JP6700877B2 - 画像復号装置、画像復号プログラム及びチップ - Google Patents
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Description
〔本発明の概要〕
まず、本発明の概要について説明する。一般に、符号化側の画像符号化装置は、符号化対象の画像を入力すると、当該画像(入力画像)を複数の部分領域(ブロック)に分割し、ブロック単位に、ブロックの画素値、またはブロックの画素値から予測画像の画素値を減じた残差画像の画素値に対し、離散コサイン変換等の直交変換を行い、変換結果の変換係数列に対し量子化を行い、量子化インデックス列を生成する。そして、画像符号化装置は、量子化インデックス列に対しエントロピー符号化を行い、符号化ストリームとして出力する。
次に、本発明の実施形態による画像復号装置について説明する。図3は、本発明の実施形態による画像復号装置の構成の一例を示すブロック図である。この画像復号装置1は、エントロピー復号部11、逆変換部12及びメモリ部13を備えている。画像復号装置1は、画像の画素値に対して、逆量子化処理及び逆直交変換処理を行う。
次に、図3に示した逆変換部12について詳細に説明する。図4は、逆変換部12の構成の一例を示すブロック図である。この逆変換部12は、逆量子化初期化手段121、変換係数記憶手段122、逆直交変換手段123、ブロック境界評価手段124及び変換係数補正手段125を備えている。
ここで、変換係数記憶手段122に格納された変換係数列(Un (k))n=0,1, ・・,N-1を繰り返し補正する処理の具体例について説明する。変換係数補正手段125は、例えばレーベンバーグマーカート法(Levenberg Marquardt Method)を用いて、変換係数列(Un (k))n=0,1, ・・,N-1を繰り返し補正する。
次に、図4に示した逆変換部12の処理について詳細に説明する。図6は、逆変換部12の処理の一例を示すフローチャートである。まず、逆変換部12の逆量子化初期化手段121は、エントロピー復号部11から量子化インデックス列(in)n=0,1, ・・,N-1を入力する(ステップS701)。そして、逆量子化初期化手段121は、各量子化インデックスに逆量子化を施し、変換係数列の初期値(Un (0))n=0,1, ・・,N-1を求め(ステップS702)、変換係数列の初期値(Un (0))n=0,1, ・・,N-1を変換係数記憶手段122に格納する(ステップS703)。
次に、本発明の他の実施形態による画像復号装置について説明する。図7は、本発明の他の実施形態による画像復号装置の構成の一例を示すブロック図である。この画像復号装置2は、エントロピー復号部21、逆変換部22、メモリ部23及びフレーム内/フレーム間予測部24を備えている。画像復号装置2は、残差画像の画素値に対して、逆量子化処理及び逆直交変換処理を行う。
次に、図7に示した逆変換部22について詳細に説明する。図8は、逆変換部22の構成の一例を示すブロック図である。この逆変換部22は、逆量子化初期化手段121、変換係数記憶手段122、逆直交変換手段221、加算手段222、ブロック境界評価手段124及び変換係数補正手段125を備えている。
また、前記実施形態では、画像復号装置1,2における逆変換部12,22のブロック境界評価手段124は、対象ブロック及び参照ブロックにおけるブロック境界の不連続性を示す評価値Eを算出し、変換係数補正手段125は、ブロック境界の不連続性を示す評価値Eが小さくなるように、変換係数列を繰り返し補正するようにした。
また、図3に示した本発明の実施形態による画像復号装置1において、対象ブロックの画像特徴量等に応じて、従来の逆量子化処理及び逆直交変換処理を、本発明の実施形態における逆変換部12による逆量子化処理及び逆直交変換処理に切り替えるようにしてもよい。
11,21 エントロピー復号部
12,22 逆変換部
13,23 メモリ部
24 フレーム内/フレーム間予測部
121 逆量子化初期化手段
122 変換係数記憶手段
123,221 逆直交変換手段
124 ブロック境界評価手段
125 変換係数補正手段
222 加算手段
Claims (6)
- 符号化されたストリームを入力し、前記ストリームをエントロピー復号して量子化インデックス列を生成し、前記量子化インデックス列を逆量子化及び逆直交変換してブロックの画素値列を生成し、前記ブロックの画素値列をメモリに格納し、前記メモリから前記画素値列を読み出し復号画像として出力する画像復号装置において、
前記量子化インデックス列を逆量子化し、前記ブロックの変換係数列を生成し、前記変換係数列を逆直交変換し、前記ブロックの画素値列を生成し、前記変換係数列の補正及び前記補正した後の変換係数列の逆直交変換を繰り返し、前記ブロックの画素値列を前記メモリに格納する逆変換部を備え、
前記逆変換部は、
前記逆量子化及び前記逆直交変換を行うブロックを対象ブロックとし、当該対象ブロックに隣接するブロックを参照ブロックとして、前記メモリから、前記対象ブロックと前記参照ブロックとの間の所定の境界領域における前記参照ブロックの画素値列を読み出し、前記所定の境界領域における前記対象ブロックの画素値列と、前記所定の境界領域における前記参照ブロックの画素値列との差分を定量化した評価値を算出し、前記評価値を小さくするように、前記変換係数列を補正し、
前記逆変換部は、逆量子化初期化手段、変換係数記憶手段、逆直交変換手段、ブロック境界評価手段及び変換係数補正手段を備え、
前記逆量子化初期化手段は、
前記量子化インデックス列に逆量子化を施し、初期の変換係数列を生成し、前記初期の変換係数列を前記変換係数記憶手段に格納し、
前記変換係数記憶手段は、
前記初期の変換係数列を記憶すると共に、前記補正した後の変換係数列を記憶し、
前記逆直交変換手段は、
前記変換係数記憶手段から前記変換係数列を読み出し、前記変換係数列に逆直交変換を施し、前記対象ブロックの画素値列を生成し、前記変換係数補正手段から補正完了を入力した場合、前記対象ブロックの画素値列を前記メモリに格納し、
前記ブロック境界評価手段は、
前記メモリから、前記対象ブロックと前記参照ブロックとの境界領域における前記参照ブロックの画素値列を読み出し、前記境界領域における前記対象ブロックの画素値列と、前記境界領域における前記参照ブロックの画素値列との差分を定量化した評価値を算出し、
前記変換係数補正手段は、
前記ブロック境界評価手段により算出された前記評価値を小さくするように、前記変換係数記憶手段に格納された前記変換係数列のうち直流成分に近い所定数の前記変換係数を繰り返し補正し、前記補正の回数が所定回数と等しくなった場合、または、前記評価値の減少量が所定の閾値以下となった場合、前記補正完了を前記逆直交変換手段に出力する、ことを特徴とする画像復号装置。 - 請求項1に記載の画像復号装置において、
前記評価値を、前記対象ブロックと前記参照ブロックとの間の境界領域における前記対象ブロックの画素値列と、前記境界領域における前記参照ブロックの画素値列とを用いて、前記境界領域における画素対の画素値間のノルムにより定義される数量の総和とする、ことを特徴とする画像復号装置。 - 請求項1または2に記載の画像復号装置において、
前記逆変換部を第1の逆変換部とし、さらに、第2の逆変換部、画像特徴量算出部及び切替部を備え、
前記第2の逆変換部は、
前記量子化インデックス列を逆量子化し、前記ブロックの変換係数列を生成し、前記変換係数列を逆直交変換し、対象ブロックの画素値列を生成し、
前記画像特徴量算出部は、
前記第2の逆変換部により生成された前記対象ブロックの画素値列、当該対象ブロックの周辺の画素値列、または、前記対象ブロックの画素値列及び当該対象ブロックの周辺の画素値列に基づいて、画像特徴量を算出し、
