JP6397973B1 - Optical waveguide device and wavelength filter - Google Patents
Optical waveguide device and wavelength filter Download PDFInfo
- Publication number
- JP6397973B1 JP6397973B1 JP2017156944A JP2017156944A JP6397973B1 JP 6397973 B1 JP6397973 B1 JP 6397973B1 JP 2017156944 A JP2017156944 A JP 2017156944A JP 2017156944 A JP2017156944 A JP 2017156944A JP 6397973 B1 JP6397973 B1 JP 6397973B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mode
- unit
- optical waveguide
- mode conversion
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【課題】フォトニック結晶を利用し、入力された光を異なるモードに変換して反射できる光導波路素子を提供する。
【解決手段】モード変換部、モード変換部の一端に隣接して形成された第1補償部、及びモード変換部の他端に隣接して形成された第2補償部を含む光導波路コアと、光導波路コアを包含するクラッドとを備える。モード変換部には、周期的に形成された複数の空孔を含む第1空孔群、及び第2空孔群を含むフォトニック結晶が形成されている。フォトニック結晶は、波長λに対し、第1空孔群及び第2空孔群の周期をΛ、基本モードに対する等価屈折率をn0、q次モードに対する等価屈折率nqとして、2π/Λ=2π(n0+nq)/λを満たす。第1補償部及び第2補償部には、それぞれ1又は複数のサブ空孔が形成されており、第1補償部及び第2補償部は、特定の波長λの基本モードの光を基本モードのまま反射する。
【選択図】図1An optical waveguide device that uses a photonic crystal to convert input light into different modes and reflect the light is provided.
An optical waveguide core including a mode converter, a first compensator formed adjacent to one end of the mode converter, and a second compensator formed adjacent to the other end of the mode converter; And a clad including the optical waveguide core. In the mode converter, a photonic crystal including a first hole group including a plurality of holes formed periodically and a second hole group is formed. The photonic crystal is 2π / Λ with respect to the wavelength λ, where the period of the first hole group and the second hole group is Λ, the equivalent refractive index for the fundamental mode is n 0 , and the equivalent refractive index n q for the q-order mode. = 2π (n 0 + n q ) / λ is satisfied. Each of the first compensation unit and the second compensation unit is formed with one or a plurality of sub-holes, and the first compensation unit and the second compensation unit transmit the fundamental mode light having a specific wavelength λ to the fundamental mode. Reflect as it is.
[Selection] Figure 1
Description
この発明は、フォトニック結晶によって特定の波長の光を反射する光導波路素子及びこれを備える波長フィルタに関する。 The present invention relates to an optical waveguide element that reflects light of a specific wavelength by a photonic crystal and a wavelength filter including the same.
近年、小型化や量産性に有利な光デバイスの開発に当たり、Si(シリコン)を導波路の材料として用いるSi導波路が注目を集めている。 In recent years, Si waveguides using Si (silicon) as a waveguide material have attracted attention in developing optical devices advantageous for miniaturization and mass productivity.
Si導波路では、実質的に光の伝送路となる光導波路コアを、Siを材料として形成する。そして、Siよりも屈折率の低い例えばシリカ等を材料としたクラッドで、光導波路コアの周囲を覆う。このような構成により、光導波路コアとクラッドとの屈折率差が極めて大きくなるため、光導波路コア内に光を強く閉じ込めることができる。その結果、曲げ半径を例えば1μm程度まで小さくした、小型の曲線導波路を実現することができる。そのため、電子回路と同程度の大きさの光回路を作成することが可能であり、光デバイス全体の小型化に有利である。 In the Si waveguide, an optical waveguide core that substantially becomes a light transmission path is formed using Si as a material. Then, the periphery of the optical waveguide core is covered with a clad made of, for example, silica having a refractive index lower than that of Si. With such a configuration, the refractive index difference between the optical waveguide core and the clad becomes extremely large, so that light can be strongly confined in the optical waveguide core. As a result, a small curved waveguide having a bending radius reduced to, for example, about 1 μm can be realized. Therefore, it is possible to create an optical circuit having a size comparable to that of an electronic circuit, which is advantageous for downsizing the entire optical device.
また、Si導波路では、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)等の半導体装置の製造過程を流用することが可能である。そのため、チップ上に電子機能回路と光機能回路とを一括形成する光電融合(シリコンフォトニクス)の実現が期待されている。 Further, in the Si waveguide, it is possible to divert the manufacturing process of a semiconductor device such as a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor). Therefore, realization of photoelectric fusion (silicon photonics) in which electronic functional circuits and optical functional circuits are collectively formed on a chip is expected.
ところで、波長分割多重(WDM:Wavelength Division Multiplex)方式を利用した受動型光加入者ネットワーク(PON:Passive Optical Network)では、加入者側装置(ONU:Optical Network Unit)毎に異なる受信波長が割り当てられる。局側装置(OLT:Optical Line Terminal)は、各ONUへの下り光信号を、送り先の受信波長に対応した送信波長でそれぞれ生成し、これらを多重して送信する。各ONUは、複数の波長で多重された下り光信号から、自身に割り当てられた受信波長の光信号を選択的に受信する。ONUでは、各々の受信波長の下り光信号を選択的に受信するために、波長フィルタが使用される。そして、波長フィルタを、上述したSi導波路によって構成する技術が実現されている。 By the way, in a passive optical network (PON) using a wavelength division multiplexing (WDM) system, different reception wavelengths are assigned to each subscriber side device (ONU: Optical Network Unit). . A station side device (OLT: Optical Line Terminal) generates a downstream optical signal to each ONU at a transmission wavelength corresponding to a reception wavelength of a destination, and multiplexes and transmits them. Each ONU selectively receives an optical signal having a reception wavelength allocated to itself from downstream optical signals multiplexed at a plurality of wavelengths. In the ONU, a wavelength filter is used to selectively receive a downstream optical signal of each reception wavelength. And the technique which comprises a wavelength filter with the Si waveguide mentioned above is implement | achieved.
