JP6971729B2 - Detection device and detection method - Google Patents
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本発明の実施形態は、検出装置及び検出方法に関する。 Embodiments of the present invention relate to a detection device and a detection method.
空隙が配置された構造体に電磁波が照射されると、電磁波の反射率又は透過率について空隙の特性に由来する周波数特性が生じる。構造体に物質が付着した場合、反射率又は透過率の周波数特性は、当該物質の存在のため変化する。 When an electromagnetic wave is applied to a structure in which a void is arranged, a frequency characteristic derived from the characteristic of the void is generated with respect to the reflectance or transmittance of the electromagnetic wave. When a substance adheres to the structure, the frequency characteristics of reflectance or transmittance change due to the presence of the substance.
上記の特性を利用して、構造体を有するセンサを用いて所定の物質(被検出物)の有無を検出する技術が知られている。 A technique for detecting the presence or absence of a predetermined substance (object to be detected) by using a sensor having a structure is known by utilizing the above characteristics.
精度よく被検出物を検出することができる検出装置及び検出方法を提供する。 Provided are a detection device and a detection method capable of accurately detecting an object to be detected.
実施形態によれば、センサにおける電磁波の透過率又は反射率に基づいてサンプルに含まれる被検出物又はサンプルから抽出した特定の被検出物を検出する検出装置は、照射部と、検出部と、制御部と、駆動部と、を備える。照射部は、センサに電磁波を照射する。検出部は、照射部が照射しセンサを透過した透過波又は照射部が照射しセンサで反射した反射波の強度を検出する。制御部は、照射部及び検出部を用いて、サンプルから抽出した特定の被検出物が添加されていないセンサの電磁波のリファレンス透過率又はリファレンス反射率を複数の周波数でそれぞれ測定し、照射部及び検出部を用いて、サンプルから抽出した特定の被検出物が添加されたセンサの電磁波の検出透過率又は検出反射率を複数の周波数でそれぞれ測定し、複数の周波数におけるリファレンス透過率又はリファレンス反射率及び複数の周波数における検出透過率又は検出反射率に基づいて被検出物を検出する。駆動部は、前記センサ又は前記照射部を移動させる。前記センサは、前記サンプルから抽出した特定の被検出物が添加されていない第1の領域と前記サンプルから抽出した特定の被検出物が添加された第2の領域とから構成される。前記第1の領域と前記第2の領域とは、特定の被検出物が存在しない状態では同一の周波数特性を有する。前記制御部は、
前記駆動部を用いて前記照射部からの電磁波が前記第1の領域の照射させるように前記センサ又は前記照射部を移動させ、前記第1の領域に前記複数の周波数の電磁波を照射して前記複数の電磁波のリファレンス透過率又はリファレンス反射率を測定し、前記駆動部を用いて前記照射部からの電磁波が前記第2の領域の照射させるように前記センサ又は前記照射部を移動させ、前記第2の領域に前記複数の周波数の電磁波を照射して前記複数の電磁波のリファレンス透過率又はリファレンス反射率を測定する。
According to the embodiment, the detection device for detecting the object to be detected contained in the sample or the specific object to be detected extracted from the sample based on the transmittance or the reflectance of the electromagnetic wave in the sensor includes an irradiation unit, a detection unit, and the detection unit. It includes a control unit and a drive unit . The irradiation unit irradiates the sensor with electromagnetic waves. The detection unit detects the intensity of the transmitted wave irradiated by the irradiation unit and transmitted through the sensor or the reflected wave irradiated by the irradiation unit and reflected by the sensor. The control unit uses the irradiation unit and the detection unit to measure the reference transmittance or reference reflectance of the electromagnetic wave of the sensor to which the specific object to be detected extracted from the sample is not added, respectively, at a plurality of frequencies, and the irradiation unit and the detection unit are used. Using the detector, the detected transmittance or detected reflectance of the electromagnetic wave of the sensor to which the specific object to be detected extracted from the sample is added is measured at multiple frequencies, respectively, and the reference transmittance or reference reflectance at multiple frequencies is used. And the object to be detected is detected based on the detected transmittance or the detected reflectance at a plurality of frequencies. The drive unit moves the sensor or the irradiation unit. The sensor is composed of a first region to which a specific object to be detected extracted from the sample is not added and a second region to which a specific object to be detected extracted from the sample is added. The first region and the second region have the same frequency characteristics in the absence of a specific object to be detected. The control unit
Using the drive unit, the sensor or the irradiation unit is moved so that the electromagnetic wave from the irradiation unit irradiates the first region, and the first region is irradiated with the electromagnetic waves of the plurality of frequencies. The reference transmittance or the reference reflectance of a plurality of electromagnetic waves is measured, and the sensor or the irradiation unit is moved so that the electromagnetic wave from the irradiation unit irradiates the second region using the drive unit. The two regions are irradiated with electromagnetic waves of the plurality of frequencies, and the reference transmittance or the reference reflectance of the plurality of electromagnetic waves is measured.
以下、図面を参照して実施形態について説明する。なお、各図は実施形態とその理解を促すための模式図であり、その形状や寸法、比などは適宜、設計変更することができる。
(第1の実施形態)
まず、第1の実施形態について説明する。
第1の実施形態に係る検出装置は、たとえば、サンプルから抽出した特定の菌(被検出物)などの有機物の有無を検出する。検出装置は、空隙が設けられた構造体を有する検出センサに対して所定の周波数を有する電磁波を照射し検出センサを透過した透過波を検出する。検出センサは、サンプルから抽出した特定の菌が添加されていない第1の領域とサンプルから抽出した特定の菌が添加された第2の領域とから構成される。検出装置は、第1の領域の透過率と第2の領域の透過率とを測定する。検出システムは、両透過率が一致しない場合に、検出センサ上に被検出物が堆積していると判定する。
Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings. It should be noted that each figure is a schematic view for promoting the embodiment and its understanding, and its shape, dimensions, ratio, and the like can be appropriately changed in design.
(First Embodiment)
First, the first embodiment will be described.
The detection device according to the first embodiment detects, for example, the presence or absence of an organic substance such as a specific bacterium (object to be detected) extracted from a sample. The detection device irradiates a detection sensor having a structure provided with a gap with an electromagnetic wave having a predetermined frequency and detects a transmitted wave transmitted through the detection sensor. The detection sensor is composed of a first region to which the specific bacterium extracted from the sample is not added and a second region to which the specific bacterium extracted from the sample is added. The detection device measures the transmittance of the first region and the transmittance of the second region. The detection system determines that the object to be detected is deposited on the detection sensor when the two transmittances do not match.
図1は、検出装置1の構成例を示す。図1が示すように、検出装置1は、制御装置10、D/Aコンバータ20、電磁波発生素子30、電磁波受光素子40、A/Dコンバータ50、駆動部60及び検出センサ100などを備える。制御装置10とD/Aコンバータ20、A/Dコンバータ50及び駆動部60とは、互いに電気的に接続される。D/Aコンバータ20と電磁波発生素子30とは、互いに電気的に接続される。電磁波受光素子40とA/Dコンバータ50とは、互いに電気的に接続される。
FIG. 1 shows a configuration example of the
制御装置10は、検出装置1全体を制御する。制御装置10は、制御信号を送信し各部を制御する。また、制御装置10は、検出装置1の各部から種々の信号を受信する。たとえば、制御装置10は、駆動部60に対して検出センサ100を所定の位置に移動させる制御信号を送信する。また、制御装置10は、D/Aコンバータ20に対して電磁波発生素子30に電力を供給することを指示する制御信号を送信する。また、制御装置10は、A/Dコンバータ50から電磁波受光素子40が受光した電磁波の強度を示すセンサ信号を受信する。制御装置10は、センサ信号などに基づいて検出センサ100上に被検出物があるかを判定する。
制御装置10については、後に詳述する。
The
The
