JP6699390B2 - Battery system - Google Patents
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Description
本発明は電池システムに関し、より特定的にはニッケル水素電池を含む電池システムに関する。 The present invention relates to a battery system, and more particularly to a battery system including a nickel hydrogen battery.
ニッケル水素電池においてメモリ効果が生じることが知られている。メモリ効果とは、ニッケル水素電池に蓄えられた電力が完全に消費されていない状態での充電(いわゆる継ぎ足し充電)が繰り返された場合に、ニッケル水素電池の放電電圧が正常時(メモリ効果が生じていないとき)と比べて低くなる現象である。メモリ効果はニッケル水素電池の充電側においても生じる可能性があり、充電側においては充電電圧が正常時と比べて高くなる。 It is known that a memory effect occurs in a nickel hydrogen battery. The memory effect is when the nickel-metal hydride battery discharge voltage is normal (when the memory effect occurs when the charging is repeated when the power stored in the nickel-metal hydride battery is not completely consumed (so-called additional charging)). It is a phenomenon that becomes lower than that of (when not). The memory effect may also occur on the charging side of the nickel-hydrogen battery, and the charging voltage on the charging side will be higher than in the normal state.
ニッケル水素電池のメモリ効果による電圧変化量(以下「メモリ量」とも称する)を推定するための技術が提案されている。メモリ量を推定することによって、たとえばニッケル水素電池の充電状態(SOC:State Of Charge)の推定精度を向上させることが可能になるためである。たとえば特開2007−333447号公報(特許文献1)は、ニッケル水素電池の開放電圧に基づいてニッケル水素電池の起電力を算出し、算出された起電力とSOCとの関係を用いて起電力からSOCを推定する充電状態推定装置を開示する。特許文献1に開示された充電状態推定装置では、SOCの推定に先立ちメモリ量に応じて開放電圧を補正することによってSOCの推定精度を向上させる。
A technique for estimating a voltage change amount (hereinafter, also referred to as “memory amount”) due to a memory effect of a nickel-hydrogen battery has been proposed. This is because the estimation accuracy of the state of charge (SOC) of the nickel-hydrogen battery can be improved by estimating the memory amount. For example, Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2007-333447 (Patent Document 1) calculates an electromotive force of a nickel-hydrogen battery based on the open-circuit voltage of the nickel-hydrogen battery, and calculates the electromotive force using the relationship between the calculated electromotive force and SOC. A state-of-charge estimation device that estimates SOC is disclosed. In the state-of-charge estimation device disclosed in
バッテリの充放電を適切に制御するためには、メモリ量を高精度に推定することが求められる。特許文献1に開示の技術ではメモリ量の推定精度に改善の余地が存在する。
In order to properly control the charge/discharge of the battery, it is necessary to estimate the memory amount with high accuracy. In the technique disclosed in
また、一般に電池システムでは、バッテリの保護を目的として、バッテリの充放電に制限が設けられる。より詳細には、バッテリへの充電電力がその制御上限値を示す充電電力上限値Winを上回らず、かつ、バッテリからの放電電力がその制御上限値を示す放電電力上限値Woutを上回らないようにバッテリの充放電が制御される。また、バッテリの電圧には、その使用範囲の上限値ULと下限値LLとが定められており、電圧が上限値ULを上回らず、かつ、電圧が下限値LLを下回らないようにバッテリの充放電が制御される。 In addition, generally, in a battery system, charging and discharging of the battery are limited for the purpose of protecting the battery. More specifically, the charging power to the battery does not exceed the charging power upper limit value Win indicating the control upper limit value, and the discharging power from the battery does not exceed the discharging power upper limit value Wout indicating the control upper limit value. The charge/discharge of the battery is controlled. In addition, the upper limit value UL and the lower limit value LL of the usage range are defined for the voltage of the battery, and the battery is charged so that the voltage does not exceed the upper limit value UL and the voltage does not fall below the lower limit value LL. The discharge is controlled.
バッテリからの放電時の電圧は、放電が行われていないときの電圧(OCV:Open Circuit Voltage)よりも放電による電圧降下量だけ低下するので、放電電力が大きいほど電圧が低くなる。バッテリに放電側のメモリ効果が生じた場合には、メモリ効果が生じていない正常時と比べて電圧が低くなり、バッテリの放電に伴い電圧が下限値LLに達しやすくなる。したがって、電圧が下限値LLを下回らないようにするためには、放電電力上限値Wout(絶対値)を正常時と比べて低く設定することが望ましい。しかしながら、放電電力上限値Woutを低く設定し過ぎると、バッテリを保護することはできるものの、バッテリの放電が過度に制限されてバッテリを十分に活用することができない可能性がある。 Since the voltage when the battery is discharged is lower than the voltage (OCV: Open Circuit Voltage) when the battery is not discharged, by the amount of voltage drop due to the discharge, the voltage becomes lower as the discharge power increases. When the memory effect on the discharge side occurs in the battery, the voltage becomes lower than in the normal time when the memory effect does not occur, and the voltage easily reaches the lower limit value LL as the battery discharges. Therefore, in order to prevent the voltage from falling below the lower limit value LL, it is desirable to set the discharge power upper limit value Wout (absolute value) lower than in the normal state. However, if the discharge power upper limit value Wout is set too low, the battery can be protected, but the discharge of the battery may be excessively limited and the battery may not be fully utilized.
逆に、バッテリへの充電時の電圧は、充電が行われていないときの電圧(OCV)よりも上昇し、充電電力が大きいほど電圧が高くなる。バッテリに充電側のメモリ効果が生じた場合には、電圧が正常時と比べて高くなるので、バッテリの充電に伴い電圧が上限値ULに達しやすくなる。したがって、電圧が上限値ULを上回らないようにするためには、充電電力上限値Win(絶対値)を正常時と比べて低く設定することが望ましい。しかしながら、充電電力上限値Winを低く設定し過ぎると、バッテリを保護することはできるものの、バッテリの充電が過度に制限されてバッテリを十分に活用することができない可能性がある。 On the contrary, the voltage when charging the battery is higher than the voltage (OCV) when the battery is not charged, and the higher the charging power, the higher the voltage. When the memory effect on the charging side occurs in the battery, the voltage becomes higher than that in the normal state, so that the voltage easily reaches the upper limit value UL as the battery is charged. Therefore, in order to prevent the voltage from exceeding the upper limit value UL, it is desirable to set the charging power upper limit value Win (absolute value) lower than in the normal state. However, if the charging power upper limit Win is set too low, the battery can be protected, but charging of the battery may be excessively limited and the battery may not be fully utilized.
