JP6651213B1 - Quantum circuit system - Google Patents
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Abstract
意図しない量子状態の変化を防止することができる量子回路システム10を提供する。量子回路システム10は、少なくとも2つの量子状態をそれぞれ有する第1量子回路11a及び第2量子回路11bと、第1量子回路11aに電磁気的に接続された第1導波路12a及び第2量子回路11bに電磁気的に接続された第2導波路12bと、第1導波路12aに第1高周波電力を伝搬させて第1量子回路11aを所定の量子状態に変化させる場合に、第2量子回路11bの量子状態の変化を補償するように、直接的又は間接的に、第2導波路12bに第2高周波電力を伝搬させる高周波電源13bと、を備える。Provided is a quantum circuit system 10 that can prevent an unintended change in a quantum state. The quantum circuit system 10 includes a first quantum circuit 11a and a second quantum circuit 11b having at least two quantum states, respectively, and a first waveguide 12a and a second quantum circuit 11b electromagnetically connected to the first quantum circuit 11a. When the first quantum circuit 11a is changed to a predetermined quantum state by transmitting the first high-frequency power to the second waveguide 12b electromagnetically connected to the second quantum circuit 11b, A high-frequency power supply 13b for directly or indirectly transmitting the second high-frequency power to the second waveguide 12b so as to compensate for a change in the quantum state.
Description
本発明は、量子回路システムに関する。 The present invention relates to a quantum circuit system.
近年、量子コンピュータの実用化に向けて研究が進められている。例えば、下記非特許文献1では、トランズモンと呼ばれる量子回路が提案された。トランズモンは、電気的ノイズ耐性が高く、比較的長い緩和時間を有する。
In recent years, research has been advanced toward the practical use of quantum computers. For example, in Non-Patent
また、下記特許文献1には、開口を有する導波路と、導波路内に配設される非線形量子回路と、開口に結合される電磁場源とを備える量子情報処理システムが記載されている。
Further,
さらに、下記特許文献2には、ジョセフソン接合による中断のない細長い薄膜と、細長い薄膜の近位端と電気接触している超伝導量子干渉デバイス(SQUID)であって、3つより少ないジョセフソン接合を有する、超伝導量子干渉デバイス(SQUID)と、細長い薄膜と同一平面内にあり、細長い薄膜の遠位端と電気接触している接地面とを備え、薄膜、SQUID及び接地面が、設計された動作温度において超伝導状態になる材料を含む、量子ビットデバイスが記載されている。 In addition, U.S. Patent No. 6,064,086 discloses a non-interrupted elongated thin film by a Josephson junction and a superconducting quantum interference device (SQUID) in electrical contact with the proximal end of the elongated thin film, wherein less than three Josephson A superconducting quantum interference device (SQUID) with a junction and a ground plane coplanar with the elongated membrane and in electrical contact with the distal end of the elongated membrane, wherein the membrane, SQUID and ground plane are designed A qubit device is described that includes a material that becomes superconducting at a specified operating temperature.
トランズモン等の量子回路の量子状態は、量子回路に接続された導波路に高周波電力を伝搬させることで操作されることがある。このとき、導波路を伝搬する電磁場が漏れて、他の導波路にも電力が伝搬することがあり、他の導波路に接続された量子回路の量子状態が意図せず変化してしまうことがある。 The quantum state of a quantum circuit such as a transmon is sometimes manipulated by propagating high-frequency power through a waveguide connected to the quantum circuit. At this time, the electromagnetic field propagating in the waveguide leaks, and power may also propagate to other waveguides, and the quantum state of the quantum circuit connected to the other waveguide may change unintentionally. is there.
このような意図しない量子状態の変化を訂正するために、量子エラー訂正の技術を用いることが検討されている。しかしながら、量子エラー訂正を実装するためには余分な量子回路を設ける必要があり、回路の大規模化が必要となる。 In order to correct such an unintended change in the quantum state, the use of a quantum error correction technique is being studied. However, in order to implement quantum error correction, it is necessary to provide an extra quantum circuit, and the circuit needs to be increased in scale.
そこで、本発明は、意図しない量子状態の変化を防止することができる量子回路システムを提供する。 Thus, the present invention provides a quantum circuit system that can prevent an unintended change in the quantum state.
本発明の一態様に係る量子回路システムは、少なくとも2つの量子状態をそれぞれ有する第1量子回路及び第2量子回路と、第1量子回路に電磁気的に接続された第1導波路及び第2量子回路に電磁気的に接続された第2導波路と、第1導波路に第1高周波電力を伝搬させて第1量子回路を所定の量子状態に変化させる場合に、第2量子回路の量子状態の変化を補償するように、直接的又は間接的に、第2導波路に第2高周波電力を伝搬させる高周波電源と、を備える。 A quantum circuit system according to one embodiment of the present invention includes a first quantum circuit and a second quantum circuit each having at least two quantum states, a first waveguide and a second quantum circuit electromagnetically connected to the first quantum circuit. A second waveguide that is electromagnetically connected to the circuit, and a first high-frequency power that propagates through the first waveguide to change the first quantum circuit to a predetermined quantum state. A high-frequency power source that directly or indirectly propagates the second high-frequency power to the second waveguide so as to compensate for the change.
この態様によれば、第1量子回路を所定の量子状態に変化させる場合に、第2量子回路の量子状態の変化を補償することができ、第2量子回路について意図しない量子状態の変化を防止することができる。 According to this aspect, when changing the first quantum circuit to the predetermined quantum state, the change in the quantum state of the second quantum circuit can be compensated, and the unintended change in the quantum state of the second quantum circuit can be prevented. can do.
上記態様において、高周波電源は、第1導波路に第1高周波電力を伝搬させたタイミング以降に、第2量子回路の量子状態の変化を補償するように、直接的又は間接的に、第2導波路に第2高周波電力を伝搬させてもよい。 In the above aspect, the high-frequency power supply directly or indirectly compensates for a change in the quantum state of the second quantum circuit after the timing when the first high-frequency power is propagated to the first waveguide. The second high frequency power may be propagated in the wave path.
この態様によれば、第1量子回路を所定の量子状態に変化させるタイミングと同時又はその後に第2量子回路の量子状態の変化を補償することができ、第2量子回路について意図しない量子状態の変化を防止することができる。 According to this aspect, the change of the quantum state of the second quantum circuit can be compensated for at the same time as or after the timing of changing the first quantum circuit to the predetermined quantum state. Changes can be prevented.
上記態様において、高周波電源は、第1導波路に第1高周波電力を伝搬させたことによる第2量子回路の量子状態の変化を補償する高周波電力と、第2量子回路を所定の量子状態に変化させる高周波電力との重ね合わせである第2高周波電力を、直接的又は間接的に、第2導波路に伝搬させてもよい。 In the above aspect, the high-frequency power supply includes a high-frequency power for compensating a change in a quantum state of the second quantum circuit due to the propagation of the first high-frequency power through the first waveguide, and a change in the second quantum circuit to a predetermined quantum state. The second high-frequency power, which is superimposed on the high-frequency power to be made, may be directly or indirectly propagated to the second waveguide.
この態様によれば、第1量子回路を所定の量子状態に変化させたことにより生じる第2量子回路の量子状態の変化を補償しつつ、第2量子回路の量子状態を所定の量子状態に変化させることができる。 According to this aspect, the quantum state of the second quantum circuit is changed to the predetermined quantum state while compensating for the change of the quantum state of the second quantum circuit caused by changing the first quantum circuit to the predetermined quantum state. Can be done.
上記態様において、第2導波路に沿って延伸する補助導波路をさらに備え、高周波電源は、第1導波路に第1高周波電力を伝搬させて第1量子回路を所定の量子状態に変化させる場合に、第2量子回路の量子状態の変化を補償するように、補助導波路に第3高周波電力を伝搬させ、間接的に、第2導波路に第2高周波電力を伝搬させてもよい。 In the above aspect, the semiconductor device may further include an auxiliary waveguide extending along the second waveguide, wherein the high-frequency power supply propagates the first high-frequency power to the first waveguide to change the first quantum circuit to a predetermined quantum state. Alternatively, the third high-frequency power may be propagated to the auxiliary waveguide and the second high-frequency power may be indirectly propagated to the second waveguide so as to compensate for a change in the quantum state of the second quantum circuit.
この態様によれば、第1量子回路を所定の量子状態に変化させる場合に、第2導波路に直接的に高周波電力を伝搬させることなく第2量子回路の量子状態の変化を補償することができる。 According to this aspect, when changing the first quantum circuit to the predetermined quantum state, it is possible to compensate for the change in the quantum state of the second quantum circuit without directly transmitting the high-frequency power to the second waveguide. it can.
上記態様において、補助導波路は、第2導波路に沿って延伸する第1部分及び第2部分と、第1部分及び第2部分を接続する折返し部分とを含んでもよい。 In the above aspect, the auxiliary waveguide may include a first portion and a second portion extending along the second waveguide, and a folded portion connecting the first portion and the second portion.
この態様によれば、補助導波路に第3高周波電力を伝搬させる場合に、より正確に第2導波路に第2高周波電力を伝搬させることができる。 According to this aspect, when transmitting the third high-frequency power to the auxiliary waveguide, the second high-frequency power can be more accurately propagated to the second waveguide.
本発明によれば、意図しない量子状態の変化を防止することができる量子回路システムを提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a quantum circuit system capable of preventing an unintended change in a quantum state.
添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。なお、各図において、同一の符号を付したものは、同一又は同様の構成を有する。 An embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In each of the drawings, the components denoted by the same reference numerals have the same or similar configurations.
図1は、本発明の実施形態に係る量子計算システム100のネットワーク構成を示す図である。量子計算システム100は、量子回路システム10と、ユーザ端末20とを含む。量子回路システム10及びユーザ端末20は、インターネット等の通信ネットワークNを介して互いに通信可能に接続される。量子計算システム100のユーザは、汎用の古典コンピュータで構成されるユーザ端末20を用いて量子回路システム10にデータを入力したり、量子回路システム10によって行われた量子計算の結果を取得したりする。
FIG. 1 is a diagram illustrating a network configuration of a quantum computation system 100 according to an embodiment of the present invention. The quantum computation system 100 includes a
図2は、本実施形態に係る量子回路システム10の構成を示す図である。量子回路システム10は、少なくとも2つの量子状態をそれぞれ有する第1量子回路11a及び第2量子回路11bと、第1量子回路11aに電磁気的に接続された第1導波路12a及び第2量子回路11bに電磁気的に接続された第2導波路12bと、を備える。また、量子回路システム10は、第1導波路12aに第1高周波電力を伝搬させて第1量子回路11aを所定の量子状態に変化させる場合に、第2量子回路11bの量子状態の変化を補償するように、直接的又は間接的に、第2導波路12bに第2高周波電力を伝搬させる第2高周波電源13bを備える。量子回路システム10は、第2導波路12bに高周波電力を伝搬させて第2量子回路11bを所定の量子状態に変化させる場合に、第1量子回路11aの量子状態の変化を補償するように、直接的又は間接的に、第1導波路12aに高周波電力を伝搬させる第1高周波電源13aを備える。
FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of the
さらに、量子回路システム10は、少なくとも2つの量子状態をそれぞれ有する第3量子回路11c及び第4量子回路11dと、第3量子回路11cに電磁気的に接続された第3導波路12c及び第4量子回路11dに電磁気的に接続された第4導波路12dと、をさらに備える。また、量子回路システム10は、第3導波路12cに第3高周波電力を伝搬させて第3量子回路11cを所定の量子状態に変化させる場合に、第4量子回路11dの量子状態の変化を補償するように、直接的又は間接的に、第4導波路12dに第4高周波電力を伝搬させる第4高周波電源13dを備える。また、量子回路システム10は、第4導波路12dに高周波電力を伝搬させて第4量子回路11dを所定の量子状態に変化させる場合に、第3量子回路11cの量子状態の変化を補償するように、直接的又は間接的に、第3導波路12cに高周波電力を伝搬させる第3高周波電源13cを備える。
Further, the
第1量子回路11a、第2量子回路11b、第3量子回路11c及び第4量子回路11dは、それぞれ同様の構成を有してよく、例えばトランズモンを含む量子回路であってよい。第1導波路12a、第2導波路12b、第3導波路12c及び第4導波路12dは、それぞれ同様の構成を有してよく、例えばコプレナー線路やマイクロストリップ線路等を含む導波路であってよい。第1高周波電源13a、第2高周波電源13b、第3高周波電源13c及び第4高周波電源13dは、それぞれ同様の構成を有してよく、例えば数GHzの高周波パルスを出力する電源を含んでよい。
Each of the first
本明細書では、第1量子回路11a、第2量子回路11b、第3量子回路11c及び第4量子回路11dを含む複数の量子回路を単に量子回路11と呼ぶ。また、第1導波路12a、第2導波路12b、第3導波路12c及び第4導波路12dを含む複数の導波路を単に導波路12と呼び、第1高周波電源13a、第2高周波電源13b、第3高周波電源13c及び第4高周波電源13dを含む複数の高周波電源を単に高周波電源13と呼ぶ。
In this specification, a plurality of quantum circuits including the first
図2では、4つの量子回路11と、4つの導波路12と、4つの高周波電源13とを備える量子回路システム10を例示しているが、量子回路11、導波路12及び高周波電源13の数は任意である。高周波電源13の数が量子回路11の数より少なく、分波器等を介して量子回路11に接続される構造であってもよい。
FIG. 2 illustrates a
図3は、本実施形態に係る量子回路11の回路図の一例である。量子回路11は、ジョセフソン接合JJ及びキャパシタCBを含むトランズモン111と、インダクタLr及びキャパシタCrを含む共振器112とを有する。高周波電源13は、入力キャパシタCinの一端に接続され、高周波電源13から出力される高周波パルスは、ゲートキャパシタCgを介してトランズモン111に入力され、トランズモン111の量子状態を変化させる。ジョセフソン接合JJの数は1つとは限らず、並列に2つ接続されdc-SQUIDの構成とする場合や、サイズが異なるジョセフソン接合JJが並列に接続される場合(Flux qubit等)や、サイズが異なるジョセフソン接合JJが複数接続される場合(Fluxonium等)があり得る。このようにジョセフソン接合JJの数やサイズにより、系のエネルギーポテンシャルが目的に応じて調整されることがある。FIG. 3 is an example of a circuit diagram of the
図4は、本実施形態に係る量子回路システム10の第1導波路12aの波形、第2導波路12bの波形及び第2量子回路11bの量子状態の第1例を示す図である。同図では、第1導波路12aの電圧及び時間の関係を示す波形グラフと、第2導波路12bの電圧及び時間の関係を示す波形グラフと、第2量子回路11bの量子状態を表すブロッホ球とを示している。なお、同図では、説明を簡明にするため、第1導波路12a及び第2導波路12bの電圧のグラフとしているが、第1導波路12a及び第2導波路12bに伝搬するのは高周波パルスであり、電圧と電流に明確に分離されない電力が伝搬することとなる。
FIG. 4 is a diagram illustrating a first example of the waveform of the
以下では、第1導波路12aに第1高周波電力を伝搬させて第1量子回路11aを所定の量子状態に変化させる場合に、第2量子回路11bの量子状態の変化を補償するように、第2導波路12bに第2高周波電力を伝搬させる例について説明するが、この関係は逆であってもよい。すなわち、第2導波路12bに高周波電力を伝搬させて第2量子回路11bを所定の量子状態に変化させる場合に、第1量子回路11aの量子状態の変化を補償するように、第1導波路12aに高周波電力を伝搬させてもよい。また、第2導波路12bと第3導波路12cとの間で同様の処理を行ってもよいし、第3導波路12cと第4導波路12dとの間で同様の処理を行ってもよい。
Hereinafter, when the first high frequency power is propagated through the
第1導波路12aに第1高周波電力を伝搬させて第1量子回路11aを所定の量子状態に変化させる場合、第1導波路12aに比較的大きな第1高周波電力が入力され、第1導波路12aの周囲に漏れ電磁場が生じる。そして、漏れ電磁場の影響により、第1導波路12aに隣接する第2導波路12bに意図しない高周波電力が伝搬し、第2量子回路11bの量子状態が変化してしまう。図4では、漏れ電磁場の影響により第2量子回路11bの量子状態が変化する様子を、量子ビットの方向が傾いたブロッホ球によって示している。
When the first high frequency power is propagated to the
第2高周波電源13bは、第2量子回路11bの量子状態の変化を補償するように、直接的又は間接的に、第2導波路12bに第2高周波電力を伝搬させる。本例の場合、第2高周波電源13bは、第1導波路12aに第1高周波電力を伝搬させたタイミング以降に、第2量子回路11bの量子状態の変化を補償するように、直接的又は間接的に、第2導波路12bに第2高周波電力を伝搬させる。より具体的には、本例の場合、第2高周波電源13bは、第1導波路12aに第1高周波電力を伝搬させたタイミングよりも後に、第2量子回路11bの量子状態の変化を補償するように、直接的に、第2導波路12bに第2高周波電力を伝搬させている。図4では、補償された後の第2量子回路11bの量子状態を、量子ビットの方向が垂直上向きに戻ったブロッホ球によって示している。
The second high-
第2量子回路11bの量子状態の変化を補償するように、第2導波路12bに伝搬させる第2高周波電力の大きさは、量子回路システム10を構成する複数の材料の物理的特性と、第1導波路12a及び第2導波路12bの配置とに基づいて理論的に算出してもよいし、量子回路システム10を実働させて実験的に定めてもよい。
The magnitude of the second high-frequency power transmitted to the
このように、第1量子回路11aを所定の量子状態に変化させる場合に、第2量子回路11bの量子状態の変化を補償することができ、第2量子回路11bについて意図しない量子状態の変化を防止することができる。当然ながら、同様の処理を第2高周波電源13b以外の高周波電源13によって行うことで、任意の量子回路11について意図しない量子状態の変化を防止することができる。
As described above, when the first
また、第1量子回路11aを所定の量子状態に変化させるタイミングと同時又はその後に第2量子回路11bの量子状態の変化を補償することができ、第2量子回路11bについて意図しない量子状態の変化を防止することができる。
In addition, the change in the quantum state of the second
図5は、本実施形態に係る量子回路システム10の第1導波路12aの波形、第2導波路12bの波形及び第2量子回路11bの量子状態の第2例を示す図である。同図では、第1導波路12aの電圧及び時間の関係を示す波形グラフと、第2導波路12bの電圧及び時間の関係を示す波形グラフと、第2量子回路11bの量子状態を表すブロッホ球とを示している。なお、同図では、説明を簡明にするため、第1導波路12a及び第2導波路12bの電圧のグラフとしているが、第1導波路12a及び第2導波路12bに伝搬するのは高周波パルスであり、電圧と電流に明確に分離されない電力が伝搬することとなる。
FIG. 5 is a diagram illustrating a second example of the waveform of the
以下では、第1導波路12aに第1高周波電力を伝搬させて第1量子回路11aを所定の量子状態に変化させる場合に、第2量子回路11bの量子状態の変化を補償するように、第2導波路12bに第2高周波電力を伝搬させる例について説明するが、この関係は逆であってもよい。すなわち、第2導波路12bに高周波電力を伝搬させて第2量子回路11bを所定の量子状態に変化させる場合に、第1量子回路11aの量子状態の変化を補償するように、第1導波路12aに高周波電力を伝搬させてもよい。また、第2導波路12bと第3導波路12cとの間で同様の処理を行ってもよいし、第3導波路12cと第4導波路12dとの間で同様の処理を行ってもよい。
Hereinafter, when the first high frequency power is propagated through the
第1導波路12aに第1高周波電力を伝搬させて第1量子回路11aを所定の量子状態に変化させる場合、第1導波路12aに比較的大きな第1高周波電力が入力され、第1導波路12aの周囲に漏れ電磁場が生じる。そして、漏れ電磁場の影響により、第1導波路12aに隣接する第2導波路12bに意図しない高周波電力が伝搬し、第2量子回路11bの量子状態が変化してしまう。
When the first high frequency power is propagated to the
第2高周波電源13bは、第2量子回路11bの量子状態の変化を補償するように、直接的又は間接的に、第2導波路12bに第2高周波電力を伝搬させる。本例の場合、第2高周波電源13bは、第1導波路12aに第1高周波電力を伝搬させたタイミングと同時に、第2量子回路11bの量子状態の変化を補償するように、直接的に、第2導波路12bに第2高周波電力を伝搬させている。図5では、第1高周波電力が入力された前後で、第2量子回路11bの量子状態が変化していないことを、量子ビットの方向が垂直上向きのまま変化していないブロッホ球によって示している。
The second high-
このように、第1量子回路11aを所定の量子状態に変化させる場合に、第2量子回路11bの量子状態の変化を補償することができ、第2量子回路11bについて意図しない量子状態の変化を防止することができる。当然ながら、同様の処理を第2高周波電源13b以外の高周波電源13によって行うことで、任意の量子回路11について意図しない量子状態の変化を防止することができる。
As described above, when the first
また、第1量子回路11aを所定の量子状態に変化させるタイミングと同時又はその後に第2量子回路11bの量子状態の変化を補償することができ、第2量子回路11bについて意図しない量子状態の変化を防止することができる。
In addition, the change in the quantum state of the second
図6は、本実施形態に係る量子回路システム10の第1導波路12aの波形、第2導波路12bの波形及び第2量子回路11bの量子状態の第3例を示す図である。同図では、第1導波路12aの電圧及び時間の関係を示す波形グラフと、第2導波路12bの電圧及び時間の関係を示す波形グラフと、第2量子回路11bの量子状態を表すブロッホ球とを示している。なお、同図では、説明を簡明にするため、第1導波路12a及び第2導波路12bの電圧のグラフとしているが、第1導波路12a及び第2導波路12bに伝搬するのは高周波パルスであり、電圧と電流に明確に分離されない電力が伝搬することとなる。
FIG. 6 is a diagram illustrating a third example of the waveform of the
以下では、第1導波路12aに第1高周波電力を伝搬させて第1量子回路11aを所定の量子状態に変化させる場合に、第2量子回路11bの量子状態の変化を補償するように、第2導波路12bに第2高周波電力を伝搬させる例について説明するが、この関係は逆であってもよい。すなわち、第2導波路12bに高周波電力を伝搬させて第2量子回路11bを所定の量子状態に変化させる場合に、第1量子回路11aの量子状態の変化を補償するように、第1導波路12aに高周波電力を伝搬させてもよい。また、第2導波路12bと第3導波路12cとの間で同様の処理を行ってもよいし、第3導波路12cと第4導波路12dとの間で同様の処理を行ってもよい。
Hereinafter, when the first high frequency power is propagated through the
第1導波路12aに第1高周波電力を伝搬させて第1量子回路11aを所定の量子状態に変化させる場合、第1導波路12aに比較的大きな第1高周波電力が入力され、第1導波路12aの周囲に漏れ電磁場が生じる。そして、漏れ電磁場の影響により、第1導波路12aに隣接する第2導波路12bに意図しない高周波電力が伝搬し、第2量子回路11bの量子状態が変化してしまう。図6では、漏れ電磁場の影響により第2量子回路11bの量子状態が変化する様子を、量子ビットの方向が傾いたブロッホ球によって示している。
When the first high frequency power is propagated to the
第2高周波電源13bは、第1導波路12aに第1高周波電力を伝搬させたことによる第2量子回路11bの量子状態の変化を補償する高周波電力と、第2量子回路11bを所定の量子状態に変化させる高周波電力との重ね合わせである第2高周波電力を、直接的又は間接的に、第2導波路12bに伝搬させる。本例の場合、第2高周波電源13bは、第1導波路12aに第1高周波電力を伝搬させたタイミングよりも後に、第1導波路12aに第1高周波電力を伝搬させたことによる第2量子回路11bの量子状態の変化を補償する高周波電力と、第2量子回路11bを所定の量子状態に変化させる高周波電力との重ね合わせである第2高周波電力を、直接的に、第2導波路12bに伝搬させている。図6では、補償によりパルス高がδだけ低くなった第2高周波電力を図示するとともに、補償込みの第2高周波電力によって、第2量子回路11bの量子状態が、所定の量子状態である水平右向きに変化したブロッホ球によって示している。なお、このような変換は、初期の量子状態を|0>とした場合に、アダマールゲートを作用させ、(|0>+|1>)/√2という所定の量子状態に変化させる変換に相当する。
The second high-
補償の大きさδは、量子回路システム10を構成する複数の材料の物理的特性と、第1導波路12a及び第2導波路12bの配置とに基づいて理論的に算出してもよいし、量子回路システム10を実働させて実験的に定めてもよい。
The magnitude of compensation δ may be theoretically calculated based on the physical characteristics of a plurality of materials constituting the
このように、第1量子回路11aを所定の量子状態に変化させたことにより生じる第2量子回路11bの量子状態の変化を補償しつつ、第2量子回路11bの量子状態を所定の量子状態に変化させることができる。
Thus, while compensating for the change in the quantum state of the second
図7は、本実施形態に係る量子回路システム10の第1導波路12aの波形、第2導波路12bの波形及び第2量子回路11bの量子状態の第4例を示す図である。同図では、第1導波路12aの電圧及び時間の関係を示す波形グラフと、第2導波路12bの電圧及び時間の関係を示す波形グラフと、第2量子回路11bの量子状態を表すブロッホ球とを示している。なお、同図では、説明を簡明にするため、第1導波路12a及び第2導波路12bの電圧のグラフとしているが、第1導波路12a及び第2導波路12bに伝搬するのは高周波パルスであり、電圧と電流に明確に分離されない電力が伝搬することとなる。
FIG. 7 is a diagram illustrating a fourth example of the waveform of the
第1導波路12aに第1高周波電力を伝搬させて第1量子回路11aを所定の量子状態に変化させる場合、第1導波路12aに比較的大きな第1高周波電力が入力され、第1導波路12aの周囲に漏れ電磁場が生じる。そして、漏れ電磁場の影響により、第1導波路12aに隣接する第2導波路12bに意図しない高周波電力が伝搬し、第2量子回路11bの量子状態が変化してしまう。図7では、漏れ電磁場の影響により第2量子回路11bの量子状態が変化する様子を、量子ビットの方向が傾いたブロッホ球によって示している。
When the first high frequency power is propagated to the
第1高周波電源13aは、第2量子回路11bの量子状態の変化を補償するように、間接的に、第2導波路12bに第2高周波電力を伝搬させる。本例の場合、第1高周波電源13aは、第1導波路12aに第1高周波電力を伝搬させたタイミングよりも後に、第2量子回路11bの量子状態の変化を補償するように、間接的に、第2導波路12bに第2高周波電力を伝搬させる。より具体的には、第1高周波電源13aは、第1導波路12aに第1高周波電力を伝搬させたタイミングよりも後に、第2量子回路11bの量子状態の変化を補償するように、第1高周波電力と逆位相の高周波電力を第1導波路12aに伝搬させ、その漏れ電磁場によって、間接的に、第2導波路12bに第2高周波電力を伝搬させる。図7では、補償された後の第2量子回路11bの量子状態を、量子ビットの方向が垂直上向きに戻ったブロッホ球によって示している。
The first high-
第2量子回路11bの量子状態の変化を補償するように、第1導波路12aに伝搬させる第1高周波電力と逆位相の高周波電力の大きさは、量子回路システム10を構成する複数の材料の物理的特性と、第1導波路12a及び第2導波路12bの配置とに基づいて理論的に算出してもよいし、量子回路システム10を実働させて実験的に定めてもよい。
The magnitude of the high-frequency power having the opposite phase to the first high-frequency power transmitted to the
このように、第1量子回路11aを所定の量子状態に変化させる場合に、第2量子回路11bの量子状態の変化を補償することができ、第2量子回路11bについて意図しない量子状態の変化を防止することができる。
As described above, when the first
図8は、本実施形態の第1変形例に係る量子回路システム10aの構成を示す図である。第1変形例に係る量子回路システム10aは、少なくとも2つの量子状態をそれぞれ有する第1量子回路11a及び第2量子回路11bと、第1量子回路11aに電磁気的に接続された第1導波路12a及び第2量子回路11bに電磁気的に接続された第2導波路12bと、を備える。また、第1変形例に係る量子回路システム10aは、第2導波路12bに沿って延伸する第2補助導波路15bを備える。さらに、第1変形例に係る量子回路システム10aは、第1導波路12aに第1高周波電力を伝搬させて第1量子回路11aを所定の量子状態に変化させる場合に、第2量子回路11bの量子状態の変化を補償するように、第2補助導波路15bに第3高周波電力を伝搬させ、間接的に、第2導波路12bに第2高周波電力を伝搬させる、第2補助高周波電源16bを備える。
FIG. 8 is a diagram illustrating a configuration of a
第1変形例に係る量子回路システム10aは、第2導波路12bに高周波電力を伝搬させて第2量子回路11bを所定の量子状態に変化させる場合に、第1量子回路11aの量子状態の変化を補償するように、第1補助導波路15aに高周波電力を伝搬させ、間接的に、第1導波路12aに高周波電力を伝搬させる、第1補助高周波電源16aを備える。
The
本明細書では、第1補助導波路15a及び第2補助導波路15bを含む複数の補助導波路を単に補助導波路15と呼ぶ。また、第1補助高周波電源16a及び第2補助高周波電源16bを含む複数の補助高周波電源を単に補助高周波電源16と呼ぶ。
In this specification, a plurality of auxiliary waveguides including the first
なお、図8では、2つの量子回路11と、2つの導波路12と、2つの高周波電源13と、2つの補助導波路15と、2つの補助高周波電源16とを備える第1変化例に係る量子回路システム10aを例示しているが、量子回路11、導波路12、高周波電源13、補助導波路15及び補助高周波電源16の数は任意である。
Note that FIG. 8 relates to a first modification example including two
図9は、本実施形態の第1変形例に係る量子回路システム10aの第1導波路12aの波形、第2導波路12bの波形及び第2量子回路11bの量子状態の第1例を示す図である。同図では、第1導波路12aの電圧及び時間の関係を示す波形グラフと、第2導波路12bの電圧及び時間の関係を示す波形グラフと、補助導波路(第2補助導波路15b)の電圧及び時間の関係を示す波形グラフと、第2量子回路11bの量子状態を表すブロッホ球とを示している。なお、同図では、説明を簡明にするため、第1導波路12a、第2導波路12b及び第2補助導波路15bの電圧のグラフとしているが、第1導波路12a、第2導波路12b及び第2補助導波路15bに伝搬するのは高周波パルスであり、電圧と電流に明確に分離されない電力が伝搬することとなる。
FIG. 9 is a diagram illustrating a first example of the waveform of the
以下では、第1導波路12aに第1高周波電力を伝搬させて第1量子回路11aを所定の量子状態に変化させる場合に、第2量子回路11bの量子状態の変化を補償するように、第2補助導波路15bに第3高周波電力を伝搬させる例について説明するが、この関係は逆であってもよい。すなわち、第2導波路12bに高周波電力を伝搬させて第2量子回路11bを所定の量子状態に変化させる場合に、第1量子回路11aの量子状態の変化を補償するように、第1補助導波路15aに高周波電力を伝搬させてもよい。
Hereinafter, when the first high frequency power is propagated through the
第1導波路12aに第1高周波電力を伝搬させて第1量子回路11aを所定の量子状態に変化させる場合、第1導波路12aに比較的大きな第1高周波電力が入力され、第1導波路12aの周囲に漏れ電磁場が生じる。そして、漏れ電磁場の影響により、第1導波路12aに隣接する第2導波路12bに意図しない高周波電力が伝搬し、第2量子回路11bの量子状態が変化してしまう。図9では、漏れ電磁場の影響により第2量子回路11bの量子状態が変化する様子を、量子ビットの方向が傾いたブロッホ球によって示している。
When the first high frequency power is propagated to the
第2補助高周波電源16bは、第2量子回路11bの量子状態の変化を補償するように、第2補助導波路15bに第3高周波電力を伝搬させ、間接的に、第2導波路12bに第2高周波電力を伝搬させる。より具体的には、本例の場合、第2補助高周波電源16bは、第1導波路12aに第1高周波電力を伝搬させたタイミングよりも後に、第2量子回路11bの量子状態の変化を補償するように、第2補助導波路15bに第3高周波電力を伝搬させ、間接的に、第2導波路12bに第2高周波電力を伝搬させている。図9では、補償された後の第2量子回路11bの量子状態を、量子ビットの方向が垂直上向きに戻ったブロッホ球によって示している。
The second auxiliary high-
第2量子回路11bの量子状態の変化を補償するように、第2補助導波路15bに伝搬させる第3高周波電力の大きさは、量子回路システム10を構成する複数の材料の物理的特性と、第1導波路12a、第2導波路12b及び第2補助導波路15bの配置とに基づいて理論的に算出してもよいし、第1変形例に係る量子回路システム10aを実働させて実験的に定めてもよい。
The magnitude of the third high-frequency power transmitted to the second
このように、第1量子回路11aを所定の量子状態に変化させる場合に、第2導波路12bに直接的に高周波電力を伝搬させることなく第2量子回路11bの量子状態の変化を補償することができる。
As described above, when the first
図10は、本実施形態の第1変形例に係る量子回路システム10aの第1導波路12aの波形、第2導波路12bの波形及び第2量子回路11bの量子状態の第2例を示す図である。同図では、第1導波路12aの電圧及び時間の関係を示す波形グラフと、第2導波路12bの電圧及び時間の関係を示す波形グラフと、補助導波路(第2補助導波路15b)の電圧及び時間の関係を示す波形グラフと、第2量子回路11bの量子状態を表すブロッホ球とを示している。なお、同図では、説明を簡明にするため、第1導波路12a、第2導波路12b及び第2補助導波路15bの電圧のグラフとしているが、第1導波路12a、第2導波路12b及び第2補助導波路15bに伝搬するのは高周波パルスであり、電圧と電流に明確に分離されない電力が伝搬することとなる。
FIG. 10 is a diagram illustrating a second example of the waveform of the
以下では、第1導波路12aに第1高周波電力を伝搬させて第1量子回路11aを所定の量子状態に変化させる場合に、第2量子回路11bの量子状態の変化を補償するように、第2補助導波路15bに第3高周波電力を伝搬させる例について説明するが、この関係は逆であってもよい。すなわち、第2導波路12bに高周波電力を伝搬させて第2量子回路11bを所定の量子状態に変化させる場合に、第1量子回路11aの量子状態の変化を補償するように、第1補助導波路15aに高周波電力を伝搬させてもよい。
Hereinafter, when the first high frequency power is propagated through the
第1導波路12aに第1高周波電力を伝搬させて第1量子回路11aを所定の量子状態に変化させる場合、第1導波路12aに比較的大きな第1高周波電力が入力され、第1導波路12aの周囲に漏れ電磁場が生じる。そして、漏れ電磁場の影響により、第1導波路12aに隣接する第2導波路12bに意図しない高周波電力が伝搬し、第2量子回路11bの量子状態が変化してしまう。図10では、漏れ電磁場の影響により第2量子回路11bの量子状態が変化する様子を、量子ビットの方向が傾いたブロッホ球によって示している。
When the first high frequency power is propagated to the
第2補助高周波電源16bは、第2量子回路11bの量子状態の変化を補償するように、第2補助導波路15bに第3高周波電力を伝搬させ、間接的に、第2導波路12bに第2高周波電力を伝搬させる。より具体的には、本例の場合、第2補助高周波電源16bは、第1導波路12aに第1高周波電力を伝搬させたタイミングと同時に、第2量子回路11bの量子状態の変化を補償するように、第2補助導波路15bに第3高周波電力を伝搬させ、間接的に、第2導波路12bに第2高周波電力を伝搬させている。図10では、第1高周波電力が入力された前後で、第2量子回路11bの量子状態が変化していないことを、量子ビットの方向が垂直上向きのまま変化していないブロッホ球によって示している。
The second auxiliary high-
第2量子回路11bの量子状態の変化を補償するように、第2補助導波路15bに伝搬させる第3高周波電力の大きさは、量子回路システム10を構成する複数の材料の物理的特性と、第1導波路12a、第2導波路12b及び第2補助導波路15bの配置とに基づいて理論的に算出してもよいし、第1変形例に係る量子回路システム10aを実働させて実験的に定めてもよい。
The magnitude of the third high-frequency power transmitted to the second
このように、第1量子回路11aを所定の量子状態に変化させる場合に、第2導波路12bに直接的に高周波電力を伝搬させることなく第2量子回路11bの量子状態の変化を補償することができる。
As described above, when the first
図11は、本実施形態の第2変形例に係る量子回路システム10bの構成を示す図である。第2変形例に係る量子回路システム10bは、少なくとも2つの量子状態をそれぞれ有する第1量子回路11a及び第2量子回路11bと、第1量子回路11aに電磁気的に接続された第1導波路12a及び第2量子回路11bに電磁気的に接続された第2導波路12bと、を備える。また、第2変形例に係る量子回路システム10bは、第2導波路12bに沿って延伸する第2補助導波路15bを備える。さらに、第2変形例に係る量子回路システム10bは、第1導波路12aに第1高周波電力を伝搬させて第1量子回路11aを所定の量子状態に変化させる場合に、第2量子回路11bの量子状態の変化を補償するように、第2補助導波路15bに第3高周波電力を伝搬させ、間接的に、第2導波路12bに第2高周波電力を伝搬させる、第2補助高周波電源16bを備える。
FIG. 11 is a diagram illustrating a configuration of a
第2変形例に係る量子回路システム10bは、第2導波路12bに高周波電力を伝搬させて第2量子回路11bを所定の量子状態に変化させる場合に、第1量子回路11aの量子状態の変化を補償するように、第1補助導波路15aに高周波電力を伝搬させ、間接的に、第1導波路12aに高周波電力を伝搬させる、第1補助高周波電源16aを備える。
The
第2変形例に係る量子回路システム10bでは、第2補助導波路15bは、第2導波路12bに沿って延伸する第1部分151b及び第2部分152bと、第1部分151b及び第2部分152bを接続する折返し部分153bとを含む。また、第1補助導波路15aは、第1導波路12aに沿って延伸する第1部分151a及び第2部分152aと、第1部分151a及び第2部分152aを接続する折返し部分153aとを含む。
In the
このように、補助導波路15を第1部分151、第2部分152及び折返し部分153によって構成することで、比較的均一な電磁場が周囲に生じる第1部分151を導波路12に隣接させることができ、補助導波路15に第3高周波電力を伝搬させる場合に、より正確に第2導波路に第2高周波電力を伝搬させることができる。 Thus, by forming the auxiliary waveguide 15 by the first portion 151, the second portion 152, and the folded portion 153, the first portion 151 where a relatively uniform electromagnetic field is generated around the first portion 151 can be adjacent to the waveguide 12. Thus, when the third high-frequency power is propagated to the auxiliary waveguide 15, the second high-frequency power can be more accurately propagated to the second waveguide.
なお、図11では、2つの量子回路11と、2つの導波路12と、2つの高周波電源13と、2つの補助導波路15と、2つの補助高周波電源16とを備える第2変形例に係る量子回路システム10bを例示しているが、量子回路11、導波路12、高周波電源13、補助導波路15及び補助高周波電源16の数は任意である。
Note that FIG. 11 relates to a second modified example including two
図12は、本実施形態の第3変形例に係る量子回路システム10cの構成を示す図である。第3変形例に係る量子回路システム10cは、少なくとも2つの量子状態をそれぞれ有する第1量子回路11a及び第2量子回路11bと、第1量子回路11aに電磁気的に接続された第1導波路12a及び第2量子回路11bに電磁気的に接続された第2導波路12bと、を備える。また、第3変形例に係る量子回路システム10cは、第2導波路12bに沿って延伸する第2補助導波路15bを備える。さらに、第3変形例に係る量子回路システム10cは、第1導波路12aに第1高周波電力を伝搬させて第1量子回路11aを所定の量子状態に変化させる場合に、第2量子回路11bの量子状態の変化を補償するように、第2補助導波路15bに第3高周波電力を伝搬させ、間接的に、第2導波路12bに第2高周波電力を伝搬させる、第2補助高周波電源16bを備える。
FIG. 12 is a diagram illustrating a configuration of a
第3変形例に係る量子回路システム10cは、第2導波路12bに高周波電力を伝搬させて第2量子回路11bを所定の量子状態に変化させる場合に、第1量子回路11aの量子状態の変化を補償するように、第1補助導波路15aに高周波電力を伝搬させ、間接的に、第1導波路12aに高周波電力を伝搬させる、第1補助高周波電源16aを備える。
The
第3変形例に係る量子回路システム10cでは、第1量子回路11a、第2量子回路11b、第1導波路12a、第2導波路12b、第1高周波電源13a、第2高周波電源13b、第1補助導波路15a、第2補助導波路15b、第1補助高周波電源16a及び第2補助高周波電源16bを一単位とする構成が、複数並んで配置されている。
In the
より具体的には、第3変形例に係る量子回路システム10cでは、上記一単位の構成が、高周波電源13の設けられる位置が量子回路11を挟んで互いに逆側になるように、導波路12が延伸する方向と直交する方向に隣接して複数配置されている。このような配置によって、複数の量子回路11が設けられる基板面積を効率的に用いることができるとともに、補助導波路15によって、量子回路11に生じる意図しない量子状態の変化を補償することができる。
More specifically, in the
なお、図12では、8つの量子回路11と、8つの導波路12と、8つの高周波電源13と、8つの補助導波路15と、8つの補助高周波電源16とを備える第3変形例に係る量子回路システム10cを例示しているが、量子回路11、導波路12、高周波電源13、補助導波路15及び補助高周波電源16の数は任意である。
FIG. 12 relates to a third modified example including eight
図13は、本実施形態の第4変形例に係る量子回路システム10dの構成を示す図である。第4変形例に係る量子回路システム10dは、少なくとも2つの量子状態をそれぞれ有する第1量子回路11a及び第2量子回路11bと、第1量子回路11aに電磁気的に接続された第1導波路12a及び第2量子回路11bに電磁気的に接続された第2導波路12bと、を備える。また、第4変形例に係る量子回路システム10dは、第2導波路12bに沿って延伸する第2補助導波路15bを備える。さらに、第4変形例に係る量子回路システム10dは、第1導波路12aに第1高周波電力を伝搬させて第1量子回路11aを所定の量子状態に変化させる場合に、第2量子回路11bの量子状態の変化を補償するように、第2補助導波路15bに第3高周波電力を伝搬させ、間接的に、第2導波路12bに第2高周波電力を伝搬させる、第2補助高周波電源16bを備える。
FIG. 13 is a diagram illustrating a configuration of a
第4変形例に係る量子回路システム10dは、第2導波路12bに高周波電力を伝搬させて第2量子回路11bを所定の量子状態に変化させる場合に、第1量子回路11aの量子状態の変化を補償するように、第1補助導波路15aに高周波電力を伝搬させ、間接的に、第1導波路12aに高周波電力を伝搬させる、第1補助高周波電源16aを備える。
The
第4変形例に係る量子回路システム10dでは、第1量子回路11a、第2量子回路11b、第1導波路12a、第2導波路12b、第1高周波電源13a、第2高周波電源13b、第1補助導波路15a、第2補助導波路15b、第1補助高周波電源16a及び第2補助高周波電源16bを一単位とする構成が、複数並んで配置されている。
In a
より具体的には、第4変形例に係る量子回路システム10dでは、導波路12が放射状に延伸し、高周波電源13の設けられる位置が量子回路11の位置を中心に90°ずつ回転して配置されるように、上記一単位の構成が複数配置されている。このような配置によって、複数の量子回路11が設けられる基板面積を効率的に用いることができるとともに、補助導波路15によって、量子回路11に生じる意図しない量子状態の変化を補償することができる。
More specifically, in the
なお、図13では、8つの量子回路11と、8つの導波路12と、8つの高周波電源13と、8つの補助導波路15と、8つの補助高周波電源16とを備える第4変形例に係る量子回路システム10dを例示しているが、量子回路11、導波路12、高周波電源13、補助導波路15及び補助高周波電源16の数は任意である。
Note that FIG. 13 relates to a fourth modified example including eight
図14は、本実施形態の第5変形例に係る量子回路システム10eの構成を示す図である。第5変形例に係る量子回路システム10eは、少なくとも2つの量子状態をそれぞれ有する第1量子回路11a及び第2量子回路11bと、第1量子回路11aに電磁気的に接続された第1導波路12a及び第2量子回路11bに電磁気的に接続された第2導波路12bと、を備える。また、第5変形例に係る量子回路システム10eは、第2導波路12bに沿って延伸する第2補助導波路15bを備える。さらに、第5変形例に係る量子回路システム10eは、第1導波路12aに第1高周波電力を伝搬させて第1量子回路11aを所定の量子状態に変化させる場合に、第2量子回路11bの量子状態の変化を補償するように、第2補助導波路15bに第3高周波電力を伝搬させ、間接的に、第2導波路12bに第2高周波電力を伝搬させる、第2補助高周波電源16bを備える。
FIG. 14 is a diagram illustrating a configuration of a
第5変形例に係る量子回路システム10eは、第2導波路12bに高周波電力を伝搬させて第2量子回路11bを所定の量子状態に変化させる場合に、第1量子回路11aの量子状態の変化を補償するように、第1補助導波路15aに高周波電力を伝搬させ、間接的に、第1導波路12aに高周波電力を伝搬させる、第1補助高周波電源16aを備える。
The
また、第5変形例に係る量子回路システム10eは、第1量子回路11aの量子状態を読み出すための第1読出し線14aと、第2量子回路11bの量子状態を読み出すための第2読出し線14bとを備える。第1読出し線14aは、出力キャパシタを介して、第1量子回路11aに含まれる入力キャパシタCinとゲートキャパシタCgの間に接続されてよい。同様に、第2読出し線14bは、出力キャパシタを介して、第2量子回路11bに含まれる入力キャパシタCinとゲートキャパシタCgの間に接続されてよい。なお出力キャパシタが入力キャパシタCinを兼ねていてもよい。The
第5変形例に係る量子回路システム10eでは、第1量子回路11a、第2量子回路11b、第1導波路12a、第2導波路12b、第1高周波電源13a、第2高周波電源13b、第1補助導波路15a、第2補助導波路15b、第1補助高周波電源16a及び第2補助高周波電源16bを一単位とする構成が、複数並んで配置されている。
In the
より具体的には、第5変形例に係る量子回路システム10eでは、上記一単位の構成が、高周波電源13の設けられる位置が量子回路11を挟んで互いに逆側になるように、導波路12が延伸する方向と直交する方向に隣接して複数配置されている。このような配置によって、複数の量子回路11が設けられる基板面積を効率的に用いることができるとともに、補助導波路15によって、量子回路11に生じる意図しない量子状態の変化を補償することができる。
More specifically, in the
なお、図14では、4つの量子回路11と、4つの導波路12と、4つの高周波電源13と、4つの補助導波路15と、4つの補助高周波電源16と、4つの読出し線14とを備える第5変形例に係る量子回路システム10eを例示しているが、量子回路11、導波路12、高周波電源13、補助導波路15、補助高周波電源16及び4つの読出し線14の数は任意である。
In FIG. 14, four
以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。実施形態が備える各要素並びにその配置、材料、条件、形状及びサイズ等は、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、異なる実施形態で示した構成同士を部分的に置換し又は組み合わせることが可能である。 The embodiments described above are intended to facilitate understanding of the present invention, and are not intended to limit and interpret the present invention. Each element included in the embodiment and the arrangement, material, condition, shape, size, and the like of the embodiment are not limited to those illustrated but can be appropriately changed. It is also possible to partially replace or combine the configurations shown in different embodiments.
Claims (5)
前記第1量子回路に電磁気的に接続された第1導波路及び前記第2量子回路に電磁気的に接続された第2導波路と、
前記第1導波路に第1高周波電力を伝搬させて前記第1量子回路を所定の量子状態に変化させる場合に、前記第2量子回路の量子状態の変化を補償するように、直接的又は間接的に、前記第2導波路に第2高周波電力を伝搬させる高周波電源と、
を備える量子回路システム。A first quantum circuit and a second quantum circuit each having at least two quantum states;
A first waveguide electromagnetically connected to the first quantum circuit and a second waveguide electromagnetically connected to the second quantum circuit;
When the first high frequency power is propagated through the first waveguide to change the first quantum circuit to a predetermined quantum state, a direct or indirect method is used to compensate for the change in the quantum state of the second quantum circuit. A high-frequency power source for transmitting a second high-frequency power to the second waveguide;
A quantum circuit system comprising:
請求項1に記載の量子回路システム。The high-frequency power supply directly or indirectly compensates for a change in the quantum state of the second quantum circuit after the timing at which the first high-frequency power is propagated to the first waveguide. Propagating the second high-frequency power through a waveguide;
The quantum circuit system according to claim 1.
請求項1又は2に記載の量子回路システム。The high-frequency power supply includes a high-frequency power for compensating for a change in a quantum state of the second quantum circuit due to the propagation of the first high-frequency power to the first waveguide, and sets the second quantum circuit to a predetermined quantum state. The second high-frequency power, which is a superposition with the high-frequency power to be changed, is directly or indirectly propagated to the second waveguide.
The quantum circuit system according to claim 1.
前記高周波電源は、前記第1導波路に前記第1高周波電力を伝搬させて前記第1量子回路を所定の量子状態に変化させる場合に、前記第2量子回路の量子状態の変化を補償するように、前記補助導波路に第3高周波電力を伝搬させ、間接的に、前記第2導波路に前記第2高周波電力を伝搬させる、
請求項1又は2に記載の量子回路システム。An auxiliary waveguide extending along the second waveguide;
The high-frequency power supply compensates for a change in the quantum state of the second quantum circuit when the first quantum circuit is changed to a predetermined quantum state by propagating the first high-frequency power to the first waveguide. Transmitting the third high-frequency power to the auxiliary waveguide and indirectly transmitting the second high-frequency power to the second waveguide;
The quantum circuit system according to claim 1.
請求項4に記載の量子回路システム。The auxiliary waveguide includes a first portion and a second portion extending along the second waveguide, and a folded portion connecting the first portion and the second portion.
The quantum circuit system according to claim 4.
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YAN, ZHIGUANG ET AL., SUPPLEMENTARY MATERIALS FOR STRONGLY CORRELATED QUANTUM WALKS WITH A 12-QUBIT SUPERCONDUCTING PROCES, JPN6019040304, 2 May 2019 (2019-05-02), pages 1 - 35, ISSN: 0004183685 * |
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