JP6789172B2

JP6789172B2 - RFID tag boards, RFID tags and RFID systems

Info

Publication number: JP6789172B2
Application number: JP2017085664A
Authority: JP
Inventors: 周一山本; 杉本　好正; 好正杉本
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2017-04-24
Filing date: 2017-04-24
Publication date: 2020-11-25
Anticipated expiration: 2037-04-24
Also published as: JP2018186349A

Description

本発明は、電波によって情報の送受を行なうＲＦＩＤ（Radio Frequency Identification）タグ用基板、ＲＦＩＤタグおよびＲＦＩＤシステムに関する。 The present invention relates to an RFID (Radio Frequency Identification) tag substrate, an RFID tag, and an RFID system that transmit and receive information by radio waves.

各種物品の情報を、物品に実装したＲＦＩＤタグで検知し、管理することが広く行なわれるようになってきている。この場合のＲＦＩＤタグとして、情報の送受をＵＨＦ（Ultra High Frequency）帯等の電波で行なうためのアンテナ導体およびＩＣ（Integrated circuit）等の半導体素子を有するものが用いられるようになってきている。 It has become widely practiced to detect and manage information on various articles with RFID tags mounted on the articles. As an RFID tag in this case, one having an antenna conductor for transmitting and receiving information by radio waves in the UHF (Ultra High Frequency) band and a semiconductor element such as an IC (Integrated circuit) has come to be used.

ＲＦＩＤタグのアンテナ導体と、電波の送受信機能を有するリーダライタ等の外部機器との間で情報の送受が行なわれる。送受される信号は、半導体素子で記憶または呼び出し等が行なわれる。この場合に、半導体素子は、アンテナ導体に対する給電部としても機能する。 Information is transmitted and received between the antenna conductor of the RFID tag and an external device such as a reader / writer having a function of transmitting and receiving radio waves. The transmitted / received signal is stored or recalled by the semiconductor element. In this case, the semiconductor element also functions as a feeding unit for the antenna conductor.

このようなＲＦＩＤタグを小型化するためには、アンテナを小さくする必要があるが、たとえば、チップ型の逆Ｆ型アンテナを小型化する場合、放射導体と接地導体との間の容量成分が低下しないように、コンデンサ導体（容量導体）を備えることによって、放射導体と接地導体との間の容量成分を確保している（例えば特許文献１を参照）。 In order to reduce the size of such an RFID tag, it is necessary to make the antenna smaller. For example, when the chip type inverted F type antenna is made smaller, the capacitance component between the radiation conductor and the ground conductor is reduced. By providing a capacitor conductor (capacitive conductor) so as not to prevent the capacitance component between the radiating conductor and the grounding conductor is secured (see, for example, Patent Document 1).

特開２０１０−６２１３４号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2010-62134

しかしながら、上述のようなチップ型アンテナをＲＦＩＤタグに適用し、ＲＦＩＤタグの平面視における面積を小さくしようとすると、容量導体の面積も小さくなってしまうので、アンテナの共振周波数をＲＦＩＤ用の帯域に適合させることが難しくなるために、小型化が難しかった。 However, if the chip-type antenna as described above is applied to the RFID tag and the area of the RFID tag in the plan view is reduced, the area of the capacitive conductor is also reduced, so that the resonance frequency of the antenna is set to the band for RFID. It was difficult to miniaturize because it was difficult to fit.

本発明の１つの態様のＲＦＩＤタグ用基板は、凹部が設けられた第１面と、第１面に対向する第２面とを有する誘電体基板と、前記誘電体基板の第１面に設けられた放射導体と、前記誘電体基板の第２面に設けられた接地導体と、前記接地導体と前記放射導体とを電気的に接続する接続導体と、前記凹部に設けられた半導体素子載置部と、前記接地導体に電気的に接続し、前記誘電体基板の内部に前記接地導体に対向するように埋設された少なくとも１つの内部接地導体と、前記誘電体基板に埋設され、前記放射導体に電気的に接続し、少なくとも一部が前記内部接地導体に対向するように配設された複数の容量導体と、前記容量導体よりも前記誘電体基板の第１面に近い側に埋設され、前記半導体素子載置部に載置される半導体素子と前記容量導体とを電気的に接続するための引出導体と、を備え、前記容量導体の１つが、前記誘電体基板の第１面に最も近い前記内部接地導体と前記引出導体との間に位置し、平面視において前記引出導体と少なくとも一部が重なっていることを特徴とする。 The substrate for an RFID tag according to one aspect of the present invention is provided on a dielectric substrate having a first surface provided with a recess, a second surface facing the first surface, and a first surface of the dielectric substrate. A radiation conductor provided, a ground conductor provided on the second surface of the dielectric substrate, a connecting conductor for electrically connecting the ground conductor and the radiation conductor, and a semiconductor element mounted in the recess. The unit, at least one internal ground conductor electrically connected to the ground conductor and embedded inside the dielectric substrate so as to face the ground conductor, and the radiation conductor embedded in the dielectric substrate. A plurality of capacitive conductors electrically connected to and arranged so that at least a part of them face the internal grounding conductor, and embedded on the side closer to the first surface of the dielectric substrate than the capacitive conductors. It includes a lead conductor for electrically connecting the semiconductor element mounted on the semiconductor element mounting portion and the capacitance conductor, and one of the capacitance conductors is most on the first surface of the dielectric substrate. It is located between the internal ground conductor and the lead conductor that are close to each other, and is characterized in that at least a part thereof overlaps with the lead conductor in a plan view.

本発明の一つの態様のＲＦＩＤタグは、上記ＲＦＩＤタグ用基板と、該ＲＦＩＤタグ用基板の半導体素子載置部に載置されている半導体素子と、を含むことを特徴とする。 The RFID tag according to one aspect of the present invention is characterized by including the RFID tag substrate and a semiconductor element mounted on the semiconductor element mounting portion of the RFID tag substrate.

本発明の１つの態様のＲＦＩＤシステムは、上記ＲＦＩＤタグと、該ＲＦＩＤタグとの間で電波を送受するアンテナを備えたリーダライタと、を含むことを特徴とする。 An RFID system according to one aspect of the present invention is characterized by including the RFID tag and a reader / writer including an antenna for transmitting and receiving radio waves between the RFID tags.

本発明の一つの態様のＲＦＩＤタグ用基板によれば、ＲＦＩＤタグ用基板を小型化することができる。 According to the RFID tag substrate of one aspect of the present invention, the RFID tag substrate can be miniaturized.

本発明の一つの態様のＲＦＩＤタグによれば、ＲＦＩＤタグを小型化することができる。 According to the RFID tag of one aspect of the present invention, the RFID tag can be miniaturized.

本発明の一つの態様のＲＦＩＤシステムによれば、上記のＲＦＩＤシステムを含むことから、小型のＲＦＩＤタグを用いたＲＦＩＤシステムを構築することができる。 According to the RFID system of one aspect of the present invention, since the above-mentioned RFID system is included, it is possible to construct an RFID system using a small RFID tag.