Si導波路を用いる波長フィルタとしては、例えば、マッハツェンダー干渉器を用いたものやアレイ導波路グレーティングを用いたものがある。また、Si導波路を用いる波長フィルタとして、リング共振器(例えば特許文献1〜3参照)や、グレーティング型(例えば特許文献4参照)又は方向性結合器型(例えば特許文献5参照)の波長フィルタがある。これらの波長フィルタは、電極を設け、電圧を印可することによって、出力波長を可変にできるという利点がある。さらに、グレーティングと同様に、光を回折させることによって、特定の波長を逆方向に反射させる素子として、フォトニック結晶と呼ばれる構造がある。
As a wavelength filter using a Si waveguide, for example, there are a filter using a Mach-Zehnder interferometer and a filter using an arrayed waveguide grating. Further, as a wavelength filter using a Si waveguide, a ring resonator (see, for example,
フォトニック結晶は高い回折効率を有するため、波長フィルタとして利用した場合、高効率に波長分離できることが期待される。しかしながら、従来のフォトニック結晶は、基本モード間の逆方向への回折を行う構造であり、機能が限られている。そして、入力された光を異なるモードに変換して反射するフォトニック結晶については知られていなかった。 Since the photonic crystal has a high diffraction efficiency, when used as a wavelength filter, it is expected that wavelength separation can be performed with high efficiency. However, the conventional photonic crystal has a structure that performs diffraction in the reverse direction between the fundamental modes and has a limited function. A photonic crystal that converts input light into a different mode and reflects it has not been known.
そこで、この発明の目的は、フォトニック結晶を利用した光導波路素子であって、入力された光を異なるモードに変換して反射できる光導波路素子、及びこれを利用した波長フィルタを提供することにある。 Accordingly, an object of the present invention is to provide an optical waveguide element using a photonic crystal, which can convert input light into a different mode and reflect it, and a wavelength filter using the optical waveguide element. is there.
上述した目的を達成するために、この発明による光導波路素子は、第1仮想線分、及び第1仮想線分と平行な第2仮想線分に沿い、かつ第1仮想線分及び第2仮想線分と重なる位置に設けられた光導波路コアと、光導波路コアを包含するクラッドとを備える。 In order to achieve the above-described object, an optical waveguide element according to the present invention is provided along a first imaginary line segment and a second imaginary line segment parallel to the first imaginary line segment, and the first imaginary line segment and the second imaginary line. An optical waveguide core provided at a position overlapping the line segment and a clad including the optical waveguide core are provided.
光導波路コアは、第1仮想線分及び第2仮想線分に沿って直列に接続された、モード変換部と、モード変換部の一端に隣接して形成された第1補償部と、モード変換部の他端に隣接して形成された第2補償部とを含む。モード変換部には、第1仮想線分と重なる位置に配列して周期的に形成された複数の空孔を含む第1空孔群、及び第2仮想線分と重なる位置に配列して、第1空孔群と同一周期で、かつ第1空孔群に含まれる空孔と半周期ずれた位置に形成された複数の空孔を含む第2空孔群を含むフォトニック結晶が形成されている。フォトニック結晶は、特定の波長λに対し、第1空孔群に含まれる空孔及び第2空孔群に含まれる空孔の周期をΛ、基本モードに対する等価屈折率をn0、q(qはq>0の整数)次モードに対する等価屈折率をnqとして、2π/Λ=2π(n0+nq)/λを満たす。第1補償部及び第2補償部には、それぞれ1又は複数のサブ空孔が形成されており、第1補償部及び第2補償部は、特定の波長λの基本モードの光を基本モードのまま反射する。 The optical waveguide core includes a mode conversion unit connected in series along the first virtual line segment and the second virtual line segment, a first compensation unit formed adjacent to one end of the mode conversion unit, and a mode conversion 2nd compensation part formed adjacent to the other end of a part. In the mode conversion unit, the first hole group including a plurality of holes periodically formed in a position overlapping with the first imaginary line segment, and the position overlapping with the second imaginary line segment, A photonic crystal including a second hole group including a plurality of holes formed at the same period as the first hole group and shifted from the holes included in the first hole group by a half cycle is formed. ing. For a specific wavelength λ, the photonic crystal has a period of holes included in the first hole group and a second hole group as Λ, and an equivalent refractive index for the fundamental mode as n 0 , q ( q is an integer of q> 0) The equivalent refractive index for the next mode is n q , and 2π / Λ = 2π (n 0 + n q ) / λ is satisfied. Each of the first compensation unit and the second compensation unit is formed with one or a plurality of sub-holes, and the first compensation unit and the second compensation unit transmit the fundamental mode light having a specific wavelength λ to the fundamental mode. Reflect as it is.
