JP7016995B1 - Plating equipment and plating method - Google Patents
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Abstract
めっき槽と、 前記めっき槽を上下に仕切る隔膜と、 前記隔膜よりも下方側に区画された前記アノード室に配置されたアノードと、 前記アノード室よりも上方に配置されて、カソードとしての基板を保持する基板ホルダと、 前記アノード室にめっき液を導入する供給口と、 前記アノード室からめっき液を排出する排出口と、 前記アノード室に設けられ、前記供給口から前記排出口に向かうめっき液の流れによって揺れ動く1又は複数の吹流しと、を備え、 前記吹流しは、その一端が、めっき液の流れの上流側で前記隔膜に隣接して固定されている、めっき装置。A plating tank, a diaphragm that divides the plating tank into upper and lower parts, an anode arranged in the anode chamber partitioned below the anode chamber, and a substrate as a cathode arranged above the anode chamber. A substrate holder to be held, a supply port for introducing the plating solution into the anode chamber, a discharge port for discharging the plating solution from the anode chamber, and a plating solution provided in the anode chamber and directed from the supply port to the discharge port. A plating apparatus comprising one or more streams swaying by the flow of a plating solution, the stream having one end fixed adjacent to the diaphragm on the upstream side of the flow of plating solution.
Description
本願は、めっき装置及びめっき方法に関する。 The present application relates to a plating apparatus and a plating method.
基板(ウエハ)のめっき面を下方に向けてめっきを行うフェースダウン型のめっき装置では、アノードと基板の間に隔膜を設置して、アノード側とカソード側のめっき液を分ける構成が採用される場合がある。これは、不溶解アノード表面での電気化学反応によって発生するめっき性能に有害な分解生成物が、基板に届かないようにするためである。この構成のめっき装置では、めっき中にアノードで発生するアノードガス(例えば、酸素)の気泡が浮き上がり、気泡が隔膜の下面に付着、停滞する。隔膜の下面に気泡が大量に付着すると、その部分は電流が流れないため、電場(電流)の分布が不均一になる可能性がある。この結果、部分的な膜厚不足が発生し、基板上の製品が不良となる場合がある。 In a face-down type plating device that performs plating with the plating surface of the substrate (wafer) facing downward, a configuration is adopted in which a diaphragm is installed between the anode and the substrate to separate the plating solution on the anode side and the cathode side. In some cases. This is to prevent decomposition products that are harmful to the plating performance generated by the electrochemical reaction on the surface of the insoluble anode from reaching the substrate. In the plating apparatus having this configuration, bubbles of the anode gas (for example, oxygen) generated at the anode during plating float up, and the bubbles adhere to and stagnate on the lower surface of the diaphragm. When a large amount of bubbles adhere to the lower surface of the diaphragm, no current flows through that portion, so that the distribution of the electric field (current) may become uneven. As a result, a partial film thickness shortage may occur, resulting in a defective product on the substrate.
一方、溶解アノードを用いるめっき装置では、電気分解による酸化反応によりアノードで酸素が発生する代わりにアノード金属が溶解するので、気泡の問題は無い。その一方で、溶解アノードには以下のような問題がある。めっきによりアノード自体が消耗するため、アノードの頻繁な交換作業が必要となる。また、アノード表面状態が安定化するのに時間がかかる(Cuめっきでのブラックフィルム形成)。また、ブラックフィルムが剥がれ、めっき膜に付着して欠陥の原因となる可能性がある。また、使用に伴ってアノードが薄くなり、基板-アノード間の極間距離が広がることで、基板めっき膜の面内均一性が変化する。また、フェースダウン型では溶解アノードがめっき槽の底に位置するため、交換時の作業性が悪い。具体的には、めっき液を全て抜き、重量のあるアノード板を持ち上げる必要があるなどの問題がある。 On the other hand, in a plating apparatus using a dissolution anode, there is no problem of bubbles because the anode metal dissolves instead of generating oxygen at the anode due to the oxidation reaction by electrolysis. On the other hand, the dissolution anode has the following problems. Since the anode itself is consumed by plating, frequent replacement work of the anode is required. In addition, it takes time to stabilize the surface condition of the anode (black film formation by Cu plating). In addition, the black film may peel off and adhere to the plating film, causing defects. In addition, the anode becomes thinner with use, and the distance between the electrodes between the substrate and the anode increases, so that the in-plane uniformity of the substrate plating film changes. Further, in the face-down type, since the dissolution anode is located at the bottom of the plating tank, workability at the time of replacement is poor. Specifically, there is a problem that it is necessary to remove all the plating solution and lift a heavy anode plate.
また、以下のようなめっき装置が知られている。米国特許出願公開2019-0055665号明細書(特許文献1)には、不溶解アノードの上方にすり鉢状に隔膜を固定しためっき装置が記載されている。この装置では、不溶解アノードで発生した気泡は、隔膜に沿ってめっき槽の外周方向に流れ、そこからめっき槽外に排出される。米国特許出願公開2018-0237933号明細書(特許文献2)には、不溶解アノードの上方に隔膜を設置し、アノード室のめっき液をポンプで循環するめっき装置が記載されている。不溶解アノードで発生した気泡は、ポンプによる循環により槽外部の気液分離槽に送られ、そこでめっき液から分離される。米国特許出願公開2017-0121842号明細書(特許文献3)には、基板がフェースアップで設置され、基板上方からめっき液を流下するめっき装置が記載されている。この装置では、アノードから発生する気泡を上部に放出するため、基板は気泡の影響は受けない。米国特許出願公開2016-0047058号明細書(特許文献4)には、アノードの上方に隔膜を設置し、基板表面の近傍にめっき液を撹拌する機構を設置して、基板表面に付着した気泡を除去するめっき装置が記載されている。 Further, the following plating devices are known. U.S. Patent Application Publication No. 2019-0055665 (Patent Document 1) describes a plating apparatus in which a diaphragm is fixed in a mortar shape above an insoluble anode. In this device, the bubbles generated at the insoluble anode flow along the diaphragm toward the outer periphery of the plating tank, and are discharged from there to the outside of the plating tank. U.S. Patent Application Publication No. 2018-0237933 (Patent Document 2) describes a plating apparatus in which a diaphragm is provided above an insoluble anode and a plating solution in an anode chamber is circulated by a pump. Bubbles generated at the insoluble anode are sent to a gas-liquid separation tank outside the tank by circulation by a pump, where they are separated from the plating solution. U.S. Patent Application Publication No. 2017-0121842 (Patent Document 3) describes a plating apparatus in which a substrate is installed face-up and a plating solution flows down from above the substrate. In this device, bubbles generated from the anode are discharged to the upper part, so that the substrate is not affected by the bubbles. In U.S. Patent Application Publication No. 2016-0047058 (Patent Document 4), a diaphragm is installed above the anode and a mechanism for stirring the plating solution is installed near the surface of the substrate to remove air bubbles adhering to the surface of the substrate. The plating equipment to be removed is described.
