JP6697183B2 - オキサジン化合物、組成物及び硬化物 - Google Patents

Description

本発明は、耐熱性、低熱膨張性、密着性、耐湿耐半田性に優れたオキサジン化合物と、該オキサジン化合物を含有する組成物、硬化物、積層体に関する。また、該オキサジン化合物を含有する耐熱材料及び耐熱部材、電子材料及び電子部材に関する。

半導体封止材料や多層プリント基板用絶縁層などに用いられる電子部品用樹脂材料には、エポキシ樹脂、シアネートエステル樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂、ベンゾオキサジン樹脂など様々な樹脂が用いられているが、近年、各種用途、とりわけ最先端の電子材料用途においては、耐熱性、低熱膨張性といった性能の一層の向上とともに、密着性や耐湿耐半田性をも発現する材料、組成物が求められている。

その中でも、フェノール化合物とアミン化合物、ホルムアルデヒドとを組み合わせることで簡便に調製可能なベンゾオキサジンは、加熱により単独でも開環重合し、その架橋構造中に形成される強固な水素結合構造により、高耐熱性、低熱膨張性を発現することから、近年、上記電材用途への検討に加え、ＳｉＣパワー半導体に代表される次世代デバイス向け樹脂材料としても注目されている。
従来のベンゾオキサジンとしては、ビスフェノールＦやビスフェノールＡなどの二官能フェノール類とアニリンとからなるベンゾオキサジンが、特許文献１、特許文献２にて開示されている。しかし、これらの使用に際してはオキサジンの開環時にアニリン由来の成分が分解ガスとして発生するために、長期熱耐久性の指標となる耐熱分解性において、近年要求されているレベルには達していない。また、３官能フェノール化合物とアニリンとからなるベンゾオキサジンが、特許文献３にて開示されているが、当該ベンゾオキサジンは耐熱性に優れるものの、パワー半導体用封止材用途において極めて重要な熱膨張性は、未だ求められるレベルに達していないことから、更なる改良、性能の向上が強く望まれている。

特開平１１−１２２５８号公報 特開２０００−１６９４５６号公報 特開２０１５−２０３０４１号公報

本発明の課題は、耐熱性、低熱膨張性に優れ、なおかつ密着性及び耐湿耐半田性に優れた新規オキサジン化合物を提供することにある。また、該新規オキサジン化合物を含有する組成物、硬化物、該硬化物を含有する積層体を提供することにある。また、該新規オキサジン化合物を含有する耐熱材料および電子材料を提供することにある。

本発明者らは、鋭意検討した結果、芳香環構造と、複数の特定された炭素−炭素間三重結合構造を有する基を有することを特徴とするオキサジン化合物が、上記課題を解決することを見出した。

すなわち本発明は、一般式（１）の構造を有するオキサジン化合物であって、
前記一般式（１）が、一般式（３）または（４）で表される官能基を少なくとも１個以上有することを特徴とする、オキサジン化合物を提供することで、上記課題を解決する。

・・・（１）

（式（１）中、ｎは３から６の整数を表し、Ｘ^１は一般式（２）で表される基である。

・・・（２）

（一般式（２）において、Ａｒ^１は置換または無置換の芳香族基を表し、環Ａは置換または無置換の芳香環を表し、Ｒ^１はそれぞれ独立して水素原子または一般式（３）または（４）で表される構造であり、Ｒ^２、Ｒ^３はそれぞれ独立して水素原子、炭素数１〜３のアルキル基、置換または無置換の芳香族基を表し、Ｙ^１は単結合または２価の連結基を表し、＊は前記一般式（１）中のベンゼン環との結合点であることを表す。

・・・（３）

（式（３）中、Ｖ^１、Ｖ^２、Ｑ^１はそれぞれ独立して単結合または２価の連結基を表し、Ｒ^４は、水素原子、炭化水素基、又は、炭化水素基に含まれる１以上の水素原子が水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子のいずれかで置換された炭化水素基を表し、ａ^１は前記オキサジン化合物（１）との結合点であることを表す。）

・・・（４）

（式（４）中、ｍは２〜６の整数を表し、Ｖ^３及びＶ^４はそれぞれ独立して単結合または２価の連結基を表し、Ｑ^２はｍ＋１価の連結基を表し、Ｒ^５は、水素原子、炭化水素基、又は炭化水素基に含まれる１以上の水素原子が水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子のいずれかで置換された炭化水素基を表し、ａ^２は前記オキサジン化合物（１）との結合点であることを表す。）））

また本発明は、本発明のオキサジン化合物を含有する組成物、該組成物を含有する硬化物、該硬化物層を有する積層体を提供する。また、本発明は、本発明のオキサジン化合物を含有する組成物を含有することを特徴とする耐熱材料用組成物、および電子材料用組成物を提供する。

本発明のオキサジン化合物は、その硬化物が耐熱性、低熱膨張性、密着性及び耐湿耐半田性に優れることから、耐熱部材や電子部材に好適に使用可能である。特に、半導体封止材、回路基板、ビルドアップフィルム、ビルドアップ基板等に好適に使用可能である。また、繊維強化樹脂のマトリクス樹脂にも好適に使用可能であり、高耐熱性のプリプレグとして特に適している。

＜オキサジン化合物＞
本発明のオキサジン化合物は、一般式（１）の構造を有するオキサジン化合物であって、前記一般式（１）が、一般式（３）または（４）で表される官能基Ｒ^１を少なくとも１個以上有することを特徴とする。

・・・（１）

（式（１）中、ｎは３から６の整数を表し、Ｘ^１は一般式（２）で表される基である。

・・・（２）

（一般式（２）において、Ａｒ^１は置換または無置換の芳香族基を表し、環Ａは置換または無置換の芳香環を表し、Ｒ^１はそれぞれ独立して水素原子または一般式（３）または（４）で表される構造であり、Ｒ^２、Ｒ^３はそれぞれ独立して水素原子、炭素数１〜３のアルキル基、置換または無置換の芳香族基を表し、Ｙ^１は単結合または２価の連結基を表し、＊は前記一般式（１）中のベンゼン環との結合点であることを表す。

・・・（３）

（式（３）中、Ｖ^１、Ｖ^２、Ｑ^１はそれぞれ独立して単結合または２価の連結基を表し、Ｒ^４は、水素原子、炭化水素基、又は、炭化水素基に含まれる１以上の水素原子が水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子のいずれかで置換された炭化水素基を表し、ａ^１は前記オキサジン化合物（１）との結合点であることを表す。）

・・・（４）

（式（４）中、ｍは２〜６の整数を表し、Ｖ^３及びＶ^４はそれぞれ独立して単結合または２価の連結基を表し、Ｑ^２はｍ＋１価の連結基を表し、Ｒ^５は、水素原子、炭化水素基、又は炭化水素基に含まれる１以上の水素原子が水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子のいずれかで置換された炭化水素基を表し、ａ^２は前記オキサジン化合物（１）との結合点であることを表す。）））

前記一般式（１）において、官能基Ｘ^１の結合部位には特に限定が無いが、硬化反応時の分子接近状態において、分子内の官能基Ｘ^１どうしの立体障害が最も小さく、ベンゼン環周辺の平面性が維持され、これにより分子間のスタッキング性が最大限発揮されることで耐熱性向上が期待されるため、好ましい構造としては以下の構造が挙げられる。

・・・（５）

（一般式（５）において、Ｘ^２〜Ｘ^４はそれぞれ独立して前記一般式（２）で表される基である。）

本発明のオキサジン化合物において、炭素原子が有する水素原子は置換されていても構わない。置換される場合、好ましくは炭素数１〜３のアルキル基、置換または無置換の芳香族基である。水素原子が置換される部位は特に限定はない。

＜一般式（２）で表される基＞
上記式（１）において、Ｘ^１は一般式（２）で表されるオキサジン構造を有する基である。一般式（２）において、環Ａは置換または無置換の芳香環を表し、芳香環としては具体的にはベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環が挙げられる。好ましくは置換または無置換のベンゼン環、置換または無置換のナフタレン環である。

また、Ａｒ^１は置換または無置換の芳香族基を表し、具体的にはベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環が挙げられ、好ましくは置換または無置換のフェニル基、置換または無置換のナフチル基である。

一般式（２）において、Ｒ^２、Ｒ^３はそれぞれ独立して水素原子、炭素数１〜３のアルキル基、置換または無置換の芳香族基であるが、好ましくは水素原子である。

上記式（２）において、Ｙ^１は単結合または２価の連結基を表す。２価の連結基としては、酸素原子、２価の炭化水素基、又は２価の炭化水素基に含まれる１以上の水素原子が、水酸基、アルコキシ基、又はハロゲン原子で置換された２価の基、カルボニル基（−ＣＯ−基）、エステル基（−ＣＯＯ−基）、アミド基（−ＣＯＮＨ−基）、イミノ基（−Ｃ＝Ｎ−基）、アゾ基（−Ｎ＝Ｎ−基）、スルフィド基（−Ｓ−基）、スルホン基（−ＳＯ_３−基）、及びこれらを組み合わせてなる２価の連結基等が挙げられる。

