JP6649841B2 - Resonator and dielectric filter - Google Patents
Resonator and dielectric filter Download PDFInfo
- Publication number
- JP6649841B2 JP6649841B2 JP2016085911A JP2016085911A JP6649841B2 JP 6649841 B2 JP6649841 B2 JP 6649841B2 JP 2016085911 A JP2016085911 A JP 2016085911A JP 2016085911 A JP2016085911 A JP 2016085911A JP 6649841 B2 JP6649841 B2 JP 6649841B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resonator
- via electrode
- electrode portion
- line
- dielectric filter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 37
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 77
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 77
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 77
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 23
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 18
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 10
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 9
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000002500 effect on skin Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
本発明は、共振器及び誘電体フィルタに関し、例えば誘電体に形成されたビアホールによる共振器及び共振器を多段化して構成された誘電体フィルタに関する。 The present invention relates to a resonator and a dielectric filter, for example, relates to a resonator formed by via holes formed in a dielectric and a dielectric filter formed by multiplying the resonator.
従来、共振器100として、例えば図19Aに示すように、周囲に遮蔽導体102が形成された誘電体基板104の内部に板状の中心導体106を形成した構成がある。この共振器100は、電流が中心導体106の端部に集中し、Q値が低下するという問題がある。
Conventionally, as a
そこで、従来では、Q値の低下を抑えるために、図19Bに示すように、周囲に遮蔽導体102が形成された誘電体基板104に横断面形状が円形状のビアホールによる電極(以下、ビア電極108という)を形成するようにしている(特許文献1参照)。
Therefore, conventionally, in order to suppress a decrease in the Q value, as shown in FIG. 19B, an electrode (hereinafter, referred to as a via electrode) formed by a via hole having a circular cross section is formed on a
また、従来では、誘電体基板の下面に2つの接地電極と入出力電極を形成し、誘電体内に板状の内部電極を形成し、さらに、誘電体内に、2つの接地電極と内部電極間にビア電極をそれぞれ形成し、入出力電極と内部電極間にビア電極を形成するようにしている(特許文献2参照)。 Conventionally, two ground electrodes and an input / output electrode are formed on the lower surface of a dielectric substrate, a plate-like internal electrode is formed in a dielectric, and further, between the two ground electrodes and the internal electrode in the dielectric. Via electrodes are respectively formed, and via electrodes are formed between input / output electrodes and internal electrodes (see Patent Document 2).
さらに、従来では、誘電体基板の下面のみにグランド用導体層を形成し、このグランド用導体層上にビア電極(グランド接続路)を介してストリップ線路(インダクタ構成部)を形成するようにしている(例えば特許文献3参照)。 Further, conventionally, a ground conductor layer is formed only on the lower surface of the dielectric substrate, and a strip line (inductor component) is formed on the ground conductor layer via a via electrode (ground connection path). (For example, see Patent Document 3).
ところで、特許文献1及び2に記載のビア電極は、径を大きくすることで、電流密度を低下させることができ、Q値の向上が期待できる。しかし、ビア電極の径を大きくすると、ビア電極と遮蔽導体との距離が小さくなり、Q値が低下するという問題がある。すなわち、ビア電極と遮蔽導体との距離もQ値の最適解に関係するため、共振器の設計において考慮する必要がある。
By the way, in the via electrodes described in
ビア電極の径を大きくすると、共振器を多段化して誘電体フィルタを構成する場合において、共振器間に電気壁が発生し、Q値の劣化につながるため、隣り合う共振器との間隔も考慮する必要がある。誘電体フィルタでは、必ず受給電や結合調整のための電極パターン(線路)の配置が必要となるが、この場合、ビア電極と側面の遮蔽導体との間に配置する必要がある。これは、ビア電極からの磁界の広がりを妨げながら電極パターンを配置することになるため、Q値の劣化、不要な結合の発生につながるという問題がある。 When the diameter of the via electrode is increased, when forming a dielectric filter by forming the resonators in multiple stages, an electric wall is generated between the resonators, which leads to deterioration of the Q value. Therefore, the distance between adjacent resonators is also taken into consideration. There is a need to. In the dielectric filter, an electrode pattern (line) for receiving and supplying power and coupling adjustment is always required. In this case, it is necessary to dispose the electrode pattern between the via electrode and the shield conductor on the side surface. Since the electrode pattern is arranged while preventing the spread of the magnetic field from the via electrode, there is a problem that the Q value is degraded and unnecessary coupling is generated.
しかも、誘電体基板に径の大きいビア電極を形成すると、誘電体基板の構造欠陥、すなわち、クラックの発生の原因になるおそれがある。また、複数のビア電極の径のばらつきも大きくなることから、共振器のインピーダンスにばらつきが生じるという問題もある。 Moreover, when a via electrode having a large diameter is formed on the dielectric substrate, there is a possibility that a structural defect of the dielectric substrate, that is, a crack may be generated. In addition, since the variation in the diameter of the plurality of via electrodes also increases, there is a problem that the impedance of the resonator varies.
特に、特許文献2記載の共振器は、その課題解決上、誘電体基板の下面に入出力端子を形成してビア電極と接続するようにしている。この場合、誘電体基板の下面に遮蔽導体を形成することが困難となり、電磁シールドが不十分になるおそれがある。 Particularly, in the resonator described in Patent Document 2, in order to solve the problem, an input / output terminal is formed on the lower surface of the dielectric substrate and connected to the via electrode. In this case, it is difficult to form the shielding conductor on the lower surface of the dielectric substrate, and the electromagnetic shield may be insufficient.
一方、特許文献3記載の共振器において、TEM波の共振器として動作する部分はストリップ線路に限定されている。つまり、ビア電極はストリップ線路と平行に配置されたグランド用導体層とを接続する機能を有するに過ぎない。 On the other hand, in the resonator described in Patent Document 3, a portion that operates as a TEM wave resonator is limited to a strip line. That is, the via electrode has only a function of connecting the strip line to the ground conductor layer arranged in parallel.
本発明はこのような課題を考慮してなされたものであり、ビア電極のサイズを大きくすることなく、電流密度の分散を図ることができ、しかも、共振器として機能するビア電極からの磁界の広がりを妨げることなく、各種電極パターンを形成でき、Q値の劣化の抑制、不要な結合の抑制、電磁シールドの低下の抑制、設計の自由度の向上、製造コストの低減を図ることができる共振器及び誘電体フィルタを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such a problem, and can achieve a distribution of a current density without increasing the size of a via electrode, and furthermore, a magnetic field from a via electrode that functions as a resonator. A variety of electrode patterns can be formed without hindering the spread, and the resonance can suppress the deterioration of the Q value, suppress unnecessary coupling, suppress the deterioration of the electromagnetic shield, improve the design flexibility, and reduce the manufacturing cost. It is an object to provide a filter and a dielectric filter.
[1] 第1の本発明に係る共振器は、以下の特徴を有する。すなわち、少なくとも一主面に遮蔽導体が形成され、第1側面に第1入出力端子が形成され、前記第1側面と対向する第2側面に第2入出力端子が形成された誘電体基板と、前記誘電体基板内に形成されたストリップ線路と、前記誘電体基板内に形成され、前記ストリップ線路から前記遮蔽導体にかけて隣接して形成された第1ビア電極部及び第2ビア電極部と、を有する。 [1] The resonator according to the first aspect of the present invention has the following features. A dielectric substrate having a shield conductor formed on at least one main surface, a first input / output terminal formed on a first side surface, and a second input / output terminal formed on a second side surface opposite to the first side surface; A strip line formed in the dielectric substrate, a first via electrode portion and a second via electrode portion formed in the dielectric substrate and formed adjacent from the strip line to the shielding conductor; Having.
さらに、前記誘電体基板の側面のうち、前記第1ビア電極部に対向する第3側面と、前記第2ビア電極部に対向する第4側面にそれぞれ遮蔽導体が形成され、前記第1ビア電極部は、複数の第1ビア電極から構成され、前記第2ビア電極部は、複数の第2ビア電極から構成されている。 Further, among the side surfaces of the dielectric substrate, shielding conductors are respectively formed on a third side surface facing the first via electrode portion and a fourth side surface facing the second via electrode portion, and the first via electrode The part is composed of a plurality of first via electrodes, and the second via electrode part is composed of a plurality of second via electrodes.
また、前記第1ビア電極部と前記第2ビア電極部との間に他のビア電極部が存在せず、前記複数の第1ビア電極は、上面から見たとき、仮想の第1湾曲線に沿って配列され、前記複数の第2ビア電極は、上面から見たとき、仮想の第2湾曲線に沿って配列されている。 Further, there is no other via electrode portion between the first via electrode portion and the second via electrode portion, and the plurality of first via electrodes are imaginary first curved lines when viewed from above. And the plurality of second via electrodes are arranged along a virtual second curved line when viewed from above.
これにより、先ず、誘電体基板の側面のうち、第1ビア電極部に対向する第3側面と、第2ビア電極部に対向する第4側面にそれぞれ遮蔽導体を形成したので、第1ビア電極部及び第2ビア電極部は、側面の遮蔽導体と共にTEM波の共振器として動作する。すなわち、第1ビア電極部及び第2ビア電極部が、側面の遮蔽導体を参照したTEM波の共振器として動作する。そして、第1ビア電極部及び第2ビア電極部からそれぞれ対向する遮蔽導体に向かって磁界が広がり、第1ビア電極部と第2ビア電極部間に電磁界が疎になった領域が形成される。 As a result, first, among the side surfaces of the dielectric substrate, the shielding conductors are formed on the third side surface facing the first via electrode portion and the fourth side surface facing the second via electrode portion, respectively. The portion and the second via electrode portion operate as a TEM wave resonator together with the shield conductor on the side surface. That is, the first via electrode unit and the second via electrode unit operate as a TEM wave resonator with reference to the shield conductor on the side surface. Then, the magnetic field spreads from the first via electrode portion and the second via electrode portion toward the opposing shield conductor, and a region where the electromagnetic field is reduced is formed between the first via electrode portion and the second via electrode portion. You.
従来は、ビア電極と側面の遮蔽導体との間に、ビア電極からの磁界の広がりを妨げながら、受給電や結合調整をするためのパターン(線路)を配置していた。そのため、Q値の劣化や、不要な結合が発生していた。 Conventionally, between the via electrode and the shield conductor on the side surface, a pattern (line) for receiving and supplying power and adjusting coupling has been arranged while preventing the spread of a magnetic field from the via electrode. As a result, deterioration of the Q value and unnecessary coupling have occurred.
しかし、第1の本発明では、上述した電磁界が疎になった領域、すなわち、第1ビア電極部と第2ビア電極部間に、受給電や結合調整をするためのパターン(線路)を形成することが可能となるため、Q値の劣化を抑制することができ、しかも、不要な結合を抑制することができる。 However, in the first aspect of the present invention, a pattern (line) for receiving and supplying power and adjusting the coupling is formed between the above-mentioned region where the electromagnetic field is sparse, that is, between the first via electrode portion and the second via electrode portion. Since it can be formed, deterioration of the Q value can be suppressed, and unnecessary coupling can be suppressed.
このように、ビア電極のサイズを大きくすることなく、電流密度の分散を図ることができ、しかも、ビア電極からの磁界の広がりを妨げることなく、各種電極パターンを形成でき、Q値の劣化の抑制、不要な結合の抑制、電磁シールドの低下の抑制、設計の自由度の向上、製造コストの低減を図ることができる。 As described above, the current density can be dispersed without increasing the size of the via electrode, and various electrode patterns can be formed without hindering the spread of the magnetic field from the via electrode. It is possible to achieve suppression, suppression of unnecessary coupling, suppression of deterioration of the electromagnetic shield, improvement of design flexibility, and reduction of manufacturing cost.
[2] 第1の本発明において、前記第1湾曲線と前記第2湾曲線は、1つの楕円の輪郭線の一部又は1つのトラック形状の輪郭線の一部を構成していてもよい。 [2] In the first aspect of the invention, the first curved line and the second curved line may form a part of one elliptical contour line or a part of one track-shaped contour line. .
これにより、第1ビア電極部と第2ビア電極部は、1つの楕円の輪郭線の一部又は1つのトラック形状の輪郭線の一部、すなわち、楕円又はトラック形状の長軸上の各端部に形成されることになる。この部分は、高周波電流の表皮効果により、電流が集中する部分でもある。すなわち、第1ビア電極部と第2ビア電極部に集中して電流が流れる。そのため、第1ビア電極部と第2ビア電極部との間に、他のビア電極部を配置する必要がなくなる。 Thereby, the first via electrode portion and the second via electrode portion are part of one elliptical contour or one part of one track-shaped contour, that is, each end on the long axis of the ellipse or the track. Part will be formed. This portion is also where the current is concentrated due to the skin effect of the high-frequency current. That is, current flows intensively in the first via electrode portion and the second via electrode portion. Therefore, it is not necessary to arrange another via electrode portion between the first via electrode portion and the second via electrode portion.
[3] 第1の本発明において、前記第1ビア電極部は、前記ストリップ線路と共に、第1λ/4共振器を構成し、前記第2ビア電極部は、前記ストリップ線路と共に、第2λ/4共振器を構成してもよい。これにより、第1λ/4共振器と第2λ/4共振器には常に同相の電流が流れることとなる。同相となることで、共振器単体で見た場合、第1ビア電極部と第2ビア電極部との間は電磁界が疎の状態になり、その間に結合や引き回しのための電極を配置しても不要な結合を極力抑えることができる。その結果、Q値の劣化防止、ばらつき抑制の効果を奏する。 [3] In the first aspect of the present invention, the first via electrode portion forms a first λ / 4 resonator together with the strip line, and the second via electrode portion forms a second λ / 4 resonator together with the strip line. A resonator may be configured. As a result, an in-phase current always flows through the first λ / 4 resonator and the second λ / 4 resonator. By being in phase, when viewed from the resonator alone, the electromagnetic field is sparse between the first via electrode portion and the second via electrode portion, and electrodes for coupling and routing are arranged between them. However, unnecessary coupling can be suppressed as much as possible. As a result, the effect of preventing the deterioration of the Q value and suppressing the variation is exhibited.
[4] 第1の本発明において、前記第1ビア電極部と前記第2ビア電極部との間に、他のストリップ線路が形成されていてもよい。上述したように、第1ビア電極部と第2ビア電極部間に電磁界が疎になった領域が形成される。その結果、第1ビア電極部と第2ビア電極部との間に、他のストリップ線路、例えば受給電や結合調整をするためのパターン(線路)を形成することが可能となり、Q値の劣化を抑制することができ、しかも、不要な結合を抑制することができる。 [4] In the first invention, another strip line may be formed between the first via electrode portion and the second via electrode portion. As described above, a region where the electromagnetic field is weakened is formed between the first via electrode portion and the second via electrode portion. As a result, it becomes possible to form another strip line, for example, a pattern (line) for receiving and supplying power and adjusting the coupling between the first via electrode portion and the second via electrode portion, thereby deteriorating the Q value. Can be suppressed, and unnecessary coupling can be suppressed.
[5] 第2の本発明に係る誘電体フィルタは、以下の特徴を有する。すなわち、少なくとも一主面に遮蔽導体が形成され、第1側面に第1入出力端子が形成され、前記第1側面と対向する第2側面に第2入出力端子が形成された誘電体基板と、前記誘電体基板内に形成された少なくとも2つの共振器本体とを有する。 [5] The dielectric filter according to the second aspect of the present invention has the following features. A dielectric substrate having a shield conductor formed on at least one main surface, a first input / output terminal formed on a first side surface, and a second input / output terminal formed on a second side surface opposite to the first side surface; , At least two resonator bodies formed in the dielectric substrate.
各前記共振器本体は、ストリップ線路と、前記ストリップ線路から前記遮蔽導体にかけて隣接して形成された第1ビア電極部及び第2ビア電極部と、を有する。 Each of the resonator main bodies has a strip line, and a first via electrode portion and a second via electrode portion formed adjacent to each other from the strip line to the shielding conductor.
さらに、前記誘電体基板の側面のうち、前記第1ビア電極部に対向する第3側面と、前記第2ビア電極部に対向する第4側面にそれぞれ遮蔽導体が形成され、前記第1ビア電極部は、複数の第1ビア電極から構成され、前記第2ビア電極部は、複数の第2ビア電極から構成されている。 Further, among the side surfaces of the dielectric substrate, shielding conductors are respectively formed on a third side surface facing the first via electrode portion and a fourth side surface facing the second via electrode portion, and the first via electrode The part is composed of a plurality of first via electrodes, and the second via electrode part is composed of a plurality of second via electrodes.
また、前記第1ビア電極部と前記第2ビア電極部との間に他のビア電極部が存在せず、前記複数の第1ビア電極は、上面から見たとき、仮想の第1湾曲線に沿って配列され、前記複数の第2ビア電極は、上面から見たとき、仮想の第2湾曲線に沿って配列され、一方の前記共振器本体と他方の前記共振器本体とが結合されている。 Further, there is no other via electrode portion between the first via electrode portion and the second via electrode portion, and the plurality of first via electrodes are imaginary first curved lines when viewed from above. The plurality of second via electrodes are arranged along a virtual second curved line when viewed from above, and one of the resonator main bodies and the other of the resonator main bodies are coupled to each other. ing.
これにより、ビア電極のサイズを大きくすることなく、電流密度の分散を図ることができ、しかも、ビア電極からの磁界の広がりを妨げることなく、各種電極パターンを形成でき、Q値の劣化の抑制、不要な結合の抑制、電磁シールドの低下の抑制、設計の自由度の向上、製造コストの低減を図ることができる。 Thus, the current density can be dispersed without increasing the size of the via electrode, and various electrode patterns can be formed without hindering the spread of the magnetic field from the via electrode, thereby suppressing the deterioration of the Q value. In addition, it is possible to suppress unnecessary coupling, suppress reduction in electromagnetic shield, improve design flexibility, and reduce manufacturing cost.
[6] 第2の本発明において、一方の前記共振器と他方の前記共振器とが電磁界結合されていてもよい。一方の共振器における上述した電磁界が疎になった領域と、他方の共振器における上述した電磁界が疎になった領域を利用して、共振器同士を容量結合するためのストリップ線路を形成することができる。すなわち、Q値の劣化の抑制や、不要な結合の抑制を図りながらも、一方の前記共振器と他方の前記共振器とを電磁界結合することができる。 [6] In the second aspect of the invention, one of the resonators and the other of the resonators may be electromagnetically coupled. A strip line for capacitively coupling the resonators is formed by using the above-mentioned electromagnetic field sparse region in one resonator and the above-described electromagnetic field sparse region in the other resonator. can do. That is, it is possible to electromagnetically couple one of the resonators and the other resonator while suppressing deterioration of the Q value and suppressing unnecessary coupling.
[7] 第2の本発明において、一方の前記共振器と他方の前記共振器とがストリップ線路で直接接続されていてもよい。この場合、一方の共振器における上述した電磁界が疎になった領域と、他方の共振器における上述した電磁界が疎になった領域を利用して、一方の共振器と他方の共振器間の結合調整をするためのパターン(線路)を形成することができる。 [7] In the second invention, one of the resonators and the other of the resonators may be directly connected by a strip line. In this case, a region between the one resonator and the other resonator is used by utilizing a region where the above-described electromagnetic field is sparse in one resonator and a region where the above-described electromagnetic field is sparse in the other resonator. A pattern (line) for adjusting the coupling can be formed.
[8] 第2の本発明において、一方の前記共振器と他方の前記共振器とが磁界結合されていてもよい。この場合も、一方の共振器における上述した電磁界が疎になった領域と、他方の共振器における上述した電磁界が疎になった領域を利用して、一方の共振器と他方の共振器間の結合調整をするためのパターン(線路)を形成することができる。 [8] In the second aspect of the invention, one of the resonators and the other resonator may be magnetically coupled. In this case as well, one resonator and the other resonator are utilized by utilizing the above-described electromagnetic field sparse region in one resonator and the above-described electromagnetic field sparse region in the other resonator. A pattern (line) for adjusting the coupling between them can be formed.
以上説明したように、本発明に係る共振器及び誘電体フィルタによれば、ビア電極のサイズを大きくすることなく、電流密度の分散を図ることができ、しかも、ビア電極からの磁界の広がりを妨げることなく、各種電極パターンを形成でき、Q値の劣化の抑制、不要な結合の抑制、電磁シールドの低下の抑制、設計の自由度の向上、製造コストの低減を図ることができる。 As described above, according to the resonator and the dielectric filter according to the present invention, the current density can be dispersed without increasing the size of the via electrode, and the spread of the magnetic field from the via electrode can be reduced. Various electrode patterns can be formed without hindrance, and it is possible to suppress deterioration of the Q value, suppress unnecessary coupling, suppress deterioration of the electromagnetic shield, improve design flexibility, and reduce manufacturing costs.
以下、本発明に係る共振器及び誘電体フィルタの実施の形態例を図1〜図18を参照しながら説明する。 Hereinafter, embodiments of a resonator and a dielectric filter according to the present invention will be described with reference to FIGS.
先ず、本実施の形態に係る共振器10は、図1、図2並びに図3A及び図3Bに示すように、少なくとも上部及び下部にそれぞれ遮蔽導体12U及び12Bが形成された誘電体基板14と、該誘電体基板14内に形成され、上部の遮蔽導体12Uと対向するストリップ線路16と、誘電体基板14内に形成され、ストリップ線路16から下部の遮蔽導体12Bにかけて隣接して形成された第1ビア電極部18A及び第2ビア電極部18Bとを有する。第1ビア電極部18A及び第2ビア電極部18Bは、誘電体基板14に形成されたビアホールにて構成されている。
First, the
誘電体基板14は、複数の誘電体層を積層して構成され、例えば図1に示すように、直方体状を有する。誘電体基板14の4つの側面のうち、第1側面14aに第1入出力端子20Aが形成され、第1側面14aと対向する第2側面14bに第2入出力端子20Bが形成されている。また、第3側面14cと、該第3側面14cと対向する第4側面14dにそれぞれ遮蔽導体12a及び12bが形成されている。誘電体基板14内において、第1ビア電極部18Aが第3側面14cに対向し、第2ビア電極部18Bが第4側面14dに対向している。
The
図2、図3A及び図3Bに示すように、第1ビア電極部18Aは、複数の小径の第1ビア電極(以下、第1小径ビア電極22aと記す)から構成され、第2ビア電極部18Bは、複数の小径の第2ビア電極(以下、第2小径ビア電極22bと記す)から構成されている。第1ビア電極部18Aと第2ビア電極部18Bとの間に他のビア電極部は存在しない。
As shown in FIGS. 2, 3A, and 3B, the first via
さらに、本実施の形態では、第1ビア電極部18Aと第2ビア電極部18Bとの間であって、且つ、ストリップ線路16の下方から第1入出力端子20Aに延びる第1入出力線路24Aと、同じくストリップ線路16の下方から第2入出力端子20Bに延びる第2入出力線路24Bとを有する。
Furthermore, in the present embodiment, the first input /
これにより、先ず、共振器10の第1ビア電極部18A及び第2ビア電極部18Bは、側面の遮蔽導体12a〜12dと共にTEM波の共振器として動作する。つまり、第1ビア電極部18A及び第2ビア電極部18Bが、側面の遮蔽導体12a〜12dを参照したTEM波の共振器として動作する。ストリップ線路16は、開放端容量を形成する機能として動作する。これは、特許文献3記載の共振器の構造、すなわち、TEM波の共振器として動作する部分がストリップ線路に限定され、ビア電極がストリップ線路と平行に配置されたグランド用導体層とを接続する機能を有するに過ぎない共振器の構造とは明らかに異なる。
Thereby, first, the first via
さらに、本実施の形態では、図4に示すように、複数の第1小径ビア電極22aは、上面から見たとき、仮想の第1湾曲線26a(高周波電流が集中する部分)に沿って配列され、複数の第2小径ビア電極22bは、上面から見たとき、仮想の第2湾曲線26b(高周波電流が集中する部分である)に沿って配列されている。第1湾曲線26aと第2湾曲線26bは、1つの楕円の輪郭線の一部又は1つのトラック形状の輪郭線の一部を構成している。
Further, in the present embodiment, as shown in FIG. 4, the plurality of first small-diameter via
ここで、第1ビア電極部18A及び第2ビア電極部18Bと1つの楕円との関係について図5A〜図7Bを参照しながら説明する。
Here, the relationship between the first via
図5Aに示すように、横断面形状が円形状のビア電極108の径を大きくすると、共振器100を多段化して誘電体フィルタ110を構成する場合において、共振器100間に電気壁112が発生し、Q値の劣化につながる。
As shown in FIG. 5A, when the diameter of via
そこで、図5Bに示すように、横断面形状が楕円形状のビア電極114にした場合、短軸方向に共振器100を多段化して誘電体フィルタ110を構成すると、共振器100間に電気壁112は生じるが、ビア電極114間の距離が円形状のビア電極108よりも長くなるため、Q値の向上につながる。
Therefore, as shown in FIG. 5B, in the case where the via
さらに、図6Aに示すように、楕円形状のビア電極114を複数の小径のビア電極(以下、小径ビア電極22と記す)で構成すると、磁界の包絡線118があたかも大径のビア電極であるかのように振る舞わせる。個々の小径ビア電極22の径が一定の割合ばらついても、包絡線118(大径のビア電極)への影響は、その割合未満となるため、ばらつきの低減効果も得ることができる。
Furthermore, as shown in FIG. 6A, when the elliptical via
ところで、例えば図6Aに示す楕円形状のビア電極114では、高周波電流は楕円の端部、曲率の大きい両端部に集中する。そこで、図6Bに示すように、楕円形状のビア電極114を構成する複数の小径ビア電極22のうち、楕円形状の両端部に位置する曲率の大きい仮想の第1湾曲線26aに沿った複数の第1小径ビア電極22aと、曲率の大きい仮想の第2湾曲線26bに沿った複数の第2小径ビア電極22bを残し、中央に位置する複数の小径ビア電極22を取り除くことができる。
By the way, for example, in the elliptical via
すなわち、第1ビア電極部18Aを構成する複数の第1小径ビア電極22aは仮想の第1湾曲線26aに沿って配列され、第2ビア電極部18Bを構成する複数の第2小径ビア電極22bは仮想の第2湾曲線26bに沿って配列された形態となる。
That is, the plurality of first small diameter via
また、図7Aに示すように、横断面形状が楕円形状のビア電極114や、図7Bに示すように、複数の小径ビア電極22で楕円形状のビア電極114を構成した場合、楕円形状のビア電極114からそれぞれ対向する遮蔽導体102に向かって磁界28が広がる。しかし、共振器100を多段化して誘電体フィルタ110を構成する場合、受給電や結合調整をするためのパターン116(線路)を配置する必要があるが、楕円形状のビア電極114と側面の遮蔽導体102との間に、ビア電極114からの磁界28の広がりを妨げながら、受給電や結合調整をするためのパターン116(線路)を配置せざるを得なかった。これは、Q値の劣化や、不要な結合の発生をもたらす。
In addition, as shown in FIG. 7A, when a via
一方、本実施の形態では、図6Bに示すように、第1ビア電極部18Aを構成する複数の第1小径ビア電極22aを仮想の第1湾曲線26aに沿って配列し、第2ビア電極部18Bを構成する複数の第2小径ビア電極22bを仮想の第2湾曲線26bに沿って配列したので、図8に示すように、第1ビア電極部18A及び第2ビア電極部18Bからそれぞれ対向する遮蔽導体12a及び12bに向かって磁界28が広がり、第1ビア電極部18Aと第2ビア電極部18B間に電磁界が疎になった領域30が形成される。
On the other hand, in the present embodiment, as shown in FIG. 6B, a plurality of first small-diameter via
そのため、上述した電磁界が疎になった領域30、すなわち、第1ビア電極部18Aと第2ビア電極部18B間に、受給電や結合調整をするためのパターン32(線路)を形成することが可能となる。その結果、Q値の劣化を抑制することができ、しかも、不要な結合を抑制することができる。
Therefore, the pattern 32 (line) for receiving and supplying power and adjusting the coupling is formed in the
また、図7Aに示す楕円形状のビア電極114や、図7Bに示す複数の小径ビア電極22等と異なり、図8に示すように、電流が集中する部分のみに小径ビア電極22(22a、22b)を配列させたので、小径ビア電極22(22a、22b)を構成する金属材料(例えば銀)の量を大幅に低減することができると共に、小径ビア電極22(22a、22b)の本数を減らすことができるため、工数の低減を図ることができる。
In addition, unlike the elliptical via
このように、本実施の形態に係る共振器10においては、ビア電極のサイズを大きくすることなく、電流密度の分散を図ることができ、しかも、ビア電極からの磁界の広がりを妨げることなく、各種電極パターンを形成でき、Q値の劣化の抑制、不要な結合の抑制、電磁シールドの低下の抑制、設計の自由度の向上、製造コストの低減を図ることができる。
As described above, in the
本実施の形態に係る共振器10の等価回路を図9A及び図9Bに示す。図9Aに示すように、第1ビア電極部18Aからストリップ線路16の入出力部分(I/O)にかけて第1λ/4共振器34Aを構成し、第2ビア電極部18Bからストリップ線路16の入出力部分(I/O)にかけて第2λ/4共振器34Bを構成する。これにより、図9Bに示すように、第1λ/4共振器34Aと第2λ/4共振器34Bには常に同相の電流iが流れることとなる。同相となることで、共振器10単体で見た場合、第1ビア電極部18Aと第2ビア電極部18Bとの間は電磁界が疎の状態になり、その間に結合や引き回しのための電極を配置しても不要な結合を極力抑えることができる。その結果、Q値の劣化を防止することができると共に、特性のばらつきを抑制することができる。
9A and 9B show an equivalent circuit of the
上述の例では、ストリップ線路16を上部の遮蔽導体12Uに対向させ、第1ビア電極部18Aを構成する第1小径ビア電極22a並びに第2ビア電極部18Bを構成する第2小径ビア電極22bをそれぞれ下部の遮蔽導体12Bに接続するようにしたが、その他、図10に示す変形例に係る共振器10aのように、ストリップ線路16を下部の遮蔽導体12Bに対向させ、第1小径ビア電極22a及び第2小径ビア電極22bをそれぞれ上部の遮蔽導体12Uに接続するようにしてもよい。
In the above-described example, the
次に、第1の実施の形態に係る誘電体フィルタ(以下、第1誘電体フィルタ50Aと記す)について図11〜図15を参照しながら説明する。なお、上述した共振器10と共通する部材については、その重複説明を省略する。
Next, a dielectric filter (hereinafter, referred to as a first
図11及び図12は、共振器10を多段化して3つの共振器10にて第1誘電体フィルタ50Aを構成した例を示す。
FIGS. 11 and 12 show an example in which the
すなわち、第1誘電体フィルタ50Aは、誘電体基板14内に、3つの共振器本体(第1共振器本体52A〜第3共振器本体52C)を有する。
That is, the first
第1共振器本体52A(共振器10)〜第3共振器本体52C(共振器10)は、それぞれ上部の遮蔽導体12Uと対向するストリップ線路16と、ストリップ線路16から下部の遮蔽導体12Bにかけて隣接して形成された第1ビア電極部18A及び第2ビア電極部18Bとを有する。第1ビア電極部18Aは、複数の第1小径ビア電極22aから構成され、第2ビア電極部18Bは、複数の第2小径ビア電極22bから構成されている。
The
特に、この第1誘電体フィルタ50Aは、下記構成を有する。すなわち、第1共振器本体52Aのストリップ線路16と第1入出力端子20Aとの間に、ストリップ線路16と第1入出力端子20Aとを電気的に接続する第1接続線路54Aが形成されている。第2共振器本体52Bのストリップ線路16から第1共振器本体52Aに向かって延びる容量性の第1結合調整線路56Aが形成されている。この第1結合調整線路56Aの端部は、第1共振器本体52Aの第1ビア電極部18Aと第2ビア電極部18Bとの間であって、且つ、ストリップ線路16の下方に位置されている。
In particular, the first
同様に、第3共振器本体52Cのストリップ線路16と第2入出力端子20Bとの間に、ストリップ線路16と第2入出力端子20Bとを電気的に接続する第2接続線路54Bが形成されている。第2共振器本体52Bのストリップ線路16から第2入出力端子20Bに向かって延びる容量性の第2結合調整線路56Bが形成されている。この第2結合調整線路56Bの端部は、第3共振器本体52Cの第1ビア電極部18Aと第2ビア電極部18Bとの間であって、且つ、ストリップ線路16の下方に位置されている。
Similarly, a
図13及び図14は、第1誘電体フィルタ50Aの変形例に係る誘電体フィルタ50Aaを示す。この変形例に係る誘電体フィルタ50Aaは、図13及び図14に示すように、上述した第1誘電体フィルタ50Aとほぼ同様の構成を有するが、第1共振器本体52Aと第2共振器本体52Bの各ストリップ線路16同士が第3接続線路54Cにて直接接続され、第2共振器本体52Bと第3共振器本体52Cの各ストリップ線路16同士が第4接続線路54Dにて直接接続されている。
FIGS. 13 and 14 show a dielectric filter 50Aa according to a modification of the first
さらに、第1共振器本体52Aのストリップ線路16の下方の位置から第2共振器本体52Bのストリップ線路16の下方の位置にかけて容量性の第3結合調整線路56Cが形成され、第2共振器本体52Bのストリップ線路16の下方の位置から第3共振器本体52Cのストリップ線路16の下方の位置にかけて容量性の第4結合調整線路56Dが形成されている。
Further, a capacitive third
第1誘電体フィルタ50A及びその変形例に係る誘電体フィルタ50Aaの等価回路を図15に示す。図15に示すように、第1誘電体フィルタ50A及び変形例に係る誘電体フィルタ50Aaは、第1共振器本体52Aと第2共振器本体52Bとが電磁界結合され、第2共振器本体52Bと第3共振器本体52Cとが電磁界結合されて構成される。
FIG. 15 shows an equivalent circuit of the first
そして、第1共振器本体52A〜第3共振器本体52Cにおいて、第1ビア電極部18Aは、ストリップ線路16と共に、第1λ/4共振器34Aを構成し、第2ビア電極部18Bは、ストリップ線路16と共に、第2λ/4共振器34Bを構成する。
In the
第1誘電体フィルタ50Aは、上述した本実施の形態に係る共振器10を多段化して構成したので、ビア電極のサイズを大きくすることなく、電流密度の分散を図ることができ、しかも、ビア電極からの磁界の広がりを妨げることなく、各種電極パターンを形成でき、Q値の劣化の抑制、不要な結合の抑制、電磁シールドの低下の抑制、設計の自由度の向上、製造コストの低減を図ることができる。
Since the first
特に、第1共振器本体52A、第2共振器本体52B及び第3共振器本体52Cにおける電磁界が疎になった領域30を利用して、第1結合調整線路56A〜第4結合調整線路56Dを形成することができ、第1共振器本体52Aと第2共振器本体52Bとの電磁界結合及びその調整、並びに第2共振器本体52Bと第3共振器本体52Cとの電磁界結合及びその調整を容易に行うことができる。
In particular, the first
すなわち、第1誘電体フィルタ50A及びその変形例に係る誘電体フィルタ50Aaは、第1共振器本体52Aと第2共振器本体52Bとが電磁界結合し、第2共振器本体52Bと第3共振器本体52Cとが電磁界結合している。従って、第1誘電体フィルタ50Aでは、第1結合調整線路56Aによって第1共振器本体52Aと第2共振器本体52B間の容量結合の調整が容易になり、第2結合調整線路56Bによって第2共振器本体52Bと第3共振器本体52C間の容量結合の調整が容易になる。同様に、変形例に係る誘電体フィルタ50Aaでは、第3結合調整線路56Cによって第1共振器本体52Aと第2共振器本体52B間の容量結合の調整が容易になり、第4結合調整線路56Dによって第2共振器本体52Bと第3共振器本体52C間の容量結合の調整が容易になる。
That is, in the first
一方、誘導結合の調整については、第1誘電体フィルタ50Aでは、第1共振器本体52Aと第2共振器本体52B間の距離を変更したり、第2共振器本体52Bと第3共振器本体52C間の距離を変更することで、第1共振器本体52Aと第2共振器本体52B間の誘導結合、並びに第2共振器本体52Bと第3共振器本体52C間の誘導結合の調整が容易になる。変形例に係る誘電体フィルタ50Aaでは、第1共振器本体52Aと第2共振器本体52B間の距離を変更したり、第2共振器本体52Bと第3共振器本体52C間の距離を変更する方法のほか、第3接続線路54Cの接続位置を変更したり、第4接続線路54Dの接続位置を変更することで、第1共振器本体52Aと第2共振器本体52B間の誘導結合、並びに第2共振器本体52Bと第3共振器本体52C間の誘導結合の調整が容易になる。
On the other hand, with respect to the adjustment of the inductive coupling, in the first
次に、第2の実施の形態に係る誘電体フィルタ(以下、第2誘電体フィルタ50Bと記す)について、図16〜図18を参照しながら説明する。
Next, a dielectric filter according to a second embodiment (hereinafter, referred to as a second
図16及び図17は、共振器10を多段化して4つの共振器10にて第2誘電体フィルタ50Bを構成した例を示す。
16 and 17 show an example in which the
すなわち、第2誘電体フィルタ50Bは、誘電体基板14内に、4つの共振器本体(第1共振器本体52A〜第4共振器本体52D)を有する。
That is, the second
第1共振器本体52A〜第4共振器本体52Dは、それぞれ上部の遮蔽導体12Uと対向するストリップ線路16と、ストリップ線路16から下部の遮蔽導体12Bにかけて隣接して形成された第1ビア電極部18A及び第2ビア電極部18Bとを有する。第1ビア電極部18Aは、複数の第1小径ビア電極22aから構成され、第2ビア電極部18Bは、複数の第2小径ビア電極22bから構成されている。
The first resonator
特に、この第2誘電体フィルタ50Bは、下記構成を有する。すなわち、第1共振器本体52Aのストリップ線路16と第1入出力端子20Aとの間に、ストリップ線路16と第1入出力端子20Aとを電気的に接続する第1接続線路54Aが形成されている。第2共振器本体52Bのストリップ線路16から第1入出力端子20Aに向かって延びる容量性の第5結合調整線路56Eが形成されている。この第5結合調整線路56Eの端部は、第1共振器本体52Aの第1ビア電極部18Aと第2ビア電極部18Bとの間であって、且つ、ストリップ線路16の下方に位置されている。
In particular, the second
同様に、第4共振器本体52Dのストリップ線路16と第2入出力端子20Bとの間に、ストリップ線路16と第2入出力端子20Bとを電気的に接続する第2接続線路54Bが形成されている。第3共振器本体52Cのストリップ線路16から第2入出力端子20Bに向かって延びる容量性の第6結合調整線路56Fが形成されている。この第6結合調整線路56Fの端部は、第4共振器本体52Dの第1ビア電極部18Aと第2ビア電極部18Bとの間であって、且つ、ストリップ線路16の下方に位置されている。
Similarly, a
さらに、磁界結合される第2共振器本体52Bと第3共振器本体52C間に容量性の第7結合調整線路56Gが形成されている。第7結合調整線路56Gの一方の端部は、第2共振器本体52Bの第1ビア電極部18Aと第2ビア電極部18Bとの間であって、且つ、ストリップ線路16の下方に位置されている。第7結合調整線路56Gの他方の端部は、第3共振器本体52Cの第1ビア電極部18Aと第2ビア電極部18Bとの間であって、且つ、ストリップ線路16の下方に位置されている。
Further, a capacitive seventh
第2誘電体フィルタ50Bの等価回路を図18に示す。図18に示すように、第2誘電体フィルタ50Bは、第1共振器本体52Aと第2共振器本体52Bとが電磁界結合され、第2共振器本体52Bと第3共振器本体52Cとが電磁界結合され、第3共振器本体52Cと第4共振器本体52Dとが電磁界結合されて構成される。
FIG. 18 shows an equivalent circuit of the second
また、第1誘電体フィルタ50Aと同様に、第4共振器本体52Dにおいても、第1ビア電極部18Aは、ストリップ線路16と共に、第1λ/4共振器34Aを構成し、第2ビア電極部18Bは、ストリップ線路16と共に、第2λ/4共振器34Bを構成する。
Similarly to the first
第2誘電体フィルタ50Bは、上述した本実施の形態に係る共振器10を多段化して構成したので、第1誘電体フィルタ50Aと同様の構成を有する。しかも、電磁界が疎になった領域30、すなわち、第1ビア電極部18Aと第2ビア電極部18B間に、各種電極パターンを形成でき、不要な結合の抑制、電磁シールドの低下の抑制、設計の自由度の向上、製造コストの低減を図ることができる。
The second
この第2誘電体フィルタ50Bにおいても、上述した第1誘電体フィルタ50A及び変形例に係る誘電体フィルタ50Aaと同様に、第1共振器本体52A〜第4共振器本体52Dにおける電磁界が疎になった領域30を利用して、第5結合調整線路56E〜第7結合調整線路56Gを形成することができ、第1共振器本体52Aと第2共振器本体52Bとの電磁界結合及びその調整、第2共振器本体52Bと第3共振器本体52Cとの電磁界結合及びその調整、並びに第3共振器本体52Cと第4共振器本体52Dとの電磁界結合及びその調整を容易に行うことができる。
Also in the second
すなわち、第2誘電体フィルタ50Bでは、第1共振器本体52Aと第2共振器本体52Bとが電磁界結合し、第2共振器本体52Bと第3共振器本体52Cとが電磁界結合し、第3共振器本体52Cと第4共振器本体52Dとが電磁界結合している。従って、第5結合調整線路56Eによって第1共振器本体52Aと第2共振器本体52B間の容量結合の調整が容易になり、第6結合調整線路56Fによって第3共振器本体52Cと第4共振器本体52D間の容量結合の調整が容易になり、第7結合調整線路56Gによって第2共振器本体52Bと第3共振器本体52C間の容量結合の調整が容易になる。
That is, in the second
一方、誘導結合の調整については、第1共振器本体52Aと第2共振器本体52B間の距離を変更したり、第2共振器本体52Bと第3共振器本体52C間の距離を変更したり、第3共振器本体52Cと第4共振器本体52D間の距離を変更することで、第1共振器本体52Aと第2共振器本体52B間の誘導結合の調整、第2共振器本体52Bと第3共振器本体52C間の誘導結合の調整、並びに第3共振器本体52Cと第4共振器本体52D間の誘導結合の調整が容易になる。
On the other hand, regarding the adjustment of the inductive coupling, the distance between the first resonator
もちろん、上述した変形例に係る誘電体フィルタ50Aaと同様に、隣接する共振器本体同士(例えば第2共振器本体52Bと第3共振器本体52C)を直接接続線路でつなぎ、該接続線路のつなぐ位置を変えることで、共振器本体間の誘導結合の調整が容易になる。
Of course, similarly to the dielectric filter 50Aa according to the above-described modified example, adjacent resonator bodies (for example, the
なお、本発明に係る共振器及び誘電体フィルタは、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。 In addition, the resonator and the dielectric filter according to the present invention are not limited to the above-described embodiment, but can adopt various configurations without departing from the gist of the present invention.
すなわち、上述の例では、3つの共振器本体あるいは4つの共振器本体を設けた例を示したが、その他、2つの共振器本体あるいは5つ以上の共振器本体を設けてもよい。また、第1小径ビア電極22a及び第2小径ビア電極22bをそれぞれ3本配列させた例を示したが、これに限定されることなく、2本や、4本以上配列させてもよい。
That is, in the above-described example, an example in which three resonator bodies or four resonator bodies are provided has been described. Alternatively, two resonator bodies or five or more resonator bodies may be provided. Further, although an example in which three first small-diameter via
10…共振器 12U…上部の遮蔽導体
12B…下部の遮蔽導体 12a、12b…遮蔽導体
14…誘電体基板 16…ストリップ線路
18A…第1ビア電極部 18B…第2ビア電極部
20A…第1入出力端子 20B…第2入出力端子
22…小径ビア電極 22a…第1小径ビア電極
22b…第2小径ビア電極 24A…第1入出力線路
24B…第2入出力線路 26a…第1湾曲線
26b…第2湾曲線 28…磁界
30…電磁界が疎になった領域 32…パターン
34A…第1λ/4共振器 34B…第2λ/4共振器
50A…第1誘電体フィルタ 50Aa…誘電体フィルタ(変形例)
50B…第2誘電体フィルタ
52A〜52D…第1共振器本体〜第4共振器本体
54A〜54D…第1接続線路〜第4接続線路
56A〜56G…第1結合調整線路〜第7結合調整線路
DESCRIPTION OF
50B second
Claims (8)
前記誘電体基板内に形成されたストリップ線路と、
前記誘電体基板内に形成され、前記ストリップ線路から前記遮蔽導体にかけて隣接して形成された第1ビア電極部及び第2ビア電極部と、を有し、
前記誘電体基板の側面のうち、前記第1ビア電極部に対向する第3側面と、前記第2ビア電極部に対向する第4側面にそれぞれ遮蔽導体が形成され、
前記第1ビア電極部は、複数の第1ビア電極から構成され、
前記第2ビア電極部は、複数の第2ビア電極から構成され、
前記第1ビア電極部と前記第2ビア電極部との間に他のビア電極部が存在せず、
前記複数の第1ビア電極は、上面から見たとき、仮想の第1湾曲線に沿って配列され、
前記複数の第2ビア電極は、上面から見たとき、仮想の第2湾曲線に沿って配列されていることを特徴とする共振器。 A dielectric substrate having a shielding conductor formed on at least one main surface, a first input / output terminal formed on a first side surface, and a second input / output terminal formed on a second side surface opposite to the first side surface;
A strip line formed in the dielectric substrate;
A first via electrode portion and a second via electrode portion formed in the dielectric substrate and adjacently formed from the strip line to the shielding conductor;
Among the side surfaces of the dielectric substrate, shielding conductors are respectively formed on a third side surface facing the first via electrode portion and a fourth side surface facing the second via electrode portion,
The first via electrode unit includes a plurality of first via electrodes,
The second via electrode unit includes a plurality of second via electrodes,
No other via electrode portion exists between the first via electrode portion and the second via electrode portion,
The plurality of first via electrodes are arranged along a virtual first curved line when viewed from above,
The resonator, wherein the plurality of second via electrodes are arranged along a virtual second curved line when viewed from above.
前記第1湾曲線と前記第2湾曲線は、1つの楕円の輪郭線の一部又は1つのトラック形状の輪郭線の一部を構成していることを特徴とする共振器。 The resonator according to claim 1,
The resonator according to claim 1, wherein the first curved line and the second curved line form a part of one elliptical outline or a part of one track-shaped outline.
前記第1ビア電極部は、前記ストリップ線路と共に、第1λ/4共振器を構成し、
前記第2ビア電極部は、前記ストリップ線路と共に、第2λ/4共振器を構成することを特徴とする共振器。 The resonator according to claim 1 or 2,
The first via electrode unit forms a first λ / 4 resonator together with the strip line,
The resonator according to claim 2, wherein the second via electrode portion forms a second λ / 4 resonator together with the strip line.
前記第1ビア電極部と前記第2ビア電極部との間に、他のストリップ線路が形成されていることを特徴とする共振器。 The resonator according to any one of claims 1 to 3,
A resonator, wherein another strip line is formed between the first via electrode portion and the second via electrode portion.
前記誘電体基板内に形成された少なくとも2つの共振器本体とを有し、
各前記共振器本体は、
ストリップ線路と、
前記ストリップ線路から前記遮蔽導体にかけて隣接して形成された第1ビア電極部及び第2ビア電極部と、を有し、
前記誘電体基板の側面のうち、前記第1ビア電極部に対向する第3側面と、前記第2ビア電極部に対向する第4側面にそれぞれ遮蔽導体が形成され、
前記第1ビア電極部は、複数の第1ビア電極から構成され、
前記第2ビア電極部は、複数の第2ビア電極から構成され、
前記第1ビア電極部と前記第2ビア電極部との間に他のビア電極部が存在せず、
前記複数の第1ビア電極は、上面から見たとき、仮想の第1湾曲線に沿って配列され、
前記複数の第2ビア電極は、上面から見たとき、仮想の第2湾曲線に沿って配列され、
一方の前記共振器本体と他方の前記共振器本体とが結合されていることを特徴とする誘電体フィルタ。 A dielectric substrate having a shielding conductor formed on at least one main surface, a first input / output terminal formed on a first side surface, and a second input / output terminal formed on a second side surface opposite to the first side surface;
And at least two resonator bodies formed in the dielectric substrate,
Each said resonator body,
Strip line,
A first via electrode portion and a second via electrode portion formed adjacent to each other from the strip line to the shielding conductor;
Among the side surfaces of the dielectric substrate, shielding conductors are respectively formed on a third side surface facing the first via electrode portion and a fourth side surface facing the second via electrode portion,
The first via electrode unit includes a plurality of first via electrodes,
The second via electrode unit includes a plurality of second via electrodes,
No other via electrode portion exists between the first via electrode portion and the second via electrode portion,
The plurality of first via electrodes are arranged along a virtual first curved line when viewed from above,
The plurality of second via electrodes are arranged along a virtual second curved line when viewed from above,
A dielectric filter, wherein one of the resonator main bodies is coupled to the other of the resonator main bodies.
一方の前記共振器と他方の前記共振器とが電磁界結合されていることを特徴とする誘電体フィルタ。 The dielectric filter according to claim 5,
A dielectric filter, wherein one resonator and the other resonator are electromagnetically coupled.
一方の前記共振器と他方の前記共振器とがストリップ線路で直接接続されていることを特徴とする誘電体フィルタ。 The dielectric filter according to claim 5,
A dielectric filter, wherein one resonator and the other resonator are directly connected by a strip line.
一方の前記共振器と他方の前記共振器とが磁界結合されていることを特徴とする誘電体フィルタ。 The dielectric filter according to claim 5,
A dielectric filter, wherein one resonator and the other resonator are magnetically coupled.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016085911A JP6649841B2 (en) | 2016-04-22 | 2016-04-22 | Resonator and dielectric filter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016085911A JP6649841B2 (en) | 2016-04-22 | 2016-04-22 | Resonator and dielectric filter |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017195565A JP2017195565A (en) | 2017-10-26 |
JP2017195565A5 JP2017195565A5 (en) | 2019-04-25 |
JP6649841B2 true JP6649841B2 (en) | 2020-02-19 |
Family
ID=60155649
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016085911A Active JP6649841B2 (en) | 2016-04-22 | 2016-04-22 | Resonator and dielectric filter |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6649841B2 (en) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6649916B2 (en) * | 2017-05-22 | 2020-02-19 | 双信電機株式会社 | Resonator |
JP6800181B2 (en) * | 2018-06-20 | 2020-12-16 | 双信電機株式会社 | Resonator and filter |
JP6853803B2 (en) * | 2018-07-19 | 2021-03-31 | 双信電機株式会社 | Resonator and filter |
JP6787955B2 (en) * | 2018-08-01 | 2020-11-18 | 双信電機株式会社 | filter |
JP6839692B2 (en) * | 2018-10-19 | 2021-03-10 | 双信電機株式会社 | filter |
JP6867993B2 (en) * | 2018-11-19 | 2021-05-12 | 双信電機株式会社 | filter |
JP6868046B2 (en) | 2019-02-08 | 2021-05-12 | 双信電機株式会社 | Resonator and filter |
JP2020171066A (en) * | 2020-07-27 | 2020-10-15 | 双信電機株式会社 | Resonator and filter |
JP7286844B2 (en) * | 2020-12-07 | 2023-06-05 | 双信電機株式会社 | filter |
JP7119056B2 (en) * | 2020-12-07 | 2022-08-16 | 双信電機株式会社 | filter |
JP7465903B2 (en) * | 2022-03-28 | 2024-04-11 | 双信電機株式会社 | filter |
-
2016
- 2016-04-22 JP JP2016085911A patent/JP6649841B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017195565A (en) | 2017-10-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6649841B2 (en) | Resonator and dielectric filter | |
US10374568B2 (en) | Common mode filter | |
US20210296748A1 (en) | Filter | |
JP6649916B2 (en) | Resonator | |
JP2015076571A (en) | Noise filter for power supply, and usb connector | |
JP2019220841A (en) | Resonator and filter | |
US20220131522A1 (en) | Resonator and filter | |
US11469483B2 (en) | Filter | |
JP2006339337A (en) | Multilayer capacitor and its packaging structure | |
JP2010177696A (en) | Multilayer capacitor | |
WO2019150892A1 (en) | Multilayer substrate and antenna element | |
JP2005150337A (en) | Laminated capacitor | |
JP7119056B2 (en) | filter | |
JP7286844B2 (en) | filter | |
JP6853803B2 (en) | Resonator and filter | |
US20220301764A1 (en) | Multilayer coil component | |
JP2008187192A (en) | Multilayer capacitor | |
JP2023049252A (en) | Laminated coil component | |
US20220006170A1 (en) | Filter | |
JP4508258B2 (en) | Multilayer capacitor | |
JP2017162882A (en) | Coil structure for transformer and transformer | |
JP2010153935A (en) | Multilayered capacitor |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190312 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190312 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20191225 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200107 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200117 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6649841 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |