JP6615119B2 - 廃棄物処理専用のサブマージプラズマトーチの出口ノズルの構成 - Google Patents
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Description
‐ 処理される溶液(以下、溶液S1と称する)をキャビティ内に注入するための第一注入デバイス;
‐ 第一注入デバイスに接して配置され且つ酸化剤ガスをキャビティ内に注入するための第二注入デバイス;
‐ キャビティ内に含まれるガスを冷却するための冷却デバイス;
そして、そのシステムは、第二注入デバイスと冷却デバイスとの間に配置され、処理される溶液とは異なる溶液(以下、溶液S3と称する)をキャビティ内に注入するための第三注入デバイスを備え、これら四つのデバイスは中空で、同軸上に整列していて、キャビティを画定する。
‐ 処理される液体を注入して、プラズマ火炎の可能な限り近くにその液体を運ぶための第一デバイス又はステージ。処理される液体、特に有機液体をプラズマの可能な限り近くに導入することは、その液体中に存在している化合物の揮発及び急速なプレ酸化を確実なものにする;
‐ 酸素の再富化を可能にする酸化剤ガスを注入するための第二デバイス又はステージ。これは、化学量論的条件を保証して、化合物の酸化及び処理ガスの燃焼を増強する:
‐ 処理される溶液以外の液体を注入するための第三デバイス又はステージ。ガスの良好な酸化にとって好ましく、つまりは放出基準にとって好ましい平衡シフトに必要な温度レベルにガスを急冷することを保証する;
‐ 反応の最後においてガスを冷却して、ガスが反応を完了させて、求められている化学平衡に達するのに十分な滞留時間を提供するための最終デバイス又はステージ。これは、反応器の溶液中のガスを急冷する前に燃焼を最適化することを可能にする。
‐ 上記注入及び冷却システムを備えるプラズマトーチ;
‐ 溶液S1の容器;
‐ 溶液S1の容器から注入及び冷却システムの第一注入デバイスに溶液S1を運ぶための第一手段;
‐ 酸化剤ガスの容器;
‐ 酸化剤ガスの容器から注入及び冷却システムの第二注入デバイスに酸化剤ガスを運ぶための第二手段;
‐ 溶液S3の容器;、及び
‐ 溶液S3の容器から注入及び冷却システムの第三注入デバイスに溶液S3を運ぶための第三手段。
(a)上記注入及び冷却システムを備えるプラズマトーチからプラズマを発生させるステップ;
(b)ステップ(a)で発生させたプラズマを上記溶液S2中に浸漬するステップ;
(c)注入及び冷却システムの第二注入デバイスを介してプラズマの近傍に酸化剤ガスを導入するステップ;
(d)注入及び冷却システムの第三注入デバイスを介してプラズマの近傍に上記溶液S3を導入するステップ;
(e)注入及び冷却システムの第一注入デバイスを介して浸漬されたプラズマ内に上記溶液S1を導入するステップ。
以下、「軸方向」及び「半径方向」との用語は、プラズマトーチ軸AA’に対するものとして定義される。
本発明による増強を策定するのに用いた実験的開発段階で、多様な増強ステップを明確に例示する。
[プラズマ火炎への未処理注入]
出口におけるCO組成:12%
出口におけるCO2組成:4%
[プラズマ火炎への注入及びこれに続くO2の再富化(40NL・min−1)]
出口におけるCO組成:9%
出口におけるCO2組成:6%
注:酸素の追加が優れた酸化を提供するが、ガスの部分的冷却もCO/CO2平衡の熱シフトを可能にする。
[プラズマ火炎への注入及びこれに続くO2の再富化(40NL・min−1)とノズルにおける冷却]
出口におけるCO組成:8%
出口におけるCO2組成:9%
COレベルが排出基準よりも依然としてかなり高く、出口ノズルによる冷却では十分でない。
[プラズマ火炎への注入及びこれに続くO2の再富化(40NL・min−1)と冷却水の追加(0.3L・min−1)とノズルにおける冷却]
出口におけるCO組成:0.2%
出口におけるCO2組成:8%
最後の試験が、適用された技術的増強の効果を実証している。
22 第二注入デバイス
28 第三注入デバイス
35 冷却デバイス
Claims (15)
- プラズマ及び燃焼ガスを含むためのキャビティを有するプラズマトーチに備え付けるための注入及び冷却システムであって、
処理される溶液S1を前記キャビティ内に注入するための第一注入デバイスと、
前記第一注入デバイスに接触して配置され且つ酸化剤ガスを前記キャビティ内に注入するための第二注入デバイスと、
前記キャビティ内に含まれるガスを冷却するための冷却デバイスと、を備え、
前記注入及び冷却システムが、前記第二注入デバイスと前記冷却デバイスとの間に配置され且つ前記処理される溶液とは異なる溶液S3を前記キャビティ内に注入するための第三注入デバイスを備え、前記第一注入デバイスと前記第二注入デバイスと前記冷却デバイスと前記第三注入デバイスが、中空であり、同軸上に整列していて、前記キャビティを画定していて、
前記注入及び冷却システムが、前記第一注入デバイスと、前記第二注入デバイスと、前記第三注入デバイスと、前記冷却デバイスとを順に積み重ねて備え、前記第一注入デバイスがアノードの近傍に配置されていることを特徴とする注入及び冷却システム。 - 前記第一注入デバイスが、前記キャビティに繋がり且つ該キャビティ内に前記溶液S1を運ぶための少なくとも一つの第一チャネルを備えることを特徴とする請求項1に記載の注入及び冷却システム。
- 前記第二注入デバイスが、前記キャビティに繋がり且つ該キャビティ内に前記酸化剤ガスを運ぶための少なくとも一つの第二チャネルを備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の注入及び冷却システム。
- 前記第三注入デバイスが、前記キャビティに繋がり且つ該キャビティ内に前記溶液S3を運ぶための少なくとも一つの第三チャネルを備えることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の注入及び冷却システム。
- 前記冷却デバイスが、水の内部循環によって冷却される少なくとも一つの筒部を備えることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の注入及び冷却システム。
- 請求項1から5のいずれか一項に記載の注入及び冷却システムを備えるプラズマトーチ。
- 溶液S1を処理するための処理設備であって、
請求項1から5のいずれか一項に記載の注入及び冷却システムを備えるプラズマトーチと、
溶液S1の容器と、
前記溶液S1の容器から前記注入及び冷却システムの第一注入デバイスに溶液S1を運ぶための第一手段と、
酸化剤ガスの容器と、
前記酸化剤ガスの容器から前記注入及び冷却システムの第二注入デバイスに酸化剤ガスを運ぶための第二手段と、
溶液S3の容器と、
前記溶液S3の容器から前記注入及び冷却システムの第三注入デバイスに溶液S3を運ぶための第三手段と、を備える処理設備。 - 前記溶液S3の容器が、処理される前記溶液S1とは異なる溶液S2を含む反応器であることを特徴とする請求項7に記載の処理設備。
- 前記溶液S1とは異なる溶液S2を含む反応器を有することを特徴とする請求項7に記載の処理設備。
- 紫外線放射システムを備えることを特徴とする請求項7から9のいずれか一項に記載の処理設備。
- (i’)前記プラズマトーチに電流又は所定の電位を印加するための手段と、(ii’)プラズマ形成ガスを前記プラズマトーチに供給するための手段と、(iii’)濃縮器と、(iv’)空気フィルタと、(v’)溶液S2を冷却するためデバイスと、(vi’)溶液S2を濾過するためのデバイスと、(vii’)溶液S2のpHを制御及び調整するための手段と、(viii’)溶液S2に酸又は塩基を加えるための手段とから成る群から選択された一つ以上の追加素子を備えることを特徴とする請求項8又は9に記載の処理設備。
- 前記(i’)前記プラズマトーチに電流又は所定の電位を印加するための手段が、前記プラズマトーチを形成する電極に電流又は所定の電位を印加するように構成されていることを特徴とする請求項11に記載の処理設備。
- 前記(ii’)プラズマ形成ガスを前記プラズマトーチに供給するための手段が、プラズマ形成ガス及び二次ガスを前記プラズマトーチに供給するように構成されていることを特徴とする請求項11又は12に記載の処理設備。
- 溶液S1を処理するための方法であって、前記溶液S1とは異なる溶液S2中に浸漬された請求項6に記載のプラズマトーチを用いて発生させたプラズマ内に前記溶液S1を注入するステップを備える方法。
- (a)請求項1から5のいずれか一項に記載の注入及び冷却システムを備えるプラズマトーチからプラズマを発生させるステップと、
(c)前記注入及び冷却システムの第二注入デバイスを介して前記プラズマの近傍に酸化剤ガスを導入するステップと、
(d)前記注入及び冷却システムの第三注入デバイスを介して前記プラズマの近傍に溶液S3を導入するステップと、
(e)前記注入及び冷却システムの第一注入デバイスを介して、浸漬された前記プラズマ内に溶液S1を導入するステップと、を備えることを特徴とする請求項14に記載の方法。
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