JP6582075B2 - Protection inside gas container by ALD coating - Google Patents

Protection inside gas container by ALD coating Download PDF

Info

Publication number
JP6582075B2
JP6582075B2 JP2018036128A JP2018036128A JP6582075B2 JP 6582075 B2 JP6582075 B2 JP 6582075B2 JP 2018036128 A JP2018036128 A JP 2018036128A JP 2018036128 A JP2018036128 A JP 2018036128A JP 6582075 B2 JP6582075 B2 JP 6582075B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas container
gas
exhaust
reaction
intermediate space
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018036128A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2018115392A (en
Inventor
ヴァイノ サンメルセルク
ヴァイノ サンメルセルク
ユハナ コスタモ
ユハナ コスタモ
ウィリ バイエル
ウィリ バイエル
ヤーン アーリク
ヤーン アーリク
ラウリ アーリク
ラウリ アーリク
スヴェン リンドフォース
スヴェン リンドフォース
ピーター アダム
ピーター アダム
ユホ ポウティアイネン
ユホ ポウティアイネン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Picosun Oy
Original Assignee
Picosun Oy
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Picosun Oy filed Critical Picosun Oy
Priority to JP2018036128A priority Critical patent/JP6582075B2/en
Publication of JP2018115392A publication Critical patent/JP2018115392A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6582075B2 publication Critical patent/JP6582075B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Description

本発明は、全般的には原子層堆積(Atomic Layer Deposition:ALD)に関する。より具体的には、本発明は、ALDによって保護被膜を提供することに関する。   The present invention relates generally to atomic layer deposition (ALD). More specifically, the present invention relates to providing a protective coating by ALD.

発明の背景Background of the Invention

ここでは、本明細書で説明する、最新技術を代表するいかなる技術も認めることなく、有用な背景情報を示す。   Here, useful background information is presented without adhering to any technology representative of the state of the art described herein.

原子層エピタキシー(Atomic Layer Epitaxy:ALE)法は、1970年代初頭にツオモ・サントラ(Tuomo Suntola)博士によって発明された。この方法の別の総称は原子層堆積(Atomic Layer Deposition:ALD)であり、今日ではALEの代わりに用いられている。ALDは、少なくとも1つの基板に少なくとも2つの反応性前駆体種を順次導入することによる、特殊な化学的堆積法である。   The Atomic Layer Epitaxy (ALE) method was invented by Dr. Tuomo Suntola in the early 1970s. Another generic term for this method is atomic layer deposition (ALD), which is used today instead of ALE. ALD is a special chemical deposition method by sequentially introducing at least two reactive precursor species into at least one substrate.

ALDによって成長させた薄膜は、密度が高く、ピンホールがなく、厚さが均一である。例えば、TMAとも称されるトリメチルアルミニウム(CHAlと水とから熱ALDによって酸化アルミニウムを成長させた実験において、基板ウェハ全面における不均一性はわずか1%程度であった。 A thin film grown by ALD has a high density, no pinholes, and a uniform thickness. For example, in an experiment in which aluminum oxide was grown by thermal ALD from trimethylaluminum (CH 3 ) 3 Al, also called TMA, and water, the non-uniformity on the entire surface of the substrate wafer was only about 1%.

ALD技術の興味深い応用の1つは、表面への保護被膜の提供である。   One interesting application of ALD technology is the provision of protective coatings on surfaces.

摘要Abstract

本発明の第1の例示的態様によると、ガスコンテナ内部を保護する方法が提供される。この方法は、前記ガスコンテナのポートに取り付け可能なポートアセンブリを備える吸排気マニホールドを設けることと、反応ガスを、前記ポートアセンブリおよび前記ポートを介して前記ガスコンテナ内部へと順次供給することで、前記ガスコンテナ内部を順次自己飽和表面反応に暴露することと、反応残渣を、前記ガスコンテナから前記ポートおよび前記ポートアセンブリを介してポンプによって送り出すこととを含む。   According to a first exemplary aspect of the present invention, a method for protecting the interior of a gas container is provided. The method includes providing an intake / exhaust manifold including a port assembly attachable to a port of the gas container, and sequentially supplying a reaction gas into the gas container through the port assembly and the port. Sequentially exposing the interior of the gas container to a self-saturated surface reaction and pumping reaction residues from the gas container through the port and the port assembly.

前記ガスコンテナは、例えば、ガス容器やガスボンベであってもよい。前記順次自己飽和表面反応(ALDによる)によって、前記ガスコンテナ内部に所望の保護被膜が形成される。すなわち、前記ガスコンテナ内部において、前記反応ガスにさらされるすべての表面が最終的に被覆されるように、ALDを用いて前記ガスコンテナ内部を被覆してもよい。   The gas container may be, for example, a gas container or a gas cylinder. A desired protective coating is formed inside the gas container by the sequential self-saturated surface reaction (by ALD). That is, the inside of the gas container may be coated using ALD so that all surfaces exposed to the reaction gas are finally coated inside the gas container.

実施形態によっては、前記方法は、前記ガスコンテナの前記ポートに前記ポートアセンブリを取り付けることを含む。前記ガスコンテナの前記ポートは、ガスコンテナ開口部であってもよい。前記ガスコンテナ開口部は、ねじ山付きであってもよい。   In some embodiments, the method includes attaching the port assembly to the port of the gas container. The port of the gas container may be a gas container opening. The gas container opening may be threaded.

実施形態によっては、前記方法は、前記吸排気マニホールドの排気側に取り付けられた真空ポンプによって、反応残渣およびパージガスを前記ガスコンテナ内部から送り出すことを含む。前記真空ポンプは、以下の効果のうちの1つ以上を提供してもよい。すなわち、前記真空ポンプは、前記ガスコンテナ内部を真空にするために用いられてもよい。また、前記真空ポンプは、前記ガスコンテナから前記ポートアセンブリを介して反応残渣を送り出すように構成されてもよい。   In some embodiments, the method includes delivering reaction residue and purge gas from the interior of the gas container by a vacuum pump attached to the exhaust side of the intake and exhaust manifold. The vacuum pump may provide one or more of the following effects. That is, the vacuum pump may be used to evacuate the gas container. The vacuum pump may be configured to send reaction residue from the gas container through the port assembly.

前記ガスコンテナは、ALD反応用の反応室として用いられてもよい。すなわち、実施形態によっては、前記ガスコンテナは、前記ポートアセンブリによって封止される反応容器として用いられる。これによって、前記順次自己飽和表面反応の発生は、前記ガスコンテナ内部に制限される。   The gas container may be used as a reaction chamber for ALD reaction. That is, in some embodiments, the gas container is used as a reaction vessel that is sealed by the port assembly. As a result, the occurrence of the sequential self-saturated surface reaction is limited within the gas container.

実施形態によっては、内壁が被覆された前記ガスコンテナは、外部の加熱器によって加熱されるホットウォール反応室を形成する。   In some embodiments, the gas container coated on the inner wall forms a hot wall reaction chamber that is heated by an external heater.

