JP6957277B2 - Light measuring device, inspection device and light measuring method - Google Patents
Light measuring device, inspection device and light measuring method Download PDFInfo
- Publication number
- JP6957277B2 JP6957277B2 JP2017171773A JP2017171773A JP6957277B2 JP 6957277 B2 JP6957277 B2 JP 6957277B2 JP 2017171773 A JP2017171773 A JP 2017171773A JP 2017171773 A JP2017171773 A JP 2017171773A JP 6957277 B2 JP6957277 B2 JP 6957277B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- output
- time
- value
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
本発明は、半導体レーザの状態を特定可能な測定結果データを生成する光測定装置および光測定方法、並びに、そのような光測定装置を備えて半導体レーザの良否を判定可能に構成された検査装置に関するものである。 The present invention includes an optical measuring device and an optical measuring method for generating measurement result data capable of identifying the state of a semiconductor laser, and an inspection device provided with such an optical measuring device so that the quality of the semiconductor laser can be determined. It is about.
例えば、下記の特許文献には、半導体レーザチップ（半導体レーザ）を所定時間に亘って動作させる通電エージングを実行して良品／不良品を選別可能に構成された半導体レーザ測定装置（半導体レーザエージング装置：以下、単に「測定装置」ともいう）が開示されている。この測定装置は、エージング対象の半導体レーザを接続可能なＩｎ電極（試験用電極）がそれぞれ形成された試験用基板および押圧板と、各Ｉｎ電極に接続された定電流回路と、半導体レーザからの光出力をモニタするための受光素子とを備えている。 For example, in the following patent documents, a semiconductor laser measuring device (semiconductor laser aging device) configured to be able to sort out non-defective products / defective products by performing energization aging in which a semiconductor laser chip (semiconductor laser) is operated for a predetermined time. : Hereinafter, it is also simply referred to as "measuring device"). This measuring device is derived from a test substrate and a pressing plate on which In electrodes (test electrodes) to which an aging target semiconductor laser can be connected are formed, a constant current circuit connected to each In electrode, and a semiconductor laser. It is equipped with a light receiving element for monitoring the optical output.
この測定装置による半導体レーザの選別に際しては、まず、試験用基板および押圧板の間に半導体レーザを挟み込み、各Ｉｎ電極を半導体レーザに接触（接続）させる。次いで、温度調整器によって測定温度に温度調整しながら定電流回路から半導体レーザに所定時間に亘って電流を供給することで半導体レーザからレーザ光を出力させる（エージング処理の実行）。続いて、半導体レーザをレーザチップ特性選別装置（以下、単に「選別装置」ともいう）によって良品／不良品に選別する。 When selecting a semiconductor laser by this measuring device, first, the semiconductor laser is sandwiched between a test substrate and a pressing plate, and each In electrode is brought into contact (connection) with the semiconductor laser. Next, the laser beam is output from the semiconductor laser by supplying a current from the constant current circuit to the semiconductor laser for a predetermined time while adjusting the temperature to the measured temperature by the temperature regulator (execution of the aging process). Subsequently, the semiconductor laser is sorted into non-defective products / defective products by a laser chip characteristic sorting device (hereinafter, also simply referred to as “sorting device”).
なお、この特許文献には、上記の構成における定電流回路に代えて各Ｉｎ電極に定光出力回路を接続し、半導体レーザからレーザ光を出力させつつ、そのレーザ光をモニタ用受光素子によってモニタすることにより、半導体レーザに対して供給している駆動電流と出力されるレーザ光の量（光量）との関係を測定して定光出力エージング試験を行い、試験結果に基づいて良品／不良品に選別する構成および方法も開示されている。 In this patent document, instead of the constant current circuit in the above configuration, a constant light output circuit is connected to each In electrode, and the laser light is monitored by a light receiving element for monitoring while outputting the laser light from the semiconductor laser. By doing so, the relationship between the drive current supplied to the semiconductor laser and the amount of laser light output (light amount) is measured, a constant light output aging test is performed, and a good product / defective product is selected based on the test result. The configuration and method of doing so are also disclosed.
ところが、上記の特許文献に開示されている測定装置およびその測定方法には、以下のような解決すべき課題が存在する。具体的には、上記の特許文献に開示されている測定装置および測定方法では、測定対象（選別対象）の半導体レーザに対して所定時間に亘って通電する通電エージングの後に選別装置によって良品／不良品に選別したり、半導体レーザに対して定光出力回路から電力を供給しつつ、半導体レーザからのレーザ光をモニタ用受光素子によってモニタすることにより、良品／不良品に選別したりする構成および方法が採用されている。 However, the measuring device and the measuring method thereof disclosed in the above patent document have the following problems to be solved. Specifically, in the measuring device and the measuring method disclosed in the above-mentioned patent document, the semiconductor laser to be measured (sorting target) is energized for a predetermined time, and after the energization aging, the sorting device is used to make a good product / non-good product. Configuration and method for sorting into non-defective products or by monitoring the laser beam from the semiconductor laser with a light receiving element for monitoring while supplying power to the semiconductor laser from the constant light output circuit. Has been adopted.
この場合、上記の特許文献には、選別装置の具体的な構成や選別装置による選別方法の具体的な手順に関する明示は存在しないが、一般的には、通電エージングが完了した半導体レーザに電力を供給してレーザ光を出力させ、予め規定された許容光量範囲内の光量でレーザ光が出力されているか否かに基づいて半導体レーザの良否が選別される。 In this case, although the above patent document does not specify the specific configuration of the sorting device or the specific procedure of the sorting method by the sorting device, in general, power is applied to the semiconductor laser whose energization aging is completed. It is supplied to output laser light, and the quality of the semiconductor laser is selected based on whether or not the laser light is output within a predetermined allowable light amount range.
また、上記の特許文献には、定光出力エージング試験についての具体的な明示も存在しないが、一般的には、定光出力回路から半導体レーザに予め規定された電流値の電力を供給している状態において、予め規定された許容光量範囲内の光量でレーザ光が継続的に出力されている場合には良品と選別され、許容光量範囲を外れた光量でレーザ光が出力されている場合や、光量が許容量を超えて大きく変動した場合には、不良品と選別される。 Further, although the above patent document does not have a specific description about the constant light output aging test, in general, a state in which the constant light output circuit supplies power of a predetermined current value to the semiconductor laser. In the above, when the laser light is continuously output within the allowable light amount range specified in advance, it is selected as a non-defective product, and when the laser light is output with the light amount outside the allowable light amount range, or the light amount If the amount fluctuates significantly beyond the permissible amount, it is classified as a defective product.
このように、上記の特許文献に開示の測定装置では、パッケージ組立前に半導体レーザに対する通電エージングを行うことにより、不良品が製品に組み込まれるのを回避しようとしている。しかしながら、上記の測定装置におけるエージング処理によって良品と選別された半導体レーザのなかにも、製品組込み後の実使用時に、使用開始から短期間で動作不良や性能低下が生じる製品、すなわち、潜在的な不良品が存在することがある。 As described above, the measuring device disclosed in the above patent document attempts to prevent defective products from being incorporated into the product by performing energization aging of the semiconductor laser before assembling the package. However, among the semiconductor lasers selected as non-defective products by the aging treatment in the above-mentioned measuring device, products that cause malfunction or performance deterioration in a short period of time from the start of use when actually used after the product is incorporated, that is, potential There may be defective products.
このような潜在的な不良品が出荷される事態を回避するには、エージング処理の時間を延長したり、通常使用状態よりも強いストレスが加わるように過負荷エージング処理を実行したりする構成および方法が考えられる。しかしながら、エージング処理の時間を延長した場合には、半導体レーザの生産性が低下して製造コストが高騰するおそれがあり、過負荷エージング処理を行った場合には、良品の半導体レーザを含むすべての半導体レーザが性能低下（劣化）するおそれがある。 In order to avoid such a situation where a potentially defective product is shipped, a configuration in which the aging process is extended or the overload aging process is performed so as to apply more stress than in the normal use state and A method is conceivable. However, if the aging treatment time is extended, the productivity of the semiconductor laser may decrease and the manufacturing cost may rise, and if the overload aging treatment is performed, all the products including the non-defective semiconductor laser are used. There is a risk that the performance of the semiconductor laser will deteriorate (deteriorate).
また、本願発明の発明者は、エージング処理において良品と選別され、その後の実使用時に動作不良や性能低下が生じた半導体レーザについてのエージング処理時の測定値を、実使用時にも動作不良や性能低下を生じることのなかった良品の半導体レーザについてのエージング処理時の測定値と比較したところ、双方の測定値に大きな相違点が存在していないことがあるのを確認した。つまり、エージング処理の時間を延長したり、過負荷エージング処理を行ったりしたとしても、潜在的な不良品であるか否かを確実に選別するのが困難であるという現状があり、この点を解決する必要がある。 In addition, the inventor of the present invention uses the measured values of the semiconductor laser, which has been selected as a non-defective product in the aging treatment and has malfunction or performance deterioration during the subsequent actual use, during the aging treatment, and also performs the malfunction or performance during the actual use. When compared with the measured values of the non-defective semiconductor laser that did not cause a decrease during the aging process, it was confirmed that there may be no significant difference between the measured values. In other words, even if the aging process time is extended or the overload aging process is performed, it is difficult to reliably select whether or not the product is a potential defective product. Need to be resolved.
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、潜在的な不良が生じている半導体レーザを好適に特定し得る光測定装置、検査装置および光測定方法を提供することを主目的とする。 The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide an optical measuring device, an inspection device, and an optical measuring method capable of preferably identifying a semiconductor laser in which a potential defect occurs. do.
上記目的を達成すべく、請求項１記載の光測定装置は、半導体レーザから出力されるレーザ光についての予め規定された光学的パラメータを測定して当該半導体レーザの状態を特定可能な測定結果データを生成する処理部を備えた光測定装置であって、前記処理部は、前記半導体レーザからの前記レーザ光の出力開始時点を始点とする時間Ａａを含んで予め規定された時間Ａｂ、前記半導体レーザからの前記レーザ光の出力量変更時点を始点とする時間Ｂａを含んで予め規定された時間Ｂｂ、および前記半導体レーザからの前記レーザ光の出力停止時点を始点とする時間Ｃａを含んで予め規定された時間Ｃｂのうちの少なくとも１つを測定期間として、前記レーザ光の重心波長、当該レーザ光の波長幅、および当該レーザ光の歪度のうちの少なくとも１つと当該レーザ光の光量とを前記予め規定された光学的パラメータとして予め規定された周期で測定する第１の処理、当該第１の処理において測定した測定値と当該測定値に対応する基準値とを比較する第２の処理、並びに前記測定値と前記基準値との少なくとも一方に前記第２の処理における比較の結果を関連付けて前記測定結果データを生成する第３の処理を実行可能に構成されている。 In order to achieve the above object, the optical measuring apparatus according to claim 1 measures measurement result data capable of identifying the state of the semiconductor laser by measuring predetermined optical parameters of the laser beam output from the semiconductor laser. The processing unit includes a time Aa starting from the output start time of the laser beam from the semiconductor laser, and the processing unit includes a predetermined time Ab, the semiconductor. A predetermined time Bb including a time Ba starting from the time when the output amount of the laser beam from the laser is changed and a time Ca starting from the time when the output of the laser light from the semiconductor laser is stopped are included in advance. as at least one measurement period of the specified time Cb, centroid wavelength of the laser beam, and at least one light amount of the laser light of skewness wavelength width of the laser beam, and the laser beam The first process of measuring with a predetermined period as the predetermined optical parameter, and the second process of comparing the measured value measured in the first process with the reference value corresponding to the measured value. , And at least one of the measured value and the reference value is associated with the result of comparison in the second process, and a third process for generating the measurement result data can be executed.
また、請求項２記載の光測定装置は、請求項１記載の光測定装置において、前記処理部は、前記第１の処理において、前記半導体レーザからの前記レーザ光の出力開始時点を特定可能な第１の信号、前記半導体レーザからの前記レーザ光の出力量変更時点を特定可能な第２の信号、および前記半導体レーザからの前記レーザ光の出力停止時点を特定可能な第３の信号のいずれかの信号を当該半導体レーザの制御装置から取得し、当該いずれかの信号に対応する前記測定期間内の前記予め規定された光学的パラメータを測定する。
Further, the optical measuring device according to
また、請求項３記載の検査装置は、請求項１または２記載の光測定装置と、前記半導体レーザについての良否判定の結果を報知する報知装置とを備えた検査装置であって、前記処理部は、前記第２の処理において良品の前記半導体レーザから予め取得された前記基準値と前記測定値とを比較して当該基準値に対する当該測定値の相違量が予め規定された許容相違量を超えているか否かを判別し、当該相違量が当該許容相違量以内のときには前記半導体レーザが正常であると判定すると共に、当該相違量が当該許容相違量を超えているときには当該半導体レーザが不良であると判定し、前記第３の処理において前記比較の結果として前記第２の処理における判定の結果を前記測定値および前記基準値の少なくとも一方に関連付けて前記測定結果データを生成すると共に、前記測定結果データに基づき、前記判定の結果を前記報知装置に報知させる。
Further, the inspection apparatus according to
また、請求項４記載の光測定方法は、半導体レーザから出力されるレーザ光についての予め規定された光学的パラメータを測定して当該半導体レーザの状態を特定可能な測定結果データを生成する光測定方法であって、前記半導体レーザからの前記レーザ光の出力開始時点を始点とする時間Ａａを含んで予め規定された時間Ａｂ、前記半導体レーザからの前記レーザ光の出力量変更時点を始点とする時間Ｂａを含んで予め規定された時間Ｂｂ、および前記半導体レーザからの前記レーザ光の出力停止時点を始点とする時間Ｃａを含んで予め規定された時間Ｃｂのうちの少なくとも１つを測定期間として、前記レーザ光の重心波長、当該レーザ光の波長幅、および当該レーザ光の歪度のうちの少なくとも１つと当該レーザ光の光量とを前記予め規定された光学的パラメータとして予め規定された周期で測定する第１の処理、当該第１の処理において測定した測定値と当該測定値に対応する基準値とを比較する第２の処理、並びに前記測定値と前記基準値との少なくとも一方に前記第２の処理における比較の結果を関連付けて前記測定結果データを生成する第３の処理を実行する。 The optical measurement method according to claim 4 is an optical measurement that measures a predetermined optical parameter of the laser beam output from the semiconductor laser and generates measurement result data capable of specifying the state of the semiconductor laser. In the method, a predetermined time Ab including a time Aa starting from the output start time of the laser beam from the semiconductor laser, and a time point of changing the output amount of the laser beam from the semiconductor laser are set as the starting point. The measurement period is at least one of a predetermined time Bb including the time Ba and a predetermined time Cb including the time Ca starting from the time when the output of the laser beam from the semiconductor laser is stopped. , predefined period centroid wavelength of the laser light, as an optical parameter said predetermined define a quantity of at least one with the laser beam of the skewness of a wavelength width of the laser beam, and the laser beam The first process of measuring in, the second process of comparing the measured value measured in the first process with the reference value corresponding to the measured value, and at least one of the measured value and the reference value. The third process of generating the measurement result data by associating the comparison results in the second process is executed.
