JP6764127B2

JP6764127B2 - Concavo-convex structure inspection method and correction method and concavo-convex structure for inspection

Info

Publication number: JP6764127B2
Application number: JP2016031162A
Authority: JP
Inventors: 隆男西口; 俊安達; 礼司廣田; 龍吾引地; 隆治長井; 伊藤　公夫; 公夫伊藤
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 2016-02-22
Filing date: 2016-02-22
Publication date: 2020-09-30
Anticipated expiration: 2036-02-22
Also published as: JP2017152435A

Description

本発明は、凹凸構造体、特に微細な寸法の凹凸パターンを備える凹凸構造体の検査方法、このような凹凸構造体の凹凸パターンの欠陥の修正方法、および、具備する凹凸パターンの検査を受ける状態にある検査用の凹凸構造体に関する。 The present invention is a method for inspecting a concavo-convex structure, particularly a concavo-convex structure having a concavo-convex pattern having fine dimensions, a method for correcting defects in the concavo-convex pattern of such a concavo-convex structure, and a state of being inspected for the concavo-convex pattern provided. Regarding the uneven structure for inspection in.

微細な寸法の凹凸パターンを備えた凹凸構造体として、例えば、ナノインプリント方法に使用するインプリント用のモールドでは、パターンの微細化に伴って、より高い精度が求められ、重要なパターンの寸法はＣＤ（ＣｒｉｔｉｃａｌＤｉｍｅｎｓｉｏｎ）として厳密に管理する必要があるとともに、凹凸パターンに欠陥が存在する場合には、欠陥の検出と修正が必要となる。例えば、インプリント用のモールドの凸部の間隙部位（凹部）にモールド材料や異物等が位置するような欠陥（黒欠陥）が存在する場合、このインプリント用のモールドを用いて転写形成された凹凸パターンでは、モールドの凹部の欠陥（黒欠陥）が反転して、凸部が欠損している欠陥（白欠陥）を生じることになる。
このため、インプリント用のモールドが備える凹凸パターンの検査が重要となり、例えば、検査対象のモールドを使用してインプリントにより実際にパターンを形成し、このパターンを検査することが行われている（特許文献１）。 As a concavo-convex structure having a concavo-convex pattern with fine dimensions, for example, in a mold for imprint used in a nanoimprint method, higher accuracy is required as the pattern becomes finer, and the important pattern dimensions are CD. (Critical dimension) must be strictly managed, and if a defect is present in the uneven pattern, it is necessary to detect and correct the defect. For example, when there is a defect (black defect) in which the mold material, foreign matter, etc. are located in the gap (recess) of the convex portion of the imprint mold, transfer formation is performed using this imprint mold. In the uneven pattern, the defect (black defect) of the concave portion of the mold is reversed, and a defect (white defect) in which the convex portion is missing is generated.
For this reason, it is important to inspect the uneven pattern of the imprint mold. For example, the mold to be inspected is used to actually form a pattern by imprint and the pattern is inspected (for example). Patent Document 1).

特開２０１２−２４３７９９号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2012-243799

しかし、インプリント用のモールド自体を検査する場合、および、モールドを使用してインプリントで形成したパターンを検査する場合のいずれにおいても、凹凸パターンの微細化により、光学検査装置を用いた欠陥検査では、微小な欠陥部位の検出が困難となっている。また、光学検査装置の照明系を調整、工夫することにより、検出限界を引き下げ、より微小な欠陥の検出が可能となるが、欠陥の検出漏れが生じることは、未だ解消されていない。このような光学的検査の困難性は、インプリント用のモールドの他にも、凹凸パターンが形成されたウエハ等、微細な寸法の凹凸パターンを備える種々の凹凸構造体の検査において、同様に問題となっている。
本発明は、上述のような実状に鑑みてなされたものであり、凹凸パターンを備える凹凸構造体を容易、確実に検査するための検査方法、凹凸構造体の凹凸パターンの修正方法、および、具備する凹凸パターンの検査を容易、確実に実施可能とする検査用の凹凸構造体を提供することを目的とする。 However, in both the case of inspecting the imprint mold itself and the case of inspecting the pattern formed by imprint using the mold, defect inspection using an optical inspection device is performed by miniaturizing the uneven pattern. In, it is difficult to detect a minute defect site. Further, by adjusting and devising the illumination system of the optical inspection device, the detection limit can be lowered and smaller defects can be detected, but the omission of detection of defects has not been solved yet. Such difficulty in optical inspection is also a problem in inspection of various uneven structures having an uneven pattern of fine dimensions such as a wafer on which an uneven pattern is formed, in addition to a mold for imprinting. It has become.
The present invention has been made in view of the above-mentioned actual conditions, and includes an inspection method for easily and surely inspecting a concavo-convex structure having a concavo-convex pattern, a method for correcting the concavo-convex pattern of the concavo-convex structure. An object of the present invention is to provide an uneven structure for inspection that enables easy and reliable inspection of an uneven pattern.

このような課題を解決するために、本発明の凹凸構造体の検査方法は、凹凸構造体が備える凹凸パターンの欠陥を検出する凹凸構造体の検査方法において、前記凹凸パターンの少なくとも検査対象領域に成膜材料を被着させて被覆膜を前記凹凸パターン上に均一な厚みで形成し、前記凹凸パターンの凸部の上面が露出するまで前記被覆膜を除去することで前記凹凸パターンの前記凸部の平面視形状の幅を拡大する成膜工程と、前記成膜工程が終了した前記凹凸構造体の前記凹凸パターンを、光学検査装置を用いて検査する検査工程と、を有するような構成とした。
In order to solve such a problem, the method for inspecting a concavo-convex structure of the present invention is a method for inspecting a concavo-convex structure for detecting defects in the concavo-convex pattern included in the concavo-convex structure, in which at least the area to be inspected of the concavo-convex pattern the film forming material to form a uniform thickness of the coating film are adhered onto the uneven pattern, wherein said uneven pattern by removing the coating film to the upper surface of the convex portion of the concavo-convex pattern is exposed so that the Yusuke and film forming step for enlarging the width of the plan view shape of the convex portion, the concave-convex pattern of the concavo-convex structure in which the film-forming step is completed, and a inspection step of inspecting using optical inspection device The configuration was as follows.

本発明の他の態様として、前記凹凸パターンの前記凸部の上面が露出するまで前記被覆膜を除去することで、前記凹凸パターンの前記凸部の側壁に前記被覆膜を残存させるような構成とした。
Another aspect of the present invention, the in the upper surface of the convex portion of the concavo-convex pattern to remove the coating film to expose, so that is left to the coating film on the side wall of the convex portion of the concavo-convex pattern The configuration was as follows .

本発明の他の態様として、前記成膜材料は、前記凹凸構造体を損傷させることなく除去が可能なものであるような構成とした。
As another aspect of the present invention, the film-forming material is configured so that it can be removed without damaging the uneven structure.

本発明の凹凸構造体の修正方法は、凹凸構造体が備える凹凸パターンの欠陥箇所を、上述のいずれかの凹凸構造体の検査方法により検出し、検出された該欠陥箇所を修正するような構成とした。 The method for repairing a concavo-convex structure of the present invention is such that a defect portion of a concavo-convex pattern included in the concavo-convex structure is detected by any of the above-mentioned inspection methods for the concavo-convex structure, and the detected defect portion is corrected. And said.

本発明の他の態様として、前記被覆膜を除去した後に前記欠陥箇所の修正を行うような構成とした。
本発明の他の態様として、前記被覆膜を存在させた状態で前記欠陥箇所の修正を行うような構成とした。 As another aspect of the present invention, the defect portion is corrected after the coating film is removed.
As another aspect of the present invention, the defect portion is corrected in the presence of the coating film.

本発明の検査用の凹凸構造体は、凹凸パターンの欠陥を検出する検査対象である検査用の凹凸構造体であって、前記凹凸パターンの少なくとも検査対象領域に位置し、前記凹凸パターンの前記凸部の平面視形状の幅を拡大している被覆膜を有し、前記被覆膜は、前記凹凸パターンの前記凸部の側壁面のみに均一な厚みで位置するような構成とした。
Uneven structure for testing of the present invention is a concavo-convex structure for testing a test object to detect defects of the uneven pattern, and located at least the inspection target region of the uneven pattern, the convex of the concavo-convex pattern It has a coating film that expands the width of the plan view shape of the portion, and the coating film is configured to be located only on the side wall surface of the convex portion of the concave-convex pattern with a uniform thickness .

本発明の他の態様として、前記被覆膜を含む平面視形状の寸法が、凹凸構造体の凹凸パターンに要求される寸法であるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記被覆膜は、前記凹凸構造体を損傷させることなく除去が可能であるような構成とした。 As another aspect of the present invention, the dimensions of the plan view shape including the coating film are configured to be the dimensions required for the concavo-convex pattern of the concavo-convex structure.
As another aspect of the present invention, the coating film is configured so that it can be removed without damaging the uneven structure.

本発明の凹凸構造体の検査方法は、凹凸構造体が備える凹凸パターンを容易、確実に検査することができる。
また、本発明の修正方法は、凹凸構造体が備える凹凸パターンの欠陥箇所を検出して、当該欠陥箇所を修正することが容易である。
さらに、本発明の検査用の凹凸構造体は、具備する凹凸パターンの検査を容易、確実に実施可能である。 The method for inspecting an uneven structure of the present invention can easily and surely inspect an uneven pattern included in the uneven structure.
Further, in the correction method of the present invention, it is easy to detect a defective portion of the concave-convex pattern included in the concave-convex structure and correct the defective portion.
Further, the uneven structure for inspection of the present invention can easily and surely inspect the uneven pattern provided therein.