D/Aコンバータ20は、制御装置10からの制御信号に基づいて電磁波発生素子30に電圧を印加する。即ち、D/Aコンバータ20は、制御信号をアナログ信号に変換して電磁波発生素子30に印加する。D/Aコンバータ20は、制御信号に基づく電圧を電磁波発生素子30に印加する。D/Aコンバータ20は、少なくとも異なる2つの電圧(第1の電圧及び第2の電圧)を電磁波発生素子30に印加する。たとえば、D/Aコンバータ20は、電圧を指示する制御信号を受信し、当該電圧を電磁波発生素子30に印加する。
The D /
電磁波発生素子30は、D/Aコンバータ20からの電力によって電磁波を検出センサ100に照射する。電磁波発生素子30は、D/Aコンバータ20によって印加された電圧に応じた周波数の電磁波を照射する。たとえば、電磁波発生素子30は、数テラヘルス程度の周波数の電磁波を照射する。
The electromagnetic
図2は、電磁波発生素子30が照射する電磁波の周波数を示すグラフである。図2では、横軸は、電圧を示す。縦軸は、周波数を示す。図2が示すように、電磁波発生素子30は、電圧が上がるほど高い周波数の電磁波を照射する。電磁波発生素子30は、第1の電圧が印加された場合、第1の周波数の電磁波を照射する。また、電磁波発生素子30は、第2の電圧が印加された場合、第2の周波数の電磁波を照射する。
なお、電磁波発生素子30の電圧特性は、特定の構成に限定されるものではない。
D/Aコンバータ20及び電磁波発生素子30は、照射部を構成する。
FIG. 2 is a graph showing the frequency of the electromagnetic wave irradiated by the electromagnetic
The voltage characteristic of the electromagnetic
The D /
電磁波受光素子40は、電磁波発生素子30から照射され検出センサ100を透過した透過波の強度を検出する。たとえば、電磁波受光素子40は、強度に応じた電圧をA/Dコンバータ50に出力する。また、電磁波受光素子40は、フォトトランジスタなどであってもよい。
The electromagnetic wave
A/Dコンバータ50は、電磁波受光素子40が検出した強度を示すセンサ信号(たとえば、デジタル信号)を生成する。A/Dコンバータ50は、センサ信号を制御装置10に送信する。
電磁波受光素子40及びA/Dコンバータ50は、検出部を構成する。
The A /
The electromagnetic wave
駆動部60は、制御装置10からの制御信号に従って検出センサ100を移動させる。駆動部60は、電磁波発生素子30からの電磁波を検出センサ100の任意の位置に照射するため、検出センサ100を移動させる。ここでは、駆動部60は、電磁波発生素子30が照射する電磁波の方向と垂直な方向に検出センサ100を移動させる。駆動部60は、たとえば、モータ及び駆動ベルトなどから構成される。
The
検出センサ100は、電磁波発生素子30からの電磁波を所定の透過率で電磁波受光素子40に透過させる。検出センサ100は、所定の周波数特性を有する。即ち、検出センサ100は、電磁波の周波数によって透過率が異なる構成を有する。また、菌などの有機物(被検出物)が検出センサ100の表面に付着すると、検出センサ100の透過率が変化する。
検出センサ100については、後に詳述する。
The
The
次に、制御装置10について説明する。
図3は、制御装置10の構成例を示すブロック図である。
図3が示す構成例において、制御装置10は、プロセッサ11(制御部)、ROM12、RAM13、NVM14、インターフェース15、操作部16及び表示部17などを備える。これらの各部は、データバスを介して互いに接続される。なお、制御装置10は、図2が示すような構成の他に必要に応じた構成を具備したり、特定の構成が除外されたりしてもよい。
Next, the
FIG. 3 is a block diagram showing a configuration example of the
In the configuration example shown in FIG. 3, the
プロセッサ11は、制御装置10全体の動作を制御する機能を有する。プロセッサ11は、内部キャッシュおよび各種のインターフェースなどを備えてもよい。プロセッサ11は、内部メモリ、ROM12又はNVM14が予め記憶するプログラムを実行することにより種々の処理を実現する。
The
なお、プロセッサ11がプログラムを実行することにより実現する各種の機能のうちの一部は、ハードウエア回路により実現されるものであってもよい。この場合、プロセッサ11は、ハードウエア回路により実行される機能を制御する。
It should be noted that some of the various functions realized by the
ROM12は、制御プログラム及び制御データなどが予め記憶された不揮発性のメモリである。ROM12に記憶される制御プログラム及び制御データは、制御装置10の仕様に応じて予め組み込まれる。ROM12は、たとえば、制御装置10の回路基板を制御するプログラム(たとえば、BIOS)などを格納する。
The
RAM13は、揮発性のメモリである。RAM13は、プロセッサ11の処理中のデータなどを一時的に格納する。RAM13は、プロセッサ11からの命令に基づき種々のアプリケーションプログラムを格納する。また、RAM13は、アプリケーションプログラムの実行に必要なデータ及びアプリケーションプログラムの実行結果などを格納してもよい。
The
NVM14は、データの書き込み及び書き換えが可能な不揮発性のメモリである。NVM14は、たとえば、HDD(Hard Disk Drive)、SSD(Solid State Drive)、EEPROM(登録商標)又はフラッシュメモリなどから構成される。NVM14は、制御装置10の運用用途に応じて制御プログラム、アプリケーション及び種々のデータなどを格納する。
The
インターフェース15は、D/Aコンバータ20、A/Dコンバータ50及び駆動部60とデータを送受信するためのインターフェースである。インターフェース15は、D/Aコンバータ20、A/Dコンバータ50及び駆動部60のそれぞれに対応するインターフェースから構成されてもよい。たとえば、インターフェース15は、USB接続をサポートするものであってもよい。
The
操作部16は、オペレータから種々の操作の入力を受け付ける。操作部16は、受け付けた操作を示す信号をプロセッサ11へ送信する。たとえば、操作部16は、キーボード、テンキー及びタッチパネルから構成される。
The
表示部17は、プロセッサ11の制御により種々の情報を表示する。たとえば、表示部17は、液晶モニタから構成される。なお、操作部16がタッチパネルなどで構成される場合、表示部17は、操作部16と一体的に形成されてもよい。
The
次に、検出センサ100について説明する。図4は、検出センサ100の上面図である。図5は、F5−F5の断面図である。
図4及び図5が示すように、検出センサ100は、基材101及び構造体102などから構成される。
Next, the
As shown in FIGS. 4 and 5, the
基材101は、たとえば、所定の大きさの矩形に形成される。基材101は、電磁波発生素子30が照射する電磁波に対して変化を生じさせない素材から構成されるのが望ましい。即ち、基材101は、電磁波発生素子30が照射する電磁波の周波数帯において透過性を有する素材から構成されることが望ましい。たとえば、基材101は、シリコンウエハなどから構成される。また、基材101は、ポリエチレンなどの有機材料から構成されてもよい。
The
たとえば、基材の厚さは、100〜800μmの範囲である。たとえば、基材101の厚さは、525μm程度である。
なお、基材101の素材及び外寸は、特定の構成に限定されるものではない。
For example, the thickness of the substrate is in the range of 100 to 800 μm. For example, the thickness of the
The material and outer dimensions of the
構造体102は、透過率における周波数特性においてピークを有する。構造体102は、ピークに寄与する所定の形状の構造体から構成される。構造体102は、電磁波発生素子30が照射する電磁波の周波数帯においてピークを有することが望ましい。
The
たとえば、構造体102は、金又はアルミニウムなどの導電体から形成される。構造体102は、複数の層を備える構造であってもよい。たとえば、構造体102は、基材101との接着層としてクロム又はチタンなどの層を備えてもよい。
たとえば、構造体102の厚さは、0.1μmから50μmの範囲である。たとえば、構造体102の厚さは、0.2μm程度である。
For example, the
For example, the thickness of the
構造体102は、周期的に配置される周期構造体として基材101上に複数個形成される。
A plurality of
構造体102は、環状構造である。構造体102は、環の一部が切断する構造である。即ち、構造体102は、C字型に形成される。たとえば、構造体102の外寸は、18μm程度である。また、構造体102の幅(環の幅)は、3μm程度である。
構造体102は、分割リング共振器を形成する。構造体102は、分割リング共振器によってLCR(コイル、コンデンサ、抵抗)回路を形成する。構造体102は、LCR回路によって所定の共振周波数において共振特性を有する。
なお、構造体102の形状及び大きさは、特定の構成に限定されるものではない。
The
The
The shape and size of the
検出センサ100は、第1の領域100a及び第2の領域100bに分割される。
第1の領域100aと第2の領域100bとは、それぞれ同一の構造体102を有する。即ち、第1の領域100aと第2の領域100bとは、被検出物が存在しない状態では、同一の周波数特性を有する。
The
The
第1の領域100aは、サンプルから抽出した特定の被検出物が添加されない領域である。第1の領域100aは、検出センサ100が元々有している周波数特性を有する。
The
第2の領域100bは、サンプルから抽出した特定の被検出物が添加される領域である。サンプルに被検出物が存在する場合、第2の領域100bの周波数特性の共振周波数は、サンプルが持つ誘電率に応じて変化する。即ち、第2の領域100bの周波数特性のピークの位置が変化する。プロセッサ11は、この変化量に応じて抽出したサンプルの量を把握することもできる。
The
たとえば、被検出物は、磁性ビーズを有する。また、被検出物は、抗体などで検出センサ100の第2の領域100bに固定される。
For example, the object to be detected has magnetic beads. Further, the object to be detected is fixed to the
第2の領域100bの構造体102に磁性ビーズを有する被検出物が堆積すると、第2の領域100bのLCR回路の特性が変化する。主に、第2の領域100bのコンダクタンスが被検出物の磁性ビーズによって変化する。そのため、第2の領域100bが有する共振周波数が変化し、第2の領域100bの周波数特性が変化する。
When an object to be detected having magnetic beads is deposited on the
次に、制御装置10が実現する機能について説明する。以下の機能は、制御装置10のプロセッサ11がNVM14などに格納されるプログラムを実行することで実現される。
ここでは、検出センサ100の第2の領域100bには、サンプルから抽出した特定の被検出物が添加されているものとする。
Next, the functions realized by the
Here, it is assumed that a specific object to be detected extracted from the sample is added to the
まず、制御装置10のプロセッサ11は、検出センサ100の第1の領域100aの透過率(リファレンス透過率)を第1の周波数及び第2の周波数で測定する機能を有する。
First, the
たとえば、プロセッサ11は、電磁波発生素子30からの電磁波が検出センサ100の第1の領域100aに照射されるように、駆動部60を用いて検出センサ100を移動させる。即ち、プロセッサ11は、インターフェース15を通じて駆動部60に検出センサ100を所定の位置に移動させる制御信号を送信する。駆動部60は、当該制御信号に従って検出センサ100を移動させる。
For example, the
図1が示す例は、プロセッサ11が電磁波発生素子30からの電磁波が第1の領域100aに照射されるように、検出センサ100を移動させた状態の例である。図1が示すように、検出センサ100は、電磁波発生素子30が第1の領域100aに電磁波を照射することができる位置に移動されている。
The example shown in FIG. 1 is an example in which the
なお、検出センサ100のデフォルトの位置が、電磁波発生素子30からの電磁波が第1の領域100aに照射される位置であれば、プロセッサ11は、検出センサ100を移動させなくともよい。
If the default position of the
検出センサ100に移動させると、プロセッサ11は、電磁波発生素子30を用いて第1の周波数の電磁波を検出センサ100の第1の領域100aに照射する。たとえば、プロセッサ11は、インターフェース15を通じて第1の電圧を設定する制御信号をD/Aコンバータ20へ送信する。プロセッサ11は、電圧(第1の電圧)を電磁波発生素子30に印加することを指示する制御信号をD/Aコンバータ20に送信する。D/Aコンバータ20は、制御信号に従って第1の電圧を電磁波発生素子30に印加する。電磁波発生素子30は、印加された第1の電圧によって第1の周波数の電磁波を検出センサ100の第1の領域100aに照射する。
When moved to the
第1の周波数の電磁波を第1の領域100aに照射すると、プロセッサ11は、電磁波受光素子40を用いて第1の領域100aからの透過波の強度を取得する。たとえば、電磁波受光素子40は、透過波の強度に対応する電圧をA/Dコンバータ50に出力する。A/Dコンバータ50は、当該電圧に従って透過波の強度を示すセンサ信号を生成し制御装置10へ送信する。プロセッサ11は、インターフェース15を通じて当該センサ信号を受信する。
When the
透過波の強度を取得すると、プロセッサ11は、電磁波発生素子30が照射する電磁波の強度と透過波の強度となどから第1の周波数における透過率(第1のリファレンス透過率)を算出する。
When the transmitted wave intensity is acquired, the
