JP6960328B2 - Polishing composition - Google Patents
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Description
本発明は、研磨用組成物に関する。 The present invention relates to a polishing composition.
半導体製品の製造において、超精密加工は極めて重要な技術である。近年ＬＳＩデバイスの微細化が進み、それに伴って精密研磨後のウェーハの表面粗さや平坦性への要求が厳しくなる傾向にある。これまで一次研磨では、主として研削加工量に重点が置かれてきた。しかし、一次研磨後のウェーハの表面品質が、二次研磨や最終研磨後の表面品質に影響を及ぼすことがわかっている。そのため、今後は一次研磨でも、現状の研削加工量を維持しつつ、より高いレベルのウェーハ表面品質の実現が求められると考えられる。 Ultra-precision machining is an extremely important technology in the manufacture of semiconductor products. In recent years, the miniaturization of LSI devices has progressed, and along with this, the demand for surface roughness and flatness of wafers after precision polishing tends to become stricter. Until now, in primary polishing, the emphasis has been mainly on the amount of grinding. However, it is known that the surface quality of the wafer after the primary polishing affects the surface quality after the secondary polishing and the final polishing. Therefore, in the future, it will be required to achieve a higher level of wafer surface quality while maintaining the current grinding amount even in primary polishing.
特開２０１６−１２４９４３号公報には、研磨速度を低下させることなく、ウェーハの表面粗さを低減できる研磨用組成物として、ポリビニルアルコール類の水溶性高分子と、ピペラジン化合物とを含む研磨用組成物が開示されている。国際公開第２０１５／１５２１５１号には、水とシリカとを含み、シリカのＢＥＴ比表面積が３０ｍ２／ｇ以上であって且つＮＭＲ比表面積が１０ｍ２／ｇ以上である研磨用組成物が開示されている。 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2016-124943 describes a polishing composition containing a water-soluble polymer of polyvinyl alcohols and a piperazine compound as a polishing composition capable of reducing the surface roughness of a wafer without lowering the polishing speed. The thing is disclosed. International Publication No. 2015/152151 discloses a polishing composition containing water and silica, having a BET specific surface area of silica of 30 m 2 / g or more and an NMR specific surface area of 10 m 2 / g or more. ing.
本発明の目的は、研磨速度を低下させることなく、研磨後のウェーハの表面粗さを低減し、ウェーハの形状を改善できる研磨用組成物を提供することである。 An object of the present invention is to provide a polishing composition capable of reducing the surface roughness of a wafer after polishing and improving the shape of the wafer without lowering the polishing rate.
本発明の一実施形態による研磨用組成物は、動的光散乱法を用いて測定される二次平均粒子径が４０〜９０ｎｍである粒子を含み、ｐＨが９．０〜１２．０であり、パルスＮＭＲ装置を用いて、温度２５℃、ＣＰＭＧ法によって測定される核種１Ｈの横緩和時間が、１３００〜２０００ｍｓである。 The polishing composition according to one embodiment of the present invention contains particles having a secondary average particle size of 40 to 90 nm as measured by a dynamic light scattering method, and has a pH of 9.0 to 12.0. , using a pulsed NMR device, temperature 25 ° C., nuclide 1 H transverse relaxation time of which is determined by the CPMG method is 1300～2000Ms.
本発明によれば、研磨速度を低下させることなく、研磨後のウェーハの表面粗さを低減し、ウェーハの形状を改善できる研磨用組成物が得られる。 According to the present invention, it is possible to obtain a polishing composition capable of reducing the surface roughness of a wafer after polishing and improving the shape of the wafer without lowering the polishing rate.