前記切替部は、
前記画像特徴量算出部により算出された画像特徴量に基づいて、前記第2の逆変換部により生成された前記対象ブロックの画素値列を確定して前記メモリに格納するか、または、前記第1の逆変換部に、前記逆量子化及び前記逆直交変換にて前記対象ブロックの画素値列を生成させ、前記対象ブロックの画素値列を確定して前記メモリに格納する、ことを特徴とする画像復号装置。 - 請求項1から3までのいずれか一項に記載の画像復号装置において、
さらに、予測部を備え、
前記逆変換部は、前記変換係数列を逆直交変換することで、前記ブロックの残差画像の画素値列を生成し、前記ブロックの残差画像の画素値列に、前記予測部により生成された予測画像の画素値列を加算することで、前記ブロックの画素値列を生成し、
前記予測部は、前記メモリに格納された画素値列を読み出し、前記対象ブロックの画素値列を予測し、前記予測画像の画素値列を生成する、ことを特徴とする画像復号装置。 - コンピュータを、請求項1から4までのいずれか一項に記載の画像復号装置として機能させるための画像復号プログラム。
- 符号化されたストリームを入力し、前記ストリームをエントロピー復号して量子化インデックス列を生成し、前記量子化インデックス列を逆量子化及び逆直交変換してブロックの画素値列を生成し、前記ブロックの画素値列をメモリに格納し、前記メモリから前記画素値列を読み出し復号画像として出力する画像復号装置に搭載されるチップにおいて、
前記量子化インデックス列を逆量子化し、前記ブロックの変換係数列を生成し、前記変換係数列を逆直交変換し、前記ブロックの画素値列を生成し、前記変換係数列の補正及び前記補正した後の変換係数列の逆直交変換を繰り返し、前記ブロックの画素値列を前記メモリに格納する逆変換部を備え、
前記逆変換部は、
前記逆量子化及び前記逆直交変換を行うブロックを対象ブロックとし、当該対象ブロックに隣接するブロックを参照ブロックとして、前記メモリから、前記対象ブロックと前記参照ブロックとの境界領域における前記参照ブロックの画素値列を読み出し、前記境界領域における前記対象ブロックの画素値列と、前記境界領域における前記参照ブロックの画素値列との差分を定量化した評価値を算出し、前記評価値を小さくするように、前記変換係数列を補正し、
前記逆変換部は、逆量子化初期化手段、変換係数記憶手段、逆直交変換手段、ブロック境界評価手段及び変換係数補正手段を備え、
前記逆量子化初期化手段は、
前記量子化インデックス列に逆量子化を施し、初期の変換係数列を生成し、前記初期の変換係数列を前記変換係数記憶手段に格納し、
前記変換係数記憶手段は、
前記初期の変換係数列を記憶すると共に、前記補正した後の変換係数列を記憶し、
前記逆直交変換手段は、
前記変換係数記憶手段から前記変換係数列を読み出し、前記変換係数列に逆直交変換を施し、前記対象ブロックの画素値列を生成し、前記変換係数補正手段から補正完了を入力した場合、前記対象ブロックの画素値列を前記メモリに格納し、
前記ブロック境界評価手段は、
前記メモリから、前記対象ブロックと前記参照ブロックとの境界領域における前記参照ブロックの画素値列を読み出し、前記境界領域における前記対象ブロックの画素値列と、前記境界領域における前記参照ブロックの画素値列との差分を定量化した評価値を算出し、
前記変換係数補正手段は、
前記ブロック境界評価手段により算出された前記評価値を小さくするように、前記変換係数記憶手段に格納された前記変換係数列のうち直流成分に近い所定数の前記変換係数を繰り返し補正し、前記補正の回数が所定回数と等しくなった場合、または、前記評価値の減少量が所定の閾値以下となった場合、前記補正完了を前記逆直交変換手段に出力する、ことを特徴とするチップ。
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