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、ニッケル水素電池を含むバッテリのメモリ量を高精度に推定するとともに、バッテリを適切に保護しつつバッテリを十分に活用するための技術を提供することである。 The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to accurately estimate the memory amount of a battery including a nickel-hydrogen battery and to fully utilize the battery while appropriately protecting the battery. To provide the technology for
本発明のある局面に従う電池システムは、外部機器に電力を供給する。電池システムは、ニッケル水素電池を含むバッテリと、バッテリと外部機器との間で電力を変換可能に構成された電力変換装置と、制御装置とを備える。制御装置は、バッテリへの充電電力が充電電力の制御上限値を上回らず、かつ、バッテリからの放電電力が放電電力の制御上限値を上回らないように電力変換装置を制御する。制御装置は、バッテリのメモリ効果による電圧変化量を示すメモリ量とバッテリの使用開始時からの経過時間との対応関係を示すデータを記憶する。データは、バッテリの開放電圧と温度とを含んで定義された使用条件毎に区分して定められる。制御装置は、記憶されたデータを参照して使用条件の区分が変化しない時間内でのメモリ量を逐次算出するとともに、算出されたメモリ量を使用開始時から積算することによってバッテリの現在のメモリ量を推定し、推定されたメモリ量を用いて充電電力の制御上限値および放電電力の制御上限値を設定する。 A battery system according to an aspect of the present invention supplies electric power to an external device. The battery system includes a battery including a nickel-hydrogen battery, a power conversion device configured to convert power between the battery and an external device, and a control device. The control device controls the power conversion device so that the charging power to the battery does not exceed the control upper limit value of the charging power and the discharging power from the battery does not exceed the control upper limit value of the discharging power. The control device stores data indicating a correspondence relationship between a memory amount indicating a voltage change amount due to a memory effect of the battery and an elapsed time from the start of use of the battery. The data is defined separately for each use condition defined including the open circuit voltage and temperature of the battery. The control device sequentially refers to the stored data to sequentially calculate the memory amount within a period in which the category of the usage condition does not change, and the current memory of the battery is calculated by integrating the calculated memory amount from the start of use. The amount of charge is estimated, and the control upper limit value of charging power and the control upper limit value of discharging power are set using the estimated memory amount.
本発明者らの実験結果(後述)によれば所定期間中に生じたメモリ量を設定する主要因がニッケル水素電池の開放電圧と温度とであるところ、上記構成によれば、推定装置には、ニッケル水素電池の使用開始時からの経過時間とメモリ量との対応関係を示すデータが、ニッケル水素電池の開放電圧と温度とを含んで定義された使用条件毎に記憶されている。したがって、推定装置は、ニッケル水素電池の使用条件に対応するデータを参照することにより、使用条件の区分が変化しない時間内でのメモリ量を高精度に算出することができる。そして、高精度に算出されたメモリ量を積算することによって、ニッケル水素電池の現在のメモリ量についても高精度に推定することができる。 According to the results of experiments by the present inventors (described later), the main factors that set the memory amount generated during the predetermined period are the open-circuit voltage and the temperature of the nickel-metal hydride battery. Data indicating the correspondence between the elapsed time from the start of use of the nickel-hydrogen battery and the memory amount is stored for each usage condition defined including the open-circuit voltage and the temperature of the nickel-hydrogen battery. Therefore, the estimation device can highly accurately calculate the memory amount within the time when the category of the usage condition does not change by referring to the data corresponding to the usage condition of the nickel hydrogen battery. Then, by accumulating the memory amounts calculated with high accuracy, the current memory amount of the nickel hydrogen battery can also be estimated with high accuracy.
さらに、上記構成によれば、上述のようにして推定されたメモリ量を用いて充電電力上限値および放電電力上限値が設定される。このメモリ量は高精度に推定されたものであるため、充電電力上限値を小さく設定し過ぎてバッテリを十分に活用することができなかったり、あるいは充電電力上限値を大きく設定し過ぎてバッテリを適切に保護することができなかったりすることが防止される。放電電力上限値についても同様である。すなわち、バッテリを適切に保護しつつバッテリを十分に活用することが可能になる。 Further, according to the above configuration, the charge power upper limit value and the discharge power upper limit value are set using the memory amount estimated as described above. Since this memory amount is estimated with high accuracy, the charging power upper limit value is set too low to make full use of the battery, or the charging power upper limit value is set too high to reduce the battery capacity. Failure to protect properly is prevented. The same applies to the discharge power upper limit value. That is, it becomes possible to fully utilize the battery while appropriately protecting the battery.
本発明によれば、ニッケル水素電池を含むバッテリのメモリ量を高精度に推定するとともに、バッテリを適切に保護しつつバッテリを十分に活用することができる。 According to the present invention, it is possible to accurately estimate the memory amount of a battery including a nickel-hydrogen battery, and to fully utilize the battery while appropriately protecting the battery.
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. It should be noted that the same or corresponding parts in the drawings are designated by the same reference numerals and the description thereof will not be repeated.
以下では、本発明の本実施の形態に係る電池システムがハイブリッド車に搭載される構成を例に説明する。しかし、本実施の形態に係る電池システムが搭載可能な車両はハイブリッド車に限定されず、電気自動車であってもよいし、燃料自動車であってもよい。また、電池システムの用途は車両用に限定されるものではなく、定置用であってもよい。 Hereinafter, a configuration in which the battery system according to the present embodiment of the present invention is mounted on a hybrid vehicle will be described as an example. However, the vehicle in which the battery system according to the present embodiment can be mounted is not limited to a hybrid vehicle, and may be an electric vehicle or a fuel vehicle. Further, the use of the battery system is not limited to the vehicle use, and may be the stationary use.
[実施の形態]
<車両構成>
図1は、本実施の形態に係る電池システムが搭載されたハイブリッド車の全体構成を概略的に示すブロック図である。車両1は、ハイブリッド自動車、電気自動車または燃料自動車であって、モータジェネレータ(MG:Motor Generator)10と、動力伝達ギア20と、駆動輪30と、電力制御ユニット(PCU:Power Control Unit)40と、システムメインリレー(SMR:System Main Relay)50と、電池システム2とを備える。電池システム2は、バッテリ100と、電圧センサ210と、電流センサ220と、温度センサ230と、電子制御ユニット(ECU:Electronic Control Unit)300とを備える。
[Embodiment]
<Vehicle configuration>
FIG. 1 is a block diagram schematically showing the overall configuration of a hybrid vehicle equipped with the battery system according to the present embodiment. The
モータジェネレータ10は、たとえば三相交流回転電機である。モータジェネレータ10の出力トルクは、減速機および動力分割機構を含んで構成された動力伝達ギア20を介して駆動輪30に伝達される。モータジェネレータ10は、車両1の回生制動動作時には、駆動輪30の回転力によって発電することも可能である。モータジェネレータ10に加えてエンジン(図示せず)が搭載されたハイブリッド自動車では、エンジンおよびモータジェネレータ10を協調的に動作させることによって必要な車両駆動力を発生させる。なお、図1ではモータジェネレータが1つだけ設けられる構成が示されるが、モータジェネレータの数はこれに限定されず、モータジェネレータを複数(たとえば2つ)設ける構成としてもよい。
PCU40は、いずれも図示しないが、インバータとコンバータとを含む。バッテリ100の放電時には、コンバータは、バッテリ100から供給された電圧を昇圧してインバータに供給する。インバータは、コンバータから供給された直流電力を交流電力に変換してモータジェネレータ10を駆動する。一方、バッテリ100の充電時には、インバータは、モータジェネレータ10によって発電された交流電力を直流電力に変換してコンバータに供給する。コンバータは、インバータから供給された電圧を降圧してバッテリ100に供給する。
Although not shown,
SMR50は、バッテリ100とPCU40とを結ぶ電流経路に電気的に接続されている。SMR50がECU300からの制御信号に応じて閉成されている場合、バッテリ100とPCU40との間で電力の授受が行なわれ得る。
The
バッテリ100は、再充電が可能に構成された直流電源であり、本実施の形態ではニッケル水素電池を含んで構成される。バッテリ100に含まれる各セル101の詳細な構成については図2にて説明する。
電圧センサ210は、バッテリ100の電圧Vbを検出する。電流センサ220は、バッテリ100に入出力される電流Ibを検出する。温度センサ230は、バッテリ100の温度Tbを検出する。各センサは、その検出結果をECU300に出力する。なお、電圧センサは、セル毎に1つずつ設けられていてもよいし、複数個のセル(たとえば数個)毎に1つずつ設けられていてもよい。この場合は、各セルまたは複数個のセル毎にメモリ量(後述)を推定してもよい。同様に、温度センサもセル毎に1つずつ設けられていてもよいし、複数個のセル毎に1つずつ設けられていてもよい。
The
ECU300は、CPU(Central Processing Unit)301と、メモリ(ROM(Read Only Memory)およびRAM(Random Access Memory))302と、タイマ303と、入出力バッファ(図示せず)と等を含んで構成される。ECU300は、各センサから受ける信号、ならびにメモリ302に記憶されたマップおよびプログラムに基づいて、車両1および電池システム2が所望の状態となるように各機器を制御する。ECU300により実行される主要な処理として、バッテリ100に生じたメモリ効果による電圧変化量の推定処理と、推定された電圧変化量に基づく充電電力上限値Winおよび放電電力上限値Woutの設定処理とが挙げられるが、これらの処理については後述する。
The
図2は、バッテリ100に含まれるセル101の構成を示す図である。各セル101の構成は共通であるため、図2では1つのセル101のみを代表的に示す。セル101は、たとえば角形密閉式のセルであり、ケース102と、ケース102に設けられた安全弁103と、ケース102内に収容された電極体104および電解液(図示せず)とを含む。なお、図2ではケース102の一部を透視して電極体104を示す。
FIG. 2 is a diagram showing a configuration of the
ケース102は、いずれも金属からなるケース本体および蓋体を含み、蓋体がケース本の開口部上で全周溶接されることにより密閉される。安全弁103は、ケース102内部の圧力が所定値を超えると、ケース102内部のガス(水素ガス等)の一部を外部に排出する。電極体104は、正極板と、負極板と、セパレータとを含む。正極板は袋状のセパレータ内に挿入されており、セパレータ内に挿入された正極板と、負極板とが交互に積層されている。正極板および負極板は、図示しない正極端子および負極端子にそれぞれ電気的に接続される。
The
電極体104および電解液の材料としては従来公知の各種材料を用いることができる。本実施の形態においては、一例として、正極板には、水酸化ニッケル(Ni(OH)2またはNiOOH)を含む正極活物質層と、発泡ニッケルなどの活物質支持体とを含む電極板が用いられる。負極板には、水素吸蔵合金を含む電極板が用いられる。セパレータには、親水化処理された合成繊維からなる不織布が用いられる。電解液には、水酸化カリウム(KOH)または水酸化ナトリウム(NaOH)などを含むアルカリ水溶液が用いられる。
As the material of the
<バッテリのメモリ効果>
以上のように構成された電池システム2において、バッテリ100のメモリ効果による電圧変化量(電圧降下量または電圧上昇量)を示す「メモリ量」を高精度に推定することが求められる。
<Memory effect of battery>
In the battery system 2 configured as described above, it is required to highly accurately estimate the “memory amount” indicating the voltage change amount (voltage drop amount or voltage increase amount) due to the memory effect of the
本発明者は、後述する3種類の実験結果から、メモリ量の大きさを定める主要因として、バッテリ100の電圧Vb(より詳細には開放電圧)および温度Tbに関する条件に着目した。以下では、バッテリ100の開放電圧(OCV:Open Circuit Voltage)と温度Tbとの組合せを含んで定義される条件をバッテリ100の「使用条件」とも称する。さらに、本発明者は、ある期間中に生じたメモリ量を推定する際には、その期間以前のバッテリ100の「使用条件」については考慮しなくてよいことに着目した(後述)。
The present inventor has focused on conditions relating to the voltage Vb (more specifically, the open circuit voltage) of the
これらの知見に基づいて、本実施の形態においては、所定期間中に生じたメモリ量を逐次積算することによって、その積算値である総量としてのメモリ量(以下「積算メモリ量」とも称する)を推定する。このような手法を採用することにより、実験結果またはシミュレーション結果を用いて所定期間中のメモリ量を高精度に推定することができれば、その積算メモリ量についても高精度に推定することが可能になるためである。以下、この手法について詳細に説明する。 Based on these findings, in the present embodiment, the memory amount as a total amount (hereinafter also referred to as “integrated memory amount”) that is the integrated value is calculated by sequentially integrating the memory amounts generated during a predetermined period. presume. By adopting such a method, if the memory amount during a predetermined period can be estimated with high accuracy by using the experimental result or the simulation result, the accumulated memory amount can also be estimated with high accuracy. This is because. Hereinafter, this method will be described in detail.