２価の炭化水素基としては、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、アラルキレン基（アルキレン基及びアリーレン基を有する２価の基）などを挙げることができる。
Ｙ^１としては好ましくは単結合またはアリーレン基である。

＜官能基Ｒ^１＞
本発明において、官能基Ｒ^１は水素原子または炭素−炭素間三重結合構造を有する基である。炭素−炭素間三重結合構造を有する基とは、具体的には前記式（３）または（４）で表される基である。本発明のオキサジン化合物は、オキサジン環の開環重合に由来する硬化反応と、炭素−炭素間三重結合の重合反応に由来する硬化反応の２つの硬化が進行するため、硬化した際に密な架橋構造を形成することから、耐熱性が大幅に向上する。これは多官能化することで硬化物がより密な三次元架橋を形成し、より一層耐熱性が向上するためである。

式（３）または（４）で表される基は、一般式（１）中において１個以上存在するが、官能基Ｒ^１の構造はそれぞれ異なっていても同一であっても構わない。

・・・（３）

（式（３）中、Ｖ^１、Ｖ^２、Ｑ^１はそれぞれ独立して単結合または２価の連結基を表し、Ｒ^４は、水素原子、炭化水素基、又は、炭化水素基に含まれる１以上の水素原子が水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子のいずれかで置換された炭化水素基を表し、ａ^１は前記オキサジン化合物（１）との結合点であることを表す。）

・・・（４）

（式（４）中、ｍは２〜６の整数を表し、Ｖ^３及びＶ^４はそれぞれ独立して単結合または２価の連結基を表し、Ｑ^２はｍ＋１価の連結基を表し、Ｒ^５は、水素原子、炭化水素基、又は炭化水素基に含まれる１以上の水素原子が水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子のいずれかで置換された炭化水素基を表し、ａ^２は前記オキサジン化合物（１）との結合点であることを表す。）））

前記式（３）および式（４）におけるＶ^１、Ｖ^２、Ｖ^３、Ｖ^４、Ｑ^１それぞれにおける２価の連結基としては、酸素原子、２価の炭化水素基、又は２価の炭化水素基に含まれる１以上の水素原子が、水酸基、アルコキシ基、又はハロゲン原子で置換された２価の基、カルボニル基（−ＣＯ−基）、エステル基（−ＣＯＯ−基）、アミド基（−ＣＯＮＨ−基）、イミノ基（−Ｃ＝Ｎ−基）、アゾ基（−Ｎ＝Ｎ−基）、スルフィド基（−Ｓ−基）、スルホン基（−ＳＯ_３−基）、及びこれらを組み合わせてなる２価の連結基等が挙げられる。

２価の炭化水素基としては、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、アラルキレン基（アルキレン基及びアリーレン基を有する２価の基）などを挙げることができる。

アルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、へキシレン基等が挙げられる。
アルケニレン基としては、ビニレン基、１−メチルビニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基、ペンテニレン基等が挙げられる。
アルキニレン基としては、エチニレン基、プロピニレン基、ブチニレン基、ペンチニレン基、へキシニレン基等が挙げられる。
シクロアルキレン基としては、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロへキシレン基等が挙げられる。
アリーレン基としては、フェニレン基、トリレン基、キシリレン基、ナフチレン基等が挙げられる。
アラルキレン基としては、アルキレン基とアリーレン基を有する炭素数７〜２０のアラルキレン基等が挙げられる。

炭化水素基に含まれる１以上の水素原子が、水酸基、アルコキシ基、又はハロゲン原子で置換された２価の基を示す場合、水酸基含有アルキレン基、アルコキシ基含有アルキレン基、ハロゲン化アルキレン基、水酸基含有アルケニレン基、アルコキシ基含有アルケニレン基、ハロゲン化アルケニレン基、水酸基含有アルキニレン基、アルコキシ基含有アルキニレン基、ハロゲン化アルキニレン基、水酸基含有シクロアルキレン基、アルコキシ基含有シクロアルキレン基、ハロゲン化シクロアルキレン基、水酸基含有アリーレン基、アルコキシ基含有アリーレン基、ハロゲン化アリーレン基、水酸基含有アラルキレン基、アルコキシ基含有アラルキレン基、ハロゲン化アラルキレン基が挙げられる。

水酸基含有アルキレン基としては、ヒドロキシエチレン基、ヒドロキシプロピレン基等が挙げられる。アルコキシ基含有アルキレン基としては、メトキシエチレン基、メトキシプロピレン基、アリルオキシメチレン基、アリルオキシプロピレン基、プロパルギルオキシメチレン基、プロパルギルオキシプロピレン基などが挙げられる。ハロゲン化アルキレン基としては、クロロメチレン基、クロロエチレン基、クロロプロピレン基、ブロモメチレン基、ブロモエチレン基、ブロモプロピレン基、フルオロメチレン基、フルオロエチレン基、フルオロプロピレン基等が挙げられる。

水酸基含有アルケニレン基としては、ヒドロキシブテニレン基、ヒドロキシペンテニレン基等が挙げられる。アルコキシ基含有アルケニレン基としては、メトキシブテニレン基、エトキシヘキセニレン基等が挙げられる。ハロゲン化アルケニレン基としては、クロロプロペニレン基、ブロモペンテニレン基等が挙げられる。

水酸基含有アルキニレン基としては、ヒドロキシペンチニレン基、ヒドロキシヘキシニレン基等が挙げられる。アルコキシ基含有アルキニレン基としては、エトキシヘキシニレン基、メトキシへプチニレン基等が挙げられる。ハロゲン化アルキニレン基としては、クロロヘキシニレン基、フルオロオクチニレン基等が挙げられる。

水酸基含有シクロアルキレン基としては、ヒドロキシシクロヘキサニレン基等が挙げられる。アルコキシ基含有シクロアルキレン基としては、メトキシシクロペンタニレン基等が挙げられる。ハロゲン化シクロアルキレン基としては、ジクロロシクロペンタニレン基等が挙げられる。

水酸基含有アリーレン基としては、ヒドロキシフェニレン基等が挙げられる。アルコキシ基含有アリーレン基としては、メトキシフェニレン基、エトキシフェニレン基、アリルオキシフェニレン基、プロパルギルオキシフェニレン基等が挙げられる。ハロゲン化アリーレン基としては、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、フルオロフェニル基、クロロナフチル基、ブロモナフチル基、フルオロナフチル基等が挙げられる。

上記のほか、Ｖ^１、Ｖ^２、Ｖ^３、Ｖ^４、Ｑ^１それぞれにおける２価の連結基は不飽和炭化水素基含有アリーレン基であってもよい。不飽和炭化水素基含有アリーレン基としては、ビニルフェニレン、アリルフェニレン、エチニルフェニレン、プロパルギルフェニレン等が挙げられる。

前記式（３）において、Ｑ^１については、単結合、酸素原子、アルキレン基、アラルキレン基の群より選択されるいずれかの連結基であることが好ましい。

Ｖ^１、Ｖ^２、Ｖ^３、Ｖ^４、Ｑ^１それぞれにおける２価の連結基としては、好ましくは単結合または２価の炭化水素基または酸素原子であって、２価の炭化水素基としてはアルキレン基、アリーレン基が好ましい。特に好ましい組み合わせとしては、Ｖ^１が単結合またはフェニレン基、Ｖ^２がメチレン基（−ＣＨ_２−）、Ｖ^３が単結合、Ｖ^４がメチレン基（−ＣＨ_２−）、Ｑ^１が酸素原子の場合である。

前記式（４）において、Ｑ^２はｍ＋１価の連結基を表す。好ましくは窒素原子、炭素数１〜２０の炭化水素基があげられる。特に好ましくは窒素原子である。
これらの連結基は、Ｖ^４に連結した炭素―炭素三重結合を有する基以外の置換基を有していても良い（ただし、Ｖ^３との結合およびＶ^４に連結した炭素―炭素三重結合を有する基以外の置換基との結合は価数として計算しない）。

Ｑ^２における炭素数１〜２０の炭化水素基としては、具体的には、アルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、アラルキレン基があげられる。
アルキレン基としては、メチレン基、メチン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、へキシレン基等が挙げられる。
アルケニレン基としては、ビニレン基、１−メチルビニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基、ペンテニレン基等が挙げられる。
アルキニレン基としては、エチニレン基、プロピニレン基、ブチニレン基、ペンチニレン基、へキシニレン基等が挙げられる。
シクロアルキレン基としては、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロへキシレン基等が挙げられる。
アリーレン基としては、フェニレン基、トリレン基、キシリレン基、ナフチレン基等が挙げられる。
アラルキレン基としては、アルキレン基とアリーレン基を有する炭素数７〜２０のアラルキレン基等が挙げられる。

前記式（３）としては、好ましくは以下の構造が挙げられる。

・・・（３−１）

・・・（３−２）

・・・（３−３）

（式（３−３）中、Ｒ^６は、水素原子、炭化水素基、又は炭化水素基に含まれる１以上の水素原子が水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子のいずれかで置換された炭化水素基を表す。

