JP6887563B2 - Underlayer film forming composition for imprint and its application - Google Patents

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Description

本発明は、インプリント用下層膜形成組成物、キット、インプリント用硬化性組成物、積層体、積層体の製造方法、パターン形成方法、および半導体デバイスの製造方法に関する。 The present invention relates to an imprint underlayer film forming composition, a kit, an imprint curable composition, a laminate, a method for producing a laminate, a pattern forming method, and a method for producing a semiconductor device.

インプリント法は、モールドのパターンを転写して樹脂の層に所望の構造を形成する方法である。なかでも光インプリント法によれば、光透過性モールドや光透過性基板を通して光照射して硬化性組成物を光硬化させた後、モールドを剥離することで微細パターンを光硬化物に転写することができる。この方法では、室温でのインプリントが可能になるため、半導体集積回路の作製などの超微細パターンの精密加工分野に応用できる。最近では、この長所を組み合わせたナノキャスティング法や3次元積層構造を作製するリバーサルインプリント法などの新しい展開も報告されている。
インプリント用硬化性組成物の塗布方法としてはインクジェット塗布が検討されている(例えば、特許文献1)。インプリント用硬化性組成物は、しばしば、1〜100pL程度の液滴として、基材上に滴下される。インクジェット塗布を採用することにより、インプリントパターンの粗密に対応して塗布量を調整することができ、均一なインプリントパターンを確保することが可能となる。インプリント用硬化性組成物から形成されるインプリント層の基材との密着性をより強固にするために、両者の間に、インプリント用下層膜形成組成物から形成した下層膜(特許文献2、3)や密着層(特許文献4、5)を適用した例がある。
The imprint method is a method of transferring a mold pattern to form a desired structure in a resin layer. Among them, according to the optical imprint method, a light-transmitting mold or a light-transmitting substrate is irradiated with light to photo-cure the curable composition, and then the mold is peeled off to transfer a fine pattern to the photo-cured product. be able to. Since this method enables imprinting at room temperature, it can be applied to the field of precision processing of ultrafine patterns such as the fabrication of semiconductor integrated circuits. Recently, new developments such as a nanocasting method that combines these advantages and a reversal imprint method for producing a three-dimensional laminated structure have been reported.
Inkjet coating has been studied as a method for coating a curable composition for imprint (for example, Patent Document 1). The curable composition for imprint is often dropped onto the substrate as droplets of about 1 to 100 pL. By adopting inkjet coating, the coating amount can be adjusted according to the density of the imprint pattern, and a uniform imprint pattern can be secured. In order to further strengthen the adhesion of the imprint layer formed from the curable composition for imprint to the substrate, an underlayer film formed from the underlayer film forming composition for imprint between the two (Patent Document). There are examples in which 2 and 3) and an adhesive layer (Patent Documents 4 and 5) are applied.

特表2005−533393号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-533393 特開2013−093552号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2013-093552 特開2014−093385号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2014-093385 特開2016−146468号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2016-146468 特開2017−206695号公報JP-A-2017-206695

光インプリント法では、上述のように、基板の表面にインプリント用硬化性組成物を塗布し、その表面にモールドを接触させた状態で光照射してインプリント用硬化性組成物を硬化させたインプリント層を形成する。その後、モールドを剥離する工程を含む。このモールドを剥離する工程で、インプリント層(硬化物)が基板から剥れてモールドに付着してしまう場合がある。これは、基板とインプリント層との接着力が、モールドとインプリント層との接着力に対し十分に高くないことが原因の1つと考えられる。かかる問題を解決するために、例えば上記特許文献2〜5に記載されている技術が提案されており、これにより一定の解決は図られた。しかしながら、インプリント法の活用の拡大、これを利用した製品開発の活発化に伴い、基板とインプリント層との間の密着性の確保のほか、多様な基板に対して密着性を確保することが重要になってきている。
そこで本発明は、多様な基板に対して十分な密着性を確保することができるインプリント用下層膜形成組成物、ならびに、このインプリント用下層膜形成組成物を用いたキット、インプリント用硬化性組成物、積層体、積層体の製造方法、パターン形成方法、および半導体デバイスの製造方法の提供を目的とする。
In the optical imprint method, as described above, the curable composition for imprint is applied to the surface of the substrate, and the curable composition for imprint is cured by irradiating light with the mold in contact with the surface. Form an imprint layer. Then, the step of peeling off the mold is included. In the process of peeling the mold, the imprint layer (cured product) may peel off from the substrate and adhere to the mold. It is considered that one of the causes is that the adhesive force between the substrate and the imprint layer is not sufficiently high with respect to the adhesive force between the mold and the imprint layer. In order to solve such a problem, for example, the techniques described in Patent Documents 2 to 5 have been proposed, and a certain solution has been achieved by this. However, with the expansion of the use of the imprint method and the activation of product development using this method, in addition to ensuring the adhesion between the substrate and the imprint layer, it is necessary to ensure the adhesion to various substrates. Is becoming important.
Therefore, the present invention relates to an imprint underlayer film forming composition capable of ensuring sufficient adhesion to various substrates, a kit using this imprint underlayer film forming composition, and curing for imprinting. It is an object of the present invention to provide a sex composition, a laminate, a method for producing a laminate, a pattern forming method, and a method for producing a semiconductor device.

上記課題のもと、本発明者らは、インプリント法においてインプリント用下層膜形成組成物を利用する技術について研究を進めた。そして、インプリント用下層膜形成組成物に含有させるポリマーとして重合性基とpKaの低い酸性の部分構造とを有するものを用いることにより、上記課題を解決しうることを見出した。具体的には下記<1>に係る手段およびその好ましい実施形態である<2>〜<23>に係る手段により上記の課題は解決された。 Based on the above problems, the present inventors have proceeded with research on a technique for utilizing an underlayer film forming composition for imprinting in an imprinting method. Then, they have found that the above-mentioned problems can be solved by using a polymer having a polymerizable group and an acidic partial structure having a low pKa as a polymer to be contained in the underlayer film forming composition for imprinting. Specifically, the above-mentioned problems have been solved by the means according to the following <1> and the means according to the preferred embodiments <2> to <23>.

<1>ポリマーと溶剤とを含むインプリント用下層膜形成組成物であって、上記ポリマーがpKa4.0以下のモノマー由来の構成単位と、重合性基とを含む、インプリント用下層膜形成組成物。
<2>上記ポリマーがアクリル樹脂である、<1>に記載のインプリント用下層膜形成組成物。
<3>上記ポリマーの重量平均分子量が2,000以上である、<1>または<2>に記載のインプリント用下層膜形成組成物。
<4>上記ポリマーが有する重合性基が(メタ)アクリロイル基である、<1>〜<3>のいずれか1つに記載のインプリント用下層膜形成組成物。
<5>上記ポリマーが有するpKa4.0以下のモノマー由来の構成単位が、pKaが3.0以下のモノマー由来の構成単位である、<1>〜<4>のいずれか1つに記載のインプリント用下層膜形成組成物。
<6>上記pKa4.0以下のモノマー由来の構成単位が、ヒドロキシル基、カルボキシル基、チオカルボン酸基、ジチオカルボン酸基、スルホン酸基、リン酸モノエステル基、リン酸ジエステル基およびリン酸基からなる群から選ばれる少なくとも1種を有する、<1>〜<5>のいずれか1つに記載のインプリント用下層膜形成組成物。
<7>上記インプリント用下層膜形成組成物の99.0質量%以上が溶剤である、<1>〜<6>のいずれか1つに記載のインプリント用下層膜形成組成物。
<8>上記ポリマーが重合性基を有する構成単位を有する、<1>〜<7>のいずれか1つに記載のインプリント用下層膜形成組成物。
<9><1>〜<8>のいずれか1つに記載のインプリント用下層膜形成組成物とインプリント用硬化性組成物とを含む、キット。
<10><9>に記載のキットに用いられる、インプリント用硬化性組成物。
<11>基板と、基板の表面に位置する、<1>〜<8>のいずれか1つに記載のインプリント用下層膜形成組成物から形成された下層膜と、上記下層膜の表面に位置するインプリント用硬化性組成物から形成されたインプリント層とを有する、積層体。
<12>上記基板として、有機層を最表層として有する基板を用いる、<11>に記載の積層体。
<13>上記基板として、塩基性の層を最表層として有する基板を用いる、<11>または<12>に記載の積層体。
<14><1>〜<8>のいずれか1つに記載のインプリント用下層膜形成組成物を基板の表面に適用しインプリント用下層膜を形成する工程、上記下層膜の表面にインプリント用硬化性組成物を適用する工程を含む、積層体の製造方法。
<15>上記基板として、有機層を最表層として有する基板を用いる、<14>に記載の積層体の製造方法。
<16>上記基板として、塩基性の層を最表層として有する基板を用いる、<14>または<15>に記載の積層体の製造方法。
<17>基板表面に、<1>〜<8>のいずれか1つに記載のインプリント用下層膜形成組成物を用いて下層膜を形成する工程、上記下層膜上にインプリント用下層膜形成組成物を適用してインプリント用硬化性組成物層を形成する工程、上記インプリント用硬化性組成物層にモールドを接触させる工程、上記モールドを接触させた状態で上記インプリント用硬化性組成物層を露光する工程、および上記モールドを、上記露光したインプリント用硬化性組成物層から剥離する工程を含む、パターン形成方法。
<18>上記基板として、有機層を最表層として有する基板を用いる、<17>に記載のパターン形成方法。
<19>上記基板として、塩基性の層を最表層として有する基板を用いる、<17>または<18>に記載のパターン形成方法。
<20>上記インプリント用下層膜形成組成物を基板表面に、スピンコート法で適用する、<17>〜<19>のいずれか1つに記載のパターン形成方法。
<21>上記インプリント用硬化性組成物をインクジェット法で下層膜上に適用する、<17>〜<20>のいずれか1つに記載のパターン形成方法。
<22><17>〜<21>のいずれか1つに記載のパターン形成方法を含む、半導体デバイスの製造方法。
<1> Imprint underlayer film forming composition containing a polymer and a solvent, wherein the polymer contains a structural unit derived from a monomer having a pKa of 4.0 or less and a polymerizable group. Stuff.
<2> The underlayer film forming composition for imprint according to <1>, wherein the polymer is an acrylic resin.
<3> The underlayer film forming composition for imprint according to <1> or <2>, wherein the weight average molecular weight of the polymer is 2,000 or more.
<4> The underlayer film forming composition for imprint according to any one of <1> to <3>, wherein the polymerizable group of the polymer is a (meth) acryloyl group.
<5> The imprint according to any one of <1> to <4>, wherein the structural unit derived from a monomer having a pKa of 4.0 or less contained in the polymer is a structural unit derived from a monomer having a pKa of 3.0 or less. Underlayer film forming composition for printing.
<6> The structural unit derived from the monomer of pKa 4.0 or less is composed of a hydroxyl group, a carboxyl group, a thiocarboxylic acid group, a dithiocarboxylic acid group, a sulfonic acid group, a phosphoric acid monoester group, a phosphoric acid diester group and a phosphoric acid group. The underlayer film forming composition for imprint according to any one of <1> to <5>, which comprises at least one selected from the group.
<7> The underlayer film forming composition for imprint according to any one of <1> to <6>, wherein 99.0% by mass or more of the underlayer film forming composition for imprint is a solvent.
<8> The underlayer film forming composition for imprint according to any one of <1> to <7>, wherein the polymer has a structural unit having a polymerizable group.
<9> A kit containing the imprint underlayer film forming composition and the imprint curable composition according to any one of <1> to <8>.
<10> A curable composition for imprinting used in the kit according to <9>.
<11> On the surface of the substrate, the underlayer film formed from the underlayer film forming composition for imprint according to any one of <1> to <8>, which is located on the surface of the substrate, and the surface of the underlayer film. A laminate having an imprint layer formed from a curable composition for imprint located.
<12> The laminate according to <11>, wherein a substrate having an organic layer as the outermost layer is used as the substrate.
<13> The laminate according to <11> or <12>, wherein a substrate having a basic layer as the outermost layer is used as the substrate.
<14> A step of applying the imprint underlayer film forming composition according to any one of <1> to <8> to the surface of a substrate to form an imprint underlayer film, the step of forming an imprint underlayer film on the surface of the underlayer film. A method for producing a laminate, which comprises a step of applying a curable composition for printing.
<15> The method for producing a laminate according to <14>, wherein a substrate having an organic layer as the outermost layer is used as the substrate.
<16> The method for producing a laminate according to <14> or <15>, wherein a substrate having a basic layer as the outermost layer is used as the substrate.
<17> A step of forming a lower layer film on the surface of a substrate using the lower layer film forming composition for imprint according to any one of <1> to <8>, a lower layer film for imprinting on the lower layer film. A step of applying the forming composition to form a curable composition layer for imprint, a step of bringing a mold into contact with the curable composition layer for imprint, and a step of bringing the mold into contact with the curable for imprint. A pattern forming method comprising a step of exposing a composition layer and a step of peeling the mold from the exposed curable composition layer for imprinting.
<18> The pattern forming method according to <17>, wherein a substrate having an organic layer as the outermost layer is used as the substrate.
<19> The pattern forming method according to <17> or <18>, wherein a substrate having a basic layer as the outermost layer is used as the substrate.
<20> The pattern forming method according to any one of <17> to <19>, wherein the underlayer film forming composition for imprint is applied to the surface of a substrate by a spin coating method.
<21> The pattern forming method according to any one of <17> to <20>, wherein the curable composition for imprint is applied onto an underlayer film by an inkjet method.
<22> A method for manufacturing a semiconductor device, which comprises the pattern forming method according to any one of <17> to <21>.

本発明のインプリント用下層膜形成組成物によれば、多様な基板に対して十分な密着性を確保することができる。また、このインプリント用下層膜形成組成物を用いたキット、インプリント用硬化性組成物、積層体、積層体の製造方法、パターン形成方法、および半導体デバイスの製造方法を提供可能になった。 According to the underlayer film forming composition for imprinting of the present invention, sufficient adhesion to various substrates can be ensured. Further, it has become possible to provide a kit using this underlayer film forming composition for imprinting, a curable composition for imprinting, a laminate, a method for producing a laminate, a pattern forming method, and a method for producing a semiconductor device.

硬化物パターンの形成、および、得られた硬化物パターンをエッチングによる基板の加工に用いる場合の製造プロセスの一例を示す工程説明図である。It is a process explanatory drawing which shows an example of the manufacturing process in the case of forming a cured product pattern, and using the obtained cured product pattern for processing a substrate by etching.

以下において、本発明の内容について詳細に説明する。尚、本明細書において「〜」とはその前後に記載される数値を下限値および上限値として含む意味で使用される。
本明細書において、「(メタ)アクリレート」は、アクリレートおよびメタクリレートを表す。
本明細書において、「インプリント」は、好ましくは、1nm〜10mmのサイズのパターン転写をいい、より好ましくは、およそ10nm〜100μmのサイズのパターン転写(ナノインプリント)をいう。
本明細書における基(原子団)の表記において、置換および無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基(無置換アルキル基)のみならず、置換基を有するアルキル基(置換アルキル基)をも包含するものである。
本明細書において、「光」には、紫外、近紫外、遠紫外、可視、赤外等の領域の波長の光や、電磁波だけでなく、放射線も含まれる。放射線には、例えばマイクロ波、電子線、極端紫外線(EUV)、X線が含まれる。また248nmエキシマレーザー、193nmエキシマレーザー、172nmエキシマレーザーなどのレーザー光も用いることができる。これらの光は、光学フィルタを通したモノクロ光(単一波長光)を用いてもよいし、複数の波長の異なる光(複合光)でもよい。
本発明における重量平均分子量(Mw)は、特に述べない限り、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)で測定したものをいう。
本発明における温度は、特に述べない限り、23℃とする。
本発明における沸点とは、1気圧(1atm=1013.25hPa)における沸点をいう。
Hereinafter, the contents of the present invention will be described in detail. In addition, in this specification, "~" is used in the meaning which includes the numerical values described before and after it as the lower limit value and the upper limit value.
As used herein, "(meth) acrylate" refers to acrylate and methacrylate.
As used herein, "imprint" preferably refers to a pattern transfer having a size of 1 nm to 10 mm, and more preferably a pattern transfer having a size of about 10 nm to 100 μm (nanoimprint).
In the notation of a group (atomic group) in the present specification, the notation that does not describe substitution and non-substitution includes those having no substituent as well as those having a substituent. For example, the "alkyl group" includes not only an alkyl group having no substituent (unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group having a substituent (substituted alkyl group).
In the present specification, "light" includes not only light having wavelengths in the ultraviolet, near-ultraviolet, far-ultraviolet, visible, and infrared regions, and electromagnetic waves, but also radiation. Radiation includes, for example, microwaves, electron beams, extreme ultraviolet rays (EUV), and X-rays. Further, laser light such as a 248 nm excimer laser, a 193 nm excimer laser, and a 172 nm excimer laser can also be used. As these lights, monochrome light (single wavelength light) that has passed through an optical filter may be used, or light having a plurality of different wavelengths (composite light) may be used.
Unless otherwise specified, the weight average molecular weight (Mw) in the present invention refers to those measured by gel permeation chromatography (GPC).
Unless otherwise specified, the temperature in the present invention is 23 ° C.
The boiling point in the present invention means the boiling point at 1 atm (1 atm = 1013.25 hPa).

本発明のインプリント用下層膜形成組成物は、ポリマーと溶剤とを含むインプリント用下層膜形成組成物であって、このポリマーがpKa4.0以下のモノマー由来の構成単位と、重合性基とを含む(本明細書では、このポリマーを特定ポリマーと称する)ことを特徴とする。これにより、インプリント層と基板との良好な密着性を実現することができる。特に、その好ましい実施形態によれば、基板種に依存しない、低欠陥なインプリントプロセスの実現が可能となる。 The underlayer film forming composition for imprint of the present invention is an underlayer film forming composition for imprint containing a polymer and a solvent, and the polymer contains a structural unit derived from a monomer having a pKa of 4.0 or less and a polymerizable group. (In the present specification, this polymer is referred to as a specific polymer). As a result, good adhesion between the imprint layer and the substrate can be realized. In particular, according to the preferred embodiment, it is possible to realize a low-defect imprint process that does not depend on the substrate type.

<特定ポリマー>
本発明に用いられる特定ポリマーは、pKa4.0以下のモノマー由来の構成単位を含む。
モノマーのpKaは3.0以下であることが好ましく、2.5以下であることがより好ましく、2.0以下であることがさらに好ましい。下限値としては、−3.0以上、さらには、1.0以上であることが実際的である。
<Specific polymer>
The specific polymer used in the present invention contains a monomer-derived structural unit having a pKa of 4.0 or less.
The pKa of the monomer is preferably 3.0 or less, more preferably 2.5 or less, and even more preferably 2.0 or less. As a lower limit value, it is practical that it is −3.0 or more, and further, 1.0 or more.