請求項１記載の光測定装置、および請求項４記載の光測定方法では、半導体レーザからのレーザ光の出力開始時点を始点とする時間Ａａを含む予め規定された時間Ａｂ、レーザ光の出力量変更時点を始点とする時間Ｂａを含む予め規定された時間Ｂｂ、およびレーザ光の出力停止時点を始点とする時間Ｃａを含む予め規定された時間Ｃｂのうちの少なくとも１つを測定期間として、レーザ光の光量、重心波長、波長幅および歪度のうちの少なくとも１つを予め規定された光学的パラメータとして予め規定された周期で測定する第１の処理、第１の処理において測定した測定値と基準値とを比較する第２の処理、並びに測定値と基準値との少なくとも一方に第２の処理における比較の結果を関連付けて測定結果データを生成する第３の処理を実行する。
In the optical measuring device according to
したがって、請求項１記載の光測定装置、および請求項４記載の光測定方法によれば、制御装置から供給される電力の電流値が急激に変化する時点を含んで任意の光学的パラメータを測定することにより、一般的なエージング処理では良品の半導体レーザと大きく相違する測定値が得られない潜在的な不良が生じている不良品の半導体レーザについて、その状態を好適に特定可能な測定結果データを容易に取得することができる。これにより、その測定結果データに基づいて半導体レーザを評価することで、潜在的な不良を含む不良品の半導体レーザと、そのような不良が生じていない良品の半導体レーザとを的確に選別することができる。
Therefore, according to the optical measuring device according to
また、請求項１記載の光測定装置、および請求項４記載の光測定方法によれば、第１の処理において、レーザ光の重心波長、波長幅および歪度のうちの少なくとも１つとレーザ光の光量とを予め規定された光学的パラメータとして測定することにより、不良品の半導体レーザにおいて良品の半導体レーザとは相違する測定値が得られることが多い光量を必須の測定項目とし、そのうえで、光量に次いで不良品の半導体レーザにおいて良品の半導体レーザとは相違する測定値が得られることが多い重心波長、波長幅および歪度のうちの少なくとも１つを測定することで、半導体レーザの状態を一層的確に特定可能な測定結果データを提供することができる。
Further, the optical measuring apparatus according to
請求項２記載の光測定装置、およびその光測定方法によれば、第１の処理において、半導体レーザからのレーザ光の出力開始時点を特定可能な第１の信号、レーザ光の出力量変更時点を特定可能な第２の信号、およびレーザ光の出力停止時点を特定可能な第３の信号のいずれかの信号を半導体レーザの制御装置から取得し、いずれかの信号に対応する測定期間内の予め規定された光学的パラメータを測定することにより、制御装置から供給される電力の電流値が急激に変化した時点を含む必要最低限の時間内の測定値だけを好適に取得することができる結果、測定値を記憶するのに必要な記憶部の容量を低減することができ、また、取得した測定値から光量、重心波長、波長幅および歪度などを演算するのに要する事項も充分に短縮することができる。
According to the optical measuring device according to
請求項３記載の検査装置、およびその半導体レーザの検査方法では、第２の処理において良品の半導体レーザから予め取得された基準値と測定値とを比較して基準値に対する測定値の相違量が予め規定された許容相違量を超えているか否かを判別し、相違量が許容相違量以内のときには半導体レーザが正常であると判定すると共に、相違量が許容相違量を超えているときには半導体レーザが不良であると判定し、第３の処理において比較の結果として第２の処理における判定の結果を測定値および基準値の少なくとも一方に関連付けて測定結果データを生成すると共に、測定結果データに基づき、判定の結果を報知装置に報知させる。
In the inspection device according to
したがって、請求項３記載の検査装置、およびその半導体レーザの検査方法によれば、半導体レーザが良品であるか不良品であるかを好適に選別することができ、その結果を的確に把握させることができる。
Therefore, according to the inspection device according to
以下、光測定装置、検査装置および光測定方法の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。 Hereinafter, embodiments of a light measuring device, an inspection device, and a light measuring method will be described with reference to the accompanying drawings.
図１に示す光測定装置１は、「光測定装置」および「報知装置」を備えた「検査装置」の一例であって、半導体レーザＬＤから出力されるレーザ光Ｌについての各種の光学的パラメータを測定して半導体レーザＬＤの良否を検査可能な（状態を特定可能な）測定結果データＤ３を生成すると共に、良否判定の結果を報知することができるように構成されている。
The
具体的には、光測定装置１は、受光部２、信号変換部３、操作部４、表示部５、処理部６および記憶部７を備え、レーザ光Ｌの光量（光パワー）の測定に加え、レーザ光Ｌの重心波長、レーザ光Ｌの波長幅（スペクトル波長幅）、およびレーザ光Ｌの歪度などの各種の光学的パラメータ（「予め規定された光学的パラメータ」の一例）を測定可能に構成されている。なお、本例の光測定装置１は、実際には、受光部２に対するレーザ光Ｌの入射方向や入射量を規制するための光拡散部や、アパーチャおよび導光用の光ファイバなどを備えているが、これらの構成および機能については公知のため、図示および詳細な説明を省略する。
Specifically, the
受光部２は、一例として、受光センサ２０ａ〜２０ｄを備えて構成されている。また、受光センサ２０ａは、光学フィルタ２１ａおよび光電変換部２２ａを備え、受光センサ２０ｂは、光学フィルタ２１ｂおよび光電変換部２２ｂを備え、受光センサ２０ｃは、光学フィルタ２１ｃおよび光電変換部２２ｃを備え、受光センサ２０ｄは、光学フィルタ２１ｄおよび光電変換部２２ｄを備えて構成されている。
The
この場合、本例の光測定装置１における受光部２では、各受光センサ２０ａ〜２０ｄ（以下、区別しないときには「受光センサ２０」ともいう）毎に、光学的特性が異なる光学フィルタ２１ａ〜２１ｄ（以下、区別しないときには「光学フィルタ２１」ともいう）が配設されている。具体的には、光学フィルタ２１ａは、光電変換部２２ａの受光面側に光学フィルタ２１ａだけを配設したときに、受光センサ２０ａが一点鎖線Ｌ２１ａのような分光感度特性を有するような光学的特性となる光学フィルタで構成されている。また、光学フィルタ２１ｂは、光電変換部２２ｂの受光面側に光学フィルタ２１ｂだけを配設したときに、受光センサ２０ｂが二点鎖線Ｌ２１ｂのような分光感度特性を有するような光学的特性となる光学フィルタで構成されている。
In this case, in the
さらに、光学フィルタ２１ｃは、光電変換部２２ｃの受光面側に光学フィルタ２１ｃだけを配設したときに、受光センサ２０ｃが三点鎖線Ｌ２１ｃのような分光感度特性を有するような光学的特性となる光学フィルタ２１ｃで構成されている。また、光学フィルタ２１ｄは、光電変換部２２ｄの受光面側に光学フィルタ２１ｄだけを配設したときに、受光センサ２０ｄが破線Ｌ２１ｄのような分光感度特性を有するような光学的特性となる光学フィルタ２１ｄで構成されている。
Further, the
この場合、上記の各光学フィルタ２１は、各受光センサ２０の分光感度が波長毎に互いに相違し、かつ各受光センサ２０の分光感度が波長に対してｍ次関数的（ｍは、測定すべき光学的パラメータの種類に応じて任意に規定される２以上の自然数）に変化するような光学的特性となる光学フィルタで構成されている。これにより、本例の光測定装置１では、受光部２における受光センサ２０ａの分光感度に対する受光センサ２０ｂ〜２０ｄの分光感度の比、受光センサ２０ｂの分光感度に対する受光センサ２０ａ，２０ｃ，２０ｄの分光感度の比、受光センサ２０ｃの分光感度に対する受光センサ２０ａ，２０ｂ，２０ｄの分光感度の比、および受光センサ２０ｄの分光感度に対する受光センサ２０ａ〜２０ｃの分光感度の比が、各波長の光（レーザ光Ｌ）毎に相違する状態となっている。
In this case, in each of the above optical filters 21, the spectral sensitivities of the light receiving sensors 20 are different for each wavelength, and the spectral sensitivities of the light receiving sensors 20 are m-th order functional with respect to the wavelength (m should be measured). It is composed of an optical filter having optical characteristics that change to (two or more natural numbers) arbitrarily defined according to the type of optical parameter. As a result, in the
また、光電変換部２２ａ〜２２ｄ（以下、区別しないときには「光電変換部２２」ともいう）は、図１に示すように、光学フィルタ２１を透過したレーザ光Ｌを受光可能に配設されて受光量に応じた検出信号Ｓａ〜Ｓｄ（一例として、レーザ光Ｌの受光量に応じて値が大きくなる電流信号：以下、区別しないときには「検出信号Ｓ」ともいう）を出力する。
Further, as shown in FIG. 1, the
信号変換部３は、処理部６と相俟って「処理部」を構成する要素であって、Ｉ／Ｖ変換部およびＡ／Ｄ変換部（図示せず）を備えて検出信号Ｓを信号処理可能に構成されている。具体的には、信号変換部３は、各受光センサ２０（各光電変換部２２）から出力される検出信号ＳをそれぞれＩ／Ｖ変換することで得られる電圧信号を予め規定された周期（一例として、１ｎｓ〜１ｍｓ間隔の周期：例えば、１μｓ間隔の周期）でＡ／Ｄ変換することによって検出信号データＤ１を生成し、生成した検出信号データＤ１を処理部６に順次出力する。
The
操作部４は、測定処理の条件の設定操作や、測定処理の開始／停止を指示する各種の操作スイッチを備え、スイッチ操作に応じた操作信号を処理部６に出力する。表示部５は、処理部６の制御に従い、図示しない測定結果表示画面などを表示することにより、半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについての測定結果や、半導体レーザＬＤの良否の判定結果などを報知する。
The operation unit 4 includes various operation switches for setting measurement processing conditions and instructing the start / stop of the measurement processing, and outputs an operation signal corresponding to the switch operation to the processing unit 6. The
処理部６は、「処理部」の一例であって、光測定装置１を総括的に制御する。具体的には、処理部６は、一例として、半導体レーザＬＤの動作を制御する制御装置Ｘからタイミング報知信号Ｓｔが出力されたときに、各信号変換部３から出力されている検出信号データＤ１の記録（記憶部７への記憶）を開始すると共に、記録開始から予め規定された時間（一例として、５０ｎｓ〜５０ｍｓ程度の時間：例えば、６０μｓ）が経過した時点において記録を終了する。また、処理部６は、検出信号データＤ１の記録と並行して、検出信号データＤ１と記憶部７に記憶されている係数データＤ２とに基づき、レーザ光Ｌの光量、重心波長、波長幅および歪度などの各種光学的パラメータの値（測定値）を演算する（「予め規定された光学的パラメータの予め規定された周期での測定」の一例）。
The processing unit 6 is an example of the “processing unit” and comprehensively controls the
また、処理部６は、演算した測定値と、検査用基準値データＤ０に記録されている基準値とを比較し、その比較の結果を測定値と共に記録して測定結果データＤ３を生成する。さらに、処理部６は、測定結果データＤ３に基づき、半導体レーザＬＤの良否を判定して判定結果を表示部５に表示させることで報知する。なお、処理部６による上記の各処理については、後に詳細に説明する。
Further, the processing unit 6 compares the calculated measured value with the reference value recorded in the inspection reference value data D0, records the comparison result together with the measured value, and generates the measurement result data D3. Further, the processing unit 6 determines the quality of the semiconductor laser LD based on the measurement result data D3 and displays the determination result on the
記憶部７は、処理部６の動作プログラムや、上記の検査用基準値データＤ０、検出信号データＤ１、係数データＤ２および測定結果データＤ３などを記憶する。この場合、検査用基準値データＤ０には、良品の半導体レーザＬＤについての測定処理によって予め取得された測定値（上記の各光学的パラメータの値）に基づいて規定された基準値が記録されている。また、係数データＤ２は、各受光センサ２０の分光感度特性に応じて予め規定された「測定値演算用係数」が記録されたデータであって、処理部６が上記の各検出信号データＤ１の値に基づいて各光学的パラメータの値を演算する際に用いる係数が記録されている。
The
次に、光測定装置１を用いたレーザ光Ｌについての測定処理（半導体レーザＬＤの検査処理）について説明する。なお、光測定装置１の用途は、以下に説明するような用途に限定されるものではないが、「光測定装置」および「検査装置」の構成や「光測定方法」の手順に関する理解を容易にするために、一例として、半導体レーザＬＤを備えた各種光学装置（図示せず）の製造工程において、製造した半導体レーザＬＤを装置に組み込むのに先立って良否を検査する際に光測定装置１を使用した測定処理（検査処理）を実施する形態を例に挙げて説明する。
Next, the measurement process (inspection process of the semiconductor laser LD) for the laser beam L using the
まず、検査対象の半導体レーザＬＤを制御装置Ｘ（図１参照）に接続すると共に、半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌが受光部２に対して照射されるように受光部２の受光面を半導体レーザＬＤに向けて光測定装置１を設置する。この場合、制御装置Ｘは、半導体レーザＬＤに対して電力を供給することでレーザ光Ｌを出力させる装置であって、一例として、半導体レーザＬＤに供給する電力の電流値を可変させることで半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力量を任意に変化させることが可能に構成されている。
First, the semiconductor laser LD to be inspected is connected to the control device X (see FIG. 1), and the light receiving surface of the
また、本例において使用する制御装置Ｘでは、一例として、半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力開始時点（半導体レーザＬＤに対する電力供給の開始時点）の１０ｎｓ〜１０ｍｓ前（例えば、１０μｓ前）、半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力量変更時点（半導体レーザＬＤに対して供給している電力における電流値の変更時点）の１０μｓ前、および半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力停止時点（半導体レーザＬＤに対する電力供給の停止時点）の１０μｓ前に光測定装置１に対してタイミング報知信号Ｓｔを出力することができるように構成されている。
Further, in the control device X used in this example, as an example, 10 ns to 10 ms (for example, 10 μs before) before the output start time of the laser light L from the semiconductor laser LD (the start time of power supply to the semiconductor laser LD). 10 μs before the time when the output amount of the laser light L from the semiconductor laser LD is changed (the time when the current value in the power supplied to the semiconductor laser LD is changed) and the time when the output of the laser light L from the semiconductor laser LD is stopped (the time when the output of the laser light L from the semiconductor laser LD is stopped) It is configured so that the timing notification signal St can be output to the
このようなディレイタイムを設けることにより、制御装置Ｘおよび光測定装置１の間においてタイミング報知信号Ｓｔの送受信に要する時間や、光測定装置１においてタイミング報知信号Ｓｔを受信してから検出信号データＤ１の記録が開始されるまでの処理時間等に起因して、レーザ光Ｌの出力開始時点、出力量変更時点、出力停止時点の検出信号データＤ１が記録されない事態が生じるのを好適に回避することが可能となっている。
By providing such a delay time, the time required for transmission / reception of the timing notification signal St between the control device X and the
次いで、光測定装置１の操作部４を操作して半導体レーザＬＤについての検査処理を開始させると共に、制御装置Ｘの図示しない操作部を操作して半導体レーザＬＤの試験動作を開始させる。
Next, the operation unit 4 of the
これに応じて、制御装置Ｘは、光測定装置１に対して半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力を開始する旨を報知するタイミング報知信号Ｓｔを送信し、タイミング報知信号Ｓｔの送信から１０μｓが経過した時点において、半導体レーザＬＤに対する電力の供給を開始する。この際に、制御装置Ｘは、半導体レーザＬＤに対する電力の供給を開始することにより、非動作状態（レーザ光Ｌを出力していない状態）から、図３に示す値Ａ１の光量でレーザ光Ｌを出力する状態に半導体レーザＬＤを移行させる。これにより、半導体レーザＬＤがレーザ光Ｌを出力できない不良品である場合を除き、半導体レーザＬＤから光測定装置１に向けてレーザ光Ｌが出力される。
In response to this, the control device X transmits a timing notification signal St notifying the
一方、光測定装置１では、操作部４の操作によって検査処理の開始を指示された時点以降、受光部２の各受光センサ２０から受光量に応じた検出信号Ｓがそれぞれ出力されると共に、信号変換部３によって検出信号データＤ１が周期的に生成されて処理部６に対して出力される。
On the other hand, in the
また、処理部６は、制御装置Ｘからのタイミング報知信号Ｓｔ（「半導体レーザからのレーザ光の出力開始時点を特定可能な第１の信号」の一例）を受信したときに、検出信号データＤ１の記録（記憶部７への記憶）を開始する。この際には、タイミング報知信号Ｓｔを受信した時点から１０μｓが経過した時点において半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力が開始され、受光部２によって受光されたレーザ光Ｌの光量に応じた値の検出信号データＤ１が順次出力される。さらに、処理部６は、記録開始から６０μｓが経過した時点において検出信号データＤ１の記録を終了する。これにより、６０μｓ分の検出信号データＤ１が記憶部７に記録された状態となる。
Further, when the processing unit 6 receives the timing notification signal St (an example of "an example of" a first signal capable of specifying the output start time of the laser beam from the semiconductor laser ") from the control device X), the processing unit 6 detects the detection signal data D1. (Memory in the storage unit 7) is started. At this time, the output of the laser beam L from the semiconductor laser LD is started when 10 μs has elapsed from the time when the timing notification signal St is received, and the value corresponding to the amount of light of the laser beam L received by the
また、処理部６は、一例として、上記のような検出信号データＤ１の記録と並行して、各検出信号データＤ１の値（信号レベル値）、および記憶部７に記憶されている各係数データＤ２の値（係数）に基づいて光学的パラメータの値（測定値）の演算を実行する。これにより、制御装置Ｘからのレーザ光Ｌの出力開始時における光学的パラメータの測定処理（「第１の処理」の一例）が完了する。なお、この測定処理（光学的パラメータの値の演算）、および演算結果（測定値）と検査用基準値データＤ０の基準値との比較の処理等については、後に詳細に説明する。
