JP6953799B2 - Antenna device - Google Patents

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本発明は、2つのアンテナを備えるアンテナ装置に関する。 The present invention relates to an antenna device including two antennas.

従来、特許文献1に開示されているように、第1のアンテナ(以降、第1アンテナ)と第2のアンテナ(以降、第2アンテナ)とを備えるアンテナ装置がある。 Conventionally, as disclosed in Patent Document 1, there is an antenna device including a first antenna (hereinafter, first antenna) and a second antenna (hereinafter, second antenna).

特許第4952668号公報Japanese Patent No. 4952668

一般的に、第1アンテナと第2アンテナとが近すぎると、第1アンテナから放射される電波によって、第2アンテナに電流が誘起され、第2アンテナとしての性能を劣化させてしまう。アンテナ同士の非干渉性(いわゆるアイソレーション)を確保するためには、アンテナ同士をある程度離して配置する必要がある。 Generally, if the first antenna and the second antenna are too close to each other, the radio waves radiated from the first antenna induce a current in the second antenna, which deteriorates the performance as the second antenna. In order to ensure non-interference between antennas (so-called isolation), it is necessary to arrange the antennas at a certain distance from each other.

本発明は、この事情に基づいて成されたものであり、その目的とするところは、アンテナ間のアイソレーションを向上可能なアンテナ装置を提供することにある。 The present invention has been made based on this circumstance, and an object of the present invention is to provide an antenna device capable of improving isolation between antennas.

その目的を達成するための第1のアンテナ装置は、所定の周波数の電波を送信又は受信するための、所定の直線である装置軸(Ax)に沿うように配置された線状導体である第1アンテナ(1)と、電波を送信又は受信するための、第1アンテナと所定の間隔をおいて装置軸に沿うように配置された線状導体である第2アンテナ(2)と、第1アンテナと第2アンテナとの間に配置されている少なくとも1つの共振構造体(3、3A、3B)と、を備え、共振構造体は、直線状に形成された導体部材である第1共振素子(31)及び第2共振素子(32)を備え、第1共振素子は、一端から他端までの中間に位置する点を当該第1共振素子の中心として備え、第2共振素子は、一端から他端までの中間に位置する点を当該第2共振素子の中心として備え、第1共振素子は、装置軸上において、第1アンテナと第2アンテナのそれぞれから距離が等しい点である装置中心点よりも所定の離隔距離、第1アンテナ側となる位置に、第1共振素子の中心が位置し、かつ、装置軸と直交する姿勢で配置されており、第2共振素子は、装置中心点よりも離隔距離、第2アンテナ側となる位置に第2共振素子の中心が位置しかつ、第1共振素子を装置軸周りに0°よりも大きい所定の角度回転させた姿勢で配置されており、第1共振素子及び第2共振素子は何れも、中心から各端部までの長さが、周波数で共振する長さである共振長に設定されていることを特徴とする。
また、上記目的を達成するための第2のアンテナ装置は、所定の周波数の電波を送信又は受信するための、所定の直線である装置軸(Ax)に沿うように配置されたダイポールアンテナである第1アンテナ(1)と、電波を送信又は受信するための、第1アンテナとは別のダイポールアンテナであって装置軸に沿うように配置されている第2アンテナ(2)と、第1アンテナと第2アンテナとの間に配置されている少なくとも1つの共振構造体(3、3A、3B)と、を備え、第1アンテナ及び第2アンテナはそれぞれ、給電点が装置軸上において所定の間隔(Lx)を有するように配置されており、共振構造体は、直線状に形成された導体部材である第1共振素子(31)及び第2共振素子(32)を備え、第1共振素子は、一端から他端までの中間に位置する点を当該第1共振素子の中心として備え、第2共振素子は、一端から他端までの中間に位置する点を当該第2共振素子の中心として備え、第1共振素子は、装置軸上において、第1アンテナと第2アンテナのそれぞれの給電点から距離が等しい点である装置中心点(C)よりも所定の離隔距離、第1アンテナ側となる位置に、第1共振素子の中心が位置し、かつ、装置軸と直交する姿勢で配置されており、第2共振素子は、装置中心点よりも離隔距離、第2アンテナ側となる位置に第2共振素子の中心が位置し、かつ、第1共振素子を装置軸周りに0°よりも大きい所定の角度回転させた姿勢で配置されており、第1共振素子及び第2共振素子は何れも、中心から各端部までの長さが、周波数で共振する長さである共振長に設定されていることを特徴とする。
The first antenna device for achieving the purpose is a linear conductor arranged along a device axis (Ax) which is a predetermined straight line for transmitting or receiving radio waves of a predetermined frequency. The first antenna (1), the second antenna (2) which is a linear conductor arranged along the device axis at a predetermined distance from the first antenna for transmitting or receiving radio waves, and the first antenna. The first resonance element is provided with at least one resonance structure (3, 3A, 3B) arranged between the antenna and the second antenna, and the resonance structure is a linearly formed conductor member. (31) and the second resonance element (32) are provided, the first resonance element includes a point located in the middle from one end to the other end as the center of the first resonance element, and the second resonance element is from one end. A point located in the middle to the other end is provided as the center of the second resonance element, and the first resonance element is a device center point at which the distances from the first antenna and the second antenna are equal on the device axis. predetermined distance than the position where the first antenna side, the center of the first resonator element is located, and are arranged in a posture perpendicular to the device axis, the second resonance element, by the device center point The center of the second resonance element is located at a position on the side of the second antenna at a separation distance, and the first resonance element is arranged around the device axis in a posture rotated by a predetermined angle larger than 0 °. Each of the first resonance element and the second resonance element is characterized in that the length from the center to each end is set to the resonance length, which is the length of resonance at the frequency.
The second antenna device for achieving the above object is a dipole antenna arranged along a device axis (Ax) which is a predetermined straight line for transmitting or receiving radio waves of a predetermined frequency. The first antenna (1), the second antenna (2), which is a dipole antenna different from the first antenna for transmitting or receiving radio waves and is arranged along the device axis, and the first antenna. The first antenna and the second antenna each include at least one resonance structure (3, 3A, 3B) arranged between the antenna and the second antenna, and the feeding points of the first antenna and the second antenna are spaced apart from each other on the device axis. Arranged so as to have (Lx), the resonance structure includes a first resonance element (31) and a second resonance element (32) which are linearly formed conductor members, and the first resonance element is A point located in the middle from one end to the other end is provided as the center of the first resonance element, and the second resonance element is provided with a point located in the middle from one end to the other end as the center of the second resonance element. , The first resonance element is on the device axis at a predetermined separation distance from the device center point (C), which is a point where the distances from the feeding points of the first antenna and the second antenna are equal to each other, on the first antenna side. The center of the first resonance element is located at the position and is arranged in a posture perpendicular to the device axis, and the second resonance element is located at a position on the second antenna side at a distance from the center point of the device. The center of the two resonance elements is located, and the first resonance element is arranged around the device axis in a posture rotated by a predetermined angle larger than 0 °, and both the first resonance element and the second resonance element are arranged. The length from the center to each end is set to the resonance length, which is the length of resonance at the frequency.

上記構成において第1アンテナから電波を放射させた場合、第1アンテナからは放射された電界は、第1共振素子、第2共振素子、及び第2アンテナが並ぶ方向にも伝搬していく。ここで、上記構成の第1共振素子は中心から端部までの長さが電気的に半波長に相当する長さに設定されているため、第1共振素子の中心から一端までの部分(以降、第1前半部)では、第1アンテナから伝搬してきた電界によって共振が発生するとともに、中心から他端までの部分(以降、第1後半部)でも共振が発生する。 When radio waves are radiated from the first antenna in the above configuration, the electric field radiated from the first antenna also propagates in the direction in which the first resonance element, the second resonance element, and the second antenna are lined up. Here, since the length from the center to the end of the first resonant element having the above configuration is electrically set to a length corresponding to a half wavelength, the portion from the center to one end of the first resonant element (hereinafter). , The first first half), resonance is generated by the electric field propagating from the first antenna, and resonance is also generated in the part from the center to the other end (hereinafter, the first second half).

但し、第1後半部は、第1前半部とは装置軸の反対側に位置するため、第1後半部に励振する電流の位相は、第1前半部に励振する電流とは180°ずれたものとなる。故に、第1前半部から放射される電界と、第1後半部から放射される電界は互いに打ち消しあい、第1共振素子全体としては第1アンテナから伝搬してきた電界を打ち消すように作動する。つまり、第1共振素子は、第1アンテナから放射された電界が第2アンテナに伝搬することを阻害する部材として機能する。 However, since the first second half is located on the opposite side of the device axis from the first first half, the phase of the current exciting to the first second half is 180 ° out of phase with the current exciting to the first first half. It becomes a thing. Therefore, the electric field radiated from the first first half and the electric field radiated from the first second half cancel each other out, and the first resonance element as a whole operates so as to cancel the electric field propagating from the first antenna. That is, the first resonance element functions as a member that prevents the electric field radiated from the first antenna from propagating to the second antenna.

第2共振素子においても同様に、中心から一端までの部分(以降、第2前半部)で共振が発生する。また、第2共振素子の中心から他端までの部分(以降、第2後半部)には、第2前半部とは電流位相が反転した共振が発生する。故に、第2前半部から放射される電界と、第2後半部から放射される電界は互いに打ち消しあい、第2共振素子もまた第1共振素子と同様に、第1アンテナから放射される電界の伝搬を阻害する部材として機能する。 Similarly, in the second resonance element, resonance occurs in the portion from the center to one end (hereinafter, the second first half portion). Further, in the portion from the center to the other end of the second resonance element (hereinafter, the second latter half portion), resonance occurs in which the current phase is inverted from that of the second first half portion. Therefore, the electric field radiated from the second first half and the electric field radiated from the second second half cancel each other out, and the second resonant element is also the electric field radiated from the first antenna like the first resonant element. It functions as a member that inhibits propagation.

また、第2共振素子は、上面視において第1共振素子を所定角度回転させた姿勢で配置されているため、第1アンテナから第2アンテナに向かう電界は、重なっていない2つの部材で進路が塞がれていることになる。その結果、第1アンテナと第2アンテナとのアイソレーションを向上させることができる。 Further, since the second resonance element is arranged in a posture in which the first resonance element is rotated by a predetermined angle in the top view, the electric field from the first antenna to the second antenna has a path of two non-overlapping members. It will be blocked. As a result, the isolation between the first antenna and the second antenna can be improved.

なお、以上では第1アンテナから電波を放射させた場合を例にとって上記構成の作用効果を述べたが、上記の構成は装置中心点を中心として対称性を有するように構成されているため、第2アンテナから電波を放射させた場合も同様に作用し、同様の効果が得られる。 In the above, the effects of the above configuration have been described by taking the case where radio waves are radiated from the first antenna as an example. However, since the above configuration is configured to have symmetry around the center point of the device, the first When radio waves are radiated from two antennas, they work in the same way, and the same effect can be obtained.

また、上記目的を達成するための第アンテナ装置は、所定の周波数の電波を送信又は受信するための、所定の直線である装置軸(Ax)に沿って配置されている線状導体である第1アンテナ(1)と、電波を送信又は受信するための、第1アンテナと所定の間隔をおいて装置軸に沿う姿勢で配置されている線状導体である第2アンテナ(2)と、第1アンテナと第2アンテナとの間に配置されている少なくとも1つの共振構造体(3)と、を備え、共振構造体は、十字型に形成された導体部材である第1共振素子(31)及び第2共振素子(32)を備え、第1共振素子は、装置軸上において、第1アンテナと第2アンテナのそれぞれから距離が等しい点である装置中心点よりも所定の離隔距離、第1アンテナ側となる点に第1共振素子の中心が位置し、かつ、装置軸と直交する姿勢で配置されており、第2共振素子は、装置中心点よりも離隔距離、第2アンテナ側となる点に第2共振素子の中心が位置し、且つ、装置軸と直交する姿勢で配置されており、第1共振素子及び第2共振素子は両方とも、その中心から各端部までの長さが、周波数で共振する長さである共振長に設定されていることを特徴とする。
さらに、上記目的を達成するための第4のアンテナ装置は、所定の周波数の電波を送信又は受信するための、所定の直線である装置軸(Ax)に沿うように配置されたダイポールアンテナである第1アンテナ(1)と、電波を送信又は受信するための、第1アンテナとは別のダイポールアンテナであって装置軸に沿うように配置されている第2アンテナ(2)と、第1アンテナと第2アンテナとの間に配置されている少なくとも1つの共振構造体(3、3A、3B)と、を備え、第1アンテナ及び第2アンテナはそれぞれ、給電点が装置軸上において所定の間隔(Lx)を有するように配置されており、共振構造体は、十字型に形成された導体部材である第1共振素子(31)及び第2共振素子(32)を備え、第1共振素子は、装置軸上において、第1アンテナと第2アンテナのそれぞれから距離が等しい点である装置中心点よりも所定の離隔距離、第1アンテナ側となる点に第1共振素子の中心が位置し、かつ、装置軸と直交する姿勢で配置されており、第2共振素子は、装置中心点よりも離隔距離、第2アンテナ側となる点に第2共振素子の中心が位置し、且つ、装置軸と直交する姿勢で配置されており、第1共振素子及び第2共振素子は両方とも、その中心から各端部までの長さが、周波数で共振する長さである共振長に設定されていることを特徴とする。
Further, the third antenna device for achieving the above object is a linear conductor arranged along the device axis (Ax) which is a predetermined straight line for transmitting or receiving radio waves of a predetermined frequency. A first antenna (1) and a second antenna (2) which is a linear conductor arranged along the device axis at a predetermined distance from the first antenna for transmitting or receiving radio waves. , At least one resonance structure (3) arranged between the first antenna and the second antenna, and the resonance structure is a first resonance element (a first resonance element) which is a conductor member formed in a cross shape. 31) and the second resonance element (32) are provided, and the first resonance element has a predetermined separation distance from the device center point, which is a point on the device axis where the distances from each of the first antenna and the second antenna are equal. The center of the first resonance element is located at a point on the first antenna side and is arranged in a posture perpendicular to the device axis, and the second resonance element is separated from the center point of the device and is on the second antenna side. The center of the second resonance element is located at the point where the second resonance element is formed, and the second resonance element is arranged in a posture perpendicular to the device axis. Both the first resonance element and the second resonance element have a length from the center to each end. Is set to a resonance length, which is a length that resonates with a frequency.
Further, the fourth antenna device for achieving the above object is a dipole antenna arranged along the device axis (Ax) which is a predetermined straight line for transmitting or receiving radio waves of a predetermined frequency. The first antenna (1), the second antenna (2), which is a dipole antenna different from the first antenna for transmitting or receiving radio waves and is arranged along the device axis, and the first antenna. The first antenna and the second antenna each include at least one resonance structure (3, 3A, 3B) arranged between the antenna and the second antenna, and the feeding points of the first antenna and the second antenna are spaced apart from each other on the device axis. Arranged so as to have (Lx), the resonance structure includes a first resonance element (31) and a second resonance element (32) which are conductor members formed in a cross shape, and the first resonance element is On the device axis, the center of the first resonance element is located at a predetermined separation distance from the device center point, which is the point where the distances from the first antenna and the second antenna are equal, and on the side of the first antenna. In addition, the second resonance element is arranged in a posture orthogonal to the device axis, the center of the second resonance element is located at a point on the side of the second antenna at a distance from the center point of the device, and the device axis. Both the first resonance element and the second resonance element are arranged in a posture orthogonal to the antenna, and the length from the center to each end is set to the resonance length which is the length of resonance at the frequency. It is characterized by that.

第1共振素子が十字型である場合にも、中心から各端部までの部分が、上記の第1前半部や第1後半部と同様に作動するため、第1共振素子は、第1アンテナから第2アンテナへの電界の伝搬を阻害する部材として機能する。また、第2共振素子も、第1共振素子と同様に作動する。故に、第3、第4アンテナ装置によれば、第1、第2アンテナ装置と同様の効果が得られる。 Even when the first resonance element has a cross shape, the portion from the center to each end operates in the same manner as the first first half portion and the first second half portion described above, so that the first resonance element is the first antenna. It functions as a member that hinders the propagation of the electric field from the antenna to the second antenna. Further, the second resonance element also operates in the same manner as the first resonance element. Therefore, according to the third and fourth antenna devices , the same effect as that of the first and second antenna devices can be obtained.

なお、特許請求の範囲に記載した括弧内の符号は、一つの態様として後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであって、本発明の技術的範囲を限定するものではない。 The reference numerals in parentheses described in the claims indicate, as one embodiment, the correspondence with the specific means described in the embodiments described later, and limit the technical scope of the present invention. is not it.

実施形態におけるアンテナ装置10の概略的な構成を示した図である。It is a figure which showed the schematic structure of the antenna device 10 in an embodiment. 共振構造体3の平面図である。It is a top view of the resonance structure 3. 第1アンテナ1から電波を放射させているときの上側素子31の作動を表した図である。It is a figure which showed the operation of the upper element 31 when the radio wave is radiated from the 1st antenna 1. 第1アンテナ1から電波を放射させているときの下側素子32の作動を表したものである。It represents the operation of the lower element 32 when the radio wave is radiated from the first antenna 1. 第1アンテナ1から電波を放射させた場合の電界分布を示す図である。It is a figure which shows the electric field distribution when the radio wave is radiated from the 1st antenna 1. 実施形態の通過特性を示す図である。It is a figure which shows the passing characteristic of an embodiment. 実施形態の水平面における指向性を示す図である。It is a figure which shows the directivity in the horizontal plane of an embodiment. 実施形態の垂直面における指向性を示す図である。It is a figure which shows the directivity in the vertical plane of an embodiment. 第1比較構成での電界分布を示す図である。It is a figure which shows the electric field distribution in the 1st comparative structure. 第1比較構成の通過特性を解析した結果を示す図である。It is a figure which shows the result of having analyzed the passing characteristic of the 1st comparative structure. 第2比較構成としてのアンテナ装置10qの概略的な構成を示す図である。It is a figure which shows the schematic structure of the antenna device 10q as a 2nd comparative structure. 第2比較構成の通過特性を解析した結果を示す図である。It is a figure which shows the result of having analyzed the passing characteristic of the 2nd comparative structure. 第3比較構成が備える六星状寄生素子5の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the hexastar parasite element 5 included in the 3rd comparative structure. 第3比較構成の通過特性を解析した結果を示す図である。It is a figure which shows the result of having analyzed the passing characteristic of the 3rd comparative structure. 第4比較構成が備える八星状寄生素子6の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the octastard parasitic element 6 included in the 4th comparative structure. 第4比較構成の通過特性を解析した結果を示す図である。It is a figure which shows the result of having analyzed the passing characteristic of the 4th comparative structure. 変形例1のアンテナ装置10の概略的な構成を示した図である。It is a figure which showed the schematic structure of the antenna device 10 of the modification 1. 第1共振構造体3A及び第2共振構造体3Bの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the 1st resonance structure 3A and the 2nd resonance structure 3B. 変形例1のアンテナ装置10の通過特性を解析した結果を示す図である。It is a figure which shows the result of having analyzed the passing characteristic of the antenna device 10 of the modification 1. 変形例2のアンテナ装置10の概略的な構成を示す図である。It is a figure which shows the schematic structure of the antenna device 10 of the modification 2. 変形例2における上側素子31、下側素子32、及び直線状寄生素子7の位置関係を示す図である。It is a figure which shows the positional relationship of the upper element 31, the lower element 32, and the linear parasitic element 7 in the modification 2. 変形例2の或る設定における通過特性を解析した結果を示す図である。It is a figure which shows the result of having analyzed the passing characteristic in a certain setting of the modification 2. 変形例2の或る設定における通過特性を解析した結果を示す図である。It is a figure which shows the result of having analyzed the passing characteristic in a certain setting of the modification 2. 変形例2のアンテナ装置10の使用状態の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the use state of the antenna device 10 of the modification 2. 変形例3における上側素子31、下側素子32、及び直線状寄生素子7の位置関係を示す図である。It is a figure which shows the positional relationship of the upper element 31, the lower element 32, and the linear parasitic element 7 in the modification 3. 変形例3のアンテナ装置10の通過特性を解析した結果を示す図である。It is a figure which shows the result of having analyzed the passing characteristic of the antenna device 10 of the modification 3. 変形例4のアンテナ装置10の概略的な構成を示す図である。It is a figure which shows the schematic structure of the antenna device 10 of the modification 4. 変形例4のアンテナ装置10の通過特性を解析した結果を示す図である。It is a figure which shows the result of having analyzed the passing characteristic of the antenna device 10 of the modification 4. 変形例5のアンテナ装置10の概略的な構成を示す図である。It is a figure which shows the schematic structure of the antenna device 10 of the modification 5. 変形例5のアンテナ装置10の通過特性を解析した結果を示す図である。It is a figure which shows the result of having analyzed the passing characteristic of the antenna device 10 of the modification 5. 変形例6の構成について説明するための図である。It is a figure for demonstrating the structure of the modification 6.

[実施形態]
以下、本発明の実施形態について図を用いて説明する。本実施形態に係るアンテナ装置10は、図1に示すように、所定の周波数の電波(以降、対象電波)を送信するための第1アンテナ1と、対象電波を受信するための第2アンテナ2と、第1アンテナ1と第2アンテナ2とのアイソレーションを向上するための共振構造体3と、を備える。アンテナ装置10が備える各部材は、図示しない保持部材を用いて筐体等に保持される。
[Embodiment]
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. As shown in FIG. 1, the antenna device 10 according to the present embodiment has a first antenna 1 for transmitting a radio wave having a predetermined frequency (hereinafter, a target radio wave) and a second antenna 2 for receiving the target radio wave. And a resonance structure 3 for improving the isolation between the first antenna 1 and the second antenna 2. Each member included in the antenna device 10 is held in a housing or the like by using a holding member (not shown).

アンテナ装置10が送受信の対象とする電波(つまり対象電波)は、適宜設計されればよい。ここでは一例として対象電波は、車車間通信に供される760MHzの電波に設定されているものとする。もちろん、対象電波は適宜設計されれば良く、他の態様として例えば300MHzや、900MHz、5.9GHz等の電波としてもよい。また、アンテナ装置10は、所定の範囲の電波を送受信可能に構成されていても良い。ここでは一例としてアンテナ装置10は、対象周波数を基準として定まる所定の範囲(例えば755〜765MHz)の電波も送受信すべき電波として想定されているものとする。 The radio wave to be transmitted and received by the antenna device 10 (that is, the target radio wave) may be appropriately designed. Here, as an example, it is assumed that the target radio wave is set to a radio wave of 760 MHz used for vehicle-to-vehicle communication. Of course, the target radio wave may be appropriately designed, and as another embodiment, it may be a radio wave of, for example, 300 MHz, 900 MHz, 5.9 GHz, or the like. Further, the antenna device 10 may be configured to be able to transmit and receive radio waves in a predetermined range. Here, as an example, it is assumed that the antenna device 10 also transmits and receives radio waves in a predetermined range (for example, 755 to 765 MHz) determined with reference to the target frequency.

以降では、送受信の対象とする周波数(ここでは760MHz)のことを対象周波数と称する。また、以降におけるλとは、対象電波の波長を指すものとする。例えば0.5λは対象電波の半波長を指し、2λは対象電波の波長の2倍の長さを指すものとする。また、対象周波数を基準として定まる送受信すべき周波数帯(ここでは755〜765MHzのことを対象周波数帯と記載する。 Hereinafter, the frequency to be transmitted / received (here, 760 MHz) will be referred to as a target frequency. Further, λ in the following term refers to the wavelength of the target radio wave. For example, 0.5λ refers to a half wavelength of the target radio wave, and 2λ refers to twice the wavelength of the target radio wave. Further, a frequency band to be transmitted / received (here, 755 to 765 MHz) determined based on the target frequency is described as the target frequency band.

第1アンテナ1及び第2アンテナ2はそれぞれダイポールアンテナとして実現されている。すなわち、第1アンテナ1及び第2アンテナ2は、電気的に0.5λに相当する長さを有する線状導体(以降、線状エレメント)を用いて実現されている。なお、ここでの電気的な長さとは、フリンジング電界や、誘電体による波長短縮効果などを考慮した、実効的な長さである。仮に図示しない支持部材によって対象電波の波長が短縮されている場合には、その短縮された波長の半分の長さとなっていれば良い。 The first antenna 1 and the second antenna 2 are realized as dipole antennas, respectively. That is, the first antenna 1 and the second antenna 2 are realized by using a linear conductor (hereinafter, a linear element) having a length electrically corresponding to 0.5λ. The electrical length here is an effective length in consideration of the fringed electric field, the wavelength shortening effect of the dielectric, and the like. If the wavelength of the target radio wave is shortened by a support member (not shown), the length may be half of the shortened wavelength.

第1アンテナ1は、例えば同軸ケーブルを介して図示しない無線機と接続されており、無線機から入力される電気信号を電波に変換して空間に放射する。また、第2アンテナ2も、図示しない無線機と接続されており、第2アンテナ2が受信した信号は逐次無線機に出力される。無線機は、第2アンテナ2から入力される信号に対して所定の信号処理を実施するとともに、第1アンテナ1に対して送信信号に応じた高周波電力を供給するものである。第1アンテナ1や第2アンテナ2は同軸ケーブルとの電気的な接続点である給電点を備える。なお、第1アンテナ1と無線機とは、同軸ケーブルのほかに、周知の整合回路やフィルタ回路などを介して接続される構成となっていても良い。第2アンテナ2も同様である。 The first antenna 1 is connected to a radio (not shown) via a coaxial cable, for example, and converts an electric signal input from the radio into radio waves and radiates it into space. Further, the second antenna 2 is also connected to a radio (not shown), and the signal received by the second antenna 2 is sequentially output to the radio. The radio device performs predetermined signal processing on the signal input from the second antenna 2 and supplies high-frequency power according to the transmission signal to the first antenna 1. The first antenna 1 and the second antenna 2 include a feeding point which is an electrical connection point with the coaxial cable. In addition to the coaxial cable, the first antenna 1 and the radio may be connected via a well-known matching circuit, filter circuit, or the like. The same applies to the second antenna 2.