図3は、本発明者が実施した3種類の実験結果を説明するための図である。図3(A)に示すように、3種類の実験とは、バッテリ100の定電圧試験、放置試験およびサイクル試験である。
FIG. 3 is a diagram for explaining the results of three types of experiments conducted by the present inventor. As shown in FIG. 3A, the three types of experiments are a constant voltage test, a standing test, and a cycle test of the
定電圧試験とは、所定期間(図3に示す例では数日間)、図示しない外部電源を用いてバッテリ100外部からバッテリ100に電圧を印加することによってバッテリ100の電圧Vbを一定に保持する試験である。放置試験とは、外部電源による電圧印加を行なうことなく所定期間、バッテリ100を放置する試験である。放置試験ではバッテリ100の自己放電によるSOC低下の影響が現れるのに対し、定電圧試験では自己放電によるSOC低下の影響が現れない。したがって、これらの試験結果を比較することによって、バッテリ100の自己放電がメモリ量に与える影響の大きさを求めることができる。
The constant voltage test is a test in which the voltage Vb of the
サイクル試験とは、所定期間、所定のSOC幅でバッテリ100の充放電を繰り返し行なう試験である。充放電電流の大きさが互いに異なる複数のサイクル試験の結果を比較することによって、充放電電流がメモリ量に与える影響の大きさを求めることができる。
The cycle test is a test in which the
バッテリ100の温度TbがT1(室温)の場合と、温度TbがT1よりも高いT2(高温)の場合とで、いずれも等しい期間(上記所定期間)に亘って3種類の試験を実施した結果を図3(B)に示す。白い正方形のマーカは温度T1における定電圧試験結果を示し、白い円形のマーカは温度T1における放置試験結果を示し、白い菱形のマーカは温度T1におけるサイクル試験結果を示す。黒い正方形のマーカは温度T2における定電圧試験結果を示し、黒い円形のマーカは温度T2における放置試験結果を示し、黒い菱形のマーカは温度T2におけるサイクル試験結果を示す。
As a result of performing three types of tests over the same period (the above predetermined period) when the temperature Tb of the
図3(B)において、横軸はバッテリ100(あるいは各セル101)のOCVを表し、縦軸はメモリ量(ここでは放電時の電圧低下量)Mを表す。図4(B)に示すように、OCVが所定範囲内の場合にメモリ量Mが特に大きい。また、バッテリ100の温度Tbが高いほどメモリ量Mが大きくなる。これらの結果から、バッテリ100のOCVと温度Tbとの組合せにより定義される使用条件(OCV,Tb)に応じて、所定期間中に生じたメモリ量が定まることが分かる。
In FIG. 3B, the horizontal axis represents the OCV of the battery 100 (or each cell 101), and the vertical axis represents the memory amount (here, the voltage drop amount during discharging) M. As shown in FIG. 4B, the memory amount M is particularly large when the OCV is within the predetermined range. Further, the higher the temperature Tb of the
その一方で、各温度T1,T2において、定電圧試験結果(正方形のマーカ参照)と放置試験結果(円形のマーカ参照)とは互いに近い箇所にプロットされる。このことから、バッテリ100の自己放電がメモリ量に与える影響が相対的に小さいことが分かる。さらに、サイクル試験結果(菱形マーカ参照)も他の2つの試験結果(正方形および円形のマーカ参照)に近い箇所にプロットされる。このことから、バッテリ100の充放電電流についてもメモリ量に与える影響が比較的小さいことが分かる。
On the other hand, at each of the temperatures T1 and T2, the constant voltage test result (see the square marker) and the leaving test result (see the circular marker) are plotted at positions close to each other. From this, it can be seen that the influence of the self-discharge of the
なお、OCVとSOCとの間には相関関係が存在するので、OCVに代えてSOCを横軸に用いた場合でも図3(B)と同様の結果が得られる。また、図3では放電側のメモリ効果について代表的に説明したが、電圧変化量の符号が異なるものの、充電側のメモリ効果についても使用条件(OCV,Tb)によってメモリ量を定義することができる。 Since there is a correlation between OCV and SOC, the same result as in FIG. 3B can be obtained even when SOC is used instead of OCV on the horizontal axis. Further, although the discharge side memory effect is described as a representative in FIG. 3, the charge side memory effect can also be defined by the use condition (OCV, Tb) although the sign of the voltage change amount is different. .
図3に一例を示した実験を様々な使用条件(OCV,Tb)下で行なうことによって、バッテリ100の使用開始時からの時間の経過とともに生じるメモリ量を使用条件(OCV,Tb)に応じて推定することが可能になる。
By performing the experiment shown in FIG. 3 under various usage conditions (OCV, Tb), the amount of memory generated with the passage of time from the start of use of the
図4は、各使用条件下での経過時間とメモリ量との対応関係を示すタイムチャートである。図4において、横軸はバッテリ100の使用開始時からの経過時間を表し、縦軸はメモリ量を表す。なお、バッテリ100の使用開始時(経過時間の初期値)は、バッテリ100の製造時であってもよいし、バッテリ100の完全リフレッシュ充放電時(バッテリ100に生じたメモリ効果を完全に解消するための充放電時)であってもよい。
FIG. 4 is a time chart showing the correspondence relationship between the elapsed time and the memory amount under each use condition. In FIG. 4, the horizontal axis represents the elapsed time from the start of use of the
上述の実験を使用条件毎に実施することにより、図4に示すように、時間経過に伴うメモリ量の増加を示す曲線を使用条件毎に取得することができる。なお、図4および後述する図5では、理解を容易にするため、3種類の使用条件P〜Rにそれぞれ対応する曲線CP〜CRが取得される例について説明するが、実際にはより多くの使用条件について同様の曲線が取得される。 By carrying out the above-mentioned experiment for each use condition, as shown in FIG. 4, a curve showing an increase in the memory amount with the passage of time can be obtained for each use condition. Note that, in FIG. 4 and FIG. 5 to be described later, an example in which the curves C P to C R respectively corresponding to the three types of use conditions P to R are acquired will be described in order to facilitate understanding. Similar curves are obtained for many conditions of use.
<積算メモリ量推定処理>
使用条件P〜R下で生じたメモリ量を曲線CP〜CRを参照することでそれぞれ算出し、算出されたメモリ量を積算する処理を繰り返し実行することによって「積算メモリ量」を推定することができる。この処理を「積算メモリ量推定処理」とも称し、以下に詳細に説明する。
<Integrated memory amount estimation processing>
The memory amounts generated under the use conditions P to R are calculated by referring to the curves C P to C R , respectively, and the “integrated memory amount” is estimated by repeatedly executing the process of integrating the calculated memory amounts. be able to. This process is also referred to as "integrated memory amount estimation process" and will be described in detail below.
