JP7002542B2 - 化学蒸着反応器の中にガスを搬送するための装置 - Google Patents

化学蒸着反応器の中にガスを搬送するための装置 Download PDF

Info

Publication number
JP7002542B2
JP7002542B2 JP2019518071A JP2019518071A JP7002542B2 JP 7002542 B2 JP7002542 B2 JP 7002542B2 JP 2019518071 A JP2019518071 A JP 2019518071A JP 2019518071 A JP2019518071 A JP 2019518071A JP 7002542 B2 JP7002542 B2 JP 7002542B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conduit
gas
potential
reactor
conductive portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019518071A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2019533085A5 (ja
JP2019533085A (ja
Inventor
ナル、パトリス
ボレア、クリストフ
Original Assignee
コブス エスアエス
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by コブス エスアエス filed Critical コブス エスアエス
Publication of JP2019533085A publication Critical patent/JP2019533085A/ja
Publication of JP2019533085A5 publication Critical patent/JP2019533085A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7002542B2 publication Critical patent/JP7002542B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561Gas plumbing upstream of the reaction chamber
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C23C16/509Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C23C16/509Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
    • C23C16/5096Flat-bed apparatus
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244Gas supply means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458Vessel
    • H01J37/32477Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32908Utilities
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563Gas nozzles
    • C23C16/45565Shower nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332Coating
    • H01J2237/3321CVD [Chemical Vapor Deposition]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Description

本発明は、導管に流れるガスを電気的に調整するための化学蒸着反応器の中にガスを搬送するための装置に関する。より詳細には、本発明は、このような導管に流れるガスが、反応器の中に開口する該導管の出口で課された電位に起因して、過度の電場を局所的に受けることを防止することを可能にする、このような装置に関する。
化学蒸着は、そのアングロサクソン語の名称「Chemical Vapour Deposition」(CVD)によって一般的に参照される。特に、この方法は、特に半導体製造のために、反応ガスから化学反応を介して基板の表面に薄膜を堆積させるために使用されることができる。この場合、反応ガスは、例えば第1の注入路によって反応器の堆積チャンバの中に注入された前駆体ガスと、例えば第1の注入路とは別の第2の注入路によって反応器の堆積チャンバの中に注入された反応性ガスとを含んで、それが該堆積チャンバに入った後にのみそれは混合する。
CVD法の既存の変形の中においては、プラズマ化学蒸着(PECVD)法が特に興味深い。それは、2つの電極間又は電極として作用する装置の2つの部分間に充分に高い無線周波数電位(RFV)差を発生させる無線周波数源から電気エネルギーを供給することによる反応ガスからのプラズマの形成を含む。プラズマは、電子を高レベルの励起に維持することによって、熱エネルギーの供給を制限しながら、基板の表面における薄膜の堆積に必要なエネルギーを提供する。この結果、PECVD法は、CVD法の他の変形より著しく低い温度で実施されることができ、良質の層堆積を達成することを可能にする。
実際には、反応ガスをチャンバの中に注入するガス導管の出口は、一般的に無線周波数源によって無線周波数電位にされる。処理される基板は、ゼロの電位、又は少なくとも電気回路の接地電位に対応する電位を有する。この電位差は、プラズマをチャンバの内側に、反応ガスの電離を引き起こすことによって発生させる。後者は、前駆体ガスを解離させ、そして前駆体ガスの反応性ガスとの反応によって基板において所望の層を形成させ、この結果、基板の表面において層を形成させる。
しかし、ガス導管出口におけるVRF電位の存在は、反応ガスの、特に前駆体ガス及び/又は反応性ガスの、それらが反応器のチャンバに入る前であっても、それらのそれぞれの循環導管における部分電離を引き起こす可能性があるという欠点を有する。実際、導管の入口又は少なくともその出口の上流の部分がまた、電気回路の接地電位に対応するゼロ電位にある。導管の出口と導管の上流部分との間のこの電位差が、ガス循環導管においてガスプラズマを形成させ、堆積の品質を低下させる可能性がある。
この問題を解決するために、ガス循環導管を取り囲む電気抵抗材料から作られたシースの形態を取ることができる抵抗スリーブを使用することが知られている。スリーブの総電気抵抗は、ガスにおけるエネルギー供給を制限し、この結果、絶縁破壊及びプラズマ形成の危険性を回避するように選択される。
例えば、特許文献1は、ガス導管の周りに該ガス導管に沿って線形勾配の電圧を形成するための抵抗シースの使用を説明する。
しかし、このような抵抗シースは、特に導管における圧力が(例えばパルスガス注入に起因して)変動するPECVDプロセスにおいては、導管においてプラズマ形成の危険性を防止することには充分ではない。実際、導管におけるガスの局所インピーダンスは圧力に依存するので、線形電圧勾配を課すことによっても局所的に絶縁破壊電圧に達する可能性がある。
米国特許第6,170,430号明細書 仏国特許第2930561号明細書
従って、本発明の目的は、該ガス循環導管におけるプラズマの形成を防止することが意図された導管に流れるガスの電気的調整を可能にするガス循環装置を提案することによって従来技術の不利な点を改善することである。
本発明の目的は、化学蒸着反応器の中にガスを搬送するためのガス循環装置であって、該装置は、無線周波数電位で分極されながら該反応器の中に開口することが意図された第1の端部と、基準電位で電気的に分極された第2の端部とを有する導管を備え、該装置は、無線周波数電位と基準電位との間の中間電位で該導管におけるガスを局所的に分極するように、第1の端部と第2の端部との間で導管に少なくとも1つの決定された電位を局所的に印加するための電位印加手段を更に備えることを特徴とする。
本明細書において、「電気的調整」は、導管に流れるガスに1つ以上の決定された電圧を課すことを意味する。
本発明による装置はまた、ガス注入圧力の著しい変動がある場合に、例えば該ガスのパルス注入の間に、ガス循環導管におけるプラズマの形成を防止することを目的とする。
一実施形態によれば、電位印加手段は、導管の一部に電位を課すように配置された少なくとも1つの電圧源を含む。