Further, as an example, the processing unit 6 parallels the recording of the detection signal data D1 as described above, the value of each detection signal data D1 (signal level value), and each coefficient data stored in the
次いで、制御装置Ｘは、半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力を開始した時点から予め規定された時間（１ｓ〜１ｍ：一例として、１０ｓ）が経過した時点において、半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力量を増加させる旨を報知するタイミング報知信号Ｓｔを送信し、タイミング報知信号Ｓｔの送信から１０μｓが経過した時点において、半導体レーザＬＤに対して供給している電流値を上昇させる。この際に、制御装置Ｘは、図３に示す値Ａ１の光量でレーザ光Ｌを出力している状態から同図に示す値Ａ２の光量でレーザ光Ｌを出力する状態に半導体レーザＬＤを移行させる。これにより、半導体レーザＬＤから光測定装置１に向けてのレーザ光Ｌが出力量（光量）が増加する。
Next, the control device X receives the laser light from the semiconductor laser LD at a time when a predetermined time (1 s to 1 m: 10 s as an example) elapses from the time when the output of the laser light L from the semiconductor laser LD is started. A timing notification signal St for notifying that the output amount of L is to be increased is transmitted, and when 10 μs has elapsed from the transmission of the timing notification signal St, the current value supplied to the semiconductor laser LD is increased. At this time, the control device X shifts the semiconductor laser LD from a state in which the laser light L is output at the light amount of the value A1 shown in FIG. 3 to a state in which the laser light L is output at the light amount of the value A2 shown in FIG. Let me. As a result, the output amount (light amount) of the laser light L from the semiconductor laser LD toward the
一方、光測定装置１では、半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力開始時における上記の検出信号データＤ１の記録等を完了した後にも、受光部２の各受光センサ２０から受光量に応じた検出信号Ｓが継続的に出力されると共に、信号変換部３から検出信号データＤ１が周期的に出力された状態が維持される。
On the other hand, in the
また、処理部６は、制御装置Ｘからのタイミング報知信号Ｓｔ（「半導体レーザからのレーザ光の出力量変更時点を特定可能な第２の信号」の一例）を受信したときに、検出信号データＤ１の記録（記憶部７への記憶）を開始する。この際には、タイミング報知信号Ｓｔを受信した時点から１０μｓが経過した時点において半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力量の変更が開始され、受光部２によって受光されたレーザ光Ｌの光量に応じた値の検出信号データＤ１が順次出力される。さらに、処理部６は、記録開始から６０μｓが経過した時点において検出信号データＤ１の記録を終了する。これにより、６０μｓ分の検出信号データＤ１が記憶部７に記録された状態となる。
Further, when the processing unit 6 receives the timing notification signal St (an example of "an example of" a second signal capable of specifying the time when the output amount of the laser beam from the semiconductor laser is changed ") from the control device X), the detection signal data. Recording of D1 (storage in the storage unit 7) is started. At this time, the change in the output amount of the laser light L from the semiconductor laser LD is started when 10 μs has elapsed from the time when the timing notification signal St is received, and the light amount of the laser light L received by the
また、処理部６は、一例として、上記のような検出信号データＤ１の記録と並行して、各検出信号データＤ１の値（信号レベル値）、および記憶部７に記憶されている各係数データＤ２の値（係数）に基づいて光学的パラメータの値（測定値）の演算を実行する。これにより、制御装置Ｘからのレーザ光Ｌの出力量の変更時（本例では、出力量の増加時）における光学的パラメータの測定処理（「第１の処理」の他の一例）が完了する。なお、この測定処理（光学的パラメータの値の演算）、および演算結果（測定値）と検査用基準値データＤ０の基準値との比較の処理等についても、後に詳細に説明する。
Further, as an example, the processing unit 6 parallels the recording of the detection signal data D1 as described above, the value of each detection signal data D1 (signal level value), and each coefficient data stored in the
続いて、制御装置Ｘは、半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力量の変更（本例では、出力量を増加させる変更）を開始した時点から予め規定された時間（一例として、１０ｓ）が経過した時点において、半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力量を減少させる旨を報知するタイミング報知信号Ｓｔを送信し、タイミング報知信号Ｓｔの送信から１０μｓが経過した時点において、半導体レーザＬＤに対して供給している電流値を低下させる。この際に、制御装置Ｘは、図４に示す値Ａ２の光量でレーザ光Ｌを出力している状態から同図に示す値Ａ３の光量でレーザ光Ｌを出力する状態に半導体レーザＬＤを移行させる。これにより、半導体レーザＬＤから光測定装置１に向けてのレーザ光Ｌが出力量（光量）が減少する。
Subsequently, the control device X has a predetermined time (10 s as an example) from the time when the change of the output amount of the laser beam L from the semiconductor laser LD (in this example, the change of increasing the output amount) is started. When a lapse of time has passed, a timing notification signal St for notifying that the output amount of the laser light L from the semiconductor laser LD is to be reduced is transmitted, and when 10 μs has elapsed from the transmission of the timing notification signal St, the semiconductor laser LD is notified. Reduce the value of the current supplied. At this time, the control device X shifts the semiconductor laser LD from the state in which the laser light L is output at the light amount of the value A2 shown in FIG. 4 to the state in which the laser light L is output at the light amount of the value A3 shown in FIG. Let me. As a result, the output amount (light amount) of the laser light L from the semiconductor laser LD toward the
一方、光測定装置１では、処理部６が、制御装置Ｘからのタイミング報知信号Ｓｔ（「半導体レーザからのレーザ光の出力量変更時点を特定可能な第２の信号」の他の一例）を受信したときに、検出信号データＤ１の記録（記憶部７への記憶）を開始する。この際には、タイミング報知信号Ｓｔを受信した時点から１０μｓが経過した時点において半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力量の変更が開始され、受光部２によって受光されたレーザ光Ｌの光量に応じた値の検出信号データＤ１が順次出力される。さらに、処理部６は、記録開始から６０μｓが経過した時点において検出信号データＤ１の記録を終了する。これにより、６０μｓ分の検出信号データＤ１が記憶部７に記録された状態となる。
On the other hand, in the
また、処理部６は、一例として、上記のような検出信号データＤ１の記録と並行して、各検出信号データＤ１の値（信号レベル値）、および記憶部７に記憶されている各係数データＤ２の値（係数）に基づいて光学的パラメータの値（測定値）の演算を実行する。これにより、制御装置Ｘからのレーザ光Ｌの出力量の変更時（本例では、出力量の減少時）における光学的パラメータの測定処理（「第１の処理」のさらに他の一例）が完了する。なお、この測定処理（光学的パラメータの値の演算）、および演算結果（測定値）と検査用基準値データＤ０の基準値との比較の処理等についても、後に詳細に説明する。
Further, as an example, the processing unit 6 parallels the recording of the detection signal data D1 as described above, the value of each detection signal data D1 (signal level value), and each coefficient data stored in the
次いで、制御装置Ｘは、半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力量の変更（本例では、出力量を減少させる変更）を開始した時点から予め規定された時間（一例として、１０ｓ）が経過した時点において、半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力を停止させる旨を報知するタイミング報知信号Ｓｔを送信し、タイミング報知信号Ｓｔの送信から１０μｓが経過した時点において、半導体レーザＬＤに対する電力の供給を停止する。この際に、制御装置Ｘは、図４に示す値Ａ３の光量でレーザ光Ｌを出力している状態からレーザ光Ｌの出力を停止した状態に半導体レーザＬＤを移行させる。これにより、半導体レーザＬＤから光測定装置１に向けてのレーザ光Ｌの出力が停止される。
Next, a predetermined time (10 s as an example) elapses from the time when the control device X starts changing the output amount of the laser beam L from the semiconductor laser LD (in this example, the change that reduces the output amount). At that time, a timing notification signal St is transmitted to notify that the output of the laser beam L from the semiconductor laser LD is stopped, and when 10 μs has elapsed from the transmission of the timing notification signal St, power is supplied to the semiconductor laser LD. To stop. At this time, the control device X shifts the semiconductor laser LD from the state in which the laser beam L is output at the light amount of the value A3 shown in FIG. 4 to the state in which the output of the laser beam L is stopped. As a result, the output of the laser beam L from the semiconductor laser LD toward the
一方、光測定装置１では、処理部６が、制御装置Ｘからのタイミング報知信号Ｓｔ（「半導体レーザからのレーザ光の出力停止時点を特定可能な第３の信号」の一例）を受信したときに、検出信号データＤ１の記録（記憶部７への記憶）を開始する。この際には、タイミング報知信号Ｓｔを受信した時点から１０μｓが経過した時点において半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力量が徐々に低下し、レーザ光Ｌの出力量が「０」となるまで、受光部２によって受光されたレーザ光Ｌの光量に応じた値の検出信号データＤ１が順次出力される。さらに、処理部６は、記録開始から６０μｓが経過した時点において検出信号データＤ１の記録を終了する。これにより、６０μｓ分の検出信号データＤ１が記憶部７に記録された状態となる。
On the other hand, in the
また、処理部６は、一例として、上記のような検出信号データＤ１の記録と並行して、各検出信号データＤ１の値（信号レベル値）、および記憶部７に記憶されている各係数データＤ２の値（係数）に基づいて光学的パラメータの値（測定値）の演算を実行する。これにより、制御装置Ｘからのレーザ光Ｌの出力停止時における光学的パラメータの測定処理（「第１の処理」のさらに他の一例）が完了する。
Further, as an example, the processing unit 6 parallels the recording of the detection signal data D1 as described above, the value of each detection signal data D1 (signal level value), and each coefficient data stored in the
この場合、上記の「第１の処理」としての各測定処理において、処理部６は、記憶部７に記録した各検出信号データＤ１に基づき、レーザ光Ｌの光量（Ｐ）、レーザ光Ｌの重心波長（λｇ）、レーザ光Ｌの波長幅（σ＝√((λ２)ｇ−(λｇ)２)）、およびレーザ光Ｌの歪度（Ｓｋ＝((λ−λｇ)３)ｇ／σ３＝((λ３)ｇ−３(λ２)ｇ・λｇ＋２(λｇ)３)／σ３）を「予め規定された光学的パラメータ」として演算する。具体的には、処理部６は、記憶部７に記録した各検出信号データＤ１の値、および受光部２における各受光センサ２０の分光感度特性に応じて作成されて記憶部７に記憶させられている係数データＤ２の値に基づいてレーザ光Ｌについての測定値を演算して特定する。
In this case, in each measurement process as the above-mentioned "first process", the processing unit 6 determines the light amount (P) of the laser light L and the laser light L based on the detection signal data D1 recorded in the
この場合、本例の光測定装置１では、受光センサ２０ａ〜２０ｄの４つを備えて受光部２が構成されているが、「光測定装置」の構成として、どのような光学的パラメータを測定するかによって、受光部２が備えているべき受光センサ２０の数が相違する。例えば、受光部２に配設された「分光感度特性が互いに相違する受光センサ２０」の数を「ｎ（ｎは、２以上の自然数）」としたときに、ｎ個のうちの１個目の受光センサ２０ａからの検出信号Ｓａを変換した検出信号データＤ１の値を「Ｓａ」とし、かつｎ個のうちの２個目〜ｎ個目の受光センサ２０からの検出信号Ｓｎを変換した検出信号データＤ１の値をそれぞれ「Ｓｂ」〜「Ｓｎ」としたときに、上記の各測定値における「λｇ」、「(λ２)ｇ」および「(λ３)ｇ」は、
Ｓａ＝（ａ１１（λｎ−１）ｇ＋ａ１２(λｎ−２)ｇ＋・・・＋ａ１ｎ）Ｐ
Ｓｂ＝（ａ２１（λｎ−１）ｇ＋ａ２２(λｎ−２)ｇ＋・・・＋ａ２ｎ）Ｐ
・
・
Ｓｎ＝（ａｎ１（λｎ−１）ｇ＋ａｎ２(λｎ−２)ｇ＋・・・＋ａｎｎ）Ｐ
との連立方程式を解くことによって求めることができる。
In this case, the
Sa = (a 11 (λ n-1 ) g + a 12 (λ n-2 ) g + ... + a 1n ) P
Sb = (a 21 (λ n-1 ) g + a 22 (λ n-2 ) g + ... + a 2n ) P
・
・
S n = ( an1 (λ n-1 ) g + ann2 (λ n-2 ) g + ... + a nn ) P
It can be obtained by solving the simultaneous equations with.
なお、上記の式における「ａ１１」〜「ａ１ｎ」は、１個目の受光センサ２０の分光感度特性に応じて予め取得された「測定値演算用係数」であり、上記の式における「ａｎ１」〜「ａｎｎ」は、ｎ個目の受光センサ２０の分光感度特性に応じて予め取得された「測定値演算用係数」である。これらの「測定値演算用係数」は、各受光センサ２０の分光感度特性に応じて予め規定されて係数データＤ２に記録されている。 In addition, "a 11 " to "a 1n " in the above formula are "measurement value calculation coefficients" acquired in advance according to the spectral sensitivity characteristic of the first light receiving sensor 20, and are "coefficients for calculating the measured value" in the above formula. "an1 " to " ann " are "measurement value calculation coefficients" acquired in advance according to the spectral sensitivity characteristics of the nth light receiving sensor 20. These "coefficients for calculating the measured value" are predetermined and recorded in the coefficient data D2 according to the spectral sensitivity characteristics of each light receiving sensor 20.
したがって、上記の「ｎ」が「４」の本例では、受光部２の受光センサ２０ａからの検出信号Ｓａを変換した検出信号データＤ１の値を「Ｓａ」とし、受光部２の受光センサ２０ｂからの検出信号Ｓｂを変換した検出信号データＤ１の値を「Ｓｂ」とし、受光部２の受光センサ２０ｃからの検出信号Ｓｃを変換した検出信号データＤ１の値を「Ｓｃ」とし、かつ受光部２の受光センサ２０ｄからの検出信号Ｓｄを変換した検出信号データＤ１の値を「Ｓｄ」としたときに、
Ｓａ＝（ａ１１（λ３）ｇ＋ａ１２(λ２)ｇ＋ａ１３(λ)ｇ＋ａ１４）Ｐ
Ｓｂ＝（ａ２１（λ３）ｇ＋ａ２２(λ２)ｇ＋ａ２３(λ)ｇ＋ａ２４）Ｐ
Ｓｃ＝（ａ３１（λ３）ｇ＋ａ３２(λ２)ｇ＋ａ３３(λ)ｇ＋ａ３４）Ｐ
Ｓｄ＝（ａ４１（λ３）ｇ＋ａ４２(λ２)ｇ＋ａ４３(λ)ｇ＋ａ４４）Ｐ
との連立方程式を解くことによって上記の各測定値における「λｇ」、「(λ２)ｇ」および「(λ３)ｇ」を求めることができる。
Therefore, in this example in which the above "n" is "4", the value of the detection signal data D1 obtained by converting the detection signal Sa from the
Sa = (a 11 (λ 3 ) g + a 12 (λ 2 ) g + a 13 (λ) g + a 14 ) P
Sb = (a 21 (λ 3 ) g + a 22 (λ 2 ) g + a 23 (λ) g + a 24 ) P
Sc = (a 31 (λ 3 ) g + a 32 (λ 2 ) g + a 33 (λ) g + a 34 ) P
Sd = (a 41 (λ 3 ) g + a 42 (λ 2 ) g + a 43 (λ) g + a 44 ) P
By solving the simultaneous equations with, "λ g", "(λ 2 ) g" and "(λ 3 ) g" in each of the above measured values can be obtained.
この場合、各波長のステップ幅を「Δλ」とし、かつ「波長：λ」における光量（光パワー）を「Ｐ(λ)」としたときに、上記の「Ｐ」、「λｇ」、「(λ２)ｇ」および「（λ３）ｇ」については、［数１］のように表すことができる。 In this case, when the step width of each wavelength is "Δλ" and the amount of light (optical power) at "wavelength: λ" is "P (λ)", the above "P", "λg", and "( "λ 2 ) g" and "(λ 3 ) g" can be expressed as in [Equation 1].
すなわち、「Ｐ」は、「波長λに関する０次モーメント」であり、「λｇ」は、「波長λに関する１次モーメント」であり、「(λ２)ｇ」は、「波長λに関する２次モーメント」であり、かつ「（λ３）ｇ」は、「波長λに関する３次モーメント」である。したがって、分光感度特性が互いに相違する４個の受光センサ２０を備えて光測定装置１を構成し、各受光センサ２０からの検出信号Ｓの信号レベル値に対応する４個の連立方程式を解くことにより、「０次モーメント」の「Ｐ（光量）」、「１次モーメント」の「λｇ（重心波長）」、「２次モーメント」の「(λ２)ｇ」を利用して演算される「波長幅」、および「３次モーメント」の「（λ３）ｇ」を利用して演算される「歪度」を特定することができる。
That is, "P" is the "zeroth moment with respect to the wavelength λ", "λg" is the "primary moment with respect to the wavelength λ", and "(λ 2 ) g" is the "second moment with respect to the wavelength λ". And "(λ 3 ) g" is a "third moment with respect to wavelength λ". Therefore, the
なお、本例の光測定装置１の構成とは相違するが、分光感度特性が互いに相違する５種類以上のｎ個の受光センサ２０を備えて光測定装置１を構成してその検出信号Ｓの信号レベル値に対応するｎ個の連立方程式を解くことにより、「０次モーメント」の「Ｐ（光量）」、「１次モーメント」の「λｇ（重心波長）」、「２次モーメント」の「(λ２)ｇ」を利用して演算される「波長幅」、および「３次モーメント」の「（λ３）ｇ」を利用して演算される「歪度」だけでなく、「（Ｎ−１）＝（Ｍ−１）≧４次モーメント」の「（λＮ−１）ｇ」＝「（λＭ−１）ｇ」を利用して演算される光学的パラメータの値（測定値）などを特定することもできる。
Although the configuration of the
以上のように、半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力開始時の各検出信号データＤ１、半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力量増加時の各検出信号データＤ１、半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力量減少時の各検出信号データＤ１、および半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力停止時の各検出信号データＤ１毎に、各検出信号データＤ１の値と対応する係数データＤ２の値とに基づき、「Ｐ（光量）」、「λｇ（重心波長）」、「(λ２)ｇ」および「（λ３）ｇ」を特定すると共に、「Ｐ」、「λｇ」および「(λ２)ｇ」を用いて波長幅を演算し、かつ「Ｐ」、「λｇ」、「(λ２)ｇ」および「（λ３）ｇ」を用いて歪度を演算する。また、処理部６は、演算結果（各光学的パラメータについての測定値）を測定結果データＤ３として記憶部７にそれぞれ記憶させる。
As described above, each detection signal data D1 at the start of output of the laser beam L from the semiconductor laser LD, each detection signal data D1 at the time of increasing the output amount of the laser beam L from the semiconductor laser LD, and the laser from the semiconductor laser LD. For each detection signal data D1 when the output amount of the light L is reduced and each detection signal data D1 when the output of the laser light L from the semiconductor laser LD is stopped, the coefficient data D2 corresponding to the value of each detection signal data D1 Based on the value, "P (light intensity)", "λ g (center of gravity wavelength)", "(λ 2 ) g" and "(λ 3 ) g" are specified, and "P", "λ g" and "((λ 3) g" are specified. lambda 2) g "calculates the wavelength width with, and calculates the skewness using the" P "," λg "," (lambda 2) g "and" (lambda 3) g ". Further, the processing unit 6 stores the calculation result (measured value for each optical parameter) in the
一方、処理部６は、上記の処理によって「光量」、「重心波長」、「波長幅」および「歪度」等の測定値の演算が完了したときに、演算した測定値と、検査用基準値データＤ０に記録されている基準値とを比較する処理（「第２の処理」の一例）を実行する。以下、測定値と基準値との比較の処理について、図３，４を参照して具体的に説明する。なお、両図では、良品の半導体レーザＬＤから出力されたレーザ光Ｌについての測定値（実線ＬＡ〜ＬＣで示す値）と、不良品の半導体レーザＬＤから出力されたレーザ光Ｌについての測定値（破線ＬＡｘ〜ＬＣｘで示す値））との関係についての理解を容易とするために、各測定値の各時点毎の変化の状態をデフォルメして図示している。 On the other hand, when the calculation of the measured values such as "light intensity", "wavelength of center of gravity", "wavelength width" and "skewness" is completed by the above processing, the processing unit 6 sets the calculated measured values and the inspection reference. A process of comparing with the reference value recorded in the value data D0 (an example of the "second process") is executed. Hereinafter, the process of comparing the measured value with the reference value will be specifically described with reference to FIGS. 3 and 4. In both figures, the measured values for the laser light L output from the good semiconductor laser LD (values indicated by solid lines LA to LC) and the measured values for the laser light L output from the defective semiconductor laser LD In order to facilitate the understanding of the relationship with (values indicated by the broken lines LAx to LCx), the state of change of each measured value at each time point is shown in a deformed state.
この場合、図３に示す例では、前述した「半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力を開始する旨を報知するタイミング報知信号Ｓｔ」が制御装置Ｘから送信されて光測定装置１において検出信号データＤ１の記録を開始した時点ｔ１ａから、光測定装置１において検出信号データＤ１の記録を終了した時点ｔ１ｃまでの時間Ｔ１ａｃ（本例では、６０μｓ）が「測定期間」としての「時間Ａｂ」の一例であり、かつ半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力が開始された時点ｔ１ｂから上記の時点ｔ１ｃまでの時間Ｔ１ｂｃが「半導体レーザからのレーザ光の出力開始時点を始点とする時間Ａａ」に相当する。以下、この時間Ｔ１ａｃの間に記憶部７に記録された検出信号データＤ１を「出力開始時の検出信号データＤ１」ともいう。
In this case, in the example shown in FIG. 3, the above-mentioned "timing notification signal St notifying that the output of the laser light L from the semiconductor laser LD is started" is transmitted from the control device X and detected by the
また、同図に示す例では、前述した「半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力量を増加させる旨を報知するタイミング報知信号Ｓｔ」が制御装置Ｘから送信されて光測定装置１において検出信号データＤ１の記録を開始した時点ｔ２ａから、光測定装置１において検出信号データＤ１の記録を終了した時点ｔ２ｃまでの時間Ｔ２ａｃ（本例では、６０μｓ）が「測定期間」としての「時間Ｂｂ」の一例であり、かつ半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力量の変更（増加）が開始された時点ｔ２ｂから上記の時点ｔ２ｃまでの時間Ｔ２ｂｃが「半導体レーザからのレーザ光の出力量変更時点を始点とする時間Ｂａ」に相当する。以下、この時間Ｔ２ａｃの間に記憶部７に記録された検出信号データＤ１を「出力量増加時の検出信号データＤ１」ともいう。
Further, in the example shown in the figure, the above-mentioned "timing notification signal St for notifying that the output amount of the laser light L from the semiconductor laser LD is increased" is transmitted from the control device X and detected by the
さらに、図４に示す例では、前述した「半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力量を減少させる旨を報知するタイミング報知信号Ｓｔ」が制御装置Ｘから送信されて光測定装置１において検出信号データＤ１の記録を開始した時点ｔ３ａから、光測定装置１において検出信号データＤ１の記録を終了した時点ｔ３ｃまでの時間Ｔ３ａｃ（本例では、６０μｓ）が「測定期間」としての「時間Ｂｂ」の他の一例であり、かつ半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力量の変更（減少）が開始された時点ｔ３ｂから上記の時点ｔ３ｃまでの時間Ｔ３ｂｃが「半導体レーザからのレーザ光の出力量変更時点を始点とする時間Ｂａ」の他の例に相当する。以下、この時間Ｔ３ａｃの間に記憶部７に記録された検出信号データＤ１を「出力量減少時の検出信号データＤ１」ともいう。
Further, in the example shown in FIG. 4, the above-mentioned "timing notification signal St notifying that the output amount of the laser light L from the semiconductor laser LD is reduced" is transmitted from the control device X and detected by the
また、同図に示す例では、前述した「半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力を停止させる旨を報知するタイミング報知信号Ｓｔ」が制御装置Ｘから送信されて光測定装置１において検出信号データＤ１の記録を開始した時点ｔ４ａから、光測定装置１において検出信号データＤ１の記録を終了した時点ｔ４ｃまでの時間Ｔ４ａｃ（本例では、６０μｓ）が「測定期間」としての「時間Ｃｂ」の一例であり、かつ半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力停止が開始された時点ｔ４ｂから上記の時点ｔ４ｃまでの時間Ｔ４ｂｃが「半導体レーザからのレーザ光の出力停止時点を始点とする時間Ｃａ」に相当する。以下、この時間Ｔ４ａｃの間に記憶部７に記録された検出信号データＤ１を「出力停止時の検出信号データＤ１」ともいう。
Further, in the example shown in the figure, the above-mentioned "timing notification signal St for notifying that the output of the laser light L from the semiconductor laser LD is stopped" is transmitted from the control device X and the detection signal data is transmitted by the
まず、出力開始時の検出信号データＤ１に基づいて演算された光量に関し、半導体レーザＬＤが良品であった場合には、図３に実線ＬＡで示すように、制御装置Ｘからの電力供給が開始された時点ｔ１ｂから数μｓの間に値Ａ１まで上昇し、その後、半導体レーザＬＤに対して供給される電力の電流値が変更されたり、電力の供給が停止されたりするまで、値Ａ１が維持される。このため、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力開始時の光量は、実線ＬＡで示すような値となっている。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力開始時の検出信号データＤ１に基づいて演算した光量が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力開始時の光量（実線ＬＡで示すような光量）に対して予め規定された許容相違量の範囲内の値のときには、その半導体レーザＬＤの出力開始時における光量が正常範囲内の値であると判定する。 First, regarding the amount of light calculated based on the detection signal data D1 at the start of output, when the semiconductor laser LD is a good product, the power supply from the control device X starts as shown by the solid line LA in FIG. It rises to the value A1 within a few μs from the time point t1b, and then maintains the value A1 until the current value of the power supplied to the semiconductor laser LD is changed or the power supply is stopped. Will be done. Therefore, the amount of light at the start of output of the laser beam L recorded in the inspection reference value data D0 is a value as shown by the solid line LA. Therefore, the processing unit 6 records the amount of light calculated based on the detection signal data D1 at the start of output acquired for the laser light L from the semiconductor laser LD to be inspected in the inspection reference value data D0. When the value is within the range of the allowable difference amount specified in advance with respect to the amount of light at the start of output of L (the amount of light as shown by the solid line LA), the amount of light at the start of output of the semiconductor laser LD is within the normal range. Is determined to be.
一方、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力開始時の検出信号データＤ１に基づいて演算した光量が、同図に破線ＬＡｘで示すように小刻みに変動してしまうものがある。また、図示を省略するが、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力開始時の検出信号データＤ１に基づいて演算した光量が値Ａ１に達するまでの時間が実線ＬＡで示す例（良品の例）よりも長いものや、値Ａ１よりも多い光量となった後に値Ａ１となるものも存在する。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力開始時の検出信号データＤ１に基づいて演算した光量が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力開始時の光量（実線ＬＡで示すような光量）に対して予め規定された許容相違量を超えて相違しているときには、その半導体レーザＬＤの出力開始時における光量が異常な値であると判定する。 On the other hand, in some defective semiconductor laser LDs, the amount of light calculated based on the detection signal data D1 at the start of output fluctuates little by little as shown by the broken line Lax in the figure. Further, although not shown, in the defective semiconductor laser LD, an example in which the time until the amount of light calculated based on the detection signal data D1 at the start of output reaches the value A1 is shown by a solid line LA (example of a non-defective product). There are some that are longer than, and some that become the value A1 after the amount of light becomes larger than the value A1. Therefore, the processing unit 6 records the amount of light calculated based on the detection signal data D1 at the start of output acquired for the laser light L from the semiconductor laser LD to be inspected in the inspection reference value data D0. When there is a difference in the amount of light at the start of output of L (the amount of light as shown by the solid line LA) exceeding a predetermined allowable difference amount, the amount of light at the start of output of the semiconductor laser LD is an abnormal value. Judge that there is.
また、出力開始時の検出信号データＤ１に基づいて演算された重心波長に関し、半導体レーザＬＤが良品であった場合には、図３に実線ＬＢで示すように、制御装置Ｘからの電力供給が開始された時点ｔ１ｂから数μｓの間に値Ｂ１となり、その後、半導体レーザＬＤに対して供給される電力の電流値が変更されたり、電力の供給が停止されたりするまで、値Ｂ１が維持される。このため、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力開始時の重心波長は、実線ＬＢで示すような値となっている。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力開始時の検出信号データＤ１に基づいて演算した重心波長が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力開始時の重心波長（実線ＬＢで示すような波長）に対して予め規定された許容相違量の範囲内の値のときには、その半導体レーザＬＤの出力開始時における重心波長が正常範囲内の値であると判定する。 Further, regarding the center of gravity wavelength calculated based on the detection signal data D1 at the start of output, when the semiconductor laser LD is a good product, the power supply from the control device X is supplied as shown by the solid line LB in FIG. The value B1 is reached within a few μs from the start time t1b, and then the value B1 is maintained until the current value of the power supplied to the semiconductor laser LD is changed or the power supply is stopped. NS. Therefore, the wavelength of the center of gravity at the start of output of the laser beam L recorded in the inspection reference value data D0 is a value as shown by the solid line LB. Therefore, the processing unit 6 records the wavelength of the center of gravity calculated based on the detection signal data D1 at the start of output acquired for the laser beam L from the semiconductor laser LD to be inspected in the inspection reference value data D0. When the value is within the range of the allowable difference amount specified in advance with respect to the wavelength of the center of gravity at the start of output of the optical L (wavelength as shown by the solid line LB), the wavelength of the center of gravity at the start of output of the semiconductor laser LD is in the normal range. It is determined that the value is within.
一方、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力開始時の検出信号データＤ１に基づいて演算した重心波長が、同図に破線ＬＢｘで示すように小刻みに変動してしまうものがある。また、図示を省略するが、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力開始時の検出信号データＤ１に基づいて演算した重心波長が値Ｂ１となるまでの時間が実線ＬＢで示す例（良品の例）よりも長いものや、値Ｂ１よりも長い波長や値Ｂ１よりも短い波長となるものも存在する。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力開始時の検出信号データＤ１に基づいて演算した重心波長が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力開始時の重心波長（実線ＬＢで示すような重心波長）に対して予め規定された許容相違量を超えて相違しているときには、その半導体レーザＬＤの出力開始時における重心波長が異常な値であると判定する。 On the other hand, in some defective semiconductor laser LDs, the wavelength of the center of gravity calculated based on the detection signal data D1 at the start of output fluctuates little by little as shown by the broken line LBx in the figure. Further, although not shown, in the defective semiconductor laser LD, an example in which the time until the center of gravity wavelength calculated based on the detection signal data D1 at the start of output reaches the value B1 is shown by a solid line LB (example of a non-defective product). ), Some wavelengths are longer than the value B1 and some wavelengths are shorter than the value B1. Therefore, the processing unit 6 records the wavelength of the center of gravity calculated based on the detection signal data D1 at the start of output acquired for the laser beam L from the semiconductor laser LD to be inspected in the inspection reference value data D0. When the wavelength of the center of gravity at the start of output of the light L (the wavelength of the center of gravity as shown by the solid line LB) differs by more than a predetermined allowable difference amount, the wavelength of the center of gravity at the start of output of the semiconductor laser LD is changed. Judged as an abnormal value.
さらに、出力開始時の検出信号データＤ１に基づいて演算された波長幅に関し、半導体レーザＬＤが良品であった場合には、図３に実線ＬＣで示すように、制御装置Ｘからの電力供給が開始された時点ｔ１ｂから数μｓの間に値Ｃ１となり、その後、半導体レーザＬＤに対して供給される電力の電流値が変更されたり、電力の供給が停止されたりするまで、値Ｃ１が維持される。このため、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力開始時の波長幅は、実線ＬＣで示すような値となっている。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力開始時の検出信号データＤ１に基づいて演算した波長幅が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力開始時の波長幅（実線ＬＣで示すような値）に対して予め規定された許容相違量の範囲内の値のときには、その半導体レーザＬＤの出力開始時における波長幅が正常範囲内の値であると判定する。 Further, regarding the wavelength width calculated based on the detection signal data D1 at the start of output, when the semiconductor laser LD is a good product, the power supply from the control device X is supplied as shown by the solid line LC in FIG. The value C1 is reached within a few μs from the start time t1b, and then the value C1 is maintained until the current value of the power supplied to the semiconductor laser LD is changed or the power supply is stopped. NS. Therefore, the wavelength width at the start of output of the laser beam L recorded in the inspection reference value data D0 is a value as shown by the solid line LC. Therefore, the processing unit 6 records the wavelength width calculated based on the detection signal data D1 at the start of output acquired for the laser beam L from the semiconductor laser LD to be inspected in the inspection reference value data D0. When the value is within the range of the allowable difference amount specified in advance with respect to the wavelength width at the start of output of the optical L (value as shown by the solid line LC), the wavelength width at the start of output of the semiconductor laser LD is in the normal range. It is determined that the value is within.