特許文献1のめっき装置では、アノード-隔膜間に傾斜を得るための距離が必要で、アノード室のめっき液(アノード液)が多く必要になる。また、装置サイズ、液使用量増大の原因となる。隔膜表面に付着した酸素の細かい気泡は表面張力で容易に脱離せず、その場に留まり続ける。これにより、部分的な膜厚異常の原因となり得る。特許文献2のめっき装置では、アノードから発生した気泡は、積極的には除去されず、めっき槽内に残留する可能性が高い。特許文献3のめっき装置では、めっき液を溜めておくことが困難なため、基板近傍での均一なめっき液の撹拌が難しいという問題がある。特許文献4のめっき装置は、溶解アノードを想定したシステムと考えられ、アノード側の気泡に関しては特に対策がとられていない。
In the plating apparatus of
本発明は、上記のことを鑑みてなされたものであり、隔膜の下面に滞留したアノードガスに起因して基板のめっき品質が悪化することを抑制することができる技術を提供することを目的の一つとする。 The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to provide a technique capable of suppressing deterioration of the plating quality of a substrate due to an anode gas staying on the lower surface of a diaphragm. Make it one.
本発明の一態様によれば、 めっき槽と、 前記めっき槽を上下に仕切る隔膜と、 前記隔膜よりも下方側に区画された前記アノード室に配置されたアノードと、 前記アノード室よりも上方に配置されて、カソードとしての基板を保持する基板ホルダと、 前記アノード室にめっき液を導入する供給口と、 前記アノード室からめっき液を排出する排出口と、 前記アノード室に設けられ、前記供給口から前記排出口に向かうめっき液の流れによって揺れ動く1又は複数の吹流しと、を備え、 前記吹流しは、その一端が、めっき液の流れの上流側で前記隔膜に隣接して固定されている、めっき装置が提供される。 According to one aspect of the present invention, a plating tank, a diaphragm that divides the plating tank into upper and lower parts, an anode arranged in the anode chamber partitioned below the anode chamber, and above the anode chamber. A substrate holder that is arranged and holds a substrate as a cathode, a supply port for introducing a plating solution into the anode chamber, a discharge port for discharging the plating solution from the anode chamber, and a supply port provided in the anode chamber. It comprises one or more streams that are swayed by the flow of plating solution from the mouth to the outlet, one end of which is fixed adjacent to the diaphragm on the upstream side of the flow of plating solution. Plating equipment is provided.
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、以下の実施形態や実施形態の変形例では、同一又は対応する構成について、同一の符号を付して説明を適宜省略する場合がある。また、各実施形態で示される特徴は、互いに矛盾しない限り他の実施形態にも適用可能である。また、図面は、実施形態や変形例の特徴の理解を容易にするために模式的に図示されており、各構成要素の寸法比率等は実際のものと同じであるとは限らない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments and modifications of the embodiments, the same or corresponding configurations may be designated by the same reference numerals and description thereof may be omitted as appropriate. In addition, the features shown in each embodiment can be applied to other embodiments as long as they do not contradict each other. Further, the drawings are schematically shown in order to facilitate understanding of the features of the embodiments and modifications, and the dimensional ratios and the like of each component are not always the same as those of the actual ones.
本明細書において「基板」には、半導体基板、ガラス基板、液晶基板、プリント回路基板だけでなく、磁気記録媒体、磁気記録センサ、ミラー、光学素子、微小機械素子、あるいは部分的に製作された集積回路、その他任意の被処理対象物を含む。基板は、多角形、円形を含む任意の形状のものを含む。また、本明細書において「前面」、「後面」、「フロント」、「バック」、「上」、「下」、「左」、「右」等の表現を用いるが、これらは、説明の都合上、例示の図面の紙面上における位置、方向を示すものであり、装置使用時等の実際の配置では異なる場合がある。 In the present specification, the "board" is not only a semiconductor substrate, a glass substrate, a liquid crystal substrate, and a printed circuit board, but also a magnetic recording medium, a magnetic recording sensor, a mirror, an optical element, a micromechanical element, or a partially manufactured element. Includes integrated circuits and any other object to be processed. The substrate includes any shape including polygons and circles. Further, in this specification, expressions such as "front", "rear", "front", "back", "top", "bottom", "left", and "right" are used, but these are for convenience of explanation. The above shows the position and direction of the illustrated drawings on the paper, and may differ from the actual arrangement when the device is used.
(第1実施形態)
図1は、めっき装置1000の全体構成を示す斜視図である。図2は、めっき装置1000の全体構成を示す平面図である。図1及び図2に示すように、めっき装置1000は、ロードポート100、搬送ロボット110、アライナ120、プリウェットモジュール200、プリソークモジュール300、めっきモジュール400、洗浄モジュール500、スピンリンスドライヤ600、搬送装置700、及び、制御モジュール800を備えている。(First Embodiment)
FIG. 1 is a perspective view showing the overall configuration of the
ロードポート100は、めっき装置1000に図示していないFOUPなどのカセットに収容された基板を搬入したり、めっき装置1000からカセットに基板を搬出するためのモジュールである。本実施形態では4台のロードポート100が水平方向に並べて配置されているが、ロードポート100の数及び配置は任意である。搬送ロボット110は、基板を搬送するためのロボットであり、ロードポート100、アライナ120、及び搬送装置700の間で基板を受け渡すように構成される。搬送ロボット110及び搬送装置700は、搬送ロボット110と搬送装置700との間で基板を受け渡す際には、仮置き台(図示せず)を介して基板の受け渡しを行うことができる。
The
アライナ120は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせるためのモジュールである。本実施形態では2台のアライナ120が水平方向に並べて配置されているが、アライナ120の数及び配置は任意である。プリウェットモジュール200は、めっき処理前の基板の被めっき面を純水または脱気水などの処理液で濡らすことで、基板表面に形成されたパターン内部の空気を処理液に置換する。プリウェットモジュール200は、めっき時にパターン内部の処理液をめっき液に置換することでパターン内部にめっき液を供給しやすくするプリウェット処理を施すように構成される。本実施形態では2台のプリウェットモジュール200が上下方向に並べて配置されているが、プリウェットモジュール200の数及び配置は任意である。
The
プリソークモジュール300は、例えばめっき処理前の基板の被めっき面に形成したシード層表面等に存在する電気抵抗の大きい酸化膜を硫酸や塩酸等の処理液でエッチング除去してめっき下地表面を洗浄または活性化するプリソーク処理を施すように構成される。本実施形態では2台のプリソークモジュール300が上下方向に並べて配置されているが、プリソークモジュール300の数及び配置は任意である。めっきモジュール400は、基板にめっき処理を施す。本実施形態では、上下方向に3台かつ水平方向に4台並べて配置された12台のめっきモジュール400のセットが2つあり、合計24台のめっきモジュール400が設けられているが、めっきモジュール400の数及び配置は任意である。
The
洗浄モジュール500は、めっき処理後の基板に残るめっき液等を除去するために基板に洗浄処理を施すように構成される。本実施形態では2台の洗浄モジュール500が上下方向に並べて配置されているが、洗浄モジュール500の数及び配置は任意である。スピンリンスドライヤ600は、洗浄処理後の基板を高速回転させて乾燥させるためのモジュールである。本実施形態では2台のスピンリンスドライヤ600が上下方向に並べて配置されているが、スピンリンスドライヤ600の数及び配置は任意である。搬送装置700は、めっき装置1000内の複数のモジュール間で基板を搬送するための装置である。制御モジュール800は、めっき装置1000の複数のモジュールを制御するように構成され、例えばオペレータとの間の入出力インターフェースを備える一般的なコンピュータまたは専用コンピュータから構成することができる。
The
めっき装置1000による一連のめっき処理の一例を説明する。まず、ロードポート100にカセットに収容された基板が搬入される。続いて、搬送ロボット110は、ロードポート100のカセットから基板を取り出し、アライナ120に基板を搬送する。アライナ120は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。搬送ロボット110は、アライナ120で方向を合わせた基板を搬送装置700へ受け渡す。
An example of a series of plating processes by the
搬送装置700は、搬送ロボット110から受け取った基板をプリウェットモジュール200へ搬送する。プリウェットモジュール200は、基板にプリウェット処理を施す。搬送装置700は、プリウェット処理が施された基板をプリソークモジュール300へ搬送する。プリソークモジュール300は、基板にプリソーク処理を施す。搬送装置700は、プリソーク処理が施された基板をめっきモジュール400へ搬送する。めっきモジュール400は、基板にめっき処理を施す。
The
搬送装置700は、めっき処理が施された基板を洗浄モジュール500へ搬送する。洗浄モジュール500は、基板に洗浄処理を施す。搬送装置700は、洗浄処理が施された基板をスピンリンスドライヤ600へ搬送する。スピンリンスドライヤ600は、基板に乾燥処理を施す。搬送装置700は、乾燥処理が施された基板を搬送ロボット110へ受け渡す。搬送ロボット110は、搬送装置700から受け取った基板をロードポート100のカセットへ搬送する。最後に、ロードポート100から基板を収容したカセットが搬出される。
The
なお、図1や図2で説明しためっき装置1000の構成は、一例に過ぎず、めっき装置1000の構成は、図1や図2の構成に限定されるものではない。
The configuration of the
制御モジュール800は、所定のプログラムを格納したメモリと、メモリのプログラムを実行するCPUとを有する。メモリを構成する記憶媒体は、各種の設定データ、めっき装置1000を制御するプログラムを含む各種のプログラムなどを格納している。記憶媒体は、不揮発性及び/又は揮発性の記憶媒体を含むことが可能である。記憶媒体としては、例えば、コンピュータで読み取り可能なROM、RAM、フラッシュメモリなどのメモリや、ハードディスク、CD-ROM、DVD-ROMやフレキシブルディスクなどのディスク状記憶媒体などの公知のものが使用され得る。制御モジュール800の一部又は全部の機能は、ASIC等のハードウェアで構成することができる。制御モジュール800の一部又は全部の機能は、シーケンサで構成してもよい。制御モジュール800の一部又は全部は、めっき装置1000の筐体の内部及び/又は外部に配置することができる。制御モジュール800の一部又は全部は、有線及び/又は無線によりめっき装置1000の各部と通信可能に接続される。
The
(めっきモジュール)
続いて、めっきモジュール400について説明する。なお、本実施形態に係るめっき装置1000が有する複数のめっきモジュール400は同様の構成を有しているので、1つのめっきモジュール400について説明する。(Plating module)
Subsequently, the
図3は、本実施形態に係るめっき装置1000のめっきモジュール400の構成を説明するための断面図である。図4は、めっきモジュール400の構成を説明するための上面図である。本実施形態に係るめっき装置1000は、いわゆるカップ式のめっき装置である。本実施形態に係るめっき装置1000のめっきモジュール400は、主として、めっき槽10と、アノード30と、基板ホルダ20とを備えている。このめっきモジュール400は、アノード30を電源40の正極に電気的に接続し、基板ホルダ20に保持される基板W(カソード)を電源40の負極に電気的に接続し、基板ホルダ20を回転させながらアノード30から基板Wにめっき電流を流して基板Wにめっき膜を形成するものである。
FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining the configuration of the
本実施形態に係るめっき槽10は、上方に開口を有する有底の容器によって構成されている。具体的には、めっき槽10は、底壁部10aと、この底壁部10aの外周縁から上方に延在する外周壁部10bとを有しており、この外周壁部10bの上部が開口している。なお、めっき槽10の外周壁部10bの形状は特に限定されるものではないが、本実施形態に係る外周壁部10bは、一例として円筒形状を有している。
The
めっき槽10の内部には、めっき液が貯留されている。めっき液としては、めっき皮膜を構成する金属元素のイオンを含む溶液であればよく、その具体例は特に限定されるものではない。本実施形態においては、めっき処理の一例として、銅めっき処理を用いており、めっき液の一例として、硫酸銅溶液を用いている。また、本実施形態において、めっき液には所定の添加剤が含まれている。但し、この構成に限定されるものではなく、めっき液は添加剤を含んでいない構成とすることもできる。
A plating solution is stored inside the
めっき槽10の内部には、アノード30が配置されている。特に限定されるものではないが、本実施形態においては、アノード30の具体例として不溶解アノードを用いている。この不溶解アノードの具体的な種類は特に限定されるものではなく、白金や酸化イリジウム等を用いることができる。
An
図3に示すように、めっき槽10の内部において、アノード30よりも上方には、隔膜12が配置されている。具体的には、隔膜12は、アノード30と基板W(カソード)との間の箇所に配置されている。本実施形態に係る隔膜12の外周部は、めっき槽10の外周壁部10bに接続されている。また、本実施形態に係る隔膜12は、隔膜12の面方向が水平方向になるように、即ち基板と概ね平行になるように配置されている。
As shown in FIG. 3, inside the
めっき槽10の内部は、隔膜12によって上下方向に2分割されている。隔膜12よりも下方側に区画された領域をアノード室13と称する。隔膜12よりも上方側の領域を、カソード室14と称する。前述したアノード30は、アノード室13に配置されている。
The inside of the
隔膜12は、イオンの通過を許容しつつ、めっき液に含まれる添加剤の通過を抑制する膜によって構成されている。すなわち、本実施形態において、カソード室14のめっき液は添加剤を含んでいるが、アノード室13のめっき液は添加剤を含んでいない。但し、この構成に限定されるものではなく、例えば、アノード室13のめっき液も添加剤を含んでいてもよい。隔膜12の具体的な種類は、特に限定されるものではなく、公知の隔膜を用いることができる。この隔膜12の具体例を挙げると、例えば、電解隔膜を用いることができ、この電解隔膜の具体例として、例えば、株式会社ユアサメンブレンシステム製のめっき用電解隔膜を用いたり、あるいは、イオン交換膜等を用いたりすることができる。
The
本実施形態のように、めっき装置1000が隔膜12を備えることによって、アノード側での反応によってめっき液に含まれる添加剤の成分が分解又は反応することを抑制することができ、また、この添加剤の成分の分解又は反応によってめっきに悪影響を及ぼす成分が基板側に移動するのを抑制することができる。
By providing the
めっき槽10には、アノード室にめっき液を供給するためのアノード用供給口15が設けられている。また、めっき槽10には、アノード室13のめっき液をアノード室13から排出するためのアノード用排出口16が設けられている。アノード用排出口16から排出されためっき液Psは、その後、アノード用のリザーバータンク(図示せず)に貯留された後に、アノード用供給口15からアノード室13に再び供給される。
The
めっき槽10には、カソード室14にめっき液を供給するためのカソード用供給口(図示略)が設けられている。例えば、本実施形態に係るめっき槽10の外周壁部10bのカソード室14に対応する部分にカソード用供給口(図示略)が設けられている。
The
また、めっき槽10のカソード室14に対応する位置の外周壁部10bの外側には、有底の容器で構成されたオーバーフロー槽(図示略)が設けられている。オーバーフロー槽は、めっき槽10の外周壁部10bの上端を超えためっき液(すなわち、めっき槽10からオーバーフローしためっき液)を貯留するために設けられた槽である。カソード用供給口からカソード室14に供給されためっき液は、オーバーフロー槽に流入した後に、オーバーフロー槽用の排出口(図示せず)から排出されて、カソード用のリザーバータンク(図示せず)に貯留される。その後、めっき液は、カソード用供給口からカソード室に再び供給される。
Further, an overflow tank (not shown) composed of a bottomed container is provided on the outside of the outer
本実施形態におけるカソード室14には、多孔質の抵抗体(図示略)が配置されてもよい。抵抗体は、複数の孔(細孔)を有する多孔性の板部材によって構成されている。但し、抵抗体は本実施形態に必須の構成というわけではなく、めっき装置1000は抵抗体を備えていない構成とすることもできる。また、基板ホルダ20の近傍に、例えば、抵抗体と基板Wとの間にパドル(図示略)を配置して、めっき液を攪拌するようにしてもよい。
A porous resistor (not shown) may be arranged in the
本実施形態では、図3及び図4に示すように、アノード室13において隔膜12の近傍に、吹流し50が設けられている。言い換えれば、吹流し50は、隔膜12に隣接して、隔膜12から所定の距離をもって又は隔膜12に接触して設けられている。吹流し50は、アノード用供給口15から供給されアノード用排出口16から排出されるめっき液の流れによって、図4中の矢印70で示すように揺れ動く細長い部材(細長部材)51を有する。細長部材51の一端には、固定端60が取り付けられている。固定端60は、図3に示すように、隔膜12に固定することが可能である。また、固定端60は、例えば、L字状のブラケットによりめっき槽10の外周壁部10bに固定されてもよい。固定端60は、図3に示すように、細長部材51が隔膜12の下面の近傍で所定の距離をもって離間した状態で揺れ動くことができるように、細長部材51よりも若干高い寸法を有する。細長部材51の他端は、自由端となっている。また、吹流し50(細長部材51)の固定端60は、アノード用供給口15に対向する位置に固定され、細長部材51がめっき液の流れを受け易いようになっている。
In this embodiment, as shown in FIGS. 3 and 4, a
なお、吹流し50は、めっき液の流れで揺れ動く際に、隔膜12の下面に接触してもよく、隔膜12の下面に接触しなくてもよい。吹流し50が隔膜12の下面に接触しない場合には、隔膜12の近傍での吹流し50の揺動によるめっき液の振動により、隔膜12の下面に付着した気泡に外力を加え、気泡を大きくしてめっき液の流れに乗せて排出する効果を奏する。吹流し50が隔膜12の下面に接触する場合には、吹流し50の揺動によるめっき液の振動により気泡を大きくする効果に加え、更に、細長部材51が気泡に接触して外力を加え、気泡を大きくしてめっき液の流れに乗せて排出する効果も奏する。
The
吹流し50は、以下の条件を満たす材料で構成される。
(1)めっき液の流れによって揺れ動く柔軟性があること(細長部材自体が柔軟性を有する場合、及び複数の細長部材(例えば、棒状部材)が互いに移動可能に連結される場合を含む)。
(2)めっき液に比べて比重が高すぎず、低すぎないこと(比重が高すぎると沈んでしまい、吹流し50で隔膜12の下面を撫でること(又は吹流し50の揺動によるめっき液の振動により気泡に十分に外力を加えること)ができないからであり、比重が低すぎると気泡を動かすのに十分な力を伝えられないからである。)。
(3)めっき液、使用環境(温度、流れ)に対して耐性があること。例えば、塩化ビニル等の樹脂で構成することができる。The
(1) Being flexible to swing due to the flow of the plating solution (including the case where the elongated member itself has flexibility and the case where a plurality of elongated members (for example, rod-shaped members) are movably connected to each other).
(2) The specific gravity is not too high and not too low compared to the plating solution (if the specific gravity is too high, it sinks and the lower surface of the
(3) Resistant to the plating solution and usage environment (temperature, flow). For example, it can be made of a resin such as vinyl chloride.
吹流し50は、アノード30で発生して隔膜12の下面に付着したアノードガス(例えば、酸素)の気泡Buを隔膜12から除去する。即ち、吹流し50は、アノード室13内のめっき液の流れの力によって、隔膜12の下面近傍において揺れ動いてその振動で、隔膜12の下面に付着した気泡Buをはたき、気泡に外力を加えて微細な気泡が大きくまとまって除去されるようにする。隔膜12の下面から除去された気泡Buは、めっき液の流れによってアノード用排出口16から排出される。その後、例えば、めっき槽10の外部にある気液分離槽(図示略)においてめっき液から分離される。
The
不溶解アノードであるアノード30から発生するアノードガス(例えば酸素)の気泡は直径0.5mm程度と小さく、気泡が小さいうちは浮力が小さく、液中に長時間漂う。気泡は、隔膜12の下面に一旦付着すると、めっき液流れによって受ける力よりも隔膜12への付着力の方が大きいため、流れて行き難い。また、めっき液中の添加剤に含まれる界面活性剤成分の効果により、気泡が安定化するため、純水中と比較して細かい気泡が大きくまとまり難い。一方、気泡に外力を与えると、大きな気泡に成長しやすくなる性質があり。気泡が直径3~5mm程度まで成長すると、気泡は、めっき液の流れによって受ける力が、隔膜への付着力よりも大きくなるため、流れに乗って排出されるようになる。そこで、本実施形態では、吹流し50により隔膜12の下面に付着した気泡に外力を与え、大きな気泡に成長させることにより、気泡をめっき液の流れに乗せて排出するようにしたものである。
Bubbles of anode gas (for example, oxygen) generated from the
本実施形態による吹流し50は、構造が簡素で、メンテナンスが不要である。また、吹流し50は、アノード室13内のめっき液の流れによって揺れ動くため、専用の動力を必要としない。また、吹流し50は、めっき槽外部との電気的、機械的接続が必要なく、めっき槽10の壁に穴を開けなくてよい。また、吹流し50の設置には、広い空間が不要で、めっき液の使用量、装置の高さを節約できる。
The
図5Aから図5Eは、吹流し50の構成例を示す。図5Aの吹流し50は、リボン状の細長部材51で構成される。図5Bの吹流し50は、ひも状(ロープ状)の細長部材51で構成される。ひも状(ロープ状)の細長部材51は、任意の形状の断面を有することができる。図5Cの吹流し50では、細長部材51は、複数の棒状部材51aと、複数の棒状部材51aを互いに揺動可能に連結する蝶番51bとを有する。蝶番51bは、複数の棒状部材51aが、水平方向に動き易くかつ上下方向には動き難くなるように構成されている。これにより、複数の棒状部材51aで気泡を払う効果を向上させている。吹流し50又は細長部材51の全体としてめっき液の流れによって揺れ動く柔軟性を有していれば、棒状部材51a自体は、めっき液の流れによって揺れ動く柔軟性を有しなくてもよい(リボン状、ひも状の細長部材51より低い柔軟性でよい)。
5A to 5E show a configuration example of the
図5Dの吹流し50では、ひも状の細長部材51の複数の箇所にバルーン状の浮き53が設けられている。バルーン状の浮き53を中空にするか、めっき液よりも密度が低い材料で構成することで、細長部材51に浮力を与え、細長部材51がめっき液中を漂いやすくなる。これにより、吹流し50で気泡を払う効果を向上することができる。
In the
図5Eの吹流し50では、ひも状の細長部材51の複数の箇所にスプーン状の浮き53が設けられている。スプーン状の浮き53は、湾曲したシート状の部材で構成され、細長部材51に固定される側で面積が小さく、自由端側で広い面積を有する。この構成では、スプーン状の浮き53がめっき液の流れにより浮き沈みを繰り返しながらめっき液中を漂い、吹流し50で気泡を払う効果を向上することができる。図5Aから図5Eに示す1又は複数の形態の吹流しを組み合わせてめっき槽10内に配置してもよい。
In the
(第2実施形態)
図6は、第2実施形態に係るめっきモジュール400の構成を説明するための断面図である。図7は、第2実施形態に係るめっきモジュール400の構成を説明するための上面図である。図8は、遮蔽部材80による渦の生成を説明するための断面図である。以下の説明では、上記実施形態と異なる点を主に説明し、上記実施形態と同様の構成には同一の符号を付し、それらの説明を省略する。(Second Embodiment)
FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining the configuration of the
本実施形態では、吹流し50の代わりに、遮蔽部材80がアノード室13に配置される。遮蔽部材80は、棒状の部材であり、アノード用供給口15からアノード用排出口16に向かうめっき液の流れを横切る/遮るようにアノード室13内に配置されている。本実施形態では、遮蔽部材80は、図8に示すように、概ね円形の断面を有する。なお、遮蔽部材80の断面は、楕円等の他の形状であってもよい。遮蔽部材80は、図7に示すように、その両端がめっき槽10の外周壁部に固定されている。遮蔽部材80は、図6に示すように、隣接する遮蔽部材80が異なる高さに配置されるように、互い違いに千鳥状に配置されている。同図の例では、遮蔽部材80は、2つの異なる高さに配置されている。他の例では、3つ以上の異なる高さに遮蔽部材80が配置されるように千鳥配置されてもよい。また、複数の遮蔽部材80は、互い違いではなく、マトリクス状に配置されてもよい。
In this embodiment, the shielding
液体の流路に障害物(遮蔽部材80)があると、その下流にはカルマン渦が発生する。カルマン渦により流れが乱流になり、渦による引き剥がし効果で隔膜12から気泡が引きはがされ、下流に流れ易くなる。また、渦によるめっき液の攪拌により気泡を集めて大きい気泡にまとめる効果もある。気泡が大きくなると、めっき液の流れにより受ける力が大きくなり、気泡が流されやすくなることは上述した通りである。遮蔽部材80の径及び間隔は、カルマン渦の振幅を増幅するように選択される。適切な径の遮蔽部材80を適切な間隔の千鳥配置で設けることにより、カルマン渦の振幅を増幅することができ、めっき液の流れをより強く乱し、隔膜12から気泡を引き剥がす効果を向上できる。
If there is an obstacle (shielding member 80) in the liquid flow path, a Karman vortex is generated downstream of the obstacle (shielding member 80). The Karman vortex causes the flow to become turbulent, and the peeling effect of the vortex causes bubbles to be peeled off from the
カルマン渦による気泡除去効果を得る条件は、以下の通りである。
(1)めっき液の流速と遮蔽部材80の大きさ(径)、形状、配置によりカルマン渦の発生位置、強さは変化するため、使用条件(めっきモジュールの構成)により遮蔽部材80の種類、位置を適切に調整する。
(2)遮蔽部材80と隔膜12の間の距離は、カルマン渦が隔膜12の表面に届き、かつ、気泡が遮蔽部材80の上を通過し易い距離に設定する。
(遮蔽部材80と隔膜12の間の距離が遠すぎると、下流のカルマン渦が隔膜表面に届かず、気泡を剥離させる効果が得られない可能性がある。逆に遮蔽部材80と隔膜12の間の距離が近すぎる場合は、気泡が遮蔽部材80の上を通過し難くなり、遮蔽部材80の上流側に気泡が滞留する可能性がある。)
(3)遮蔽部材80によりめっき時の電場が遮蔽され、基板めっき膜の膜厚分布に影響を与える可能性があるため、遮蔽部材80の太さと本数(基板面への投影面積)は必要最低限とし、分布も均一になるよう配置を調整する。The conditions for obtaining the bubble removal effect by the Karman vortex are as follows.
(1) Since the position and strength of Karman vortices change depending on the flow velocity of the plating solution and the size (diameter), shape, and arrangement of the shielding
(2) The distance between the shielding
(If the distance between the shielding
(3) Since the electric field during plating is shielded by the shielding
図9及び図10は、遮蔽部材80の他の構成例を示す断面図である。図9の遮蔽部材80は、断面視において、めっき液の流れの上流側に開口するC字形状を有する。めっき液の流れに対して高い抵抗となるように、遮蔽部材80をめっき液の流れの上流側に開口するC字形状とすることにより、カルマン渦の発生効率を向上することができる。図10の遮蔽部材80は、断面視において隔膜側に凸で、隔膜側の断面周長がアノード側の断面周長よりも長い翼形状を有する。この構成によれば、遮蔽部材80の断面を翼形状とすることで、翼形状の下流側でカルマン渦を発生させると共に、隔膜12の近傍でめっき液の流速を増大し、隔膜12に付着した気泡の剥離を促進することができる。図8から図10の1又は複数の形態の遮蔽部材を組み合わせてめっき槽10に配置してもよい。
9 and 10 are cross-sectional views showing another configuration example of the shielding
(他の実施形態)
(1)上記実施形態では、アノード30は不溶解アノードとしたが、溶解アノードとしてもよい。
(2)上記実施形態では、複数の吹流し50を設ける場合について説明したが、単一の吹流しを設けてもよい。吹流しの大きさを適切に設定することで、単一の吹流しであっても、隔膜に付着した気泡を除去するのに一定の効果を発揮し得る。
(3)上記実施形態では、複数の遮蔽部材80を設ける場合について説明したが、単一の遮蔽部材を設けてもよい。遮蔽部材の大きさを適切に設定することで、単一の遮蔽部材あっても、隔膜に付着した気泡を除去するのに一定の効果を発揮し得る。
(4)遮蔽部材80の一部又は全部は、一端がめっき槽10の外周壁部に固定され、他端は外周壁部に固定されず、アノード室の途中まで延びる構成であってもよい。また、遮蔽部材80の一部又は全部は、両端がめっき槽10の外周壁部に固定されるが、途中で途切れている構成(棒状部材が2つに分割され、2つの部分の間に空間を有する構成)であってもよい。平面視において遮蔽部材80が途切れている部分に吹流しを配置してもよい。1又は複数の吹流し50と、1又は複数の複数の遮蔽部材80を組み合わせてもよい。(Other embodiments)
(1) In the above embodiment, the
(2) In the above embodiment, the case where a plurality of
(3) In the above embodiment, the case where a plurality of shielding
(4) A part or all of the shielding
本発明は、以下の形態としても記載することができる。
形態1によれば、 めっき槽と、 前記めっき槽を上下に仕切る隔膜と、 前記隔膜よりも下方側に区画された前記アノード室に配置されたアノードと、 前記アノード室よりも上方に配置されて、カソードとしての基板を保持する基板ホルダと、 前記アノード室にめっき液を導入する供給口と、 前記アノード室からめっき液を排出する排出口と、 前記アノード室に設けられ、前記供給口から前記排出口に向かうめっき液の流れによって揺れ動く1又は複数の吹流しと、を備え、 前記吹流しは、その一端が、めっき液の流れの上流側で前記隔膜に隣接して固定されている、めっき装置が提供される。アノード室の供給口と排出口は、例えば、互いに対向するように設けられる。The present invention can also be described as the following forms.
According to the first embodiment, a plating tank, a diaphragm that divides the plating tank into upper and lower parts, an anode arranged in the anode chamber partitioned below the anode chamber, and an anode arranged above the anode chamber are arranged. A substrate holder that holds the substrate as a cathode, a supply port for introducing the plating solution into the anode chamber, a discharge port for discharging the plating solution from the anode chamber, and a discharge port provided in the anode chamber, from the supply port to the above. The plating apparatus comprises one or more streams that are swayed by the flow of the plating solution toward the discharge port, one end of which is fixed adjacent to the diaphragm on the upstream side of the flow of the plating solution. Will be provided. The supply port and the discharge port of the anode chamber are provided so as to face each other, for example.
この形態によれば、めっき液の流れの力によって、隔膜の近傍に設置した吹流しが揺れ、その振動で、隔膜の下面に付着した微細な気泡に外力が加えられることにより、微細な気泡が大きくまとまってめっき液の流れにより隔膜から除去される。これにより、隔膜の下面に付着した微細な気泡を大きくまとめてめっき液の流れで排出口から排出することができる。この結果、隔膜の下面に付着した気泡により電場(電流)の分布が不均一になり基板のめっき膜厚分布が不均一になることを抑制することができる。 According to this form, the windsock installed in the vicinity of the diaphragm is shaken by the force of the flow of the plating solution, and the vibration causes an external force to be applied to the fine bubbles adhering to the lower surface of the diaphragm, so that the fine bubbles become large. Collectively removed from the diaphragm by the flow of plating solution. As a result, the fine bubbles adhering to the lower surface of the diaphragm can be largely collected and discharged from the discharge port by the flow of the plating solution. As a result, it is possible to prevent the distribution of the electric field (current) from becoming non-uniform due to the bubbles adhering to the lower surface of the diaphragm and the distribution of the plating film thickness of the substrate from becoming non-uniform.
形態2によれば、形態1のめっき装置において、 前記1又は複数の吹流しの少なくとも1つの吹流しは、リボン状の部材である。この形態によれば、リボン状の部材の幅及び厚みを調節することにより、隔膜に付着した微細な気泡を効率よくはたくことができる。 According to the second embodiment, in the plating apparatus of the first embodiment, at least one stream of the one or a plurality of streamers is a ribbon-shaped member. According to this form, by adjusting the width and thickness of the ribbon-shaped member, fine bubbles adhering to the diaphragm can be efficiently beaten.
形態3によれば、形態1のめっき装置において、 前記1又は複数の吹流しの少なくとも1つの吹流しは、ひも状の部材である。この形態によれば、ひも状の部材の径を調節することにより、隔膜に付着した微細な気泡を効率よくはたくことができる。
According to Form 3, in the plating apparatus of
形態4によれば、形態1のめっき装置において、 前記1又は複数の吹流しの少なくとも吹流しは、複数の棒状の部材が蝶番で互いに連結され、水平方向に揺れ動く構成を有する。この形態によれば、複数の棒状の部材が、水平方向に動き易く、上下方向には動き難いため、気泡を払う効果を向上することができる。 According to the fourth embodiment, in the plating apparatus of the first embodiment, at least the windsocks of the one or the plurality of windsocks have a configuration in which a plurality of rod-shaped members are connected to each other by hinges and sway in the horizontal direction. According to this form, since the plurality of rod-shaped members are easy to move in the horizontal direction and difficult to move in the vertical direction, the effect of removing air bubbles can be improved.
形態5によれば、形態1のめっき装置において、 前記1又は複数の吹流しの少なくとも吹流しは、バルーン状の浮きを有する。この形態によれば、バルーン状の浮きを中空にするか、めっき液よりも密度が低い材料で構成することで、吹流しがめっき液中を漂いやすくなる。これにより、吹流しで気泡を払う効果を向上することができる。 According to the fifth embodiment, in the plating apparatus of the first embodiment, at least one of the windsocks has a balloon-like float. According to this form, by making the balloon-shaped float hollow or by using a material having a density lower than that of the plating solution, the windsock easily floats in the plating solution. This makes it possible to improve the effect of removing air bubbles by the windsock.
形態6によれば、形態1のめっき装置において、 前記1又は複数の吹流しの少なくとも吹流しは、スプーン状の浮きを有する。この形態によれば、スプーン状の浮きがめっき液の流れにより浮き沈みを繰り返しながらめっき液中を漂い、吹流しで気泡を払う効果を向上させることができる。
According to Form 6, in the plating apparatus of
形態7によれば、 めっき槽と、 前記めっき槽を上下に仕切る隔膜と、 前記隔膜よりも下方側に区画された前記アノード室に配置されたアノードと、 前記アノード室よりも上方に配置されて、カソードとしての基板を保持する基板ホルダと、 前記アノード室にめっき液を導入する供給口と、 前記アノード室からめっき液を排出する排出口と、 前記アノード室において前記供給口から前記排出口に向かうめっき液の流れを横切るように配置された棒状の遮蔽部材であって、遮蔽部材の下流にカルマン渦を発生させるように構成されている1又は複数の遮蔽部材と、を備えるめっき装置が提供される。 According to the seventh embodiment, the plating tank, the diaphragm that divides the plating tank into upper and lower parts, the anode arranged in the anode chamber partitioned below the anode chamber, and the anode arranged above the anode chamber are arranged. A substrate holder that holds the substrate as a cathode, a supply port for introducing the plating solution into the anode chamber, a discharge port for discharging the plating solution from the anode chamber, and a supply port to the discharge port in the anode chamber. Provided is a plating apparatus including one or a plurality of shielding members arranged so as to generate a Kalman vortex downstream of the shielding member, which is a rod-shaped shielding member arranged so as to cross the flow of the plating solution toward the plating solution. Will be done.
この形態によれば、めっき液の流れを遮る遮蔽部材により、遮蔽部材の下流にカルマン渦が発生する。カルマン渦により流れが乱流になり、渦による引き剥がし効果で気泡が隔膜から離れ、下流に流れやすくなる。これにより、隔膜の下面に付着した微細な気泡をめっき液の流れで排出口から排出することができる。また、渦によるめっき液の攪拌により気泡を集めて大きい気泡にまとめる効果もある。気泡が大きくなると、めっき液の流れにより受ける力が大きくなり、気泡が流されやすくなる。この結果、隔膜の下面に付着した気泡により電場(電流)の分布が不均一になり基板のめっき膜厚分布が不均一になることを抑制することができる。 According to this form, a Karman vortex is generated downstream of the shielding member by the shielding member that blocks the flow of the plating solution. The Karman vortex causes the flow to become turbulent, and the peeling effect of the vortex causes bubbles to separate from the septum, making it easier to flow downstream. As a result, fine bubbles adhering to the lower surface of the diaphragm can be discharged from the discharge port by the flow of the plating solution. It also has the effect of collecting bubbles by stirring the plating solution with a vortex and collecting them into large bubbles. When the bubbles become large, the force received by the flow of the plating solution becomes large, and the bubbles are easily flown. As a result, it is possible to prevent the distribution of the electric field (current) from becoming non-uniform due to the bubbles adhering to the lower surface of the diaphragm and the distribution of the plating film thickness of the substrate from becoming non-uniform.
形態8によれば、形態7のめっき装置において、 前記1又は複数の遮蔽部材は、前記隔膜に平行に配置されている。この形態によれば、隔膜の下面全体にわたって均一にカルマン渦を発生し易くすることができる。 According to the eighth aspect, in the plating apparatus of the seventh aspect, the one or a plurality of shielding members are arranged in parallel with the diaphragm. According to this form, it is possible to make it easy to generate Karman vortices uniformly over the entire lower surface of the diaphragm.
形態9によれば、形態7又は8のめっき装置において、 前記1又は複数の遮蔽部材は、複数の遮蔽部材を有し、 前記複数の遮蔽部材は、断面視において千鳥状に互い違いに配置されている。 According to Form 9, in the plating apparatus of Form 7 or 8, the one or more shielding members have a plurality of shielding members, and the plurality of shielding members are arranged in a staggered manner in a cross-sectional view. There is.
この形態によれば、適切な太さの遮蔽部材を適切な間隔の千鳥配置で設置することにより、カルマン渦の振幅を増幅することができ、これにより、めっき液の流れをより強く乱し、気泡を引き剥がす効果を高めることができる。 According to this form, the amplitude of the Karman vortex can be amplified by installing the shielding members of appropriate thickness in a staggered arrangement at appropriate intervals, thereby disturbing the flow of the plating solution more strongly. The effect of peeling off air bubbles can be enhanced.
形態10によれば、形態7から9の何れかのめっき装置において、 前記1又は複数の遮蔽部材の少なくとも1つの遮蔽部材は、断面視において、前記めっき液の流れの上流側に開口するC字形状を有する。 According to the tenth aspect, in the plating apparatus according to any one of the seventh to nine forms, at least one shielding member of the one or a plurality of shielding members is a C-shaped opening on the upstream side of the flow of the plating solution in a cross-sectional view. Has a shape.
この形態によれば、めっき液の流れに対して高い抵抗となるように、遮蔽部材をめっき液の流れの上流側に開口するC字形状とすることにより、カルマン渦の発生効率を向上することができる。 According to this form, the efficiency of Karman vortex generation is improved by forming the shielding member into a C-shape that opens upstream of the plating solution flow so as to have high resistance to the plating solution flow. Can be done.
形態11によれば、形態7から9の何れかのめっき装置において、 前記1又は複数の遮蔽部材の少なくとも1つの遮蔽部材は、断面視において、前記隔膜側に凸で、隔膜側の断面周長が前記アノード側の断面周長よりも長い翼形状を有する。 According to the eleventh aspect, in the plating apparatus according to any one of the seventh to nine aspects, at least one of the shielding members of the one or the plurality of shielding members is convex toward the diaphragm side and has a cross-sectional peripheral length on the diaphragm side in a cross-sectional view. Has a blade shape longer than the cross-sectional circumference on the anode side.
この形態によれば、遮蔽部材の断面を翼形状とすることで、隔膜の近傍でめっき液の流速を増大し、隔膜に付着した気泡の剥離を促進することができる。 According to this form, by forming the cross section of the shielding member into a blade shape, the flow velocity of the plating solution can be increased in the vicinity of the diaphragm, and the separation of bubbles adhering to the diaphragm can be promoted.
形態12によれば、 めっき槽において隔膜の下方側に区画されたアノード室に設けられためっき液の供給口から排出口に向かうめっき液の流れを形成すること、 前記めっき液の流れによって前記隔膜に隣接した位置で吹流しを揺動させ、前記隔膜の前記アノード室側の面に付着した気泡をはたいて大きな気泡にまとめて、めっき液の流れによって前記出口から排出すること、を含むめっき方法が提供される。
この形態によれば、形態1で述べたと同様の作用効果を奏する。According to
According to this form, the same action and effect as described in the first form are obtained.
形態13によれば、 めっき槽において隔膜の下方側に区画されたアノード室に設けられためっき液の供給口から排出口に向かうめっき液の流れを形成すること、 前記アノード室において前記供給口から前記排出口に向かうめっき液の流れを横切るように配置された棒状の遮蔽部材によって、前記遮蔽部材の下流側にカルマン渦を発生させ、前記隔膜の前記アノード室側の面に付着した気泡を引き剥がして前記排出口から排出すること、を含むめっき方法が提供される。
この形態によれば、形態7で述べたと同様の作用効果を奏する。According to the thirteenth aspect, forming a flow of the plating solution from the supply port of the plating solution provided in the anode chamber partitioned on the lower side of the diaphragm in the plating tank to the discharge port, from the supply port in the anode chamber. A rod-shaped shielding member arranged so as to cross the flow of the plating solution toward the discharge port generates a Karman vortex on the downstream side of the shielding member and attracts air bubbles adhering to the surface of the diaphragm on the anode chamber side. A plating method including peeling and discharging from the discharge port is provided.
According to this form, the same action and effect as described in the form 7 can be obtained.
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、上記した発明の実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその均等物が含まれることはもちろんである。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、実施形態および変形例の任意の組み合わせが可能であり、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。 Although the embodiments of the present invention have been described above, the embodiments of the invention described above are for facilitating the understanding of the present invention and do not limit the present invention. The present invention can be modified and improved without departing from the spirit thereof, and it goes without saying that the present invention includes an equivalent thereof. In addition, any combination of embodiments and modifications is possible within a range that can solve at least a part of the above-mentioned problems, or a range that exhibits at least a part of the effect, and is described in the claims and the specification. Any combination of each component or omission is possible.
10 めっき槽
12 隔膜
15 アノード用供給口
16 アノード用排出口
20 基板ホルダ
30 アノード
40 電源
50 吹流し
51 細長部材
51a 棒状部材
51b 蝶番
53 バルーン状の浮き
54 スプーン状の浮き
60 固定端
80 遮蔽部材
400 めっきモジュール
1000 めっき装置10
Claims (13)
前記めっき槽を上下に仕切る隔膜と、
前記隔膜よりも下方側に区画された前記アノード室に配置されたアノードと、
前記アノード室よりも上方に配置されて、カソードとしての基板を保持する基板ホルダと、
前記アノード室にめっき液を導入する供給口と、
前記アノード室からめっき液を排出する排出口と、
前記アノード室に設けられ、前記供給口から前記排出口に向かうめっき液の流れによって揺れ動く1又は複数の吹流しと、
を備え、
前記吹流しは、その一端が、めっき液の流れの上流側で前記隔膜に隣接して固定されている、
めっき装置。With the plating tank,
The diaphragm that divides the plating tank up and down,
An anode arranged in the anode chamber partitioned below the diaphragm, and
A substrate holder that is arranged above the anode chamber and holds the substrate as a cathode,
A supply port for introducing the plating solution into the anode chamber and
An outlet for discharging the plating solution from the anode chamber and a discharge port
One or more windsocks provided in the anode chamber and swayed by the flow of the plating solution from the supply port to the discharge port.
Equipped with
One end of the windsock is fixed adjacent to the diaphragm on the upstream side of the flow of the plating solution.
Plating equipment.
前記1又は複数の吹流しの少なくとも1つの吹流しは、リボン状の部材である、めっき装置。In the plating apparatus according to claim 1,
At least one stream of the one or more stream is a ribbon-shaped member, a plating apparatus.
前記1又は複数の吹流しの少なくとも1つの吹流しは、ひも状の部材である、めっき装置。In the plating apparatus according to claim 1,
A plating device in which at least one stream of the one or more stream is a string-like member.
前記1又は複数の吹流しの少なくとも吹流しは、複数の棒状の部材が蝶番で互いに連結され、水平方向に揺れ動く構成を有する、めっき装置。In the plating apparatus according to claim 1,
At least the windsock of the one or more windsocks is a plating apparatus having a structure in which a plurality of rod-shaped members are connected to each other by hinges and swing in the horizontal direction.
前記1又は複数の吹流しの少なくとも吹流しは、バルーン状の浮きを有する、めっき装置。In the plating apparatus according to claim 1,
A plating apparatus in which at least one of the above-mentioned one or a plurality of windsocks has a balloon-like float.
前記1又は複数の吹流しの少なくとも吹流しは、スプーン状の浮きを有する、めっき装置。In the plating apparatus according to claim 1,
A plating device, wherein at least one of the one or more streamers has a spoon-like float.
前記めっき槽を上下に仕切る隔膜と、
前記隔膜よりも下方側に区画された前記アノード室に配置されたアノードと、
前記アノード室よりも上方に配置されて、カソードとしての基板を保持する基板ホルダと、
前記アノード室にめっき液を導入する供給口と、
前記アノード室からめっき液を排出する排出口と、
前記アノード室において前記供給口から前記排出口に向かうめっき液の流れを横切るように配置された棒状の遮蔽部材であって、遮蔽部材の下流にカルマン渦を発生させるように構成されている1又は複数の遮蔽部材と、
を備えるめっき装置。With the plating tank,
The diaphragm that divides the plating tank up and down,
An anode arranged in the anode chamber partitioned below the diaphragm, and
A substrate holder that is arranged above the anode chamber and holds the substrate as a cathode,
A supply port for introducing the plating solution into the anode chamber and
An outlet for discharging the plating solution from the anode chamber and a discharge port
A rod-shaped shielding member arranged so as to cross the flow of the plating solution from the supply port to the discharge port in the anode chamber, and is configured to generate a Karman vortex downstream of the shielding member. With multiple shielding members,
A plating device equipped with.
前記1又は複数の遮蔽部材は、前記隔膜に平行に配置されている、めっき装置。In the plating apparatus according to claim 7,
The plating apparatus in which the one or a plurality of shielding members are arranged in parallel with the diaphragm.
前記1又は複数の遮蔽部材は、複数の遮蔽部材を有し、
前記複数の遮蔽部材は、断面視において千鳥状に互い違いに配置されている、めっき装置。In the plating apparatus according to claim 7 or 8.
The one or more shielding members have a plurality of shielding members, and the shielding member has a plurality of shielding members.
A plating device in which the plurality of shielding members are arranged in a staggered manner in a cross-sectional view.
前記1又は複数の遮蔽部材の少なくとも1つの遮蔽部材は、断面視において、前記めっき液の流れの上流側に開口するC字形状を有する、めっき装置。In the plating apparatus according to any one of claims 7 to 9.
The plating apparatus having at least one shielding member of the one or a plurality of shielding members having a C-shape opening on the upstream side of the flow of the plating solution in a cross-sectional view.
前記1又は複数の遮蔽部材の少なくとも1つの遮蔽部材は、断面視において、前記隔膜側に凸で、隔膜側の断面周長が前記アノード側の断面周長よりも長い翼形状を有する、めっき装置。In the plating apparatus according to any one of claims 7 to 9.
The plating apparatus having at least one shielding member of the one or a plurality of shielding members having a blade shape that is convex toward the diaphragm side and has a cross-sectional peripheral length on the diaphragm side longer than the cross-sectional peripheral length on the anode side in a cross-sectional view. ..
前記めっき液の流れによって前記隔膜に隣接した位置で吹流しを揺動させ、前記隔膜の前記アノード室側の面に付着した気泡をはたいて大きな気泡にまとめて、めっき液の流れによって前記出口から排出すること、
を含むめっき方法。Forming a flow of plating solution from the supply port to the discharge port of the plating solution provided in the anode chamber partitioned on the lower side of the diaphragm in the plating tank.
The stream is swung at a position adjacent to the diaphragm by the flow of the plating solution, and bubbles adhering to the surface of the diaphragm on the anode chamber side are beaten to form large bubbles, and the flow of the plating solution is used from the outlet. To discharge,
Plating method including.
前記アノード室において前記供給口から前記排出口に向かうめっき液の流れを横切るように配置された棒状の遮蔽部材によって、前記遮蔽部材の下流側にカルマン渦を発生させ、前記隔膜の前記アノード室側の面に付着した気泡を引き剥がして前記排出口から排出すること、
を含むめっき方法。Forming a flow of plating solution from the supply port to the discharge port of the plating solution provided in the anode chamber partitioned on the lower side of the diaphragm in the plating tank.
A rod-shaped shielding member arranged so as to cross the flow of the plating solution from the supply port to the discharge port in the anode chamber generates a Karman vortex on the downstream side of the shielding member, and the anode chamber side of the diaphragm. Peel off the air bubbles adhering to the surface of the surface and discharge it from the outlet.
Plating method including.
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