特に好ましくは、式（３）がプロパルギルエーテル基を有する（３−２）、（３−３）の場合であり、Ｒ^６が水素原子の場合である。特に、プロパルギルエーテル基が芳香環と結合している場合、プロパルギルエーテル基が反応して二重結合含有環状構造を形成すると予想される。この二重結合含有環状構造同士がさらに反応することにより、密な架橋構造を形成するため、耐熱性が向上すると予想される。

前記式（４）としては、好ましくは以下の構造が挙げられる。

・・・（４−１）

・・・（４−２）

（式（４−２）中、Ｒ^７は、水素原子、炭化水素基、又は炭化水素基に含まれる１以上の水素原子が水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子のいずれかで置換された炭化水素基を表す。）

・・・（４−３）

・・・（４−４）

特に好ましくは、式（４）がジプロパルギルアミノ基の場合である。

本発明のオキサジン化合物として、好ましい構造は以下の式（１−ａ）〜（１−ｃ）で表される化合物である。

更に具体的には、以下の式（１−ｄ）〜（１−ｉ）で表される化合物である。

その中でも、特に好ましい構造は、式（１−ｄ）、（１−ｇ）で表される化合物である。

＜オキサジン化合物の製造方法＞
本発明のオキサジン化合物は、ベンゼン環の１，３，５−位にそれぞれ直接結合を介してフェノールの芳香環が結合しており、かつその芳香環の結合位置はフェノールの水酸基に対してパラ位であるフェノール化合物、分子骨格に反応性官能基を導入した芳香族アミノ化合物とホルムアルデヒドとを反応させることで得ることができる。反応性官能基としては、エチニル基、プロパルギルオキシ基、Ｎ，Ｎ−ジプロパルギルアミノ基などが挙げられる。反応性官能基を導入した芳香族アミノ化合物としては、２−プロパルギルオキシアニリン、３−プロパルギルオキシアニリン、４−プロパルギルオキシアニリン、Ｎ，Ｎ−ジプロパルギルアミノ−１，３−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジプロパルギルアミノ−１，４−フェニレンジアミン、４−プロパルギルオキシ−４‘−アミノビフェニル、４−プロパルギルオキシ−３’−アミノビフェニル、４−プロパルギルオキシ−２’−アミノビフェニル、３−プロパルギルオキシ−４’−アミノビフェニル、３−プロパルギルオキシ−３’−アミノビフェニル、３−プロパルギルオキシ−２’−アミノビフェニル、２−プロパルギルオキシ−４’−アミノビフェニル、２−プロパルギルオキシ−３’−アミノビフェニル、２−プロパルギルオキシ−２’−アミノビフェニル、２−プロパルギルオキシ−１−アミノナフタレン、３−プロパルギルオキシ−１−アミノナフタレン、４−プロパルギルオキシ−１−アミノナフタレン、５−プロパルギルオキシ−１−アミノナフタレン、６−プロパルギルオキシ−１−アミノナフタレン、７−プロパルギルオキシ−１−アミノナフタレン、８−プロパルギルオキシ−１−アミノナフタレン、１−プロパルギルオキシ−２−アミノナフタレン、３−プロパルギルオキシ−２−アミノナフタレン、６−プロパルギルオキシ−２−アミノナフタレン、７−プロパルギルオキシ−２−アミノナフタレンなどが挙げられる。反応は、例えばベンゼン環の１，３，５−位にそれぞれ直接結合を介してフェノールの芳香環が結合しており、かつその芳香環の結合位置はフェノールの水酸基に対してパラ位であるフェノール化合物、反応性官能基を導入した芳香族アミノ化合物を、ホルムアルデヒドと５０〜１００℃の温度条件下で反応を行い、反応終了後に水層と有機層とを分離した後、有機層から有機溶媒を減圧乾燥させるなどしてオキサジン化合物を得ることが出来る。
また、ホルムアルデヒドは、溶液の状態であるホルマリン、或いは固形の状態であるパラホルムアルデヒドのどちらの形態で用いても良い。

＜組成物＞
本発明の組成物は、本発明のオキサジン化合物を含有する。
本発明の組成物を硬化して得られる硬化物は、耐熱性、低熱膨張性に優れなおかつ、密着性及び耐湿耐半田性に優れることから、耐熱部材や電子部材に好適に使用可能である。

＜反応性化合物＞
本発明の組成物は、本発明のオキサジン化合物以外の配合物を有していてもよい。
例えば、本発明のオキサジン化合物以外の反応性化合物を有していてもよい。ここで言う反応性化合物とは、反応性基を有する化合物であり、モノマーであってもオリゴマーであってもポリマーであってもかまわない。

反応性基としては、本発明のオキサジン化合物と反応しない官能基でも、反応する官能基でもよいが、耐熱性をより向上させるためには、本発明のオキサジン化合物と反応する官能基であることが好ましい。
本発明のオキサジン化合物と反応する官能基としては、例えばエポキシ基、シアナト基、マレイミド基、フェノール性水酸基が挙げられる。

エポキシ基を有する化合物としては、例えばエポキシ樹脂、フェノキシ樹脂が挙げられる。
シアナト基を有する化合物としては、シアネートエステル樹脂が挙げられる。
マレイミド基を有する化合物としては、マレイミド樹脂、ビスマレイミド化合物が挙げられる。

フェノール性水酸基を有する化合物としては、フェノール樹脂及びフェノール化合物が挙げられる。

上記の反応性化合物は、反応性基を一種類だけ有していても、複数種有していてもよく、官能基数も１つであっても複数であってもかまわない。

好ましい反応性化合物としては、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、シアネートエステル樹脂、マレイミド化合物、フェノール樹脂、フェノール化合物、本発明により得られるオキサジン化合物以外のオキサジン化合物などが挙げられる。

エポキシ樹脂としては、エポキシ基を有していれば特に限定は無く、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールスルフィド型エポキシ樹脂、フェニレンエーテル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、テトラメチルビフェニル型エポキシ樹脂、ターフェニル型エポキシ樹脂、ポリヒドロキシナフタレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェニロールメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン−フェノール付加反応型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトール−フェノール共縮ノボラック型エポキシ樹脂、ナフトール−クレゾール共縮ノボラック型エポキシ樹脂、芳香族炭化水素ホルムアルデヒド樹脂変性フェノール樹脂型エポキシ樹脂、ビフェニル変性ノボラック型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂等が挙げられる。これらはそれぞれ単独で用いても良いし、２種類以上を併用しても良い。

フェノキシ樹脂は、ジフェノールと、エピクロロヒドリン等のエピハロヒドリンに基づく高分子量熱可塑性ポリエーテル樹脂のことであり、重量平均分子量が、２０，０００〜１００，０００であることが好ましい。フェノキシ樹脂の構造としては、例えばビスフェノールＡ骨格、ビスフェノールＦ骨格、ビスフェノールＳ骨格、ビスフェノールアセトフェノン骨格、ノボラック骨格、ビフェニル骨格、フルオレン骨格、ジシクロペンタジエン骨格、ノルボルネン骨格、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、アダマンタン骨格、テルペン骨格、トリメチルシクロヘキサン骨格から選択される１種以上の骨格を有するものが挙げられる。

シアネートエステル樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型シアネートエステル樹脂、ビスフェノールＦ型シアネートエステル樹脂、ビスフェノールＥ型シアネートエステル樹脂、ビスフェノールＳ型シアネートエステル樹脂、ビスフェノールスルフィド型シアネートエステル樹脂、フェニレンエーテル型シアネートエステル樹脂、ナフチレンエーテル型シアネートエステル樹脂、ビフェニル型シアネートエステル樹脂、テトラメチルビフェニル型シアネートエステル樹脂、ポリヒドロキシナフタレン型シアネートエステル樹脂、フェノールノボラック型シアネートエステル樹脂、クレゾールノボラック型シアネートエステル樹脂、トリフェニルメタン型シアネートエステル樹脂、テトラフェニルエタン型シアネートエステル樹脂、ジシクロペンタジエン−フェノール付加反応型シアネートエステル樹脂、フェノールアラルキル型シアネートエステル樹脂、ナフトールノボラック型シアネートエステル樹脂、ナフトールアラルキル型シアネートエステル樹脂、ナフトール−フェノール共縮ノボラック型シアネートエステル樹脂、ナフトール−クレゾール共縮ノボラック型シアネートエステル樹脂、芳香族炭化水素ホルムアルデヒド樹脂変性フェノール樹脂型シアネートエステル樹脂、ビフェニル変性ノボラック型シアネートエステル樹脂、アントラセン型シアネートエステル樹脂等が挙げられる。これらはそれぞれ単独で用いても良いし、２種類以上を併用しても良い。

