JP7001937B2 - Luminescent device - Google Patents

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Description

本開示は、発光装置に関する。 The present disclosure relates to a light emitting device.

下記の特許文献1は、共通のサファイア基板上にGaN系化合物半導体を堆積することにより複数の発光素子が形成されたブロック発光素子をサブマウント素子に搭載した複合発光素子を開示している。特許文献1の例えば0006段落および0007段落の説明から理解されるように、それぞれが活性層を含む、GaN系化合物半導体の複数の発光構造を共通のサファイア基板上に形成することは、より大きな光束を得る観点において、サファイア基板上に単一の発光構造を形成する構成と比較して一般に有利である。 The following Patent Document 1 discloses a composite light emitting device in which a block light emitting device in which a plurality of light emitting devices are formed by depositing a GaN-based compound semiconductor on a common sapphire substrate is mounted on a submount element. As can be understood from the explanations in paragraphs 0006 and 0007 of Patent Document 1, for forming a plurality of light emitting structures of a GaN-based compound semiconductor, each containing an active layer, on a common sapphire substrate has a larger luminous flux. In view of obtaining the above, it is generally advantageous as compared with the configuration in which a single light emitting structure is formed on the sapphire substrate.

特許文献1に記載のサブマウント素子は、シリコン基板から形成され、上面側にn側電極およびp側電極のパターンを有する。ブロック発光素子中の複数の発光素子のそれぞれは、サファイア基板とは反対側に設けられた電極がバンプによってサブマウント素子の電極パターンに接合されることにより、サブマウント素子に実装される。 The submount element described in Patent Document 1 is formed of a silicon substrate and has a pattern of an n-side electrode and a p-side electrode on the upper surface side. Each of the plurality of light emitting elements in the block light emitting element is mounted on the submount element by joining an electrode provided on the opposite side to the sapphire substrate to the electrode pattern of the submount element by a bump.

特開2002-270905号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2002-270905

特許文献1に記載のブロック発光素子のようにそれぞれが電気的に独立した複数の半導体発光構造を有する素子において、サブマウント素子等の、電極パターンを有する支持体への実装後に、複数の半導体発光構造のそれぞれについて個別にリーク電流の有無等を検証できると有益である。 In an element having a plurality of electrically independent semiconductor light emitting structures such as the block light emitting element described in Patent Document 1, a plurality of semiconductor light emitting devices are emitted after mounting on a support having an electrode pattern such as a submount element. It would be useful to be able to individually verify the presence or absence of leak current for each structure.

本開示のある実施形態による発光装置は、上面を有する発光素子であって、それぞれが前記発光素子の前記上面とは反対側に第1電極と前記第1電極とは異なる極性の第2電極とを有し、かつ、互いに電気的に分離された複数の半導体発光構造を含む発光素子と、前記発光素子を支持する基板とを備え、前記複数の半導体発光構造は、第1半導体発光構造および第2半導体発光構造を含み、前記基板は、第1ランドが設けられた第1配線部、第2ランドおよび第3ランドが設けられた第2配線部、ならびに、第4ランドが設けられた第3配線部を含むランドパターンを有する配線層と、前記配線層の一部を覆う第1反射部材であって、開口が設けられた第1反射部材とを有し、前記発光素子は、上面視において前記第1反射部材の前記開口の内側に位置し、前記第1配線部の前記第1ランドの一部は、前記第1反射部材の前記開口において露出され、かつ、前記第1半導体発光構造の第1電極に接続されており、前記第2配線部の前記第2ランドの一部および前記第3ランドの一部は、前記第1反射部材の前記開口において露出され、かつ、前記第1半導体発光構造の第2電極および前記第2半導体発光構造の第1電極にそれぞれ接続されており、前記第3配線部の前記第4ランドの一部は、前記第1反射部材の前記開口において露出され、かつ、前記第2半導体発光構造の第2電極に接続されている。 The light emitting device according to the embodiment of the present disclosure is a light emitting element having an upper surface, each of which has a first electrode and a second electrode having a polarity different from that of the first electrode on the side opposite to the upper surface of the light emitting element. A light emitting element including a plurality of semiconductor light emitting structures electrically separated from each other and a substrate supporting the light emitting element are provided, and the plurality of semiconductor light emitting structures include a first semiconductor light emitting structure and a first semiconductor light emitting structure. The substrate includes two semiconductor light emitting structures, and the substrate is provided with a first wiring portion provided with a first land, a second wiring portion provided with a second land and a third land, and a third land provided with a fourth land. The light emitting element has a wiring layer having a land pattern including a wiring portion, a first reflection member covering a part of the wiring layer, and a first reflection member provided with an opening, and the light emitting element is viewed from above. A part of the first land of the first wiring portion, which is located inside the opening of the first reflecting member, is exposed in the opening of the first reflecting member and has the first semiconductor light emitting structure. A part of the second land and a part of the third land of the second wiring portion connected to the first electrode are exposed in the opening of the first reflective member, and the first semiconductor is used. It is connected to the second electrode of the light emitting structure and the first electrode of the second semiconductor light emitting structure, respectively, and a part of the fourth land of the third wiring portion is exposed at the opening of the first reflecting member. And, it is connected to the second electrode of the second semiconductor light emitting structure.

本開示の実施形態によれば、電極パターンを有する支持体への実装後においても、複数の半導体発光構造を有する発光素子中の各半導体発光構造の検査が容易な発光装置が提供される。 According to the embodiment of the present disclosure, there is provided a light emitting device that facilitates inspection of each semiconductor light emitting structure in a light emitting element having a plurality of semiconductor light emitting structures even after mounting on a support having an electrode pattern.

本開示の実施形態による発光装置の発光素子の周辺を拡大して示す模式的な上面図である。It is a schematic top view which enlarges and shows the periphery of the light emitting element of the light emitting device by embodiment of this disclosure. 本開示の実施形態による発光装置の模式的な断面図である。It is a schematic cross-sectional view of the light emitting device by embodiment of this disclosure. 図1および図2に示す発光素子を取り出して示す模式的な上面透視図である。It is a schematic top view which shows by taking out the light emitting element shown in FIGS. 1 and 2. 図3に示す発光素子を図3のYZ面に平行に切断したときの断面を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the cross section when the light emitting element shown in FIG. 3 is cut parallel to the YZ plane of FIG. 図1および図2に示す発光装置の等価回路を示す図である。It is a figure which shows the equivalent circuit of the light emitting device shown in FIGS. 1 and 2. 本開示の実施形態による発光装置の変形例を示す模式的な断面図である。It is a schematic cross-sectional view which shows the modification of the light emitting device by embodiment of this disclosure. 本開示の実施形態による発光装置のさらに他の変形例を示す模式的な断面図である。It is a schematic cross-sectional view which shows the further modification of the light emitting device by embodiment of this disclosure. 本開示の実施形態による発光装置の他の変形例を示す模式的な上面図である。It is a schematic top view which shows the other modification of the light emitting device by embodiment of this disclosure. 本開示の実施形態による発光装置のさらに他の変形例を示す模式的な上面図である。It is a schematic top view which shows the further modification of the light emitting device by embodiment of this disclosure. 本開示の実施形態による発光装置のさらに他の変形例を示す模式的な上面図である。It is a schematic top view which shows the further modification of the light emitting device by embodiment of this disclosure. 本開示の実施形態による発光装置のさらに他の変形例を示す模式的な上面図である。It is a schematic top view which shows the further modification of the light emitting device by embodiment of this disclosure. 本開示の実施形態による発光装置のさらに他の変形例を示す模式的な上面図である。It is a schematic top view which shows the further modification of the light emitting device by embodiment of this disclosure. 本開示の実施形態による発光装置のさらに他の変形例を示す模式的な断面図である。It is a schematic cross-sectional view which shows the further modification of the light emitting device by embodiment of this disclosure. 図13に示す発光装置の二次元配列を有する集積型発光装置の例を示す模式的な上面図である。FIG. 3 is a schematic top view showing an example of an integrated light emitting device having a two-dimensional array of light emitting devices shown in FIG. 13. 本開示の実施形態による集積型発光装置のさらに他の例を示す模式的な断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing still another example of the integrated light emitting device according to the embodiment of the present disclosure. 図15に示す集積型発光装置に用いるハーフミラーの一部を示す模式的な平面図である。FIG. 15 is a schematic plan view showing a part of a half mirror used in the integrated light emitting device shown in FIG. 本開示の実施形態による集積型発光装置のさらに他の例を示す模式的な断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing still another example of the integrated light emitting device according to the embodiment of the present disclosure.

以下、図面を参照しながら、本開示の実施形態を詳細に説明する。以下の実施形態は、例示であり、本開示による発光装置は、以下の実施形態に限られない。例えば、以下の実施形態で示される数値、形状、材料、ステップ、そのステップの順序などは、あくまでも一例であり、技術的に矛盾が生じない限りにおいて種々の改変が可能である。 Hereinafter, embodiments of the present disclosure will be described in detail with reference to the drawings. The following embodiments are examples, and the light emitting device according to the present disclosure is not limited to the following embodiments. For example, the numerical values, shapes, materials, steps, the order of the steps, and the like shown in the following embodiments are merely examples, and various modifications can be made as long as there is no technical contradiction.

図面が示す構成要素の寸法、形状等は、わかり易さのために誇張されている場合があり、実際の発光装置における寸法、形状および構成要素間の大小関係を反映していない場合がある。また、図面が過度に複雑になることを避けるために、一部の要素の図示を省略することがある。 The dimensions, shapes, etc. of the components shown in the drawings may be exaggerated for the sake of clarity, and may not reflect the dimensions, shapes, and magnitude relationships between the components in an actual light emitting device. In addition, some elements may be omitted in order to prevent the drawings from becoming excessively complicated.

以下の説明において、実質的に同じ機能を有する構成要素は共通の参照符号で示し、説明を省略することがある。以下の説明では、特定の方向または位置を示す用語(例えば、「上」、「下」、「右」、「左」およびそれらの用語を含む別の用語)を用いる場合がある。しかしながら、それらの用語は、参照した図面における相対的な方向または位置をわかり易さのために用いているに過ぎない。参照した図面における「上」、「下」等の用語による相対的な方向または位置の関係が同一であれば、本開示以外の図面、実際の製品、製造装置等において、参照した図面と同一の配置でなくてもよい。本開示において「平行」とは、特に他の言及がない限り、2つの直線、辺、面等が0°から±5°程度の範囲にある場合を含む。また、本開示において「垂直」または「直交」とは、特に他の言及がない限り、2つの直線、辺、面等が90°から±5°程度の範囲にある場合を含む。 In the following description, components having substantially the same function are indicated by common reference numerals, and the description may be omitted. In the following description, terms indicating a specific direction or position (eg, "top", "bottom", "right", "left" and other terms including those terms) may be used. However, those terms use relative orientation or position in the referenced drawings for clarity only. If the relative directions or positional relationships in terms such as "upper" and "lower" in the referenced drawings are the same, the drawings other than the present disclosure, actual products, manufacturing equipment, etc. are the same as the referenced drawings. It does not have to be an arrangement. In the present disclosure, "parallel" includes the case where two straight lines, sides, surfaces, etc. are in the range of about 0 ° to ± 5 ° unless otherwise specified. Further, in the present disclosure, "vertical" or "orthogonal" includes the case where two straight lines, sides, planes, etc. are in the range of about 90 ° to ± 5 ° unless otherwise specified.

図1および図2は、本開示の実施形態による発光装置を模式的に示す。参考のために、図1および図2には、互いに直交するX方向、Y方向およびZ方向を示す矢印が描かれている。本開示の他の図面においてもこれらの矢印を示すことがある。図1は、本開示の実施形態による発光装置を上面側から見た外観を模式的に示しており、図2は、図1に示す発光装置を図のZX面に平行に切断したときの断面を模式的に示す。図2に示す断面は、図1のII-II断面に相当する。 1 and 2 schematically show a light emitting device according to the embodiment of the present disclosure. For reference, FIGS. 1 and 2 have arrows indicating the X, Y, and Z directions orthogonal to each other. Other drawings of the present disclosure may also indicate these arrows. FIG. 1 schematically shows the appearance of the light emitting device according to the embodiment of the present disclosure as viewed from the upper surface side, and FIG. 2 shows a cross section when the light emitting device shown in FIG. 1 is cut in parallel with the ZX plane in the figure. Is schematically shown. The cross section shown in FIG. 2 corresponds to the II-II cross section of FIG.

図1および図2に示す発光装置100Aは、概略的には、発光素子110Aと、発光素子110Aを支持する基板150とを有する。図2に示すように、基板150は、上面150aおよび上面150aとは反対側に位置する下面150bを有し、上面150a側に配線層153Aを有している。基板150は、さらに、配線層153Aの一部を覆う第1反射部材154を有する。ここでは、第1反射部材154は、概ね層状を有しており、その一部に開口154zが設けられている。基板150の配線層153Aの一部は、第1反射部材154の開口154zの内側において露出されている。 The light emitting device 100A shown in FIGS. 1 and 2 generally includes a light emitting element 110A and a substrate 150 that supports the light emitting element 110A. As shown in FIG. 2, the substrate 150 has an upper surface 150a and a lower surface 150b located on the opposite side of the upper surface 150a, and has a wiring layer 153A on the upper surface 150a side. The substrate 150 further has a first reflective member 154 that covers a part of the wiring layer 153A. Here, the first reflective member 154 has a substantially layered shape, and an opening 154z is provided in a part thereof. A part of the wiring layer 153A of the substrate 150 is exposed inside the opening 154z of the first reflective member 154.

図1に示すように、発光素子110Aは、上面視において第1反射部材154の開口154zの内側に配置され、基板150上に実装される。発光素子110Aは、ハンダ等の接合部材を介して、基板150の配線層153Aに電気的に接続される。なお、この例では、発光素子110Aの全体は、透光部材160の凹部160r内に配置されることによって、透光部材160によって覆われている。 As shown in FIG. 1, the light emitting element 110A is arranged inside the opening 154z of the first reflective member 154 in a top view and is mounted on the substrate 150. The light emitting element 110A is electrically connected to the wiring layer 153A of the substrate 150 via a joining member such as solder. In this example, the entire light emitting element 110A is covered by the translucent member 160 by being arranged in the recess 160r of the translucent member 160.

図1に例示する構成において、配線層153Aは、第1配線部31、第2配線部32および第3配線部33を含むランドパターンを有する。第1配線部31は、その一部に第1ランドL1を有する。ここで、本明細書における「ランド」とは、配線層のうち線状の配線と比較して比較的大きな面積を有する島状の構造を指す。配線層153Aの第2配線部32は、第2ランドL2、第3ランドL3および接続部30を有し、第3配線部33は、第4ランドL4を有する。図1に模式的に示すように、第1ランドL1、第2ランドL2、第3ランドL3および第4ランドL4の一部は、第1反射部材154の開口154zにおいて露出されている。後述するように、第1ランドL1、第2ランドL2、第3ランドL3および第4ランドL4には、発光素子110Aの電極が接続される。 In the configuration exemplified in FIG. 1, the wiring layer 153A has a land pattern including a first wiring unit 31, a second wiring unit 32, and a third wiring unit 33. The first wiring unit 31 has a first land L1 as a part thereof. Here, the “land” in the present specification refers to an island-shaped structure having a relatively large area in the wiring layer as compared with the linear wiring. The second wiring portion 32 of the wiring layer 153A has a second land L2, a third land L3, and a connection portion 30, and the third wiring portion 33 has a fourth land L4. As schematically shown in FIG. 1, a part of the first land L1, the second land L2, the third land L3, and the fourth land L4 is exposed at the opening 154z of the first reflective member 154. As will be described later, the electrodes of the light emitting element 110A are connected to the first land L1, the second land L2, the third land L3, and the fourth land L4.

図1に模式的に示すように、第1配線部31と第2配線部32との間には、ギャップG12が設けられており、第1配線部31の第1ランドL1および第2配線部32の第2ランドL2は、このギャップG12によって空間的に分離されることにより電気的に分離されている。同様に、第2配線部32と第3配線部33との間には、ギャップG23が設けられており、これらの間は電気的に分離されている。また、第3配線部33と第1配線部31との間にギャップG31が設けられることにより、第3配線部33および第1配線部31の間も電気的に分離されている。ギャップG12の一部、ギャップG23の一部およびギャップG31の一部は、第1反射部材154の開口154zの内側にも現れている。 As schematically shown in FIG. 1, a gap G12 is provided between the first wiring unit 31 and the second wiring unit 32, and the first land L1 and the second wiring unit of the first wiring unit 31 are provided. The second land L2 of 32 is electrically separated by being spatially separated by this gap G12. Similarly, a gap G23 is provided between the second wiring portion 32 and the third wiring portion 33, and these are electrically separated from each other. Further, by providing the gap G31 between the third wiring unit 33 and the first wiring unit 31, the third wiring unit 33 and the first wiring unit 31 are also electrically separated. A part of the gap G12, a part of the gap G23, and a part of the gap G31 also appear inside the opening 154z of the first reflective member 154.