図5は、本実施の形態における積算メモリ量推定処理を説明するためのタイムチャートである。図5(A)において、横軸はバッテリ100の使用開始時からの経過時間を表し、縦軸は使用条件を表す。図5(A)では、所定期間Δt毎に使用条件が判定され、使用条件がP,Q,Rの順に変化する場合について説明する。使用条件P,Q,R下での期間をLP,LQ,LRでそれぞれ示す。
FIG. 5 is a time chart for explaining the integrated memory amount estimation processing according to the present embodiment. In FIG. 5A, the horizontal axis represents the elapsed time from the start of using the
図5(B)において、横軸はバッテリ100の使用開始時からの経過時間を表し、縦軸はメモリ量を表す。まず、使用条件P下では、曲線CPを参照して所定期間Δt毎にメモリ量Mを逐次積算する。その結果、使用条件P下で期間LPが経過する間に生じたメモリ量はMPになる。メモリ量Mの積算結果を「積算メモリ量ΣM」と記載すると、期間LPが経過したときの積算メモリ量ΣMはMPである。
In FIG. 5B, the horizontal axis represents the elapsed time from the start of using the
次に、使用条件がPからQへと変化すると、積算メモリ量ΣM=MPに対応する曲線CQ(図5に示した曲線CQを時間軸方向にLPだけ平行移動した曲線)上の点から曲線CQを参照して、所定期間Δt毎にメモリ量Mを逐次積算する。使用条件Q下で期間LQが経過する間に生じたメモリ量がMQである場合、期間LQが経過したときの積算メモリ量ΣMは、MPとMQとの和(MP+MQ)である。 Next, when the use conditions are changed to Q from P, the integrated memory amount? M = curve corresponding to M P C Q (curve was translated by L P curve C Q in the time axis direction shown in FIG. 5) above From this point, the memory amount M is sequentially integrated for each predetermined period Δt with reference to the curve C Q. If the amount of memory that occurred during the period L Q under use conditions Q has elapsed is M Q, period L Q is accumulated memory amount ΣM when the elapsed, M P and M Q and the sum (M P + M Q ).
さらに、使用条件がQからRへと変化すると、積算メモリ量ΣM=(MP+MQ)に対応する曲線CR(図4に示した曲線CRを時間軸方向に(LP+LQ)だけ平行移動した曲線)上の点から曲線CRを参照して、所定期間Δt毎にメモリ量Mを逐次積算する。使用条件R下で期間LRが経過する間に生じたメモリ量がMRである場合、全期間(LP+LQ+LRの期間)に生じた積算メモリ量ΣMは、MPとMQとMRとの和(MP+MQ+MR)である。 Furthermore, the use conditions are changed to R from Q, the integrated amount of memory ΣM = (M P + M Q ) corresponding to the curve C R (curve C R shown in the time axis direction in FIG. 4 (L P + L Q) The curve C R is referred to from the point on the curve that has been moved in parallel), and the memory amount M is sequentially integrated for each predetermined period Δt. If the amount of memory that occurred during the period L R under use conditions R has elapsed is M R, the integrated amount of memory ΣM caused the entire period (L P + L Q + L R ) is, M P and M Q And M R (M P +M Q +M R ).
このように、本実施の形態では、使用条件の変化に伴い異なる曲線へと移行して積算メモリ量ΣMを算出する際に、移行前の曲線に従って算出された積算メモリ量ΣMの引き継が可能であることを前提としている。すなわち、ある曲線に従って積算メモリ量ΣMが所定値に達した場合と、他の曲線に従って積算メモリ量ΣMと上記所定値に達した場合とでは、メモリ効果に影響を与えるバッテリ100の状態(主に正極活物質層の状態)が互いに等しいとの電気化学的知見を前提としている。
As described above, in the present embodiment, when the integrated memory amount ΣM is calculated by shifting to a different curve according to the change of the use condition, the integrated memory amount ΣM calculated according to the curve before the transition can be taken over. It is assumed that. That is, when the integrated memory amount ΣM reaches a predetermined value according to a certain curve and when the integrated memory amount ΣM and the above predetermined value are reached according to another curve, the state of the
以上のように、本実施の形態では、所定期間Δt毎に使用条件P〜Rに応じたメモリ量Mを算出し、算出されたメモリ量Mを遂次積算する処理を繰り返し実行することによって、全期間にわたって生じた積算メモリ量ΣMを算出することができる。 As described above, in the present embodiment, the memory amount M according to the usage conditions P to R is calculated for each predetermined period Δt, and the process of sequentially integrating the calculated memory amount M is repeatedly executed, The integrated memory amount ΣM generated over the entire period can be calculated.
上記の内容は漸化式を用いて説明することができる。すなわち、下記式(1)に示すように、N回目の積算処理での積算メモリ量ΣM(N)は、(N−1)回目の積算処理までの積算メモリ量ΣM(N−1)に、(N−1)回目の積算処理時からN回目の積算処理時までの間(所定期間Δtの間)の使用条件に応じたメモリ量M(N)を加算することによって算出することができる。なお、Nは自然数である。 The above contents can be explained using a recurrence formula. That is, as shown in the following equation (1), the integrated memory amount ΣM(N) in the Nth integration process is equal to the integrated memory amount ΣM(N−1) up to the (N−1)th integration process, It can be calculated by adding the memory amount M(N) according to the usage condition from the time of the (N−1)th integration process to the time of the Nth integration process (during the predetermined period Δt). Note that N is a natural number.
ΣM(N)=ΣM(N−1)+M(N) ・・・(1)
<積算メモリ量推定処理フロー>
図6は、本実施の形態における積算メモリ量推定処理を示すフローチャートである。図6および後述する図9に示すフローチャートは、所定周期毎または所定条件が成立する度にメインルーチン(図示せず)から呼び出されて実行される。これらのフローチャートに含まれる各ステップ(以下「S」と略す)は、基本的にはECU300によるソフトウェア処理によって実現されるが、その一部または全部がECU300内に作製されたハードウェア(電気回路)によって実現されてもよい。
ΣM(N)=ΣM(N-1)+M(N) (1)
<Integrated memory amount estimation processing flow>
FIG. 6 is a flowchart showing the integrated memory amount estimation processing according to the present embodiment. The flowchart shown in FIG. 6 and FIG. 9 to be described later is called and executed from a main routine (not shown) every predetermined period or every time a predetermined condition is satisfied. Each step (hereinafter abbreviated as “S”) included in these flow charts is basically realized by software processing by the
図6に示すフローチャートの処理が繰り返し実行されることにより、積算メモリ量ΣMが順次更新される。このフローチャートはN回目の積算処理を示し、(N−1)回目(前回)の積算処理時までの積算メモリ量ΣM(N−1)がメモリに記憶されている。 The accumulated memory amount ΣM is sequentially updated by repeatedly executing the processing of the flowchart shown in FIG. 6. This flowchart shows the Nth integration process, and the accumulated memory amount ΣM(N−1) up to the (N−1)th (previous) integration process is stored in the memory.
S110において、ECU300は、(N−1)回目の積算処理時までの積算メモリ量ΣM(N−1)をメモリから読み出す。
In step S110, the
S120において、ECU300は、電圧センサ210および電流センサ220をそれぞれ用いてバッテリ100の電圧Vb(N)および電流Ib(N)を取得する。そして、ECU300は、電圧Vb(N)から充放電電流による電圧降下量(=Ib(N)×R)を減算してOCV(N)を算出する。なお、バッテリ100の内部抵抗をRで示す。
In S120,
S130において、ECU300は、温度センサ230を用いてバッテリ100の温度Tb(N)を取得する。これにより、マップMP1において参照すべき使用条件(OCV(N)と温度Tb(N)との組合せ)が設定される。
In S130,
S140において、ECU300は、所定期間Δtが経過するまで待機する。メモリ量Mを適切に算出するためには、所定期間Δtだけ待機している間に使用条件の区分が変化しないことが求められる。よって、所定期間Δtは、待機中に使用条件の区分が変化しない時間に定めることが好ましい。
In S140,
S150において、ECU300は、メモリに記憶されたマップMP1から使用条件(OCV(N),Tb(N))に対応する曲線を参照して、所定期間Δtに生じたメモリ量M(N)を算出する。この処理については図6(B)にて詳細に説明したため、説明は繰り返さない。
In S150, the
S160において、ECU300は、S110にて読み出した(N−1)回目の積算処理までの積算メモリ量ΣM(N−1)にS150にて算出されたメモリ量M(N)を加算することによって、N回目の積算処理までの積算メモリ量ΣM(N)を算出する(上記式(1)参照)。なお、車両1の出荷時には積算メモリ量の初期値ΣM(0)が、たとえば0に設定される。また、バッテリ100のリフレッシュ充放電の実行後にも積算メモリ量の初期値ΣM(0)を0に設定してもよい。
In S160, the
S170において、ECU300は、図6に示すフローチャートが次回呼び出された場合に備えて、S160にて算出された積算メモリ量ΣM(N)をメモリに記憶する。
In S170,
以上のように、本発明者らの実験結果に基づいて予め準備されたマップMP1内の曲線(CP〜CR等)を用いて、所定期間Δt毎に生じたメモリ量Mがバッテリ100の使用条件(OCVおよび温度Tb)に応じて算出される。使用条件に上記パラメータを採用することにより、所定期間Δt毎のメモリ量Mを高精度に推定することができる。さらに、上記曲線間で積算メモリ量ΣMを引き継ぐことが可能であるとの電気化学的知見に基づく前提の下、高精度に算出されたメモリ量Mを逐次積算することによって積算メモリ量ΣMが算出される。これにより、積算メモリ量ΣMについても高精度に推定することができる。
As described above, by using the curves (C P to C R etc.) in the map MP1 prepared in advance based on the results of the experiments by the present inventors, the memory amount M generated at every predetermined period Δt of the
なお、図6では「所定期間」Δt毎にメモリ量Mを推定する処理を例に説明したが、一定周期でメモリ量Mを推定することは必須ではない。所定期間Δtの長さは、たとえばバッテリ100の使用条件またはECU300の演算負荷の状況等に応じた可変値としてもよい。あるいは、バッテリ100の使用条件を監視し、使用条件が変化したことをトリガとして(言い換えれば曲線CP〜CR間を移行すべきことをトリガとして)メモリ量Mを推定するようにしてもよい。この場合には、使用条件がある条件から他の条件へと変化するまでの期間(図5(B)における期間LP,LQ,LR)が「所定期間」に相当する。これにより、メモリ量Mの推定回数を低減してECU300の演算負荷を低減することができる。
Although the process of estimating the memory amount M for each “predetermined period” Δt has been described as an example in FIG. 6, it is not essential to estimate the memory amount M at a constant cycle. The length of the predetermined period Δt may be a variable value according to, for example, the usage condition of the
<充放電電力の制限>
以上のように構成された車両1においては、バッテリ100の保護を目的として、バッテリ100の充放電に制限が設けられる。より詳細には、バッテリ100への充電電力が充電電力上限値Winを上回らず、かつ、バッテリ100からの放電電力が放電電力上限値Woutを上回らないようにバッテリ100の充放電が制御される。さらに、バッテリ100の電圧Vbには、その使用範囲の上限値ULと下限値LLとが定められており、電圧Vbが上限値ULを上回らず、かつ、電圧Vbが下限値LLを下回らないようにバッテリ100の充放電が制御される。
<Limit of charge/discharge power>
In the
ここで、バッテリ100からの放電時の電圧Vbは、放電が行われていないときの電圧Vb(OCV)よりも放電による電圧降下量だけ低下するので、放電電力が大きいほど電圧Vbが低くなる。バッテリ100に放電側のメモリ効果が生じた場合には、メモリ効果が生じていない正常時と比べて電圧Vbが低くなり、バッテリ100の放電に伴い電圧Vbが下限値LLに達しやすくなる。したがって、電圧Vbが下限値LLを下回らないようにするためには、放電電力上限値Wout(絶対値)を正常時と比べて低く設定することが望ましい(言い換えると放電電力上限値Woutを絞ることが望ましい)。しかしながら、放電電力上限値Woutを低く設定し過ぎると、バッテリ100を保護することはできるものの、バッテリ100の放電が過度に制限されてバッテリ100を十分に活用することができない可能性がある。
Here, since the voltage Vb when the
逆に、バッテリ100への充電時の電圧Vbは、充電が行われていないときの電圧Vb(OCV)よりも上昇し、充電電力が大きいほど電圧Vbが高くなる。バッテリ100に充電側のメモリ効果が生じた場合には、電圧Vbが正常時と比べて高くなるので、バッテリ100の充電に伴い電圧Vbが上限値ULに達しやすくなる。したがって、電圧Vbが上限値ULを上回らないようにするためには、充電電力上限値Win(絶対値)を正常時と比べて小さく設定することが望ましい(言い換えると充電電力上限値Winを絞ることが望ましい)。しかしながら、充電電力上限値Winを小さく設定し過ぎると、バッテリ100を保護することはできるものの、バッテリ100の充電が過度に制限されてバッテリ100を十分に活用することができない可能性がある。
On the contrary, the voltage Vb at the time of charging the
そこで、本実施の形態においては、バッテリ100の放電側の積算メモリ量を示す「放電メモリ量」ΣMdchと、バッテリ100の充電側の積算メモリ量を示す「充電メモリ量」ΣMchgとを算出し、放電メモリ量ΣMdchに応じて放電電力上限値Woutを設定するとともに、充電メモリ量ΣMchgに応じて充電電力上限値Winを設定する制御を実行する。放電メモリ量ΣMdchと充電メモリ量ΣMchgとは、図6に示した積算メモリ量推定処理により別々に(互いに独立に)算出される。そして、充電電力上限値Winおよび放電電力上限値Woutは、以下に示すようなマップMP2を用いて充電メモリ量ΣMchgおよび放電メモリ量ΣMdchからそれぞれ設定することができる。
Therefore, in the present embodiment, a “discharge memory amount” ΣMdch indicating the discharge side integrated memory amount of the
図7は、充電電力上限値Winおよび放電電力上限値Woutを設定するためのマップMP2の一例を示す図である。図7には、マップMP2を概念的に示すグラフが示されている。横軸は、バッテリ100の温度Tbを示す。縦軸上方にはバッテリ100の放電電力上限値Woutを示し、縦軸下方にはバッテリ100の充電電力上限値Winを示す。なお、マップMP2は、バッテリ100(あるいはセル101)の内圧Pinに応じて定めることが好ましい(後述)。図7では、内圧PinがP0の場合のマップMP2を示す。
FIG. 7 is a diagram showing an example of a map MP2 for setting the charging power upper limit value Win and the discharging power upper limit value Wout. FIG. 7 shows a graph conceptually showing the map MP2. The horizontal axis represents the temperature Tb of the
温度Tbが所定値未満の場合には、バッテリ100の電解液が凍結している可能性があるためバッテリ100の充放電が禁止される。よって、放電電力上限値Woutおよび充電電力上限値Winは、いずれも0に設定される。
When the temperature Tb is lower than the predetermined value, the electrolyte of the
温度Tbが所定値以上になると、バッテリ100の充放電が許容される。放電電力上限値Wout(絶対値)は、温度Tbが高くなるに従って高く設定される。なお、図示しないが、バッテリ100保護の観点から所定温度以上では充電電力上限値Winおよび放電電力上限値Woutを0に設定してもよい。一方、図7では放電メモリ量ΣMdchがD0〜D3(D0<D1<D2<D3)の場合を示すところ、放電メモリ量ΣMdchが大きいほど、同じ温度Tbにおける放電電力上限値Woutは低く設定される。
When the temperature Tb becomes equal to or higher than a predetermined value, charging/discharging of the
充電電力上限値Win(絶対値)についても同様に、温度Tbが高くなるに従って高く設定される。一方、充電メモリ量ΣMchgが大きいほど、同じ温度Tbにおける充電電力上限値Winは低く設定される。図7に示すような関係がマップMP2としてECU300のメモリ302に記憶される。
Similarly, the charging power upper limit value Win (absolute value) is set higher as the temperature Tb increases. On the other hand, the larger the charging memory amount ΣMchg, the lower the charging power upper limit value Win at the same temperature Tb is set. The relationship as shown in FIG. 7 is stored in the
ここでは、バッテリ100の放電メモリ量ΣMdchを算出し、その算出結果に応じてバッテリ100の放電電力上限値Woutを設定する制御を例に説明する。以下、この制御をバッテリ100の放電電力上限値制御とも称する。
Here, an example will be described in which the discharge memory amount ΣMdch of the
図8は、本実施の形態におけるバッテリ100の放電電力上限値制御を示すタイムチャートである。図8において、縦軸は、上から順にバッテリ100のSOC、バッテリ100の放電メモリ量ΣMdch、およびバッテリ100の放電電力上限値Woutを示す。横軸は経過時間を示す。図8に示される経過時間の長さは、放電メモリ量ΣMdch(中段に示す)および放電電力上限値Wout(下段に示す)については、たとえば数週間〜数カ月のオーダーである。そのため、明確さのため図示しないが、その間には、車両1のイグニッションオフ(IG−OFF)とイグニッションオフ(IG−ON)とが繰り返されることになる。一方、図8の上段には、中段および下段に示す経過時間の一部分を拡大して示す。すなわち、バッテリ100のSOC(上段に示す)についての経過時間の長さは、たとえばIG−OFFからIG−ONまでの期間であり、具体的にはたとえば数十分間〜数時間のオーダーである。
FIG. 8 is a time chart showing the discharge power upper limit control of
図8に示すように、バッテリ100の使用開始時(たとえばバッテリ100の新品時)(0)においては放電メモリ量ΣMdchは略0である。バッテリ100の放電電力上限値Woutは、バッテリ100の使用開始時の初期値であるWout0である。
As shown in FIG. 8, at the start of use of the battery 100 (for example, when the
車両1の走行に伴い、放電メモリ量ΣMdchは徐々に増加する。そして、放電メモリ量ΣMdchが増加するに従って、放電電力上限値Woutは減少する。放電電力上限値Woutの減少態様は、図7に示したマップMP2を用いて放電メモリ量ΣMdchから設定される。
The discharge memory amount ΣMdch gradually increases as the
時刻t1において放電メモリ量ΣMdchがしきい値THに達すると、バッテリ100のリフレッシュ放電が開始される。リフレッシュ放電は、時刻t1から時刻t2までの期間実行される。リフレッシュ放電により放電メモリ量ΣMdchは減少する。すなわち、バッテリ100のメモリ効果が(少なくとも部分的に)解消される。放電メモリ量ΣMdchが減少するに従って、放電電力上限値Woutは増加する。
When the discharge memory amount ΣMdch reaches the threshold value TH at time t1, the refresh discharge of the
なお、メモリ量推定処理を実行する場合には、リフレッシュ放電(またはリフレッシュ充電)によるメモリ効果の解消度合い(解消量)を予め求めておくことが望ましい。たとえば、リフレッシュ放電時の温度Tbと、リフレッシュ放電時のSOCの変化幅と、リフレッシュ放電によるメモリ効果の解消度合いとの相関関係を実験により予め求めておき、マップ(図示せず)としてメモリ302に記憶させておく。このようなマップを参照することでリフレッシュ放電(またはリフレッシュ充電)を行なう毎の放電メモリ量ΣMdch(または充電メモリ量ΣMchg)の減少量を算出することができる。リフレッシュ放電後(リフレッシュ充電後)には、減少後の放電メモリ量ΣMdch(または充電メモリ量ΣMchg)にメモリ量を再度積算していけばよい。
When the memory amount estimation processing is executed, it is desirable to previously obtain the degree of elimination (elimination amount) of the memory effect due to refresh discharge (or refresh charge). For example, the correlation between the temperature Tb at the time of refresh discharge, the SOC change width at the time of refresh discharge, and the degree of elimination of the memory effect by the refresh discharge is obtained in advance by experiments, and stored in the
また、バッテリ100のSOCは、それまでSOC中心C(たとえばSOC=50%)付近であったところ、リフレッシュ放電に伴い一時的に低下する。なお、上記しきい値THは、放電メモリ量ΣMdchの許容最大値MAXよりも小さな値に予め定められる。
Further, the SOC of the
時刻t2においてリフレッシュ放電が停止されると、上述のように放電メモリ量ΣMdchは再び増加に転じ、それにより放電電力上限値Woutは減少に転じる。また、バッテリ100のSOCはSOC中心Cへと戻る。その後、時刻t3において、放電メモリ量ΣMdchが再びしきい値THに達すると、バッテリ100のリフレッシュ放電が実行される。時刻t3以降の放電メモリ量ΣMdchの減少態様および放電電力上限値Woutの増加態様は、時刻t1から時刻t2までの期間の態様と同等であるため、説明は繰り返さない。
When the refresh discharge is stopped at time t2, the discharge memory amount ΣMdch starts increasing again as described above, and the discharge power upper limit Wout starts decreasing. Further, the SOC of the
図9は、本実施の形態におけるバッテリ100の放電電力上限値制御および充電電力上限値制御を示すフローチャートである。図9(A)はバッテリ100の放電電力上限値制御を示し、図9(B)はバッテリ100の充電電力上限値制御を示す。
FIG. 9 is a flowchart showing discharge power upper limit control and charge power upper limit control of
まず、図9(A)を参照して、S100において、EU300は、上述の積算メモリ量推定処理を実行することによってバッテリ100の放電メモリ量ΣMdchを算出する。
First, with reference to FIG. 9A, in S100,