本発明者らは、上記の課題を解決するため、種々の検討を行った。研磨用組成物中の粒子の粒径を大きくすると、研磨速度は大きくなるが、研磨傷が増加する。一方、粒子の粒径を小さくすると、研磨傷は低減されるが、研磨速度は小さくなる。さらに検討を行った結果、研磨用組成物中の粒子の二次平均粒子径が４０〜９０ｎｍであり、かつ、パルスＮＭＲ装置によって測定される横緩和時間が１３００〜２０００ｍｓになるようにすれば、研磨性能のバランスに優れた研磨用組成物が得られることを見出した。本発明は、この知見に基づいて完成された。以下、本発明の一実施形態による研磨用組成物を詳述する。 The present inventors have conducted various studies in order to solve the above problems. Increasing the particle size of the particles in the polishing composition increases the polishing rate but increases the polishing scratches. On the other hand, when the particle size of the particles is reduced, polishing scratches are reduced, but the polishing rate is reduced. As a result of further studies, if the secondary average particle size of the particles in the polishing composition is 40 to 90 nm and the lateral relaxation time measured by the pulse NMR apparatus is 1300 to 2000 ms. It has been found that a polishing composition having an excellent balance of polishing performance can be obtained. The present invention has been completed based on this finding. Hereinafter, the polishing composition according to one embodiment of the present invention will be described in detail.
本発明の一実施形態による研磨用組成物は、粒子を含む。粒子は、砥粒として研磨用組成物に含有される。粒子は、この分野で常用されるものを使用できる。粒子は例えば、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、コロイダルアルミナ、ヒュームドアルミナ、酸化セリウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素等である。これらのうち、コロイダルシリカが好適に用いられる。 The polishing composition according to one embodiment of the present invention contains particles. The particles are contained in the polishing composition as abrasive particles. The particles can be those commonly used in this field. The particles are, for example, colloidal silica, fumed silica, colloidal alumina, fumed alumina, cerium oxide, silicon carbide, silicon nitride and the like. Of these, colloidal silica is preferably used.
研磨用組成物中の粒子は通常、複数の粒子が凝集して二次粒子を形成した状態で分散している。研磨用組成物を動的光散乱法によって測定して得られる平均粒子径を、研磨用組成物中の粒子の二次平均粒子径と定義する。動的光散乱法による平均粒子径は、例えば大塚電子株式会社製の粒径測定システム「ＥＬＳ−Ｚ２」を用いて測定することができる。 The particles in the polishing composition are usually dispersed in a state where a plurality of particles are aggregated to form secondary particles. The average particle size obtained by measuring the polishing composition by a dynamic light scattering method is defined as the secondary average particle size of the particles in the polishing composition. The average particle size by the dynamic light scattering method can be measured using, for example, the particle size measurement system "ELS-Z2" manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd.
以下、研磨用組成物中の粒子の二次平均粒子径を、「動的光散乱法を用いて測定される二次平均粒子径」と呼ぶ。本実施形態による研磨用組成物は、動的光散乱法を用いて測定される二次平均粒子径が、４０〜９０ｎｍである。動的光散乱法を用いて測定される二次平均粒子径の下限は、好ましくは５０ｎｍである。動的光散乱法を用いて測定される二次平均粒子径の上限は、好ましくは８０ｎｍであり、さらに好ましくは７０ｎｍであり、さらに好ましくは６０ｎｍである。 Hereinafter, the secondary average particle size of the particles in the polishing composition is referred to as "secondary average particle size measured by a dynamic light scattering method". The polishing composition according to the present embodiment has a secondary average particle size of 40 to 90 nm measured by a dynamic light scattering method. The lower limit of the secondary average particle size measured using the dynamic light scattering method is preferably 50 nm. The upper limit of the secondary average particle size measured by the dynamic light scattering method is preferably 80 nm, more preferably 70 nm, and even more preferably 60 nm.
動的光散乱法を用いて測定される二次平均粒子径は、研磨用組成物に原料として配合する粒子の一次粒子径及び二次粒子径の大きさによって調整することができる。研磨用組成物に原料として配合する粒子の一次粒子径及び二次粒子径が大きいほど、動的光散乱法を用いて測定される二次平均粒子径も大きくなる。 The secondary average particle size measured by the dynamic light scattering method can be adjusted by adjusting the size of the primary particle size and the secondary particle size of the particles to be blended as a raw material in the polishing composition. The larger the primary particle size and the secondary particle size of the particles to be blended as a raw material in the polishing composition, the larger the secondary average particle size measured by the dynamic light scattering method.