第1アンテナ1と第2アンテナ2は、直線Axに沿う姿勢で、所定の間隔Lxをおいて配置されている。換言すれば第2アンテナ2は、第1アンテナ1が備える線状エレメントの延長線上に、第2アンテナ2の線状エレメントが配置されている。直線Axは、第1アンテナ1の中心と第2アンテナ2の中心とを結ぶ線(つまり中心線)に相当し、アンテナ装置10の中軸を表す。 The first antenna 1 and the second antenna 2 are arranged at predetermined intervals Lx in a posture along the straight line Ax. In other words, in the second antenna 2, the linear element of the second antenna 2 is arranged on the extension line of the linear element included in the first antenna 1. The straight line Ax corresponds to a line (that is, a center line) connecting the center of the first antenna 1 and the center of the second antenna 2, and represents the central axis of the antenna device 10.

以降では直線Axのことを装置軸Axとも記載する。図1中の一点鎖線は装置軸Axを表している。図1中に示す点Cは、装置軸Axにおいて、第1アンテナ1と第2アンテナ2のそれぞれとの距離が等しい点(以降、装置中心点)を表している。装置中心点Cを通って装置軸Axに直交する平面のことを以降では基準面Pcと称する。 Hereinafter, the straight line Ax will also be referred to as a device axis Ax. The alternate long and short dash line in FIG. 1 represents the device axis Ax. The point C shown in FIG. 1 represents a point on the device axis Ax where the distances between the first antenna 1 and the second antenna 2 are equal (hereinafter, the device center point). The plane that passes through the device center point C and is orthogonal to the device axis Ax is hereinafter referred to as a reference plane Pc.

第1アンテナ1と第2アンテナ2との間隔(以降、アンテナ間隔)Lxは適宜設計されれば良い。ここでは一例としてアンテナ間隔Lxは2λに設定されているものとする。なお、一般的に、アンテナ間隔Lxが小さいほどアイソレーションは劣化する(換言すれば干渉度合いが強くなる)傾向がある。 The distance (hereinafter, antenna distance) Lx between the first antenna 1 and the second antenna 2 may be appropriately designed. Here, as an example, it is assumed that the antenna spacing Lx is set to 2λ. In general, the smaller the antenna spacing Lx, the more the isolation tends to deteriorate (in other words, the degree of interference becomes stronger).

以降では便宜上、それぞれが互いに直交するX、Y、Z軸を備える右手系の三次元座標系を用いて、アンテナ装置10(特に共振構造体3)の構成を説明する。Z軸は、装置軸Axに平行であって、第2アンテナ2から第1アンテナ1へ向かう方向を正方向とする軸である。X軸は、Z軸に直交する任意の方向に向かう軸であり、Y軸は、X軸及びZ軸のそれぞれと直交する軸である。X軸は、例えば後述する上側素子31に平行な方向な軸とすればよい。三次元座標系の原点は例えば装置中心点Cに設定されればよい。また、以降では相対的にZ軸正方向をアンテナ装置10にとっての上側として、各部材の位置等を説明するが、実際の使用姿勢においては必ずしもZ軸正方向が天頂方向を向く姿勢となっている必要はない。Z軸正方向が下方向や横方向等に向く姿勢で使用されてもよい。 Hereinafter, for convenience, the configuration of the antenna device 10 (particularly the resonance structure 3) will be described using a right-handed three-dimensional coordinate system having X, Y, and Z axes orthogonal to each other. The Z-axis is an axis parallel to the device axis Ax and whose positive direction is the direction from the second antenna 2 to the first antenna 1. The X-axis is an axis orthogonal to the Z-axis in an arbitrary direction, and the Y-axis is an axis orthogonal to each of the X-axis and the Z-axis. The X-axis may be, for example, an axis in a direction parallel to the upper element 31 described later. The origin of the three-dimensional coordinate system may be set, for example, at the device center point C. In the following description, the positions of each member will be described with the Z-axis positive direction as the upper side of the antenna device 10, but in the actual usage posture, the Z-axis positive direction is always oriented toward the zenith. You don't have to be. It may be used in a posture in which the positive direction of the Z axis faces downward, laterally, or the like.

共振構造体3は、所定の長さを有する直線状の導体部材である上側素子31及び下側素子32を備える。上側素子31と下側素子32は同じ形状に形成されている。上側素子31は、上側素子31の中心が、装置軸Ax上において装置中心点Cから所定の離隔距離αだけ第1アンテナ1側となる場所に位置し、かつ、X軸に平行な姿勢で配置されている。つまり、上側素子31は中心が装置軸Ax上に位置し、かつ、装置軸Axに直交する姿勢で配置されている。なお、上側素子31の中心とは、上側素子31の一端から他端までの中間に位置する点である。上側素子31が請求項に記載の第1共振素子に相当する。 The resonance structure 3 includes an upper element 31 and a lower element 32 which are linear conductor members having a predetermined length. The upper element 31 and the lower element 32 are formed in the same shape. The upper element 31 is located at a position where the center of the upper element 31 is on the first antenna 1 side by a predetermined separation distance α from the device center point C on the device axis Ax, and is arranged in a posture parallel to the X axis. Has been done. That is, the center of the upper element 31 is located on the device axis Ax, and the upper element 31 is arranged in a posture orthogonal to the device axis Ax. The center of the upper element 31 is a point located in the middle from one end to the other end of the upper element 31. The upper element 31 corresponds to the first resonant element according to the claim.

また、下側素子32は、下側素子32の中心が、装置軸Ax上において装置中心点Cから所定の離隔距離αだけ第2アンテナ2側となる場所に位置し、かつ、Y軸に平行な姿勢で配置されている。このような構成は、装置中心点Cから所定の離隔距離αだけ第2アンテナ2側となる位置において、装置軸Axを回転軸として上側素子31を時計回りに90°回転させた姿勢で下側素子32を配置した構成に相当する。 Further, the lower element 32 is located at a position where the center of the lower element 32 is on the second antenna 2 side by a predetermined separation distance α from the device center point C on the device axis Ax, and is parallel to the Y axis. It is arranged in a good posture. In such a configuration, the upper element 31 is rotated 90 ° clockwise with the device axis Ax as the rotation axis at a position on the second antenna 2 side by a predetermined separation distance α from the device center point C, and is on the lower side. It corresponds to the configuration in which the element 32 is arranged.

なお、下側素子32の中心とは、下側素子32の一端から他端までの中間に位置する点である。また、ここでは一例として、装置軸Axを回転軸とする回転方向は時計回りとするが、他の態様として回転方向は反時計回りであってもよい。下側素子32が請求項に記載の第2共振素子に相当する。以降では上側素子31と下側素子32とを区別しない場合には共振素子とも記載する。 The center of the lower element 32 is a point located in the middle from one end to the other end of the lower element 32. Further, here, as an example, the rotation direction with the device axis Ax as the rotation axis is clockwise, but as another aspect, the rotation direction may be counterclockwise. The lower element 32 corresponds to the second resonant element according to claim. Hereinafter, when the upper element 31 and the lower element 32 are not distinguished, they are also described as a resonance element.

図2は、共振構造体3をZ軸正方向から見た構成を概略的に表した図(いわゆる平面図)である。前述の通り、下側素子32は上側素子31を装置軸Ax周りに90°回転させた姿勢で配置されているため、共振構造体3をZ軸方向から見た場合、全体として十字型を成す。図2に示す31mは上側素子31の中心から一端までの部分(以降、上側第1半長部)を表しており、31nは上側素子31の中心から他端までの部分(以降、上側第2半長部)を表している。また、32mは下側素子32の中心から一端までの部分(以降、下側第1半長部)を表しており、32nは下側素子32の中心から他端までの部分(以降、下側第2半長部)を表している。 FIG. 2 is a diagram (so-called plan view) schematically showing the configuration of the resonance structure 3 as viewed from the positive direction of the Z axis. As described above, since the lower element 32 is arranged in a posture in which the upper element 31 is rotated by 90 ° around the device axis Ax, the resonance structure 3 forms a cross shape as a whole when viewed from the Z-axis direction. .. 31m shown in FIG. 2 represents a portion from the center to one end of the upper element 31 (hereinafter, the upper first half-long portion), and 31n is a portion from the center to the other end of the upper element 31 (hereinafter, the upper second half). Semi-long part). Further, 32m represents a portion from the center to one end of the lower element 32 (hereinafter, the lower first half-long portion), and 32n is a portion from the center to the other end of the lower element 32 (hereinafter, the lower side). It represents the second half (long part).

上側素子31の全長(以降、素子長)Laは、対象周波数で共振する長さ(以降、共振長)の2倍の値に設定されている。これにより、上側素子31の中心から各端部までの長さは共振長となる。つまり、上側第1半長部31m及び上側第2半長部31nの長さは共振長に設定されている。 The total length (hereinafter, element length) La of the upper element 31 is set to a value twice the length that resonates at the target frequency (hereinafter, resonance length). As a result, the length from the center of the upper element 31 to each end becomes the resonance length. That is, the lengths of the upper first half-length portion 31m and the upper second half-length portion 31n are set to the resonance length.

共振長は、基本的には、電気的に0.5λに相当する長さである。上側素子31の中心から端部までの長さを電気的に0.5λに相当する長さに設定することによって、中心から端部までの区間(以降、半区間)で共振を発生させることができる。ただし、離隔距離αによっては、0.65λや0.75λ、0.76λであっても半区間で共振が発生しうる。故に、共振長とは、0.5λから0.76λまでの何れかに該当する長さである。素子長Laは、対象周波数で半区間ごとに共振が発生するように、離隔距離αと合わせて微調整されるべきパラメータである。 The resonance length is basically a length that electrically corresponds to 0.5λ. By electrically setting the length from the center to the end of the upper element 31 to a length corresponding to 0.5λ, resonance can be generated in the section from the center to the end (hereinafter, half section). can. However, depending on the separation distance α, resonance may occur in a half section even if it is 0.65λ, 0.75λ, or 0.76λ. Therefore, the resonance length is a length corresponding to any of 0.5λ to 0.76λ. The element length La is a parameter that should be finely adjusted in combination with the separation distance α so that resonance occurs every half section at the target frequency.

本実施形態では一例として離隔距離αを0.6λ、素子長Laを1.2λに設定されているものとする。すなわち、上側第1半長部31m及び上側第2半長部31nの長さは、それぞれ0.6λに設定されている。このような構成は共振長として0.6λを採用した構成に相当する。 In this embodiment, it is assumed that the separation distance α is set to 0.6λ and the element length La is set to 1.2λ as an example. That is, the lengths of the upper first half-length portion 31m and the upper second half-length portion 31n are set to 0.6λ, respectively. Such a configuration corresponds to a configuration in which 0.6λ is adopted as the resonance length.

なお、下側素子32は上側素子31と同一形状に形成されているため、下側素子32の全長は上側素子31の全長と一致する。すなわち、下側素子32の長さは、上側素子31と同様に共振長の2倍の値に設定されており、下側素子32の中心から各端部までの長さはそれぞれ共振長に設定されている。これにより、下側第1半長部32m及び下側第2半長部32nの長さは共振長となる。このような構成によれば、下側素子32もまた対象周波数で半区間毎に共振が発生する。 Since the lower element 32 is formed in the same shape as the upper element 31, the total length of the lower element 32 coincides with the total length of the upper element 31. That is, the length of the lower element 32 is set to twice the resonance length as in the upper element 31, and the length from the center of the lower element 32 to each end is set to the resonance length. Has been done. As a result, the lengths of the lower first half-long portion 32m and the lower second half-long portion 32n become resonance lengths. According to such a configuration, the lower element 32 also resonates at the target frequency every half section.

図3は、第1アンテナ1から電波を放射させた場合の上側素子31の作動をシミュレーションした結果を示す図であり、図4は、第1アンテナ1から電波を放射させた場合の下側素子32の作動をシミュレーションした結果を示す図である。素子長Laを共振長の2倍に設定するとともに、中心が装置軸Axを通り、かつ、装置軸Axに対して直交する姿勢で配置しているため、上側素子31において、上側第1半長部31mと上側第2半長部31nとは装置軸Axを介して点対称に作動する。具体的には、第1アンテナ1から電波を放射させた場合、図3に示すように上側第1半長部31mと上側第2半長部31nのそれぞれで共振が発生する。つまり、上側素子31には、装置軸Axが通る点を節とするように2つの共振が起こる。 FIG. 3 is a diagram showing the result of simulating the operation of the upper element 31 when the radio wave is radiated from the first antenna 1, and FIG. 4 is a diagram showing the lower element when the radio wave is radiated from the first antenna 1. It is a figure which shows the result of simulating the operation of 32. Since the element length La is set to twice the resonance length and the center is arranged in a posture that passes through the device axis Ax and is orthogonal to the device axis Ax, the upper element 31 has the upper first half length. The portion 31m and the upper second semi-long portion 31n operate point-symmetrically via the device axis Ax. Specifically, when radio waves are radiated from the first antenna 1, resonance occurs in each of the upper first half-length portion 31m and the upper second half-long portion 31n as shown in FIG. That is, two resonances occur in the upper element 31 so that the point through which the device axis Ax passes is a node.

ただし、上側第2半長部31nは上側第1半長部31mとは装置軸Axの反対側に位置するため、上側第2半長部31nに励振する電流の位相は、上側第1半長部31mに励振する電流とは180°ずれたものとなる。故に、上側第1半長部31mから放射される電界と、上側第2半長部31nから放射される電界は互いに打ち消しあう。 However, since the upper second half length portion 31n is located on the opposite side of the device axis Ax from the upper first half length portion 31m, the phase of the current exciting to the upper second half length portion 31n is the upper first half length. It is 180 ° out of phase with the current that excites the portion 31m. Therefore, the electric field radiated from the upper first half-long portion 31m and the electric field radiated from the upper second half-long portion 31n cancel each other out.

その結果、第1アンテナ1から信号を送信することによって上側素子31から放射される電界を効果的に抑制できる。なお、第1アンテナ1から信号を送信することによって上側素子31から放射される電界とは、第1アンテナ1から放射してきた電界を受けて上側素子31が再放射する電界に相当する。つまり、上側素子31は、第1アンテナ1から伝搬してきた電界の強度を弱める役割を担う。 As a result, the electric field radiated from the upper element 31 can be effectively suppressed by transmitting the signal from the first antenna 1. The electric field radiated from the upper element 31 by transmitting a signal from the first antenna 1 corresponds to an electric field re-radiated by the upper element 31 in response to the electric field radiated from the first antenna 1. That is, the upper element 31 plays a role of weakening the strength of the electric field propagating from the first antenna 1.

下側素子32についても、全長を共振長の2倍に設定するとともに、中心が装置軸Axを通り、かつ、装置軸Axに対して直交する姿勢で配置しているため、下側第1半長部32mは下側第2半長部32nと装置軸Axを介して点対称に作動する。具体的には、第1アンテナ1から電波を放射させた場合、図4に示すように、下側第1半長部32mと下側第2半長部32nのそれぞれで、位相が180°ずれた共振が発生する。 As for the lower element 32, the total length is set to twice the resonance length, the center passes through the device axis Ax, and the lower element 32 is arranged in a posture orthogonal to the device axis Ax, so that the lower first half The long portion 32m operates point-symmetrically with the lower second semi-long portion 32n via the device axis Ax. Specifically, when radio waves are radiated from the first antenna 1, the phases of the lower first semi-long portion 32 m and the lower second semi-long portion 32 n are shifted by 180 °, respectively, as shown in FIG. Resonance occurs.

故に、下側第1半長部32mから放射される電界と、下側第2半長部32nから放射される電界は互いに打ち消しあう。その結果、第1アンテナ1から信号を送信することによって下側素子32から放射される電界を効果的に抑制できる。つまり、下側素子32もまた、上側素子31と同様の原理によって第1アンテナ1から伝搬してきた電界の強度を弱める役割を担う。 Therefore, the electric field radiated from the lower first half-long portion 32m and the electric field radiated from the lower second half-long portion 32n cancel each other out. As a result, the electric field radiated from the lower element 32 can be effectively suppressed by transmitting the signal from the first antenna 1. That is, the lower element 32 also plays a role of weakening the strength of the electric field propagating from the first antenna 1 by the same principle as the upper element 31.

<実施形態の効果>
図5は第1アンテナ1から対象電波を放射させた場合の電界分布をシミュレーションした結果を示したものである。前述の通り、各共振素子において装置軸Axが通る点を節とする2つの共振が生じるように上側素子31と下側素子32を配置することによって、第2アンテナ2への電界(換言すれば電波)の伝搬を抑制することができる。上側素子31及び下側素子32に励振される電流によって電界が打ち消されるためである。
<Effect of embodiment>
FIG. 5 shows the result of simulating the electric field distribution when the target radio wave is radiated from the first antenna 1. As described above, by arranging the upper element 31 and the lower element 32 so that two resonances are generated at the point where the device axis Ax passes in each resonance element, an electric field (in other words, in other words) to the second antenna 2 is generated. Propagation of radio waves) can be suppressed. This is because the electric field is canceled by the current excited by the upper element 31 and the lower element 32.

図6は、離隔距離α=0.6λ、素子長La=1.2λに設定した時の通過特性を表したものである。ここでの通過特性とは、第1アンテナ1から所定の電力の電波を放射した場合の、送信電力に対する第2アンテナ2での受信電力の大きさの比率(換言すれば干渉度合い)を表すパラメータである。通過特性は小さいほど、干渉度合いが低い、つまりアイソレーションが高いことを意味する。図6に示すように本実施形態の構成によれば、対象周波数である760MHz付近において−80〜−90dBの通過特性を達成することができる。換言すれば90dB近いアイソレーションを提供する。 FIG. 6 shows the passage characteristics when the separation distance α = 0.6λ and the element length La = 1.2λ are set. The passing characteristic here is a parameter representing the ratio of the magnitude of the received power of the second antenna 2 to the transmitted power (in other words, the degree of interference) when a radio wave of a predetermined power is radiated from the first antenna 1. Is. The smaller the passage characteristic, the lower the degree of interference, that is, the higher the isolation. As shown in FIG. 6, according to the configuration of the present embodiment, it is possible to achieve a passing characteristic of −80 to −90 dB in the vicinity of the target frequency of 760 MHz. In other words, it provides isolation close to 90 dB.

また、図7及び図8に示すように、水平面での無指向性を維持しつつ、垂直面での指向性の乱れをほぼ0とみなすことができるほど抑制できる。なお、ここでの水平面とは装置軸Axに直交する面(換言すればXY平面)であり、垂直面とは装置軸Axを通る平面である。本実施形態では上側素子31を90°回転させた姿勢で下側素子32を配置することによって、バランスよく第1アンテナ1からの電界を打ち消し、アンテナ間のアイソレーションを高めることができる。 Further, as shown in FIGS. 7 and 8, while maintaining the omnidirectionality in the horizontal plane, the disturbance of the directivity in the vertical plane can be suppressed to the extent that it can be regarded as almost zero. The horizontal plane here is a plane orthogonal to the device axis Ax (in other words, an XY plane), and the vertical plane is a plane passing through the device axis Ax. In the present embodiment, by arranging the lower element 32 in a posture in which the upper element 31 is rotated by 90 °, the electric field from the first antenna 1 can be canceled in a well-balanced manner, and the isolation between the antennas can be enhanced.

なお、上述した実施形態では上面視において上側素子31と下側素子32とがなす角度が直角(略直角を含む)となるように上側素子31と下側素子32を配置した構成を開示したがこれに限らない。上面視において上側素子31と下側素子32とがなす角度は90°以外の角度、例えば30°や60°、120°等であってもよい。 In the above-described embodiment, the configuration in which the upper element 31 and the lower element 32 are arranged so that the angle formed by the upper element 31 and the lower element 32 is a right angle (including a substantially right angle) in the top view is disclosed. Not limited to this. The angle formed by the upper element 31 and the lower element 32 in the top view may be an angle other than 90 °, for example, 30 °, 60 °, 120 °, or the like.

ただし、発明者らは種々の試験の結果(換言すれば試行錯誤の結果)、上述した実施形態の構成では、上面視において上側素子31と下側素子32とがなす角度を直角に設定した場合に対象周波数でのアイソレーションが最大となるという知見を得た。故に、実施形態の構成では上面視において上側素子31と下側素子32とがなす角度を直角となる姿勢で配置されていることが好ましい。なお、ここでの直角とは厳密な直角(換言すれば90°/270°)に限らず、85°から105°までの範囲を直角と見なすことができるものとする。 However, as a result of various tests (in other words, as a result of trial and error), the inventors have set the angle formed by the upper element 31 and the lower element 32 at a right angle in the configuration of the above-described embodiment. It was found that the isolation at the target frequency is maximized. Therefore, in the configuration of the embodiment, it is preferable that the upper element 31 and the lower element 32 are arranged at right angles in the top view. The right angle here is not limited to a strict right angle (in other words, 90 ° / 270 °), and the range from 85 ° to 105 ° can be regarded as a right angle.

また、参考までに、第1比較構成としての共振構造体3を備えないアンテナ装置10pにおいて、電界分布をシミュレーションした結果、及びその通過特性を図9、図10に示す。アンテナ装置10pでの第1アンテナ1pと第2アンテナ2pとの位置関係は本実施形態のアンテナ装置10と同様に設定されているものとする。 For reference, FIGS. 9 and 10 show the results of simulating the electric field distribution in the antenna device 10p not provided with the resonance structure 3 as the first comparative configuration, and the passing characteristics thereof. It is assumed that the positional relationship between the first antenna 1p and the second antenna 2p in the antenna device 10p is set in the same manner as in the antenna device 10 of the present embodiment.

図9に示すようにアンテナ間に共振構造体3を配置しない構成(つまり第1比較構成)では、第1アンテナ1pから放射された電界がそのまま第2アンテナ2pまで到達する。故に、第1比較構成でのアイソレーションは相対的に低い値となる。具体的には、図10に示すように、対象周波数である760MHz付近における第1比較構成のアイソレーションは43dB程度である。 As shown in FIG. 9, in the configuration in which the resonance structure 3 is not arranged between the antennas (that is, the first comparative configuration), the electric field radiated from the first antenna 1p reaches the second antenna 2p as it is. Therefore, the isolation in the first comparative configuration has a relatively low value. Specifically, as shown in FIG. 10, the isolation of the first comparative configuration in the vicinity of the target frequency of 760 MHz is about 43 dB.

対して本実施形態の構成によれば、上述の通り90dB近いアイソレーションを確保することができる。すなわち、上側素子31及び下側素子32からなる共振構造体3を導入することで、第1比較構成よりもアイソレーションを40dB以上改善することができる。 On the other hand, according to the configuration of the present embodiment, isolation of nearly 90 dB can be secured as described above. That is, by introducing the resonance structure 3 including the upper element 31 and the lower element 32, the isolation can be improved by 40 dB or more as compared with the first comparative configuration.

ところで、第1比較構成以外にも想定される他の比較構成(以降、第2比較構成)としては、図11に示すように、中心から端部までの長さLbが0.6λに設定された十字型の線状導体部材(以降、十字型寄生素子)4を装置中心点Cに配置した構成も考えられる。しかしながら、図12に示すように第2比較構成では、対象周波数でのアイソレーションは52dBとなる。第1比較構成に比べればアイソレーションは9dB程度改善するが、本実施形態には及ばない。本実施形態の構成によれば第2比較構成よりも約30dB以上アイソレーションを高めることができる。 By the way, as another comparison configuration (hereinafter, the second comparison configuration) assumed other than the first comparison configuration, as shown in FIG. 11, the length Lb from the center to the end is set to 0.6λ. It is also conceivable that the cross-shaped linear conductor member (hereinafter, cross-shaped parasitic element) 4 is arranged at the center point C of the device. However, as shown in FIG. 12, in the second comparative configuration, the isolation at the target frequency is 52 dB. Isolation is improved by about 9 dB as compared with the first comparative configuration, but it is not as good as this embodiment. According to the configuration of the present embodiment, the isolation can be increased by about 30 dB or more as compared with the second comparative configuration.

さらに、他の比較構成(以降、第3比較構成)として、図13に示すように、所定の長さを有する6つの直線状の導体素子を正六角形の中心から各頂点に延びるように接続してなる導体部材(以降、六星状寄生素子)5を、装置中心点Cに配置した構成も考えられる。しかしながら、第3比較構成でのアイソレーションは、図14に示すように67dBとなり、本実施形態よりも10dB以上低い値となる。 Further, as another comparative configuration (hereinafter referred to as the third comparative configuration), as shown in FIG. 13, six linear conductor elements having a predetermined length are connected so as to extend from the center of the regular hexagon to each vertex. It is also conceivable that the conductor member (hereinafter, hexagonal parasitic element) 5 is arranged at the center point C of the device. However, the isolation in the third comparative configuration is 67 dB as shown in FIG. 14, which is 10 dB or more lower than that of the present embodiment.

なお、六星状寄生素子5の中心から各端部までの長さLcは、全体としてのアイソレーションが高まるように、0.5λを基準として適宜設計されればよい。図14に示すシミュレーション結果は、Lc=0.7λに設定したときの値である。なお、発明者らは種々の試験の結果、共振構造体3の代わりに六星状寄生素子5を配置する構成では、Lc=0.7λに設定した場合に対象周波数でのアイソレーションが最大となるという知見を得た。つまり、図14に示すシミュレーション結果は、共振構造体3の代わりに六星状寄生素子5を配置した構成において実現可能なアイソレーションの最大値を示す結果といえる。 The length Lc from the center of the six-star parasitic element 5 to each end may be appropriately designed with reference to 0.5λ so as to increase the isolation as a whole. The simulation result shown in FIG. 14 is a value when Lc = 0.7λ is set. As a result of various tests, the inventors found that in the configuration in which the six-star parasitic element 5 is arranged instead of the resonance structure 3, the isolation at the target frequency is maximum when Lc = 0.7λ is set. I got the knowledge that it will be. That is, it can be said that the simulation result shown in FIG. 14 shows the maximum value of isolation that can be realized in the configuration in which the six-star parasitic element 5 is arranged instead of the resonance structure 3.

また、他の比較構成(以降、第4比較構成)として、図15に示すように、所定の長さを有する8つの直線状の導体素子を正八角形の中心から各頂点に延びるように接続してなる導体部材(以降、八星状寄生素子)6を装置中心点Cに配置した構成も考えられる。しかしながら、第4比較構成でのアイソレーションは、図16に示すように49dBとなり、本実施形態よりも30dB以上低い値となる。 Further, as another comparative configuration (hereinafter referred to as the fourth comparative configuration), as shown in FIG. 15, eight linear conductor elements having a predetermined length are connected so as to extend from the center of the regular octagon to each vertex. It is also conceivable that the conductor member (hereinafter, octagonal parasitic element) 6 is arranged at the center point C of the device. However, the isolation in the fourth comparative configuration is 49 dB as shown in FIG. 16, which is 30 dB or more lower than that of the present embodiment.

なお、八星状寄生素子6の中心から各端部までの長さLdは、全体としてのアイソレーションが高まるように、0.5λを基準として適宜設計されればよい。図16に示すシミュレーション結果は、線状導体素子51の長さLdを0.7λに設定したときの値である。発明者らは種々の試験の結果、第4比較構成では、Ld=0.7λに設定した場合に対象周波数でのアイソレーションが最大となるという知見を得た。故に、図16に示すシミュレーション結果は、共振構造体3の代わりに八星状寄生素子6を配置した構成において実現可能なアイソレーションの最大値を示す結果といえる。 The length Ld from the center of the eight-star parasitic element 6 to each end may be appropriately designed with reference to 0.5λ so as to increase the isolation as a whole. The simulation result shown in FIG. 16 is a value when the length Ld of the linear conductor element 51 is set to 0.7λ. As a result of various tests, the inventors have found that in the fourth comparative configuration, the isolation at the target frequency is maximized when Ld = 0.7λ is set. Therefore, it can be said that the simulation result shown in FIG. 16 shows the maximum value of isolation that can be realized in the configuration in which the eight-star parasitic element 6 is arranged instead of the resonance structure 3.

ところで、第3比較構成と第4比較構成とを比較すればわかるように、装置中心点Cに配置する導体部材の構成として、中心から延びる線状素子の数を単に増やしていけばアイソレーションが高まるというわけではない。線状素子間の相互作用もアイソレーションに影響するためである。その他、図示は省略するが、0.5λ〜0.75λの半径を有する円盤状の導体素子(以降、円盤型寄生素子)を装置中心点Cに配置した構成についても検討したが、本実施形態ほどのアイソレーションを実現することはできなかった。すなわち、1つの導体素子を配置した構成よりも、本実施形態のように2つの線状導体素子をねじれの姿勢で配置した構成のほうが高いアイソレーションを実現することができる。 By the way, as can be seen by comparing the third comparative configuration and the fourth comparative configuration, isolation can be achieved by simply increasing the number of linear elements extending from the center as the configuration of the conductor member arranged at the device center point C. It does not increase. This is because the interaction between linear elements also affects the isolation. In addition, although not shown, a configuration in which a disk-shaped conductor element having a radius of 0.5λ to 0.75λ (hereinafter, a disk-type parasitic element) is arranged at the device center point C has also been examined. It was not possible to achieve such isolation. That is, higher isolation can be realized in a configuration in which two linear conductor elements are arranged in a twisted posture as in the present embodiment, as in a configuration in which one conductor element is arranged.

以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、以降で述べる種々の変形例も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。また、実施形態や種々の変形例は適宜組み合わせて実施することもできる。 Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications described below are also included in the technical scope of the present invention, and other than the following. Can be implemented with various changes within the range that does not deviate from the gist. In addition, embodiments and various modifications can be combined as appropriate.

なお、前述の実施形態で述べた部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。また、構成の一部のみに言及している場合、他の部分については先に説明した実施形態の構成を適用することができる。 The members having the same functions as the members described in the above-described embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted. Further, when only a part of the configuration is referred to, the configuration of the embodiment described above can be applied to the other parts.

[変形例1]
以上ではアンテナ装置10が共振構造体3を1つだけ備える構成を開示したが、これに限らない。アンテナ装置10は複数の共振構造体3を備えていても良い。その場合には、各共振構造体3の離隔距離はそれぞれ異なる値とし、相対的に大きい共振構造体3が、相対的に小さい共振構造体3を挟み込むように配置されているものとする。
[Modification 1]
In the above, the configuration in which the antenna device 10 includes only one resonance structure 3 has been disclosed, but the present invention is not limited to this. The antenna device 10 may include a plurality of resonance structures 3. In that case, the separation distance of each resonance structure 3 is set to a different value, and it is assumed that the relatively large resonance structure 3 is arranged so as to sandwich the relatively small resonance structure 3.

ここではアンテナ装置10が、2つの共振構造体3を備える場合の構成の一例について、図17、図18等を用いて説明する。図17は本変形例1におけるアンテナ装置10の概略的な構成を示す斜視図である。本変形例1におけるアンテナ装置10は、第1上側素子31A及び第1下側素子32Aからなる第1共振構造体3Aと、第2上側素子31B及び第2下側素子32Bからなる第2共振構造体3Bと、を備える。第1上側素子31Aや第2上側素子31Bは上述した実施形態での上側素子31に相当する部材であり、第1下側素子32Aや第2下側素子32Bは上述した実施形態での下側素子32に相当する部材である。 Here, an example of a configuration in which the antenna device 10 includes two resonance structures 3 will be described with reference to FIGS. 17, 18, and the like. FIG. 17 is a perspective view showing a schematic configuration of the antenna device 10 in the first modification. The antenna device 10 in the first modification has a second resonance structure including a first resonance structure 3A including a first upper element 31A and a first lower element 32A, and a second upper element 31B and a second lower element 32B. It has a body 3B. The first upper element 31A and the second upper element 31B are members corresponding to the upper element 31 in the above-described embodiment, and the first lower element 32A and the second lower element 32B are the lower side in the above-described embodiment. It is a member corresponding to the element 32.

第1共振構造体3Aは、図18に示すように、離隔距離を任意の値であるαに設定した共振構造体3であり、第2共振構造体3Bは、離隔距離を任意の値であるβに設定した共振構造体3である。ただし、βはαよりも大きいものとする。なお、図18の(A)は第1共振構造体3AをX軸方向から見たときの概略的な構成を示す図であり、(B)は第2共振構造体3BをX軸方向から見たときの概略的な構成を示す図である。 As shown in FIG. 18, the first resonance structure 3A is a resonance structure 3 in which the separation distance is set to an arbitrary value α, and the second resonance structure 3B is a resonance structure 3 in which the separation distance is an arbitrary value. It is a resonance structure 3 set to β. However, β is larger than α. Note that FIG. 18A is a diagram showing a schematic configuration when the first resonance structure 3A is viewed from the X-axis direction, and FIG. 18B is a diagram showing the second resonance structure 3B when viewed from the X-axis direction. It is a figure which shows the schematic structure at the time.

第2共振構造体3Bを構成する第2上側素子31Bは、第1共振構造体3Aを構成する第1上側素子31Aよりも上側に配置されている。また、第2共振構造体3Bを構成する第2下側素子32Bは、第1共振構造体3Aを構成する第1下側素子32Aよりも下側に配置されている。つまり、第2共振構造体3Bを構成する第2上側素子31B及び第2下側素子32Bは、第1共振構造体3Aを構成する第1上側素子31A及び第1下側素子32Aを上下から挟み込むように配置されている。離隔距離βから離隔距離αを減算した値が、第2上側素子31Bと第1上側素子31Aとの離隔、及び、第1下側素子32Aと第2下側素子32Bとの離隔に相当する。 The second upper element 31B constituting the second resonance structure 3B is arranged above the first upper element 31A constituting the first resonance structure 3A. Further, the second lower element 32B constituting the second resonance structure 3B is arranged below the first lower element 32A constituting the first resonance structure 3A. That is, the second upper element 31B and the second lower element 32B constituting the second resonance structure 3B sandwich the first upper element 31A and the first lower element 32A constituting the first resonance structure 3A from above and below. It is arranged like this. The value obtained by subtracting the separation distance α from the separation distance β corresponds to the separation between the second upper element 31B and the first upper element 31A and the separation between the first lower element 32A and the second lower element 32B.

離隔距離α、βの具体的な値は適宜設計されれば良い。ここでは一例として、離隔距離α=0.02λとし、離隔距離βはαを3倍した値(つまり、0.06λ)に設定されているものとする。このようなα、βの設定によれば、第2上側素子31B、第1上側素子31A、第1下側素子32A、及び第2下側素子32BがZ軸方向に2α(=0.04λ)ずつ等間隔に並んだ構成となる。 Specific values of the separation distances α and β may be appropriately designed. Here, as an example, it is assumed that the separation distance α = 0.02λ and the separation distance β is set to a value obtained by multiplying α by 3 (that is, 0.06λ). According to such settings of α and β, the second upper element 31B, the first upper element 31A, the first lower element 32A, and the second lower element 32B are 2α (= 0.04λ) in the Z-axis direction. The configurations are arranged at equal intervals.

第1共振構造体3Aを構成する第1上側素子31Aと第1下側素子32Aとが上面視においてなす角度は、適宜調整されれば良い。ここでは一例として第1下側素子32Aは上面視において第1上側素子31Aに対して直角となる姿勢で配置されているものとする。具体的には、第1上側素子31AはY軸に平行な姿勢で配置されており、第1下側素子32AはX軸に平行な姿勢で配置されているものとする。 The angle formed by the first upper element 31A and the first lower element 32A constituting the first resonance structure 3A in top view may be appropriately adjusted. Here, as an example, it is assumed that the first lower element 32A is arranged in a posture perpendicular to the first upper element 31A in the top view. Specifically, it is assumed that the first upper element 31A is arranged in a posture parallel to the Y axis, and the first lower element 32A is arranged in a posture parallel to the X axis.

また、第2共振構造体3Bを構成する第2上側素子31Bと第2下側素子32Bとが上面視においてなす角度も、適宜調整されれば良い。ここでは一例として第2下側素子32Bは、上面視において第2上側素子31Bに対して直角となる姿勢で配置されているものとする。具体的には、第2上側素子31BはX軸に平行な姿勢で配置されており、第1下側素子32AはY軸に平行な姿勢で配置されているものとする。このような構成は、離隔距離がそれぞれ異なる2つの共振構造体3を装置軸Ax周りに90°回転させて配置した構成に相当する。 Further, the angle formed by the second upper element 31B and the second lower element 32B constituting the second resonance structure 3B in the top view may be appropriately adjusted. Here, as an example, it is assumed that the second lower element 32B is arranged in a posture perpendicular to the second upper element 31B in the top view. Specifically, it is assumed that the second upper element 31B is arranged in a posture parallel to the X axis, and the first lower element 32A is arranged in a posture parallel to the Y axis. Such a configuration corresponds to a configuration in which two resonance structures 3 having different separation distances are arranged by rotating them by 90 ° around the device axis Ax.

第1共振構造体3Aが備える共振素子の素子長La1や第2共振構造体3Bが備える共振素子の素子長La2の具体的な値はλを基準として適宜調整されれば良い。例えば第1共振構造体3Aの素子長La1は1.4λに設定し、第2共振構造体3Bの素子長La2は1.5λに設定されている。このような構成は、第1共振構造体の共振素子の半分の長さを0.7λ、第2共振構造体の共振素子の半分の長さを0.75λに設定した構成に相当する。つまり共振長として0.7λ、0.75λを採用した構成に相当する。 Specific values of the element length La1 of the resonance element included in the first resonance structure 3A and the element length La2 of the resonance element included in the second resonance structure 3B may be appropriately adjusted with reference to λ. For example, the element length La1 of the first resonance structure 3A is set to 1.4λ, and the element length La2 of the second resonance structure 3B is set to 1.5λ. Such a configuration corresponds to a configuration in which half the length of the resonance element of the first resonance structure is set to 0.7λ and half the length of the resonance element of the second resonance structure is set to 0.75λ. That is, it corresponds to the configuration in which 0.7λ and 0.75λ are adopted as the resonance lengths.

図19は上記構成に於ける通過特性をシミュレーションした結果を示す図である。図19に示すように本変形例1の構成によれば、対象周波数において−84dB以上のアイソレーションを提供することができる。なお、図19中の破線は、実施形態の通過特性を示すものである。破線と実線とを比較してもわかるように、本変形例1の構成によれば対象周波数帯である755〜765MHzでのアイソレーションを実施形態の構成より向上できている。 FIG. 19 is a diagram showing a result of simulating the passing characteristics in the above configuration. As shown in FIG. 19, according to the configuration of the present modification 1, it is possible to provide isolation of −84 dB or more at the target frequency. The broken line in FIG. 19 shows the passing characteristics of the embodiment. As can be seen by comparing the broken line and the solid line, according to the configuration of the present modification 1, the isolation in the target frequency band of 755 to 765 MHz can be improved as compared with the configuration of the embodiment.

さらに、本変形例1の構成によれば、離隔距離αやβを相対的に小さい値に設定しても十分なアイソレーションを実現できる。すなわち、第2共振構造体3Bの離隔距離βを、実施形態での離隔距離の10分の1程度(具体的には0.06λ)に設定しても実施形態と同等以上のアイソレーションを実現できる。 Further, according to the configuration of the present modification 1, sufficient isolation can be realized even if the separation distances α and β are set to relatively small values. That is, even if the separation distance β of the second resonance structure 3B is set to about 1/10 of the separation distance in the embodiment (specifically, 0.06λ), isolation equal to or higher than that in the embodiment is realized. can.

また、第1共振構造体3Aは第2共振構造体3Bの内側に配置されるため、共振構造体3A、3Bを組み合わせてなる共振構造体全体としてのサイズ(具体的にはZ軸方向の長さ)は第2共振構造体3Bによって規定される。故に、本変形例1の構成によれば共振構造体3A、3Bを組み合わせてなる共振構造体全体としてのサイズも、実施形態よりも離隔距離を10分の1程度に設定できる。すなわち、共振構造体全体としてのサイズを小さくすることができる。なお、以上では離隔距離αを0.02λとしたが、これに限らない。離隔距離αは、0.02λ以外の値、例えば0.06λや、0.04λ、0.01λ等に設定されていても良い。 Further, since the first resonance structure 3A is arranged inside the second resonance structure 3B, the size of the entire resonance structure formed by combining the resonance structures 3A and 3B (specifically, the length in the Z-axis direction). Is defined by the second resonant structure 3B. Therefore, according to the configuration of the present modification 1, the size of the entire resonance structure formed by combining the resonance structures 3A and 3B can also be set to about 1/10 of the separation distance as compared with the embodiment. That is, the size of the resonance structure as a whole can be reduced. In the above, the separation distance α is set to 0.02λ, but the present invention is not limited to this. The separation distance α may be set to a value other than 0.02λ, for example, 0.06λ, 0.04λ, 0.01λ, or the like.

[変形例2]
上側素子31と下側素子32との中間に位置する平面、すなわち基準面Pcには、所定の長さを有する線状の導体部材である直線状寄生素子7が配置されていてもよい。以下、そのような構成を変形例2として図20等を用いて説明する。
[Modification 2]
A linear parasitic element 7 which is a linear conductor member having a predetermined length may be arranged on a plane located between the upper element 31 and the lower element 32, that is, a reference surface Pc. Hereinafter, such a configuration will be described as a modification 2 with reference to FIG. 20 and the like.

本変形例2におけるアンテナ装置10は、第1アンテナ1、第2アンテナ2、上側素子31、及び下側素子32に加えて、直線状寄生素子7を備える。本変形例2における上側素子31や下側素子32の長さ(つまり素子長)Laは、例えば1.5λに設定されている。そのような構成は、共振素子の半分の長さを0.75λに設定した構成に相当する。つまり共振長として0.75λを採用した構成に相当する。もちろん、素子長Laの具体的な長さは0.5λを基準として調整されれば良い。 The antenna device 10 in the second modification includes a linear parasitic element 7 in addition to the first antenna 1, the second antenna 2, the upper element 31, and the lower element 32. The length (that is, element length) La of the upper element 31 and the lower element 32 in this modification 2 is set to, for example, 1.5λ. Such a configuration corresponds to a configuration in which half the length of the resonant element is set to 0.75λ. That is, it corresponds to a configuration in which 0.75λ is adopted as the resonance length. Of course, the specific length of the element length La may be adjusted with reference to 0.5λ.

上側素子31は図21に示すように、X軸に平行な姿勢で配置されている。下側素子32は上側素子31を装置軸Ax周りに120°回転させた姿勢で配置されている。上側素子31及び下側素子32のそれぞれと基準面Pcとの離隔距離αは、0.04λに設定されている。 As shown in FIG. 21, the upper element 31 is arranged in a posture parallel to the X axis. The lower element 32 is arranged in a posture in which the upper element 31 is rotated by 120 ° around the device axis Ax. The separation distance α between each of the upper element 31 and the lower element 32 and the reference surface Pc is set to 0.04λ.

直線状寄生素子7の長さ(以降、寄生素子長)Leは、共振長の2倍に設定される。ここでは一例として寄生素子長Leは、上側素子31や下側素子32と同じ長さ、つまり1.5λに設定されているものとする。他の構成として寄生素子長Leは、上側素子31とは異なる値に設定されていても良い。 The length Le of the linear parasitic element 7 (hereinafter referred to as the parasitic element length) Le is set to twice the resonance length. Here, as an example, it is assumed that the parasitic element length Le is set to the same length as the upper element 31 and the lower element 32, that is, 1.5λ. As another configuration, the parasitic element length Le may be set to a value different from that of the upper element 31.

なお、発明者らは種々の試験の結果、寄生素子長Leは上側素子31と同じ長さに設定されている場合に、特にアイソレーションが高まるという知見を得た。また、寄生素子長Leは上側素子31と同じ長さに設定すれば、同じ寸法の線状導体部材を上側素子31、下側素子32、及び直線状寄生素子7として使いまわせるため、製造コストを抑制することができる。故に、寄生素子長Leは上側素子31と同じ長さに設定することが好ましい。 As a result of various tests, the inventors have found that the isolation is particularly enhanced when the parasitic element length Le is set to the same length as the upper element 31. Further, if the parasitic element length Le is set to the same length as the upper element 31, linear conductor members having the same dimensions can be used as the upper element 31, the lower element 32, and the linear parasitic element 7, resulting in a manufacturing cost. It can be suppressed. Therefore, it is preferable to set the parasitic element length Le to the same length as the upper element 31.

直線状寄生素子7は、直線状寄生素子7の中心が装置中心点Cに位置し、かつ、装置軸Axに直交し、かつ、上面視において上側素子31を装置軸周りに60°回転させた姿勢で配置されている。このような構成は、上面視において上側素子31と直線状寄生素子7とがなす角度と、上面視において下側素子32と直線状寄生素子7とがなす角度とが等しくなるように直線状寄生素子7を配置した構成に相当する。 In the linear parasitic element 7, the center of the linear parasitic element 7 is located at the device center point C, is orthogonal to the device axis Ax, and the upper element 31 is rotated by 60 ° around the device axis in top view. Arranged in a posture. In such a configuration, the angle formed by the upper element 31 and the linear parasitic element 7 in the top view is equal to the angle formed by the lower element 32 and the linear parasitic element 7 in the top view. It corresponds to the configuration in which the element 7 is arranged.

図22は変形例2の構成において素子長La及び寄生素子長Leを1.5λに設定した場合の通過特性をシミュレーションした結果を示す図である。図22に示すように本変形例2の構成によれば、対象周波数において76dB以上のアイソレーションを提供することができる。なお、図22中の破線は、実施形態の通過特性を示すものである。破線と実線とを比較してもわかるように、実施形態の構成では、対象周波数帯である755〜765MHzにおいて、通過特性が周波数に応じて急峻に変化するため、部材の位置ズレ等によって、設計上のアイソレーションが得られない恐れがある。故に、実際に製造する際には各部材の長さや配置等の精度として高い精度が要求される。 FIG. 22 is a diagram showing a result of simulating the passing characteristics when the element length La and the parasitic element length Le are set to 1.5λ in the configuration of the modified example 2. As shown in FIG. 22, according to the configuration of the present modification 2, it is possible to provide isolation of 76 dB or more at the target frequency. The broken line in FIG. 22 shows the passing characteristics of the embodiment. As can be seen by comparing the broken line and the solid line, in the configuration of the embodiment, in the target frequency band of 755 to 765 MHz, the passing characteristics change sharply according to the frequency. The above isolation may not be obtained. Therefore, in actual manufacturing, high accuracy is required as the accuracy of the length and arrangement of each member.

対して、本変形例2の構成では、対象周波数帯である755〜765MHzにおいて、通過特性の周波数に応じた変化量が緩やかである。故に、部材の位置ズレ等によって、設計上のアイソレーションが得られない恐れは相対的に小さい。すなわち、本変形例2において素子長La及び寄生素子長Leを1.5λに設定した構成によれば、製造過程における位置精度等の難しさを緩和することができる。 On the other hand, in the configuration of the present modification 2, in the target frequency band of 755 to 765 MHz, the amount of change of the passing characteristic according to the frequency is gradual. Therefore, there is a relatively small risk that design isolation cannot be obtained due to misalignment of the members or the like. That is, according to the configuration in which the element length La and the parasitic element length Le are set to 1.5λ in the present modification 2, the difficulty of position accuracy and the like in the manufacturing process can be alleviated.

さらに、本変形例2の構成によれば、直線状寄生素子7を配置することにより、離隔距離αを相対的に小さい値に設定しても十分なアイソレーションを実現できる。具体的には、離隔距離αを、実施形態での離隔距離の30分の1程度に設定しても76dB以上のアイソレーションを実現できる。換言すれば、共振構造体3を形成する上側素子31と下側素子32の中間に直線状寄生素子7を配置することにより、共振構造体3の高さを抑制することができる。 Further, according to the configuration of the present modification 2, by arranging the linear parasitic element 7, sufficient isolation can be realized even if the separation distance α is set to a relatively small value. Specifically, even if the separation distance α is set to about 1/30 of the separation distance in the embodiment, isolation of 76 dB or more can be realized. In other words, the height of the resonance structure 3 can be suppressed by arranging the linear parasitic element 7 between the upper element 31 and the lower element 32 forming the resonance structure 3.

また、変形例2の構成において素子長Laを1.4λ、寄生素子長Leを1.5λに設定した場合の通過特性をシミュレーションした結果を図23に示す。図23に示すように上記設定によれば、対象周波数帯である755〜765MHzにおいて85dB以上のアイソレーションを確保できる。また、対象周波数においては100dBのアイソレーションを実現できる。なお、図23中の破線は、実施形態の通過特性を示すものである。 Further, FIG. 23 shows the result of simulating the passing characteristics when the element length La is set to 1.4λ and the parasitic element length Le is set to 1.5λ in the configuration of the second modification. As shown in FIG. 23, according to the above settings, isolation of 85 dB or more can be secured in the target frequency band of 755 to 765 MHz. In addition, 100 dB of isolation can be realized at the target frequency. The broken line in FIG. 23 shows the passing characteristics of the embodiment.

なお、図24に示すように、アンテナ装置10を所定の構造物8に固定するための取付冶具7aの一部を直線状寄生素子7として援用しても良い。このような構成によれば、部品点数を削減することができる。なお、図中の破線は、アンテナ装置10のレドーム9の概略的な形状の一例を表している。 As shown in FIG. 24, a part of the mounting jig 7a for fixing the antenna device 10 to the predetermined structure 8 may be used as the linear parasitic element 7. According to such a configuration, the number of parts can be reduced. The broken line in the figure represents an example of the schematic shape of the radome 9 of the antenna device 10.

[変形例3]
変形例2では図21を用いて説明したように上側素子31、直線状寄生素子7、下側素子32を60°ずつずらして配置した構成を開示したが、変形例2の実施態様はこれに限らない。図25に示すように、上側素子31、直線状寄生素子7、下側素子32を45°ずつずらして配置しても良い。なお、そのような構成は、上側素子31と下側素子32と上面視において直角となる姿勢で配置し、その間に直線状寄生素子7を上側素子31及び下側素子32のそれぞれとなす角度が等しくなるように配置した構成に相当する。
[Modification 3]
In the second modification, as described with reference to FIG. 21, the configuration in which the upper element 31, the linear parasitic element 7, and the lower element 32 are arranged so as to be offset by 60 ° is disclosed. Not exclusively. As shown in FIG. 25, the upper element 31, the linear parasitic element 7, and the lower element 32 may be arranged so as to be offset by 45 °. In such a configuration, the upper element 31 and the lower element 32 are arranged at right angles in the upper view, and the angle between the linear parasitic element 7 and the upper element 31 and the lower element 32 is set between them. Corresponds to the configuration arranged so as to be equal.

上記の設定において離隔距離αの値を変えてシミュレーションした結果、α=0.6に設定することにより、図26に示すように対象周波数帯において72〜80dBのアイソレーションを実現することができる。なお、離隔距離αを様々な値に変更してシミュレーションした結果、変形例3の構成で70dB以上のアイソレーションを実現するためには離隔距離αを約0.6λに設定する必要があるという知見を得た。故に、共振構造体3自体の高さを抑制するという観点では変形例2のように、上側素子31、直線状寄生素子7、下側素子32を60°ずつずらして配置することが好ましい。 As a result of simulating by changing the value of the separation distance α in the above setting, by setting α = 0.6, isolation of 72 to 80 dB can be realized in the target frequency band as shown in FIG. 26. As a result of simulating by changing the separation distance α to various values, it was found that the separation distance α needs to be set to about 0.6λ in order to realize isolation of 70 dB or more in the configuration of the modified example 3. Got Therefore, from the viewpoint of suppressing the height of the resonance structure 3 itself, it is preferable to arrange the upper element 31, the linear parasitic element 7, and the lower element 32 by shifting them by 60 °, as in the second modification.

[変形例4]
変形例2では、装置中心点Cに直線状寄生素子7を配置する構成を開示したが、これに限らない。図27に示すように上側素子31と下側素子32とを上面視において十字型となるように配置した構成において、直線状寄生素子7の代わりに装置中心点Cに十字型寄生素子4を配置しても良い。
[Modification example 4]
In the second modification, the configuration in which the linear parasitic element 7 is arranged at the center point C of the device is disclosed, but the present invention is not limited to this. As shown in FIG. 27, in a configuration in which the upper element 31 and the lower element 32 are arranged in a cross shape in a top view, the cross-shaped parasitic element 4 is arranged at the device center point C instead of the linear parasitic element 7. You may.