S11において、ECU300は、マップMP2を参照することによって、S100にて算出した放電メモリ量ΣMdchに対応する放電電力上限値Woutを設定する。その後、図9(A)に示す処理が所定周期毎または所定条件が成立する度に繰り返し実行されることにより、放電電力上限値Woutが車両1の状況に応じた適切な値に維持される。
In S11, the
次に、図9(B)を参照して、S100において、EU300は、積算メモリ量推定処理を実行することによってバッテリ100の充電メモリ量ΣMchgを算出する。
Next, referring to FIG. 9(B), in S100,
S21において、ECU300は、バッテリ100の内圧Pinを算出する。この算出手法は公知であるため、詳細な説明は繰り返さない(たとえば特開2007−53058号公報参照)。
In S21,
S31において、ECU300は、マップMP2を参照することによって、バッテリ100の内圧Pinおよび充電メモリ量ΣMchgに対応する充電電力上限値Winを設定する。なお、充電電力上限値Winを高く設定する際には、内圧Pinがその限界しきい値を下回るように電圧Vbを設定することが望ましい。その後、図9(B)に示す一連の処理が繰り返し実行される。
In S31, the
以上のように、本実施の形態によれば、充電メモリ量ΣMchgを用いて充電電力上限値Winが設定されるとともに、放電メモリ量ΣMdchを用いて放電電力上限値Woutが設定される。充電メモリ量ΣMchgは高精度に推定されたものであるため、充電電力上限値Winを低く設定し過ぎてバッテリ100を十分に活用することができなかったり、あるいは充電電力上限値Winを高く設定し過ぎてバッテリ100を適切に保護することができなかったりすることが防止される。バッテリ100の放電側(すなわち放電電力上限値Wout)についても同様である。したがって、バッテリ100を適切に保護しつつバッテリ100を十分に活用することが可能になる。
As described above, according to the present embodiment, charging power upper limit value Win is set using charging memory amount ΣMchg, and discharging power upper limit value Wout is set using discharging memory amount ΣMdch. Since the charging memory amount ΣMchg is estimated with high accuracy, the charging power upper limit Win is set too low to make full use of the
今回開示された実施の形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 The embodiments disclosed this time are to be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is shown not by the above description of the embodiments but by the claims, and is intended to include meanings equivalent to the claims and all modifications within the scope.
1 車両、2 電池システム、10 モータジェネレータ、20 動力伝達ギア、30 駆動輪、40 PCU、50 SMR、100 バッテリ、101 セル、102 ケース、103 安全弁、104 電極体、210 電圧センサ、220 電流センサ、230 温度センサ、300 ECU、301 CPU、302 メモリ、303 タイマ。 1 vehicle, 2 battery system, 10 motor generator, 20 power transmission gear, 30 drive wheels, 40 PCU, 50 SMR, 100 battery, 101 cell, 102 case, 103 safety valve, 104 electrode body, 210 voltage sensor, 220 current sensor, 230 temperature sensor, 300 ECU, 301 CPU, 302 memory, 303 timer.
Claims (1)
ニッケル水素電池を含むバッテリと、
前記バッテリと前記外部機器との間で電力を変換可能に構成された電力変換装置と、
前記バッテリへの充電電力が前記充電電力の制御上限値を上回らず、かつ、前記バッテリからの放電電力が前記放電電力の制御上限値を上回らないように前記電力変換装置を制御する制御装置とを備え、
前記制御装置は、前記バッテリのメモリ効果による電圧変化量を示すメモリ量と前記バッテリの使用開始時からの経過時間との対応関係を示すデータを記憶し、
前記データは、前記バッテリの開放電圧と温度とを含んで定義された使用条件毎に区分して定められ、
前記制御装置は、
記憶されたデータを参照して、前記使用条件の区分が変化しない時間内でのメモリ量を算出するとともに、前記使用条件の区分が変化すると、変化後の区分が持続する時間内でのメモリ量を算出し、
前記使用条件の区分が変化しない時間内でのメモリ量と変化後の区分が持続する時間内でのメモリ量とを積算することによって前記バッテリの現在のメモリ量を推定し、
推定されたメモリ量を用いて前記充電電力の制御上限値および前記放電電力の制御上限値を設定する、電池システム。 A battery system for supplying power to an external device,
Batteries, including nickel-metal hydride batteries,
A power conversion device configured to convert power between the battery and the external device,
A control device that controls the power conversion device such that charging power to the battery does not exceed a control upper limit value of the charging power, and discharging power from the battery does not exceed a control upper limit value of the discharging power. Prepare,
The control device stores data indicating a correspondence relationship between a memory amount indicating a voltage change amount due to a memory effect of the battery and an elapsed time from the start of use of the battery,
The data is defined separately for each usage condition defined including the open circuit voltage and temperature of the battery,
The control device is
Referring to stored data, while leaving calculate the amount of memory within the time division of the operating conditions do not change, the classification of the use conditions are changed, a memory in a time division after the change persists Calculate the amount,
Estimating the current memory amount of the battery by accumulating the memory amount in the time when the category of the use condition does not change and the memory amount in the time when the category after the change continues ,
A battery system in which the control upper limit value of the charging power and the control upper limit value of the discharging power are set using the estimated memory amount.
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