JP6745367B2 - スキャトロメトリ測定システム及び方法 - Google Patents
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Description
本願は、その全体が参照により本明細書中で援用される、2013年7月18日に出願された米国特許仮出願第61/847,883号の利益を請求する。
Claims (24)
- スキャトロメトリ測定システムであって、
中央オブスキュレーションを含む対物レンズと、
スキャトロメトリターゲットを、前記対物レンズを通過させて第1の照明角の第1の照明ビームと第2の照明角の第2の照明ビームとで照射するように構成された照射源と、
を備え、
前記スキャトロメトリターゲットが少なくとも2層に配置された周期構造を有し、前記対物レンズが前記第1の照明ビームからの少なくとも1つの回折次数と前記第2の照明ビームからの少なくとも1つの回折次数とを収集するように構成され、前記第1の照明ビームからの前記少なくとも1つの回折次数と前記第2の照明ビームからの前記少なくとも1つの回折次数が、前記中央オブスキュレーションによって遮られない画像瞳面の部分においてオーバーラップしない分布を有する、
スキャトロメトリ測定システム。 - 前記第1の照明角または前記第2の照明角の少なくともいずれかが、前記スキャトロメトリターゲットに関連する格子方向と前記スキャトロメトリターゲットに対する法線とによって規定される平面の外側にある、請求項1に記載のスキャトロメトリ測定システム。
- 前記中央オブスキュレーションが、前記画像瞳面の中央部分を遮断する、請求項1に記載のスキャトロメトリ測定システム。
- 前記中央オブスキュレーションによって遮られていない前記画像瞳面の部分が、前記画像瞳面の環状部分を含む、請求項3に記載のスキャトロメトリ測定システム。
- 前記対物レンズが反射屈折対物レンズを含む、請求項1に記載のスキャトロメトリ測定システム。
- 前記対物レンズが反射対物レンズを含む、請求項1に記載のスキャトロメトリ測定システム。
- 前記対物レンズが屈折対物レンズを含む、請求項1に記載のスキャトロメトリ測定システム。
- 前記第1の照明ビームと前記第2の照明ビームとが、2つの測定方向に沿ってスキャトロメトリターゲットのスキャトロメトリ測定ができるように配置されている、請求項1に記載のスキャトロメトリ測定システム。
- 前記照射源が、前記第1の照明ビームと前記第2の照明ビームとを、前記照射源と前記スキャトロメトリターゲットとの間に配置された照明瞳面を通過して送るように構成される、請求項1に記載のスキャトロメトリ測定システム。
- 前記画像瞳面が前記スキャトロメトリターゲットと検出器との間に配置されている、請求項1に記載のスキャトロメトリ測定システム。
- 前記スキャトロメトリターゲットが格子を含み、ターゲット測定方向が前記格子の要素に対して垂直に定められ、前記第1の照明ビームが前記ターゲット測定方向に平行な成分と前記ターゲット測定方向に垂直な成分とを含む、請求項1に記載のスキャトロメトリ測定システム。
- 前記スキャトロメトリターゲットが格子を含み、ターゲット測定方向が前記格子の要素に対して垂直に定められ、前記第2の照明ビームが前記ターゲット測定方向に平行な成分と前記ターゲット測定方向に垂直な成分とを含む、請求項1に記載のスキャトロメトリ測定システム。
- 前記照射源が、前記スキャトロメトリターゲットを、前記対物レンズを通して第3の照明角の第3の照明ビームと第4の照明角の第4の照明ビームとで照明するようにさらに構成され、前記対物レンズが、前記第3の照明ビームからの少なくとも1つの回折次数と前記第4の照明ビームからの少なくとも1つの回折次数とを収集するようにさらに構成され、前記第3の照明ビームからの前記少なくとも1つの回折次数と前記第4の照明ビームからの前記少なくとも1つの回折次数が、前記中央オブスキュレーションによって遮られない前記画像瞳面の前記部分においてオーバーラップしない分布を有する、請求項1に記載のスキャトロメトリ測定システム。
- 前記照射源が、前記第3および第4の照明ビームを、前記照射源と前記スキャトロメトリターゲットとの間に配置された照明瞳面を通過して送るように構成され、前記画像瞳面が前記スキャトロメトリターゲットと検出器との間に配置されている、請求項13に記載のスキャトロメトリ測定システム。
- 前記スキャトロメトリターゲットが格子を含み、ターゲット測定方向が前記格子の要素に対して垂直に定められ、前記第3および第4の照明ビームがそれぞれ前記ターゲット測定方向に平行な成分と前記ターゲット測定方向に垂直な成分とを含む、請求項13に記載のスキャトロメトリ測定システム。
- 前記スキャトロメトリターゲットが格子を含み、前記第1の照明ビーム、前記第2の照明ビーム、前記第3の照明ビーム、および前記第4の照明ビームのうちの2つからの回折次数が前記格子のスキャトロメトリ測定に利用され、前記第1の照明ビーム、前記第2の照明ビーム、前記第3の照明ビーム、および前記第4の照明ビームのうちの上記2つ以外の2つからの回折次数が前記格子のスキャトロメトリ測定に関して無視される、請求項13に記載のスキャトロメトリ測定システム。
- 前記第1の照明ビームが第1の波長を含み、前記第2の照明ビームが前記第1の波長とは異なる第2の波長を含む、請求項1に記載のスキャトロメトリ測定システム。
- 前記スキャトロメトリターゲットが、前記スキャトロメトリターゲットの少なくとも1つの層において、前記第1の波長に比例し且つ前記周期構造のピッチに反比例する第1の回折角で前記第1の照明ビームを回折し、前記スキャトロメトリターゲットが、前記第2の波長に比例し且つ前記ピッチに反比例する第2の回折角で前記第2の照明ビームを回折する、請求項17に記載のスキャトロメトリ測定システム。
- 前記第1の照明ビームと前記第2の照明ビームのそれぞれからの前記少なくとも1つの回折次数が、ゼロ次回折光、±1次回折光、または2次回折光の少なくとも1つを含む、請求項1に記載のスキャトロメトリ測定システム。
- スキャトロメトリ測定システムであって、
中央オブスキュレーションを含む対物レンズと、
スキャトロメトリターゲットを、前記対物レンズを通して2つ以上の照明角の2つ以上の照明ビームで照射するように構成された照射源と、
を備え、
前記スキャトロメトリターゲットが少なくとも2層に配置された周期構造を有し、前記対物レンズが前記2つ以上の照明ビームのそれぞれから少なくとも1つの回折次数を収集するように構成され、前記収集された回折次数が、前記中央オブスキュレーションによって遮られない画像瞳面の部分においてオーバーラップしない分布を有する、
スキャトロメトリ測定システム。 - 第1の照明角または第2の照明角の少なくともいずれかが、前記スキャトロメトリターゲットに関連する格子方向と前記スキャトロメトリターゲットに対する法線とによって規定される平面の外側にある、請求項20に記載のスキャトロメトリ測定システム。
- 前記中央オブスキュレーションが、前記画像瞳面の中央部分を遮断する、請求項20に記載のスキャトロメトリ測定システム。
- 前記中央オブスキュレーションによって遮られていない前記画像瞳面の部分が、前記画像瞳面の環状部分を含む、請求項22に記載のスキャトロメトリ測定システム。
- 照射源から第1の照明ビームと第2の照明ビームとを送るステップと、
中央オブスキュレーションを含む対物レンズを用いて、少なくとも2層において少なくとも2つの周期構造を有するスキャトロメトリターゲットを、第1の照明角の第1の照射ビームと第2の照明角の第2の照射ビームとで照射して、前記スキャトロメトリターゲットが前記第1の照明ビームと前記第2の照明ビームとを回折するようにするステップと、
前記対物レンズを用いて、前記第1の照明ビームと前記第2の照明ビームのそれぞれから少なくとも1つの回折次数を収集するステップと、
を含む方法であって、
前記第1の照明ビームと前記第2の照明ビームのそれぞれからの前記少なくとも1つの回折次数が、前記中央オブスキュレーションによって遮られていない画像瞳面の部分の完全に内側に配置され、前記第1の照明ビームと前記第2の照明ビームのそれぞれからの前記少なくとも1つの回折次数が前記画像瞳面においてオーバーラップしない分布を有する、
方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201361847883P | 2013-07-18 | 2013-07-18 | |
| US61/847,883 | 2013-07-18 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016527043A Division JP6486917B2 (ja) | 2013-07-18 | 2014-07-15 | スキャトロメトリ測定のための照明配置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019078773A JP2019078773A (ja) | 2019-05-23 |
| JP6745367B2 true JP6745367B2 (ja) | 2020-08-26 |
Family
ID=52346681
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016527043A Active JP6486917B2 (ja) | 2013-07-18 | 2014-07-15 | スキャトロメトリ測定のための照明配置 |
| JP2019028295A Active JP6745367B2 (ja) | 2013-07-18 | 2019-02-20 | スキャトロメトリ測定システム及び方法 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016527043A Active JP6486917B2 (ja) | 2013-07-18 | 2014-07-15 | スキャトロメトリ測定のための照明配置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JP6486917B2 (ja) |
| KR (2) | KR102202523B1 (ja) |
| TW (1) | TWI640761B (ja) |
| WO (1) | WO2015009739A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105807573B (zh) | 2014-12-31 | 2017-12-29 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 用于套刻误差检测的装置和方法 |
| US10732516B2 (en) * | 2017-03-01 | 2020-08-04 | Kla Tencor Corporation | Process robust overlay metrology based on optical scatterometry |
| US11112369B2 (en) * | 2017-06-19 | 2021-09-07 | Kla-Tencor Corporation | Hybrid overlay target design for imaging-based overlay and scatterometry-based overlay |
| US11112691B2 (en) * | 2019-01-16 | 2021-09-07 | Kla Corporation | Inspection system with non-circular pupil |
| EP3876037A1 (en) * | 2020-03-06 | 2021-09-08 | ASML Netherlands B.V. | Metrology method and device for measuring a periodic structure on a substrate |
| WO2021151754A1 (en) * | 2020-01-29 | 2021-08-05 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and device for measuring a periodic structure on a substrate |
| US11346657B2 (en) * | 2020-05-22 | 2022-05-31 | Kla Corporation | Measurement modes for overlay |
| CN114253065B (zh) * | 2021-12-20 | 2025-08-01 | 武汉天马微电子有限公司 | 掩膜版及其制备方法、显示面板、显示装置和光刻设备 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5859424A (en) * | 1997-04-08 | 1999-01-12 | Kla-Tencor Corporation | Apodizing filter system useful for reducing spot size in optical measurements and other applications |
| US6538730B2 (en) * | 2001-04-06 | 2003-03-25 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Defect detection system |
| US7528953B2 (en) * | 2005-03-01 | 2009-05-05 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Target acquisition and overlay metrology based on two diffracted orders imaging |
| US7589832B2 (en) * | 2006-08-10 | 2009-09-15 | Asml Netherlands B.V. | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device method |
| US7573584B2 (en) * | 2006-09-25 | 2009-08-11 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization |
| DE602007012927D1 (de) * | 2006-11-27 | 2011-04-14 | Philips Solid State Lighting | Itlicher projektionsbeleuchtung |
| US7618163B2 (en) * | 2007-04-02 | 2009-11-17 | Ruud Lighting, Inc. | Light-directing LED apparatus |
| DE102008046362A1 (de) * | 2008-09-09 | 2010-03-18 | Diehl Bgt Defence Gmbh & Co. Kg | Gegenstandserfassungssystem mit einem Bilderfassungssystem |
| WO2010130516A1 (en) * | 2009-05-11 | 2010-11-18 | Asml Netherlands B.V. | Method of determining overlay error |
| CN102460129B (zh) * | 2009-06-22 | 2015-08-12 | Asml荷兰有限公司 | 物体检查系统和方法 |
| NL2008197A (en) * | 2011-02-11 | 2012-08-14 | Asml Netherlands Bv | Inspection apparatus and method, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method. |
| DE102011006468B4 (de) * | 2011-03-31 | 2014-08-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vermessung eines abbildenden optischen Systems durch Überlagerung von Mustern |
| NL2008936A (en) * | 2011-07-28 | 2013-01-29 | Asml Netherlands Bv | Illumination source for use in inspection methods and/or lithography inspection and lithographic apparatus and inspection method. |
| US20130077086A1 (en) * | 2011-09-23 | 2013-03-28 | Kla-Tencor Corporation | Solid-State Laser And Inspection System Using 193nm Laser |
-
2014
- 2014-07-15 KR KR1020207001237A patent/KR102202523B1/ko active Active
- 2014-07-15 KR KR1020167003924A patent/KR102069253B1/ko active Active
- 2014-07-15 JP JP2016527043A patent/JP6486917B2/ja active Active
- 2014-07-15 WO PCT/US2014/046724 patent/WO2015009739A1/en not_active Ceased
- 2014-07-16 TW TW103124411A patent/TWI640761B/zh active
-
2019
- 2019-02-20 JP JP2019028295A patent/JP6745367B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI640761B (zh) | 2018-11-11 |
| KR20200008043A (ko) | 2020-01-22 |
| WO2015009739A1 (en) | 2015-01-22 |
| KR20160034343A (ko) | 2016-03-29 |
| JP6486917B2 (ja) | 2019-03-20 |
| KR102202523B1 (ko) | 2021-01-13 |
| JP2019078773A (ja) | 2019-05-23 |
| JP2016527501A (ja) | 2016-09-08 |
| KR102069253B1 (ko) | 2020-01-22 |
| TW201522942A (zh) | 2015-06-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190220 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200124 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200128 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200421 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200707 |
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