JP6796385B2 - Manufacturing method of AlN whiskers - Google Patents

Manufacturing method of AlN whiskers Download PDF

Info

Publication number
JP6796385B2
JP6796385B2 JP2016030903A JP2016030903A JP6796385B2 JP 6796385 B2 JP6796385 B2 JP 6796385B2 JP 2016030903 A JP2016030903 A JP 2016030903A JP 2016030903 A JP2016030903 A JP 2016030903A JP 6796385 B2 JP6796385 B2 JP 6796385B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
aln
mass
raw material
whiskers
whisker
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016030903A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2017149592A (en
Inventor
秋山 友宏
友宏 秋山
成 中田
成 中田
和人 原田
和人 原田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
COMBUSTION SYNTHESIS CO.,LTD.
Hokkaido University NUC
Original Assignee
COMBUSTION SYNTHESIS CO.,LTD.
Hokkaido University NUC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by COMBUSTION SYNTHESIS CO.,LTD., Hokkaido University NUC filed Critical COMBUSTION SYNTHESIS CO.,LTD.
Priority to JP2016030903A priority Critical patent/JP6796385B2/en
Publication of JP2017149592A publication Critical patent/JP2017149592A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6796385B2 publication Critical patent/JP6796385B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

本発明は、燃焼合成法を応用したAlNウィスカーの製造方法、及び、AlNウィスカーに関する。 The present invention relates to a method for producing an AlN whisker to which a combustion synthesis method is applied, and an AlN whisker.

従来のAlNウィスカーの製造方法として、特許文献1には、アルミナを窒素雰囲気下で1800℃〜2000℃において炭素を用いて還元することにより、AlNウィスカーを生成する製造法が開示されている。特許文献1での製造法は、黒鉛加熱デバイスを備えた横形炉の半連続式運転により遂行される。そして、アルミナ、炭素、及び成長活性剤としてのカルボニル鉄の混合物を装入した黒鉛容器を、上記炉に通じて周期的に供給する。また、特許文献2には、金属Al粉末等を5.0Torr以下の真空雰囲気中で540〜650℃まで昇温し、その温度を保持した状態でNガスの加圧雰囲気にて、直接窒化法によりAlNウィスカーを製造する方法が開示されている。更に、特許文献3では、Al−Ti−Siを主成分とする材料をアルミナボートに充填し、それを1500℃〜1800℃にて加熱溶融させ、窒素雰囲気下にて直接窒化法を用いて、材料の表面上にAlNウィスカーを生成させる方法が開示されている。 As a conventional method for producing an AlN whisker, Patent Document 1 discloses a production method for producing an AlN whisker by reducing alumina in a nitrogen atmosphere at 1800 ° C. to 2000 ° C. using carbon. The manufacturing method in Patent Document 1 is carried out by a semi-continuous operation of a horizontal furnace provided with a graphite heating device. Then, a graphite container charged with a mixture of alumina, carbon, and carbonyl iron as a growth activator is periodically supplied through the above furnace. Further, Patent Document 2, a metallic Al powder and the like in the following vacuum 5.0Torr was heated to five hundred and forty to six hundred and fifty ° C., at a pressurized atmosphere of N 2 gas while maintaining the temperature, direct nitriding A method for producing an AlN whiskers by law is disclosed. Further, in Patent Document 3, an alumina boat is filled with a material containing Al—Ti—Si as a main component, which is heated and melted at 1500 ° C. to 1800 ° C., and a direct nitriding method is used in a nitrogen atmosphere. A method for producing AlN whiskers on the surface of a material is disclosed.

特開平9−118598号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 9-118598 特開平11−139814号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 11-139814 特開2014−73951号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2014-73951

しかしながら、特許文献1で開示されているAlNウィスカーの製造方法では、炭素及びカルボニル鉄を還元剤として原料に添加している。このため、生成されたAlNウィスカー内部に炭素や鉄などの不純物や未反応のアルミナが残留する問題があった。その結果、AlNウィスカーの熱伝導性や絶縁性が劣り、この未反応や不純物を除去する処理が必要となった。また、特許文献1では、還元反応を起こすために高いエネルギーが必要であり、具体的には、外部加熱にて1800℃〜2000℃と非常に高い温度にて処理する必要があった。このため、エネルギーコスト面での課題があった。 However, in the method for producing AlN whiskers disclosed in Patent Document 1, carbon and carbonyl iron are added to the raw materials as reducing agents. Therefore, there is a problem that impurities such as carbon and iron and unreacted alumina remain inside the generated AlN whiskers. As a result, the thermal conductivity and insulating properties of the AlN whiskers were inferior, and a treatment for removing these unreacted substances and impurities was required. Further, in Patent Document 1, high energy is required to cause a reduction reaction, and specifically, it is necessary to treat at a very high temperature of 1800 ° C. to 2000 ° C. by external heating. Therefore, there is a problem in terms of energy cost.

また、特許文献2、及び特許文献3に記載されたAlNウィスカーの製造方法においても、外部加熱によりAlNウィスカーを生成させている。このため、特許文献1と同様に、エネルギーコスト面で課題があった。また、特許文献2及び特許文献3に記載された、外部加熱による方式では、炉の昇降温に時間がかかり、且つAlNウィスカーの成長を行うための保持時間も必要となった。この結果、AlNウィスカーの製造に要するサイクル時間が長くなり、AlNウィスカーの生産性が低下した。 Further, also in the method for producing AlN whiskers described in Patent Documents 2 and 3, AlN whiskers are produced by external heating. Therefore, as in Patent Document 1, there is a problem in terms of energy cost. Further, in the method by external heating described in Patent Documents 2 and 3, it takes time to raise and lower the temperature of the furnace, and a holding time for growing the AlN whiskers is also required. As a result, the cycle time required for manufacturing the AlN whiskers became long, and the productivity of the AlN whiskers decreased.

そこで本発明は、上記問題に鑑みてなされたもので、従来に比べて、高純度なAlNウィスカーを簡便な方法にて、短時間、省エネルギー、及び、低コストで製造することを可能としたAlNウィスカーの製造方法、及び、AlNウィスカーを提供することを目的とする。 Therefore, the present invention has been made in view of the above problems, and it has made it possible to manufacture a high-purity AlN whisker by a simple method in a short time, energy saving, and at low cost as compared with the conventional case. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a whisker and an AlN whisker.

本発明のAlNウィスカーの製造方法は、AlとNH Clを含有した原料を用いて、窒素雰囲気下にて、燃焼合成反応を行い、燃焼時の熱により、NH Clの分解ガスを排出させ、AlNウィスカーを、前記燃焼合成反応により生成することを特徴とする。 In the method for producing an AlN whisker of the present invention, a combustion synthesis reaction is carried out in a nitrogen atmosphere using a raw material containing Al and NH 4 Cl, and the decomposition gas of NH 4 Cl is discharged by the heat of combustion. , AlN whiskers are produced by the combustion synthesis reaction.

本発明では、前記原料の合成体表層に、前記AlNウィスカーを層状に生成させることが好ましい。 In the present invention, it is preferable to form the AlN whiskers in layers on the surface layer of the composite of the raw materials.

本発明のAlNウィスカーの製造方法は、窒素雰囲気下にて、Alと、0.5質量%以上5質量%以下のNH Clを含有した原料から、AlNウィスカーを、燃焼合成反応により生成することを特徴とする The method for producing an AlN whisker of the present invention is to produce an AlN whisker by a combustion synthesis reaction from a raw material containing Al and NH 4 Cl of 0.5% by mass or more and 5% by mass or less in a nitrogen atmosphere. It is characterized by .

本発明のAlNウィスカーの製造方法は、窒素雰囲気下にて、Alと、10質量%以上40質量%以下の希釈材としてのAlNを含有した原料から、AlNウィスカーを、燃焼合成反応により生成することを特徴とする The method for producing an AlN whisker of the present invention is to produce an AlN whisker by a combustion synthesis reaction from a raw material containing Al and AlN as a diluent of 10% by mass or more and 40% by mass or less in a nitrogen atmosphere. It is characterized by .

本発明のAlNウィスカーの製造方法は、窒素雰囲気下にて、Alと、0.5質量%以上5質量%以下のY を含有した原料から、AlNウィスカーを、燃焼合成反応により生成することを特徴とする Method of manufacturing AlN whiskers of the invention, under a nitrogen atmosphere, and Al, from the raw materials containing Y 2 O 3 of 5 wt% or less than 0.5 wt%, the AlN whiskers, produced by combustion synthesis reaction It is characterized by that .

本発明のAlNウィスカーの製造方法は、窒素雰囲気下にて、Alと、0.2質量%以上2質量%以下のAl を含有した原料から、AlNウィスカーを、燃焼合成反応により生成することを特徴とする In the method for producing an AlN whisker of the present invention, an AlN whisker is produced by a combustion synthesis reaction from a raw material containing Al and Al 2 O 3 of 0.2% by mass or more and 2% by mass or less in a nitrogen atmosphere. It is characterized by that .

本発明によれば、燃焼合成法を応用して、AlNウィスカーを製造することで、外部加熱を必要とせず、省エネルギーで且つ短時間でのAlNウィスカーの生成を可能とする。また原料に、炭素や鉄などを添加しないため、AlNウィスカーに、絶縁性及び熱伝導性を低下させる不純物混入の可能性が抑制される。したがって、高品質なAlNウィスカーを製造することが出来る。 According to the present invention, by producing an AlN whisker by applying a combustion synthesis method, it is possible to produce an AlN whisker in a short time with energy saving without requiring external heating. Moreover, since carbon, iron, and the like are not added to the raw material, the possibility of contamination of the AlN whiskers with impurities that lower the insulating property and thermal conductivity is suppressed. Therefore, a high quality AlN whiskers can be manufactured.

本発明の実施の形態におけるAlNウィスカーの製造方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing method of the AlN whisker in embodiment of this invention. 坩堝内での原料配置を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the raw material arrangement in a crucible. 本発明の実施の形態における層状のAlNウィスカーと、AlNウィスカーを型抜きして形成されたAlNウィスカーシートを示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the layered AlN whiskers in embodiment of this invention, and the AlN whisker sheet formed by die-cutting an AlN whiskers. 本実施例のAlNウィスカーのXRDの分析結果を示すスペクトル図である。It is a spectrum figure which shows the analysis result of XRD of the AlN whiskers of this Example. 走査型電子顕微鏡により撮像した画像を示す写真である。It is a photograph which shows the image taken by the scanning electron microscope.

以下、本発明の一実施の形態(以下、「実施の形態」と略記する。)について、詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することができる。 Hereinafter, one embodiment of the present invention (hereinafter, abbreviated as “embodiment”) will be described in detail. The present invention is not limited to the following embodiments, and can be variously modified and implemented within the scope of the gist thereof.

AlNウィスカーは、熱伝導率が高く、絶縁性に優れた特性を有しており、且つその高いアスペクト比から、樹脂封止材等に好適に使用される。 AlN whiskers have high thermal conductivity, excellent insulating properties, and are preferably used as resin encapsulants because of their high aspect ratio.

本発明の実施の形態における、AlNウィスカーの製造方法は、燃焼合成を応用したものである。燃焼合成法は、物質の化学反応時に生じる生成熱を利用し、化合物を生成する方法であり、外部加熱を必要としない省エネルギープロセスである。また高温高速反応と急冷作用を有しており、短時間での化合物の生成が可能である。本実施の形態では、固体(Al)−気体(窒素ガス)間での燃焼合成であるため、直接窒化法の一部に属する。 The method for producing an AlN whisker in the embodiment of the present invention is an application of combustion synthesis. The combustion synthesis method is a method of producing a compound by utilizing the heat of formation generated during a chemical reaction of a substance, and is an energy-saving process that does not require external heating. In addition, it has a high-temperature high-speed reaction and a quenching action, and can produce a compound in a short time. In this embodiment, since it is a combustion synthesis between a solid (Al) and a gas (nitrogen gas), it belongs to a part of the direct nitriding method.

本実施の形態のAlNウィスカーの製造方法によれば、Alを主成分として含有する原料を燃焼させた際に、合成体内部から噴出するAlNガスを合成体の表層にて急冷することにより、AlNウィスカーを合成体表層に層状に成長させることを可能とする。 According to the method for producing an AlN whisker of the present embodiment, when a raw material containing Al as a main component is burned, AlN gas ejected from the inside of the composite is rapidly cooled on the surface layer of the composite to quench AlN. It enables the whiskers to grow layered on the surface of the composite.

以下、燃焼合成反応のメカニズムについて説明する。まず、Alを主成分として含有する原料を、例えば、黒鉛から成る坩堝内に充填する。ここで、原料中のAl量を限定するものでないが、主成分として50質量%以上を占める。そして、原料の一部に着火用カーボンフォイルを接触させた状態で、坩堝を、燃焼合成炉内に設置する。炉内を、所定圧まで脱気し、その後、窒素置換を行い、窒素加圧雰囲気にする。 The mechanism of the combustion synthesis reaction will be described below. First, a raw material containing Al as a main component is filled in a crucible made of graphite, for example. Here, the amount of Al in the raw material is not limited, but occupies 50% by mass or more as the main component. Then, the crucible is installed in the combustion synthesis furnace with the carbon foil for ignition in contact with a part of the raw material. The inside of the furnace is degassed to a predetermined pressure, and then nitrogen substitution is performed to create a nitrogen-pressurized atmosphere.

続いて、カーボンフォイルに対して、原料に着火されるまで通電を行い、原料中のAlと窒素ガスの燃焼合成反応を開始させる。燃焼合成反応の反応式は、2Al+N→AlNである。このとき、燃焼合成反応の燃焼波は、例えば、10mm/秒程度の速度で進行するため、例えば、数分程度(具体的には、3〜5分程度)と短時間で合成反応は終了する。 Subsequently, the carbon foil is energized until the raw material is ignited, and the combustion synthesis reaction of Al and nitrogen gas in the raw material is started. The reaction formula of the combustion synthesis reaction is 2Al + N 2 → AlN. At this time, since the combustion wave of the combustion synthesis reaction proceeds at a speed of, for example, about 10 mm / sec, the synthesis reaction is completed in a short time, for example, about several minutes (specifically, about 3 to 5 minutes). ..

AlNウィスカーの生成は、燃焼合成反応と同時に行われる。燃焼時の原料内部温度は、例えば、1900〜2000℃程度まで達しており、Alは、原料内部にAlガス状態で存在する。 The formation of AlN whiskers is carried out at the same time as the combustion synthesis reaction. The internal temperature of the raw material during combustion reaches, for example, about 1900 to 2000 ° C., and Al exists inside the raw material in an Al gas state.

本実施の形態では、原料にNHClを助剤として添加することが好適である。これにより、燃焼時の熱によりNHClが、NHとHClの分解ガスとなり、合成体表層へと排出される。この分解ガスは、合成体内部のAlガスのキャリアーとなり、合成体表層からAlガスを放出させる。放出されたAlガスは、窒化反応を伴いながら急冷され、合成体表層にAlNウィスカーが形成されていく。本実施の形態では、原料に、成長活性剤として微量にYやAlを添加することが、AlNウィスカーの生成量を増大させるうえで好適である。 In the present embodiment, it is preferable to add NH 4 Cl as an auxiliary agent to the raw material. As a result, NH 4 Cl becomes a decomposition gas of NH 3 and HCl due to the heat of combustion, and is discharged to the surface layer of the composite. This decomposed gas becomes a carrier of Al gas inside the composite and releases Al gas from the surface layer of the composite. The released Al gas is rapidly cooled with a nitriding reaction, and AlN whiskers are formed on the surface layer of the composite. In the present embodiment, it is preferable to add a small amount of Y 2 O 3 or Al 2 O 3 as a growth activator to the raw material in order to increase the amount of AlN whiskers produced.

そして、本実施の形態では、最終形態として、合成体表層にAlNウィスカーを層状に形成することができる。このため、AlNウィスカーの回収効率を非常に高くすることが出来る。ここで「層状」とは、合成体表層のほぼ全域に厚みを有するシート形状であることを指す。 Then, in the present embodiment, as the final form, AlN whiskers can be formed in layers on the surface layer of the composite. Therefore, the recovery efficiency of AlN whiskers can be made very high. Here, "layered" refers to a sheet shape having a thickness in almost the entire surface layer of the composite.

本実施の形態では、上記のように、燃焼合成法を用いてAlNウィスカーを生成することにより、Alからの直接窒化が可能である。そして、炭素や鉄などを還元剤として使用しないため、AlNウィスカー内部には、熱伝導性や絶縁性を低下させる不純物の混入の可能性が抑制され、高品質なAlNウィスカーを得ることが可能になる。また、外部加熱を必要とせず、短時間での合成が可能であり、生産効率が高く、省エネルギーにて生産でき、経済性にも優れている。 In the present embodiment, as described above, direct nitriding from Al is possible by producing AlN whiskers using the combustion synthesis method. Since carbon and iron are not used as a reducing agent, the possibility of impurities that reduce thermal conductivity and insulation is suppressed inside the AlN whiskers, making it possible to obtain high-quality AlN whiskers. Become. In addition, it does not require external heating, can be synthesized in a short time, has high production efficiency, can be produced with energy saving, and is excellent in economy.

続いて、本実施の形態における、AlNウィスカーの製造工程について詳細に説明する。まず、図1のステップST1に示すように、原料の調製を行う。本実施の形態では、Alを主成分として含有する原料として、Al−AlN−NHCl−Y−Alを使用することが好ましい。すなわち、原料としては、これら成分以外の成分を実質的に含まないことが好適である。「実質的に」とは、不可避的に混入する他の成分・元素が含まれることを排除しないことを意味する。これら成分を、例えば、アルミナ質のボールミルにて乾式混合する。 Subsequently, the manufacturing process of the AlN whiskers in the present embodiment will be described in detail. First, as shown in step ST1 of FIG. 1, raw materials are prepared. In the present embodiment, it is preferable to use Al-AlN-NH 4 Cl-Y 2 O 3- Al 2 O 3 as a raw material containing Al as a main component. That is, it is preferable that the raw material does not substantially contain components other than these components. "Substantially" means that it does not exclude the inclusion of other components / elements that are inevitably mixed. These components are dry-mixed, for example, in an alumina ball mill.

本実施の形態において、原料に含まれる各成分の平均粒径を、限定するものではない。ただし、一例を示すと、Alは、平均粒径D50=1〜20μm程度であり、AlNは、平均粒径D50=0.5〜6μm程度であり、NHClは、平均粒径D50=0.5〜2mm程度であり、Yは、平均粒径D50=0.2〜5μm程度であり、Alは、平均粒径D50=0.5〜4μm程度である。粒度分布は、レーザ散乱法(レーザ回折式粒度分布測定装置 HORIBA LA−950を使用)で測定した。「D50」とは、累積個数が、全粒子数の50%となる粒径を示す。 In the present embodiment, the average particle size of each component contained in the raw material is not limited. However, as an example, Al has an average particle size D50 = 1 to 20 μm, AlN has an average particle size D50 = 0.5 to 6 μm, and NH 4 Cl has an average particle size D50 = 0. .5 to 2 mm, Y 2 O 3 has an average particle size D50 = 0.2 to 5 μm, and Al 2 O 3 has an average particle size D50 = 0.5 to 4 μm. The particle size distribution was measured by a laser scattering method (using a laser diffraction type particle size distribution measuring device HORIBA LA-950). “D50” indicates a particle size in which the cumulative number is 50% of the total number of particles.

また本実施の形態では、AlNを、希釈材として、原料中、10質量%以上40質量%以下の範囲内で添加することが好ましい。これにより、後述する実験結果に示すように、燃焼温度を高くでき、且つ、Alの未反応量を少なくできる。また、合成助剤としてのNHClを、原料中、0.5質量%以上5質量%以下の範囲内で添加することが好ましい。また、成長活性材としてのYを原料中、0.5質量%以上5質量%以下の範囲内で添加することが好ましい。また、成長活性材としてのAlを、原料中、0.2質量%以上2質量%以下の範囲内で添加することが好ましい。NHCl、Y、及び、Alの添加量を、上記範囲内で添加することで、後述する実験結果に示すように、AlNウィスカー生成量を適切に増大させることが出来る。 Further, in the present embodiment, it is preferable to add AlN as a diluent in the range of 10% by mass or more and 40% by mass or less in the raw material. As a result, as shown in the experimental results described later, the combustion temperature can be raised and the unreacted amount of Al can be reduced. Further, it is preferable to add NH 4 Cl as a synthetic auxiliary agent in the raw material in the range of 0.5% by mass or more and 5% by mass or less. Further, it is preferable to add Y 2 O 3 as a growth active material in the raw material in the range of 0.5% by mass or more and 5% by mass or less. Further, it is preferable to add Al 2 O 3 as a growth active material in the raw material in the range of 0.2% by mass or more and 2% by mass or less. By adding the addition amounts of NH 4 Cl, Y 2 O 3 and Al 2 O 3 within the above range, the amount of AlN whiskers produced can be appropriately increased as shown in the experimental results described later. ..

続いて、原料を、坩堝内に設置(充填)する(図1のステップST2)。原料の坩堝への設置方法について図2を用いて説明する。図1に示す符号1は黒鉛にて形成された坩堝(以下、黒鉛坩堝1と称する)である。ただし、本実施の形態では、黒鉛に限定するものでなく、黒鉛以外にも、BN、Al、AlN、Si等の材質にて形成されていてもよい。 Subsequently, the raw material is installed (filled) in the crucible (step ST2 in FIG. 1). The method of installing the raw material in the crucible will be described with reference to FIG. Reference numeral 1 shown in FIG. 1 is a crucible made of graphite (hereinafter referred to as graphite crucible 1). However, in the present embodiment, the present invention is not limited to graphite, and may be formed of a material other than graphite, such as BN, Al 2 O 3 , Al N, and Si 3 N 4 .

図2に示すように、黒鉛坩堝1の底面にAlN敷粉2を敷き詰める。AlN敷粉2の粒径や層厚を限定するものではないが、例えば、平均粒径D50は、4〜20μm程度であり、層厚は5mm以上である。このように、AlN敷粉2を敷き詰める理由は、原料3の反応熱を遮断し、熱による黒鉛坩堝1からのカーボンの発生を防ぐためである。 As shown in FIG. 2, AlN powder 2 is spread on the bottom surface of the graphite crucible 1. The particle size and layer thickness of the AlN bed powder 2 are not limited, but for example, the average particle size D50 is about 4 to 20 μm, and the layer thickness is 5 mm or more. The reason for spreading the AlN bed powder 2 in this way is to block the heat of reaction of the raw material 3 and prevent the generation of carbon from the graphite crucible 1 due to the heat.

続いて、AlN敷粉2の上に原料3を設置する。このとき、原料3の層厚を限定するものでないが、層厚を、5mm以上20mm以下の範囲内とすることが好ましく、5mm以上10mm以下とすることがより好ましい。層厚が5mmよりも薄い場合、合成体熱量が低く、発生するAlNガスが少ないため、生成されるAlNウィスカーの量が減少する。また、20mmよりも厚い場合は合成体熱量が多く、合成体表面温度が高くなりすぎて、AlNウィスカーの核の生成が阻害され、AlNウィスカーの生成される量が低下する。また図2に示すように、燃焼反応時の熱影響を防ぐため、原料3と黒鉛坩堝1との各側面間には、1mm以上の間隔を空けておくことが好ましい。 Subsequently, the raw material 3 is placed on the AlN bedding powder 2. At this time, the layer thickness of the raw material 3 is not limited, but the layer thickness is preferably in the range of 5 mm or more and 20 mm or less, and more preferably 5 mm or more and 10 mm or less. When the layer thickness is thinner than 5 mm, the amount of heat of the composite is low and the amount of AlN gas generated is small, so that the amount of AlN whiskers produced is reduced. If it is thicker than 20 mm, the amount of heat of the composite is large, the surface temperature of the composite becomes too high, the formation of AlN whiskers nuclei is inhibited, and the amount of AlN whiskers produced decreases. Further, as shown in FIG. 2, in order to prevent the influence of heat during the combustion reaction, it is preferable to leave a space of 1 mm or more between each side surface of the raw material 3 and the graphite crucible 1.

次に、原料3の設置(充填)が完了した黒鉛坩堝1を燃焼合成炉内に設置する。そして図2に示すように、原料3の表面に着火用のカーボンフォイル4を接触させた状態にする。そして、黒鉛坩堝1の上に、カーボンフェルト蓋5を設置する。このように、黒鉛坩堝1の上面を、カーボンフェルト蓋5で覆うことで、AlNガスが炉内雰囲気へ拡散するのを防ぎ、AlNウィスカーの生成量を増加させることが出来る。なお、本実施の形態では、蓋の材質をカーボンフェルトに限定するものでなく、例えば、若干の通気性を有しているAlファイバー組成物を蓋として用いることも出来る。 Next, the graphite crucible 1 for which the installation (filling) of the raw material 3 is completed is installed in the combustion synthesis furnace. Then, as shown in FIG. 2, the surface of the raw material 3 is brought into contact with the carbon foil 4 for ignition. Then, the carbon felt lid 5 is installed on the graphite crucible 1. By covering the upper surface of the graphite crucible 1 with the carbon felt lid 5 in this way, it is possible to prevent the AlN gas from diffusing into the atmosphere inside the furnace and increase the amount of AlN whiskers produced. In the present embodiment, the material of the lid is not limited to carbon felt, and for example, an Al 2 O 3 fiber composition having some air permeability can be used as the lid.

使用する燃焼合成炉は、設定した加圧雰囲気を一定に保つ機構を有し、且つ、真空置換を行える構成であることが好適である。また、燃焼合成炉には、炉内雰囲気を冷却するための冷却ジャケット及びチラーを有しており、炉内温度を25℃以下に保てる構成が望ましい。 It is preferable that the combustion synthesis furnace to be used has a mechanism for keeping the set pressurized atmosphere constant and has a configuration capable of performing vacuum replacement. Further, it is desirable that the combustion synthesis furnace has a cooling jacket and a chiller for cooling the atmosphere inside the furnace, and the temperature inside the furnace can be maintained at 25 ° C. or lower.

炉内を、所定圧まで脱気し、その後、窒素置換を行い、窒素加圧雰囲気にする(図1のステップST3)。ここで、脱気圧を限定するものではないが、例えば、100Pa以下であり、好ましくは50Pa〜20Paであり、より好ましくは、5Pa以下である。また、窒素加圧雰囲気の加圧力を限定するものではないが、例えば、0.2MPa〜30MPaであり、好ましくは、0.7MPa以上である。 The inside of the furnace is degassed to a predetermined pressure, and then nitrogen substitution is performed to create a nitrogen-pressurized atmosphere (step ST3 in FIG. 1). Here, the depressurization is not limited, but for example, it is 100 Pa or less, preferably 50 Pa to 20 Pa, and more preferably 5 Pa or less. Further, although the pressing force of the nitrogen pressurized atmosphere is not limited, it is, for example, 0.2 MPa to 30 MPa, preferably 0.7 MPa or more.

その後、冷却機構を用いて、炉内温度が例えば、25℃以下なるまで冷却を行う(図1のステップST4)。続いて、カーボンフォイル4に対して、原料に着火するまで通電(限定するものでないが、例えば、50〜200V)を行い、燃焼合成を開始させる(図1のステップST5)。上記したように、合成反応は、例えば、数分程度(具体的には、3〜5分程度)と短時間で終了する。 Then, using a cooling mechanism, cooling is performed until the temperature inside the furnace becomes, for example, 25 ° C. or lower (step ST4 in FIG. 1). Subsequently, the carbon foil 4 is energized (but not limited to, for example, 50 to 200 V) until the raw material is ignited to start combustion synthesis (step ST5 in FIG. 1). As described above, the synthetic reaction is completed in a short time of, for example, about several minutes (specifically, about 3 to 5 minutes).

このように本実施の形態では、燃焼合成法の特徴の一つである、急速反応及び急冷作用を用いており、ガス圧と雰囲気温度が重要な因子となる。ガス圧は、上記した窒素加圧雰囲気での加圧力であり、高圧にすることにより燃焼温度を上昇させることができ、その結果、Alガスの発生量を増加させることが出来る。また雰囲気密度の上昇に伴い放熱性も向上し、且つ、雰囲気温度(上記した炉内の冷却温度)を低く抑えることで、急冷作用も促進し、AlNウィスカーの生成量を増加させることが出来る。 As described above, in this embodiment, the rapid reaction and the quenching action, which are one of the features of the combustion synthesis method, are used, and the gas pressure and the atmospheric temperature are important factors. The gas pressure is the pressing force in the nitrogen-pressurized atmosphere described above, and the combustion temperature can be raised by increasing the pressure, and as a result, the amount of Al gas generated can be increased. Further, as the atmosphere density increases, the heat dissipation is improved, and by keeping the atmosphere temperature (the above-mentioned cooling temperature in the furnace) low, the quenching action can be promoted and the amount of AlN whiskers produced can be increased.

燃焼終了後は、炉内を大気圧に戻し、黒鉛坩堝1を燃焼合成炉から取り出す。図3Aで示すように、生成されたAlNウィスカーは、原料3を燃焼してなる合成体6の表層に層状(AlNウィスカー層7)に存在しており、AlNウィスカー層7を、合成体表層から剥離させることにより、容易に回収する事が出来る(図1のステップST6)。 After the combustion is completed, the inside of the furnace is returned to the atmospheric pressure, and the graphite crucible 1 is taken out from the combustion synthesis furnace. As shown in FIG. 3A, the generated AlN whiskers exist in a layered state (AlN whisker layer 7) on the surface layer of the composite body 6 formed by burning the raw material 3, and the AlN whiskers layer 7 is formed from the composite surface layer. By peeling it off, it can be easily recovered (step ST6 in FIG. 1).

このように本実施の形態では、燃焼合成法を応用して、層状のAlNウィスカーを得ることができる。 As described above, in the present embodiment, the layered AlN whiskers can be obtained by applying the combustion synthesis method.

AlNウィスカーは、結晶方向が一定方向でなくランダムに絡み合って繊維状の層となっている。層厚を限定するものでないが、例えば、0.2〜1mm程度である。 The AlN whiskers are not in a fixed crystal direction but are randomly entangled to form a fibrous layer. The layer thickness is not limited, but is, for example, about 0.2 to 1 mm.

そして、AlNウィスカー層7を型抜き、又は、裁断を行うことで、図3Bのような任意形状のAlNウィスカーシート8を得ることが出来る(図1のステップST7)。AlNウィスカーシート8は、熱伝導部材(例えば、樹脂含浸による高熱伝導複合体)や、耐熱部材(例えば、耐熱フィルター)、触媒部材(例えば、触媒担体材)などに有用である。 Then, by die-cutting or cutting the AlN whisker layer 7, an AlN whisker sheet 8 having an arbitrary shape as shown in FIG. 3B can be obtained (step ST7 in FIG. 1). The AlN whisker sheet 8 is useful for a heat conductive member (for example, a high heat conductive composite by impregnation with a resin), a heat resistant member (for example, a heat resistant filter), a catalyst member (for example, a catalyst carrier material), and the like.

以上詳述したように、本実施の形態は、自己生成熱により合成反応を進行させる燃焼合成法を応用したAlNウィスカーの製造方法である。本実施の形態によれば、外部加熱を必要とせず省エネルギーで且つ短時間でのAlNウィスカー生成を可能する。また、特殊な材料を必要とすることなくAlNウィスカーを生成でき、高い生産効率、及び低コストでの製造が可能である。また、原料中に、炭素や鉄などを添加しないため、生成されたAlNウィスカー中に、絶縁性及び熱伝導性を下げる不純物の混入の可能性が低く、高品質なAlNウィスカーの製造が可能である。 As described in detail above, the present embodiment is a method for producing an AlN whisker by applying a combustion synthesis method in which a synthesis reaction proceeds by self-generated heat. According to this embodiment, it is possible to generate AlN whiskers in a short time with energy saving without requiring external heating. In addition, AlN whiskers can be produced without the need for special materials, and can be produced with high production efficiency and low cost. In addition, since carbon and iron are not added to the raw material, there is a low possibility that impurities that lower the insulating property and thermal conductivity will be mixed in the generated AlN whiskers, and it is possible to manufacture high-quality AlN whiskers. is there.

以下、本発明の効果を明確にするために実施した実施例及び比較例により本発明を詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施例によって何ら限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to Examples and Comparative Examples carried out to clarify the effects of the present invention. The present invention is not limited to the following examples.

以下では、Al原料に含有する、希釈材(AlN)の添加量、NHClの添加量、Yの添加量、及び、Alの添加量の適正な範囲を実験により求めた。 In the following, the appropriate range of the amount of diluent (AlN) added, the amount of NH 4 Cl added, the amount of Y 2 O 3 added, and the amount of Al 2 O 3 added contained in the Al raw material are determined by experiments. It was.

実験では、原料量がトータルで80gとなるように調製した。なお混合は、乳鉢にて行った。ただし、ボールミルで行ってもよい。実験で使用したAl粉末は、高純度化学研究所製の平均粒径が3μmのものであり、AlN粉末は、トクヤマ製のHグレード(平均粒径1μm)であり、NHClは、純正化学製の粒径が約1mmのものであり、Yは、日本イットリウム製のD50≦3μmであり、Alは、高純度化学製のα−Al(平均粒径が1μm)であった。 In the experiment, the total amount of raw materials was 80 g. The mixing was carried out in a mortar. However, it may be done with a ball mill. The Al powder used in the experiment has an average particle size of 3 μm manufactured by the Institute of High Purity Chemistry, the AlN powder is H grade (average particle size 1 μm) manufactured by Tokuyama, and NH 4 Cl is genuine chemical. The particle size of the product is about 1 mm, Y 2 O 3 is D50 ≤ 3 μm of Nippon Ittorium, and Al 2 O 3 is α-Al 2 O 3 of high-purity chemicals (average particle size is). It was 1 μm).

上記原料を、図1に示す状態にて、黒鉛坩堝に設置し、燃焼合成炉のガス圧を0.95MPaとして燃焼合成を行った。 The above raw materials were placed in a graphite crucible in the state shown in FIG. 1, and combustion synthesis was carried out with the gas pressure of the combustion synthesis furnace set to 0.95 MPa.

(希釈率の実験)
まず実験では、希釈率を測定すべく、AlとAlNとの混合割合を変えて希釈率の異なる複数の原料を調製し、各原料を用いて、Alの未反応量及び燃焼温度を測定した。その実験結果が以下の表1に示されている。
(Dilution rate experiment)
First, in the experiment, in order to measure the dilution ratio, a plurality of raw materials having different dilution ratios were prepared by changing the mixing ratio of Al and AlN, and the unreacted amount of Al and the combustion temperature were measured using each raw material. The experimental results are shown in Table 1 below.

「希釈率」欄の数値は、原料中に占めるAlNの質量%を示している。未反応量は、X線解析による定量分析に測定した。 The numerical value in the "dilution rate" column indicates the mass% of AlN in the raw material. The unreacted amount was measured by quantitative analysis by X-ray analysis.

表1に示すように、希釈率の上昇に伴い、Alの未反応量は減少するとともに、燃焼温度が低下することがわかった。 As shown in Table 1, it was found that as the dilution ratio increased, the unreacted amount of Al decreased and the combustion temperature decreased.

効率的な燃焼合成反応を得るべく、AlNの好ましい添加量の範囲を、燃焼温度が高く且つAlの未反応量が少ない、10質量%以上40質量%以下に設定した。 In order to obtain an efficient combustion synthesis reaction, the range of the preferable addition amount of AlN was set to 10% by mass or more and 40% by mass or less, which has a high combustion temperature and a small amount of unreacted Al.

(NHClの添加量の実験)
続いて、AlNを30質量%に固定し、NHClの添加量が異なるAl−AlN−NHClからなる複数の原料を調製し、各原料を用いて、AlNウィスカーの生成量、及び、燃焼温度を測定した。その実験結果が以下の表2に示されている。
(Experiment on the amount of NH 4 Cl added)
Subsequently, the AlN fixed at 30 wt%, a plurality of raw material addition amount of NH 4 Cl is composed of different Al-AlN-NH 4 Cl was prepared, using each starting material, the amount of AlN whiskers, and, The combustion temperature was measured. The experimental results are shown in Table 2 below.

表2に示すように、NHClの添加量を4質量%まで増やすと、AlNウィスカーの生成量は増大し、且つ、燃焼温度は低下することがわかった。また、NHClの添加量を6質量%とした場合は、自己伝播せず、適切にAlNウィスカーを得ることはできなかった。 As shown in Table 2, it was found that when the amount of NH 4 Cl added was increased to 4% by mass, the amount of AlN whiskers produced increased and the combustion temperature decreased. Further, when the addition amount of NH 4 Cl was 6% by mass, self-propagation did not occur and AlN whiskers could not be obtained appropriately.

表2に基づいて、NHClの添加量の好ましい範囲を0.5質量%以上5質量%とした。また、より好ましい範囲を、1質量%以上5質量%以下とした。 Based on Table 2, the preferable range of the addition amount of NH 4 Cl was set to 0.5% by mass or more and 5% by mass. Further, a more preferable range was set to 1% by mass or more and 5% by mass or less.

(Yの添加量の実験)
続いて、AlNを30質量%、NHClを4質量%に固定し、Yの添加量が異なるAl−AlN−NHCl−Yからなる複数の原料を調製し、各原料を用いて、AlNウィスカーの生成量を測定した。その実験結果が以下の表3に示されている。
(Experiment on the amount of Y 2 O 3 added)
Subsequently, AlN was fixed at 30% by mass and NH 4 Cl was fixed at 4% by mass, and a plurality of raw materials composed of Al-AlN-NH 4 Cl-Y 2 O 3 having different amounts of Y 2 O 3 added were prepared. The amount of AlN whisker produced was measured using each raw material. The experimental results are shown in Table 3 below.

表3に示すように、Yの添加量を1質量%から4質量%まで増やすと、AlNウィスカーの生成量を増大させることができるとわかった。Yの添加量を5質量%とすると、1質量%のときに比べて、Yの生成量は多くなるものの、2質量%〜4質量%の場合に比べて、AlNウィスカーの生成量は減ることがわかった。 As shown in Table 3, it was found that the amount of AlN whiskers produced could be increased by increasing the amount of Y 2 O 3 added from 1% by mass to 4% by mass. When the amount of Y 2 O 3 added is 5% by mass, the amount of Y 2 O 3 produced is larger than that of 1% by mass, but AlN whiskers are produced as compared with the case of 2% by mass to 4% by mass. It was found that the amount of production was reduced.

表3により、Yの添加量の好ましい範囲を、0.5質量%以上5質量%以下とした。またより好ましい範囲を、1質量%以上5質量%以下とした。更に好ましい範囲を、2質量%以上4質量%以下とした。 According to Table 3, the preferable range of the addition amount of Y 2 O 3 was set to 0.5% by mass or more and 5% by mass or less. Further, a more preferable range was set to 1% by mass or more and 5% by mass or less. A more preferable range was 2% by mass or more and 4% by mass or less.

(Alの添加量の実験)
続いて、AlNを30質量%、NHClを4質量%、Yを2質量%に固定し、Alの添加量が異なるAl−AlN−NHCl−Y−Alからなる複数の原料を調製し、各原料を用いて、AlNウィスカーの生成量を測定した。その実験結果が以下の表4に示されている。
(Experiment on the amount of Al 2 O 3 added)
Subsequently, the AlN 30 wt%, 4 wt% of NH 4 Cl, Y 2 O 3 was fixed to 2 wt%, Al 2 O Al-AlN -NH 4 that the amount is different 3 Cl-Y 2 O 3 A plurality of raw materials composed of −Al 2 O 3 were prepared, and the amount of AlN whisker produced was measured using each raw material. The experimental results are shown in Table 4 below.

表4に示すように、Alの添加量を0.5質量%〜2質量%の範囲とすることで、300mg以上のAlNウィスカーを得ることができるとわかった。Alの添加量を2.5質量%とすると、自己伝播せず、適切にAlNウィスカーを得ることはできなかった。 As shown in Table 4, it was found that 300 mg or more of AlN whiskers can be obtained by setting the addition amount of Al 2 O 3 in the range of 0.5% by mass to 2% by mass. When the amount of Al 2 O 3 added was 2.5% by mass, self-propagation did not occur and AlN whiskers could not be obtained properly.

表4により、Alの添加量の好ましい範囲を、0.2質量%以上2質量%以下とした。またより好ましい範囲を、0.5質量%以上1.5質量%以下とした。 According to Table 4, the preferable range of the addition amount of Al 2 O 3 was set to 0.2% by mass or more and 2% by mass or less. Further, a more preferable range was set to 0.5% by mass or more and 1.5% by mass or less.

(XRD分析結果)
続いて、本実施例により得られたAlNウィスカーを、XRD(X−Ray Diffraction)分析した。ここで分析対象のAlNウィスカーは、原料を、Al−AlN(30質量%)−NHCl(4質量%)−Y(2質量%)−Al(1質量%)とし、燃焼合成炉のガス圧を0.95MPaとして得られたものである。XRD分析結果を図4に示す。
(XRD analysis result)
Subsequently, the AlN whiskers obtained in this example were analyzed by XRD (X-Ray Diffraction). Here, the raw material of the AlN whiskers to be analyzed is Al-AlN (30% by mass) -NH 4 Cl (4% by mass) -Y 2 O 3 (2% by mass) -Al 2 O 3 (1% by mass). , The gas pressure of the combustion synthesis furnace was set to 0.95 MPa. The XRD analysis result is shown in FIG.

XRD分析により調べた結果、生成物の殆どがAlN組成であり、不純物(炭化物、Y、Al)は検出されなかった。また僅かに未反応Alを含んでいたが、800〜1000℃の窒素雰囲気下で1時間程度の熱処理を行うことにより、未反応AlはAlNとなり、未反応Alを残さず全てAlNの生成に用いることが出来る。 Results were examined by XRD analysis, most of the product is AlN composition, impurities (carbides, Y 2 O 3, Al 2 O 3) was not detected. Although it contained a small amount of unreacted Al, it became AlN by performing heat treatment for about 1 hour in a nitrogen atmosphere at 800 to 1000 ° C. Can be done.

(走査電子顕微鏡画像)
図5は、走査型電子顕微鏡により撮像した画像を示す写真である。図5に示すように、本実施例(図4の実験で使用したものと同じ)で生成されたAlNウィスカーは、結晶の方向性のある従来技術で生成されたAlNウィスカーとは異なる特徴を有することがわかった。すなわち、図5に示すように、AlNウィスカーの結晶成長の方向はランダムであった。そして、AlNウィスカーを層状に生成することができた。
(Scanning electron microscope image)
FIG. 5 is a photograph showing an image taken by a scanning electron microscope. As shown in FIG. 5, the AlN whiskers produced in this example (the same as those used in the experiment of FIG. 4) have different characteristics from the AlN whiskers produced by the prior art with directional crystals. I understand. That is, as shown in FIG. 5, the direction of crystal growth of the AlN whiskers was random. Then, the AlN whiskers could be formed in layers.

本発明にて生成されるAlNウィスカーは、結晶成長の方向がランダムな繊維状であり、樹脂封止材に使用される高熱伝導フィラー等には有用である。また。AlNウィスカーは層状にて生成できるため、型抜きや裁断により任意形状のAlNウィスカーシートを得ることができる。AlNウィスカーシートを、樹脂含浸による高熱伝導複合体や、耐熱フィルター、触媒担体材等に好ましく適用できる。 The AlN whiskers produced in the present invention are fibrous with random crystal growth directions, and are useful for high heat conductive fillers and the like used as resin encapsulants. Also. Since the AlN whiskers can be formed in layers, an AlN whiskers sheet having an arbitrary shape can be obtained by die cutting or cutting. The AlN whisker sheet can be preferably applied to a high thermal conductive composite impregnated with a resin, a heat resistant filter, a catalyst carrier material, and the like.

1 黒鉛坩堝
2 AlN敷粉
3 原料
4 カーボンフォイル
5 カーボンフェルト蓋
6 合成体
7 AlNウィスカー層
8 AlNウィスカーシート
1 Graphite crucible 2 AlN bedding powder 3 Raw material 4 Carbon foil 5 Carbon felt lid 6 Composite 7 AlN whisker layer 8 AlN whisker sheet

Claims (6)

AlとNH Clを含有した原料を用いて、窒素雰囲気下にて、燃焼合成反応を行い、燃焼時の熱により、NH Clの分解ガスを排出させ、AlNウィスカーを、前記燃焼合成反応により生成することを特徴とするAlNウィスカーの製造方法。 Using a raw material containing Al and NH 4 Cl, under a nitrogen atmosphere, subjected to combustion synthesis reaction, by the heat during combustion, is discharged decomposition gas NH 4 Cl, the AlN whiskers, by the combustion synthesis reaction A method for producing an AlN whisker, which comprises producing. 窒素雰囲気下にて、Alと、0.5質量%以上5質量%以下のNH Clを含有した原料から、AlNウィスカーを、燃焼合成反応により生成することを特徴とするAlNウィスカーの製造方法。 A method for producing an AlN whisker, which comprises producing an AlN whisker from a raw material containing Al and NH 4 Cl of 0.5% by mass or more and 5% by mass or less under a nitrogen atmosphere by a combustion synthesis reaction. 窒素雰囲気下にて、Alと、10質量%以上40質量%以下の希釈材としてのAlNを含有した原料から、AlNウィスカーを、燃焼合成反応により生成することを特徴とするAlNウィスカーの製造方法。 A method for producing an AlN whisker, which comprises producing an AlN whisker from a raw material containing Al and AlN as a diluent of 10% by mass or more and 40% by mass or less in a nitrogen atmosphere by a combustion synthesis reaction. 窒素雰囲気下にて、Alと、0.5質量%以上5質量%以下のY を含有した原料から、AlNウィスカーを、燃焼合成反応により生成することを特徴とするAlNウィスカーの製造方法。 Under a nitrogen atmosphere, Al and, from the raw materials containing Y 2 O 3 of 5 wt% or less than 0.5 wt%, the AlN whiskers method of AlN whiskers and generating by combustion synthesis reaction .. 窒素雰囲気下にて、Alと、0.2質量%以上2質量%以下のAl を含有した原料から、AlNウィスカーを、燃焼合成反応により生成することを特徴とするAlNウィスカーの製造方法。 A method for producing an AlN whisker, which comprises producing an AlN whisker from a raw material containing Al and Al 2 O 3 of 0.2% by mass or more and 2% by mass or less in a nitrogen atmosphere by a combustion synthesis reaction. .. 前記原料の合成体表層に、前記AlNウィスカーを層状に生成させることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載のAlNウィスカーの製造方法。 The method for producing an AlN whisker according to any one of claims 1 to 5 , wherein the AlN whiskers are formed in layers on the surface layer of the composite of the raw material.
JP2016030903A 2016-02-22 2016-02-22 Manufacturing method of AlN whiskers Active JP6796385B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016030903A JP6796385B2 (en) 2016-02-22 2016-02-22 Manufacturing method of AlN whiskers

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016030903A JP6796385B2 (en) 2016-02-22 2016-02-22 Manufacturing method of AlN whiskers

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017149592A JP2017149592A (en) 2017-08-31
JP6796385B2 true JP6796385B2 (en) 2020-12-09

Family

ID=59740460

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016030903A Active JP6796385B2 (en) 2016-02-22 2016-02-22 Manufacturing method of AlN whiskers

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6796385B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021157388A1 (en) * 2020-02-06 2021-08-12 株式会社トクヤマ Method for producing aluminum nitride powder, aluminum nitride powder, and package

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017149592A (en) 2017-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11732173B2 (en) Surface-treated aggregated boron nitride powder, aggregated boron nitride powder, and thermally conductive resin composition
KR101659700B1 (en) A novel method for the production of aluminum nitride and aluminum nitride-based composite substances
KR101398682B1 (en) Hexagonal boron nitride powder and method for producing same
TW201132579A (en) Process for production of spherical aluminum nitride powder, and spherical aluminum nitride powder produced by the process
JPWO2020032060A1 (en) Hexagonal Boron Nitride Powder and Method for Producing Hexagonal Boron Nitride Powder
JP5369123B2 (en) Method for producing aluminum nitride
CN101445224A (en) Method for preparing low-oxygen aluminum nitride powder by auto-igniting synthesis
JP6796385B2 (en) Manufacturing method of AlN whiskers
KR20190111496A (en) Metal nanopowders fabricating method by hydrogen mediated metallothermic reduction (HMMR) process
KR102377938B1 (en) Manufacturing method of aluminum nitride using porous carbon crucible
Liu et al. In situ synthesis of AlN nanoparticles by solid state reaction from plasma assisted ball milling Al and diaminomaleonitrile mixture
JP2009184897A (en) Method for manufacturing silicon carbide single crystal
CN1576231A (en) Method and apparatus for preparing aluminum nitride
JPWO2006103930A1 (en) Method for producing aluminum nitride-containing material
KR102235785B1 (en) METHOD OF PRODUCING α-SILICON NITRIDE
JP2799426B2 (en) Method for producing boron nitride composite
KR100386510B1 (en) Method for Preparing Aluminum Nitride Powder by Self-propagating High-temperature Synthesis
KR101664376B1 (en) Fabrication Method of Metal Nitride Nanopowder using Solidstate Combustion Synthesis
KR101884979B1 (en) A manufacturing method of aluminum nitride and an aluminum nitride prepared by the same
JP2023031740A (en) Ammonia synthesis method
KR20230097839A (en) Apparatus and method for mass synthesis of core-shell particles
KR20220090080A (en) Aluminum nitride poweder manufacturing method
JPH058123B2 (en)
KR101399694B1 (en) Process for preparing aluminum nitride powder
US20230137083A1 (en) Method for Producing Aluminum Nitride Powder, Aluminum Nitride Powder, and Package

Legal Events

Date Code Title Description
RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7426

Effective date: 20160603

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190221

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190712

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20190712

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191205

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200324

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200522

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20201020

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20201116

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6796385

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250