図１は、ライン／スペース形状の凹凸パターンに存在する欠陥を説明するための図である。FIG. 1 is a diagram for explaining defects existing in the uneven pattern of the line / space shape. 図２は、反射検査におけるエッジ欠陥、ショート欠陥での反射光の光強度のシミュレーションを説明する図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a simulation of the light intensity of reflected light in an edge defect and a short defect in a reflection inspection. 図３は、反射検査におけるエッジ欠陥、ショート欠陥での反射光の光強度をシミュレーションした結果を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing the results of simulating the light intensity of the reflected light in the edge defect and the short defect in the reflection inspection. 図４は、検査用の凹凸構造体の一例を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing an example of an uneven structure for inspection. 図５は、検査用の凹凸構造体の他の例を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing another example of the uneven structure for inspection. 図６は、検査用の凹凸構造体の他の例を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing another example of the uneven structure for inspection. 図７は、検査用の凹凸構造体の他の例を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing another example of the uneven structure for inspection. 図８は、検査用の凹凸構造体の他の例を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing another example of the uneven structure for inspection. 図９は、検査用の凹凸構造体の他の例を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing another example of the uneven structure for inspection. 図１０は、図２に示す凹凸パターン１１に被覆層を形成した状態を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a state in which a coating layer is formed on the uneven pattern 11 shown in FIG. 図１１は、反射検査におけるエッジ欠陥、ショート欠陥での反射光の光強度のシミュレーションを説明する図である。FIG. 11 is a diagram illustrating a simulation of the light intensity of reflected light in an edge defect and a short defect in a reflection inspection. 図１２は、凹凸構造体が備える凹凸パターンがピラー形状である例を示す部分平面図である。FIG. 12 is a partial plan view showing an example in which the concave-convex pattern included in the concave-convex structure has a pillar shape. 図１３は、凹凸構造体が備える凹凸パターンがホール形状である例を示す部分平面図である。FIG. 13 is a partial plan view showing an example in which the concave-convex pattern included in the concave-convex structure has a hole shape. 図１４は、本発明の凹凸構造体の修正方法の一例を説明するための図である。FIG. 14 is a diagram for explaining an example of a method for modifying the concave-convex structure of the present invention. 図１５は、本発明の凹凸構造体の修正方法の他の例を説明するための図である。FIG. 15 is a diagram for explaining another example of the method for modifying the concave-convex structure of the present invention. 図１６は、実施例におけるレプリカモールドの白欠陥、マスターモールドの黒欠陥のＳＥＭ画像を示す図である。FIG. 16 is a diagram showing SEM images of white defects of the replica mold and black defects of the master mold in the examples. 図１７は、実施例におけるレプリカモールドの白欠陥、マスターモールドの黒欠陥のＳＥＭ画像を示す図である。FIG. 17 is a diagram showing SEM images of white defects of the replica mold and black defects of the master mold in the examples.

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
尚、図面は模式的または概念的なものであり、各部材の寸法、部材間の大きさの比等は、必ずしも現実のものと同一とは限らず、また、同じ部材等を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比が異なって表される場合もある。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
It should be noted that the drawings are schematic or conceptual, and the dimensions of each member, the ratio of the sizes between the members, etc. are not necessarily the same as the actual ones, and may represent the same members, etc. However, the dimensions and ratios may differ from each other depending on the drawing.

［凹凸構造体の検査方法、検査用の凹凸構造体］
図１は、ライン／スペース形状の凹凸パターンの例を示す部分平面図である。図１において、凹凸パターン１１は、ライン状の凸部１２（斜線を付して示している）が凹部１３を介して平行に配列されている。この例では、凹凸パターン１１の凸部１２の間隙部位（凹部１３）にモールド材料や異物等が存在する欠陥（黒欠陥）を示しており、凸部１２の壁面から凹部１３に突出するように存在する欠陥（以下、エッジ欠陥とも記す）Ｄ_Eと、隣接する凸部１２，１２の一方から他方に達するような欠陥（以下、ショート欠陥とも記す）Ｄ_Sが存在している。
本発明者は、光学検査装置を用いた微細な寸法の凹凸パターンの欠陥検査について検討し、光学検査装置を用いた欠陥検査では、黒欠陥のうち、エッジ欠陥Ｄ_Eがショート欠陥Ｄ_Sに比べて検出され難い傾向を見いだして、本発明に想到した。 [Concavo-convex structure inspection method, concavo-convex structure for inspection]
FIG. 1 is a partial plan view showing an example of an uneven pattern having a line / space shape. In FIG. 1, in the uneven pattern 11, line-shaped convex portions 12 (shown with diagonal lines) are arranged in parallel via the concave portions 13. In this example, a defect (black defect) in which a mold material, a foreign substance, or the like exists in the gap portion (concave portion 13) of the convex portion 12 of the concave-convex pattern 11 is shown so as to project from the wall surface of the convex portion 12 to the concave portion 13. existing defects (hereinafter, referred to as edge defects) and D _E, defects such as reaching from one to the other of the adjacent convex portions 12, 12 (hereinafter, also referred to as short-circuit defect) D _S is present.
The present inventors have studied the defect inspection of the uneven pattern of minute dimensions using the optical inspection system, the defect inspection using the optical inspection apparatus, among the black defect, edge defect D _E is compared with a short-circuit defect D _S We came up with the present invention by finding a tendency that is difficult to detect.

例えば、図２に示すように、ライン幅２０ｎｍ、高さ５０ｎｍのライン状の凸部１２がライン幅２０ｎｍの凹部１３を介して平行に配列されている凹凸パターン１１において、ショート欠陥Ｄ_S（図２（Ａ））とエッジ欠陥Ｄ_E（図２（Ｂ））が存在する場合について、反射検査におけるエッジ欠陥Ｄ_Eでの反射光の光強度と、ショート欠陥Ｄ_Sでの反射光の光強度をシミュレーションし、エッジ欠陥Ｄ_Eとショート欠陥Ｄ_Sの検出の容易性を定量化する。ここでは、ショート欠陥Ｄ_Sの平面視形状を２０ｎｍ×１０ｎｍの長方形状（平面視形状の面積＝２００ｎｍ²）、エッジ欠陥Ｄ_Eの平面視形状を１０ｎｍ×２０ｎｍの長方形状（平面視形状の面積＝２００ｎｍ²）とし、下記のシミュレーション条件を設定する。
（シミュレーション条件）
・使用ソフト：ＥＭ−ｓｕｉｔｅｓ（Panoramic tech社製）
・検査光：波長１９９ｎｍ
・画素サイズ：５０ｎｍ
・開口率：０．８ For example, as shown in FIG. 2, the uneven pattern 11 line width 20 nm, a line-shaped convex portion 12 in the height 50nm are arranged in parallel through a recess 13 having a line width 20 nm, a short-circuit defect D _S (FIG. 2 (a)) and the case edge defect D _E (FIG. 2 (B)) is present, the light intensity of the reflected light and the light intensity of the reflected light, a short defect D _S at the edge defect D _E in the reflected test To quantify the ease of detection of edge defects D _E and short defects D _S. Here, the plan view shape of the short defect D _S is a rectangle of 20 nm × 10 nm (area of the plan view shape = 200 nm ² ), and the plan view shape of the edge defect D _E is a rectangle shape of 10 nm × 20 nm (area of the plan view shape). = 200 nm ² ) and set the following simulation conditions.
(Simulation conditions)
-Software used: EM-suites (manufactured by Panoramic tech)
・ Inspection light: Wavelength 199 nm
-Pixel size: 50 nm
・ Aperture ratio: 0.8

ショート欠陥Ｄ_Sとエッジ欠陥Ｄ_Eの平面視形状の面積は、共に２００ｎｍ²で同じであるが、シミュレーションの結果は、図３に示されるように、エッジ欠陥Ｄ_Eでの反射光の光強度が、ショート欠陥Ｄ_Sでの反射光の光強度の約半分となる。これについては、以下のように考察することができる。すなわち、凸部１２のＸ方向の長さは、図２に鎖線の矢印で示すように、ショート欠陥Ｄ_Sが存在する部位に比べて、エッジ欠陥Ｄ_Eが存在する部位において短くなっている。これにより、Ｘ方向の周期性の崩れが回折光強度の差に影響し、回折光強度がショート欠陥Ｄ_Sで大きく、エッジ欠陥Ｄ_Eで小さくなり、エッジ欠陥Ｄ_Eがショート欠陥Ｄ_Sに比べて検出され難いものと考えられる。
このような知見から、本発明の凹凸構造体の検査方法は、凹凸パターンの少なくとも検査対象領域に成膜材料を被着させて被覆膜を形成し、凹凸パターンの凸部の平面視形状の幅を拡大する成膜工程と、この成膜工程の後、凹凸構造体の凹凸パターンを、光学検査装置を用いて検査する検査工程と、を有するものとした。 The areas of the short defect D _S and the edge defect D _{E in} the plan view are the same at 200 nm ² , but the simulation results show that the light intensity of the reflected light at the edge defect D _E is the same as shown in FIG. but is about half of the light intensity of the reflected light at the short-circuit defect D _S. This can be considered as follows. That is, as shown by the arrow of the chain line in FIG. 2, the length of the convex portion 12 in the X direction is shorter in the portion where the edge defect D _E is present than in the portion where the short defect D _S is present. As a result, the disruption of the periodicity in the X direction affects the difference in the diffracted light intensity, the diffracted light intensity is large for the short defect D _S and small for the edge defect D _E , and the edge defect D _E is smaller than the short defect D _S. It is considered that it is difficult to detect.
Based on these findings, the method for inspecting a concavo-convex structure of the present invention is to form a coating film by depositing a film-forming material on at least the inspection target region of the concavo-convex pattern, and to form a plan view of the convex portion of the concavo-convex pattern. It has a film forming step of expanding the width, and an inspection step of inspecting the uneven pattern of the uneven structure using an optical inspection device after the film forming step.

