JP6488657B2 - Actuator - Google Patents

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Description

本発明は、片持ち梁(カンチレバー)構造のアクチュエータに関する。   The present invention relates to an actuator having a cantilever structure.

電気回路要素と微細な機械要素とを併せ持つMEMS(Micro−Electro Mechanical Systems)の微細加工技術を用いて、例えばシリコンなどの基板上に圧電素子を含むカンチレバーが固定されて形成される片持ち梁構造のアクチュエータ(変位素子)が既に知られている。   A cantilever structure in which a cantilever including a piezoelectric element is fixed on a substrate such as silicon using a micro-electromechanical system (MEMS) microfabrication technology that combines an electric circuit element and a fine mechanical element. The actuator (displacement element) is already known.

例えば、特許文献1には、カンチレバーの固定部において、カンチレバーの長さ方向に対して基板を突出あるいは後退させたカンチレバー型アクチュエータが開示されている。   For example, Patent Document 1 discloses a cantilever actuator in which a substrate is protruded or retracted with respect to a length direction of the cantilever in a fixing portion of the cantilever.

しかしながら、上述した引用文献1のアクチュエータでは、カンチレバーの基板への固定部においては、圧電素子の変位による応力により圧電素子自身や、圧電素子を挟持する電極膜、保護膜の各界面において膜剥離が発生するという問題があった。   However, in the actuator of the above-mentioned Cited Document 1, in the fixing portion of the cantilever to the substrate, film peeling occurs at each interface of the piezoelectric element itself, the electrode film sandwiching the piezoelectric element, and the protective film due to the stress due to the displacement of the piezoelectric element. There was a problem that occurred.

本発明の目的は上記の問題点を解決し、カンチレバーの基板への固定部における応力を低減させることにより、該固定部での膜剥離を抑制できるアクチュエータを提供することにある。   An object of the present invention is to solve the above-described problems and provide an actuator that can suppress film peeling at the fixing portion by reducing the stress at the fixing portion of the cantilever to the substrate.

本発明の一態様に係るアクチュエータは、
圧電素子を挟持するように形成される上部電極及び下部電極を含む圧電振動体と、上記圧電振動体により振動する振動板とを備えたアクチュエータであって、
上記振動板の長手方向で所定の境界において上記振動板の厚さが段差状に変化するように上記振動板が形成され、
上記上部電極及び上記下部電極は上記振動板の厚み方向で重なる重複領域を有し、
上記重複領域は、上記振動板の長手方向において上記境界から外れた位置に形成されることを特徴とする。
The actuator according to one aspect of the present invention is
An actuator comprising a piezoelectric vibration member including an upper electrode and a lower electrode formed so as to sandwich a piezoelectric element, and a vibration plate that vibrates by the piezoelectric vibration member,
The diaphragm is formed so that the thickness of the diaphragm changes in a step shape at a predetermined boundary in the longitudinal direction of the diaphragm,
The upper electrode and the lower electrode have overlapping regions that overlap in the thickness direction of the diaphragm,
The overlapping region is formed at a position deviating from the boundary in the longitudinal direction of the diaphragm.

本発明によれば、各層の密着界面における応力を低減させることが可能となるので、密着界面からの各層の膜剥離を抑制することができる。   According to the present invention, it is possible to reduce the stress at the adhesion interface of each layer, so that film peeling of each layer from the adhesion interface can be suppressed.

本発明の実施形態に係るアクチュエータの上面図である。It is a top view of the actuator which concerns on embodiment of this invention. 図1AのA−A’線に沿って切断したときのアクチュエータの縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of an actuator when it cuts along the A-A 'line of FIG. 1A. 図1Aのアクチュエータの製造方法の第1の工程を図示する上面図である。FIG. 1B is a top view illustrating a first step in the method for manufacturing the actuator of FIG. 1A. 図2AのB−B’線に沿って切断したときのアクチュエータの縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of an actuator when it cuts along the B-B 'line of FIG. 2A. 図1Aのアクチュエータの製造方法の第2の工程を図示する上面図である。FIG. 1B is a top view illustrating a second step in the method for manufacturing the actuator of FIG. 1A. 図3AのC−C’線に沿って切断したときのアクチュエータの縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of an actuator when it cuts along the C-C 'line of FIG. 3A. 図1Aのアクチュエータの製造方法の第3の工程を図示する上面図である。FIG. 3 is a top view illustrating a third step in the method for manufacturing the actuator of FIG. 1A. 図4AのD−D’線に沿って切断したときのアクチュエータの縦断面図である。FIG. 4B is a longitudinal sectional view of the actuator when cut along the line D-D ′ in FIG. 4A. 図1Aのアクチュエータの製造方法の第4の工程を図示する上面図である。FIG. 3A is a top view illustrating a fourth step in the method for manufacturing the actuator in FIG. 1A. 図5AのE−E’線に沿って切断したときのアクチュエータの縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of an actuator when it cuts along the E-E 'line of FIG. 5A. 本発明の実施形態の変形例1に係るアクチュエータの上面図である。It is a top view of the actuator which concerns on the modification 1 of embodiment of this invention. 図6AのF−F’線に沿って切断したときのアクチュエータの縦断面図である。FIG. 6B is a longitudinal sectional view of the actuator when cut along the line F-F ′ of FIG. 6A. 本発明の実施形態の変形例2に係るアクチュエータの上面図である。It is a top view of an actuator concerning modification 2 of an embodiment of the present invention. 図7AのG−G’線に沿って切断したときのアクチュエータの縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of an actuator when it cuts along the G-G 'line | wire of FIG. 7A. 本発明の実施形態の変形例3に係るアクチュエータの上面図である。It is a top view of the actuator which concerns on the modification 3 of embodiment of this invention. 図8AのH−H’線に沿って切断したときのアクチュエータの縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of an actuator when it cuts along the H-H 'line | wire of FIG. 8A.

以下、本発明に係る実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の各実施形態において、同様の構成要素については同一の符号を付している。   Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, in each following embodiment, the same code | symbol is attached | subjected about the same component.

実施形態.
図1Aは、本発明の実施形態に係るアクチュエータの上面図であり、図1Bは、図1AのA−A’線に沿って切断したときのアクチュエータの縦断面図である。図1A及び図1Bにおいて、アクチュエータは、圧電振動体6と、圧電振動体6により振動する振動板であるシリコン基板1とを備えて構成される。また、圧電振動体6は、例えばジルコン酸チタン酸鉛(PZT)などの圧電素子3と、例えば白金、ロジウム、ルテニウム、イリジウムなどの金属で形成される上部電極4及び下部電極2と、例えば酸化膜などの保護膜(パッシベーション膜)5とを備えて構成される。ここで、圧電振動体6を構成する各層は矩形形状である。
Embodiment.
FIG. 1A is a top view of an actuator according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a longitudinal sectional view of the actuator when cut along the line AA ′ of FIG. 1A. In FIG. 1A and FIG. 1B, the actuator includes a piezoelectric vibrating body 6 and a silicon substrate 1 that is a vibrating plate that vibrates by the piezoelectric vibrating body 6. The piezoelectric vibrator 6 includes, for example, a piezoelectric element 3 such as lead zirconate titanate (PZT), an upper electrode 4 and a lower electrode 2 formed of a metal such as platinum, rhodium, ruthenium, and iridium. And a protective film (passivation film) 5 such as a film. Here, each layer constituting the piezoelectric vibrating body 6 has a rectangular shape.

図1A及び図1Bにおいて、上部電極4と下部電極2との間に形成され、上部電極4と下部電極2との間に所定の電圧を印加することにより、圧電素子3が長さ方向に伸縮し、後述するカンチレバー部10に屈曲変位を発生させる。また、シリコン基板1は、カンチレバー固定端Bを境界としてシリコン基板1の長手方向においてシリコン基板1の厚さが段差状に変化するように形成される。ここで、下部電極2及び圧電素子3はカンチレバー固定端Bに跨がって形成され、上部電極4はカンチレバー固定端Bを跨がって形成されない。すなわち、上部電極4及び下部電極2がシリコン基板1の厚み方向で重なる重複領域OAが、シリコン基板1の長手方向において上記境界から外れた位置に形成される。   1A and 1B, the piezoelectric element 3 is formed between the upper electrode 4 and the lower electrode 2, and the piezoelectric element 3 expands and contracts in the length direction by applying a predetermined voltage between the upper electrode 4 and the lower electrode 2. Then, bending displacement is generated in the cantilever part 10 described later. The silicon substrate 1 is formed such that the thickness of the silicon substrate 1 changes in a stepped manner in the longitudinal direction of the silicon substrate 1 with the cantilever fixed end B as a boundary. Here, the lower electrode 2 and the piezoelectric element 3 are formed across the cantilever fixed end B, and the upper electrode 4 is not formed across the cantilever fixed end B. That is, an overlapping region OA where the upper electrode 4 and the lower electrode 2 overlap in the thickness direction of the silicon substrate 1 is formed at a position deviated from the boundary in the longitudinal direction of the silicon substrate 1.

上述したように、図1A及び図1Bのアクチュエータは、第1の膜厚部1aからなる固定部20と、第1の膜厚部1aよりも小さい膜厚を有する第2の膜厚部1bからなるカンチレバー部10とから構成される。すなわち、シリコン基板1の長手方向において、上記境界の一方の側に位置する固定部20と、上記境界の他方の側に位置するカンチレバー部10とを有し、重複領域OAは、カンチレバー部10に位置する。この構成とすることにより、カンチレバー固定端Bには、カンチレバー部10での圧電素子3の変位による応力のみ発生する。従って、カンチレバー固定端Bに跨がって形成される下部電極2、圧電素子3、上部電極4、及び保護膜5の各層の密着界面に過度の応力は発生しないので、密着界面からの各層の膜剥離を抑制することが可能となる。   As described above, the actuator shown in FIGS. 1A and 1B includes the fixed portion 20 including the first film thickness portion 1a and the second film thickness portion 1b having a smaller film thickness than the first film thickness portion 1a. And a cantilever portion 10. That is, in the longitudinal direction of the silicon substrate 1, the fixing portion 20 is located on one side of the boundary and the cantilever portion 10 is located on the other side of the boundary, and the overlapping region OA is formed in the cantilever portion 10. To position. With this configuration, only the stress due to the displacement of the piezoelectric element 3 at the cantilever portion 10 is generated at the cantilever fixed end B. Accordingly, excessive stress is not generated at the adhesion interface of each layer of the lower electrode 2, the piezoelectric element 3, the upper electrode 4, and the protective film 5 formed across the cantilever fixed end B. It becomes possible to suppress film peeling.

図2A〜図5Aは、図1Aのアクチュエータの製造方法の工程を図示する上面図であり、図2B〜図5Bは、図2A〜図5AのB−B’,C−C’,D−D,E−E’線に沿ってそれぞれ切断したときのアクチュエータの縦断面図である。次に、これらの図面を用いて、図1Aのアクチュエータの製造方法について以下に説明する。   2A to 5A are top views illustrating steps of the manufacturing method of the actuator of FIG. 1A, and FIGS. 2B to 5B are BB ′, CC ′, and DD of FIGS. 2A to 5A. , EE ′ is a longitudinal sectional view of the actuator when cut along each line. Next, the manufacturing method of the actuator of FIG. 1A will be described below with reference to these drawings.

図2A及び図2Bでは、シリコン基板1上にスパッタ法や真空蒸着法などを用いて、例えば白金、ロジウム、ルテニウム、イリジウムなどの金属を堆積する。次に、フォトリソグラフィ工程及びドライエッチング法などを用いてパターニングしてシリコン基板1上に下部電極2を形成する。   2A and 2B, a metal such as platinum, rhodium, ruthenium, and iridium is deposited on the silicon substrate 1 using a sputtering method, a vacuum evaporation method, or the like. Next, the lower electrode 2 is formed on the silicon substrate 1 by patterning using a photolithography process and a dry etching method.

図3A及び図3Bでは、例えばスパッタ法、イオンプレーティング法、エアーゾル法、ゾルゲル法などを用いて、例えばジルコン酸チタン酸鉛(PZT)などを堆積する。次に、フォトリソグラフィ工程及びドライエッチング法などを用いてパターニングして下部電極2上に圧電素子3を形成する。   In FIGS. 3A and 3B, for example, lead zirconate titanate (PZT) is deposited using, for example, sputtering, ion plating, air sol, sol-gel, or the like. Next, the piezoelectric element 3 is formed on the lower electrode 2 by patterning using a photolithography process and a dry etching method.

図4A及び図4Bでは、スパッタ法や真空蒸着法などを用いて、例えば白金、ロジウム、ルテニウム、イリジウムなどの金属を堆積し、フォトリソグラフィ工程及びドライエッチング法などを用いてパターニングして圧電素子3上に上部電極4を形成する。ここで、上部電極4は、後述する薄膜化されたシリコン基板1上に形成されるようにパターニングされ、上部電極4と下部電極2とがシリコン基板1の厚み方向に重複する重複領域OAが形成される。   4A and 4B, a piezoelectric element 3 is formed by depositing a metal such as platinum, rhodium, ruthenium, or iridium using a sputtering method or a vacuum evaporation method, and patterning the metal using a photolithography process, a dry etching method, or the like. An upper electrode 4 is formed thereon. Here, the upper electrode 4 is patterned so as to be formed on a thinned silicon substrate 1 to be described later, thereby forming an overlapping region OA in which the upper electrode 4 and the lower electrode 2 overlap in the thickness direction of the silicon substrate 1. Is done.

図5A及び図5Bでは、例えばLPCVD法などを用いて、例えば酸化膜などの保護膜(パッシベーション膜)5を堆積する。次に、ウェットエッチング技術もしくはICPドライエッチング技術等のシリコン深堀り技術を用いて、シリコン基板1を裏面側から部分的に(選択的に)エッチングする。すなわち、カンチレバー固定端Bを境界としてシリコン基板1の長手方向においてシリコン基板1の厚さが段差状に変化するようにシリコン基板1を薄膜化する。従って、シリコン基板1は、第1の膜厚部1aと、第1の膜厚部1aよりも小さい膜厚を有する第2の膜厚部1bとを有する。また、アクチュエータは、第1の膜厚部1aからなる固定部20と、第2の膜厚部1bからなるカンチレバー部10とを備える。   5A and 5B, a protective film (passivation film) 5 such as an oxide film is deposited using, for example, LPCVD. Next, the silicon substrate 1 is partially (selectively) etched from the back side using a silicon deepening technique such as a wet etching technique or an ICP dry etching technique. That is, the silicon substrate 1 is thinned so that the thickness of the silicon substrate 1 changes stepwise in the longitudinal direction of the silicon substrate 1 with the cantilever fixed end B as a boundary. Accordingly, the silicon substrate 1 has the first film thickness portion 1a and the second film thickness portion 1b having a film thickness smaller than that of the first film thickness portion 1a. Further, the actuator includes a fixed portion 20 made of the first film thickness portion 1a and a cantilever portion 10 made of the second film thickness portion 1b.

以上の実施形態に係るアクチュエータによれば、カンチレバー固定端B上に上部電極4が形成されないので、上部電極4と下部電極2との間に電圧を印加しても、カンチレバー部10のみに圧電素子3の逆圧電効果による収縮が発生する。従って、カンチレバー固定端Bに跨がって形成される下部電極2、圧電素子3、及び保護膜5の各層の密着界面において過度の応力が発生しないので、密着界面からの各層の膜剥離を抑制することが可能となる。   According to the actuator according to the above embodiment, since the upper electrode 4 is not formed on the cantilever fixed end B, even if a voltage is applied between the upper electrode 4 and the lower electrode 2, only the cantilever portion 10 has a piezoelectric element. 3 contraction due to the inverse piezoelectric effect occurs. Accordingly, excessive stress is not generated at the adhesion interface of each layer of the lower electrode 2, the piezoelectric element 3, and the protective film 5 formed across the cantilever fixed end B, so that delamination of each layer from the adhesion interface is suppressed. It becomes possible to do.

変形例1.
図6Aは、本発明の実施形態の変形例1に係るアクチュエータの上面図であり、図6Bは、図6AのF−F’線に沿って切断したときのアクチュエータの縦断面図である。図6A及び図6Bのアクチュエータは、図1A及び図1Bのアクチェータに比較すると、以下の点が相違する。すなわち、図1A及び図1Bでは、下部電極2及び圧電素子3はカンチレバー固定端Bに跨がって形成され、上部電極4はカンチレバー固定端Bに跨がって形成されない。これに対して、本変形例では、上部電極4及び圧電素子3はカンチレバー固定端Bに跨がって形成され、下部電極2はカンチレバー固定端Bに跨がって形成されないことを特徴とする。本発明の実施形態の変形例1に係るアクチェータは、上述した実施形態に係るアクチェータと同様の動作を行い、同様の作用効果を得ることができる。
Modification 1
6A is a top view of an actuator according to Modification 1 of the embodiment of the present invention, and FIG. 6B is a longitudinal sectional view of the actuator when cut along the line FF ′ of FIG. 6A. The actuator shown in FIGS. 6A and 6B is different from the actuator shown in FIGS. 1A and 1B in the following points. 1A and 1B, the lower electrode 2 and the piezoelectric element 3 are formed over the cantilever fixed end B, and the upper electrode 4 is not formed over the cantilever fixed end B. On the other hand, in this modification, the upper electrode 4 and the piezoelectric element 3 are formed over the cantilever fixed end B, and the lower electrode 2 is not formed over the cantilever fixed end B. . The actuator according to the first modification of the embodiment of the present invention performs the same operation as that of the actuator according to the above-described embodiment, and can obtain the same effects.

変形例2.
図7Aは、本発明の実施形態の変形例2に係るアクチュエータの上面図であり、図7Bは、図7AのG−G’線に沿って切断したときのアクチュエータの縦断面図である。図7A及び図7Bのアクチュエータは、図1A及び図1Bのアクチェータに比較すると、圧電素子3の両端が直線形状で形成される代わりに、圧電素子3の一端がラダー形状で形成されることを特徴とする。図7A及び図7Bでは、圧電素子3の固定部20側の一端がラダー形状である。本発明の実施形態の変形例2に係るアクチェータは、上述した実施形態に係るアクチェータと同様の動作を行い、同様の作用効果を得ることができる。さらに、上述した実施形態に係るアクチェータに比較すると、下部電極2、圧電素子3、及び保護膜5の各層の密着界面における応力をさらに低減させることができるので、密着界面からの各層の膜剥離をさらに抑制することが可能となる。
Modification 2
7A is a top view of an actuator according to Modification 2 of the embodiment of the present invention, and FIG. 7B is a longitudinal sectional view of the actuator when cut along the line GG ′ of FIG. 7A. 7A and 7B is characterized in that, compared with the actuator of FIGS. 1A and 1B, both ends of the piezoelectric element 3 are formed in a ladder shape instead of being formed in a linear shape at both ends. And 7A and 7B, one end of the piezoelectric element 3 on the fixed portion 20 side has a ladder shape. The actuator according to the second modification of the embodiment of the present invention can perform the same operation as the actuator according to the above-described embodiment, and can obtain the same effects. Furthermore, compared with the actuator according to the above-described embodiment, the stress at the adhesion interface of each layer of the lower electrode 2, the piezoelectric element 3, and the protective film 5 can be further reduced. Further suppression is possible.

変形例3.
図8Aは、本発明の実施形態の変形例2に係るアクチュエータの上面図であり、図8Bは、図8AのH−H’線に沿って切断したときのアクチュエータの縦断面図である。図8A及び図8Bのアクチュエータは、図1A及び図1Bのアクチェータに比較すると、直線形状の圧電素子3の代わりに、固定部20側の一部に開口部7が設けられた圧電素子3を備えたことを特徴とする。本発明の実施形態の変形例3に係るアクチェータは、上述した実施形態に係るアクチェータと同様の動作を行い、同様の作用効果を得ることができる。さらに、上述した実施形態に係るアクチェータに比較すると、下部電極2、圧電素子3、及び保護膜5の各層の密着界面における応力をさらに低減させることができるので、密着界面からの各層の膜剥離をさらに抑制することが可能となる。
Modification 3
FIG. 8A is a top view of an actuator according to Modification 2 of the embodiment of the present invention, and FIG. 8B is a longitudinal sectional view of the actuator when cut along the line HH ′ of FIG. 8A. The actuator shown in FIGS. 8A and 8B includes a piezoelectric element 3 in which an opening 7 is provided in a part on the fixed portion 20 side instead of the linear piezoelectric element 3 as compared with the actuator shown in FIGS. 1A and 1B. It is characterized by that. The actuator according to the third modification of the embodiment of the present invention can perform the same operation as the actuator according to the above-described embodiment, and can obtain the same effects. Furthermore, compared with the actuator according to the above-described embodiment, the stress at the adhesion interface of each layer of the lower electrode 2, the piezoelectric element 3, and the protective film 5 can be further reduced. Further suppression is possible.

なお、上述した変形例において、圧電素子3のみをパターニングすることにより、各層の密着界面における応力を緩和したが、本発明はこれに限定されない。例えば、圧電素子3を挟持するように形成される下部電極2及び上部電極4をパターニングすることにより、各層の密着界面における応力を緩和してもよい。この場合においても、上述した変形例と同様の効果を得ることができる。   In the modification described above, only the piezoelectric element 3 is patterned to relieve stress at the adhesion interface of each layer, but the present invention is not limited to this. For example, the stress at the adhesion interface of each layer may be relieved by patterning the lower electrode 2 and the upper electrode 4 formed so as to sandwich the piezoelectric element 3. Even in this case, the same effect as the above-described modification can be obtained.

実施形態のまとめ
第1の態様に係るアクチュエータは、
圧電素子を挟持するように形成される上部電極及び下部電極を含む圧電振動体と、上記圧電振動体により振動する振動板とを備えたアクチュエータであって、
上記振動板の長手方向で所定の境界において上記振動板の厚さが段差状に変化するように上記振動板が形成され、
上記上部電極及び上記下部電極は上記振動板の厚み方向で重なる重複領域を有し、
上記重複領域は、上記振動板の長手方向において上記境界から外れた位置に形成されることを特徴とする。
Summary of Embodiment The actuator according to the first aspect is:
An actuator comprising a piezoelectric vibration member including an upper electrode and a lower electrode formed so as to sandwich a piezoelectric element, and a vibration plate that vibrates by the piezoelectric vibration member,
The diaphragm is formed so that the thickness of the diaphragm changes in a step shape at a predetermined boundary in the longitudinal direction of the diaphragm,
The upper electrode and the lower electrode have overlapping regions that overlap in the thickness direction of the diaphragm,
The overlapping region is formed at a position deviating from the boundary in the longitudinal direction of the diaphragm.

第2の態様に係るアクチュエータは、第1の態様に係るアクチュエータにおいて、
上記振動板は、第1の膜厚部と、上記第1の膜厚部よりも小さい膜厚を有する第2の膜厚部とを有し、
上記重複領域は、上記第2の膜厚部に形成されることを特徴とする。
The actuator according to the second aspect is the actuator according to the first aspect,
The diaphragm has a first film thickness part and a second film thickness part having a film thickness smaller than the first film thickness part,
The overlapping region is formed in the second film thickness portion.

第3の態様に係るアクチュエータは、第1または第2の態様に係るアクチュエータにおいて、
上記長手方向において、上記境界の一方に位置する固定部と、上記境界の他方に位置するカンチレバー部とを有し、
上記重複領域は、上記カンチレバー部に位置することを特徴とする。
The actuator according to the third aspect is the actuator according to the first or second aspect,
In the longitudinal direction, it has a fixed part located on one of the boundaries, and a cantilever part located on the other of the boundaries,
The overlapping region is located in the cantilever part.

第4の態様に係るアクチュエータは、第1〜第3のうちのいずれか1つに記載の態様に係るアクチュエータにおいて、
上記圧電素子の一端は、矩形形状であることを特徴とする。
The actuator according to the fourth aspect is the actuator according to any one of the first to third aspects,
One end of the piezoelectric element has a rectangular shape.

第5の態様に係るアクチュエータは、第1〜第3のうちのいずれか1つに記載の態様に係るアクチュエータにおいて、
上記圧電素子の一端はラダー形状であることを特徴とする。
The actuator according to the fifth aspect is the actuator according to any one of the first to third aspects,
One end of the piezoelectric element has a ladder shape.

1…シリコン基板、
2…下部電極、
3…圧電素子、
4…上部電極、
5…保護層、
6…圧電振動体、
7…開口部、
10…カンチレバー部、
20…固定部。
1 ... silicon substrate,
2 ... lower electrode,
3 ... piezoelectric element,
4 ... Upper electrode,
5 ... protective layer,
6 ... piezoelectric vibrator,
7 ... opening,
10 ... cantilever part,
20: Fixed part.

特開平6−273160号公報JP-A-6-273160

Claims (6)

圧電素子を挟持するように形成される上部電極及び下部電極を含む圧電振動体と、前記圧電振動体により振動する振動板とを備えたアクチュエータであって、
前記振動板の長手方向で所定の境界において前記振動板の厚さが段差状に変化するように前記振動板が形成され、
前記上部電極及び前記下部電極は前記振動板の厚み方向で重なる重複領域を有し、
前記重複領域は、前記振動板の長手方向において前記境界から外れた位置に形成され
前記長手方向において、前記境界の一方の側に位置する固定部と、前記境界の他方の側に位置するカンチレバー部とを有し、
前記重複領域は、前記カンチレバー部に位置し、
前記上部電極と前記下部電極とのうちのいずれか一方と、前記圧電素子とは、前記境界を跨いで固定部まで延設されていることを特徴とするアクチュエータ。
A piezoelectric vibrator including an upper electrode and a lower electrode is formed to the piezoelectric element for clamping, an actuator and a diaphragm that vibrates by the piezoelectric vibrator,
The diaphragm is formed in the predetermined boundary in the longitudinal direction of the vibrating plate so that the thickness of the diaphragm is changed stepwise,
It said upper electrode and said lower electrode has an overlapping area that overlaps in the thickness direction of the diaphragm,
The overlapping region is formed in a position deviated from the boundary in the longitudinal direction of the diaphragm,
In the longitudinal direction, it has a fixed part located on one side of the boundary, and a cantilever part located on the other side of the boundary,
The overlapping region is located in the cantilever part,
Any one of the upper electrode and the lower electrode, and the piezoelectric element are extended to the fixed portion across the boundary .
前記上部電極と前記下部電極とのうちのいずれか一方と、前記圧電素子とは、段差状に形成されていることを特徴とする請求項1記載のアクチュエータ。The actuator according to claim 1, wherein any one of the upper electrode and the lower electrode and the piezoelectric element are formed in a stepped shape. 前記上部電極と前記下部電極とのうちのいずれか一方と、前記圧電素子とは、堆積する保護層を備えることを特徴とする請求項2記載のアクチュエータ。The actuator according to claim 2, wherein any one of the upper electrode and the lower electrode and the piezoelectric element include a protective layer to be deposited. 前記振動板は、第1の膜厚部と、前記第1の膜厚部よりも小さい膜厚を有する第2の膜厚部とを有し、
前記重複領域は、前記第2の膜厚部に形成されることを特徴とする請求項1〜3のうちのいずれか1つに記載のアクチュエータ。
The diaphragm includes a first film thickness portion, and a second thickness portion having a smaller thickness than the first film thickness portion,
The overlap region, the actuator according to any one of claims 1-3, characterized in that formed on the second film thickness portion.
前記圧電素子の一端は矩形形状であることを特徴とする請求項1〜のうちのいずれか1つに記載のアクチュエータ。 The activator Interview error over data according to any one of claims 1-4, characterized in that one end of the piezoelectric element has a rectangular shape. 前記圧電素子の一端はラダー形状であることを特徴とする請求項1〜のうちのいずれか1つに記載のアクチュエータ。 The activator Interview error over data according to any one of claims 1-4, characterized in that one end of the piezoelectric element is a ladder shape.
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