JP6747245B2 - Sensor system - Google Patents
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Description
本発明は、弾性表面波(以下では、単にSAWという)センサを有するセンサシステムに関するものである。 The present invention relates to a sensor system having a surface acoustic wave (hereinafter simply referred to as SAW) sensor.
従来より、SAW素子をSAWセンサとして用いたセンサシステムが提案されている(例えば、特許文献1参照)。SAW素子は、圧電体基板上にSAWを励振、検出するための櫛歯電極が形成された受動素子である。SAW素子に影響している圧力や加重等の物理量によりSAWの伝搬特性が変化することから、SAW素子はその電気的特性から物理量が算出可能なSAWセンサシステムとして応用できる。SAWセンサシステムの一種として、入力用の櫛歯電極と出力用の櫛歯電極とを備えているトランスバーサル型SAW遅延素子や、入出力兼用の櫛歯電極と当該櫛歯電極にSAWを反射するための反射器とを備えている反射型SAW遅延素子等の遅延線タイプであるSAW素子をSAWセンサとして用いたセンサシステムがある。このセンサシステムは、SAWセンサのバースト信号の入力に対する出力信号の遅延時間(位相)や信号強度の変化量といった電気的特性の変化をセンサ信号として検出し、それに基づいて測定対象の物理量を算出する。 Conventionally, a sensor system using a SAW element as a SAW sensor has been proposed (for example, see Patent Document 1). The SAW element is a passive element in which comb-teeth electrodes for exciting and detecting SAW are formed on a piezoelectric substrate. Since the propagation characteristics of the SAW change due to physical quantities such as pressure and weight affecting the SAW element, the SAW element can be applied as a SAW sensor system in which the physical quantity can be calculated from its electrical characteristics. As a kind of SAW sensor system, a transversal SAW delay element having an input comb-teeth electrode and an output comb-teeth electrode, or a comb-teeth electrode also serving as an input/output and reflecting the SAW on the comb-teeth electrode There is a sensor system that uses a delay line type SAW element such as a reflection type SAW delay element having a reflector for use as a SAW sensor. This sensor system detects, as a sensor signal, a change in electrical characteristics such as a delay time (phase) of an output signal with respect to an input of a burst signal of a SAW sensor or a change amount of signal strength, and calculates a physical quantity of a measurement target based on the sensor signal. ..
しかしながら、上記センサシステムでは、バースト信号の入力によりSAWセンサに発生したSAWは、櫛歯電極にてセンサ信号として検出される際、当該櫛歯電極でも反射される。つまり、SAWセンサに発生したSAWは、センサ信号が検出された後であっても、減衰して消滅するまでは、入力用の櫛歯電極と出力用の櫛歯電極を備えている場合にはこれらの櫛歯電極の間で繰り返し反射される。また、入出力兼用の櫛歯電極と反射器とを備えている場合には、これらの櫛歯電極と反射器との間で繰り返し反射される。このため、上記センサシステムでは、センサ信号が検出された後に次のSAWを早期に発生させることができず、サンプリングレートが低下するという問題がある。 However, in the above sensor system, the SAW generated in the SAW sensor due to the input of the burst signal is also reflected by the comb-teeth electrode when detected as the sensor signal by the comb-teeth electrode. That is, when the SAW generated in the SAW sensor is provided with the comb-teeth electrode for input and the comb-teeth electrode for output until it decays and disappears even after the sensor signal is detected, It is repeatedly reflected between these comb-teeth electrodes. Further, when the comb-teeth electrode also serving as an input/output and the reflector are provided, they are repeatedly reflected between the comb-teeth electrode and the reflector. Therefore, the above-mentioned sensor system has a problem that the next SAW cannot be generated early after the sensor signal is detected, and the sampling rate is lowered.
本発明は上記点に鑑み、SAWセンサを有するセンサシステムにおいて、サンプリングレートを向上できるセンサシステムを提供することを目的とする。 In view of the above points, it is an object of the present invention to provide a sensor system having a SAW sensor, which can improve the sampling rate.
上記目的を達成するための請求項1では、SAWセンサ(10、50)に影響する物理量を検出するセンサシステムにおいて、第1電極部(12、52)および第2電極部(13、15、53、55)を有し、第1電極部および第2電極部のいずれか一方が第1電極(12a、15a、52a、55a)および第2電極(12b、15b、52b、55b)を有する構成とされたSAWセンサと、SAWセンサと接続され、第1電極部に駆動信号を印加してSAWセンサにSAWを発生させると共に、SAWが第1電極部または第2電極部に達した際に当該第1電極部または当該第2電極部に生成される物理量に応じたセンサ信号を検出する信号処理部(20)と、第1電極と第2電極とを接続して短絡させる第1状態と、第1電極と第2電極とを接続しない第2状態とに切り替え可能な短絡用スイッチ(22)と、備え、SAWセンサは、短絡用スイッチが第1状態である場合、短絡用スイッチが第2状態である場合より、第1電極および第2電極を有する電極部の反射率が低くなるものであり、信号処理部は、センサ信号を検出する前において短絡用スイッチを第2状態にし、センサ信号を検出した後において短絡用スイッチを第1状態にするようにしている。
According to
これによれば、センサ信号を検出した後に短絡用スイッチを第1状態にしているため、第1電極および第2電極を有する電極部にSAWが達すると、当該SAWはこの電極部にて反射され難くなる。つまり、SAWセンサにおける不要反射を低減し、次の新たなSAWを早期に発生させることができる。このため、サンプリングレートの向上を図ることができる。 According to this, since the short circuit switch is set to the first state after detecting the sensor signal, when the SAW reaches the electrode portion having the first electrode and the second electrode, the SAW is reflected by this electrode portion. It will be difficult. That is, unnecessary reflection in the SAW sensor can be reduced, and the next new SAW can be generated at an early stage. Therefore, the sampling rate can be improved.
なお、上記および特許請求の範囲における括弧内の符号は、特許請求の範囲に記載された用語と後述の実施形態に記載される当該用語を例示する具体物等との対応関係を示すものである。 The reference numerals in parentheses in the above description and the claims indicate the correspondence between the terms described in the claims and the specific examples and the like that describe the terms described in the embodiments below. ..
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In each of the following embodiments, the same or equivalent portions will be denoted by the same reference numerals for description.
(第1実施形態)
第1実施形態のセンサシステムの構成について、図1を参照しつつ説明する。センサシステムは、SAWセンサ10と、第1信号処理部20と、第2信号処理部30とを有している。
(First embodiment)
The configuration of the sensor system of the first embodiment will be described with reference to FIG. The sensor system has a
SAWセンサ10は、圧電体基板11に第1電極部としての櫛歯電極12および第2電極部としての反射器13が形成されている。そして、圧電体基板11のうちの櫛歯電極12と反射器13との間の部分は、SAWが伝搬する伝搬路14とされている。
In the
圧電体基板11は、例えば、ニオブ酸リチウム等で構成されている。櫛歯電極12は、アルミニウム等で構成され、一対の第1電極12aおよび第2電極12bにおける櫛歯部が対向するように配置されている。そして、櫛歯電極12は、第1電極12aと第2電極12bとが短絡した際、第1電極12aと第2電極12bとが短絡していない状態よりもSAWの反射率が低くなるように、当該櫛歯電極12の膜厚および間隔が調整されている。反射器13は、複数の電極が互いに平行となるように延設されることで構成されている。
The
なお、SAWの反射率が低くなるとは、SAWの反射率が0である場合も含んでいる。また、反射器13は、複数の電極ではなく、1つの電極のみで構成されていてもよい。さらに、反射器13は、金属グレーディング等を用いたSAWを反射させる構成を用いてもよいし、圧電体基板11の端部で構成されていてもよい。圧電体基板11の端部を反射器として利用する場合には、当該圧電体基板11の端部が第2電極部に相当する。
Note that lowering the reflectance of SAW also includes the case where the reflectance of SAW is zero. Further, the
また、圧電体基板11には、櫛歯電極12と、当該櫛歯電極12を挟んで反射器13と反対側に位置する圧電体基板11の端部との間にSWA減衰部11aが形成されている。このSAW減衰部11aは、SAWを減衰させるものであり、本実施形態では、圧電体基板11の表面が荒らされた粗化面によって構成されている。但し、SAW減衰部11aは、SAWを減衰させることができるのであれば構成は特に限定されるものではなく、例えば、圧電体基板11に吸音材等が配置されることで構成されていてもよい。
Further, on the
第1信号処理部20は、センシング処理部21と短絡用スイッチ22とを有している。センシング処理部21は、櫛歯電極12の第1電極12aと第1配線41を介して接続されていると共に、櫛歯電極12の第2電極12bと第2配線42を介して接続されている。そして、櫛歯電極12にバースト信号(すなわち、駆動信号)を印加してSAWを発生(すなわち、励起)させると共に、当該SAWが反射器13で反射されて櫛歯電極12に達することで第1電極12aと第2電極12bとの間に電位差が発生すると、当該電位差をセンサ信号として検出する。
The first
短絡用スイッチ22は、第1配線41と第2配線42との間に配置されており、第1配線41と第2配線42とを接続する第1状態と、第1配線41と第2配線42とを接続しない第2状態とに切り替え可能に構成されている。言い換えると、短絡用スイッチ22は、櫛歯電極12における第1電極12aと第2電極12bとを接続して短絡状態にする第1状態と、櫛歯電極12における第1電極12aと第2電極12bとを接続しない第2状態との間を切り替え可能に構成されている。なお、短絡用スイッチ22は、センシング処理部21からの制御信号によって第1状態と第2状態とに切り替えられる。
The short-
第2信号処理部30は、記憶演算部31を有している。記憶演算部31は、センシング処理部21と接続されており、センシング処理部21で検出されたセンサ信号と記憶された情報とに基づき、SAWセンサ10に影響している物理量を演算する。
The second
以上が本実施形態におけるセンサシステムの構成である。次に、本実施形態のセンサシステムの作動について、従来のセンサシステムと比較しつつ説明する。なお、ここでの従来のセンサシステムとは、図1のセンサシステムにおいて、短絡用スイッチ22を備えないセンサシステムのことである。また、図2および図3中の各時点tは、同じ時点を示している。
The above is the configuration of the sensor system in the present embodiment. Next, the operation of the sensor system of this embodiment will be described while comparing it with a conventional sensor system. The conventional sensor system here is the sensor system in FIG. 1 that does not include the short-
図2および図3に示されるように、時点t0において、センシング処理部21から櫛歯電極12に所定周波数のバースト信号(すなわち、駆動信号)が印加されるとSAWが発生する。なお、本実施形態のセンサシステムでは、時点t0では、短絡用スイッチ22は、第2状態とされており、第1配線41と第2配線42とは接続されていない。つまり、櫛歯電極12における第1電極12aと第2電極12bとは短絡状態とされていない。
As shown in FIGS. 2 and 3, when the burst signal (that is, the drive signal) having the predetermined frequency is applied from the
櫛歯電極12で発生したSAWは、反射器13に向かって伝搬され、時点t1にて反射器13に達すると、当該反射器13で反射されて櫛歯電極12に向かって伝搬される。そして、時点t2にてSAWが櫛歯電極12に達すると、櫛歯電極12における一対の第1電極12aおよび第2電極12bの間に電位差が発生し、この電位差がセンシング処理部21にセンサ信号として検出される。そして、記憶演算部31は、センシング処理部21にて検出されたセンサ信号に基づき、SAWセンサ10に影響している物理量を演算する。
The SAW generated at the comb-
ここで、時点t2にてSAWが櫛歯電極12に達すると、当該SAWによって櫛歯電極12に電位差が発生すると共に、当該SAWは櫛歯電極12によっても反射される。このため、図3に示されるように、従来のセンサシステムでは、センサ信号が検出された後は、櫛歯電極12や反射器13における反射時のロスや伝搬減衰により次第に減衰して消滅するまで、反射器13と櫛歯電極12との間でSAWが繰り返し不要反射される。すなわち、従来のセンサシステムでは、時点t3にて反射器13でSAWが不要反射され、時点t4にて櫛歯電極12でSAWが不要反射され、時点t5にて反射器13でSAWが不要反射され、時点t6にて櫛歯電極12でSAWが不要反射され、時点t7にて反射器13でSAWが不要反射され、時点t8にて櫛歯電極12でSAWが不要反射される。そして、時点t8後もSAWは、減衰して消滅するまで反射器13と櫛歯電極12との間で繰り返し不要反射される。つまり、従来のセンサシステムでは、センサ信号が検出された後も不要なSAWが消滅するまで残存する。このため、櫛歯電極12に新たなバースト信号を印加して新たなSAWを発生させることができず、サンプリングレートが低下する。なお、不要なSAWが残存する状態で櫛歯電極12に新たなバースト信号を印加して新たなSAWを発生させ、当該SAWに基づいてセンサ信号を検出することも可能であるが、新たなSAWと不要なSAWとが混在してしまうため、検出精度が低下する可能性がある。
Here, when the SAW reaches the comb-
これに対し、本実施形態では、図2に示されるように、時点t4において、短絡用スイッチ22を第1状態にし、第1配線41と第2配線42とを接続する。つまり、櫛歯電極12における第1電極12aと第2電極12aとを電気的に接続して短絡させ、櫛歯電極12の反射率を低下させる。これにより、時点t4にて櫛歯電極12に達したSAWは、当該櫛歯電極12にて反射され難くなる。つまり、本実施形態のセンサシステムでは、時点t2にてセンサ信号が検出された後、SAWを早期に消滅させることができる。このため、センサ信号が検出された後に早期に新たなバースト信号を櫛歯電極12に印加することができ、サンプリングレートの向上を図ることができる。また、SAWを早期に消滅させた後に新たなバースト信号を櫛歯電極12に印加するため、検出精度が低下することも抑制される。
On the other hand, in the present embodiment, as shown in FIG. 2, at time t4, the short-
なお、櫛歯電極12の反射率を低下させることによって当該櫛歯電極12を通過したSAWは、圧電体基板11に形成されたSAW減衰部11aによって減衰される。このため、櫛歯電極12を通過したSAWにより、サンプリングレートが低下したり、検出精度が低下したりすることが抑制される。また、短絡用スイッチ22は、SAWが櫛歯電極12に接触する全ての期間において第1状態にすることが好ましい。このようにすることにより、SAWの不要反射を効果的に抑制できる。さらに、ここでは、時点t4にて短絡用スイッチ22を第1状態にする例について説明したが、時点t4にて櫛歯電極12に達するSAWが反射し難くなるのであれば、短絡用スイッチ22を第1状態にするタイミングは、厳密に制限されるものではない。すなわち、時点t2にてセンサ信号が検出されるため、例えば、センサ信号が検出された後であって時点t4より前の所定時点にて短絡用スイッチ22を第1状態にし、当該第1状態が時点t4以降も維持されるようにしてもよい。
The SAW passing through the comb-
以上説明した本実施形態では、センサ信号を検出した後、短絡用スイッチ22を第1状態にして櫛歯電極12の反射率を低下させている。このため、センサ信号を検出した後に櫛歯電極12にSAWが達すると、当該SAWは櫛歯電極12にて反射され難くなる。つまり、SAWセンサ10における不要反射を低減し、次の新たなSAWを早期に発生させることができる。このため、サンプリングレートの向上を図ることができる。
In the embodiment described above, after the sensor signal is detected, the short-
また、本実施形態では、センサ信号を検出した後、最初に櫛歯電極12にSAWが達する際に短絡用スイッチ22を第1状態にしている。このため、早期に不要なSAWを消滅させることができる。
Further, in the present embodiment, after the sensor signal is detected, when the SAW first reaches the comb-
さらに、本実施形態では、櫛歯電極12に不要なSAWが接触する全ての期間において短絡用スイッチ22を第1状態にしている。このため、SAWの不要反射を効果的に抑制できる。
Further, in the present embodiment, the short-
(第2実施形態)
本実施形態は、第1実施形態に対して、SAWセンサ10の構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
(Second embodiment)
In this embodiment, the configuration of the
本実施形態では、図4に示されるように、SAWセンサ10は、上記図1で説明したSAWセンサ10に対して、反射器13が形成されていた部分に櫛歯電極15が形成されている。この櫛歯電極15は、櫛歯電極12と同様の構成とされており、一対の第1電極15aおよび第2電極15bにおける櫛歯部が対向するように配置されることで構成されている。なお、本実施形態では、櫛歯電極15が第2電極部に相当する。以下では、理解を容易にするため、櫛歯電極12を第1櫛歯電極12ともいい、櫛歯電極15を第2櫛歯電極15ともいう。
In the present embodiment, as shown in FIG. 4, the
また、センシング処理部21は、第2櫛歯電極15の第1電極15aと第3配線43を介して接続されていると共に、第2櫛歯電極15の第2電極15bと第4配線44を介して接続されている。そして、本実施形態のセンシング処理部21は、第1櫛歯電極12にて発生したSAWが第2櫛歯電極15に達することで第2櫛歯電極15の第1電極15aと第2電極15bとの間に電位差が発生すると、当該電位差をセンサ信号として検出する。
The
以上が本実施形態におけるセンサシステムの構成である。次に、本実施形態のセンサシステムの作動について、図5を参照しつつ説明する。 The above is the configuration of the sensor system in the present embodiment. Next, the operation of the sensor system of this embodiment will be described with reference to FIG.
図5に示されるように、時点t10において、センシング処理部21から第1櫛歯電極12にバースト信号が印加されるとSAWが発生する。なお、時点t10では、短絡用スイッチ22は、第2状態とされている。
As shown in FIG. 5, when the burst signal is applied from the
そして、時点t11にてSAWが第2櫛歯電極15に達すると、第2櫛歯電極15における一対の第1電極15aおよび第2電極15bの間に電位差が発生し、この電位差に基づいたセンサ信号がセンシング処理部21に検出される。そして、上記と同様に、記憶演算部31にて、SAWセンサ10に影響している物理量が演算される。
When the SAW reaches the second comb-
ここで、上記第1実施形態と同様に、時点t11にて第2櫛歯電極15にSAWが達すると、当該SAWによって第2櫛歯電極15に電位差が発生すると共に、当該SAWが第2櫛歯電極15によっても反射される。このため、特に図示しないが、短絡用スイッチ22を備えない場合、センサ信号が検出された後も、第1櫛歯電極12と第2櫛歯電極15との間でSAWが繰り返し不要反射される。
Here, as in the first embodiment, when the SAW reaches the second comb-
これに対し、本実施形態では、時点t12において、短絡用スイッチ22を第1状態にし、第1櫛歯電極12における第1電極12aと第2電極12bとを短絡させ、第1櫛歯電極12における反射率を低下させる。これにより、時点t12において、第1櫛歯電極12に達したSAWは、当該第1櫛歯電極12で反射され難くなる。つまり、時点t12にてセンサ信号が検出された後に不要なSAWを早期に消滅させることができる。したがって、センサ信号が検出された後に早期に新たなバースト信号を第1櫛歯電極12に印加することができ、サンプリングレートの向上を図ることができる。
On the other hand, in the present embodiment, at the time point t12, the short-
なお、ここでは、時点t12にて短絡用スイッチ22を第1状態にする例について説明したが、時点t12にて第1櫛歯電極12に達するSAWが反射し難くなるのであれば、短絡用スイッチ22を第1状態にするタイミングは、厳密に制限されるものではない。すなわち、時点t11にてセンサ信号が検出されるため、例えば、センサ信号が検出された後であって時点t12より前の所定時点にて短絡用スイッチ22を第1状態にし、当該第1状態が時点t12以降も維持されるようにしてもよい。
Here, the example in which the short-
以上説明したように、第2櫛歯電極15からセンサ信号を検出するセンサシステムとしても、第1実施形態と同様の効果を得ることができる。また、本実施形態では、第2櫛歯電極15からセンサ信号が検出され、センサ信号が検出された後に第1櫛歯電極12でSAWが反射され難くなるようにしているため、さらに早期に不要なSAWを消滅させることができる。
As described above, even in the sensor system that detects the sensor signal from the second comb-
(第3実施形態)
本実施形態は、第2実施形態に対して短絡用スイッチ22の配置場所を変更したものであり、その他に関しては第2実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
(Third Embodiment)
In this embodiment, the location of the short-
本実施形態では、図6に示されるように、SAWセンサ10は、上記第2実施形態と同様に、第1櫛歯電極12と第2櫛歯電極15とを有する構成とされている。そして、短絡用スイッチ22は、第3配線43と第4配線44との間に配置されており、第3配線43と第4配線44とを接続する第1状態と、第3配線43と第4配線44とを接続しない第2状態とに切り替え可能に構成されている。言い換えると、短絡用スイッチ22は、第2櫛歯電極15における第1電極15aと第2電極15bとを接続して短絡状態にする第1状態と、第2櫛歯電極15における第1電極15aと第2電極15bとを接続しない第2状態との間を切り替え可能に構成されている。なお、本実施形態では、第3配線43および第4配線44はセンシング処理部21と接続されておらず、短絡用スイッチ22が第2状態である場合、第2櫛歯電極15における第1電極15aおよび第2電極15bはフローティング状態となる。
In the present embodiment, as shown in FIG. 6, the
また、本実施形態では、SAW減衰部11aは、第2櫛歯電極15と、当該第2櫛歯電極15を挟んで第1櫛歯電極12と反対側に位置する圧電体基板11の端部との間に形成されている。
Further, in the present embodiment, the
センシング処理部21は、上記第1実施形態と同様に、SAWが第1櫛歯電極12に達することで第1櫛歯電極12の第1電極12aと第2電極12bとの間に電位差が発生すると、当該電位差に基づいたセンサ信号を検出する。
As in the first embodiment, the
また、本実施形態では、第2櫛歯電極15は、第1電極15aと第2電極15bとが短絡した際、第1電極15aと第2電極15bとが短絡していない状態よりもSAWの反射率が低くなるように、対向する櫛歯部の間隔等が調整されている。なお、本実施形態では、第1櫛歯電極12は、短絡されないため、短絡された際に反射率が低下する構造とされている必要はない。
In addition, in the present embodiment, the second comb-
以上が本実施形態におけるセンサシステムの構成である、次に、本実施形態のセンサシステムの作動について図7を参照しつつ説明する。 The above is the configuration of the sensor system according to the present embodiment. Next, the operation of the sensor system according to the present embodiment will be described with reference to FIG. 7.
図7に示されるように、時点t20において、センシング処理部21から第1櫛歯電極12にバースト信号が印加されるとSAWが発生する。なお、時点t20では、短絡用スイッチ22は、第2状態とされている。
As shown in FIG. 7, when the burst signal is applied from the
第1櫛歯電極12で発生したSAWは、時点t21にて第2櫛歯電極15で反射される。そして、時点t22にてSAWが第1櫛歯電極12に達すると、第1櫛歯電極12に発生する電位差に基づいたセンサ信号がセンシング処理部21に検出される。
The SAW generated by the first comb-
その後、本実施形態では、時点t23において、短絡用スイッチ22を第1状態にし、第2櫛歯電極15における第1電極15aと第2電極15bとを電気的に接続して短絡させ、第2櫛歯電極15における反射率を低下させる。これにより、時点t23において、第2櫛歯電極15に達したSAWは、当該第2櫛歯電極15で反射され難くなる。つまり、時点t22にてセンサ信号が検出された後に不要なSAWを早期に消滅させることができる。したがって、センサ信号が検出された後に早期に新たなバースト信号を第1櫛歯電極12に印加することができ、サンプリングレートの向上を図ることができる。
Then, in the present embodiment, at time t23, the short-
なお、第2歯櫛歯電極15の反射率を低下させることによって当該第2櫛歯電極15を通過したSAWは、圧電体基板11に形成されたSAW減衰部11aによって減衰される。このため、第2櫛歯電極12を通過したSAWにより、サンプリングレートが低下したり、検出精度が低下したりすることが抑制される。さらに短絡用スイッチ22は、上記第1実施形態と同様に、SAWが第2櫛歯電極15に接触する全ての期間において第1状態にすることが好ましい。このようにすることにより、SAWの不要反射を効果的に抑制できる。また、ここでは、時点t23において短絡用スイッチ22を第1状態にする例について説明したが、時点t23にて第2櫛歯電極15に達するSAWが反射し難くなるのであれば、短絡用スイッチ22を第1状態にするタイミングは、厳密に制限されるものではない。すなわち、時点t22にてセンサ信号が検出されるため、例えば、センサ信号が検出された後であって時点t23より前の所定時点にて短絡用スイッチ22を第1状態にし、当該第1状態が時点t23以降も維持されるようにしてもよい。
The SAW passing through the second comb-
以上説明したように、第1櫛歯電極12からセンサ信号を検出した後、第2櫛歯電極15でSAWが反射し難くなるセンサシステムとしても、上記第1実施形態と同様の効果を得ることができる。また、本実施形態のセンサシステムによれば、第1櫛歯電極12からセンサ信号が検出され、センサ信号が検出された後に第2櫛歯電極15でSAWが反射され難くなるようにしているため、さらに早期に不要なSAWを消滅させることができる。
As described above, even when the sensor system in which the SAW is less likely to be reflected by the second comb-
(第4実施形態)
第4実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して、複数のSAWセンサを備えるものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
(Fourth Embodiment)
A fourth embodiment will be described. The present embodiment is different from the first embodiment in that a plurality of SAW sensors are provided, and the other points are the same as those in the first embodiment, and therefore the description thereof is omitted here.
