JP6649841B2 - Resonator and dielectric filter - Google Patents

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Description

本発明は、共振器及び誘電体フィルタに関し、例えば誘電体に形成されたビアホールによる共振器及び共振器を多段化して構成された誘電体フィルタに関する。   The present invention relates to a resonator and a dielectric filter, for example, relates to a resonator formed by via holes formed in a dielectric and a dielectric filter formed by multiplying the resonator.

従来、共振器100として、例えば図19Aに示すように、周囲に遮蔽導体102が形成された誘電体基板104の内部に板状の中心導体106を形成した構成がある。この共振器100は、電流が中心導体106の端部に集中し、Q値が低下するという問題がある。   Conventionally, as a resonator 100, for example, as shown in FIG. 19A, there is a configuration in which a plate-shaped center conductor 106 is formed inside a dielectric substrate 104 around which a shield conductor 102 is formed. This resonator 100 has a problem that the current is concentrated on the end of the center conductor 106 and the Q value is reduced.

そこで、従来では、Q値の低下を抑えるために、図19Bに示すように、周囲に遮蔽導体102が形成された誘電体基板104に横断面形状が円形状のビアホールによる電極(以下、ビア電極108という)を形成するようにしている(特許文献1参照)。   Therefore, conventionally, in order to suppress a decrease in the Q value, as shown in FIG. 19B, an electrode (hereinafter, referred to as a via electrode) formed by a via hole having a circular cross section is formed on a dielectric substrate 104 having a shielding conductor 102 formed therearound. 108 (refer to Patent Document 1).

また、従来では、誘電体基板の下面に2つの接地電極と入出力電極を形成し、誘電体内に板状の内部電極を形成し、さらに、誘電体内に、2つの接地電極と内部電極間にビア電極をそれぞれ形成し、入出力電極と内部電極間にビア電極を形成するようにしている(特許文献2参照)。   Conventionally, two ground electrodes and an input / output electrode are formed on the lower surface of a dielectric substrate, a plate-like internal electrode is formed in a dielectric, and further, between the two ground electrodes and the internal electrode in the dielectric. Via electrodes are respectively formed, and via electrodes are formed between input / output electrodes and internal electrodes (see Patent Document 2).

さらに、従来では、誘電体基板の下面のみにグランド用導体層を形成し、このグランド用導体層上にビア電極(グランド接続路)を介してストリップ線路(インダクタ構成部)を形成するようにしている(例えば特許文献3参照)。   Further, conventionally, a ground conductor layer is formed only on the lower surface of the dielectric substrate, and a strip line (inductor component) is formed on the ground conductor layer via a via electrode (ground connection path). (For example, see Patent Document 3).

特開2002−009513号公報JP 2002-00913A 特許第4506903号公報Japanese Patent No. 4506903 特許第4985999号公報Japanese Patent No. 4988599

ところで、特許文献1及び2に記載のビア電極は、径を大きくすることで、電流密度を低下させることができ、Q値の向上が期待できる。しかし、ビア電極の径を大きくすると、ビア電極と遮蔽導体との距離が小さくなり、Q値が低下するという問題がある。すなわち、ビア電極と遮蔽導体との距離もQ値の最適解に関係するため、共振器の設計において考慮する必要がある。   By the way, in the via electrodes described in Patent Documents 1 and 2, by increasing the diameter, the current density can be reduced, and an improvement in the Q value can be expected. However, when the diameter of the via electrode is increased, the distance between the via electrode and the shielding conductor is reduced, and there is a problem that the Q value is reduced. That is, since the distance between the via electrode and the shield conductor is also related to the optimal solution of the Q value, it is necessary to consider the design of the resonator.

ビア電極の径を大きくすると、共振器を多段化して誘電体フィルタを構成する場合において、共振器間に電気壁が発生し、Q値の劣化につながるため、隣り合う共振器との間隔も考慮する必要がある。誘電体フィルタでは、必ず受給電や結合調整のための電極パターン(線路)の配置が必要となるが、この場合、ビア電極と側面の遮蔽導体との間に配置する必要がある。これは、ビア電極からの磁界の広がりを妨げながら電極パターンを配置することになるため、Q値の劣化、不要な結合の発生につながるという問題がある。   When the diameter of the via electrode is increased, when forming a dielectric filter by forming the resonators in multiple stages, an electric wall is generated between the resonators, which leads to deterioration of the Q value. Therefore, the distance between adjacent resonators is also taken into consideration. There is a need to. In the dielectric filter, an electrode pattern (line) for receiving and supplying power and coupling adjustment is always required. In this case, it is necessary to dispose the electrode pattern between the via electrode and the shield conductor on the side surface. Since the electrode pattern is arranged while preventing the spread of the magnetic field from the via electrode, there is a problem that the Q value is degraded and unnecessary coupling is generated.

しかも、誘電体基板に径の大きいビア電極を形成すると、誘電体基板の構造欠陥、すなわち、クラックの発生の原因になるおそれがある。また、複数のビア電極の径のばらつきも大きくなることから、共振器のインピーダンスにばらつきが生じるという問題もある。   Moreover, when a via electrode having a large diameter is formed on the dielectric substrate, there is a possibility that a structural defect of the dielectric substrate, that is, a crack may be generated. In addition, since the variation in the diameter of the plurality of via electrodes also increases, there is a problem that the impedance of the resonator varies.

特に、特許文献2記載の共振器は、その課題解決上、誘電体基板の下面に入出力端子を形成してビア電極と接続するようにしている。この場合、誘電体基板の下面に遮蔽導体を形成することが困難となり、電磁シールドが不十分になるおそれがある。   Particularly, in the resonator described in Patent Document 2, in order to solve the problem, an input / output terminal is formed on the lower surface of the dielectric substrate and connected to the via electrode. In this case, it is difficult to form the shielding conductor on the lower surface of the dielectric substrate, and the electromagnetic shield may be insufficient.

一方、特許文献3記載の共振器において、TEM波の共振器として動作する部分はストリップ線路に限定されている。つまり、ビア電極はストリップ線路と平行に配置されたグランド用導体層とを接続する機能を有するに過ぎない。   On the other hand, in the resonator described in Patent Document 3, a portion that operates as a TEM wave resonator is limited to a strip line. That is, the via electrode has only a function of connecting the strip line to the ground conductor layer arranged in parallel.

本発明はこのような課題を考慮してなされたものであり、ビア電極のサイズを大きくすることなく、電流密度の分散を図ることができ、しかも、共振器として機能するビア電極からの磁界の広がりを妨げることなく、各種電極パターンを形成でき、Q値の劣化の抑制、不要な結合の抑制、電磁シールドの低下の抑制、設計の自由度の向上、製造コストの低減を図ることができる共振器及び誘電体フィルタを提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such a problem, and can achieve a distribution of a current density without increasing the size of a via electrode, and furthermore, a magnetic field from a via electrode that functions as a resonator. A variety of electrode patterns can be formed without hindering the spread, and the resonance can suppress the deterioration of the Q value, suppress unnecessary coupling, suppress the deterioration of the electromagnetic shield, improve the design flexibility, and reduce the manufacturing cost. It is an object to provide a filter and a dielectric filter.

[1] 第1の本発明に係る共振器は、以下の特徴を有する。すなわち、少なくとも一主面に遮蔽導体が形成され、第1側面に第1入出力端子が形成され、前記第1側面と対向する第2側面に第2入出力端子が形成された誘電体基板と、前記誘電体基板内に形成されたストリップ線路と、前記誘電体基板内に形成され、前記ストリップ線路から前記遮蔽導体にかけて隣接して形成された第1ビア電極部及び第2ビア電極部と、を有する。 [1] The resonator according to the first aspect of the present invention has the following features. A dielectric substrate having a shield conductor formed on at least one main surface, a first input / output terminal formed on a first side surface, and a second input / output terminal formed on a second side surface opposite to the first side surface; A strip line formed in the dielectric substrate, a first via electrode portion and a second via electrode portion formed in the dielectric substrate and formed adjacent from the strip line to the shielding conductor; Having.

さらに、前記誘電体基板の側面のうち、前記第1ビア電極部に対向する第3側面と、前記第2ビア電極部に対向する第4側面にそれぞれ遮蔽導体が形成され、前記第1ビア電極部は、複数の第1ビア電極から構成され、前記第2ビア電極部は、複数の第2ビア電極から構成されている。   Further, among the side surfaces of the dielectric substrate, shielding conductors are respectively formed on a third side surface facing the first via electrode portion and a fourth side surface facing the second via electrode portion, and the first via electrode The part is composed of a plurality of first via electrodes, and the second via electrode part is composed of a plurality of second via electrodes.

また、前記第1ビア電極部と前記第2ビア電極部との間に他のビア電極部が存在せず、前記複数の第1ビア電極は、上面から見たとき、仮想の第1湾曲線に沿って配列され、前記複数の第2ビア電極は、上面から見たとき、仮想の第2湾曲線に沿って配列されている。   Further, there is no other via electrode portion between the first via electrode portion and the second via electrode portion, and the plurality of first via electrodes are imaginary first curved lines when viewed from above. And the plurality of second via electrodes are arranged along a virtual second curved line when viewed from above.

これにより、先ず、誘電体基板の側面のうち、第1ビア電極部に対向する第3側面と、第2ビア電極部に対向する第4側面にそれぞれ遮蔽導体を形成したので、第1ビア電極部及び第2ビア電極部は、側面の遮蔽導体と共にTEM波の共振器として動作する。すなわち、第1ビア電極部及び第2ビア電極部が、側面の遮蔽導体を参照したTEM波の共振器として動作する。そして、第1ビア電極部及び第2ビア電極部からそれぞれ対向する遮蔽導体に向かって磁界が広がり、第1ビア電極部と第2ビア電極部間に電磁界が疎になった領域が形成される。   As a result, first, among the side surfaces of the dielectric substrate, the shielding conductors are formed on the third side surface facing the first via electrode portion and the fourth side surface facing the second via electrode portion, respectively. The portion and the second via electrode portion operate as a TEM wave resonator together with the shield conductor on the side surface. That is, the first via electrode unit and the second via electrode unit operate as a TEM wave resonator with reference to the shield conductor on the side surface. Then, the magnetic field spreads from the first via electrode portion and the second via electrode portion toward the opposing shield conductor, and a region where the electromagnetic field is reduced is formed between the first via electrode portion and the second via electrode portion. You.

従来は、ビア電極と側面の遮蔽導体との間に、ビア電極からの磁界の広がりを妨げながら、受給電や結合調整をするためのパターン(線路)を配置していた。そのため、Q値の劣化や、不要な結合が発生していた。   Conventionally, between the via electrode and the shield conductor on the side surface, a pattern (line) for receiving and supplying power and adjusting coupling has been arranged while preventing the spread of a magnetic field from the via electrode. As a result, deterioration of the Q value and unnecessary coupling have occurred.

しかし、第1の本発明では、上述した電磁界が疎になった領域、すなわち、第1ビア電極部と第2ビア電極部間に、受給電や結合調整をするためのパターン(線路)を形成することが可能となるため、Q値の劣化を抑制することができ、しかも、不要な結合を抑制することができる。   However, in the first aspect of the present invention, a pattern (line) for receiving and supplying power and adjusting the coupling is formed between the above-mentioned region where the electromagnetic field is sparse, that is, between the first via electrode portion and the second via electrode portion. Since it can be formed, deterioration of the Q value can be suppressed, and unnecessary coupling can be suppressed.

このように、ビア電極のサイズを大きくすることなく、電流密度の分散を図ることができ、しかも、ビア電極からの磁界の広がりを妨げることなく、各種電極パターンを形成でき、Q値の劣化の抑制、不要な結合の抑制、電磁シールドの低下の抑制、設計の自由度の向上、製造コストの低減を図ることができる。   As described above, the current density can be dispersed without increasing the size of the via electrode, and various electrode patterns can be formed without hindering the spread of the magnetic field from the via electrode. It is possible to achieve suppression, suppression of unnecessary coupling, suppression of deterioration of the electromagnetic shield, improvement of design flexibility, and reduction of manufacturing cost.

[2] 第1の本発明において、前記第1湾曲線と前記第2湾曲線は、1つの楕円の輪郭線の一部又は1つのトラック形状の輪郭線の一部を構成していてもよい。 [2] In the first aspect of the invention, the first curved line and the second curved line may form a part of one elliptical contour line or a part of one track-shaped contour line. .

これにより、第1ビア電極部と第2ビア電極部は、1つの楕円の輪郭線の一部又は1つのトラック形状の輪郭線の一部、すなわち、楕円又はトラック形状の長軸上の各端部に形成されることになる。この部分は、高周波電流の表皮効果により、電流が集中する部分でもある。すなわち、第1ビア電極部と第2ビア電極部に集中して電流が流れる。そのため、第1ビア電極部と第2ビア電極部との間に、他のビア電極部を配置する必要がなくなる。   Thereby, the first via electrode portion and the second via electrode portion are part of one elliptical contour or one part of one track-shaped contour, that is, each end on the long axis of the ellipse or the track. Part will be formed. This portion is also where the current is concentrated due to the skin effect of the high-frequency current. That is, current flows intensively in the first via electrode portion and the second via electrode portion. Therefore, it is not necessary to arrange another via electrode portion between the first via electrode portion and the second via electrode portion.

[3] 第1の本発明において、前記第1ビア電極部は、前記ストリップ線路と共に、第1λ/4共振器を構成し、前記第2ビア電極部は、前記ストリップ線路と共に、第2λ/4共振器を構成してもよい。これにより、第1λ/4共振器と第2λ/4共振器には常に同相の電流が流れることとなる。同相となることで、共振器単体で見た場合、第1ビア電極部と第2ビア電極部との間は電磁界が疎の状態になり、その間に結合や引き回しのための電極を配置しても不要な結合を極力抑えることができる。その結果、Q値の劣化防止、ばらつき抑制の効果を奏する。 [3] In the first aspect of the present invention, the first via electrode portion forms a first λ / 4 resonator together with the strip line, and the second via electrode portion forms a second λ / 4 resonator together with the strip line. A resonator may be configured. As a result, an in-phase current always flows through the first λ / 4 resonator and the second λ / 4 resonator. By being in phase, when viewed from the resonator alone, the electromagnetic field is sparse between the first via electrode portion and the second via electrode portion, and electrodes for coupling and routing are arranged between them. However, unnecessary coupling can be suppressed as much as possible. As a result, the effect of preventing the deterioration of the Q value and suppressing the variation is exhibited.

[4] 第1の本発明において、前記第1ビア電極部と前記第2ビア電極部との間に、他のストリップ線路が形成されていてもよい。上述したように、第1ビア電極部と第2ビア電極部間に電磁界が疎になった領域が形成される。その結果、第1ビア電極部と第2ビア電極部との間に、他のストリップ線路、例えば受給電や結合調整をするためのパターン(線路)を形成することが可能となり、Q値の劣化を抑制することができ、しかも、不要な結合を抑制することができる。 [4] In the first invention, another strip line may be formed between the first via electrode portion and the second via electrode portion. As described above, a region where the electromagnetic field is weakened is formed between the first via electrode portion and the second via electrode portion. As a result, it becomes possible to form another strip line, for example, a pattern (line) for receiving and supplying power and adjusting the coupling between the first via electrode portion and the second via electrode portion, thereby deteriorating the Q value. Can be suppressed, and unnecessary coupling can be suppressed.

[5] 第2の本発明に係る誘電体フィルタは、以下の特徴を有する。すなわち、少なくとも一主面に遮蔽導体が形成され、第1側面に第1入出力端子が形成され、前記第1側面と対向する第2側面に第2入出力端子が形成された誘電体基板と、前記誘電体基板内に形成された少なくとも2つの共振器本体とを有する。 [5] The dielectric filter according to the second aspect of the present invention has the following features. A dielectric substrate having a shield conductor formed on at least one main surface, a first input / output terminal formed on a first side surface, and a second input / output terminal formed on a second side surface opposite to the first side surface; , At least two resonator bodies formed in the dielectric substrate.

各前記共振器本体は、ストリップ線路と、前記ストリップ線路から前記遮蔽導体にかけて隣接して形成された第1ビア電極部及び第2ビア電極部と、を有する。   Each of the resonator main bodies has a strip line, and a first via electrode portion and a second via electrode portion formed adjacent to each other from the strip line to the shielding conductor.

さらに、前記誘電体基板の側面のうち、前記第1ビア電極部に対向する第3側面と、前記第2ビア電極部に対向する第4側面にそれぞれ遮蔽導体が形成され、前記第1ビア電極部は、複数の第1ビア電極から構成され、前記第2ビア電極部は、複数の第2ビア電極から構成されている。   Further, among the side surfaces of the dielectric substrate, shielding conductors are respectively formed on a third side surface facing the first via electrode portion and a fourth side surface facing the second via electrode portion, and the first via electrode The part is composed of a plurality of first via electrodes, and the second via electrode part is composed of a plurality of second via electrodes.

また、前記第1ビア電極部と前記第2ビア電極部との間に他のビア電極部が存在せず、前記複数の第1ビア電極は、上面から見たとき、仮想の第1湾曲線に沿って配列され、前記複数の第2ビア電極は、上面から見たとき、仮想の第2湾曲線に沿って配列され、一方の前記共振器本体と他方の前記共振器本体とが結合されている。   Further, there is no other via electrode portion between the first via electrode portion and the second via electrode portion, and the plurality of first via electrodes are imaginary first curved lines when viewed from above. The plurality of second via electrodes are arranged along a virtual second curved line when viewed from above, and one of the resonator main bodies and the other of the resonator main bodies are coupled to each other. ing.

これにより、ビア電極のサイズを大きくすることなく、電流密度の分散を図ることができ、しかも、ビア電極からの磁界の広がりを妨げることなく、各種電極パターンを形成でき、Q値の劣化の抑制、不要な結合の抑制、電磁シールドの低下の抑制、設計の自由度の向上、製造コストの低減を図ることができる。   Thus, the current density can be dispersed without increasing the size of the via electrode, and various electrode patterns can be formed without hindering the spread of the magnetic field from the via electrode, thereby suppressing the deterioration of the Q value. In addition, it is possible to suppress unnecessary coupling, suppress reduction in electromagnetic shield, improve design flexibility, and reduce manufacturing cost.

[6] 第2の本発明において、一方の前記共振器と他方の前記共振器とが電磁界結合されていてもよい。一方の共振器における上述した電磁界が疎になった領域と、他方の共振器における上述した電磁界が疎になった領域を利用して、共振器同士を容量結合するためのストリップ線路を形成することができる。すなわち、Q値の劣化の抑制や、不要な結合の抑制を図りながらも、一方の前記共振器と他方の前記共振器とを電磁界結合することができる。 [6] In the second aspect of the invention, one of the resonators and the other of the resonators may be electromagnetically coupled. A strip line for capacitively coupling the resonators is formed by using the above-mentioned electromagnetic field sparse region in one resonator and the above-described electromagnetic field sparse region in the other resonator. can do. That is, it is possible to electromagnetically couple one of the resonators and the other resonator while suppressing deterioration of the Q value and suppressing unnecessary coupling.

[7] 第2の本発明において、一方の前記共振器と他方の前記共振器とがストリップ線路で直接接続されていてもよい。この場合、一方の共振器における上述した電磁界が疎になった領域と、他方の共振器における上述した電磁界が疎になった領域を利用して、一方の共振器と他方の共振器間の結合調整をするためのパターン(線路)を形成することができる。 [7] In the second invention, one of the resonators and the other of the resonators may be directly connected by a strip line. In this case, a region between the one resonator and the other resonator is used by utilizing a region where the above-described electromagnetic field is sparse in one resonator and a region where the above-described electromagnetic field is sparse in the other resonator. A pattern (line) for adjusting the coupling can be formed.

[8] 第2の本発明において、一方の前記共振器と他方の前記共振器とが磁界結合されていてもよい。この場合も、一方の共振器における上述した電磁界が疎になった領域と、他方の共振器における上述した電磁界が疎になった領域を利用して、一方の共振器と他方の共振器間の結合調整をするためのパターン(線路)を形成することができる。 [8] In the second aspect of the invention, one of the resonators and the other resonator may be magnetically coupled. In this case as well, one resonator and the other resonator are utilized by utilizing the above-described electromagnetic field sparse region in one resonator and the above-described electromagnetic field sparse region in the other resonator. A pattern (line) for adjusting the coupling between them can be formed.

以上説明したように、本発明に係る共振器及び誘電体フィルタによれば、ビア電極のサイズを大きくすることなく、電流密度の分散を図ることができ、しかも、ビア電極からの磁界の広がりを妨げることなく、各種電極パターンを形成でき、Q値の劣化の抑制、不要な結合の抑制、電磁シールドの低下の抑制、設計の自由度の向上、製造コストの低減を図ることができる。   As described above, according to the resonator and the dielectric filter according to the present invention, the current density can be dispersed without increasing the size of the via electrode, and the spread of the magnetic field from the via electrode can be reduced. Various electrode patterns can be formed without hindrance, and it is possible to suppress deterioration of the Q value, suppress unnecessary coupling, suppress deterioration of the electromagnetic shield, improve design flexibility, and reduce manufacturing costs.

本実施の形態に係る共振器を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing the resonator according to the present embodiment. 本実施の形態に係る共振器を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing the resonator according to the present embodiment. 図3Aは図1におけるIIIA−IIIA線上の断面図であり、図3Bは図1におけるIIIB−IIIB線上の断面図である。3A is a cross-sectional view taken along the line IIIA-IIIA in FIG. 1, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along the line IIIB-IIIB in FIG. 第1ビア電極部を構成する複数の第1小径ビア電極の配列状態と、第2ビア電極部を構成する複数の第2小径ビア電極の配列状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the arrangement | sequence state of the some 1st small diameter via electrode which comprises a 1st via electrode part, and the arrangement | sequence state of the some 2nd small diameter via electrode which comprises a 2nd via electrode part. 図5Aは横断面形状が円形状のビア電極である場合の問題を示す説明図であり、図5Bは横断面形状が楕円形状のビア電極の有利な点を示す説明図である。FIG. 5A is an explanatory diagram showing a problem in the case of a via electrode having a circular cross section, and FIG. 5B is an explanatory diagram showing advantages of a via electrode having an elliptical cross section. 図6Aは楕円形状のビア電極を複数の小径ビア電極で構成した例を示す説明図であり、図6Bは楕円形状のビア電極において、電流が集中する部分のみに小径ビア電極を配列させた例を示す説明図である。FIG. 6A is an explanatory diagram showing an example in which an elliptical via electrode is constituted by a plurality of small-diameter via electrodes. FIG. 6B is an example in which small-diameter via electrodes are arranged only in a portion where current is concentrated in the elliptical via electrode. FIG. 図7Aは楕円形状のビア電極の問題点を示す説明図であり、図7Bは楕円形状のビア電極を複数の小径ビア電極で構成した場合の問題点を示す説明図である。FIG. 7A is an explanatory diagram showing a problem of the elliptical via electrode, and FIG. 7B is an explanatory diagram showing a problem when the elliptical via electrode is constituted by a plurality of small-diameter via electrodes. 楕円形状のビア電極において、電流が集中する部分のみに小径ビア電極を配列させた場合の利点を示す説明図である。FIG. 9 is an explanatory view showing an advantage of a case where small-diameter via electrodes are arranged only in a portion where a current is concentrated in an elliptical via electrode. 図9Aは本実施の形態に係る共振器を示す等価回路図であり、図9Bは共振器の電流の流れを示す説明図である。FIG. 9A is an equivalent circuit diagram illustrating the resonator according to the present embodiment, and FIG. 9B is an explanatory diagram illustrating a current flow in the resonator. 変形例に係る共振器を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the resonator which concerns on a modification. 第1の実施の形態に係る誘電体フィルタ(第1誘電体フィルタ)の構成を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view illustrating a configuration of a dielectric filter (first dielectric filter) according to the first embodiment. 図11におけるXII−XII線上の断面図である。但し、誘電体基板の断面ハッチングの表示を省略した。It is sectional drawing on the XII-XII line in FIG. However, the hatching of the cross section of the dielectric substrate is omitted. 第1誘電体フィルタの変形例の構成を示す斜視図である。It is a perspective view showing the composition of the modification of a 1st dielectric filter. 図13におけるXIV−XIV線上の断面図である。但し、誘電体基板の断面ハッチングの表示を省略した。FIG. 14 is a sectional view taken along line XIV-XIV in FIG. 13. However, the hatching of the cross section of the dielectric substrate is omitted. 第1誘電体フィルタを示す等価回路図である。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram illustrating a first dielectric filter. 第2の実施の形態に係る誘電体フィルタ(第2誘電体フィルタ)の構成を示す斜視図である。It is a perspective view showing the composition of the dielectric filter (the 2nd dielectric filter) concerning a 2nd embodiment. 図16におけるXVII−XVII線上の断面図である。但し、誘電体基板の断面ハッチングの表示を省略した。It is sectional drawing on the XVII-XVII line in FIG. However, the hatching of the cross section of the dielectric substrate is omitted. 第2誘電体フィルタを示す等価回路図である。FIG. 9 is an equivalent circuit diagram illustrating a second dielectric filter. 図19Aは従来の共振器の一例を示す断面図であり、図19Bは従来の共振器の他の例を示す断面図である。但し、誘電体基板の断面ハッチングの表示を省略した。FIG. 19A is a cross-sectional view illustrating an example of a conventional resonator, and FIG. 19B is a cross-sectional view illustrating another example of a conventional resonator. However, the hatching of the cross section of the dielectric substrate is omitted.

以下、本発明に係る共振器及び誘電体フィルタの実施の形態例を図1〜図18を参照しながら説明する。   Hereinafter, embodiments of a resonator and a dielectric filter according to the present invention will be described with reference to FIGS.

先ず、本実施の形態に係る共振器10は、図1、図2並びに図3A及び図3Bに示すように、少なくとも上部及び下部にそれぞれ遮蔽導体12U及び12Bが形成された誘電体基板14と、該誘電体基板14内に形成され、上部の遮蔽導体12Uと対向するストリップ線路16と、誘電体基板14内に形成され、ストリップ線路16から下部の遮蔽導体12Bにかけて隣接して形成された第1ビア電極部18A及び第2ビア電極部18Bとを有する。第1ビア電極部18A及び第2ビア電極部18Bは、誘電体基板14に形成されたビアホールにて構成されている。   First, the resonator 10 according to the present embodiment includes a dielectric substrate 14 having at least upper and lower shielding conductors 12U and 12B, respectively, as shown in FIGS. 1, 2, 3A and 3B. A strip line 16 formed in the dielectric substrate 14 and facing the upper shield conductor 12U; and a first strip line formed in the dielectric substrate 14 and formed adjacent to the strip line 16 and the lower shield conductor 12B. It has a via electrode portion 18A and a second via electrode portion 18B. The first via electrode portion 18A and the second via electrode portion 18B are formed by via holes formed in the dielectric substrate 14.

誘電体基板14は、複数の誘電体層を積層して構成され、例えば図1に示すように、直方体状を有する。誘電体基板14の4つの側面のうち、第1側面14aに第1入出力端子20Aが形成され、第1側面14aと対向する第2側面14bに第2入出力端子20Bが形成されている。また、第3側面14cと、該第3側面14cと対向する第4側面14dにそれぞれ遮蔽導体12a及び12bが形成されている。誘電体基板14内において、第1ビア電極部18Aが第3側面14cに対向し、第2ビア電極部18Bが第4側面14dに対向している。   The dielectric substrate 14 is formed by laminating a plurality of dielectric layers, and has a rectangular parallelepiped shape, for example, as shown in FIG. Of the four side surfaces of the dielectric substrate 14, a first input / output terminal 20A is formed on a first side surface 14a, and a second input / output terminal 20B is formed on a second side surface 14b facing the first side surface 14a. Further, shielding conductors 12a and 12b are formed on the third side surface 14c and the fourth side surface 14d facing the third side surface 14c, respectively. In the dielectric substrate 14, the first via electrode portion 18A faces the third side surface 14c, and the second via electrode portion 18B faces the fourth side surface 14d.

図2、図3A及び図3Bに示すように、第1ビア電極部18Aは、複数の小径の第1ビア電極(以下、第1小径ビア電極22aと記す)から構成され、第2ビア電極部18Bは、複数の小径の第2ビア電極(以下、第2小径ビア電極22bと記す)から構成されている。第1ビア電極部18Aと第2ビア電極部18Bとの間に他のビア電極部は存在しない。   As shown in FIGS. 2, 3A, and 3B, the first via electrode portion 18A includes a plurality of small-diameter first via electrodes (hereinafter, referred to as first small-diameter via electrodes 22a). Reference numeral 18B includes a plurality of small-diameter second via electrodes (hereinafter, referred to as second small-diameter via electrodes 22b). No other via electrode portion exists between the first via electrode portion 18A and the second via electrode portion 18B.

さらに、本実施の形態では、第1ビア電極部18Aと第2ビア電極部18Bとの間であって、且つ、ストリップ線路16の下方から第1入出力端子20Aに延びる第1入出力線路24Aと、同じくストリップ線路16の下方から第2入出力端子20Bに延びる第2入出力線路24Bとを有する。   Furthermore, in the present embodiment, the first input / output line 24A extending between the first via electrode portion 18A and the second via electrode portion 18B and extending from below the strip line 16 to the first input / output terminal 20A. And a second input / output line 24B extending from below the strip line 16 to the second input / output terminal 20B.

これにより、先ず、共振器10の第1ビア電極部18A及び第2ビア電極部18Bは、側面の遮蔽導体12a〜12dと共にTEM波の共振器として動作する。つまり、第1ビア電極部18A及び第2ビア電極部18Bが、側面の遮蔽導体12a〜12dを参照したTEM波の共振器として動作する。ストリップ線路16は、開放端容量を形成する機能として動作する。これは、特許文献3記載の共振器の構造、すなわち、TEM波の共振器として動作する部分がストリップ線路に限定され、ビア電極がストリップ線路と平行に配置されたグランド用導体層とを接続する機能を有するに過ぎない共振器の構造とは明らかに異なる。   Thereby, first, the first via electrode portion 18A and the second via electrode portion 18B of the resonator 10 operate as a TEM wave resonator together with the shield conductors 12a to 12d on the side surfaces. That is, the first via electrode portion 18A and the second via electrode portion 18B operate as a TEM wave resonator with reference to the shield conductors 12a to 12d on the side surfaces. The strip line 16 operates as a function of forming an open-end capacitance. This is because the structure of the resonator described in Patent Literature 3, that is, the portion that operates as a TEM wave resonator is limited to the strip line, and the via electrode connects the strip line to the ground conductor layer arranged in parallel. It is clearly different from the structure of a resonator which only has a function.

さらに、本実施の形態では、図4に示すように、複数の第1小径ビア電極22aは、上面から見たとき、仮想の第1湾曲線26a(高周波電流が集中する部分)に沿って配列され、複数の第2小径ビア電極22bは、上面から見たとき、仮想の第2湾曲線26b(高周波電流が集中する部分である)に沿って配列されている。第1湾曲線26aと第2湾曲線26bは、1つの楕円の輪郭線の一部又は1つのトラック形状の輪郭線の一部を構成している。   Further, in the present embodiment, as shown in FIG. 4, the plurality of first small-diameter via electrodes 22a are arranged along a virtual first curved line 26a (a portion where high-frequency current is concentrated) when viewed from above. The plurality of second small-diameter via electrodes 22b are arranged along a virtual second curved line 26b (a portion where high-frequency current is concentrated) when viewed from above. The first curved line 26a and the second curved line 26b constitute a part of one elliptical contour line or a part of one track-shaped contour line.

ここで、第1ビア電極部18A及び第2ビア電極部18Bと1つの楕円との関係について図5A〜図7Bを参照しながら説明する。   Here, the relationship between the first via electrode portion 18A and the second via electrode portion 18B and one ellipse will be described with reference to FIGS. 5A to 7B.

図5Aに示すように、横断面形状が円形状のビア電極108の径を大きくすると、共振器100を多段化して誘電体フィルタ110を構成する場合において、共振器100間に電気壁112が発生し、Q値の劣化につながる。   As shown in FIG. 5A, when the diameter of via electrode 108 having a circular cross section is increased, electric wall 112 is generated between resonators 100 when dielectric filter 110 is configured by forming resonators 100 in multiple stages. This leads to deterioration of the Q value.

そこで、図5Bに示すように、横断面形状が楕円形状のビア電極114にした場合、短軸方向に共振器100を多段化して誘電体フィルタ110を構成すると、共振器100間に電気壁112は生じるが、ビア電極114間の距離が円形状のビア電極108よりも長くなるため、Q値の向上につながる。   Therefore, as shown in FIG. 5B, in the case where the via electrode 114 has an elliptical cross-sectional shape, the dielectric filter 110 is configured by multiplying the resonator 100 in the minor axis direction. However, since the distance between the via electrodes 114 is longer than that of the circular via electrode 108, the Q value is improved.

さらに、図6Aに示すように、楕円形状のビア電極114を複数の小径のビア電極(以下、小径ビア電極22と記す)で構成すると、磁界の包絡線118があたかも大径のビア電極であるかのように振る舞わせる。個々の小径ビア電極22の径が一定の割合ばらついても、包絡線118(大径のビア電極)への影響は、その割合未満となるため、ばらつきの低減効果も得ることができる。   Furthermore, as shown in FIG. 6A, when the elliptical via electrode 114 is configured by a plurality of small-diameter via electrodes (hereinafter, referred to as small-diameter via electrodes 22), the magnetic field envelope 118 is a large-diameter via electrode. Behave as if. Even if the diameters of the individual small-diameter via electrodes 22 vary by a certain ratio, the influence on the envelope 118 (large-diameter via electrode) is less than that ratio, so that a variation reduction effect can also be obtained.

ところで、例えば図6Aに示す楕円形状のビア電極114では、高周波電流は楕円の端部、曲率の大きい両端部に集中する。そこで、図6Bに示すように、楕円形状のビア電極114を構成する複数の小径ビア電極22のうち、楕円形状の両端部に位置する曲率の大きい仮想の第1湾曲線26aに沿った複数の第1小径ビア電極22aと、曲率の大きい仮想の第2湾曲線26bに沿った複数の第2小径ビア電極22bを残し、中央に位置する複数の小径ビア電極22を取り除くことができる。   By the way, for example, in the elliptical via electrode 114 shown in FIG. 6A, the high-frequency current is concentrated at the end of the ellipse and both ends having a large curvature. Therefore, as shown in FIG. 6B, among the plurality of small-diameter via electrodes 22 forming the elliptical via electrode 114, a plurality of small-diameter via electrodes 22 located at both ends of the elliptical shape along the virtual first curved line 26 a having a large curvature are provided. The first small-diameter via electrode 22a and the plurality of second small-diameter via electrodes 22b along the imaginary second curved line 26b having a large curvature are left, and the plurality of small-diameter via electrodes 22 located at the center can be removed.

すなわち、第1ビア電極部18Aを構成する複数の第1小径ビア電極22aは仮想の第1湾曲線26aに沿って配列され、第2ビア電極部18Bを構成する複数の第2小径ビア電極22bは仮想の第2湾曲線26bに沿って配列された形態となる。   That is, the plurality of first small diameter via electrodes 22a constituting the first via electrode portion 18A are arranged along the virtual first curved line 26a, and the plurality of second small diameter via electrodes 22b constituting the second via electrode portion 18B. Are arranged along the virtual second curved line 26b.

また、図7Aに示すように、横断面形状が楕円形状のビア電極114や、図7Bに示すように、複数の小径ビア電極22で楕円形状のビア電極114を構成した場合、楕円形状のビア電極114からそれぞれ対向する遮蔽導体102に向かって磁界28が広がる。しかし、共振器100を多段化して誘電体フィルタ110を構成する場合、受給電や結合調整をするためのパターン116(線路)を配置する必要があるが、楕円形状のビア電極114と側面の遮蔽導体102との間に、ビア電極114からの磁界28の広がりを妨げながら、受給電や結合調整をするためのパターン116(線路)を配置せざるを得なかった。これは、Q値の劣化や、不要な結合の発生をもたらす。   In addition, as shown in FIG. 7A, when a via electrode 114 having an elliptical cross-sectional shape is formed, or as shown in FIG. The magnetic field 28 spreads from the electrode 114 toward the opposing shield conductor 102. However, when the dielectric filter 110 is configured by forming the resonator 100 in multiple stages, it is necessary to arrange a pattern 116 (line) for power supply / reception and coupling adjustment. A pattern 116 (line) for receiving and supplying power and adjusting the coupling must be arranged between the conductor 102 and the conductor 102 while preventing the spread of the magnetic field 28 from the via electrode 114. This results in deterioration of the Q value and generation of unnecessary coupling.

一方、本実施の形態では、図6Bに示すように、第1ビア電極部18Aを構成する複数の第1小径ビア電極22aを仮想の第1湾曲線26aに沿って配列し、第2ビア電極部18Bを構成する複数の第2小径ビア電極22bを仮想の第2湾曲線26bに沿って配列したので、図8に示すように、第1ビア電極部18A及び第2ビア電極部18Bからそれぞれ対向する遮蔽導体12a及び12bに向かって磁界28が広がり、第1ビア電極部18Aと第2ビア電極部18B間に電磁界が疎になった領域30が形成される。   On the other hand, in the present embodiment, as shown in FIG. 6B, a plurality of first small-diameter via electrodes 22a constituting the first via electrode portion 18A are arranged along the virtual first curved line 26a, and the second via electrode Since the plurality of second small-diameter via electrodes 22b constituting the portion 18B are arranged along the virtual second curved line 26b, as shown in FIG. 8, the first via electrode portion 18A and the second via electrode portion 18B respectively The magnetic field 28 spreads toward the opposing shield conductors 12a and 12b, and a region 30 where the electromagnetic field is reduced is formed between the first via electrode portion 18A and the second via electrode portion 18B.

そのため、上述した電磁界が疎になった領域30、すなわち、第1ビア電極部18Aと第2ビア電極部18B間に、受給電や結合調整をするためのパターン32(線路)を形成することが可能となる。その結果、Q値の劣化を抑制することができ、しかも、不要な結合を抑制することができる。   Therefore, the pattern 32 (line) for receiving and supplying power and adjusting the coupling is formed in the region 30 where the electromagnetic field is sparse, that is, between the first via electrode portion 18A and the second via electrode portion 18B. Becomes possible. As a result, deterioration of the Q value can be suppressed, and unnecessary coupling can be suppressed.

また、図7Aに示す楕円形状のビア電極114や、図7Bに示す複数の小径ビア電極22等と異なり、図8に示すように、電流が集中する部分のみに小径ビア電極22(22a、22b)を配列させたので、小径ビア電極22(22a、22b)を構成する金属材料(例えば銀)の量を大幅に低減することができると共に、小径ビア電極22(22a、22b)の本数を減らすことができるため、工数の低減を図ることができる。   In addition, unlike the elliptical via electrode 114 shown in FIG. 7A and the plurality of small diameter via electrodes 22 shown in FIG. 7B, as shown in FIG. 8, the small diameter via electrodes 22 (22a, 22b ), The amount of metal material (for example, silver) constituting the small-diameter via electrode 22 (22a, 22b) can be significantly reduced, and the number of small-diameter via electrodes 22 (22a, 22b) is reduced. Therefore, the number of steps can be reduced.

このように、本実施の形態に係る共振器10においては、ビア電極のサイズを大きくすることなく、電流密度の分散を図ることができ、しかも、ビア電極からの磁界の広がりを妨げることなく、各種電極パターンを形成でき、Q値の劣化の抑制、不要な結合の抑制、電磁シールドの低下の抑制、設計の自由度の向上、製造コストの低減を図ることができる。   As described above, in the resonator 10 according to the present embodiment, the current density can be dispersed without increasing the size of the via electrode, and the spread of the magnetic field from the via electrode can be prevented. Various electrode patterns can be formed, and it is possible to suppress deterioration of the Q value, suppress unnecessary coupling, suppress deterioration of the electromagnetic shield, improve design flexibility, and reduce manufacturing costs.

本実施の形態に係る共振器10の等価回路を図9A及び図9Bに示す。図9Aに示すように、第1ビア電極部18Aからストリップ線路16の入出力部分(I/O)にかけて第1λ/4共振器34Aを構成し、第2ビア電極部18Bからストリップ線路16の入出力部分(I/O)にかけて第2λ/4共振器34Bを構成する。これにより、図9Bに示すように、第1λ/4共振器34Aと第2λ/4共振器34Bには常に同相の電流iが流れることとなる。同相となることで、共振器10単体で見た場合、第1ビア電極部18Aと第2ビア電極部18Bとの間は電磁界が疎の状態になり、その間に結合や引き回しのための電極を配置しても不要な結合を極力抑えることができる。その結果、Q値の劣化を防止することができると共に、特性のばらつきを抑制することができる。   9A and 9B show an equivalent circuit of the resonator 10 according to the present embodiment. As shown in FIG. 9A, a first λ / 4 resonator 34A is formed from the first via electrode portion 18A to the input / output portion (I / O) of the strip line 16, and the input of the strip line 16 from the second via electrode portion 18B. A second [lambda] / 4 resonator 34B is formed over the output portion (I / O). As a result, as shown in FIG. 9B, the in-phase current i always flows through the first λ / 4 resonator 34A and the second λ / 4 resonator 34B. By having the same phase, when viewed in the resonator 10 alone, the electromagnetic field between the first via electrode portion 18A and the second via electrode portion 18B is in a sparse state, and an electrode for coupling and leading is provided therebetween. However, unnecessary coupling can be suppressed as much as possible. As a result, deterioration of the Q value can be prevented, and variation in characteristics can be suppressed.

上述の例では、ストリップ線路16を上部の遮蔽導体12Uに対向させ、第1ビア電極部18Aを構成する第1小径ビア電極22a並びに第2ビア電極部18Bを構成する第2小径ビア電極22bをそれぞれ下部の遮蔽導体12Bに接続するようにしたが、その他、図10に示す変形例に係る共振器10aのように、ストリップ線路16を下部の遮蔽導体12Bに対向させ、第1小径ビア電極22a及び第2小径ビア電極22bをそれぞれ上部の遮蔽導体12Uに接続するようにしてもよい。   In the above-described example, the strip line 16 faces the upper shielding conductor 12U, and the first small-diameter via electrode 22a forming the first via electrode portion 18A and the second small-diameter via electrode 22b forming the second via electrode portion 18B are formed. Each is connected to the lower shielding conductor 12B, but in addition, like the resonator 10a according to the modification shown in FIG. 10, the strip line 16 is opposed to the lower shielding conductor 12B, and the first small-diameter via electrode 22a The second small-diameter via electrode 22b may be connected to the upper shielding conductor 12U.

次に、第1の実施の形態に係る誘電体フィルタ(以下、第1誘電体フィルタ50Aと記す)について図11〜図15を参照しながら説明する。なお、上述した共振器10と共通する部材については、その重複説明を省略する。   Next, a dielectric filter (hereinafter, referred to as a first dielectric filter 50A) according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. The description of the same members as those of the above-described resonator 10 will not be repeated.

図11及び図12は、共振器10を多段化して3つの共振器10にて第1誘電体フィルタ50Aを構成した例を示す。   FIGS. 11 and 12 show an example in which the resonator 10 is multi-staged and the first dielectric filter 50A is configured by three resonators 10. FIG.

すなわち、第1誘電体フィルタ50Aは、誘電体基板14内に、3つの共振器本体(第1共振器本体52A〜第3共振器本体52C)を有する。   That is, the first dielectric filter 50A has three resonator main bodies (first resonator main body 52A to third resonator main body 52C) in the dielectric substrate 14.

第1共振器本体52A(共振器10)〜第3共振器本体52C(共振器10)は、それぞれ上部の遮蔽導体12Uと対向するストリップ線路16と、ストリップ線路16から下部の遮蔽導体12Bにかけて隣接して形成された第1ビア電極部18A及び第2ビア電極部18Bとを有する。第1ビア電極部18Aは、複数の第1小径ビア電極22aから構成され、第2ビア電極部18Bは、複数の第2小径ビア電極22bから構成されている。   The first resonator body 52A (resonator 10) to the third resonator body 52C (resonator 10) are adjacent to the strip line 16 facing the upper shield conductor 12U and the strip line 16 to the lower shield conductor 12B, respectively. A first via electrode portion 18A and a second via electrode portion 18B are formed. The first via electrode portion 18A includes a plurality of first small diameter via electrodes 22a, and the second via electrode portion 18B includes a plurality of second small diameter via electrodes 22b.

特に、この第1誘電体フィルタ50Aは、下記構成を有する。すなわち、第1共振器本体52Aのストリップ線路16と第1入出力端子20Aとの間に、ストリップ線路16と第1入出力端子20Aとを電気的に接続する第1接続線路54Aが形成されている。第2共振器本体52Bのストリップ線路16から第1共振器本体52Aに向かって延びる容量性の第1結合調整線路56Aが形成されている。この第1結合調整線路56Aの端部は、第1共振器本体52Aの第1ビア電極部18Aと第2ビア電極部18Bとの間であって、且つ、ストリップ線路16の下方に位置されている。   In particular, the first dielectric filter 50A has the following configuration. That is, the first connection line 54A that electrically connects the strip line 16 and the first input / output terminal 20A is formed between the strip line 16 and the first input / output terminal 20A of the first resonator main body 52A. I have. A capacitive first coupling adjustment line 56A extending from the strip line 16 of the second resonator main body 52B toward the first resonator main body 52A is formed. The end of the first coupling adjustment line 56A is located between the first via electrode portion 18A and the second via electrode portion 18B of the first resonator main body 52A and below the strip line 16. I have.

同様に、第3共振器本体52Cのストリップ線路16と第2入出力端子20Bとの間に、ストリップ線路16と第2入出力端子20Bとを電気的に接続する第2接続線路54Bが形成されている。第2共振器本体52Bのストリップ線路16から第2入出力端子20Bに向かって延びる容量性の第2結合調整線路56Bが形成されている。この第2結合調整線路56Bの端部は、第3共振器本体52Cの第1ビア電極部18Aと第2ビア電極部18Bとの間であって、且つ、ストリップ線路16の下方に位置されている。   Similarly, a second connection line 54B that electrically connects the strip line 16 and the second input / output terminal 20B is formed between the strip line 16 and the second input / output terminal 20B of the third resonator body 52C. ing. A capacitive second coupling adjustment line 56B extending from the strip line 16 of the second resonator body 52B toward the second input / output terminal 20B is formed. The end of the second coupling adjustment line 56B is located between the first via electrode portion 18A and the second via electrode portion 18B of the third resonator body 52C and below the strip line 16. I have.

図13及び図14は、第1誘電体フィルタ50Aの変形例に係る誘電体フィルタ50Aaを示す。この変形例に係る誘電体フィルタ50Aaは、図13及び図14に示すように、上述した第1誘電体フィルタ50Aとほぼ同様の構成を有するが、第1共振器本体52Aと第2共振器本体52Bの各ストリップ線路16同士が第3接続線路54Cにて直接接続され、第2共振器本体52Bと第3共振器本体52Cの各ストリップ線路16同士が第4接続線路54Dにて直接接続されている。   FIGS. 13 and 14 show a dielectric filter 50Aa according to a modification of the first dielectric filter 50A. The dielectric filter 50Aa according to this modification has substantially the same configuration as the above-described first dielectric filter 50A, as shown in FIGS. 13 and 14, but includes a first resonator main body 52A and a second resonator main body 52A. The strip lines 16 of 52B are directly connected by the third connection line 54C, and the strip lines 16 of the second resonator body 52B and the third resonator body 52C are directly connected by the fourth connection line 54D. I have.

さらに、第1共振器本体52Aのストリップ線路16の下方の位置から第2共振器本体52Bのストリップ線路16の下方の位置にかけて容量性の第3結合調整線路56Cが形成され、第2共振器本体52Bのストリップ線路16の下方の位置から第3共振器本体52Cのストリップ線路16の下方の位置にかけて容量性の第4結合調整線路56Dが形成されている。   Further, a capacitive third coupling adjustment line 56C is formed from a position below the strip line 16 of the first resonator main body 52A to a position below the strip line 16 of the second resonator main body 52B, and the second resonator main body is formed. A capacitive fourth coupling adjustment line 56D is formed from a position below the strip line 16 of 52B to a position below the strip line 16 of the third resonator body 52C.

第1誘電体フィルタ50A及びその変形例に係る誘電体フィルタ50Aaの等価回路を図15に示す。図15に示すように、第1誘電体フィルタ50A及び変形例に係る誘電体フィルタ50Aaは、第1共振器本体52Aと第2共振器本体52Bとが電磁界結合され、第2共振器本体52Bと第3共振器本体52Cとが電磁界結合されて構成される。   FIG. 15 shows an equivalent circuit of the first dielectric filter 50A and a dielectric filter 50Aa according to a modified example thereof. As shown in FIG. 15, the first dielectric filter 50A and the dielectric filter 50Aa according to the modified example are configured such that the first resonator main body 52A and the second resonator main body 52B are electromagnetically coupled, and the second resonator main body 52B is formed. And the third resonator body 52C are electromagnetically coupled.

そして、第1共振器本体52A〜第3共振器本体52Cにおいて、第1ビア電極部18Aは、ストリップ線路16と共に、第1λ/4共振器34Aを構成し、第2ビア電極部18Bは、ストリップ線路16と共に、第2λ/4共振器34Bを構成する。   In the first resonator body 52A to the third resonator body 52C, the first via electrode portion 18A and the strip line 16 constitute a first λ / 4 resonator 34A, and the second via electrode portion 18B Together with the line 16, a second λ / 4 resonator 34B is formed.

第1誘電体フィルタ50Aは、上述した本実施の形態に係る共振器10を多段化して構成したので、ビア電極のサイズを大きくすることなく、電流密度の分散を図ることができ、しかも、ビア電極からの磁界の広がりを妨げることなく、各種電極パターンを形成でき、Q値の劣化の抑制、不要な結合の抑制、電磁シールドの低下の抑制、設計の自由度の向上、製造コストの低減を図ることができる。   Since the first dielectric filter 50A is configured by multiplying the resonator 10 according to the present embodiment described above, the current density can be dispersed without increasing the size of the via electrode. Various electrode patterns can be formed without hindering the spread of the magnetic field from the electrodes, suppressing the deterioration of the Q value, suppressing unnecessary coupling, suppressing the reduction of the electromagnetic shield, improving the design flexibility, and reducing the manufacturing cost. Can be planned.

特に、第1共振器本体52A、第2共振器本体52B及び第3共振器本体52Cにおける電磁界が疎になった領域30を利用して、第1結合調整線路56A〜第4結合調整線路56Dを形成することができ、第1共振器本体52Aと第2共振器本体52Bとの電磁界結合及びその調整、並びに第2共振器本体52Bと第3共振器本体52Cとの電磁界結合及びその調整を容易に行うことができる。   In particular, the first coupling adjustment line 56A to the fourth coupling adjustment line 56D are utilized by using the region 30 in the first resonator main body 52A, the second resonator main body 52B, and the third resonator main body 52C where the electromagnetic field is sparse. The electromagnetic field coupling between the first resonator main body 52A and the second resonator main body 52B and its adjustment, and the electromagnetic field coupling between the second resonator main body 52B and the third resonator main body 52C and its Adjustment can be easily performed.

すなわち、第1誘電体フィルタ50A及びその変形例に係る誘電体フィルタ50Aaは、第1共振器本体52Aと第2共振器本体52Bとが電磁界結合し、第2共振器本体52Bと第3共振器本体52Cとが電磁界結合している。従って、第1誘電体フィルタ50Aでは、第1結合調整線路56Aによって第1共振器本体52Aと第2共振器本体52B間の容量結合の調整が容易になり、第2結合調整線路56Bによって第2共振器本体52Bと第3共振器本体52C間の容量結合の調整が容易になる。同様に、変形例に係る誘電体フィルタ50Aaでは、第3結合調整線路56Cによって第1共振器本体52Aと第2共振器本体52B間の容量結合の調整が容易になり、第4結合調整線路56Dによって第2共振器本体52Bと第3共振器本体52C間の容量結合の調整が容易になる。   That is, in the first dielectric filter 50A and the dielectric filter 50Aa according to the modification, the first resonator body 52A and the second resonator body 52B are electromagnetically coupled, and the second resonator body 52B and the third resonator And the container main body 52C are electromagnetically coupled. Therefore, in the first dielectric filter 50A, adjustment of the capacitive coupling between the first resonator main body 52A and the second resonator main body 52B is facilitated by the first coupling adjustment line 56A, and the second coupling adjustment line 56B is used to adjust the second coupling adjustment line 56B. Adjustment of capacitive coupling between the resonator main body 52B and the third resonator main body 52C is facilitated. Similarly, in the dielectric filter 50Aa according to the modification, the third coupling adjustment line 56C facilitates the adjustment of the capacitive coupling between the first resonator main body 52A and the second resonator main body 52B, and the fourth coupling adjustment line 56D This facilitates adjustment of the capacitive coupling between the second resonator main body 52B and the third resonator main body 52C.

一方、誘導結合の調整については、第1誘電体フィルタ50Aでは、第1共振器本体52Aと第2共振器本体52B間の距離を変更したり、第2共振器本体52Bと第3共振器本体52C間の距離を変更することで、第1共振器本体52Aと第2共振器本体52B間の誘導結合、並びに第2共振器本体52Bと第3共振器本体52C間の誘導結合の調整が容易になる。変形例に係る誘電体フィルタ50Aaでは、第1共振器本体52Aと第2共振器本体52B間の距離を変更したり、第2共振器本体52Bと第3共振器本体52C間の距離を変更する方法のほか、第3接続線路54Cの接続位置を変更したり、第4接続線路54Dの接続位置を変更することで、第1共振器本体52Aと第2共振器本体52B間の誘導結合、並びに第2共振器本体52Bと第3共振器本体52C間の誘導結合の調整が容易になる。   On the other hand, with respect to the adjustment of the inductive coupling, in the first dielectric filter 50A, the distance between the first resonator main body 52A and the second resonator main body 52B is changed, or the second resonator main body 52B and the third resonator main body 52B are connected. By changing the distance between 52C, it is easy to adjust the inductive coupling between the first resonator main body 52A and the second resonator main body 52B and the inductive coupling between the second resonator main body 52B and the third resonator main body 52C. become. In the dielectric filter 50Aa according to the modification, the distance between the first resonator main body 52A and the second resonator main body 52B is changed, or the distance between the second resonator main body 52B and the third resonator main body 52C is changed. In addition to the method, by changing the connection position of the third connection line 54C or changing the connection position of the fourth connection line 54D, inductive coupling between the first resonator main body 52A and the second resonator main body 52B, and The adjustment of the inductive coupling between the second resonator main body 52B and the third resonator main body 52C is facilitated.

次に、第2の実施の形態に係る誘電体フィルタ(以下、第2誘電体フィルタ50Bと記す)について、図16〜図18を参照しながら説明する。   Next, a dielectric filter according to a second embodiment (hereinafter, referred to as a second dielectric filter 50B) will be described with reference to FIGS.

図16及び図17は、共振器10を多段化して4つの共振器10にて第2誘電体フィルタ50Bを構成した例を示す。   16 and 17 show an example in which the resonator 10 is multi-staged and the second dielectric filter 50B is configured by four resonators 10.

すなわち、第2誘電体フィルタ50Bは、誘電体基板14内に、4つの共振器本体(第1共振器本体52A〜第4共振器本体52D)を有する。   That is, the second dielectric filter 50B has four resonator main bodies (first resonator main body 52A to fourth resonator main body 52D) in the dielectric substrate 14.

第1共振器本体52A〜第4共振器本体52Dは、それぞれ上部の遮蔽導体12Uと対向するストリップ線路16と、ストリップ線路16から下部の遮蔽導体12Bにかけて隣接して形成された第1ビア電極部18A及び第2ビア電極部18Bとを有する。第1ビア電極部18Aは、複数の第1小径ビア電極22aから構成され、第2ビア電極部18Bは、複数の第2小径ビア電極22bから構成されている。   The first resonator main body 52A to the fourth resonator main body 52D are respectively formed with a strip line 16 facing the upper shield conductor 12U and a first via electrode portion formed adjacently from the strip line 16 to the lower shield conductor 12B. 18A and a second via electrode portion 18B. The first via electrode portion 18A includes a plurality of first small diameter via electrodes 22a, and the second via electrode portion 18B includes a plurality of second small diameter via electrodes 22b.

特に、この第2誘電体フィルタ50Bは、下記構成を有する。すなわち、第1共振器本体52Aのストリップ線路16と第1入出力端子20Aとの間に、ストリップ線路16と第1入出力端子20Aとを電気的に接続する第1接続線路54Aが形成されている。第2共振器本体52Bのストリップ線路16から第1入出力端子20Aに向かって延びる容量性の第5結合調整線路56Eが形成されている。この第5結合調整線路56Eの端部は、第1共振器本体52Aの第1ビア電極部18Aと第2ビア電極部18Bとの間であって、且つ、ストリップ線路16の下方に位置されている。   In particular, the second dielectric filter 50B has the following configuration. That is, the first connection line 54A that electrically connects the strip line 16 and the first input / output terminal 20A is formed between the strip line 16 and the first input / output terminal 20A of the first resonator main body 52A. I have. A capacitive fifth coupling adjustment line 56E extending from the strip line 16 of the second resonator body 52B toward the first input / output terminal 20A is formed. The end of the fifth coupling adjustment line 56E is located between the first via electrode portion 18A and the second via electrode portion 18B of the first resonator main body 52A and below the strip line 16. I have.

同様に、第4共振器本体52Dのストリップ線路16と第2入出力端子20Bとの間に、ストリップ線路16と第2入出力端子20Bとを電気的に接続する第2接続線路54Bが形成されている。第3共振器本体52Cのストリップ線路16から第2入出力端子20Bに向かって延びる容量性の第6結合調整線路56Fが形成されている。この第6結合調整線路56Fの端部は、第4共振器本体52Dの第1ビア電極部18Aと第2ビア電極部18Bとの間であって、且つ、ストリップ線路16の下方に位置されている。   Similarly, a second connection line 54B that electrically connects the strip line 16 and the second input / output terminal 20B is formed between the strip line 16 of the fourth resonator body 52D and the second input / output terminal 20B. ing. A capacitive sixth coupling adjustment line 56F extending from the strip line 16 of the third resonator body 52C toward the second input / output terminal 20B is formed. The end of the sixth coupling adjustment line 56F is located between the first via electrode portion 18A and the second via electrode portion 18B of the fourth resonator body 52D and is located below the strip line 16. I have.

さらに、磁界結合される第2共振器本体52Bと第3共振器本体52C間に容量性の第7結合調整線路56Gが形成されている。第7結合調整線路56Gの一方の端部は、第2共振器本体52Bの第1ビア電極部18Aと第2ビア電極部18Bとの間であって、且つ、ストリップ線路16の下方に位置されている。第7結合調整線路56Gの他方の端部は、第3共振器本体52Cの第1ビア電極部18Aと第2ビア電極部18Bとの間であって、且つ、ストリップ線路16の下方に位置されている。   Further, a capacitive seventh coupling adjustment line 56G is formed between the second resonator main body 52B and the third resonator main body 52C that are magnetically coupled. One end of the seventh coupling adjustment line 56G is located between the first via electrode portion 18A and the second via electrode portion 18B of the second resonator body 52B and below the strip line 16. ing. The other end of the seventh coupling adjustment line 56G is located between the first via electrode portion 18A and the second via electrode portion 18B of the third resonator body 52C and below the strip line 16. ing.

第2誘電体フィルタ50Bの等価回路を図18に示す。図18に示すように、第2誘電体フィルタ50Bは、第1共振器本体52Aと第2共振器本体52Bとが電磁界結合され、第2共振器本体52Bと第3共振器本体52Cとが電磁界結合され、第3共振器本体52Cと第4共振器本体52Dとが電磁界結合されて構成される。   FIG. 18 shows an equivalent circuit of the second dielectric filter 50B. As shown in FIG. 18, in the second dielectric filter 50B, the first resonator main body 52A and the second resonator main body 52B are electromagnetically coupled, and the second resonator main body 52B and the third resonator main body 52C are connected to each other. The third resonator body 52C and the fourth resonator body 52D are electromagnetically coupled, and are configured by electromagnetic field coupling.

また、第1誘電体フィルタ50Aと同様に、第4共振器本体52Dにおいても、第1ビア電極部18Aは、ストリップ線路16と共に、第1λ/4共振器34Aを構成し、第2ビア電極部18Bは、ストリップ線路16と共に、第2λ/4共振器34Bを構成する。   Similarly to the first dielectric filter 50A, also in the fourth resonator body 52D, the first via electrode portion 18A and the strip line 16 constitute a first λ / 4 resonator 34A, and the second via electrode portion 18B constitutes a second λ / 4 resonator 34B together with the strip line 16.

第2誘電体フィルタ50Bは、上述した本実施の形態に係る共振器10を多段化して構成したので、第1誘電体フィルタ50Aと同様の構成を有する。しかも、電磁界が疎になった領域30、すなわち、第1ビア電極部18Aと第2ビア電極部18B間に、各種電極パターンを形成でき、不要な結合の抑制、電磁シールドの低下の抑制、設計の自由度の向上、製造コストの低減を図ることができる。   The second dielectric filter 50B has the same configuration as the first dielectric filter 50A because the resonator 10 according to the present embodiment described above is configured in multiple stages. In addition, various electrode patterns can be formed in the region 30 where the electromagnetic field is sparse, that is, between the first via electrode portion 18A and the second via electrode portion 18B. It is possible to improve the design flexibility and reduce the manufacturing cost.

この第2誘電体フィルタ50Bにおいても、上述した第1誘電体フィルタ50A及び変形例に係る誘電体フィルタ50Aaと同様に、第1共振器本体52A〜第4共振器本体52Dにおける電磁界が疎になった領域30を利用して、第5結合調整線路56E〜第7結合調整線路56Gを形成することができ、第1共振器本体52Aと第2共振器本体52Bとの電磁界結合及びその調整、第2共振器本体52Bと第3共振器本体52Cとの電磁界結合及びその調整、並びに第3共振器本体52Cと第4共振器本体52Dとの電磁界結合及びその調整を容易に行うことができる。   Also in the second dielectric filter 50B, similarly to the above-described first dielectric filter 50A and the dielectric filter 50Aa according to the modification, the electromagnetic fields in the first resonator main body 52A to the fourth resonator main body 52D are sparse. The fifth coupling adjustment line 56 </ b> E to the seventh coupling adjustment line 56 </ b> G can be formed by using the changed region 30, and electromagnetic field coupling between the first resonator main body 52 </ b> A and the second resonator main body 52 </ b> B and adjustment thereof Electromagnetic field coupling between the second resonator body 52B and the third resonator body 52C and its adjustment, and electromagnetic field coupling between the third resonator body 52C and the fourth resonator body 52D and its adjustment are easily performed. Can be.

すなわち、第2誘電体フィルタ50Bでは、第1共振器本体52Aと第2共振器本体52Bとが電磁界結合し、第2共振器本体52Bと第3共振器本体52Cとが電磁界結合し、第3共振器本体52Cと第4共振器本体52Dとが電磁界結合している。従って、第5結合調整線路56Eによって第1共振器本体52Aと第2共振器本体52B間の容量結合の調整が容易になり、第6結合調整線路56Fによって第3共振器本体52Cと第4共振器本体52D間の容量結合の調整が容易になり、第7結合調整線路56Gによって第2共振器本体52Bと第3共振器本体52C間の容量結合の調整が容易になる。   That is, in the second dielectric filter 50B, the first resonator body 52A and the second resonator body 52B are electromagnetically coupled, the second resonator body 52B and the third resonator body 52C are electromagnetically coupled, The third resonator body 52C and the fourth resonator body 52D are electromagnetically coupled. Therefore, adjustment of the capacitive coupling between the first resonator main body 52A and the second resonator main body 52B is facilitated by the fifth coupling adjustment line 56E, and the fourth resonator 52C and the fourth resonance main body 52C are adjusted by the sixth coupling adjustment line 56F. Adjustment of capacitive coupling between the resonator main bodies 52D is facilitated, and adjustment of capacitive coupling between the second resonator main body 52B and the third resonator main body 52C is facilitated by the seventh coupling adjustment line 56G.

一方、誘導結合の調整については、第1共振器本体52Aと第2共振器本体52B間の距離を変更したり、第2共振器本体52Bと第3共振器本体52C間の距離を変更したり、第3共振器本体52Cと第4共振器本体52D間の距離を変更することで、第1共振器本体52Aと第2共振器本体52B間の誘導結合の調整、第2共振器本体52Bと第3共振器本体52C間の誘導結合の調整、並びに第3共振器本体52Cと第4共振器本体52D間の誘導結合の調整が容易になる。   On the other hand, regarding the adjustment of the inductive coupling, the distance between the first resonator main body 52A and the second resonator main body 52B is changed, or the distance between the second resonator main body 52B and the third resonator main body 52C is changed. By changing the distance between the third resonator body 52C and the fourth resonator body 52D, adjustment of the inductive coupling between the first resonator body 52A and the second resonator body 52B, and the Adjustment of the inductive coupling between the third resonator main body 52C and adjustment of the inductive coupling between the third resonator main body 52C and the fourth resonator main body 52D are facilitated.

もちろん、上述した変形例に係る誘電体フィルタ50Aaと同様に、隣接する共振器本体同士(例えば第2共振器本体52Bと第3共振器本体52C)を直接接続線路でつなぎ、該接続線路のつなぐ位置を変えることで、共振器本体間の誘導結合の調整が容易になる。   Of course, similarly to the dielectric filter 50Aa according to the above-described modified example, adjacent resonator bodies (for example, the second resonator body 52B and the third resonator body 52C) are directly connected by a connection line, and the connection lines are connected. Changing the position facilitates adjustment of the inductive coupling between the resonator bodies.

なお、本発明に係る共振器及び誘電体フィルタは、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。   In addition, the resonator and the dielectric filter according to the present invention are not limited to the above-described embodiment, but can adopt various configurations without departing from the gist of the present invention.

すなわち、上述の例では、3つの共振器本体あるいは4つの共振器本体を設けた例を示したが、その他、2つの共振器本体あるいは5つ以上の共振器本体を設けてもよい。また、第1小径ビア電極22a及び第2小径ビア電極22bをそれぞれ3本配列させた例を示したが、これに限定されることなく、2本や、4本以上配列させてもよい。   That is, in the above-described example, an example in which three resonator bodies or four resonator bodies are provided has been described. Alternatively, two resonator bodies or five or more resonator bodies may be provided. Further, although an example in which three first small-diameter via electrodes 22a and two second small-diameter via electrodes 22b are arranged has been described, the present invention is not limited to this, and two, four or more may be arranged.

10…共振器 12U…上部の遮蔽導体
12B…下部の遮蔽導体 12a、12b…遮蔽導体
14…誘電体基板 16…ストリップ線路
18A…第1ビア電極部 18B…第2ビア電極部
20A…第1入出力端子 20B…第2入出力端子
22…小径ビア電極 22a…第1小径ビア電極
22b…第2小径ビア電極 24A…第1入出力線路
24B…第2入出力線路 26a…第1湾曲線
26b…第2湾曲線 28…磁界
30…電磁界が疎になった領域 32…パターン
34A…第1λ/4共振器 34B…第2λ/4共振器
50A…第1誘電体フィルタ 50Aa…誘電体フィルタ(変形例)
50B…第2誘電体フィルタ
52A〜52D…第1共振器本体〜第4共振器本体
54A〜54D…第1接続線路〜第4接続線路
56A〜56G…第1結合調整線路〜第7結合調整線路
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Resonator 12U ... Upper shielding conductor 12B ... Lower shielding conductor 12a, 12b ... Shielding conductor 14 ... Dielectric substrate 16 ... Strip line 18A ... 1st via electrode part 18B ... 2nd via electrode part 20A ... 1st input Output terminal 20B Second input / output terminal 22 Small via electrode 22a First small via electrode 22b Second small via electrode 24A First input / output line 24B Second input / output line 26a First curved line 26b Second curved line 28 Magnetic field 30 Area where electromagnetic field is sparse 32 Pattern 34A First λ / 4 resonator 34B Second λ / 4 resonator 50A First dielectric filter 50Aa Dielectric filter (deformation) Example)
50B second dielectric filters 52A to 52D first resonator body to fourth resonator body 54A to 54D first connection line to fourth connection line 56A to 56G first coupling adjustment line to seventh coupling adjustment line

Claims (8)

少なくとも一主面に遮蔽導体が形成され、第1側面に第1入出力端子が形成され、前記第1側面と対向する第2側面に第2入出力端子が形成された誘電体基板と、
前記誘電体基板内に形成されたストリップ線路と、
前記誘電体基板内に形成され、前記ストリップ線路から前記遮蔽導体にかけて隣接して形成された第1ビア電極部及び第2ビア電極部と、を有し、
前記誘電体基板の側面のうち、前記第1ビア電極部に対向する第3側面と、前記第2ビア電極部に対向する第4側面にそれぞれ遮蔽導体が形成され、
前記第1ビア電極部は、複数の第1ビア電極から構成され、
前記第2ビア電極部は、複数の第2ビア電極から構成され、
前記第1ビア電極部と前記第2ビア電極部との間に他のビア電極部が存在せず、
前記複数の第1ビア電極は、上面から見たとき、仮想の第1湾曲線に沿って配列され、
前記複数の第2ビア電極は、上面から見たとき、仮想の第2湾曲線に沿って配列されていることを特徴とする共振器。
A dielectric substrate having a shielding conductor formed on at least one main surface, a first input / output terminal formed on a first side surface, and a second input / output terminal formed on a second side surface opposite to the first side surface;
A strip line formed in the dielectric substrate;
A first via electrode portion and a second via electrode portion formed in the dielectric substrate and adjacently formed from the strip line to the shielding conductor;
Among the side surfaces of the dielectric substrate, shielding conductors are respectively formed on a third side surface facing the first via electrode portion and a fourth side surface facing the second via electrode portion,
The first via electrode unit includes a plurality of first via electrodes,
The second via electrode unit includes a plurality of second via electrodes,
No other via electrode portion exists between the first via electrode portion and the second via electrode portion,
The plurality of first via electrodes are arranged along a virtual first curved line when viewed from above,
The resonator, wherein the plurality of second via electrodes are arranged along a virtual second curved line when viewed from above.
請求項1記載の共振器において、
前記第1湾曲線と前記第2湾曲線は、1つの楕円の輪郭線の一部又は1つのトラック形状の輪郭線の一部を構成していることを特徴とする共振器。
The resonator according to claim 1,
The resonator according to claim 1, wherein the first curved line and the second curved line form a part of one elliptical outline or a part of one track-shaped outline.
請求項1又は2記載の共振器において、
前記第1ビア電極部は、前記ストリップ線路と共に、第1λ/4共振器を構成し、
前記第2ビア電極部は、前記ストリップ線路と共に、第2λ/4共振器を構成することを特徴とする共振器。
The resonator according to claim 1 or 2,
The first via electrode unit forms a first λ / 4 resonator together with the strip line,
The resonator according to claim 2, wherein the second via electrode portion forms a second λ / 4 resonator together with the strip line.
請求項1〜3のいずれか1項に記載の共振器において、
前記第1ビア電極部と前記第2ビア電極部との間に、他のストリップ線路が形成されていることを特徴とする共振器。
The resonator according to any one of claims 1 to 3,
A resonator, wherein another strip line is formed between the first via electrode portion and the second via electrode portion.
少なくとも一主面に遮蔽導体が形成され、第1側面に第1入出力端子が形成され、前記第1側面と対向する第2側面に第2入出力端子が形成された誘電体基板と、
前記誘電体基板内に形成された少なくとも2つの共振器本体とを有し、
各前記共振器本体は、
ストリップ線路と、
前記ストリップ線路から前記遮蔽導体にかけて隣接して形成された第1ビア電極部及び第2ビア電極部と、を有し、
前記誘電体基板の側面のうち、前記第1ビア電極部に対向する第3側面と、前記第2ビア電極部に対向する第4側面にそれぞれ遮蔽導体が形成され、
前記第1ビア電極部は、複数の第1ビア電極から構成され、
前記第2ビア電極部は、複数の第2ビア電極から構成され、
前記第1ビア電極部と前記第2ビア電極部との間に他のビア電極部が存在せず、
前記複数の第1ビア電極は、上面から見たとき、仮想の第1湾曲線に沿って配列され、
前記複数の第2ビア電極は、上面から見たとき、仮想の第2湾曲線に沿って配列され、
一方の前記共振器本体と他方の前記共振器本体とが結合されていることを特徴とする誘電体フィルタ。
A dielectric substrate having a shielding conductor formed on at least one main surface, a first input / output terminal formed on a first side surface, and a second input / output terminal formed on a second side surface opposite to the first side surface;
And at least two resonator bodies formed in the dielectric substrate,
Each said resonator body,
Strip line,
A first via electrode portion and a second via electrode portion formed adjacent to each other from the strip line to the shielding conductor;
Among the side surfaces of the dielectric substrate, shielding conductors are respectively formed on a third side surface facing the first via electrode portion and a fourth side surface facing the second via electrode portion,
The first via electrode unit includes a plurality of first via electrodes,
The second via electrode unit includes a plurality of second via electrodes,
No other via electrode portion exists between the first via electrode portion and the second via electrode portion,
The plurality of first via electrodes are arranged along a virtual first curved line when viewed from above,
The plurality of second via electrodes are arranged along a virtual second curved line when viewed from above,
A dielectric filter, wherein one of the resonator main bodies is coupled to the other of the resonator main bodies.
請求項5記載の誘電体フィルタにおいて、
一方の前記共振器と他方の前記共振器とが電磁界結合されていることを特徴とする誘電体フィルタ。
The dielectric filter according to claim 5,
A dielectric filter, wherein one resonator and the other resonator are electromagnetically coupled.
請求項5記載の誘電体フィルタにおいて、
一方の前記共振器と他方の前記共振器とがストリップ線路で直接接続されていることを特徴とする誘電体フィルタ。
The dielectric filter according to claim 5,
A dielectric filter, wherein one resonator and the other resonator are directly connected by a strip line.
請求項5記載の誘電体フィルタにおいて、
一方の前記共振器と他方の前記共振器とが磁界結合されていることを特徴とする誘電体フィルタ。
The dielectric filter according to claim 5,
A dielectric filter, wherein one resonator and the other resonator are magnetically coupled.
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