別の実施形態によれば、電位印加手段は、2つの端子に従って導管の第1の端部及び第2の端部の電位にそれぞれ電気的に接続された分圧器を備え、該分圧器は、直列に接続された複数の電気インピーダンスモジュールを備え、2つの連続する電気インピーダンスモジュール間の少なくとも1つの接合部は、導管に電気的に接続される。
装置は、有利には、抵抗、インダクタ、コイル、キャパシタという構成要素のうちの少なくとも1つを有する電気インピーダンスモジュールを備える。
一実施形態によれば、導管は、該導管に流れるガスと接触するように配置され、且つ電気絶縁部分によって囲まれるように配置された少なくとも1つの導電性部分を備える。
導管は、該導管の断面の形状を有する電気絶縁部分を備えてもよい。
加えて、導管は、該導管の断面の形状を有する導電性部分を備えてもよい。
一実施形態によれば、導管は、実質的に均一の内側断面を有する。
特に、導管は、管断面の形状を有する電気絶縁部分を備えてもよい。
一実施形態によれば、導管は、少なくとも1つのガス循環貫通チャンバを有する、導電性材料から作られた部品の形状を有する少なくとも1つの導電性部分を備える。
該貫通チャンバは、該導電性部分において非直線ガス経路を画定することができる。
一実施形態によれば、導管は、ガス循環を可能にする複数の開口を有する、導電性材料から作られた部品の形状を有する少なくとも1つの導電性部分を備える。
本発明の別の目的は、1つ以上のガス循環導管におけるプラズマの形成を回避することを可能にする、このような電気的調整装置を有する1つ以上のガス循環装置を備える、化学ガス堆積のための反応器を提案することである。
一実施形態によれば、該反応器は2つの電極を備え、その第1の電極が無線周波数源に接続され、且つその第2の電極が接地されて、第1の電極と前記第2の電極との間の電位差が、反応器の中に注入されたガスのプラズマを形成することを可能にする。
本発明の第3の目的は、上記反応器のような化学蒸着反応器のガス注入導管におけるプラズマの形成を回避するための方法に関し、該反応器は、該反応器に開口し、無線周波数電位に分極されている第1の端部、及び基準電位に電気的に分極されている第2の端部を有する導管を備える。該方法は、無線周波数電位と基準電位との間の中間電位で該導管においてガスを局所的に分極させるように、第1の端部と第2の端部との間で導管に少なくとも1つの所定の電位を局所的に印加するステップを含むことを特徴とする。
本発明の第4の主題は、上記の反応器によって実施される化学蒸着のための方法に関する。
この方法は、上記のようにガス循環装置を介して反応器の反応チャンバに予め位置決めされた基材の表面において反応することが意図された1つ以上のガスの注入を含む。
この結果、本発明は、導管における位置に従ってガスに所定の電位を課すことを可能にする。この結果、それは、導管に沿って任意の電位プロファイルを課すことを可能にする。
この結果、電位プロファイルは、線形、非線形、二次式、対数、等とすることができる。
電位プロファイルはまた、導管における位置に応じて、比例、反比例、又はガス圧力プロファイルの関数とすることができる。
課された電位プロファイルは、本質的に別々に線形である。特定の電位を各導電性部分に印加することによって、同様の決定された電位差が、2つの連続する導電性部分間のガスに課される。これが、導電性部分間の距離及び電位差に依存する局所電場を発生させる。
局所電位又は電場のプロファイルは、例えば、
- 連続する導電性部分を非等距離に配置することによって、又は言い換えれば、導電性部分間に可変若しくは異なる長さの絶縁部分を挿入することによって、及び/又は
- 異なる絶縁部分に対して異なる電位差を発生させるように導電性部分に電位を印加することによって
変調されることができる。この目的のために、例えば、分圧器は、異なる値の連続する電気インピーダンスモジュールと共に使用されることができる。
勿論、本発明はまた、
- 導管の全部又は一部において同じ長さを有する絶縁部分、及び/又は
- 導管の全部又は一部に亘って同じ値の連続する電気インピーダンスモジュール
で実施されることができる。
好ましくは、導電性部分はガスと直接接触し、これは、導管の印加電位の区分に亘って電荷の最適な流れ及び良好な均一性を保証する。
本発明の他の利点及び特徴は、添付の図面を参照して、例示的且つ非網羅的な例として与えられる以下の説明を読解する場合に明らかになる。
本発明の第1の目的によるガス循環導管の電気的調整装置の構造図であって、導管は、本発明の第2の目的によるプラズマ支援化学蒸着(PECVD)反応器の中に開口する。 導管の導電性部分の一実施形態を概略的に示す。
本発明の第1の主題は、化学蒸着反応器の中にガスを搬送するためのガス循環装置1に関し、その構造が図1に示される。
装置はガス導管2を備え、ガス導管2は、ガスを(図示されない)ソースから反応器のチャンバに、該導管の対称軸線と混同される矢印の方向に運ぶことが意図される。
ガス導管の入口3は、第1の端部に位置付けられ、示された実施形態においては電気回路の接地Gに対応する基準電位に接続される。従って、その電位Vはゼロである。
導管の出口4は、第2の端部に位置付けられ、高周波(典型的には13.56MHz)において電位V=VRFを課す無線周波数源RFに接続される。
この結果、ガス導管2は、その端子3と4との間にV-Vに等しい電位差を受ける。
導管に流れるガスの電気的調整は、該ガスにおいて決定された少なくとも1つの電位を局所的に課すことからなり、該電位は、無線周波数電位Vと基準電位Vとの中間にある。
導管に流れるガスは、電位が課される2つのゾーンの間で、導管内でのプラズマの発生の危険性を最小化するように充分に低い、電位差V-Vより低い電位差を受ける。
電位差V-Vは、有利には、導管に沿って位置付けられた、必要に応じて多くの電位差に分割されることができる。これは、導管における電場の局所値をより良好に監視又は制御することを可能にし、この電場が局所的であってもプラズマを発生させるための充分な強度に達しないことを保証することを可能にする。
この目的のために、導管は、該導管に流れるガスと接触するように配置され、且つ電気絶縁部分によって囲まれるように配置された少なくとも1つの導電性部分を備える。図1の実施形態においては、導電性部分は灰色で符号11によって示され、電気絶縁部分は白色で符号12によって示される。
好ましくは、各導電性部分は、チャネルを介して少なくとも1つのガス循環を内部に画定する導電性材料で作られた部品の形状を有する。外部的には、該導電性部分は、電位を印加するために適合された任意の手段を含む。当業者は、この目的のために任意の適切な電気コネクタを設計することができる。
ガスと導電性部分との間の接触表面が大きいほど、ガスへの該電位の印加がより効果的になる。従って、導電性部分がガス流の特定の長さに亘って該ガス流を完全に取り囲むことによって延伸することを保証することが好ましい。
この結果、有利には、該導電性部分は導管の区分を形成する。
この導電性部分の両側において電気絶縁部分があって、それらの各々は好ましくは導管の区分を形成する。
各電気絶縁部分は、従来の導管のように、有利には管断面の形状を有する。
好ましくは、導管は、実質的に均一な内側区分を有する。特に、循環装置は、導電性部分と電気絶縁部分との間のガス通路の区分における変動を回避するように設計される。これは、導管におけるガス流の乱流、従って壁における残留物堆積の危険性を制限することを可能にする。
装置1は、各導電性部分においてその第1の高端部3とその第2の低端部4との間の導管に少なくとも1つの決定された電位を局所的に印加するための手段を備える。電位印加手段は、図1においてV、V、V、Vで示される導管に沿って幾つかの電位が印加されることを可能にする。
2つの連続する電位V、V、V、V、V、及びVの間の差は、導管2が受ける電位差VRFの分画を表す。この結果、これらの電位差の合計は、ガス導管2の電位差VRFに等しい。
好ましくは、電位値は、導管におけるその第1の端部3からその第2の端部4のガス循環方向を考慮して、それに先行する電位値以上であってそれに続く電位値以下である。この場合、以下の不等式が検証される。
=0≦V≦V≦V≦V≦V=VRF
従って、(上流方向の)第1の導管部分は、V-Vに等しい電位差を受け、連続する隣接する導管部分は、V-V、V-V、V-V、及びV-Vに等しい電位差をそれぞれ受ける。
この結果、ガス導管2の電位差を少なくとも2つの分画に分割することによって、該導管に流れるガスに位置付けられた少なくとも1つの特定の電位を印加することによって、「電位ステップ」が形成される。
本発明の第1の実施形態(図示せず)によれば、電位印加手段は、ガス導管に沿って電位値を印加するための少なくとも1つの電圧源を備える。
本発明の第2の実施形態によれば、電位印加手段は、2つの連続する導電性部分間にガス導管に沿って分配され、直列に接続された複数のインピーダンスモジュールを備える。
「インピーダンスモジュール」は、電流の通過を妨げるという性質を有する任意の電気又は電子構成要素を参照する。
この結果、本発明の第2の実施形態によれば、インピーダンスモジュールは、例えば、抵抗、インダクタ、コイル、若しくはキャパシタ、又はこれらの構成要素の組み合わせを備えてもよい。
図1に示される実施形態において、電圧源は、ガス導管2の第1の端部3と第2の端部4との間に直列に接続された、符号10a、10b、10c、10d、及び10eの5つの抵抗を含む。2つの連続するインピーダンス間の各接合部は、ガスと接触する導管の導電性部分11に電気的に接続される。