動的光散乱法を用いて測定される二次平均粒子径は、凝集している粒子の数が少ないほど小さくなる。動的光散乱法を用いて測定される二次平均粒子径はまた、研磨用組成物に配合する化合物の影響によっても変化する。動的光散乱法を用いて測定される二次平均粒子径は、概ね、ｐＨが大きくなると小さくなる傾向がある。 The secondary average particle size measured using the dynamic light scattering method decreases as the number of agglomerated particles decreases. The secondary average particle size measured using dynamic light scattering also varies with the influence of the compounds compounded in the polishing composition. The secondary average particle size measured by the dynamic light scattering method generally tends to decrease as the pH increases.
本実施形態による研磨用組成物は、パルスＮＭＲ装置を用いて、温度２５℃、ＣＰＭＧ（Ｃａｒｒ−Ｐｕｒｃｅｌｌ−Ｍｅｉｂｏｏｍ−Ｇｉｌｌ）法によって測定される核種１Ｈの横緩和時間が、１３００〜２０００ｍｓである。以下、この横緩和時間を、「パルスＮＭＲ装置を用いて測定される横緩和時間」又は単に「横緩和時間」という。横緩和時間は例えば、Ｘｉｇｏ ｎａｎｏｔｏｏｌｓ社製のパルスＮＭＲ装置Ａｃｏｒｎ ａｒｅａを用いて測定することができる。 The polishing composition according to the present embodiment, by using a pulse NMR apparatus, the temperature 25 ° C., the transverse relaxation time of the nuclide 1 H is measured by the CPMG (Carr-Purcell-Meiboom- Gill) method, is 1300~2000ms .. Hereinafter, this lateral relaxation time is referred to as "lateral relaxation time measured using a pulse NMR device" or simply "lateral relaxation time". The lateral relaxation time can be measured, for example, using a pulse NMR apparatus Area area manufactured by Xigo nanotools.
粒子表面に吸着している分散媒分子と、バルク液中の分散媒分子（粒子表面と接触していない自由な状態の分散媒分子）とでは、磁場の変化に対する応答が異なる。そのため、粒子が分散した液体の横緩和時間は、粒子表面に吸着した分散媒の体積分率とバルク液中の分散媒の体積分率とを反映した値になる。粒子を分散させた液体で観測される横緩和時間Ｔは、具体的には、下記の式で表される。
Ｔ＝Ｒａｖ−１
Ｒａｖ＝ＰｓＲｎｓ＋ＰｂＲｎｂ
Ｐｓ：粒子表面に吸着している分散媒の体積分率
Ｒｎｓ：粒子表面に吸着している分散媒のプロトンの緩和時定数
Ｐｂ：バルク液の体積分率
Ｒｎｂ：バルク液のプロトンの緩和時定数
The response to changes in the magnetic field differs between the dispersion medium molecules adsorbed on the particle surface and the dispersion medium molecules in the bulk liquid (dispersion medium molecules in a free state that are not in contact with the particle surface). Therefore, the lateral relaxation time of the liquid in which the particles are dispersed becomes a value that reflects the volume fraction of the dispersion medium adsorbed on the particle surface and the volume fraction of the dispersion medium in the bulk liquid. Specifically, the transverse relaxation time T observed in the liquid in which the particles are dispersed is expressed by the following equation.
T = Rav -1
Rav = PsRns + PbRnb
Ps: Volume fraction of the dispersion medium adsorbed on the particle surface Rns: Relaxation time constant of the protons of the dispersion medium adsorbed on the particle surface Pb: Volume fraction of the bulk liquid Rnb: Relaxation time constant of the protons of the bulk liquid
一般に、粒子表面に吸着している液体分子の運動は制限を受けるが、バルク液中の液体分子は自由に動くことができる。その結果、粒子表面に吸着している液体分子の横緩和時間は、バルク液中の液体分子の横緩和時間よりも短くなる。 Generally, the movement of liquid molecules adsorbed on the particle surface is restricted, but the liquid molecules in the bulk liquid can move freely. As a result, the transverse relaxation time of the liquid molecules adsorbed on the particle surface is shorter than the transverse relaxation time of the liquid molecules in the bulk liquid.
粒子表面に吸着している分散媒の体積分率Ｐｓが大きいほど、横緩和時間は短くなる。したがって、粒子の総表面積が大きいほど、横緩和時間が短くなる。そのため、粒子の比表面積が大きいほど横緩和時間は短くなり、粒子径が小さいほど横緩和時間は短くなる傾向がある。また、粒子の数が多いほど、横緩和時間は短くなる傾向がある。 The larger the volume fraction Ps of the dispersion medium adsorbed on the particle surface, the shorter the lateral relaxation time. Therefore, the larger the total surface area of the particles, the shorter the lateral relaxation time. Therefore, the larger the specific surface area of the particles, the shorter the lateral relaxation time, and the smaller the particle size, the shorter the lateral relaxation time tends to be. Also, the larger the number of particles, the shorter the lateral relaxation time tends to be.
粒子径（動的光散乱法を用いて測定される二次平均粒子径）が大きいほど、研磨レートは大きくなる一方、取り代が大きくなることにより形状悪化量及び表面粗さが大きくなる傾向がある。そのため、横緩和時間が長いほど、研磨レート、形状悪化量、及び表面粗さが大きくなる傾向がある。反対に、粒子径（動的光散乱法を用いて測定される二次平均粒子径）が小さいほど、すなわち横緩和時間が短いほど、研磨レート、形状悪化量、及び表面粗さが小さくなる傾向がある。 The larger the particle size (secondary average particle size measured by the dynamic light scattering method), the higher the polishing rate, but the larger the removal allowance, the larger the amount of shape deterioration and the surface roughness tend to be. be. Therefore, the longer the lateral relaxation time, the larger the polishing rate, the amount of shape deterioration, and the surface roughness tend to be. On the contrary, the smaller the particle size (secondary average particle size measured by the dynamic light scattering method), that is, the shorter the lateral relaxation time, the smaller the polishing rate, the amount of shape deterioration, and the surface roughness tend to be. There is.
また、粒子と分散媒との相互作用が強いほど、横緩和時間は短くなる。換言すれば、粒子と分散媒との親和性が高いほど、横緩和時間は短くなる。粒子と分散媒との親和性は、例えば、粒子の表面の官能基の種類や数、分散媒に配合する化合物によって調整することができる。 Further, the stronger the interaction between the particles and the dispersion medium, the shorter the transverse relaxation time. In other words, the higher the affinity between the particles and the dispersion medium, the shorter the transverse relaxation time. The affinity between the particles and the dispersion medium can be adjusted, for example, by the type and number of functional groups on the surface of the particles and the compound to be blended in the dispersion medium.
パルスＮＭＲ装置を用いて測定される横緩和時間の下限は、好ましくは１３２０ｍｓである。パルスＮＭＲ装置を用いて測定される横緩和時間の上限は、好ましくは１９９５ｍｓである。 The lower limit of the lateral relaxation time measured using the pulse NMR apparatus is preferably 1320 ms. The upper limit of the lateral relaxation time measured using the pulse NMR apparatus is preferably 1995 ms.
本実施形態による研磨用組成物は、ｐＨが９．０〜１２．０である。研磨用組成物のｐＨは、例えば、アミン化合物、無機アルカリ化合物等を配合することによって調整することができる。 The polishing composition according to this embodiment has a pH of 9.0 to 12.0. The pH of the polishing composition can be adjusted, for example, by blending an amine compound, an inorganic alkaline compound, or the like.
本実施形態による研磨用組成物は、上記の他、界面活性剤、水溶性高分子等、研磨用組成物の分野で一般に知られた配合剤を任意に配合することができる。 In addition to the above, the polishing composition according to the present embodiment may optionally contain a compounding agent generally known in the field of polishing composition, such as a surfactant and a water-soluble polymer.
本実施形態による研磨用組成物は、粒子その他の配合材料を適宜混合して水を加えることによって作製される。本実施形態による研磨用組成物は、あるいは、粒子その他の配合材料を、順次、水に混合することによって作製される。これらの成分を混合する手段としては、ホモジナイザー、超音波等、研磨用組成物の技術分野において常用される手段が用いられる。 The polishing composition according to the present embodiment is prepared by appropriately mixing particles and other compounding materials and adding water. The polishing composition according to this embodiment is also prepared by sequentially mixing particles and other compounding materials with water. As a means for mixing these components, means commonly used in the technical field of polishing compositions such as a homogenizer and ultrasonic waves are used.
以上で説明した研磨用組成物は、適当な濃度となるように水で希釈した後、ウェーハの研磨に用いられる。本実施形態による研磨用組成物は、シリコンウェーハの一次研磨に好適に用いられる。 The polishing composition described above is diluted with water to an appropriate concentration and then used for polishing the wafer. The polishing composition according to this embodiment is suitably used for primary polishing of a silicon wafer.
以下、実施例によって本発明をより具体的に説明する。本発明はこれらの実施例に限定されない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples. The present invention is not limited to these examples.
配合する粒子の種類を変えて、複数の研磨用組成物を作製した。粒子の含有量は、いずれも３質量％とした。粒子は、真密度が２．２ｇ／ｃｍ３のものと１．８２ｇ／ｃｍ３のものとを使用した。研磨用組成物は、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(ＴＭＡＨ）を０．２１９質量％含有させてｐＨを９．０〜１２．０に調整した。 A plurality of polishing compositions were prepared by changing the type of particles to be blended. The content of the particles was 3% by mass in each case. As the particles, those having a true density of 2.2 g / cm 3 and those having a true density of 1.82 g / cm 3 were used. The polishing composition contained 0.219% by mass of tetramethylammonium hydroxide (TMAH) to adjust the pH to 9.0 to 12.0.
研磨用組成物を調整後、粒子の分散状態を安定させるため１日間保管した。その後、二次平均粒子径及び横緩和時間を測定した。 After preparing the polishing composition, it was stored for 1 day to stabilize the dispersed state of the particles. Then, the secondary average particle size and the transverse relaxation time were measured.
二次平均粒子径は、大塚電子株式会社製の粒径測定システム「ＥＬＳ−Ｚ２」を用いて測定した。 The secondary average particle size was measured using a particle size measuring system "ELS-Z2" manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd.
横緩和時間は、Ｘｉｇｏ ｎａｎｏｔｏｏｌｓ社製のパルスＮＭＲ装置Ａｃｏｒｎ ａｒｅａを用いて測定した。測定条件は、磁場：０．３Ｔ、測定周波数：１３ＭＨｚ、測定核：１Ｈ ＮＭＲ、測定方法：ＣＰＭＧ パルスシークエンス法、サンプル量：１ｍｌ、温度：２５℃、Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｒｅｌａｘｉｖｉｔｙ（Ｋａ）：０．０００２６ｇ／ｍ２／ｍｓとした。また、ＴＭＡＨを０．２１９質量％含有させたイオン交換水を用いてブランク液の緩和時間を測定した。 The lateral relaxation time was measured using a pulse NMR apparatus Area area manufactured by Xigo nanotools. The measurement conditions are magnetic field: 0.3 T, measurement frequency: 13 MHz, measurement nucleus: 1 H NMR, measurement method: CPMG pulse sequence method, sample volume: 1 ml, temperature: 25 ° C., Specific Surface Relaxivity (Ka): 0.00026 g. It was set to / m 2 / ms. Moreover, the relaxation time of the blank liquid was measured using ion-exchanged water containing 0.219% by mass of TMAH.
これらの研磨用組成物を使用して、１２インチのシリコンウェーハの研磨を行った。各研磨用組成物は１０倍に希釈して使用した。研磨装置は、岡本工作機械製作所製ＳＰＰ８００Ｓ研磨装置を使用した。研磨パッドは、ニッタ・ハース株式会社製ＥＸＴＥＲＩＯＮ（登録商標）ＳＭ−１１（ＸＹ溝）を使用した。研磨用組成物の供給速度は０．６Ｌ／分とした。キャリアの回転速度は４０ｒｐｍ、定盤の回転速度は４３ｒｐｍ、研磨荷重は０．０１５ＭＰａとし、４分間の研磨を行った。 A 12-inch silicon wafer was polished using these polishing compositions. Each polishing composition was diluted 10-fold before use. As the polishing device, an SPP800S polishing device manufactured by Okamoto Machine Tool Mfg. Co., Ltd. was used. As the polishing pad, EXTERION (registered trademark) SM-11 (XY groove) manufactured by Nitta Haas Co., Ltd. was used. The supply rate of the polishing composition was 0.6 L / min. The rotation speed of the carrier was 40 rpm, the rotation speed of the surface plate was 43 rpm, and the polishing load was 0.015 MPa, and polishing was performed for 4 minutes.
研磨終了後、研磨によって除去されたシリコンウェーハの厚さをウェーハ用平坦度検査装置Ｎａｏｍｅｔｒｏ３００ＴＴ（黒田精工株式会社製）を用いて測定した。研磨によって除去された平均厚さを研磨時間で除して研磨速度とした。 After the polishing was completed, the thickness of the silicon wafer removed by the polishing was measured using a wafer flatness inspection device Naometro 300TT (manufactured by Kuroda Precision Industries, Ltd.). The average thickness removed by polishing was divided by the polishing time to obtain the polishing rate.
同じくウェーハ用平坦度検査装置Ｎａｏｍｅｔｒｏ３００ＴＴを使用して、研磨前及び研磨後のシリコンウェーハのＧＢＩＲ（Ｇｌｏｂａｌ Ｂａｃｋｓｉｄｅ Ｉｄｅａｌ Ｒａｎｇｅ）を測定した。「（研磨前のＧＢＩＲ−研磨後のＧＢＩＲ）／研磨取り代」を、形状悪化量と定義した。「研磨取り代」は、研磨前後のシリコンウェーハの平均厚さの差である。形状悪化量が小さいほど、シリコンウェーハ形状が良好であることを示す。 Similarly, the GBIR (Global Backside Ideal Range) of the silicon wafer before and after polishing was measured using the wafer flatness inspection device Naometro 300TT. "(GBIR before polishing-GBIR after polishing) / polishing allowance" was defined as the amount of shape deterioration. The "polishing allowance" is the difference in the average thickness of the silicon wafer before and after polishing. The smaller the amount of shape deterioration, the better the silicon wafer shape.
さらに、非接触型干渉顕微鏡Ｗｙｋｏ ＮＴ９３００（Ｖｅｅｃｏ社製）を用いて、研磨後のシリコンウェーハの表面粗さＲａを測定した。 Further, the surface roughness Ra of the polished silicon wafer was measured using a non-contact interference microscope Wyko NT9300 (manufactured by Veeco).
本実施例では、研磨速度が０．３μｍ／分以上、形状悪化量が０．９以下、表面粗さＲａが１．１５ｎｍ以下となることを目標とした。 In this example, the goals were to have a polishing rate of 0.3 μm / min or more, a shape deterioration amount of 0.9 or less, and a surface roughness Ra of 1.15 nm or less.
各研磨用組成物の物性値と研磨性能を表１に示す。 Table 1 shows the physical characteristics and polishing performance of each polishing composition.
表１の「粒子径」の欄には、動的光散乱法によって測定された二次平均粒子径が記載されている。「緩和時間」の欄には、パルスＮＭＲ装置を用いて測定された横緩和時間が記載されている。 In the "particle size" column of Table 1, the secondary average particle size measured by the dynamic light scattering method is described. In the "relaxation time" column, the lateral relaxation time measured using a pulse NMR apparatus is described.
表１に示すように、動的光散乱法によって測定された二次平均粒子径が４０〜９０ｎｍであり、パルスＮＭＲ装置を用いて測定された横緩和時間が１３００〜２０００ｍｓであった実施例Ａ〜Ｄの研磨用組成物は、研磨性能のバランスが優れていた。具体的には、研磨速度が０．３μｍ／分以上であり、形状悪化量が０．９以下であり、表面粗さＲａが１．１５ｎｍ以下であった。 As shown in Table 1, Example A had a secondary average particle size of 40 to 90 nm measured by a dynamic light scattering method and a lateral relaxation time of 1300 to 2000 ms measured using a pulse NMR apparatus. The polishing compositions of ~ D had an excellent balance of polishing performance. Specifically, the polishing rate was 0.3 μm / min or more, the amount of shape deterioration was 0.9 or less, and the surface roughness Ra was 1.15 nm or less.
比較例Ａ〜Ｋの研磨用組成物は、動的光散乱法によって測定される二次平均粒子径及びパルスＮＭＲ装置を用いて測定される横緩和時間の少なくとも一方が本実施形態の条件を満たさなかった。これらの研磨用組成物の研磨性能は、研磨速度、形状悪化量、表面粗さＲａの少なくとも一つが目標を達成できなかった。 The polishing compositions of Comparative Examples A to K satisfy the conditions of the present embodiment at least one of the secondary average particle size measured by the dynamic light scattering method and the lateral relaxation time measured by using a pulse NMR apparatus. There wasn't. As for the polishing performance of these polishing compositions, at least one of the polishing speed, the amount of shape deterioration, and the surface roughness Ra could not achieve the target.
以上の結果から、動的光散乱法によって測定される二次平均粒子径が４０〜９０ｎｍであり、パルスＮＭＲ装置を用いて測定される横緩和時間が１３００〜２０００ｍｓとすることによって、研磨速度を低下させることなく、研磨後のウェーハの表面粗さを低減し、ウェーハの形状を改善できる研磨用組成物が得られることが確認された。 From the above results, the polishing rate is increased by setting the secondary average particle size measured by the dynamic light scattering method to 40 to 90 nm and the lateral relaxation time measured using a pulse NMR apparatus to be 1300 to 2000 ms. It was confirmed that a polishing composition capable of reducing the surface roughness of the wafer after polishing and improving the shape of the wafer can be obtained without lowering the surface roughness.
以上、本発明の実施の形態を説明した。上述した実施の形態は本発明を実施するための例示に過ぎない。よって、本発明は上述した実施の形態に限定されることなく、その趣旨を逸脱しない範囲内で上述した実施の形態を適宜変形して実施することが可能である。 The embodiments of the present invention have been described above. The above-described embodiment is merely an example for carrying out the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and the above-described embodiment can be appropriately modified and implemented within a range that does not deviate from the gist thereof.
Claims (1)
水とを含み、
ｐＨが９．０〜１２．０であり、
パルスＮＭＲ装置を用いて、温度２５℃、ＣＰＭＧ法によって測定される核種１Ｈの横緩和時間が、１３００〜２０００ｍｓである、研磨用組成物。 Colloidal silica particles with a secondary average particle size of 40-60 nm measured using dynamic light scattering.
Including water
The pH is 9.0 to 12.0 and
Using a pulsed NMR device, temperature 25 ° C., nuclide 1 H transverse relaxation time of which is determined by the CPMG method is 1300～2000Ms, the polishing composition.
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