十字型寄生素子4は、上側素子31及び下側素子32のそれぞれと対向する姿勢(換言すれば上面視で重なる姿勢)で配置される。十字型寄生素子4の中心から端部までの長さ(以降、寄生半長)Lbは素子長Laの半分の長さに応じて適宜設定されればよく、ここでは一例としてLb=La/2に設定されているものとする。寄生半長Lbは素子長Laの半分を基準として適宜微調整されるべきパラメータである。 The cross-shaped parasitic element 4 is arranged in a posture facing each of the upper element 31 and the lower element 32 (in other words, a posture in which they overlap in a top view). The length Lb from the center to the end of the cross-shaped parasitic element 4 (hereinafter, the parasitic half length) Lb may be appropriately set according to the half length of the element length La, and here, as an example, Lb = La / 2 It is assumed that it is set to. The parasitic half-length Lb is a parameter that should be fine-tuned appropriately with reference to half of the element length La.

そのような構成によっても図28に示すように相対的に高いアイソレーションを実現することができる。すなわち、対象周波数帯において83dB以上のアイソレーションを実現できる。なお、図28は、離隔距離α=0.1λ、素子長La=1.5λに設定した場合の通過特性をシミュレーションした結果を示す図である。 Even with such a configuration, relatively high isolation can be realized as shown in FIG. 28. That is, isolation of 83 dB or more can be realized in the target frequency band. Note that FIG. 28 is a diagram showing the results of simulating the passing characteristics when the separation distance α = 0.1λ and the element length La = 1.5λ are set.

ところで、発明者らは種々の試験の結果、寄生半長Lbを素子長Laの半分よりも僅かに(例えば0.02λほど)長く設定した場合には、より一層アイソレーションを高めることができるといった知見を得た。故に、変形例4の構成においては、寄生半長Lbを素子長Laの半分よりも僅かに長く設定することが好ましい。 By the way, as a result of various tests, the inventors have stated that when the parasitic half-length Lb is set to be slightly longer than half of the element length La (for example, about 0.02λ), the isolation can be further enhanced. I got the knowledge. Therefore, in the configuration of the modified example 4, it is preferable to set the parasitic half-length Lb to be slightly longer than half of the element length La.

[変形例5]
上述した実施形態では上側素子31及び下側素子32を直線状に形成した構成を開示したがこれに限らない。図29に示すように上側素子31及び下側素子32は、十字型に形成されていても良い。ここでは十字型に形成されている上側素子31及び下側素子32とを備えるアンテナ装置10の実施態様を変形例5として説明する。
[Modification 5]
In the above-described embodiment, the configuration in which the upper element 31 and the lower element 32 are formed in a straight line is disclosed, but the present invention is not limited to this. As shown in FIG. 29, the upper element 31 and the lower element 32 may be formed in a cross shape. Here, an embodiment of the antenna device 10 including the upper element 31 and the lower element 32 formed in a cross shape will be described as a modification 5.

変形例5の上側素子31及び下側素子32は何れも、中心から各端部までの長さが共振長に設定されている。一端から反対側の端部までの長さが前述の素子長Laに相当する。素子長Laの具体的な値は、1λを基準として所望のアイソレーションが得られるように調整されればよく、ここでは一例として1.5λに設定されている。そのような設定は、中心から端部までの長さ(つまりLa/2)を0.75λに設定した構成に相当する。つまり、共振長として0.75λを採用した構成に相当する。 In each of the upper element 31 and the lower element 32 of the modified example 5, the length from the center to each end is set to the resonance length. The length from one end to the opposite end corresponds to the above-mentioned element length La. The specific value of the element length La may be adjusted so that a desired isolation can be obtained with reference to 1λ, and here, it is set to 1.5λ as an example. Such a setting corresponds to a configuration in which the length from the center to the end (that is, La / 2) is set to 0.75λ. That is, it corresponds to a configuration in which 0.75λ is adopted as the resonance length.

上側素子31と下側素子32とは互いに対向する姿勢で配置されている。離隔距離αは適宜調整されればよく、ここでは一例として0.04λに設定されているものとする。これにより、上側素子31と下側素子32との離隔は0.08λとなる。 The upper element 31 and the lower element 32 are arranged so as to face each other. The separation distance α may be adjusted as appropriate, and here, it is assumed that it is set to 0.04λ as an example. As a result, the separation between the upper element 31 and the lower element 32 becomes 0.08λ.

図30は本変形例5の通過特性をシミュレーションした結果を示す図である。図30に示すように本変形例5の構成によれば、対象周波数体において76〜78dB以上のアイソレーションを提供することができる。また、本変形例5の構成によれば、離隔距離αを相対的に小さい値(例えば0.1λ以下の値)に設定しても、十分なアイソレーションを実現することができる。 FIG. 30 is a diagram showing the result of simulating the passing characteristics of the present modification 5. As shown in FIG. 30, according to the configuration of the present modification 5, it is possible to provide isolation of 76 to 78 dB or more in the target frequency body. Further, according to the configuration of the present modification 5, sufficient isolation can be realized even if the separation distance α is set to a relatively small value (for example, a value of 0.1λ or less).

なお、ここでは一例として、上側素子31と下側素子32とを対向するように(換言すれば上面視において重なり合うように)配置した構成を開示したがこれに限らない。下側素子32は上側素子31を装置軸Ax周りに所定の角度(例えば45°)回転させた姿勢で配置されていてもよい。また、共振素子が十字型に形成されている共振構造体3を変形例1で述べたように複数配置してもよい。 Here, as an example, a configuration in which the upper element 31 and the lower element 32 are arranged so as to face each other (in other words, to overlap each other in the top view) is disclosed, but the present invention is not limited to this. The lower element 32 may be arranged in a posture in which the upper element 31 is rotated by a predetermined angle (for example, 45 °) around the device axis Ax. Further, a plurality of resonance structures 3 in which the resonance elements are formed in a cross shape may be arranged as described in the first modification.

[変形例6]
直線状の共振素子には、図31に示すように、中心を介して対称な位置に所定のリアクタンスを提供するリアクタンス素子39が配置(換言すれば装荷)されていてもよい。リアクタンス素子39としては、コイル、キャパシタ、ギャップ構造、ミアンダ状に形成された配線パターン等を採用することができる。中心からリアクタンス素子39までの距離や、リアクタンス素子39が提供するリアクタンスは、適宜設計されれば良い。このように中心を介して対称な位置にリアクタンス素子39を装荷することで対象波長を電気的に短縮することができ、より一層各部材を小型化することができる。
[Modification 6]
As shown in FIG. 31, the linear resonance element may be provided with a reactance element 39 (in other words, loaded) that provides a predetermined reactance at symmetrical positions with respect to the center. As the reactance element 39, a coil, a capacitor, a gap structure, a wiring pattern formed in a meander shape, or the like can be adopted. The distance from the center to the reactance element 39 and the reactance provided by the reactance element 39 may be appropriately designed. By loading the reactance element 39 at symmetrical positions with respect to the center in this way, the target wavelength can be electrically shortened, and each member can be further miniaturized.

なお、十字型の共振素子にも同様に、中心を介して対称な位置にリアクタンス素子39が配置(換言すれば装荷)されていてもよい。また、直線状寄生素子7や十字型寄生素子4等にも同様に、中心を介して対称な位置にリアクタンス素子39が配置(換言すれば装荷)されていてもよい。 Similarly, the reactance element 39 may be arranged (in other words, loaded) at a symmetrical position with respect to the cross-shaped resonance element. Similarly, the reactance elements 39 may be arranged (in other words, loaded) at symmetrical positions with respect to the center of the linear parasitic element 7, the cross-shaped parasitic element 4, and the like.

[変形例7]
以上では、第1アンテナ1、第2アンテナ2をダイポールアンテナとする構成を開示したが、これに限らない。例えば、パッチアンテナや逆F型アンテナであってもよい。各アンテナは、装置軸Axに対して直交する方向に指向性を有するように配置されていることが好ましい。
[Modification 7]
In the above, the configuration in which the first antenna 1 and the second antenna 2 are dipole antennas has been disclosed, but the present invention is not limited to this. For example, it may be a patch antenna or an inverted F type antenna. It is preferable that each antenna is arranged so as to have directivity in a direction orthogonal to the device axis Ax.

[変形例8]
以上では第1アンテナを送信用アンテナとし、第2アンテナを受信用アンテナとして用いる態様を開示したがこれに限らない。第1アンテナを受信用アンテナとし、第2アンテナを送信用アンテナとしてもよい。また、第1アンテナと第2アンテナの両方を送信用アンテナとしてもよいし、受信用アンテナとしてもよい。第1アンテナ及び第2アンテナのそれぞれの役割(送信/受信)の役割は適宜設計されれば良い。また、スイッチ等を用いて送受信の役割が動的に変更されるように構成されていても良い。
[Modification 8]
In the above, the mode in which the first antenna is used as the transmitting antenna and the second antenna is used as the receiving antenna has been disclosed, but the present invention is not limited to this. The first antenna may be a receiving antenna and the second antenna may be a transmitting antenna. Further, both the first antenna and the second antenna may be used as a transmitting antenna or a receiving antenna. The roles of the first antenna and the second antenna (transmission / reception) may be appropriately designed. Further, the role of transmission / reception may be dynamically changed by using a switch or the like.

10 アンテナ装置、1 第1アンテナ、2 第2アンテナ、3 共振構造体、3A 第1共振構造体、3B 第2共振構造体、4 十字型寄生素子、5 六星状寄生素子、6 八星状寄生素子、7 直線状寄生素子、9 レドーム、31 上側素子(第1共振素子)、31A 第1上側素子、31B 第2上側素子、32 下側素子(第2共振素子)、32A 第1下側素子、32B 第2下側素子、Ax 装置軸、C 装置中心点、Pc 基準面、α・β 離隔距離 10 Antenna device, 1 1st antenna, 2nd antenna, 3 Resonant structure, 3A 1st resonance structure, 3B 2nd resonance structure, 4 Cross-shaped parasitic element, 5 Six-star parasitic element, 6 Eight-star Parasitic element, 7 Linear parasitic element, 9 Redome, 31 Upper element (1st resonant element), 31A 1st upper element, 31B 2nd upper element, 32 Lower element (2nd resonant element), 32A 1st lower side Element, 32B second lower element, Ax device axis, C device center point, Pc reference plane, α / β separation distance

Claims (12)