本実施形態では、図8に示されるように、センサシステムは、SAWセンサ10に加えて、SAWセンサ50を有している。SAWセンサ50は、上記第1実施形態で説明したSAWセンサ10と同様の構成とされており、圧電体基板51に櫛歯電極52および反射器53が形成され、圧電体基板51のうちの櫛歯電極52と反射器53との間の部分がSAWの伝搬路54とされている。また、圧電体基板51には、櫛歯電極52と、当該櫛歯電極52を挟んで反射器53と反対側に位置する圧電体基板51の端部との間にSWA減衰部51aが形成されている。但し、本実施形態では、SAWセンサ50の伝搬路54がSAWセンサ10の伝搬路14より長くされている。以下では、理解を容易にするため、SAWセンサ10を第1SAWセンサ10とし、SAWセンサ50を第2SAWセンサ50として説明する。
In the present embodiment, as shown in FIG. 8, the sensor system has a
第1SAWセンサ10および第2SAWセンサ50は、それぞれの櫛歯電極12、52における第1電極12a、52aが第1配線41を介してセンシング処理部21と接続されていると共に、それぞれの第2電極12b、52bが第2配線42を介してセンシング処理部21と接続されている。つまり、第1SAWセンサ10の櫛歯電極12および第2SAWセンサ50の櫛歯電極15は、センシング処理部21に対して並列に配置されている。そして、短絡用スイッチ22は、第1配線41と第2配線42との間に配置されている。このため、短絡用スイッチ22が第1状態となると、第1配線41と第2配線42とが接続されることにより、第1SAWセンサ10の櫛歯電極12と、第2SAWセンサ50の櫛歯電極52とが短絡する。なお、本実施形態では、第2SAWセンサ50は、上記第1実施形態の第1SAWセンサ10と同様に、櫛歯電極52が第1電極部に相当し、反射器53が第2電極部に相当している。
In the
以上が本実施形態におけるセンサシステムの構成である。次に、本実施形態のセンサシステムの作動について、従来のセンサシステムと比較しつつ説明する。なお、ここでの従来のセンサシステムとは、図8のセンサシステムにおいて、短絡用スイッチ22を備えないシステムのことである。また、図9および図10では、第1SAWセンサ10における櫛歯電極12と反射器13との間をSAWが伝搬する期間を1Aとし、第2SAWセンサ50の櫛歯電極52と反射器53との間をSAWが伝搬する期間を1Bとして示してある。例えば、図9および図10中において、時点t31における1Aとは、時点t30から期間1A後であることを意味し、時点t36における2A+1Bとは、時点t30から期間2A+1B後であることを意味している。そして、図9および図10中の各時点tは、同じ時点を示している。
The above is the configuration of the sensor system in the present embodiment. Next, the operation of the sensor system of this embodiment will be described while comparing it with a conventional sensor system. The conventional sensor system here is a system that does not include the short-
図9および図10に示されるように、時点t30において、センシング処理部21から第1SAWセンサ10の櫛歯電極12および第2SAWセンサ50の櫛歯電極52にバースト信号が印加されると、第1SAWセンサ10および第2SAWセンサ50に第1SAWが発生する。なお、本実施形態のセンサシステムでは、時点t30では、短絡用スイッチ22は、第2状態とされている。このため、第1SAWセンサ10および第2SAWセンサ50には同時にバースト信号が印加される。
As shown in FIG. 9 and FIG. 10, when the burst signal is applied from the
第1SAWセンサ10の櫛歯電極12で発生した第1SAWは、時点t31にて反射器13で反射される。また、第2SAWセンサ50の櫛歯電極52で発生した第1SAWは、時点t32にて反射器53で反射される。
The first SAW generated at the comb-
そして、第1SAWセンサ10では、時点t33にて第1SAWが櫛歯電極12に達すると、櫛歯電極12に発生する電位差に基づいたセンサ信号がセンシング処理部21に検出される。この際、センサ信号がセンシング処理部21に検出されるため、短絡用スイッチ22は第2状態とされている。つまり、第1SAWセンサ10の第1電極12aと第2SAWセンサ50の第1電極52aとが第1配線41を介して電気的に接続されており、第1SAWセンサ10の第2電極12bと第2SAWセンサ50の第2電極52bとが第2配線42を介して電気的に接続されている。このため、第1SAWセンサ10の櫛歯電極12に電位差が発生すると、第2SAWセンサ50の櫛歯電極52にも電位差が発生する。したがって、時点t33では、第1SAWセンサ10の第1SAWに起因して第2SAWセンサ50に第2SAWが発生する。
Then, in the
同様に、第2SAWセンサ50では、時点t35にて第1SAWが櫛歯電極52に達すると、櫛歯電極52に発生する電位差に基づいたセンサ信号がセンシング処理部21に検出される。この際、上記時点t33と同様に、第1SAWセンサ10の櫛歯電極12と第2SAWセンサ50の櫛歯電極52とが電気的に接続されているため、第2SAWセンサ50の櫛歯電極52に電位差が発生すると、第1SAWセンサ10の櫛歯電極12にも電位差が発生する。したがって、時点t35では、第2SAWセンサ50の第1SAWに起因して第1SAWセンサ10に第2SAWが発生する。
Similarly, in the
なお、本実施形態では、第1SAWセンサ10に発生する第2SAWおよび第2SAWセンサ50に発生する第2SAWが不要なSAWに相当している。
In the present embodiment, the second SAW generated in the
そして、上記第1実施形態で説明したように、第1SAWセンサ10および第2SAWセンサ50では、それぞれ櫛歯電極12、52でもSAWが反射される。このため、図10に示されるように、従来のセンサシステムでは、第1SAWセンサ10および第2SAWセンサ50において、センサ信号が検出された後は、次第に減衰して消滅するまで、櫛歯電極12、52と反射器13、53との間でSAWが繰り返し不要反射される。
Then, as described in the first embodiment, in the
すなわち、従来のセンサシステムでは、第1SAWセンサ10では、時点t33にて櫛歯電極12に達した第1SAWは、時点t34にて反射器13で不要反射され、時点t37にて櫛歯電極12で不要反射され、時点t39aにて反射器13で不要反射され、時点t40bにて櫛歯電極12にて不要反射される。そして、時点t40b後も第1SAWは、減衰して消滅するまで櫛歯電極12と反射器13の間で繰り返し不要反射される。また、時点t35にて発生した第2SAWは、時点t38にて反射器13で不要反射され、時点t40にて櫛歯電極12にて不要反射され、時点t40cにて反射器13で不要反射される。そして、時点t40c後も第2SAWは、減衰して消滅するまで櫛歯電極12と反射器13の間で繰り返し不要反射される。
That is, in the conventional sensor system, in the
また、第2SAWセンサ50では、時点t35にて櫛歯電極52に達した第1SAWは、時点t39にて反射器53で不要反射され、時点t41にて櫛歯電極52で不要反射される。そして、時点t41後も第1SAWは、減衰して消滅するまで櫛歯電極52と反射器53の間で繰り返し不要反射される。また、時点t33にて発生した第2SAWは、時点t36にて反射器53で不要反射され、時点t40にて櫛歯電極52で不要反射され、時点t42にて反射器53で不要反射される。そして、時点t42後も第2SAWは、減衰して消滅するまで櫛歯電極52と反射器53の間で繰り返し不要反射される。
Further, in the
さらに、第1SAWセンサ10では、時点t41にて第2SAWセンサ50の櫛歯電極52に第1SAWが達したことに起因して第3SAWが発生し、当該第3SAWも櫛歯電極12と反射器13との間で繰り返し不要反射される。同様に、第2SAWセンサ50では、時点t37にて第1SAWセンサ10の櫛歯電極12に第1SAWが達したことに起因して第3SAWが発生し、時点t40bにて第1SAWセンサ10の櫛歯電極12に第1SAWが達したことに起因して第4SAWが発生する。そして、これら第3SAWおよび第4SAWも櫛歯電極52と反射器53との間で繰り返し不要反射される。
Further, in the
つまり、従来のセンサシステムでは、センサ信号が検出された後も不要なSAWが消滅するまで残存すると共に、新たに不要なSAWも生成されてしまう。このため、サンプリングレートが低下する。 That is, in the conventional sensor system, even after the sensor signal is detected, the unnecessary SAW remains until it disappears, and a new unnecessary SAW is generated. Therefore, the sampling rate is reduced.
これに対し、本実施形態では、図9に示されるように、時点t37において、短絡用スイッチ22を第1状態にし、第1SAWセンサ10における櫛歯電極12と、第2SAWセンサ50における櫛歯電極52とを接続して短絡させ、反射率を低下させる。これにより、時点t37において、第1SAWセンサ10では、第1SAWが櫛歯電極12にて反射し難くなり、第2SAWセンサ50では、第1SAWセンサ10の第1SAWに起因して第2SAWが発生し難くなる。
On the other hand, in the present embodiment, as shown in FIG. 9, at time t37, the short-
同様に、時点t41において、短絡用スイッチ22を第1状態にすることにより、第2SAWセンサ50では、第1SAWが櫛歯電極52にて反射し難くなり、第1SAWセンサ10では、第2SAWセンサ50の第1SAWに起因して第3SAWが発生し難くなる。
Similarly, at time t41, by setting the short-
さらに、時点t40において、短絡用スイッチ22を第1状態にすることにより、第1SAWセンサ10および第2SAWセンサ50では、第2SAWが櫛歯電極12、52にて反射し難くなる。
Furthermore, by setting the short-
したがって、本実施形態のセンサシステムでは、センサ信号が検出された後に早期に新たなバースト信号を第1、第2SAWセンサ10、50の櫛歯電極12、52に印加することができ、サンプリングレートの向上を図ることができる。
Therefore, in the sensor system of the present embodiment, a new burst signal can be applied to the comb-
なお、ここでは、時点t37、時点t40、時点t41において短絡用スイッチ22を第1状態にする例について説明したが、時点t37、時点t40、時点t41にてSAWが反射し難くなるのであれば、短絡用スイッチ22を第1状態にするタイミングは、厳密に制限されるものではない。すなわち、第1SAWセンサ10では、時点t33にてセンサ信号が検出され、第2SAWセンサ50では、時点t35にてセンサ信号が検出される。このため、例えば、センサ信号が検出された後であって時点t37より前の所定時点にて短絡用スイッチ22を第1状態にし、当該第1状態が時点t41以降も維持されるようにしてもよい。
Here, an example in which the short-
以上説明したように、複数のSAWセンサ10、50を備え、これらのSAWセンサ10、50がセンシング処理部21に対して並列に配置されたセンサシステムとしても、センサ信号を検出した後に不要なSAWが反射され難くなるようにすることにより、不要なSAWを早期に消滅させることができる。また、不要なSAWが反射され難くなるようにすることにより、新たに不要なSAWが発生することも抑制できる。このため、サンプリングレートの向上を図ることができる。
As described above, even if the sensor system includes the plurality of
(第5実施形態)
第5実施形態について説明する。本実施形態は、第4実施形態の変形例であり、第4実施形態に第2実施形態を組み合わせたものである。その他に関しては第4実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
(Fifth Embodiment)
A fifth embodiment will be described. The present embodiment is a modification of the fourth embodiment, and is a combination of the fourth embodiment and the second embodiment. Since the other points are the same as those in the fourth embodiment, description thereof will be omitted here.
本実施形態では、図11に示されるように、第1SAWセンサ10および第2SAWセンサ50には、第2実施形態と同様に、反射器13、53の代わりに、それぞれ一対の第1電極15a、55aおよび第2電極15b、55bを有する櫛歯電極15、55が備えられている。以下では、上記第2実施形態と同様に、櫛歯電極12、52を第1櫛歯電極12、52とし、櫛歯電極15、55を第2櫛歯電極15、55として説明する。
In the present embodiment, as shown in FIG. 11, in the
そして、第1SAWセンサ10および第2SAWセンサ50は、それぞれの第2櫛歯電極15、55における第1電極15a、55aが第3配線43を介してセンシング処理部21と接続されていると共に、それぞれの第2電極15b、55bが第4配線44を介してセンシング処理部21と接続されている。つまり、第1SAWセンサ10の第2櫛歯電極15および第2SAWセンサ50の第2櫛歯電極55は、センシング処理部21に対して並列に配置されている。
In the
なお、本実施形態では、第2SAWセンサ50は、上記第2実施形態における第1SAWセンサ10と同様に、第2櫛歯電極55が第2電極部に相当している。
In addition, in the present embodiment, in the
以上が本実施形態におけるセンサシステムの構成である。次に、本実施形態のセンサシステムの作動について図12を参照しつつ説明する。なお、図12では、図9および図10と同様に、第1SAWセンサ10における第1櫛歯電極12と第2櫛歯電極15との間をSAWが伝搬する期間を1Aとし、第2SAWセンサ50の第1櫛歯電極52と第2櫛歯電極55との間をSAWが伝搬する期間を1Bとして示してある。
The above is the configuration of the sensor system in the present embodiment. Next, the operation of the sensor system of this embodiment will be described with reference to FIG. Note that in FIG. 12, as in FIGS. 9 and 10, the period during which the SAW propagates between the first comb-
図12に示されるように、時点t50において、センシング処理部21から第1SAWセンサ10の第1櫛歯電極12および第2SAWセンサ50の第1櫛歯電極52にバースト信号が印加されると、第1SAWセンサ10および第2SAWセンサ50に第1SAWが発生する。なお、時点t50では、短絡用スイッチ22は、第2状態とされている。このため、第1SAWセンサ10および第2SAWセンサ50には同時にバースト信号が印加される。
As shown in FIG. 12, when the burst signal is applied from the
そして、第1SAWセンサ10では、第1SAWが時点t51にて第2櫛歯電極15に達すると、第2櫛歯電極15に発生する電位差に基づいたセンサ信号がセンシング処理部21に検出される。この際、第1SAWセンサ10の第2櫛歯電極15と第2SAWセンサ50の第2櫛歯電極55とが電気的に接続されているため、第2SAWセンサ50の第2櫛歯電極55にも電位差が発生する。このため、時点t51では、第1SAWセンサ10の第1SAWに起因して第2SAWセンサ50に第2SAWが発生する。
Then, in the
同様に、第2SAWセンサ50では、第1SAWが時点t52にて第2櫛歯電極55に達すると、第2櫛歯電極55に発生する電位差に基づいたセンサ信号がセンシング処理部21に検出される。この際、上記時点t51と同様に、第1SAWセンサ10の第2櫛歯電極15と第2SAWセンサ50の第2櫛歯電極55とが電気的に接続されているため、第1SAWセンサ10の第2櫛歯電極15にも電位差が発生する。このため、時点t52では、第2SAWセンサ50の第1SAWに起因して第1SAWセンサ10に第2SAWが発生する。
Similarly, in the
そして、上記のように、第1SAWセンサ10および第2SAWセンサ50では、それぞれ第2櫛歯電極15、55でもSAWが反射される。このため、特に図示しないが、短絡用スイッチ22を備えない場合、第1SAWセンサ10および第2SAWセンサ50では、センサ信号が検出された後も、第1櫛歯電極12、52と第2櫛歯電極15、55との間でSAWが繰り返し不要反射される。
Then, as described above, in the
このため、本実施形態では、時点t53において、短絡用スイッチ22を第1状態にし、第1SAWセンサ10における第1電極12aおよび第2電極12bと、第2SAWセンサ50における第1電極52aおよび第2電極52bとを接続して短絡させ、反射率を低下させる。これにより、時点t53において、第1SAWセンサ10では、第1SAWが第1櫛歯電極12にて反射され難くなり、第2SAWセンサ50では、第1SAWセンサ10の第1SAWに起因して新たに不要なSAWが発生し難くなる。
Therefore, in the present embodiment, at time t53, the short-
同様に、時点t55において、短絡用スイッチ22を第1状態にすることにより、第2SAWセンサ50では、第1SAWが第1櫛歯電極52にて反射され難くなり、第1SAWセンサ10では、第2SAWセンサ50の第1SAWに起因して新たに不要なSAWが発生し難くなる。
Similarly, by setting the short-
さらに、時点t54において、短絡用スイッチ22を第1状態にすることにより、第1SAWセンサ10および第2SAWセンサ50では、それぞれ第2SAWが第1櫛歯電極12、52にて反射され難くなる。
Furthermore, by setting the short-
したがって、本実施形態のセンサシステムでは、センサ信号が検出された後に早期に新たなバースト信号を第1、第2SAWセンサ10、50の第1櫛歯電極12、52に印加することができ、サンプリングレートの向上を図ることができる。
Therefore, in the sensor system of the present embodiment, a new burst signal can be applied to the first comb-
なお、ここでは、時点t53、時点t54、時点t55において短絡用スイッチ22を第1状態にする例について説明したが、時点t53、時点t54、時点t55にてSAWが反射され難くなるのであれば、短絡用スイッチ22を第1状態にするタイミングは、厳密に制限されるものではない。すなわち、第1SAWセンサ10では、時点t51にてセンサ信号が検出され、第2SAWセンサ50では、時点t52にてセンサ信号が検出される。このため、例えば、センサ信号が検出された後であって時点t53より前の所定時点にて短絡用スイッチ22を第1状態にし、当該第1状態が時点t55以降も維持されるようにしてもよい。
In addition, here, the example in which the short-
以上説明したように、第1SAWセンサ10および第2SAWセンサ50を第1櫛歯電極12、52および第2櫛歯電極15、55を有する構成とし、第2櫛歯電極15、55からセンサ信号を検出するセンサシステムとしても、上記第4実施形態と同様の効果を得ることができる。また、本実施形態では、第2櫛歯電極15、55からセンサ信号が検出され、センサ信号が検出された後に第1櫛歯電極12、52でSAWが反射され難くなるようにしているため、さらに早期に不要なSAWを消滅させることができる。
As described above, the
(第6実施形態)
第6実施形態について説明する。本実施形態は、第4実施形態の変形例であり、第5実施形態に第3実施形態を組み合わせたものである。その他に関しては第4実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
(Sixth Embodiment)
A sixth embodiment will be described. The present embodiment is a modification of the fourth embodiment and is a combination of the fifth embodiment and the third embodiment. Since the other points are the same as those in the fourth embodiment, description thereof will be omitted here.
本実施形態では、図13に示されるように、第1SAWセンサ10の第2櫛歯電極15は、第1電極15aが第3配線43と接続され、第2電極15bが第4配線44と接続されている。また、第2SAWセンサ50の第2櫛歯電極55は、第1電極55aが第5配線45と接続され、第2電極55bが第6配線46と接続されている。
In the present embodiment, as shown in FIG. 13, in the second comb-
さらに、本実施形態では、第2SAWセンサ50には、上記第3実施形態のSAWセンサ10と同様に、第2櫛歯電極55と、当該第2櫛歯電極55を挟んで第1櫛歯電極52と反対側に位置する圧電体基板51の端部との間にSAW減衰部51aが形成されている。
Further, in the present embodiment, the
また、本実施形態では、2つの短絡用スイッチ22、23が備えられており、第3配線43と第4配線44との間に短絡用スイッチ22が配置され、第5配線45と第6配線46との間に短絡用スイッチ23が配置されている。以下では、第3配線43と第4配線44との間に配置されている短絡用スイッチ22を第1短絡用スイッチ22とし、第5配線45と第6配線46との間に配置されている短絡用スイッチ23を第2短絡用スイッチ23として説明する。また、第1短絡用スイッチ22は、第3配線43と第4配線44とを接続して第1電極15aと第2電極15bとを短絡させる第1状態と、第3配線43と第4配線44とを接続しない第2状態とに切り替え可能に構成されている。第2短絡用スイッチ23は、第5配線45と第6配線46とを接続して第1電極55aと第2電極55bとを短絡させる第1状態と、第5配線45と第6配線46とを接続しない第2状態とに切り替え可能に構成されている。
Further, in the present embodiment, two short-
なお、本実施形態では、第3〜第6配線43〜46は、センシング処理部21には接続されていない。このため、第1短絡用スイッチ22が第2状態である場合、第2櫛歯電極15はフローティング状態となる。また、第2短絡用スイッチ23が第2状態である場合、第2櫛歯電極55はフローティング状態となる。さらに、本実施形態では、第1SAWセンサ10および第2SAWセンサ50の第1櫛歯電極12、52は、短絡されないため、短絡された際に反射率が低下する構造とされている必要はない。
In the present embodiment, the third to
以上が本実施形態におけるセンサシステムの構成である。次に、本実施形態のセンサシステムの作動について図14を参照しつつ説明する。なお、図14では、図9および図10と同様に、第1SAWセンサ10における第1櫛歯電極12と第2櫛歯電極15との間をSAWが伝搬する期間を1Aとし、第2SAWセンサ50の第1櫛歯電極52と第2櫛歯電極55との間をSAWが伝搬する期間を1Bとして示してある。
The above is the configuration of the sensor system in the present embodiment. Next, the operation of the sensor system of this embodiment will be described with reference to FIG. Note that in FIG. 14, as in FIGS. 9 and 10, the period during which the SAW propagates between the first comb-
図14に示されるように、時点t60において、センシング処理部21から第1SAWセンサ10の第1櫛歯電極12および第2SAWセンサ50の第1櫛歯電極52にバースト信号が印加されると、第1SAWセンサ10および第2SAWセンサ50に第1SAWが発生する。
As shown in FIG. 14, when the burst signal is applied from the
第1SAWセンサ10の第1櫛歯電極12で発生した第1SAWは、時点t61にて第2櫛歯電極15で反射される。また、第2SAWセンサ50の第1櫛歯電極52で発生した第1SAWは、時点t62にて第2櫛歯電極55で反射される。
The first SAW generated at the first comb-
そして、第1SAWセンサ10では、時点t63にて第1SAWが第1櫛歯電極12に達すると、第1櫛歯電極12に発生する電位差に基づいたセンサ信号がセンシング処理部21に検出される。この際、上記第4実施形態と同様に、第1SAWセンサ10の第1櫛歯電極12と第2SAWセンサ50の第1櫛歯電極52とが電気的に接続されているため、第2SAWセンサ50の第1櫛歯電極52にも電位差が発生する。つまり、時点t63では、第1SAWセンサ10の第1SAWに起因して第2SAWセンサ50に第2SAWが発生する。
Then, in the
同様に、第2SAWセンサ50では、時点t65にて第1SAWが第1櫛歯電極52に達すると、第1櫛歯電極52に発生する電位差に基づいたセンサ信号がセンシング処理部21に検出される。この際、上記第4実施形態と同様に、第1SAWセンサ10の第1櫛歯電極12と第2SAWセンサ50の第1櫛歯電極52とが電気的に接続されているため、第1SAWセンサ10の第1櫛歯電極12にも電位差が発生する。つまり、時点t65では、第2SAWセンサ50の第1SAWに起因して第1SAWセンサ10に第2SAWが発生する。
Similarly, in the
そして、上記のように、第1SAWセンサ10および第2SAWセンサ50では、それぞれ第1櫛歯電極12、52でもSAWが反射される。このため、本実施形態では、時点t64において、第1短絡用スイッチ22を第1状態にし、第1SAWセンサ10における第2櫛歯電極15を短絡させて反射率を低下させる。これにより、時点t64において、第1SAWセンサ10では、第1SAWが第2櫛歯電極15にて反射され難くなる。また、時点t67において、第1短絡用スイッチ22を第1状態にし、第1SAWセンサ10における第2櫛歯電極15を短絡させる。これにより、時点t67において、第1SAWセンサ10では、第2SAWが第2櫛歯電極15にて反射され難くなる。
Then, as described above, in the
同様に、時点t66において、第2短絡用スイッチ23を第1状態にし、第2SAWセンサ50における第2櫛歯電極55を短絡させて反射率を低下させる。これにより、時点t66において、第2SAWセンサ50では、第2SAWが第2櫛歯電極55にて反射され難くなる。また、時点t68において、第2短絡用スイッチ23を第1状態にし、第2SAWセンサ50における第2櫛歯電極55を短絡させて反射率を低下させる。これにより、第2時点t68において、第2SAWセンサ50では、第1SAWが第2櫛歯電極55にて反射され難くなる。
Similarly, at time t66, the second short-
したがって、本実施形態のセンサシステムでは、センサ信号が検出された後に早期に新たなバースト信号を第1、第2SAWセンサ10、50の第1櫛歯電極12、52に印加することができ、サンプリングレートの向上を図ることができる。
Therefore, in the sensor system of the present embodiment, a new burst signal can be applied to the first comb-
なお、ここでは、時点t64および時点t67において第1短絡用スイッチ22を第1状態にし、時点t66および時点t68において第2短絡用スイッチ23を第1状態にする例について説明した。しかしながら、これらの各時点にてSAWが反射され難くなるのであれば、第1短絡用スイッチ22および第2短絡用スイッチ23を第1状態にするタイミングは、厳密に制限されるものではない。すなわち、第1SAWセンサ10では、時点t63にてセンサ信号が検出されるため、例えば、センサ信号が検出された後であって時点t64より前の所定時点にて第1短絡用スイッチ22を第1状態にし、当該第1状態が時点t64以降も維持されるようにしてもよい。同様に、第2SAWセンサ50では、時点t65にてセンサ信号が検出されるため、例えば、センサ信号が検出された後であって時点t66より前の所定時点にて第2短絡用スイッチ23を第1状態にし、当該第1状態が時点t66以降も維持されるようにしてもよい。
Here, an example has been described in which the first short-
以上説明したように、第1SAWセンサ10および第2SAWセンサ50を備え、第1櫛歯電極12、52からセンサ信号を検出した後、第2櫛歯電極15、55でSAWが反射され難くなるセンサシステムとしても、上記第4実施形態と同様の効果を得ることができる。また、本実施形態のセンサシステムによれば、第1櫛歯電極12、52からセンサ信号が検出され、センサ信号が検出された後に第2櫛歯電極15、55でSAWが反射され難くなるようにしているため、さらに早期に不要なSAWを消滅させることができる。さらに、各SAWセンサ10、50にそれぞれ短絡用スイッチ22、23を備えているため、各短絡用スイッチ22、23に対して独立した制御が可能となり、第1状態にするタイミングを個々に設定できる。
As described above, the sensor including the
(第7実施形態)
第7実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して開放用スイッチを追加したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
(Seventh embodiment)
The seventh embodiment will be described. In this embodiment, an opening switch is added to the first embodiment, and the other points are the same as those in the first embodiment, and therefore the description thereof is omitted here.
本実施形態では、図15に示されるように、SAWセンサ10の第1電極12aとセンシング処理部21との間に開放用スイッチ24が備えられている。開放用スイッチ24は、SAWセンサ10の第1電極12aとセンシング処理部21とを接続しない第1状態と、SAWセンサ10の第1電極12aとセンシング処理部21とを接続する第2状態とに切り替え可能に構成されている。なお、開放用スイッチ24は、センシング処理部21からの制御信号によって第1状態と第2状態とに切り替えられる。また、開放用スイッチ24が第1状態になると、第1電極12a(すなわち、櫛歯電極12)がフローティング状態となる。
In the present embodiment, as shown in FIG. 15, an
以上が本実施形態におけるセンサシステムの構成である。次に、本実施形態のセンサシステムの作動について図16を参照しつつ説明する。 The above is the configuration of the sensor system in the present embodiment. Next, the operation of the sensor system of this embodiment will be described with reference to FIG.
図16に示されるように、時点t70において、センシング処理部21からSAWセンサ10の櫛歯電極12にバースト信号が印加されると、SAWセンサ10にSAWが発生する。なお、時点t70では、短絡用スイッチ22および開放用スイッチ24は、第2状態とされている。
As shown in FIG. 16, when the burst signal is applied from the
そして、櫛歯電極12で発生したSAWは、時点t71にて反射器13で反射され、時点t72にて櫛歯電極12に達する。この際、開放用スイッチ24を第1状態にし、第1電極12aをフローティング状態とする。これにより、第1電極12aがセンシング処理部21と接続されている場合と比較して、櫛歯電極12に達したSAWが当該櫛歯電極12で反射される際の反射率が高くなる。その後、櫛歯電極12で反射されたSAWは、時点t73にて反射器13で反射され、時点t74にて櫛歯電極12に達すると、櫛歯電極12に発生する電位差に基づいたがセンシング処理部21に検出される。つまり、本実施形態では、最初にSAWが櫛歯電極12に達してもセンサ信号を検出せず、その後に櫛歯電極12にSAWが達するとセンサ信号が検出される。なお、時点t74では、開放用スイッチ24は第2状態とされている。
Then, the SAW generated at the comb-
その後は、上記第1実施形態と同様に、時点t74においても櫛歯電極12でSAWが反射され、時点t75にて反射器13でSAWが不要反射され、時点t76にて櫛歯電極にSAWが達する。このため、時点t76にて短絡用スイッチ22を第1状態にし、櫛歯電極12における反射率を低下させることにより、櫛歯電極12でSAWが反射され難くなるようにする。したがって、センサ信号が検出された後に早期に新たなバースト信号を櫛歯電極12に印加することができ、サンプリングレートの向上を図ることができる。
After that, as in the first embodiment, the SAW is reflected by the comb-
なお、開放用スイッチ24は、SAWが櫛歯電極12に接触する全ての期間において第1状態にすることが好ましい。このようにすることにより、SAWを効果的に反射させることができる。また、ここでは、時点t72にて開放用スイッチ24を第1状態にする例について説明したが、時点t72にて櫛歯電極12に達するSAWの反射率が高くなるのであれば、開放用スイッチ24を第1状態にするタイミングは、厳密に制限されるものではない。すなわち、例えば、時点t72より前の所定時点にて開放用スイッチ24を第1状態にし、時点t72以降も第1状態が維持されるようにしてもよい。
The
以上説明したように、櫛歯電極12で1回SAWを反射させ、その後に櫛歯電極12に達したSAWによってセンサ信号が検出されるようにしても、センサ信号を検出した後に不要なSAWが反射され難くなるようにすることにより、上記第1実施形態と同様の効果を得ることができる。また、本実施形態では、櫛歯電極12でもSAWを反射させるため、SAWの伝搬経路が長くなり、検出精度を向上させることができる。特に、時点t72にて櫛歯電極12でSAWが反射される際、開放用スイッチ24を第1状態にすることで櫛歯電極12の反射率を高くしているため、第1電極12aがセンシング処理部21と接続されたままである場合と比較して、検出前のSAWが反射によって減衰することを抑制でき、さらに検出精度の向上を図ることができる。
As described above, even when the SAW is reflected once by the comb-
(第7実施形態の変形例)
上記第7実施形態の変形例について説明する。上記第7実施形態において、櫛歯電極12と反射器13との間をSAWが往復する回数は特に限定されるものではない。例えば、図17に示されるように、櫛歯電極12でSAWが2回反射された後にセンサ信号が検出されるようにしてもよい。なお、図17中の各時点は、図16中の各時点と同じ時点を示している。
(Modification of the seventh embodiment)
A modified example of the seventh embodiment will be described. In the seventh embodiment described above, the number of times the SAW reciprocates between the comb-
すなわち、時点t74では、開放用スイッチ24を第1状態にすることにより、再び櫛歯電極12の反射率が高くなるようにする。そして、時点t75にて反射器13でSAWが反射され、時点t76にて櫛歯電極12にSAWが達した際、櫛歯電極12に発生する電位差に基づいたセンサ信号がセンシング処理部21に検出されるようにしてもよい。その後は、時点t76においても櫛歯電極12でSAWが反射され、時点t77にて反射器13でSAWが反射され、時点t78に櫛歯電極12にSAWが達する。このため、時点t78にて短絡用スイッチ22を第1状態にして櫛歯電極12でSAWが反射され難くなるようにしてもよい。
That is, at the time point t74, the
(第8実施形態)
第8実施形態について説明する。本実施形態は、第7実施形態の変形例であり、第7実施形態に第2実施形態を組み合わせ、さらに新たな開放用スイッチを追加したものである。その他に関しては第7実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
(Eighth Embodiment)
The eighth embodiment will be described. The present embodiment is a modification of the seventh embodiment, in which the second embodiment is combined with the seventh embodiment and a new opening switch is added. Since the other points are the same as those in the seventh embodiment, description thereof will be omitted here.
本実施形態では、図18に示されるように、SAWセンサ10の第1櫛歯電極12における第1電極12aとセンシング処理部21との間に開放用スイッチ24が備えられている。また、第2櫛歯電極15における第1電極15aとセンシング処理部21との間に開放用スイッチ25が備えられている。この開放用スイッチ25は、SAWセンサ10の第2櫛歯電極15における第1電極15aとセンシング処理部21とを接続しない第1状態と、SAWセンサ10の第2櫛歯電極15における第1電極15aとセンシング処理部21とを接続する第2状態とに切り替え可能に構成されている。
In the present embodiment, as shown in FIG. 18, an
なお、開放用スイッチ25は、センシング処理部21からの制御信号によって第1状態と第2状態とに切り替えられる。また、開放用スイッチ25が第1状態になると、第1電極15a(すなわち、第2櫛歯電極15)がフローティング状態となる。以下では、理解を容易にするため、開放用スイッチ24を第1開放用スイッチ24とし、開放用スイッチ25を第2開放用スイッチ25として説明する。
The
以上が本実施形態におけるセンサシステムの構成である。次に、本実施形態のセンサシステムの作動について図19を参照しつつ説明する。 The above is the configuration of the sensor system in the present embodiment. Next, the operation of the sensor system of this embodiment will be described with reference to FIG.
図19に示されるように、時点t80において、センシング処理部21からSAWセンサ10の第1櫛歯電極12にバースト信号が印加されると、SAWセンサ10にSAWが発生する。なお、時点t80では、短絡用スイッチ22、第1開放用スイッチ24、および第2開放用スイッチ25は第2状態とされている。
As shown in FIG. 19, when the burst signal is applied from the
そして、時点t81にてSAWが第2櫛歯電極15に達する際、第2開放用スイッチ25を第2状態にする。これにより、第1電極15aがセンシング処理部21と接続されている場合と比較して、第2櫛歯電極15に達したSAWが当該第2櫛歯電極15で反射される際の反射率が高くなる。
Then, when the SAW reaches the second comb-
その後、第2櫛歯電極15で反射されたSAWは、時点t82にて第1櫛歯電極12に達する。このため、時点t82では、上記第7実施形態と同様に、第1開放用スイッチ24を第1状態とし、第1櫛歯電極12でのSAWの反射率を高くする。そして、第1櫛歯電極12で反射されたSAWが時点t83にて第2櫛歯電極15に達すると、第2櫛歯電極15に発生する電位差に基づいたセンサ信号がセンシング処理部21に検出される。
After that, the SAW reflected by the second comb-
その後は、上記第7実施形態と同様に、時点t83においても第2櫛歯電極15でSAWが反射されるため、時点t84にて短絡用スイッチ22を第1状態にし、第1櫛歯電極12における反射率を低下させることにより、第1櫛歯電極12でSAWが反射され難くなるようにする。したがって、センサ信号が検出された後に早期に新たなバースト信号を第1櫛歯電極12に印加することができ、サンプリングレートの向上を図ることができる。
After that, similarly to the seventh embodiment, since the SAW is reflected by the second comb-
なお、第2開放用スイッチ25は、SAWが第2櫛歯電極15に接触する全ての期間において第1状態にすることが好ましい。このようにすることにより、SAWを効果的に反射させることができる。また、ここでは、時点t82にて第1開放用スイッチ24を第1状態にし、時点t81にて第2開放用スイッチ25を第1状態にする例について説明した。しかしながら、時点t81にて第2櫛歯電極15の反射率が高くなり、時点t82にて第1櫛歯電極12の反射率が高くなるのであれば、第1開放用スイッチ24および第2開放用スイッチ25を第1状態にするタイミングは、厳密に制限されるものではない。すなわち、例えば、時点t81より前の所定時点にて第2開放用スイッチ25を第1状態にし、時点t81以降も第1状態が維持されるようにしてもよい。同様に、時点t82より前の所定時点にて第1開放用スイッチ24を第1状態にし、時点t82以降も第1状態が維持されるようにしてもよい。
In addition, it is preferable that the
以上説明したように、発生させたSAWを第2櫛歯電極15、第1櫛歯電極12にて反射させ、その後に第2櫛歯電極15に達したSAWによってセンサ信号が検出されるようにしても、上記第7実施形態と同様の効果を得ることができる。また、本実施形態では、第2櫛歯電極15でSAWが反射される際、第2開放用スイッチ25を第1状態にすることで第2櫛歯電極15の反射率を高くしているため、第2電極15aがセンシング処理部21と接続されたままである場合と比較して、検出前のSAWが反射によって減衰することを抑制でき、さらに検出精度の向上を図ることができる。
As described above, the generated SAW is reflected by the second comb-
(第8実施形態の変形例)
上記第8実施形態の変形例について説明する。上記第8実施形態において、第1櫛歯電極12と第2櫛歯電極15との間をSAWが往復する回数は特に限定されるものではない。例えば、図20に示されるように、第2櫛歯電極15でSAWが2回反射された後にセンサ信号が検出されるようにしてもよい。
(Modification of the eighth embodiment)
A modified example of the eighth embodiment will be described. In the eighth embodiment, the number of times the SAW reciprocates between the first comb-
すなわち、時点t83では、第2開放用スイッチ25を第1状態にすることにより、再び第2櫛歯電極15の反射率が高くなるようにする。そして、時点t84にて第1櫛歯電極12でSAWが反射され、時点t85にて第2櫛歯電極15にSAWが達した際、第2櫛歯電極15に発生する電位差に基づいたセンサ信号がセンシング処理部21に検出されるようにしてもよい。その後、時点t85においても第2櫛歯電極15でSAWが反射され、時点t86にて第1櫛歯電極12にSAWが達する。このため、時点t86にて短絡用スイッチ22を第1状態にして第1櫛歯電極12でSAWが反射され難くなるようにしてもよい。
That is, at the time point t83, the reflectance of the second comb-
(第9実施形態)
第9実施形態について説明する。本実施形態は、第7実施形態の変形例であり、第7実施形態に第3実施形態を組み合わせたものである。その他に関しては第3実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
(9th Embodiment)
The ninth embodiment will be described. The present embodiment is a modification of the seventh embodiment, and is a combination of the seventh embodiment and the third embodiment. Since the other points are the same as those in the third embodiment, description thereof will be omitted here.
本実施形態では、図21に示されるように、上記第3実施形態で説明したセンサシステムにおいて、上記第7実施形態で説明した開放用スイッチ24が備えられている。
In the present embodiment, as shown in FIG. 21, the sensor system described in the third embodiment includes the
次に、本実施形態のセンサシステムの作動について図22を参照しつつ説明する。 Next, the operation of the sensor system of this embodiment will be described with reference to FIG.
図22に示されるように、時点t90において、センシング処理部21からSAWセンサ10の第1櫛歯電極12にバースト信号が印加されると、SAWセンサ10にSAWが発生する。なお、時点t90では、短絡用スイッチ22および開放用スイッチ24は、第2状態とされている。
As shown in FIG. 22, when a burst signal is applied from the
そして、時点t91にてSAWが第2櫛歯電極15で反射され、時点t92にて第2櫛歯電極15で反射されたSAWが第1櫛歯電極12に達する際、開放用スイッチ24を第1状態にする。これにより、上記第7実施形態と同様に、第1櫛歯電極12でのSAWの反射率が高くなる。その後、時点t93にてSAWが第2櫛歯電極15で反射され、時点t94にてSAWが第1櫛歯電極12に達すると、第1櫛歯電極12に発生する電位差に基づいたセンサ信号がセンシング処理部21に検出される。
Then, when the SAW is reflected by the second comb-
その後は、上記第3実施形態と同様に、時点t94においても第1櫛歯電極12でSAWが反射され、時点t95にて第2櫛歯電極15にSAWが達する。このため、時点t95にて短絡用スイッチ22を第1状態にし、第2櫛歯電極15における反射率を低下させることにより、第2櫛歯電極15でSAWが反射され難くなるようにする。したがって、センサ信号が検出された後に早期に新たなバースト信号を第1櫛歯電極12に印加することができ、サンプリングレートの向上を図ることができる。
After that, as in the third embodiment, the SAW is reflected by the first comb-
なお、ここでは、時点t92にて開放用スイッチ24を第1状態にする例について説明したが、時点t92にて第1櫛歯電極12に達するSAWの反射率が高くなるのであれば、開放用スイッチ24を第1状態にするタイミングは、厳密に制限されるものではない。すなわち、例えば、時点t92より前の所定時点にて開放用スイッチ24を第1状態にし、時点t92以降も第1状態が維持されるようにしてもよい。
Here, an example in which the
以上説明したように、第1櫛歯電極12の反射率を向上させつつ、第2櫛歯電極15でSAWが反射され難くなるようにしても、上記第7実施形態と同様の効果を得ることができる。
As described above, even if the reflectance of the first comb-
(第9実施形態の変形例)
上記第9実施形態の変形例について説明する。上記第9実施形態において、第1櫛歯電極12と第2櫛歯電極15との間をSAWが往復する回数は特に限定されるものではない。例えば、図23に示されるように、第1櫛歯電極12でSAWが2回反射された後にセンサ信号が検出されるようにしてもよい。
(Modification of the ninth embodiment)
A modified example of the ninth embodiment will be described. In the ninth embodiment, the number of times the SAW reciprocates between the first comb-
すなわち、時点t94では、開放用スイッチ24を第1状態にすることにより、再び第1櫛歯電極12の反射率が高くなるようにする。そして、時点t95にて第2櫛歯電極15でSAWが反射され、時点t96にて第1櫛歯電極12にSAWが達した際、第1櫛歯電極12に発生する電位差に基づいたセンサ信号がセンシング処理部21に検出されるようにしてもよい。その後、時点t96においても第1櫛歯電極12でSAWが反射され、時点t97にて第2櫛歯電極15にSAWが達する。このため、時点t97にて短絡用スイッチ22を第1状態にして第1櫛歯電極12でSAWが反射され難くなるようにしてもよい。
That is, at the time point t94, the
(第10実施形態)
第10実施形態について説明する。本実施形態は、第7実施形態の変形例であり、第7実施形態に第4実施形態を組み合わせ、さらに新たな開放用スイッチを追加したものである。その他に関しては第7実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
(10th Embodiment)
A tenth embodiment will be described. The present embodiment is a modified example of the seventh embodiment, in which the seventh embodiment is combined with the fourth embodiment, and a new opening switch is added. Since the other points are the same as those in the seventh embodiment, description thereof will be omitted here.
本実施形態では、図24に示されるように、上記第4実施形態で説明したセンサシステムにおいて、第1SAWセンサ10の第1電極12aとセンシング処理部21との間に開放用スイッチ24が備えられていると共に、第2SAWセンサ50の第1電極15aとセンシング処理部21との間に開放用スイッチ25が備えられている。以下では、理解を容易にするため、開放用スイッチ24を第1開放用スイッチ24とし、開放用スイッチ25を第2開放用スイッチ25として説明する。
In the present embodiment, as shown in FIG. 24, in the sensor system described in the fourth embodiment, an
以上が本実施形態におけるセンサシステムの構成である。次に、本実施形態のセンサシステムの作動について図25を参照しつつ説明する。なお、図25では、図9と同様に、第1SAWセンサ10における櫛歯電極12と反射器13との間をSAWが伝搬する期間を1Aとし、第2SAWセンサ50の櫛歯電極52と反射器53との間をSAWが伝搬する期間を1Bとして示してある。
The above is the configuration of the sensor system in the present embodiment. Next, the operation of the sensor system of this embodiment will be described with reference to FIG. Note that, in FIG. 25, similarly to FIG. 9, the period during which SAW propagates between the comb-
図25に示されるように、時点t100において、センシング処理部21から第1SAWセンサ10の櫛歯電極12および第2SAWセンサ50の櫛歯電極52にバースト信号が印加されると、第1SAWセンサ10および第2SAWセンサ50に第1SAWが発生する。なお、時点t100では、短絡用スイッチ22、第1開放用スイッチ24、および第2開放用スイッチ25は、それぞれ第2状態とされている。
As shown in FIG. 25, when a burst signal is applied from the
そして、第1SAWセンサ10では、第1SAWは、時点t101にて反射器13で反射され、時点t103にて櫛歯電極12に達する。この際、第1開放用スイッチ24を第1状態にし、第1電極12aをフローティング状態とする。これにより、第1電極12aがセンシング処理部21と接続されている場合と比較して、櫛歯電極12に達したSAWが当該櫛歯電極12で反射される際の反射率が高くなる。
Then, in the
同様に、第2SAWセンサ50では、第1SAWは、時点t102にて反射器53で反射され、時点t105にて櫛歯電極52に達する。この際、第2開放用スイッチ25を第1状態にし、第1電極52aをフローティング状態とする。これにより、第1電極52aがセンシング処理部21と接続されている場合と比較して、櫛歯電極52に達したSAWが当該櫛歯電極12で反射される際の反射率が高くなる。
Similarly, in the
なお、時点t103では、第1開放用スイッチ24が第1状態とされ、第1電極12a(すなわち、櫛歯電極12)がフローティング状態となる。このため、時点t103において、第1SAWセンサ10の櫛歯電極12に第1SAWが達したとしても、当該第1SAWに起因して第2SAWセンサ50に新たなSAWは発生しない。
At time t103, the
同様に、時点t105では、第2開放用スイッチ25が第1状態とされ、第1電極52a(すなわち、櫛歯電極52)がフローティング状態となる。このため、時点t105において、第2SAWセンサ50の櫛歯電極52に第1SAWが達したとしても、当該第1SAWに起因して第1SAWセンサ10に新たなSAWは発生しない。
Similarly, at time t105, the
その後は、上記第4実施形態と同様の作動となる。簡単に説明すると、第1SAWセンサ10では、時点t103にて櫛歯電極12で第1SAWが反射されると、時点t104にて反射器13で第1SAWが反射され、時点t106にて櫛歯電極12に第1SAWが達すると、櫛歯電極12に発生する電位差に基づいたセンサ信号がセンシング処理部21に検出される。
After that, the operation is similar to that of the fourth embodiment. Briefly, in the
この際、時点t106では、短絡用スイッチ22、第1開放用スイッチ24、および第2開放用スイッチ25は、それぞれ第2状態とされており、第1SAWセンサ10の櫛歯電極12と第2SAWセンサ50の櫛歯電極52とが電気的に接続されているため、第2SAWセンサ50の櫛歯電極52にも電位差が発生する。このため、時点t106では、第1SAWセンサ10の第1SAWに起因して第2SAWセンサ50に第2SAWが発生する。
At this time, at time t106, the short-
そして、時点t106においても櫛歯電極12で第1SAWが反射され、時点t108にて反射器13で第1SAWが反射され、時点t110にて櫛歯電極12に第1SAWが達する。このため、時点t110では、短絡用スイッチ22を第1状態にし、櫛歯電極12における反射率を低下させることにより、櫛歯電極12で第1SAWが反射され難くなるなるようにする。
Then, also at time t106, the first SAW is reflected by the comb-
また、第1SAWセンサ10には、時点t111において、後述するように、第2SAWセンサ50の第1SAWに起因する第2SAWが発生する。そして、この第2SAWは、時点t113にて反射器13で反射され、時点t115にて櫛歯電極12に達する。このため、時点t115では、短絡用スイッチ22を第1状態にし、櫛歯電極12における反射率を低下させることにより、櫛歯電極12で第2SAWが反射され難くなるようにする。
Further, at the time point t111, the
同様に、第2SAWセンサ50では、時点t105にて櫛歯電極52で第1SAWが反射されると、時点t107にて反射器53で第1SAWが反射され、時点t111にて櫛歯電極52に第1SAWが達する。そして、時点t111にて櫛歯電極52に発生する電位差に基づくセンサ信号がセンシング処理部21に検出される。
Similarly, in the
この際、時点t111では、短絡用スイッチ22、第1開放用スイッチ24、および第2開放用スイッチ25は、それぞれ第2状態とされており、第1SAWセンサ10の櫛歯電極12と第2SAWセンサ50の櫛歯電極52とが電気的に接続されているため、第1SAWセンサ10の櫛歯電極12にも電位差が発生する。このため、時点t111では、第2SAWセンサ50の第1SAWに起因して第1SAWセンサ10に第2SAWが発生する。
At this time, at time t111, the short-
そして、時点t111においても櫛歯電極52で第1SAWが反射され、時点t114にて反射器53で第1SAWが反射され、時点t116にて櫛歯電極52に第1SAWが達する。このため、時点t116では、短絡用スイッチ22を第1状態にし、櫛歯電極52における反射率を低下させることにより、櫛歯電極52で第1SAWが反射され難くなるようにする。
Then, at time t111, the first SAW is reflected by the comb-
また、第2SAWセンサ50には、時点t106において、第1SAWセンサ10の第1SAWに起因する第2SAWが発生する。そして、この第2SAWは、時点t109にて反射器53で反射され、時点t112にて櫛歯電極52に達する。このため、時点t112では、短絡用スイッチ22を第1状態にし、櫛歯電極52における反射率を低下させることにより、櫛歯電極52で第2SAWが反射され難くなるようにする。
Further, at the time point t106, the
以上説明したように、複数のSAWセンサ10、50を備え、各SAWセンサ10、50において、櫛歯電極12、52で1回SAWを反射させ、その後に櫛歯電極12、52に達したSAWによってセンサ信号が検出されるようにしても、センサ信号を検出した後に不要なSAWが反射され難くなるようにすることにより、上記第7実施形態と同様の効果を得ることができる。
As described above, a plurality of
(第10実施形態の変形例)
上記第10実施形態の変形例について説明する。上記第10実施形態において、第1SAWセンサ10の櫛歯電極12と反射器13との間をSAWが往復する回数、および第2SAWセンサ50の櫛歯電極52と反射器53との間をSAWが往復する回数は特に限定されるものではない。例えば、図26に示されるように、櫛歯電極12、52でSAWが2回反射された後にセンサ信号が検出されるようにしてもよい。なお、図26中の時点t120と時点t126との間は、図25中の時点t100と時点t106との間と同様の波形となり、時点t126と時点t106とは同じ時点を示している。
(Modification of the tenth embodiment)
A modified example of the tenth embodiment will be described. In the tenth embodiment, the number of times the SAW reciprocates between the comb-
すなわち、図26に示されるように、時点t126にて第1開放用スイッチ24を第1状態にして櫛歯電極12で第1SAWが反射されるようにする。そして、時点t128にて反射器13で第1SAWが反射され、時点t129にて櫛歯電極12に第1SAWが達する。このため、時点t129にて、櫛歯電極12に発生する電位差に基づいたセンサ信号がセンシング処理部21に検出される。なお、時点t129では、第1SAWセンサ10の第1SAWに起因して第2SAWセンサ50に第2SAWが発生する。
That is, as shown in FIG. 26, at time t126, the
そして、時点t129においても櫛歯電極12で第1SAWが反射され、時点t131にて反射器13で第1SAWが反射され、時点t133にて櫛歯電極12に第1SAWが達する。このため、時点t133では、短絡用スイッチ22を第1状態にし、櫛歯電極12における反射率を低下させることにより、櫛歯電極12で第1SAWが反射され難くなるようにする。
Then, also at the time point t129, the first SAW is reflected by the comb-
また、第1SAWセンサ10には、後述するように、時点t136において、第2SAWセンサ50の第1SAWに起因する第2SAWが発生する。そして、この第2SAWは、時点t137にて反射器13で反射され、時点t139にて櫛歯電極12に達する。このため、時点t139では、短絡用スイッチ22を第1状態にし、櫛歯電極12における反射率を低下させることにより、櫛歯電極12で第2SAWが反射され難くなるようにする。
Further, in the
同様に、第2SAWセンサ50では、時点t127にて反射器53で第1SAWが反射され、時点t130にて櫛歯電極52で第1SAWが反射される。なお、時点t130では、第2開放用スイッチ25を第1状態にし、櫛歯電極52の反射率を高くする。また、時点t134にて反射器53で第1SAWが反射され、時点t136にて櫛歯電極52に第1SAWが達する。このため、時点t136にて、櫛歯電極52に発生する電位差に基づいたセンサ信号がセンシング処理部21に検出される。なお、時点t136では、第2SAWセンサ50の第1SAWに起因して第1SAWセンサ10に第2SAWが発生する。
Similarly, in the
そして、時点t136においても櫛歯電極52で第1SAWが反射され、時点t138にて反射器53で第1SAWが反射され、時点t140にて櫛歯電極52に第1SAWが達する。このため、時点t140では、短絡用スイッチ22を第1状態にし、櫛歯電極52における反射率を低下させることにより、櫛歯電極52で第1SAWが反射され難くなるようにする。
Then, at time t136, the comb-
また、第2SAWセンサ50には、時点t129において、第1SAWセンサ10の第1SAWに起因する第2SAWが発生する。そして、この第2SAWは、時点t132にて反射器53で反射され、時点t135にて櫛歯電極52に達する。このため、時点t135では、短絡用スイッチ22を第1状態にし、櫛歯電極52における反射率を低下させることにより、櫛歯電極52で第2SAWが反射され難くなるようにする。
Further, the
(第11実施形態)
第11実施形態について説明する。本実施形態は、第7実施形態の変形例であり、第7実施形態に第5実施形態を組み合わせ、さらに新たな開放用スイッチを追加したものである。その他に関しては第7実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
(Eleventh Embodiment)
An eleventh embodiment will be described. The present embodiment is a modification of the seventh embodiment, in which the fifth embodiment is combined with the seventh embodiment and a new opening switch is added. Since the other points are the same as those in the seventh embodiment, description thereof will be omitted here.
本実施形態では、図27に示されるように、上記第5実施形態で説明したセンサシステムにおいて、第1SAWセンサ10の第1櫛歯電極12における第1電極12aとセンシング処理部21との間に開放用スイッチ24が備えられていると共に、第2SAWセンサ50の第1櫛歯電極52における第1電極52aとセンシング処理部21との間に開放用スイッチ25が備えられている。また、第1SAWセンサ10の第2櫛歯電極15における第1電極15aとセンシング処理部21との間に開放用スイッチ26が備えられていると共に、第2SAWセンサ50の第2櫛歯電極55における第1電極55aとセンシング処理部21との間に開放用スイッチ27が備えられている。
In the present embodiment, as shown in FIG. 27, in the sensor system described in the fifth embodiment, between the
なお、開放用スイッチ25は、第2SAWセンサ50の第1櫛歯電極52における第1電極52aとセンシング処理部21とを接続しない第1状態と、第2SAWセンサ50の第1櫛歯電極52における第1電極52aとセンシング処理部21とを接続する第2状態とに切り替え可能に構成されている。開放用スイッチ26は、第1SAWセンサ10の第2櫛歯電極15における第1電極15aとセンシング処理部21とを接続しない第1状態と、第1SAWセンサ10の第2櫛歯電極15における第1電極15aとセンシング処理部21とを接続する第2状態とに切り替え可能に構成されている。開放用スイッチ27は、第2SAWセンサ50の第2櫛歯電極55における第1電極55aとセンシング処理部21とを接続しない第1状態と、第2SAWセンサ50の第2櫛歯電極55における第1電極55aとセンシング処理部21とを接続する第2状態とに切り替え可能に構成されている。また、各開放用スイッチ25〜27は、開放用スイッチ24と同様に、センシング処理部21からの制御信号によって第1状態と第2状態とに切り替えられる。以下では、理解を容易にするため、開放用スイッチ24を第1開放用スイッチ24とし、開放用スイッチ25を第2開放用スイッチ25とし、開放用スイッチ26を第3開放用スイッチ26とし、開放用スイッチ27を第4開放用スイッチ27として説明する。
The
以上が本実施形態におけるセンサシステムの構成である、次に、本実施形態のセンサシステムの作動について図28を参照しつつ説明する。 The above is the configuration of the sensor system according to the present embodiment. Next, the operation of the sensor system according to the present embodiment will be described with reference to FIG.
図28に示されるように、時点t150において、センシング処理部21から第1SAWセンサ10の第1櫛歯電極12および第2SAWセンサ50の第1櫛歯電極52にバースト信号が印加されると、第1SAWセンサ10および第2SAWセンサ50にSAWが発生する。なお、時点t150では、短絡用スイッチ22、第1〜第4開放用スイッチ24〜27は、それぞれ第2状態とされている。
As shown in FIG. 28, when a burst signal is applied from the
そして、第1SAWセンサ10では、SAWは、時点t151にて第2櫛歯電極15で反射される。このため、時点t151にて、第3開放用スイッチ26を第1状態にし、第2櫛歯電極15の反射率を高くする。その後、SAWは、時点t153にて第1櫛歯電極12で反射される。このため、時点t153にて、第1開放用スイッチ24を第1状態にし、第1櫛歯電極12の反射率を高くする。
Then, in the
同様に、第2SAWセンサ50では、SAWは、時点t152にて第2櫛歯電極55で反射される。このため、時点t152にて第4開放用スイッチ27を第1状態にし、第2櫛歯電極55の反射率を高くする。その後、SAWは、時点t155にて第1櫛歯電極52で反射される。このため、時点t155にて、第2開放用スイッチ25を第1状態にし、第1櫛歯電極52のSAWの反射率を高くする。
Similarly, in the
そして、第1SAWセンサ10では、時点t154にてSAWが第2櫛歯電極15に達すると、第2櫛歯電極15に発生する電位差に基づくセンサ信号がセンシング処理部21に検出される。この際、第4開放用スイッチ27を第1状態にし、第1SAWセンサ10の第2櫛歯電極15と第2SAWセンサ50の第2櫛歯電極55とを電気的に接続しないようにする。これにより、第1SAWセンサ10からセンサ信号が検出される際、第2SAWセンサ50に、第1SAWセンサ10のSAWに伴って新たなSAWが発生することを抑制できる。
Then, in the
また、第2SAWセンサ50では、時点t157にてSAWが第2櫛歯電極55に達すると、第2櫛歯電極55に発生する電位差に基づくセンサ信号がセンシング処理部21に検出される。この際、第3開放用スイッチ26を第1状態にし、第1SAWセンサ10の第2櫛歯電極15と第2SAWセンサ50の第2櫛歯電極55とを電気的に接続しないようにする。これにより、第2SAWセンサ50からセンサ信号が検出される際、第1SAWセンサ10に、第2SAWセンサ50のSAWに伴って新たなSAWが発生することを抑制できる。
In the
その他の制御に関しては、上記第10実施形態と同様である。簡単に説明すると、第1SAWセンサ10では、時点t154でセンサ信号が検出されると、時点t156にて短絡用スイッチ22を第1状態にし、SAWが第1櫛歯電極12で反射され難くなるようにする。同様に、第2SAWセンサ50では、時点t157でセンサ信号が検出されると、時点t158にて短絡用スイッチ22を第1状態にし、SAWが第1櫛歯電極52で反射され難くなるようにする。
Other controls are the same as those in the tenth embodiment. Briefly described, in the
以上説明したように、複数のSAWセンサ10、50を備え、第2櫛歯電極15、55でSAWを反射させ、その後に再び第2櫛歯電極15、55に達したSAWによってセンサ信号が検出されるようにしても、第2櫛歯電極15、55でSAWが反射する際の反射率を高くすることにより、上記第10実施形態と同様の効果を得ることができる。また、本実施形態では、第1SAWセンサ10の第2櫛歯電極15からセンサ信号が検出される際、第4開放用スイッチ27を第1状態にし、第2SAWセンサ50の第2櫛歯電極55からセンサ信号が検出される際、第3開放用スイッチ26を開放状態にしている。このため、一方のSAWセンサでセンサ信号を検出する際に他方のSAWセンサに新たに不要なSAWが発生することも抑制できる。
As described above, the plurality of
(第11実施形態の変形例)
上記第11実施形態の変形例について説明する。上記第11実施形態において、第1SAWセンサ10の第1櫛歯電極12と第2櫛歯電極15との間をSAWが往復する回数、および第2SAWセンサ50の第1櫛歯電極52と第2櫛歯電極55との間をSAWが往復する回数は特に限定されるものではない。特に図示しないが、例えば、図28において、第1SAWセンサ10では、時点t154にてセンサ信号が検出されず、次にSAWが第2櫛歯電極15に達した際にセンサ信号が検出されるようにし、その後にSAWが第1櫛歯電極12で反射され難くなるようにしてもよい。同様に、第2SAWセンサ50では、時点t157にてセンサ信号が検出されず、次にSAWが第2櫛歯電極55に達した際にセンサ信号が検出されるようにし、その後にSAWが第1櫛歯電極52で反射され難くなるようにしてもよい。
(Modification of 11th Embodiment)
A modified example of the eleventh embodiment will be described. In the eleventh embodiment, the number of times the SAW reciprocates between the first comb-
(第12実施形態)
第12実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して、SAWの波長と電極の膜厚との関係を規定したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
(Twelfth Embodiment)
A twelfth embodiment will be described. The present embodiment defines the relationship between the wavelength of SAW and the film thickness of the electrode with respect to the first embodiment, and the other points are the same as those of the first embodiment, and therefore the description thereof is omitted here. ..
上記第1実施形態では、図2を参照して説明したように、時点t4にて短絡用スイッチ22を第1状態にすることにより、センサ信号を検出した後、櫛歯電極12でSAWが反射され難くなる例について説明した。しかしながら、短絡用スイッチ22を第1状態にした際、僅かに不要なSAWが残存してしまうことがある。この場合、次のバースト信号が印可されてSAWが発生するタイミングと、残存した不要なSAWが櫛歯電極12で反射されるタイミングとが一致してしまうと、検出されるセンサ信号に残存したSAWによる不要成分が含まれることになり、検出精度が低下する可能性がある。
In the first embodiment, as described with reference to FIG. 2, by setting the short-
例えば、図2において、時点t0においてSAWが発生し、時点t1にて反射器13でSAWが反射され、時点t2にて櫛歯電極12からセンサ信号が検出され、時点t3にて反射器13でSAWが反射された後、時点t4で短絡用スイッチ22が第1状態とされてSAWの反射が抑制される場合、当該SAWが残存してしまうことがある。この場合、図3と同様のタイミングチャートとなり、時点t5で再びSAWが反射器13で不要反射され、時点t6にて櫛歯電極12でSAWが不要反射され、時点t7にて反射器13でSAWが不要反射され、時点t8にて櫛歯電極12でSAWが不要反射される。そして、例えば、時点t6にてバースト信号が印加されることで新たなSAWを発生させると、この新たなSAWは、時点t7にて反射器13で反射され、時点t8にて櫛歯電極12に達する。そして、時点t8にて、櫛歯電極12に発生する電位差に基づいたセンサ信号がセンシング処理部21に検出される。しかしながら、時点t0に発生させて残存しているSAWも時点t8にて櫛歯電極12に達するため、時点t8では、図29に示されるように、時点t0にて発生させたSAWに基づく第2信号と、時点t6にて新たに発生させたSAWに基づく第1信号との合成信号がセンサ信号として検出される。つまり、センサ信号は、位相検出誤差θerrが含まれた信号となる。
For example, in FIG. 2, the SAW is generated at time t0, the SAW is reflected by the
このため、本発明者らは、SAWの波長と、櫛歯電極12および反射器13を構成する電極の膜厚との関係について鋭意検討を行い、図30に示す結果を得た。なお、図30は、圧電体基板11として、オイラー角が0°、37.8°、0°であるニオブ酸リチウム基板を用いている。
For this reason, the present inventors earnestly studied the relationship between the wavelength of SAW and the film thickness of the electrodes forming the comb-
すなわち、図30に示されるように、位相検出誤差θerrは、櫛歯電極12の膜厚をhとし、SAWの波長をλとすると、反射器13を構成する材料と、h/λとによって決定される。したがって、センサシステムの用途と要求される検出精度とに応じ、反射器13を構成する材料とh/λとを決定することが好ましい。例えば、位相検出誤差θerrを1deg以下としたい場合には、反射器13をAlで構成する場合、h/λを0.018〜0.023となるように調整すればよい。
That is, as shown in FIG. 30, the phase detection error θerr is determined by the material forming the
このように、櫛歯電極12の膜厚とSAWの波長について考慮したセンサシステムとすることにより、検出精度が低下することを抑制できる。
As described above, the sensor system in which the film thickness of the comb-
(他の実施形態)
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
(Other embodiments)
The present invention is not limited to the above-described embodiments, but can be appropriately modified within the scope described in the claims.
例えば、上記各実施形態において、第1信号処理部20と第2信号処理部30とが別々に備えられておらず、第1信号処理部20と第2信号処理部30とは、共通の信号処理部とされていてもよい。つまり、1つの信号処理部内に、センシング処理部21、短絡用スイッチ22、および記憶演算部31が含まれていてもよい。
For example, in each of the above embodiments, the first
また、上記各実施形態において、短絡用スイッチ22は、センサ信号が検出された後の所定期間後に第1状態とされるようにしてもよい。例えば、上記第1実施形態では、時点t2にて櫛歯電極12でセンサ信号が検出された後、時点t4にて短絡用スイッチ22を第1状態にせず、次に櫛歯電極12にSAWが達する際に短絡用スイッチ22を第1状態にするようにしてもよい。このようなセンサシステムとしても、短絡用スイッチ22を備えない場合より、サンプリングレートの向上を図ることができる。
Moreover, in each of the above-described embodiments, the short-
さらに、上記第4〜第6、第9、第10実施形態では、第1SAWセンサ10および第2SAWセンサ50に加え、さらに別のSAWセンサを加えてもよい。この場合、センサ信号が検出された後、適宜SAWの反射率を低くすることにより、同様の効果を得ることができる。
Furthermore, in the said 4th-6th, 9th, and 10th embodiment, you may add another SAW sensor in addition to the
10 SAWセンサ
12 櫛歯電極
13 反射器
15 櫛歯電極
20 第1信号処理部
21 センシング処理部
22 短絡用スイッチ
30 第2信号処理部
10
Claims (10)
第1電極部(12、52)および第2電極部(13、15、53、55)を有し、前記第1電極部および前記第2電極部のいずれか一方が第1電極(12a、15a、52a、55a)および第2電極(12b、15b、52b、55b)を有する構成とされた前記弾性表面波センサと、
前記弾性表面波センサと接続され、前記第1電極部に駆動信号を印加して前記弾性表面波センサに弾性表面波を発生させると共に、前記弾性表面波が前記第1電極部または前記第2電極部に達した際に当該第1電極部または当該第2電極部に生成される前記物理量に応じたセンサ信号を検出する信号処理部(20)と、
前記第1電極と前記第2電極とを接続して短絡させる第1状態と、前記第1電極と前記第2電極とを接続しない第2状態とに切り替え可能な短絡用スイッチ(22)と、備え、
前記弾性表面波センサは、前記短絡用スイッチが第1状態である場合、前記短絡用スイッチが第2状態である場合より、前記第1電極および前記第2電極を有する前記電極部の反射率が低くなるものであり、
前記信号処理部は、前記センサ信号を検出する前において前記短絡用スイッチを第2状態にし、前記センサ信号を検出した後において前記短絡用スイッチを第1状態にするセンサシステム。 In a sensor system for detecting a physical quantity affecting a surface acoustic wave sensor (10, 50),
It has a 1st electrode part (12, 52) and a 2nd electrode part (13, 15, 53, 55), and either one of said 1st electrode part and said 2nd electrode part is 1st electrode (12a, 15a). , 52a, 55a) and a second electrode (12b, 15b, 52b, 55b).
The surface acoustic wave sensor is connected to the surface acoustic wave sensor, a drive signal is applied to the first electrode portion to generate a surface acoustic wave in the surface acoustic wave sensor, and the surface acoustic wave is generated by the first electrode portion or the second electrode. A signal processing unit (20) for detecting a sensor signal according to the physical quantity generated in the first electrode unit or the second electrode unit when reaching a portion,
A short-circuit switch (22) capable of switching between a first state in which the first electrode and the second electrode are connected and short-circuited, and a second state in which the first electrode and the second electrode are not connected, Prepare,
In the surface acoustic wave sensor, when the short-circuiting switch is in the first state, the reflectance of the electrode portion having the first electrode and the second electrode is higher than that when the short-circuiting switch is in the second state. Will be lower,
The signal processing unit sets the short-circuiting switch to a second state before detecting the sensor signal, and sets the short-circuiting switch to the first state after detecting the sensor signal.
前記圧電体基板には、前記第1電極部および前記第2電極部のうちの前記第1電極および前記第2電極を有する一方の電極部と、当該一方の電極部を挟み、前記第1電極部および前記第2電極部のうちの他方の電極部と反対側に位置する前記圧電体基板の端部との間に、前記弾性表面波を減衰させる弾性表面波減衰部(11a)が形成されている請求項1ないし3のいずれか1つに記載のセンサシステム。 The surface acoustic wave sensor includes a piezoelectric substrate (11) on which the first electrode portion and the second electrode portion are formed,
On the piezoelectric substrate, one electrode portion having the first electrode and the second electrode of the first electrode portion and the second electrode portion and the one electrode portion are sandwiched between the first electrode portion and the second electrode portion. Portion and the other electrode portion of the second electrode portion and an end portion of the piezoelectric substrate located on the opposite side, a surface acoustic wave attenuating portion (11a) for attenuating the surface acoustic wave is formed. The sensor system according to any one of claims 1 to 3, wherein:
前記信号処理部は、複数の前記弾性表面波センサに対して、同時に前記駆動信号を印加する請求項1ないし4のいずれか1つに記載のセンサシステム。 A plurality of the surface acoustic wave sensors are provided and are arranged in parallel to the signal processing unit,
The sensor system according to claim 1, wherein the signal processing unit applies the drive signal to a plurality of the surface acoustic wave sensors at the same time.
前記信号処理部は、前記弾性表面波センサに前記弾性表面波を発生させた後、前記第1電極部および前記第2電極部で少なくとも1回ずつ前記弾性表面波が反射された後に前記センサ信号を検出し、前記センサ信号を検出する前において、前記開放用スイッチを介して当該信号処理部と接続される前記電極部に前記弾性表面波が達する際、前記開放用スイッチを第1状態にする請求項1ないし8のいずれか1つに記載のセンサシステム。 A first state in which the electrode unit and the signal processing unit are not connected between the electrode unit and the signal processing unit of at least one of the first electrode unit and the second electrode unit, and the electrode unit and the An opening switch (24 to 27) that can be switched to a second state that connects to the signal processing unit is arranged,
The signal processing unit causes the surface acoustic wave sensor to generate the surface acoustic wave, and the surface acoustic wave is reflected at least once by the first electrode portion and the second electrode portion, and then the sensor signal. Before detecting the sensor signal, when the surface acoustic wave reaches the electrode section connected to the signal processing section via the opening switch, the opening switch is set to the first state. The sensor system according to claim 1.
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