第1のリファレンス透過率を算出すると、プロセッサ11は、電磁波発生素子30を用いて第2の周波数の電磁波を検出センサ100の第1の領域100aに照射する。たとえば、プロセッサ11は、インターフェース15を通じて第2の電圧を設定する制御信号をD/Aコンバータ20へ送信する。プロセッサ11は、電圧(第2の電圧)を電磁波発生素子30に印加することを指示する制御信号をD/Aコンバータ20に送信する。D/Aコンバータ20は、制御信号に従って第2の電圧を電磁波発生素子30に印加する。電磁波発生素子30は、印加された第2の電圧によって第2の周波数の電磁波を検出センサ100の第1の領域100aに照射する。
When the first reference transmittance is calculated, the
第2の周波数の電磁波を第1の領域100aに照射すると、プロセッサ11は、電磁波受光素子40を用いて第1の領域100aからの透過波の強度を取得する。たとえば、電磁波受光素子40は、透過波の強度に対応する電圧をA/Dコンバータ50に出力する。A/Dコンバータ50は、当該電圧に従って透過波の強度を示すセンサ信号を生成し制御装置10へ送信する。プロセッサ11は、インターフェース15を通じて当該センサ信号を受信する。
When the
透過波の強度を取得すると、プロセッサ11は、電磁波発生素子30が照射する電磁波の強度と透過波の強度となどから第2の周波数における透過率(第2のリファレンス透過率)を算出する。
When the transmitted wave intensity is acquired, the
また、リファレンス透過率を測定すると、プロセッサ11は、検出センサ100の第2の領域100bの透過率(検出透過率)を第1の周波数及び第2の周波数で測定する機能を有する。
Further, when the reference transmittance is measured, the
たとえば、プロセッサ11は、電磁波発生素子30からの電磁波が検出センサ100の第2の領域100bに照射されるように、駆動部60を用いて検出センサ100を移動させる。即ち、プロセッサ11は、インターフェース15を通じて駆動部60に検出センサ100を所定の位置に移動させる制御信号を送信する。駆動部60は、当該制御信号に従って検出センサ100を移動させる。
For example, the
図6は、プロセッサ11が電磁波発生素子30からの電磁波が第2の領域100bに照射されるように、検出センサ100を移動させた状態の例である。図6が示すように、検出センサ100は、電磁波発生素子30が第2の領域100bに電磁波を照射することができる位置に移動されている。
FIG. 6 is an example of a state in which the
検出センサ100に移動させると、プロセッサ11は、電磁波発生素子30を用いて第1の周波数の電磁波を検出センサ100の第2の領域100bに照射する。第1の周波数の電磁波を第2の領域100bに照射すると、プロセッサ11は、電磁波受光素子40を用いて第2の領域100bからの透過波の強度を取得する。
When moved to the
透過波の強度を取得すると、プロセッサ11は、電磁波発生素子30が照射する電磁波の強度と透過波の強度となどから第1の周波数における透過率(第1の検出透過率)を算出する。
When the transmitted wave intensity is acquired, the
第1の検出透過率を算出すると、プロセッサ11は、電磁波発生素子30を用いて第2の周波数の電磁波を検出センサ100の第2の領域100bに照射する。第2の周波数の電磁波を第2の領域100bに照射すると、プロセッサ11は、電磁波受光素子40を用いて第2の領域100bからの透過波の強度を取得する。
When the first detection transmittance is calculated, the
透過波の強度を取得すると、プロセッサ11は、電磁波発生素子30が照射する電磁波の強度と透過波の強度となどから第2の周波数における透過率(第2の検出透過率)を算出する。
When the transmitted wave intensity is acquired, the
また、検出透過率を測定すると、プロセッサ11は、測定されたリファレンス透過率及び検出透過率に基づいて検出センサ100の第2の領域100bに被検出物があるか判定する機能を有する。
Further, when the detected transmittance is measured, the
たとえば、プロセッサ11は、第1のリファレンス透過率と第1の検出透過率とに差があるか判定する。プロセッサ11は、第1のリファレンス透過率と第1の検出透過率との差が所定の閾値以上である場合に、両者に差があると判定してもよい。
For example, the
第1のリファレンス透過率と第1の検出透過率とに差があるか判定すると、プロセッサ11は、第2のリファレンス透過率と第2の検出透過率とに差があるか判定する。同様に、プロセッサ11は、第2のリファレンス透過率と第2の検出透過率との差が所定の閾値以上である場合に、両者に差があると判定してもよい。
When determining whether there is a difference between the first reference transmittance and the first detected transmittance, the
プロセッサ11は、第1の周波数又は第2の周波数の少なくとも1つにおいてリファレンス透過率と検出透過率とに差がある場合に、被検出物を検出したと判定する。即ち、プロセッサ11は、第1のリファレンス透過率と第1の検出透過率とに差がある場合又は第2のリファレンス透過率と第2の検出透過率とに差がある場合、被検出物を検出したと判定する。
The
他方、プロセッサ11は、第1の周波数及び第2の周波数においてリファレンス透過率と検出透過率とに差がない場合に、被検出物がないと判定する。即ち、プロセッサ11は、第1のリファレンス透過率と第1の検出透過率とに差がなく第2のリファレンス透過率と第2の検出透過率とに差がない場合、被検出物がないと判定する。
On the other hand, the
プロセッサ11は、検出結果を表示部17などに表示してもよい。プロセッサ11は、通信部などを通じて検出結果を外部装置へ送信してもよい。
The
次に、制御装置10の動作例について説明する。図7は、制御装置10の動作例について説明するためのフローチャートである。ここでは、検出センサ100は、電磁波発生素子30からの電磁波が第1の領域100aに照射される位置にあるものとする。
Next, an operation example of the
まず、制御装置10のプロセッサ11は、第1の周波数で第1の領域100aの透過率(第1のリファレンス透過率)を測定する(ACT11)。第1のリファレンス透過率を測定すると、プロセッサ11は、第2の周波数で第1の領域100aの透過率(第2のリファレンス透過率)を測定する(ACT12)。
First, the
第1のリファレンス透過率を測定すると、プロセッサ11は、駆動部60を用いて検出センサ100を、電磁波発生素子30からの電磁波が第2の領域100bに照射される位置に移動させる(ACT13)。検出センサ100を移動させると、プロセッサ11は、第1の周波数で第2の領域100bの透過率(第1の検出透過率)を測定する(ACT14)。第1の検出透過率を測定すると、プロセッサ11は、第2の周波数で第2の領域100bの透過率(第2の検出透過率)を測定する(ACT15)。
When the first reference transmittance is measured, the
第2の検出透過率を測定すると、プロセッサ11は、第1及び第2のリファレンス透過率と第1及び第2の検出透過率とをそれぞれ比較して少なくとも1つに差があるか判定する(ACT16)。
When the second detected transmittance is measured, the
少なくとも1つに差があると判定すると(ACT16、YES)、プロセッサ11は、第2の領域100bに被検出物があると判定する(ACT17)。
両者に差がないと判定すると(ACT16、NO)、プロセッサ11は、第2の領域100bに被検出物がないと判定する(ACT18)。
If it is determined that there is a difference in at least one (ACT16, YES), the
If it is determined that there is no difference between the two (ACT16, NO), the
被検出物があると判定した場合、又は、被検出物がないと判定した場合、プロセッサ11は、動作を終了する。
When it is determined that there is an object to be detected, or when it is determined that there is no object to be detected, the
次に、プロセッサ11がリファレンス透過率又は検出透過率を測定する動作例(ACT11、12、14及び15)について説明する。ここでは、代表してACT11について説明する。ACT12、14及び15についてはACT11と同様であるため説明を省略する。
Next, an operation example (
図8は、ACT11の動作例を説明するためのフローチャートである。
まず、プロセッサ11は、インターフェース15を通じて第1の電圧を設定する制御信号をD/Aコンバータ20に送信する(ACT21)。当該制御信号をD/Aコンバータ20に送信すると、プロセッサ11は、電圧を電磁波発生素子30に印加することを指示する制御信号をD/Aコンバータ20に送信する(ACT22)。
FIG. 8 is a flowchart for explaining an operation example of the
First, the
当該制御信号をD/Aコンバータ20に送信すると、プロセッサ11は、インターフェース15を通じて透過波の強度を示すセンサ信号をA/Dコンバータ50から受信する(ACT23)。
When the control signal is transmitted to the D /
当該センサ信号を受信すると、プロセッサ11は、透過波の強度などに基づいて第1のリファレンス透過率を算出する(ACT24)。第1のリファレンス透過率を算出すると、プロセッサ11は、算出した第1のリファレンス透過率をNVM14に格納する(ACT25)。
リファレンス透過率を格納すると、プロセッサ11は、動作を終了する。
Upon receiving the sensor signal, the
When the reference transmittance is stored, the
次に、検出センサ100の周波数特性について説明する。ここでは、第2の領域100bに被検出物が添加されているものとする。
Next, the frequency characteristics of the
図9は、検出センサ100の周波数特性について説明するためのグラフである。図9において、横軸は、電磁波の周波数を示す。縦軸は、透過率を示す。図9は、グラフ301及びグラフ302を示す。
FIG. 9 is a graph for explaining the frequency characteristics of the
グラフ301は、第1の領域100aの周波数特性を示す。また、グラフ302は、第2の領域100bの周波数特性を示す。
図9が示すように、グラフ301及びグラフ302は、ピークを有する。グラフ302のピークは、被検出物の量に応じてグラフ301のピークよりも左(低い周波数)にずれる。
As shown in FIG. 9,
また、線401は、第1の周波数を示す。また、線402は、第2の周波数を示す。図9が示す例では、グラフ302における第1の周波数の電磁波の透過率は、グラフ301におけるそれと同一である。即ち、第1の周波数では、第2の領域200bに被検出物が付与されても、第1の領域100aの透過率と第2の領域200bの透過率とに差がない。
Further, the
他方、グラフ302における第2の周波数の電磁波の透過率は、グラフ301におけるそれと異なる。即ち、第2の周波数では、第2の領域200bに被検出物が付与されると、第1の領域100aの透過率と第2の領域200bの透過率とに差が生じる。
On the other hand, the transmittance of the electromagnetic wave of the second frequency in the
プロセッサ11は、第2のリファレンス透過率と第2の検出透過率とが一致しないと判定する。その結果、プロセッサ11は、第2の領域200b上にある被検出物を検出することができる。
The
なお、検出センサ100は、全体にサンプルから抽出した特定の被検出物を添加されてもよい。たとえば、プロセッサ11は、添加前の検出センサ100から第1及び第2のリファレンス透過率を測定する。また、プロセッサ11は、添加後の検出センサ100から第1及び第2の検出透過率を測定してもよい。
In addition, the
また、検出装置1は、3つ以上の周波数でリファレンス透過率及び検出透過率を測定してもよい。検出装置1は、少なくとも1つの周波数でリファレンス透過率と検出透過率とに差がある場合に、被検出物を検出したと判定する。
Further, the
また、電磁波発生素子30は、第1の周波数の電磁波を放射する電磁波発生素子と第2の周波数の電磁波を放射する電磁波発生素子とから構成されてもよい。
Further, the electromagnetic
また、構造体102は、格子状に形成される導電体であってもよい。
また、検出センサ100は、基材101を有しなくともよい。
Further, the
Further, the
以上のように構成された検出装置は、検出センサに対して第1及び第2の周波数の電磁波を照射して透過率を測定する。そのため、検出装置は、サンプルから抽出した特定の被検出物が添加されていない第1の領域とサンプルから抽出した特定の被検出物が添加された第2の領域との透過率を第1及び第2の周波数の電磁波で測定することができる。 The detection device configured as described above measures the transmittance by irradiating the detection sensor with electromagnetic waves of the first and second frequencies. Therefore, the detection device sets the transmittance between the first region to which the specific object to be detected extracted from the sample is not added and the second region to which the specific object to be detected extracted from the sample is added. It can be measured by an electromagnetic wave of a second frequency.