実施形態によっては、ガス吸気とガス排気の両方が、前記ガスコンテナの同じポートまたは開口を介して行われる。実施形態によっては、前記ガスコンテナに気密状態で連結された前記吸排気マニホールドは、前記ガスコンテナに直接的に開口し、ALD処理の実行に必要な前駆体の交互の供給と、不活性ガスによる前記ガスコンテナの内容積のパージと、前記ガスコンテナからの前記前駆体、ガス状の反応生成物、およびパージガスの除去とを可能にする。   In some embodiments, both gas intake and gas exhaust are performed through the same port or opening of the gas container. In some embodiments, the intake / exhaust manifold connected in an airtight manner to the gas container opens directly to the gas container, and provides an alternate supply of precursors necessary for performing the ALD process and an inert gas. Allows purge of the internal volume of the gas container and removal of the precursor, gaseous reaction products, and purge gas from the gas container.

実施形態によっては、前記ガスコンテナは、前記吸排気マニホールドによって閉塞可能である(または閉塞される)。   In some embodiments, the gas container can be closed (or closed) by the intake and exhaust manifold.

実施形態によっては、前記ポートアセンブリは封止部を備える。実施形態によっては、前記封止部は、ガスコンテナ封止弁の代わりに前記ガスコンテナ開口部に着脱可能である。前記封止部は、実施形態によっては、テーパねじを有する。実施形態によっては、前記テーパねじは、前記ガスコンテナ開口部内の対向ねじと嵌合するように構成される。前記封止部は、回して前記ガスコンテナ開口部内にねじ込むことで前記ガスコンテナ開口部を封止してもよい。実施形態によっては、封止性を向上させるために、前記ねじ山付きのガスコンテナ開口部と前記テーパねじとの間に、テフロン(登録商標)テープなどの封止テープが設けられる。実施形態によっては、少なくとも1つの供給管路および排気管路は、前記封止部を貫通する。実施形態によっては、前記ポートアセンブリは、前記封止部に着脱可能な取付部を備える。前記取付部は、前記封止部の(円筒状の)延長部を形成してもよい。実施形態によっては、前記取付部を前記封止部から取り外すと、前記封止部を回して前記ガスコンテナ開口部に締め込むことができる。実装に応じて、前記取付部は、前記封止部が前記取付部に取り付けられたままで前記封止部を回せるものであってもよい。実施形態によっては、少なくとも1つの供給管路および排気管路は、前記封止部と前記取付部の両方を貫通する。実施形態によっては、前記封止部と前記取付部との間の界面は、前記取付部が前記封止部に取り付けられているときは密閉されている。実施形態によっては、前記取付部の反対側の端部に、供給管路および排気管路の少なくとも1つを通すための気密フィードスルーが設けられる。   In some embodiments, the port assembly includes a seal. In some embodiments, the sealing portion is detachable from the gas container opening instead of the gas container sealing valve. The said sealing part has a taper screw depending on embodiment. In some embodiments, the taper screw is configured to mate with a counter screw in the gas container opening. The sealing part may be sealed by turning and screwing into the gas container opening. In some embodiments, a sealing tape such as a Teflon (registered trademark) tape is provided between the threaded gas container opening and the taper screw in order to improve sealing performance. In some embodiments, at least one supply line and exhaust line passes through the seal. In some embodiments, the port assembly includes an attachment portion that is detachable from the sealing portion. The attachment portion may form a (cylindrical) extension of the sealing portion. In some embodiments, when the attachment portion is removed from the sealing portion, the sealing portion can be turned and tightened into the gas container opening. Depending on mounting, the attachment portion may be capable of rotating the sealing portion while the sealing portion is attached to the attachment portion. In some embodiments, at least one supply conduit and exhaust conduit penetrates both the sealing portion and the attachment portion. In some embodiments, the interface between the sealing portion and the attachment portion is sealed when the attachment portion is attached to the sealing portion. In some embodiments, an airtight feedthrough for passing at least one of a supply pipe line and an exhaust pipe line is provided at the end opposite to the mounting portion.

前記ガスコンテナが、反応室や真空室などの、堆積用の反応炉の室内に配置される実施形態において、前記ポートアセンブリによる封止によって、前記室の壁への被膜の堆積が防止される。これによって、前記室の壁を洗浄する必要性が低減される。   In embodiments in which the gas container is placed in a deposition reactor such as a reaction chamber or a vacuum chamber, sealing by the port assembly prevents coating deposition on the chamber walls. This reduces the need to clean the chamber walls.

実施形態によっては、前記ガスコンテナは、前記ポートアセンブリに含まれる封止部によって封止される反応容器として用いられる。   In some embodiments, the gas container is used as a reaction vessel that is sealed by a seal included in the port assembly.

実施形態によっては、前記封止部は、封止弁の代わりに前記ガスコンテナの前記ポートに着脱可能なテーパねじを有する。   In some embodiments, the sealing portion includes a taper screw that can be attached to and detached from the port of the gas container instead of a sealing valve.

実施形態によっては、前記ポートアセンブリは取付部を備え、該取付部は前記封止部に取り付け可能であり、前記封止部を回して前記ガスコンテナの前記ポートに締め込むことができる。   In some embodiments, the port assembly includes an attachment portion, the attachment portion can be attached to the sealing portion, and the sealing portion can be turned and fastened to the port of the gas container.

実施形態によっては、前記方法は、不活性パージガスを、前記ガスコンテナと周囲の室の壁との間の中間区間へと導き、前記不活性パージガスを前記中間空間からポンプによって送り出すことを含む。   In some embodiments, the method includes directing an inert purge gas to an intermediate section between the gas container and a surrounding chamber wall and pumping the inert purge gas out of the intermediate space.

前記不活性パージガスを前記中間空間へと導くことにより生じる過圧力が、前記ポートアセンブリの封止効果をさらに向上させる。一実施形態における前記中間空間は、前記中間空間と流体連通している真空ポンプによって真空圧に維持される。前記中間空間から排気導管を通って前記真空ポンプなどのポンプへと材料の流れを構成することで、前記中間空間に入り込んだ前駆体材料を除去することができる。   The overpressure generated by introducing the inert purge gas into the intermediate space further improves the sealing effect of the port assembly. In one embodiment, the intermediate space is maintained at a vacuum pressure by a vacuum pump in fluid communication with the intermediate space. By configuring the material flow from the intermediate space through the exhaust conduit to a pump such as the vacuum pump, the precursor material that has entered the intermediate space can be removed.

前記吸排気マニホールドは、少なくとも1つの供給管路と、排気管路とを備える。前駆体蒸気は、前記少なくとも1つの供給管路の、前記ガスコンテナ内の放出ポイントから放出される。前記排気管路は、前記ガスコンテナ内の排気ポイントを起点とする。実施形態によっては、前記ガスコンテナ内の前記放出ポイント(つまりガス放出ポイント)は、前記排気ポイント(つまりガス排気ポイント)とは異なるレベルに配置される。特定の例示的実施形態における前記放出ポイントは、前記ガスコンテナの下端(すなわち下端部)に、前記排気ポイントは上端(すなわち上端部)にある。別の例示的実施形態において、前記放出ポイントは、前記ガスコンテナ内部の上端(すなわち上端部)に、前記排気ポイントは下端(すなわち下端部)にある。   The intake / exhaust manifold includes at least one supply pipe and an exhaust pipe. Precursor vapor is released from a discharge point in the gas container of the at least one supply line. The exhaust pipe starts from an exhaust point in the gas container. In some embodiments, the discharge point (ie, gas discharge point) in the gas container is located at a different level than the exhaust point (ie, gas exhaust point). In certain exemplary embodiments, the discharge point is at the lower end (ie, the lower end) of the gas container and the exhaust point is at the upper end (ie, the upper end). In another exemplary embodiment, the discharge point is at the upper end (ie, the upper end) inside the gas container and the exhaust point is at the lower end (ie, the lower end).

実施形態によっては、前記吸排気マニホールドは1つ以上の供給管路を備え、各供給管路の制御要素は、コンピュータに実装された制御システムによって制御される。   In some embodiments, the intake and exhaust manifold includes one or more supply lines, and the control elements of each supply line are controlled by a control system implemented in a computer.

実施形態によっては、前記吸排気マニホールドは、ALD反応炉の供給設備を備える。実施形態によっては、前記供給設備は、供給管路および少なくとも所望の前駆体および不活性ガスの流量制御要素、例えば弁、質量流量コントローラなどと、それらの制御システムとを備える。   In some embodiments, the intake / exhaust manifold includes an ALD reactor supply facility. In some embodiments, the supply facility comprises a supply line and at least the desired precursor and inert gas flow control elements, such as valves, mass flow controllers, etc., and their control systems.

前記制御システムは、例えば、ラップトップコンピュータなどのソフトウェアによって実装されてもよい。すなわち、実施形態によっては、前記吸排気マニホールドは1つ以上の供給管路を備え、各供給管路の制御要素は、コンピュータに実装された制御システムによって制御される。適切な交換可能な前駆体ソースおよび不活性ガスソースを、前記供給設備に取り付けてもよい。   The control system may be implemented by software such as a laptop computer. That is, in some embodiments, the intake / exhaust manifold includes one or more supply lines, and the control elements of each supply line are controlled by a control system implemented in a computer. Appropriate replaceable precursor sources and inert gas sources may be attached to the supply facility.

本発明の第2の例示的態様によると、ガスコンテナ内部を保護する装置が提供される。前記装置は、前記ガスコンテナのポートに取り付け可能なポートアセンブリを備える吸排気マニホールドであって、前記装置は、反応ガスを、前記ポートアセンブリおよび前記ポートを介して前記ガスコンテナ内部へと順次供給することで、前記ガスコンテナ内部を順次自己飽和表面反応に暴露するように構成される吸排気マニホールドと、反応残渣を、前記ガスコンテナから前記ポートおよび前記ポートアセンブリを介して送り出すように構成されるポンプと、を備える。   According to a second exemplary aspect of the present invention, an apparatus for protecting a gas container interior is provided. The apparatus is an intake / exhaust manifold including a port assembly attachable to a port of the gas container, and the apparatus sequentially supplies reaction gas into the gas container through the port assembly and the port. An intake / exhaust manifold configured to sequentially expose the interior of the gas container to a self-saturated surface reaction, and a pump configured to pump reaction residues from the gas container through the port and the port assembly. And comprising.

実施形態によっては、前記吸排気マニホールドによって設けられるガス放出ポイントは、前記吸排気マニホールドによって設けられるガス排気ポイントとは異なるレベルに配置される。前記異なるレベルとは、ここでは通常は異なる高さを意味する。   In some embodiments, the gas discharge point provided by the intake / exhaust manifold is disposed at a different level from the gas exhaust point provided by the intake / exhaust manifold. The different levels here usually mean different heights.

実施形態によっては、前記吸排気マニホールドは、前駆体蒸気およびパージガスの供給管路と、それらの制御要素とを備える。前記ポンプは、前記吸排気マニホールドの排気側に取り付けられてもよい。前記ポンプは真空ポンプであってもよい。   In some embodiments, the intake and exhaust manifolds include precursor vapor and purge gas supply lines and their control elements. The pump may be attached to an exhaust side of the intake / exhaust manifold. The pump may be a vacuum pump.

実施形態によっては、前記吸排気マニホールドはガスコンテナ固有のポートアセンブリを備え、該ポートアセンブリは、前記吸排気マニホールドを前記ガスコンテナの前記ポートに取り付けるように構成され、それによって前記吸排気マニホールドと前記ガスコンテナ内部との間に流体連通経路を形成する。同様に、前記ガスコンテナ内部と前記ポンプとの間に流体連通経路が形成される。   In some embodiments, the intake / exhaust manifold includes a gas container specific port assembly configured to attach the intake / exhaust manifold to the port of the gas container, thereby A fluid communication path is formed between the inside of the gas container. Similarly, a fluid communication path is formed between the inside of the gas container and the pump.

実施形態によっては、前記ポートアセンブリは、前記ガスコンテナの前記ポートに取り付け可能な封止部を備える。   In some embodiments, the port assembly includes a seal that is attachable to the port of the gas container.

実施形態によっては、前記封止部はテーパねじを有する。   In some embodiments, the sealing portion has a taper screw.

実施形態によっては、前記装置は、前記ガスコンテナを取り囲む室と、前記ガスコンテナと周囲の室の壁との間の中間空間へと不活性パージガスを導くように構成される不活性ガス供給管路とを備える。   In some embodiments, the apparatus includes an inert gas supply line configured to direct an inert purge gas to a chamber surrounding the gas container and to an intermediate space between the gas container and a wall of the surrounding chamber. With.

前記吸排気マニホールドを備える前記装置は、ユーザのニーズを満たすために移動できるように、移動型であってもよい。実施形態によっては、前記吸排気マニホールドは吸気マニホールドと排気マニホールドとを別々に備え、両方のマニホールドは、前記ガスコンテナポートに同時に連結可能であり、ガスコンテナ内部の保護方法において連携して動作するように設計される。   The device comprising the intake / exhaust manifold may be mobile so that it can be moved to meet user needs. In some embodiments, the intake / exhaust manifold includes a separate intake manifold and exhaust manifold, and both manifolds can be connected to the gas container port at the same time, and operate in cooperation in a protection method inside the gas container. Designed to.

ここまで、本発明を拘束しない様々な実施形態を例示してきた。上記の各実施形態は、本発明の実装に利用される選択された態様またはステップを説明するためにのみ使用される。いくつかの実施形態は、本発明の特定の例示的態様への言及によってのみ提示されている場合もある。対応する実施形態は他の例示的態様にも適用できることを理解されるべきである。これら実施形態は、任意かつ適切に組み合わされてもよい。   Thus far, various embodiments have been illustrated that do not constrain the present invention. Each of the above embodiments is used only to illustrate selected aspects or steps utilized to implement the present invention. Some embodiments may have been presented only by reference to certain exemplary aspects of the invention. It should be understood that the corresponding embodiments are applicable to other exemplary aspects. These embodiments may be arbitrarily and appropriately combined.

次に、添付図面を参照して単なる例として本発明を説明する。   The present invention will now be described by way of example only with reference to the accompanying drawings.

一例示的実施形態による、装置と、ガスコンテナ内部を保護するための該装置の使用を示す概略図である。FIG. 3 is a schematic diagram illustrating an apparatus and use of the apparatus to protect the interior of a gas container, according to one exemplary embodiment. 特定の例示的実施形態による別の供給構成を示す図である。FIG. 6 illustrates another supply configuration according to certain exemplary embodiments. さらに別の例示的実施形態を示す図である。FIG. 6 illustrates yet another exemplary embodiment. 特定の例示的実施形態による封止構成を示す図である。FIG. 6 illustrates a sealing configuration according to certain exemplary embodiments. 一例示的実施形態による方法を示す図である。FIG. 3 illustrates a method according to an exemplary embodiment.

詳細説明Detailed explanation

以下の説明においては、原子層堆積(Atomic Layer Deposition:ALD)技術を一例として用いる。ALD成長メカニズムの基本は当業者には公知である。この特許出願の導入部分で言及しているように、ALDは、少なくとも1つの基板に少なくとも2つの反応性前駆体種を順次導入することによる特殊な化学的堆積法である。少なくとも1つの基板を、反応容器内で時間的に分断された前駆体パルスに暴露することで、順次自己飽和表面反応により、材料を上記基板の表面に堆積させる。本出願の文脈において、少なくとも1つの基板は、例えばガス容器などのガスコンテナの内部(内部表面)を含む。また、本出願の文脈において、ALDという用語は、あらゆる適用可能なALDベースの技術と、同等または密接に関連する技術とを含む。この例として分子層堆積(Molecular Layer Deposition:MLD)技術が挙げられる。   In the following description, an atomic layer deposition (ALD) technique is used as an example. The basics of ALD growth mechanisms are known to those skilled in the art. As mentioned in the introductory part of this patent application, ALD is a special chemical deposition method by sequentially introducing at least two reactive precursor species onto at least one substrate. By exposing at least one substrate to a precursor pulse that is time-divided in a reaction vessel, material is deposited on the surface of the substrate by sequential self-saturated surface reactions. In the context of the present application, the at least one substrate comprises the interior (inner surface) of a gas container, such as a gas container. Also, in the context of this application, the term ALD includes any applicable ALD-based technology and equivalent or closely related technology. An example of this is a molecular layer deposition (MLD) technique.

基本的なALD堆積サイクルは、連続する4つのステップ、すなわち、パルスA、パージA、パルスB、およびパージBで構成される。パルスAは第1の前駆体蒸気で構成され、パルスBは第2の前駆体蒸気で構成される。パージAおよびパージB期間中にガス状反応副生成物と残留反応物分子とを反応空間からパージするために、不活性ガスと真空ポンプとが一般に用いられる。1つの堆積シーケンスは、少なくとも1つの堆積サイクルを含む。堆積シーケンスによって所望の厚さの薄膜または被膜が生成されるまで、堆積サイクルが繰り返される。堆積サイクルをより複雑にすることもできる。例えば、堆積サイクルは、パージステップによってそれぞれ分離された3つ以上の反応物蒸気パルスを含むことができる。これら堆積サイクルのすべてによって、論理ユニットまたはマイクロプロセッサによって制御される1つの調時式堆積シーケンスが形成される。   A basic ALD deposition cycle consists of four consecutive steps: Pulse A, Purge A, Pulse B, and Purge B. Pulse A is composed of the first precursor vapor and pulse B is composed of the second precursor vapor. Inert gases and vacuum pumps are commonly used to purge gaseous reaction byproducts and residual reactant molecules from the reaction space during purge A and purge B periods. One deposition sequence includes at least one deposition cycle. The deposition cycle is repeated until the deposition sequence produces a thin film or film of the desired thickness. The deposition cycle can also be made more complex. For example, a deposition cycle can include three or more reactant vapor pulses, each separated by a purge step. All of these deposition cycles form a timed deposition sequence that is controlled by a logic unit or microprocessor.

以下に説明する特定の例示的実施形態において、(ガスボンベやガス容器などの)ガスコンテナ内部を保護被膜によって保護する方法および装置が提供される。このガスコンテナは圧力容器である。ガスコンテナ自体は反応室(すなわち反応空間)を形成し、一般に、独立した基板は存在せず、ガスコンテナ内部の表面が基板を形成する(ここでの基板とは、処理される材料を意味する)。これらすべての表面はALD処理によって被覆することができる。ALD処理では、前駆体蒸気が吸排気マニホールドを介してガスコンテナ内部へと順次供給される。反応残渣は、吸排気マニホールドの排気側を介してガスコンテナ内部からポンプによって送り出される。ガスコンテナの周囲に配置される加熱器によって、ALD処理前および/またはALD処理中にガスコンテナを任意で加熱してもよい。   In certain exemplary embodiments described below, methods and apparatus are provided for protecting the interior of a gas container (such as a gas cylinder or gas container) with a protective coating. This gas container is a pressure vessel. The gas container itself forms a reaction chamber (ie, reaction space), generally there is no separate substrate, and the surface inside the gas container forms the substrate (where the substrate means the material to be processed) ). All these surfaces can be coated by ALD treatment. In the ALD process, the precursor vapor is sequentially supplied into the gas container through the intake / exhaust manifold. The reaction residue is pumped out from the gas container through the exhaust side of the intake / exhaust manifold. The gas container may optionally be heated before and / or during the ALD process by a heater placed around the gas container.

図1は、特定の例示的実施形態における方法および関連する装置を示す図である。ガスコンテナ10の内部の保護に用いられる装置は、吸排気マニホールド20を備える。この装置は移動型装置であってもよい。移動型装置は、必要に応じて、保護するガスコンテナの近くへと適宜移動されてもよい。   FIG. 1 is a diagram illustrating a method and associated apparatus in a particular exemplary embodiment. An apparatus used for protecting the inside of the gas container 10 includes an intake / exhaust manifold 20. This device may be a mobile device. The mobile device may be moved as appropriate close to the gas container to be protected, if necessary.

吸排気マニホールド20は、ガスコンテナポート11に取り外し可能に取り付けられるように構成される。図1は、ポートアセンブリ24によってガスコンテナポート11に取り付けられる吸排気マニホールド20を示す。ポートアセンブリ24は、ガスコンテナ固有の部品であってもよい。ポートアセンブリは、ガスコンテナポート11とポートアセンブリ24との間の界面を封止する封止構造(図示せず)を備える。一例示的実施形態において、ポートアセンブリはシール(図示せず)を備える。このシールは、ガスコンテナポート11内のその対向面に締め付けられる。   The intake / exhaust manifold 20 is configured to be removably attached to the gas container port 11. FIG. 1 shows an intake / exhaust manifold 20 attached to a gas container port 11 by a port assembly 24. The port assembly 24 may be a gas container specific part. The port assembly includes a sealing structure (not shown) that seals the interface between the gas container port 11 and the port assembly 24. In one exemplary embodiment, the port assembly comprises a seal (not shown). This seal is clamped to its opposite surface in the gas container port 11.

吸排気マニホールド20は、ALD反応炉の供給設備70を備える。この供給設備70は、必要な供給管路と、それらの制御要素とを備える。図1に示すポートアセンブリ24には、第1の前駆体蒸気供給管路41、第2の前駆体供給管路42、およびパージガス供給管路43が取り付けられている。第1の前駆体供給管路41は第1の前駆体ソース21を、第2の前駆体供給管路42は第2の前駆体ソース22を、パージガス供給管路43はパージ/不活性ガスソース23を起点とする。供給管路41〜43は、それぞれ対応するソース21〜23から、ポートアセンブリ24およびガスコンテナポート11を通ってガスコンテナ10の内部へと延びる。供給管路41〜43は、それぞれの放出ポイントで終端する。排気管路32は、ガスコンテナ内部の排気ポイントを起点とする。均一な堆積を効果的に得るために、放出ポイントは排気ポイントとは異なるレベルに配置するべきである。図1に示す実施形態では、供給管路41〜43の放出ポイントはガスコンテナ10の下端部に、排気ポイントは上端部にある。   The intake / exhaust manifold 20 includes an ALD reactor supply facility 70. The supply facility 70 includes necessary supply pipelines and their control elements. A first precursor vapor supply line 41, a second precursor supply line 42, and a purge gas supply line 43 are attached to the port assembly 24 shown in FIG. The first precursor supply line 41 is the first precursor source 21, the second precursor supply line 42 is the second precursor source 22, and the purge gas supply line 43 is the purge / inert gas source. 23 is the starting point. The supply lines 41 to 43 extend from the corresponding sources 21 to 23 to the inside of the gas container 10 through the port assembly 24 and the gas container port 11, respectively. The supply lines 41 to 43 terminate at their respective discharge points. The exhaust pipe line 32 starts from an exhaust point inside the gas container. The emission point should be located at a different level than the exhaust point in order to effectively obtain uniform deposition. In the embodiment shown in FIG. 1, the discharge points of the supply pipelines 41 to 43 are at the lower end of the gas container 10, and the exhaust point is at the upper end.

供給管路の制御要素は、流量制御要素およびタイミング制御要素からなる。第1の前駆体供給管路41内の第1の前駆体供給弁61および質量(または容積)流量コントローラ51は、第1の前駆体パルスのタイミングおよび流量を制御する。同様に、第2の前駆体供給管路42内の第2の前駆体供給弁62および質量(または容積)流量コントローラ52は、第2の前駆体パルスのタイミングおよび流量を制御する。さらに、パージガス供給弁63および質量(または容積)流量コントローラ53は、パージガスのタイミングおよび流量を制御する。   The supply line control element includes a flow rate control element and a timing control element. A first precursor supply valve 61 and a mass (or volume) flow controller 51 in the first precursor supply line 41 control the timing and flow rate of the first precursor pulse. Similarly, a second precursor supply valve 62 and mass (or volume) flow controller 52 in the second precursor supply line 42 controls the timing and flow rate of the second precursor pulse. Further, the purge gas supply valve 63 and the mass (or volume) flow rate controller 53 control the timing and flow rate of the purge gas.

図1に示す実施形態において、供給設備70の動作は制御システムによって制御される。図1に、供給設備70と制御システム71との間の制御接続72を示す。制御システム71は、例えば、ラップトップコンピュータなどのソフトウェアによって実装されてもよい。   In the embodiment shown in FIG. 1, the operation of the supply facility 70 is controlled by a control system. FIG. 1 shows a control connection 72 between a supply facility 70 and a control system 71. The control system 71 may be implemented by software such as a laptop computer, for example.

実施形態によっては、ガスコンテナ内部でのALD処理は、真空圧で行われる。吸排気マニホールド20は真空ポンプ33を備える。実施形態によっては、真空ポンプ33は、吸排気マニホールド20によって設けられる排気管路32の端部に配置される。真空ポンプ33は、(制御システム71と真空ポンプ33との間の)任意使用の電気接続73を介して、制御システム71によって任意で制御することができる。実施形態によっては、ガスコンテナは外部の加熱器(図示せず)によって加熱される。   In some embodiments, the ALD process inside the gas container is performed at a vacuum pressure. The intake / exhaust manifold 20 includes a vacuum pump 33. In some embodiments, the vacuum pump 33 is disposed at the end of the exhaust line 32 provided by the intake / exhaust manifold 20. The vacuum pump 33 can optionally be controlled by the control system 71 via an optional electrical connection 73 (between the control system 71 and the vacuum pump 33). In some embodiments, the gas container is heated by an external heater (not shown).

動作中、真空ポンプ33によってガスコンテナ10の内部が真空にされる。第1の前駆体および第2の前駆体の前駆体蒸気は、第1および第2の前駆体供給管路41および42の各放出ポイントからガスコンテナ内部へと、それぞれ順次放出される。パージステップにおいて、不活性パージガスがパージガス供給管路43の放出ポイントからガスコンテナ内部へと放出される。矢印15は、ガスコンテナ内における、前駆体蒸気およびパージガスのそれぞれの放出ポイントから排気ポイント(ここを介して排気管路32へとポンプで送られる)への流れ方向を示している。堆積サイクルを必要なだけ繰り返すことで、ガスコンテナの内部表面に所望の厚さの保護被膜を得る。   During operation, the inside of the gas container 10 is evacuated by the vacuum pump 33. The precursor vapors of the first precursor and the second precursor are sequentially discharged from the discharge points of the first and second precursor supply lines 41 and 42 into the gas container, respectively. In the purge step, the inert purge gas is discharged from the discharge point of the purge gas supply line 43 into the gas container. Arrows 15 indicate the flow direction in the gas container from the respective discharge points of the precursor vapor and purge gas to the exhaust point (through which it is pumped to the exhaust line 32). By repeating the deposition cycle as necessary, a protective coating having a desired thickness is obtained on the inner surface of the gas container.

さらに図1を参照して、別の実施形態では、吸排気マニホールド20の構成が異なってもよいことに留意されたい。別々の供給管路ではなく、複数の供給管路の少なくとも一部が共用であってもよい。弁の種類は異なってもよく、流量制御要素の位置が異なるなどしてもよい。例えば、二方弁の代わりに三方弁を用いて、供給管路の経路変更を直ちに反映するようにしてもよい。前駆体ソースおよびパージガスについては、実装や所望の被膜に応じて選択する。ガスコンテナ10は、任意使用の加熱器16によって、ガスコンテナ10の外側から加熱してもよい。加熱器は、ガスコンテナ10の周囲に設けられるヘリカルコイル加熱器であってもよい。加熱器の運転は、制御システム71によって接続を介して任意で制御することができる。   Still referring to FIG. 1, it should be noted that in other embodiments, the configuration of the intake and exhaust manifold 20 may be different. Instead of separate supply lines, at least some of the plurality of supply lines may be shared. The type of valve may be different and the position of the flow control element may be different. For example, a three-way valve may be used in place of the two-way valve to immediately reflect the change in the supply pipeline route. The precursor source and purge gas are selected according to the mounting and desired coating. The gas container 10 may be heated from the outside of the gas container 10 by an optional heater 16. The heater may be a helical coil heater provided around the gas container 10. The operation of the heater can optionally be controlled via a connection by the control system 71.

用途に応じて適用可能な被膜は、例えば、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化タンタル、炭化タングステンなどの金属酸化物、およびそれらの組み合わせを含むが、被膜はこれらの材料に限定されない。   Coatings that can be applied depending on the application include, for example, metal oxides such as aluminum oxide, titanium oxide, tantalum oxide, tungsten carbide, and combinations thereof, but the coating is not limited to these materials.

図2Aおよび図2Bは、ガスコンテナ10内の供給管路および排気管路の配置に関する2つの代替実施形態を示す。ガスコンテナ10は、低圧ガスが自由に移動できるような形状の内壁を有する。   2A and 2B show two alternative embodiments for the arrangement of supply and exhaust lines within the gas container 10. The gas container 10 has an inner wall shaped so that the low-pressure gas can move freely.

図2Aは、図1に示した構成に対応する。すなわち、供給管路41〜43および排気管路32は、ガスコンテナポート11を通って延びる。供給管路41〜43は、それぞれの放出ポイントで終端する。排気管路32は、排気ポイントを起点とする。供給管路41〜43の放出ポイントはガスコンテナ10の下端部に、排気ポイントは上端部にある。ガスの流れの方向は、矢印15によって示されている。   FIG. 2A corresponds to the configuration shown in FIG. That is, the supply pipelines 41 to 43 and the exhaust pipeline 32 extend through the gas container port 11. The supply lines 41 to 43 terminate at their respective discharge points. The exhaust pipe line 32 starts from an exhaust point. The discharge points of the supply pipes 41 to 43 are at the lower end of the gas container 10 and the exhaust point is at the upper end. The direction of gas flow is indicated by arrows 15.

一方、図2Bに示す好ましい実施形態において、排気管路はガスコンテナ10の下端部を起点とし、供給管路41〜43の放出ポイントは上端部にある。供給管路41〜43および排気管路32は、ガスコンテナポート11を通って延びる。供給管路41〜43は、それぞれの放出ポイントで終端する。排気管路32は、排気ポイントを起点とする。ガスの流れの方向は、矢印15によって示されている。   On the other hand, in the preferred embodiment shown in FIG. 2B, the exhaust line starts from the lower end of the gas container 10, and the discharge points of the supply lines 41 to 43 are at the upper end. The supply lines 41 to 43 and the exhaust line 32 extend through the gas container port 11. The supply lines 41 to 43 terminate at their respective discharge points. The exhaust pipe line 32 starts from an exhaust point. The direction of gas flow is indicated by arrows 15.

図3は、別の例示的実施形態による、ガスコンテナ内部を保護する方法および装置を示す図である。この実施形態は、基本的には図1に示す実施形態に対応するが、特定の追加の特徴を開示している。   FIG. 3 is a diagram illustrating a method and apparatus for protecting a gas container interior, according to another exemplary embodiment. This embodiment basically corresponds to the embodiment shown in FIG. 1, but discloses certain additional features.

図3は、ガスコンテナ10を取り囲む室30などの圧力容器を示す。室30は、例えば、ALDの分野で一般的に用いられる真空室やALD反応室であってもよい。ガスコンテナ10は、装填ハッチ31などから室30に装填され、ポート11によってポートアセンブリ24に取り付けられる。供給管路41〜43は、室30の壁に設けられるフィードスルー36を通って室30内に渡される。排気管路32は、室30の壁に設けられるフィードスルー46を通って室30外へと渡される。フィードスルー36および46の位置は、実装に応じて異なる。フィードスルー36および46は、単一のフィードスルーによって実装されてもよい。フィードスルー36および46は封止されている。   FIG. 3 shows a pressure vessel such as a chamber 30 surrounding the gas container 10. The chamber 30 may be, for example, a vacuum chamber or an ALD reaction chamber that is generally used in the field of ALD. The gas container 10 is loaded into the chamber 30 from the loading hatch 31 or the like, and is attached to the port assembly 24 by the port 11. The supply pipelines 41 to 43 are passed into the chamber 30 through a feedthrough 36 provided on the wall of the chamber 30. The exhaust pipe line 32 is passed to the outside of the chamber 30 through a feedthrough 46 provided on the wall of the chamber 30. The positions of the feedthroughs 36 and 46 vary depending on the implementation. Feedthroughs 36 and 46 may be implemented by a single feedthrough. Feedthroughs 36 and 46 are sealed.

ガスコンテナ10内の保護被膜の堆積に関する基本的な動作は、図1に関連付けて説明したものと同様である。   The basic operation relating to the deposition of the protective film in the gas container 10 is the same as that described with reference to FIG.

図3に示す実施形態は、パージガス供給導管44を任意で備える。この導管44を介して、不活性パージガスが、ガスコンテナ10と周囲の室30の壁との間の中間空間40へと導かれる(放出される)。パージガスは、例えば、パージガス供給管路43から分岐した枝管43aに沿って、導管44へと流れる。   The embodiment shown in FIG. 3 optionally includes a purge gas supply conduit 44. Via this conduit 44, an inert purge gas is led (released) into the intermediate space 40 between the gas container 10 and the wall of the surrounding chamber 30. The purge gas flows to the conduit 44 along the branch pipe 43a branched from the purge gas supply pipe 43, for example.

中間空間40は、真空ポンプ33によって、中間空間40の反対側に設けられた排気導管45を介して排気される。排気ポンプ33は、排気導管45から排気ポンプ33へと延びる排気管路47を介して中間空間40と流体連通している。排気管路32および47は、排気ポンプ33への経路上の任意の地点で合流してもよい。   The intermediate space 40 is exhausted by the vacuum pump 33 through an exhaust conduit 45 provided on the opposite side of the intermediate space 40. The exhaust pump 33 is in fluid communication with the intermediate space 40 via an exhaust conduit 47 extending from the exhaust conduit 45 to the exhaust pump 33. The exhaust lines 32 and 47 may join at any point on the path to the exhaust pump 33.

ポンピングによって、中間空間40内に流れが生じ、中間空間40に入り込んだ前駆体材料が排気管路47へと導かれる。不活性パージガスを中間空間40へと導くことにより生じる過圧力が、ポートアセンブリ24の封止効果をさらに向上させる。矢印35は、中間空間40内の流れ方向を示している。   By the pumping, a flow is generated in the intermediate space 40, and the precursor material that has entered the intermediate space 40 is guided to the exhaust pipe 47. The overpressure generated by introducing the inert purge gas into the intermediate space 40 further improves the sealing effect of the port assembly 24. An arrow 35 indicates the flow direction in the intermediate space 40.

図4Aは、一例示的実施形態による封止構成を示す図である。ガスコンテナ410はガスコンテナポート411を備える。ガスコンテナポート411は、ここではガスコンテナの開口部である。吸排気マニホールドは、封止部424を備えるポートアセンブリを備える。封止部は、例えば回すことによって、ガスコンテナ封止弁の代わりにガスコンテナ開口部411に着脱可能である。このため、封止部424はテーパねじ部である。封止部のテーパねじは、ガスコンテナ開口部411内の対向ねじ(図示せず)と嵌め合わされ、ガスコンテナ開口部411に締め込まれて封止するように構成される。前述のとおり、封止部424は、例えば回してガスコンテナ開口部内にねじ込むことでガスコンテナ開口部を封止する。   FIG. 4A is a diagram illustrating a sealing configuration according to one exemplary embodiment. The gas container 410 includes a gas container port 411. Here, the gas container port 411 is an opening of the gas container. The intake / exhaust manifold includes a port assembly that includes a seal 424. The sealing part can be attached to and detached from the gas container opening 411 instead of the gas container sealing valve, for example, by turning. For this reason, the sealing part 424 is a taper screw part. The taper screw of the sealing portion is configured to be fitted with an opposing screw (not shown) in the gas container opening 411 and tightened into the gas container opening 411 for sealing. As described above, the sealing portion 424 seals the gas container opening by, for example, turning and screwing into the gas container opening.

実施形態によっては、図4Bに示すように、封止性を向上させるために、ねじ山付きのガスコンテナ開口部411とテーパねじとの間で、テーパねじの周囲にテフロン(登録商標)テープなどの封止テープ425が設けられる。図4Bは図4Aに示す特定の部品の拡大図である。   In some embodiments, as shown in FIG. 4B, a Teflon tape or the like is provided around the taper screw between the threaded gas container opening 411 and the taper screw to improve sealability. The sealing tape 425 is provided. FIG. 4B is an enlarged view of the particular part shown in FIG. 4A.

図4Aおよび図4Bに示す2つの供給管路441および443ならびに排気管路432は、図2Bの好ましい実施形態と同様に構成されている。すなわち、ガス放出ポイントがガスコンテナ開口部に極めて近く、排気ポイントがガスコンテナの反対の端部(つまり下端)にある。供給管路および排気管路は封止部424を貫通し、ガスコンテナ410の内部へと延びる。実施形態によっては、ポートアセンブリはさらに、封止部に着脱可能な取付部426を備える。取付部426は、封止部424の(円筒状の)延長部を形成する。実施形態によっては、取付部426を封止部424から取り外すと、封止部424を回してガスコンテナ開口部411に締め込むことができる。実装に応じて、取付部426は、封止部424が取付部426に取り付けられたままで封止部424を回せるものであってもよい。供給管路441および443ならびに排気管路432は、封止部424と取付部426の両方を貫通する。封止部424と取付部426との間の界面は、取付部426が封止部424に取り付けられているときは密閉されている。実施形態によっては、(図4Aの上部に示すように)取付部426の、封止部側端部と反対側の端部に、供給管路441および443ならびに排気管路432の少なくとも1つを通すための気密フィードスルーが設けられる。気密フィードスルーは、ここでは基本的に、ある部品の内部と取付部426の外側との間で、ガスを管路のみに通すことができるフィードスルーを意味する。気密界面は、同様に、その界面を介してのみ、界面の第1側にある部品(例えば、取付部426)から第2側にある部品(例えば、封止部424)へとガスを通すことができる界面を意味する。   The two supply lines 441 and 443 and the exhaust line 432 shown in FIGS. 4A and 4B are configured similarly to the preferred embodiment of FIG. 2B. That is, the gas release point is very close to the gas container opening and the exhaust point is at the opposite end (ie, the lower end) of the gas container. The supply line and the exhaust line pass through the sealing portion 424 and extend into the gas container 410. In some embodiments, the port assembly further includes a mounting portion 426 that is detachable from the sealing portion. The mounting portion 426 forms a (cylindrical) extension of the sealing portion 424. Depending on the embodiment, when the attachment portion 426 is removed from the sealing portion 424, the sealing portion 424 can be turned and tightened into the gas container opening portion 411. Depending on the mounting, the attachment portion 426 may be capable of rotating the sealing portion 424 while the sealing portion 424 is attached to the attachment portion 426. The supply pipelines 441 and 443 and the exhaust pipeline 432 pass through both the sealing portion 424 and the attachment portion 426. The interface between the sealing portion 424 and the attachment portion 426 is sealed when the attachment portion 426 is attached to the sealing portion 424. In some embodiments, at least one of supply lines 441 and 443 and an exhaust line 432 is provided at the end of the attachment 426 opposite the end on the seal side (as shown at the top of FIG. 4A). An airtight feedthrough is provided for threading. Airtight feedthrough here basically means a feedthrough that allows gas to pass only through the conduit between the interior of a part and the exterior of the attachment 426. Similarly, an airtight interface allows gas to pass only through the interface from a component on the first side of the interface (eg, mounting portion 426) to a component on the second side (eg, sealing portion 424). It means the interface that can.

取付部が省略された実施形態において、フィードスルーは封止部424の(上側)端部に設けられることが好ましい。   In the embodiment in which the attachment portion is omitted, the feedthrough is preferably provided at the (upper) end of the sealing portion 424.

図4Aおよび図4Bに示す実施形態の一般的な動作については、図1〜図3に示した実施形態も参照されたい。   For the general operation of the embodiment shown in FIGS. 4A and 4B, reference is also made to the embodiment shown in FIGS.

図5は、一例示的実施形態による方法を示す図である。ステップ81において、吸排気マニホールドをガスコンテナに取り付ける。ステップ82において、ALD処理を実行する。ALD処理は、ガスコンテナ内部を順次自己飽和表面反応に暴露し、反応残渣をガスコンテナからポンプによって送り出すことを含む。最後に、ステップ83において、吸排気マニホールドをガスコンテナから取り外す。   FIG. 5 is a diagram illustrating a method according to one exemplary embodiment. In step 81, the intake / exhaust manifold is attached to the gas container. In step 82, ALD processing is executed. ALD processing involves sequentially exposing the interior of a gas container to a self-saturated surface reaction and pumping the reaction residue from the gas container. Finally, in step 83, the intake / exhaust manifold is removed from the gas container.

本願明細書において開示された例示的実施形態のうちの1つ以上の技術的効果のいくつかを以下に列挙するが、これは各特許請求項の範囲および解釈を制限するものではない。1つの技術的効果は、共形の保護被膜によってガスコンテナ内部を保護することである。別の技術的効果は、ガスコンテナの内側のみ被覆し、外側を被覆しないことである。さらに別の技術的効果は、周囲の室を洗浄する必要性が低減されることである。   Some of the technical effects of one or more of the exemplary embodiments disclosed herein are listed below, which do not limit the scope and interpretation of each claim. One technical effect is to protect the interior of the gas container with a conformal protective coating. Another technical effect is to coat only the inside of the gas container and not the outside. Yet another technical advantage is that the need to clean the surrounding chamber is reduced.

上述のいくつかの機能または方法ステップは、異なる順序で、および/または同時に実行してもよいことに留意されたい。さらに、上述の機能または方法ステップの1つ以上は、任意としてもよく、また組み合わせてもよい。   It should be noted that some of the functions or method steps described above may be performed in a different order and / or simultaneously. Furthermore, one or more of the functions or method steps described above may be optional or combined.

以上の説明により、本発明の特定の実装および実施形態の非限定例を用いて、発明者によって現在考案されている、本発明を実施するための最良の形態の完全かつ有益な説明を提供した。ただし、本発明は、上記の実施形態の詳細に限定されるものではなく、本発明の特徴から逸脱することなく、同等の手段を用いて他の実施形態で実現可能であることは当業者には明らかである。 The foregoing has provided a complete and useful description of the best mode for carrying out the invention, presently devised by the inventors, using non-limiting examples of specific implementations and embodiments of the invention. . However, it should be understood by those skilled in the art that the present invention is not limited to the details of the above-described embodiments, and can be implemented in other embodiments using equivalent means without departing from the features of the present invention. Is clear.

さらに、本発明の上記実施形態の特徴のいくつかは、他の特徴を同様に使用することなく効果的に使用されてもよい。したがって、上記の説明は、本発明の原理の単なる説明であり、本発明を制限するものではないと考えられるべきである。よって、本発明の範囲は添付の特許請求の範囲によってのみ限定される。   Furthermore, some of the features of the above-described embodiments of the present invention may be effectively used without using other features as well. Accordingly, the above description is merely illustrative of the principles of the invention and is not to be construed as limiting the invention. Accordingly, the scope of the invention is limited only by the appended claims.

Claims (4)

ガスコンテナ内部を保護する方法であって、
前記ガスコンテナ内部が真空になるようにガスコンテナ開口部を通じてポンピングすることと;
反応ガスを、前記ガスコンテナ開口部を通じて前記ガスコンテナ内部へと順次供給することで、前記ガスコンテナ内部を順次自己飽和表面反応に暴露することと;
反応残渣を、前記ガスコンテナ開口部を通じて前記ガスコンテナからポンプで排出することと;
を含むと共に、
前記ガスコンテナと周囲の室の壁との間に中間空間を設けることと;
前記中間空間に不活性パージガスを導くことにより過圧力を生成することと;
更に含む方法。
A method for protecting the interior of a gas container,
Pumping through the gas container opening so that the interior of the gas container is evacuated;
Sequentially exposing the interior of the gas container to a self-saturated surface reaction by sequentially supplying the reaction gas into the gas container through the gas container opening;
Pumping the reaction residue from the gas container through the gas container opening;
Including
Providing an intermediate space between the gas container and the wall of the surrounding chamber;
Generating an overpressure by introducing an inert purge gas into the intermediate space ;
Further comprising, methods.
前記中間空間から前記不活性パージガスをポンプで排出することによって前記中間空間を真空圧にすることを含む、請求項に記載の方法。 The method of claim 1 , comprising vacuuming the intermediate space by pumping the inert purge gas from the intermediate space. 請求項1又は2に記載の方法に従って、ガスコンテナ内部を保護する装置であって、
反応ガスを、前記ガスコンテナ開口部を通じて前記ガスコンテナ内部へと順次供給することで、前記ガスコンテナ内部を順次自己飽和表面反応に暴露する手段と;
前記ガスコンテナ内部が真空になるようにガスコンテナ開口部を通じてポンピングし、反応残渣を、前記ガスコンテナ開口部を通じて前記ガスコンテナからポンプで排出する手段と;
を備え、
前記ガスコンテナを取り囲む室と、前記ガスコンテナと周囲の室の壁との間の中間空間へと不活性パージガスを導くように構成される不活性ガス供給管路とを更に備える装置。
An apparatus for protecting the interior of a gas container according to the method of claim 1 or 2, comprising:
Means for sequentially exposing the interior of the gas container to a self-saturated surface reaction by sequentially supplying the reaction gas into the gas container through the gas container opening;
Means for pumping through the gas container opening so that the interior of the gas container is evacuated, and pumping reaction residues from the gas container through the gas container opening;
With
Further comprising a chamber surrounding the gas container, and an inert gas supply pipe adapted to the intermediate space leads to inert purge gas between the gas container and the surrounding chamber walls, devices.
前記中間空間から前記不活性パージガスをポンプで排出することによって前記中間空間を真空圧にする手段を更に備える、請求項3に記載の装置。  4. The apparatus of claim 3, further comprising means for vacuuming the intermediate space by pumping out the inert purge gas from the intermediate space.
JP2018036128A 2018-03-01 2018-03-01 Protection inside gas container by ALD coating Active JP6582075B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018036128A JP6582075B2 (en) 2018-03-01 2018-03-01 Protection inside gas container by ALD coating

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018036128A JP6582075B2 (en) 2018-03-01 2018-03-01 Protection inside gas container by ALD coating

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016549422A Division JP6302082B2 (en) 2014-03-03 2014-03-03 Protection inside gas container by ALD coating

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018115392A JP2018115392A (en) 2018-07-26
JP6582075B2 true JP6582075B2 (en) 2019-09-25

Family

ID=62985154

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018036128A Active JP6582075B2 (en) 2018-03-01 2018-03-01 Protection inside gas container by ALD coating

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6582075B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FI129502B (en) * 2019-04-25 2022-03-31 Beneq Oy Precursor supply cabinet
US11745453B2 (en) 2020-03-05 2023-09-05 Continental Autonomous Mobility US, LLC Method of making and using a reusable mold for fabrication of optical elements

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4859489A (en) * 1988-07-18 1989-08-22 Vapor Technologies Inc. Method of coating a metal gas-pressure bottle or tank
JPH04297577A (en) * 1991-03-26 1992-10-21 Hitachi Ltd Vacuum device
DK0693975T4 (en) * 1994-02-16 2003-08-18 Coca Cola Co Hollow containers with inert or impermeable inner surface through plasma supported surface reaction or surface polymerization
FI104383B (en) * 1997-12-09 2000-01-14 Fortum Oil & Gas Oy Procedure for coating the inside of a plant
JP4776054B2 (en) * 2000-02-04 2011-09-21 株式会社デンソー Thin film formation method by atomic layer growth
JP4664658B2 (en) * 2004-12-02 2011-04-06 麒麟麦酒株式会社 Plasma CVD film forming apparatus and method for manufacturing plastic container having gas barrier property
JP4593357B2 (en) * 2005-05-18 2010-12-08 麒麟麦酒株式会社 Method for producing gas-barrier plastic container with reduced mouth coloring and the container
JP5028755B2 (en) * 2005-06-23 2012-09-19 東京エレクトロン株式会社 Surface treatment method for semiconductor processing equipment
KR20080074195A (en) * 2005-11-28 2008-08-12 매티슨 트라이-개스, 인크. Gas storage container linings formed with chemical vapor deposition
US8741062B2 (en) * 2008-04-22 2014-06-03 Picosun Oy Apparatus and methods for deposition reactors
US10041169B2 (en) * 2008-05-27 2018-08-07 Picosun Oy System and method for loading a substrate holder carrying a batch of vertically placed substrates into an atomic layer deposition reactor

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018115392A (en) 2018-07-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6302082B2 (en) Protection inside gas container by ALD coating
KR102230543B1 (en) Substrate processing apparatus, injector, and substrate processing method
US9869020B2 (en) Protecting a target pump interior with an ALD coating
US20230383404A1 (en) Ald apparatus, method and valve
JP6374973B2 (en) Protection of hollow body inner surface by ALD coating
JP6582075B2 (en) Protection inside gas container by ALD coating
KR20050046617A (en) Atomic layer deposition process and apparatus
JP6595671B2 (en) Protection of hollow body inner surface by ALD coating

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180301

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180608

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20181126

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20181122

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20190124

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190422

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190822

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190902

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6582075

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250