JP6822098B2 - How to adjust ablation - Google Patents

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Description

本発明は、アブレーションの調整方法に関する。 The present invention relates to a method for adjusting ablation.

特許文献1には、極端紫外光を発生させるプラズマ光源が記載されている。このプラズマ光源は、中心電極と外部電極との間に電圧が印加されている状態において、中心電極と複数の外部電極との間にプラズマ媒質の蒸気を供給することによりプラズマを発生させる。 Patent Document 1 describes a plasma light source that generates extreme ultraviolet light. This plasma light source generates plasma by supplying steam of a plasma medium between the center electrode and a plurality of external electrodes in a state where a voltage is applied between the center electrode and the external electrode.

特開2013―254693号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2013-254693

特許文献1に記載のプラズマ光源では、中心電極とそれぞれの外部電極との間に発生したプラズマを収束させることにより、高温及び高密度なプラズマを生成する。プラズマを発生させるためのアブレーションガス(プラズマ媒質の蒸気)は、個体又は液体のプラズマ媒質にレーザ光を照射してエネルギーを供給し、プラズマ媒質をアブレーション(蒸発)させることより生成される。このようなプラズマ光源では、中心電極とそれぞれの外部電極との間におけるアブレーションガスの分布に偏りがあると、中心電極とそれぞれの外部電極との間でプラズマが発生するタイミングにずれが生じる場合がある。その結果、プラズマを同時に収束させることができず、プラズマ光源の出力が低下する可能性がある。 In the plasma light source described in Patent Document 1, high-temperature and high-density plasma is generated by converging the plasma generated between the center electrode and each external electrode. Ablation gas (steam of plasma medium) for generating plasma is generated by irradiating a solid or liquid plasma medium with laser light to supply energy and ablating (evaporating) the plasma medium. In such a plasma light source, if the distribution of ablation gas between the center electrode and each external electrode is uneven, the timing of plasma generation between the center electrode and each external electrode may be different. is there. As a result, the plasma cannot be converged at the same time, and the output of the plasma light source may decrease.

本発明は、中心電極とそれぞれの外部電極との間でプラズマが発生するタイミングの均一化を図ることが可能なアブレーションの調整方法を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a method for adjusting ablation that can make the timing of plasma generation uniform between the center electrode and each external electrode.

本発明の一態様に係るアブレーションの調整方法は、第1中心電極と第1中心電極から離間するように配置された複数の第1外部電極とを有し、極端紫外光を放出するプラズマを発生させる第1同軸状電極と、レーザ光が照射されることによりプラズマを発生させるためのアブレーションガスを放出するプラズマ媒質と、を備えるプラズマ光源において、第1中心電極とそれぞれの第1外部電極との間に電圧を印加する電圧印加工程と、プラズマ媒質にレーザ光をパルスで照射することにより第1中心電極とそれぞれの第1外部電極との間にアブレーションガスを供給し、第1中心電極とそれぞれの第1外部電極との間にプラズマを発生させるプラズマ発生工程と、プラズマ発生工程において、第1中心電極とそれぞれの第1外部電極との間に流れる電流を測定する測定工程と、測定工程において測定された複数の電流の立ち上がり時間の差と閾値とを比較する比較工程と、複数の電流の立ち上がり時間の差が閾値より大きい場合に、プラズマ媒質に対するレーザ光の照射条件を変更することにより、アブレーションガスの分布を調整する調整工程と、を含み、調整工程では、レーザ光が照射されるプラズマ媒質の照射面の角度を変更することによりアブレーションガスの分布を調整するThe method for adjusting ablation according to one aspect of the present invention has a first center electrode and a plurality of first external electrodes arranged so as to be separated from the first center electrode, and generates plasma that emits extreme ultraviolet light. In a plasma light source including a first coaxial electrode for making the electrode and a plasma medium for emitting an ablation gas for generating plasma by being irradiated with a laser beam, the first center electrode and the respective first external electrodes are provided. An ablation gas is supplied between the first center electrode and each of the first external electrodes by irradiating the plasma medium with a pulse of laser light in a voltage application step of applying a voltage between them, and the first center electrode and each of them are used. In the plasma generation step of generating plasma between the first external electrode and the measurement step of measuring the current flowing between the first center electrode and each of the first external electrodes in the plasma generation step, and in the measurement step. By changing the irradiation condition of the laser beam to the plasma medium when the difference between the rising times of the plurality of currents measured and the threshold is larger than the difference between the rising times of the plurality of currents and the threshold. It is seen including an adjustment step of adjusting the distribution of ablation gas and, in the adjustment step adjusts the distribution of ablation gas by changing the angle of the irradiated surface of the plasma medium that is irradiated with the laser light.

このアブレーションの調整方法では、アブレーションガスの分布を調整する調整工程により、第1中心電極とそれぞれの第1外部電極との間に流れる電流の立ち上がり時間の差が閾値より大きい場合に、プラズマ媒質に対するレーザ光の照射条件を変更する。それぞれの電流の立ち上がり時間、すなわち、プラズマが発生するタイミングは、アブレーションガスの濃度によって変化する。したがって、アブレーションガスの分布を調整することにより、第1中心電極とそれぞれの第1外部電極との間でプラズマが発生するタイミングの均一化を図ることが可能である。また、アブレーションガスは、プラズマ媒質の照射面に対して垂直方向を中心として放出される。上記の方法によれば、アブレーションガスが放出される方向を変更することができるので、第1中心電極とそれぞれの第1外部電極との間のアブレーションガスの分布を調整することが可能である。第2同軸状電極が設けられている場合には、第2中心電極とそれぞれの第2外部電極との間のアブレーションガスの分布を調整することが可能である。 In this ablation adjustment method, when the difference in the rise time of the current flowing between the first center electrode and each first external electrode is larger than the threshold value by the adjustment step of adjusting the distribution of the ablation gas, the difference with respect to the plasma medium is obtained. Change the irradiation conditions of the laser beam. The rise time of each current, that is, the timing at which plasma is generated, changes depending on the concentration of the ablation gas. Therefore, by adjusting the distribution of the ablation gas, it is possible to make the timing of plasma generation uniform between the first center electrode and each of the first external electrodes. Further, the ablation gas is emitted centering on the direction perpendicular to the irradiation surface of the plasma medium. According to the above method, the direction in which the ablation gas is discharged can be changed, so that the distribution of the ablation gas between the first center electrode and each of the first external electrodes can be adjusted. When the second coaxial electrode is provided, it is possible to adjust the distribution of the ablation gas between the second center electrode and each of the second external electrodes.

いくつかの態様において、プラズマ光源は、軸線上において第1同軸状電極と対面するように配置され、第2中心電極と第2中心電極から離間するように配置された複数の第2外部電極とを有し、極端紫外光を放出するプラズマを発生させる第2同軸状電極を更に備え、電圧印加工程では、第1中心電極とそれぞれの第1外部電極との間、及び、第2中心電極とそれぞれの第2外部電極との間に電圧を印加し、プラズマ発生工程では、第1中心電極とそれぞれの第1外部電極との間、及び、第2中心電極とそれぞれの第2外部電極との間にアブレーションガスを供給し、第1中心電極とそれぞれの第1外部電極との間、及び、第2中心電極とそれぞれの第2外部電極との間にプラズマを発生させ、測定工程では、第1中心電極とそれぞれの第1外部電極との間、及び、第2中心電極とそれぞれの第2外部電極との間に流れる電流をそれぞれ測定してもよい。この方法によれば、第1中心電極とそれぞれの第1外部電極との間、及び、第2中心電極とそれぞれの第2外部電極との間に流れる複数の電流の立ち上がり時間の差と閾値とを比較し、アブレーションガスの分布の調整が行われる。したがって、第1同軸状電極と第2同軸状電極との間においても、プラズマが発生するタイミングの均一化を図ることが可能である。 In some embodiments, the plasma light source is arranged on the axis so as to face the first coaxial electrode, with a second center electrode and a plurality of second external electrodes arranged apart from the second center electrode. A second coaxial electrode that generates plasma that emits extreme ultraviolet light is further provided, and in the voltage application step, between the first center electrode and each of the first external electrodes, and with the second center electrode. A voltage is applied between each of the second external electrodes, and in the plasma generation step, between the first center electrode and each of the first external electrodes, and between the second center electrode and each of the second external electrodes. An ablation gas is supplied between them to generate plasma between the first center electrode and each of the first external electrodes, and between the second center electrode and each of the second external electrodes. The current flowing between the 1 center electrode and each of the first external electrodes and between the second center electrode and each of the second external electrodes may be measured. According to this method, the difference and the threshold value of the rise times of a plurality of currents flowing between the first center electrode and each of the first external electrodes and between the second center electrode and each of the second external electrodes. Is compared, and the distribution of the ablation gas is adjusted. Therefore, it is possible to make the timing of plasma generation uniform between the first coaxial electrode and the second coaxial electrode.

いくつかの態様において、プラズマ光源は、レーザ光の光路上に配置されてレーザ光を反射する光反射部を更に備え、調整工程では、光反射部によってレーザ光の照射位置を変更することによりアブレーションガスの分布を調整してもよい。この方法によれば、アブレーションガスが放出される位置を変更することができるので、第1中心電極とそれぞれの第1外部電極との間のアブレーションガスの分布を調整することが可能である。第2同軸状電極が設けられている場合には、第2中心電極とそれぞれの第2外部電極との間のアブレーションガスの分布を調整することが可能である。 In some embodiments, the plasma light source further comprises a light reflecting section that is arranged on the optical path of the laser beam to reflect the laser beam, and in the adjustment step, ablation is performed by changing the irradiation position of the laser beam by the light reflecting section. The distribution of the gas may be adjusted. According to this method, the position where the ablation gas is discharged can be changed, so that the distribution of the ablation gas between the first center electrode and each of the first external electrodes can be adjusted. When the second coaxial electrode is provided, it is possible to adjust the distribution of the ablation gas between the second center electrode and each of the second external electrodes.

いくつかの態様において、調整工程では、レーザ光の強度を変更することによりアブレーションガスの分布を調整してもよい。この方法によれば、レーザ光のエネルギー密度が変わるので、アブレーションガスが生成される量を変更することができる。したがって、第1中心電極とそれぞれの第1外部電極との間のアブレーションガスの分布を調整することが可能である。第2同軸状電極が設けられている場合には、第2中心電極とそれぞれの第2外部電極との間のアブレーションガスの分布を調整することが可能である。 In some embodiments, the adjustment step may adjust the distribution of the ablation gas by varying the intensity of the laser beam. According to this method, since the energy density of the laser beam is changed, the amount of ablation gas generated can be changed. Therefore, it is possible to adjust the distribution of the ablation gas between the first center electrode and each first external electrode. When the second coaxial electrode is provided, it is possible to adjust the distribution of the ablation gas between the second center electrode and each of the second external electrodes.

本発明によれば、中心電極と各外部電極との間でプラズマが発生するタイミングの均一化を図ることが可能なアブレーションの調整方法が提供される。 According to the present invention, there is provided a method for adjusting ablation that can make the timing of plasma generation uniform between the center electrode and each external electrode.

本発明の一実施形態に係るアブレーションの調整方法を実施可能なプラズマ光源の一例を概略的に示す図である。It is a figure which shows typically an example of the plasma light source which can carry out the ablation adjustment method which concerns on one Embodiment of this invention. 図1に示された同軸状電極と光路制御部との構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the coaxial electrode shown in FIG. 1 and an optical path control part. 光反射部におけるレーザ光の照射位置の変更を示す図である。It is a figure which shows the change of the irradiation position of a laser beam in a light reflection part. プラズマ光源の動作を説明するための図である。It is a figure for demonstrating operation of a plasma light source. 本発明の一実施形態に係るアブレーションの調整方法を示すフロー図である。It is a flow figure which shows the adjustment method of ablation which concerns on one Embodiment of this invention. 調整工程前に測定されたそれぞれの電流の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of each current measured before the adjustment process. 調整工程後に測定されたそれぞれの電流の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of each current measured after the adjustment process. 第1変形例に係るアブレーションの調整方法を実施可能なプラズマ光源の一部を概略的に示す図である。It is a figure which shows roughly a part of the plasma light source which can carry out the ablation adjustment method which concerns on 1st modification. 第2変形例に係るアブレーションの調整方法を実施可能なプラズマ光源の一部を概略的に示す図である。It is a figure which shows roughly a part of the plasma light source which can carry out the ablation adjustment method which concerns on 2nd modification.

以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を付し、重複する説明を省略する。 Hereinafter, various embodiments will be described in detail with reference to the drawings. In each drawing, the same or corresponding parts are designated by the same reference numerals, and duplicate description will be omitted.

図1を参照して、本発明の一実施形態に係るアブレーションの調整方法を実施可能なプラズマ光源1について説明する。図1に示されたプラズマ光源1は、いわゆる対向型プラズマフォーカス方式を採用している。プラズマフォーカス方式は、第1中心電極11A(中心電極11)と、当該第1中心電極11Aから離間するように配置された複数の第1外部電極12A(外部電極12)とを有する第1同軸状電極10A、及び、第2中心電極11B(中心電極11)と、当該第2中心電極11Bから離間するように配置された第2外部電極12B(外部電極12)と、を有する第2同軸状電極10Bを備える。対向型プラズマフォーカス方式のプラズマ光源1が動作するとき、まず、第1中心電極11Aと第1外部電極12Aとの間、及び、第2中心電極11Bと第2外部電極12Bとの間に高電圧を印加する。そして、何らかのトリガを入力することにより、第1中心電極11Aと第1外部電極12Aとの間、及び、第2中心電極11Bと第2外部電極12Bとの間にそれぞれリング状の初期プラズマを生成させる。初期プラズマは、第1中心電極11A及び第2中心電極11Bの先端部で収束して高温及び高密度状態に達する。 With reference to FIG. 1, a plasma light source 1 capable of implementing the ablation adjustment method according to the embodiment of the present invention will be described. The plasma light source 1 shown in FIG. 1 employs a so-called opposed plasma focus method. The plasma focus method has a first coaxial shape having a first center electrode 11A (center electrode 11) and a plurality of first external electrodes 12A (external electrodes 12) arranged so as to be separated from the first center electrode 11A. A second coaxial electrode having an electrode 10A, a second center electrode 11B (center electrode 11), and a second external electrode 12B (external electrode 12) arranged so as to be separated from the second center electrode 11B. It is equipped with 10B. When the opposed plasma focus type plasma light source 1 operates, first, a high voltage is applied between the first center electrode 11A and the first external electrode 12A and between the second center electrode 11B and the second external electrode 12B. Is applied. Then, by inputting some kind of trigger, a ring-shaped initial plasma is generated between the first center electrode 11A and the first external electrode 12A and between the second center electrode 11B and the second external electrode 12B, respectively. Let me. The initial plasma converges at the tips of the first center electrode 11A and the second center electrode 11B to reach high temperature and high density states.

対向型プラズマフォーカス方式を採用するプラズマ光源1では、プラズマ源としての第1同軸状電極10Aと第2同軸状電極10Bとが互いに向かい合うように配置される。そして、それぞれの中心電極11(第1中心電極11A及び第2中心電極11B)の先端部に達したプラズマ同士を衝突させることにより、高温及び高密度状態のプラズマが形成される。この高温及び高密度状態のプラズマから極端紫外光が発生する。 In the plasma light source 1 that employs the opposed plasma focus method, the first coaxial electrode 10A and the second coaxial electrode 10B as the plasma source are arranged so as to face each other. Then, by colliding the plasmas that have reached the tips of the respective center electrodes 11 (first center electrode 11A and second center electrode 11B) with each other, plasma in a high temperature and high density state is formed. Extreme ultraviolet light is generated from this high-temperature and high-density plasma.

初期プラズマを発生させる方式の一つに、レーザ光によってプラズマ媒質をアブレーション(蒸発)させる方式がある。この方式では、固体又は液体のプラズマ媒質にレーザ光を照射することでプラズマ媒質を蒸発させてアブレーションガス(媒質蒸気)を発生させる。このアブレーションガスを介して、第1中心電極11Aと第1外部電極12Aとの間、及び、第2中心電極11Bと第2外部電極12Bとの間に放電を生じさせる。また、プラズマ媒質は、固体、液体、気体の何れであってもよく、発生させたい光の波長によって選択される。対向型プラズマフォーカス方式では、プラズマ媒質として、液体又は固体のリチウム、スズ、及びキセノン等を用いることがある。 One of the methods for generating the initial plasma is a method for ablating (evaporating) the plasma medium with a laser beam. In this method, a solid or liquid plasma medium is irradiated with a laser beam to evaporate the plasma medium and generate an ablation gas (medium vapor). An electric discharge is generated between the first center electrode 11A and the first external electrode 12A and between the second center electrode 11B and the second external electrode 12B via this ablation gas. Further, the plasma medium may be solid, liquid, or gas, and is selected according to the wavelength of light to be generated. In the opposed plasma focus method, liquid or solid lithium, tin, xenon or the like may be used as the plasma medium.

プラズマ光源1は、例えば、半導体素子を製造するための露光装置に適用される。プラズマ光源1は、例えば、波長が13.5nmの極端紫外光(EUV光)を発生可能に構成されている。プラズマ光源1は、EUV光を発生させることにより、微細なパターンを形成するフォトリソグラフィを可能にする。 The plasma light source 1 is applied to, for example, an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor element. The plasma light source 1 is configured to be capable of generating, for example, extreme ultraviolet light (EUV light) having a wavelength of 13.5 nm. The plasma light source 1 enables photolithography to form a fine pattern by generating EUV light.

プラズマ光源1は、プラズマを発生させる一対の同軸状電極10(第1同軸状電極10A及び第2同軸状電極10B)と、同軸状電極10に電位差を生じさせる電圧印加装置20と、アブレーションガスを形成するアブレーションガス形成部30と、プラズマ媒質を供給するプラズマ媒質供給部41と、を備える。 The plasma light source 1 comprises a pair of coaxial electrodes 10 (first coaxial electrode 10A and second coaxial electrode 10B) that generate plasma, a voltage applying device 20 that causes a potential difference between the coaxial electrodes 10, and an ablation gas. The ablation gas forming unit 30 to be formed and the plasma medium supply unit 41 for supplying the plasma medium are provided.

一対の同軸状電極10は、チャンバ2内に収容されており、軸線A上において互いに対面するように配置されている。一対の同軸状電極10は、仮想の中央面Pに関して面対称に配置されている。一対の同軸状電極10の間には、一定の間隔(空間)がもうけられている。チャンバ2には、一又は複数の排気管3が設けられており、排気管3には真空ポンプ(図示せず)が接続される。チャンバ2内は所定の真空度に維持される。チャンバ2は、接地されている。それぞれの同軸状電極10は、中心電極11と、複数の外部電極12と、中心電極11と複数の外部電極12とを絶縁する絶縁体13と、を備える。 The pair of coaxial electrodes 10 are housed in the chamber 2 and are arranged so as to face each other on the axis A. The pair of coaxial electrodes 10 are arranged symmetrically with respect to the virtual central surface P. A certain distance (space) is provided between the pair of coaxial electrodes 10. The chamber 2 is provided with one or more exhaust pipes 3, and a vacuum pump (not shown) is connected to the exhaust pipe 3. The inside of the chamber 2 is maintained at a predetermined degree of vacuum. The chamber 2 is grounded. Each coaxial electrode 10 includes a center electrode 11, a plurality of external electrodes 12, and an insulator 13 that insulates the center electrode 11 and the plurality of external electrodes 12.

中心電極11は、軸線A上に沿って延びる棒状の導電体である。換言すると、図1において一方の同軸状電極10の中心電極11は、他方の同軸状電極10に向かって延びる。中心電極11は、例えば、タングステン(W)又はモリブデン(Mo)等の高温プラズマに対して損傷され難い高融点金属から形成される。中心電極11の軸線Aは、上記した中央面Pに直交する。中央面Pに対面する中心電極11の端面は、例えば半球状である。中心電極11の側面は、例えば円錐状である。 The center electrode 11 is a rod-shaped conductor extending along the axis A. In other words, in FIG. 1, the center electrode 11 of one coaxial electrode 10 extends toward the other coaxial electrode 10. The center electrode 11 is formed of a refractory metal such as tungsten (W) or molybdenum (Mo) that is not easily damaged by high temperature plasma. The axis A of the center electrode 11 is orthogonal to the above-mentioned central surface P. The end surface of the center electrode 11 facing the central surface P is, for example, hemispherical. The side surface of the center electrode 11 is, for example, conical.

一方の同軸状電極10の外部電極12は、他方の同軸状電極10に向かって延びる棒状の導電体である。外部電極12は、軸線Aに対して傾斜した方向に延びていてもよい。例えば、円錐状をなす中心電極11の側面から外部電極12までの距離が常に一定になるように、外部電極12は中心電極11の側面に対して平行である方向に延びていてもよい。外部電極12は、例えば、タングステン(W)又はモリブデン(Mo)等の高温プラズマに対して損傷され難い高融点金属から形成される。中央面Pに対面する外部電極12の端面は、曲面であってもよく、平面であってもよい。他方の同軸状電極10においても、中心電極11と複数の外部電極12とは、上記した一方の同軸状電極10と同様に構成されている。 The external electrode 12 of one coaxial electrode 10 is a rod-shaped conductor extending toward the other coaxial electrode 10. The external electrode 12 may extend in a direction inclined with respect to the axis A. For example, the external electrode 12 may extend in a direction parallel to the side surface of the center electrode 11 so that the distance from the side surface of the conical center electrode 11 to the external electrode 12 is always constant. The external electrode 12 is formed of a refractory metal such as tungsten (W) or molybdenum (Mo) that is not easily damaged by high temperature plasma. The end surface of the external electrode 12 facing the central surface P may be a curved surface or a flat surface. In the other coaxial electrode 10, the center electrode 11 and the plurality of external electrodes 12 are configured in the same manner as the one coaxial electrode 10 described above.

図2に示されるように、外部電極12は、中心電極11の周囲に配置されている。外部電極12は、中心電極11に対して所定の間隔を有している。複数の外部電極12は、軸線Aの周方向において等間隔に(すなわち回転対称に)配置されている。一対の同軸状電極10は、それぞれ6本の外部電極12を有する。6本の外部電極12は、軸線Aを基準として60°毎に配置されている。なお、外部電極12の本数は6本に限定されず、中心電極11及び外部電極12の大きさや形状、これらの間隔などに応じて適宜設定され得る。中心電極11のまわりに複数の外部電極12が配置されることにより、初期放電(たとえば沿面放電)が、中心電極11と外部電極12との間に発生する。この初期放電は、面状放電6(図4参照)に至る。 As shown in FIG. 2, the external electrode 12 is arranged around the center electrode 11. The external electrode 12 has a predetermined distance from the center electrode 11. The plurality of external electrodes 12 are arranged at equal intervals (that is, rotationally symmetrical) in the circumferential direction of the axis A. Each of the pair of coaxial electrodes 10 has six external electrodes 12. The six external electrodes 12 are arranged at intervals of 60 ° with respect to the axis A. The number of external electrodes 12 is not limited to 6, and may be appropriately set according to the size and shape of the center electrode 11 and the external electrode 12, the spacing between them, and the like. By arranging the plurality of external electrodes 12 around the center electrode 11, an initial discharge (for example, creepage discharge) is generated between the center electrode 11 and the external electrode 12. This initial discharge leads to a planar discharge 6 (see FIG. 4).

再び図1に示されるように、絶縁体13は、例えば円板状をなすセラミックス板である。絶縁体13は、中心電極11と外部電極12の基部を支持し、これらの間隔を規定している。絶縁体13は、中心電極11と外部電極12とを電気的に絶縁する。 As shown in FIG. 1 again, the insulator 13 is, for example, a disk-shaped ceramic plate. The insulator 13 supports the bases of the center electrode 11 and the external electrode 12 and defines the distance between them. The insulator 13 electrically insulates the center electrode 11 and the external electrode 12.

電圧印加装置20は、同軸状電極10に同極性又は逆極性の放電電圧を印加することにより、電位差を生じさせる。電圧印加装置20は、2台の高圧電源(HV Charging Device)21,22を備える。第1高圧電源21の出力側は、第1同軸状電極10Aの中心電極11に接続されている。第1高圧電源21のコモン側は、その中心電極11に対応する外部電極12に接続されている。第1高圧電源21は、その中心電極11に対応する外部電極12よりも高い正の放電電圧を印加する。なお、第1高圧電源21は、その中心電極11に対応する外部電極12よりも低い負の放電電圧を印加してもよい。第2高圧電源22の出力側は、第2同軸状電極10Bの中心電極11に接続されている。第2高圧電源22のコモン側は、その中心電極11に対応する外部電極12に接続されている。第2高圧電源22は、その中心電極11に対応する外部電極12よりも高い正の放電電圧を印加する。なお、第2高圧電源22は、その中心電極11に対応する外部電極12よりも低い負の放電電圧を印加してもよい。何れの高圧電源のコモン側も接地されていてもよい。以下の説明では、第1高圧電源21を単に電源21という。第2高圧電源22を単に電源22という。 The voltage applying device 20 creates a potential difference by applying a discharge voltage having the same polarity or the opposite polarity to the coaxial electrode 10. The voltage application device 20 includes two high-voltage power supplies (HV Charging Devices) 21 and 22. The output side of the first high-voltage power supply 21 is connected to the center electrode 11 of the first coaxial electrode 10A. The common side of the first high-voltage power supply 21 is connected to the external electrode 12 corresponding to the center electrode 11. The first high voltage power supply 21 applies a positive discharge voltage higher than that of the external electrode 12 corresponding to the center electrode 11. The first high-voltage power supply 21 may apply a negative discharge voltage lower than that of the external electrode 12 corresponding to the center electrode 11. The output side of the second high-voltage power supply 22 is connected to the center electrode 11 of the second coaxial electrode 10B. The common side of the second high-voltage power supply 22 is connected to the external electrode 12 corresponding to the center electrode 11. The second high voltage power supply 22 applies a positive discharge voltage higher than that of the external electrode 12 corresponding to the center electrode 11. The second high-voltage power supply 22 may apply a negative discharge voltage lower than that of the external electrode 12 corresponding to the center electrode 11. The common side of any high-voltage power supply may be grounded. In the following description, the first high voltage power supply 21 is simply referred to as a power supply 21. The second high voltage power supply 22 is simply referred to as a power supply 22.

なお、電源21,22のコモン側には、ロゴスキーコイル等を用いて誘導結合された線路が設けられてもよい。これらの線路により、中心電極11を経由した電流(すなわち、すべての放電電流)をオシロスコープ(Oscilloscope)で観察することができる。 A line inductively coupled using a Rogowski coil or the like may be provided on the common side of the power supplies 21 and 22. These lines allow the current through the center electrode 11 (ie, all discharge currents) to be observed with an oscilloscope.

プラズマ光源1は、更に、電圧印加装置20からの放電電圧を放電エネルギーとして外部電極12毎に蓄積するエネルギー蓄積回路26を備えている。エネルギー蓄積回路26は、中心電極11と外部電極12との間を個別に接続する複数のコンデンサ26aを含む。コンデンサ26aは、電源21,22の出力側及びコモン側に接続されている。放電エネルギーを蓄積するコンデンサ26aが外部電極12毎に設けられることにより、すべての外部電極12において放電が発生し得る。すなわち、放電の発生タイミングに多少のずれが生じた場合でも、最初に発生した放電によって多くの放電エネルギーが消費されることが防止される。エネルギー蓄積回路26を備えることにより、同軸状電極10において、中心電極11の全周に亘って発生する理想的な面状放電6が得られる。 The plasma light source 1 further includes an energy storage circuit 26 that stores the discharge voltage from the voltage application device 20 as discharge energy for each external electrode 12. The energy storage circuit 26 includes a plurality of capacitors 26a that individually connect between the center electrode 11 and the external electrode 12. The capacitor 26a is connected to the output side and the common side of the power supplies 21 and 22. By providing a capacitor 26a for storing discharge energy for each external electrode 12, discharge can occur in all the external electrodes 12. That is, even if there is a slight deviation in the discharge generation timing, it is possible to prevent a large amount of discharge energy from being consumed by the first discharge. By providing the energy storage circuit 26, an ideal planar discharge 6 generated over the entire circumference of the center electrode 11 can be obtained in the coaxial electrode 10.

プラズマ光源1は、更に、電圧印加装置20に放電電流が帰還することを阻止する放電電流阻止回路28を備えている。放電電流阻止回路28は、外部電極12と電圧印加装置20(具体的には電源21,22のコモン側)との間を接続するインダクタ28aを含む。インダクタ28aは、放電電流に対して十分に高いインピーダンスを有するため、中心電極11及び外部電極12を経由した放電電流は、その発生源であるエネルギー蓄積回路26に戻され得る。これにより、コンデンサ26aに蓄積された放電エネルギーが当該コンデンサ26aに直結した外部電極12以外の外部電極12に供給されることを防止できる。その結果、中心電極11の周方向における放電の発生分布に偏りが生じることを防止できる。 The plasma light source 1 further includes a discharge current blocking circuit 28 that prevents the discharge current from returning to the voltage applying device 20. The discharge current blocking circuit 28 includes an inductor 28a that connects the external electrode 12 and the voltage applying device 20 (specifically, the common side of the power supplies 21 and 22). Since the inductor 28a has a sufficiently high impedance with respect to the discharge current, the discharge current via the center electrode 11 and the external electrode 12 can be returned to the energy storage circuit 26 which is the source thereof. As a result, it is possible to prevent the discharge energy stored in the capacitor 26a from being supplied to the external electrode 12 other than the external electrode 12 directly connected to the capacitor 26a. As a result, it is possible to prevent the distribution of discharge generation in the circumferential direction of the center electrode 11 from being biased.

上述した電圧印加装置20の動作について説明する。まず、電源21,22によってコンデンサ26aに電荷を予め蓄積(充電)する。そして、中心電極11と外部電極12との間にプラズマ媒質Mの蒸気が供給されることにより、コンデンサ26aの正極側から負極側へ電流が流れる。この電流は、コンデンサ26aに蓄積された電荷量に相当する電流が電気回路の時定数に従ってパルス的に流れる。つまり、電荷は、中心電極11、面状放電6、及び外部電極12の順に流れ、最終的にコンデンサ26aの負極側に戻る。この電流が流れている間に、面状放電6は中心電極11の先端部まで移動して先端部において単一のプラズマとして収束することにより発光する。 The operation of the voltage application device 20 described above will be described. First, electric charges are stored (charged) in advance in the capacitor 26a by the power supplies 21 and 22. Then, the steam of the plasma medium M is supplied between the center electrode 11 and the external electrode 12, so that a current flows from the positive electrode side to the negative electrode side of the capacitor 26a. As for this current, a current corresponding to the amount of electric charge stored in the capacitor 26a flows in a pulsed manner according to the time constant of the electric circuit. That is, the electric charge flows in the order of the center electrode 11, the planar discharge 6, and the external electrode 12, and finally returns to the negative electrode side of the capacitor 26a. While this current is flowing, the planar discharge 6 moves to the tip of the center electrode 11 and converges as a single plasma at the tip to emit light.

アブレーションガス形成部30は、レーザ光Lを出射するレーザ装置31を有し、レーザ光Lをプラズマ媒質供給部41に提供する。例えば、アブレーションガス形成部30は、ビーム径30mmのレーザ光Lを集光し、プラズマ媒質M(図3参照)に照射する。レーザ光Lが照射されたプラズマ媒質Mの照射面Ma(図3参照)では、アブレーションによってプラズマ媒質Mの一部が、プラズマ媒質Mの蒸気(アブレーションガス)となって放出される。アブレーションガスは、中性ガス又はイオンを含む。また、レーザ装置31は、プラズマの初期放電(即ち、面状放電6:図7の(b)部参照)を発生させる。レーザ装置31は例えばYAGレーザであり、アブレーションを行うために基本波又は基本波の二倍波をパルスのレーザ光Lとして出力する。 The ablation gas forming unit 30 has a laser device 31 that emits the laser light L, and provides the laser light L to the plasma medium supply unit 41. For example, the ablation gas forming unit 30 collects the laser beam L having a beam diameter of 30 mm and irradiates the plasma medium M (see FIG. 3). On the irradiation surface Ma (see FIG. 3) of the plasma medium M irradiated with the laser beam L, a part of the plasma medium M is emitted as vapor (ablation gas) of the plasma medium M by ablation. The ablation gas contains a neutral gas or ions. Further, the laser device 31 generates an initial discharge of plasma (that is, planar discharge 6: see part (b) of FIG. 7). The laser device 31 is, for example, a YAG laser, and outputs a fundamental wave or a double wave of the fundamental wave as a pulsed laser beam L for ablation.

アブレーションガス形成部30は、更に、光路制御部32を有する。図2に示されるように、光路制御部32は、レーザ光Lを分割すると共に、レーザ光Lの光路の方向を変更することにより、レーザ光Lをプラズマ媒質供給部41に提供する。本実施形態において、プラズマ媒質供給部41は中心電極11の外周面に設けられている。光路制御部32は、ビームスプリッタ34及びミラー35(光反射部)を有する。ビームスプリッタ34は、レーザ装置31から出射されたレーザ光Lの光路上に配置される。ビームスプリッタ34は、入射されるレーザ光Lの一部を透過すると共に、残りを入射方向に対応する所定の方向へ反射する。すなわち、ビームスプリッタ34は、入射されるレーザ光Lの光路方向に対して平行な光路と、入射されるレーザ光Lの光路方向に対してレーザ光Lの入射角度に対応する方向の光路とを形成する。また、ミラー35は、入射されるレーザ光Lのすべてを入射方向に対応する方向へ反射する。すなわち、ミラー35は、入射されるレーザ光Lの光路方向に対して90°だけ傾いた光路を形成する。 The ablation gas forming unit 30 further includes an optical path control unit 32. As shown in FIG. 2, the optical path control unit 32 provides the laser light L to the plasma medium supply unit 41 by dividing the laser light L and changing the direction of the optical path of the laser light L. In the present embodiment, the plasma medium supply unit 41 is provided on the outer peripheral surface of the center electrode 11. The optical path control unit 32 includes a beam splitter 34 and a mirror 35 (light reflection unit). The beam splitter 34 is arranged on the optical path of the laser beam L emitted from the laser apparatus 31. The beam splitter 34 transmits a part of the incident laser beam L and reflects the rest in a predetermined direction corresponding to the incident direction. That is, the beam splitter 34 has an optical path parallel to the optical path direction of the incident laser beam L and an optical path in a direction corresponding to the incident angle of the laser beam L with respect to the optical path direction of the incident laser beam L. Form. Further, the mirror 35 reflects all of the incident laser light L in the direction corresponding to the incident direction. That is, the mirror 35 forms an optical path inclined by 90 ° with respect to the optical path direction of the incident laser beam L.

なお、図2に示されるビームスプリッタ34及びミラー35の配置は一例であり、レーザ装置31とプラズマ媒質供給部41との位置関係に応じて、必要な数のビームスプリッタ34及びミラー35を用いて、所望の光路が形成されるように配置してよい。 The arrangement of the beam splitter 34 and the mirror 35 shown in FIG. 2 is an example, and a necessary number of beam splitters 34 and mirrors 35 are used according to the positional relationship between the laser device 31 and the plasma medium supply unit 41. , It may be arranged so that a desired optical path is formed.

光路制御部32は、ビームスプリッタ34及びミラー35に加えて、更にミラー35の姿勢を制御する姿勢制御部36を有する。具体的には、姿勢制御部36は、ミラー35を所定の軸線A1のまわりに回転させる装置であり、ミラー35へ入射されるレーザ光Lに対するミラー35の角度を制御する。図3に示されるように、レーザ光Lの入射方向が一定である場合に、ミラー35を時計方向に微小角度だけ回転させると、ミラー35へのレーザ光Lの入射角度が変わる。そして、ミラー35において反射されるレーザ光Lの方向は、レーザ光Lの入射角度に対応して、変化する。この場合、レーザ光Lの照射位置が変化する。このように、ミラー35の角度を変更することにより、レーザ光Lの反射方向が変わる。レーザ光Lの反射方向が変わると、プラズマ媒質供給部41へのレーザ光Lの照射位置が変わる。 In addition to the beam splitter 34 and the mirror 35, the optical path control unit 32 further includes an attitude control unit 36 that controls the attitude of the mirror 35. Specifically, the attitude control unit 36 is a device that rotates the mirror 35 around a predetermined axis A1 and controls the angle of the mirror 35 with respect to the laser beam L incident on the mirror 35. As shown in FIG. 3, when the incident direction of the laser beam L is constant and the mirror 35 is rotated clockwise by a minute angle, the incident angle of the laser beam L on the mirror 35 changes. Then, the direction of the laser beam L reflected by the mirror 35 changes according to the incident angle of the laser beam L. In this case, the irradiation position of the laser beam L changes. By changing the angle of the mirror 35 in this way, the reflection direction of the laser beam L changes. When the reflection direction of the laser light L changes, the irradiation position of the laser light L on the plasma medium supply unit 41 changes.

レーザ光Lの照射時には、同軸状電極10の中心電極11と外部電極12に電圧印加装置20による放電電圧が既に印加されている。したがって、上述のアブレーションが発生すると、中心電極11と外部電極12との間において放電が誘発される。更に、この放電によって面状放電6(図4参照)が形成される。 At the time of irradiation with the laser beam L, the discharge voltage by the voltage applying device 20 has already been applied to the center electrode 11 and the external electrode 12 of the coaxial electrode 10. Therefore, when the above-mentioned ablation occurs, a discharge is induced between the center electrode 11 and the external electrode 12. Further, this discharge forms a planar discharge 6 (see FIG. 4).

放電の発生箇所は、レーザ光Lの照射領域及びその近傍に制限される可能性がある。したがって、レーザ光Lは軸線Aの周方向に沿って間隔を置いて、複数且つ同時に照射することが好ましく、その数は少なくとも2箇所である。これは、誘発された放電の領域が、中心電極11の軸を基点に180度以上の開き角があった実験結果に基づいている。この結果を考慮すると、照射箇所の数が少ないほど中心電極11に対して回転対称な位置にレーザ光Lを照射することが望ましい。なお、複数のレーザ光Lの同時照射は、ビームスプリッタ及びミラー等の光学素子を用いて光路長を合わせた複数の光路を形成することで容易に達成できる。 The location where the discharge is generated may be limited to the irradiation region of the laser beam L and its vicinity. Therefore, it is preferable that a plurality of laser beams L are irradiated at the same time at intervals along the circumferential direction of the axis A, and the number of the laser beams L is at least two. This is based on the experimental result that the region of the induced discharge had an opening angle of 180 degrees or more with respect to the axis of the center electrode 11. Considering this result, it is desirable to irradiate the laser beam L at a position rotationally symmetric with respect to the center electrode 11 as the number of irradiation points decreases. Simultaneous irradiation of a plurality of laser beams L can be easily achieved by forming a plurality of optical paths having matching optical path lengths using optical elements such as a beam splitter and a mirror.

プラズマ媒質供給部41は、プラズマ光の発生に用いられるプラズマ媒質Mを供給する。プラズマ媒質Mは、必要とされる紫外線の波長に応じて選択され得る。たとえば、13.5nmの紫外光が必要な場合は、プラズマ媒質Mは、リチウム(Li)、キセノン(Xe)、スズ(Sn)等が用いられる。また、6.7nmの紫外光が必要な場合は、プラズマ媒質Mは、ガドリニウム(Gd)、テルビウム(Tb)等の少なくとも1つが用いられる。 The plasma medium supply unit 41 supplies the plasma medium M used for generating plasma light. The plasma medium M can be selected depending on the required wavelength of ultraviolet light. For example, when ultraviolet light of 13.5 nm is required, lithium (Li), xenon (Xe), tin (Sn) or the like is used as the plasma medium M. When ultraviolet light of 6.7 nm is required, at least one of gadolinium (Gd), terbium (Tb) and the like is used as the plasma medium M.

続いて、図4を参照してプラズマ光源の動作について説明する。図4の(a)部はレーザ光Lの照射時の状態、図4の(b)部は面状放電6の発生時の状態、図4の(c)部は面状放電6の移動中の状態、図4の(d)部は面状放電6が電極の先端近傍に達した状態、図4の(e)部はプラズマ7の初期の閉じ込め時の状態、図4の(f)部は高温及び高密度化されたプラズマ7の状態を示している。 Subsequently, the operation of the plasma light source will be described with reference to FIG. The part (a) in FIG. 4 is the state when the laser beam L is irradiated, the part (b) in FIG. 4 is the state when the planar discharge 6 is generated, and the portion (c) in FIG. 4 is the moving state of the planar discharge 6. The part (d) in FIG. 4 is the state in which the planar discharge 6 reaches the vicinity of the tip of the electrode, the part (e) in FIG. 4 is the state in the initial confinement of the plasma 7, and the part (f) in FIG. Shows the state of high temperature and high density plasma 7.

図4(a)に示されるように、放電電圧が印加された状態で、プラズマ媒質供給部41のプラズマ媒質Mにレーザ光Lが照射されるとアブレーションガスが生成され、その直後、中心電極11及び外部電極12の間で放電が発生する。複数の外部電極12のそれぞれに対して、中心電極11との間で放電が生じる。これにより、図4(b)に示されるように、中心電極11の全周に亘って分布する面状放電6が得られる。 As shown in FIG. 4A, when the plasma medium M of the plasma medium supply unit 41 is irradiated with the laser light L while the discharge voltage is applied, an ablation gas is generated, and immediately after that, the center electrode 11 And a discharge is generated between the external electrodes 12. A discharge is generated between each of the plurality of external electrodes 12 and the center electrode 11. As a result, as shown in FIG. 4B, a planar discharge 6 distributed over the entire circumference of the center electrode 11 is obtained.

図4(c)に示されるように、面状放電6は、自己磁場によって電極から排出される方向(中央面Pに向かう方向)に移動する。このときの面状放電6の形状は、軸線Aから見て略環状である。 As shown in FIG. 4C, the planar discharge 6 moves in the direction of being discharged from the electrode (direction toward the central surface P) by the self-magnetic field. The shape of the planar discharge 6 at this time is substantially annular when viewed from the axis A.

ここで、プラズマ光源1はエネルギー蓄積回路26を備えているため、エネルギー蓄積回路26と複数の外部電極12との協働により、面状放電6の発生確率が高められている。間隔をあけて非連続的に配置される複数の外部電極12は、連続した管状(筒状)の外部電極が採用される場合に比して、面状放電6の形成を容易にするという観点で有利である。 Here, since the plasma light source 1 includes an energy storage circuit 26, the probability of occurrence of the planar discharge 6 is increased by the cooperation between the energy storage circuit 26 and the plurality of external electrodes 12. The plurality of external electrodes 12 arranged discontinuously at intervals facilitate the formation of the planar discharge 6 as compared with the case where a continuous tubular (cylindrical) external electrode is adopted. Is advantageous.

その後、図4(d)に示されるように、面状放電6は同軸状電極10の先端に達する。面状放電6が中心電極11の先端に達したことで、その放電電流の出発点は中心電極11の側面11bから端面11aに移行する。この電流の移行によって、一対の面状放電6に伴って移動してきたリチウム(Li)を含むプラズマは収束し、高密度かつ高温になる。 After that, as shown in FIG. 4D, the planar discharge 6 reaches the tip of the coaxial electrode 10. When the planar discharge 6 reaches the tip of the center electrode 11, the starting point of the discharge current shifts from the side surface 11b of the center electrode 11 to the end face 11a. Due to this current transfer, the plasma containing lithium (Li) that has moved along with the pair of planar discharges 6 converges to a high density and high temperature.

この現象は中央面Pを挟んだ同軸状電極10で進行するため、初期プラズマは、一方の同軸状電極10から他方の同軸状電極10に向かって押し出される。その結果、初期プラズマは、軸線Aに沿う両方向からの圧力を受けて同軸状電極10が対面する中間位置(すなわち中央面Pの位置)に移動し、プラズマ媒質Mを成分とする単一のプラズマ7が形成される。 Since this phenomenon proceeds at the coaxial electrodes 10 sandwiching the central surface P, the initial plasma is pushed out from one coaxial electrode 10 toward the other coaxial electrode 10. As a result, the initial plasma moves to the intermediate position (that is, the position of the central surface P) where the coaxial electrodes 10 face each other under pressure from both directions along the axis A, and is a single plasma containing the plasma medium M as a component. 7 is formed.

図4(e)に示されるように、プラズマ7が形成された後も、面状放電6を通じて電流が流れ続け、プラズマ7を全体的に包囲し、プラズマ7を中心電極11の中間付近に保持する。 As shown in FIG. 4 (e), even after the plasma 7 is formed, the current continues to flow through the planar discharge 6, surrounds the plasma 7 as a whole, and holds the plasma 7 near the middle of the center electrode 11. To do.

面状放電6が発生している間は、プラズマ7の高密度化及び高温化が進行し、リチウム(Li)を含むイオンの電離が進行する。その結果、図4(f)に示されるように、プラズマ7からは極端紫外光を含むプラズマ光9が放射される。この状態において、面状放電6を通じて電流が流れ続けることにより、長時間に亘って、プラズマ光9が発生し得る。 While the planar discharge 6 is generated, the density and temperature of the plasma 7 are increased, and the ions containing lithium (Li) are ionized. As a result, as shown in FIG. 4 (f), plasma light 9 including extreme ultraviolet light is emitted from plasma 7. In this state, the plasma light 9 can be generated for a long time by continuing the current flowing through the planar discharge 6.

ここで、図5を参照して本発明の一実施形態に係るアブレーションの調整方法について説明する。このアブレーションの調整方法は、プラズマ光源1の運転開始前の試運転段階において行われるものである。図5に示されるように、このアブレーションの調整方法ではまず、プラズマ光源1の立ち上げが行われる(工程S1)。工程S1では、チャンバ2内を真空状態にする等、プラズマを発生させるための準備が行われる。次に、中心電極11とそれぞれの外部電極12との間に電圧が印加される(工程S2、電圧印加工程)。工程S2では、電圧印加装置20により、第1同軸状電極10A及び第2同軸状電極10Bのそれぞれに電圧が印加される。 Here, a method of adjusting ablation according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. This ablation adjustment method is performed in the trial run stage before the start of operation of the plasma light source 1. As shown in FIG. 5, in this ablation adjustment method, the plasma light source 1 is first started up (step S1). In step S1, preparations for generating plasma are made, such as creating a vacuum inside the chamber 2. Next, a voltage is applied between the center electrode 11 and each of the external electrodes 12 (step S2, voltage application step). In step S2, the voltage application device 20 applies a voltage to each of the first coaxial electrode 10A and the second coaxial electrode 10B.

続いて、中心電極とそれぞれの外部電極との間にプラズマ(初期プラズマ)を発生させる(工程S3、プラズマ発生工程)。工程S3では、プラズマ媒質Mにレーザ光Lをパルスで照射し、プラズマ媒質Mをアブレーションさせる。これにより、中心電極11と外部電極12との間にアブレーションガスを供給され、中心電極11と外部電極12との間に一時的にプラズマ(初期プラズマ)が発生する。このようにプラズマが発生したとき、中心電極11と外部電極12との間に電流が流れる。 Subsequently, plasma (initial plasma) is generated between the center electrode and each external electrode (step S3, plasma generation step). In step S3, the plasma medium M is irradiated with the laser beam L in pulses to ablate the plasma medium M. As a result, an ablation gas is supplied between the center electrode 11 and the external electrode 12, and plasma (initial plasma) is temporarily generated between the center electrode 11 and the external electrode 12. When plasma is generated in this way, a current flows between the center electrode 11 and the external electrode 12.