たとえば、第1の周波数でのみ透過率の変化を検出する場合、図9の第1の周波数の線401のみで検出する例が示す例では、検出装置は、被検出物によって第1の領域と第2の領域とで周波数特性が異なるにも関わらず、差を検出することができない。その結果、検出装置は、適切に被検出物を検出することができない。
For example, in the case of detecting the change in transmittance only at the first frequency, in the example shown in the example of detecting only at the
他方、実施形態に係る検出装置は、第1及び第2の周波数の電磁波で透過率を検出する。その結果、検出装置は、どちらかの周波数で透過率に差が生じれば被検出物を検出することができる。図9が示す例では、検出装置は、第2の周波数において透過率の差を検出することができる。従って、検出装置は、適切に被検出物を検出することができる。
よって、検出装置は、より精度よく被検出物を検出することができる。
On the other hand, the detection device according to the embodiment detects the transmittance with electromagnetic waves of the first and second frequencies. As a result, the detection device can detect the object to be detected if there is a difference in transmittance at either frequency. In the example shown in FIG. 9, the detector can detect the difference in transmittance at the second frequency. Therefore, the detection device can appropriately detect the object to be detected.
Therefore, the detection device can detect the object to be detected more accurately.
また、第1の周波数でのみ透過率の変化を検出する場合であっても、第1の周波数と検出センサ100の周波数特性のピークの位置とが一致すれば、検出装置は、透過率の差を検出することができる。しかしながら、検出センサの製造誤差などによって生じる個体差などによって第1の周波数とピークの位置とを完全に一致させることは、困難である。
Further, even when the change in transmittance is detected only at the first frequency, if the first frequency and the position of the peak of the frequency characteristic of the
第1及び第2の周波数の電磁波で透過率を検出することで、検出装置は、電磁波の周波数とピークの位置とを一致させなくとも、精度よく被検出物を検出することができる。
(第2の実施形態)
次に、第2の実施形態について説明する。
第2の実施形態に係る検出装置1は、最も感度のよい周波数の電磁波で透過率を測定する点で第1の実施形態に係る検出装置1と異なる。従って、他の点については同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
By detecting the transmittance with the electromagnetic waves of the first and second frequencies, the detection device can accurately detect the object to be detected without matching the frequency of the electromagnetic waves with the position of the peak.
(Second embodiment)
Next, the second embodiment will be described.
The
検出装置1の構成は、第1の実施形態のそれと同様であるため説明を省略する。
Since the configuration of the
次に、制御装置10が実現する機能について説明する。以下の機能は、制御装置10のプロセッサ11がNVM14などに格納されるプログラムを実行することで実現される。
まず、制御装置10のプロセッサ11は、検出センサ100の第1の領域100aの透過率(リファレンス透過率)を複数の周波数の電磁波でそれぞれ測定する機能を有する。ここでは、プロセッサ11は、第1の周波数の電磁波及び第2の周波数の電磁波でリファレンス透過率を測定する。第1の周波数の電磁波及び第2の周波数の電磁波でリファレンス透過率を測定する動作例については、第1の実施形態と同様であるため説明を省略する。
Next, the functions realized by the
First, the
また、リファレンス透過率を測定すると、プロセッサ11は、検出センサ100の第2の領域200bの透過率(検出透過率)を複数の周波数の電磁波でそれぞれ測定する機能を有する。ここでは、プロセッサ11は、第1の周波数の電磁波及び第2の周波数の電磁波で検出透過率を測定する。第1の周波数の電磁波及び第2の周波数の電磁波で検出透過率を測定する動作例については、第1の実施形態と同様であるため説明を省略する。
Further, when the reference transmittance is measured, the
また、プロセッサ11は、リファレンス透過率と検出透過率との差が最も大きな周波数を検出に使用する周波数(検出用周波数)として特定する機能を有する。
たとえば、プロセッサ11は、第1のリファレンス透過率と第1の検出透過率との差を算出する。また、プロセッサ11は、第2のリファレンス透過率と第2の検出透過率との差を算出する。プロセッサ11は、差の大きな周波数(第1の周波数又は第2の周波数)を検出用周波数として特定する。プロセッサ11は、特定した検出用周波数をNVM14に格納する。
Further, the
For example, the
たとえば、プロセッサ11は、初回の起動時において検出用周波数を特定する。また、プロセッサ11は、オペレータの操作に従って検出用周波数を更新してもよい。たとえば、検出センサ100(又は、検出センサ100のロット)を交換した場合になどに、オペレータは、検出用周波数を更新させる操作を操作部16などに入力する。
For example, the
また、プロセッサ11は、検出センサ100の第1の領域100aの透過率(リファレンス透過率)を検出用周波数の電磁波で測定する機能を有する。
検出用周波数の電磁波でリファレンス透過率を測定する動作例については、第1の実施形態において第1の周波数又は第2の周波数でリファレンス透過率を測定する動作例と同様であるため説明を省略する。
Further, the
The operation example of measuring the reference transmittance with the electromagnetic wave of the detection frequency is the same as the operation example of measuring the reference transmittance at the first frequency or the second frequency in the first embodiment, and thus the description thereof will be omitted. ..
また、リファレンス透過率を測定すると、プロセッサ11は、検出センサ100の第2の領域200bの透過率(検出透過率)を検出用周波数の電磁波で測定する機能を有する。
検出用周波数の電磁波で検出透過率を測定する動作例については、第1の実施形態において第1の周波数又は第2の周波数で検出透過率を測定する動作例と同様であるため説明を省略する。
Further, when the reference transmittance is measured, the
The operation example of measuring the detected transmittance with the electromagnetic wave of the detection frequency is the same as the operation example of measuring the detected transmittance at the first frequency or the second frequency in the first embodiment, and thus the description thereof will be omitted. ..
また、プロセッサ11は、検出用周波数のリファレンス透過率と検出用周波数の検出透過率とに基づいて検出センサ100の第2の領域200bに被検出物があるか判定する機能を有する。
Further, the
プロセッサ11は、検出用周波数のリファレンス透過率と検出用周波数の検出透過率とに差があるか判定する。プロセッサ11は、検出用周波数のリファレンス透過率と検出用周波数の検出透過率との差が所定の閾値以上である場合に、両者に差があると判定してもよい。
The
両者に差があると判定した場合、プロセッサ11は、被検出物を検出したと判定する。また、両者に差がないと判定した場合、プロセッサ11は、被検出物がないと判定する。
If it is determined that there is a difference between the two, the
プロセッサ11は、検出結果を表示部17などに表示してもよい。プロセッサ11は、通信部などを通じて検出結果を外部装置へ送信してもよい。
The
次に、制御装置10の動作例について説明する。
まず、制御装置10が検出用周波数を特定する動作例について説明する。図10は、制御装置10が検出用周波数を特定する動作例について説明するためのフローチャートである。ここでは、検出センサ100は、電磁波発生素子30からの電磁波が第1の領域100aに照射される位置にあるものとする。
Next, an operation example of the
First, an operation example in which the
まず、制御装置10のプロセッサ11は、複数の周波数で第1の領域100aの透過率(リファレンス透過率)をそれぞれ測定する(ACT31)。リファレンス透過率をそれぞれ測定すると、プロセッサ11は、駆動部60を用いて検出センサ100を、電磁波発生素子30からの電磁波が第2の領域200bに照射される位置に移動させる(ACT32)。
First, the
検出センサ100を移動させると、プロセッサ11は、複数の周波数で第2の領域200bの透過率(検出透過率)をそれぞれ測定する(ACT33)。検出透過率をそれぞれ測定すると、プロセッサ11は、リファレンス透過率と検出透過率とをそれぞれ比較して少なくとも1つに差があるか判定する(ACT34)。
When the
少なくとも1つに差があると判定すると(ACT34、YES)、プロセッサ11は、第2の領域200bに被検出物があると判定する(ACT35)。被検出物があると判定すると、プロセッサ11は、差が最も大きな周波数を検出用周波数として特定する(ACT36)。
If it is determined that there is a difference in at least one (ACT34, YES), the
両者に差がないと判定すると(ACT34、NO)、プロセッサ11は、第2の領域200bに被検出物がないと判定する(ACT37)。
検出用周波数を特定する場合、又は、被検出物がないと判定した場合、プロセッサ11は、動作を終了する。
If it is determined that there is no difference between the two (ACT34, NO), the
When the detection frequency is specified, or when it is determined that there is no object to be detected, the
なお、両者に差がないと判定した場合(ACT34、NO)、プロセッサ11は、次の検出処理においてもACT31乃至37を実行してもよい。
If it is determined that there is no difference between the two (ACT 34, NO), the
次に、制御装置10が検出用周波数で被検出物を検出する動作例について説明する。図11は、制御装置10が検出用周波数で被検出物を検出する動作例について説明するためのフローチャートである。ここでは、検出センサ100は、電磁波発生素子30からの電磁波が第1の領域100aに照射される位置にあるものとする。
Next, an operation example in which the
まず、制御装置10のプロセッサ11は、検出用周波数で第1の領域100aの透過率(リファレンス透過率)を測定する(ACT41)。リファレンス透過率を測定すると、プロセッサ11は、駆動部60を用いて検出センサ100を、電磁波発生素子30からの電磁波が第2の領域200bに照射される位置に移動させる(ACT42)。
First, the
検出センサ100を移動させると、プロセッサ11は、検出用周波数で第2の領域200bの透過率(検出透過率)を測定する(ACT43)。検出透過率を測定すると、プロセッサ11は、リファレンス透過率と検出透過率とに差があるか判定する(ACT44)。
When the
差があると判定すると(ACT44、YES)、プロセッサ11は、第2の領域200bに被検出物があると判定する(ACT45)。
If it is determined that there is a difference (ACT44, YES), the
差がないと判定すると(ACT44、NO)、プロセッサ11は、第2の領域200bに被検出物がないと判定する(ACT46)。
被検出物があると判定した場合、又は、被検出物がないと判定した場合、プロセッサ11は、動作を終了する。
If it is determined that there is no difference (ACT44, NO), the
When it is determined that there is an object to be detected, or when it is determined that there is no object to be detected, the
なお、プロセッサ11は、3つ以上の異なる周波数でリファレンス透過率及び検出透過率を測定してもよい。プロセッサ11は、3以上の周波数の中から差が最も大きな周波数を検出用周波数として特定してもよい。
The
以上のように構成された検出装置は、リファレンス透過率と検出透過率との差が最も大きな周波数を特定する。その結果、検出装置は、最も感度がよい周波数を特定することができる。 The detection device configured as described above identifies the frequency having the largest difference between the reference transmittance and the detected transmittance. As a result, the detector can identify the most sensitive frequency.
検出装置は、最も感度がよい周波数を用いて被検出物を検出する。その結果、検出装置は、2つ以上の周波数を用いた場合と同様に適切に被検出物を検出することができる。従って、検出装置は、2つ以上の周波数を用いなくとも適切に被検出物を検出することができる。
(第3の実施形態)
次に、第3の実施形態について説明する。
第3の実施形態に係る検出装置は、電磁波発生素子30及び電磁波受光素子40を移動させる点で第1の実施形態に係る検出装置1と異なる。従って、他の点については同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
The detection device detects the object to be detected using the frequency with the highest sensitivity. As a result, the detection device can appropriately detect the object to be detected as in the case of using two or more frequencies. Therefore, the detection device can appropriately detect the object to be detected without using two or more frequencies.
(Third embodiment)
Next, a third embodiment will be described.
The detection device according to the third embodiment is different from the
図12は、第3の実施形態に係る検出装置2の構成例を示す。図12が示すように、検出装置2は、制御装置10、D/Aコンバータ20、電磁波発生素子30、電磁波受光素子40、A/Dコンバータ50、駆動部70、駆動部80及び検出センサ100などを備える。
制御装置10と駆動部70及び駆動部80とは、互いに電気的に接続される。
FIG. 12 shows a configuration example of the detection device 2 according to the third embodiment. As shown in FIG. 12, the detection device 2 includes a
The
駆動部70は、制御装置10からの制御信号に従って電磁波発生素子30を移動させる。駆動部70は、電磁波を検出センサ100の任意の位置に照射するため電磁波発生素子30を移動させる。ここでは、駆動部70は、照射される電磁波の方向と垂直な方向に電磁波発生素子30を移動させる。駆動部70は、たとえば、モータ及び駆動ベルトなどから構成される。
The
駆動部80は、制御装置10からの制御信号に従って電磁波受光素子40を移動させる。駆動部80は、電磁波を検出センサ100の任意の位置に照射するため電磁波受光素子40を移動させる。ここでは、駆動部80は、照射される電磁波の方向と垂直な方向に電磁波受光素子40を移動させる。駆動部80は、たとえば、モータ及び駆動ベルトなどから構成される。
なお、駆動部70と駆動部80とは、一体的に構成されてもよい。
The
The
次に、制御装置10が実現する機能について説明する。制御装置10は、第1の実施形態に係る制御装置10の機能に加えて以下の機能を実現する。以下の機能は、制御装置10のプロセッサ11がNVM14などに格納されるプログラムを実行することで実現される。
Next, the functions realized by the
プロセッサ11は、第1の領域100aのリファレンス透過率を測定する場合、駆動部70を用いて、電磁波が第1の領域100aに照射される位置に電磁波発生素子30を移動させる。即ち、プロセッサ11は、インターフェース15を通じて駆動部70に電磁波発生素子30を所定の位置に移動させる制御信号を送信する。駆動部70は、当該制御信号に従って電磁波発生素子30を移動させる。
When measuring the reference transmittance of the
また、プロセッサ11は、駆動部80を用いて、第1の領域100aを透過する透過波を受光可能な位置に電磁波受光素子40を移動させる。即ち、プロセッサ11は、インターフェース15を通じて駆動部80に電磁波受光素子40を所定の位置に移動させる制御信号を送信する。駆動部80は、当該制御信号に従って電磁波受光素子40を移動させる。
Further, the
同様に、プロセッサ11は、第2の領域200bの検出透過率を測定する場合、駆動部70を用いて、電磁波が第2の領域200bに照射される位置に電磁波発生素子30を移動させる。
また、プロセッサ11は、駆動部80を用いて、第2の領域200bを透過する透過波を受光可能な位置に電磁波受光素子40を移動させる。
Similarly, when measuring the detection transmittance of the
Further, the
制御装置10の動作例については、第1の実施形態と同様であるため説明を省略する。
Since the operation example of the
なお、検出装置2は、第2の実施形態に係る検出装置1の特徴を備えてもよい。
The detection device 2 may include the features of the
以上のように構成された検出装置は、検出センサを固定し、電磁波発生素子30及び電磁波受光素子40を移動する。その結果、検出装置は、検出センサを固定したままでリファレンス透過率及び検出透過率を測定することができる。
(第4の実施形態)
次に、第4の実施形態について説明する。
第4の実施形態に係る検出装置は、検出センサ100の反射率を測定する点で第1の実施形態に係る検出装置1と異なる。従って、他の点については同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
The detection device configured as described above fixes the detection sensor and moves the electromagnetic
(Fourth Embodiment)
Next, a fourth embodiment will be described.
The detection device according to the fourth embodiment is different from the
図13は、第4の実施形態に係る検出装置3の構成例を示す。図13が示すように、検出装置3は、制御装置10、D/Aコンバータ20、電磁波発生素子30、電磁波受光素子40、A/Dコンバータ50、駆動部90及び検出センサ200などを備える。
制御装置10と駆動部90とは、互いに電気的に接続される。
FIG. 13 shows a configuration example of the
The
電磁波発生素子30は、検出センサ200に電磁波を照射する。図13が示すように、電磁波発生素子30は、検出センサ200に対して所定の角度で電磁波を照射する。
The electromagnetic
電磁波受光素子40は、電磁波発生素子30が照射し検出センサ200で反射した反射波の強度を検出する。図13が示すように、電磁波受光素子40は、検出センサ200に対して所定の角度で反射される反射波を受光する。
The electromagnetic wave
駆動部90は、制御装置10からの制御信号に従って検出センサ200を移動させる。駆動部90は、電磁波発生素子30からの電磁波を検出センサ100の任意の位置に照射するため、検出センサ200を移動させる。ここでは、駆動部90は、水平な方向に検出センサ200を移動させる。駆動部90は、たとえば、モータ及び駆動ベルトなどから構成される。
The
次に、検出センサ200について説明する。図14は、検出センサ100の上面図である。図15は、F15−F15の断面図である。
図14及び図15が示すように、検出センサ200は、基材101及び構造体202などから構成される。
Next, the
As shown in FIGS. 14 and 15, the
構造体202は、電磁波発生素子30が照射する電磁波を反射する。構造体202は、反射率における周波数特性においてピークを有する。構造体202は、ピークに寄与する所定の形状の構造体から構成される。構造体202は、電磁波発生素子30が照射する電磁波の周波数帯においてピークを有することが望ましい。
The
たとえば、構造体202は、金又はアルミニウムなどの導電体から形成される。構造体202は、複数の層を備える構造であってもよい。たとえば、構造体202は、基材101との接着層としてクロム又はチタンなどの層を備えてもよい。
たとえば、構造体202の厚さは、0.1μから50μmの範囲である。たとえば、構造体202の厚さは、0.2μm程度である。
For example,
For example, the thickness of the
構造体202は、相補型分割リング共振器を形成することに寄与する空隙203を有する。構造体202は、周期的に配置される複数の空隙203を有する。
The
空隙203は、環状構造である。空隙203は、環の一部が切断する構造である。即ち、空隙203は、C字型に形成される。たとえば、空隙203の外寸は、18μm程度である。また、空隙203の幅(隙間の幅)は、3μm程度である。
構造体202は、空隙203によって相補型分割リング共振器を形成する。構造体202は、相補型分割リング共振器によってLCR(リアクタンス、コンダクタンス、レジスタンス)回路を形成する。構造体202は、LCR回路によって所定の共振周波数において共振特性を有する。
なお、空隙203の形状及び大きさは、特定の構成に限定されるものではない。
The
The
The shape and size of the
検出センサ200は、第1の領域200a及び第2の領域200bに分割される。
第1の領域200aと第2の領域200bとは、それぞれ同一の空隙203を有する。即ち、第1の領域200aと第2の領域200bとは、被検出物が存在しない状態では、同一の周波数特性を有する。
The
The
第1の領域200aは、サンプルから抽出した特定の被検出物が添加されない領域である。第1の領域200aは、検出センサ200が元々有している周波数特性を有する。
The
第2の領域200bは、サンプルから抽出した特定の被検出物が添加される領域である。被検出物が存在する場合、第2の領域200bの周波数特性は、変化する。即ち、第2の領域200bの周波数特性のピークの位置が変化する。
The
前述の通り、被検出物は、磁性ビーズを有する。また、被検出物は、抗体などで検出センサ200の第2の領域200bに固定される。
As described above, the object to be detected has magnetic beads. Further, the object to be detected is fixed to the
第2の領域200bの構造体202に磁性ビーズを有する被検出物が堆積すると、第2の領域200bのLCR回路の特性が変化する。主に、第2の領域200bのコンダクタンスが被検出物の磁性ビーズによって変化する。そのため、第2の領域200bが有する共振周波数が変化し、第2の領域200bの周波数特性が変化する。
When an object to be detected having magnetic beads is deposited on the
次に、制御装置10が実現する機能について説明する。以下の機能は、制御装置10のプロセッサ11がNVM14などに格納されるプログラムを実行することで実現される。
ここでは、検出センサ200の第2の領域200bには、サンプルから抽出した特定の被検出物が添加されているものとする。
Next, the functions realized by the
Here, it is assumed that a specific object to be detected extracted from the sample is added to the
まず、制御装置10のプロセッサ11は、検出センサ200の第1の領域200aの反射率(リファレンス反射率)を第1の周波数及び第2の周波数で測定する機能を有する。
First, the
たとえば、プロセッサ11は、電磁波発生素子30からの電磁波が検出センサ200の第1の領域200aに照射されるように、駆動部90を用いて検出センサ200を移動させる。即ち、プロセッサ11は、インターフェース15を通じて駆動部90に検出センサ200を所定の位置に移動させる制御信号を送信する。駆動部90は、当該制御信号に従って検出センサ200を移動させる。
For example, the
図13が示す例は、プロセッサ11が電磁波発生素子30からの電磁波が第1の領域200aに照射されるように、検出センサ200を移動させた状態の例である。図13が示すように、検出センサ200は、電磁波発生素子30が第1の領域200aに電磁波を照射することができる位置に移動されている。
The example shown in FIG. 13 is an example in which the
なお、検出センサ200のデフォルトの位置が、電磁波発生素子30からの電磁波が第1の領域200aに照射される位置であれば、プロセッサ11は、検出センサ200を移動させなくともよい。
If the default position of the
検出センサ200に移動させると、プロセッサ11は、電磁波発生素子30を用いて第1の周波数の電磁波を検出センサ200の第1の領域200aに照射する。第1の周波数の電磁波を第1の領域200aに照射すると、プロセッサ11は、電磁波受光素子40を用いて第1の領域200aからの反射波の強度を取得する。
When moved to the
反射波の強度を取得すると、プロセッサ11は、電磁波発生素子30が照射する電磁波の強度と反射波の強度となどから第1の周波数における反射率(第1のリファレンス反射率)を算出する。
When the intensity of the reflected wave is acquired, the
第1のリファレンス反射率を算出すると、プロセッサ11は、電磁波発生素子30を用いて第2の周波数の電磁波を検出センサ200の第1の領域200aに照射する。第2の周波数の電磁波を第1の領域200aに照射すると、プロセッサ11は、電磁波受光素子40を用いて第1の領域200aからの反射波の強度を取得する。
When the first reference reflectance is calculated, the
反射波の強度を取得すると、プロセッサ11は、電磁波発生素子30が照射する電磁波の強度と反射波の強度となどから第2の周波数における反射率(第2のリファレンス反射率)を算出する。
When the intensity of the reflected wave is acquired, the
また、リファレンス反射率を測定すると、プロセッサ11は、検出センサ200の第2の領域200bの反射率(検出反射率)を第1の周波数及び第2の周波数で測定する機能を有する。
Further, when the reference reflectance is measured, the
たとえば、プロセッサ11は、電磁波発生素子30からの電磁波が検出センサ200の第2の領域200bに照射されるように、駆動部90を用いて検出センサ200を移動させる。即ち、プロセッサ11は、インターフェース15を通じて駆動部90に検出センサ200を所定の位置に移動させる制御信号を送信する。駆動部90は、当該制御信号に従って検出センサ200を移動させる。
For example, the
図16は、プロセッサ11が電磁波発生素子30からの電磁波が第2の領域200bに照射されるように、検出センサ200を移動させた状態の例である。図16が示すように、検出センサ200は、電磁波発生素子30が第2の領域200bに電磁波を照射することができる位置に移動されている。
FIG. 16 is an example of a state in which the
検出センサ200に移動させると、プロセッサ11は、電磁波発生素子30を用いて第1の周波数の電磁波を検出センサ200の第2の領域200bに照射する。第1の周波数の電磁波を第2の領域200bに照射すると、プロセッサ11は、電磁波受光素子40を用いて第2の領域200bからの反射波の強度を取得する。
When moved to the
反射波の強度を取得すると、プロセッサ11は、電磁波発生素子30が照射する電磁波の強度と反射波の強度となどから第1の周波数における反射率(第1の検出反射率)を算出する。
When the intensity of the reflected wave is acquired, the
第1の検出反射率を算出すると、プロセッサ11は、電磁波発生素子30を用いて第2の周波数の電磁波を検出センサ200の第2の領域200bに照射する。第2の周波数の電磁波を第2の領域200bに照射すると、プロセッサ11は、電磁波受光素子40を用いて第2の領域200bからの反射波の強度を取得する。
When the first detected reflectance is calculated, the
反射波の強度を取得すると、プロセッサ11は、電磁波発生素子30が照射する電磁波の強度と反射波の強度となどから第2の周波数における反射率(第2の検出反射率)を算出する。
When the intensity of the reflected wave is acquired, the
また、検出反射率を測定すると、プロセッサ11は、測定されたリファレンス反射率及び検出反射率に基づいて検出センサ200の第2の領域200bに被検出物があるか判定する機能を有する。
Further, when the detected reflectance is measured, the
たとえば、プロセッサ11は、第1のリファレンス反射率と第1の検出反射率とに差があるか判定する。プロセッサ11は、第1のリファレンス反射率と第1の検出反射率との差が所定の閾値以上である場合に、両者に差があると判定してもよい。
For example, the
第1のリファレンス反射率と第1の検出反射率とに差があるか判定すると、プロセッサ11は、第2のリファレンス反射率と第2の検出反射率とに差があるか判定する。同様に、プロセッサ11は、第2のリファレンス反射率と第2の検出反射率との差が所定の閾値以上である場合に、両者に差があると判定してもよい。
When determining whether there is a difference between the first reference reflectance and the first detected reflectance, the
プロセッサ11は、第1の周波数又は第2の周波数の少なくとも1つにおいてリファレンス反射率と検出反射率とに差がある場合に、被検出物を検出したと判定する。即ち、プロセッサ11は、第1のリファレンス反射率と第1の検出反射率とに差がある場合又は第2のリファレンス反射率と第2の検出反射率とに差がある場合、被検出物を検出したと判定する。
The
他方、プロセッサ11は、第1の周波数及び第2の周波数においてリファレンス反射率と検出反射率とに差がない場合に、被検出物がないと判定する。即ち、プロセッサ11は、第1のリファレンス反射率と第1の検出反射率とに差がなく第2のリファレンス反射率と第2の検出反射率とに差がない場合、被検出物がないと判定する。
On the other hand, the
プロセッサ11は、検出結果を表示部17などに表示してもよい。プロセッサ11は、通信部などを通じて検出結果を外部装置へ送信してもよい。
The
次に、制御装置10の動作例について説明する。図17は、制御装置10の動作例について説明するためのフローチャートである。ここでは、検出センサ200は、電磁波発生素子30からの電磁波が第1の領域200aに照射される位置にあるものとする。
Next, an operation example of the
まず、制御装置10のプロセッサ11は、第1の周波数で第1の領域200aの反射率(第1のリファレンス反射率)を測定する(ACT51)。第1のリファレンス反射率を測定すると、プロセッサ11は、第2の周波数で第1の領域200aの反射率(第2のリファレンス反射率)を測定する(ACT52)。
First, the
第1のリファレンス反射率を測定すると、プロセッサ11は、駆動部90を用いて検出センサ200を、電磁波発生素子30からの電磁波が第2の領域200bに照射される位置に移動させる(ACT53)。検出センサ200を移動させると、プロセッサ11は、第1の周波数で第2の領域200bの反射率(第1の検出反射率)を測定する(ACT54)。第1の検出反射率を測定すると、プロセッサ11は、第2の周波数で第2の領域200bの反射率(第2の検出反射率)を測定する(ACT55)。
When the first reference reflectance is measured, the
第2の検出反射率を測定すると、プロセッサ11は、第1及び第2のリファレンス反射率と第1及び第2の検出反射率とをそれぞれ比較して少なくとも1つに差があるか判定する(ACT56)。
When the second detected reflectance is measured, the
少なくとも1つに差があると判定すると(ACT56、YES)、プロセッサ11は、第2の領域200bに被検出物があると判定する(ACT57)。
両者に差がないと判定すると(ACT56、NO)、プロセッサ11は、第2の領域200bに被検出物がないと判定する(ACT58)。
If it is determined that there is a difference in at least one (ACT56, YES), the
If it is determined that there is no difference between the two (ACT56, NO), the
被検出物があると判定した場合、又は、被検出物がないと判定した場合、プロセッサ11は、動作を終了する。
When it is determined that there is an object to be detected, or when it is determined that there is no object to be detected, the
なお、検出装置1は、駆動部を用いて電磁波発生素子30及び電磁波受光素子40を移動させてもよい。たとえば、プロセッサ11は、第1の領域200aの反射率を測定する場合、電磁波が第1の領域200aに照射される位置に電磁波発生素子30を移動させる。また、プロセッサ11は、第1の領域200aからの反射波を受光可能な位置に電磁波受光素子40を移動させる。
The
また、プロセッサ11は、第2の領域200bの反射率を測定する場合、電磁波が第2の領域200bに照射される位置に電磁波発生素子30を移動させる。また、プロセッサ11は、第2の領域200bからの反射波を受光可能な位置に電磁波受光素子40を移動させる。
Further, when measuring the reflectance of the
また、検出装置3は、第2の実施形態に係る検出装置1の特徴を備えてもよい。また、検出装置3は、第3の実施形態に係る検出装置2の特徴を備えてもよい。
Further, the
また、検出センサ200は、基材101を備えなくともよい。
また、検出装置3は、検出センサ200の代わりに検出センサ100を用いてもよい。
Further, the
Further, the
以上のように構成された検出装置3は、検出センサに対して複数の周波数の電磁波を照射して反射率を測定する。そのため、検出装置は、サンプルから抽出した特定の被検出物が添加されていない第1の領域とサンプルから抽出した特定の被検出物が添加された第2の領域との反射率を複数の周波数の電磁波で測定することができる。
The
従って、第1の実施形態と同様に、検出装置は、より精度よく被検出物を検出することができる。 Therefore, as in the first embodiment, the detection device can detect the object to be detected more accurately.
なお、第1又は2の実施形態に係る検出装置1は、検出センサ100の代わりに検出センサ200を用いてもよい。第3の実施形態に係る検出装置2は、検出センサ100の代わりに検出センサ200を用いてもよい。
The
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
以下に本願の出願当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[C1]
センサにおける電磁波の透過率又は反射率に基づいてサンプルに含まれる被検出物又はサンプルから抽出した特定の被検出物を検出する検出装置であって、
前記センサに電磁波を照射する照射部と、
前記照射部が照射し前記センサを透過した透過波又は前記照射部が照射し前記センサで反射した反射波の強度を検出する検出部と、
前記照射部及び前記検出部を用いて、前記サンプルから抽出した特定の被検出物が添加されていない前記センサの電磁波のリファレンス透過率又はリファレンス反射率を複数の周波数でそれぞれ測定し、
前記照射部及び前記検出部を用いて、前記サンプルから抽出した特定の被検出物が添加された前記センサの電磁波の検出透過率又は検出反射率を前記複数の周波数でそれぞれ測定し、
前記複数の周波数におけるリファレンス透過率又はリファレンス反射率及び前記複数の周波数における検出透過率又は検出反射率に基づいて前記被検出物を検出する、
制御部と、
を備える検出装置。
[C2]
前記制御部は、
前記複数の周波数の中で、前記サンプルから抽出した特定の被検出物が添加されていない前記センサの電磁波の透過率又は反射率と前記サンプルから抽出した特定の被検出物が添加された前記センサの電磁波の透過率又は反射率との差が最も大きい検出用周波数を特定し、
前記照射部及び前記検出部を用いて、前記サンプルから抽出した特定の被検出物が添加されていない前記センサの電磁波のリファレンス透過率又はリファレンス反射率を前記検出用周波数で測定し、
前記照射部及び前記検出部を用いて、前記サンプルから抽出した特定の被検出物が添加された前記センサの電磁波の検出透過率又は検出反射率を前記検出用周波数で測定し、 前記検出用周波数におけるリファレンス透過率又はリファレンス反射率及び前記検出用周波数における検出透過率又は検出反射率に基づいて前記被検出物を検出する、
前記C1に記載の検出装置。
[C3]
前記センサは、前記サンプルから抽出した特定の被検出物が添加されていない第1の領域と前記サンプルから抽出した特定の被検出物が添加された第2の領域とから構成され、 前記制御部は、
前記第1の領域に前記複数の周波数の電磁波を照射して前記複数の電磁波のリファレンス透過率又はリファレンス反射率を測定し、
前記第2の領域に前記複数の周波数の電磁波を照射して前記複数の電磁波のリファレンス透過率又はリファレンス反射率を測定する、
前記C1又は2に記載の検出装置。
[C4]
前記照射部は、印加された電圧に応じた周波数の電磁波を照射する素子を備える、
前記C1乃至3の何れか1項に記載の検出装置。
[C5]
センサにおける電磁波の透過率又は反射率に基づいてサンプルに含まれる被検出物又はサンプルから抽出した特定の被検出物を検出する検出方法であって、
前記サンプルから抽出した特定の被検出物が添加されていない前記センサの電磁波のリファレンス透過率又はリファレンス反射率を複数の周波数でそれぞれ測定し、
前記サンプルから抽出した特定の被検出物が添加された前記センサの電磁波の検出透過率又は検出反射率を複数の周波数でそれぞれ測定し、
前記複数の周波数におけるリファレンス透過率又はリファレンス反射率及び前記複数の周波数における検出透過率又は検出反射率に基づいて前記被検出物を検出する、
検出方法。
Although some embodiments of the present invention have been described, these embodiments are presented as examples and are not intended to limit the scope of the invention. These novel embodiments can be implemented in various other embodiments, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the gist of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are also included in the scope of the invention described in the claims and the equivalent scope thereof.
The inventions described in the claims at the time of filing the application of the present application are described below.
[C1]
A detection device that detects an object to be detected contained in a sample or a specific object to be detected extracted from the sample based on the transmittance or reflectance of electromagnetic waves in the sensor.
An irradiation unit that irradiates the sensor with electromagnetic waves,
A detection unit that detects the intensity of the transmitted wave that the irradiation unit irradiates and passes through the sensor or the reflected wave that the irradiation unit irradiates and reflects by the sensor.
Using the irradiation unit and the detection unit, the reference transmittance or the reference reflectance of the electromagnetic wave of the sensor to which the specific object to be detected extracted from the sample is not added is measured at a plurality of frequencies, respectively.
Using the irradiation unit and the detection unit, the detection transmittance or the detection reflectance of the electromagnetic wave of the sensor to which the specific object to be detected extracted from the sample is added is measured at the plurality of frequencies, respectively.
The object to be detected is detected based on the reference transmittance or the reference reflectance at the plurality of frequencies and the detected transmittance or the detected reflectance at the plurality of frequencies.
Control unit and
A detection device comprising.
[C2]
The control unit
Among the plurality of frequencies, the electromagnetic wave transmittance or reflectance of the sensor to which the specific object to be detected extracted from the sample is not added and the sensor to which the specific object to be detected extracted from the sample is added. Identify the detection frequency that has the largest difference from the transmittance or reflectance of the electromagnetic wave of
Using the irradiation unit and the detection unit, the reference transmittance or the reference reflectance of the electromagnetic wave of the sensor to which the specific object to be detected extracted from the sample is not added is measured at the detection frequency.
Using the irradiation unit and the detection unit, the detection transmittance or the detection reflectance of the electromagnetic wave of the sensor to which the specific object to be detected extracted from the sample is added is measured at the detection frequency, and the detection frequency is measured. The object to be detected is detected based on the reference transmittance or the reference reflectance in the above and the detected transmittance or the detected reflectance at the detection frequency.
The detection device according to C1.
[C3]
The sensor is composed of a first region to which a specific object to be detected extracted from the sample is not added and a second region to which a specific object to be detected extracted from the sample is added. teeth,
The first region is irradiated with electromagnetic waves of the plurality of frequencies, and the reference transmittance or the reference reflectance of the plurality of electromagnetic waves is measured.
The second region is irradiated with electromagnetic waves of the plurality of frequencies, and the reference transmittance or the reference reflectance of the plurality of electromagnetic waves is measured.
The detection device according to C1 or 2.
[C4]
The irradiation unit includes an element that irradiates an electromagnetic wave having a frequency corresponding to an applied voltage.
The detection device according to any one of C1 to 3 above.
[C5]
A detection method for detecting an object to be detected contained in a sample or a specific object to be detected extracted from the sample based on the transmittance or reflectance of electromagnetic waves in the sensor.
The reference transmittance or the reference reflectance of the electromagnetic wave of the sensor to which the specific object to be detected extracted from the sample is not added is measured at a plurality of frequencies, respectively.
The detected transmittance or the detected reflectance of the electromagnetic wave of the sensor to which the specific object to be detected extracted from the sample is added is measured at a plurality of frequencies, respectively.
The object to be detected is detected based on the reference transmittance or the reference reflectance at the plurality of frequencies and the detected transmittance or the detected reflectance at the plurality of frequencies.
Detection method.
1乃至3…検出装置、10…制御装置、11…プロセッサ、14…NVM、15…インターフェース、20…D/Aコンバータ、30…電磁波発生素子、40…電磁波受光素子、50…A/Dコンバータ、60乃至90…駆動部、100…検出センサ、100a及び100b…領域、101…基材、102…構造体、200…検出センサ、200a及び200b…領域、202…構造体、203…空隙。 1 to 3 ... Detection device, 10 ... Control device, 11 ... Processor, 14 ... NVM, 15 ... Interface, 20 ... D / A converter, 30 ... Electromagnetic wave generating element, 40 ... Electromagnetic light receiving element, 50 ... A / D converter, 60 to 90 ... drive unit, 100 ... detection sensor, 100a and 100b ... region, 101 ... base material, 102 ... structure, 200 ... detection sensor, 200a and 200b ... region, 202 ... structure, 203 ... void.
