JP6507828B2 - Optical member and light emitting device - Google Patents

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Description

本開示は、学部材及び発光装置に関する。 The present disclosure relates to an optical Faculty material and a light-emitting device.

近年の灯具や照明装置は、その光源として消費電力が少なく長寿命の発光ダイオードを用いたものが多くなってきている。特殊用途においても、発光ダイオードでの高輝度街路灯、高所室内灯など多くの照明装置の普及が急速に進んでいる。また、半導体レーザ装置を用いた照明装置も今後普及する可能性が出てきているのが現状である。   In recent years, many lamps and lighting devices use a light emitting diode which consumes less power and has a long life as a light source. Also in special applications, many lighting devices such as high-brightness street lights with light emitting diodes and high-altitude room lights are rapidly spreading. Further, at present, there is a possibility that a lighting apparatus using a semiconductor laser apparatus will be widely used in the future.

レーザ光を光源とした発光装置を照明装置として用いる場合、コヒーレントな光であるレーザ光を蛍光体等の波長変換部に当てて照明用の光に換える必要がある。ここで、レーザ光を当てた波長変換部から得られる光は、ランバーシアン配光となる。ランバーシアン配光の光を、照明用に適した鋭角や鈍角などの所望の指向特性に制御する上で反射板やレンズが必要とされている。従来、半導体レーザ装置を用いた照明装置では、反射板を使って配光制御を行うことが提案されている(特許文献1参照)。   When a light emitting device using a laser beam as a light source is used as a lighting device, it is necessary to irradiate the laser beam, which is coherent light, to a wavelength conversion unit such as a phosphor to convert it into light for illumination. Here, the light obtained from the wavelength conversion unit to which the laser light is applied is a Lambertian light distribution. In order to control the light of the Lambertian light distribution to a desired directional characteristic such as an acute angle or an obtuse angle suitable for illumination, a reflector or a lens is required. Conventionally, in an illumination device using a semiconductor laser device, it has been proposed to perform light distribution control using a reflector (see Patent Document 1).

特開2012−084276号公報JP 2012-084276 A

特許文献1のように集光のために反射板を用いると装置が大型になる。一方で、光源として発光ダイオードを用いたLED照明では、レンズ等の透光性部材が配光制御に用いられている。このような透光性部材は、例えば発光ダイオードと一体成形で製造されるため、屈折面も加工し易いという利点がある。そこで、半導体レーザ装置を用いた照明用途の発光装置においてもLED照明同様に透光性部材を使って配光制御を行うことが望まれている。   If a reflecting plate is used for focusing as in Patent Document 1, the apparatus becomes large. On the other hand, in LED illumination using a light emitting diode as a light source, a translucent member such as a lens is used for light distribution control. Such a translucent member is manufactured, for example, by integral molding with a light emitting diode, and thus has an advantage that it is easy to process a refracting surface. Therefore, it is desirable that light distribution control be performed using a translucent member as in the case of LED lighting also in a light emitting device for lighting application using a semiconductor laser device.

しかしながら、レーザ光の経路を確保するために、レンズ等のバルク状の透光性部材を波長変換部から離して配置すると、レーザ光を当てた波長変換部から得られる光を効率よく集めるために透光性部材を大型化せざるをえない。   However, if bulk light transmitting members such as lenses are disposed apart from the wavelength conversion unit in order to secure the path of the laser light, in order to efficiently collect the light obtained from the wavelength conversion unit to which the laser light is applied. There is no choice but to increase the size of the translucent member.

本開示は、前記した問題点に鑑みてなされたものであり、小型で、かつ、光源に用いられるレーザ光の経路において障害物にならない構成を有する学部材及び発光装置を提供する。 The present disclosure has been made in view of the problems above mentioned, small size, and provides an optical undergraduate material and a light-emitting device having a structure which does not obstruct the laser beam path used for the light source.

本開示の実施形態に係る透光性部材は、半導体レーザ装置からのレーザ光を通過させるレーザ光通路と、前記レーザ光通路を通過して波長変換部で前記レーザ光を波長変換した光を入射する入射面と、前記入射面に入射した光を集光して略平行光として出射する出射面と、を備える透光性部材であって、前記レーザ光通路は溝又は孔からなり、前記波長変換部からの光の光軸に対して傾斜するように形成されてなる。   A light transmitting member according to an embodiment of the present disclosure receives a laser beam passage for passing a laser beam from a semiconductor laser device and light obtained by wavelength-converting the laser beam by a wavelength conversion unit through the laser beam passage. A light transmitting member comprising: a light incident surface for emitting light and a light emitting surface for collecting light incident on the light incident surface and emitting the light as substantially parallel light, and the laser light passage is formed of a groove or a hole; It forms so that it may incline with respect to the optical axis of the light from a conversion part.

また、本開示の実施形態に係る光学部材は、前記透光性部材と、前記透光性部材の入射面に対向して設置された前記波長変換部と、を備える。   Moreover, the optical member which concerns on embodiment of this indication is equipped with the said translucent member and the said wavelength conversion part installed facing the entrance plane of the said translucent member.

また、本開示の実施形態に係る発光装置は、前記光学部材と、前記レーザ光通路から前記波長変換部にレーザ光を照射する位置に設置された半導体レーザ装置と、を備える。   A light emitting device according to an embodiment of the present disclosure includes the optical member, and a semiconductor laser device installed at a position where the wavelength conversion unit is irradiated with a laser beam from the laser beam path.

本開示の実施形態に係る透光性部材によれば、小型、かつ、発光装置の光源に用いられるレーザ光の経路において障害物にならない構成を有する。これにより、この透光性部材と波長変換部と、を備える光学部材も小型化される。そのため、この光学部材を用いて当該経路を介してレーザ光を照射された波長変換部からの拡散光を配光制御する小型の発光装置を提供することができる。   The translucent member according to the embodiment of the present disclosure has a configuration that is compact and does not become an obstacle in the path of the laser light used for the light source of the light emitting device. Accordingly, the optical member including the light transmitting member and the wavelength conversion unit is also miniaturized. Therefore, it is possible to provide a small-sized light emitting device that performs light distribution control of the diffused light from the wavelength conversion unit irradiated with the laser light through the path using the optical member.

第1実施形態に係る発光装置の概略を示す構成図である。It is a block diagram which shows the outline of the light-emitting device concerning 1st Embodiment. 図1の発光装置の光源体部の概略を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the outline of the light source body part of the light-emitting device of FIG. 図1の発光装置の受光部の概略を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the outline of the light-receiving part of the light-emitting device of FIG. 第1実施形態に係る透光性部材の概略を示す斜視図である。It is a perspective view showing an outline of a translucent member concerning a 1st embodiment. 図4の透光性部材の一部断面を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the partial cross section of the translucent member of FIG. 図1の光学部材の概略を示す図であり、レーザ光で励起された光の光路の説明図である。It is a figure which shows the outline of the optical member of FIG. 1, and is explanatory drawing of the optical path of the light excited by the laser beam. 第2実施形態に係る発光装置の概略を示す構成図である。It is a block diagram which shows the outline of the light-emitting device which concerns on 2nd Embodiment. 第2実施形態に係る透光性部材の概略を示す斜視図である。It is a perspective view showing an outline of a translucent member concerning a 2nd embodiment. 第3実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、光学部材と半導体レーザ装置を示す斜視図である。It is a figure which shows the outline of the light-emitting device based on 3rd Embodiment, and is a perspective view which shows an optical member and a semiconductor laser apparatus. 第3実施形態に係る透光性部材の概略を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the outline of the translucent member which concerns on 3rd Embodiment. 図10の透光性部材のレーザ光通路を含む断面図である。It is sectional drawing containing the laser beam path of the translucent member of FIG. 図10の透光性部材をレーザ光通路の一端側から見た図である。It is the figure which looked at the translucent member of FIG. 10 from the one end side of a laser beam path.

実施形態を、以下に図面を参照しながら説明する。但し、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具現化するための透光性部材、光学部材及び発光装置を例示するものであって、以下に限定するものではない。また、実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限り、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる例示に過ぎない。尚、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするために誇張していることがある。   Embodiments are described below with reference to the drawings. However, the form shown below illustrates the translucent member, the optical member, and the light-emitting device for embodying the technical thought of this invention, and is not limited to the following. Further, the dimensions, materials, shapes, relative arrangements and the like of the component parts described in the embodiments are not intended to limit the scope of the present invention to only the specific ones unless specifically described, and are merely illustrative. It is only Note that the sizes, positional relationships, etc. of members shown in each drawing may be exaggerated for the sake of clarity.

(第1実施形態)
図1に示すように、発光装置100は、ある筺体内に、透光性部材110と、光源体部120と、受光部130と、を備えている。
光源体部120は、筺体に固定され、主として半導体レーザ装置122と放熱構造体123とを組み合わせて構成されたレーザ光源である。光源体部120からのレーザ光Bの照射方向と、発光装置100の発光方向とのなす角は、所定の鋭角で配置されている。また、受光部130は、筺体内で光源体部120から所定間隔を空けて設置されている。そして、受光部130は、蛍光体プレート131に透光性部材110が設けられている。光学部材101は、この透光性部材110と蛍光体プレート131とを備えている。
First Embodiment
As shown in FIG. 1, the light emitting device 100 includes a translucent member 110, a light source body portion 120, and a light receiving portion 130 in a certain casing.
The light source unit 120 is a laser light source fixed to a housing and mainly configured by combining the semiconductor laser device 122 and the heat dissipation structure 123. The angle between the irradiation direction of the laser light B from the light source unit 120 and the light emission direction of the light emitting device 100 is arranged at a predetermined acute angle. In addition, the light receiving unit 130 is installed at a predetermined distance from the light source unit 120 in the housing. In the light receiving unit 130, the light transmitting member 110 is provided on the phosphor plate 131. The optical member 101 includes the light transmitting member 110 and the phosphor plate 131.

以下、発光装置100の各構成について説明する。はじめに、光源体部120の構成の一例について図2を参照して詳細に説明する。ここでは、光源体部120は、基板121と、半導体レーザ装置122と、放熱構造体123と、を備えている。   Hereinafter, each configuration of the light emitting device 100 will be described. First, an example of the configuration of the light source unit 120 will be described in detail with reference to FIG. Here, the light source body portion 120 includes the substrate 121, the semiconductor laser device 122, and the heat dissipation structure 123.

基板121は、半導体レーザ装置122を設置するためのベース部材である。基板121の材料は、特に限定されないが、例えば一般的なプリント基板で構成される。基板121は、目的や用途等に応じて、適切な形状(大きさ、長さ)とすることができる。   The substrate 121 is a base member for installing the semiconductor laser device 122. The material of the substrate 121 is not particularly limited, and is made of, for example, a general printed circuit board. The substrate 121 can have an appropriate shape (size, length) depending on the purpose, application, and the like.

基板121には、半導体レーザ装置122が設置され、一面側からレーザ光が出射されるように構成されている。基板121は、他面側に放熱構造体123がネジ等の所定の接続部材124により取り付けられている。   A semiconductor laser device 122 is provided on the substrate 121, and laser light is emitted from one surface side. The heat dissipation structure 123 is attached to the other surface of the substrate 121 by a predetermined connection member 124 such as a screw.

基板121は、ここでは一辺に中央に向かう切欠部を有しており、この切欠部に半導体レーザ装置122を設置することにより、半導体レーザ装置122を基板121の中心に配置している。また、この切欠部には、半導体レーザ装置122への給電用のコネクタ125が配置されている。コネクタ125は、切欠部側から引き出されるワイヤーハーネスによって外部電源と電気的に接続される。   Here, the substrate 121 has a notch toward the center on one side, and the semiconductor laser device 122 is disposed at the center of the substrate 121 by installing the semiconductor laser device 122 in this notch. In addition, a connector 125 for feeding power to the semiconductor laser device 122 is disposed in the cutout portion. The connector 125 is electrically connected to the external power supply by a wire harness drawn from the notch side.

半導体レーザ装置122は、透光性部材110のレーザ光通路113から波長変換部132にレーザ光を照射するものであり、一般的な半導体レーザ素子を備えている。半導体レーザ素子は、パッケージ化されており、アノードやカソード等の複数のリード端子(接続ピン)を備えている。複数のリード端子はコネクタ125に電気的に接続されている。   The semiconductor laser device 122 irradiates laser light from the laser light passage 113 of the light transmitting member 110 to the wavelength conversion unit 132, and includes a general semiconductor laser element. The semiconductor laser device is packaged, and includes a plurality of lead terminals (connection pins) such as an anode and a cathode. The plurality of lead terminals are electrically connected to the connector 125.

パッケージの筺体やカバーの材料及び形状は、特に限定されるものではなく、従来公知のパッケージの筺体やカバーを用いることができる。例えば、耐光性や耐熱性、耐候性を考慮してメタルパッケージとするのが好ましい。また、その場合、半導体レーザ素子を封止するための樹脂は用いずに気体封止するのが好ましい。パッケージにおいて、発光部側には開口を設け、無機ガラス等の光劣化のしにくい部材によって開口を覆うように構成するのが好ましい。パッケージには、半導体レーザ素子の出力をモニタするためにフォトダイオードが配置されたものを用いてもよい。また、パッケージには、過大な電圧印加による素子破壊や性能劣化から半導体レーザ素子を保護するためにツェナーダイオード等の保護素子が配置されたものを用いてもよい。なお、半導体レーザ素子が出射する光は、平行光ではなく、水平方向の広がり角と垂直方向の広がり角とが異なっているため、レーザスポットは楕円形状に広がる発散光となっている。   The material and shape of the housing and the cover of the package are not particularly limited, and a conventionally known housing and cover of the package can be used. For example, it is preferable to use a metal package in consideration of light resistance, heat resistance, and weather resistance. In that case, it is preferable to use gas sealing without using a resin for sealing the semiconductor laser element. In the package, it is preferable that an opening is provided on the light emitting portion side, and the opening is covered with a member that is resistant to light degradation such as inorganic glass. The package may have a photodiode arranged to monitor the output of the semiconductor laser device. In addition, a package may be used in which a protective element such as a Zener diode is disposed in order to protect the semiconductor laser element from element destruction or performance deterioration due to excessive voltage application. The light emitted from the semiconductor laser element is not parallel light, but since the spread angle in the horizontal direction is different from the spread angle in the vertical direction, the laser spot is divergent light spread in an elliptical shape.

半導体レーザ素子は、用途に応じて任意の波長のものを選択することができる。例えば、青色の発光素子としては、窒化物系半導体(InXAlYGa1-X-YN、0≦X≦1、0≦Y≦1、X+Y≦1)等を用いることができる。以下では、半導体レーザ素子は例えば青色光を出射するものとして説明する。青色半導体レーザ素子は、白色光源を提供することができる一例である。 The semiconductor laser device can be selected at any wavelength depending on the application. For example, the blue light-emitting element, it is possible to use a nitride semiconductor (In X Al Y Ga 1- XY N, 0 ≦ X ≦ 1,0 ≦ Y ≦ 1, X + Y ≦ 1) and the like. The semiconductor laser device will be described below as emitting blue light, for example. The blue semiconductor laser device is an example capable of providing a white light source.

本実施形態では、半導体レーザ装置122は、その装置ユニットの中に、半導体レーザ素子と、その光軸上に配置されたコリメータレンズと、を備えることとした。ここで、コリメータレンズは、発散光を平行光にして取り出すための一般的な構成である。ここでは、半導体レーザ装置122から出射されるレーザ光Bは、平行光であるものとする。   In the present embodiment, the semiconductor laser device 122 is provided with the semiconductor laser element and the collimator lens disposed on the optical axis in the device unit. Here, the collimator lens is a general configuration for extracting diverging light as parallel light. Here, it is assumed that the laser beam B emitted from the semiconductor laser device 122 is parallel light.

放熱構造体123は、一般的な冷却手段で構成することができる。放熱構造体123は、金属(例えば、銅、アルミニウム)、窒化アルミをはじめとするセラミックス、カーボン等の熱伝導性が高い材料から構成されていることが好ましい。これにより、光源体部120の発熱を効率的に放熱することができる。   The heat dissipation structure 123 can be configured by a general cooling means. The heat dissipation structure 123 is preferably made of a material having high thermal conductivity such as metal (eg, copper, aluminum), ceramics such as aluminum nitride, and carbon. Thus, the heat generation of the light source unit 120 can be efficiently dissipated.

図2に示すように、放熱構造体123は、一方の面が基板121に密着する平板部材と、この平板部材の他方の面に設けられた多数のフィンとを備えている。平板部材は、基板121よりも広い面積を有していることが好ましい。平板部材は、発光装置100の使用条件に応じて、材質、厚み、幅、長さ等が決められている。フィンは、発光装置100の使用条件に応じて、材質、径、長さ、個数、設置間隔等が決められている。   As shown in FIG. 2, the heat dissipation structure 123 is provided with a flat plate member whose one surface is in close contact with the substrate 121 and a large number of fins provided on the other surface of the flat plate member. The flat plate member preferably has a larger area than the substrate 121. The material, thickness, width, length and the like of the flat plate member are determined in accordance with the use conditions of the light emitting device 100. The material, diameter, length, number, installation interval and the like of the fins are determined according to the use conditions of the light emitting device 100.

次に、図1の発光装置100の受光部130の構成の一例について図3を参照して詳細に説明する。受光部130は、光源体部120からのレーザ光Bを直接的に受光できる位置に設置されている。この受光部130は、蛍光体プレート131と、波長変換部132と、放熱構造体133と、を備えている。   Next, an example of the configuration of the light receiving unit 130 of the light emitting device 100 of FIG. 1 will be described in detail with reference to FIG. The light receiving unit 130 is installed at a position where the laser light B from the light source unit 120 can be directly received. The light receiving unit 130 includes a phosphor plate 131, a wavelength conversion unit 132, and a heat dissipation structure 133.

蛍光体プレート131は、波長変換部132を設置するためのベース部材である。この蛍光体プレート131の材料は、特に限定されないが、例えば一般的なプリント基板で構成される。蛍光体プレート131は、目的や用途等に応じて、適切な形状(大きさ、長さ)とすることができる。例えば、四角形、長方形、多角形、円形、楕円形及びそれらを組み合わせた形状等が挙げられる。蛍光体プレート131の外形形状は、ここでは細長い矩形であることとした。   The phosphor plate 131 is a base member for installing the wavelength conversion unit 132. The material of the phosphor plate 131 is not particularly limited, but is made of, for example, a general printed circuit board. The phosphor plate 131 can have an appropriate shape (size, length) according to the purpose, application, and the like. For example, a square, a rectangle, a polygon, a circle, an ellipse, and a shape combining them may be mentioned. Here, the external shape of the phosphor plate 131 is an elongated rectangular shape.

蛍光体プレート131は、一面側に、レーザ光を受光できるように波長変換部132が設置されている。また、蛍光体プレート131は、他面側に、放熱構造体133がネジ等の所定の接続部材136により取り付けられている。   The wavelength conversion part 132 is installed in one side of the fluorescent substance plate 131 so that a laser beam can be received. Further, the heat dissipating structure 133 is attached to the other surface of the phosphor plate 131 by a predetermined connecting member 136 such as a screw.

波長変換部132は、光源体部120からのレーザ光の一部を吸収して、それとは異なる波長の光を発することで、所望の色調の発光を得るものである。また、波長変換部132は、光源体部120からのレーザ光の一部を入射角に応じた方向に反射する。波長変換部132の一例としては、透明樹脂や無機部材などの透光性部材を母材とし、そこに波長変換材料である蛍光体を分散させたものが挙げられる。   The wavelength conversion unit 132 absorbs part of the laser light from the light source unit 120 and emits light of a wavelength different from that to obtain light emission of a desired color tone. In addition, the wavelength conversion unit 132 reflects part of the laser light from the light source unit 120 in the direction according to the incident angle. As an example of the wavelength conversion part 132, what used transparent members, such as transparent resin and an inorganic member, as a base material, and disperse | distributed the fluorescent substance which is a wavelength conversion material there is mentioned.

波長変換部132の蛍光体は、青色光を吸収して黄色光を発光する黄色蛍光体を用いてもよい。黄色蛍光体としては、例えば、イットリウム、アルミニウムおよびガーネットを混合したYAG系蛍光体を用いることができる。このようにすることで、半導体レーザ装置122から発光される青色光で、黄色発光の蛍光体を励起させることができる。波長変換部132は、一部波長変換された黄色光と、変換されない青色光とを混色し、補色の関係にある2色により白色光として放出する。つまり、波長変換部132で励起された蛍光と、反射光(半導体レーザ装置122の光)との混色光を放出する。
その他の蛍光体としては、例えば、用いる光源の出射光の波長、得ようとする光の色などを考慮して、公知のもののいずれをも用いることができる。具体的には、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット(LAG)、ユウロピウム及び/又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム(CaO−Al23−SiO2)、ユウロピウムで賦活されたシリケート((Sr,Ba)2SiO4)、βサイアロン蛍光体、KSF系蛍光体(K2SiF6:Mn)などが挙げられる。なかでも、耐熱性を有する蛍光体を用いることが好ましい。
これらの蛍光体を利用することにより、可視波長の一次光及び二次光の混色光(例えば白色系)を出射する発光装置、紫外光の一次光に励起されて可視波長の二次光を出射する発光装置などにすることもできる。
蛍光体は、複数の種類の蛍光体を組み合わせて用いてもよい。例えば、Si6-ZAlZZ8-Z:Eu、Lu3Al512:Ce、BaMgAl1017:Eu、BaMgAl1017:Eu,Mn、(Zn,Cd)Zn:Cu、(Sr,Ca)10(PO46Cl2:Eu,Mn、(Sr,Ca)2Si58:Eu、CaAlSiBX3+X:Eu、K2SiF6:Mn及びCaAlSiN3:Euなどの蛍光体を所望の色調に適した組み合わせや配合比で用いて、演色性や色再現性を調整することもできる。
蛍光体は、波長変換部において、組み合わせて用いてもよいし、積層構造としてもよい。
The phosphor of the wavelength conversion unit 132 may use a yellow phosphor that absorbs blue light and emits yellow light. As the yellow phosphor, for example, a YAG-based phosphor in which yttrium, aluminum and garnet are mixed can be used. By doing this, the yellow light emitting phosphor can be excited by the blue light emitted from the semiconductor laser device 122. The wavelength conversion unit 132 mixes the partially converted yellow light and the unconverted blue light, and emits the mixed light in the complementary color relationship as white light. That is, the mixed light of the fluorescence excited by the wavelength conversion unit 132 and the reflected light (the light of the semiconductor laser device 122) is emitted.
As the other phosphors, any of known phosphors can be used in consideration of, for example, the wavelength of light emitted from the light source used, the color of light to be obtained, and the like. Specifically, cerium-activated lutetium aluminum garnet (LAG), europium and / or chromium-activated nitrogen-containing calcium aluminosilicate (CaO-Al 2 O 3 -SiO 2 ), and europium activated Silicate ((Sr, Ba) 2 SiO 4 ), β sialon phosphor, KSF phosphor (K 2 SiF 6 : Mn), etc. may be mentioned. Among them, it is preferable to use a phosphor having heat resistance.
By using these phosphors, a light emitting device that emits mixed light (for example, a white color system) of primary light and secondary light of visible wavelength, and is excited by primary light of ultraviolet light to emit secondary light of visible wavelength Can also be used.
The phosphors may be used in combination of a plurality of types of phosphors. For example, Si 6 -Z Al Z O Z N 8-Z : Eu, Lu 3 Al 5 O 12 : Ce, BaMgAl 10 O 17 : Eu, BaMgAl 10 O 17 : Eu, Mn, (Zn, Cd) Zn: Cu , (Sr, Ca) 10 ( PO 4) 6 Cl 2: Eu, Mn, (Sr, Ca) 2 Si 5 N 8: Eu, CaAlSiB X N 3 + X: Eu, K 2 SiF 6: Mn and CaAlSiN 3 Color rendering and color reproducibility can also be adjusted by using a phosphor such as Eu in a combination or blending ratio suitable for the desired color tone.
The phosphors may be used in combination in the wavelength converter, or may be in a laminated structure.

波長変換部132の母材は、少なくとも光の一部を透過する部材である。透光性部材は、半導体レーザ装置122から出射された光の吸収率が低い材料が好ましい。具体的には、石英ガラス、硼珪酸ガラス、低融点ガラス、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂等の透光性部材が挙げられる。   The base material of the wavelength conversion unit 132 is a member that transmits at least part of light. The light transmissive member is preferably a material having a low absorptivity of light emitted from the semiconductor laser device 122. Specifically, translucent members such as quartz glass, borosilicate glass, low melting point glass, silicone resin, epoxy resin and the like can be mentioned.

波長変換部132の形状としては、図示した平板状の他、例えば円盤形状でもよいし、凸状や半球状に盛り上がった形状など任意の形状にすることができる。   The shape of the wavelength conversion portion 132 may be, for example, a disk shape other than the illustrated flat shape, or any shape such as a convex shape or a hemispherical shape.

波長変換部132には、波長変換材料の他、粘度増量剤、光拡散物質、顔料等、使用用途に応じて適切な部材を添加することができる。光拡散物質として例えば、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、炭化珪素、二酸化珪素、重質炭酸カルシウム、軽質炭酸カルシウム、銀、および、これらを少なくとも一種以上含む混合物等を挙げることができる。同様に、半導体レーザ装置122からの不要な波長成分の光をカットするフィルター効果を持たせたフィルター材として各種着色剤を添加させることもできる。   In the wavelength conversion part 132, in addition to the wavelength conversion material, an appropriate member such as a viscosity extender, a light diffusing substance, a pigment and the like can be added according to the intended use. Examples of the light diffusion material include barium titanate, titanium oxide, aluminum oxide, silicon carbide, silicon dioxide, calcium carbonate carbonate, light calcium carbonate, silver, and a mixture containing at least one or more of them. Similarly, various coloring agents can be added as a filter material having a filter effect of cutting light of unnecessary wavelength components from the semiconductor laser device 122.

放熱構造体133は、一般的な冷却手段で構成することができる。ここでは、図3に示すように、放熱構造体133は、一方の面が蛍光体プレート131に密着する平板部材と、この平板部材の他方の面に設けられた多数のフィンとを備えている。この放熱構造体133については、図2に示す放熱構造体123と同様なので、詳細な説明を省略する。   The heat dissipation structure 133 can be configured by a general cooling means. Here, as shown in FIG. 3, the heat dissipation structure 133 is provided with a flat plate member whose one surface is in close contact with the phosphor plate 131 and a large number of fins provided on the other surface of the flat plate member. . The heat dissipating structure 133 is the same as the heat dissipating structure 123 shown in FIG.

次に、この発光装置100の透光性部材110の構成の一例について図4及び図5を参照(適宜図1〜図3参照)して詳細に説明する。図4は、図1に示す透光性部材110の入射面111を図4において上側に配置し、図1に示す出射面112を図4において下側に配置した状態の透光性部材110の概略を示す斜視図である。図5は、図4の透光性部材110をレーザ光通路113を通るように上下方向に切断した状態の断面を示す斜視図である。   Next, an example of the configuration of the light transmitting member 110 of the light emitting device 100 will be described in detail with reference to FIGS. 4 and 5 (refer to FIGS. 1 to 3 as needed). 4 shows the light transmitting member 110 in a state where the light incident surface 111 of the light transmitting member 110 shown in FIG. 1 is disposed on the upper side in FIG. 4 and the light emitting surface 112 shown in FIG. It is a perspective view showing an outline. FIG. 5 is a perspective view showing a cross section of the light transmitting member 110 of FIG. 4 cut in the vertical direction so as to pass through the laser light passage 113.

透光性部材110は、少なくとも光の一部を透過する材料で構成されている。この透光性部材110の材料は、特に限定されないが、例えば、シリコーン樹脂等の熱硬化性の樹脂材料、ポリカーボネートやアクリルなどの熱可塑性の樹脂材料、ポリエチレン等のポリマー材料を挙げることができる。あるいは、透光性部材110の材料としては、例えば石英、合成石英、BK7等の光学ガラス等を挙げることができる。   The translucent member 110 is made of a material that transmits at least a part of light. The material of the light transmitting member 110 is not particularly limited, and examples thereof include thermosetting resin materials such as silicone resin, thermoplastic resin materials such as polycarbonate and acrylic, and polymer materials such as polyethylene. Alternatively, examples of the material of the light transmitting member 110 include quartz, synthetic quartz, and optical glass such as BK7.

また、透光性部材110は、ここでは、コリメートレンズの機能を有することとした。よって、透光性部材110は、概ね円錐台の外形形状となり、上底面の側に入射面111を備え、下底面側に出射面112を備えている。また、透光性部材110は、側面114から入射面111に亘って、レーザ光通路113を備えている。このレーザ光通路113は、光源体部120(図1参照)からのレーザ光Bを波長変換部132に向かって通過させるものである。   In addition, the light transmitting member 110 has a function of a collimating lens here. Therefore, the light-transmissive member 110 has a substantially truncated-cone-shaped outer shape, includes the incident surface 111 on the upper bottom side, and includes the output surface 112 on the lower bottom side. In addition, the light transmitting member 110 is provided with a laser light passage 113 from the side surface 114 to the incident surface 111. The laser light passage 113 is for passing the laser light B from the light source unit 120 (see FIG. 1) toward the wavelength conversion unit 132.

透光性部材110は、入射面111側を波長変換部132(図1参照)に向け、波長変換部132を覆うように蛍光体プレート131に設置されている。入射面111は、波長変換部132に対向する透光性部材110の位置に凹部115を形成して設けられてなる。この入射面111は、レーザ光通路113を通過して波長変換部132で波長変換された光を入射する面である。   The light transmitting member 110 is disposed on the phosphor plate 131 so that the light incident surface 111 side is directed to the wavelength conversion unit 132 (see FIG. 1) and the wavelength conversion unit 132 is covered. The incident surface 111 is provided by forming a concave portion 115 at the position of the light transmitting member 110 facing the wavelength conversion portion 132. The incident surface 111 is a surface through which the light converted in wavelength by the wavelength conversion unit 132 passes through the laser light passage 113.

また、透光性部材110は、蛍光体プレート131に設置されたときに、レーザ光通路113が、半導体レーザ装置122からのレーザ光Bを通過させ波長変換部132(図1参照)に照射させる位置となるように配置されている。これにより、レーザ光はレーザ光通路113を介して波長変換部132に導かれ、波長変換される。レーザ光通路113は、波長変換部132からの光の光軸に対して傾斜するように形成されている。透光性部材110の光軸とレーザ光Bの照射方向とのなす角は、目的や用途等に応じて適宜設定される。   Further, when the light transmitting member 110 is installed on the phosphor plate 131, the laser light passage 113 allows the laser light B from the semiconductor laser device 122 to pass through and irradiate the wavelength conversion portion 132 (see FIG. 1). It is arranged to be in position. Thus, the laser light is guided to the wavelength conversion unit 132 through the laser light path 113 and wavelength-converted. The laser beam path 113 is formed to be inclined with respect to the optical axis of the light from the wavelength conversion unit 132. The angle between the optical axis of the light transmitting member 110 and the irradiation direction of the laser light B is appropriately set according to the purpose, application, and the like.

さらに、レーザ光通路113は、ここでは、一例として透光性部材110を連通するように形成された溝からなる。つまり、透光性部材110は、その表面の一部が溝(レーザ光通路113)に沿って開口している。本実施形態では、レーザ光通路113の一方の端部118は側面114に配置されており、他方の端部119は凹部115に連通している。   Further, the laser light passage 113 is, for example, a groove formed to communicate the light transmitting member 110 as an example. That is, a part of the surface of the light transmitting member 110 is opened along the groove (laser light passage 113). In the present embodiment, one end 118 of the laser light passage 113 is disposed on the side surface 114, and the other end 119 is in communication with the recess 115.

レーザ光通路113としての溝は、横断面に相当する断面視でその形状が、レーザ光のビーム径を通過させる大きさ形状にされている。レーザ光の断面ビーム形状(レーザスポット)が例えば楕円形ならば、溝の形状も断面ビーム形状に沿った楕円形とする。また、溝のサイズは、少なくともその中をビーム(レーザ光)が通過すればよく、さらに好ましくはビームが溝を形成する透光性部材10の表面に当たらないようにかつできる限り小さい形状にする。   The groove as the laser beam passage 113 has a size that allows the beam diameter of the laser beam to pass in a cross-sectional view corresponding to the cross section. If the cross-sectional beam shape (laser spot) of the laser light is, for example, an elliptical shape, the shape of the groove is also an elliptical shape along the cross-sectional beam shape. Also, the size of the groove may be at least a beam (laser light) passing therethrough, and more preferably, the shape of the groove should not hit the surface of the light-transmissive member 10 forming the groove and be as small as possible. .

透光性部材110の凹部115は、光源体部120からのレーザ光Bを平行光として送り出すためのものである。透光性部材110に凹部115を設けたことにより、透光性部材110で波長変換部132を覆ったときに隙間が形成され、波長変換部132からの光が凹部115に設けた入射面111である内底面116及び内側面117に入射する。   The recess 115 of the translucent member 110 is for delivering the laser light B from the light source unit 120 as parallel light. By providing the concave portion 115 in the light transmitting member 110, a gap is formed when the wavelength converting portion 132 is covered with the light transmitting member 110, and the light from the wavelength converting portion 132 is provided in the concave portion 115 incident surface 111 The light is incident on the inner bottom surface 116 and the inner side surface 117.

凹部115は、内底面116と、内側面117とを有している。これら内底面116及び内側面117は、透光性部材110の入射面111である。内底面116は、出射面112に対向して配置され、平面視で例えば円形である。   The recess 115 has an inner bottom surface 116 and an inner side surface 117. The inner bottom surface 116 and the inner side surface 117 are the incident surface 111 of the translucent member 110. The inner bottom surface 116 is disposed to face the emission surface 112 and is, for example, circular in plan view.

この内底面116は、一例として、図5に示すように、凹部115の開口に向かって凸形状に形成されている。言い換えると、内底面116は、波長変換部132に向かって膨んで凸レンズの機能を備えるように形成されている。内底面116をこのような形状にすることにより、波長変換部132から内底面116に入射した光を略平行光とすることができる。これにより、出射面112は、入射面111に入射した光を集光して略平行光として出射する。   The inner bottom surface 116 is formed in a convex shape toward the opening of the recess 115 as shown in FIG. 5 as an example. In other words, the inner bottom surface 116 is formed so as to bulge toward the wavelength conversion unit 132 and to have the function of a convex lens. By forming the inner bottom surface 116 in such a shape, light incident on the inner bottom surface 116 from the wavelength conversion unit 132 can be made substantially parallel light. As a result, the exit surface 112 condenses the light incident on the entrance surface 111 and emits it as substantially parallel light.

また、凹部115の内側面117は、一例として、図5に示すように、凹部115の開口に向かって広がるように傾斜した形状であるものとした。内側面117は、透光性部材110で波長変換部132(図3参照)を覆ったときに波長変換部132から入射した光が屈折して側面114の界面で反射して出射面112へ導かれるように傾斜している。出射面112は、ここでは、平坦面に形成され、この出射面112は、平面視の形状が円形に形成されている。   Further, as shown in FIG. 5, the inner side surface 117 of the recess 115 is, for example, in a shape inclined so as to extend toward the opening of the recess 115. When the light-transmissive member 110 covers the wavelength conversion portion 132 (see FIG. 3), the light incident from the wavelength conversion portion 132 is refracted and reflected by the interface of the side surface 114 and guided to the output surface 112 It is inclined to be bitten. Here, the exit surface 112 is formed to be a flat surface, and the exit surface 112 is formed to have a circular shape in plan view.

次に、透光性部材110を受光部130に固定する方法の一例について図6を参照して説明する。ここでは、透光性部材110は、蛍光体プレート131に設置された波長変換部132上でレーザ光Bが照射される所望の位置に、透光性部材110の光軸140を合わせるようにして受光部130に搭載される。この例では、透光性部材110は、受光部130上で柱状の複数の支持部150により支持されている。支持部150は、一端を、透光性部材110の出射面112の外縁側に当接して、他端を、放熱構造体133の上面に当接している。なお、透光性部材110と蛍光体プレート131とは当接していなくてもよい。そして、支持部150は、接着剤を介して透光性部材110及び放熱構造体133と接合されている。なお、透光性部材110と蛍光体プレート131とが接する接合部を接着剤で固着してもよい。   Next, an example of a method of fixing the translucent member 110 to the light receiving unit 130 will be described with reference to FIG. Here, the light transmitting member 110 is arranged such that the optical axis 140 of the light transmitting member 110 is aligned with the desired position where the laser light B is irradiated on the wavelength conversion unit 132 installed on the phosphor plate 131. The light receiver 130 is mounted. In this example, the translucent member 110 is supported by the plurality of columnar support portions 150 on the light receiving portion 130. One end of the supporting portion 150 is in contact with the outer edge side of the light emitting surface 112 of the light transmitting member 110, and the other end is in contact with the upper surface of the heat dissipation structure 133. The translucent member 110 and the phosphor plate 131 may not be in contact with each other. And the support part 150 is joined with the translucent member 110 and the thermal radiation structure 133 via an adhesive agent. Note that the bonding portion where the light transmitting member 110 and the phosphor plate 131 are in contact may be fixed by an adhesive.

次に、発光装置100による発光の光路について図6を参照(適宜図1及び図4参照)して説明する。発光装置100では、光源体部120からのレーザ光Bは、レーザ光通路113を通過するので、透光性部材110に遮断されることなく、蛍光体プレート131に設置された波長変換部132に照射される。レーザ光Bが波長変換部132に照射されることで、励起された蛍光と、波長変換部132で反射されたレーザ光とが混色することで色変換(波長変換)を行う。このとき波長変換部132から得られる光は、ランバーシアン配光となっている。この波長変換部132によって変換された光は、透光性部材110の入射面111に入射する。   Next, an optical path of light emission by the light emitting device 100 will be described with reference to FIG. 6 (see FIGS. 1 and 4 as appropriate). In the light emitting device 100, since the laser light B from the light source unit 120 passes through the laser light passage 113, the wavelength conversion unit 132 installed on the phosphor plate 131 is not blocked by the light transmitting member 110. It is irradiated. When the laser light B is irradiated to the wavelength conversion unit 132, color conversion (wavelength conversion) is performed by mixing the excited fluorescence and the laser light reflected by the wavelength conversion unit 132. At this time, the light obtained from the wavelength conversion unit 132 is a Lambertian light distribution. The light converted by the wavelength conversion unit 132 is incident on the incident surface 111 of the translucent member 110.

そして、色変換(波長変換)された光は、凹部115の内底面116(図4参照)に入射すると、内底面116で屈折し、出射面112で屈折して平行光として出射する。または、色変換(波長変換)された光は、凹部115の内側面117(図1参照)に入射すると、内側面117で屈折した後、側面114で反射し、出射面112で屈折して平行光として出射する。つまり、ランバーシアン配光の光を含む色変換(波長変換)された光は、透光性部材110によって、集光されて平行光となるように配光制御されて出射される。このように、透光性部材110は、波長変換部132からの拡散光を集光する機能を有している。なお、透光性部材110は、レーザ光通路113を通過するレーザ光が、波長変換部132からの光の光軸に対して傾斜する方向から照射されるように構成されている。   Then, when color converted (wavelength converted) light is incident on the inner bottom surface 116 (see FIG. 4) of the recess 115, it is refracted at the inner bottom surface 116, refracted at the exit surface 112, and emitted as parallel light. Alternatively, when color converted (wavelength converted) light is incident on the inner side surface 117 (see FIG. 1) of the recess 115, it is refracted at the inner side surface 117, reflected at the side surface 114, and refracted at the emission surface 112 to be parallel. Emit as light. That is, the color converted (wavelength converted) light including the light of the Lambertian light distribution is subjected to light distribution control so as to be condensed into parallel light by the light transmitting member 110 and emitted. As described above, the translucent member 110 has a function of condensing the diffused light from the wavelength conversion unit 132. The light transmitting member 110 is configured such that the laser light passing through the laser light passage 113 is irradiated from the direction inclined with respect to the optical axis of the light from the wavelength conversion unit 132.

以上説明したように、本実施形態に係る発光装置100では、配光制御に用いる透光性部材110にレーザ光通路113を設けたので、光源体部120からのレーザ光Bがレーザ光通路113を通過することができる。そのため、透光性部材110が障害になることなくレーザ光Bを蛍光体プレート131に設置された波長変換部132に当てることができる。ここで、透光性部材110は、波長変換部132から隙間を隔てて波長変換部132を覆うように配設されているので、透光性部材110にレーザ光通路113を設けたとしても、透光性部材110を小型化することができる。また、本実施形態では、レーザ光通路113は、レーザビーム形状に沿って形成された溝から成るため、配光制御する光への影響を最小限にすることができる。   As described above, in the light emitting device 100 according to the present embodiment, since the laser beam passage 113 is provided in the light transmitting member 110 used for light distribution control, the laser beam B from the light source unit 120 is the laser beam passage 113 Can pass. Therefore, the laser light B can be applied to the wavelength conversion portion 132 disposed on the phosphor plate 131 without the light transmitting member 110 becoming an obstacle. Here, since the light transmitting member 110 is disposed to cover the wavelength converting portion 132 with a gap from the wavelength converting portion 132, even if the laser light path 113 is provided in the light transmitting member 110, The translucent member 110 can be miniaturized. Further, in the present embodiment, since the laser light path 113 is formed of a groove formed along the shape of the laser beam, it is possible to minimize the influence on the light for light distribution control.

(第2実施形態)
次に第2実施形態に係る透光性部材、光学部材及び発光装置について図7を参照して説明する。第2実施形態に係る発光装置100Bは、レーザ光の照射方向と、発光装置の発光方向とが同じ向きになるように受光部130が配置され且つ複数の光源体部120を備えている。なお、第1実施形態の発光装置100と同じ構成には同じ符号を付し、説明を適宜省略する。
Second Embodiment
Next, a translucent member, an optical member, and a light emitting device according to a second embodiment will be described with reference to FIG. In the light emitting device 100B according to the second embodiment, the light receiving unit 130 is disposed such that the irradiation direction of the laser light and the light emitting direction of the light emitting device are the same, and includes a plurality of light source units 120. The same components as those of the light emitting device 100 according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description will be appropriately omitted.

図7に示すように、発光装置100Bは、ある筺体内に、透光性部材110Bと、複数の光源体部120と、受光部130と、複数の反射鏡160とを備えている。また、第2実施形態に係る光学部材101Bは、透光性部材110Bと蛍光体プレート131とを備えている。   As shown in FIG. 7, the light emitting device 100 </ b> B includes a translucent member 110 </ b> B, a plurality of light source units 120, a light receiving unit 130, and a plurality of reflecting mirrors 160 in a certain casing. Further, the optical member 101B according to the second embodiment includes the light transmitting member 110B and the phosphor plate 131.

第2実施形態に係る透光性部材110Bは、図8に示すように、例えば2つのレーザ光通路113を備えている点が、図4の透光性部材110と相違している。ここでは、コリメートレンズからなる透光性部材110Bの側面において周方向に180度間隔で第1レーザ光通路113と第2レーザ光通路113とが形成されている。   A light transmitting member 110B according to the second embodiment is different from the light transmitting member 110 of FIG. 4 in that, for example, two laser light paths 113 are provided as shown in FIG. Here, the first laser beam path 113 and the second laser beam path 113 are formed at intervals of 180 degrees in the circumferential direction on the side surface of the light transmitting member 110B made of a collimating lens.

発光装置100Bは、第1レーザ光通路113と第2レーザ光通路113との配置にそれぞれ合わせて、例えば第1光源体部120と第2光源体部120とを備えている。第1光源体部120と第2光源体部120とは、レーザ光Bの照射方向が同じ向きとなるように並べて配置されている。ここで、2つの半導体レーザ装置122は、波長変換部132(図6参照)からの光の光軸方向に平行なレーザ光を照射するように位置している。また、その光軸方向にみて透光性部材110Bの出射面よりも入射面側に半導体レーザ装置122が位置している。つまり、半導体レーザ装置122は、ここでは、受光部130の放熱構造体133に接触しないように、透光性部材110Bの入射面111から離間して、光軸方向にみて入射面111の側に位置している。また、図7に示す例では、第1光源体部120と第2光源体部120とで2つの放熱構造体を共有するように接触させて発光装置100Bのサイズを小型化できるようにしている。   The light emitting device 100B includes, for example, a first light source body portion 120 and a second light source body portion 120 in accordance with the arrangement of the first laser light path 113 and the second laser light path 113, respectively. The first light source body portion 120 and the second light source body portion 120 are arranged side by side so that the irradiation direction of the laser light B is the same. Here, the two semiconductor laser devices 122 are positioned so as to emit laser light parallel to the optical axis direction of the light from the wavelength conversion unit 132 (see FIG. 6). In addition, the semiconductor laser device 122 is located on the light incident surface side of the light emission surface of the light transmissive member 110B as viewed in the optical axis direction. That is, here, the semiconductor laser device 122 is separated from the light incident surface 111 of the light transmitting member 110B so as not to contact the heat dissipation structure 133 of the light receiving portion 130 and on the light incident surface 111 side in the optical axis direction. positioned. Further, in the example shown in FIG. 7, the size of the light emitting device 100B can be reduced by bringing the first light source body portion 120 and the second light source body portion 120 into contact so as to share two heat dissipation structures. .

発光装置100Bは、第1レーザ光通路113と第2レーザ光通路113との配置にそれぞれ合わせて、光路上に第1反射鏡160と第2反射鏡160とを備えている。
第1反射鏡160は、透光性部材110Bの近傍に配置され、且つ、第1光源体部120の半導体レーザ素子の光軸上で、第1光源体部120からのレーザ光Bを第1レーザ光通路113へ導くことができる角度に設定されている。
The light emitting device 100B includes the first reflecting mirror 160 and the second reflecting mirror 160 on the light path in accordance with the arrangement of the first laser light path 113 and the second laser light path 113, respectively.
The first reflecting mirror 160 is disposed in the vicinity of the translucent member 110 B, and on the optical axis of the semiconductor laser element of the first light source unit 120, the first reflecting mirror 160 is configured to receive the first laser beam B from the first light source unit 120. It is set to an angle that can be guided to the laser light passage 113.

同様に、第2反射鏡160は、透光性部材110Bの近傍に配置され、且つ、第2光源体部120の半導体レーザ素子の光軸上で、第2光源体部120からのレーザ光Bを第2レーザ光通路113へ導くことができる角度に設定されている。   Similarly, the second reflecting mirror 160 is disposed in the vicinity of the translucent member 110 B, and on the optical axis of the semiconductor laser element of the second light source unit 120, the laser beam B from the second light source unit 120. Is set to an angle at which it can be guided to the second laser light path 113.

発光装置100Bでは、第1光源体部120からのレーザ光Bは、第1反射鏡160で反射し、第1レーザ光通路113を通過して蛍光体プレート131に設置された波長変換部132(図6参照)に照射される。
同様に、第2光源体部120からのレーザ光Bは、第2反射鏡160で反射し、第2レーザ光通路113を通過して蛍光体プレート131に設置された波長変換部132に照射される。このように発光装置100Bでは、配光制御に用いる透光性部材110Bに複数のレーザ光通路113を設けたので、発光出力を高めることができる。
In the light emitting device 100B, the laser beam B from the first light source unit 120 is reflected by the first reflecting mirror 160, passes through the first laser beam path 113, and is mounted on the phosphor plate 131. (See FIG. 6).
Similarly, the laser beam B from the second light source unit 120 is reflected by the second reflecting mirror 160, passes through the second laser beam passage 113, and is emitted to the wavelength conversion unit 132 installed on the phosphor plate 131. Ru. As described above, in the light emitting device 100B, since the plurality of laser light paths 113 are provided in the translucent member 110B used for light distribution control, it is possible to increase the light emission output.

(第3実施形態)
次に第3実施形態に係る透光性部材、光学部材及び発光装置について図9乃至図12を参照して説明する。第3実施形態に係る発光装置100Cは、透光性部材が平凸レンズで形成されている。なお、第1実施形態の発光装置100と同じ構成には同じ符号を付し、説明を適宜省略する。図9では、発光装置100Cの構成から放熱構造体を省略している。なお、発光装置100Cは、レーザ光Bの照射方向と、発光装置100Cの発光方向とのなす角は、所定の鋭角で配置されていることとした。
Third Embodiment
Next, a translucent member, an optical member, and a light emitting device according to a third embodiment will be described with reference to FIGS. 9 to 12. In the light emitting device 100C according to the third embodiment, the translucent member is formed of a plano-convex lens. The same components as those of the light emitting device 100 according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description will be appropriately omitted. In FIG. 9, the heat dissipation structure is omitted from the configuration of the light emitting device 100C. In the light emitting device 100C, the angle between the irradiation direction of the laser light B and the light emitting direction of the light emitting device 100C is arranged at a predetermined acute angle.

図9に示すように、発光装置100Cは、ある筺体内に、透光性部材110Cと、半導体レーザ装置122(光源体部120:図2参照)と、蛍光体プレート131(受光部130:図3参照)とを備えている。また、第3実施形態に係る光学部材101Cは、透光性部材110Cと蛍光体プレート131とを備えている。   As shown in FIG. 9, the light emitting device 100C includes a light transmitting member 110C, a semiconductor laser device 122 (light source body portion 120: see FIG. 2), and a phosphor plate 131 (light receiving portion 130: a view) in a certain casing. 3) and is equipped. Further, an optical member 101C according to the third embodiment includes a light transmitting member 110C and a phosphor plate 131.

第3実施形態に係る透光性部材110Cは、図10及び図11に示すように、平凸レンズ状に形成され、凸レンズ面側に出射面112Cが形成され、平面側(底面170の側)に入射面111Cが形成されている。底面170は、中央に凹状に入射面111Cを形成し、その入射面111Cの周縁を円環状の平面に形成している。   A translucent member 110C according to the third embodiment is formed in a plano-convex lens shape as shown in FIGS. 10 and 11, and an exit surface 112C is formed on the convex lens surface side, and on the plane side (bottom surface 170 side). An incident surface 111C is formed. The bottom surface 170 forms a concave incident surface 111C at the center, and forms the periphery of the incident surface 111C in an annular flat surface.

入射面111C及び出射面112Cは、波長変換部132(図9参照)からの光の光軸140Cの同じ方向(図11において上方)に向かって凸形状の屈折面であり、出射面112Cは入射面111Cよりも大きく形成されている。
透光性部材110Cは、図9に示すように、入射面111C側を波長変換部132に向け、波長変換部132を覆うように蛍光体プレート131に設置されている。この例では、透光性部材110Cは、その底面170(円環)において蛍光体プレート131の上面に接触する部位が、接着剤によって蛍光体プレート131に固着されている。
The entrance surface 111C and the exit surface 112C are refracting surfaces having a convex shape in the same direction (upward in FIG. 11) of the optical axis 140C of light from the wavelength conversion unit 132 (see FIG. 9), and the exit surface 112C is incident It is formed larger than the surface 111C.
The light transmitting member 110C is disposed on the phosphor plate 131 so that the light incident surface 111C side faces the wavelength conversion unit 132 and covers the wavelength conversion unit 132, as shown in FIG. In this example, the light-transmissive member 110C has a bottom surface 170 (annular ring) whose portion contacting the top surface of the phosphor plate 131 is fixed to the phosphor plate 131 by an adhesive.

入射面111Cは、波長変換部132に対向する透光性部材110の位置に凹部115を形成して設けられてなる。この凹部115Cは、波長変換部132を収容して、波長変換部132からの光を集光するためのものである。透光性部材110Cに凹部115Cを設けたことにより、透光性部材110Cで波長変換部132を覆ったときに隙間が形成され、光が屈折する媒体(空気)を介することとなる。   The incident surface 111 </ b> C is provided with a recess 115 at the position of the light transmitting member 110 facing the wavelength conversion unit 132. The concave portion 115C is for accommodating the wavelength conversion unit 132 and condensing the light from the wavelength conversion unit 132. By providing the concave portion 115C in the translucent member 110C, a gap is formed when the wavelength conversion part 132 is covered by the translucent member 110C, and a medium (air) in which light is refracted is interposed.

図10に示すように、透光性部材110Cのレーザ光通路113Cは孔からなる。レーザ光通路113Cの一方の端部118Cは、出射面112Cの一部となる周面(側面)に配置されている。また、レーザ光通路113Cの他方の端部119Cは、凹部115Cに連通して形成されている。   As shown in FIG. 10, the laser beam passage 113C of the translucent member 110C is a hole. One end 118C of the laser beam passage 113C is disposed on a circumferential surface (side surface) which is a part of the emission surface 112C. Further, the other end 119C of the laser beam passage 113C is formed in communication with the recess 115C.

発光装置100Cは、光軸140C(図11参照)に対して傾斜した方向からレーザ光Bを透光性部材110Cを貫通するレーザ光通路113を介して波長変換部132(図9参照)に導く構成である。そのため、図12に示すように、ビーム形状200は、水平方向の広がり角が垂直方向の広がり角より大きい楕円形状とすることが好ましい。このようにした場合、水平方向の広がり角が垂直方向の広がり角より小さい楕円形状としたときと比べて、配光が良好となるからである。   The light emitting device 100C guides the laser beam B to the wavelength conversion unit 132 (see FIG. 9) through the laser beam path 113 penetrating the light transmitting member 110C from the direction inclined with respect to the optical axis 140C (see FIG. 11). It is a structure. Therefore, as shown in FIG. 12, it is preferable that the beam shape 200 has an elliptical shape in which the spread angle in the horizontal direction is larger than the spread angle in the vertical direction. In this case, the light distribution is better than when the spread angle in the horizontal direction is an elliptical shape smaller than the spread angle in the vertical direction.

次に、発光装置100Cによる発光の光路について図9及び図11を参照して説明する。図9に示すように、発光装置100Cでは、半導体レーザ装置122からのレーザ光Bによって波長変換部132で励起された蛍光と、波長変換部132で反射されたレーザ光とが混色することで色変換(波長変換)を行う。この変換された光は、透光性部材110Cの入射面111Cに入射すると、入射面111Cで屈折し、平行光として出射面112Cから出射する。つまり、ランバーシアン配光の光を含む色変換(波長変換)された光は、透光性部材110Cによって、集光されて平行光となるように配光制御されて出射される。   Next, an optical path of light emission by the light emitting device 100C will be described with reference to FIG. 9 and FIG. As shown in FIG. 9, in the light emitting device 100C, color mixing is achieved by mixing the fluorescence excited by the wavelength converter 132 with the laser light B from the semiconductor laser device 122 and the laser light reflected by the wavelength converter 132. Perform conversion (wavelength conversion). When the converted light is incident on the incident surface 111C of the light transmitting member 110C, it is refracted at the incident surface 111C and emitted from the output surface 112C as parallel light. That is, the color converted (wavelength converted) light including the light of the Lambertian light distribution is subjected to light distribution control so as to be condensed into parallel light by the light transmitting member 110C and then emitted.

本実施形態に係る発光装置100Cでは、透光性部材110Cのレーザ光通路113Cは、図12に示すように、レーザ光Bのビーム形状200に沿って形成された孔から成るため、配光制御する光への影響を最小限にすることができる。   In the light emitting device 100C according to the present embodiment, since the laser light path 113C of the light transmitting member 110C is formed of the holes formed along the beam shape 200 of the laser light B as shown in FIG. Influence on the light can be minimized.

なお、以上説明した第1乃至第3実施形態に係る透光性部材、光学部材及び発光装置についての種々の変形例を以下に列挙する。
図5に示す透光性部材110において、凹部115の内底面116は、凹部115の開口に向かって凸形状に形成されているものとしたが、これに限らず、内底面116は、その他の曲面や平坦面であってもよい。内底面116が例えば平坦面の場合であっても、その透光性部材110で波長変換部132(図1参照)を覆ったときに凹部115内の媒質(空気)の屈折率と、透光性部材110の屈折率との間に差があるので、波長変換部132から内底面116に入射した光を屈折させて配光を制御することができる。
Note that various modifications of the translucent member, the optical member, and the light emitting device according to the first to third embodiments described above will be listed below.
In the light-transmissive member 110 shown in FIG. 5, the inner bottom surface 116 of the recess 115 is formed in a convex shape toward the opening of the recess 115, but the present invention is not limited thereto. It may be a curved surface or a flat surface. Even when the inner bottom surface 116 is, for example, a flat surface, the refractive index of the medium (air) in the concave portion 115 and the light transmission when the wavelength conversion portion 132 (see FIG. 1) is covered with the light transmission member 110 Since there is a difference from the refractive index of the sexing member 110, it is possible to refract light incident on the inner bottom surface 116 from the wavelength conversion unit 132 to control light distribution.

図5に示す透光性部材110において、出射面112は平坦面に形成されているものとしたが、これに限らず、出射面112は、凹部115の開口に向かって凸形状に形成されていてもよいし、凹形状、あるいは、その表面にシボ加工をして細かな凹凸を形成した形状であってもよい。このような形態の出射面112によれば、出射面112から出射する光を拡散したり、集光したりすることができる。   In the translucent member 110 shown in FIG. 5, the output surface 112 is formed to be flat, but the present invention is not limited to this. The output surface 112 is formed in a convex shape toward the opening of the recess 115 It may be a concave shape or a shape in which the surface is embossed to form fine irregularities. According to the emission surface 112 of such a form, light emitted from the emission surface 112 can be diffused or condensed.

図7に示す発光装置100Bでは、蛍光体プレート131において2つのレーザ光Bがそれぞれ照射される位置は、同じである形態を図示したが、異なっていてもよい。図示したように、2つのレーザ光Bがそれぞれ照射される位置が同じである場合、光源体部120が1個の場合のときと比べて、配光を変えることなく発光出力を高めることができる。
一方、蛍光体プレート131において2つのレーザ光Bがそれぞれ照射される位置が異なっている場合(一部重複を含む)、波長変換部132の発熱を分散できるので、発熱による波長変換部132の劣化を抑制しながら、光源体部120が1個の場合のときと比べて発光出力を高めることができる。
In the light emitting device 100B shown in FIG. 7, the positions where the two laser beams B are respectively irradiated on the phosphor plate 131 are the same in the illustrated form, but may be different. As illustrated, when the two laser beams B are irradiated at the same position, the light emission output can be increased without changing the light distribution, as compared with the case where one light source unit 120 is provided. .
On the other hand, when the positions where the two laser beams B are respectively irradiated in the phosphor plate 131 are different (including partial overlap), the heat generation of the wavelength conversion unit 132 can be dispersed, so the deterioration of the wavelength conversion unit 132 due to heat generation The light emission output can be increased as compared with the case where the number of light source body portions 120 is one.

図8に示す透光性部材110Bは、2つのレーザ光通路113を備えていることとしたが、本開示はこれに限られるものではなく、レーザ光通路113の個数は3個以上でも構わない。例えば、透光性部材110Bの側面において周方向に120度間隔で3個のレーザ光通路113を形成してもよい。この場合、その透光性部材110Bを用いた発光装置では、各レーザ光通路113の配置に合わせて、3個の光源体部120と3個の反射鏡160とを設ければよい。   Although the translucent member 110B shown in FIG. 8 includes the two laser beam paths 113, the present disclosure is not limited to this, and the number of the laser beam paths 113 may be three or more. . For example, three laser beam paths 113 may be formed at intervals of 120 degrees in the circumferential direction on the side surface of the light transmissive member 110B. In this case, in the light emitting device using the light transmitting member 110B, the three light source body portions 120 and the three reflecting mirrors 160 may be provided in accordance with the arrangement of the respective laser light paths 113.

図1に示す発光装置100又は図9に示す100Cは、受光部130の向きを変えた上で、反射鏡160(図7参照)を追加することで、レーザ光Bの照射方向と、発光装置の発光方向とが同じ向きになるように変形することができる。つまり、本開示に係る発光装置は、透光性部材110又は透光性部材110Cと、受光部130と、1個の光源体部120と、1個の反射鏡160と、を備える形態であっても構わない。   The light emitting device 100 shown in FIG. 1 or 100C shown in FIG. 9 changes the direction of the light receiving unit 130 and then adds the reflecting mirror 160 (see FIG. 7), thereby irradiating the laser beam B and the light emitting device. It can be deformed so as to have the same direction as the light emission direction of. That is, the light emitting device according to the present disclosure includes the light transmitting member 110 or the light transmitting member 110C, the light receiving portion 130, the one light source body portion 120, and the one reflecting mirror 160. It does not matter.

第1実施形態に係る透光性部材110及び第2実施形態に係る透光性部材110Bは、コリメートレンズからなり、第3実施形態に係る透光性部材110Cは、平凸レンズからなるものとして説明したが、本開示に係る透光性部材においてレンズ形状はこれらに限定されるものではない。例えばシリンドリカルレンズや凹レンズなど幅広いレンズに対して適用することができる。   The translucent member 110 according to the first embodiment and the translucent member 110B according to the second embodiment are formed of a collimator lens, and the translucent member 110C according to the third embodiment is described as being formed of a plano-convex lens However, in the translucent member according to the present disclosure, the lens shape is not limited to these. For example, the present invention can be applied to a wide range of lenses such as cylindrical lenses and concave lenses.

図2に示す半導体レーザ装置122から放出される光は、青色に限定されず、例えば紫外から可視光の短波長側領域の光であってもよい。図3に示す波長変換部132には、複数種類の蛍光体が存在してもよい。黄色蛍光体を利用して、青色と黄色との混色により白色を得ることとしたが、黄色蛍光体の代わりに、赤色発光の蛍光体と緑色発光の蛍光体とを一緒に利用すれば、青色、赤色及び緑色の混色により、白色を得ることができる。   The light emitted from the semiconductor laser device 122 shown in FIG. 2 is not limited to blue, and may be, for example, light in the short wavelength side of ultraviolet to visible light. Plural kinds of phosphors may exist in the wavelength conversion unit 132 shown in FIG. We decided to obtain white color by mixing color of blue and yellow using yellow phosphor, but if we use phosphor of red light emission and phosphor of green light together instead of yellow phosphor, it is blue By mixing red, green and green, white can be obtained.

図1に示す発光装置100において、ある筺体内で受光部130の向きが変えられるように構成してもよい。例えば、受光部130の放熱構造体133が軸C(図1参照)の周りで向きを可変できるように筺体内に設置すると共に、受光部130の向きを変えても半導体レーザ装置122からのレーザ光が透光性部材110に遮断されないようにレーザ光通路113の溝や孔の大きさを適切に設定すればよい。この場合、レーザ光の照射中に受光部130の向きを変えることで、発光で照らす方向を変化させることができるので、発光装置100が照明装置の用途に好適なものとなる。   In the light emitting device 100 shown in FIG. 1, the orientation of the light receiving unit 130 may be changed in a certain casing. For example, the laser from the semiconductor laser device 122 is installed in the housing so that the heat dissipation structure 133 of the light receiving unit 130 can change its direction around the axis C (see FIG. 1) and the direction of the light receiving unit 130 is changed. The size of the groove or hole of the laser light passage 113 may be set appropriately so that light is not blocked by the light transmitting member 110. In this case, by changing the direction of the light receiving unit 130 during the irradiation of the laser light, it is possible to change the direction of illumination by light emission, so the light emitting device 100 is suitable for the application of the lighting device.

100,100B,100C 発光装置
101,101B,101C 光学部材
110,110B,110C 透光性部材
111,111C 入射面
112,112C 出射面
113,113C レーザ光通路
114 側面
115,115C 凹部
116 内底面
117 内側面
118,118C レーザ光通路の端部
119,119C レーザ光通路の端部
120 光源体部
121 基板
122 半導体レーザ装置
123 放熱構造体
124 接続部材
125 コネクタ
130 受光部
131 蛍光体プレート
132 波長変換部
133 放熱構造体
136 接続部材
140,140C 光軸
150 支持部
160 反射鏡
170 底面
100, 100B, 100C Light-emitting devices 101, 101B, 101C Optical members 110, 110B, 110C Translucent members 111, 111C Incident surfaces 112, 112C Emitting surfaces 113, 113C Laser light path 114 Sides 115, 115C Recesses 116 Inner bottom surface 117 Side face 118, 118C End part of laser light passage 119, 119C End of laser light passage 120 Light source unit 121 Substrate 122 Semiconductor laser device 123 Heat dissipation structure 124 Connection member 125 Connector 130 Light receiving unit 131 Phosphor plate 132 Wavelength conversion unit 133 Heat dissipation structure 136 Connecting member 140, 140C Optical axis 150 Support 160 Reflector 170 Bottom

Claims (8)

半導体レーザ装置からのレーザ光を通過させるレーザ光通路と、
前記レーザ光通路を通過して波長変換部で前記レーザ光を波長変換した光を入射する入射面と、
前記入射面に入射した光を集光して略平行光として出射する出射面と、を備える透光性部材
前記透光性部材の入射面に対向して設置された前記波長変換部と、
一面側に前記波長変換部が設置された蛍光体プレートと、
前記蛍光体プレートの他面側に取り付けられた放熱構造体と、を備え、
前記レーザ光通路は溝又は孔からなり、前記波長変換部からの光の光軸に対して傾斜するように形成されてなり、
前記入射面は、前記波長変換部に対向する前記透光性部材の位置に凹部を形成して設けられてなり、
前記透光性部材は、前記波長変換部から隙間を隔てて前記波長変換部を前記凹部で覆うように配設されている光学部材。
A laser light passage for passing laser light from the semiconductor laser device;
An incident surface which passes through the laser light path and enters light obtained by wavelength-converting the laser light by a wavelength conversion unit;
And the light-transmitting member and a emission surface for emitting a substantially parallel light condenses the light incident on the incident surface,
The wavelength conversion unit disposed opposite to the incident surface of the light-transmissive member;
A phosphor plate provided with the wavelength conversion unit on one side;
A heat dissipation structure attached to the other side of the phosphor plate;
The laser beam path comprises a groove or hole, Ri Na is formed so as to be inclined with respect to the optical axis of the light from the wavelength converting part,
The incident surface is provided by forming a recess at a position of the light-transmissive member facing the wavelength conversion unit,
The light transmitting member is an optical member disposed so as to cover the wavelength converting portion with the concave portion with a gap from the wavelength converting portion.
前記透光性部材は、前記波長変換部から前記入射面へ入射した光を反射し前記出射面へ導く側面を備え、
前記レーザ光通路の端部が前記側面に形成されている請求項1に記載の光学部材
The light transmitting member includes a side surface that reflects light incident from the wavelength conversion unit to the incident surface and guides the light to the exit surface.
The optical member according to claim 1, wherein an end of the laser light path is formed on the side surface.
前記透光性部材は平凸レンズ状に形成され、凸レンズ面側に前記出射面が形成され、平面側に前記入射面が形成されている請求項1または請求項に記載の光学部材The translucent member is formed in a plano-convex lens shape, the emitting surface is formed on the convex lens surface, the optical member according to claim 1 or claim 2 wherein the entrance surface to the plane side. 前記レーザ光通路の端部が前記出射面に配置されている請求項に記載の光学部材The optical member according to claim 3 , wherein an end of the laser light path is disposed on the emission surface. 請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の光学部材と、前記レーザ光通路から前記波長変換部にレーザ光を照射する位置に設置された半導体レーザ装置と、を備えた発光装置。 The light-emitting device provided with the optical member as described in any one of Claims 1-4, and the semiconductor laser apparatus installed in the position which irradiates a laser beam to the said wavelength conversion part from the said laser beam path. 前記半導体レーザ装置からのレーザ光を反射して前記透光性部材の前記レーザ光通路に導く反射鏡を備える請求項に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 5 , further comprising: a reflecting mirror that reflects the laser beam from the semiconductor laser device and guides the laser beam to the laser beam path of the translucent member. 前記半導体レーザ装置は、前記光軸方向にみて前記透光性部材の前記出射面よりも入射面側に位置する請求項に記載の発光装置。 The light emitting device according to claim 6 , wherein the semiconductor laser device is positioned closer to the light incident surface than the light emitting surface of the light transmitting member as viewed in the optical axis direction. 前記透光性部材には複数の前記レーザ光通路が形成されており、複数の前記半導体レーザ装置と、前記複数のレーザ光通路にレーザ光をそれぞれ導く複数の反射鏡と、を備え、前記複数の反射鏡を介して前記複数の半導体レーザ装置からのレーザ光を前記波長変換部に照射する請求項に記載の発光装置。 A plurality of the laser light paths are formed in the light-transmissive member, and the plurality of semiconductor laser devices and a plurality of reflecting mirrors for respectively guiding laser light to the plurality of laser light paths are provided. The light emitting device according to claim 5 , wherein laser light from the plurality of semiconductor laser devices is irradiated to the wavelength conversion unit via the reflecting mirror.
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