JP6446782B2 - Compound semiconductor solar cell and method of manufacturing compound semiconductor solar cell - Google Patents

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Description

本発明は、化合物半導体太陽電池、及び、化合物半導体太陽電池の製造方法に関する。   The present invention relates to a compound semiconductor solar cell and a method for manufacturing a compound semiconductor solar cell.

化合物半導体は材料組成によりバンドギャップエネルギーや格子定数が異なるので、太陽光の波長範囲を分担してエネルギー変換効率を高くする多接合型太陽電池が作製されている。   Since compound semiconductors have different band gap energy and lattice constant depending on the material composition, multijunction solar cells that share the wavelength range of sunlight and increase energy conversion efficiency have been produced.

現在では、ＧａＡｓとほぼ同じ格子定数であるＧｅ基板上に、格子整合材料を用いたＧｅセル／Ｇａ（Ｉｎ）Ａｓセル／ＧａＩｎＰセルを含む３接合太陽電池（各セルのバンドギャップ：１．８８ｅＶ／１．４０ｅＶ／０．６７ｅＶ）が一般的である。   At present, a three-junction solar cell including a Ge cell / Ga (In) As cell / GaInP cell using a lattice matching material on a Ge substrate having a lattice constant substantially equal to that of GaAs (band gap of each cell: 1.88 eV). /1.40 eV / 0.67 eV) is common.

化合物半導体太陽電池は、Ｓｉ系太陽電池に比べて効率は２倍程度高いが、基板が高価、基板サイズが小さいなどの理由で、Ｓｉ系太陽電池よりも桁違いに高価である。このため、化合物半導体太陽電池は、人工衛星等のような宇宙用等の特殊用途で用いられてきた。   The compound semiconductor solar cell is about twice as efficient as the Si solar cell, but is considerably more expensive than the Si solar cell because the substrate is expensive and the substrate size is small. For this reason, compound semiconductor solar cells have been used for special purposes such as space use such as artificial satellites.

最近では安いプラスチックレンズと小さな太陽電池セルを組み合わせる集光型とすることで通常の平板型に比べて高価な化合物半導体の量を減らせるので、低コスト化を実現でき、地上用（地上での一般用途用）として実用化されている。   Recently, by using a concentrating type that combines a cheap plastic lens and small solar cells, the amount of expensive compound semiconductors can be reduced compared to a normal flat plate type. It has been put to practical use for general use).

しかしながら、それでもＳｉを含めて太陽電池は、発電コストが高く、より一層の低コスト化が重要であり、エネルギー変換効率の向上、製造コストの低減が検討されている。   However, solar cells including Si still have high power generation costs, and it is important to further reduce costs. Improvements in energy conversion efficiency and reductions in manufacturing costs are being studied.

上述のように現在主流である、Ｇｅ基板を用いた格子整合型の３接合太陽電池は、電流バランスの観点からバンドギャップバランスが最適ではない。ボトムセルのバンドギャップを増加させた構造が有望である。   As described above, the current mainstream lattice-matched three-junction solar cell using a Ge substrate is not optimal in band gap balance from the viewpoint of current balance. A structure in which the band gap of the bottom cell is increased is promising.

高効率化の例として、バンドギャップバランスの最適化を目指して、各セルのバンドギャップを１．９ｅＶ／１．４２ｅＶ／１．０ｅＶに設定した３接合太陽電池がある（例えば、非特許文献１参照）。   As an example of high efficiency, there is a three-junction solar cell in which the band gap of each cell is set to 1.9 eV / 1.42 eV / 1.0 eV for the purpose of optimizing the band gap balance (for example, Non-Patent Document 1). reference).

１．９ｅＶのセルと１．４２ｅＶのセルとしては、それぞれ、ＧａＡｓ基板に格子整合するＧａＩｎＰとＧａＡｓが用いられている。一方、１．０ｅＶのセルにはＧａＡｓ基板に格子整合せずに、２％程度の格子の不整合が生じるＧａＩｎＡｓセルが用いられている。これを実現するために、通常の太陽電池とは逆方向から結晶成長している。   As the 1.9 eV cell and the 1.42 eV cell, GaInP and GaAs that are lattice-matched to the GaAs substrate are used, respectively. On the other hand, a GaInAs cell in which about 2% of lattice mismatch occurs without being lattice matched to the GaAs substrate is used for the 1.0 eV cell. In order to realize this, crystals grow from the opposite direction to that of a normal solar cell.

具体的には、ＧａＡｓ基板上に、ＧａＩｎＰセル、ＧａＡｓセルの順で成長し、次に、格子定数差を変化させるための格子緩和バッファ層を介してＧａＩｎＡｓセルを成長させている。そして、表面を支持基板に貼り合わせ、最後にＧａＡｓ基板を除去することによって３接合太陽電池を作製している。光入射はバンドギャップの大きいＧａＩｎＰセル側となる。   Specifically, a GaInP cell and a GaAs cell are grown in this order on a GaAs substrate, and then a GaInAs cell is grown via a lattice relaxation buffer layer for changing the lattice constant difference. Then, the surface is bonded to the support substrate, and finally the GaAs substrate is removed to produce a three-junction solar cell. Light incidence is on the GaInP cell side with a large band gap.

また、ＧａＡｓトップセルが形成されたＧａＡｓ基板と、ＧａＩｎＡｓＰボトムセルが形成されたＩｎＰ基板とを重ねたメカニカルスタック型の太陽電池がある（例えば、特許文献１参照）。各セルは、受光領域においては物理的に直接接続されておらず、セル同士を機械的に接合し、空隙を介して光学的に結合している。   Further, there is a mechanical stack type solar cell in which a GaAs substrate on which a GaAs top cell is formed and an InP substrate on which a GaInAsP bottom cell is formed (see, for example, Patent Document 1). Each cell is not physically directly connected in the light receiving region, but is mechanically joined to each other and optically coupled through a gap.

また、導電性ナノ粒子配列を用いた直列接合法による太陽電池がある（例えば、非特許文献２参照）。太陽電池セルが形成されたＧａＡｓ基板とＩｎＰ基板とを、Ｐｄナノ粒子配列を介してＶＤＷ（Ｖａｎ-ｄｅｒ-Ｗａａｌｓ）法により接続している。ナノ粒子と半導体のオーミック接触を介して電気が流れるものである。   In addition, there is a solar cell by a serial junction method using conductive nanoparticle arrays (see, for example, Non-Patent Document 2). A GaAs substrate on which solar cells are formed and an InP substrate are connected by a VDW (Van-der-Wals) method via a Pd nanoparticle array. Electricity flows through ohmic contact between the nanoparticles and the semiconductor.

また、ＧａＩｎＰトップセルが形成されたＧａＡｓ基板と、ＧａＩｎＡｓボトムセルが形成されたＩｎＰ基板とをその表面を直接接合して形成する太陽電池がある（例えば、特許文献２参照）。ＧａＡｓ基板上には格子整合材料で短波長帯のセルを容易に形成でき、ＩｎＰ基板上には格子整合材料で長波長帯のセルを容易に形成できる。   In addition, there is a solar cell in which a GaAs substrate on which a GaInP top cell is formed and an InP substrate on which a GaInAs bottom cell is formed are directly bonded to each other (for example, see Patent Document 2). A short wavelength band cell can be easily formed on the GaAs substrate with a lattice matching material, and a long wavelength band cell can be easily formed on the InP substrate with a lattice matching material.

しかしながら、非特許文献１に示す３接合太陽電池は、ＧａＡｓセルとＧａＩｎＡｓセルとの間に、格子緩和に伴う欠陥（転位）が集中する格子緩和バッファ層を含む構造である。このような欠陥を含む層は、太陽光を吸収して発生したキャリアを電極から取り出す前に再結合させる原因となり、高効率化は困難である。   However, the three-junction solar cell shown in Non-Patent Document 1 has a structure including a lattice relaxation buffer layer in which defects (dislocations) associated with lattice relaxation concentrate between a GaAs cell and a GaInAs cell. Such a layer containing defects causes carriers generated by absorbing sunlight to recombine before taking out from the electrode, and it is difficult to increase efficiency.

また、動作中に欠陥が増殖し、効率が経時劣化する可能性があり、高い信頼性を有する太陽電池を製造することは困難である。   In addition, defects may multiply during operation and the efficiency may deteriorate over time, and it is difficult to manufacture a highly reliable solar cell.

また、特許文献１に示す太陽電池では、受光領域において、ＧａＡｓセルを有するＧａＡｓ基板から透過した長波長の光が、ＩｎＰ基板上に形成されたＧａＩｎＡｓＰセルに入射する構成になっている。   Moreover, in the solar cell shown in Patent Document 1, in the light receiving region, long wavelength light transmitted from a GaAs substrate having a GaAs cell is incident on a GaInAsP cell formed on the InP substrate.

このような構成では、ＧａＩｎＡｓＰセルよりも光入射側に、ＧａＡｓよりバンドギャップの小さいＩｎＰ窓層が形成されているため、ＧａＩｎＡｓＰセルに光が入射する前に、一部の光がＩｎＰ窓層で吸収されてしまう。このようなＩｎＰ窓層は、太陽電池の効率低下をもたらす一因となる。   In such a configuration, an InP window layer having a band gap smaller than that of GaAs is formed on the light incident side of the GaInAsP cell. Therefore, before the light is incident on the GaInAsP cell, a part of the light passes through the InP window layer. Will be absorbed. Such an InP window layer contributes to a decrease in the efficiency of the solar cell.

また、非特許文献２に示す太陽電池では、ＧａＩｎＰＡｓセル（１．８ｅＶ）を透過した長波長の光が、ＧａＩｎＰＡｓセル（１．１５ｅＶ）に入射する。しかしながら、ＧａＩｎＰＡｓセル（１．１５ｅＶ）よりも光入射側に、ＧａＩｎＰＡｓセルの吸収層（１．８ｅＶ）よりもバンドギャップの小さいＩｎＰ接合層がＧａＩｎＰＡｓセル（１．８ｅＶ）の下方にＰｄ層を介して形成されている。   In the solar cell shown in Non-Patent Document 2, long wavelength light that has passed through the GaInPAs cell (1.8 eV) is incident on the GaInPAs cell (1.15 eV). However, an InP junction layer having a smaller band gap than the absorption layer (1.8 eV) of the GaInPAs cell is located below the GaInPAs cell (1.8 eV) via the Pd layer on the light incident side of the GaInPAs cell (1.15 eV). Is formed.

このため、ＧａＩｎＰＡｓセル（１．１５ｅＶ）に入射する前に、一部の光がＩｎＰ接合層で吸収されてしまう。このＩｎＰ接合層は、接合層としての機能と、窓層としての機能を兼ねている。しかし、このようなＩｎＰ窓層は、ＧａＩｎＰＡｓセルの吸収層（１．８ｅＶ）よりもバンドギャップが小さいため、太陽電池の効率低下をもたらす一因となる。   For this reason, part of the light is absorbed by the InP junction layer before entering the GaInPAs cell (1.15 eV). This InP bonding layer has both a function as a bonding layer and a function as a window layer. However, since such an InP window layer has a smaller band gap than the absorption layer (1.8 eV) of the GaInPAs cell, it contributes to a decrease in the efficiency of the solar cell.

また、特許文献２に示す従来技術では、ＧａＩｎＰセルを透過した長波長の光がＧａＩｎＡｓセルに入射する。しかし、ＧａＩｎＡｓセルより光入射側にＧａＩｎＰよりもバンドギャップの小さいＩｎＰ接合層がＧａＡｓエピ基板と直接接続する接合層として形成されている。このため、ＧａＩｎＡｓセルに入射する前に一部の光がＩｎＰ接合層で吸収されてしまう。このようなＩｎＰ窓層は、太陽電池の効率低下をもたらす一因となる。   In the prior art disclosed in Patent Document 2, light having a long wavelength transmitted through the GaInP cell is incident on the GaInAs cell. However, an InP junction layer having a smaller band gap than GaInP is formed on the light incident side of the GaInAs cell as a junction layer directly connected to the GaAs epitaxial substrate. For this reason, part of the light is absorbed by the InP junction layer before entering the GaInAs cell. Such an InP window layer contributes to a decrease in the efficiency of the solar cell.

以上のように、従来の化合物半導体製の太陽電池は、高効率化が十分に行われていない。   As described above, conventional solar cells made of compound semiconductors are not sufficiently efficient.

そこで、本発明は、高効率化を図った化合物半導体太陽電池、及び、化合物半導体太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。   Then, an object of this invention is to provide the manufacturing method of the compound semiconductor solar cell which aimed at high efficiency, and a compound semiconductor solar cell.

本発明の実施の形態の一観点の化合物半導体太陽電池は、ＩｎＰ基板と、第１化合物半導体材料で作製され、前記ＩｎＰ基板に積層される、１又は複数の第１光電変換セルと、第２化合物半導体材料で作製され、前記１又は複数の第１光電変換セルに積層される第１の接合層と、前記第１の接合層と接合される第２の接合層と、第３化合物半導体材料で作製され、前記第１の接合層及び前記第２の接合層によって前記１又は複数の第１光電変換セルに接合され、光の入射方向において前記１又は複数の第１光電変換セルよりも入射側に配設される、１又は複数の第２光電変換セルとを含み、前記１又は複数の第１光電変換セルと、前記１又は複数の第２光電変換セルとのバンドギャップは、前記入射方向の入射側から奥側に向かう順に小さく、前記第１の接合層のバンドギャップは、前記第２光電変換セルが１つである場合は当該１つの第２光電変換セルのバンドギャップ以上であり、前記第２光電変換セルが複数である場合は当該複数の第２光電変換セルのうちの少なくとも１つの第２光電変換セルのバンドギャップ以上であり、前記第１の接合層は、ＩｎＰに対して引っ張り歪を有するＧａＩｎＰ、もしくはＧａＰＳｂを含む。 A compound semiconductor solar battery according to an aspect of an embodiment of the present invention includes an InP substrate, a first compound semiconductor material, one or a plurality of first photoelectric conversion cells stacked on the InP substrate, and a second A first bonding layer made of a compound semiconductor material and stacked on the one or more first photoelectric conversion cells, a second bonding layer bonded to the first bonding layer, and a third compound semiconductor material And is bonded to the one or more first photoelectric conversion cells by the first bonding layer and the second bonding layer, and more incident in the light incident direction than the one or more first photoelectric conversion cells. One or a plurality of second photoelectric conversion cells disposed on the side, and a band gap between the one or more first photoelectric conversion cells and the one or more second photoelectric conversion cells is the incidence In order from the incident side to the back side When the number of the second photoelectric conversion cells is one, the band gap of the first bonding layer is equal to or larger than the band gap of the one second photoelectric conversion cell, and there are a plurality of the second photoelectric conversion cells. In this case, the band gap is equal to or greater than the band gap of at least one second photoelectric conversion cell among the plurality of second photoelectric conversion cells, and the first bonding layer includes GaInP or GaPSb having tensile strain with respect to InP. .

高効率化を図った化合物半導体太陽電池、及び、化合物半導体太陽電池の製造方法を提供できる。   It is possible to provide a compound semiconductor solar cell with high efficiency and a method for manufacturing the compound semiconductor solar cell.

実施の形態１の化合物半導体太陽電池１００を示す断面図である。1 is a cross-sectional view showing a compound semiconductor solar battery 100 of Embodiment 1. FIG. 第１の実施の形態の化合物半導体太陽電池１００の製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the compound semiconductor solar cell 100 of 1st Embodiment. 第１の実施の形態の化合物半導体太陽電池１００の製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the compound semiconductor solar cell 100 of 1st Embodiment. 実施の形態１の第１変形例による化合物半導体太陽電池１０１を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a compound semiconductor solar battery 101 according to a first modification of the first embodiment. 実施の形態１の第２変形例による化合物半導体太陽電池１０３を示す断面図である。6 is a cross-sectional view showing a compound semiconductor solar battery 103 according to a second modification of Embodiment 1. FIG. 実施の形態２の化合物半導体太陽電池２００を示す断面図である。6 is a cross-sectional view showing a compound semiconductor solar battery 200 according to Embodiment 2. FIG. 実施の形態３の化合物半導体太陽電池３００を示す断面図である。6 is a cross-sectional view showing a compound semiconductor solar battery 300 according to Embodiment 3. FIG. 実施の形態４の化合物半導体太陽電池４００を示す断面図である。6 is a cross-sectional view showing a compound semiconductor solar battery 400 in a fourth embodiment. FIG.

以下、本発明の化合物半導体太陽電池、及び、化合物半導体太陽電池の製造方法を適用した実施の形態について説明する。   Hereinafter, embodiments in which the compound semiconductor solar battery and the method for producing the compound semiconductor solar battery of the present invention are applied will be described.

＜実施の形態１＞
図１は、実施の形態１の化合物半導体太陽電池１００を示す断面図である。 <Embodiment 1>
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a compound semiconductor solar battery 100 of the first embodiment.

化合物半導体太陽電池１００は、電極１０、ＩｎＰ基板１１０、ＧａＩｎＰＡｓセル１２０、接合層１３０、接合層１４０、トンネル接合層１５０、ＧａＡｓセル１６０、トンネル接合層１７０、ＧａＩｎＰセル１８０、コンタクト層４０Ａ、及び電極５０を含む。   The compound semiconductor solar cell 100 includes an electrode 10, an InP substrate 110, a GaInPAs cell 120, a bonding layer 130, a bonding layer 140, a tunnel bonding layer 150, a GaAs cell 160, a tunnel bonding layer 170, a GaInP cell 180, a contact layer 40A, and an electrode. 50 is included.

実施の形態１の化合物半導体太陽電池１００は、ＧａＩｎＰＡｓセル１２０（１．０ｅＶ）、ＧａＡｓセル１６０（１．４２ｅＶ）、及びＧａＩｎＰセル１８０（１．９ｅＶ）を直接接続した３接合型太陽電池である。   The compound semiconductor solar battery 100 of Embodiment 1 is a three-junction solar battery in which a GaInPAs cell 120 (1.0 eV), a GaAs cell 160 (1.42 eV), and a GaInP cell 180 (1.9 eV) are directly connected. .

ここで、化合物半導体太陽電池１００に含まれるセルについては、ＩｎＰ（インジウム燐）系の光電変換セルと、ＧａＡｓ（ガリウムヒ素）系の光電変換セルとがある。ＩｎＰ系の光電変換セルとは、ＩｎＰにほぼ格子整合し、ＩｎＰ基板１１０の上に結晶成長可能な材料系で形成される光電変換セルのことである。ここでは、ＩｎＰにほぼ格子整合し、ＩｎＰ基板１１０の上に結晶成長可能な材料をＩｎＰ格子整合系材料と称し、ＩｎＰ格子整合系材料で構成されるセルをＩｎＰ格子整合系材料セルと称す。   Here, the cells included in the compound semiconductor solar battery 100 include an InP (indium phosphorus) -based photoelectric conversion cell and a GaAs (gallium arsenide) -based photoelectric conversion cell. An InP-based photoelectric conversion cell is a photoelectric conversion cell formed of a material system that is substantially lattice-matched to InP and capable of crystal growth on the InP substrate 110. Here, a material substantially lattice-matched to InP and capable of crystal growth on the InP substrate 110 is referred to as an InP lattice-matched material, and a cell formed of the InP lattice-matched material is referred to as an InP lattice-matched material cell.

また、ＧａＡｓ系の光電変換セルとは、ＧａＡｓ、又は、ＧａＡｓと格子定数の近いＧｅにほぼ格子整合し、ＧａＡｓ基板またはＧｅ基板上に結晶成長可能な材料系で形成される光電変換セルのことである。ここでは、ＧａＡｓ、又は、ＧａＡｓと格子定数の近いＧｅにほぼ格子整合し、ＧａＡｓ基板またはＧｅ基板上に結晶成長可能な材料をＧａＡｓ格子整合系材料と称し、ＧａＡｓ格子整合系材料で構成されるセルをＧａＡｓ格子整合系材料セルと称す。   A GaAs-based photoelectric conversion cell is a photoelectric conversion cell formed of a material system that is substantially lattice-matched to GaAs or Ge having a lattice constant close to that of GaAs and capable of crystal growth on a GaAs substrate or Ge substrate. It is. Here, GaAs or a material that is substantially lattice-matched to Ge having a lattice constant close to that of GaAs and capable of crystal growth on the GaAs substrate or Ge substrate is referred to as a GaAs lattice-matching material, and is composed of a GaAs lattice-matching material. The cell is referred to as a GaAs lattice matching material cell.

なお、これらは、実施の形態２乃至４においても同様である。   These are the same in the second to fourth embodiments.

化合物半導体太陽電池１００では、ＧａＩｎＰＡｓセル１２０は、ＩｎＰ系の光電変換セルであり、ＧａＡｓセル１６０とＧａＩｎＰセル１８０は、ＧａＡｓ系の光電変換セルである。   In the compound semiconductor solar battery 100, the GaInPAs cell 120 is an InP-based photoelectric conversion cell, and the GaAs cell 160 and the GaInP cell 180 are GaAs-based photoelectric conversion cells.

ここで、ＩｎＰ基板１１０は、化合物半導体基板又は第１化合物半導体基板の一例である。ＧａＩｎＰＡｓセル１２０は、第１化合物半導体材料で作製される第１光電変換セルの一例である。   Here, the InP substrate 110 is an example of a compound semiconductor substrate or a first compound semiconductor substrate. The GaInPAs cell 120 is an example of a first photoelectric conversion cell made of a first compound semiconductor material.

また、接合層１３０は、第２化合物半導体材料で作製され、ＧａＩｎＰＡｓセル１２０に積層される接合層の一例である。ＧａＡｓセル１６０とＧａＩｎＰセル１８０は、第３化合物半導体材料で作製される、複数の第２光電変換セルの一例である。   The bonding layer 130 is an example of a bonding layer that is made of the second compound semiconductor material and is stacked on the GaInPAs cell 120. The GaAs cell 160 and the GaInP cell 180 are an example of a plurality of second photoelectric conversion cells made of a third compound semiconductor material.

図１において、光の入射方向は、図中上から下に向かう方向（ＧａＩｎＰセル１８０からＧａＩｎＰＡｓセル１２０に向かう方向）である。   In FIG. 1, the incident direction of light is the direction from the top to the bottom in the figure (the direction from the GaInP cell 180 to the GaInPAs cell 120).

電極１０は、光入射方向において奥側に位置する下部電極になる電極である。電極１０は、例えば、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ等の金属層を積層した電極を用いることができる。   The electrode 10 is an electrode that becomes a lower electrode located on the back side in the light incident direction. As the electrode 10, for example, an electrode in which a metal layer such as Ti / Pt / Au is stacked can be used.

ＩｎＰ基板１１０は、例えば、ｐ型の単結晶インジウム燐のウエハを用いればよい。不純物としては、例えば、Ｚｎ等を用いればよい。   For the InP substrate 110, for example, a p-type single crystal indium phosphorus wafer may be used. For example, Zn may be used as the impurity.

ＧａＩｎＰＡｓセル１２０は、ＩｎＰ基板１１０の表面に形成される。ＧａＩｎＰＡｓセル１２０は、ｐ型のＩｎＰ層１２１、ｐ型のＧａ（ｘ）ＩｎＰ（ｙ）Ａｓ層１２２、ｎ型のＧａ（ｘ）ＩｎＰ（ｙ）Ａｓ層１２３、及びｎ型の［Ａｌ（ｘ）Ｇａ］（ｙ）ＩｎＡｓ層１２４を含む。   The GaInPAs cell 120 is formed on the surface of the InP substrate 110. The GaInPAs cell 120 includes a p-type InP layer 121, a p-type Ga (x) InP (y) As layer 122, an n-type Ga (x) InP (y) As layer 123, and an n-type [Al (x ) Ga] (y) InAs layer 124 is included.

ＧａＩｎＰＡｓセル１２０は、ＩｎＰと格子整合するＧａＩｎＰＡｓの結晶層で構成される。 ＩｎＰ層１２１、Ｇａ（ｘ）ＩｎＰ（ｙ）Ａｓ層１２２、Ｇａ（ｘ）ＩｎＰ（ｙ）Ａｓ層１２３、及び［Ａｌ（ｘ）Ｇａ］（ｙ）ＩｎＡｓ層１２４は、この順に、ＩｎＰ基板１１０の表面に積層されている。   The GaInPAs cell 120 is composed of a crystal layer of GaInPAs lattice-matched with InP. The InP layer 121, the Ga (x) InP (y) As layer 122, the Ga (x) InP (y) As layer 123, and the [Al (x) Ga] (y) InAs layer 124 are arranged in this order on the InP substrate 110. It is laminated on the surface of.

ＩｎＰ層１２１は、光の入射方向において奥側に配設されるＢＳＦ（Back Surface Field）層である。ＧａＩｎＰＡｓセル１２０のｐｎ接合は、Ｇａ（ｘ）ＩｎＰ（ｙ）Ａｓ層１２２とＧａ（ｘ）ＩｎＰ（ｙ）Ａｓ層１２３によって構築される。［Ａｌ（ｘ）Ｇａ］（ｙ）ＩｎＡｓ層１２４は、光の入射方向において手前側（光入射側）に配設される窓層である。   The InP layer 121 is a BSF (Back Surface Field) layer disposed on the back side in the light incident direction. The pn junction of the GaInPAs cell 120 is constructed by the Ga (x) InP (y) As layer 122 and the Ga (x) InP (y) As layer 123. The [Al (x) Ga] (y) InAs layer 124 is a window layer disposed on the near side (light incident side) in the light incident direction.

ここで、ＧａＩｎＰＡｓセル１２０は、ｐｎ接合を構築するＧａ（ｘ）ＩｎＰ（ｙ）Ａｓ層１２２とＧａ（ｘ）ＩｎＰ（ｙ）Ａｓ層１２３によって構成され、ＧａＩｎＰＡｓセル１２０の光入射側に［Ａｌ（ｘ）Ｇａ］（ｙ）ＩｎＡｓ層１２４が形成され、光の入射方向の奥側にＩｎＰ層１２１が形成されているものとして捉えてもよい。   Here, the GaInPAs cell 120 includes a Ga (x) InP (y) As layer 122 and a Ga (x) InP (y) As layer 123 that form a pn junction. (X) Ga] (y) The InAs layer 124 may be formed, and the InP layer 121 may be formed on the back side in the light incident direction.

ＩｎＰ層１２１は、ＢＳＦ層として用いられるため、ｐ型のＧａ（ｘ）ＩｎＰ（ｙ）Ａｓ層１２２とｎ型のＧａ（ｘ）ＩｎＰ（ｙ）Ａｓ層１２３のバンドギャップ（１．０ｅＶ）よりも大きなバンドギャップを有する。ＩｎＰ層１２１の不純物としては、例えば、Ｚｎを用いることができる。   Since the InP layer 121 is used as a BSF layer, the band gap (1.0 eV) of the p-type Ga (x) InP (y) As layer 122 and the n-type Ga (x) InP (y) As layer 123 is used. Also have a large band gap. As an impurity of the InP layer 121, for example, Zn can be used.

Ｇａ（ｘ）ＩｎＰ（ｙ）Ａｓ層１２２は、例えば、不純物としてＺｎを用いることによって導電型がｐ型にされる。   The conductivity type of the Ga (x) InP (y) As layer 122 is changed to p-type by using, for example, Zn as an impurity.

Ｇａ（ｘ）ＩｎＰ（ｙ）Ａｓ層１２３は、例えば、不純物としてＳｉを用いることによって導電型がｎ型にされる。   The conductivity type of the Ga (x) InP (y) As layer 123 is changed to n-type by using Si as an impurity, for example.

Ｇａ（ｘ）ＩｎＰ（ｙ）Ａｓ層１２２とＧａ（ｘ）ＩｎＰ（ｙ）Ａｓ層１２３は、バンドギャップが１．０ｅＶになるように、Ｇａの比率ｘとＰの比率ｙが調整されている。   In the Ga (x) InP (y) As layer 122 and the Ga (x) InP (y) As layer 123, the Ga ratio x and the P ratio y are adjusted so that the band gap is 1.0 eV. .

［Ａｌ（ｘ）Ｇａ］（ｙ）ＩｎＡｓ層１２４は、窓層として用いられるため、Ｇａ（ｘ）ＩｎＰ（ｙ）Ａｓ層１２２とＧａ（ｘ）ＩｎＰ（ｙ）Ａｓ層１２３のバンドギャップ（１．０ｅＶ）よりも大きなバンドギャップを有する。   Since the [Al (x) Ga] (y) InAs layer 124 is used as a window layer, the band gap of the Ga (x) InP (y) As layer 122 and the Ga (x) InP (y) As layer 123 (1 .0 eV).

実施の形態１では、［Ａｌ（ｘ）Ｇａ］（ｙ）ＩｎＡｓ層１２４のバンドギャップは、一例として１．５ｅＶに設定される。［Ａｌ（ｘ）Ｇａ］（ｙ）ＩｎＡｓ層１２４の不純物としては、例えば、Ｓｉを用いることができる。   In the first embodiment, the band gap of the [Al (x) Ga] (y) InAs layer 124 is set to 1.5 eV as an example. As an impurity of the [Al (x) Ga] (y) InAs layer 124, for example, Si can be used.

ＡｌＧａＩｎＡｓは、ＩｎＰに格子整合するため、Ｇａ（ｘ）ＩｎＰ（ｙ）Ａｓ層１２３に積層するのに適している。   AlGaInAs is suitable for being stacked on the Ga (x) InP (y) As layer 123 because it lattice matches with InP.

接合層１３０は、化合物半導体太陽電池１００を作製する過程で、清浄化処理と表面活性化処理によって接合層１４０と接合される。化合物半導体太陽電池１００は、２つの積層体を接合することによって作製される。   The bonding layer 130 is bonded to the bonding layer 140 by a cleaning process and a surface activation process in the process of manufacturing the compound semiconductor solar cell 100. The compound semiconductor solar cell 100 is produced by joining two laminated bodies.

２つの積層体の一方の最上面に接合層１３０が形成され、他方の積層体の最上面に接合層１４０が形成され、接合層１３０と１４０を接合することによって図１に示すような化合物半導体太陽電池１００が作製される。   A bonding layer 130 is formed on the uppermost surface of one of the two stacked bodies, a bonding layer 140 is formed on the uppermost surface of the other stacked body, and the bonding layers 130 and 140 are bonded to each other, so that the compound semiconductor shown in FIG. A solar cell 100 is produced.

接合層１３０としては、ｎ＋型のＧａ（ｘ）ＩｎＰ層が用いられる。接合層１３０の不純物濃度は、［Ａｌ（ｘ）Ｇａ］（ｙ）ＩｎＡｓ層１２４の不純物濃度よりも高く設定される。このため、接合層１３０の導電型はｎ＋型である。   As the bonding layer 130, an n + type Ga (x) InP layer is used. The impurity concentration of the bonding layer 130 is set higher than that of the [Al (x) Ga] (y) InAs layer 124. For this reason, the conductivity type of the bonding layer 130 is an n + type.

接合層１３０として用いるＧａ（ｘ）ＩｎＰ層は、例えば、１０％のＧａ組成を有し（ｘ＝０．１）、０．７％の引っ張り歪を有するＧａＩｎＰ層であり、バンドギャップは１．４２ｅＶである。   The Ga (x) InP layer used as the bonding layer 130 is, for example, a GaInP layer having a Ga composition of 10% (x = 0.1) and a tensile strain of 0.7%. 42 eV.

ここでは、接合層１３０として用いるＧａ（ｘ）ＩｎＰ層のバンドギャップが１．４２ｅＶである形態について説明するが、接合層１３０として用いるＧａ（ｘ）ＩｎＰ層のバンドギャップは、Ｇａの組成比を増やすことによって１．４２ｅＶより大きくしてもよい。   Here, a mode in which the band gap of the Ga (x) InP layer used as the bonding layer 130 is 1.42 eV will be described. However, the band gap of the Ga (x) InP layer used as the bonding layer 130 has a composition ratio of Ga. It may be larger than 1.42 eV by increasing.

接合層１３０として用いるＧａ（ｘ）ＩｎＰ層は、光入射方向において自己よりも入射側（上流側）にあるＧａＡｓセル１６０のバンドギャップ（１．４２ｅＶ）と等しいか、あるいは、それより大きいバンドギャップを有していればよい。   The Ga (x) InP layer used as the bonding layer 130 has a band gap equal to or larger than the band gap (1.42 eV) of the GaAs cell 160 on the incident side (upstream side) relative to itself in the light incident direction. As long as it has.

すなわち、接合層１３０のバンドギャップは、光入射方向において自己よりも入射側（上流側）にあるＧａＡｓセル１６０のバンドギャップ以上であればよい。   That is, the band gap of the bonding layer 130 may be equal to or larger than the band gap of the GaAs cell 160 on the incident side (upstream side) with respect to the light incident direction.

また、接合層１３０とＧａＡｓセル１６０との間には、接合層１４０とトンネル接合層１５０が形成され、これらはともにＧａＡｓで構成されるため、ともに１．４２ｅＶのバンドギャップを有する。   Further, the junction layer 140 and the tunnel junction layer 150 are formed between the junction layer 130 and the GaAs cell 160, and both of them are made of GaAs, so that both have a band gap of 1.42 eV.

このため、接合層１３０のバンドギャップは、光入射方向において自己よりも入射側（上流側）にある光電変換セル（ここでは、ＧａＡｓセル１６０）と、自己よりも入射側（上流側）にある光電変換セルとの間にある層（接合層１４０、トンネル接合層１５０）とのバンドギャップ以上（ここでは、１．４２ｅＶ以上）であるということができる。   Therefore, the band gap of the bonding layer 130 is on the photoelectric conversion cell (here, the GaAs cell 160) on the incident side (upstream side) with respect to the light incident direction and on the incident side (upstream side) with respect to the self. It can be said that it is more than the band gap (here 1.42 eV or more) with the layers (joining layer 140, tunnel junction layer 150) between the photoelectric conversion cells.

実施の形態１の化合物半導体太陽電池１００において、接合層１３０のバンドギャップを上述のように設定するのは、ＧａＡｓセル１６０、トンネル接合層１５０、接合層１４０で吸収されずに透過した光が、接合層１３０で吸収されることを抑制するためである。   In the compound semiconductor solar battery 100 of the first embodiment, the band gap of the bonding layer 130 is set as described above because the light transmitted without being absorbed by the GaAs cell 160, the tunnel bonding layer 150, and the bonding layer 140 is This is for suppressing absorption by the bonding layer 130.

すなわち、接合層１３０で太陽光を吸収することなく、効率的に、光の入射方向において自己よりも奥側（下流側）のＧａＩｎＰＡｓセル１２０に誘導するためである。   In other words, this is because the light is efficiently guided to the GaInPAs cell 120 on the back side (downstream side) with respect to the incident direction of light without absorbing sunlight in the bonding layer 130.

また、接合層１３０を透過した光が、ＧａＩｎＰＡｓセル１２０のＧａ（ｘ）ＩｎＰ（ｙ）Ａｓ層１２２とＧａ（ｘ）ＩｎＰ（ｙ）Ａｓ層１２３に確実に到達するようにするために、ＧａＩｎＰＡｓセル１２０の窓層である［Ａｌ（ｘ）Ｇａ］（ｙ）ＩｎＡｓ層１２４のバンドギャップを、一例として１．５ｅＶに設定している。   In order to ensure that the light transmitted through the bonding layer 130 reaches the Ga (x) InP (y) As layer 122 and the Ga (x) InP (y) As layer 123 of the GaInPAs cell 120, GaInPAs. As an example, the band gap of the [Al (x) Ga] (y) InAs layer 124 that is the window layer of the cell 120 is set to 1.5 eV.

ここで、例えば、従来の化合物半導体太陽電池と同様に、接合層１３０としてＩｎＰ層を用いると、ＩｎＰのバンドギャップは、１．３５ｅＶであるため、ＧａＡｓセル１６０（１．４２ｅＶ）を透過した太陽光の一部を吸収してしまう。   Here, for example, as in the case of a conventional compound semiconductor solar battery, when an InP layer is used as the bonding layer 130, the band gap of InP is 1.35 eV, so that the sun transmitted through the GaAs cell 160 (1.42 eV). Absorbs part of the light.

実施の形態１の化合物半導体太陽電池１００では、このようなエネルギー損失の発生を抑制するために、ＧａＡｓセル１６０、トンネル接合層１５０、接合層１４０のバンドギャップ以上のバンドギャップを有するＧａ（ｘ）ＩｎＰ層を接合層１３０として用いている。   In the compound semiconductor solar battery 100 of the first embodiment, in order to suppress the occurrence of such energy loss, Ga (x) having a band gap larger than the band gaps of the GaAs cell 160, the tunnel junction layer 150, and the junction layer 140. An InP layer is used as the bonding layer 130.

接合層１４０は、化合物半導体太陽電池１００を作製する過程で、清浄化処理と表面活性化処理によって、ＩｎＰ基板１１０側の接合層１３０と接合される。接合層１４０としては、例えば、ｎ＋型のＧａＡｓ層を用いることができる。ＧａＡｓ層のバンドギャップは、１．４２ｅＶであり、接合層１３０のバンドギャップと等しい。接合層１４０の不純物濃度は、接合層１３０の不純物濃度と同等に設定される。   The bonding layer 140 is bonded to the bonding layer 130 on the InP substrate 110 side by a cleaning process and a surface activation process in the process of manufacturing the compound semiconductor solar cell 100. As the bonding layer 140, for example, an n + type GaAs layer can be used. The band gap of the GaAs layer is 1.42 eV, which is equal to the band gap of the bonding layer 130. The impurity concentration of the bonding layer 140 is set to be equal to the impurity concentration of the bonding layer 130.

