JP6409222B2 - Method for producing catalyst-carrying block - Google Patents

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Description

本発明は、揮発性有機化合物(VOC:Volatile Organic Compound)、排気ガス等の有害物を含む気体の浄化に用いる浄化装置に関し、及び触媒担持ブロックの製造方法に関する。
The present invention, volatile organic compounds (VOC: Volatile Organic Compound), relates to the purification apparatus used for purifying the gas containing harmful substances such as an exhaust gas, and a method of manufacturing a catalyst supporting block.

本発明者は、プラスチックやVOC等の気体を分解して浄化処理する方法として、加熱した酸化物半導体の触媒活性作用を利用する方法を提案した(特許文献1)。酸化クロム、酸化チタン等の酸化物半導体を350〜500℃程度に加熱すると、正孔が大量に生成され、この正孔の強い酸化力により、被分解対象物は小分子に裁断化され、最終的にこれらの小分子が空気中の酸素と反応して、水と二酸化炭素に完全分解される(非特許文献1、非特許文献2)。   The present inventor has proposed a method utilizing the catalytic activity of a heated oxide semiconductor as a method for decomposing and purifying a gas such as plastic or VOC (Patent Document 1). When an oxide semiconductor such as chromium oxide or titanium oxide is heated to about 350 to 500 ° C., a large amount of holes are generated, and the object to be decomposed is cut into small molecules by the strong oxidizing power of the holes. Thus, these small molecules react with oxygen in the air and are completely decomposed into water and carbon dioxide (Non-patent Documents 1 and 2).

また、本発明者は、酸化物半導体を利用する浄化装置として、ハニカムあるいは網目状の多孔体からなる通気性を有する基材に酸化物半導体を担持して形成した触媒部と、この触媒部を加熱するヒータとを備える装置を提案した(特許文献2)。この浄化装置は、触媒部を複数段に並べて配置し、触媒部の段間にヒータを配置して触媒部を加熱した状態で、被処理気体が順次、触媒部を通過することにより、被処理気体が浄化されるように構成されている。   Further, the present inventor, as a purification device using an oxide semiconductor, a catalyst part formed by supporting an oxide semiconductor on a base material having air permeability made of a honeycomb or a mesh-like porous body, and the catalyst part. The apparatus provided with the heater to heat was proposed (patent document 2). In this purifying device, the catalyst parts are arranged in a plurality of stages, and a gas to be treated sequentially passes through the catalyst parts in a state where the catalyst parts are heated by arranging heaters between the catalyst parts. The gas is configured to be purified.

特許第4517146号Japanese Patent No. 4517146 特開2010−214359号公報JP 2010-214359 A

T.Shinbara, T. Makino, K. Matsumoto and J. Mizuguchi: Completedecomposition of polymers by means of thermally generated holes at hightemperatures in titanium dioxide and its decomposition mechanism, J. Appl. Phys98, 044909 1-5 (2005)T. Shinbara, T. Makino, K. Matsumoto and J. Mizuguchi: Completedecomposition of polymers by means of thermally generated holes at hightemperatures in titanium dioxide and its decomposition mechanism, J. Appl. Phys98, 044909 1-5 (2005) 水口 仁:半導体の熱活性によるFRPの完全分解とリサイクル技術、加工技術 47, 37-47 (2012)Hitoshi Mizuguchi: Complete decomposition, recycling technology and processing technology of FRP by thermal activation of semiconductors 47, 37-47 (2012)

上述した浄化装置は、触媒部とヒータとを組み合わせてユニット化し、ユニットを組み合わせることにより、簡単に被処理気体の処理量や処理対象とするガスの種類に応じて浄化装置を構築できるという利点がある。また、触媒部を挟んでヒータを配置することによって、触媒部が上下に位置するヒータにより均一、かつ効率的に加熱される構造となっている。
しかしながら、この浄化装置では触媒部とヒータとが分離しており、それぞれの配置スペースを確保して設置する必要があるために、浄化装置の小型化を図ることが制約されるという問題があった。さらに、従来装置では、ヒータによる熱が上下の触媒部の加熱の他に、横方向に逃げてしまい、熱効率が不十分であるという問題もあった。
The purification device described above has an advantage that a purification device can be easily constructed according to the amount of gas to be processed and the type of gas to be processed by combining the catalyst unit and the heater into a unit and combining the units. is there. Further, by arranging the heater with the catalyst portion interposed therebetween, the catalyst portion is heated uniformly and efficiently by the heaters positioned above and below.
However, in this purification device, the catalyst part and the heater are separated, and it is necessary to secure the installation space for each of them, so there is a problem that it is constrained to reduce the size of the purification device. . Further, in the conventional apparatus, heat from the heater escapes in the lateral direction in addition to the heating of the upper and lower catalyst parts, and there is a problem that the thermal efficiency is insufficient.

酸化物半導体の触媒活性作用を利用して気体を浄化する本方法は、従来の燃焼法に比較すると格段に小型であるが、さらに熱効率を高め小型化できれば、有害物が発生する機器類に搭載して環境に有害物を排出させないようにするといった利用が可能となり、浄化装置の用途を大きく広げることが可能である。   This method of purifying gases using the catalytic activity of oxide semiconductors is much smaller than conventional combustion methods, but if it can be further improved in thermal efficiency and downsized, it can be installed in equipment that generates harmful substances. In this way, it is possible to prevent harmful substances from being discharged into the environment, and the use of the purification apparatus can be greatly expanded.

本発明は、酸化物半導体による触媒作用を利用することにより有害物を含む気体を効果的に浄化することができ、種々の用途への利用を可能にする気体の浄化装置を提供することを目的とし、かつ気体の浄化装置に用いられる触媒担持ブロックの製造方法を提供することを目的とする。
It is an object of the present invention to provide a gas purification device that can effectively purify a gas containing harmful substances by utilizing the catalytic action of an oxide semiconductor, and enables use in various applications. And it aims at providing the manufacturing method of the catalyst support block used for the purification apparatus of gas.

本発明に係る触媒担持ブロックの製造方法は、前記触媒担持ブロックには、収容するヒータの平面形状に一致する溝状に形成された収容部が設けられており、前記ブロックに担持される前記触媒は酸化物半導体であり、前記酸化物半導体のバンド間遷移により大量の正孔と電子とが生成する温度領域に加熱されると、前記酸化物半導体に接触した有機化合物は酸素の存在下、前記正孔の酸化力により酸化分解され、製造工程として、前記触媒担持ブロックの外形に合わせて発泡体を成形する工程と、成形した前記発泡体上において、前記触媒担持ブロックに収容するヒータの断面形状に合わせた曲げ形状とした金属ワイヤからなる発熱体を加熱しながら掃引し、発熱体が通過した領域の発泡体を除去することにより、発泡体に前記ヒータの収容部となる溝形状を形成する工程と、前記溝形状が形成された発泡体にセラミックのスラリーを浸み込ませた後、発泡体を乾燥、焼成することにより、前記発泡体を分解除去し、前記スラリーのセラミック成分からなる多孔体を形成する工程と、該多孔体に前記酸化物半導体を担持する工程と、を備えることを特徴とする。
本発明に係る気体の浄化装置は、触媒担持ブロックの製造方法にて製造した前記触媒担持ブロック多孔体からなる基材に酸化物半導体を担持させた触媒担持ブロックと、触媒担持ブロックを収納する収納容器と、触媒担持ブロックを加熱するヒータとを備え、前記触媒担持ブロックにヒータの収容部(ヒータ挿入孔)が設けられ、該ヒータの収容部に前記ヒータが挿入して装着されていることを特徴とする。
なお、多孔体からなる基材とは、ハニカム構造あるいは三次元網目体構造等の気体の通過経路がきわめて入り組んだ形態に形成された素材であり、アルミナ、マグネシア、シリカ等の固溶体、あるいはゼオライト、シリコン・カーバイト等の焼結体である。
In the method for producing a catalyst carrying block according to the present invention, the catalyst carrying block is provided with a housing portion formed in a groove shape that matches the planar shape of the heater to be housed, and the catalyst carried on the block. Is an oxide semiconductor, and when heated to a temperature region where a large amount of holes and electrons are generated by interband transition of the oxide semiconductor, the organic compound in contact with the oxide semiconductor is A process of forming a foam in accordance with the outer shape of the catalyst-carrying block as a manufacturing process, and a cross-sectional shape of a heater accommodated in the catalyst-carrying block on the molded foam A heating element made of a metal wire bent to match the heating is swept while heating, and the foam in the region through which the heating element has passed is removed, so that the heater is accommodated in the foam. A step of forming a groove shape to be a part, and after impregnating a ceramic slurry into the foam formed with the groove shape, the foam is dried and fired to decompose and remove the foam, The method includes a step of forming a porous body made of a ceramic component of the slurry, and a step of supporting the oxide semiconductor on the porous body.
A gas purification apparatus according to the present invention includes a catalyst supporting block in which an oxide semiconductor is supported on a base material made of the catalyst supporting block porous body manufactured by the catalyst supporting block manufacturing method, and a storage for storing the catalyst supporting block. A container and a heater for heating the catalyst carrying block, wherein the catalyst carrying block is provided with a heater accommodating portion (heater insertion hole), and the heater is inserted and mounted in the heater accommodating portion. Features.
The substrate made of a porous material is a material formed in a form in which a gas passage such as a honeycomb structure or a three-dimensional network structure is very complicated, and is a solid solution such as alumina, magnesia, silica, or zeolite, It is a sintered body such as silicon carbide.

触媒担持ブロックの基材に担持させる酸化物半導体としては、化合物の分解時で高温下、さらに酸素雰囲気下にあっても安定な物質であり、例えば、次の化学式で示される物質等が挙げられるが、これらに限定されることはない。BeO,MgO,CaO,SrO,BaO,CeO,TiO,ZrO,V,Y,YS,Nb,Ta,MoO,WO,MnO,Fe,Fe, MgFe,NiFe,ZnFe,ZnCo,ZnO,CdO,MgAl,ZnAl,Tl,In,SnO,PbO,UO,Cr,MgCr,FeCrO,CoCrO,ZnCr,WO,MnO,Mn,Mn,FeO,NiO,CoO,Co,PdO,CuO,CuO,AgO,CoAl,NiAl,TlO,GeO,PbO,TiO,Ti,VO,MoO,IrO,RuOThe oxide semiconductor to be supported on the base material of the catalyst support block is a stable substance even at high temperatures and even in an oxygen atmosphere at the time of decomposition of the compound, and examples thereof include a substance represented by the following chemical formula: However, it is not limited to these. BeO, MgO, CaO, SrO, BaO, CeO 2, TiO 2, ZrO 2, V 2 O 5, Y 2 O 3, Y 2 O 2 S, Nb 2 O 5, Ta 2 O 5, MoO 3, WO 3 , MnO 2, Fe 2 O 3 , Fe 3 O 4, MgFe 2 O 4, NiFe 2 O 4, ZnFe 2 O 4, ZnCo 2 O 4, ZnO, CdO, MgAl 2 O 4, ZnAl 2 O 4, Tl 2 O 3 , In 2 O 3 , SnO 2 , PbO 2 , UO 2 , Cr 2 O 3 , MgCr 2 O 4 , FeCrO 4 , CoCrO 4 , ZnCr 2 O 4 , WO 2 , MnO, Mn 3 O 4 , Mn 2 O 3 , FeO, NiO, CoO, Co 3 O 4 , PdO, CuO, Cu 2 O, Ag 2 O, CoAl 2 O 4 , NiAl 2 O 4 , Tl 2 O, GeO, PbO, T iO, Ti 2 O 3 , VO, MoO 2 , IrO 2 , RuO 2 .

前述したVOC等を完全分解するメカニズムを要約すると以下のようになる(非特許文献1、非特許文献2参照)。まず、半導体の熱活性とは、室温では全く触媒効果を示さない半導体を350-500℃に加熱すると突如として顕著な触媒効果が発現する現象である。半導体が熱励起される(つまり加熱される)と価電子帯の電子は伝導帯に励起され、価電子帯には電子が抜けた穴(正孔)が大量に生成する。この正孔は電子に早く戻って来てもらい、元の安定状態に戻りたいと言う性質がある。つまり、電子を引っ張る力が強く、換言すれば強い酸化力を有する。この正孔の強い酸化力を使って、被分解化合物(例えばポリマー)から結合電子を奪い、ポリマー内にカチオンのラジカルを生成する。この不安定ラジカルは350-500℃の温度でポリマー内を伝播し、ポリマー全体を不安定化し、ラジカル開裂を誘起して巨大分子を小分子化する。その結果、エチレンやプロパンのように裁断化された分子は、空気中の酸素と反応して完全燃焼反応により炭酸ガスと水になる。このように分解過程は、大量の正孔生成、ラジカル開裂による小分子化、そして完全燃焼の3つから構成される。   The above-described mechanism for completely decomposing VOC and the like is summarized as follows (see Non-Patent Document 1 and Non-Patent Document 2). First, the thermal activity of a semiconductor is a phenomenon in which a remarkable catalytic effect appears suddenly when a semiconductor that does not show a catalytic effect at room temperature is heated to 350-500 ° C. When the semiconductor is thermally excited (that is, heated), electrons in the valence band are excited to the conduction band, and a large number of holes (holes) from which electrons are removed are generated in the valence band. These holes have the property that they want the electrons to return quickly and return to their original stable state. That is, the force which pulls an electron is strong, in other words, it has a strong oxidizing power. Using the strong oxidizing power of the holes, bond electrons are taken away from a compound to be decomposed (for example, a polymer), and a cation radical is generated in the polymer. This unstable radical propagates in the polymer at a temperature of 350-500 ° C, destabilizes the whole polymer, induces radical cleavage, and makes the macromolecule small. As a result, the trimmed molecules such as ethylene and propane react with oxygen in the air to become carbon dioxide and water by a complete combustion reaction. In this way, the decomposition process consists of three processes: large-scale hole generation, small molecule formation by radical cleavage, and complete combustion.

浄化処理部に用いる触媒担持ブロックには、単一のブロック状に形成したものに、ヒータの収容部を設けて、ヒータを装着するようにすることもできるし、複数の触媒担持ブロックを組み合わせ、全体としてブロック状に構成して使用することもできる。
複数個の触媒担持ブロックを相互に接触させた状態で組み合わせて使用する場合には、触媒担持ブロックの接触面(組み合わせ面)の双方に凹溝を設けてヒータの収容部(ヒータ挿入孔)を形成することもできるし、一方の接触面のみにヒータが埋没する深さに凹溝を設けてヒータの収容部とすることもできる。
複数の触媒担持ブロックを組み合わせて使用する場合は、触媒担持ブロックの組み合わせ方を変えるだけでヒータの配置が調節でき、処理風量に合わせて調節することが容易にできるという利点がある。ヒータの配置が決まった場合は、触媒担持ブロックを組み合わせず、一つのブロック状の触媒担持ブロックにヒータの収容部を設けてヒータを装着することもできる。
The catalyst carrying block used for the purification processing unit can be provided with a heater containing portion formed in a single block shape, and the heater can be mounted, or a plurality of catalyst carrying blocks can be combined, It can also be configured and used in the form of a block as a whole.
When a plurality of catalyst support blocks are used in combination with each other in contact with each other, a concave groove is provided on both contact surfaces (combination surfaces) of the catalyst support block so that a heater accommodating portion (heater insertion hole) is provided. It can also be formed, or a concave groove can be provided at a depth at which the heater is buried in only one contact surface to serve as a heater accommodating portion.
When a plurality of catalyst supporting blocks are used in combination, there is an advantage that the arrangement of the heater can be adjusted simply by changing the way of combining the catalyst supporting blocks, and it can be easily adjusted according to the processing air volume. When the arrangement of the heaters is determined, it is also possible to mount the heater by providing a heater accommodating portion in one block-shaped catalyst supporting block without combining the catalyst supporting blocks.

なお、M字形ヒータのような平面形状が曲線形のヒータを装着する場合は、触媒担持ブロックを組み合わせて、触媒担持ブロックの組み合わせ面にヒータの収容部(ヒータ挿入孔)を設ける方法が有効である。
触媒担持ブロックにヒータの収容部を設け、ヒータを触媒担持ブロックに直接接触させて触媒担持ブロックを加熱することにより、触媒担持ブロックを、均一に、効率的に加熱することができる。前記ヒータの収容部は、前記触媒担持ブロックを通過する被処理気体の搬送方向に対し、収容部の長手方向が直交する向きに設けることにより、被処理気体の流通を妨げずに触媒担持ブロックを均一に効率よく加熱することができ、効果的に被処理気体を浄化することができる。
When mounting a heater with a curved planar shape such as an M-shaped heater, it is effective to combine the catalyst support block and provide a heater housing (heater insertion hole) on the combined surface of the catalyst support block. is there.
By providing a heater accommodating portion in the catalyst supporting block and heating the catalyst supporting block by bringing the heater into direct contact with the catalyst supporting block, the catalyst supporting block can be uniformly and efficiently heated. The heater accommodating portion is provided in a direction in which the longitudinal direction of the accommodating portion is orthogonal to the conveying direction of the gas to be processed passing through the catalyst supporting block, thereby preventing the catalyst supporting block from being disturbed. Heating can be performed uniformly and efficiently, and the gas to be treated can be effectively purified.

また、前記触媒担持ブロックの側面と前記収納容器の内側面との間に、触媒担持ブロックの側面と前記収納容器の内側面との間から被処理気体が漏出することを防止するシール性を備えた断熱材を介装することにより、被処理気体が触媒担持ブロックの側面と収納容器の内側面との間から漏出することを防止し、被処理気体を確実に浄化して排出することができる。
また、前記収納容器の外周部に、収納容器から外部への熱伝導を遮断する断熱材を設けることにより、前記ヒータにより収納容器に収納された触媒担持ブロックを効率的に加熱することができ、浄化装置を安全に使用することができる。
Further, a sealing property is provided between the side surface of the catalyst support block and the inner side surface of the storage container to prevent leakage of the gas to be processed from between the side surface of the catalyst support block and the inner side surface of the storage container. By interposing the heat insulating material, the gas to be treated is prevented from leaking from between the side surface of the catalyst carrying block and the inner side surface of the storage container, and the gas to be treated can be reliably purified and discharged. .
In addition, by providing a heat insulating material that blocks heat conduction from the storage container to the outside on the outer periphery of the storage container, the catalyst-carrying block stored in the storage container can be efficiently heated by the heater, The purification device can be used safely.

気体の浄化装置を構成する触媒担持ブロックの製造方法としては、触媒担持ブロックの外形に合わせて発泡体を成形する工程と、成形した発泡体上において、前記触媒担持ブロックに収容するヒータの断面形状に合わせた曲げ形状とした金属ワイヤからなる発熱体を加熱しながら掃引し、発熱体が通過した領域の発泡体を除去することにより、発泡体に前記ヒータの収容部となる溝形状を形成する工程と、前記溝形状が形成された発泡体にセラミックのスラリーを浸み込ませた後、発泡体を乾燥、焼成することにより、前記発泡体を分解除去し、前記スラリーのセラミック成分からなる多孔体を形成する工程と、該多孔体に酸化物半導体を担持する工程と、を備える製法が、ヒータの収容部を容易にかつ確実に形成できる点で有効である。   The method for producing the catalyst supporting block constituting the gas purification device includes a step of forming a foam according to the outer shape of the catalyst supporting block, and a cross-sectional shape of the heater accommodated in the catalyst supporting block on the formed foam A heating element made of a metal wire having a bent shape adapted to the shape of the wire is swept while being heated, and the foam in the region through which the heating element has passed is removed, thereby forming a groove shape serving as a housing portion for the heater in the foam. And a step of impregnating the ceramic slurry in the foam in which the groove shape is formed, and then drying and firing the foam to decompose and remove the foam and to form a porous material composed of the ceramic component of the slurry. A manufacturing method including a step of forming a body and a step of supporting an oxide semiconductor on the porous body is effective in that the housing portion of the heater can be easily and reliably formed.

本発明に係る気体の浄化装置によれば、触媒担持ブロックにヒータの収容部を設けて、ヒータの収容部にヒータを収容する構成としたことにより、触媒担持ブロックを効率的に加熱することが可能となり、さらに触媒担持ブロックとヒータとをコンパクトに配置するため浄化装置の小型化が図られ、有害物を効果的に浄化することができる。   According to the gas purification apparatus of the present invention, the catalyst supporting block is provided with the heater accommodating portion, and the heater accommodating portion is accommodated in the heater supporting portion, so that the catalyst supporting block can be efficiently heated. Furthermore, since the catalyst carrying block and the heater are arranged in a compact manner, the purification device can be downsized, and harmful substances can be effectively purified.

浄化装置の浄化処理部の外観図である。It is an external view of the purification process part of a purification apparatus. 処理部に配置する触媒担持ブロックの平面図(a)、斜視図(b)である。It is the top view (a) and perspective view (b) of the catalyst support block arrange | positioned at a process part. 浄化装置の処理部の組み立て斜視図である。It is an assembly perspective view of the process part of a purification apparatus. 触媒担持ブロックを収納した状態をケース部の端面方向から見た状態を示す写真である。It is the photograph which shows the state which looked at the state which accommodated the catalyst carrying block from the end surface direction of the case part. M字ヒータを装着した触媒担持ブロックの断面図(a)、平面図(b)である。It is sectional drawing (a) and a top view (b) of the catalyst support block equipped with the M-shaped heater. 触媒担持ブロックに装着するM字ヒータの例である。It is an example of the M-shaped heater attached to a catalyst carrying block. 触媒担持ブロックの製造工程を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing process of a catalyst carrying block. セラミック多孔体とヒータとからなる触媒ユニットの写真である。It is a photograph of the catalyst unit which consists of a ceramic porous body and a heater.

図1は、本発明に係る気体の浄化装置の一実施形態について主要構成部分である浄化処理部10の外観図を示す。この浄化処理部10は、被処理気体を浄化する触媒担持ブロック20を収納した収納容器12と、収納容器12に連結されたダクト14a、14bとを備える。収納容器12はステンレス板を用いて角筒状に組み立てられ、触媒担持ブロック20は収納容器12の収納空間を略充填するようにして収納されている。収納容器12の開口側の両側縁にはフランジ12aが設けられ、フランジ12aにダクト14a、14bが連結され、ダクト14a、14bと収納容器12の内部は連通空間となっている。   FIG. 1 is an external view of a purification processing unit 10 which is a main component part of an embodiment of a gas purification apparatus according to the present invention. The purification processing unit 10 includes a storage container 12 that stores a catalyst carrying block 20 that purifies a gas to be processed, and ducts 14 a and 14 b connected to the storage container 12. The storage container 12 is assembled into a rectangular tube shape using a stainless plate, and the catalyst support block 20 is stored so as to substantially fill the storage space of the storage container 12. Flange 12a is provided on both side edges on the opening side of the storage container 12, and ducts 14a and 14b are connected to the flange 12a, and the inside of the ducts 14a and 14b and the storage container 12 is a communication space.

図2に、収納容器12に収納される触媒担持ブロック20を示す。図2(a)は触媒担持ブロック20を収納容器12に収納した状態での平面図、図2(b)は斜視図を示す。図2に示すように、触媒担持ブロック20は、互いに端面を接触させ、整列させて収納容器12に収納する。
図示例では4個の触媒担持ブロック20を収納容器12に収納している。一つの触媒担持ブロック20は、厚さ30mm、高さ50mm、横幅73mmである。触媒担持ブロック20を4個、並べた状態で、横幅73mm、高さ50mm、長さ(気体の流れ方向)120mmのブロック状になる。本実施形態で使用している触媒担持ブロック20は一例であり、収納容器12に収納する触媒担持ブロック20の大きさや、配置数などは適宜選択可能である。
FIG. 2 shows the catalyst support block 20 stored in the storage container 12. 2A is a plan view of the catalyst carrying block 20 stored in the storage container 12, and FIG. 2B is a perspective view. As shown in FIG. 2, the catalyst carrying blocks 20 are stored in the storage container 12 with their end faces in contact with each other and aligned.
In the illustrated example, four catalyst support blocks 20 are stored in the storage container 12. One catalyst support block 20 has a thickness of 30 mm, a height of 50 mm, and a lateral width of 73 mm. In a state where four catalyst support blocks 20 are arranged, the block shape is a block having a width of 73 mm, a height of 50 mm, and a length (gas flow direction) of 120 mm. The catalyst support block 20 used in the present embodiment is an example, and the size and number of the catalyst support blocks 20 stored in the storage container 12 can be selected as appropriate.

なお、触媒担持ブロック20は、ハニカム構造あるいは三次元網目体構造等の流通経路がきわめて入り組んだ多孔体として形成され、気体と触媒(酸化物半導体)との接触面積がきわめて大きくなるように構成された基材に、触媒として酸化クロム等の酸化物半導体を担持させたものである。このようなハニカム構造あるいは三次元網目構造となる基材としては、市販のセラミック・フォームを利用することができる。このセラミック・フォームは製錬した液体状の金属をろ過するフィルターとして利用されているもので、ランダムな三次元構造を有し、通過する気体との衝突頻度が高いこと、軽量であること、熱容量が小さく、さらに透過率が80%程度もあるという利点がある。セラミック・フォームは板状製品として提供され、所望する大きさに切断したり、穴を開けたりすることが可能であり、浄化装置に合わせて加工して使用することができる。
基材に担持させる酸化物半導体としては、前述したように種々の酸化物半導体を用いることができる。中でもTiO2、ZnO、NiO、Cr2O3、Fe2O3が好ましく、さらに酸化クロムが最も好んで使用される。
The catalyst support block 20 is formed as a porous body in which a flow path such as a honeycomb structure or a three-dimensional network structure is extremely complicated, and is configured so that a contact area between the gas and the catalyst (oxide semiconductor) becomes extremely large. The substrate is loaded with an oxide semiconductor such as chromium oxide as a catalyst. A commercially available ceramic foam can be used as the base material having such a honeycomb structure or a three-dimensional network structure. This ceramic foam is used as a filter to filter smelted liquid metal, has a random three-dimensional structure, high collision frequency with the passing gas, light weight, heat capacity Is advantageous in that the transmittance is as low as 80%. The ceramic foam is provided as a plate-like product, and can be cut to a desired size or punched, and can be processed and used in accordance with a purification device.
As the oxide semiconductor supported on the base material, various oxide semiconductors can be used as described above. Among them TiO 2, ZnO, NiO, preferably Cr 2 O 3, Fe 2 O 3, further chromium oxide is used in the most favored.

本実施形態の浄化装置において特徴とする構成は、触媒担持ブロック20を互いに側面を接触させる(当接させる)配置として収納容器12に収納し、かつ触媒担持ブロック20の本体自体にヒータの収容部(ヒータ挿入孔)20aを貫通させて設け、ヒータの収容部20aにヒータ30を収容する構成としたことにある。実施形態ではヒータ30として円柱状のロッド・ヒータ(外径10mm、長さ52mm)を使用し、内径12mmのヒータの収容部20aを設けた。   The characteristic feature of the purification apparatus of the present embodiment is that the catalyst support block 20 is stored in the storage container 12 in such a manner that the side surfaces of the catalyst support block 20 are in contact with each other (contact), and (Heater insertion hole) 20a is provided so as to penetrate therethrough, and the heater 30 is accommodated in the heater accommodating portion 20a. In the embodiment, a cylindrical rod heater (outer diameter 10 mm, length 52 mm) is used as the heater 30, and a heater accommodating portion 20 a having an inner diameter of 12 mm is provided.

実際には、触媒担持ブロック20の互いに接する面に断面形状が半円形の凹溝を設け、触媒担持ブロック20を向い合せて配置した際に、断面形状で円形のヒータの収容部20aが形成されるようにした。
図2に示すように、実施形態では、触媒担持ブロック20の2つの当接面にそれぞれ2つずつヒータの収容部20aを設け、収納容器12に触媒担持ブロック20を装着した状態で、収納容器12全体で4つのヒータの収容部20aを設けた。
Actually, when the catalyst support block 20 is provided with concave grooves having a semicircular cross section on the surfaces that contact each other, and the catalyst support block 20 is disposed facing each other, a circular heater housing portion 20a is formed. It was to so.
As shown in FIG. 2, in the embodiment, in each of the two contact surfaces of the catalyst support block 20, two heater storage portions 20 a are provided and the storage container 12 is mounted with the catalyst support block 20. In total, 12 heater housing portions 20a are provided.

図3に、収納容器12の組み立て図を示す。
図3(a)は、コの字形に形成されたケース部12bに触媒担持ブロック20を収容し、ケース部12bに蓋12cを被せる状態を示す。触媒担持ブロック20を収納したブロック体にはヒータの収容部20aが設けられ、蓋12cにヒータの収容部20aに位置合わせしてヒータを挿入するための開口12dが設けられている。
図3(b)は、収納容器12に触媒担持ブロック20を収納した状態を示す。
FIG. 3 shows an assembly diagram of the storage container 12.
FIG. 3A shows a state in which the catalyst carrying block 20 is housed in a case portion 12b formed in a U-shape and the case portion 12b is covered with a lid 12c. The block body in which the catalyst carrying block 20 is accommodated is provided with a heater accommodating portion 20a, and the lid 12c is provided with an opening 12d for inserting the heater in alignment with the heater accommodating portion 20a.
FIG. 3B shows a state in which the catalyst carrying block 20 is stored in the storage container 12.

図1は、収納容器12に触媒担持ブロック20を収納し、ヒータの収容部にヒータ30としてロッド・ヒータを挿入して装着した状態を示す。ヒータ30の端部から導電線31が延出し、電源に接続される。ヒータ30は収納容器12の外側(図示例では上面側)から触媒担持ブロック20に挿入するから、ヒータの収容部は収納容器12の一つの面にのみ開口していればよい。
収納容器12に収容する触媒担持ブロック20の数や、その配置位置に合わせて、あらかじめ収納容器12にヒータを挿入する開口を設けておけば、収納容器12に触媒担持ブロック20を収納した後に、ヒータ30を挿入するだけで浄化処理部が構成できる。
FIG. 1 shows a state in which a catalyst carrying block 20 is stored in a storage container 12 and a rod heater is inserted and mounted as a heater 30 in a heater storage portion. A conductive wire 31 extends from the end of the heater 30 and is connected to a power source. Since the heater 30 is inserted into the catalyst carrying block 20 from the outside (upper surface side in the illustrated example) of the storage container 12, the heater storage portion only needs to be opened on one surface of the storage container 12.
If an opening for inserting a heater is provided in advance in the storage container 12 in accordance with the number of catalyst support blocks 20 to be stored in the storage container 12 and the arrangement position thereof, after the catalyst support blocks 20 are stored in the storage container 12, A purification treatment unit can be configured simply by inserting the heater 30.

なお、収納容器12の組み立て方法や、収納容器12とダクト14a、14bとを連結させて組み立てる方法は、上記例に限るものではなく、組み立て用のパーツを適宜用意することによって適宜組み立てることができる。たとえば、上記例のように、収納容器12とダクト14a、14bとを別のパーツとして、収納容器12を組み立てた後にダクト14a、14bを連結してもよいし、収納容器12とダクト14a、14bとを連結した分割パーツを用意しておき、触媒担持ブロック20を収納容器12に収納しながら収納容器12とダクト14、14bがともに組み立てられるようにすることもできる。   The method for assembling the storage container 12 and the method for assembling the storage container 12 and the ducts 14a and 14b are not limited to the above example, and can be appropriately assembled by appropriately preparing parts for assembly. . For example, as in the above example, the storage container 12 and the ducts 14a and 14b may be separate parts and the ducts 14a and 14b may be connected after the storage container 12 is assembled. Alternatively, the storage container 12 and the ducts 14a and 14b may be connected. It is also possible to prepare a divided part in which the storage container 12 and the ducts 14 and 14b are assembled together while the catalyst carrying block 20 is stored in the storage container 12.

図4は、収納容器12に触媒担持ブロック20を収容した状態を収納容器12の端面方向から見た状態を示す。触媒担持ブロック20はセラミック・フォーム等の網目状等の素材からなるため、収納容器12に触媒担持ブロック20を収納した状態で、収納容器12の内側面と触媒担持ブロック20の外面との間から被処理気体が漏出することが生じ得る。このため、実施形態では、収納容器12の内側面と触媒担持ブロック20の側面との間に気体のシール性を有する断熱材35を挟み込み、触媒担持ブロック20の側面と収納容器12の内側面との間を気密にシールするとともに、触媒担持ブロック20から収納容器12に熱が伝導することを抑制している。   FIG. 4 shows a state in which the catalyst carrying block 20 is accommodated in the storage container 12 as viewed from the end surface direction of the storage container 12. Since the catalyst support block 20 is made of a mesh-like material such as ceramic foam, the catalyst support block 20 is stored between the inner surface of the storage container 12 and the outer surface of the catalyst support block 20 in a state where the catalyst support block 20 is stored in the storage container 12. It can happen that the gas to be treated leaks. For this reason, in the embodiment, a heat insulating material 35 having a gas sealing property is sandwiched between the inner side surface of the storage container 12 and the side surface of the catalyst support block 20, and the side surface of the catalyst support block 20 and the inner side surface of the storage container 12 are Between the catalyst carrying block 20 and the storage container 12 is prevented from conducting heat.

断熱材35には、触媒担持ブロック20の加熱温度(350℃〜500℃程度)に十分耐える耐熱性と、加熱温度で触媒担持ブロック20と収納容器12とを気密にシールするシール性が確保できる素材であれば、適宜素材を使用することができる。断熱材35の厚さも適宜厚さにすればよい。
断熱材35で包むようにして触媒担持ブロックを例えばステンレス製の収納容器12に入れる場合、収納容器12の内面は鏡面仕上げとし、熱反射により熱の系外への放出を最小限にとどめる。
The heat insulating material 35 can ensure heat resistance that can sufficiently withstand the heating temperature (about 350 ° C. to 500 ° C.) of the catalyst supporting block 20 and sealing performance that hermetically seals the catalyst supporting block 20 and the storage container 12 at the heating temperature. If it is a raw material, a raw material can be used suitably. The thickness of the heat insulating material 35 may be set appropriately.
When the catalyst-carrying block is put in, for example, a stainless steel storage container 12 so as to be wrapped with the heat insulating material 35, the inner surface of the storage container 12 is mirror-finished, and the release of heat to the outside of the system is minimized by heat reflection.

触媒担持ブロック20と収納容器12の壁面との間のシール性を確保することは、浄化処理を確実に行う上で注意すべき問題である。本実施形態の浄化装置においては、触媒担持ブロック20の側面全体と収納容器12の内側面との間にシール性を有する断熱材35を挟む込むことにより、被処理気体を確実に浄化処理できるようにしている。
なお、ヒータ30を挿入する開口12dとヒータ30の外面との間についても、ヒータ30と開口12dとの間に断熱シートを詰めてシールする。
Ensuring a sealing property between the catalyst carrying block 20 and the wall surface of the storage container 12 is a problem to be noted when performing the purification process with certainty. In the purification apparatus of the present embodiment, the gas to be treated can be reliably purified by sandwiching the heat insulating material 35 having sealing properties between the entire side surface of the catalyst carrying block 20 and the inner side surface of the storage container 12. I have to.
In addition, between the opening 12d into which the heater 30 is inserted and the outer surface of the heater 30, a heat insulating sheet is packed between the heater 30 and the opening 12d for sealing.

図1に示す浄化処理部10は浄化装置の主要構成部分であり、実際に使用する際には、浄化処理部10の外側を断熱材によって覆うようにし、浄化処理部10を保温して浄化処理部10から熱が逃げないようにするとともに、安全保護のため高温に加熱された浄化処理部10に触れないようにする。実際の装置では、収納容器12全体を断熱材で覆い、浄化処理部をンレス金属ケース(化粧箱)に収納した。浄化処理部の外面を覆う断熱材としては、綿状のアルミナ繊維やガラス繊維、板状の断熱材としては産業機器用断熱板や珪藻土板が使用できる。
断熱材を取り付ける際には、収納容器12の縁部に設けたフランジ12aを利用して取り付けることができる。
The purification processing unit 10 shown in FIG. 1 is a main component of the purification device, and when actually used, the outside of the purification processing unit 10 is covered with a heat insulating material, and the purification processing unit 10 is kept warm to perform the purification process. Heat is prevented from escaping from the portion 10 and the purification treatment portion 10 heated to a high temperature is not touched for safety protection. In the actual apparatus, the entire storage container 12 was covered with a heat insulating material, and the purification treatment part was stored in a metal case (decorative box). Cotton-like alumina fibers and glass fibers can be used as the heat insulating material covering the outer surface of the purification treatment unit, and industrial equipment heat insulating plates and diatomaceous earth plates can be used as the plate-like heat insulating materials.
When attaching a heat insulating material, it can attach using the flange 12a provided in the edge of the storage container 12. FIG.

なお、触媒担持ブロック20は、ヒータ30への通電を制御して、基材に担持した酸化物半導体の触媒作用が確実に作用するように温度制御する。図2、3に示す実施形態では、触媒担持ブロック20の中央部に温度センサ(熱電対)を挿入する挿入孔21を設け、収納容器12にもセット孔12eを設けて、温度コントローラーによりヒータ30への通電を制御して、触媒担持ブロック20の温度を制御している。   The catalyst supporting block 20 controls the temperature so that the catalytic action of the oxide semiconductor supported on the base material acts reliably by controlling energization to the heater 30. In the embodiment shown in FIGS. 2 and 3, an insertion hole 21 for inserting a temperature sensor (thermocouple) is provided at the center of the catalyst carrying block 20, and a set hole 12 e is also provided in the storage container 12. The temperature of the catalyst carrying block 20 is controlled by controlling the energization to the catalyst.

(屈曲ヒータの配置例)
上述した浄化装置はヒータ30として棒状のヒータ(ロッド・ヒータ)を装着した例である。図5は、屈曲形のヒータとして、図6に示すM字ヒータ32を触媒担持ブロック22に装着した例を示す。図5(a)は、触媒担持ブロック22に形成した凹溝22aにM字ヒータ32を装着した触媒担持ブロック22を他の触媒担持ブロックと組み合わせた例を示す。図5(b)は、M字ヒータ32を装着した触媒担持ブロック22の装着面における平面配置である。
(Bending heater arrangement example)
The purification device described above is an example in which a rod-shaped heater (rod heater) is mounted as the heater 30. FIG. 5 shows an example in which the M-shaped heater 32 shown in FIG. 6 is mounted on the catalyst carrying block 22 as a bent heater. FIG. 5A shows an example in which the catalyst support block 22 in which the M-shaped heater 32 is mounted in the concave groove 22a formed in the catalyst support block 22 is combined with another catalyst support block. FIG. 5B is a planar arrangement on the mounting surface of the catalyst carrying block 22 on which the M-shaped heater 32 is mounted.

本実施形態においては、相互に端面を接触させて配置する一方の触媒担持ブロック22の端面(接触面)にM字ヒータ32がちょうど埋没する深さに凹溝22aを設けてヒータの収容部とし、他方の触媒ブロック22の接触面を平面としている。もちろん、対向配置する触媒担持ブロック22の双方の接触面に断面形状が半円形の凹溝22aを設け、凹溝を組み合わせてヒータの収容部とすることもできる。
このM字ヒータ32のように屈曲形のヒータを使用する場合は、複数個の触媒担持ブロックを組み合わせて使用し、触媒担持ブロックの突き合わせ面(接触面)に、ヒータの収容部を形成してヒータを装着する方法が有効である。
前述した、ロッド・ヒータ等の棒状のヒータを使用する場合は、必ずしも触媒担持ブロックの突き合わせ面を利用することなく、触媒担持ブロック自体にヒータの収容部を設けてヒータを装着してもよい。
In the present embodiment, a groove 22a is provided at a depth at which the M-shaped heater 32 is just buried in the end surface (contact surface) of one of the catalyst support blocks 22 arranged so that the end surfaces are in contact with each other to serve as a heater accommodating portion. The contact surface of the other catalyst block 22 is a flat surface. Of course, a concave groove 22a having a semicircular cross-sectional shape may be provided on both contact surfaces of the catalyst support block 22 arranged opposite to each other, and the concave groove may be combined to form a heater accommodating portion.
When a bent heater such as the M-shaped heater 32 is used, a plurality of catalyst supporting blocks are used in combination, and a heater accommodating portion is formed on the abutting surface (contact surface) of the catalyst supporting block. A method of mounting a heater is effective.
When the rod-shaped heater such as the rod heater described above is used, the heater may be mounted by providing a heater accommodating portion in the catalyst supporting block itself without necessarily using the abutting surface of the catalyst supporting block.

本実施形態のように、触媒担持ブロック自体の内部に直接、ヒータを内蔵する配置とすることにより、触媒担持ブロックを効率的に加熱することができ、触媒担持ブロックによる有害物の分解、浄化作用を効果的に行うことが可能になる。また、触媒ブロック自体にヒータを内蔵することにより、浄化装置全体としてのコンパクト化を図ることが可能になる。
なお、触媒担持ブロックにヒータを内蔵する際には、触媒担持ブロックを通過する被処理気体の流量を考慮して、使用するヒータの形状や、ヒータの大きさ(径寸法)、ヒータの配置間隔等を設定する。
As in this embodiment, by arranging the heater directly inside the catalyst support block itself, the catalyst support block can be efficiently heated, and the catalyst support block can decompose and purify harmful substances. Can be effectively performed. In addition, by incorporating a heater in the catalyst block itself, it is possible to achieve a compact purification apparatus as a whole.
When the heater is built in the catalyst support block, the shape of the heater to be used, the size (diameter dimension) of the heater, and the heater arrangement interval are taken into consideration in consideration of the flow rate of the gas to be processed passing through the catalyst support block. Etc.

(触媒担持ブロックの製法)
触媒担持ブロックにヒータを収容する収容部(ヒータ挿入孔)を設ける方法としては、触媒担持ブロックの基材であるセラミック多孔体に機械加工(フライス盤やルータによる加工)により設ける方法がある。しかしながら、セラミック多孔体は脆く、加工時に破片が飛散しやすいことから、加工が難しい上に、切削刃が傷みやすく、セラミックの切削ごみが機械の可動部分に入り込んで加工装置を傷めてしまうといった問題がある。
(Production method of catalyst support block)
As a method of providing a storage portion (heater insertion hole) for storing a heater in the catalyst support block, there is a method of providing the ceramic porous body that is a base material of the catalyst support block by machining (processing by a milling machine or a router). However, the ceramic porous body is fragile, and fragments are likely to scatter during processing, which makes it difficult to process, and the cutting blade is easily damaged, and the ceramic cutting dust enters the moving parts of the machine and damages the processing equipment. There is.

このような問題を解消する方法としては、セラミック多孔体を形成した後に、ヒータの収容部を形成するのではなく、セラミック多孔体の製造過程において、ヒータの収容部を形成してしまう方法が有効である。
セラミック多孔体は、作製しようとするセラミック多孔体の形状(外形)に合わせて、まず発泡体を成形し、この発泡体を利用して作製する。発泡体は、多孔体を形成するための基材となるもので、発泡ウレタン等の、ハニカム構造あるいは三次元網目体構造等の多孔体構造体を備えるものを使用する。
発泡ウレタンは、通常、1×1×1m程度の大きさの立方体状の発泡ウレタン体として提供される。この発泡ウレタン体から切り出して所望する大きさ(例えば、300×300×30mm)の平板体状の発泡体を形成する(発泡体を成形する工程)。セラミック多孔体の大きさや形状は適宜設定可能であるが、以下では、平板状のセラミック多孔体を形成する例について説明する。
As a method for solving such a problem, it is effective not to form the heater housing part after forming the ceramic porous body, but to form the heater housing part in the manufacturing process of the ceramic porous body. It is.
The ceramic porous body is produced by first molding a foam according to the shape (outer shape) of the ceramic porous body to be produced. The foam is a base material for forming a porous body, and a foam having a porous structure such as a foamed urethane structure such as a honeycomb structure or a three-dimensional network structure is used.
The foamed urethane is usually provided as a cubic foamed urethane body having a size of about 1 × 1 × 1 m. A flat plate-like foam having a desired size (for example, 300 × 300 × 30 mm) is cut out from the foamed urethane body (step of molding the foam). Although the magnitude | size and shape of a ceramic porous body can be set suitably, below, the example which forms a flat ceramic porous body is demonstrated.

図7(a)は、平板状のセラミック多孔体に使用する発泡体40を示す。この発泡体にヒータの収容部として例えばM字形の溝を設ける方法としては、厚さが20mm程度の発泡ウレタンをM字状に打ち抜き、これを発泡体40の上に貼り付ける方法が考えられる。しかしながら、この方法では、発泡ウレタンを打ち抜くトムソン・ブレードの作製や打ち抜き装置が必要となりコスト高となる。また、発泡ウレタンを液体窒素等で凍結させ、これをフライス盤に取り付け、回転ノミで溝を掘る方法によって溝を加工する方法も可能である。しかしながら、この方法も量産性を考えると現実的ではない。   Fig.7 (a) shows the foam 40 used for a flat ceramic porous body. As a method of providing, for example, an M-shaped groove as a heater accommodating portion in this foam, a method of punching foamed urethane having a thickness of about 20 mm into an M shape and sticking it on the foam 40 can be considered. However, this method requires a Thomson blade for punching urethane foam and a punching device, which increases costs. Moreover, the method of processing a groove | channel by the method of freezing urethane foam with liquid nitrogen etc., attaching this to a milling machine, and digging a groove | channel with a rotation chisel is also possible. However, this method is not realistic considering mass productivity.

図7(b)は、発泡体40にヒータの収容部となる溝を加工する方法を示す。加熱した金属ワイヤを発泡体40上で掃引して発泡体40を焼き抜き、溝(ヒータの収容部)を形成する。金属ワイヤは発泡体40を焼き抜く発熱体として使用するもので、ヒータ線にはNi−Cr線や白金線を利用することができる。この金属ワイヤをコの字形に曲げて発熱体44とし、発熱体44を絶縁碍子45の電極に固定し、発熱体44と通電用の電源46とを接続する。
発熱体44に通電し、赤熱した発熱体44を発泡体40に接触させながら掃引すると、金属ワイヤが発泡体40に接触した部位が焼き抜かれ、発熱体44がメスのように作用して、発熱体44が通過した領域が発泡体40から切り取られる(発泡体にヒータの収容部となる溝形状を形成する工程)。
FIG. 7 (b) shows a method for processing a groove serving as a heater accommodating portion in the foam 40. The heated metal wire is swept over the foam 40 to burn out the foam 40 and form a groove (heater accommodating portion). The metal wire is used as a heating element that burns out the foam 40, and a Ni—Cr wire or a platinum wire can be used as the heater wire. The metal wire is bent into a U-shape to form a heating element 44, the heating element 44 is fixed to the electrode of the insulator 45, and the heating element 44 and the power supply 46 for energization are connected.
When the heating element 44 is energized and swept while the red-heated heating element 44 is in contact with the foam 40, the portion where the metal wire is in contact with the foam 40 is burned out, and the heating element 44 acts like a knife to generate heat. The region through which the body 44 has passed is cut out from the foam 40 (a step of forming a groove shape serving as a heater accommodating portion in the foam).

図7(b)はM字形のヒータの収容部を設けるために発熱体44をM字状に掃引する例(図の矢印のように発熱体を動かす)である。
図7(c)は、発熱体44を掃引する操作を行って発泡体40に溝42を形成した状態を示す。溝42の幅及び深さは、金属ワイヤによって形成する発熱体44のコの字形部分の幅と深さ(長さ)を調節することによって任意に設定することができる。発熱体44を掃引操作する際に、発泡体40の表面から沈み込ませる発熱体44の深さを調節して溝42の深さを設定することができる。
FIG. 7B shows an example in which the heating element 44 is swept in an M shape in order to provide an M-shaped heater housing (the heating element is moved as indicated by the arrow in the figure).
FIG. 7C shows a state where the groove 42 is formed in the foam 40 by performing an operation of sweeping the heating element 44. The width and depth of the groove 42 can be arbitrarily set by adjusting the width and depth (length) of the U-shaped portion of the heating element 44 formed by the metal wire. When the heating element 44 is swept, the depth of the groove 42 can be set by adjusting the depth of the heating element 44 that sinks from the surface of the foam 40.

(実験例1)
発熱体を利用して発泡ウレタンに溝を形成する操作を行った例について説明する。
気体の透過率が約80%の発泡ウレタン板(300×300×30mm)を発泡体とした。
発熱体には、直径0.5mmのNi-Cr線を金属ワイヤを使用し、金属ワイヤを幅10mm、深さ10mmのコの字形に加工して発熱体とした。
発熱体の印加電圧を1V、掃引速度を5cm/秒として発泡体上で発熱体をM字状に掃引することにより、発泡体上に溝を形成することができた。発泡体上に形成された溝は、幅10mm、深さ10mmであった。
(Experimental example 1)
An example in which an operation for forming a groove in urethane foam using a heating element will be described.
A foamed urethane plate (300 × 300 × 30 mm) having a gas permeability of about 80% was used as the foam.
As the heating element, a Ni—Cr wire having a diameter of 0.5 mm was used as a metal wire, and the metal wire was processed into a U shape having a width of 10 mm and a depth of 10 mm to obtain a heating element.
A groove could be formed on the foam by sweeping the heat generator in an M shape on the foam with an applied voltage of the heat generator of 1 V and a sweep rate of 5 cm / sec. The groove formed on the foam had a width of 10 mm and a depth of 10 mm.

(実験例2)
実験例1において使用した発熱体と同一の発熱体を使用し、気体の透過率が約40%の発泡ウレタン板(300×300×50mm)にM字形の溝を形成する実験を行った。発熱体の印加電圧、掃引速度は実験例1と同様である。
この実験においても、発泡体上で発熱体をM字状に掃引することにより、発熱体の掃引経路にしたがってM字状の溝が形成されること、発泡体上に、幅10mm、深さ10mmの溝が形成されたことを確認した。
これらの実験結果は、金属ワイヤを発熱体とし、金属ワイヤを加熱して発泡体を焼き抜く方法が、発泡上に溝を形成する方法として有効に利用できることを示す。
(Experimental example 2)
The same heating element as that used in Experimental Example 1 was used, and an experiment was conducted in which an M-shaped groove was formed on a foamed urethane plate (300 × 300 × 50 mm) having a gas permeability of about 40%. The applied voltage and sweep speed of the heating element are the same as in Experimental Example 1.
Also in this experiment, the M-shaped groove is formed according to the sweep path of the heating element by sweeping the heating element in the M shape on the foam, and the width of 10 mm and the depth of 10 mm on the foam. It was confirmed that the grooves were formed.
These experimental results show that the method of using a metal wire as a heating element and heating the metal wire to burn out the foam can be effectively used as a method for forming a groove on the foam.

金属ワイヤを用いた発熱体を利用して発泡体に溝を形成する方法は、加工装置がきわめて簡易な構成で済ませられること、溝を加工する操作が簡単で短時間で溝を作ることができること、発熱体の掃引方向(動かし方)を制御するだけで直線や曲線の任意の形状に溝が形成できるという利点がある。
また、発熱体を掃引して溝を形成する方法は、溝を形成する対象物である発泡体の形状や大きさによって制約されないという利点もある。発熱体を掃引してヒータの収容部を形成する操作は、きわめて自由度の高い操作であり、平板状等の平面的な発泡体に収容部を形成する場合に限らず、円柱体状や円筒体状等の曲面状の外面を備える発泡体に対して収容部を形成することも容易に可能である。
The method of forming a groove in a foam using a heating element using a metal wire is that the processing apparatus can be completed with a very simple configuration, and that the groove processing operation is simple and can be formed in a short time. There is an advantage that the groove can be formed in an arbitrary shape of a straight line or a curve only by controlling the sweeping direction (how to move) the heating element.
Further, the method of forming the groove by sweeping the heating element also has an advantage that it is not restricted by the shape and size of the foam that is the object for forming the groove. The operation of sweeping the heating element to form the heater accommodating portion is an operation with a very high degree of freedom, and is not limited to the case where the accommodating portion is formed in a flat foam such as a flat plate, but a columnar or cylindrical shape. It is also possible to easily form the accommodating portion for a foam having a curved outer surface such as a body shape.

発熱体を掃引して収容部を形成する方法としては、ガイドを利用して手動で発熱体を移動させて形成することもできるし、操作用のロボット等の操作手段により発熱体を掃引操作して溝を形成することもできる。操作手段を利用して収容部(溝)を形成する方法であれば、発泡体に正確に溝を形成することができ、収容部を形成する処理を自動化することもできる。発泡体にヒータの収容部を形成する処理装置としては、被処理対象物である発泡体を支持する支持部、発熱体に通電した状態で発熱体を移動操作する操作手段、操作手段を制御して発泡体上で発熱体を掃引する経路を制御する制御部を構成として備えていればよい。   As a method of forming the housing part by sweeping the heating element, it can be formed by manually moving the heating element using a guide, or by sweeping the heating element by an operation means such as a robot for operation. It is also possible to form grooves. If it is the method of forming an accommodating part (groove) using an operation means, a groove can be accurately formed in a foam and the process which forms an accommodating part can also be automated. The processing apparatus for forming the heater accommodating portion in the foam includes a support portion for supporting the foam as the object to be processed, an operating means for moving the heating element while the heating element is energized, and an operating means. Thus, it is only necessary to provide a control unit that controls a path for sweeping the heating element on the foam.

図7(c)に示す発泡体10に設けられた溝12は、溝12内にヒータ6が埋没して収容される寸法に設けられている。触媒ユニットによっては、複数個のセラミック多孔体を組み合わせて使用する場合もある。2つのセラミック多孔体を向い合わせて、セラミック多孔体の対向面(接触面)間にヒータを配置するといったような場合は、一組の発泡体のそれぞれの対向面にヒータの外径の1/2の深さの溝を形成して組み合わせて使用すればよい。   The groove 12 provided in the foam 10 shown in FIG. 7C is provided with a size that allows the heater 6 to be buried in the groove 12 and accommodated therein. Depending on the catalyst unit, a plurality of ceramic porous bodies may be used in combination. When two ceramic porous bodies face each other and a heater is disposed between the opposing surfaces (contact surfaces) of the ceramic porous body, each of the opposing surfaces of the set of foams has a 1 / outer diameter of the heater. A groove having a depth of 2 may be formed and used in combination.

上述した方法により、発泡体40に溝42を形成した後、この発泡体40を、アルミナ、マグネシア、シリカ等のセラミック成分とバインダー成分とを混合したスラリー中に含浸させ、発泡体40の内部にまでスラリーを浸み込ませる。
次に、余剰のスラリーを除去した後、スラリーが付着した発泡体を乾燥させ、次いで、約1600℃で焼成する。焼成工程で、発泡体のポリウレタンは分解除去され、スラリーのセラミック成分であるアルミナ、マグネシア、シリカは固溶体となり、ハニカム構造あるいは三次元網目体構造を備える多孔体が得られる(多孔体を形成する工程)。
なお、スラリーを含浸させた発泡体を乾燥、焼成する工程において、発泡体と焼成体(セラミック多孔体)の寸法が変化する場合には、発泡体と焼成体の寸法の差異をあらかじめ想定して発泡体に形成する溝の幅、深さを設定しておけばよい。触媒ブロックのヒータの収容部の寸法精度はさほど高くはないから、製造上の誤差等も考慮して発泡体に形成する収容部(溝)の幅、深さを設定すればよい。
After the grooves 42 are formed in the foam 40 by the above-described method, the foam 40 is impregnated in a slurry in which a ceramic component such as alumina, magnesia, silica, and the like and a binder component are mixed, and the foam 40 is filled inside. Soak the slurry until
Next, after removing the excess slurry, the foam to which the slurry is attached is dried and then fired at about 1600 ° C. In the firing step, the polyurethane of the foam is decomposed and removed, and alumina, magnesia, and silica, which are ceramic components of the slurry, become a solid solution, and a porous body having a honeycomb structure or a three-dimensional network structure is obtained (process for forming a porous body) ).
In the process of drying and firing the foam impregnated with the slurry, when the dimensions of the foam and the fired body (ceramic porous body) change, the difference in dimensions between the foam and the fired body is assumed in advance. What is necessary is just to set the width | variety and depth of the groove | channel formed in a foam. Since the dimensional accuracy of the housing portion of the heater of the catalyst block is not so high, the width and depth of the housing portion (groove) formed in the foam may be set in consideration of manufacturing errors and the like.

触媒担持ブロックは、上述した方法によって作製したセラミック多孔体に酸化クロム等の酸化物半導体を担持することによって得られる(多孔体に酸化物半導体を担持する工程)。
酸化物半導体を担持させる操作は、酸化物半導体を分散させた分散液を調製し、分散液中にセラミック多孔体を浸漬してセラミック多孔体に分散液を付着させた後、乾燥させればよい。
セラミック多孔体にはあらかじめ溝が形成されているから、酸化物半導体を担持した後の触媒ブロックにも溝の形状が保持され、ヒータの収容部を備えた触媒担持ブロックが得られる。
The catalyst supporting block is obtained by supporting an oxide semiconductor such as chromium oxide on the ceramic porous body produced by the above-described method (step of supporting the oxide semiconductor on the porous body).
The operation for supporting the oxide semiconductor may be carried out by preparing a dispersion in which the oxide semiconductor is dispersed, immersing the ceramic porous body in the dispersion, attaching the dispersion to the ceramic porous body, and then drying. .
Since the groove is formed in the ceramic porous body in advance, the shape of the groove is also maintained in the catalyst block after supporting the oxide semiconductor, and a catalyst supporting block having a heater accommodating portion is obtained.

図8は、酸化物半導体を担持した触媒担持ブロック5に、平面形状がM字形のヒータ6を装着した触媒ユニット8を示す。この触媒ユニット8に用いているヒータ6は平面形状がM字形のシース型ヒータ(外径10mm)である。触媒ブロック5の上面には、ヒータ6を収容するための、平面形状がM字形の収容部(溝)が設けられ、収容部に合わせてヒータ6をセットすることにより、ヒータ6は収容部に埋没するようにして収容される。   FIG. 8 shows a catalyst unit 8 in which an M-shaped heater 6 is mounted on a catalyst support block 5 supporting an oxide semiconductor. The heater 6 used in the catalyst unit 8 is a sheath type heater (outer diameter: 10 mm) having an M-shaped planar shape. An upper surface of the catalyst block 5 is provided with an M-shaped accommodating portion (groove) for accommodating the heater 6, and the heater 6 is set in the accommodating portion by setting the heater 6 according to the accommodating portion. Contained as if buried.

以下、ヒータの収容部を設けた触媒担持ブロックを用いて気体の浄化装置を組み立て、実際にVOCを処理した例について説明する。
(実施例1)
小型の浄化装置として、一つの大きさが73×50×30mmの触媒担持ブロックを4個、一列状に並べて収納容器12に収納した浄化装置を構成し、VOCの分解特性を炭化水素計(単位はppmC)で測定した。
触媒担持ブロックの基材はセラミック・フォーム、担持した触媒は酸化クロムである。収納容器12の周囲を断熱材の珪藻土ブロックにより囲む配置とした。使用したヒータは、直径10mm、長さ51mm、300Wのロッド・ヒータ4本である。ヒータ30は図2に示した配置と同一とした。ヒータ30による触媒担持ブロックの加熱温度は400℃である。
空気を搬送ガスとし、VOCとしてTHF(テトラヒドロフラン)を処理対象とした。風量は約0.3m/分である。表1に測定結果を示す。
Hereinafter, an example will be described in which a gas purification device is assembled using a catalyst support block provided with a heater accommodating portion and VOC is actually processed.
Example 1
As a small purification device, a purification device that consists of four catalyst support blocks with a size of 73 x 50 x 30 mm arranged in a row and stored in the storage container 12 is used. Was measured in ppmC).
The base material of the catalyst supporting block is ceramic foam, and the supported catalyst is chromium oxide. The periphery of the storage container 12 was arranged to be surrounded by a diatomaceous earth block of heat insulating material. The heaters used were four rod heaters with a diameter of 10mm, a length of 51mm, and 300W. The heater 30 was the same as the arrangement shown in FIG. The heating temperature of the catalyst support block by the heater 30 is 400 ° C.
Air was the carrier gas, and VOC was treated with THF (tetrahydrofuran). The air volume is about 0.3m 3 / min. Table 1 shows the measurement results.

(実施例2)
中型の浄化装置として、1つの大きさが100×100×30mmの触媒担持ブロックを4個並べ、全体として100×100×120mmの大きさの触媒担持ブロックを収納容器12に収納した浄化装置を構成し、VOCの分解特性を測定した。触媒担持ブロックの基材はセラミック・フォーム、担持した触媒は酸化クロムである。
収納容器12の周囲を断熱材のセラミック・ブロックにより囲んで断熱した。断熱材の外表面温度は約50℃程度である。
使用したヒータは径10mm、120mm、300Wのロッド・ヒータである。図2と同様にヒータを4本配置した。触媒担持ブロックの加熱温度は400℃である。
空気を搬送ガスとし、THFを処理対象ガスとして、分解特性を測定した。風量は約0.3m3/分である。表2に測定結果を示す。
(Example 2)
As a medium-sized purification device, a purification device in which four catalyst support blocks each having a size of 100 x 100 x 30 mm are arranged, and a catalyst support block having a size of 100 x 100 x 120 mm as a whole is housed in the storage container 12 is configured. Then, the decomposition characteristics of VOC were measured. The base material of the catalyst supporting block is ceramic foam, and the supported catalyst is chromium oxide.
The periphery of the storage container 12 was insulated by being surrounded by a ceramic block of heat insulating material. The outer surface temperature of the heat insulating material is about 50 ° C.
The heater used was a rod heater with a diameter of 10mm, 120mm and 300W. As in FIG. 2, four heaters were arranged. The heating temperature of the catalyst support block is 400 ° C.
The decomposition characteristics were measured using air as the carrier gas and THF as the gas to be treated. The air volume is about 0.3m 3 / min. Table 2 shows the measurement results.

(実施例3)
もっとも小型の浄化装置として、大きさが20×50×73mmの触媒担持ブロックを収納容器12に収納して浄化処理部を構成し、VOCの浄化特性を測定した。この場合、VOCガスは20×50mmの間口から入り、長さ73mmの距離を走行する。
本実施例の浄化装置は、一つの触媒担持ブロックのみを使用して組み立てた例である。
触媒担持ブロックの長辺(73mm)を被処理気体の搬送方向(被処理気体が通過する方向)と平行に配置し、触媒担持ブロックの長辺に沿った方向に2本のロッド・ヒータを配置した。ロッド・ヒータは径6.25mm、長さ51mm、250Wである。触媒担持ブロックの加熱温度は400℃である。
空気を搬送ガスとし、トルエンを処理対象ガスとして、分解特性を測定した。風量は約0.2m3/分である。表3に測定結果を示す。
(Example 3)
As the smallest purification device, a catalyst carrying block having a size of 20 × 50 × 73 mm was accommodated in the storage container 12 to constitute a purification treatment unit, and the VOC purification characteristics were measured. In this case, the VOC gas enters from the opening of 20 × 50 mm and travels a distance of 73 mm in length.
The purification apparatus of the present embodiment is an example assembled using only one catalyst support block.
The long side (73mm) of the catalyst support block is placed in parallel with the direction of the gas to be processed (the direction in which the gas to be processed passes), and two rod heaters are placed along the long side of the catalyst support block. did. The rod heater is 6.25mm in diameter, 51mm in length, and 250W. The heating temperature of the catalyst support block is 400 ° C.
The decomposition characteristics were measured using air as the carrier gas and toluene as the gas to be treated. The air volume is about 0.2m 3 / min. Table 3 shows the measurement results.

上記実施例に示す浄化装置は、いずれも触媒担持ブロックにヒータを挿入するようにしてヒータを装着する構成としたことにより、触媒担持ブロックを収納する容器(処理空間)を触媒担持ブロックの大きさと同程度とすることができ、触媒担持ブロックの機能を最大限に発揮し得る形態で、最も効率的に装置の小型化を図ることができる構成となっている。したがって、被処理気体の処理量に合わせて、最も効率的なサイズの触媒担持ブロックを選択して浄化装置を構成することにより、最も効率的でコンパクトな浄化装置を構成することができる。   All of the purifying devices shown in the above-described embodiments are configured so that the heater is inserted so that the heater is inserted into the catalyst supporting block, so that the container (processing space) for storing the catalyst supporting block is made the size of the catalyst supporting block. It is possible to reduce the size of the apparatus most efficiently in a form that can be of the same level and that can maximize the function of the catalyst support block. Therefore, the most efficient and compact purifying apparatus can be configured by selecting the catalyst carrying block having the most efficient size according to the processing amount of the gas to be processed and configuring the purifying apparatus.

浄化装置に使用する触媒担持ブロックは、その大きさや形状が限定されるものではない。実施例の浄化装置では四角柱状の触媒担持ブロックを使用したが、円柱状の触媒担持ブロックを使用するといったことも可能である。触媒担持ブロックは、複数個組み合わせて使用することもできるし、実施例3のように、一つの触媒担持ブロックのみによって構成することもできる。   The catalyst carrying block used in the purification device is not limited in size or shape. In the purification apparatus of the embodiment, a square columnar catalyst support block is used, but a cylindrical catalyst support block may be used. A plurality of catalyst supporting blocks can be used in combination, or as in Example 3, it can be constituted by only one catalyst supporting block.

触媒担持ブロックに装着するヒータには適宜ヒータが利用できる。ヒータの収容部は、通常、収容部(挿入孔)の長手方向が被処理気体を搬送する方向と直交する向きに設ける。この配置とすることにより、被処理気体の流通を妨げず、触媒担持ブロックの全体を均一に加熱して、被処理気体を効率的に浄化することができる。なお、浄化装置の配置等の関係から、ヒータの収容部を被処理気体が搬送される方向に平行に触媒担持ブロックに設けることも可能である。この場合は、ヒータに接続する導電線を、例えば排気ダクト側に引き出すようにすればよい。   A heater can be appropriately used as the heater mounted on the catalyst carrying block. The heater accommodating portion is usually provided in a direction in which the longitudinal direction of the accommodating portion (insertion hole) is orthogonal to the direction in which the gas to be processed is conveyed. With this arrangement, the gas to be treated can be efficiently purified by uniformly heating the entire catalyst support block without disturbing the flow of the gas to be treated. In addition, it is also possible to provide the heater accommodating portion on the catalyst support block in parallel with the direction in which the gas to be processed is conveyed because of the arrangement of the purification device and the like. In this case, the conductive wire connected to the heater may be drawn to the exhaust duct side, for example.

実施例3に示す浄化装置は、浄化処理部を保護する断熱材を含めても100mm角程度の大きさに形成されている。触媒担持ブロックをたとえば、細長く形成するといった方法により、浄化装置をさらに小型化することは容易に可能である。浄化装置を小型化することにより、有害な有機化合物が発生するような機器あるいは装置に浄化装置を付設して、有害物が外部に排出されないようにするといった用途等に広く利用することができる。また、VOCの処理量が多い場合の装置構成としては、本出願のユニット(たとえば100mm角の触媒ブロックを直列に4段つないだユニット)を並列に接続し、大風量に対処することも可能である。さらに、熱交換器を装着することにより、炉内に導かれるVOCガスが予備加熱されるので、飛躍的に風量を上げることが可能となる。本発明に係る浄化装置は、有機化合物等の有害物を分解して浄化する作用がきわめて強力であり、この浄化作用を利用することにより環境改善に大いに役立てることができる。   The purification apparatus shown in Example 3 is formed in a size of about 100 mm square including a heat insulating material that protects the purification treatment unit. It is possible to further reduce the size of the purification device by, for example, a method in which the catalyst support block is formed to be elongated. By downsizing the purification device, it can be widely used for applications such as attaching a purification device to equipment or devices that generate harmful organic compounds so that harmful substances are not discharged to the outside. In addition, as a device configuration when the amount of VOC processing is large, the unit of the present application (for example, a unit in which 100 mm square catalyst blocks are connected in series in four stages) can be connected in parallel to cope with a large air volume. is there. Furthermore, since the VOC gas introduced into the furnace is preheated by installing a heat exchanger, the air volume can be dramatically increased. The purifying apparatus according to the present invention has an extremely powerful action of decomposing and purifying harmful substances such as organic compounds, and the use of this purifying action can greatly contribute to environmental improvement.

なお、図1等に示す浄化装置には、被処理気体を浄化処理部に送入する送気機構あるいは、浄化処理部から浄化気体を排気する排気機構、さらには排熱を有効利用する熱交換器は付設されていない。送気機構あるいは排気機構を浄化装置とは別体に設けて、浄化装置に送気機構あるいは排気機構を連結して使用するようにしてもよいし、送気ファンあるいは吸気ファンをあらかじめ浄化装置に付設した構成とすることもできる。小型のファンをダクト内に配置する程度で、必要とする送気、排気作用をなすことが可能である。   Note that the purification apparatus shown in FIG. 1 or the like has an air supply mechanism that feeds the gas to be processed into the purification processing unit, an exhaust mechanism that exhausts the purified gas from the purification processing unit, and heat exchange that effectively uses exhaust heat. No vessel is attached. The air supply mechanism or the exhaust mechanism may be provided separately from the purification device, and the air supply mechanism or the exhaust mechanism may be connected to the purification device for use. Alternatively, the air supply fan or the intake fan may be connected to the purification device in advance. It can also be set as the attached structure. Necessary air supply and exhaust functions can be achieved by placing a small fan in the duct.

10 浄化処理部
12 収納容器
12a フランジ
12b ケース部
12c 蓋
12d 開口
12e セット孔
14a、14b ダクト
20 触媒担持ブロック
20a ヒータの収容部
21 熱電対挿入孔
22 触媒担持ブロック
22a 凹溝
30 ヒータ
32 M字ヒータ
35 断熱材
40 発泡体
42 溝
44 発熱体


DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Purification processing part 12 Storage container 12a Flange 12b Case part 12c Cover 12d Opening 12e Set hole 14a, 14b Duct 20 Catalyst carrying block 20a Heater accommodating part 21 Thermocouple insertion hole 22 Catalyst carrying block 22a Concave groove 30 Heater 32 M-shaped heater 35 Heat Insulating Material 40 Foam 42 Groove 44 Heating Element


Claims (2)

触媒担持ブロックの製造方法であって、
前記触媒担持ブロックには、収容するヒータの平面形状に一致する溝状に形成された収容部が設けられており、
前記ブロックに担持される前記触媒は酸化物半導体であり、前記酸化物半導体のバンド間遷移により大量の正孔と電子とが生成する温度領域に加熱されると、前記酸化物半導体に接触した有機化合物は酸素の存在下、前記正孔の酸化力により酸化分解され、
製造工程として、前記触媒担持ブロックの外形に合わせて発泡体を成形する工程と、
成形した前記発泡体上において、前記触媒担持ブロックに収容するヒータの断面形状に合わせた曲げ形状とした金属ワイヤからなる発熱体を加熱しながら掃引し、発熱体が通過した領域の発泡体を除去することにより、発泡体に前記ヒータの収容部となる溝形状を形成する工程と、
前記溝形状が形成された発泡体にセラミックのスラリーを浸み込ませた後、発泡体を乾燥、焼成することにより、前記発泡体を分解除去し、前記スラリーのセラミック成分からなる多孔体を形成する工程と、
該多孔体に前記酸化物半導体を担持する工程と、
を備えることを特徴とする触媒担持ブロックの製造方法。
A method for producing a catalyst-carrying block, comprising:
The catalyst carrying block is provided with an accommodating portion formed in a groove shape that matches the planar shape of the heater to be accommodated,
The catalyst supported on the block is an oxide semiconductor, and when heated to a temperature region where a large amount of holes and electrons are generated by interband transition of the oxide semiconductor, the organic semiconductor in contact with the oxide semiconductor The compound is oxidatively decomposed by the oxidizing power of the holes in the presence of oxygen,
As a manufacturing process, a process of forming a foam according to the outer shape of the catalyst-carrying block;
On the molded foam, the heating element made of a metal wire bent to match the cross-sectional shape of the heater accommodated in the catalyst support block is swept while being heated, and the foam in the region through which the heating element has passed is removed. A step of forming a groove shape serving as a housing portion of the heater in the foam,
After the ceramic slurry is immersed in the foam having the groove shape, the foam is dried and fired to decompose and remove the foam to form a porous body made of the ceramic component of the slurry. And a process of
Carrying the oxide semiconductor in the porous body;
A process for producing a catalyst-carrying block, comprising:
請求項1に記載の製造方法にて製造した触媒担持ブロックと、前記触媒担持ブロックを収納する収納容器と、前記触媒担持ブロックを加熱するヒータとを備え、前記ヒータの収容部には前記ヒータが収容されている気体の浄化装置であって、前記収納容器には前記触媒担持ブロックを含む複数個の触媒担持ブロックが直列に互いに接触して配置され、前記触媒担持ブロックの対向する接触面の少なくとも一方に凹溝が形成されて前記ヒータの収容部が形成されていることを特徴とする気体の浄化装置。 A catalyst supporting block manufactured by the manufacturing method according to claim 1, a storage container for storing the catalyst supporting block, and a heater for heating the catalyst supporting block. A gas purifying device accommodated , wherein a plurality of catalyst supporting blocks including the catalyst supporting block are arranged in contact with each other in series in the storage container, and at least of contact surfaces of the catalyst supporting blocks facing each other. A gas purification apparatus, wherein a concave groove is formed on one side to form a housing portion for the heater.
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