JP6471308B2 - Display device and manufacturing method of display device - Google Patents

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本開示は、有機エレクトロルミネッセンス(Organic Electro−Luminescence。以下、EL、またはOLEDと呼ぶことがある。)素子を有する表示装置に関する。   The present disclosure relates to a display device having an organic electroluminescence (Organic Electro-Luminescence; hereinafter, sometimes referred to as EL or OLED) element.

有機EL装置は、ガラス基板上に、アノード側導電層と、発光層を含む有機層と、カソード側導電層を有する。アノード側導電層及びカソード側導電層のいずれかは、複数の画素にわたって共通に配置されるように一体に形成されている(例えば、特許文献1参照)。このとき、アノード側導電層が共通している場合をアノードコモン、カソード側に配置される導電層が共通している場合をカソードコモンという。   The organic EL device has an anode side conductive layer, an organic layer including a light emitting layer, and a cathode side conductive layer on a glass substrate. One of the anode side conductive layer and the cathode side conductive layer is integrally formed so as to be arranged in common over a plurality of pixels (for example, see Patent Document 1). At this time, the case where the anode side conductive layer is common is called anode common, and the case where the conductive layer arranged on the cathode side is common is called cathode common.

表示装置の画素回路において、駆動TFT(Thin Film Transistor)と有機EL素子との組合せとしては、例えば、n型の駆動TFTとカソードコモンの有機EL素子との組み合わせがある。トップエミッション構造の画素回路では、光取り出しの高効率化の点から、有機EL素子のトップメタルは、透明材料で各画素に共通に配置されるように一体に形成される。したがって、n型の駆動TFTとカソードコモンの有機EL素子との組み合わせの場合、カソード側導電層が、ソース側に、透明材料で上方に一体に形成されたトップカソードの構成が一般的である。   In a pixel circuit of a display device, a combination of a driving TFT (Thin Film Transistor) and an organic EL element includes, for example, a combination of an n-type driving TFT and a common cathode organic EL element. In the pixel circuit having the top emission structure, the top metal of the organic EL element is integrally formed so as to be commonly disposed in each pixel with a transparent material from the viewpoint of high efficiency of light extraction. Therefore, in the case of a combination of an n-type driving TFT and a common cathode organic EL element, a configuration of a top cathode in which a cathode-side conductive layer is integrally formed on the source side with a transparent material is generally used.

特開2007−179913号公報JP 2007-179913 A

しかし、上述した組み合わせを有する画素回路では、表示装置の高輝度化および大画面化に伴い電圧が不安定化する。   However, in the pixel circuit having the above-described combination, the voltage becomes unstable as the display device has higher luminance and a larger screen.

そこで、n型の駆動TFTとアノードコモンの有機EL素子の組み合わせを採用する場合には、有機EL素子のアノード側導電層が、ドレイン側に、各画素に共通に配置されるように一体に形成され、カソード側導電層が、ソース側に、上方に形成されることがのぞましい。したがって、上方に形成されたカソード側導電層は、画素ごとに切り分けられる必要がある。   Therefore, when a combination of an n-type driving TFT and an anode common organic EL element is adopted, the anode side conductive layer of the organic EL element is integrally formed on the drain side so as to be commonly disposed in each pixel. The cathode-side conductive layer is preferably formed on the source side and above. Therefore, the cathode-side conductive layer formed above needs to be cut for each pixel.

しかしながら、この構造においてカソード側導電層と発光層および電荷輸送層とを画素ごとに切り分けると、カソード側導電層と画素回路との接続部分(コンタクト部分)に発光層および電荷輸送層が形成される。一般に有機EL素子は電流の整流特性を有し、アノードからカソードへの一方向(順方向)にのみ流れる。したがって、コンタクト部分に発光層および電荷輸送層が形成された場合は、有機EL素子から画素回路へ流れる方向は逆方向となり、画素回路と有機EL素子との導通を確保することが困難となる。すなわち、発光させることが困難となる。   However, when the cathode side conductive layer, the light emitting layer, and the charge transport layer are separated for each pixel in this structure, the light emitting layer and the charge transport layer are formed at the connection portion (contact portion) between the cathode side conductive layer and the pixel circuit. . In general, an organic EL element has a current rectification characteristic and flows only in one direction (forward direction) from the anode to the cathode. Therefore, when the light emitting layer and the charge transport layer are formed in the contact portion, the direction of flow from the organic EL element to the pixel circuit is reversed, and it is difficult to ensure conduction between the pixel circuit and the organic EL element. That is, it becomes difficult to emit light.

本開示は、上述の課題に鑑みてなされたものであり、表示特性の良好な表示装置および表示装置の製造方法を提供することを目的とする。   The present disclosure has been made in view of the above-described problems, and an object thereof is to provide a display device with good display characteristics and a method for manufacturing the display device.

本開示にかかる表示装置は、複数の画素が行列状に配置された表示装置であって、基板上に設けられた配線と、前記基板および前記配線の上方に設けられた層間絶縁層と、前記層間絶縁層の上方に設けられた陽極と、前記層間絶縁層の上方に設けられ、前記層間絶縁層に形成されたコンタクトホールにおいて、前記コンタクトホールの底面に露出された前記配線の一部と接続されたコンタクト電極と、前記陽極と前記コンタクト電極との間に設けられた開口部と、前記開口部を覆うように設けられた第1の隔壁と、前記陽極の上方において、前記第1の隔壁に囲まれた領域に設けられた、有機発光材料を含む発光層と、前記第1の隔壁の上に設けられ、逆テーパー形状を有する第2の隔壁と、少なくとも前記発光層の上方に設けられた、電子注入性または電子輸送性を有する有機機能層と、前記有機機能層の上に設けられた陰極とを備え、前記陽極は、前記複数の画素に共通して設けられ、前記陰極および前記有機機能層は、前記複数の画素ごとに分断されている。   A display device according to the present disclosure is a display device in which a plurality of pixels are arranged in a matrix, and includes a wiring provided on a substrate, the substrate and an interlayer insulating layer provided above the wiring, An anode provided above the interlayer insulating layer and a contact hole provided above the interlayer insulating layer and formed in the interlayer insulating layer and connected to a part of the wiring exposed on the bottom surface of the contact hole A contact electrode, an opening provided between the anode and the contact electrode, a first partition provided to cover the opening, and the first partition above the anode A light-emitting layer including an organic light-emitting material, a second barrier rib having a reverse taper shape provided on the first barrier rib, and provided at least above the light-emitting layer. Electronic An organic functional layer having a light entering property or an electron transporting property, and a cathode provided on the organic functional layer, wherein the anode is provided in common for the plurality of pixels, and the cathode and the organic functional layer Are divided for each of the plurality of pixels.

本開示によれば、表示特性の良好な表示装置および表示装置の製造方法を提供することができる。   According to the present disclosure, it is possible to provide a display device with good display characteristics and a method for manufacturing the display device.

本実施の形態にかかる表示装置の構成を示す概略図Schematic which shows the structure of the display apparatus concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかる画素の構成の一例を示す回路図The circuit diagram showing an example of the composition of the pixel concerning this embodiment 本実施の形態にかかる画素の構成の他の例を示す回路図The circuit diagram which shows the other example of the structure of the pixel concerning this Embodiment 本実施の形態にかかる画素の構成を示す平面図The top view which shows the structure of the pixel concerning this Embodiment. 図3に示したAA’線における断面図Sectional view along the line AA 'shown in FIG. 図3に示したBB’線における断面図Sectional view taken along line BB 'shown in FIG. 本実施の形態にかかる画素の製造工程を示す平面図FIG. 5 is a plan view showing a manufacturing process of a pixel according to the embodiment. 本実施の形態にかかる画素の製造工程を示す平面図FIG. 5 is a plan view showing a manufacturing process of a pixel according to the embodiment. 本実施の形態にかかる画素の製造工程を示す平面図FIG. 5 is a plan view showing a manufacturing process of a pixel according to the embodiment. 実施の形態にかかる表示装置を内蔵した薄型フラットTVの外観図External view of thin flat TV with built-in display device according to embodiment

上述のような問題を解決するために、本開示の一態様に係る表示装置は、複数の画素が行列状に配置された表示装置であって、基板上に設けられた配線と、前記基板および前記配線の上方に設けられた層間絶縁層と、前記層間絶縁層の上方に設けられた陽極と、前記層間絶縁層の上方に設けられ、前記層間絶縁層に形成されたコンタクトホールにおいて、前記コンタクトホールの底面に露出された前記配線の一部と接続されたコンタクト電極と、前記陽極と前記コンタクト電極との間に設けられた開口部と、前記開口部を覆うように設けられた第1の隔壁と、前記陽極の上方において、前記第1の隔壁に囲まれた領域に設けられた、有機発光材料を含む発光層と、前記第1の隔壁の上に設けられ、逆テーパー形状を有する第2の隔壁と、少なくとも前記発光層の上方に設けられた、電子注入性または電子輸送性を有する有機機能層と、前記有機機能層の上に設けられた陰極とを備え、前記陽極は、前記複数の画素に共通して設けられ、前記陰極および前記有機機能層は、前記複数の画素ごとに分断されている。   In order to solve the above-described problem, a display device according to one embodiment of the present disclosure is a display device in which a plurality of pixels are arranged in a matrix, and includes a wiring provided over a substrate, the substrate, In the interlayer insulating layer provided above the wiring, the anode provided above the interlayer insulating layer, and the contact hole provided in the interlayer insulating layer provided above the interlayer insulating layer, the contact A contact electrode connected to a part of the wiring exposed at the bottom surface of the hole; an opening provided between the anode and the contact electrode; and a first electrode provided to cover the opening A barrier rib; a light emitting layer including an organic light emitting material provided in a region surrounded by the first barrier rib above the anode; and a first taper having a reverse taper shape provided on the first barrier rib. 2 bulkheads and few And an organic functional layer having an electron injecting property or an electron transporting property provided above the light emitting layer, and a cathode provided on the organic functional layer, wherein the anode is common to the plurality of pixels. The cathode and the organic functional layer are divided for each of the plurality of pixels.