Claims (4)
前記センサに電磁波を照射する照射部と、
前記照射部が照射し前記センサを透過した透過波又は前記照射部が照射し前記センサで反射した反射波の強度を検出する検出部と、
前記照射部及び前記検出部を用いて、前記サンプルから抽出した特定の被検出物が添加されていない前記センサの電磁波のリファレンス透過率又はリファレンス反射率を複数の周波数でそれぞれ測定し、
前記照射部及び前記検出部を用いて、前記サンプルから抽出した特定の被検出物が添加された前記センサの電磁波の検出透過率又は検出反射率を前記複数の周波数でそれぞれ測定し、
前記複数の周波数におけるリファレンス透過率又はリファレンス反射率及び前記複数の周波数における検出透過率又は検出反射率に基づいて前記被検出物を検出する、
制御部と、
前記センサ又は前記照射部を移動させる駆動部と、
を備え、
前記センサは、前記サンプルから抽出した特定の被検出物が添加されていない第1の領域と前記サンプルから抽出した特定の被検出物が添加された第2の領域とから構成され、
前記第1の領域と前記第2の領域とは、特定の被検出物が存在しない状態では同一の周波数特性を有し、
前記制御部は、
前記駆動部を用いて前記照射部からの電磁波が前記第1の領域の照射させるように前記センサ又は前記照射部を移動させ、前記第1の領域に前記複数の周波数の電磁波を照射して前記複数の電磁波のリファレンス透過率又はリファレンス反射率を測定し、
前記駆動部を用いて前記照射部からの電磁波が前記第2の領域の照射させるように前記センサ又は前記照射部を移動させ、前記第2の領域に前記複数の周波数の電磁波を照射して前記複数の電磁波のリファレンス透過率又はリファレンス反射率を測定する、
検出装置。 A detection device that detects an object to be detected contained in a sample or a specific object to be detected extracted from the sample based on the transmittance or reflectance of electromagnetic waves in the sensor.
An irradiation unit that irradiates the sensor with electromagnetic waves,
A detection unit that detects the intensity of the transmitted wave that the irradiation unit irradiates and passes through the sensor or the reflected wave that the irradiation unit irradiates and reflects by the sensor.
Using the irradiation unit and the detection unit, the reference transmittance or the reference reflectance of the electromagnetic wave of the sensor to which the specific object to be detected extracted from the sample is not added is measured at a plurality of frequencies, respectively.
Using the irradiation unit and the detection unit, the detection transmittance or the detection reflectance of the electromagnetic wave of the sensor to which the specific object to be detected extracted from the sample is added is measured at the plurality of frequencies, respectively.
The object to be detected is detected based on the reference transmittance or the reference reflectance at the plurality of frequencies and the detected transmittance or the detected reflectance at the plurality of frequencies.
Control unit and
A drive unit that moves the sensor or the irradiation unit, and
Equipped with
The sensor is composed of a first region to which a specific object to be detected extracted from the sample is not added and a second region to which a specific object to be detected extracted from the sample is added.
The first region and the second region have the same frequency characteristics in the absence of a specific object to be detected.
The control unit
Using the drive unit, the sensor or the irradiation unit is moved so that the electromagnetic wave from the irradiation unit irradiates the first region, and the first region is irradiated with the electromagnetic waves of the plurality of frequencies. Measure the reference transmittance or reference reflectance of multiple electromagnetic waves,
Using the drive unit, the sensor or the irradiation unit is moved so that the electromagnetic wave from the irradiation unit irradiates the second region, and the second region is irradiated with the electromagnetic waves of the plurality of frequencies. Measuring the reference transmittance or reference reflectance of multiple electromagnetic waves,
Detection device.
前記複数の周波数の中で、前記サンプルから抽出した特定の被検出物が添加されていない前記センサの電磁波の透過率又は反射率と前記サンプルから抽出した特定の被検出物が添加された前記センサの電磁波の透過率又は反射率との差が最も大きい検出用周波数を特定し、
前記照射部及び前記検出部を用いて、前記サンプルから抽出した特定の被検出物が添加されていない前記センサの電磁波のリファレンス透過率又はリファレンス反射率を前記検出用周波数で測定し、
前記照射部及び前記検出部を用いて、前記サンプルから抽出した特定の被検出物が添加された前記センサの電磁波の検出透過率又は検出反射率を前記検出用周波数で測定し、 前記検出用周波数におけるリファレンス透過率又はリファレンス反射率及び前記検出用周波数における検出透過率又は検出反射率に基づいて前記被検出物を検出する、
前記請求項1に記載の検出装置。 The control unit
Among the plurality of frequencies, the electromagnetic wave transmittance or reflectance of the sensor to which the specific object to be detected extracted from the sample is not added and the sensor to which the specific object to be detected extracted from the sample is added. Identify the detection frequency that has the largest difference from the transmittance or reflectance of the electromagnetic wave of
Using the irradiation unit and the detection unit, the reference transmittance or the reference reflectance of the electromagnetic wave of the sensor to which the specific object to be detected extracted from the sample is not added is measured at the detection frequency.
Using the irradiation unit and the detection unit, the detection transmittance or the detection reflectance of the electromagnetic wave of the sensor to which the specific object to be detected extracted from the sample is added is measured at the detection frequency, and the detection frequency is measured. The object to be detected is detected based on the reference transmittance or the reference reflectance in the above and the detected transmittance or the detected reflectance at the detection frequency.
The detection device according to claim 1.
前記請求項1又は2に記載の検出装置。 The irradiation unit includes an element that irradiates an electromagnetic wave having a frequency corresponding to an applied voltage.
The detection device according to claim 1 or 2.
照射部を用いて前記センサに電磁波を照射して、前記サンプルから抽出した特定の被検出物が添加されていない前記センサの電磁波のリファレンス透過率又はリファレンス反射率を複数の周波数でそれぞれ測定し、
前記照射部を用いて前記センサに電磁波を照射して、前記サンプルから抽出した特定の被検出物が添加された前記センサの電磁波の検出透過率又は検出反射率を複数の周波数でそれぞれ測定し、
前記複数の周波数におけるリファレンス透過率又はリファレンス反射率及び前記複数の周波数における検出透過率又は検出反射率に基づいて前記被検出物を検出し、
前記センサは、前記サンプルから抽出した特定の被検出物が添加されていない第1の領域と前記サンプルから抽出した特定の被検出物が添加された第2の領域とから構成され、
前記第1の領域と前記第2の領域とは、特定の被検出物が存在しない状態では同一の周波数特性を有し、
リファレンス透過率又はリファレンス反射率を測定することは、前記照射部からの電磁波が前記第1の領域の照射させるように前記センサ又は前記照射部を移動させ、前記第1の領域に前記複数の周波数の電磁波を照射して前記複数の電磁波のリファレンス透過率又はリファレンス反射率を測定することであり、
検出透過率又は検出反射率を測定することは、前記照射部からの電磁波が前記第2の領域の照射させるように前記センサ又は前記照射部を移動させ、前記第2の領域に前記複数の周波数の電磁波を照射して前記複数の電磁波のリファレンス透過率又はリファレンス反射率を測定することである、
検出方法。 A detection method for detecting an object to be detected contained in a sample or a specific object to be detected extracted from the sample based on the transmittance or reflectance of electromagnetic waves in the sensor.
The sensor is irradiated with an electromagnetic wave using an irradiation unit, and the reference transmittance or the reference reflectance of the electromagnetic wave of the sensor to which a specific object to be detected extracted from the sample is not added is measured at a plurality of frequencies, respectively.
The sensor is irradiated with an electromagnetic wave using the irradiation unit, and the detected transmittance or the detected reflectance of the electromagnetic wave of the sensor to which a specific object to be detected extracted from the sample is added is measured at a plurality of frequencies, respectively.
The object to be detected is detected based on the reference transmittance or the reference reflectance at the plurality of frequencies and the detected transmittance or the detected reflectance at the plurality of frequencies.
The sensor is composed of a first region to which a specific object to be detected extracted from the sample is not added and a second region to which a specific object to be detected extracted from the sample is added.
The first region and the second region have the same frequency characteristics in the absence of a specific object to be detected.
To measure the reference transmittance or the reference reflectance, the sensor or the irradiation unit is moved so that the electromagnetic wave from the irradiation unit irradiates the first region, and the plurality of frequencies are moved to the first region. It is to measure the reference transmittance or the reference reflectance of the plurality of electromagnetic waves by irradiating the electromagnetic waves of the above.
To measure the detected transmittance or the detected reflectance, the sensor or the irradiation unit is moved so that the electromagnetic wave from the irradiation unit irradiates the second region, and the plurality of frequencies are moved to the second region. Is to irradiate the electromagnetic waves of the above and measure the reference transmittance or the reference reflectance of the plurality of electromagnetic waves.
Detection method.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017173329A JP6971729B2 (en) | 2017-09-08 | 2017-09-08 | Detection device and detection method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017173329A JP6971729B2 (en) | 2017-09-08 | 2017-09-08 | Detection device and detection method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019049453A JP2019049453A (en) | 2019-03-28 |
JP6971729B2 true JP6971729B2 (en) | 2021-11-24 |
Family
ID=65905491
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017173329A Active JP6971729B2 (en) | 2017-09-08 | 2017-09-08 | Detection device and detection method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6971729B2 (en) |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004108905A (en) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Inst Of Physical & Chemical Res | Difference imaging method using terahertz wave and device |
JP4724822B2 (en) * | 2005-06-28 | 2011-07-13 | 株式会社アドバンテスト | Integrated structure, measuring apparatus, method and program |
JP5397577B2 (en) * | 2007-03-05 | 2014-01-22 | オムロン株式会社 | Surface plasmon resonance sensor and chip for the sensor |
JP2008256625A (en) * | 2007-04-09 | 2008-10-23 | Canon Inc | Detection device and detection method |
WO2012081445A1 (en) * | 2010-12-15 | 2012-06-21 | コニカミノルタオプト株式会社 | Intermolecular interaction measurement method, measurement system for use in the method, and program |
JP6267531B2 (en) * | 2014-02-10 | 2018-01-24 | 住友電気工業株式会社 | Radio wave sensor and detection method |
JP6395049B2 (en) * | 2014-12-24 | 2018-09-26 | 大日本印刷株式会社 | Inspection method and inspection apparatus for detecting adhering matter adhering to an object |
JP2017010983A (en) * | 2015-06-17 | 2017-01-12 | 国立大学法人 筑波大学 | Terahertz band electromagnetic wave oscillation element and terahertz band electromagnetic wave oscillation device |
JP6771771B2 (en) * | 2015-08-28 | 2020-10-21 | 国立大学法人大阪大学 | Measuring device and measuring device using it |
KR20170036890A (en) * | 2015-09-23 | 2017-04-04 | 한국과학기술연구원 | Method for sensing avian influenza virus using terahertz electromagnetic waves with high sensitivity and selectivity and device used therein |
-
2017
- 2017-09-08 JP JP2017173329A patent/JP6971729B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019049453A (en) | 2019-03-28 |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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