JP6651117B2 - Decontamination equipment - Google Patents
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Links
- 238000005202 decontamination Methods 0.000 title claims description 43
- 230000003588 decontaminative effect Effects 0.000 title claims description 43
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 133
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 54
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 52
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 description 10
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 8
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 6
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 5
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 241000193385 Geobacillus stearothermophilus Species 0.000 description 1
- 241000611009 Nematalosa come Species 0.000 description 1
- 238000004378 air conditioning Methods 0.000 description 1
- 230000000844 anti-bacterial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000011143 downstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 230000003203 everyday effect Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 244000005700 microbiome Species 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
Description
本発明は除染装置に関し、より詳しくは、プラズマで生成した長寿命の中性の活性種を含むプラズマ励起ガスを用いて除染対象である処理室の内部を除染する除染装置に関する。 The present invention relates to a decontamination apparatus, and more particularly, to a decontamination apparatus for decontaminating the inside of a processing chamber to be decontaminated using a plasma excitation gas containing a long-lived neutral active species generated by plasma.
除染とは、微生物による汚染を除くために対象を殺菌する処理工程である。主に医療や製薬分野で実施されており、その工程においては、処理強度の偏りによる対象への過度な負荷や処理漏れがないよう、対象全体で均一な殺菌処理が可能であることが要求される。
近年、プラズマを用いた除染手法が注目されており、従来法よりも高い殺菌効果を示しながら、人体や材料への害の少ない手法として、実用化が進められている。例えば、処理対象をプラズマ生成部からプラズマ化したガスを吐出することで形成されるプラズマジェットに直接曝すことで、短時間での除染を可能とする手法が報告されている。一方で、プラズマ生成部では、熱や紫外線、イオンや中性の活性種といった様々な殺菌要因が生成される。これらの中には、高い殺菌効果を示すが、プラズマ生成部の極近傍でのみ効果を示す要因が含まれている。例えば、発生から消滅までの寿命がミリ秒未満の電子やイオンなどの荷電粒子、短寿命のラジカルなどが挙げられる。したがって、対象をプラズマジェットに直接曝す処理手法では、プラズマ生成部からの距離とプラズマジェットのガス流速によって、上述した荷電粒子や短寿命のラジカルの対象への到達時間が変化し、殺菌効果が変化する。そのため、対象全体を均一に除染しようとした場合、殺菌効果に偏りを生じるリスクがあった。これを解決するため、プラズマ生成部と対象を離し、プラズマ由来の殺菌要因の内、比較的長寿命の中性の活性種のみを対象に照射することで、除染を行う手法が報告されている（特許文献１、非特許文献１）。すなわち、プラズマ生成部から一定の距離をおいて処理室を設置し、その中に対象を置く。プラズマ生成部と処理室の間はガス配管でつなぎ、一定の流速でプラズマ生成部から処理室へのガスの流れを作ると、上述した荷電粒子や短寿命のラジカルは処理室に到達する前に消滅し、比較的長寿命の中性の活性種が処理室に到達する。このような手法であれば、対象を含む処理室内部を長寿命の成分で満たすことにより、均一な処理が可能であると考えられる。このような殺菌手法においては、処理時の相対湿度が好適な範囲であることが重要であることが知られている（特許文献２）。
Decontamination is a treatment process that sterilizes an object to remove contamination by microorganisms. It is mainly used in the medical and pharmaceutical fields, and in that process, it is required that uniform sterilization can be performed on the entire target so that there is no excessive load on the target or omission of processing due to uneven treatment intensity. You.
In recent years, decontamination techniques using plasma have attracted attention, and have been put to practical use as a technique that exhibits a higher bactericidal effect than conventional methods and has less harm to human bodies and materials. For example, a method has been reported that enables direct decontamination in a short time by directly exposing a processing target to a plasma jet formed by discharging a plasma gas from a plasma generation unit. On the other hand, in the plasma generation unit, various sterilization factors such as heat, ultraviolet rays, ions, and neutral active species are generated. These include factors that exhibit a high sterilizing effect but exhibit an effect only in the immediate vicinity of the plasma generating section. For example, charged particles such as electrons and ions having a lifetime of less than millisecond from generation to extinction, and radicals having a short lifetime are exemplified. Therefore, in the treatment method in which the target is directly exposed to the plasma jet, the time required for the above-described charged particles and short-lived radicals to reach the target changes depending on the distance from the plasma generation unit and the gas flow velocity of the plasma jet, and the sterilization effect changes. I do. Therefore, there is a risk that the sterilization effect will be biased when trying to uniformly decontaminate the entire target. In order to solve this, a method has been reported in which the target is separated from the plasma generator and the target is decontaminated by irradiating only the relatively long-lived neutral active species among the sterilization factors derived from plasma to the target. (Patent Document 1, Non-Patent Document 1). That is, a processing chamber is set at a certain distance from the plasma generation unit, and an object is placed therein. If a gas flow is connected from the plasma generation unit to the processing chamber at a constant flow rate by connecting the plasma generation unit and the processing chamber with a gas pipe, the above-described charged particles and short-lived radicals will reach the processing chamber before reaching the processing chamber. It disappears, and a relatively long-lived neutral active species reaches the processing chamber. With such a method, it is considered that uniform processing can be performed by filling the inside of the processing chamber including the target with a long-life component. In such a sterilization method, it is known that it is important that the relative humidity during the treatment is in a suitable range (Patent Document 2).
しかしながら、プラズマ由来の長寿命の中性の活性種を含むプラズマ励起ガスを用いて、処理室内部の空間と壁面、その内部に設置した器具などを除染したい場合、処理室内の場所ごとの温度の偏りにともなって、処理室内の場所ごとの相対湿度にばらつきが生じることがあった。処理室外部の空調や周辺機器の熱などの外部の要因は、処理室壁面の温度を変化させ、その壁面の温度は処理室内部へ熱として伝えられ、結果として処理室の内表面とその近傍のガス温度を変化させる。また、処理室内部に設置する除染対象物も、それ自身が保持する温度によって、その近傍のガス温度を変化させる。これらの処理室内部および外部の要因によって、処理室内部の場所ごとに、温度の偏りが形成される。一定量の水蒸気を含むガスの相対湿度は、その温度が変わると、水蒸気量が変わらずとも容易に変化する。ここで、図４に、一定の水蒸気を含むガスにおける、温度に対する相対湿度の変化を示す。破線で１２．１g/m3の水蒸気を含むガス条件を示すが、除染に好適な相対湿度範囲を５０から１００％未満とした場合、２８℃では相対湿度は約４３％となり、好適な相対湿度範囲から外れてしまう。したがって、１２．１g/m3の水蒸気を含むプラズマ励起ガスを導入する除染工程において、処理室の一部が２８℃である場合、その場所のみが好適な相対湿度範囲外となり、殺菌効果が得られない。このような処理時の処理室内部の場所ごとの温度の偏りに由来する相対湿度のバラつきによって、処理室の内部をプラズマ励起ガスによる除染に好適な相対湿度範囲内に制御できず、殺菌効果が不均一となるという課題があった。 However, when it is desired to decontaminate the space and walls inside the processing chamber and the instruments installed inside the processing chamber using a plasma excitation gas containing a plasma-derived long-lived neutral active species, In some cases, the relative humidity varies from place to place in the processing chamber. External factors, such as air conditioning outside the processing room and heat from peripheral equipment, change the temperature of the processing room wall surface, and the temperature of the wall surface is transmitted as heat to the inside of the processing room, and as a result, the inner surface of the processing room and its vicinity The temperature of the gas. The decontamination target installed inside the processing chamber also changes the gas temperature in the vicinity thereof according to the temperature held by itself. Due to these factors inside the processing chamber and outside, a temperature deviation is formed at each location inside the processing chamber. The relative humidity of a gas containing a certain amount of water vapor easily changes when its temperature changes, even if the amount of water vapor does not change. Here, FIG. 4 shows a change in relative humidity with respect to temperature in a gas containing a certain water vapor. The dashed line indicates gas conditions containing 12.1 g / m 3 of water vapor. If the relative humidity range suitable for decontamination is set to 50 to less than 100%, the relative humidity at 28 ° C. becomes about 43%, It goes out of the humidity range. Therefore, in a decontamination step of introducing a plasma excitation gas containing 12.1 g / m 3 of water vapor, when a part of the processing chamber is at 28 ° C., only the place is out of the suitable relative humidity range, and the sterilizing effect is reduced. I can't get it. Due to the variation in relative humidity resulting from the temperature deviation in each place in the processing chamber during such processing, the inside of the processing chamber cannot be controlled to a relative humidity range suitable for decontamination with the plasma excitation gas, and the sterilization effect However, there was a problem that the non-uniformity was not uniform.