次に、工程S3において、中心電極11とそれぞれの外部電極12との間に流れる電流を測定する(工程S4、測定工程)。複数の電流は、例えば、それぞれの外部電極12に対してロゴスキーコイル等を用いて誘導結合された線路を設け、オシロスコープ等によりこの線路に流れる電流を検出することにより測定することができる。 Next, in step S3, the current flowing between the center electrode 11 and each of the external electrodes 12 is measured (step S4, measurement step). The plurality of currents can be measured, for example, by providing an inductively coupled line to each of the external electrodes 12 using a Rogowski coil or the like and detecting the current flowing through this line with an oscilloscope or the like.

次に、工程S4において測定された複数の電流の立ち上がり時間の差と閾値とを比較する(工程S5、比較工程)。ここで、電流の「立ち上がり時間」とは、レーザ光Lを照射してから電流が一定の値を超えるまでの時間をいう。「一定の値」は、例えば、電流のピーク値の1/10〜1/20程度に設定することができる。また、複数の電流の「立ち上がり時間の差」とは、例えば、計測された複数の電流の立ち上がり時間のうち、最も遅い立ち上がり時間と最も早い立ち上がり時間との差とすることができる。閾値は、例えば、工程S3において発生したプラズマ(初期プラズマ)が中心電極11の先端に移動するまでの時間(プラズマ到達時間)の1/10以下とすることができる。なお、プラズマが中心電極11の先端に移動するまでの時間は、電流量と中心電極11の長さに依存する。本実施形態のようにプラズマ光源1が第1同軸状電極10A及び第2同軸状電極10Bを備えた対向型プラズマフォーカス型である場合には、第1中心電極11Aと第1外部電極12Aとの間、及び、第2中心電極11Bと第2外部電極12Bとの間に流れる合計12個の電流から「立ち上がり時間の差」を求めることができる。また、第1同軸状電極10A及び第2同軸状電極10Bのそれぞれにおいて、合計6個の電流から「立ち上がり時間の差」を求めてもよい。 Next, the difference between the rise times of the plurality of currents measured in step S4 and the threshold value are compared (step S5, comparison step). Here, the "rise time" of the current means the time from the irradiation of the laser beam L until the current exceeds a certain value. The "constant value" can be set to, for example, about 1/10 to 1/20 of the peak value of the current. Further, the "difference in rise time" of the plurality of currents can be, for example, the difference between the latest rise time and the earliest rise time of the measured rise times of the plurality of currents. The threshold value can be, for example, 1/10 or less of the time (plasma arrival time) until the plasma (initial plasma) generated in step S3 moves to the tip of the center electrode 11. The time until the plasma moves to the tip of the center electrode 11 depends on the amount of current and the length of the center electrode 11. When the plasma light source 1 is a opposed plasma focus type having a first coaxial electrode 10A and a second coaxial electrode 10B as in the present embodiment, the first center electrode 11A and the first external electrode 12A are combined. The "difference in rise time" can be obtained from the total of 12 currents flowing between the second center electrode 11B and the second external electrode 12B. Further, in each of the first coaxial electrode 10A and the second coaxial electrode 10B, the "difference in rise time" may be obtained from a total of six currents.

工程S5において、複数の電流の立ち上がり時間の差が閾値よりも小さい場合には、レーザ光Lを連続してプラズマ媒質Mに照射し、プラズマ光源1の運転を開始する(工程S6)。反対に、工程S5において、複数の電流の立ち上がり時間の差が閾値よりも大きい場合には、アブレーションガスの分布を調整する(工程S7、調整工程)。 In step S5, when the difference between the rise times of the plurality of currents is smaller than the threshold value, the plasma medium M is continuously irradiated with the laser beam L, and the operation of the plasma light source 1 is started (step S6). On the contrary, in step S5, when the difference between the rise times of the plurality of currents is larger than the threshold value, the distribution of the ablation gas is adjusted (step S7, adjustment step).

この調整工程において、アブレーションガスの分布は、プラズマ媒質Mに対するレーザ光Lの照射条件を変更することにより調節される。より具体的には、姿勢制御部36によってミラー35(図3参照)の角度を変え、プラズマ媒質Mに対するレーザ光Lの照射位置を変更する。これにより、アブレーションガスが放出される位置を変更することができる。例えば、アブレーションガスの濃度が低い部分においては電流の立ち上がり時間が遅くなると予想されるので、電流の立ち上がり時間が遅い外部電極12の近くにレーザ光Lが照射されるように調整することができる。なお、ミラー35の角度を変えず、レーザ光Lの光路上においてミラー35を移動させることによってレーザ光Lの照射位置を変更してもよい。 In this adjustment step, the distribution of the ablation gas is adjusted by changing the irradiation conditions of the laser beam L to the plasma medium M. More specifically, the attitude control unit 36 changes the angle of the mirror 35 (see FIG. 3) to change the irradiation position of the laser beam L with respect to the plasma medium M. As a result, the position where the ablation gas is discharged can be changed. For example, since the rise time of the current is expected to be slow in the portion where the concentration of the ablation gas is low, it is possible to adjust so that the laser beam L is irradiated near the external electrode 12 having a slow rise time of the current. The irradiation position of the laser beam L may be changed by moving the mirror 35 on the optical path of the laser beam L without changing the angle of the mirror 35.

このようにアブレーションガスの分布を調整することにより、複数の電流の立ち上がり時間の差を小さくすることが可能である。図6は、調整工程(工程S7)の前に測定されたそれぞれの電流の一例を示す図である。また、図7は調整工程(工程S7)の後に測定されたそれぞれの電流の一例を示す図である。なお、図6及び図7では、説明の簡単のために4つの電流のみを示している。図6及び図7に示されるように、工程S7においてアブレーションガスの分布を調整したことにより、4つの電流の立ち上がり時間の差を小さくすることが可能である。 By adjusting the distribution of the ablation gas in this way, it is possible to reduce the difference in the rise time of a plurality of currents. FIG. 6 is a diagram showing an example of each current measured before the adjustment step (step S7). Further, FIG. 7 is a diagram showing an example of each current measured after the adjustment step (step S7). Note that, in FIGS. 6 and 7, only four currents are shown for the sake of simplicity. As shown in FIGS. 6 and 7, by adjusting the distribution of the ablation gas in step S7, it is possible to reduce the difference between the rise times of the four currents.

工程S7においてアブレーションガスの分布を調整した後、工程S3〜工程S5を再度実行する。このように、複数の電流の立ち上がり時間の差が閾値よりも小さくなるまで、工程S7、工程S3、工程S4、及び工程S5を繰り返し実行する。これにより、運転を開始する工程である工程S6において中心電極11とそれぞれの外部電極12との間でプラズマが発生するタイミングの均一化が図られるので、高温及び高密度なプラズマ7を生成することができる。 After adjusting the distribution of the ablation gas in step S7, steps S3 to S5 are executed again. In this way, steps S7, step S3, step S4, and step S5 are repeatedly executed until the difference between the rise times of the plurality of currents becomes smaller than the threshold value. As a result, in step S6, which is a step of starting operation, the timing of plasma generation between the center electrode 11 and each of the external electrodes 12 can be made uniform, so that high-temperature and high-density plasma 7 can be generated. Can be done.

以上説明したように、本発明の一実施形態に係るアブレーションの調整方法では、アブレーションガスの分布を調整する工程S7(調整工程)により、第1中心電極11Aとそれぞれの第1外部電極12Aとの間に流れる複数の電流の立ち上がり時間の差が閾値より大きい場合に、プラズマ媒質Mに対するレーザ光Lの照射条件を変更する。それぞれの電流の立ち上がり時間、すなわち、プラズマが発生するタイミングは、アブレーションガスの濃度によって変化する。したがって、アブレーションガスの分布を調整することにより、第1中心電極11Aとそれぞれの第1外部電極12Aとの間でプラズマが発生するタイミングの均一化を図ることが可能である。 As described above, in the ablation adjusting method according to the embodiment of the present invention, the first center electrode 11A and the respective first external electrodes 12A are connected by the step S7 (adjusting step) for adjusting the distribution of the ablation gas. When the difference between the rise times of the plurality of currents flowing between them is larger than the threshold value, the irradiation conditions of the laser beam L to the plasma medium M are changed. The rise time of each current, that is, the timing at which plasma is generated, changes depending on the concentration of the ablation gas. Therefore, by adjusting the distribution of the ablation gas, it is possible to make the timing of plasma generation uniform between the first center electrode 11A and the respective first external electrodes 12A.

また、工程S2(電圧印加工程)では、第1中心電極11Aとそれぞれの第1外部電極12Aとの間、及び、第2中心電極11Bとそれぞれの第2外部電極12Bとの間に電圧を印加する。工程S3(プラズマ発生工程)では、第1中心電極11Aとそれぞれの第1外部電極12Aとの間、及び、第2中心電極11Bとそれぞれの第2外部電極12Bとの間にアブレーションガスを供給し、第1中心電極11Aとそれぞれの第1外部電極12Aとの間、及び、第2中心電極11Bとそれぞれの第2外部電極12Bとの間にプラズマを発生させる。工程S4(測定工程)では、第1中心電極11Aとそれぞれの第1外部電極12Aとの間、及び、第2中心電極11Bとそれぞれの第2外部電極12Bとの間に流れる電流をそれぞれ測定する。これにより、第1中心電極11Aとそれぞれの第1外部電極12Aとの間、及び、第2中心電極11Bとそれぞれの第2外部電極12Bとの間に流れる複数の電流の立ち上がり時間の差と閾値とを比較し、アブレーションガスの分布の調整が行われる。したがって、第1同軸状電極10Aと第2同軸状電極10Bとの間においても、プラズマが発生するタイミングの均一化を図ることが可能である。 Further, in step S2 (voltage application step), a voltage is applied between the first center electrode 11A and each of the first external electrodes 12A, and between the second center electrode 11B and each of the second external electrodes 12B. To do. In step S3 (plasma generation step), ablation gas is supplied between the first center electrode 11A and each of the first external electrodes 12A, and between the second center electrode 11B and each of the second external electrodes 12B. , Plasma is generated between the first center electrode 11A and each of the first external electrodes 12A, and between the second center electrode 11B and each of the second external electrodes 12B. In step S4 (measurement step), the currents flowing between the first center electrode 11A and each of the first external electrodes 12A and between the second center electrode 11B and each of the second external electrodes 12B are measured. .. As a result, the difference and the threshold value of the rise time of a plurality of currents flowing between the first center electrode 11A and each of the first external electrodes 12A and between the second center electrode 11B and each of the second external electrodes 12B. The distribution of the ablation gas is adjusted by comparing with. Therefore, it is possible to make the timing of plasma generation uniform between the first coaxial electrode 10A and the second coaxial electrode 10B.

プラズマ光源1は、レーザ光Lの光路上に配置されてレーザ光Lを反射するミラー35を備え、工程S7(調整工程)では、ミラー35によってレーザ光Lの照射位置を変更することによりアブレーションガスの分布を調整する。これにより、アブレーションガスが放出される位置を変更することができるので、第1中心電極11Aとそれぞれの第1外部電極12Aとの間のアブレーションガスの分布を調整することが可能である。また、第2中心電極11Bとそれぞれの第2外部電極12Bとの間のアブレーションガスの分布を調整することが可能である。 The plasma light source 1 includes a mirror 35 that is arranged on the optical path of the laser light L and reflects the laser light L. In step S7 (adjustment step), the ablation gas is changed by changing the irradiation position of the laser light L by the mirror 35. Adjust the distribution of. As a result, the position where the ablation gas is discharged can be changed, so that the distribution of the ablation gas between the first center electrode 11A and the respective first external electrodes 12A can be adjusted. Further, it is possible to adjust the distribution of the ablation gas between the second center electrode 11B and each of the second external electrodes 12B.

次に、アブレーションの調整方法の第1変形例について説明する。図8は、第1変形例に係るアブレーションの調整方法を実施可能なプラズマ光源の一部を概略的に示す図である。プラズマ光源1では、プラズマ媒質供給部41はそれぞれの中心電極11の外周面に1つずつ設けられていたのに対し、図8に示されるように、第1変形例に係るアブレーションの調整方法を実施可能なプラズマ光源1Bでは、1個の同軸状電極10に対して2個のプラズマ媒質供給部41を有しており、プラズマ媒質供給部41は同軸状電極10の外側に設けられている。なお、プラズマ媒質供給部41の個数は2個に限定されず、同軸状電極10の大きさや形状等に応じて適宜設定され得る。一対のプラズマ媒質供給部41は、同軸状電極10の周囲に配置されている。具体的には、一対のプラズマ媒質供給部41は、軸線Aの周りに180度の間隔をもって配置されている。換言すると、一対のプラズマ媒質供給部41は、軸線Aからの距離が互いに等しい位置に配置されている。更に、一対のプラズマ媒質供給部41は、軸線Aを中心とする仮想的な円周線上において等間隔に配置されている。また、プラズマ媒質供給部41は、軸線Aの方向においては、中心電極11の先端から絶縁体13の間に配置されている。一対のプラズマ媒質供給部41は、それぞれ軸線A41を中心として回転可能に構成されている。 Next, a first modification of the ablation adjustment method will be described. FIG. 8 is a diagram schematically showing a part of a plasma light source in which the ablation adjustment method according to the first modification can be implemented. In the plasma light source 1, one plasma medium supply unit 41 is provided on the outer peripheral surface of each center electrode 11, whereas as shown in FIG. 8, a method for adjusting ablation according to the first modification is used. The feasible plasma light source 1B has two plasma medium supply units 41 for one coaxial electrode 10, and the plasma medium supply unit 41 is provided outside the coaxial electrode 10. The number of plasma medium supply units 41 is not limited to two, and can be appropriately set according to the size and shape of the coaxial electrode 10. The pair of plasma medium supply units 41 are arranged around the coaxial electrode 10. Specifically, the pair of plasma medium supply units 41 are arranged around the axis A at an interval of 180 degrees. In other words, the pair of plasma medium supply units 41 are arranged at positions where the distances from the axis A are equal to each other. Further, the pair of plasma medium supply units 41 are arranged at equal intervals on a virtual circumference line centered on the axis A. Further, the plasma medium supply unit 41 is arranged between the tip of the center electrode 11 and the insulator 13 in the direction of the axis A. The pair of plasma medium supply units 41 are configured to be rotatable about the axis A41, respectively.

上記の構成を有するプラズマ光源1Bにおいてアブレーションガスの分布を調整する場合には、工程S7において、プラズマ媒質供給部41の角度を変更する。これにより、レーザ光Lが照射されるプラズマ媒質Mの照射面Maの角度を変更する。アブレーションガスは、プラズマ媒質の照射面に対して垂直方向を中心として放出される。この方法によれば、アブレーションガスが放出される方向を変更することができるので、中心電極11とそれぞれの外部電極12との間のアブレーションガスの分布を調整することが可能である。すなわち、本変形例における「照射条件」は、プラズマ媒質Mの照射面Maの角度である。 When adjusting the distribution of the ablation gas in the plasma light source 1B having the above configuration, the angle of the plasma medium supply unit 41 is changed in step S7. As a result, the angle of the irradiation surface Ma of the plasma medium M to which the laser beam L is irradiated is changed. The ablation gas is emitted centering on the direction perpendicular to the irradiation surface of the plasma medium. According to this method, the direction in which the ablation gas is discharged can be changed, so that the distribution of the ablation gas between the center electrode 11 and each of the external electrodes 12 can be adjusted. That is, the "irradiation condition" in this modification is the angle of the irradiation surface Ma of the plasma medium M.

次に、アブレーションの調整方法の第2変形例について説明する。図9は、第2変形例に係るアブレーションの調整方法を実施可能なプラズマ光源の一部を概略的に示す図である。図9に示されるように、第2変形例に係るアブレーションの調整方法を実施可能なプラズマ光源1Cのアブレーションガス形成部30は、エネルギー制御部33を有している。 Next, a second modification of the ablation adjustment method will be described. FIG. 9 is a diagram schematically showing a part of a plasma light source capable of carrying out the ablation adjustment method according to the second modification. As shown in FIG. 9, the ablation gas forming unit 30 of the plasma light source 1C capable of carrying out the ablation adjusting method according to the second modification has an energy control unit 33.

エネルギー制御部33は、プラズマ媒質Mへのレーザ光Lの照射条件の変更によって、プラズマ媒質Mへ供給されるエネルギーを調整することができる。図9に示されるように、エネルギー制御部33は、焦点制御部37を有する。焦点制御部37は、光路制御部32とプラズマ媒質供給部41との間に配置され、プラズマ媒質Mに対してレーザ光Lの集光位置を調整することができる。焦点制御部37は、レンズ37aとレンズ駆動部37bとを有する。レンズ37aは、光路上において光路制御部32のミラー35とプラズマ媒質供給部41との間に配置され、レーザ光Lを焦点位置FPに収束させる。レンズ37aの焦点距離は、例えば300mmである。レンズ駆動部37bは、レンズ37aをレンズ37aの光軸A2の方向に沿って往復移動させる。なお、エネルギー制御部33は、レーザ光Lを出射するレーザ装置の出力を制御することによってプラズマ媒質Mへ供給されるエネルギーを調整してもよい。 The energy control unit 33 can adjust the energy supplied to the plasma medium M by changing the irradiation conditions of the laser beam L to the plasma medium M. As shown in FIG. 9, the energy control unit 33 has a focus control unit 37. The focus control unit 37 is arranged between the optical path control unit 32 and the plasma medium supply unit 41, and can adjust the condensing position of the laser beam L with respect to the plasma medium M. The focus control unit 37 has a lens 37a and a lens drive unit 37b. The lens 37a is arranged on the optical path between the mirror 35 of the optical path control unit 32 and the plasma medium supply unit 41, and converges the laser beam L to the focal position FP. The focal length of the lens 37a is, for example, 300 mm. The lens driving unit 37b reciprocates the lens 37a along the direction of the optical axis A2 of the lens 37a. The energy control unit 33 may adjust the energy supplied to the plasma medium M by controlling the output of the laser device that emits the laser beam L.

上記の構成を有するプラズマ光源1Bにおいてアブレーションガスの分布を調整する場合には、工程S7において、レーザ光Lの集光位置を変更する。これにより、レーザ光Lの強度を変更し、アブレーションガスの分布を調整する。この方法によれば、プラズマ媒質Mに照射されるレーザ光Lのエネルギー密度が変わるので、アブレーションガスが生成される量を変更することができる。より具体的には、プラズマ媒質Mの照射面Ma上にレーザ光Lの焦点位置FPがあるときは、レーザ光Lのエネルギー密度が最も大きくなるので、レーザ光Lの焦点位置FPをプラズマ媒質Mの照射面Ma上からずらすこと、すなわち、デフォーカスさせることにより、アブレーションガスの濃度を低下させることができる。したがって、中心電極11とそれぞれの外部電極12との間のアブレーションガスの分布を調整することが可能である。すなわち、本変形例における「照射条件」は、プラズマ媒質Mへ供給されるエネルギーである。 When adjusting the distribution of the ablation gas in the plasma light source 1B having the above configuration, the focusing position of the laser beam L is changed in step S7. As a result, the intensity of the laser beam L is changed and the distribution of the ablation gas is adjusted. According to this method, since the energy density of the laser beam L irradiated to the plasma medium M changes, the amount of ablation gas generated can be changed. More specifically, when the focal position FP of the laser beam L is on the irradiation surface Ma of the plasma medium M, the energy density of the laser beam L is the highest. Therefore, the focal position FP of the laser beam L is set to the plasma medium M. The concentration of the ablation gas can be reduced by shifting it from the irradiation surface Ma, that is, by defocusing. Therefore, it is possible to adjust the distribution of the ablation gas between the center electrode 11 and each of the external electrodes 12. That is, the "irradiation condition" in this modification is the energy supplied to the plasma medium M.

以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は上述した実施形態に限定されることなく種々の変形態様を採用可能である。例えば、上記の実施形態では一対の同軸状電極10に対して、中心電極11とそれぞれの外部電極12との間に流れる複数の電流(12個の電流)を測定し、アブレーションガスの分布を調整していたが、一方の同軸状電極10のみに対して中心電極11とそれぞれの外部電極12との間に流れる複数の電流(6個の電流)を測定し、アブレーションガスの分布を調整してもよい。 Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be adopted. For example, in the above embodiment, a plurality of currents (12 currents) flowing between the center electrode 11 and each of the external electrodes 12 are measured with respect to the pair of coaxial electrodes 10 to adjust the distribution of the ablation gas. However, for only one of the coaxial electrodes 10, a plurality of currents (six currents) flowing between the center electrode 11 and the respective external electrodes 12 were measured, and the distribution of the ablation gas was adjusted. May be good.

また、上記の実施形態では、工程S7における照射条件の変更として、レーザ光Lの照射位置を変更する場合、プラズマ媒質Mの照射面Maの角度を変更する場合、レーザ光Lの強度を変更する場合についてそれぞれ説明したが、これらを組み合わせてアブレーションガスの分布を調整してもよい。例えば、プラズマ光源1がエネルギー制御部33を更に備えている場合には、工程S7において、レーザ光Lの照射位置及びレーザ光Lの強度を変更することによりアブレーションガスの分布を調整してもよい。 Further, in the above embodiment, as the irradiation conditions in step S7, when the irradiation position of the laser beam L is changed, when the angle of the irradiation surface Ma of the plasma medium M is changed, the intensity of the laser beam L is changed. Although each case has been described, the distribution of the ablation gas may be adjusted by combining these cases. For example, when the plasma light source 1 further includes an energy control unit 33, the distribution of the ablation gas may be adjusted by changing the irradiation position of the laser beam L and the intensity of the laser beam L in step S7. ..

1、1B、1C プラズマ光源
2 チャンバ
3 排気管
6 面状放電
7 プラズマ
9 プラズマ光
10 同軸状電極
10A 第1同軸状電極
10B 第2同軸状電極
11 中心電極
11A 第1中心電極
11B 第2中心電極
11a 端面
11b 側面
12 外部電極
12A 第1外部電極
12B 第2外部電極
13 絶縁体
20 電圧印加装置
21、22 高圧電源(電源)
26 エネルギー蓄積回路
26a コンデンサ
28 放電電流阻止回路
28a インダクタ
30 アブレーションガス形成部
31 レーザ装置
32 光路制御部
33 エネルギー制御部
34 ビームスプリッタ
35 ミラー(光反射部)
36 姿勢制御部
37 焦点制御部
37a レンズ
37b レンズ駆動部
41 プラズマ媒質供給部
FP 焦点位置
L レーザ光
M プラズマ媒質
Ma 照射面
P 中央面
1, 1B, 1C Plasma light source 2 Chamber 3 Exhaust pipe 6 Planar discharge 7 Plasma 9 Plasma light 10 Coaxial electrode 10A 1st coaxial electrode 10B 2nd coaxial electrode 11 Center electrode 11A 1st center electrode 11B 2nd center electrode 11a End face 11b Side surface 12 External electrode 12A First external electrode 12B Second external electrode 13 Insulator 20 Voltage application device 21, 22 High-voltage power supply (power supply)
26 Energy storage circuit 26a Capacitor 28 Discharge current blocking circuit 28a Inductor 30 Ablation gas forming unit 31 Laser device 32 Optical path control unit 33 Energy control unit 34 Beam splitter 35 Mirror (light reflecting unit)
36 Attitude control unit 37 Focus control unit 37a Lens 37b Lens drive unit 41 Plasma medium supply unit FP Focus position L Laser light M Plasma medium Ma Irradiation surface P Central surface

Claims (4)

第1中心電極と前記第1中心電極から離間するように配置された複数の第1外部電極とを有し、極端紫外光を放出するプラズマを発生させる第1同軸状電極と、レーザ光が照射されることにより前記プラズマを発生させるためのアブレーションガスを放出するプラズマ媒質と、を備えるプラズマ光源において、
前記第1中心電極とそれぞれの前記第1外部電極との間に電圧を印加する電圧印加工程と、
前記プラズマ媒質に前記レーザ光をパルスで照射することにより前記第1中心電極とそれぞれの前記第1外部電極との間に前記アブレーションガスを供給し、前記第1中心電極とそれぞれの前記第1外部電極との間に前記プラズマを発生させるプラズマ発生工程と、
前記プラズマ発生工程において、前記第1中心電極とそれぞれの前記第1外部電極との間に流れる電流を測定する測定工程と、
前記測定工程において測定された複数の電流の立ち上がり時間の差と閾値とを比較する比較工程と、
複数の前記電流の立ち上がり時間の差が前記閾値より大きい場合に、前記プラズマ媒質に対する前記レーザ光の照射条件を変更することにより、前記アブレーションガスの分布を調整する調整工程と、を含み、
前記調整工程では、前記レーザ光が照射される前記プラズマ媒質の照射面の角度を変更することにより前記アブレーションガスの分布を調整する、アブレーションの調整方法。
A first coaxial electrode having a first center electrode and a plurality of first external electrodes arranged so as to be separated from the first center electrode and generating plasma that emits extreme ultraviolet light, and laser light are irradiated. In a plasma light source including a plasma medium that emits an ablation gas for generating the plasma by being generated.
A voltage application step of applying a voltage between the first center electrode and each of the first external electrodes,
By irradiating the plasma medium with the laser beam in a pulse, the ablation gas is supplied between the first center electrode and each of the first external electrodes, and the first center electrode and each of the first external electrodes are supplied. A plasma generation step of generating the plasma between the electrodes and
In the plasma generation step, a measurement step of measuring the current flowing between the first center electrode and each of the first external electrodes, and a measurement step.
A comparison step of comparing the difference between the rise times of a plurality of currents measured in the measurement step and the threshold value, and a comparison step.
If the difference between the rise time of a plurality of said current is greater than the threshold value, by changing the irradiation conditions of the laser beam with respect to the plasma medium, viewed including the adjusting step, the adjusting the distribution of the ablation gases,
In the adjustment step, an ablation adjustment method for adjusting the distribution of the ablation gas by changing the angle of the irradiation surface of the plasma medium irradiated with the laser beam .
前記プラズマ光源は、軸線上において前記第1同軸状電極と対面するように配置され、第2中心電極と前記第2中心電極から離間するように配置された複数の第2外部電極とを有し、前記極端紫外光を放出する前記プラズマを発生させる第2同軸状電極を更に備え、
前記電圧印加工程では、前記第1中心電極とそれぞれの前記第1外部電極との間、及び、前記第2中心電極とそれぞれの前記第2外部電極との間に電圧を印加し、
前記プラズマ発生工程では、前記第1中心電極とそれぞれの前記第1外部電極との間、及び、前記第2中心電極とそれぞれの前記第2外部電極との間に前記アブレーションガスを供給し、前記第1中心電極とそれぞれの前記第1外部電極との間、及び、前記第2中心電極とそれぞれの前記第2外部電極との間に前記プラズマを発生させ、
前記測定工程では、前記第1中心電極とそれぞれの前記第1外部電極との間、及び、前記第2中心電極とそれぞれの前記第2外部電極との間に流れる電流をそれぞれ測定する、請求項1に記載のアブレーションの調整方法。
The plasma light source has a plurality of second external electrodes arranged so as to face the first coaxial electrode on the axis and separated from the second center electrode. A second coaxial electrode that generates the plasma that emits the extreme ultraviolet light is further provided.
In the voltage application step, a voltage is applied between the first center electrode and each of the first external electrodes, and between the second center electrode and each of the second external electrodes.
In the plasma generation step, the ablation gas is supplied between the first center electrode and each of the first external electrodes, and between the second center electrode and each of the second external electrodes. The plasma is generated between the first center electrode and each of the first external electrodes, and between the second center electrode and each of the second external electrodes.
The measurement step is claimed to measure the current flowing between the first center electrode and each of the first external electrodes and between the second center electrode and each of the second external electrodes. The method for adjusting ablation according to 1.
前記プラズマ光源は、前記レーザ光の光路上に配置されて前記レーザ光を反射する光反射部を更に備え、
前記調整工程では、前記光反射部によって前記レーザ光の照射位置を変更することにより前記アブレーションガスの分布を調整する、請求項1又は2に記載のアブレーションの調整方法。
The plasma light source further includes a light reflecting portion that is arranged on the optical path of the laser light and reflects the laser light.
The method for adjusting ablation according to claim 1 or 2, wherein in the adjusting step, the distribution of the ablation gas is adjusted by changing the irradiation position of the laser beam by the light reflecting portion.
前記調整工程では、前記レーザ光の強度を変更することにより前記アブレーションガスの分布を調整する、請求項1〜の何れか一項に記載のアブレーションの調整方法。 The method for adjusting ablation according to any one of claims 1 to 3 , wherein in the adjusting step, the distribution of the ablation gas is adjusted by changing the intensity of the laser beam.
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