JP6576503B2 - Oscillator - Google Patents

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Description

本発明は、周囲温度を制御することができる発振器に関する。   The present invention relates to an oscillator capable of controlling an ambient temperature.

従来、水晶振動子を用いた水晶発振回路の温度を一定に保つために、ヒーター及び温度センサから構成される温度制御回路を備えるオーブン制御水晶発振器(以下、OCXOという)が知られている(例えば、特許文献1を参照)。   Conventionally, an oven controlled crystal oscillator (hereinafter referred to as OCXO) having a temperature control circuit composed of a heater and a temperature sensor is known in order to keep the temperature of a crystal oscillation circuit using a crystal resonator constant (for example, OCXO) (for example, , See Patent Document 1).

特開2005−92302号公報JP 2005-92302 A

ところで、OCXOは、温度補償型水晶発振器(以下、TCXOという)よりも周波数の精度と安定度が高い発振信号を出力することができる。しかし、OCXOにおいては、ヒーターにおける発熱により、適切な高温状態を維持するので、OCXOの電源を起動してから周波数が安定状態に至るまでに数分の時間を要する。   By the way, OCXO can output an oscillation signal having higher frequency accuracy and stability than a temperature compensated crystal oscillator (hereinafter referred to as TCXO). However, in OCXO, an appropriate high temperature state is maintained by the heat generated in the heater, so it takes several minutes for the frequency to reach a stable state after the OCXO power supply is activated.

温度制御回路は、P制御回路、PI制御回路、又はPID制御回路により構成される。周波数が安定するまでの時間を短縮するには、P制御におけるゲイン値を大きくすることで、制御目標温度と実温度との差に対するヒーター出力の比を大きくすることが有効である。   The temperature control circuit includes a P control circuit, a PI control circuit, or a PID control circuit. In order to shorten the time until the frequency stabilizes, it is effective to increase the ratio of the heater output to the difference between the control target temperature and the actual temperature by increasing the gain value in the P control.

しかし、ゲイン値を大きくすると、安定状態においてフィードバック回路動作が不安定になり、振動現象が発生する。振動現象が発生すると回路が不安定になるので、振動現象が発生しない程度に小さなゲイン値を用いる必要があった。したがって、ヒーター出力の大きさに制約があり、OCXOの電源を起動してから温度が安定状態に至るまでに長時間を要していた。   However, when the gain value is increased, the feedback circuit operation becomes unstable in a stable state, and a vibration phenomenon occurs. Since the circuit becomes unstable when the vibration phenomenon occurs, it is necessary to use a gain value that is so small that the vibration phenomenon does not occur. Therefore, there is a restriction on the size of the heater output, and it takes a long time until the temperature reaches a stable state after the OCXO power supply is activated.

そこで、本発明はこれらの点に鑑みてなされたものであり、OCXOの電源を起動してから温度が安定状態に至るまでの時間を短縮することを目的とする。   Therefore, the present invention has been made in view of these points, and an object thereof is to shorten the time from when the power supply of the OCXO is started until the temperature reaches a stable state.

本発明に係る発振器は、発振信号を出力する発振部と、前記発振部を加熱する発熱部と、前記発振部の周囲温度を検出する温度検出部と、前記周囲温度が目標温度よりも低い切替温度において、前記発熱部に印加される発熱制御電圧を生成する増幅器のゲインを切り替えることにより前記発熱部の発熱量を制御する制御部と、を備える。   An oscillator according to the present invention includes an oscillation unit that outputs an oscillation signal, a heat generation unit that heats the oscillation unit, a temperature detection unit that detects an ambient temperature of the oscillation unit, and a switching in which the ambient temperature is lower than a target temperature. A control unit that controls a heat generation amount of the heat generating unit by switching a gain of an amplifier that generates a heat generation control voltage applied to the heat generating unit at a temperature.

上記の発振器は、前記切替温度に対応する調整電圧を発生する調整電圧発生部をさらに有し、前記温度検出部は、前記周囲温度に対応する温度検出電圧を出力し、前記制御部は、前記温度検出電圧と前記調整電圧との差分に基づいて前記ゲインを決定してもよい。   The oscillator further includes an adjustment voltage generation unit that generates an adjustment voltage corresponding to the switching temperature, the temperature detection unit outputs a temperature detection voltage corresponding to the ambient temperature, and the control unit The gain may be determined based on a difference between a temperature detection voltage and the adjustment voltage.

前記制御部は、前記切替温度よりも高い温度における前記ゲインを、前記切替温度以下の温度における前記ゲインよりも大きくしてもよい。また、前記制御部は、25℃よりも前記目標温度に近い前記切替温度において前記ゲインを切り替えてもよい。   The control unit may make the gain at a temperature higher than the switching temperature larger than the gain at a temperature equal to or lower than the switching temperature. The control unit may switch the gain at the switching temperature closer to the target temperature than 25 ° C.

前記制御部は、前記温度検出電圧と基準電圧との差分を示す比較電圧を、前記ゲインで増幅する前記増幅器を有し、前記制御部は、前記比較電圧が、前記温度検出電圧が前記調整電圧よりも高い状態を示す第1電圧である場合に前記増幅器のゲインを決定する抵抗を短絡しないことで前記増幅器のゲインを第1ゲインにして、前記比較電圧が、前記温度検出電圧が前記調整電圧以下の状態を示す第2電圧である場合に前記抵抗を短絡することで前記増幅器のゲインを前記第1ゲインよりも小さい第2ゲインにすることにより前記発熱部の発熱量を制御してもよい。   The control unit includes the amplifier that amplifies a comparison voltage indicating a difference between the temperature detection voltage and a reference voltage with the gain, and the control unit is configured such that the comparison voltage is the adjustment voltage. When the voltage is higher than the first voltage, the gain of the amplifier is set to the first gain by not short-circuiting the resistor that determines the gain of the amplifier, the comparison voltage is the adjustment voltage, and the temperature detection voltage is the adjustment voltage. When the second voltage indicates the following state, the heat generation amount of the heat generating unit may be controlled by short-circuiting the resistor so that the gain of the amplifier is a second gain smaller than the first gain. .

本発明によれば、OCXOの電源を起動してから温度が安定状態に至るまでの時間を短縮することができるという効果を奏する。   According to the present invention, there is an effect that it is possible to shorten the time from when the power supply of the OCXO is activated until the temperature reaches a stable state.

第1の実施形態に係る発振器の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the oscillator which concerns on 1st Embodiment. 第1の実施形態に係る制御部の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the control part which concerns on 1st Embodiment. 制御部のゲインを4倍に設定した場合の、発振器の電源投入後の温度検出電圧と発熱制御電圧との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the temperature detection voltage after power-on of an oscillator, and a heat generation control voltage when the gain of a control part is set to 4 times. 制御部のゲインを60倍に設定した場合の、発振器の電源投入後の温度検出電圧と発熱制御電圧との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the temperature detection voltage after power activation of an oscillator, and a heat generation control voltage when the gain of a control part is set to 60 times. 切替温度において、制御部のゲインを60倍から4倍に切り替えた場合の、発振器の電源投入後の温度検出電圧と発熱制御電圧との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the temperature detection voltage after power-on of an oscillator, and a heat generation control voltage at the time of switching temperature, when the gain of a control part is switched from 60 times to 4 times.

<第1の実施形態>
図1は、第1の実施形態に係る発振器100の構成を示す図である。発振器100は、発振部1、発熱部2、温度検出部3、基準電圧発生部4、調整電圧発生部5、比較部6及び制御部7を備える。
<First Embodiment>
FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of an oscillator 100 according to the first embodiment. The oscillator 100 includes an oscillation unit 1, a heat generation unit 2, a temperature detection unit 3, a reference voltage generation unit 4, an adjustment voltage generation unit 5, a comparison unit 6, and a control unit 7.

発振部1は、発振信号を出力する発振回路である。発振部1は、例えば、水晶振動子又はMEMS振動子と、当該振動子を発振させるための増幅回路とを有する。発振部1は、発熱部2により加熱される。   The oscillation unit 1 is an oscillation circuit that outputs an oscillation signal. The oscillation unit 1 includes, for example, a crystal resonator or a MEMS resonator, and an amplifier circuit for causing the resonator to oscillate. The oscillation unit 1 is heated by the heat generation unit 2.

発熱部2は、発振部1を加熱するヒーターである。発熱部2は、制御部7が出力する発熱制御電圧に応じた熱量を発することにより、発振部1の周囲を加熱する。発熱部2は、例えば、発振部1の周囲温度を80℃に維持するように発熱する。   The heat generating unit 2 is a heater that heats the oscillation unit 1. The heat generating unit 2 heats the periphery of the oscillating unit 1 by generating a heat amount corresponding to the heat generation control voltage output from the control unit 7. The heat generating unit 2 generates heat so as to maintain the ambient temperature of the oscillation unit 1 at 80 ° C., for example.

温度検出部3は、発振部1の周囲温度を検出し、検出した周囲温度に応じた温度検出電圧を出力する温度センサである。温度検出部3が出力する温度検出電圧の信号は、制御部7及び比較部6に入力される。   The temperature detection unit 3 is a temperature sensor that detects the ambient temperature of the oscillation unit 1 and outputs a temperature detection voltage corresponding to the detected ambient temperature. A temperature detection voltage signal output from the temperature detection unit 3 is input to the control unit 7 and the comparison unit 6.

基準電圧発生部4は、周囲温度の目標温度に関連付けられた基準電圧を発生する。具体的には、基準電圧発生部4は、周囲温度が目標温度に等しい場合に温度検出部3が出力する温度検出電圧を、基準電圧として発生する。基準電圧発生部4は、目標温度と基準電圧とを関連付けたテーブルを有し、外部から取得した目標温度に応じた基準電圧を発生してもよい。   The reference voltage generator 4 generates a reference voltage associated with the target temperature of the ambient temperature. Specifically, the reference voltage generation unit 4 generates the temperature detection voltage output from the temperature detection unit 3 as the reference voltage when the ambient temperature is equal to the target temperature. The reference voltage generation unit 4 may have a table in which the target temperature and the reference voltage are associated with each other, and may generate a reference voltage corresponding to the target temperature acquired from the outside.

調整電圧発生部5は、基準電圧の電圧レベルを調整して調整電圧を発生するレベルシフト回路である。調整電圧発生部5は、例えば、演算増幅器又はトランジスタにより構成されている。調整電圧発生部5は、周囲温度の目標温度よりも低い温度に対応する調整電圧を発生する。具体的には、温度検出部3が出力する温度検出電圧が、周囲温度が高くなるにつれて低くなる場合、調整電圧発生部5は、基準電圧よりも電圧が高い調整電圧を発生する。例えば、目標温度が80℃であり、発振器100の電源を投入したときの室温が25℃である場合、調整電圧は、室温よりも高く目標温度よりも低い温度60℃に対応する電圧である。本明細書において、調整電圧に対応する温度を切替温度という。   The adjustment voltage generator 5 is a level shift circuit that adjusts the voltage level of the reference voltage to generate an adjustment voltage. The adjustment voltage generator 5 is configured by, for example, an operational amplifier or a transistor. The adjustment voltage generator 5 generates an adjustment voltage corresponding to a temperature lower than the target temperature of the ambient temperature. Specifically, when the temperature detection voltage output from the temperature detection unit 3 decreases as the ambient temperature increases, the adjustment voltage generation unit 5 generates an adjustment voltage whose voltage is higher than the reference voltage. For example, when the target temperature is 80 ° C. and the room temperature when the oscillator 100 is turned on is 25 ° C., the adjustment voltage is a voltage corresponding to a temperature 60 ° C. that is higher than the room temperature and lower than the target temperature. In the present specification, the temperature corresponding to the adjustment voltage is referred to as a switching temperature.

比較部6は、温度検出電圧と調整電圧とを比較するコンパレータである。比較部6は、温度検出部3が出力する温度検出電圧と調整電圧発生部5が出力する調整電圧とを受けて、温度検出電圧と調整電圧との比較結果に応じた比較電圧を出力する。比較部6は、例えば、温度検出電圧が調整電圧よりも高い場合には、ロウレベルの論理値に対応する電圧(以下、ロウレベル電圧という)を出力し、温度検出電圧が調整電圧以下の場合には、ハイレベルの論理値に対応する電圧(以下、ハイレベル電圧という)を出力する。   The comparison unit 6 is a comparator that compares the temperature detection voltage with the adjustment voltage. The comparison unit 6 receives the temperature detection voltage output from the temperature detection unit 3 and the adjustment voltage output from the adjustment voltage generation unit 5 and outputs a comparison voltage corresponding to the comparison result between the temperature detection voltage and the adjustment voltage. For example, when the temperature detection voltage is higher than the adjustment voltage, the comparison unit 6 outputs a voltage corresponding to a low level logic value (hereinafter referred to as a low level voltage), and when the temperature detection voltage is equal to or less than the adjustment voltage. , A voltage corresponding to a high level logic value (hereinafter referred to as a high level voltage) is output.

制御部7は、比較電圧に基づいて発熱部2を制御する。制御部7は、比較電圧に基づいて生成される発熱制御電圧を発熱部2に入力して発熱部2を制御することにより、発振部1の周囲温度を一定の温度に保つ。制御部7は、温度検出電圧と基準電圧との差分電圧を、比較部6が出力する比較電圧に基づいて定められるゲインで増幅して得られる発熱制御電圧に基づいて、発熱部2を制御する。   The control unit 7 controls the heat generating unit 2 based on the comparison voltage. The control unit 7 keeps the ambient temperature of the oscillation unit 1 at a constant temperature by inputting the heat generation control voltage generated based on the comparison voltage to the heat generation unit 2 to control the heat generation unit 2. The control unit 7 controls the heat generating unit 2 based on a heat generation control voltage obtained by amplifying the differential voltage between the temperature detection voltage and the reference voltage with a gain determined based on the comparison voltage output from the comparison unit 6. .

具体的には、制御部7は、比較電圧がロウレベル電圧である場合に、温度検出電圧と基準電圧との差分電圧を第1のゲイン(例えば、60倍)で増幅することにより、発熱制御電圧を生成する。制御部7は、比較電圧がハイレベル電圧である場合に、温度検出電圧と基準電圧との差分電圧を、第1のゲインよりも小さな第2のゲイン(例えば、4倍)で増幅することにより、発熱制御電圧を生成する。   Specifically, when the comparison voltage is a low level voltage, the control unit 7 amplifies a differential voltage between the temperature detection voltage and the reference voltage by a first gain (for example, 60 times), thereby generating a heat generation control voltage. Is generated. When the comparison voltage is a high level voltage, the control unit 7 amplifies the differential voltage between the temperature detection voltage and the reference voltage with a second gain (for example, four times) smaller than the first gain. , Generate heat generation control voltage.

例えば、目標温度が80℃で、切替温度が60℃である場合、制御部7は、温度検出部3が検出した周囲温度が60℃以下の場合に60倍のゲインで差分電圧を増幅し、周囲温度が60℃よりも高くなると、4倍のゲインで差分電圧を増幅する。このようにすることで、周囲温度が切替温度よりも低い場合には、発熱部2の発熱量が最大になるので急速に周囲温度が上昇し、周囲温度が切替温度を超えると、発熱部2の発熱量が抑制されるので、周囲温度の上昇率が低下する。その結果、周囲温度が不安定に振動することが防止される。   For example, when the target temperature is 80 ° C. and the switching temperature is 60 ° C., the control unit 7 amplifies the differential voltage with a gain of 60 times when the ambient temperature detected by the temperature detection unit 3 is 60 ° C. or less. When the ambient temperature is higher than 60 ° C., the differential voltage is amplified with a gain of 4 times. By doing in this way, when the ambient temperature is lower than the switching temperature, the heat generation amount of the heat generating unit 2 is maximized, so that the ambient temperature rises rapidly, and when the ambient temperature exceeds the switching temperature, the heat generating unit 2 Since the amount of heat generated is suppressed, the rate of increase in ambient temperature decreases. As a result, the ambient temperature is prevented from oscillating unstable.

図2は、制御部7の構成を示す図である。制御部7は、温度検出部3から入力される温度検出電圧と基準電圧発生部4から入力される基準電圧との差分電圧を出力する増幅器71を有する。増幅器71の第1入力端子と温度検出部3との間には抵抗72が設けられており、増幅器71の第2入力端子と基準電圧発生部4との間には抵抗73が設けられている。   FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of the control unit 7. The control unit 7 includes an amplifier 71 that outputs a differential voltage between the temperature detection voltage input from the temperature detection unit 3 and the reference voltage input from the reference voltage generation unit 4. A resistor 72 is provided between the first input terminal of the amplifier 71 and the temperature detection unit 3, and a resistor 73 is provided between the second input terminal of the amplifier 71 and the reference voltage generation unit 4. .

制御部7は、増幅器71のゲインを切り替えるための回路を有する。具体的には、増幅器71の第1入力端子と出力端子との間に、互いに直列に接続された抵抗74及び抵抗75が設けられている。また、抵抗75と並列にゲイン切り替え用のスイッチ76が設けられている。スイッチ76は、例えば、CMOSアナログスイッチである。スイッチ76は、比較部6から出力される比較電圧に応じて、導通状態と非導通状態とを切り替える。スイッチ76は、例えば、比較電圧がロウレベル電圧である場合に非導通状態になり、比較電圧がハイレベル電圧である場合に導通状態になる。   The control unit 7 has a circuit for switching the gain of the amplifier 71. Specifically, a resistor 74 and a resistor 75 connected in series with each other are provided between the first input terminal and the output terminal of the amplifier 71. Further, a gain switching switch 76 is provided in parallel with the resistor 75. The switch 76 is, for example, a CMOS analog switch. The switch 76 switches between a conduction state and a non-conduction state according to the comparison voltage output from the comparison unit 6. For example, the switch 76 becomes non-conductive when the comparison voltage is a low-level voltage, and becomes conductive when the comparison voltage is a high-level voltage.

また、増幅器71の第2入力端子とグランドとの間に、互いに直列に接続された抵抗77及び抵抗78が設けられている。また、抵抗78と並列にゲイン切り替え用のスイッチ79が設けられている。スイッチ79は、スイッチ76と同様に、比較部6から出力される比較電圧に応じて、導通状態と非導通状態とを切り替える。   A resistor 77 and a resistor 78 connected in series with each other are provided between the second input terminal of the amplifier 71 and the ground. A gain switching switch 79 is provided in parallel with the resistor 78. Similarly to the switch 76, the switch 79 switches between a conduction state and a non-conduction state according to the comparison voltage output from the comparison unit 6.

比較電圧がロウレベル電圧である場合には、抵抗75及び抵抗78が短絡されず、比較電圧がハイレベル電圧である場合には、抵抗75及び抵抗78が短絡される。したがって、周囲温度が切替温度よりも低い間は、増幅器71のゲインが大きくなり、周囲温度が切替温度よりも高い間は、増幅器71のゲインが小さくなる。その結果、制御部7は、周囲温度が切替温度より低い間は、発熱部2に最大の熱量を発生させ、周囲温度が切替温度よりも高くなると、発熱部2が発生する熱量を抑制することができる。   When the comparison voltage is a low level voltage, the resistor 75 and the resistor 78 are not short-circuited, and when the comparison voltage is a high-level voltage, the resistor 75 and the resistor 78 are short-circuited. Therefore, the gain of the amplifier 71 is large while the ambient temperature is lower than the switching temperature, and the gain of the amplifier 71 is small while the ambient temperature is higher than the switching temperature. As a result, the control unit 7 generates the maximum amount of heat in the heat generating unit 2 while the ambient temperature is lower than the switching temperature, and suppresses the amount of heat generated by the heat generating unit 2 when the ambient temperature becomes higher than the switching temperature. Can do.

図3は、制御部7のゲインを4倍に設定した場合の、発振器100の電源投入後の温度検出電圧と発熱制御電圧との関係を示す図である。図4は、制御部7のゲインを60倍に設定した場合の、発振器100の電源投入後の温度検出電圧と発熱制御電圧との関係を示す図である。図5は、切替温度において、制御部7のゲインを60倍から4倍に切り替えた場合の、発振器100の電源投入後の温度検出電圧と発熱制御電圧との関係を示す図である。   FIG. 3 is a diagram illustrating a relationship between the temperature detection voltage and the heat generation control voltage after the power of the oscillator 100 is turned on when the gain of the control unit 7 is set to four times. FIG. 4 is a diagram illustrating a relationship between the temperature detection voltage and the heat generation control voltage after the oscillator 100 is turned on when the gain of the control unit 7 is set to 60 times. FIG. 5 is a diagram illustrating the relationship between the temperature detection voltage and the heat generation control voltage after the oscillator 100 is turned on when the gain of the control unit 7 is switched from 60 times to 4 times at the switching temperature.

図3、図4及び図5における横軸は、発振器100の電源を投入したからの経過時間、縦軸は電圧を示している。また、図3、図4及び図5における破線は温度検出電圧を示しており、実線は発熱制御電圧を示している。   3, 4, and 5, the horizontal axis indicates the elapsed time since the power of the oscillator 100 is turned on, and the vertical axis indicates the voltage. Further, the broken lines in FIGS. 3, 4 and 5 indicate the temperature detection voltage, and the solid line indicates the heat generation control voltage.

図3においては、電源投入後400秒が経過するまでは、発熱制御電圧が飽和しており、電源電圧である3.3Vに等しい電圧となっている。その後、発熱制御電圧が低下し、電源を投入してから約750秒後に温度検出電圧と発熱制御電圧が一定となる。すなわち、検出温度が目標温度で安定になったとみなせる。   In FIG. 3, the heat generation control voltage is saturated until 400 seconds after the power is turned on, and is equal to the power supply voltage of 3.3V. Thereafter, the heat generation control voltage decreases, and the temperature detection voltage and the heat generation control voltage become constant about 750 seconds after the power is turned on. That is, it can be considered that the detected temperature is stabilized at the target temperature.

図4においては、電源を投入してから約500秒が経過するまでは、発熱制御電圧が3.3Vとなっており、その後、発熱制御電圧は急峻に低下している。電源を投入してから約550秒が経過すると、発熱制御電圧が振動している。発熱制御電圧が振動すると、発熱部2の発熱量が不安定になり、発振部1の周囲温度が不安定な状態になる。電源を投入してから約550秒で、温度検出電圧が一定となる。検出温度が目標温度近傍で一定となっているように見えるが、制御系が不安定な状態なので好ましくない。   In FIG. 4, the heat generation control voltage is 3.3 V until about 500 seconds elapse after the power is turned on, and thereafter, the heat generation control voltage is sharply decreased. When about 550 seconds have elapsed since the power was turned on, the heat generation control voltage oscillates. When the heat generation control voltage vibrates, the heat generation amount of the heat generating unit 2 becomes unstable, and the ambient temperature of the oscillation unit 1 becomes unstable. The temperature detection voltage becomes constant about 550 seconds after the power is turned on. Although the detected temperature seems to be constant near the target temperature, it is not preferable because the control system is unstable.

本実施形態に係る図5に示すデータを取得する際には、周囲温度が目標温度と同じ80℃に到達した時点(図5におけるAの時間)で、ゲインが60倍から4倍に切り替わっている。その結果、温度検出電圧は、電源投入後、約550秒後に安定しており、図3と比べて約150秒早く安定している。また、発熱制御電圧は、急峻に低下した後に、電源投入後、約650秒で安定となっている。このように、本実施形態によれば、周囲温度を短時間で目標温度に到達させることができるとともに、周囲温度を安定させることができる。   When acquiring the data shown in FIG. 5 according to the present embodiment, the gain is switched from 60 times to 4 times when the ambient temperature reaches 80 ° C. which is the same as the target temperature (time A in FIG. 5). Yes. As a result, the temperature detection voltage is stable about 550 seconds after the power is turned on, and is stabilized about 150 seconds earlier than in FIG. Moreover, the heat generation control voltage is stabilized about 650 seconds after the power is turned on after sharply decreasing. Thus, according to the present embodiment, the ambient temperature can reach the target temperature in a short time, and the ambient temperature can be stabilized.

<第2の実施形態>
第1の実施形態において、比較部6は、温度検出電圧が調整電圧に等しい場合に比較電圧を切り替えた。例えば、比較部6は、周囲温度が80℃になった時点で比較電圧をロウレベル電圧からハイレベル電圧に切り替えた。
<Second Embodiment>
In the first embodiment, the comparison unit 6 switches the comparison voltage when the temperature detection voltage is equal to the adjustment voltage. For example, the comparison unit 6 switches the comparison voltage from the low level voltage to the high level voltage when the ambient temperature reaches 80 ° C.

第2の実施形態に係る比較部6は、ヒステリシスを持っている点で第1の実施形態と異なる。具体的には、比較部6は、温度検出電圧が調整電圧よりも大きくなるように変化する場合に、温度検出電圧が第1基準電圧に等しくなると、比較電圧を第1の値から第2の値に切り替えるとともに、温度検出電圧が調整電圧よりも小さくなるように変化する場合に、温度検出電圧が第1基準電圧と異なる第2基準電圧に等しくなると、比較電圧を第2の値から第1の値に切り替える。   The comparison unit 6 according to the second embodiment is different from the first embodiment in that it has hysteresis. Specifically, the comparison unit 6 changes the comparison voltage from the first value to the second value when the temperature detection voltage changes to be greater than the adjustment voltage and the temperature detection voltage becomes equal to the first reference voltage. When the temperature detection voltage changes to be smaller than the adjustment voltage and the temperature detection voltage becomes equal to a second reference voltage different from the first reference voltage, the comparison voltage is changed from the second value to the first value. Switch to the value of.

例えば、第1基準電圧は、周囲温度80℃に対応する電圧である、第2基準電圧は、周囲温度75℃に対応する電圧である。この場合、比較部6は、周囲温度が上昇して80℃に達した時点で、比較電圧をロウレベル電圧からハイレベル電圧に切り替え、制御部7は、ゲインを60倍から4倍に切り替える。その後、周囲温度が80℃を越えた後に、一時的に80℃を下回る温度に変化した場合、比較部6は、周囲温度が80℃の時点で、比較電圧をハイレベル電圧からロウレベル電圧に切り替えることなく、ハイレベル電圧を維持する。比較部6は、周囲温度がさらに低下して75℃に到達すると、比較電圧をハイレベル電圧からロウレベル電圧に切り替える。   For example, the first reference voltage is a voltage corresponding to an ambient temperature of 80 ° C., and the second reference voltage is a voltage corresponding to an ambient temperature of 75 ° C. In this case, the comparison unit 6 switches the comparison voltage from the low level voltage to the high level voltage when the ambient temperature rises and reaches 80 ° C., and the control unit 7 switches the gain from 60 times to 4 times. Thereafter, when the ambient temperature exceeds 80 ° C. and then temporarily changes to a temperature lower than 80 ° C., the comparison unit 6 switches the comparison voltage from the high level voltage to the low level voltage when the ambient temperature is 80 ° C. Without maintaining a high level voltage. When the ambient temperature further decreases and reaches 75 ° C., the comparison unit 6 switches the comparison voltage from the high level voltage to the low level voltage.

このように、比較部6の動作にヒステリシスを持たせることにより、ゲインを切り替える切替温度付近で温度が変動した場合に、頻繁にゲインが切り替わることにより不安定な状態に陥ることを防ぐことができる。   Thus, by providing hysteresis to the operation of the comparison unit 6, when the temperature fluctuates in the vicinity of the switching temperature for switching the gain, it is possible to prevent the gain from being switched frequently and falling into an unstable state. .

以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。そのような変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。   As mentioned above, although this invention was demonstrated using embodiment, the technical scope of this invention is not limited to the range as described in the said embodiment. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications or improvements can be added to the above embodiment. It is apparent from the scope of the claims that the embodiments added with such changes or improvements can be included in the technical scope of the present invention.

例えば、上記の実施形態においては、比較部6の第2入力端子には、調整電圧発生部5が出力する調整電圧が入力されていたが、第2入力端子には、外部から調整電圧を入力してもよい。また、調整電圧発生部5は、外部からの制御により調整電圧を切り替えてもよい。   For example, in the above embodiment, the adjustment voltage output from the adjustment voltage generator 5 is input to the second input terminal of the comparison unit 6, but the adjustment voltage is input to the second input terminal from the outside. May be. Moreover, the adjustment voltage generation part 5 may switch adjustment voltage by control from the outside.

1・・・発振部、2・・・発熱部、3・・・温度検出部、4・・・基準電圧発生部、5・・・調整電圧発生部、6・・・比較部、7・・・制御部、71・・・増幅器、72、73、74、75、77、78・・・抵抗、76、79・・・スイッチ、100・・・発振器 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Oscillation part, 2 ... Heat generation part, 3 ... Temperature detection part, 4 ... Reference voltage generation part, 5 ... Adjustment voltage generation part, 6 ... Comparison part, ... Control unit 71 ... Amplifier 72, 73, 74, 75, 77, 78 ... Resistor 76, 79 ... Switch, 100 ... Oscillator

Claims (4)

発振信号を出力する発振部と、
前記発振部を加熱する発熱部と、
前記発振部の周囲温度を検出する温度検出部と、
前記周囲温度が目標温度よりも低い切替温度において、前記発熱部に印加される発熱制御電圧を生成する増幅器のゲインを切り替えることにより前記発熱部の発熱量を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記切替温度よりも高い温度における前記増幅器のゲインを、前記切替温度以下の温度における前記ゲインよりも小さくする、発振器。
An oscillation unit for outputting an oscillation signal;
A heat generating unit for heating the oscillation unit;
A temperature detection unit for detecting an ambient temperature of the oscillation unit;
A control unit that controls a heat generation amount of the heat generating unit by switching a gain of an amplifier that generates a heat generation control voltage applied to the heat generating unit at a switching temperature at which the ambient temperature is lower than a target temperature;
Have
The said control part is an oscillator which makes the gain of the said amplifier in the temperature higher than the said switching temperature smaller than the said gain in the temperature below the said switching temperature.
前記切替温度に対応する調整電圧を発生する調整電圧発生部をさらに有し、
前記温度検出部は、前記周囲温度に対応する温度検出電圧を出力し、
前記制御部は、前記温度検出電圧と前記調整電圧との差分に基づいて前記ゲインを決定する、
請求項1に記載の発振器。
An adjustment voltage generator for generating an adjustment voltage corresponding to the switching temperature;
The temperature detection unit outputs a temperature detection voltage corresponding to the ambient temperature,
The control unit determines the gain based on a difference between the temperature detection voltage and the adjustment voltage.
The oscillator according to claim 1.
前記制御部は、25℃よりも前記目標温度に近い前記切替温度において前記ゲインを切り替える、
請求項1又は2に記載の発振器。
The control unit switches the gain at the switching temperature closer to the target temperature than 25 ° C.
The oscillator according to claim 1 or 2 .
前記制御部は、前記温度検出電圧と基準電圧との差分を示す比較電圧を、前記ゲインで増幅する前記増幅器を有し、前記制御部は、前記比較電圧が、前記温度検出電圧が前記調整電圧よりも高い状態を示す第1電圧である場合に前記増幅器のゲインを決定する抵抗を短絡しないことで前記増幅器のゲインを第1ゲインにして、前記比較電圧が、前記温度検出電圧が前記調整電圧以下の状態を示す第2電圧である場合に前記抵抗を短絡することで前記増幅器のゲインを前記第1ゲインよりも小さい第2ゲインにすることにより前記発熱部の発熱量を制御する、
請求項2に記載の発振器。
The control unit includes the amplifier that amplifies a comparison voltage indicating a difference between the temperature detection voltage and a reference voltage with the gain, and the control unit is configured such that the comparison voltage is the adjustment voltage. When the voltage is higher than the first voltage, the gain of the amplifier is set to the first gain by not short-circuiting the resistor that determines the gain of the amplifier, and the comparison voltage is the adjustment voltage. When the second voltage indicates the following state, the heating value of the heating unit is controlled by setting the gain of the amplifier to a second gain smaller than the first gain by short-circuiting the resistor.
The oscillator according to claim 2.
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