JP6555663B2 - Analysis device - Google Patents
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Description
本発明は、MEMSなどの素子で用いられる固定構造体の機械特性を解析する解析装置に関する。 The present invention relates to an analysis apparatus for analyzing mechanical characteristics of a fixed structure used in an element such as a MEMS.
近年、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)技術を用いて作製された、機械的な可動構造体を有する各種のMEMSセンサが盛んに研究開発されており、自動車のエアバッグやスマートフォン等の携帯機器に多数搭載されている。このようなMEMSセンサに過度な力が加わった場合、可動構造体の破壊を招く恐れがある。このため、可動構造体の可動範囲を制御(制限)することでMEMSセンサの破壊を防ぐ方法が知られている。 In recent years, various MEMS sensors having a mechanically movable structure manufactured using MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) technology have been actively researched and developed, and are widely used in portable devices such as automobile airbags and smartphones. It is installed. When an excessive force is applied to such a MEMS sensor, the movable structure may be destroyed. For this reason, a method for preventing destruction of the MEMS sensor by controlling (restricting) the movable range of the movable structure is known.
例えば、特許文献1によれば、図9に示すように、半導体基板を加工して形成した支持部501によって一端が固定された可動構造体502を有するMEMS加速度センサにおいて、固定構造体503,固体構造体504が可動構造体502の上下に配置されている。固定構造体503,固体構造体504は、過大な加速度が印加されたときに、可動構造体502が、一定値以上変位しないように規制(動作範囲を制限)するためのストッパ(停止部)として作用する。
For example, according to
これにより、加速度によって生じる過大な力が加速度センサに印加されても、ストッパとなる固定構造体503,固体構造体504により可動構造体502が一定以上変位せず、可動構造体502などの破壊を防止することが可能となる。
Thereby, even if an excessive force generated by acceleration is applied to the acceleration sensor, the
ところで、上述したようなストッパとなる固定構造体を有するMEMSセンサに対して過度な力が加わった場合、固定構造体に可動構造体が接触した状態よりさらに力を受けて、可動構造体が固定構造体に押し付けられることになる。このような状況において、固定構造体と半導体基板との接合強度、あるいは固定構造体自身の機械的な強度を超える力が加わった場合、固定構造体が破壊されることになる。従って、上述した状態を想定し、固定構造体がどの程度の力に耐えられるのかを解析することが重要となる。 By the way, when an excessive force is applied to the MEMS sensor having the fixed structure serving as the stopper as described above, the movable structure is fixed by receiving more force than when the movable structure is in contact with the fixed structure. It will be pressed against the structure. In such a situation, when a force exceeding the bonding strength between the fixed structure and the semiconductor substrate or the mechanical strength of the fixed structure itself is applied, the fixed structure is destroyed. Therefore, it is important to analyze how much force the fixed structure can withstand, assuming the state described above.
しかしながら、上述したような固定構造体の破壊耐性を容易に解析する技術が存在しない。例えば、非特許文献1では、ユーザのコンピュータ上で実行している有限要素法を利用した構造解析プログラムを用いて、剥離を解析する手法が示されている。これによれば、構造解析プログラム上において、3次元の構造体モデルを生成し、指定された材料定義方法を与えることで、モデルの剥離を解析することが可能とされている。
However, there is no technique for easily analyzing the fracture resistance of the fixed structure as described above. For example, Non-Patent
しかしながら、非特許文献1の技術では、可動構造体や固定構造体の3次元モデルを作成するための手間がかかるという課題がある。また、可動構造体や固定構造体が複雑な形状を有する場合、解析の計算に用いられるコンピュータにおいて多くのメモリ容量が必要になるなど要求される性能が高いものとなり、また、解析により多くの時間を要するなどの問題がある。また、可動構造体や固定構造体の形状を変更して再度解析を行う場合、3次元モデルをはじめから作成し直す必要があり、解析を容易に実行することが困難であった。
However, the technique of Non-Patent
これに対し、コンピュータ上で実行している電子回路設計用アプリケーションを用い、MEMS素子であるMEMS加速度センサの機械的あるいは電気的特性を解析する技術がある(非特許文献2参照)。この技術では、静電引力や加速度などの力が、MEMS加速度センサに過剰に印加された場合、可動構造体が固定構造体に接触して停止することを容易に解析可能である。 In contrast, there is a technique for analyzing mechanical or electrical characteristics of a MEMS acceleration sensor, which is a MEMS element, using an electronic circuit design application running on a computer (see Non-Patent Document 2). In this technique, when a force such as electrostatic attraction or acceleration is excessively applied to the MEMS acceleration sensor, it can be easily analyzed that the movable structure comes into contact with the fixed structure and stops.
しかしながらこの技術では、固定構造体がどの程度の力に耐えることができるかを解析することについては示されていない。さらに、非特許文献2の技術では、MEMS加速度センサ以外の、角速度センサ、圧力センサ、振動発電素子などの可動構造体を有するMEMS素子に対し、ストッパとなる固定構造体の構造解析を行う手法が明らかにされていない。このように、従来では、可動構造体の動作範囲を制限するための固定構造体を備えるMEMS素子の特性を容易に解析する技術が無いという問題があった。 However, this technique does not show an analysis of how much force the fixed structure can withstand. Furthermore, in the technique of Non-Patent Document 2, there is a method for analyzing the structure of a fixed structure serving as a stopper for a MEMS element having a movable structure such as an angular velocity sensor, a pressure sensor, and a vibration power generation element other than the MEMS acceleration sensor. It has not been revealed. As described above, conventionally, there is a problem that there is no technique for easily analyzing the characteristics of the MEMS element including the fixed structure for limiting the operation range of the movable structure.
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、可動構造体の動作範囲を制限するための固定構造体を備えるMEMS素子の特性がより容易に解析できるようにすることを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and makes it possible to more easily analyze the characteristics of a MEMS element including a fixed structure for limiting the operation range of a movable structure. For the purpose.
本発明に係る解析装置は、電子回路の電気的な振る舞いを数式で記述するための記述言語で、可動構造体を備えるMEMS素子のモデルを記述した第1等価回路データとして生成する第1等価回路データ生成手段と、可動構造体の動作範囲を制限する停止部となる固定構造体のモデルを上記記述言語で記述した第2等価回路データとして生成する第2等価回路データ生成手段と、第1等価回路データと第2等価回路データとを接続した第3等価回路データによりMEMS素子の特性および固定構造体の機械特性を解析する回路解析手段とを備える。 The analysis apparatus according to the present invention is a description language for describing the electrical behavior of an electronic circuit by a mathematical expression, and is a first equivalent circuit that is generated as first equivalent circuit data describing a model of a MEMS element having a movable structure. Data generating means, second equivalent circuit data generating means for generating, as second equivalent circuit data described in the above description language, a model of a fixed structure serving as a stop unit that limits the operation range of the movable structure, and first equivalent Circuit analysis means for analyzing the characteristics of the MEMS element and the mechanical characteristics of the fixed structure based on the third equivalent circuit data obtained by connecting the circuit data and the second equivalent circuit data.
上記解析装置において、第1等価回路データ生成手段は、基板に固定された支持部に一部が支持された可動構造体の動作を支持部と可動構造体との間をばねにより接続したモデルを上記記述言語で記述した第1等価回路データとして生成する。 In the above analysis apparatus, the first equivalent circuit data generating means is a model in which the operation of the movable structure partially supported by the support portion fixed to the substrate is connected between the support portion and the movable structure by a spring. Generated as first equivalent circuit data described in the above description language.
上記解析装置において、第2等価回路データ生成手段は、基板に取り付けられた固定構造体と基板との密着強度,接触面積を含むパラメータを用いて第2等価回路データを生成する。 In the analysis apparatus, the second equivalent circuit data generating means generates second equivalent circuit data using parameters including the adhesion strength and the contact area between the fixed structure attached to the substrate and the substrate.
以上説明したことにより、本発明によれば、可動構造体の動作範囲を制限するための固定構造体を備えるMEMS素子の特性がより容易に解析できるという優れた効果が得られる。 As described above, according to the present invention, it is possible to obtain an excellent effect that the characteristics of the MEMS element including the fixed structure for limiting the operation range of the movable structure can be analyzed more easily.
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。図1は、本発明の実施の形態における解析装置の構成を示す構成図である。この解析装置は、第1等価回路データ生成部101,第2等価回路データ生成部102,回路解析部103を備える。また、この解析装置は、データ入力部111を備える。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a configuration diagram showing a configuration of an analysis apparatus according to an embodiment of the present invention. The analysis apparatus includes a first equivalent circuit
第1等価回路データ生成部101は、ユーザによるデータ入力部111の操作により入力された入力データに従って、電子回路(電子回路素子)の電気的な振る舞いを数式で記述するための記述言語で、可動構造体を備えるMEMS素子のモデルを記述した第1等価回路データとして生成する。記述言語としては、ハードウエア記述言語(Hardware Description Language;HDL)がある。例えば、第1等価回路データ生成部101は、基板に固定された支持部に一部が支持された可動構造体の動作を支持部と可動構造体との間をばねにより接続したモデルを、ハードウエア記述言語で記述した第1等価回路データとして生成する。
The first equivalent circuit
第2等価回路データ生成部102は、ユーザによるデータ入力部111の操作により入力された入力データに従って、可動構造体の動作範囲を制限する停止部となる固定構造体のモデルを記述言語で記述した第2等価回路データとして生成する。例えば、第2等価回路データ生成部102は、基板に取り付けられた固定構造体と基板との密着強度,接触面積を含むパラメータを用い、ハードウエア記述言語で記述した第2等価回路データを生成する。
The second equivalent circuit
回路解析部103は、第1等価回路データと第2等価回路データとを接続した第3等価回路データによりMEMS素子および固定構造体の機械特性を解析する。回路解析部103は、第3等価回路データにより、固定構造体を備えたMEMS素子の動作状態をシミュレートすることで、MEMS素子および固定構造体の機械特性を解析する。上記記述言語で記述された第1等価回路データ,第2等価回路データは、回路解析部103に入力可能な言語である。
The
回路解析部103は、上述した記述言語で記述された等価回路データより、電子回路を設計する設計装置で用いられるシミュレータである。このシミュレータとして「SPICE」を用いることができる。シミュレーションの結果は、アンペアやオームなどの単位で出力されるが、これら単位を変位量や力などの単位に置き換えることで、MEMS素子および固定構造体の機械特性の解析結果が得られる。
The
解析装置は、CPU(Central Processing Unit;中央演算処理装置)と主記憶装置と外部記憶装置とネットワーク接続装置となどを備えたコンピュータ機器であり、主記憶装置に展開された公知の電子回路設計用アプリケーションなどによりCPUが動作することで、上述した各機能が実現される。また、各機能は、複数のコンピュータ機器に分散させるようにしてもよい。 The analysis device is a computer device including a CPU (Central Processing Unit), a main storage device, an external storage device, a network connection device, and the like, and is used for designing a known electronic circuit developed in the main storage device. Each function mentioned above is implement | achieved because CPU operate | moves with an application. Each function may be distributed among a plurality of computer devices.
図2は、解析対象の固定構造体211を備えたMEMS素子のモデルを示す構成図である。図2に例示するモデルは、MEMS加速度センサである。このMEMS素子は、半導体基板201の上に形成された下部電極202と、下部電極202の上部位置に離間して配置された可動構造体203とを備える。可動構造体203は、ばね205とダッシュポッド(減衰部)206を介して固定用アンカー204に接続されたものと仮定してモデルとしている。
FIG. 2 is a configuration diagram illustrating a model of the MEMS element including the fixed
上述した素子構成に加え、可動構造体203の両脇には、固定構造体211が設けられている。固定構造体211は、半導体基板201の下部電極202形成面に取り付けられている。可動構造体203が接触することになる固定構造体211の接触部と可動構造体203の接触部との距離はLである。なお、この例では、固定構造体211が、可動構造体203の変位を制限するためのストッパ(停止部)として作用するものとして以下の説明を行う。
In addition to the element configuration described above, fixed
実施の形態によれば、電子回路の電気的な振る舞いを数式で記述するための記述言語で、可動構造体の動作範囲を制限する固定構造体を備えるMEMS素子の各構成を記述した等価回路とし、解析することで、固定構造体の機械特性がより容易に解析できるようになる。 According to the embodiment, the description language for describing the electrical behavior of the electronic circuit by a mathematical expression is an equivalent circuit describing each configuration of the MEMS element including the fixed structure that limits the operation range of the movable structure. By analyzing, the mechanical characteristics of the fixed structure can be analyzed more easily.
ここで、固定構造体211の破壊について説明する。図2に示すMEMS素子における可動構造体203に、半導体基板201の底面から可動構造体203上面方向に向かって加速度が印加されたとき、可動構造体203は印加された加速度によって生じる力Fを受け、半導体基板201底面から可動構造体203上面方向に向かって移動する。このとき、可動構造体203が移動する距離xは、ばね205のばね定数をkとすると「x=F/k・・・(1)」によって得られる。
Here, the destruction of the fixed
また、可動構造体203と下部電極202との間の静電容量値は、可動構造体203と下部電極202との間の距離に反比例することが知られている。よって、可動構造体203と下部電極202との間の静電容量値を測定することで、可動構造体203に印加された加速度値を知ることが可能である。
Further, it is known that the capacitance value between the
ここで、可動構造体203が移動する距離xの値が、可動構造体203と固定構造体211との距離Lに等しくなったとき、図3に示すように可動構造体203は固定構造体211に接触し停止し、可動構造体203が可動構造体203上面方向に向かって移動する距離が制限される。さらに、加速度によって生じる力が、固定構造体211と半導体基板201との接合強度、あるいは固定構造体211自身の機械的な強度を超え場合、図4に示すように、固定構造体211は破壊する。このような固定構造体211の機械特性が、MEMS素子のモデルを示す第1等価回路データと固定構造体のモデルを示す第2等価回路データとを接続した第3等価回路データにより解析できる。
Here, when the value of the distance x that the
図5は、図2に示した固定構造体を備えるMEMS素子のモデルにおける個々の部分を回路図とした状態を示す説明図である。図5に示すように、図2に示すMEMS素子は、モジュール1からモジュール6の6個のモジュールからなる等価回路として構成することができる。
FIG. 5 is an explanatory diagram illustrating a state in which individual portions in the model of the MEMS element including the fixed structure illustrated in FIG. 2 are circuit diagrams. As shown in FIG. 5, the MEMS element shown in FIG. 2 can be configured as an equivalent circuit including six modules,
ここで、モジュールA301は、可動構造体203に作用する静電引力を計算するモジュール、モジュールB302は、加速度センサとしてのMEMS素子に作用する力から、可動構造体203の加速度を計算する運動方程式モジュール、モジュールC303は、ばね205による復元力を計算するモジュールである。
Here, the module A301 is a module that calculates the electrostatic attractive force acting on the
また、モジュールD304は、固定用アンカー204によるばね205の終端処理を行うモジュール、モジュールE305は、MEMS素子に印加される加速度を計算するモジュール、モジュールF306は、固定構造体211の機械的特性を計算するモジュールとして構成している。
The module D304 is a module for terminating the
モジュールA301,モジュールB302,モジュールC303,モジュールD304,モジュールE305により、MEMS素子のモデルが構成され、モジュールF306により固定構造体211のモデルが構成されている。
Module A301, module B302, module C303, module D304, and module E305 constitute a MEMS element model, and module F306 constitutes a fixed
各モジュールは、例えばハードウエア記述言語により記述され、各々の等価回路の動作が示されている。ハードウエア記述言語としては、「Verilo−a」を用いることができる。このような記述言語を用いることで、条件分岐や初期条件の設定、数学関数を用いた表現などにより、MEMS素子の各部分のモデルに対応する各モジュールの物理的,電気的特性を自由に記述することができる。 Each module is described in, for example, a hardware description language, and the operation of each equivalent circuit is shown. As the hardware description language, “Verilo-a” can be used. By using such a description language, you can freely describe the physical and electrical characteristics of each module corresponding to the model of each part of the MEMS element by setting conditional branches, initial conditions, and expressions using mathematical functions. can do.
上述したように各部分に対応するモジュールにより構成した等価回路を用いた固定構造体211の解析について説明する。
As described above, the analysis of the fixed
まず、モジュールF306においては、固定構造体211の設計パラメータとして、固定構造体211の半導体基板201に対する密着強度P、固定構造体211と半導体基板との接触面積Aを設定する。また、モジュールF306は、運動方程式を計算するモジュールB302と接続させ、MEMS素子に加わる力Fと、モジュールB302を用いて計算されたMEMS素子の可動構造体203の加速度とが、モジュールF306に入力されるように構成する。
First, in the module F306, as the design parameters of the fixed
解析においては、固定構造体211の半導体基板201に対する密着強度Pと、固定構造体211と半導体基板との接触面積Aを乗じた値P×Aと、MEMS素子に加わる力Fとの比較を行う。MEMS素子に加わる力Fの方が、P×Aよりも小さければ、図3に示すように、固定構造体211によって可動構造体が停止するものと判定し、可動構造体203の速度をゼロとし、可動構造体203の変位を固定構造体211の位置と等しくさせる。
In the analysis, the adhesion strength P of the fixed
一方、MEMS素子に加わる力Fの方がP×Aよりも大きければ、図4に示すように固定構造体211が破壊されると判定し、固定構造体211がないものとして可動構造体203の速度と変位の計算を行う。
On the other hand, if the force F applied to the MEMS element is larger than P × A, it is determined that the fixed
上述した各計算を、電子回路を設計する設計装置で用いられるシミュレータを用いて実施することで、MEMS素子および固定構造体211の機械的特性の解析が行える。
By performing each calculation described above using a simulator used in a design apparatus for designing an electronic circuit, the mechanical characteristics of the MEMS element and the fixed
図6は、図5を用いて説明した回路図を用い、MEMS素子の設計パラメータと固定構造体211の設計パラメータを入力し、実際に解析を行った結果である。この解析では、印加する加速度として、振幅2G(G=9.8m/s2)、周期49Hzの正弦波で変化する加速度を0msecから40msecまで印加した後、振幅25000G、周期49Hzの正弦波で変化する加速度を40msec以降に印加したときの、下部電極202と可動構造体203との間の静電容量値の変化を計算した。なお、印加される加速度の符号について、MEMS素子の下部電極202から可動構造体203に向かう方向(上方)をプラスとした。
FIG. 6 is a result of actual analysis performed by inputting the design parameters of the MEMS element and the design parameters of the fixed
図6に示すように、解析時間40msecまでは、印加される加速度に応じて静電容量値も正弦波として変化していることがわかる。これに対し、40msec後は、印加される加速度に応じて静電容量値が変化し、加速度が3Gとなった時点で固定構造体211に接触し、可動構造体203が停止する。
As shown in FIG. 6, it can be seen that the capacitance value changes as a sine wave according to the applied acceleration until the analysis time of 40 msec. On the other hand, after 40 msec, the capacitance value changes according to the applied acceleration, and when the acceleration reaches 3G, the fixed
この後、印加される加速度が11000Gの時点で、印加される加速度によって生じる力が、固定構造体211の密着強度Pと固定構造体211と半導体基板201との接触面積Aを乗じた値を超え、固定構造体211が破壊されると判定される。本解析では、固定構造体211が破壊された後、下部電極202から上方へ可動構造体203が無限遠方に離れていくものとした。この結果により、固定構造体211の機械的特性の解析が可能である。
Thereafter, when the applied acceleration is 11000 G, the force generated by the applied acceleration exceeds the value obtained by multiplying the adhesion strength P of the fixed
図7は、図5を用いて説明した回路図を用い、MEMS素子の設計パラメータ、および固定構造体211の設計パラメータを入力し、実際に解析を行った結果の別例である。この解析では、印加される加速度として、0Gから100000Gまで直線的に変化する加速度を入力したときの、MEMS素子の下部電極202と可動構造体203と間の静電容量値の変化を計算した。また、固定構造体211の面積Aについて、S1、S2、S3の3種類の値を設定した。
FIG. 7 is another example of a result obtained by actually inputting a design parameter of the MEMS element and a design parameter of the fixed
図7に示すように、印加される加速度の絶対値が3Gとなった時点で可動構造体203が固定構造体211に接触し、静電容量値は一定の値となる。この後さらに加速度を印加していくと、固定構造体211が破壊されることがわかる。また、設定した3種類の面積S1、S2、S3に応じて固定構造体211が破壊される加速度値が異なることがわかる。この結果より、固定構造体211の設計パラメータを変えることで容易にMEMS素子および固定構造体211の機械的特性の解析が可能である。
As shown in FIG. 7, when the absolute value of the applied acceleration reaches 3G, the
以上に説明したように、本発明によれば、電子回路の電気的な振る舞いを数式で記述するための記述言語で、MEMS素子のモデルを第1等価回路データとして記述し、固定構造体のモデル第2等価回路データとして記述し、これら接続した第3等価回路データにより、MEMS素子の特性や固定構造体の機械特性を解析するようにしたので、可動構造体の動作範囲を制限するための固定構造体を備えるMEMS素子の特性がより容易に解析できるようになる。 As described above, according to the present invention, the MEMS element model is described as the first equivalent circuit data in the description language for describing the electrical behavior of the electronic circuit by the mathematical formula, and the model of the fixed structure is obtained. Since it is described as the second equivalent circuit data and the characteristics of the MEMS element and the mechanical characteristics of the fixed structure are analyzed based on the connected third equivalent circuit data, the fixed equivalent for limiting the operation range of the movable structure The characteristics of the MEMS element including the structure can be analyzed more easily.
なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形が実施可能であることは明白である。 It should be noted that the present invention is not limited to the embodiment described above, and that many modifications can be implemented by those having ordinary knowledge in the art within the technical idea of the present invention. It is obvious.
例えば、上述では、固定構造体を剛体としたが、固定構造体が弾性体であってもよい。例えば、図8に示すように、基部401と、基部401と一体に形成されて片持ち梁構造の弾性を有する梁部402とを備える固定構造体400であってもよい。この固定構造体400の、梁部402の長さl,幅w,厚さtに加え、梁部402のヤング率、ばね定数をパラメータとして用いてモジュールを作成して等価回路を構築し、可動構造体が梁部402に接触した状態における、可動構造体の変位の様子、および固定構造体400(梁部402)の変形の様子を解析してもよい。この場合、固定構造体400の弾性限界を超える力が加わった際に、固定構造体400の変形が元に戻らず、固定構造体400の機械的な破壊を表記するように、固定構造体0400に対応するモジュールの内容を記述すればよい。
For example, in the above description, the fixed structure is a rigid body, but the fixed structure may be an elastic body. For example, as shown in FIG. 8, a fixed
また、上述では、MEMS素子として、加速度センサの場合を例示したが、これに限るものではなく、MEMS素子は、角速度センサ、圧力センサ、振動発電素子など、可動構造体を有する様々なMEMS素子に適用できることは言うまでもない。 In the above description, the case of an acceleration sensor is exemplified as the MEMS element. However, the present invention is not limited to this, and the MEMS element can be applied to various MEMS elements having a movable structure such as an angular velocity sensor, a pressure sensor, and a vibration power generation element. Needless to say, it can be applied.
101…第1等価回路データ生成部、102…第2等価回路データ生成部、103…回路解析部、111…データ入力部。
DESCRIPTION OF
Claims (3)
前記可動構造体の動作範囲を制限する停止部となる固定構造体のモデルを前記記述言語で記述した第2等価回路データとして生成する第2等価回路データ生成手段と、
前記第1等価回路データと前記第2等価回路データとを接続した第3等価回路データにより前記MEMS素子および前記固定構造体の機械特性を解析する回路解析手段と
を備えることを特徴とする解析装置。 A first equivalent circuit data generating means for generating, as a first equivalent circuit data describing a model of a MEMS element having a movable structure, in a description language for describing an electrical behavior of an electronic circuit by a mathematical expression;
Second equivalent circuit data generating means for generating a model of a fixed structure serving as a stop unit that limits the operation range of the movable structure as second equivalent circuit data described in the description language;
An analysis apparatus comprising: circuit analysis means for analyzing mechanical characteristics of the MEMS element and the fixed structure based on third equivalent circuit data obtained by connecting the first equivalent circuit data and the second equivalent circuit data. .
前記第1等価回路データ生成手段は、基板に固定された支持部に一部が支持された前記可動構造体の動作を前記支持部と前記可動構造体との間をばねにより接続したモデルを前記記述言語で記述した第1等価回路データとして生成する
ことを特徴とする解析装置。 The analysis device according to claim 1,
The first equivalent circuit data generation means includes a model in which an operation of the movable structure partially supported by a support portion fixed to a substrate is connected between the support portion and the movable structure by a spring. An analysis apparatus that generates the first equivalent circuit data described in a description language.
前記第2等価回路データ生成手段は、前記基板に取り付けられた前記固定構造体と前記基板との密着強度,接触面積を含むパラメータを用いて前記第2等価回路データを生成する
ことを特徴とする解析装置。 The analysis device according to claim 2 ,
The second equivalent circuit data generation means generates the second equivalent circuit data using parameters including an adhesion strength and a contact area between the fixed structure attached to the substrate and the substrate. Analysis device.
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