第１実施形態のＲＦＩＤタグの一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the RFID tag of 1st Embodiment. 第１実施形態のＲＦＩＤタグ用基板の一例を示す分解斜視図である。It is an exploded perspective view which shows an example of the RFID tag substrate of 1st Embodiment. 本実施形態のＲＦＩＤシステムの一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of the RFID system of this embodiment. 第２実施形態のＲＦＩＤタグの一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the RFID tag of 2nd Embodiment. 第２実施形態のＲＦＩＤタグ用基板の一例を示す分解斜視図である。It is an exploded perspective view which shows an example of the RFID tag substrate of 2nd Embodiment. 第３実施形態のＲＦＩＤタグの一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the RFID tag of 3rd Embodiment. 第３実施形態のＲＦＩＤタグ用基板の一例を示す分解斜視図である。It is an exploded perspective view which shows an example of the RFID tag substrate of 3rd Embodiment. 第４実施形態のＲＦＩＤタグの一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the RFID tag of 4th Embodiment. 第４実施形態のＲＦＩＤタグ用基板の一例を示す分解斜視図である。It is an exploded perspective view which shows an example of the RFID tag substrate of 4th Embodiment.

以下、本実施形態のＲＦＩＤタグ用基板、ＲＦＩＤタグおよびＲＦＩＤシステムについて図面を用いて詳細に説明する。なお、以下の説明における上下の区別は説明上の便宜的なものであり、実際にＲＦＩＤタグおよびＲＦＩＤシステムが使用されるときの上下を限定するものではない。図１は、第１実施形態のＲＦＩＤタグの一例を示す断面図である。また、図２は、第１実施形態のＲＦＩＤタグにおけるＲＦＩＤタグ用基板の一例を示す分解斜視図である。 Hereinafter, the RFID tag substrate, RFID tag, and RFID system of the present embodiment will be described in detail with reference to the drawings. It should be noted that the distinction between the top and bottom in the following description is for convenience of explanation, and does not limit the top and bottom when the RFID tag and the RFID system are actually used. FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of an RFID tag according to the first embodiment. Further, FIG. 2 is an exploded perspective view showing an example of an RFID tag substrate in the RFID tag of the first embodiment.

第１実施形態のＲＦＩＤタグ用基板１は、たとえば、正方形状等の平板状であって、第１面１０ａと第１面１０ａに対向する第２面１０ｂとを有する誘電体基板１０と、誘電体基板に配設された導体部分とを含むものであり、ＲＦＩＤタグ用基板１と、ＲＦＩＤタグ用基板１の導体部分に接続された半導体素子等によってＲＦＩＤタグ２が構成されている。 The RFID tag substrate 1 of the first embodiment is, for example, a flat plate such as a square shape, and has a dielectric substrate 10 having a first surface 10a and a second surface 10b facing the first surface 10a, and a dielectric. It includes a conductor portion arranged on the body substrate, and the RFID tag 2 is composed of an RFID tag substrate 1 and a semiconductor element connected to the conductor portion of the RFID tag substrate 1.

誘電体基板１０は、たとえば、第１面１０ａに向かって平面視した誘電体基板１０の形状は、一辺２〜１０ｍｍ程度の長方形状であり、厚さは、１〜２ｍｍ程度である。本実施例においては、誘電体基板１０は、誘電体層１１〜１５を積層した構成となっている。誘電体基板１０は、たとえば、酸化アルミニウム質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体またはガラスセラミック焼結体等のセラミック焼結体によって形成することができる。 The dielectric substrate 10 has, for example, a rectangular shape having a side of about 2 to 10 mm and a thickness of about 1 to 2 mm when viewed in a plan view toward the first surface 10a. In this embodiment, the dielectric substrate 10 has a structure in which dielectric layers 11 to 15 are laminated. The dielectric substrate 10 can be formed of, for example, a ceramic sintered body such as an aluminum oxide-based sintered body, an aluminum nitride-based sintered body, a mulite-based sintered body, or a glass-ceramic sintered body.

誘電体基板１０は、たとえば、酸化アルミニウム質焼結体からなる場合であれば、次のようにして作製することができる。まず酸化アルミニウムおよび酸化ケイ素等の原料粉末を適当な有機バインダおよび有機溶剤とともにシート状に成形して四角シート状の複数のセラミックグリーンシートを作製する。次に、これらのセラミックグリーンシートを積層して積層体を作製する。その後、この積層体を１３００〜１６００℃の温度で焼成することによって誘電体基板１０を作製することができる。 The dielectric substrate 10 can be manufactured as follows, for example, when it is made of an aluminum oxide sintered body. First, raw material powders such as aluminum oxide and silicon oxide are molded into a sheet together with an appropriate organic binder and an organic solvent to prepare a plurality of square sheet-shaped ceramic green sheets. Next, these ceramic green sheets are laminated to prepare a laminated body. Then, the dielectric substrate 10 can be produced by firing this laminate at a temperature of 1300 to 1600 ° C.

このときに、一部のセラミックグリーンシートの中央部等を厚み方向に打ち抜いて枠状に加工しておき、枠状のセラミックグリーンシートを最上層において積層して焼成すれば、凹部１０ｃを有する誘電体基板１０を製作することができる。本実施形態においては、誘電体基板１０は、それぞれのセラミックグリーンシートが焼結してなる複数の誘電体層１１〜１５が順に積層された積層体になっている。なお、この焼結工程で誘電体基板１０に配設される導体部分も形成される。誘電体基板１０は、セラミックの他、樹脂などの誘電体によって構成することも可能である。 At this time, if the central portion of a part of the ceramic green sheet is punched in the thickness direction and processed into a frame shape, and the frame-shaped ceramic green sheet is laminated on the uppermost layer and fired, the dielectric having the recess 10c is formed. The body substrate 10 can be manufactured. In the present embodiment, the dielectric substrate 10 is a laminate in which a plurality of dielectric layers 11 to 15 formed by sintering each ceramic green sheet are laminated in this order. In this sintering step, a conductor portion arranged on the dielectric substrate 10 is also formed. The dielectric substrate 10 can be made of a dielectric material such as resin in addition to ceramics.

誘電体基板１０の上面である第１面１０ａには、凹部１０ｃが設けられている。凹部１０ｃは第１面１０ａのほぼ中央に設けられている。凹部１０ｃは、一辺が１〜３ｍｍの正方形状の穴であり、誘電体層１１を貫通して構成されている。凹部１０ｃの底面１０ｄは誘電体層１２の上面で構成されている。第１面１０ａに設けられた放射導体２０は、凹部１０ｃを取り囲むように環状に配設されている。 A recess 10c is provided on the first surface 10a, which is the upper surface of the dielectric substrate 10. The recess 10c is provided substantially in the center of the first surface 10a. The recess 10c is a square hole having a side of 1 to 3 mm, and is formed so as to penetrate the dielectric layer 11. The bottom surface 10d of the recess 10c is formed by the top surface of the dielectric layer 12. The radiation conductor 20 provided on the first surface 10a is arranged in an annular shape so as to surround the recess 10c.

誘電体基板１０の下面である第２面１０ｂには、接地導体２１が配置されている。接地導体２１は、第２面１０ｂのほぼ全面に設けられている。また、接地導体２１は、ＲＦＩＤタグ２を導体の対象物に取付けた場合に導体と直接、または両面テープ等の非導電性接合材あるいは導電性接着剤などを介して接続する部分である。 A ground conductor 21 is arranged on the second surface 10b, which is the lower surface of the dielectric substrate 10. The ground conductor 21 is provided on almost the entire surface of the second surface 10b. Further, the grounding conductor 21 is a portion that connects the RFID tag 2 directly to the conductor when it is attached to the object of the conductor, or through a non-conductive bonding material such as double-sided tape or a conductive adhesive.

放射導体２０と接地導体２１とは接続導体２２で電気的に接続されている。接続導体２２は、たとえば、図２の点線で示されるように、誘電体層１１〜１５を貫く貫通導体とすることができる（各分解斜視図において、貫通導体は破線で表現されており、接地導体等の導体との接続箇所は黒丸で表現されている。）。また、接続導体２２を、誘電体基板１０の側面に設けて、放射導体２０と接地導体２１とを電気的に接続してもよい。 The radiating conductor 20 and the grounding conductor 21 are electrically connected by a connecting conductor 22. The connecting conductor 22 can be, for example, a penetrating conductor penetrating the dielectric layers 11 to 15 as shown by the dotted line in FIG. 2 (in each exploded perspective view, the penetrating conductor is represented by a broken line and is grounded. Connection points with conductors such as conductors are represented by black circles.) Further, the connecting conductor 22 may be provided on the side surface of the dielectric substrate 10 to electrically connect the radiating conductor 20 and the grounding conductor 21.

凹部１０ｃの底面１０ｄの中央部にＩＣチップなどの半導体素子４０を配設するための半導体素子載置部１０ｅが設けられている。半導体素子４０は、半導体素子載置部１０ｅにたとえば、金−シリコンろう材等の低融点ろう材、ガラス複合材料または樹脂接着剤等の接合材を介した接合法で固定され、半導体素子４０は、誘電体層１２上面の中央部の半導体素子載置部１０ｅに載置されている。また、誘電体層１２上面には配線パターンとして短絡導体２４と引出導体２５とが設けられている。短絡導体２４は、凹部１０ｃの底面１０ｄから、凹部１０ｃの外側に延びるように誘電体基板１０内に埋設されており、誘電体層１１を貫通する短絡部貫通導体２３を介して放射導体２０に電気的に接続している。短絡部貫通導体２３は、凹部１０ｃと、接続導体２２との間に配設されている。引出導体２５は、半導体素子４０を挟んで短絡導体２４の反対側にあり、誘電体層１２の上面を短絡導体２４とは反対方向に、凹部１０ｃの底面１０ｄから、凹部１０ｃの外側に延びるように誘電体基板１０内に埋設されている。 A semiconductor element mounting portion 10e for arranging a semiconductor element 40 such as an IC chip is provided at the center of the bottom surface 10d of the recess 10c. The semiconductor element 40 is fixed to the semiconductor element mounting portion 10e by a joining method via, for example, a low melting point brazing material such as gold-silicon brazing material, a glass composite material, or a joining material such as a resin adhesive, and the semiconductor element 40 is fixed to the semiconductor element 40. , It is mounted on the semiconductor element mounting portion 10e at the center of the upper surface of the dielectric layer 12. Further, a short-circuit conductor 24 and a lead conductor 25 are provided as wiring patterns on the upper surface of the dielectric layer 12. The short-circuit conductor 24 is embedded in the dielectric substrate 10 so as to extend from the bottom surface 10d of the recess 10c to the outside of the recess 10c, and is embedded in the radiation conductor 20 via the short-circuit through conductor 23 penetrating the dielectric layer 11. It is electrically connected. The short-circuit portion through conductor 23 is arranged between the recess 10c and the connecting conductor 22. The lead conductor 25 is on the opposite side of the short-circuit conductor 24 with the semiconductor element 40 interposed therebetween, and extends the upper surface of the dielectric layer 12 in the direction opposite to the short-circuit conductor 24 from the bottom surface 10d of the recess 10c to the outside of the recess 10c. Is embedded in the dielectric substrate 10.

半導体素子４０は、上面に電極４１、４２が設けられており、電極４１は、ワイヤ４３を介して凹部１０ｃ内の短絡導体２４に電気的に接続され、電極４２は、ワイヤ４４を介して凹部１０ｃ内の引出導体２５に電気的に接続している。本実施形態においては、ワイヤ４３，４４で結線したが、短絡導体２４および引出導体２５上に電極パッドを設けて半導体素子載置部を構成し、半導体素子の電極を電極パッド上に載置およびはんだ等で固定してフリップチップ実装としてもよい。 The semiconductor element 40 is provided with electrodes 41 and 42 on the upper surface, the electrode 41 is electrically connected to the short-circuit conductor 24 in the recess 10c via the wire 43, and the electrode 42 is recessed via the wire 44. It is electrically connected to the lead conductor 25 in 10c. In the present embodiment, the wires 43 and 44 are connected, but electrode pads are provided on the short-circuit conductor 24 and the lead conductor 25 to form a semiconductor element mounting portion, and the electrodes of the semiconductor element are mounted on the electrode pads. It may be fixed with solder or the like to mount a flip chip.

半導体素子４０は、凹部１０ｃに封止樹脂４５を充填することによって封止されている。封止樹脂４５に用いられる樹脂材料としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂およびシリコーン樹脂等が挙げられる。また、これらの樹脂材料にシリカ粒子またはガラス粒子等のフィラー粒子が添加されていてもよい。フィラー粒子を添加することによって封止樹脂４５の機械的な強度、耐湿性または電気特性等の各種の特性を調整することができる。封止樹脂４５は、このような各種の樹脂材料から、ＲＦＩＤタグ２の生産時の作業性（生産性）および経済性等の条件に応じて適宜選択して用いることができる。 The semiconductor element 40 is sealed by filling the recess 10c with the sealing resin 45. Examples of the resin material used for the sealing resin 45 include epoxy resin, polyimide resin, silicone resin and the like. Further, filler particles such as silica particles or glass particles may be added to these resin materials. By adding filler particles, various properties such as mechanical strength, moisture resistance, and electrical properties of the sealing resin 45 can be adjusted. The sealing resin 45 can be appropriately selected and used from such various resin materials according to conditions such as workability (productivity) and economy during production of the RFID tag 2.

凹部１０ｃを挟んで接続導体２２の反対側に容量部接続導体２６が配設されている。容量部接続導体２６は、たとえば、誘電体層１１〜１４を貫通する貫通導体として構成することができる。 A capacitive connecting conductor 26 is arranged on the opposite side of the connecting conductor 22 with the recess 10c interposed therebetween. The capacitive connecting conductor 26 can be configured as, for example, a penetrating conductor penetrating the dielectric layers 11 to 14.

誘電体層１３の上面には、容量導体２８が配設されている。容量導体２８は、誘電体基板１０の第１面１０ａに最も近い容量導体であり、容量部接続導体２６と接続している。容量導体２８は、誘電体層１２を貫通する引出部貫通導体２７によって引出導体２５と電気的に接続している。誘電体層１５の上面には、容量導体２９が配設されている、容量導体２９は、第２面１０ｂに最も近い容量導体であり、容量部接続導体２６と接続している。容量部接続導体２６は、容量導体２８，２９と放射導体２０とを電気的に接続している。 A capacitive conductor 28 is arranged on the upper surface of the dielectric layer 13. The capacitive conductor 28 is the capacitive conductor closest to the first surface 10a of the dielectric substrate 10, and is connected to the capacitive connecting conductor 26. The capacitive conductor 28 is electrically connected to the lead conductor 25 by a lead-through conductor 27 that penetrates the dielectric layer 12. A capacitive conductor 29 is arranged on the upper surface of the dielectric layer 15, and the capacitive conductor 29 is the capacitive conductor closest to the second surface 10b and is connected to the capacitive connecting conductor 26. The capacitance portion connecting conductor 26 electrically connects the capacitance conductors 28 and 29 and the radiation conductor 20.

誘電体層１４の上面には、接地導体２１に対向するように内部接地導体３０が配設され、誘電体基板１０内に埋設されている。内部接地導体３０は、誘電体層１４，１５を貫通する内部接地貫通導体３１によって接地導体２１と電気的に接続している。容量導体２８，２９の間に内部接地導体３０が位置している。内部接地導体３０は、最も第１面１０ａに近い内部接地導体であり、また、引出導体２５に最も近い内部接地導体である。容量導体２８は、内部接地導体３０と引出導体２５との間に位置し、平面視において、引出導体２５と少なくとも一部が重なっている。 An internal grounding conductor 30 is disposed on the upper surface of the dielectric layer 14 so as to face the grounding conductor 21, and is embedded in the dielectric substrate 10. The internal grounding conductor 30 is electrically connected to the grounding conductor 21 by an internal grounding through conductor 31 penetrating the dielectric layers 14 and 15. The internal grounding conductor 30 is located between the capacitive conductors 28 and 29. The internal grounding conductor 30 is an internal grounding conductor closest to the first surface 10a, and is an internal grounding conductor closest to the extraction conductor 25. The capacitive conductor 28 is located between the internal grounding conductor 30 and the lead conductor 25, and at least partially overlaps with the lead conductor 25 in a plan view.

また、平面視において、容量導体２８，２９と内部接地導体３０とは少なくとも一部が重なっており、接地導体２１とともに容量部（コンデンサ）を構成している。容量導体２８，２９と内部接地導体３０および接地導体２１との重なり具合および、誘電体層１３，１４，１５の厚さによって定まる容量導体２８，２９と内部接地導体３０および接地導体２１との距離によって、容量導体２８，２９と内部接地導体３０および接地導体２１とで構成される容量部の容量が定まる。また、複数の容量導体と内部接地導体とを交互に積層する数を増やして容量部の容量を増やすこともできる。この場合においても、接地導体２１に最も近接して配置されるのは容量導体２９であり、また引出導体２５に最も近接して配置されるのは容量導体２８である。すなわち、内部接地導体の数がｎの場合には、容量導体の数はｎ＋１である。このような容量導体、内部接地導体および接地導体で構成される容量部の態様は、ＲＦＩＤタグ用基板１の大きさおよびＲＦＩＤシステムで使用する電波の周波数などを考慮して適宜定めることができる。 Further, in a plan view, at least a part of the capacitive conductors 28 and 29 and the internal grounding conductor 30 overlap each other, and together with the grounding conductor 21, a capacitance portion (capacitor) is formed. The distance between the capacitive conductors 28, 29 and the internal grounding conductor 30 and the grounding conductor 21 determined by the degree of overlap between the capacitive conductors 28 and 29 and the internal grounding conductor 30 and the grounding conductor 21 and the thickness of the dielectric layers 13, 14 and 15. The capacitance of the capacitive portion composed of the capacitive conductors 28 and 29, the internal grounding conductor 30 and the grounding conductor 21 is determined by. Further, it is possible to increase the capacity of the capacitance portion by increasing the number of alternately stacking the plurality of capacitance conductors and the internal grounding conductor. Also in this case, the capacitance conductor 29 is arranged closest to the ground conductor 21, and the capacitance conductor 28 is arranged closest to the lead conductor 25. That is, when the number of internal grounding conductors is n, the number of capacitive conductors is n + 1. The mode of the capacitive portion composed of such a capacitive conductor, an internal grounding conductor, and a grounding conductor can be appropriately determined in consideration of the size of the RFID tag substrate 1 and the frequency of radio waves used in the RFID system.

上記実施形態において、容量導体２８と内部接地導体３０との重なりと容量導体２９と内部接地導体３０との重なりは同じであっても異なっていてもよい。また、短絡導体２４は、短絡部貫通導体２３を介して放射導体２０に接続したが、接続導体２２または接地導体２１に接続してもよい。また、引出導体２５は、引出部貫通導体２７を介して容量導体２８に電気的に接続したが、引出導体２５を容量部接続導体２６まで延ばして接続し、容量部接続導体２６を介して容量導体２８に電気的に接続してもよい。すなわち、半導体素子４０のインピーダンスに応じて、ＩＣ端子が電気的に接続する位置を適宜定めることができる。 In the above embodiment, the overlap between the capacitance conductor 28 and the internal grounding conductor 30 and the overlap between the capacitance conductor 29 and the internal grounding conductor 30 may be the same or different. Further, although the short-circuit conductor 24 is connected to the radiation conductor 20 via the short-circuit portion through conductor 23, it may be connected to the connection conductor 22 or the ground conductor 21. Further, the lead conductor 25 is electrically connected to the capacitance conductor 28 via the lead-through conductor 27, but the lead conductor 25 is extended to the capacitance connecting conductor 26 and connected, and the capacitance is connected via the capacitance connecting conductor 26. It may be electrically connected to the conductor 28. That is, the position where the IC terminal is electrically connected can be appropriately determined according to the impedance of the semiconductor element 40.

上述の放射導体２０、接地導体２１、接続導体２２、短絡部貫通導体２３、短絡導体２４、引出導体２５、容量部接続導体２６、引出部貫通導体２７、容量導体２８，２９、内部接地導体３０および内部接地貫通導体３１といった導体部分は、例えば、タングステン、モリブデン、マンガン、銅、銀、パラジウム、金、白金、ニッケルまたはコバルト等の金属材料によって形成されている。また、これらの導体部分は上記の金属材料を含む合金材料等によって形成されているものでもよい。このような金属材料等は、メタライズ層等の金属層として誘電体基板１０の表面および内部に設けられている。 The above-mentioned radiation conductor 20, ground conductor 21, connecting conductor 22, short-circuit portion penetrating conductor 23, short-circuit conductor 24, lead conductor 25, capacitance portion connecting conductor 26, lead-out portion penetrating conductor 27, capacitance conductors 28, 29, internal ground conductor 30 And the conductor portion such as the internal grounding through conductor 31 is formed of a metal material such as tungsten, molybdenum, manganese, copper, silver, palladium, gold, platinum, nickel or cobalt. Further, these conductor portions may be formed of an alloy material or the like containing the above-mentioned metal material. Such a metal material or the like is provided on the surface and inside of the dielectric substrate 10 as a metal layer such as a metallized layer.

上記の導体部分は、たとえば、タングステンのメタライズ層である場合には、タングステンの粉末を有機溶剤および有機バインダと混合して作製した金属ペーストを誘電体基板１０となるセラミックグリーンシートの所定位置にスクリーン印刷法等の方法で印刷した後に、これらを同時焼成する方法で形成することができる。 When the conductor portion is, for example, a tungsten metallized layer, a metal paste prepared by mixing tungsten powder with an organic solvent and an organic binder is screened at a predetermined position on a ceramic green sheet to be a dielectric substrate 10. After printing by a method such as a printing method, these can be formed by a method of simultaneous firing.

第１実施形態における、接続導体２２および短絡部貫通導体２３などの誘電体基板１０を厚み方向に貫通している貫通導体は、あらかじめセラミックグリーンシートに貫通孔を設けておき、この貫通孔内に上記と同様の金属ペーストを充填して焼成することで形成することができる。貫通孔は、機械的な孔あけ加工またはレーザ加工等の方法でセラミックグリーンシートに設けることができる。 In the first embodiment, the through conductor that penetrates the dielectric substrate 10 such as the connecting conductor 22 and the short-circuited through portion conductor 23 in the thickness direction is provided with a through hole in the ceramic green sheet in advance, and the through hole is provided. It can be formed by filling and firing a metal paste similar to the above. The through hole can be provided in the ceramic green sheet by a method such as mechanical drilling or laser machining.

また、誘電体基板１０に配設されるこのような導体部分がメタライズ層で形成されるときに、そのメタライズ層の露出表面をニッケルおよび金等のめっき層で被覆して、酸化腐食の抑制およびボンディングワイヤのボンディング性の向上等を行うようにしてもよい。 Further, when such a conductor portion arranged on the dielectric substrate 10 is formed by a metallized layer, the exposed surface of the metallized layer is covered with a plating layer such as nickel and gold to suppress oxidative corrosion and suppress oxidative corrosion. The bondability of the bonding wire may be improved.

上記構成のＲＦＩＤタグ２は、誘電体基板１０に上記構成の導体部分を有することから、放射導体２０を逆Ｆアンテナとして機能させることができる。また、複数の容量導体２８，２９と内部接地導体３０とを備えることによって、ＲＦＩＤタグ用基板１を小型化しても動作させるのに必要な容量部の容量を確保することができるので、ＲＦＩＤタグ用基板１およびＲＦＩＤタグ２の小型化を実現することができる。また、ＲＦＩＤタグ２を金属などの導電性のある物品に取付けることで、物品の金属部がＲＦＩＤタグ２の逆Ｆアンテナの接地導体として作用し、利得が向上して通信範囲が広がる。また、半導体素子４０が誘電体基板１０の凹部１０ｃに収納されていることから、小型化を実現することができる。 Since the RFID tag 2 having the above configuration has the conductor portion having the above configuration on the dielectric substrate 10, the radiation conductor 20 can function as an inverted F antenna. Further, by providing the plurality of capacitance conductors 28 and 29 and the internal grounding conductor 30, it is possible to secure the capacitance of the capacitance portion required for operation even if the RFID tag substrate 1 is miniaturized. Therefore, the RFID tag The size of the substrate 1 and the RFID tag 2 can be reduced. Further, by attaching the RFID tag 2 to a conductive article such as metal, the metal portion of the article acts as a ground conductor of the inverted F antenna of the RFID tag 2, the gain is improved, and the communication range is expanded. Further, since the semiconductor element 40 is housed in the recess 10c of the dielectric substrate 10, miniaturization can be realized.

また、ＲＦＩＤタグと導電性物質との距離によって、接地導体の導体面内の電位分布が変化する。そのため、接地導体から電気的に一番遠い引き出し導体と接地導体に接続されている内部接地導体との間の容量結合の変化が大きくなり、周波数のばらつきが生じやすくなり、ＲＦＩＤタグの動作が不安定になるおそれがある Further, the potential distribution in the conductor surface of the grounding conductor changes depending on the distance between the RFID tag and the conductive substance. Therefore, the change in the capacitive coupling between the lead conductor electrically farthest from the ground conductor and the internal ground conductor connected to the ground conductor becomes large, the frequency variation is likely to occur, and the operation of the RFID tag is inoperable. May be stable

しかしながら、引出導体２５に最も近い接地導体であって、誘電体基板１０の第１面１０ａに最も近い内部接地導体３０と引出導体２５との間に容量導体２８が配設されて、平面視において、引出導体２５の少なくとも一部が容量導体２８と重なっているので、内部接地導体３０と引出導体２５との間の容量結合を軽減することができる。このことによってＲＦＩＤタグ２を導電性物質に取付けて使用する場合において、導電性物質とＲＦＩＤタグ２との距離のばらつきに起因する共振周波数のばらつきを抑制することができるので、リーダライタとの通信した場合にＲＦＩＤタグ２を安定して動作させることができる。 However, the capacitive conductor 28 is disposed between the internal grounding conductor 30 which is the grounding conductor closest to the drawing conductor 25 and is closest to the first surface 10a of the dielectric substrate 10 and the drawing conductor 25, and is viewed in plan view. Since at least a part of the lead conductor 25 overlaps with the capacitive conductor 28, the capacitive coupling between the internal ground conductor 30 and the lead conductor 25 can be reduced. As a result, when the RFID tag 2 is attached to the conductive substance and used, the variation in the resonance frequency due to the variation in the distance between the conductive substance and the RFID tag 2 can be suppressed, so that the communication with the reader / writer can be suppressed. In this case, the RFID tag 2 can be operated stably.

図３は、第１実施形態に示されるＲＦＩＤタグを含むＲＦＩＤシステムの一例を示す模式図である。上記構成のＲＦＩＤタグ２を含んで、図３に示すような実施形態のＲＦＩＤシステム３が構成されている。本実施形態のＲＦＩＤシステム３は、上記構成のＲＦＩＤタグ２と、ＲＦＩＤタグ２の放射導体２０との間で電波を送受するアンテナ５１を有するリーダライタ５０とを有している。リーダライタ５０は、たとえば、電気絶縁材料からなる基体５２に矩形状などの形状のアンテナ５１が設けられて形成されている。 FIG. 3 is a schematic view showing an example of an RFID system including the RFID tag shown in the first embodiment. Including the RFID tag 2 having the above configuration, the RFID system 3 of the embodiment as shown in FIG. 3 is configured. The RFID system 3 of the present embodiment has an RFID tag 2 having the above configuration and a reader / writer 50 having an antenna 51 for transmitting and receiving radio waves between the RFID tag 2 and the radiation conductor 20 of the RFID tag 2. The reader / writer 50 is formed, for example, by providing an antenna 51 having a rectangular shape or the like on a substrate 52 made of an electrically insulating material.

たとえば、ＲＦＩＤタグ２は、各種の物品６０に実装されて用いられ、物品６０に関する各種の情報が半導体素子４０に書きこまれている。この情報は、ＲＦＩＤタグ２を含むＲＦＩＤシステム３においてリーダライタ５０とＲＦＩＤタグ２との間で送受される情報に応じて、随時書き換えが可能になっている。これによって、物品６０に関する各種の情報が随時更新される。物品６０は、金属などの導電性のものであって、接地導体２１が物品６０に接触または近接して取り付けられることによって、物品６０の金属部がＲＦＩＤタグ２のアンテナの接地導体として作用し、アンテナの利得が向上するのでＲＦＩＤタグ２とリーダライタ５０との通信性能が向上する。 For example, the RFID tag 2 is mounted and used on various articles 60, and various information about the articles 60 is written in the semiconductor element 40. This information can be rewritten at any time according to the information transmitted and received between the reader / writer 50 and the RFID tag 2 in the RFID system 3 including the RFID tag 2. As a result, various information regarding the article 60 is updated from time to time. The article 60 is a conductive material such as metal, and when the grounding conductor 21 is attached in contact with or close to the article 60, the metal portion of the article 60 acts as the grounding conductor of the antenna of the RFID tag 2. Since the gain of the antenna is improved, the communication performance between the RFID tag 2 and the reader / writer 50 is improved.

リーダライタ５０を使用する場合は、ＲＦＩＤタグ２と、リーダライタ５０とを近づける。たとえば、リーダライタ５０のアンテナ５１から放射された電波高周波信号（例えば、ＵＨＦ周波数帯）がＲＦＩＤタグ２の放射導体２０で受信され、受信信号として上記導体部分を介して半導体素子４０に伝送される。そして、この受信信号のエネルギーを駆動源として半導体素子４０に記憶されている情報を放射導体２０からリーダライタ５０に送信して通信が行われる。 When using the reader / writer 50, the RFID tag 2 and the reader / writer 50 are brought close to each other. For example, a radio frequency signal (for example, UHF frequency band) radiated from the antenna 51 of the reader / writer 50 is received by the radiating conductor 20 of the RFID tag 2 and transmitted as a received signal to the semiconductor element 40 via the conductor portion. .. Then, using the energy of the received signal as a drive source, the information stored in the semiconductor element 40 is transmitted from the radiation conductor 20 to the reader / writer 50 to perform communication.

図４は、第２実施形態のＲＦＩＤタグの一例を示す断面図である。また、図５は、第２実施形態のＲＦＩＤタグ用基板の一例を示す分解斜視図である。第２実施形態のＲＦＩＤタグ用基板およびＲＦＩＤタグは、第１実施形態のＲＦＩＤタグ用基板およびＲＦＩＤタグと比べて容量導体の形状が異なっている。図４、図５において、図１と同様の部位には同様の符号を付している。誘電体層１３の上面には容量導体２８ａが配置されている。容量導体２８ａは、誘電体基板１０の第１面１０ａに最も近い容量導体であり、容量部接続導体２６と接続している。容量導体２８ａは、誘電体層１２を貫通する引出部貫通導体２７によって引出導体２５と電気的に接続している。誘電体層１５の上面には、容量導体２９ａが配設されている、容量導体２９ａは、第２面１０ｂに最も近い容量導体であり、容量部接続導体２６と接続している。 FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of the RFID tag of the second embodiment. Further, FIG. 5 is an exploded perspective view showing an example of the RFID tag substrate of the second embodiment. The RFID tag substrate and RFID tag of the second embodiment are different in the shape of the capacitive conductor from the RFID tag substrate and RFID tag of the first embodiment. In FIGS. 4 and 5, the same parts as those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals. A capacitive conductor 28a is arranged on the upper surface of the dielectric layer 13. The capacitive conductor 28a is the capacitive conductor closest to the first surface 10a of the dielectric substrate 10, and is connected to the capacitive connecting conductor 26. The capacitive conductor 28a is electrically connected to the lead conductor 25 by a lead-through conductor 27 that penetrates the dielectric layer 12. A capacitive conductor 29a is arranged on the upper surface of the dielectric layer 15. The capacitive conductor 29a is the capacitive conductor closest to the second surface 10b and is connected to the capacitive connecting conductor 26.

容量導体２８ａ，２９ａと内部接地導体３０および接地導体２１とは重なり部分があり、容量部を構成している。容量導体２８ａは、引出導体２５と、内部接地導体３０の間にあって、引出導体２５の下方全体を容量導体２８ａが覆うように配設されており、平面視において、引出導体２５の全体が容量導体２８ａと重なっている。 The capacitive conductors 28a and 29a, the internal grounding conductor 30 and the grounding conductor 21 have overlapping portions, and form a capacitive portion. The capacitance conductor 28a is located between the lead conductor 25 and the internal grounding conductor 30 so that the capacitance conductor 28a covers the entire lower portion of the lead conductor 25. In a plan view, the entire lead conductor 25 is a capacitance conductor. It overlaps with 28a.

このように、引出導体２５に最も近い接地導体であって、誘電体基板１０の第１面１０ａに最も近い内部接地導体３０と引出導体２５との間に容量導体２８ａが配設され、引出導体２５の全体が誘電体基板１０の第１面１０ａに最も近い容量導体２８ａと平面視において重なっているので、内部接地導体３０と引出導体２５との間の容量結合をさらに軽減することができる。このことによってＲＦＩＤタグ２を導電性物質に取付けて使用する場合において、導電性物質とＲＦＩＤタグ２との距離のばらつきに起因する共振周波数のばらつきを抑制することができるので、リーダライタとの通信した場合にＲＦＩＤタグ２を安定して動作させることができる。 As described above, the capacitive conductor 28a is arranged between the internal grounding conductor 30 which is the grounding conductor closest to the drawing conductor 25 and is closest to the first surface 10a of the dielectric substrate 10 and the drawing conductor 25, and the drawing conductor Since the entire 25 overlaps with the capacitive conductor 28a closest to the first surface 10a of the dielectric substrate 10 in a plan view, the capacitive coupling between the internal grounding conductor 30 and the lead conductor 25 can be further reduced. As a result, when the RFID tag 2 is attached to the conductive substance and used, the variation in the resonance frequency due to the variation in the distance between the conductive substance and the RFID tag 2 can be suppressed, so that the communication with the reader / writer can be suppressed. In this case, the RFID tag 2 can be operated stably.

図６は、第３実施形態のＲＦＩＤタグの一例を示す断面図である。また、図７は、第３実施形態のＲＦＩＤタグ用基板の一例を示す分解斜視図である。第３実施形態のＲＦＩＤタグ用基板およびＲＦＩＤタグは、第１実施形態のＲＦＩＤタグ用基板およびＲＦＩＤタグと比べて容量導体および内部接地導体の形状が異なっている。図６、図７において、図１、図２と同様の部位には同様の符号を付している。誘電体層１３の上面には容量導体２８ｂが配置されている。容量導体２８ｂは、誘電体基板１０の第１面１０ａに最も近い容量導体であり、容量部接続導体２６と接続している。容量導体２８ｂは、誘電体層１２を貫通する引出部貫通導体２７によって引出導体２５と電気的に接続している。誘電体層１５の上面には、容量導体２９ｂが配設されている、容量導体２９ｂは、第２面１０ｂに最も近い容量導体であり、容量部接続導体２６と接続している。 FIG. 6 is a cross-sectional view showing an example of the RFID tag of the third embodiment. Further, FIG. 7 is an exploded perspective view showing an example of the RFID tag substrate of the third embodiment. The RFID tag substrate and RFID tag of the third embodiment are different in shape of the capacitance conductor and the internal grounding conductor from the RFID tag substrate and RFID tag of the first embodiment. In FIGS. 6 and 7, the same parts as those in FIGS. 1 and 2 are designated by the same reference numerals. A capacitive conductor 28b is arranged on the upper surface of the dielectric layer 13. The capacitive conductor 28b is the capacitive conductor closest to the first surface 10a of the dielectric substrate 10, and is connected to the capacitive connecting conductor 26. The capacitive conductor 28b is electrically connected to the lead conductor 25 by a lead-through conductor 27 that penetrates the dielectric layer 12. A capacitive conductor 29b is arranged on the upper surface of the dielectric layer 15, and the capacitive conductor 29b is the capacitive conductor closest to the second surface 10b and is connected to the capacitive connecting conductor 26.

誘電体層１４の上面には、矩形の内部接地導体３０ｂが配置されている。内部接地導体３０ｂは、接続導体２２と接続している。内部接地導体３０ｂを接続導体２２と接続するように延設することによって、貫通導体の数を減らすことができる。また、容量導体２８ｂ，２９ｂの間に内部接地導体３０ｂが配設されている。平面視において、容量導体２８ｂ，２９ｂと内部接地導体３０ｂとは重なり部分があり、接地導体２１とともに容量部を構成している。容量導体２８ｂは、引出導体２５と、内部接地導体３０の間にあって、引出導体２５の下方全体を容量導体２８ｂが覆うように配設されており、平面視において、引出導体２５全体が容量導体２８ｂと重なっている。 A rectangular internal grounding conductor 30b is arranged on the upper surface of the dielectric layer 14. The internal grounding conductor 30b is connected to the connecting conductor 22. The number of through conductors can be reduced by extending the internal grounding conductor 30b so as to connect with the connecting conductor 22. Further, an internal grounding conductor 30b is arranged between the capacitance conductors 28b and 29b. In a plan view, the capacitance conductors 28b and 29b and the internal grounding conductor 30b have an overlapping portion, and together with the grounding conductor 21, form a capacitance portion. The capacitance conductor 28b is located between the lead conductor 25 and the internal grounding conductor 30 so that the capacitance conductor 28b covers the entire lower portion of the lead conductor 25. In a plan view, the entire lead conductor 25 is the capacitance conductor 28b. It overlaps with.

このように、引出導体２５に最も近い接地導体である、誘電体基板１０の第１面１０ａに最も近い内部接地導体３０ｂと引出導体２５との間に容量導体２８ｂが配設され、引出導体２５の全体が誘電体基板１０の第１面１０ａに最も近い容量導体２８ｂと平面視において重なっているので、内部接地導体３０ｂと引出導体２５との間の容量結合をさらに軽減することができる。このことによってＲＦＩＤタグ２を導電性物質に取付けて使用する場合において、導電性物質とＲＦＩＤタグ２との距離のばらつきに起因する共振周波数のばらつきを抑制することができるので、リーダライタとの通信した場合にＲＦＩＤタグ２を安定して動作させることができる。 In this way, the capacitive conductor 28b is arranged between the internal grounding conductor 30b, which is the grounding conductor closest to the lead conductor 25, and the grounding conductor 20 closest to the first surface 10a of the dielectric substrate 10, and the lead conductor 25. Since the entire surface of the dielectric substrate 10 overlaps with the capacitive conductor 28b closest to the first surface 10a in a plan view, the capacitive coupling between the internal grounding conductor 30b and the lead conductor 25 can be further reduced. As a result, when the RFID tag 2 is attached to the conductive substance and used, the variation in the resonance frequency due to the variation in the distance between the conductive substance and the RFID tag 2 can be suppressed, so that the communication with the reader / writer can be suppressed. In this case, the RFID tag 2 can be operated stably.

図８は、第４実施形態のＲＦＩＤタグの一例を示す断面図である。また、図９は、第４実施形態のＲＦＩＤタグ用基板の一例を示す分解斜視図である。第４実施形態のＲＦＩＤタグは、第１実施形態のＲＦＩＤタグ２と比べて容量導体および内部接地導体の形状が異なっている。図８、図９において、図１、図２と同様の部位には同様の符号を付している。誘電体層１３の上面には容量導体２８ｃが配置されている。容量導体２８ｃは、誘電体基板１０の第１面１０ａに最も近い容量導体であり、容量部接続導体２６と接続している。容量導体２８ｃは、誘電体層１２を貫通する引出部貫通導体２７によって引出導体２５と電気的に接続している。誘電体層１５の上面には、容量導体２９ｃが配設されている、容量導体２９ｃは、第２面１０ｂに最も近い容量導体であり、容量部接続導体２６と接続している。 FIG. 8 is a cross-sectional view showing an example of the RFID tag of the fourth embodiment. Further, FIG. 9 is an exploded perspective view showing an example of the RFID tag substrate of the fourth embodiment. The RFID tag of the fourth embodiment is different in the shape of the capacitance conductor and the internal grounding conductor from the RFID tag 2 of the first embodiment. In FIGS. 8 and 9, the same parts as those in FIGS. 1 and 2 are designated by the same reference numerals. A capacitive conductor 28c is arranged on the upper surface of the dielectric layer 13. The capacitive conductor 28c is the capacitive conductor closest to the first surface 10a of the dielectric substrate 10, and is connected to the capacitive connecting conductor 26. The capacitive conductor 28c is electrically connected to the lead conductor 25 by a lead-through conductor 27 that penetrates the dielectric layer 12. A capacitive conductor 29c is arranged on the upper surface of the dielectric layer 15. The capacitive conductor 29c is the capacitive conductor closest to the second surface 10b and is connected to the capacitive connecting conductor 26.

誘電体層１４の上面には、矩形の内部接地導体３０ｃが配置されている。内部接地導体３０ｃは、接続導体２２によって接地導体２１と電気的に接続している。容量導体２８ｃ，２９ｃの間に内部接地導体３０ｃが配設されている。平面視において、容量導体２８ｃ，２９ｃと内部接地導体３０ｃおよび接地導体２１とは重なり部分があり、容量部を構成している。容量導体２８ｃは、引出導体２５と、内部接地導体３０ｃの間にあって、引出導体２５の下方全体を容量導体２８ｃが覆うように配設されており、平面視において、引出導体２５全体が容量導体２８ｃと重なっている。 A rectangular internal grounding conductor 30c is arranged on the upper surface of the dielectric layer 14. The internal grounding conductor 30c is electrically connected to the grounding conductor 21 by a connecting conductor 22. An internal grounding conductor 30c is arranged between the capacitive conductors 28c and 29c. In a plan view, the capacitive conductors 28c and 29c, the internal grounding conductor 30c and the grounding conductor 21 have an overlapping portion, and form a capacitive portion. The capacitive conductor 28c is located between the lead conductor 25 and the internal grounding conductor 30c so that the capacitive conductor 28c covers the entire lower portion of the lead conductor 25. In a plan view, the entire lead conductor 25 is the capacitive conductor 28c. It overlaps with.

平面視において、容量導体２８ｃ，２９ｃは、外周形状が接地導体２１と同じである。たとえば、第１面１０ａ側からの平面視において、容量導体２８ｃ，２９ｃと接地導体２１との外周形状は重なっており、同じ大きさのほぼ正方形状である。容量導体２８ｃ、２９ｃが、接地導体２１とほぼ同じ外周形状である場合において、接続導体２２と交差する部分があるが、容量導体２８ｃ，２９ｃに孔３２，３３をそれぞれ設け、孔３２、３３内を接続導体２２が容量導体２８ｃ，２９ｃから離間して貫通している。容量導体が平面視おいて接地導体のほぼ全面を実質的に覆うような形状であれば、容量導体と接地導体との外周形状が同じであるということができる。 In a plan view, the capacitive conductors 28c and 29c have the same outer peripheral shape as the ground conductor 21. For example, in a plan view from the first surface 10a side, the outer peripheral shapes of the capacitive conductors 28c and 29c and the grounding conductor 21 overlap, and are substantially square shapes of the same size. When the capacitance conductors 28c and 29c have substantially the same outer peripheral shape as the ground conductor 21, there is a portion that intersects with the connecting conductor 22, but holes 32 and 33 are provided in the capacitance conductors 28c and 29c, respectively, and the inside of the holes 32 and 33 is provided. The connecting conductor 22 penetrates the capacitive conductors 28c and 29c apart from each other. If the capacitance conductor has a shape that substantially covers almost the entire surface of the ground conductor in a plan view, it can be said that the outer peripheral shapes of the capacitance conductor and the ground conductor are the same.

平面視において容量導体２８ｃ，２９ｃの外周形状が接地導体２１と同じであることによって、接地導体２１の導体面内の電位分布の変化を小さくできるため、容量導体２８ｃ，２９ｃと接地導体間の容量値の変化が小さくなり、共振周波数のばらつきを抑制することができる。なお、全ての容量導体が接地導体と同じ外周形状である必要はなく、少なくとも前記誘電体基板の第２面に最も近い容量導体が接地導体と同じ外周形状であればよい。たとえば、容量導体２９ｃだけが接地導体２１と外周形状が同じであるような構成であってもよい。 Since the outer peripheral shapes of the capacitance conductors 28c and 29c are the same as those of the ground conductor 21 in a plan view, the change in the potential distribution in the conductor surface of the ground conductor 21 can be reduced, so that the capacitance between the capacitance conductors 28c and 29c and the ground conductor is small. The change in the value becomes small, and the variation in the resonance frequency can be suppressed. It is not necessary that all the capacitance conductors have the same outer peripheral shape as the ground conductor, and at least the capacitance conductor closest to the second surface of the dielectric substrate may have the same outer peripheral shape as the ground conductor. For example, only the capacitance conductor 29c may have the same outer peripheral shape as the ground conductor 21.

以上、本発明について詳細に説明したが、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変更、改良等が可能である。 Although the present invention has been described in detail above, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications, improvements, and the like can be made without departing from the gist of the present invention.

１ＲＦＩＤタグ用基板
２ＲＦＩＤタグ
３ＲＦＩＤシステム
１０誘電体基板
１０ａ第１面
１０ｂ第２面
１０ｃ凹部
１０ｄ底面
１０ｅ半導体素子載置部
１１，１２，１３，１４，１５誘電体層
２０放射導体
２１接地導体
２２接続導体
２３短絡部貫通導体
２４短絡導体
２５引出導体
２６容量部接続導体
２７引出部貫通導体
２８，２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２９，２９ａ，２９ｂ，２９ｃ容量導体
３０，３０ｂ，３０ｃ内部接地導体
３１内部接地貫通導体
３２，３３孔
４０半導体素子
４１，４２電極
４３，４４ワイヤ
４５封止樹脂
５０リーダライタ
５１アンテナ
５２基体
６０物品 1 RFID tag substrate 2 RFID tag 3 RFID system 10 dielectric substrate 10a 1st surface 10b 2nd surface 10c recess 10d bottom surface 10e Semiconductor element mounting part 11, 12, 13, 14, 15 Dielectric layer 20 Radial conductor 21 Grounding Conductor 22 Connecting conductor 23 Short-circuiting part penetrating conductor 24 Short-circuiting conductor 25 Drawer conductor 26 Capacitive part connecting conductor 27 Drawer part penetrating conductor 28, 28a, 28b, 28c, 29, 29a, 29b, 29c Capacitive conductor 30, 30b, 30c Internal ground conductor 31 Internal ground through conductor 32,33 Hole 40 Semiconductor element 41,42 Electrode 43,44 Wire 45 Encapsulating resin 50 Leader writer 51 Antenna 52 Base 60 Article

Claims

A dielectric substrate having a first surface provided with a recess and a second surface facing the first surface.
A radiation conductor provided on the first surface of the dielectric substrate and
A ground conductor provided on the second surface of the dielectric substrate and
A connecting conductor that electrically connects the grounding conductor and the radiating conductor,
A semiconductor element mounting portion provided in the recess and
With at least one internal grounding conductor electrically connected to the grounding conductor and embedded inside the dielectric substrate so as to face the grounding conductor.
A plurality of capacitive conductors embedded in the dielectric substrate, electrically connected to the radiating conductor, and at least partially arranged to face the internal grounding conductor.
A lead conductor embedded in the side closer to the first surface of the dielectric substrate than the capacitance conductor and for electrically connecting the semiconductor element mounted on the semiconductor element mounting portion and the capacitance conductor. With
One of the capacitive conductors is located between the internal grounding conductor closest to the first surface of the dielectric substrate and the lead conductor, and is characterized in that at least a part of the lead conductor overlaps with the lead conductor in a plan view. The board for the RFID tag.

The RFID tag substrate according to claim 1, wherein the entire lead-out conductor overlaps the capacitive conductor closest to the first surface of the dielectric substrate in a plan view.

The outer peripheral shape of the capacitive conductor closest to the second surface of the dielectric substrate among the plurality of capacitive conductors in a plan view is the same as the outer peripheral shape of the ground conductor in a plan view. Alternatively, the RFID tag substrate according to 2.

An RFID tag comprising the RFID tag substrate according to any one of claims 1 to 3 and a semiconductor element mounted on a semiconductor element mounting portion of the RFID tag substrate.

The RFID tag according to claim 4 and
An RFID system comprising: a reader / writer having an antenna for transmitting and receiving radio waves to and from the RFID tag.