本明細書においてpKaとは、水溶液中でのpKaのことを表し、後述する実施例に記載の方法で算出された値とする。 In the present specification, pKa represents pKa in an aqueous solution, and is a value calculated by the method described in Examples described later.

pKa4.0以下のモノマー由来の構成単位は、ヒドロキシル基(アルコール性ヒドロキシル基、フェノール性ヒドロキシル基)、カルボキシル基、アミド基、イミド基、ウレア基、ウレタン基、シアノ基、エーテル基(好ましくはポリアルキレンオキシ基)、環状エーテル基、ラクトン基、スルホニル基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホンイミド基、リン酸基、リン酸エステル基およびニトリル基からなる群から選ばれる少なくとも1種(以下、単に、「酸基」ということがある)を含むことが好ましい。この中でも、ヒドロキシル基、カルボキシル基、チオカルボン酸基、ジチオカルボン酸基、スルホン酸基、リン酸モノエステル基、リン酸ジエステル基、およびリン酸基からなる群から選ばれる少なくとも1種を有することが好ましく、スルホン酸基、リン酸モノエステル基、リン酸ジエステル基、およびリン酸基からなる群から選ばれる少なくとも1種を含むことがさらに好ましい。 The constituent units derived from the monomers having a pKa of 4.0 or less are a hydroxyl group (alcoholic hydroxyl group, phenolic hydroxyl group), a carboxyl group, an amide group, an imide group, a urea group, a urethane group, a cyano group, and an ether group (preferably poly). At least one selected from the group consisting of an alkyleneoxy group), a cyclic ether group, a lactone group, a sulfonyl group, a sulfonic acid group, a sulfonamide group, a sulfonimide group, a phosphoric acid group, a phosphoric acid ester group and a nitrile group (hereinafter, It is preferable to include (sometimes referred to simply as an "acid group"). Among these, it may have at least one selected from the group consisting of a hydroxyl group, a carboxyl group, a thiocarboxylic acid group, a dithiocarboxylic acid group, a sulfonic acid group, a phosphoric acid monoester group, a phosphoric acid diester group, and a phosphoric acid group. It is more preferable to contain at least one selected from the group consisting of a sulfonic acid group, a phosphoric acid monoester group, a phosphoric acid diester group, and a phosphoric acid group.

pKa4.0以下のモノマーは、分子量が50以上であることが好ましく、100以上であることがより好ましく、150以上であることがさらに好ましく、200以上であることが一層好ましい。また、分子量が1000以下であることが好ましく、800以下であることがより好ましく、以下であることがさらに好ましく、600以下であることが一層好ましい。このような範囲とすることにより、製膜性の向上と密着性の向上という効果がより効果的に発揮される。 The monomer having a pKa of 4.0 or less preferably has a molecular weight of 50 or more, more preferably 100 or more, further preferably 150 or more, and further preferably 200 or more. Further, the molecular weight is preferably 1000 or less, more preferably 800 or less, further preferably less than that, and even more preferably 600 or less. Within such a range, the effects of improving the film-forming property and the adhesiveness are more effectively exhibited.

pKa4.0以下のモノマーが有する重合性基としては、(メタ)アクリロイル基、エポキシ基、オキセタン基、メチロール基、メチロールエーテル基、ビニルエーテル基などが挙げられる。重合容易性の観点から、特に(メタ)アクリロイル基が好ましい。本明細書ではここで規定し例示した重合性基を重合性基Psと呼ぶ。 Examples of the polymerizable group contained in the monomer having a pKa of 4.0 or less include a (meth) acryloyl group, an epoxy group, an oxetane group, a methylol group, a methylol ether group, and a vinyl ether group. From the viewpoint of easiness of polymerization, a (meth) acryloyl group is particularly preferable. In the present specification, the polymerizable groups specified and exemplified here are referred to as polymerizable groups Ps.

pKa4.0以下のモノマーは、酸基−連結基−重合性基で表される構造を有することが好ましい。ここでの連結基は、後述する連結基Lが例示される。 The monomer having a pKa of 4.0 or less preferably has a structure represented by an acid group-linking group-polymerizable group. Examples of the linking group here include the linking group L described later.

特定ポリマーにおいて、全構成単位中、pKa4.0以下のモノマー由来の構成単位の割合は、各構成単位をモノマーとしたときのモル比基準で、0.5質量%以上であることが好ましく、1質量%以上であることがより好ましく、3質量%以上であることがさらに好ましい。また、上限値としては、50質量%以下であることが好ましく、30質量%以下であることがより好ましく、15質量%以下であることがさらに好ましい。
特定ポリマーは、pKa4.0以下のモノマー由来の構成単位を1種のみ含んでいても、2種以上含んでいてもよい。2種以上含む場合、合計量が上記範囲となることが好ましい。
In the specific polymer, the ratio of the constituent units derived from the monomers having a pKa of 4.0 or less in all the constituent units is preferably 0.5% by mass or more based on the molar ratio when each constituent unit is used as a monomer. It is more preferably 3% by mass or more, and further preferably 3% by mass or more. The upper limit is preferably 50% by mass or less, more preferably 30% by mass or less, and further preferably 15% by mass or less.
The specific polymer may contain only one type of structural unit derived from a monomer having a pKa of 4.0 or less, or may contain two or more types. When two or more types are included, the total amount is preferably in the above range.

特定ポリマーは重合性基を有する。
重合性基は、特定ポリマーの側鎖に結合していても、末端に結合していてもよい。本発明では、特定ポリマーが重合性基を有する構成単位を有することが好ましい。また、特定ポリマーは、上記pKa4.0以下のモノマー由来の構成単位が重合性基も含んでいてもよいし、pKa4.0以下のモノマー由来の構成単位とは別に、重合性基を有する構成単位を含んでいてもよく、pKa4.0以下のモノマー由来の構成単位とは別に、重合性基を有する構成単位を含んでいることが好ましい。
重合性基の具体例としては、重合性基Psが例示され、特に(メタ)アクリロイル基が好ましい。重合性基は構成単位に組み込まれる形でポリマーに導入されていることが好ましい。上記特定ポリマーは、重合性基を有することでインプリント用下層膜が架橋構造を形成し、剥離時の下層膜の凝集破壊を防ぎ、より効果的な密着性を確保することが可能となるため好ましい。
特定ポリマーにおいて、全構成単位中、重合性基を有する構成単位の割合は、各構成単位をモノマーとしたときのモル比基準で、50質量%以上であることが好ましく、70質量%以上であることがより好ましく、85質量%以上であることがさらに好ましい。また、上限値は、99.5質量%以下であることが好ましく、99質量%以下であることがより好ましく、97質量%以下であることがさらに好ましい。
特定ポリマーは、重合性基を有する構成単位を1種のみ含んでいても、2種以上含んでいてもよい。2種以上含む場合、合計量が上記範囲となることが好ましい。
The specific polymer has a polymerizable group.
The polymerizable group may be attached to the side chain of the specific polymer or to the end. In the present invention, it is preferable that the specific polymer has a structural unit having a polymerizable group. Further, in the specific polymer, the structural unit derived from the monomer of pKa 4.0 or less may also contain a polymerizable group, or the structural unit having a polymerizable group in addition to the structural unit derived from the monomer of pKa 4.0 or less. May be contained, and it is preferable that a structural unit having a polymerizable group is contained in addition to the structural unit derived from the monomer having a pKa of 4.0 or less.
Specific examples of the polymerizable group include polymerizable groups Ps, and a (meth) acryloyl group is particularly preferable. The polymerizable group is preferably introduced into the polymer in a form incorporated into the structural unit. Since the specific polymer has a polymerizable group, the lower layer film for imprinting forms a crosslinked structure, prevents cohesive failure of the lower layer film at the time of peeling, and makes it possible to secure more effective adhesion. preferable.
In the specific polymer, the ratio of the structural units having a polymerizable group to all the structural units is preferably 50% by mass or more, preferably 70% by mass or more, based on the molar ratio when each structural unit is used as a monomer. More preferably, it is more preferably 85% by mass or more. The upper limit is preferably 99.5% by mass or less, more preferably 99% by mass or less, and further preferably 97% by mass or less.
The specific polymer may contain only one type of structural unit having a polymerizable group, or may contain two or more types. When two or more types are included, the total amount is preferably in the above range.

特定ポリマーにおいて、全構成単位中、酸基を有する構成単位と重合性基を有する構成単位との合計割合は、各構成単位をモノマーとしたときのモル比基準で、90質量%以上であることが好ましく、95質量%以上であることがより好ましく、97質量%以上であることがさらに好ましい。上限は100質量%であってもよい。 In the specific polymer, the total ratio of the structural unit having an acid group and the structural unit having a polymerizable group in all the structural units shall be 90% by mass or more based on the molar ratio when each structural unit is used as a monomer. Is more preferable, 95% by mass or more is more preferable, and 97% by mass or more is further preferable. The upper limit may be 100% by mass.

特定ポリマーは、アクリル樹脂、ノボラック樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂およびメラミン樹脂からなる群から選択される少なくとも1種であることが好ましく、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂およびノボラック樹脂からなる群から選択される少なくとも1種であることがより好ましく、アクリル樹脂がさらに好ましい。 The specific polymer is preferably at least one selected from the group consisting of acrylic resin, novolak resin, epoxy resin, polyurethane resin, phenol resin, polyester resin and melamine resin, and is composed of acrylic resin, polyester resin and novolak resin. It is more preferably at least one selected from the group, and even more preferably an acrylic resin.

アクリル樹脂とは、一般に、アクリル酸、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステルの重合体、またはこれらを主成分とし、これらと共重合可能なモノマー、例えばスチレン、ビニルトルエン、酢酸ビニル、アクリロニトリルを共重合した樹脂を指す。アクリル樹脂はアクリル系のモノマーを付加重合させて合成することができる。付加重合は、ラジカル、カチオン、アニオンによってひき起こされ、それぞれはラジカル重合、カチオン重合、アニオン重合と呼ばれる。工業的に最も利用されているのはラジカル重合である。アクリル系のモノマーとしては、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸プロピル、(メタ)アクリル酸イソプロピル、(メタ)アクリル酸n−ブチル、(メタ)アクリル酸i−ブチル、(メタ)アクリル酸t−ブチル、(メタ)アクリル酸n−へキシル、(メタ)アクリル酸オクチル、(メタ)アクリル酸2−エチルエキシル、(メタ)アクリル酸ラウリルが挙げられる。 The acrylic resin is generally a polymer of acrylic acid, acrylic acid ester, and methacrylic acid ester, or a monomer having these as main components and copolymerizable with these, for example, styrene, vinyltoluene, vinyl acetate, and acrylonitrile. Refers to resin. Acrylic resins can be synthesized by addition polymerization of acrylic monomers. Addition polymerization is triggered by radicals, cations and anionics, which are called radical polymerization, cationic polymerization and anionic polymerization, respectively. The most industrially used is radical polymerization. Examples of acrylic monomers include methyl (meth) acrylic acid, ethyl (meth) acrylic acid, propyl (meth) acrylic acid, isopropyl (meth) acrylic acid, n-butyl (meth) acrylic acid, and i (meth) acrylic acid. Examples thereof include -butyl, t-butyl (meth) acrylate, n-hexyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, 2-ethylexyl (meth) acrylate, and lauryl (meth) acrylate.

フェノール樹脂は、3官能性モノマーであるフェノール(置換フェノールでは2または1官能性の場合もある)と2官能性モノマーであるホルムアルデヒドとの、酸または塩基触媒下での反応により生成する。酸触媒により得られるものをノボラック(novolac)、塩基触媒により得られるものをレゾール(resol)と呼ぶ。レゾールは加熱によって自己硬化する。ノボラックはヘキサメチレンテトラミン(HMTA)のような硬化剤とともに加熱すると硬化する。原料としては、フェノール、o−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、2,3−キシレノール、2,4−キシレノール、2,5−キシレノール、2,6−キシレノール、3,4−キシレノール、3,5−キシレノール、レゾシノール、p−t−ブチルフェノール、p−ノニルフェノール、ビスフェノール等が挙げられる。
メラミン封脂は、メラミン(2,4,6−トリアミノ−1,3,5−トリアジン)とホルムアルデヒドの付加縮合によって得られる熱硬化性合成樹脂である。尿素樹脂などとともにアミノ基(−NH)を反応基とするためアミノ樹脂の1つに数えられている。透明で、硬く、着色性、耐熱性、耐アーク性などにすぐれているので、成形材料、化粧板、塗料など幅広い用途をもっている。メラミンはアミノ基を反応基としてホルムアルデヒドと反応しメチロールメラミンとなる。メチロールメラミンはモノメチロールメラミンからヘキサメチロールメラミンまで、すべての置換体が容易に混合物として得られる。
Phenol resins are produced by the reaction of phenol, which is a trifunctional monomer (which may be bi- or monofunctional with substituted phenol), and formaldehyde, which is a bifunctional monomer, under an acid or base catalyst. What is obtained by an acid catalyst is called novolac, and what is obtained by a base catalyst is called resol. Resol self-cures when heated. Novolac cures when heated with a curing agent such as hexamethylenetetramine (HMTA). As raw materials, phenol, o-cresol, m-cresol, p-cresol, 2,3-xylenol, 2,4-xylenol, 2,5-xylenol, 2,6-xylenol, 3,4-xylenol, 3, Examples thereof include 5-xylenol, resosinol, pt-butylphenol, p-nonylphenol, and bisphenol.
Melamine sealant is a thermosetting synthetic resin obtained by addition condensation of melamine (2,4,6-triamino-1,3,5-triazine) and formaldehyde. It is counted as one of the amino resins because it uses an amino group (-NH 2) as a reactive group together with urea resin and the like. It is transparent, hard, and has excellent coloring, heat resistance, and arc resistance, so it has a wide range of uses such as molding materials, decorative boards, and paints. Melamine reacts with formaldehyde using an amino group as a reactive group to become methylol melamine. As for methylol melamine, all substitutions from monomethylol melamine to hexamethylol melamine are easily obtained as a mixture.

エポキシ樹脂はエポキシ基を1分子中に2個以上有する化合物の総称で、通常、それ自体では加熱しても硬化することはなく、硬化物を得るためには硬化剤または触媒を必要とする。硬化剤を添加することにより付加反応して不溶不融の熱硬化性樹脂となるので、揮発物の発生がなく加工性がよい。硬化剤として各種第一級、第二級アミン、酸無水物、フェノール樹脂を使用することができる。エポキシ樹脂の製造は、活性水素をもつ化合物とエピクロロヒドリンとの反応および、二重結合をもつ化合物の酸化による2つの方法で行われている。活性水素をもつ化合物としては、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン(別名ビスフェノールA)、4,4’−ジヒドロキシジフェニルメタン(別名ビスフェノールF)、2,2−ビス(3,5−ジブロモ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン(別名テトラブロモビスフェノールA)、オルトクレゾール、ヘキサヒドロフタル酸、メタアミノフェノール、パラアミノフェノールが挙げられる。その他のエポキシ樹脂原料としては、ノボラック型フェノール樹脂、ダイマー酸、ポリブタジエン、大豆油、脂環式化合物、テトラヒドロフタル酸、p−ヒドロキシ安息香酸、m−キシリレンジアミン、ヒダントイン化合物、シアヌル酸などが用いられる。 Epoxy resin is a general term for compounds having two or more epoxy groups in one molecule, and usually does not cure even when heated by itself, and a curing agent or catalyst is required to obtain a cured product. By adding a curing agent, an addition reaction is carried out to obtain an insoluble and infusible thermosetting resin, so that volatile substances are not generated and workability is good. Various primary and secondary amines, acid anhydrides, and phenol resins can be used as the curing agent. The epoxy resin is produced by two methods: a reaction between a compound having active hydrogen and epichlorohydrin, and oxidation of a compound having a double bond. Compounds with active hydrogen include 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) propane (also known as bisphenol A), 4,4'-dihydroxydiphenylmethane (also known as bisphenol F), and 2,2-bis (3,5-dibromo). -4-Hydroxyphenyl) propane (also known as tetrabromobisphenol A), orthocresol, hexahydrophthalic acid, metaaminophenol, paraaminophenol can be mentioned. As other epoxy resin raw materials, novolak type phenol resin, dimer acid, polybutadiene, soybean oil, alicyclic compound, tetrahydrophthalic acid, p-hydroxybenzoic acid, m-xylylene diamine, hydantin compound, cyanuric acid and the like are used. Be done.

ポリエステル樹脂は、二塩基酸と2価アルコールの重縮合反応により得られ、主鎖にエステル結合(−COO−)をもつ。二塩基酸としては、テレフタル酸、ナフタレンジカルボン酸、シクロヘキサンジカルボン酸、アジピン酸、無水マレイン酸、フマル酸、イタコン酸などが挙げられる。塩基酸多価アルコールとしては、プロピレングリコール、エチレングリコール、ジエチレングリコールがよく利用される。ただし、他の2価アルコールも樹脂の性質により適宜使い分けられる。プラスチック材料として一般に使用きれるポリエステルとしてはPET(ポリエチレンテレフタラート)のほかに、PETのエチレングリコール成分をテトラメチレングリコールに置き換えたポリプチレンテレフタラート(PBT)やシクロヘキサンジメタノールで置き換えたポリシクロヘキサンジメチレンテレフタラート(PCT)があり、テレフタル酸成分を2,6−ナフタレンジカルボン酸に置き換えたポリエチレン−2,6ナフタラート(PEN)なども知られている。 The polyester resin is obtained by a polycondensation reaction of a dibasic acid and a dihydric alcohol, and has an ester bond (-COO-) in the main chain. Examples of the dibasic acid include terephthalic acid, naphthalenedicarboxylic acid, cyclohexanedicarboxylic acid, adipic acid, maleic anhydride, fumaric acid, itaconic acid and the like. Propylene glycol, ethylene glycol, and diethylene glycol are often used as the basic acid polyhydric alcohol. However, other dihydric alcohols may be used as appropriate depending on the properties of the resin. In addition to PET (polyethylene terephthalate), polyesters that can be generally used as plastic materials include polyptylene terephthalate (PBT) in which the ethylene glycol component of PET is replaced with tetramethylene glycol, and polycyclohexanedimethylene tereph in which cyclohexanedimethanol is replaced. There is tarate (PCT), and polyethylene-2,6 naphthalate (PEN) in which the terephthalic acid component is replaced with 2,6-naphthalenedicarboxylic acid is also known.

ポリウレタン(PU)はポリイソシアナートとポリオールとの反応によって得られるウレタン結合(カルバミン酸エステル結合)を有する一群のポリマーである。反応するいずれの化合物も2官能性の場合は線状の熱可塑性PUが得られ、少なくとも一方が3官能性以上の場合や側鎖反応が起こった場合は網状構造のPUを形成する。 Polyurethane (PU) is a group of polymers having urethane bonds (carbamic acid ester bonds) obtained by the reaction of polyisocyanates with polyols. When each of the reacting compounds is bifunctional, a linear thermoplastic PU is obtained, and when at least one of them is trifunctional or higher, or when a side chain reaction occurs, a PU having a network structure is formed.

上記の各樹脂については、さらに宮坂啓象等編「プラスチック辞典」(朝倉書店)等を参照することができる。 For each of the above resins, you can also refer to "Plastic Dictionary" (Asakura Shoten) edited by Keizo Miyasaka and others.

特定ポリマーは、下記式(1)〜式(6)のいずれかで表される構成単位で表される主鎖を有することが好ましい。

Figure 0006887563
は水素原子またはメチル基であり、メチル基が好ましい。
は酸素原子またはNHであり、酸素原子が好ましい。
nは1〜3の整数であり、1または2が好ましく、1がより好ましい。
mは1〜5の整数であり、1または2が好ましく、1がより好ましい。
Rは、pKa4.0以下となる部分構造(酸基)であることが好ましい。式(1)〜式(6)におけるRが2つ以上ある場合、複数のRは互いに結合して環を形成していてもよい。酸基の好ましいものは、上述したpKa4.0以下のモノマーが有する酸基と同じである。
式(1)〜(6)において、主鎖やベンゼン環は本発明の効果を奏する範囲内で後述する置換基Tを有していてもよい。また、Rや置換基Tは主鎖と結合して環を形成していてもよい。The specific polymer preferably has a main chain represented by a structural unit represented by any of the following formulas (1) to (6).
Figure 0006887563
R 1 is a hydrogen atom or a methyl group, preferably a methyl group.
X R is an oxygen atom or NH, preferably an oxygen atom.
n is an integer of 1 to 3, preferably 1 or 2, and more preferably 1.
m is an integer of 1 to 5, preferably 1 or 2, and more preferably 1.
R preferably has a partial structure (acid group) having a pKa of 4.0 or less. When there are two or more Rs in the formulas (1) to (6), the plurality of Rs may be combined with each other to form a ring. The preferred acid group is the same as that of the above-mentioned monomer having pKa 4.0 or less.
In the formulas (1) to (6), the main chain and the benzene ring may have a substituent T, which will be described later, within the range in which the effect of the present invention is exhibited. Further, R and the substituent T may be bonded to the main chain to form a ring.

上記特定ポリマーは、コポリマーであることも好ましい。共重合成分は、下記式(1−1)〜(1−6)のいずれかで表される構成単位の少なくとも1種を、上記式(1)〜(6)の構成単位とともに含むことが好ましい。

Figure 0006887563
は水素原子またはメチル基であり、メチル基が好ましい。
は酸素原子またはNHであり、酸素原子が好ましい。
nは1〜3の整数であり、1または2が好ましく、1がより好ましい。
mは1〜5の整数であり、1または2が好ましく、1がより好ましい。
はそれぞれ独立に重合性基を含む置換基である。Rに含まれる重合性基は上記Psであることが好ましい。式(1−1)〜式(1−6)におけるRが2つ以上ある場合、複数のRは互いに結合して環を形成していてもよい。また、式(1−1)〜式(1−6)の主鎖およびベンゼン環には本発明の効果を奏する範囲で置換基Tが置換していてもよい。
としては下記式(T2)であることが好ましい。Rの式量は、80以上1000以下が好ましく、100以上800以下がより好ましく、150以上600以下がさらに好ましい。
−(Ln6−(P)n7 (T2)
は下記の連結基Lであり、なかでもアルキレン基、アリーレン基、(オリゴ)アルキレンオキシ基、カルボニル基、酸素原子、これらの組合せに係る連結基が好ましい。n6は0または1であり、1が好ましい。Pは重合性基を含む基であり、PsまたはPsと連結基Lで構成された基が好ましい。n7は1〜6の整数であり、1または2が好ましい。なお、n7が2以上であるときは、Lが3価以上の連結基となっていればよく、例えば、3価以上のアルカン構造の基(炭素数1〜12が好ましく、1〜6がより好ましく、1〜3がさらに好ましい)、アルケン構造の基(炭素数2〜12が好ましく、2〜6がより好ましく、2〜3がさらに好ましい)、またはアリール構造の基(炭素数6〜22が好ましく、6〜18がより好ましく、6〜10がさらに好ましい)を含む連結基が挙げられる。なお、(オリゴ)アルキレンオキシ基とは、モノアルキレンオキシ基でも、オリゴアルキレンオキシ基でもよいことを意味する。Lの連結原子数は、1〜24が好ましく、1〜12がより好ましく、1〜6がさらに好ましい。
特定ポリマーが式(1)で表される構成単位を含み、コポリマーである場合、式(1−1)で表される構成単位を含むことが好ましい。式(2)〜式(6)についても、同様に、それぞれ、式(1−2)〜式(1−6)で表される構成単位を含むことが好ましい。The specific polymer is also preferably a copolymer. The copolymerization component preferably contains at least one of the structural units represented by any of the following formulas (1-1) to (1-6) together with the structural units of the above formulas (1) to (6). ..
Figure 0006887563
R 1 is a hydrogen atom or a methyl group, preferably a methyl group.
X R is an oxygen atom or NH, preferably an oxygen atom.
n is an integer of 1 to 3, preferably 1 or 2, and more preferably 1.
m is an integer of 1 to 5, preferably 1 or 2, and more preferably 1.
R 2 is a substituent containing a polymerizable group independently. The polymerizable group contained in R 2 is preferably Ps. If R 2 in the formula (1-1) to Formula (1-6) there are two or more, plural R 2 may be bonded to each other to form a ring. Further, the main chain and the benzene ring of the formulas (1-1) to (1-6) may be substituted with the substituent T within the range in which the effect of the present invention is exhibited.
It is preferred as R 2 is the following formula (T2). Formula weight of R 2 is preferably 80 to 1,000, more preferably 100 or more 800 or less, more preferably 150 or more and 600 or less.
-(L 4 ) n6- (P) n7 (T2)
L 4 is the following linking group L, and among them, an alkylene group, an arylene group, a (oligo) alkyleneoxy group, a carbonyl group, an oxygen atom, and a linking group related to a combination thereof are preferable. n6 is 0 or 1, preferably 1. P is a group containing a polymerizable group, and a group composed of Ps or Ps and a linking group L is preferable. n7 is an integer of 1 to 6, preferably 1 or 2. Incidentally, when n7 is 2 or more, it is sufficient that L 4 is a trivalent or more connecting group, for example, group (1 to 12 carbon atoms are preferable tri- or higher alkane structure, 1 to 6 More preferably, 1 to 3 is more preferable), an alkene structure group (2 to 12 carbon atoms is preferable, 2 to 6 is more preferable, and 2 to 3 is more preferable), or an aryl structure group (6 to 22 carbon atoms is preferable). , 6-18 is more preferred, and 6-10 is even more preferred). The (oligo) alkyleneoxy group means that it may be a monoalkyleneoxy group or an oligoalkyleneoxy group. The number of linked atoms of L 4 is preferably 1 to 24, more preferably 1 to 12, and even more preferably 1 to 6.
When the specific polymer contains a structural unit represented by the formula (1) and is a copolymer, it preferably contains a structural unit represented by the formula (1-1). Similarly, it is preferable that the formulas (2) to (6) also include the structural units represented by the formulas (1-2) to (1-6), respectively.

特定ポリマーは、さらに、酸基および重合性基を有さない構成単位(「他の構成単位」ということがある)を含むことも好ましい。他の構成単位は、上記式(1−1)〜(1−6)の骨格を有することが好ましい。ただし、置換基Rは酸基および重合性基のない置換基Rとなる。さらに他の主鎖やベンゼン環には本発明の効果を奏する範囲で置換基Tが置換していてもよい。また、Rや置換基Tが主鎖に結合して環を形成していてもよい。
は下記式(T3)であることが好ましい。Rの式量は、80以上1000以下が好ましく、100以上800以下がより好ましく、150以上600以下がさらに好ましい。
−(Ln8−(Tn9 (T3)
は後述する連結基Lであり、なかでもアルキレン基、アリーレン基、(オリゴ)アルキレンオキシ基、カルボニル基、酸素原子、これらの組合せに係る連結基が好ましい。Lの連結原子数は、1〜24が好ましく、1〜12がより好ましく、1〜6がさらに好ましい。n8は0または1である。Tは後述する置換基Tであり、なかでも、ハロゲン原子で置換されることがあるアルキル基、ハロゲン原子で置換されることがあるアリール基、ハロゲン原子で置換されることがあるアリールアルキル基が好ましい。n9は1〜6の整数であり、1または2が好ましい。n9が2以上であるときは、Lが3価以上の連結基となっていればよく、例えば、3価以上のアルカン構造の基(炭素数1〜12が好ましく、1〜6がより好ましく、1〜3がさらに好ましい)、アルケン構造の基(炭素数2〜12が好ましく、2〜6がより好ましく、2〜3がさらに好ましい)、またはアリール構造の基(炭素数6〜22が好ましく、6〜18がより好ましく、6〜10がさらに好ましい)を含む連結基が挙げられる。
The specific polymer also preferably contains a structural unit that does not have an acid group and a polymerizable group (sometimes referred to as "another structural unit"). The other structural unit preferably has the skeletons of the above formulas (1-1) to (1-6). However, the substituent R 2 is a substituent R 3 having no acid group and a polymerizable group. Further, the substituent T may be substituted in the other main chain or the benzene ring as long as the effect of the present invention is exhibited. Also, it may be R 3 or substituent T is bonded to the main chain to form a ring.
R 3 is preferably given the following formula (T3). The formula amount of R 3 is preferably 80 or more and 1000 or less, more preferably 100 or more and 800 or less, and further preferably 150 or more and 600 or less.
- (L 5) n8 - ( T 1) n9 (T3)
L 5 is a linking group L described later, and among them, an alkylene group, an arylene group, a (oligo) alkyleneoxy group, a carbonyl group, an oxygen atom, and a linking group related to a combination thereof are preferable. The number of linked atoms of L 5 is preferably 1 to 24, more preferably 1 to 12, and even more preferably 1 to 6. n8 is 0 or 1. T 1 is a substituent T described later, and among them, an alkyl group that may be substituted with a halogen atom, an aryl group that may be substituted with a halogen atom, and an arylalkyl group that may be substituted with a halogen atom. Is preferable. n9 is an integer of 1 to 6, preferably 1 or 2. When n9 is 2 or more has only to which L 5 is trivalent or more connecting group, for example, group (1 to 12 carbon atoms are preferable tri- or higher alkane structure, and more preferably 1 to 6 , 1-3 are more preferred), alkene-structured groups (preferably 2-12 carbon atoms, more preferably 2-6, more preferably 2-3), or aryl-structured groups (preferably 6-22 carbon atoms). , 6-18 is more preferred, 6-10 is even more preferred).

置換基Tとしては、アルキル基(炭素数1〜24が好ましく、1〜12がより好ましく、1〜6がさらに好ましい)、アリールアルキル基(炭素数7〜21が好ましく、7〜15がより好ましく、7〜11がさらに好ましい)、アルケニル基(炭素数2〜24が好ましく、2〜12がより好ましく、2〜6がさらに好ましい)、アルキニル基(炭素数2〜12が好ましく、2〜6がより好ましく、2〜3がさらに好ましい)、ヒドロキシル基、アミノ基(炭素数0〜24が好ましく、0〜12がより好ましく、0〜6がさらに好ましい)、チオール基、カルボキシル基、アリール基(炭素数6〜22が好ましく、6〜18がより好ましく、6〜10がさらに好ましい)、ヘテロアリール基(炭素数1〜22が好ましく、1〜16がより好ましく、1〜12がさらに好ましい)、アルコキシル基(炭素数1〜12が好ましく、1〜6がより好ましく、1〜3がさらに好ましい)、アリールオキシ基(炭素数6〜22が好ましく、6〜18がより好ましく、6〜10がさらに好ましい)、アシル基(炭素数2〜12が好ましく、2〜6がより好ましく、2〜3がさらに好ましい)、アシルオキシ基(炭素数2〜12が好ましく、2〜6がより好ましく、2〜3がさらに好ましい)、アリーロイル基(炭素数7〜23が好ましく、7〜19がより好ましく、7〜11がさらに好ましい)、アリーロイルオキシ基(炭素数7〜23が好ましく、7〜19がより好ましく、7〜11がさらに好ましい)、カルバモイル基(炭素数1〜12が好ましく、1〜6がより好ましく、1〜3がさらに好ましい)、スルファモイル基(炭素数0〜12が好ましく、0〜6がより好ましく、0〜3がさらに好ましい)、スルホ基、アルキルスルホニル基(炭素数1〜12が好ましく、1〜6がより好ましく、1〜3がさらに好ましい)、アリールスルホニル基(炭素数6〜22が好ましく、6〜18がより好ましく、6〜10がさらに好ましい)、ヘテロ環基(炭素数1〜12が好ましく、1〜8がより好ましく、2〜5がさらに好ましい、5員環または6員環を含むことが好ましい)、(メタ)アクリロイル基、(メタ)アクリロイルオキシ基、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、オキソ基(=O)、イミノ基(=NR)、アルキリデン基(=C(R)などが挙げられる。
は水素原子、アルキル基(炭素数1〜12が好ましく、1〜6がより好ましく、1〜3がさらに好ましい)であり、アルケニル基(炭素数2〜12が好ましく、2〜6がより好ましく、2〜3がさらに好ましい)、アルキニル基(炭素数2〜12が好ましく、2〜6がより好ましく、2〜3がさらに好ましい)、アリール基(炭素数6〜22が好ましく、6〜18がより好ましく、6〜10がさらに好ましい)、ヘテロアリール基(炭素数1〜22が好ましく、1〜16がより好ましく、1〜12がさらに好ましい)であり、なかでも、水素原子、メチル基、エチル基、またはプロピル基が好ましい。Rは本発明の効果を奏する範囲でさらに置換基Tで規定される各基を有していてもよい。
各置換基に含まれるアルキル部位、アルケニル部位、およびアルキニル部位は鎖状でも環状でもよく、直鎖でも分岐でもよい。上記置換基Tが置換基を取りうる基である場合にはさらに置換基Tを有してもよい。例えば、アルキル基はハロゲン化アルキル基となってもよいし、(メタ)アクリロイルオキシアルキル基、アミノアルキル基やカルボキシアルキル基になっていてもよい。
As the substituent T, an alkyl group (preferably 1 to 24 carbon atoms, more preferably 1 to 12 carbon atoms, further preferably 1 to 6 carbon atoms) and an arylalkyl group (preferably 7 to 21 carbon atoms, more preferably 7 to 15 carbon atoms). , 7-11 is more preferred), an alkenyl group (preferably 2 to 24 carbon atoms, more preferably 2 to 12 and even more preferably 2 to 6), an alkynyl group (preferably 2 to 12 carbon atoms, 2 to 6 carbon atoms). More preferably, 2-3), hydroxyl group, amino group (preferably 0 to 24 carbon atoms, more preferably 0 to 12 and even more preferably 0 to 6), thiol group, carboxyl group, aryl group (carbon). Numbers 6 to 22 are preferred, 6 to 18 are more preferred, 6 to 10 are even more preferred), heteroaryl groups (1 to 22 carbon atoms are preferred, 1 to 16 are more preferred, 1 to 12 are even more preferred), alkoxyls. Group (preferably 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, further preferably 1-3), aryloxy group (preferably 6 to 22 carbon atoms, more preferably 6 to 18 carbon atoms, still more preferably 6 to 10 carbon atoms). ), Acrylic group (preferably 2 to 12 carbon atoms, more preferably 2 to 6 carbon atoms, further preferably 2 to 3), acyloxy group (preferably 2 to 12 carbon atoms, more preferably 2 to 6 carbon atoms, 2 to 3 carbon atoms). More preferably), an allyloyl group (preferably 7 to 23 carbons, more preferably 7 to 19 and even more preferably 7 to 11), an allyloyloxy group (preferably 7 to 23 carbons, more preferably 7 to 19). 7 to 11 are more preferable), carbamoyl group (preferably 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, further preferably 1 to 3), sulfamoyl group (preferably 0 to 12 carbon atoms, 0 to 6 carbon atoms are more preferable). Preferably, 0 to 3 are more preferable), a sulfo group, an alkylsulfonyl group (preferably 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, still more preferably 1 to 6 carbon atoms), and an arylsulfonyl group (6 to 22 carbon atoms are preferable). Preferably, 6 to 18 is more preferable, 6 to 10 is more preferable), a heterocyclic group (1 to 12 carbon atoms is preferable, 1 to 8 is more preferable, 2 to 5 is more preferable, and a 5-membered ring or a 6-membered ring is preferable. (Preferably containing), (meth) acryloyl group, (meth) acryloyloxy group, halogen atom (eg, fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom), oxo group (= O), imino group (= NR) N), an alkylidene group (= C (R N) 2 ) , and the like.
RN is a hydrogen atom, an alkyl group (preferably 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, further preferably 1 to 6 carbon atoms), and an alkenyl group (preferably 2 to 12 carbon atoms, 2 to 6 carbon atoms are more preferable). Preferably, 2-3 are more preferred), alkynyl groups (2-12 carbon atoms are preferred, 2-6 are more preferred, 2-3 are more preferred), aryl groups (6-22 carbon atoms are preferred, 6-18 carbon atoms are preferred). Is more preferable, 6 to 10 is more preferable), a heteroaryl group (carbon number 1 to 22 is preferable, 1 to 16 is more preferable, 1 to 12 is more preferable), and among them, a hydrogen atom, a methyl group, and the like. An ethyl group or a propyl group is preferable. R N may have a respective group defined by substituent T to the extent that the effects of the present invention.
The alkyl moiety, alkenyl moiety, and alkynyl moiety contained in each substituent may be chain or cyclic, and may be linear or branched. When the substituent T is a group capable of taking a substituent, it may further have a substituent T. For example, the alkyl group may be an alkyl halide group, a (meth) acryloyloxyalkyl group, an aminoalkyl group or a carboxyalkyl group.

連結基Lとしては、アルキレン基(炭素数1〜24が好ましく、1〜12がより好ましく、1〜6がさらに好ましい)、アルケニレン基(炭素数2〜12が好ましく、2〜6がより好ましく、2〜3がさらに好ましい)、アルキニレン基(炭素数2〜12が好ましく、2〜6がより好ましく、2〜3がさらに好ましい)、(オリゴ)アルキレンオキシ基(1つの構成単位中のアルキレン基の炭素数は1〜12が好ましく、1〜6がより好ましく、1〜3がさらに好ましい;繰り返し数は1〜50が好ましく、1〜40がより好ましく、1〜30がさらに好ましい)、アリーレン基(炭素数6〜22が好ましく、6〜18がより好ましく、6〜10がさらに好ましい)、酸素原子、硫黄原子、スルホニル基、カルボニル基、チオカルボニル基、−NR−、およびそれらの組み合わせにかかる連結基が挙げられる。アルキレン基は下記置換基Tを有していてもよい。例えば、アルキレン基がヒドロキシル基を有していてもよい。連結基Lに含まれる原子数は水素原子を除いて1〜50が好ましく、1〜40がより好ましく、1〜30がさらに好ましい。連結原子数は連結に関与する原子団のうち最短の道程に位置する原子数を意味する。例えば、−CH−(C=O)−O−だと、連結に関与する原子は6個であり、水素原子を除いても4個である。一方連結に関与する最短の原子は−C−C−O−であり、3個となる。この連結原子数として、1〜24が好ましく、1〜12がより好ましく、1〜6がさらに好ましい。なお、上記アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、(オリゴ)アルキレンオキシ基は、鎖状でも環状でもよく、直鎖でも分岐でもよい。As the linking group L, an alkylene group (preferably 1 to 24 carbon atoms, more preferably 1 to 12 carbon atoms, further preferably 1 to 6 carbon atoms) and an alkenylene group (preferably 2 to 12 carbon atoms, more preferably 2 to 6 carbon atoms). 2-3 are more preferred), alkynylene groups (2-12 carbon atoms are preferred, 2-6 are more preferred, 2-3 are more preferred), (oligo) alkyleneoxy groups (alkylene groups in one building block. The number of carbon atoms is preferably 1-12, more preferably 1-6, still more preferably 1-3; the number of repetitions is preferably 1-50, more preferably 1-40, even more preferably 1-30), arylene group ( 6 to 22 carbon atoms are preferred, 6 to 18 are more preferred, 6 to 10 are even more preferred), oxygen atoms, sulfur atoms, sulfonyl groups, carbonyl groups, thiocarbonyl groups, -NR N- , and combinations thereof. Linking groups can be mentioned. The alkylene group may have the following substituent T. For example, the alkylene group may have a hydroxyl group. The number of atoms contained in the linking group L is preferably 1 to 50, more preferably 1 to 40, and even more preferably 1 to 30, excluding hydrogen atoms. The number of linked atoms means the number of atoms located in the shortest path among the atomic groups involved in the linking. For example, in the case of -CH 2- (C = O) -O-, the number of atoms involved in the connection is 6, and even excluding the hydrogen atom, it is 4. On the other hand, the shortest atom involved in the connection is -C-C-O-, which is three. The number of connected atoms is preferably 1 to 24, more preferably 1 to 12, and even more preferably 1 to 6. The alkylene group, alkenylene group, alkynylene group, and (oligo) alkyleneoxy group may be chain or cyclic, and may be linear or branched.

特定ポリマーは、重量平均分子量が2,000以上であることが好ましく、3,000以上であることがより好ましく、4,000以上がさらに好ましく、6,000以上が一層好ましく、10,000以上がより一層好ましく、15,000以上が特に一層好ましい。重量平均分子量の上限は特に定めるものではないが、例えば、200,000以下が好ましく、100,000以下がより好ましく、70,000以下がさらに好ましく、50,000以下が一層好ましく、35,000以下であってもよい。重量平均分子量を上記下限値以上とすることにより、ベーク処理時の膜安定性が向上し、インプリント下層膜形成時の面状をより向上させることができる。また、重量平均分子量を上記上限値以下とすることにより、溶剤への溶解性が高くなり、スピンコート等による適用がより容易となる。上記の分子量が適正な範囲となることで流動性が維持され、インプリント用硬化性組成物の濡れ性が向上する。
特定ポリマーは、分散度(Mw/Mn)が3.0以下であることが好ましく、2.5以下であることがより好ましい。分散度の下限値は、1.0であってもよいが、1.5以上であっても十分に実用レベルである。
The specific polymer preferably has a weight average molecular weight of 2,000 or more, more preferably 3,000 or more, further preferably 4,000 or more, further preferably 6,000 or more, and 10,000 or more. Even more preferably, 15,000 or more is particularly preferable. The upper limit of the weight average molecular weight is not particularly specified, but for example, 200,000 or less is preferable, 100,000 or less is more preferable, 70,000 or less is further preferable, 50,000 or less is further preferable, and 35,000 or less. May be. By setting the weight average molecular weight to the above lower limit value or more, the film stability during the baking process can be improved, and the surface shape during the formation of the imprint underlayer film can be further improved. Further, by setting the weight average molecular weight to the above upper limit value or less, the solubility in a solvent becomes high, and the application by spin coating or the like becomes easier. When the above molecular weight is in an appropriate range, the fluidity is maintained and the wettability of the curable composition for imprinting is improved.
The specific polymer preferably has a dispersity (Mw / Mn) of 3.0 or less, and more preferably 2.5 or less. The lower limit of the dispersity may be 1.0, but even if it is 1.5 or more, it is a sufficiently practical level.

インプリント用下層膜形成組成物中における、特定ポリマーの含有率は、0.01質量%以上であることが好ましく、0.05質量%以上であることがより好ましく、0.1質量%以上であることがさらに好ましい。上限としては、10質量%以下であることが好ましく、7質量%以下であることがより好ましく、5質量%以下であることがさらに好ましく、4質量%以下であることがより一層好ましく、3質量%以下であることがさらに一層好ましく、1質量%以下であってもよく、0.7質量%以下であってもよい。
特定ポリマーの不揮発性成分(組成物中の溶剤以外の成分をいう、以下同じ)中の含有率は、5質量%以上であることが好ましく、20質量%以上であることがより好ましく、30質量%以上であることがさらに好ましく、50質量%以上であることが一層好ましく、80質量%以上であることがより一層好ましく、90質量%以上であることがさらに一層好ましく、95質量%以上であってもよく、99質量%以上であってもよい。上限としては、100質量%であってもよい。
この量を上記下限値以上とすることで、ポリマーを配合したことによる効果を好適に発揮させることができ、また、均一な薄膜を調製しやすくなる。一方上記上限値以下とすることにより、溶剤を用いた効果が好適に発揮され、広い面積に均一な膜を形成しやすくなる。
特定ポリマーは、1種のみ用いてもよいし、2種以上用いてもよい。2種以上用いる場合、合計量が上記範囲となることが好ましい。
The content of the specific polymer in the underlayer film forming composition for imprint is preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0.05% by mass or more, and 0.1% by mass or more. It is more preferable to have. The upper limit is preferably 10% by mass or less, more preferably 7% by mass or less, further preferably 5% by mass or less, further preferably 4% by mass or less, and 3% by mass. % Or less is even more preferable, and it may be 1% by mass or less, or 0.7% by mass or less.
The content of the specific polymer in the non-volatile component (meaning a component other than the solvent in the composition, the same applies hereinafter) is preferably 5% by mass or more, more preferably 20% by mass or more, and 30% by mass. % Or more, more preferably 50% by mass or more, even more preferably 80% by mass or more, even more preferably 90% by mass or more, and 95% by mass or more. It may be 99% by mass or more. The upper limit may be 100% by mass.
By setting this amount to the above lower limit value or more, the effect of blending the polymer can be suitably exhibited, and a uniform thin film can be easily prepared. On the other hand, when the value is not more than the above upper limit, the effect of using the solvent is preferably exhibited, and it becomes easy to form a uniform film over a wide area.
Only one type of specific polymer may be used, or two or more types may be used. When two or more types are used, the total amount is preferably in the above range.

特定ポリマーの例としては下記のポリマーを挙げることができるが、本発明がこれにより限定して解釈されるものではない。なお、表中の架橋性ユニットは上述した重合性基Psを有する構成単位(例えば式(1−1)〜(1−6))に対応し、酸性ユニットは上述したpKa4.0以下のモノマー由来の構成単位(例えば式(1)〜(6))に対応する。

Figure 0006887563
Figure 0006887563
Figure 0006887563
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Examples of the specific polymer include the following polymers, but the present invention is not construed as being limited thereto. The crosslinkable unit in the table corresponds to the structural unit having the above-mentioned polymerizable group Ps (for example, formulas (1-1) to (1-6)), and the acidic unit is derived from the above-mentioned monomer of pKa4.0 or less. Corresponds to the structural unit of (for example, equations (1) to (6)).

Figure 0006887563
Figure 0006887563
Figure 0006887563
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<溶剤>
インプリント用下層膜形成組成物は溶剤(以下、「下層膜用溶剤」ということがある)を含む。溶剤は例えば、23℃で液体であって沸点が250℃以下の化合物が好ましい。通常、不揮発性成分が最終的に下層膜を形成する。インプリント用下層膜形成組成物は、下層膜用溶剤を99.0質量%以上含むことが好ましく、99.5質量%以上含むことがより好ましく、99.6質量%以上であってもよい。本発明において、液体とは、23℃における粘度が100,000mPa・s以下であることをいう。溶剤の比率を上記の範囲とすることで、膜形成時の膜厚を薄く保ち、エッチング加工時のパターン形成性向上につながる。
溶剤は、インプリント用下層膜形成組成物に、1種のみ含まれていてもよいし、2種以上含まれていてもよい。2種以上含む場合、合計量が上記範囲となることが好ましい。
下層膜用溶剤の沸点は、230℃以下であることが好ましく、200℃以下であることがより好ましく、180℃以下であることがさらに好ましく、160℃以下であることが一層好ましく、130℃以下であることがより一層好ましい。下限値は23℃であることが実際的であるが、60℃以上であることがより実際的である。沸点を上記の範囲とすることにより、下層膜から溶剤を容易に除去でき好ましい。
<Solvent>
The underlayer film forming composition for imprint contains a solvent (hereinafter, may be referred to as "solvent for underlayer film"). The solvent is, for example, a compound that is liquid at 23 ° C. and has a boiling point of 250 ° C. or lower. Usually, the non-volatile component finally forms the underlayer film. The underlayer film forming composition for imprint preferably contains the solvent for the underlayer film in an amount of 99.0% by mass or more, more preferably 99.5% by mass or more, and may contain 99.6% by mass or more. In the present invention, the liquid means that the viscosity at 23 ° C. is 100,000 mPa · s or less. By setting the ratio of the solvent in the above range, the film thickness at the time of film formation is kept thin, which leads to the improvement of the pattern formation property at the time of etching processing.
The solvent may be contained in only one kind or two or more kinds in the underlayer film forming composition for imprinting. When two or more types are included, the total amount is preferably in the above range.
The boiling point of the solvent for the underlayer film is preferably 230 ° C. or lower, more preferably 200 ° C. or lower, further preferably 180 ° C. or lower, further preferably 160 ° C. or lower, and 130 ° C. or lower. Is even more preferable. It is practical that the lower limit is 23 ° C, but it is more practical that it is 60 ° C or higher. By setting the boiling point in the above range, the solvent can be easily removed from the underlayer film, which is preferable.

下層膜用溶剤は、有機溶剤が好ましい。溶剤は、好ましくはエステル基、カルボニル基、ヒドロキシル基およびエーテル基のいずれか1つ以上を有する溶剤である。なかでも、非プロトン性極性溶剤を用いることが好ましい。 The solvent for the underlayer film is preferably an organic solvent. The solvent is preferably a solvent having at least one of an ester group, a carbonyl group, a hydroxyl group and an ether group. Of these, it is preferable to use an aprotic polar solvent.

具体例としては、アルコキシアルコール、プロピレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸エステル、酢酸エステル、アルコキシプロピオン酸エステル、鎖状ケトン、環状ケトン、ラクトン、およびアルキレンカーボネートが選択される。 As specific examples, alkoxy alcohols, propylene glycol monoalkyl ether carboxylates, propylene glycol monoalkyl ethers, lactic acid esters, acetate esters, alkoxypropionic acid esters, chain ketones, cyclic ketones, lactones, and alkylene carbonates are selected.

アルコキシアルコールとしては、メトキシエタノール、エトキシエタノール、メトキシプロパノール(例えば、1−メトキシ−2−プロパノール)、エトキシプロパノール(例えば、1−エトキシ−2−プロパノール)、プロポキシプロパノール(例えば、1−プロポキシ−2−プロパノール)、メトキシブタノール(例えば、1−メトキシ−2−ブタノール、1−メトキシ−3−ブタノール)、エトキシブタノール(例えば、1−エトキシ−2−ブタノール、1−エトキシ−3−ブタノール)、メチルペンタノール(例えば、4−メチル−2−ペンタノール)などが挙げられる。 Examples of the alkoxy alcohol include methoxyethanol, ethoxyethanol, methoxypropanol (for example, 1-methoxy-2-propanol), ethoxypropanol (for example, 1-ethoxy-2-propanol), and propoxypropanol (for example, 1-propanol-2-. (Propanol), methoxybutanol (eg 1-methoxy-2-butanol, 1-methoxy-3-butanol), ethoxybutanol (eg 1-ethoxy-2-butanol, 1-ethoxy-3-butanol), methylpentanol (For example, 4-methyl-2-pentanol) and the like.

プロピレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートとしては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、および、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテートからなる群より選択される少なくとも1つが好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)であることが特に好ましい。 As the propylene glycol monoalkyl ether carboxylate, at least one selected from the group consisting of propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether propionate, and propylene glycol monoethyl ether acetate is preferable, and propylene glycol monomethyl ether acetate (propylene glycol monomethyl ether acetate). PGMEA) is particularly preferable.

また、プロピレングリコールモノアルキルエーテルとしては、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)またはプロピレングリコールモノエチルエーテルが好ましい。
乳酸エステルとしては、乳酸エチル、乳酸ブチル、または乳酸プロピルが好ましい。
酢酸エステルとしては、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸プロピル、酢酸イソアミル、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、または酢酸3−メトキシブチルが好ましい。
アルコキシプロピオン酸エステルとしては、3−メトキシプロピオン酸メチル(MMP)、または、3−エトキシプロピオン酸エチル(EEP)が好ましい。
鎖状ケトンとしては、1−オクタノン、2−オクタノン、1−ノナノン、2−ノナノン、アセトン、4−ヘプタノン、1−ヘキサノン、2−ヘキサノン、ジイソブチルケトン、フェニルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、アセトニルアセトン、イオノン、ジアセトニルアルコール、アセチルカービノール、アセトフェノン、メチルナフチルケトンまたはメチルアミルケトンが好ましい。
環状ケトンとしては、メチルシクロヘキサノン、イソホロンまたはシクロヘキサノンが好ましい。
ラクトンとしては、γ−ブチロラクトン(γBL)が好ましい。
アルキレンカーボネートとしては、プロピレンカーボネートが好ましい。
Further, as the propylene glycol monoalkyl ether, propylene glycol monomethyl ether (PGME) or propylene glycol monoethyl ether is preferable.
As the lactate ester, ethyl lactate, butyl lactate, or propyl lactate is preferable.
As the acetic acid ester, methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, isobutyl acetate, propyl acetate, isoamyl acetate, methyl formate, ethyl formate, butyl formate, propyl formate, or 3-methoxybutyl acetate are preferable.
As the alkoxypropionate ester, methyl 3-methoxypropionate (MMP) or ethyl 3-ethoxypropionate (EEP) is preferable.
Chain ketones include 1-octanone, 2-octanone, 1-nonanone, 2-nonanone, acetone, 4-heptanone, 1-hexanone, 2-hexanone, diisobutylketone, phenylacetone, methylethylketone, methylisobutylketone, acetylacetone, Acetoneacetone, ionone, diacetonyl alcohol, acetylcarbinol, acetophenone, methylnaphthyl ketone or methyl amyl ketone are preferred.
As the cyclic ketone, methylcyclohexanone, isophorone or cyclohexanone is preferable.
As the lactone, γ-butyrolactone (γBL) is preferable.
As the alkylene carbonate, propylene carbonate is preferable.

上記成分の他、炭素数が7以上(7〜14が好ましく、7〜12がより好ましく、7〜10がさらに好ましい)、かつ、ヘテロ原子数が2以下のエステル系溶剤を用いることが好ましい。 In addition to the above components, it is preferable to use an ester solvent having 7 or more carbon atoms (preferably 7 to 14, more preferably 7 to 12 and even more preferably 7 to 10) and having a heteroatom number of 2 or less.

炭素数が7以上かつヘテロ原子数が2以下のエステル系溶剤の好ましい例としては、酢酸アミル、酢酸2−メチルブチル、酢酸1-メチルブチル、酢酸ヘキシル、プロピオン酸ペンチル、プロピオン酸ヘキシル、プロピオン酸ブチル、イソ酪酸イソブチル、プロピオン酸ヘプチル、ブタン酸ブチルなどが挙げられ、酢酸イソアミルを用いることが特に好ましい。 Preferred examples of ester solvents having 7 or more carbon atoms and 2 or less heteroatoms include amyl acetate, 2-methylbutyl acetate, 1-methylbutyl acetate, hexyl acetate, pentyl propionate, hexyl propionate, butyl propionate, and the like. Examples thereof include isobutyl isobutyrate, heptyl propionate, butyl butanoate, and the like, and isoamyl acetate is particularly preferable.

また、引火点(以下、p成分ともいう)が30℃以上である溶剤を用いることも好ましい。このような成分としては、プロピレングリコールモノメチルエーテル(p成分:47℃)、乳酸エチル(p成分:53℃)、3−エトキシプロピオン酸エチル(p成分:49℃)、メチルアミルケトン(p成分:42℃)、シクロヘキサノン(p成分:30℃)、酢酸ペンチル(p成分:45℃)、2−ヒドロキシイソ酪酸メチル(p成分:45℃)、γ−ブチロラクトン(p成分:101℃)またはプロピレンカーボネート(p成分:132℃)が好ましい。これらのうち、プロピレングリコールモノエチルエーテル、乳酸エチル、酢酸ペンチルまたはシクロヘキサノンがさらに好ましく、プロピレングリコールモノエチルエーテルまたは乳酸エチルが特に好ましい。 It is also preferable to use a solvent having a flash point (hereinafter, also referred to as p component) of 30 ° C. or higher. Examples of such components include propylene glycol monomethyl ether (p component: 47 ° C.), ethyl lactate (p component: 53 ° C.), ethyl 3-ethoxypropionate (p component: 49 ° C.), and methylamyl ketone (p component: 49 ° C.). 42 ° C.), cyclohexanone (p component: 30 ° C.), pentyl acetate (p component: 45 ° C.), methyl 2-hydroxyisobutyrate (p component: 45 ° C.), γ-butyrolactone (p component: 101 ° C.) or propylene carbonate. (P component: 132 ° C.) is preferable. Of these, propylene glycol monoethyl ether, ethyl lactate, pentyl acetate or cyclohexanone are more preferred, and propylene glycol monoethyl ether or ethyl lactate is particularly preferred.

下層膜用溶剤として中でも好ましい溶剤としては、アルコキシアルコール、プロピレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸エステル、酢酸エステル、アルコキシプロピオン酸エステル、鎖状ケトン、環状ケトン、ラクトン、およびアルキレンカーボネートが挙げられる。 Among the preferred solvents for the underlayer film are alkoxyalcohol, propylene glycol monoalkyl ether carboxylate, propylene glycol monoalkyl ether, lactic acid ester, acetate ester, alkoxypropionic acid ester, chain ketone, cyclic ketone, lactone, and alkylene. Examples include carbonates.

<その他の成分>
インプリント用下層膜形成組成物は、上記の他、アルキレングリコール化合物、重合開始剤、重合禁止剤、酸化防止剤、レベリング剤、増粘剤、界面活性剤等を1種または2種以上含んでいてもよい。
熱重合開始剤等については、特開2013−036027号公報、特開2014−090133号公報、特開2013−189537号公報に記載の各成分を用いることができる。含有量等についても、上記公報の記載を参酌できる。
<Other ingredients>
In addition to the above, the underlayer film forming composition for imprint contains one or more alkylene glycol compounds, polymerization initiators, polymerization inhibitors, antioxidants, leveling agents, thickeners, surfactants and the like. You may.
As the thermal polymerization initiator and the like, each component described in JP-A-2013-036027, JP-A-2014-090133, and JP-A-2013-189537 can be used. Regarding the content and the like, the description in the above publication can be taken into consideration.

<<アルキレングリコール化合物>>
インプリント用下層膜形成組成物は、アルキレングリコール化合物を含んでいてもよい。アルキレングリコール化合物は、アルキレングリコール構成単位を3〜1000個有していることが好ましく、4〜500個有していることがより好ましく、5〜100個有していることがさらに好ましく、5〜50個有していることが一層好ましい。アルキレングリコール化合物の重量平均分子量(Mw)は150〜10000が好ましく、200〜5000がより好ましく、300〜3000がさらに好ましく、300〜1000が一層好ましい。
アルキレングリコール化合物は、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、これらのモノまたはジメチルエーテル、モノまたはジオクチルエーテル、モノまたはジノニルエーテル、モノまたはジデシルエーテル、モノステアリン酸エステル、モノオレイン酸エステル、モノアジピン酸エステル、モノコハク酸エステルが例示され、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコールが好ましい。
アルキレングリコール化合物の23℃における表面張力は、38.0mN/m以上であることが好ましく、40.0mN/m以上であることがより好ましい。表面張力の上限は特に定めるものではないが、例えば48.0mN/m以下である。このような化合物を配合することにより、下層膜の直上に設けるインプリント用硬化性組成物の濡れ性をより向上させることができる。
表面張力は、協和界面科学(株)製、表面張力計 SURFACE TENS−IOMETER CBVP−A3を用い、ガラスプレートを用いて23℃で行う。単位は、mN/mで示す。1水準につき2つの試料を作製し、それぞれ3回測定する。合計6回の算術平均値を評価値として採用する。
<< alkylene glycol compound >>
The underlayer film forming composition for imprint may contain an alkylene glycol compound. The alkylene glycol compound preferably has 3 to 1000 alkylene glycol constituent units, more preferably 4 to 500, still more preferably 5 to 100, and 5 to 100. It is more preferable to have 50 of them. The weight average molecular weight (Mw) of the alkylene glycol compound is preferably 150 to 10000, more preferably 200 to 5000, further preferably 300 to 3000, and even more preferably 300 to 1000.
The alkylene glycol compounds are polyethylene glycol, polypropylene glycol, these mono or dimethyl ethers, mono or dioctyl ethers, mono or dinonyl ethers, mono or didecyl ethers, monostearate esters, monooleic acid esters, monoadiponic acid esters, monosuccinates. Acid esters are exemplified, and polyethylene glycol and polypropylene glycol are preferable.
The surface tension of the alkylene glycol compound at 23 ° C. is preferably 38.0 mN / m or more, and more preferably 40.0 mN / m or more. The upper limit of the surface tension is not particularly specified, but is, for example, 48.0 mN / m or less. By blending such a compound, the wettability of the curable composition for imprint provided directly above the underlayer film can be further improved.
The surface tension is measured at 23 ° C. using a surface tension meter SURFACE TENS-IOMETER CBVP-A3 manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd. and a glass plate. The unit is mN / m. Two samples are prepared for each level and measured three times each. The arithmetic mean value of a total of 6 times is adopted as the evaluation value.

アルキレングリコール化合物は、含有する場合、不揮発性成分の40質量%以下であり、30質量%以下であることが好ましく、20質量%以下であることがより好ましく、1〜15質量%であることがさらに好ましい。
アルキレングリコール化合物は、1種のみ用いてもよいし、2種以上用いてもよい。2種以上用いる場合、合計量が上記範囲となることが好ましい。
When the alkylene glycol compound is contained, it is 40% by mass or less, preferably 30% by mass or less, more preferably 20% by mass or less, and preferably 1 to 15% by mass of the non-volatile component. More preferred.
Only one kind of alkylene glycol compound may be used, or two or more kinds may be used. When two or more types are used, the total amount is preferably in the above range.

<<重合開始剤>>
インプリント用下層膜形成組成物は、重合開始剤を含んでいてもよく、熱重合開始剤および光重合開始剤の少なくとも1種を含むことが好ましい。重合開始剤を含むことにより、インプリント用下層膜形成組成物に含まれる重合性基の反応が促進し、密着性が向上する傾向にある。インプリント用硬化性組成物との架橋反応性を向上させる観点から光重合開始剤が好ましい。光重合開始剤としては、ラジカル重合開始剤、カチオン重合開始剤が好ましく、ラジカル重合開始剤がより好ましい。また、本発明において、光重合開始剤は複数種を併用してもよい。
<< Polymerization Initiator >>
The underlayer film forming composition for imprint may contain a polymerization initiator, and preferably contains at least one of a thermal polymerization initiator and a photopolymerization initiator. By including the polymerization initiator, the reaction of the polymerizable group contained in the underlayer film forming composition for imprinting is promoted, and the adhesion tends to be improved. A photopolymerization initiator is preferable from the viewpoint of improving the cross-linking reactivity with the curable composition for imprinting. As the photopolymerization initiator, a radical polymerization initiator and a cationic polymerization initiator are preferable, and a radical polymerization initiator is more preferable. Further, in the present invention, a plurality of types of photopolymerization initiators may be used in combination.

光ラジカル重合開始剤としては、公知の化合物を任意に使用できる。例えば、ハロゲン化炭化水素誘導体(例えば、トリアジン骨格を有する化合物、オキサジアゾール骨格を有する化合物、トリハロメチル基を有する化合物など)、アシルホスフィンオキサイド等のアシルホスフィン化合物、ヘキサアリールビイミダゾール、オキシム誘導体等のオキシム化合物、有機過酸化物、チオ化合物、ケトン化合物、芳香族オニウム塩、ケトオキシムエーテル、アミノアセトフェノン化合物、ヒドロキシアセトフェノン、アゾ系化合物、アジド化合物、メタロセン化合物、有機ホウ素化合物、鉄アレーン錯体などが挙げられる。これらの詳細については、特開2016−027357号公報の段落0165〜0182の記載を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。
アシルホスフィン化合物としては、2,4,6−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−ホスフィンオキサイドなどが挙げられる。また、市販品であるIRGACURE−819やIRGACURE1173、IRGACURE−TPO(商品名:いずれもBASF製)を用いることができる。
As the photoradical polymerization initiator, a known compound can be arbitrarily used. For example, halogenated hydrocarbon derivatives (for example, compounds having a triazine skeleton, compounds having an oxadiazole skeleton, compounds having a trihalomethyl group, etc.), acylphosphine compounds such as acylphosphine oxide, hexaarylbiimidazole, oxime derivatives and the like. Oxime compounds, organic peroxides, thio compounds, ketone compounds, aromatic onium salts, ketooxime ethers, aminoacetophenone compounds, hydroxyacetophenones, azo compounds, azide compounds, metallocene compounds, organic boron compounds, iron arene complexes, etc. Can be mentioned. For details thereof, the description in paragraphs 0165 to 0182 of JP-A-2016-0273557 can be referred to, and the contents thereof are incorporated in the present specification.
Examples of the acylphosphine compound include 2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenyl-phosphine oxide. Further, commercially available products such as IRGACURE-819, IRGACURE1173, and IRGACURE-TPO (trade names: all manufactured by BASF) can be used.

上記インプリント用下層膜形成組成物に用いられる光重合開始剤の含有量は、配合する場合、不揮発性成分中、例えば、0.0001〜5質量%であり、好ましくは0.0005〜3質量%であり、さらに好ましくは0.01〜1質量%である。2種以上の光重合開始剤を用いる場合は、その合計量が上記範囲となる。 The content of the photopolymerization initiator used in the underlayer film forming composition for imprint is, for example, 0.0001 to 5% by mass, preferably 0.0005 to 3% by mass, among the non-volatile components when blended. %, More preferably 0.01 to 1% by mass. When two or more kinds of photopolymerization initiators are used, the total amount thereof is within the above range.

<収容容器>
インプリント用下層膜形成組成物の収容容器としては従来公知の収容容器を用いることができる。また、収容容器としては、原材料や組成物中への不純物混入を抑制することを目的に、容器内壁を6種6層の樹脂で構成された多層ボトルや、6種の樹脂を7層構造にしたボトルを使用することも好ましい。このような容器としては例えば特開2015−123351号公報に記載の容器が挙げられる。
<Container>
A conventionally known storage container can be used as the storage container for the underlayer film forming composition for imprinting. In addition, as the storage container, for the purpose of suppressing impurities from being mixed into the raw materials and compositions, the inner wall of the container is made of a multi-layer bottle composed of 6 types and 6 layers of resin, and 6 types of resin are formed into a 7-layer structure. It is also preferable to use a bottle of resin. Examples of such a container include the container described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2015-123351.

<表面自由エネルギー>
本発明のインプリント用下層膜形成組成物から形成されたインプリント用下層膜の表面自由エネルギーが30mN/m以上であることが好ましく、40mN/m以上であることがより好ましく、50mN/m以上であることがさらに好ましい。上限としては、200mN/m以上であることが好ましく、150mN/m以上であることがより好ましく、100mN/m以上であることがさらに好ましい。
表面自由エネルギーの測定は、協和界面科学(株)製、表面張力計 SURFACE TENS−IOMETER CBVP−A3を用い、ガラスプレートを用いて23℃で行うことができる。
<Surface free energy>
The surface free energy of the imprint underlayer film formed from the imprint underlayer film forming composition of the present invention is preferably 30 mN / m or more, more preferably 40 mN / m or more, and 50 mN / m or more. Is more preferable. The upper limit is preferably 200 mN / m or more, more preferably 150 mN / m or more, and even more preferably 100 mN / m or more.
The surface free energy can be measured at 23 ° C. using a surface tension meter SURFACE TENS-IOMETER CBVP-A3 manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd. and a glass plate.

<インプリント用硬化性組成物>
本発明の下層膜形成組成物は、通常、インプリント用硬化性組成物の下層膜を形成するための組成物として用いられる。
インプリント用硬化性組成物の組成等は、特に定めるものではないが、重合性化合物を含むことが好ましい。
<Curable composition for imprint>
The underlayer film forming composition of the present invention is usually used as a composition for forming an underlayer film of a curable composition for imprinting.
The composition of the curable composition for imprinting is not particularly specified, but preferably contains a polymerizable compound.

<<重合性化合物>>
インプリント用硬化性組成物は重合性化合物を含むことが好ましく、この重合性化合物が最大量成分を構成することがより好ましい。重合性化合物は、一分子中に重合性基を1つ有していても、2つ以上有していてもよい。インプリント用硬化性組成物に含まれる重合性化合物の少なくとも1種は、重合性基を一分子中に2〜5つ含むことが好ましく、2〜4つ含むことがより好ましく、2または3つ含むことがさらに好ましく、3つ含むことが一層好ましい。
インプリント用硬化性組成物に含まれる重合性化合物の少なくとも1種は、芳香族環(炭素数6〜22が好ましく、6〜18がより好ましく、6〜10がさらに好ましい)および脂環(炭素数3〜24が好ましく、3〜18がより好ましく、3〜6がさらに好ましい)の少なくとも一方を含むことが好ましく、芳香族環を含むことがさらに好ましい。芳香族環はベンゼン環が好ましい。
重合性化合物の分子量は100〜900が好ましい。
上記重合性化合物の少なくとも1種は、下記式(I−1)で表されることが好ましい。

Figure 0006887563
20は、1+q2価の連結基であり、例えば、1+q2価の、アルカン構造の基(炭素数1〜12が好ましく、1〜6がより好ましく、1〜3がさらに好ましい)、アルケン構造の基(炭素数2〜12が好ましく、2〜6がより好ましく、2〜3がさらに好ましい)、アリール構造の基(炭素数6〜22が好ましく、6〜18がより好ましく、6〜10がさらに好ましい)、ヘテロアリール構造の基(炭素数1〜22が好ましく、1〜18がより好ましく、1〜10がさらに好ましい、ヘテロ原子としては、窒素原子、硫黄原子、酸素原子が挙げられる、5員環、6員環、7員環が好ましい)、またはこれらを組み合わせた基を含む連結基が挙げられる。アリール基を2つ組み合わせた基としてはビフェニルやジフェニルアルカン、ビフェニレン、インデンなどの構造を有する基が挙げられる。ヘテロアリール構造の基とアリール構造の基を組合せたものとしては、インドール、ベンゾイミダゾール、キノキサリン、カルバゾールなどの構造を有する基が挙げられる。
21およびR22はそれぞれ独立に水素原子またはメチル基を表す。
21およびL22はそれぞれ独立に単結合または上記連結基Lを表し、なかでもヘテロ原子を有する連結基が好ましい。L20とL21またはL22は連結基Lを介してまたは介さずに結合して環を形成していてもよい。L20、L21およびL22は上記置換基Tを有していてもよい。置換基Tは複数が結合して環を形成してもよい。置換基Tが複数あるとき互いに同じでも異なっていてもよい。
q2は0〜5の整数であり、0〜3の整数が好ましく、0〜2の整数がより好ましく、0または1がさらに好ましい。<< Polymerizable compound >>
The curable composition for imprint preferably contains a polymerizable compound, and it is more preferable that the polymerizable compound constitutes the maximum amount of the component. The polymerizable compound may have one polymerizable group in one molecule or may have two or more polymerizable groups. At least one of the polymerizable compounds contained in the curable composition for imprint preferably contains 2 to 5 polymerizable groups in one molecule, more preferably 2 or 3 polymerizable groups. It is more preferable to include three, and it is more preferable to include three.
At least one of the polymerizable compounds contained in the curable composition for imprint is an aromatic ring (preferably 6 to 22 carbon atoms, more preferably 6 to 18 carbon atoms, further preferably 6 to 10 carbon atoms) and an alicyclic ring (carbon). The numbers 3 to 24 are preferable, 3 to 18 are more preferable, and 3 to 6 are more preferable), and it is more preferable to contain an aromatic ring. The aromatic ring is preferably a benzene ring.
The molecular weight of the polymerizable compound is preferably 100 to 900.
At least one of the above polymerizable compounds is preferably represented by the following formula (I-1).
Figure 0006887563
L 20 is a 1 + q2 valent linking group, for example, a 1 + q2 valent group having an alcan structure (preferably 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, further preferably 1 to 3 carbon atoms), and an alkene structure group. (Preferably 2 to 12 carbon atoms, more preferably 2 to 6 carbon atoms, further preferably 2 to 3 carbon atoms), Group having an aryl structure (preferably 6 to 22 carbon atoms, more preferably 6 to 18 carbon atoms, further preferably 6 to 10 carbon atoms). ), A group having a heteroaryl structure (preferably 1 to 22 carbon atoms, more preferably 1 to 18 carbon atoms, still more preferably 1 to 10 carbon atoms, and examples of the heteroatom include a nitrogen atom, a sulfur atom, and an oxygen atom. , 6-membered ring, 7-membered ring is preferable), or a linking group containing a group combining these. Examples of the group in which two aryl groups are combined include a group having a structure such as biphenyl, diphenylalkane, biphenylene, and indene. Examples of the combination of the heteroaryl structure group and the aryl structure group include groups having a structure such as indole, benzimidazole, quinoxaline, and carbazole.
R 21 and R 22 independently represent a hydrogen atom or a methyl group, respectively.
L 21 and L 22 each independently represent a single bond or the above-mentioned linking group L, and among them, a linking group having a hetero atom is preferable. L 20 and L 21 or L 22 may be combined with or without the linking group L to form a ring. L 20 , L 21 and L 22 may have the above-mentioned substituent T. A plurality of substituents T may be bonded to form a ring. When there are a plurality of substituents T, they may be the same or different from each other.
q2 is an integer of 0 to 5, preferably an integer of 0 to 3, more preferably an integer of 0 to 2, and even more preferably 0 or 1.

重合性化合物の例としては下記実施例で用いた化合物、特開2014−090133号公報の段落0017〜0024および実施例に記載の化合物、特開2015−009171号公報の段落0024〜0089に記載の化合物、特開2015−070145号公報の段落0023〜0037に記載の化合物、国際公開第2016/152597号の段落0012〜0039に記載の化合物を挙げることができるが、本発明がこれにより限定して解釈されるものではない。 Examples of the polymerizable compound include the compounds used in the following examples, paragraphs 0017 to 0024 of JP2014-090133A, and the compounds described in Examples, paragraphs 0024 to 0089 of JP2015-009171. Examples of the compound, the compound described in paragraphs 0023 to 0037 of JP2015-070145A, and the compound described in paragraphs 0012 to 0039 of International Publication No. 2016/152597 can be mentioned, but the present invention is limited thereto. It is not interpreted.

重合性化合物は、インプリント用硬化性組成物中、30質量%以上含有することが好ましく、45質量%以上がより好ましく、50質量%以上がさらに好ましく、55質量%以上が一層好ましく、60質量%以上であってもよく、さらに70質量%以上であってもよい。また、上限値は、99質量%未満であることが好ましく、98質量%以下であることがさらに好ましく、97質量%以下とすることもできる。 The polymerizable compound is preferably contained in the curable composition for imprint in an amount of 30% by mass or more, more preferably 45% by mass or more, further preferably 50% by mass or more, further preferably 55% by mass or more, and further preferably 60% by mass. % Or more, and further 70% by mass or more. Further, the upper limit value is preferably less than 99% by mass, more preferably 98% by mass or less, and may be 97% by mass or less.

重合性化合物の沸点は、上述したインプリント用下層膜形成組成物に含まれる特定化合物との関係で設定され配合設計されることが好ましい。重合性化合物の沸点は、500℃以下であることが好ましく、450℃以下であることがより好ましく、400℃以下であることがさらに好ましい。下限値としては200℃以上であることが好ましく、220℃以上であることがより好ましく、240℃以上であることがさらに好ましい。 It is preferable that the boiling point of the polymerizable compound is set and designed in relation to the specific compound contained in the above-mentioned underlayer film forming composition for imprinting. The boiling point of the polymerizable compound is preferably 500 ° C. or lower, more preferably 450 ° C. or lower, and even more preferably 400 ° C. or lower. The lower limit is preferably 200 ° C. or higher, more preferably 220 ° C. or higher, and even more preferably 240 ° C. or higher.

<<他の成分>>
インプリント用硬化性組成物は、重合性化合物以外の添加剤を含有してもよい。他の添加剤としては、重合開始剤、界面活性剤、増感剤、離型剤、酸化防止剤、重合禁止剤等を含んでいてもよい。
本発明で用いることができるインプリント用硬化性組成物の具体例としては、特開2013−036027号公報、特開2014−090133号公報、特開2013−189537号公報に記載の組成物が例示され、これらの内容は本明細書に組み込まれる。また、インプリント用硬化性組成物の調製、膜(パターン形成層)の形成方法についても、上記公報の記載を参酌でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
<< Other ingredients >>
The curable composition for imprint may contain additives other than the polymerizable compound. Other additives may include a polymerization initiator, a surfactant, a sensitizer, a mold release agent, an antioxidant, a polymerization inhibitor and the like.
Specific examples of the curable composition for imprint that can be used in the present invention include the compositions described in JP2013-036027, JP2014-090133, and JP2013-189537. These contents are incorporated herein by reference. Further, the description of the above-mentioned publication can be referred to with respect to the preparation of the curable composition for imprint and the method of forming the film (pattern forming layer), and these contents are incorporated in the present specification.

本発明では、インプリント用硬化性組成物における溶剤の含有量は、インプリント用硬化性組成物の5質量%以下であることが好ましく、3質量%以下であることがより好ましく、1質量%以下であることがさらに好ましい。
インプリント用硬化性組成物は、ポリマー(好ましくは、重量平均分子量が1,000を超える、より好ましくは重量平均分子量が2,000を超える、さらに好ましくは重量平均分子量が10,000以上のポリマー)を実質的に含有しない態様とすることもできる。ポリマーを実質的に含有しないとは、例えば、ポリマーの含有量がインプリント用硬化性組成物の0.01質量%以下であることをいい、0.005質量%以下が好ましく、全く含有しないことがより好ましい。
In the present invention, the content of the solvent in the curable composition for imprint is preferably 5% by mass or less, more preferably 3% by mass or less, and 1% by mass. The following is more preferable.
The curable composition for imprint is a polymer (preferably a polymer having a weight average molecular weight of more than 1,000, more preferably a weight average molecular weight of more than 2,000, still more preferably a weight average molecular weight of 10,000 or more. ) Can be substantially not contained. The term "substantially free of polymer" means, for example, that the content of the polymer is 0.01% by mass or less of the curable composition for imprinting, preferably 0.005% by mass or less, and not contained at all. Is more preferable.

<<物性値等>>
インプリント用硬化性組成物の粘度は、20.0mPa・s以下であることが好ましく、15.0mPa・s以下であることがより好ましく、11.0mPa・s以下であることがさらに好ましく、9.0mPa・s以下であることが一層好ましい。上記粘度の下限値としては、特に限定されるものでは無いが、例えば、5.0mPa・s以上とすることができる。粘度は、下記の方法に従って測定される。
粘度は、東機産業(株)製のE型回転粘度計RE85L、標準コーン・ロータ(1°34’×R24)を用い、サンプルカップを23℃に温度調節して測定する。単位は、mPa・sで示す。測定に関するその他の詳細はJISZ8803:2011に準拠する。1水準につき2つの試料を作製し、それぞれ3回測定する。合計6回の算術平均値を評価値として採用する。
<< Physical characteristics, etc. >>
The viscosity of the curable composition for imprint is preferably 20.0 mPa · s or less, more preferably 15.0 mPa · s or less, further preferably 11.0 mPa · s or less, 9 It is more preferably 0.0 mPa · s or less. The lower limit of the viscosity is not particularly limited, but can be, for example, 5.0 mPa · s or more. Viscosity is measured according to the method below.
The viscosity is measured by adjusting the temperature of the sample cup to 23 ° C. using an E-type rotational viscometer RE85L manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd. and a standard cone rotor (1 ° 34'x R24). The unit is mPa · s. Other details regarding the measurement are in accordance with JISZ8803: 2011. Two samples are prepared for each level and measured three times each. The arithmetic mean value of a total of 6 times is adopted as the evaluation value.

インプリント用硬化性組成物の表面張力(γResist)は28.0mN/m以上であることが好ましく、30.0mN/m以上であることがより好ましく、32.0mN/m以上であってもよい。表面張力の高いインプリント用硬化性組成物を用いることで毛細管力が上昇し、モールドパターンへのインプリント用硬化性組成物の高速な充填が可能となる。上記表面張力の上限値としては、特に限定されるものではないが、下層膜との関係およびインクジェット適性を付与するという観点では、40.0mN/m以下であることが好ましく、38.0mN/m以下であることがより好ましく、36.0mN/m以下であってもよい。インプリント用硬化性組成物の表面張力は、下記の方法に従って測定される。 The surface tension (γResist) of the curable composition for imprint is preferably 28.0 mN / m or more, more preferably 30.0 mN / m or more, and may be 32.0 mN / m or more. .. By using the curable composition for imprint having a high surface tension, the capillary force is increased, and the curable composition for imprint can be filled into the mold pattern at high speed. The upper limit of the surface tension is not particularly limited, but is preferably 40.0 mN / m or less, preferably 38.0 mN / m, from the viewpoint of imparting the relationship with the underlying film and inkjet suitability. It is more preferably 36.0 mN / m or less, and may be 36.0 mN / m or less. The surface tension of the curable composition for imprinting is measured according to the following method.

インプリント用硬化性組成物の大西パラメータは、5.0以下であることが好ましく、4.0以下であることがより好ましく、3.7以下であることがさらに好ましい。インプリント用硬化性組成物の大西パラメータの下限値は、特に定めるものではないが、例えば、1.0以上、さらには、2.0以上であってもよい。
大西パラメータはインプリント用硬化性組成物の不揮発性成分について、それぞれ、全構成成分の炭素原子、水素原子および酸素原子の数を下記式に代入して求めることができる。
大西パラメータ=炭素原子、水素原子および酸素原子の数の和/(炭素原子の数−酸素原子の数)
The Onishi parameter of the curable composition for imprint is preferably 5.0 or less, more preferably 4.0 or less, and further preferably 3.7 or less. The lower limit of the Onishi parameter of the curable composition for imprint is not particularly specified, but may be, for example, 1.0 or more, and further may be 2.0 or more.
The Onishi parameter can be obtained by substituting the numbers of carbon atoms, hydrogen atoms and oxygen atoms of all the constituents into the following formulas for the non-volatile components of the curable composition for imprint.
Onishi parameter = sum of the number of carbon atoms, hydrogen atoms and oxygen atoms / (number of carbon atoms-number of oxygen atoms)

<<保存容器>>
本発明で用いるインプリント用硬化性組成物の収容容器としては従来公知の収容容器を用いることができる。また、収容容器としては、原材料や組成物中への不純物混入を抑制することを目的に、容器内壁を6種6層の樹脂で構成された多層ボトルや、6種の樹脂を7層構造にしたボトルを使用することも好ましい。このような容器としては例えば特開2015−123351号公報に記載の容器が挙げられる。
<< Storage container >>
As a container for the curable composition for imprint used in the present invention, a conventionally known container can be used. In addition, as the storage container, for the purpose of suppressing impurities from being mixed into the raw materials and compositions, the inner wall of the container is made of a multi-layer bottle composed of 6 types and 6 layers of resin, and 6 types of resin are formed into a 7-layer structure. It is also preferable to use a bottle of resin. Examples of such a container include the container described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2015-123351.

<パターンおよびパターン形成方法>
本発明の好ましい実施形態にかかるパターンの形成方法は、基板表面に、本発明のインプリント用下層膜形成組成物を用いて下層膜を形成する工程(下層膜形成工程)、上記下層膜上(好ましくは、下層膜の表面)にインプリント用下層膜形成組成物を適用してインプリント用硬化性組成物層を形成する工程(インプリント用硬化性組成物層形成工程)、上記インプリント用硬化性組成物層にモールドを接触させる工程、上記モールドを接触させた状態で上記インプリント用硬化性組成物層を露光する工程、および上記モールドを、上記露光したインプリント用硬化性組成物層から剥離する工程を含む。
以下、パターン形成方法(硬化物パターンの製造方法)について、図1に従って説明する。本発明の構成が図面により限定されるものではないことは言うまでもない。
<Pattern and pattern formation method>
A method for forming a pattern according to a preferred embodiment of the present invention includes a step of forming a lower layer film on a substrate surface using the lower layer film forming composition for imprinting of the present invention (lower layer film forming step), and a step of forming the lower layer film on the lower layer film (lower layer film forming step). Preferably, a step of applying the underlayer film forming composition for imprinting (the surface of the underlayering film) to form a curable composition layer for imprinting (step of forming a curable composition layer for imprinting), for the above-mentioned imprinting A step of bringing the mold into contact with the curable composition layer, a step of exposing the curable composition layer for imprint in contact with the mold, and a step of exposing the mold to the curable composition layer for imprint. Including the step of peeling from.
Hereinafter, a pattern forming method (a method for producing a cured product pattern) will be described with reference to FIG. It goes without saying that the configuration of the present invention is not limited by the drawings.

<<下層膜形成工程>>
下層膜形成工程では、図1(1)(2)に示す様に、基板1の表面に、下層膜2を形成する。下層膜は、インプリント用下層膜形成組成物を基板上に層状に適用して形成することが好ましい。基板1は、単層からなる場合の他、下塗り層や密着膜を有していてもよい。
<< Underlayer film forming process >>
In the lower layer film forming step, as shown in FIGS. 1 (1) and 1 (2), the lower layer film 2 is formed on the surface of the substrate 1. The underlayer film is preferably formed by applying the underlayer film forming composition for imprinting on the substrate in a layered manner. The substrate 1 may have an undercoat layer or an adhesive film as well as a single layer.

基板の表面へのインプリント用下層膜形成組成物の適用方法としては、特に定めるものではなく、一般によく知られた適用方法を採用できる。具体的には、適用方法としては、例えば、ディップコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコート法、エクストルージョンコート法、スピンコート法、スリットスキャン法、あるいはインクジェット法が例示され、スピンコート法が好ましい。
また、基板上にインプリント用下層膜形成組成物を層状に適用した後、好ましくは、熱によって溶剤を揮発(乾燥)させて、薄膜である下層膜を形成する。
The method of applying the underlayer film forming composition for imprinting to the surface of the substrate is not particularly specified, and a generally well-known application method can be adopted. Specifically, as the application method, for example, a dip coating method, an air knife coating method, a curtain coating method, a wire bar coating method, a gravure coating method, an extrusion coating method, a spin coating method, a slit scan method, or an inkjet method. Is exemplified, and the spin coating method is preferable.
Further, after applying the imprinting underlayer film forming composition on the substrate in a layered manner, the solvent is preferably volatilized (dried) by heat to form a thin underlayer film.

下層膜2の厚さは、2nm以上であることが好ましく、3nm以上であることがより好ましく、4nm以上であることがさらに好ましく、5nm以上であってもよく、7nm以上であってもよく、10nm以上であってもよい。また、下層膜の厚さは、40nm以下であることが好ましく、30nm以下であることがより好ましく、20nm以下であることがさらに好ましく、15nm以下であってもよい。膜厚を上記下限値以上とすることにより、インプリント用硬化性組成物の下層膜上での拡張性(濡れ性)が向上し、インプリント後の均一な残膜形成が可能となる。膜厚を上記上限値以下とすることにより、インプリント後の残膜が薄くなり、膜厚ムラが発生しにくくなり、残膜均一性が向上する傾向にある。 The thickness of the underlayer film 2 is preferably 2 nm or more, more preferably 3 nm or more, further preferably 4 nm or more, 5 nm or more, or 7 nm or more. It may be 10 nm or more. The thickness of the underlayer film is preferably 40 nm or less, more preferably 30 nm or less, further preferably 20 nm or less, and may be 15 nm or less. By setting the film thickness to the above lower limit value or more, the expandability (wetting property) of the curable composition for imprinting on the lower film is improved, and a uniform residual film can be formed after imprinting. By setting the film thickness to the above upper limit value or less, the residual film after imprinting becomes thin, the film thickness unevenness is less likely to occur, and the uniformity of the residual film tends to be improved.

基板の材質としては、特に定めるものでは無く、特開2010−109092号公報の段落0103の記載を参酌でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。本発明では、シリコン基板、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、シリコンカーバイド(炭化ケイ素)基板、窒化ガリウム基板、アルミニウム基板、アモルファス酸化アルミニウム基板、多結晶酸化アルミニウム基板、SOC(スピンオンカーボン)、SOG(スピンオングラス)、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、ならびに、GaAsP、GaP、AlGaAs、InGaN、GaN、AlGaN、ZnSe、AlGa、InP、または、ZnOから構成される基板が挙げられる。なお、ガラス基板の具体的な材料例としては、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスが挙げられる。本発明では、シリコン基板およびSOC(スピンオンカーボン)を塗布した基板が好ましい。 The material of the substrate is not particularly specified, and the description in paragraph 0103 of JP-A-2010-109092 can be referred to, and these contents are incorporated in the present specification. In the present invention, a silicon substrate, a glass substrate, a quartz substrate, a sapphire substrate, a silicon carbide (silicon carbide) substrate, a gallium nitride substrate, an aluminum substrate, an amorphous aluminum oxide substrate, a polycrystalline aluminum oxide substrate, SOC (spin-on carbon), SOG ( Spin-on glass), silicon nitride, silicon oxynitride, and substrates composed of GaAsP, GaP, AlGaAs, InGaN, GaN, AlGaN, ZnSe, AlGa, InP, or ZnO. Specific examples of the material of the glass substrate include aluminosilicate glass, aluminoborosilicate glass, and bariumborosilicate glass. In the present invention, a silicon substrate and a substrate coated with SOC (spin-on carbon) are preferable.

本発明においては、有機層を最表層として有する基板を用いることが好ましい。
基板の有機層としてはCVD(Chemical Vapor Deposition)で形成されるアモルファスカーボン膜や、高炭素材料を有機溶剤に溶解させ、スピンコートで形成されるスピンオンカーボン膜が挙げられる。スピンオンカーボン膜としては、ノルトリシクレン共重合体、水素添加ナフトールノボラック樹脂、ナフトールジシクロペンタジエン共重合体、フェノールジシクロペンタジエン共重合体、特開2005−128509号公報に記載されるフルオレンビスフェノールノボラック、特開2005−250434号公報に記載のアセナフチレン共重合、インデン共重合体、特開2006−227391号公報に記載のフェノール基を有するフラーレン、ビスフェノール化合物およびこのノボラック樹脂、ジビスフェノール化合物およびこのノボラック樹脂、アダマンタンフェノール化合物のノボラック樹脂、ヒドロキシビニルナフタレン共重合体、特開2007−199653号公報に記載のビスナフトール化合物およびこのノボラック樹脂、ROMP、トリシクロペンタジエン共重合物に示される樹脂化合物が挙げられる。
SOCの例としては特開2011−164345号公報の段落0126の記載を参照することができ、その内容は本明細書に組み込まれる。
In the present invention, it is preferable to use a substrate having an organic layer as the outermost layer.
Examples of the organic layer of the substrate include an amorphous carbon film formed by CVD (Chemical Vapor Deposition) and a spin-on carbon film formed by dissolving a high carbon material in an organic solvent and performing spin coating. Examples of the spin-on carbon film include nortricyclene copolymer, hydrogenated naphthol novolac resin, naphthol dicyclopentadiene copolymer, phenoldicyclopentadiene copolymer, fluorenbisphenol novolac described in JP-A-2005-128509, and JP-A. Asenaftylene copolymer, inden copolymer described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-250434, fullerene having a phenol group, bisphenol compound and its novolac resin, dibisphenol compound and this novolak resin, adamantanphenol described in JP-A-2006-227391. Examples thereof include a novolak resin, a hydroxyvinylnaphthalene copolymer, a bisnaphthol compound described in JP-A-2007-199653, and a resin compound shown in the novolak resin, ROMP, and tricyclopentadiene copolymer.
As an example of SOC, the description in paragraph 0126 of JP2011-164345A can be referred to, the contents of which are incorporated herein by reference.

基板表面の水の接触角としては、20°以上であることが好ましく、40°以上であることがより好ましく、60°以上であることがさらに好ましい。上限としては、90°以下であることが実際的である。接触角は、後述する実施例で記載の方法に従って測定される。 The contact angle of water on the surface of the substrate is preferably 20 ° or more, more preferably 40 ° or more, and further preferably 60 ° or more. It is practical that the upper limit is 90 ° or less. The contact angle is measured according to the method described in the examples described below.

本発明においては、塩基性の層を最表層として有する基板(以下、塩基性基板という)を用いることが好ましい。塩基性基板の例としては、塩基性有機化合物(例えば、アミン系化合物やアンモニウム系化合物など)を含む基板や窒素原子を含有する無機基板が挙げられる。 In the present invention, it is preferable to use a substrate having a basic layer as the outermost layer (hereinafter, referred to as a basic substrate). Examples of the basic substrate include a substrate containing a basic organic compound (for example, an amine compound, an ammonium compound, etc.) and an inorganic substrate containing a nitrogen atom.

<<インプリント用硬化性組成物層形成工程>>
適用工程では、例えば、図1(3)に示すように、上記下層膜2の表面に、インプリント用硬化性組成物3を適用する。
インプリント用硬化性組成物の適用方法としては、特に定めるものでは無く、特開2010−109092号公報(対応US出願の公開番号は、米国特許出願公開第2011/0183127号明細書)の段落0102の記載を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。上記インプリント用硬化性組成物は、インクジェット法により、上記下層膜の表面に適用することが好ましい。また、インプリント用硬化性組成物を、多重塗布により塗布してもよい。インクジェット法などにより下層膜の表面に液滴を配置する方法において、液滴の量は1〜20pL程度が好ましく、液滴間隔をあけて下層膜表面に配置することが好ましい。液滴間隔としては、10〜1000μmの間隔が好ましい。液滴間隔は、インクジェット法の場合は、インクジェットのノズルの配置間隔とする。
さらに、下層膜2と、下層膜上に適用した膜状のインプリント用硬化性組成物3の体積比は、1:1〜500であることが好ましく、1:10〜300であることがより好ましく、1:50〜200であることがさらに好ましい。
また、本発明の好ましい実施形態に係る積層体の製造方法は、本発明のキットを用いて製造する方法であって、上記インプリント用下層膜形成組成物から形成された下層膜の表面に、インプリント用硬化性組成物を適用することを含む。さらに、本発明の好ましい実施形態に係る積層体の製造方法は、上記インプリント用下層膜形成組成物を基板上に層状に適用する工程を含み、上記層状に適用したインプリント用下層膜形成組成物を、好ましくは100〜300℃で、より好ましくは130〜260℃で、さらに好ましくは150〜230℃で、加熱(ベーク)することを含むことが好ましい。加熱時間は、好ましくは30秒〜5分である。
<< Imprint curable composition layer forming step >>
In the application step, for example, as shown in FIG. 1 (3), the imprintable curable composition 3 is applied to the surface of the underlayer film 2.
The method of applying the curable composition for imprint is not particularly specified, and paragraph 0102 of JP-A-2010-109092 (the publication number of the corresponding US application is the publication number of US Patent Application Publication No. 2011/0183127). This description is incorporated herein by reference. The curable composition for imprinting is preferably applied to the surface of the underlayer film by an inkjet method. Further, the curable composition for imprint may be applied by multiple coating. In a method of arranging droplets on the surface of the lower layer film by an inkjet method or the like, the amount of the droplets is preferably about 1 to 20 pL, and it is preferable to arrange the droplets on the surface of the lower layer film at intervals. The droplet interval is preferably 10 to 1000 μm. In the case of the inkjet method, the droplet interval is the arrangement interval of the inkjet nozzles.
Further, the volume ratio of the lower layer film 2 to the film-like curable composition for imprint 3 applied on the lower layer film is preferably 1: 1 to 500, and more preferably 1: 10 to 300. It is preferably 1:50 to 200, and more preferably 1:50 to 200.
Further, the method for producing a laminate according to a preferred embodiment of the present invention is a method for producing a laminate using the kit of the present invention, in which the surface of the underlayer film formed from the above-mentioned underlayer film forming composition for imprinting is used. Includes applying a curable composition for imprinting. Further, the method for producing a laminate according to a preferred embodiment of the present invention includes a step of applying the imprint underlayer film forming composition on a substrate in a layered manner, and the imprinting underlayer film forming composition applied in the layered manner. It is preferable to include heating (baking) the product at preferably 100 to 300 ° C., more preferably 130 to 260 ° C., still more preferably 150 to 230 ° C. The heating time is preferably 30 seconds to 5 minutes.

<<モールド接触工程>>
モールド接触工程では、例えば、図1(4)に示すように、上記インプリント用硬化性組成物3とパターン形状を転写するためのパターンを有するモールド4とを接触させる。このような工程を経ることにより、所望の硬化物パターン(インプリントパターン)が得られる。
具体的には、膜状のインプリント用硬化性組成物に所望のパターンを転写するために、膜状のインプリント用硬化性組成物3の表面にモールド4を押接する。
<< Mold contact process >>
In the mold contact step, for example, as shown in FIG. 1 (4), the imprintable curable composition 3 and the mold 4 having a pattern for transferring the pattern shape are brought into contact with each other. By going through such a step, a desired cured product pattern (imprint pattern) can be obtained.
Specifically, the mold 4 is pressed against the surface of the film-like curable composition for imprint 3 in order to transfer a desired pattern to the film-like curable composition for imprint.

モールドは、光透過性のモールドであってもよいし、光非透過性のモールドであってもよい。光透過性のモールドを用いる場合は、モールド側から硬化性組成物3に光を照射することが好ましい。本発明では、光透過性モールドを用い、モールド側から光を照射することがより好ましい。
本発明で用いることのできるモールドは、転写されるべきパターンを有するモールドである。上記モールドが有するパターンは、例えば、フォトリソグラフィや電子線描画法等によって、所望する加工精度に応じて形成できるが、本発明では、モールドパターン製造方法は特に制限されない。また、本発明の好ましい実施形態に係る硬化物パターン製造方法によって形成したパターンをモールドとして用いることもできる。
本発明において用いられる光透過性モールドを構成する材料は、特に限定されないが、ガラス、石英、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、ポリカーボネート樹脂などの光透過性樹脂、透明金属蒸着膜、ポリジメチルシロキサンなどの柔軟膜、光硬化膜、金属膜等が例示され、石英が好ましい。
本発明において光透過性の基板を用いた場合に使われる非光透過型モールド材としては、特に限定されないが、所定の強度を有するものであればよい。具体的には、セラミック材料、蒸着膜、磁性膜、反射膜、Ni、Cu、Cr、Feなどの金属基板、SiC、シリコン、窒化シリコン、ポリシリコン、酸化シリコン、アモルファスシリコンなどの基板などが例示され、特に制約されない。
The mold may be a light-transmitting mold or a light-impermeable mold. When a light-transmitting mold is used, it is preferable to irradiate the curable composition 3 with light from the mold side. In the present invention, it is more preferable to use a light-transmitting mold and irradiate light from the mold side.
The mold that can be used in the present invention is a mold having a pattern to be transferred. The pattern possessed by the mold can be formed according to a desired processing accuracy by, for example, photolithography or an electron beam drawing method, but the mold pattern manufacturing method is not particularly limited in the present invention. Further, the pattern formed by the cured product pattern manufacturing method according to the preferred embodiment of the present invention can also be used as a mold.
The material constituting the light-transmitting mold used in the present invention is not particularly limited, but is limited to glass, quartz, polymethylmethacrylate (PMMA), light-transmitting resin such as polycarbonate resin, transparent metal vapor-deposited film, polydimethylsiloxane, and the like. A flexible film, a photocurable film, a metal film and the like are exemplified, and quartz is preferable.
The non-light-transmitting mold material used when the light-transmitting substrate is used in the present invention is not particularly limited, but may be any material having a predetermined strength. Specific examples include ceramic materials, vapor-deposited films, magnetic films, reflective films, metal substrates such as Ni, Cu, Cr, and Fe, and substrates such as SiC, silicon, silicon nitride, polysilicon, silicon oxide, and amorphous silicon. It is not particularly restricted.

上記硬化物パターンの製造方法では、インプリント用硬化性組成物を用いてインプリントリソグラフィを行うに際し、モールド圧力を10気圧以下とするのが好ましい。モールド圧力を10気圧以下とすることにより、モールドや基板が変形しにくくパターン精度が向上する傾向にある。また、加圧が低いため装置を縮小できる傾向にある点からも好ましい。モールド圧力は、モールド凸部にあたるインプリント用硬化性組成物の残膜が少なくなる一方で、モールド転写の均一性が確保できる範囲から選択することが好ましい。
また、インプリント用硬化性組成物とモールドとの接触を、ヘリウムガスまたは凝縮性ガス、あるいはヘリウムガスと凝縮性ガスの両方を含む雰囲気下で行うことも好ましい。
In the method for producing a cured product pattern, the mold pressure is preferably 10 atm or less when performing imprint lithography using the curable composition for imprinting. By setting the mold pressure to 10 atm or less, the mold and the substrate are less likely to be deformed, and the pattern accuracy tends to be improved. It is also preferable because the pressurization is low and the device tends to be reduced in size. The mold pressure is preferably selected from a range in which the uniformity of mold transfer can be ensured while the residual film of the curable composition for imprint corresponding to the convex portion of the mold is reduced.
It is also preferable that the contact between the curable composition for imprint and the mold is performed in an atmosphere containing helium gas or condensable gas, or both helium gas and condensable gas.

<<光照射工程>>
光照射工程では、上記インプリント用硬化性組成物に光を照射して硬化物を形成する。光照射工程における光照射の照射量は、硬化に必要な最小限の照射量よりも十分大きければよい。硬化に必要な照射量は、インプリント用硬化性組成物の不飽和結合の消費量などを調べて適宜決定される。
照射する光の種類は特に定めるものではないが、紫外光が例示される。
また、本発明に適用されるインプリントリソグラフィにおいては、光照射の際の基板温度は、通常、室温とするが、反応性を高めるために加熱をしながら光照射してもよい。光照射の前段階として、真空状態にしておくと、気泡混入防止、酸素混入による反応性低下の抑制、モールドとインプリント用硬化性組成物との密着性向上に効果があるため、真空状態で光照射してもよい。また、上記硬化物パターン製造方法中、光照射時における好ましい真空度は、10-1Paから常圧の範囲である。
露光に際しては、露光照度を1〜500mW/cmの範囲にすることが好ましく、10〜400mW/cmの範囲にすることがより好ましい。露光の時間は特に限定されないが、0.01〜10秒であることが好ましく、0.5〜1秒であることがより好ましい。露光量は、5〜1000mJ/cmの範囲にすることが好ましく、10〜500mJ/cmの範囲にすることがより好ましい。
上記硬化物パターン製造方法においては、光照射により膜状のインプリント用硬化性組成物(パターン形成層)を硬化させた後、必要に応じて、硬化させたパターンに熱を加えてさらに硬化させる工程を含んでいてもよい。光照射後にインプリント用硬化性組成物を加熱硬化させるための温度としては、150〜280℃が好ましく、200〜250℃がより好ましい。また、熱を付与する時間としては、5〜60分間が好ましく、15〜45分間がさらに好ましい。
<< Light irradiation process >>
In the light irradiation step, the curable composition for imprint is irradiated with light to form a cured product. The irradiation amount of light irradiation in the light irradiation step may be sufficiently larger than the minimum irradiation amount required for curing. The irradiation amount required for curing is appropriately determined by examining the consumption amount of unsaturated bonds of the curable composition for imprinting.
The type of light to be irradiated is not particularly specified, but ultraviolet light is exemplified.
Further, in the imprint lithography applied to the present invention, the substrate temperature at the time of light irradiation is usually room temperature, but light irradiation may be performed while heating in order to enhance the reactivity. If a vacuum state is created as a pre-stage of light irradiation, it is effective in preventing air bubbles from being mixed in, suppressing a decrease in reactivity due to oxygen mixing, and improving the adhesion between the mold and the curable composition for imprinting. You may irradiate with light. Further, in the above-mentioned method for producing a cured product pattern, the preferable degree of vacuum at the time of light irradiation is in the range of 10 -1 Pa to normal pressure.
In photoexposure, the light intensity is preferably in the range of 1 to 500 mW / cm 2, and more preferably in the range of 10~400mW / cm 2. The exposure time is not particularly limited, but is preferably 0.01 to 10 seconds, more preferably 0.5 to 1 second. Exposure amount is preferably in a range of 5~1000mJ / cm 2, and more preferably in the range of 10 to 500 mJ / cm 2.
In the above-mentioned method for producing a cured product pattern, a film-like curable composition for imprinting (pattern forming layer) is cured by light irradiation, and then, if necessary, heat is applied to the cured pattern to further cure it. It may include steps. The temperature for heat-curing the imprint curable composition after light irradiation is preferably 150 to 280 ° C, more preferably 200 to 250 ° C. The time for applying heat is preferably 5 to 60 minutes, more preferably 15 to 45 minutes.

<<離型工程>>
離型工程では、上記硬化物と上記モールドとを引き離す(図1(5))。得られた硬化物パターンは後述する通り各種用途に利用できる。
すなわち、本発明では、上記下層膜の表面に、さらに、インプリント用硬化性組成物から形成される硬化物パターンを有する、積層体が開示される。また、本発明で用いるインプリント用硬化性組成物からなるパターン形成層の膜厚は、使用する用途によって異なるが、0.01μm〜30μm程度である。
さらに、後述するとおり、エッチング等を行うこともできる。
<< Molding process >>
In the mold release step, the cured product and the mold are separated from each other (FIG. 1 (5)). The obtained cured product pattern can be used for various purposes as described later.
That is, the present invention discloses a laminate having a cured product pattern formed from the curable composition for imprinting on the surface of the underlayer film. The film thickness of the pattern forming layer made of the curable composition for imprint used in the present invention varies depending on the intended use, but is about 0.01 μm to 30 μm.
Further, as will be described later, etching or the like can also be performed.

<硬化物パターンとその応用>
上述のように上記硬化物パターンの製造方法によって形成された硬化物パターンは、液晶表示装置(LCD)などに用いられる永久膜や、半導体素子製造用のエッチングレジスト(リソグラフィ用マスク)として使用することができる。特に、本明細書では、本発明の好ましい実施形態に係る硬化物パターンの製造方法により硬化物パターンを得る工程を含む、半導体デバイス(回路基板)の製造方法を開示する。さらに、本発明の好ましい実施形態に係る半導体デバイスの製造方法では、上記硬化物パターンの製造方法により得られた硬化物パターンをマスクとして基板にエッチングまたはイオン注入を行う工程と、電子部材を形成する工程と、を有していてもよい。上記半導体デバイスは、半導体素子であることが好ましい。すなわち、本明細書では、上記パターン形成方法を含む半導体デバイスの製造方法を開示する。さらに、本明細書では、上記半導体デバイスの製造方法により半導体デバイスを得る工程と、上記半導体デバイスと上記半導体デバイスを制御する制御機構とを接続する工程と、を有する電子機器の製造方法を開示する。
また、上記硬化物パターン製造方法によって形成されたパターンを利用して液晶表示装置のガラス基板にグリッドパターンを形成し、反射や吸収が少なく、大画面サイズ(例えば55インチ、60インチ超)の偏光板を安価に製造することが可能である。例えば、特開2015−132825号公報や国際公開第2011/132649号に記載の偏光板が製造できる。
本発明で形成された硬化物パターンは、図1(6)(7)に示す通り、エッチングレジスト(リソグラフィ用マスク)としても有用である。硬化物パターンをエッチングレジストとして利用する場合には、まず、基板上に上記硬化物パターン製造方法によって、例えば、ナノまたはミクロンオーダーの微細な硬化物パターンを形成する。本発明では特にナノオーダーの微細パターンを形成でき、さらにはサイズが50nm以下、特には30nm以下のパターンも形成できる点で有益である。上記硬化物パターン製造方法で形成する硬化物パターンのサイズの下限値については特に定めるものでは無いが、例えば、1nm以上とすることができる。
また、本発明では、基板上に、本発明の好ましい実施形態に係る硬化物パターンの製造方法により硬化物パターンを得る工程と、得られた上記硬化物パターンを用いて上記基板にエッチングを行う工程と、を有する、インプリント用モールドの製造方法も開示する。
ウェットエッチングの場合にはフッ化水素等、ドライエッチングの場合にはCF等のエッチングガスを用いてエッチングすることにより、基板上に所望の硬化物パターンを形成することができる。硬化物パターンは、特にドライエッチングに対するエッチング耐性が良好である。すなわち、上記硬化物パターン製造方法によって形成されたパターンは、リソグラフィ用マスクとして好ましく用いられる。
<Cured product pattern and its application>
As described above, the cured product pattern formed by the above-mentioned cured product pattern manufacturing method is used as a permanent film used in a liquid crystal display (LCD) or the like, or as an etching resist (lithography mask) for manufacturing a semiconductor element. Can be done. In particular, the present specification discloses a method for manufacturing a semiconductor device (circuit board), which includes a step of obtaining a cured product pattern by the method for producing a cured product pattern according to a preferred embodiment of the present invention. Further, in the method for manufacturing a semiconductor device according to a preferred embodiment of the present invention, a step of etching or ion-implanting a substrate using the cured product pattern obtained by the above-mentioned method for producing a cured product pattern as a mask and forming an electronic member are formed. It may have a process and. The semiconductor device is preferably a semiconductor element. That is, this specification discloses a method for manufacturing a semiconductor device including the above pattern forming method. Further, the present specification discloses a manufacturing method of an electronic device having a step of obtaining a semiconductor device by the manufacturing method of the semiconductor device and a step of connecting the semiconductor device and a control mechanism for controlling the semiconductor device. ..
Further, a grid pattern is formed on the glass substrate of the liquid crystal display device by using the pattern formed by the above-mentioned cured product pattern manufacturing method, and there is little reflection or absorption, and polarized light having a large screen size (for example, 55 inches or more than 60 inches). It is possible to manufacture the plate at low cost. For example, the polarizing plates described in JP-A-2015-132825 and International Publication No. 2011/132649 can be manufactured.
As shown in FIGS. 1 (6) and 1 (7), the cured product pattern formed in the present invention is also useful as an etching resist (mask for lithography). When the cured product pattern is used as an etching resist, first, a fine cured product pattern on the order of nano or micron is formed on the substrate by the above-mentioned cured product pattern manufacturing method. The present invention is particularly advantageous in that a nano-order fine pattern can be formed, and a pattern having a size of 50 nm or less, particularly 30 nm or less can be formed. The lower limit of the size of the cured product pattern formed by the above-mentioned cured product pattern manufacturing method is not particularly specified, but can be, for example, 1 nm or more.
Further, in the present invention, a step of obtaining a cured product pattern on a substrate by the method for producing a cured product pattern according to a preferred embodiment of the present invention, and a step of etching the substrate using the obtained cured product pattern. Also disclosed is a method for manufacturing an imprint mold having the above.
A desired cured product pattern can be formed on the substrate by etching with an etching gas such as hydrogen fluoride in the case of wet etching and CF 4 in the case of dry etching. The cured product pattern has particularly good etching resistance to dry etching. That is, the pattern formed by the cured product pattern manufacturing method is preferably used as a mask for lithography.

本発明で形成されたパターンは、具体的には、磁気ディスク等の記録媒体、固体撮像素子等の受光素子、LED(light emitting diode)や有機EL(有機エレクトロルミネッセンス)等の発光素子、液晶表示装置(LCD)等の光デバイス、回折格子、レリーフホログラム、光導波路、光学フィルタ、マイクロレンズアレイ等の光学部品、薄膜トランジスタ、有機トランジスタ、カラーフィルタ、反射防止膜、偏光板、偏光素子、光学フィルム、柱材等のフラットパネルディスプレイ用部材、ナノバイオデバイス、免疫分析チップ、デオキシリボ核酸(DNA)分離チップ、マイクロリアクター、フォトニック液晶、ブロックコポリマーの自己組織化を用いた微細パターン形成(directed self−assembly、DSA)のためのガイドパターン等の作製に好ましく用いることができる。 Specifically, the pattern formed in the present invention includes a recording medium such as a magnetic disk, a light receiving element such as a solid-state imaging element, a light emitting element such as an LED (light emitting diode) or an organic EL (organic electroluminescence), and a liquid crystal display. Optical devices such as liquid crystals (LCDs), diffraction grids, relief holograms, optical waveguides, optical filters, optical components such as microlens arrays, thin film transistors, organic transistors, color filters, antireflection films, polarizing plates, polarizing elements, optical films, Flat panel display members such as pillars, nanobiodevices, immunoanalytical chips, deoxyribonucleic acid (DNA) separation chips, microreactors, photonic liquid crystals, and fine pattern formation (directed self-assembury) using self-assembly of block copolymers, It can be preferably used for producing a guide pattern or the like for DSA).

以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜、変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例に限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. The materials, amounts used, ratios, treatment contents, treatment procedures, etc. shown in the following examples can be appropriately changed as long as they do not deviate from the gist of the present invention. Therefore, the scope of the present invention is not limited to the specific examples shown below.

<A−1/B−1(90/10)コポリマーの合成>
フラスコに、溶剤として水;100gを入れ、窒素雰囲気下で90℃に昇温した。その水に、メタクリル酸グリシジル;16.0g(0.16モル)(富士フイルム和光純薬製)、下記のリン酸二ナトリウム2−アクリロイルオキシエチル;1.8g(7ミリモル)(富士フイルム和光純薬製)、2,2’−アゾビス(2−(2−イミダゾリン−2−イル)プロパン二塩酸塩)(VA−044);1.0g(3ミリモル)(富士フイルム和光純薬製)、水;50gの混合液を、2時間かけて滴下した。滴下終了後、さらに90℃で4時間撹拌することにより、コポリマーを得た。
上記コポリマーの溶液に、アクリル酸;11.6g(0.16モル)(富士フイルム和光純薬製)、テトラエチルアンモニウムブロミド(TEAB);2.1g(富士フイルム和光純薬製)、4−ヒドロキシ−テトラメチルピペリジン1−オキシル(4−HO−TEMPO);50mg(富士フイルム和光純薬製)を加えて、90℃で8時間反応させ、H−NMRからアクリル酸が反応で消失したことを確認し、樹脂の水溶液を得た。下記に反応スキームを示した。
上記水溶液に1Nの塩酸を加え、沈殿されたものを水洗にて精製して樹脂A−1/B−1の粉末を得た。
その他のコポリマーについても同様にして合成した。
<Synthesis of A-1 / B-1 (90/10) copolymer>
Water; 100 g as a solvent was placed in a flask, and the temperature was raised to 90 ° C. under a nitrogen atmosphere. In the water, glycidyl methacrylate; 16.0 g (0.16 mol) (manufactured by Fujifilm Wako Pure Chemical Industries, Ltd.), disodium disodium phosphate 2-acryloyloxyethyl below; 1.8 g (7 mmol) (Fujifilm Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) Yakuhin), 2,2'-azobis (2- (2-imidazolin-2-yl) propane dihydrochloride) (VA-044); 1.0 g (3 mmol) (Fujifilm Wako Pure Chemical Industries, Ltd.), water 50 g of the mixed solution was added dropwise over 2 hours. After completion of the dropping, the copolymer was further stirred at 90 ° C. for 4 hours to obtain a copolymer.
Acrylic acid; 11.6 g (0.16 mol) (manufactured by Fujifilm Wako Pure Chemical Industries, Ltd.), tetraethylammonium bromide (TEAB); 2.1 g (manufactured by Fujifilm Wako Pure Chemical Industries, Ltd.), 4-hydroxy- Tetramethylpiperidin 1-oxyl (4-HO-TEMPO); 50 mg (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was added and reacted at 90 ° C. for 8 hours, and it was confirmed from H-NMR that the acrylic acid disappeared by the reaction. , An aqueous solution of resin was obtained. The reaction scheme is shown below.
1N Hydrochloric acid was added to the above aqueous solution, and the precipitated product was purified by washing with water to obtain a powder of resin A-1 / B-1.
Other copolymers were synthesized in the same manner.

Figure 0006887563
リン酸二ナトリウム2−アクリロイルオキシエチル(分子量254.2)
Figure 0006887563
Disodium Phosphate 2-Acryloyloxyethyl (Molecular Weight 254.2)

Figure 0006887563
Figure 0006887563

上記樹脂をPGMEAに溶解し、PGMEA溶液を得た。
得られた樹脂のゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)から求めた重量平均分子量(Mw、ポリスチレン換算)は20,000、分散度(Mw/Mn)=2.2であった。
<分子量の測定方法>
樹脂の重量平均分子量(Mw)は、ゲル浸透クロマトグラフィ(GPC測定)に従い、ポリスチレン換算値として定義した。装置はHLC−8220(東ソー(株)製)を用い、カラムとしてガードカラムHZ−L、TSKgel Super HZM−M、TSKgel Super HZ4000、TSKgel Super HZ3000およびTSKgel Super HZ2000(東ソー(株)製)を用いた。溶離液は、THF(テトラヒドロフラン)を用いた。検出は、RI検出器を用いた。
The above resin was dissolved in PGMEA to obtain a PGMEA solution.
The weight average molecular weight (Mw, polystyrene equivalent) determined from gel permeation chromatography (GPC) of the obtained resin was 20,000, and the dispersity (Mw / Mn) was 2.2.
<Measurement method of molecular weight>
The weight average molecular weight (Mw) of the resin was defined as a polystyrene-equivalent value according to gel permeation chromatography (GPC measurement). The apparatus used was HLC-8220 (manufactured by Tosoh Corporation), and guard columns HZ-L, TSKgel Super HZM-M, TSKgel Super HZ4000, TSKgel Super HZ3000 and TSKgel Super HZ2000 (manufactured by Tosoh Co., Ltd.) were used as columns. .. The eluate used was THF (tetrahydrofuran). An RI detector was used for detection.

