JP6874301B2 - Sensor system - Google Patents

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Description

本発明は、センサシステムに関する。 The present invention relates to a sensor system.

従来、変圧器に配置した振動センサを利用して、変圧器の異常振動を検知していた(例えば、特許文献1および2参照)。また、電磁操作方式遮断器の電磁操作機構内に磁束センサを設けて、当該磁束センサにより測定した磁束密度から電磁操作機構の開閉極状態を監視していた(例えば、特許文献3参照)。
[先行技術文献]
[特許文献]
[特許文献1] 特許第2617906号公報
[特許文献2] 特許第4542957号公報
[特許文献3] 特許第4682046号公報
Conventionally, an abnormal vibration of a transformer has been detected by using a vibration sensor arranged in the transformer (see, for example, Patent Documents 1 and 2). Further, a magnetic flux sensor is provided in the electromagnetic operation mechanism of the electromagnetic operation type circuit breaker, and the opening / closing pole state of the electromagnetic operation mechanism is monitored from the magnetic flux density measured by the magnetic flux sensor (see, for example, Patent Document 3).
[Prior art literature]
[Patent Document]
[Patent Document 1] Japanese Patent No. 2617906 [Patent Document 2] Japanese Patent No. 4542957 [Patent Document 3] Japanese Patent No. 4682046

センサの電源として電池を用いる場合には、定期的に電池を交換する必要がある。しかしながら、変圧器および遮断器には数千ボルトの高電圧が印加されているので、作業者は容易には近づきにくい。それゆえ、電池交換を不要とすることが望ましい。 When using a battery as the power source for the sensor, it is necessary to replace the battery regularly. However, since high voltages of several thousand volts are applied to transformers and circuit breakers, it is difficult for workers to easily approach them. Therefore, it is desirable to eliminate the need for battery replacement.

本発明の第1の態様においては、センサシステムを提供する。センサシステムは、センサ部と、送信部と、変換部とを備えてよい。センサ部は、測定対象の状態を検出してよい。送信部は、センサ部からの出力を外部に送信してよい。変換部は、測定対象から出る磁場を電力に変換してよい。変換部が変換した電力により、センサ部および送信部の少なくとも一方が動作してよい。 In the first aspect of the present invention, a sensor system is provided. The sensor system may include a sensor unit, a transmission unit, and a conversion unit. The sensor unit may detect the state of the measurement target. The transmission unit may transmit the output from the sensor unit to the outside. The conversion unit may convert the magnetic field emitted from the measurement target into electric power. At least one of the sensor unit and the transmission unit may operate by the electric power converted by the conversion unit.

センサ部は、変換部よりも磁場が弱い位置に設けられてよい。 The sensor unit may be provided at a position where the magnetic field is weaker than that of the conversion unit.

測定対象は、主電流が流れる電線を有してよい。電線から変換部までの距離は、電線からセンサ部までの距離よりも短くてよい。 The measurement target may have an electric wire through which the main current flows. The distance from the electric wire to the conversion unit may be shorter than the distance from the electric wire to the sensor unit.

センサシステムは、蓄電部をさらに備えてよい。蓄電部は、変換部からの電力を蓄えてよい。蓄電部は、蓄電した電力をセンサ部および送信部の少なくとも一方に供給してよい。 The sensor system may further include a power storage unit. The power storage unit may store the electric power from the conversion unit. The power storage unit may supply the stored power to at least one of the sensor unit and the transmission unit.

センサ部が測定対象を常時測定するべく、センサ部には蓄電部から常時電力が供給されてよい。 In order for the sensor unit to constantly measure the measurement target, electric power may be constantly supplied to the sensor unit from the power storage unit.

センサ部から送信部への出力に応じて、蓄電部から送信部へ電力が供給されてよい。 Electric power may be supplied from the power storage unit to the transmission unit according to the output from the sensor unit to the transmission unit.

センサシステムは、メモリ部をさらに備えてよい。メモリ部は、センサ部が測定した測定信号を保存してよい。 The sensor system may further include a memory unit. The memory unit may store the measurement signal measured by the sensor unit.

センサシステムは、制御部をさらに備えてよい。制御部は、測定対象から出る磁場の強さに応じて、センサ部および送信部の一以上の出力を調整してよい。 The sensor system may further include a control unit. The control unit may adjust the output of one or more of the sensor unit and the transmission unit according to the strength of the magnetic field emitted from the measurement target.

測定対象から出る磁場の強さとセンサ部の測定信号とが対応付けられた情報を、送信部は送信してよい。 The transmitting unit may transmit information in which the strength of the magnetic field emitted from the measurement target and the measurement signal of the sensor unit are associated with each other.

測定対象から出る磁場の強さに応じて、制御部はセンサ部への電源電流を制御してよい。 The control unit may control the power supply current to the sensor unit according to the strength of the magnetic field emitted from the measurement target.

測定対象から出る磁場の強さに応じて、制御部は送信部の出力を制御してよい。 The control unit may control the output of the transmission unit according to the strength of the magnetic field emitted from the measurement target.

測定対象は変圧器であってよい。変圧器において主電流が流れる電線はコイルであってよい。変換部は、コイルに接して設けられてよい。 The measurement target may be a transformer. The electric wire through which the main current flows in the transformer may be a coil. The conversion unit may be provided in contact with the coil.

測定対象は遮断器であってよい。遮断器において主電流が流れる電線はブッシングであってよい。変換部は、ブッシングに接して設けられてよい。 The measurement target may be a circuit breaker. The wire through which the main current flows in the circuit breaker may be a bushing. The conversion unit may be provided in contact with the bushing.

なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。 The outline of the above invention does not list all the necessary features of the present invention. Sub-combinations of these feature groups can also be inventions.

第1実施形態における測定システム300を示す概要図である。It is a schematic diagram which shows the measurement system 300 in 1st Embodiment. 測定対象10としての変圧器11を示す概要図である。It is a schematic diagram which shows the transformer 11 as a measurement object 10. 変圧器11およびセンサシステム100を示す概要図である。It is a schematic diagram which shows the transformer 11 and the sensor system 100. 第1実施形態におけるセンサシステム100を示す図である。It is a figure which shows the sensor system 100 in 1st Embodiment. 第2実施形態におけるセンサシステム100を示す図である。It is a figure which shows the sensor system 100 in 2nd Embodiment. 第2実施形態の第1変形例を示す図である。It is a figure which shows the 1st modification of 2nd Embodiment. 第2実施形態の第2変形例を示す図である。It is a figure which shows the 2nd modification of 2nd Embodiment. 第2実施形態の第3変形例を示す図である。It is a figure which shows the 3rd modification of 2nd Embodiment. 第3実施形態におけるセンサシステム100を示す図である。It is a figure which shows the sensor system 100 in 3rd Embodiment. 第4実施形態におけるセンサシステム100を示す図である。It is a figure which shows the sensor system 100 in 4th Embodiment. 第5実施形態におけるセンサシステム100を示す図である。It is a figure which shows the sensor system 100 in 5th Embodiment. 変圧器11の電線に流れる主電流と変換部20の発電量との関係を示すシミュレーショ結果を示す図である。It is a figure which shows the simulation result which shows the relationship between the main current flowing through the electric wire of a transformer 11 and the power generation amount of a conversion unit 20. 第6実施形態における測定対象10としての遮断器15を示す概要図である。It is a schematic diagram which shows the circuit breaker 15 as the measurement object 10 in 6th Embodiment.

以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。 Hereinafter, the present invention will be described through embodiments of the invention, but the following embodiments do not limit the inventions that fall within the scope of the claims. Also, not all combinations of features described in the embodiments are essential to the means of solving the invention.

図1は、第1実施形態における測定システム300を示す概要図である。本例の測定システム300は、センサシステム100および処理システム200を有する。センサシステム100は、測定対象10の状態を検出する。検出された測定対象10の状態は、測定信号としてセンサシステム100から処理システム200に出力される。処理システム200は、ネットワーク400を介して監視装置500に測定信号を出力する。 FIG. 1 is a schematic view showing a measurement system 300 according to the first embodiment. The measurement system 300 of this example includes a sensor system 100 and a processing system 200. The sensor system 100 detects the state of the measurement target 10. The detected state of the measurement target 10 is output from the sensor system 100 to the processing system 200 as a measurement signal. The processing system 200 outputs a measurement signal to the monitoring device 500 via the network 400.

測定対象10の状態とは、測定対象10の振動、圧力、温度および湿度、測定対象10が発する音、光および電磁波、測定対象10から漏れるガスの成分、ならびに、測定対象10の電圧、電流および磁力の一以上であってよい。例えば、測定対象10の振動および温度を検知することにより、測定対象10の変形および発熱をそれぞれ検知することができる。また、測定対象10に所定の電圧値以上で発光するダイオードを設けて、当該ダイオードからの光を検出することにより、測定対象10に生じるサージ電圧を検知することができる。また、測定対象10の圧力を測定することにより絶縁ガス(例えば、NおよびSF)のリークを検知することができる。 The states of the measurement target 10 are the vibration, pressure, temperature and humidity of the measurement target 10, the sound, light and electromagnetic waves emitted by the measurement target 10, the components of the gas leaking from the measurement target 10, and the voltage, current and the voltage and current of the measurement target 10. It may be one or more of the magnetic force. For example, by detecting the vibration and temperature of the measurement target 10, the deformation and heat generation of the measurement target 10 can be detected, respectively. Further, the surge voltage generated in the measurement target 10 can be detected by providing the measurement target 10 with a diode that emits light at a predetermined voltage value or higher and detecting the light from the diode. In addition, leakage of insulating gas (for example, N 2 and SF 6 ) can be detected by measuring the pressure of the measurement target 10.

測定対象10は、電力を輸送、変換、制御および供給する装置、ならびに、電子機器の電源装置であってよい。測定対象10は、数百Aから数千Aの大電流を扱う装置であってよい。例えば、測定対象10は、変圧器および遮断器(Circuit Breaker)である。この場合、測定対象10は、主電流が流れる電線を有する。なお、本例の測定対象10は、変圧器である。 The measurement target 10 may be a device for transporting, converting, controlling and supplying electric power, and a power supply device for electronic devices. The measurement target 10 may be a device that handles a large current of several hundred A to several thousand A. For example, the measurement target 10 is a transformer and a circuit breaker. In this case, the measurement target 10 has an electric wire through which the main current flows. The measurement target 10 of this example is a transformer.

センサシステム100は、変換部20、蓄電部30、センサ部40および送信部50を含んでよい。変換部20は、測定対象10から出る磁場を電力に変換する機能を有する。磁場から電力を生成するべく、変換部20はコイルを有してよい。 The sensor system 100 may include a conversion unit 20, a power storage unit 30, a sensor unit 40, and a transmission unit 50. The conversion unit 20 has a function of converting the magnetic field emitted from the measurement target 10 into electric power. The conversion unit 20 may have a coil in order to generate electric power from the magnetic field.

本例において、主電流が流れる電線は変圧器のコイルであってよい。変換部20を変圧器のコイルに接して設けることにより、変圧作用に寄与しない漏れ磁場が変換部20のコイルを貫くことができる。これにより、変換部20は漏れ磁場から誘導起電力を得ることができる。 In this example, the electric wire through which the main current flows may be a coil of a transformer. By providing the conversion unit 20 in contact with the coil of the transformer, a leakage magnetic field that does not contribute to the transformation action can penetrate the coil of the conversion unit 20. As a result, the conversion unit 20 can obtain an induced electromotive force from the leakage magnetic field.

なお、測定対象10が遮断器である他の例において、主電流が流れる電線の周りには比較的高い誘導磁場が生じる。変換部20のコイルを誘導磁場が貫くことにより、変換部20は誘導起電力を得ることができる。 In another example in which the measurement target 10 is a circuit breaker, a relatively high induced magnetic field is generated around the electric wire through which the main current flows. When the induced magnetic field penetrates the coil of the conversion unit 20, the conversion unit 20 can obtain an induced electromotive force.

このように、センサシステム100においては変換部20が電力を生成するので、電源としての電池が不要である。それゆえ、本例においては電池交換をしなくてよい点が有利である。また、本例においては、外部固定電源から電力を得る必要がないという点も有利である。 As described above, in the sensor system 100, since the conversion unit 20 generates electric power, a battery as a power source is unnecessary. Therefore, in this example, it is advantageous that the battery does not need to be replaced. Further, in this example, it is also advantageous that it is not necessary to obtain electric power from an external fixed power source.

上述の様に、本例の変換部20は、センサシステム100の電力生成部として機能する。変換部20が変換した電力は、蓄電部30に蓄えられてよい。蓄電部30に電力を蓄えることにより、誘導磁場が生じていない場合においても、蓄電部30は、蓄電した電力をセンサ部40および送信部50の少なくとも一方に供給することができる。これにより、センサ部40および送信部50の少なくとも一方は動作することができる。 As described above, the conversion unit 20 of this example functions as a power generation unit of the sensor system 100. The electric power converted by the conversion unit 20 may be stored in the power storage unit 30. By storing electric power in the power storage unit 30, the power storage unit 30 can supply the stored electric power to at least one of the sensor unit 40 and the transmission unit 50 even when an induced magnetic field is not generated. As a result, at least one of the sensor unit 40 and the transmission unit 50 can operate.

センサ部40は、測定対象10の状態を示す測定信号を送信部50に出力してよい。本例の測定信号は、単位時間毎における測定対象10の振動数である。センサ部40は、常時起動状態にあって測定対象10を常時測定してもよいし、間欠的に起動して測定対象10を間欠的に測定していてもよい。 The sensor unit 40 may output a measurement signal indicating the state of the measurement target 10 to the transmission unit 50. The measurement signal of this example is the frequency of the measurement target 10 in each unit time. The sensor unit 40 may be constantly activated to constantly measure the measurement target 10, or may be intermittently activated to measure the measurement target 10 intermittently.

送信部50は、センサ部40からの出力である測定信号を外部にある処理システム200の受信部210に送信してよい。本例の送信部50は、無線送信部である。無線である場合には、有線の場合における断線が生じないので有利である。 The transmission unit 50 may transmit the measurement signal output from the sensor unit 40 to the reception unit 210 of the processing system 200 located outside. The transmission unit 50 of this example is a wireless transmission unit. In the case of wireless, it is advantageous because disconnection does not occur in the case of wired.

処理システム200は、受信部210、データ処理部220およびネットワーク機器230を含んでよい。受信部210が送信部50から受信する測定信号はアナログ信号であってよい。当該アナログ信号は、データ処理部220に供給されて、データ処理部220においてデジタル信号に変換されてよい。 The processing system 200 may include a receiving unit 210, a data processing unit 220, and a network device 230. The measurement signal received by the receiving unit 210 from the transmitting unit 50 may be an analog signal. The analog signal may be supplied to the data processing unit 220 and converted into a digital signal in the data processing unit 220.

当該デジタル信号は、ネットワーク機器230およびネットワーク400を経て、監視装置500に出力されてよい。監視装置500は、測定対象10の状態(振動、圧力、温度等)を表示してよい。監視装置500は、モニタ等のユーザインターフェースおよびCPU等のハードウェアを有してよい。これにより、監視者は、測定対象10から離れた遠隔地において測定対象10の状態を知ることができる。 The digital signal may be output to the monitoring device 500 via the network device 230 and the network 400. The monitoring device 500 may display the state (vibration, pressure, temperature, etc.) of the measurement target 10. The monitoring device 500 may have a user interface such as a monitor and hardware such as a CPU. As a result, the observer can know the state of the measurement target 10 at a remote location away from the measurement target 10.

なお、本例のセンサシステム100は、変換部20での発電に加えて、センサ部40により測定対象10の状態を検出すること、および、センサ部40が得た測定信号を送信部50から外部に送信することを目的としている。これにより電池交換不要のセンサシステム100を実現するものである。 In the sensor system 100 of this example, in addition to the power generation by the conversion unit 20, the sensor unit 40 detects the state of the measurement target 10, and the measurement signal obtained by the sensor unit 40 is externally transmitted from the transmission unit 50. It is intended to be sent to. As a result, the sensor system 100 that does not require battery replacement is realized.

図2は、測定対象10としての変圧器11を示す概要図である。本例の変圧器11は、筐体14と、筐体14内部に位置するコイル12および鉄芯13と、筐体14上に位置する複数の低圧ブッシングおよび複数の高圧ブッシングとを有する。 FIG. 2 is a schematic view showing a transformer 11 as a measurement target 10. The transformer 11 of this example has a housing 14, a coil 12 and an iron core 13 located inside the housing 14, and a plurality of low-voltage bushings and a plurality of high-voltage bushings located on the housing 14.

上述の電線は、変圧器11のコイル12に対応する。なお、図2におけるX‐Y‐Z軸は、右手系の直交座標軸である。また、本例において、上方向とは+Z方向を意味し、下方向とは−Z方向を意味する。X‐Y‐Z軸は、相対位置を説明するための便宜的な軸に過ぎない。Z軸は必ずしも重力方向と平行な方向でなくてもよい。 The above-mentioned electric wire corresponds to the coil 12 of the transformer 11. The XYZ axes in FIG. 2 are orthogonal coordinate axes of the right-handed system. Further, in this example, the upward direction means the + Z direction, and the downward direction means the −Z direction. The XYZ axes are only convenient axes for explaining relative positions. The Z axis does not necessarily have to be in a direction parallel to the direction of gravity.

本例の変圧器11は、内鉄型の三脚構造を有する鉄芯13と、鉄芯13の各脚部に設けられたコイル12とを有する。本例の各コイル12(U相コイル12‐1、V相コイル12‐2およびW相コイル12‐3)は、一次コイルと二次コイルとをそれぞれ同心状に有する。一次コイルおよび二次コイルには、変圧に際して主電流が流れる。 The transformer 11 of this example has an iron core 13 having an inner iron type tripod structure and coils 12 provided on each leg of the iron core 13. Each coil 12 of this example (U-phase coil 12-1, V-phase coil 12-2, and W-phase coil 12-3) has a primary coil and a secondary coil concentrically, respectively. A main current flows through the primary coil and the secondary coil during transformation.

変圧器11は、高電圧(例えば、6kV)を低電圧(例えば210V)に変換してよい。高電圧は、高圧ブッシングから一次コイルに供給されてよい。変換後の低電圧は、二次コイルから低圧ブッシングを介して変圧器11の外部回路に提供されてよい。 The transformer 11 may convert a high voltage (eg, 6 kV) to a low voltage (eg, 210 V). The high voltage may be supplied to the primary coil from the high voltage bushing. The converted low voltage may be provided from the secondary coil to the external circuit of the transformer 11 via a low voltage bushing.

図3は、変圧器11およびセンサシステム100を示す概要図である。なお、図3において鉄芯13は省略している。本例のセンサシステム100は、変圧器11用のセンサシステム100である。図3では、コイル12‐1上に1つの変換部20を設ける例を示すが、コイル12‐2および12‐3においても同様に1つの変換部20が設けられてよい。他の例においては、コイル12‐1上に複数の変換部20を設けてもよい。さらに他の例においては、高圧または低圧ブッシングに接して1以上の変換部20を設けてもよい。また、これらの例を組み合わせてもよい。 FIG. 3 is a schematic view showing the transformer 11 and the sensor system 100. The iron core 13 is omitted in FIG. The sensor system 100 of this example is a sensor system 100 for the transformer 11. Although FIG. 3 shows an example in which one conversion unit 20 is provided on the coil 12-1, one conversion unit 20 may be provided on the coils 12-2 and 12-3 as well. In another example, a plurality of conversion units 20 may be provided on the coil 12-1. In yet another example, one or more conversion units 20 may be provided in contact with the high pressure or low pressure bushing. Moreover, you may combine these examples.

本例のセンサ部40は、コイル12‐1の振動数を検知する。センサ部40は、加速度センサ素子であってよい。詳述はしないが、加速度センサ素子からの出力を適切に処理することにより、加速度から振動数を得ることができる。 The sensor unit 40 of this example detects the frequency of the coil 12-1. The sensor unit 40 may be an acceleration sensor element. Although not described in detail, the frequency can be obtained from the acceleration by appropriately processing the output from the acceleration sensor element.

本例のセンサ部40は、変換部20よりも磁場が弱い位置に設ける。これにより、変換部20に比べてセンサ部40への磁場の影響を低減することができる。本例においては、電線としてのコイル12‐1から変換部20までの距離を、コイル12‐1からセンサ部40までの距離よりも短くする。つまり、本例においては、変換部20をセンサ部40よりもコイル12‐1の近くに配置する。なお、センサ部40全体を磁気シールドにより覆ってもよい。これにより、センサ部40への磁場の影響を低減してよい。 The sensor unit 40 of this example is provided at a position where the magnetic field is weaker than that of the conversion unit 20. As a result, the influence of the magnetic field on the sensor unit 40 can be reduced as compared with the conversion unit 20. In this example, the distance from the coil 12-1 as an electric wire to the conversion unit 20 is made shorter than the distance from the coil 12-1 to the sensor unit 40. That is, in this example, the conversion unit 20 is arranged closer to the coil 12-1 than the sensor unit 40. The entire sensor unit 40 may be covered with a magnetic shield. Thereby, the influence of the magnetic field on the sensor unit 40 may be reduced.

本例のセンサ部40は、コイル12‐1から所定距離離間した筐体14に直接接して設けられる。本例において、筐体14とコイル12とは一体に接続されているので、両者は同じ振動数で振動する。それゆえ、筐体14上にセンサ部40を設けることにより、センサ部40をコイル12‐1から遠ざけつつ、かつ、コイル12‐1の振動数を正確に検知することができる。 The sensor unit 40 of this example is provided in direct contact with the housing 14 separated from the coil 12-1 by a predetermined distance. In this example, since the housing 14 and the coil 12 are integrally connected, they vibrate at the same frequency. Therefore, by providing the sensor unit 40 on the housing 14, it is possible to accurately detect the frequency of the coil 12-1 while keeping the sensor unit 40 away from the coil 12-1.

本例において、センサ部40には蓄電部30から常時電力が供給される。これにより、センサ部40は変圧器11の振動数を常時測定することができるので、センサ部40が変圧器11を間欠的に測定する場合よりも変圧器11の異常を正確かつ迅速に発見することができる。 In this example, electric power is constantly supplied to the sensor unit 40 from the power storage unit 30. As a result, the sensor unit 40 can constantly measure the frequency of the transformer 11, so that the sensor unit 40 can detect the abnormality of the transformer 11 more accurately and quickly than when the sensor unit 40 measures the transformer 11 intermittently. be able to.

本例の蓄電部30および送信部50は、変換部20およびセンサ部40と比較して変圧器11からさらに離間して設けられる。蓄電部30および送信部50は、変圧器11から3m以上、5m以上または10m以上離間してよい。これにより、蓄電部30および送信部50に対する変圧器11の漏れ磁場の影響をさらに低減することができる。本例において変換部20と蓄電部30とは、配線により接続されてよい。蓄電部30、センサ部40および送信部50もまた、配線により互いに接続されてよい。配線は、磁場により電線に引き寄せられないように、地面または地面に固定された構造物に固定されてよい。 The power storage unit 30 and the transmission unit 50 of this example are provided further separated from the transformer 11 as compared with the conversion unit 20 and the sensor unit 40. The power storage unit 30 and the transmission unit 50 may be separated from the transformer 11 by 3 m or more, 5 m or more, or 10 m or more. As a result, the influence of the leakage magnetic field of the transformer 11 on the power storage unit 30 and the transmission unit 50 can be further reduced. In this example, the conversion unit 20 and the power storage unit 30 may be connected by wiring. The power storage unit 30, the sensor unit 40, and the transmission unit 50 may also be connected to each other by wiring. The wiring may be fixed to the ground or a structure fixed to the ground so that it is not attracted to the wire by a magnetic field.

なお、他の例におけるセンサ部40の配置を図3において点線により示す。他の例においては、センサ部40をコイル12‐1の側部に設けてもよい。例えば、コイル12‐1の側面に直接接してセンサ部40を設ける。コイル12の側部は、コイル12の上方向(+Z方向)端部および下方向(−Z方向)端部よりも磁場が弱い。それゆえ、センサ部40への磁場の影響を低減しつつ、コイル12の振動数を正確に検知することができる。特に、コイル12におけるZ方向の中央部にセンサ部40を設けることにより、センサ部40への磁場の影響を最も低減することができる。 The arrangement of the sensor unit 40 in another example is shown by a dotted line in FIG. In another example, the sensor unit 40 may be provided on the side of the coil 12-1. For example, the sensor unit 40 is provided in direct contact with the side surface of the coil 12-1. The side portion of the coil 12 has a weaker magnetic field than the upward (+ Z direction) end portion and the downward (−Z direction) end portion of the coil 12. Therefore, the frequency of the coil 12 can be accurately detected while reducing the influence of the magnetic field on the sensor unit 40. In particular, by providing the sensor unit 40 at the center of the coil 12 in the Z direction, the influence of the magnetic field on the sensor unit 40 can be minimized.

図4は、第1実施形態におけるセンサシステム100を示す図である。本例の変換部20は、コイル22および整流回路24を有する。本例の整流回路24は、ダイオード25を含む。蓄電部30は、キャパシタ32を有する。コイル22の一端は、ダイオード25のアノードに接続する。コイル22の他端は接地される。ダイオード25のカソードは、キャパシタ32の高電位側に接続する。キャパシタ32の低電圧側は接地される。 FIG. 4 is a diagram showing the sensor system 100 according to the first embodiment. The conversion unit 20 of this example has a coil 22 and a rectifier circuit 24. The rectifier circuit 24 of this example includes a diode 25. The power storage unit 30 has a capacitor 32. One end of the coil 22 is connected to the anode of the diode 25. The other end of the coil 22 is grounded. The cathode of the diode 25 is connected to the high potential side of the capacitor 32. The low voltage side of the capacitor 32 is grounded.

なお、本明細の実施形態およびその変形例において、整流回路24は変換部20に含まれるとする。しかしながら、整流回路24は、蓄電部30のキャパシタ32よりもコイル22側に位置していればよい。整流回路24は、キャパシタ32よりもコイル22側に位置し、蓄電部30に含まれるとしてもよい。 In the embodiment of the present specification and its modification, the rectifier circuit 24 is included in the conversion unit 20. However, the rectifier circuit 24 may be located closer to the coil 22 than the capacitor 32 of the power storage unit 30. The rectifier circuit 24 may be located closer to the coil 22 than the capacitor 32 and may be included in the power storage unit 30.

ダイオード25は、PN接合を有する通常のダイオード素子であってよい。また、ダイオード25は、ゲートとドレインとが短絡されたJFET(Junction Field Effect Transistor)であってもよい。 The diode 25 may be an ordinary diode element having a PN junction. Further, the diode 25 may be a JFET (JECT Field Effect Transistor) in which the gate and the drain are short-circuited.

コイル22は、漏れ磁場から誘導起電力を生成する。例えば、コイル22は、ダイオード25のアノード側において接地側よりも高い正電圧を生成する。本例のダイオード25は、アノード‐カソード間に5Vの電圧差が生じた場合に電流を流す。これにより、コイル22の誘導起電力が5V以上である場合に、キャパシタ32が充電される。 The coil 22 generates an induced electromotive force from the leakage magnetic field. For example, the coil 22 produces a positive voltage on the anode side of the diode 25 that is higher than on the ground side. The diode 25 of this example conducts a current when a voltage difference of 5 V occurs between the anode and the cathode. As a result, the capacitor 32 is charged when the induced electromotive force of the coil 22 is 5 V or more.

また、例えば、コイル22は、ダイオード25のアノード側において接地側よりも低い負電圧を生成する。本例のダイオード25は、当該負電圧が印加された場合には電流を流さない。これにより、キャパシタ32に充電された電荷が負バイアス印加時に消失することを防ぐことができる。キャパシタ32に蓄電された電力は、センサ部40および送信部50に供給される。 Further, for example, the coil 22 generates a negative voltage on the anode side of the diode 25, which is lower than that on the ground side. The diode 25 of this example does not pass a current when the negative voltage is applied. This makes it possible to prevent the electric charge charged in the capacitor 32 from disappearing when a negative bias is applied. The electric power stored in the capacitor 32 is supplied to the sensor unit 40 and the transmission unit 50.

なお、キャパシタ32は直流電流を通さないので、ダイオード25に加えて蓄電部30のキャパシタ32も整流回路24として機能すると見なしてもよい。つまり、キャパシタ32は、整流回路24における整流素子の一部であり、かつ、蓄電部30における蓄電素子であると見なしてよい。 Since the capacitor 32 does not pass a direct current, the capacitor 32 of the power storage unit 30 may be considered to function as the rectifier circuit 24 in addition to the diode 25. That is, the capacitor 32 may be regarded as a part of the rectifying element in the rectifying circuit 24 and the power storage element in the power storage unit 30.

センサ部40は、センサ素子42および増幅部44を有する。センサ素子42により得た測定対象10の測定信号は、アナログ信号であってよい。増幅部44は、アナログ信号を増幅させる機能を有してよい。増幅部44で増幅された測定信号は、信号処理部52のベースバンド部54に入力されてよい。 The sensor unit 40 includes a sensor element 42 and an amplification unit 44. The measurement signal of the measurement target 10 obtained by the sensor element 42 may be an analog signal. The amplification unit 44 may have a function of amplifying an analog signal. The measurement signal amplified by the amplification unit 44 may be input to the baseband unit 54 of the signal processing unit 52.

送信部50は、ベースバンド部54およびRF(Radio Frequency)部56を有する信号処理部52と、アンテナ58とを有する。ベースバンド部54は、増幅部44から出力されたアナログ信号をデジタル信号に変換してよい。RF部56は、デジタル信号を送信周波数帯域の周波数に変調してよい。変調されたデジタル信号はアンテナ58から受信部210へ送信されてよい。 The transmission unit 50 includes a signal processing unit 52 having a baseband unit 54 and an RF (Radio Frequency) unit 56, and an antenna 58. The baseband unit 54 may convert the analog signal output from the amplification unit 44 into a digital signal. The RF unit 56 may modulate the digital signal to a frequency in the transmission frequency band. The modulated digital signal may be transmitted from the antenna 58 to the receiver 210.

図5Aは、第2実施形態におけるセンサシステム100を示す図である。本例の整流回路24は、ツェナーダイオード27をさらに有する。本例のツェナーダイオード27は、キャパシタ32に対して逆並列に接続される。本例において、ツェナーダイオード27のカソードはダイオード25のカソードに接続され、ツェナーダイオード27のアノードは接地される。 FIG. 5A is a diagram showing the sensor system 100 in the second embodiment. The rectifier circuit 24 of this example further includes a Zener diode 27. The Zener diode 27 of this example is connected in antiparallel to the capacitor 32. In this example, the cathode of the Zener diode 27 is connected to the cathode of the diode 25, and the anode of the Zener diode 27 is grounded.

ツェナーダイオード27は、キャパシタ32の出力電圧を予め定められた電圧に維持する機能を有してよい。ツェナーダイオード27においては、所定の逆バイアス電圧(降伏電圧)以上の電圧が印加されるとアバランシェ電流が流れる。これにより、キャパシタ32の高電位側を降伏電圧と同じ大きさの電圧値に維持することができる。 The Zener diode 27 may have a function of maintaining the output voltage of the capacitor 32 at a predetermined voltage. In the Zener diode 27, an avalanche current flows when a voltage equal to or higher than a predetermined reverse bias voltage (yield voltage) is applied. As a result, the high potential side of the capacitor 32 can be maintained at a voltage value having the same magnitude as the yield voltage.

図5Bは、第2実施形態の第1変形例を示す図である。本例の整流回路24は、ダイオード25に代えて、コッククロフト・ウォルトン(Cockcroft・Walton)回路を有する。コッククロフト・ウォルトン回路は、コイル22に生じるピーク・トゥー・ピーク電圧の2n倍の直流電圧を生成することができる。なお、nは自然数である。 FIG. 5B is a diagram showing a first modification of the second embodiment. The rectifier circuit 24 of this example has a Cockcroft-Walton circuit instead of the diode 25. The Cockcroft-Walton circuit can generate a DC voltage that is 2n times the peak-to-peak voltage that occurs in the coil 22. Note that n is a natural number.

コッククロフト・ウォルトン回路においては、2つのダイオード(DおよびD)が順方向に直列接続する。また、ダイオードDのカソードとコイル22の一端との間にキャパシタCが設けられる。ダイオードDのアノードとコイル22の他端とは接続される。なお、コイル22の他端は接地される。ダイオードDのアノードとダイオードDのカソードとの間にキャパシタCが設けられる。 In the Cockcroft-Walton circuit, two diodes (D 1 and D 2 ) are connected in series in the forward direction. Further, a capacitor C 1 is provided between the cathode of the diode D 1 and one end of the coil 22. The anode of the diode D 1 and the other end of the coil 22 are connected. The other end of the coil 22 is grounded. A capacitor C 2 is provided between the anode of the diode D 1 and the cathode of the diode D 2.

図5Bにおいては、コッククロフト・ウォルトン回路の構成単位(n=1)を示す。つまり、コッククロフト・ウォルトン回路の構成単位は、2つのキャパシタ(CおよびC)と2つのダイオード(DおよびD)を有する。構成単位(n=1)を複数個直列接続することにより(2≦n)、整流回路24の出力電圧をn=1の場合よりも高くすることができる。 In FIG. 5B, a structural unit (n = 1) of the Cockcroft-Walton circuit is shown. That is, the constituent unit of the Cockcroft-Walton circuit has two capacitors (C 1 and C 2 ) and two diodes (D 1 and D 2 ). By connecting a plurality of structural units (n = 1) in series (2 ≦ n), the output voltage of the rectifier circuit 24 can be made higher than in the case of n = 1.

説明を簡単にするために、コイル22は時間に対して正負が反転する交流電圧電源であると仮定する。第1の時間(1に丸を付して示す)にコイル22の他端(接地側)は正電圧のピーク値を有し、コイル22の一端(接地側と反対側)は負電圧のピーク値を有すると仮定する。この場合、ダイオードDに電流が流れて(ダイオードDには電流が流れない)、キャパシタCが充電される。なお、矢印は電流の向きを表す。 For the sake of simplicity, it is assumed that the coil 22 is an AC voltage power supply whose positive and negative are reversed with respect to time. At the first time (1 is circled), the other end of the coil 22 (ground side) has a positive voltage peak value, and one end of the coil 22 (opposite side to the ground side) has a negative voltage peak. Suppose it has a value. In this case, a current flows through the diode D 1 (no current flows through the diode D 2 ), and the capacitor C 1 is charged. The arrow indicates the direction of the current.

第1の時間の直後の第2時間(2に丸を付して示す)に、コイル22の他端(接地側)は負電圧のピーク値を有し、コイル22の一端(接地側とは反対側)は正電圧のピーク値を有するよう変化したとする。この場合、ダイオードDに電流が流れて(ダイオードDには電流が流れない)、キャパシタCはキャパシタCから充電される。これにより、蓄電部30は、交流電圧電源のピーク値よりも昇圧した電圧で充電される。それゆえ、コッククロフト・ウォルトン回路は、昇圧回路の機能を有すると見なすことができる。 In the second time immediately after the first time (indicated by circled 2), the other end (ground side) of the coil 22 has a negative voltage peak value, and one end of the coil 22 (the ground side). The other side) is assumed to have changed to have a positive voltage peak value. In this case, a current flows through the diode D 2 (no current flows through the diode D 1 ), and the capacitor C 2 is charged from the capacitor C 1. As a result, the power storage unit 30 is charged with a voltage that is higher than the peak value of the AC voltage power supply. Therefore, the Cockcroft-Walton circuit can be considered to have the function of a booster circuit.

図5Cは、第2実施形態の第2変形例を示す図である。本例のセンサシステム100は、ツェナーダイオード27に代えて、電圧リミッタ回路60を有する。電圧リミッタ回路60は、蓄電部30および送信部50と同様に、漏れ磁場の影響を最小限にするべく、測定対象10から離間して設けてよい。 FIG. 5C is a diagram showing a second modification of the second embodiment. The sensor system 100 of this example has a voltage limiter circuit 60 instead of the Zener diode 27. Like the power storage unit 30 and the transmission unit 50, the voltage limiter circuit 60 may be provided at a distance from the measurement target 10 in order to minimize the influence of the leakage magnetic field.

電圧リミッタ回路60は、キャパシタ32の高電圧側を所定の電圧値の範囲に維持する機能を有する。本例の電圧リミッタ回路60は、蓄電部30のキャパシタ32に逆並列に接続された第1ダイオード62と、キャパシタ32に並列に接続された第2ダイオード64と、第1ダイオード62のアノードおよび第2ダイオード64のカソードに接続する基準電圧Vrefを有する。 The voltage limiter circuit 60 has a function of maintaining the high voltage side of the capacitor 32 within a predetermined voltage value range. The voltage limiter circuit 60 of this example includes a first diode 62 connected in antiparallel to the capacitor 32 of the power storage unit 30, a second diode 64 connected in parallel to the capacitor 32, an anode of the first diode 62, and a first diode. 2 It has a reference voltage V ref connected to the cathode of the diode 64.

第1ダイオード62においては、アノードがカソードよりも第1順方向電圧Vf1だけ高くなるとアノードからカソードに電流が流れて、アノード‐カソード間が第1順方向電圧Vf1未満になる。それゆえ、電圧リミッタ回路60は、キャパシタ32の高電位側(第1ダイオード62のカソード)をVref−Vf1未満に維持する。 In the first diode 62, when the anode is higher than the cathode by the first forward voltage V f1 , a current flows from the anode to the cathode, and the voltage between the anode and the cathode becomes less than the first forward voltage V f1. Therefore, the voltage limiter circuit 60 keeps the high potential side of the capacitor 32 (the cathode of the first diode 62) below V ref −V f1.

これに対して、第2ダイオード64においては、アノードがカソードよりも第2順方向電圧Vf2だけ高くなるとアノードからカソードに電流が流れて、アノード‐カソード間が第2順方向電圧Vf2未満になる。それゆえ、電圧リミッタ回路60は、キャパシタ32の高電位側(第2ダイオード64のアノード)をVref+Vf2未満に維持する。このように、電圧リミッタ回路60は、キャパシタ32の高電位側の電圧VをVref−Vf1<V<Vref+Vf2に維持する。なお、他の例においては、電圧リミッタ回路60が異なる構成で合ってよいのは勿論である。 On the other hand, in the second diode 64, when the anode is higher than the cathode by the second forward voltage V f2 , a current flows from the anode to the cathode, and the voltage between the anode and the cathode becomes less than the second forward voltage V f2. Become. Therefore, the voltage limiter circuit 60 keeps the high potential side of the capacitor 32 (the anode of the second diode 64) below V ref + V f2. In this way, the voltage limiter circuit 60 maintains the voltage V on the high potential side of the capacitor 32 at V ref −V f1 <V <V ref + V f2. In other examples, it goes without saying that the voltage limiter circuit 60 may be fitted with a different configuration.

図5Dは、第2実施形態の第3変形例を示す図である。本例のセンサシステム100は、昇圧回路70を有する。本例の昇圧回路70は、チョッパ方式のDC‐DCコンバータである。本例の昇圧回路70は、蓄電部30とセンサ部40および送信部50との間に設けられる。昇圧回路70は、蓄電部30および送信部50と同様に、漏れ磁場の影響を最小限にするべく、測定対象10から離間して設けてよい。 FIG. 5D is a diagram showing a third modification of the second embodiment. The sensor system 100 of this example has a booster circuit 70. The booster circuit 70 of this example is a chopper type DC-DC converter. The booster circuit 70 of this example is provided between the power storage unit 30, the sensor unit 40, and the transmission unit 50. Like the power storage unit 30 and the transmission unit 50, the booster circuit 70 may be provided at a distance from the measurement target 10 in order to minimize the influence of the leakage magnetic field.

本例の昇圧回路70は、キャパシタ32の高電位側に直列接続されたコイル72と、コイル72にアノードが接続されたダイオード76とを有する。また、本例の昇圧回路70は、ダイオード76のアノードにドレイン端子が接続されたスイッチング素子74と、ダイオード76のカソードに一端が接続されたキャパシタ78とを有する。スイッチング素子74とキャパシタ78とは、高電位側と接地側との間に互いに並列に設けられる。なお、本例のスイッチング素子74はNチャネル型のJFETであるが、スイッチング素子74はPチャネル型のJFETであってよく、MOSFETであってもよい。 The booster circuit 70 of this example has a coil 72 connected in series to the high potential side of the capacitor 32, and a diode 76 having an anode connected to the coil 72. Further, the booster circuit 70 of this example has a switching element 74 in which a drain terminal is connected to the anode of the diode 76, and a capacitor 78 in which one end is connected to the cathode of the diode 76. The switching element 74 and the capacitor 78 are provided in parallel with each other between the high potential side and the ground side. Although the switching element 74 of this example is an N-channel type JFET, the switching element 74 may be a P-channel type JFET or a MOSFET.

高電位側と接地側との間に所定の電位差がある場合に、スイッチング素子74のゲートがオンすると、コイル72からスイッチング素子74に電流が流れる。これにより、コイル72に電力が蓄えられる。その後に、スイッチング素子74のゲートをオフすると、コイル72に蓄えられた電力がダイオード76を介してキャパシタ78の高電位側に移動する。ゲートのオン/オフをMHzオーダーで切り替えることにより、キャパシタ78を所定の電圧値まで昇圧させることができる。 When the gate of the switching element 74 is turned on when there is a predetermined potential difference between the high potential side and the ground side, a current flows from the coil 72 to the switching element 74. As a result, electric power is stored in the coil 72. After that, when the gate of the switching element 74 is turned off, the electric power stored in the coil 72 moves to the high potential side of the capacitor 78 via the diode 76. By switching the gate on / off in the order of MHz, the capacitor 78 can be boosted to a predetermined voltage value.

なお、上記の例では、整流回路24としてのツェナーダイオード27およびコッククロフト・ウォルトン回路、電圧リミッタ回路60、ならびに、昇圧回路70をそれぞれ個別に述べた。しかしながら、これらを適宜組み合わせて用いてよいのは勿論である。 In the above example, the Zener diode 27 as the rectifier circuit 24, the Cockcroft-Walton circuit, the voltage limiter circuit 60, and the booster circuit 70 are described individually. However, it goes without saying that these may be used in combination as appropriate.

図6は、第3実施形態におけるセンサシステム100を示す図である。主要な構成は第2実施形態と同じであるので、以下では第2実施形態との差異について説明する。なお、本例を第1実施形態、第2実施形態およびこれらの変形例と組み合わせてよいのは勿論である。 FIG. 6 is a diagram showing the sensor system 100 according to the third embodiment. Since the main configuration is the same as that of the second embodiment, the difference from the second embodiment will be described below. Of course, this example may be combined with the first embodiment, the second embodiment, and modified examples thereof.

本例のセンサシステム100は、制御部80を備える。測定対象10から出る磁場が強い程、センサ部40および送信部50の出力がノイズに埋もれる可能性が高くなる。そこで、本例の制御部80は、測定対象10から出る磁場の強さに応じて、センサ部40および送信部50の一以上の出力を調整する。 The sensor system 100 of this example includes a control unit 80. The stronger the magnetic field emitted from the measurement target 10, the higher the possibility that the outputs of the sensor unit 40 and the transmission unit 50 will be buried in noise. Therefore, the control unit 80 of this example adjusts the output of one or more of the sensor unit 40 and the transmission unit 50 according to the strength of the magnetic field emitted from the measurement target 10.

具体的には、測定対象10から出る磁場が強い程、センサ部40の出力に乗るオフセットが大きくなる場合がある。これに対処するべく、本例の制御部80は、測定対象10から出る磁場に比例して増加させたオフセット値を算出してよい。制御部80は、センサ部40の出力から当該オフセット値を除去する制御信号をセンサ部40またはセンサ素子42に対して出力してよい。センサ部40またはセンサ素子42は、当該制御信号により出力を補正してよい。これにより、センサ部40の出力のS/N比(Signal to Noise ratio)を向上させることができる。 Specifically, the stronger the magnetic field emitted from the measurement target 10, the larger the offset on the output of the sensor unit 40 may be. In order to deal with this, the control unit 80 of this example may calculate an offset value increased in proportion to the magnetic field emitted from the measurement target 10. The control unit 80 may output a control signal for removing the offset value from the output of the sensor unit 40 to the sensor unit 40 or the sensor element 42. The sensor unit 40 or the sensor element 42 may correct the output by the control signal. As a result, the S / N ratio (Signal to Noise ratio) of the output of the sensor unit 40 can be improved.

また、測定対象10から出る磁場に起因して、送信部50のアンテナ58からの出力がノイズに埋もれてしまう場合がある。これに対処するべく、本例の制御部80は、測定対象10から出る磁場に比例して送信部50のアンテナ58からの出力を増加させる制御信号を、送信部50または信号処理部52に出力してよい。これにより、送信部50から受信部210への出力のS/N比を向上させることができる。 Further, due to the magnetic field emitted from the measurement target 10, the output from the antenna 58 of the transmission unit 50 may be buried in noise. In order to deal with this, the control unit 80 of this example outputs a control signal that increases the output from the antenna 58 of the transmission unit 50 to the transmission unit 50 or the signal processing unit 52 in proportion to the magnetic field emitted from the measurement target 10. You can do it. As a result, the S / N ratio of the output from the transmitting unit 50 to the receiving unit 210 can be improved.

本例のセンサ部40は、磁気センサ素子48を有する。磁気センサ素子48は、測定対象10から出る磁場を直接測定してよい。磁気センサ素子48は、ホール素子および磁気抵抗効果素子等であってよい。磁気センサ素子48は、測定対象10から出る磁場の情報を制御部80に出力してよい。 The sensor unit 40 of this example has a magnetic sensor element 48. The magnetic sensor element 48 may directly measure the magnetic field emitted from the measurement target 10. The magnetic sensor element 48 may be a Hall element, a magnetoresistive effect element, or the like. The magnetic sensor element 48 may output information on the magnetic field emitted from the measurement target 10 to the control unit 80.

なお、本例の変形例として、磁気センサ素子48は、送信部50を介して測定対象10から出る磁場の情報を処理システム200に伝えてよい。これにより、センサシステム100においては、センサ部40および送信部50の出力を補正せずに、処理システム200においてセンサ部40および送信部50の出力を補正してもよい。 As a modification of this example, the magnetic sensor element 48 may transmit information on the magnetic field emitted from the measurement target 10 to the processing system 200 via the transmission unit 50. As a result, in the sensor system 100, the outputs of the sensor unit 40 and the transmission unit 50 may be corrected in the processing system 200 without correcting the outputs of the sensor unit 40 and the transmission unit 50.

図7は、第4実施形態におけるセンサシステム100を示す図である。主要な構成は第3実施形態と同じであるので、以下では第3実施形態との差異について説明する。なお、本例を第1実施形態から第3実施形態およびこれらの変形例と組み合わせてよいのは勿論である。 FIG. 7 is a diagram showing the sensor system 100 according to the fourth embodiment. Since the main configuration is the same as that of the third embodiment, the difference from the third embodiment will be described below. Of course, this example may be combined with the first to third embodiments and modified examples thereof.

本例においては、センサ部40から送信部50への出力に応じて、蓄電部30から送信部50へ電力が供給される。つまり、本例の制御部80は、センサ素子42が送信部50に測定信号を出力するときに、蓄電部30から送信部50へ電力を供給させる。本例の蓄電部30は、制御部80からの電力制御信号に従い、センサ部40および送信部50に対して個別に電力を供給する。 In this example, power is supplied from the power storage unit 30 to the transmission unit 50 according to the output from the sensor unit 40 to the transmission unit 50. That is, the control unit 80 of this example causes the power storage unit 30 to supply electric power to the transmission unit 50 when the sensor element 42 outputs the measurement signal to the transmission unit 50. The power storage unit 30 of this example individually supplies power to the sensor unit 40 and the transmission unit 50 according to the power control signal from the control unit 80.

センサ素子42が送信部50に測定信号を出力するときとは、センサ部40の測定信号において予め定められた値の測定信号が存在する場合であってよい。当該予め定められた値は、測定対象10から生じた振動数の異常値(例えば、特定の周波数または特定の周波数帯域)を意味してよい。また、センサ素子42が送信部50に測定信号を出力するときとは、センサ部40の測定信号が経過時間に応じて所定のデータ量に到達した場合であってもよく、センサ部40の起動時間の合計が所定の時間に達した場合であってもよい。 When the sensor element 42 outputs a measurement signal to the transmission unit 50, it may be a case where a measurement signal having a predetermined value is present in the measurement signal of the sensor unit 40. The predetermined value may mean an abnormal value (for example, a specific frequency or a specific frequency band) of the frequency generated from the measurement target 10. Further, when the sensor element 42 outputs a measurement signal to the transmission unit 50, it may be a case where the measurement signal of the sensor unit 40 reaches a predetermined amount of data according to the elapsed time, and the sensor unit 40 is activated. It may be the case when the total time reaches a predetermined time.

つまり、本例の送信部50は常時起動しなくてもよい。通常、送信部50の消費電力は、センサ部40よりも大きいので、送信部50をオフすることによりセンサシステム100の消費電力を効率的に低減することができる。 That is, the transmission unit 50 of this example does not have to be started all the time. Since the power consumption of the transmission unit 50 is usually larger than that of the sensor unit 40, the power consumption of the sensor system 100 can be efficiently reduced by turning off the transmission unit 50.

上記の構成を実現するべく、本例のセンサ部40はメモリ部46を備える。メモリ部46は、増幅部44を介してセンサ部40が測定した測定信号を保存する。 In order to realize the above configuration, the sensor unit 40 of this example includes a memory unit 46. The memory unit 46 stores the measurement signal measured by the sensor unit 40 via the amplification unit 44.

メモリ部46は、センサ素子42が取得した測定信号に加えて、磁気センサ素子48が得た測定対象10から出る磁場の強さの情報を保存してもよい。これにより、磁場の強さと測定信号とが対応付けられた情報をメモリ部46から送信部50へ出力することができる。なお、制御部80は、センサ部40に出力する制御信号によりメモリ部46の動作を制御してよい。 In addition to the measurement signal acquired by the sensor element 42, the memory unit 46 may store information on the strength of the magnetic field emitted from the measurement target 10 obtained by the magnetic sensor element 48. As a result, the information in which the strength of the magnetic field and the measurement signal are associated can be output from the memory unit 46 to the transmission unit 50. The control unit 80 may control the operation of the memory unit 46 by a control signal output to the sensor unit 40.

図8は、第5実施形態におけるセンサシステム100を示す図である。本例の制御部80は、測定対象10から出る磁場の強さに応じて、蓄電部30からセンサ部40への電源電流をセンサ部40への制御信号により制御する。センサ部40への電源電流を増加させるとは、センサ素子42内部に使用されているセンシング用トランジスタへ供給する電流量を増加させることを意味してよい。これにより、測定対象10から出る磁場に起因してセンシング用回路に生じた誘電電流に対する、センシング用トランジスタに流れる電流の相対比を維持または増加させることができる。これにより、センサ素子42から増幅部44に出力する測定信号のS/N比を維持または上昇させることができる。 FIG. 8 is a diagram showing the sensor system 100 according to the fifth embodiment. The control unit 80 of this example controls the power supply current from the power storage unit 30 to the sensor unit 40 by a control signal to the sensor unit 40 according to the strength of the magnetic field emitted from the measurement target 10. Increasing the power supply current to the sensor unit 40 may mean increasing the amount of current supplied to the sensing transistor used inside the sensor element 42. As a result, the relative ratio of the current flowing through the sensing transistor to the dielectric current generated in the sensing circuit due to the magnetic field emitted from the measurement target 10 can be maintained or increased. As a result, the S / N ratio of the measurement signal output from the sensor element 42 to the amplification unit 44 can be maintained or increased.

また、制御部80は、測定対象10から出る磁場の強さに応じて、送信部50の出力を送信部50への制御信号により制御してもよい。例えば、測定対象10から出る磁場が強いほどRF部56の出力を大きくすることにより、アンテナ58の出力を大きくする。これにより、送信部50からの無線信号のS/N比を維持または上昇させることができるので、受信部210における受信エラーを低減することができる。 Further, the control unit 80 may control the output of the transmission unit 50 by a control signal to the transmission unit 50 according to the strength of the magnetic field emitted from the measurement target 10. For example, the stronger the magnetic field emitted from the measurement target 10, the larger the output of the RF unit 56, thereby increasing the output of the antenna 58. As a result, the S / N ratio of the radio signal from the transmitting unit 50 can be maintained or increased, so that the reception error in the receiving unit 210 can be reduced.

また例えば、測定対象10から出る磁場が弱いほどRF部56の出力を小さくすることにより、アンテナ58の出力を小さくする。これにより、測定対象10から出る磁場が弱い場合には、送信部50における電力消費を低減することができ、かつ、S/N比を維持または上昇させることができる。 Further, for example, the weaker the magnetic field emitted from the measurement target 10, the smaller the output of the RF unit 56, thereby reducing the output of the antenna 58. As a result, when the magnetic field emitted from the measurement target 10 is weak, the power consumption in the transmission unit 50 can be reduced, and the S / N ratio can be maintained or increased.

図9は、変圧器11の電線に流れる主電流と変換部20の発電量との関係を示すシミュレーショ結果を示す図である。横軸は、電線に流れる主電流(A)を示す。縦軸は、変換部20の発電量(mW(ミリワット))を示す。本シミュレーションでは、図9中の三角はコイル12の外形が100mm(ミリメートル)である場合を示し、四角はコイル12の外形が200mmである場合を示し、ひし角はコイル12の外形が280mmである場合を示す。各例において、変圧器11のコイル12と変換部20とが1m離間しており、隣接するコイル12同士は0.5m離間しているとした。なお、離間距離は、コイル12および変換部20、ならびに、コイル12同士の最近接部分の距離を意味する。本シミュレーションによると、コイル12の外径が200mmであり、主電流が3000Aである場合に、発電量は577mWとなった。 FIG. 9 is a diagram showing a simulation result showing the relationship between the main current flowing through the electric wire of the transformer 11 and the amount of power generated by the conversion unit 20. The horizontal axis represents the main current (A) flowing through the electric wire. The vertical axis shows the amount of power generated by the conversion unit 20 (mW (milliwatt)). In this simulation, the triangle in FIG. 9 shows the case where the outer shape of the coil 12 is 100 mm (millimeters), the square shows the case where the outer shape of the coil 12 is 200 mm, and the diamond angle shows the case where the outer shape of the coil 12 is 280 mm. Show the case. In each example, it is assumed that the coil 12 of the transformer 11 and the conversion unit 20 are separated by 1 m, and the adjacent coils 12 are separated by 0.5 m. The separation distance means the distance between the coil 12, the conversion unit 20, and the closest portion between the coils 12. According to this simulation, when the outer diameter of the coil 12 is 200 mm and the main current is 3000 A, the amount of power generation is 577 mW.

なお、コイル12と変換部20との離間距離を変更した結果もシミュレーションした。コイル12の外径が200mmであり、主電流が600Aである場合に、コイル12と変換部20とを0.1m離間させると発電量は180mWとなった。また、コイル12と変換部20とを接触させる(つまり、離間距離0mとする)と発電量は260mWとなった。 The result of changing the separation distance between the coil 12 and the conversion unit 20 was also simulated. When the outer diameter of the coil 12 is 200 mm and the main current is 600 A, the amount of power generated becomes 180 mW when the coil 12 and the conversion unit 20 are separated by 0.1 m. Further, when the coil 12 and the conversion unit 20 were brought into contact with each other (that is, the separation distance was set to 0 m), the amount of power generation became 260 mW.

本願の発明者の試算によれば、センサシステム100を駆動させるためには変換部20の発電量が90mW以上であればよい。本シミュレーションにより、センサシステム100を駆動させるために必要なコイル12の外径および主電流を算出した。 According to the estimation by the inventor of the present application, the amount of power generated by the conversion unit 20 may be 90 mW or more in order to drive the sensor system 100. By this simulation, the outer diameter and main current of the coil 12 required to drive the sensor system 100 were calculated.

図10は、第6実施形態における測定対象10としての遮断器15を示す概要図である。本例のセンサシステム100は、遮断器15用のセンサシステム100である。なお、上述したように、センサシステム100は遮断器15を含まない。センサシステム100は、第1実施形態から第5実施形態およびこれらの変形例と同じであってよく、また、これらの組み合わせであってもよい。 FIG. 10 is a schematic view showing a circuit breaker 15 as a measurement target 10 in the sixth embodiment. The sensor system 100 of this example is a sensor system 100 for the circuit breaker 15. As described above, the sensor system 100 does not include the circuit breaker 15. The sensor system 100 may be the same as the first to fifth embodiments and modifications thereof, or may be a combination thereof.

本例の遮断器15は、主に、ブッシング16、可動機構610、可動電極612、固定電極614および筐体618を有する。遮断器15が上記以外の構成を有してよいのは勿論である。可動電極612と固定電極614とは通常接続されているが、電流を遮断する場合に可動機構610が、可動電極612を固定電極614から離間させる(矢印方向)。これにより、可動電極612と固定電極614との導通が遮断される。 The circuit breaker 15 of this example mainly has a bushing 16, a movable mechanism 610, a movable electrode 612, a fixed electrode 614, and a housing 618. Of course, the circuit breaker 15 may have a configuration other than the above. The movable electrode 612 and the fixed electrode 614 are normally connected, but when the current is cut off, the movable mechanism 610 separates the movable electrode 612 from the fixed electrode 614 (in the direction of the arrow). As a result, the continuity between the movable electrode 612 and the fixed electrode 614 is cut off.

本例において、主電流が流れる測定対象10の電線はブッシング16である。本例のブッシング16は、主電流が流れる導体17と、導体17の周囲に設けられた絶縁部18とを有する。本例の絶縁部18は、ブッシング16の最外部に位置する陶製の管と、陶製の管と導体17との間の絶縁ガスとを含む。絶縁ガスは、NガスまたはSFガスであってよい。 In this example, the electric wire of the measurement target 10 through which the main current flows is the bushing 16. The bushing 16 of this example has a conductor 17 through which a main current flows, and an insulating portion 18 provided around the conductor 17. The insulating portion 18 of this example includes a ceramic pipe located on the outermost side of the bushing 16 and an insulating gas between the ceramic pipe and the conductor 17. The insulating gas may be N 2 gas or SF 6 gas.

本例の変換部20は、ブッシング16に接して設けられる。より具体的には、ブッシング16における陶製の管の最表面に配置される。変換部20は、ブッシング16の導体17から出る磁場を電力に変換することができる。 The conversion unit 20 of this example is provided in contact with the bushing 16. More specifically, it is arranged on the outermost surface of the ceramic tube in the bushing 16. The conversion unit 20 can convert the magnetic field emitted from the conductor 17 of the bushing 16 into electric power.

センサ部40は、遮断器15の状態を検出する。本例においてもセンサ部40は加速度センサである。それゆえ、センサ部40が検知する遮断器15の状態とは、遮断器15の振動である。センサ部40は、遮断器15の振動数を測定信号として取得することができる。例えば、制御部80は、落雷等の突発的事象に応じて、センサ部40および送信部50をオン状態にして、遮断器15の異常振動をモニタリングする。 The sensor unit 40 detects the state of the circuit breaker 15. In this example as well, the sensor unit 40 is an acceleration sensor. Therefore, the state of the circuit breaker 15 detected by the sensor unit 40 is the vibration of the circuit breaker 15. The sensor unit 40 can acquire the frequency of the circuit breaker 15 as a measurement signal. For example, the control unit 80 turns on the sensor unit 40 and the transmission unit 50 in response to a sudden event such as a lightning strike, and monitors the abnormal vibration of the circuit breaker 15.

センサ部40は、遮断器15の筐体618に設けられてよい。センサ部40は、遮断器15の振動数を十分検知できるように遮断器15に近接して設けられればよい。それゆえ、センサ部40は、変換部20に比べてブッシング16から離れた位置に設けられてよい。本例においても、センサ部40は変換部20よりも磁場が弱い位置に設けられてよい。また、センサ部40全体を磁気シールドにより覆ってもよい。 The sensor unit 40 may be provided in the housing 618 of the circuit breaker 15. The sensor unit 40 may be provided close to the circuit breaker 15 so that the frequency of the circuit breaker 15 can be sufficiently detected. Therefore, the sensor unit 40 may be provided at a position farther from the bushing 16 than the conversion unit 20. Also in this example, the sensor unit 40 may be provided at a position where the magnetic field is weaker than that of the conversion unit 20. Further, the entire sensor unit 40 may be covered with a magnetic shield.

本例においても、変換部20が電力を生成するので、電源として電池が不要である。それゆえ、本例においては電池交換をしなくてよい。また、センサシステム100を駆動するために外部固定電源から電力を得る必要もない。 Also in this example, since the conversion unit 20 generates electric power, no battery is required as a power source. Therefore, in this example, it is not necessary to replace the battery. Further, it is not necessary to obtain electric power from an external fixed power source to drive the sensor system 100.

以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。 Although the present invention has been described above using the embodiments, the technical scope of the present invention is not limited to the scope described in the above embodiments. It will be apparent to those skilled in the art that various changes or improvements can be made to the above embodiments. It is clear from the description of the claims that such modified or improved forms may also be included in the technical scope of the present invention.

特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順序で実施することが必須であることを意味するものではない。 The order of execution of operations, procedures, steps, steps, etc. in the devices, systems, programs, and methods shown in the claims, specification, and drawings is particularly "before" and "prior to". It should be noted that it can be realized in any order unless the output of the previous process is used in the subsequent process. Even if the scope of claims, the specification, and the operation flow in the drawings are explained using "first", "next", etc. for convenience, it means that it is essential to carry out in this order. It's not a thing.

10・・測定対象、11・・変圧器、12・・コイル、13・・鉄芯、14・・筐体、15・・遮断器、16・・ブッシング、17・・導体、18・・絶縁部、20・・変換部、22・・コイル、24・・整流回路、25・・ダイオード、27・・ツェナーダイオード、30・・蓄電部、32・・キャパシタ、40・・センサ部、42・・センサ素子、44・・増幅部、46・・メモリ部、48・・磁気センサ素子、50・・送信部、52・・信号処理部、54・・ベースバンド部、56・・RF部、58・・アンテナ、60・・電圧リミッタ回路、62・・第1ダイオード、64・・第2ダイオード、70・・昇圧回路、72・・コイル、74・・スイッチング素子、76・・ダイオード、78・・キャパシタ、80・・制御部、100・・センサシステム、200・・処理システム、210・・受信部、220・・データ処理部、230・・ネットワーク機器、300・・測定システム、400・・ネットワーク、500・・監視装置、610・・可動機構、612・・可動電極、614・・固定電極、618・・筐体 10 ... Measurement target, 11 ... Transformer, 12 ... Coil, 13 ... Iron core, 14 ... Housing, 15 ... Breaker, 16 ... Bushing, 17 ... Conductor, 18 ... Insulation , 20 ... converter, 22 ... coil, 24 ... rectifier circuit, 25 ... diode, 27 ... Zener diode, 30 ... storage unit, 32 ... capacitor, 40 ... sensor unit, 42 ... sensor Element, 44 ... Amplification section, 46 ... Memory section, 48 ... Magnetic sensor element, 50 ... Transmission section, 52 ... Signal processing section, 54 ... Baseband section, 56 ... RF section, 58 ... Antenna, 60 ... Voltage limiter circuit, 62 ... 1st diode, 64 ... 2nd diode, 70 ... Boost circuit, 72 ... Coil, 74 ... Switching element, 76 ... Diode, 78 ... Capacitor, 80 ... Control unit, 100 ... Sensor system, 200 ... Processing system, 210 ... Receiver unit, 220 ... Data processing unit, 230 ... Network equipment, 300 ... Measurement system, 400 ... Network, 500 ...・ Monitoring device, 610 ・ ・ Movable mechanism, 612 ・ ・ Movable electrode, 614 ・ ・ Fixed electrode, 618 ・ ・ Housing

Claims (12)

測定対象の状態を検出するセンサ部と、
前記センサ部からの出力を外部に送信する送信部と、
前記測定対象から出る磁場を電力に変換する変換部と、
前記測定対象から出る磁場の強さに応じて、前記センサ部および前記送信部の少なくとも一方の出力を調整する制御部と
を備え、
前記変換部が変換した電力により、前記センサ部および前記送信部の少なくとも一方が動作する
センサシステム。
A sensor unit that detects the state of the measurement target and
A transmitter that transmits the output from the sensor to the outside,
A conversion unit that converts the magnetic field emitted from the measurement target into electric power,
A control unit that adjusts the output of at least one of the sensor unit and the transmission unit according to the strength of the magnetic field emitted from the measurement target is provided.
A sensor system in which at least one of the sensor unit and the transmission unit operates by the electric power converted by the conversion unit.
前記センサ部は、前記変換部よりも磁場が弱い位置に設けられる
請求項1に記載のセンサシステム。
The sensor system according to claim 1, wherein the sensor unit is provided at a position where the magnetic field is weaker than that of the conversion unit.
前記測定対象は、主電流が流れる電線を有し、
前記電線から前記変換部までの距離は、前記電線から前記センサ部までの距離よりも短い
請求項1または2に記載のセンサシステム。
The measurement target has an electric wire through which the main current flows.
The sensor system according to claim 1 or 2, wherein the distance from the electric wire to the conversion unit is shorter than the distance from the electric wire to the sensor unit.
前記変換部からの電力を蓄える蓄電部をさらに備え、
前記蓄電部は、蓄電した電力を前記センサ部および前記送信部の少なくとも一方に供給する
請求項1から3のいずれか一項に記載のセンサシステム。
Further equipped with a power storage unit for storing electric power from the conversion unit,
The sensor system according to any one of claims 1 to 3, wherein the power storage unit supplies the stored electric power to at least one of the sensor unit and the transmission unit.
前記センサ部が前記測定対象を常時測定するべく、前記センサ部には前記蓄電部から常時電力が供給される
請求項4に記載のセンサシステム。
The sensor system according to claim 4, wherein power is constantly supplied to the sensor unit from the power storage unit so that the sensor unit constantly measures the measurement target.
前記センサ部から前記送信部への出力に応じて、前記蓄電部から前記送信部へ電力が供給される
請求項4または5に記載のセンサシステム。
The sensor system according to claim 4 or 5, wherein power is supplied from the power storage unit to the transmission unit in response to an output from the sensor unit to the transmission unit.
前記センサ部が測定した測定信号を保存するメモリ部をさらに備える
請求項6に記載のセンサシステム。
The sensor system according to claim 6, further comprising a memory unit that stores a measurement signal measured by the sensor unit.
前記測定対象から出る磁場の強さと前記センサ部の測定信号とが対応付けられた情報を、前記送信部は送信する
請求項1から7のいずれか一項に記載のセンサシステム。
The sensor system according to any one of claims 1 to 7, wherein the transmitting unit transmits information in which the strength of the magnetic field emitted from the measurement target and the measurement signal of the sensor unit are associated with each other.
前記測定対象から出る磁場の強さに応じて、前記制御部は前記センサ部への電源電流を制御する
請求項1から8のいずれか一項に記載のセンサシステム。
The sensor system according to any one of claims 1 to 8, wherein the control unit controls a power supply current to the sensor unit according to the strength of a magnetic field emitted from the measurement target.
前記測定対象から出る磁場の強さに応じて、前記制御部は前記送信部の出力を制御する
請求項1から9のいずれか一項に記載のセンサシステム。
The sensor system according to any one of claims 1 to 9, wherein the control unit controls the output of the transmission unit according to the strength of the magnetic field emitted from the measurement target.
前記測定対象は変圧器であり、
前記変圧器において主電流が流れる電線はコイルであり、
前記変換部は、前記コイルに接して設けられる
請求項1から10のいずれか一項に記載のセンサシステム。
The measurement target is a transformer.
The electric wire through which the main current flows in the transformer is a coil.
The conversion unit is provided in contact with the coil.
The sensor system according to any one of claims 1 to 10.
前記測定対象は遮断器であり、
前記遮断器において主電流が流れる電線はブッシングであり、
前記変換部は、前記ブッシングに接して設けられる
請求項1から10のいずれか一項に記載のセンサシステム。
The measurement target is a circuit breaker.
The electric wire through which the main current flows in the circuit breaker is a bushing.
The conversion unit is provided in contact with the bushing.
The sensor system according to any one of claims 1 to 10.
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