JP6515140B2 - Resist composition and method for forming resist pattern - Google Patents

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本発明は、レジスト組成物及びレジストパターン形成方法に関する。   The present invention relates to a resist composition and a method for forming a resist pattern.

基板の上に微細なパターンを形成し、これをマスクとしてエッチングを行うことにより該パターンの下層を加工する技術(パターン形成技術)は、半導体素子や液晶表示素子の製造において広く採用されている。微細なパターンは、通常、有機材料からなり、リソグラフィー法やナノインプリント法等の技術によって形成される。たとえばリソグラフィー法においては、基板等の支持体の上に、樹脂等の基材成分を含むレジスト材料を用いてレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対し、光、電子線等の放射線にて選択的露光を行い、現像処理を施すことにより、前記レジスト膜に所定形状のレジストパターンを形成する工程が行われる。そして、該レジストパターンをマスクとして、基板をエッチングにより加工する工程を経て半導体素子等が製造される。
前記レジスト材料はポジ型とネガ型とに分けられ、露光した部分の現像液に対する溶解性が増大するレジスト材料をポジ型、露光した部分の現像液に対する溶解性が減少するレジスト材料をネガ型という。
前記現像液としては、通常、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液等のアルカリ水溶液(アルカリ現像液)が用いられている。また、芳香族系溶剤、脂肪族炭化水素系溶剤、エーテル系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アミド系溶剤、アルコール系溶剤等の有機溶剤を現像液として用いることも行われている。
A technique (pattern forming technique) of processing a lower layer of a pattern by forming a fine pattern on a substrate and performing etching using this as a mask is widely adopted in the manufacture of semiconductor elements and liquid crystal display elements. The fine pattern is usually made of an organic material and is formed by a technique such as a lithography method or a nanoimprint method. For example, in the lithography method, a resist film is formed on a support such as a substrate using a resist material containing a base component such as a resin, and the resist film is selected by radiation such as light or electron beam. The step of forming a resist pattern of a predetermined shape on the resist film is carried out by performing a selective exposure and a development treatment. Then, a semiconductor element or the like is manufactured through the process of processing the substrate by etching using the resist pattern as a mask.
The resist material is divided into a positive type and a negative type, and the solubility of the exposed portion in the developer is increased. The resist material is referred to as a positive type. The resist material in which the exposed portion is reduced in the developer is referred to as a negative. .
As the developer, an aqueous alkaline solution (alkaline developer) such as an aqueous solution of tetramethyl ammonium hydroxide (TMAH) is usually used. In addition, organic solvents such as aromatic solvents, aliphatic hydrocarbon solvents, ether solvents, ketone solvents, ester solvents, amide solvents, alcohol solvents and the like are also used as a developer.

近年、リソグラフィー技術の進歩によって急速にパターンの微細化が進んでいる。
微細化の手法としては、一般に、露光光源の短波長化(高エネルギー化)が行われている。具体的には、従来は、g線、i線に代表される紫外線が用いられていたが、現在では、KrFエキシマレーザーやArFエキシマレーザーを用いた半導体素子の量産が開始されている。また、これらエキシマレーザーよりも短波長(高エネルギー)のEB(電子線)、EUV(極紫外線)、X線などについても検討が行われている。
露光光源の短波長化に伴い、レジスト材料には、露光光源に対する感度、微細な寸法のパターンを再現できる解像性等のリソグラフィー特性の向上が求められる。このような要求を満たすレジスト材料として、化学増幅型レジスト組成物、が知られている。
化学増幅型レジスト組成物としては、一般的に、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分と、露光により酸を発生する酸発生剤成分と、を含有するものが用いられている。たとえば現像液がアルカリ現像液(アルカリ現像プロセス)の場合、基材成分として、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大するものが用いられている。
従来、化学増幅型レジスト組成物の基材成分としては、主に樹脂(ベース樹脂)が用いられている。現在、ArFエキシマレーザーリソグラフィー等において使用される化学増幅型レジスト組成物のベース樹脂としては、193nm付近における透明性に優れることから、(メタ)アクリル酸エステルから誘導される構成単位を主鎖に有する樹脂(アクリル系樹脂)が主流である。
In recent years, with the advance of lithography technology, miniaturization of patterns is rapidly advancing.
Generally as a method of refinement | miniaturization, shortening of the wavelength (exposure) of the exposure light source is performed. Specifically, conventionally, ultraviolet rays represented by g-line and i-line have been used, but at present, mass production of semiconductor elements using a KrF excimer laser or an ArF excimer laser has been started. Also, studies are being made on EB (electron beam), EUV (extreme ultraviolet), X-ray, etc., which have a shorter wavelength (high energy) than these excimer lasers.
With the shortening of the wavelength of the exposure light source, the resist material is required to improve the lithography characteristics such as the sensitivity to the exposure light source and the resolution capable of reproducing the pattern of fine dimensions. Chemically amplified resist compositions are known as resist materials satisfying such requirements.
As the chemically amplified resist composition, generally used is one containing a base component whose solubility in a developer changes due to the action of an acid, and an acid generator component which generates an acid upon exposure to light. There is. For example, when the developing solution is an alkaline developing solution (alkali developing process), a base component having an increased solubility in the alkaline developing solution by the action of an acid is used.
Heretofore, resins (base resins) have been mainly used as base components of chemically amplified resist compositions. At present, as a base resin of a chemically amplified resist composition used in ArF excimer laser lithography and the like, it has a structural unit derived from (meth) acrylic acid ester in the main chain because it has excellent transparency at around 193 nm. Resin (acrylic resin) is the mainstream.

ここで、「(メタ)アクリル酸」とは、α位に水素原子が結合したアクリル酸と、α位にメチル基が結合したメタクリル酸の一方あるいは両方を意味する。「(メタ)アクリル酸エステル」とは、α位に水素原子が結合したアクリル酸エステルと、α位にメチル基が結合したメタクリル酸エステルの一方あるいは両方を意味する。「(メタ)アクリレート」とは、α位に水素原子が結合したアクリレートと、α位にメチル基が結合したメタクリレートの一方あるいは両方を意味する。   Here, “(meth) acrylic acid” means either or both of acrylic acid having a hydrogen atom bonded to the α-position and methacrylic acid having a methyl group bonded to the α-position. The “(meth) acrylic acid ester” means one or both of an acrylic acid ester in which a hydrogen atom is bonded to the α position and a methacrylic acid ester in which a methyl group is bonded to the α position. The “(meth) acrylate” means one or both of an acrylate having a hydrogen atom bonded to the α-position and a methacrylate having a methyl group bonded to the α-position.

化学増幅型レジスト組成物のベース樹脂は、一般的に、リソグラフィー特性等の向上のために、複数種類の構成単位を有している。たとえば、酸発生剤から発生した酸の作用により分解してアルカリ可溶性基を生じる酸分解性基を有する構成単位とともに、ラクトン構造を有する構成単位、水酸基等の極性基を有する構成単位等が用いられている(たとえば特許文献1参照)。ベース樹脂がアクリル系樹脂である場合、前記酸分解性基としては、一般的に、(メタ)アクリル酸等におけるカルボキシ基を、第三級アルキル基又はアセタール基等の酸解離性基で保護したものが用いられている。   The base resin of the chemical amplification resist composition generally has plural types of structural units in order to improve the lithography properties and the like. For example, a structural unit having a lactone structure, a structural unit having a polar group such as a hydroxyl group, etc. may be used together with a structural unit having an acid degradable group which is decomposed by the action of an acid generated from an acid generator to generate an alkali soluble group. (See, for example, Patent Document 1). When the base resin is an acrylic resin, generally, as the acid decomposable group, the carboxy group in (meth) acrylic acid etc. is protected by an acid dissociable group such as a tertiary alkyl group or an acetal group The thing is used.

ポジ型の化学増幅型レジスト組成物、つまり露光によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する化学増幅型レジスト組成物と、アルカリ現像液と、を組み合わせたポジ型現像プロセスは、ネガ型の化学増幅型レジスト組成物とアルカリ現像液とを組み合わせたネガ型現像プロセスに比べて、フォトマスクの構造を単純にできる、形成されるパターンの特性が優れる等の利点がある。そのため、現在、微細なパターンの形成には、ポジ型の化学増幅型レジスト組成物とアルカリ現像液とを組み合わせたポジ型現像プロセスが主に用いられている。   The positive developing process, which is a combination of a positive chemically amplified resist composition, that is, a chemically amplified resist composition in which the solubility in an alkali developer increases with exposure, and an alkaline developer, is a negative chemically amplified resist process. As compared with a negative development process in which a resist composition and an alkali developer are combined, there are advantages such as the ability to simplify the structure of the photomask and the excellent characteristics of the formed pattern. Therefore, at present, a positive development process in which a positive chemically amplified resist composition and an alkali developer are combined is mainly used for forming a fine pattern.

近年、リソグラフィー技術のさらなる進歩、応用分野の拡大等が進むなか、当該ポジ型現像プロセスにも、種々のリソグラフィー特性の改善がよりいっそう求められている。
当該ポジ型現像プロセスを適用する場合、化学増幅型レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜に対して選択的に露光すると、レジスト膜の露光部は、ベース樹脂中の酸分解性基が酸発生剤等から発生した酸の作用により分解して、アルカリ現像液に対して難溶性から可溶性へ転じる一方で、レジスト膜の未露光部はアルカリ難溶性のまま変化しないため、アルカリ現像液で現像することにより、露光部と未露光部との間で溶解コントラストをつけることができ、ポジ型レジストパターンを形成できる。
しかしながら、当該ポジ型現像プロセスを適用して、より微細なパターン(孤立トレンチパターン、微細かつ密集したコンタクトホールパターン等)を形成しようとすると、レジスト膜の露光部の、特に膜厚方向で、光学強度の弱い領域が生じてレジストパターンの解像性が低下しやすい。
In recent years, with the further progress of lithography technology and the expansion of application fields, etc., improvement of various lithography properties is further demanded for the positive development process.
In the case of applying the positive development process, when the resist film obtained by applying the chemically amplified resist composition on a support is selectively exposed, the exposed portion of the resist film is degraded by the acid decomposition in the base resin. While the basic group is decomposed by the action of the acid generated from the acid generator etc. and turns from being poorly soluble to soluble in the alkaline developer, the unexposed area of the resist film remains poorly soluble in alkali, so By developing with a developer, dissolution contrast can be provided between the exposed portion and the unexposed portion, and a positive resist pattern can be formed.
However, if a more fine pattern (isolated trench pattern, fine and dense contact hole pattern, etc.) is to be formed by applying the positive development process, the optical part of the exposed part of the resist film, particularly in the film thickness direction, Regions of weak strength are generated, and the resolution of the resist pattern is likely to be reduced.

上記のような微細なパターン形成には、光学強度の弱い領域が選択的に溶解除去されてレジストパターン(ネガ型レジストパターン)が形成される方法が有用である。主流であるポジ型現像プロセスで用いられる化学増幅型レジスト組成物を用いてネガ型レジストパターンを形成する方法としては、有機溶剤を含有する現像液(有機系現像液)と組み合わせたネガ型現像プロセスが知られている(たとえば特許文献2、3参照)。
当該ネガ型現像プロセスを適用する場合、化学増幅型レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜に対して選択的に露光すると、レジスト膜の露光部は、ベース樹脂中の酸分解性基が酸発生剤等から発生した酸の作用により分解して、有機系現像液に対して可溶性から難溶性へ転じる一方で、レジスト膜の未露光部は可溶性のまま変化しないため、有機系現像液で現像することにより、露光部と未露光部との間で溶解コントラストをつけることができ、ネガ型レジストパターンを形成できる。
In order to form such a fine pattern as described above, a method in which a region having weak optical strength is selectively dissolved and removed to form a resist pattern (negative resist pattern) is useful. As a method of forming a negative resist pattern using a chemically amplified resist composition used in the mainstream positive developing process, a negative developing process combined with a developer containing an organic solvent (organic developer) Are known (see, for example, Patent Documents 2 and 3).
In the case of applying the negative development process, when the resist film obtained by applying the chemically amplified resist composition on a support is selectively exposed, the exposed portion of the resist film is degraded by the acid decomposition in the base resin. The organic group is decomposed by the action of the acid generated from the acid generator etc. and turns from soluble to insoluble in the organic developer while the unexposed area of the resist film remains soluble. By developing with a developer, dissolution contrast can be provided between the exposed portion and the unexposed portion, and a negative resist pattern can be formed.

特開2003−241385号公報Unexamined-Japanese-Patent No. 2003-241385 特開2011−191727号公報JP, 2011-191727, A 特開2012−073565号公報JP 2012-073565 A

電子機器のますますの高性能化・小型化などに伴い、半導体素子等を製造する際のパターン形成においては、リソグラフィー特性及びレジストパターン形状のいっそうの向上が求められている。しかしながら、従来、リソグラフィー法では、特に、パターン寸法の面内均一性(CDU)と焦点深度幅(DOF)特性とを両立させることが難しかった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、リソグラフィー特性及びレジストパターン形状の向上、を課題とする。
With the ever-increasing performance and miniaturization of electronic devices, further improvement in lithography characteristics and resist pattern shape is required for pattern formation in the manufacture of semiconductor devices and the like. However, conventionally, in the lithography method, it is particularly difficult to achieve both in-plane uniformity (CDU) of pattern dimensions and depth of focus (DOF) characteristics.
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to improve the lithography characteristics and the resist pattern shape.

上記の課題を解決するために、本発明は以下の構成を採用した。
すなわち、本発明の第一の態様は、露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、下記一般式(a0−1)で表される構成単位(a0)と、酸の作用により極性が増大する酸分解性基のうち、単環式基を含む基、又は鎖状の基を含む構成単位(a1)と、酸の作用により極性が増大する酸分解性基のうち、多環式基を含む基を含む構成単位(a1’)と、ラクトン含有単環式基を含む構成単位(a2)と、−SO−含有環式基を含む構成単位(a5)と、を有する高分子化合物(A1)を含有し、該高分子化合物(A1)を構成する全構成単位の合計に対する前記構成単位(a1)の割合が、前記構成単位(a1’)の割合以上であることを特徴とするレジスト組成物である。
In order to solve the above-mentioned subject, the present invention adopted the following composition.
That is, a first aspect of the present invention is a resist composition which generates an acid upon exposure and whose solubility in a developer changes by the action of the acid, and is represented by the following general formula (a0-1) Structural unit (a0) and, among the acid-degradable groups whose polarity is increased by the action of an acid, a group containing a monocyclic group or a structural unit (a1) containing a chain group, and the action of an acid Among the acid-degradable groups that increase, a structural unit (a1 ′) containing a group containing a polycyclic group, a structural unit (a2) containing a lactone-containing monocyclic group, and a —SO 2 — containing cyclic group And a polymer compound (A1) having a structural unit (a5) containing the above, and the ratio of the structural unit (a1) to the total of all structural units constituting the polymer compound (A1) is the structural unit It is a resist composition characterized by having a ratio of (a1 ') or more.

Figure 0006515140
[式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基である。Rはラクトン含有多環式基である。R及びRはそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1〜5のアルキル基である。Lはエステル結合である。nは1〜3の整数である。]
Figure 0006515140
[In formula, R is a hydrogen atom, a C1-C5 alkyl group, or a C1-C5 halogenated alkyl group. R 1 is a lactone-containing polycyclic group. R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. L 1 is an ester bond. n 1 is an integer of 1 to 3; ]

本発明の第二の態様は、前記本発明の第一の態様のレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び、前記露光後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程、を含むレジストパターン形成方法である。   According to a second aspect of the present invention, there is provided a step of forming a resist film on a support using the resist composition according to the first aspect of the present invention, a step of exposing the resist film, and a resist after the exposure. And a step of developing the film to form a resist pattern.

本発明のレジスト組成物及びレジストパターン形成方法により、リソグラフィー特性及び形状の優れたレジストパターンを形成できる。   The resist composition and the method for forming a resist pattern according to the present invention can form a resist pattern excellent in lithography properties and shape.

本明細書及び本特許請求の範囲において、「脂肪族」とは、芳香族に対する相対的な概念であって、芳香族性を持たない基、化合物等を意味するものと定義する。
「アルキル基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の1価の飽和炭化水素基を包含するものとする。アルコキシ基中のアルキル基も同様である。
「アルキレン基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の2価の飽和炭化水素基を包含するものとする。
「ハロゲン化アルキル基」は、アルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
「フッ素化アルキル基」又は「フッ素化アルキレン基」は、アルキル基又はアルキレン基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基をいう。
「構成単位」とは、高分子化合物(樹脂、重合体、共重合体)を構成するモノマー単位(単量体単位)を意味する。
「置換基を有していてもよい」と記載する場合、水素原子(−H)を1価の基で置換する場合と、メチレン基(−CH−)を2価の基で置換する場合との両方を含む。
「露光」は、放射線の照射全般を含む概念とする。
In the present specification and claims, “aliphatic” is a concept relative to an aromatic and is defined to mean a group, a compound or the like having no aromaticity.
The term "alkyl group" is intended to include linear, branched and cyclic monovalent saturated hydrocarbon groups, unless otherwise specified. The same applies to the alkyl group in the alkoxy group.
The "alkylene group" is intended to include a linear, branched and cyclic divalent saturated hydrocarbon group unless otherwise specified.
The “halogenated alkyl group” is a group in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with a halogen atom, and examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom.
The "fluorinated alkyl group" or "fluorinated alkylene group" refers to a group in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group or the alkylene group are substituted with a fluorine atom.
The "constituent unit" means a monomer unit (monomer unit) constituting a polymer compound (resin, polymer, copolymer).
When it is described that "it may have a substituent", when substituting a hydrogen atom (-H) with a monovalent group and when substituting a methylene group (-CH 2- ) with a divalent group And both.
"Exposure" is a concept that includes general radiation irradiation.

「アクリル酸エステルから誘導される構成単位」とは、アクリル酸エステルのエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
「アクリル酸エステル」は、アクリル酸(CH=CH−COOH)のカルボキシ基末端の水素原子が有機基で置換された化合物である。
アクリル酸エステルは、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該α位の炭素原子に結合した水素原子を置換する置換基(Rα0)は、水素原子以外の原子又は基であり、たとえば炭素数1〜5のアルキル基、炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基等が挙げられる。また、置換基(Rα0)がエステル結合を含む置換基で置換されたイタコン酸ジエステルや、置換基(Rα0)がヒドロキシアルキル基やその水酸基を修飾した基で置換されたαヒドロキシアクリルエステルも含むものとする。なお、アクリル酸エステルのα位の炭素原子とは、特に断りがない限り、アクリル酸のカルボニル基が結合している炭素原子のことである。
以下、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されたアクリル酸エステルをα置換アクリル酸エステルということがある。また、アクリル酸エステルとα置換アクリル酸エステルとを包括して「(α置換)アクリル酸エステル」ということがある。
The “constituent unit derived from acrylic acid ester” means a constitutional unit formed by cleavage of the ethylenic double bond of acrylic acid ester.
The “acrylic ester” is a compound in which the hydrogen atom at the carboxy group terminal of acrylic acid (CH 2 = CH—COOH) is substituted with an organic group.
In the acrylic ester, the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position may be substituted by a substituent. The substituent (R α0 ) for substituting the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position is an atom or a group other than a hydrogen atom, and is, for example, an alkyl group of 1 to 5 carbon atoms, or a halogenation of 1 to 5 carbon atoms An alkyl group etc. are mentioned. Further, itaconic acid diesters in which the substituent (R α0 ) is substituted with a substituent containing an ester bond, and α hydroxy acrylic esters in which the substituent (R α0 ) is substituted with a hydroxyalkyl group or a group modified with a hydroxyl group thereof Shall be included. In addition, the carbon atom of alpha-position of acrylic acid ester is a carbon atom which the carbonyl group of acrylic acid has couple | bonded, unless there is particular notice.
Hereinafter, an acrylic acid ester in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the α position is substituted with a substituent may be referred to as an α-substituted acrylic acid ester. Moreover, an acrylic ester and an alpha substituted acrylic ester may be included and it may be called "(alpha substituted) acrylic ester."

「アクリルアミドから誘導される構成単位」とは、アクリルアミドのエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
アクリルアミドは、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよく、アクリルアミドのアミノ基の水素原子の一方または両方が置換基で置換されていてもよい。なお、アクリルアミドのα位の炭素原子とは、特に断りがない限り、アクリルアミドのカルボニル基が結合している炭素原子のことである。
アクリルアミドのα位の炭素原子に結合した水素原子を置換する置換基としては、前記α置換アクリル酸エステルにおいて、α位の置換基として挙げたもの(置換基(Rα0))と同様のものが挙げられる。
The “constituent unit derived from acrylamide” means a constituent unit formed by cleavage of the ethylenic double bond of acrylamide.
In the acrylamide, the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α position may be substituted by a substituent, and one or both of the hydrogen atoms of the amino group of acrylamide may be substituted by a substituent. The carbon atom at the α-position of acrylamide is a carbon atom to which a carbonyl group of acrylamide is bonded unless otherwise specified.
As the substituent for substituting the hydrogen atom bonded to the carbon atom at the α-position of acrylamide, those similar to the ones mentioned as the substituent at the α-position (substituent (R α0 )) in the above-mentioned α-substituted acrylic acid ester It can be mentioned.

「ヒドロキシスチレン若しくはヒドロキシスチレン誘導体から誘導される構成単位」とは、ヒドロキシスチレン若しくはヒドロキシスチレン誘導体のエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
「ヒドロキシスチレン誘導体」とは、ヒドロキシスチレンのα位の水素原子がアルキル基、ハロゲン化アルキル基等の他の置換基に置換されたもの、並びにそれらの誘導体を含む概念とする。それらの誘導体としては、α位の水素原子が置換基に置換されていてもよいヒドロキシスチレンの水酸基の水素原子を有機基で置換したもの;α位の水素原子が置換基に置換されていてもよいヒドロキシスチレンのベンゼン環に、水酸基以外の置換基が結合したもの等が挙げられる。なお、ヒドロキシスチレンのα位(α位の炭素原子)とは、特に断りがない限り、ベンゼン環が結合している炭素原子のことをいう。
ヒドロキシスチレンのα位の水素原子を置換する置換基としては、前記α置換アクリル酸エステルにおいて、α位の置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
The “structural unit derived from hydroxystyrene or a hydroxystyrene derivative” means a structural unit formed by cleavage of an ethylenic double bond of hydroxystyrene or a hydroxystyrene derivative.
The term "hydroxystyrene derivative" is a concept including those in which a hydrogen atom at the alpha position of hydroxystyrene is substituted with another substituent such as an alkyl group or a halogenated alkyl group, and derivatives thereof. As their derivatives, those in which the hydrogen atom of hydroxystyrene which may be substituted with a hydrogen atom at the α position is substituted with an organic group; even if the hydrogen atom at the α position is substituted by a substituent A compound in which a substituent other than a hydroxyl group is bonded to the benzene ring of good hydroxystyrene, and the like can be mentioned. The alpha position (carbon atom at the alpha position) of hydroxystyrene refers to the carbon atom to which the benzene ring is bonded unless otherwise noted.
As a substituent which substitutes the hydrogen atom of alpha position of hydroxystyrene, the thing similar to what was mentioned as a substituent of alpha position in the above-mentioned alpha substitution acrylic acid ester is mentioned.

「ビニル安息香酸若しくはビニル安息香酸誘導体から誘導される構成単位」とは、ビニル安息香酸若しくはビニル安息香酸誘導体のエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
「ビニル安息香酸誘導体」とは、ビニル安息香酸のα位の水素原子がアルキル基、ハロゲン化アルキル基等の他の置換基に置換されたもの、並びにそれらの誘導体を含む概念とする。それらの誘導体としては、α位の水素原子が置換基に置換されていてもよいビニル安息香酸のカルボキシ基の水素原子を有機基で置換したもの;α位の水素原子が置換基に置換されていてもよいビニル安息香酸のベンゼン環に、水酸基およびカルボキシ基以外の置換基が結合したもの等が挙げられる。なお、ビニル安息香酸のα位(α位の炭素原子)とは、特に断りがない限り、ベンゼン環が結合している炭素原子のことをいう。
The “constituent unit derived from vinylbenzoic acid or a vinylbenzoic acid derivative” means a constitutional unit formed by cleavage of an ethylenic double bond of vinylbenzoic acid or a vinylbenzoic acid derivative.
The "vinyl benzoic acid derivative" is a concept including those in which the hydrogen atom at the α-position of vinyl benzoic acid is substituted with an alkyl group, another substituent such as a halogenated alkyl group, and derivatives thereof. As their derivatives, those in which the hydrogen atom at the α-position is substituted with an organic group and the hydrogen atom of the carboxy group of vinyl benzoic acid which may be substituted with a substituent; the hydrogen atom at the α-position is substituted with a substituent And the like in which a substituent other than a hydroxyl group and a carboxy group is bonded to the benzene ring of vinyl benzoic acid which may be mentioned. In addition, the alpha position (carbon atom of alpha position) of vinyl benzoic acid means the carbon atom which the benzene ring has couple | bonded, unless there is particular notice.

「スチレン」とは、スチレンおよびスチレンのα位の水素原子がアルキル基、ハロゲン化アルキル基等の他の置換基に置換されたものも含む概念とする。
「スチレンから誘導される構成単位」、「スチレン誘導体から誘導される構成単位」とは、スチレン又はスチレン誘導体のエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
"Styrene" is a concept including styrene and those in which a hydrogen atom at the alpha position of styrene is substituted with another substituent such as an alkyl group or a halogenated alkyl group.
The “structural unit derived from styrene” and the “structural unit derived from a styrene derivative” mean a structural unit formed by cleavage of an ethylenic double bond of styrene or a styrene derivative.

上記α位の置換基としてのアルキル基は、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、炭素数1〜5のアルキル基(メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基)等が挙げられる。
また、α位の置換基としてのハロゲン化アルキル基は、具体的には、上記「α位の置換基としてのアルキル基」の水素原子の一部または全部を、ハロゲン原子で置換した基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。
また、α位の置換基としてのヒドロキシアルキル基は、具体的には、上記「α位の置換基としてのアルキル基」の水素原子の一部または全部を、水酸基で置換した基が挙げられる。該ヒドロキシアルキル基における水酸基の数は、1〜5が好ましく、1が最も好ましい。
The alkyl group as a substituent at the α-position is preferably a linear or branched alkyl group, and specifically, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms (a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group) , N-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group) and the like.
In addition, specific examples of the halogenated alkyl group as a substituent at the α-position include groups in which part or all of the hydrogen atoms of the above “alkyl group as a substituent at the α-position” are substituted with a halogen atom Be Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable.
Further, specific examples of the hydroxyalkyl group as a substituent at the α-position include groups in which part or all of the hydrogen atoms of the above-mentioned “alkyl group as a substituent at the α-position” are substituted with a hydroxyl group. The number of hydroxyl groups in the hydroxyalkyl group is preferably 1 to 5, and most preferably 1.

≪レジスト組成物≫
本発明の第一の態様のレジスト組成物は、露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)(以下「(A)成分」ともいう。)として、後述の高分子化合物(A1)(以下「(A1)成分」ともいう。)を含有する。
かかるレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対して選択的露光を行うと、該レジスト膜の露光部では酸が発生し、該酸の作用により(A)成分の現像液に対する溶解性が変化する一方で、該レジスト膜の未露光部では(A)成分の現像液に対する溶解性が変化しないため、露光部と未露光部との間で現像液に対する溶解性の差が生じる。そのため、該レジスト膜を現像すると、当該レジスト組成物がポジ型の場合は露光部が溶解除去されてポジ型のレジストパターンが形成され、当該レジスト組成物がネガ型の場合は未露光部が溶解除去されてネガ型のレジストパターンが形成される。
本明細書においては、露光部が溶解除去されてポジ型レジストパターンを形成するレジスト組成物をポジ型レジスト組成物といい、未露光部が溶解除去されてネガ型レジストパターンを形成するレジスト組成物をネガ型レジスト組成物という。
本態様のレジスト組成物は、ポジ型レジスト組成物であってもよく、ネガ型レジスト組成物であってもよい。
また、本態様のレジスト組成物は、レジストパターン形成時の現像処理にアルカリ現像液を用いるアルカリ現像プロセス用であってもよく、該現像処理に有機溶剤を含む現像液(有機系現像液)を用いる溶剤現像プロセス用であってもよい。
«Resist composition»
The resist composition according to the first aspect of the present invention is a resist composition which generates an acid upon exposure to light and whose solubility in a developer changes due to the action of the acid, and which dissolves in the developer due to the action of an acid. As a base material component (A) (hereinafter also referred to as “component (A)”) in which is changed, the polymer compound (A1) (hereinafter also referred to as “component (A1) component”) described later is contained.
When a resist film is formed using this resist composition and selective exposure is performed on the resist film, an acid is generated at the exposed portion of the resist film, and the developer of component (A) is generated by the action of the acid. Since the solubility of the component (A) does not change in the unexposed area of the resist film while the solubility in the area of the resist film changes, the difference in solubility in the developer between the exposed area and the unexposed area is It occurs. Therefore, when the resist film is developed, the exposed portion is dissolved and removed to form a positive resist pattern when the resist composition is positive, and the unexposed portion is dissolved when the resist composition is negative. It is removed to form a negative resist pattern.
In the present specification, a resist composition in which an exposed part is dissolved and removed to form a positive resist pattern is called a positive resist composition, and a non-exposed part is dissolved and removed to form a negative resist pattern. Is referred to as a negative resist composition.
The resist composition of this embodiment may be a positive resist composition or a negative resist composition.
Further, the resist composition of the present embodiment may be for an alkaline development process using an alkaline developer for development processing at the time of resist pattern formation, and the development processing may be a developer (organic developer) containing an organic solvent. It may be for the solvent development process used.

本態様のレジスト組成物は、露光により酸を発生する酸発生能を有するものであり、(A)成分が露光により酸を発生してもよく、(A)成分とは別に配合された添加剤成分が露光により酸を発生してもよい。
本態様のレジスト組成物は、具体的には、
(1)露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)(以下「(B)成分」という。)を含有するものであってもよく;
(2)(A)成分が露光により酸を発生する成分であってもよく;
(3)(A)成分が露光により酸を発生する成分であり、かつ、さらに(B)成分を含有するものであってもよい。
すなわち、上記(2)及び(3)の場合、(A)成分は、「露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分」となる。(A)成分が露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分である場合、後述する(A1)成分が、露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する高分子化合物であることが好ましい。このような高分子化合物としては、露光により酸を発生する構成単位を有する樹脂を用いることができる。露光により酸を発生する構成単位としては、公知のものを用いることができる。
本態様のレジスト組成物は、上記(1)の場合であるものが好ましい。
The resist composition of this embodiment has an acid generating ability to generate an acid upon exposure, and the component (A) may generate an acid upon exposure, and the additive compounded separately from the component (A) The components may generate an acid upon exposure.
Specifically, the resist composition of this embodiment is
(1) may contain an acid generator component (B) (hereinafter referred to as "component (B)") which generates an acid upon exposure to light;
(2) The component (A) may be a component that generates an acid upon exposure to light;
(3) The component (A) may be a component that generates an acid upon exposure to light, and may further contain a component (B).
That is, in the case of the above (2) and (3), the component (A) becomes “a base component which generates an acid upon exposure and whose solubility in a developer changes by the action of the acid”. When the component (A) generates an acid upon exposure and the solubility in a developer changes by the action of the acid, the component (A1) described later generates an acid upon exposure, and It is preferable that it is a polymer compound whose solubility in a developer changes by the action of an acid. As such a polymer compound, a resin having a structural unit that generates an acid upon exposure can be used. Known structural units can be used as structural units that generate an acid upon exposure.
The resist composition of this aspect is preferably the one in the case of the above (1).

<(A)成分>
本発明において、「基材成分」とは、膜形成能を有する有機化合物であり、好ましくは分子量が500以上の有機化合物が用いられる。該有機化合物の分子量が500以上であることにより、膜形成能が向上し、加えて、ナノレベルのレジストパターンを形成しやすい。
基材成分として用いられる有機化合物は、非重合体と重合体とに大別される。
非重合体としては、通常、分子量が500以上4000未満のものが用いられる。以下、「低分子化合物」という場合は、分子量が500以上4000未満の非重合体を示す。
重合体としては、通常、分子量が1000以上のものが用いられる。以下、「樹脂」又は「高分子化合物」という場合は、分子量が1000以上の重合体を示す。
重合体の分子量としては、GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)によるポリスチレン換算の質量平均分子量を用いるものとする。
本態様のレジスト組成物に用いられる(A)成分としては、少なくとも(A1)成分が用いられ、該(A1)成分とともに他の高分子化合物及び/又は低分子化合物を併用してもよい。
<(A) component>
In the present invention, the “base component” is an organic compound having film forming ability, preferably an organic compound having a molecular weight of 500 or more. When the molecular weight of the organic compound is 500 or more, the film forming ability is improved, and in addition, it is easy to form a nano-level resist pattern.
Organic compounds used as a base component are roughly classified into non-polymers and polymers.
As the non-polymer, one having a molecular weight of 500 or more and less than 4,000 is usually used. Hereinafter, the term "low molecular weight compound" refers to a non-polymer having a molecular weight of 500 or more and less than 4,000.
As the polymer, one having a molecular weight of 1,000 or more is usually used. Hereinafter, the term "resin" or "polymer compound" refers to a polymer having a molecular weight of 1,000 or more.
As a molecular weight of a polymer, the mass mean molecular weight of polystyrene conversion by GPC (gel permeation chromatography) shall be used.
As the component (A) used in the resist composition of this embodiment, at least the component (A1) is used, and another polymer compound and / or low molecular weight compound may be used in combination with the component (A1).

[(A1)成分]
(A1)成分は、一般式(a0−1)で表される構成単位(a0)と、酸の作用により極性が増大する酸分解性基のうち、単環式基を含む基、又は鎖状の基を含む構成単位(a1)と、酸の作用により極性が増大する酸分解性基のうち、多環式基を含む基を含む構成単位(a1’)と、ラクトン含有単環式基を含む構成単位(a2)と、を有する高分子化合物である。
かかる(A1)成分を含有するレジスト組成物を用いて形成されたレジスト膜を露光した場合、構成単位(a1)及び構成単位(a1’)は、酸の作用によりその構造中の少なくとも一部の結合が開裂し、極性が増大する。このため、本態様のレジスト組成物は、アルカリ現像プロセスにおいてポジ型となり、溶剤現像プロセスにおいてネガ型となる。(A1)成分は露光前後で極性が変化するため、(A1)成分を用いることにより、アルカリ現像プロセスだけでなく、溶剤現像プロセスにおいても良好な現像コントラストを得ることができる。
つまり、アルカリ現像プロセスを適用する場合、(A1)成分は、露光前はアルカリ現像液に対して難溶性であり、露光により酸が発生すると、該酸の作用により極性が増大してアルカリ現像液に対する溶解性が増大する。そのため、レジストパターンの形成において、当該レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜に対して選択的に露光すると、露光部はアルカリ現像液に対して難溶性から可溶性に変化する一方で、未露光部はアルカリ難溶性のまま変化しないため、アルカリ現像することによりポジ型レジストパターンが形成できる。
一方、溶剤現像プロセスを適用する場合、(A1)成分は、露光前は有機系現像液に対して溶解性が高く、露光により酸が発生すると、該酸の作用により極性が高くなって有機系現像液に対する溶解性が減少する。そのため、レジストパターンの形成において、当該レジスト組成物を支持体上に塗布して得られるレジスト膜に対して選択的に露光すると、露光部は有機系現像液に対して可溶性から難溶性に変化する一方で、未露光部は可溶性のまま変化しないため、有機系現像液で現像することにより、露光部と未露光部との間でコントラストをつけることができ、ネガ型レジストパターンが形成できる。
[(A1) component]
The component (A1) is a structural unit (a0) represented by the general formula (a0-1) and a group containing a monocyclic group among acid decomposable groups whose polarity is increased by the action of an acid, or a chain And a structural unit (a1 ′) containing a group containing a polycyclic group among acid decomposable groups whose polarity is increased by the action of an acid, and a lactone-containing monocyclic group And a structural unit (a2).
When a resist film formed using a resist composition containing the component (A1) is exposed, the structural unit (a1) and the structural unit (a1 ′) are at least partially contained in the structure by the action of an acid. The bond is cleaved and the polarity is increased. Therefore, the resist composition of the present embodiment becomes positive in the alkali development process and becomes negative in the solvent development process. The polarity of the component (A1) changes before and after exposure. Therefore, by using the component (A1), it is possible to obtain good development contrast not only in the alkali development process but also in the solvent development process.
That is, when an alkali development process is applied, the component (A1) is poorly soluble in an alkali developer before exposure, and when an acid is generated by exposure, the polarity is increased by the action of the acid, and the alkali developer is produced. The solubility to Therefore, in the formation of a resist pattern, when the resist film obtained by applying the resist composition on a support is selectively exposed, the exposed portion changes from being poorly soluble to soluble in an alkaline developer. Since the unexposed area does not change as it is poorly soluble in alkali, a positive resist pattern can be formed by alkali development.
On the other hand, when a solvent development process is applied, the component (A1) has high solubility in an organic developing solution before exposure, and when an acid is generated by exposure, the action of the acid makes the polarity high and the organic type The solubility in the developer decreases. Therefore, in the formation of a resist pattern, when the resist film obtained by applying the resist composition on a support is selectively exposed, the exposed portion changes from soluble to hardly soluble in organic developer. On the other hand, since the unexposed area remains soluble, the development with the organic developing solution makes it possible to provide a contrast between the exposed area and the unexposed area, thereby forming a negative resist pattern.

(構成単位(a0))
構成単位(a0)は、下記一般式(a0−1)で表される構成単位である。
構成単位(a0)は、その側鎖に、ラクトン含有多環式基(R)を有する。このラクトン含有多環式基(R)は、(A1)成分をレジスト膜の形成に用いた場合に、レジスト膜の支持体への密着性を高める上で有効なものである。
(Constituent unit (a0))
The structural unit (a0) is a structural unit represented by general formula (a0-1) shown below.
The structural unit (a0) has a lactone-containing polycyclic group (R 1 ) in its side chain. The lactone-containing polycyclic group (R 1 ) is effective in enhancing the adhesion of the resist film to the support when the component (A1) is used to form a resist film.

Figure 0006515140
[式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基である。Rはラクトン含有多環式基である。R及びRはそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1〜5のアルキル基である。Lはエステル結合である。nは1〜3の整数である。]
Figure 0006515140
[In formula, R is a hydrogen atom, a C1-C5 alkyl group, or a C1-C5 halogenated alkyl group. R 1 is a lactone-containing polycyclic group. R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. L 1 is an ester bond. n 1 is an integer of 1 to 3; ]

前記式(a0−1)中、Rは、水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基である。
Rの炭素数1〜5のアルキル基は、炭素数1〜5の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基は、前記炭素数1〜5のアルキル基の水素原子の一部または全部がハロゲン原子で置換された基である。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。
Rとしては、水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のフッ素化アルキル基が好ましく、工業上の入手の容易さから、水素原子又はメチル基が特に好ましい。
R is a hydrogen atom, a C1-C5 alkyl group, or a C1-C5 halogenated alkyl group in said Formula (a0-1).
The alkyl group having 1 to 5 carbon atoms of R is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and specifically, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n- A butyl group, an isobutyl group, a tert- butyl group, a pentyl group, an isopentyl group, a neopentyl group etc. are mentioned. The halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is a group in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms are substituted with a halogen atom. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable.
As R, a hydrogen atom, an alkyl group of 1 to 5 carbon atoms or a fluorinated alkyl group of 1 to 5 carbon atoms is preferable, and a hydrogen atom or a methyl group is particularly preferable in terms of industrial availability.

前記式(a0−1)中、Rは、ラクトン含有多環式基である。
「ラクトン含有多環式基」とは、その環骨格中に−O−C(=O)−を含む環(ラクトン環)を含有する多環式基を示す。ラクトン環をひとつ目の環として数え、さらに他の環構造を有する場合を、その構造に関わらず多環式基と称する。
構成単位(a0)におけるラクトン含有多環式基としては、特に限定されることなく任意のものが使用可能である。具体的には、下記一般式(a2−r−1)〜(a2−r−6)でそれぞれ表される基が挙げられる。
尚、本明細書において、化学式中の「*」は結合手であることを示す。
In said formula (a0-1), R < 1 > is a lactone containing polycyclic group.
"A lactone containing polycyclic group" shows the polycyclic group containing the ring (lactone ring) containing -OC (= O)-in the ring frame | skeleton. The lactone ring is counted as the first ring, and the case having another ring structure is referred to as a polycyclic group regardless of the structure.
The lactone-containing polycyclic group in the structural unit (a0) is not particularly limited, and any group can be used. Specifically, groups represented by general formulas (a2-r-1) to (a2-r-6) shown below can be mentioned.
In the present specification, “*” in the chemical formula indicates that it is a bond.

Figure 0006515140
[式中、Ra’21はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、−COOR”、−OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基またはシアノ基であり;R”は水素原子、アルキル基又はラクトン含有多環式基であり;A”は酸素原子(−O−)もしくは硫黄原子(−S−)を含んでいてもよい炭素数1〜5のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子であり、m’は0または1である。]
Figure 0006515140
Wherein, Ra '21 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, hydroxyl group, -COOR 0 ", -OC (= O) R 0", a hydroxyalkyl group or cyano R 0 ′ ′ is a hydrogen atom, an alkyl group or a lactone-containing polycyclic group; A ′ ′ is an oxygen atom (—O—) or a sulfur atom (—S—); And an alkylene group of 5 to 5, an oxygen atom or a sulfur atom, and m 'is 0 or 1. ]

前記一般式(a2−r−1)〜(a2−r−6)中、Ra’21におけるアルキル基としては、炭素数1〜6のアルキル基が好ましい。該アルキル基は、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基またはエチル基が好ましく、メチル基が特に好ましい。
Ra’21におけるアルコキシ基としては、炭素数1〜6のアルコキシ基が好ましい。該アルコキシ基は、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましい。具体的には、前記Ra’21におけるアルキル基として挙げたアルキル基と酸素原子(−O−)とが連結した基が挙げられる。
Ra’21におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
Ra’21におけるハロゲン化アルキル基としては、前記Ra’21におけるアルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該ハロゲン化アルキル基としては、フッ素化アルキル基が好ましく、特にパーフルオロアルキル基が好ましい。
In the general formula (a2-r-1) ~ (a2-r-6), the alkyl group in Ra '21, preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. The alkyl group is preferably linear or branched. Specifically, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, hexyl group and the like can be mentioned. Among these, a methyl group or an ethyl group is preferable, and a methyl group is particularly preferable.
The alkoxy group in the ra '21, preferably an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms. The alkoxy group is preferably linear or branched. Specifically, groups of the the Ra 'group and an oxygen atom mentioned as the alkyl group in 21 (-O-) are linked and the like.
As the halogen atom in ra '21, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, a fluorine atom is preferable.
'Examples of the halogenated alkyl group for 21, the Ra' Ra part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group in 21 can be mentioned it has been substituted with the aforementioned halogen atoms. The halogenated alkyl group is preferably a fluorinated alkyl group, particularly preferably a perfluoroalkyl group.

Ra’21における−COOR”、−OC(=O)R”について、R”は、水素原子、アルキル基又はラクトン含有多環式基である。
”におけるアルキル基としては、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれでもよく、炭素数は1〜15が好ましい。
”が直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基の場合は、炭素数1〜10であることが好ましく、炭素数1〜5であることがさらに好ましく、メチル基またはエチル基であることが特に好ましい。
”が環状のアルキル基の場合は、炭素数3〜15であることが好ましく、炭素数4〜12であることがさらに好ましく、炭素数5〜10が最も好ましい。具体的には、フッ素原子またはフッ素化アルキル基で置換されていてもよいし、されていなくてもよいモノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。より具体的には、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。
”におけるラクトン含有多環式基としては、前記一般式(a2−r−1)〜(a2−r−6)でそれぞれ表される基が挙げられる。
As for —COOR 0 ′ ′ and —OC (= O) R 0 ′ ′ in Ra ′ 21 , R 0 ′ ′ is a hydrogen atom, an alkyl group or a lactone-containing polycyclic group.
The alkyl group for R 0 ′ ′ may be linear, branched or cyclic, and preferably has 1 to 15 carbon atoms.
When R 0 ′ ′ is a linear or branched alkyl group, it preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 5 carbon atoms, and is a methyl group or an ethyl group Particularly preferred.
When R 0 ′ ′ is a cyclic alkyl group, it preferably has 3 to 15 carbon atoms, more preferably 4 to 12 carbon atoms, and most preferably 5 to 10 carbon atoms. Groups obtained by removing one or more hydrogen atoms from a monocycloalkane which may or may not be substituted with an atom or a fluorinated alkyl group; polycyclo such as bicycloalkane, tricycloalkane, tetracycloalkane and the like Examples include groups in which one or more hydrogen atoms have been removed from alkanes, etc. More specifically, groups in which one or more hydrogen atoms have been removed from a monocycloalkane such as cyclopentane, cyclohexane, etc .; adamantane, norbornane, isobornane, Groups obtained by removing one or more hydrogen atoms from polycycloalkanes such as tricyclodecane and tetracyclododecane It is.
Examples of the lactone-containing polycyclic group in R 0 ′ ′ include groups represented by the general formulas (a2-r-1) to (a2-r-6).

Ra’21におけるヒドロキシアルキル基としては、炭素数が1〜6であるものが好ましく、具体的には、前記Ra’21におけるアルキル基の水素原子の少なくとも1つが水酸基で置換された基が挙げられる。 The hydroxyalkyl group in Ra ′ 21 is preferably one having 1 to 6 carbon atoms, and specific examples include a group in which at least one of the hydrogen atoms of the alkyl group in Ra ′ 21 is substituted with a hydroxyl group .

前記一般式(a2−r−1)、(a2−r−2)、(a2−r−4)中、A”における炭素数1〜5のアルキレン基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、メチレン基、エチレン基、n−プロピレン基、イソプロピレン基等が挙げられる。該アルキレン基が酸素原子または硫黄原子を含む場合、その具体例としては、前記アルキレン基の末端または炭素原子間に−O−または−S−が介在する基が挙げられ、たとえば−O−CH−、−CH−O−CH−、−S−CH−、−CH−S−CH−等が挙げられる。A”としては、炭素数1〜5のアルキレン基または−O−が好ましく、炭素数1〜5のアルキレン基がより好ましく、メチレン基が最も好ましい。 In the above general formulas (a2-r-1), (a2-r-2) and (a2-r-4), as the alkylene group having 1 to 5 carbon atoms in A ′ ′, a linear or branched chain is preferred. An alkylene group is preferable, and examples thereof include a methylene group, an ethylene group, an n-propylene group, an isopropylene group, etc. When the alkylene group contains an oxygen atom or a sulfur atom, specific examples thereof include the terminal or carbon of the alkylene group. between atoms -O- or -S- can be mentioned a group intervening, for example, -O-CH 2 -, - CH 2 -O-CH 2 -, - S-CH 2 -, - CH 2 -S-CH 2- "etc. is mentioned. As A", a C1-C5 alkylene group or -O- is preferable, a C1-C5 alkylene group is more preferable, and a methylene group is the most preferable.

下記に一般式(a2−r−1)〜(a2−r−6)でそれぞれ表される基の具体例を挙げる。   Specific examples of the groups represented by general formulas (a2-r-1) to (a2-r-6) will be given below.

Figure 0006515140
Figure 0006515140

Figure 0006515140
Figure 0006515140

上記の中でも、Rのラクトン含有多環式基としては、前記式(a2−r−1)で表される基、前記式(a2−r−5)で表される基、前記式(a2−r−6)で表される基が好ましい。中でも、形成されるレジストパターンにおける、パターン寸法の面内均一性(CDU)、焦点深度幅(DOF)特性、マスク再現性(MEEF)の観点から、前記式(a2−r−5)で表される基がより好ましい。
前記式(a2−r−1)で表される基の中では、特に、前記化学式(r−lc−1−1)で表される基が好ましい。
前記式(a2−r−5)で表される基の中では、特に、前記化学式(r−lc−5−1)で表される基が好ましい。
前記式(a2−r−6)で表される基の中では、特に、前記化学式(r−lc−6−1)で表される基が好ましい。
Among the above, as the lactone-containing polycyclic group for R 1 , a group represented by the formula (a2-r-1), a group represented by the formula (a2-r-5), and the formula (a2) The group represented by -r-6) is preferable. Among them, in terms of in-plane uniformity (CDU) of pattern dimensions, depth of focus (DOF) characteristics, and mask reproducibility (MEEF) in a resist pattern to be formed, it is represented by the above formula (a2-r-5). Are more preferred.
Among the groups represented by the formula (a2-r-1), the group represented by the chemical formula (r-lc-1-1) is particularly preferable.
Among the groups represented by the formula (a2-r-5), the group represented by the chemical formula (r-lc-5-1) is particularly preferable.
Among the groups represented by the formula (a2-r-6), the group represented by the chemical formula (r-lc-6-1) is particularly preferable.

前記式(a0−1)中、R及びRは、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数1〜5のアルキル基である。
及びRのうち、少なくとも一方が水素原子であることが好ましく、両方が水素原子であることがより好ましい。
及びRにおけるアルキル基としては、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく挙げられる。より具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基などが挙げられ、メチル基またはエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。
R < 2 > and R < 3 > are respectively independently a hydrogen atom or a C1-C5 alkyl group in said Formula (a0-1).
At least one of R 2 and R 3 is preferably a hydrogen atom, and more preferably both are a hydrogen atom.
As an alkyl group in R 2 and R 3 , a linear or branched alkyl group is preferably mentioned. More specifically, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group and the like can be mentioned, and methyl group or ethyl group is More preferred is methyl group.

前記式(a0−1)中、Lは、エステル結合である。
におけるエステル結合としては、−C(=O)−O−、−O−C(=O)−、−O−S(=O)−、−S(=O)−O−等が挙げられ、−C(=O)−O−、−O−C(=O)−が好ましい。
前記式(a0−1)中の末端基「−L−R」は、−C(=O)−O−Rとなる場合が特に好ましい。
In formula (a0-1), L 1 is an ester bond.
As ester bond in L 1 , —C (CO) —O—, —O—C (= O) —, —O—S (= O) 2 —, —S (= O) 2 —O—, etc. And —C (= O) —O— and —O—C (= O) — are preferable.
It is particularly preferable that the terminal group “-L 1 -R 1 ” in the formula (a0-1) is —C (= O) —O—R 1 .

前記式(a0−1)中、nは1〜3の整数であり、好ましくは1又は2であり、特に好ましくは1である。 In the formula (a0-1), n 1 is an integer of 1 to 3, preferably 1 or 2, and particularly preferably 1.

以下に構成単位(a0−1)の具体例を示す。以下の各式中、Rαは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。 Specific examples of the structural unit (a0-1) are shown below. In each of the following formulas, R α represents a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.

Figure 0006515140
Figure 0006515140

(A1)成分が有する構成単位(a0)は、1種でもよく2種以上でもよい。
構成単位(a0)の割合は、当該(A1)成分を構成する全構成単位の合計に対して1〜40モル%であることが好ましく、5〜30モル%であることがより好ましく、7〜25モル%であることがさらに好ましく、10〜20モル%が特に好ましい。
構成単位(a0)の割合を好ましい下限値以上とすることにより、種々のリソグラフィー特性及びパターン形状がより良好となる。特に、パターン寸法の面内均一性(CDU)及び焦点深度幅(DOF)特性の両方とも向上する。一方、好ましい上限値以下とすることにより、他の構成単位とのバランスをとりやすくなる。
The structural unit (a0) of the component (A1) may be of one type or of two or more types.
The proportion of the structural unit (a0) is preferably 1 to 40 mol%, more preferably 5 to 30 mol%, based on the total of all the structural units constituting the component (A1), and 7 to 7 It is more preferable that it is 25 mol%, and 10 to 20 mol% is especially preferable.
By setting the ratio of the structural unit (a0) to the preferable lower limit value or more, various lithography properties and pattern shapes become better. In particular, both in-plane uniformity (CDU) of pattern dimensions and depth of focus (DOF) characteristics are improved. On the other hand, by setting the content to the preferable upper limit value or less, it becomes easy to balance with other constituent units.

(構成単位(a1)、構成単位(a1’))
構成単位(a1)は、酸の作用により極性が増大する酸分解性基のうち、単環式基を含む基、又は鎖状の基を含む構成単位である。
構成単位(a1’)は、酸の作用により極性が増大する酸分解性基のうち、多環式基を含む基を含む構成単位である。
本発明において「酸分解性基」とは、酸の作用により、構造中の少なくとも一部の結合が開裂し得る酸分解性を有する基をいう。
酸の作用により極性が増大する酸分解性基としては、たとえば、酸の作用により分解して極性基を生じる基が挙げられる。
極性基としては、たとえばカルボキシ基、水酸基、アミノ基、スルホ基(−SOH)等が挙げられる。これらのなかでも、構造中に−OHを含有する極性基(以下「OH含有極性基」ということがある。)が好ましく、カルボキシ基または水酸基がより好ましく、カルボキシ基が特に好ましい。
酸分解性基としてより具体的には、前記極性基が酸解離性基で保護された基(たとえばOH含有極性基の水素原子を、酸解離性基で保護した基)が挙げられる。
ここで「酸解離性基」とは、(i)酸の作用により、当該酸解離性基と該酸解離性基に隣接する原子との間の結合が開裂し得る酸解離性を有する基、又は、(ii)酸の作用により一部の結合が開裂した後、さらに脱炭酸反応が生じることにより、当該酸解離性基と該酸解離性基に隣接する原子との間の結合が開裂し得る基、の双方をいう。
酸分解性基を構成する酸解離性基は、当該酸解離性基の解離により生成する極性基よりも極性の低い基であることが必要で、これにより、酸の作用により該酸解離性基が解離した際に、該酸解離性基よりも極性の高い極性基が生じて極性が増大する。その結果、(A1)成分全体の極性が増大する。極性が増大することにより、相対的に、現像液に対する溶解性が変化し、現像液がアルカリ現像液の場合には溶解性が増大し、現像液が有機系現像液の場合には溶解性が減少する。
(Constituent unit (a1), constituent unit (a1 ′))
The structural unit (a1) is a structural unit containing a group containing a monocyclic group or a chain group among acid-degradable groups whose polarity is increased by the action of an acid.
The structural unit (a1 ′) is a structural unit including a group containing a polycyclic group among acid-degradable groups whose polarity is increased by the action of an acid.
In the present invention, the term "acid-degradable group" refers to a group having acid-degradability capable of cleaving at least a part of bonds in the structure by the action of an acid.
Examples of the acid-degradable group whose polarity is increased by the action of an acid include, for example, a group which is decomposed by the action of an acid to generate a polar group.
Examples of the polar group include a carboxy group, a hydroxyl group, an amino group, a sulfo group (-SO 3 H) and the like. Among these, a polar group containing -OH in the structure (hereinafter sometimes referred to as "OH-containing polar group") is preferable, a carboxy group or a hydroxyl group is more preferable, and a carboxy group is particularly preferable.
More specifically, examples of the acid-degradable group include groups in which the polar group is protected by an acid dissociative group (for example, a group in which a hydrogen atom of an OH-containing polar group is protected by an acid dissociative group).
Here, the “acid dissociable group” is (i) a group having an acid dissociability that can cleave the bond between the acid dissociable group and the atom adjacent to the acid dissociable group by the action of an acid; Or (ii) after a partial bond is cleaved by the action of an acid, a decarboxylation reaction is further caused to cleave the bond between the acid dissociable group and the atom adjacent to the acid dissociable group It refers to both of the obtained groups.
The acid dissociable group constituting the acid decomposable group is required to be a group having a polarity lower than that of the polar group generated by the dissociation of the acid dissociable group, whereby the acid dissociable group is formed by the action of an acid. When dissociates, a polar group having a polarity higher than that of the acid-dissociable group is generated to increase the polarity. As a result, the polarity of the entire component (A1) is increased. The increase in polarity relatively changes the solubility in the developer, the solubility increases when the developer is an alkaline developer, and the solubility when the developer is an organic developer. Decrease.

酸解離性基としては、特に限定されず、これまで、化学増幅型レジスト用のベース樹脂の酸解離性基として提案されているものを使用することができる。   The acid dissociable group is not particularly limited, and those which have been proposed as acid dissociable groups of base resins for chemically amplified resists can be used.

前記極性基のうちカルボキシ基または水酸基を保護する酸解離性基としては、たとえば、下記一般式(a1−r−1)で表される酸解離性基(以下「アセタール型酸解離性基」ということがある。)が挙げられる。   As an acid dissociative group which protects a carboxy group or a hydroxyl group among the said polar groups, the acid dissociative group (following "acetal type acid dissociative group") represented with the following general formula (a1-r-1) is mentioned, for example May be mentioned).

Figure 0006515140
[式中、Ra’、Ra’は水素原子またはアルキル基であり、Ra’は置換基を有していてもよい炭化水素基であって、Ra’は、Ra’又はRa’のいずれかと結合して環を形成してもよい。]
Figure 0006515140
[Wherein, Ra ′ 1 and Ra ′ 2 are a hydrogen atom or an alkyl group, and Ra ′ 3 is a hydrocarbon group which may have a substituent, and Ra ′ 3 is Ra ′ 1 or Ra It may be combined with any of 2 to form a ring. ]

式(a1−r−1)中、Ra’及びRa’は、これらのうちの少なくとも一方が水素原子であることが好ましく、両方が水素原子であることがより好ましい。
Ra’又はRa’がアルキル基である場合、該アルキル基としては、上記α置換アクリル酸エステルについての説明で、α位の炭素原子に結合してもよい置換基として挙げたアルキル基と同様のものが挙げられ、炭素数1〜5のアルキル基が好ましい。具体的には、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく挙げられる。より具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基などが挙げられ、メチル基またはエチル基がより好ましく、メチル基が特に好ましい。
In formula (a1-r-1), at least one of Ra ′ 1 and Ra ′ 2 is preferably a hydrogen atom, and more preferably both are a hydrogen atom.
When Ra ′ 1 or Ra ′ 2 is an alkyl group, examples of the alkyl group include the alkyl groups mentioned as the substituent which may be bonded to the carbon atom at the α position in the description of the α-substituted acrylic acid ester. The same thing is mentioned, and a C1-C5 alkyl group is preferable. Specifically, a linear or branched alkyl group is preferably mentioned. More specifically, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group and the like can be mentioned, and methyl group or ethyl group is More preferred is methyl group.

式(a1−r−1)中、Ra’の炭化水素基としては、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基、又は、環状の炭化水素基が挙げられる。
該直鎖状のアルキル基は、炭素数が1〜5であることが好ましく、1〜4がより好ましく、1または2がさらに好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基、エチル基またはn−ブチル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましい。
Wherein (a1-r-1), the hydrocarbon group of Ra '3, linear or branched alkyl group, or, cyclic hydrocarbon groups.
The linear alkyl group preferably has 1 to 5 carbon atoms, more preferably 1 to 4 carbon atoms, and still more preferably 1 or 2 carbon atoms. Specifically, methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group and the like can be mentioned. Among these, a methyl group, an ethyl group or an n-butyl group is preferable, and a methyl group or an ethyl group is more preferable.

該分岐鎖状のアルキル基は、炭素数が3〜10であることが好ましく、3〜5がより好ましい。具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、tert−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、1,1−ジエチルプロピル基、2,2−ジメチルブチル基等が挙げられ、イソプロピル基であることが好ましい。   The branched alkyl group preferably has 3 to 10 carbon atoms, and more preferably 3 to 5 carbon atoms. Specifically, an isopropyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, an isopentyl group, a neopentyl group, a 1,1-diethylpropyl group, a 2,2-dimethylbutyl group and the like can be mentioned, with preference given to an isopropyl group.

Ra’が環状の炭化水素基となる場合、該炭化水素基は、脂肪族炭化水素基でも芳香族炭化水素基でもよく、また、多環式基でも単環式基でもよい。
単環式の脂肪族炭化水素基としては、モノシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては、炭素数3〜6のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられ、シクロペンタンが特に好ましい。
多環式の脂肪族炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては、炭素数7〜12のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。
When Ra ′ 3 is a cyclic hydrocarbon group, the hydrocarbon group may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group, and may be a polycyclic group or a monocyclic group.
As a monocyclic aliphatic hydrocarbon group, a group obtained by removing one hydrogen atom from a monocycloalkane is preferable. The monocycloalkane preferably has 3 to 6 carbon atoms, and specific examples thereof include cyclopentane, cyclohexane and the like, and cyclopentane is particularly preferable.
As the polycyclic aliphatic hydrocarbon group, a group obtained by removing one hydrogen atom from polycycloalkane is preferable, and as the polycycloalkane, one having 7 to 12 carbon atoms is preferable, and specifically, adamantane , Norbornane, isobornane, tricyclodecane, tetracyclododecane and the like.

Ra’の環状の炭化水素基が芳香族炭化水素基となる場合、該芳香族炭化水素基は、芳香環を少なくとも1つ有する炭化水素基である。
この芳香環は、4n+2個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素数は5〜30であることが好ましく、5〜20がより好ましく、6〜15がさらに好ましく、6〜12が特に好ましい。芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環;前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。
Ra’における芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を1つ除いた基(アリール基またはヘテロアリール基);2以上の芳香環を含む芳香族化合物(たとえばビフェニル、フルオレン等)から水素原子を1つ除いた基;前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環の水素原子の1つがアルキレン基で置換された基(たとえば、ベンジル基、フェネチル基、1−ナフチルメチル基、2−ナフチルメチル基、1−ナフチルエチル基、2−ナフチルエチル基等のアリールアルキル基など)等が挙げられる。前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環に結合するアルキレン基の炭素数は、1〜4であることが好ましく、1〜2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。
When the cyclic hydrocarbon group of Ra ′ 3 is an aromatic hydrocarbon group, the aromatic hydrocarbon group is a hydrocarbon group having at least one aromatic ring.
The aromatic ring is not particularly limited as long as it is a cyclic conjugated system having 4n + 2 π electrons, and may be monocyclic or polycyclic. The carbon number of the aromatic ring is preferably 5 to 30, more preferably 5 to 20, still more preferably 6 to 15, and particularly preferably 6 to 12. Specific examples of the aromatic ring include aromatic hydrocarbon rings such as benzene, naphthalene, anthracene and phenanthrene; and aromatic heterocyclic rings in which a part of carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring is substituted with a hetero atom It can be mentioned. Examples of the hetero atom in the aromatic heterocycle include an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom. Specific examples of the aromatic heterocycle include a pyridine ring and a thiophene ring.
Specific examples of the aromatic hydrocarbon group in ra '3, the aromatic hydrocarbon ring or one hydrogen atom from an aromatic heterocyclic group formed by removing (aryl or heteroaryl group); two or more aromatic rings A group obtained by removing one hydrogen atom from an aromatic compound (eg, biphenyl, fluorene etc.) containing; a group in which one hydrogen atom of the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocycle is substituted with an alkylene group (eg, a benzyl group And arylalkyl groups such as phenethyl group, 1-naphthylmethyl group, 2-naphthylmethyl group, 1-naphthylethyl group, 2-naphthylethyl group and the like) and the like. It is preferable that carbon number of the alkylene group couple | bonded with the said aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocycle is 1-4, It is more preferable that it is 1-2, It is especially preferable that it is 1.

前記Ra’における「置換基を有していてもよい」とは、前記の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基、又は環状の炭化水素基における水素原子の一部または全部が置換基(水素原子以外の他の原子または基)で置換されていてもよいことを意味する。
Ra’における置換基の数は、1つであってもよく、2つ以上であってもよい。
前記置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ヘテロ原子、アルキル基、エステル結合、オキソ基(=O)などが挙げられる。
前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
前記ヘテロ原子としては、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等が挙げられる。
前記アルキル基としては、炭素数1〜6のアルキル基が好ましい。該アルキル基は、直鎖状または分岐鎖状であることが好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基またはエチル基が好ましく、メチル基が特に好ましい。
Ra’における置換基(メチレン基(−CH−)を2価の基で置換する場合)としてのエステル結合は、−C(=O)−O−、−O−C(=O)−、−O−S(=O)−、−S(=O)−O−等が挙げられる。
The “optionally having a substituent” in the above Ra ′ 3 means that part or all of the hydrogen atoms in the linear or branched alkyl group or the cyclic hydrocarbon group have a substituent It means that it may be substituted by other atoms or groups other than a hydrogen atom.
The number of substituents in Ra ′ 3 may be one or two or more.
As said substituent, a halogen atom, a hetero atom, an alkyl group, ester bond, an oxo group (= O) etc. are mentioned, for example.
As said halogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom etc. are mentioned, A fluorine atom is preferable.
Examples of the hetero atom include an oxygen atom, a nitrogen atom, and a sulfur atom.
As said alkyl group, a C1-C6 alkyl group is preferable. The alkyl group is preferably linear or branched. Specifically, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, hexyl group and the like can be mentioned. Among these, a methyl group or an ethyl group is preferable, and a methyl group is particularly preferable.
The ester bond as a substituent (when a methylene group (-CH 2- ) is substituted with a divalent group) in Ra ′ 3 is , -OS (= O) 2- , -S (= O) 2- O- and the like.

Ra’が、Ra’、Ra’のいずれかと結合して環を形成する場合、該環式基としては、4〜7員環が好ましく、4〜6員環がより好ましい。該環式基の具体例としては、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基等が挙げられる。 When Ra ′ 3 combines with any of Ra ′ 1 and Ra ′ 2 to form a ring, the cyclic group is preferably a 4 to 7-membered ring, more preferably a 4 to 6-membered ring. Specific examples of the cyclic group include tetrahydropyranyl group, tetrahydrofuranyl group and the like.

上記極性基のうちカルボキシ基を保護する酸解離性基としては、たとえば、下記一般式(a1−r−2)で表される酸解離性基が挙げられる。尚、下記式(a1−r−2)で表される酸解離性基のうち、アルキル基により構成されるものを、以下、便宜上「第3級アルキルエステル型酸解離性基」ということがある。   As an acid dissociative group which protects a carboxy group among the said polar groups, the acid dissociative group represented by the following general formula (a1-r-2) is mentioned, for example. Among the acid dissociable groups represented by the following formula (a1-r-2), those composed of alkyl groups may be hereinafter referred to as “tertiary alkyl ester type acid dissociable groups” for convenience. .

Figure 0006515140
[式中、Ra’〜Ra’はそれぞれ炭化水素基であって、Ra’、Ra’は互いに結合して環を形成してもよい。]
Figure 0006515140
[Wherein, each of Ra ′ 4 to Ra ′ 6 is a hydrocarbon group, and Ra ′ 5 and Ra ′ 6 may be bonded to each other to form a ring. ]

Ra’〜Ra’の炭化水素基としては、前記Ra’と同様のものが挙げられる。
Ra’は、炭素数1〜5のアルキル基であることが好ましい。Ra’とRa’とが互いに結合して環を形成する場合、好ましくは下記一般式(a1−r2−1)で表される基が挙げられる。一方、Ra’〜Ra’が互いに結合せず、独立した炭化水素基である場合、好ましくは下記一般式(a1−r2−2)で表される基が挙げられる。
Examples of the hydrocarbon group Ra '4 ~Ra' 6, the same as the Ra '3 and the like.
Ra '4 is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. If Ra and '5 and Ra' 6 are bonded to each other to form a ring, preferably a group represented by the following general formula (a1-r2-1). On the other hand, when Ra ′ 4 to Ra ′ 6 do not bind to each other and are independent hydrocarbon groups, groups represented by general formula (a1-r2-2) shown below are preferable.

Figure 0006515140
[式中、Ra’10は炭素数1〜10のアルキル基であり、Ra’11はRa’10が結合した炭素原子と共に脂肪族環式基を形成する基である。Ra’12〜Ra’14は、それぞれ独立に炭化水素基を示す。]
Figure 0006515140
Wherein, Ra '10 is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, Ra' 11 is a group which forms an aliphatic cyclic group together with the carbon atom to which Ra '10 is bonded. Ra '12 ~Ra' 14 each independently represent a hydrocarbon group. ]

式(a1−r2−1)中、Ra’10の炭素数1〜10のアルキル基は、式(a1−r−1)におけるRa’の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基として挙げた基が好ましい。式(a1−r2−1)中、Ra’11がRa’10が結合した炭素原子と共に形成する脂肪族環式基は、置換基を有していてもよく、式(a1−r−1)におけるRa’の環状の脂肪族炭化水素基として挙げた基(単環式の脂肪族炭化水素基、多環式の脂肪族炭化水素基)が好ましい。Ra’11がRa’10が結合した炭素原子と共に形成する脂肪族環式基が有していてもよい置換基としては、前記Ra’における置換基と同様のものが挙げられる。
単環式の脂肪族炭化水素基としては、モノシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基が好ましく、そのなかでも、該モノシクロアルカンの炭素数が3〜6であるものがより好ましく、シクロペンチル基又はシクロヘキシル基が特に好ましく、シクロペンチル基が最も好ましい。
多環式の脂肪族炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基であることが特に好ましく、アダマンチル基であることが最も好ましい。
In Formula (a1-r2-1), the C1-C10 alkyl group of Ra ′ 10 is exemplified as the linear or branched alkyl group of Ra ′ 3 in Formula (a1-r-1) Groups are preferred. In the formula (a1-r2-1), the aliphatic cyclic group formed by Ra ′ 11 together with the carbon atom to which Ra ′ 10 is bonded may have a substituent, and the formula (a1-r-1) The groups (monocyclic aliphatic hydrocarbon groups and polycyclic aliphatic hydrocarbon groups) listed as the cyclic aliphatic hydrocarbon groups of Ra ′ 3 in the above are preferable. The Ra '11 is Ra' aliphatic cyclic group substituents which may be possessed of forming together with the carbon atom to which 10 is bonded are the same as those of the substituent in the Ra '3.
As the monocyclic aliphatic hydrocarbon group, a group obtained by removing one hydrogen atom from a monocycloalkane is preferable, and among these, one having 3 to 6 carbon atoms of the monocycloalkane is more preferable, Particular preference is given to cyclopentyl or cyclohexyl, with cyclopentyl being most preferred.
The polycyclic aliphatic hydrocarbon group is particularly preferably a group in which one hydrogen atom has been removed from a polycycloalkane, and most preferably an adamantyl group.

式(a1−r2−2)中、Ra’12及びRa’14はそれぞれ独立に炭素数1〜10のアルキル基であることが好ましく、該アルキル基は、式(a1−r−1)におけるRa’の直鎖状または分岐鎖状のアルキル基として挙げた基がより好ましく、炭素数1〜5の直鎖状アルキル基であることがさらに好ましく、メチル基またはエチル基であることが特に好ましい。
式(a1−r2−2)中、Ra’13は、式(a1−r−1)におけるRa’の炭化水素基として例示された直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基、又は、環状の炭化水素基であることが好ましい。環状の炭化水素基の中では、Ra’の環状の脂肪族炭化水素基として挙げた基(単環式の脂肪族炭化水素基、多環式の脂肪族炭化水素基)であることがより好ましく、多環式の脂肪族炭化水素基がさらに好ましく、ポリシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基であることが特に好ましく、アダマンチル基であることが最も好ましい。
Wherein (a1-r2-2), it is preferable that Ra is '12 and Ra' 14 each independently represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, the alkyl group, Ra in formula (a1-r-1) The group mentioned as the linear or branched alkyl group of ' 3 is more preferable, a C1-C5 linear alkyl group is more preferable, and a methyl group or an ethyl group is particularly preferable. .
In the formula (a1-r2-2), Ra ′ 13 is a linear or branched alkyl group exemplified as the hydrocarbon group of Ra ′ 3 in the formula (a1-r-1), or cyclic It is preferably a hydrocarbon group. Among cyclic hydrocarbon groups, the groups (monocyclic aliphatic hydrocarbon groups and polycyclic aliphatic hydrocarbon groups) listed as the cyclic aliphatic hydrocarbon groups of Ra ′ 3 are more preferable A polycyclic aliphatic hydrocarbon group is more preferable, a group obtained by removing one hydrogen atom from a polycycloalkane is particularly preferable, and an adamantyl group is most preferable.

上記極性基のうち水酸基を保護する酸解離性基としては、たとえば、下記一般式(a1−r−3)で表される酸解離性基(以下便宜上「第3級アルキルオキシカルボニル酸解離性基」ということがある)が挙げられる。   As the acid dissociable group for protecting the hydroxyl group among the polar groups, for example, an acid dissociable group represented by the following general formula (a1-r-3) (hereinafter, for convenience, “tertiary alkyloxycarbonyl acid dissociable group” There is a case where

Figure 0006515140
[式中、Ra’〜Ra’はそれぞれアルキル基である。]
Figure 0006515140
Wherein, Ra '7 ~Ra' 9 are each an alkyl group. ]

式(a1−r−3)中、Ra’〜Ra’は、それぞれ炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、炭素数1〜3のアルキル基がより好ましい。
また、各アルキル基の合計の炭素数は、3〜7であることが好ましく、3〜5であることがより好ましく、3〜4であることが最も好ましい。
In Formula (a1-r-3), each of Ra ′ 7 to Ra ′ 9 is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and more preferably an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms.
Further, the total carbon number of each alkyl group is preferably 3 to 7, more preferably 3 to 5 and most preferably 3 to 4.

・構成単位(a1):酸の作用により極性が増大する酸分解性基のうち、単環式基を含む基、又は鎖状の基を含む構成単位について
構成単位(a1)における酸分解性基は、単環式基を含む基、又は鎖状の基である。
「単環式基を含む基」とは、単環式基からなる酸分解性基、単環式基とこれ以外の基とが結合してなる酸分解性基を包含する。「単環式基とこれ以外の基とが結合してなる酸分解性基」としては、たとえば、単環式基と鎖状の基とが結合してなる酸分解性基が挙げられる。
構成単位(a1)における酸分解性基が「鎖状の基」の場合、当該酸分解性基は、鎖状のみからなる基となる。
構成単位(a1)における酸分解性基の具体例を以下に挙げる。
Structural unit (a1): among acid-decomposable groups whose polarity is increased by the action of an acid, a group containing a monocyclic group or a structural unit containing a chain group acid-decomposable group in the structural unit (a1) Is a group containing a monocyclic group or a chain group.
The “group containing a monocyclic group” includes an acid-decomposable group consisting of a monocyclic group, and an acid-decomposable group formed by combining a monocyclic group and another group. Examples of the “acid-degradable group formed by combining a monocyclic group and another group” include, for example, an acid-degradable group formed by combining a monocyclic group and a chain group.
When the acid-degradable group in the structural unit (a1) is a "chain group", the acid-degradable group is a group consisting only of chains.
Specific examples of the acid-degradable group in the structural unit (a1) are given below.

Figure 0006515140
Figure 0006515140

Figure 0006515140
Figure 0006515140

Figure 0006515140
Figure 0006515140

上記の中でも、構成単位(a1)における酸分解性基としては、溶剤現像プロセスによるネガ型レジストパターンの形成において、レジスト膜露光部の残膜率の高さの観点から、単環式基を含む基が好ましく、中でも式(r−pr−s8)で表される酸分解性基が好ましい。
また、形成されるレジストパターンにおける解像性の観点から、鎖状の基が好ましく、中でも 式(r−pr−c3)又は式(r−pr−c4)のいずれかで表される酸分解性基が好ましく、式(r−pr−c4)で表される酸分解性基が特に好ましい。
Among the above, the acid decomposable group in the structural unit (a1) includes a monocyclic group from the viewpoint of the high residual film ratio of the resist film exposed portion in the formation of a negative resist pattern by a solvent development process. A group is preferable, and an acid decomposable group represented by a formula (r-pr-s8) is preferable among them.
Further, from the viewpoint of resolution in the resist pattern to be formed, a chain group is preferable, and among them, the acid decomposable represented by either the formula (r-pr-c3) or the formula (r-pr-c4) A group is preferred, and an acid-degradable group represented by the formula (r-pr-c4) is particularly preferred.

構成単位(a1)としては、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位;アクリルアミドから誘導される構成単位であって、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位;ヒドロキシスチレン若しくはヒドロキシスチレン誘導体から誘導される構成単位の水酸基における水素原子の少なくとも一部が前記酸分解性基を含む置換基により保護された構成単位;ビニル安息香酸若しくはビニル安息香酸誘導体から誘導される構成単位の−C(=O)−OHにおける水素原子の少なくとも一部が前記酸分解性基を含む置換基により保護された構成単位などが挙げられる。   The structural unit (a1) is a structural unit derived from an acrylic acid ester in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent, and an acid whose polarity is increased by the action of an acid. Constituent unit containing degradable group; Constituent unit derived from acrylamide, containing acid-degradable group whose polarity is increased by the action of acid; hydroxyl group of constituent unit derived from hydroxystyrene or hydroxystyrene derivative A structural unit in which at least a part of hydrogen atoms in the above is protected by a substituent containing the acid-degradable group; a hydrogen atom in -C (= O) -OH of a structural unit derived from vinylbenzoic acid or a vinylbenzoic acid derivative The structural unit etc. which were protected by the substituent in which at least one part of these contained the said acid-degradable group were mentioned.

構成単位(a1)としては、上記のなかでも、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位が好ましい。
かかる構成単位(a1)の好ましい具体例としては、下記一般式(a1−1)〜(a1−3)で表される構成単位が挙げられる。
Among the above, as the structural unit (a1), a structural unit derived from an acrylic acid ester in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent is preferable.
Preferred specific examples of the structural unit (a1) include structural units represented by general formulas (a1-1) to (a1-3) shown below.

Figure 0006515140
[式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基である。Vaはエーテル結合を有していてもよい2価の炭化水素基であり、na1は0〜2であり、Ra及びRaは、それぞれ上記式(a1−r−1)又は(a1−r−2)で表される酸解離性基であって、単環式基を含む基、又は鎖状の基である。Waはna2+1価の炭化水素基であり、na2は1〜3であり、Raは上記式(a1−r−1)又は(a1−r−3)で表される酸解離性基であって、単環式基を含む基、又は鎖状の基である。Waはna3+1価の炭化水素基であり、na3は1〜3であり、Vaはエーテル結合、ウレタン結合又はアミド結合を有していてもよい2価の炭化水素基である。]
Figure 0006515140
[In formula, R is a hydrogen atom, a C1-C5 alkyl group, or a C1-C5 halogenated alkyl group. Va 1 is a divalent hydrocarbon group which may have an ether bond, n a1 is 0 to 2, and Ra 1 and Ra 3 are each represented by the above formula (a1-r-1) or (a1) It is an acid dissociable group represented by -r-2), and is a group containing a monocyclic group or a chain group. Wa 1 is an n a 2 + 1-valent hydrocarbon group, n a 2 is 1 to 3 and Ra 2 is an acid dissociable represented by the above formula (a1-r-1) or (a1-r-3) It is a group which is a group containing a monocyclic group or a chain group. Wa 2 is a n a 3 +1 monovalent hydrocarbon group, n a 3 is 1 to 3, and Va 2 is a divalent hydrocarbon group which may have an ether bond, a urethane bond or an amide bond. ]

前記式(a1−1)〜(a1−3)中、Rは、前述した前記式(a0−1)中のRと同様である。
前記式(a1−1)中、Vaの2価の炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。Vaにおける2価の炭化水素基としての脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。
Vaにおける脂肪族炭化水素基として、より具体的には、直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、又は構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。
また、Vaとしては、上記2価の炭化水素基の炭素原子間にエーテル結合(−O−)を有していてもよい。Va中に存在するエーテル結合は1つでも2つ以上でもよい。
In the formulas (a1-1) to (a1-3), R is the same as R in the formula (a0-1) described above.
In the formula (a1-1), the divalent hydrocarbon group of Va 1 may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group. The aliphatic hydrocarbon group means a hydrocarbon group having no aromaticity. The aliphatic hydrocarbon group as a bivalent hydrocarbon group in Va 1 may be saturated or unsaturated, and is usually preferably saturated.
More specific examples of the aliphatic hydrocarbon group in Va 1 include linear or branched aliphatic hydrocarbon groups, and aliphatic hydrocarbon groups containing a ring in the structure.
As the Va 1, it may have an ether bond (-O-) between carbon atoms of the divalent hydrocarbon group. One or two or more ether bonds may be present in Va 1 .

前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が1〜10であることが好ましく、1〜6がより好ましく、1〜4がさらに好ましく、1〜3が最も好ましい。
直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基[−CH−]、エチレン基[−(CH−]、トリメチレン基[−(CH−]、テトラメチレン基[−(CH−]、ペンタメチレン基[−(CH−]等が挙げられる。
分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、−CH(CH)−、−CH(CHCH)−、−C(CH−、−C(CH)(CHCH)−、−C(CH)(CHCHCH)−、−C(CHCH−等のアルキルメチレン基;−CH(CH)CH−、−CH(CH)CH(CH)−、−C(CHCH−、−CH(CHCH)CH−、−C(CHCH−CH−等のアルキルエチレン基;−CH(CH)CHCH−、−CHCH(CH)CH−等のアルキルトリメチレン基;−CH(CH)CHCHCH−、−CHCH(CH)CHCH−等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素数1〜5の直鎖状のアルキル基が好ましい。
The linear or branched aliphatic hydrocarbon group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, still more preferably 1 to 4 carbon atoms, and most preferably 1 to 3 carbon atoms.
As a linear aliphatic hydrocarbon group, a linear alkylene group is preferable, and specifically, a methylene group [-CH 2- ], an ethylene group [-(CH 2 ) 2- ], a trimethylene group [ - (CH 2) 3 -] , a tetramethylene group [- (CH 2) 4 - ], a pentamethylene group [- (CH 2) 5 - ] , and the like.
As the branched aliphatic hydrocarbon group, preferably a branched chain alkylene group, specifically, -CH (CH 3) -, - CH (CH 2 CH 3) -, - C (CH 3) 2 -, - C (CH 3 ) (CH 2 CH 3) -, - C (CH 3) (CH 2 CH 2 CH 3) -, - C (CH 2 CH 3) 2 - ; alkylethylene groups such as - CH (CH 3) CH 2 - , - CH (CH 3) CH (CH 3) -, - C (CH 3) 2 CH 2 -, - CH (CH 2 CH 3) CH 2 -, - C (CH 2 An alkylethylene group such as CH 3 ) 2 -CH 2- ; an alkyltrimethylene group such as -CH (CH 3 ) CH 2 CH 2- , -CH 2 CH (CH 3 ) CH 2-, etc .; -CH (CH 3 ) CH 2 CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH (CH 3) CH 2 CH 2 - And the like alkyl alkylene group such as an alkyl tetramethylene group of. As an alkyl group in an alkyl alkylene group, a C1-C5 linear alkyl group is preferable.

前記構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、脂環式炭化水素基(脂肪族炭化水素環から水素原子を2個除いた基)、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、前記Vaにおける直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。
前記脂環式炭化水素基は、炭素数が3〜20であることが好ましく、3〜12であることがより好ましい。
前記脂環式炭化水素基は、多環式基であってもよく、単環式基であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、モノシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては炭素数3〜6のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては炭素数7〜12のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。
As an aliphatic hydrocarbon group which contains a ring in the said structure, alicyclic hydrocarbon group (The group which remove | eliminated two hydrogen atoms from the aliphatic hydrocarbon ring), and an alicyclic hydrocarbon group are linear or branched Examples thereof include a group bonded to the end of a linear aliphatic hydrocarbon group, and a group in which an alicyclic hydrocarbon group intervenes in the middle of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group. Examples of the linear or branched aliphatic hydrocarbon group include the same as the linear or branched aliphatic hydrocarbon group in the above Va 1 .
The alicyclic hydrocarbon group preferably has 3 to 20 carbon atoms, and more preferably 3 to 12 carbon atoms.
The alicyclic hydrocarbon group may be a polycyclic group or a monocyclic group. As a monocyclic alicyclic hydrocarbon group, a group obtained by removing two hydrogen atoms from a monocycloalkane is preferable. The monocycloalkane preferably has 3 to 6 carbon atoms, and specific examples include cyclopentane, cyclohexane and the like. As the polycyclic alicyclic hydrocarbon group, a group obtained by removing two hydrogen atoms from a polycycloalkane is preferable, and as the polycycloalkane, one having 7 to 12 carbon atoms is preferable, and specifically, adamantane , Norbornane, isobornane, tricyclodecane, tetracyclododecane and the like.

Vaにおける芳香族炭化水素基は、芳香環を少なくとも1つ有する炭化水素基である。この芳香環は、4n+2個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素数は5〜30であることが好ましく、5〜20がより好ましく、6〜15がさらに好ましく、6〜12が特に好ましい。芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環;前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。
芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を2つ除いた基(アリーレン基またはヘテロアリーレン基);2以上の芳香環を含む芳香族化合物(たとえばビフェニル、フルオレン等)から水素原子を2つ除いた基;前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を1つ除いた基(アリール基またはヘテロアリール基)の水素原子の1つがアルキレン基で置換された基(たとえば、ベンジル基、フェネチル基、1−ナフチルメチル基、2−ナフチルメチル基、1−ナフチルエチル基、2−ナフチルエチル基等のアリールアルキル基におけるアリール基から水素原子をさらに1つ除いた基)等が挙げられる。前記アリール基またはヘテロアリール基に結合するアルキレン基の炭素数は、1〜4であることが好ましく、1〜2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。
The aromatic hydrocarbon group in Va 1 is a hydrocarbon group having at least one aromatic ring. The aromatic ring is not particularly limited as long as it is a cyclic conjugated system having 4n + 2 π electrons, and may be monocyclic or polycyclic. The carbon number of the aromatic ring is preferably 5 to 30, more preferably 5 to 20, still more preferably 6 to 15, and particularly preferably 6 to 12. Specific examples of the aromatic ring include aromatic hydrocarbon rings such as benzene, naphthalene, anthracene and phenanthrene; and aromatic heterocyclic rings in which a part of carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring is substituted with a hetero atom It can be mentioned. Examples of the hetero atom in the aromatic heterocycle include an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom. Specific examples of the aromatic heterocycle include a pyridine ring and a thiophene ring.
Specifically as the aromatic hydrocarbon group, a group obtained by removing two hydrogen atoms from the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocycle (arylene group or heteroarylene group); aromatic compound containing two or more aromatic rings A group obtained by removing two hydrogen atoms from (eg, biphenyl, fluorene etc.); one hydrogen atom of a group obtained by removing one hydrogen atom from the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocycle (aryl group or heteroaryl group) Hydrogen atom from an arylalkyl group such as a benzyl group, phenethyl group, 1-naphthylmethyl group, 2-naphthylmethyl group, 1-naphthylethyl group, 2-naphthylethyl group, etc. And the like) and the like. It is preferable that carbon number of the alkylene group couple | bonded with the said aryl group or heteroaryl group is 1-4, It is more preferable that it is 1-2, It is especially preferable that it is 1.

前記式(a1−2)中、Waにおけるna2+1価の炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。該脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味し、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。前記脂肪族炭化水素基としては、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基、あるいは直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基と構造中に環を含む脂肪族炭化水素基とを組み合わせた基が挙げられる。前記芳香族炭化水素基としては、前記Vaについての説明の中で例示した芳香族炭化水素環または芳香族複素環を含む基が挙げられる。
前記na2+1価は、2〜4価が好ましく、2又は3価がより好ましい。
In the formula (a1-2), the n a2 + 1-valent hydrocarbon group in Wa 1 may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group. The aliphatic hydrocarbon group means a hydrocarbon group having no aromaticity, which may be saturated or unsaturated, and is preferably saturated. As the aliphatic hydrocarbon group, a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure, or a linear or branched aliphatic hydrocarbon group The group which combined the aliphatic hydrocarbon group containing a ring in a structure is mentioned. As said aromatic hydrocarbon group, the group containing the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocycle illustrated in the description about said Va 1 is mentioned.
The n a2 +1 valence is preferably 2 to 4 and more preferably 2 or 3.

前記式(a1−3)中、Waにおけるna3+1価の炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよく、前記Waにおけるna2+1価の炭化水素基と同様のものが挙げられる。
前記na3+1価は、2〜4価が好ましく、2又は3価がより好ましい。
Vaにおける2価の炭化水素基は、前記Vaにおける2価の炭化水素基と同様のものが挙げられる。
In the formula (a1-3), the n a3 +1 monovalent hydrocarbon group in Wa 2 may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group, and n a2 in Wa 1 The same as the monovalent hydrocarbon group can be mentioned.
The n a3 +1 valence is preferably 2 to 4 and more preferably 2 or 3.
Examples of the divalent hydrocarbon group in Va 2 include the same ones as the divalent hydrocarbon group in Va 1 above.

以下に構成単位(a1)の具体例を示す。以下の各式中、Rαは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。 Specific examples of the structural unit (a1) are shown below. In each of the following formulas, R α represents a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.

Figure 0006515140
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Figure 0006515140
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Figure 0006515140
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(A1)成分が有する構成単位(a1)は、1種でもよく2種以上でもよい。
構成単位(a1)の割合は、当該(A1)成分を構成する全構成単位の合計に対して5〜60モル%であることが好ましく、10〜50モル%であることがより好ましく、15〜45モル%であることがさらに好ましく、20〜40モル%が特に好ましい。
構成単位(a1)の割合を好ましい下限値以上とすることにより、レジストパターン形成において、特に、パターン寸法の面内均一性(CDU)及び焦点深度幅(DOF)特性の両方とも向上する。一方、好ましい上限値以下とすることにより、他の構成単位とのバランスをとりやすくなる。
The structural unit (a1) contained in the component (A1) may be one type or two or more types.
The proportion of the structural unit (a1) is preferably 5 to 60 mol%, more preferably 10 to 50 mol%, with respect to the total of all the structural units constituting the component (A1), and 15 to 15 mol%. It is more preferable that it is 45 mol%, and 20 to 40 mol% is especially preferable.
By setting the ratio of the structural unit (a1) to the preferable lower limit value or more, in particular, both in-plane uniformity (CDU) of pattern dimension and depth of focus (DOF) characteristics are improved in resist pattern formation. On the other hand, by setting the content to the preferable upper limit value or less, it becomes easy to balance with other constituent units.

・構成単位(a1’):酸の作用により極性が増大する酸分解性基のうち、多環式基を含む基を含む構成単位について
構成単位(a1’)における酸分解性基は、多環式基を含む基である。
「多環式基を含む基」とは、多環式基からなる酸分解性基、多環式基とこれ以外の基とが結合してなる酸分解性基を包含する。「多環式基とこれ以外の基とが結合してなる酸分解性基」としては、たとえば、多環式基と鎖状の基とが結合してなる酸分解性基が挙げられる。
構成単位(a1’)における酸分解性基の具体例を以下に挙げる。
Structural unit (a1 ′): Of the acid degradable groups whose polarity is increased by the action of an acid, a structural unit containing a group containing a polycyclic group The acid degradable group in the structural unit (a1 ′) is a polycyclic ring It is a group containing a formula group.
The “group containing a polycyclic group” includes an acid-decomposable group consisting of a polycyclic group, and an acid-decomposable group formed by combining a polycyclic group and another group. Examples of the “acid-degradable group formed by combining a polycyclic group and another group” include, for example, an acid-degradable group formed by combining a polycyclic group and a chain group.
Specific examples of the acid-degradable group in the structural unit (a1 ′) are given below.

Figure 0006515140
Figure 0006515140

Figure 0006515140
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上記の中でも、構成単位(a1’)における酸分解性基としては、焦点深度幅(DOF)の観点から、多環式基とこれ以外の基とが結合してなる酸分解性基が好ましく、多環式基と鎖状の基とが結合してなる酸分解性基がより好ましい。中でも式(r−pr−cm2)で表される酸分解性基が特に好ましい。   Among the above, as the acid decomposable group in the structural unit (a1 ′), an acid decomposable group formed by combining a polycyclic group with a group other than this is preferable from the viewpoint of depth of focus (DOF), An acid-degradable group formed by combining a polycyclic group and a chain group is more preferable. Among them, an acid-degradable group represented by the formula (r-pr-cm 2) is particularly preferable.

構成単位(a1’)としては、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位;アクリルアミドから誘導される構成単位であって、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位;ヒドロキシスチレン若しくはヒドロキシスチレン誘導体から誘導される構成単位の水酸基における水素原子の少なくとも一部が前記酸分解性基を含む置換基により保護された構成単位;ビニル安息香酸若しくはビニル安息香酸誘導体から誘導される構成単位の−C(=O)−OHにおける水素原子の少なくとも一部が前記酸分解性基を含む置換基により保護された構成単位などが挙げられる。   The structural unit (a1 ′) is a structural unit derived from an acrylic acid ester in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent, and the polarity is increased by the action of acid A structural unit containing an acid degradable group; a structural unit derived from acrylamide and containing an acid degradable group whose polarity is increased by the action of an acid; a structural unit derived from hydroxystyrene or a hydroxystyrene derivative A constituent unit in which at least a part of hydrogen atoms in a hydroxyl group is protected by a substituent containing the acid decomposable group; a hydrogen in —C (= O) —OH of a constituent unit derived from vinylbenzoic acid or a vinylbenzoic acid derivative The structural unit etc. which were protected by the substituent in which at least one part of the atom contains the said acid-degradable group are mentioned.

構成単位(a1’)としては、上記のなかでも、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位が好ましい。
かかる構成単位(a1’)の好ましい具体例としては、上記の一般式(a1−1)または一般式(a1−3)で表される構成単位において、Ra及びRaが、それぞれ上記式(a1−r−1)又は(a1−r−2)で表される酸解離性基であって、多環式基を含む基であるもの;上記一般式(a1−2)で表される構成単位において、Raが、上記式(a1−r−1)又は(a1−r−3)で表される酸解離性基であって、多環式基を含む基であるものが挙げられる。
Among the above, as the structural unit (a1 ′), structural units derived from an acrylic acid ester in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent are preferable.
As a preferable specific example of this structural unit (a1 ′), in the structural units represented by the above general formula (a1-1) or general formula (a1-3), Ra 1 and Ra 3 are each independently selected from the above an acid dissociable group represented by a1-r-1) or (a1-r-2), which is a group containing a polycyclic group; a structure represented by the above general formula (a1-2) In the unit, examples thereof include an acid dissociable group represented by the above formula (a1-r-1) or (a1-r-3) in which Ra 2 is a group containing a polycyclic group.

以下に構成単位(a1’)の具体例を示す。以下の各式中、Rαは、水素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基を示す。 The specific example of a structural unit (a1 ') is shown below. In each of the following formulas, R α represents a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.

Figure 0006515140
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Figure 0006515140
Figure 0006515140

Figure 0006515140
Figure 0006515140

(A1)成分が有する構成単位(a1’)は、1種でもよく2種以上でもよい。
構成単位(a1’)の割合は、当該(A1)成分を構成する全構成単位の合計に対して3〜40モル%であることが好ましく、5〜35モル%であることがより好ましく、10〜25モル%であることがさらに好ましく、10〜20モル%が特に好ましい。
構成単位(a1’)の割合を好ましい下限値以上とすることにより、レジストパターン形成において、特に、パターン寸法の面内均一性(CDU)及び焦点深度幅(DOF)特性の両方とも向上する。一方、好ましい上限値以下とすることにより、他の構成単位とのバランスをとりやすくなる。
The structural unit (a1 ′) of the component (A1) may be one type or two or more types.
The proportion of the structural unit (a1 ′) is preferably 3 to 40 mol%, more preferably 5 to 35 mol%, based on the total of all the structural units constituting the component (A1). It is more preferable that it is -25 mol%, and 10-20 mol% is especially preferable.
By setting the ratio of the structural unit (a1 ′) to the preferable lower limit value or more, in particular, both in-plane uniformity (CDU) of pattern dimension and depth of focus (DOF) characteristics are improved in resist pattern formation. On the other hand, by setting the content to the preferable upper limit value or less, it becomes easy to balance with other constituent units.

(構成単位(a2))
構成単位(a2)は、ラクトン含有単環式基を含む構成単位である。
構成単位(a2)のラクトン含有単環式基は、(A1)成分をレジスト膜の形成に用いた場合に、レジスト膜の支持体への密着性を高める上で有効なものである。
なお、前記の構成単位(a1)又は構成単位(a1’)がその構造中にラクトン含有単環式基を含む構成単位である場合、その構成単位は構成単位(a2)にも該当するが、このような構成単位は構成単位(a1)又は構成単位(a1’)に該当し、構成単位(a2)には該当しないものとする。
「ラクトン含有単環式基」とは、その環骨格中に−O−C(=O)−を含む環(ラクトン環)のみからなる環式基を示す。
構成単位(a2)におけるラクトン含有単環式基としては、特に限定されることなく任意のものが使用可能である。具体的には、下記一般式(a2−r−7)で表される基が挙げられる。
(Constituent unit (a2))
The structural unit (a2) is a structural unit containing a lactone-containing monocyclic group.
The lactone-containing monocyclic group of the structural unit (a2) is effective in enhancing the adhesion of the resist film to the support when the component (A1) is used to form the resist film.
When the structural unit (a1) or the structural unit (a1 ′) is a structural unit containing a lactone-containing monocyclic group in the structure, the structural unit also corresponds to the structural unit (a2), Such a structural unit corresponds to the structural unit (a1) or the structural unit (a1 ′), and does not correspond to the structural unit (a2).
"A lactone containing monocyclic group" shows the cyclic group which consists only of the ring (lactone ring) which contains -OC (= O)-in ring structure.
The lactone-containing monocyclic group in the structural unit (a2) is not particularly limited and any arbitrary one can be used. Specifically, groups represented by general formula (a2-r-7) shown below can be mentioned.

Figure 0006515140
[式中、複数のRa’211はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、−COOR”、−OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基またはシアノ基であり;R”は水素原子、アルキル基又はラクトン含有単環式基であり;n’は0〜2の整数である。]
Figure 0006515140
[Wherein, each of a plurality of Ra ′ 211 independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, —COOR 2 ′ ′, —OC (= O) R 2 ′ ′, a hydroxyalkyl group Or R 2 ′ ′ is a hydrogen atom, an alkyl group or a lactone-containing monocyclic group; n ′ is an integer of 0 to 2

前記式(a2−r−7)中、Ra’211におけるアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、ヒドロキシアルキル基は、前記式(a2−r−1)〜(a2−r−6)中のRa’21におけるアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、ヒドロキシアルキル基とそれぞれ同様である。
Ra’211における−COOR”、−OC(=O)R”について、R”のアルキル基は、前記式(a2−r−1)〜(a2−r−6)中のRa’21におけるR”のアルキル基と同様である。
”におけるラクトン含有単環式基としては、前記一般式(a2−r−7)で表される基が挙げられる。
n’は0〜2の整数であり、好ましくは0又は1であり、より好ましくは1である。
In the formula (a2-r-7), the alkyl group, the alkoxy group, the halogen atom, the halogenated alkyl group, and the hydroxyalkyl group in Ra ′ 211 are the same as those in the formula (a2-r-1) And the same as the alkyl group, the alkoxy group, the halogen atom, the halogenated alkyl group and the hydroxyalkyl group for Ra ′ 21 in the above.
Ra '-COOR 2 in 211 for ", -OC (= O) R 2", the alkyl group of R 2 ", the formula (a2-r-1) ~ (a2-r-6) in ra' 21 Are the same as the alkyl group of R 0 ′ ′ in
As a lactone containing monocyclic group in R < 2 ' >, the group represented by said general formula (a2-r-7) is mentioned.
n 'is an integer of 0 to 2, preferably 0 or 1, and more preferably 1.

前記一般式(a2−r−7)で表される基の具体例を以下に挙げる。   Specific examples of the group represented by general formula (a2-r-7) will be given below.

Figure 0006515140
Figure 0006515140

構成単位(a2)としては、なかでも、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位が好ましい。
かかる構成単位(a2)は、下記一般式(a2−1)で表される構成単位であることが好ましい。
As the structural unit (a2), a structural unit derived from an acrylic acid ester in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the α-position may be substituted by a substituent is particularly preferable.
The structural unit (a2) is preferably a structural unit represented by the following general formula (a2-1).

Figure 0006515140
[式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基である。Ya21は単結合または2価の連結基である。La21は−O−、−COO−、−CON(R’)−、−OCO−、−CONHCO−又は−CONHCS−であり、R’は水素原子またはメチル基を示す。ただしLa21が−O−の場合、Ya21は−CO−にはならない。Ra21はラクトン含有単環式基である。]
Figure 0006515140
[In formula, R is a hydrogen atom, a C1-C5 alkyl group, or a C1-C5 halogenated alkyl group. Ya 21 is a single bond or a divalent linking group. La 21 is —O—, —COO—, —CON (R ′) —, —OCO—, —CONHCO— or —CONHCS—, and R ′ is a hydrogen atom or a methyl group. However, when La 21 is —O—, Ya 21 does not become —CO—. Ra 21 is a lactone-containing monocyclic group. ]

前記式(a2−1)中、Rは、前述した前記式(a0−1)中のRと同様である。
Ya21は、単結合又は2価の連結基である。
Ya21の2価の連結基としては、特に限定されないが、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基、ヘテロ原子を含む2価の連結基等が好適なものとして挙げられる。
In the formula (a2-1), R is the same as R in the formula (a0-1) described above.
Ya 21 is a single bond or a divalent linking group.
The divalent linking group for Ya 21 is not particularly limited, and preferred examples thereof include a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, a divalent linking group containing a hetero atom, and the like.

置換基を有していてもよい2価の炭化水素基:
Ya21において、2価の炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。
Ya21における、2価の炭化水素基としての脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。該脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。
前記脂肪族炭化水素基としては、直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、又は構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。
Divalent hydrocarbon group which may have a substituent:
In Ya 21 , the divalent hydrocarbon group may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group.
The aliphatic hydrocarbon group as a bivalent hydrocarbon group in Ya 21 means a hydrocarbon group having no aromaticity. The aliphatic hydrocarbon group may be saturated or unsaturated, and is usually preferably saturated.
Examples of the aliphatic hydrocarbon group include linear or branched aliphatic hydrocarbon groups, and aliphatic hydrocarbon groups having a ring in the structure.

前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が1〜10であることが好ましく、1〜6がより好ましく、1〜4がさらに好ましく、1〜3が最も好ましい。
直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基[−CH−]、エチレン基[−(CH−]、トリメチレン基[−(CH−]、テトラメチレン基[−(CH−]、ペンタメチレン基[−(CH−]等が挙げられる。
分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、−CH(CH)−、−CH(CHCH)−、−C(CH−、−C(CH)(CHCH)−、−C(CH)(CHCHCH)−、−C(CHCH−等のアルキルメチレン基;−CH(CH)CH−、−CH(CH)CH(CH)−、−C(CHCH−、−CH(CHCH)CH−、−C(CHCH−CH−等のアルキルエチレン基;−CH(CH)CHCH−、−CHCH(CH)CH−等のアルキルトリメチレン基;−CH(CH)CHCHCH−、−CHCH(CH)CHCH−等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素数1〜5の直鎖状のアルキル基が好ましい。
前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよく、有していなくてもよい。該置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素数1〜5のフッ素化アルキル基、カルボニル基等が挙げられる。
The linear or branched aliphatic hydrocarbon group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, still more preferably 1 to 4 carbon atoms, and most preferably 1 to 3 carbon atoms.
As a linear aliphatic hydrocarbon group, a linear alkylene group is preferable, and specifically, a methylene group [-CH 2- ], an ethylene group [-(CH 2 ) 2- ], a trimethylene group [ - (CH 2) 3 -] , a tetramethylene group [- (CH 2) 4 - ], a pentamethylene group [- (CH 2) 5 - ] , and the like.
As the branched aliphatic hydrocarbon group, preferably a branched chain alkylene group, specifically, -CH (CH 3) -, - CH (CH 2 CH 3) -, - C (CH 3) 2 -, - C (CH 3 ) (CH 2 CH 3) -, - C (CH 3) (CH 2 CH 2 CH 3) -, - C (CH 2 CH 3) 2 - ; alkylethylene groups such as - CH (CH 3) CH 2 - , - CH (CH 3) CH (CH 3) -, - C (CH 3) 2 CH 2 -, - CH (CH 2 CH 3) CH 2 -, - C (CH 2 An alkylethylene group such as CH 3 ) 2 -CH 2- ; an alkyltrimethylene group such as -CH (CH 3 ) CH 2 CH 2- , -CH 2 CH (CH 3 ) CH 2-, etc .; -CH (CH 3 ) CH 2 CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH (CH 3) CH 2 CH 2 - And the like alkyl alkylene group such as an alkyl tetramethylene group of. As an alkyl group in an alkyl alkylene group, a C1-C5 linear alkyl group is preferable.
The linear or branched aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include a fluorine atom, a fluorinated alkyl group of 1 to 5 carbon atoms substituted with a fluorine atom, and a carbonyl group.

前記構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、環構造中にヘテロ原子を含む置換基を含んでもよい環状の脂肪族炭化水素基(脂肪族炭化水素環から水素原子を2個除いた基)、前記環状の脂肪族炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基、前記環状の脂肪族炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては前記と同様のものが挙げられる。
環状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が3〜20であることが好ましく、3〜12であることがより好ましい。
環状の脂肪族炭化水素基は、多環式基であってもよく、単環式基であってもよい。単環式の脂肪族炭化水素基としては、モノシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては炭素数3〜6のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂肪族炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては炭素数7〜12のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。
As the aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the above structure, a cyclic aliphatic hydrocarbon group which may contain a substituent containing a hetero atom in the ring structure (2 hydrogen atoms are removed from an aliphatic hydrocarbon ring) Group), a group in which the cyclic aliphatic hydrocarbon group is bonded to the end of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, and the cyclic aliphatic hydrocarbon group is a linear or branched fatty acid And the like interposed in the middle of the group hydrocarbon group. Examples of the linear or branched aliphatic hydrocarbon group include the same as described above.
The cyclic aliphatic hydrocarbon group preferably has 3 to 20 carbon atoms, and more preferably 3 to 12 carbon atoms.
The cyclic aliphatic hydrocarbon group may be a polycyclic group or a monocyclic group. As a monocyclic aliphatic hydrocarbon group, a group obtained by removing two hydrogen atoms from a monocycloalkane is preferable. The monocycloalkane preferably has 3 to 6 carbon atoms, and specific examples include cyclopentane, cyclohexane and the like. The polycyclic aliphatic hydrocarbon group is preferably a group obtained by removing two hydrogen atoms from a polycycloalkane, and as the polycycloalkane, one having 7 to 12 carbon atoms is preferable, and specifically, adamantane, And norbornane, isobornane, tricyclodecane, tetracyclododecane and the like.

環状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。該置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、カルボニル基等が挙げられる。
前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基であることが特に好ましい。
前記置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が特に好ましい。
前記置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
前記置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
環状の脂肪族炭化水素基は、その環構造を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子を含む置換基で置換されてもよい。該ヘテロ原子を含む置換基としては、−O−、−C(=O)−O−、−S−、−S(=O)−、−S(=O)−O−が好ましい。
The cyclic aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, a carbonyl group and the like.
The alkyl group as the substituent is preferably an alkyl group having a carbon number of 1 to 5, and particularly preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group or a tert-butyl group.
The alkoxy group as the substituent is preferably an alkoxy group having a carbon number of 1 to 5, and is preferably a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, an n-butoxy group or a tert-butoxy group, methoxy Groups and ethoxy groups are particularly preferred.
As a halogen atom as the said substituent, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom etc. are mentioned, A fluorine atom is preferable.
As a halogenated alkyl group as said substituent, the group by which one part or all part of the hydrogen atom of the said alkyl group was substituted by the said halogen atom is mentioned.
In the cyclic aliphatic hydrocarbon group, a part of carbon atoms constituting the ring structure may be substituted with a substituent containing a hetero atom. The substituent containing a hetero atom, -O -, - C (= O) -O -, - S -, - S (= O) 2 -, - S (= O) 2 -O- are preferred.

Ya21における、2価の炭化水素基としての芳香族炭化水素基は、芳香環を少なくとも1つ有する炭化水素基である。
この芳香環は、4n+2個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素数は5〜30であることが好ましく、5〜20がより好ましく、6〜15がさらに好ましく、6〜12が特に好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環;前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。
芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を2つ除いた基(アリーレン基またはヘテロアリーレン基);2以上の芳香環を含む芳香族化合物(たとえばビフェニル、フルオレン等)から水素原子を2つ除いた基;前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を1つ除いた基(アリール基またはヘテロアリール基)の水素原子の1つがアルキレン基で置換された基(たとえば、ベンジル基、フェネチル基、1−ナフチルメチル基、2−ナフチルメチル基、1−ナフチルエチル基、2−ナフチルエチル基等のアリールアルキル基におけるアリール基から水素原子をさらに1つ除いた基)等が挙げられる。前記アリール基またはヘテロアリール基に結合するアルキレン基の炭素数は、1〜4であることが好ましく、1〜2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。
The aromatic hydrocarbon group as a divalent hydrocarbon group in Ya 21 is a hydrocarbon group having at least one aromatic ring.
The aromatic ring is not particularly limited as long as it is a cyclic conjugated system having 4n + 2 π electrons, and may be monocyclic or polycyclic. The carbon number of the aromatic ring is preferably 5 to 30, more preferably 5 to 20, still more preferably 6 to 15, and particularly preferably 6 to 12. However, the carbon number does not include the carbon number in the substituent. Specific examples of the aromatic ring include aromatic hydrocarbon rings such as benzene, naphthalene, anthracene and phenanthrene; and aromatic heterocyclic rings in which a part of carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring is substituted with a hetero atom It can be mentioned. Examples of the hetero atom in the aromatic heterocycle include an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom. Specific examples of the aromatic heterocycle include a pyridine ring and a thiophene ring.
Specifically as the aromatic hydrocarbon group, a group obtained by removing two hydrogen atoms from the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocycle (arylene group or heteroarylene group); aromatic compound containing two or more aromatic rings A group obtained by removing two hydrogen atoms from (eg, biphenyl, fluorene etc.); one hydrogen atom of a group obtained by removing one hydrogen atom from the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocycle (aryl group or heteroaryl group) Hydrogen atom from an arylalkyl group such as a benzyl group, phenethyl group, 1-naphthylmethyl group, 2-naphthylmethyl group, 1-naphthylethyl group, 2-naphthylethyl group, etc. And the like) and the like. It is preferable that carbon number of the alkylene group couple | bonded with the said aryl group or heteroaryl group is 1-4, It is more preferable that it is 1-2, It is especially preferable that it is 1.

前記芳香族炭化水素基は、当該芳香族炭化水素基が有する水素原子が置換基で置換されていてもよい。たとえば当該芳香族炭化水素基中の芳香環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、たとえば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基等が挙げられる。
前記置換基としてのアルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基であることが最も好ましい。
前記置換基としてのアルコキシ基、ハロゲン原子およびハロゲン化アルキル基としては、前記環状の脂肪族炭化水素基が有する水素原子を置換する置換基として例示したものが挙げられる。
In the aromatic hydrocarbon group, the hydrogen atom of the aromatic hydrocarbon group may be substituted by a substituent. For example, a hydrogen atom bonded to an aromatic ring in the aromatic hydrocarbon group may be substituted by a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group and the like.
The alkyl group as the substituent is preferably an alkyl group having a carbon number of 1 to 5, and most preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group or a tert-butyl group.
As the alkoxy group, the halogen atom and the halogenated alkyl group as the substituent, those exemplified as the substituent for substituting the hydrogen atom of the cyclic aliphatic hydrocarbon group can be mentioned.

ヘテロ原子を含む2価の連結基:
Ya21がヘテロ原子を含む2価の連結基である場合、該連結基として好ましいものとしては、−O−、−C(=O)−O−、−C(=O)−、−O−C(=O)−O−、−C(=O)−NH−、−C(=O)−NH−C(=O)−、−NH−、−NH−C(=NH)−(Hはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい)、−S−、−S(=O)−、−S(=O)−O−、一般式−Y21−O−Y22−、−Y21−O−、−Y21−C(=O)−O−、−[Y21−C(=O)−O]m”−Y22−、−Y21−O−C(=O)−Y22−または−Y21−S(=O)−O−Y22−で表される基[式中、Y21およびY22はそれぞれ独立して置換基を有していてもよい2価の炭化水素基であり、Oは酸素原子であり、m”は0〜3の整数である。]等が挙げられる。
前記へテロ原子を含む2価の連結基が−C(=O)−NH−、−C(=O)−NH−C(=O)−、−NH−、−NH−C(=NH)−の場合、そのHはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。該置換基(アルキル基、アシル基等)は、炭素数が1〜10であることが好ましく、1〜8であることがさらに好ましく、1〜5であることが特に好ましい。
一般式−Y21−O−Y22−、−Y21−O−、−Y21−C(=O)−O−、−[Y21−C(=O)−O]m”−Y22−、−Y21−O−C(=O)−Y22−または−Y21−S(=O)−O−Y22−中、Y21およびY22は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基である。該2価の炭化水素基としては、前記2価の連結基としての説明で挙げた(置換基を有していてもよい2価の炭化水素基)と同様のものが挙げられる。
21としては、直鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、直鎖状のアルキレン基がより好ましく、炭素数1〜5の直鎖状のアルキレン基がさらに好ましく、メチレン基またはエチレン基が特に好ましい。
22としては、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、メチレン基、エチレン基またはアルキルメチレン基がより好ましい。該アルキルメチレン基におけるアルキル基は、炭素数1〜5の直鎖状のアルキル基が好ましく、炭素数1〜3の直鎖状のアルキル基がより好ましく、メチル基が最も好ましい。
式−[Y21−C(=O)−O]m”−Y22−で表される基において、m”は0〜3の整数であり、0〜2の整数であることが好ましく、0または1がより好ましく、1が特に好ましい。つまり、式−[Y21−C(=O)−O]m”−Y22−で表される基としては、式−Y21−C(=O)−O−Y22−で表される基が特に好ましい。なかでも、式−(CHa’−C(=O)−O−(CHb’−で表される基が好ましい。該式中、a’は、1〜10の整数であり、1〜8の整数が好ましく、1〜5の整数がより好ましく、1または2がさらに好ましく、1が最も好ましい。b’は、1〜10の整数であり、1〜8の整数が好ましく、1〜5の整数がより好ましく、1または2がさらに好ましく、1が最も好ましい。
Divalent linking group containing a heteroatom:
When Ya 21 is a divalent linking group containing a hetero atom, preferred as the linking group are —O—, —C (= O) —O—, —C (= O) —, —O— C (= O) -O-, -C (= O) -NH-, -C (= O) -NH-C (= O)-, -NH-, -NH-C (= NH)-(H may) be substituted with a substituent such as an alkyl group, an acyl group - S -, - S (= O) 2 -, - S (= O) 2 -O-, the formula -Y 21 -O -Y 22 -, - Y 21 -O -, - Y 21 -C (= O) -O -, - [Y 21 -C (= O) -O] m "-Y 22 -, - Y 21 -O A group represented by —C (= O) —Y 22 — or —Y 21 —S (= O) 2 —O—Y 22 [wherein, each of Y 21 and Y 22 independently has a substituent A divalent hydrocarbon group that may be And O is an oxygen atom, and m ′ ′ is an integer of 0 to 3. Etc.
The divalent linking group containing a heteroatom is -C (= O) -NH-, -C (= O) -NH-C (= O)-, -NH-, -NH-C (= NH) In the case of-, the H may be substituted by a substituent such as an alkyl group or an acyl group. The substituent (such as an alkyl group or an acyl group) preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 5 carbon atoms.
Formula -Y 21 -O-Y 22 -, - Y 21 -O -, - Y 21 -C (= O) -O -, - [Y 21 -C (= O) -O] m "-Y 22 -, - Y 21 -O-C (= O) -Y 22 - or -Y 21 -S (= O) 2 -O-Y 22 - in, Y 21 and Y 22 are each independently a substituent The divalent hydrocarbon group may have one or more substituents described above as the divalent linking group (a divalent hydrocarbon group which may have a substituent). And the same as the above.
As Y 21 , a linear aliphatic hydrocarbon group is preferable, a linear alkylene group is more preferable, a linear alkylene group having 1 to 5 carbon atoms is further preferable, and a methylene group or an ethylene group is particularly preferable preferable.
As Y 22 , a linear or branched aliphatic hydrocarbon group is preferable, and a methylene group, an ethylene group or an alkylmethylene group is more preferable. The alkyl group in the alkylmethylene group is preferably a linear alkyl group of 1 to 5 carbon atoms, more preferably a linear alkyl group of 1 to 3 carbon atoms, and most preferably a methyl group.
Formula - [Y 21 -C (= O ) -O] m "-Y 22 - In the group represented by, m" is an integer of 0 to 3, preferably an integer of 0 to 2, 0 Or 1 is more preferable, and 1 is particularly preferable. In other words, the formula - Examples of the group represented by the formula -Y 21 -C (= O) -O -Y 22 - - [Y 21 -C (= O) -O] m "-Y 22 represented by group is particularly preferred among them, the formula -. (CH 2) a ' -C (= O) -O- (CH 2) b' -. in the group represented by the formula in the formula, a 'is 1 It is an integer of 10, an integer of 1 to 8 is preferable, an integer of 1 to 5 is more preferable, 1 or 2 is more preferable, and 1 is most preferable b ′ is an integer of 1 to 10, 1 to 8 The integer of is preferable, the integer of 1-5 is more preferable, 1 or 2 is more preferable, 1 is most preferable.

Ya21としては、単結合、エステル結合[−C(=O)−O−]、エーテル結合(−O−)、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキレン基、又はこれらの組合せであることが好ましい。 Ya 21 is preferably a single bond, an ester bond [-C (= O) -O-], an ether bond (-O-), a linear or branched alkylene group, or a combination thereof .

前記式(a2−1)中、Ra21は、ラクトン含有単環式基であり、前述した一般式(a2−r−7)で表される基が好適に挙げられる。具体的には、前記化学式(r−lc−7−1)〜(r−lc−7−7)でそれぞれ表される基が挙げられ、特に、前記化学式(r−lc−7−1)で表される基、前記化学式(r−lc−7−2)で表される基が好ましい。 In the formula (a2-1), Ra 21 is a lactone-containing monocyclic group, and a group represented by general formula (a2-r-7) described above is preferably mentioned. Specifically, groups represented by the chemical formulas (r-lc-7-1) to (r-lc-7-7) can be mentioned, and in particular, it is possible to use the chemical formula (r-lc-7-1) The group represented and the group represented by said chemical formula (r-lc-7-2) are preferable.

(A1)成分が有する構成単位(a2)は、1種でもよく2種以上でもよい。
構成単位(a2)の割合は、当該(A1)成分を構成する全構成単位の合計に対して5〜70モル%であることが好ましく、10〜60モル%であることがより好ましく、15〜55モル%であることがさらに好ましく、20〜45モル%が特に好ましい。
構成単位(a2)の割合を好ましい下限値以上とすることにより、種々のリソグラフィー特性及びパターン形状がより良好となる。特に、パターン寸法の面内均一性(CDU)及び焦点深度幅(DOF)特性の両方とも向上する。一方、好ましい上限値以下とすることにより、他の構成単位とのバランスをとりやすくなる。
The structural unit (a2) contained in the component (A1) may be one type or two or more types.
The proportion of the structural unit (a2) is preferably 5 to 70 mol%, more preferably 10 to 60 mol%, with respect to the total of all structural units constituting the component (A1) It is more preferable that it is 55 mol%, and 20 to 45 mol% is especially preferable.
By setting the ratio of the structural unit (a2) to the preferable lower limit value or more, various lithography properties and pattern shapes become better. In particular, both in-plane uniformity (CDU) of pattern dimensions and depth of focus (DOF) characteristics are improved. On the other hand, by setting the content to the preferable upper limit value or less, it becomes easy to balance with other constituent units.

(他の構成単位)
(A1)成分は、上述した構成単位(a0)、構成単位(a1)、構成単位(a1’)及び構成単位(a2)に加えて、さらに、これらの構成単位に該当しない他の構成単位を有してもよい。
該他の構成単位としては、上述の構成単位に分類されない構成単位であれば特に限定されるものではなく、ArFエキシマレーザー用、KrFエキシマレーザー用(好ましくはArFエキシマレーザー用)等のレジスト用樹脂に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。
なかでも、(A1)成分は、構成単位(a0)、構成単位(a1)、構成単位(a1’)及び構成単位(a2)に加えて、さらに、−SO−含有環式基を含む構成単位(a5)を有するものも好ましい。
また、他の構成単位としては、カーボネート含有環式基を含む構成単位(a13)、極性基含有脂肪族炭化水素基を含む構成単位(a3)、酸非解離性の脂肪族環式基を含む構成単位(a4)、露光により酸を発生する構成単位などが挙げられる。
(Other units)
In addition to the structural unit (a0), the structural unit (a1), the structural unit (a1 ′) and the structural unit (a2), the component (A1) further includes other structural units that do not fall under these structural units. You may have.
The other structural unit is not particularly limited as long as it is a structural unit not classified into the above-mentioned structural unit, and a resin for resists such as for ArF excimer laser and KrF excimer laser (preferably for ArF excimer laser) A large number of what is conventionally known as being used for can be used.
Among them, the component (A1) further includes a —SO 2 — containing cyclic group in addition to the structural unit (a0), the structural unit (a1), the structural unit (a1 ′) and the structural unit (a2) Preference is also given to those having units (a5).
Moreover, as another structural unit, a structural unit (a13) containing a carbonate-containing cyclic group, a structural unit (a3) containing a polar group-containing aliphatic hydrocarbon group, and an acid non-dissociative aliphatic cyclic group The structural unit (a4), a structural unit that generates an acid upon exposure, and the like can be mentioned.

構成単位(a5):
構成単位(a5)は、−SO−含有環式基を含む構成単位である。
構成単位(a5)の−SO−含有環式基は、(A1)成分をレジスト膜の形成に用いた場合に、レジスト膜の基板への密着性を高める上で有効なものである。
なお、前記の構成単位(a1)又は構成単位(a1’)がその構造中に−SO−含有環式基を含む構成単位である場合、この構成単位は構成単位(a5)にも該当するが、このような構成単位は構成単位(a1)又は構成単位(a1’)に該当し、構成単位(a5)には該当しないものとする。
「−SO−含有環式基」とは、その環骨格中に−SO−を含む環を含有する環式基を示し、具体的には、−SO−における硫黄原子(S)が環式基の環骨格の一部を形成する環式基である。その環骨格中に−SO−を含む環をひとつ目の環として数え、該環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。−SO−含有環式基は、単環式基であってもよく多環式基であってもよい。
−SO−含有環式基は、特に、その環骨格中に−O−SO−を含む環式基、すなわち−O−SO−中の−O−S−が環骨格の一部を形成するスルトン(sultone)環を含有する環式基であることが好ましい。
−SO−含有環式基として、より具体的には、下記一般式(a5−r−1)〜(a5−r−4)でそれぞれ表される基が挙げられる。
Constitutional unit (a5):
The structural unit (a5) is a structural unit containing a —SO 2 -containing cyclic group.
The —SO 2 — containing cyclic group of the structural unit (a5) is effective in enhancing the adhesion of the resist film to the substrate when the component (A1) is used to form a resist film.
Incidentally, the structural unit (a1) or structural unit (a1 ') is -SO 2 within the structure - when a structural unit containing an containing cyclic group, the structural unit corresponding to the structural unit (a5) However, such a structural unit corresponds to the structural unit (a1) or the structural unit (a1 ′) and does not correspond to the structural unit (a5).
And - "-SO 2 containing cyclic group", -SO 2 - within the ring skeleton thereof shows a cyclic group containing a ring containing, in particular, -SO 2 - sulfur atom (S) is in It is a cyclic group that forms a part of the ring skeleton of the cyclic group. The ring containing -SO 2-in the ring skeleton is counted as the first ring, and in the case of only this ring, it is a monocyclic group, and in the case of having another ring structure, a polycyclic group regardless of its structure It is called. The —SO 2 -containing cyclic group may be a monocyclic group or a polycyclic group.
The -SO 2 -containing cyclic group is, in particular, a cyclic group containing -O-SO 2 -in its ring skeleton, ie -O-S- in -O-SO 2 -is a part of the ring skeleton It is preferably a cyclic group containing a sultone ring to be formed.
More specifically, examples of the —SO 2 -containing cyclic group include groups represented by general formulas (a5-r-1) to (a5-r-4) shown below.

Figure 0006515140
[式中、Ra’51はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、−COOR”、−OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基またはシアノ基であり;R”は水素原子又はアルキル基であり;A”は酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素数1〜5のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子であり、n’は0〜2の整数である。]
Figure 0006515140
Wherein, Ra '51 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, hydroxyl group, -COOR 5 ", -OC (= O) R 5", a hydroxyalkyl group or cyano R 5 ′ ′ is a hydrogen atom or an alkyl group; A ′ ′ is an oxygen atom or an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms which may contain a sulfur atom, an oxygen atom or a sulfur atom, and n ′ is a group It is an integer of 0-2. ]

前記一般式(a5−r−1)〜(a5−r−4)中、A”は、前記一般式(a2−r−1)、(a2−r−2)、(a2−r−4)中のA”と同様である。
Ra’51におけるアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、ヒドロキシアルキル基としては、それぞれ前記一般式(a2−r−1)〜(a2−r−6)中のRa’21におけるアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、ヒドロキシアルキル基とそれぞれ同様のものが挙げられる。
Ra’51における−COOR”、−OC(=O)R”について、R”のアルキル基は、前記式(a2−r−1)〜(a2−r−6)中のRa’21におけるR”のアルキル基と同様である。
n’は0〜2の整数であり、好ましくは0又は1であり、より好ましくは1である。
In the general formulas (a5-r-1) to (a5-r-4), A ′ ′ represents the general formulas (a2-r-1), (a2-r-2) and (a2-r-4). It is the same as A "in.
As the alkyl group, the alkoxy group, the halogen atom, the halogenated alkyl group, and the hydroxyalkyl group in Ra ′ 51, an alkyl in Ra ′ 21 in the general formulas (a2-r-1) to (a2-r-6), respectively, The same groups as in the group, alkoxy group, halogen atom, halogenated alkyl group and hydroxyalkyl group can be mentioned.
Ra '-COOR 5 in 51 for ", -OC (= O) R 5", the alkyl group for R 5 ", the formula (a2-r-1) ~ (a2-r-6) in ra' 21 Are the same as the alkyl group of R 0 ′ ′ in
n 'is an integer of 0 to 2, preferably 0 or 1, and more preferably 1.

一般式(a5−r−1)〜(a5−r−4)でそれぞれ表される基の具体例を以下に挙げる。式中の「Ac」は、アセチル基を示す。   Specific examples of the groups represented by general formulas (a5-r-1) to (a5-r-4) will be given below. "Ac" in a formula shows an acetyl group.

Figure 0006515140
Figure 0006515140

Figure 0006515140
Figure 0006515140

Figure 0006515140
Figure 0006515140

上記の中でも、−SO−含有環式基としては、前記一般式(a5−r−1)で表される基が好ましく、特に、前記化学式(r−sl−1−1)で表される基、前記化学式(r−sl−1−18)で表される基が好ましい。 Among the above, as the -SO 2 -containing cyclic group, a group represented by the general formula (a5-r-1) is preferable, and in particular, a group represented by the chemical formula (r-sl-1-1) And groups each represented by the aforementioned chemical formula (r-sl-1-18) are preferable.

構成単位(a5)としては、なかでも、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位が好ましい。
かかる構成単位(a5)の好ましい具体例としては、上記一般式(a2−1)で表される構成単位において、Ra21が、上記一般式(a5−r−1)で表される基であるものが挙げられ、中でも下記一般式(a5−1)で表される構成単位がより好ましい。
As the structural unit (a5), structural units derived from an acrylic acid ester in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the α-position may be substituted by a substituent are particularly preferable.
As a preferable specific example of the structural unit (a5), in the structural unit represented by the above general formula (a2-1), Ra 21 is a group represented by the above general formula (a5-r-1) And the structural unit represented by the following general formula (a5-1) is more preferable.

Figure 0006515140
[式中、Rは、前記と同様である。Ra51は上記一般式(a5−r−1)で表される基である。Ra52及びRa53はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1〜5のアルキル基である。na51は1〜3の整数である。]
Figure 0006515140
[Wherein, R is as defined above. Ra 51 is a group represented by the above general formula (a5-r-1). Ra 52 and Ra 53 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. na 51 is an integer of 1 to 3; ]

前記式(a5−1)中、Ra52及びRa53のアルキル基としては、前記Rにおけるアルキル基と同様である。なかでも、Ra52及びRa53は、Ra52及びRa53が共に水素原子となる場合、または、Ra52及びRa53のいずれか一方のみがアルキル基(特に好ましくはメチル基)となる場合が好ましい。
na51は、1または2であることが好ましい。
As an alkyl group of Ra 52 and Ra 53 in said Formula (a5-1), it is the same as the alkyl group in said R. Among them, Ra 52 and Ra 53, when Ra 52 and Ra 53 are both hydrogen atoms, or, if only one of Ra 52 and Ra 53 is an alkyl group (particularly preferably methyl group) .
It is preferable that na 51 is 1 or 2.

(A1)成分が有する構成単位(a5)は、1種でもよく2種以上でもよい。
(A1)成分が構成単位(a5)を有する場合、構成単位(a5)の割合は、当該(A1)成分を構成する全構成単位の合計に対して1〜50モル%であることが好ましく、3〜40モル%であることがより好ましく、5〜30モル%であることがさらに好ましく、10〜25モル%が特に好ましい。
構成単位(a5)の割合を好ましい下限値以上とすることにより、レジストパターン形成において解像性がより高まる。一方、好ましい上限値以下とすることにより、他の構成単位とのバランスをとりやすくなる。
The structural unit (a5) contained in the component (A1) may be one type or two or more types.
When the component (A1) has the structural unit (a5), the proportion of the structural unit (a5) is preferably 1 to 50 mol% with respect to the total of all structural units constituting the component (A1), The amount is more preferably 3 to 40 mol%, further preferably 5 to 30 mol%, and particularly preferably 10 to 25 mol%.
By setting the ratio of the structural unit (a5) to the preferable lower limit value or more, the resolution in forming a resist pattern is further enhanced. On the other hand, by setting the content to the preferable upper limit value or less, it becomes easy to balance with other constituent units.

構成単位(a13):
構成単位(a13)は、カーボネート含有環式基を含む構成単位である。
「カーボネート含有環式基」とは、その環骨格中に−O−C(=O)−O−を含む環(カーボネート環)を含有する環式基を示す。カーボネート環をひとつ目の環として数え、カーボネート環のみの場合は単環式基、さらに他の環構造を有する場合は、その構造に関わらず多環式基と称する。カーボネート含有環式基は、単環式基であってもよく、多環式基であってもよい。
カーボネート環含有環式基としては、特に限定されることなく任意のものが使用可能である。具体的には、下記一般式(ax3−r−1)〜(ax3−r−3)でそれぞれ表される基が挙げられる。
Constitutional unit (a13):
The structural unit (a13) is a structural unit containing a carbonate-containing cyclic group.
The “carbonate-containing cyclic group” refers to a cyclic group containing a ring (carbonate ring) containing —O—C (−O) —O— in the ring skeleton thereof. The carbonate ring is counted as the first ring, and when it has only a carbonate ring, it is a monocyclic group, and when it has another ring structure, it is called a polycyclic group regardless of its structure. The carbonate-containing cyclic group may be a monocyclic group or a polycyclic group.
The carbonate ring-containing cyclic group is not particularly limited, and any group can be used. Specifically, groups represented by the following general formulas (ax3-r-1) to (ax3-r-3) can be mentioned.

Figure 0006515140
[式中、Ra’x31はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、−COOR13”、−OC(=O)R13”、ヒドロキシアルキル基またはシアノ基であり;R13”は水素原子又はアルキル基であり;A”は酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素数1〜5のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子であり、p’は0〜3の整数であり、q’は0または1である。]
Figure 0006515140
[ Wherein , each of Ra ' x 31 independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, -COOR 13 ", -OC (= O) R 13 ", a hydroxyalkyl group or cyano R 13 ′ ′ is a hydrogen atom or an alkyl group; A ′ ′ is an oxygen atom or an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms which may contain a sulfur atom, an oxygen atom or a sulfur atom, and p ′ is a group It is an integer of 0 to 3, and q 'is 0 or 1. ]

前記一般式(ax3−r−1)〜(ax3−r−3)中、A”は、前記一般式(a2−r−1)、(a2−r−2)、(a2−r−4)中のA”と同様である。
Ra’x31におけるアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、ヒドロキシアルキル基としては、それぞれ前記一般式(a2−r−1)〜(a2−r−6)中のRa’21におけるアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、ヒドロキシアルキル基とそれぞれ同様のものが挙げられる。
Ra’x31における−COOR13”、−OC(=O)R13”について、R13”のアルキル基は、前記式(a2−r−1)〜(a2−r−6)中のRa’21におけるR”のアルキル基と同様である。
p’は0〜3の整数であり、好ましくは1〜3であり、より好ましくは1又は2である。
In the general formulas (ax3-r-1) to (ax3-r-3), A ′ ′ represents the general formulas (a2-r-1), (a2-r-2) and (a2-r-4). It is the same as A "in.
Ra 'alkyl group in x31, alkoxy group, halogen atom, halogenated alkyl group, a hydroxyalkyl group, each of the general formulas (a2-r-1) ~ (a2-r-6) in the Ra' alkyl in 21 The same groups as in the group, alkoxy group, halogen atom, halogenated alkyl group and hydroxyalkyl group can be mentioned.
The alkyl group represented by R 13 ′ ′ in —COOR 13 ′ ′ and —OC (= O) R 13 ′ ′ in Ra ′ x 31 is preferably an Ra ′ 21 in the formulas (a2-r-1) to (a2-r-6) Are the same as the alkyl group of R 0 ′ ′ in
p 'is an integer of 0 to 3, preferably 1 to 3, and more preferably 1 or 2.

一般式(ax3−r−1)〜(ax3−r−3)でそれぞれ表される基の具体例を以下に挙げる。   Specific examples of the groups represented by general formulas (ax3-r-1) to (ax3-r-3) will be given below.

Figure 0006515140
Figure 0006515140

構成単位(a13)としては、なかでも、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位が好ましい。
かかる構成単位(a13)の好ましい具体例としては、上記一般式(a2−1)で表される構成単位において、Ra21が、上記一般式(ax3−r−1)〜(ax3−r−3)のいずれかで表される基であるものが挙げられる。
As the structural unit (a13), structural units derived from an acrylic acid ester in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the α-position may be substituted by a substituent are particularly preferable.
As a preferable specific example of the structural unit (a13), in the structural unit represented by the general formula (a2-1), Ra 21 is a group represented by the general formulas (ax3-r-1) to (ax3-r-3) What is group represented by either of is mentioned.

(A1)成分が有する構成単位(a13)は、1種でもよく2種以上でもよい。
(A1)成分が構成単位(a13)を有する場合、構成単位(a13)の割合は、当該(A1)成分を構成する全構成単位の合計に対して1〜50モル%であることが好ましく、3〜40モル%であることがより好ましく、5〜30モル%であることがさらに好ましく、10〜25モル%が特に好ましい。
構成単位(a13)の割合を好ましい下限値以上とすることにより、レジストパターン形成において解像性がより高まる。一方、好ましい上限値以下とすることにより、他の構成単位とのバランスをとりやすくなる。
The structural unit (a13) contained in the component (A1) may be one type or two or more types.
When the component (A1) has the structural unit (a13), the proportion of the structural unit (a13) is preferably 1 to 50 mol% with respect to the total of all structural units constituting the component (A1), The amount is more preferably 3 to 40 mol%, further preferably 5 to 30 mol%, and particularly preferably 10 to 25 mol%.
By setting the ratio of the structural unit (a13) to the preferable lower limit value or more, the resolution in forming a resist pattern is further enhanced. On the other hand, by setting the content to the preferable upper limit value or less, it becomes easy to balance with other constituent units.

構成単位(a3):
構成単位(a3)は、極性基含有脂肪族炭化水素基を含む構成単位(ただし、上述した構成単位(a0)、構成単位(a1)、構成単位(a1’)、構成単位(a2)、構成単位(a5)又は構成単位(a13)のいずれかに該当するものを除く)である。
(A1)成分が構成単位(a3)を有することにより、(A)成分の親水性が高まり、解像性の向上に寄与する。
Constitutional unit (a3):
The structural unit (a3) is a structural unit containing a polar group-containing aliphatic hydrocarbon group (however, the above-mentioned structural unit (a0), structural unit (a1), structural unit (a1 ′), structural unit (a2), structural unit Excluding the unit (a5) or the unit (a13).
When the component (A1) has the structural unit (a3), the hydrophilicity of the component (A) is enhanced, which contributes to the improvement of the resolution.

極性基としては、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、アルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基等が挙げられ、特に水酸基が好ましい。
脂肪族炭化水素基としては、炭素数1〜10の直鎖状または分岐鎖状の炭化水素基(好ましくはアルキレン基)や、環状の脂肪族炭化水素基(環式基)が挙げられる。該環式基としては、単環式基でも多環式基でもよく、例えばArFエキシマレーザー用レジスト組成物用の樹脂において、多数提案されているものの中から適宜選択して用いることができる。該環式基としては多環式基であることが好ましく、炭素数は7〜30であることがより好ましい。
その中でも、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、またはアルキル基の水素原子の一部がフッ素原子で置換されたヒドロキシアルキル基を含有する脂肪族多環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位がより好ましい。該多環式基としては、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどから2個以上の水素原子を除いた基などを例示できる。具体的には、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンなどのポリシクロアルカンから2個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。これらの多環式基の中でも、アダマンタンから2個以上の水素原子を除いた基、ノルボルナンから2個以上の水素原子を除いた基、テトラシクロドデカンから2個以上の水素原子を除いた基が工業上好ましい。
Examples of the polar group include a hydroxyl group, a cyano group, a carboxy group, and a hydroxyalkyl group in which a part of hydrogen atoms of the alkyl group is substituted with a fluorine atom, with a hydroxyl group being particularly preferable.
As an aliphatic hydrocarbon group, a C1-C10 linear or branched hydrocarbon group (preferably alkylene group) and cyclic aliphatic hydrocarbon group (cyclic group) are mentioned. The cyclic group may be a monocyclic group or a polycyclic group. For example, in the resin for a resist composition for ArF excimer laser, it can be appropriately selected and used from those proposed in large numbers. The cyclic group is preferably a polycyclic group, and more preferably 7 to 30 carbon atoms.
Among them, a structural unit derived from an acrylic acid ester containing an aliphatic polycyclic group containing a hydroxyalkyl group in which a part of hydrogen atoms of a hydroxyl group, a cyano group, a carboxy group or an alkyl group is substituted with a fluorine atom Is more preferred. Examples of the polycyclic group include groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from a bicycloalkane, tricycloalkane, tetracycloalkane or the like. Specific examples thereof include groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane and tetracyclododecane. Among these polycyclic groups, groups in which two or more hydrogen atoms are removed from adamantane, groups in which two or more hydrogen atoms are removed from norbornane, and groups in which two or more hydrogen atoms are removed from tetracyclododecane are Industrially preferred.

構成単位(a3)としては、極性基含有脂肪族炭化水素基を含むものであれば特に限定されることなく任意のものが使用可能である。
構成単位(a3)としては、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、極性基含有脂肪族炭化水素基を含む構成単位が好ましい。
構成単位(a3)としては、極性基含有脂肪族炭化水素基における炭化水素基が炭素数1〜10の直鎖状または分岐鎖状の炭化水素基のときは、アクリル酸のヒドロキシエチルエステルから誘導される構成単位が好ましく、該炭化水素基が多環式基のときは、下記の式(a3−1)で表される構成単位、式(a3−2)で表される構成単位、式(a3−3)で表される構成単位が好ましいものとして挙げられる。
The structural unit (a3) is not particularly limited as long as it contains a polar group-containing aliphatic hydrocarbon group, and any structural unit can be used.
The structural unit (a3) is a structural unit derived from an acrylic acid ester in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom at the α-position may be substituted with a substituent, and a polar group-containing aliphatic hydrocarbon group Constituent units are preferred.
As the structural unit (a3), when the hydrocarbon group in the polar group-containing aliphatic hydrocarbon group is a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, it is derived from hydroxyethyl ester of acrylic acid Structural unit is preferable, and when the hydrocarbon group is a polycyclic group, a structural unit represented by the following formula (a3-1), a structural unit represented by the formula (a3-2), a formula ( The structural unit represented by a3-3) is mentioned as a preferable thing.

Figure 0006515140
[式中、Rは前記と同じであり、jは1〜3の整数であり、kは1〜3の整数であり、t’は1〜3の整数であり、lは1〜5の整数であり、sは1〜3の整数である。]
Figure 0006515140
[Wherein, R is as defined above, j is an integer of 1 to 3, k is an integer of 1 to 3, t 'is an integer of 1 to 3, and l is an integer of 1 to 5] And s is an integer of 1 to 3. ]

式(a3−1)中、jは、1又は2であることが好ましく、1であることがさらに好ましい。jが2の場合、水酸基が、アダマンチル基の3位と5位に結合しているものが好ましい。jが1の場合、水酸基が、アダマンチル基の3位に結合しているものが好ましい。
jは1であることが好ましく、水酸基が、アダマンチル基の3位に結合しているものが特に好ましい。
In the formula (a3-1), j is preferably 1 or 2, and more preferably 1. When j is 2, it is preferable that the hydroxyl group be bonded to the 3rd and 5th positions of the adamantyl group. When j is 1, it is preferable that the hydroxyl group be bonded to the 3rd position of the adamantyl group.
j is preferably 1, and particularly preferably, the hydroxyl group is bonded to the 3-position of the adamantyl group.

式(a3−2)中、kは1であることが好ましい。シアノ基は、ノルボルニル基の5位または6位に結合していることが好ましい。   In formula (a3-2), k is preferably 1. The cyano group is preferably bonded to the 5- or 6-position of the norbornyl group.

式(a3−3)中、t’は1であることが好ましい。lは1であることが好ましい。sは1であることが好ましい。これらは、アクリル酸のカルボキシ基の末端に、2−ノルボルニル基または3−ノルボルニル基が結合していることが好ましい。フッ素化アルキルアルコールは、ノルボルニル基の5又は6位に結合していることが好ましい。   In formula (a3-3), t ′ is preferably 1. l is preferably 1. s is preferably 1. As for these, it is preferable that 2- norbornyl group or 3- norbornyl group is couple | bonded with the terminal of the carboxy group of acrylic acid. The fluorinated alkyl alcohol is preferably bonded to the 5 or 6 position of the norbornyl group.

(A1)成分が有する構成単位(a3)は、1種でもよく2種以上でもよい。
(A1)成分が構成単位(a3)を有する場合、構成単位(a3)の割合は、当該(A1)成分を構成する全構成単位の合計に対して1〜40モル%であることが好ましく、2〜30モル%であることがより好ましく、5〜25モル%であることがさらに好ましく、10〜20モル%が特に好ましい。
構成単位(a3)の割合を好ましい下限値以上とすることにより、レジストパターン形成において解像性がより高まる。一方、好ましい上限値以下とすることにより、他の構成単位とのバランスをとりやすくなる。
The structural unit (a3) that the component (A1) has may be one type or two or more types.
When the component (A1) has a structural unit (a3), the proportion of the structural unit (a3) is preferably 1 to 40 mol% with respect to the total of all structural units constituting the component (A1), It is more preferable that it is 2-30 mol%, It is further more preferable that it is 5-25 mol%, 10-20 mol% is especially preferable.
By setting the ratio of the structural unit (a3) to the preferable lower limit value or more, the resolution in forming a resist pattern is further enhanced. On the other hand, by setting the content to the preferable upper limit value or less, it becomes easy to balance with other constituent units.

構成単位(a4):
構成単位(a4)は、酸非解離性の脂肪族環式基を含む構成単位である。
(A1)成分が構成単位(a4)を有することにより、形成されるレジストパターンのドライエッチング耐性が向上する。また、(A)成分の疎水性が高まる。疎水性の向上は、特に溶剤現像プロセスの場合に、解像性、レジストパターン形状等の向上に寄与する。
構成単位(a4)における「酸非解離性環式基」は、露光により当該レジスト組成物中に酸が発生した際(例えば、後述する(B)成分から酸が発生した際)に、該酸が作用しても解離することなくそのまま当該構成単位中に残る環式基である。
構成単位(a4)としては、例えば酸非解離性の脂肪族環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位等が好ましい。該環式基は、ArFエキシマレーザー用、KrFエキシマレーザー用(好ましくはArFエキシマレーザー用)等のレジスト組成物の樹脂成分に用いられるものとして従来から知られている多数のものが使用可能である。
特にトリシクロデシル基、アダマンチル基、テトラシクロドデシル基、イソボルニル基、ノルボルニル基から選ばれる少なくとも1種であると、工業上入手し易いなどの点で好ましい。これらの多環式基は、炭素数1〜5の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を置換基として有していてもよい。
構成単位(a4)として、具体的には、下記一般式(a4−1)〜(a4−7)でそれぞれ表される構成単位を例示することができる。
Constitutional unit (a4):
The structural unit (a4) is a structural unit containing a non-acid dissociable, aliphatic cyclic group.
When the component (A1) has the structural unit (a4), the dry etching resistance of the formed resist pattern is improved. In addition, the hydrophobicity of the component (A) is enhanced. The improvement of the hydrophobicity contributes to the improvement of the resolution, the resist pattern shape and the like particularly in the case of the solvent development process.
The “non-acid dissociable cyclic group” in the structural unit (a4) is an acid when generated in the resist composition upon exposure (for example, when an acid is generated from the component (B) described later), the acid It is a cyclic group which remains as it is in the structural unit without dissociation even if.
As the structural unit (a4), for example, a structural unit derived from an acrylic acid ester containing a non-acid dissociable aliphatic cyclic group is preferable. As the cyclic group, many groups conventionally known as those used for resin components of resist compositions such as for ArF excimer laser and for KrF excimer laser (preferably for ArF excimer laser) can be used. .
Particularly, at least one selected from a tricyclodecyl group, an adamantyl group, a tetracyclododecyl group, an isobornyl group, and a norbornyl group is preferable from the viewpoint of industrial availability and the like. These polycyclic groups may have a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms as a substituent.
Specific examples of the structural unit (a4) include structural units represented by general formulas (a4-1) to (a4-7) shown below.

Figure 0006515140
[式中、Rαは前記と同じである。]
Figure 0006515140
[Wherein, R α is the same as the above. ]

(A1)成分が有する構成単位(a4)は、1種でも2種以上でもよい。
(A1)成分が構成単位(a4)を有する場合、構成単位(a4)の割合は、該(A1)成分を構成する全構成単位の合計に対して1〜40モル%であることが好ましく、5〜20モル%であることがより好ましい。
構成単位(a4)の割合を好ましい下限値以上とすることにより、構成単位(a4)を含有させることによる効果が充分に得られ、一方、好ましい上限値以下とすることにより、他の構成単位とのバランスをとりやすくなる。
The structural unit (a4) contained in the component (A1) may be one type or two or more types.
When the component (A1) has a structural unit (a4), the proportion of the structural unit (a4) is preferably 1 to 40 mol% with respect to the total of all structural units constituting the component (A1), It is more preferable that it is 5-20 mol%.
By setting the ratio of the structural unit (a4) to the preferable lower limit value or more, the effect by containing the structural unit (a4) can be sufficiently obtained, while by setting the ratio to the preferable upper limit value or less, other structural units and Makes it easy to balance

本態様のレジスト組成物は、少なくとも構成単位(a0)と構成単位(a1)と構成単位(a1’)と構成単位(a2)とを有する高分子化合物(A1)を含有するものである。
該(A1)成分として具体的には、構成単位(a0)と構成単位(a1)と構成単位(a1’)と構成単位(a2)と構成単位(a5)と構成単位(a3)との繰り返し構造からなる高分子化合物、構成単位(a0)と構成単位(a1)と構成単位(a1’)と構成単位(a2)と構成単位(a3)との繰り返し構造からなる高分子化合物、構成単位(a0)と構成単位(a1)と構成単位(a1’)と構成単位(a2)との繰り返し構造からなる高分子化合物などが例示できる。
The resist composition of this embodiment contains a polymer compound (A1) having at least a structural unit (a0), a structural unit (a1), a structural unit (a1 ′) and a structural unit (a2).
Specifically as the component (A1), repeating of the structural unit (a0), the structural unit (a1), the structural unit (a1 '), the structural unit (a2), the structural unit (a5) and the structural unit (a3) A polymer compound having a structure, a polymer compound having a repeating structure of a structural unit (a0), a structural unit (a1), a structural unit (a1 ′), a structural unit (a2) and a structural unit (a3), a structural unit (a) A high molecular compound etc. which consist of repeating structure of a0), a structural unit (a1), a structural unit (a1 '), and a structural unit (a2) can be illustrated.

また、該(A1)成分における、構成単位(a1)と構成単位(a1’)との好適な組み合わせとして、構成単位(a1)及び構成単位(a1’)がいずれも前記式(a1−1)で表される構成単位であって、構成単位(a1)におけるRaが前記式(a1−r−2)で表される基であるものと、構成単位(a1’)におけるRaが前記式(a1−r−1)で表される基であるものと、の組み合わせ(前者);構成単位(a1)及び構成単位(a1’)がいずれも前記式(a1−1)で表される構成単位であって、構成単位(a1)におけるRaが前記式(a1−r−2)で表される基であるものと、構成単位(a1’)におけるRaが前記式(a1−r−2)で表される基であるものと、の組み合わせ(後者)が例示できる。
さらに、後者の具体例として、構成単位(a1)及び構成単位(a1’)がいずれも前記式(a1−1)で表される構成単位であって、構成単位(a1)におけるRaが前記式(a1−r2−1)で表される基であるものと、構成単位(a1’)におけるRaが前記式(a1−r2−2)で表される基であるものと、の組み合わせ;構成単位(a1)及び構成単位(a1’)がいずれも前記式(a1−1)で表される構成単位であって、構成単位(a1)におけるRaが前記式(a1−r2−2)で表される基であるものと、構成単位(a1’)におけるRaが前記式(a1−r2−2)で表される基であるものと、の組み合わせ等が挙げられる。各組み合わせにおける、酸解離性基の好適な例は前述のとおりである。
In addition, as a preferable combination of the structural unit (a1) and the structural unit (a1 ′) in the component (A1), both the structural unit (a1) and the structural unit (a1 ′) have the above formula (a1-1) a structural unit represented in, as Ra 1 in the structural unit (a1) is a group represented by the formula (a1-r-2), Ra 1 in the structural unit (a1 ') is the formula A combination of the group represented by (a1-r-1) with (the former); the structural unit (a1) and the structural unit (a1 ′) are each represented by the formula (a1-1) And Ra 1 in the structural unit (a1) is a group represented by the above formula (a1-r-2), and Ra 1 in the structural unit (a1 ′) is the above formula (a1−r−) A combination of the group represented by 2) and the group (the latter) can be exemplified.
Furthermore, as a specific example of the latter, the structural unit (a1) and the structural unit (a1 ′) are both structural units represented by the above formula (a1-1), and Ra 1 in the structural unit (a1) is the above A combination of a group represented by the formula (a1-r2-1) and a group represented by the formula (a1-r2-2), wherein Ra 1 in the structural unit (a1 ′) is a group represented by the formula (a1-r2-2); The structural unit (a1) and the structural unit (a1 ′) are both structural units represented by the above formula (a1-1), and Ra 1 in the structural unit (a1) is the above formula (a1-r2-2) And combinations of those in which the structural unit (a1 ′) has Ra 1 of the group represented by the above formula (a1-r2-2), and the like. Preferred examples of the acid dissociable group in each combination are as described above.

加えて、本態様のレジスト組成物においては、該高分子化合物(A1)を構成する全構成単位の合計に対する前記構成単位(a1)の割合が、前記構成単位(a1’)の割合以上である。これにより、種々のリソグラフィー特性及びパターン形状がより良好となる。特に、パターン寸法の面内均一性(CDU)及び焦点深度幅(DOF)特性の両方とも向上する。
構成単位(a1)と構成単位(a1’)との混合比率[(a1)/(a1’)]は、モル比で、(a1)/(a1’)=50/50〜90/10であることが好ましく、50/50〜80/20であることが特に好ましい。
また、構成単位(a1)と構成単位(a1’)との合計の割合が、該(A1)成分を構成する全構成単位の合計に対して25モル%以上であることが好ましく、30モル%以上であることがより好ましく、30〜80モル%であることがさらに好ましく、30〜50モル%が特に好ましい。
構成単位(a1)と構成単位(a1’)との合計の割合を好ましい下限値以上とすることにより、本発明の効果がより得られやすくなる。一方、好ましい上限値以下とすることにより、他の構成単位とのバランスをとりやすくなる。
本態様のレジスト組成物は、中でも、構成単位(a1)と構成単位(a1’)との合計の割合が25モル%以上であり、かつ、両者の混合比率が(a1)>(a1’)であることが特に好ましい。
In addition, in the resist composition of the present embodiment, the ratio of the structural unit (a1) to the total of all the structural units constituting the polymer compound (A1) is not less than the ratio of the structural unit (a1 ′) . This results in better lithographic properties and pattern shapes. In particular, both in-plane uniformity (CDU) of pattern dimensions and depth of focus (DOF) characteristics are improved.
The mixing ratio of the structural unit (a1) to the structural unit (a1 ′) [(a1) / (a1 ′)] is (a1) / (a1 ′) = 50/50 to 90/10 in molar ratio Is preferable, and 50/50 to 80/20 is particularly preferable.
In addition, the total proportion of the structural unit (a1) and the structural unit (a1 ′) is preferably 25 mol% or more, 30 mol% with respect to the total of all the structural units constituting the component (A1). The content is more preferably 30 to 80 mol%, and particularly preferably 30 to 50 mol%.
By setting the ratio of the total of the structural unit (a1) and the structural unit (a1 ′) to a preferable lower limit value or more, the effects of the present invention can be more easily obtained. On the other hand, by setting the content to the preferable upper limit value or less, it becomes easy to balance with other constituent units.
In the resist composition of this aspect, the total proportion of the structural unit (a1) and the structural unit (a1 ′) is at least 25 mol%, and the mixture ratio of the two is (a1)> (a1 ′). Is particularly preferred.

また、本態様のレジスト組成物においては、該高分子化合物(A1)を構成する全構成単位の合計に対する前記構成単位(a2)の割合が、前記構成単位(a0)の割合よりも高いことが好ましい。構成単位(a2)を有することで、有機溶剤への溶解性が高まる。このため、構成単位(a2)の割合が構成単位(a0)の割合よりも高いことにより、特にネガ型現像プロセスにおいて解像性向上に寄与する。
構成単位(a2)と構成単位(a0)との混合比率[(a2)/(a0)]は、モル比で、(a2)/(a0)=50/50〜90/10であることが好ましく、55/45〜90/10であることがより好ましく、60/40〜80/20であることが特に好ましい。
また、構成単位(a0)と構成単位(a2)との合計の割合が、該(A1)成分を構成する全構成単位の合計に対して20モル%以上であることが好ましく、30モル%以上であることがより好ましく、30〜70モル%であることがさらに好ましく、30〜50モル%が特に好ましい。
構成単位(a0)と構成単位(a2)との合計の割合を好ましい下限値以上とすることにより、本発明の効果がより得られやすくなる。一方、好ましい上限値以下とすることにより、他の構成単位とのバランスをとりやすくなる。
本態様のレジスト組成物は、中でも、構成単位(a0)と構成単位(a2)との合計の割合が20モル%以上であり、かつ、両者の混合比率が(a2)>(a0)であることが特に好ましい。
In the resist composition of the present embodiment, the ratio of the structural unit (a2) to the total of all the structural units constituting the polymer compound (A1) is higher than the ratio of the structural unit (a0) preferable. By having the structural unit (a2), the solubility in organic solvents is enhanced. For this reason, when the ratio of the structural unit (a2) is higher than the ratio of the structural unit (a0), this contributes to the improvement of the resolution particularly in the negative development process.
The mixing ratio [(a2) / (a0)] of the structural unit (a2) to the structural unit (a0) is preferably (a2) / (a0) = 50/50 to 90/10 in molar ratio 55/45 to 90/10, and more preferably 60/40 to 80/20.
In addition, the total proportion of the structural unit (a0) and the structural unit (a2) is preferably 20 mol% or more, preferably 30 mol% or more, based on the total of all structural units constituting the component (A1). Is more preferably 30 to 70 mol%, and particularly preferably 30 to 50 mol%.
By setting the ratio of the total of the structural unit (a0) and the structural unit (a2) to a preferable lower limit value or more, the effects of the present invention can be obtained more easily. On the other hand, by setting the content to the preferable upper limit value or less, it becomes easy to balance with other constituent units.
In the resist composition of this embodiment, the total proportion of the structural unit (a0) and the structural unit (a2) is at least 20 mol%, and the mixture ratio of the both is (a2)> (a0), among others Is particularly preferred.

(A1)成分の質量平均分子量(Mw)(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によるポリスチレン換算基準)は、特に限定されるものではなく、1000〜50000が好ましく、1500〜30000がより好ましく、2000〜20000が最も好ましい。
(A1)成分のMwがこの範囲の好ましい上限値以下であると、レジストとして用いるのに充分なレジスト溶剤への溶解性があり、この範囲の好ましい下限値以上であると、耐ドライエッチング性やレジストパターン断面形状が良好である。
(A1)成分の分散度(Mw/Mn)は、特に限定されず、1.0〜5.0が好ましく、1.0〜4.0がより好ましく、1.0〜3.0が最も好ましい。なお、Mnは数平均分子量を示す。
The mass average molecular weight (Mw) (based on polystyrene conversion by gel permeation chromatography (GPC)) of the component (A1) is not particularly limited, and 1000 to 50000 is preferable, 1500 to 30000 is more preferable, and 2000 to 2000. 20000 is most preferred.
When the Mw of the component (A1) is less than the preferable upper limit of this range, it has sufficient solubility in a resist solvent to be used as a resist, and when it is not less than the preferable lower limit of this range, dry etching resistance or The resist pattern cross-sectional shape is good.
The dispersion degree (Mw / Mn) of the component (A1) is not particularly limited, and is preferably 1.0 to 5.0, more preferably 1.0 to 4.0, and most preferably 1.0 to 3.0. . In addition, Mn shows a number average molecular weight.

(A1)成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
(A)成分中の(A1)成分の割合は、(A)成分の総質量に対し、25質量%以上が好ましく、50質量%以上がより好ましく、75質量%以上がさらに好ましく、100質量%であってもよい。該割合が25質量%以上であると、特に、パターン寸法の面内均一性(CDU)及び焦点深度幅(DOF)特性など、種々のリソグラフィー特性に優れ、良好な形状のレジストパターンが形成されやすくなる。
As the component (A1), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.
The proportion of the component (A1) in the component (A) is preferably 25% by mass or more, more preferably 50% by mass or more, further preferably 75% by mass or more, and 100% by mass, based on the total mass of the component (A). It may be When the proportion is 25% by mass or more, a resist pattern having a good shape is easily formed, in particular, excellent in various lithography properties such as in-plane uniformity (CDU) of pattern dimension and depth of focus (DOF) characteristics. Become.

本態様のレジスト組成物は、(A)成分として、前記(A1)成分に該当しない、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(以下「(A2)成分」という。)を併用してもよい。
(A2)成分としては、特に限定されず、化学増幅型レジスト組成物用の基材成分として従来から知られている多数のもの(たとえばArFエキシマレーザー用、KrFエキシマレーザー用(好ましくはArFエキシマレーザー用)等のベース樹脂)から任意に選択して用いればよい。(A2)成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
The resist composition of this embodiment does not correspond to the component (A1) as the component (A), and a base component (hereinafter referred to as "component (A2)") whose solubility in a developer changes due to the action of an acid. You may use together.
The component (A2) is not particularly limited, and many components conventionally known as base components for chemically amplified resist compositions (for example, for ArF excimer laser, KrF excimer laser (preferably ArF excimer laser) And the like, and may be selected from arbitrary base resins. As the component (A2), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

本態様のレジスト組成物において、(A)成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
本態様のレジスト組成物中、(A)成分の含有量は、形成しようとするレジスト膜厚等に応じて調整すればよい。
In the resist composition of the present embodiment, as the component (A), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.
In the resist composition of the present embodiment, the content of the component (A) may be adjusted according to the thickness of the resist film to be formed.

<他の成分>
本態様のレジスト組成物は、上述した(A)成分に加えて、該(A)成分以外の他の成分をさらに含有してもよい。他の成分としては、例えば以下に示す(B)成分、(D)成分、(E)成分、(F)成分、(S)成分などが挙げられる。
<Other ingredients>
The resist composition of the present embodiment may further contain other components other than the component (A) in addition to the component (A) described above. Examples of other components include the following components (B), (D), (E), (F), and (S).

[(B)成分:酸発生剤成分]
本態様のレジスト組成物は、(A)成分に加えて、さらに、酸発生剤成分(以下「(B)成分」という。)を含有してもよい。
(B)成分としては、特に限定されず、これまで化学増幅型レジスト用の酸発生剤として提案されているものを使用することができる。
このような酸発生剤としては、ヨードニウム塩やスルホニウム塩などのオニウム塩系酸発生剤、オキシムスルホネート系酸発生剤、ビスアルキル又はビスアリールスルホニルジアゾメタン類、ポリ(ビススルホニル)ジアゾメタン類などのジアゾメタン系酸発生剤、ニトロベンジルスルホネート系酸発生剤、イミノスルホネート系酸発生剤、ジスルホン系酸発生剤など多種のものが挙げられる。なかでも、オニウム塩系酸発生剤を用いるのが好ましい。
[(B) component: acid generator component]
The resist composition of this embodiment may further contain an acid generator component (hereinafter referred to as "component (B)") in addition to the component (A).
The component (B) is not particularly limited, and those which have been proposed as acid generators for chemically amplified resists can be used.
Examples of such an acid generator include onium salt-based acid generators such as iodonium salts and sulfonium salts, oxime sulfonate-based acid generators, bisalkyl or bisarylsulfonyldiazomethanes, and diazomethanes such as poly (bissulfonyl) diazomethanes. There are various types such as an acid generator, a nitrobenzyl sulfonate-based acid generator, an iminosulfonate-based acid generator, and a disulfone-based acid generator. Among them, it is preferable to use an onium salt-based acid generator.

オニウム塩系酸発生剤としては、例えば、下記の一般式(b−1)で表される化合物(以下「(b−1)成分」ともいう)、一般式(b−2)で表される化合物(以下「(b−2)成分」ともいう)又は一般式(b−3)で表される化合物(以下「(b−3)成分」ともいう)を用いることができる。   As the onium salt-based acid generator, for example, a compound represented by the following general formula (b-1) (hereinafter also referred to as “component (b-1)”), a compound represented by general formula (b-2) It is possible to use a compound (hereinafter also referred to as “component (b-2)”) or a compound represented by general formula (b-3) (hereinafter also referred to as “component (b-3)”).

Figure 0006515140
[式中、R101、R104〜R108はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい環式基、置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基、又は置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基である。R104、R105は、相互に結合して環を形成していてもよい。R102はフッ素原子又は炭素数1〜5のフッ素化アルキル基である。Y101は単結合又は酸素原子を含む2価の連結基である。V101〜V103はそれぞれ独立に単結合、アルキレン基又はフッ素化アルキレン基である。L101〜L102はそれぞれ独立に単結合又は酸素原子である。L103〜L105はそれぞれ独立に単結合、−CO−又は−SO−である。mは1以上の整数であって、M’m+はm価のオニウムカチオンである。]
Figure 0006515140
[Wherein, R 101 and R 104 to R 108 each independently have a cyclic group which may have a substituent, a chain-like alkyl group which may have a substituent, or a substituent] It is a chain-like alkenyl group which may be R 104 and R 105 may be bonded to each other to form a ring. R 102 is a fluorine atom or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Y 101 is a single bond or a divalent linking group containing an oxygen atom. V 101 to V 103 each independently represent a single bond, an alkylene group or a fluorinated alkylene group. L 101 to L 102 each independently represent a single bond or an oxygen atom. L 103 to L 105 are each independently a single bond, -CO- or -SO 2- . m is an integer of 1 or more, and M ' m + is an m-valent onium cation. ]

{アニオン部}
・(b−1)成分のアニオン部
式(b−1)中、R101は、置換基を有していてもよい環式基、置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基、又は置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基である。
{Anion part}
Anion part of component (b-1) In formula (b-1), R 101 represents a cyclic group which may have a substituent, a chain-like alkyl group which may have a substituent, Or a chain-like alkenyl group which may have a substituent.

置換基を有していてもよい環式基:
該環式基は、環状の炭化水素基であることが好ましく、該環状の炭化水素基は、芳香族炭化水素基であってもよく、脂肪族炭化水素基であってもよい。脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。また、脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。
Cyclic group which may have a substituent:
The cyclic group is preferably a cyclic hydrocarbon group, and the cyclic hydrocarbon group may be an aromatic hydrocarbon group or an aliphatic hydrocarbon group. The aliphatic hydrocarbon group means a hydrocarbon group having no aromaticity. In addition, the aliphatic hydrocarbon group may be saturated or unsaturated, and is usually preferably saturated.

101における芳香族炭化水素基は、芳香環を有する炭化水素基である。該芳香族炭化水素基の炭素数は3〜30であることが好ましく、5〜30であることがより好ましく、5〜20がさらに好ましく、6〜15が特に好ましく、6〜10が最も好ましい。ただし、該炭素数には、置換基における炭素数を含まないものとする。
101における芳香族炭化水素基が有する芳香環として具体的には、ベンゼン、フルオレン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ビフェニル、又はこれらの芳香環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環などが挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。
101における芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香環から水素原子を1つ除いた基(アリール基:たとえば、フェニル基、ナフチル基など)、前記芳香環の水素原子の1つがアルキレン基で置換された基(たとえば、ベンジル基、フェネチル基、1−ナフチルメチル基、2−ナフチルメチル基、1−ナフチルエチル基、2−ナフチルエチル基等のアリールアルキル基など)等が挙げられる。前記アルキレン基(アリールアルキル基中のアルキル鎖)の炭素数は、1〜4であることが好ましく、1〜2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。
The aromatic hydrocarbon group in R 101 is a hydrocarbon group having an aromatic ring. The carbon number of the aromatic hydrocarbon group is preferably 3 to 30, more preferably 5 to 30, still more preferably 5 to 20, particularly preferably 6 to 15, and most preferably 6 to 10. However, the carbon number does not include the carbon number in the substituent.
Specifically as an aromatic ring which the aromatic hydrocarbon group in R 101 has, benzene, fluorene, naphthalene, anthracene, phenanthrene, biphenyl or a part of carbon atoms constituting these aromatic rings is substituted by a hetero atom Aromatic heterocycles and the like can be mentioned. Examples of the hetero atom in the aromatic heterocycle include an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom.
Specifically as the aromatic hydrocarbon group for R 101, a group obtained by removing one hydrogen atom from the aromatic ring (aryl group: for example, phenyl group, naphthyl group etc.), one of the hydrogen atoms of the aromatic ring is alkylene Groups substituted with a group (for example, arylalkyl groups such as benzyl group, phenethyl group, 1-naphthylmethyl group, 2-naphthylmethyl group, 1-naphthylethyl group, 2-naphthylethyl group and the like) and the like can be mentioned. The carbon number of the alkylene group (the alkyl chain in the arylalkyl group) is preferably 1 to 4, more preferably 1 to 2, and particularly preferably 1.

101における環状の脂肪族炭化水素基は、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基が挙げられる。
この構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、脂環式炭化水素基(脂肪族炭化水素環から水素原子を1個除いた基)、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。
前記脂環式炭化水素基は、炭素数が3〜20であることが好ましく、3〜12であることがより好ましい。
前記脂環式炭化水素基は、多環式基であってもよく、単環式基であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、モノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては、炭素数3〜6のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては、炭素数7〜30のものが好ましい。中でも、該ポリシクロアルカンとしては、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等の架橋環系の多環式骨格を有するポリシクロアルカン;ステロイド骨格を有する環式基等の縮合環系の多環式骨格を有するポリシクロアルカンがより好ましい。
本明細書において「ステロイド骨格」とは、3つの六員環及び1つの五員環がつながった下記化学式で示される骨格(st)を意味する。
The cyclic aliphatic hydrocarbon group in R 101 includes aliphatic hydrocarbon groups containing a ring in the structure.
As the aliphatic hydrocarbon group containing a ring in this structure, an alicyclic hydrocarbon group (a group obtained by removing one hydrogen atom from an aliphatic hydrocarbon ring) and an alicyclic hydrocarbon group having a linear or branched chain Examples thereof include a group bonded to the end of a linear aliphatic hydrocarbon group, and a group in which an alicyclic hydrocarbon group intervenes in the middle of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group.
The alicyclic hydrocarbon group preferably has 3 to 20 carbon atoms, and more preferably 3 to 12 carbon atoms.
The alicyclic hydrocarbon group may be a polycyclic group or a monocyclic group. As a monocyclic alicyclic hydrocarbon group, a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from a monocycloalkane is preferable. The monocycloalkane is preferably one having 3 to 6 carbon atoms, and specific examples include cyclopentane, cyclohexane and the like. As the polycyclic alicyclic hydrocarbon group, a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from polycycloalkane is preferable, and as the polycycloalkane, one having 7 to 30 carbon atoms is preferable. Among them, as the polycycloalkane, a polycycloalkane having a bridged ring type polycyclic skeleton such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, tetracyclododecane and the like; a condensed ring system such as a cyclic group having a steroid skeleton More preferred are polycycloalkanes having a polycyclic skeleton of
In the present specification, the "steroid skeleton" means a skeleton (st) represented by the following chemical formula in which three six-membered rings and one five-membered ring are connected.

Figure 0006515140
Figure 0006515140

なかでも、R101における環状の脂肪族炭化水素基としては、モノシクロアルカンまたはポリシクロアルカンから水素原子を1つ以上除いた基が好ましく、ポリシクロアルカンから水素原子を1つ除いた基がより好ましく、アダマンチル基、ノルボルニル基が特に好ましく、アダマンチル基が最も好ましい。 Among them, as the cyclic aliphatic hydrocarbon group for R 101 , a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from a monocycloalkane or polycycloalkane is preferable, and a group obtained by removing one hydrogen atom from a polycycloalkane is more preferable. An adamantyl group and a norbornyl group are particularly preferable, and an adamantyl group is most preferable.

脂環式炭化水素基に結合してもよい、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素数が1〜10であることが好ましく、1〜6がより好ましく、1〜4がさらに好ましく、1〜3が最も好ましい。
直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基[−CH−]、エチレン基[−(CH−]、トリメチレン基[−(CH−]、テトラメチレン基[−(CH−]、ペンタメチレン基[−(CH−]等が挙げられる。
分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、−CH(CH)−、−CH(CHCH)−、−C(CH−、−C(CH)(CHCH)−、−C(CH)(CHCHCH)−、−C(CHCH−等のアルキルメチレン基;−CH(CH)CH−、−CH(CH)CH(CH)−、−C(CHCH−、−CH(CHCH)CH−、−C(CHCH−CH−等のアルキルエチレン基;−CH(CH)CHCH−、−CHCH(CH)CH−等のアルキルトリメチレン基;−CH(CH)CHCHCH−、−CHCH(CH)CHCH−等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素数1〜5の直鎖状のアルキル基が好ましい。
The linear or branched aliphatic hydrocarbon group which may be bonded to an alicyclic hydrocarbon group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, and 1 to 4 carbon atoms. Are more preferred, and 1 to 3 are most preferred.
As a linear aliphatic hydrocarbon group, a linear alkylene group is preferable, and specifically, a methylene group [-CH 2- ], an ethylene group [-(CH 2 ) 2- ], a trimethylene group [ - (CH 2) 3 -] , a tetramethylene group [- (CH 2) 4 - ], a pentamethylene group [- (CH 2) 5 - ] , and the like.
As the branched aliphatic hydrocarbon group, preferably a branched chain alkylene group, specifically, -CH (CH 3) -, - CH (CH 2 CH 3) -, - C (CH 3) 2 -, - C (CH 3 ) (CH 2 CH 3) -, - C (CH 3) (CH 2 CH 2 CH 3) -, - C (CH 2 CH 3) 2 - ; alkylethylene groups such as - CH (CH 3) CH 2 - , - CH (CH 3) CH (CH 3) -, - C (CH 3) 2 CH 2 -, - CH (CH 2 CH 3) CH 2 -, - C (CH 2 An alkylethylene group such as CH 3 ) 2 -CH 2- ; an alkyltrimethylene group such as -CH (CH 3 ) CH 2 CH 2- , -CH 2 CH (CH 3 ) CH 2-, etc .; -CH (CH 3 ) CH 2 CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH (CH 3) CH 2 CH 2 - And the like alkyl alkylene group such as an alkyl tetramethylene group of. As an alkyl group in an alkyl alkylene group, a C1-C5 linear alkyl group is preferable.

また、R101における環状の炭化水素基は、複素環等のようにヘテロ原子を含んでもよい。具体的には、前記一般式(a2−r−1)〜(a2−r−7)でそれぞれ表されるラクトン含有環式基、前記一般式(a5−r−1)〜(a5−r−4)でそれぞれ表される−SO−含有多環式基、その他以下に挙げる複素環式基が挙げられる。 In addition, the cyclic hydrocarbon group in R 101 may contain a hetero atom, such as a heterocycle. Specifically, lactone-containing cyclic groups represented by the general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7), and the general formulas (a5-r-1) to (a5-r-) -SO 2 respectively represented by 4) - containing polycyclic group, heterocyclic group listed other less like.

Figure 0006515140
Figure 0006515140

101の環式基における置換基としては、たとえば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、カルボニル基、ニトロ基等が挙げられる。
置換基としてのアルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基が最も好ましい。
置換基としてのアルコキシ基としては、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基がより好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、炭素数1〜5のアルキル基、たとえばメチル基、エチル基、プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基等の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
置換基としてのカルボニル基は、環状の炭化水素基を構成するメチレン基(−CH−)を置換する基である。
As a substituent in the cyclic group of R 101 , for example, an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, a carbonyl group, a nitro group and the like can be mentioned.
As an alkyl group as a substituent, a C1-C5 alkyl group is preferable and a methyl group, an ethyl group, a propyl group, n-butyl group, and a tert- butyl group are the most preferable.
As an alkoxy group as a substituent, a C1-C5 alkoxy group is preferable, and a methoxy group, an ethoxy group, n-propoxy group, iso-propoxy group, n-butoxy group, tert-butoxy group is more preferable, and methoxy is preferable. And ethoxy groups are most preferred.
As a halogen atom as a substituent, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom etc. are mentioned, A fluorine atom is preferable.
As a halogenated alkyl group as a substituent, a part or all of hydrogen atoms, such as an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, such as methyl group, ethyl group, propyl group, n-butyl group, tert-butyl group, etc. The group substituted by the halogen atom is mentioned.
Carbonyl group as a substituent, a methylene group constituting the cyclic hydrocarbon group - a group substituting (-CH 2).

置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基:
101の鎖状のアルキル基としては、直鎖状又は分岐鎖状のいずれでもよい。
直鎖状のアルキル基としては、炭素数が1〜20であることが好ましく、1〜15であることがより好ましく、1〜10が最も好ましい。具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デカニル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、イソトリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、イソヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、ドコシル基等が挙げられる。
分岐鎖状のアルキル基としては、炭素数が3〜20であることが好ましく、3〜15であることがより好ましく、3〜10が最も好ましい。具体的には、例えば、1−メチルエチル基、1−メチルプロピル基、2−メチルプロピル基、1−メチルブチル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル基、1−エチルブチル基、2−エチルブチル基、1−メチルペンチル基、2−メチルペンチル基、3−メチルペンチル基、4−メチルペンチル基などが挙げられる。
Chain-like alkyl group which may have a substituent:
The linear alkyl group of R 101 may be linear or branched.
The linear alkyl group preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 15 carbon atoms, and most preferably 1 to 10 carbon atoms. Specifically, for example, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decanyl group, decanyl group, undecyl group, dodecyl group, tridecyl group, isotridecyl group, tetradecyl Groups, pentadecyl group, hexadecyl group, isohexadecyl group, heptadecyl group, octadecyl group, nonadecyl group, icosyl group, henicosyl group, docosyl group and the like.
The branched alkyl group preferably has 3 to 20 carbon atoms, more preferably 3 to 15 carbon atoms, and most preferably 3 to 10 carbon atoms. Specifically, for example, 1-methylethyl group, 1-methylpropyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylbutyl group, 2-methylbutyl group, 3-methylbutyl group, 1-ethylbutyl group, 2-ethylbutyl group, 1-methyl pentyl group, 2-methyl pentyl group, 3-methyl pentyl group, 4-methyl pentyl group etc. are mentioned.

置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基:
101の鎖状のアルケニル基としては、直鎖状又は分岐鎖状のいずれでもよく、炭素数が2〜10であることが好ましく、2〜5がより好ましく、2〜4がさらに好ましく、3が特に好ましい。直鎖状のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基(アリル基)、ブチニル基などが挙げられる。分岐鎖状のアルケニル基としては、例えば、1−メチルビニル基、2−メチルビニル基、1−メチルプロペニル基、2−メチルプロペニル基などが挙げられる。
鎖状のアルケニル基としては、上記の中でも、直鎖状のアルケニル基が好ましく、ビニル基、プロペニル基がより好ましく、ビニル基が特に好ましい。
Chain-like alkenyl group which may have a substituent:
The linear alkenyl group of R 101 may be linear or branched, and preferably has 2 to 10 carbon atoms, more preferably 2 to 5 and still more preferably 2 to 4 carbon atoms. Is particularly preferred. As a linear alkenyl group, a vinyl group, propenyl group (allyl group), butynyl group etc. are mentioned, for example. As a branched alkenyl group, 1-methylvinyl group, 2-methylvinyl group, 1-methylpropenyl group, 2-methylpropenyl group etc. are mentioned, for example.
Among the above, a linear alkenyl group is preferable, a linear alkenyl group is preferable, a vinyl group and a propenyl group are more preferable, and a vinyl group is particularly preferable.

101の鎖状のアルキル基またはアルケニル基における置換基としては、たとえば、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、カルボニル基、ニトロ基、アミノ基、上記R101における環式基等が挙げられる。 Examples of the substituent in the chain alkyl group or alkenyl group of R 101 include an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, a carbonyl group, a nitro group, an amino group, and a cyclic group in R 101 It can be mentioned.

なかでも、R101は、置換基を有していてもよい環式基が好ましく、置換基を有していてもよい環状の炭化水素基であることがより好ましい。より具体的には、フェニル基、ナフチル基、ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基;前記一般式(a2−r−1)〜(a2−r−7)でそれぞれ表されるラクトン含有環式基;前記一般式(a5−r−1)〜(a5−r−4)でそれぞれ表される−SO−含有環式基等が好ましい。 Among them, R 101 is preferably a cyclic group which may have a substituent, and more preferably a cyclic hydrocarbon group which may have a substituent. More specifically, a phenyl group, a naphthyl group, a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from a polycycloalkane; and each represented by the general formulas (a2-r-1) to (a2-r-7). Preferred are lactone-containing cyclic groups; -SO 2 -containing cyclic groups and the like represented by the general formulas (a5-r-1) to (a5-r-4), respectively.

式(b−1)中、Y101は、単結合または酸素原子を含む2価の連結基である。
101が酸素原子を含む2価の連結基である場合、該Y101は、酸素原子以外の原子を含有してもよい。酸素原子以外の原子としては、たとえば炭素原子、水素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。
酸素原子を含む2価の連結基としては、たとえば、酸素原子(エーテル結合:−O−)、エステル結合(−C(=O)−O−)、オキシカルボニル基(−O−C(=O)−)、アミド結合(−C(=O)−NH−)、カルボニル基(−C(=O)−)、カーボネート結合(−O−C(=O)−O−)等の非炭化水素系の酸素原子含有連結基;該非炭化水素系の酸素原子含有連結基とアルキレン基との組み合わせ等が挙げられる。この組み合わせに、さらにスルホニル基(−SO−)が連結されていてもよい。かかる酸素原子を含む2価の連結基としては、たとえば下記一般式(y−al−1)〜(y−al−7)でそれぞれ表される連結基が挙げられる。
In formula (b-1), Y 101 is a single bond or a divalent linking group containing an oxygen atom.
When Y 101 is a divalent linking group containing an oxygen atom, the Y 101 may contain an atom other than the oxygen atom. As an atom other than an oxygen atom, a carbon atom, a hydrogen atom, a sulfur atom, a nitrogen atom etc. are mentioned, for example.
Examples of the divalent linking group containing an oxygen atom include an oxygen atom (ether bond: -O-), an ester bond (-C (= O) -O-), an oxycarbonyl group (-O-C (= O Non-hydrocarbons such as)-), amide bond (-C (= O) -NH-), carbonyl group (-C (= O)-), carbonate bond (-O-C (= O) -O-) etc And oxygen atom-containing linking groups of the system; combinations of such non-hydrocarbon oxygen atom-containing linking groups and alkylene groups, and the like. A sulfonyl group (—SO 2 —) may be further linked to this combination. As a bivalent coupling group containing this oxygen atom, the coupling group represented, for example by the following general formula (y-al-1)-(y-al-7) is mentioned, for example.

Figure 0006515140
[式中、V’101は単結合または炭素数1〜5のアルキレン基であり、V’102は炭素数1〜30の2価の飽和炭化水素基である。]
Figure 0006515140
[In Formula, V ' 101 is a single bond or a C1-C5 alkylene group, V' 102 is a C1-C30 bivalent saturated hydrocarbon group. ]

V’102における2価の飽和炭化水素基は、炭素数1〜30のアルキレン基であることが好ましく、炭素数1〜10のアルキレン基であることがより好ましく、炭素数1〜5のアルキレン基であることがさらに好ましい。 The divalent saturated hydrocarbon group in V ′ 102 is preferably an alkylene group having 1 to 30 carbon atoms, more preferably an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, and an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms It is further preferred that

V’101およびV’102におけるアルキレン基としては、直鎖状のアルキレン基でもよく分岐鎖状のアルキレン基でもよく、直鎖状のアルキレン基が好ましい。
V’101およびV’102におけるアルキレン基として、具体的には、メチレン基[−CH−];−CH(CH)−、−CH(CHCH)−、−C(CH−、−C(CH)(CHCH)−、−C(CH)(CHCHCH)−、−C(CHCH−等のアルキルメチレン基;エチレン基[−CHCH−];−CH(CH)CH−、−CH(CH)CH(CH)−、−C(CHCH−、−CH(CHCH)CH−等のアルキルエチレン基;トリメチレン基(n−プロピレン基)[−CHCHCH−];−CH(CH)CHCH−、−CHCH(CH)CH−等のアルキルトリメチレン基;テトラメチレン基[−CHCHCHCH−];−CH(CH)CHCHCH−、−CHCH(CH)CHCH−等のアルキルテトラメチレン基;ペンタメチレン基[−CHCHCHCHCH−]等が挙げられる。
また、V’101又はV’102における前記アルキレン基における一部のメチレン基が、炭素数5〜10の2価の脂肪族環式基で置換されていてもよい。当該脂肪族環式基は、前記式(a1−r−1)中のRa’の環状の脂肪族炭化水素基(単環式の脂肪族炭化水素基、多環式の脂肪族炭化水素基)から水素原子をさらに1つ除いた2価の基が好ましく、シクロへキシレン基、1,5−アダマンチレン基または2,6−アダマンチレン基がより好ましい。
The alkylene group in V ′ 101 and V ′ 102 may be a linear alkylene group or a branched alkylene group, and a linear alkylene group is preferable.
Specific examples of the alkylene group as V ′ 101 and V ′ 102 include methylene group [—CH 2 —]; —CH (CH 3 ) —, —CH (CH 2 CH 3 ) —, and —C (CH 3 ). 2 -, - C (CH 3 ) (CH 2 CH 3) -, - C (CH 3) (CH 2 CH 2 CH 3) -, - C (CH 2 CH 3) 2 - ; alkylethylene groups such as ethylene group [-CH 2 CH 2 -]; - CH (CH 3) CH 2 -, - CH (CH 3) CH (CH 3) -, - C (CH 3) 2 CH 2 -, - CH (CH 2 CH 3 ) alkyl ethylene group such as CH 2- ; trimethylene group (n-propylene group) [-CH 2 CH 2 CH 2- ]; -CH (CH 3 ) CH 2 CH 2- , -CH 2 CH (CH 3 ) CH 2 - and the like alkyl trimethylene group; tetramethylene [-CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -]; - CH (CH 3) CH 2 CH 2 CH 2 -, - CH 2 CH (CH 3) CH 2 CH 2 - alkyl tetramethylene group and the like; pentamethylene group [-CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -] , and the like.
Moreover, a part of methylene group in the said alkylene group in V ' 101 or V' 102 may be substituted by the C5-C10 bivalent aliphatic cyclic group. The aliphatic cyclic group is a cyclic aliphatic hydrocarbon group of Ra ′ 3 in the formula (a1-r-1) (a monocyclic aliphatic hydrocarbon group or a polycyclic aliphatic hydrocarbon group) ) Is preferably a divalent group in which one hydrogen atom is further removed, and more preferably a cyclohexylene group, a 1,5-adamantylene group or a 2,6-adamantylene group.

101としては、エステル結合を含む2価の連結基、またはエーテル結合を含む2価の連結基が好ましく、上記式(y−al−1)〜(y−al−5)でそれぞれ表される連結基がより好ましい。 As Y 101 , a divalent linking group containing an ester bond or a divalent linking group containing an ether bond is preferable, and is represented by the above formulas (y-al-1) to (y-al-5) respectively. A linking group is more preferred.

式(b−1)中、V101は、単結合、アルキレン基又はフッ素化アルキレン基である。V101におけるアルキレン基、フッ素化アルキレン基は、炭素数1〜4であることが好まい。V101におけるフッ素化アルキレン基としては、V101におけるアルキレン基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基が挙げられる。なかでも、V101は、単結合、又は炭素数1〜4のフッ素化アルキレン基であることが好ましい。 In formula (b-1), V 101 is a single bond, an alkylene group or a fluorinated alkylene group. The alkylene group in V 101 and the fluorinated alkylene group preferably have 1 to 4 carbon atoms. Examples of the fluorinated alkylene group in V 101 include groups in which part or all of hydrogen atoms of the alkylene group in V 101 are substituted with a fluorine atom. Among them, V 101 is preferably a single bond or a fluorinated alkylene group having 1 to 4 carbon atoms.

式(b−1)中、R102は、フッ素原子又は炭素数1〜5のフッ素化アルキル基である。R102は、フッ素原子または炭素数1〜5のパーフルオロアルキル基であることが好ましく、フッ素原子であることがより好ましい。 In formula (b-1), R 102 is a fluorine atom or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. R 102 is preferably a fluorine atom or a perfluoroalkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and more preferably a fluorine atom.

(b−1)成分のアニオン部の具体例としては、たとえば、Y101が単結合となる場合、トリフルオロメタンスルホネートアニオンやパーフルオロブタンスルホネートアニオン等のフッ素化アルキルスルホネートアニオンが挙げられ;Y101が酸素原子を含む2価の連結基である場合、下記式(an−1)〜(an−3)のいずれかで表されるアニオンが挙げられる。 (B-1) Specific examples of the anion moiety of the component, for example, if the Y 101 is a single bond, fluorinated alkyl sulfonate anions such as trifluoromethane sulfonate anion or perfluorobutane sulfonate anion can be exemplified; Y 101 is When it is a bivalent coupling group containing an oxygen atom, the anion represented by either of following formula (an-1)-(an-3) is mentioned.

Figure 0006515140
[式中、R”101は、置換基を有していてもよい脂肪族環式基、前記式(r−hr−1)〜(r−hr−6)でそれぞれ表される基、又は置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基であり;R”102は、置換基を有していてもよい脂肪族環式基、前記一般式(a2−r−1)〜(a2−r−7)でそれぞれ表されるラクトン含有環式基、又は前記一般式(a5−r−1)〜(a5−r−4)でそれぞれ表される−SO−含有環式基であり;R”103は、置換基を有していてもよい芳香族環式基、置換基を有していてもよい脂肪族環式基、又は置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基であり;v”はそれぞれ独立に0〜3の整数であり、q”はそれぞれ独立に1〜20の整数であり、t”は1〜3の整数であり、n”は0または1である。]
Figure 0006515140
[Wherein, R ′ ′ 101 is an aliphatic cyclic group which may have a substituent, a group represented by any of the above formulas (r-hr-1) to (r-hr-6), or a substituted group R ′ ′ 102 is an aliphatic cyclic group which may have a substituent, and the above-described general formulas (a2-r-1) to (a2-). a lactone-containing cyclic group represented by r-7) or a —SO 2 — containing cyclic group represented by the general formulas (a5-r-1) to (a5-r-4), respectively; R ′ ′ 103 is an aromatic cyclic group which may have a substituent, an aliphatic cyclic group which may have a substituent, or a chain-like alkenyl group which may have a substituent V ′ ′ is each independently an integer of 0 to 3; q ′ ′ is each independently an integer of 1 to 20; t ′ ′ is an integer of 1 to 3; n ′ ′ is 0 The other is 1.]

R”101、R”102およびR”103の置換基を有していてもよい脂肪族環式基は、前記R101における環状の脂肪族炭化水素基として例示した基であることが好ましい。前記置換基としては、R101における環状の脂肪族炭化水素基を置換してもよい置換基と同様のものが挙げられる。 The aliphatic cyclic group which may have a substituent of R ′ ′ 101 , R ′ ′ 102 and R ′ ′ 103 is preferably the group exemplified as the cyclic aliphatic hydrocarbon group for R 101 above. Examples of the substituent include those similar to the substituents which may substitute the cyclic aliphatic hydrocarbon group for R 101 .

R”103における置換基を有していてもよい芳香族環式基は、前記R101における環状の炭化水素基における芳香族炭化水素基として例示した基であることが好ましい。前記置換基としては、R101における該芳香族炭化水素基を置換してもよい置換基と同様のものが挙げられる。 The aromatic cyclic group which may have a substituent in R ′ 103 is preferably the group exemplified as the aromatic hydrocarbon group in the cyclic hydrocarbon group in R 101 described above. And the same as the substituent which may substitute the aromatic hydrocarbon group in R 101 .

R”101における置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基は、前記R101における鎖状のアルキル基として例示した基であることが好ましい。R”103における置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基は、前記R101における鎖状のアルケニル基として例示した基であることが好ましい。 R have a substituent in "which may chain substituted at 101 alkyl group, wherein preferably a group exemplified as chain alkyl group in R 101 .R" 103 The chain-like alkenyl group is also preferably the group exemplified as the chain-like alkenyl group in R 101 above.

・(b−2)成分のアニオン部
式(b−2)中、R104、R105は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい環式基、置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基、または置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基であり、それぞれ、式(b−1)中のR101と同様のものが挙げられる。ただし、R104、R105は、相互に結合して環を形成していてもよい。
104、R105は、置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基が好ましく、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は直鎖状若しくは分岐鎖状のフッ素化アルキル基であることがより好ましい。
該鎖状のアルキル基の炭素数は、1〜10であることが好ましく、より好ましくは炭素数1〜7、さらに好ましくは炭素数1〜3である。R104、R105の鎖状のアルキル基の炭素数は、上記炭素数の範囲内において、レジスト用溶剤への溶解性も良好である等の理由により、小さいほど好ましい。また、R104、R105の鎖状のアルキル基においては、フッ素原子で置換されている水素原子の数が多いほど、酸の強度が強くなり、また、200nm以下の高エネルギー光や電子線に対する透明性が向上するため好ましい。前記鎖状のアルキル基中のフッ素原子の割合、すなわちフッ素化率は、好ましくは70〜100%、さらに好ましくは90〜100%であり、最も好ましくは、全ての水素原子がフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキル基である。
式(b−2)中、V102、V103は、それぞれ独立に、単結合、アルキレン基、またはフッ素化アルキレン基であり、それぞれ、式(b−1)中のV101と同様のものが挙げられる。
式(b−2)中、L101、L102は、それぞれ独立に単結合又は酸素原子である。
-Anion part of component (b-2) In formula (b-2), each of R 104 and R 105 independently has a cyclic group which may have a substituent, or a substituent. A good chained alkyl group or a chained alkenyl group which may have a substituent, each of which is similar to R 101 in formula (b-1). However, R 104 and R 105 may be bonded to each other to form a ring.
R 104 and R 105 each are preferably a linear alkyl group which may have a substituent, and is a linear or branched alkyl group or a linear or branched fluorinated alkyl group Is more preferred.
It is preferable that carbon number of this chain | strand-shaped alkyl group is 1-10, More preferably, it is C1-C7, More preferably, it is C1-C3. The carbon number of the linear alkyl group of R 104 and R 105 is preferably as small as possible because the solubility in a resist solvent is also good within the above-mentioned range of carbon numbers. Further, in the chain alkyl group of R 104 and R 105, the greater the number of hydrogen atoms substituted by fluorine atoms, the stronger the acid strength, and the high energy light and electron beams of 200 nm or less. It is preferable because the transparency is improved. The proportion of fluorine atoms in the linear alkyl group, ie, the fluorination ratio, is preferably 70 to 100%, more preferably 90 to 100%, and most preferably all hydrogen atoms are substituted by fluorine atoms. Perfluoroalkyl group.
In formula (b-2), each of V 102 and V 103 independently represents a single bond, an alkylene group, or a fluorinated alkylene group, and each of them is the same as V 101 in formula (b-1) It can be mentioned.
In formula (b-2), L 101 and L 102 each independently represent a single bond or an oxygen atom.

・(b−3)成分のアニオン部
式(b−3)中、R106〜R108は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい環式基、置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基、又は置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基であり、それぞれ、式(b−1)中のR101と同様のものが挙げられる。
103〜L105は、それぞれ独立に、単結合、−CO−又は−SO−である。
-Anion part of component (b-3) In formula (b-3), each of R 106 to R 108 independently has a cyclic group which may have a substituent, and a substituent A good chained alkyl group or a chained alkenyl group which may have a substituent, each of which is the same as R 101 in formula (b-1).
L 103 to L 105 are each independently a single bond, -CO- or -SO 2- .

{カチオン部}
式(b−1)、(b−2)及び(b−3)中、mは1以上の整数であって、M’m+はm価のオニウムカチオンであり、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオンが好適に挙げられ、下記の一般式(ca−1)〜(ca−4)でそれぞれ表される有機カチオンが特に好ましい。
{Cation part}
In formulas (b-1), (b-2) and (b-3), m is an integer of 1 or more, M ' m + is an m-valent onium cation, and a sulfonium cation and an iodonium cation are preferable Particularly preferred are organic cations which are mentioned and represented by the following general formulas (ca-1) to (ca-4).

Figure 0006515140
[式中、R201〜R207、およびR211〜R212は、それぞれ独立に置換基を有していてもよいアリール基、アルキル基またはアルケニル基を表し、R201〜R203、R206〜R207、R211〜R212は、相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。R208〜R209はそれぞれ独立に水素原子または炭素数1〜5のアルキル基を表し、R210は置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、又は置換基を有していてもよい−SO−含有環式基であり、L201は−C(=O)−または−C(=O)−O−を表し、Y201は、それぞれ独立に、アリーレン基、アルキレン基またはアルケニレン基を表し、xは1または2であり、W201は(x+1)価の連結基を表す。]
Figure 0006515140
[Wherein, R 201 to R 207 and R 211 to R 212 each independently represent an aryl group which may have a substituent, an alkyl group or an alkenyl group, and R 201 to R 203 and R 206 to R 207 and R 211 to R 212 may be mutually bonded to form a ring with the sulfur atom in the formula. R 208 to R 209 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and R 210 represents an aryl group which may have a substituent, an alkyl group which may have a substituent, It is an alkenyl group which may have a substituent or a -SO 2 -containing cyclic group which may have a substituent, and L 201 is -C (= O)-or -C (= O) Y 201 represents each independently an arylene group, an alkylene group or an alkenylene group, x represents 1 or 2, and W 201 represents a (x + 1) -valent linking group. ]

201〜R207、およびR211〜R212におけるアリール基としては、炭素数6〜20の無置換のアリール基が挙げられ、フェニル基、ナフチル基が好ましい。
201〜R207、およびR211〜R212におけるアルキル基としては、鎖状又は環状のアルキル基であって、炭素数1〜30のものが好ましい。
201〜R207、およびR211〜R212におけるアルケニル基としては、炭素数が2〜10であることが好ましい。
201〜R207、およびR210〜R212が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、カルボニル基、シアノ基、アミノ基、アリール基、下記式(ca−r−1)〜(ca−r−7)でそれぞれ表される基が挙げられる。
As the aryl group in R 201 to R 207, and R 211 to R 212, include unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, a phenyl group, a naphthyl group.
The alkyl group of R 201 to R 207, and R 211 to R 212, a chain or cyclic alkyl group, preferably from 1 to 30 carbon atoms.
The alkenyl group in R 201 to R 207, and R 211 to R 212, preferably has 2 to 10 carbon atoms.
Examples of the substituent which R 201 to R 207 and R 210 to R 212 may have include an alkyl group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a carbonyl group, a cyano group, an amino group, an aryl group, Groups represented by formulas (ca-r-1) to (ca-r-7) can be mentioned.

Figure 0006515140
[式中、R’201はそれぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよい環式基、置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基、又は置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基である。]
Figure 0006515140
[Wherein, R ′ 201 each independently has a hydrogen atom, a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a substituent It may be a chain-like alkenyl group. ]

R’201の置換基を有していてもよい環式基、置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基、又は置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基は、前述の式(b−1)中のR101と同様のものが挙げられる他、置換基を有していてもよい環式基又は置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基として前述の式(a1−r−2)で表される酸解離性基と同様のものも挙げられる。 The cyclic group which may have a substituent of R ′ 201, the chain-like alkyl group which may have a substituent, or the chain-like alkenyl group which may have a substituent is formula (b-1) except that include those similar to the R 101 in, the foregoing as may have a substituent group cyclic group or optionally substituted chain alkyl group The same acid dissociable group represented by the formula (a1-r-2) can also be mentioned.

201〜R203、R206〜R207、R211〜R212は、相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成する場合、硫黄原子、酸素原子、窒素原子等のヘテロ原子や、カルボニル基、−SO−、−SO−、−SO−、−COO−、−CONH−または−N(R)−(該Rは炭素数1〜5のアルキル基である。)等の官能基を介して結合してもよい。形成される環としては、式中のイオウ原子をその環骨格に含む1つの環が、イオウ原子を含めて、3〜10員環であることが好ましく、5〜7員環であることが特に好ましい。形成される環の具体例としては、たとえばチオフェン環、チアゾール環、ベンゾチオフェン環、チアントレン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾチオフェン環、9H−チオキサンテン環、チオキサントン環、チアントレン環、フェノキサチイン環、テトラヒドロチオフェニウム環、テトラヒドロチオピラニウム環等が挙げられる。 When R 201 to R 203 , R 206 to R 207 and R 211 to R 212 are mutually bonded to form a ring with the sulfur atom in the formula, a hetero atom such as a sulfur atom, an oxygen atom or a nitrogen atom, carbonyl group, -SO -, - SO 2 - , - SO 3 -, - COO -, - CONH- , or -N (R N) - (. the R N is an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms), etc. May be bonded via a functional group of As the ring to be formed, one ring containing a sulfur atom in the formula in its ring skeleton is preferably a 3- to 10-membered ring, including a sulfur atom, and particularly preferably a 5- to 7-membered ring preferable. Specific examples of the ring formed include, for example, thiophene ring, thiazole ring, benzothiophene ring, thianthrene ring, benzothiophene ring, dibenzothiophene ring, 9H-thioxanthene ring, thioxanthone ring, thianthrene ring, phenoxathiin ring, tetrahydrofuran Thiophenium rings, tetrahydrothiopyranium rings and the like can be mentioned.

208〜R209は、それぞれ独立に、水素原子または炭素数1〜5のアルキル基を表し、水素原子又は炭素数1〜3のアルキル基が好ましく、アルキル基となる場合、相互に結合して環を形成してもよい。 R 208 to R 209 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and when it is an alkyl group, they are mutually bonded It may form a ring.

210は、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、又は置換基を有していてもよい−SO−含有環式基である。
210におけるアリール基としては、炭素数6〜20の無置換のアリール基が挙げられ、フェニル基、ナフチル基が好ましい。
210におけるアルキル基としては、鎖状又は環状のアルキル基であって、炭素数1〜30のものが好ましい。
210におけるアルケニル基としては、炭素数が2〜10であることが好ましい。
210における、置換基を有していてもよい−SO−含有環式基としては、前述の「−SO−含有環式基」と同様のものが挙げられ、このなかでも一般式(a5−r−1)で表される基が好ましい。
R 210 may have an aryl group which may have a substituent, an alkyl group which may have a substituent, an alkenyl group which may have a substituent, or a substituent -SO 2 - containing cyclic group.
As an aryl group in R 210, a C6-C20 unsubstituted aryl group is mentioned, A phenyl group and a naphthyl group are preferable.
The alkyl group in R 210 is preferably a linear or cyclic alkyl group having 1 to 30 carbon atoms.
The alkenyl group in R 210 preferably has 2 to 10 carbon atoms.
Examples of the —SO 2 -containing cyclic group which may have a substituent in R 210 include the same ones as the above-mentioned “—SO 2 -containing cyclic group”, and among these, a general formula The group represented by a5-r-1) is preferable.

201は、それぞれ独立に、アリーレン基、アルキレン基又はアルケニレン基を表す。
201におけるアリーレン基は、前述の式(b−1)中のR101における芳香族炭化水素基として例示したアリール基から水素原子を1つ除いた基が挙げられる。
201におけるアルキレン基、アルケニレン基は、前述の式(b−1)中のR101における鎖状のアルキル基、鎖状のアルケニル基として例示した基から水素原子を1つ除いた基が挙げられる。
Each Y 201 independently represents an arylene group, an alkylene group or an alkenylene group.
The arylene group in Y 201 includes a group in which one hydrogen atom is removed from the aryl group exemplified as the aromatic hydrocarbon group in R 101 in the above-mentioned formula (b-1).
Examples of the alkylene group and the alkenylene group in Y 201 include a group in which one hydrogen atom is removed from the group exemplified as the chained alkyl group and the chained alkenyl group in R 101 in the above formula (b-1) .

前記式(ca−4)中、xは、1または2である。
201は、(x+1)価、すなわち2価または3価の連結基である。
201における2価の連結基としては、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基が好ましく、前述の一般式(a2−1)におけるYa21と同様の、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基、が例示できる。W201における2価の連結基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよく、環状であることが好ましい。なかでも、アリーレン基の両端に2個のカルボニル基が組み合わされた基が好ましい。アリーレン基としては、フェニレン基、ナフチレン基等が挙げられ、フェニレン基が特に好ましい。
201における3価の連結基としては、前記W201における2価の連結基から水素原子を1個除いた基、前記2価の連結基にさらに前記2価の連結基が結合した基などが挙げられる。W201における3価の連結基としては、アリーレン基に2個のカルボニル基が結合した基が好ましい。
In the formula (ca-4), x is 1 or 2.
W 201 is a (x + 1) valent, ie, a divalent or trivalent linking group.
The divalent linking group in W 201 is preferably a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, and has a substituent similar to Ya 21 in the general formula (a2-1) described above And optionally substituted divalent hydrocarbon groups. The divalent linking group in W 201 may be linear, branched or cyclic, and is preferably cyclic. Among them, a group in which two carbonyl groups are combined at both ends of an arylene group is preferable. As an arylene group, a phenylene group, a naphthylene group, etc. are mentioned, A phenylene group is especially preferable.
Examples of the trivalent linking group in W 201 include a group obtained by removing one hydrogen atom from the divalent linking group in W 201 , a group in which the divalent linking group is further bonded to the divalent linking group, and the like. It can be mentioned. The trivalent linking group in W 201 is preferably a group in which two carbonyl groups are bonded to an arylene group.

前記式(ca−1)で表される好適なカチオンとして具体的には、下記式(ca−1−1)〜(ca−1−67)でそれぞれ表されるカチオンが挙げられる。   Specifically as a suitable cation represented by said Formula (ca-1), the cation respectively represented by following formula (ca-1-1)-(ca-1-67) is mentioned.

Figure 0006515140
Figure 0006515140

Figure 0006515140
Figure 0006515140

Figure 0006515140
[式中、g1、g2、g3は繰返し数を示し、g1は1〜5の整数であり、g2は0〜20の整数であり、g3は0〜20の整数である。]
Figure 0006515140
[In formula, g1, g2, g3 shows repetition number, g1 is an integer of 1-5, g2 is an integer of 0-20, g3 is an integer of 0-20. ]

Figure 0006515140
[式中、R”201は水素原子又は置換基であって、該置換基としては前記R201〜R207、およびR210〜R212が有していてもよい置換基として挙げたものと同様である。]
Figure 0006515140
[In the Formula, R ′ ′ 201 is a hydrogen atom or a substituent, and the substituent is the same as the substituent described above as an example of the substituent that R 201 to R 207 and R 210 to R 212 may have. It is

前記式(ca−2)で表される好適なカチオンとして具体的には、ジフェニルヨードニウムカチオン、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウムカチオン等が挙げられる。   Specifically as a suitable cation represented by said Formula (ca-2), a diphenyl iodonium cation, a bis (4-tert- butylphenyl) iodonium cation, etc. are mentioned.

前記式(ca−3)で表される好適なカチオンとして具体的には、下記式(ca−3−1)〜(ca−3−6)でそれぞれ表されるカチオンが挙げられる。   Specifically as a suitable cation represented by said Formula (ca-3), the cation respectively represented by following formula (ca-3-1)-(ca-3-6) is mentioned.

Figure 0006515140
Figure 0006515140

前記式(ca−4)で表される好適なカチオンとして具体的には、下記式(ca−4−1)〜(ca−4−2)でそれぞれ表されるカチオンが挙げられる。   Specifically as a suitable cation represented by said Formula (ca-4), the cation respectively represented by following formula (ca-4-1)-(ca-4-2) is mentioned.

Figure 0006515140
Figure 0006515140

上記の中でも、カチオン部[(M’m+1/m]は、一般式(ca−1)で表されるカチオンが好ましく、式(ca−1−1)〜(ca−1−67)でそれぞれ表されるカチオンがより好ましい。 Among the above, the cation moiety [(M ′ m + ) 1 / m 2 ] is preferably a cation represented by general formula (ca-1), and is represented by formulas (ca-1-1) to (ca-1-67) The cation respectively represented is more preferable.

(B)成分は、上述した酸発生剤を1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
レジスト組成物が(B)成分を含有する場合、(B)成分の含有量は、(A)成分100質量部に対して0.5〜60質量部が好ましく、1〜50質量部がより好ましく、1〜40質量部がさらに好ましい。
(B)成分の含有量を上記範囲とすることで、パターン形成が充分に行われる。また、レジスト組成物の各成分を有機溶剤に溶解した際、均一な溶液が得られやすく、レジスト組成物としての保存安定性が良好となるため好ましい。
As the component (B), one type of acid generator described above may be used alone, or two or more types may be used in combination.
When the resist composition contains the component (B), the content of the component (B) is preferably 0.5 to 60 parts by mass, more preferably 1 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A). 1 to 40 parts by mass is more preferable.
By setting the content of the component (B) in the above range, pattern formation is sufficiently performed. Moreover, when each component of the resist composition is dissolved in an organic solvent, a uniform solution is easily obtained, and the storage stability as the resist composition becomes good, which is preferable.

[(D)成分:酸拡散制御剤成分]
本態様のレジスト組成物は、(A)成分に加えて、又は、(A)成分及び(B)成分に加えて、さらに、酸拡散制御剤成分(以下「(D)成分」という。)を含有してもよい。(D)成分は、レジスト組成物において露光により発生する酸をトラップするクエンチャー(酸拡散制御剤)として作用するものである。
(D)成分は、露光により分解して酸拡散制御性を失う光崩壊性塩基(D1)(以下「(D1)成分」という。)であってもよく、該(D1)成分に該当しない含窒素有機化合物(D2)(以下「(D2)成分」という。)であってもよい。
[(D) component: acid diffusion control agent component]
In the resist composition of this embodiment, in addition to the component (A), or to the components (A) and (B), an acid diffusion controller component (hereinafter referred to as "component (D)") is further added. You may contain. The component (D) acts as a quencher (acid diffusion control agent) which traps an acid generated by exposure in the resist composition.
The component (D) may be a photodisintegrable base (D1) (hereinafter referred to as “component (D1)”) which is decomposed by exposure to lose acid diffusion controllability, and does not fall under the component (D1). It may be a nitrogen organic compound (D2) (hereinafter referred to as "component (D2)").

・(D1)成分について
(D1)成分を含有するレジスト組成物とすることで、レジストパターンを形成する際に、露光部と未露光部とのコントラストを向上させることができる。
(D1)成分としては、露光により分解して酸拡散制御性を失うものであれば特に限定されず、下記一般式(d1−1)で表される化合物(以下「(d1−1)成分」という。)、下記一般式(d1−2)で表される化合物(以下「(d1−2)成分」という。)及び下記一般式(d1−3)で表される化合物(以下「(d1−3)成分」という。)からなる群より選ばれる1種以上の化合物が好ましい。
(d1−1)〜(d1−3)成分は、レジスト膜の露光部においては分解して酸拡散制御性(塩基性)を失うためクエンチャーとして作用せず、未露光部においてクエンチャーとして作用する。
Component (D1) By using the resist composition containing the component (D1), it is possible to improve the contrast between the exposed area and the unexposed area when forming a resist pattern.
The component (D1) is not particularly limited as long as it decomposes by exposure and loses acid diffusion controllability, and a compound represented by the following general formula (d1-1) (hereinafter "component (d1-1)") A compound represented by the following general formula (d1-2) (hereinafter referred to as "(d1-2) component") and a compound represented by the following general formula (d1-3) (hereinafter referred to as "(d1- 3) One or more types of compounds selected from the group consisting of components.
The components (d1-1) to (d1-3) do not act as a quencher because they decompose and lose acid diffusion controllability (basicity) in the exposed portion of the resist film, but act as a quencher in the unexposed portion. Do.

Figure 0006515140
[式中、Rd〜Rdは置換基を有していてもよい環式基、置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基、又は置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基である。但し、式(d1−2)中のRdにおける、S原子に隣接する炭素原子にはフッ素原子は結合していないものとする。Ydは単結合又は2価の連結基である。mは1以上の整数であって、Mm+はそれぞれ独立にm価の有機カチオンである。]
Figure 0006515140
[Wherein, Rd 1 to Rd 4 each represents a cyclic group which may have a substituent, a chain alkyl group which may have a substituent, or a chain which may have a substituent] Alkenyl group of However, it is assumed that a fluorine atom is not bonded to the carbon atom adjacent to the S atom in Rd 2 in the formula (d1-2). Yd 1 is a single bond or a divalent linking group. m is an integer of 1 or more, and M m + is independently an m-valent organic cation. ]

{(d1−1)成分}
・・アニオン部
式(d1−1)中、Rdは置換基を有していてもよい環式基、置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基、又は置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基であり、それぞれ前記式(b−1)中のR101と同様のものが挙げられる。
これらのなかでも、Rdとしては、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい脂肪族環式基、又は置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基が好ましい。これらの基が有していてもよい置換基としては、水酸基、オキソ基、アルキル基、アリール基、フッ素原子、フッ素化アルキル基、上記一般式(a2−r−1)〜(a2−r−7)でそれぞれ表されるラクトン含有環式基、エーテル結合、エステル結合、またはこれらの組み合わせが挙げられる。エーテル結合やエステル結合を置換基として含む場合、アルキレン基を介していてもよく、この場合の置換基としては、上記式(y−al−1)〜(y−al−5)でそれぞれ表される連結基が好ましい。
前記芳香族炭化水素基としては、フェニル基もしくはナフチル基がより好ましい。
前記脂肪族環式基としては、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基であることがより好ましい。
前記鎖状のアルキル基としては、炭素数が1〜10であることが好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等の直鎖状のアルキル基;1−メチルエチル基、1−メチルプロピル基、2−メチルプロピル基、1−メチルブチル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル基、1−エチルブチル基、2−エチルブチル基、1−メチルペンチル基、2−メチルペンチル基、3−メチルペンチル基、4−メチルペンチル基等の分岐鎖状のアルキル基が挙げられる。
{(D1-1) ingredients}
·· Anion moiety In the formula (d1-1), Rd 1 has a cyclic group which may have a substituent, a chain-like alkyl group which may have a substituent, or a substituent It may be a chain-like alkenyl group, and examples thereof include the same as R 101 in the formula (b-1).
Among these, Rd 1 may have an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent, an aliphatic cyclic group which may have a substituent, or a substituent. A linear alkyl group is preferred. Examples of the substituent which these groups may have include a hydroxyl group, an oxo group, an alkyl group, an aryl group, a fluorine atom, a fluorinated alkyl group, and the general formulas (a2-r-1) to (a2-r-). The lactone containing cyclic group respectively represented by 7), ether bond, ester bond, or these combination is mentioned. When it contains an ether bond or an ester bond as a substituent, it may be via an alkylene group, and the substituent in this case is represented by the above formulas (y-al-1) to (y-al-5). A linking group is preferred.
The aromatic hydrocarbon group is more preferably a phenyl group or a naphthyl group.
The aliphatic cyclic group is more preferably a group in which one or more hydrogen atoms have been removed from a polycycloalkane such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane or tetracyclododecane.
The chain alkyl group preferably has 1 to 10 carbon atoms, and specifically, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, Linear alkyl group such as nonyl group and decyl group; 1-methylethyl group, 1-methylpropyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylbutyl group, 2-methylbutyl group, 3-methylbutyl group, 1-ethylbutyl And branched alkyl groups such as 2-ethylbutyl group, 1-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, 4-methylpentyl group and the like.

前記鎖状のアルキル基が置換基としてフッ素原子又はフッ素化アルキル基を有するフッ素化アルキル基である場合、フッ素化アルキル基の炭素数は、1〜11が好ましく、1〜8がより好ましく、1〜4がさらに好ましい。該フッ素化アルキル基は、フッ素原子以外の原子を含有してもよい。フッ素原子以外の原子としては、たとえば酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。
Rdとしては、直鎖状のアルキル基を構成する一部又は全部の水素原子がフッ素原子により置換されたフッ素化アルキル基であることが好ましく、直鎖状のアルキル基を構成する水素原子の全てがフッ素原子で置換されたフッ素化アルキル基(直鎖状のパーフルオロアルキル基)であることが特に好ましい。
When the chained alkyl group is a fluorinated alkyl group having a fluorine atom or a fluorinated alkyl group as a substituent, the carbon number of the fluorinated alkyl group is preferably 1 to 11, more preferably 1 to 8, and 1 To 4 is more preferable. The fluorinated alkyl group may contain an atom other than a fluorine atom. As an atom other than a fluorine atom, an oxygen atom, a sulfur atom, a nitrogen atom etc. are mentioned, for example.
Rd 1 is preferably a fluorinated alkyl group in which a part or all of the hydrogen atoms constituting the linear alkyl group are substituted by a fluorine atom, and one of the hydrogen atoms constituting the linear alkyl group is preferred. Particularly preferred is a fluorinated alkyl group (a linear perfluoroalkyl group) which is all substituted with a fluorine atom.

以下に(d1−1)成分のアニオン部の好ましい具体例を示す。   The preferable specific example of the anion part of a (d1-1) component is shown below.

Figure 0006515140
Figure 0006515140

・・カチオン部
式(d1−1)中、Mm+は、m価の有機カチオンである。
m+の有機カチオンとしては、前記一般式(ca−1)〜(ca−4)でそれぞれ表されるカチオンと同様のものが好適に挙げられ、前記一般式(ca−1)で表されるカチオンがより好ましく、前記式(ca−1−1)〜(ca−1−67)でそれぞれ表されるカチオンがさらに好ましい。
(d1−1)成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
.. Cation part In formula (d1-1), M m + is an m-valent organic cation.
As the organic cation of M m + , those similar to the cations respectively represented by the general formulas (ca-1) to (ca-4) are preferably exemplified, and are represented by the general formula (ca-1) The cation is more preferable, and the cation represented by each of the formulas (ca-1-1) to (ca-1-67) is more preferable.
As the component (d1-1), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

{(d1−2)成分}
・・アニオン部
式(d1−2)中、Rdは、置換基を有していてもよい環式基、置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基、又は置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基であり、前記式(b−1)中のR101と同様のものが挙げられる。
ただし、Rdにおける、S原子に隣接する炭素原子にはフッ素原子は結合していない(フッ素置換されていない)ものとする。これにより、(d1−2)成分のアニオンが適度な弱酸アニオンとなり、(D)成分としてのクエンチング能が向上する。
Rdとしては、置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基、又は置換基を有していてもよい脂肪族環式基であることが好ましい。鎖状のアルキル基としては、炭素数1〜10であることが好ましく、3〜10であることがより好ましい。脂肪族環式基としては、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等から1個以上の水素原子を除いた基(置換基を有していてもよい);カンファー等から1個以上の水素原子を除いた基であることがより好ましい。
Rdの炭化水素基は置換基を有していてもよく、該置換基としては、前記式(d1−1)のRdにおける炭化水素基(芳香族炭化水素基、脂肪族環式基、鎖状のアルキル基)が有していてもよい置換基と同様のものが挙げられる。
{(D1-2) ingredients}
·· Anion moiety In the formula (d1-2), Rd 2 has a cyclic group which may have a substituent, a chain-like alkyl group which may have a substituent, or a substituent It may be a chained alkenyl group which may be substituted, and examples thereof include the same ones as R 101 in the formula (b-1).
However, a fluorine atom is not bonded to the carbon atom adjacent to the S atom in Rd 2 (not substituted with fluorine). As a result, the anion of the (d1-2) component becomes an appropriate weak acid anion, and the quenching ability as the (D) component is improved.
Rd 2 is preferably a chain-like alkyl group which may have a substituent or an aliphatic cyclic group which may have a substituent. The chain alkyl group preferably has 1 to 10 carbon atoms, and more preferably 3 to 10 carbon atoms. As an aliphatic cyclic group, a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, tetracyclododecane or the like (which may have a substituent); 1 from camphor etc. It is more preferable that it is the group except the above hydrogen atom.
The hydrocarbon group of Rd 2 may have a substituent, and examples of the substituent include a hydrocarbon group (aromatic hydrocarbon group, aliphatic cyclic group, and the like in Rd 1 of the formula (d1-1). The same substituents as those which the chain alkyl group may have may be mentioned.

以下に(d1−2)成分のアニオン部の好ましい具体例を示す。   The preferable specific example of the anion part of (d1-2) component is shown below.

Figure 0006515140
Figure 0006515140

・・カチオン部
式(d1−2)中、Mm+は、m価の有機カチオンであり、前記式(d1−1)中のMm+と同様である。
(d1−2)成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
·· Cation part In the formula (d1-2), M m + is an m-valent organic cation, and is the same as M m + in the formula (d1-1).
As the component (d1-2), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

{(d1−3)成分}
・・アニオン部
式(d1−3)中、Rdは置換基を有していてもよい環式基、置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基、又は置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基であり、前記式(b−1)中のR101と同様のものが挙げられ、フッ素原子を含む環式基、鎖状のアルキル基、又は鎖状のアルケニル基であることが好ましい。中でも、フッ素化アルキル基が好ましく、前記Rdのフッ素化アルキル基と同様のものがより好ましい。
{(D1-3) ingredients}
·· Anion moiety In the formula (d1-3), Rd 3 has a cyclic group which may have a substituent, a chain-like alkyl group which may have a substituent, or a substituent A cyclic alkenyl group, which may be the same as R 101 in the formula (b-1), and may be a cyclic group containing a fluorine atom, a linear alkyl group, or a linear alkenyl group Is preferred. Among them, a fluorinated alkyl group is preferable, and the same fluorinated alkyl group as Rd 1 is more preferable.

式(d1−3)中、Rdは、置換基を有していてもよい環式基、置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基、又は置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基であり、前記式(b−1)中のR101と同様のものが挙げられる。
なかでも、置換基を有していてもよいアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、環式基であることが好ましい。
Rdにおけるアルキル基は、炭素数1〜5の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。Rdのアルキル基の水素原子の一部が水酸基、シアノ基等で置換されていてもよい。
Rdにおけるアルコキシ基は、炭素数1〜5のアルコキシ基が好ましく、炭素数1〜5のアルコキシ基として具体的には、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基が挙げられる。なかでも、メトキシ基、エトキシ基が好ましい。
In formula (d1-3), Rd 4 may have a cyclic group which may have a substituent, a chained alkyl group which may have a substituent, or a substituent. It is a chain | strand-shaped alkenyl group and the thing similar to R 101 in said Formula (b-1) is mentioned.
Among them, an alkyl group which may have a substituent, an alkoxy group, an alkenyl group and a cyclic group are preferable.
The alkyl group in Rd 4 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and specifically, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group And tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group and the like. A part of the hydrogen atoms of the alkyl group of Rd 4 may be substituted with a hydroxyl group, a cyano group or the like.
The alkoxy group in Rd 4 is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, and as the alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, specifically, a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, n- Examples include butoxy and tert-butoxy. Among these, methoxy and ethoxy are preferable.

Rdにおけるアルケニル基は、上記式(b−1)中のR101と同様のものが挙げられ、ビニル基、プロペニル基(アリル基)、1−メチルプロペニル基、2−メチルプロペニル基が好ましい。これらの基はさらに置換基として、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基を有していてもよい。 The alkenyl group in Rd 4 includes the same as R 101 in the above formula (b-1), and a vinyl group, propenyl group (allyl group), 1-methylpropenyl group, and 2-methylpropenyl group are preferable. These groups may further have, as a substituent, an alkyl group of 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group of 1 to 5 carbon atoms.

Rdにおける環式基は、上記式(b−1)中のR101と同様のものが挙げられ、シクロペンタン、シクロヘキサン、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた脂環式基、又は、フェニル基、ナフチル基等の芳香族基が好ましい。Rdが脂環式基である場合、レジスト組成物が有機溶剤に良好に溶解することにより、リソグラフィー特性が良好となる。また、Rdが芳香族基である場合、EUV等を露光光源とするリソグラフィーにおいて、該レジスト組成物が光吸収効率に優れ、感度やリソグラフィー特性が良好となる。 The cyclic group in Rd 4 includes the same as R 101 in the above formula (b-1), and cycloalkanes such as cyclopentane, cyclohexane, adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, tetracyclododecane and the like An alicyclic group from which one or more hydrogen atoms have been removed, or an aromatic group such as a phenyl group or a naphthyl group is preferred. When Rd 4 is an alicyclic group, the resist composition is well dissolved in the organic solvent, whereby the lithography properties are improved. In addition, when Rd 4 is an aromatic group, in lithography using EUV or the like as an exposure light source, the resist composition is excellent in light absorption efficiency, and sensitivity and lithography characteristics become good.

式(d1−3)中、Ydは、単結合または2価の連結基である。
Ydにおける2価の連結基としては、特に限定されないが、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基(脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基)、ヘテロ原子を含む2価の連結基等が挙げられる。これらはそれぞれ、前記式(a2−1)におけるYa21の2価の連結基についての説明のなかで挙げた、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基、ヘテロ原子を含む2価の連結基と同様のものが挙げられる。
Ydとしては、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、アルキレン基又はこれらの組み合わせであることが好ましい。アルキレン基としては、直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基であることがより好ましく、メチレン基又はエチレン基であることがさらに好ましい。
In formula (d1-3), Yd 1 is a single bond or a divalent linking group.
The divalent linking group in Y d 1 is not particularly limited, and may be a divalent hydrocarbon group (aliphatic hydrocarbon group, aromatic hydrocarbon group) which may have a substituent, a hetero atom And the like. These are each a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, which is mentioned in the description of the divalent linking group of Ya 21 in the formula (a2-1), and a hetero atom The same one as the linking group of valence can be mentioned.
As Yd 1 , a carbonyl group, an ester bond, an amide bond, an alkylene group or a combination thereof is preferable. The alkylene group is more preferably a linear or branched alkylene group, and still more preferably a methylene group or an ethylene group.

以下に(d1−3)成分のアニオン部の好ましい具体例を示す。   The preferable specific example of the anion part of (d1-3) component is shown below.

Figure 0006515140
Figure 0006515140

Figure 0006515140
Figure 0006515140

・・カチオン部
式(d1−3)中、Mm+は、m価の有機カチオンであり、前記式(d1−1)中のMm+と同様である。
(d1−3)成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
... Cation Part In Formula (d1-3), M m + is an m-valent organic cation, and is the same as M m + in Formula (d1-1).
As the component (d1-3), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

(D1)成分は、上記(d1−1)〜(d1−3)成分のいずれか1種のみを用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
レジスト組成物が(D1)成分を含有する場合、(D1)成分の含有量は、(A)成分100質量部に対して、0.5〜10質量部であることが好ましく、0.5〜8質量部であることがより好ましく、1〜8質量部であることがさらに好ましい。
(D1)成分の含有量が好ましい下限値以上であると、特に良好なリソグラフィー特性及びレジストパターン形状が得られやすい。一方、上限値以下であると、感度を良好に維持でき、スループットにも優れる。
As the component (D1), any one of the components (d1-1) to (d1-3) may be used alone, or two or more thereof may be used in combination.
When the resist composition contains the component (D1), the content of the component (D1) is preferably 0.5 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A), and 0.5 to 10 parts by mass. The amount is more preferably 8 parts by mass, further preferably 1 to 8 parts by mass.
When the content of the component (D1) is equal to or more than the preferable lower limit value, particularly favorable lithography characteristics and a resist pattern shape are easily obtained. On the other hand, when it is below the upper limit value, the sensitivity can be favorably maintained and the throughput is also excellent.

(D1)成分の製造方法:
前記の(d1−1)成分、(d1−2)成分の製造方法は、特に限定されず、公知の方法により製造することができる。
また、(d1−3)成分の製造方法は、特に限定されず、例えば、US2012−0149916号公報に記載の方法と同様にして製造される。
Method of producing the component (D1):
The manufacturing method of said (d1-1) component and (d1-2) component is not specifically limited, It can manufacture by a well-known method.
Moreover, the manufacturing method of (d1-3) component is not specifically limited, For example, it manufactures similarly to the method as described in US2012-0149916.

・(D2)成分について
酸拡散制御剤成分としては、上記の(D1)成分に該当しない含窒素有機化合物成分(以下「(D2)成分」という。)を含有してもよい。
(D2)成分としては、酸拡散制御剤として作用するもので、かつ、(D1)成分に該当しないものであれば特に限定されず、公知のものから任意に用いればよい。なかでも、脂肪族アミンが好ましく、この中でも特に第2級脂肪族アミンや第3級脂肪族アミンがより好ましい。
脂肪族アミンとは、1つ以上の脂肪族基を有するアミンであり、該脂肪族基は炭素数が1〜12であることが好ましい。
脂肪族アミンとしては、アンモニアNHの水素原子の少なくとも1つを、炭素数12以下のアルキル基もしくはヒドロキシアルキル基で置換したアミン(アルキルアミンもしくはアルキルアルコールアミン)又は環式アミンが挙げられる。
アルキルアミンおよびアルキルアルコールアミンの具体例としては、n−ヘキシルアミン、n−ヘプチルアミン、n−オクチルアミン、n−ノニルアミン、n−デシルアミン等のモノアルキルアミン;ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、ジ−n−ヘプチルアミン、ジ−n−オクチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジアルキルアミン;トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ−n−プロピルアミン、トリ−n−ブチルアミン、トリ−n−ペンチルアミン、トリ−n−ヘキシルアミン、トリ−n−ヘプチルアミン、トリ−n−オクチルアミン、トリ−n−ノニルアミン、トリ−n−デシルアミン、トリ−n−ドデシルアミン等のトリアルキルアミン;ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ジ−n−オクタノールアミン、トリ−n−オクタノールアミン等のアルキルアルコールアミンが挙げられる。これらの中でも、炭素数5〜10のトリアルキルアミンがさらに好ましく、トリ−n−ペンチルアミン又はトリ−n−オクチルアミンが特に好ましい。
-About a component (D2) As an acid diffusion controlling agent component, you may contain the nitrogen-containing organic compound component (henceforth "the (D2) component") which does not correspond to said (D1) component.
The component (D2) functions as an acid diffusion control agent and is not particularly limited as long as it does not correspond to the component (D1), and any known one may be used. Among them, aliphatic amines are preferable, and in particular, secondary aliphatic amines and tertiary aliphatic amines are more preferable.
The aliphatic amine is an amine having one or more aliphatic groups, and the aliphatic group preferably has 1 to 12 carbon atoms.
Examples of aliphatic amines include amines in which at least one hydrogen atom of ammonia NH 3 is substituted with an alkyl group or hydroxyalkyl group having 12 or less carbon atoms (alkylamine or alkylalcoholamine) or cyclic amine.
Specific examples of the alkylamine and the alkyl alcoholamine include monoalkylamines such as n-hexylamine, n-heptylamine, n-octylamine, n-nonylamine and n-decylamine; diethylamine, di-n-propylamine, di-amine -Dialkylamines such as n-heptylamine, di-n-octylamine and dicyclohexylamine; trimethylamine, triethylamine, tri-n-propylamine, tri-n-butylamine, tri-n-pentylamine, tri-n-hexylamine , Trialkylamines such as tri-n-heptylamine, tri-n-octylamine, tri-n-nonylamine, tri-n-decylamine, tri-n-dodecylamine, etc .; diethanolamine, triethanolamine, diisopropanolamine, Li isopropanolamine, di -n- octanol amines, alkyl alcohol amines tri -n- octanol amine. Among these, trialkylamines having 5 to 10 carbon atoms are more preferable, and tri-n-pentylamine or tri-n-octylamine is particularly preferable.

環式アミンとしては、たとえば、ヘテロ原子として窒素原子を含む複素環化合物が挙げられる。該複素環化合物としては、単環式のもの(脂肪族単環式アミン)であっても多環式のもの(脂肪族多環式アミン)であってもよい。
脂肪族単環式アミンとして、具体的には、ピペリジン、ピペラジン等が挙げられる。
脂肪族多環式アミンとしては、炭素数が6〜10のものが好ましく、具体的には、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]−5−ノネン、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン、ヘキサメチレンテトラミン、1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン等が挙げられる。
The cyclic amine includes, for example, a heterocyclic compound containing a nitrogen atom as a hetero atom. The heterocyclic compound may be monocyclic (aliphatic monocyclic amine) or polycyclic (aliphatic polycyclic amine).
Specific examples of aliphatic monocyclic amines include piperidine, piperazine and the like.
The aliphatic polycyclic amine preferably has 6 to 10 carbon atoms, and specifically, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene, 1,8-diazabicyclo [5. 4.0] -7-Undecene, hexamethylenetetramine, 1,4-diazabicyclo [2.2.2] octane and the like.

その他の脂肪族アミンとしては、トリス(2−メトキシメトキシエチル)アミン、トリス{2−(2−メトキシエトキシ)エチル}アミン、トリス{2−(2−メトキシエトキシメトキシ)エチル}アミン、トリス{2−(1−メトキシエトキシ)エチル}アミン、トリス{2−(1−エトキシエトキシ)エチル}アミン、トリス{2−(1−エトキシプロポキシ)エチル}アミン、トリス[2−{2−(2−ヒドロキシエトキシ)エトキシ}エチル]アミン、トリエタノールアミントリアセテート等が挙げられ、トリエタノールアミントリアセテートが好ましい。   Other aliphatic amines include tris (2-methoxymethoxyethyl) amine, tris {2- (2-methoxyethoxy) ethyl} amine, tris {2- (2-methoxyethoxymethoxy) ethyl} amine, tris {2 -(1-Methoxyethoxy) ethyl} amine, tris {2- (1-ethoxyethoxy) ethyl} amine, tris {2- (1-ethoxypropoxy) ethyl} amine, tris [2- {2- (2-hydroxy) Ethoxy) ethoxy} ethyl] amine, triethanolamine triacetate, etc. are mentioned, and triethanolamine triacetate is preferable.

また、(D2)成分としては、芳香族アミンを用いてもよい。
芳香族アミンとしては、4−ジメチルアミノピリジン、ピロール、インドール、ピラゾール、イミダゾールまたはこれらの誘導体、トリベンジルアミン、2,6−ジイソプロピルアニリン、N−tert−ブトキシカルボニルピロリジン等が挙げられる。
Further, as the component (D2), an aromatic amine may be used.
As the aromatic amine, 4-dimethylaminopyridine, pyrrole, indole, pyrazole, imidazole or derivatives thereof, tribenzylamine, 2,6-diisopropylaniline, N-tert-butoxycarbonylpyrrolidine and the like can be mentioned.

(D2)成分は、単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
レジスト組成物が(D2)成分を含有する場合、(D2)成分は、(A)成分100質量部に対して、通常、0.01〜5質量部の範囲で用いられる。上記範囲とすることにより、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等が向上する。
The component (D2) may be used alone or in combination of two or more.
When the resist composition contains the component (D2), the component (D2) is used usually in the range of 0.01 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A). By setting it in the above-mentioned range, the resist pattern shape, the stability over time of placing, etc. are improved.

[(E)成分:有機カルボン酸、並びにリンのオキソ酸及びその誘導体からなる群より選択される少なくとも1種の化合物]
本態様のレジスト組成物には、感度劣化の防止や、レジストパターン形状、引き置き経時安定性等の向上の目的で、任意の成分として、有機カルボン酸、並びにリンのオキソ酸及びその誘導体からなる群より選択される少なくとも1種の化合物(E)(以下「(E)成分」という。)を含有させることができる。
有機カルボン酸としては、例えば、酢酸、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸などが好適である。
リンのオキソ酸としては、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸等が挙げられ、これらの中でも特にホスホン酸が好ましい。
リンのオキソ酸の誘導体としては、たとえば、上記オキソ酸の水素原子を炭化水素基で置換したエステル等が挙げられ、前記炭化水素基としては、炭素数1〜5のアルキル基、炭素数6〜15のアリール基等が挙げられる。
リン酸の誘導体としては、リン酸ジ−n−ブチルエステル、リン酸ジフェニルエステル等のリン酸エステルなどが挙げられる。
ホスホン酸の誘導体としては、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸−ジ−n−ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステル等のホスホン酸エステルなどが挙げられる。
ホスフィン酸の誘導体としては、ホスフィン酸エステルやフェニルホスフィン酸などが挙げられる。
(E)成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
レジスト組成物が(E)成分を含有する場合、(E)成分は、(A)成分100質量部に対して、通常、0.01〜5質量部の範囲で用いられる。
[(E) Component: at least one compound selected from the group consisting of an organic carboxylic acid and an oxo acid of phosphorus and a derivative thereof]
The resist composition of this embodiment comprises an organic carboxylic acid and an oxo acid of phosphorus and a derivative thereof as an optional component for the purpose of preventing sensitivity deterioration and improving the resist pattern shape, storage stability over time, etc. At least one compound (E) (hereinafter referred to as “component (E)”) selected from the group can be contained.
As the organic carboxylic acid, for example, acetic acid, malonic acid, citric acid, malic acid, succinic acid, benzoic acid, salicylic acid and the like are preferable.
Examples of phosphorus oxo acids include phosphoric acid, phosphonic acid and phosphinic acid. Among these, phosphonic acid is particularly preferable.
Examples of derivatives of oxo acids of phosphorus include esters in which a hydrogen atom of the above oxo acid is substituted with a hydrocarbon group, and examples of the hydrocarbon group include alkyl groups having 1 to 5 carbon atoms and 6 to 6 carbon atoms. 15 aryl groups and the like can be mentioned.
Examples of derivatives of phosphoric acid include phosphoric acid di-n-butyl ester, phosphoric acid esters such as phosphoric acid diphenyl ester, and the like.
Examples of derivatives of phosphonic acid include phosphonic acid dimethyl ester, phosphonic acid di-n-butyl ester, phenylphosphonic acid, phosphonic acid diphenyl ester, phosphonic acid esters such as phosphonic acid dibenzyl ester, and the like.
Examples of phosphinic acid derivatives include phosphinic acid esters and phenylphosphinic acid.
As the component (E), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.
When the resist composition contains the component (E), the component (E) is used usually in the range of 0.01 to 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the component (A).

[(F)成分:フッ素添加剤成分]
本態様のレジスト組成物は、レジスト膜に撥水性を付与するために、フッ素添加剤成分(以下「(F)成分」という。)を含有してもよい。
(F)成分としては、例えば、特開2010−002870号公報、特開2010−032994号公報、特開2010−277043号公報、特開2011−13569号公報、特開2011−128226号公報に記載の含フッ素高分子化合物を用いることができる。
(F)成分としてより具体的には、下記式(f1−1)で表される構成単位(f1)を有する重合体が挙げられる。前記重合体としては、下記式(f1−1)で表される構成単位(f1)のみからなる重合体(ホモポリマー);該構成単位(f1)と前記構成単位(a1)との共重合体;該構成単位(f1)と前記構成単位(a1’)との共重合体;該構成単位(f1)と、アクリル酸又はメタクリル酸から誘導される構成単位と、前記構成単位(a1)との共重合体、であることが好ましい。ここで、該構成単位(f1)と共重合される前記構成単位(a1)としては、1−エチル−1−シクロオクチル(メタ)アクリレートから誘導される構成単位が好ましい。
[(F) component: fluorine additive component]
The resist composition of this embodiment may contain a fluorine additive component (hereinafter referred to as “component (F)”) in order to impart water repellency to the resist film.
Examples of the component (F) include those described in JP-A-2010-002870, JP-A-2010-032994, JP-A-2010-277043, JP-A-2011-13569, and JP-A-2011-128226. The fluorine-containing polymer compound of can be used.
More specific examples of the component (F) include polymers having a structural unit (f1) represented by the following formula (f1-1). As the polymer, a polymer (homopolymer) consisting only of a structural unit (f1) represented by the following formula (f1-1): a copolymer of the structural unit (f1) and the structural unit (a1) A copolymer of the structural unit (f1) and the structural unit (a1 ′); the structural unit (f1), a structural unit derived from acrylic acid or methacrylic acid, and the structural unit (a1) It is preferably a copolymer. Here, as the structural unit (a1) to be copolymerized with the structural unit (f1), a structural unit derived from 1-ethyl-1-cyclooctyl (meth) acrylate is preferable.

Figure 0006515140
[式中、Rは前記と同様であり、Rf102およびRf103はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基を表し、Rf102およびRf103は同じであっても異なっていてもよい。nfは1〜5の整数であり、Rf101はフッ素原子を含む有機基である。]
Figure 0006515140
[Wherein, R is as defined above, and Rf 102 and Rf 103 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group of 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkyl group of 1 to 5 carbon atoms, Rf 102 and Rf 103 may be the same or different. nf 1 is an integer of 1 to 5, and Rf 101 is an organic group containing a fluorine atom. ]

式(f1−1)中、α位の炭素原子に結合したRは、前記と同様である。Rとしては、水素原子またはメチル基が好ましい。
式(f1−1)中、Rf102およびRf103のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。Rf102およびRf103の炭素数1〜5のアルキル基としては、上記Rの炭素数1〜5のアルキル基と同様のものが挙げられ、メチル基またはエチル基が好ましい。Rf102およびRf103の炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基として、具体的には、炭素数1〜5のアルキル基の水素原子の一部または全部が、ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。なかでもRf102およびRf103としては、水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜5のアルキル基が好ましく、水素原子、フッ素原子、メチル基、またはエチル基が好ましい。
式(f1−1)中、nfは1〜5の整数であり、1〜3の整数が好ましく、1又は2であることがより好ましい。
In formula (f1-1), R bonded to the carbon atom at the α position is the same as described above. As R, a hydrogen atom or a methyl group is preferable.
Wherein (f1-1), the halogen atom of Rf 102 and Rf 103, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, a fluorine atom is particularly preferred. Examples of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms of Rf 102 and Rf 103, the same alkyl group of 1 to 5 carbon atoms in the R, and a methyl group or an ethyl group is preferred. Specific examples of the halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms of Rf 102 and Rf 103 include groups in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms are substituted with a halogen atom. Be Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom, and a fluorine atom is particularly preferable. Among them, as Rf 102 and Rf 103 , a hydrogen atom, a fluorine atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, and a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group or an ethyl group is preferable.
In formula (f1-1), nf 1 is an integer of 1 to 5, preferably an integer of 1 to 3, and more preferably 1 or 2.

式(f1−1)中、Rf101は、フッ素原子を含む有機基であり、フッ素原子を含む炭化水素基であることが好ましい。
フッ素原子を含む炭化水素基としては、直鎖状、分岐鎖状または環状のいずれであってもよく、炭素数は1〜20であることが好ましく、炭素数1〜15であることがより好ましく、炭素数1〜10が特に好ましい。
また、フッ素原子を含む炭化水素基は、当該炭化水素基における水素原子の25%以上がフッ素化されていることが好ましく、50%以上がフッ素化されていることがより好ましく、60%以上がフッ素化されていることが、浸漬露光時のレジスト膜の疎水性が高まることから特に好ましい。
なかでも、Rf101としては、炭素数1〜5のフッ素化炭化水素基がより好ましく、トリフルオロメチル基、−CH−CF、−CH−CF−CF、−CH(CF、−CH−CH−CF、−CH−CH−CF−CF−CF−CFが特に好ましい。
In Formula (f1-1), Rf 101 is an organic group containing a fluorine atom, and is preferably a hydrocarbon group containing a fluorine atom.
The hydrocarbon group containing a fluorine atom may be linear, branched or cyclic, and preferably has 1 to 20 carbon atoms, and more preferably 1 to 15 carbon atoms. And 1 to 10 carbon atoms are particularly preferred.
Moreover, as for the hydrocarbon group containing a fluorine atom, it is preferable that 25% or more of the hydrogen atoms in the said hydrocarbon group are fluorinated, It is more preferable that 50% or more is fluorinated, 60% or more Fluorination is particularly preferable because the hydrophobicity of the resist film at the time of immersion exposure is increased.
Among them, a fluorinated hydrocarbon group having 1 to 5 carbon atoms is more preferable as Rf 101 , and a trifluoromethyl group, -CH 2 -CF 3 , -CH 2 -CF 2 -CF 3 , -CH (CF 3 ) 2, -CH 2 -CH 2 -CF 3, is -CH 2 -CH 2 -CF 2 -CF 2 -CF 2 -CF 3 particularly preferred.

(F)成分の質量平均分子量(Mw)(ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算基準)は、1000〜50000が好ましく、5000〜40000がより好ましく、10000〜30000が最も好ましい。この範囲の上限値以下であると、レジストとして用いるのにレジスト用溶剤への充分な溶解性があり、この範囲の下限値以上であると、耐ドライエッチング性やレジストパターン断面形状が良好である。
(F)成分の分散度(Mw/Mn)は、1.0〜5.0が好ましく、1.0〜3.0がより好ましく、1.2〜2.5が最も好ましい。
1000-50000 are preferable, as for the mass mean molecular weight (Mw) (the polystyrene conversion standard by gel permeation chromatography) of (F) component, 5000-40000 are more preferable, and 10000-30000 are the most preferable. When it is below the upper limit of this range, it has sufficient solubility in a solvent for resist to be used as a resist, and when it is above the lower limit of this range, its dry etching resistance and resist pattern cross-sectional shape are good. .
The dispersion degree (Mw / Mn) of the component (F) is preferably 1.0 to 5.0, more preferably 1.0 to 3.0, and most preferably 1.2 to 2.5.

(F)成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
レジスト組成物が(F)成分を含有する場合、(F)成分は、(A)成分100質量部に対して、通常、0.5〜10質量部の割合で用いられる。
As the component (F), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.
When the resist composition contains the component (F), the component (F) is usually used in a proportion of 0.5 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A).

本態様のレジスト組成物には、さらに所望により混和性のある添加剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤、染料などを適宜、添加含有させることができる。   In the resist composition of the present embodiment, additives which are optionally miscible, for example, an additional resin for improving the performance of the resist film, a dissolution inhibitor, a plasticizer, a stabilizer, a colorant, an antihalation agent, Dyes and the like can be appropriately added and contained.

[(S)成分:有機溶剤成分]
本態様のレジスト組成物は、レジスト材料を有機溶剤成分(以下「(S)成分」ということがある)に溶解させて製造することができる。
(S)成分としては、使用する各成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、従来、化学増幅型レジスト組成物の溶剤として公知のものの中から任意のものを適宜選択して用いることができる。
たとえば、γ−ブチロラクトン等のラクトン類;アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル−n−ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、2−ヘプタノンなどのケトン類;エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどの多価アルコール類;エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、またはジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類または前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテルまたはモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体[これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)が好ましい];ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル(EL)、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類;アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、シメン、メシチレン等の芳香族系有機溶剤、ジメチルスルホキシド(DMSO)等を挙げることができる。
(S)成分は単独で用いてもよく、2種以上の混合溶剤として用いてもよい。
なかでも、PGMEA、PGME、γ−ブチロラクトン、EL、シクロヘキサノンが好ましい。
また、PGMEAと極性溶剤とを混合した混合溶剤も好ましい。その配合比(質量比)は、PGMEAと極性溶剤との相溶性等を考慮して適宜決定すればよいが、好ましくは1:9〜9:1、より好ましくは2:8〜8:2の範囲内とすることが好ましい。
より具体的には、極性溶剤としてEL又はシクロヘキサノンを配合する場合は、PGMEA:EL又はシクロヘキサノンの質量比は、好ましくは1:9〜9:1、より好ましくは2:8〜8:2である。また、極性溶剤としてPGMEを配合する場合は、PGMEA:PGMEの質量比は、好ましくは1:9〜9:1、より好ましくは2:8〜8:2、さらに好ましくは3:7〜7:3である。さらに、PGMEAとPGMEとシクロヘキサノンとの混合溶剤も好ましい。
また、(S)成分として、その他には、PGMEA及びELの中から選ばれる少なくとも1種とγ−ブチロラクトンとの混合溶剤も好ましい。この場合、混合割合としては、前者と後者の質量比が好ましくは70:30〜95:5とされる。
(S)成分の使用量は、特に限定されず、基板等に塗布可能な濃度で、塗布膜厚に応じて適宜設定される。一般的にはレジスト組成物の固形分濃度が1〜20質量%、好ましくは2〜15質量%の範囲内となるように(S)成分は用いられる。
[(S) component: organic solvent component]
The resist composition of this embodiment can be produced by dissolving a resist material in an organic solvent component (hereinafter sometimes referred to as “(S) component”).
As the component (S), any component can be used as long as it can dissolve each component to be used to form a uniform solution, and any component can be appropriately selected from conventionally known solvents for chemically amplified resist compositions. It can be selected and used.
For example, lactones such as γ-butyrolactone; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, methyl-n-pentyl ketone, methyl isopentyl ketone, 2-heptanone, etc .; ethylene glycol, diethylene glycol, propylene glycol, dipropylene glycol and the like Compounds having an ester bond such as ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol monoacetate, propylene glycol monoacetate, or dipropylene glycol monoacetate, monomethyl ether of the polyhydric alcohol or the compound having the ester bond, monoethyl ether Ethers such as mono alkyl ethers such as ether, monopropyl ether and monobutyl ether or monophenyl ether Derivatives of polyhydric alcohols such as compounds having a complex [in these, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol monomethyl ether (PGME) are preferable]; cyclic ethers such as dioxane; methyl lactate Esters such as ethyl lactate (EL), methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl methoxypropionate and ethyl ethoxypropionate; anisole, ethyl benzyl ether, cresyl methyl ether, diphenyl ether Aromatic compounds such as dibenzyl ether, phenetole, butylphenyl ether, ethylbenzene, diethylbenzene, pentylbenzene, isopropylbenzene, toluene, xylene, cymene and mesitylene Solvents, dimethyl sulfoxide (DMSO) and the like can be mentioned.
The component (S) may be used alone or as a mixed solvent of two or more.
Among them, PGMEA, PGME, γ-butyrolactone, EL and cyclohexanone are preferable.
Moreover, the mixed solvent which mixed PGMEA and the polar solvent is also preferable. The compounding ratio (mass ratio) may be appropriately determined in consideration of the compatibility between PGMEA and the polar solvent, etc., but is preferably 1: 9 to 9: 1, more preferably 2: 8 to 8: 2. It is preferable to be in the range.
More specifically, in the case of blending EL or cyclohexanone as a polar solvent, the mass ratio of PGMEA: EL or cyclohexanone is preferably 1: 9 to 9: 1, more preferably 2: 8 to 8: 2. . Moreover, when mix | blending PGME as a polar solvent, the mass ratio of PGMEA: PGME becomes like this. Preferably 1: 9-9: 1, More preferably, 2: 8-8: 2, More preferably, 3: 7-7: It is three. Furthermore, mixed solvents of PGMEA, PGME and cyclohexanone are also preferable.
In addition, as the component (S), mixed solvents of at least one selected from PGMEA and EL and γ-butyrolactone are also preferable. In this case, the mass ratio of the former and the latter is preferably 70:30 to 95: 5 as the mixing ratio.
The amount of the component (S) to be used is not particularly limited, and is a concentration that can be applied to a substrate or the like, and is appropriately set according to the applied film thickness. In general, the (S) component is used so that the solid content concentration of the resist composition is in the range of 1 to 20% by mass, preferably 2 to 15% by mass.

以上説明した本発明のレジスト組成物は、特定の4種類の構成単位を有する高分子化合物(A1)を含有する。
具体的には、該(A1)成分は、異なるラクトン含有環式基を含む構成単位、すなわち、長い側鎖とその末端にラクトン含有多環式基とを有する構成単位(a0)、及び、ラクトン含有単環式基を含む構成単位(a2)を有する。加えて、該(A1)成分は、異なる酸分解性基を含む構成単位、すなわち、単環式基を含む基、又は鎖状の基を含む構成単位(a1)と、多環式基を含む基を含む構成単位(a1’)とを有する。さらに、これらの酸分解性基を含む構成単位は、該(A1)成分を構成する全構成単位の合計に対する構成単位(a1)の割合が、構成単位(a1’)の割合以上である。
かかる(A1)成分を含有するレジスト組成物を用いることにより、特定の4種類の構成単位の組み合わせによる効果、及び、構成単位(a1)と構成単位(a1’)との配合比率のバランス効果が発揮されることで、リソグラフィー特性に優れ、良好な形状のレジストパターンを形成できる。特に、これまで困難であった、パターン寸法の面内均一性(CDU)と焦点深度幅(DOF)特性との両立が図れる。
The resist composition of the present invention described above contains a polymer compound (A1) having four specific structural units.
Specifically, the component (A1) is a constituent unit containing different lactone-containing cyclic groups, that is, a constituent unit (a0) having a long side chain and a lactone-containing polycyclic group at its terminal, and a lactone It has a structural unit (a2) containing a containing monocyclic group. In addition, the component (A1) includes constituent units containing different acid-degradable groups, that is, a constituent unit containing a monocyclic group or a constituent unit (a1) containing a chain group, and a polycyclic group And a structural unit (a1 ′) containing a group. Furthermore, as for the constituent unit containing these acid-decomposable groups, the ratio of the constituent unit (a1) to the total of all constituent units constituting the component (A1) is not less than the proportion of the constituent unit (a1 ′).
By using the resist composition containing the component (A1), the effect of the combination of the four specific structural units and the balance effect of the mixing ratio of the structural unit (a1) to the structural unit (a1 ′) are obtained. By being exhibited, it is possible to form a resist pattern having excellent lithography characteristics and a good shape. In particular, it is possible to achieve both in-plane uniformity (CDU) of pattern dimensions and depth of focus (DOF) characteristics, which have been difficult until now.

≪レジストパターン形成方法≫
本発明の第二の態様のレジストパターン形成方法は、前記本発明の第一の態様のレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び、前記露光後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程を含む。
本態様のレジストパターン形成方法は、例えば以下のようにして行うことができる。
まず、支持体上に、前記第一の態様のレジスト組成物をスピンナーなどで塗布し、ベーク(ポストアプライベーク(PAB))処理を、たとえば80〜150℃の温度条件にて40〜120秒間、好ましくは60〜90秒間施してレジスト膜を形成する。
次に、該レジスト膜に対し、例えばArF露光装置、電子線描画装置、EUV露光装置等の露光装置を用いて、所定のパターンが形成されたマスク(マスクパターン)を介した露光、またはマスクパターンを介さない電子線の直接照射による描画等による選択的露光を行う。その後、ベーク(ポストエクスポージャーベーク(PEB))処理を、たとえば80〜150℃の温度条件にて40〜120秒間、好ましくは60〜90秒間施す。
次に、前記露光、ベーク(PEB)後のレジスト膜を現像処理する。現像処理は、アルカリ現像プロセスの場合は、アルカリ現像液を用い、溶剤現像プロセスの場合は、有機溶剤を含有する現像液(有機系現像液)を用いて行う。
本態様のレジストパターン形成方法において、有機系現像液を用いたネガ型現像によりパターニングしてレジストパターンを形成することで、より微細なパターン(孤立トレンチパターン、微細かつ密集したコンタクトホールパターン等)を形成しようとした際でも、高解像性のパターンが得られやすい。加えて、形成されるレジストパターンは、リソグラフィー特性に優れ、良好な形状であり、特に、パターン寸法の面内均一性(CDU)と焦点深度幅(DOF)特性との両立が図られやすい。
現像処理後、好ましくはリンス処理を行う。リンス処理は、アルカリ現像プロセスの場合は、純水を用いた水リンスが好ましく、溶剤現像プロセスの場合は、有機溶剤を含有するリンス液を用いることが好ましい。
溶剤現像プロセスの場合、現像処理又はリンス処理の後に、パターン上に付着している現像液又はリンス液を超臨界流体により除去する処理を行ってもよい。
現像処理後又はリンス処理後、乾燥を行う。また、場合によっては、上記現像処理後にベーク処理(ポストベーク)を行ってもよい。このようにして、レジストパターンを得ることができる。
«Method for forming resist pattern»
The method for forming a resist pattern according to the second aspect of the present invention comprises the steps of: forming a resist film on a support using the resist composition according to the first aspect of the present invention; exposing the resist film; The process of developing the resist film after the said exposure, and forming a resist pattern is included.
The resist pattern formation method of this aspect can be performed, for example, as follows.
First, the resist composition of the first aspect is applied onto a support by a spinner or the like, and baking (post applied bake (PAB)) treatment is carried out, for example, at a temperature condition of 80 to 150 ° C. for 40 to 120 seconds. Preferably, it is applied for 60 to 90 seconds to form a resist film.
Next, the resist film is exposed through a mask (mask pattern) on which a predetermined pattern is formed, using an exposure apparatus such as, for example, an ArF exposure apparatus, an electron beam writing apparatus, or an EUV exposure apparatus, or a mask pattern Selective exposure by drawing etc. by direct irradiation of the electron beam not through Thereafter, a baking (post-exposure baking (PEB)) treatment is performed, for example, at a temperature condition of 80 to 150 ° C. for 40 to 120 seconds, preferably 60 to 90 seconds.
Next, the resist film after the exposure and baking (PEB) is developed. The development processing is performed using an alkaline developer in the case of an alkali development process and using a developer (organic developer) containing an organic solvent in the case of a solvent development process.
In the method for forming a resist pattern according to this aspect, a finer pattern (isolated trench pattern, fine and dense contact hole pattern, etc.) is formed by forming a resist pattern by patterning by negative development using an organic developer. Even when forming, it is easy to obtain a pattern of high resolution. In addition, the resist pattern to be formed has excellent lithography properties and a good shape, and in particular, it is easy to achieve both in-plane uniformity (CDU) of pattern dimensions and depth of focus (DOF) characteristics.
After the development process, a rinse process is preferably performed. In the case of the alkali development process, water rinse using pure water is preferable, and in the case of the solvent development process, it is preferable to use a rinse solution containing an organic solvent.
In the case of the solvent development process, after the development process or rinse process, a process of removing the developer or rinse solution adhering on the pattern with a supercritical fluid may be performed.
After development processing or rinse processing, drying is performed. Further, in some cases, a bake treatment (post bake) may be performed after the development treatment. Thus, a resist pattern can be obtained.

支持体としては、特に限定されず、従来公知のものを用いることができ、例えば、電子部品用の基板や、これに所定の配線パターンが形成されたもの等を例示することができる。より具体的には、シリコンウェーハ、銅、クロム、鉄、アルミニウム等の金属製の基板や、ガラス基板等が挙げられる。配線パターンの材料としては、例えば銅、アルミニウム、ニッケル、金等が使用可能である。
また、支持体としては、上述のような基板上に、無機系及び/又は有機系の膜が設けられたものであってもよい。無機系の膜としては、無機反射防止膜(無機BARC)が挙げられる。有機系の膜としては、有機反射防止膜(有機BARC)や多層レジスト法における下層有機膜等の有機膜が挙げられる。
ここで、多層レジスト法とは、基板上に、少なくとも一層の有機膜(下層有機膜)と、少なくとも一層のレジスト膜(上層レジスト膜)とを設け、上層レジスト膜に形成したレジストパターンをマスクとして下層有機膜のパターニングを行う方法であり、高アスペクト比のパターンを形成できるとされている。すなわち、多層レジスト法によれば、下層有機膜により所要の厚みを確保できるため、レジスト膜を薄膜化でき、高アスペクト比の微細なパターン形成が可能となる。
多層レジスト法には、基本的に、上層レジスト膜と下層有機膜との二層構造とする方法(2層レジスト法)と、上層レジスト膜と下層有機膜との間に一層以上の中間層(金属薄膜等)を設けた三層以上の多層構造とする方法(3層レジスト法)と、に分けられる。
The support is not particularly limited, and conventionally known ones can be used, and examples thereof include a substrate for an electronic component, and a substrate on which a predetermined wiring pattern is formed. More specifically, a silicon wafer, a metal substrate such as copper, chromium, iron, aluminum or the like, a glass substrate, etc. may be mentioned. As a material of the wiring pattern, for example, copper, aluminum, nickel, gold or the like can be used.
In addition, as the support, an inorganic and / or organic film may be provided on the substrate as described above. Examples of inorganic films include inorganic antireflective films (inorganic BARCs). Examples of the organic film include organic films such as an organic antireflective film (organic BARC) and a lower organic film in a multilayer resist method.
Here, in the multilayer resist method, at least one organic film (lower organic film) and at least one resist film (upper resist film) are provided on a substrate, and a resist pattern formed on the upper resist film is used as a mask. It is a method of patterning the lower organic film, and is said to be able to form a pattern with a high aspect ratio. That is, according to the multilayer resist method, since the required thickness can be secured by the lower layer organic film, the resist film can be thinned, and a fine pattern having a high aspect ratio can be formed.
In the multilayer resist method, basically, a method of forming a two-layer structure of an upper resist film and a lower organic film (bilayer resist method), and one or more intermediate layers between the upper resist film and the lower organic film It is divided into the method (three-layer resist method) of forming a multilayer structure of three or more layers provided with a metal thin film etc.).

露光に用いる波長は、特に限定されず、ArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザー、Fエキシマレーザー、EUV(極紫外線)、VUV(真空紫外線)、EB(電子線)、X線、軟X線等の放射線を用いて行うことができる。本態様のレジストパターン形成方法は、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、EB又はEUV用としての有用性が高く、ArFエキシマレーザー、EBまたはEUV用として特に有用である。 The wavelength used for exposure is not particularly limited, and ArF excimer laser, KrF excimer laser, F 2 excimer laser, EUV (extreme ultraviolet), VUV (vacuum ultraviolet), EB (electron beam), X-ray, soft X-ray, etc. It can be done using radiation. The resist pattern forming method of the present embodiment is highly useful for KrF excimer laser, ArF excimer laser, EB or EUV, and particularly useful for ArF excimer laser, EB or EUV.

レジスト膜の露光方法は、空気や窒素等の不活性ガス中で行う通常の露光(ドライ露光)であってもよく、液浸露光(Liquid Immersion Lithography)であってもよい。
液浸露光は、予めレジスト膜と露光装置の最下位置のレンズ間を、空気の屈折率よりも大きい屈折率を有する溶媒(液浸媒体)で満たし、その状態で露光(浸漬露光)を行う露光方法である。
液浸媒体としては、空気の屈折率よりも大きく、かつ、露光されるレジスト膜の有する屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒が好ましい。かかる溶媒の屈折率としては、前記範囲内であれば特に制限されない。
空気の屈折率よりも大きく、かつ、前記レジスト膜の屈折率よりも小さい屈折率を有する溶媒としては、例えば、水、フッ素系不活性液体、シリコン系溶剤、炭化水素系溶剤等が挙げられる。
フッ素系不活性液体の具体例としては、CHCl、COCH、COC、C等のフッ素系化合物を主成分とする液体等が挙げられ、沸点が70〜180℃のものが好ましく、80〜160℃のものがより好ましい。フッ素系不活性液体が上記範囲の沸点を有するものであると、露光終了後に、液浸に用いた媒体の除去を、簡便な方法で行えることから好ましい。
フッ素系不活性液体としては、特に、アルキル基の水素原子が全てフッ素原子で置換されたパーフルオロアルキル化合物が好ましい。パーフルオロアルキル化合物としては、具体的には、パーフルオロアルキルエーテル化合物やパーフルオロアルキルアミン化合物を挙げることができる。
さらに、具体的には、前記パーフルオロアルキルエーテル化合物としては、パーフルオロ(2−ブチル−テトラヒドロフラン)(沸点102℃)を挙げることができ、前記パーフルオロアルキルアミン化合物としては、パーフルオロトリブチルアミン(沸点174℃)を挙げることができる。
液浸媒体としては、コスト、安全性、環境問題、汎用性等の観点から、水が好ましく用いられる。
The exposure method of the resist film may be a normal exposure (dry exposure) performed in an inert gas such as air or nitrogen, or may be a liquid immersion exposure (Liquid Immersion Lithography).
In immersion exposure, the space between the resist film and the lowermost lens of the exposure apparatus is previously filled with a solvent (immersion medium) having a refractive index larger than that of air, and exposure (immersion exposure) is performed in that state It is an exposure method.
As the immersion medium, a solvent having a refractive index which is larger than the refractive index of air and smaller than the refractive index of the resist film to be exposed is preferable. The refractive index of the solvent is not particularly limited as long as it is within the above range.
Examples of the solvent having a refractive index larger than the refractive index of air and smaller than the refractive index of the resist film include water, a fluorine-based inert liquid, a silicon-based solvent, a hydrocarbon-based solvent and the like.
Specific examples of the fluorine-based inert liquid include fluorine-based compounds such as C 3 HCl 2 F 5 , C 4 F 9 OCH 3 , C 4 F 9 OC 2 H 5 , and C 5 H 3 F 7 as main components. A liquid etc. are mentioned, The thing of 70-180 degreeC of boiling points is preferable, and the thing of 80-160 degreeC is more preferable. It is preferable that the fluorine-based inert liquid has a boiling point in the above range, since the medium used for immersion can be removed by a simple method after the completion of exposure.
As the fluorine-based inert liquid, particularly preferred is a perfluoroalkyl compound in which all hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with fluorine atoms. Specific examples of perfluoroalkyl compounds include perfluoroalkyl ether compounds and perfluoroalkylamine compounds.
Furthermore, specifically, as the perfluoroalkylether compound, perfluoro (2-butyl-tetrahydrofuran) (boiling point 102 ° C.) can be mentioned, and as the perfluoroalkylamine compound, perfluorotributylamine ( Boiling point 174 ° C.) can be mentioned.
Water is preferably used as the immersion medium from the viewpoints of cost, safety, environmental problems, versatility and the like.

アルカリ現像プロセスで現像処理に用いるアルカリ現像液としては、例えば0.1〜10質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液が挙げられる。
溶剤現像プロセスで現像処理に用いる有機系現像液が含有する有機溶剤としては、(A1)成分(露光前の(A1)成分)を溶解し得るものであればよく、公知の有機溶剤の中から適宜選択できる。具体的には、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、ニトリル系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤等の極性溶剤、炭化水素系溶剤等が挙げられる。
ケトン系溶剤は、構造中にC−C(=O)−Cを含む有機溶剤である。エステル系溶剤は、構造中にC−C(=O)−O−Cを含む有機溶剤である。アルコール系溶剤は、構造中にアルコール性水酸基を含む有機溶剤であり、「アルコール性水酸基」は、脂肪族炭化水素基の炭素原子に結合した水酸基を意味する。ニトリル系溶剤は、構造中にニトリル基を含む有機溶剤である。アミド系溶剤は、構造中にアミド基を含む有機溶剤である。エーテル系溶剤は、構造中にC−O−Cを含む有機溶剤である。
有機溶剤の中には、構造中に上記各溶剤を特徴づける官能基を複数種含む有機溶剤も存在するが、その場合は、当該有機溶剤が有する官能基を含むいずれの溶剤種にも該当するものとする。たとえば、ジエチレングリコールモノメチルエーテルは、上記分類中の、アルコール系溶剤、エーテル系溶剤のいずれにも該当するものとする。
炭化水素系溶剤は、ハロゲン化されていてもよい炭化水素からなり、ハロゲン原子以外の置換基を有さない炭化水素溶剤である。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
上記の中でも、有機系現像液が含有する有機溶剤は、極性溶剤が好ましく、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、ニトリル系溶剤等が好ましい。各溶剤の具体例を以下に示す。
As an alkali developing solution used for image development process by an alkali developing process, 0.1-10 mass% tetramethyl ammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution is mentioned, for example.
The organic solvent contained in the organic developer used for development in the solvent development process may be any solvent which can dissolve the component (A1) (component (A1) before exposure), and among known organic solvents It can be selected appropriately. Specifically, polar solvents such as ketone solvents, ester solvents, alcohol solvents, nitrile solvents, amide solvents, ether solvents, hydrocarbon solvents and the like can be mentioned.
The ketone solvent is an organic solvent containing C—C (= O) —C in the structure. An ester solvent is an organic solvent which contains C-C (= O) -O-C in a structure. The alcohol-based solvent is an organic solvent containing an alcoholic hydroxyl group in the structure, and the "alcoholic hydroxyl group" means a hydroxyl group bonded to a carbon atom of an aliphatic hydrocarbon group. The nitrile solvent is an organic solvent containing a nitrile group in the structure. An amide solvent is an organic solvent containing an amide group in the structure. The ether solvent is an organic solvent containing C—O—C in the structure.
Among organic solvents, an organic solvent containing a plurality of functional groups characterizing each of the above-mentioned solvents in the structure is also present, in which case it corresponds to any solvent type containing a functional group possessed by the organic solvent. It shall be. For example, diethylene glycol monomethyl ether corresponds to any of alcohol solvents and ether solvents in the above classification.
The hydrocarbon-based solvent is a hydrocarbon solvent composed of an optionally halogenated hydrocarbon and having no substituent other than a halogen atom. As a halogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom etc. are mentioned, A fluorine atom is preferable.
Among the above, the organic solvent contained in the organic developer is preferably a polar solvent, and is preferably a ketone solvent, an ester solvent, a nitrile solvent or the like. Specific examples of each solvent are shown below.

ケトン系溶剤としては、たとえば、1−オクタノン、2−オクタノン、1−ノナノン、2−ノナノン、アセトン、4−ヘプタノン、1−ヘキサノン、2−ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、アセトニルアセトン、イオノン、ジアセトニルアルコール、アセチルカービノール、アセトフェノン、メチルナフチルケトン、イソホロン、プロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、メチルアミルケトン(2−ヘプタノン)等が挙げられる。
ケトン系溶剤としては、メチルアミルケトン(2−ヘプタノン)が好ましい。
Examples of ketone solvents include 1-octanone, 2-octanone, 1-nonanone, 2-nonanone, acetone, 4-heptanone, 1-hexanone, 2-hexanone, diisobutyl ketone, cyclohexanone, methylcyclohexanone, phenylacetone, methyl ethyl ketone And methyl isobutyl ketone, acetylacetone, acetonylacetone, ionone, diacetonyl alcohol, acetylcarbinol, acetophenone, methylnaphthyl ketone, isophorone, propylene carbonate, γ-butyrolactone, methyl amyl ketone (2-heptanone) and the like.
As a ketone solvent, methyl amyl ketone (2-heptanone) is preferable.

エステル系溶剤としては、たとえば、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸アミル、酢酸イソアミル、メトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、2−メトキシブチルアセテート、3−メトキシブチルアセテート、4−メトキシブチルアセテート、3−メチル−3−メトキシブチルアセテート、3−エチル−3−メトキシブチルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、2−エトキシブチルアセテート、4−エトキシブチルアセテート、4−プロポキシブチルアセテート、2−メトキシペンチルアセテート、3−メトキシペンチルアセテート、4−メトキシペンチルアセテート、2−メチル−3−メトキシペンチルアセテート、3−メチル−3−メトキシペンチルアセテート、3−メチル−4−メトキシペンチルアセテート、4−メチル−4−メトキシペンチルアセテート、プロピレングリコールジアセテート、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル、炭酸エチル、炭酸プロピル、炭酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、ピルビン酸ブチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸プロピル、プロピオン酸イソプロピル、2−ヒドロキシプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、メチル−3−メトキシプロピオネート、エチル−3−メトキシプロピオネート、エチル−3−エトキシプロピオネート、プロピル−3−メトキシプロピオネート等が挙げられる。
エステル系溶剤としては、酢酸ブチルが好ましい。
As ester solvents, for example, methyl acetate, butyl acetate, ethyl acetate, isopropyl acetate, amyl acetate, isoamyl acetate, methoxyethyl acetate, ethyl ethoxyacetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol mono acid Propyl ether acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, ethylene glycol monophenyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monopropyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monophenyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether acetate, diethylene Recall monoethyl ether acetate, 2-methoxybutyl acetate, 3-methoxybutyl acetate, 4-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, 3-ethyl-3-methoxybutyl acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, Propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, 2-ethoxybutyl acetate, 4-ethoxybutyl acetate, 4-propoxybutyl acetate, 2-methoxypentyl acetate, 3-methoxypentyl acetate, 4-methoxypentyl acetate, 2-Methyl-3-methoxypentyl acetate, 3-methyl-3-methoxypentyl acetate, 3-methyl-4-methoxy Nthyl acetate, 4-methyl-4-methoxypentyl acetate, propylene glycol diacetate, methyl formate, ethyl formate, butyl formate, propyl formate, ethyl lactate, butyl lactate, butyl lactate, propyl lactate, ethyl carbonate, propyl carbonate, butyl carbonate, pyruvine Methyl acid, ethyl pyruvate, propyl pyruvate, butyl pyruvate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, methyl propionate, ethyl propionate, propyl propionate, isopropyl propionate, methyl 2-hydroxypropionate, 2-hydroxypropionate And ethyl acid, methyl 3-methoxy propionate, ethyl 3-methoxy propionate, ethyl 3-ethoxy propionate, propyl 3-methoxy propionate and the like.
As an ester solvent, butyl acetate is preferable.

ニトリル系溶剤としては、たとえば、アセトニトリル、プロピオ二トリル、バレロニトリル、ブチロ二トリル等が挙げられる。   Examples of nitrile solvents include acetonitrile, propionitrile, valeronitrile, butyronitryl and the like.

有機系現像液には、必要に応じて公知の添加剤を配合できる。該添加剤としては、たとえば界面活性剤が挙げられる。界面活性剤としては、特に限定されないが、たとえばイオン性や非イオン性のフッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤等を用いることができる。界面活性剤としては、非イオン性の界面活性剤が好ましく、フッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤がより好ましい。
界面活性剤を配合する場合、その配合量は、有機系現像液の全量に対して、通常0.001〜5質量%であり、0.005〜2質量%が好ましく、0.01〜0.5質量%がより好ましい。
Known additives can be blended into the organic developer as required. Examples of the additive include surfactants. The surfactant is not particularly limited, and for example, an ionic or non-ionic fluorine-based and / or silicon-based surfactant can be used. The surfactant is preferably a nonionic surfactant, more preferably a fluorine-based surfactant or a silicon-based surfactant.
When mix | blending surfactant, the compounding quantity is 0.001-5 mass% normally with respect to whole quantity of an organic type developing solution, 0.005-2 mass% is preferable, and 0.01-0. 5 mass% is more preferable.

現像処理は、公知の現像方法により実施することが可能であり、たとえば現像液中に支持体を一定時間浸漬する方法(ディップ法)、支持体表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止する方法(パドル法)、支持体表面に現像液を噴霧する方法(スプレー法)、一定速度で回転している支持体上に一定速度で現像液塗出ノズルをスキャンしながら現像液を塗出し続ける方法(ダイナミックディスペンス法)等が挙げられる。   The development processing can be carried out by a known development method, for example, a method of immersing the support in a developer for a fixed time (dip method), a developer is raised on the surface of the support by surface tension and rested for a fixed time Method (paddle method), method of spraying the developer on the surface of the support (spray method), coating the developer while scanning the developer coating nozzle at a constant speed on the support rotating at a constant speed The following method may be mentioned (dynamic dispensing method).

溶剤現像プロセスで現像処理後のリンス処理に用いるリンス液が含有する有機溶剤としては、たとえば前記有機系現像液に用いる有機溶剤として挙げた有機溶剤のうち、レジストパターンを溶解しにくいものを適宜選択して使用できる。通常、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤およびエーテル系溶剤から選択される少なくとも1種類の溶剤を使用する。これらのなかでも、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤及びアミド系溶剤から選択される少なくとも1種類が好ましく、アルコール系溶剤およびエステル系溶剤から選択される少なくとも1種類がより好ましく、アルコール系溶剤が特に好ましい。
リンス液に用いるアルコール系溶剤は、炭素数6〜8の1価アルコールが好ましく、該1価アルコールは直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。具体的には、1−ヘキサノール、1−ヘプタノール、1−オクタノール、2−ヘキサノール、2−ヘプタノール、2−オクタノール、3−ヘキサノール、3−ヘプタノール、3−オクタノール、4−オクタノール、ベンジルアルコール等が挙げられる。これらのなかでも、1−ヘキサノール、2−ヘプタノール、2−ヘキサノールが好ましく、1−ヘキサノール、2−ヘキサノールがより好ましい。
これらの有機溶剤は、いずれか1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。また、上記以外の有機溶剤や水と混合して用いてもよい。ただし、現像特性を考慮すると、リンス液中の水の配合量は、リンス液の全量に対し、30質量%以下が好ましく、10質量%以下がより好ましく、5質量%以下さらに好ましく、3質量%以下が特に好ましい。
リンス液には、必要に応じて公知の添加剤を配合できる。該添加剤としては、例えば界面活性剤が挙げられる。界面活性剤は、前記と同様のものが挙げられ、非イオン性の界面活性剤が好ましく、フッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤がより好ましい。
界面活性剤を配合する場合、その配合量は、リンス液の全量に対して、通常0.001〜5質量%であり、0.005〜2質量%が好ましく、0.01〜0.5質量%がより好ましい。
As the organic solvent contained in the rinse solution used for the rinse treatment after development processing in the solvent development process, for example, among the organic solvents listed as the organic solvent used for the organic developer, one that does not easily dissolve the resist pattern is appropriately selected Can be used. Usually, at least one solvent selected from hydrocarbon solvents, ketone solvents, ester solvents, alcohol solvents, amide solvents and ether solvents is used. Among these, at least one selected from hydrocarbon solvents, ketone solvents, ester solvents, alcohol solvents and amide solvents is preferable, and at least one selected from alcohol solvents and ester solvents is More preferred are alcohol solvents.
The alcohol solvent used for the rinse solution is preferably a monohydric alcohol having 6 to 8 carbon atoms, and the monohydric alcohol may be linear, branched or cyclic. Specifically, 1-hexanol, 1-heptanol, 1-octanol, 2-hexanol, 2-heptanol, 2-octanol, 3-hexanol, 3-heptanol, 3-octanol, 4-octanol, benzyl alcohol etc. Be Among these, 1-hexanol, 2-heptanol and 2-hexanol are preferable, and 1-hexanol and 2-hexanol are more preferable.
One of these organic solvents may be used alone, or two or more thereof may be mixed and used. Moreover, you may mix and use with the organic solvent and water other than the above. However, in consideration of the development characteristics, the blending amount of water in the rinse solution is preferably 30% by mass or less, more preferably 10% by mass or less, further preferably 5% by mass or less, and 3% by mass with respect to the total amount of rinse solution. The following are particularly preferred.
A well-known additive can be mix | blended with a rinse agent as needed. Examples of the additive include surfactants. Examples of the surfactant include the same as those described above, preferably a nonionic surfactant, and more preferably a fluorine-based surfactant or a silicon-based surfactant.
When mix | blending surfactant, the compounding quantity is normally 0.001-5 mass% with respect to the whole quantity of rinse solution, 0.005-2 mass% is preferable, and 0.01-0.5 mass is preferable. % Is more preferable.

リンス液を用いたリンス処理(洗浄処理)は、公知のリンス方法により実施できる。該方法としては、たとえば一定速度で回転している支持体上にリンス液を塗出し続ける方法(回転塗布法)、リンス液中に支持体を一定時間浸漬する方法(ディップ法)、支持体表面にリンス液を噴霧する方法(スプレー法)等が挙げられる。   The rinse process (washing process) using the rinse liquid can be implemented by the well-known rinse method. The method includes, for example, a method of continuously applying a rinse solution on a support rotating at a constant speed (rotation coating method), a method of immersing a support in a rinse solution for a certain time (dip method), a support surface And a method of spraying a rinse liquid (spray method).

以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。
尚、NMRによる分析において、13C−NMRの内部標準はテトラメチルシラン(TMS)である。
また、本実施例では、例えば、化学式(1)で表されるモノマーを「モノマー(1)」と表記し、他の化学式で表されるモノマーについても同様に記載する。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples, but the present invention is not limited by these examples.
In the analysis by NMR, the internal standard of 13 C-NMR is tetramethylsilane (TMS).
Further, in this example, for example, the monomer represented by the chemical formula (1) is described as “monomer (1)”, and the same applies to monomers represented by other chemical formulas.

<高分子化合物の製造>
(高分子化合物の製造例1)
温度計、還流管及び窒素導入管を繋いだセパラブルフラスコに、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PM)とメチルエチルケトン(MEK)との混合溶剤(PGMEA/MEK=50/50質量比)138.90gを入れ、80℃に加熱した。
別途、25.00g(146.9mmol)のモノマー(21)と、14.50g(47.02mmol)のモノマー(01)と、15.46g(46.52mmol)のモノマー(51)と、15.44g(55.86mmol)のモノマー(1’1)と、32.46g(165.36mmol)のモノマー(11)と、11.40g(48.24mmol)のモノマー(31)とを、混合溶剤(PGMEA/MEK=50/50質量比)140.82gに溶解し、さらに、重合開始剤としてアゾビスイソ酪酸ジメチル(V601)7.16g(31.10mmol)と、トリエチルアミン0.0464g(モノマー(51)に対して3000ppm(質量基準))とを添加し溶解させた。
かかるモノマー混合溶液を、窒素雰囲気下、4時間かけて前記の80℃に加熱した混合溶剤に滴下した。滴下終了後、反応液を2時間加熱攪拌し、その後、反応液を室温まで冷却した。
得られた反応重合液を、大量のヘプタン/酢酸エチルに滴下して重合体を析出させる操作を行い、沈殿した白色粉体を、大量のヘプタン/酢酸エチルにて洗浄、乾燥して、目的物である高分子化合物A−2を92.3g(収率80.8%)得た。
この高分子化合物A−2について、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の質量平均分子量(Mw)は8200であり、分子量分散度(Mw/Mn)は1.75であった。また、カーボン13核磁気共鳴スペクトル(600MHz_13C−NMR)により求められた共重合組成比(高分子化合物中の各構成単位の割合(モル比))は、l/m/n/o/p/q=3/1/1/1/3/1であった。
<Manufacture of polymer compound>
(Production Example 1 of Polymer Compound)
In a separable flask connected to a thermometer, a reflux tube and a nitrogen inlet tube, put 138.90 g of a mixed solvent of propylene glycol monomethyl ether acetate (PM) and methyl ethyl ketone (MEK) (PGMEA / MEK = 50/50 mass ratio) It was heated to 80.degree.
Separately, 25.00 g (146.9 mmol) of the monomer (21), 14.50 g (47.02 mmol) of the monomer (01), 15.46 g (46.52 mmol) of the monomer (51), 15.44 g (55.86 mmol) of monomer (1′1), 32.46 g (165.36 mmol) of monomer (11) and 11.40 g (48.24 mmol) of monomer (31) are mixed solvent (PGMEA / It dissolves in 140.82 g of MEK = 50/50 mass ratio), and further, 7.16 g (31.10 mmol) of dimethyl azobisisobutyrate (V601) as a polymerization initiator and 3000 ppm with respect to 0.0464 g of triethylamine (monomer (51) (By mass) were added and dissolved.
The monomer mixed solution was dropped into the mixed solvent heated to 80 ° C. in a nitrogen atmosphere over 4 hours. After completion of the dropwise addition, the reaction solution was heated and stirred for 2 hours, and then the reaction solution was cooled to room temperature.
The resulting reaction polymerization solution is dropped into a large amount of heptane / ethyl acetate to precipitate a polymer, and the precipitated white powder is washed with a large amount of heptane / ethyl acetate and dried to obtain the desired product. 92.3g (yield 80.8%) of high molecular compound A-2 which is is obtained.
The weight average molecular weight (Mw) of standard polystyrene conversion calculated | required by GPC measurement about this high molecular compound A-2 was 8200, and molecular weight dispersion degree (Mw / Mn) was 1.75. In addition, the copolymerization composition ratio (ratio of each structural unit in the polymer compound (molar ratio)) determined by carbon 13 nuclear magnetic resonance spectrum (600 MHz 13 C-NMR) is 1 / m / n / o / p It was / q = 3/1/1/1/1/3.

Figure 0006515140
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(高分子化合物の製造例2〜23)
高分子化合物A−1、A−3〜A−23は、各高分子化合物を構成する構成単位を提供する下記モノマーを、所定のモル比でそれぞれ用いた以外は、上記製造例1と同様にして製造した。
得られた高分子化合物A−1、A−3〜A−23について、13C−NMRにより求められた該高分子化合物の共重合組成比(高分子化合物中の各構成単位の割合(モル比))、GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の質量平均分子量(Mw)及び分子量分散度(Mw/Mn)を表1に併記した。
(Production Examples 2 to 23 of Polymer Compound)
The polymer compounds A-1 and A-3 to A-23 were prepared in the same manner as in Production Example 1 except that the following monomers providing the constituent units constituting each polymer compound were used at a predetermined molar ratio. Manufactured.
Copolymer composition ratio (ratio of constituent units in polymer compound (molar ratio) of the obtained polymer compounds A-1 and A-3 to A-23 determined by 13 C-NMR for the polymer compounds ), Standard polystyrene equivalent mass average molecular weight (Mw) and molecular weight dispersion degree (Mw / Mn) determined by GPC measurement are also shown in Table 1.

Figure 0006515140
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<レジスト組成物の調製>
(実施例1〜14、比較例1〜9>
表2に示す各成分を混合して溶解することにより各例のレジスト組成物を調製した。ただし、実施例3、実施例5、実施例8、実施例13、実施例14は参考例である。
<Preparation of Resist Composition>
(Examples 1 to 14, Comparative Examples 1 to 9>
The resist composition of each example was prepared by mixing and dissolving the components shown in Table 2. However, Example 3, Example 5, Example 8, Example 13, and Example 14 are reference examples.

Figure 0006515140
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表2中、各略号はそれぞれ以下の意味を有する。[ ]内の数値は配合量(質量部)である。
(A)−1〜(A)−23:上記の高分子化合物A−1〜A−23。
(B)−1:下記化学式(B)−1で表される化合物からなる酸発生剤。
(B)−2:下記化学式(B)−2で表される化合物からなる酸発生剤。
(D)−1:下記化学式(D)−1で表される化合物からなる酸拡散制御剤。
(E)−1:サリチル酸。
(F)−1:下記化学式(F)−1で表される含フッ素高分子化合物。GPC測定により求めた標準ポリスチレン換算の質量平均分子量(Mw)は23100、分子量分散度(Mw/Mn)は1.78。13C−NMRにより求められた共重合組成比(構造式中の各構成単位の割合(モル比))はl/m=77/23。
(S)−1:γ−ブチロラクトン。
(S)−2:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート。
(S)−3:プロピレングリコールモノメチルエーテル。
(S)−4:シクロヘキサノン。
Each abbreviation in Table 2 has the following meaning. The numerical values in [] are compounding amounts (parts by mass).
(A) -1 to (A) -23: the above-mentioned polymer compounds A-1 to A-23.
(B) -1: An acid generator comprising a compound represented by the following chemical formula (B) -1.
(B) -2: an acid generator comprising a compound represented by the following chemical formula (B) -2.
(D) -1: An acid diffusion control agent comprising a compound represented by the following chemical formula (D) -1.
(E) -1: salicylic acid.
(F) -1: a fluorine-containing polymer represented by the following chemical formula (F) -1. The weight average molecular weight (Mw) of standard polystyrene conversion determined by GPC measurement is 23100, and the molecular weight distribution (Mw / Mn) is 1.78. The copolymer composition ratio (the ratio (molar ratio) of each structural unit in the structural formula) determined by 13 C-NMR is l / m = 77/23.
(S) -1: γ-butyrolactone.
(S) -2: propylene glycol monomethyl ether acetate.
(S) -3: propylene glycol monomethyl ether.
(S) -4: cyclohexanone.

Figure 0006515140
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<レジストパターンの形成>
12インチのシリコンウェーハ上に、膜厚150nmの有機系反射防止膜を形成し、次いで、該有機系反射防止膜上に、膜厚35nmの無機系反射防止膜を積層した。
該無機系反射防止膜上に、各例のレジスト組成物を、スピンナーを用いてそれぞれ塗布し、ホットプレート上で、105℃で60秒間のプレベーク(PAB)処理を行い、乾燥することにより、膜厚100nmのレジスト膜を形成した。
次に、該レジスト膜に対し、液浸用ArF露光装置NSR−S609B[Nikon社製;NA(開口数)=1.07,Annular(0.97/0.78)with Y−Polarization,液浸媒体:水]により、フォトマスク(6%ハーフトーン)を介して、ArFエキシマレーザー(193nm)を選択的に照射した。
その後、85℃で60秒間の露光後加熱(PEB)処理を行った。
次いで、23℃にて、酢酸ブチルで13秒間の溶剤現像を施し、振り切り乾燥を行った。
その結果、いずれの例においても、直径55nmのホールが等間隔(ピッチ110nm)に配置されたコンタクトホールパターン(以下「CHパターン」という。)が形成された。
<Formation of resist pattern>
An organic antireflective film having a thickness of 150 nm was formed on a 12-inch silicon wafer, and then an inorganic antireflective film having a thickness of 35 nm was laminated on the organic antireflective film.
The resist composition of each example is applied onto the inorganic antireflective film using a spinner, prebaked (PAB) at 60 ° C. for 60 seconds on a hot plate, and dried. A 100 nm thick resist film was formed.
Next, for the resist film, an immersion ArF exposure apparatus NSR-S609B [manufactured by Nikon; NA (numerical aperture) = 1.07, Annular (0.97 / 0.78) with Y-Polarization, immersion] Medium: Water] was selectively applied to the ArF excimer laser (193 nm) through a photomask (6% halftone).
Thereafter, a post exposure bake (PEB) process was performed at 85 ° C. for 60 seconds.
Subsequently, solvent development was performed for 13 seconds with butyl acetate at 23 ° C., and shake-off and drying were performed.
As a result, in any of the examples, contact hole patterns (hereinafter referred to as "CH patterns") were formed in which holes of 55 nm in diameter were arranged at equal intervals (pitch 110 nm).

[パターン寸法の面内均一性(CDU)の評価]
上記CHパターン中の100個のホールを、測長SEM(走査型電子顕微鏡、加速電圧300V、商品名:S−9380、日立ハイテクノロジーズ社製)により、CHパターン上空から観察し、各ホールのホール直径(nm)を測定した。そして、その測定結果から算出した標準偏差(σ)の3倍値(3σ)を求めた。その結果を「CDU(nm)」として表3に示す。
このようにして求められる3σは、その値が小さいほど、該レジスト膜に形成された複数のホールの寸法(CD)均一性が高いことを意味する。
[Evaluation of in-plane uniformity (CDU) of pattern dimensions]
The 100 holes in the above CH pattern are observed from the sky above the CH pattern by a length measurement SEM (scanning electron microscope, accelerating voltage 300 V, trade name: S-9380, manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation), and each hole is The diameter (nm) was measured. Then, a triple value (3σ) of the standard deviation (σ) calculated from the measurement result was determined. The results are shown in Table 3 as "CDU (nm)".
The smaller the value of 3σ determined in this manner, the higher the uniformity (CD) uniformity of the plurality of holes formed in the resist film.

[最小寸法値の評価]
露光量(mJ/cm)と焦点を適宜変化させてCHパターンを形成した際、解像したCHパターンの最小の寸法を、測長SEM(走査型電子顕微鏡、加速電圧300V、商品名:S−9380、日立ハイテクノロジーズ社製)を用いて求めた。その結果を「Min Hole(nm)」として表3に示す。
[Evaluation of the minimum dimension value]
When the CH pattern is formed by appropriately changing the exposure amount (mJ / cm 2 ) and the focal point, the smallest dimension of the resolved CH pattern is measured by a length measurement SEM (scanning electron microscope, acceleration voltage 300 V, trade name: S -9380, manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation). The results are shown in Table 3 as "Min Hole (nm)".

[焦点深度幅(DOF)の評価]
上記<レジストパターンの形成>においてCHパターンが形成される最適露光量(Eop(mJ/cm))で、焦点を適宜上下にずらして前記<レジストパターンの形成>と同様にしてCHパターンを形成した。このとき、該CHパターンがターゲット寸法±5%(すなわち52.25〜57.75nm)の寸法変化率の範囲内で形成できる焦点深度幅(DOF、単位:μm)を求めた。その結果を表3に示す。
[Evaluation of depth of focus (DOF)]
At the optimum exposure dose (Eop (mJ / cm 2 )) at which the CH pattern is formed in the above <Formation of a resist pattern>, the focal point is shifted up and down appropriately to form a CH pattern in the same manner as the above <Formation of a resist pattern> did. At this time, the depth of focus (DOF, unit: μm) that the CH pattern can form within the dimensional change rate range of target dimension ± 5% (that is, 52.25 to 57.75 nm) was determined. The results are shown in Table 3.

[マスク再現性の評価]
前記Eop(mJ/cm)にて、ターゲットサイズが異なるフォトマスクを使用した以外は前記<レジストパターンの形成>と同様にしてCHパターンを形成した。このとき、フォトマスクのターゲットサイズは、ピッチを110nmに固定したまま、ホール直径を55nm±5nmの範囲内で1nm刻み、で変化させた。
形成された計11点のCHパターンの、各ホールのホール直径(nm)を縦軸、ターゲットサイズのホール直径(nm)を横軸としてプロットした。このときの直線の傾きを「MEEF」として算出した。その結果を表3に示す。
MEEFは、その値が1に近いほど、マスク再現性が良好であることを意味する。
[Evaluation of mask reproducibility]
In Eop (mJ / cm 2 ), a CH pattern was formed in the same manner as in <Formation of Resist Pattern> except that photomasks with different target sizes were used. At this time, while the pitch was fixed at 110 nm, the hole diameter was changed in 1 nm steps within the range of 55 nm ± 5 nm, with the target size of the photomask fixed.
The hole diameter (nm) of each hole of the total of 11 CH patterns formed was plotted on the vertical axis, and the hole diameter (nm) on the target size was plotted on the horizontal axis. The slope of the straight line at this time was calculated as "MEEF". The results are shown in Table 3.
MEEF means that the closer the value is to 1, the better the mask reproducibility.

[パターン高さの評価]
前記<レジストパターンの形成>によって形成されたCHパターンの高さ(nm)を、ウェーハ形状/特性測定装置(商品名:SCD−XT、KLAテンコール社製)を用いて測定した。その結果を表3に示す。
[Evaluation of pattern height]
The height (nm) of the CH pattern formed by the above <Formation of Resist Pattern> was measured using a wafer shape / characteristic measurement apparatus (trade name: SCD-XT, manufactured by KLA Tencor Corporation). The results are shown in Table 3.

Figure 0006515140
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表3に示す評価結果から、本発明を適用した実施例1〜12のレジスト組成物を用いて形成されたレジストパターンは、本発明の範囲外の比較例1〜6のレジスト組成物を用いて形成されたレジストパターンに比べて、リソグラフィー特性に優れ、良好な形状であることが確認できる。また、本発明を適用した実施例13〜14のレジスト組成物を用いて形成されたレジストパターンは、本発明の範囲外の比較例7〜9のレジスト組成物を用いて形成されたレジストパターンに比べて、リソグラフィー特性に優れ、良好な形状であることが確認できる。
加えて、実施例1〜14のレジスト組成物を用いて形成されたレジストパターンは、パターン寸法の面内均一性(CDU)及び焦点深度幅(DOF)特性の両方とも優れていることが分かる。
From the evaluation results shown in Table 3, the resist patterns formed using the resist compositions of Examples 1 to 12 to which the present invention is applied use the resist compositions of Comparative Examples 1 to 6 outside the scope of the present invention. It can be confirmed that the lithography characteristics are excellent and the shape is good compared to the formed resist pattern. Moreover, the resist pattern formed using the resist composition of Examples 13-14 to which this invention is applied is a resist pattern formed using the resist composition of Comparative Examples 7-9 besides the range of this invention. In comparison, it can be confirmed that the lithography properties are excellent and the shape is good.
In addition, it can be seen that resist patterns formed using the resist compositions of Examples 1 to 14 are excellent in both in-plane uniformity (CDU) of pattern dimension and depth of focus (DOF) characteristics.

Claims (4)

露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、
下記一般式(a0−1)で表される構成単位(a0)と、
酸の作用により極性が増大する酸分解性基のうち、単環式基を含む基、又は鎖状のみからなる基を含む構成単位(a1)と、
酸の作用により極性が増大する酸分解性基のうち、多環式基を含む基を含む構成単位(a1’)と、
ラクトン含有単環式基を含む構成単位(a2)と、
−SO−含有環式基を含む構成単位(a5)と、
を有する高分子化合物(A1)を含有し、
前記構成単位(a1’)は、酸の作用により分解してカルボキシ基を生じる酸分解性基を含み、前記酸分解性基は、カルボキシ基が下記一般式(a1−r2−2)で表される酸解離性基で保護された基であり、
該高分子化合物(A1)を構成する全構成単位の合計に対する前記構成単位(a1)の割合が、前記構成単位(a1’)の割合以上であることを特徴とするレジスト組成物。
Figure 0006515140
[式中、Rは水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基である。Rはラクトン含有多環式基である。R及びRはそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1〜5のアルキル基である。Lはエステル結合である。nは1〜3の整数である。]
Figure 0006515140
[式中、Ra’12及びRa’14はそれぞれ独立に炭素数1〜10のアルキル基である。Ra’13は多環式の脂肪族炭化水素基である。]
A resist composition which generates an acid upon exposure and whose solubility in a developer changes by the action of the acid,
The structural unit (a0) represented by the following general formula (a0-1),
Among the acid-degradable groups whose polarity is increased by the action of an acid, a structural unit (a1) containing a group containing a monocyclic group or a group consisting of only a chain;
Among the acid-degradable groups whose polarity is increased by the action of an acid, a constituent unit (a1 ′) containing a group containing a polycyclic group,
A structural unit (a2) containing a lactone-containing monocyclic group,
A structural unit (a5) containing a —SO 2 -containing cyclic group,
Containing a polymer compound (A1) having
The structural unit (a1 ′) contains an acid decomposable group which is decomposed by the action of an acid to generate a carboxy group, and the acid decomposable group is represented by the following general formula (a1-r2-2). Group which is protected by an acid dissociable group,
A resist composition wherein the ratio of the structural unit (a1) to the total of all the structural units constituting the polymer compound (A1) is equal to or more than the ratio of the structural unit (a1 ′).
Figure 0006515140
[In formula, R is a hydrogen atom, a C1-C5 alkyl group, or a C1-C5 halogenated alkyl group. R 1 is a lactone-containing polycyclic group. R 2 and R 3 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. L 1 is an ester bond. n 1 is an integer of 1 to 3; ]
Figure 0006515140
Wherein, Ra '12 and Ra' 14 are each independently an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. Ra '13 is a polycyclic aliphatic hydrocarbon group. ]
前記高分子化合物(A1)を構成する全構成単位の合計に対する前記構成単位(a2)の割合が、前記構成単位(a0)の割合よりも高い、請求項1記載のレジスト組成物。   The resist composition according to claim 1, wherein the ratio of the structural unit (a2) to the total of all the structural units constituting the polymer compound (A1) is higher than the ratio of the structural unit (a0). 請求項1又は2記載のレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び、前記露光後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程、を含むレジストパターン形成方法。   A step of forming a resist film on a support using the resist composition according to claim 1, a step of exposing the resist film, and a step of developing a resist film after the exposure to form a resist pattern And a method of forming a resist pattern. 前記露光後のレジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程が、有機溶剤を含有する現像液を用いたネガ型現像によりパターニングしてレジストパターンを形成する工程である、請求項3記載のレジストパターン形成方法。   4. The resist according to claim 3, wherein the step of developing the resist film after the exposure to form a resist pattern is a step of forming a resist pattern by patterning by negative development using a developer containing an organic solvent. Pattern formation method.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US8568964B2 (en) * 2009-04-27 2013-10-29 Tokyo Electron Limited Flood exposure process for dual tone development in lithographic applications
JP5783687B2 (en) * 2009-06-23 2015-09-24 住友化学株式会社 Resin and resist composition
JP2011085812A (en) * 2009-10-16 2011-04-28 Sumitomo Chemical Co Ltd Resist composition and pattern forming method
JP5639795B2 (en) * 2010-02-18 2014-12-10 東京応化工業株式会社 Resist pattern forming method
IL213195A0 (en) * 2010-05-31 2011-07-31 Rohm & Haas Elect Mat Photoresist compositions and emthods of forming photolithographic patterns
JP5767919B2 (en) * 2010-09-17 2015-08-26 富士フイルム株式会社 Pattern formation method
JP5353943B2 (en) * 2011-04-28 2013-11-27 信越化学工業株式会社 Pattern formation method
JP5900066B2 (en) * 2011-08-18 2016-04-06 Jsr株式会社 Resist pattern forming method
TWI477483B (en) * 2011-10-17 2015-03-21 Jsr Corp Sense of radiation linear resin composition

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