JP6585984B2 - Display glass substrate manufacturing method, display glass substrate manufacturing apparatus - Google Patents

Display glass substrate manufacturing method, display glass substrate manufacturing apparatus Download PDF

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Description

本発明は、薄板ガラスの主表面の一方を粗面化処理する表面処理工程を含むディスプレイ用ガラス基板の製造方法、およびその製造装置に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a glass substrate for a display including a surface treatment process for roughening one of the main surfaces of a thin glass plate, and a manufacturing apparatus therefor.

表示用パネルとして用いられる液晶ディスプレイパネル、プラズマディスプレイパネル、あるいは有機ELディスプレイパネル等を用いたフラットパネルディスプレイの製造では、より高精細な薄膜パターンが薄板ガラス基板上に形成される。   In the manufacture of a flat panel display using a liquid crystal display panel, a plasma display panel, an organic EL display panel or the like used as a display panel, a finer thin film pattern is formed on a thin glass substrate.

これらのフラットパネルディスプレイに使用されるディスプレイパネルの製造は、製造ラインにガラス基板を投入後、搬送、成膜、フォトリソグラフィ、エッチング、ドーピング、あるいは配線等の各処理工程を経て製造される。各処理工程では、様々な要因によって、ガラス基板を含んだパネルは帯電し易い環境に置かれる。例えば、ガラス基板を製造ラインに投入するとき、合紙を挟んで積層された複数のガラス基板の中から、合紙を剥離除去してガラス基板を1枚ずつ取り出す。このときガラス基板は合紙の除去に際して帯電し易い。また、成膜等のために半導体製造装置を用いる場合、ガラス基板を載置テーブルに載せて成膜を行う。このとき、ガラス基板には気流による帯電や接触帯電や剥離帯電が生じやすい。   The display panel used in these flat panel displays is manufactured through a processing process such as conveyance, film formation, photolithography, etching, doping, or wiring after putting a glass substrate into the production line. In each processing step, the panel including the glass substrate is placed in an environment in which it is easily charged due to various factors. For example, when putting a glass substrate into a production line, the interleaving paper is peeled and removed from a plurality of glass substrates stacked with the interleaving paper interposed therebetween, and the glass substrates are taken out one by one. At this time, the glass substrate is easily charged when the interleaf is removed. In addition, when a semiconductor manufacturing apparatus is used for film formation or the like, film formation is performed by placing a glass substrate on a mounting table. At this time, the glass substrate is likely to be charged by airflow, contact charging, or peeling charging.

このような帯電は種々の問題を引き起こす。例えば、ガラス基板上にTFT(Thin Film Transistor)及び配線パターンを形成するとき、帯電によって塵や埃などの異物がガラス基板や配線パターンに付着し、配線パターンの欠損や剥離が生じる、あるいは蓄積された電荷の放電によってTFTの破壊等が生じる、等がある。また、帯電によりガラス基板が載置テーブルに張り付き、載置テーブルからははがす時にガラス基板が割れる場合もある。よって、可能な限りガラス基板は帯電しないのが好ましい。   Such charging causes various problems. For example, when a TFT (Thin Film Transistor) and a wiring pattern are formed on a glass substrate, foreign matters such as dust and dust adhere to the glass substrate and the wiring pattern due to charging, and the wiring pattern is lost or peeled off or accumulated. In other words, the TFT is destroyed by the discharge of the charges. In addition, the glass substrate may stick to the mounting table due to electrification, and the glass substrate may break when it is peeled off from the mounting table. Therefore, it is preferable that the glass substrate is not charged as much as possible.

特に、フュージョン法やダウンドロー法でつくられる薄板ガラスの表面は、フロート法でつくられる薄板ガラスと比べ、表面が非常に滑らかであるため、帯電の問題が生じ易い。このため、フュージョン法やダウンドロー法で得られる薄板ガラス基板の主表面には帯電を防止する何らかの処理を施すことが好ましい。その一般的な方法として、薄板ガラス基板の主表面の一方を化学的な方法で粗面化することが挙げられ、適度な粗面化により薄板ガラス基板の帯電を防ぐことができる。そのほか、イオナイザを用いて、帯電したガラス基板の除電を行う方法が知られている(特許文献1)。感光層等が形成された処理基板をステージ上へ載置、密着、除去する工程で発生する処理基板への静電気の帯電量を減少させる露光装置も知られている(特許文献2)。   In particular, the surface of the thin glass produced by the fusion method or the downdraw method is much smoother than the thin glass produced by the float method, and therefore, charging problems are likely to occur. For this reason, it is preferable to perform some treatment for preventing charging on the main surface of the thin glass substrate obtained by the fusion method or the downdraw method. As a general method, one of the main surfaces of the thin glass substrate is roughened by a chemical method, and charging of the thin glass substrate can be prevented by appropriate roughening. In addition, a method is known in which a charged glass substrate is neutralized using an ionizer (Patent Document 1). There is also known an exposure apparatus that reduces the amount of electrostatic charge on a processing substrate generated in a process of placing, attaching, and removing a processing substrate on which a photosensitive layer or the like is formed on a stage (Patent Document 2).

特開2009−64950号公報JP 2009-64950 A 特開2007−322630号公報JP 2007-322630 A

フラットパネルディスプレイ用の薄板ガラス基板においては、主表面のうち、TFT及び配線パターンが形成されない側の主表面(以下、第1面という)を、帯電防止のため、化学的処理などで粗面化する。TFT及び配線パターンが形成される主表面(以下、第2面という)は処理されず、汚れや異物は除去されなければならない。   In a thin glass substrate for flat panel displays, the main surface of the main surface on which the TFT and wiring pattern are not formed (hereinafter referred to as the first surface) is roughened by chemical treatment or the like to prevent charging. To do. The main surface (hereinafter referred to as the second surface) on which the TFT and the wiring pattern are formed is not treated, and dirt and foreign matter must be removed.

スポンジなど連続気孔構造の多孔質材を用い、エッチング液を保持した多孔質材を外周部に有する粗面化ローラーで、薄板ガラスの第1面のみにエッチング液を塗布する表面処理法によれば、複数のガラス基板を連続的に粗面化することができる。   According to the surface treatment method using a porous material having a continuous pore structure such as a sponge, and applying an etching solution only to the first surface of the thin glass with a roughening roller having a porous material holding an etching solution on the outer peripheral portion. A plurality of glass substrates can be continuously roughened.

このような表面処理工程では、エッチング液を保持した粗面化ローラーにより、ガラス基板の第1面にエッチング液を塗布しながらガラス基板を搬送するが、エッチング液の塗布はかならずしも一定とならない。   In such a surface treatment step, the glass substrate is transported while applying the etching solution to the first surface of the glass substrate by the roughening roller holding the etching solution, but the coating of the etching solution is not always constant.

粗面化ローラーの多孔質材におけるエッチング液の保持量(吸液量)が少なすぎて、ガラス基板への塗布量が低下すると、ガラス基板の塗布ムラが生じる。他方、エッチング液の保持量(吸液量)が多すぎれば、ガラス基板の端面側において、汚れや異物が制約されるガラス基板の第2面上へのエッチング液の回り込みが生じる場合がある。連続処理下で、ガラス基板におけるエッチング液の塗布が大きく変動すると、粗面化による表面形状の品質を達成することができず、量産の効率はかえって低下してしまう。   If the amount of the etching solution retained (absorbed amount) in the porous material of the roughening roller is too small and the coating amount on the glass substrate decreases, uneven coating of the glass substrate occurs. On the other hand, if the amount of the etching solution retained (the amount of liquid absorption) is too large, the etching solution may wrap around the second surface of the glass substrate where dirt and foreign matter are restricted on the end surface side of the glass substrate. If the coating of the etching solution on the glass substrate varies greatly under continuous processing, the quality of the surface shape due to the roughening cannot be achieved, and the efficiency of mass production is reduced.

そこで、本発明は、連続気孔構造の多孔質材を外周部に有する粗面化ローラーを用いて、複数のガラス基板を連続的に粗面化する表面処理において、ガラス基板へのエッチング液の塗布量をほぼ一定に制御するとともに、異物や汚れが制約される第2面へのエッチング液の回り込みを抑制し、品質の高い薄板ガラスを連続処理で粗面化して量産することができる、表面処理方法とその処理装置を含む、ディスプレイ用ガラス基板の製造方法およびディスプレイ用ガラス基板製造装置を提供する。   Accordingly, the present invention provides an application of an etching solution to a glass substrate in a surface treatment in which a plurality of glass substrates are continuously roughened using a roughening roller having a porous material having a continuous pore structure at an outer peripheral portion. Surface treatment that can control the amount to be almost constant, suppress the wrapping of the etchant to the second surface where foreign matter and dirt are restricted, and can produce high-quality thin glass by roughening it in a continuous process for mass production. A method for manufacturing a glass substrate for display and a glass substrate manufacturing apparatus for display, including the method and its processing apparatus, are provided.

本発明の一態様は、ガラス基板の主表面のうち第1面を連続的に粗面化する表面処理工程を含むディスプレイ用ガラス基板の製造方法であって、
前記表面処理工程において、エッチング液を保持した多孔質材を外周部に有する複数の粗面化ローラーガラス基板を接触させ、支持させがら搬送し、ガラス基板に前記粗面化ローラーが接触することで前記粗面化ローラーとラス板との間に、前記多孔質材が保持するエッチング液の一部を供給してエッチング液の接液膜層を形成するようにガラス基板の第1面上にエッチング液を塗布し、
エッチング液の塗布により形成された前記接液膜層を予め定められる基準接液膜層と比較し、エッチング液の塗布により形成された前記接液膜層の前記粗面化ローラーの回転軸方向に沿った複数箇所の液幅の平均値前記基準接液膜層の液幅とほぼ同等となるように、エッチング液の塗布量を調整し、ガラス基板の主表面のうち第1面を粗面化する。
One aspect of the present invention is a method for producing a glass substrate for a display including a surface treatment step of continuously roughening the first surface of the main surface of the glass substrate,
In the surface treatment step, it is contacted with the glass substrate into a plurality of roughened roller having a porous material which holds the etchant to the outer peripheral portion, and conveyance husk is supported to contact the roughened roller to a glass substrate in the between the roughened roller and glass base plate, the first surface of the glass substrate such that the porous material is by supplying a part of the etchant to retain forming the wetted membrane layer etchant Apply the etchant on top,
The wetted film layer formed by applying the etchant is compared with a predetermined reference wetted film layer, and the wetted film layer of the wetted film formed by applying the etchant is in the direction of the rotation axis of the roughening roller. The coating amount of the etching solution is adjusted so that the average value of the liquid widths at a plurality of locations along the reference wetted film layer is approximately equal to the liquid width of the reference wetted film layer, and the first surface of the main surface of the glass substrate is roughened. Turn into.

前記複数の粗面化ローラーにおいて、各々の塗布量がほぼ同量となるように調整される、ことが好ましい。   In the plurality of roughening rollers, it is preferable that each coating amount is adjusted to be substantially the same amount.

前記塗布量の調整が、絞りローラーを用いて行われる、ことが好ましい。   It is preferable that the application amount is adjusted using a squeeze roller.

前記多孔質材が、気孔径10μm〜100μm及び気孔率80%以上の連続気孔構造である、ことが好ましい。   It is preferable that the porous material has a continuous pore structure having a pore diameter of 10 μm to 100 μm and a porosity of 80% or more.

前記表面処理工程後の前記第1面の算術平均粗さRaが0.40nm以上である、ことが好ましい。   The arithmetic average roughness Ra of the first surface after the surface treatment step is preferably 0.40 nm or more.

本発明の一態様は、ガラス基板の主表面のうち第1面を連続的に粗面化する表面処理装置を含むディスプレイ用ガラス基板製造装置であって、
前記表面処理装置は、エッチング液を保持した多孔質材を外周部に有する複数の粗面化ローラーにガラス基板を接触させ、支持させながら搬送し、ガラス基板に前記粗面化ローラーが接触することで前記粗面化ローラーとガラス基板との間に、前記多孔質材が保持するエッチング液の一部を供給してエッチング液の接液膜層を形成するようにガラス基板の第1面にエッチング液を塗布するエッチング装置と、
予め定められる基準接液膜層と比較できるように、エッチング液の塗布により形成された前記接液膜層の形態を映し出すモニタリング手段と、
前記基準接液膜層の液幅、エッチング液の塗布により形成された前記接液膜層の前記粗面化ローラーの回転軸方向に沿った複数箇所の液幅の平均値がほぼ同等となるように、エッチング液の塗布量を調整する調整手段と、を備える。
One aspect of the present invention is a glass substrate manufacturing apparatus for a display including a surface treatment apparatus that continuously roughens the first surface of the main surface of the glass substrate,
The surface treatment apparatus is such that a glass substrate is brought into contact with and supported by a plurality of roughening rollers having a porous material holding an etching solution at an outer peripheral portion, and the roughening roller is in contact with the glass substrate. Etching the first surface of the glass substrate so as to form a wetted film layer of the etching solution by supplying a part of the etching solution held by the porous material between the roughening roller and the glass substrate. An etching apparatus for applying a liquid;
Monitoring means for reflecting the form of the wetted film layer formed by application of an etching solution so that it can be compared with a predetermined reference wetted film layer;
The liquid width of the reference wetted film layer is approximately equal to the average value of the liquid widths at a plurality of locations along the rotation axis direction of the roughening roller of the wetted film layer formed by applying the etching liquid. And an adjusting means for adjusting the coating amount of the etching solution.

前記複数の粗面化ローラーにおいて、各々の塗布量がほぼ同量となるように調整される、ことが好ましい。   In the plurality of roughening rollers, it is preferable that each coating amount is adjusted to be substantially the same amount.

前記調整手段が、絞りローラーである、ことが好ましい。   It is preferable that the adjusting means is a squeeze roller.

前記多孔質材が、気孔径10μm〜100μm及び気孔率80%以上の連続気孔構造の多孔質材からなる、ことが好ましい。   It is preferable that the porous material is made of a porous material having a continuous pore structure having a pore diameter of 10 μm to 100 μm and a porosity of 80% or more.

本発明によれば、ガラス基板の主表面のうち第1面を連続的に粗面化する表面処理において、ガラス基板へのエッチング液の塗布量を一定に制御するとともに、汚れや異物が制約される第2面へのエッチング液の回り込みを抑制し、品質の高い高精細用の薄板ガラスを連続処理で粗面化して量産することができる。   According to the present invention, in the surface treatment for continuously roughening the first surface of the main surface of the glass substrate, the amount of the etchant applied to the glass substrate is controlled to be constant, and dirt and foreign matter are restricted. In this way, it is possible to suppress the wrapping of the etching solution to the second surface and to produce a high-quality high-definition thin glass plate that is roughened by continuous processing and mass-produced.

本実施形態のディスプレイ用ガラス基板の製造過程の一例の概要を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the outline | summary of an example of the manufacture process of the glass substrate for displays of this embodiment. 本実施形態の表面処理工程で用いるガラス基板表面処理装置の一例を説明する模式図である。It is a schematic diagram explaining an example of the glass substrate surface treatment apparatus used at the surface treatment process of this embodiment. エッチング接液膜層を説明する図である。It is a figure explaining an etching wetted film layer. 本実施形態のガラス基板表面処理装置の粗面化ローラの概略上面図である。It is a schematic top view of the roughening roller of the glass substrate surface treatment apparatus of this embodiment. 接触部材の高さ調整を説明する図である。It is a figure explaining the height adjustment of a contact member. 粗面化ローラの高さ調整を説明する図である。It is a figure explaining the height adjustment of a roughening roller. 基準接液膜層についてのイメージ図である。It is an image figure about a reference | standard wet contact film layer.

以下、本実施形態のガラス基板の製造方法及びガラス基板表面処理装置について説明する。図1は、ガラス基板100の製造過程の概要を示すフローチャートである。図1では、ガラス基板が、原料を熔融する状態から客先等に出荷される状態になるまでの工程の概略を示している。   Hereinafter, the manufacturing method and glass substrate surface treatment apparatus of the glass substrate of this embodiment are demonstrated. FIG. 1 is a flowchart showing an outline of the manufacturing process of the glass substrate 100. In FIG. 1, the outline of a process until a glass substrate will be in the state shipped from the state which melts a raw material to a customer etc. is shown.

(1)ガラス基板の製造方法
以下、本発明のガラス基板の製造装置およびガラス基板の製造方法について説明する。
本実施形態において製造されるガラス基板は、特に制限されないが、例えば縦寸法及び横寸法のそれぞれが、500mm〜3500mm、1500mm〜3500mm、1800〜3500mm、2000mm〜3500mmなどが挙げられ、2000mm〜3500mmであることが好ましい。
ガラス基板の厚さは、例えば、0.1〜1.1(mm)が挙げられ、より好ましくは0.75mm以下の極めて薄い矩形形状の板で、例えば、0.55mm以下、さらには0.45mm以下の厚さがより好ましい。ガラス基板の厚さの下限値としては、0.15mm以上が好ましく、0.25mm以上がより好ましい。
(1) Manufacturing method of glass substrate Hereinafter, the manufacturing apparatus of the glass substrate of this invention and the manufacturing method of a glass substrate are demonstrated.
Although the glass substrate manufactured in this embodiment is not particularly limited, for example, the vertical dimension and the horizontal dimension are 500 mm to 3500 mm, 1500 mm to 3500 mm, 1800 to 3500 mm, 2000 mm to 3500 mm, etc., and 2000 mm to 3500 mm. Preferably there is.
As for the thickness of a glass substrate, 0.1-1.1 (mm) is mentioned, for example, More preferably, it is a very thin rectangular-shaped board of 0.75 mm or less, for example, 0.55 mm or less, Furthermore, 0.00. A thickness of 45 mm or less is more preferable. As a lower limit of the thickness of a glass substrate, 0.15 mm or more is preferable and 0.25 mm or more is more preferable.

まず、熔融されたガラスが、例えばフュージョン法あるいはフロート法等の公知の方法により、所定の厚さの帯状ガラスであるシートガラスが成形される(ステップS1)。
次に、成形されたシートガラスが所定の長さの素板であるガラス基板に採板される(ステップS2)。ステップ2の後、採板により得られたガラス基板は、搬送機構により、ピンチング保持されつつ、熱処理工程に誘導され搬送され、次に、この搬送されたガラス基板に対し熱処理ステップを行ってもよい。
First, the melted glass is formed into a sheet glass, which is a strip glass having a predetermined thickness, by a known method such as a fusion method or a float method (step S1).
Next, the formed sheet glass is sampled on a glass substrate which is a base plate having a predetermined length (step S2). After step 2, the glass substrate obtained by the sampling plate is guided and transported to the heat treatment step while being pinched and held by the transport mechanism, and then the heat treatment step may be performed on the transported glass substrate. .

熱処理後のガラス基板は切断工程に搬送され、製品のサイズに切断され、ガラス基板が得られる(ステップS3)。得られたガラス基板には、端面の研削、研磨およびコーナカットを含む端面加工が行われる(ステップS4)。端面加工後のガラス基板のガラス表面の微細な異物や汚れを取り除くために、ガラス基板を洗浄する第1洗浄(ステップS5)。   The glass substrate after the heat treatment is conveyed to a cutting process, and is cut into a product size to obtain a glass substrate (step S3). The obtained glass substrate is subjected to end face processing including end face grinding, polishing, and corner cutting (step S4). First cleaning for cleaning the glass substrate in order to remove fine foreign matters and dirt on the glass surface of the glass substrate after the end face processing (step S5).

本実施形態の表面化処理S6(粗面化工程Pr1及びすすぎ工程Pr2)は、端面加工直後の洗浄工程S5の後に行う。本実施形態の表面処理工程の詳細は後述する。   The surface treatment S6 (roughening step Pr1 and rinsing step Pr2) of this embodiment is performed after the cleaning step S5 immediately after the end face processing. Details of the surface treatment process of this embodiment will be described later.

表面処理工程S7の後に、第2洗浄後S8を行い、この後、洗浄されたガラス基板はキズ、塵、汚れあるいは光学欠陥を含む傷が無いか、光学的検査が行われる(ステップS8)。検査により品質の適合したガラス基板は、ガラス基板を保護する紙と交互に積層された積層体としてパレットに積載されて梱包される(ステップS9)。梱包されたガラス基板は納入先業者に出荷される。   After the surface treatment step S7, the second post-cleaning S8 is performed, and thereafter the cleaned glass substrate is optically inspected for scratches, dust, dirt, or scratches including optical defects (step S8). The glass substrate having the quality matched by the inspection is loaded on the pallet and packed as a laminated body alternately laminated with paper protecting the glass substrate (step S9). The packed glass substrate is shipped to a supplier.

このようなガラス基板として、以下のガラス組成のガラス基板が例示される。つまり、以下のガラス組成のガラス基板が製造されるように、熔融ガラスの原料が調合される。
SiO2 55〜80モル%、
Al23 8〜20モル%、
23 0〜12モル%、
RO 0〜17モル%(ROはMgO、CaO、SrO及びBaOの合量)。
As such a glass substrate, the glass substrate of the following glass compositions is illustrated. That is, the raw material of molten glass is prepared so that the glass substrate of the following glass compositions is manufactured.
SiO 2 55~80 mol%,
Al 2 O 3 8-20 mol%,
B 2 O 3 0 to 12 mol%,
RO 0 to 17 mol% (RO is the total amount of MgO, CaO, SrO and BaO).

SiO2は60〜75モル%、さらには、63〜72モル%であることが、熱収縮率を小さくするという観点から好ましい。
ROのうち、MgOが0〜10モル%、CaOが0〜15モル%、SrOが0〜10%、BaOが0〜10%であることが好ましい。
SiO 2 is preferably 60 to 75 mol%, and more preferably 63 to 72 mol%, from the viewpoint of reducing the heat shrinkage rate.
Among RO, it is preferable that MgO is 0-10 mol%, CaO is 0-15 mol%, SrO is 0-10%, and BaO is 0-10%.

また、SiO2、Al23、B23、及びROを少なくとも含み、モル比((2×SiO2)+Al23)/((2×B23)+RO)は4.5以上であるガラスであってもよい。また、MgO、CaO、SrO、及びBaOの少なくともいずれか含み、モル比(BaO+SrO)/ROは0.1以上であることが好ましい。 Further, at least SiO 2 , Al 2 O 3 , B 2 O 3 , and RO are included, and the molar ratio ((2 × SiO 2 ) + Al 2 O 3 ) / ((2 × B 2 O 3 ) + RO) is 4. The glass which is 5 or more may be sufficient. In addition, it is preferable that at least one of MgO, CaO, SrO, and BaO is included, and the molar ratio (BaO + SrO) / RO is 0.1 or more.

また、モル%表示のB23の含有率の2倍とモル%表示のROの含有率の合計は、30モル%以下、好ましくは10〜30モル%であることが好ましい。
また、上記ガラス組成のガラス基板におけるアルカリ金属酸化物の含有率は、0モル%以上0.4モル%以下であってもよい。
また、ガラス中で価数変動する金属の酸化物(酸化スズ、酸化鉄)を合計で0.05〜1.5モル%含み、As、Sb及びPbOを実質的に含まないということは必須ではなく任意である。
The total content of 2-fold and mol% of RO for the content of mol% of B 2 O 3 is 30 mol% or less, it is preferred that preferably 10 to 30 mol%.
Moreover, 0 mol% or more and 0.4 mol% or less may be sufficient as the content rate of the alkali metal oxide in the glass substrate of the said glass composition.
Further, it contains 0.05 to 1.5 mol% of metal oxides (tin oxide and iron oxide) whose valence fluctuates in the glass, and substantially contains As 2 O 3 , Sb 2 O 3 and PbO. It is not essential but optional.

本実施形態で製造されるガラス基板は、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板、またはカーブドパネルディスプレイ用ガラス基板で、例えば、液晶ディスプレイ用ガラス基板あるいは、有機ELディスプレイ用のガラス基板として好適である。さらに、本実施形態で製造されるガラス基板は、高精細ディスプレイに用いるLTPS(Low−temperature poly silicon)・IGZO(Indium−Gallium−Zinc−Oxide)・TFTディスプレイ用ガラス基板として特に好適である。   The glass substrate manufactured by this embodiment is a glass substrate for flat panel displays, or a glass substrate for curved panel displays, and is suitable, for example, as a glass substrate for liquid crystal displays or a glass substrate for organic EL displays. Furthermore, the glass substrate manufactured in the present embodiment is particularly suitable as a glass substrate for LTPS (Low-temperature polysilicon), IGZO (Indium-Gallium-Zinc-Oxide), TFT display used for high-definition displays.

本実施形態における熔融ガラスからシートガラスを成形する方法として、フロート法やフュージョン法等が用いられるが、本実施形態のガラス基板のオフラインにおける熱処理を含むガラス基板の製造方法は、フュージョン法(オーバーダウンドロー法)において製造ライン上の徐冷装置を長くすることが困難である点から、フュージョン法に適している。本実施形態のガラス基板の熱収縮率は、50ppm以下であり、好ましくは40ppm以下、より好ましくは30ppm以下、更により好ましくは20ppm以下である。熱収縮率を低減する前のガラス基板の熱収縮率の範囲としては、10ppm〜40ppmが好ましい。   As a method for forming sheet glass from molten glass in this embodiment, a float method, a fusion method, or the like is used. However, a method for manufacturing a glass substrate including offline heat treatment of the glass substrate in this embodiment is a fusion method (overdown). The draw method is suitable for the fusion method because it is difficult to lengthen the slow cooling device on the production line. The thermal shrinkage rate of the glass substrate of this embodiment is 50 ppm or less, preferably 40 ppm or less, more preferably 30 ppm or less, and even more preferably 20 ppm or less. The range of the heat shrinkage rate of the glass substrate before reducing the heat shrinkage rate is preferably 10 ppm to 40 ppm.

(2)表面処理工程S6
(2−1)表面処理方法および表面処理装置
本実施形態の表面処理工程について詳細に説明する。本実施形態の表面処理工程は、ガラス基板の主表面のうち一方の面(第1面)をエッチング液で表面処理する粗面化工程(Pr1)と、粗面化された第1面のエッチング液を洗浄水で洗浄した後にもう一度再洗浄するとともに、粗面化を施していない第2面を純水で洗浄する、すすぎ工程(Pr2)とを含む。表面化処理S5の詳細は後述する。
(2) Surface treatment step S6
(2-1) Surface treatment method and surface treatment apparatus The surface treatment process of this embodiment will be described in detail. The surface treatment process of this embodiment includes a roughening process (Pr1) in which one surface (first surface) of the main surface of the glass substrate is surface-treated with an etching solution, and etching of the roughened first surface. A rinsing step (Pr2) is also included in which the liquid is washed again with washing water and then washed again, and the second surface that has not been roughened is washed with pure water. Details of the surface treatment S5 will be described later.

表面処理工程S7では、ガラス基板の主表面の一方の面のみが粗面化処理される。粗面化処理の対象となる主表面はTFT及び配線パターンを形成する形成面と反対側の主表面であり、もう一方の主表面に表面処理(粗面化)は行わない。   In the surface treatment step S7, only one surface of the main surface of the glass substrate is roughened. The main surface to be roughened is the main surface opposite to the surface on which the TFT and wiring pattern are formed, and no surface treatment (roughening) is performed on the other main surface.

粗面化処理をすることで、次に挙げる様な帯電による種々の問題を防ぐことができる。例えば、ガラス基板上にTFT(Thin Film Transistor)及び配線パターンを形成するとき、帯電によって塵や埃などの異物がガラス基板や配線パターンに付着し、配線パターンの欠損や剥離が生じる、あるいは蓄積された電荷の放電によってTFTの破壊等が生じる、等の問題がある。また、帯電によりガラス基板が載置テーブルに張り付き、載置テーブルからははがす時にガラス基板が割れる場合もある。これら帯電により引き起こされる問題を防ぐには、可能な限り、ガラス基板の主表面の一方の面について帯電を防ぐための粗面化されているのが好ましく、特に、フュージョン法やオーバーフローダウンドロー法で成形されたガラスシートについては、粗面化処理を行うのが好ましい。   By performing the roughening treatment, various problems due to charging as described below can be prevented. For example, when a TFT (Thin Film Transistor) and a wiring pattern are formed on a glass substrate, foreign matters such as dust and dust adhere to the glass substrate and the wiring pattern due to charging, and the wiring pattern is lost or peeled off or accumulated. There is a problem that the TFT is destroyed due to the discharge of the electric charge. In addition, the glass substrate may stick to the mounting table due to electrification, and the glass substrate may break when it is peeled off from the mounting table. In order to prevent these problems caused by charging, it is preferable that one side of the main surface of the glass substrate is roughened to prevent charging as much as possible, especially in the fusion method and the overflow downdraw method. The molded glass sheet is preferably subjected to a roughening treatment.

図2は、表面処理工程S7を行うガラス基板表面処理装置1の一例を説明する模式図である。本実施形態(図2)の装置では、ガラス基板を水平状態で粗面化ローラーの上を搬送させて粗面化する方式を採用する。   FIG. 2 is a schematic diagram illustrating an example of the glass substrate surface treatment apparatus 1 that performs the surface treatment step S7. In the apparatus of the present embodiment (FIG. 2), a method is adopted in which the glass substrate is transported on a roughening roller in a horizontal state to be roughened.

図3は、ガラス基板表面処理装置1で用いる粗面化ローラーの概略上面図である。図4は、粗面化ローラーによるガラス基板の粗面化を説明する図である。   FIG. 3 is a schematic top view of the roughening roller used in the glass substrate surface treatment apparatus 1. FIG. 4 is a diagram for explaining the roughening of the glass substrate by the roughening roller.

図2を参照しながら、本実施形態の表面処理工程を説明するが、ガラス基板表面処理装置1(図2〜図4)は一例であって、表面処理工程S6は、ガラス基板表面処理装置1以外の構成の装置を用いて行うことができる。
ガラス基板表面処理装置1は、ガラス基板を搬送方向(具体的には、図2〜図4の矢印A1に示す方向)に搬送させながら一方の主表面を粗面化する。ここでは、ガラス基板表面処理装置1は、ガラス基板100の一方の主表面である第1面100a(図2を参照)を粗面化することによって、第1面100aを所定の表面粗さにしている。ここで、第1面100aとは、表示装置の製造過程において、薄膜であるTFT素子や配線パターンが形成されない面である。
The surface treatment process of the present embodiment will be described with reference to FIG. 2, but the glass substrate surface treatment apparatus 1 (FIGS. 2 to 4) is an example, and the surface treatment process S <b> 6 is the glass substrate surface treatment apparatus 1. It can carry out using the apparatus of composition other than.
The glass substrate surface treatment apparatus 1 roughens one main surface while transporting the glass substrate in the transport direction (specifically, the direction shown by the arrow A1 in FIGS. 2 to 4). Here, the glass substrate surface treatment apparatus 1 makes the first surface 100a a predetermined surface roughness by roughening the first surface 100a (see FIG. 2) which is one main surface of the glass substrate 100. ing. Here, the first surface 100a is a surface on which TFT elements and wiring patterns which are thin films are not formed in the manufacturing process of the display device.

<粗面化工程Pr1の装置構成>
ガラス基板表面処理装置1は、図2〜図4に示すように、主として、表面処理する粗面化工程(Pr1)では、エッチング液を保持した多孔質材を周表面を含む外周部に有する粗面化ローラーとガラス基板との間に、エッチング液の接液膜層を形成するようにガラス基板の第1面にエッチング液を塗布するエッチング装置と、
予め定められる基準接液膜層と比較できるように、前記接液膜層の形態を映し出すモニタリング手段と、
前記基準接液膜層と前記接液膜層との形態がほぼ同等となるように、エッチング液の塗布量を調整する調整手段と、を備える。
さらに、前記調整手段が、絞りローラーである、ことが好ましい。
さらに、前記多孔質材が、気孔径10μm〜100μm及び気孔率80%以上の連続気孔構造である、ことが好ましい。
<Apparatus configuration of roughening process Pr1>
As shown in FIGS. 2 to 4, the glass substrate surface treatment apparatus 1 is mainly a roughening step (Pr1) in which a surface treatment is performed, and a rough material having a porous material holding an etchant on an outer peripheral portion including a peripheral surface. An etching apparatus for applying an etching solution to the first surface of the glass substrate so as to form a wetted film layer of the etching solution between the surface roller and the glass substrate;
Monitoring means for displaying the form of the wetted film layer so that it can be compared with a predetermined wetted film layer;
Adjusting means for adjusting the coating amount of the etching solution so that the reference wetted film layer and the wetted film layer have substantially the same form.
Furthermore, it is preferable that the adjusting means is a squeeze roller.
Furthermore, it is preferable that the porous material has a continuous pore structure having a pore diameter of 10 μm to 100 μm and a porosity of 80% or more.

また、粗面化工程(Pr1)は、ハウジング2に囲まれており、ハウジング内の空間の温度管理を行う温度制御手段をさらに備えてもよい。粗面化工程では、エッチング槽11のエッチング液が気化し、ハウジング内の空気中に滞留するので、適宜、ハウジング内の空気は換気され、排出されたハウジング内の空気中に含まれるエッチング液由来の化学物質を回収する回収機構を備えるのが好ましい。   Further, the roughening step (Pr1) may be further provided with a temperature control means that is surrounded by the housing 2 and that manages the temperature of the space in the housing. In the roughening step, the etching solution in the etching tank 11 is vaporized and stays in the air in the housing. Therefore, the air in the housing is appropriately ventilated and is derived from the etching solution contained in the discharged air in the housing. It is preferable to provide a recovery mechanism for recovering the chemical substances.

A.実施形態1.エッチング液の塗布量を一定にする装置を含む表面処理装置
本実施形態の表示装置は、エッチング液を保持した多孔質材を周表面を含む外周部に有する粗面化ローラーとガラス基板との間に、エッチング液の接液膜層を形成するようにガラス基板の第1面にエッチング液を塗布するエッチング装置と、
エッチング液を塗布しないガラス基板の面方向から透けて見える、前記接液膜層の大きさが、予め定められる基準接液膜層と比較し、ほぼ一定となることを監視するモニタリング手段とを、少なくとも、備える。
さらに、前記エッチング装置は、前記モニタリング手段で監視される結果に基づいて、粗面化ローラーの塗布量を調整する絞りローラーを備える、のが好ましい。
さらに、前記エッチング装置において、前記粗面化ローラー及び前記絞りローラーは複数備えられ、前記モニタリング手段で測定される結果に基づいて、粗面化ローラー各々の塗布量がほぼ同量となるように、各々の絞りローラーを調整する制御機構を、さらに、備えるのが好ましい。
前記粗面化ローラーは、気孔径10μm〜100μm及び気孔率80%以上の連続気孔構造の多孔質材である、のが好ましい。
A. Embodiment 1. FIG. Surface treatment device including a device for making the coating amount of the etching solution constant The display device of the present embodiment is provided between a roughening roller and a glass substrate having a porous material holding an etching solution in an outer peripheral portion including a peripheral surface. And an etching apparatus for applying an etching solution to the first surface of the glass substrate so as to form a wetted film layer of the etching solution;
Monitoring means for monitoring that the size of the liquid contact film layer seen through from the surface direction of the glass substrate not coated with the etchant is substantially constant compared to a predetermined reference liquid contact film layer; At least.
Furthermore, it is preferable that the etching apparatus includes a squeezing roller that adjusts the coating amount of the roughening roller based on the result monitored by the monitoring unit.
Further, in the etching apparatus, a plurality of the roughening roller and the squeezing roller are provided, and based on the result measured by the monitoring means, the coating amount of each of the roughening rollers is substantially the same amount, It is preferable to further include a control mechanism for adjusting each squeezing roller.
The roughening roller is preferably a porous material having a continuous pore structure having a pore diameter of 10 μm to 100 μm and a porosity of 80% or more.

本実施形態の表示装置1(図2)におけるエッチング装置について説明する。   An etching apparatus in the display device 1 (FIG. 2) of the present embodiment will be described.

粗面化工程(Pr1)は、エッチング液を調整し貯留するエッチング液タンク16を、さらに設けてもよい。エッチング液タンク16により、エッチング槽11にエッチング液を供給し循環させる。さらに、粗面化処理におけるエッチングレートを維持する様に、エッチング液タンク16にフッ酸を補充しながらエッチング液を調整して、調整されたエッチング液をエッチング槽11に循環させて使用することができる。エッチング槽11とエッチング液タンクとの間は、エッチング液MSが循環できるように配管15a及び15bが設けられる。   In the roughening step (Pr1), an etchant tank 16 for adjusting and storing the etchant may be further provided. The etching solution is supplied to the etching tank 11 and circulated by the etching solution tank 16. Further, it is possible to adjust the etching solution while replenishing the etching solution tank 16 with hydrofluoric acid so as to maintain the etching rate in the roughening treatment, and circulate the adjusted etching solution to the etching tank 11 for use. it can. Between the etching tank 11 and the etchant tank, pipes 15a and 15b are provided so that the etchant MS can be circulated.

エッチング液タンク16には、エッチング液を調整するための(エッチング液の酸成分)を供給する複数のタンクがさらに連結されている。例えば、フッ酸を供給するフッ酸タンクと、リン酸を供給するリン酸タンクとがエッチング液タンク16に連結され、これらのタンクからエッチング液の構成材料(酸成分)が供給されて、エッチング液タンク16にてエッチング液が調整される。エッチング成分を供給する複数のタンクの設置は、構成材料の種類に応じ決定する。例えば、エッチング液がさらに塩酸を含む場合には、エッチング液タンク16に塩酸タンクがさらに連結される。   The etching solution tank 16 is further connected to a plurality of tanks that supply (acid component of the etching solution) for adjusting the etching solution. For example, a hydrofluoric acid tank that supplies hydrofluoric acid and a phosphoric acid tank that supplies phosphoric acid are connected to the etchant tank 16, and a constituent material (acid component) of the etchant is supplied from these tanks to provide an etchant. The etching solution is adjusted in the tank 16. The installation of a plurality of tanks for supplying etching components is determined according to the type of constituent material. For example, when the etching solution further contains hydrochloric acid, a hydrochloric acid tank is further connected to the etching solution tank 16.

エッチング槽11は、ガラス基板100の表面を処理するための処理流体としてのエッチング液MSを貯留する。本実施形態では、エッチング液MSとしてフッ酸とリン酸を必須に含むもの、あるいは、エッチング液MSがフッ酸及びリン酸にさらに塩酸を含むもの、が使用される(この詳細について、後述する)。エッチング液MSによるエッチングにより、ガラス基板100の第1面100aは、所望の表面粗さ、例えば所望の算術平均粗さRaを有する形状を得ることができる。算術平均粗さRaは、0.3nm以上とすることが好ましく、より好ましくは、算術平均粗さRaは、0.45nm以上である。算術平均粗さRaの上限値は、ガラス基板の帯電を防止する程度の粗さという点から、0.6nm以下とすることが好ましく、より好ましくは、0.5nm以下である。   The etching tank 11 stores an etching solution MS as a processing fluid for processing the surface of the glass substrate 100. In the present embodiment, an etching solution MS that essentially contains hydrofluoric acid and phosphoric acid or an etching solution MS that contains hydrochloric acid in addition to hydrofluoric acid and phosphoric acid is used (the details will be described later). . By etching with the etching liquid MS, the first surface 100a of the glass substrate 100 can obtain a shape having a desired surface roughness, for example, a desired arithmetic average roughness Ra. The arithmetic average roughness Ra is preferably 0.3 nm or more, and more preferably, the arithmetic average roughness Ra is 0.45 nm or more. The upper limit value of the arithmetic average roughness Ra is preferably 0.6 nm or less, and more preferably 0.5 nm or less, from the viewpoint of roughness that prevents the glass substrate from being charged.

エッチング槽11は、上部が開口された略直方体形状の容器である。エッチング槽11には、エッチング液MSが略容器いっぱいになるように貯留されている。エッチング槽11は、ガラス基板100の搬送方向に沿って、所定の間隔をもって配置される。図2の形態では、3つ配置されている。本実施形態の図2では、エッチング槽11は3つ配置されているが、配置数は、1つでも2つでもよく、4つ以上であってもよい。配置数は、生産数、エッチング液及びエッチングレート、搬送速度、等を踏まえ、適宜設定される。   The etching tank 11 is a substantially rectangular parallelepiped container having an open top. In the etching tank 11, an etching solution MS is stored so as to be almost full of the container. The etching tank 11 is arranged at a predetermined interval along the conveyance direction of the glass substrate 100. In the form of FIG. 2, three are arranged. In FIG. 2 of the present embodiment, three etching tanks 11 are arranged, but the number of arrangements may be one, two, or four or more. The number of arrangements is appropriately set based on the number of production, the etching solution and etching rate, the conveyance speed, and the like.

各エッチング槽11では、1つのエッチングローラ12がエッチング液MSに浸漬して配置されている。エッチング液タンク16は、各エッチング槽11が、配管15a及び15bによりエッチング液タンク16に連通される。エッチング液タンク16のエッチング液は、エッチャントMSの必須成分であるフッ酸(HF)及びリン酸(HPO4)、任意の塩酸(HCl)を供給する、フッ酸タンク11b、リン酸タンク11c、及び塩酸タンク11dと流量調整バルブ11e,11f,11gを介して接続される。 In each etching tank 11, one etching roller 12 is disposed so as to be immersed in the etching solution MS. In the etching solution tank 16, each etching tank 11 is communicated with the etching solution tank 16 by pipes 15a and 15b. The etchant in the etchant tank 16 supplies hydrofluoric acid (HF) and phosphoric acid (H 3 PO 4) , which are essential components of the etchant MS, and optional hydrochloric acid (HCl). The hydrofluoric acid tank 11 b and the phosphoric acid tank 11 c , And a hydrochloric acid tank 11d through flow rate adjusting valves 11e, 11f, and 11g.

粗面化ローラ12はエッチング液MSを吸収し(保持し)、図示しない駆動モータによって駆動回転される回転体として機能する。粗面化ローラ12が駆動モータによって回転することで、粗面化ローラ12に接触するガラス基板100は、複数の粗面化ローラ12が配置されている方向(すなわち、搬送方向)に搬送される。すなわち、粗面化ローラ12は、ガラス基板100を搬送する機能も有する。粗面化ローラ12は、ガラス基板100の搬送方向に沿って、所定の間隔をもって複数配置される。複数の粗面化ローラ12は、全て同方向に回転する。   The roughening roller 12 absorbs (holds) the etching liquid MS and functions as a rotating body that is driven and rotated by a drive motor (not shown). When the roughening roller 12 is rotated by the drive motor, the glass substrate 100 in contact with the roughening roller 12 is transported in the direction in which the plurality of roughening rollers 12 are arranged (that is, the transport direction). . That is, the roughening roller 12 also has a function of conveying the glass substrate 100. A plurality of the roughening rollers 12 are arranged at a predetermined interval along the conveyance direction of the glass substrate 100. The plurality of roughening rollers 12 all rotate in the same direction.

粗面化ローラ12は、1つのエッチング槽11に貯留されているエッチング液MSに、一部(具体的には、下部)が浸漬した状態で固定されている。粗面化ローラ12のエッチング液MSに浸漬している部分の垂直方向の長さは、適宜設定される。   The roughening roller 12 is fixed in a state in which a part (specifically, the lower part) is immersed in the etching solution MS stored in one etching tank 11. The vertical length of the portion of the roughening roller 12 immersed in the etching solution MS is set as appropriate.

粗面化ローラ12は、芯部材12aと、芯部材12aを覆うローラ部材12bとを有する。芯部材12aは、SUS等からなる軸芯と、塩化ビニル系の素材からなる円柱状の部材とからなる。芯部材12aは、カーボンシャフトでもよい。芯部材12aは、その直径は適宜設定される。芯部材12aは、粗面化ローラ12の回転軸である。   The roughening roller 12 includes a core member 12a and a roller member 12b that covers the core member 12a. The core member 12a includes a shaft core made of SUS or the like and a columnar member made of a vinyl chloride material. The core member 12a may be a carbon shaft. The diameter of the core member 12a is appropriately set. The core member 12 a is a rotating shaft of the roughening roller 12.

ローラ部材12bは、外径が芯部材12aよりも大きく中心部が開口された円筒状の部材である。ローラ部材12bは、液体を吸収しやすい発泡樹脂、すなわちスポンジから構成される。ローラ部材12bのスポンジは、PO、PVAおよびPU等からなる。ローラ部材12bは、その内面が芯部材12aの外面に当接する。   The roller member 12b is a cylindrical member having an outer diameter larger than that of the core member 12a and having an open center. The roller member 12b is made of a foamed resin that easily absorbs liquid, that is, a sponge. The sponge of the roller member 12b is made of PO, PVA, PU, or the like. The inner surface of the roller member 12b is in contact with the outer surface of the core member 12a.

ここでは、エッチングローラ12(ローラ部材12b)は、エッチング液MSに浸漬することによってエッチング液MSを吸収する。そして、エッチング液MSを吸収して保持するエッチングローラ12(ローラ部材12b)に接触するガラス基板100の第1面100aに、ローラ部材12bが吸収したエッチング液MSの一部が供給され付着する。これにより、ガラス基板100と粗面化ローラ12との間に、エッチング液の接液膜層が形成される。   Here, the etching roller 12 (roller member 12b) absorbs the etching solution MS by being immersed in the etching solution MS. Then, a part of the etching solution MS absorbed by the roller member 12b is supplied and attached to the first surface 100a of the glass substrate 100 that contacts the etching roller 12 (roller member 12b) that absorbs and holds the etching solution MS. As a result, a wetted film layer of the etching liquid is formed between the glass substrate 100 and the roughening roller 12.

ガラス基板100と粗面化ローラ12との間に形成される接液膜層は、ガラス基板の110b側(エッチング液が付着されない側)の面方向から透けて見え、接液膜層の大きさを観測することができる。第1面100aに付着したエッチング液の接液膜層SLの輪郭は、第2面100bの側においてガラス基板100越しに明りょうに特定することができる。   The wetted film layer formed between the glass substrate 100 and the roughening roller 12 can be seen through from the surface direction of the glass substrate on the 110b side (the side to which no etching solution is attached), and the size of the wetted film layer. Can be observed. The contour of the wetted film layer SL of the etching solution adhering to the first surface 100a can be clearly specified through the glass substrate 100 on the second surface 100b side.

モニタリング装置21(図5を参照)は、エッチング液の接液膜層SLの形態を観測する装置である。エッチング液の接液膜層SLの形態は、例えば、ガラス基板100の第1面100aに付着したエッチング液の接液膜層SLのガラス基板100の搬送方向に沿ったエッチング液の接液膜層SLの長さ(搬送方向の液幅、面積、搬送方向に対し直角方向の長さ)等であり、モニタリング装置21は、これらの形態を映し出してモニタリングする手段であり、さらに計測機能を加えて、形態を観測しながら測定する様に設けてもよい。モニタリング装置21は、必要に応じ、接液膜層SLの画像を記憶させる記憶手段を備えてもよい。   The monitoring device 21 (see FIG. 5) is a device that observes the form of the wetted film layer SL of the etching solution. The form of the wetted film layer SL of the etchant is, for example, the wetted film layer of the etchant along the transport direction of the glass substrate 100 of the wetted film layer SL of the etchant adhered to the first surface 100a of the glass substrate 100. The length of the SL (liquid width in the transport direction, area, length in the direction perpendicular to the transport direction), etc., and the monitoring device 21 is a means for monitoring by displaying these forms, and further adding a measurement function It may be provided to measure while observing the form. The monitoring device 21 may include storage means for storing an image of the liquid contact film layer SL as necessary.

モニタリング装置21の設置場所は、モニタリングの画像を表面処理装置外へ出力できるように設置されればよく、設置の場所は特に制限されない。Pr1工程のいずれか適切な所に設置される。モニタリング装置21のカメラ部位が、複数の粗面化ローラ12のうち、搬送方向の中央に位置する粗面化ローラ12の上方に配置されており、エッチング液の接液膜層SLの形態を、ガラス基板100の第2面100bの側から撮影する。なお、このようなモニタリング装置21を特に設けない場合、ハウジング2に備えられる窓枠から、目視でエッチング液の接液膜層SLの形態を観察し、モニタリングしてもよい。   The installation location of the monitoring device 21 is not particularly limited as long as it is installed so that a monitoring image can be output to the outside of the surface treatment device. It is installed at any appropriate place in the Pr1 process. The camera part of the monitoring device 21 is disposed above the roughening roller 12 located in the center of the conveying direction among the plurality of roughening rollers 12, and the form of the wetted film layer SL of the etching solution is An image is taken from the second surface 100b side of the glass substrate 100. When such a monitoring device 21 is not particularly provided, the form of the wetted film layer SL of the etching solution may be visually observed from the window frame provided in the housing 2 and monitored.

このようにしてモニタリングにより得られる接液膜層SLの形態の観測に基づいて、連続処理の過程において、接液膜層SLの大きさが一定になる様に、絞りローラーなどエッチング液の塗布をコントロールする調整手段を用いて、ガラス基板100aに塗布するエッチング液の塗布量を調整することができる。これにより、塗布量を一定にすることができる。   Based on the observation of the form of the wetted film layer SL obtained by monitoring in this way, the etching liquid such as a squeeze roller is applied so that the size of the wetted film layer SL becomes constant during the continuous process. The amount of the etching solution applied to the glass substrate 100a can be adjusted using an adjusting means for controlling. Thereby, the application amount can be made constant.

例えば、予め、多孔質材が保持するエッチング液の液量を適切に調整した条件下で、目的とする表面粗さRaを達成することができる基準となる接液膜層SLの大きさ範囲を求めておき(基準接液膜層A:大きさ、長さ、搬送方向の液幅など)、モニタリング装置21で処理中の接液膜層SLの形態と比較することができるように設定することができる。
この比較に基づいて、エッチング液の塗布量の調整の程度を決定することができる。基準接液膜層Aと比較して、より的確にエッチング液の塗布量を調整することで、表面粗さの品質も一定の範囲内に維持することができる。
For example, the size range of the liquid contact film layer SL serving as a reference that can achieve the target surface roughness Ra under conditions in which the amount of the etching solution retained by the porous material is appropriately adjusted in advance. Obtained (reference liquid contact film layer A: size, length, liquid width in the transport direction, etc.) and set so that the monitoring device 21 can compare with the form of the liquid contact film layer SL being processed. Can do.
Based on this comparison, the degree of adjustment of the coating amount of the etching solution can be determined. Compared with the reference wetted film layer A, the quality of the surface roughness can be maintained within a certain range by adjusting the coating amount of the etching solution more accurately.

さらに、例えば、基準接液膜層Aの大きさを、エッチング液がガラス基板110bに回り込みが生じ難いレベルの塗布量に設定することで、ガラス基板110bへの回り込みの管理(エッチング液の110bへの回り込み抑制)に利用することができる。このような、回り込みを防ぐ塗布量を決定するためには、ガラス基板(板厚、組成)、スポンジの種類(材質、気孔径、弾力性)、搬送速度、およびエッチング液の種類(粘度)について、条件を設定し、基準接液膜層を特定することができる。   Further, for example, by setting the size of the reference wetted film layer A to a coating amount at which the etching liquid is unlikely to wrap around the glass substrate 110b, the wraparound management to the glass substrate 110b (to the etching liquid 110b) is set. Can be used to suppress sneaking around. In order to determine the amount of coating to prevent such wraparound, glass substrate (plate thickness, composition), sponge type (material, pore diameter, elasticity), transport speed, and etchant type (viscosity) The conditions can be set and the reference wetted film layer can be specified.

エッチング液の接液膜層SLの大きさの判定は、適宜行う。例えば、エッチング液の接液膜層SLの液幅が、粗面化ローラ12の長手方向(軸方向)にわたってばらついている場合、エッチング液の接液膜層SLの液幅として、粗面化ローラ12の長手方向の複数箇所の液幅の平均値を用いることができる。エッチング液の接液膜層SLの面積を測定する場合には、モニタリング装置21が撮影した画像を解析して得られる面積を用いることができる。   The size of the wetted film layer SL of the etching solution is appropriately determined. For example, when the liquid width of the wetted film layer SL of the etching liquid varies over the longitudinal direction (axial direction) of the roughening roller 12, the roughened roller is used as the liquid width of the wetted film layer SL of the etching liquid. The average value of the liquid widths at a plurality of twelve longitudinal positions can be used. When measuring the area of the wetted film layer SL of the etchant, the area obtained by analyzing the image taken by the monitoring device 21 can be used.

さらに、エッチング装置は、エッチング液の塗布量を制御する制御装置23(図5を参照)を備えることができる。モニタリング装置21が、測定されたエッチング溶の接液膜層SL(図5を参照)の形態に関する情報(面積、液幅等)を基に出力信号を生成し、制御装置23に向けて出力する。   Furthermore, the etching apparatus can include a control device 23 (see FIG. 5) that controls the coating amount of the etching solution. The monitoring device 21 generates an output signal based on information (area, liquid width, etc.) on the form of the measured wet-contact film layer SL (see FIG. 5) of the etching solution, and outputs it to the control device 23. .

制御装置23は、モニタリング装置21からの出力信号を受け取って、エッチング液の接液膜層SLの形態に関する情報に基づいて、ガラス基板100に対するエッチング溶液MSの塗布量を調整するため各部の制御を行う。例えば、制御装置23を絞りローラー14と接続させ、エッチング液の接液膜層SLの形態に関する情報に基づいて、絞りローラー14の調節を同期化してもよい。あるいは、制御装置23を、エッチング槽11に対するエッチング液MSの供給、排出をコントロールする部材に接続させ、エッチング液の接液膜層SLの形態に関する情報に基づいて、エッチング槽11における液面高さを調節するなどの制御を行ってもよい。これらの各部の制御は、制御装置23以外の手段によって行われてもよい。   The control device 23 receives the output signal from the monitoring device 21 and controls each part to adjust the coating amount of the etching solution MS on the glass substrate 100 based on the information on the form of the wetted film layer SL of the etching solution. Do. For example, the control device 23 may be connected to the squeeze roller 14 and the adjustment of the squeeze roller 14 may be synchronized based on information on the form of the wetted film layer SL of the etchant. Alternatively, the controller 23 is connected to a member that controls the supply and discharge of the etching liquid MS to the etching tank 11, and the liquid level height in the etching tank 11 is based on information on the form of the wetted film layer SL of the etching liquid. You may perform control, such as adjusting. Control of these units may be performed by means other than the control device 23.

絞りローラー14は、粗面化ローラ12に押し付けられてエッチングローラ12が保持するエッチング液MSの量を調整する機能を有する。絞りローラー14は、ローラ部材12bに比べて剛性の高い材料、例えば塩化ビニル系、カーボン等の材料から構成される。絞りローラー14は円柱状の形状を有する丸棒である。なお、絞りローラー14の形状は、丸棒に限られるものではない。図3に示されるように、絞りローラー14は、粗面化ローラ12の回転軸である芯部材12aよりも、ガラス基板100の搬送方向の上流側に配置されている。   The squeezing roller 14 has a function of adjusting the amount of the etching liquid MS that is pressed against the roughening roller 12 and held by the etching roller 12. The squeeze roller 14 is made of a material having higher rigidity than the roller member 12b, for example, a material such as vinyl chloride or carbon. The squeezing roller 14 is a round bar having a cylindrical shape. The shape of the squeeze roller 14 is not limited to a round bar. As shown in FIG. 3, the squeezing roller 14 is disposed on the upstream side in the transport direction of the glass substrate 100 with respect to the core member 12 a that is the rotation shaft of the roughening roller 12.

絞りローラー14は、エッチングローラ12の回転に追従して回転する。よって、粗面化ローラ12とは逆方向に回転する。ここでは、絞りローラー14を回転させるモータ等を別途用いなくてもすむので、コストを抑制できる。   The squeezing roller 14 rotates following the rotation of the etching roller 12. Therefore, it rotates in the opposite direction to the roughening roller 12. Here, it is not necessary to separately use a motor or the like that rotates the squeezing roller 14, and thus the cost can be suppressed.

絞りローラー14は、図4に示されるように、粗面化ローラ12に対する上下位置や左右位置が調整可能なように、支持部材17によって支持されている。すなわち、絞りローラー14は、粗面化ローラ12への接触位置が調整可能である。これにより、絞りローラー14の粗面化ローラ12への接触圧力を調整できる。   As shown in FIG. 4, the squeezing roller 14 is supported by a support member 17 so that the vertical position and the horizontal position of the roughening roller 12 can be adjusted. That is, the squeezing roller 14 can adjust the contact position with the roughening roller 12. Thereby, the contact pressure of the squeeze roller 14 to the roughening roller 12 can be adjusted.

また、粗面化ローラ12は、ガラス基板100に対する相対位置を調整することができる機構を備えている。すなわち、粗面化ローラ12の回転軸をガラス基板100の側に近づけたり、遠ざけたりすることができる。また、エッチング槽11には、エッチング液MSの液面レベルを調整することができる機構を備えている。これにより、粗面化ローラ12がガラス基板100に付着させるエッチング液MSの量を調整することができる。   The roughening roller 12 includes a mechanism that can adjust the relative position with respect to the glass substrate 100. That is, the rotating shaft of the roughening roller 12 can be moved closer to or away from the glass substrate 100 side. The etching tank 11 is provided with a mechanism that can adjust the liquid level of the etching liquid MS. Thereby, the quantity of the etching liquid MS which the roughening roller 12 adheres to the glass substrate 100 can be adjusted.

また、上述のとおり、モニタリング装置21で得られる接液膜層SLの形態に基づいて、絞りローラーを用いてエッチング液の量を調整することができる。制御装置23に接続させて、絞りローラーを動作させてもよい。   Moreover, as above-mentioned, based on the form of the liquid-contacting film layer SL obtained with the monitoring apparatus 21, the quantity of etching liquid can be adjusted using a squeeze roller. The squeeze roller may be operated by being connected to the control device 23.

搬送ローラ18は、回転軸と複数のコロとからなる。コロは、回転軸に固定され、Oリングが取り付けられる円筒状の部材である。図示されない駆動モータによって搬送ローラ18が軸回転すると、搬送ローラ18の上部に接触して支持されているガラス基板100は、粗面化工程Pr1を行うハウジング2内に搬送される。搬送ローラ18は、ガラス基板100の搬送方向に沿って、所定の間隔をもって複数配置される。搬送ローラ18は、全て同方向に回転する。   The conveyance roller 18 includes a rotation shaft and a plurality of rollers. The roller is a cylindrical member fixed to the rotating shaft and to which an O-ring is attached. When the transport roller 18 is axially rotated by a drive motor (not shown), the glass substrate 100 supported in contact with the upper portion of the transport roller 18 is transported into the housing 2 that performs the roughening process Pr1. A plurality of transport rollers 18 are arranged at predetermined intervals along the transport direction of the glass substrate 100. All the transport rollers 18 rotate in the same direction.

<粗面化プロセス>
ガラス基板の主表面のうち第1面を連続的に粗面化する表面処理工程を含むディスプレイ用ガラス基板の製造方法であって、
表面処理工程において、エッチング液を保持した多孔質材を外周部(周表部を含む)に有する粗面化ローラーの上をガラス基板が搬送して、前記粗面化ローラーと前記ガラス板との間にエッチング液の接液膜層を形成するようにガラス基板にエッチング液を塗布し、
エッチング液が塗布されないガラス基板の面方向から透けて見える前記接液膜層の大きさをモニタリングしながら、前記エッチング液の接液膜層の大きさがほぼ一定となる様に、エッチング液の塗布量を調整し、ガラス基板の主表面のうち第1面を粗面化する。
<Roughening process>
A method for producing a glass substrate for a display, comprising a surface treatment step of continuously roughening the first surface of the main surface of the glass substrate,
In the surface treatment step, the glass substrate is transported on the roughening roller having the porous material holding the etching solution in the outer peripheral portion (including the peripheral surface portion), and the surface roughening roller and the glass plate Apply the etchant to the glass substrate to form a wetted film layer of the etchant between,
Etching solution is applied so that the size of the wetted film layer of the etching solution is almost constant while monitoring the size of the wetted film layer seen through from the surface direction of the glass substrate where the etching solution is not applied. The amount is adjusted to roughen the first surface of the main surface of the glass substrate.

前記複数の粗面化ローラーにおいて、各々の塗布量がほぼ同量となるように調整される、ことが好ましい。   In the plurality of roughening rollers, it is preferable that each coating amount is adjusted to be substantially the same amount.

前記塗布量の調整が、絞りローラーにより行われる、ことが好ましい。   It is preferable that adjustment of the coating amount is performed by a squeeze roller.

粗面化ローラーが、気孔径10μm〜100μm及び気孔率80%以上の連続気孔構造である、ことが好ましい。   It is preferable that the roughening roller has a continuous pore structure having a pore diameter of 10 μm to 100 μm and a porosity of 80% or more.

表面処理工程後の前記第1面の算術平均粗さRaが0.40nm以上である、ことが好ましい。   The arithmetic average roughness Ra of the first surface after the surface treatment step is preferably 0.40 nm or more.

B.実施形態2.エッチング液の塗布量を一定にする機構を含む表面処理方法 B. Embodiment 2. FIG. Surface treatment method including a mechanism for making the coating amount of the etching solution constant

水平状態で所定の方向(搬送方向)に搬送されながら端面処理後の洗浄工程S6が行われたガラス基板100が、その状態を維持したまま、搬送ローラ18によって搬送されながら、ガラス基板表面処理装置1のハウジング2内に入る。   A glass substrate surface treatment apparatus is being transported by the transport roller 18 while the glass substrate 100 that has been subjected to the cleaning step S6 after the end face processing while being transported in a predetermined direction (transport direction) in a horizontal state is maintained in that state. 1 into the housing 2.

ハウジング2内に入ったガラス基板100の先端部の下面は粗面化ローラ12に接触し、粗面化ローラ12によって支持される。粗面化ローラ12(ローラ部材12b)は、エッチング液MSに浸漬していることによって、エッチング液MSを吸収し、エッチング液MSを吸収している粗面化ローラ12(ローラ部材12b)の上部は、表面が粗面化される第1面100aが接触して、ガラス基板100は、粗面化ローラ12の回転駆動によって、搬送方向に沿って搬送される。このとき、粗面化ローラ12(ローラ部材12b)はエッチング液MSを吸収しているので、粗面化ローラ12(ローラ部材12b)に接触するガラス基板100の第1面100aには、粗面化ローラ12(ローラ部材12b)を介してエッチング液MSが付着する。こうして、ガラス基板100が粗面化ローラ12によって搬送されながら、第1面100aにエッチング液MSが付着することで、ガラス基板の第1面100aが粗面化処理される。こうして、ガラス基板100が粗面化ローラ12によって搬送されながら、第1面100aにエッチング液MSが付着し、ガラス基板100と粗面化ローラ12との間にエッチング液の接液膜層が形成され、この間に第1面100aが粗面化される。   The lower surface of the front end portion of the glass substrate 100 that enters the housing 2 contacts the roughening roller 12 and is supported by the roughening roller 12. The roughening roller 12 (roller member 12b) is immersed in the etching solution MS, thereby absorbing the etching solution MS and the upper portion of the roughening roller 12 (roller member 12b) absorbing the etching solution MS. The first surface 100 a whose surface is roughened comes into contact with the glass substrate 100, and the glass substrate 100 is transported along the transport direction by the rotational driving of the roughening roller 12. At this time, since the roughening roller 12 (roller member 12b) absorbs the etching liquid MS, the first surface 100a of the glass substrate 100 in contact with the roughening roller 12 (roller member 12b) has a rough surface. Etching liquid MS adheres via the activating roller 12 (roller member 12b). Thus, the etching liquid MS adheres to the first surface 100a while the glass substrate 100 is conveyed by the roughening roller 12, whereby the first surface 100a of the glass substrate is roughened. Thus, the etching liquid MS adheres to the first surface 100 a while the glass substrate 100 is conveyed by the roughening roller 12, and a wetted film layer of the etching liquid is formed between the glass substrate 100 and the roughening roller 12. During this time, the first surface 100a is roughened.

ガラス基板100が搬送されるとき、周表面を含む外周部にエッチング液MSを吸収した多孔質材を有する粗面化ローラ12によって、前記ガラス基板の第1面100aにエッチング液が塗布される。ガラス基板100が搬送され塗布される間、ガラス基板110bの面方向から透けて見えるエッチング液の接液膜層の大きさをモニタリングしながら、接液膜層の大きさがほぼ一定となる様に、エッチング液の塗布量を調整し、ガラス基板の主表面のうち第1面を粗面化する。   When the glass substrate 100 is transported, the etching liquid is applied to the first surface 100a of the glass substrate by the roughening roller 12 having a porous material that has absorbed the etching liquid MS in the outer peripheral portion including the peripheral surface. While the glass substrate 100 is transported and applied, the size of the wetted film layer is made substantially constant while monitoring the size of the wetted film layer of the etching solution seen from the surface direction of the glass substrate 110b. The coating amount of the etching solution is adjusted, and the first surface of the main surface of the glass substrate is roughened.

連続処理の間、エッチング液の接液膜層の大きさをほぼ一定となる様に、エッチング液の塗布量を調整することで、ガラス基板110aの連続的な粗面化処理において、エッチング液の塗布量を一定の範囲内に維持することが可能となる。   During the continuous treatment, the amount of the etchant in the continuous surface roughening treatment of the glass substrate 110a is adjusted by adjusting the coating amount of the etchant so that the size of the wetted film layer of the etchant is substantially constant. It becomes possible to maintain the coating amount within a certain range.

エッチング液MSの塗布を複数の粗面化ローラー12で行い、各々の粗面化ローラー12の塗布量がほぼ同量となるように、エッチング液MSの塗布量を調整することができる。   The coating amount of the etching liquid MS can be adjusted so that the coating amount of the etching liquid MS is applied by the plurality of roughening rollers 12 and the coating amount of each of the roughening rollers 12 is substantially the same.

塗布量の調整は、絞りローラー14を用いてもよい。   The squeeze roller 14 may be used to adjust the coating amount.

エッチング液MSが第1面100aに付着してからすすぎ工程Pr2に至るまでの期間における、粗面化ローラー12とガラス基板100との接触時間がエッチング期間となるので、このエッチング期間中に、所望のエッチング量が達成されるように、ガラス基板100を搬送しながら粗面化する粗面化ローラ12の回転速度(搬送速度)を調整することができる。例えば、粗面化ローラーの回転速度を遅くし、粗面化ローラー12の上を搬送するガラス基板100の搬送時間を長くすることで、粗面化ローラー12とガラス基板100との接触時間を長くし、これによりガラス基板100aのエッチングの程度や形状を調整することができる。   Since the contact time between the roughening roller 12 and the glass substrate 100 in the period from the time when the etching liquid MS adheres to the first surface 100a to the rinsing step Pr2 is the etching period, a desired period is obtained during this etching period. The rotational speed (conveying speed) of the roughening roller 12 that roughens the surface while conveying the glass substrate 100 can be adjusted so that the etching amount of 1 mm is achieved. For example, the contact time between the roughening roller 12 and the glass substrate 100 is increased by slowing the rotation speed of the roughening roller and increasing the transport time of the glass substrate 100 that transports the surface of the roughening roller 12. Thus, the degree and shape of etching of the glass substrate 100a can be adjusted.

<すすぎ工程Pr2の装置構成>
すすぎ工程(Pr2)では、複数の搬送ローラ18と、粗面化しないガラス基板の面に蒸留水をあてる蒸留水ノズル25と、粗面化されたガラス基板面を洗浄する洗浄ノズル24と、残存するエッチング液を充分に洗い流すノズル26と、ガラス基板の両面に付着する液体をハウジング内に留める様にガラス基板表面から取り除くアーナイフと、を備える。
<Apparatus configuration of rinse process Pr2>
In the rinsing step (Pr2), a plurality of transport rollers 18, a distilled water nozzle 25 that applies distilled water to the surface of the glass substrate that is not roughened, a cleaning nozzle 24 that cleans the roughened glass substrate surface, A nozzle 26 that sufficiently rinses the etching solution to be removed, and an ar knife that removes the liquid adhering to both surfaces of the glass substrate from the surface of the glass substrate so as to remain in the housing.

すすぎ工程(Pr2)は、ハウジング4に囲まれた空間であり、ハウジング内の空間の温度管理は、行ってもよく、行わなくてもよい。粗面化工程(Pr1)と、すすぎ工程(Pr2)とが接するハウウジングの壁の部分には、ガラス基板100が通過可能なスリットが設けられている。   The rinsing step (Pr2) is a space surrounded by the housing 4, and the temperature management of the space in the housing may or may not be performed. A slit through which the glass substrate 100 can pass is provided in a portion of the housing wall where the roughening step (Pr1) and the rinsing step (Pr2) are in contact.

洗浄ノズル24は、ガラス基板100の第1面100aに付着したエッチング液MSを洗い流すように、ガラス基板100の搬送経路に沿って設けられ、洗浄水を第1面100aに向けて噴出する。洗浄ノズル24に用いる洗浄水は、かならずしも純水(蒸留水)でなくともよい。洗浄水タンク24aには、一度洗浄に使用した洗浄後の水を貯留し、ガラス基板100の第1面100aを洗浄するために循環させて再利用することができる。   The cleaning nozzle 24 is provided along the transport path of the glass substrate 100 so as to wash away the etching solution MS attached to the first surface 100a of the glass substrate 100, and jets cleaning water toward the first surface 100a. The washing water used for the washing nozzle 24 is not necessarily pure water (distilled water). In the washing water tank 24a, the washed water once used for washing can be stored and circulated and reused for washing the first surface 100a of the glass substrate 100.

蒸留水ノズル25は、ガラス基板100の第1面100aと反対側の主表面を洗浄するために、第1面100aと反対側の主表面からガラス基板100の搬送経路に沿って設けられ、純水を第1面100aと反対側の主表面に向けて噴出する。   The distilled water nozzle 25 is provided along the transport path of the glass substrate 100 from the main surface opposite to the first surface 100a in order to clean the main surface opposite to the first surface 100a of the glass substrate 100. Water is ejected toward the main surface opposite to the first surface 100a.

ノズル26は、ガラス基板100の第1面100aに残存するエッチング液を充分に洗い流すために、洗浄水を第1面100aに向けて噴出する。ノズル26は、ガラス基板100の搬送経路に沿って、ガラス基板100の第1面100a側に設けられている。なお、ノズル26から噴出する洗浄水には、蒸留水ノズル25が噴出するのと同じ純水を用いてもよいし、洗浄ノズル24が噴出するのと同じ洗浄水を用いてもよい。   The nozzle 26 ejects cleaning water toward the first surface 100 a in order to sufficiently wash away the etching solution remaining on the first surface 100 a of the glass substrate 100. The nozzle 26 is provided on the first surface 100 a side of the glass substrate 100 along the conveyance path of the glass substrate 100. The cleaning water ejected from the nozzle 26 may be the same pure water ejected from the distilled water nozzle 25, or the same washing water ejected from the cleaning nozzle 24.

ガラス基板100の第1面aとその反対側の面を洗浄した後、エアーナイフでガラス基板の表面から液体が飛ばされ、次工程の第2洗浄工程を行うために、搬送ローラ18によりハウジング4の外に搬出される。   After cleaning the first surface a of the glass substrate 100 and the opposite surface, the liquid is blown off from the surface of the glass substrate with an air knife, and the housing 4 is moved by the transport roller 18 to perform the second cleaning step of the next step. It is carried out outside.

<すすぎ工程のプロセス>
粗面化処理工程(Pr1)の後、ガラス基板100は、粗面化処理中搬送方向に移動するので、第1面100aの一部にエッチング液MSが付着されるとき、ガラス基板100の先端部はハウジング4内の搬送ローラ18に接触する。この搬送ローラ18により、ガラス基板100は、すすぎ工程Pr2に進む。
<Rinsing process>
After the roughening treatment step (Pr1), the glass substrate 100 moves in the conveying direction during the roughening treatment, so that when the etching liquid MS is attached to a part of the first surface 100a, the tip of the glass substrate 100 is moved. The portion contacts the conveying roller 18 in the housing 4. The glass substrate 100 proceeds to the rinsing process Pr2 by the transport roller 18.

すすぎ工程Pr2では、まず、第1面100aが洗浄ノズル24から噴出する洗浄水で洗浄されエッチング液MSがほぼ洗い流され、その後、第1面100aを、さらにノズル26から噴出する水(再利用水など)で洗浄する。このとき、ガラス基板100の第1面100aと反対側の主表面は、蒸留水ノズル25から噴出する純水で洗浄される。さらにこの後、第1面100a、及び第1面100aと反対側の主表面に向けてエアーナイフでエアーを噴きつけて液体を飛ばす。こうして、すすぎ工程Pr2が終了し、第2洗浄工程S8を行うために、搬送ローラ18により搬出される。   In the rinsing process Pr2, the first surface 100a is first cleaned with the cleaning water ejected from the cleaning nozzle 24, and the etching liquid MS is almost washed away, and then the first surface 100a is further ejected from the nozzle 26 (reused water). Etc.) At this time, the main surface opposite to the first surface 100 a of the glass substrate 100 is washed with pure water ejected from the distilled water nozzle 25. Thereafter, air is blown with an air knife toward the first surface 100a and the main surface opposite to the first surface 100a to blow the liquid. In this way, the rinsing process Pr2 is completed, and is carried out by the transport roller 18 in order to perform the second cleaning process S8.

(2−2)エッチング液
本発明におけるエッチング液MSは、純水に少なくともフッ酸HF及びリン酸HPOを含む水溶液である(以降で説明する濃度も、いずれも質量%を表す。)。
エッチング液MSにおけるリン酸HPOの濃度は、0.3%(質量%)〜10%である。リン酸HPOの濃度が10%を超えると排液回収の点から好ましくない。エッチング液MSにおけるリン酸HPOの濃度は、エッチングレート低下抑制効果の観点から、好ましくは0.3%〜8%、より好ましくは0.5%〜8%、更により好ましくは1%〜6%である。エッチング液MSがフッ酸及びリン酸HPO1%以上含有した場合、フッ酸を同じ濃度とした条件下、フッ酸、フッ酸と塩酸(リン酸と同じ濃度)の混酸、フッ酸と硫酸(リン酸と同じ濃度)に比べて、同じ温度条件下で、エッチングレートの低下を大きく抑制することができ、すなわち、フッ酸HF及びリン酸HPOの混酸は、エッチングレート低下の抑制効果が高い。また、エッチング液MSにおいて、フッ酸HF及びリン酸HPOを含む混酸におけるフッ酸の濃度は、好ましくは0.3%〜10%であり、0.3%〜8%が好ましく、0.3%〜6%がより好ましく、0.3%〜5%が更により好ましい。フッ酸の濃度が5%を超えると、排液回収の問題など、環境負荷が大きくなるため、5%以下が好ましい。本実施形態においては、エッチング液MSのフッ酸濃度を低く抑えることができるので、環境負荷は小さく、また、フッ酸の廃液処理コストも抑制することができる。
(2-2) Etching Solution The etching solution MS in the present invention is an aqueous solution containing at least hydrofluoric acid HF and phosphoric acid H 3 PO 4 in pure water (the concentration described below also represents mass%). .
The concentration of phosphoric acid H 3 PO 4 in the etching solution MS is 0.3% (mass%) to 10%. If the concentration of phosphoric acid H 3 PO 4 exceeds 10%, it is not preferable from the viewpoint of drainage recovery. The concentration of phosphoric acid H 3 PO 4 in the etching solution MS is preferably 0.3% to 8%, more preferably 0.5% to 8%, and even more preferably 1%, from the viewpoint of the effect of suppressing the etching rate reduction. ~ 6%. When the etchant MS contains 1% or more of hydrofluoric acid and phosphoric acid H 3 PO 4 , hydrofluoric acid, a mixed acid of hydrofluoric acid and hydrochloric acid (same concentration as phosphoric acid), hydrofluoric acid, Compared with sulfuric acid (same concentration as phosphoric acid), the decrease in etching rate can be greatly suppressed under the same temperature condition. That is, the mixed acid of hydrofluoric acid HF and phosphoric acid H 3 PO 4 reduces the etching rate. High suppression effect. In the etching solution MS, the concentration of hydrofluoric acid in the mixed acid containing hydrofluoric acid HF and phosphoric acid H 3 PO 4 is preferably 0.3% to 10%, preferably 0.3% to 8%, 0 .3% to 6% is more preferable, and 0.3% to 5% is even more preferable. If the concentration of hydrofluoric acid exceeds 5%, the environmental load increases due to the problem of drainage recovery and the like. In the present embodiment, since the hydrofluoric acid concentration of the etching liquid MS can be kept low, the environmental load is small, and the waste liquid treatment cost of hydrofluoric acid can be suppressed.

フッ酸HF及びリン酸HPOを含むエッチング液MSが、エッチングレート低下抑制効果に優れていることとして、例えば、5%のフッ酸HFからなるエッチング液MSを14時間繰り返し使用した後のエッチングレートの低下は45%であり、5%のフッ酸HF及び5%の塩酸HClの混酸のエッチング液MSを14時間繰り返し使用した後のエッチングレートの低下は44%であるのに対して、5%のフッ酸HF及び5%のリン酸HPOの混酸のエッチング液MSを14時間繰り返し使用後のエッチングレートの低下は15%である。このように、フッ酸HF及びリン酸HPOを含むエッチング液MSにおけるガラス基板100のエッチングレートの低下は著しく小さい。なお、これらのエッチングレートはすべて同じ温度条件下で測定している。 As the etching solution MS containing hydrofluoric acid HF and phosphoric acid H 3 PO 4 is excellent in the etching rate lowering suppression effect, for example, the etching solution MS composed of 5% hydrofluoric acid HF is repeatedly used for 14 hours. The decrease in the etching rate is 45%, and the decrease in the etching rate after 44 hours of repeatedly using the mixed acid etching solution MS of 5% hydrofluoric acid HF and 5% hydrochloric acid HCl is 44%. The decrease in the etching rate after 15 hours of repeated use of the mixed acid etching solution MS of 5% hydrofluoric acid HF and 5% phosphoric acid H 3 PO 4 is 15%. Thus, the decrease in the etching rate of the glass substrate 100 in the etching solution MS containing hydrofluoric acid HF and phosphoric acid H 3 PO 4 is extremely small. These etching rates are all measured under the same temperature conditions.

また、エッチング液MSがフッ酸及びリン酸HPO1%以上を含有した場合、フッ酸を同じ濃度とした条件下、フッ酸、フッ酸と硫酸(リン酸と同じ濃度)に比べて、スラッジの発生量を低く抑えることができ、フッ酸HF及びリン酸HPOの混酸は、スラッジ発生量の抑制効果をも備える。
フッ酸HF及びリン酸HPOを含むエッチング液MSが、スラッジ発生量の抑制効果に優れていることとして、例えば、スラッジ発生量が、5%のフッ酸HFからなるエッチング液MSの場合に比べて、5%のフッ酸HF及び5%のリン酸HPOの混酸のエッチング液MSは、20〜30%少ない。このように、フッ酸HF及びリン酸HPOの混酸は、スラッジ量の抑制効果においても優れる。
Further, when the etching solution MS contains 1% or more of hydrofluoric acid and phosphoric acid H 3 PO 4 , compared with hydrofluoric acid, hydrofluoric acid and sulfuric acid (same concentration as phosphoric acid) under the same concentration of hydrofluoric acid. The amount of sludge generated can be kept low, and the mixed acid of hydrofluoric acid HF and phosphoric acid H 3 PO 4 also has an effect of suppressing the amount of sludge generated.
The etching liquid MS containing hydrofluoric acid HF and phosphoric acid H 3 PO 4 is excellent in the effect of suppressing the amount of sludge generation. For example, in the case of an etching liquid MS made of hydrofluoric acid HF with a sludge generation amount of 5% In contrast, the etching solution MS of a mixed acid of 5% hydrofluoric acid HF and 5% phosphoric acid H 3 PO 4 is 20 to 30% less. Thus, the mixed acid of hydrofluoric acid HF and phosphoric acid H 3 PO 4 is excellent in the effect of suppressing the amount of sludge.

フッ酸HF及びリン酸HPOを含むエッチング液MSについて、フッ酸HF及びリン酸HPOの濃度比率(フッ酸:リン酸)としては、およそ1:1〜30:1であり、好ましくは1:1〜10:1である。本実施形態のエッチング液MSは、フッ酸HF及びリン酸HPOを必須成分として含む混酸であり、フッ酸及びリン酸を必須成分とすることでエッチングレートの低下抑制の効果とともに、粗面化のエッチング処理で発生するスラッジ量の抑制効果という二つ同時の効果を兼ね備える。 For etchant MS containing hydrofluoric acid HF and phosphoric acid H 3 PO 4, hydrofluoric acid HF and the concentration ratio of the phosphoric acid H 3 PO 4: The (hydrofluoric acid), about 1: 1 to 30: is 1 , Preferably 1: 1 to 10: 1. The etching liquid MS of the present embodiment is a mixed acid containing hydrofluoric acid HF and phosphoric acid H 3 PO 4 as essential components. By using hydrofluoric acid and phosphoric acid as essential components, the etching rate is reduced and the effect is reduced. It has two simultaneous effects of suppressing the amount of sludge generated in the surface etching process.

従来よりエッチング液として知られているフッ化ナトリウムとリン酸を含んだ溶液の場合、エッチングレートそのものが低いため、連続的な粗面化処理におけるエッチング液としては適さない。   Conventionally known solutions containing sodium fluoride and phosphoric acid are not suitable as etching solutions for continuous roughening treatment because the etching rate itself is low.

エッチング液MSは、上記の組合せ(フッ酸及びリン酸による2種混酸、あるいはフッ酸及、リン酸及び塩酸による3種の混酸)に、必要に応じ、硫酸HSO、硝酸HNOなどを組み合わせてもよい。 The etching solution MS is mixed with the above combination (two kinds of mixed acids with hydrofluoric acid and phosphoric acid, or three kinds of mixed acids with hydrofluoric acid and phosphoric acid and hydrochloric acid), if necessary, sulfuric acid H 2 SO 4 , nitric acid HNO 3, etc. May be combined.

本実施形態では、エッチング液MSに、フッ酸HF及びリン酸HPOに加え、塩酸HClをさらに含んでよい。フッ酸HF及びリン酸HPOに塩酸HClを組み合わせた3種の混酸の場合、スラッジの発生をさらに抑えることができる。したがって、本実施形態のエッチング液MSでは、フッ酸HF及びリン酸HPOとともに、塩酸HClをさらに含むことが好ましく、この場合、スラッジ量の抑制効果をさらに高めることができる。
エッチング液MSにおいて、フッ酸HF及びリン酸HPOに塩酸HClを組み合わせる場合、塩酸HClの濃度は0.3質量%〜15質量%、好ましくは塩酸HCl0.3質量%〜10質量%である。この場合、エッチング液MSにおいて、フッ酸HFは0.3質量%〜10質量%、リン酸HPOは0.3%〜10質量%、塩酸HClは0.3質量%〜15質量%である。エッチング液MSに塩酸を使用する場合のフッ酸HFと塩酸HClの濃度比率(フッ酸:塩酸)としては、およそ1:10〜5:1である。
In the present embodiment, the etching solution MS may further contain hydrochloric acid HCl in addition to hydrofluoric acid HF and phosphoric acid H 3 PO 4 . In the case of three types of mixed acid in which hydrochloric acid HCl is combined with hydrofluoric acid HF and phosphoric acid H 3 PO 4 , generation of sludge can be further suppressed. Therefore, it is preferable that the etching liquid MS of this embodiment further includes hydrochloric acid HCl together with hydrofluoric acid HF and phosphoric acid H 3 PO 4. In this case, the effect of suppressing the amount of sludge can be further enhanced.
In the etching solution MS, when hydrochloric acid HCl is combined with hydrofluoric acid HF and phosphoric acid H 3 PO 4 , the concentration of hydrochloric acid HCl is 0.3 mass% to 15 mass%, preferably hydrochloric acid HCl 0.3 mass% to 10 mass%. is there. In this case, the etchant MS, hydrofluoric acid HF is 0.3 wt% to 10 wt%, 0.3% to 10 wt% phosphoric acid H 3 PO 4, the hydrochloride HCl 0.3% to 15% by weight It is. The concentration ratio of hydrofluoric acid HF and hydrochloric acid HCl (hydrofluoric acid: hydrochloric acid) when hydrochloric acid is used as the etching solution MS is approximately 1:10 to 5: 1.

(粗面化処理の温度)
エッチングレートはエッチング液MSの温度により異なる。エッチング液MSの温度は、所定のエッチングレートを得る様に適宜決定される。粗面化処理を行っている間は、エッチングレートが一定になる様にエッチング液MSの温度を一定に保つのが好ましい。本実施形態では、エッチングMSの温度は20℃〜30℃の間でコントロールされる。エッチング液が気化すると処理環境が悪化するため、エッチング液MSの温度は40℃を超えないのが好ましい。また、エッチングMSの温度が20℃を下回ると所定のエッチングレートが得られ難くなる。
(Roughening temperature)
The etching rate varies depending on the temperature of the etching solution MS. The temperature of the etching liquid MS is appropriately determined so as to obtain a predetermined etching rate. During the roughening treatment, it is preferable to keep the temperature of the etching solution MS constant so that the etching rate becomes constant. In this embodiment, the temperature of the etching MS is controlled between 20 ° C. and 30 ° C. Since the processing environment is deteriorated when the etching solution is vaporized, the temperature of the etching solution MS preferably does not exceed 40 ° C. Further, when the temperature of the etching MS is lower than 20 ° C., it becomes difficult to obtain a predetermined etching rate.

(粗面化の処理時間)
粗面化の処理時間は、粗面化で得る表面粗さ(算術平均粗さRa)を決定し、前工程のタクトタイムを踏まえて、粗面化処理の搬送速度、粗面化処理で使用するエッチングローラー本数、粗面化処理に使用するエッチング液MSの組成、エッチングレートととともに、設定される。
粗面化で得る表面粗さは、0.3nm以上とすることが好ましく、より好ましくは、算術平均粗さRaは、0.40nm以上である。算術平均粗さRaの上限値は、0.60nm以下とすることが好ましく、より好ましくは、0.50nm以下である。
(Roughening time)
Roughening treatment time determines the surface roughness (arithmetic mean roughness Ra) obtained by roughening, and is used for the roughing treatment speed and roughening treatment based on the tact time of the previous process. It is set together with the number of etching rollers to be performed, the composition of the etching liquid MS used for the roughening treatment, and the etching rate.
The surface roughness obtained by roughening is preferably 0.3 nm or more, and more preferably, the arithmetic average roughness Ra is 0.40 nm or more. The upper limit value of the arithmetic average roughness Ra is preferably 0.60 nm or less, and more preferably 0.50 nm or less.

(2−3)ガラス基板の特徴
<ガラス組成>
本実施形態が適用するガラス組成として、例えば、次が挙げられる(質量%表示)。
SiO:50〜70%(好ましくは、57〜64%)、Al:5〜25%(好ましくは、12〜18%)、B:0〜15%(好ましくは、6〜13%)を含み、さらに、次に示す組成を任意に含んでもよい。任意で含む成分として、MgO:0〜10%(好ましくは、0.5〜4%)、CaO:0〜20%(好ましくは、3〜7%)、SrO:0〜20%(好ましくは、0.5〜8%、より好ましくは3〜7%)、BaO:0〜10%(好ましくは、0〜3%、より好ましくは0〜1%)、ZrO:0〜10%(好ましくは、0〜4%,より好ましくは0〜1%)が挙げられる。さらに、R’O:0.10%を超え2.0%以下(ただし、R’はLi、NaおよびKから選ばれる少なくとも1種である)を含むことがより好ましい。
或いは、SiO:50〜70%(好ましくは、55〜65%)、B:0〜10%(好ましくは、0〜5%、1.3〜5%)、Al:10〜25%(好ましくは、16〜22%)、MgO:0〜10%(好ましくは、0.5〜4%)、CaO:0〜20%(好ましくは、2〜10%、2〜6%)、SrO:0〜20%(好ましくは、0〜4%、0.4〜3%)、BaO:0〜15%(好ましくは、4〜11%)、RO:5〜20%(好ましくは、8〜20%、14〜19%),を含有することが好ましい(ただし、RはMg、Ca、SrおよびBaから選ばれる少なくとも1種である)。さらに、R’Oが0.10%を超え2.0%以下(ただし、R’はLi、NaおよびKから選ばれる少なくとも1種である)を含むことがより好ましい。
<ヤング率>
本実施形態が適用されるガラス板のヤング率として、例えば、72(Gpa)以上が好ましく、75(Gpa)以上がより好ましく、77(Gpa)以上がより更に好ましい。
<歪点>
本実施形態が適用されるガラス基板の歪率として、例えば、650℃以上が好ましく、680℃以上がより好ましく、700℃以上、720℃以上が更により好ましい。
(2-3) Characteristics of glass substrate <Glass composition>
Examples of the glass composition to which the present embodiment is applied include the following (mass% display).
SiO 2: 50~70% (preferably, 57~64%), Al 2 O 3: 5~25% ( preferably, 12~18%), B 2 O 3: 0~15% ( preferably, 6 ~ 13%), and may optionally contain the following composition. As optional components, MgO: 0 to 10% (preferably 0.5 to 4%), CaO: 0 to 20% (preferably 3 to 7%), SrO: 0 to 20% (preferably, from 0.5 to 8%, more preferably 3~7%), BaO: 0~10% ( preferably 0-3%, more preferably 0~1%), ZrO 2: 0~10 % ( preferably 0 to 4%, more preferably 0 to 1%). Furthermore, it is more preferable that R ′ 2 O: more than 0.10% and 2.0% or less (provided that R ′ is at least one selected from Li, Na, and K).
Alternatively, SiO 2: 50~70% (preferably, 55~65%), B 2 O 3: 0~10% ( preferably, 0~5%, 1.3~5%), Al 2 O 3: 10-25% (preferably 16-22%), MgO: 0-10% (preferably 0.5-4%), CaO: 0-20% (preferably 2-10%, 2-6 %), SrO: 0 to 20% (preferably 0 to 4%, 0.4 to 3%), BaO: 0 to 15% (preferably 4 to 11%), RO: 5 to 20% (preferably Is preferably 8 to 20%, 14 to 19%) (wherein R is at least one selected from Mg, Ca, Sr and Ba). Furthermore, it is more preferable that R ′ 2 O contains more than 0.10% and 2.0% or less (provided that R ′ is at least one selected from Li, Na and K).
<Young's modulus>
As a Young's modulus of the glass plate to which this embodiment is applied, for example, 72 (Gpa) or more is preferable, 75 (Gpa) or more is more preferable, and 77 (Gpa) or more is even more preferable.
<Strain point>
As a distortion rate of the glass substrate to which this embodiment is applied, 650 degreeC or more is preferable, for example, 680 degreeC or more is more preferable, 700 degreeC or more and 720 degreeC or more are still more preferable.

以上のように、本発明の表面処理方法および表面処理装置によれば、1700〜1900枚(24時間連続処理)レベルのガラス基板を連続して表面処理を実施した場合においても、ガラス基板の第1面におけるエッチングの塗布量をほぼ一定に制御し、同時に、ガラス基板の第2面へのエッチング液の回り込みを防ぐことのできる塗布量に管理することで、品質の優れたガラス基板を、高効率レベルで生産することが達成できる。これにより、高精細ディスプレイに有用なガラス基板を、経済的に優れた方法で提供することができる。   As described above, according to the surface treatment method and the surface treatment apparatus of the present invention, even when the surface treatment is continuously performed on 1700 to 1900 (24 hours continuous treatment) level glass substrates, By controlling the coating amount of etching on one surface to be almost constant, and at the same time, controlling the coating amount to prevent the etching solution from flowing into the second surface of the glass substrate, a high-quality glass substrate can be obtained. Production at an efficiency level can be achieved. Thereby, a glass substrate useful for a high-definition display can be provided by an economically excellent method.

以上、本発明のガラス基板製造装置、およびガラス基板の製造方法について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよい。   As mentioned above, although the glass substrate manufacturing apparatus of this invention and the manufacturing method of the glass substrate were demonstrated in detail, this invention is not limited to the said embodiment, In the range which does not deviate from the main point of this invention, various improvement and a change are carried out. May be.

1 ガラス基板表面処理装置
2,4 ハウジング
11 エッチング槽
16 エッチング液タンク
11b フッ酸タンク
11c リン酸タンク
11d 塩酸タンク
11e,11f,11g 流量調整バルブ
12a 芯部材
12b ローラ部材
14 接触部材
15 配管
18 搬送ローラ
33 センサ
24 洗浄水ノズル
24a 洗浄タンク1
25 蒸留水ノズル
25a 蒸留水タンク
26 洗浄水ノズル
26a 洗浄タンク2
100 ガラス基板
100a 第1面
100b 第2面
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Glass substrate surface treatment apparatus 2, 4 Housing 11 Etching tank 16 Etching liquid tank 11b Hydrofluoric acid tank 11c Phosphoric acid tank 11d Hydrochloric acid tank 11e, 11f, 11g Flow rate adjustment valve 12a Core member 12b Roller member 14 Contact member 15 Piping 18 Conveying roller 33 Sensor 24 Washing water nozzle 24a Washing tank 1
25 Distilled water nozzle 25a Distilled water tank 26 Washing water nozzle 26a Washing tank 2
100 Glass substrate 100a First surface 100b Second surface

Claims (9)

ガラス基板の主表面のうち第1面を連続的に粗面化する表面処理工程を含むディスプレイ用ガラス基板の製造方法であって、
前記表面処理工程において、エッチング液を保持した多孔質材を外周部に有する複数の粗面化ローラーガラス基板を接触させ、支持させながら搬送し、ガラス基板に前記粗面化ローラーが接触することで前記粗面化ローラーとラス板との間に、前記多孔質材が保持するエッチング液の一部を供給してエッチング液の接液膜層を形成するようにガラス基板の第1面にエッチング液を塗布し、
エッチング液の塗布により形成された前記接液膜層を予め定められる基準接液膜層と比較し、エッチング液の塗布により形成された前記接液膜層の前記粗面化ローラーの回転軸方向に沿った複数箇所の液幅の平均値前記基準接液膜層の液幅とほぼ同等となるように、エッチング液の塗布量を調整し、ガラス基板の1面を粗面化する、ディスプレイ用ガラス基板の製造方法。
A method for producing a glass substrate for a display, comprising a surface treatment step of continuously roughening the first surface of the main surface of the glass substrate,
In the surface treatment step, it is contacted with the glass substrate into a plurality of roughened roller having a porous material which holds the etchant to the outer peripheral portion, and conveyed while being supported, to contact the roughened roller to a glass substrate in the between the roughened roller and glass base plate, the first surface of the glass substrate such that the porous material is by supplying a part of the etchant to retain forming the wetted membrane layer etchant Apply the etchant to
The wetted film layer formed by applying the etchant is compared with a predetermined reference wetted film layer, and the wetted film layer of the wetted film formed by applying the etchant is in the direction of the rotation axis of the roughening roller. A display in which the coating surface of the glass substrate is roughened by adjusting the coating amount of the etching solution so that the average value of the liquid width at a plurality of locations along the reference liquid contact film layer is substantially equal to the liquid width of the reference wetted film layer Method for manufacturing glass substrate.
前記複数の粗面化ローラーにおいて、各々の塗布量がほぼ同量となるように調整される、請求項1に記載のディスプレイ用ガラス基板の製造方法。   The manufacturing method of the glass substrate for a display of Claim 1 adjusted so that each coating amount may become substantially the same amount in these roughening rollers. 前記塗布量の調整が、絞りローラーにより行われる、請求項1又は2に記載のディスプレイ用ガラス基板の製造方法。   The manufacturing method of the glass substrate for a display of Claim 1 or 2 with which adjustment of the said coating amount is performed with a squeeze roller. 前記多孔質材が、気孔径10μm〜100μm及び気孔率80%以上の連続気孔構造である、請求項1〜3のいずれか一項に記載のディスプレイ用ガラス基板の製造方法。   The method for producing a glass substrate for a display according to any one of claims 1 to 3, wherein the porous material has a continuous pore structure having a pore diameter of 10 µm to 100 µm and a porosity of 80% or more. 前記表面処理工程後のガラス基板の第1面の表面粗さRa(算術平均粗さ)が0.40nm以上である、請求項1〜4のいずれか一項に記載のディスプレイ用ガラス基板の製造方法。   The manufacturing of the glass substrate for a display as described in any one of Claims 1-4 whose surface roughness Ra (arithmetic mean roughness) of the 1st surface of the glass substrate after the said surface treatment process is 0.40 nm or more. Method. ガラス基板の主表面のうち第1面を連続的に粗面化する表面処理装置を含むディスプレイ用ガラス基板の製造装置であって、
前記表面処理装置は、エッチング液を保持した多孔質材を外周部に有する複数の粗面化ローラーにガラス基板を接触させ、支持させながら搬送し、ガラス基板に前記粗面化ローラーが接触することで前記粗面化ローラーとガラス基板との間に、前記多孔質材が保持するエッチング液の一部を供給してエッチング液の接液膜層を形成するようにガラス基板の第1面にエッチング液を塗布するエッチング装置と、
予め定められる基準接液膜層と比較できるように、エッチング液の塗布により形成された前記接液膜層の形態を映し出すモニタリング手段と、
前記基準接液膜層の液幅、エッチング液の塗布により形成された前記接液膜層の前記粗面化ローラーの回転軸方向に沿った複数箇所の液幅の平均値がほぼ同等となるように、エッチング液の塗布量を調整する調整手段と、を備えるディスプレイ用ガラス基板製造装置。
An apparatus for manufacturing a glass substrate for display, including a surface treatment device for continuously roughening the first surface of the main surface of the glass substrate,
The surface treatment apparatus is such that a glass substrate is brought into contact with and supported by a plurality of roughening rollers having a porous material holding an etching solution at an outer peripheral portion, and the roughening roller is in contact with the glass substrate. Etching the first surface of the glass substrate so as to form a wetted film layer of the etching solution by supplying a part of the etching solution held by the porous material between the roughening roller and the glass substrate. An etching apparatus for applying a liquid;
Monitoring means for reflecting the form of the wetted film layer formed by application of an etching solution so that it can be compared with a predetermined reference wetted film layer;
The liquid width of the reference wetted film layer is approximately equal to the average value of the liquid widths at a plurality of locations along the rotation axis direction of the roughening roller of the wetted film layer formed by applying the etching liquid. An adjusting means for adjusting the coating amount of the etching solution as described above.
前記複数の粗面化ローラーにおいて、各々の塗布量がほぼ同量となるように調整される、請求項6に記載のディスプレイ用ガラス基板製造装置。   The glass substrate manufacturing apparatus for a display according to claim 6, wherein each of the plurality of roughening rollers is adjusted so that each coating amount is substantially the same. 前記調整手段が、絞りローラーである、請求項6又は7に記載のディスプレイ用ガラス基板製造装置。   The glass substrate manufacturing apparatus for a display according to claim 6 or 7, wherein the adjusting means is a squeezing roller. 前記多孔質材が、気孔径10μm〜100μm及び気孔率80%以上の連続気孔構造である、請求項6〜8のいずれか一項に記載のディスプレイ用ガラス基板製造装置。   The glass substrate manufacturing apparatus for a display according to any one of claims 6 to 8, wherein the porous material has a continuous pore structure having a pore diameter of 10 µm to 100 µm and a porosity of 80% or more.
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