これらのシアネートエステル樹脂の中でも、特に耐熱性に優れる硬化物が得られる点においては、ビスフェノールＡ型シアネートエステル樹脂、ビスフェノールＦ型シアネートエステル樹脂、ビスフェノールＥ型シアネートエステル樹脂、ポリヒドロキシナフタレン型シアネートエステル樹脂、ナフチレンエーテル型シアネートエステル樹脂、ノボラック型シアネートエステル樹脂を用いることが好ましく、誘電特性に優れる硬化物が得られる点においては、ジシクロペンタジエン−フェノール付加反応型シアネートエステル樹脂が好ましい。

マレイミド化合物としては、例えば、下記構造式（ｉ）〜（ｉｉｉ）の何れかで表される各種の化合物等が挙げられる。

（式中Ｒはｍ価の有機基であり、α及びβはそれぞれ水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基の何れかであり、ｓは１以上の整数である。）

（式中Ｒは水素原子、アルキル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基の何れかであり、ｓは１〜３の整数、ｔは繰り返し単位の平均で０〜１０である。）

（式中Ｒは水素原子、アルキル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基の何れかであり、ｓは１〜３の整数、ｔは繰り返し単位の平均で０〜１０である。）これらはそれぞれ単独で用いても良いし、２種類以上を併用しても良い。

フェノール性水酸基含有化合物としては、フェノール性水酸基を有していれば特に限定は無く、例えば、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＥ、ビスフェノールＳ、ビスフェノールスルフィド、ジヒドロキシジフェニルエーテル、ヒドロキシポリフェニレンエーテル化合物、ヒドロキシナフチレンエーテル化合物、ビフェノール、テトラメチルビフェノール、ターフェニルジオール、ポリヒドロキシナフタレン、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、トリフェニロールメタン、テトラフェニロールメタン、テトラフェニロールエタン、ジシクロペンタジエン−フェノール付加反応物、フェノールアラルキル化合物、ヒドロキシビフェニルアラルキル化合物、ナフトールノボラック化合物、ナフトールアラルキル化合物、ナフトール−フェノール共縮ノボラック樹脂、ナフトール−クレゾール共縮ノボラック樹脂、芳香族炭化水素ホルムアルデヒド樹脂変性フェノール化合物、ビフェニル変性フェノール樹脂（ビスメチレン基でフェノール核が連結された多価フェノール化合物）、ビフェニル変性ナフトール樹脂（ビスメチレン基でフェノール核が連結された多価ナフトール化合物）、アミノトリアジン変性フェノール樹脂（メラミン、ベンゾグアナミンなどでフェノール核が連結された多価フェノール化合物）やアルコキシ基含有芳香環変性ノボラック樹脂（ホルムアルデヒドでフェノール核及びアルコキシ基含有芳香環が連結された多価フェノール化合物）等の多価フェノール化合物、ヒドロキシアントラセン等が挙げられる。これらはそれぞれ単独で用いても良いし、２種類以上を併用しても良い。

本発明により得られるオキサジン化合物以外のオキサジン化合物としては、特に制限はないが、例えば、ビスフェノールＦとホルマリンとアニリンの反応生成物（Ｆ−ａ型ベンゾオキサジン樹脂）や４，４’−ジアミノジフェニルメタンとホルマリンとフェノールの反応生成物（Ｐ−ｄ型ベンゾオキサジン樹脂）、ビスフェノールＡとホルマリンとアニリンの反応生成物、ジヒドロキシジフェニルエーテルとホルマリンとアニリンの反応生成物、ジアミノジフェニルエーテルとホルマリンとフェノールの反応生成物、ジシクロペンタジエン−フェノール付加型樹脂とホルマリンとアニリンの反応生成物、フェノールフタレインとホルマリンとアニリンの反応生成物、ジヒドロキシジフェニルスルフィドとホルマリンとアニリンの反応生成物などが挙げられる。これらはそれぞれ単独で用いても良いし、２種類以上を併用しても良い。

＜フィラー＞
本発明の組成物は、オキサジン化合物の他に、更にフィラーを含有してもよい。フィラーとしては、無機フィラーと有機フィラーが挙げられる。無機フィラーとしては、例えば無機微粒子が挙げられる。

無機微粒子としては、例えば、耐熱性に優れるものとしては、アルミナ、マグネシア、チタニア、ジルコニア、シリカ（石英、ヒュームドシリカ、沈降性シリカ、無水ケイ酸、溶融シリカ、結晶性シリカ、超微粉無定型シリカ等）等；熱伝導に優れるものとしては、窒化ホウ素、窒化アルミ、酸化アルミナ、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化ケイ素等；導電性に優れるものとしては、金属単体又は合金（例えば、鉄、銅、マグネシウム、アルミニウム、金、銀、白金、亜鉛、マンガン、ステンレスなど）を用いた金属フィラー及び／又は金属被覆フィラー、；バリア性に優れるものとしては、マイカ、クレイ、カオリン、タルク、ゼオライト、ウォラストナイト、スメクタイト等の鉱物等やチタン酸カリウム、硫酸マグネシウム、セピオライト、ゾノライト、ホウ酸アルミニウム、炭酸カルシウム、酸化チタン、硫酸バリウム、酸化亜鉛、水酸化マグネシウム；屈折率が高いものとしては、チタン酸バリウム、酸化ジルコニア、酸化チタン等；光触媒性を示すものとしては、チタン、セリウム、亜鉛、銅、アルミニウム、錫、インジウム、リン、炭素、イオウ、テリウム、ニッケル、鉄、コバルト、銀、モリブデン、ストロンチウム、クロム、バリウム、鉛等の光触媒金属、前記金属の複合物、それらの酸化物等；耐摩耗性に優れるものとしては、シリカ、アルミナ、ジルコニア、酸化マグネシウム等の金属、及びそれらの複合物及び酸化物等；導電性に優れるものとしては、銀、銅などの金属、酸化錫、酸化インジウム等；絶縁性に優れるものとしては、シリカ等；紫外線遮蔽に優れるものとしては、酸化チタン、酸化亜鉛等である。
これらの無機微粒子は、用途によって適時選択すればよく、単独で使用しても、複数種組み合わせて使用してもかまわない。また、上記無機微粒子は、例に挙げた特性以外にも様々な特性を有することから、適時用途に合わせて選択すればよい。

例えば無機微粒子としてシリカを用いる場合、特に限定はなく粉末状のシリカやコロイダルシリカなど公知のシリカ微粒子を使用することができる。市販の粉末状のシリカ微粒子としては、例えば、日本アエロジル（株）製アエロジル５０、２００、旭硝子（株）製シルデックスＨ３１、Ｈ３２、Ｈ５１、Ｈ５２、Ｈ１２１、Ｈ１２２、日本シリカ工業（株）製Ｅ２２０Ａ、Ｅ２２０、富士シリシア（株）製ＳＹＬＹＳＩＡ４７０、日本板硝子（株）製ＳＧフレ−ク等を挙げることができる。
また、市販のコロイダルシリカとしては、例えば、日産化学工業（株）製メタノ−ルシリカゾル、ＩＰＡ−ＳＴ、ＭＥＫ−ＳＴ、ＮＢＡ−ＳＴ、ＸＢＡ−ＳＴ、ＤＭＡＣ−ＳＴ、ＳＴ−ＵＰ、ＳＴ−ＯＵＰ、ＳＴ−２０、ＳＴ−４０、ＳＴ−Ｃ、ＳＴ−Ｎ、ＳＴ−Ｏ、ＳＴ−５０、ＳＴ−ＯＬ等を挙げることができる。

表面修飾をしたシリカ微粒子を用いてもよく、例えば、前記シリカ微粒子を、疎水性基を有する反応性シランカップリング剤で表面処理したものや、（メタ）アクリロイル基を有する化合物で修飾したものがあげられる。（メタ）アクリロイル基を有する化合物で修飾した市販の粉末状のシリカとしては、日本アエロジル（株）製アエロジルＲＭ５０、Ｒ７１１等、（メタ）アクリロイル基を有する化合物で修飾した市販のコロイダルシリカとしては、日産化学工業（株）製ＭＩＢＫ−ＳＤ等が挙げられる。

前記シリカ微粒子の形状は特に限定はなく、球状、中空状、多孔質状、棒状、板状、繊維状、または不定形状のものを用いることができる。また一次粒子径は、５〜２００ｎｍの範囲が好ましい。５ｎｍ未満であると、分散体中の無機微粒子の分散が不十分となり、２００ｎｍを超える径では、硬化物の十分な強度が保持できないおそれがある。

酸化チタン微粒子としては、体質顔料のみならず紫外光応答型光触媒が使用でき、例えばアナターゼ型酸化チタン、ルチル型酸化チタン、ブルッカイト型酸化チタンなどが使用できる。更に、酸化チタンの結晶構造中に異種元素をドーピングさせて可視光に応答させるように設計された粒子についても用いることができる。酸化チタンにドーピングさせる元素としては、窒素、硫黄、炭素、フッ素、リン等のアニオン元素や、クロム、鉄、コバルト、マンガン等のカチオン元素が好適に用いられる。また、形態としては、粉末、有機溶媒中もしくは水中に分散させたゾルもしくはスラリーを用いることができる。市販の粉末状の酸化チタン微粒子としては、例えば、日本アエロジル（株）製アエロジルＰ−２５、テイカ（株）製ＡＴＭ−１００等を挙げることができる。また、市販のスラリー状の酸化チタン微粒子としては、例えば、テイカ（株）ＴＫＤ−７０１等が挙げられる。

＜繊維質基質＞
本発明の組成物は、オキサジン化合物の他に、更に繊維質基質を含有してもよい。本発明の繊維質基質は、特に限定はないが、繊維強化樹脂に用いられるものが好ましく、無機繊維や有機繊維が挙げられる。

無機繊維としては、カーボン繊維、ガラス繊維、ボロン繊維、アルミナ繊維、炭化ケイ素繊維等の無機繊維のほか、炭素繊維、活性炭繊維、黒鉛繊維、ガラス繊維、タングステンカーバイド繊維、シリコンカーバイド繊維（炭化ケイ素繊維）、セラミックス繊維、アルミナ繊維、天然繊維、玄武岩などの鉱物繊維、ボロン繊維、窒化ホウ素繊維、炭化ホウ素繊維、及び金属繊維等を挙げることができる。上記金属繊維としては、例えば、アルミニウム繊維、銅繊維、黄銅繊維、ステンレス繊維、スチール繊維を挙げることができる。

有機繊維としては、ポリベンザゾール、アラミド、ＰＢＯ（ポリパラフェニレンベンズオキサゾール）、ポリフェニレンスルフィド、ポリエステル、アクリル、ポリアミド、ポリオレフィン、ポリビニルアルコール、ポリアリレート等の樹脂材料からなる合成繊維や、セルロース、パルプ、綿、羊毛、絹といった天然繊維、タンパク質、ポリペプチド、アルギン酸等の再生繊維等を挙げる事ができる。

中でも、カーボン繊維とガラス繊維は、産業上利用範囲が広いため、好ましい。これらのうち、一種類のみ用いてもよく、複数種を同時に用いてもよい。

本発明の繊維質基質は、繊維の集合体であってもよく、繊維が連続していても、不連続状でもかまわず、織布状であっても、不織布状であってもかまわない。また、繊維を一方方向に整列した繊維束でもよく、繊維束を並べたシート状であってもよい。また、繊維の集合体に厚みを持たせた立体形状であってもかまわない。

＜分散媒＞
本発明の組成物は、組成物の固形分量や粘度を調整する目的として、分散媒を使用してもよい。分散媒としては、本発明の効果を損ねることのない液状媒体であればよく、各種有機溶剤、液状有機ポリマー等が挙げられる。

前記有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）等のケトン類、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジオキソラン等の環状エーテル類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類、トルエン、キシレン等の芳香族類、カルビトール、セロソルブ、メタノール、イソプロパノール、ブタノール、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのアルコール類が挙げられ、これらを単独又は併用して使用可能であるが、中でもメチルエチルケトンが塗工時の揮発性や溶媒回収の面から好ましい。

前記液状有機ポリマーとは、硬化反応に直接寄与しない液状有機ポリマーであり、例えば、カルボキシル基含有ポリマー変性物（フローレンＧ−９００、ＮＣ−５００：共栄社）、アクリルポリマー（フローレンＷＫ−２０：共栄社）、特殊変性燐酸エステルのアミン塩（ＨＩＰＬＡＡＤ ＥＤ−２５１：楠本化成）、変性アクリル系ブロック共重合物（ＤＩＳＰＥＲＢＹＫ２０００；ビックケミー）などが挙げられる。

＜樹脂＞
また、本発明の組成物は、オキサジン化合物以外の樹脂を有していてもよい。樹脂としては、本発明の効果を損なわない範囲であれば公知慣用の樹脂を配合すればよく、例えば
熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂を用いることができる。

熱硬化性樹脂とは、加熱または放射線や触媒などの手段によって硬化される際に実質的に不溶かつ不融性に変化し得る特性を持った樹脂である。その具体例としては、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、アルキド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビニルエステル樹脂、ジアリルテレフタレート樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、フラン樹脂、ケトン樹脂、キシレン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂、活性エステル樹脂、アニリン樹脂、シアネートエステル樹脂、スチレン・無水マレイン酸（ＳＭＡ）樹脂、本発明により得られるオキサジン化合物以外のベンゾオキサジン樹脂などが挙げられる。これらの熱硬化性樹脂は１種または２種以上を併用して用いることができる。

熱可塑性樹脂とは、加熱により溶融成形可能な樹脂を言う。その具体例としてはポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリスチレン樹脂、ゴム変性ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン（ＡＢＳ）樹脂、アクリロニトリル−スチレン（ＡＳ）樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、エチレンビニルアルコール樹脂、酢酸セルロース樹脂、アイオノマー樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリ乳酸樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルサルフォン樹脂、ポリアリレート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリケトン樹脂、液晶ポリエステル樹脂、フッ素樹脂、シンジオタクチックポリスチレン樹脂、環状ポリオレフィン樹脂などが挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は１種または２種以上を併用して用いることができる。

＜硬化剤＞
本発明の組成物は、配合物に応じて硬化剤を用いてもよい、例えば、エポキシ基を有する化合物を配合している場合には、アミン系硬化剤、アミド系硬化剤、酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤、活性エステル系硬化剤、カルボキシル基含有硬化剤、チオール系硬化剤などの各種の硬化剤を併用してもかまわない。

アミン系硬化剤としてはジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルエタン、ジアミノジフェニルエーテル、ジアミノジフェニルスルホン、オルトフェニレンジアミン、メタフェニレンジアミン、パラフェニレンジアミン、メタキシレンジアミン、パラキシレンジアミン、ジエチルトルエンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、イソホロンジアミン、イミダゾ−ル、ＢＦ３−アミン錯体、グアニジン誘導体、グアナミン誘導体等が挙げられる。

アミド系硬化剤としては、ジシアンジアミド、リノレン酸の２量体とエチレンジアミンとより合成されるポリアミド樹脂等が挙げられる。

酸無水物系硬化剤としては、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、無水マレイン酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸等が挙げられる。

フェノール系硬化剤としては、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＥ、ビスフェノールＳ、ビスフェノールスルフィド、ジヒドロキシジフェニルエーテル、ヒドロキシポリフェニレンエーテル化合物、ヒドロキシナフチレンエーテル化合物、ビフェノール、テトラメチルビフェノール、ターフェニルジオール、ポリヒドロキシナフタレン、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、トリフェニロールメタン、テトラフェニロールメタン、テトラフェニロールエタン、ジシクロペンタジエン−フェノール付加反応物、フェノールアラルキル化合物、ヒドロキシビフェニルアラルキル化合物、ナフトールノボラック化合物、ナフトールアラルキル化合物、ナフトール−フェノール共縮ノボラック樹脂、ナフトール−クレゾール共縮ノボラック樹脂、芳香族炭化水素ホルムアルデヒド樹脂変性フェノール化合物、ビフェニル変性フェノール樹脂（ビスメチレン基でフェノール核が連結された多価フェノール化合物）、ビフェニル変性ナフトール樹脂（ビスメチレン基でフェノール核が連結された多価ナフトール化合物）、アミノトリアジン変性フェノール樹脂（メラミン、ベンゾグアナミンなどでフェノール核が連結された多価フェノール化合物）やアルコキシ基含有芳香環変性ノボラック樹脂（ホルムアルデヒドでフェノール核及びアルコキシ基含有芳香環が連結された多価フェノール化合物）等の多価フェノール化合物、ヒドロキシアントラセン等が挙げられる。これらはそれぞれ単独で用いても良いし、２種類以上を併用しても良い。

また、本発明の組成物にエポキシ基を有する化合物が含まれる場合、硬化促進剤を単独で、あるいは前記の硬化剤と併用することもできる。硬化促進剤としてエポキシ樹脂の硬化反応を促す種々の化合物が使用でき、例えば、リン系化合物、第３級アミン化合物、イミダゾール化合物、有機酸金属塩、ルイス酸、アミン錯塩等が挙げられる。この中でも、イミダゾール化合物、リン系化合物、第３級アミン化合物の使用が好ましく、特に半導体封止材料用途として使用する場合には、硬化性、耐熱性、電気特性、耐湿信頼性等に優れる点から、リン系化合物ではトリフェニルホスフィン、第３級アミンでは１，８−ジアザビシクロ−［５．４．０］−ウンデセン（ＤＢＵ）が好ましい。

＜その他の配合物＞
本発明の組成物は、その他の配合物を有していてもかまわない。例えば、触媒、重合開始剤、無機顔料、有機顔料、体質顔料、粘土鉱物、ワックス、界面活性剤、安定剤、流動調整剤、カップリング剤、染料、レベリング剤、レオロジーコントロール剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、難燃剤、可塑剤等が挙げられる。

＜硬化物＞
本発明の組成物を硬化して得られる硬化物は、耐熱性、低熱膨張性に優れなおかつ、密着性及び耐湿耐半田性に優れることから、耐熱部材や電子部材に好適に使用可能である。硬化物の成形方法は特に限定は無く、組成物単独で成形してもよいし、基材と積層することで積層体としてもかまわない。

本発明の組成物を硬化させる場合には、熱硬化をおこなえばよい。熱硬化する際、公知慣用の硬化触媒を用いても良いが、本発明の組成物はオキサジン骨格と炭素―炭素三重結合の反応により硬化剤を用いなくても硬化することが可能である。

硬化触媒を用いる場合には、例えば、塩酸、硫酸、燐酸等の無機酸類；ｐ−トルエンスルホン酸、燐酸モノイソプロピル、酢酸等の有機酸類；水酸化ナトリウム又は水酸化カリウム等の無機塩基類；テトライソプロピルチタネート、テトラブチルチタネート等のチタン酸エステル類；１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７（ＤＢＵ）、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノネン−５（ＤＢＮ）、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（ＤＡＢＣＯ）、トリ−ｎ−ブチルアミン、ジメチルベンジルアミン、モノエタノールアミン、イミダゾール、１−メチルイミダゾール等の各種の塩基性窒素原子を含有する化合物類；テトラメチルアンモニウム塩、テトラブチルアンモニウム塩、ジラウリルジメチルアンモニウム塩等の各種の４級アンモニウム塩類であって、対アニオンとして、クロライド、ブロマイド、カルボキシレートもしくはハイドロオキサイドなどを有する４級アンモニウム塩類；ジブチル錫ジアセテート、ジブチル錫ジオクトエート、ジブチル錫ジラウレート、ジブチル錫ジアセチルアセトナート、オクチル酸錫又はステアリン酸錫など錫カルボン酸塩等を使用することができる。触媒は単独で使用しても良いし、２種以上併用しても良い。

積層体の基材としては、金属やガラス等の無機材料や、プラスチックや木材といった有機材料等、用途によって適時使用すればよく、積層体の形状としても、平板、シート状、あるいは三次元構造を有していても立体状であってもかまわない。全面にまたは一部に曲率を有するもの等目的に応じた任意の形状であってよい。また、基材の硬度、厚み等にも制限はない。また、本発明の硬化物を基材とし、更に本発明の硬化物を積層してもかまわない。
回路基板や半導体パッケージ基板といった用途の場合、金属箔を積層することが好ましく、金属箔としては銅箔、アルミ箔、金箔、銀箔などが挙げられ、加工性が良好なことから銅箔を用いることが好ましい。

本発明の積層体において、硬化物層は、基材に対し直接塗工や成形により形成してもよく、すでに成形したものを積層させてもかまわない。直接塗工する場合、塗工方法としては特に限定は無く、スプレー法、スピンコート法、ディップ法、ロールコート法、ブレードコート法、ドクターロール法、ドクターブレード法、カーテンコート法、スリットコート法、スクリーン印刷法、インクジェット法等が挙げられる。直接成形する場合は、インモールド成形、インサート成形、真空成形、押出ラミネート成形、プレス成形等が挙げられる。
成形された組成物を積層する場合、未硬化または半硬化された組成物層を積層してから硬化させてもよいし、組成物を完全硬化した硬化物層を基材に対し積層してもよい。
また、本発明の硬化物に対して、基材となりうる前駆体を塗工して硬化させることで積層させてもよく、基材となりうる前駆体または本発明の組成物が未硬化あるいは半硬化の状態で接着させた後に硬化させてもよい。基材となりうる前駆体としては特に限定はなく、各種硬化性樹脂組成物等が挙げられる。

＜繊維強化樹脂＞
本発明の組成物が繊維質基質を有し、該繊維質基質が強化繊維の場合、繊維質基質を含有する組成物は繊維強化樹脂として用いることができる。
組成物に対し繊維質基質を含有させる方法は、本発明の効果を損なわない範囲であればとくに限定はなく、繊維質基質と組成物とを、混練、塗布、含浸、注入、圧着、等の方法で複合化する方法が挙げられ、繊維の形態及び繊維強化樹脂の用途によって適時選択することができる。

本発明の繊維強化樹脂を成形する方法については、特に限定されない。板状の製品を製造するのであれば、押し出し成形法が一般的であるが、平面プレスによっても可能である。この他、押し出し成形法、ブロー成形法、圧縮成形法、真空成形法、射出成形法等を用いることが可能である。またフィルム状の製品を製造するのであれば、溶融押出法の他、溶液キャスト法を用いることができ、溶融成形方法を用いる場合、インフレーションフィルム成形、キャスト成形、押出ラミネーション成形、カレンダー成形、シート成形、繊維成形、ブロー成形、射出成形、回転成形、被覆成形等が挙げられる。また、活性エネルギー線で硬化する樹脂の場合、活性エネルギー線を用いた各種硬化方法を用いて硬化物を製造する事ができる。特に、熱硬化性樹脂をマトリクス樹脂の主成分とする場合には、成形材料をプリプレグ化してプレスやオートクレーブにより加圧加熱する成形法が挙げられ、この他にもＲＴＭ（Ｒｅｓｉｎ Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｍｏｌｄｉｎｇ）成形、ＶａＲＴＭ（Ｖａｃｃｕｍ ａｓｓｉｓｔ Ｒｅｓｉｎ Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｍｏｌｄｉｎｇ）成形、積層成形、ハンドレイアップ成形等が挙げられる。

＜プリプレグ＞
本発明の繊維強化樹脂は、未硬化あるいは半硬化のプリプレグと呼ばれる状態を形成することができる。プリプレグの状態で製品を流通させた後、最終硬化をおこなって硬化物を形成してもよい。積層体を形成する場合は、プリプレグを形成した後、その他の層を積層してから最終硬化を行うことで、各層が密着した積層体を形成できるため、好ましい。
この時用いる組成物と繊維質基質の質量割合としては、特に限定されないが、通常、プリプレグ中の樹脂分が２０〜６０質量％となるように調製することが好ましい。

＜耐熱材料および電子材料＞
本発明のオキサジン化合物は、その硬化物が耐熱性、低熱膨張性に優れなおかつ、密着性及び耐湿耐半田性に優れることから、耐熱部材や電子部材に好適に使用可能である。特に、半導体封止材、回路基板、ビルドアップフィルム、ビルドアップ基板等に好適に使用可能である。また、繊維強化樹脂のマトリクス樹脂にも好適に使用可能であり、高耐熱性のプリプレグとして特に適している。こうして得られる耐熱部材や電子部材は、各種用途に好適に使用可能であり、例えば、産業用機械部品、一般機械部品、自動車・鉄道・車両等部品、宇宙・航空関連部品、電子・電気部品、建築材料、容器・包装部材、生活用品、スポーツ・レジャー用品、風力発電用筐体部材等が挙げられるが、これらに限定される物ではない。

以下、代表的な製品について例を挙げて説明する。

１．半導体封止材料
本発明の組成物から半導体封止材料を得る方法としては、前記組成物、及び硬化促進剤、及び無機充填剤等の配合剤とを必要に応じて押出機、ニ−ダ、ロ−ル等を用いて均一になるまで充分に溶融混合する方法が挙げられる。その際、無機充填剤としては、通常、溶融シリカが用いられるが、パワートランジスタ、パワーＩＣ用高熱伝導半導体封止材として用いる場合は、溶融シリカよりも熱伝導率の高い結晶シリカ，アルミナ，窒化ケイ素などの高充填化、または溶融シリカ、結晶性シリカ、アルミナ、窒化ケイ素などを用いるとよい。その充填率は硬化性樹脂組成物１００質量部当たり、無機充填剤を３０〜９５質量％の範囲で用いることが好ましく、中でも、難燃性や耐湿性や耐ハンダクラック性の向上、線膨張係数の低下を図るためには、７０質量部以上がより好ましく、８０質量部以上であることがさらに好ましい。

２．半導体装置
本発明の硬化性樹脂組成物から半導体装置を得る半導体パッケージ成形としては、上記半導体封止材料を注型、或いはトランスファー成形機、射出成形機などを用いて成形し、さらに５０〜２５０℃で２〜１０時間の間、加熱する方法が挙げられる。

３．プリント回路基板
本発明の組成物からプリント回路基板を得る方法としては、上記プリプレグを、常法により積層し、適宜銅箔を重ねて、１〜１０ＭＰａの加圧下に１７０〜３００℃で１０分〜３時間、加熱圧着させる方法が挙げられる。

４．ビルドアップ基板
本発明の組成物からビルドアップ基板を得る方法は、例えば以下の工程が挙げられる。まず、ゴム、フィラーなどを適宜配合した上記組成物を、回路を形成した回路基板にスプレーコーティング法、カーテンコーティング法等を用いて塗布した後、硬化させる工程（工程１）。その後、必要に応じて所定のスルーホール部等の穴あけを行った後、粗化剤により処理し、その表面を湯洗することによって凹凸を形成させ、銅などの金属をめっき処理する工程（工程２）。このような操作を所望に応じて順次繰り返し、樹脂絶縁層及び所定の回路パターンの導体層を交互にビルドアップして形成する工程（工程３）。なお、スルーホール部の穴あけは、最外層の樹脂絶縁層の形成後に行う。また、本発明のビルドアップ基板は、銅箔上で当該樹脂組成物を半硬化させた樹脂付き銅箔を、回路を形成した配線基板上に、１７０〜３００℃で加熱圧着することで、粗化面を形成、メッキ処理の工程を省き、ビルドアップ基板を作製することも可能である。

５．ビルドアップフィルム
本発明の組成物からビルドアップフィルムを得る方法としては、基材である支持フィルム（Ｙ）の表面に、上記組成物を塗布し、更に加熱、あるいは熱風吹きつけ等により有機溶剤を乾燥させて組成物の層（Ｘ）を形成させることにより製造することができる。

ここで用いる有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、カルビトールアセテート等の酢酸エステル類、セロソルブ、ブチルカルビトール等のカルビトール類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等を用いることが好ましく、また、不揮発分３０〜６０質量％となる割合で使用することが好ましい。

形成される層（Ｘ）の厚さは、通常、導体層の厚さ以上とする。回路基板が有する導体層の厚さは通常５〜７０μｍの範囲であるので、樹脂組成物層の厚さは１０〜１００μｍの厚みを有するのが好ましい。なお、本発明における上記組成物の層（Ｘ）は、後述する保護フィルムで保護されていてもよい。保護フィルムで保護することにより、樹脂組成物層表面へのゴミ等の付着やキズを防止することができる。

前記した支持フィルム及び保護フィルムは、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル等のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」と略称することがある。）、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、更には離型紙や銅箔、アルミニウム箔等の金属箔などを挙げることができる。なお、支持フィルム及び保護フィルムはマッド処理、コロナ処理の他、離型処理を施してあってもよい。支持フィルムの厚さは特に限定されないが、通常１０〜１５０μｍであり、好ましくは２５〜５０μｍの範囲で用いられる。また保護フィルムの厚さは１〜４０μｍとするのが好ましい。

上記した支持フィルム（Ｙ）は、回路基板にラミネートした後に、或いは加熱硬化することにより絶縁層を形成した後に、剥離される。ビルドアップフィルムを構成する硬化性樹脂組成物層が加熱硬化した後に支持フィルム（Ｙ）を剥離すれば、硬化工程でのゴミ等の付着を防ぐことができる。硬化後に剥離する場合、通常、支持フィルムには予め離型処理が施される。

上記のようにして得られたビルドアップフィルムを用いて多層プリント回路基板を製造することができる。例えば、層（Ｘ）が保護フィルムで保護されている場合はこれらを剥離した後、層（Ｘ）を回路基板に直接接するように回路基板の片面又は両面に、例えば真空ラミネート法によりラミネートする。ラミネートの方法はバッチ式であってもロールでの連続式であってもよい。また必要により、ラミネートを行う前にビルドアップフィルム及び回路基板を必要により加熱（プレヒート）しておいてもよい。ラミネートの条件は、圧着温度（ラミネート温度）を７０〜１４０℃とすることが好ましく、圧着圧力を１〜１１ｋｇｆ／ｃｍ^２（９．８×１０４〜１０７．９×１０４Ｎ／ｍ^２）とすることが好ましく、空気圧を２０ｍｍＨｇ（２６．７ｈＰａ）以下の減圧下でラミネートすることが好ましい。

６．導電ペースト
本発明の組成物から導電ペーストを得る方法としては、例えば、導電性粒子を該組成物中に分散させる方法が挙げられる。上記導電ペーストは、用いる導電性粒子の種類によって、回路接続用ペースト樹脂組成物や異方性導電接着剤とすることができる。

次に本発明を実施例、比較例により具体的に説明するが、以下において「部」及び「％」は特に断わりのない限り質量基準である。
尚、ＭＳスペクトルは以下の条件にて測定した。

ＦＤ−ＭＳ：日本電子株式会社製「ＪＭＳ−Ｔ１００ＧＣ ＡｃｃｕＴＯＦ」を用いて 測定した。
測定範囲：ｍ／ｚ＝５０．００〜２０００．００
変化率：２５．６ｍＡ／ｍｉｎ
最終電流値：４０ｍＡ
カソード電圧：−１０ｋＶ

〔実施例１〕ベンゾオキサジン化合物（Ａ−１）の合成
滴下ロート、温度計、攪拌装置、加熱装置、冷却還流管を取り付けた４つ口フラスコに窒素ガスを流しながら、１，３，５−トリス（４’−ヒドロキシフェニル）ベンゼン３５４．４ｇ（１．０モル）、４−プロパルギルオキシアニリン４４１．５ｇ（３．０モル）を仕込み、トルエン １６５０ｇに溶解させた後、９４％パラホルムアルデヒド１９１．７ｇ（６．０モル）を加えて、攪拌しながら８０℃まで昇温し、８０℃で１０時間反応させた。反応後、分液ロートに移し、水層を除去した。その後有機層から溶媒を加熱減圧下に除去し、ベンゾオキサジン化合物（Ａ−１）５４６．８ｇを得た。
マススペクトルはＭ^＋＝８６７のピークを示したことから、以下に表されるベンゾオキサジン化合物（Ａ−１）が得られていることを確認した。

〔実施例２〕ベンゾオキサジン化合物（Ａ−２）の合成
滴下ロート、温度計、攪拌装置、加熱装置、冷却還流管を取り付けた４つ口フラスコに窒素ガスを流しながら、１，３，５−トリス（４’−ヒドロキシフェニル）ベンゼン３５４．４ｇ（１．０モル）、４−（Ｎ，Ｎ−ジプロパルギルアミノ）アニリン５５２．７ｇ（３．０モル）を仕込み、トルエン１６５０ｇに溶解させた後、９４％パラホルムアルデヒド１９１．７ｇ（６．０モル）を加えて、攪拌しながら８０℃まで昇温し、８０℃で９時間反応させた。反応後、分液ロートに移し、水層を除去した。その後有機層から溶媒を加熱減圧下に除去し、ベンゾオキサジン化合物（Ａ−２）７０７．８ｇを得た。
マススペクトルはＭ^＋＝９７８のピークを示したことから、以下に表されるベンゾオキサジン化合物（Ａ−２）が得られていることを確認した。

〔比較例１〕ベンゾオキサジン化合物（Ａ−３）の合成
滴下ロート、温度計、攪拌装置、加熱装置、冷却還流管を取り付けた４つ口フラスコに窒素ガスを流しながら、１，３，５−トリス（４’−ヒドロキシフェニル）ベンゼン３５４．４ｇ（１．０モル）、アニリン２７９．４ｇ（３．０モル）を仕込み、トルエン １６５０ｇに溶解させた後、９４％パラホルムアルデヒド１９１．７ｇ（６．０モル）を加えて、攪拌しながら８０℃まで昇温し、８０℃で１０時間反応させた。反応後、分液ロートに移し、水層を除去した。その後有機層から溶媒を加熱減圧下に除去し、ベンゾオキサジン化合物（Ａ−３）５６４．９ｇを得た。
マススペクトルはＭ^＋＝７０５のピークを示したことから、以下に表されるベンゾオキサジン化合物（Ａ−３）が得られていることを確認した。

〔比較例２〕ベンゾオキサジン化合物（Ａ−４）の合成
滴下ロート、温度計、攪拌装置、加熱装置、冷却還流管を取り付けた４つ口フラスコに窒素ガスを流しながら、レヂトップＢＰＦ−ＳＧ（群栄化学工業（株）製）２００．２ｇ（１．０モル）、４−プロパルギルオキシアニリン２９４．３ｇ（２．０モル）を仕込み、トルエン １３００ｇに溶解させた後、９４％パラホルムアルデヒド１２７．８ｇ（４．０モル）を加えて、攪拌しながら８０℃まで昇温し、８０℃で８時間反応させた。反応後、分液ロートに移し、水層を除去した。その後有機層から溶媒を加熱減圧下に除去し、ベンゾオキサジン化合物（Ａ−４）４３９．５ｇを得た。
マススペクトルはＭ^＋＝５４２のピークを示したことから、以下に表されるベンゾオキサジン化合物（Ａ−４）が得られていることを確認した。

〔実施例及び比較例〕組成物及び成形物の作成
実施例１及び２、比較例１及び２で得られたベンゾオキサジン化合物（Ａ−１、Ａ−２、Ａ−３、Ａ−４）、比較用ジヒドロオキサジン化合物１（四国化成製「Ｆ−ａ型ベンゾオキサジン」（ビスフェノールＦとホルマリンとアニリンの反応生成物））、比較用ジヒドロオキサジン化合物２（四国化成製「Ｐ−ｄ型ベンゾオキサジン」（４，４’−ジアミノジフェニルメタンとホルマリンとフェノールの反応生成物））、フェノール樹脂（ＤＩＣ株式会社製「ＴＤ−２１３１」フェノールノボラック樹脂）を表１に示す割合で配合し、組成物を調製した。
この組成物を以下の条件に付すことで樹脂硬化物を作製した。

＜樹脂硬化物＞
硬化条件：１７０℃で２時間の後、２００℃で２時間、更に２５０℃で２時間加熱硬化
成型後板厚：２．４ｍｍ
この硬化物について、下記の方法で種々の物性評価を行った。結果を表１に示す。

＜ガラス転移温度＞
厚さ２．４ｍｍの硬化物を幅５ｍｍ、長さ５４ｍｍのサイズに切り出し、これを試験片１とした。この試験片１を粘弾性測定装置（ＤＭＡ：日立ハイテクサイエンス社製固体粘弾性測定装置「ＤＭＳ７１００」、変形モード：両持ち曲げ、測定モード：正弦波振動、周波数１Ｈｚ、昇温速度３℃／分）を用いて、弾性率変化が最大となる（ｔａｎδ変化率が最も大きい）温度をガラス転移温度として評価した。

＜熱膨張性＞
厚さ２．４ｍｍの硬化物を幅５ｍｍ、長さ５ｍｍのサイズに切り出し、これを試験片２とした。この試験片２を熱機械分析装置（エスアイアイナノテクノロジー株式会社製、ＴＭＡ／ＳＳ ７１００、昇温速度：３℃／分）を用いて４０〜６０℃の範囲の膨張率を測定した。

〔実施例５、６、及び比較例７〜１０〕組成物及び積層板の作成
また、上記ベンゾオキサジン化合物（Ａ−１、Ａ−２、Ａ−３、Ａ−４）、比較用ジヒドロオキサジン化合物１、化合物２、フェノール樹脂、有機溶剤を表２に示す割合で配合し、樹脂組成物を調製した。なお、有機溶媒については、メチルエチルケトンを用い、最終的に各組成物の不揮発分（Ｎ．Ｖ．）が５８質量％となるよう、上記樹脂などに配合した。
この組成物を以下の条件に付すことで積層板を作製した。

＜積層板＞
得られた樹脂組成物を基材に含浸させて、下記の条件で成形することにより、実施例３、４、及び比較例５〜８の積層板を得た。
基材：ガラスクロス（「＃２１１６」日東紡績株式会社製（２１０ｍｍ×２８０ｍｍ））
プライ数：６
銅箔：ＪＴＣ箔１８μｍ（ＪＸ日鉱日石金属株式会社製）
プリプレグ化条件：１６０℃
硬化条件：２５０℃、４０ｋｇ／ｃｍ^２で１．５時間、
成型後板厚：０．８ｍｍ
次に、実施例３、４、比較例５〜８で得られた積層板を、それぞれ１００ｍｍ×２５ｍｍのサイズに切り出して試験片３を作製し、密着性の測定を行った。また、それぞれ５０ｍｍ×２５ｍｍのサイズに切り出して試験片４を作製し、耐湿耐半田性の評価を行った。密着性の測定方法及び耐湿耐半田性の評価方法を下記に示し、その測定結果を表２に示す。

＜密着性＞
密着性の測定は、試験片３のピール強度と、層間剥離強度を測定することにより行った。
測定は、ＪＩＳ−Ｃ６４８１に準拠して行った。

＜耐湿耐半田性の評価＞
試験片４をプレッシャークッカー試験機にて１２１℃、２．１気圧、１００％ＲＨの条件にて２時間保持後、更に２６０℃の半田浴に３０秒浸漬し、外観の異常を目視にて確認した。
〇：変化なし
×：フクレ発生

〔実施例７、８、及び比較例１１〜１４〕組成物及び成形時の収縮率の測定
また、上記ベンゾオキサジン化合物（Ａ−１、Ａ−２、Ａ−３、Ａ−４）、比較用ジヒドロオキサジン化合物１、化合物２、フェノール樹脂、球状シリカ（ＦＢ−５６０２）、離型剤（カルナバワックス）、シランカップリング剤（ＫＢＭ−４０３）を表３に示す割合で配合し、樹脂組成物を調製した。
この組成物を以下の条件に付すことで、成形時の収縮率を測定した。

＜成形時の収縮率の測定＞
トランスファー成形機（コータキ精機製、ＫＴＳ−１５−１．５Ｃ）を用いて、金型温度２００℃、成形圧力９．８ＭＰａ、硬化時間３０分間の条件下で、樹脂組成物を注入成形して、縦１１０ｍｍ、横１２．７ｍｍ、厚さ１．６ｍｍの試験片を作製した。その後試験片を２５０℃で２時間ポストキュアし、室温（２５℃）での金型キャビティの内径寸法と、試験片の外径寸法とを測定し、下記式により収縮率を算出した。
収縮率（％）＝｛（２５℃での金型の縦方向の内径寸法）−（２５℃での硬化物の縦方向の寸法）｝／（２５℃での金型の縦方向の内径寸法）×１００（％）

本発明のオキサジン化合物は、その硬化物が耐熱性、低熱膨張性に優れなおかつ、密着性及び耐湿耐半田性に優れることから、耐熱部材や電子部材に好適に使用可能である。特に、半導体封止材、回路基板、ビルドアップフィルム、ビルドアップ基板等に好適に使用可能である。また、繊維強化樹脂のマトリクス樹脂にも好適に使用可能であり、高耐熱性のプリプレグとして特に適している。

Claims (18)

1. 一般式（１）の構造を有するオキサジン化合物であって、
   前記一般式（１）が、一般式（３）または（４）で表される官能基を少なくとも１個以上有することを特徴とする、オキサジン化合物。
   

   

   ・・・（１）
   （式（１）中、ｎは３から６の整数を表し、Ｘ^１は一般式（２）で表される基である。
   

   

   ・・・（２）
   （一般式（２）において、Ａｒ^１は置換または無置換の芳香族基を表し、環Ａは置換または無置換の芳香環を表し、Ｒ^１はそれぞれ独立して水素原子または一般式（３）または（４）で表される構造であり、Ｒ^２、Ｒ^３はそれぞれ独立して水素原子、炭素数１〜３のアルキル基、置換または無置換の芳香族基を表し、Ｙ^１は単結合または２価の連結基を表し、＊は前記一般式（１）中のベンゼン環との結合点であることを表す。
   

   

   ・・・（３）
   （式（３）中、Ｖ^１、Ｖ^２、Ｑ^１はそれぞれ独立して単結合または２価の連結基を表し、Ｒ^４は、水素原子、炭化水素基、又は、炭化水素基に含まれる１以上の水素原子が水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子のいずれかで置換された炭化水素基を表し、ａ^１は前記Ａｒ ^１ との結合点であることを表す。）
   

   

   ・・・（４）
   （式（４）中、ｍは２〜６の整数を表し、Ｖ^３及びＶ^４はそれぞれ独立して単結合または２価の連結基を表し、Ｑ^２はｍ＋１価の連結基を表し、Ｒ^５は、水素原子、炭化水素基、又は炭化水素基に含まれる１以上の水素原子が水酸基、アルコキシ基、ハロゲン原子のいずれかで置換された炭化水素基を表し、ａ^２は前記Ａｒ ^１ との結合点であることを表す。）））
   
   
   
2. 一般式（５）で表される構造である、請求項１に記載の化合物。
   

   

   ・・・（５）
   （一般式（５）において、Ｘ^２〜Ｘ^４はそれぞれ独立して前記一般式（２）で表される基である。）
3. 環Ａが置換または無置換のベンゼン環、置換または無置換のナフタレン環である、請求項１または２に記載のオキサジン化合物。
4. 請求項１から３に記載のオキサジン化合物を含有することを特徴とする、組成物。
5. 更に、反応性化合物を含有する、請求項４に記載の組成物。
6. 更に、フィラーを含有する、請求項４または５に記載の組成物。
7. 更に、繊維質基質を含有する、請求項４〜６のいずれかに記載の組成物。
8. 請求項４〜７のいずれかに記載の組成物を硬化してなる硬化物。
9. 基材と請求項８に記載の硬化物層とを有することを特徴とする積層体。
10. 請求項４〜７のいずれかに記載の組成物を含有することを特徴とする、耐熱材料用組成物。
11. 請求項８に記載の硬化物を含有することを特徴とする耐熱部材。
12. 請求項４〜７のいずれかに記載の組成物を含有することを特徴とする、電子材料用組成物。
13. 請求項８に記載の硬化物を含有することを特徴とする電子部材。
14. 請求項４〜７のいずれかに記載の組成物を含有することを特徴とする、半導体封止材。
15. 請求項７に記載の、繊維質基質を含有する組成物を含有することを特徴とするプリプレグ。
16. 請求項１５に記載のプリプレグに更に銅箔層を有することを特徴とする回路基板。
17. ビルドアップフィルムである、請求項９に記載の積層体。
18. 請求項１７に記載のビルドアップフィルムを有することを特徴とするビルドアップ基板。