図1における管としての導管2の表示は純粋に概略的であることに留意すべきである。言うまでもなく、導管の内部及び/又は外部形状は、上記の中間電位の印加を可能にし、且つ/又は導管の異なる部分を互いに接続するように適合されることができる。当業者は、これらの適合を画定することができる。
その上、導管2は図1において直線に示されるが、言うまでもなく、当業者は、本発明の範囲を逸脱することなく導管の幾何学形状を変えることできる。
特に、本発明は、非直線ガス経路を画定するように配置されるという意味で、いわゆる「非直線」貫通チャンバを有する少なくとも1つの導電性部分11を含んでもよい。
このような非直線貫通チャンバは、装置の長さに影響を与えることなく、一方では課された電位と接触するガス表面を増加させ、他方では課された電位と接触するガスの量を増加させるためにガス流に乱流を生じさせることを可能にする。
実施形態によれば、この貫通チャンバは、特に
- ガス流の方向(すなわち反対でない方向)に対して(少なくとも)オフセットされたガス入口及びガス出口
- ガス流の方向に対して(少なくとも)オフセットされたガス入口及びガス出口を有する円筒形の断面(又は他の任意の種類の断面)を有する空洞
を含むことができる。図2に示される別の実施形態によれば、導電性部分11は、例えば1つ以上の顕著な屈曲部を備え、且つガス流の方向に対してオフセットされたガス入口及びガス出口を接続する、非直線110貫通チャネルの形態の貫通チャンバを備える。当然ながら、言及された幾何学形状、特に図2に提示される幾何学形状は、特定の実施形態にのみ対応し、当業者は、注入条件及びプラズマ発生の危険性に従ってガス経路を調整することができる。
他の実施形態によれば、本発明は、少なくとも1つの切欠き又は格子状の導電性部分11を含んでもよく、或いは、ガスの該導電性部分11の通過を可能にする複数の開口を含んでもよい。これらの開口は、それらがガス流と同じ方向に配向されるという意味で長手方向とすることができる。このような対処はまた、装置の長さに影響を与えることなく、課された電位と接触するガスの量を増加させることを可能にする。
その上、異なる導電性部分11は、同じ幾何学形状を有する必要はない。同様に、異なる電気絶縁部分12は、同じ幾何学形状又は長さを有する必要はない。
本発明の第2の主題は、上記の1つ以上の装置1を備える、プラズマ支援化学蒸着(PECVD)法を実施するための反応器5に関する。
反応器5は、有利には、反応器のチャンバ13の中に開口してガスを分配するためのシャワーヘッド6を装備する。このシャワー6は、好ましくは2つのガス注入チャネルを備える。それは、1つ以上のガスライン2からガスを受け取り、それを反応器のチャンバの中に注入する。そうすることで、シャワーによって分配されたガスは、それが反応器のチャンバに入る場合にRFに等しい電位を有する。分配シャワーは、好ましくは、後続の堆積が実行される、反応チャンバ13における基板ホルダ7に予め設置された基板9の表面にガスを均一に分配するように適合される。
本発明において使用されることができる分配シャワーは、特許文献2で説明される。
有利には、反応器は2つの平行な電極を有し、その第1の電極は無線周波数源に接続され、その第2の電極は接地される。第1の電極と第2の電極との間の電位差は、ガス注入導管を介して反応器5の中に注入されるガスのプラズマを形成することを可能にする。
好ましくは、第1の電極は、注入チャネルを有するガス分配シャワー6を備える。第2の電極は、基板9と基板ホルダ7とを備える。
上記のような1つ以上のガス循環装置を備える反応器の利点は、この反応器によって実施されるプラズマ支援ガス堆積(PECVD)法のパラメータに適合された電場プロファイルを形成する可能性である。
PECVD法のパラメータは、例えば、前駆体ガスの性質とその注入圧力、反応性ガスの性質とその注入圧力、方法の動作温度、反応器の大きさ、反応器のチャンバにおける電極、又はガス注入導管出口の無線周波数電位RFによって発生する電場の強度を含む。
加えて、本発明は、ガスがインパルスに、又はパルスの形態で、経時的に同相又は異相で反応器のチャンバの中に注入される、プラズマ支援ガス堆積(PECVD)プロセスを効率的に実施することを可能にする。この場合においては、導管におけるガス密度は、ガスパルスが反応器のチャンバの中に注入されるか否かに応じて、経時的に非常に変動しやすい。この結果、導管における媒体の電気インピーダンスがまた、空間的及び/又は時間的に非常に変動しやすくなり、プラズマの点火を引き起こすための充分に強い電場の出現を局所的に可能にすることができる。この場合においては、本発明は、導管における任意の点に存在する電位差を局所的に制御することによって、このような過度の電場の出現を回避することを可能にする。

Claims (15)

  1. 化学蒸着反応器の中にガスを搬送するためのガス装置(1)であって、
    無線周波数電位(V)で分極されながら前記反応器の中に開口する第1の端部(4)と、基準電位(V)で電気的に分極された第2の端部(3)とを有する導管(2)を備え、
    前記導管は、少なくとも1つの導電性部分(11)及び電気絶縁部分(12)を備え、前記少なくとも1つの導電性部分(11)及び前記電気絶縁部分(12)は、前記導管の異なる区分を形成し、導電性部分の両側に電気絶縁部分があるように配置され、前記少なくとも1つの導電性部分は、前記導管を流れる前記ガスと接触するように配置され
    前記装置は、前記無線周波数電位と前記基準電位との間の中間電位で前記導管における前記ガスを局所的に分極するように、前記第1の端部と前記第2の端部との間で前記導管(2)に少なくとも1つの決定された電位を局所的に印加するための電位印加手段(10a~10e)を更に備えることを特徴とする、装置。
  2. 前記電位印加手段は、前記導管の一部に電位を課すように配置された少なくとも1つの電圧源を備えることを特徴とする、請求項1に記載の装置。
  3. 前記電位印加手段は、2つの端子に従って前記導管の前記第1の端部及び前記第2の端部の電位にそれぞれ電気的に接続された分圧器を備え、前記分圧器は、直列に接続された複数の電気インピーダンスモジュールを備え、2つの連続する電気インピーダンスモジュール間の少なくとも1つの接合部は、前記導管に電気的に接続されていることを特徴とする、請求項1に記載の装置。
  4. 前記装置は、抵抗、インダクタ、コイル、キャパシタという構成要素のうちの少なくとも1つを有する電気インピーダンスモジュールを備えることを特徴とする、請求項3に記載の装置。
  5. 前記導管は、前記導管の断面の形状を有する電気絶縁部分を備えることを特徴とする、請求項1に記載の装置。
  6. 前記導管は、前記導管の断面の形状を有する導電性部分を備えることを特徴とする、請求項1~5の何れか一項に記載の装置。
  7. 前記導管は、実質的に均一の内側断面を有することを特徴とする、請求項1~6の何れか一項に記載の装置。
  8. 前記導管は、管断面の形状を有する電気絶縁部分を備えることを特徴とする、請求項1~7の何れか一項に記載の装置。
  9. 前記導管は、ガスのための少なくとも1つの貫通チャンバ(110)を有する、導電性材料から作られた部品の形状を有する少なくとも1つの導電性部分を備えることを特徴とする、請求項1~8の何れか一項に記載の装置。
  10. 前記貫通チャンバは、前記導電性部分において非直線ガス経路を画定することを特徴とする、請求項9に記載の装置。
  11. 前記導管は、ガスを可能にする複数の開口を有する、導電性材料から作られた部品の形状を有する少なくとも1つの導電性部分を備えることを特徴とする、請求項1~10の何れか一項に記載の装置。
  12. 化学蒸着法を実施するための反応器であって、反応チャンバと少なくとも1つの請求項1~11の何れか一項に記載のガス装置とを備えることを特徴とする反応器。
  13. 前記反応器は2つの電極を備え、その第1の電極が無線周波数源に接続され、且つその第2の電極が接地されて、前記第1の電極と前記第2の電極との間の電位差が、前記反応器の中に注入された前記ガスのプラズマを形成することを可能にすることを特徴とする、請求項12に記載の反応器。
  14. 化学蒸着反応器にガスを搬送するためのガス装置におけるプラズマ形成を防止するための方法であって、前記ガス装置は、無線周波数電位(V)で分極されながら前記反応器の中に開口する第1の端部と、基準電位(V)で電気的に分極された第2の端部とを有する導管を備え、
    前記導管は、少なくとも1つの導電性部分(11)及び電気絶縁部分(12)を備え、前記少なくとも1つの導電性部分(11)及び前記電気絶縁部分(12)は、前記導管の異なる区分を形成し、導電性部分の両側に電気絶縁部分があるように配置され、前記少なくとも1つの導電性部分は、前記導管を流れる前記ガスと接触するように配置され
    前記方法は、前記無線周波数電位と前記基準電位との間の中間電位に前記導管における前記ガスを局所的に分極するように、前記第1の端部と前記第2の端部との間で前記導管に少なくとも1つの決定された電位を局所的に印加するステップを含むことを特徴とする、方法。
  15. 化学蒸着のための方法であって、前記方法は、請求項12又は13に記載の反応器において実施され、請求項1~11の何れか一項に記載のガス装置を介して、前記反応器の反応チャンバに予め位置決めされた基板の表面における反応のためのガスを注入するステップを含む方法。
JP2019518071A 2016-10-04 2017-09-29 化学蒸着反応器の中にガスを搬送するための装置 Active JP7002542B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1659559 2016-10-04
FR1659559A FR3056993B1 (fr) 2016-10-04 2016-10-04 Dispositif pour amener un gaz dans un reacteur de depot chimique en phase gazeuse
PCT/EP2017/074799 WO2018065315A1 (fr) 2016-10-04 2017-09-29 Dispositif pour amener un gaz dans un reacteur de depot chimique en phase gazeuse

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2019533085A JP2019533085A (ja) 2019-11-14
JP2019533085A5 JP2019533085A5 (ja) 2020-07-30
JP7002542B2 true JP7002542B2 (ja) 2022-02-21

Family

ID=57796502

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019518071A Active JP7002542B2 (ja) 2016-10-04 2017-09-29 化学蒸着反応器の中にガスを搬送するための装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20200347500A1 (ja)
EP (1) EP3523457B1 (ja)
JP (1) JP7002542B2 (ja)
KR (1) KR102430407B1 (ja)
CN (1) CN109844173B (ja)
FR (1) FR3056993B1 (ja)
WO (1) WO2018065315A1 (ja)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007077502A (ja) 2005-09-06 2007-03-29 Applied Materials Inc 基板堆積装置において高周波数チョークを使用するための装置および方法
US20090151636A1 (en) 2007-11-16 2009-06-18 Applied Materials, Inc. Rpsc and rf feedthrough
US20090324847A1 (en) 2006-05-09 2009-12-31 Applied Materials, Inc. Method of avoiding a parasitic plasma in a plasma source gas supply conduit
JP2010534390A (ja) 2007-07-20 2010-11-04 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド プラズマ処理装置内のrf駆動型電極へのガス配送用のrfチョーク
WO2011149615A2 (en) 2010-05-24 2011-12-01 Applied Materials, Inc. Hybrid hotwire chemical vapor deposition and plasma enhanced chemical vapor deposition method and apparatus

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5000113A (en) * 1986-12-19 1991-03-19 Applied Materials, Inc. Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process
US5755886A (en) * 1986-12-19 1998-05-26 Applied Materials, Inc. Apparatus for preventing deposition gases from contacting a selected region of a substrate during deposition processing
US6170430B1 (en) 1999-04-13 2001-01-09 Applied Materials, Inc. Gas feedthrough with electrostatic discharge characteristic
FR2930561B1 (fr) 2008-04-28 2011-01-14 Altatech Semiconductor Dispositif et procede de traitement chimique en phase vapeur.
WO2010058560A1 (ja) * 2008-11-20 2010-05-27 株式会社エバテック プラズマ処理装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007077502A (ja) 2005-09-06 2007-03-29 Applied Materials Inc 基板堆積装置において高周波数チョークを使用するための装置および方法
US20090324847A1 (en) 2006-05-09 2009-12-31 Applied Materials, Inc. Method of avoiding a parasitic plasma in a plasma source gas supply conduit
JP2010534390A (ja) 2007-07-20 2010-11-04 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド プラズマ処理装置内のrf駆動型電極へのガス配送用のrfチョーク
US20090151636A1 (en) 2007-11-16 2009-06-18 Applied Materials, Inc. Rpsc and rf feedthrough
WO2011149615A2 (en) 2010-05-24 2011-12-01 Applied Materials, Inc. Hybrid hotwire chemical vapor deposition and plasma enhanced chemical vapor deposition method and apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR102430407B1 (ko) 2022-08-05
CN109844173A (zh) 2019-06-04
US20200347500A1 (en) 2020-11-05
EP3523457B1 (fr) 2020-02-12
JP2019533085A (ja) 2019-11-14
FR3056993A1 (fr) 2018-04-06
CN109844173B (zh) 2022-02-22
WO2018065315A1 (fr) 2018-04-12
EP3523457A1 (fr) 2019-08-14
KR20190059945A (ko) 2019-05-31
FR3056993B1 (fr) 2018-10-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109427533B (zh) 衬底处理设备
US6293222B1 (en) Remote-plasma-CVD method for coating or for treating large-surface substrates and apparatus for performing same
KR102217492B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 성막 방법
US8770142B2 (en) Electrode for generating plasma and plasma generator
EP0533044B1 (de) Verfahren zur Schutzbeschichtung von Substraten sowie Beschichtungsanlage
WO2013156924A1 (de) Mikrowellenplasmaerzeugungsvorrichtung und verfahren zu deren betrieb
US6344420B1 (en) Plasma processing method and plasma processing apparatus
JP2005235755A (ja) マイクロウェーブ供給装置、それを用いたプラズマ工程装置及びプラズマ工程方法
KR101974289B1 (ko) 성막 장치에의 가스 분사 장치
CN107432076A (zh) 微波等离子体处理装置
JP7002542B2 (ja) 化学蒸着反応器の中にガスを搬送するための装置
KR20160013002A (ko) 플라즈마 처리 장치
KR101353684B1 (ko) 플라즈마 발생장치 및 방법
TW200937493A (en) RPSC and RF feedthrough
KR102354879B1 (ko) 배치식 기판처리장치
EP1548150A1 (en) Plasma processing system and its substrate processing process, plasma enhanced chemical vapor deposition system and its film deposition process
JPH11293469A (ja) 表面処理装置および表面処理方法
US10440808B2 (en) High power impulse plasma source
TWI817218B (zh) 用於容納寄生電漿形成的半導體處理腔室及處理方法
EP1665324B1 (de) Ecr-plasmaquelle mit linearer plasmaaustrittsöffnung
KR102418947B1 (ko) 배치식 기판처리장치
JP5286733B2 (ja) プラズマ処理装置
KR102194604B1 (ko) 배치식 기판처리장치
JP2004022638A (ja) プラズマ処理装置
DE102011004749B4 (de) Plasmabearbeitungsvorrichtung und Plasmabearbeitungsverfahren

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200622

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200622

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210622

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210629

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210928

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20211202

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20211227

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7002542

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150