図１に示す化合物半導体太陽電池１００の接合層１３０と１４０との境界よりも上側は、例えば、天地を逆にした状態で順次積層することによって作製されるため、接合層１４０は、トンネル接合層１５０に積層される。   Since the upper side from the boundary between the bonding layers 130 and 140 of the compound semiconductor solar cell 100 shown in FIG. 1 is formed by sequentially laminating, for example, with the top and bottom reversed, the bonding layer 140 is a tunnel junction layer. 150.

トンネル接合層１５０は、接合層１４０とＧａＡｓセル１６０との間に設けられる。図１に示す化合物半導体太陽電池１００の接合層１３０と１４０との境界よりも上側は、例えば、天地を逆にした状態で順次積層することによって作製されるため、トンネル接合層１５０は、ＧａＡｓセル１６０に積層される。   The tunnel junction layer 150 is provided between the junction layer 140 and the GaAs cell 160. Since the upper side of the boundary between the junction layers 130 and 140 of the compound semiconductor solar cell 100 shown in FIG. 1 is formed by, for example, sequentially laminating the top and bottom, the tunnel junction layer 150 is formed of a GaAs cell. 160 is laminated.

トンネル接合層１５０は、ｎ＋型のＧａＡｓ層１５１と、ｐ＋型のＧａＡｓ層１５２とを有する。導電型をｎ型にする不純物としては、例えば、Ｔｅ（テルル）を用いることができ、導電型をｐ型にする不純物としては、例えば、Ｃ（炭素）を用いることができる。ｎ＋型のＧａＡｓ層１５１と、ｐ＋型のＧａＡｓ層１５２とは、高濃度にドーピングされた薄いｐｎ接合を構成する。   The tunnel junction layer 150 includes an n + type GaAs layer 151 and a p + type GaAs layer 152. For example, Te (tellurium) can be used as the impurity that makes the conductivity type n-type, and C (carbon) can be used as the impurity that makes the conductivity type p-type, for example. The n + -type GaAs layer 151 and the p + -type GaAs layer 152 constitute a thin pn junction doped at a high concentration.

トンネル接合層１５０のＧａＡｓ層１５１と１５２は、ともにＧａＡｓセル１６０よりも高濃度にドーピングされている。トンネル接合層１５０は、ＧａＡｓセル１６０のｐ型のＧａＡｓ層１６２と、ＧａＩｎＰＡｓセル１２０のｎ型のＧａ（ｘ）ＩｎＰ（ｙ）Ａｓ層１２３との間を（トンネル接合により）電流が流れるようにするために設けられる接合層である。   Both the GaAs layers 151 and 152 of the tunnel junction layer 150 are doped at a higher concentration than the GaAs cell 160. The tunnel junction layer 150 is configured such that a current flows between the p-type GaAs layer 162 of the GaAs cell 160 and the n-type Ga (x) InP (y) As layer 123 of the GaInPAs cell 120 (through the tunnel junction). This is a bonding layer provided for the purpose.

ＧａＡｓセル１６０は、トンネル接合層１５０とトンネル接合層１７０との間に形成される。   The GaAs cell 160 is formed between the tunnel junction layer 150 and the tunnel junction layer 170.

ＧａＡｓセル１６０は、ｐ型のＧａ（ｘ）ＩｎＰ層１６１、ｐ型のＧａＡｓ層１６２、ｎ型のＧａＡｓ層１６３、及びｎ型の［Ａｌ（ｘ）Ｇａ］（ｙ）ＩｎＰ層１６４を含む。   The GaAs cell 160 includes a p-type Ga (x) InP layer 161, a p-type GaAs layer 162, an n-type GaAs layer 163, and an n-type [Al (x) Ga] (y) InP layer 164.

Ｇａ（ｘ）ＩｎＰ層１６１、ＧａＡｓ層１６２、ＧａＡｓ層１６３、及び［Ａｌ（ｘ）Ｇａ］（ｙ）ＩｎＰ層１６４は、この順に、トンネル接合層１５０の表面に積層されている。ＧａＡｓセル１６０は、実際の製造工程では、例えば、天地を逆にした状態で、トンネル接合層１７０に積層される。   The Ga (x) InP layer 161, the GaAs layer 162, the GaAs layer 163, and the [Al (x) Ga] (y) InP layer 164 are stacked on the surface of the tunnel junction layer 150 in this order. In an actual manufacturing process, for example, the GaAs cell 160 is stacked on the tunnel junction layer 170 with the top and bottom reversed.

このため、実際の製造工程では、例えば、［Ａｌ（ｘ）Ｇａ］（ｙ）ＩｎＰ層１６４、ＧａＡｓ層１６３、ＧａＡｓ層１６２、及びＧａ（ｘ）ＩｎＰ層１６１の順にトンネル接合層１７０に積層される。   For this reason, in the actual manufacturing process, for example, the [Al (x) Ga] (y) InP layer 164, the GaAs layer 163, the GaAs layer 162, and the Ga (x) InP layer 161 are stacked on the tunnel junction layer 170 in this order. The

Ｇａ（ｘ）ＩｎＰ層１６１は、光の入射方向において奥側に配設されるＢＳＦ（Back Surface Field）層である。ＧａＡｓセル１６０のｐｎ接合は、ＧａＡｓ層１６２とＧａＡｓ層１６３によって構築される。［Ａｌ（ｘ）Ｇａ］（ｙ）ＩｎＰ層１６４は、光の入射方向において手前側（光入射側）に配設される窓層である。   The Ga (x) InP layer 161 is a BSF (Back Surface Field) layer disposed on the back side in the light incident direction. The pn junction of the GaAs cell 160 is constructed by the GaAs layer 162 and the GaAs layer 163. The [Al (x) Ga] (y) InP layer 164 is a window layer disposed on the near side (light incident side) in the light incident direction.

ここで、ＧａＡｓセル１６０は、ｐｎ接合を構築するＧａＡｓ層１６２とＧａＡｓ層１６３によって構成され、ＧａＡｓセル１６０の光入射側に［Ａｌ（ｘ）Ｇａ］（ｙ）ＩｎＰ層１６４が形成され、光の入射方向の奥側にＧａ（ｘ）ＩｎＰ層１６１が形成されているものとして捉えてもよい。   Here, the GaAs cell 160 includes a GaAs layer 162 and a GaAs layer 163 that form a pn junction, and an [Al (x) Ga] (y) InP layer 164 is formed on the light incident side of the GaAs cell 160, so It may be considered that a Ga (x) InP layer 161 is formed on the back side in the incident direction.

Ｇａ（ｘ）ＩｎＰ層１６１は、ＢＳＦ層として用いられるため、ｐ型のＧａＡｓ層１６２とｎ型のＧａＡｓ層１６３のバンドギャップ（１．４２ｅＶ）以上のバンドギャップを有していればよい。Ｇａ（ｘ）ＩｎＰ層１６１の不純物としては、例えば、Ｚｎを用いることができる。   Since the Ga (x) InP layer 161 is used as a BSF layer, the Ga (x) InP layer 161 only needs to have a band gap (1.42 eV) or more between the p-type GaAs layer 162 and the n-type GaAs layer 163. As an impurity of the Ga (x) InP layer 161, for example, Zn can be used.

ＧａＡｓ層１６２は、例えば、不純物としてＺｎを用いることによって導電型がｐ型にされる。   The conductivity type of the GaAs layer 162 is changed to p-type by using Zn as an impurity, for example.

ＧａＡｓ層１６３は、例えば、不純物としてＳｉを用いることによって導電型がｎ型にされる。   The conductivity type of the GaAs layer 163 is changed to n-type by using, for example, Si as an impurity.

ＧａＡｓ層１６２とＧａＡｓ層１６３のバンドギャップは１．４２ｅＶである。   The band gap between the GaAs layer 162 and the GaAs layer 163 is 1.42 eV.

［Ａｌ（ｘ）Ｇａ］（ｙ）ＩｎＰ層１６４は、窓層として用いられるため、ｐ型のＧａＡｓ層１６２とｎ型のＧａＡｓ層１６３のバンドギャップ（１．４２ｅＶ）よりも大きなバンドギャップを有する。   Since the [Al (x) Ga] (y) InP layer 164 is used as a window layer, it has a larger band gap than the band gap (1.42 eV) of the p-type GaAs layer 162 and the n-type GaAs layer 163. .

実施の形態１では、［Ａｌ（ｘ）Ｇａ］（ｙ）ＩｎＰ層１６４は、ｐ型のＧａＡｓ層１６２とｎ型のＧａＡｓ層１６３のバンドギャップ（１．４２ｅＶ）以上のバンドギャップを有していればよい。［Ａｌ（ｘ）Ｇａ］（ｙ）ＩｎＰ層１６４の不純物としては、例えば、Ｓｉを用いることができる。   In the first embodiment, the [Al (x) Ga] (y) InP layer 164 has a band gap greater than or equal to the band gap (1.42 eV) between the p-type GaAs layer 162 and the n-type GaAs layer 163. Just do it. As an impurity of the [Al (x) Ga] (y) InP layer 164, for example, Si can be used.

トンネル接合層１７０は、ＧａＡｓセル１６０とＧａＩｎＰセル１８０との間に設けられる。図１に示す化合物半導体太陽電池１００の接合層１３０と１４０との境界よりも上側は、例えば、天地を逆にした状態で順次積層することによって作製されるため、トンネル接合層１７０は、ＧａＩｎＰセル１８０に積層される。   The tunnel junction layer 170 is provided between the GaAs cell 160 and the GaInP cell 180. Since the upper side of the boundary between the bonding layers 130 and 140 of the compound semiconductor solar cell 100 shown in FIG. 1 is formed by sequentially stacking the surfaces with the top and bottom reversed, for example, the tunnel junction layer 170 includes a GaInP cell. 180 is laminated.

トンネル接合層１７０は、ｎ型のＧａ（ｘ）ＩｎＰ層１７１と、ｐ型のＡｌ（ｘ）ＧａＡｓ層１７２とを有する。導電型をｎ型にする不純物としては、例えば、Ｔｅ（テルル）を用いることができ、導電型をｐ型にする不純物としては、例えば、Ｃ（炭素）を用いることができる。ｎ型のＧａ（ｘ）ＩｎＰ層１７１と、ｐ型のＡｌ（ｘ）ＧａＡｓ層１７２とは、高濃度にドーピングされた薄いｐｎ接合を構成する。   The tunnel junction layer 170 includes an n-type Ga (x) InP layer 171 and a p-type Al (x) GaAs layer 172. For example, Te (tellurium) can be used as the impurity that makes the conductivity type n-type, and C (carbon) can be used as the impurity that makes the conductivity type p-type, for example. The n-type Ga (x) InP layer 171 and the p-type Al (x) GaAs layer 172 constitute a thin pn junction doped at a high concentration.

トンネル接合層１７０のＧａ（ｘ）ＩｎＰ層１７１とＡｌ（ｘ）ＧａＡｓ層１７２は、ともにＧａＩｎＰセル１８０よりも高濃度にドーピングされている。トンネル接合層１７０は、ＧａＩｎＰセル１８０のｐ型のＧａ（ｘ）ＩｎＰ層１８２と、ＧａＡｓセル１６０のｎ型のＧａＡｓ層１６３との間を（トンネル接合により）電流が流れるようにするために設けられる接合層である。   Both the Ga (x) InP layer 171 and the Al (x) GaAs layer 172 of the tunnel junction layer 170 are more highly doped than the GaInP cell 180. The tunnel junction layer 170 is provided to allow a current to flow between the p-type Ga (x) InP layer 182 of the GaInP cell 180 and the n-type GaAs layer 163 of the GaAs cell 160 (by the tunnel junction). A bonding layer.

ＧａＩｎＰセル１８０は、トンネル接合層１７０とコンタクト層４０Ａとの間に形成される。   The GaInP cell 180 is formed between the tunnel junction layer 170 and the contact layer 40A.

ＧａＩｎＰセル１８０は、ｐ型のＡｌ（ｘ）ＩｎＰ層１８１、ｐ型のＧａ（ｘ）ＩｎＰ層１８２、ｎ型のＧａ（ｘ）ＩｎＰ層１８３、及びｎ型のＡｌ（ｘ）ＩｎＰ層１８４を含む。   The GaInP cell 180 includes a p-type Al (x) InP layer 181, a p-type Ga (x) InP layer 182, an n-type Ga (x) InP layer 183, and an n-type Al (x) InP layer 184. Including.

Ａｌ（ｘ）ＩｎＰ層１８１、Ｇａ（ｘ）ＩｎＰ層１８２、Ｇａ（ｘ）ＩｎＰ層１８３、及びＡｌ（ｘ）ＩｎＰ層１８４は、この順に、トンネル接合層１７０の表面に積層されている。ＧａＩｎＰセル１８０は、実際の製造工程では、例えば、天地を逆にした状態で、図示しないＧａＡｓ基板の上のＧａＡｓコンタクト層４０Ａの上に積層される。   The Al (x) InP layer 181, the Ga (x) InP layer 182, the Ga (x) InP layer 183, and the Al (x) InP layer 184 are stacked on the surface of the tunnel junction layer 170 in this order. In an actual manufacturing process, for example, the GaInP cell 180 is stacked on a GaAs contact layer 40A on a GaAs substrate (not shown) with the top and bottom reversed.

ＧａＩｎＰセル１８０は、ＧａＡｓと格子整合するＧａＩｎＰの結晶層で構成される。実際の製造工程では、例えば、Ａｌ（ｘ）ＩｎＰ層１８４、Ｇａ（ｘ）ＩｎＰ層１８３、Ｇａ（ｘ）ＩｎＰ層１８２、及びＡｌ（ｘ）ＩｎＰ層１８１の順に積層される。   The GaInP cell 180 is composed of a GaInP crystal layer lattice-matched with GaAs. In an actual manufacturing process, for example, an Al (x) InP layer 184, a Ga (x) InP layer 183, a Ga (x) InP layer 182 and an Al (x) InP layer 181 are stacked in this order.

Ａｌ（ｘ）ＩｎＰ層１８１は、光の入射方向において奥側に配設されるＢＳＦ（Back Surface Field）層である。ＧａＩｎＰセル１８０のｐｎ接合は、Ｇａ（ｘ）ＩｎＰ層１８２とＧａ（ｘ）ＩｎＰ層１８３によって構築される。Ａｌ（ｘ）ＩｎＰ層１８４は、光の入射方向において手前側（光入射側）に配設される窓層である。   The Al (x) InP layer 181 is a BSF (Back Surface Field) layer disposed on the back side in the light incident direction. The pn junction of the GaInP cell 180 is constructed by the Ga (x) InP layer 182 and the Ga (x) InP layer 183. The Al (x) InP layer 184 is a window layer disposed on the front side (light incident side) in the light incident direction.

ここで、ＧａＩｎＰセル１８０は、ｐｎ接合を構築するＧａ（ｘ）ＩｎＰ層１８２とＧａ（ｘ）ＩｎＰ層１８３によって構成され、ＧａＩｎＰセル１８０の光入射側にＡｌ（ｘ）ＩｎＰ層１８４が形成され、光の入射方向の奥側にＡｌ（ｘ）ＩｎＰ層１８１が形成されているものとして捉えてもよい。   Here, the GaInP cell 180 includes a Ga (x) InP layer 182 and a Ga (x) InP layer 183 that form a pn junction, and an Al (x) InP layer 184 is formed on the light incident side of the GaInP cell 180. It may be considered that the Al (x) InP layer 181 is formed on the back side in the light incident direction.

Ａｌ（ｘ）ＩｎＰ層１８１は、ＢＳＦ層として用いられるため、ｐ型のＧａ（ｘ）ＩｎＰ層１８２とｎ型のＧａ（ｘ）ＩｎＰ層１８３のバンドギャップ（１．９ｅＶ）以上のバンドギャップを有していればよい。Ａｌ（ｘ）ＩｎＰ層１８１の不純物としては、例えば、Ｚｎを用いることができる。   Since the Al (x) InP layer 181 is used as a BSF layer, the band gap of the p-type Ga (x) InP layer 182 and the n-type Ga (x) InP layer 183 is not less than 1.9 eV. It only has to have. As an impurity of the Al (x) InP layer 181, for example, Zn can be used.

Ｇａ（ｘ）ＩｎＰ層１８２は、例えば、不純物としてＺｎを用いることによって導電型がｐ型にされる。   The conductivity type of the Ga (x) InP layer 182 is changed to p-type by using Zn as an impurity, for example.

Ｇａ（ｘ）ＩｎＰ層１８３は、例えば、不純物としてＳｉを用いることによって導電型がｎ型にされる。   The conductivity type of the Ga (x) InP layer 183 is changed to n-type by using, for example, Si as an impurity.

Ｇａ（ｘ）ＩｎＰ層１８２とＧａ（ｘ）ＩｎＰ層１８３のバンドギャップは１．９ｅＶである。   The band gap between the Ga (x) InP layer 182 and the Ga (x) InP layer 183 is 1.9 eV.

Ａｌ（ｘ）ＩｎＰ層１８４は、窓層として用いられるため、ｐ型のＧａ（ｘ）ＩｎＰ層１８２とｎ型のＧａ（ｘ）ＩｎＰ層１８３のバンドギャップ（１．９ｅＶ）よりも大きなバンドギャップを有する。   Since the Al (x) InP layer 184 is used as a window layer, the band gap is larger than the band gap (1.9 eV) of the p-type Ga (x) InP layer 182 and the n-type Ga (x) InP layer 183. Have

実施の形態１では、Ａｌ（ｘ）ＩｎＰ層１８４は、ｐ型のＧａ（ｘ）ＩｎＰ層１８２とｎ型のＧａ（ｘ）ＩｎＰ層１８３のバンドギャップ（１．９ｅＶ）以上のバンドギャップを有していればよい。Ａｌ（ｘ）ＩｎＰ層１８４の不純物としては、例えば、Ｓｉを用いることができる。   In Embodiment 1, the Al (x) InP layer 184 has a band gap equal to or larger than the band gap (1.9 eV) of the p-type Ga (x) InP layer 182 and the n-type Ga (x) InP layer 183. If you do. As an impurity of the Al (x) InP layer 184, for example, Si can be used.

コンタクト層４０Ａは、主に、電極５０とオーミック接続するためにＧａＩｎＰセル１８０に積層される層であり、例えば、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）層を用いる。   The contact layer 40A is a layer mainly stacked on the GaInP cell 180 for ohmic connection with the electrode 50. For example, a gallium arsenide (GaAs) layer is used.

電極５０は、例えば、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ等の金属製の薄膜であり、コンタクト層４０Ａの上に形成されている。   The electrode 50 is a thin film made of metal such as Ti / Pt / Au, and is formed on the contact layer 40A.

次に、図２及び図３を用いて、化合物半導体太陽電池１００の製造方法について説明する。   Next, the manufacturing method of the compound semiconductor solar cell 100 is demonstrated using FIG.2 and FIG.3.

図２及び図３は、第１の実施の形態の化合物半導体太陽電池１００の製造方法を示す図である。   2 and 3 are diagrams showing a method for manufacturing the compound semiconductor solar battery 100 according to the first embodiment.

まず、図２（Ａ）に示すように、ＧａＡｓ基板２０を用いて積層体１００Ａを作製するとともに、ＩｎＰ基板１１０を用いて積層体１００Ｂを作製する。ＧａＡｓ基板２０は、第２化合物半導体基板の一例である。   First, as illustrated in FIG. 2A, the stacked body 100 </ b> A is manufactured using the GaAs substrate 20, and the stacked body 100 </ b> B is manufactured using the InP substrate 110. The GaAs substrate 20 is an example of a second compound semiconductor substrate.

ここで、積層体１００Ａに含まれるＧａＩｎＰセル１８０は、ＧａＡｓと格子整合するＧａＩｎＰの結晶層で構成されており、ＧａＡｓ基板２０に形成される。また、積層体１００Ｂに含まれるＧａＩｎＰＡｓセル１２０は、ＩｎＰと格子整合するＧａＩｎＰＡｓの結晶層で構成されており、ＩｎＰ基板１１０に形成される。   Here, the GaInP cell 180 included in the stacked body 100 </ b> A is composed of a GaInP crystal layer lattice-matched with GaAs, and is formed on the GaAs substrate 20. The GaInPAs cell 120 included in the stacked body 100B is composed of a GaInPAs crystal layer lattice-matched with InP, and is formed on the InP substrate 110.

このように、積層体１００Ａと積層体１００Ｂは、格子定数が異なる。実施の形態１の化合物半導体太陽電池１００は、互いに格子定数が異なる積層体１００Ａと積層体１００Ｂとを直接的に接合することによって作製される。   As described above, the laminate 100A and the laminate 100B have different lattice constants. The compound semiconductor solar battery 100 of the first embodiment is manufactured by directly joining the stacked body 100A and the stacked body 100B having different lattice constants.

ＩｎＰの格子定数は約５．８７Åであるため、ＩｎＰ基板１１０の上に形成されるＧａＩｎＰＡｓセル１２０は、ＩｎＰの格子定数（約５．８７Å）に非常に近い格子定数を有するように、組成を調整すればよい。   Since the lattice constant of InP is about 5.87Å, the composition of the GaInPAs cell 120 formed on the InP substrate 110 is such that the lattice constant is very close to the lattice constant of InP (about 5.87Å). Adjust it.

また、ＧａＡｓの格子定数は約５．６５Åであるため、ＧａＡｓ基板２０の上に形成されるＧａＡｓセル１６０及びＧａＩｎＰセル１８０の格子定数は、ＧａＡｓの格子定数（約５．６５Å）に非常に近い格子定数を有するように、組成を調整すればよい。   Since the lattice constant of GaAs is about 5.65５, the lattice constants of the GaAs cell 160 and the GaInP cell 180 formed on the GaAs substrate 20 are very close to the lattice constant of GaAs (about 5.65Å). The composition may be adjusted so as to have a lattice constant.

積層体１００Ａは、ＧａＡｓ基板２０上に、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法で、Ｇａ（ｘ）ＩｎＰエッチングストップ層３０、ｎ＋型のＧａＡｓコンタクト層４０、ＧａＩｎＰセル１８０、トンネル接合層１７０、ＧａＡｓセル１６０、トンネル接合層１５０、及び接合層１４０を積層することによって作製される。   The stacked body 100A is formed on a GaAs substrate 20 by a MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) method, a Ga (x) InP etching stop layer 30, an n + type GaAs contact layer 40, a GaInP cell 180, a tunnel junction layer 170, GaAs. The cell 160, the tunnel junction layer 150, and the junction layer 140 are stacked.

ここで、ＧａＩｎＰセル１８０は、ＧａＡｓと格子整合するＡｌ（ｘ）ＩｎＰ層１８４、Ｇａ（ｘ）ＩｎＰ層１８３、Ｇａ（ｘ）ＩｎＰ層１８２、及びＡｌ（ｘ）ＩｎＰ層１８１を含む。Ａｌ（ｘ）ＩｎＰ層１８１はＢＳＦ層であり、Ａｌ（ｘ）ＩｎＰ層１８４は窓層である。   Here, the GaInP cell 180 includes an Al (x) InP layer 184, a Ga (x) InP layer 183, a Ga (x) InP layer 182 and an Al (x) InP layer 181 that are lattice-matched with GaAs. The Al (x) InP layer 181 is a BSF layer, and the Al (x) InP layer 184 is a window layer.

また、トンネル接合層１７０、Ａｌ（ｘ）ＧａＡｓ層１７２とＧａ（ｘ）ＩｎＰ層１７１を含む。   In addition, a tunnel junction layer 170, an Al (x) GaAs layer 172, and a Ga (x) InP layer 171 are included.

ＧａＡｓセル１６０は、［Ａｌ（ｘ）Ｇａ］（ｙ）ＩｎＰ層１６４、ＧａＡｓ層１６３、ＧａＡｓ層１６２、及びＧａ（ｘ）ＩｎＰ層１６１を含む。Ｇａ（ｘ）ＩｎＰ層１６１はＢＳＦ層であり、［Ａｌ（ｘ）Ｇａ］（ｙ）ＩｎＰ層１６４は窓層である。   The GaAs cell 160 includes an [Al (x) Ga] (y) InP layer 164, a GaAs layer 163, a GaAs layer 162, and a Ga (x) InP layer 161. The Ga (x) InP layer 161 is a BSF layer, and the [Al (x) Ga] (y) InP layer 164 is a window layer.

また、トンネル接合層１５０は、ＧａＡｓ層１５１とＧａＡｓ層１５２を含む。   The tunnel junction layer 150 includes a GaAs layer 151 and a GaAs layer 152.

積層体１００Ａの積層（成長）時は、ＧａＡｓ基板２０がある下側が光入射側となり、後に積層体１００Ｂと接合する際に、積層体１００Ａを天地逆にするので、図１に示す上下関係とは逆方向から成長する。   When the stacked body 100A is stacked (growth), the lower side where the GaAs substrate 20 is located is the light incident side, and when the stacked body 100B is joined later, the stacked body 100A is turned upside down. Grow from the opposite direction.

具体的には、ワイドバンドギャップのセル（ＧａＩｎＰセル１８０）からナローギャップセル（ＧａＡｓセル１６０）へと順次成長する。また、最終的にｐ側が下部（光の入射方向における奥側）となる。   Specifically, it grows sequentially from a wide band gap cell (GaInP cell 180) to a narrow gap cell (GaAs cell 160). Further, the p side finally becomes the lower part (the back side in the light incident direction).

また、積層体１００Ｂについては、ＩｎＰ基板１１０の上に、ＭＯＣＶＤ法で、ＧａＩｎＰＡｓセル１２０と接合層１３０を積層（成長）する。図２（Ａ）に示す積層体１００Ｂは、ＩｎＰ基板１１０とは反対側の接合層１３０側が光入射側となる。   For the stacked body 100B, the GaInPAs cell 120 and the bonding layer 130 are stacked (grown) on the InP substrate 110 by MOCVD. In the stacked body 100B illustrated in FIG. 2A, the bonding layer 130 side opposite to the InP substrate 110 is a light incident side.

ＧａＩｎＰＡｓセル１２０は、ＩｎＰ基板１１０側からＩｎＰ層１２１、Ｇａ（ｘ）ＩｎＰ（ｙ）Ａｓ層１２２、Ｇａ（ｘ）ＩｎＰ（ｙ）Ａｓ層１２３、及び［Ａｌ（ｘ）Ｇａ］（ｙ）ＩｎＡｓ層１２４を含む。ＩｎＰ層１２１はＢＳＦ層であり、［Ａｌ（ｘ）Ｇａ］（ｙ）ＩｎＡｓ層１２４は、窓層である。   The GaInPAs cell 120 includes an InP layer 121, a Ga (x) InP (y) As layer 122, a Ga (x) InP (y) As layer 123, and an [Al (x) Ga] (y) InAs from the InP substrate 110 side. Layer 124 is included. The InP layer 121 is a BSF layer, and the [Al (x) Ga] (y) InAs layer 124 is a window layer.

以上のようにして、ＭＯＣＶＤ法によるエピタキシャル成長によって、積層体１００Ａ及び１００Ｂを作製する。   As described above, the stacked bodies 100A and 100B are manufactured by the epitaxial growth by the MOCVD method.

次に、図２（Ｂ）に示すように、エピタキシャル成長によって作製した積層体１００Ａ及び１００Ｂを直接的に接合する。   Next, as illustrated in FIG. 2B, the stacked bodies 100A and 100B manufactured by epitaxial growth are directly bonded.

積層体１００Ａの接合層１４０と、積層体１００Ｂの接合層１３０との表面に清浄化処理と表面活性化処理を行い、接合層１３０及び１４０を直接的に接合する。表面活性化処理は窒素（Ｎ２）プラズマ処理で行い、真空中で１５０℃で接合を行った。 A cleaning process and a surface activation process are performed on the surfaces of the bonding layer 140 of the stacked body 100A and the bonding layer 130 of the stacked body 100B, and the bonding layers 130 and 140 are bonded directly. The surface activation treatment was performed by nitrogen (N 2 ) plasma treatment, and bonding was performed at 150 ° C. in a vacuum.

これにより、図２（Ｂ）に示す積層体１００Ｃを作製した。積層体１００Ｃは、図２（Ａ）に示す積層体１００Ｂの接合層１３０の上に、積層体１００Ａを天地逆にして積層体１４０が下側にある状態で、接合層１３０と接合層１４０を接合して作製したものである。   Thus, a stacked body 100C illustrated in FIG. The stacked body 100C is formed by placing the bonding layer 130 and the bonding layer 140 on the bonding layer 130 of the stacked body 100B illustrated in FIG. It was produced by bonding.

積層体１００Ｃは、ＩｎＰ基板１１０の上に、ＧａＩｎＰＡｓセル１２０、接合層１３０、接合層１４０、トンネル接合層１５０、ＧａＡｓセル１６０、トンネル接合層１７０、ＧａＩｎＰセル１８０、ＧａＡｓコンタクト層４０、ＩｎＰエッチングストップ層３０、及びＧａＡｓ基板２０をこの順に積層した構成を有する。   The stacked body 100C includes a GaInPAs cell 120, a bonding layer 130, a bonding layer 140, a tunnel bonding layer 150, a GaAs cell 160, a tunnel bonding layer 170, a GaInP cell 180, a GaAs contact layer 40, an InP etching stop on an InP substrate 110. The layer 30 and the GaAs substrate 20 are stacked in this order.

次に、図２（Ｂ）に示す積層体１００ＣからＧａＡｓ基板２０とＧａＩｎＰエッチングストップ層３０をそれぞれ選択エッチングで除去することにより、図３（Ａ）に示す積層体１００Ｄを得る。   Next, the GaAs substrate 20 and the GaInP etching stop layer 30 are respectively removed from the stacked body 100C shown in FIG. 2B by selective etching to obtain a stacked body 100D shown in FIG.

ＧａＡｓ基板２０とＧａＩｎＰエッチングストップ層３０のエッチングは、次のようにして行えばよい。   The etching of the GaAs substrate 20 and the GaInP etching stop layer 30 may be performed as follows.

ＧａＡｓ基板２０のエッチングは、例えば、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）と過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）と水（Ｈ２Ｏ）の混合液をウェットエッチング溶液として用いることによって行うことができる。硫酸（Ｈ２ＳＯ４）と過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）と水（Ｈ２Ｏ）の混合液は、ＧａＩｎＰエッチングストップ層３０のＧａＩｎＰを溶解しないため、ＧａＩｎＰエッチングストップ層３０でウェットエッチング処理をストップさせることができる。 Etching of the GaAs substrate 20 can be performed, for example, by using a mixed solution of sulfuric acid (H 2 SO 4 ), hydrogen peroxide (H 2 O 2 ), and water (H 2 O) as a wet etching solution. Since the mixed solution of sulfuric acid (H 2 SO 4 ), hydrogen peroxide (H 2 O 2 ), and water (H 2 O) does not dissolve GaInP in the GaInP etching stop layer 30, the wet etching process is performed in the GaInP etching stop layer 30. Can be stopped.

また、ＧａＩｎＰエッチングストップ層３０は、例えば、塩酸（ＨＣｌ）と水（Ｈ２Ｏ）の混合液でエッチングすればよい。 The GaInP etching stop layer 30 may be etched with, for example, a mixed solution of hydrochloric acid (HCl) and water (H 2 O).

以上のようにして、積層体１００Ｃ（図２（Ｂ）参照）からＧａＡｓ基板２０とＧａＩｎＰエッチングストップ層３０をそれぞれ選択エッチングで除去することにより、図３（Ａ）に示す積層体１００Ｄを作製することができる。   As described above, by removing the GaAs substrate 20 and the GaInP etching stop layer 30 from the stacked body 100C (see FIG. 2B) by selective etching, a stacked body 100D shown in FIG. 3A is manufactured. be able to.

次に、ＧａＡｓコンタクト層４０の上に上部電極５０（図１参照）を形成するとともに、ＩｎＰ基板１１０の上に下部電極１０を形成する。   Next, the upper electrode 50 (see FIG. 1) is formed on the GaAs contact layer 40, and the lower electrode 10 is formed on the InP substrate 110.

そして、上部電極５０をマスクとして用いてコンタクト層４０（図３（Ａ）参照）のうち上部電極５０（図１参照）の直下に位置する部分以外を除去することにより、図３（Ｂ）に示すようにコンタクト層４０Ａが形成される。   Then, by using the upper electrode 50 as a mask, the contact layer 40 (see FIG. 3A) is removed except for the portion located directly below the upper electrode 50 (see FIG. 1), so that FIG. As shown, a contact layer 40A is formed.

コンタクト層４０Ａの作製は、例えば、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）と過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）と水（Ｈ２Ｏ）の混合液をウェットエッチング溶液として用いることによって行うことができる。硫酸（Ｈ２ＳＯ４）と過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）と水（Ｈ２Ｏ）の混合液は、Ａｌ（ｘ）ＩｎＰ層１８４のＡｌＩｎＰを溶解しないため、ＧａＩｎＰセル１８０のＡｌ（ｘ）ＩｎＰ層１８４でウェットエッチング処理をストップさせることができる。 The contact layer 40A can be manufactured by using, for example, a mixed solution of sulfuric acid (H 2 SO 4 ), hydrogen peroxide (H 2 O 2 ), and water (H 2 O) as a wet etching solution. Since the mixed liquid of sulfuric acid (H 2 SO 4 ), hydrogen peroxide (H 2 O 2 ), and water (H 2 O) does not dissolve AlInP in the Al (x) InP layer 184, Al (x ) The wet etching process can be stopped by the InP layer 184.

以上により、実施の形態１の化合物半導体太陽電池１００が完成する。図３（Ｂ）に示す化合物半導体太陽電池１００は、図１に示す化合物半導体太陽電池１００と同一である。   The compound semiconductor solar cell 100 of Embodiment 1 is completed by the above. The compound semiconductor solar cell 100 shown in FIG. 3B is the same as the compound semiconductor solar cell 100 shown in FIG.

化合物半導体太陽電池１００には、太陽光は、ワイドバンドギャップのセル側（ＧａＩｎＰセル１８０側）から入射する構造となる。なお、太陽光が入射するＡｌ（ｘ）ＩｎＰ層１８４の表面には、反射防止膜を設けることが望ましい。図３（Ｂ）では反射防止膜を省略する。   The compound semiconductor solar battery 100 has a structure in which sunlight is incident from the wide band gap cell side (GaInP cell 180 side). Note that an antireflection film is desirably provided on the surface of the Al (x) InP layer 184 on which sunlight enters. In FIG. 3B, the antireflection film is omitted.

実施の形態１の化合物半導体太陽電池１００では、ＩｎＰ基板１１０の上に形成するＧａＩｎＰＡｓセル１２０の窓層として、バンドギャップが１．５ｅＶの［Ａｌ（ｘ）Ｇａ］（ｙ）ＩｎＡｓ層１２４を形成し、さらにその上の接合層１３０として、ＧａＩｎＰ接合層を形成している。   In the compound semiconductor solar battery 100 of Embodiment 1, the [Al (x) Ga] (y) InAs layer 124 having a band gap of 1.5 eV is formed as the window layer of the GaInPAs cell 120 formed on the InP substrate 110. Further, a GaInP bonding layer is formed as the bonding layer 130 thereon.

この接合層１３０として用いるＧａＩｎＰ接合層は、１０％のＧａ組成を有し、０．７％の引っ張り歪を有する、バンドギャップが１．４２ｅＶのＧａＩｎＰ接合層である。接合層１３０のバンドギャップ（１．４２ｅＶ）は、接合層１３０に光入射側において隣接する光電変換セルであるＧａＡｓセル１６０のバンドギャップ（１．４２ｅＶ）以上になるように設定されている。   The GaInP bonding layer used as the bonding layer 130 is a GaInP bonding layer having a Ga composition of 10%, a tensile strain of 0.7%, and a band gap of 1.42 eV. The band gap (1.42 eV) of the bonding layer 130 is set to be equal to or larger than the band gap (1.42 eV) of the GaAs cell 160 that is a photoelectric conversion cell adjacent to the bonding layer 130 on the light incident side.

すなわち、接合層１３０として用いるＧａ（ｘ）ＩｎＰ層は、光の入射方向において自己よりも入射側（上流側）において隣接する光電変換セルであるＧａＡｓセル１６０で吸収されずに透過した光を吸収することなく、自己よりも光の入射方向において奥側のＧａＩｎＰＡｓセル１２０に誘導するために、上述のようなバンドギャップを有する。   In other words, the Ga (x) InP layer used as the bonding layer 130 absorbs the transmitted light without being absorbed by the GaAs cell 160 that is an adjacent photoelectric conversion cell on the incident side (upstream side) of the light incident direction. In order to guide to the GaInPAs cell 120 on the back side in the light incident direction from the self, the band gap as described above is provided.

また、同様な観点から、トンネル接合層１５０と接合層１４０のバンドギャップもＧａＡｓセル１６０のバンドギャップと等しくされている。   From the same viewpoint, the band gap between the tunnel junction layer 150 and the junction layer 140 is also equal to the band gap of the GaAs cell 160.

また、接合層１３０を透過した光が、ＧａＩｎＰＡｓセル１２０のＧａ（ｘ）ＩｎＰ（ｙ）Ａｓ層１２２とＧａ（ｘ）ＩｎＰ（ｙ）Ａｓ層１２３に確実に到達するようにするために、ＧａＩｎＰＡｓセル１２０の窓層である［Ａｌ（ｘ）Ｇａ］（ｙ）ＩｎＡｓ層１２４のバンドギャップを、ＧａＡｓセル１６０よりも大きい１．５ｅＶに設定している。   In order to ensure that the light transmitted through the bonding layer 130 reaches the Ga (x) InP (y) As layer 122 and the Ga (x) InP (y) As layer 123 of the GaInPAs cell 120, GaInPAs. The band gap of the [Al (x) Ga] (y) InAs layer 124 that is the window layer of the cell 120 is set to 1.5 eV, which is larger than that of the GaAs cell 160.

従来より、ウエハ同士を接合する接合層としてＩｎＰ層（１．３５ｅＶ）が用いられている。   Conventionally, an InP layer (1.35 eV) has been used as a bonding layer for bonding wafers to each other.

ここで、例えば、従来の化合物半導体太陽電池と同様に、接合層１３０としてＩｎＰ層を用いると、ＩｎＰのバンドギャップは、１．３５ｅＶであるため、ＧａＡｓセル１６０（１．４２ｅＶ）を透過した太陽光の一部を吸収してしまう。   Here, for example, as in the case of a conventional compound semiconductor solar battery, when an InP layer is used as the bonding layer 130, the band gap of InP is 1.35 eV, so that the sun transmitted through the GaAs cell 160 (1.42 eV). Absorbs part of the light.

このように、ＧａＡｓセル１６０（１．４２ｅＶ）を透過した太陽光の一部をＩｎＰ層で吸収してしまうと、エネルギー損失が生じるため、化合物半導体太陽電池の効率の低下の一因となる。   As described above, if a part of the sunlight transmitted through the GaAs cell 160 (1.42 eV) is absorbed by the InP layer, energy loss occurs, which causes a decrease in the efficiency of the compound semiconductor solar battery.

これに対して、実施の形態１の化合物半導体太陽電池１００では、このようなエネルギー損失の発生を抑制するために、ＧａＡｓセル１６０、トンネル接合層１５０、接合層１４０のバンドギャップ以上のバンドギャップを有するＧａ（ｘ）ＩｎＰ層を接合層１３０として用いている。   On the other hand, in the compound semiconductor solar battery 100 of the first embodiment, in order to suppress the occurrence of such energy loss, a band gap greater than that of the GaAs cell 160, the tunnel junction layer 150, and the junction layer 140 is set. The Ga (x) InP layer that is included is used as the bonding layer 130.

このため、実施の形態１によれば、高効率化を図った化合物半導体太陽電池１００、及び、化合物半導体太陽電池１００の製造方法を提供することができる。   For this reason, according to the first embodiment, it is possible to provide the compound semiconductor solar battery 100 with high efficiency and the method for manufacturing the compound semiconductor solar battery 100.

また、実施の形態１の化合物半導体太陽電池１００では、接合層１３０のバンドギャップを上述のように設定することに加えて、ＧａＩｎＰＡｓセル１２０の窓層である［Ａｌ（ｘ）Ｇａ］（ｙ）ＩｎＡｓ層１２４のバンドギャップを、ＧａＡｓセル１６０よりも大きい１．５ｅＶに設定している。   Moreover, in the compound semiconductor solar cell 100 of Embodiment 1, in addition to setting the band gap of the joining layer 130 as described above, [Al (x) Ga] (y) which is the window layer of the GaInPAs cell 120. The band gap of the InAs layer 124 is set to 1.5 eV, which is larger than that of the GaAs cell 160.

このことによっても、化合物半導体太陽電池１００は、高効率化が図られている。   This also increases the efficiency of the compound semiconductor solar cell 100.

なお、以上では、トンネル接合層１５０と接合層１４０のバンドギャップが、ＧａＡｓセル１６０のバンドギャップ（１．４２ｅＶ）と等しい形態について説明した。しかしながら、トンネル接合層１５０と接合層１４０のバンドギャップは、ＧａＡｓセル１６０のバンドギャップ（１．４２ｅＶ）より大きくてもよい。   In the above description, the mode in which the band gap between the tunnel junction layer 150 and the junction layer 140 is equal to the band gap (1.42 eV) of the GaAs cell 160 has been described. However, the band gap between the tunnel junction layer 150 and the junction layer 140 may be larger than the band gap (1.42 eV) of the GaAs cell 160.

このような場合には、Ｇａ（ｘ）ＩｎＰ層を接合層１３０のバンドギャップは、ＧａＡｓセル１６０のバンドギャップ（１．４２ｅＶ）以上であればよい。   In such a case, the band gap of the Ga (x) InP layer and the bonding layer 130 may be equal to or greater than the band gap (1.42 eV) of the GaAs cell 160.

トンネル接合層１５０と接合層１４０のバンドギャップがＧａＡｓセル１６０のバンドギャップ（１．４２ｅＶ）より大きい場合には、ＧａＡｓセル１６０を透過した光は、トンネル接合層１５０と接合層１４０では吸収されずに、Ｇａ（ｘ）ＩｎＰ層で構成される接合層１３０に導かれる。   When the band gap between the tunnel junction layer 150 and the junction layer 140 is larger than the band gap (1.42 eV) of the GaAs cell 160, the light transmitted through the GaAs cell 160 is not absorbed by the tunnel junction layer 150 and the junction layer 140. To the bonding layer 130 composed of a Ga (x) InP layer.

このため、Ｇａ（ｘ）ＩｎＰ層から構成される接合層１３０のバンドギャップが、ＧａＡｓセル１６０のバンドギャップ（１．４２ｅＶ）以上であれば、Ｇａ（ｘ）ＩｎＰ層を接合層１３０での光吸収は生じず、ＧａＡｓセル１６０、トンネル接合層１５０、及び接合層１４０を透過した光を効率的にＧａＩｎＰＡｓセル１２０に誘導できるからである。   For this reason, if the band gap of the bonding layer 130 composed of the Ga (x) InP layer is equal to or larger than the band gap (1.42 eV) of the GaAs cell 160, the Ga (x) InP layer is used as the light in the bonding layer 130. This is because absorption does not occur and the light transmitted through the GaAs cell 160, the tunnel junction layer 150, and the junction layer 140 can be efficiently guided to the GaInPAs cell 120.

また、引っ張り歪を有するＧａＩｎＰ層（接合層１３０）は、格子緩和が起こる厚さよりも薄く形成している。   The GaInP layer (bonding layer 130) having tensile strain is formed thinner than the thickness at which lattice relaxation occurs.

また、ＧａＡｓセル１６０（１．４２ｅＶ）と同等以上のバンドギャップを有し、ＩｎＰ基板１１０に成長できる材料としては、引っ張り歪を有するＧａＩｎＰ以外に、格子整合可能な材料としてＧａＰＳｂがある。   Further, as a material having a band gap equal to or greater than that of the GaAs cell 160 (1.42 eV) and capable of growing on the InP substrate 110, there is GaPSb as a material capable of lattice matching other than GaInP having tensile strain.

このため、接合層１３０として、上述したＧａＩｎＰ層の代わりに、ＧａＰＳｂ層を用いてもよい。この場合は、ＧａＰＳｂ層がＧａＡｓセル１６０（１．４２ｅＶ）と同等以上のバンドギャップを有するように、組成を調節すればよい。   Therefore, a GaPSb layer may be used as the bonding layer 130 instead of the GaInP layer described above. In this case, the composition may be adjusted so that the GaPSb layer has a band gap equal to or greater than that of the GaAs cell 160 (1.42 eV).

また、Ａｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ、Ａｌ（Ｇａ）ＡｓＳｂ、Ａｌ（Ｇａ）ＰＳｂ、Ａｌ（Ｉｎ）ＰＳｂ等も、ＧａＡｓセル１６０（１．４２ｅＶ）と同等以上のバンドギャップとなる組成が存在し、ＩｎＰ基板１１０に成長できる材料である。   Further, Al (Ga) InAs, Al (Ga) AsSb, Al (Ga) PSb, Al (In) PSb, and the like also have a composition with a band gap equal to or greater than that of the GaAs cell 160 (1.42 eV). It is a material that can be grown on the substrate 110.

このため、ＧａＩｎＰＡｓセル１２０の窓層である［Ａｌ（ｘ）Ｇａ］（ｙ）ＩｎＡｓ層１２４の代わりに、Ａｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ、Ａｌ（Ｇａ）ＡｓＳｂ、Ａｌ（Ｇａ）ＰＳｂ、Ａｌ（Ｉｎ）ＰＳｂ等で作製した薄膜層を用いてもよい。   Therefore, instead of the [Al (x) Ga] (y) InAs layer 124 that is the window layer of the GaInPAs cell 120, Al (Ga) InAs, Al (Ga) AsSb, Al (Ga) PSb, Al (In) A thin film layer made of PSb or the like may be used.

この場合は、［Ａｌ（ｘ）Ｇａ］（ｙ）ＩｎＡｓ層１２４の代わりに、Ａｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ、Ａｌ（Ｇａ）ＡｓＳｂ、Ａｌ（Ｇａ）ＰＳｂ、Ａｌ（Ｉｎ）ＰＳｂ等の薄膜層が、ＧａＡｓセル１６０（１．４２ｅＶ）と同等以上のバンドギャップを有するように、組成を調節すればよい。   In this case, instead of the [Al (x) Ga] (y) InAs layer 124, a thin film layer such as Al (Ga) InAs, Al (Ga) AsSb, Al (Ga) PSb, Al (In) PSb, The composition may be adjusted so as to have a band gap equal to or greater than that of the GaAs cell 160 (1.42 eV).

なお、Ａｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ、Ａｌ（Ｇａ）ＡｓＳｂ、Ａｌ（Ｇａ）ＰＳｂは、それぞれ、Ｇａを含む組成とＧａを含まない組成との両方を包含するため、（Ｇａ）と表記したものである。すなわち、Ａｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓは、ＡｌＧａＩｎＡｓとＡｌＩｎＡｓとを含む表記である。また、Ａｌ（Ｇａ）ＡｓＳｂは、ＡｌＧａＡｓＳｂとＡｌＡｓＳｂとを含む表記である。また、Ａｌ（Ｇａ）ＰＳｂは、ＡｌＧａＰＳｂとＡｌＰＳｂとを含む表記である。   In addition, since Al (Ga) InAs, Al (Ga) AsSb, and Al (Ga) PSb each include both a composition containing Ga and a composition not containing Ga, they are expressed as (Ga). . That is, Al (Ga) InAs is a notation including AlGaInAs and AlInAs. Al (Ga) AsSb is a notation including AlGaAsSb and AlAsSb. Al (Ga) PSb is a notation including AlGaPSb and AlPSb.

また、Ａｌ（Ｉｎ）ＰＳｂは、Ｉｎを含む組成と、Ｉｎを含まない組成の両方を包含するため、（Ｉｎ）と表記したものである。すなわち、Ａｌ（Ｉｎ）ＰＳｂは、ＡｌＩｎＰＳｂとＡｌＰＳｂとを含む表記である。   In addition, Al (In) PSb is expressed as (In) because it includes both a composition containing In and a composition not containing In. That is, Al (In) PSb is a notation including AlInPSb and AlPSb.

実施の形態１の化合物半導体太陽電池１００のような３接合太陽電池については、例えば、応用物理79巻5号, 2010, P.436に、３つのセルのバンドギャップとしては、１．９ｅＶ／１．４２ｅＶ／１．０ｅＶの組み合わせや、１．７ｅＶ／１．２ｅＶ／０．６７ｅＶの組み合わせが、当該文献における現状の３接合セル（１．８８ｅＶ／１．４ｅＶ／０．６７ｅＶ）より好ましいことが記載されている。   As for the three-junction solar cell such as the compound semiconductor solar cell 100 of the first embodiment, for example, in Applied Physics Vol. 79, No. 5, 2010, P.436, the band gap of three cells is 1.9 eV / 1. The combination of .42 eV / 1.0 eV and the combination of 1.7 eV / 1.2 eV / 0.67 eV are preferable to the current three-junction cell (1.88 eV / 1.4 eV / 0.67 eV) in this document. Have been described.

しかしながら、これらのようなバンドギャップの組み合わせを一つの格子定数で実現することは困難である。   However, it is difficult to realize such a combination of band gaps with a single lattice constant.

この点において、実施の形態１によれば、２つの格子定数のセル（積層体１００Ａと１００Ｂ（図２（Ａ）参照）を直接接合法により接合することによって化合物半導体太陽電池１００を作製するので、異なる格子定数のセル同士を含む化合物半導体太陽電池１００を容易に実現することができる。   In this respect, according to the first embodiment, the compound semiconductor solar battery 100 is manufactured by joining two lattice constant cells (laminated bodies 100A and 100B (see FIG. 2A)) by a direct joining method. The compound semiconductor solar battery 100 including cells having different lattice constants can be easily realized.

なお、以上では、ＩｎＰ基板１０及びＧａＡｓ基板２０の上にＭＯＣＶＤ法で各セル等を形成する形態について説明したが、各セル等は、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法で形成してもよい。   In the above description, each cell or the like is formed on the InP substrate 10 and the GaAs substrate 20 by the MOCVD method. However, each cell or the like may be formed by an MBE (Molecular Beam Epitaxy) method.

また、以上では、ＩｎＰ基板１０及びＧａＡｓ基板２０をそれぞれ用いた積層体１００Ｂ及び１００Ａを用いて化合物半導体太陽電池１００を作製する形態について説明したが、ＩｎＰ基板１０及びＧａＡｓ基板２０の組み合わせ以外を用いてもよい。   In the above description, the compound semiconductor solar cell 100 is manufactured using the stacked bodies 100B and 100A using the InP substrate 10 and the GaAs substrate 20, respectively. However, a combination other than the combination of the InP substrate 10 and the GaAs substrate 20 is used. May be.

例えば、Ｇｅ基板とＩｎＰ基板、ＧａＳｂ基板とＧａＡｓ基板、ＧａＳｂ基板とＧｅ基板、Ｓｉ基板とＧｅ基板、又は、Ｓｉ基板とＧａＡｓ基板等の組み合わせでも、同様に積層体１００Ｂ及び１００Ａを作製することができる。   For example, the stacked bodies 100B and 100A can be similarly manufactured using a combination of a Ge substrate and an InP substrate, a GaSb substrate and a GaAs substrate, a GaSb substrate and a Ge substrate, a Si substrate and a Ge substrate, or a Si substrate and a GaAs substrate. it can.

また、以上では、積層体１００Ａと１００Ｂを直接的に接合する形態について説明したが、図４に示すように、機械的に接合してもよい。   Moreover, although the form which joins the laminated bodies 100A and 100B directly was demonstrated above, as shown in FIG. 4, you may join mechanically.

また、以上では、ＩｎＰ格子整合系材料セルとしてＧａＩｎＰＡｓセル１２０を用いる形態について説明したが、ＩｎＰ格子整合系材料セルはＧａＩｎＰＡｓセル１２０に限定されず、ＧａＩｎ（Ｐ）Ａｓで表されるセルを用いることができる。   In the above description, the GaInPAs cell 120 is used as the InP lattice matching material cell. However, the InP lattice matching material cell is not limited to the GaInPAs cell 120 and a cell represented by GaIn (P) As is used. be able to.

ＧａＩｎ（Ｐ）Ａｓは、Ｐを含む組成とＰを含まない組成との両方を包含するため、（Ｐ）と表記したものである。すなわち、ＧａＩｎ（Ｐ）Ａｓは、ＧａＩｎＰＡｓとＧａＩｎＡｓとを含む表記である。このため、ＧａＩｎＰＡｓセル１２０の代わりに、ＧａＩｎＡｓセルを用いてもよい。   Since GaIn (P) As includes both a composition containing P and a composition not containing P, it is expressed as (P). That is, GaIn (P) As is a notation including GaInPAs and GaInAs. For this reason, a GaInAs cell may be used instead of the GaInPAs cell 120.

また、以上では、ＧａＡｓ格子整合系材料セルとしてＧａＩｎＰセル１８０を用いる形態について説明したが、ＧａＡｓ格子整合系材料セルはＧａＩｎＰセル１８０に限定されず、（Ａｌ）ＧａＩｎＰ（Ａｓ）で表されるセルを用いることができる。   In the above description, the GaInP cell 180 is used as the GaAs lattice matching material cell. However, the GaAs lattice matching material cell is not limited to the GaInP cell 180, and is a cell represented by (Al) GaInP (As). Can be used.

（Ａｌ）ＧａＩｎＰ（Ａｓ）は、Ａｌを含む組成とＡｌを含まない組成との両方を包含し、また、Ａｓを含む組成とＡｓを含まない組成との両方を包含する。このため、（Ａｌ）、（Ａｓ）と表記したものである。すなわち、（Ａｌ）ＧａＩｎＰ（Ａｓ）は、ＡｌＧａＩｎＰと、ＧａＩｎＰＡｓと、ＧａＩｎＰとを含む表記である。このため、ＧａＩｎＰセル１８０の代わりに、ＡｌＧａＩｎＰセル又はＧａＩｎＰＡｓセルを用いてもよい。   (Al) GaInP (As) includes both a composition containing Al and a composition not containing Al, and also includes both a composition containing As and a composition not containing As. For this reason, it is written as (Al), (As). That is, (Al) GaInP (As) is a notation including AlGaInP, GaInPAs, and GaInP. For this reason, an AlGaInP cell or a GaInPAs cell may be used instead of the GaInP cell 180.

図４は、実施の形態１の第１変形例による化合物半導体太陽電池１０１を示す断面図である。   FIG. 4 is a cross-sectional view showing a compound semiconductor solar battery 101 according to a first modification of the first embodiment.

実施の形態１の第１変形例による化合物半導体太陽電池１０１は、図１に示す接合層１３０と１４０との間を、機械的に接合したものである。   The compound semiconductor solar battery 101 according to the first modification of the first embodiment is obtained by mechanically bonding the bonding layers 130 and 140 shown in FIG.

図４に示す化合物半導体太陽電池１０１では、接合層１３０と１４０との間は、固定部材１０２によって接合されている。固定部材１０２としては、例えば、パラジウムナノパーティクルアレイ（Pd Nanoparticle Array）を用いることができる。   In the compound semiconductor solar cell 101 shown in FIG. 4, the bonding layers 130 and 140 are bonded by the fixing member 102. As the fixing member 102, for example, a palladium nanoparticle array can be used.

パラジウムナノパーティクルアレイは、ブロック共重合体の相分離配列を利用して導電性ナノ粒子を接合界面に自己配列させるものである。Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ等のナノ配列が可能である。ブロック共重合体の希釈液をスピンコートし、ブロック共重合体を自己配列させ、Ｐｄ２＋（パラジウム）のようなメタルイオンを含んだ水溶液にさらすことで、ブロック共重合体にメタルイオンが選択的に形成される。そして、Ａｒ（アルゴン）プラズマを照射することで、ブロック共重合体テンプレートが除去され、自己配列したナノパーティクルアレイが形成される。ナノパーティクルのない部分を光が透過する。パラジウムナノパーティクルアレイを用いることにより、ＧａＡｓセル１６０を透過した光を効率的にＧａＩｎＰＡｓセル１２０に誘導することができる。 The palladium nanoparticle array is a structure in which conductive nanoparticles are self-aligned at a bonding interface using a phase separation array of a block copolymer. Nano arrays such as Pd, Au, Pt, Ag are possible. The block copolymer is spin coated, the block copolymer is self-aligned, and exposed to an aqueous solution containing a metal ion such as Pd 2+ (palladium). Formed. Then, by irradiating with Ar (argon) plasma, the block copolymer template is removed and a self-aligned nanoparticle array is formed. Light passes through the part without nanoparticles. By using the palladium nanoparticle array, the light transmitted through the GaAs cell 160 can be efficiently guided to the GaInPAs cell 120.

接合層１３０又は１４０にパラジウムナノパーティクルアレイを形成した状態で、接合層１３０と１４０を接合することにより、化合物半導体太陽電池１０１を作製することができる。   The compound semiconductor solar cell 101 can be manufactured by bonding the bonding layers 130 and 140 in a state where the palladium nanoparticle array is formed on the bonding layer 130 or 140.

固定部材１０２は、固定部の一例である。このように、固定部材１０２を用いて、２つの積層体を機械的に重ね合わせる接合方法をメカニカルスタックという。   The fixing member 102 is an example of a fixing portion. In this way, a joining method in which two stacked bodies are mechanically overlapped using the fixing member 102 is referred to as a mechanical stack.

なお、固定部材１０２は、パラジウムナノパーティクルアレイに限らず、他の金属（例えば、Ａｕ（金））を含むナノパーティクルアレイであってもよく、その他の機械的な手段であってもよい。   The fixing member 102 is not limited to a palladium nanoparticle array, and may be a nanoparticle array containing another metal (for example, Au (gold)) or other mechanical means.

また、化合物半導体太陽電池１０１は、図１に示す接合層１３０、１４０の代わりに、表面層１３０Ａ、１４０Ａを含む。表面層１３０Ａ、１４０Ａは、それぞれ、図１に示す接合層１３０、１４０と同様であるが、互いに接続されないため、図４では表面層１３０Ａ、１４０Ａと称す。   Moreover, the compound semiconductor solar cell 101 includes surface layers 130A and 140A instead of the bonding layers 130 and 140 shown in FIG. The surface layers 130A and 140A are the same as the bonding layers 130 and 140 shown in FIG. 1, respectively, but are not connected to each other, and therefore are referred to as surface layers 130A and 140A in FIG.

このように、化合物半導体太陽電池１０１では、接合層１３０と１４０との間を固定部材１０２によって接合しているので、ＧａＡｓセル１６０と接合層１４０の間にトンネル接合層１５０（図１参照）は不要になり、接合層１４０の上にＧａＡｓセル１６０を直接接合している。   As described above, in the compound semiconductor solar battery 101, the bonding layers 130 and 140 are bonded to each other by the fixing member 102. Therefore, the tunnel bonding layer 150 (see FIG. 1) is interposed between the GaAs cell 160 and the bonding layer 140. The GaAs cell 160 is directly bonded on the bonding layer 140.

以上のように、ＧａＩｎＰＡｓセル１２０を含む積層体と、ＧａＡｓセル１６０及びＧａＩｎＰセル１８０を含む積層体とは、メカニカルスタックによって接合してもよい。   As described above, the stacked body including the GaInPAs cell 120 and the stacked body including the GaAs cell 160 and the GaInP cell 180 may be joined by a mechanical stack.

また、実施の形態１の化合物半導体太陽電池１００は、図５に示すように変形することができる。   Moreover, the compound semiconductor solar cell 100 of Embodiment 1 can be modified as shown in FIG.

図５は、実施の形態１の第２変形例による化合物半導体太陽電池１０３を示す断面図である。   FIG. 5 is a cross-sectional view showing a compound semiconductor solar battery 103 according to the second modification of the first embodiment.

実施の形態１の第２変形例による化合物半導体太陽電池１０３は、電極１０、ＩｎＰ基板１１０、ＧａＩｎＰＡｓセル１２０、接合層１３０、トンネル接合層１５０Ａ、ＧａＡｓセル１６０、トンネル接合層１７０、ＧａＩｎＰセル１８０、コンタクト層４０Ａ、及び電極５０を含む。   The compound semiconductor solar battery 103 according to the second modification of the first embodiment includes an electrode 10, an InP substrate 110, a GaInPAs cell 120, a junction layer 130, a tunnel junction layer 150A, a GaAs cell 160, a tunnel junction layer 170, a GaInP cell 180, A contact layer 40A and an electrode 50 are included.

化合物半導体太陽電池１０３は、図１に示す実施の形態１の化合物半導体太陽電池１００から、接合層１４０とｎ＋型のＧａＡｓ層１５１とを取り除き、接合層１３０とｐ＋型のＧａＡｓ層１５２とを直接的に接合した構成を有する。図５に示すトンネル接合層１５０Ａは、図１に示すｐ＋型のＧａＡｓ層１５２と同様である。このような化合物半導体太陽電池１０３では、接合層１３０とトンネル接合層１５０Ａとでトンネル接合が形成される。   The compound semiconductor solar cell 103 removes the bonding layer 140 and the n + type GaAs layer 151 from the compound semiconductor solar cell 100 of the first embodiment shown in FIG. 1 and directly connects the bonding layer 130 and the p + type GaAs layer 152. The structure has been joined. The tunnel junction layer 150A shown in FIG. 5 is the same as the p + type GaAs layer 152 shown in FIG. In such a compound semiconductor solar cell 103, a tunnel junction is formed by the junction layer 130 and the tunnel junction layer 150A.

図１に示す実施の形態１の化合物半導体太陽電池１００では、トンネル接合層１５０と接合層１４０のバンドギャップがＧａＡｓセル１６０のバンドギャップ（１．４２ｅＶ）と同等以上の場合には、ＧａＡｓセル１６０を透過した光はトンネル接合層１５０と接合層１４０では吸収されずに、ＧａＩｎＰ層で構成される接合層１３０に導かれる。   In the compound semiconductor solar cell 100 of Embodiment 1 shown in FIG. 1, when the band gap between the tunnel junction layer 150 and the junction layer 140 is equal to or greater than the band gap (1.42 eV) of the GaAs cell 160, the GaAs cell 160 The light that has passed through is not absorbed by the tunnel junction layer 150 and the junction layer 140 but is guided to the junction layer 130 formed of a GaInP layer.

しかしながら、ＧａＡｓセル１６０で吸収可能な波長であっても、トンネル接合層１５０よりも入射側の吸収層であるＧａＡｓセル１６０の厚さが薄く、ＧａＡｓセル１６０で入射光を十分に吸収できない場合は、ＧａＡｓセル１６０を透過した光が、トンネル接合層１５０と接合層１４０で吸収されることにより、効率に悪影響が生じる。   However, even when the wavelength can be absorbed by the GaAs cell 160, the thickness of the GaAs cell 160 that is the absorption layer on the incident side of the tunnel junction layer 150 is thin, and the GaAs cell 160 cannot sufficiently absorb incident light. The light transmitted through the GaAs cell 160 is absorbed by the tunnel junction layer 150 and the junction layer 140, thereby adversely affecting the efficiency.

また、多接合太陽電池のように複数のセルを有する場合は、各セルで取り出し可能な電流値を同じにするために、いずれかのセルをあえて薄くすることによって吸収可能な波長の光を透過させ、入射側から見て奥側に位置するセルで吸収させる場合がある。また、多接合太陽電池の全体での厚さをできるだけ薄くすることが望ましい。   In addition, when there are multiple cells such as a multi-junction solar cell, light of a wavelength that can be absorbed is transmitted by deliberately reducing the thickness of one of the cells in order to make the current value that can be taken out of each cell the same. And may be absorbed by a cell located on the back side when viewed from the incident side. In addition, it is desirable to make the overall thickness of the multi-junction solar cell as thin as possible.

従って、図１に示す接合層１４０とｎ＋型のＧａＡｓ層１５１とを取り除いて図５に示すように接合層１３０とトンネル接合層１５０Ａとのトンネル接合を形成することにより、図１に示す化合物半導体太陽電池１００よりも、光の吸収を抑えるとともに、薄型化を図った化合物半導体太陽電池１０３を提供することができる。   Accordingly, the compound semiconductor shown in FIG. 1 is formed by removing the junction layer 140 and the n + type GaAs layer 151 shown in FIG. 1 and forming a tunnel junction between the junction layer 130 and the tunnel junction layer 150A as shown in FIG. It is possible to provide a compound semiconductor solar cell 103 that suppresses light absorption and is thinner than the solar cell 100.

＜実施の形態２＞
実施の形態１では、ＧａＩｎＰセル１８０、ＧａＡｓセル１６０、及びＧａＩｎＰＡｓセル１２０によって構成される３接合型の化合物半導体太陽電池１００を作製した。３つの光電変換セルのバンドギャップの組み合わせは、１．９ｅＶ／１．４２ｅＶ／１．０ｅＶであった。 <Embodiment 2>
In the first embodiment, a three-junction compound semiconductor solar cell 100 including the GaInP cell 180, the GaAs cell 160, and the GaInPAs cell 120 is manufactured. The combination of the band gaps of the three photoelectric conversion cells was 1.9 eV / 1.42 eV / 1.0 eV.

実施の形態２では、ＧａＩｎＰセル１８０、ＧａＡｓセル１６０、及びＧａＩｎＰＡｓセル１２０に、ＧａＩｎＡｓセル（０．７５ｅＶ）を加えることにより、４接合型の化合物半導体太陽電池２００を提供する。４つの光電変換セルのバンドギャップの組み合わせは、１．９ｅＶ／１．４２ｅＶ／１．０ｅＶ／０．７５ｅＶである。   In the second embodiment, a GaInAs cell (0.75 eV) is added to the GaInP cell 180, the GaAs cell 160, and the GaInPAs cell 120 to provide a four-junction compound semiconductor solar cell 200. The combination of the band gaps of the four photoelectric conversion cells is 1.9 eV / 1.42 eV / 1.0 eV / 0.75 eV.

図６は、実施の形態２の化合物半導体太陽電池２００を示す断面図である。以下、実施の形態１の化合物半導体太陽電池１００と同様の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。   FIG. 6 is a cross-sectional view showing the compound semiconductor solar battery 200 of the second embodiment. Hereafter, the same code | symbol is attached | subjected to the component similar to the compound semiconductor solar cell 100 of Embodiment 1, and the description is abbreviate | omitted.

化合物半導体太陽電池２００は、電極１０、ＩｎＰ基板１１０、ＧａＩｎＡｓセル２１０、トンネル接合層２２０、ＧａＩｎＰＡｓセル１２０、接合層１３０、接合層１４０、トンネル接合層１５０、ＧａＡｓセル１６０、トンネル接合層１７０、ＧａＩｎＰセル１８０、コンタクト層４０Ａ、及び電極５０を含む。なお、ＧａＩｎＡｓセル２１０は、ＩｎＰ系の光電変換セルである。   The compound semiconductor solar cell 200 includes an electrode 10, an InP substrate 110, a GaInAs cell 210, a tunnel junction layer 220, a GaInPAs cell 120, a junction layer 130, a junction layer 140, a tunnel junction layer 150, a GaAs cell 160, a tunnel junction layer 170, and GaInP. A cell 180, a contact layer 40A, and an electrode 50 are included. The GaInAs cell 210 is an InP-based photoelectric conversion cell.

実施の形態２の化合物半導体太陽電池２００は、ＧａＩｎＡｓセル２１０（０．７５ｅＶ）、ＧａＩｎＰＡｓセル１２０（１．０ｅＶ）、ＧａＡｓセル１６０（１．４２ｅＶ）、ＧａＩｎＰセル１８０（１．９ｅＶ）を直列接続した４接合型太陽電池である。   In the compound semiconductor solar battery 200 of the second embodiment, a GaInAs cell 210 (0.75 eV), a GaInPAs cell 120 (1.0 eV), a GaAs cell 160 (1.42 eV), and a GaInP cell 180 (1.9 eV) are connected in series. 4 junction solar cells.

ここで、ＧａＩｎＡｓセル２１０とＧａＩｎＰＡｓセル１２０は、第１化合物半導体材料で作製される複数の第１光電変換セルの一例である。   Here, the GaInAs cell 210 and the GaInPAs cell 120 are examples of a plurality of first photoelectric conversion cells made of a first compound semiconductor material.

図６において、光の入射方向は、図中上から下に向かう方向（ＧａＩｎＰセル１８０からＧａＩｎＡｓセル２１０に向かう方向）である。   In FIG. 6, the incident direction of light is a direction from the top to the bottom in the figure (a direction from the GaInP cell 180 to the GaInAs cell 210).

ＩＥＥＥの文献（Proceedings of the 28th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (2009) pp.1090-1093.)によれば、４接合太陽電池では、およそ１．９ｅＶ／１．４ｅＶ／１．０ｅＶ／０．７ｅＶの組み合わせのバンドギャップバランスが好ましいことが記載されている。   According to the IEEE literature (Proceedings of the 28th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (2009) pp.1090-1093.), A 4-junction solar cell has a combination of about 1.9 eV / 1.4 eV / 1.0 eV / 0.7 eV. It is described that the band gap balance is preferable.

化合物半導体太陽電池２００は、実施の形態１の化合物半導体太陽電池１００の基板１１０とＧａＩｎＰＡｓセル１２０との間に、ＧａＩｎＡｓセル２１０とトンネル接合層２２０を挿入した構成である。   The compound semiconductor solar battery 200 has a configuration in which a GaInAs cell 210 and a tunnel junction layer 220 are inserted between the substrate 110 and the GaInPAs cell 120 of the compound semiconductor solar battery 100 of the first embodiment.

ＧａＩｎＡｓセル２１０は、ｐ型のＩｎＰ層２１１、ｐ型のＧａ（ｘ）ＩｎＡｓ層２１２、ｎ型のＧａ（ｘ）ＩｎＡｓ層２１３、及びｎ型のＩｎＰ層２１４を含む。ＩｎＰ層２１１はＢＳＦ層であり、ＩｎＰ層２１４は窓層である。   The GaInAs cell 210 includes a p-type InP layer 211, a p-type Ga (x) InAs layer 212, an n-type Ga (x) InAs layer 213, and an n-type InP layer 214. The InP layer 211 is a BSF layer, and the InP layer 214 is a window layer.

ここで、ＧａＩｎＡｓセル２１０は、ＩｎＰ層２１１とＩｎＰ層２１４を含まずに、ｐ型のＧａ（ｘ）ＩｎＡｓ層２１２と、ｎ型のＧａ（ｘ）ＩｎＡｓ層２１３とによって構成されているものとして捉えてもよい。この場合は、ｐ型のＧａ（ｘ）ＩｎＡｓ層２１２と、ｎ型のＧａ（ｘ）ＩｎＡｓ層２１３とによって構成されるＧａＩｎＡｓセル２１０の入射側にＩｎＰ層２１４（窓層）が形成され、光の入射方向における奥側にＩｎＰ層２１１（ＢＳＦ層）が形成されているものとして取り扱えばよい。   Here, the GaInAs cell 210 does not include the InP layer 211 and the InP layer 214, and is configured by the p-type Ga (x) InAs layer 212 and the n-type Ga (x) InAs layer 213. You may catch it. In this case, the InP layer 214 (window layer) is formed on the incident side of the GaInAs cell 210 constituted by the p-type Ga (x) InAs layer 212 and the n-type Ga (x) InAs layer 213, and the light May be handled as if the InP layer 211 (BSF layer) is formed on the back side in the incident direction.

ｐ型のＧａ（ｘ）ＩｎＡｓ層２１２と、ｎ型のＧａ（ｘ）ＩｎＡｓ層２１３とのバンドギャップは、０．７５ｅＶである。   The band gap between the p-type Ga (x) InAs layer 212 and the n-type Ga (x) InAs layer 213 is 0.75 eV.

トンネル接合層２２０は、ＧａＩｎＰＡｓセル１２０とＧａＩｎＡｓセル２１０との間に形成されている。トンネル接合層２２０は、ｎ＋型のＩｎＰ層２２１と、ｐ＋型のＡｌ（ｘ）ＩｎＡｓ層２２２とを含む。   The tunnel junction layer 220 is formed between the GaInPAs cell 120 and the GaInAs cell 210. The tunnel junction layer 220 includes an n + type InP layer 221 and a p + type Al (x) InAs layer 222.

ＩｎＰ層２２１の導電型をｎ＋型にする不純物としては、例えば、Ｓｉ（シリコン）を用いることができ、Ａｌ（ｘ）ＩｎＡｓ層２２２の導電型をｐ＋型にする不純物としては、例えば、Ｃ（炭素）を用いることができる。ｎ＋型のＩｎＰ層２２１と、ｐ＋型のＡｌ（ｘ）ＩｎＡｓ層２２２とは、高濃度にドーピングされた薄いｐｎ接合を構成する。   As the impurity that makes the conductivity type of the InP layer 221 n-type, for example, Si (silicon) can be used, and as the impurity that makes the conductivity type of the Al (x) InAs layer 222 p-type, for example, C ( Carbon) can be used. The n + -type InP layer 221 and the p + -type Al (x) InAs layer 222 constitute a thin pn junction doped at a high concentration.

トンネル接合層２２０のＩｎＰ層２２１とＡｌ（ｘ）ＩｎＡｓ層２２２とは、ともにＧａＩｎＰＡｓセル１２０よりも高濃度にドーピングされている。トンネル接合層２２０は、ＧａＩｎＰＡｓセル１２０のｐ型のＧａ（ｘ）ＩｎＰ（ｙ）Ａｓ層１２２と、ＧａＩｎＡｓセル２１０のｎ型のＧａ（ｘ）ＩｎＡｓ層２１３との間を（トンネル接合により）電流が流れるようにするために設けられる接合層である。   Both the InP layer 221 and the Al (x) InAs layer 222 of the tunnel junction layer 220 are doped at a higher concentration than the GaInPAs cell 120. The tunnel junction layer 220 has a current (through the tunnel junction) between the p-type Ga (x) InP (y) As layer 122 of the GaInPAs cell 120 and the n-type Ga (x) InAs layer 213 of the GaInAs cell 210. It is a joining layer provided in order to make it flow.

実施の形態２の化合物半導体太陽電池２００は、ＧａＩｎＰセル１８０、ＧａＡｓセル１６０、ＧａＩｎＰＡｓセル１２０、及びＧａＩｎＡｓセル２１０の４つの光電変換セルにより、１．９ｅＶ／１．４２ｅＶ／１．０ｅＶ／０．７５ｅＶというバンドギャップの組み合わせを有する。   The compound semiconductor solar battery 200 according to the second embodiment includes 1.9 eV / 1.42 eV / 1.0 eV / 0 .0 using four photoelectric conversion cells, that is, a GaInP cell 180, a GaAs cell 160, a GaInPAs cell 120, and a GaInAs cell 210. It has a band gap combination of 75 eV.

このため、実施の形態２によれば、実施の形態１の化合物半導体太陽電池１００よりも、さらにエネルギー変換効率の高い化合物半導体太陽電池２００を提供することができる。   For this reason, according to the second embodiment, it is possible to provide the compound semiconductor solar cell 200 having higher energy conversion efficiency than the compound semiconductor solar cell 100 of the first embodiment.

なお、実施の形態１の第２変形例と同様に、接合層１４０とｎ＋型のＧａＡｓ層１５１とを取り除いて接合層１３０とｐ＋型のＧａＡｓ層１５２とのトンネル接合を形成することにより、図６に示す化合物半導体太陽電池２００よりも、光の吸収を抑えるとともに、薄型化を図ってもよい。   As in the second modification of the first embodiment, the junction layer 140 and the n + type GaAs layer 151 are removed to form a tunnel junction between the junction layer 130 and the p + type GaAs layer 152. The absorption of light may be suppressed and the thickness may be reduced as compared with the compound semiconductor solar battery 200 shown in FIG.

＜実施の形態３＞
図７は、実施の形態３の化合物半導体太陽電池３００を示す断面図である。 <Embodiment 3>
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a compound semiconductor solar battery 300 of the third embodiment.

実施の形態３の化合物半導体太陽電池３００は、実施の形態１の化合物半導体太陽電池１００（図１参照）のＧａＡｓセル１６０（１．４２ｅＶ）を、１．５％のＩｎ組成を有し、０．１％の歪を有するＧａＩｎＡｓセル３６０（１．４０ｅＶ）に置き換えたものである。   The compound semiconductor solar battery 300 of the third embodiment includes a GaAs cell 160 (1.42 eV) of the compound semiconductor solar battery 100 (see FIG. 1) of the first embodiment, and has an In composition of 1.5%. It is replaced with a GaInAs cell 360 (1.40 eV) having a strain of 1%.

また、実施の形態３の化合物半導体太陽電池３００は、実施の形態１の化合物半導体太陽電池１００（図１参照）の接合層１３０と［Ａｌ（ｘ）Ｇａ］（ｙ）ＩｎＡｓ層１２４を、それぞれ、接合層３３０とＧａ（ｘ）ＩｎＰ層３２４に置き換えたものである。   Further, the compound semiconductor solar cell 300 of the third embodiment includes the bonding layer 130 and the [Al (x) Ga] (y) InAs layer 124 of the compound semiconductor solar cell 100 (see FIG. 1) of the first embodiment, respectively. The bonding layer 330 and the Ga (x) InP layer 324 are replaced.

実施の形態３の化合物半導体太陽電池３００は、電極１０、ＩｎＰ基板１１０、ＧａＩｎＰＡｓセル３２０、接合層３３０、接合層１４０、トンネル接合層１５０、ＧａＩｎＡｓセル３６０、トンネル接合層１７０、ＧａＩｎＰセル１８０、コンタクト層４０Ａ、及び電極５０を含む。   The compound semiconductor solar battery 300 of Embodiment 3 includes an electrode 10, an InP substrate 110, a GaInPAs cell 320, a bonding layer 330, a bonding layer 140, a tunnel bonding layer 150, a GaInAs cell 360, a tunnel bonding layer 170, a GaInP cell 180, and a contact. The layer 40A and the electrode 50 are included.

ここで、ＧａＩｎＰＡｓセル３２０は、ＩｎＰ系の光電変換セルであり、ＧａＩｎＡｓセル３６０は、ＧａＡｓ系の光電変換セルである。   Here, the GaInPAs cell 320 is an InP-based photoelectric conversion cell, and the GaInAs cell 360 is a GaAs-based photoelectric conversion cell.

ＧａＩｎＰＡｓセル３２０は、ＩｎＰ層１２１、Ｇａ（ｘ）ＩｎＰ（ｙ）Ａｓ層１２２、Ｇａ（ｘ）ＩｎＰ（ｙ）Ａｓ層１２３、及びＧａ（ｘ）ＩｎＰ層３２４を含む。すなわち、ＧａＩｎＰＡｓセル３２０は、実施の形態１のＧａＩｎＰＡｓセル１２０（図１参照）の［Ａｌ（ｘ）Ｇａ］（ｙ）ＩｎＡｓ層１２４を、Ｇａ（ｘ）ＩｎＰ層３２４に置き換えたものである。Ｇａ（ｘ）ＩｎＰ層３２４のバンドギャップは、１．４０ｅＶである。   The GaInPAs cell 320 includes an InP layer 121, a Ga (x) InP (y) As layer 122, a Ga (x) InP (y) As layer 123, and a Ga (x) InP layer 324. That is, the GaInPAs cell 320 is obtained by replacing the [Al (x) Ga] (y) InAs layer 124 of the GaInPAs cell 120 (see FIG. 1) of Embodiment 1 with a Ga (x) InP layer 324. The band gap of the Ga (x) InP layer 324 is 1.40 eV.

接合層３３０は、７％のＧａ組成を有し、０．５％の引っ張り歪を有するＧａＩｎＰ層で構成され、バンドギャップは１．４０ｅＶである。すなわち、接合層３３０は、実施の形態１の接合層１３０（Ｇａ組成：１０％）よりも、Ｇａ組成を低減したものである。   The bonding layer 330 is composed of a GaInP layer having a Ga composition of 7% and a tensile strain of 0.5%, and the band gap is 1.40 eV. That is, the bonding layer 330 has a lower Ga composition than the bonding layer 130 (Ga composition: 10%) of the first embodiment.

ＧａＩｎＡｓセル３６０は、ｐ型のＧａ（ｘ）ＩｎＰ層１６１、ｐ型のＧａ（ｘ）ＩｎＡｓ３６２、ｎ型のＧａ（ｘ）ＩｎＡｓ３６３、及びｎ型の［Ａｌ（ｘ）Ｇａ］（ｙ）ＩｎＰ層１６４を含む。   The GaInAs cell 360 includes a p-type Ga (x) InP layer 161, a p-type Ga (x) InAs 362, an n-type Ga (x) InAs 363, and an n-type [Al (x) Ga] (y) InP layer. 164.

すなわち、ＧａＩｎＡｓセル３６０は、実施の形態１のＧａＡｓセル１６０（図１参照）のうちの光電変換を行うｐｎ層を、１．５％のＩｎ組成を有し、０．１％の歪を有する、バンドギャップが１．４０ｅＶのＧａ（ｘ）ＩｎＡｓ３６２及びＧａ（ｘ）ＩｎＡｓ３６３に置き換えたものである。   That is, the GaInAs cell 360 has a pn layer that performs photoelectric conversion in the GaAs cell 160 (see FIG. 1) of the first embodiment, has an In composition of 1.5%, and has a strain of 0.1%. , Ga (x) InAs362 and Ga (x) InAs363 having a band gap of 1.40 eV.

ＧａＩｎＡｓセル３６０は、ＧａＡｓ基板２０に対する歪として０．１％程度であれば吸収層として十分な厚さを成長することができる。   The GaInAs cell 360 can grow to a sufficient thickness as an absorption layer if the strain to the GaAs substrate 20 is about 0.1%.

実施の形態３の化合物半導体太陽電池３００では、ＩｎＰ基板１１０の上に形成するＧａＩｎＰＡｓセル３２０の窓層として、バンドギャップが１．４ｅＶのＧａ（ｘ）ＩｎＰ層３２４を形成し、さらにその上の接合層３３０として、バンドギャップが１．４０ｅＶのＧａＩｎＰ接合層を形成している。   In the compound semiconductor solar battery 300 of the third embodiment, a Ga (x) InP layer 324 having a band gap of 1.4 eV is formed as a window layer of the GaInPAs cell 320 formed on the InP substrate 110, and further thereon As the bonding layer 330, a GaInP bonding layer having a band gap of 1.40 eV is formed.

この接合層３３０として用いるＧａＩｎＰ接合層は、７％のＧａ組成を有し、０．５％の引っ張り歪を有する、バンドギャップが１．４０ｅＶのＧａＩｎＰ接合層である。接合層３３０のバンドギャップ（１．４０ｅＶ）は、接合層３３０に光入射側において隣接する光電変換セルであるＧａＩｎＡｓセル３６０のバンドギャップ（１．４０ｅＶ）以上になるように設定されている。   The GaInP bonding layer used as the bonding layer 330 is a GaInP bonding layer having a Ga composition of 7%, a tensile strain of 0.5%, and a band gap of 1.40 eV. The band gap (1.40 eV) of the bonding layer 330 is set to be equal to or larger than the band gap (1.40 eV) of the GaInAs cell 360 that is a photoelectric conversion cell adjacent to the bonding layer 330 on the light incident side.

すなわち、接合層３３０として用いるＧａ（ｘ）ＩｎＰ層は、光の入射方向において自己よりも入射側（上流側）において隣接する光電変換セルであるＧａＩｎＡｓセル３６０で吸収されずに透過した光を吸収することなく、自己よりも光の入射方向において奥側のＧａＩｎＰＡｓセル３２０に誘導するために、上述のようなバンドギャップを有する。   That is, the Ga (x) InP layer used as the bonding layer 330 absorbs light that is transmitted without being absorbed by the GaInAs cell 360 that is a photoelectric conversion cell adjacent on the incident side (upstream side) of the light incident direction. In order to guide to the GaInPAs cell 320 on the back side in the light incident direction from the self, the band gap as described above is provided.

また、トンネル接合層１５０と接合層１４０のバンドギャップは、ＧａＩｎＡｓセル３６０のバンドギャップ（１．４０ｅＶ）よりも大きい１．４２ｅＶである。   The band gap between the tunnel junction layer 150 and the junction layer 140 is 1.42 eV, which is larger than the band gap (1.40 eV) of the GaInAs cell 360.

また、接合層３３０を透過した光が、ＧａＩｎＰＡｓセル３２０のＧａ（ｘ）ＩｎＰ（ｙ）Ａｓ層１２２とＧａ（ｘ）ＩｎＰ（ｙ）Ａｓ層１２３に確実に到達するようにするために、ＧａＩｎＰＡｓセル３２０の窓層であるＧａ（ｘ）ＩｎＰ層３２４のバンドギャップを、ＧａＩｎＡｓセル３６０のバンドギャップと等しい１．４０ｅＶに設定している。   In order to ensure that the light transmitted through the bonding layer 330 reaches the Ga (x) InP (y) As layer 122 and the Ga (x) InP (y) As layer 123 of the GaInPAs cell 320, GaInPAs. The band gap of the Ga (x) InP layer 324 that is the window layer of the cell 320 is set to 1.40 eV which is equal to the band gap of the GaInAs cell 360.

従来より、ウエハ同士を接合する接合層としてＩｎＰ層（１．３５ｅＶ）が用いられている。   Conventionally, an InP layer (1.35 eV) has been used as a bonding layer for bonding wafers to each other.

ここで、例えば、従来の化合物半導体太陽電池と同様に、接合層３３０としてＩｎＰ層を用いると、ＩｎＰのバンドギャップは、１．３５ｅＶであるため、ＧａＩｎＡｓセル３６０（１．４０ｅＶ）を透過した太陽光の一部を吸収してしまう。   Here, for example, when an InP layer is used as the bonding layer 330 as in the case of a conventional compound semiconductor solar cell, since the band gap of InP is 1.35 eV, the sun that has passed through the GaInAs cell 360 (1.40 eV). Absorbs part of the light.

このように、ＧａＩｎＡｓセル３６０（１．４０ｅＶ）を透過した太陽光の一部をＩｎＰ層で吸収してしまうと、エネルギー損失が生じるため、化合物半導体太陽電池の効率の低下の一因となる。   Thus, if part of the sunlight that has passed through the GaInAs cell 360 (1.40 eV) is absorbed by the InP layer, energy loss occurs, which contributes to a decrease in the efficiency of the compound semiconductor solar cell.

これに対して、実施の形態３の化合物半導体太陽電池３００では、このようなエネルギー損失の発生を抑制するために、ＧａＩｎＡｓセル３６０のバンドギャップと等しいバンドギャップを有するＧａ（ｘ）ＩｎＰ層を接合層３３０として用いている。   On the other hand, in the compound semiconductor solar battery 300 of Embodiment 3, in order to suppress the occurrence of such energy loss, a Ga (x) InP layer having a band gap equal to the band gap of the GaInAs cell 360 is joined. Used as the layer 330.

このため、実施の形態３によれば、高効率化を図った化合物半導体太陽電池３００、及び、化合物半導体太陽電池３００の製造方法を提供することができる。   For this reason, according to the third embodiment, it is possible to provide a compound semiconductor solar cell 300 and a method for manufacturing the compound semiconductor solar cell 300 that achieve high efficiency.

また、実施の形態３の化合物半導体太陽電池３００では、接合層３３０のバンドギャップを上述のように設定することに加えて、ＧａＩｎＰＡｓセル３２０の窓層であるＧａＩｎＰ層３２４のバンドギャップを、ＧａＩｎＡｓセル３６０と等しい１．４０ｅＶに設定している。   Further, in the compound semiconductor solar battery 300 of Embodiment 3, in addition to setting the band gap of the bonding layer 330 as described above, the band gap of the GaInP layer 324 that is the window layer of the GaInPAs cell 320 is changed to the GaInAs cell. It is set to 1.40 eV which is equal to 360.

このことによっても、化合物半導体太陽電池３００は、高効率化が図られている。   This also increases the efficiency of the compound semiconductor solar battery 300.

なお、実施の形態１の第２変形例と同様に、接合層１４０とｎ＋型のＧａＡｓ層１５１とを取り除いて接合層１３０とｐ＋型のＧａＡｓ層１５２とのトンネル接合を形成することにより、図７に示す化合物半導体太陽電池３００よりも、光の吸収を抑えるとともに、薄型化を図ってもよい。   As in the second modification of the first embodiment, the junction layer 140 and the n + type GaAs layer 151 are removed to form a tunnel junction between the junction layer 130 and the p + type GaAs layer 152. The light absorption may be suppressed and the thickness may be reduced as compared with the compound semiconductor solar battery 300 shown in FIG.

また、実施の形態３では、バンドギャップの大きい側のセルとして、ＧａＡｓ基板２０の上にＧａＡｓ格子整合系の材料を成長した場合について説明したが、ＧａＡｓ基板２０の代わりにＧｅ（ゲルマニウム）基板を用い、Ｇｅ基板の上にＧｅ（ゲルマニウム）格子整合系の材料を成長して用いてもよい。   In the third embodiment, the case where a GaAs lattice matching material is grown on the GaAs substrate 20 as the cell having the larger band gap has been described. However, instead of the GaAs substrate 20, a Ge (germanium) substrate is used. Alternatively, a Ge (germanium) lattice matching material may be grown on the Ge substrate.

この場合、ＧｅはＧａＡｓより格子定数がわずかに大きいが、格子整合できるように、ＧａＡｓ基板上に形成する材料に対して組成等を多少変更すればよい。特にＧｅに格子整合するＧａＩｎＡｓのＩｎ組成は１％程度であるため、実施の形態３のＩｎ組成が１．５％のＧａＩｎＡｓセル３６０は、ＧａＡｓ基板２０よりもＧｅ基板の方が結晶成長しやすい。   In this case, Ge has a slightly larger lattice constant than GaAs, but the composition or the like may be slightly changed with respect to the material formed on the GaAs substrate so that lattice matching can be achieved. In particular, since the In composition of GaInAs lattice-matched to Ge is approximately 1%, the GaInAs cell 360 having a 1.5% In composition according to the third embodiment is easier to grow on a Ge substrate than on a GaAs substrate 20. .

＜実施の形態４＞
図８は、実施の形態４の化合物半導体太陽電池４００を示す断面図である。 <Embodiment 4>
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a compound semiconductor solar battery 400 of the fourth embodiment.

実施の形態４の化合物半導体太陽電池４００は、実施の形態３の化合物半導体太陽電池３００のＩｎＰ基板１１０とＧａＩｎＰＡｓセル３２０との間に、ＧａＩｎＡｓセル２１０とトンネル接合層２２０を挿入することにより、４接合太陽電池にしたものである。   The compound semiconductor solar battery 400 of the fourth embodiment is obtained by inserting the GaInAs cell 210 and the tunnel junction layer 220 between the InP substrate 110 and the GaInPAs cell 320 of the compound semiconductor solar battery 300 of the third embodiment. It is a junction solar cell.

これは、実施の形態１の化合物半導体太陽電池１００のＩｎＰ基板１１０とＧａＩｎＰＡｓセル１２０との間に、ＧａＩｎＡｓセル２１０とトンネル接合層２２０を挿入することにより、実施の形態２の４接合型の化合物半導体太陽電池２００を作製したことと同様の関係である。   This is because the GaInAs cell 210 and the tunnel junction layer 220 are inserted between the InP substrate 110 and the GaInPAs cell 120 of the compound semiconductor solar battery 100 of the first embodiment, thereby forming the four-junction type compound of the second embodiment. The relationship is the same as that for producing the semiconductor solar cell 200.

以下、実施の形態１乃至３と同様の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。   Hereinafter, the same components as those in Embodiments 1 to 3 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

化合物半導体太陽電池４００は、化合物半導体太陽電池３００は、電極１０、ＩｎＰ基板１１０、ＧａＩｎＡｓセル２１０、トンネル接合層２２０、ＧａＩｎＰＡｓセル３２０、接合層３３０、接合層１４０、トンネル接合層１５０、ＧａＩｎＡｓセル３６０、トンネル接合層１７０、ＧａＩｎＰセル１８０、コンタクト層４０Ａ、及び電極５０を含む。   The compound semiconductor solar battery 400 is the same as the compound semiconductor solar battery 300 in which the electrode 10, the InP substrate 110, the GaInAs cell 210, the tunnel junction layer 220, the GaInPAs cell 320, the junction layer 330, the junction layer 140, the tunnel junction layer 150, and the GaInAs cell 360. , Tunnel junction layer 170, GaInP cell 180, contact layer 40 </ b> A, and electrode 50.

４つの光電変換セルであるＧａＩｎＰセル１８０、ＧａＩｎＡｓセル３６０、ＧａＩｎＰＡｓセル３２０、及びＧａＩｎＡｓセル２１０のバンドギャップの組み合わせは、１．９ｅＶ／１．４０ｅＶ／１．０ｅＶ／０．７５ｅＶである。   The combination of the band gaps of the four photoelectric conversion cells, GaInP cell 180, GaInAs cell 360, GaInPAs cell 320, and GaInAs cell 210, is 1.9 eV / 1.40 eV / 1.0 eV / 0.75 eV.

実施の形態４の化合物半導体太陽電池４００は、ＧａＩｎＡｓセル２１０（０．７５ｅＶ）、ＧａＩｎＰＡｓセル３２０（１．０ｅＶ）、ＧａＩｎＡｓセル３６０（１．４０ｅＶ）、ＧａＩｎＰセル１８０（１．９ｅＶ）を直列接続した４接合型太陽電池である。   In the compound semiconductor solar battery 400 of Embodiment 4, a GaInAs cell 210 (0.75 eV), a GaInPAs cell 320 (1.0 eV), a GaInAs cell 360 (1.40 eV), and a GaInP cell 180 (1.9 eV) are connected in series. 4 junction solar cells.

図８において、光の入射方向は、図中上から下に向かう方向（ＧａＩｎＰセル１８０からＧａＩｎＡｓセル２１０に向かう方向）である。   In FIG. 8, the incident direction of light is a direction from the top to the bottom in the figure (a direction from the GaInP cell 180 to the GaInAs cell 210).

実施の形態４の化合物半導体太陽電池４００は、ＧａＩｎＰセル１８０、ＧａＩｎＡｓセル３６０、ＧａＩｎＰＡｓセル３２０、及びＧａＩｎＡｓセル２１０の４つの光電変換セルにより、１．９ｅＶ／１．４０ｅＶ／１．０ｅＶ／０．７５ｅＶというバンドギャップの組み合わせを有する。   The compound semiconductor solar battery 400 of Embodiment 4 includes 1.9 eV / 1.40 eV / 1.0 eV / 0 .0 by four photoelectric conversion cells of a GaInP cell 180, a GaInAs cell 360, a GaInPAs cell 320, and a GaInAs cell 210. It has a band gap combination of 75 eV.

このため、実施の形態４によれば、実施の形態３の化合物半導体太陽電池３００よりも、さらにエネルギー変換効率の高い化合物半導体太陽電池４００を提供することができる。   For this reason, according to the fourth embodiment, it is possible to provide the compound semiconductor solar battery 400 having higher energy conversion efficiency than the compound semiconductor solar battery 300 of the third embodiment.

なお、実施の形態１の第２変形例と同様に、接合層１４０とｎ＋型のＧａＡｓ層１５１とを取り除いて接合層１３０とｐ＋型のＧａＡｓ層１５２とのトンネル接合を形成することにより、図８に示す化合物半導体太陽電池４００よりも、光の吸収を抑えるとともに、薄型化を図ってもよい。   As in the second modification of the first embodiment, the junction layer 140 and the n + type GaAs layer 151 are removed to form a tunnel junction between the junction layer 130 and the p + type GaAs layer 152. The absorption of light may be suppressed and the thickness may be reduced as compared with the compound semiconductor solar battery 400 shown in FIG.

また、実施の形態４では、バンドギャップの大きい側のセルとして、ＧａＡｓ基板２０の上にＧａＡｓ格子整合系の材料を成長した場合について説明したが、ＧａＡｓ基板２０の代わりにＧｅ（ゲルマニウム）基板を用い、Ｇｅ基板の上にＧｅ（ゲルマニウム）格子整合系の材料を成長して用いてもよい。   In the fourth embodiment, the case where a GaAs lattice matching material is grown on the GaAs substrate 20 as the cell having the larger band gap has been described. However, instead of the GaAs substrate 20, a Ge (germanium) substrate is used. Alternatively, a Ge (germanium) lattice matching material may be grown on the Ge substrate.

この場合、ＧｅはＧａＡｓより格子定数がわずかに大きいが、格子整合できるように、ＧａＡｓ基板上に形成する材料に対して組成等を多少変更すればよい。特にＧｅに格子整合するＧａＩｎＡｓのＩｎ組成は１％程度であるため、実施の形態４のＩｎ組成が１．５％のＧａＩｎＡｓセル３６０は、ＧａＡｓ基板２０よりもＧｅ基板の方が結晶成長しやすい。   In this case, Ge has a slightly larger lattice constant than GaAs, but the composition or the like may be slightly changed with respect to the material formed on the GaAs substrate so that lattice matching can be achieved. In particular, since the In composition of GaInAs lattice-matched to Ge is about 1%, the Ga substrate having the In composition of 1.5% according to the fourth embodiment is more easily grown on the Ge substrate than on the GaAs substrate 20. .

以上、本発明の例示的な実施の形態の化合物半導体太陽電池、及び、化合物半導体太陽電池の製造方法について説明したが、本発明は、具体的に開示された実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。   The compound semiconductor solar battery and the method for manufacturing the compound semiconductor solar battery according to the exemplary embodiments of the present invention have been described above, but the present invention is not limited to the specifically disclosed embodiments. In addition, various modifications and changes can be made without departing from the scope of the claims.

１００ 化合物半導体太陽電池
１０ 電極
２０ ＧａＡｓ基板
３０ ＩｎＰエッチングストップ層
４０ ＧａＡｓコンタクト層
４０Ａ コンタクト層
５０ 電極
１１０ ＩｎＰ基板
１２０ ＧａＩｎＰＡｓセル
１３０ 接合層
１４０ 接合層
１５０ トンネル接合層
１６０ ＧａＡｓセル
１７０ トンネル接合層
１８０ ＧａＩｎＰセル
２００ 化合物半導体太陽電池
２１０ ＧａＩｎＡｓセル
２２０ トンネル接合層
３００ 化合物半導体太陽電池
３２０ ＧａＩｎＰＡｓセル
３３０ 接合層
３６０ ＧａＩｎＡｓセル
４００ 化合物半導体太陽電池 DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Compound semiconductor solar cell 10 Electrode 20 GaAs substrate 30 InP etching stop layer 40 GaAs contact layer 40A Contact layer 50 Electrode 110 InP substrate 120 GaInPAs cell 130 Junction layer 140 Junction layer 150 Tunnel junction layer 160 GaAs cell 170 Tunnel junction layer 180 GaInP cell 200 Compound Semiconductor Solar Cell 210 GaInAs Cell 220 Tunnel Junction Layer 300 Compound Semiconductor Solar Cell 320 GaInPAs Cell 330 Junction Layer 360 GaInAs Cell 400 Compound Semiconductor Solar Cell

Proceedings of the 29st IEEE Photovoltaic Specialists Conference (2010) pp.412-417.Proceedings of the 29st IEEE Photovoltaic Specialists Conference (2010) pp.412-417. Applied Physics Letters,101,191111 (2012).）Applied Physics Letters, 101, 191111 (2012).)

特開2002-289884号公報JP 2002-289884 JP 米国特許出願公開第2012/0138116号明細書US Patent Application Publication No. 2012/0138116

Claims (12)

ＩｎＰ基板と、
第１化合物半導体材料で作製され、前記ＩｎＰ基板に積層される、１又は複数の第１光電変換セルと、
第２化合物半導体材料で作製され、前記１又は複数の第１光電変換セルに積層される第１の接合層と、
前記第１の接合層と接合される第２の接合層と、
第３化合物半導体材料で作製され、前記第１の接合層及び前記第２の接合層によって前記１又は複数の第１光電変換セルに接合され、光の入射方向において前記１又は複数の第１光電変換セルよりも入射側に配設される、１又は複数の第２光電変換セルと
を含み、
前記１又は複数の第１光電変換セルと、前記１又は複数の第２光電変換セルとのバンドギャップは、前記入射方向の入射側から奥側に向かう順に小さく、
前記第１の接合層のバンドギャップは、前記第２光電変換セルが１つである場合は当該１つの第２光電変換セルのバンドギャップ以上であり、前記第２光電変換セルが複数である場合は当該複数の第２光電変換セルのうちの少なくとも１つの第２光電変換セルのバンドギャップ以上であり、
前記第１の接合層は、ＩｎＰに対して引っ張り歪を有するＧａＩｎＰ、もしくはＧａＰＳｂを含む、化合物半導体太陽電池。 An InP substrate;
One or a plurality of first photoelectric conversion cells made of a first compound semiconductor material and stacked on the InP substrate;
A first bonding layer made of a second compound semiconductor material and stacked on the one or more first photoelectric conversion cells;
A second bonding layer bonded to the first bonding layer;
Made of a third compound semiconductor material, bonded to the one or more first photoelectric conversion cells by the first bonding layer and the second bonding layer , and the one or more first photoelectric cells in the incident direction of light. Including one or a plurality of second photoelectric conversion cells disposed on the incident side of the conversion cell,
The band gap between the one or more first photoelectric conversion cells and the one or more second photoelectric conversion cells is small in order from the incident side to the back side in the incident direction,
The band gap of the first bonding layer is equal to or larger than the band gap of the one second photoelectric conversion cell when the number of the second photoelectric conversion cells is one, and the number of the second photoelectric conversion cells is plural. Is greater than or equal to the band gap of at least one second photoelectric conversion cell of the plurality of second photoelectric conversion cells,
The first bonding layer is a compound semiconductor solar cell including GaInP or GaPSb having tensile strain with respect to InP. ＩｎＰ基板と、
第１化合物半導体材料で作製され、前記ＩｎＰ基板に積層される、１又は複数の第１光電変換セルと、
第２化合物半導体材料で作製され、前記１又は複数の第１光電変換セルに積層される第１の表面層と、
前記第１の表面層と、固定部によって接合される第２の表面層と、
第３化合物半導体材料で作製され、前記第１の表面層、前記固定部及び前記第２の表面層によって前記１又は複数の第１光電変換セルに接合され、光の入射方向において前記１又は複数の第１光電変換セルよりも入射側に配設される、１又は複数の第２光電変換セルと
を含み、
前記１又は複数の第１光電変換セルと、前記１又は複数の第２光電変換セルとのバンドギャップは、前記入射方向の入射側から奥側に向かう順に小さく、
前記第１の表面層のバンドギャップは、前記第２光電変換セルが１つである場合は当該１つの第２光電変換セルのバンドギャップ以上であり、前記第２光電変換セルが複数である場合は当該複数の第２光電変換セルのうちの少なくとも１つの第２光電変換セルのバンドギャップ以上であり、
前記第１の表面層は、ＩｎＰに対して引っ張り歪を有するＧａＩｎＰ、もしくはＧａＰＳｂを含む、化合物半導体太陽電池。 An InP substrate;
One or a plurality of first photoelectric conversion cells made of a first compound semiconductor material and stacked on the InP substrate;
A first surface layer made of a second compound semiconductor material and stacked on the one or more first photoelectric conversion cells;
The first surface layer and the second surface layer joined by the fixing portion;
Made by the third compound semiconductor material, the first surface layer, the fixed portion and is joined to the one or more first photoelectric conversion cell by the second surface layer, before Te incident direction odor of light SL 1 Or one or more second photoelectric conversion cells disposed on the incident side with respect to the plurality of first photoelectric conversion cells ;
It includes,
The band gap between the one or more first photoelectric conversion cells and the one or more second photoelectric conversion cells is small in order from the incident side to the back side in the incident direction,
When the number of the second photoelectric conversion cells is one, the band gap of the first surface layer is equal to or more than the band gap of the one second photoelectric conversion cell, and the number of the second photoelectric conversion cells is plural. Is greater than or equal to the band gap of at least one second photoelectric conversion cell of the plurality of second photoelectric conversion cells,
The first surface layer is a compound semiconductor solar cell including GaInP having a tensile strain with respect to InP or GaPSb. 請求項１記載の前記第１の接合層のバンドギャップは、前記入射方向において前記第２の接合層に隣接する第２光電変換セルのバンドギャップ以上である、又は、請求項２記載の前記第１の表面層のバンドギャップは、前記入射方向において前記第２の表面層に隣接する第２光電変換セルのバンドギャップ以上である、化合物半導体太陽電池。 Band gap of the first bonding layer described in claim 1, wherein is in the incident direction and the second or more band gap of the second photoelectric conversion cells adjacent to the bonding layer, or the second aspect of the The band gap of the surface layer of 1 is a compound semiconductor solar cell which is more than the band gap of the second photoelectric conversion cell adjacent to the second surface layer in the incident direction. 前記第１の接合層及び前記第２の接合層を含む接合層は、前記光の入射方向において前記接合層に隣接する前記第２光電変換セルと、前記光の入射方向において前記接合層より奥側において前記接合層に隣接する前記第１光電変換セルとの間にトンネル接合を形成する、請求項１記載の化合物半導体太陽電池。 The bonding layer including the first bonding layer and the second bonding layer includes a second photoelectric conversion cell adjacent to the bonding layer in the light incident direction and a depth deeper than the bonding layer in the light incident direction. The compound semiconductor solar battery according to claim 1, wherein a tunnel junction is formed between the first photoelectric conversion cell adjacent to the junction layer on the side. 前記第１の接合層及び前記第２の接合層は、トンネル接合を形成する、請求項１記載の化合物半導体太陽電池。The compound semiconductor solar cell according to claim 1, wherein the first bonding layer and the second bonding layer form a tunnel junction. 前記１又は複数の第１光電変換セルのうち、前記入射方向において最も手前側に位置する第１光電変換セルは、ＩｎＰ系の光電変換セルであり、前記１又は複数の第２光電変換セルのうち、前記入射方向において最も奥側に位置する第２光電変換セルは、ＧａＡｓ系の光電変換セルである、請求項１乃至５のいずれか一項記載の化合物半導体太陽電池。 Of the one or more first photoelectric conversion cells, the first photoelectric conversion cell located closest to the incident direction is an InP-based photoelectric conversion cell, and the one or more second photoelectric conversion cells among them, the second photoelectric conversion cell located farthest side in the incident direction is a photoelectric conversion cell of GaAs-based compound semiconductor solar cell of any one of claims 1 to 5. 前記第１光電変換セルは、前記入射方向における入射側に、前記１又は複数の第２光電変換セルのうち前記入射方向の最も奥側に位置する第２光電変換セルのバンドギャップ以上のバンドギャップを有する、窓層を含む、請求項１乃至６のいずれか一項記載の化合物半導体太陽電池。 The first photoelectric conversion cell has a band gap greater than or equal to a band gap of a second photoelectric conversion cell located on the innermost side in the incident direction among the one or more second photoelectric conversion cells on the incident side in the incident direction. the a, comprises a window layer, a compound semiconductor solar cell of any one of claims 1 to 6. 前記窓層は、ＧａＩｎＰ、ＧａＰＳｂ、Ａｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ、Ａｌ（Ｇａ）ＡｓＳｂ、Ａｌ（Ｇａ）ＰＳｂ、Ａｌ（Ｉｎ）ＰＳｂのいずれかである、請求項７記載の化合物半導体太陽電池。 8. The compound semiconductor solar cell according to claim 7 , wherein the window layer is any one of GaInP, GaPSb, Al (Ga) InAs, Al (Ga) AsSb, Al (Ga) PSb, and Al (In) PSb. 前記１又は複数の第２光電変換セルのうち、少なくとも１つの光電変換セルはＧａＡｓに対して圧縮歪を有するＧａＩｎＡｓである、請求項１乃至８のいずれか一項記載の化合物半導体太陽電池。 Among the one or more second photoelectric conversion cell, the at least one photoelectric conversion cell is a GaInAs having a compressive strain with respect to GaAs, the compound semiconductor solar cell of any one of claims 1 to 8. 前記１又は複数の第１光電変換セルと、前記１又は複数の第２光電変換セルとにより、少なくとも３つの光電変換セルが積層方向に光学的に直列接続された多接合セルである、請求項１乃至９のいずれか一項記載の化合物半導体太陽電池。 The multi-junction cell in which at least three photoelectric conversion cells are optically connected in series in the stacking direction by the one or more first photoelectric conversion cells and the one or more second photoelectric conversion cells. 10. The compound semiconductor solar cell according to any one of 1 to 9 . （Ａｌ）ＧａＩｎＰ（Ａｓ）で構成されるＧａＡｓ格子整合系材料セルと、ＧａＩｎ（Ｐ）Ａｓで構成されるＩｎＰ格子整合系材料セルを、少なくとも含む、請求項１０記載の化合物半導体太陽電池。 The compound semiconductor solar battery according to claim 10 , comprising at least a GaAs lattice matching material cell composed of (Al) GaInP (As) and an InP lattice matching material cell composed of GaIn (P) As. 第１化合物半導体基板に、第１化合物半導体材料で１又は複数の第１光電変換セルを積層する工程と、
前記１又は複数の第１光電変換セルに、第２化合物半導体材料で接合層を形成する工程と、
第２化合物半導体基板に、第３化合物半導体材料で、光の入射方向において前記１又は複数の第１光電変換セルよりも入射側に配設される、１又は複数の第２光電変換セルを形成する工程と、
前記接合層を前記１又は複数の第２光電変換セルに接合する工程と、
前記第２化合物半導体基板を除去する工程と
を含み、
前記１又は複数の第１光電変換セルと、前記１又は複数の第２光電変換セルとのバンドギャップは、前記入射方向の入射側から奥側に向かう順に小さく、かつ、前記接合層のバンドギャップは、前記１又は複数の第２光電変換セルのバンドギャップ以上であり、
前記接合層は、ＩｎＰに対して引っ張り歪を有するＧａＩｎＰ、もしくはＧａＰＳｂである、化合物半導体太陽電池の製造方法。 Laminating one or more first photoelectric conversion cells with a first compound semiconductor material on a first compound semiconductor substrate;
Forming a bonding layer with a second compound semiconductor material in the one or more first photoelectric conversion cells;
One or a plurality of second photoelectric conversion cells are formed on the second compound semiconductor substrate with a third compound semiconductor material and disposed closer to the incident side than the one or more first photoelectric conversion cells in the light incident direction. And a process of
Bonding the bonding layer to the one or more second photoelectric conversion cells;
Removing the second compound semiconductor substrate,
The band gap between the one or more first photoelectric conversion cells and the one or more second photoelectric conversion cells is small in order from the incident side to the back side in the incident direction, and the band gap of the bonding layer Is greater than or equal to the band gap of the one or more second photoelectric conversion cells,
The method for manufacturing a compound semiconductor solar cell, wherein the bonding layer is GaInP or GaPSb having tensile strain with respect to InP.
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