図1に示すように、第2配線部32にもスリット状のギャップG20が設けられている。ギャップG20の形成により、第2配線部32の第2ランドL2および第3ランドL3のうち、第1反射部材154の開口154zから露出された部分は、空間的に分離されている。ただし、第2ランドL2および第3ランドL3は、第2配線部32の接続部30を介して互いに電気的に接続された状態にあり、等電位である。 As shown in FIG. 1, a slit-shaped gap G20 is also provided in the second wiring portion 32. Due to the formation of the gap G20, of the second land L2 and the third land L3 of the second wiring portion 32, the portion exposed from the opening 154z of the first reflection member 154 is spatially separated. However, the second land L2 and the third land L3 are in a state of being electrically connected to each other via the connection portion 30 of the second wiring portion 32, and are equipotential.

図1に示すように、配線層153Aの第1ランドL1、第2ランドL2、第3ランドL3および第4ランドL4のうち、互いに隣接する2つのランドにおいて、隣接する2つのランド間のギャップG12、G20、G23およびG31の幅、つまり、隣接する2つのランド間の距離は、発光素子110Aに近い側よりも遠い側の方が大きくてもよい。具体的には、第1反射部材154に覆われた領域における隣接する2つのランド間の距離GL2は、第1反射部材154の開口154z内における隣接する2つのランド間の距離GL1よりも大きい。図1に示す形態では、第1反射部材154の開口154z内では、隣接する2つのランド間の距離GL1は、発光素子110Aからの距離にかかわらず同じである。第1反射部材154の開口154z内では、隣接する2つのランド間の領域、つまり、ギャップG12、G20、G23およびG31は、第1反射部材154で覆われておらず、基板150の上面150aが露出している。 As shown in FIG. 1, in two lands adjacent to each other among the first land L1, the second land L2, the third land L3, and the fourth land L4 of the wiring layer 153A, the gap G12 between the two adjacent lands , G20, G23 and G31, that is, the distance between two adjacent lands may be larger on the far side than on the side closer to the light emitting element 110A. Specifically, the distance GL2 between two adjacent lands in the region covered by the first reflective member 154 is larger than the distance GL1 between two adjacent lands within the opening 154z of the first reflective member 154. In the embodiment shown in FIG. 1, within the opening 154z of the first reflective member 154, the distance GL1 between two adjacent lands is the same regardless of the distance from the light emitting element 110A. Within the opening 154z of the first reflective member 154, the region between two adjacent lands, i.e., the gaps G12, G20, G23 and G31, is not covered by the first reflective member 154 and the top surface 150a of the substrate 150 It is exposed.

本開示の実施形態において、発光装置中の発光素子は、それぞれが電気的に独立した複数の半導体発光構造を有する。例えば、図2に示す発光素子110Aは、共通の透光基板10上に形成された第1半導体発光構造111と、第2半導体発光構造112とを含んでいる。後に図面を参照して詳しく説明するように、第1半導体発光構造および第2半導体発光構造は、それぞれが、n型半導体層およびp型半導体層に挟まれた活性層を有し、所定の電流の供給を受けることにより光を発する発光構造である。以下では、簡単のために、第1半導体発光構造111および第2半導体発光構造112をそれぞれ「第1発光セル111」および「第2発光セル112」と呼ぶ。 In the embodiment of the present disclosure, the light emitting elements in the light emitting device each have a plurality of electrically independent semiconductor light emitting structures. For example, the light emitting element 110A shown in FIG. 2 includes a first semiconductor light emitting structure 111 and a second semiconductor light emitting structure 112 formed on a common translucent substrate 10. As will be described in detail later with reference to the drawings, the first semiconductor light emitting structure and the second semiconductor light emitting structure each have an active layer sandwiched between an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer, and have a predetermined current. It is a light emitting structure that emits light by receiving the supply of. Hereinafter, for the sake of simplicity, the first semiconductor light emitting structure 111 and the second semiconductor light emitting structure 112 will be referred to as "first light emitting cell 111" and "second light emitting cell 112", respectively.

第1発光セル111および第2発光セル112のそれぞれは、基板150の配線層153Aと対向する側に、正側および負側の電極を有する。後に図面を参照して詳しく説明するように、第1発光セル111は、互いに極性の異なる第1電極(例えばn側電極)および第2電極(例えばp側電極)を有し、第2発光セル112も、互いに極性の異なる第1電極(例えばn側電極)および第2電極(例えばp側電極)を有する。第1発光セル111の第1電極および第2電極は、配線層153Aの第1ランドL1および第2ランドL2にそれぞれ電気的に接続され、第2発光セル112の第1電極および第2電極は、配線層153Aの第3ランドL3および第4ランドL4にそれぞれ電気的に接続される。 Each of the first light emitting cell 111 and the second light emitting cell 112 has positive and negative electrodes on the side of the substrate 150 facing the wiring layer 153A. As will be described in detail later with reference to the drawings, the first light emitting cell 111 has a first electrode (for example, an n-side electrode) and a second electrode (for example, a p-side electrode) having different polarities from each other, and the second light emitting cell. 112 also has a first electrode (for example, an n-side electrode) and a second electrode (for example, a p-side electrode) having different polarities from each other. The first electrode and the second electrode of the first light emitting cell 111 are electrically connected to the first land L1 and the second land L2 of the wiring layer 153A, respectively, and the first electrode and the second electrode of the second light emitting cell 112 are , Is electrically connected to the third land L3 and the fourth land L4 of the wiring layer 153A, respectively.

ここでは、第2ランドL2および第3ランドL3は、第2配線部32の一部である。したがって、第1発光セル111の第2電極が第2ランドL2に接続され、第2発光セル112の第1電極が第3ランドL3に接続される結果、第1発光セル111および第2発光セル112は、配線層153Aを介して電気的に直列に(あるいは並列に)接続される。 Here, the second land L2 and the third land L3 are a part of the second wiring portion 32. Therefore, as a result of the second electrode of the first light emitting cell 111 being connected to the second land L2 and the first electrode of the second light emitting cell 112 being connected to the third land L3, the first light emitting cell 111 and the second light emitting cell The 112 are electrically connected in series (or in parallel) via the wiring layer 153A.

図2に示す発光素子110Aのように、電流の供給によりそれぞれを独立して発光させることが可能な複数の発光セルを単一の発光素子中に配置するような構成に対して、電圧降下の測定等を通して、各発光セルについて、リーク電流等の不具合を検査できると有益である。しかしながら、発光素子が、それぞれを独立して稼働可能な複数の発光セルを有する場合、一旦基板上に実装されてしまうと、発光素子中の複数の発光セルが基板の配線層を介して互いに電気的に接続されることになる。そのため、例えば、複数の発光セルが基板の配線層を介して電気的に直列に接続されている場合、複数の発光セル全体での電圧降下を測定することはできても、各発光セルについての電圧降下を測定することができない。つまり、例えば逆バイアスの印加によってリークを検出しようとした場合、複数の発光セルのうちの1つにリークが生じていたとしても、他の発光セルによって電流が遮断される結果、リークを検出できないことがあり得る。また、測定値に対する規格は、一般に測定の精度および発光セルの個体差(電気的特性のばらつき)を考慮して設定されるので、複数の発光セル全体での電圧降下を測定することによっては、微小なリークを有する発光セルを特定してその発光セルの不具合を検知できない可能性がある。 With respect to a configuration such as the light emitting element 110A shown in FIG. 2 in which a plurality of light emitting cells capable of independently emitting light by supplying a current are arranged in a single light emitting element, the voltage drop is reduced. It is useful to be able to inspect each light emitting cell for defects such as leakage current through measurement and the like. However, when the light emitting element has a plurality of light emitting cells that can operate independently of each other, once mounted on the substrate, the plurality of light emitting cells in the light emitting element are electrically connected to each other via the wiring layer of the substrate. Will be connected. Therefore, for example, when a plurality of light emitting cells are electrically connected in series via a wiring layer of a substrate, the voltage drop in the entire plurality of light emitting cells can be measured, but the voltage drop of each light emitting cell can be measured. The voltage drop cannot be measured. That is, for example, when an attempt is made to detect a leak by applying a reverse bias, even if a leak occurs in one of a plurality of light emitting cells, the current is cut off by the other light emitting cells, and as a result, the leak cannot be detected. It is possible. In addition, the standard for the measured value is generally set in consideration of the accuracy of measurement and individual difference (variation in electrical characteristics) of the light emitting cell. Therefore, depending on the measurement of the voltage drop in the entire light emitting cell, the voltage drop may be measured. It may not be possible to identify a light emitting cell having a minute leak and detect a defect in the light emitting cell.

これに対し、本開示の実施形態では、例えば、基板150の配線層153Aに設けられた第1ランドL1、第2ランドL2、第3ランドL3および第4ランドL4に、それぞれ、第1発光セル111の第1電極、第1発光セル111の第2電極、第2発光セル112の第1電極および第2発光セル112の第2電極が接続される。ここで、第2ランドL2および第3ランドL3は、共通の第2配線部の一部である。したがって、配線層153Aを介して第1発光セル111および第2発光セル112を例えば電気的に直列に接続することができる。このような構成においては、配線層153Aの第1ランドL1と第2ランドL2との間の電圧降下等を測定することにより、第1発光セル111におけるリーク電流の有無を調べることが可能である。また、配線層の第3ランドL3(あるいは第2ランドL2)と第4ランドL4との間の電圧降下等を測定すれば、第2発光セル112におけるリーク電流の有無を調べることが可能である。すなわち、配線層153Aを介して互いに電気的に接続された状態でありながら、第1発光セル111におけるリーク電流の有無と、第2発光セル112におけるリーク電流の有無とを個別に検証することができる。 On the other hand, in the embodiment of the present disclosure, for example, the first light emitting cell is provided in the first land L1, the second land L2, the third land L3, and the fourth land L4 provided in the wiring layer 153A of the substrate 150, respectively. The first electrode of 111, the second electrode of the first light emitting cell 111, the first electrode of the second light emitting cell 112, and the second electrode of the second light emitting cell 112 are connected. Here, the second land L2 and the third land L3 are a part of the common second wiring portion. Therefore, the first light emitting cell 111 and the second light emitting cell 112 can be electrically connected in series, for example, via the wiring layer 153A. In such a configuration, it is possible to check the presence or absence of a leak current in the first light emitting cell 111 by measuring the voltage drop between the first land L1 and the second land L2 of the wiring layer 153A. .. Further, by measuring the voltage drop between the third land L3 (or the second land L2) and the fourth land L4 of the wiring layer, it is possible to check the presence or absence of the leakage current in the second light emitting cell 112. .. That is, it is possible to individually verify the presence / absence of a leak current in the first light emitting cell 111 and the presence / absence of a leak current in the second light emitting cell 112 while being electrically connected to each other via the wiring layer 153A. can.

すなわち、本開示の実施形態によれば、例えば直列に接続された状態の第1発光セル111および第2発光セル112のそれぞれについての電圧降下等を比較的に容易に測定できる。したがって、基板の配線層を介して電気的に接続された状態の複数の発光セルのそれぞれについて、リーク電流等の不具合の発生を検出することが可能になる。個々の発光セルに対する電気的特性の検査を可能にすることは、歩留まりの向上および発光装置の信頼性の向上に貢献する。 That is, according to the embodiment of the present disclosure, for example, the voltage drop of each of the first light emitting cell 111 and the second light emitting cell 112 in a state of being connected in series can be measured relatively easily. Therefore, it is possible to detect the occurrence of a defect such as a leak current for each of the plurality of light emitting cells electrically connected via the wiring layer of the substrate. Allowing inspection of the electrical properties of individual light emitting cells contributes to improved yield and improved reliability of the light emitting device.

以下、図面を参照しながら、発光装置100Aの各構成要素を詳細に説明する。 Hereinafter, each component of the light emitting device 100A will be described in detail with reference to the drawings.

[発光素子110A]
図3は、図1および図2に示す発光素子110Aを示す。図4は、発光素子110Aを図のYZ面に平行に切断したときの断面を模式的に示す。図4に示す断面は、図3のIV-IV断面に相当する。
[Light emitting element 110A]
FIG. 3 shows the light emitting element 110A shown in FIGS. 1 and 2. FIG. 4 schematically shows a cross section when the light emitting element 110A is cut in parallel with the YZ plane in the figure. The cross section shown in FIG. 4 corresponds to the IV-IV cross section of FIG.

本開示の実施形態による発光装置中の発光素子は、それぞれが電気的に独立した複数の半導体発光構造を有する。図3に例示する構成において、発光素子110Aは、透光基板10と、第1発光セル111(第1半導体発光構造111)および第2発光セル112(第2半導体発光構造112)とを含む。透光基板10は、発光素子110Aの上面を構成する上面10aと、上面10aとは反対側に位置する下面10bとを有する。図4に模式的に示すように、第1発光セル111は、透光基板10の下面10b上に形成されており、同様に、第2発光セル112も透光基板10の下面10b上に位置する。図3を参照すれば理解されるように、第1発光セル111および第2発光セル112は、透光基板10の下面10b上において空間的に分離されており、したがって、電気的にも独立している。 Each of the light emitting elements in the light emitting device according to the embodiment of the present disclosure has a plurality of electrically independent semiconductor light emitting structures. In the configuration exemplified in FIG. 3, the light emitting element 110A includes a light emitting substrate 10 and a first light emitting cell 111 (first semiconductor light emitting structure 111) and a second light emitting cell 112 (second semiconductor light emitting structure 112). The translucent substrate 10 has an upper surface 10a constituting the upper surface of the light emitting element 110A and a lower surface 10b located on the opposite side of the upper surface 10a. As schematically shown in FIG. 4, the first light emitting cell 111 is formed on the lower surface 10b of the translucent substrate 10, and similarly, the second light emitting cell 112 is also located on the lower surface 10b of the translucent substrate 10. do. As will be understood with reference to FIG. 3, the first light emitting cell 111 and the second light emitting cell 112 are spatially separated on the lower surface 10b of the translucent substrate 10 and are therefore electrically independent. ing.

第1発光セル111および第2発光セル112のそれぞれは、LED(Light Emitting Diode)等の公知の半導体発光素子と同様の構造を有し得る。ここでは、第1発光セル111および第2発光セル112のそれぞれは、透光基板10の側から順にn型半導体層、活性層およびp型半導体層が積層された構造をその一部に含む。ここで、本開示の典型的な実施形態において、透光基板10上の複数の半導体発光構造の基本的な構成は、典型的には、これらの間で共通である。したがって、以下では、第1発光セル111および第2発光セル112のうち第1発光セル111に注目して、その構成の詳細を説明し、第2発光セル112の構成の詳細の説明を省略する。 Each of the first light emitting cell 111 and the second light emitting cell 112 may have a structure similar to that of a known semiconductor light emitting device such as an LED (Light Emitting Diode). Here, each of the first light emitting cell 111 and the second light emitting cell 112 includes a structure in which an n-type semiconductor layer, an active layer, and a p-type semiconductor layer are laminated in order from the side of the translucent substrate 10. Here, in a typical embodiment of the present disclosure, the basic configuration of the plurality of semiconductor light emitting structures on the translucent substrate 10 is typically common among them. Therefore, in the following, the details of the configuration of the first light emitting cell 111 among the first light emitting cell 111 and the second light emitting cell 112 will be described, and the detailed description of the configuration of the second light emitting cell 112 will be omitted. ..

第1発光セル111は、透光基板10の下面10b上のn型半導体層11nと、n型半導体層11nの一部の領域上に形成された活性層11eおよびp型半導体層11pを有する。換言すれば、第1発光セル111のn型半導体層11nは、その上面の一部に、活性層11eおよびp型半導体層11pのいずれにも覆われていない領域Rnを有する。上述したように、第1発光セル111および第2発光セル112は、透光基板10上において分離して配置されることにより、これらの間で電気的に分離されている。つまり、発光素子110A内において、第1発光セル111および第2発光セル112は、互いに電気的に独立した発光構造である。例えば、第1発光セル111と第2発光セル112との間には、透光基板10の下面10bが露出された、5μm程度の幅を有するギャップが形成される。 The first light emitting cell 111 has an n-type semiconductor layer 11n on the lower surface 10b of the translucent substrate 10, an active layer 11e and a p-type semiconductor layer 11p formed on a part of the n-type semiconductor layer 11n. In other words, the n-type semiconductor layer 11n of the first light emitting cell 111 has a region Rn not covered by either the active layer 11e or the p-type semiconductor layer 11p on a part of the upper surface thereof. As described above, the first light emitting cell 111 and the second light emitting cell 112 are electrically separated from each other by being separately arranged on the translucent substrate 10. That is, in the light emitting element 110A, the first light emitting cell 111 and the second light emitting cell 112 have a light emitting structure electrically independent of each other. For example, a gap having a width of about 5 μm is formed between the first light emitting cell 111 and the second light emitting cell 112 in which the lower surface 10b of the translucent substrate 10 is exposed.

第1発光セル111の活性層および第2発光セル112の活性層から発生される光のピーク波長は、例えば360nm以上650nm以下の範囲にある。これら発光セルは、紫外~可視域の発光が可能な窒化物半導体(InAlGa1-x-yN、0≦x、0≦y、x+y≦1)を含み得る。なお、上面視において、複数の発光セル(ここでは第1発光セル111および第2発光セル112)の間で活性層の形状および面積が共通であると、複数の発光セルの間に極端な輝度差が生じにくく、したがって輝度むらの抑制に有利である。 The peak wavelength of the light generated from the active layer of the first light emitting cell 111 and the active layer of the second light emitting cell 112 is, for example, in the range of 360 nm or more and 650 nm or less. These light emitting cells may include a nitride semiconductor (In x Al y Ga 1-x-y N, 0 ≦ x, 0 ≦ y, x + y ≦ 1) capable of emitting light in the ultraviolet to visible region. In the top view, if the shape and area of the active layer are common among the plurality of light emitting cells (here, the first light emitting cell 111 and the second light emitting cell 112), the extreme brightness between the plurality of light emitting cells is extremely high. Differences are unlikely to occur, and therefore it is advantageous for suppressing uneven brightness.

透光基板10は、第1発光セル111および第2発光セル112を支持する。透光基板10は、第1発光セル111および第2発光セル112の半導体積層構造の形成において半導体層をエピタキシャル成長させるための、サファイア基板および窒化ガリウム基板に代表される絶縁性の基板であり得る。本明細書における「透光」および「透光性」の用語は、入射した光に対して拡散性を示すことをも包含するように解釈され、「透明」であることに限定されない。図4に模式的に示すように、透光基板10の下面10bに微細な凹凸パターンを設けることにより、発光セルからの光取出し効率を向上させ得る。凹凸パターンは、例えば複数の微細な凸部から構成される。凹凸パターンを構成する凸部は、例えば5nm程度以上の高さを有し得る。 The translucent substrate 10 supports the first light emitting cell 111 and the second light emitting cell 112. The translucent substrate 10 may be an insulating substrate represented by a sapphire substrate and a gallium nitride substrate for epitaxially growing a semiconductor layer in forming a semiconductor laminated structure of the first light emitting cell 111 and the second light emitting cell 112. The terms "translucent" and "translucent" herein are to be construed to include, but are not limited to, "transparent" to exhibit diffusivity to incident light. As schematically shown in FIG. 4, the efficiency of extracting light from the light emitting cell can be improved by providing a fine uneven pattern on the lower surface 10b of the translucent substrate 10. The uneven pattern is composed of, for example, a plurality of fine convex portions. The convex portion constituting the uneven pattern may have a height of, for example, about 5 nm or more.

透光基板10の上面視における典型的な形状は、正方形等の矩形状である。透光基板10の矩形状の一辺の長さは、例えば300μm以上3mm以下程度の範囲であり、好ましくは、500μm以上1.5mm以下の範囲である。図1および図3では、透光基板10の矩形状の一辺は、図のX方向またはY方向に平行である。 The typical shape of the translucent substrate 10 in the top view is a rectangular shape such as a square. The length of one side of the rectangular shape of the translucent substrate 10 is, for example, in the range of about 300 μm or more and 3 mm or less, preferably in the range of 500 μm or more and 1.5 mm or less. In FIGS. 1 and 3, one side of the rectangular shape of the translucent substrate 10 is parallel to the X direction or the Y direction in the figure.

透光基板10上の各発光セルは、さらに、1以上の絶縁層および電極を含む。例えば、第1発光セル111は、図4に示すように、n型半導体層11n、活性層11eおよびp型半導体層11pの積層構造を覆う第1絶縁膜13と、第1絶縁膜13上に位置するn側内部電極15nおよびp側内部電極15pと、n側内部電極15nおよびp側内部電極15pを覆う第2絶縁膜24と、第2絶縁膜24上に位置するn側外部電極21nおよびp側外部電極21pとをさらに有する。 Each light emitting cell on the translucent substrate 10 further includes one or more insulating layers and electrodes. For example, as shown in FIG. 4, the first light emitting cell 111 is placed on the first insulating film 13 covering the laminated structure of the n-type semiconductor layer 11n, the active layer 11e, and the p-type semiconductor layer 11p, and the first insulating film 13. The n-side internal electrode 15n and the p-side internal electrode 15p located, the second insulating film 24 covering the n-side internal electrode 15n and the p-side internal electrode 15p, and the n-side external electrode 21n and the n-side external electrode 21n located on the second insulating film 24. It further has a p-side external electrode 21p.

第1絶縁膜13は、Si、Ti、Zr、Nb、Ta、AlおよびHfからなる群から選ばれる1種以上含有する酸化物または窒化物から形成され、第1発光セル111および第2発光セル112を連続して覆う。特に、SiOは、可視光に対して高い透過性および低い屈折率が得られるので第1絶縁膜13の材料として適当である。例えば、SiOおよびNbが繰り返し積層された多層膜を第1絶縁膜13に適用できる。 The first insulating film 13 is formed of an oxide or a nitride containing at least one selected from the group consisting of Si, Ti, Zr, Nb, Ta, Al and Hf, and the first light emitting cell 111 and the second light emitting cell. 112 is continuously covered. In particular, SiO 2 is suitable as a material for the first insulating film 13 because it can obtain high transparency and a low refractive index with respect to visible light. For example, a multilayer film in which SiO 2 and Nb 2 O 5 are repeatedly laminated can be applied to the first insulating film 13.

第1絶縁膜13には、複数の第1貫通孔13tが設けられており、後述のn側内部電極15nおよびp側内部電極15pは、これら第1貫通孔13tを介してn型半導体層11nおよびp型半導体層11pにそれぞれ電気的に接続される。ここでは、第1絶縁膜13のうち第1発光セル111に重なる部分に、15個の第1貫通孔13tが形成されている。第1貫通孔13tは、第1発光セル111のn型半導体層11nの領域Rn上にも配置され得る。もちろん、第1貫通孔13tの数および配置、ならびに、それぞれの形状は、図3に示す例に限定されず、任意に設定可能である。 The first insulating film 13 is provided with a plurality of first through holes 13t, and the n-side internal electrode 15n and the p-side internal electrode 15p described later are n-type semiconductor layers 11n via the first through holes 13t. And are electrically connected to the p-type semiconductor layer 11p, respectively. Here, 15 first through holes 13t are formed in a portion of the first insulating film 13 that overlaps with the first light emitting cell 111. The first through hole 13t may also be arranged on the region Rn of the n-type semiconductor layer 11n of the first light emitting cell 111. Of course, the number and arrangement of the first through holes 13t and their respective shapes are not limited to the example shown in FIG. 3, and can be arbitrarily set.

n側内部電極15nおよびp側内部電極15pは、第1絶縁膜13上に位置し、それぞれ、n型半導体層11nおよびp型半導体層11pに電気的に接続された電極である。n側内部電極15nおよびp側内部電極15pは、Al、Ag、Al合金およびAg合金等の、高い光反射性および導電性を示す金属または合金から形成される。これらの材料のうち、AlおよびAl合金は、高い光反射性を有し、かつAgと比較してマイグレーションを起こしにくいのでn側内部電極15nおよびp側内部電極15pの材料に好適である。n側内部電極15nおよびp側内部電極15pとして、Ti、RhおよびTiを順に堆積した積層膜を用いてもよい。 The n-side internal electrode 15n and the p-side internal electrode 15p are electrodes located on the first insulating film 13 and electrically connected to the n-type semiconductor layer 11n and the p-type semiconductor layer 11p, respectively. The n-side internal electrode 15n and the p-side internal electrode 15p are formed of a metal or alloy exhibiting high light reflectivity and conductivity, such as Al, Ag, Al alloys and Ag alloys. Among these materials, Al and Al alloys are suitable as materials for the n-side internal electrode 15n and the p-side internal electrode 15p because they have high light reflectivity and are less likely to cause migration as compared with Ag. As the n-side internal electrode 15n and the p-side internal electrode 15p, a laminated film in which Ti, Rh and Ti are deposited in order may be used.

なお、p型半導体層11p上に、光反射性電極が設けられることもある。この場合、p側内部電極15pは、p型半導体層11p上の光反射性電極を介してp型半導体層11pに電気的に接続される。光反射性電極は、p型半導体層11pの上面のほぼ全体を覆う形状を有し得る。光反射性電極の材料としては、n側内部電極15nおよびp側内部電極15pの材料と同様の材料を用い得る。p型半導体層11pとp側内部電極15pとの間に光反射性電極を介在させることにより、p型半導体層11pのより広い領域に電流を流すことが可能になる。また、透光基板10とは反対側に向かう光を光反射性電極によって反射させることができ、光の取出し効率の向上が期待できる。光反射性電極をSiN層またはSiO2層で覆うと、これらの層が光反射性電極の材料のマイグレーションを抑制するバリア層として機能するので有益である。 A light-reflecting electrode may be provided on the p-type semiconductor layer 11p. In this case, the p-side internal electrode 15p is electrically connected to the p-type semiconductor layer 11p via the light-reflecting electrode on the p-type semiconductor layer 11p. The light-reflecting electrode may have a shape that covers almost the entire upper surface of the p-type semiconductor layer 11p. As the material of the light-reflecting electrode, the same material as the material of the n-side internal electrode 15n and the p-side internal electrode 15p can be used. By interposing a light-reflecting electrode between the p-type semiconductor layer 11p and the p-side internal electrode 15p, it becomes possible to pass a current through a wider region of the p-type semiconductor layer 11p. Further, the light directed to the side opposite to the translucent substrate 10 can be reflected by the light-reflecting electrode, and improvement in the light extraction efficiency can be expected. Covering the light-reflecting electrode with a SiN layer or SiO2 layer is beneficial because these layers function as a barrier layer that suppresses migration of the material of the light-reflecting electrode.

p型半導体層11p上に光反射性電極が配置される場合、光反射性電極にも1以上の貫通孔が設けられる。光反射性電極の貫通孔は、第1絶縁膜13の第1貫通孔13tのうちn型半導体層11nの領域Rn上にある1以上の第1貫通孔と重なる位置に設けられる。n側内部電極15nは、光反射性電極のこれら貫通孔と、第1絶縁膜13の第1貫通孔13tのうちn型半導体層11nの領域Rn上にある1以上の第1貫通孔とを介してn型半導体層11nに電気的に接続される。 When the light-reflecting electrode is arranged on the p-type semiconductor layer 11p, the light-reflecting electrode is also provided with one or more through holes. The through hole of the light reflecting electrode is provided at a position overlapping with one or more first through holes on the region Rn of the n-type semiconductor layer 11n in the first through hole 13t of the first insulating film 13. The n-side internal electrode 15n has these through-holes of the light-reflecting electrode and one or more first through-holes on the region Rn of the n-type semiconductor layer 11n among the first through-holes 13t of the first insulating film 13. It is electrically connected to the n-type semiconductor layer 11n via the n-type semiconductor layer 11n.

第2絶縁膜24は、第1絶縁膜13、n側内部電極15nおよびp側内部電極15pを連続して覆う。第2絶縁膜24は、n側内部電極15nと重なる位置に第2貫通孔24tnを有し、後述するn側外部電極21nは、第2貫通孔24tnを介してn側内部電極15nに電気的に接続される。さらに、第2絶縁膜24には、p側内部電極15pと重なる位置に第3貫通孔24tpが設けられており、後述のp側外部電極21pは、第3貫通孔24tpを介してp側内部電極15pに電気的に接続される。この例では、第1発光セル111および第2発光セル112のそれぞれについて1つの第2貫通孔24tnおよび第3貫通孔24tpが設けられている。もちろん、第2貫通孔24tnおよび第3貫通孔24tpのそれぞれの数、配置および形状は、図3に示す例に限定されず、任意に設定可能である。 The second insulating film 24 continuously covers the first insulating film 13, the n-side internal electrode 15n, and the p-side internal electrode 15p. The second insulating film 24 has a second through hole 24tn at a position overlapping the n-side internal electrode 15n, and the n-side external electrode 21n described later is electrically connected to the n-side internal electrode 15n via the second through hole 24tn. Connected to. Further, the second insulating film 24 is provided with a third through hole 24tp at a position overlapping the p-side internal electrode 15p, and the p-side external electrode 21p described later is inside the p-side via the third through hole 24tp. It is electrically connected to the electrode 15p. In this example, one second through hole 24tn and one third through hole 24tp are provided for each of the first light emitting cell 111 and the second light emitting cell 112. Of course, the number, arrangement, and shape of the second through hole 24tn and the third through hole 24tp are not limited to the example shown in FIG. 3, and can be arbitrarily set.

第2絶縁膜24の材料には、SiO2等、第1絶縁膜13の材料と共通の材料を用いることができる。第2絶縁膜24の材料は、第1絶縁膜13の材料と共通であってもよいし、異なっていてもよい。発光セルを構成する材料および透光基板10の材料よりも低い屈折率を示し、かつ、これらの材料との間の屈折率差の大きな材料を第2絶縁膜24および/または第1絶縁膜13の材料として採用することにより、透光基板10とは反対側からの光の漏れが抑制され、光の取出し効率向上の効果が期待できる。 As the material of the second insulating film 24, a material common to the material of the first insulating film 13, such as SiO2, can be used. The material of the second insulating film 24 may be the same as or different from the material of the first insulating film 13. The second insulating film 24 and / or the first insulating film 13 is a material having a lower refractive index than the material constituting the light emitting cell and the material of the translucent substrate 10 and having a large difference in the refractive index between these materials. By adopting it as the material of the above, the leakage of light from the side opposite to the translucent substrate 10 is suppressed, and the effect of improving the light extraction efficiency can be expected.

図4に模式的に示すように、n側外部電極21nは、第2絶縁膜24上に位置し、第2絶縁膜24の第2貫通孔24tnを介してn側内部電極15nに電気的に接続される。同様に、p側外部電極21pは、第2絶縁膜24上に位置し、第2絶縁膜24の第3貫通孔24tpを介してp側内部電極15pに電気的に接続される。すなわち、n側外部電極21nは、第1発光セル111のn型半導体層11nとの間に電気的接続を有し、p側外部電極21pは、第1発光セル111のp型半導体層11pとの間に電気的接続を有する。すなわち、n側外部電極21nおよびp側外部電極21pは、第1発光セル111中の半導体層に所定の電流を供給するためのパッド電極としての機能を有する。 As schematically shown in FIG. 4, the n-side external electrode 21n is located on the second insulating film 24, and is electrically connected to the n-side internal electrode 15n through the second through hole 24tn of the second insulating film 24. Be connected. Similarly, the p-side external electrode 21p is located on the second insulating film 24 and is electrically connected to the p-side internal electrode 15p via the third through hole 24tp of the second insulating film 24. That is, the n-side external electrode 21n has an electrical connection with the n-type semiconductor layer 11n of the first light emitting cell 111, and the p-side external electrode 21p is connected to the p-type semiconductor layer 11p of the first light emitting cell 111. Has an electrical connection between. That is, the n-side external electrode 21n and the p-side external electrode 21p have a function as a pad electrode for supplying a predetermined current to the semiconductor layer in the first light emitting cell 111.

図3に示すように、第2発光セル112も、発光素子110Aの上面すなわち透光基板10の上面10aとは反対側に、第2発光セル112のn型半導体層に電気的に接続されたn側外部電極22nと、第2発光セル112のp型半導体層に電気的に接続されたp側外部電極22pとを有している。つまり、発光素子110Aは、電源等に接続されることにより独立して駆動可能に構成された第1発光セル111および第2発光セル112を有している。 As shown in FIG. 3, the second light emitting cell 112 is also electrically connected to the n-type semiconductor layer of the second light emitting cell 112 on the upper surface of the light emitting element 110A, that is, on the side opposite to the upper surface 10a of the translucent substrate 10. It has an n-side external electrode 22n and a p-side external electrode 22p electrically connected to the p-type semiconductor layer of the second light emitting cell 112. That is, the light emitting element 110A has a first light emitting cell 111 and a second light emitting cell 112 that are configured to be independently driveable by being connected to a power source or the like.

第1発光セル111のn側外部電極21nおよびp側外部電極21p、ならびに、第2発光セル112のn側外部電極22nおよびp側外部電極22pは、例えばメッキにより形成され、シード層としての第1層と、第1層上の第2層とを含む2層以上の積層構造を有し得る。第1層の材料としては、Al、Ag、Al合金およびAg合金等の、高い光反射性および導電性を示す金属または合金を用いることができる。第2層の材料の典型例は、Cu、AuおよびNiである。n側外部電極21n、p側外部電極21p、n側外部電極22nおよびp側外部電極22pとして、透光基板10側からTi、NiおよびAlを順に堆積した積層膜を用いてもよい。 The n-side external electrode 21n and the p-side external electrode 21p of the first light emitting cell 111, and the n-side external electrode 22n and the p-side external electrode 22p of the second light emitting cell 112 are formed by plating, for example, and serve as a seed layer. It may have a laminated structure of two or more layers including one layer and a second layer on the first layer. As the material of the first layer, a metal or alloy having high light reflectivity and conductivity such as Al, Ag, Al alloy and Ag alloy can be used. Typical examples of the material of the second layer are Cu, Au and Ni. As the n-side external electrode 21n, the p-side external electrode 21p, the n-side external electrode 22n, and the p-side external electrode 22p, a laminated film in which Ti, Ni, and Al are sequentially deposited from the translucent substrate 10 side may be used.