上述した事情に鑑み、本発明は、除染の対象となる処理室と、窒素と酸素の混合ガスからプラズマ励起ガスを生成するプラズマ生成部とを備え、プラズマ生成部で生成したプラズマ励起ガスを処理室に供給して該処理室の対象物を除染するようにした除染装置において、
上記処理室内の異なる箇所の湿度を測定する複数の湿度センサを設けるとともに上記処理室内の湿度を調節するための湿度調節部を設け、さらに、上記湿度調節部の作動を制御する制御装置を設けて、
上記湿度調節部は、混合ガスの供給源と上記プラズマ生成部との間に設けられるとともに上記混合ガスの供給源から上記プラズマ生成部へ供給される混合ガスを流通させるようになっており、
上記湿度調節部は、上記混合ガスが流通する第１流路及び第２流路と、上記第１流路または第２流路の少なくとも一方を流通する混合ガスの流量を調節する流量調節器と、上記第１流路または第２流路の少なくとも一方の流路に設けられ、流通する混合ガスの水蒸気量を増加させる水蒸気発生装置とを備えており、
上記制御装置は、上記複数の湿度センサの測定結果に基づいて上記流量調節器の作動を制御し上記第１流路及び第２流路を通過して混合された後の混合ガスに含まれる水蒸気の量を調節するようにしたものである。
In view of the above-described circumstances, the present invention includes a processing chamber to be decontaminated, and a plasma generation unit that generates a plasma excitation gas from a mixed gas of nitrogen and oxygen, and generates the plasma excitation gas generated by the plasma generation unit. In a decontamination device that is supplied to the processing chamber to decontaminate an object in the processing chamber,
Providing a plurality of humidity sensors for measuring the humidity of different locations in the processing chamber and providing a humidity adjustment unit for adjusting the humidity in the processing chamber, and further providing a control device for controlling the operation of the humidity adjustment unit ,
The humidity control unit is provided between the mixed gas supply source and the plasma generation unit and allows the mixed gas supplied from the mixed gas supply source to the plasma generation unit to flow,
A first flow path and a second flow path through which the mixed gas flows, and a flow controller that adjusts a flow rate of the mixed gas flowing through at least one of the first flow path and the second flow path; A steam generator provided in at least one of the first flow path and the second flow path to increase the amount of water vapor in the mixed gas flowing therethrough,
The control device controls the operation of the flow rate controller based on the measurement results of the plurality of humidity sensors, and controls the operation of the flow rate controller. The water vapor contained in the mixed gas after being mixed through the first flow path and the second flow path. The amount of is adjusted .
このような構成によれば、複数の湿度センサの測定結果を基にして処理室内全体を除染に好適な範囲の湿度に維持することが可能となり、処理室内部及び外部の影響を受けずに処理室内の全域を均一に除染することができる。 According to such a configuration, it is possible to maintain the entire processing chamber at a humidity in a range suitable for decontamination based on the measurement results of the plurality of humidity sensors, without being affected by the inside and outside of the processing chamber. The entire area in the processing chamber can be uniformly decontaminated.
以下、図示実施例について本発明を説明すると、図１において１は除染装置であり、この除染装置１は、処理室２の内部及び該処理室２内に収容された物品３の表面を除染できるようになっている。
除染装置１は、プラズマ励起ガスＧが供給されて除染の対象となる処理室２と、プラズマ励起ガスＧを生成させてそれを処理室２へ供給するプラズマ生成部４と、ガス供給源５の混合ガスを導管６を介してプラズマ生成部４、処理室２へ給送するポンプ７と、上記ポンプ７とプラズマ生成部４との間の導管６の途中に設けられて、処理室２内の相対湿度を調節する湿度調節部１１と、処理室２内の異なる箇所の相対湿度を計測する２つの湿度センサ１２Ａ、１２Ｂと、これらの湿度センサが計測した相対湿度を基にして上記湿度調節部１１の作動を制御する制御装置１３とを備えている。
Hereinafter, the present invention will be described with reference to the illustrated embodiment. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a decontamination apparatus, which decontaminates the inside of a processing chamber 2 and the surface of an article 3 accommodated in the processing chamber 2. It can be decontaminated.
The decontamination apparatus 1 includes a processing chamber 2 to which the plasma excitation gas G is supplied and which is to be decontaminated, a plasma generation unit 4 that generates the plasma excitation gas G and supplies the generated plasma excitation gas G to the processing chamber 2, and a gas supply source. And a pump 7 for supplying the mixed gas of No. 5 to the plasma generation unit 4 and the processing chamber 2 via the conduit 6, and a pump 7 provided in the middle of the conduit 6 between the pump 7 and the plasma generation unit 4. Humidity controller 11 for adjusting the relative humidity in the chamber, two humidity sensors 12A and 12B for measuring the relative humidity at different locations in the processing chamber 2, and the above-described humidity based on the relative humidity measured by these humidity sensors. And a control device 13 for controlling the operation of the adjustment unit 11.
本実施例では、上記処理室２として密閉可能なアイソレータを想定しており、アイソレータの内部表面及びアイソレータ内に収容された物品３をプラズマ励起ガスＧによって除染するようになっている。処理室２の側壁２Ａとプラズマ生成部４とは導管６を介して接続されており、プラズマ生成部４で生成されたプラズマ励起ガスＧは導管６を介して処理室２内に供給されるようになっている。
処理室２の側壁２Ｂの所要箇所に図示しない開閉扉が設けられており、所要時に該開閉扉を開閉させることで、図示しないインキュベータとの接続部を介して処理室２内に物品３を出し入れできるようになっている。上記開閉扉を閉鎖すると処理室２内が密閉されるようになっている。
In the present embodiment, it is assumed that the processing chamber 2 is a sealable isolator, and the inner surface of the isolator and the articles 3 accommodated in the isolator are decontaminated by the plasma excitation gas G. The side wall 2A of the processing chamber 2 and the plasma generation unit 4 are connected via a conduit 6, and the plasma excitation gas G generated in the plasma generation unit 4 is supplied into the processing chamber 2 via the conduit 6. It has become.
A door (not shown) is provided at a required portion of the side wall 2B of the processing chamber 2, and the article 3 is put in and out of the processing chamber 2 through a connection with an incubator (not shown) by opening and closing the door when necessary. I can do it. When the opening / closing door is closed, the inside of the processing chamber 2 is sealed.
プラズマ励起ガスＧを生成するプラズマ生成部４の構成は、特許文献２に開示された従来公知のプラズマ生成部と同様に構成されている。すなわち、プラズマ生成部４は、上流側及び下流側の側壁１５Ａ、１５Ｂに導管６，６の端部が接続されたケーシング１５を備えており、ケーシング１５内に図示しない従来公知の高電圧電極とそれに対向するアース電極が設けられている。また、プラズマ生成部４は、上記高電圧電極に高電圧を印加する高電圧電源１４を備えている。そして、混合ガスがケーシング１５内に供給されて介在している状態において、高電圧電源１４からケーシング１５内の高電圧電極に高電圧が印加されると、ケーシング１５内で混合ガスがプラズマ状態となってプラズマ励起ガスＧが生成されるようになっている。そして、ケーシング１５内で生成されたプラズマ励起ガスＧは、導管６を介して下流側の処理室２内に供給されるようになっている。 The configuration of the plasma generation unit 4 that generates the plasma excitation gas G is the same as that of the conventionally known plasma generation unit disclosed in Patent Document 2. That is, the plasma generation unit 4 includes a casing 15 in which the ends of the conduits 6 and 6 are connected to the upstream and downstream side walls 15A and 15B. A ground electrode is provided facing the ground electrode. Further, the plasma generation unit 4 includes a high voltage power supply 14 for applying a high voltage to the high voltage electrode. When a high voltage is applied to the high-voltage electrode in the casing 15 from the high-voltage power supply 14 in a state where the mixed gas is supplied to and interposed in the casing 15, the mixed gas enters a plasma state in the casing 15. As a result, the plasma excitation gas G is generated. The plasma excitation gas G generated in the casing 15 is supplied to the downstream processing chamber 2 via the conduit 6.
プラズマ生成部４は、導管６を介して混合ガスのガス供給源５に接続されており、導管６におけるガス供給源５に近い位置にポンプ７が設けられており、そのポンプ７とプラズマ生成部４との間に湿度調節部１１が設けられている。
本実施例は、ガス供給源の混合ガスを湿度調節部１１を経由してプラズマ生成部４に供給するようになっており、混合ガスが湿度調節部１１を流通する際に、混合ガスに含まれる水蒸気の量を調節するようになっている。それにより、プラズマ生成部４に供給される混合ガスに含まれる水蒸気の量を調節し、プラズマ生成部４からプラズマ励起ガスＧが処理室２内へ供給される際のプラズマ励起ガスＧ中の水蒸気の量を調節できるようにしている。それによって、処理室２内の全域が除染に好適な範囲の相対湿度となるようにしている。
本実施例においては、処理室２における２箇所の隅部にそれぞれ湿度センサ１２Ａ、１２Ｂを設けてあり、各湿度センサ１２Ａ、１２Ｂによってそれらを設置した処理室２内の隅部の相対湿度を測定するようにしている。各湿度センサ１２Ａ，１２Ｂの設置位置は、処理室２内の湿度分布の推定値あるいはその実測値から、最も相対湿度が高い点と低い点とすることが好ましい。これら２点の相対湿度を除染に好適な範囲に制御することで、処理室２全体をその相対湿度範囲内とした均一な除染が可能となる。これらの湿度センサ１２Ａ、１２Ｂが測定した相対湿度は、上記制御装置１３に入力されるようになっている。制御装置１３は、湿度センサ１２Ａ、１２Ｂから入力された処理室２内の２箇所の相対湿度を認識した上で、湿度調節部１１を経由してプラズマ生成部４へ供給される混合ガスに含まれる水蒸気の量を調節するようになっている。そして、処理室２内にプラズマ生成部４からプラズマ励起ガスＧが供給された際に、つまり、処理室２内がプラズマ励起ガスＧによって除染される際に処理室２内が除染に好適な範囲の相対湿度（５０％以上１００％未満）となるように制御するようにしている。
The plasma generating unit 4 is connected to a gas supply source 5 of the mixed gas via a conduit 6, and a pump 7 is provided at a position near the gas supply source 5 in the conduit 6, and the pump 7 and the plasma generating unit are provided. 4, a humidity control unit 11 is provided.
In the present embodiment, the mixed gas of the gas supply source is supplied to the plasma generation unit 4 via the humidity control unit 11, and the mixed gas is included in the mixed gas when flowing through the humidity control unit 11. The amount of water vapor to be adjusted is adjusted. Thereby, the amount of water vapor contained in the mixed gas supplied to the plasma generation unit 4 is adjusted, and the water vapor in the plasma excitation gas G when the plasma excitation gas G is supplied from the plasma generation unit 4 into the processing chamber 2 is adjusted. The amount of can be adjusted. As a result, the entire area in the processing chamber 2 has a relative humidity in a range suitable for decontamination.
In this embodiment, humidity sensors 12A and 12B are provided at two corners in the processing chamber 2, respectively, and the relative humidity of the corners in the processing chamber 2 where they are installed is measured by the humidity sensors 12A and 12B. I am trying to do it. It is preferable that the installation position of each of the humidity sensors 12A and 12B be a point having the highest relative humidity and a point having the lowest relative humidity based on the estimated value of the humidity distribution in the processing chamber 2 or the measured value thereof. By controlling the relative humidity at these two points in a range suitable for decontamination, uniform decontamination with the entire processing chamber 2 within the relative humidity range becomes possible. The relative humidity measured by the humidity sensors 12A and 12B is input to the control device 13. The control device 13 recognizes the relative humidities of the two locations in the processing chamber 2 input from the humidity sensors 12A and 12B, and includes the relative humidity in the mixed gas supplied to the plasma generation unit 4 via the humidity adjustment unit 11. The amount of water vapor is adjusted. When the plasma excitation gas G is supplied from the plasma generation unit 4 into the processing chamber 2, that is, when the processing chamber 2 is decontaminated by the plasma excitation gas G, the inside of the processing chamber 2 is suitable for decontamination. The relative humidity is controlled so as to be within a suitable range (50% or more and less than 100%).
本実施例の湿度調節部１１の構成について説明すると、図２に示すように、湿度調節部１１は、本来の導管６自体から構成されて、ポンプ７から給送される混合ガスをそのまま流通させてプラズマ生成部４のケーシング１５へ供給させる第１流路Ｒ１と、この第１流路Ｒ１となる導管６と並列に配置されて、その内部を混合ガスが流通する際に混合ガスに含まれる水蒸気の量を上昇させてからプラズマ生成部４へ供給させる第２流路Ｒ２とを備えている。
第１流路Ｒ１と第２流路Ｒ２の上流側の接続部よりも下流側となる第１流路Ｒ１（導管６）に第１流量調節器１６が設けられており、この第１流量調節器１６は、第１流路Ｒ１（導管６）内を流通する混合ガスの流量を調節できるようになっている。第１流量調節器１６の作動は制御装置１３によって制御されるようになっている。
ポンプ７からその下流側へ混合ガスが給送されると、導管６を流通して給送されるが、第１流路Ｒ１においては、制御装置１３により第１流量調節器１６の作動を制御することで第１流路Ｒ１（導管６）を流通するガスの流量が制御されるようになっている。
The configuration of the humidity control unit 11 of the present embodiment will be described. As shown in FIG. 2, the humidity control unit 11 is constituted by the original conduit 6 itself, and allows the mixed gas supplied from the pump 7 to flow as it is. The first flow path R1 to be supplied to the casing 15 of the plasma generation section 4 and the conduit 6 serving as the first flow path R1 are arranged in parallel, and are included in the mixed gas when the mixed gas flows therein. A second flow path R <b> 2 for increasing the amount of water vapor and then supplying the water vapor to the plasma generation unit 4.
A first flow rate controller 16 is provided in a first flow path R1 (conduit 6) downstream of a connection portion on the upstream side of the first flow path R1 and the second flow path R2, and this first flow rate adjustment is performed. The vessel 16 can adjust the flow rate of the mixed gas flowing in the first flow path R1 (conduit 6). The operation of the first flow controller 16 is controlled by the controller 13.
When the mixed gas is supplied from the pump 7 to the downstream side, the mixed gas is supplied through the conduit 6. In the first flow path R <b> 1, the operation of the first flow controller 16 is controlled by the control device 13. By doing so, the flow rate of the gas flowing through the first flow path R1 (conduit 6) is controlled.
次に、第２流路Ｒ２は、上流側の導管２１Ａと、下流側の導管２１Ｂと、上流側の導管２１Ａの下流端部２１ｂが挿入されるとともに下流側の導管２１Ｂの上流側の端部２１ｃが挿入された密閉水槽２２と、上流側の導管２１Ａの途中に設けられた第２流量調節器２３とを備えている。
導管２１Ａの上流側の端部２１ａは上記第１流量調節器２３よりも上流位置の導管６に接続されており、その接続箇所が第１流路Ｒ１及び第２流路Ｒ２の上流側の端部となっている。ポンプ７によって混合ガスが導管６を介して下流へ給送されると第１流路Ｒ１となる導管６を流通するとともに、第２流路Ｒ２の導管２１Ａ内へ混合ガスが給送されるようになっている。
導管２１Ａを混合ガスが流通する際には、混合ガスの流通量は導管２１Ａに配置された第２流量調節器２３によって調節されるようになっている。制御装置１３によって第２流量調節器２３の作動を制御することで、導管２１Ａを流通する混合ガスの流量を調整することができるようになっている。
Next, the second flow path R2 is provided with the upstream conduit 21A, the downstream conduit 21B, and the downstream end 21b of the upstream conduit 21A, and the upstream end of the downstream conduit 21B. There is provided a closed water tank 22 into which 21c is inserted, and a second flow controller 23 provided in the middle of the upstream conduit 21A.
The upstream end 21a of the conduit 21A is connected to the conduit 6 at a position upstream of the first flow controller 23, and the connection point is located at the upstream end of the first flow path R1 and the second flow path R2. Department. When the mixed gas is supplied downstream by the pump 7 via the conduit 6, the mixed gas flows through the conduit 6 serving as the first flow path R1 and is supplied into the conduit 21A of the second flow path R2. It has become.
When the mixed gas flows through the conduit 21A, the flow rate of the mixed gas is adjusted by the second flow controller 23 disposed in the conduit 21A. By controlling the operation of the second flow controller 23 by the controller 13, the flow rate of the mixed gas flowing through the conduit 21A can be adjusted.
密閉水槽２２は密閉されており、密閉水槽２２の内部には所定量の水２４が貯溜されている。導管２１Ａの下流側の端部２１ｂは、密閉水槽２２の天面を気密を保持して貫通させてから水２４の中に挿入されている。他方、下流側の導管２１Ｂの上流側の端部２１ｃは、密閉水槽２２の天面を気密を保持して貫通させてから密閉水槽２２内の上部空間に下方を向けて支持されている。この下流側の導管２１Ｂの下流側の端部２１ｄは第１流量調節器１６よりも下流側となる導管６に接続されており、その接続箇所が第１流路Ｒ１と第２流路Ｒ２の下流側の端部となっている。
ポンプ７から混合ガスが給送されて第２流路Ｒ２の導管２１Ａ内に給送されると、該導管２１Ａを流通した混合ガスは端部２１ｂから密閉水槽２２の水２４内に供給されるようになっている。そして、水２４の中で気泡となった混合ガスは、湿気が増加された後に密閉水槽２２の上部空間内に充満するようになっている。そして、上部空間内に充満した水蒸気の含有量が増えた混合ガスは、端部２１ｃから導管２１Ｂ内を流通した後に本来の導管６に戻されるようになっている。これにより、両流路Ｒ１、Ｒ２の下流側の端部となる接続箇所において、第１流路Ｒ１を通過してきた混合ガスと、第２流路Ｒ２を通過してきた湿気を多く含んだ混合ガスが混合され、その混合された後の混合ガスが導管６を介してプラズマ生成部４のケーシング１５へ給送されるようになっている。
制御装置１３によって第１流路Ｒ１の第１流量調節器１６と第２流路Ｒ２の第２流量調節器２３の作動を制御することにより、両流路Ｒ１、Ｒ２を通過してから混合される混合ガス中に含まれる水蒸気の量が調節されるようになっている。なお、本実施例においては、水２４を貯溜した密閉水槽２２によって、混合ガス中の水蒸気量を増加させる水蒸気発生装置が構成されている。そして、両流路Ｒ１、Ｒ２を通過して混合された後の混合ガスがプラズマ生成部４に供給されると、前述したようにプラズマ生成部４によって混合ガスからプラズマ励起ガスＧが生成されるようになっている。
The closed water tank 22 is closed, and a predetermined amount of water 24 is stored inside the closed water tank 22. The downstream end 21b of the conduit 21A is inserted into the water 24 after penetrating the top surface of the closed water tank 22 while maintaining airtightness. On the other hand, the upstream end 21c of the downstream conduit 21B is supported downward in the upper space in the closed water tank 22 after penetrating the top surface of the closed water tank 22 while maintaining the airtightness. The downstream end 21d of the downstream conduit 21B is connected to the conduit 6 downstream of the first flow rate controller 16, and the connection point is between the first flow path R1 and the second flow path R2. It is the downstream end.
When the mixed gas is supplied from the pump 7 and supplied into the conduit 21A of the second flow path R2, the mixed gas flowing through the conduit 21A is supplied from the end 21b into the water 24 of the closed water tank 22. It has become. The mixed gas that has become bubbles in the water 24 fills the upper space of the closed water tank 22 after the humidity is increased. Then, the mixed gas in which the content of the steam filled in the upper space has increased is returned to the original conduit 6 after flowing through the conduit 21B from the end 21c. Thereby, the mixed gas passing through the first flow path R1 and the mixed gas containing a large amount of moisture passing through the second flow path R2 at the connection point at the downstream end of the two flow paths R1 and R2. Are mixed, and the mixed gas after the mixing is supplied to the casing 15 of the plasma generation unit 4 via the conduit 6.
By controlling the operation of the first flow controller 16 in the first flow path R1 and the operation of the second flow controller 23 in the second flow path R2 by the control device 13, mixing is performed after passing through both the flow paths R1 and R2. The amount of water vapor contained in the mixed gas is adjusted. In the present embodiment, a water vapor generator that increases the amount of water vapor in the mixed gas is configured by the closed water tank 22 storing the water 24. Then, when the mixed gas that has passed through the two flow paths R1 and R2 and is mixed is supplied to the plasma generation unit 4, the plasma excitation gas G is generated from the mixed gas by the plasma generation unit 4 as described above. It has become.
ところで、上記処理室２の内部をプラズマ励起ガスＧによって除染する際に、処理室２内の好適な相対湿度は５０％以上１００％未満であることは知られている。そこで、本実施例では、制御装置１３により上記湿度調節部１１の作動を制御することで、処理室２内を除染する際に処理室２内が除染に好適な範囲の相対湿度となるようにしている。
より詳細には、制御装置１３は、湿度センサ１２Ａ、１２Ｂから入力された処理室２内の２箇所の相対湿度を認識した上で、湿度調節部１１の両流路Ｒ１、Ｒ２の第１流量調節器１６、第２流量調節器２３の作動を制御して、両流路Ｒ１、Ｒ２を通過して混合された後の混合ガスに含まれる水蒸気の量を調節する。この混合ガスに含まれる水蒸気の量は、その後、該混合ガスからプラズマ生成部４でプラズマ励起ガスＧが生成されて、該プラズマ励起ガスＧが処理室２内に供給された際に、つまり、処理室２内がプラズマ励起ガスＧによって除染される際に、処理室２内が除染に好適な範囲の相対湿度（５０％以上１００％未満）となるように制御されるようになっている。
そのように、処理室２内の全域が除染に好適な範囲の相対湿度（５０％以上１００％未満）に維持され、その状態において処理室２内及びその内部に収容された物品３の表面がプラズマ励起ガスＧによって除染されるようになっている。
By the way, when decontaminating the inside of the processing chamber 2 with the plasma excitation gas G, it is known that a preferable relative humidity in the processing chamber 2 is 50% or more and less than 100%. Therefore, in this embodiment, by controlling the operation of the humidity controller 11 by the control device 13, the relative humidity in the processing chamber 2 becomes a range suitable for decontamination when the processing chamber 2 is decontaminated. Like that.
More specifically, the control device 13 recognizes the relative humidities of two places in the processing chamber 2 input from the humidity sensors 12A and 12B, and then controls the first flow rates of the two flow paths R1 and R2 of the humidity control unit 11. By controlling the operation of the controller 16 and the second flow controller 23, the amount of water vapor contained in the mixed gas that has passed through the two flow paths R1 and R2 and has been mixed is adjusted. The amount of water vapor contained in the mixed gas is determined when the plasma excitation gas G is generated in the plasma generation unit 4 from the mixed gas and the plasma excitation gas G is supplied into the processing chamber 2, When the inside of the processing chamber 2 is decontaminated by the plasma excitation gas G, the inside of the processing chamber 2 is controlled to have a relative humidity (50% or more and less than 100%) in a range suitable for decontamination. I have.
In this manner, the entire area in the processing chamber 2 is maintained at a relative humidity (50% or more and less than 100%) in a range suitable for decontamination, and in that state, the surface of the article 3 contained in the processing chamber 2 and the inside thereof Is decontaminated by the plasma excitation gas G.
より詳細な具体例として、図５に処理室２とその内部に生じる温度分布を示す。ＡからＤ点の処理室２内の４箇所の温度は、図４にも表示している。例えば、図５において処理室２内部でＡ、Ｂ、Ｃの３点のような温度分布が見られる場合、水蒸気量１２．１g/m3のプラズマ励起ガスＧを処理室２に導入すると、２８℃のＣ点の相対湿度は図４に示すように約４３％となり、除染に好適な相対湿度である５０％以上１００％未満の範囲から外れてしまう。これを受けて、導入するプラズマ励起ガスＧの水蒸気量が１５．６g/m3となるように調整すると、Ａ，Ｂ，Ｃいずれの点も好適な相対湿度での除染が可能となる。また、Ａ，Ｂ，Ｄ点の３点のような温度分布が見られる場合は、水蒸気量が１５．６g/m3のプラズマ励起ガスＧを導入すると、１６℃のＤ点が好適な範囲から外れる。一方で、水蒸気量１２．１g/m3のプラズマ励起ガスＧを導入すると、いずれも好適な相対湿度で除染することが可能となる。したがって、処理室２内に少なくとも２つの湿度センサ（１２Ａ、１２Ｂ）を設置し、最も高い相対湿度となる点、および最も低い相対湿度となる点がそれぞれ好適な相対湿度の範囲内となるように、導入するプラズマ励起ガスＧの湿度を制御することで、処理室２全体で均一な除染が可能となる。
また、処理室２に導入するプラズマ励起ガスＧの温度および湿度が、事前の測定結果や装置に常設された温度および湿度のセンサによって明らかな場合、処理室２内に２つ以上の温度センサを設置することによっても、それらの測定温度とプラズマ励起ガスＧの温度および湿度にもとづいて、処理室２内の温度センサを設置した場所の湿度を算出し、その湿度を受けてプラズマ励起ガスＧの湿度を調整することで、処理２室内部を除染に好適な相対湿度範囲内とすることが可能である。例えば、水蒸気量１２．１g/m3で２０℃時の相対湿度が７０％のプラズマ励起ガスＧにおいて、その飽和水蒸気圧Ｅ（ｈＰａ）は、下記のＴｅｔｅｎｓ（１９３０）の式により算出できる。
処理室２内に設置する温度センサにより、測定箇所の温度が明らかであれば、その近傍の飽和水蒸気圧を求めることができる。例えば、２８℃のＣ点の飽和水蒸気圧は、上述の飽和水蒸気圧の算出式より、３７．８ｈＰａと算出される。ここに、２０℃で相対湿度７０％、水蒸気圧１６．４ｈＰａのプラズマ励起ガスＧが導入されると、Ｃ点近傍の相対湿度は上述の相対湿度の算出式より、およそ４３%であることが算出される。これにより、Ｃ点の相対湿度が除染に好適な５０％以上１００％未満の範囲から外れていることが分かる。これを受けて、２０℃時の相対湿度が９０％で水蒸気量が１５．６g/m3のプラズマ励起ガスＧを導入する。このプラズマ励起ガスＧの水蒸気圧は、２０℃の飽和水蒸気圧と、プラズマ励起ガスＧの相対湿度をもとに、相対湿度の算出式からおよそ２１．１ｈＰａと算出される。このプラズマ励起ガスＧを処理室２に導入すると、２８℃のＣ点の相対湿度は、導入するプラズマ励起ガスＧの水蒸気圧２１．１ｈＰａとＣ点近傍の飽和水蒸気圧３７．８ｈＰａから、上述の相対湿度の算出式よりおよそ５６％であると算出され、除染に好適な相対湿度範囲であることが確認できる。したがって、少なくとも２つの温度センサの測定結果にもとづいて、処理室２内の相対湿度が好適な範囲内となるように湿度調節部１１の作動を制御することが可能であって、導入するプラズマ励起ガスＧの相対湿度を制御することで、処理室２内部で均一な除染が可能となる。この場合、湿度調節部１１の作動を制御する制御装置１３に、上記のような温度の測定結果から湿度を算出する演算機能を与えることが必要である。
一方で、ＡからＤの４点のような温度分布である場合は、導入するプラズマ励起ガスＧの相対湿度の制御のみではすべての点を好適な範囲とすることはできない。このような場合は、後述する第２実施例に示すように、あらかじめ加温・冷却機構を処理室２内に設けることで、好適な相対湿度範囲から外れる場所の温度を、その近傍に設置している加温冷却機構で加温あるいは冷却することで調節し、処理室全体を好適な相対湿度範囲に収めることが可能である。
さらに、プラズマ励起ガスＧの導入に際しては、導入前のガス流路（導管６）中で結露が発生しないことが有効である。プラズマ生成部４から処理室２までの導管６内に、プラズマ励起ガスＧの温度よりも温度が低い場所があると、その近傍の相対湿度が上昇して、結露が発生する可能性がある。この結露により発生する水滴は、プラズマ励起ガスＧ中の活性種を吸着するため、結露により処理室２の到達する活性種が減少して、除染効果は低下してしまう。したがって、導管６内での結露を防ぐために、プラズマ生成部４から処理室２までの導管６を、プラズマ生成部４へ導入するガスと同じ温度、あるいはより高い温度に保つ機構を設けることで、プラズマ生成部４から処理室２までの導管６内で、プラズマ励起ガスＧの相対湿度が相対湿度１００％よりも高くならないようにすることが有効である。この場合、プラズマ生成部４に導入するガス温度を測定する温度センサをプラズマ生成部４よりも上流に備えて、その測定温度以上にプラズマ生成部４から処理室２までの導管６をヒーターで加温しても良いし、あるいは上述の温度センサを設けなくとも、プラズマ生成部４から処理室２までの導管６を、想定される導入ガスの温度よりもより高い温度へヒーターで加温しても良いし、またプラズマから発生する熱を利用して、プラズマ生成部４から処理室２までの導管６を保温することで、プラズマ生成部４から処理室２までの導管６内を導入ガスの温度以上に保持しても良い。
As a more specific example, FIG. 5 shows the processing chamber 2 and a temperature distribution generated inside the processing chamber. The temperatures at four points in the processing chamber 2 at points A to D are also shown in FIG. For example, in FIG. 5, when temperature distributions such as three points A, B, and C are observed inside the processing chamber 2, when a plasma excitation gas G having a steam amount of 12.1 g / m 3 is introduced into the processing chamber 2, As shown in FIG. 4, the relative humidity at the point C in C is about 43%, which is outside the range of 50% or more and less than 100%, which is a relative humidity suitable for decontamination. In response to this, if the amount of water vapor of the plasma excitation gas G to be introduced is adjusted so as to be 15.6 g / m 3 , decontamination of any of the points A, B, and C at a suitable relative humidity can be performed. When a temperature distribution like the three points A, B, and D is observed, when the plasma excitation gas G having a water vapor amount of 15.6 g / m 3 is introduced, the point D at 16 ° C. Come off. On the other hand, when a plasma excitation gas G having a water vapor amount of 12.1 g / m 3 is introduced, decontamination can be performed at a suitable relative humidity. Therefore, at least two humidity sensors (12A, 12B) are installed in the processing chamber 2 so that the point of the highest relative humidity and the point of the lowest relative humidity are respectively within the preferable range of the relative humidity. By controlling the humidity of the plasma excitation gas G to be introduced, uniform decontamination can be achieved in the entire processing chamber 2.
Further, when the temperature and humidity of the plasma excitation gas G introduced into the processing chamber 2 are evident from the results of the previous measurement and the temperature and humidity sensors permanently installed in the apparatus, two or more temperature sensors are provided in the processing chamber 2. Also by installing, the humidity of the place where the temperature sensor is installed in the processing chamber 2 is calculated based on the measured temperature and the temperature and the humidity of the plasma excitation gas G, and the humidity is received by receiving the humidity. By adjusting the humidity, the inside of the processing 2 chamber can be set to a relative humidity range suitable for decontamination. For example, in a plasma excitation gas G having a water vapor amount of 12.1 g / m 3 and a relative humidity of 70% at 20 ° C., its saturated water vapor pressure E (hPa) can be calculated by the following equation of Tetens (1930).
If the temperature at the measurement point is clear from the temperature sensor installed in the processing chamber 2, the saturated steam pressure in the vicinity can be determined. For example, the saturated steam pressure at point C at 28 ° C. is calculated to be 37.8 hPa from the above-described equation for calculating the saturated steam pressure. Here, when the plasma excitation gas G having a relative humidity of 70% at 20 ° C. and a water vapor pressure of 16.4 hPa is introduced, the relative humidity near the point C may be approximately 43% from the above-described calculation formula of the relative humidity. Is calculated. This indicates that the relative humidity at point C is out of the range of 50% or more and less than 100% suitable for decontamination. In response, a plasma excitation gas G having a relative humidity of 90% at 20 ° C. and a water vapor amount of 15.6 g / m 3 is introduced. The water vapor pressure of the plasma excitation gas G is calculated to be about 21.1 hPa based on the relative humidity of the plasma excitation gas G based on the saturated water vapor pressure of 20 ° C. and the relative humidity of the plasma excitation gas G. When the plasma excitation gas G is introduced into the processing chamber 2, the relative humidity at the point C at 28 ° C. is calculated from the above-mentioned water vapor pressure of 21.1 hPa of the plasma excitation gas G to be introduced and the saturated water vapor pressure 37.8 hPa near the point C. The relative humidity was calculated from the calculation formula of the relative humidity to be about 56%, and it can be confirmed that the relative humidity range was suitable for decontamination. Therefore, based on the measurement results of at least two temperature sensors, it is possible to control the operation of the humidity adjustment unit 11 so that the relative humidity in the processing chamber 2 is within a suitable range, and the plasma excitation to be introduced can be controlled. By controlling the relative humidity of the gas G, uniform decontamination inside the processing chamber 2 becomes possible. In this case, it is necessary to provide the control device 13 for controlling the operation of the humidity adjusting unit 11 with an arithmetic function for calculating the humidity from the temperature measurement result as described above.
On the other hand, in the case of a temperature distribution such as four points A to D, it is not possible to set all points to a suitable range only by controlling the relative humidity of the plasma excitation gas G to be introduced. In such a case, as shown in a second embodiment to be described later, by providing a heating / cooling mechanism in the processing chamber 2 in advance, a temperature outside a suitable relative humidity range can be set in the vicinity thereof. The temperature can be adjusted by heating or cooling by the heating / cooling mechanism, and the entire processing chamber can be kept in a suitable relative humidity range.
Further, when introducing the plasma excitation gas G, it is effective that dew condensation does not occur in the gas flow path (conduit 6) before the introduction. If there is a place in the conduit 6 from the plasma generation unit 4 to the processing chamber 2 where the temperature is lower than the temperature of the plasma excitation gas G, the relative humidity near the place may increase, and dew condensation may occur. The water droplets generated by the condensation adsorb active species in the plasma excitation gas G, so that the active species reaching the processing chamber 2 due to the condensation are reduced, and the decontamination effect is reduced. Therefore, in order to prevent dew condensation in the conduit 6, by providing a mechanism for maintaining the conduit 6 from the plasma generation unit 4 to the processing chamber 2 at the same temperature as the gas introduced into the plasma generation unit 4, or at a higher temperature, It is effective to prevent the relative humidity of the plasma excitation gas G from being higher than 100% in the conduit 6 from the plasma generation unit 4 to the processing chamber 2. In this case, a temperature sensor for measuring the temperature of the gas introduced into the plasma generation unit 4 is provided upstream of the plasma generation unit 4, and the conduit 6 from the plasma generation unit 4 to the processing chamber 2 is heated by a heater at a temperature higher than the measured temperature. The heating may be performed, or the conduit 6 from the plasma generation unit 4 to the processing chamber 2 may be heated by a heater to a higher temperature than the assumed temperature of the introduced gas without providing the above-described temperature sensor. Alternatively, the heat generated from the plasma may be used to maintain the temperature of the conduit 6 from the plasma generation unit 4 to the processing chamber 2, so that the introduced gas flows through the conduit 6 from the plasma generation unit 4 to the processing chamber 2. The temperature may be maintained at or above the temperature.
以上のように、本実施例においては、処理室２をプラズマ励起ガスＧによって除染する際には、湿度調節部１１の両流量調節器１６、２３の作動を制御することにより、処理室２内の全域を除染に好適な範囲の湿度（５０％以上１００％未満）に維持することができる。したがって、除染終了後において、処理室２内の全域を均一に除染することができる。また、当然に処理室２内の物品３の表面も均一に除染することができる。
なお、上記実施例においては、第１流路Ｒ１に第１流量調節器１６を設け、第２流路Ｒ２に第２流量調節器２３を設けて、それらによって両流路Ｒ１、Ｒ２を流通する混合ガスの流通量を調節しているが、両流路Ｒ１、Ｒ２のいずれか一方の混合ガスの流通量を一定とし、いずれか他方の混合ガスの流通量を調節するようにしても良い。つまり、図２において、第１流路Ｒ１の第１流量調節器１６を省略する一方、第２流量調節器２３のみをそのまま単独で流量調節器として機能させるようにしても良い。
As described above, in the present embodiment, when the processing chamber 2 is decontaminated with the plasma excitation gas G, the operation of the two flow controllers 16 and 23 of the humidity control unit 11 is controlled to thereby control the processing chamber 2. Can be maintained at a humidity suitable for decontamination (50% or more and less than 100%). Therefore, after completion of the decontamination, the entire area in the processing chamber 2 can be uniformly decontaminated. In addition, naturally, the surface of the article 3 in the processing chamber 2 can be uniformly decontaminated.
In the above embodiment, the first flow rate controller 16 is provided in the first flow path R1, and the second flow rate regulator 23 is provided in the second flow path R2, and the two flow paths R1 and R2 are circulated by them. Although the flow rate of the mixed gas is adjusted, the flow rate of the mixed gas in one of the two flow paths R1 and R2 may be kept constant, and the flow rate of the other mixed gas may be adjusted. That is, in FIG. 2, the first flow rate regulator 16 of the first flow path R1 may be omitted, and only the second flow rate regulator 23 may function alone as a flow rate regulator.
次に図３は本発明の第２実施例を示したものであり、この第２実施例は上記第１実施例におけるプラズマ生成部４の上流側に配置された湿度調節部１１を省略し、その代わりに処理室２側に湿度調節部１１１を設けたものである。
より詳細には、第２実施例においては、上記第１実施例における流量調節部１１を省略したことにより、ポンプ７とプラズマ生成部４のケーシング１５とは導管６で直接接続されている。処理室２の２箇所の隅部に第１実施例と同様に、湿度センサ１２Ａ、１２Ｂが設けられている。また、処理室２の隅部となる４箇所の壁面には、それぞれ加温・冷却機構３１が取り付けられており、それらの作動は制御装置１３によって制御されるようになっている。両湿度センサ１２Ａ、１２Ｂによって測定された相対湿度は制御装置１３に入力されるようになっている。この他のプラズマ生成部４及びポンプ７、ガス供給源５の構成は上記第１実施例と同じであり、第１実施例と対応する各部材に同じ番号を付している。この第２実施例においては、上記複数の加温・冷却機構３１によって処理室２内の相対湿度を好適な範囲内の湿度に調節する湿度調節部１１１が構成されている。
以上のように構成された第２実施例において、プラズマ生成部４で生成されたプラズマ励起ガスＧが処理室２内に供給されて除染が開始された際に、制御装置１３は、両湿度センサ１２Ａ、１２Ｂが測定した相対湿度が入力されると、それらを基にして加温・冷却機構３１，３１の作動を制御する。つまり、加温・冷却機構３１によって所要時間、処理室２内を加熱し、或いは所要時間、処理室２内を冷却する。
それにより、処理室２内の温度が調整されるようになっており、その結果、処理室２内の相対湿度が除染に好適な５０％以上１００％未満となるように制御されるようになっている。そのため、処理室２内の全域がプラズマ励起ガスＧによって均一に除染されるようになっている。
Next, FIG. 3 shows a second embodiment of the present invention. In the second embodiment, the humidity adjustment unit 11 arranged on the upstream side of the plasma generation unit 4 in the first embodiment is omitted. Instead, a humidity controller 111 is provided on the processing chamber 2 side.
More specifically, in the second embodiment, the pump 7 and the casing 15 of the plasma generation unit 4 are directly connected by the conduit 6 by omitting the flow rate adjustment unit 11 in the first embodiment. As in the first embodiment, humidity sensors 12A and 12B are provided at two corners of the processing chamber 2. A heating / cooling mechanism 31 is attached to each of four corners of the processing chamber 2, and their operations are controlled by the controller 13. The relative humidity measured by the two humidity sensors 12A and 12B is input to the control device 13. The other configurations of the plasma generating unit 4, the pump 7, and the gas supply source 5 are the same as those of the first embodiment, and the members corresponding to those of the first embodiment are given the same numbers. In the second embodiment, a humidity control unit 111 that adjusts the relative humidity in the processing chamber 2 to a humidity within a suitable range by the plurality of heating / cooling mechanisms 31 is configured.
In the second embodiment configured as described above, when the plasma excitation gas G generated by the plasma generation unit 4 is supplied into the processing chamber 2 and the decontamination is started, the control device 13 sets the both humidity When the relative humidity measured by the sensors 12A, 12B is input, the operation of the heating / cooling mechanisms 31, 31 is controlled based on the input. That is, the inside of the processing chamber 2 is heated by the heating / cooling mechanism 31 for a required time, or the inside of the processing chamber 2 is cooled for a required time.
Thereby, the temperature in the processing chamber 2 is adjusted, and as a result, the relative humidity in the processing chamber 2 is controlled to be 50% or more and less than 100% suitable for decontamination. Has become. Therefore, the entire area in the processing chamber 2 is uniformly decontaminated by the plasma excitation gas G.
なお、図３に示した第２実施例において、密閉水槽２２内の水温を調節する水温調節機構を設けて、密閉水槽２２内の上部空間に充満した混合ガス内の水蒸気量を増減させるようにしても良い。
また、上記各実施例においては処理室２としてアイソレータを想定しているが、アイソレータと図示しないインキュベータとの接続箇所も除染装置１による除染の対象にすることができる。
さらに、上記各実施例では２箇所に湿度センサ１２Ａ、１２Ｂを配置しているが、湿度センサは処理室２内における除染時の相対湿度範囲から最も外れる位置に１つだけ設けても良い。また、各実施例では２箇所に湿度センサ１２Ａ、１２Ｂを配置しているが、設置箇所を異ならせて湿度センサを３個以上処理室２内に設けてもよい。
また、上記各実施例においては、湿度として日常一般的に用いられる相対湿度を用いているが、相対湿度の代わりに絶対湿度を用いても良い。
In the second embodiment shown in FIG. 3, a water temperature adjusting mechanism for adjusting the water temperature in the closed water tank 22 is provided so as to increase or decrease the amount of water vapor in the mixed gas filling the upper space in the closed water tank 22. May be.
Further, in each of the above embodiments, an isolator is assumed as the processing chamber 2, but a connection point between the isolator and an incubator (not shown) can be subjected to decontamination by the decontamination apparatus 1.
Further, in each of the above embodiments, the humidity sensors 12A and 12B are arranged at two places. However, only one humidity sensor may be provided in the processing chamber 2 at a position which is farthest from the relative humidity range at the time of decontamination. Further, in each embodiment, the humidity sensors 12A and 12B are arranged at two places. However, three or more humidity sensors may be provided in the processing chamber 2 at different places.
Further, in each of the above embodiments, the relative humidity that is generally used every day is used as the humidity, but the absolute humidity may be used instead of the relative humidity.
１‥除染装置 ２‥処理室
３‥物品（対象物） ４‥プラズマ生成部
５‥ガス供給源 １１、１１１‥湿度調節部
１２Ａ、１２Ｂ‥湿度センサ １３‥制御装置
Ｇ‥プラズマ励起ガス
1 decontamination device 2 processing chamber 3 article (object) 4 plasma generation unit 5 gas supply source 11, 111 humidity control unit 12A, 12B humidity sensor 13 control device G plasma excitation gas
Claims (3)
上記処理室内の異なる箇所の湿度を測定する複数の湿度センサを設けるとともに上記処理室内の湿度を調節するための湿度調節部を設け、さらに、上記湿度調節部の作動を制御する制御装置を設けて、
上記湿度調節部は、混合ガスの供給源と上記プラズマ生成部との間に設けられるとともに上記混合ガスの供給源から上記プラズマ生成部へ供給される混合ガスを流通させるようになっており、
上記湿度調節部は、上記混合ガスが流通する第１流路及び第２流路と、上記第１流路または第２流路の少なくとも一方を流通する混合ガスの流量を調節する流量調節器と、上記第１流路または第２流路の少なくとも一方の流路に設けられ、流通する混合ガスの水蒸気量を増加させる水蒸気発生装置とを備えており、
上記制御装置は、上記複数の湿度センサの測定結果に基づいて上記流量調節器の作動を制御し上記第１流路及び第２流路を通過して混合された後の混合ガスに含まれる水蒸気の量を調節することを特徴とする除染装置。 A processing chamber to be decontaminated, and a plasma generation unit that generates a plasma excitation gas from a mixed gas of nitrogen and oxygen, and supplies the plasma excitation gas generated by the plasma generation unit to the processing chamber to supply the plasma to the processing chamber. In a decontamination device designed to decontaminate an object,
Providing a plurality of humidity sensors for measuring the humidity of different locations in the processing chamber and providing a humidity adjustment unit for adjusting the humidity in the processing chamber, and further providing a control device for controlling the operation of the humidity adjustment unit ,
The humidity control unit is provided between the mixed gas supply source and the plasma generation unit and allows the mixed gas supplied from the mixed gas supply source to the plasma generation unit to flow,
A first flow path and a second flow path through which the mixed gas flows, and a flow controller that adjusts a flow rate of the mixed gas flowing through at least one of the first flow path and the second flow path; A steam generator provided in at least one of the first flow path and the second flow path to increase the amount of water vapor in the mixed gas flowing therethrough,
The control device controls the operation of the flow rate controller based on the measurement results of the plurality of humidity sensors, and controls the operation of the flow rate controller. The water vapor contained in the mixed gas after being mixed through the first flow path and the second flow path. A decontamination device characterized by adjusting the amount of the decontamination.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015180149A JP6651117B2 (en) | 2015-09-11 | 2015-09-11 | Decontamination equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015180149A JP6651117B2 (en) | 2015-09-11 | 2015-09-11 | Decontamination equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017051555A JP2017051555A (en) | 2017-03-16 |
| JP6651117B2 true JP6651117B2 (en) | 2020-02-19 |
Family
ID=58319834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015180149A Active JP6651117B2 (en) | 2015-09-11 | 2015-09-11 | Decontamination equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6651117B2 (en) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5367986A (en) * | 1976-11-29 | 1978-06-16 | Daido Oxygen | Method of and device for removing residual sterilizing gas from article to be sterilized |
| US5603895B1 (en) * | 1995-06-06 | 1998-11-03 | Abtox Inc | Plasma water vapor sterilizer and method |
| FR2814079B1 (en) * | 2000-09-15 | 2005-05-13 | Absys | PLASMA STERILIZATION SYSTEM |
| JP2004097289A (en) * | 2002-09-05 | 2004-04-02 | Sharp Corp | Toothbrush storage device with disinfecting function |
-
2015
- 2015-09-11 JP JP2015180149A patent/JP6651117B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2017051555A (en) | 2017-03-16 |
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