む第1反応体を供給する第1反応体供給系と、
前記処理室内の基板に対して原料としてSiCl4を供給する原料供給系と、
前記処理室内の基板に対してOを含む第2反応体を供給する第2反応体供給系と、
前記処理室内の基板を加熱するヒータと、
前記処理室内において、付記1の各工程(各処理)を行わせるように、前記第1反応体供給系、前記原料供給系、前記第2反応体供給系および前記ヒータを制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
(Appendix 19)
According to another aspect of the invention.
The processing room where the substrate is processed and
A first reactant supply system that supplies a first reactant containing N and H to the substrate in the processing chamber,
A raw material supply system that supplies SiCl4 as a raw material to the substrate in the processing chamber,
A second reactant supply system that supplies a second reactant containing O to the substrate in the processing chamber,
A heater that heats the substrate in the processing chamber and
It is configured to control the first reactant supply system, the raw material supply system, the second reactant supply system, and the heater so that each step (each treatment) of
A substrate processing apparatus having the above is provided.
(付記20)
本発明のさらに他の態様によれば、
基板処理装置の処理室内において、付記1の各工程(各手順)をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム、または、該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
(Appendix 20)
According to still another aspect of the invention.
In the processing chamber of the substrate processing apparatus, a program for causing the substrate processing apparatus to execute each step (each procedure) of
Claims (16)
(b)前記基板に対して原料としてSiCl4を、前記SiCl4が気相中で中間体を生じさせない条件下であって700℃以上1000℃以下の温度条件下で供給することで、前記基板の表面に形成されたNH終端と、前記SiCl4と、を反応させて、前記反応に対してセルフリミットがかかるSiCl終端されたSiおよびNを含む層を形成する工程と、
(c)前記基板に対してOを含む第2反応体を供給することで、前記SiCl終端されたSiおよびNを含む層と、前記第2反応体と、を反応させる工程と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことにより、前記基板上にSi、OおよびNを含む膜、または、SiおよびOを含む膜を形成する工程を有する
半導体装置の製造方法。 (A) A step of forming an NH termination on the surface of the substrate by supplying the first reactant containing N and H to the substrate.
(B) The substrate is supplied with SiC 4 as a raw material to the substrate under the condition that the SiC 4 does not generate an intermediate in the gas phase and the temperature condition is 700 ° C. or higher and 1000 ° C. or lower. A step of reacting the NH-terminated film formed on the surface of the surface with SiC 4 to form a layer containing SiC-terminated Si and N, which is self-limited to the reaction.
(C) A step of reacting the SiC-terminated layer containing Si and N with the second reactant by supplying the second reactant containing O to the substrate.
A method for manufacturing a semiconductor device, which comprises a step of forming a film containing Si, O and N, or a film containing Si and O on the substrate by performing non-simultaneous cycles.
(b)前記基板に対して原料としてSiCl 4 を、前記SiCl 4 が気相中で中間体を生じさせない条件下であって700℃以上1000℃以下の温度条件下で供給することで、前記基板の表面に形成されたNH終端と、前記SiCl 4 と、を反応させて、前記反応に対してセルフリミットがかかるSiCl終端されたSiおよびNを含む層を形成する工程と、
(c)前記基板に対してOを含む第2反応体を供給することで、前記SiCl終端されたSiおよびNを含む層と、前記第2反応体と、を反応させる工程と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことにより、前記基板上にSi、OおよびNを含む膜、または、SiおよびOを含む膜を形成する工程を有する
基板処理方法。 ( A) A step of forming an NH termination on the surface of the substrate by supplying a first reactant containing N and H to the substrate.
(B) The substrate is supplied with SiC 4 as a raw material to the substrate under the condition that the SiC 4 does not generate an intermediate in the gas phase and the temperature condition is 700 ° C. or higher and 1000 ° C. or lower. A step of reacting the NH-terminated film formed on the surface of the surface with SiC 4 to form a layer containing SiC-terminated Si and N, which is self-limited to the reaction.
(C) A step of reacting the SiC-terminated layer containing Si and N with the second reactant by supplying the second reactant containing O to the substrate.
It has a step of forming a film containing Si, O and N, or a film containing Si and O on the substrate by performing a cycle of performing the above non-simultaneously a predetermined number of times.
Board processing method.
前記処理室内の基板に対してNおよびHを含む第1反応体を供給する第1反応体供給系と、
前記処理室内の基板に対して原料としてSiCl4を供給する原料供給系と、
前記処理室内の基板に対してOを含む第2反応体を供給する第2反応体供給系と、
前記処理室内の基板を加熱するヒータと、
前記処理室内において、(a)基板に対して前記第1反応体を供給することで、前記基板の表面にNH終端を形成する処理と、(b)前記基板に対して前記SiCl4を、前記SiCl4が気相中で中間体を生じさせない条件下であって700℃以上1000℃以下の温度条件下で供給することで、前記基板の表面に形成されたNH終端と、前記SiCl4と、を反応させて、前記反応に対してセルフリミットがかかるSiCl終端されたSiおよびNを含む層を形成する処理と、(c)前記基板に対して前記第2反応体を供給することで、前記SiCl終端されたSiおよびNを含む層と、前記第2反応体と、を反応させる処理と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことにより、前記基板上にSi、OおよびNを含む膜、または、SiおよびOを含む膜を形成する処理を行わせるように、前記第1反応体供給系、前記原料供給系、前記第2反応体供給系および前記ヒータを制御することが可能なよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 The processing room where the substrate is processed and
A first reactant supply system that supplies a first reactant containing N and H to the substrate in the processing chamber,
A raw material supply system that supplies SiCl4 as a raw material to the substrate in the processing chamber,
A second reactant supply system that supplies a second reactant containing O to the substrate in the processing chamber,
A heater that heats the substrate in the processing chamber and
In the processing chamber, (a) a process of forming an NH termination on the surface of the substrate by supplying the first reactant to the substrate, and (b) the treatment of the SiC 4 to the substrate. By supplying SiC under a temperature condition of 700 ° C. or higher and 1000 ° C. or lower under the condition that SiC does not generate an intermediate in the gas phase, the NH termination formed on the surface of the substrate and the SiCl 4 To form a layer containing SiC-terminated Si and N, which are self-limited to the reaction, and (c) supplying the second reactant to the substrate. A film containing Si, O, and N on the substrate by performing a non-simultaneous cycle of reacting the SiC-terminated layer containing Si and N with the second reactant. Alternatively, the first reactant supply system, the raw material supply system, the second reactant supply system, and the heater can be controlled so as to perform a process of forming a film containing Si and O. Control unit and
Substrate processing equipment with.
(a)基板に対してNおよびHを含む第1反応体を供給することで、前記基板の表面にNH終端を形成する手順と、
(b)前記基板に対して原料としてSiCl4を、前記SiCl4が気相中で中間体を生じさせない条件下であって700℃以上1000℃以下の温度条件下で供給することで、前記基板の表面に形成されたNH終端と、前記SiCl4と、を反応させて、前記反応に対してセルフリミットがかかるSiCl終端されたSiおよびNを含む層を形成する手順と、
(c)前記基板に対してOを含む第2反応体を供給することで、前記SiCl終端されたSiおよびNを含む層と、前記第2反応体と、を反応させる手順と、
を前記SiCl4が気相分解しない条件下で非同時に行うサイクルを所定回数行うことにより、前記基板上にSi、OおよびNを含む膜、または、SiおよびOを含む膜を形成する手順と、
をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。 In the processing room of the board processing equipment
(A) A procedure for forming an NH termination on the surface of the substrate by supplying a first reactant containing N and H to the substrate.
(B) The substrate is supplied with SiC 4 as a raw material to the substrate under a temperature condition of 700 ° C. or higher and 1000 ° C. or lower under the condition that the SiCl 4 does not generate an intermediate in the gas phase. The procedure for reacting the NH-terminated formed on the surface of the surface with SiC 4 to form a layer containing SiC-terminated Si and N, which is self-limited to the reaction.
(C) A procedure for reacting the SiC-terminated layer containing Si and N with the second reactant by supplying the second reactant containing O to the substrate.
The procedure for forming a film containing Si, O and N, or a film containing Si and O on the substrate by performing a cycle of performing the above non-simultaneously under the condition that the SiCl 4 does not undergo gas phase decomposition a predetermined number of times.
A program that causes the board processing apparatus to execute the above.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020217792A JP7026200B2 (en) | 2020-12-25 | 2020-12-25 | Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing methods, substrate processing equipment, and programs |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020217792A JP7026200B2 (en) | 2020-12-25 | 2020-12-25 | Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing methods, substrate processing equipment, and programs |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018116976A Division JP6854260B2 (en) | 2018-06-20 | 2018-06-20 | Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing devices, and programs |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021061429A JP2021061429A (en) | 2021-04-15 |
JP7026200B2 true JP7026200B2 (en) | 2022-02-25 |
Family
ID=75380448
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020217792A Active JP7026200B2 (en) | 2020-12-25 | 2020-12-25 | Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing methods, substrate processing equipment, and programs |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7026200B2 (en) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006087893A1 (en) | 2005-02-17 | 2006-08-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
JP2010050425A (en) | 2007-12-26 | 2010-03-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Method for manufacturing semiconductor device, and substrate processing apparatus |
JP2014038923A (en) | 2012-08-14 | 2014-02-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Semiconductor device manufacturing method, substrate processing method, substrate processing apparatus and program |
JP2016072587A (en) | 2014-10-02 | 2016-05-09 | 株式会社日立国際電気 | Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus and program |
JP2017069407A (en) | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 株式会社日立国際電気 | Method for manufacturing semiconductor device, apparatus for processing substrate, gas-supply system and program |
JP2017092098A (en) | 2015-11-04 | 2017-05-25 | 東京エレクトロン株式会社 | Method for forming nitride film |
JP2017139306A (en) | 2016-02-03 | 2017-08-10 | 東京エレクトロン株式会社 | Film deposition method |
-
2020
- 2020-12-25 JP JP2020217792A patent/JP7026200B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006087893A1 (en) | 2005-02-17 | 2006-08-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
JP2010050425A (en) | 2007-12-26 | 2010-03-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Method for manufacturing semiconductor device, and substrate processing apparatus |
JP2014038923A (en) | 2012-08-14 | 2014-02-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Semiconductor device manufacturing method, substrate processing method, substrate processing apparatus and program |
JP2016072587A (en) | 2014-10-02 | 2016-05-09 | 株式会社日立国際電気 | Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus and program |
JP2017069407A (en) | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 株式会社日立国際電気 | Method for manufacturing semiconductor device, apparatus for processing substrate, gas-supply system and program |
JP2017092098A (en) | 2015-11-04 | 2017-05-25 | 東京エレクトロン株式会社 | Method for forming nitride film |
JP2017139306A (en) | 2016-02-03 | 2017-08-10 | 東京エレクトロン株式会社 | Film deposition method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2021061429A (en) | 2021-04-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6789257B2 (en) | Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing devices, and programs | |
JP6980624B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method, substrate processing method, substrate processing device and program | |
JP6756689B2 (en) | Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing devices, and programs | |
JP6946374B2 (en) | Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing devices, and programs | |
JP6817845B2 (en) | Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing devices and programs | |
KR102288228B1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and program | |
KR102419555B1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing method, substrate processing apparatus, and program | |
WO2018055724A1 (en) | Method for manufacturing semiconductor device, substrate treatment apparatus, and program | |
JP7371281B2 (en) | Substrate processing method, semiconductor device manufacturing method, program, and substrate processing device | |
JP6760833B2 (en) | Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing devices, and programs | |
WO2021009838A1 (en) | Production method for semiconductor device, substrate treatment device, and program | |
US20240038530A1 (en) | Method of processing substrate, method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium | |
JP7076490B2 (en) | Substrate processing methods, semiconductor device manufacturing methods, substrate processing devices, and programs | |
JP6805347B2 (en) | Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing devices and programs | |
JP7026200B2 (en) | Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing methods, substrate processing equipment, and programs | |
JP6989677B2 (en) | Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing devices, and programs | |
JP7199497B2 (en) | Substrate processing method, semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, and program | |
JP6987948B2 (en) | Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing methods, substrate processing equipment, and programs | |
JP6857759B2 (en) | Semiconductor device manufacturing methods, substrate processing devices, and programs |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210914 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211111 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220118 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220214 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7026200 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |