JP6928437B2 - Manufacturing method of sealed optical semiconductor device - Google Patents
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Description
本発明は、封止光半導体素子の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a sealed optical semiconductor device.
従来、複数のLEDを蛍光体層などの被覆層で被覆して被覆LEDを作製することが知られている。 Conventionally, it is known that a plurality of LEDs are coated with a coating layer such as a phosphor layer to produce a coated LED.
例えば、硬質の支持板を備える支持シートを用意し、半導体素子を支持シートの上面に配置し、封止層で半導体素子を被覆し、その後、封止層を半導体素子に対応して切断する方法が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。 For example, a method of preparing a support sheet provided with a hard support plate, arranging the semiconductor element on the upper surface of the support sheet, covering the semiconductor element with a sealing layer, and then cutting the sealing layer corresponding to the semiconductor element. Has been proposed (see, for example, Patent Document 1).
特許文献1では、支持板には、基準マークが設けられており、この基準マークを基準として封止層を切断している。
In
しかるに、支持板を再利用したい場合がある。しかし、支持板にはマークが設けられているので、そのような支持板を再利用することができないという不具合がある。 However, there are times when you want to reuse the support plate. However, since the support plate is provided with a mark, there is a problem that such a support plate cannot be reused.
さらに、支持板は硬質であるので、マークを設けることが容易でないという不具合もある。 Further, since the support plate is hard, there is a problem that it is not easy to provide a mark.
本発明の目的は、キャリアを再利用でき、かつ、支持層にアライメントマークを容易に形成することのできる、封止光半導体素子の製造方法を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a sealed optical semiconductor device, which can reuse carriers and easily form an alignment mark on a support layer.
本発明[1]は、硬質のキャリア、前記キャリアに支持され、合成樹脂からなる支持層、および、前記支持層に支持される固定層を備える仮固定部材を用意する工程(1)と、複数の光半導体素子が整列配置される素子集合体を前記固定層に仮固定する工程(2)と、前記工程(2)の後に、封止層によって複数の前記光半導体素子を被覆して、前記素子集合体および前記封止層を備える封止素子集合体を得る工程(3)と、前記工程(3)の後に、前記封止光半導体素子を個片化するように、前記封止層を切断する工程(4)と、前記工程(4)の後に、前記封止素子集合体を前記固定層から剥離する工程(5)とを備え、前記支持層には、アライメントマークが設けられ、前記工程(2)では、前記アライメントマークを基準にして、前記素子集合体を前記固定層に仮固定し、および/または、前記工程(4)では、前記アライメントマークを基準にして、前記封止層を切断することを特徴とする、封止光半導体素子の製造方法である。 The present invention [1] includes a plurality of steps (1) of preparing a temporary fixing member including a hard carrier, a support layer supported by the carrier and made of a synthetic resin, and a fixing layer supported by the support layer. After the step (2) of temporarily fixing the element aggregate in which the optical semiconductor elements of the above are aligned and arranged to the fixed layer and the step (2), a plurality of the optical semiconductor elements are coated with a sealing layer to obtain the above-mentioned After the step (3) of obtaining the element assembly and the sealing element assembly including the sealing layer and the step (3), the sealing layer is formed so as to individualize the sealing optical semiconductor element. A step (4) for cutting and a step (5) for peeling the sealing element assembly from the fixed layer after the step (4) are provided, and an alignment mark is provided on the support layer, and the support layer is provided with the alignment mark. In the step (2), the element assembly is temporarily fixed to the fixed layer with reference to the alignment mark, and / or, in the step (4), the sealing layer is referred to from the alignment mark. This is a method for manufacturing a sealed optical semiconductor device, which is characterized by cutting.
この方法によれば、硬質のキャリアではなく、合成樹脂からなる支持層に、アライメントマークを設けるので、キャリアを支持層から分離すれば、キャリアを再利用することができる。 According to this method, since the alignment mark is provided on the support layer made of synthetic resin instead of the hard carrier, the carrier can be reused if the carrier is separated from the support layer.
また、合成樹脂からなる支持層に、アライメントマークが設けられるので、アライメントマークを支持層に容易に形成することができる。 Further, since the alignment mark is provided on the support layer made of synthetic resin, the alignment mark can be easily formed on the support layer.
本発明[2]は、硬質のキャリア、前記キャリアに支持され、合成樹脂からなる支持層、前記支持層に支持される固定層、および、前記キャリアに支持されるマーク層を備える仮固定部材を用意する工程(1)と、複数の光半導体素子が整列配置される素子集合体を前記固定層に仮固定する工程(2)と、前記工程(2)の後に、封止層によって複数の前記光半導体素子を被覆して、前記素子集合体および前記封止層を備える封止素子集合体を得る工程(3)と、前記工程(3)の後に、前記封止光半導体素子を個片化するように、前記封止層を切断する工程(4)と、前記工程(4)の後に、前記封止素子集合体を前記固定層から剥離する工程(5)とを備え、前記マーク層には、アライメントマークが設けられ、前記工程(2)では、前記アライメントマークを基準にして、前記素子集合体を前記固定層に仮固定し、および/または、前記工程(4)では、前記アライメントマークを基準にして、前記封止層を切断することを特徴とする、封止光半導体素子の製造方法である。 The present invention [2] comprises a temporary fixing member including a hard carrier, a support layer supported by the carrier and made of a synthetic resin, a fixing layer supported by the support layer, and a mark layer supported by the carrier. After the step (1) of preparing, the step (2) of temporarily fixing the element aggregate in which a plurality of optical semiconductor elements are aligned and arranged to the fixed layer, and the step (2), the plurality of said devices are provided by a sealing layer. After the step (3) of coating the optical semiconductor element to obtain the element assembly and the sealing element assembly including the sealing layer, and the step (3), the sealing optical semiconductor element is fragmented. The mark layer is provided with a step (4) of cutting the sealing layer and a step (5) of peeling the sealing element aggregate from the fixed layer after the step (4). Is provided with an alignment mark, and in the step (2), the element assembly is temporarily fixed to the fixed layer with reference to the alignment mark, and / or, in the step (4), the alignment mark is provided. This is a method for manufacturing a sealed optical semiconductor device, which comprises cutting the sealing layer with reference to the above.
この方法によれば、硬質のキャリアではなく、マーク層に、アライメントマークを設けるので、キャリアをマーク層から分離すれば、キャリアを再利用することができる。 According to this method, since the alignment mark is provided on the mark layer instead of the hard carrier, the carrier can be reused if the carrier is separated from the mark layer.
また、アライメントマークを支持層に容易に形成することができる。 In addition, the alignment mark can be easily formed on the support layer.
本発明[3]は、硬質のキャリア、前記キャリアに支持され、合成樹脂からなる支持層、および、前記支持層に支持される固定層を備える仮固定部材を用意する工程(1)と、複数の光半導体素子が整列配置される素子集合体を前記固定層に仮固定する工程(2)と、前記工程(2)の後に、封止層によって複数の前記光半導体素子を被覆して、前記素子集合体および前記封止層を備える封止素子集合体を得る工程(3)と、前記工程(3)の後に、前記封止素子集合体を前記固定層から剥離する工程(5)とを備え、前記支持層には、アライメントマークが設けられ、前記工程(2)では、前記アライメントマークを基準にして、前記素子集合体を前記固定層に仮固定することを特徴とする、封止光半導体素子の製造方法である。 The present invention [3] includes a plurality of steps (1) of preparing a temporary fixing member including a hard carrier, a support layer supported by the carrier and made of a synthetic resin, and a fixing layer supported by the support layer. After the step (2) of temporarily fixing the element aggregate in which the optical semiconductor elements of the above are aligned and arranged to the fixed layer and the step (2), the plurality of the optical semiconductor elements are covered with a sealing layer to obtain the above-mentioned A step (3) of obtaining an element assembly and a sealing element assembly including the sealing layer, and a step (5) of peeling the sealing element assembly from the fixed layer after the step (3). An alignment mark is provided on the support layer, and in the step (2), the element assembly is temporarily fixed to the fixed layer with reference to the alignment mark. This is a method for manufacturing a semiconductor element.
この方法によれば、硬質のキャリアではなく、合成樹脂からなる支持層に、アライメントマークを設けるので、キャリアを支持層から分離すれば、キャリアを再利用することができる。 According to this method, since the alignment mark is provided on the support layer made of synthetic resin instead of the hard carrier, the carrier can be reused if the carrier is separated from the support layer.
また、合成樹脂からなる支持層に、アライメントマークが設けられるので、アライメントマークを支持層に容易に形成することができる。 Further, since the alignment mark is provided on the support layer made of synthetic resin, the alignment mark can be easily formed on the support layer.
本発明[4]は、硬質のキャリア、前記キャリアに支持され、合成樹脂からなる支持層、前記支持層に支持される固定層、および、前記キャリアに支持されるマーク層を備える仮固定部材を用意する工程(1)と、複数の光半導体素子が整列配置される素子集合体を前記固定層に仮固定する工程(2)と、前記工程(2)の後に、封止層によって複数の前記光半導体素子を被覆して、前記素子集合体および前記封止層を備える封止素子集合体を得る工程(3)と、前記工程(3)の後に、前記封止素子集合体を前記固定層から剥離する工程(5)とを備え、前記マーク層には、アライメントマークが設けられ、前記工程(2)では、前記アライメントマークを基準にして、前記素子集合体を前記固定層に仮固定することを特徴とする、封止光半導体素子の製造方法である。 The present invention [4] comprises a temporary fixing member including a hard carrier, a support layer supported by the carrier and made of a synthetic resin, a fixing layer supported by the support layer, and a mark layer supported by the carrier. After the step (1) of preparing, the step (2) of temporarily fixing the element aggregate in which a plurality of optical semiconductor elements are aligned and arranged to the fixed layer, and the step (2), the plurality of said devices are provided by a sealing layer. After the step (3) of coating the optical semiconductor element to obtain the sealing element assembly including the element assembly and the sealing element assembly and the step (3), the sealing element assembly is formed into the fixed layer. The mark layer is provided with an alignment mark, and in the step (2), the element assembly is temporarily fixed to the fixed layer with reference to the alignment mark. This is a method for manufacturing a sealed optical semiconductor device.
この方法によれば、硬質のキャリアではなく、マーク層に、アライメントマークを設けるので、キャリアをマーク層から分離すれば、キャリアを再利用することができる。 According to this method, since the alignment mark is provided on the mark layer instead of the hard carrier, the carrier can be reused if the carrier is separated from the mark layer.
また、アライメントマークをマーク層に容易に形成することができる。 Further, the alignment mark can be easily formed on the mark layer.
本発明[5]は、前記仮固定部材は、第1感圧接着層をさらに備え、前記仮固定部材は、前記キャリア、前記第1感圧接着層、前記支持層および前記固定層を順に備えることを特徴とする、[1]〜[4]のいずれか一項に記載の封止光半導体素子の製造方法を含む。 In the present invention [5], the temporary fixing member further includes a first pressure-sensitive adhesive layer, and the temporary fixing member includes the carrier, the first pressure-sensitive adhesive layer, the support layer, and the fixing layer in this order. The method for manufacturing a sealed optical semiconductor device according to any one of [1] to [4], which is characterized by the above.
この方法によれば、キャリアにより介して確実かつ簡便に支持層を支持することができる。 According to this method, the support layer can be reliably and easily supported via the carrier.
本発明[6]は、前記素子集合体は、複数の前記光半導体素子と、複数の前記光半導体素子を仮固定する第2感圧接着層とを備え、前記工程(5)では、前記第2感圧接着層を前記キャリアから剥離することを特徴とする、[1]〜[4]のいずれか一項に記載の封止光半導体素子の製造方法を含む。 In the present invention [6], the element assembly includes a plurality of the optical semiconductor elements and a second pressure-sensitive adhesive layer for temporarily fixing the plurality of the optical semiconductor elements, and in the step (5), the said first. 2. The method for manufacturing a sealed optical semiconductor device according to any one of [1] to [4], which comprises peeling the pressure-sensitive adhesive layer from the carrier.
この方法によれば、キャリアにより確実かつ簡便に支持層を支持することができる。 According to this method, the support layer can be reliably and easily supported by the carrier.
本発明の方法によれば、キャリアを再利用することができる。 According to the method of the present invention, the carrier can be reused.
図1において、紙面上下方向は、上下方向(第1方向、厚み方向)であり、紙面上側が上側(第1方向一方側、厚み方向一方側)、紙面下側が下側(第1方向他方側、厚み方向他方側)である。図1において、紙面左右方向は、左右方向(第1方向に直交する第2方向、幅方向)であり、紙面右側が右側(第2方向一方側、幅方向一方側)、紙面左側が左側(第2方向他方側、幅方向他方側)である。図1において、紙厚方向は、前後方向(第1方向および第2方向に直交する第3方向)であり、紙面手前側が前側(第3方向一方側)、紙面奥側が後側(第3方向他方側)である。具体的には、各図の方向矢印に準拠する。 In FIG. 1, the vertical direction of the paper surface is the vertical direction (first direction, thickness direction), the upper side of the paper surface is the upper side (one side in the first direction, one side in the thickness direction), and the lower side of the paper surface is the lower side (the other side in the first direction). , The other side in the thickness direction). In FIG. 1, the left-right direction of the paper surface is the left-right direction (second direction orthogonal to the first direction, width direction), the right side of the paper surface is the right side (one side of the second direction, one side of the width direction), and the left side of the paper surface is the left side (one side in the width direction). The other side in the second direction and the other side in the width direction). In FIG. 1, the paper thickness direction is the front-back direction (third direction orthogonal to the first and second directions), the front side of the paper surface is the front side (one side of the third direction), and the back side of the paper surface is the rear side (third direction). On the other side). Specifically, it conforms to the direction arrows in each figure.
1.第1実施形態
本発明の封止光半導体素子の製造方法の第1実施形態は、キャリア10、第1感圧接着層4、支持層2および固定層の一例としての素子集合体固定層3を順に備える仮固定部材30を用意する工程(1)(図1A参照)と、複数の光半導体素子11が整列配置される素子集合体16を素子集合体固定層3に仮固定する工程(2)(図1B参照)と、工程(2)の後に、封止層12によって複数の光半導体素子11を被覆して、素子集合体16および封止層12を備える封止素子集合体19を得る工程(3)(図1C参照)と、工程(3)の後に、封止光半導体素子13を個片化するように、封止層12を切断する工程(4)(図1D参照)と、工程(4)の後に、封止素子集合体19を素子集合体固定層3から剥離する工程(5)(図1D参照)とを備える。以下、各工程を説明する。
1. 1. First Embodiment In the first embodiment of the method for manufacturing a sealed optical semiconductor device of the present invention, a
1−1. 工程(1)
図1Aに示すように、工程(1)では、仮固定部材30を用意する。
1-1. Process (1)
As shown in FIG. 1A, in the step (1), the temporary fixing
仮固定部材30は、素子集合体仮固定シート1と、素子集合体仮固定シート1の下に設けられるキャリア10とを備える。
The
1−1.(1) 素子集合体仮固定シート
図2および図3に示すように、素子集合体仮固定シート1は、平板形状を有し、具体的には、所定の厚みを有し、厚み方向と直交する面方向(左右方向および前後方向)に延び、平坦な表面および平坦な裏面を有している。なお、素子集合体仮固定シート1では、前後方向長さが、左右方向長さ(幅)に比べて、長い平板形状を有している。あるいは、素子集合体仮固定シート1は、前後方向に長い長尺形状を有している。
1-1. (1) Element assembly temporary fixing sheet As shown in FIGS. 2 and 3, the element assembly
また、素子集合体仮固定シート1は、図1Aに示すように、仮固定部材30における上部に位置している。素子集合体仮固定シート1は、仮固定部材30の上面を形成している。
Further, as shown in FIG. 1A, the element assembly
素子集合体仮固定シート1は、図3に示すように、素子集合体固定層3と、支持層2と、第1感圧接着層4とを順に備える。具体的には、素子集合体仮固定シート1は、支持層2と、支持層2の上に設けられる素子集合体固定層3と、支持層2の下に設けられる第1感圧接着層4とを備える。また、この素子集合体仮固定シート1では、素子集合体固定層3は、アライメントマーク7を備える。以下、各部材について説明する。
As shown in FIG. 3, the element assembly
1−1.(1)A. 支持層
支持層2は、素子集合体仮固定シート1の厚み方向中央に位置する。つまり、支持層2は、素子集合体固定層3および第1感圧接着層4の間に介在している。素子集合体仮固定シート1は、平板形状を有し、具体的には、所定の厚みを有し、左右方向および前後方向に延び、平坦な表面および平坦な裏面を有している。また、支持層2は、可撓性を有する。支持層2は、素子集合体固定層3および第1感圧接着層4を支持している。
1-1. (1) A. Support layer The
支持層2は、合成樹脂からなる。合成樹脂としては、例えば、ポリエチレン(例えば、低密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、線状低密度ポリエチレンなど)、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−C4以上のα−オレフィン共重合体などのオレフィン重合体、例えば、エチレン−エチルアクリレート共重合体、エチレン−メチルメタクリレート共重合体、エチレン−n−ブチルアクリレート共重合体などのエチレン−(メタ)アクリレート共重合体、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル、例えば、ポリカーボネート、例えば、ポリウレタン、例えば、ポリイミドなどのポリマーが挙げられる。共重合体は、ランダムコポリマーおよびブロックコポリマーのいずれであってもよい。合成樹脂は、単独使用または2種以上併用されていてもよい。また、支持層2は、上記した合成樹脂の多孔質であってもよい。
The
支持層2は、好ましくは、PET、ポリカーボネートからなる。
The
また、支持層2は、単層または複数層からなっていてもよい。
Further, the
また、上記した合成樹脂は、例えば、透明である。つまり、支持層2は、透明である。具体的には、支持層2の全光線透過率は、例えば、80%以上、好ましくは、90%以上、より好ましくは、95%以上であり、また、例えば、99.9%以下である。
Further, the above-mentioned synthetic resin is, for example, transparent. That is, the
支持層2の線膨張係数は、例えば、500×10−6K−1以下、好ましくは、300×10−6K−1以下であり、また、例えば、2×10−6K−1以上、好ましくは、10×10−6K−1以上である。支持層2の収縮度が上記した上限以下であれば、アライメントマーク7を基準とした光半導体素子11の配列、および/または、封止層12の切断を達成することができる。支持層2の線膨張係数は、線膨張係数測定装置(TMA)により測定される。以下の各部材の線膨張係数についても同様の方法により測定される。
The coefficient of linear expansion of the
支持層2の25℃における引張弾性率Eは、例えば、200MPa以下、好ましくは、100MPa以下、より好ましくは、80MPa以下であり、また、例えば、50MPPa以上である。支持層2の25℃における引張弾性率Eが上記した上限以下であれば、可撓性を確保することができ、アライメントマーク7を容易に設けることができる。
The tensile elastic modulus E of the
支持層2の厚みは、例えば、10μm以上、好ましくは、30μm以上であり、また、例えば、350μm以下、好ましくは、100μm以下である。
The thickness of the
1−1.(1)B. 素子集合体固定層
素子集合体固定層3は、素子集合体仮固定シート1の上端部に位置する。素子集合体固定層3は、支持層2の上面に配置されている。つまり、素子集合体固定層3は、素子集合体仮固定シート1の上面を形成している。素子集合体固定層3は、支持層2に支持されている。素子集合体固定層3は、平板形状を有し、具体的には、所定の厚みを有し、左右方向および前後方向に延び、平坦な表面および平坦な裏面(後述するアライメントマーク7に対応する部分を除く)を有している。
1-1. (1) B. Element assembly fixing layer The element assembly fixing layer 3 is located at the upper end of the element assembly
素子集合体固定層3は、複数の光半導体素子11が整列配置される素子集合体16(後述。図1Bおよび図2参照)を仮固定するように構成されている。
The element assembly fixing layer 3 is configured to temporarily fix the element assembly 16 (described later, see FIGS. 1B and 2) in which a plurality of
また、素子集合体固定層3は、感圧接着性(粘着性)を有する。 Further, the element assembly fixing layer 3 has pressure-sensitive adhesiveness (adhesiveness).
素子集合体固定層3は、感圧接着剤からなる。感圧接着剤としては、例えば、アクリル系感圧接着剤、ゴム系感圧接着剤、SIS(スチレン−イソプレン−スチレン・ブロック共重合体)系感圧接着剤、シリコーン系感圧接着剤、ビニルアルキルエーテル系感圧接着剤、ポリビニルアルコール系感圧接着剤、ポリビニルピロリドン系感圧接着剤、ポリアクリルアミド系感圧接着剤、セルロース系感圧接着剤、ウレタン系感圧接着剤、ポリエステル系感圧接着剤、ポリアミド系感圧接着剤、エポキシ系感圧接着剤などが挙げられる。好ましくは、シリコーン系感圧接着剤が挙げられる。 The element assembly fixing layer 3 is made of a pressure-sensitive adhesive. Examples of the pressure-sensitive adhesive include acrylic pressure-sensitive adhesives, rubber-based pressure-sensitive adhesives, SIS (styrene-isoprene-styrene block copolymer) -based pressure-sensitive adhesives, silicone-based pressure-sensitive adhesives, and vinyl. Alkyl ether-based pressure-sensitive adhesive, polyvinyl alcohol-based pressure-sensitive adhesive, polyvinylpyrrolidone-based pressure-sensitive adhesive, polyacrylamide-based pressure-sensitive adhesive, cellulose-based pressure-sensitive adhesive, urethane-based pressure-sensitive adhesive, polyester-based pressure-sensitive adhesive Examples thereof include adhesives, polyamide-based pressure-sensitive adhesives, and epoxy-based pressure-sensitive adhesives. Preferably, a silicone-based pressure-sensitive adhesive is used.
また、素子集合体固定層3は、透明である。素子集合体固定層3の全光線透過率は、例えば、80%以上、好ましくは、90%以上、より好ましくは、95%以下であり、また、例えば、99.9%以下である。 Further, the element assembly fixing layer 3 is transparent. The total light transmittance of the device assembly fixed layer 3 is, for example, 80% or more, preferably 90% or more, more preferably 95% or less, and for example, 99.9% or less.
素子集合体固定層3の線膨張係数は、例えば、500×10−6K−1以下、好ましくは、300×10−6K−1以下であり、また、例えば、2×10−6K−1以上、好ましくは、10×10−6K−1以上である。 The coefficient of linear expansion of the element assembly fixed layer 3 is, for example, 500 × 10 -6 K -1 or less, preferably 300 × 10 -6 K -1 or less, and for example, 2 × 10 -6 K −. 1 or more, preferably 10 × 10 -6 K -1 or more.
素子集合体固定層3をケイ素板に対して感圧接着し、25℃において、素子集合体固定層3をケイ素板から180度で剥離したときの剥離力は、例えば、0.1N/mm以上、好ましくは、0.3N/mm以上であり、また、例えば、1N/mm以下である。素子集合体固定層3の剥離力が上記した下限以上であれば、複数の光半導体素子11を確実に仮固定することができる。
The peeling force when the element assembly fixing layer 3 is pressure-sensitively adhered to the silicon plate and the element assembly fixing layer 3 is peeled from the silicon plate at 180 degrees at 25 ° C. is, for example, 0.1 N / mm or more. It is preferably 0.3 N / mm or more, and for example, 1 N / mm or less. When the peeling force of the element assembly fixing layer 3 is equal to or greater than the above-mentioned lower limit, the plurality of
素子集合体固定層3の厚みは、例えば、5μm以上、好ましくは、10μm以上であり、また、例えば、120μm未満、好ましくは、100μm未満、より好ましくは、80μm以下、さらに好ましくは、60μm以下である。素子集合体固定層3の厚みが上記した下限を上回る場合には、素子集合体仮固定シート1の上面に感圧接着性を確実に付与することができる。そのため、素子集合体仮固定シート1を簡便に製造することができる。素子集合体固定層3の厚みが上記した上限を下回る場合には、素子集合体固定層3の取扱性を向上させることができる。
The thickness of the device assembly fixing layer 3 is, for example, 5 μm or more, preferably 10 μm or more, and for example, less than 120 μm, preferably less than 100 μm, more preferably 80 μm or less, still more preferably 60 μm or less. be. When the thickness of the element assembly fixing layer 3 exceeds the above-mentioned lower limit, pressure-sensitive adhesiveness can be reliably imparted to the upper surface of the element assembly
1−1.(1)C. 第1感圧接着層
第1感圧接着層4は、素子集合体仮固定シート1の下端部に位置する。また、第1感圧接着層4は、支持層2の下面に配置されている。つまり、第1感圧接着層4は、素子集合体仮固定シート1の下面を形成している。第1感圧接着層4は、支持層2に支持されている。さらに、第1感圧接着層4は、厚み方向に、素子集合体固定層3とともに支持層2を挟み込んでいる。第1感圧接着層4は、平板形状を有し、具体的には、所定の厚みを有し、左右方向および前後方向に延び、平坦な表面および平坦な裏面を有している。
1-1. (1) C.I. First Pressure-Sensitive Adhesive Layer The first pressure-
第1感圧接着層4は、感圧接着性(粘着性)を有する。
The first pressure-
第1感圧接着層4は、素子集合体固定層3と同一の感圧接着剤からなる。
The first pressure-
第1感圧接着層4は、透明である。第1感圧接着層4の全光線透過率は、例えば、80%以上、好ましくは、90%以上、より好ましくは、95%以下であり、また、例えば、99.9%以下である。
The first pressure-
第1感圧接着層4の線膨張係数は、例えば、500×10−6K−1以下、好ましくは、300×10−6K−1以下であり、また、例えば、2×10−6K−1以上、好ましくは、10×10−6K−1以上である。
The coefficient of linear expansion of the first pressure-
第1感圧接着層4の厚みは、例えば、5μm以上、好ましくは、10μm以上であり、また、例えば、100μm未満、好ましくは、80μm以下、より好ましくは、60μm以下である。
The thickness of the first pressure-
1−1.(1)D. アライメントマーク
図3に示すように、アライメントマーク7は、支持層2の上面に備えられている。
1-1. (1) D. Alignment mark As shown in FIG. 3, the
図2および図3に示すように、具体的には、アライメントマーク7は、支持層2の上面における右端部に複数設けられている。詳しくは、アライメントマーク7は、後述する素子集合体16が設けられる素子集合体形成領域17の右側(幅方向一方側の一例)に区画されるマーク形成領域18に設けられている。マーク形成領域18は、素子集合体仮固定シート1の右端部において、前後方向に沿って配置されている。
As shown in FIGS. 2 and 3, specifically, a plurality of
アライメントマーク7は、素子集合体16を素子集合体固定層3に仮固定するため、かつ、素子集合体16を封止する封止層12を切断するための、基準マークである。具体的には、アライメントマーク7は、配列マーク8および切断マーク9を備える。配列マーク8および切断マーク9は、左右方向に一列に並ぶ複数の光半導体素子11(後述)に対応して、1つずつ配置され、それらは、左右方向に互いに間隔を隔てて整列配置されている。
The
配列マーク8は、アライメントマーク7における左側に位置するマークであって、前後方向に互いに間隔を隔てて複数配置されている。複数の配列マーク8のそれぞれは、例えば、略円形状を有している。
The arrangement marks 8 are marks located on the left side of the
切断マーク9は、アライメントマーク7における右側に位置するマークであって、前後方向に互いに間隔を隔てて複数配置されている。具体的には、複数の切断マーク9のそれぞれは、左右方向に投影したときに、複数の配列マーク8のそれぞれと重複しないように、配置されている。つまり、複数の配列マーク8と複数の切断マーク9とは、千鳥状に配置され、つまり、左右方向に投影したときに、前後方向において交互に配置されている。複数の切断マーク9のそれぞれは、複数の配列マーク8のそれぞれに対して右方斜め前側に間隔を隔てて配置されている。複数の切断マーク9のそれぞれは、例えば、左右方向に延びる略棒(直線)形状を有している。
The cut marks 9 are marks located on the right side of the
アライメントマーク7は、不透明である。
The
そのため、アライメントマーク7は、不透明(後述)な材料からなる。そのような材料として、例えば、銀(金属銀)などの金属材料、カーボンブラックなどの炭素材料などが挙げられる。
Therefore, the
金属材料として、好ましくは、銀が挙げられる。銀であれば、アライメントマーク7の視認性をより一層向上させることができる。
As the metal material, silver is preferable. If it is silver, the visibility of the
また、炭素材料として、好ましくは、カーボンブラックが挙げられる。カーボンブラックであれば、アライメントマーク7の視認性をより一層向上させることができる。
Moreover, as a carbon material, carbon black is preferable. If it is carbon black, the visibility of the
アライメントマーク7の寸法は適宜設定されている。配列マーク8の直径(最大長さ)は、例えば、0.05mm以上、好ましくは、0.1mm以上であり、また、例えば、1mm以下、好ましくは、0.5mm以下である。隣接する配列マーク8の中心間の距離(すなわち、ピッチ)は、例えば、0.05mm以上、好ましくは、0.1mm以上であり、例えば、1.0mm以下、好ましくは、0.8mm以下である。
The dimensions of the
切断マーク9の左右方向長さは、例えば、0.05mm以上、好ましくは、0.1mm以上であり、また、例えば、1mm以下、好ましくは、0.5mm以下である。切断マーク9の幅(前後方向長さ)は、例えば、0.05mm以上、好ましくは、0.1mm以上であり、また、例えば、1mm以下、好ましくは、0.25mm以下である。前後方向に投影したときに、左右方向に隣接する配列マーク8および切断マーク9の間隔は、例えば、0.1mm以上、好ましくは、0.2mm以上であり、また、例えば、1mm以下、好ましくは、0.8mm以下である。切断マーク9の中心間のピッチは、例えば、0.05mm以上、好ましくは、0.1mm以上であり、また、例えば、1.0mm以下、好ましくは、0.8mm以下である。
The length of the cutting
アライメントマーク7の厚みは、例えば、0.5μm以上、好ましくは、1μm以上であり、また、例えば、10μm以下、好ましくは、5μm以下である。
The thickness of the
アライメントマーク7の全光線透過率は、例えば、40%以下、好ましくは、20%以下、より好ましくは、10%以下であり、また、例えば、0.1%以上である。
The total light transmittance of the
1−1.(2) 素子集合体仮固定シートの製造方法
次に、素子集合体仮固定シート1の製造方法を説明する。
1-1. (2) Method for Manufacturing Element Assembly Temporary Fixing Sheet Next, a method for manufacturing the element assembly
この方法では、図3が参照されるように、まず、支持層2を用意し、続いて、アライメントマーク7を設ける。
In this method, as shown in FIG. 3, the
アライメントマーク7を設ける方法は、特に限定されず、例えば、フォトリソグラフィーを用いる方法、感熱転写(例えば、特開2000−135871号公報参照)、スタンプ、凸版印刷、凹版印刷、孔版印刷(スクリーン印刷)、インクジェット印刷(例えば、特開2014−10823号公報参照)などが挙げられる。アライメントマーク7を精度よく配置する観点から、好ましくは、フォトリソグラフィーを用いる方法、スクリーン印刷が挙げられ、より好ましくは、フォトリソグラフィーを用いる方法が挙げられる。
The method of providing the
フォトリソグラフィーを用いる方法では、具体的には、図4A〜図4Cに示すように、感光層21が設けられた支持層2を用意する工程(a)(図4A参照)、および、フォトリソグラフィーにより、感光層21からアライメントマーク7を現像パターン23として形成する工程(b)(図4Bおよび図4C参照)が順次実施される。
In the method using photolithography, specifically, as shown in FIGS. 4A to 4C, the step (a) (see FIG. 4A) of preparing the
工程(a)では、図4Aに示すように、支持層2と、その上面に設けられた感光層21とを備える感光層付支持層22を用意する。
In the step (a), as shown in FIG. 4A, a
感光層21は、支持層2の上面全面に設けられている。感光層21は、フォトリソグラフィーにより現像パターン23を形成することができる感光材料からなる。感光材料としては、例えば、銀塩乳剤が挙げられる。銀塩乳剤は、例えば、銀塩を含有する。銀塩としては、例えば、ハロゲン化銀などの無機銀塩、例えば、酢酸銀などの有機銀塩が挙げられ、好ましくは、光に対する応答性に優れる、無機銀塩が挙げられる。
The
感光層21の厚みは、例えば、0.5μm以上、好ましくは、1μm以上であり、また、例えば、10μm以下、好ましくは、5μm以下である。
The thickness of the
工程(b)では、図4Bに示すように、活性エネルギー線を、フォトマスク(図示せず)を介して感光層21に対して照射する。具体的には、ステンレスなどの金属からなるメタルマスクを用いて感光層21を部分的に被覆し、その後、メタルマスクから露出する感光層21に対して、レーザー光(ピーク波長150nm以上、250nm以下)を、照射する。
In step (b), as shown in FIG. 4B, the
その後、図4Cに示すように、感光層21を現像液に浸漬して、露光部分を残し、未露光部分を除去する(現像)。これにより、アライメントマーク7を現像パターン23として形成する。
Then, as shown in FIG. 4C, the
その後、図3に示すように、支持層2の上に素子集合体固定層3を設けるとともに、支持層2の下に第1感圧接着層4を設ける。
After that, as shown in FIG. 3, the element assembly fixing layer 3 is provided on the
素子集合体固定層3および第1感圧接着層4のそれぞれを支持層2に設けるには、まず、素子集合体固定層3および第1感圧接着層4をそれぞれ用意する。
In order to provide each of the element assembly fixing layer 3 and the first pressure-
素子集合体固定層3を、例えば、第1剥離層5(図3の仮想線参照)の表面に設ける。 The element assembly fixing layer 3 is provided, for example, on the surface of the first release layer 5 (see the virtual line in FIG. 3).
第1感圧接着層4を、例えば、第2剥離層6(図3の仮想線参照)の表面に設ける。
The first pressure-
次いで、素子集合体固定層3を支持層2の上面に配置する。その際、アライメントマーク7を埋設するように、素子集合体固定層3を支持層2の上面に配置する。
Next, the element assembly fixing layer 3 is arranged on the upper surface of the
また、第1感圧接着層4を支持層2の下面に配置する。
Further, the first pressure-
これによって、支持層2と、それらの上下のそれぞれに配置される素子集合体固定層3および第1感圧接着層4と、それらにそれぞれ配置される第1剥離層5および第2剥離層6とを備える素子集合体仮固定シート1を得る。
As a result, the
素子集合体仮固定シート1の厚みは、例えば、15μm以上、好ましくは、40μm以上であり、また、例えば、550μm以下、好ましくは、260μm以下である。
The thickness of the element assembly
また、この素子集合体仮固定シート1は、可撓性を有する。
Further, the element assembly
1−2.キャリア
キャリア10は、素子集合体仮固定シート1(支持層2)を下方から支持するための支持板である。これにより、キャリア10は、支持層2を支持している。キャリア10は、前後方向および左右方向に延びる略平板状に形成されている。キャリア10は、図1Aに示すように、平面視において、素子集合体仮固定シート1と同一形状を有している。
1-2. Carrier The
また、キャリア10は、仮固定部材30における下部に位置している。キャリア10は、素子集合体仮固定シート1の下面に直接接触している。具体的には、キャリア10は、素子集合体固定層3の下面に感圧接着している。キャリア10は、仮固定部材30の下面を形成している。
Further, the
キャリア10は、硬質材料からなる。硬質材料としては、例えば、ガラスなどの透明材料、例えば、セラミック、ステンレスなど不透明材料が挙げられる。硬質材料のビッカース硬度は、例えば、0.5GPa以上、好ましくは、1GPa以上、より好ましくは、1.2GPa以上であり、また、例えば、10GPa以下である。キャリア10が硬質材料からなれば、具体的には、硬質材料のビッカース硬度が上記した下限以上であれば、素子集合体仮固定シート1を確実に支持することができる。
The
キャリア10の厚みは、例えば、100μm以上、好ましくは、350μm以上であり、また、例えば、1000μm以下、好ましくは、600μm以下である。
The thickness of the
1−3.仮固定部材の製造方法
仮固定部材30を製造するには、図1Aが参照されるように、まず、素子集合体仮固定シート1と、キャリア10とをそれぞれ用意する。
1-3. Method for Manufacturing Temporary Fixing Member In order to manufacture the temporary fixing
具体的には、まず、第1感圧接着層4の下面にキャリア10を配置する。
Specifically, first, the
詳しくは、まず、図3の仮想線で示す第2剥離層6を第1感圧接着層4から剥離し、その後、図1Aに示すように、キャリア10を第1感圧接着層4の下面に直接接触させる。これによって、キャリア10を第1感圧接着層4に感圧接着させる。
Specifically, first, the second release layer 6 shown by the virtual line in FIG. 3 is peeled from the first pressure-
これによって、キャリア10と、素子集合体仮固定シート1とを順次備える仮固定部材30が得られる。また、仮固定部材30は、素子集合体仮固定シート1の支持層2に備えられるアライメントマーク7を備える。
As a result, the temporary fixing
仮固定部材30の厚みは、例えば、115μm以上、好ましくは、390μm以上であり、また、例えば、1550μm以下、好ましくは、860μm以下である。
The thickness of the temporary fixing
1−4. 工程(2)
工程(2)は、工程(1)の後に実施される。
1-4. Process (2)
Step (2) is carried out after step (1).
工程(2)では、図1Aの仮想線矢印で示すように、まず、第1剥離層5を素子集合体固定層3の上面から剥離した後、図1Bに示すように、複数の光半導体素子11を素子集合体固定層3の上面に仮固定する。この際、配列マーク8を基準にして、複数の光半導体素子11を素子集合体固定層3の上面に整列配置(配列)する。また、複数の光半導体素子11を、素子集合体固定層3における素子集合体形成領域17に設ける。
In the step (2), as shown by the imaginary line arrow in FIG. 1A, the
具体的には、配列マーク8を視認しつつ、複数の光半導体素子11の左右方向および前後方向における位置決めしながら、複数の光半導体素子11を素子集合体固定層3の上面に直接接触させる。
Specifically, the plurality of
配列マーク8を視認するには、仮固定部材30の上方に設けられたカメラなどによって、配列マーク8の上方から、配列マーク8を視認する。この際は、素子集合体固定層3は、透明であることから、配列マーク8を素子集合体固定層3の上方から視認できる。
In order to visually recognize the
なお、光半導体素子11は、上面と、上面と厚み方向に対向配置される下面と、上面および下面を連絡する周側面とを有する。下面には、電極が形成されている。
The
複数の光半導体素子11は、素子集合体固定層3の上面において整列配置されることにより、素子集合体16を構成する。
The plurality of
隣接する光半導体素子11の間の間隔(前後方向および/または左右方向における間隔)は、例えば、0.05mm以上、好ましくは、0.1mm以上であり、また、例えば、1.0mm以下、好ましくは、0.8mm以下である。なお、複数の光半導体素子11のそれぞれの厚み(高さ)は、例えば、0.1μm以上、好ましくは、0.2μm以上であり、また、例えば、500μm以下、好ましくは、200μm以下である。複数の光半導体素子11のそれぞれの左右方向長さおよび/または前後方向長さは、例えば、0.05mm以上、好ましくは、0.1mm以上であり、また、例えば、1.0mm以下、好ましくは、0.8mm以下である。
The distance between adjacent optical semiconductor elements 11 (distance in the front-rear direction and / or left-right direction) is, for example, 0.05 mm or more, preferably 0.1 mm or more, and for example, 1.0 mm or less, preferably 1.0 mm or less. Is 0.8 mm or less. The thickness (height) of each of the plurality of
1−5. 工程(3)
工程(3)では、図1Cの実線および図2の1点破線で示すように、次いで、封止層12によって素子集合体16を封止する。
1-5. Process (3)
In step (3), as shown by the solid line in FIG. 1C and the alternate long and short dash line in FIG. 2, the
例えば、半固形状または固形状の封止組成物からなる封止シートによって、素子集合体16を封止する。あるいは、液体状の封止組成物をポッティングすることによって、素子集合体16を封止する。封止組成物は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などの透明樹脂を含有する。封止組成物は、必要により、充填材、蛍光体、光反射性粒子など粒子を適宜の割合で含有することもできる。
For example, the
封止層12は、複数の光半導体素子11のそれぞれの上面および側面と、複数の光半導体素子11のそれぞれから露出する素子集合体固定層3の上面とを被覆する。封止層12は、マーク形成領域18における素子集合体固定層3の上面を露出するように、素子集合体形成領域17の素子集合体固定層3の上面に設けられる。
The
これによって、複数の光半導体素子11(素子集合体16)と、1つの封止層12とを備える封止素子集合体19が得られる。つまり、封止素子集合体19は、素子集合体仮固定シート1に仮固定された状態で、得られる。
As a result, a sealing
封止層12の厚みは、例えば、40μm以上、好ましくは、50μm以上であり、また、例えば、500μm以下、好ましくは、300μm以下である。
The thickness of the
1−6. 工程(4)
図1Dの1点破線および図2の2点破線で示すように、次いで、光半導体素子11が個片化されるように、封止層12を切断する。つまり、封止素子集合体19(後述する封止光半導体素子13)が個片化される。
1-6. Process (4)
As shown by the one-dot dashed line in FIG. 1D and the two-dot dashed line in FIG. 2, the
封止層12を切断するには、例えば、切断刃を備える切断装置、例えば、レーザー照射源を備える切断装置が用いられる。
To cut the
切断刃を備える切断装置としては、例えば、円盤状のダイシングソー(ダイシングブレード)を備えるダイシング装置、例えば、カッターを備えるカッティング装置が挙げられる。 Examples of the cutting device including a cutting blade include a dicing device including a disk-shaped dicing saw (dicing blade), for example, a cutting device including a cutter.
好ましくは、切断刃を備える切断装置、より好ましくは、ダイシング装置が用いられる。 A cutting device including a cutting blade, more preferably a dicing device is used.
上記した切断装置による封止層12の切断では、アライメントマーク7の切断マーク9を基準にして、封止層12を切断する。また、配列マーク8の視認に用いたカメラと同一のカメラによって、アライメントマーク7の切断マーク9を上方から視認しながら、封止層12を切断する。
In the cutting of the
切断された封止層12の前後方向長さおよび/または左右方向長さは、例えば、20mm以上、好ましくは、40mm以上であり、また、例えば、150mm以下、好ましくは、100mm以下である。
The length of the
これによって、1つの光半導体素子11と、1つの封止層12とを備える封止光半導体素子13が、素子集合体固定層3(仮固定部材30)に仮固定された状態で、複数得られる。
As a result, a plurality of sealing
1−7. 工程(5)
工程(5)では、図1Dの矢印で示すように、複数の封止光半導体素子13のそれぞれを、素子集合体固定層3から剥離する。
1-7. Process (5)
In the step (5), as shown by the arrows in FIG. 1D, each of the plurality of sealing
1−8.キャリアの再利用、および、光半導体装置の製造
その後、複数の封止光半導体素子13が剥離された仮固定部材30では、キャリア10を第1感圧接着層4から剥離し、キャリア10を再利用する。一方、素子集合体仮固定シート1(支持層2、素子集合体固定層3および第1感圧接着層4)を、廃棄する。つまり、素子集合体仮固定シート1は、使い捨てである。
1-8. Reuse of Carrier and Manufacture of Optical Semiconductor Device After that, in the temporary fixing
その後、図1Eに示すように、封止光半導体素子13を基板14にフリップチップ実装する。
Then, as shown in FIG. 1E, the sealing
基板14は、前後方向および左右方向に延びる平板形状を有している。基板14の上面には、光半導体素子11の電極と電気的に接続される端子が形成されている。
The
これにより、封止光半導体素子13と、基板14とを備える光半導体装置15が得られる。
As a result, the
2.第1実施形態の作用効果
この方法によれば、硬質のキャリア10ではなく、合成樹脂からなる支持層2に、アライメントマーク7を設けるので、キャリア10を支持層2から剥離すれば、キャリア10を再利用することができる。
2. Action and effect of the first embodiment According to this method, the
また、合成樹脂からなる支持層2に、アライメントマーク7が設けられるので、アライメントマーク7を支持層2に容易に形成することができる。
Further, since the
また、この方法によれば、キャリア10により、第1感圧接着層4を介して確実かつ簡便に支持層2を支持することができる。
Further, according to this method, the
3.第1実施形態の変形例
第1実施形態では、図2に示すように、配列マーク8は略円形状を有し、切断マーク9は、略直線形状を有している。しかし、アライメントマーク7のそれぞれの形状は、特に限定されない。
3. 3. Modification Example of First Embodiment In the first embodiment, as shown in FIG. 2, the
第1実施形態では、素子集合体固定層3を、まず、第1剥離層5(図3の仮想線参照)の表面に形成した後、素子集合体固定層3を第1剥離層5から支持層2に転写しているが、変形例では、例えば、支持層2の上面に直接形成することもできる。
In the first embodiment, the element assembly fixing layer 3 is first formed on the surface of the first release layer 5 (see the virtual line in FIG. 3), and then the element assembly fixing layer 3 is supported from the
第1実施形態では、第1感圧接着層4を、まず、第2剥離層6(図3の仮想線参照)の表面に形成した後、第1感圧接着層4を第2剥離層6から支持層2に転写しているが、変形例では、例えば、支持層2の下面に直接形成することもできる。
In the first embodiment, the first pressure-
また、第1実施形態では、図3に示すように、アライメントマーク7が支持層2の上面に設けられている。
Further, in the first embodiment, as shown in FIG. 3, the
変形例では、図5Aに示すように、アライメントマーク7は、支持層2の下面に設けられる。
In the modified example, as shown in FIG. 5A, the
第1感圧接着層4は、アライメントマーク7を埋設している。
The
図5Bに示すように、複数の光半導体素子11を素子集合体固定層3に配列する際には、仮固定部材30の上方に配置されたカメラによって、素子集合体固定層3および支持層2を介して、配列マーク8を視認する。
As shown in FIG. 5B, when a plurality of
また、図5Dに示すように、封止層12を切断する際には、上記したカメラによって、素子集合体固定層3および支持層2を介して、切断マーク9を視認する。
Further, as shown in FIG. 5D, when the
さらに、図示しないが、アライメントマーク7を、支持層2の上下両面に設けることもできる。
Further, although not shown, alignment marks 7 can be provided on both the upper and lower surfaces of the
好ましくは、アライメントマーク7を、支持層2の一方面のみ、つまり、上面のみ、あるいは、下面のみに設ける。アライメントマーク7を支持層2の一方面のみに設ければ、アライメントマーク7を支持層2の上下両面に設ける場合に比べて、アライメントマーク7を簡易に形成することができ、その分、製造コストを低減することができる。
Preferably, the
より好ましくは、第1実施形態の図3に示すように、アライメントマーク7は、支持層2の上面に設けられる。この構成によれば、アライメントマーク7が支持層2の下面に設けられる図5Aの場合に比べて、アライメントマーク7を上方からより確実に視認することができる。
More preferably, as shown in FIG. 3 of the first embodiment, the
さらに、第1実施形態では、図1Dの1点破線で示すように、封止層12を切断して、封止素子集合体19を個片化している。
Further, in the first embodiment, as shown by the alternate long and short dash line in FIG. 1D, the
しかし、変形例では、図6Aに示すように、封止層12を切断することなく、封止素子集合体19を素子集合体固定層3から剥離し、その後、図6Bに示すように、封止素子集合体19を基板14にフリップチップ実装する。つまり、この変形例は、第1実施形態の工程(4)を備えず、工程(1)〜(3)および(5)を順次備える。
However, in the modified example, as shown in FIG. 6A, the sealing
この変形例では、封止層12を切断する工程(4)を実施しないので、図示しないが、アライメントマーク7は、切断マーク9を備えず、配列マーク8のみからなっていてもよい。
In this modification, since the step (4) for cutting the
4.第2実施形態
第2実施形態において、第1実施形態と同じ部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
4. Second Embodiment In the second embodiment, the same members and processes as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
第1実施形態では、図1Aおよび図3に示すように、素子集合体仮固定シート1(具体的には、支持層2)にアライメントマーク7を設けている。
In the first embodiment, as shown in FIGS. 1A and 3, an
しかし、キャリア10以外の部材であれば、特に限定されず、第2実施形態では、例えば、図7Aに示すように、アライメントマーク7を、素子集合体仮固定シート1とは別のマーク層31に設けることができる。
However, any member other than the
工程(1)では、仮固定部材30において、マーク層31が、キャリア10の下に設けられる。マーク層31は、仮固定部材30に備えられる。つまり、仮固定部材30は、素子集合体仮固定シート1、キャリア10およびマーク層31を順に備える。マーク層31は、キャリア10に支持される。
In the step (1), the
マーク層31は、厚み方向を貫通する貫通孔26を備える。また、マーク層31は、キャリア10の下面に配置されるマーク感圧接着層33と、マーク感圧接着層33を支持するマーク支持層32とを順に備える。貫通孔26は、マーク感圧接着層33およびマーク支持層32をまとめて貫通することにより、アライメントマーク7として設けられる。
The
マーク感圧接着層33は、上記した素子集合体固定層3と同様の感圧接着剤からなり、素子集合体固定層3と同様の物性を有する。マーク支持層32は、支持層2と同様の合成樹脂からなり、支持層2と同様の物性を有する。
The mark pressure-
とりわけ、マーク支持層32およびマーク感圧接着層33のうち、例えば、いずかの層が有色であり、残りの層が無色である。有色の上記した層の全光線透過率は、それぞれ、例えば、80%以下、好ましくは、65%以下、より好ましくは、50%以下である。
In particular, of the
一方、キャリア10は、好ましくは、上方からのアライメントマーク7の視認性を向上させるために、無色である。キャリア10は、好ましくは、透明材料からなる。さらに、素子集合体固定層3、支持層2および第1感圧接着層4は、好ましくは、無色である。キャリア10、素子集合体固定層3、支持層2および第1感圧接着層4の全光線透過率は、それぞれ、例えば、80%以上、好ましくは、90%以上、より好ましくは、95%以上であり、また、例えば、99.9%以下である。
On the other hand, the
従って、キャリア10、素子集合体固定層3、支持層2および第1感圧接着層4が無色であり、マーク層31において少なくとも1層が有色であれば、貫通孔26は、無色となることが平面視において視認される。つまり、有色のマーク層31において少なくとも1層と、無色の貫通孔26とのコントラストによって、図9に示すように、貫通孔26が明確に視認される。
Therefore, if the
この素子集合体仮固定シート1を製造するには、図7Aに示すように、工程(1)において、マーク層31、キャリア10および素子集合体仮固定シート1を順に備える素子集合体仮固定シート1を用意する。
In order to manufacture the element assembly
マーク層31は、図10が参照されるように、まず、第3剥離層35、マーク感圧接着層33およびマーク支持層32を順に備える積層体を用意し、その後、積層体(第3剥離層35、マーク感圧接着層33およびマーク支持層32)を厚み方向に貫通する貫通孔26を、アライメントマーク7として形成する。
As for the
貫通孔26は、例えば、切削、打抜、レーザー加工などによって形成する。好ましくは、レーザー加工によって、貫通孔26を形成する。レーザー加工としては、例えば、エキシマレーザー、YAGレーザー、CO2レーザーなどが挙げられ、好ましくは、仮固定部材30をリールツーリールで連続的に製造する観点、および、貫通孔26を広域エリアに形成する観点から、YAGレーザーが挙げられる。
The through
その後、第3剥離層35をマーク感圧接着層33から剥離し、次いで、マーク感圧接着層33の上面をキャリア10の下面に感圧接着する。
Then, the
別途、素子集合体仮固定シート1の第1感圧接着層4をキャリア10の上面に感圧接着する。
Separately, the first pressure-
その後、図7Bに示すように、工程(2)において、配列マーク8を基準にして、複数の光半導体素子11を素子集合体固定層3の上面に整列配置(配列)する。
Then, as shown in FIG. 7B, in the step (2), a plurality of
この際、配列マーク8を上方から視認しつつ、複数の光半導体素子11の左右方向および前後方向における位置決めしながら、複数の光半導体素子11を素子集合体固定層3の上面に直接接触させる。
At this time, while visually recognizing the
具体的には、配列マーク8(貫通孔26)を無色として視認する。配列マーク8(貫通孔26)は、マーク感圧接着層33およびマーク支持層32の少なくともいずれか一方の有色とのコントラストによって、明確に視認される(図9参照)。
Specifically, the array mark 8 (through hole 26) is visually recognized as colorless. The arrangement mark 8 (through hole 26) is clearly visible by the contrast with the color of at least one of the mark pressure-
また、図8Dに示すように、工程(4)において、封止層12を切断する際には、切断マーク9を基準にする。具体的には、切断マーク9(貫通孔26)を、上記した配列マーク8(貫通孔26)の視認と同様の方法により、視認する(図9参照)。
Further, as shown in FIG. 8D, when cutting the
図8Dの矢印で示すように、工程(5)において、複数の封止光半導体素子13のそれぞれを、素子集合体固定層3から剥離し、続いて、仮固定部材30では、キャリア10を第1感圧接着層4(素子集合体仮固定シート1)およびマーク感圧接着層33(マーク層31)からそれぞれ剥離し、キャリア10を再利用する。一方、素子集合体仮固定シート1(支持層2、素子集合体固定層3および第1感圧接着層4)と、マーク層31(マーク支持層32およびマーク感圧接着層33)とを、廃棄する。つまり、素子集合体仮固定シート1およびマーク層31は、使い捨てである。
As shown by the arrows in FIG. 8D, in the step (5), each of the plurality of sealing
5.第2実施形態の作用効果
第2実施形態によっても、第1実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
5. Actions and effects of the second embodiment The same actions and effects as those of the first embodiment can be obtained by the second embodiment.
