JP6422450B2 - 投影露光装置上で光学的対称性を測定する装置及び方法 - Google Patents

投影露光装置上で光学的対称性を測定する装置及び方法 Download PDF

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Description

本願は、独国特許出願第102013204466.6号、2013年3月14日出願、及び米国特許仮出願第61/783572号、2013年3月14日出願に基づいて優先権を主張する。この独国特許出願及びこの米国特許仮出願の全開示を、参照する形で本明細書に含める。
発明の背景
本発明は、マイクロリソグラフィー投影露光装置上で光学的対称性を測定する方法に関するものである。さらに、本発明は、投影露光装置で光学的対称性を測定するためのリソグラフィー測定マスク、及びマイクロリソグラフィー投影露光装置に関するものである。
マイクロリソグラフィーにおける結像収差を低減するためには、投影露光装置の光学的対称性を正確に知ることが有用である。この関係では、例えば、双極(ダイポール)照射を用いる際に、「極平衡(ポールバランス)」とも称する双極の極(ポール)どうしの関係が平衡でなければ、発生するオーバーレイ誤差の度合いが増加することが観測されている。こうした極平衡を定量化するために、露光装置の投射レンズ内の瞳孔を、ピンホール付き遮光板を有する測定マスクを用いることによって測定し、その開口は、一般に80〜100μmの直径を有する。この場合に発生する輝度分布を、ウェハー面付近のセンサ上に、焦点をぼかして結像させる。しかし、従来技術より当業者にとって既知であるこうした測定技術では、極平衡は、投影露光装置の光学系全体についてしか測定することができない。
しかし、不平衡な極分布がオーバーレイ誤差に影響を与える感度は、極の不平衡が照明系内に生じるか投影光学部内に生じるかに依存する。従って、極分布に対する寄与を、投影露光装置の異なる光学的小領域について別個に、例えば照明系と投射レンズについて別個に測定することが望ましい。
発明が応える課題
本発明が応える課題は、上述した問題点を解決し、特に、投影露光装置の光学系全体のうちの小領域に関連して、投影露光装置上で光学的対称性を測定することができる方法、測定マスク、及び投影露光装置を提供することにある。
本発明による解決策
上述した課題は、本発明による1つの好適例による、以下に説明する、マイクロリソグラフィー投影露光装置上で光学的対称性を測定する方法によって解決することができる。この方法は、少なくとも1つの測定構造を、投影露光装置の露光ビーム経路中に配置するステップを含む。この測定構造は、ピンホール付き遮光板、及びこのピンホール付き遮光板の開口内に配置された回折格子を具えている。さらに、この方法は、回折格子において発生する回折放射が、投影露光装置の少なくとも1つの光学素子と相互作用した後の強度を測定するステップを含む。
この回折放射は、投影露光装置の露光ビーム経路中に導光される露光放射の回折格子における回折によって発生する。この目的で、回折格子の周期を、回折格子において回折放射が発生するように、投影露光装置の動作波長に適合させる。ピンホール付き遮光板の開口を「ピンホール」と称することもできる。1つの好適例によれば、この開口を、ピンホール付き遮光板が露光放射に対する大幅な回折効果を有しないような寸法にする。この関係では、開口は、例えば、投影露光装置の動作波長、即ち露光放射の波長の2000倍未満、特に1000倍未満、かつ動作波長の100倍より大きい、特に200倍より大きい直径、特に動作波長の約400〜500倍の直径を有することができる。例えば、この開口は、193nmの動作波長において80〜100μmの直径を有することができる。
1つの好適例によれば、本発明による方法は、さらに、上記測定した強度を用いて、投影露光装置上で光学的対称性、特に投影露光装置の光学モジュールの光学的対称性を測定するステップを含む。
ピンホール付き遮光板、及びこのピンホール付き遮光板の開口内に配置された回折格子を具えた測定構造を設けることは、投影露光装置上で強度分布を発生することを可能にし、この強度分布は、投影露光装置の光学系全体のうちの小領域に関連する光学的対称性についての情報を得るための基礎として考えることができる。この関係では、例えば、照明系及び投影露光装置の、入射照射の双極の極平衡に対する影響を、強度分布に基づいて得ることができる。
本発明による1つの好適例によれば、上記ピンホール付き遮光板が測定マスクの一部分である。この測定マスクは、測定目的で、投影露光装置のマスク面内に配置されている。
本発明による他の好適例によれば、少なくとも2つの測定構造が露光ビーム経路中に配置されている。測定構造の各々は、ピンホール付き遮光板、及びそれぞれのピンホール付き遮光板の開口内に配置された回折格子を具えている。さらに、これら2つの測定構造の回折格子は、異なる格子周期を有する。換言すれば、第1の測定構造のピンホール付き遮光板の開口内に配置された回折格子と、第2の測定構造のピンホール付き遮光板の開口内に配置された回折格子とは、異なる格子周期を有する。これら2つの測定構造は、露光ビーム経路中に連続して、さもなければ同所に配置することができる。
