JP6783644B2 - Foreign matter inspection device - Google Patents

Foreign matter inspection device Download PDF

Info

Publication number
JP6783644B2
JP6783644B2 JP2016239997A JP2016239997A JP6783644B2 JP 6783644 B2 JP6783644 B2 JP 6783644B2 JP 2016239997 A JP2016239997 A JP 2016239997A JP 2016239997 A JP2016239997 A JP 2016239997A JP 6783644 B2 JP6783644 B2 JP 6783644B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
foreign matter
light
inspection device
objective lens
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2016239997A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2018096766A (en
Inventor
幸修 田中
幸修 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2016239997A priority Critical patent/JP6783644B2/en
Publication of JP2018096766A publication Critical patent/JP2018096766A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6783644B2 publication Critical patent/JP6783644B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Description

本発明は、異物検出装置に関する。 The present invention relates to a foreign matter detecting device.

約30GHz〜10THzの波長帯の電磁波は、ミリ波、テラヘルツ波、または、包含してマイクロ波と呼ばれている。本波長帯は、可視光などの高い周波数帯の電磁波と比べて布、紙、プラスティックなどの物質に対する透過性において優れている。又、低い周波数帯の電磁波と比べて光の性質を比較的強く示す波長帯であるため、電磁波を光学的に制御し易い特徴がある。これらの特徴を生かして、ミリ波、テラヘルツ波を検査対象に合わせて照射し、その透過波あるいは反射波を観測することで、検査対象内部の欠陥検査や、異物混入検査などを、非接触非破壊で実施する一つの方式として着目を浴びている。
検査対象物がベルトコンベア等で搬送される場合、振動等による焦点距離の変動を考慮するとビームウェストを広くする必要があるため、高分解能を得ることが難しい。そこで、対象物と焦点の関係を補償するように焦点距離を調整することで、ビームウェストを狭くし焦点を絞ることが重要となる。
Electromagnetic waves in the wavelength band of about 30 GHz to 10 THz are called millimeter waves, terahertz waves, or inclusive microwaves. This wavelength band is superior in transparency to substances such as cloth, paper, and plastic as compared with electromagnetic waves in high frequency bands such as visible light. In addition, since it is a wavelength band that exhibits the properties of light relatively strongly as compared with electromagnetic waves in a low frequency band, it has a feature that electromagnetic waves can be easily controlled optically. Taking advantage of these characteristics, millimeter waves and terahertz waves are irradiated according to the inspection target, and by observing the transmitted wave or reflected wave, defect inspection inside the inspection target, foreign matter contamination inspection, etc. are non-contact non-contact. It is attracting attention as a method to be implemented by destruction.
When the inspection object is conveyed by a belt conveyor or the like, it is difficult to obtain high resolution because it is necessary to widen the beam waist in consideration of the fluctuation of the focal length due to vibration or the like. Therefore, it is important to narrow the beam waist and focus by adjusting the focal length so as to compensate for the relationship between the object and the focal point.

WO2012/108306WO2012 / 108306

特許文献1には、テラヘルツ波の反射波を利用して金属の腐食を防ぐための塗膜や半導体ウェーハのエピ層等の積層物中の欠陥(気泡)検査を行う際に測定対象物の位置合わせを容易に行えるテラヘルツ波を用いた検査装置及び検査方法が開示されている。
上記特許文献1によると「状態検出部(レーザ光源とレンズとナイフエッジと受光部と)を備えることにより、測定対象物の位置と角度とが所定の状態にあるか否かを検出することができるので、測定対象物の位置合わせを容易に行うことができ、気泡の有無の判別を正確に行うことができる。」と記載されている。
特許文献1よると、反射光をつかってオートフォーカスを行い異物を検出することが記載されている。しかし特許文献1の技術は、測定対象物表面に傷もしくは文字があった時でも異物として検出してしまうため、誤検出のおそれがある。
Patent Document 1 describes the position of an object to be measured when inspecting defects (bubbles) in a laminate such as a coating film or an epi layer of a semiconductor wafer for preventing metal corrosion by utilizing a reflected wave of a terahertz wave. An inspection device and an inspection method using a terahertz wave that can be easily adjusted are disclosed.
According to Patent Document 1, "By providing a state detection unit (laser light source, lens, knife edge, and light receiving unit), it is possible to detect whether or not the position and angle of the object to be measured are in a predetermined state. Therefore, the alignment of the object to be measured can be easily performed, and the presence or absence of air bubbles can be accurately determined. "
According to Patent Document 1, it is described that foreign matter is detected by performing autofocus using reflected light. However, the technique of Patent Document 1 detects foreign matter even if there are scratches or characters on the surface of the object to be measured, so that there is a risk of erroneous detection.

そこで本発明の目的は、測定対象物表面に傷もしくは文字がある場合でも、異物の検出精度を上げることが可能な検査装置を提供することである。 Therefore, an object of the present invention is to provide an inspection device capable of improving the detection accuracy of foreign matter even if there are scratches or letters on the surface of the object to be measured.

上記課題は対象物の中の異物または欠陥を検出する異物検査装置であって、前記検査装置を制御する制御部と、前記対象物に照射する光を発生する照射部と、前記照射部から出射される光を集光する第一の対物レンズと、前記対象物表面からの反射光を受光する第一
の受光部と、前記対象物からの透過光を受光する第二の受光部と、前記第一の受光部で受光した反射光から前記対象物の表面位置と前記第一の対物レンズ位置との相対位置決め信号を生成する信号生成部と、を備え、前記相対位置決め信号に基づき、前記制御部は、前記第一の対物レンズの位置を制御し、前記第二の受光部で受光した透過光に基づき、前記制御部は異物または欠陥を検出し、前記第二の受光部は、前記対象物を透過した透過光を受光する2つ以上のセンサから構成され、前記第二の受光部の互いに隣り合うセンサは互いに受光偏光角が異なる配置とすることを特徴とする異物検査装置により解決される。

The above-mentioned problem is a foreign matter inspection device for detecting a foreign substance or a defect in an object, a control unit for controlling the inspection device, an irradiation unit for generating light to irradiate the object, and an irradiation unit emitting light from the irradiation unit. first for receiving a first objective lens for condensing light being the reflected light from the pre-Symbol object surface
The light receiving portion of the object, the second light receiving portion that receives the transmitted light from the object, and the surface position of the object and the position of the first objective lens from the reflected light received by the first light receiving unit. comprising a signal generating unit that generates a relative position signal, and based on the relative positioning signal, wherein the control unit controls the position of the first objective lens, and received by the second light receiving portion transmitting Based on the light , the control unit detects a foreign substance or a defect, and the second light receiving unit is composed of two or more sensors that receive the transmitted light transmitted through the object, and is composed of two or more sensors of the second light receiving unit. The problem is solved by a foreign matter inspection device characterized in that sensors adjacent to each other have different arrangements of light receiving and polarization angles .

本発明によれば測定対象物の異物検出を全面で可能にし、検査装置の信頼性の向上を実現する。 According to the present invention, it is possible to detect foreign matter on the object to be measured on the entire surface, and to improve the reliability of the inspection device.

実施例1に係る異物検査装置を示す構成図Configuration diagram showing the foreign matter inspection device according to the first embodiment 実施例1に係るデフォーカス信号の生成方法を表す概略図(a)位置ずれとビーム形状の関係(b)検査対象物に近づく方向にフォーカスずれした時のビーム形状(c)ジャストフォーカス時のビーム形状と演算回路(d)検査対象物に遠ざかる方向にフォーカスずれした時のビーム形状(e)フォーカス方向の位置とデフォーカス信号との関係Schematic diagram showing a method of generating a defocus signal according to the first embodiment (a) Relationship between position shift and beam shape (b) Beam shape when focus shifts in a direction approaching an inspection object (c) Beam at just focus Shape and arithmetic circuit (d) Beam shape when the focus shifts in the direction away from the inspection object (e) Relationship between the position in the focus direction and the defocus signal 実施例1に係るサーボ信号生成回路の構成図Configuration diagram of the servo signal generation circuit according to the first embodiment 実施例1に係る検出器の受光部の構成図(a)入射波と反射波の伝播図(b)検出器の受光部の構成Configuration diagram of the light receiving portion of the detector according to the first embodiment (a) Propagation diagram of incident wave and reflected wave (b) Configuration of the light receiving portion of the detector 実施例1に係る異物検査装置の動作概要を示す(a)フローチャート(b)検査対象物側面図、(c)FODの波形、(d)FEの波形、(e)異物検出信号の波形、(f)異物検出フラグ(A) Flow chart (b) Side view of the inspection object, (c) FOD waveform, (d) FE waveform, (e) Foreign matter detection signal waveform, (e) Foreign matter detection signal waveform, (a) Flow chart (b) Side view of the inspection object, (c) FOD waveform, (d) Foreign matter detection signal waveform, f) Foreign matter detection flag 実施例1に係る異物検査装置の動作概要を示す(a)フローチャート(b)検査対象物側面図、(c)FODの波形、(d)FEの波形、(e)異物検出信号の波形、(f)異物検出フラグ、(g)フラグによる異物検出信号波形(A) Flow chart (b) Side view of the inspection object, (c) FOD waveform, (d) FE waveform, (e) Foreign matter detection signal waveform, (e) Foreign matter detection signal waveform, (a) Flow chart (b) Side view of the inspection object, (c) FOD waveform, (d) Foreign matter detection signal waveform, f) Foreign matter detection signal waveform by foreign matter detection flag and (g) flag 実施例1に係る検出器の受光部の構成図(a)入射波と反射波の伝播図(b)検出器の受光部の構成Configuration diagram of the light receiving portion of the detector according to the first embodiment (a) Propagation diagram of incident wave and reflected wave (b) Configuration of the light receiving portion of the detector 実施例2に係る異物検査装置の構成図Configuration diagram of the foreign matter inspection device according to the second embodiment 実施例2に係る光学ユニット部と検出器の受光部の構成図(a)入射波と反射波の伝播図(b)検出器の受光部の構成Configuration diagram of the optical unit unit and the light receiving unit of the detector according to the second embodiment (a) Propagation diagram of incident wave and reflected wave (b) Configuration of the light receiving unit of the detector 実施例2に係る光学ユニット部の構成図Configuration diagram of the optical unit unit according to the second embodiment 実施例3に係る異物検査装置の構成図Configuration diagram of the foreign matter inspection device according to the third embodiment 実施例3に係るリレーレンズ位置と集光位置の関係図(a)入射波を略集束にした場合の集光位置変化(b)入射波を略発散にした場合の集光位置変化Relationship diagram of relay lens position and condensing position according to Example 3 (a) Condensing position change when incident wave is substantially focused (b) Condensing position change when incident wave is substantially divergent

以下、本発明を実施するための形態について図を用いて説明する。また、ここで説明する構成は実施形態の一例を示すものであり、この実施形態に限定されるものではない。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. Further, the configuration described here is an example of the embodiment, and is not limited to this embodiment.

図1は、本発明に従う異物検査装置の一実施例を示すブロック構成図である。なおここで言う異物とは単なる異物に限定されず、空隙といった欠陥等も含まれる。
異物検査装置はベルトコンベア等の搬送装置により検査測定対象物101は1001の矢印の方向に移動しながら、光発信部1201から出射された光ビームが照射され、検査測定対象物101を透過した光ビームの強度から異物の有無を検出し、SATA(Serial Advanced Technology Attachment)などのインターフェースを通じてPC(Personal Computer)などのホスト200と通信を行う。
図1の異物検査装置は、光学ユニット部102と、信号処理部103と、サーボエラー信号生成回路105と、信号処理回路106と、アクチュエータ駆動回路109で構成され、検査測定対象物101は例えばベルトコンベア等の搬送装置により1001の矢印の方向に移動する。光発信部1201が発する電磁波の周波数は、例えば、非水素結合物質を透過する周波数であって、カーボン成分、有機溶媒成分に吸収され易い周波数、例えば0.1THzから3.0THzのテラヘルツ波である。テラヘルツ波は半導体、セラミック、紙等に対してはある程度透過し、水に対しては吸収し、金属に対しては反射する特性を持つ。
信号処理部103は異物検査装置の各種の信号処理を行う回路であり、電位Vrefを基準として動作する。この信号処理部103は、システム制御回路104と、フォーカス制御回路107と、スイッチ1216と、加算器1215と、フォーカス駆動電圧生成回路108で構成される。
FIG. 1 is a block configuration diagram showing an embodiment of a foreign matter inspection device according to the present invention. The foreign matter referred to here is not limited to a mere foreign matter, but also includes defects such as voids.
In the foreign matter inspection device, the inspection and measurement object 101 is moved in the direction of the arrow of 1001 by a conveyor device such as a belt conveyor, and the light beam emitted from the light transmitting unit 1201 is irradiated, and the light transmitted through the inspection and measurement object 101. The presence or absence of foreign matter is detected from the beam intensity, and communication is performed with a host 200 such as a PC (Personal Computer) through an interface such as SATA (Serial Advanced Technology Attachment).
The foreign matter inspection device of FIG. 1 is composed of an optical unit 102, a signal processing unit 103, a servo error signal generation circuit 105, a signal processing circuit 106, and an actuator drive circuit 109, and the inspection measurement object 101 is, for example, a belt. It moves in the direction of the arrow 1001 by a transport device such as a conveyor. The frequency of the electromagnetic wave emitted by the light transmitting unit 1201 is, for example, a frequency that passes through a non-hydrogen bond substance and is easily absorbed by a carbon component and an organic solvent component, for example, a terahertz wave of 0.1 THz to 3.0 THz. .. Terahertz waves have the property of being transmitted to semiconductors, ceramics, paper, etc. to some extent, absorbed by water, and reflected by metals.
The signal processing unit 103 is a circuit that performs various signal processing of the foreign matter inspection device, and operates with reference to the potential Vref. The signal processing unit 103 includes a system control circuit 104, a focus control circuit 107, a switch 1216, an adder 1215, and a focus drive voltage generation circuit 108.

光学ユニット部102の光量制御回路1218は、システム制御回路104によって制御されており、光発信部1201を駆動する電圧を出力する。光発信部1201は、駆動電圧に応じた周波数の光ビームを出射する。出射された光ビームはコリメータレンズ1202にて平行光となり、ビームスプリッタ1203で一部が反射し、集光レンズ1204によってパワーモニタ1205に集光する。パワーモニタ1205は、光ビームの強度に応じた電流または電圧をシステム制御回路104にフィードバックする。これによって検査測定対象物101に集光する光ビームの強度が、たとえば50mWなど所望の値に保持される。一方、ビームスプリッタ1203を透過した光ビームは、偏光ビームスプリッタ1206で反射される。この反射された光ビームは、1/4波長板1209にて円偏光となり、対物レンズ1210によって検査測定対象物101の所望の位置に集光する。アクチュエータ駆動回路109の駆動量に応じて対物レンズ1210の位置をアクチュエータ110で制御する。検査測定対象物101の表面で反射した集光ビームは、1/4波長板1209にて直線偏光となり、偏光ビームスプリッタ1206を透過し、シリンドリカル1207によって集光された光ビームを検出器1208で検出し、この信号をサーボエラー信号生成回路105に対して出力する。 The light amount control circuit 1218 of the optical unit unit 102 is controlled by the system control circuit 104, and outputs a voltage for driving the light transmission unit 1201. The light transmitting unit 1201 emits a light beam having a frequency corresponding to the driving voltage. The emitted light beam becomes parallel light by the collimator lens 1202, a part of the light is reflected by the beam splitter 1203, and is condensed by the condenser lens 1204 on the power monitor 1205. The power monitor 1205 feeds back the current or voltage according to the intensity of the light beam to the system control circuit 104. As a result, the intensity of the light beam focused on the inspection measurement object 101 is maintained at a desired value such as 50 mW. On the other hand, the light beam transmitted through the beam splitter 1203 is reflected by the polarizing beam splitter 1206. The reflected light beam is circularly polarized by the 1/4 wave plate 1209, and is focused by the objective lens 1210 at a desired position of the inspection measurement object 101. The actuator 110 controls the position of the objective lens 1210 according to the driving amount of the actuator drive circuit 109. The focused beam reflected on the surface of the inspection and measurement object 101 is linearly polarized by the 1/4 wave plate 1209, passes through the polarizing beam splitter 1206, and the light beam focused by the cylindrical 1207 is detected by the detector 1208. Then, this signal is output to the servo error signal generation circuit 105.

次に、検査測定対象物101を透過した光ビームは対物レンズ1211、集光レンズ1213を経て検出器1214で光ビームの強度を検出し、これに応じた信号を信号処理回路106に対して出力する。アクチュエータ駆動回路109の駆動量に応じて対物レンズ1211の位置をアクチュエータ111で制御する。ここで、光学ユニット部102を構成する対物レンズ1210と対物レンズ1211の相対位置関係を維持するために、アクチュエータ駆動回路109からアクチュエータ110とアクチュエータ111に対する制御信号は同期した信号とする。 Next, the light beam transmitted through the inspection and measurement object 101 passes through the objective lens 1211 and the condenser lens 1213, and the intensity of the light beam is detected by the detector 1214, and the corresponding signal is output to the signal processing circuit 106. To do. The actuator 111 controls the position of the objective lens 1211 according to the driving amount of the actuator drive circuit 109. Here, in order to maintain the relative positional relationship between the objective lens 1210 and the objective lens 1211 constituting the optical unit unit 102, the control signals from the actuator drive circuit 109 to the actuator 110 and the actuator 111 are synchronized signals.

信号処理回路106では、検出器1214で検出した信号に対してノイズ除去、増幅などの処理を行い、検出器1214で検出された信号をシステム制御回路104に出力する。この信号に対してシステム制御回路104で信号振幅に対して所定のしきい値(たとえば、異物がない場合に対して、振幅変化が20%変化)を設定し、この閾値に基づき異物の有無を判断する。あるいはテラヘルツ波の特徴である指紋スペクトルによる物質特有の波形カーブにより異物の有無を判断する。この結果をホスト200に出力する。 The signal processing circuit 106 performs processing such as noise removal and amplification on the signal detected by the detector 1214, and outputs the signal detected by the detector 1214 to the system control circuit 104. For this signal, the system control circuit 104 sets a predetermined threshold value for the signal amplitude (for example, the amplitude change changes by 20% when there is no foreign matter), and the presence or absence of foreign matter is determined based on this threshold value. to decide. Alternatively, the presence or absence of foreign matter is determined from the waveform curve peculiar to the substance based on the fingerprint spectrum, which is a characteristic of terahertz waves. This result is output to the host 200.

図2は、検出器1208が4分割の受光部で構成された例を示す。検出器1208が受けた検査測定対象物101の表面で反射した光ビームから焦点ずれ量(デフォーカス)に相当する信号(図1のサーボエラー信号生成回路105の出力するFEに相当)の生成方法を表す概略図である。図2(a)は検査測定対象物101の表面がフォーカス方向に位置ずれした場合にシリンドリカルレンズ1207で集光されたビーム形状2201の変化を示した光線図である。検査測定対象物101の表面で反射した集光ビームに対してシリンドリカルレンズ1207を通過させることで、シリンドリカルレンズ1207の収束効果がある方向を通る光ビームは早く集光し、レンズ効果が無い方向を通る光ビームは遅く集光するため非点収差が発生する。この収差を利用して、4分割の受光面を持つ検出器1208で光を受光した図が図2(b)〜(d)であり、同図に示すようにフォーカス方向の位置に応じて集光ビーム形状が変化する。検出器1208の4分割した受光面を左上から時計回りにA、B、C、Dとすると、サーボエラー信号生成回路105で信号(A+C)−(B+D)を演算する。ここで、(A+C)と(B+D)の加算は2202と2204の加算演算器で行い、これらの差分は差動演算器2203で行う。この演算により図2(e)のようにフォーカス方向の位置に応じたデフォーカスに対応する信号(FE)が生成される。(A+C)−(B+D)>0の場合、フォーカスは図2(a)の+側に変位する。また(A+C)−(B+D)=0であればジャストフォーカス位置である。逆に(A+C)−(B+D)<0の場合は図2(a)のー側に変位しフォーカスがずれていることを示す。このFEに応じてフォーカス制御回路107は、システム制御回路104からの指令信号により、FEに対してゲインと位相の補償を行い、検査測定対象物101の表面にフォーカス制御を行うための駆動信号をアクチュエータ駆動回路109に出力する。アクチュエータ駆動回路109から印加された信号に基づきアクチュエータ110及びアクチュエータ111を介して対物レンズ1210と対物レンズ1211を駆動する。この結果、図1に示した異物検査装置は、上述した検査測定対象物101の表面に対するデフォーカス量に応じたFEに基づきアクチュエータ110とアクチュエータ111とをフィードバックすることで、デフォーカス方向の位置調整を行う。 FIG. 2 shows an example in which the detector 1208 is composed of four divided light receiving units. Method of generating a signal corresponding to the amount of defocus (defocus) from the light beam reflected on the surface of the inspection measurement object 101 received by the detector 1208 (corresponding to the FE output by the servo error signal generation circuit 105 in FIG. 1). It is a schematic diagram which shows. FIG. 2A is a ray diagram showing a change in the beam shape 2201 focused by the cylindrical lens 1207 when the surface of the inspection measurement object 101 is displaced in the focus direction. By passing the focused beam reflected on the surface of the inspection and measurement object 101 through the cylindrical lens 1207, the light beam passing through the direction in which the cylindrical lens 1207 has the focusing effect is quickly focused and the direction in which the lens effect is not obtained is focused. Since the passing light beam is focused slowly, astigmatism occurs. FIGS. 2 (b) to 2 (d) are views in which light is received by the detector 1208 having a light receiving surface divided into four by utilizing this aberration, and are collected according to the position in the focus direction as shown in the figure. The shape of the light beam changes. Assuming that the light receiving surface of the detector 1208 divided into four is A, B, C, and D clockwise from the upper left, the servo error signal generation circuit 105 calculates the signal (A + C) − (B + D). Here, the addition of (A + C) and (B + D) is performed by the addition calculators 2202 and 2204, and the difference between them is performed by the differential calculator 2203. By this calculation, a signal (FE) corresponding to the defocus according to the position in the focus direction is generated as shown in FIG. 2 (e). When (A + C)-(B + D)> 0, the focus is displaced to the + side in FIG. 2 (a). If (A + C) − (B + D) = 0, the focus position is just right. On the contrary, when (A + C)-(B + D) <0, it indicates that the vehicle is displaced to the negative side of FIG. 2 (a) and is out of focus. In response to this FE, the focus control circuit 107 compensates the FE for gain and phase by a command signal from the system control circuit 104, and sends a drive signal for performing focus control on the surface of the inspection measurement object 101. Output to the actuator drive circuit 109. The objective lens 1210 and the objective lens 1211 are driven via the actuator 110 and the actuator 111 based on the signal applied from the actuator drive circuit 109. As a result, the foreign matter inspection device shown in FIG. 1 feeds back the actuator 110 and the actuator 111 based on the FE according to the defocus amount with respect to the surface of the inspection measurement object 101 described above, thereby adjusting the position in the defocus direction. I do.

図3にサーボエラー信号生成回路105の構成を示す。検出器1208から出力された信号はフォーカスエラー信号生成回路1051及び総光量信号生成回路1052に入力される。フォーカスエラー信号生成回路1051では検査測定対象物101の表面に対するフォーカス制御に使用するためのFEを生成し、総光量信号生成回路1052では光量の総和信号であるSUMを出力する。ここで、各信号は、電位Vrefを基準として出力されるものとする。ここで、検査測定対象物101の表面の汚れ等による検出器1208での検出光量低下分を補うためにSUMでFEを除算することで、オートゲインコントロールを行う。 FIG. 3 shows the configuration of the servo error signal generation circuit 105. The signal output from the detector 1208 is input to the focus error signal generation circuit 1051 and the total light amount signal generation circuit 1052. The focus error signal generation circuit 1051 generates an FE to be used for focus control on the surface of the inspection measurement object 101, and the total light intensity signal generation circuit 1052 outputs a SUM signal which is a total light intensity signal. Here, it is assumed that each signal is output with reference to the potential Vref. Here, the auto gain control is performed by dividing the FE by the SUM in order to compensate for the decrease in the amount of light detected by the detector 1208 due to the dirt on the surface of the inspection measurement object 101.

図4に検出器1214に複数の共鳴トンネルダイオードを用いた場合を示す。共鳴トンネルダイオードは光ビームの偏光方向に指向性を持つ半導体デバイスである。図4(a)に示すように検査測定対象物101の表面で反射した集光ビームは対物レンズ1210で平行光になり、1/4波長板1209にて直線偏光となり、偏光ビームスプリッタ1206を透過する。一方、検査測定対象物101を透過した光ビームは円偏光の状態で対物レンズ1211、集光レンズ1213を経て検出器1214で光ビームの強度を検出する。この検出信号は信号処理回路106に対して出力される。検出器1214で共鳴トンネルダイオードに入射した円偏光の光ビームを検出する場合、例えば、図4(b)のように共鳴トンネルダイオード501と共鳴トンネルダイオード504とに隣接する共鳴トンネルダイオード502と共鳴トンネルダイオード503との偏光方向を90度変えて配置することで、1/4波長板1209で直線偏光にすることなく円偏光状態で複数の共鳴トンネルダイオードで検出することが可能となる。 FIG. 4 shows a case where a plurality of resonance tunnel diodes are used for the detector 1214. Resonant tunnel diodes are semiconductor devices that have directivity in the polarization direction of the light beam. As shown in FIG. 4A, the focused beam reflected on the surface of the inspection and measurement object 101 becomes parallel light by the objective lens 1210, linearly polarized by the 1/4 wave plate 1209, and passes through the polarization beam splitter 1206. To do. On the other hand, the light beam transmitted through the inspection and measurement object 101 passes through the objective lens 1211 and the condenser lens 1213 in a circularly polarized state, and the intensity of the light beam is detected by the detector 1214. This detection signal is output to the signal processing circuit 106. When the detector 1214 detects a circularly polarized light beam incident on the resonance tunnel diode, for example, as shown in FIG. 4B, the resonance tunnel diode 501, the resonance tunnel diode 502 adjacent to the resonance tunnel diode 504, and the resonance tunnel By arranging the diode 503 with the polarization direction changed by 90 degrees, it is possible to detect with a plurality of resonance tunnel diodes in a circularly polarized state without making the 1/4 wavelength plate 1209 linearly polarized.

次に図1を使って検査測定対象物101の表面に追従するようにフォーカス制御について説明する。システム制御回路104は検査測定対象物101の表面電圧(すなわちフォーカスエラー信号が0になる電圧)を基準電位Vrefとして設定する。この基準電位は制御の基準となる電位である。スイッチ1216はシステム制御回路104の出力するFONに基づき、フォーカス制御回路107の出力信号もしくは基準電位Vrefを選択して、FOD(フォーカス駆動信号)としてアクチュエータ駆動回路109に出力する。FONとしてHighレベルが入力されると、スイッチ1216の端子はaが選択され、フォーカス制御回路107の出力信号がアクチュエータ駆動回路109に出力される。一方でFONとしてLowレベルが入力されると、スイッチ1216は端子bが選択され、基準電位Vrefを出力する。 Next, focus control will be described with reference to FIG. 1 so as to follow the surface of the inspection measurement object 101. The system control circuit 104 sets the surface voltage of the inspection / measurement object 101 (that is, the voltage at which the focus error signal becomes 0) as the reference potential Vref. This reference potential is a control reference potential. The switch 1216 selects the output signal of the focus control circuit 107 or the reference potential Vref based on the FON output by the system control circuit 104, and outputs the FOD (focus drive signal) to the actuator drive circuit 109. When the High level is input as FON, a is selected as the terminal of the switch 1216, and the output signal of the focus control circuit 107 is output to the actuator drive circuit 109. On the other hand, when the Low level is input as FON, the switch 1216 selects the terminal b and outputs the reference potential Vref.

この結果、FONはフォーカス制御のオン・オフを指示する信号となる。またスイッチ1216は、フォーカス制御のオン、オフを切り替えるスイッチとして機能する。FONがLowからHighに切り替わることで検査測定対象物101の表面にフォーカス制御がオンされることになり、この動作をフォーカス引き込み動作と呼ぶ。 As a result, FON becomes a signal instructing on / off of focus control. Further, the switch 1216 functions as a switch for switching the focus control on and off. When FON is switched from Low to High, focus control is turned on on the surface of the inspection measurement object 101, and this operation is called a focus pulling operation.

フォーカス駆動電圧生成回路108は、システム制御回路104からの指令信号により、所定の電圧を出力する。フォーカス駆動電圧生成回路108は例えば、フォーカススイープ動作におけるスイープ電圧を出力する。フォーカス駆動電圧生成回路108の出力信号とスイッチ1216の出力信号を加算器1215により加算しFODとしてアクチュエータ駆動回路109に出力する。FODに従ってアクチュエータ110およびアクチュエータ111を検査測定対象物101に接近(あるいは遠ざける)方向に駆動するフォーカススイープ動作させるために、フォーカス駆動電圧生成回路108のスイープ電圧を、FODに対して加算することで対物レンズ1210および対物レンズ1211がフォーカス方向に駆動される。フォーカス制御がオンし、検査測定対象物101の表面にフォーカス引き込み動作が行われると、アクチュエータ駆動回路109はフォーカス制御回路107の出力信号に応じてアクチュエータ110およびアクチュエータ111を駆動することで光ビームが検査測定対象物101の表面に追従するようにフォーカス制御が行われる。 The focus drive voltage generation circuit 108 outputs a predetermined voltage in response to a command signal from the system control circuit 104. The focus drive voltage generation circuit 108 outputs, for example, the sweep voltage in the focus sweep operation. The output signal of the focus drive voltage generation circuit 108 and the output signal of the switch 1216 are added by the adder 1215 and output to the actuator drive circuit 109 as a FOD. In order to operate the focus sweep that drives the actuator 110 and the actuator 111 in the direction of approaching (or moving away from) the inspection measurement object 101 according to the FOD, the objective is obtained by adding the sweep voltage of the focus drive voltage generation circuit 108 to the FOD. The lens 1210 and the objective lens 1211 are driven in the focus direction. When the focus control is turned on and the focus pulling operation is performed on the surface of the inspection measurement object 101, the actuator drive circuit 109 drives the actuator 110 and the actuator 111 in response to the output signal of the focus control circuit 107, so that the light beam is emitted. Focus control is performed so as to follow the surface of the inspection measurement object 101.

図5(a)は本実施例の異物検査装置の動作概要を示すフローチャートである。図5(b)は表面に傷と異物或いは欠陥を有する検査測定対象物の側面図、(c)〜(f)は横軸を時間、縦軸を電圧として、(a)のフローチャートの各ステップと各種の信号との対応関係を示した図である。より具体的には図5(c)はFODの波形、(d)はFEの波形、(e)は検出器1214で検出された異物検出の波形、(f)は異物検出フラグの波形である。まず、ステップ500で異物検出したことを示す異物検出フラグを初期化(OFF)する。次にステップS501でフォーカス駆動電圧生成回路108からフォーカススイープ動作におけるスイープ電圧を出力しFODに加算すると、FODは図5(c)に示すような波形となりアクチュエータ110とアクチュエータ111を介して対物レンズ1210及び対物レンズ1211が検査測定対象物101に接近(あるいは遠ざける)方向に移動する。このとき、FODはスイープ電圧に応じて、FEは図5(d)に示すように基準電位Vrefから変化を開始し、検査測定対象物101の表面に対して接近するとFEは一度上に凸な信号となる(図2(e))。次にステップS502で、FEが上に凸な信号になった後、FEが基準電位Vrefを横切るときにFEに基づくフォーカス制御をオンしフィードバック制御を開始する(図5(d)のS502と図5(c)のS504)。図5(a)のステップS503VrefからのFEの変化量(FEの振幅)とした場合、FEの振幅の絶対値に対してしきい値(例えば、FEの振幅の最大値の60%)を設定する。 FIG. 5A is a flowchart showing an outline of operation of the foreign matter inspection device of this embodiment. 5 (b) is a side view of an inspection and measurement object having scratches and foreign matter or defects on the surface, and (c) to (f) are steps of the flowchart of (a) with time on the horizontal axis and voltage on the vertical axis. It is a figure which showed the correspondence relationship with various signals. More specifically, FIG. 5C is a waveform of FOD, FIG. 5D is a waveform of FE, FIG. 5E is a waveform of foreign matter detection detected by the detector 1214, and FIG. 5F is a waveform of a foreign matter detection flag. .. First, the foreign matter detection flag indicating that the foreign matter has been detected in step 500 is initialized (OFF). Next, in step S501, when the sweep voltage in the focus sweep operation is output from the focus drive voltage generation circuit 108 and added to the FOD, the FOD has a waveform as shown in FIG. 5 (c), and the FOD has a waveform as shown in FIG. 5C, and the objective lens 1210 is passed through the actuator 110 and the actuator 111. And the objective lens 1211 moves in the direction of approaching (or moving away from) the inspection measurement object 101. At this time, the FOD starts to change from the reference potential Vref as shown in FIG. 5 (d) according to the sweep voltage, and when the FE approaches the surface of the inspection measurement object 101, the FE is once convex upward. It becomes a signal (Fig. 2 (e)). Next, in step S502, after the FE becomes a convex signal upward, when the FE crosses the reference potential Vref, the focus control based on the FE is turned on and the feedback control is started (S502 and FIG. 5 (d)). 5 (c) S504). When the amount of change in FE from step S503Vref in FIG. 5A (the amplitude of FE) is used, a threshold value (for example, 60% of the maximum value of the amplitude of FE) is set with respect to the absolute value of the amplitude of FE. To do.

ここで、例えば図5(b)に示した検査測定対象物の表面の傷などが原因で、FEの振幅の絶対値がしきい値以上変化した場合には(S503の判定でY)、FEの振幅は大きく変化しフォーカス制御が不安定になるため、例えば図5(d)のS503で設定したしきい値以上、FEの振幅の絶対値が変化した場合、FEに基づくフィードバック制御からFEに基づかないフォーカス位置を保持するフィードフォワード制御(図5(d)のS505からフィードフォワード制御に切替わる)に切換える。これによりFEが大きく変化した場合でも、アクチュエータ110およびアクチュエータ111はFEに依らないフィードフォワード制御により位置制御されるため、対物レンズ1210及び対物レンズ1211がFEの変化に追従することが無くなる。この結果、図5(e)に示すような安定した検査測定対象物の異物検出信号の波形が得られる。ここで、図5(e)では異物がある場合に正の電圧に変化が起きる場合を記載したが、逆に負の電圧に変化する場合もあるため、ステップS506では異物検出信号の振幅の絶対値をしきい値と比較している。一方、ステップS503でFEの振幅の絶対値がしきい値未満である場合(S503の判定でN)には、FEに基づくフィードバック制御を行う(図5(c)のS504ではフィードバック制御)。次に、ステップS506で検出器1214により検出された異物検出信号の振幅の絶対値に対してしきい値を設定する(異物検出信号の振幅が30%)。 Here, when the absolute value of the amplitude of the FE changes by or more than the threshold value due to, for example, a scratch on the surface of the inspection measurement object shown in FIG. 5 (b) (Y in the determination of S503), the FE Since the amplitude of FE changes significantly and the focus control becomes unstable, for example, when the absolute value of the FE amplitude changes by or more than the threshold value set in S503 of FIG. 5 (d), the feedback control based on FE is changed to FE. It is switched to the feed forward control (switching from S505 in FIG. 5D to the feed forward control) that holds the non-based focus position. As a result, even if the FE changes significantly, the actuator 110 and the actuator 111 are positioned by feedforward control that does not depend on the FE, so that the objective lens 1210 and the objective lens 1211 do not follow the change in the FE. As a result, a stable waveform of the foreign matter detection signal of the inspection and measurement object as shown in FIG. 5 (e) can be obtained. Here, FIG. 5 (e) describes the case where the positive voltage changes when there is a foreign substance, but on the contrary, it may change to a negative voltage. Therefore, in step S506, the amplitude of the foreign substance detection signal is absolute. The value is compared to the threshold. On the other hand, when the absolute value of the amplitude of FE is less than the threshold value in step S503 (N in the determination of S503), feedback control based on FE is performed (feedback control in S504 of FIG. 5C). Next, a threshold value is set for the absolute value of the amplitude of the foreign matter detection signal detected by the detector 1214 in step S506 (the amplitude of the foreign matter detection signal is 30%).

ここで、異物検出信号がしきい値以上変化した場合には(S507の判定でY)、異物を検出し、異物検出フラグをONに変化させる。一方、異物検出信号がしきい値未満の変化であれば(S506の判定でN)、異物は検知していないので異物検出フラグをOFFに変化させる。次に、ステップS509で検査測定対象物101の全面検査終了判定を行い、S509の判定でYの場合には、検査を終了する。この全面検査終了条件は、図示しないカメラや計測したデータ点数などに基づいてホスト200が判断する。一方、S509の判定でNの場合にはステップS503に移行し、例えば図5(d)に示すようにステップS503でFEの振幅がしきい値を超え無い場合(S503の判定でN)には、FEに基づくフィードバック制御を行う(図5(d)のS504でフィードバック制御に切替わる)。ここで、図5の(c)〜(f)の波形の縦軸を正の電圧値とした場合、図5(e)の異物検出の波形は電圧の正側に変化しているが、逆に負の電圧側に変化する波形でも良い。また、図5(c)ではS503のしきい値は電圧の正と負で同じ値のしきい値としたが、別々のしきい値を設定しても良い。 Here, when the foreign matter detection signal changes by the threshold value or more (Y in the determination of S507), the foreign matter is detected and the foreign matter detection flag is changed to ON. On the other hand, if the foreign matter detection signal changes below the threshold value (N in the determination of S506), the foreign matter detection flag is changed to OFF because no foreign matter has been detected. Next, in step S509, the entire inspection completion determination of the inspection measurement object 101 is performed, and if the determination in S509 is Y, the inspection is terminated. The host 200 determines the conditions for completing the full-scale inspection based on a camera (not shown), the number of measured data points, and the like. On the other hand, if the determination in S509 is N, the process proceeds to step S503. For example, if the amplitude of the FE does not exceed the threshold value in step S503 as shown in FIG. 5 (d) (N in the determination in S503). , FE-based feedback control is performed (switched to feedback control in S504 of FIG. 5D). Here, when the vertical axis of the waveforms (c) to (f) in FIG. 5 is a positive voltage value, the waveform of foreign matter detection in FIG. 5 (e) changes to the positive side of the voltage, but the opposite is true. A waveform that changes to the negative voltage side may be used. Further, in FIG. 5C, the threshold value of S503 is the same value for the positive and negative voltage, but different threshold values may be set.

このように本実施例に従ったフォーカス制御方法により検査測定対象物101の表面変動に対しても安定した異物の検出が可能となる。なお、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、図5の保持制御開始(S505)を行わない場合、図6に示すようにFEの振幅がしきい値を超えたことを示す異物検出フラグをマスクとすることで同様の機能を実現できる。例えば以下のようにして実現できる。図6(a)のステップS603でFEの振幅の絶対値に対してしきい値(例えば、FEの最大値の60%)を設定する。ここで、FEの振幅がしきい値以上変化した場合には(S603の判定でY)、図6(e)の異物検出信号の波形に示すように、FEが大きく変化することで、異物検出信号の波形に変化が生じる。これは、例えば、検査測定対象物には異物が無い場合でも、S604で設定したしきい値以上にを異物検出信号の振幅が変化すると異物と誤検出することになる。 As described above, by the focus control method according to the present embodiment, it is possible to stably detect foreign matter even with respect to the surface fluctuation of the inspection measurement object 101. The present invention is not limited to the above-mentioned examples, and includes various modifications. For example, when the holding control start (S505) in FIG. 5 is not performed, the same function can be realized by masking the foreign matter detection flag indicating that the amplitude of the FE exceeds the threshold value as shown in FIG. .. For example, it can be realized as follows. In step S603 of FIG. 6A, a threshold value (for example, 60% of the maximum value of FE) is set with respect to the absolute value of the amplitude of FE. Here, when the amplitude of the FE changes by the threshold value or more (Y in the determination of S603), as shown in the waveform of the foreign matter detection signal in FIG. 6 (e), the foreign matter is detected by a large change in the FE. Changes occur in the signal waveform. For example, even if there is no foreign matter in the object to be inspected and measured, if the amplitude of the foreign matter detection signal changes beyond the threshold value set in S604, it will be erroneously detected as a foreign matter.

この対策として、ステップS603でFEの振幅の絶対値がしきい値以上に変化した場合には異物検出フラグをOFFにする(図6(f)のS606)。一方、ステップ603でFEの振幅の絶対値がしきい値未満の場合は(S603の判定でN)、ステップS604で設定した異物検出信号の振幅の絶対値に対するしきい値判定を行う。ここで、異物検出信号の振幅がしきい値以上変化した場合には(S604の判定でY)、異物検出フラグをONにする(図6(f)のS605)。一方、異物検出信号の振幅がしきい値未満の場合には(S604の判定でN)、異物検出フラグをOFFにする(図6(f)のS606)。このようにして得られた異物検出フラグ(図6(f))と異物検出信号(図6(e))との乗算をホスト200で行うことで図6(g)に示すような異物検出フラグによる異物検出信号の波形が得られる。この波形は異物検出フラグによりS603で設定したしきい値以上かつS604で設定したしきい値未満の信号を全てマスクした信号となっており、図6(b)に示すような検査測定対象物の内部の欠陥のみを検出することが可能となる。 As a countermeasure, when the absolute value of the FE amplitude changes beyond the threshold value in step S603, the foreign matter detection flag is turned off (S606 in FIG. 6F). On the other hand, if the absolute value of the amplitude of the FE is less than the threshold value in step 603 (N in the determination of S603), the threshold value is determined for the absolute value of the amplitude of the foreign matter detection signal set in step S604. Here, when the amplitude of the foreign matter detection signal changes by the threshold value or more (Y in the determination of S604), the foreign matter detection flag is turned ON (S605 in FIG. 6F). On the other hand, when the amplitude of the foreign matter detection signal is less than the threshold value (N in the determination of S604), the foreign matter detection flag is turned off (S606 in FIG. 6F). By multiplying the foreign matter detection flag (FIG. 6 (f)) and the foreign matter detection signal (FIG. 6 (e)) thus obtained by the host 200, the foreign matter detection flag as shown in FIG. 6 (g) is performed. The waveform of the foreign matter detection signal is obtained. This waveform is a signal that masks all signals above the threshold value set in S603 and below the threshold value set in S604 by the foreign matter detection flag, and is an inspection measurement object as shown in FIG. 6 (b). It is possible to detect only internal defects.

また、例えば、図7に示すように1/4波長板1212を図1に追加し、図4のように光ビームの偏光方向を円偏光ではなく直線偏光にした場合には、検出器1214は検出器1220のように直線偏光を検出できるように単一方向の共鳴トンネルダイオードを配置することも可能である。検査測定対象物101へのスポット径を全面で維持できないという課題に対して、本実施例で説明した構成により検査測定対象物101の表面から反射した光ビームから焦点ずれ量に相当するFEで、検査測定対象物101に集光しているスポット位置を検査測定対象物101の表面に基づいてフォーカス制御を行うことで、検査測定対象物101の全面に対してスポット径を維持することが可能となる。 Further, for example, when the 1/4 wave plate 1212 is added to FIG. 1 as shown in FIG. 7 and the polarization direction of the light beam is changed to linearly polarized light instead of circularly polarized light as shown in FIG. 4, the detector 1214 It is also possible to arrange a unidirectional resonant tunneling diode so that linearly polarized light can be detected, such as the detector 1220. To solve the problem that the spot diameter on the inspection and measurement object 101 cannot be maintained on the entire surface, an FE corresponding to the amount of defocus from the light beam reflected from the surface of the inspection and measurement object 101 according to the configuration described in this embodiment is used. By performing focus control based on the surface of the inspection and measurement object 101 for the spot position focused on the inspection and measurement object 101, it is possible to maintain the spot diameter with respect to the entire surface of the inspection and measurement object 101. Become.

実施例2は、実施例1が検出測定対象物101への入射波と表面からの反射波とが同一の対物レンズ1210を通過するのに対して、実施例2では異なる対物レンズを通過する(入射波は対物レンズ1210、反射波は対物レンズ1611)ため1/4波長板1212により偏光状態を変える必要がない。実施における効果としては、検査測定対象物101の表面から反射した光ビームから焦点ずれ量に相当するFEで、検査測定対象物101に集光しているスポット位置を検査測定対象物101の表面に基づいてフォーカス制御を行うことで、検査測定対象物101の全面に対してスポット径を維持することが可能な点にある。 In the second embodiment, the incident wave on the detection and measurement object 101 and the reflected wave from the surface pass through the same objective lens 1210 in the first embodiment, whereas the second embodiment passes through a different objective lens (the second embodiment). Since the incident wave is the objective lens 1210 and the reflected wave is the objective lens 1611), it is not necessary to change the polarization state by the 1/4 wave plate 1212. As an effect in the implementation, the spot position focused on the inspection measurement object 101 is placed on the surface of the inspection measurement object 101 by the FE corresponding to the amount of defocus from the light beam reflected from the surface of the inspection measurement object 101. By performing focus control based on this, it is possible to maintain the spot diameter with respect to the entire surface of the inspection measurement object 101.

図8は、本発明に従う異物検査装置の一実施例を示すブロック構成図である。図1と図8の違いは光学ユニット部602であり、この点以外の構成は同じであるため第1の実施例にて説明した内容と重複する部分については省略する。 FIG. 8 is a block configuration diagram showing an embodiment of a foreign matter inspection device according to the present invention. The difference between FIGS. 1 and 8 is the optical unit unit 602, and since the configurations other than this point are the same, the parts that overlap with the contents described in the first embodiment will be omitted.

光学ユニット部602の光量制御回路1218は、システム制御回路104によって制御されており、光発信部1201を駆動する電圧を出力する。光発信部1201は、駆動電圧に応じた周波数の光ビームを出射し、コリメータレンズ1202にて平行光となる。ビームスプリッタ1203を透過した光ビームは、ミラー1606で反射される。この反射された光ビームは、対物レンズ1210によって検査測定対象物101の所望の位置に集光する。アクチュエータ駆動回路109の駆動量に応じて対物レンズ1210、対物レンズ1211及び対物レンズ1611の位置をアクチュエータ110、アクチュエータ111及びアクチュエータ612を制御する。ここで、光学ユニット部602を構成する対物レンズ1210、対物レンズ1211と対物レンズ1611の相対位置関係を維持するために、アクチュエータ駆動回路109からアクチュエータ110、アクチュエータ111及びアクチュエータ612に対する制御信号は同期した信号とする。 The light amount control circuit 1218 of the optical unit unit 602 is controlled by the system control circuit 104, and outputs a voltage for driving the light transmission unit 1201. The light transmitting unit 1201 emits a light beam having a frequency corresponding to the driving voltage, and the collimator lens 1202 produces parallel light. The light beam transmitted through the beam splitter 1203 is reflected by the mirror 1606. The reflected light beam is focused by the objective lens 1210 at a desired position of the inspection measurement object 101. The actuator 110, the actuator 111 and the actuator 612 control the positions of the objective lens 1210, the objective lens 1211 and the objective lens 1611 according to the driving amount of the actuator drive circuit 109. Here, in order to maintain the relative positional relationship between the objective lens 1210, the objective lens 1211 and the objective lens 1611 constituting the optical unit unit 602, the control signals from the actuator drive circuit 109 to the actuator 110, the actuator 111 and the actuator 612 were synchronized. It is a signal.

図9(a)は図8の光学ユニット602の一部を拡大した図である。図9(a)に示すように検査測定対象物101の表面で反射した集光ビームは対物レンズ1611で平行光になり、シリンドリカルレンズ1207で集光されたビームを検出器1208で検出し、この検出信号をサーボエラー信号生成回路105に対して出力する。サーボエラー信号生成回路105は検出器1208で検出した信号からFEを生成し、このFEに応じてフォーカス制御回路107は、システム制御回路104からの指令信号により、FEに対してゲインと位相の補償を行い、検査測定対象物101の表面にフォーカス制御を行うための駆動信号をアクチュエータ駆動回路109に出力する。一方、検査測定対象物101を透過した光ビームは対物レンズ1211、集光レンズ1213を経て検出器1610で光ビームの強度を検出し、これに応じた信号を信号処理回路106に対して出力する。図9(b)に示す検出器1610は、例えば異物あるいは欠陥の検出サイズが光発信部1601の波長に比べて小さい場合には分解能を上げるために或いは感度を上げるために複数の共鳴トンネルダイオードを用いて構成して光ビームの強度を検出する例である。また、異物や欠陥による偏光変化を検出するために、本実施例に図4の検出器1214の構成を適用し、縦と横の偏光比を検出することも可能である。 FIG. 9A is an enlarged view of a part of the optical unit 602 of FIG. As shown in FIG. 9A, the focused beam reflected on the surface of the inspection and measurement object 101 becomes parallel light by the objective lens 1611, and the beam focused by the cylindrical lens 1207 is detected by the detector 1208. The detection signal is output to the servo error signal generation circuit 105. The servo error signal generation circuit 105 generates an FE from the signal detected by the detector 1208, and the focus control circuit 107 compensates the FE for gain and phase by the command signal from the system control circuit 104 in response to the FE. Is performed, and a drive signal for performing focus control on the surface of the inspection measurement object 101 is output to the actuator drive circuit 109. On the other hand, the light beam transmitted through the inspection and measurement object 101 passes through the objective lens 1211 and the condenser lens 1213, detects the intensity of the light beam with the detector 1610, and outputs a signal corresponding to the light beam to the signal processing circuit 106. .. The detector 1610 shown in FIG. 9B uses a plurality of resonance tunnel diodes in order to increase the resolution or sensitivity, for example, when the detection size of foreign matter or defects is smaller than the wavelength of the light transmitting unit 1601. This is an example of detecting the intensity of the light beam by using it. Further, in order to detect a change in polarization due to a foreign substance or a defect, it is also possible to apply the configuration of the detector 1214 of FIG. 4 to this embodiment and detect the polarization ratio between the vertical and the horizontal.

このように本実施例に従ったフォーカス制御方法により検査測定対象物601の表面変動に対しても安定した異物の検出が可能となる。なお、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、図9に示すように対物レンズ1611のアクチュエータ612を削除して異物検査装置を構成する事も可能である。この場合、検査測定対象物101の表面変動に対するフォーカス制御は検査測定対象物101からの反射された光ビームを対物レンズ1611で受けられる範囲となるため、図8と比べてフォーカス制御可能な範囲は制限されるが、アクチュエータ612が減る分構成が簡単になる。 As described above, by the focus control method according to the present embodiment, it is possible to stably detect foreign matter even with respect to the surface fluctuation of the inspection measurement object 601. The present invention is not limited to the above-mentioned examples, and includes various modifications. For example, as shown in FIG. 9, it is possible to configure the foreign matter inspection device by deleting the actuator 612 of the objective lens 1611. In this case, the focus control for the surface fluctuation of the inspection / measurement object 101 is the range in which the light beam reflected from the inspection / measurement object 101 can be received by the objective lens 1611. Therefore, the focus controllable range is larger than that in FIG. Although limited, the number of actuators 612 is reduced, which simplifies the configuration.

実施例3は、図11に示すように実施例1と実施例2には無いリレーレンズ900を追加している。このリレーレンズはシステム制御回路104からの指令信号によりアクチュエータ901を介して駆動される。このリレーレンズ900これにより、単に検査測定対象物101の表面から反射した光ビームから焦点ずれ量に相当するFEで、検査測定対象物101に集光しているスポット位置を検査測定対象物101の表面に基づいてフォーカス制御を行うだけではなく、検査測定対象物101に集光しているフォーカス方向のスポット位置の制御をリレーレンズ900によりすることが可能となる可能となる。 In the third embodiment, as shown in FIG. 11, a relay lens 900 which is not in the first and second embodiments is added. This relay lens is driven via the actuator 901 by a command signal from the system control circuit 104. The relay lens 900 thereby, with the FE corresponding to the amount of defocus from the light beam reflected from the surface of the inspection and measurement object 101, the spot position focused on the inspection and measurement object 101 is determined by the inspection and measurement object 101. Not only the focus control is performed based on the surface, but also the spot position in the focus direction condensing on the inspection measurement object 101 can be controlled by the relay lens 900.

図11は、本発明に従う異物検査装置の一実施例の一実施例を示すブロック構成図である。図1と図11の違いは光学ユニット部2002に、光発信部1201から出射された光ビームの収束と発散を制御するリレーレンズ900とアクチュエータ901を追加した点であり、この点以外の構成は同じであるため第1の実施例にて説明した内容と重複する部分については省略する。 FIG. 11 is a block configuration diagram showing an embodiment of an embodiment of a foreign matter inspection device according to the present invention. The difference between FIGS. 1 and 11 is that a relay lens 900 and an actuator 901 that control the convergence and divergence of the light beam emitted from the light transmitting unit 1201 are added to the optical unit unit 2002, and the configurations other than this point are Since they are the same, the parts that overlap with the contents described in the first embodiment will be omitted.

図11に対物レンズ1210によって検査測定対象物101の所望の位置に集光する位置を、リレーレンズ900により制御する例を示す。図12(a)は検査測定対象物101の対物レンズ1210側に集光するスポット位置を変更する例であり、図12(b)は検査測定対象物101の対物レンズ1211側に集光するスポット位置を変更する例である。例えば、図12(a)のようにリレーレンズ900で略収束にすることで対物レンズ1210を通る光ビームは早く集光し、図12(b)のようにリレーレンズ900を略発散にすることで対物レンズ1210を通る光ビームは遅く集光する。このようにリレーレンズ900の位置でにより収束と発散を制御することで、検査測定対象物101の対物レンズ1210側に集光する位置を変更することが可能となる。本実施例の特徴は、本実施例の特徴は検査測定対象物101の表面に対してフォーカス制御することで、システム制御回路104からの指令信号によりアクチュエータ901を介してリレーレンズ900の位置制御することで、を検査測定対象物101の表面に対してフォーカス制御しながら、検査測定対象物101の表面を基準として検査測定対象物101の所望の集光位置(図12のD0〜D4と表記)に集光するように調整スポット位置の制御することが可能となるが可能な点である。例えば検査測定対象物101に異物があった場合に、検査測定対象物101のどの位置に異物が存在するのかを、リレーレンズ900を駆動することで探索できる。この結果、L4の位置に異物があると特定されれば、製造工程のどこで混入した異物であるかの判定をシステム制御回路104で行うことが可能となる。これにより単純なフィードフォワードで焦点位置を固定で変えるだけでは実現できない表面変動に追従しながら検査測定対象物101の厚み方向の異物検査が可能になる。 FIG. 11 shows an example in which the relay lens 900 controls the position of focusing on the inspection measurement object 101 at a desired position by the objective lens 1210. FIG. 12A is an example of changing the spot position of the inspection and measurement object 101 to be focused on the objective lens 1210 side, and FIG. 12B is an example of changing the spot focusing on the objective lens 1211 side of the inspection and measurement object 101. This is an example of changing the position. For example, by making the relay lens 900 substantially converge as shown in FIG. 12 (a), the light beam passing through the objective lens 1210 is focused quickly, and the relay lens 900 is made substantially divergent as shown in FIG. 12 (b). The light beam passing through the objective lens 1210 is focused slowly. By controlling the convergence and divergence by the position of the relay lens 900 in this way, it is possible to change the position of condensing the light on the objective lens 1210 side of the inspection measurement object 101. The feature of this embodiment is that the focus control is performed on the surface of the inspection measurement object 101, and the position of the relay lens 900 is controlled via the actuator 901 by the command signal from the system control circuit 104. Therefore, while controlling the focus on the surface of the inspection and measurement object 101, the desired light collection position of the inspection and measurement object 101 with reference to the surface of the inspection and measurement object 101 (denoted as D0 to D4 in FIG. 12). It is possible to control the position of the adjustment spot so as to focus on the lens. For example, when there is a foreign substance in the inspection / measurement object 101, the position of the foreign matter in the inspection / measurement object 101 can be searched by driving the relay lens 900. As a result, if it is identified that there is a foreign substance at the position of L4, the system control circuit 104 can determine where the foreign substance is mixed in the manufacturing process. This makes it possible to inspect foreign matter in the thickness direction of the inspection measurement object 101 while following surface fluctuations that cannot be realized by simply changing the focal position with a simple feedforward.

上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることも可能である。また、制御線や情報線は説明上必要と考えられるものを示しており、製品上必ずしも全ての制御線や情報線を示しているとは限らない。実際には殆ど全ての構成が相互に接続されていると考えてもよい。 The above-described embodiment has been described in detail in order to explain the present invention in an easy-to-understand manner, and is not necessarily limited to those having all the described configurations. Further, it is possible to replace a part of the configuration of one embodiment with the configuration of another embodiment, and it is also possible to add the configuration of another embodiment to the configuration of one embodiment. In addition, the control lines and information lines indicate those that are considered necessary for explanation, and do not necessarily indicate all the control lines and information lines in the product. In practice, it can be considered that almost all configurations are interconnected.

101…検査測定対象物
102…光学ユニット部
103…信号処理部
104…システム制御回路
105…サーボエラー信号生成回路
106…信号処理回路
107…フォーカス制御回路
108…フォーカス駆動電圧生成回路
109…アクチュエータ駆動回路
110…アクチュエータ
111…アクチュエータ
1201…光発信部
1202…コリメータレンズ
1203…ビームスプリッタ
1204…集光レンズ
1205…パワーモニタ
1206…偏光ビームスプリッタ
1207…シリンドリカルレンズ
1208…検出器
1210…対物レンズ
1211…対物レンズ
1212…1/4波長板
1213…集光レンズ
1214…検出器
1215…加算器
1216…スイッチ
2201…非点収差によるビーム形状
2202…加算演算器
2203…差動演算器
2204…加算演算器
1051…フォーカスエラー信号生成回路
1052…総光量信号生成回路
101 ... Inspection and measurement object 102 ... Optical unit 103 ... Signal processing unit 104 ... System control circuit 105 ... Servo error signal generation circuit 106 ... Signal processing circuit 107 ... Focus control circuit 108 ... Focus drive voltage generation circuit 109 ... Actuator drive circuit 110 ... Actuator 111 ... Actuator 1201 ... Optical transmitter 1202 ... Collimeter lens 1203 ... Beam splitter 1204 ... Condensing lens 1205 ... Power monitor 1206 ... Polarized beam splitter 1207 ... Cylindrical lens 1208 ... Detector 1210 ... Objective lens 1211 ... Objective lens 1212 ... 1/4 wavelength plate 1213 ... Condensing lens 1214 ... Detector 1215 ... Adder 1216 ... Switch 2201 ... Beam shape due to non-point aberration 2202 ... Addition calculator 2203 ... Differential calculator 2204 ... Addition calculator 1051 ... Focus error Signal generation circuit 1052 ... Total optical amount signal generation circuit

Claims (8)

対象物の中の異物または欠陥を検出する異物検査装置であって、
前記検査装置を制御する制御部と、
前記対象物に照射する光を発生する照射部と、
前記照射部から出射される光を集光する第一の対物レンズと、
前記対象物表面からの反射光を受光する第一の受光部と、
前記対象物からの透過光を受光する第二の受光部と、
前記第一の受光部で受光した反射光から前記対象物の表面位置と前記第一の対物レンズ位置との相対位置決め信号を生成する信号生成部と、を備え、
前記相対位置決め信号に基づき、前記制御部は前記第一の対物レンズの位置を制御し、
前記第二の受光部で受光した透過光に基づき、前記制御部は異物または欠陥を検出し
前記第二の受光部は、前記対象物を透過した透過光を受光する2つ以上のセンサから構成され、
前記第二の受光部の互いに隣り合うセンサは互いに受光偏光角が異なる配置とする、
ことを特徴とする異物検査装置。
A foreign matter inspection device that detects foreign matter or defects in an object.
A control unit that controls the inspection device and
An irradiation unit that generates light that irradiates the object,
A first objective lens that collects the light emitted from the irradiation unit, and
The first light receiving portion that receives the reflected light from the surface of the object, and
A second light receiving unit that receives the transmitted light from the object, and
A signal generation unit that generates a relative positioning signal between the surface position of the object and the position of the first objective lens from the reflected light received by the first light receiving unit is provided.
Based on the relative positioning signal, the control unit controls the position of the first objective lens.
Based on the transmitted light received by the second light receiving unit, the control unit detects a foreign substance or a defect, and then
The second light receiving unit is composed of two or more sensors that receive the transmitted light transmitted through the object.
The sensors adjacent to each other in the second light receiving unit are arranged so that the light receiving polarization angles are different from each other.
A foreign matter inspection device characterized by this.
請求項1に記載の異物検査装置であって、
前記相対位置決め信号に対して第一のしきい値が設定されており、
前記制御部は、前記相対位置決め信号の振幅値と前記第一のしきい値と比較することを特徴とする異物検査装置。
The foreign matter inspection device according to claim 1.
A first threshold value is set for the relative positioning signal,
The control unit is a foreign matter inspection device that compares the amplitude value of the relative positioning signal with the first threshold value.
請求項2に記載の異物検査装置であって、
前記相対位置決め信号の振幅値が前記第一のしきい値以上の場合、前記制御部は、前記第一の対物レンズの位置を保持するよう制御することを特徴とする異物検査装置。
The foreign matter inspection device according to claim 2.
If the amplitude value of the relative positioning signal is above the first threshold, the control unit, the foreign matter inspection apparatus characterized by controlling so as to maintain the position of the first objective lens.
請求項2に記載の異物検査装置であって、
前記第二の受光部で透過光として受光し検出した信号に対して第二のしきい値が設定されており、
前記制御部は、前記第二の受光部で検出した信号の振幅値と前記第二のしきい値を比較することで異物の有無を判断することを特徴とする異物検査装置。
The foreign matter inspection device according to claim 2.
A second threshold value is set for the signal received and detected as transmitted light by the second light receiving unit.
The control unit is a foreign matter inspection device, which determines the presence or absence of foreign matter by comparing the amplitude value of the signal detected by the second light receiving unit with the second threshold value.
請求項1に記載の異物検査装置であって、
前記照射部から出射される光の収束と発散を制御するリレーレンズと、を備え、
前記制御部は前記リレーレンズの位置を制御することを特徴とする異物検査装置。
The foreign matter inspection device according to claim 1.
A relay lens that controls the convergence and divergence of light emitted from the irradiation unit is provided.
The control unit is a foreign matter inspection device that controls the position of the relay lens.
請求項2に記載の異物検査装置であって、
前記第一の対物レンズを駆動する第一の駆動部と、
前記対象物を透過した透過光を平行光にする第二の対物レンズと
前記第二の対物レンズを駆動する第二の駆動部と、
前記第一の駆動部および前記第二の駆動部の基準電圧を決める基準電圧生成部と、を備え、
前記相対位置決め信号が前記第一のしきい値より小さい場合、前記基準電圧生成部で生成した電圧に基づき、前記制御部は前記第一の対物レンズの位置及び前記第二の対物レンズの位置を制御することを特徴とする異物検査装置。
The foreign matter inspection device according to claim 2.
The first drive unit that drives the first objective lens and
A second objective lens that makes the transmitted light transmitted through the object parallel light, a second driving unit that drives the second objective lens, and a second driving unit.
A reference voltage generating unit that determines a reference voltage of the first driving unit and the second driving unit is provided.
When the relative positioning signal is smaller than the first threshold value, the control unit determines the position of the first objective lens and the position of the second objective lens based on the voltage generated by the reference voltage generation unit. braking Gyosu particle inspection apparatus according to claim Rukoto.
請求項に記載の異物検査装置であって、
前記第二の受光部で円偏光の前記透過光を受光することを特徴とする異物検査装置。
The foreign matter inspection device according to claim 1 .
A foreign matter inspection device characterized in that the second light receiving unit receives the transmitted light of circularly polarized light.
請求項6に記載の検査装置であって、
前記対象物表面からの反射光を平行光にする第三の対物レンズと、を備え、
前記相対位置決め信号に基づき、前記制御部は前記第三の対物レンズの位置を制御することを特徴とする異物検査装置。
The inspection device according to claim 6.
A third objective lens that makes the reflected light from the surface of the object parallel light is provided.
A foreign matter inspection device, characterized in that the control unit controls the position of the third objective lens based on the relative positioning signal.
JP2016239997A 2016-12-12 2016-12-12 Foreign matter inspection device Expired - Fee Related JP6783644B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016239997A JP6783644B2 (en) 2016-12-12 2016-12-12 Foreign matter inspection device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016239997A JP6783644B2 (en) 2016-12-12 2016-12-12 Foreign matter inspection device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018096766A JP2018096766A (en) 2018-06-21
JP6783644B2 true JP6783644B2 (en) 2020-11-11

Family

ID=62632855

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016239997A Expired - Fee Related JP6783644B2 (en) 2016-12-12 2016-12-12 Foreign matter inspection device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6783644B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7098468B2 (en) * 2018-07-27 2022-07-11 キヤノン株式会社 Electrophotographic photosensitive member inspection method and inspection equipment
CN111636120B (en) * 2020-01-20 2021-07-23 武汉裕大华纺织有限公司 High-performance foreign fiber sorting device and sorting method

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69208413T2 (en) * 1991-08-22 1996-11-14 Kla Instr Corp Device for automatic testing of photomask
JPH05296937A (en) * 1992-04-23 1993-11-12 Nikon Corp Foreign matter inspecting device
US5696589A (en) * 1996-05-20 1997-12-09 Lockheed Martin Energy Systems, Inc. Optical caliper with compensation for specimen deflection and method
JP3410013B2 (en) * 1998-03-09 2003-05-26 株式会社日立製作所 Defect or foreign matter inspection method and apparatus
JP2003066341A (en) * 2001-08-28 2003-03-05 Nec Corp Reticle inspection device
JP2006349501A (en) * 2005-06-16 2006-12-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd Apparatus for discriminating physiological sample
JP5268061B2 (en) * 2008-11-05 2013-08-21 レーザーテック株式会社 Board inspection equipment
JP6031731B2 (en) * 2014-07-18 2016-11-24 レーザーテック株式会社 Inspection apparatus and autofocus method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018096766A (en) 2018-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7701587B2 (en) Position sensing apparatus, and position sensing method
JP6783644B2 (en) Foreign matter inspection device
JP6467664B2 (en) Inspection device using THz band
US20060221332A1 (en) Inspecting apparatus, image pickup apparatus, and inspecting method
TWI644749B (en) Laser processing apparatus and laser processing method
JP2011110591A (en) Laser machining device
US20150062581A1 (en) Defect inspection apparatus and defect inspection method
JP6411504B2 (en) Method and system for high-speed altitude control of a substrate surface within a wafer inspection system
CN110050184B (en) Method and apparatus for inspecting defect on transparent substrate and method of emitting incident light
US11486822B2 (en) Specimen inspection device and specimen inspection method
CN107309542B (en) Laser processing apparatus and laser processing method using the same
WO2012017761A1 (en) Defect inspection method and device using same
WO2005015317A1 (en) Pattern exposing system and pattern exposing method
CN112485272B (en) Semiconductor detection device and detection method
US9256061B2 (en) Focus control apparatus and method
KR102143187B1 (en) Laser processing apparatus and laser processing method using the same
JPWO2017104020A1 (en) Measuring apparatus and method
TW202308460A (en) Method of operating a semiconductor processing tool
WO2016121756A1 (en) Examination device
JP6330703B2 (en) Terahertz microscope and focus control method
JP2009150811A (en) Terahertz spectroscopic device
US20170038194A1 (en) Metrology apparatus for a semiconductor pattern, metrology system including the same and metrology method using the same
KR20130112107A (en) Auto focusing apparatus for laser processing and auto focusing method using the same
CN117754120B (en) Nondestructive detection aberration correction device and method thereof
JP2015141111A (en) Terahertz wave output device, terahertz wave output method, computer program, and recording medium

Legal Events

Date Code Title Description
RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20190522

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190603

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20190603

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200218

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200219

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200407

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200929

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20201022

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6783644

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees