JP6436226B2 - Light emitting load driving device and light emitting device - Google Patents
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Description
本発明は、例えばLED(発光ダイオード)等を駆動する発光負荷の駆動装置及びそれを備える発光装置に関する。 The present invention relates to a light emitting load driving device for driving, for example, an LED (light emitting diode) and a light emitting device including the driving device.
直列接続された複数個のLEDのいずれか1個が断線しても他のLEDは消灯しないようにする、従来の発光負荷の駆動装置及び発光装置が特許文献1に記載される。従来の駆動装置は、LEDに並列接続された断線検出回路及びバイパススイッチを備える。LEDが断線すると、バイパススイッチをオンさせることでLED電流の代替路が確保される。また、LEDの断線は、ワイヤードOR回路を介して駆動装置の外部に出力される。
従来の駆動装置においてLEDが断線すると、LED電流がバイパススイッチ及び断線検出回路に流れる。そのため、LED電流の大きさに応じた電力損失が断線検出回路において発生する。LEDが小信号用LEDであれば、断線検出回路における電力損失は小さく無視できるが、LEDが一般照明用や車両前照灯用などのパワーLEDの場合、電力損失が非常に大きくなってしまう。また、パワーLEDの場合、放熱性を考慮した大型の個別部品で断線検出回路を構成しなければならず、実装面積及びコストの問題がある。 When the LED is disconnected in the conventional driving device, the LED current flows through the bypass switch and the disconnection detection circuit. Therefore, a power loss corresponding to the magnitude of the LED current occurs in the disconnection detection circuit. If the LED is a small-signal LED, the power loss in the disconnection detection circuit is small and can be ignored, but if the LED is a power LED for general lighting or a vehicle headlamp, the power loss becomes very large. Further, in the case of a power LED, the disconnection detection circuit must be configured with large individual components in consideration of heat dissipation, and there are problems of mounting area and cost.
本発明は、電力損失が低減され、実装面積を抑え低コストに構成される異常検出部を備える発光負荷の駆動装置及び発光装置を提供する。 The present invention provides a light-emitting load driving device and a light-emitting device including an abnormality detecting unit configured to reduce power loss, reduce the mounting area, and be configured at low cost.
本発明によれば、発光負荷の駆動装置は、第1の発光素子と第2の発光素子とが直列接続されてなるとともにその両端に第1の電位差が印加される発光負荷を駆動する、発光負荷の駆動装置であって、前記第1の発光素子と第2の発光素子とのそれぞれの発光素子に並列に接続され、前記発光素子に流れる電流をバイパスすることで前記発光負荷を調光するスイッチング素子と、前記スイッチング素子をスイッチング駆動する駆動信号出力部と、前記第1の発光素子に接続され、且つ前記第1の電位差よりも小さい第2の電位差により駆動される異常検出部と、を備え、前記異常検出部は、前記第1の発光素子の両端電圧に基づき前記スイッチング駆動に同期した異常検出信号を出力することを特徴とする。 According to the present invention, a light emitting load driving device drives a light emitting load in which a first light emitting element and a second light emitting element are connected in series and a first potential difference is applied to both ends thereof. A load driving device, connected in parallel to each of the first light emitting element and the second light emitting element, and dimming the light emitting load by bypassing a current flowing through the light emitting element. A switching element, a drive signal output unit for switching the switching element, and an abnormality detection unit connected to the first light emitting element and driven by a second potential difference smaller than the first potential difference. And the abnormality detection unit outputs an abnormality detection signal synchronized with the switching drive based on a voltage between both ends of the first light emitting element .
本発明によれば、発光負荷に印加される第1の電位差よりも小さい第2の電位差により駆動される異常検出部を備え、異常検出部が、第1の発光素子の両端電圧に基づきスイッチング駆動に同期した異常検出信号を出力するので、電力損失が低減され、実装面積を抑え低コストに構成される異常検出部を備える発光負荷の駆動装置及び発光装置を提供できる。また、発光素子の断線状態を検出することができる。 According to the present invention, the abnormality detection unit driven by the second potential difference smaller than the first potential difference applied to the light emitting load is provided , and the abnormality detection unit performs switching driving based on the both-ends voltage of the first light emitting element. Since an abnormality detection signal synchronized with the output is output , power loss is reduced, and a light emitting load driving device and a light emitting device including an abnormality detecting unit configured to reduce the mounting area and cost can be provided. In addition, the disconnection state of the light emitting element can be detected.
次に、図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであることに留意すべきである。又、以下に示す実施形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の実施形態は、構成部品の構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の実施形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。 Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description of the drawings, the same or similar parts are denoted by the same or similar reference numerals. However, it should be noted that the drawings are schematic. Further, the embodiments described below exemplify apparatuses and methods for embodying the technical idea of the present invention, and the embodiments of the present invention have the following structure and arrangement of components. It is not something specific. The embodiment of the present invention can be variously modified within the scope of the claims.
図1は、本発明の実施形態に係る発光負荷の駆動装置及び発光装置の構成を示す回路図である。本発明の実施形態に係る発光装置は、複数の発光素子Dからなり、その両端に第1の電源Vdc1から第1の電位差V1を印加される発光負荷2と、発光負荷2を駆動する駆動装置1と、を備える。駆動装置1は、発光負荷2を調光するスイッチング素子Mと、スイッチング素子Mをスイッチング駆動する駆動信号出力部12と、発光素子Dに接続され、且つ、第2の電源Vdc2から印加される第1の電位差V1よりも小さい第2の電位差V2により駆動される異常検出部13と、を備える。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a light emitting load driving device and a light emitting device according to an embodiment of the present invention. The light-emitting device according to the embodiment of the present invention includes a light-emitting
発光負荷2は、複数の発光素子D1,D2・・・,Dnを備える。発光装置は、発光制御部3に接続される。発光素子D1,D2・・・,Dnは、例えばLEDである。発光素子D1,D2・・・,Dnは、第1の電源Vdc1の正の端子と負の端子との間において互いに直列接続される。発光負荷2は、第1の電源Vdc1から第1の電圧V1を印加される。発光装置は、発光制御部3から出力される制御信号SC1,SC2・・・,SCnに基づき、第1の電源Vdc1から供給される直流電源を発光素子D1,D2・・・,Dnに供給する。The
駆動装置1は、複数のスイッチング素子M1,M2・・・,Mnと、ゲート駆動部10と、を備える。駆動装置1は、例えば、単一の半導体集積回路として構成される。駆動装置1は、発光負荷2と発光制御部3と第1の電源Vdc1とに接続される。駆動装置1は、発光制御部3から出力される制御信号SC1,SC2・・・,SCnに基づき、発光素子D1,D2・・・,Dnの輝度を個別に調整する。発光制御部3は、ASICやFPGA等を用いたディジタル回路や、マイコンなどにより構成される。発光制御部3は、発光素子D1,D2・・・,Dnの発光輝度を個別に定めるためにパルス状の制御信号SC1,SC2・・・,SCnを出力する。The
複数のスイッチング素子M1,M2・・・,Mnは、例えばMOSFETである。スイッチング素子M1,M2・・・,Mnは、第1の電源Vdc1の正の端子と負の端子との間において互いに直列接続される。スイッチング素子M1,M2・・・,Mnのそれぞれは、発光素子D1,D2・・・,Dnのそれぞれに並列接続される。スイッチング素子M1,M2・・・,Mnがオフ状態のとき、第1の電源Vdc1から供給される直流電流は、発光素子D1,D2・・・,Dnを流れる。スイッチング素子M1,M2・・・,Mnのそれぞれは、オン状態のとき、第1の電位差V1に基づき複数の発光素子D1,D2・・・,Dnのそれぞれに流れる電流ILEDをバイパスすることで、発光負荷2を調光する。The plurality of switching elements M1, M2,..., Mn are, for example, MOSFETs. The switching elements M1, M2,..., Mn are connected in series between the positive terminal and the negative terminal of the first power supply Vdc1. The switching elements M1, M2,..., Mn are connected in parallel to the light emitting elements D1, D2,. When the switching elements M1, M2,..., Mn are in the off state, the direct current supplied from the first power supply Vdc1 flows through the light emitting elements D1, D2,. Each of the switching elements M1, M2,..., Mn bypasses the current I LED flowing through each of the plurality of light emitting elements D1, D2,..., Dn based on the first potential difference V1 when in the on state. The
本実施形態に係るゲート駆動部10は、信号処理部11と複数の駆動信号出力部12−1,12−2,・・・12−nと複数の異常検出部13−1,13−2,・・・13−nとを備える。ゲート駆動部10は、発光制御部3から出力される制御信号SC1,SC2・・・,SCnに基づき、ハイレベル及びローレベルを繰り返すパルス状の駆動信号S1,S2・・・,Snを生成する。駆動信号S1,S2・・・,Snのハイレベル及びローレベルの割合(Duty)は、制御信号SC1,SC2・・・,SCnに基づき変調される。駆動信号S1,S2・・・,Snは、駆動信号出力部12−1,12−2,・・・12−nを介して、スイッチング素子M1,M2・・・,Mnのゲート端子に出力される。ゲート駆動部10は、スイッチング素子M1,M2・・・,Mnを個別にPWM(Pulse Width Modulation)駆動する。例えば、第1の駆動信号S1がハイレベルのとき、第1のスイッチング素子M1はターンオンし、発光負荷は消灯する。第1の駆動信号S1がローレベルのとき、第1のスイッチング素子M1はターンオフし、発光負荷は点灯する。ゲート駆動部10は、制御信号SC1,SC2・・・,SCnに応じて各スイッチング素子のオン状態の時間及びオフ状態の時間を制御することで、発光素子D1,D2・・・,Dnの輝度を個別に調整する。The
信号処理部11は、発光制御部3と信号出力部12−1,12−2・・・,12−nと異常検出部13−1,13−2・・・,13−nとに接続される。信号処理部11は、制御信号SC1,SC2・・・,SCnを駆動信号S1,S2・・・,Snに変換して信号出力部12−1,12−2・・・12−nに出力する。また、信号処理部11は、異常検出部13−1,13−2・・・,13−nから出力される異常信号を発光制御部3に出力する。The
駆動信号出力部12−1,12−2・・・,12−nは、信号処理部11とスイッチング素子M1,M2・・・,Mnとに接続される。駆動信号出力部12−1,12−2・・・,12−nは、駆動信号S1,S2・・・,Snがハイレベルのとき、スイッチング素子M1,M2・・・,Mnをオン状態に制御する。駆動信号出力部12−1,12−2・・・,12−nは、駆動信号S1,S2・・・,Snがローレベルのとき、スイッチング素子M1,M2・・・,Mnをオフ状態に制御する。The drive signal output units 12-1, 12-2,..., 12-n are connected to the
図2は、本発明の第1の実施例に係る異常検出部の構成を示す回路図である。ここでは、第1の発光素子D1に接続される第1の異常検出部13−1について説明し、同様の構成である第2の異常検出部及び第nの異常検出部についての説明を省略する。第1の異常検出部13−1は、入力端子T1a,T1bを介して第1の発光素子D1の両端に接続され、電源端子Tvccを介して第2の電源Vdc2に接続され、第2の電源Vdc2から印加される第2の電位差V2により駆動される。第2の電位差Vdc2は、第1の電位差V1よりも小さく設定される。第1の異常検出部13−1は、第1の変換部R1と第2の変換部R2と第1のカレントミラー回路Q1,Q2と第2のカレントミラー回路Q3〜Q5と起動抵抗R3とを備える。 FIG. 2 is a circuit diagram showing the configuration of the abnormality detection unit according to the first embodiment of the present invention. Here, the first abnormality detection unit 13-1 connected to the first light emitting element D1 will be described, and description of the second abnormality detection unit and the nth abnormality detection unit having the same configuration will be omitted. . The first abnormality detection unit 13-1 is connected to both ends of the first light emitting element D1 through the input terminals T1a and T1b, is connected to the second power supply Vdc2 through the power supply terminal Tvcc, and is connected to the second power supply. It is driven by the second potential difference V2 applied from Vdc2. The second potential difference Vdc2 is set smaller than the first potential difference V1. The first abnormality detector 13-1 includes the first converter R1, the second converter R2, the first current mirror circuits Q1 and Q2, the second current mirror circuits Q3 to Q5, and the starting resistor R3. Prepare.
第1の変換部R1は、第1の発光素子D1の両端電圧を電流信号に変換して出力する。第1の変換部R1の一端は入力端子T1bを介して第1の発光素子D1のカソードに接続され、他端は第2のトランジスタQ2のエミッタに接続される。第2の変換部R2は、第1の変換部R1から出力される電流信号を電圧信号に変換して出力する。第2の変換部R2の一端は接地され、他端は第3のトランジスタQ3のコレクタに接続される。第1の変換部R1と第2の変換部R2とは、周知のポリシリコン抵抗、拡散抵抗など互いに等しい温度特性を有する抵抗素子であることが好ましい。 The first conversion unit R1 converts the voltage across the first light emitting element D1 into a current signal and outputs the current signal. One end of the first conversion unit R1 is connected to the cathode of the first light emitting element D1 via the input terminal T1b, and the other end is connected to the emitter of the second transistor Q2. The second conversion unit R2 converts the current signal output from the first conversion unit R1 into a voltage signal and outputs the voltage signal. One end of the second conversion unit R2 is grounded, and the other end is connected to the collector of the third transistor Q3. The first conversion unit R1 and the second conversion unit R2 are preferably resistance elements having the same temperature characteristics such as a well-known polysilicon resistance and diffusion resistance.
第1のトランジスタQ1と第2のトランジスタQ2とは、それぞれNPNトランジスタであり、第1の変換部R1に接続される第1のカレントミラー回路を構成する。第1のトランジスタQ1のエミッタは、入力端子T1aを介して第1の発光素子D1のアノードに接続され、コレクタは第5のトランジスタQ5のコレクタに接続される。第1のトランジスタQ1のベースは、第2のトランジスタQ2のベースに接続されるとともに、自身のコレクタに接続される。第2のトランジスタQ2のコレクタは、第4のトランジスタQ4のコレクタに接続される。 The first transistor Q1 and the second transistor Q2 are NPN transistors, respectively, and constitute a first current mirror circuit connected to the first conversion unit R1. The emitter of the first transistor Q1 is connected to the anode of the first light emitting element D1 via the input terminal T1a, and the collector is connected to the collector of the fifth transistor Q5. The base of the first transistor Q1 is connected to the base of the second transistor Q2 and to its own collector. The collector of the second transistor Q2 is connected to the collector of the fourth transistor Q4.
第3のトランジスタQ3と第4のトランジスタQ4と第5のトランジスタQ5とは、それぞれPNPトランジスタであり、第2の変換部R2に接続される第2のカレントミラー回路を構成する。第3のトランジスタQ3のエミッタは、第4及び第5のトランジスタQ4,Q5のエミッタとともに、電源端子Tvccを介して第2の電源Vdc2に接続される。第3のトランジスタQ3のベースは、第4及び第5のトランジスタQ4,Q5のベースに接続される。第4のトランジスタQ4のコレクタは、自身のベースに接続される。第5のトランジスタQ5のコレクタとエミッタとは、起動抵抗R3の両端に接続される。また、第3のトランジスタQ3のコレクタと第2の変換部R2との接続点は、出力端子To1を介して断線検出コンパレータComp_openの非反転入力端子に接続される。 The third transistor Q3, the fourth transistor Q4, and the fifth transistor Q5 are PNP transistors, respectively, and constitute a second current mirror circuit connected to the second conversion unit R2. The emitter of the third transistor Q3 is connected to the second power supply Vdc2 through the power supply terminal Tvcc together with the emitters of the fourth and fifth transistors Q4 and Q5. The base of the third transistor Q3 is connected to the bases of the fourth and fifth transistors Q4 and Q5. The collector of the fourth transistor Q4 is connected to its base. The collector and emitter of the fifth transistor Q5 are connected to both ends of the starting resistor R3. The connection point between the collector of the third transistor Q3 and the second conversion unit R2 is connected to the non-inverting input terminal of the disconnection detection comparator Comp_open via the output terminal To1.
第1及び第2のトランジスタQ1,Q2のベース・エミッタ間電圧が同じVFとすると、第2のトランジスタQ2のエミッタ電圧は、入力端子T1aの端子電圧と等しくなる。そのため、第1の変換部R1の両端電圧VR1は、入力端子T1a,T1b間の電位差すなわち第1の発光素子D1の両端電圧をVD1と等しくなる。第1の変換部R1に流れる第1の電流I1の大きさは、電圧VD1に応じて変化する。すなわち、第1の変換部R1は、第1の発光素子D1の両端電圧VD1を電流信号I1に変換して出力する。第2のカレントミラー回路は、第1の電流I1を第2の電流I2として折り返し第2の変換部R2に供給する。第2の変換部R2の両端電圧VR2は、第2の電流I2の大きさに応じて変化する。すなわち、第2の変換部R2は、電流信号I2を電圧信号VR2に変換して出力する。 If the base-emitter voltage of the first and second transistors Q1, Q2 is the same VF, the emitter voltage of the second transistor Q2 becomes equal to the terminal voltage of the input terminal T1a. Therefore, the voltage VR1 across the first converter R1 is equal to the potential difference between the input terminals T1a and T1b, that is, the voltage across the first light emitting element D1 is equal to VD1. The magnitude of the first current I1 flowing through the first converter R1 changes according to the voltage VD1. That is, the first converter R1 converts the voltage VD1 across the first light emitting element D1 into a current signal I1 and outputs it. The second current mirror circuit returns the first current I1 as the second current I2 and supplies it to the second conversion unit R2. The voltage VR2 across the second converter R2 changes according to the magnitude of the second current I2. That is, the second conversion unit R2 converts the current signal I2 into the voltage signal VR2 and outputs it.
上記の構成により、第1の異常検出部13−1に第2の電位差V2が印加されると、起動抵抗R3の抵抗値に応じた基準電流I3が第1及び第2のカレントミラー回路に流れる。第1の電流I1は、基準電流I3に応じた電流であり、第1の発光素子D1の両端電圧VD1に応じて変化する。また、電圧信号VR2は、第1の電流I1の変化すなわち第1の発光素子D1の両端電圧VD1の変化に応じて変化する。断線検出コンパレータComp_openは、反転入力端子に接続される第1の基準電圧Vref1と電圧信号VR2とを比較し、断線検出信号Vcomp_openを出力する。このようにして、駆動装置1は、第1の異常検出部13−1が電圧VD1を検出し接地電位を基準とする電圧信号VR2に変換することで、第1の発光素子D1の断線を検出することができる。
With the above configuration, when the second potential difference V2 is applied to the first abnormality detector 13-1, the reference current I3 corresponding to the resistance value of the starting resistor R3 flows to the first and second current mirror circuits. . The first current I1 is a current corresponding to the reference current I3, and changes according to the voltage VD1 across the first light emitting element D1. Further, the voltage signal VR2 changes according to the change of the first current I1, that is, the change of the voltage VD1 across the first light emitting element D1. The disconnection detection comparator Comp_open compares the first reference voltage Vref1 connected to the inverting input terminal with the voltage signal VR2, and outputs the disconnection detection signal Vcomp_open. In this way, the
したがって、本実施例に係る駆動装置1は、第2の電源Vdc2から第1の電位差V1よりも小さい第2の電位差V2を印加される異常検出部を備えるので、電力損失が低減され、実装面積を抑え低コストに構成される。また、第1及び第2の変換部R1,R2が互いに等しい温度特性を有する抵抗素子であれば、異常検出部13における温度特性やばらつきが相殺されるので、発光負荷2の断線検出電圧の精度を高めることができる。
Therefore, since the driving
図3は、本発明の第2の実施例に係る異常検出部の構成を示す回路図である。第2の実施例における第1の実施例との相違点は、出力端子To1に接続される短絡検出コンパレータComp_shortを備えた点である。短絡検出コンパレータComp_shortは、反転入力端子に接続される第2の基準電圧Vref2と電圧信号VR2とを比較し、短絡検出信号Vcomp_shortを出力する。このようにして、駆動装置1は、第1の異常検出部13−1が電圧VD1を検出し電圧信号VR2に変換することで、第1の発光素子D1の短絡を検出することができる。
FIG. 3 is a circuit diagram showing the configuration of the abnormality detection unit according to the second embodiment of the present invention. The difference of the second embodiment from the first embodiment is that a short circuit detection comparator Comp_short connected to the output terminal To1 is provided. The short circuit detection comparator Comp_short compares the second reference voltage Vref2 connected to the inverting input terminal with the voltage signal VR2, and outputs a short circuit detection signal Vcomp_short. In this way, the driving
ところで、図1の発光装置において、駆動装置1及び第1の電源Vdc1と発光負荷2との間の接続が不安定になる場合がある。その場合、発光素子D1,D2・・・,Dnの断線状態を検出し、それを発光制御部3に知らせる機能を設けることが、駆動装置1に要求される。図4,5は、このような要求を満たす、本発明の第3,4の実施例に係る発光負荷の駆動装置の構成を示す回路図である。ここでは、ゲート駆動部10において、第nの発光素子Dnに対応して設けられる構成について説明し、同様の構成についての説明を省略する。
Incidentally, in the light emitting device of FIG. 1, the connection between the driving
第3の実施例に係る発光負荷の駆動装置を構成する信号処理部11aは、異常検出信号の論理レベルをスイッチング駆動の複数周期にわたって保持する保持部14aを備える。保持部14aは、発光制御部3と異常検出部13−nとに接続される。保持部14aは、NOT回路とAND回路とフリップフロップ15とを備える。NOT回路の入力端子は、異常検出部13−nを構成する断線検出コンパレータComp_openの出力端子とフリップフロップ15のSET端子とに接続される。AND回路の一方の入力端子はNOT回路の出力端子に、AND回路の他方の入力端子は発光制御部3に接続される。AND回路の出力端子はフリップフロップ15のRESET端子に接続される。フリップフロップ15のOUT端子は発光制御部3に接続される。
The
異常検出部13−nは、発光素子の両端電圧に基づき、スイッチング素子のスイッチング駆動に同期した異常検出信号を出力する。保持部14aは、第nの発光素子が断線状態である期間、断線検出信号Vcomp_openに基づき、診断信号SDnをHレベルに保持する。保持部14aは、発光素子が断線状態から復帰したとき、制御信号SCnの立ち上がりと同時に診断信号SDnをLレベルに反転させる。上記の構成により、駆動装置1は、発光素子D1,D2・・・,Dnの断線状態を検出し、それを発光制御部3に知らせることができる。The abnormality detection unit 13-n outputs an abnormality detection signal synchronized with the switching drive of the switching element based on the voltage across the light emitting element.
第4の実施例に係る発光負荷の駆動装置を構成する信号処理部11bは、異常検出信号の論理レベルをスイッチング駆動の複数周期にわたって保持する保持部14bを備える点で信号処理部11aと異なる。保持部14bは、フリップフロップ15とカウンタ16とを備える。フリップフロップ15のSET端子は、異常検出部13−nを構成する断線検出コンパレータComp_openの出力端子に接続される。フリップフロップ15のRESET端子は、カウンタ16の出力端子に接続される。カウンタ16のCLK端子は、異常検出部13−nを構成する短絡検出コンパレータComp_shortの出力端子に接続される。カウンタ16のRES端子は、断線検出コンパレータComp_openの出力端子に接続される。
The
保持部14aは、第nの発光素子が断線状態である期間、断線検出信号Vcomp_openに基づき、診断信号SDnをHレベルに保持するとともに、カウンタ16をリセットする。カウンタ16は、発光素子が断線状態から復帰すると、短絡検出信号Vcomp_shortに基づき、カウントを開始する。カウンタ16は、内部のビットが所定のビット数に達すると、フリップフロップ15をリセットさせる。上記の構成により、駆動装置1は、発光素子D1,D2・・・,Dnの断線状態を検出し、それを発光制御部3に知らせることができる。また、時間差の少ない信号を用いて診断信号SDnを保持するので、診断信号SDnの信頼性が向上する。
上記のように、本発明は実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。即ち、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。 As mentioned above, although this invention was described by embodiment, it should not be understood that the description and drawing which form a part of this indication limit this invention. From this disclosure, various alternative embodiments, examples and operational techniques will be apparent to those skilled in the art. That is, it goes without saying that the present invention includes various embodiments not described herein. Therefore, the technical scope of the present invention is defined only by the invention specifying matters according to the scope of claims reasonable from the above description.
例えば、図6(a)のように、駆動装置1において、スイッチング素子Mは第1の電源Vdc1と発光負荷2との間に接続されても良い。この場合、スイッチング素子Mは、オン状態のとき第1の電位差V1を発光負荷2に印加させることで、発光負荷2を調光する。また、図6(b)のように、ゲート駆動部10はリアクトルLとコンデンサCとダイオードDとを含んでも良く、駆動装置1はスイッチング素子Mとゲート駆動部10とからなるスイッチングレギュレータであっても良い。この場合、ゲート駆動部10は、スイッチング素子MをPWM駆動することで、コンデンサCの両端に発生する第1の電位差V1を所望の大きさに制御し、発光負荷2に印加することで、発光負荷2を調光する。
For example, as shown in FIG. 6A, in the
また、駆動装置1は、個別装置からなる複数のスイッチング素子M1,M2・・・,Mnと、半導体集積回路からなるゲート駆動部10と、から構成されても良い。また、第1及び第2のカレントミラー回路は、バイポーラトランジスタの代わりにMOSFETで構成されても良い。また、駆動装置1は、発光制御部3及び第1の電源Vdc1のうち少なくとも一方を含んでも良い。また、複数の発光素子D1,D2・・・,Dnは、それぞれが複数のLEDで構成されても良い。また、駆動信号出力部12−1,12−2・・・,12−nは、信号処理部11を経由せず発光制御部3に接続されても良い。
The driving
1 駆動装置
2 発光負荷
3 発光制御部
10 ゲート駆動部
12 駆動信号出力部
13 異常検出部
D1 第1の発光素子
D2 第2の発光素子
Dn 第nの発光素子
M1 第1のスイッチング素子
M2 第2のスイッチング素子
Mn 第nのスイッチング素子
V1 第1の電位差
V2 第2の電位差
Vdc1 第1の電源
Vdc2 第2の電源
R1 第1の変換部
R2 第2の変換部
Q1 第1のトランジスタ
Q2 第2のトランジスタ
Q3 第3のトランジスタ
Q4 第4のトランジスタ
Q5 第5のトランジスタDESCRIPTION OF
Claims (2)
前記第1の発光素子と第2の発光素子とのそれぞれの発光素子に並列に接続され、前記発光素子に流れる電流をバイパスすることで前記発光負荷を調光するスイッチング素子と、
前記スイッチング素子をスイッチング駆動する駆動信号出力部と、
前記第1の発光素子に接続され、且つ前記第1の電位差よりも小さい第2の電位差により駆動される異常検出部と、を備え、
前記異常検出部は、前記第1の発光素子の両端電圧に基づき前記スイッチング駆動に同期した異常検出信号を出力することを特徴とする発光負荷の駆動装置。 A light emitting load driving device for driving a light emitting load in which a first potential difference is applied to both ends of a first light emitting element and a second light emitting element connected in series,
A switching element connected in parallel to each of the first light-emitting element and the second light-emitting element, and dimming the light-emitting load by bypassing a current flowing through the light-emitting element ;
A drive signal output section for switching and driving the switching element;
An abnormality detection unit connected to the first light emitting element and driven by a second potential difference smaller than the first potential difference , and
The abnormality detection unit outputs an abnormality detection signal synchronized with the switching drive based on a voltage between both ends of the first light emitting element .
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