本発明による他の好適例によれば、追加的な測定構造が露光ビーム経路中に配置され、この追加的な測定構造は、自由開口を有するピンホール付き遮光板を具えている。自由開口とは、遮光要素、特に格子が当該開口内に配置されていないことを意味するものと理解すべきである。上記回折格子を具えたこの追加的な測定構造と上記測定構造、あるいは、上記回折格子を具えた上記測定構造どうしは、露光ビーム経路中に連続して、あるいは同所に配置することができる。
本発明による他の好適例によれば、上記測定した強度を用いて、露光ビーム経路中の上記測定構造の上流または下流に配置された光学モジュールの対称性を測定する。上流または下流に配置された光学モジュールの例は、投影露光装置の照明系及び投射レンズを含む。
本発明による他の好適例によれば、上記測定構造の上流に配置された光学モジュール及び上記測定構造の下流に配置された光学モジュールが、露光ビーム経路中に配置されている。上記強度の測定中に、下流の光学モジュールの下流にある平面内の強度分布の対称性を測定し、上流の光学モジュール及び/または下流の光学モジュールのそれぞれの、対称性に対する影響を測定する。
本発明による他の好適例によれば、上記測定した強度を用いて、投影露光装置のマスク面上に入射する露光放射の角度分布の対称性を測定する。測定した対称性は、照明系の光軸についての対称性に関係する。
本発明による他の好適例によれば、上記測定した強度を用いて、投影露光装置の投射レンズの透過率の角度依存性の対称性を測定する。透過率の角度依存性とは、特に、この透過率の、投射レンズ上の入射角への依存性を意味するものと理解すべきである。投射レンズの光学的対称性は、当該投射レンズの光軸についての対称性に関係する。
本発明による他の好適例によれば、上記測定した強度を用いて、投影露光装置の少なくとも1つの光学モジュールの、当該投影露光装置の2つの照射極どうしの強度比に対する影響を測定する。測定した強度比を「極平衡」と称することもできる。
さらに、本発明は、マイクロリソグラフィー投影露光装置上で光学的対称性を測定するためのマイクロリソグラフィー測定マスクを提供する。この測定マスクは、ピンホール付き遮光板、及びこのピンホール付き遮光板の開口内に配置された回折格子を具えた少なくとも1つの測定構造を具えている。
本発明による好適例では、この測定マスクが、上述した好適例または変形例のうちの1つにおける対称性を測定する方法を実行するように構成されている。換言すれば、この測定マスクには、上述した好適例のうちの1つにおける測定方法を実行するように機能する特徴を設けることができる。
他の好適例によれば、上記測定マスクが少なくとも2つの測定構造を具えている。これらの測定構造の各々は、ピンホール付き遮光板、及びそれぞれのピンホール付き遮光板の開口内に配置された回折格子を具えている。さらに、これら2つの測定構造の回折格子は、異なる格子周期を有する。他の好適例によれば、上記測定マスクが、さらに、自由開口を有するピンホール付き遮光板を具えた追加的な測定構造を具えている。
さらに、本発明は、マスク面を露光放射で照射するための照明系、及びこのマスク面の下流に配置された投射レンズを具えたマイクロリソグラフィー投影露光装置を提供する。さらに、この投影露光装置は、投射レンズの下流に配置された測定面内の強度分布を検出するように構成された測定装置を具え、ピンホール付き遮光板がマスク面内に配置されると、投射レンズの瞳孔が測定面内に現れる。さらに、この投影露光装置は、測定面内で記録された複数の強度分布から、照明系及び/または投射レンズの、測定面内で測定される瞳孔の強度分布の対称性に対する影響を測定するように構成された評価装置を具えている。
上述した照明系は、マスク面の上流に配置されたすべての光学素子を含むことができ、さもなければ、これらの素子の一部のみを含むことができる。この関係では、「下流に配置される」とは、投影露光装置の露光ビーム経路に関係する。投射レンズの瞳孔が現れる位置は、特に、投射レンズの瞳孔面と共役の平面である。上記測定装置は、例えば、瞳孔、即ち瞳孔内の強度分布が現れるように、ウェハー面から離れるように光軸方向に変位可能な、投影露光装置の変位可能なウェハーステージと統合することができる。
本発明の好適例によれば、投影露光装置が、上述した好適例または変形例における対称性を測定する方法を実行するように構成されている。換言すれば、投影露光装置に、上述した好適例のうちの1つにおける測定方法を実行するように機能する特徴を設けることができる。
本発明による1つの好適例によれば、上記評価装置が、照明系及び/または投射レンズの、対称性に対する影響を、マスク面内に配置された少なくとも2つの測定構造を用いて生成された強度分布から測定するように構成されている。これらの測定構造の各々は、ピンホール付き遮光板、及びそれぞれのピンホール付き遮光板の開口内に配置された回折格子を具え、2つの測定構造の回折格子は、異なる格子周期を有する。
本発明による他の好適例によれば、上記評価装置が、照明系及び/または投射レンズの、投影露光装置の2つの照射極どうしの強度比に対する影響を測定するように構成されている。
本発明による方法の上述した具体例、好適例、変形例に関して詳述した特徴は、本発明による測定マスク、及び/または本発明による投影露光装置に相応に適用することができる。逆に、本発明による測定マスク及び/または本発明による投影露光装置の上述した具体例、好適例。または変形例は、本発明による方法に相応に適用することができる。本発明による好適例のこれら及び他の特徴は、特許請求の範囲中、及び図面の説明中に説明されている。これらの個別の特徴は、別個でも組合せでも、本発明の好適例として実現することができる。さらに、これらの特徴は、独立して保護可能な有利な好適例を記述することができ、それらの保護は、適切であれば、本願の係属中のみ、あるいはその後に権利請求する。
本発明の上記及び他の有利な特徴を、以下の本発明による好適な実施形態の詳細な説明において、添付した概略的な図面を参照しながら説明する。
ピンホール付き遮光板を用いて発生した双極照射を瞳孔図の形で測定するための測定モードにおける投影露光装置の断面図である。 測定モードにおいて投影露光装置を測定するための測定マスクの平面図である。 図1による瞳孔図の測定の概略図である。 第1回折格子を具えた測定構造を用いた瞳孔図の測定の概略図である。 第2回折格子を具えた測定構造を用いた瞳孔図の測定の概略図である。 瞳孔図内の異なる測定位置を例示する図である。
本発明による好適な実施形態の詳細な説明
以下に説明する好適例または実施形態、あるいは変形例では、機能的または構造的に互いに同様な要素には、可能な限り同一または同様の参照符号を与える。従って、特定の好適な実施形態の個別要素の特徴を理解する目的では、他の好適な実施形態、あるいは本発明の全般的な説明を参照すべきである。
説明を促進するために、デカルトxyz座標系を図面中に示して、図面中に示す構成要素のそれぞれの位置関係を表す。図1では、y方向は図面の平面に直交して図面の奥へ延び、x方向は右向きに延び、z方向は上方に延びる。
図1に、本発明による一実施形態における、マイクロリソグラフィー投影露光装置10の1つの好適な実施形態を示す。投影露光装置10は、露光放射14を発生するための、例えばレーザーまたはプラズマ源のような露光放射源12を具えている。露光放射14の波長は、UV(ultraviolet:紫外)波長範囲内、例えば248nmまたは193nmとすることができる。さらに、本発明は、極紫外(EUV:extreme ultraviolet)波長範囲内、例えば約13.5nmまたは約6.8nmで動作する投影露光装置も含む。
露光放射源12が放出する露光放射14は照明系18内に入り、照明系18内で、露光放射14はビーム調整光学部を通過し、その直後に、照射器によって、レチクル面とも称するマスク面20上に放射される。生産動作中に、製品マスク(図面中には図示しない)をマスク面20上に置き、この製品マスクを、マスクステージ(同様に図面中に図示しない)によって保持する。このマスクステージは、投影露光装置10のフレームに対して変位可能であるように装着する。
マスク面20の下方には、投射レンズ22をフレーム上に配置する。投射レンズ22は、マスク構造をマスク面20から、ウェハー面24内に置かれたウェハーの形に構造化される基板上に結像させる働きをする。投射レンズ22は、複数の光学素子(図面中には図示せず)を具え、その各々は、設計及び露光波長に応じてレンズ素子及び/またはミラーとして具体化することができる。投射レンズ22は、さらに、少なくとも1つの瞳孔面40を具え、瞳孔面40内に、瞳孔境界42によって画定される瞳孔44が存在する。瞳孔面40は、露光動作中にウェハー面24内の特定視野点に収束する露光放射の局所的な強度分布が、この視野点において角度分解された強度分布に相当することを特徴とする。この相当性は、本例の場合のように、投射レンズ22が正弦波状に補正されている場合に保証される。
照明系18と投射レンズ22とは、共通の光軸23を有する。複数の異なる照射設定を、照明系18を用いて設定することができる。照射設定とは、マスク面20内に放射される露光放射14の明確に定められた角度分布を意味するものと理解される。こうした角度分布の例は、例えば、環状照射、四極照射、及び双極照射を含む。本例の場合、照明系を、x方向に配向した双極照射をマスク面20内に放射する効果に合わせて設定する。こうして、照明系18は、左側から斜めにマスク面20上に入射する左側照射極14−1、及び右側から斜めにマスク面20上に入射する右側照射極14−2を発生する。
こうした双極の角度分布を生成するために、一実施形態による照明系18は、REMA(登録商標)レンズを具えることができる。開口付き遮光板36は、一般に、REMA(登録商標)レンズの瞳孔面内に配置されている。図示する例では、x双極照射を発生するための開口付き遮光板36が、x方向にオフセットした2つの遮光板切り抜き38−1及び38−2を有する。投影露光装置10は遮光板アーカイブを具え、このアーカイブから、照射の要求に応じた適切な開口付き遮光板36を取り出して、REMA(登録商標)レンズの瞳孔面内に配置することができる。照明系18の設計に応じて、開口付き遮光板36に加えて、あるいはその代わりとして、他のビーム整形光学素子が、所望の照射角分布をマスク面20内に形成する働きをすることができる。
投影露光装置10の生産動作または露光動作のために、露光されるウェハーを、ウェハー面24内の変位可能なウェハーステージ26上に配置する。次に、ウェハーの露光中に、製品マスク及びウェハーを互いに同期した動作で変位させる、この場合、ウェハーは、座標系のy方向に平行に延びる走査方向28に沿って変位させる。これと同期して、上記マスクを、走査方向30とは逆向きの走査方向28に沿って変位させる。
本発明による一実施形態による測定方法では、測定マスク50をマスク面20内に配置し、従って、投影露光装置10の露光ビーム経路32中に配置する。測定マスク50の一具体例を図2に示す。測定マスク50は、x方向に延びる複数行の異なる測定構造を具えている。この場合、それぞれの行内の測定構造は同一であり、このため、測定マスク66の露光中に行われる測定マスク50の走査方向28への走査移動により、同一測定構造の行はいずれも、照明系18の走査スロット内に入る。こうして、露光プロセス中に、すべての行内の測定構造が同時に照射される。
図2に示すように、ピンホール付き遮光板52として具体化される測定構造はいずれも、測定マスク50の具体例の第1行内に配置されている。ピンホール付き遮光板52の各々が、開口54を有する。開口54はピンホールと称することもできる。ピンホール付き遮光板52の開口54はいずれも、自由開口として具体化され、即ち、光減衰構造、特に不透明構造は、開口54内に配置されない。開口54は、一般に、測定マスク50のクロム層内の切り抜きとして具体化される。EUV放射の場合、開口54は、マスク全体を通って延びる切り抜きとして実現することもできる。図2では、ピンホール付き遮光板52は「OF」として識別される。この称号は、英名「open frame(開口枠)」によるものであり、ピンホール付き遮光板52が自由開口54を設けられているので「開口枠」を構成することを表す。一実施形態によれば、開口54は、ピンホール付き遮光板52が露光放射14に対して大幅な回折効果を有しないような寸法にされる。
追加的な測定構造60を有する行が、ピンホール付き遮光板52を有する行の下に配置されている。測定構造60の各々は、図4に詳細に示すピンホール付き遮光板62、及びピンホール付き遮光板62の開口63内に配置された回折格子64を具えている。測定構造60の回折格子64は、互いに対してx方向にオフセットされた回折線を有する刻線格子であり、この刻線格子は120nmの周期間隔を有する。従って、図2では、測定構造60を「120x」として識別する。
測定構造60の下行には、追加的な測定構造66を有する行が、測定マスク50上に存在する。測定構造66は、測定構造60とは、回折格子64の周期性だけが異なる。測定構造66の場合、240nmの値により、この周期性は、測定構造60の場合の2倍の大きさを有する。さらに、測定構造68を有する行、及び測定構造70を有する行も、測定マスク50上に配置されている。測定構造68及び70は、測定構造60及び66とは、回折格子64の向きが90°だけ回転している点が異なるだけであり、即ち、それぞれ120nm及び240nmの周期間隔を有するy格子がこれらに含まれる。露光放射の波長が193nmである実施形態によれば、ピンホール付き遮光板52の開口54、及び測定構造60、66、68のそれぞれの開口は、80〜100nmの値を有する。
投影露光装置10の光学的対称性を測定する方法を、以下に説明する。この場合、測定される光学的対称性が、上述した双極照射の極平衡と称することができるものである。この「極平衡」を測定する目的で、図2による測定マスク50を、図1及び図3に従い、投影露光装置10のマスク面20内に配置する。この場合、まず、ピンホール付き遮光板52を有する行を露光する。このプロセスを図示するために、図1及び3のマスク面20内には、1つのピンホール付き遮光板52のみを示す。
測定を実行するために、空間分解型強度検出器の形態の測定装置が統合されたウェハーステージ26を、光軸23と平行に、測定面48内に変位させ、測定面48内に投射レンズ22の瞳孔が現れる。この面は、図1及び3に示すようにウェハー面24の上方にするか、ウェハー面24の下方にすることができる。特に、測定面48は、瞳孔面40と共役な平面に相当することができる。
次に、測定動作中に、測定面48内に生じる強度分布を、測定装置46によって記録する。この強度分布は、投射レンズ22の瞳孔44の像であり、いわゆる瞳孔図56である。瞳孔図56を規定する強度分布は、高い強度を有する2つの極58−1及び58−2を有する。これらの極は照射極14−1及び14−2に対応し、図3では、これらも、それぞれPL及びPRと称する。
評価装置49は、瞳孔図56を評価し、この場合、図3に示すように、左側照射極PLの強度IL(OF)及び右側照射極PRの強度IR(OF)を測定する。この場合、「OF」の追加は英名「open frame(開口枠)」によるものである。以上で既に説明したように、この用語は、使用するピンホール付き遮光板52が「開口枠」を構成し、即ち、自由開口54を設けられていることを表す。照射極の強度は、断面全体にわたって、あるいは瞳孔図中で照射される対応する照射極の領域全体にわたって強度平均した強度を意味するものと理解すべきである。
自由開口54を有するピンホール付き遮光板52の使用により、瞳孔図56内に存在する極平衡FBOFは、次式のように定義される:
マスク面20内に存在する極平衡はPBilluとして表す。従って、PBilluは、照明系19によって直接放出され、照明放射とも称する露光放射18中に存在する極平衡であり、次式のように定義される:
ここに、IL(illu)は、図3に示すように、マスク面20内に放射される露光放射18の左側照射極PLの開口54の位置における強度であり、IR(illu)は、同右側照射極PRの強度である。
投射レンズ22の透過率は角度依存性を有することがあり、このため、投射レンズ22を通過する際に、場合によっては、左側照射極PLに、右側照射極PRとは異なる減衰が生じる。投射レンズ22の、左側照射極PLの放射に対する透過率をALで表し、右側照射極の放射PRに対する透過率をARで表す。投射レンズ22の瞳孔図56中で測定される、極平衡PBOFに対する結果的な影響を、投射レンズ22の極平衡PBPOで表し、次式のように定義する:
従って、図3によれば、瞳孔図56中の極平衡PBOFは、次式のように表すことができる:
PBOF=PBillu・PBPO (4)
開口付き遮光板52から生じ、図3に示す瞳孔図56の測定後に、120nmの周期間隔を有する回折格子を具えた測定マスク50の測定構造60を露光させる。図4では、この露光を、測定構造60のうちの1つについて示す。極PL及びPRのそれぞれの露光放射14が回折格子64を通過すると、それぞれが回折せずに通過する放射PL 0及びPR 0の他に、回折放射が生じる。この回折放射は、以下では回折極とも称する+1次及び−1次の回折の放射を含み、即ち、入射する放射極PLについては極PL -1及びPL +1を含み、入射する放射極PRについては極PR -1及びPR +1を含む。極PR -1及びPL +1が阻止されるように、即ち、これらの極の放射が測定面48内に放射されないように、開口付き遮光板の形態の瞳孔境界42を選定する。従って、非回折の極PL 0及びPR 0のそれぞれの放射、及び極PL -1及びPR +1の放射のみが、測定面48まで進む。
従って、120nmの周期間隔を有する回折格子64の、非回折の極PL 0、PR 0、及び1次の回折の極PR +1及びPL -1を含む瞳孔図56が、測定面48内で測定構造60を用いて生成される。この回折格子の線幅は60nmである。上記の極は高い強度の領域を形成し、これらの領域はいずれも、測定面48内で互いに区分されている。極PR +1及びPL -1の強度は、それぞれIR +1 (120nm)及びIL -1 (120nm)で表し、いずれも評価装置49において測定される。
これらの強度の比率を、極平衡PB120nmと称する:
120nmを、一次の回折において120nmの格子周期を有する回折格子の回折効率として定義すれば、IR +1 (120nm)及びIL -1 (120nm)は、それぞれ次式のように表現することができる:
かつ
式(6)及び(7)を式(5)に代入すると、次式のようになる:
図4による測定と同様に、図5による測定構造66での測定の場合、測定面48内に生成される瞳孔図56は、非回折の極PL 0及びPR 0を含む。さらに、この瞳孔図は、240nmの周期間隔を有する回折格子64の一次の回折の極PL -1及びPR +1を含む。しかし、この場合、周期間隔240nmでの測定の場合には(図5参照)、周極間隔120nmでの測定(図4参照)と比較すれば、極PL -1とPR +1とが入れ替わっている。極PR -1及びPL +1は、瞳孔境界42の外側にあり、従って阻止される。さらに、例えば、測定構造66の回折格子64の120nmの値を有する線幅を選定し、これにより二次の回折を大幅に抑制する。
評価装置49では、極PL -1及びPR +1のそれぞれの強度を、図5による瞳孔図56から測定する。これらの強度は、それぞれIL -1 (240nm)及びIR +1 (240nm)で表す。ここでも、これらの強度の比率を極平衡PB240nmとして定義する:
240nmを、一次の回折において240nmの格子周期を有する回折格子の回折効率として定義すれば、IL -1 (240nm)及びIR +1 (240nm)は、それぞれ次式のように表現することができる:
かつ
式(10)及び(11)を式(9)に代入すれば、次式のようになる:
式(8)、(12)及び(2)より、次式のようになる:
PB120nm及びPB240nmは、式(5)及び(9)による測定結果として存在する。従って、これらの測定結果を式(13)に代入することによって、マスク面20内に存在する極平衡PBilluを実験的に測定することができる。
さらに、式(4)及び(13)より、次式のようになる:
式(1)によるPBOFが、測定結果として同様に存在するので、投射レンズ22の透過挙動の影響を特徴付ける極平衡PBPOも同様に、実験的に測定することができる。この場合に測定される極平衡PBPOは、図3による自由ピンホール付き遮光板52での測定の極PL及びPRのビーム経路についての透過率AL対ARの商を示す。図6では、これらの極の測定位置を72−1L及び72−1Rで表し、これらの極は瞳孔図56中の瞳孔44の外側領域内に存在する。換言すれば、式(14)を用いて測定される極平衡PBPOは、測定位置72−1L及び72−1Rによって規定される瞳孔44の外側領域内での投射レンズ22の透過挙動に関係する。
さらに、極平衡PBPOは、瞳孔44の中心領域について、正確には、図6に示す測定位置72−2L及び72−2Rについても測定することができ、この位置に、120nmの格子周期を有する回折格子64を用いた図4及び図5による測定の場合に記録した極PR +1及びPL -1、及び240nmの格子周期を有する回折格子64による極PL -1及びPR +1がある。この場合、極平衡PBPOは次式のように測定される:
さらに、極平衡PB illu 及びPBPOも、y方向に向いた双極について測定することができる。この目的で、ピンホール付き遮光板52として構成される測定構造の他に、測定マスク50の測定構造68及び70を使用し、これらは、y方向に向いた格子周期性を有する対応する回折格子を具えている。
さらに、例えば+/−45°のような異なる配向、及び/または他の双極間隔及び格子周期を有する双極及び格子構造を有する双極及び格子構造で測定を行うことができる。このようにして、投射レンズ22の完結した透過プロファイル、即ち、完結した透過率の角度依存性を、適合アルゴリズムを用いて測定することができる。さらに、考えられるすべての照射角について、照明系18の挙動を測定することもできる。
さらに、例えば図3中に例示する環状セグメントとして具体化される極58−1及び58−2を有する標準的な双極の代わりに、各極が、例えば木の葉形双極のような対称形状を有する双極を用いることもできる。この場合、120nmの格子周期の場合の回折の次数PR +1及びPL -1を、240nmの格子周期の場合の回折の次数PL -1及びPR +1と互いに正確に重ね合わせることができる。こうして、測定結果の精度を増加させることができる。
参照符号のリスト
10 投影露光装置
12 露光放射源
14 露光放射
14−1 左側照射極
14−2 右側照射極
18 照明系
20 マスク面
22 投射レンズ
23 光軸
24 ウェハー面
26 ウェハーステージ
28 マスクステージの走査方向
30 ウェハーステージの走査方向
32 露光ビーム経路
36 照明系の開口付き遮光板
38−1 遮光板の切り抜き
38−2 遮光板の切り抜き
40 瞳孔面
42 瞳孔境界
44 瞳孔
46 測定装置
48 測定面
50 測定マスク
52 ピンホール付き遮光板
54 開口
58−1 左側極
58−2 右側極
60 測定構造
62 ピンホール付き遮光板
63 開口
64 回折格子
68 測定構造
70 測定構造
72−1 外側領域内の測定位置
72−2 中心領域内の測定位置

Claims (13)

  1. マスク面を露光放射で照射するための少なくとも2つの照射極を発生するように構成された照明系と、
    前記マスク面内に配置された少なくとも2つの異なる測定構造と、
    前記マスク面の下流に配置された投射レンズと、
    前記投射レンズの下流に配置された測定面内の強度分布を検出するように構成された測定装置であって、前記測定構造の各々が具えるピンホール付き遮光板を前記マスク面内に配置すると、前記投射レンズの瞳孔の像が前記測定面内に現れ、前記瞳孔の像は前記照射極に対応する2つの分離した極を含む測定装置と、
    各々が前記少なくとも2つの異なる測定構造のうちの1つを用いて生成されて前記測定面内で記録された複数の前記強度分布から、前記照明系の、前記測定面内で測定される前記瞳孔の像における強度分布の対称性に対する影響を、前記記録された複数の前記強度分布の各々から、それぞれの前記強度分布内の前記2つの分離した極の強度比を定量化する極平衡を測定することによって測定するように構成された評価装置と
    を具えていることを特徴とするマイクロリソグラフィー投影露光装置。
  2. 前記測定構造の各々が、それぞれの前記ピンホール付き遮光板の開口内に配置された回折格子をさらに具え、前記2つの測定構造の前記回折格子が、異なる格子周期を有することを特徴とする請求項1に記載の投影露光装置。
  3. 前記評価装置が、前記照明系の、前記投影露光装置の2つの照射極どうしの強度比に対する影響を測定するように構成され、前記強度比は、前記測定面内で測定されることを特徴とする請求項1または2に記載の投影露光装置。
  4. マスク面を露光放射で照射するための少なくとも2つの照射極を発生するように構成された照明系と、
    前記マスク面の下流に配置された投射レンズと、
    前記投射レンズの下流に配置された測定面内の強度分布を検出するように構成された測定装置であって、ピンホール付き遮光板を前記マスク面内に配置すると、前記投射レンズの瞳孔の像が前記測定面内に現れ、前記瞳孔の像は前記照射極に対応する2つの分離した極を含む測定装置と、
    前記測定面内で記録された複数の前記強度分布から、前記投射レンズの、前記測定面内で測定される前記瞳孔の像における強度分布の対称性に対する影響を測定するように構成された評価装置であって、前記複数の強度分布は、自由開口を有する前記ピンホール付き遮光板を前記マスク面内に配置した際に記録された強度分布を含む評価装置と
    を具えていることを特徴とするマイクロリソグラフィー投影露光装置。
  5. マイクロリソグラフィー投影露光装置上で光学的対称性を測定する方法であって、
    少なくともつの異なる測定構造を、前記投影露光装置の露光ビーム経路中の少なくとも2つの照射極で照射するステップであって、前記照射極は、前記投影露光装置の投射レンズの瞳孔の像中の2つの分離した極に対応し、前記測定構造の各々が、ピンホール付き遮光板、及びピンホール付き遮光板の開口内に配置された回折格子を具えているステップと、
    前記回折格子において発生する回折放射が、前記投影露光装置の少なくとも1つの光学素子と相互作用した後の複数の強度分布を測定するステップであって、該複数の強度分布の各々が前記少なくとも2つの異なる測定構造のうちの1つによって生成されるステップと、
    前記測定した強度分布のうちの第1の強度分布から第1の極平衡PB1を測定し、前記測定した強度分布のうちの第2の強度分布から第2の極平衡PB2を測定し、前記第1の極平衡PB1及び前記第2の極平衡PB2の各々は、それぞれの前記強度分布内の前記2つの分離した極の強度比を定量化し、次式:
    を計算することによって、前記露光ビーム経路中の前記測定構造の上流に配置された光学モジュールの光学的対称性を測定するステップと
    を含むことを特徴とする方法。
  6. マイクロリソグラフィー投影露光装置上で光学的対称性を測定する方法であって、
    少なくとも2つの測定構造を、前記投影露光装置の露光ビーム経路中の少なくとも2つの照射極で照射するステップであって、前記照射極は、前記投影露光装置の投射レンズの瞳孔の像中の2つの分離した極に対応し、前記測定構造の各々が、回折格子を有するピンホール付き遮光板及び自由開口を有するピンホール付き遮光板を具え、前記回折格子は前記ピンホール付き遮光板の開口内に配置されているステップと、
    前記回折格子において発生する回折放射、及び前記自由開口において発生する放射が、前記投影露光装置の少なくとも1つの光学素子と相互作用した後の強度分布を測定するステップと、
    前記測定した強度分布を用いて、前記露光ビーム経路中の前記測定構造の下流に配置された光学モジュールの光学的対称性を測定するステップと
    を含むことを特徴とする方法。
  7. 前記ピンホール付き遮光板が、前記投影露光装置のマスク面内に測定目的で配置された測定マスクの一部分であることを特徴とする請求項5または6に記載の方法。
  8. 少なくとも2つの測定構造が前記露光ビーム経路中に配置され、前記測定構造の各々が、ピンホール付き遮光板、及びそれぞれの前記ピンホール付き遮光板の開口内に配置された回折格子を具え、前記2つの測定構造の前記回折格子が、異なる格子周期を有することを特徴とする請求項5または6に記載の方法。
  9. 追加的な測定構造が前記露光ビーム経路中に配置され、前記追加的な測定構造は、自由開口を有するピンホール付き遮光板を具えていることを特徴とする請求項5または6に記載の方法。
  10. 前記測定構造の上流に配置された光学モジュール、及び前記測定構造の下流に配置された光学モジュールが、前記強度分布の測定中に前記露光ビーム経路中に配置され、前記下流の光学モジュールの下流にある平面内の強度分布の対称性を測定し、前記上流の光学モジュール及び/または前記下流の光学モジュールのそれぞれの、前記対称性に対する影響を測定することを特徴とする請求項5または6に記載の方法。
  11. 前記投影露光装置のマスク面上に入射する露光放射の角度分布の対称性を、前記測定した強度分布を用いて測定することを特徴とする請求項5または6に記載の方法。
  12. 前記投影露光装置の投射レンズの透過率の角度依存性の対称性を、前記測定した強度分布を用いて測定することを特徴とする請求項5または6に記載の方法。
  13. 前記投影露光装置の少なくとも1つの光学モジュールの、前記投影露光装置の2つの照射極どうしの強度比に対する影響を、前記測定した強度分布を用いて測定することを特徴とする請求項5または6に記載の方法。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016202198A1 (de) * 2016-02-12 2017-08-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zur Moiré-Vermessung eines optischen Prüflings
JP6644898B2 (ja) 2016-02-19 2020-02-12 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 構造を測定する方法、検査装置、リソグラフィシステム、デバイス製造方法、およびそれらで使用する波長選択フィルタ
EP3293574A1 (en) * 2016-09-09 2018-03-14 ASML Netherlands B.V. Metrology method, apparatus and computer program
JP6811119B2 (ja) * 2017-03-01 2021-01-13 株式会社Screenホールディングス 露光装置、基板処理装置、基板の露光方法および基板処理方法
JP6985803B2 (ja) * 2017-03-01 2021-12-22 株式会社Screenホールディングス 露光装置、基板処理装置、基板の露光方法および基板処理方法
DE102018207384B4 (de) 2018-05-14 2019-07-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Vermessen eines Beleuchtungssystems einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie sowie Projektionsbelichtungsanlage
WO2020009764A1 (en) * 2018-07-03 2020-01-09 Applied Materials, Inc. Pupil viewing with image projection systems
EP3629085A1 (en) * 2018-09-25 2020-04-01 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus for measuring pupil shape
DE102022204000A1 (de) * 2022-04-26 2023-10-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Vermessung der Beleuchtungspupille in einem Scanner unter Berücksichtigung eines Messretikels

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3610175B2 (ja) * 1996-10-29 2005-01-12 キヤノン株式会社 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
US6360012B1 (en) * 1999-06-25 2002-03-19 Svg Lithography Systems, Inc. In situ projection optic metrology method and apparatus
JP3302966B2 (ja) * 2000-02-15 2002-07-15 株式会社東芝 露光装置の検査方法及び露光装置検査用フォトマスク
JP3302965B2 (ja) * 2000-02-15 2002-07-15 株式会社東芝 露光装置の検査方法
JP2002110540A (ja) 2000-09-01 2002-04-12 Asm Lithography Bv リソグラフィ装置を操作する方法、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、およびそれによって製造されるデバイス
JP2005148102A (ja) 2003-11-11 2005-06-09 Konica Minolta Business Technologies Inc 現像装置および画像形成装置
US7315353B2 (en) * 2004-09-08 2008-01-01 Asml Netherlands B.V. Apodization measurement for lithographic apparatus
US7187431B2 (en) * 2004-11-16 2007-03-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, method of determining properties thereof and computer program
EP1818658A1 (en) 2006-02-08 2007-08-15 Carl Zeiss SMT AG Method for approximating the influence of an optical system on the state of polarisation of optical radiation
JP5063229B2 (ja) * 2007-07-12 2012-10-31 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP5473350B2 (ja) 2009-02-13 2014-04-16 キヤノン株式会社 照明光学系、露光装置及びデバイスの製造方法
US9389519B2 (en) * 2010-02-25 2016-07-12 Nikon Corporation Measuring method and measuring apparatus of pupil transmittance distribution, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method

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