（成膜工程）
まず、成膜工程について説明する。成膜工程において、凹凸構造体の凹凸パターンに被着させる成膜材料は、凹凸構造体の材質に応じて適宜選定することができる。成膜工程において形成した被覆膜を、検査終了後に除去する場合には、凹凸構造体を損傷させることなく被腹膜をエッチング除去できることが要求される。この場合、例えば、凹凸構造体の材質が石英であれば、成膜材料はクロム、窒化クロム、アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ルテニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル等を挙げることができる。また、成膜工程において形成した被腹膜を、検査終了後にそのまま凹凸構造体の一部として残す場合には、凹凸構造体に近似した物性を具備する被覆膜を形成することが好適である。この場合、例えば、凹凸構造体の材質が石英であれば、成膜材料は二酸化珪素、モリブデンシリサイト（ＭｏＳｉ）、タンタルシリサイト（ＴａＳｉ）等を挙げることができる。
また、成膜材料を被着させて被覆膜を形成する手段としては、例えば、スパッタリング法等の公知の真空成膜方法、原子層堆積法（Atomic Layer Deposition：ＡＬＤ）等を挙げることができる。このような被覆膜の形成により、凸部１２のＸ方向（図２参照）の長さが増大し、エッジ欠陥Ｄ_Eが存在する箇所において、凸部間で被覆膜を連続させることにより、Ｘ方向の偏光光の反射量が増大し、検出感度向上の点で好適である。また、エッジ欠陥Ｄ_Eが小さく、凸部間で被覆膜が連続にならない場合でも、エッジ欠陥Ｄ_Eの平面視面積が大きくなり、偏光光の反射量が増大し、検出感度向上が図れる。 (Film formation process)
First, the film forming process will be described. In the film forming step, the film forming material to be adhered to the uneven pattern of the uneven structure can be appropriately selected according to the material of the uneven structure. When the coating film formed in the film forming step is removed after the inspection is completed, it is required that the peritoneum can be removed by etching without damaging the uneven structure. In this case, for example, if the material of the concave-convex structure is quartz, the film-forming material may be chromium, chromium nitride, aluminum, aluminum oxide, ruthenium oxide, hafnium oxide, tantalum oxide, or the like. Further, when the peritoneum formed in the film forming step is left as it is as a part of the concavo-convex structure after the inspection is completed, it is preferable to form a coating film having physical properties similar to the concavo-convex structure. In this case, for example, if the material of the concave-convex structure is quartz, the film-forming material may be silicon dioxide, molybdenum silicite (MoSi), tantalum silicite (TaSi), or the like.
Further, as a means for forming the coating film by adhering the film-forming material, for example, a known vacuum film-forming method such as a sputtering method, an atomic layer deposition method (ALD), or the like can be mentioned. .. By forming such a coating film, the length of the convex portion 12 in the X direction (see FIG. 2) is increased, and the coating film is made continuous between the convex portions at the location where the edge defect _DE is present. , The amount of reflected polarized light in the X direction increases, which is preferable in terms of improving the detection sensitivity. Further, even when the edge defect _DE is small and the coating film is not continuous between the convex portions, the planar viewing area of the edge defect _DE becomes large, the amount of reflected polarized light increases, and the detection sensitivity can be improved.

ここで、成膜工程において、成膜材料を被着させて被覆膜を形成した凹凸構造体、すなわち、具備する凹凸パターンの検査を受ける状態にある検査用の凹凸構造体について、例を挙げて説明する。
図４は、検査用の凹凸構造体の一例を示す図であり、図４（Ａ）は部分平面図、図４（Ｂ）は図４（Ａ）のＩ−Ｉ線における断面図である。図４に示される凹凸構造体２１は、ライン状の凸部２３が凹部２４を介して平行に配列されているライン／スペース形状の凹凸パターン２２を有している。尚、図４（Ａ）では、凸部２３の輪郭を鎖線で示すとともに、凸部２３に斜め鎖線を付している。 Here, an example is given of a concavo-convex structure in which a film-forming material is adhered to form a coating film in the film-forming step, that is, a concavo-convex structure for inspection that is in a state of being inspected for the concavo-convex pattern to be provided. I will explain.
4A and 4B are views showing an example of an uneven structure for inspection, FIG. 4A is a partial plan view, and FIG. 4B is a cross-sectional view taken along the line II of FIG. 4A. The uneven structure 21 shown in FIG. 4 has a line / space-shaped uneven pattern 22 in which the line-shaped convex portions 23 are arranged in parallel via the concave portions 24. In FIG. 4A, the outline of the convex portion 23 is shown by a chain line, and the convex portion 23 is provided with an oblique chain line.

凹凸構造体２１は、凹凸パターン２２に成膜材料を被着させて形成した被覆膜２７を有しており、この被覆膜２７は、凸部２３を被覆することにより、凸部２３の平面視形状の幅を拡大している。図示例では、被覆膜２７は、凹凸パターン２２の凸部２３の上面２３ａにおいて最も厚くなっている。また、凹凸パターン２２の凸部２３の上面２３ａに位置する被覆膜２７は、この上面２３ａと略平行な方向に突出しており、これにより、被覆膜２７は凸部２３から突出した庇形状部２７ａを有している。図示例では、エッジ欠陥Ｄ_Eが存在する箇所において、隣接する凸部２３間で被覆膜２７の庇形状部２７ａが接触し、被覆膜２７が隣接する凸部２３間で連続したものとなっている。但し、凹凸パターン２２の凹部２４が成膜材料の被着により埋められて、極端に狭くなったり、消失して凹凸パターンの検査が困難になることを防止する必要がある。このため、被覆膜２７は、凸部２３から突出した庇形状部２７ａの幅が、凹部２４のライン幅の１／３以下となるように形成されていることが好ましい。したがって、隣接する凸部方向に突出するエッジ欠陥Ｄ_Eの突出量が少ない場合、隣接する凸部２３間で被覆膜２７の庇形状部２７ａが接触し得ない場合も生じるが、本発明では、被覆膜２７により凸部２３の平面視形状の幅を拡大しているので、エッジ欠陥Ｄ_Eの検出感度を確実に向上させることができる。 The concavo-convex structure 21 has a coating film 27 formed by adhering a film forming material on the concavo-convex pattern 22, and the coating film 27 covers the convex portion 23 to form the convex portion 23. The width of the plan view shape is expanded. In the illustrated example, the coating film 27 is the thickest on the upper surface 23a of the convex portion 23 of the concave-convex pattern 22. Further, the coating film 27 located on the upper surface 23a of the convex portion 23 of the uneven pattern 22 protrudes in a direction substantially parallel to the upper surface 23a, whereby the coating film 27 has an eaves shape protruding from the convex portion 23. It has a part 27a. In the illustrated example, at the location where the edge defect _DE exists, the eaves-shaped portion 27a of the coating film 27 is in contact between the adjacent convex portions 23, and the coating film 27 is continuous between the adjacent convex portions 23. It has become. However, it is necessary to prevent the concave portion 24 of the uneven pattern 22 from being filled by the adhesion of the film-forming material and becoming extremely narrow or disappearing, making it difficult to inspect the uneven pattern. Therefore, it is preferable that the coating film 27 is formed so that the width of the eaves-shaped portion 27a protruding from the convex portion 23 is 1/3 or less of the line width of the concave portion 24. Therefore, when the amount of protrusion of the edge defect _DE protruding in the direction of the adjacent convex portion is small, the eaves-shaped portion 27a of the coating film 27 may not be able to contact between the adjacent convex portions 23, but in the present invention. Since the width of the plan view shape of the convex portion 23 is expanded by the coating film 27, the detection sensitivity of the edge defect _DE can be surely improved.

上記のような凹凸構造体２１における被覆膜２７は、例えば、スパッタリング法により形成することができ、また、被覆膜２７を形成する成膜材料は、検査終了後に被覆膜２７を除去するか否かを考慮し、凹凸構造体２１の材質に応じて適宜選択することができる。スパッタリング法による被覆膜２７の形成では、成膜速度を速くしたり、成膜時の真空度を低くすることにより、被覆膜２７の庇形状部２７ａの突出量を大きくすることができる。また、凹凸パターン２２の凸部２３の上面２３ａに対する成膜材料の被着方向を制御することにより、被覆膜２７の庇形状部２７ａの突出量を調整することができる。さらに、凹凸構造体２１を回転させて成膜材料の被着を均一にしたり、凸部２３の長さ方向に対して直交する２方向（図４（Ａ）に示されるＸ方向）からのみ成膜材料を被着させること等によっても、被覆膜２７の庇形状部２７ａの突出量を調整することができる。 The coating film 27 in the uneven structure 21 as described above can be formed by, for example, a sputtering method, and the film-forming material forming the coating film 27 removes the coating film 27 after the inspection is completed. It can be appropriately selected depending on the material of the concave-convex structure 21 in consideration of whether or not it is present. In the formation of the coating film 27 by the sputtering method, the amount of protrusion of the eaves-shaped portion 27a of the coating film 27 can be increased by increasing the film forming speed or lowering the degree of vacuum at the time of film formation. Further, by controlling the adhesion direction of the film-forming material with respect to the upper surface 23a of the convex portion 23 of the concave-convex pattern 22, the amount of protrusion of the eaves-shaped portion 27a of the coating film 27 can be adjusted. Further, the concave-convex structure 21 is rotated to make the film-forming material adhered uniformly, or it is formed only from two directions (X direction shown in FIG. 4A) orthogonal to the length direction of the convex portion 23. The amount of protrusion of the eaves-shaped portion 27a of the coating film 27 can also be adjusted by applying a film material or the like.

図５は、検査用の凹凸構造体の他の例を示す図４（Ｂ）相当の断面図である。図５に示される凹凸構造体２１′は、凹凸パターン２２を形成するためのドライエッチングに使用したハードマスクパターン２５を残存させた状態で凹凸パターンの欠陥検査を受けるものである。凹凸構造体２１′は、ライン状の凸部２３が凹部２４を介して平行に配列されているライン／スペース形状の凹凸パターン２２を有しており、凹凸パターン２２には、ハードマスクパターン２５に存在する欠陥２５ｄに起因するエッジ欠陥Ｄ_Eが存在している。そして、ライン状の凸部２３の上面２３ａにハードマスクパターン２５を残存させた状態で、凹凸パターン２２に成膜材料を被着させて形成した被覆膜２７を有している。この被覆膜２７は、凸部２３を被覆することにより、凸部２３の平面視形状の幅を拡大している。この凹凸構造体２１′の例においても、被覆膜２７は、凹凸パターン２２の凸部２３の上面２３ａに位置するハードマスクパターン２５上において最も厚くなっている。また、ハードマスクパターン２５に位置する被覆膜２７は、凸部２３の上面２３ａと平行な方向に突出しており、これにより、被覆膜２７は凸部２３から突出した庇形状部２７ａを有している。図示例では、エッジ欠陥Ｄ_Eが存在する箇所において、隣接する凸部２３間で被覆膜２７の庇形状部２７ａが接触し、被覆膜２７が隣接する凸部２３間で連続したものとなっている。 FIG. 5 is a cross-sectional view corresponding to FIG. 4B showing another example of the uneven structure for inspection. The concavo-convex structure 21'shown in FIG. 5 undergoes a defect inspection of the concavo-convex pattern with the hard mask pattern 25 used for dry etching for forming the concavo-convex pattern 22 remaining. The concavo-convex structure 21'has a line / space-shaped concavo-convex pattern 22 in which line-shaped convex portions 23 are arranged in parallel via the recesses 24, and the concavo-convex pattern 22 has a hard mask pattern 25. There is an edge defect _DE due to the existing defect 25d. Then, it has a coating film 27 formed by adhering a film forming material on the uneven pattern 22 with the hard mask pattern 25 remaining on the upper surface 23a of the line-shaped convex portion 23. By covering the convex portion 23, the coating film 27 expands the width of the plan view shape of the convex portion 23. Also in the example of the uneven structure 21', the coating film 27 is the thickest on the hard mask pattern 25 located on the upper surface 23a of the convex portion 23 of the uneven pattern 22. Further, the coating film 27 located in the hard mask pattern 25 projects in a direction parallel to the upper surface 23a of the convex portion 23, whereby the coating film 27 has an eaves-shaped portion 27a protruding from the convex portion 23. are doing. In the illustrated example, at the location where the edge defect _DE exists, the eaves-shaped portion 27a of the coating film 27 is in contact between the adjacent convex portions 23, and the coating film 27 is continuous between the adjacent convex portions 23. It has become.

ハードマスクパターン２５は、凹凸構造体２１′のエッチングに対してエッチング耐性を発現する材料であり、例えば、凹凸構造体２１′の材質が石英であれば、ハードマスクパターン２５はクロム、窒化クロム、酸化クロム、酸化窒化クロム、タンタル、酸化タンタル、窒化タンタル、酸化窒化タンタル等の材質からなる薄膜とすることができる。そして、検査終了後に被覆膜２７を除去する場合には、被覆膜２７を形成するための成膜材料として、ハードマスクパターン２５と同じ材料、あるいは、ハードマスクパターン２５と同程度に凹凸構造体２１′から除去し易い材料を使用することができる。
図６は、検査用の凹凸構造体の他の例を示す図であり、図６（Ａ）は部分平面図、図６（Ｂ）は図６（Ａ）のII−II線における断面図である。図６に示される凹凸構造体３１は、ライン状の凸部３３が凹部３４を介して平行に配列されているライン／スペース形状の凹凸パターン３２を有している。尚、図６（Ａ）では、凸部３３の輪郭を鎖線で示すとともに、凸部３３に斜め鎖線を付している。
凹凸構造体３１は、凹凸パターン３２に成膜材料を被着させて形成した被覆膜３７を有しており、この被覆膜３７は、凸部３３を被覆することにより、凸部３３の平面視形状の幅を拡大している。図示例では、被覆膜３７は、凹凸パターン３２上に均一な厚みで位置している。 The hard mask pattern 25 is a material that exhibits etching resistance to etching of the concave-convex structure 21'. For example, if the material of the concave-convex structure 21' is quartz, the hard mask pattern 25 is made of chromium, chromium nitride, or the like. A thin film made of a material such as chromium oxide, chromium nitride nitride, tantalum, tantalum oxide, tantalum nitride, tantalum nitride, etc. can be obtained. When the coating film 27 is removed after the inspection is completed, the film forming material for forming the coating film 27 is the same material as the hard mask pattern 25, or an uneven structure similar to that of the hard mask pattern 25. A material that is easy to remove from the body 21'can be used.
6A and 6B are views showing another example of the uneven structure for inspection, FIG. 6A is a partial plan view, and FIG. 6B is a cross-sectional view taken along the line II-II of FIG. 6A. is there. The concavo-convex structure 31 shown in FIG. 6 has a line / space-shaped concavo-convex pattern 32 in which the line-shaped convex portions 33 are arranged in parallel via the concave portions 34. In FIG. 6A, the outline of the convex portion 33 is shown by a chain line, and the convex portion 33 is provided with an oblique chain line.
The concavo-convex structure 31 has a coating film 37 formed by coating a film-forming material on the concavo-convex pattern 32, and the coating film 37 covers the convex portion 33 to form the convex portion 33. The width of the plan view shape is expanded. In the illustrated example, the coating film 37 is located on the uneven pattern 32 with a uniform thickness.

上記のような凹凸構造体３１における被覆膜３７は、例えば、ＡＬＤ法等により形成することができ、被覆膜３７を形成するための成膜材料は、検査終了後に被覆膜３７を除去するか否かを考慮し、凹凸構造体３１の材質に応じて適宜選択することができる。検査終了後に被覆膜３７を除去する場合、例えば、凹凸構造体３１の材質が石英であれば、成膜材料をアルミニウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ルテニウム、酸化ルテニウム、窒化ルテニウム、コバルト、タングステン、窒化チタン、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム等から選択することができる。また、検査終了後に被覆膜３７を除去しない場合には、成膜材料を凹凸構造体３１に近似した物性を具備する材料から選択することでき、この場合、被覆膜３７を含む平面視形状の寸法が、凹凸構造体３１の凹凸パターン３２に要求される寸法となる。 The coating film 37 in the uneven structure 31 as described above can be formed by, for example, the ALD method, and the film forming material for forming the coating film 37 removes the coating film 37 after the inspection is completed. It can be appropriately selected according to the material of the concave-convex structure 31 in consideration of whether or not to do so. When removing the coating film 37 after the inspection is completed, for example, if the material of the concave-convex structure 31 is quartz, the film-forming material is aluminum, aluminum oxide, aluminum nitride, ruthenium, ruthenium oxide, ruthenium nitride, cobalt, tungsten, etc. It can be selected from titanium nitride, titanium oxide, tantalum oxide, niobium oxide, hafnium oxide, zirconium oxide and the like. When the coating film 37 is not removed after the inspection is completed, the film-forming material can be selected from materials having physical properties similar to those of the uneven structure 31. In this case, the plan view shape including the coating film 37 is included. Is the dimension required for the concavo-convex pattern 32 of the concavo-convex structure 31.

また、検査用の凹凸構造体３１は、図７に示すように、被覆膜３７が凹凸パターン３２の凸部３３の側壁面３３ｂに均一な厚みで位置し、凸部３３の上面３３ａ、凹部３４の底面３４ａが露出するものであってもよい。このような検査用の凹凸構造体３１は、上述の図６に示される検査用の凹凸構造体３１を作製した後、被覆層３７をエッチバックして、凸部３３の上面３３ａ、凹部３４の底面３４ａに位置する被覆層３７を除去することにより作製することができる。
図８は、検査用の凹凸構造体の他の例を示す図６（Ｂ）相当の断面図である。図８に示される凹凸構造体３１′は、凹凸パターン３２を形成するためのドライエッチングに使用したハードマスクパターン３５を残存させた状態で凹凸パターンの欠陥検査を受けるものである。凹凸構造体３１′は、ライン状の凸部３３が凹部３４を介して平行に配列されているライン／スペース形状の凹凸パターン３２を有しており、凹凸パターン３２には、ハードマスクパターン３５に存在する欠陥３５ｄに起因するエッジ欠陥Ｄ_Eが存在している。そして、ライン状の凸部３３の上面３３ａにハードマスクパターン３５を残存させた状態で、凹凸パターン３２に成膜材料を被着させて形成した被覆膜３７を有している。この被覆膜３７は、凸部３３を被覆することにより、凸部３３の平面視形状の幅を拡大している。この凹凸構造体３１′の例においても、被覆膜３７は、凹凸パターン３２上に均一な厚みで位置している。 Further, in the concave-convex structure 31 for inspection, as shown in FIG. 7, the coating film 37 is located on the side wall surface 33b of the convex portion 33 of the concave-convex pattern 32 with a uniform thickness, and the upper surface 33a and the concave portion of the convex portion 33. The bottom surface 34a of 34 may be exposed. In such a concave-convex structure 31 for inspection, after the concave-convex structure 31 for inspection shown in FIG. 6 described above is produced, the coating layer 37 is etched back to form the upper surface 33a and the concave portion 34 of the convex portion 33. It can be produced by removing the coating layer 37 located on the bottom surface 34a.
FIG. 8 is a cross-sectional view corresponding to FIG. 6B showing another example of the uneven structure for inspection. The concavo-convex structure 31'shown in FIG. 8 undergoes a defect inspection of the concavo-convex pattern with the hard mask pattern 35 used for dry etching for forming the concavo-convex pattern 32 remaining. The concavo-convex structure 31'has a line / space-shaped concavo-convex pattern 32 in which line-shaped convex portions 33 are arranged in parallel via the recesses 34, and the concavo-convex pattern 32 has a hard mask pattern 35. There is an edge defect _DE due to the existing defect 35d. Then, it has a coating film 37 formed by adhering a film forming material on the uneven pattern 32 with the hard mask pattern 35 remaining on the upper surface 33a of the line-shaped convex portion 33. By covering the convex portion 33, the coating film 37 expands the width of the convex portion 33 in a plan view. Also in the example of the uneven structure 31', the coating film 37 is located on the uneven pattern 32 with a uniform thickness.

このような凹凸構造体３１′における被覆膜３７は、例えば、ＡＬＤ法等により形成することができる。被覆膜３７を形成するための成膜材料は、検査終了後に被覆膜３７を除去するか否かを考慮し、凹凸構造体３１′の材質に応じて適宜選択することができる。検査終了後に被覆膜３７を除去しない場合には、被覆膜３７を含む平面視形状の寸法が、凹凸構造体３１′の凹凸パターン３２に要求される寸法となる。
ハードマスクパターン３５は、凹凸構造体３１′のエッチングに対してエッチング耐性を発現する材料であり、例えば、凹凸構造体３１′の材質が石英であれば、ハードマスクパターン３５はクロム、窒化クロム、酸化クロム、酸化窒化クロム、タンタル、酸化タンタル、窒化タンタル、酸化窒化タンタル等の材質からなる薄膜とすることができる。そして、検査終了後に被覆膜３７を除去する場合には、被覆膜３７を形成するための成膜材料として、ハードマスクパターン３５と同じ材料、あるいは、ハードマスクパターン３５と同程度に凹凸構造体２１′から除去し易い材料を使用することができる。 The coating film 37 in such an uneven structure 31'can be formed by, for example, the ALD method or the like. The film-forming material for forming the coating film 37 can be appropriately selected depending on the material of the uneven structure 31', considering whether or not the coating film 37 is removed after the inspection is completed. When the coating film 37 is not removed after the inspection is completed, the dimensions of the plan view shape including the coating film 37 are the dimensions required for the uneven pattern 32 of the concave-convex structure 31'.
The hard mask pattern 35 is a material that exhibits etching resistance to etching of the concave-convex structure 31'. For example, if the material of the concave-convex structure 31' is quartz, the hard mask pattern 35 is chromium, chromium nitride, or the like. A thin film made of a material such as chromium oxide, chromium nitride nitride, tantalum, tantalum oxide, tantalum nitride, tantalum nitride, etc. can be obtained. Then, when the coating film 37 is removed after the inspection is completed, the film forming material for forming the coating film 37 is the same material as the hard mask pattern 35, or an uneven structure similar to that of the hard mask pattern 35. A material that is easy to remove from the body 21'can be used.

また、上記の検査用の凹凸構造体３１′は、図９に示すように、被覆膜３７が凹凸パターン３２の凸部３３の側壁面３３ｂに均一な厚みで位置し、凸部３３のハードマスクパターン３５、凹部３４の底面３４ａが露出するものであってもよい。このような検査用の凹凸構造体３１′は、上述の図８に示される検査用の凹凸構造体３１′を作製した後、被覆層３７をエッチバックして、凸部３３のハードマスクパターン３５上、凹部３４の底面３４ａに位置する被覆層３７を除去することにより作製することができる。 Further, in the above-mentioned uneven structure 31'for inspection, as shown in FIG. 9, the coating film 37 is located on the side wall surface 33b of the convex portion 33 of the concave-convex pattern 32 with a uniform thickness, and the convex portion 33 is hard. The mask pattern 35 and the bottom surface 34a of the recess 34 may be exposed. In such a concave-convex structure for inspection 31', after the concave-convex structure for inspection 31'shown in FIG. 8 described above is produced, the coating layer 37 is etched back to form the hard mask pattern 35 of the convex portion 33. It can be produced by removing the coating layer 37 located on the bottom surface 34a of the recess 34.

（検査工程）
上記のように、成膜工程において成膜材料を被着させて被覆膜を形成した凹凸構造体について、検査工程にて、光学検査装置を用いて凹凸パターンを検査する。この検査では、成膜工程において、凹凸パターンに成膜材料を被着させて形成した被覆膜が、凸部の平面視形状の幅を拡大しているので、凹凸パターンの凸部にエッジ欠陥Ｄ_Eが存在する場合、このエッジ欠陥Ｄ_Eの平面視形状の面積が拡大され、これによりエッジ欠陥Ｄ_Eの検出感度が向上している。図１０は、図２に示すライン幅２０ｎｍ、高さ５０ｎｍのライン状の凸部１２がライン幅２０ｎｍの凹部１３を介して平行に配列されている凹凸パターン１１に、図４に示すような被覆層２７を、庇形状部２７ａの突出量が２ｎｍとなるように形成した状態を示す図であり、図１０（Ａ）はショート欠陥Ｄ_Sを示し、図１０（Ｂ）はエッジ欠陥Ｄ_Eを示している。図１０では、凸部１２の輪郭、後述のエッジ欠陥Ｄ_E、ショート欠陥Ｄ_Sの輪郭を鎖線で示している。 (Inspection process)
As described above, the uneven structure in which the film forming material is adhered to form the coating film in the film forming step is inspected for the uneven pattern using an optical inspection device in the inspection step. In this inspection, in the film forming process, the coating film formed by coating the uneven pattern with the film forming material expands the width of the plan view shape of the convex portion, so that the convex portion of the uneven pattern has an edge defect. When _DE is present, the area of the plan view shape of this edge defect _DE is expanded, thereby improving the detection sensitivity of the edge defect _DE . FIG. 10 shows a coating as shown in FIG. 4 on a concave-convex pattern 11 in which line-shaped convex portions 12 having a line width of 20 nm and a height of 50 nm shown in FIG. 2 are arranged in parallel via recesses 13 having a line width of 20 nm. the layers 27 are views showing a state where the projecting amount of the eaves-shaped portion 27a is formed to have a 2 nm, FIG. 10 (a) shows the short-circuit defect D _S, FIG. 10 (B) the edge defect D _E Shown. FIG. 10 shows the outline of the convex portion 12, described later edge defect D _E, the contour of the short-circuit defect D _S in phantom.

図１０に示されるように、被覆層２７を形成した後の状態では、凸部１２の平面視形状のライン幅が２４ｎｍ、凹部１３の平面視形状のライン幅が１６ｎｍ、ショート欠陥Ｄ_Sの平面視形状が１６ｎｍ×１４ｎｍの長方形状（平面視形状の面積＝２２４ｎｍ²）、エッジ欠陥Ｄ_Eの平面視形状が１０ｎｍ×２４ｎｍの長方形状（平面視形状の面積＝２４０ｎｍ²）となる。そして、図２に示す例と同様に、反射検査におけるエッジ欠陥Ｄ_Eでの反射光の光強度と、ショート欠陥Ｄ_Sでの反射光の光強度をシミュレーションし、エッジ欠陥Ｄ_E、ショート欠陥Ｄ_Sの検出の容易性を定量化する。
シミュレーションの結果は、図１１に二点鎖線で示されるものとなる。図１１に示される縦軸の光強度のスケールは、図３に示される縦軸の光強度のスケールの２０倍である。図１１に示されるように、エッジ欠陥Ｄ_Eでの反射光の光強度は、ショート欠陥Ｄ_Sでの反射光の光強度の４０％程度であるが、同じく図１１に実線で示した図２の状態でのエッジ欠陥Ｄ_Eでの反射光の光強度に比べて、約２０倍となっており、エッジ欠陥Ｄ_Eの検出感度が各段に向上したことになる。したがって、エッジ欠陥Ｄ_Eをより確実に検出することが可能となり、凹凸構造体が備える凹凸パターンを容易、確実に検査することができる。
検査工程において使用する光学検査装置は、検査対象となる凹凸構造体が備える凹凸パターンの寸法に応じて適宜選択することができ、例えば、数十ｎｍの微細寸法の凹凸パターンを備える凹凸構造体が検査対象である場合には、１９９ｎｍ、１９３ｎｍの深紫外光を光源とする光学検査装置を使用することができる。 As shown in FIG. 10, in a state after forming the coating layer 27, the line width of the plan view shape of the convex portion 12 is 24 nm, the line width of the plan view shape of the concave portion 13 is 16 nm, the plane of the short-circuit defect D _S The visual shape is a rectangle of 16 nm × 14 nm (area of the plan view = 224 nm ² ), and the plan view shape of the edge defect _DE is a rectangle of 10 nm × 24 nm (area of the plan view = 240 nm ² ). Then, similarly to the example shown in FIG. 2, to simulate the light intensity of the reflected light at the edge defect D _E in the reflection inspection, the light intensity of the reflected light at the short-circuit defect D _S, the edge defect D _E, short-circuit defect D Quantify the ease of detection of _S.
The result of the simulation is shown by the alternate long and short dash line in FIG. The scale of light intensity on the vertical axis shown in FIG. 11 is 20 times the scale of light intensity on the vertical axis shown in FIG. As shown in FIG. 11, the light intensity of the reflected light at the edge defect D _E is the about 40% of the light intensity of the reflected light at the short-circuit defect D _S, also indicated by the solid line in FIG. 11 FIG. 2 Compared with the light intensity of the reflected light in the edge defect _DE in the state of, it is about 20 times, which means that the detection sensitivity of the edge defect _DE is significantly improved. Therefore, the edge defect _DE can be detected more reliably, and the unevenness pattern included in the unevenness structure can be easily and surely inspected.
The optical inspection device used in the inspection process can be appropriately selected according to the size of the uneven pattern included in the concave-convex structure to be inspected. For example, a concave-convex structure having a fine concave-convex pattern of several tens of nm can be selected. When it is an inspection target, an optical inspection apparatus using deep ultraviolet light of 199 nm and 193 nm as a light source can be used.

上述の実施形態は例示であり、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。例えば、上述の実施形態では、ライン／スペース形状の凹凸パターンを備える凹凸構造体を例として説明しているが、凹凸パターンの形状は限定されず、ピラー形状、ホール形状等であってもよく、また、２種以上の凹凸パターンの組み合わせであってもよい。また、凹凸構造体は、例えば、インプリント用のモールド、モールドを使用してインプリントで形成した構造物、例えば、レプリカモールド、ウエハ上の配線パターン等、特に限定されるものではない。 The above-described embodiments are exemplary, and the present invention is not limited to these embodiments. For example, in the above-described embodiment, a concavo-convex structure having a concavo-convex pattern having a line / space shape is described as an example, but the shape of the concavo-convex pattern is not limited and may be a pillar shape, a hole shape, or the like. Further, it may be a combination of two or more kinds of uneven patterns. Further, the uneven structure is not particularly limited, for example, a mold for imprinting, a structure formed by imprinting using the mold, for example, a replica mold, a wiring pattern on a wafer, and the like.

図１２は、凹凸構造体が備える凹凸パターンがピラー形状である例を示す部分平面図である。図１２（Ａ）は、平面視形状が正方形状である複数のピラー形状の凸部４３（図示例では凸部４３の輪郭を実線で示している）で構成される凹凸パターン４２を有する凹凸構造体４１において、一部の凸部４３にエッジ欠陥Ｄ_Eが存在する状態を示している。このような凹凸構造体４１の欠陥検査においても、上述の成膜工程と同様に、凹凸パターンに被覆膜４７を形成することにより、ピラー形状の凸部４３の平面視形状の幅を拡大してエッジ欠陥Ｄ_Eの検出感度を向上させる。これにより、その後の検査工程にて、エッジ欠陥Ｄ_Eをより確実に検出することが可能となり、凹凸構造体が備える凹凸パターンを容易、確実に検査することができる。尚、図１２（Ｂ）では、被覆膜４７に斜線を付して示し、凸部４３の表面に形成されている被覆膜４７にはピッチの細かい斜線を付して示している。また、凸部４３の周囲に形成されている被覆膜４７の輪郭を実線で示している。 FIG. 12 is a partial plan view showing an example in which the concave-convex pattern included in the concave-convex structure has a pillar shape. FIG. 12A shows a concave-convex structure having a concave-convex pattern 42 composed of a plurality of pillar-shaped convex portions 43 having a square shape in a plan view (the outline of the convex portions 43 is shown by a solid line in the illustrated example). In the body 41, a state in which an edge defect _DE is present in a part of the convex portions 43 is shown. In the defect inspection of the concave-convex structure 41 as well, the width of the pillar-shaped convex portion 43 in a plan view is expanded by forming the coating film 47 in the concave-convex pattern as in the above-mentioned film forming step. The detection sensitivity of edge defects _DE is improved. As a result, the edge defect _DE can be detected more reliably in the subsequent inspection step, and the uneven pattern included in the uneven structure can be easily and surely inspected. In FIG. 12B, the coating film 47 is shown with diagonal lines, and the coating film 47 formed on the surface of the convex portion 43 is shown with fine pitch diagonal lines. Further, the outline of the coating film 47 formed around the convex portion 43 is shown by a solid line.

また、図１３は、凹凸構造体が備える凹凸パターンがホール形状である例を示す部分平面図である。図１３（Ａ）は、平面視形状が正方形状である複数のホールである凹部５４（図示例では凹部５４の開口輪郭を実線で示している）で構成される凹凸パターン５２を有する凹凸構造体５１において、一部の凹部５４にエッジ欠陥Ｄ_Eが存在する状態を示している。このような凹凸構造体５１の欠陥検査においても、上述の成膜工程と同様に、凹凸パターンに被覆膜５７を形成することにより、ホール形状の凹部５４の周囲（凹部５４に対して凸部５３となっている）の平面視形状の幅を拡大してエッジ欠陥Ｄ_Eの検出感度を向上させる。これにより、その後の検査工程にて、エッジ欠陥Ｄ_Eをより確実に検出することが可能となり、凹凸構造体が備える凹凸パターンを容易、確実に検査することができる。図１３（Ｂ）では、被覆膜５７に斜線を付して示し、凹部５４の底面に形成されている被覆膜５７にはピッチの細かい斜線を付して示している。また、凹部５４の壁面に形成されている被覆膜５７の輪郭を実線で示している。
尚、検査終了後に被覆膜５７を除去する場合には、凹部５４に存在するエッジ欠陥Ｄ_Eが大きく、成膜工程にて、被着した成膜材料によって凹部５４が埋まっても、検査工程で確実にエッジ欠陥Ｄ_Eの存在を検出できるので、何ら問題はない。 Further, FIG. 13 is a partial plan view showing an example in which the concave-convex pattern included in the concave-convex structure has a hole shape. FIG. 13A shows a concavo-convex structure having a concavo-convex pattern 52 composed of recesses 54 (in the illustrated example, the opening contour of the recesses 54 is shown by a solid line), which are a plurality of holes having a square shape in a plan view. In 51, a state in which an edge defect _DE is present in a part of the recesses 54 is shown. In such a defect inspection of the uneven structure 51 as well, as in the above-mentioned film forming step, by forming the coating film 57 in the uneven pattern, the periphery of the hole-shaped concave portion 54 (the convex portion with respect to the concave portion 54). The width of the plan view shape (53) is expanded to improve the detection sensitivity of edge defects _DE . As a result, the edge defect _DE can be detected more reliably in the subsequent inspection step, and the uneven pattern included in the uneven structure can be easily and surely inspected. In FIG. 13B, the coating film 57 is shown with diagonal lines, and the coating film 57 formed on the bottom surface of the recess 54 is shown with fine pitch diagonal lines. Further, the outline of the coating film 57 formed on the wall surface of the recess 54 is shown by a solid line.
When the coating film 57 is removed after the inspection is completed, the edge defect _DE existing in the recess 54 is large, and even if the recess 54 is filled with the film-forming material adhered in the film-forming step, the inspection step Since the presence of the edge defect _DE can be detected with certainty, there is no problem.

［凹凸構造体の修正方法］
本発明の凹凸構造体の修正方法は、上述の本発明の凹凸構造体の検査方法により、凹凸構造体が備える凹凸パターンの欠陥箇所を検出し、その後、検出された欠陥箇所を修正するものである。
図１４は、上述の図４に示すように、本発明の凹凸構造体の検査方法における成膜工程で、被覆膜２７を形成し、その後の検査工程にて、エッジ欠陥Ｄ_Eが検出された場合の欠陥修正を説明する図である。凹凸構造体２１の凹凸パターン２２の検査においてエッジ欠陥Ｄ_Eが検出された場合、欠陥箇所の位置座標を特定した後、被覆膜２７を除去する（図１４（Ａ））。尚、図示例では、凹凸パターン２２の凸部２３に斜線を付して示している。例えば、凹凸構造体２１の材質が石英であり、成膜材料がクロムである場合には、硝酸第二セリウムアンモニウム、過塩素酸、硝酸水溶液等のいずれかのエッチング液を使用したウエットエッチングで、凹凸構造体２１の凹凸パターン２２を損傷させることなく被覆膜２７を除去することができる。その後、修正装置を用いて、エッジ欠陥Ｄ_Eを除去することにより凹凸パターン２２を修正する（図１４（Ｂ））。使用する修正装置としては、例えば、集束イオンビーム、電子線で所望部位を除去する装置、原子間力顕微鏡のプローブを用いて物理的に削る装置、フォトマスク修正装置Ｍｅｒｉｔ６５（カールツアイス社製）、フォトマスク修正装置ＲＡＶＥ（ＲＡＶＥ社製）等を挙げることができる。 [How to correct uneven structure]
The method for correcting an uneven structure of the present invention is to detect a defective portion of an uneven pattern included in the concave-convex structure by the above-described method for inspecting the uneven structure of the present invention, and then correct the detected defective portion. is there.
As shown in FIG. 4, FIG. 14 shows that a coating film 27 is formed in the film forming step in the method for inspecting an uneven structure of the present invention, and edge defects _DE are detected in the subsequent inspection step. It is a figure explaining the defect correction in the case. When an edge defect _DE is detected in the inspection of the uneven pattern 22 of the uneven structure 21, the coating film 27 is removed after specifying the position coordinates of the defective portion (FIG. 14 (A)). In the illustrated example, the convex portion 23 of the concave-convex pattern 22 is shown with diagonal lines. For example, when the material of the concave-convex structure 21 is quartz and the film-forming material is chromium, wet etching using any etching solution such as dicerium ammonium nitrate, perchloric acid, or an aqueous nitric acid solution can be used. The coating film 27 can be removed without damaging the uneven pattern 22 of the concave-convex structure 21. Then, the uneven pattern 22 is corrected by removing the edge defect _DE using a correction device (FIG. 14 (B)). Examples of the correction device to be used include a focused ion beam, a device for removing a desired part with an electron beam, a device for physically scraping with a probe of an atomic force microscope, a photomask correction device Merit65 (manufactured by Karlz Ice), and the like. Examples thereof include a photomask correction device RAVE (manufactured by RAVE).

尚、ショート欠陥Ｄ_Sが検出された場合にも、上記のエッジ欠陥Ｄ_Eの修正と同様に、修正を行うことができる。また、凹凸パターン２２の一部が欠損している白欠陥が検出された場合には、上記と同様に被覆膜２７を除去した後、レーザアシストＣＶＤ、集束イオンビームアシストＣＶＤ、電子線アシストＣＶＤ、フォトマスクリペア装置ＭＲ５（（株）日立ハイテクサイエンス製）等により、白欠陥のみにピンポイントで凹凸構造体２１の構成材料、あるいは、類似した材料を堆積することにより修正を行うことができる。
また、上述の図５に示すように、ハードマスクパターン２５を残存させた状態で被覆膜２７を形成して凹凸構造体２１の検査を実施し、欠陥箇所が検出された場合も、上記の図１４に示すように、欠陥箇所の位置座標を特定した後、被覆膜２７、ハードマスクパターン２５を除去し、その後、欠陥箇所を修正する。
さらに、上述の図６に示すように、凹凸パターン３２に均一な厚みで被覆膜３７を形成して凹凸構造体３１の検査を実施し、欠陥箇所が検出された場合、および、上述の図７に示すように、被覆膜３７をエッチバックして、凸部３３の上面３３ａ、凹部３４の底面３４ａに位置する被覆膜３７を除去して凹凸構造体３１の検査を実施し、欠陥箇所が検出された場合も、上記の図１４に示すように、欠陥箇所の位置座標を特定した後、被覆膜３７を除去し、その後、欠陥箇所を修正する。 Even when a short defect D _S is detected, it can be corrected in the same manner as the above-mentioned correction of the edge defect D _E. When a white defect in which a part of the uneven pattern 22 is missing is detected, the coating film 27 is removed in the same manner as described above, and then laser assist CVD, focused ion beam assist CVD, and electron beam assist CVD are detected. , Photomask repair device MR5 (manufactured by Hitachi High-Tech Science Co., Ltd.) or the like, can be corrected by depositing the constituent material of the concave-convex structure 21 or a similar material pinpointly only on the white defect.
Further, as shown in FIG. 5 described above, when the coating film 27 is formed with the hard mask pattern 25 remaining and the uneven structure 21 is inspected and a defective portion is detected, the above As shown in FIG. 14, after specifying the position coordinates of the defective portion, the coating film 27 and the hard mask pattern 25 are removed, and then the defective portion is corrected.
Further, as shown in FIG. 6 described above, when a coating film 37 is formed on the concave-convex pattern 32 with a uniform thickness and the concave-convex structure 31 is inspected and a defective portion is detected, and in the above-mentioned figure. As shown in 7, the coating film 37 is etched back to remove the coating film 37 located on the upper surface 33a of the convex portion 33 and the bottom surface 34a of the concave portion 34, and the concave-convex structure 31 is inspected for defects. Even when a portion is detected, as shown in FIG. 14 above, after specifying the position coordinates of the defective portion, the coating film 37 is removed, and then the defective portion is corrected.

また、上述の図８に示すように、ハードマスクパターン３５を残存させた状態で凹凸パターン３２に均一な厚みで被覆膜３７を形成して凹凸構造体３１の検査を実施し、欠陥箇所が検出された場合も、上記の図１４に示すように、欠陥箇所の位置座標を特定した後、被覆膜３７、ハードマスクパターン３５を除去し、その後、欠陥箇所を修正する。
また、例えば、上述の図７に示すように、被覆膜３７をエッチバックして、凸部３３の上面３３ａ、凹部３４の底面３４ａに位置する被覆膜３７を除去して凹凸構造体３１の検査を実施し、欠陥箇所が検出された場合（図１５（Ａ））であって、被覆膜３７を存在させた状態で欠陥箇所の修正を行う場合には、その状態で、修正装置を用いて、要求されている凸部３３の形状となるように、エッジ欠陥Ｄ_E部位を修正する（図１５（Ｂ））。この場合にも、ショート欠陥Ｄ_Sや白欠陥が検出された場合には、上記と同様に修正することができる。尚、図示例では、凸部３３に斜線を付して示している。
上述の本発明の凹凸構造体の修正方法により欠陥箇所の修正が終了した凹凸構造体は、その凹凸構造体に用途に応じて使用することができる。例えば、凹凸構造体がインプリント用のマスターモールドである場合、このマスターモールドを使用してレプリカモールドを作製することができる。
上述の実施形態は例示であり、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。 Further, as shown in FIG. 8 described above, with the hard mask pattern 35 remaining, a coating film 37 is formed on the concave-convex pattern 32 with a uniform thickness, and the concave-convex structure 31 is inspected. Even when it is detected, as shown in FIG. 14 above, after specifying the position coordinates of the defective portion, the coating film 37 and the hard mask pattern 35 are removed, and then the defective portion is corrected.
Further, for example, as shown in FIG. 7 described above, the coating film 37 is etched back to remove the coating film 37 located on the upper surface 33a of the convex portion 33 and the bottom surface 34a of the concave portion 34, and the concave-convex structure 31 is removed. When a defective part is detected in the above inspection (FIG. 15 (A)) and the defective part is corrected in the presence of the coating film 37, the repairing device is in that state. Is used to modify the edge defect _DE site so that it has the required shape of the convex portion 33 (FIG. 15 (B)). Also in this case, when the short-circuit defect D _S or white defect is detected it may be modified in the same manner as described above. In the illustrated example, the convex portion 33 is shown with a diagonal line.
The concavo-convex structure for which the repair of the defective portion has been completed by the above-mentioned method for repairing the concavo-convex structure of the present invention can be used for the concavo-convex structure depending on the application. For example, when the concave-convex structure is a master mold for imprinting, a replica mold can be produced using this master mold.
The above-described embodiments are exemplary, and the present invention is not limited to these embodiments.

次に、より具体的な実施例を示して本発明を更に詳細に説明する。
［実施例］
（凹凸構造体の作製）
厚み６．３５ｍｍの石英ガラス（１５２ｍｍ角）を基材として準備し、この基材の表面にスパッタリング法によりクロム薄膜（厚み６ｎｍ）を成膜してハードマスク材料層を形成した。
次に、上記の基材のハードマスク材料層上に、市販の電子線感応型のレジストをスピンコート法で塗布して、レジスト層を形成した。
次いで、市販の電子線描画装置内のステージ上に、基材の裏面がステージと対向するように基材を配置し、レジスト層に電子線を照射して、所望のパターン潜像を形成した。
次に、レジスト層を現像してライン（３１ｎｍ）／スペース（３１ｎｍ）形状のレジストパターンを形成し、このレジストパターンに電子線を照射（照射量４００μＣ／ｃｍ²）して硬化させた。 Next, the present invention will be described in more detail with reference to more specific examples.
[Example]
(Preparation of uneven structure)
Quartz glass (152 mm square) having a thickness of 6.35 mm was prepared as a base material, and a chromium thin film (thickness 6 nm) was formed on the surface of this base material by a sputtering method to form a hard mask material layer.
Next, a commercially available electron beam-sensitive resist was applied onto the hard mask material layer of the above-mentioned base material by a spin coating method to form a resist layer.
Next, the base material was placed on the stage in a commercially available electron beam drawing apparatus so that the back surface of the base material faces the stage, and the resist layer was irradiated with an electron beam to form a desired pattern latent image.
Next, the resist layer was developed to form a line (31 nm) / space (31 nm) -shaped resist pattern, and the resist pattern was irradiated with an electron beam (irradiation amount 400 μC / cm ² ) to be cured.

次に、電子線を照射して硬化させたレジストパターンをエッチングマスクとして、塩素系ガスと酸素の混合ガスを用いた反応性イオンエッチング（Ｃｌ₂：１００ｓｃｃｍ、Ｏ₂：３０ｓｃｃｍ）でハードマスク材料層（クロム薄膜）をエッチングしてハードマスクを形成した。次いで、上記のように形成したハードマスクをエッチングマスクとして基材をフッ素系ガスによる反応性イオンエッチング（ＣＦ₄：５０ｓｃｃｍ、ＣＨＦ₃：５０ｓｃｃｍ）でエッチングすることにより、凹凸パターンを形成した。これにより、凹凸構造体として、６種のインプリント用のマスターモールド（試料１〜試料６）を作製した。
次に、上記の６種のインプリント用のマスターモールド（試料１〜試料６）について、凹凸パターンの検査方法の評価に用いる欠陥を予め選定するために、各マスターモールドを用いてインプリント方法により６種のレプリカモールドを作製した。そして、各マスターモールドに対応した６種のレプリカモールドの凹凸パターンを走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて検査して、白欠陥を検出した。図１６、図１７に、６種のレプリカモールド（試料１〜試料６）において選定した白欠陥箇所のＳＥＭ画像を示した。欠陥箇所はＳＥＭ画像のほぼ中央に位置している。次いで、この白欠陥に対応するマスターモールドの黒欠陥を評価用欠陥として選定し、選定した黒欠陥箇所のＳＥＭ画像を得た。図１６、図１７の初期状態の欄に、６種のインプリント用のマスターモールド（試料１〜試料６）において選定した黒欠陥箇所のＳＥＭ画像を示した。 Next, using the resist pattern cured by irradiating an electron beam as an etching mask, a hard mask material layer is subjected to reactive ion etching (Cl ₂ : 100 sccm, O ₂ : 30 sccm) using a mixed gas of chlorine-based gas and oxygen. (Chlorine thin film) was etched to form a hard mask. Next, using the hard mask formed as described above as an etching mask, the substrate was etched by reactive ion etching (CF ₄ : 50 sccm, CHF ₃ : 50 sccm) with a fluorogas to form an uneven pattern. As a result, six types of imprint master molds (Samples 1 to 6) were prepared as the uneven structure.
Next, with respect to the above six types of master molds for imprinting (Samples 1 to 6), in order to preliminarily select defects to be used for evaluating the method for inspecting uneven patterns, each master mold was used by the imprinting method. Six types of replica molds were produced. Then, the uneven patterns of the six types of replica molds corresponding to each master mold were inspected using a scanning electron microscope (SEM) to detect white defects. 16 and 17 show SEM images of white defects selected in 6 types of replica molds (Samples 1 to 6). The defective part is located approximately in the center of the SEM image. Next, the black defect of the master mold corresponding to this white defect was selected as an evaluation defect, and an SEM image of the selected black defect portion was obtained. In the column of the initial state of FIGS. 16 and 17, SEM images of black defect portions selected in the six types of master molds for imprint (Samples 1 to 6) are shown.

その後、光学検査装置（（株）ニューフレアテクノロジー製ＮＰＩ−６０００）を使用し、６種のインプリント用のマスターモールド（試料１〜試料６）において選定した評価用欠陥を検出した。この光学検査装置による欠陥検出における欠陥検出密度を、下記の表１の初期状態の欄に記載した。この欠陥検出密度は、対象となる１個の評価用欠陥と、ライン形状の凸部の幅寸法のバラツキ等が原因の疑似欠陥とを合わせた数である。したがって、欠陥検出密度が多い程、対象となる１個の評価用欠陥は検出が困難であることを意味する。
次いで、スパッタリング法により６種のインプリント用のマスターモールドの凹凸パターンにクロムを被着させて被覆膜を形成した。この被覆膜は、凹凸パターンの凸部の表面における厚みが５ｎｍとなるように形成した。このように形成した被覆膜をＳＥＭで観察し、選定した黒欠陥箇所のＳＥＭ画像を得て、図１６、図１７の１回目Ｃｒ成膜の欄に示した。また、被覆膜をＳＥＭで観察し、凸部の表面から隣接する凸部方向への突出量（例えば、図４（Ｂ）の庇形状部２７ａを参照）を算出した結果、０．８３ｎｍであった。したがって、仮に評価用欠陥が、平面視形状が１０ｎｍ×１０ｎｍ（１００ｎｍ²）の正方形状のエッジ欠陥である場合、厚み５ｎｍの被覆膜を形成することにより、エッジ欠陥の平面視形状が１０．８３ｎｍ×１１．６６ｎｍ（１２６．３ｎｍ²）の長方形状となり、２６．３％の面積増加となる。 Then, using an optical inspection device (NPI-6000 manufactured by NuFlare Technology Co., Ltd.), evaluation defects selected in 6 types of master molds for imprint (Samples 1 to 6) were detected. The defect detection densities in defect detection by this optical inspection device are listed in the column of initial state in Table 1 below. This defect detection density is the total number of one target defect for evaluation and the pseudo defect caused by the variation in the width dimension of the convex portion of the line shape. Therefore, the higher the defect detection density, the more difficult it is to detect one target evaluation defect.
Next, chromium was adhered to the uneven patterns of the six types of master molds for imprinting by the sputtering method to form a coating film. This coating film was formed so that the thickness on the surface of the convex portion of the uneven pattern was 5 nm. The coating film thus formed was observed by SEM to obtain an SEM image of the selected black defect portion, which is shown in the column of the first Cr film formation in FIGS. 16 and 17. Further, as a result of observing the coating film with an SEM and calculating the amount of protrusion from the surface of the convex portion in the direction of the adjacent convex portion (see, for example, the eaves-shaped portion 27a in FIG. 4B), the thickness was 0.83 nm. there were. Therefore, if the evaluation defect is a square edge defect having a plan view shape of 10 nm × 10 nm (100 nm ² ), the plan view shape of the edge defect can be changed to 10. by forming a coating film having a thickness of 5 nm. It has a rectangular shape of 83 nm × 11.66 nm (126.3 nm ² ), and the area is increased by 26.3%.

上記のように被覆膜を形成した６種のインプリント用のマスターモールド（試料１〜試料６）について、上記と同じ光学検査装置を使用して、選定した評価用欠陥を検出し、欠陥検出における欠陥検出密度を、下記の表１の１回目Ｃｒ成膜の欄に記載した。また、初期状態における欠陥検出密度に比べての低減率を、下記の表１の１回目Ｃｒ成膜の欄に記載した。この低減率が大きい程、対象となる１個の評価用欠陥の検出感度が向上したことを意味する。
次いで、上記と同様の条件で、スパッタリング法により６種のインプリント用のマスターモールドの凹凸パターンに再度クロムを被着させて被覆膜を形成した。このように形成した被覆膜をＳＥＭで観察し、選定した黒欠陥箇所のＳＥＭ画像を得て、図１６、図１７の２回目Ｃｒ成膜の欄に示した。このように被覆膜を形成した６種のインプリント用のマスターモールド（試料１〜試料６）について、上記と同じ光学検査装置を使用して、選定した評価用欠陥を検出し、欠陥検出における欠陥検出密度を、下記の表１の２回目Ｃｒ成膜の欄に記載した。また、初期状態における欠陥検出密度に比べての低減率を、下記の表１の２回目Ｃｒ成膜の欄に記載した。この低減率が大きい程、対象となる１個の評価用欠陥の検出感度が向上したことを意味する。 For the six types of imprint master molds (Samples 1 to 6) on which the coating film was formed as described above, the same optical inspection equipment as above was used to detect the selected evaluation defects and detect the defects. The defect detection densities in the above are listed in the column of the first Cr film formation in Table 1 below. In addition, the reduction rate compared to the defect detection density in the initial state is described in the column of the first Cr film formation in Table 1 below. The larger the reduction rate, the higher the detection sensitivity of one target evaluation defect.
Next, under the same conditions as described above, chromium was again adhered to the uneven patterns of the six types of master molds for imprinting to form a coating film by a sputtering method. The coating film thus formed was observed by SEM to obtain an SEM image of the selected black defect portion, which is shown in the column of the second Cr film formation in FIGS. 16 and 17. For the six types of imprint master molds (samples 1 to 6) on which the coating film was formed in this way, the same optical inspection device as above was used to detect selected evaluation defects, and in defect detection. The defect detection density is described in the column of the second Cr film formation in Table 1 below. In addition, the reduction rate compared to the defect detection density in the initial state is described in the column of the second Cr film formation in Table 1 below. The larger the reduction rate, the higher the detection sensitivity of one target evaluation defect.

表１に示されるように、１回目Ｃｒ成膜、２回目Ｃｒ成膜のいずれにおいても、初期状態に比べて、評価用欠陥に要する欠陥検出密度が大幅に低減しており、この結果から、凹凸構造体であるインプリント用のマスターモールドへのＣｒ成膜により、欠陥の検出感度が向上することが確認された。 As shown in Table 1, in both the first Cr film formation and the second Cr film formation, the defect detection density required for the evaluation defect is significantly reduced as compared with the initial state. It was confirmed that the defect detection sensitivity was improved by forming Cr on the master mold for imprinting, which is an uneven structure.

微細な寸法の凹凸パターンを備える凹凸構造体の検査工程を有する種々の用途に有用である。 It is useful for various applications including an inspection process of an uneven structure having an uneven pattern having fine dimensions.

１１…凹凸パターン
１２…凸部
１３…凹部
２１，２１′，３１，３１′，４１，５１…凹凸構造体
２２，３２，４２，５２…凹凸パターン
２３，３３，４３…凸部
２３ａ，３３ａ…凸部の上面
２４，３４，５４…凹部
３４ａ…凹部の底面
３５…ハードマスクパターン
２７，３７，４７，５７…被覆層
２７ａ…庇形状部
Ｄ_E…エッジ欠陥
Ｄ_S…ショート欠陥 11 ... Concavo-convex pattern 12 ... Convex 13 ... Concave 21, 21', 31, 31', 41, 51 ... Concavo-convex structure 22, 32, 42, 52 ... Concavo-convex pattern 23, 33, 43 ... Convex 23a, 33a ... upper surface of the convex portion 24,34,54 ... recess 34a ... recess of the bottom surface 35 ... hard mask pattern 27,37,47,57 ... coating layer 27a ... eave-shaped portion D _E ... edge defect D _S ... a short-circuit defect

Claims

In the method for inspecting an uneven structure for detecting defects in the uneven pattern provided in the uneven structure,
A film-forming material is adhered to at least the inspection target region of the uneven pattern to form a coating film on the uneven pattern with a uniform thickness, and the coating film is applied until the upper surface of the convex portion of the uneven pattern is exposed. a film forming step of enlarging the width of the plan view shape of the convex portion of the concavo-convex pattern by removing,
Wherein the concavo-convex pattern of the film forming process has been completed the uneven structure inspection method of the concavo-convex structure characterized Rukoto to have a, an inspection step of inspecting using optical inspection apparatus.

The first aspect of the present invention is characterized in that the coating film is removed on the side wall surface of the convex portion of the concave-convex pattern by removing the coating film until the upper surface of the convex portion of the concave-convex pattern is exposed. The method for inspecting the uneven structure described.

The method for inspecting an uneven structure according to claim 1 or 2, wherein the film-forming material can remove the coating film without damaging the uneven structure. ..

The unevenness of the unevenness pattern included in the unevenness structure is detected by the method of inspecting the unevenness structure according to any one of claims 1 to 3 , and the detected unevenness is corrected. How to modify the structure.

The method for repairing an uneven structure according to claim 4 , wherein the defective portion is repaired after the coating film is removed.

The method for repairing an uneven structure according to claim 4 , wherein the defective portion is repaired in the presence of the coating film.

In the uneven structure for inspection, which is the inspection target for detecting the defect of the uneven pattern,
The located at least the inspection target region of the uneven pattern has a coating film that said expanding its width in plan view the shape of the convex portion of the concavo-convex pattern,
The coating film is uneven structure for inspection, characterized in that positioned at a uniform thickness only on the side wall surface of the convex portion of the concavo-convex pattern.

The concavo-convex structure for inspection according to claim 7 , wherein the dimensions of the plan view shape including the coating film are the dimensions required for the concavo-convex pattern of the concavo-convex structure.

The concavo-convex structure for inspection according to claim 7 or 8, wherein the coating film can be removed without damaging the concavo-convex structure.