この構成によれば、第2の隔壁は、逆テーパー形状、すなわち、第1の隔壁と接する底面の面積が第1の隔壁と接しない上面の面積よりも小さく、断面の形状が台形の形状になるように形成されているので、第2の隔壁の側面には、有機機能層および陰極は形成されず、有機機能層および陰極が画素ごとに分断された構成となる。したがって、コンタクトホールにおいて、配線と陽極、有機機能層および陰極とが導通しても、陽極と陰極との間に配置された発光層には、画素ごとに所望の電圧が印加される。よって、表示特性の良好な表示装置を提供することができる。   According to this configuration, the second partition wall has an inverse tapered shape, that is, the area of the bottom surface in contact with the first partition wall is smaller than the area of the top surface not in contact with the first partition wall, and the cross-sectional shape is a trapezoidal shape. Thus, the organic functional layer and the cathode are not formed on the side surface of the second partition wall, and the organic functional layer and the cathode are divided for each pixel. Therefore, even if the wiring and the anode, the organic functional layer, and the cathode are electrically connected in the contact hole, a desired voltage is applied to each light emitting layer disposed between the anode and the cathode. Therefore, a display device with favorable display characteristics can be provided.

また、前記第2の隔壁の上方には、前記陰極および前記有機機能層が設けられ、前記第2の隔壁の上方に設けられた前記陰極および前記有機機能層は、前記発光層および前記第1の隔壁の上方に設けられた前記陰極および前記有機機能層から分断されていてもよい。   The cathode and the organic functional layer are provided above the second partition, and the cathode and the organic functional layer provided above the second partition are the light emitting layer and the first It may be divided from the cathode and the organic functional layer provided above the partition walls.

この構成によれば、第2の隔壁の側面には、有機機能層および陰極は形成されず、有機機能層および陰極が第2の隔壁の両側において分断された構成となる。したがって、コンタクトホールにおいて、配線と陽極、有機機能層および陰極とが導通しても、陽極と陰極との間に配置された発光層には、画素ごとに所望の電圧が印加される。よって、表示特性の良好な表示装置を提供することができる。   According to this configuration, the organic functional layer and the cathode are not formed on the side surface of the second partition, and the organic functional layer and the cathode are divided on both sides of the second partition. Therefore, even if the wiring and the anode, the organic functional layer, and the cathode are electrically connected in the contact hole, a desired voltage is applied to each light emitting layer disposed between the anode and the cathode. Therefore, a display device with favorable display characteristics can be provided.

また、前記有機機能層は、電子注入性または電子輸送性を有する金属を含んでもよい。   The organic functional layer may include a metal having an electron injecting property or an electron transporting property.

この構成によれば、電子輸送性を有する金属を含むことで、有機機能層の電子輸送性を向上できる。   According to this structure, the electron transport property of an organic functional layer can be improved by including the metal which has electron transport property.

また、前記金属は、バリウムであってもよい。   The metal may be barium.

この構成によれば、電子輸送性を有する金属としてバリウムを含むことで、準備する材料の種類を減らすことができ、製造上簡便であり、有機機能層の電子輸送性を1種類の金属で向上することができる。   According to this configuration, by including barium as a metal having an electron transporting property, the types of materials to be prepared can be reduced, and it is easy to manufacture, and the electron transporting property of the organic functional layer is improved by one kind of metal. can do.

また、前記陽極は、ITO(Indium Tin Oxide)またはIZO(Indium Zinc Oxide)で構成されてもよい。   The anode may be made of ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide).

この構成によれば、発光層で発生した光を陰極側へ効率よく反射することができる。   According to this configuration, the light generated in the light emitting layer can be efficiently reflected to the cathode side.

また、前記陰極は、透明導電材料で構成されてもよい。   The cathode may be made of a transparent conductive material.

この構成によれば、発光層で発生した光を陰極側から取り出すことができる。   According to this configuration, light generated in the light emitting layer can be extracted from the cathode side.

また、前記透明導電材料は、ITOであってもよい。   The transparent conductive material may be ITO.

この構成によれば、発光層で発生した光を陰極側から効率よく取り出すことができる。   According to this configuration, light generated in the light emitting layer can be efficiently extracted from the cathode side.

また、前記陽極と前記発光層との間に共通して設けられた正孔注入層を備え、前記正孔注入層は、酸化タングステンおよび酸化モリブデンのいずれかで構成されてもよい。   In addition, a hole injection layer provided in common between the anode and the light emitting layer may be provided, and the hole injection layer may be composed of either tungsten oxide or molybdenum oxide.

この構成によれば、陽極から発光層への正孔の注入を促進させることができる。   According to this configuration, injection of holes from the anode to the light emitting layer can be promoted.

また、前記有機機能層の厚みは、25nm以上45nm以下であってもよい。   The organic functional layer may have a thickness of 25 nm or more and 45 nm or less.

この構成によれば、ピーク光取り出し効率に対して80%の光取り出し効率を確保することができる。   According to this configuration, 80% light extraction efficiency can be ensured with respect to the peak light extraction efficiency.

また、前記有機機能層の厚みは、30nm以上40nm以下であってもよい。   The thickness of the organic functional layer may be 30 nm or more and 40 nm or less.

この構成によれば、ピーク光取り出し効率に対して90%の光取り出し効率を確保することができる。   According to this configuration, it is possible to ensure a light extraction efficiency of 90% with respect to the peak light extraction efficiency.

また、上述のような問題を解決するために、本開示の一態様に係る表示装置の製造方法は、複数の画素が行列状に配置された表示装置の製造方法であって、基板上に設けられた配線が露出するように、前記配線上の層間絶縁層にコンタクトホールを形成する工程と、前記層間絶縁層上に陽極を形成する工程と、前記コンタクトホールの底面に露出された前記配線の一部と接続されるコンタクト電極を形成する工程と、前記陽極と前記コンタクト電極との間に設けられた開口部を覆うように第1の隔壁を形成する工程と、前記陽極の上方の前記第1の隔壁に囲まれた領域に、有機発光材料を含む発光層を形成する工程と、前記第1の隔壁の上に、逆テーパー形状を有する第2の隔壁を形成する工程と、前記発光層、前記第1の隔壁および前記第2の隔壁の上方に、電子注入性または電子輸送性を有する有機機能層を形成する工程と、前記有機機能層の上に陰極を形成する工程とを含み、前記陽極は、複数の画素に共通して設けられ、前記第2の隔壁の上方に設けられた前記陰極および前記有機機能層は、前記発光層および前記第1の隔壁の上方に設けられた前記陰極および前記有機機能層から分断されている。   In order to solve the above-described problem, a method for manufacturing a display device according to one embodiment of the present disclosure is a method for manufacturing a display device in which a plurality of pixels are arranged in a matrix, and is provided over a substrate. Forming a contact hole in an interlayer insulating layer on the wiring, forming an anode on the interlayer insulating layer, and exposing the wiring exposed on the bottom surface of the contact hole so that the exposed wiring is exposed. Forming a contact electrode connected to a portion; forming a first partition so as to cover an opening provided between the anode and the contact electrode; and the first above the anode. Forming a light emitting layer containing an organic light emitting material in a region surrounded by one partition, forming a second partition having a reverse taper shape on the first partition, and the light emitting layer The first partition and the first partition A step of forming an organic functional layer having an electron injecting property or an electron transporting property above the partition wall, and a step of forming a cathode on the organic functional layer, wherein the anode is common to a plurality of pixels. The cathode and the organic functional layer provided above the second partition are separated from the cathode and the organic functional layer provided above the light emitting layer and the first partition. Yes.

この構成によれば、第2の隔壁は、逆テーパー形状、すなわち、第1の隔壁と接する底面の面積が第1の隔壁と接しない上面の面積よりも小さく、断面の形状が台形の形状になるように形成されるので、第2の隔壁の側面には、有機機能層および陰極は形成されず、有機機能層および陰極が第2の隔壁の両側において分断された構成となる。したがって、コンタクトホールにおいて、配線と陽極、有機機能層および陰極とが導通しても、陽極と陰極との間に配置された発光層には所望の電圧が印加される。よって、表示特性の良好な表示装置を提供することができる。   According to this configuration, the second partition wall has an inverse tapered shape, that is, the area of the bottom surface in contact with the first partition wall is smaller than the area of the top surface not in contact with the first partition wall, and the cross-sectional shape is a trapezoidal shape. Thus, the organic functional layer and the cathode are not formed on the side surface of the second partition, and the organic functional layer and the cathode are divided on both sides of the second partition. Therefore, even if the wiring and the anode, the organic functional layer, and the cathode are electrically connected in the contact hole, a desired voltage is applied to the light emitting layer disposed between the anode and the cathode. Therefore, a display device with favorable display characteristics can be provided.

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置、接続形態、ステップ及びステップの順序などは一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、以下の実施の形態における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。各図は、必ずしも各寸法または各寸法比等を厳密に図示したものではない。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. It should be noted that each of the embodiments described below shows a comprehensive or specific example. Numerical values, shapes, materials, constituent elements, arrangement positions of constituent elements, connection forms, steps, order of steps, and the like shown in the following embodiments are merely examples, and are not intended to limit the present invention. In addition, among the constituent elements in the following embodiments, constituent elements that are not described in the independent claims are described as arbitrary constituent elements. Each drawing does not necessarily show exactly each dimension or each dimension ratio.

(実施の形態)
[1.表示装置の構成]
図1は、本実施の形態にかかる表示装置1の構成を示す概略図である。
(Embodiment)
[1. Configuration of display device]
FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a configuration of a display device 1 according to the present embodiment.

図1に示すように、表示装置1は、表示領域2と、走査線駆動回路6と、信号線駆動回路7とを備えている。表示領域2は、行列状に配置された複数の画素4を有している。   As shown in FIG. 1, the display device 1 includes a display area 2, a scanning line driving circuit 6, and a signal line driving circuit 7. The display area 2 has a plurality of pixels 4 arranged in a matrix.

画素4は、走査線9aを介して走査線駆動回路6に電気的に接続され、信号線9bを介して信号線駆動回路7に電気的に接続されている。画素4の構成については、後に詳述する。   The pixel 4 is electrically connected to the scanning line driving circuit 6 through the scanning line 9a, and is electrically connected to the signal line driving circuit 7 through the signal line 9b. The configuration of the pixel 4 will be described in detail later.

信号線駆動回路7は、画素4に、信号線9bを介して表示画像に応じた画像信号Dataを出力する。走査線駆動回路6は、画素4、走査線9aを介して走査信号Scanを出力する。走査信号Scanにより、画素4には、画素信号Dataが転送される。これにより、画素4は、画像信号Dataに応じた画像を表示することができる。   The signal line drive circuit 7 outputs an image signal Data corresponding to the display image to the pixels 4 via the signal line 9b. The scanning line driving circuit 6 outputs a scanning signal Scan via the pixels 4 and the scanning lines 9a. The pixel signal Data is transferred to the pixel 4 by the scanning signal Scan. Thereby, the pixel 4 can display an image according to the image signal Data.

[2.画素の構成]
次に、本実施の形態に係る画素4の構成について説明する。図2Aおよび図2Bは、本実施の形態にかかる画素4の構成を示す回路図である。図3は、本実施の形態にかかる画素の構成を示す平面図である。
[2. Pixel configuration]
Next, the configuration of the pixel 4 according to this embodiment will be described. 2A and 2B are circuit diagrams showing the configuration of the pixel 4 according to the present embodiment. FIG. 3 is a plan view showing the configuration of the pixel according to the present embodiment.

画素4は、図2Aに示すように、発光素子10と、容量素子12と、駆動トランジスタ16aと、スイッチトランジスタ16bとを備えている。発光素子10と駆動トランジスタ16aとの間には、後述するコンタクトホール25における、コンタクト電極とTFT配線との接続抵抗16cが発生する。画素4では、走査線9aから走査信号Scanが供給されたときに、信号線9bから画素信号に応じた電圧である画素信号Dataが駆動トランジスタ16aのゲートに印加される。これにより、画素信号に応じた電流が発光素子10に流れ、発光素子10は、画素信号に応じた輝度で発光する。   As shown in FIG. 2A, the pixel 4 includes a light emitting element 10, a capacitive element 12, a drive transistor 16a, and a switch transistor 16b. Between the light emitting element 10 and the driving transistor 16a, a connection resistance 16c between a contact electrode and a TFT wiring is generated in a contact hole 25 described later. In the pixel 4, when the scanning signal Scan is supplied from the scanning line 9a, the pixel signal Data that is a voltage corresponding to the pixel signal is applied from the signal line 9b to the gate of the driving transistor 16a. As a result, a current corresponding to the pixel signal flows through the light emitting element 10, and the light emitting element 10 emits light with a luminance corresponding to the pixel signal.

より詳細には、画素4には、参照電源線VREFと、ELアノード電源線VTELと、ELカソード電源線VTFTとが配線されている。ELアノード電源線VELには、発光素子10に印加するアノード電圧を発生するアノード電圧発生回路(図示せず)が接続されている。ELカソード電源線VTFTには、発光素子10に印加するカソード電圧を発生するカソード電圧発生回路(図示せず)が接続されている。なお、ELカソード電源線VTFTは、カソード電圧発生回路に接続される代わりに、接地されてもよい。   More specifically, the pixel 4 is provided with a reference power supply line VREF, an EL anode power supply line VTEL, and an EL cathode power supply line VTFT. An anode voltage generation circuit (not shown) that generates an anode voltage to be applied to the light emitting element 10 is connected to the EL anode power supply line VEL. A cathode voltage generation circuit (not shown) that generates a cathode voltage to be applied to the light emitting element 10 is connected to the EL cathode power supply line VTFT. The EL cathode power supply line VTFT may be grounded instead of being connected to the cathode voltage generation circuit.

なお、画素の構成は、上述した画素4の構成に限らず、図2Bに示す画素4aのような構成であってもよい。   The configuration of the pixel is not limited to the configuration of the pixel 4 described above, and may be a configuration like the pixel 4a illustrated in FIG. 2B.

図2Bに示すように、画素4aは発光素子10と、容量素子12と、駆動トランジスタ17aと、スイッチトランジスタ17bと、トランジスタ17cおよび17dとを備えている。画素4aでは、走査線9aから走査信号Selectが供給されると、信号線9bからの画素信号に応じた電荷が容量素子12に蓄積される。容量素子12に蓄積された電荷に応じた電圧が駆動トランジスタ17aのゲートに印加されることにより、画素信号に応じた電流が発光素子10に流れ、発光素子10は、画素信号に応じた輝度で発光する。   As shown in FIG. 2B, the pixel 4a includes a light emitting element 10, a capacitive element 12, a drive transistor 17a, a switch transistor 17b, and transistors 17c and 17d. In the pixel 4a, when the scanning signal Select is supplied from the scanning line 9a, charges corresponding to the pixel signal from the signal line 9b are accumulated in the capacitor element 12. By applying a voltage corresponding to the charge accumulated in the capacitor element 12 to the gate of the driving transistor 17a, a current corresponding to the pixel signal flows to the light emitting element 10, and the light emitting element 10 has a luminance corresponding to the pixel signal. Emits light.

また、画素の構成は、図2Aおよび図2Bに示した構成に限らず、その他の構成であってもよい。   Further, the configuration of the pixel is not limited to the configuration illustrated in FIGS. 2A and 2B, and may be other configurations.

以下、図2Aに示した画素4を例として、画素の構成について図3〜図5を用いて説明する。画素4は、図3に示すように、サブ画素としてR(赤色)、G(緑色)、B(青色)それぞれに対応する画素であり、R、G、Bの3つの画素4により1つの表示画素が構成されている。   Hereinafter, the configuration of the pixel will be described with reference to FIGS. 3 to 5 by taking the pixel 4 shown in FIG. 2A as an example. As shown in FIG. 3, the pixel 4 is a pixel corresponding to each of R (red), G (green), and B (blue) as sub-pixels, and one display is provided by the three pixels 4 of R, G, and B. Pixels are configured.

図4は、図3に示したAA’線における断面図である。図5は、図3に示したBB’線における断面図である。   4 is a cross-sectional view taken along the line AA 'shown in FIG. FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line BB ′ shown in FIG.

表示装置1は、図4および図5において上側を表示面とする、いわゆるトップエミッション型の構造を有する表示装置である。表示装置1は、基板20と、TFT回路21と、配線22と、層間絶縁層23と、陽極26aと、コンタクト電極26bと、正孔注入層、正孔輸送層および発光層29と、第1の隔壁28と、第2の隔壁30と、有機機能層32と、陰極34とを備える。基板20と、層間絶縁層23と、TFT回路21とは、表示装置1が備える複数の画素に共通して形成されている。ここで、図2Aに示した発光素子10は、陽極26aと、正孔注入層、正孔輸送層および発光層29と、有機機能層32と、陰極34とで構成される。   The display device 1 is a display device having a so-called top emission type structure in which the upper side in FIGS. 4 and 5 is the display surface. The display device 1 includes a substrate 20, a TFT circuit 21, a wiring 22, an interlayer insulating layer 23, an anode 26 a, a contact electrode 26 b, a hole injection layer, a hole transport layer and a light emitting layer 29, a first Partition wall 28, second partition wall 30, organic functional layer 32, and cathode 34. The substrate 20, the interlayer insulating layer 23, and the TFT circuit 21 are formed in common for a plurality of pixels included in the display device 1. 2A includes an anode 26a, a hole injection layer, a hole transport layer and a light emitting layer 29, an organic functional layer 32, and a cathode 34.

以下、表示装置1の各部構成を説明する。   Hereinafter, each part structure of the display apparatus 1 is demonstrated.

<基板>
基板20は、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエーテルサルフォン、ポリエチレン、ポリエステル、シリコン系樹脂、ガラス基板等の絶縁性材料で構成される。基板20の上には、TFT回路21が形成されている。TFT回路21には、TFTで構成される駆動回路(不図示)が画素4ごとに形成されている。
<Board>
The substrate 20 is made of, for example, an insulating material such as polyimide resin, acrylic resin, styrene resin, polycarbonate resin, epoxy resin, polyether sulfone, polyethylene, polyester, silicon resin, and glass substrate. . A TFT circuit 21 is formed on the substrate 20. In the TFT circuit 21, a drive circuit (not shown) composed of TFTs is formed for each pixel 4.

<層間絶縁層>
層間絶縁層23は、基板20およびTFT回路21の上に形成されている。層間絶縁層23は、基板20の上面とTFT回路21の上面とによる段差を平坦化するためのものである。層間絶縁層23は、例えば、ポジ型の感光性材料で構成される。ポジ型の感光性材料としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂等が用いられる。
<Interlayer insulation layer>
The interlayer insulating layer 23 is formed on the substrate 20 and the TFT circuit 21. The interlayer insulating layer 23 is for flattening a step between the upper surface of the substrate 20 and the upper surface of the TFT circuit 21. The interlayer insulating layer 23 is made of, for example, a positive photosensitive material. As the positive photosensitive material, acrylic resin, polyimide resin, siloxane resin, phenol resin, or the like is used.

<陽極およびコンタクト電極>
陽極26aおよびコンタクト電極26bは、層間絶縁層23上に形成される。陽極26aは、画素4において発光領域の上に形成されている。コンタクト電極26bは、後述するコンタクトホール25上に形成されている。陽極26aおよびコンタクト電極26bは、同時に形成されてもよいし、別々に形成されてもよい。
<Anode and contact electrode>
The anode 26 a and the contact electrode 26 b are formed on the interlayer insulating layer 23. The anode 26 a is formed on the light emitting region in the pixel 4. The contact electrode 26b is formed on a contact hole 25 described later. The anode 26a and the contact electrode 26b may be formed at the same time or separately.

陽極26aおよびコンタクト電極26bは、例えば、光反射性導電材料と、透明導電材料との積層構造からなる。光反射性導電材料として、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、アルミニウム合金、モリブデン(Mo)、APC(銀、パラジウム、および銅の合金)、ARA(銀、ルビジウム、および金の合金)、MoCr(モリブデンとクロムとの合金)、MoW(モリブデンとタングステンとの合金)、NiCr(ニッケルとクロムとの合金)等を用いてもよい。透明導電材料として、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、ZnO(酸化亜鉛)等を用いてもよい。陽極26aおよびコンタクト電極26bは、光反射性導電材料の単層構造としてもよい。   The anode 26a and the contact electrode 26b have a laminated structure of a light reflective conductive material and a transparent conductive material, for example. As a light-reflective conductive material, silver (Ag), aluminum (Al), aluminum alloy, molybdenum (Mo), APC (alloy of silver, palladium, and copper), ARA (alloy of silver, rubidium, and gold), MoCr (Alloy of molybdenum and chromium), MoW (alloy of molybdenum and tungsten), NiCr (alloy of nickel and chromium), or the like may be used. As the transparent conductive material, ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), ZnO (zinc oxide), or the like may be used. The anode 26a and the contact electrode 26b may have a single layer structure of a light-reflective conductive material.

ここで、層間絶縁層23には、画素4ごとにコンタクトホール25が形成されている。コンタクトホール25は、底面に配線22が露出するように形成されている。コンタクト電極26bは、コンタクトホール25に形成され、層間絶縁層23のコンタクトホール25の底面に露出された配線22を介して、TFT回路21に形成された駆動回路と電気的に接続されている。   Here, a contact hole 25 is formed for each pixel 4 in the interlayer insulating layer 23. The contact hole 25 is formed so that the wiring 22 is exposed on the bottom surface. The contact electrode 26 b is formed in the contact hole 25 and is electrically connected to the drive circuit formed in the TFT circuit 21 through the wiring 22 exposed on the bottom surface of the contact hole 25 of the interlayer insulating layer 23.

また、陽極26aとコンタクト電極26bとの間には、図3に示したように、平面視したときに、コンタクトホール25の周囲を囲むように開口された開口部27が形成されている。これにより、画素4の発光領域に配置される陽極26aと、コンタクトホール25側に配置されるコンタクト電極26bとは、図4に示したように分断され、電気的に非導通の構成となる。陽極26aは、図3に示したように、画素4を平面視したときに矩形状に形成されている。陽極26aは、R、G、B3つの画素4について共通に配置されている。   Further, as shown in FIG. 3, an opening 27 is formed between the anode 26a and the contact electrode 26b so as to surround the periphery of the contact hole 25 when viewed in plan. As a result, the anode 26a arranged in the light emitting region of the pixel 4 and the contact electrode 26b arranged on the contact hole 25 side are divided as shown in FIG. As shown in FIG. 3, the anode 26 a is formed in a rectangular shape when the pixel 4 is viewed in plan. The anode 26a is arranged in common for the three pixels 4 of R, G, and B.

なお、本実施の形態では、コンタクト電極26bは、コンタクトホール25に形成され、上方に有機機能層32と陰極34とが接続された接続領域が形成されているが、コンタクト電極26bは必ずしもコンタクトホール25に形成する必要はなく、別途設けてもよい。また、図4のような配置とすることにより、発光領域をより広く確保することができる。   In the present embodiment, the contact electrode 26b is formed in the contact hole 25, and a connection region in which the organic functional layer 32 and the cathode 34 are connected is formed above, but the contact electrode 26b is not necessarily in the contact hole. 25 may be provided separately. In addition, with the arrangement as shown in FIG. 4, a wider light emitting area can be secured.

<配線>
配線22は、層間絶縁層23下に設けられている。配線22は、TFT回路21を形成する配線で構成される。例えば、チタン、モリブデン、タングステン、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金、ITO、IZOを用いることができる。
<Wiring>
The wiring 22 is provided under the interlayer insulating layer 23. The wiring 22 is configured by a wiring that forms the TFT circuit 21. For example, titanium, molybdenum, tungsten, aluminum, aluminum alloy, copper, copper alloy, ITO, or IZO can be used.

このように配線22が配置されることにより、配線22と配線22に対向する陰極34の部分との間の接続を実現することができる。   By arranging the wiring 22 in this way, connection between the wiring 22 and the portion of the cathode 34 facing the wiring 22 can be realized.

<第1の隔壁>
第1の隔壁28は、図3に示したように、矩形の開口を2つ有する枠状の形状に形成されている。第1の隔壁28は、陽極26a、コンタクト電極26bおよび陽極26aとコンタクト電極26bとの間において開口された開口部27を覆うように形成されている。
<First partition wall>
As shown in FIG. 3, the first partition wall 28 is formed in a frame shape having two rectangular openings. The first partition wall 28 is formed so as to cover the anode 26a, the contact electrode 26b, and the opening 27 opened between the anode 26a and the contact electrode 26b.

第1の隔壁28は、後述する発光層29をウェットプロセスで形成する場合に、塗布されたインクがあふれ出ることを抑制する機能を有する。一方、第1の隔壁28は、発光層29を蒸着法で形成する場合に蒸着マスクを載置するための構造物としての機能を有する。第1の隔壁28は、例えば、ポジ型の感光性材料からなる。具体的には、第1の隔壁28の材料として、フェノール系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂等を用いてもよい。   The first partition 28 has a function of preventing the applied ink from overflowing when a light emitting layer 29 described later is formed by a wet process. On the other hand, the first partition 28 has a function as a structure for placing a vapor deposition mask when the light emitting layer 29 is formed by vapor deposition. The first partition 28 is made of, for example, a positive photosensitive material. Specifically, as the material of the first partition wall 28, a phenol resin, an acrylic resin, a polyimide resin, a siloxane resin, or the like may be used.

<正孔注入層>
正孔注入層(図示せず)は、陽極26aから発光層29への正孔の注入を促進させる機能を有し、少なくとも発光領域において陽極26aと発光層29との間に設けられている。正孔注入層は、例えば、酸化タングステン(WOx)、酸化モリブデン(MoOx)や、銀(Ag)、クロム(Cr)、バナジウム(V)、ニッケル(Ni)、イリジウム(Ir)等の金属酸化物により、スパッタリング法で形成される。また、正孔注入層は、PEDOT(ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物)やポリアニリン等により、インクの塗布および乾燥により形成されてもよい。インク塗布の工程には隔壁が必要となるため、インク塗布による正孔注入層の形成は、第1の隔壁28の形成後、正孔輸送層の形成前に行われる。また、正孔注入層は、スパッタリング等で形成される層と塗布で形成される層とを組み合わせてもよい。
<Hole injection layer>
The hole injection layer (not shown) has a function of accelerating the injection of holes from the anode 26a to the light emitting layer 29, and is provided between the anode 26a and the light emitting layer 29 at least in the light emitting region. The hole injection layer may be, for example, a metal oxide such as tungsten oxide (WOx), molybdenum oxide (MoOx), silver (Ag), chromium (Cr), vanadium (V), nickel (Ni), or iridium (Ir). Is formed by a sputtering method. The hole injection layer may be formed by applying and drying ink with PEDOT (a mixture of polythiophene and polystyrene sulfonic acid), polyaniline, or the like. Since a partition wall is required for the ink application process, the formation of the hole injection layer by the ink application is performed after the formation of the first partition wall 28 and before the formation of the hole transport layer. The hole injection layer may be a combination of a layer formed by sputtering or the like and a layer formed by coating.

<正孔輸送層>
正孔輸送層(図示せず)は、正孔注入層から注入された正孔を発光層29へ輸送する機能を有する。正孔輸送層は、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体等の高分子化合物で構成される有機材料溶液の塗布および乾燥により形成される。また、正孔輸送層は、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、ブタジエン化合物、ポリスチレン誘導体、ヒドラゾン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、テトラフェニルベンジン誘導体で形成されてもよい。正孔輸送層は、ポリフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物等により真空蒸着法で形成されることが好ましい。
<Hole transport layer>
The hole transport layer (not shown) has a function of transporting holes injected from the hole injection layer to the light emitting layer 29. The hole transport layer is formed by applying and drying an organic material solution composed of a polymer compound such as polyfluorene or a derivative thereof, or polyarylamine or a derivative thereof. In addition, the hole transport layer includes triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, It may be formed of a fluorenone derivative, a hydrazone derivative, a stilbene derivative, a porphyrin compound, an aromatic tertiary amine compound and a styrylamine compound, a butadiene compound, a polystyrene derivative, a hydrazone derivative, a triphenylmethane derivative, or a tetraphenylbenzine derivative. The hole transport layer is preferably formed by a vacuum deposition method using a porphyrin compound, an aromatic tertiary amine compound, a styrylamine compound, or the like.

<発光層>
発光層29は、正孔と電子との再結合により、それぞれR、G、Bの各色の光を出射する機能を有する。発光層29は、陽極26aの上方であって第1の隔壁28に囲まれた領域に形成されている。発光層29は、有機発光材料を含む。有機発光材料として、例えば、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物およびアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、8−ヒドロキシキノリン化合物の金属鎖体、2−ビピリジン化合物の金属鎖体、シッフ塩とIII族金属との鎖体、オキシン金属鎖体、希土類鎖体等の蛍光物質を用いることができる。また、トリス(2−フェニルピリジン)イリジウムなどの燐光を発光する金属錯体等の公知の燐光物質を用いることができる。また、発光層29は、ポリフルオレンやその誘導体、ポリフェニレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体等の高分子化合物等、もしくは上記低分子化合物と上記高分子化合物の混合物を用いてもよい。この場合、発光層29は、有機材料溶液の塗布および乾燥により形成される。
<Light emitting layer>
The light emitting layer 29 has a function of emitting light of R, G, and B colors by recombination of holes and electrons. The light emitting layer 29 is formed in a region above the anode 26 a and surrounded by the first partition wall 28. The light emitting layer 29 includes an organic light emitting material. Organic light-emitting materials include, for example, oxinoid compounds, perylene compounds, coumarin compounds, azacoumarin compounds, oxazole compounds, oxadiazole compounds, perinone compounds, pyrrolopyrrole compounds, naphthalene compounds, anthracene compounds, fluorene compounds, fluoranthene compounds, tetracene compounds, pyrenes Compound, coronene compound, quinolone compound and azaquinolone compound, pyrazoline derivative and pyrazolone derivative, rhodamine compound, chrysene compound, phenanthrene compound, cyclopentadiene compound, stilbene compound, diphenylquinone compound, styryl compound, butadiene compound, dicyanomethylenepyran compound, dicyanomethylene Thiopyran compound, fluorescein compound, pyrylium compound, thiapyrylium Products, serenapyrylium compounds, telluropyrylium compounds, aromatic aldadiene compounds, oligophenylene compounds, thioxanthene compounds, cyanine compounds, acridine compounds, metal chains of 8-hydroxyquinoline compounds, metal chains of 2-bipyridine compounds, Schiff salts And a fluorescent material such as a chain of a group III metal, an oxine metal chain, and a rare earth chain. In addition, a known phosphor such as a metal complex emitting phosphorescence such as tris (2-phenylpyridine) iridium can be used. The light emitting layer 29 may be made of polyfluorene or a derivative thereof, polyphenylene or a derivative thereof, a polymer compound such as polyarylamine or a derivative thereof, or the like, or a mixture of the low molecular compound and the polymer compound. In this case, the light emitting layer 29 is formed by applying and drying an organic material solution.

一方、第1の隔壁28は、発光層29を蒸着法で形成する場合に蒸着マスクを載置するための構造物としての機能を有する。第1の隔壁28は、例えば、ポジ型の感光性材料からなる。具体的には、第1の隔壁28の材料として、フェノール系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂等を用いてもよい。   On the other hand, the first partition 28 has a function as a structure for placing a vapor deposition mask when the light emitting layer 29 is formed by vapor deposition. The first partition 28 is made of, for example, a positive photosensitive material. Specifically, as the material of the first partition wall 28, a phenol resin, an acrylic resin, a polyimide resin, a siloxane resin, or the like may be used.

<第2の隔壁>
第2の隔壁30は、図4および図5に示したように、第1の隔壁28の上に接触して形成されている。第2の隔壁30は、第1の隔壁28と接する底面の面積が第1の隔壁28と接しない上面の面積よりも小さく、断面の形状が台形の形状、すなわち逆テーパー形状になるように形成されている。
<Second partition wall>
As shown in FIGS. 4 and 5, the second partition wall 30 is formed on and in contact with the first partition wall 28. The second partition wall 30 is formed such that the area of the bottom surface in contact with the first partition wall 28 is smaller than the area of the top surface not in contact with the first partition wall 28 and the cross-sectional shape is a trapezoidal shape, that is, an inversely tapered shape. Has been.

第2の隔壁30は、後述する有機機能層32および陰極34を形成する場合に、隣接する画素4における有機機能層32および陰極34が電気的に導通しないように、第2の隔壁30の両側において分断された構成とするために形成されている。上述した第2の隔壁30の構成により、有機機能層32および陰極34は、発光層29、第1の隔壁28および第2の隔壁30の上に、例えばスパッタリング法で形成される。このとき、第2の隔壁30が上記したような逆テーパー形状の形状を有することにより、第2の隔壁30の側面には、有機機能層32および陰極34は形成されず、有機機能層32および陰極34が第2の隔壁30の両側において分断された構成を実現することができる。   The second partition wall 30 is formed on both sides of the second partition wall 30 so that the organic function layer 32 and the cathode 34 in the adjacent pixels 4 are not electrically connected when the organic function layer 32 and the cathode 34 described later are formed. It is formed in order to obtain a divided structure. Due to the configuration of the second partition 30 described above, the organic functional layer 32 and the cathode 34 are formed on the light emitting layer 29, the first partition 28 and the second partition 30 by, for example, sputtering. At this time, since the second partition wall 30 has the reverse tapered shape as described above, the organic functional layer 32 and the cathode 34 are not formed on the side surface of the second partition wall 30, and the organic functional layer 32 and A configuration in which the cathode 34 is divided on both sides of the second partition wall 30 can be realized.

第2の隔壁30は、例えば、ネガ型の感光性材料からなる。具体的には、第2の隔壁30の材料として、フェノール系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂等を用いてもよい。   The second partition wall 30 is made of, for example, a negative photosensitive material. Specifically, as the material of the second partition wall 30, a phenol resin, an acrylic resin, a polyimide resin, a siloxane resin, or the like may be used.

<有機機能層>
有機機能層32は、発光層29、第1の隔壁28、第2の隔壁30および配線22の上方に設けられている。有機機能層32は、例えば、電子輸送性を有する金属を含む有機材料からなり、陰極34から注入された電子を発光層29へ輸送する電子輸送層としての機能を有する。電子輸送性を有する金属を含むことで、有機機能層32の電子輸送性を向上できる。有機機能層32の有機材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体(OXD)、トリアゾール誘導体(TAZ)、フェナンスロリン誘導体(BCP、Bphen)等を用いることができる。有機機能層32に含まれる金属は、例えば、バリウム(Ba)、リチウム(Li)、カルシウム(Ca)、カリウム(K)、セシウム(Cs)、ナトリウム(Na)、ルビジウム(Rb)等を用いることができる。なお、有機機能層32は、電子輸送性を有する有機材料のみで構成されてもよい。
<Organic functional layer>
The organic functional layer 32 is provided above the light emitting layer 29, the first partition 28, the second partition 30, and the wiring 22. The organic functional layer 32 is made of, for example, an organic material containing a metal having an electron transport property, and has a function as an electron transport layer that transports electrons injected from the cathode 34 to the light emitting layer 29. By including a metal having an electron transporting property, the electron transporting property of the organic functional layer 32 can be improved. As an organic material of the organic functional layer 32, for example, an oxadiazole derivative (OXD), a triazole derivative (TAZ), a phenanthroline derivative (BCP, Bphen), or the like can be used. As the metal contained in the organic functional layer 32, for example, barium (Ba), lithium (Li), calcium (Ca), potassium (K), cesium (Cs), sodium (Na), rubidium (Rb), or the like is used. Can do. In addition, the organic functional layer 32 may be comprised only with the organic material which has electron transport property.

なお、有機機能層32の厚さは、例えば25nm以上45nm以下であってもよい。この構成によれば、ピーク光取り出し効率に対して80%の光取り出し効率を確保することができる。また、有機機能層32の厚さは、30nm以上40nm以下であることが好ましい。この構成によれば、ピーク光取り出し効率に対して90%の光取り出し効率を確保することができる。   Note that the thickness of the organic functional layer 32 may be, for example, 25 nm or more and 45 nm or less. According to this configuration, 80% light extraction efficiency can be ensured with respect to the peak light extraction efficiency. Moreover, it is preferable that the thickness of the organic functional layer 32 is 30 nm or more and 40 nm or less. According to this configuration, it is possible to ensure a light extraction efficiency of 90% with respect to the peak light extraction efficiency.

また、有機機能層32は、発光層29、第1の隔壁28、第2の隔壁30および配線22の全ての上方に設けられている必要はなく、少なくとも発光層29の上方に設けられていればよい。   Further, the organic functional layer 32 does not have to be provided above all of the light emitting layer 29, the first partition 28, the second partition 30, and the wiring 22, and is provided at least above the light emitting layer 29. That's fine.

<陰極>
陰極34は、発光層29、第1の隔壁28、および配線22上方に有機機能層32を介して設けられている。陰極34は、例えば、透明導電材料からなる。透明導電材料で陰極34が構成されることにより、発光層29で発生した光を陰極34側から取り出すことができる。陰極34の透明導電材料として、例えば、ITO、IZO等を用いることができる。これ以外にも、例えば、陰極34は、MgAg(マグネシウム銀)を用いてもよい。この場合、陰極34の厚みを数10nm程度とすることで、光を透過させることができる。
<Cathode>
The cathode 34 is provided above the light emitting layer 29, the first partition 28, and the wiring 22 via the organic functional layer 32. The cathode 34 is made of, for example, a transparent conductive material. By forming the cathode 34 with the transparent conductive material, light generated in the light emitting layer 29 can be extracted from the cathode 34 side. As the transparent conductive material of the cathode 34, for example, ITO, IZO or the like can be used. In addition to this, for example, the cathode 34 may use MgAg (magnesium silver). In this case, light can be transmitted by setting the thickness of the cathode 34 to about several tens of nm.

なお、陰極34は、発光層29、第1の隔壁28、第2の隔壁30および配線22の全ての上方に設けられている必要はなく、少なくとも発光層29の上方に設けられていればよい。   Note that the cathode 34 does not have to be provided above all of the light emitting layer 29, the first partition 28, the second partition 30, and the wiring 22, and may be provided at least above the light emitting layer 29. .

<その他>
なお、図3〜図5では図示を省略したが、画素4において、陰極34の上に封止層が設けられてもよい。封止層は、発光層29に対して基板20が配置された側と反対側から、有機機能層32や陰極34への水や酸素の侵入を抑制する機能を有する。封止層は、例えば、光透過性材料からなる。光透過性材料としては、窒化シリコン(SiN)、酸窒化シリコン(SiON)等を用いてもよい。
<Others>
Although not shown in FIGS. 3 to 5, a sealing layer may be provided on the cathode 34 in the pixel 4. The sealing layer has a function of suppressing water and oxygen from entering the organic functional layer 32 and the cathode 34 from the side opposite to the side where the substrate 20 is disposed with respect to the light emitting layer 29. The sealing layer is made of, for example, a light transmissive material. As the light transmissive material, silicon nitride (SiN), silicon oxynitride (SiON), or the like may be used.

[3.表示装置の製造方法]
次に、表示装置1の製造方法の一例を、図6〜図8の平面図を用いて説明する。図6は、本実施の形態にかかる画素の製造工程を示す平面図である。図7は、本実施の形態にかかる画素の製造工程を示す平面図である。図8は、本実施の形態にかかる画素の製造工程を示す平面図である。
[3. Display device manufacturing method]
Next, an example of a method for manufacturing the display device 1 will be described with reference to the plan views of FIGS. FIG. 6 is a plan view showing a manufacturing process of the pixel according to the present embodiment. FIG. 7 is a plan view showing the manufacturing process of the pixel according to the present embodiment. FIG. 8 is a plan view showing the manufacturing process of the pixel according to the present embodiment.

はじめに、TFT回路21が形成された基板20を用意する。また、基板20の上には、TFT回路21に接続される配線22が形成される。   First, the substrate 20 on which the TFT circuit 21 is formed is prepared. A wiring 22 connected to the TFT circuit 21 is formed on the substrate 20.

次に、基板20、TFT回路21および配線22の上に、層間絶縁層23が積層される。さらに、層間絶縁層23の所定位置にコンタクトホール25が形成される。コンタクトホール25は、例えば、層間絶縁層23が感光性材料で形成される場合は、現像により形成される。これにより、コンタクトホール25の底面には、配線22が露出される。   Next, an interlayer insulating layer 23 is laminated on the substrate 20, the TFT circuit 21, and the wiring 22. Further, a contact hole 25 is formed at a predetermined position of the interlayer insulating layer 23. For example, when the interlayer insulating layer 23 is formed of a photosensitive material, the contact hole 25 is formed by development. As a result, the wiring 22 is exposed on the bottom surface of the contact hole 25.

次に、層間絶縁層23上に、陽極26aが形成され、コンタクトホール25内にコンタクト電極26bが形成される。陽極26aおよびコンタクト電極bは、例えばスパッタリング法により、図6に示すように基板20の全面に隣接する画素4に共通して成膜される。   Next, an anode 26 a is formed on the interlayer insulating layer 23, and a contact electrode 26 b is formed in the contact hole 25. The anode 26a and the contact electrode b are formed in common on the pixels 4 adjacent to the entire surface of the substrate 20, as shown in FIG.

次に、図6に示すように、平面視したときに、コンタクトホール25の周囲が開口された開口部27が設けられる。開口部27により、陽極26aとコンタクト電極26bとが分断されている。開口部27は、例えばウェットエッチングにより形成される。開口部27の底面には、層間絶縁層23が露出される。   Next, as shown in FIG. 6, an opening 27 having an opening around the contact hole 25 when provided in a plan view is provided. The anode 27 a and the contact electrode 26 b are separated by the opening 27. The opening 27 is formed by wet etching, for example. On the bottom surface of the opening 27, the interlayer insulating layer 23 is exposed.

さらに、図4および図7に示すように、開口部27を覆うように、陽極26a、コンタクト電極26bおよび層間絶縁層23の上に第1の隔壁28が形成される。第1の隔壁28は、例えば、ポジ型の感光性材料が塗布されることで形成される。図7に示すように、第1の隔壁28は、発光領域およびコンタクト領域が開口された枠状に形成される。   Further, as shown in FIGS. 4 and 7, a first partition 28 is formed on anode 26 a, contact electrode 26 b, and interlayer insulating layer 23 so as to cover opening 27. The first partition 28 is formed, for example, by applying a positive photosensitive material. As shown in FIG. 7, the first partition 28 is formed in a frame shape in which the light emitting region and the contact region are opened.

次に、枠状の第1の隔壁28に囲まれた陽極26a上に、正孔注入層(図示せず)が形成される。正孔注入層は、配線22上には形成されなくてもよい。また、正孔注入層は、塗布プロセスで形成される場合には、第1の隔壁28が形成された後、正孔輸送層が形成される前に形成される。また、正孔注入層がスパッタリング法で形成される場合は、上述の陽極26aの成膜後に成膜し、陽極26aと同じパターンで加工されてもよい。   Next, a hole injection layer (not shown) is formed on the anode 26 a surrounded by the frame-shaped first partition wall 28. The hole injection layer may not be formed on the wiring 22. When the hole injection layer is formed by a coating process, the hole injection layer is formed after the first partition wall 28 is formed and before the hole transport layer is formed. When the hole injection layer is formed by a sputtering method, it may be formed after the above-described anode 26a is formed and processed in the same pattern as the anode 26a.

次に、正孔注入層の上に正孔輸送層(図示せず)および発光層29が形成される。正孔輸送層および発光層29は、それぞれ有機材料を含むインクが塗布され、さらに、インクが焼成(乾燥)されることで形成される。なお、正孔輸送層および発光層29は、ウェットプロセスに限らず、例えば、真空蒸着法により形成されてもよい。また、正孔輸送層は、配線22上には形成されなくてもよい。   Next, a hole transport layer (not shown) and a light emitting layer 29 are formed on the hole injection layer. The hole transport layer and the light emitting layer 29 are each formed by applying an ink containing an organic material and baking (drying) the ink. The hole transport layer and the light emitting layer 29 are not limited to a wet process, and may be formed by, for example, a vacuum deposition method. Further, the hole transport layer may not be formed on the wiring 22.

次に、図8に示すように、第1の隔壁28の上に第2の隔壁30が形成される。第2の隔壁30は、例えば、ネガ型の感光性材料が塗布されることで形成される。ネガ型の感光性材料をウェットエッチングすることにより、図4および図5に示したような逆テーパー形状に形成される。   Next, as shown in FIG. 8, the second partition 30 is formed on the first partition 28. The second partition wall 30 is formed, for example, by applying a negative photosensitive material. A negative photosensitive material is wet-etched to form an inversely tapered shape as shown in FIGS.

さらに、コンタクト電極26b、発光層29および第2の隔壁30の上に、バリウムを含む有機機能層32が形成される。具体的には、真空蒸着法を用いて、有機機能層を構成する材料およびバリウムを堆積させることで、バリウムがドープされた有機機能層32が形成される。有機機能層32は、バリウムからなる1種類の金属を含むため、準備する材料の種類を減らすことができ、製造上簡便である。第2の隔壁30の上に形成された有機機能層32は、発光層29およびコンタクト電極26bの上に形成された有機機能層32とは連続せず、別個の構成となる。   Further, an organic functional layer 32 containing barium is formed on the contact electrode 26 b, the light emitting layer 29, and the second partition wall 30. Specifically, the organic functional layer 32 doped with barium is formed by depositing the material and barium that constitute the organic functional layer using a vacuum evaporation method. Since the organic functional layer 32 includes one type of metal made of barium, the types of materials to be prepared can be reduced, and the manufacturing is simple. The organic functional layer 32 formed on the second partition 30 is not continuous with the organic functional layer 32 formed on the light emitting layer 29 and the contact electrode 26b, and has a separate configuration.

また、有機機能層32の上には、陰極34が形成される。具体的には、まず、陰極34を構成するITOが、真空蒸着法、スパッタリング法等により成膜され、陰極34が形成される。第2の隔壁30の上に有機機能層32を介して形成された陰極34も、発光層29およびコンタクト電極26bの上に形成された陰極34とは連続せず、別個の構成となる。   A cathode 34 is formed on the organic functional layer 32. Specifically, first, ITO constituting the cathode 34 is formed into a film by a vacuum deposition method, a sputtering method, or the like to form the cathode 34. The cathode 34 formed on the second partition wall 30 via the organic functional layer 32 is not continuous with the cathode 34 formed on the light emitting layer 29 and the contact electrode 26b, and has a separate configuration.

すなわち、第2の隔壁30の上方に設けられた陰極34および有機機能層32は、発光層29および第1の隔壁28の上方に設けられた陰極34および有機機能層32から分断されている。これにより、陰極34および有機機能層32は、複数の画素4に共通しない構成であり電気的に導通していないので、画素4ごとに発光層29に別々の電圧を印加して発光させることができる。   That is, the cathode 34 and the organic functional layer 32 provided above the second partition 30 are separated from the cathode 34 and the organic functional layer 32 provided above the light emitting layer 29 and the first partition 28. As a result, the cathode 34 and the organic functional layer 32 have a configuration that is not common to the plurality of pixels 4 and are not electrically conductive, so that different voltages can be applied to the light emitting layer 29 for each pixel 4 to emit light. it can.

最後に、陰極34の上に封止層が形成される。封止層を構成するSiNがスパッタリング法、CVD(Chemical Vapor Deposition)法等を用いて陰極34の上に成膜され、発光領域およびコンタクト領域が封止される。   Finally, a sealing layer is formed on the cathode 34. SiN constituting the sealing layer is formed on the cathode 34 by using a sputtering method, a CVD (Chemical Vapor Deposition) method, and the light emitting region and the contact region are sealed.

以上の工程を経ることにより表示装置1が完成する。なお、表示装置1のようなトップエミッション型の有機発光装置では、光取り出し効率を大きくするために、陰極34の厚さを小さくすることがある。陰極34の厚さを小さくした有機発光装置では、陰極34のパネル面内での電圧のばらつきが生じやすいため、特に配線22と陰極34における配線22と対向する部分との間の電気抵抗値を抑制することが有用である。   The display device 1 is completed through the above steps. In a top emission type organic light emitting device such as the display device 1, the thickness of the cathode 34 may be reduced in order to increase the light extraction efficiency. In the organic light-emitting device in which the thickness of the cathode 34 is reduced, voltage variations easily occur within the panel surface of the cathode 34, so that the electrical resistance value between the wiring 22 and the portion of the cathode 34 facing the wiring 22 is particularly large. It is useful to suppress.

[4.効果]
以上、本実施の形態にかかる表示装置1によると、第2の隔壁30は、断面の形状が第1の隔壁28と接する底面の面積が第1の隔壁28と接しない上面の面積よりも小さい台形の形状、すなわち逆テーパー形状になるように形成されるので、第2の隔壁30の側面には有機機能層32および陰極34は形成されず、有機機能層32および陰極34は画素4ごとに分断された構成となる。より詳細には、第2の隔壁30の側面には、有機機能層32および陰極34は形成されず、有機機能層32および陰極34が第2の隔壁30の両側において有機機能層32および陰極34が分断された構成となる。
[4. effect]
As described above, according to the display device 1 according to the present embodiment, the second partition 30 has a cross-sectional shape in which the area of the bottom surface in contact with the first partition 28 is smaller than the area of the top surface not in contact with the first partition 28. Since it is formed to have a trapezoidal shape, that is, an inversely tapered shape, the organic functional layer 32 and the cathode 34 are not formed on the side surface of the second partition wall 30, and the organic functional layer 32 and the cathode 34 are provided for each pixel 4. It becomes a divided structure. More specifically, the organic functional layer 32 and the cathode 34 are not formed on the side surface of the second partition wall 30, and the organic functional layer 32 and the cathode 34 are disposed on both sides of the second partition wall 30. Is a divided configuration.

したがって、コンタクトホール25において、配線22とコンタクト電極26b、有機機能層32および陰極34とが導通しても、画素領域において陽極26aと陰極34との間に配置された発光層29には所望の電圧が印加されるので、表示特性の良好な表示装置1を提供することができる。よって、高精細なマスクを使用して陰極を形成しなくても、第1の隔壁の上に第2の隔壁を設けることで、簡便に、画素毎に非導通の陰極および有機機能層を形成することができる。   Therefore, even if the wiring 22 and the contact electrode 26b, the organic functional layer 32, and the cathode 34 are electrically connected in the contact hole 25, the light emitting layer 29 disposed between the anode 26a and the cathode 34 in the pixel region has a desired shape. Since the voltage is applied, the display device 1 with good display characteristics can be provided. Therefore, even if the cathode is not formed using a high-definition mask, a non-conductive cathode and an organic functional layer are easily formed for each pixel by providing the second partition on the first partition. can do.

(他の実施の形態)
以上、実施の形態に係る表示装置について説明したが、表示装置は、上述した実施の形態に限定されるものではない。上述した実施の形態に対して、本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、表示装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
(Other embodiments)
Although the display device according to the embodiment has been described above, the display device is not limited to the above-described embodiment. The present invention includes modifications obtained by making various modifications conceived by those skilled in the art within the scope of the present invention without departing from the gist of the present invention, and various devices incorporating a display device.

例えば、第2の隔壁における逆テーパー形状の角度、すなわち、第1の隔壁の上面と第2の隔壁の側面との間の角度は、90度より小さければよく、第1の隔壁の上面と第2の隔壁の側面との間の角度が小さいほど好ましい。   For example, the angle of the inversely tapered shape in the second partition wall, that is, the angle between the upper surface of the first partition wall and the side surface of the second partition wall only needs to be smaller than 90 degrees. The smaller the angle between the side walls of the two partition walls, the better.

また、第2の隔壁の高さは、陰極および有機機能層の厚さよりも厚く、第2の隔壁の上に形成された陰極および有機機能層が、発光層および陽極の上に形成された陰極および有機機能層から分断されるのに十分な高さであることが好ましい。   Further, the height of the second partition is larger than the thickness of the cathode and the organic functional layer, and the cathode and the organic functional layer formed on the second partition are formed on the light emitting layer and the anode. In addition, the height is preferably high enough to be separated from the organic functional layer.

また、第1の隔壁は、製造時に発光層が流出するのを防止するために撥水性を有していることは必要であるが、第2の隔壁は撥水性を有していてもいなくてもよく、撥水性を有しているほうが好ましい。   Further, the first partition wall needs to have water repellency in order to prevent the light emitting layer from flowing out during manufacture, but the second partition wall may not have water repellency. It is better to have water repellency.

また、陽極は、例えば、光反射性導電材料と、透明導電材料との積層構造であってもよいし、光反射性導電材料の単層構造としてもよい。   The anode may have, for example, a laminated structure of a light reflective conductive material and a transparent conductive material, or a single layer structure of a light reflective conductive material.

また、有機機能層は、発光層、第1の隔壁、第2の隔壁および配線の全ての上方に設けられている必要はなく、少なくとも発光層の上方に設けられていればよい。同様に、陰極は、発光層、第1の隔壁、第2の隔壁および配線の全ての上方に設けられている必要はなく、少なくとも発光層の上方に設けられていればよい。   In addition, the organic functional layer does not have to be provided above all of the light emitting layer, the first partition, the second partition, and the wiring, and may be provided at least above the light emitting layer. Similarly, the cathode does not have to be provided above all of the light emitting layer, the first partition, the second partition, and the wiring, and may be provided at least above the light emitting layer.

また、本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を本実施の形態に施したものや、異なる実施の形態における構成要素を組み合わせて構築される形態も、本発明の範囲内に含まれる。例えば、図9に示すような、本発明にかかる表示装置を備えた薄型フラットテレビシステムも本発明に含まれる。   Also, within the scope of the present invention, various modifications conceived by those skilled in the art and forms constructed by combining components in different embodiments are also within the scope of the present invention without departing from the spirit of the present invention. included. For example, a thin flat TV system including the display device according to the present invention as shown in FIG. 9 is also included in the present invention.

本発明は、特に、大画面および高解像度が要望される薄型テレビおよびパーソナルコンピュータのディスプレイなどの技術分野に有用である。   The present invention is particularly useful in technical fields such as flat-screen televisions and personal computer displays that require a large screen and high resolution.

1 表示装置
2 表示領域
4、4a 画素
6 走査線駆動回路
7 信号線駆動回路
9a 走査線
9b 信号線
10 発光素子
12 容量素子
16a、17a 駆動トランジスタ
16b、16c、17b スイッチトランジスタ
20 基板
21 TFT回路
22 配線
23 層間絶縁層
25 コンタクトホール
26a 陽極
26b コンタクト電極
27 開口
28 第1の隔壁
29 発光層
30 第2の隔壁
32 有機機能層
34 陰極
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Display apparatus 2 Display area 4, 4a Pixel 6 Scan line drive circuit 7 Signal line drive circuit 9a Scan line 9b Signal line 10 Light emitting element 12 Capacitance element 16a, 17a Drive transistor 16b, 16c, 17b Switch transistor 20 Substrate 21 TFT circuit 22 Wiring 23 Interlayer insulating layer 25 Contact hole 26a Anode 26b Contact electrode 27 Opening 28 First partition 29 Light emitting layer 30 Second partition 32 Organic functional layer 34 Cathode

Claims (10)

複数の画素が行列状に配置された表示装置であって、
基板上に設けられた配線と、
前記基板および前記配線の上方に設けられた層間絶縁層と、
前記層間絶縁層の上方に設けられた陽極と、
前記層間絶縁層の上方に設けられ、前記層間絶縁層に形成されたコンタクトホールにおいて、前記コンタクトホールの底面に露出された前記配線の一部と接続されたコンタクト電極と、
前記陽極と前記コンタクト電極との間に設けられた開口部と、
前記開口部を覆うように設けられた第1の隔壁と、
前記陽極の上方において、前記第1の隔壁に囲まれた領域に設けられた、有機発光材料を含む発光層と、
前記第1の隔壁の上に設けられ、逆テーパー形状を有する第2の隔壁と、
少なくとも前記発光層の上方に設けられた、電子注入性または電子輸送性を有する有機機能層と、
前記有機機能層の上に設けられた陰極とを備え、
前記陽極は、前記複数の画素に共通して設けられ、
前記陰極および前記有機機能層は、前記複数の画素ごとに分断されており
前記第2の隔壁の上方には、前記陰極および前記有機機能層が設けられ、
前記第2の隔壁の上方に設けられた前記陰極および前記有機機能層は、前記発光層および前記第1の隔壁の上方に設けられた前記陰極および前記有機機能層から分断されている、
表示装置。
A display device in which a plurality of pixels are arranged in a matrix,
Wiring provided on the substrate;
An interlayer insulating layer provided above the substrate and the wiring;
An anode provided above the interlayer insulating layer;
A contact electrode provided above the interlayer insulating layer and connected to a part of the wiring exposed at the bottom surface of the contact hole in a contact hole formed in the interlayer insulating layer;
An opening provided between the anode and the contact electrode;
A first partition provided so as to cover the opening;
A light emitting layer including an organic light emitting material provided in a region surrounded by the first partition above the anode;
A second partition provided on the first partition and having a reverse taper shape;
An organic functional layer having an electron injecting property or an electron transporting property provided at least above the light emitting layer;
A cathode provided on the organic functional layer,
The anode is provided in common for the plurality of pixels,
The cathode and the organic functional layer is divided for each of the plurality of pixels,
Above the second partition, the cathode and the organic functional layer are provided,
The cathode and the organic functional layer provided above the second partition are separated from the cathode and the organic functional layer provided above the light emitting layer and the first partition,
Display device.
前記有機機能層は、電子注入性または電子輸送性を有する金属を含む、
請求項1に記載の表示装置。
The organic functional layer contains a metal having an electron injecting property or an electron transporting property,
The display device according to claim 1 .
前記金属は、バリウムである、
請求項に記載の表示装置。
The metal is barium;
The display device according to claim 2 .
前記陽極は、ITO(Indium Tin Oxide)またはIZO(Indium Zinc Oxide)で構成される、
請求項1〜のいずれか1項に記載の表示装置。
The anode is composed of ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide).
Display device according to any one of claims 1-3.
前記陰極は、透明導電材料で構成される、
請求項1〜のいずれか1項に記載の表示装置。
The cathode is made of a transparent conductive material,
The display apparatus of any one of Claims 1-4 .
前記透明導電材料は、ITOである、
請求項に記載の表示装置。
The transparent conductive material is ITO,
The display device according to claim 5 .
前記陽極と前記発光層との間に共通して設けられた正孔注入層を備え、
前記正孔注入層は、酸化タングステンおよび酸化モリブデンのいずれかで構成される、
請求項1〜のいずれか1項に記載の表示装置。
A hole injection layer provided in common between the anode and the light emitting layer;
The hole injection layer is composed of either tungsten oxide or molybdenum oxide.
Display device according to any one of claims 1-6.
前記有機機能層の厚みは、25nm以上45nm以下である、
請求項1〜のいずれか1項に記載の表示装置。
The thickness of the organic functional layer is 25 nm or more and 45 nm or less.
The display device according to any one of claims 1-7.
前記有機機能層の厚みは、30nm以上40nm以下である、
請求項1〜のいずれか1項に記載の表示装置。
The thickness of the organic functional layer is 30 nm or more and 40 nm or less,
Display device according to any one of claims 1-7.
複数の画素が行列状に配置された表示装置の製造方法であって、
基板上に設けられた配線が露出するように、前記配線上の層間絶縁層にコンタクトホールを形成する工程と、
前記層間絶縁層上に陽極を形成する工程と、
前記コンタクトホールの底面に露出された前記配線の一部と接続されるコンタクト電極を形成する工程と、
前記陽極と前記コンタクト電極との間に設けられた開口部を覆うように第1の隔壁を形成する工程と、
前記陽極の上方の前記第1の隔壁に囲まれた領域に、有機発光材料を含む発光層を形成する工程と、
前記第1の隔壁の上に、逆テーパー形状を有する第2の隔壁を形成する工程と、
前記発光層、前記第1の隔壁および前記第2の隔壁の上方に、電子注入性または電子輸送性を有する有機機能層を形成する工程と、
前記有機機能層の上に陰極を形成する工程とを含み、
前記陽極は、複数の画素に共通して設けられ、
前記第2の隔壁の上方に設けられた前記陰極および前記有機機能層は、前記発光層および前記第1の隔壁の上方に設けられた前記陰極および前記有機機能層から分断されている、
表示装置の製造方法。
A method of manufacturing a display device in which a plurality of pixels are arranged in a matrix,
Forming a contact hole in an interlayer insulating layer on the wiring so that the wiring provided on the substrate is exposed;
Forming an anode on the interlayer insulating layer;
Forming a contact electrode connected to a part of the wiring exposed at the bottom of the contact hole;
Forming a first partition so as to cover an opening provided between the anode and the contact electrode;
Forming a light emitting layer containing an organic light emitting material in a region surrounded by the first partition above the anode;
Forming a second partition having an inversely tapered shape on the first partition;
Forming an organic functional layer having an electron injecting property or an electron transporting property above the light emitting layer, the first partition, and the second partition;
Forming a cathode on the organic functional layer,
The anode is provided in common for a plurality of pixels,
The cathode and the organic functional layer provided above the second partition are separated from the cathode and the organic functional layer provided above the light emitting layer and the first partition,
Manufacturing method of display device.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6831257B2 (en) 2017-02-10 2021-02-17 株式会社Joled Organic EL display panel and manufacturing method of organic EL display panel
US10468623B2 (en) 2017-02-16 2019-11-05 Joled Inc. Organic EL display panel and method of manufacturing organic EL display panel
US10636845B2 (en) 2017-12-25 2020-04-28 Sakai Display Products Corporation Organic electroluminescent display apparatus
JP6636580B2 (en) * 2018-07-27 2020-01-29 堺ディスプレイプロダクト株式会社 Organic EL display
WO2020113457A1 (en) * 2018-12-05 2020-06-11 Boe Technology Group Co., Ltd. Stretchable display panel, stretchable display apparatus, and method of fabricating stretchable display panel
CN113594213B (en) * 2021-07-28 2024-05-24 京东方科技集团股份有限公司 Display panel and display device

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100608403B1 (en) * 2004-03-24 2006-08-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Organic Electro luminescence Device and fabrication method thereof
JP4823685B2 (en) * 2005-12-28 2011-11-24 京セラ株式会社 EL device and manufacturing method thereof
JP2008041894A (en) * 2006-08-04 2008-02-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Organic electroluminescent device and manufacturing method thereof
CN102201541B (en) * 2010-03-23 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 Light-emitting component, light-emitting device, electronic equipment and lighting device
JP5884224B2 (en) * 2011-02-23 2016-03-15 株式会社Joled Organic EL display panel and organic EL display device
JP5974249B2 (en) * 2011-09-08 2016-08-23 株式会社Joled Light emitting device and manufacturing method thereof

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