<下層膜形成組成物の調製>
下記表に示す成分を含有する溶液を調製した。これを0.02μmのナイロンフィルタおよび0.010μmのPTFE(ポリテトラフルオロエチレン)フィルタでろ過して、実施例および比較例に示す下層膜形成組成物の調製を調製した。
<Preparation of underlayer film forming composition>
A solution containing the components shown in the table below was prepared. This was filtered through a 0.02 μm nylon filter and a 0.010 μm PTFE (polytetrafluoroethylene) filter to prepare the preparation of the underlayer film forming composition shown in Examples and Comparative Examples.

<インプリント用硬化性組成物の調製>
下表に記載の各種化合物を混合し、さらに重合禁止剤として4−ヒドロキシ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン−1−オキシルフリーラジカル(東京化成社製)を重合性化合物の合計量に対して200質量ppm(0.02質量%)となるように加えて調製した。これを0.02μmのナイロンフィルタおよび0.001μmのPTFEフィルタでろ過して、インプリント用硬化性組成物を調製した。
<Preparation of curable composition for imprint>
The various compounds listed in the table below are mixed, and 4-hydroxy-2,2,6,6-tetramethylpiperidin-1-oxyl-free radical (manufactured by Tokyo Kasei Co., Ltd.) is added as a polymerization inhibitor in the total amount of the polymerizable compounds. It was prepared by adding the amount to 200% by mass (0.02% by mass). This was filtered through a 0.02 μm nylon filter and a 0.001 μm PTFE filter to prepare a curable composition for imprinting.

<pKaの算出>
下記のソフトウェアパッケージを用いて計算により求めた。
ソフトウェアパッケージ: Advanced Chemistry Development (ACD/Labs) Software V8.14 for Solaris (1994−2007 ACD/Labs)
<Calculation of pKa>
It was calculated using the following software package.
Software Package: Advanced Chemistry Development (ACD / Labs) Software V8.14 for Solaris (1994-2007 ACD / Labs)

<下層膜の形成/膜厚評価>
下表に示す基板上に、表に記載のインプリント用下層膜形成組成物をスピンコートし、表に記載のベーク条件でホットプレートを用いて加熱し、下層膜を形成した。下層膜の膜厚はエリプソメータにより測定した。
<Formation of underlayer film / film thickness evaluation>
The underlayer film forming composition for imprint described in the table was spin-coated on the substrate shown in the table below, and heated using a hot plate under the baking conditions described in the table to form the underlayer film. The film thickness of the underlayer film was measured by an ellipsometer.

<密着力の評価>
上記で得られた下層膜表面に、23℃に温度調整したインプリント用硬化性組成物を、富士フイルムダイマティックス製インクジェットプリンターDMP−2831を用いて、ノズルあたり6pLの液滴量で吐出して、下層膜上に液滴が約100μm間隔の正方配列となるように塗布し、パターン形成層とした。次に、パターン形成層に、特開2014−024322号公報の実施例6に示す密着層形成用組成物をスピンコートした石英ウエハをHe雰囲気下(置換率90%以上)で押接し、インプリント用硬化性組成物を押印した。押印後10秒が経過した時点で、モールド側から高圧水銀ランプを用い、150mJ/cmの条件で露光した。露光後のサンプルを剥離する際に必要な力を測定し、下層膜の密着力Fとした。
A:F≧30N
B:25N≦F<30N
C:20N≦F<25N
D:F<20N
<Evaluation of adhesion>
On the surface of the underlayer film obtained above, a curable composition for imprint whose temperature was adjusted to 23 ° C. was ejected at a droplet amount of 6 pL per nozzle using an inkjet printer DMP-2831 manufactured by Fujifilm Dimatics. Then, the droplets were applied onto the underlayer film so as to form a square arrangement at intervals of about 100 μm to form a pattern forming layer. Next, a quartz wafer spin-coated with the composition for forming an adhesion layer shown in Example 6 of JP2014-024322A was pressed against the pattern forming layer in a He atmosphere (replacement rate of 90% or more) and imprinted. The curable composition for use was imprinted. When 10 seconds had passed after the stamping, exposure was performed from the mold side using a high-pressure mercury lamp under the condition of 150 mJ / cm 2. The force required to peel off the exposed sample was measured and used as the adhesion force F of the underlayer film.
A: F ≧ 30N
B: 25N ≤ F <30N
C: 20N ≤ F <25N
D: F <20N

<面状(剥れ欠陥の評価)>
上記で得られた下層膜表面に、25℃に温度調整したインプリント用硬化性組成物を、富士フイルムダイマティックス製インクジェットプリンターDMP−2831を用いて、ノズルあたり6pLの液滴量で吐出して、下層膜上に液滴が約100μm間隔の正方配列となるように塗布し、パターン形成層とした。次に、パターン形成層に、石英モールド(線幅28nm、深さ60nmのラインパターン)をHe雰囲気下(置換率90%以上)で押接し、インプリント用硬化性組成物をモールドに充填した。押印後10秒が経過した時点で、モールド側から高圧水銀ランプを用い、150mJ/cmの条件で露光した後、モールドを剥離することでパターン形成層にパターンを転写させた。転写したパターンの剥れ有無を光学顕微鏡観察(マクロ観察)およびSEM観察(ミクロ観察)にて確認した。
A:パターン剥れが確認されなかった
B:マクロ観察では剥れは確認されなかったが、ミクロ観察にてパターンの剥れが確認された
C:マクロ観察にて一部領域(離型終端部)に剥れが確認された
D:マクロ観察にて転写エリア前面にわたり剥れが確認された
<Surface (evaluation of peeling defects)>
On the surface of the underlayer film obtained above, a curable composition for imprint whose temperature was adjusted to 25 ° C. was ejected at a droplet amount of 6 pL per nozzle using an inkjet printer DMP-2831 manufactured by Fujifilm Dimatics. Then, the droplets were applied onto the underlayer film so as to form a square arrangement at intervals of about 100 μm to form a pattern forming layer. Next, a quartz mold (a line pattern having a line width of 28 nm and a depth of 60 nm) was pressed against the pattern forming layer under a He atmosphere (replacement rate of 90% or more), and the curable composition for imprint was filled in the mold. When 10 seconds had passed after the imprint, the mold was exposed from the mold side using a high-pressure mercury lamp under the condition of 150 mJ / cm 2 , and then the mold was peeled off to transfer the pattern to the pattern forming layer. The presence or absence of peeling of the transferred pattern was confirmed by optical microscope observation (macro observation) and SEM observation (micro observation).
A: No pattern peeling was confirmed B: No peeling was confirmed by macro observation, but pattern peeling was confirmed by micro observation C: Partial area (demolding end) by macro observation ) Was confirmed to be peeled off. D: Peeling was confirmed over the front of the transfer area by macro observation.

下記表5および表6において、ポリマーのA−1/B−1はA−1の構成単位とB−1の構成単位とを有するコポリマーであることを意味する。90/10は共重合比(モル比)を表し、それぞれ左の構成単位と右の構成単位との比率を意味する。モノマーのpKaは、ポリマーを構成するモノマーのうちpKa4.0以下のモノマーのpKaの値を採用した。表中の、略称の意味は下記のとおりである。
PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
PGME:プロピレングリコールモノメチルエーテル
γBL:γ−ブチロラクトン
Mw:重量平均分子量

Figure 0006887563
Figure 0006887563
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Figure 0006887563
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In Tables 5 and 6 below, A-1 / B-1 of the polymer means that it is a copolymer having a structural unit of A-1 and a structural unit of B-1. 90/10 represents the copolymerization ratio (molar ratio), and means the ratio of the left structural unit and the right structural unit, respectively. As the pKa of the monomer, the pKa value of the monomer having a pKa of 4.0 or less among the monomers constituting the polymer was adopted. The meanings of the abbreviations in the table are as follows.
PGMEA: Propylene glycol monomethyl ether acetate PGME: Propylene glycol monomethyl ether γBL: γ-butyrolactone Mw: Weight average molecular weight

Figure 0006887563
Figure 0006887563
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Figure 0006887563
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<基板>
基板Si:直径8インチ(1インチは2.54センチメートルである)のシリコンウエハ
基板1:直径8インチのシリコンウエハ上にスピンオンカーボン膜ODL−102(信越化学工業社製)をスピンコート法で塗布し、240℃で60秒間ベークを行い、膜厚200nmのSOC(Spin on Carbon)膜を形成した基板。
基板2:直径8インチの窒化ケイ素ウエハ上にスピンオンカーボン膜ODL−50(信越化学工業社製)をスピンコート法で塗布し、240℃で60秒間ベークを行い、膜厚200nmのSOC(Spin on Carbon)膜を形成した基板。
基板3:直径8インチのシリコンウエハ上にSOC NCA9053EH(日産化学社製)をスピンコート法で塗布し、240℃で60秒間ベークを行い、膜厚200nmのSOC(Spin on Carbon)膜を形成した基板。
基板SOG:直径8インチのシリコンウエハ上にOCD T−12(東京応化工業社製)をスピンコート法で塗布し、UVオゾン処理120秒間を行い、膜厚200nmのSOG膜を形成した基板。
<Board>
Substrate Si: Silicon wafer with a diameter of 8 inches (1 inch is 2.54 cm) Substrate 1: Spin-on carbon film ODL-102 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) is spun-coated on a silicon wafer with a diameter of 8 inches. A substrate formed by coating and baking at 240 ° C. for 60 seconds to form a SOC (Spin on Carbon) film having a film thickness of 200 nm.
Substrate 2: A spin-on carbon film ODL-50 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) is applied on a silicon nitride wafer having a diameter of 8 inches by a spin coating method, baked at 240 ° C. for 60 seconds, and SOC (Spin on) having a film thickness of 200 nm is applied. Carbon) A substrate on which a film is formed.
Substrate 3: SOC NCA9053EH (manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.) was applied on a silicon wafer having a diameter of 8 inches by a spin coating method, and baked at 240 ° C. for 60 seconds to form an SOC (Spin on Carbon) film having a film thickness of 200 nm. substrate.
Substrate SOG: A substrate obtained by applying OCD T-12 (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) on a silicon wafer having a diameter of 8 inches by a spin coating method and subjecting it to UV ozone treatment for 120 seconds to form an SOG film having a film thickness of 200 nm.

上記結果から明らかなとおり、インプリント用下層膜形成組成物にpKa4.0以下のモノマー由来の構成単位と重合性基とを有するポリマーを用いて下層膜を形成すると、インプリント用硬化性組成物の優れた密着性を実現することができた(実施例1〜15)。特に、それらのインプリント用下層膜形成組成物は、カーボン含量の異なる基板やSOG基板など、多様な基板においていずれも良好な密着性を実現しており、汎用性の高い材料であることが分かった。また、いずれの実施例の試料においても、下層膜の表面に形成したインプリント層は良好な面状を有していた。
一方、上記の特定ポリマーを用いない場合(比較例1)は密着性に劣る結果となった。
As is clear from the above results, when a lower layer film is formed in the lower layer film forming composition for imprint using a polymer having a structural unit derived from a monomer having a pKa of 4.0 or less and a polymerizable group, a curable composition for imprinting is formed. It was possible to realize the excellent adhesion of (Examples 1 to 15). In particular, these imprint underlayer film forming compositions have realized good adhesion on various substrates such as substrates having different carbon contents and SOG substrates, and it has been found that they are highly versatile materials. It was. Further, in the samples of all the examples, the imprint layer formed on the surface of the underlayer film had a good surface shape.
On the other hand, when the above-mentioned specific polymer was not used (Comparative Example 1), the adhesion was inferior.

1 基板
2 下層膜
3 インプリント用硬化性組成物
4 モールド
1 Substrate 2 Underlayer film 3 Imprint curable composition 4 Mold

Claims (22)

ポリマーと溶剤とを含むインプリント用下層膜形成組成物であって、前記ポリマーがpKa4.0以下のモノマー由来の構成単位と、重合性基とを含む、インプリント用下層膜形成組成物。 An imprint underlayer film forming composition containing a polymer and a solvent, wherein the polymer contains a structural unit derived from a monomer having a pKa of 4.0 or less and a polymerizable group. 前記ポリマーがアクリル樹脂である、請求項1に記載のインプリント用下層膜形成組成物。 The underlayer film forming composition for imprint according to claim 1, wherein the polymer is an acrylic resin. 前記ポリマーの重量平均分子量が2,000以上である、請求項1または2に記載のインプリント用下層膜形成組成物。 The underlayer film forming composition for imprint according to claim 1 or 2, wherein the polymer has a weight average molecular weight of 2,000 or more. 前記ポリマーが有する重合性基が(メタ)アクリロイル基である、請求項1〜3のいずれか1項に記載のインプリント用下層膜形成組成物。 The underlayer film forming composition for imprint according to any one of claims 1 to 3, wherein the polymerizable group of the polymer is a (meth) acryloyl group. 前記ポリマーが有するpKa4.0以下のモノマー由来の構成単位が、pKaが3.0以下のモノマー由来の構成単位である、請求項1〜4のいずれか1項に記載のインプリント用下層膜形成組成物。 The underlayer film formation for imprint according to any one of claims 1 to 4, wherein the structural unit derived from a monomer having a pKa of 4.0 or less contained in the polymer is a structural unit derived from a monomer having a pKa of 3.0 or less. Composition. 前記pKa4.0以下のモノマー由来の構成単位が、ヒドロキシル基、カルボキシル基、チオカルボン酸基、ジチオカルボン酸基、スルホン酸基、リン酸モノエステル基、リン酸ジエステル基およびリン酸基からなる群から選ばれる少なくとも1種を有する、請求項1〜5のいずれか1項に記載のインプリント用下層膜形成組成物。 The structural unit derived from the monomer having a pKa of 4.0 or less consists of a group consisting of a hydroxyl group, a carboxyl group, a thiocarboxylic acid group, a dithiocarboxylic acid group, a sulfonic acid group, a phosphoric acid monoester group, a phosphoric acid diester group and a phosphoric acid group. The underlayer film forming composition for imprint according to any one of claims 1 to 5, which has at least one selected. 前記インプリント用下層膜形成組成物の99.0質量%以上が溶剤である、請求項1〜6のいずれか1項に記載のインプリント用下層膜形成組成物。 The imprint underlayer film forming composition according to any one of claims 1 to 6, wherein 99.0% by mass or more of the imprint underlayer film forming composition is a solvent. 前記ポリマーが重合性基を有する構成単位を有する、請求項1〜7のいずれか1項に記載のインプリント用下層膜形成組成物。 The underlayer film forming composition for imprint according to any one of claims 1 to 7, wherein the polymer has a structural unit having a polymerizable group. 請求項1〜8のいずれか1項に記載のインプリント用下層膜形成組成物とインプリント用硬化性組成物とを含む、キット。 A kit comprising the underlayer film forming composition for imprinting and the curable composition for imprinting according to any one of claims 1 to 8. 請求項9に記載のキットに用いられる、インプリント用硬化性組成物。 A curable composition for imprinting used in the kit according to claim 9. 基板と、基板の表面に位置する、請求項1〜8のいずれか1項に記載のインプリント用下層膜形成組成物から形成された下層膜と、前記下層膜の表面に位置するインプリント用硬化性組成物から形成されたインプリント層とを有する、積層体。 An imprint film formed from the substrate, the underlayer film forming composition for imprint according to any one of claims 1 to 8 located on the surface of the substrate, and an imprint film located on the surface of the underlayer film. A laminate having an imprint layer formed from a curable composition. 前記基板として、有機層を最表層として有する基板を用いる、請求項11に記載の積層体。 The laminate according to claim 11, wherein a substrate having an organic layer as the outermost layer is used as the substrate. 前記基板として、塩基性の層を最表層として有する基板を用いる、請求項11または12に記載の積層体。 The laminate according to claim 11 or 12, wherein a substrate having a basic layer as the outermost layer is used as the substrate. 請求項1〜8のいずれか1項に記載のインプリント用下層膜形成組成物を基板の表面に適用しインプリント用下層膜を形成する工程、前記下層膜の表面にインプリント用硬化性組成物を適用する工程を含む、積層体の製造方法。 A step of applying the imprint underlayer film forming composition according to any one of claims 1 to 8 to the surface of a substrate to form an imprint underlayer film, a curable composition for imprinting on the surface of the underlayer film. A method for producing a laminate, which comprises a step of applying an object. 前記基板として、有機層を最表層として有する基板を用いる、請求項14に記載の積層体の製造方法。 The method for producing a laminate according to claim 14, wherein a substrate having an organic layer as the outermost layer is used as the substrate. 前記基板として、塩基性の層を最表層として有する基板を用いる、請求項14または15に記載の積層体の製造方法。 The method for producing a laminate according to claim 14 or 15, wherein a substrate having a basic layer as the outermost layer is used as the substrate. 基板表面に、請求項1〜8のいずれか1項に記載のインプリント用下層膜形成組成物を用いて下層膜を形成する工程、前記下層膜上にインプリント用下層膜形成組成物を適用してインプリント用硬化性組成物層を形成する工程、前記インプリント用硬化性組成物層にモールドを接触させる工程、前記モールドを接触させた状態で前記インプリント用硬化性組成物層を露光する工程、および前記モールドを、前記露光したインプリント用硬化性組成物層から剥離する工程を含む、パターン形成方法。 A step of forming a lower layer film on the surface of a substrate using the lower layer film forming composition for imprint according to any one of claims 1 to 8, applying the lower layer film forming composition for imprinting on the lower layer film. The step of forming the curable composition layer for imprint, the step of bringing the mold into contact with the curable composition layer for imprint, and exposing the curable composition layer for imprint in the state where the mold is in contact. A pattern forming method, which comprises a step of peeling the mold from the exposed curable composition layer for imprinting. 前記基板として、有機層を最表層として有する基板を用いる、請求項17に記載のパターン形成方法。 The pattern forming method according to claim 17, wherein a substrate having an organic layer as the outermost layer is used as the substrate. 前記基板として、塩基性の層を最表層として有する基板を用いる、請求項17または18に記載のパターン形成方法。 The pattern forming method according to claim 17 or 18, wherein a substrate having a basic layer as the outermost layer is used as the substrate. 前記インプリント用下層膜形成組成物を基板表面に、スピンコート法で適用する、請求項17〜19のいずれか1項に記載のパターン形成方法。 The pattern forming method according to any one of claims 17 to 19, wherein the underlayer film forming composition for imprint is applied to a substrate surface by a spin coating method. 前記インプリント用硬化性組成物をインクジェット法で下層膜上に適用する、請求項17〜20のいずれか1項に記載のパターン形成方法。 The pattern forming method according to any one of claims 17 to 20, wherein the curable composition for imprint is applied onto an underlayer film by an inkjet method. 請求項17〜21のいずれか1項に記載のパターン形成方法を含む、半導体デバイスの製造方法。
A method for manufacturing a semiconductor device, which comprises the pattern forming method according to any one of claims 17 to 21.
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