第1発光セル111のn側外部電極21nの下面およびp側外部電極21pの下面、ならびに、第2発光セル112のn側外部電極22nの下面およびp側外部電極22pの下面は、透光基板10の下面10bを基準として概ね同じ高さに位置する。n側外部電極21n、p側外部電極21p、n側外部電極22nおよびp側外部電極22pのそれぞれは、上面視において150μm□~200μm□程度の寸法を有し得る。これらのパッド電極の最表層がAu層であると、基板150の配線層153Aとの間の接合への共晶接合の適用に有利である。n側外部電極21n、p側外部電極21p、n側外部電極22nおよびp側外部電極22pを、第1絶縁膜13に設けられた第1貫通孔13tと重ならない位置に配置および形状とすることにより、共晶接合時の熱応力に起因する、第1絶縁膜13または第2絶縁膜24へのクラックの発生を抑制し得る。 The lower surface of the n-side external electrode 21n and the lower surface of the p-side external electrode 21p of the first light emitting cell 111, and the lower surface of the n-side external electrode 22n and the lower surface of the p-side external electrode 22p of the second light emitting cell 112 are transparent substrates. It is located at substantially the same height with respect to the lower surface 10b of 10. Each of the n-side external electrode 21n, the p-side external electrode 21p, the n-side external electrode 22n, and the p-side external electrode 22p may have dimensions of about 150 μm □ to 200 μm □ in top view. When the outermost layer of these pad electrodes is an Au layer, it is advantageous to apply eutectic bonding to the bonding between the wiring layer 153A and the wiring layer 153A of the substrate 150. The n-side external electrode 21n, the p-side external electrode 21p, the n-side external electrode 22n, and the p-side external electrode 22p are arranged and shaped so as not to overlap with the first through hole 13t provided in the first insulating film 13. Therefore, it is possible to suppress the generation of cracks in the first insulating film 13 or the second insulating film 24 due to the thermal stress at the time of eutectic bonding.

なお、この例では、第2発光セル112は、上面視において第1発光セル111を発光素子110Aの中心に関して180°回転させた構造と同様の構成を有している。したがって、図3に示す例では、第1発光セル111のp側外部電極21pと第2発光セル112のn側外部電極22nとが図3の紙面において左右に並び、第1発光セル111のn側外部電極21nと第2発光セル112のp側外部電極22pとが図3の紙面において左右に並んでいる。 In this example, the second light emitting cell 112 has the same structure as the structure in which the first light emitting cell 111 is rotated by 180 ° with respect to the center of the light emitting element 110A in the top view. Therefore, in the example shown in FIG. 3, the p-side external electrode 21p of the first light emitting cell 111 and the n-side external electrode 22n of the second light emitting cell 112 are arranged side by side on the paper surface of FIG. 3, and n of the first light emitting cell 111. The side external electrode 21n and the p-side external electrode 22p of the second light emitting cell 112 are arranged side by side on the paper surface of FIG.

[基板150]
再び図1および図2を参照する。基板150は、発光素子110Aの透光基板10とは反対側に位置し、発光素子110Aを支持する。基板150は、樹脂またはセラミックス等の絶縁材料から形成され、発光素子110A側の上面150a上に、配線層153Aと、配線層153Aの一部を覆う第1反射部材154とを有する。基板150のうち、配線層153Aおよび第1反射部材154を除く本体部の材料の例は、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂(BTレジン)、ポリフタルアミド(PPA)、ポリエチレンテレフタレート(PET)およびポリエチレンナフタレート(PEN)等の樹脂、ならびに、アルミナ、ムライト、フォルステライト、ガラスセラミックス、窒化物系(例えば、AlN)、炭化物系(例えば、SiC)およびLTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics)等のセラミックスである。基板150の本体部は、複合材料から形成されていてもよく、例えば、上述した樹脂に、ガラス繊維、SiO、TiO、Al等の無機フィラーを混合してもよい。
[Board 150]
See again FIGS. 1 and 2. The substrate 150 is located on the side opposite to the translucent substrate 10 of the light emitting element 110A and supports the light emitting element 110A. The substrate 150 is formed of an insulating material such as resin or ceramics, and has a wiring layer 153A and a first reflective member 154 that covers a part of the wiring layer 153A on the upper surface 150a on the light emitting element 110A side. Among the substrate 150, examples of the material of the main body excluding the wiring layer 153A and the first reflective member 154 are phenol resin, epoxy resin, polyimide resin, bismaleimide triazine resin (BT resin), polyphthalamide (PPA), and polyethylene. Resins such as terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), as well as alumina, mulite, forsterite, glass ceramics, nitride-based (eg, AlN), carbide-based (eg, SiC) and LTCC (Low Polyimide Co-). Ceramics) and the like. The main body of the substrate 150 may be formed of a composite material, and for example, the above-mentioned resin may be mixed with an inorganic filler such as glass fiber, SiO 2 , TiO 2 , or Al 2 O 3 .

配線層153Aは、基板150の本体部と、第1反射部材154との間に位置し、外部の駆動回路等に接続されることにより、基板150上の発光素子110Aに所定の電流を供給する機能を有する。配線層153Aは、メッキ、スパッタリング、蒸着、プレスによる貼り付け等によって形成された、Cu、Ni等の金属層であり得る。基板150の本体部の材料として例えばセラミックスを用いる場合には、配線層153Aの材料として、基板150の本体部のセラミックスと同時焼成が可能な、W、Mo等の高融点金属を適用することも可能である。配線層153Aは、多層構造を有していてもよい。例えば配線層153Aは、上述した方法で形成された高融点金属のパターンと、このパターン上にメッキ、スパッタリング、蒸着等によって形成された、Ni、Au、Ag等の他の金属を含む層とを有していてもよい。 The wiring layer 153A is located between the main body of the substrate 150 and the first reflective member 154, and is connected to an external drive circuit or the like to supply a predetermined current to the light emitting element 110A on the substrate 150. Has a function. The wiring layer 153A may be a metal layer such as Cu or Ni formed by plating, sputtering, vapor deposition, pasting by a press, or the like. When, for example, ceramics are used as the material of the main body of the substrate 150, refractory metals such as W and Mo, which can be simultaneously fired with the ceramics of the main body of the substrate 150, may be applied as the material of the wiring layer 153A. It is possible. The wiring layer 153A may have a multi-layer structure. For example, the wiring layer 153A includes a pattern of a refractory metal formed by the above-mentioned method and a layer containing other metals such as Ni, Au, and Ag formed on the pattern by plating, sputtering, vapor deposition, or the like. You may have.

上述したように、配線層153Aは、第1配線部31、第2配線部32および第3配線部33を有する。第1配線部31は、第1ランドL1を有し、第2配線部32は、接続部30を介して互いに電気的に接続された第2ランドL2および第3ランドを有する。また、第3配線部33は、第4ランドL4を有する。図3を参照しながら説明した第1発光セル111のn側外部電極21nは、第1配線部31の第1ランドL1に接続される。他方、第1発光セル111のp側外部電極21pは、第2配線部32の第2ランドL2に接続される。図3に示す第2発光セル112のn側外部電極22nおよびp側外部電極22pは、第2配線部32の第3ランドL3および第3配線部33の第4ランドL4にそれぞれ接続される。図1は、基板150上に発光素子110Aが実装された状態を示している。n側外部電極21nと第1ランドL1との間、p側外部電極21pと第2ランドL2との間、n側外部電極22nと第3ランドL3との間、および、p側外部電極22pと第4ランドL4との間の接続には、Au-Sn系ハンダ、Ag-Sn系ハンダ等の接合部材を用いることができる。 As described above, the wiring layer 153A has a first wiring unit 31, a second wiring unit 32, and a third wiring unit 33. The first wiring unit 31 has a first land L1, and the second wiring unit 32 has a second land L2 and a third land electrically connected to each other via a connection unit 30. Further, the third wiring portion 33 has a fourth land L4. The n-side external electrode 21n of the first light emitting cell 111 described with reference to FIG. 3 is connected to the first land L1 of the first wiring unit 31. On the other hand, the p-side external electrode 21p of the first light emitting cell 111 is connected to the second land L2 of the second wiring portion 32. The n-side external electrode 22n and the p-side external electrode 22p of the second light emitting cell 112 shown in FIG. 3 are connected to the third land L3 of the second wiring unit 32 and the fourth land L4 of the third wiring unit 33, respectively. FIG. 1 shows a state in which the light emitting element 110A is mounted on the substrate 150. Between the n-side external electrode 21n and the first land L1, between the p-side external electrode 21p and the second land L2, between the n-side external electrode 22n and the third land L3, and with the p-side external electrode 22p. A joining member such as Au-Sn-based solder or Ag-Sn-based solder can be used for the connection with the fourth land L4.

図5は、基板150上に実装された発光素子110Aを含む発光装置100Aの等価回路を示す。図5に示すように、第1発光セル111のp側外部電極21pが第2配線部32の第2ランドL2に接続され、第2発光セル112のn側外部電極22nが第2配線部32の第3ランドL3に接続されることにより、発光素子110A中において電気的に独立した第1発光セル111および第2発光セル112は、配線層153Aの第2配線部32を介して電気的に直列に接続された状態となる。 FIG. 5 shows an equivalent circuit of a light emitting device 100A including a light emitting element 110A mounted on the substrate 150. As shown in FIG. 5, the p-side external electrode 21p of the first light emitting cell 111 is connected to the second land L2 of the second wiring unit 32, and the n-side external electrode 22n of the second light emitting cell 112 is the second wiring unit 32. The first light emitting cell 111 and the second light emitting cell 112, which are electrically independent in the light emitting element 110A by being connected to the third land L3 of the above, are electrically connected via the second wiring portion 32 of the wiring layer 153A. It will be connected in series.

ここで、図1を参照すると、第1ランドL1、第2ランドL2、第3ランドL3および第4ランドL4のそれぞれの一部は、絶縁性の第1反射部材154の開口154zの内側において露出されている。したがって、これらのランドのうちから適当な2つを選んで例えば通電することにより、第1発光セル111および第2発光セル112の一方について、逆電圧印加時の(または順電圧印加時の)電圧降下を測定することができる。すなわち、第1発光セル111および第2発光セル112を直列接続としながらも、第1発光セル111および第2発光セル112のそれぞれについて、リーク電流等の不具合を検査することが可能である。 Here, referring to FIG. 1, a part of each of the first land L1, the second land L2, the third land L3, and the fourth land L4 is exposed inside the opening 154z of the insulating first reflective member 154. Has been done. Therefore, by selecting an appropriate two of these lands and energizing them, for example, the voltage when the reverse voltage is applied (or when the forward voltage is applied) to one of the first light emitting cell 111 and the second light emitting cell 112. The descent can be measured. That is, while the first light emitting cell 111 and the second light emitting cell 112 are connected in series, it is possible to inspect each of the first light emitting cell 111 and the second light emitting cell 112 for a defect such as a leak current.

なお、第1発光セル111のn側外部電極21nおよびp側外部電極21pの間隔、ならびに、第2発光セル112のn側外部電極22nおよびp側外部電極22pの間隔は、せいぜい、数百μm程度である。他方、本開示の実施形態によれば、発光素子110Aが既に基板150上に実装された状態であるので、各発光セルに設けられた正極および負極の面積と比較して、第1ランドL1、第2ランドL2、第3ランドL3および第4ランドL4から適当な2つを選択して測定用のプローブ等を接触させることができるので、電圧降下等の測定を行いやすい。また、第1ランドL1、第2ランドL2、第3ランドL3および第4ランドL4のうち第1反射部材154の開口154zから露出され、かつ発光素子110Aに重ならない領域の面積を大きくとることができるので、第1ランドL1、第2ランドL2、第3ランドL3および第4ランドL4に測定用のプローブ等を接触させやすく、リーク電流等の不具合を検査が容易になる。 The distance between the n-side external electrode 21n and the p-side external electrode 21p of the first light emitting cell 111 and the distance between the n-side external electrode 22n and the p-side external electrode 22p of the second light emitting cell 112 are at most several hundred μm. Degree. On the other hand, according to the embodiment of the present disclosure, since the light emitting element 110A is already mounted on the substrate 150, the first land L1 is compared with the areas of the positive electrode and the negative electrode provided in each light emitting cell. Since an appropriate two can be selected from the second land L2, the third land L3, and the fourth land L4 and brought into contact with the probe for measurement or the like, it is easy to measure the voltage drop or the like. Further, of the first land L1, the second land L2, the third land L3, and the fourth land L4, the area of the region exposed from the opening 154z of the first reflective member 154 and not overlapping with the light emitting element 110A can be increased. Therefore, the probe for measurement or the like can be easily brought into contact with the first land L1, the second land L2, the third land L3, and the fourth land L4, and defects such as leakage current can be easily inspected.

第1反射部材154は、例えば光反射性のフィラーが分散された樹脂材料から形成され、発光素子110Aの発光ピーク波長の光に対して60%以上の反射率を示す。また、第1反射部材154は、配線層153A上での接合部材の過剰な拡がりを抑制するソルダーレジストとしての機能も有し得る。第1反射部材154の、発光素子の発光ピーク波長における反射率が70%以上であるとより有益であり、80%以上であるとさらに有益である。 The first reflective member 154 is formed of, for example, a resin material in which a light-reflecting filler is dispersed, and exhibits a reflectance of 60% or more with respect to light having a emission peak wavelength of the light emitting element 110A. Further, the first reflective member 154 may also have a function as a solder resist that suppresses excessive spreading of the joining member on the wiring layer 153A. It is more beneficial when the reflectance of the first reflecting member 154 at the emission peak wavelength of the light emitting element is 70% or more, and it is even more beneficial when the reflectance is 80% or more.

図1に示す例では、配線層153Aの大部分を第1反射部材154が覆っている。したがって、発光素子110Aから出射された光のうち基板150に向かう光を第1反射部材154によって基板150とは反対側に効率的に反射させることができる。この例では、第1反射部材154の開口154zは、上面視において発光素子110Aの中心に関して対称な八角形状を有しており、配線層153Aの第1ランドL1、第2ランドL2、第3ランドL3および第4ランドL4のうち第1反射部材154の開口154zにおいて露出された部分は、発光素子110Aの中心に関して4回回転対称の配置を有している。 In the example shown in FIG. 1, the first reflective member 154 covers most of the wiring layer 153A. Therefore, among the light emitted from the light emitting element 110A, the light directed to the substrate 150 can be efficiently reflected on the opposite side of the substrate 150 by the first reflecting member 154. In this example, the opening 154z of the first reflective member 154 has an octagonal shape symmetrical with respect to the center of the light emitting element 110A in the top view, and the first land L1, the second land L2, and the third land of the wiring layer 153A. The portion of L3 and the fourth land L4 exposed at the opening 154z of the first reflective member 154 has a four-fold rotationally symmetric arrangement with respect to the center of the light emitting element 110A.

第1反射部材154と比較して光を吸収しやすい配線層153Aのランドの配置を、発光素子110Aの中心に関して回転対称性(ここでは4回回転対称)を有する配置とすることにより、配線層153Aによる光吸収に関する異方性を小さくできる。すなわち、図のXY面内に関する配光の偏りを抑制して、より均一な配光を実現し得る。特に、この例では、第2配線部32の第2ランドL2と第3ランドL3との間にもスリット状のギャップG20を設け、さらに、このギャップG20が第1反射部材154の開口154zの内側に現れるようにしている。また、第2配線部32の第2ランドL2と第3ランドL3とを互いに接続する接続部30の全体を第1反射部材154で覆っている。このような構成によれば、配線層153Aのうち第1反射部材154の開口154zから露出された複数の部分の形状および配置に対称性を持たせやすい。また、第1反射部材154の開口154zの内側においてギャップG12、G20、G23およびG31が対称に四方に延びているので、接合部材の多寡に起因して生じ得る発光素子110Aの傾きを回避しやすいという利点も得られる。第1反射部材154の開口154zの形状は、図1に示すような八角形状に限定されず、円形状、四角形状等であってもよい。 The land of the wiring layer 153A, which absorbs light more easily than the first reflective member 154, is arranged to have rotational symmetry (here, four-fold rotational symmetry) with respect to the center of the light emitting element 110A. The symmetry related to light absorption by 153A can be reduced. That is, it is possible to suppress the bias of the light distribution in the XY plane in the figure and realize a more uniform light distribution. In particular, in this example, a slit-shaped gap G20 is also provided between the second land L2 and the third land L3 of the second wiring portion 32, and this gap G20 is further inside the opening 154z of the first reflective member 154. I am trying to appear in. Further, the entire connecting portion 30 connecting the second land L2 and the third land L3 of the second wiring portion 32 to each other is covered with the first reflective member 154. According to such a configuration, it is easy to give symmetry to the shape and arrangement of a plurality of portions of the wiring layer 153A exposed from the opening 154z of the first reflective member 154. Further, since the gaps G12, G20, G23 and G31 extend symmetrically in all directions inside the opening 154z of the first reflective member 154, it is easy to avoid the inclination of the light emitting element 110A which may occur due to the amount of the joining member. You can also get the advantage. The shape of the opening 154z of the first reflective member 154 is not limited to the octagonal shape as shown in FIG. 1, and may be a circular shape, a quadrangular shape, or the like.

第1反射部材154を形成するための樹脂材料の母材としては、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、BTレジン、ポリフタルアミド(PPA)等を用い得る。光反射性のフィラーとしては、金属の粒子、または、光反射性のフィラーを分散させる母材よりも高い屈折率を有する無機材料もしくは有機材料の粒子を用いることができる。光反射性のフィラーの例は、二酸化チタン、酸化ケイ素、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライト、酸化ニオブ、硫酸バリウムの粒子、または、酸化イットリウムおよび酸化ガドリニウム等の各種希土類酸化物の粒子等である。第1反射部材154が白色を有すると有益である。 As the base material of the resin material for forming the first reflective member 154, a silicone resin, a phenol resin, an epoxy resin, a BT resin, a polyphthalamide (PPA) or the like can be used. As the light-reflecting filler, metal particles or particles of an inorganic material or an organic material having a higher refractive index than the base material in which the light-reflecting filler is dispersed can be used. Examples of light-reflecting fillers include titanium dioxide, silicon oxide, zirconium dioxide, potassium titanate, aluminum oxide, aluminum nitride, boron nitride, murite, niobium oxide, barium sulfate particles, or yttrium oxide and gadolinium oxide. Particles of various rare earth oxides and the like. It is beneficial for the first reflective member 154 to have a white color.

[透光部材160]
図1および図2に例示する構成において、発光装置100Aは、発光素子110Aの全体および第1反射部材154の一部を覆う透光部材160を有する。透光部材160は、外力、埃、水分等から発光素子110Aを保護するとともに、発光素子110Aから出射された光の配光を調整するレンズとして機能し得る。
[Translucent member 160]
In the configurations illustrated in FIGS. 1 and 2, the light emitting device 100A has a translucent member 160 that covers the entire light emitting element 110A and a part of the first reflecting member 154. The translucent member 160 can function as a lens that protects the light emitting element 110A from external force, dust, moisture, and the like, and adjusts the light distribution of the light emitted from the light emitting element 110A.

図2に示す例では、透光部材160は、発光素子110Aの直上にある部分に窪みを有している。したがって、この例では、透光部材160のうち最も高い部分(基板150の上面150aから最も遠い部分といってもよい)である頂部160tは、上面視において発光素子110Aを中心とする円環状である。このような透光部材160の形状によれば、発光素子110Aの直上の輝度が極端に高くなることを抑制しやすい。 In the example shown in FIG. 2, the translucent member 160 has a recess in a portion directly above the light emitting element 110A. Therefore, in this example, the top portion 160t, which is the highest portion of the translucent member 160 (which may be said to be the portion farthest from the upper surface 150a of the substrate 150), is an annular shape centered on the light emitting element 110A in the top view. be. According to the shape of the translucent member 160 as described above, it is easy to prevent the brightness directly above the light emitting element 110A from becoming extremely high.

透光部材160は基板150側に凹部160rを有しており、凹部160r内に発光素子110Aが配置されている。凹部160rは例えば、凹部の開口(台形としては底面)よりも底部(台形としては上面)が小さい円錐台形状を有しており、凹部160rの底部に発光素子110Aの出射面が対向するように配置される。凹部160rの形状は、円錐台に限られず、凹部の開口および底部が四角形である角錐台等であってもよい。図1に示す例では、透光部材160は、基板150に支持されている。 The translucent member 160 has a recess 160r on the substrate 150 side, and the light emitting element 110A is arranged in the recess 160r. The recess 160r has, for example, a truncated cone shape in which the bottom portion (top surface as a trapezoid) is smaller than the opening (bottom surface as a trapezoid) of the recess, so that the emission surface of the light emitting element 110A faces the bottom portion of the recess 160r. Be placed. The shape of the recess 160r is not limited to the truncated cone, and may be a truncated cone or the like whose opening and bottom of the recess are quadrangular. In the example shown in FIG. 1, the translucent member 160 is supported by the substrate 150.

透光部材160の材料としては、透明な樹脂等を母材として含む樹脂材料を用いることができる。透光部材160の母材の典型例は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂である。透光部材160の母材として、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリメチルペンテン樹脂もしくはポリノルボルネン樹脂、または、これらの2種以上を含む材料を用いてもよい。透光部材160の材料に母材とは屈折率の異なる材料を分散させることにより、透光部材160に光拡散の機能を付与してもよい。例えば、透光部材160の母材に、二酸化チタン、酸化ケイ素等の粒子を分散させてもよい。あるいは、透光部材160の母材に蛍光体の粒子等を分散させて波長変換の機能を付与してもよい。 As the material of the translucent member 160, a resin material containing a transparent resin or the like as a base material can be used. A typical example of the base material of the translucent member 160 is a thermosetting resin such as an epoxy resin or a silicone resin. As the base material of the translucent member 160, a silicone resin, a silicone-modified resin, an epoxy resin, a phenol resin, a polycarbonate resin, an acrylic resin, a polymethylpentene resin or a polynorbornene resin, or a material containing two or more of these is used. May be good. A light diffusing function may be imparted to the translucent member 160 by dispersing a material having a refractive index different from that of the base material in the material of the translucent member 160. For example, particles such as titanium dioxide and silicon oxide may be dispersed in the base material of the translucent member 160. Alternatively, the base material of the translucent member 160 may be dispersed with particles of a phosphor or the like to impart a wavelength conversion function.

図2に例示する構成では、発光素子110Aと基板150の上面150aとの間に、アンダーフィル162が配置されている。アンダーフィル162は、発光素子110Aの側面を覆うように、透光部材160の凹部160r内に配置されていてもよい。基板150上への発光素子110Aの実装後にアンダーフィル162を形成してから透光部材160を形成してもよい。ここで、アンダーフィル162が、透光部材160よりも低い屈折率を有することが有益である。アンダーフィル162と透光部材160とが屈折率に関してこのような関係を有していると、発光素子110Aの側面から出射された光がアンダーフィル162および透光部材160の界面で屈折される結果、発光素子110Aの側面から出射された光を基板150の法線方向に対して傾斜した方向に光を取り出すことが可能になる。また、アンダーフィル162の材料と比較して、より高いチキソトロピー性の材料で透光部材160を形成することにより、発光素子110Aの側面をアンダーフィル162で被覆することが容易になるとともに、所望の外形を有する透光部材160を精度よく形成することが可能になる。このような材料の組み合わせとして、ジメチルシリコーンからアンダーフィル162を形成し、フェニルシリコーンから透光部材160を形成することが例示できる。 In the configuration exemplified in FIG. 2, the underfill 162 is arranged between the light emitting element 110A and the upper surface 150a of the substrate 150. The underfill 162 may be arranged in the recess 160r of the translucent member 160 so as to cover the side surface of the light emitting element 110A. After mounting the light emitting element 110A on the substrate 150, the underfill 162 may be formed and then the translucent member 160 may be formed. Here, it is beneficial that the underfill 162 has a lower refractive index than the translucent member 160. When the underfill 162 and the translucent member 160 have such a relationship with respect to the refractive index, the light emitted from the side surface of the light emitting element 110A is refracted at the interface between the underfill 162 and the translucent member 160. The light emitted from the side surface of the light emitting element 110A can be taken out in a direction inclined with respect to the normal direction of the substrate 150. Further, by forming the translucent member 160 with a material having higher thixotropy as compared with the material of the underfill 162, it becomes easy to cover the side surface of the light emitting element 110A with the underfill 162, and it is desired. It becomes possible to accurately form the translucent member 160 having an outer shape. As a combination of such materials, it can be exemplified that the underfill 162 is formed from dimethyl silicone and the translucent member 160 is formed from phenyl silicone.

(変形例)
図6は、本開示の実施形態による発光装置の変形例を示す。図2に示す発光装置100Aと比較して、図6に示す発光装置100Bは、発光素子110Aに代えて発光素子110Bを有する。第1発光セル111および第2発光セル112を有する点は、発光素子110Aおよび発光素子110Bの間で共通である。
(Modification example)
FIG. 6 shows a modified example of the light emitting device according to the embodiment of the present disclosure. Compared with the light emitting device 100A shown in FIG. 2, the light emitting device 100B shown in FIG. 6 has a light emitting element 110B instead of the light emitting element 110A. The point of having the first light emitting cell 111 and the second light emitting cell 112 is common between the light emitting element 110A and the light emitting element 110B.

図6に示す例において、発光素子110Bは、透光基板10の上面10a上に反射層40を有する。反射層40は、例えば金属膜または誘電体多層膜である。誘電体多層膜の材料の例は、Si、Ti、Zr、Nb、Ta、AlおよびHfからなる群から選ばれる1種以上を含有する酸化物または窒化物であり、例えば、SiO2およびNb2O5が繰り返し積層された多層膜を反射層40として用いることができる。発光素子110Bの上面側に反射層40を設けることにより、透光基板10の上面10aからの光の出射が抑制される結果、バットウィング型の配光特性を得やすくなる。ここで、バットウィング型の配光特性とは、光軸を0°として、0°よりも配光角の絶対値が大きい角度において発光強度が高い発光強度分布で定義される配光特性を指す。発光素子110Bの上面側への反射層40の配置は、発光装置100Bの厚さの低減に貢献する。 In the example shown in FIG. 6, the light emitting element 110B has a reflective layer 40 on the upper surface 10a of the translucent substrate 10. The reflective layer 40 is, for example, a metal film or a dielectric multilayer film. An example of a material for a dielectric multilayer film is an oxide or nitride containing at least one selected from the group consisting of Si, Ti, Zr, Nb, Ta, Al and Hf, for example SiO2 and Nb2O5 repeatedly. The laminated multilayer film can be used as the reflective layer 40. By providing the reflection layer 40 on the upper surface side of the light emitting element 110B, the emission of light from the upper surface 10a of the translucent substrate 10 is suppressed, and as a result, the butt wing type light distribution characteristic can be easily obtained. Here, the butt-wing type light distribution characteristic refers to a light distribution characteristic defined by a light emission intensity distribution in which the light emission intensity is high at an angle where the absolute value of the light distribution angle is larger than 0 °, where the optical axis is 0 °. .. The arrangement of the reflective layer 40 on the upper surface side of the light emitting element 110B contributes to the reduction of the thickness of the light emitting device 100B.

図7は、本開示の実施形態による発光装置の他の変形例を示す。図2に示す発光装置100Aと比較して、図7に示す発光装置100Cは、発光素子110Aに代えて発光素子110Cを有する。第1発光セル111および第2発光セル112を有する点は、発光素子110Aおよび発光素子110Cの間で共通である。発光素子110Cは、第1発光セル111および第2発光セル112と、第1発光セル111および第2発光セル112上に配置された透光基板10と、透光基板10上に位置する波長変換部材51と、波長変換部材51上に位置する拡散部材52とを含む。波長変換部材51は、接合部材53を介して波長変換部材51に接合され、波長変換部材51は拡散部材52に接合されている。 FIG. 7 shows another modification of the light emitting device according to the embodiment of the present disclosure. Compared with the light emitting device 100A shown in FIG. 2, the light emitting device 100C shown in FIG. 7 has a light emitting element 110C instead of the light emitting element 110A. The point that the first light emitting cell 111 and the second light emitting cell 112 are provided is common between the light emitting element 110A and the light emitting element 110C. The light emitting element 110C has a first light emitting cell 111 and a second light emitting cell 112, a translucent substrate 10 arranged on the first light emitting cell 111 and the second light emitting cell 112, and a wavelength conversion located on the translucent substrate 10. The member 51 includes a diffusion member 52 located on the wavelength conversion member 51. The wavelength conversion member 51 is joined to the wavelength conversion member 51 via the joining member 53, and the wavelength conversion member 51 is joined to the diffusion member 52.

波長変換部材51は、第1発光セル111および第2発光セル112から出射された光の少なくとも一部を吸収し、第1発光セル111および第2発光セル112からの光の波長とは異なる波長の光を発する。例えば、波長変換部材51は、第1発光セル111および第2発光セル112から青色光の一部を波長変換して黄色光を発する。このような構成によれば、波長変換部材51を通過した青色光と、波長変換部材51から発せられた黄色光との混色によって、白色光が得られる。 The wavelength conversion member 51 absorbs at least a part of the light emitted from the first light emitting cell 111 and the second light emitting cell 112, and has a wavelength different from the wavelength of the light from the first light emitting cell 111 and the second light emitting cell 112. Emits the light of. For example, the wavelength conversion member 51 wavelength-converts a part of blue light from the first light emitting cell 111 and the second light emitting cell 112 to emit yellow light. According to such a configuration, white light is obtained by mixing the blue light that has passed through the wavelength conversion member 51 and the yellow light emitted from the wavelength conversion member 51.

波長変換部材51は、典型的には、樹脂中に蛍光体の粒子が分散された部材である。蛍光体等の粒子を分散させる樹脂としては、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、ユリア樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂もしくはフッ素樹脂、または、これらの樹脂の2種以上を含む樹脂を用いることができる。波長変換部材51の材料に母材とは屈折率の異なる材料を分散させることにより、波長変換部材51に光拡散の機能を付与してもよい。例えば、波長変換部材51の母材に、二酸化チタン、酸化ケイ素等の粒子を分散させてもよい。 The wavelength conversion member 51 is typically a member in which particles of a phosphor are dispersed in a resin. Resins that disperse particles such as phosphors include silicone resin, modified silicone resin, epoxy resin, modified epoxy resin, urea resin, phenol resin, acrylic resin, urethane resin or fluororesin, or two or more of these resins. A resin containing the above can be used. The wavelength conversion member 51 may be provided with a light diffusion function by dispersing a material having a refractive index different from that of the base material in the material of the wavelength conversion member 51. For example, particles such as titanium dioxide and silicon oxide may be dispersed in the base material of the wavelength conversion member 51.

蛍光体には、公知の材料を適用することができる。蛍光体の例は、YAG系蛍光体、KSF系蛍光体等のフッ化物系蛍光体およびCASN等の窒化物系蛍光体、βサイアロン蛍光体等である。YAG系蛍光体は、青色光を黄色光に変換する波長変換物質の例であり、KSF系蛍光体およびCASNは、青色光を赤色光に変換する波長変換物質の例であり、βサイアロン蛍光体は、青色光を緑色光に変換する波長変換物質の例である。蛍光体は、量子ドット蛍光体であってもよい。 Known materials can be applied to the phosphor. Examples of phosphors include fluoride-based phosphors such as YAG-based phosphors and KSF-based phosphors, nitride-based phosphors such as CASN, and β-sialon phosphors. The YAG-based phosphor is an example of a wavelength-converting substance that converts blue light into yellow light, and the KSF-based phosphor and CASN are examples of wavelength-converting substances that convert blue light into red light. Is an example of a wavelength converting substance that converts blue light into green light. The phosphor may be a quantum dot phosphor.

接合部材53の材料としては、透明な樹脂材料を母材として含む樹脂組成物を用いることができる。接合部材53の母材の典型例は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂である。接合部材23の母材として、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリメチルペンテン樹脂もしくはポリノルボルネン樹脂、または、これらの2種以上を含む材料を用いてもよい。接合部材53は、例えば母材とは異なる屈折率を有する材料が分散させられることにより、光拡散機能を有していてもよい。 As the material of the joining member 53, a resin composition containing a transparent resin material as a base material can be used. A typical example of the base material of the joining member 53 is a thermosetting resin such as an epoxy resin or a silicone resin. As the base material of the joining member 23, a silicone resin, a silicone-modified resin, an epoxy resin, a phenol resin, a polycarbonate resin, an acrylic resin, a polymethylpentene resin or a polynorbornene resin, or a material containing two or more of these may be used. good. The joining member 53 may have a light diffusing function, for example, by dispersing a material having a refractive index different from that of the base material.

拡散部材52は、波長変換部材51から入射する光を拡散させて透過する。拡散部材52は、たとえば、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレン樹脂等、可視光に対して光吸収の少ない材料によって構成されている。光を拡散させる構造は、拡散部材52の表面に凹凸を設けたり、拡散部材52中に屈折率の異なる材料を分散させたりすることによって、拡散部材52に設けられている。拡散部材52は、光拡散シート、ディフューザーフィルム等の名称で市販されているものを利用してもよい。 The diffusion member 52 diffuses and transmits the light incident from the wavelength conversion member 51. The diffusion member 52 is made of a material having little light absorption with respect to visible light, such as a polycarbonate resin, a polystyrene resin, an acrylic resin, and a polyethylene resin. The structure for diffusing light is provided in the diffusing member 52 by providing irregularities on the surface of the diffusing member 52 or by dispersing materials having different refractive indexes in the diffusing member 52. As the diffusion member 52, a commercially available one under the name of a light diffusion sheet, a diffuser film, or the like may be used.

発光素子110Cは、第1発光セル111、第2発光セル112、透光基板10、波長変換部材51および拡散部材52の側面を覆う光反射性部材54をさらに備えていることが好ましい。この場合、光反射性部材54の上面54aにおいて、拡散部材52が露出し、第1発光セル111、第2発光セル112の電極55が、光反射性部材54の下面54bにおいて露出していることが好ましい。また、この場合、光反射性部材54の下面54bに、電極55を覆う実装用の電極56が設けられていることが好ましい。下面54bは、第1発光セル111、第2発光セル112の電極55よりも大きいため、電極56の面積を大きくとることができる。このため、発光装置100Cを基板150に実装する際、半田などの接合部材が接触する面積を広くすることができるため、実装が容易になり、かつ、接合強度を高めることができる。このような構造の発光素子110Cは、ダイレクトマウンタブルチップともよばれる。 It is preferable that the light emitting element 110C further includes a first light emitting cell 111, a second light emitting cell 112, a light transmitting substrate 10, a wavelength conversion member 51, and a light reflecting member 54 that covers the side surfaces of the diffusion member 52. In this case, the diffusion member 52 is exposed on the upper surface 54a of the light reflecting member 54, and the electrodes 55 of the first light emitting cell 111 and the second light emitting cell 112 are exposed on the lower surface 54b of the light reflecting member 54. Is preferable. Further, in this case, it is preferable that the lower surface 54b of the light reflecting member 54 is provided with the mounting electrode 56 that covers the electrode 55. Since the lower surface 54b is larger than the electrodes 55 of the first light emitting cell 111 and the second light emitting cell 112, the area of the electrode 56 can be increased. Therefore, when the light emitting device 100C is mounted on the substrate 150, the area in contact with the joining member such as solder can be widened, so that the mounting can be facilitated and the joining strength can be increased. The light emitting element 110C having such a structure is also called a direct mountable chip.