一方、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力開始時の検出信号データＤ１に基づいて演算した波長幅が、同図に破線ＬＣｘで示すように小刻みに変動してしまうものがある。また、図示を省略するが、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力開始時の検出信号データＤ１に基づいて演算した波長幅が値Ｃ１となるまでの時間が実線ＬＣで示す例（良品の例）よりも長いものや、値Ｃ１よりも広い幅や値Ｃ１よりも狭い幅となるものも存在する。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力開始時の検出信号データＤ１に基づいて演算した波長幅が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力開始時の波長幅（実線ＬＣで示すような波長幅）に対して予め規定された許容相違量を超えて相違しているときには、その半導体レーザＬＤの出力開始時における波長幅が異常な値であると判定する。 On the other hand, in some defective semiconductor laser LDs, the wavelength width calculated based on the detection signal data D1 at the start of output fluctuates little by little as shown by the broken line LCx in the figure. Further, although not shown, in the defective semiconductor laser LD, an example in which the time until the wavelength width calculated based on the detection signal data D1 at the start of output reaches the value C1 is shown by a solid line LC (example of a non-defective product). ), Some have a width wider than the value C1 and some have a width narrower than the value C1. Therefore, the processing unit 6 records the wavelength width calculated based on the detection signal data D1 at the start of output acquired for the laser beam L from the semiconductor laser LD to be inspected in the inspection reference value data D0. When the wavelength width at the start of output of the light L (wavelength width as shown by the solid line LC) differs from the wavelength width at the start of output of the semiconductor laser LD by exceeding a predetermined allowable difference amount, the wavelength width at the start of output of the semiconductor laser LD is changed. Judged as an abnormal value.
また、図示を省略するが、処理部６は、出力開始時の検出信号データＤ１に基づいて演算した歪度や、４次よりも高次のモーメントに基づく光学的パラメータについても、上記の光量、重心波長および波長幅の例と同様の比較を行い、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力開始時の検出信号データＤ１に基づいて演算した値が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力開始時の値に対して予め規定された許容相違量の範囲内の値のときには、その半導体レーザＬＤの出力開始時における値が正常範囲内の値であると判定し、予め規定された許容相違量を超えて相違しているときには、その半導体レーザＬＤの出力開始時における値が異常な値であると判定する。 Further, although not shown, the processing unit 6 also obtains the above-mentioned light amount for the distortion degree calculated based on the detection signal data D1 at the start of output and the optical parameters based on the moments higher than the fourth order. The same comparison as in the example of the center of gravity wavelength and the wavelength width is performed, and the value calculated based on the detection signal data D1 at the start of output acquired for the laser beam L from the semiconductor laser LD to be inspected is the inspection reference value data D0. When the value is within the range of the allowable difference amount specified in advance with respect to the value at the start of output of the laser light L recorded in, the value at the start of output of the semiconductor laser LD is the value within the normal range. When the difference exceeds a predetermined allowable difference amount, it is determined that the value at the start of output of the semiconductor laser LD is an abnormal value.
また、出力量増加時の検出信号データＤ１に基づいて演算された光量に関し、半導体レーザＬＤが良品であった場合には、図３に実線ＬＡで示すように、制御装置Ｘからの電力における電流値の変更が開始された時点ｔ２ｂから数μｓの間に値Ａ２まで上昇し、その後、半導体レーザＬＤに対して供給される電力の電流値が変更されたり、電力の供給が停止されたりするまで、値Ａ２が維持される。このため、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力量増加時の光量は、実線ＬＡで示すような値となっている。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力量増加時の検出信号データＤ１に基づいて演算した光量が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力量増加時の光量（実線ＬＡで示すような光量）に対して予め規定された許容相違量の範囲内の値のときには、その半導体レーザＬＤの出力量増加時における光量が正常範囲内の値であると判定する。 Further, regarding the amount of light calculated based on the detection signal data D1 when the output amount increases, when the semiconductor laser LD is a good product, as shown by the solid line LA in FIG. 3, the current in the power from the control device X It rises to the value A2 within a few μs from the time when the value change is started from t2b, and then until the current value of the power supplied to the semiconductor laser LD is changed or the power supply is stopped. , The value A2 is maintained. Therefore, the amount of light when the output amount of the laser light L recorded in the inspection reference value data D0 increases is a value as shown by the solid line LA. Therefore, the processing unit 6 records the amount of light calculated based on the detection signal data D1 at the time of increase in the output amount acquired for the laser light L from the semiconductor laser LD to be inspected in the inspection reference value data D0. When the value is within the range of the allowable difference amount specified in advance with respect to the light amount when the output amount of the light L is increased (the light amount as shown by the solid line LA), the light amount when the output amount of the semiconductor laser LD is increased is in the normal range. It is determined that the value is within.
一方、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力量増加時の検出信号データＤ１に基づいて演算した光量が、同図に破線ＬＡｘで示すように小刻みに変動してしまうものがある。また、図示を省略するが、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力量増加時の検出信号データＤ１に基づいて演算した光量が値Ａ２に達するまでの時間が実線ＬＡで示す例（良品の例）よりも長いものや、値Ａ２よりも多い光量となった後に値Ａ２となるものも存在する。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力量増加時の検出信号データＤ１に基づいて演算した光量が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力量増加時の光量（実線ＬＡで示すような光量）に対して予め規定された許容相違量を超えて相違しているときには、その半導体レーザＬＤの出力量増加時における光量が異常な値であると判定する。 On the other hand, in some defective semiconductor laser LDs, the amount of light calculated based on the detection signal data D1 when the output amount increases fluctuates little by little as shown by the broken line Lax in the figure. Further, although not shown, in the defective semiconductor laser LD, an example in which the time until the amount of light calculated based on the detection signal data D1 when the output amount increases reaches the value A2 is shown by a solid line LA (example of a non-defective product). ), And some have a value A2 after the amount of light is greater than the value A2. Therefore, the processing unit 6 records the amount of light calculated based on the detection signal data D1 at the time of increase in the output amount acquired for the laser light L from the semiconductor laser LD to be inspected in the inspection reference value data D0. When the amount of light when the output amount of the light L increases (the amount of light as shown by the solid line LA) differs by more than a predetermined allowable difference amount, the amount of light when the output amount of the semiconductor laser LD increases is abnormal. It is judged that the value is.
また、出力量増加時の検出信号データＤ１に基づいて演算された重心波長に関し、半導体レーザＬＤが良品であった場合には、図３に実線ＬＢで示すように、制御装置Ｘからの電力における電流値の変更が開始された時点ｔ２ｂから数μｓの間に値Ｂ２となり、その後、半導体レーザＬＤに対して供給される電力の電流値が変更されたり、電力の供給が停止されたりするまで、値Ｂ２が維持される。このため、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力量増加時の重心波長は、実線ＬＢで示すような値となっている。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力量増加時の検出信号データＤ１に基づいて演算した重心波長が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力量増加時の重心波長（実線ＬＢで示すような波長）に対して予め規定された許容相違量の範囲内の値のときには、その半導体レーザＬＤの出力量増加時における重心波長が正常範囲内の値であると判定する。 Further, regarding the center of gravity wavelength calculated based on the detection signal data D1 when the output amount is increased, when the semiconductor laser LD is a non-defective product, the power from the control device X is used as shown by the solid line LB in FIG. The value becomes B2 within a few μs from the time t2b when the change of the current value is started, and then until the current value of the power supplied to the semiconductor laser LD is changed or the power supply is stopped. The value B2 is maintained. Therefore, the wavelength of the center of gravity when the output amount of the laser beam L recorded in the inspection reference value data D0 increases is a value as shown by the solid line LB. Therefore, the processing unit 6 records the wavelength of the center of gravity calculated based on the detection signal data D1 at the time of increase in the output amount acquired for the laser beam L from the semiconductor laser LD to be inspected in the inspection reference value data D0. When the value is within the range of the allowable difference amount specified in advance with respect to the wavelength of the center of gravity when the output amount of the laser beam L increases (wavelength as shown by the solid line LB), the wavelength of the center of gravity when the output amount of the semiconductor laser LD increases. Is determined to be a value within the normal range.
一方、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力量増加時の検出信号データＤ１に基づいて演算した重心波長が、同図に破線ＬＢｘで示すように小刻みに変動してしまうものがある。また、図示を省略するが、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力量増加時の検出信号データＤ１に基づいて演算した重心波長が値Ｂ２となるまでの時間が実線ＬＢで示す例（良品の例）よりも長いものや、値Ｂ２よりも長い波長や値Ｂ２よりも短い波長となるものも存在する。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力量増加時の検出信号データＤ１に基づいて演算した重心波長が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力量増加時の重心波長（実線ＬＢで示すような重心波長）に対して予め規定された許容相違量を超えて相違しているときには、その半導体レーザＬＤの出力量増加時における重心波長が異常な値であると判定する。 On the other hand, in some defective semiconductor laser LDs, the wavelength of the center of gravity calculated based on the detection signal data D1 when the output amount increases fluctuates little by little as shown by the broken line LBx in the figure. Further, although not shown, in the defective semiconductor laser LD, an example in which the time until the wavelength of the center of gravity calculated based on the detection signal data D1 when the output amount increases reaches the value B2 is shown by the solid line LB (non-defective product). For example, there are those that are longer than the value B2, those that have a wavelength longer than the value B2, and those that have a wavelength shorter than the value B2. Therefore, the processing unit 6 records the wavelength of the center of gravity calculated based on the detection signal data D1 at the time of increase in the output amount acquired for the laser beam L from the semiconductor laser LD to be inspected in the inspection reference value data D0. When the wavelength of the center of gravity (wavelength of the center of gravity as shown by the solid line LB) when the output amount of the laser light L is increased is different from the predetermined allowable difference amount, the output amount of the semiconductor laser LD is increased. It is determined that the wavelength of the center of gravity is an abnormal value.
さらに、出力量増加時の検出信号データＤ１に基づいて演算された波長幅に関し、半導体レーザＬＤが良品であった場合には、図３に実線ＬＣで示すように、制御装置Ｘからの電力における電流値の変更が開始された時点ｔ２ｂから数μｓの間に値Ｃ２となり、その後、半導体レーザＬＤに対して供給される電力の電流値が変更されたり、電力の供給が停止されたりするまで、値Ｃ２が維持される。このため、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力量増加時の波長幅は、実線ＬＣで示すような値となっている。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力量増加時の検出信号データＤ１に基づいて演算した波長幅が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力量増加時の波長幅（実線ＬＣで示すような値）に対して予め規定された許容相違量の範囲内の値のときには、その半導体レーザＬＤの出力量増加時における波長幅が正常範囲内の値であると判定する。 Further, regarding the wavelength width calculated based on the detection signal data D1 when the output amount is increased, when the semiconductor laser LD is a good product, as shown by the solid line LC in FIG. 3, the power from the control device X is used. The value becomes C2 within a few μs from the time t2b when the change of the current value is started, and then until the current value of the power supplied to the semiconductor laser LD is changed or the power supply is stopped. The value C2 is maintained. Therefore, the wavelength width when the output amount of the laser beam L recorded in the inspection reference value data D0 increases is a value as shown by the solid line LC. Therefore, the processing unit 6 records the wavelength width calculated based on the detection signal data D1 at the time of increase in the output amount acquired for the laser beam L from the semiconductor laser LD to be inspected in the inspection reference value data D0. When the value is within the range of the allowable difference amount specified in advance with respect to the wavelength width (value as shown by the solid line LC) when the output amount of the laser beam L is increased, the wavelength width when the output amount of the semiconductor laser LD is increased. Is determined to be a value within the normal range.
一方、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力量増加時の検出信号データＤ１に基づいて演算した波長幅が、同図に破線ＬＣｘで示すように小刻みに変動してしまうものがある。また、図示を省略するが、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力量増加時の検出信号データＤ１に基づいて演算した波長幅が値Ｃ２となるまでの時間が実線ＬＣで示す例（良品の例）よりも長いものや、値Ｃ２よりも広い幅や値Ｃ２よりも狭い幅となるものも存在する。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力量増加時の検出信号データＤ１に基づいて演算した波長幅が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力量増加時の波長幅（実線ＬＣで示すような波長幅）に対して予め規定された許容相違量を超えて相違しているときには、その半導体レーザＬＤの出力量増加時における波長幅が異常な値であると判定する。 On the other hand, in some defective semiconductor laser LDs, the wavelength width calculated based on the detection signal data D1 when the output amount increases fluctuates little by little as shown by the broken line LCx in the figure. Further, although not shown, in the defective semiconductor laser LD, an example in which the time until the wavelength width calculated based on the detection signal data D1 when the output amount increases reaches the value C2 is shown by the solid line LC (non-defective product). For example, there are those that are longer than the value C2, those that are wider than the value C2, and those that are narrower than the value C2. Therefore, the processing unit 6 records the wavelength width calculated based on the detection signal data D1 at the time of increase in the output amount acquired for the laser beam L from the semiconductor laser LD to be inspected in the inspection reference value data D0. When the wavelength width (wavelength width as shown by the solid line LC) when the output amount of the laser beam L is increased is different from the predetermined allowable difference amount, the output amount of the semiconductor laser LD is increased. It is determined that the wavelength width is an abnormal value.
また、図示を省略するが、処理部６は、出力量増加時の検出信号データＤ１に基づいて演算した歪度や、４次よりも高次のモーメントに基づく光学的パラメータについても、上記の光量、重心波長および波長幅の例と同様の比較を行い、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力量増加時の検出信号データＤ１に基づいて演算した値が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力量増加時の値に対して予め規定された許容相違量の範囲内の値のときには、その半導体レーザＬＤの出力量増加時における値が正常範囲内の値であると判定し、予め規定された許容相違量を超えて相違しているときには、その半導体レーザＬＤの出力量増加時における値が異常な値であると判定する。 Further, although not shown, the processing unit 6 also obtains the above-mentioned light amount for the distortion degree calculated based on the detection signal data D1 when the output amount increases and the optical parameters based on the moment higher than the fourth order. , The same comparison as in the example of the center of gravity wavelength and wavelength width was performed, and the value calculated based on the detection signal data D1 when the output amount increased for the laser beam L from the semiconductor laser LD to be inspected was the reference value for inspection. When the value recorded in the data D0 is within the range of the allowable difference amount specified in advance with respect to the value when the output amount of the laser beam L is increased, the value when the output amount of the semiconductor laser LD is increased is within the normal range. When the difference exceeds a predetermined allowable difference amount, it is determined that the value at the time of increasing the output amount of the semiconductor laser LD is an abnormal value.
さらに、出力量減少時の検出信号データＤ１に基づいて演算された光量に関し、半導体レーザＬＤが良品であった場合には、図４に実線ＬＡで示すように、制御装置Ｘからの電力における電流値の変更が開始された時点ｔ３ｂから数μｓの間に値Ａ３まで低下し、その後、半導体レーザＬＤに対して供給される電力の電流値が変更されたり、電力の供給が停止されたりするまで、値Ａ３が維持される。このため、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力量減少時の光量は、実線ＬＡで示すような値となっている。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力量減少時の検出信号データＤ１に基づいて演算した光量が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力量減少時の光量（実線ＬＡで示すような光量）に対して予め規定された許容相違量の範囲内の値のときには、その半導体レーザＬＤの出力量減少時における光量が正常範囲内の値であると判定する。 Further, regarding the amount of light calculated based on the detection signal data D1 when the output amount is reduced, when the semiconductor laser LD is a good product, as shown by the solid line LA in FIG. 4, the current in the power from the control device X The value drops to A3 within a few μs from t3b when the value change is started, and then until the current value of the power supplied to the semiconductor laser LD is changed or the power supply is stopped. , The value A3 is maintained. Therefore, the amount of light when the output amount of the laser light L recorded in the inspection reference value data D0 is reduced is a value as shown by the solid line LA. Therefore, the processing unit 6 records the amount of light calculated based on the detection signal data D1 at the time of decrease in the output amount acquired for the laser light L from the semiconductor laser LD to be inspected in the inspection reference value data D0. When the value is within the range of the allowable difference amount specified in advance with respect to the light amount when the output amount of the light L is reduced (the light amount as shown by the solid line LA), the light amount when the output amount of the semiconductor laser LD is reduced is in the normal range. It is determined that the value is within.
一方、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力量減少時の検出信号データＤ１に基づいて演算した光量が、同図に破線ＬＡｘで示すように小刻みに変動してしまうものがある。また、図示を省略するが、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力量減少時の検出信号データＤ１に基づいて演算した光量が値Ａ３に低下するまでの時間が実線ＬＡで示す例（良品の例）よりも長いものや、値Ａ３よりも少ない光量となった後に値Ａ３となるものも存在する。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力量減少時の検出信号データＤ１に基づいて演算した光量が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力量減少時の光量（実線ＬＡで示すような光量）に対して予め規定された許容相違量を超えて相違しているときには、その半導体レーザＬＤの出力量減少時における光量が異常な値であると判定する。 On the other hand, in some defective semiconductor laser LDs, the amount of light calculated based on the detection signal data D1 when the output amount is reduced fluctuates little by little as shown by the broken line Lax in the figure. Further, although not shown, in the defective semiconductor laser LD, an example in which the time until the amount of light calculated based on the detection signal data D1 when the output amount decreases decreases to the value A3 is shown by a solid line LA (non-defective product). For example, there are those that are longer than the value A3 and those that become the value A3 after the amount of light is less than the value A3. Therefore, the processing unit 6 records the amount of light calculated based on the detection signal data D1 at the time of decrease in the output amount acquired for the laser light L from the semiconductor laser LD to be inspected in the inspection reference value data D0. When the amount of light when the output amount of the light L is reduced (the amount of light as shown by the solid line LA) differs beyond the predetermined allowable difference amount, the amount of light when the output amount of the semiconductor laser LD is reduced is abnormal. It is judged that the value is.
また、出力量減少時の検出信号データＤ１に基づいて演算された重心波長に関し、半導体レーザＬＤが良品であった場合には、図４に実線ＬＢで示すように、制御装置Ｘからの電力における電流値の変更が開始された時点ｔ３ｂから数μｓの間に値Ｂ３となり、その後、半導体レーザＬＤに対して供給される電力の電流値が変更されたり、電力の供給が停止されたりするまで、値Ｂ３が維持される。このため、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力量減少時の重心波長は、実線ＬＢで示すような値となっている。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力量減少時の検出信号データＤ１に基づいて演算した重心波長が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力量減少時の重心波長（実線ＬＢで示すような波長）に対して予め規定された許容相違量の範囲内の値のときには、その半導体レーザＬＤの出力量減少時における重心波長が正常範囲内の値であると判定する。 Further, regarding the center of gravity wavelength calculated based on the detection signal data D1 when the output amount is reduced, when the semiconductor laser LD is a non-defective product, the power from the control device X is used as shown by the solid line LB in FIG. The value becomes B3 within a few μs from the time t3b when the change of the current value is started, and then until the current value of the power supplied to the semiconductor laser LD is changed or the power supply is stopped. The value B3 is maintained. Therefore, the wavelength of the center of gravity when the output amount of the laser beam L recorded in the inspection reference value data D0 is reduced is a value as shown by the solid line LB. Therefore, the processing unit 6 records the wavelength of the center of gravity calculated based on the detection signal data D1 at the time of decrease in the output amount acquired for the laser beam L from the semiconductor laser LD to be inspected in the inspection reference value data D0. When the value is within the range of the allowable difference amount specified in advance with respect to the wavelength of the center of gravity when the output amount of the laser beam L is reduced (wavelength as shown by the solid line LB), the wavelength of the center of gravity when the output amount of the semiconductor laser LD is reduced. Is determined to be a value within the normal range.
一方、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力量減少時の検出信号データＤ１に基づいて演算した重心波長が、同図に破線ＬＢｘで示すように小刻みに変動してしまうものがある。また、図示を省略するが、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力量減少時の検出信号データＤ１に基づいて演算した重心波長が値Ｂ３となるまでの時間が実線ＬＢで示す例（良品の例）よりも長いものや、値Ｂ３よりも長い波長や値Ｂ３よりも短い波長となるものも存在する。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力量減少時の検出信号データＤ１に基づいて演算した重心波長が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力量減少時の重心波長（実線ＬＢで示すような重心波長）に対して予め規定された許容相違量を超えて相違しているときには、その半導体レーザＬＤの出力量減少時における重心波長が異常な値であると判定する。 On the other hand, in some defective semiconductor laser LDs, the wavelength of the center of gravity calculated based on the detection signal data D1 when the output amount is reduced fluctuates little by little as shown by the broken line LBx in the figure. Further, although not shown, in the defective semiconductor laser LD, an example in which the time until the wavelength of the center of gravity calculated based on the detection signal data D1 when the output amount decreases reaches the value B3 is shown by the solid line LB (non-defective product). For example, there are those that are longer than the value B3, those that have a wavelength longer than the value B3, and those that have a wavelength shorter than the value B3. Therefore, the processing unit 6 records the wavelength of the center of gravity calculated based on the detection signal data D1 at the time of decrease in the output amount acquired for the laser beam L from the semiconductor laser LD to be inspected in the inspection reference value data D0. When the wavelength of the center of gravity when the output amount of the laser light L is reduced (the wavelength of the center of gravity as shown by the solid line LB) is different by exceeding a predetermined allowable difference amount, the output amount of the semiconductor laser LD is reduced. It is determined that the wavelength of the center of gravity is an abnormal value.
さらに、出力量減少時の検出信号データＤ１に基づいて演算された波長幅に関し、半導体レーザＬＤが良品であった場合には、図４に実線ＬＣで示すように、制御装置Ｘからの電力における電流値の変更が開始された時点ｔ３ｂから数μｓの間に値Ｃ３となり、その後、半導体レーザＬＤに対して供給される電力の電流値が変更されたり、電力の供給が停止されたりするまで、値Ｃ３が維持される。このため、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力量減少時の波長幅は、実線ＬＣで示すような値となっている。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力量減少時の検出信号データＤ１に基づいて演算した波長幅が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力量減少時の波長幅（実線ＬＣで示すような値）に対して予め規定された許容相違量の範囲内の値のときには、その半導体レーザＬＤの出力量減少時における波長幅が正常範囲内の値であると判定する。 Further, regarding the wavelength width calculated based on the detection signal data D1 when the output amount is reduced, when the semiconductor laser LD is a good product, as shown by the solid line LC in FIG. 4, the power from the control device X is used. The value becomes C3 within a few μs from the time t3b when the change of the current value is started, and then until the current value of the power supplied to the semiconductor laser LD is changed or the power supply is stopped. The value C3 is maintained. Therefore, the wavelength width when the output amount of the laser beam L recorded in the inspection reference value data D0 is reduced is a value as shown by the solid line LC. Therefore, the processing unit 6 records the wavelength width calculated based on the detection signal data D1 when the output amount is reduced acquired for the laser beam L from the semiconductor laser LD to be inspected in the inspection reference value data D0. When the value is within the range of the allowable difference amount specified in advance with respect to the wavelength width (value as shown by the solid line LC) when the output amount of the laser beam L is reduced, the wavelength width when the output amount of the semiconductor laser LD is reduced. Is determined to be a value within the normal range.
一方、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力量減少時の検出信号データＤ１に基づいて演算した波長幅が、同図に破線ＬＣｘで示すように小刻みに変動してしまうものがある。また、図示を省略するが、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力量減少時の検出信号データＤ１に基づいて演算した波長幅が値Ｃ３となるまでの時間が実線ＬＣで示す例（良品の例）よりも長いものや、値Ｃ３よりも広い幅や値Ｃ３よりも狭い幅となるものも存在する。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力量減少時の検出信号データＤ１に基づいて演算した波長幅が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力量減少時の波長幅（実線ＬＣで示すような波長幅）に対して予め規定された許容相違量を超えて相違しているときには、その半導体レーザＬＤの出力量減少時における波長幅が異常な値であると判定する。 On the other hand, in some defective semiconductor laser LDs, the wavelength width calculated based on the detection signal data D1 when the output amount is reduced fluctuates little by little as shown by the broken line LCx in the figure. Further, although not shown, in the defective semiconductor laser LD, an example in which the time until the wavelength width calculated based on the detection signal data D1 when the output amount decreases reaches the value C3 is shown by the solid line LC (non-defective product). For example, there are those that are longer than the value C3, those that are wider than the value C3, and those that are narrower than the value C3. Therefore, the processing unit 6 records the wavelength width calculated based on the detection signal data D1 at the time of decrease in the output amount acquired for the laser beam L from the semiconductor laser LD to be inspected in the inspection reference value data D0. When the wavelength width when the output amount of the laser beam L is reduced (the wavelength width as shown by the solid line LC) is different by exceeding a predetermined allowable difference amount, the output amount of the semiconductor laser LD is reduced. It is determined that the wavelength width is an abnormal value.
また、図示を省略するが、処理部６は、出力量減少時の検出信号データＤ１に基づいて演算した歪度や、４次よりも高次のモーメントに基づく光学的パラメータについても、上記の光量、重心波長および波長幅の例と同様の比較を行い、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力量減少時の検出信号データＤ１に基づいて演算した値が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力量減少時の値に対して予め規定された許容相違量の範囲内の値のときには、その半導体レーザＬＤの出力量減少時における値が正常範囲内の値であると判定し、予め規定された許容相違量を超えて相違しているときには、その半導体レーザＬＤの出力量減少時における値が異常な値であると判定する。 Further, although not shown, the processing unit 6 also obtains the above-mentioned light amount for the distortion degree calculated based on the detection signal data D1 when the output amount is reduced and the optical parameters based on the moment higher than the fourth order. , The same comparison as in the example of the center of gravity wavelength and the wavelength width is performed, and the value calculated based on the detection signal data D1 at the time of decrease in the output amount acquired for the laser light L from the semiconductor laser LD to be inspected is the inspection reference value. When the value recorded in the data D0 is within the range of the allowable difference amount specified in advance with respect to the value when the output amount of the laser beam L is reduced, the value when the output amount of the semiconductor laser LD is reduced is within the normal range. When the difference exceeds a predetermined allowable difference amount, it is determined that the value when the output amount of the semiconductor laser LD is reduced is an abnormal value.
また、出力停止時の検出信号データＤ１に基づいて演算された光量に関し、半導体レーザＬＤが良品であった場合には、図４に実線ＬＡで示すように、制御装置Ｘからの電力供給が停止された時点ｔ４ｂから数μｓの間に値が「０」まで減少する。このため、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力停止時の光量は、実線ＬＡで示すような値となっている。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力停止時の検出信号データＤ１に基づいて演算した光量が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力停止時の光量（実線ＬＡで示すような光量）に対して予め規定された許容相違量の範囲内の値のときには、その半導体レーザＬＤの出力停止時における光量が正常範囲内の値であり、その半導体レーザＬＤが良品であると判定する。 Further, regarding the amount of light calculated based on the detection signal data D1 when the output is stopped, when the semiconductor laser LD is a good product, the power supply from the control device X is stopped as shown by the solid line LA in FIG. The value decreases to "0" within a few μs from the time point t4b. Therefore, the amount of light when the output of the laser beam L recorded in the inspection reference value data D0 is stopped is a value as shown by the solid line LA. Therefore, the processing unit 6 calculates the amount of light calculated based on the detection signal data D1 at the time of output stop acquired for the laser light L from the semiconductor laser LD to be inspected, and the laser light is recorded in the inspection reference value data D0. When the value is within the range of the allowable difference amount specified in advance with respect to the amount of light when the output of L is stopped (the amount of light as shown by the solid line LA), the amount of light when the output of the semiconductor laser LD is stopped is within the normal range. It is determined that the semiconductor laser LD is a good product.
一方、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力停止時の検出信号データＤ１に基づいて演算した光量が、同図に破線ＬＡｘで示すように小刻みに変動しながら減少するものがある。また、図示を省略するが、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力停止時の検出信号データＤ１に基づいて演算した光量が「０」となるまでの時間が実線ＬＡで示す例（良品の例）よりも長いものも存在する。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力停止時の検出信号データＤ１に基づいて演算した光量が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力停止時の光量（実線ＬＡで示すような光量）に対して予め規定された許容相違量を超えて相違しているときには、その半導体レーザＬＤの出力停止時における光量が異常な値であると判定する。 On the other hand, among the defective semiconductor laser LDs, the amount of light calculated based on the detection signal data D1 when the output is stopped decreases while fluctuating little by little as shown by the broken line LAx in the figure. Further, although not shown, in the defective semiconductor laser LD, an example in which the time until the amount of light calculated based on the detection signal data D1 at the time of output stop becomes "0" is shown by a solid line LA (example of a non-defective product). ) Is longer than some. Therefore, the processing unit 6 calculates the amount of light calculated based on the detection signal data D1 at the time of output stop acquired for the laser light L from the semiconductor laser LD to be inspected, and the laser light is recorded in the inspection reference value data D0. When there is a difference in the amount of light when the output of L is stopped (the amount of light as shown by the solid line LA) exceeding a predetermined allowable difference amount, the amount of light when the output of the semiconductor laser LD is stopped is an abnormal value. Judge that there is.
また、出力停止時の検出信号データＤ１に基づいて演算された重心波長に関し、半導体レーザＬＤが良品であった場合には、図４に実線ＬＢで示すように、制御装置Ｘからの電力供給が停止された時点ｔ４ｂから数μｓの間に値Ｂ４となる。このため、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力停止時の重心波長は、実線ＬＢで示すような値となっている。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力停止時の検出信号データＤ１に基づいて演算した重心波長が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力停止時の重心波長（実線ＬＢで示すような波長）に対して予め規定された許容相違量の範囲内の値のときには、その半導体レーザＬＤの出力停止時における重心波長が正常範囲内の値であると判定する。 Further, regarding the center of gravity wavelength calculated based on the detection signal data D1 when the output is stopped, when the semiconductor laser LD is a good product, the power supply from the control device X is supplied as shown by the solid line LB in FIG. The value B4 is reached within a few μs from the time when it is stopped t4b. Therefore, the wavelength of the center of gravity of the laser beam L recorded in the inspection reference value data D0 when the output is stopped is a value as shown by the solid line LB. Therefore, the processing unit 6 records the wavelength of the center of gravity calculated based on the detection signal data D1 at the time of output stop acquired for the laser beam L from the semiconductor laser LD to be inspected in the inspection reference value data D0. When the value is within the range of the allowable difference amount specified in advance with respect to the wavelength of the center of gravity when the output of the light L is stopped (the wavelength as shown by the solid line LB), the wavelength of the center of gravity when the output of the semiconductor laser LD is stopped is in the normal range. It is determined that the value is within.
一方、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力停止時の検出信号データＤ１に基づいて演算した重心波長が、同図に破線ＬＢｘで示すように小刻みに変動してしまうものがある。また、図示を省略するが、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力停止時の検出信号データＤ１に基づいて演算した重心波長が値Ｂ４となるまでの時間が実線ＬＢで示す例（良品の例）よりも長いものや、値Ｂ４よりも長い波長や値Ｂ４よりも短い波長となるものも存在する。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力停止時の検出信号データＤ１に基づいて演算した重心波長が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力停止時の重心波長（実線ＬＢで示すような重心波長）に対して予め規定された許容相違量を超えて相違しているときには、その半導体レーザＬＤの出力停止時における重心波長が異常な値であると判定する。 On the other hand, in some defective semiconductor laser LDs, the wavelength of the center of gravity calculated based on the detection signal data D1 when the output is stopped fluctuates little by little as shown by the broken line LBx in the figure. Further, although not shown, in the defective semiconductor laser LD, an example in which the time until the center of gravity wavelength calculated based on the detection signal data D1 when the output is stopped reaches the value B4 is shown by a solid line LB (example of a non-defective product). ), Some wavelengths are longer than the value B4, and some wavelengths are shorter than the value B4. Therefore, the processing unit 6 records the wavelength of the center of gravity calculated based on the detection signal data D1 at the time of output stop acquired for the laser beam L from the semiconductor laser LD to be inspected in the inspection reference value data D0. When the wavelength of the center of gravity when the output of the light L is stopped (the wavelength of the center of gravity as shown by the solid line LB) differs from the wavelength of the center of gravity when the output of the semiconductor laser LD is stopped, the wavelength of the center of gravity when the output of the semiconductor laser LD is stopped is different. Judged as an abnormal value.
さらに、出力停止時の検出信号データＤ１に基づいて演算された波長幅に関し、半導体レーザＬＤが良品であった場合には、図４に実線ＬＣで示すように、制御装置Ｘからの電力供給が停止された時点ｔ４ｂから数μｓの間に値Ｃ４となる。このため、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力停止時の波長幅は、実線ＬＣで示すような値となっている。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力停止時の検出信号データＤ１に基づいて演算した波長幅が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力停止時の波長幅（実線ＬＣで示すような値）に対して予め規定された許容相違量の範囲内の値のときには、その半導体レーザＬＤの出力停止時における波長幅が正常範囲内の値であると判定する。 Further, regarding the wavelength width calculated based on the detection signal data D1 when the output is stopped, when the semiconductor laser LD is a good product, the power supply from the control device X is supplied as shown by the solid line LC in FIG. The value C4 is reached within a few μs from the time when it is stopped from t4b. Therefore, the wavelength width of the laser beam L recorded in the inspection reference value data D0 when the output is stopped is a value as shown by the solid line LC. Therefore, the processing unit 6 records the wavelength width calculated based on the detection signal data D1 at the time of output stop acquired for the laser beam L from the semiconductor laser LD to be inspected in the inspection reference value data D0. When the value is within the range of the allowable difference amount specified in advance with respect to the wavelength width when the output of the optical L is stopped (the value shown by the solid line LC), the wavelength width when the output of the semiconductor laser LD is stopped is in the normal range. It is determined that the value is within.
一方、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力停止時の検出信号データＤ１に基づいて演算した波長幅が、同図に破線ＬＣｘで示すように小刻みに変動してしまうものがある。また、図示を省略するが、不良品の半導体レーザＬＤのなかには、出力停止時の検出信号データＤ１に基づいて演算した波長幅が値Ｃ４となるまでの時間が実線ＬＣで示す例（良品の例）よりも長いものや、値Ｃ４よりも広い幅や値Ｃ４よりも狭い幅となるものも存在する。したがって、処理部６は、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力停止時の検出信号データＤ１に基づいて演算した波長幅が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力停止時の波長幅（実線ＬＣで示すような波長幅）に対して予め規定された許容相違量を超えて相違しているときには、その半導体レーザＬＤの出力停止時における波長幅が異常な値であると判定する。 On the other hand, in some defective semiconductor laser LDs, the wavelength width calculated based on the detection signal data D1 when the output is stopped fluctuates little by little as shown by the broken line LCx in the figure. Further, although not shown, in the defective semiconductor laser LD, an example in which the time until the wavelength width calculated based on the detection signal data D1 at the time of output stop reaches the value C4 is shown by a solid line LC (example of a non-defective product). ), Some have a width wider than the value C4, and some have a width narrower than the value C4. Therefore, the processing unit 6 records the wavelength width calculated based on the detection signal data D1 at the time of output stop acquired for the laser beam L from the semiconductor laser LD to be inspected in the inspection reference value data D0. When the wavelength width when the output of the light L is stopped (the wavelength width as shown by the solid line LC) is different from the predetermined allowable difference amount, the wavelength width when the output of the semiconductor laser LD is stopped is changed. Judged as an abnormal value.
また、図示を省略するが、処理部６は、出力停止時の検出信号データＤ１に基づいて演算した歪度や、４次よりも高次のモーメントに基づく光学的パラメータについても、上記の光量、重心波長および波長幅の例と同様の比較を行い、検査対象の半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌについて取得した出力停止時の検出信号データＤ１に基づいて演算した値が、検査用基準値データＤ０に記録されているレーザ光Ｌの出力停止時の値に対して予め規定された許容相違量の範囲内の値のときには、その半導体レーザＬＤの出力停止時における値が正常範囲内の値であると判定し、予め規定された許容相違量を超えて相違しているときには、その半導体レーザＬＤの出力停止時における値が異常な値であると判定する。 Further, although not shown, the processing unit 6 also obtains the above-mentioned light amount for the distortion degree calculated based on the detection signal data D1 when the output is stopped and the optical parameters based on the moment higher than the fourth order. The same comparison as in the example of the center of gravity wavelength and the wavelength width is performed, and the value calculated based on the detection signal data D1 at the time of output stop acquired for the laser beam L from the semiconductor laser LD to be inspected is the inspection reference value data D0. When the value recorded in the above is within the range of the allowable difference amount specified in advance with respect to the value when the output of the laser beam L is stopped, the value when the output of the semiconductor laser LD is stopped is within the normal range. When the difference exceeds a predetermined allowable difference amount, it is determined that the value at the time when the output of the semiconductor laser LD is stopped is an abnormal value.
次いで、処理部６は、上記の各判定の結果（「比較の結果」の一例）を測定結果データＤ３内の対応する測定値（光学的パラメータの値）に関連付けて記録する（「測定値と基準値との少なくとも一方」が「測定値」である「第３の処理」の一例）。 Next, the processing unit 6 records the result of each of the above determinations (an example of the “comparison result”) in association with the corresponding measured value (value of the optical parameter) in the measurement result data D3 (“measured value and”. An example of a "third process" in which "at least one of the reference value" is the "measured value").
また、本例の光測定装置１では、「レーザ光Ｌの出力開始時」、「レーザ光Ｌの出力量変更時（出力量増加時）」、「レーザ光Ｌの出力量変更時（出力量減少時）」および「レーザ光Ｌの出力停止時」の各「測定期間」毎に、「光量」、「重心波長」、「波長幅」および「歪度」を「予め規定された光学的パラメータ」としてそれぞれ測定した後に、処理部６が、いずれかの「測定期間」におけるいずれかの「光学的パラメータ」が検査用基準値データＤ０に記録されている基準値に対して許容相違量を超えて相違しているときに、検査対象の半導体レーザＬＤが不良品であると判定すると共に、すべての「測定期間」におけるすべての「光学的パラメータ」が検査用基準値データＤ０に記録されている基準値に対する許容相違量の範囲内のときに、検査対象の半導体レーザＬＤが良品であると判定する（「検査装置」における「第２の処理」の一例）。
Further, in the
続いて、処理部６は、半導体レーザＬＤの良否判定の結果を測定結果データＤ３に記録する（「検査装置」における「第３の処理」の一例）。また、処理部６は、一例として、検査用基準値データＤ０に記録された良品についての「光量」、「重心波長」、「波長幅」および「歪度」（基準値）と、検査対象についての測定結果データＤ３に記録された「光量」、「重心波長」、「波長幅」および「歪度」（測定値）と、検査対象についての測定結果データＤ３に記録された「光量」、「重心波長」、「波長幅」および「歪度」（測定値）が正常か異常かの判定結果とを上記の各「測定期間」毎に表示部５にそれぞれ表示すると共に、半導体レーザＬＤが良品か不良品かの判定結果を表示部５に表示する（「判定の結果を報知装置に報知させる」との処理の一例）。これにより、表示部５の表示を見た者は、検査対象の半導体レーザＬＤが良品であるか不良品であるかを確実かつ容易に認識することができ、また、不良品と判定された場合には、どのような理由で不良品と判定されたかを確実かつ容易に認識することができる。以上により、半導体レーザＬＤについての検査処理が完了する。
Subsequently, the processing unit 6 records the result of the quality determination of the semiconductor laser LD in the measurement result data D3 (an example of the "third processing" in the "inspection apparatus"). Further, as an example, the processing unit 6 describes the "light amount", "center of gravity wavelength", "wavelength width" and "distortion degree" (reference value) of the non-defective product recorded in the inspection reference value data D0, and the inspection target. "Light amount", "center of gravity wavelength", "wavelength width" and "distortion degree" (measured value) recorded in the measurement result data D3 of the above, and "light amount" and "light amount" recorded in the measurement result data D3 for the inspection target. The determination result of whether the "center of gravity wavelength", "wavelength width" and "distortion degree" (measured value) are normal or abnormal is displayed on the
この場合、上記したように、検査対象の半導体レーザＬＤが良品であった場合には、上記の各「測定期間」毎の各「光学的パラメータ」のすべてが、検査用基準値データＤ０に記録されている基準値（良品の半導体レーザＬＤから取得した測定値）に対する許容相違量の範囲内の値となる。これに対して、検査対象の半導体レーザＬＤが不良品であった場合には、その不良の種類や不良の度合いに応じて、いずれかの「測定期間」におけるいずれかの「光学的パラメータ」が検査用基準値データＤ０に記録されている基準値に対する許容相違量の範囲を外れた状態となる。 In this case, as described above, when the semiconductor laser LD to be inspected is a non-defective product, all of the "optical parameters" for each of the above "measurement periods" are recorded in the inspection reference value data D0. It is a value within the allowable difference amount with respect to the reference value (measured value obtained from a non-defective semiconductor laser LD). On the other hand, when the semiconductor laser LD to be inspected is a defective product, one of the "optical parameters" in any of the "measurement periods" is set according to the type of the defect and the degree of the defect. The state is out of the range of the allowable difference amount with respect to the reference value recorded in the inspection reference value data D0.
具体的には、出願人は、複数個の半導体レーザＬＤを対象として、上記の検査処理と同様の手順で各「測定期間」毎に各「光学的パラメータ」の測定を行ってその測定結果を保存しておき、その後に、前述した特許文献に開示の測定装置と同様にして各半導体レーザＬＤに対するエージング処理を行い、エージング処理によって不良が生じた半導体レーザＬＤについての保存されている測定結果を調べたところ、いずれかの「測定期間」におけるいずれかの「光学的パラメータ」が検査用基準値データＤ０に記録されている基準値に対する許容相違量の範囲を外れた状態であったことを確認している。 Specifically, the applicant measures each "optical parameter" for each "measurement period" in the same procedure as the above inspection process for a plurality of semiconductor laser LDs, and obtains the measurement result. After that, each semiconductor laser LD is subjected to an aging process in the same manner as the measuring device disclosed in the above-mentioned patent document, and the stored measurement result of the semiconductor laser LD in which a defect is caused by the aging process is obtained. Upon examination, it was confirmed that any "optical parameter" in any "measurement period" was out of the range of the allowable difference amount with respect to the reference value recorded in the inspection reference value data D0. doing.
また、エージング処理において良品と判定され、製品に組み込まれて出荷された後に、レーザ光Ｌの出力量が大幅に低下したり出力量が安定しない状態となったりした半導体レーザＬＤについて、保存されている測定結果と、エージング処理時の判定結果とを調べたところ、いずれかの「測定期間」におけるいずれかの「光学的パラメータ」が検査用基準値データＤ０に記録されている基準値に対する許容相違量の範囲を外れた状態であった半導体レーザＬＤが多数存在することも確認している。つまり、上記の各「測定期間」毎の各「光学的パラメータ」を検査用基準値データＤ０に記録されている「基準値」と比較することで、エージング処理によって検出することができない潜在的な不良品についても検出し得ることが確認されている。 Further, the semiconductor laser LD whose output amount of the laser beam L is significantly reduced or whose output amount is not stable after being determined to be a non-defective product in the aging process and incorporated into the product and shipped is stored. When the measurement result and the judgment result at the time of the aging process were examined, any "optical parameter" in any "measurement period" was a permissible difference from the reference value recorded in the inspection reference value data D0. It has also been confirmed that there are many semiconductor laser LDs that are out of the range of quantity. That is, by comparing each "optical parameter" for each of the above "measurement periods" with the "reference value" recorded in the inspection reference value data D0, there is a potential that cannot be detected by the aging process. It has been confirmed that defective products can also be detected.
このように、この光測定装置１および光測定方法では、半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力開始時点を始点とする「時間Ａａ（本例では、図３に示す時間Ｔ１ｂｃ）」を含む「時間Ａｂ（本例では、図３に示す時間Ｔ１ａｃ）」、レーザ光Ｌの出力量変更時点を始点とする「時間Ｂａ（本例では、図３に示す時間Ｔ２ｂｃ、および図４に示す時間Ｔ３ｂｃ）を含む「時間Ｂｂ（本例では、図３に示す時間Ｔ２ａｃ、および図４に示す時間Ｔ３ａｃ）」、およびレーザ光Ｌの出力停止時点を始点とする「時間Ｃａ（本例では、図４に示す時間Ｔ４ｂｃ）」を含む「時間Ｃｂ（本例では、図４に示す時間Ｔ４ａｃ）」のうちの少なくとも１つ（本例では、すべて）を「測定期間」として、レーザ光Ｌの光量、重心波長、波長幅および歪度のうちの少なくとも１つを「予め規定された光学的パラメータ」として予め規定された周期で測定する「第１の処理」、「第１の処理」において測定した測定値と基準値とを比較する「第２の処理」、並びに測定値と基準値との少なくとも一方（本例では、「測定値」）に「第２の処理」における比較の結果を関連付けて測定結果データＤ３を生成する「第３の処理」を実行する。
As described above, in the
したがって、この光測定装置１および光測定方法によれば、制御装置Ｘから供給される電力の電流値が急激に変化する時点を含んで任意の光学的パラメータを測定することにより、一般的なエージング処理では良品の半導体レーザＬＤと大きく相違する測定値が得られない潜在的な不良が生じている不良品の半導体レーザＬＤについて、その状態を好適に特定可能な測定結果データＤ３を容易に取得することができる。これにより、その測定結果データＤ３に基づいて半導体レーザＬＤを評価することで、潜在的な不良を含む不良品の半導体レーザＬＤと、そのような不良が生じていない良品の半導体レーザＬＤとを的確に選別することができる。
Therefore, according to the
また、この光測定装置１および光測定方法によれば、「第１の処理」において、レーザ光Ｌの重心波長、波長幅および歪度のうちの少なくとも１つとレーザ光Ｌの光量とを「予め規定された光学的パラメータ」として測定することにより、不良品の半導体レーザＬＤにおいて良品の半導体レーザＬＤとは相違する測定値が得られることが多い「光量」を必須の測定項目とし、そのうえで、「光量」に次いで不良品の半導体レーザＬＤにおいて良品の半導体レーザＬＤとは相違する測定値が得られることが多い「重心波長」、「波長幅」および「歪度」のうちの少なくとも１つを測定することで、半導体レーザＬＤの状態を一層的確に特定可能な測定結果データＤ３を提供することができる。
Further, according to the
さらに、この光測定装置１および光測定方法では、「第１の処理」において、半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力開始時点を特定可能な「第１の信号（本例では、図３に示す時点ｔ１ａにおいて送信されたタイミング報知信号Ｓｔ）」、レーザ光Ｌの出力量変更時点を特定可能な「第２の信号（本例では、図３に示す時点ｔ２ａ、および図４に示す時点ｔ３ａおいて送信されたタイミング報知信号Ｓｔ）」、およびレーザ光Ｌの出力停止時点を特定可能な「第３の信号（本例では、図４に示す時点ｔ４ａにおいて送信されたタイミング報知信号Ｓｔ）」のいずれかの信号を半導体レーザＬＤの制御装置Ｘから取得し、いずれかの信号に対応する「測定期間」内の「予め規定された光学的パラメータ」を測定する。
Further, in the
したがって、この光測定装置１および光測定方法によれば、制御装置Ｘから供給される電力の電流値が急激に変化した時点を含む必要最低限の時間内の測定値だけを好適に取得することができる結果、検出信号データＤ１を記憶するのに必要な記憶部７の容量を低減することができ、また、取得した検出信号データＤ１から光量、重心波長、波長幅および歪度などを演算するのに要する事項も充分に短縮することができる。
Therefore, according to the
また、この光測定装置１および検査方法では、「第２の処理」において良品の半導体レーザＬＤから予め取得された基準値と測定値とを比較して基準値に対する測定値の相違量が「許容相違量」を超えているか否かを判別し、相違量が「許容相違量」以内のときには半導体レーザＬＤが正常であると判定すると共に、相違量が「許容相違量」を超えているときには半導体レーザＬＤが不良であると判定し、「第３の処理」において比較の結果として「第２の処理」における判定の結果を測定値および基準値の少なくとも一方（本例では「測定値」）に関連付けて測定結果データＤ３を生成すると共に、測定結果データＤ３に基づき、判定の結果を表示部５に表示させる（報知の一例）。したがって、この光測定装置１および検査方法によれば、半導体レーザＬＤが良品であるか不良品であるかを好適に選別することができ、その結果を的確に把握させることができる。
Further, in the
なお、「光測定装置」および「検査装置」の構成や、「光測定方法」の手順については、上記の光測定装置１の構成およびその処理手順の例に限定されない。例えば、記憶部７に対する検出信号データＤ１の記録と並行して光学的パラメータの値（測定値）を演算する処理を実行する構成および方法について説明したが、このような構成および方法に代えて、規定時間分の検出信号データＤ１の記録を完了した後に光学的パラメータの値（測定値）を演算する処理を実行する構成および方法を採用することができる。同様にして、光学的パラメータの値（測定値）が正常か異常かの判定の処理や、半導体レーザＬＤが良品か不良品かの判定の処理についても、必要な測定処理のすべてを完了した後に実行する構成および方法を採用することができる。
The configurations of the "light measuring device" and the "inspection device" and the procedure of the "light measuring method" are not limited to the above-mentioned configuration of the
また、半導体レーザＬＤを制御する制御装置Ｘからタイミング報知信号Ｓｔを受信して検出信号データＤ１の記録を開始する構成および方法を例に挙げて説明したが、このような構成および方法に代えて、光測定装置１から制御装置Ｘに対して、半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力開始時点（半導体レーザＬＤに対する電力供給の開始時点）、半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力量変更時点（半導体レーザＬＤに対して供給している電力における電流値の変更時点）、および半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｌの出力停止時点（半導体レーザＬＤに対する電力供給の停止時点）を指示する制御信号を出力すると共に、制御装置Ｘがそのような制御信号を受信したときに対応する制御を行い、かつ光測定装置１がそのような制御信号の出力に合わせて検出信号データＤ１の記録を開始する構成を採用することもできる。
Further, the configuration and method of receiving the timing notification signal St from the control device X that controls the semiconductor laser LD and starting the recording of the detection signal data D1 have been described as an example, but instead of such a configuration and method, they have been described. , The time when the output of the laser light L from the semiconductor laser LD starts (the time when the power supply to the semiconductor laser LD starts) and the time when the output amount of the laser light L from the semiconductor laser LD is changed from the
また、「光測定装置」に対して複数種類の波長のレーザ光が入射する可能性があるときには、各受光センサ２０への入射を許容する波長範囲を制限するための光学フィルタ（図示せず）を各受光センサ２０の前面側に配設すればよい。具体的には、図５に実線Ｌ２１ｘで示すように、波長範囲Ｈ（波長λａ〜λｂ）内の光の透過を許容し、かつ波長λａより短い波長の光や、波長λｂより長い波長の光の透過を規制する光学フィルタを備えて各受光センサ２０を構成することにより、各受光センサ２０の光電変換部２２に対して波長範囲Ｈ内の波長の光（レーザ光Ｌ）だけが入射させられる構成を採用すればよい。なお、波長範囲を制限する光学フィルタについては、１つの光学フィルタを各受光センサ２０によって共用する構成、および各受光センサ２０毎に別個独立させて同じ光学的特性の光学フィルタをそれぞれ配設する構成のいずれでもよい。 Further, when there is a possibility that laser light of a plurality of types of wavelengths is incident on the "optical measuring device", an optical filter for limiting the wavelength range allowed to be incident on each light receiving sensor 20 (not shown). May be arranged on the front side of each light receiving sensor 20. Specifically, as shown by the solid line L21x in FIG. 5, light having a wavelength shorter than the wavelength λa and light having a wavelength longer than the wavelength λb are allowed to be transmitted within the wavelength range H (wavelength λa to λb). By configuring each light receiving sensor 20 with an optical filter that regulates the transmission of light, only light having a wavelength within the wavelength range H (laser light L) is incident on the photoelectric conversion unit 22 of each light receiving sensor 20. The configuration may be adopted. Regarding the optical filter that limits the wavelength range, one optical filter is shared by each light receiving sensor 20, and each light receiving sensor 20 is separately provided with optical filters having the same optical characteristics. It may be any of.
さらに、ｎ個（上記の例では、ｎ＝４個）の受光センサ２０を有する受光部２を備えた光測定装置１の構成を例に挙げて説明したが、このような構成の受光部２に代えて、ポリクロメータを備え（図示せず）、ポリクロメータによる測定値に基づいて各種の光学的パラメータを測定する構成および方法を採用することもできる。
Further, the configuration of the
また、「光量」、「重心波長」、「波長幅」および「歪度」の４種類の光学的パラメータを測定して半導体レーザＬＤについての測定結果データＤ３を生成し、生成した測定結果データＤ３に基づいてその半導体レーザＬＤを検査する構成および方法について説明したが、これらのパラメータのうちの任意の１つや、任意の２つ、または任意の３つを測定して測定結果データＤ３を生成して半導体レーザＬＤを検査する構成および方法を採用することもできる。また、上記の各光学的パラメータのうちの少なくとも１つと、「４次モーメント」以上の高次モーメントに基づく任意の光学的パラメータを測定して測定結果データＤ３を生成する構成および方法を採用することもできる。 Further, four types of optical parameters of "light amount", "center of gravity wavelength", "wavelength width" and "distortion" are measured to generate measurement result data D3 for the semiconductor laser LD, and the generated measurement result data D3 The configuration and method for inspecting the semiconductor laser LD have been described based on the above, but measurement result data D3 is generated by measuring any one, any two, or any three of these parameters. It is also possible to adopt a configuration and a method for inspecting the semiconductor laser LD. Further, a configuration and method for generating measurement result data D3 by measuring at least one of the above optical parameters and an arbitrary optical parameter based on a higher-order moment of "fourth-order moment" or higher shall be adopted. You can also.
また、「時間Ａｂ」、「時間Ｂｂ」および「時間Ｃｂ」のすべてを「測定期間」として各光学的パラメータの値（測定値）を測定して基準値と比較する構成および方法を例に挙げて説明したが、これらのうちの１つまたは２つの時間を「測定期間」として任意の光学的パラメータを測定する構成および方法を採用することもできる。なお、「時間Ａｂ」、「時間Ｂｂ」および「時間Ｃｂ」については、同じ時間に規定した上記の例に限定されず、互いに相違する時間に規定することもできる。また、「時間Ａｂ」、「時間Ｂｂ」および「時間Ｃｂ」に含まれるべき「時間Ａａ」、「時間Ｂａ」および「時間Ｃａ」についても、同じ時間に規定した上記の例に限定されず、互いに相違する時間に規定することもできる。 Further, a configuration and a method of measuring the value (measured value) of each optical parameter and comparing it with the reference value by setting all of "time Ab", "time Bb" and "time Cb" as "measurement period" are given as an example. As described above, it is also possible to adopt a configuration and method for measuring an arbitrary optical parameter with one or two of these times as a “measurement period”. The "time Ab", "time Bb", and "time Cb" are not limited to the above examples defined at the same time, but may be defined at different times. Further, "time Aa", "time Ba" and "time Ca" to be included in "time Ab", "time Bb" and "time Cb" are not limited to the above examples defined at the same time. It can also be specified at different times.
さらに、良否判定の結果（半導体レーザＬＤの状態）を表示部５に表示させることで報知する構成および方法を例に挙げて説明したが、このような構成および方法に代えて（または、このような構成および方法に加えて）、良否判定の結果（半導体レーザＬＤの状態）を示すメッセージをスピーカから出力することで報知する構成および方法を採用することもできる。
Further, a configuration and a method for notifying the result of the pass / fail judgment (state of the semiconductor laser LD) by displaying it on the
また、「第３の処理」において「第２の処理」の判定結果を「測定値」に関連付けて「測定結果データ」としての測定結果データＤ３を生成する例について説明したが、「第２の処理」の判定結果を「基準値」に関連付けて「測定結果データ」を生成したり、「第２の処理」の判定結果を「基準値」および「測定値」の双方に関連付けて「測定結果データ」を生成したりすることもできる。加えて、測定結果データＤ３に基づいて半導体レーザＬＤの良品を検査する構成および方法を例に挙げて説明したが、良否を判定可能な測定結果データＤ３を生成するだけで一連の処理を終了する構成および方法を採用することもできる。 Further, in the "third process", an example in which the determination result of the "second process" is associated with the "measured value" to generate the measurement result data D3 as the "measurement result data" has been described. "Measurement result data" is generated by associating the judgment result of "processing" with "reference value", and "measurement result" is associated with both "reference value" and "measurement value" of the judgment result of "second processing". You can also generate "data". In addition, the configuration and method for inspecting a non-defective product of the semiconductor laser LD based on the measurement result data D3 have been described as an example, but a series of processes is completed only by generating the measurement result data D3 capable of determining the quality. Configurations and methods can also be adopted.
１ 光測定装置
２ 受光部
３ 信号変換部
４ 操作部
５ 表示部
６ 処理部
７ 記憶部
Ｄ０ 検査用基準値データ
Ｄ１ 検出信号データ
Ｄ２ 係数データ
Ｄ３ 測定結果データ
Ｌ レーザ光Ｌ
ＬＤ 半導体レーザ
Ｓｔ タイミング報知信号
ｔ１ａ〜ｔ１ｃ，ｔ２ａ〜ｔ２ｃ，ｔ３ａ〜ｔ３ｃ，ｔ４ａ〜ｔ４ｃ 時点
Ｔ１ｂｃ，Ｔ１ａｃ，Ｔ２ｂｃ，Ｔ２ａｃ，Ｔ３ｂｃ，Ｔ３ａｃ，Ｔ４ｂｃ，Ｔ４ａｃ 時間
Ｘ 制御装置
1
LD semiconductor laser St timing notification signal t1a to t1c, t2a to t2c, t3a to t3c, t4a to t4c time point T1bc, T1ac, T2bc, T2ac, T3bc, T3ac, T4bc, T4ac time X control device
Claims (4)
前記処理部は、前記半導体レーザからの前記レーザ光の出力開始時点を始点とする時間Ａａを含んで予め規定された時間Ａｂ、前記半導体レーザからの前記レーザ光の出力量変更時点を始点とする時間Ｂａを含んで予め規定された時間Ｂｂ、および前記半導体レーザからの前記レーザ光の出力停止時点を始点とする時間Ｃａを含んで予め規定された時間Ｃｂのうちの少なくとも１つを測定期間として、前記レーザ光の重心波長、当該レーザ光の波長幅、および当該レーザ光の歪度のうちの少なくとも１つと当該レーザ光の光量とを前記予め規定された光学的パラメータとして予め規定された周期で測定する第１の処理、当該第１の処理において測定した測定値と当該測定値に対応する基準値とを比較する第２の処理、並びに前記測定値と前記基準値との少なくとも一方に前記第２の処理における比較の結果を関連付けて前記測定結果データを生成する第３の処理を実行可能に構成されている光測定装置。 An optical measuring device provided with a processing unit that measures a predetermined optical parameter of a laser beam output from a semiconductor laser and generates measurement result data capable of identifying the state of the semiconductor laser.
The processing unit has a predetermined time Ab including a time Aa starting from the output start time of the laser beam from the semiconductor laser, and a starting point when the output amount of the laser light from the semiconductor laser is changed. The measurement period is at least one of a predetermined time Bb including the time Ba and a predetermined time Cb including the time Ca starting from the time when the output of the laser beam from the semiconductor laser is stopped. , predefined period centroid wavelength of the laser light, as an optical parameter said predetermined define a quantity of at least one with the laser beam of the skewness of a wavelength width of the laser beam, and the laser beam The first process of measuring in, the second process of comparing the measured value measured in the first process with the reference value corresponding to the measured value, and at least one of the measured value and the reference value. An optical measuring device configured to be able to execute a third process for generating the measurement result data by associating the results of comparison in the second process.
前記処理部は、前記第２の処理において良品の前記半導体レーザから予め取得された前記基準値と前記測定値とを比較して当該基準値に対する当該測定値の相違量が予め規定された許容相違量を超えているか否かを判別し、当該相違量が当該許容相違量以内のときには前記半導体レーザが正常であると判定すると共に、当該相違量が当該許容相違量を超えているときには当該半導体レーザが不良であると判定し、前記第３の処理において前記比較の結果として前記第２の処理における判定の結果を前記測定値および前記基準値の少なくとも一方に関連付けて前記測定結果データを生成すると共に、前記測定結果データに基づき、前記判定の結果を前記報知装置に報知させる検査装置。 An inspection device including the optical measuring device according to claim 1 or 2 and a notification device that notifies the result of a quality determination of the semiconductor laser.
The processing unit compares the reference value acquired in advance from the good semiconductor laser in the second process with the measured value, and the amount of difference in the measured value with respect to the reference value is a predetermined allowable difference. It is determined whether or not the amount is exceeded, and when the difference amount is within the allowable difference amount, it is determined that the semiconductor laser is normal, and when the difference amount exceeds the allowable difference amount, the semiconductor laser is determined. Is defective, and as a result of the comparison in the third process, the result of the determination in the second process is associated with at least one of the measured value and the reference value to generate the measurement result data. , An inspection device that notifies the notification device of the result of the determination based on the measurement result data.
前記半導体レーザからの前記レーザ光の出力開始時点を始点とする時間Ａａを含んで予め規定された時間Ａｂ、前記半導体レーザからの前記レーザ光の出力量変更時点を始点とする時間Ｂａを含んで予め規定された時間Ｂｂ、および前記半導体レーザからの前記レーザ光の出力停止時点を始点とする時間Ｃａを含んで予め規定された時間Ｃｂのうちの少なくとも１つを測定期間として、前記レーザ光の重心波長、当該レーザ光の波長幅、および当該レーザ光の歪度のうちの少なくとも１つと当該レーザ光の光量とを前記予め規定された光学的パラメータとして予め規定された周期で測定する第１の処理、当該第１の処理において測定した測定値と当該測定値に対応する基準値とを比較する第２の処理、並びに前記測定値と前記基準値との少なくとも一方に前記第２の処理における比較の結果を関連付けて前記測定結果データを生成する第３の処理を実行する光測定方法。 It is an optical measurement method that measures a predetermined optical parameter of a laser beam output from a semiconductor laser and generates measurement result data capable of identifying the state of the semiconductor laser.
A predetermined time Ab including a time Aa starting from the output start time of the laser beam from the semiconductor laser and a time Ba starting from the time when the output amount of the laser light from the semiconductor laser is changed are included. At least one of the predetermined time Cb including the predetermined time Bb and the time Ca starting from the time when the output of the laser light from the semiconductor laser is stopped is set as the measurement period of the laser light. first be measured at the center of gravity wavelength predefined period wavelength width of the laser beam, and the laser beam and at least one light amount of the laser light of skewness as the predefined optical parameters In the second process of comparing the measured value measured in the first process with the reference value corresponding to the measured value, and at least one of the measured value and the reference value in the second process. An optical measurement method for performing a third process of associating comparison results to generate the measurement result data.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017171773A JP6957277B2 (en) | 2017-09-07 | 2017-09-07 | Light measuring device, inspection device and light measuring method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017171773A JP6957277B2 (en) | 2017-09-07 | 2017-09-07 | Light measuring device, inspection device and light measuring method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019047074A JP2019047074A (en) | 2019-03-22 |
| JP6957277B2 true JP6957277B2 (en) | 2021-11-02 |
Family
ID=65814697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017171773A Active JP6957277B2 (en) | 2017-09-07 | 2017-09-07 | Light measuring device, inspection device and light measuring method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6957277B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022166693A (en) * | 2021-04-21 | 2022-11-02 | シャープセミコンダクターイノベーション株式会社 | Optical sensor, electronic apparatus, distance calculation method, and program recording medium |
-
2017
- 2017-09-07 JP JP2017171773A patent/JP6957277B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2019047074A (en) | 2019-03-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6947637B2 (en) | Measurement of fiber strain during processing | |
| KR100918684B1 (en) | Rotor Blade of a Wind Power Plant | |
| JP2017521670A (en) | Weighing scale diagnosis method | |
| EP2824463A1 (en) | Optical fiber for sensor and power device monitoring system | |
| JP6957277B2 (en) | Light measuring device, inspection device and light measuring method | |
| JP3907128B1 (en) | Capacitor measurement inspection method and apparatus | |
| Weiss | Electronic component solderability assessment algorithm by deep external visual inspection | |
| JP7360415B2 (en) | diagnostic equipment | |
| JP6191643B2 (en) | Electric wire covering deterioration detection apparatus and electric wire covering deterioration detection method | |
| TW201428310A (en) | Method and apparatus for testing light-emitting device | |
| CN111832186B (en) | Performance prediction method of welding part | |
| JP2020047889A5 (en) | ||
| JP2010169492A (en) | Standard spectroradiometer | |
| JP2021071369A (en) | Optical fiber sensing system, damage monitoring method, and damaged place imaging method | |
| CN112945418A (en) | Temperature measuring device and temperature measuring method of integrated chip | |
| JP6709241B2 (en) | Diagnostic device | |
| CN114414208B (en) | Calibration method for thermopile type laser energy measurement and calibration system | |
| US8914961B2 (en) | Methods and systems for measuring crimp quality | |
| JP2010112808A (en) | Optical power meter | |
| WO2017179520A1 (en) | Optical measurement device, malfunction determination system, malfunction determination method, and malfunction determination program | |
| US7499821B2 (en) | Sensor drift characteristic testing | |
| JP6121154B2 (en) | Inspection apparatus and inspection method | |
| JP2011061202A (en) | Testing apparatus for light emitting devices | |
| JP6728016B2 (en) | Light quantity measuring device | |
| KR101252256B1 (en) | Inspecting apparatus for distinguishing good or bad of solar cell |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200720 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210714 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210720 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210903 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210921 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211006 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6957277 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |