JP6638515B2 - Light modulator - Google Patents
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Description
本発明は、光変調器に関し、特に、2波長集積型などの高集積型変調器の構造に関する。 The present invention relates to an optical modulator, and more particularly, to a structure of a highly integrated modulator such as a two-wavelength integrated type.
光通信システムの高速化、大容量化が進む中で、それに使用される光変調器の高性能化、高密度化が進んでいる。また、光変調器の小型化の要請に伴い、光変調器を構成する基板の小型化も進められている。しかしながら、光変調器の高性能化、高密度化と小型化とは相反する要求であるため、これらを両立するための工夫が求められている。 As the speed and capacity of optical communication systems increase, the performance and density of optical modulators used in the communication systems increase. Also, with the demand for miniaturization of the optical modulator, the miniaturization of the substrate constituting the optical modulator has been promoted. However, high performance, high density, and miniaturization of the optical modulator are contradictory demands, and contrivances for achieving these requirements are required.
このような光変調器に関し、以下のような発明が提案されている。
例えば、特許文献1には、光導波路と変調電極とを基板に形成した光変調器において、互いに分離した複数の変調用基板部分を備え、各変調用基板部分は、互いの境界の一部に、変調用基板部分の基板材料より誘電率の低い低誘電率部分を配置した光変調器が開示されている。
With respect to such an optical modulator, the following inventions have been proposed.
For example, Patent Literature 1 discloses an optical modulator in which an optical waveguide and a modulation electrode are formed on a substrate, and includes a plurality of modulation substrate portions that are separated from each other, and each modulation substrate portion is located at a part of a boundary between each other. An optical modulator in which a low dielectric constant portion having a lower dielectric constant than the substrate material of the modulation substrate portion is arranged is disclosed.
近年、2波長集積型などの高集積型光変調器が開発されている。図1には、従来の2波長集積型DP−QPSK(Dual Polarization - Quadrature Phase Shift Keying)変調器の構成例を示してある。同図の光変調器は、波長λ1の光波が入力される光導波路変調部M1と、波長λ1とは異なる波長λ2の光波が入力される光導波路変調部M2とを有し、これら光導波路変調部M1,M2は互いに独立して動作するように構成される。 In recent years, highly integrated optical modulators such as a two-wavelength integrated type have been developed. FIG. 1 shows a configuration example of a conventional dual-wavelength integrated DP-QPSK (Dual Polarization-Quadrature Phase Shift Keying) modulator. The optical modulator shown in the figure has an optical waveguide modulator M1 to which a lightwave having a wavelength λ1 is inputted, and an optical waveguide modulator M2 to which a lightwave having a wavelength λ2 different from the wavelength λ1 is inputted. The units M1 and M2 are configured to operate independently of each other.
光導波路変調部M1,M2の各々は、電気光学効果を有する基板1上に、光導波路2と、光導波路2を伝搬する光波を制御するための制御電極3と、光導波路2を伝搬する光波を検出するための受光素子4とを備えている。制御電極3は、高周波信号(変調信号)が印加されるRF電極3aや、DC電圧(バイアス電圧)が印加されるDC電極3b,3cなどで構成される。
Each of the optical waveguide modulating units M1 and M2 has an
各光導波路変調部M1,M2の光導波路2は、マッハツェンダー型導波路を入れ子型に多重に配置した構造となっており、これに相応して多数の制御電極3や受光素子4が設けられている。同図では、光導波路変調部M1,M2のそれぞれに、4つのRF電極3aと、6つのDC電極3b,3cと、2つの受光素子4を設けてある。
光導波路変調部M1の下流には偏波合成部5が配置されており、メインとなるマッハツェンダー型導波路の出力側アーム部を伝搬する光波を偏波合成部5で合成して、光ファイバ6に出力する。光導波路変調部M2についても同様である。偏波合成部5は、空間光学系を用いて偏波合成を行う構造のものや、光導波路を用いて偏波合成を行う構造のものなどがある。
The
A
上記のように、高集積型光変調器には、多数の制御電極や受光素子を配置した基板(チップ)が用いられる。このため、それらの部品に接続する電気線(不図示)の配線(取り回し)が増大し、基板サイズが大型化してしまうという問題があった。
また、基板の側部に設けた電気パッドから作用部(制御電極から発生される電界が光導波路に作用する部位)までの配線が、一部のエリアに集中し、配置が困難になるという問題もあった。この問題は、特に、高周波信号を伝送する高周波線路で顕著であった。高周波線路はインピーダンスを管理したCPW(コプレーナ導波路)などの線路構造が用いられるが、このような線路構造はパターン設計の自由度が低く、近接した線路間では高周波信号のクロストークが発生するためである。
As described above, a substrate (chip) on which a large number of control electrodes and light receiving elements are arranged is used for the highly integrated optical modulator. For this reason, the wiring (routing) of electric wires (not shown) connected to those components increases, and there is a problem that the size of the substrate increases.
In addition, the wiring from the electric pad provided on the side of the substrate to the working part (the part where the electric field generated from the control electrode acts on the optical waveguide) is concentrated in a part of the area, and the arrangement becomes difficult. There was also. This problem has been remarkable especially in a high-frequency line for transmitting a high-frequency signal. As the high-frequency line, a line structure such as a CPW (coplanar waveguide) whose impedance is controlled is used. However, such a line structure has a low degree of freedom in pattern design and crosstalk of a high-frequency signal occurs between adjacent lines. It is.
また、異なる波長の光波を伝送する光導波路変調部間で、不要光の干渉が起こる懸念もある。不要光としては、ファイバとチップ間の非結合光、光導波路の合波部からの放射モード光(Off光)、光導波路の曲げや分岐部からの漏れ光などがある。
また、例えば2波長集積型では、1チップ上にある光導波路や制御電極の電極パターン長が1波長型に比べて倍以上に増えるため、パターンの歩留りが1波長型のパターンの2乗以下となってしまう。
In addition, there is a concern that unnecessary light interference may occur between optical waveguide modulators that transmit light waves of different wavelengths. The unnecessary light includes uncoupled light between the fiber and the chip, radiation mode light (Off light) from the multiplexing portion of the optical waveguide, and light leaking from the bent or branched portion of the optical waveguide.
Also, for example, in the case of the two-wavelength integrated type, the electrode pattern length of the optical waveguide and control electrode on one chip is more than doubled as compared with the one-wavelength type, so that the pattern yield is less than the square of the one-wavelength type pattern. turn into.
本発明が解決しようとする課題は、上記のような問題を解決し、基板上の電気線の配線取り回しを容易にすることが可能な光変調器を提供することである。 The problem to be solved by the present invention is to provide an optical modulator which can solve the above-mentioned problems and can easily route electric wires on a substrate.
上記課題を解決するため、本発明の光変調器は、以下のような技術的特徴を有する。
(1) 第1の波長の光を変調する位相偏波変調又は直交振幅変調のための光変調領域が形成された第1の基板と、第2の波長の光を変調する位相偏波変調又は直交振幅変調のための光変調領域が形成された第2の基板とを有し、前記第1及び第2の基板は、基板の幅方向に並列に配置され、前記第2の基板の前記第1の基板とは反対側に、前記第1及び第2の基板に対して光変調用の高周波信号を入力するための中継基板を備え、前記第2の基板には、前記中継基板から入力された前記第1の基板に対する高周波信号を前記第1の基板に伝送する電気線が形成され、前記第1及び第2の基板は、基板の長さ方向にずらして配置されることを特徴とする光変調器である。
In order to solve the above problems, an optical modulator according to the present invention has the following technical features.
(1) A first substrate on which a light modulation area for phase polarization modulation or quadrature amplitude modulation for modulating light of a first wavelength is formed, and phase polarization modulation or light for modulating light of a second wavelength. A second substrate on which a light modulation region for quadrature amplitude modulation is formed, wherein the first and second substrates are arranged in parallel in the width direction of the substrate, and A relay board for inputting a high-frequency signal for light modulation to the first and second boards on a side opposite to the first board, wherein the second board receives an input from the relay board; An electric wire for transmitting a high-frequency signal to the first substrate to the first substrate is formed, and the first and second substrates are displaced in a length direction of the substrate. An optical modulator.
(2) 上記(1)に記載の光変調器において、前記第1及び前記第2の基板には、DC電極とRF電極とがそれぞれ形成され、前記第1及び前記第2の基板で、基板の長さ方向における前記DC電極と前記RF電極との配置順が異なることを特徴とする光変調器である。 (2) In the optical modulator according to (1), a DC electrode and an RF electrode are formed on the first and second substrates, respectively, and the first and second substrates are formed of a substrate. The arrangement order of the DC electrode and the RF electrode in the length direction of the optical modulator is different.
(3) 上記(1)又は(2)に記載の光変調器において、前記第1及び第2の基板は、基板の厚さ方向にずらして配置されることを特徴とする光変調器である。 (3) The optical modulator according to (1) or (2), wherein the first and second substrates are arranged so as to be shifted in a thickness direction of the substrate. .
(4) 上記(1)乃至(3)のいずれかに記載の光変調器において、前記第1及び第2の基板は、基板端部のエッジが除去されていることを特徴とする光変調器である。 (4) The optical modulator according to any one of the above (1) to (3), wherein the first and second substrates have an edge of a substrate edge removed. It is.
本発明の光変調器は、第1の波長の光を変調する位相偏波変調又は直交振幅変調のための光変調領域が形成された第1の基板と、第2の波長の光を変調する位相偏波変調又は直交振幅変調のための光変調領域が形成された第2の基板とを有し、前記第1及び第2の基板は、並列に配置されると共に、基板の長さ方向にずらして配置されるため、基板上の電気線の配線取り回しを容易にすることが可能な光変調器を提供することができる。 An optical modulator according to the present invention modulates a first substrate on which an optical modulation region for phase polarization modulation or quadrature amplitude modulation for modulating light of a first wavelength is formed, and light of a second wavelength. A second substrate on which an optical modulation region for phase polarization modulation or quadrature amplitude modulation is formed, wherein the first and second substrates are arranged in parallel and extend in the length direction of the substrate. The optical modulator can be provided so that the electric wires on the substrate can be easily routed because the optical modulator is shifted.
以下、本発明に係る光変調器について詳細に説明する。
本発明に係る光変調器は、例えば図2に示すように、第1の波長λ1の光を変調する位相偏波変調又は直交振幅変調のための光変調領域が形成された第1の基板1Aと、第2の波長λ2の光を変調する位相偏波変調又は直交振幅変調のための光変調領域が形成された第2の基板1Bとを有する。また、第1の基板1A及び第2の基板1Bは、並列に配置されると共に、基板の長さ方向にずらして配置される。
Hereinafter, the optical modulator according to the present invention will be described in detail.
The optical modulator according to the present invention is, for example, as shown in FIG. 2, a
基板1A,1Bとしては、石英、半導体など光導波路を形成できる基板であれば良く、特に、電気光学効果を有する基板である、LiNbO3(ニオブ酸リチウム),LiTaO3(タンタル酸リチウム)又はPLZT(ジルコン酸チタン酸鉛ランタン)のいずれかの単結晶などを用いた基板が好適に利用可能である。
基板1A,1Bに形成する光導波路2は、例えば、LiNbO3基板(LN基板)上にチタン(Ti)などの高屈折率物質を熱拡散することにより形成される。また、光導波路となる部分の両側に溝を形成したリブ型光導波路や光導波路部分を凸状としたリッジ型導波路も利用可能である。また、PLC等の異なる導波路基板に光導波路を形成し、これらの導波路基板を貼り合せ集積した光回路にも、本発明を適用することが可能である。
The
基板1A,1Bには、光導波路2を伝搬する光波を制御するための制御電極3が設けられる。制御電極3としては、変調電極を構成するRF電極3aやこれを取り巻く接地電極(不図示)、DC電圧を印加するDC電極3b、3cなどがある。これら制御電極3は、基板表面に、Ti・Auの電極パターンを形成し、金メッキ方法などにより形成することが可能である。さらに、必要に応じて光導波路形成後の基板表面に誘電体SiO2等のバッファ層を設けることも可能である。
Control electrodes 3 for controlling light waves propagating through the
本発明に係る光変調器の主な特徴は、基板1A,1Bは、互いに並列に配置されると共に、基板の長さ方向にずらして配置されることである。以下、実施例を参照して詳細に説明する。本明細書では、基板の長さ方向を「X方向」とし、基板の幅方向を「Y方向」とする。X方向は光波の進行方向(図中の矢印Xの方向)に対応し、これに直交する方向(図中の矢印Yの方向)がY方向となる。
The main feature of the optical modulator according to the present invention is that the
図2は、本発明の第1実施例に係る光変調器を説明する平面図である。
本例の光変調器は、基板1A,1Bを互いに並列に配置すると共に、基板1Bを基板1AよりもX方向下流側にずらして配置してある。
基板1Aの基板1Bに対向する辺側の側部には、基板1AのRF電極3aに対する高周波信号を終端する終端基板11が設けられている。また、基板1Bの基板1Aに対向する辺側の側部には、基板1BのRF電極3aに対する高周波信号を終端する終端基板12が設けられている。更に、基板1Bの基板1Aに対向する辺側の側部には、中継基板13とDC配線基板16も設けられている。
FIG. 2 is a plan view illustrating the optical modulator according to the first embodiment of the present invention.
In the optical modulator of this example, the
A
中継基板13には、RFコネクタ21から入力される高周波信号を中継する電気線41が配線されている。電気線41は、基板1Bの側部に設けられた接続パッド31に、ワイヤーボンディング等により電気的に接続される。基板1Aに対する高周波信号は、基板1B上の電気線42を通じて基板1Aに中継され、基板1AのRF電極3aに印加される。基板1Bに対する高周波信号は、基板1B上の電気線43を通じて基板1BのRF電極3aに印加される。接続パッド31は500μm程度の間隔で配置できる。一方、RFコネクタ21は接続パッド31よりも大きく、小型のものでも2.5mm以上の間隔が必要となる。中継基板13は、RFコネクタ21に接続された電気線41を接続パッド31に向かって間隔が狭まるように調整する役割を持つ。
An
DC配線基板16には、DCピン22から入力されるDC電圧を中継する電気線44が配線されている。電気線44は、基板1Bの側部に設けられた接続パッド32に、ワイヤーボンディング等により電気的に接続される。基板1Aに対するDC電圧は、基板1B上の電気線45を通じて基板1Aに中継され、基板1AのDC電極3b、3cに印加される。基板1Bに対するDC電圧は、基板1B上の電気線(不図示)を通じて基板1AのDC電極3b、3cに印加される。すなわち、DC電極3cの取り出し部を基板1Aと基板1Bとで共有している。なお、本例では、基板1Aに対する電気線45をボンディング配線により基板1Bを跨ぐように形成しているが、基板1B上に直接配線してもよい。また、DCピン22と接続パッド32とを直接接続して、DC配線基板16を用いない構造にすることもできる。
On the
このように、基板1A,1Bを互いに並列に配置すると共に、基板1Bを基板1AよりもX方向下流側にずらして配置することで、基板上の電気線の配線取り回しを容易にすることができる。特に、基板1AのRF電極3aに対する電気線42を短縮できる効果がある。すなわち、例えば基板1A,1BをX方向にずらさずに配置する場合は、基板1BのRF電極3aに対する電気線43を迂回するように電気線42を配線する必要があるが、基板1A,1BをX方向にずらして配置することで、そのような迂回の必要がない。高周波信号を伝送する電気線42,43は、CPWなどのインピーダンスコントロールされた高周波線路である必要があり、線路構造が制限されており、配線長を短くすることは、高周波信号の損失低減に非常に有効である。また、2波長分の素子を1チップに集積した場合に比べ、1チップに搭載される導波路や電極の微細パターンが少なくなるため、パターンの欠陥等による歩留り劣化を軽減できる。更に、素子の長さを2波長分を集積した場合に比べて短くできるため、1ウエハでのパターン搭載数を多くすることができる。
In this way, by arranging the
図3は、本発明の第2実施例に係る光変調器を説明する平面図である。
本例の光変調器は、基板1A,1Bを互いに並列に配置すると共に、基板1Bを基板1AよりもX方向下流側にずらして配置してある。
基板1Aには、X方向の上流から下流に向かって、RF電極3a、DC電極3b、DC電極3cの順に配置されている。一方、基板1Bには、X方向の上流から下流に向かって、DC電極3c、RF電極3a、DC電極3bの順に配置されている。すなわち、基板1Aと基板1BでX方向におけるDC電極とRF電極との配置順が異なっている。
FIG. 3 is a plan view illustrating an optical modulator according to a second embodiment of the present invention.
In the optical modulator of this example, the
On the
このように、基板1BのDC電極3cをRF電極3aの上流に配置することで、基板1Bには、DC電極3cの上流部分に電気線44を配線し、基板1BのDC電極3cの下流部分に電気線43を配線することができる。これにより、基板1A,1Bのずらし幅を少なくしても、基板1AのRF電極3aと基板1BのRF電極3bのずらし幅を十分に確保できる。すなわち、基板1A,1Bのずらし幅を少なくしても、高周波信号の損失低減に有効な配線取り回しを容易に行うことができる。したがって、基板1AのX方向上流側の端辺から基板1BのX方向下流側の端辺までの長さLを、DC電極とRF電極との配置順を一致させる構造(例えば実施例1の構造(図2))よりも短縮できる。すなわち、基板1Aと基板1BでX方向におけるDC電極とRF電極との配置順を異ならせることで、基板の長さ方向のトータル長をより短縮できる効果が得られる。
Thus, by arranging the
図4は、本発明の第3実施例に係る光変調器を説明する平面図である。
本例の光変調器は、基板1A,1Bを互いに並列に配置すると共に、基板1Bを基板1AよりもX方向下流側にずらして配置してある。また、基板1Aと基板1Bを離間させ、基板1Aと基板1Bの間に中継基板14とDC配線基板16を配置してある。基板1Aに対する高周波信号は、RFコネクタ21から入力され、中継基板13、基板1B、中継基板14を通じて基板1Aに中継され、基板1AのRF電極3aに印加される。
FIG. 4 is a plan view illustrating an optical modulator according to a third embodiment of the present invention.
In the optical modulator of this example, the
このように、基板1Aと基板1Bを離間させる構造にすることで、光学系(例えば、空間光学系を用いた偏波合成部6)を配置し易くなる効果が得られる。
In this way, by adopting a structure in which the
図5は、本発明の第4実施例に係る光変調器を説明する平面図である。
本例の光変調器は、基板1A,1Bを互いに並列に配置すると共に、基板1Bを基板1AよりもX方向下流側にずらして配置してある。また、基板1Aと基板1BでX方向におけるDC電極とRF電極との配置順を異ならせている。また、基板1Aと基板1Bを離間させ、基板1Aと基板1Bの間に中継基板14とDC配線基板16を配置してある。
FIG. 5 is a plan view illustrating an optical modulator according to a fourth embodiment of the present invention.
In the optical modulator of this example, the
すなわち、第4実施例は、第2実施例と第3実施例を組み合わせた構造になっている。このため、基板上の電気線の配線取り回しを容易にできるだけでなく、基板の長さ方向のトータル長を短くする効果や、光学系を配置し易くなる効果を得ることができる。 That is, the fourth embodiment has a structure in which the second embodiment and the third embodiment are combined. For this reason, not only can the wiring of the electric wires on the substrate be easily routed, but also the effect of shortening the total length in the length direction of the substrate and the effect of easily disposing the optical system can be obtained.
図6は、本発明の第5実施例に係る光変調器を説明する平面図であり、図7は、その側面断面図である。
本例の光変調器は、基板1A,1Bを互いに並列に配置すると共に、基板1Bを基板1AよりもX方向下流側にずらして配置してある。また、基板1Aと基板1Bを離間させ、基板1Aと基板1Bの間にDC配線基板16を配置してある。また、基板1Aと基板1Bを、基板の厚さ方向の位置をずらして配置してある。具体的には、基板1Bよりも上方側に基板1Aを配置してある。更に、基板1Aに対する高周波信号を入力するRFコネクタ21が接続された中継基板15が、基板1Bの一部に重なるように配置してある。
FIG. 6 is a plan view illustrating an optical modulator according to a fifth embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a side sectional view thereof.
In the optical modulator of this example, the
このような構造によれば、光学系を配置し易くなる効果が得られるだけでなく、基板1Aに対する高周波信号を中継する電気線を基板1Bから除去することができ、基板1Bの電気線の配線をより簡素化することができる。また、中継基板15を低損失な基板材料を使用したものとし、更に高周波線路を伝存損失の低い線路構造とすることで、基板1Bに配線した場合よりも高周波特性に優れた光変調器を実現することができる。
According to such a structure, not only an effect of facilitating the arrangement of the optical system can be obtained, but also an electric wire for relaying a high-frequency signal to the
図8は、本発明の第5実施例に係る光変調器の変形例を説明する側面断面図である。
本例の光変調器は、高周波信号を入力する端子として、リードピン23を用いている。つまり、光変調器の筐体側面に横方向(水平方向)に設けたRFコネクタ21を通じて筐体側部から高周波信号を入力するのではなく、光変調器の筐体側面に縦方向(垂直方向)に設けたリードピン23を通じて筐体底部から高周波信号を入力する構造となっている。このような構造とすることで、高周波信号の入力を一列に配置することができる。
FIG. 8 is a side sectional view illustrating a modification of the optical modulator according to the fifth embodiment of the present invention.
The optical modulator of this embodiment uses the
図9は、本発明の第6実施例に係る光変調器を説明する側面図である。
本例の光変調器では、基板1A(1B)は、基板端部のエッジ8を除去した構造となっている。
これにより、基板端部のエッジで他の部品が傷つけられることを防止できる。このようなエッジの除去は、上記の各実施例に組み合わせて適用可能である。
FIG. 9 is a side view illustrating an optical modulator according to a sixth embodiment of the present invention.
In the optical modulator of this example, the
This can prevent other components from being damaged by the edge of the substrate end. Such edge elimination is applicable in combination with the above embodiments.
以上、実施例に基づいて本発明を説明したが、本発明は上述した内容に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜設計変更可能であることはいうまでもない。 As described above, the present invention has been described based on the embodiments. However, it is needless to say that the present invention is not limited to the above-described contents, and that the design can be appropriately changed without departing from the spirit of the present invention.
以上、説明したように、本発明によれば、基板上の電気線の配線取り回しを容易にすることが可能な光変調器を提供することができる。 As described above, according to the present invention, it is possible to provide an optical modulator that can facilitate the routing of electric wires on a substrate.
1,1A,1A 基板
2 光導波路
3 制御電極
3a RF電極
3b,3c DC電極
4 受光素子
5 偏波合成部
6 光ファイバ
8 エッジ
11,12 終端基板
13〜15 中継基板
16 DC配線基板
21 RFコネクタ
22 DCピン
23 リードピン
31,32 接続パッド
41〜45 電気線
1, 1A,
Claims (4)
第2の波長の光を変調する位相偏波変調又は直交振幅変調のための光変調領域が形成された第2の基板とを有し、
前記第1及び第2の基板は、基板の幅方向に並列に配置され、
前記第2の基板の前記第1の基板とは反対側に、前記第1及び第2の基板に対して光変調用の高周波信号を入力するための中継基板を備え、
前記第2の基板には、前記中継基板から入力された前記第1の基板に対する高周波信号を前記第1の基板に伝送する電気線が形成され、
前記第1及び第2の基板は、基板の長さ方向にずらして配置されることを特徴とする光変調器。 A first substrate on which a light modulation region for phase polarization modulation or quadrature amplitude modulation for modulating light of a first wavelength is formed;
A second substrate on which a light modulation region for phase polarization modulation or quadrature amplitude modulation for modulating light of the second wavelength is formed,
The first and second substrates are arranged in parallel in the width direction of the substrate ,
On the opposite side of the second substrate from the first substrate, a relay substrate for inputting a high-frequency signal for light modulation to the first and second substrates is provided.
An electric wire for transmitting a high-frequency signal for the first substrate input from the relay substrate to the first substrate is formed on the second substrate,
The optical modulator according to claim 1, wherein the first and second substrates are arranged so as to be shifted in a length direction of the substrate.
前記第1及び前記第2の基板には、DC電極とRF電極とがそれぞれ形成され、
前記第1及び前記第2の基板で、基板の長さ方向における前記DC電極と前記RF電極との配置順が異なることを特徴とする光変調器。 The optical modulator according to claim 1,
A DC electrode and an RF electrode are respectively formed on the first and second substrates,
An optical modulator characterized in that the arrangement order of the DC electrode and the RF electrode in the length direction of the substrate differs between the first and second substrates.
前記第1及び第2の基板は、基板の厚さ方向にずらして配置されることを特徴とする光変調器。 In the optical modulator according to claim 1 or 2,
The optical modulator according to claim 1, wherein the first and second substrates are arranged so as to be shifted from each other in a thickness direction of the substrate.
前記第1及び第2の基板は、基板端部のエッジが除去されていることを特徴とする光変調器。 The optical modulator according to any one of claims 1 to 3,
An optical modulator according to claim 1, wherein said first and second substrates have an edge of a substrate edge removed.
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