JP6839567B2 - Reaction vessel - Google Patents

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本開示は、99mTc生成用の99mTc反応容器に関する。 The present disclosure relates to a 99m Tc reaction vessel for 99m Tc production.

現在、医療の現場ではポジトロン断層法(PET;POSITRON EMISSION TOMOGRAPHY)や単光子放出コンピューター断層撮影(SPECT;SINGLE PHOTON EMISSION COMPUTER TOMOGRAPHY)などの診断法がなくてはならない技術となっている。これらの診断法は、放射性同位体を含む薬剤を体内に注入し、その放射性同位体が放出する放射線を測定することで、血流の診断、初期の悪性腫瘍の発見などを行なうことができる。用いられる放射性同位体は目的に応じて多種多様であり、PETには19Fが用いられ、SPECTでは、テクネシウム99(99mTc)の使用が主流となっている。 Currently, in the medical field, diagnostic methods such as POSITRON EMISSION TOMOGRAPHY (PET) and single photon emission computed tomography (SPECT) have become indispensable technologies. These diagnostic methods can diagnose blood flow, detect early malignant tumors, and the like by injecting a drug containing a radioisotope into the body and measuring the radiation emitted by the radioisotope. The radioisotopes used are diverse depending on the purpose, 19 F is used for PET, and technetium-99 ( 99 m Tc) is mainly used for SPECT.

99mTcは、半減期が6時間で、ガンマ線のみを放出し、臓器に付着させることによってSPECTにより画像を得ることができ、癌、心筋梗塞、脳血管障害、脳卒中などの疾病の早期発見のための画像診断として欠かせない放射性同位体である。 99m Tc has a half-life of 6 hours, emits only gamma rays, and can obtain images by SPECT by attaching it to organs, for early detection of diseases such as cancer, myocardial infarction, cerebrovascular accident, and stroke. It is a radioisotope that is indispensable for diagnostic imaging of.

PETで用いられる19F(半減期:約2時間)のほとんどは国内で生産されている。これに対して99mTcは、海外で生産された半減期が66時間と長い99Moを定期的に輸入し、そして、専用の処理施設において99Moのベータ崩壊により生成される99mTcを抽出して薬剤を製造し、この薬剤を各医療施設へ配送することにより各医療施設での画像診断に用いられている。 Most of the 19 F (half-life: about 2 hours) used in PET is produced domestically. On the other hand, 99 m Tc is produced overseas and has a long half-life of 66 hours. 99 Mo is regularly imported, and 99 m Tc produced by beta decay of 99 Mo is extracted in a dedicated processing facility. It is used for diagnostic imaging at each medical facility by manufacturing the drug and delivering this drug to each medical facility.

99Moは、カナダ、ベルギー、フランス、オランダおよび南アフリカの5か国の研究機関が運営する原子炉で製造されているが、昨今、原子炉の老朽化に伴う99Moの供給問題が顕在化している。このため99Moの製造方法が種々検討されている。また同時に、99mTcの抽出方法として、低コストで製造が容易な昇華法が検討されている。 99 Mo is manufactured in nuclear reactors operated by research institutes in five countries: Canada, Belgium, France, the Netherlands and South Africa. Recently, the supply problem of 99 Mo due to the aging of nuclear reactors has become apparent. There is. Therefore, various methods for producing 99 Mo have been studied. At the same time, as a method for extracting 99 m Tc, a sublimation method that is low in cost and easy to manufacture is being studied.

昇華法とは、以下に示す方法である。まず、容器中に100Mo箔を封入し、容器に15〜20MeVのエネルギーを持つガンマ線を照射する100Mo(γ,n)99Mo反応によって99Moが生成される。その後、Mo99のベータ崩壊により99mTcが生成され、容器に少量の酸素を混入させた高温のヘリウムガスを流すとともに、約800℃の温度に加熱することにより、99mTcが雰囲気中の少量の酸素と化合して四酸化テクネシウム(TcO)となり蒸発する。その後、この蒸気をヘリウムガスと共に容器より取り出し、水酸化ナトリウム溶液に溶解させる。さらに、吸着剤であるアルミニウム酸化物(Al)を詰めた容器中を通過させることにより99mTcをアルミニウム酸化物に吸着させ、その後、生理食塩水を流すことにより99mTcを抽出することができる。 The sublimation method is the method shown below. First, 100 Mo foil is sealed in a container, and 99 Mo is produced by a 100 Mo (γ, n) 99 Mo reaction in which the container is irradiated with gamma rays having an energy of 15 to 20 MeV. After that, 99 m Tc is generated by the beta decay of Mo 99, and by flowing high-temperature helium gas mixed with a small amount of oxygen into the container and heating it to a temperature of about 800 ° C., 99 m Tc is produced in a small amount in the atmosphere. It combines with oxygen to form technetium-tetraoxide (TcO 4 ) and evaporates. Then, this vapor is taken out from the container together with helium gas and dissolved in a sodium hydroxide solution. Further, 99 m Tc is adsorbed on the aluminum oxide by passing through a container filled with aluminum oxide (Al 2 O 3 ) which is an adsorbent, and then 99 m Tc is extracted by flowing physiological saline. Can be done.

昇華法の利点は、容器内に封入した100Mo箔を何らかの化学的処理を施すことなく半永久的に再利用できることである。したがって、容器を開封する必要がないので100Moの取扱いが容易となり、各医療施設で99mTcを直接生成することができる可能が見込まれている。 The advantage of the sublimation method is that the 100 Mo foil sealed in the container can be reused semi-permanently without any chemical treatment. Therefore, since it is not necessary to open the container, it is easy to handle 100 Mo, and it is expected that 99 m Tc can be directly generated at each medical facility.

なお、容器は、高温の酸素が容器を酸化して劣化させてしまうおそれがあるので、セラミックス製の容器の使用が検討されている。 Since high-temperature oxygen may oxidize and deteriorate the container, the use of a ceramic container is being considered.

また、100Mo箔は非常に高価格であることから、100Mo箔に比べて格段に低価
格なMoO粉末の利用も検討されている。
In addition, since 100 Mo foil is very expensive, the use of MoO 3 powder, which is much cheaper than 100 Mo foil, is being considered.

「我が国のテクネチウム製剤の安定供給」に向けてのアクションプラン(平成23年7月7日 モリブデン‐99/テクネチウム‐99mの安定供給のための官民検討会)Action plan for "Stable supply of technetium preparations in Japan" (July 7, 2011, Public-Private Study Group for Stable Supply of Molybdenum-99 / Technetium-99m) 日本の医療用同位体供給不足問題と医療用RI製造技術(2014年12月 文科省化学技術5か年計画策定への報告)Japan's medical isotope supply shortage problem and medical RI manufacturing technology (December 2014 Report to the Ministry of Education, Culture, Sports, Science and Technology 5-year plan formulation)

99mTcと酸素とを化合して四酸化テクネシウムを安定して生成させるには、容器内のガス温度を一定の範囲内で保持する必要がある。そのため、容器内に導入するガス温度を容器内のガス温度に一致または近似させる必要がある。しかしながら、容器内のガス温度と一致または近似した温度のガスを容器外より安定して継続的に導入するには、ガスの導入管を加熱する機構や、導入前にガスを加熱する機構を外部に設けなければならなかった。 In order to stably produce technetium-tetraoxide by combining 99 m Tc and oxygen, it is necessary to keep the gas temperature in the container within a certain range. Therefore, it is necessary to match or approximate the gas temperature introduced into the container with the gas temperature inside the container. However, in order to stably and continuously introduce gas with a temperature that matches or approximates the gas temperature inside the container, a mechanism that heats the gas introduction pipe or a mechanism that heats the gas before introduction is externally used. Had to be provided in.

本開示は、上記事情に鑑みて案出されたものであり、簡易な構成において、容器内の温度を一定の範囲内に保持して四酸化テクネシウムを安定的に抽出することが可能な99mTc反応容器を提供することを目的とする。 The present disclosure has been devised in view of the above circumstances, and in a simple configuration, 99 m Tc capable of stably extracting technetium tetroxide while maintaining the temperature inside the container within a certain range. It is an object of the present invention to provide a reaction vessel.

本開示の99mTc反応容器は、セラミックスからなり、内部に隔壁を備える流路体と、セラミックスからなる有底筒状体とを備える。流路体は、有底筒状体の開口部を覆っている。流路体は、外部に繋がる第1孔と、有底筒状体に繋がる第2孔とを有し、第1孔と第2孔との間が少なくとも流路である。第1孔および第2孔は、隔壁を挟んで位置しており、流路体、有底筒状体、または、流路体と有底筒状体との間に、流路を介さず外部へ繋がる第3孔を有する。 The 99 m Tc reaction vessel of the present disclosure includes a flow path body made of ceramics and having a partition wall inside, and a bottomed tubular body made of ceramics. The flow path body covers the opening of the bottomed tubular body. The flow path body has a first hole connected to the outside and a second hole connected to the bottomed tubular body, and at least the flow path is between the first hole and the second hole. The first hole and the second hole are located so as to sandwich the partition wall, and are external to the flow path body, the bottomed tubular body, or between the flow path body and the bottomed tubular body without passing through the flow path. It has a third hole leading to.

本開示の99mTc反応容器は、簡易な構成において、容器内のガス温度を一定の範囲内に保持することができることから、四酸化テクネシウムを安定的に抽出することが可能となる。 Since the 99 m Tc reaction vessel of the present disclosure can maintain the gas temperature in the vessel within a certain range in a simple configuration, it is possible to stably extract technetium tetroxide.

本開示の99mTc反応容器の一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of the 99m Tc reaction vessel of this disclosure. 本開示の99mTc反応容器の一例を示す分解斜視図である。It is an exploded perspective view which shows an example of the 99m Tc reaction vessel of this disclosure. 本開示の99mTc反応容器の加熱炉の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of the heating furnace of the 99m Tc reaction vessel of this disclosure.

以下、図面を適宜参照して、本開示の99mTc反応容器について詳細に説明する。 Hereinafter, the 99 m Tc reaction vessel of the present disclosure will be described in detail with reference to the drawings as appropriate.

図1および図2は、本開示の99mTc反応容器の一例を示す斜視図および分解斜視図であり、いずれの図においてもガス導入およびガス排出用の管を併せて示している。 1 and 2 are a perspective view and an exploded perspective view showing an example of the 99 m Tc reaction vessel of the present disclosure, and both views also show a pipe for gas introduction and gas discharge.

本開示の99mTc反応容器100(以下、単に「容器100」と記載する場合もある)は、セラミックスからなり、内部に隔壁24を備える流路体20と、セラミックスからなる有底筒状体10とを備えている。流路体20は有底筒状体10の開口部10aを覆っ
ている。
The 99 m Tc reaction vessel 100 of the present disclosure (hereinafter, may be simply referred to as “container 100”) is made of ceramics, a flow path body 20 having a partition wall 24 inside, and a bottomed tubular body 10 made of ceramics. And have. The flow path body 20 covers the opening 10a of the bottomed tubular body 10.

流路体20は、外部に繋がる第1孔31と、有底筒状体10に繋がる第2孔32とを有し、第1孔31と第2孔32との間が少なくとも流路23となっている。第1孔31と第2孔32とは、隔壁24を挟んで位置しており、流路体20、有底筒状体10、または、流路体20と有底筒状体10との間に、流路23を介さずに外部へ繋がる第3孔33を有している。 The flow path body 20 has a first hole 31 connected to the outside and a second hole 32 connected to the bottomed tubular body 10, and at least the flow path 23 is between the first hole 31 and the second hole 32. It has become. The first hole 31 and the second hole 32 are located so as to sandwich the partition wall 24, and are located between the flow path body 20, the bottomed tubular body 10, or between the flow path body 20 and the bottomed tubular body 10. It also has a third hole 33 that connects to the outside without passing through the flow path 23.

なお、図1および図2においては、ガスの導入管である第1管31aおよびガスの排出管である第3管33aを備えている例を示している。また、流路体20から有底筒状体10の内部へガスを導入するための第2管32aも例示している。 Note that FIGS. 1 and 2 show an example in which the first pipe 31a, which is a gas introduction pipe, and the third pipe 33a, which is a gas discharge pipe, are provided. Further, a second pipe 32a for introducing gas from the flow path body 20 into the bottomed tubular body 10 is also illustrated.

図1および図2に示す容器100の一例において、ガスの導入経路としては、第1管31aから流路体20の第1孔31を通って流路23へ導入され、第2孔32に向かって隔壁24に沿って流路23内を流れ、その後、第2孔32および第2管32aを通って有底筒状体10の内部へ導入される。 In the example of the container 100 shown in FIGS. 1 and 2, as the gas introduction path, the gas is introduced from the first pipe 31a through the first hole 31 of the flow path body 20 into the flow path 23 and toward the second hole 32. It flows through the flow path 23 along the partition wall 24, and then is introduced into the bottomed tubular body 10 through the second hole 32 and the second pipe 32a.

また、ガスの排出経路としては、有底筒状体10の内部から流路23を介さずに第3孔33、第3管33aを通って外部へ排出される。なお、排出は、図1および図2に示すような第3孔33から必ず排出されるものであることはなく、有底筒状体10の側面上部や、流路体20と有底筒状体10との間から排出されるものであってもよい。また、図1および図2に示すように、第1孔31および第3孔33が流路体20の上面に開口しているものであるときには、容器100の取扱いを容易なものとすることができる。 Further, as a gas discharge path, the gas is discharged from the inside of the bottomed tubular body 10 to the outside through the third hole 33 and the third pipe 33a without passing through the flow path 23. It should be noted that the discharge is not always discharged from the third hole 33 as shown in FIGS. 1 and 2, and the upper side surface of the bottomed tubular body 10 and the flow path body 20 and the bottomed tubular shape are discharged. It may be excreted from between the body 10 and the body 10. Further, as shown in FIGS. 1 and 2, when the first hole 31 and the third hole 33 are open on the upper surface of the flow path body 20, the container 100 can be easily handled. it can.

本開示の容器100では、有底筒状体10の内部にガスが直接導入されるのではなく、流路体20を流れた後に導入されるものであることから、容器100を加熱するための熱によってガスを加熱することができる。このように、ガスを直接容器100内に導入するのではなく、流路体20を流した後に容器100に導入する構成であることから、ガスの導入管を加熱する機構や、導入前にガスを加熱する機構を外部に設けることなく、導入するガスの温度を、有底筒状体10の内部のガス温度に一致または近似させることができる。その結果、容器100内のガス温度と一致または近似した温度のガスを安定して継続的に導入することができ、容器100内のガス温度は、一定の範囲内に保持されることから、四酸化テクネシウムを安定的に生成させることが可能となる。 In the container 100 of the present disclosure, the gas is not directly introduced into the bottomed tubular body 10 but is introduced after flowing through the flow path body 20, so that the container 100 can be heated. The gas can be heated by heat. In this way, the gas is not introduced directly into the container 100, but is introduced into the container 100 after the flow path body 20 has flowed through the container 100. Therefore, a mechanism for heating the gas introduction pipe and the gas before the introduction The temperature of the gas to be introduced can be matched with or approximated to the temperature of the gas inside the bottomed tubular body 10 without providing an external mechanism for heating the gas. As a result, a gas having a temperature equal to or close to the gas temperature in the container 100 can be stably and continuously introduced, and the gas temperature in the container 100 is maintained within a certain range. It is possible to stably generate technesium oxide.

なお、流路体20から有底筒状体10の内部へガスを導入するための第2管32aを有していれば、これを有していないときよりも、有底筒状体10の内部のガス温度に一致またはより近似させることができる。 If the second pipe 32a for introducing gas from the flow path body 20 into the bottomed tubular body 10 is provided, the bottomed tubular body 10 is more likely to have a second pipe 32a than when the second pipe 32a is provided. It can match or better approximate the internal gas temperature.

また、図2に示す分解斜視図の一例では、第1孔31から第2孔32までの流路23を構成するにあたり、C形状の隔壁24を示しているが、この形状限らず、流路体20の内部の隔壁24の形状や設け方によって、第1孔31から第2孔32までの流路長を所望の長さに設定することができる。また、図1および図2において、ガスの排出は、流路23を介さずに外部へ繋がる第3孔33を通って第3管33aから行なっているが、流路体20に、流路23とはガスが混在することがないように、隔壁24の配置を行なって流路体20内を流した後に排出するようにすれば、導入するガスを有底筒状体10の内部のガス温度に一致または近似させることができる。 Further, in an example of the exploded perspective view shown in FIG. 2, a C-shaped partition wall 24 is shown in constructing the flow path 23 from the first hole 31 to the second hole 32, but the flow path is not limited to this shape. The flow path length from the first hole 31 to the second hole 32 can be set to a desired length depending on the shape and the way of providing the partition wall 24 inside the body 20. Further, in FIGS. 1 and 2, the gas is discharged from the third pipe 33a through the third hole 33 connected to the outside without passing through the flow path 23, but the flow path 23 is connected to the flow path body 20. If the partition wall 24 is arranged so that the gas is discharged after flowing through the flow path body 20 so that the gas is not mixed, the gas to be introduced is the gas temperature inside the bottomed tubular body 10. Can be matched or approximated to.

そして、本開示の容器100は、有底筒状体10と流路体20とがセラミックスからなることから、容器100を800℃程度の温度に加熱して、酸素(O)を含有させたガスを導入した場合においても、金属製の容器に比べて酸化による劣化が起こりにくく、容
器100を長期間に亘って使用することができる。
In the container 100 of the present disclosure, since the bottomed tubular body 10 and the flow path body 20 are made of ceramics, the container 100 is heated to a temperature of about 800 ° C. to contain oxygen (O 2). Even when gas is introduced, deterioration due to oxidation is less likely to occur as compared with a metal container, and the container 100 can be used for a long period of time.

なお、本開示の容器100は、容器100内のガス温度の均一化や容器100の取扱い易さという観点からは、外形は、直径10mm〜100mm、高さ50mm〜200mmの円柱状とすればよく、壁の厚さは、外部より15〜20MeVのエネルギーを持つガンマ線を外部より容器100内部の試料に照射する、あるいは、取扱い上の強度という観点からは、0.5mm〜5mmとすればよい。 From the viewpoint of making the gas temperature in the container 100 uniform and the container 100 easy to handle, the container 100 of the present disclosure may have a cylindrical shape having a diameter of 10 mm to 100 mm and a height of 50 mm to 200 mm. The wall thickness may be 0.5 mm to 5 mm from the outside by irradiating the sample inside the container 100 with gamma rays having an energy of 15 to 20 MeV from the outside, or from the viewpoint of handling strength.

また、本開示では、流路体20と有底筒状体10との間に第1接合層41が位置していてもよい。 Further, in the present disclosure, the first bonding layer 41 may be located between the flow path body 20 and the bottomed tubular body 10.

内部に流路23および空間10b等の中空部を有する構造のセラミックスを一体的に成形・焼成することは一般には困難であるが、図2に示すように、第1部材21、第2部材22および有底筒状体10を個別に成形・焼成し、その後、第1接合層41および第2接合層42となるガラスペーストやセラミックペースト等の接合材を用いて接合すれば、内部に流路23および空間10b等の中空部を有する構造のセラミックスを比較的容易に製作をすることができる。 It is generally difficult to integrally mold and fire ceramics having a structure having a flow path 23 and a hollow portion such as a space 10b inside, but as shown in FIG. 2, the first member 21 and the second member 22 If the bottomed tubular body 10 is individually molded and fired, and then joined using a joining material such as glass paste or ceramic paste to be the first joining layer 41 and the second joining layer 42, a flow path is provided inside. Ceramics having a structure having a hollow portion such as 23 and space 10b can be manufactured relatively easily.

なお、第1接合層41および第2接合層42がガラスからなる場合は、容器100の加熱温度にもよるが、例えば珪素酸化物と各種酸化物、窒化物などを混合して融点を1200℃以上に調整したガラスペーストを使用すればよい。 When the first bonding layer 41 and the second bonding layer 42 are made of glass, for example, silicon oxide is mixed with various oxides and nitrides to have a melting point of 1200 ° C., although it depends on the heating temperature of the container 100. The glass paste adjusted above may be used.

また、第1接合層41および第2接合層42がセラミックスからなる場合は、流路体20および有底筒状体10に適応したセラミック材料と同材質のセラミック材料粉末をペースト状として使用すればよい。 When the first bonding layer 41 and the second bonding layer 42 are made of ceramics, a ceramic material powder of the same material as the ceramic material suitable for the flow path body 20 and the bottomed tubular body 10 may be used as a paste. Good.

流路体20が第1部材21および第2部材22の2つの部材からなる構成だけでなく、3つ以上の部材を複数の第2接合層42で接合してなる構成としてもよい。このような構成とすることで流路体20内の流路長さをより自由に設計することができ、内部を流れる導入ガスへの伝熱面積を増加させより良好な加熱を実施することができる。 The flow path body 20 may be composed not only of two members of the first member 21 and the second member 22, but also of three or more members joined by a plurality of second joining layers 42. With such a configuration, the length of the flow path in the flow path body 20 can be designed more freely, the heat transfer area to the introduced gas flowing inside can be increased, and better heating can be performed. it can.

また、本開示では、セラミックスが炭化珪素(SiC)質焼結体であってもよい。また、金属である鉄の熱伝導率(84W/(m/K))に比べて高い熱伝導率、例えば熱伝導率が200W/(m/K)の炭化珪素質焼結体であれば、熱伝導性が良好なことから、外部より受けた熱を容器100の内部に効率よく伝えることができる。 Further, in the present disclosure, the ceramic may be a silicon carbide (SiC) material sintered body. Further, if it is a silicon carbide sintered body having a higher thermal conductivity than the thermal conductivity of iron, which is a metal (84 W / (m / K)), for example, a thermal conductivity of 200 W / (m / K). Since the thermal conductivity is good, the heat received from the outside can be efficiently transferred to the inside of the container 100.

次に、第1孔31に繋がる第1管31a、第3孔33に繋がる第3管33a、有底筒状体10の空間に位置する、第2孔32に繋がる第2管32aについて説明する。 Next, the first pipe 31a connected to the first hole 31, the third pipe 33a connected to the third hole 33, and the second pipe 32a connected to the second hole 32 located in the space of the bottomed tubular body 10 will be described. ..

第1孔31に繋がる第1管31aおよび第3孔33に繋がる第3管33aを備えた場合、他の装置からの配管との接続を容易なものとすることができる。また、有底筒状体10の空間10bに位置する、第2孔32に繋がる第2管32aを有している場合、これを有していないときよりも、有底筒状体10の内部のガス温度に一致またはより近似させることができる。 When the first pipe 31a connected to the first hole 31 and the third pipe 33a connected to the third hole 33 are provided, the connection with the pipe from another device can be facilitated. Further, when the second pipe 32a connected to the second hole 32, which is located in the space 10b of the bottomed tubular body 10, is provided, the inside of the bottomed tubular body 10 is more than when it is not provided. Can match or more closely resemble the gas temperature of.

なお、第1管31a、第2管32aおよび第3管33aは円柱状の筒であり、長さや外形、内径は、容器100の大きさやガスの流量に応じて決めればよい。 The first pipe 31a, the second pipe 32a, and the third pipe 33a are columnar cylinders, and the length, outer shape, and inner diameter may be determined according to the size of the container 100 and the flow rate of gas.

また、本開示では、第1管31aおよび第3管33aがアルミナ質焼結体からなり、流路体20、有底筒状体10および第2管32aが炭化珪素質焼結体からなる構成であって
もよい。
Further, in the present disclosure, the first pipe 31a and the third pipe 33a are made of an alumina-based sintered body, and the flow path body 20, the bottomed tubular body 10 and the second pipe 32a are made of a silicon carbide sintered body. It may be.

流路体20、有底筒状体10および第2管32aが、金属である鉄の熱伝導率(84W/(m/K))に比べて高い熱伝導率、例えば熱伝導率が200W/(m/K)の炭化珪素質焼結体であれば、熱伝導性が良好なことから、外部より容器100を加熱した際に、容器100内の温度を外部の温度に一致あるいは近似させやすくなり、容器100内の温度コントロールが容易となる。 The flow path body 20, the bottomed tubular body 10, and the second tube 32a have a higher thermal conductivity than the thermal conductivity of iron, which is a metal (84 W / (m / K)), for example, a thermal conductivity of 200 W / K. Since the (m / K) silicon carbide sintered body has good thermal conductivity, it is easy to match or approximate the temperature inside the container 100 to the temperature outside when the container 100 is heated from the outside. Therefore, the temperature inside the container 100 can be easily controlled.

また、第1管31aおよび第3管33aがアルミナ質焼結体からなる場合、アルミナがセラミック原料の中では低価格ではあるものの強度等の機械的特性においては必要十分な実用性を有しており、他の装置からの配管との接続において高い信頼性を得ることができるとともに安価で製作することができる。 Further, when the first pipe 31a and the third pipe 33a are made of an alumina-based sintered body, although alumina is a low-priced ceramic raw material, it has necessary and sufficient practicality in terms of mechanical properties such as strength. Therefore, high reliability can be obtained in connection with pipes from other devices, and it can be manufactured at low cost.

そして本開示の99mTc反応容器100によれば、この容器100に100Mo箔あるいはMoO粉末を封入し、その後、図3に示すガンマ線照射および加熱機構を有する加熱炉200内にセットし、しかる後、密閉した状態の容器100に15〜20MeVのエネルギーを持つガンマ線を照射して100Mo(γ,n)99Mo反応によって99Moを生成する。その後、容器100に少量の酸素を加えたヘリウムガスからなる導入ガス51を導入しながら約800℃に加熱することにより、99mTcを含む排出ガス52として取り出すことができる。なお、容器100へのガンマ線照射と、容器100の加熱とは、それぞれ異なる装置を用いて行なってもよい。 Then, according to the 99 m Tc reaction vessel 100 of the present disclosure , 100 Mo foil or MoO 3 powder is sealed in this vessel 100, and then set in a heating furnace 200 having a gamma ray irradiation and heating mechanism shown in FIG. After that, the container 100 in a closed state is irradiated with gamma rays having an energy of 15 to 20 MeV to generate 99 Mo by a 100 Mo (γ, n) 99 Mo reaction. Then, by heating the container 100 to about 800 ° C. while introducing an introduction gas 51 made of helium gas to which a small amount of oxygen is added, it can be taken out as an exhaust gas 52 containing 99m Tc. The gamma ray irradiation to the container 100 and the heating of the container 100 may be performed by using different devices.

次に、本開示の99mTc反応容器の製造方法の一例について説明する。 Next, an example of the method for producing the 99 m Tc reaction vessel of the present disclosure will be described.

最初に、有底筒状体10、流路体20、第1管31a、第2管32aおよび第3管33aが炭化珪素質焼結体からなる場合について説明する。 First, a case where the bottomed tubular body 10, the flow path body 20, the first pipe 31a, the second pipe 32a, and the third pipe 33a are made of a silicon carbide sintered body will be described.

まず平均粒径0.5〜10μm、純度99〜99.8%以上の炭化珪素1次原料を準備する。次に、この炭化珪素1次原料に炭素(C)やホウ素(B)、アルミナ(Al)、イットリア(Y)などの焼結助剤を添加して調合原料とする。次に、前記調合原料と同質量以上の水を加えてスラリーとし、これをボールミル等の粉砕機により平均粒径1μm以下となるように整粒する。次に、ボールミル内のスラリーにポリエチレングリコールやポリエチレンオキサイド等のバインダと分散剤とを適量添加し、その後、スラリーをスプレードライヤーにより噴霧造粒して炭化珪素2次原料を得る。 First, a silicon carbide primary raw material having an average particle size of 0.5 to 10 μm and a purity of 99 to 99.8% or more is prepared. Next, a sintering aid such as carbon (C), boron (B), alumina (Al 2 O 3 ), and yttria (Y 2 O 3 ) is added to the silicon carbide primary raw material to prepare a compounding raw material. Next, water having the same mass or more as that of the compounding raw material is added to form a slurry, which is sized by a crusher such as a ball mill so that the average particle size is 1 μm or less. Next, an appropriate amount of a binder such as polyethylene glycol or polyethylene oxide and a dispersant are added to the slurry in the ball mill, and then the slurry is spray-granulated with a spray dryer to obtain a silicon carbide secondary raw material.

そしてこの炭化珪素2次原料を静水圧プレス成形法(ラバープレス)や粉末プレス成形法、押出成形法にて成形し、必要に応じて切削加工を施した後、これを焼成炉にて非酸化雰囲気中1800〜2200℃の温度で焼成する。焼成後、研削加工により最終仕上げすることにより、純度99%以上の炭化珪素質焼結体からなる有底筒状体10、流路体20、第1管31a、第2管32aおよび第3管33aを得ることができる。 Then, this silicon carbide secondary raw material is molded by a hydrostatic pressure press molding method (rubber press), a powder press molding method, or an extrusion molding method, cut if necessary, and then non-oxidized in a firing furnace. Bake at a temperature of 1800 to 2200 ° C. in the atmosphere. After firing, it is finally finished by grinding to make a bottomed tubular body 10 made of a silicon carbide sintered body having a purity of 99% or more, a flow path body 20, a first pipe 31a, a second pipe 32a, and a third pipe. 33a can be obtained.

次に、有底筒状体10、流路体20、第1管31a、第2管32aおよび第3管33aがアルミナ質焼結体からなる場合について説明する。 Next, a case where the bottomed tubular body 10, the flow path body 20, the first pipe 31a, the second pipe 32a, and the third pipe 33a are made of an alumina-based sintered body will be described.

まず、平均粒径1μm程度、純度95%以上のアルミナ1次原料を準備する。次に、この1次原料を100質量%として、カルシウム(Ca)、珪素(Si)、マグネシウム(Mg)の酸化物からなる焼結助剤を1〜5質量%,ポリビニルアルコール等のバインダを1〜1.5質量%、溶媒として水を100質量%、分散剤を0.5質量%計量し、攪拌機の容器内に投入して混合・撹拌しスラリーとし、その後、スラリースプレードライヤーにより噴霧造粒しアルミナ2次原料を得る。 First, an alumina primary raw material having an average particle size of about 1 μm and a purity of 95% or more is prepared. Next, assuming that this primary raw material is 100% by mass, a sintering aid composed of oxides of calcium (Ca), silicon (Si), and magnesium (Mg) is 1 to 5% by mass, and a binder such as polyvinyl alcohol is 1 by mass. ~ 1.5% by mass, 100% by mass of water as a solvent, 0.5% by mass of a dispersant, put into a container of a stirrer to mix and stir to form a slurry, and then spray granulation with a slurry spray dryer. Alumina secondary raw material is obtained.

そしてこのアルミナ2次原料を静水圧プレス成形(ラバープレス)法や粉末プレス成形法、押出成形法にて成形し、必要に応じて切削加工を施した後、これを焼成炉にて大気雰囲気中1550〜1700℃の焼成温度で焼成する。焼成後、研削加工により最終仕上げすることにより、純度95%以上のアルミナ質焼結体からなる有底筒状体10、流路体20、第1管31a、第2管32aおよび第3管33aを得ることができる。 Then, this alumina secondary raw material is molded by a hydrostatic press molding (rubber press) method, a powder press molding method, or an extrusion molding method, and if necessary, cutting is performed, and then this is placed in an air atmosphere in a firing furnace. It is fired at a firing temperature of 1550 to 1700 ° C. After firing, it is finally finished by grinding to make a bottomed tubular body 10 made of an alumina-like sintered body having a purity of 95% or more, a flow path body 20, a first pipe 31a, a second pipe 32a, and a third pipe 33a. Can be obtained.

そして、上記製造方法により得られた有底筒状体10および流路体20、第1管31a、第2管32a、第3管33aを、図2に示すように各部材を耐熱性ガラスペーストやセラミックペーストを用いて接合することで本開示の99mTc反応容器100を得ることができる。 Then, the bottomed tubular body 10 and the flow path body 20, the first pipe 31a, the second pipe 32a, and the third pipe 33a obtained by the above manufacturing method are made of heat-resistant glass paste on each member as shown in FIG. The 99 m Tc reaction vessel 100 of the present disclosure can be obtained by joining with a ceramic paste or a ceramic paste.

なお、容器が炭化珪素質焼結体、アルミナ質焼結体のいずれからなる場合も、有底筒状体10および流路体20を接続する第1接合層41、および、流路体20を構成する第1部材21および第2部材22を接続する第2接合層42は、各部材を焼成、研削加工して所望の形状にした後、接合面にガラスペーストやセラミックペーストを塗布した後に焼成することにより形成することができる。 When the container is made of either a silicon carbide sintered body or an alumina-based sintered body, the first bonding layer 41 connecting the bottomed tubular body 10 and the flow path body 20 and the flow path body 20 are formed. The second bonding layer 42 connecting the first member 21 and the second member 22 to be formed is fired after each member is fired and ground to form a desired shape, and then glass paste or ceramic paste is applied to the joint surface. It can be formed by

第1接合層41および第2接合層42がガラスからなる場合、容器の加熱温度にもよるが、例えば珪素酸化物と各種酸化物、窒化物などを混合して融点を1200℃以上に調整したガラスペーストを使用すればよい。 When the first bonding layer 41 and the second bonding layer 42 are made of glass, the melting point is adjusted to 1200 ° C. or higher by mixing, for example, silicon oxide with various oxides and nitrides, although it depends on the heating temperature of the container. A glass paste may be used.

また、第1接合層41および第2接合層42がセラミックスからなる場合は、接合する各部材に適応したセラミック材料と同材質のセラミック材料粉末と、溶媒として水または有機溶剤と、各種バインダと、分散剤とを混合した接合用セラミックペーストを作製し、これを流路体20および有底筒状体10成形体の接合面に塗布して成形体同士を接合した後、乾燥、焼成する接合方法を用いることもできる。 When the first bonding layer 41 and the second bonding layer 42 are made of ceramics, a ceramic material powder of the same material as the ceramic material suitable for each member to be bonded, water or an organic solvent as a solvent, various binders, and the like. A joining method in which a ceramic paste for joining is prepared by mixing a dispersant, and this is applied to the joining surfaces of the flow path body 20 and the bottomed tubular body 10 molded bodies to join the molded bodies, and then dried and fired. Can also be used.

100 :99mTc反応容器
10 :有底筒状体
10a :開口部
10b :空間
20 :流路体
21 :第1部材
22 :第2部材
23 :流路
24 :隔壁
31 :第1孔
32 :第2孔
33 :第3孔
31a :第1管
32a :第2管
33a :第3管
41 :第1接合層
42 :第2接合層
51 :導入ガス
52 :排出ガス
200 :加熱炉
100: 99m Tc reaction vessel 10: bottomed tubular body 10a: opening 10b: space 20: flow path body 21: first member 22: second member 23: flow path 24: partition wall 31: first hole 32: first 2 holes 33: 3rd hole 31a: 1st pipe 32a: 2nd pipe 33a: 3rd pipe 41: 1st joint layer 42: 2nd joint layer 51: Introduced gas 52: Exhaust gas 200: Heating furnace

Claims (8)

セラミックスからなり、内部に隔壁を備える流路体と、
セラミックスからなる有底筒状体とを備え、
前記流路体が前記有底筒状体の開口部を覆っており、
前記流路体は、外部に繋がる第1孔と、前記有底筒状体の内部空間に繋がる第2孔とを有し、前記第1孔と前記第2孔との間が少なくとも流路であり、
前記第1孔および前記第2孔は、前記隔壁を挟んで位置しており、
前記流路体、前記有底筒状体、または、前記流路体と前記有底筒状体との間に、前記流路を介さず前記有底筒状体の内部空間から外部へ繋がる第3孔を有する、99mTc反応容器。
A flow path body made of ceramics with a partition wall inside,
Equipped with a bottomed tubular body made of ceramics
The flow path body covers the opening of the bottomed tubular body, and the flow path body covers the opening of the bottomed tubular body.
The flow path body has a first hole connected to the outside and a second hole connected to the internal space of the bottomed tubular body, and at least the flow path is between the first hole and the second hole. Yes,
The first hole and the second hole are located so as to sandwich the partition wall.
A third that connects the flow path body, the bottomed tubular body, or between the flow path body and the bottomed tubular body from the internal space of the bottomed tubular body to the outside without passing through the flow path. A 99m Tc reaction vessel with 3 holes.
前記流路体と前記有底筒状体との間に第1接合層が位置する、請求項1に記載の99mTc反応容器。 The 99 m Tc reaction vessel according to claim 1, wherein the first bonding layer is located between the flow path body and the bottomed tubular body. 前記セラミックスが、炭化珪素質焼結体である、請求項1または請求項2に記載の99mTc反応容器。 The 99 m Tc reaction vessel according to claim 1 or 2, wherein the ceramic is a silicon carbide sintered body. 前記第3孔が、前記流路体の下壁と、前記隔壁内と、前記流路体の上壁に連なる孔である、請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の99mTc反応容器。 The 99 m Tc reaction vessel according to any one of claims 1 to 3, wherein the third hole is a hole connected to the lower wall of the flow path body, the inside of the partition wall, and the upper wall of the flow path body. .. 前記流路体が、第1部材と第2部材とからなる、請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の99mTc反応容器。 The 99 m Tc reaction vessel according to any one of claims 1 to 4, wherein the flow path body is composed of a first member and a second member. 前記第1部材と前記第2部材との間に第2接合層が位置する、請求項5に記載の99mTc反応容器。 A second bonding layer disposed between the second member and the first member, 99m Tc reaction vessel according to Motomeko 5. 前記外部に位置する、前記第1孔に繋がる第1管および前記第3孔に繋がる第3管と、
前記有底筒状体の内部空間に位置する、前記第2孔に繋がる第2管とをさらに備える、請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の99mTc反応容器。
A first pipe connected to the first hole and a third pipe connected to the third hole, which are located outside the outside,
The 99 m Tc reaction vessel according to any one of claims 1 to 6, further comprising a second tube connected to the second hole, which is located in the internal space of the bottomed tubular body.
前記第1管および前記第3管がアルミナ質焼結体からなり、前記流路体、前記有底筒状体および前記第2管が炭化珪素質焼結体からなる、請求項7に記載の99mTc反応容器。 Said first tube and said third tube consists of alumina sintered body, comprising the channel member, the bottomed cylindrical body and the second pipe carbonization silicon sintered body, according to claim 7 99m Tc reaction vessel.
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