さらに、この方法によれば、硬質のキャリア10ではなく、マーク層31に、アライメントマーク7を設けるので、キャリア10をマーク層31から分離すれば、キャリア10を再利用することができる。
Further, according to this method, since the
また、アライメントマーク7をマーク層31に簡便かつ容易に形成することができる。
Further, the
上記の方法では、図10に示すように、第3剥離層35、マーク感圧接着層33およびマーク支持層32をまとめて貫通する貫通孔26を形成している。しかし、例えば、図11に示すように、第3剥離層35を貫通せず、マーク感圧接着層33およびマーク支持層32のみを貫通する貫通孔26を形成することもできる。
In the above method, as shown in FIG. 10, a through
また、図示しないが、アライメントマーク7を、マーク層31において厚み方向途中に凹む凹部として設けることもできる。
Further, although not shown, the
さらに、図示しないが、アライメントマーク7を、貫通孔26ではなく、第1実施形態で例示した不透明な材料から形成することができる。例えば、アライメントマーク7を、マーク支持層32に設ける。
Further, although not shown, the
好ましくは、アライメントマーク7を、マーク層31を貫通する貫通孔26として形成する。アライメントマーク7を、マーク層31を貫通する貫通孔26として形成すれば、アライメントマーク7を簡便かつ容易に形成することができる。
Preferably, the
6.第3実施形態
第3実施形態において、第1および第2実施形態と同じ部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
6. Third Embodiment In the third embodiment, the same members and processes as those in the first and second embodiments are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
6−1. 工程(1)
工程(1)において、図12Aに示すように、素子集合体仮固定シート1およびキャリア10を順に備える仮固定部材30を用意する。
6-1. Process (1)
In the step (1), as shown in FIG. 12A, a
素子集合体仮固定シート1は、第1感圧接着層4(図3の実線参照)を備えず、支持層2と、素子集合体固定層3とを備える。また、素子集合体仮固定シート1は、図12Aに図示しないが、さらに、第1剥離層5(図3参照)を備えることもできる。好ましくは、素子集合体仮固定シート1は、支持層2および素子集合体固定層3のみからなり、また、必要により、好ましくは、支持層2、素子集合体固定層3および第1剥離層5のみからなる。
The element assembly
素子集合体仮固定シート1を製造するには、まず、支持層2を用意し、続いて、上記した方法(図4A〜図4Cの方法)により、アライメントマーク7を支持層2に設ける。その後、素子集合体固定層3を支持層2の上面全面に設ける。
In order to manufacture the element assembly
工程(1)において、仮固定部材30を用意するには、まず、第1剥離層5(図13参照)を素子集合体固定層3から剥離し、続いて、図12Aに示すように、キャリア10を素子集合体固定層3の上面に配置する。
In the step (1), in order to prepare the temporary fixing
キャリア10は、ガラスなどの透明材料からなる。キャリア10の全光線透過率は、例えば、80%以上、好ましくは、90%以上、より好ましくは、95%以上であり、また、例えば、99.9%以下である。
The
これにより、支持層2、素子集合体固定層3およびキャリア10を順次備える仮固定部材30が得られる。仮固定部材30は、好ましくは、支持層2、素子集合体固定層3およびキャリア10のみからなる。
As a result, a
仮固定部材30の厚みは、例えば、115μm以上、好ましくは、390μm以上であり、また、例えば、1550μm以下、好ましくは、860μm以下である。
The thickness of the temporary fixing
6−2. 工程(2)
工程(2)では、図12Bに示すように、素子集合体16をキャリア10に支持させる。
6-2. Process (2)
In step (2), as shown in FIG. 12B, the
具体的には、まず、図12Aに示すように、キャリア10の上面に第2感圧接着層25を配置する。
Specifically, first, as shown in FIG. 12A, the second pressure-
第2感圧接着層25は、平板形状を有しており、所定の厚みを有し、左右方向および前後方向に延び、平坦な表面および平坦な裏面を有している。第2感圧接着層25は、感圧接着性(粘着性)を有する。第2感圧接着層25は、図3に示す上記した素子集合体仮固定シート1(支持層2、素子集合体固定層3、第1感圧接着層4)と同様の層構成を有する。また、第2感圧接着層25は、特開2014−168036号公報に記載の粘着層からなることもできる。なお、第2感圧接着層25は、平面視において、素子集合体仮固定シート1に対して小さい寸法を有しており、具体的には、厚み方向に投影したときに、アライメントマーク7と重ならないように、配置されている。具体的には、第2感圧接着層25は、キャリア10の素子集合体形成領域17に配置されている。第2感圧接着層25の厚みは、例えば、30μm以上、好ましくは、50μm以上であり、また、例えば、500μm以下、好ましくは、300μm以下である。
The second pressure-
図12Bに示すように、次いで、複数の光半導体素子11を第2感圧接着層25の上面に感圧接着する。
As shown in FIG. 12B, a plurality of
この際、アライメントマーク7の配列マーク8を、仮固定部材30の上方から視認しながら、配列マーク8を基準にして、複数の光半導体素子11を第2感圧接着層25の上面に整列配置(配列)する。配列マーク8を、透明であるキャリア10および素子集合体固定層3を介して、視認する。
At this time, while visually recognizing the
これにより、1つの第2感圧接着層25と、複数の光半導体素子11とを備える素子集合体16が、キャリア10に支持された状態で得られる。つまり、素子集合体16は、キャリア10に支持される。つまり、素子集合体16は、キャリア10を介して素子集合体仮固定シート1(素子集合体固定層3)に仮固定されている。
As a result, the
6−3. 工程(3)
工程(3)では、図12Cに示すように、次いで、封止層12によって、素子集合体16における複数の光半導体素子11を封止する。
6-3. Process (3)
In the step (3), as shown in FIG. 12C, the
封止層12は、複数の光半導体素子11のそれぞれの上面および側面と、複数の光半導体素子11のそれぞれから露出する第2感圧接着層25の上面とを被覆している。一方、封止層12は、キャリア10の上面に形成されない。
The
これにより、素子集合体16と、素子集合体16を被覆する封止層12とを備える封止素子集合体19が得られる。封止素子集合体19は、1つの第2感圧接着層25と、複数の光半導体素子11と、1つの封止層12とを順次備える。封止素子集合体19は、好ましくは、1つの第2感圧接着層25と、複数の光半導体素子11と、1つの封止層12とのみからなる。
As a result, the sealing
6−4. 工程(4)
工程(4)では、図12Dの1点破線で示すように、次いで、封止層12を切断する。
6-4. Process (4)
In step (4), the
これにより、1つの光半導体素子11と、1つの封止層12とを備える封止光半導体素子13が、第2感圧接着層25に仮固定された状態で、複数得られる。
As a result, a plurality of sealing
6−5. 工程(5)
工程(5)では、図12Eに示すように、封止素子集合体19を、キャリア10の上面から剥離する。
6-5. Process (5)
In the step (5), as shown in FIG. 12E, the sealing
続いて、図12Eの矢印で示すように、複数の封止光半導体素子13のそれぞれを第2感圧接着層25から剥離する。
Subsequently, as shown by the arrows in FIG. 12E, each of the plurality of sealing
6−6.キャリアの再利用、および、光半導体装置の製造
仮固定部材30では、キャリア10を、素子集合体固定層3の上面から剥離して、キャリア10を再利用する。一方、素子集合体仮固定シート1(支持層2および素子集合体固定層3)を、廃棄する。つまり、素子集合体仮固定シート1は、使い捨てである。
6-6. Reuse of Carriers and Manufacture of Optical Semiconductor Devices In the temporary fixing
図12Fに示すように、その後、封止光半導体素子13を基板14にフリップチップ実装して、光半導体装置15を得る。
As shown in FIG. 12F, the sealing
7. 第3実施形態の作用効果
第3実施形態によっても、第1実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
7. Actions and effects of the third embodiment The same actions and effects as those of the first embodiment can be obtained by the third embodiment.
詳しくは、キャリア10により、第2感圧接着層25を介して、確実かつ簡便に支持層2を支持することができる。
Specifically, the
また、この素子集合体仮固定シート1は、図13に示すように、第1感圧接着層4(図3参照)を備えないので、第1感圧接着層4を備える第1実施形態の素子集合体仮固定シート1に比べて、層構成を簡単にすることができる。
Further, as shown in FIG. 13, this element assembly
8.第3実施形態の変形例
第3実施形態では、図12Aに示すように、アライメントマーク7が支持層2の上面に設けられている。
8. Modification of the Third Embodiment In the third embodiment, as shown in FIG. 12A, the
変形例では、図14Aに示すように、アライメントマーク7は、支持層2の下面に設けられる。
In the modified example, as shown in FIG. 14A, the
アライメントマーク7は、下方に向かって露出している。
The
図14Bに示すように、工程(2)において、複数の光半導体素子11を第2感圧接着層25に配列する際には、仮固定部材30の上方に配置されたカメラによって、キャリア10、素子集合体固定層3および支持層2を介して、配列マーク8を視認する。
As shown in FIG. 14B, when arranging the plurality of
図14Dに示すように、工程(4)において、封止層12を切断する際には、上記したカメラによって、キャリア10、素子集合体固定層3および支持層2を介して、切断マーク9を視認する。
As shown in FIG. 14D, when the
さらに、図示しないが、アライメントマーク7を、支持層2の上下両面に設けることもできる。
Further, although not shown, alignment marks 7 can be provided on both the upper and lower surfaces of the
好ましくは、アライメントマーク7を、支持層2の一方面のみ、つまり、上面のみ、あるいは、下面のみに設ける。アライメントマーク7を支持層2の一方面のみに設ければ、アライメントマーク7を支持層2の上下両面に設ける場合に比べて、アライメントマーク7を簡易に形成することができ、その分、製造コストを低減することができる。
Preferably, the
より好ましくは、第3実施形態の図13に示すように、アライメントマーク7は、支持層2の上面に設けられる。この構成によれば、アライメントマーク7が支持層2の下面に設けられる図14Aの場合に比べて、アライメントマーク7を上方からより確実に視認することができる。
More preferably, as shown in FIG. 13 of the third embodiment, the
また、図示しないが、アライメントマーク7を支持層2を厚み方向に貫通する貫通孔または凹部として設けることもできる。
Further, although not shown, the
さらに、第3実施形態では、図12Dの1点破線で示すように、封止層12を切断している。
Further, in the third embodiment, the
しかし、変形例では、図15Aに示すように、封止層12を切断することなく、第2感圧接着層25を、キャリア10の上面から剥離する。つまり、工程(4)を実施しない。
However, in the modified example, as shown in FIG. 15A, the second pressure-
次いで、図15Bに示すように、封止素子集合体19を、複数の光半導体素子11のそれぞれの下面、および、封止層12の下面から剥離する。
Next, as shown in FIG. 15B, the sealing
その後、図15Cに示すように、複数の光半導体素子11を、基板14にフリップチップ実装する。
After that, as shown in FIG. 15C, a plurality of
この変形例は、第3実施形態の工程(4)を備えず、工程(1)〜(3)および(5)を順次備える。 This modification does not include the step (4) of the third embodiment, but sequentially includes steps (1) to (3) and (5).
この変形例では、図15Aに示すように、封止層12を切断する工程(4)を実施しないので、図示しないが、アライメントマーク7は、切断マーク9を備えず、配列マーク8のみからなっていてもよい。
In this modification, as shown in FIG. 15A, since the step (4) for cutting the
以下の記載において用いられる配合割合(含有割合)、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合(含有割合)、物性値、パラメータなど該当記載の上限値(「以下」、「未満」として定義されている数値)または下限値(「以上」、「超過」として定義されている数値)に代替することができる。 Specific numerical values such as the compounding ratio (content ratio), physical property values, and parameters used in the following description are the compounding ratios (content ratio) corresponding to those described in the above-mentioned "Form for carrying out the invention". ), Physical property values, parameters, etc., can be replaced with the corresponding upper limit value (numerical value defined as "less than or equal to" or "less than") or lower limit value (numerical value defined as "greater than or equal to" or "excess"). can.
実施例1(第1実施形態に対応する実施例)
1−1. 工程(1)
図4Aが参照されるように、まず、PETからなる厚み175μmの支持層2と、その上面に設けられ、ハロゲン化銀を含有する銀塩乳剤からなる厚み3μmの感光層21とを備える感光層付支持層22を用意した(工程(a))。感光層付支持層22の前後方向長さは、600mmであり、左右方向長さは、500mmであった。
Example 1 (Example corresponding to the first embodiment)
1-1. Process (1)
As shown in FIG. 4A, first, a photosensitive layer including a
支持層2の全光線透過率は、95%であった。支持層2の線膨張係数は、70×10−6K−1であった。支持層2の25℃における引張弾性率Eは、60MPaであった。
The total light transmittance of the
素子集合体固定層3の全光線透過率は、95%であった。素子集合体固定層3の線膨張係数は、220×10−6K−1であった。 The total light transmittance of the device assembly fixed layer 3 was 95%. The coefficient of linear expansion of the element assembly fixed layer 3 was 220 × 10 -6 K -1 .
続いて、図4Bに示すように、ステンレスからなるメタルマスクを用いて感光層21を部分的に被覆し、その後、メタルマスクから露出する感光層21に対して、ピーク波長が193nmであるレーザー光を、照射した。これにより、配列マーク8と、切断マーク9とを、露光パターンとして形成した。
Subsequently, as shown in FIG. 4B, the
その後、感光層付支持層22を現像液に浸漬することにより、露光部分を残し、未露光部分を除去した(現像した)。これにより、図2および図4Cに示すように、円形状の配列マーク8と、直線形状の切断マーク9とを有するアライメントマーク7を、現像パターン23として形成した。
Then, the
配列マーク8の直径は、0.5mmであり、隣接する配列マーク8間の間隔は、1.14mmであり、隣接する配列マーク8のピッチは、1.64mmであった。切断マーク9の左右方向長さが、0.5mmであり、前後方向長さが、0.2mmであった。隣接する切断マーク9間の間隔は、1.62mmであり、隣接する切断マーク9のピッチは、1.64mmであった。
The diameter of the array marks 8 was 0.5 mm, the spacing between the adjacent array marks 8 was 1.14 mm, and the pitch of the adjacent array marks 8 was 1.64 mm. The length of the cutting
アライメントマーク7は、不透明であり、全光線透過率が、10%であった。
The
別途、第1剥離層5の表面にシリコーン系粘着剤からなる厚み25μmの素子集合体固定層3を用意する一方、第2剥離層6の表面にシリコーン系粘着剤からなる厚み15μmの第1感圧接着層4を用意した。
Separately, a device assembly fixing layer 3 having a thickness of 25 μm made of a silicone-based adhesive is prepared on the surface of the
次いで、素子集合体固定層3を支持層2の上面に、アライメントマーク7を含むように配置するとともに、第1感圧接着層4を支持層2の下面に配置した。
Next, the element assembly fixing layer 3 was arranged on the upper surface of the
これによって、図3に示すように、第2剥離層6、第1感圧接着層4、支持層2、素子集合体固定層3および第1剥離層5を順次備える素子集合体仮固定シート1を得た。
As a result, as shown in FIG. 3, the element assembly
その後、第2剥離層6を第1感圧接着層4から剥離し、その後、図1Aに示すように、第1感圧接着層4の下面に、ガラスからなる厚み700μmのキャリア10を配置した。
Then, the second peeling layer 6 was peeled from the first pressure-
これにより、図1Aに示すように、素子集合体仮固定シート1と、その下に設けられるキャリア10とを備える仮固定部材30を用意した。仮固定部材30の厚みは、790μmであった。
As a result, as shown in FIG. 1A, a
1−4. 工程(2)
図1Aの仮想線矢印で示すように、第1剥離層5を、素子集合体固定層3の上面から剥離した後、図1Bに示すように、複数の光半導体素子11を、配列マーク8を基準にして、素子集合体固定層3に整列配置した。この際、配列マーク8を上方からカメラが視認した。
1-4. Process (2)
As shown by the virtual line arrow in FIG. 1A, after the
光半導体素子11の厚みは、150μmであり、光半導体素子11の左右方向長さおよび前後方向長さは、1.14mmであり、隣接する光半導体素子11の間の間隔は、0.5mm以上であった。
The thickness of the
1−5. 工程(3)
図1Cに示すように、次いで、封止層12によって素子集合体16を封止した。封止層12は、シリコーン樹脂100質量部および蛍光体15質量部を含有する封止組成物から形成した。封止層12の厚みは、400μmであった。これにより、複数の光半導体素子11と、1つの封止層12とを備える封止素子集合体19を得た。
1-5. Process (3)
As shown in FIG. 1C, the
1−6. 工程(4)
図1Dの1点破線および図2で示すように、次いで、切断マーク9を基準として、封止層12をダイシングソーで切断して、封止素子集合体19を個片化した。この際、切断マーク9を上方からカメラが視認した。切断された封止層12の左右方向長さおよび前後方向長さは、それぞれ、100mmであった。
1-6. Process (4)
As shown by the alternate long and short dash line in FIG. 1D and FIG. 2, the
これによって、光半導体素子11と、封止層12とを備える封止光半導体素子13を、仮固定部材30に仮固定された状態で、複数得た。
As a result, a plurality of sealing
1−7. 工程(5)
続いて、図1Dの矢印で示すように、複数の封止光半導体素子13のそれぞれを、素子集合体固定層3から剥離した。
1-7. Process (5)
Subsequently, as shown by the arrows in FIG. 1D, each of the plurality of sealing
その後、図1Eに示すように、封止光半導体素子13を基板14にフリップチップ実装した。
Then, as shown in FIG. 1E, the sealing
実施例2(第1実施形態に対応する実施例)
工程(1)において、アライメントマーク7を、カーボンブラックを含む塗布液のインクジェット印刷および乾燥により形成した以外は、実施例1と同様に処理して、素子集合体仮固定シート1を得、続いて、素子集合体仮固定シート1を使用して、封止光半導体素子13を製造し、引き続き、光半導体装置15を製造した。
Example 2 (Example corresponding to the first embodiment)
In step (1), the
実施例3(第2実施形態に対応する実施例)
工程(1)において、下記の通り変更した以外は、実施例1と同様に処理して、素子集合体仮固定シート1を得、続いて、素子集合体仮固定シート1を使用して、封止光半導体素子13を製造し(図7A〜図8D参照)、引き続き、光半導体装置15を製造した(図8E参照)。
Example 3 (Example corresponding to the second embodiment)
In step (1), except for the following changes, the same processing as in Example 1 was performed to obtain a device assembly
工程(1)では、図10が参照されるように、まず、ポリエステルからなる厚み50μmの第3剥離層35、シリコーン系感圧接着剤からなる厚み6μmのマーク感圧接着層33、および、ポリイミドからなる厚み25μmのマーク支持層32を備える積層体(商品名「TRM−6250−L」、日東電工社製)を用意した。
In step (1), as shown in FIG. 10, first, a
支持層2の全光線透過率は、95%であった。支持層2の線膨張係数は、70×10−6K−1であった。支持層2の25℃における引張弾性率Eは、60MPaであった。
The total light transmittance of the
素子集合体固定層3の全光線透過率は、95%であった。素子集合体固定層3の線膨張係数は、220×10−6K−1であった。 The total light transmittance of the device assembly fixed layer 3 was 95%. The coefficient of linear expansion of the element assembly fixed layer 3 was 220 × 10 -6 K -1 .
次いで、図10に示すように、YAGレーザーによって、実施例1と同様のパターンで、貫通孔26を、積層体を貫通するように形成した。YAGレーザーの条件は、以下の通りであった。
Next, as shown in FIG. 10, a through
YAGレーザー: MODEL5330(ESI社製)
ビーム径:5μm
レーザーパワー:2.5W
パルスの繰返し周波数:30kHz
走査速度=150mm/秒
これにより、第3剥離層35およびそれに支持されるマーク層31(マーク感圧接着層33およびマーク支持層32)に、貫通孔26をアライメントマーク7として形成した。
YAG laser: MODEL5330 (manufactured by ESI)
Beam diameter: 5 μm
Laser power: 2.5W
Pulse repetition frequency: 30 kHz
Scanning speed = 150 mm / sec As a result, a through
その後、第3剥離層35をマーク感圧接着層33から剥離し、続いて、図7Aに示すように、マーク感圧接着層33を、キャリア10の下面に感圧接着した。別途、素子集合体仮固定シート1における第1感圧接着層4の下面を、キャリア10の上面に感圧接着した。
Then, the
これにより、キャリア10と、キャリア10に支持される素子集合体仮固定シート1と、キャリア10に支持されるマーク層31とを備える仮固定部材30を得た。
As a result, a
実施例4(第3実施形態に対応する実施例)
4−1. 工程(1)
第2剥離層6および第1感圧接着層4を備えない以外は、実施例1と同様に処理して、素子集合体仮固定シート1を得た。つまり、図13に示すように、この素子集合体仮固定シート1は、支持層2、素子集合体固定層3および第1剥離層5を順次備えた。素子集合体仮固定シート1の厚みは、100μmであった。
Example 4 (Example corresponding to the third embodiment)
4-1. Process (1)
A device assembly
その後、第1剥離層5を素子集合体固定層3から剥離し、続いて、図12Aに示すように、素子集合体固定層3の上面に、ガラスからなる厚み700μmのキャリア10を配置した。これにより、仮固定部材30を用意した。仮固定部材30の厚みは、800μmであった。
Then, the
4−2. 工程(2)
別途、支持層2、素子集合体固定層3、第1感圧接着層4からなる素子集合体仮固定シート1からなる厚み90μmの第2感圧接着層25を、キャリア10の上面に配置した。
4-2. Process (2)
Separately, a second pressure-
図12Bに示すように、次いで、複数の光半導体素子11を、配列マーク8を基準にして、第2感圧接着層25の上面に整列配置した。この際、配列マーク8を上方からカメラが視認した。光半導体素子11の寸法および隣接する光半導体素子11間の寸法は、実施例1と同様であった。
As shown in FIG. 12B, a plurality of
これにより、第2感圧接着層25と、複数の光半導体素子11とを備える素子集合体16を、素子集合体仮固定シート1にキャリア10を介して支持された状態で、得た。
As a result, the
4−3. 工程(3)
図12Cに示すように、次いで、封止層12によって、素子集合体16における複数の光半導体素子11を封止した。封止層12は、シリコーン樹脂100質量部および蛍光体15質量部を含有する封止組成物から形成した。封止層12の厚みは、400μmであった。
4-3. Process (3)
As shown in FIG. 12C, the
これにより、素子集合体16と、複数の光半導体素子11を被覆する封止層12とを備える封止素子集合体19を得た。
As a result, a sealing
4−4. 工程(4)
図12Dの1点破線で示すように、次いで、切断マーク9を基準として、封止層12をダイシングソーで切断した。この際、切断マーク9を上方からカメラが視認した。切断された封止層12の左右方向長さおよび前後方向長さは、それぞれ、1.62mmであった。
4-4. Process (4)
As shown by the alternate long and short dash line in FIG. 12D, the
4−5. 工程(5)
その後、図12Eの矢印で示すように、封止素子集合体19を、キャリア10の上面から剥離した。続いて、複数の封止光半導体素子13のそれぞれを第2感圧接着層25から剥離した。
4-5. Process (5)
Then, as shown by the arrow in FIG. 12E, the sealing
その後、図12Fに示すように、封止光半導体素子13を基板14にフリップチップ実装して、光半導体装置15を得た。
Then, as shown in FIG. 12F, the sealing
実施例5(第3実施形態に対応する実施例)
工程(1)において、アライメントマーク7を、カーボンブラックを含む塗布液のインクジェット印刷および乾燥により形成した以外は、実施例4と同様に処理して、素子集合体仮固定シート1を得、続いて、素子集合体仮固定シート1を使用して、封止光半導体素子13を製造し、引き続き、光半導体装置15を製造した。
Example 5 (Example corresponding to the third embodiment)
In step (1), the
2 支持層
3 素子集合体固定層
4 第1感圧接着層
7 アライメントマーク
10 キャリア
11 光半導体素子
12 封止層
13 封止光半導体素子
16 素子集合体
19 封止素子集合体
23 現像パターン
25 第2感圧接着層
30 仮固定部材
31 マーク層
2 Support layer 3 Element
Claims (6)
複数の光半導体素子が整列配置される素子集合体を前記固定層に仮固定する工程(2)と、
前記工程(2)の後に、封止層によって複数の前記光半導体素子を被覆して、前記素子集合体および前記封止層を備える封止素子集合体を得る工程(3)と、
前記工程(3)の後に、前記封止光半導体素子を個片化するように、前記封止層を切断する工程(4)と、
前記工程(4)の後に、前記封止素子集合体を前記固定層から剥離する工程(5)とを備え、
前記マーク層には、切断マークが設けられ、
前記工程(4)では、前記切断マークを基準にして、前記封止層を切断し、
前記マーク層は、前記キャリアにおいて前記支持層が形成される側と反対側に形成されていることを特徴とする、封止光半導体素子の製造方法。 A step (1) of preparing a temporary fixing member having a hard carrier, a support layer supported by the carrier and made of a synthetic resin, a fixing layer supported by the support layer, and a mark layer supported by the carrier. ,
A step (2) of temporarily fixing an element aggregate in which a plurality of optical semiconductor elements are aligned and arranged to the fixed layer, and
After the step (2), a step (3) of coating a plurality of the optical semiconductor elements with a sealing layer to obtain the element assembly and the sealing element assembly including the sealing layer.
After the step (3), a step (4) of cutting the sealing layer so as to separate the sealing optical semiconductor element.
After the step (4), a step (5) of peeling the sealing element assembly from the fixed layer is provided.
A cutting mark is provided on the mark layer.
In the step (4), the sealing layer is cut with reference to the cutting mark, and the sealing layer is cut.
The mark layer is characterized that you have been formed on the side opposite to the side where the supporting layer is formed in the carrier, the manufacturing method of the sealing optical semiconductor elements.
前記仮固定部材は、前記キャリア、前記第1感圧接着層、前記支持層および前記固定層を順に備えることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の封止光半導体素子の製造方法。 The temporary fixing member further includes a first pressure-sensitive adhesive layer.
The sealing optical semiconductor according to any one of claims 1 to 3 , wherein the temporary fixing member includes the carrier, the first pressure-sensitive adhesive layer, the support layer, and the fixing layer in this order. Manufacturing method of the element.
第2感圧接着層を前記キャリアの厚み方向一方面に配置する工程と、
複数の光半導体素子を前記第2感圧接着層の厚み方向一方面に仮固定して、複数の前記光半導体素子と、複数の前記光半導体素子を備える前記素子集合体を設ける工程(2)と、
前記工程(2)の後に、封止層によって複数の前記光半導体素子を被覆して、前記素子集合体および前記封止層を備える封止素子集合体を得る工程(3)と、
前記工程(3)の後に、前記封止光半導体素子を個片化するように、前記封止層を切断する工程(4)と、
前記工程(4)の後に、前記第2感圧接着層を前記キャリアから剥離する工程(5)とを備え、
前記支持層には、アライメントマークが設けられ、
前記工程(2)では、前記アライメントマークを基準にして、前記光半導体素子を前記第2感圧接着層に仮固定し、および/または、前記工程(4)では、前記アライメントマークを基準にして、前記封止層を切断することを特徴とする、封止光半導体素子の製造方法。 A temporary fixing member including a hard carrier, a support layer supported by the carrier and made of a synthetic resin, and a fixing layer supported by the support layer, wherein the support layer, the fixing layer, and the carrier are provided. The step (1) of preparing the temporary fixing member provided in order toward one side in the thickness direction, and
A step of arranging the second pressure-sensitive adhesive layer on one surface in the thickness direction of the carrier, and
A step of temporarily fixing a plurality of optical semiconductor elements to one surface in the thickness direction of the second pressure-sensitive adhesive layer to provide the plurality of the optical semiconductor elements and the element assembly including the plurality of the optical semiconductor elements (2). When,
After the step (2), a step (3) of coating a plurality of the optical semiconductor elements with a sealing layer to obtain the element assembly and the sealing element assembly including the sealing layer.
After the step (3), a step (4) of cutting the sealing layer so as to separate the sealing optical semiconductor element.
The step (4) is followed by a step (5) of peeling the second pressure-sensitive adhesive layer from the carrier.
The support layer is provided with an alignment mark.
In the step (2), the optical semiconductor element is temporarily fixed to the second pressure-sensitive adhesive layer with reference to the alignment mark, and / or in the step (4), the alignment mark is used as a reference. , A method for manufacturing a sealed optical semiconductor device, which comprises cutting the sealing layer.
第2感圧接着層を前記キャリアの厚み方向一方面に配置する工程と、
複数の光半導体素子を前記第2感圧接着層の厚み方向一方面に仮固定して、複数の前記光半導体素子と、複数の前記光半導体素子を備える前記素子集合体を設ける工程(2)と、
前記工程(2)の後に、封止層によって複数の前記光半導体素子を被覆して、前記素子集合体および前記封止層を備える封止素子集合体を得る工程(3)と、
前記工程(3)の後に、前記第2感圧接着層を前記キャリアから剥離する工程(5)とを備え、
前記支持層には、配列マークが設けられ、
前記工程(2)では、前記配列マークを基準にして、前記光半導体素子を前記第2感圧接着層に仮固定することを特徴とする、封止光半導体素子の製造方法。 A temporary fixing member including a hard carrier, a support layer supported by the carrier and made of a synthetic resin, and a fixing layer supported by the support layer, wherein the support layer, the fixing layer, and the carrier are provided. The step (1) of preparing the temporary fixing member provided in order toward one side in the thickness direction, and
A step of arranging the second pressure-sensitive adhesive layer on one surface in the thickness direction of the carrier, and
A step of temporarily fixing a plurality of optical semiconductor elements to one surface in the thickness direction of the second pressure-sensitive adhesive layer to provide the plurality of the optical semiconductor elements and the element assembly including the plurality of the optical semiconductor elements (2). When,
After the step (2), a step (3) of coating a plurality of the optical semiconductor elements with a sealing layer to obtain the element assembly and the sealing element assembly including the sealing layer.
The step (3) is followed by a step (5) of peeling the second pressure-sensitive adhesive layer from the carrier.
The support layer is provided with an array mark.
The step (2) is a method for manufacturing a sealed optical semiconductor element, which comprises temporarily fixing the optical semiconductor element to the second pressure-sensitive adhesive layer with reference to the arrangement mark.
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