所定の周波数の電波を送信又は受信するための、所定の直線である装置軸(Ax)に沿うように配置された線状導体である第1アンテナ(1)と、
前記電波を送信又は受信するための、前記第1アンテナと所定の間隔をおいて前記装置軸に沿うように配置された線状導体である第2アンテナ(2)と、
前記第1アンテナと前記第2アンテナとの間に配置されている少なくとも1つの共振構造体(3、3A、3B)と、を備え、
前記共振構造体は、
直線状に形成された導体部材である第1共振素子(31)及び第2共振素子(32)を備え、
前記第1共振素子は、一端から他端までの中間に位置する点を当該第1共振素子の中心として備え、
前記第2共振素子は、一端から他端までの中間に位置する点を当該第2共振素子の中心として備え、
前記第1共振素子は、前記装置軸上において、前記第1アンテナと前記第2アンテナのそれぞれから距離が等しい点である装置中心点よりも所定の離隔距離、前記第1アンテナ側となる位置に、前記第1共振素子の中心が位置し、かつ、前記装置軸と直交する姿勢で配置されており、
前記第2共振素子は、前記装置中心点よりも前記離隔距離、前記第2アンテナ側となる位置に前記第2共振素子の中心が位置しかつ、前記第1共振素子を前記装置軸周りに0°よりも大きい所定の角度回転させた姿勢で配置されており、
前記第1共振素子及び前記第2共振素子は何れも、中心から各端部までの長さが、前記周波数で共振する長さである共振長に設定されていることを特徴とするアンテナ装置。
A first antenna (1), which is a linear conductor arranged along a predetermined straight line device axis (Ax) for transmitting or receiving radio waves of a predetermined frequency, and
A second antenna (2), which is a linear conductor arranged along the device axis at a predetermined distance from the first antenna for transmitting or receiving the radio wave,
It comprises at least one resonant structure (3, 3A, 3B) disposed between the first antenna and the second antenna.
The resonance structure is
A first resonance element (31) and a second resonance element (32), which are linearly formed conductor members, are provided.
The first resonance element includes a point located in the middle from one end to the other end as the center of the first resonance element.
The second resonance element includes a point located in the middle from one end to the other end as the center of the second resonance element.
Said first resonance element, on the device axis, the first antenna and a predetermined distance than the distance a point is equal device center point from each of said second antenna, the position at which the first antenna side , The center of the first resonant element is located, and the first resonant element is arranged in a posture orthogonal to the device axis.
In the second resonance element, the center of the second resonance element is located at a position closer to the second antenna at a distance from the center point of the device, and the first resonance element is placed around the device axis. It is arranged in a posture rotated by a predetermined angle larger than 0 °.
The antenna device is characterized in that both the first resonance element and the second resonance element are set so that the length from the center to each end is set to the resonance length which is the length of resonance at the frequency.
所定の周波数の電波を送信又は受信するための、所定の直線である装置軸(Ax)に沿うように配置されたダイポールアンテナである第1アンテナ(1)と、
前記電波を送信又は受信するための、前記第1アンテナとは別のダイポールアンテナであって前記装置軸に沿うように配置されている第2アンテナ(2)と、
前記第1アンテナと前記第2アンテナとの間に配置されている少なくとも1つの共振構造体(3、3A、3B)と、を備え、
前記第1アンテナ及び前記第2アンテナはそれぞれ、給電点が前記装置軸上において所定の間隔(Lx)を有するように配置されており、
前記共振構造体は、
直線状に形成された導体部材である第1共振素子(31)及び第2共振素子(32)を備え、
前記第1共振素子は、一端から他端までの中間に位置する点を当該第1共振素子の中心として備え、
前記第2共振素子は、一端から他端までの中間に位置する点を当該第2共振素子の中心として備え、
前記第1共振素子は、前記装置軸上において前記第1アンテナと前記第2アンテナのそれぞれの前記給電点から距離が等しい点である装置中心点(C)よりも所定の離隔距離、前記第1アンテナ側となる位置に、前記第1共振素子の中心が位置し、かつ、前記装置軸と直交する姿勢で配置されており、
前記第2共振素子は、前記装置中心点よりも前記離隔距離、前記第2アンテナ側となる位置に前記第2共振素子の中心が位置しかつ、前記第1共振素子を前記装置軸周りに0°よりも大きい所定の角度回転させた姿勢で配置されており、
前記第1共振素子及び前記第2共振素子は何れも、中心から各端部までの長さが、前記周波数で共振する長さである共振長に設定されていることを特徴とするアンテナ装置。
A first antenna (1), which is a dipole antenna arranged along a device axis (Ax) which is a predetermined straight line for transmitting or receiving radio waves of a predetermined frequency, and
A second antenna (2), which is a dipole antenna different from the first antenna for transmitting or receiving the radio wave and is arranged along the device axis,
It comprises at least one resonant structure (3, 3A, 3B) disposed between the first antenna and the second antenna.
The first antenna and the second antenna are arranged so that the feeding points have a predetermined interval (Lx) on the device axis.
The resonance structure is
A first resonance element (31) and a second resonance element (32), which are linearly formed conductor members, are provided.
The first resonance element includes a point located in the middle from one end to the other end as the center of the first resonance element.
The second resonance element includes a point located in the middle from one end to the other end as the center of the second resonance element.
It said first resonance element, on the device axis, the first antenna and the second in that the distance is equal from each of the feeding points is device center point of the antenna (C) a predetermined distance than the first the first antenna side and a position, and the center position of the first resonance element, and are disposed in a posture perpendicular to the device axis,
In the second resonance element, the center of the second resonance element is located at a position closer to the second antenna at a distance from the center point of the device, and the first resonance element is placed around the device axis. It is arranged in a posture rotated by a predetermined angle larger than 0 °.
The antenna device is characterized in that both the first resonance element and the second resonance element are set so that the length from the center to each end is set to the resonance length which is the length of resonance at the frequency.
請求項1又は2に記載のアンテナ装置であって、
直線状又は十字型導体部材である寄生素子(4、7)を備え、
前記寄生素子は、その中心から各端部までの長さが前記共振長に形成されており、
前記寄生素子は、当該寄生素子の中心が前記装置中心点に位置し、かつ、前記装置軸と直交する姿勢で配置されていることを特徴とするアンテナ装置。
The antenna device according to claim 1 or 2.
Comprising a parasitic element is a conductor member of a linear or cross-shaped (4, 7),
The length from the center to each end of the parasitic element is formed as the resonance length.
The parasitic element is an antenna device in which the center of the parasitic element is located at the center point of the device and is arranged in a posture orthogonal to the device axis.
請求項に記載のアンテナ装置であって、
前記第1共振素子、前記第2共振素子、及び前記寄生素子は何れも、直線状の導体部材であって、全長が前記共振長の2倍に設定されており、
前記寄生素子は前記第1共振素子を前記装置軸周りに60°回転させた姿勢で配置されており、
前記第2共振素子は前記第1共振素子を前記装置軸周りに120°回転させた姿勢で配置されていることを特徴とするアンテナ装置。
The antenna device according to claim 3.
Wherein the first resonant element, said second resonance element, and both the parasitic element is a conductive member of straight linear, the overall length is set to 2 times the resonant length,
The parasitic element is arranged in a posture in which the first resonance element is rotated by 60 ° around the device axis.
The second resonance element is an antenna device characterized in that the first resonance element is arranged in a posture of being rotated by 120 ° around the device axis.
請求項に記載のアンテナ装置であって、
前記第1共振素子及び前記第2共振素子は、全長が前記共振長の2倍の長さに設定された直線状の導体部材であり、
前記寄生素子は、十字型の導体部材であって、その中心から各端部までの長さは何れも前記共振長に形成されており、
前記第2共振素子は、前記第1共振素子を前記装置軸周りに90°回転させた姿勢で配置されており、
前記寄生素子は、前記第1共振素子及び前記第2共振素子のそれぞれと対向する姿勢で配置されていることを特徴とするアンテナ装置。
The antenna device according to claim 3.
The first resonance element and the second resonance element are linear conductor members whose total length is set to twice the resonance length.
The parasitic element is a conductive member in the shape of a cross, and is formed in the resonant length Any length from each end from the center,
The second resonance element is arranged in a posture in which the first resonance element is rotated by 90 ° around the device axis.
The antenna device is characterized in that the parasitic element is arranged in a posture facing each of the first resonance element and the second resonance element.
請求項3から5の何れか1項に記載のアンテナ装置であって、
前記寄生素子には、中心に対して対称な位置に所定のリアクタンスを提供するリアクタンス素子が装荷されていることを特徴とするアンテナ装置。
The antenna device according to any one of claims 3 to 5.
An antenna device characterized in that the parasitic element is loaded with a reactance element that provides a predetermined reactance at a position symmetrical with respect to the center.
請求項1又は2に記載のアンテナ装置であって、
前記共振構造体として、第1共振構造体と、第2共振構造体と、を備え、
前記第2共振構造体が備える前記第1共振素子及び前記第2共振素子は、前記第1共振構造体を挟み込むように配置されており、
前記第1共振構造体が備える前記第1共振素子は、前記第2共振構造体が備える前記第1共振素子を前記装置軸周りに90°回転させた姿勢で配置されており、
前記第1共振構造体が備える前記第2共振素子は、当該第1共振構造体が備える前記第1共振素子を前記装置軸周りに90°回転させた姿勢で配置されており、
前記第2共振構造体が備える前記第2共振素子は、当該第2共振構造体が備える前記第1共振素子を前記装置軸周りに90°回転させた姿勢で配置されていることを特徴とするアンテナ装置。
The antenna device according to claim 1 or 2.
As the resonance structure, a first resonance structure and a second resonance structure are provided.
The first resonance element and the second resonance element included in the second resonance structure are arranged so as to sandwich the first resonance structure.
The first resonance element included in the first resonance structure is arranged in a posture in which the first resonance element included in the second resonance structure is rotated by 90 ° around the device axis.
The second resonance element included in the first resonance structure is arranged in a posture in which the first resonance element included in the first resonance structure is rotated by 90 ° around the device axis.
The second resonance element included in the second resonance structure is characterized in that the first resonance element included in the second resonance structure is arranged in a posture of being rotated by 90 ° around the device axis. Antenna device.
所定の周波数の電波を送信又は受信するための、所定の直線である装置軸(Ax)に沿って配置されている線状導体である第1アンテナ(1)と、
前記電波を送信又は受信するための、前記第1アンテナと所定の間隔をおいて前記装置軸に沿う姿勢で配置されている線状導体である第2アンテナ(2)と、
前記第1アンテナと前記第2アンテナとの間に配置されている少なくとも1つの共振構造体(3)と、を備え、
前記共振構造体は、
十字型に形成された導体部材である第1共振素子(31)及び第2共振素子(32)を備え、
前記第1共振素子は、前記装置軸上において、前記第1アンテナと前記第2アンテナのそれぞれから距離が等しい点である装置中心点よりも所定の離隔距離、前記第1アンテナ側となる点に前記第1共振素子の中心が位置し、かつ、前記装置軸と直交する姿勢で配置されており、
前記第2共振素子は、前記装置中心点よりも前記離隔距離、前記第2アンテナ側となる点に前記第2共振素子の中心が位置し、且つ、前記装置軸と直交する姿勢で配置されており、
前記第1共振素子及び前記第2共振素子は両方とも、その中心から各端部までの長さが、前記周波数で共振する長さである共振長に設定されていることを特徴とするアンテナ装置。
A first antenna (1), which is a linear conductor arranged along a device axis (Ax) which is a predetermined straight line for transmitting or receiving radio waves of a predetermined frequency, and
A second antenna (2), which is a linear conductor arranged along the device axis at a predetermined distance from the first antenna for transmitting or receiving the radio wave, and a second antenna (2).
A resonance structure (3) arranged between the first antenna and the second antenna is provided.
The resonance structure is
A first resonance element (31) and a second resonance element (32), which are conductor members formed in a cross shape, are provided.
The first resonance element is located on the device axis at a predetermined distance from the center point of the device, which is a point where the distances from the first antenna and the second antenna are equal to each other, on the side of the first antenna. The center of the first resonant element is located and is arranged in a posture orthogonal to the device axis.
The second resonance element is arranged so that the center of the second resonance element is located at a distance closer to the second antenna than the center point of the device and is orthogonal to the device axis. Orthogonal
Both the first resonance element and the second resonance element are antenna devices in which the length from the center to each end thereof is set to a resonance length which is a length that resonates at the frequency. ..
所定の周波数の電波を送信又は受信するための、所定の直線である装置軸(Ax)に沿うように配置されたダイポールアンテナである第1アンテナ(1)と、
前記電波を送信又は受信するための、前記第1アンテナとは別のダイポールアンテナであって前記装置軸に沿うように配置されている第2アンテナ(2)と、
前記第1アンテナと前記第2アンテナとの間に配置されている少なくとも1つの共振構造体(3、3A、3B)と、を備え、
前記第1アンテナ及び前記第2アンテナはそれぞれ、給電点が前記装置軸上において所定の間隔(Lx)を有するように配置されており、
前記共振構造体は、
十字型に形成された導体部材である第1共振素子(31)及び第2共振素子(32)を備え、
前記第1共振素子は、前記装置軸上において、前記第1アンテナと前記第2アンテナのそれぞれから距離が等しい点である装置中心点よりも所定の離隔距離、前記第1アンテナ側となる点に前記第1共振素子の中心が位置し、かつ、前記装置軸と直交する姿勢で配置されており、
前記第2共振素子は、前記装置中心点よりも前記離隔距離、前記第2アンテナ側となる点に前記第2共振素子の中心が位置し、且つ、前記装置軸と直交する姿勢で配置されており、
前記第1共振素子及び前記第2共振素子は両方とも、その中心から各端部までの長さが、前記周波数で共振する長さである共振長に設定されていることを特徴とするアンテナ装置。
A first antenna (1), which is a dipole antenna arranged along a device axis (Ax) which is a predetermined straight line for transmitting or receiving radio waves of a predetermined frequency, and
A second antenna (2), which is a dipole antenna different from the first antenna for transmitting or receiving the radio wave and is arranged along the device axis,
It comprises at least one resonant structure (3, 3A, 3B) disposed between the first antenna and the second antenna.
The first antenna and the second antenna are arranged so that the feeding points have a predetermined interval (Lx) on the device axis.
The resonance structure is
A first resonance element (31) and a second resonance element (32), which are conductor members formed in a cross shape, are provided.
The first resonance element is located on the device axis at a predetermined distance from the center point of the device, which is a point where the distances from the first antenna and the second antenna are equal to each other, on the side of the first antenna. The center of the first resonant element is located and is arranged in a posture orthogonal to the device axis.
The second resonance element is arranged so that the center of the second resonance element is located at a distance closer to the second antenna than the center point of the device and is orthogonal to the device axis. Orthogonal
Both the first resonance element and the second resonance element are antenna devices in which the length from the center to each end thereof is set to a resonance length which is a length that resonates at the frequency. ..
請求項8又は9に記載のアンテナ装置であって、
前記第1共振素子と前記第2共振素子は互いに対向する姿勢で配置されていることを特徴とするアンテナ装置。
The antenna device according to claim 8 or 9.
An antenna device characterized in that the first resonance element and the second resonance element are arranged in a posture facing each other.
請求項1から10の何れか1項に記載のアンテナ装置であって、
前記共振長として、前記第1共振素子及び前記第2共振素子のそれぞれの中心から各端部までの長さは、電気的に前記電波の波長の0.5倍から0.76倍までの何れかに該当する長さに設定されていることを特徴とするアンテナ装置。
The antenna device according to any one of claims 1 to 10.
As the resonance length, the length from the center to each end of each of the first resonance element and the second resonance element is electrically any of 0.5 times to 0.76 times the wavelength of the radio wave. An antenna device characterized in that it is set to a length corresponding to the resonance.
請求項1から11の何れか1項に記載のアンテナ装置であって、
前記第1共振素子及び前記第2共振素子のそれぞれには、中心に対して対称な位置に、所定のリアクタンスを提供するリアクタンス素子(39)が装荷されていることを特徴とするアンテナ装置。
The antenna device according to any one of claims 1 to 11.
An antenna device characterized in that each of the first resonance element and the second resonance element is loaded with a reactance element (39) that provides a predetermined reactance at a position symmetrical with respect to the center.
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