発光素子110Cは、透光部材160の凹部160rに配置される。具体的には、光反射性部材54の上面54aが凹部160rの底部と対向するように透光性の接合部材58などで透光部材160と接合されている。接合部材58は、フィレット状に透光部材160の側面の一部を覆っていてもよい。発光素子110Cの高さは、凹部160rの深さよりも大きい。このため、透光部材160は、発光素子110Cに支持されており、透光部材160の下面160bは基板150や、基板150に配置された第1反射部材154とは接しておらず、離間している。発光装置100Cは、発光素子110Cを作製した後、透光部材160の凹部160rに接合部材などによって、接合させることによって、製造することができる。このような構造によれば、例えば、発光装置100Cを作製した段階で、発光素子110Cと透光部材160との光軸がずれているものは、規格を満たしていないとして除外することができる。よって、基板150に発光装置100Cを実装した場合、発光素子110Cと透光部材160との位置合わせが不要であり、基板150に発光素子110Cと透光部材160と配置する場合に比べて、許容範囲を超えた位置合わせ誤差による不良品の発生を抑制することができる。 The light emitting element 110C is arranged in the recess 160r of the translucent member 160. Specifically, the upper surface 54a of the light-reflecting member 54 is joined to the light-transmitting member 160 by a light-transmitting joining member 58 or the like so as to face the bottom of the recess 160r. The joining member 58 may cover a part of the side surface of the translucent member 160 in a fillet shape. The height of the light emitting element 110C is larger than the depth of the recess 160r. Therefore, the translucent member 160 is supported by the light emitting element 110C, and the lower surface 160b of the translucent member 160 is not in contact with the substrate 150 or the first reflective member 154 arranged on the substrate 150, and is separated from each other. ing. The light emitting device 100C can be manufactured by manufacturing the light emitting element 110C and then joining it to the recess 160r of the light transmissive member 160 with a joining member or the like. According to such a structure, for example, when the light emitting device 100C is manufactured, those whose optical axes are deviated from the light emitting element 110C and the translucent member 160 can be excluded as not satisfying the standard. Therefore, when the light emitting device 100C is mounted on the substrate 150, it is not necessary to align the light emitting element 110C and the translucent member 160, and it is more permissible than the case where the light emitting element 110C and the translucent member 160 are arranged on the substrate 150. It is possible to suppress the occurrence of defective products due to misalignment beyond the range.

図8は、本開示の実施形態による発光装置の他の変形例を示す。図1に示す発光装置100Aと比較して、図8に示す発光装置100Dは、発光素子110Aおよび配線層153Aに代えて発光素子110Dおよび配線層153Bを有する。 FIG. 8 shows another modification of the light emitting device according to the embodiment of the present disclosure. Compared to the light emitting device 100A shown in FIG. 1, the light emitting device 100D shown in FIG. 8 has a light emitting element 110D and a wiring layer 153B instead of the light emitting element 110A and the wiring layer 153A.

発光装置100Dの発光素子110Dは、第1発光セル111および第2発光セル112に加えて、第3半導体発光構造である第3発光セル113を有する。第3発光セル113は、第1発光セル111とほぼ同様の構造を有する。例えば、第3発光セル113は、第1発光セル111と同様に透光基板10の下面10b側に位置する。また、第3発光セル113は、透光基板10とは反対側に、第3発光セル113のn型半導体層に電気的に接続されたn側外部電極23n(第1電極)と、第3発光セル113のp型半導体層に電気的に接続されたp側外部電極23p(第2電極)とを有する。 The light emitting element 110D of the light emitting device 100D has a third light emitting cell 113 which is a third semiconductor light emitting structure in addition to the first light emitting cell 111 and the second light emitting cell 112. The third light emitting cell 113 has substantially the same structure as the first light emitting cell 111. For example, the third light emitting cell 113 is located on the lower surface 10b side of the translucent substrate 10 like the first light emitting cell 111. Further, the third light emitting cell 113 has an n-side external electrode 23n (first electrode) electrically connected to the n-type semiconductor layer of the third light emitting cell 113 on the opposite side of the translucent substrate 10 and a third light emitting cell 113. It has a p-side external electrode 23p (second electrode) electrically connected to the p-type semiconductor layer of the light emitting cell 113.

図8に例示する構成において、配線層153Bは、第1ランドL1を含む第1配線部31と、第2ランドL2および第3ランドL3を含む第2配線部32と、第4ランドL4を含む第3配線部33とを有する。ここで、配線層153Bの第3配線部33は、接続部39および第5ランドL5をさらに含み、第5ランドL5は、接続部39を介して第4ランドL4に電気的に接続されている。さらに、配線層153Bは、第1配線部31、第2配線部32および第3配線部33に加えて、第6ランドL6をその一部に含む第4配線部34を有する。図8に示すように、第3配線部33の第5ランドL5の一部および第4配線部34の第6ランドL6の一部は、他のランドの一部と同様に、第1反射部材154の開口154zの内側において露出されている。他方、第3配線部33の接続部39の全体は、第1反射部材154の下層に位置し、したがって第1反射部材154によって覆われる。 In the configuration exemplified in FIG. 8, the wiring layer 153B includes a first wiring unit 31 including the first land L1, a second wiring unit 32 including the second land L2 and the third land L3, and a fourth land L4. It has a third wiring unit 33. Here, the third wiring portion 33 of the wiring layer 153B further includes the connection portion 39 and the fifth land L5, and the fifth land L5 is electrically connected to the fourth land L4 via the connection portion 39. .. Further, the wiring layer 153B has a fourth wiring unit 34 including a sixth land L6 as a part thereof, in addition to the first wiring unit 31, the second wiring unit 32, and the third wiring unit 33. As shown in FIG. 8, a part of the fifth land L5 of the third wiring unit 33 and a part of the sixth land L6 of the fourth wiring unit 34 are the first reflective members like a part of the other lands. It is exposed inside the opening 154z of 154. On the other hand, the entire connection portion 39 of the third wiring portion 33 is located in the lower layer of the first reflection member 154 and is therefore covered by the first reflection member 154.

発光装置100Dにおいても、第1発光セル111の第1電極(例えばn側外部電極21n)が開口154zの内側において第1配線部31の第1ランドL1に接続され、第2電極(例えばp側外部電極21p)が開口154zの内側において第2配線部32の第2ランドL2に接続される点は、これまでに説明した各例と同様である。また、第2発光セル112の第1電極(例えばn側外部電極22n)が開口154zの内側において第2配線部32の第3ランドL3に接続され、第2電極(例えばp側外部電極22p)が開口154zの内側において第3配線部33の第4ランドL4に接続される点も、これまでに説明した各例と同様である。 Also in the light emitting device 100D, the first electrode (for example, the n-side external electrode 21n) of the first light-emitting cell 111 is connected to the first land L1 of the first wiring portion 31 inside the opening 154z, and the second electrode (for example, the p-side) is connected. The point that the external electrode 21p) is connected to the second land L2 of the second wiring portion 32 inside the opening 154z is the same as in each example described so far. Further, the first electrode (for example, the n-side external electrode 22n) of the second light emitting cell 112 is connected to the third land L3 of the second wiring portion 32 inside the opening 154z, and the second electrode (for example, the p-side external electrode 22p) is connected. Is connected to the fourth land L4 of the third wiring portion 33 inside the opening 154z, which is the same as each example described so far.

この例では、第3発光セル113の第1電極としてのn側外部電極23nが、第3配線部33の第5ランドL5のうち開口154zの内側において露出された部分に接続される。また、第3発光セル113の第2電極としてのp側外部電極23pが、第4配線部34の第6ランドL6のうち開口154zの内側において露出された部分に接続される。上述したように、接続部39を介して第4ランドL4および第5ランドL5が互いに電気的に接続されているので、結果として、発光素子110C中の第1発光セル111、第2発光セル112および第3発光セル113が配線層153Bを介して電気的に直列に接続される。 In this example, the n-side external electrode 23n as the first electrode of the third light emitting cell 113 is connected to the exposed portion inside the opening 154z of the fifth land L5 of the third wiring portion 33. Further, the p-side external electrode 23p as the second electrode of the third light emitting cell 113 is connected to the exposed portion inside the opening 154z of the sixth land L6 of the fourth wiring portion 34. As described above, since the fourth land L4 and the fifth land L5 are electrically connected to each other via the connecting portion 39, as a result, the first light emitting cell 111 and the second light emitting cell 112 in the light emitting element 110C are connected to each other. And the third light emitting cell 113 is electrically connected in series via the wiring layer 153B.

上述の各例と同様に、この例においても、発光素子110C中の各発光セルの電極のそれぞれは、配線層153Bの対応するランドに接続されており、かつ、配線層153Bの各ランドの一部が、第1反射部材154の開口154zの内側において露出されている。したがって、例えば第3配線部33の第5ランドL5と、第4配線部34の第6ランドL6とを選んでこれらにプローブを接触させれば、発光素子110C中の複数の発光セルのうち第3発光セル113の電気的特性を選択的に測定できる。第1配線部31の第1ランドL1と、第2配線部32の第2ランドL2とを選べば第1発光セル111の電気的特性を測定できる点、および、第2配線部32の第3ランドL3と、第3配線部33の第4ランドL4とを選べば第2発光セル112の電気的特性を測定できる点は、上述した各例と同様である。 Similar to each of the above examples, in this example as well, each of the electrodes of each light emitting cell in the light emitting element 110C is connected to the corresponding land of the wiring layer 153B, and one of the respective lands of the wiring layer 153B. The portion is exposed inside the opening 154z of the first reflective member 154. Therefore, for example, if the fifth land L5 of the third wiring unit 33 and the sixth land L6 of the fourth wiring unit 34 are selected and the probe is brought into contact with them, the first of the plurality of light emitting cells in the light emitting element 110C. 3 The electrical characteristics of the light emitting cell 113 can be selectively measured. The point that the electrical characteristics of the first light emitting cell 111 can be measured by selecting the first land L1 of the first wiring unit 31 and the second land L2 of the second wiring unit 32, and the third of the second wiring unit 32. The point that the electrical characteristics of the second light emitting cell 112 can be measured by selecting the land L3 and the fourth land L4 of the third wiring unit 33 is the same as in each of the above-described examples.

すなわち、図8に例示する構成によれば、発光素子110Dに含まれる第1発光セル111、第2発光セル112および第3発光セル113を電気的に直列に接続した状態としながらも、これらのそれぞれについての電気的特性を個別に測定することができる。したがって、第1発光セル111、第2発光セル112および第3発光セル113のそれぞれについて、リーク電流等の不具合の有無を発光セルの単位で検出することが可能である。 That is, according to the configuration exemplified in FIG. 8, the first light emitting cell 111, the second light emitting cell 112, and the third light emitting cell 113 included in the light emitting element 110D are electrically connected in series, but these are connected. The electrical characteristics of each can be measured individually. Therefore, it is possible to detect the presence or absence of a defect such as a leak current in each of the first light emitting cell 111, the second light emitting cell 112, and the third light emitting cell 113 in the unit of the light emitting cell.

発光素子に含まれる複数の電極の配置および配線層のランドパターンは、図1および図8に示す例に限定されず、適宜に変更できる。図9は、本開示の実施形態による発光装置のさらに他の変形例を示す。図9に示す発光装置100Eと、図8を参照して説明した発光装置100Dとの間の主な相違点は、発光装置100Eが、発光素子110Dおよび配線層153Bに代えて発光素子110Eおよび配線層153Cを有する点である。 The arrangement of the plurality of electrodes included in the light emitting element and the land pattern of the wiring layer are not limited to the examples shown in FIGS. 1 and 8, and can be appropriately changed. FIG. 9 shows yet another modification of the light emitting device according to the embodiment of the present disclosure. The main difference between the light emitting device 100E shown in FIG. 9 and the light emitting device 100D described with reference to FIG. 8 is that the light emitting device 100E replaces the light emitting element 110D and the wiring layer 153B with the light emitting element 110E and wiring. The point is that it has layer 153C.

図8に示す発光素子110Dと同様に、発光装置100E中の発光素子110Eは、それぞれが第1電極および第2電極を有する第1発光セル111、第2発光セル112および第3発光セル113を含む。ただし、発光素子110E中の第1発光セル111、第2発光セル112および第3発光セル113の配置は、図8に示す発光素子110Dにおける配置とは異なる。 Similar to the light emitting element 110D shown in FIG. 8, the light emitting element 110E in the light emitting device 100E has a first light emitting cell 111, a second light emitting cell 112, and a third light emitting cell 113, each of which has a first electrode and a second electrode. include. However, the arrangement of the first light emitting cell 111, the second light emitting cell 112, and the third light emitting cell 113 in the light emitting element 110E is different from the arrangement in the light emitting element 110D shown in FIG.

図9に例示する構成において、各発光セルの電極と配線層のランドとの間の接続は、図8を参照して説明した例と同様である。すなわち、第1発光セル111の第1電極(例えばn側外部電極21n)および第2電極(例えばp側外部電極21p)は、それぞれ、第1配線部31の第1ランドL1および第2配線部32の第2ランドL2に接続される。第2発光セル112の第1電極(例えばn側外部電極22n)および第2電極(例えばp側外部電極22p)は、それぞれ、第2配線部32の第3ランドL3および第3配線部33の第4ランドL4に接続される。第3発光セル113の第1電極(ここではn側外部電極23n)および第2電極(ここではp側外部電極23p)は、それぞれ、第3配線部33の第5ランドL5および第4配線部34の第6ランドL6に接続される。 In the configuration exemplified in FIG. 9, the connection between the electrode of each light emitting cell and the land of the wiring layer is the same as the example described with reference to FIG. That is, the first electrode (for example, the n-side external electrode 21n) and the second electrode (for example, the p-side external electrode 21p) of the first light emitting cell 111 are the first land L1 and the second wiring portion of the first wiring portion 31, respectively. It is connected to the second land L2 of 32. The first electrode (for example, the n-side external electrode 22n) and the second electrode (for example, the p-side external electrode 22p) of the second light emitting cell 112 are the third land L3 and the third wiring portion 33 of the second wiring portion 32, respectively. It is connected to the 4th land L4. The first electrode (here, the n-side external electrode 23n) and the second electrode (here, the p-side external electrode 23p) of the third light emitting cell 113 are the fifth land L5 and the fourth wiring portion of the third wiring portion 33, respectively. It is connected to the sixth land L6 of 34.

このように、発光セル中の複数の発光セルに含まれる電極の配置に応じた形状の配線層を基板150に設けておくことにより、発光セル中に含まれる発光セルの数が3以上であっても、これらの発光セルを直列に接続しながら、各発光セルに関する不具合の有無の検査を可能とできる。さらに、図8に示す例および図9に示す例では、第3配線部33の第4ランドL4および第5ランドL5がのうち第1反射部材154の開口154zにおいて露出された部分は、空間的に分離されている。このようなランドパターンによれば、一般に第1反射部材154と比較して発光素子からの光を吸収しやすい材料から形成される配線層153Cの、開口154zの内側での面積の偏りを抑制することができる。したがって、XY面内に関する配光の均一性を向上させ得る。なお、発光素子110Dおよび図8を参照して説明した発光素子110Dは、上述の発光素子110Bと同様に、その上面側に(例えば透光基板10の上面10a上に)反射層40を有していてもよい。 As described above, by providing the substrate 150 with a wiring layer having a shape corresponding to the arrangement of the electrodes included in the plurality of light emitting cells in the light emitting cell, the number of light emitting cells contained in the light emitting cell is 3 or more. However, while connecting these light emitting cells in series, it is possible to inspect each light emitting cell for a defect. Further, in the example shown in FIG. 8 and the example shown in FIG. 9, the portion of the third wiring portion 33 where the fourth land L4 and the fifth land L5 are exposed at the opening 154z of the first reflective member 154 is spatially. Is separated into. According to such a land pattern, the bias of the area inside the opening 154z of the wiring layer 153C, which is generally formed of a material that easily absorbs the light from the light emitting element as compared with the first reflecting member 154, is suppressed. be able to. Therefore, the uniformity of the light distribution in the XY plane can be improved. The light emitting element 110D and the light emitting element 110D described with reference to FIG. 8 have a reflective layer 40 on the upper surface side thereof (for example, on the upper surface 10a of the translucent substrate 10), similarly to the above-mentioned light emitting element 110B. May be.

図10は、本開示の実施形態による発光装置のさらに他の変形例を示す。図10に示す発光装置100Fは、図1等に示す発光装置100Aと比較して、配線層153Aの隣接する2つのランドに設けられるギャップの形状が異なっている。具体的には、配線層153Aの第1ランドL1、第2ランドL2、第3ランドL3および第4ランドL4のうちの互いに隣接する2つのランドにおいて、上面視における第1反射部材154の開口154z内であって、かつ、発光素子110Aの外側の領域に位置する隣接する2つのランド間の距離GL4は、発光素子110Aの下方の領域に位置する隣接する2つのランド間の距離GL3よりも大きい。図10の例では、4つのギャップG12、G20、G23およびG31のいずれにおいても上記構造が設けられているが、この例に限らず、少なくとも1つのギャップ、つまり、少なくとも1つの隣接する2つのランド間において、上述した構造が設けられていればよい。 FIG. 10 shows yet another modification of the light emitting device according to the embodiment of the present disclosure. The light emitting device 100F shown in FIG. 10 is different from the light emitting device 100A shown in FIG. 1 and the like in the shape of the gap provided in the two adjacent lands of the wiring layer 153A. Specifically, in two lands adjacent to each other among the first land L1, the second land L2, the third land L3, and the fourth land L4 of the wiring layer 153A, the opening 154z of the first reflective member 154 in the top view. The distance GL4 between two adjacent lands that are inside and located in the outer region of the light emitting element 110A is greater than the distance GL3 between the two adjacent lands located in the region below the light emitting element 110A. .. In the example of FIG. 10, the above structure is provided in any of the four gaps G12, G20, G23 and G31, but the present invention is not limited to this example, and at least one gap, that is, at least one adjacent land. It suffices if the above-mentioned structure is provided between them.

基板150が白色材料などで構成され、配線層153AがCu等で構成される場合、基板150の上面150aの反射率は、配線層153Aである第1ランドL1、第2ランドL2、第3ランドL3および第4ランドL4の表面の反射率よりも大きい。このため、発光装置100Eが上述した構造を有することによって、第1反射部材154の開口154z内において、基板150の上面150aが露出している領域を大きくすることができ、発光素子110Aから基板150側に向かう光をより効率よく上方に反射させ、光の取り出し効率を高めることができる。また、発光素子110Aの下方の領域では、隣接する2つのランド間の距離GL3は相対的に小さくすることができるため、発光素子110Aの電極の間隔が小さくても、インターポーザ等を介さずに発光素子110Aを配線層153Aに接続することが可能である。 When the substrate 150 is made of a white material or the like and the wiring layer 153A is made of Cu or the like, the reflectance of the upper surface 150a of the substrate 150 is the first land L1, the second land L2, and the third land, which are the wiring layer 153A. It is larger than the reflectance of the surfaces of L3 and the fourth land L4. Therefore, since the light emitting device 100E has the above-mentioned structure, the region where the upper surface 150a of the substrate 150 is exposed can be enlarged in the opening 154z of the first reflecting member 154, and the light emitting element 110A to the substrate 150 can be enlarged. It is possible to more efficiently reflect the light toward the side upward and improve the light extraction efficiency. Further, in the region below the light emitting element 110A, the distance GL3 between two adjacent lands can be relatively small, so that even if the distance between the electrodes of the light emitting element 110A is small, light is emitted without using an interposer or the like. The element 110A can be connected to the wiring layer 153A.

図10に示すように、隣接する2つのランド間のギャップG12、G20、G23およびG31において、距離GL3の領域と、距離GL4の領域との境界近傍に、角を丸めた曲部GRを設けてもよい。上面視において、曲部GRは、ランド側に凸である。ギャップG12、G20、G23およびG31が曲部GRを有することによって、発光素子110Aを4つのランドに接続する際、過剰な半田などが、距離GL3の領域と、距離GL4の領域との境界近傍において、配線層153Aから溢れるのを抑制し、円滑に配線層153Aに広げることができる。 As shown in FIG. 10, in the gaps G12, G20, G23 and G31 between two adjacent lands, a curved portion GR with rounded corners is provided near the boundary between the region of the distance GL3 and the region of the distance GL4. May be good. In top view, the curved portion GR is convex toward the land side. When the gaps G12, G20, G23 and G31 have the curved portion GR, when the light emitting element 110A is connected to the four lands, excess solder or the like is generated in the vicinity of the boundary between the region of the distance GL3 and the region of the distance GL4. , It is possible to suppress overflow from the wiring layer 153A and smoothly spread it to the wiring layer 153A.

図11は、本開示の実施形態による発光装置のさらに他の変形例を示す。図11に示す発光装置100Gは、発光装置100Eと同様、図1等に示す発光装置100Aと比較して、配線層153Aの隣接する2つのランドに設けられるギャップの形状が異なっている。発光装置100Fでは、上面視における第1反射部材154の開口154z内であって、かつ、発光素子110Aの外側の領域における互いに隣接する2つのランド間の距離が、発光素子に近い側よりも遠い側の方が段階的または連続的に大きくなっている。図11に示すように、距離GL5の位置は、距離GL4の位置よりも発光素子110Aよりも遠く、距離GL5は距離GL4よりも大きい。発光素子110Aの下方の領域における距離GL3と比較すると、GL4およびGL5はGL3よりもそれぞれ大きい。図11に示す例では、第1反射部材154の開口154z内であって、かつ、発光素子110Aの外側の領域において、互いに隣接する2つのランド間の距離は、発光素子110Aから遠ざかるに連れて連続的に大きくなっている。しかし、隣接する2つのランド間の距離は、発光素子110Aから遠ざかるに連れて段階的に大きくなっていてもよい。 FIG. 11 shows yet another modification of the light emitting device according to the embodiment of the present disclosure. Similar to the light emitting device 100E, the light emitting device 100G shown in FIG. 11 has a different shape of a gap provided in two adjacent lands of the wiring layer 153A as compared with the light emitting device 100A shown in FIG. In the light emitting device 100F, the distance between two lands adjacent to each other in the opening 154z of the first reflective member 154 in the top view and in the outer region of the light emitting element 110A is farther than the side close to the light emitting element. The side is gradually or continuously larger. As shown in FIG. 11, the position of the distance GL5 is farther than the position of the distance GL4 than the light emitting element 110A, and the distance GL5 is larger than the distance GL4. Compared to the distance GL3 in the region below the light emitting element 110A, GL4 and GL5 are larger than GL3, respectively. In the example shown in FIG. 11, the distance between two lands adjacent to each other within the opening 154z of the first reflective member 154 and outside the light emitting element 110A increases as the distance from the light emitting element 110A increases. It is getting bigger continuously. However, the distance between two adjacent lands may gradually increase as the distance from the light emitting element 110A increases.

図12は、本開示の実施形態による発光装置のさらに他の変形例を示す。図12に示す発光装置100Hは、図11に示す発光装置100Gと同様、図1等に示す発光装置100Aと比較して、配線層153Aの隣接する2つのランドに設けられるギャップの形状が異なっている。発光装置100Hでは、上面視において、第1反射部材154の開口154zの外側であって開口154zに隣接する領域R1において、2つのランド間の距離が、第1反射部材154の開口154z内よりも大きくなっている。また、領域R1よりも発光素子110Aから離れた領域R2では、2つのランド間の距離が、領域R1よりも小さくなっている。 FIG. 12 shows yet another modification of the light emitting device according to the embodiment of the present disclosure. Similar to the light emitting device 100G shown in FIG. 11, the light emitting device 100H shown in FIG. 12 has a different shape of a gap provided in two adjacent lands of the wiring layer 153A as compared with the light emitting device 100A shown in FIG. There is. In the light emitting device 100H, in the top view, the distance between the two lands is larger than that in the opening 154z of the first reflecting member 154 in the region R1 outside the opening 154z of the first reflecting member 154 and adjacent to the opening 154z. It's getting bigger. Further, in the region R2 which is farther from the light emitting element 110A than the region R1, the distance between the two lands is smaller than that in the region R1.

図12に示すように、第1反射部材154の開口154z内、領域R1および領域R2における2つのランド間の距離を、それぞれGL5、GL6およびGL7とした場合、GL5<GL6であり、GL6>GL7である。領域R1においては、2つのランド間の距離GL6は、発光素子110Aから遠ざかるにつれて、段階的または、連続的に大きくなっていてもよい。あるいは、2つのランド間の距離GL6は、GL5<GL6を満たしている限り領域R1において一定であってもよい。 As shown in FIG. 12, when the distances between the two lands in the region R1 and the region R2 in the opening 154z of the first reflective member 154 are GL5, GL6 and GL7, respectively, GL5 <GL6 and GL6> GL7. Is. In the region R1, the distance GL6 between the two lands may gradually or continuously increase as the distance from the light emitting element 110A increases. Alternatively, the distance GL6 between the two lands may be constant in the region R1 as long as GL5 <GL6 is satisfied.

GL5<GL6を満たすことによって、領域R1に位置する第1反射部材154の下では、相対的ランドよりも露出した基板150の表面の面積が大きくなる。このため、配線層153Aを構成する材料よりも基板150を構成のほうが、反射率が高い場合、領域R1に位置する第1反射部材154での発光素子110Aからの光の吸収を抑制することができる。また、GL6>GL7を満たすことによって、ランドの面積が大きなる。このため領域R2における放熱性を向上させることができる。 By satisfying GL5 <GL6, the area of the surface of the exposed substrate 150 becomes larger than that of the relative land under the first reflective member 154 located in the region R1. Therefore, when the substrate 150 has a higher reflectance than the material constituting the wiring layer 153A, the absorption of light from the light emitting element 110A by the first reflective member 154 located in the region R1 can be suppressed. can. Further, by satisfying GL6> GL7, the area of the land becomes large. Therefore, the heat dissipation in the region R2 can be improved.

図13は、本開示の実施形態による発光装置のさらに他の変形例を示す。図13に示す発光装置100Iは、発光素子110Aおよび基板150に加えて、複数の傾斜面174sを含む第2反射部材170を有する。すなわち、発光装置100Iは、概略的には、図1等を参照して説明した発光装置100Aにさらに第2反射部材170が付加された構成を有する。 FIG. 13 shows still another modification of the light emitting device according to the embodiment of the present disclosure. The light emitting device 100I shown in FIG. 13 has a second reflecting member 170 including a plurality of inclined surfaces 174s in addition to the light emitting element 110A and the substrate 150. That is, the light emitting device 100I generally has a configuration in which a second reflecting member 170 is further added to the light emitting device 100A described with reference to FIG. 1 and the like.

図13に模式的に示すように、第2反射部材170は、配線層153Aおよび第1反射部材154の上方に位置する。ここでは、第2反射部材170は、基板150の上面150a側において第1反射部材154を覆う層状の基部172と、基部172から基板150とは反対側に向けて立ち上がる壁部174とを有する。図13に例示する構成において、壁部174は、図のY方向またはX方向に延びる三角柱状の構造であり、基部172に対して傾斜した傾斜面174sを含む。第2反射部材170の基部172には、開口172zが設けられており、発光素子110Aおよび発光素子110Aを覆う透光部材160は、上面視においてこの開口172zの内側に位置する。なお、壁部174は、図示するような中空の構造であってもよいし、中実の構造であってもよい。 As schematically shown in FIG. 13, the second reflective member 170 is located above the wiring layer 153A and the first reflective member 154. Here, the second reflective member 170 has a layered base portion 172 that covers the first reflective member 154 on the upper surface 150a side of the substrate 150, and a wall portion 174 that rises from the base portion 172 toward the side opposite to the substrate 150. In the configuration exemplified in FIG. 13, the wall portion 174 has a triangular columnar structure extending in the Y direction or the X direction in the figure, and includes an inclined surface 174s inclined with respect to the base portion 172. The base 172 of the second reflective member 170 is provided with an opening 172z, and the light emitting element 110A and the translucent member 160 covering the light emitting element 110A are located inside the opening 172z in a top view. The wall portion 174 may have a hollow structure as shown in the figure or a solid structure.

第2反射部材170は、典型的には、ポリカーボネート(PC)、PET、ポリメチルメタアクリレート(PMMA)、ポリプロピレン(PP)、ポリスチレン(PS)等の透光性の樹脂から形成される。第2反射部材170は、樹脂等の母材に、母材とは異なる屈折率を有する材料が分散させられることによって光拡散機能が付与されていてもよい。第2反射部材170の形成には、射出成形、押出成形、圧縮成形、真空成形、圧空成形、プレス成形等の、金型を用いた成形、あるいは、光造形等を適用できる。例えば、PET等から形成された透光シートに真空成形を適用することによって、基部172と、複数の傾斜面174sを有する壁部174とが一体的に形成された形状を得ることができる。透光シートの厚さは、例えば100μm以上500μm以下の範囲である。 The second reflective member 170 is typically formed of a translucent resin such as polycarbonate (PC), PET, polymethylmethacrylate (PMMA), polypropylene (PP), polystyrene (PS) and the like. The second reflective member 170 may be provided with a light diffusing function by dispersing a material having a refractive index different from that of the base material in the base material such as resin. For the formation of the second reflective member 170, molding using a mold such as injection molding, extrusion molding, compression molding, vacuum molding, pressure molding, press molding, or optical molding can be applied. For example, by applying vacuum forming to a translucent sheet formed of PET or the like, it is possible to obtain a shape in which the base portion 172 and the wall portion 174 having a plurality of inclined surfaces 174s are integrally formed. The thickness of the translucent sheet is, for example, in the range of 100 μm or more and 500 μm or less.

壁部174の傾斜面174sは、例えば上面視において発光素子110Aの四方を囲むように配置され、発光素子110Aからの光を上方へ向けて反射させる反射面として機能する。基板150の上方に第2反射部材170を配置することにより、より大きな領域で均一な光を得ることができ、例えば、高輝度かつ輝度ムラの低減された面発光光源を提供することが可能になる。 The inclined surface 174s of the wall portion 174 is arranged so as to surround the four sides of the light emitting element 110A, for example, in a top view, and functions as a reflecting surface that reflects the light from the light emitting element 110A upward. By arranging the second reflective member 170 above the substrate 150, uniform light can be obtained in a larger region, and for example, it is possible to provide a surface emitting light source having high luminance and reduced luminance unevenness. Become.

図14は、図13に示す発光装置の二次元配列を有する集積型発光装置の例を示す。図14に示す集積型発光装置200Aは、それぞれが図13に示す構造と同様の構造を有する16個の単位の配列を含んでおり、これらの単位は、図のXY面内に4行4列の行列状に配置されている。図示するように、複数の傾斜面174sは、図のX方向またはY方向に延び、各発光素子110Aは、複数の傾斜面174sのうち4つの傾斜面によって取り囲まれている。 FIG. 14 shows an example of an integrated light emitting device having a two-dimensional array of the light emitting devices shown in FIG. The integrated light emitting device 200A shown in FIG. 14 includes an array of 16 units, each having a structure similar to that shown in FIG. 13, and these units are 4 rows and 4 columns in the XY plane of the figure. It is arranged in a matrix of. As shown, the plurality of inclined surfaces 174s extend in the X direction or the Y direction in the figure, and each light emitting element 110A is surrounded by four inclined surfaces out of the plurality of inclined surfaces 174s.

集積型発光装置200Aは、4行4列に配列された複数の発光領域を含む面発光光源であり、例えば、液晶表示装置のバックライトとして有用である。図13および図14に示すように各発光素子110Aを複数の傾斜面174sで取り囲む構成によれば、各発光領域における輝度ムラ、ひいては、発光領域の群の単位での輝度ムラを抑制し得る。なお、発光素子110Aに代えて、発光素子110B、110Cまたは110Dに第2反射部材170を組み合わせても同様の効果が得られることは、言うまでもない。 The integrated light emitting device 200A is a surface light emitting light source including a plurality of light emitting regions arranged in 4 rows and 4 columns, and is useful as a backlight of a liquid crystal display device, for example. As shown in FIGS. 13 and 14, according to the configuration in which each light emitting element 110A is surrounded by a plurality of inclined surfaces 174s, it is possible to suppress the luminance unevenness in each light emitting region and, by extension, the luminance unevenness in the unit of the light emitting region group. Needless to say, the same effect can be obtained by combining the light emitting element 110B, 110C or 110D with the second reflecting member 170 instead of the light emitting element 110A.

集積型発光装置の他の例を示す。図15は、集積型発光装置200Bのうちの1つの発光装置100Jを示す断面図である。集積型発光装置200Bは、2次元に配置された複数の発光装置100Jを備える。発光装置100Jは、光学積層体180を備えている点で、図13に示す発光装置100Iと異なる。光学積層体180は、例えば、ハーフミラー181と、拡散板182と、少なくとも1つのプリズムシート183とを含む。図15に示す例では、光学積層体180はプリズムシート184と、偏向シート185とをさらに含む。光学積層体180は、発光素子110Aが支持された基板150側に位置していることが好ましく、プリズムシート183は出射面側に位置していることが好ましい。拡散板182は、ハーフミラー181とプリズムシート183と間に位置していることが好ましい。 Another example of the integrated light emitting device is shown. FIG. 15 is a cross-sectional view showing a light emitting device 100J of one of the integrated light emitting devices 200B. The integrated light emitting device 200B includes a plurality of light emitting devices 100J arranged in two dimensions. The light emitting device 100J is different from the light emitting device 100I shown in FIG. 13 in that it includes an optical laminate 180. The optical laminate 180 includes, for example, a half mirror 181 and a diffuser plate 182 and at least one prism sheet 183. In the example shown in FIG. 15, the optical laminate 180 further includes a prism sheet 184 and a deflection sheet 185. The optical laminate 180 is preferably located on the substrate 150 side on which the light emitting element 110A is supported, and the prism sheet 183 is preferably located on the exit surface side. The diffuser plate 182 is preferably located between the half mirror 181 and the prism sheet 183.

ハーフミラー181は、基板150側から入射する光の一部を透過させ、一部を基板150側へ反射する。図16は、ハーフミラー181の模式的な平面図を示す。ハーフミラー181は、主面に設けられた複数の穴181h、181gを含む。本実施形態では、穴181h、181gは一方の主面から他方の主面に達する物理的な貫通穴であり、穴181h、181gの領域では、ハーフミラー181は実質的に光を反射せず、透過させる。このため、穴181h、181gの大きさ、数、および位置によって、ハーフミラー181の光透過特性および反射特性に2次元の分布を設けることができ、基板150側から入射する光を、輝度むらおよび色むらを抑制して、拡散板182へ出射させることができる。ハーフミラー181を透光基板と、基板に支持された誘電体多層膜とによって構成する場合には、基板には穴を設けず、穴181h、181gの領域に誘電体多層膜を設けないことによって、同様の光学特性を実現してもよい。 The half mirror 181 transmits a part of the light incident from the substrate 150 side and reflects a part to the substrate 150 side. FIG. 16 shows a schematic plan view of the half mirror 181. The half mirror 181 includes a plurality of holes 181h and 181g provided on the main surface. In the present embodiment, the holes 181h, 181g are physical through holes reaching from one main surface to the other main surface, and in the region of the holes 181h, 181g, the half mirror 181 does not substantially reflect light. Make it transparent. Therefore, depending on the size, number, and position of the holes 181h and 181g, a two-dimensional distribution can be provided in the light transmission characteristics and the reflection characteristics of the half mirror 181, and the light incident from the substrate 150 side can be split into uneven brightness. Color unevenness can be suppressed and the light can be emitted to the diffuser plate 182. When the half mirror 181 is composed of a translucent substrate and a dielectric multilayer film supported by the substrate, the substrate is not provided with holes, and the dielectric multilayer film is not provided in the regions of the holes 181h and 181g. , Similar optical characteristics may be realized.

図16に示す例では、穴181hは穴181gよりも大きく、発光素子110Aの四方を囲む壁部174の上方に配置されている。穴181gは、発光素子110Aの中心に対して同心円状に配置されている。また、穴181gは、壁部174が囲む四角形の領域の角にも配置されている。壁部174の上方に、大きい直径の穴181hを配置することによって、壁部174の境界において、隣接する発光素子の区画へ光を漏れさせ、壁部174による区画の境界において見切りを低下させている。 In the example shown in FIG. 16, the hole 181h is larger than the hole 181g and is arranged above the wall portion 174 surrounding the four sides of the light emitting element 110A. The holes 181g are arranged concentrically with respect to the center of the light emitting element 110A. The holes 181g are also arranged at the corners of the rectangular area surrounded by the wall portion 174. By arranging a hole 181h having a large diameter above the wall portion 174, light is leaked to the compartment of the adjacent light emitting element at the boundary of the wall portion 174, and the parting is lowered at the boundary of the compartment by the wall portion 174. There is.

拡散板182は、ハーフミラー181を透過した光の進行方向を拡散させ、輝度むらおよび色むらを低減させる。プリズムシート183、184は、入射する光の進行方向を屈折に変え正面方向に出射させる。プリズムシート183、184は、互いにプリズムが直交するように配置することによって、より正面方向に光を向けて出射させ、正面方向における輝度を高める。偏向シート185は、例えば、入射する光のうちS波反射し、P波を透過させることによって、出射する光の偏向方向を揃え、発光装置100Fから出射する光の特定の偏波面での輝度を高める。特に、液晶パネルのバックライトとして集積型発光装置200Bを用いる場合に有効である。 The diffuser plate 182 diffuses the traveling direction of the light transmitted through the half mirror 181 and reduces the luminance unevenness and the color unevenness. The prism sheets 183 and 184 change the traveling direction of the incident light to refraction and emit it in the front direction. By arranging the prism sheets 183 and 184 so that the prisms are orthogonal to each other, the light is directed toward the front direction and emitted to increase the brightness in the front direction. The deflection sheet 185, for example, reflects the S wave of the incident light and transmits the P wave to align the deflection directions of the emitted light and to obtain the brightness of the light emitted from the light emitting device 100F on a specific plane of polarization. Increase. This is particularly effective when the integrated light emitting device 200B is used as the backlight of the liquid crystal panel.

集積型発光装置のさらに他の例を示す。図17は、集積型発光装置200Cのうちの1つの発光装置100Kを示す断面図である。集積型発光装置200Cは、2次元に配置された複数の発光装置100Kを備える。発光装置100Kは、発光装置100Cを備えている点で、図15に示す発光装置100Jと異なる。集積型発光装置200Cによれば、発光装置100Kが、透光部材160と、発光素子110Cを含む発光装置100Cを備えているため、基板150に発光装置100Cを実装した場合、発光素子110Cと透光部材160との位置合わせが不要である。よって、基板150に発光素子110Aと透光部材160と配置する場合に比べて、許容範囲を超えた位置合わせ誤差による不良品の発生を抑制することができる。特に、集積型発光装置200Cは、複数の発光装置100Kを備えるため、製造歩留まりの向上に効果的である。 Yet another example of an integrated light emitting device is shown. FIG. 17 is a cross-sectional view showing a light emitting device 100K of one of the integrated light emitting devices 200C. The integrated light emitting device 200C includes a plurality of light emitting devices 100K arranged in two dimensions. The light emitting device 100K is different from the light emitting device 100J shown in FIG. 15 in that the light emitting device 100K is provided. According to the integrated light emitting device 200C, since the light emitting device 100K includes a light emitting device 160 and a light emitting device 100C including a light emitting element 110C, when the light emitting device 100C is mounted on the substrate 150, the light emitting element 110C and the light emitting device 100C are transparent. It is not necessary to align with the optical member 160. Therefore, as compared with the case where the light emitting element 110A and the translucent member 160 are arranged on the substrate 150, it is possible to suppress the generation of defective products due to the alignment error exceeding the permissible range. In particular, since the integrated light emitting device 200C includes a plurality of light emitting devices 100K, it is effective in improving the manufacturing yield.

集積型発光装置200A、200Bは、基板150に配置された複数の複数の発光素子110Aを含む。このため、個々の発光素子110Aのリーク電流等を、基板150に実装した状態で検査することが可能であり、製造した集積型発光装置200A、200Bの性能の確認、リペアなどを行うことによって、集積型発光装置200A、200Bの生産性の向上に役立てることが可能である。 The integrated light emitting devices 200A and 200B include a plurality of light emitting elements 110A arranged on the substrate 150. Therefore, it is possible to inspect the leak current and the like of each light emitting element 110A in a state of being mounted on the substrate 150, and by confirming and repairing the performance of the manufactured integrated light emitting devices 200A and 200B. It can be used to improve the productivity of the integrated light emitting devices 200A and 200B.

本開示の実施形態は、各種照明用光源、車載用光源、ディスプレイ用光源等に有用である。特に、液晶表示装置に向けられたバックライトユニットに有利に適用できる。本開示の実施形態による発光装置および集積型発光装置は、厚さ低減の要求が厳しいモバイル機器の表示装置用のバックライト、ローカルディミング制御が可能な面発光装置等にも好適に用いることができる。 The embodiments of the present disclosure are useful for various lighting light sources, vehicle-mounted light sources, display light sources, and the like. In particular, it can be advantageously applied to a backlight unit directed to a liquid crystal display device. The light emitting device and the integrated light emitting device according to the embodiment of the present disclosure can be suitably used for a backlight for a display device of a mobile device, which is strictly required to reduce the thickness, a surface light emitting device capable of local dimming control, and the like. ..

10 透光基板
11e 活性層
11n n型半導体層
11p p型半導体層
13 第1絶縁膜
15n n側内部電極
15p p側内部電極
21n、22n、23n n側外部電極
21p、22p、23p p側外部電極
24 第2絶縁膜
30 第2配線部の接続部
31 配線層の第1配線部
32 配線層の第2配線部
33 配線層の第3配線部
34 配線層の第4配線部
39 第3配線部の接続部
40 反射層
100A~100F 発光装置
110A~110D 発光素子
111 第1発光セル(第1半導体発光構造)
112 第2発光セル(第2半導体発光構造)
113 第3発光セル(第3半導体発光構造)
150 基板
153A~153C 配線層
154 第1反射部材
154z 第1反射部材の開口
160 透光部材
170 第2反射部材
172 第2反射部材の基部
172z 第2反射部材の基部の開口
174 第2反射部材の壁部
174s 第2反射部材の壁部の傾斜面
200A、200B 集積型発光装置
10 Translucent substrate 11e Active layer 11n n-type semiconductor layer 11pp-type semiconductor layer 13 First insulating film 15n n-side internal electrode 15pp-side internal electrode 21n, 22n, 23n n-side external electrode 21p, 22p, 23pp side external electrode 24 2nd insulating film 30 2nd wiring part connection part 31 1st wiring part of wiring layer 32 2nd wiring part of wiring layer 33 3rd wiring part of wiring layer 34 4th wiring part of wiring layer 39 3rd wiring part Connection part 40 Reflective layer 100A to 100F Light emitting device 110A to 110D Light emitting element 111 First light emitting cell (first semiconductor light emitting structure)
112 Second light emitting cell (second semiconductor light emitting structure)
113 Third light emitting cell (third semiconductor light emitting structure)
150 Substrate 153A to 153C Wiring layer 154 First reflective member 154z Opening of first reflective member 160 Translucent member 170 Second reflective member 172 Base of second reflective member 172z Opening of base of second reflective member 174 Second reflective member Wall 174s Inclined surface of the wall of the second reflective member 200A, 200B Integrated light emitting device

Claims (10)

上面を有する発光素子であって、それぞれが前記発光素子の前記上面とは反対側に第1電極と前記第1電極とは異なる極性の第2電極とを有し、かつ、互いに電気的に分離された複数の半導体発光構造を含む発光素子と、
前記発光素子を支持する基板と
を備え、
前記複数の半導体発光構造は、第1半導体発光構造および第2半導体発光構造を含み、前記基板は、
第1ランドが設けられた第1配線部、第2ランドおよび第3ランドが設けられた第2配線部、ならびに、第4ランドが設けられた第3配線部を含むランドパターンを有する配線層と、
前記配線層の一部を覆う第1反射部材であって、開口が設けられた第1反射部材と
を有し、
前記発光素子は、上面視において前記第1反射部材の前記開口の内側に位置し、
前記第1配線部の前記第1ランドの一部は、前記第1反射部材の前記開口において露出され、かつ、前記第1半導体発光構造の第1電極に接続されており、
前記第2配線部の前記第2ランドの一部および前記第3ランドの一部は、前記第1反射部材の前記開口において露出され、かつ、前記第1半導体発光構造の第2電極および前記第2半導体発光構造の第1電極にそれぞれ接続されており、
前記第3配線部の前記第4ランドの一部は、前記第1反射部材の前記開口において露出され、かつ、前記第2半導体発光構造の第2電極に接続されており、
前記配線層の前記第2配線部のうち、前記第2ランドと前記第3ランドとを電気的に接続する部分の全体は、前記第1反射部材で覆われており、
前記第2配線部の前記第2ランドおよび前記第3ランドのうち前記第1反射部材の前記開口において露出された部分は、空間的に分離されている、発光装置。
A light emitting element having an upper surface, each of which has a first electrode and a second electrode having a polarity different from that of the first electrode on the side opposite to the upper surface of the light emitting element, and is electrically separated from each other. A light emitting device containing a plurality of semiconductor light emitting structures,
A substrate that supports the light emitting element is provided.
The plurality of semiconductor light emitting structures include a first semiconductor light emitting structure and a second semiconductor light emitting structure, and the substrate is a substrate.
A wiring layer having a land pattern including a first wiring portion provided with a first land, a second wiring portion provided with a second land and a third land, and a third wiring portion provided with a fourth land. ,
It is a first reflective member that covers a part of the wiring layer, and has a first reflective member provided with an opening.
The light emitting element is located inside the opening of the first reflective member in a top view.
A part of the first land of the first wiring portion is exposed at the opening of the first reflective member and is connected to the first electrode of the first semiconductor light emitting structure.
A part of the second land and a part of the third land of the second wiring portion are exposed at the opening of the first reflective member, and the second electrode of the first semiconductor light emitting structure and the first land are described. It is connected to the first electrode of the two semiconductor light emitting structures, respectively.
A part of the fourth land of the third wiring portion is exposed at the opening of the first reflective member and is connected to the second electrode of the second semiconductor light emitting structure.
The entire portion of the second wiring portion of the wiring layer that electrically connects the second land and the third land is covered with the first reflective member.
A light emitting device in which a portion of the second land and the third land of the second wiring portion exposed at the opening of the first reflective member is spatially separated .
前記配線層の前記第1ランド、前記第2ランド、前記第3ランドおよび前記第4ランドのうち前記第1反射部材の前記開口において露出された部分は、前記発光素子の中心に関して4回回転対称の配置を有する、請求項に記載の発光装置。 Of the first land, the second land, the third land, and the fourth land of the wiring layer, the exposed portion of the first reflective member at the opening is rotationally symmetric with respect to the center of the light emitting element four times. The light emitting device according to claim 1 , further comprising the arrangement of. 前記複数の半導体発光構造は、前記発光素子の前記上面とは反対側に第1電極と前記第1電極とは異なる極性の第2電極とを有する第3半導体発光構造をさらに含み、
前記配線層の前記第3配線部は、第5ランドをさらに有し、
前記配線層は、第6ランドが設けられた第4配線部をさらに含み、
前記第3配線部の前記第5ランドの一部は、前記第1反射部材の前記開口において露出され、かつ、前記第3半導体発光構造の第1電極に接続されており、
前記第4配線部の前記第6ランドの一部は、前記第1反射部材の前記開口において露出され、かつ、前記第3半導体発光構造の第2電極に接続されている、請求項に記載の発光装置。
The plurality of semiconductor light emitting structures further include a third semiconductor light emitting structure having a first electrode and a second electrode having a polarity different from that of the first electrode on the side opposite to the upper surface of the light emitting device.
The third wiring portion of the wiring layer further has a fifth land.
The wiring layer further includes a fourth wiring portion provided with a sixth land.
A part of the fifth land of the third wiring portion is exposed at the opening of the first reflective member and is connected to the first electrode of the third semiconductor light emitting structure.
The first aspect of the present invention, wherein a part of the sixth land of the fourth wiring portion is exposed at the opening of the first reflective member and is connected to the second electrode of the third semiconductor light emitting structure. Light emitting device.
前記配線層の前記第3配線部のうち、前記第4ランドと前記第5ランドとを電気的に接続する部分の全体は、前記第1反射部材で覆われており、
前記第3配線部の前記第4ランドおよび前記第5ランドのうち前記第1反射部材の前記開口において露出された部分は、空間的に分離されている、請求項に記載の発光装置。
The entire portion of the third wiring portion of the wiring layer that electrically connects the fourth land and the fifth land is covered with the first reflective member.
The light emitting device according to claim 3 , wherein the portion of the third wiring portion of the fourth land and the fifth land exposed at the opening of the first reflective member is spatially separated.
前記発光素子は、前記上面側に反射層を有している、請求項1からのいずれか1項に記載の発光装置。 The light emitting device according to any one of claims 1 to 4 , wherein the light emitting element has a reflective layer on the upper surface side. 前記基板上の前記発光素子および前記第1反射部材の一部を覆う透光部材をさらに備える、請求項1からのいずれか1項に記載の発光装置。 The light emitting device according to any one of claims 1 to 5 , further comprising a light emitting element on the substrate and a translucent member that covers a part of the first reflecting member. 前記透光部材の頂部は、上面視において環状である、請求項に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 6 , wherein the top of the translucent member is annular in the top view. 前記配線層および前記第1反射部材の上方に位置し、かつ上面視において前記発光素子を取り囲む複数の傾斜面を有する第2反射部材をさらに備える、請求項1からのいずれか1項に記載の発光装置。 6 . Light emitting device. 前記配線層の前記第1ランド、前記第2ランド、前記第3ランドおよび前記第4ランドのうちの互いに隣接する2つのランドにおいて、上面視における前記第1反射部材の前記開口内であって、かつ、前記発光素子の外側に位置する前記隣接する2つのランド間の距離は、前記発光素子の下方に位置する前記隣接する2つのランド間の距離よりも大きい、請求項1からのいずれか1項に記載の発光装置。 In the two lands adjacent to each other among the first land, the second land, the third land, and the fourth land of the wiring layer, the inside of the opening of the first reflective member in the top view. Any of claims 1 to 8 , wherein the distance between the two adjacent lands located outside the light emitting element is larger than the distance between the two adjacent lands located below the light emitting element. The light emitting device according to item 1 . 上面視における前記第1反射部材の前記開口内であって、かつ、前記発光素子の外側の領域における前記互いに隣接する2つのランド間の距離は、前記発光素子に近い側よりも遠い側の方が段階的または連続的に大きくなっている、請求項に記載の発光装置。 The distance between the two adjacent lands within the opening of the first reflective member and in the outer region of the light emitting element in the top view is on the side farther than the side closer to the light emitting element. 9. The light emitting device according to claim 9 , wherein the size is gradually or continuously increasing.
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