JP6482978B2

JP6482978B2 - Substrate processing equipment

Info

Publication number: JP6482978B2
Application number: JP2015145746A
Authority: JP
Inventors: 容一徳永; 陽藤田
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2015-07-23
Filing date: 2015-07-23
Publication date: 2019-03-13
Anticipated expiration: 2035-07-23
Also published as: JP2017028120A

Description

開示の実施形態は、基板処理装置に関する。 The disclosed embodiment relates to a substrate processing apparatus.

従来、半導体ウェハ等の基板に対し、処理液を供給して所定の基板処理を施す基板処理装置が知られている。たとえば、特許文献１には、基板の周縁部（ベベル部）へエッチング用途の処理液を供給することによって、基板に対しベベルエッチング処理を施す基板処理装置が開示されている。 2. Description of the Related Art Conventionally, a substrate processing apparatus that performs a predetermined substrate processing by supplying a processing liquid to a substrate such as a semiconductor wafer is known. For example, Patent Document 1 discloses a substrate processing apparatus that performs a bevel etching process on a substrate by supplying a processing solution for etching to a peripheral portion (bevel portion) of the substrate.

なお、特許文献１の基板処理装置は、エッチングの処理性能を高めるため、基板を加熱する加熱部を備えており、かかる加熱部により基板を加熱しながらベベル部へ処理液を供給する。 Note that the substrate processing apparatus disclosed in Patent Document 1 includes a heating unit that heats the substrate in order to improve the processing performance of etching, and supplies the processing liquid to the bevel portion while heating the substrate by the heating unit.

特開２０１１−０５４９３２号公報JP 2011-054932 A

しかしながら、上述した従来技術には、処理不良を防ぐうえで更なる改善の余地がある。たとえば、処理液の種類によっては加熱により供給管内で気泡が生じてしまい、かかる気泡が吐出されて処理不良を招くおそれがある。 However, the above-described conventional technology has room for further improvement in preventing processing defects. For example, depending on the type of the processing liquid, bubbles may be generated in the supply pipe due to heating, and such bubbles may be ejected to cause processing failure.

実施形態の一態様は、処理液の吐出状態に起因する処理不良を防ぐことができる基板処理装置を提供することを目的とする。 An object of one embodiment of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that can prevent a processing failure caused by a discharge state of a processing liquid.

実施形態の一態様に係る基板処理装置は、保持回転部と、リング部材と、吐出部と、制御部とを備える。保持回転部は、基板を保持して回転させる。リング部材は、リング形状を有し、基板の周縁部の上方に配置される。吐出部は、供給管から供給される処理液を基板の周縁部へ向けて吐出する。制御部は、一連の基板処理を制御する。また、吐出部は、吐出口と、配管と、加熱部とを有する。配管は、供給管から吐出口へ通じる。加熱部は、配管まわりに配置された発熱体を含み、配管を介して処理液を加熱可能に設けられる。また、吐出部は、リング部材側および基板を挟んだ基板の裏側へそれぞれ設けられる。また、吐出部はそれぞれ、吐出口へ向けて配管を通過する処理液を加熱部により加熱した後に、同時に基板に対して吐出する。また、制御部は、発熱体への通電を制御することによって加熱部による処理液の加熱を制御する。また、制御部はさらに、発熱体への通電を開始して発熱体が規定の昇温温度にまで上昇した後に、吐出部に基板に対する処理液の吐出を開始させる。 The substrate processing apparatus which concerns on the one aspect | mode of embodiment is provided with a holding | maintenance rotation part, a ring member , a discharge part, and a control part . The holding and rotating unit holds and rotates the substrate. The ring member has a ring shape and is disposed above the peripheral edge of the substrate. The discharge unit discharges the processing liquid supplied from the supply pipe toward the peripheral edge of the substrate. The control unit controls a series of substrate processing. The discharge unit includes a discharge port, piping, and a heating unit. The pipe leads from the supply pipe to the discharge port. The heating unit includes a heating element arranged around the pipe, and is provided so as to heat the treatment liquid through the pipe. Further, the discharge section is provided on each of the ring member side and the back side of the substrate across the substrate. In addition, each of the discharge units discharges the processing liquid passing through the piping toward the discharge port by the heating unit, and then discharges the same simultaneously to the substrate. The control unit controls heating of the processing liquid by the heating unit by controlling energization to the heating element. In addition, the control unit further starts energization of the heating element, and after the heating element rises to a predetermined temperature rise temperature, causes the discharging unit to start discharging the processing liquid onto the substrate.

また、実施形態の別の一態様に係る基板処理装置は、保持回転部と、供給管と、吐出部とを備える。保持回転部は、基板を保持して回転させる。供給管は、処理液を供給する。吐出部は、供給管から供給される処理液を基板に対して吐出する。また、吐出部は、吐出口を有する。吐出口の形状は、基板の接線方向側よりも基板の径方向側の方が長くなるように設けられている。 In addition, a substrate processing apparatus according to another aspect of the embodiment includes a holding rotation unit, a supply pipe, and a discharge unit. The holding and rotating unit holds and rotates the substrate. The supply pipe supplies a processing liquid. The discharge unit discharges the processing liquid supplied from the supply pipe to the substrate. The discharge unit has a discharge port. The shape of the discharge port is provided so that the radial side of the substrate is longer than the tangential side of the substrate.

実施形態の一態様によれば、処理液の吐出状態に起因する処理不良を防ぐことができる。 According to one aspect of the embodiment, it is possible to prevent a processing failure due to the discharge state of the processing liquid.

図１は、第１の実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram illustrating a schematic configuration of a substrate processing system according to the first embodiment. 図２は、処理ユニットの概略構成を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a schematic configuration of the processing unit. 図３Ａは、吐出部の構成を示す図である。FIG. 3A is a diagram illustrating a configuration of a discharge unit. 図３Ｂは、ヒータの配置例を示す図である。FIG. 3B is a diagram illustrating an arrangement example of heaters. 図３Ｃは、ヒータの通電制御の説明図である。FIG. 3C is an explanatory diagram of heater energization control. 図４Ａは、比較例となるノズルを用いる場合の説明図である。FIG. 4A is an explanatory diagram in the case of using a nozzle as a comparative example. 図４Ｂは、第２の実施形態に係るノズルを用いる場合の説明図である。FIG. 4B is an explanatory diagram when the nozzle according to the second embodiment is used. 図４Ｃは、第２の実施形態に係る吐出口による被吐出領域の説明図である。FIG. 4C is an explanatory diagram of a region to be ejected by the ejection port according to the second embodiment. 図５Ａは、吐出口の具体例を示す図（その１）である。FIG. 5A is a diagram (part 1) illustrating a specific example of an ejection port. 図５Ｂは、吐出口の具体例を示す図（その２）である。FIG. 5B is a diagram (part 2) illustrating a specific example of an ejection port. 図５Ｃは、吐出口の具体例を示す図（その３）である。FIG. 5C is a diagram (part 3) illustrating a specific example of an ejection port. 図５Ｄは、吐出口の具体例を示す図（その４）である。FIG. 5D is a diagram (part 4) illustrating a specific example of an ejection port. 図５Ｅは、吐出口の具体例を示す図（その５）である。FIG. 5E is a diagram (No. 5) illustrating a specific example of the ejection port. 図６Ａは、吐出口が複数である場合の具体例を示す図（その１）である。FIG. 6A is a diagram (No. 1) illustrating a specific example when there are a plurality of ejection openings. 図６Ｂは、吐出口が複数である場合の具体例を示す図（その２）である。FIG. 6B is a diagram (part 2) illustrating a specific example in the case where there are a plurality of ejection openings.

以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理装置の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。 Hereinafter, embodiments of a substrate processing apparatus disclosed in the present application will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In addition, this invention is not limited by embodiment shown below.

また、以下では、処理液が、純水で希釈されたアンモニア水であり、かかる処理液を使用した基板処理の一例として、ベベルエッチング処理が行われる場合を例に挙げて説明を行う。 In the following description, a case where the processing liquid is ammonia water diluted with pure water and a bevel etching process is performed as an example of the substrate processing using the processing liquid will be described.

（第１の実施形態）
図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。 (First embodiment)
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing system according to the present embodiment. In the following, in order to clarify the positional relationship, the X axis, the Y axis, and the Z axis that are orthogonal to each other are defined, and the positive direction of the Z axis is the vertically upward direction.

図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。 As shown in FIG. 1, the substrate processing system 1 includes a carry-in / out station 2 and a processing station 3. The carry-in / out station 2 and the processing station 3 are provided adjacent to each other.

搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウェハ（以下ウェハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。 The carry-in / out station 2 includes a carrier placement unit 11 and a transport unit 12. A plurality of carriers C that accommodate a plurality of substrates, in this embodiment a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer W) in a horizontal state, are placed on the carrier placement unit 11.

搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。 The transport unit 12 is provided adjacent to the carrier placement unit 11 and includes a substrate transport device 13 and a delivery unit 14 inside. The substrate transfer device 13 includes a wafer holding mechanism that holds the wafer W. Further, the substrate transfer device 13 can move in the horizontal direction and the vertical direction and can turn around the vertical axis, and transfers the wafer W between the carrier C and the delivery unit 14 using the wafer holding mechanism. Do.

処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。 The processing station 3 is provided adjacent to the transfer unit 12. The processing station 3 includes a transport unit 15 and a plurality of processing units 16. The plurality of processing units 16 are provided side by side on the transport unit 15.

搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。 The transport unit 15 includes a substrate transport device 17 inside. The substrate transfer device 17 includes a wafer holding mechanism that holds the wafer W. Further, the substrate transfer device 17 can move in the horizontal direction and the vertical direction and can turn around the vertical axis, and transfers the wafer W between the delivery unit 14 and the processing unit 16 using a wafer holding mechanism. I do.

処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷに対して所定の基板処理を行う。 The processing unit 16 performs predetermined substrate processing on the wafer W transferred by the substrate transfer device 17.

また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。 Further, the substrate processing system 1 includes a control device 4. The control device 4 is a computer, for example, and includes a control unit 18 and a storage unit 19. The storage unit 19 stores a program for controlling various processes executed in the substrate processing system 1. The control unit 18 controls the operation of the substrate processing system 1 by reading and executing the program stored in the storage unit 19.

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。 Such a program may be recorded on a computer-readable storage medium, and may be installed in the storage unit 19 of the control device 4 from the storage medium. Examples of the computer-readable storage medium include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnetic optical disk (MO), and a memory card.

上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。 In the substrate processing system 1 configured as described above, first, the substrate transfer device 13 of the loading / unloading station 2 takes out the wafer W from the carrier C placed on the carrier placement unit 11 and receives the taken-out wafer W. Place on the transfer section 14. The wafer W placed on the delivery unit 14 is taken out from the delivery unit 14 by the substrate transfer device 17 of the processing station 3 and carried into the processing unit 16.

処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。 The wafer W carried into the processing unit 16 is processed by the processing unit 16, then unloaded from the processing unit 16 by the substrate transfer device 17, and placed on the delivery unit 14. Then, the processed wafer W placed on the delivery unit 14 is returned to the carrier C of the carrier placement unit 11 by the substrate transfer device 13.

次に、処理ユニット１６の概略構成について図２を参照して説明する。図２は、処理ユニット１６の概略構成を示す図である。 Next, a schematic configuration of the processing unit 16 will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a diagram showing a schematic configuration of the processing unit 16.

図２に示すように、処理ユニット１６は、チャンバ２０と、基板保持機構３０と、基板加熱機構４０と、処理カップ５０とを備える。 As shown in FIG. 2, the processing unit 16 includes a chamber 20, a substrate holding mechanism 30, a substrate heating mechanism 40, and a processing cup 50.

チャンバ２０は、基板保持機構３０と基板加熱機構４０と処理カップ５０とを収容する。チャンバ２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）２１が設けられる。ＦＦＵ２１は、バルブ２２を介してガス供給源２３に接続される。 The chamber 20 accommodates the substrate holding mechanism 30, the substrate heating mechanism 40, and the processing cup 50. An FFU (Fan Filter Unit) 21 is provided on the ceiling of the chamber 20. The FFU 21 is connected to the gas supply source 23 via the valve 22.

ＦＦＵ２１は、ガス供給源２３から供給されるガス（たとえば窒素ガス）をチャンバ２０内に吐出して、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。 The FFU 21 discharges gas (for example, nitrogen gas) supplied from the gas supply source 23 into the chamber 20 to form a downflow in the chamber 20.

また、チャンバ２０の底面には、チャンバ２０内の雰囲気を吸引する吸気口２４が形成される。吸気口２４には、たとえば真空ポンプなどの負圧発生装置２５が接続される。 In addition, an air inlet 24 that sucks the atmosphere in the chamber 20 is formed on the bottom surface of the chamber 20. A negative pressure generator 25 such as a vacuum pump is connected to the intake port 24.

基板保持機構３０は、回転保持部３１と、回転軸３２とを備える。回転保持部３１は、載置されたウェハＷを保持する。回転軸３２は、鉛直方向に延在する部材であり、軸受３３によって回転可能に支持され、先端部において回転保持部３１を水平に支持する。 The substrate holding mechanism 30 includes a rotation holding unit 31 and a rotation shaft 32. The rotation holding unit 31 holds the mounted wafer W. The rotating shaft 32 is a member extending in the vertical direction, is rotatably supported by the bearing 33, and horizontally supports the rotation holding portion 31 at the tip portion.

また、回転軸３２の基端部側は、モータ等を含む駆動部３４へ連結される。駆動部３４は、回転軸３２を鉛直軸まわりに回転させる。なお、回転保持部３１および回転軸３２の内部には、吸引路３５が形成されており、吸引路３５には、たとえば真空ポンプなどの負圧発生装置３６が接続される。 In addition, the base end side of the rotating shaft 32 is connected to a drive unit 34 including a motor and the like. The drive unit 34 rotates the rotary shaft 32 around the vertical axis. A suction path 35 is formed inside the rotation holding unit 31 and the rotation shaft 32, and a negative pressure generator 36 such as a vacuum pump is connected to the suction path 35.

すなわち、基板保持機構３０は、負圧発生装置３６を用いて吸引路３５を介しウェハＷを真空吸着しつつ、駆動部３４を用いて回転軸３２を回転させることによって回転軸３２に支持された回転保持部３１を回転させる。これにより、回転保持部３１に保持されたウェハＷを回転させる。 That is, the substrate holding mechanism 30 is supported by the rotating shaft 32 by rotating the rotating shaft 32 using the driving unit 34 while vacuum-sucking the wafer W through the suction path 35 using the negative pressure generating device 36. The rotation holding unit 31 is rotated. Thereby, the wafer W held by the rotation holding unit 31 is rotated.

基板加熱機構４０は、ヒータ４１を有し、ベベルエッチング処理におけるエッチングの効果を高めるために、回転保持部３１に保持されているウェハＷを裏面側からヒータ４１を用いて温める。 The substrate heating mechanism 40 has a heater 41 and warms the wafer W held by the rotation holding unit 31 from the back side using the heater 41 in order to enhance the etching effect in the bevel etching process.

処理カップ５２は、基板保持機構３０を取り囲むように配置される。また、リング天板５１は平面視でリング形状を有しており、ウェハＷのベベル部上方および外方に配置され、回転保持部３１によって保持されて回転するウェハＷのベベル部に対し、処理液を吐出する吐出部５１１が設けられている。 The processing cup 52 is disposed so as to surround the substrate holding mechanism 30. Further, the ring top plate 51 has a ring shape in a plan view, and is disposed above and outside the bevel portion of the wafer W, and is processed with respect to the bevel portion of the wafer W that is held and rotated by the rotation holding portion 31. A discharge part 511 for discharging the liquid is provided.

吐出部５１１は、処理液供給管５１２およびバルブ５１３を介して処理液供給源５１４へ接続され、処理液供給源５１４から供給される処理液をベベル部へウェハＷの表（おもて）面側から吐出する。 The discharge unit 511 is connected to the processing liquid supply source 514 via the processing liquid supply pipe 512 and the valve 513, and the processing liquid supplied from the processing liquid supply source 514 is transferred to the bevel portion on the front surface of the wafer W. Discharge from the side.

処理カップ５２は、ウェハＷのベベル部下方および外方に配置される。また、処理カップ５２は、吐出部５２１を備える。吐出部５２１は、処理液供給管５２２およびバルブ５２３を介して処理液供給源５２４へ接続され、処理液供給源５２４から供給される処理液をベベル部へウェハＷの裏面側から吐出する。処理カップ５２は、吸引部５２５を備える。吸引部５２５には、たとえば真空ポンプなどの負圧発生装置５２６が接続される。吸引部５２５は、吐出部５１１，５２１から吐出された処理液を吸引する。 The processing cup 52 is disposed below and outward of the bevel portion of the wafer W. Further, the processing cup 52 includes a discharge unit 521. The discharge unit 521 is connected to the processing liquid supply source 524 via the processing liquid supply pipe 522 and the valve 523, and discharges the processing liquid supplied from the processing liquid supply source 524 from the back side of the wafer W to the bevel portion. The processing cup 52 includes a suction part 525. For example, a negative pressure generator 526 such as a vacuum pump is connected to the suction unit 525. The suction unit 525 sucks the processing liquid discharged from the discharge units 511 and 521.

吐出部５１１，５２１は、加熱された処理液を、ウェハＷに対して吐出することができる。かかる加熱された処理液の吐出を、基板加熱機構４０によるウェハＷの加熱とあわせて行うことにより、ベベルエッチング処理におけるエッチングのレートをさらに高めることができる。 The discharge units 511 and 521 can discharge the heated processing liquid onto the wafer W. By discharging the heated processing liquid together with the heating of the wafer W by the substrate heating mechanism 40, the etching rate in the bevel etching process can be further increased.

一般にベベルエッチング処理は、ウェハＷの端部からのエッチングの幅に関して高い精度を求められる。本実施形態の吐出部５１１，５２１は、エッチング精度を高めるために、ウェハＷ全面のエッチングを行うための吐出部と比較して、その先端は細くなっており、単位時間あたりの吐出量も少なくなっている。しかしながら、このような吐出部を用いて加熱した処理液を吐出する場合、吐出部から気泡が吐出するおそれがある。以下その理由について説明する。 In general, the bevel etching process requires high accuracy with respect to the width of etching from the edge of the wafer W. The discharge portions 511 and 521 of this embodiment have a narrower tip and a smaller discharge amount per unit time than a discharge portion for etching the entire surface of the wafer W in order to improve etching accuracy. It has become. However, when the heated processing liquid is discharged using such a discharge unit, bubbles may be discharged from the discharge unit. The reason will be described below.

従来のベベルエッチング装置は、図２の符号を用いて説明すれば、例えば処理液供給源５１４とバルブ５１３の間、処理液供給源５２４とバルブ５２３の間にヒータが設けられており、処理液がエッチングに適した温度まで加熱されている。加熱された処理液はウェハＷに供給されるが、吐出終了時にバルブ５１３，５２３を閉めると、その一部は吐出部５１１，５２１までたどり着くことなく処理液供給管５１２，５２２に残存することになる。残存する処理液はしばらく高い温度を保ち続け、またヒータ４１の熱の影響も受ける。ここで、処理液に含まれるアンモニアは熱の影響を受けて気体に変化するという現象が生じる。気体に変化したアンモニアは気泡となり処理液供給管５１２，５２２の内壁面に付着する。付着した気泡は、次回の処理液供給の際に少しずつ剥がれて吐出部５１１，５２１まで至り、ウェハＷへと吐出され意図しない領域まで処理液が付着してしまうことになる。 The conventional bevel etching apparatus is described with reference to FIG. 2. For example, a heater is provided between the processing liquid supply source 514 and the valve 513 and between the processing liquid supply source 524 and the valve 523. Is heated to a temperature suitable for etching. The heated processing liquid is supplied to the wafer W. However, when the valves 513 and 523 are closed at the end of discharge, a part of the processing liquid remains in the processing liquid supply pipes 512 and 522 without reaching the discharge portions 511 and 521. Become. The remaining processing liquid keeps a high temperature for a while and is also affected by the heat of the heater 41. Here, a phenomenon occurs in which ammonia contained in the treatment liquid changes into a gas under the influence of heat. The ammonia changed to gas becomes bubbles and adheres to the inner wall surfaces of the treatment liquid supply pipes 512 and 522. The attached bubbles are peeled off little by little at the time of the next processing liquid supply and reach the discharge portions 511 and 521, and are discharged onto the wafer W and the processing liquid adheres to an unintended region.

ダミーディスペンスにより管内に強い液流を生じさせて一度に全ての気泡を剥がし落とすという手法もあるが、本実施形態の吐出部５１１，５２１は単位時間あたりの吐出量が少ないためこの手法を適用することは困難である。 There is also a method of causing a strong liquid flow in the pipe by a dummy dispense to peel off all bubbles at once, but this method is applied because the discharge units 511 and 521 of this embodiment have a small discharge amount per unit time. It is difficult.

そこで、本実施形態では、処理液をヒータにより気泡が生じる温度まで加熱することなく処理液供給管５１２，５２２を通過させ、吐出部５１１および吐出部５２１まで到着させるようにした。そして、吐出部５１１および吐出部５２１が、処理液を、吐出する直前に急速に加熱し、気泡が生じる前にウェハＷへ吐出することとした。これにより、処理液供給管５１２，５２２内に気泡が付着する現象は生じなくなり、ウェハＷへ気泡が吐出されてしまうのを防ぐことができる。すなわち、処理液の吐出状態に起因する処理不良を防ぐのに資することができる。 Therefore, in the present embodiment, the processing liquid is passed through the processing liquid supply pipes 512 and 522 without being heated to a temperature at which bubbles are generated by the heater, and is allowed to reach the discharge unit 511 and the discharge unit 521. Then, the discharge unit 511 and the discharge unit 521 rapidly heat the processing liquid immediately before discharging, and discharge the processing liquid onto the wafer W before bubbles are generated. Thereby, the phenomenon of bubbles adhering in the processing liquid supply pipes 512 and 522 does not occur, and the bubbles can be prevented from being discharged to the wafer W. That is, it is possible to contribute to preventing a processing failure due to the discharge state of the processing liquid.

次に、図３Ａ〜図３Ｃを参照して、吐出部５１１，５２１の構成についてより具体的に説明する。図３Ａは、吐出部５１１，５２１の構成を示す図である。図３Ｂは、ヒータＨの配置例を示す図である。図３Ｃは、ヒータＨの通電制御の説明図である。 Next, the configuration of the ejection units 511 and 521 will be described more specifically with reference to FIGS. 3A to 3C. FIG. 3A is a diagram illustrating a configuration of the ejection units 511 and 521. FIG. 3B is a diagram illustrating an arrangement example of the heaters H. FIG. 3C is an explanatory diagram of energization control of the heater H.

図３Ａに示すように、吐出部５１１は、配管５１１ａと、加熱部５１１ｂと、ノズル５１１ｃとを備える。同様に、吐出部５２１は、配管５２１ａと、加熱部５２１ｂと、ノズル５２１ｃとを備える。 As illustrated in FIG. 3A, the discharge unit 511 includes a pipe 511a, a heating unit 511b, and a nozzle 511c. Similarly, the discharge unit 521 includes a pipe 521a, a heating unit 521b, and a nozzle 521c.

なお、吐出部５１１，５２１は、処理液の吐出方向が異なるのみで略同一構成であるので、以下、図３Ａ〜図３Ｃを参照した説明では、主に吐出部５１１側を例に挙げて説明を進める。 Since the discharge units 511 and 521 have substantially the same configuration except that the discharge direction of the processing liquid is different, the description with reference to FIGS. 3A to 3C will be mainly described with the discharge unit 511 side as an example. To proceed.

配管５１１ａは、処理液供給管５１２からノズル５１１ｃ先端部の吐出口へ通じるように設けられる。加熱部５１１ｂは、配管５１１ａを介して処理液を加熱可能に設けられる。具体的には、加熱部５１１ｂは、ヒータＨを含む。 The pipe 511a is provided so as to communicate from the processing liquid supply pipe 512 to the discharge port at the tip of the nozzle 511c. The heating unit 511b is provided so as to heat the processing liquid via the pipe 511a. Specifically, the heating unit 511 b includes a heater H.

ヒータＨは、たとえば通電されることによって発熱する発熱体であり、図３Ｂに示すように配管５１１ａ（および５２１ａ）まわりに配置される。かかるヒータＨが通電され、発熱することによって、処理液は配管５１１ａを介して加熱される。 The heater H is a heating element that generates heat when energized, for example, and is disposed around the pipe 511a (and 521a) as shown in FIG. 3B. When the heater H is energized and generates heat, the processing liquid is heated via the pipe 511a.

通電開始／解除の制御信号は、制御装置４から送出される。すなわち、制御装置４の制御部１８（図１参照）は、ヒータＨへの通電を制御することによって、加熱部５１１ｂによる処理液の加熱を制御する。 An energization start / release control signal is sent from the control device 4. That is, the control unit 18 (see FIG. 1) of the control device 4 controls the heating of the processing liquid by the heating unit 511b by controlling the energization to the heater H.

具体的に、制御部１８は、図３Ｃに示すように、１枚のウェハＷへベベルエッチング処理を施すにあたり、吐出部５１１に処理液の吐出を開始させる前に、たとえば時間Ｔ１においてまずヒータＨへの通電を開始する。本実施形態において、Ｔ１より前のヒータ温度は、工場における装置の設置場所の大気温度（例えば、２０℃）と一致している。また、供給される処理液の温度も大気温度（例えば、２０℃）と一致している。 Specifically, as shown in FIG. 3C, the control unit 18 first performs a bevel etching process on one wafer W, before starting the discharge of the processing liquid to the discharge unit 511, for example, first at the time T1, the heater H Start energizing to. In the present embodiment, the heater temperature before T1 matches the atmospheric temperature (for example, 20 ° C.) at the installation location of the apparatus in the factory. In addition, the temperature of the supplied processing liquid also coincides with the atmospheric temperature (for example, 20 ° C.).

そして、制御部１８は、ヒータＨへの通電を開始して、ヒータＨがたとえば時間Ｔ２において規定の昇温温度にまで上昇したならば、その直後に吐出部５１１に処理液の吐出を開始させる。 Then, the control unit 18 starts energizing the heater H, and if the heater H rises to a predetermined temperature rise at time T2, for example, immediately after that, causes the discharge unit 511 to start discharging the processing liquid. .

ここで、規定の昇温温度は、処理液をヒータＨおよび配管５１１ａを介してウェハＷを処理可能な温度まで加熱できる温度であり、実運用前の検証結果等に基づいてあらかじめ規定される。本実施形態では、Ｔ２をヒータＨの温度を基準に吐出開始タイミングを調整するが、処理液自体が実際にウェハＷに着液する温度を基準に吐出開始タイミングを調整してもよい。この場合、例えば、実験により、予め着液した処理液が所望の温度になるまでのＴ１からの経過時間を計測しておき、その経過時間をＴ２として設定する。 Here, the specified temperature increase temperature is a temperature at which the processing liquid can be heated to a temperature at which the wafer W can be processed via the heater H and the pipe 511a, and is specified in advance based on a verification result before actual operation. In this embodiment, the discharge start timing is adjusted based on the temperature of the heater H in T2, but the discharge start timing may be adjusted based on the temperature at which the processing liquid itself actually reaches the wafer W. In this case, for example, by experiment, the elapsed time from T1 until the treatment liquid deposited in advance reaches a desired temperature is measured, and the elapsed time is set as T2.

そして、制御部１８は、１枚のウェハＷに対する処理液の吐出をたとえば時間Ｔ３において終了させたならば、その直後のたとえば時間Ｔ４にヒータＨへの通電を解除する。すなわち、図３Ｃに示すように、制御部１８は、吐出部５１１による処理液の吐出開始から吐出終了までの吐出区間が、ヒータＨへの通電開始から通電解除までの通電区間に含まれるように制御する。 Then, when the discharge of the processing liquid to one wafer W is ended, for example, at time T3, the control unit 18 releases the energization to the heater H, for example, immediately after that, for example, time T4. That is, as illustrated in FIG. 3C, the control unit 18 causes the discharge section from the start of discharge of the processing liquid by the discharge section 511 to the end of discharge to be included in the energization section from the start of energization to the heater H to the release of energization. Control.

なお、通電区間および吐出区間は、可能な限り略同等に近づくように制御されることが好ましい。これにより、たとえば処理液が吐出されていない間に、配管５１１ａ内やノズル５１１ｃ内にある処理液の温度が上昇し続けて気泡が生じるのを抑えることができる。 The energization section and the discharge section are preferably controlled so as to be as close to each other as possible. Thereby, for example, while the processing liquid is not being discharged, the temperature of the processing liquid in the pipe 511a or the nozzle 511c can be kept from rising and bubbles can be prevented from being generated.

また、ヒータＨは、熱伝導率の高い素材からなることが好ましい。また、これに応じ、配管５１１ａも熱伝導率が高いことが好ましい。これにより、処理液の温度を急速に上昇あるいは下降させることが可能となり、処理液に気泡を生じさせる間を与えずに処理液を吐出させることが可能となる。 The heater H is preferably made of a material having high thermal conductivity. Accordingly, it is preferable that the pipe 511a also has a high thermal conductivity. As a result, the temperature of the processing liquid can be rapidly increased or decreased, and the processing liquid can be discharged without giving a period during which bubbles are generated in the processing liquid.

また、制御部１８は、ベベルエッチング処理の待機中、すなわち回転保持部３１へウェハＷが保持されていない間、ヒータＨへの通電を解除したままとするが、基板加熱機構４０の予熱等で配管５１１ａ内やノズル５１１ｃ内に残っている処理液が温められ、気泡が生じてしまうおそれがある。 In addition, the control unit 18 keeps the energization of the heater H off while the bevel etching process is on standby, that is, while the wafer W is not held on the rotation holding unit 31. The processing liquid remaining in the pipe 511a or the nozzle 511c may be warmed and air bubbles may be generated.

このため、制御部１８は、ベベルエッチング処理の待機中である場合、ヒータＨへの通電を解除したまま、定期的に吐出部５１１にダミーディスペンスを行わせる。これにより残存する温められた処理液が外部に排出されるので、前述の予熱等によって配管５１１ａ内やノズル５１１ｃ内に気泡が生じることを防ぐことができる。 Therefore, when the bevel etching process is on standby, the control unit 18 causes the discharge unit 511 to periodically perform dummy dispensing while the power supply to the heater H is released. As a result, the remaining heated processing liquid is discharged to the outside, so that bubbles can be prevented from being generated in the pipe 511a or the nozzle 511c due to the above-described preheating or the like.

なお、ここまでは、主に吐出部５１１側を例に挙げた説明を行ったが、制御部１８は、吐出部５１１，５２１に対して同一の通電制御および吐出制御を行ってもよい。また、制御部１８は、吐出部５１１，５２１のそれぞれで、たとえばウェハＷの表面側および裏面側に施すエッチング幅等に応じて、個別の通電制御および吐出制御を行ってもよい。 The description so far has been made mainly on the discharge unit 511 side as an example, but the control unit 18 may perform the same energization control and discharge control on the discharge units 511 and 521. Further, the control unit 18 may perform individual energization control and discharge control in each of the discharge units 511 and 521 in accordance with, for example, the etching width applied to the front surface side and the back surface side of the wafer W.

上述してきたように、第１の実施形態に係る基板処理システム１（「基板処理装置」の一例に相当）は、基板保持機構３０（「保持回転部」の一例に相当）と、処理液供給管５１２，５２２（「供給管」の一例に相当）と、吐出部５１１，５２１とを備える。 As described above, the substrate processing system 1 (corresponding to an example of a “substrate processing apparatus”) according to the first embodiment includes a substrate holding mechanism 30 (corresponding to an example of a “holding rotating unit”), and a processing liquid supply. Pipes 512 and 522 (corresponding to an example of a “supply pipe”) and discharge units 511 and 521 are provided.

基板保持機構３０は、基板を保持して回転させる。処理液供給管５１２，５２２は、処理液を供給する。吐出部５１１，５２１は、処理液供給管５１２，５２２から供給される処理液をウェハＷ（「基板」の一例に相当）に対して吐出する。 The substrate holding mechanism 30 holds and rotates the substrate. The processing liquid supply pipes 512 and 522 supply the processing liquid. The discharge units 511 and 521 discharge the processing liquid supplied from the processing liquid supply pipes 512 and 522 to the wafer W (corresponding to an example of “substrate”).

また、吐出部５１１，５２１は、吐出口と、配管５１１ａ，５２１ａと、加熱部５１１ｂ，５２１ｂとを有する。配管５１１ａ，５２１ａは、処理液供給管５１２，５２２から吐出口へ通じる。加熱部５１１ｂ，５２１ｂは、配管５１１ａ，５２１ａを介して処理液を加熱可能に設けられる。 Moreover, the discharge parts 511 and 521 have a discharge port, piping 511a and 521a, and heating parts 511b and 521b. The pipes 511a and 521a lead from the processing liquid supply pipes 512 and 522 to the discharge port. The heating units 511b and 521b are provided so as to heat the processing liquid via the pipes 511a and 521a.

また、吐出部５１１，５２１は、吐出口へ向けて配管５１１ａ，５２１ａを通過する処理液を加熱部５１１ｂ，５２１ｂにより加熱した後に、ウェハＷに対して吐出する。 Further, the discharge units 511 and 521 discharge the processing liquid that passes through the pipes 511a and 521a toward the discharge port by the heating units 511b and 521b, and then discharges the wafer W.

したがって、第１の実施形態に係る基板処理システム１によれば、処理液の吐出状態に起因する処理不良を防ぐことができる。 Therefore, according to the substrate processing system 1 according to the first embodiment, it is possible to prevent a processing failure due to the discharge state of the processing liquid.

ところで、上述した第１の実施形態では、ベベルエッチング処理において処理液を加熱するにあたり、気泡を生じさせないようにすることで処理不良を防ぐ場合について説明したが、たとえば処理対象となるエッチング幅を処理液が確実にカバーできるようにノズル５１１ｃ，５２１ｃの吐出口の形状を工夫することで処理不良を防いでもよい。かかる場合を第２の実施形態として、図４Ａ〜図６Ｂを参照しつつ説明する。 By the way, in the first embodiment described above, the case where processing defects are prevented by preventing generation of bubbles when heating the processing liquid in the bevel etching processing has been described. For example, the etching width to be processed is processed. Processing defects may be prevented by devising the shape of the discharge ports of the nozzles 511c and 521c so that the liquid can be reliably covered. Such a case will be described as a second embodiment with reference to FIGS. 4A to 6B.

（第２の実施形態）
まず、図４Ａ〜図４Ｃを参照して、第２の実施形態の概要について説明する。図４Ａは、比較例となるノズル５１１ｃ’，５２１ｃ’を用いる場合の説明図である。また、図４Ｂは、本実施形態に係るノズル５１１ｃ，５２１ｃを用いる場合の説明図である。また、図４Ｃは、本実施形態に係る吐出口ＥＸによる被吐出領域ＥＲの説明図である。以下では、説明の便宜上、処理液に符号「Ｓ」を付す場合がある。 (Second Embodiment)
First, an overview of the second embodiment will be described with reference to FIGS. 4A to 4C. FIG. 4A is an explanatory diagram in the case of using nozzles 511c ′ and 521c ′ serving as comparative examples. FIG. 4B is an explanatory diagram when the nozzles 511c and 521c according to the present embodiment are used. FIG. 4C is an explanatory diagram of the discharge target region ER by the discharge port EX according to the present embodiment. In the following, for convenience of explanation, the processing liquid may be denoted with a symbol “S”.

なお、前提として、第２の実施形態に係る基板処理システム１では、処理ユニット１６の構成は上述した第１の実施形態と略同様の構成をとることができるが、吐出部５１１，５２１における加熱部５１１ｂ，５２１ｂについては省略することができる。 As a premise, in the substrate processing system 1 according to the second embodiment, the configuration of the processing unit 16 can be substantially the same as that of the first embodiment described above, but the heating in the discharge units 511 and 521 is performed. The parts 511b and 521b can be omitted.

図４Ａに示すように、比較例となるノズル５１１ｃ’，５２１ｃ’を用いる場合、たとえばベベルエッチング処理の処理対象となるエッチング幅ｗが大きければ、処理液ＳがウェハＷの最外縁（エッジ）付近で液滴状になって転がり、かかるエッジ付近の薄膜Ｐを覆いきれないおそれがある。このような処理液の吐出状態の場合、図４Ａの閉曲線Ｍに囲まれた部分に示すように、ウェハＷのエッジ付近に膜残りＲが生じてしまう。 As shown in FIG. 4A, when the nozzles 511c ′ and 521c ′ as comparative examples are used, for example, if the etching width w to be processed by the bevel etching process is large, the processing liquid S is near the outermost edge (edge) of the wafer W. There is a fear that the thin film P in the vicinity of the edge cannot be covered by rolling in the form of droplets. In the case of such a processing liquid discharge state, a film residue R is generated in the vicinity of the edge of the wafer W, as shown in the portion surrounded by the closed curve M in FIG. 4A.

これは、比較例となるノズル５１１ｃ’，５２１ｃ’では通常、その吐出口ＥＸ’（図示略）が略円状に形成されるためである。 This is because, in the nozzles 511c 'and 521c' serving as comparative examples, the discharge ports EX '(not shown) are normally formed in a substantially circular shape.

そこで、図４Ｂに示すように、本実施形態では、処理液ＳがウェハＷのエッジ付近の薄膜Ｐを覆いきれるように、ノズル５１１ｃ，５２１ｃの吐出口ＥＸを略円状ではない形状とすることとした。 Therefore, as shown in FIG. 4B, in the present embodiment, the discharge ports EX of the nozzles 511c and 521c are formed in a shape that is not substantially circular so that the processing liquid S can cover the thin film P near the edge of the wafer W. It was.

具体的には、図４Ｃに示すように、本実施形態では、吐出口ＥＸは、ウェハＷの接線方向側よりもウェハＷの径方向側の方が長くなる（すなわち、ａ＞ｂ）ように設けられている。 Specifically, as shown in FIG. 4C, in the present embodiment, the ejection port EX is longer on the radial side of the wafer W than on the tangential side of the wafer W (that is, a> b). Is provided.

これにより、ウェハＷのエッジ付近の薄膜Ｐを覆いきれるように、処理液Ｓのカバレッジ性能を向上させ、図４Ｂの閉曲線Ｍに囲まれた部分に示すように、ウェハＷのエッジ付近に膜残りＲを生じさせないようにすることができる。すなわち、処理液の吐出状態に起因する処理不良を防ぐことができる。 Thereby, the coverage performance of the processing liquid S is improved so as to cover the thin film P in the vicinity of the edge of the wafer W, and the film remains in the vicinity of the edge of the wafer W as shown in the portion surrounded by the closed curve M in FIG. R can be prevented from being generated. That is, it is possible to prevent a processing failure due to the discharge state of the processing liquid.

なお、このような吐出口ＥＸは、たとえばノズル５１１ｃ，５２１ｃの双方に適用してもよいし、重力作用で処理液ＳがウェハＷの表面側よりは滴下しやすい裏面側のノズル５２１ｃのみに適用してもよい。また、求められるエッチング幅等に応じて、表面側のノズル５１１ｃのみに適用してもよい。 Such a discharge port EX may be applied to both the nozzles 511c and 521c, for example, or only to the nozzle 521c on the back surface side where the processing liquid S is more likely to drop from the front surface side of the wafer W due to gravity. May be. Moreover, according to the etching width etc. which are calculated | required, you may apply only to the nozzle 511c of the surface side.

次に、図５Ａ〜図５Ｅを参照して、吐出口ＥＸの具体例について説明する。図５Ａ〜図５Ｅは、吐出口ＥＸの具体例を示す図（その１）〜（その５）である。なお、以下では、吐出口の符号ＥＸに付番する場合があるが、吐出口を総称する場合には単に符号を「ＥＸ」とする。 Next, a specific example of the discharge port EX will be described with reference to FIGS. 5A to 5E. 5A to 5E are views (No. 1) to (No. 5) showing specific examples of the discharge port EX. In the following description, there is a case where the number EX is assigned to the discharge port. However, when the discharge ports are collectively referred to, the code is simply “EX”.

また、図５Ａの左側および図５Ｃの左側には、説明を分かりやすくするために、比較例として略円状であり、かつ、口径ｄの吐出口ＥＸ’を示している。口径ｄは、ベベルエッチング処理に必要となる精度を確保可能な寸法であるものとする。 Further, on the left side of FIG. 5A and the left side of FIG. 5C, for easy understanding, a discharge port EX ′ having a substantially circular shape and a diameter d is shown as a comparative example. The aperture diameter d is a dimension that can ensure the accuracy required for the bevel etching process.

まず、本実施形態では、吐出口ＥＸは、前述の被吐出領域ＥＲの形状がウェハＷの接線方向側よりもウェハＷの径方向側の方が長くなるように、たとえば図５Ａの右側に示す吐出口ＥＸ１のように、長辺が径方向に沿い、短辺が接線方向に沿った長方形に形成される。このとき、接線方向の短辺は、吐出口ＥＸ’の口径ｄと同程度の寸法であることが好ましい。 First, in the present embodiment, the ejection port EX is shown on the right side of FIG. 5A, for example, so that the shape of the ejection region ER is longer on the radial side of the wafer W than on the tangential side of the wafer W. Like the discharge port EX1, the long side is formed in a rectangular shape along the radial direction and the short side is formed in the tangential direction. At this time, it is preferable that the short side in the tangential direction has the same size as the diameter d of the discharge port EX ′.

また、たとえば図５Ｂに示すように、本実施形態の吐出口ＥＸは、図５Ａの長方形の角がそれぞれ半径を有する、いわゆるＲを付けた角丸長方形に形成された吐出口ＥＸ２として設けられてもよい。 Further, for example, as shown in FIG. 5B, the discharge port EX of the present embodiment is provided as a discharge port EX2 formed in a rounded rectangle with a so-called R with the corners of the rectangle in FIG. 5A having radii. Also good.

また、本実施形態の吐出口ＥＸは、たとえば図５Ｃの右側に示す吐出口ＥＸ３のように、長軸が径方向に沿い、短軸が接線方向に沿った楕円形に形成されてもよい。このとき、接線方向の短軸は、吐出口ＥＸ’の口径ｄと同程度の寸法であることが好ましい。なお、ここに言う楕円形は、両端で同一の半径を有するものである。 Further, the discharge port EX of the present embodiment may be formed in an elliptical shape with the major axis along the radial direction and the minor axis along the tangential direction, for example, as the discharge port EX3 shown on the right side of FIG. 5C. At this time, it is preferable that the minor axis in the tangential direction has the same size as the diameter d of the discharge port EX ′. In addition, the ellipse said here has the same radius at both ends.

かかる楕円形の別パターンとして、本実施形態の吐出口ＥＸは、たとえば図５Ｄに示す吐出口ＥＸ４のように、両端で同一の半径ｒを有するトラック状の形状に形成されてもよい。 As another elliptical pattern, the discharge port EX of the present embodiment may be formed in a track shape having the same radius r at both ends, for example, as the discharge port EX4 shown in FIG. 5D.

また、本実施形態の吐出口ＥＸは、たとえば図５Ｅに示す吐出口ＥＸ５のように、両端でそれぞれ異なる半径ｒ１，ｒ２を有する形状に形成されてもよい。なお、このとき、ｒ１＜ｒ２であるならば、ｒ１の半径を有する端部は径方向内側に、ｒ２の半径を有する端部は径方向外側に、それぞれ向けて配置されることが好ましい。 Further, the discharge port EX of the present embodiment may be formed in a shape having different radii r1 and r2 at both ends, for example, a discharge port EX5 shown in FIG. 5E. At this time, if r1 <r2, it is preferable that the end having the radius of r1 is arranged radially inward and the end having the radius of r2 is arranged radially outward.

これにより、半径ｒ１側ではエッチングに必要となる精度を、半径ｒ２側では処理液が届きにくいウェハＷのエッジ付近への処理液の供給を、それぞれ確保し、処理不良を防ぐのに資することができる。 As a result, the accuracy required for etching is ensured on the radius r1 side, and the supply of the processing liquid to the vicinity of the edge of the wafer W where the processing liquid is difficult to reach on the radius r2 side, thereby contributing to prevention of processing defects. it can.

なお、図５Ｂ〜図５Ｅに示した各例の形状は、総じて「略オーバル状」と言うことができる。したがって、いわゆる卵形等を含んでもよい。 5B to 5E can be generally referred to as “substantially oval”. Therefore, a so-called egg shape or the like may be included.

ところで、図５Ａ〜図５Ｅには、吐出口ＥＸが１個である場合を例に挙げたが、吐出口ＥＸは複数個設けられてもよい。なお、このとき、複数個の吐出口ＥＸをウェハＷの径方向に沿うように配置することで、前述の被吐出領域ＥＲの形状がウェハＷの接線方向側よりもウェハＷの径方向側の方が長くなるようにすることができる。 5A to 5E exemplify the case where there is one discharge port EX, but a plurality of discharge ports EX may be provided. At this time, by arranging the plurality of discharge ports EX along the radial direction of the wafer W, the shape of the discharge target region ER is more on the radial side of the wafer W than the tangential side of the wafer W. Can be longer.

図６Ａおよび図６Ｂは、吐出口ＥＸが複数である場合の具体例を示す図（その１）および（その２）である。すなわち、図６Ａに示すように、同一の半径ｒを有する略円状の吐出口ＥＸ６を、ウェハＷの径方向に沿って複数個配置してもよい。 6A and 6B are views (No. 1) and (No. 2) showing a specific example when there are a plurality of discharge ports EX. That is, as shown in FIG. 6A, a plurality of substantially circular discharge ports EX6 having the same radius r may be arranged along the radial direction of the wafer W.

また、図６Ｂに示すように、ｒ１＜ｒ２＜ｒ３の関係にあるそれぞれ異なる半径を有する吐出口ＥＸ７，８，９を、ウェハＷの径方向に沿って配置してもよい。なお、このとき、より半径の小さい吐出口ＥＸ７が径方向内側に、より半径の大きい吐出口ＥＸ９が径方向外側に、それぞれ配置されることが好ましい。 6B, the discharge ports EX7, 8, and 9 having different radii in the relationship of r1 <r2 <r3 may be arranged along the radial direction of the wafer W. At this time, it is preferable that the discharge port EX7 having a smaller radius is disposed on the radially inner side and the discharge port EX9 having a larger radius is disposed on the radially outer side.

これにより、図５Ｅに示した例と同様に、径方向内側ではエッチングに必要となる精度を、径方向外側では処理液が届きにくいウェハＷのエッジ付近への処理液の供給を、それぞれ確保し、処理不良を防ぐのに資することができる。 As a result, as in the example shown in FIG. 5E, the accuracy required for etching is ensured on the radially inner side, and the supply of the treatment liquid to the vicinity of the edge of the wafer W is difficult to reach on the radially outer side. , Can help to prevent processing defects.

なお、図６Ａおよび図６Ｂでは、３個の吐出口ＥＸを示したが、複数個であればよく、個数を限定するものではない。 In FIG. 6A and FIG. 6B, three ejection ports EX are shown, but a plurality of ejection ports EX may be used, and the number is not limited.

上述してきたように、第２の実施形態に係る基板処理システム１（「基板処理装置」の一例に相当）は、基板保持機構３０（「保持回転部」の一例に相当）と、処理液供給管５１２，５２２（「供給管」の一例に相当）と、吐出部５１１，５２１とを備える。 As described above, the substrate processing system 1 (corresponding to an example of a “substrate processing apparatus”) according to the second embodiment includes a substrate holding mechanism 30 (corresponding to an example of a “holding rotating unit”), and a processing liquid supply. Pipes 512 and 522 (corresponding to an example of a “supply pipe”) and discharge units 511 and 521 are provided.

また、吐出部５１１，５２１は、吐出口ＥＸを有し、吐出口ＥＸは、ウェハＷの接線方向側よりもウェハＷの径方向側の方が長くなるように設けられている。 In addition, the ejection units 511 and 521 have ejection ports EX, and the ejection ports EX are provided so that the radial side of the wafer W is longer than the tangential side of the wafer W.

したがって、第２の実施形態に係る基板処理システム１によれば、処理不良を防ぐことができる。 Therefore, according to the substrate processing system 1 according to the second embodiment, processing defects can be prevented.

なお、上述した各実施形態では、処理ユニット１６においてベベルエッチング処理が行われる場合を例に挙げたが、基板処理の種類を限定するものではない。たとえばリンス処理等であってもよい。 In each of the above-described embodiments, the case where the bevel etching process is performed in the processing unit 16 has been described as an example, but the type of substrate processing is not limited. For example, a rinsing process or the like may be used.

したがって、上述した処理液もアンモニア水溶液に限らず、たとえばＤＩＷ（純水）等であってもよい。 Therefore, the treatment liquid described above is not limited to the aqueous ammonia solution, and may be DIW (pure water), for example.

また、上述した第１の実施形態では、制御部１８が、規定の昇温温度に基づいてヒータＨを制御する例を挙げたが、処理液の温度を計測する測定部をさらに備えたうえで、その測定結果に基づいてヒータＨを制御してもよい。 In the first embodiment described above, the control unit 18 gives an example in which the heater H is controlled based on the specified temperature increase temperature. However, the control unit 18 further includes a measurement unit that measures the temperature of the processing liquid. The heater H may be controlled based on the measurement result.

さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。 Further effects and modifications can be easily derived by those skilled in the art. Thus, the broader aspects of the present invention are not limited to the specific details and representative embodiments shown and described above. Accordingly, various modifications can be made without departing from the spirit or scope of the general inventive concept as defined by the appended claims and their equivalents.

１基板処理システム
２搬入出ステーション
３処理ステーション
４制御装置
１６処理ユニット
１８制御部
３０基板保持機構
５１１，５２１吐出部
５１１ａ，５２１ａ配管
５１１ｂ，５２１ｂ加熱部
５１１ｃ，５２１ｃノズル
５１２，５２２処理液供給管
ＥＲ被吐出領域
ＥＸ吐出口
Ｈヒータ
Ｗウェハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing system 2 Carry-in / out station 3 Processing station 4 Control device 16 Processing unit 18 Control part 30 Substrate holding mechanism 511,521 Discharge part 511a, 521a Piping 511b, 521b Heating part 511c, 521c Nozzle 512, 522 Processing liquid supply pipe ER Discharge area EX Discharge port H Heater W Wafer

Claims

A holding rotating unit for holding and rotating the substrate;
A ring member having a ring shape and disposed above the peripheral edge of the substrate;
The treatment liquid supplied from the supply pipe and a discharge portion for discharging toward the peripheral portion of the substrate,
A control unit for controlling a series of substrate processing ,
The discharge part is
A discharge port;
A pipe leading from the supply pipe to the discharge port;
A heating unit disposed around the pipe and provided so as to be able to heat the processing liquid through the pipe, to the ring member side and the back side of the substrate across the substrate, respectively Provided,
Each of the discharge parts is
It said processing liquid passing through the pipe toward the discharge port after heating by the heating unit, and the discharge to the substrate at the same time,
The controller is
Controlling heating of the treatment liquid by the heating unit by controlling energization to the heating element;
The control unit further includes:
Wherein the start of the energization of the heating element after the heat generating member is increased to the provisions of the Atsushi Nobori, the substrate processing apparatus according to claim Rukoto to initiate the ejection of the processing liquid to the substrate to the discharge portion.

The controller is
After said ejection of the treatment liquid has been completed with respect to the substrate by the discharge unit, the substrate processing apparatus according to claim 1, characterized in that to release the energization of the heating element.

The controller is
If it is waiting for the substrate processing, while releasing the energization of the heating element, the substrate processing apparatus according to claim 1 or 2, characterized in that to perform the dummy dispense to the discharge portion.