また、この発明による第1の要旨による波長フィルタは、上述した光導波路素子と、結合部を含む出力導波路コアとを備える。光導波路コアは、モード変換部と直列に接続され、基本モード及びq次モードの光を伝播させる多モード導波路部をさらに含む。第1補償部は、多モード導波路部の一部として形成されている。クラッドは、光導波路コア及び出力導波路コアを包含する。多モード導波路部と結合部とが、互いに離間しかつ並んで配置された結合領域が設定されている。結合領域では、多モード導波路部を伝播するq次モードの光と、結合部を伝播するr(rはr≧0の整数)次モードの光とが結合される。 A wavelength filter according to a first aspect of the present invention includes the above-described optical waveguide element and an output waveguide core including a coupling portion. The optical waveguide core further includes a multimode waveguide section that is connected in series with the mode conversion section and propagates light in the fundamental mode and the q-order mode. The first compensation unit is formed as a part of the multimode waveguide unit. The cladding includes an optical waveguide core and an output waveguide core. A coupling region is set in which the multimode waveguide section and the coupling section are spaced apart from each other and arranged side by side. In the coupling region, the q-order mode light propagating through the multimode waveguide section and the r (r is an integer of r ≧ 0) order mode light propagating through the coupling section are coupled.
また、この発明による第2の要旨による波長フィルタは、上述した光導波路素子を備える。光導波路コアは、第1仮想線分及び第2仮想線分に沿って直列に接続されたn個(nは2以上の整数)のモード変換部並びに第1補償部及び第2補償部と、n−1個のキャビティ部とを含む。モード変換部とキャビティ部とは、交互に接続されている。キャビティ部を挟んで隣り合うモード変換部間に存在する第1補償部及び第2補償部は、隣り合うモード変換部間に挟まれたキャビティ部の一部として形成されている。キャビティ部は、キャビティ部を伝播する、特定の波長の基本モードの光の位相を整合させる。 A wavelength filter according to a second aspect of the present invention includes the above-described optical waveguide element. The optical waveguide core includes n (n is an integer of 2 or more) mode conversion units, a first compensation unit, and a second compensation unit connected in series along the first virtual line segment and the second virtual line segment, n-1 cavity portions. The mode conversion part and the cavity part are connected alternately. The 1st compensation part and the 2nd compensation part which exist between mode conversion parts adjacent on both sides of a cavity part are formed as a part of cavity part pinched between adjacent mode conversion parts. The cavity portion matches the phase of light of a fundamental mode having a specific wavelength propagating through the cavity portion.
この発明の光導波路素子では、モード変換部に、2列の空孔群(第1空孔群及び第2空孔群)を含むフォトニック結晶を形成することによって、特定の波長の基本モードの光を、1次モードに変換して反射することができる。 In the optical waveguide device of the present invention, the mode conversion unit forms a photonic crystal including two rows of hole groups (the first hole group and the second hole group), so that the fundamental mode of a specific wavelength can be obtained. Light can be converted to the primary mode and reflected.
また、この発明の波長フィルタでは、上述した光導波路素子を用いることによって、特定の波長とその他の波長とを分離し、経路を切り替えて取り出すことができる。そして、フォトニック結晶を利用することによって、高い回折効率で特定の波長の光を反射させることができる。従って、高効率に波長分離及び経路切替を行うことができる。 Moreover, in the wavelength filter of this invention, a specific wavelength and another wavelength can be isolate | separated by using the optical waveguide element mentioned above, and it can take out by switching a path | route. And by using a photonic crystal, light of a specific wavelength can be reflected with high diffraction efficiency. Therefore, wavelength separation and path switching can be performed with high efficiency.
以下、図を参照して、この発明の実施の形態について説明するが、各構成要素の形状、大きさ及び配置関係については、この発明が理解できる程度に概略的に示したものに過ぎない。また、以下、この発明の好適な構成例につき説明するが、各構成要素の材質及び数値的条件などは、単なる好適例にすぎない。従って、この発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、この発明の構成の範囲を逸脱せずにこの発明の効果を達成できる多くの変更又は変形を行うことができる。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the shape, size, and arrangement relationship of each component are merely schematically shown to the extent that the present invention can be understood. In the following, a preferred configuration example of the present invention will be described. However, the material and numerical conditions of each component are merely preferred examples. Therefore, the present invention is not limited to the following embodiments, and many changes or modifications that can achieve the effects of the present invention can be made without departing from the scope of the configuration of the present invention.
(光導波路素子)
図1を参照して、この発明の光導波路素子について説明する。図1(A)は、光導波路素子を示す概略的平面図である。図1(B)は、図1(A)に示す光導波路素子をI−I線で切り取った概略的端面図である。なお、図1(A)では、後述する光導波路コアのみを示してあり、クラッド、支持基板及び電極を省略している。
(Optical waveguide element)
With reference to FIG. 1, the optical waveguide device of the present invention will be described. FIG. 1A is a schematic plan view showing an optical waveguide element. FIG. 1B is a schematic end view of the optical waveguide element shown in FIG. In FIG. 1A, only the optical waveguide core described later is shown, and the cladding, the support substrate, and the electrodes are omitted.
なお、以下の説明では、各構成要素について、光の伝播方向に沿った方向を長さ方向とする。また、支持基板の厚さに沿った方向を厚さ方向とする。また、長さ方向及び厚さ方向に直交する方向を幅方向とする。 In the following description, the direction along the light propagation direction is the length direction of each component. The direction along the thickness of the support substrate is the thickness direction. Moreover, let the direction orthogonal to a length direction and a thickness direction be a width direction.
光導波路素子100は、支持基板10、クラッド20、光導波路コア30及び電極40を備えて構成されている。
The
支持基板10は、例えば単結晶Siを材料とした平板状体で構成されている。
The
クラッド20は、支持基板10上に、支持基板10の上面10aを被覆し、かつ光導波路コア30を包含して形成されている。クラッド20は、例えばSiO2を材料として形成されている。
The clad 20 is formed on the
光導波路コア30は、クラッド20よりも高い屈折率を有する例えばSiを材料として形成されている。その結果、光導波路コア30は、実質的な光の伝送路として機能し、入力された光が光導波路コア30の平面形状に応じた伝播方向に伝播する。また、光導波路コア30は、伝播する光が支持基板10へ逃げるのを防止するために、支持基板10から例えば少なくとも1μm以上離間して形成されているのが好ましい。
The
ここでは、光導波路コア30は、厚さ方向でシングルモード条件を達成すべく、例えば200〜500nmの範囲内の厚さとするのが好ましい。例えば1550nmの波長の光を伝播させる場合には、光導波路コア30を200〜300nmの範囲内の厚さとするのが好ましい。
Here, the
また、光導波路コア30は、第1点P1と第2点P2とを結ぶ第1仮想線分L1、第3点P3と第4点P4とを結ぶ第2仮想線分L2に沿い、かつこれら第1仮想線分L1及び第2仮想線分L2と重なる位置に設けられている。なお、第2仮想線分L2は、第1仮想線分L1と平行である。
The
さらに、光導波路コア30は、第1仮想線分L1及び第2仮想線分L2に沿って直列に接続されたモード変換部31と1対の補償部(第1補償部131a及び第2補償部131b)とを含む。
Further, the
モード変換部31にはフォトニック結晶が形成されている。フォトニック結晶は、モード変換部31に、第1空孔群61及び第2空孔群62が形成されることによって構成される。
A photonic crystal is formed in the
第1空孔群61は、第1仮想線分L1と重なる位置に配列して周期的に形成された複数の空孔51を含む。また、第2空孔群62は、第2仮想線分L2と重なる位置に配列して、第1空孔群61と同一周期で形成された複数の空孔52を含む。そして、第1空孔群61に含まれる空孔51と第2空孔群62に含まれる空孔52とは、互いに半周期ずれた位置に形成されている。
The
空孔51及び52は、モード変換部31を厚さ方向に貫通して形成される。また、ここでは、空孔51及び52は、厚さ方向に直交する断面形状が円形とされている。
The
フォトニック結晶は、入力される特定の波長λのTE(Transverse Electric)偏波の光を、基本モードから1次モードに変換して反射する。また、フォトニック結晶は、その他の波長の光を、基本モードのままで透過させる。 The photonic crystal reflects TE (Transverse Electric) polarized light having a specific wavelength λ that is input from the fundamental mode into the primary mode. The photonic crystal transmits light of other wavelengths while remaining in the fundamental mode.
フォトニック結晶における位相整合条件は、空孔51及び52の形成周期をΛ、基本モードのTE偏波に対する等価屈折率をn0、1次モードのTE偏波に対する等価屈折率をn1として、下式(1)で表される。
The phase matching conditions in the photonic crystal are as follows: the formation period of the
2π/Λ=2π(n0+n1)/λ ・・・(1)
フォトニック結晶では、上式(1)が成立する波長λ、すなわちブラッグ波長のTE偏波がブラッグ反射される。従って、空孔51及び52の周期は、所望の反射すべき波長λに対して上式(1)が成立するように設計される。また、モード変換部31の幅や空孔51及び52の直径等、その他の設計についても、所望の反射すべき波長λに応じて設計される。
2π / Λ = 2π (n 0 + n 1 ) / λ (1)
In the photonic crystal, a TE wave having a wavelength λ that satisfies the above equation (1), that is, a TE polarized wave having a Bragg wavelength is Bragg reflected. Therefore, the periods of the
ここで、フォトニック結晶の変形例として、空孔51及び52がそれぞれ固有の直径を持ち、直径に少なくとも2以上の値がある構成とすることができる。図2を参照して、フォトニック結晶の変形例について説明する。図2は、フォトニック結晶の変形例を説明するための概略的平面図である。なお、図2では、モード変換部のみを示し、その他の構成を省略してある。
Here, as a modification of the photonic crystal, the
図2に示す構成例では、第1周期目の空孔51及び52の直径に対して、周期毎に直径が増加する。空孔51及び52の直径は、モード変換部31の長さ方向における中心付近の空孔51及び52で最大となる。そして、空孔51及び52の直径は、最大となる空孔51及び52以降減少する。
In the configuration example shown in FIG. 2, the diameter increases for each period with respect to the diameters of the
このように、空孔51及び52の直径が異なる値を持つことによって、フォトニック結晶における光の散乱を抑制することができる。なお、空孔51及び52の直径の変化量は、反射すべき波長λ及び回折効率に応じて設計される。
Thus, the scattering of light in the photonic crystal can be suppressed when the diameters of the
第1補償部131a及び第2補償部131bは、モード変換部31を挟んでモード変換部31の両端31a及び31bに隣接してそれぞれ形成されている。モード変換部31の一端31aに第1補償部131aが、また、モード変換部31の他端31bに第2補償部131bが形成されている。
The
第1補償部131a及び第2補償部131bには、それぞれサブ空孔90が形成されている。サブ空孔90は、第1補償部131a及び第2補償部131bの幅方向における中央に形成されている。また、サブ空孔90は、第1補償部131a及び第2補償部131bを厚さ方向に貫通して形成される。ここでは、サブ空孔90は、厚さ方向に直交する断面形状が円形とされている。
Sub-holes 90 are formed in the
サブ空孔90が形成されていることにより、第1補償部131a及び第2補償部131bは、上述した特定の波長λの基本モードの光を基本モードのまま反射する。
By forming the sub-hole 90, the
なお、第1補償部131a及び第2補償部131bには、サブ空孔90を複数形成することもできる。この場合には、第1補償部131a及び第2補償部131bの長さ方向に沿って、複数のサブ空孔90を配列する。
A plurality of sub holes 90 may be formed in the
電極40は、クラッド20を介して、モード変換部31を被覆する位置に形成される。電極40に電流を流すことでジュール熱を発生させ、この発熱による熱光学効果によって、モード変換部31の屈折率を変化させる。その結果、モード変換部31による反射波長を変化させることができる。
The
以上に説明したように、光導波路素子100では、モード変換部31に、2列の空孔群(第1空孔群61及び第2空孔群62)を含むフォトニック結晶を形成することによって、特定の波長の基本モードのTE偏波を、1次モードのTE偏波に変換して反射することができる。
As described above, in the
従って、光導波路素子100を用いることにより、フォトニック結晶を透過する特定の波長の光を取り出す波長フィルタを構成することができる。
Therefore, by using the
ここで、フォトニック結晶の両端部(すなわちモード変換部31の両端部)では、基本モードと1次モードとの間の反射回折のみならず、不所望な基本モード間の反射回折が生じ、基本モードの入力光が基本モードのまま反射されてしまうことが、FDTD(Finite Differential Time Domain)を用いたシミュレーションにより判明した。しかし、光導波路素子100では、モード変換部31の両端に第1補償部131a及び第2補償部131bが設けられている。上述したように、第1補償部131a及び第2補償部131bは、基本モードの光を基本モードのまま反射する。この結果、モード変換部31で不所望に生じる基本モード間の反射回折を、第1補償部131a及び第2補償部131bにおける基本モード間の反射回折により打ち消すことができる。従って、光導波路素子100では、モード変換部31から、基本モードの反射光が逆行するのを防ぐことができる。
Here, at both ends of the photonic crystal (that is, both ends of the mode conversion unit 31), not only the reflection diffraction between the fundamental mode and the first order mode but also an unwanted reflection diffraction between the fundamental modes occurs. It has been found by simulation using FDTD (Finite Differential Time Domain) that the input light of the mode is reflected in the fundamental mode. However, in the
また、光導波路素子100では、電極40を用いてモード変換部31に熱を与えることができる。そのため、フォトニック結晶が反射及び透過させる光の波長を変化させることができる。従って、光導波路素子100を用いることにより、出力波長が可変な波長フィルタを構成することができる。
Further, in the
なお、この実施の形態では、モード変換部31のフォトニック結晶において、特定の波長の光を、基本モードから1次モードに変換して反射する構成について説明した。しかし、モード変換部31のフォトニック結晶が、基本モードの特定の波長の光を、q次モード(qはq>0)に変換して反射する構成とすることもできる。その場合には、モード変換部31のフォトニック結晶における位相整合条件は、空孔51及び52の形成周期をΛ、基本モードの光に対する等価屈折率をn0、q次モードの光に対する等価屈折率をnqとして、下式(2)で表される。
In this embodiment, the configuration in which the light of a specific wavelength is converted from the fundamental mode to the primary mode and reflected in the photonic crystal of the
2π/Λ=2π(n1+nq)/λ ・・・(2)
フォトニック結晶では、上式(2)が成立する波長λ、すなわちブラッグ波長の光がブラッグ反射される。フォトニック結晶は、反射すべき波長λに対して上式(2)が成立するように設計される。
2π / Λ = 2π (n 1 + n q ) / λ (2)
In the photonic crystal, light having a wavelength λ that satisfies the above equation (2), that is, light having a Bragg wavelength is Bragg reflected. The photonic crystal is designed so that the above equation (2) holds for the wavelength λ to be reflected.
そして、q次モードが、振幅分布が反対称である奇数次モードである場合には、空孔51と空孔52とが、互いに半周期ずれた位置に形成される。また、q次モードが、振幅分布が対称である偶数次モードである場合には、空孔51及び空孔52の形成位置を、周期をずらすことなく一致させる。すなわち空孔51と空孔52とが互いに対称となる位置に形成される。
When the q-order mode is an odd-order mode in which the amplitude distribution is antisymmetric, the
また、この実施の形態では、空孔51及び52がモード変換部31を厚さ方向に貫通して形成される構成について説明した。しかし、空孔51及び52は、モード変換部31の上面からこのモード変換部31の厚さ方向の中途まで、モード変換部31を掘り込んで(すなわちモード変換部31を貫通させずに)形成することもできる。この場合には、出力光の波長ピークに分裂が生じるのを抑制できることが、FDTDを用いたシミュレーションにより判明した。同様に、サブ空孔90についても、第1補償部131a及び第2補償部131bを貫通させずに、第1補償部131a及び第2補償部131bの中途まで掘り込んで形成することができる。
In this embodiment, the configuration in which the
(特性評価)
発明者は、FDTDを用いて、光導波路素子100の特性を評価するシミュレーションを行った。
(Characteristic evaluation)
The inventor performed the simulation which evaluates the characteristic of the
まず、第1のシミュレーションとして、光導波路素子100におけるサブ空孔90の形成位置に関するシミュレーションを行った。
First, as a first simulation, a simulation regarding the formation position of the sub-hole 90 in the
第1のシミュレーションでは、光導波路素子100について、第1補償部131a側から光導波路コア30に基本モードのTE偏波を入力し、モード変換部31において生じる基本モード間の反射回折によって、第1補償部131a側に反射される基本モードの光の強度(すなわち基本モード間の回折量)を測定した。ここでは、第1補償部131aのサブ空孔90と最も一端31a側に位置する空孔51又は52(ここでは、図1(A)において紙面の最も左端に存在する空孔52)との長さ方向に沿った中心間距離(以下、サブ空孔90と空孔52との中心間距離とも称する)を変化させつつ、基本モード間の回折量を測定した。
In the first simulation, for the
第1のシミュレーションでは、モード変換部31のフォトニック結晶において、波長1550nmの基本モードのTE偏波を1次モードに変換して反射する設計として、以下のように光導波路素子100を設計した。すなわち、光導波路コア30の厚さを200nmとした。また、モード変換部31の幅を1000nmとした。また、空孔51及び空孔52の形成周期を326μmとし、空孔51及び空孔52をそれぞれ20個ずつ形成する場合を想定した。また、空孔51及び空孔52の直径を100nmとした。また、空孔51及び空孔52間の、モード変換部31の幅方向に沿った中心間距離を500nmとした。
In the first simulation, the
なお、この第1のシミュレーションでは、モード変換部31には他端31bが存在しないものとした。従って、第1のシミュレーションにおいては、モード変換部31の他端31b側における基本モード間の回折は生じず、第2補償部131bについても省略した。しかし、実際の光導波路素子100において、モード変換部31の他端31b側で生じる基本モード間の回折は、一端31a側と同様である。このため、第2補償部131bのサブ空孔90の形成位置と基本モード間の回折量との関係についても、この第1のシミュレーションの結果を適用することができる。
In the first simulation, it is assumed that the
第1のシミュレーションの結果を図3(A)に示す。図3(A)では、縦軸に、基本モード間の回折量をdB目盛で、また、横軸にサブ空孔90と空孔52との中心間距離をμm単位でとって示してある。
The result of the first simulation is shown in FIG. In FIG. 3A, the vertical axis indicates the amount of diffraction between the fundamental modes in dB scale, and the horizontal axis indicates the distance between the centers of the sub-hole 90 and the
図3(A)に示すように、サブ空孔90と空孔52との中心間距離が0.23μmのとき、基本モード間の反射回折が−30dB以下に抑えられていることがわかる。このように、設計に応じて、最適なサブ空孔90と空孔52との中心間距離を設定することにより、不所望な基本モード間の反射回折を抑制することができる。
As shown in FIG. 3A, when the distance between the centers of the sub holes 90 and the
次に、第2のシミュレーションとして、光導波路素子100における波長特性に関するシミュレーションを行った。
Next, as a second simulation, a simulation regarding wavelength characteristics in the
第2のシミュレーションでは、光導波路素子100について、第1補償部131a側から光導波路コア30に基本モードのTE偏波を入力し、モード変換部31において生じる基本モードと1次モードとの間の反射回折によって、第1補償部131a側に反射される1次モードの光の強度(すなわち基本モードと1次モードとの間の回折量)、及びモード変換部31において生じる基本モード間の反射回折によって、第1補償部131a側に反射される基本モードの光の強度(すなわち基本モード間の回折量)を測定した。
In the second simulation, for the
第2のシミュレーションでは、サブ空孔90と空孔52との中心間距離として、上述した第1のシミュレーションによって求めた最適値(0.23μm)を採用した。その他の設計条件については、第1のシミュレーションと同様である。
In the second simulation, the optimum value (0.23 μm) obtained by the first simulation described above was adopted as the center-to-center distance between the sub-hole 90 and the
第2のシミュレーションの結果を図3(B)に示す。図3(B)では、縦軸に、光強度をdB目盛で、また、横軸に波長をnm単位でとって示してある。図3(B)において、曲線101は、1次モードの反射光の強度を、また、曲線103は、基本モードの反射光の強度をそれぞれ示している。
The result of the second simulation is shown in FIG. In FIG. 3B, the vertical axis indicates the light intensity in dB scale, and the horizontal axis indicates the wavelength in nm. In FIG. 3B, a
図3(B)に示すように、設計波長である1550nm付近において、約125nmの広い波長範囲で、基本モードが1次モードに変換されつつ反射されたことが確認された。
また、設計波長である1550nm付近において、基本モード間の反射回折が−30dB以下に抑えられることが確認された。
As shown in FIG. 3B, it was confirmed that the fundamental mode was reflected while being converted into the primary mode in the wide wavelength range of about 125 nm in the vicinity of the design wavelength of 1550 nm.
It was also confirmed that the reflection diffraction between the fundamental modes was suppressed to -30 dB or less in the vicinity of the design wavelength of 1550 nm.
(第1の波長フィルタ)
図4を参照して、上述した光導波路素子100(図1参照)を利用した第1の波長フィルタについて説明する。図4は、第1の波長フィルタを示す概略的平面図である。なお、図4では、光導波路コア及び後述する出力導波路コアのみを示してあり、クラッド、支持基板及び電極を省略している。また、光導波路素子100と共通する構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。
(First wavelength filter)
With reference to FIG. 4, the 1st wavelength filter using the optical waveguide element 100 (refer FIG. 1) mentioned above is demonstrated. FIG. 4 is a schematic plan view showing the first wavelength filter. In FIG. 4, only the optical waveguide core and the output waveguide core described later are shown, and the cladding, the support substrate, and the electrodes are omitted. In addition, components common to the
第1の波長フィルタ200は、上述した光導波路素子100に、出力導波路コア70を追加して構成されている。また、光導波路コア30は、上述したモード変換部31並びに第1補償部131a及び第2補償部131bに追加して、入力部32、入力側テーパ部33、多モード導波路部34、出力側テーパ部35及び出力部36を含んでいる。入力部32、入力側テーパ部33、多モード導波路部34、モード変換部31、第2補償部131b、出力側テーパ部35及び出力部36は、この順に直列に接続されている。
The
なお、第1補償部131aは、多モード導波路部34の一部として形成されている。従って、多モード導波路部34の、モード変換部31側の端付近には、サブ空孔90が形成されている。そして、多モード導波路部34のサブ空孔90が形成された領域が、第1補償部131aとして機能する。
The
入力部32は、TE偏波の伝播光に対してシングルモード条件を達成する幅に設定されている。
The
入力側テーパ部33は、入力部32と接続された一端33aから、多モード導波路部34と接続された他端33bへ、連続的に幅が拡大する。そして、入力側テーパ部33の一端33aの幅は、入力部32の幅と等しく設定されている。従って、入力側テーパ部33は、一端33aにおいて、TE偏波の伝播光に対してシングルモード条件を達成するように設定されている。
The input-
多モード導波路部34は、基本モード及び1次モードのTE偏波を伝播させる。
The
モード変換部31には、特定の波長のTE偏波に対して上式(1)を満たすフォトニック結晶が形成されている。フォトニック結晶は、入力される特定の波長のTE偏波の光を、基本モードから1次モードに変換して反射する。また、フォトニック結晶は、その他の波長の光を、基本モードのままで透過させる。
In the
出力側テーパ部35は、第2補償部131bと接続された一端35aから、出力部36と接続された他端35bへ、連続的に幅が縮小する。そして、出力側テーパ部35の他端35bの幅は、TE偏波の伝播光に対してシングルモード条件を達成するように設定されている。
The output-
出力部36は、TE偏波の伝播光に対してシングルモード条件を達成する幅に設定されている。
The
出力導波路コア70は、光導波路コア30と同様に、クラッド20よりも高い屈折率を有する例えばSiを材料として形成されている。また、出力導波路コア70は、伝播する光が支持基板10へ逃げるのを防止するために、支持基板10から例えば少なくとも1μm以上離間して形成されているのが好ましい。
The
ここでは、出力導波路コア70の厚さは、厚さ方向でシングルモード条件を達成すべく、例えば200〜500nmの範囲内の厚さとするのが好ましい。例えば1550nmの波長の光を伝播させる場合には、出力導波路コア70を200〜300nmの範囲内の厚さとするのが好ましい。
Here, the thickness of the
また、出力導波路コア70は、結合部71と第2出力部72とを含んでいる。
The
結合部71は、光導波路コア30の多モード導波路部34と、互いに離間し、かつ並んで配置されている。そして、光導波路コア30の多モード導波路部34と、出力導波路コア70の結合部71とが、互いに離間しかつ並んで配置された結合領域80として設定されている。なお、第2出力部72は、結合領域80を挟んで、モード変換部31と反対側で結合部71と接続されている。
The
結合領域80において、多モード導波路部34及び結合部71は、それぞれの中心軸が平行となるように配設されている。
In the
また、結合部71は、一端71aから第2出力部72と接続された他端71bへ、幅が連続的に拡大するテーパ形状とされている。結合部71の一端71a及び他端71bの幅は、基本モードのTE偏波を伝播可能な等価屈折率に対応して設定されている。そして、結合部71は、一端71aから他端71bまでの間に、多モード導波路部34を伝播する1次モードのTE偏波に対する等価屈折率と、結合部71を伝播する基本モードのTE偏波に対する等価屈折率とが一致する幅を含んでいる。
Further, the
その結果、結合領域80では、多モード導波路部34を伝播する1次モードのTE偏波と、結合部71を伝播する基本モードのTE偏波とを結合することができる。
As a result, in the
第2出力部72は、TE偏波の伝播光に対してシングルモード条件を達成する幅に設定されている。
The
第1の波長フィルタ200では、基本モードの光信号が、光導波路コア30の入力部32に入力され、入力側テーパ部33及び多モード導波路部34を経てモード変換部31に送られる。モード変換部31を伝播する特定の波長の基本モードのTE偏波は、フォトニック結晶によって、1次モードに変換されて反射され、再び多モード導波路部34に送られる。その他の光は、基本モードのまま、出力側テーパ部35を経て出力部36から出力される。フォトニック結晶で反射され、多モード導波路部34を伝播する1次モードのTE偏波は、結合領域80において、基本モードに変換されつつ、出力導波路コア70の結合部71へ移行する。結合部71へ移行した基本モードのTE偏波は、第2出力部72から出力される。
In the
このように、第1の波長フィルタ200は、上述した光導波路素子100を用いることによって、特定の波長とその他の波長とを分離し、経路を切り替えて取り出す波長フィルタとして使用することができる。そして、モード変換部31においてフォトニック結晶を利用することによって、高い回折効率で特定の波長の光を反射させることができる。従って、高効率に波長分離及び経路切替を行うことができる。
As described above, the
また、第1の波長フィルタ200では、第1補償部131a及び第2補償部131bを含むことにより、モード変換部31で不所望に生じる基本モード間の反射回折を、第1補償部131a及び第2補償部131bにおける基本モード間の反射回折により打ち消すことができる。その結果、モード変換部31から、基本モードの反射光が逆行するのを防ぐことができる。
Further, the
なお、この実施の形態では、モード変換部31のフォトニック結晶において、特定の波長の光を、基本モードから1次モードに変換して反射する構成について説明した。しかし、上式(2)を満たすようにフォトニック結晶を形成することによって、フォトニック結晶が、基本モードの特定の波長の光を、q次モードに変換して反射する構成とすることもできる。
In this embodiment, the configuration in which the light of a specific wavelength is converted from the fundamental mode to the primary mode and reflected in the photonic crystal of the
さらに、この実施の形態では、結合領域80において、多モード導波路部34及び結合部71間で結合する光は、基本モードと1次モードとに限定されない。結合部71の一端71a及び他端71bの幅を、r(rはr≧0の整数)次モードの光を伝播可能な等価屈折率に対応して設定し、結合部71が、一端71aから他端71bまでの間に、多モード導波路部34を伝播するq次モードの光に対する等価屈折率と、結合部71を伝播するr次モードの光に対する等価屈折率とが一致する幅を含むように設計することもできる。その場合には、結合領域80において、多モード導波路部34を伝播するq次モードの光と、結合部71を伝播するr次モードの光とを結合することができる。
Furthermore, in this embodiment, the light coupled between the
(第2の波長フィルタ)
図5を参照して、上述した光導波路素子100(図1参照)を利用した第2の波長フィルタについて説明する。図5(A)は、第2の波長フィルタを示す概略的平面図である。図5(B)は、図5(A)に示す第2の波長フィルタをII−II線で切り取った概略的端面図である。なお、図5(A)では、光導波路コアのみを示してあり、クラッド、支持基板及び電極を省略している。また、光導波路素子100と共通する構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。
(Second wavelength filter)
With reference to FIG. 5, the 2nd wavelength filter using the optical waveguide element 100 (refer FIG. 1) mentioned above is demonstrated. FIG. 5A is a schematic plan view showing the second wavelength filter. FIG. 5 (B) is a schematic end view of the second wavelength filter shown in FIG. 5 (A) taken along the line II-II. In FIG. 5A, only the optical waveguide core is shown, and the cladding, the support substrate, and the electrodes are omitted. In addition, components common to the
第2の波長フィルタ300では、光導波路コア30は、モード変換部31並びに第1補償部131a及び第2補償部131bに追加して、入力部231、入力側テーパ部232、キャビティ部234、出力側テーパ部236及び出力部237を含んでいる。
In the
また、光導波路コア30は、2つのモード変換部31(第1モード変換部31−1及び第2モード変換部31−2)、並びにこれら第1モード変換部31−1及び第2モード変換部31−2それぞれの両端に形成された第1補償部131a及び第2補償部131bを含んでいる。入力部231、入力側テーパ部232、第1モード変換部31−1、キャビティ部234、第2モード変換部31−2、出力側テーパ部236及び出力部237は、この順に直列に接続されている。なお、入力側テーパ部232及び第1モード変換部31−1間には、第1モード変換部31−1の一端31aに隣接して形成されている第1補償部131aが設けられている。また、第2モード変換部31−2及び出力側テーパ部236間には、第2モード変換部31−2の他端31bに隣接して形成されている第2補償部131bが設けられている。
The
なお、第1モード変換部31−1及び第2モード変換部31−2間に存在する第1補償部131a及び第2補償部131b(ここでは、第1モード変換部31−1の他端31bに隣接して形成されている第2補償部131b、及び第2モード変換部31−2の一端31aに隣接して形成されている第1補償部131a)は、第1モード変換部31−1及び第2モード変換部31−2間に挟まれたキャビティ部234の一部として形成されている。従って、キャビティ部234の、第1モード変換部31−1側の端付近及び第2モード変換部31−2側の端付近には、それぞれサブ空孔90が形成されている。そして、キャビティ部234のサブ空孔90が形成された領域が、第1補償部131a及び第2補償部131bとして機能する。
Note that the
入力部231は、TE偏波の伝播光に対してシングルモード条件を達成する幅に設定されている。従って、入力部231は、基本モードの光を伝播させる。
The
入力側テーパ部232は、入力部231と接続された一端232aから、第1補償部131aと接続された他端232bへ、連続的に幅が拡大する。そして、入力側テーパ部232の一端232aの幅は、入力部231の幅と等しく設定されている。従って、入力側テーパ部232は、一端232aにおいて、TE偏波の伝播光に対してシングルモード条件を達成するように設定されている。
The input-
キャビティ部234は、一定幅で形成される。キャビティ部234の幅は、基本モード及び1次モードのTE偏波を伝播させることができるように設定される。
The
キャビティ部234は、このキャビティ部234を伝播する光のうち、特定の波長の光の位相を整合させる。キャビティ部234の長さは、位相整合させる波長に応じて設計される。
The
また、上述したように、キャビティ部234は、サブ空孔90が形成された領域として、第1補償部131a及び第2補償部131bを含んでいる。
Further, as described above, the
出力側テーパ部236は、第2補償部131bと接続された一端236aから、出力部237と接続された他端236bへ、連続的に幅が縮小する。そして、出力側テーパ部236の他端236bの幅は、出力部237の幅と等しく設定されている。出力側テーパ部236は、他端236bにおいて、TE偏波の伝播光に対してシングルモード条件を達成するように設定されている。
The output
出力部237は、TE偏波に対してシングルモード条件を達成する幅に設定されている。従って、出力部237は、基本モードの光を伝播させる。
The
電極40は、クラッド20を介して、モード変換部31及びキャビティ部234の一方又は双方を被覆する位置に形成される。キャビティ部234上に電極40を形成する場合には、電極40の発熱による熱光学効果によって、キャビティ部234の屈折率を変化させることができる。その結果、キャビティ部234によって位相整合させる波長を変化させることができる。なお、モード変換部31及びキャビティ部234双方の上に電極40を設ける場合には、モード変換部31上に設ける電極40とキャビティ部234に設ける電極40とを一体的に形成することができる。
The
第2の波長フィルタ300では、入力部231から入力され、第1モード変換部31−1を透過する基本モードのTE偏波、及び第2モード変換部31−2のフォトニック結晶でモード変換されつつ反射され、さらに第1モード変換部31−1でモード変換されつつ反射された基本モードのTE偏波のうち、キャビティ部234の長さに応じて位相が整合する波長の光が、出力部237から出力される。
In the
一方、第1モード変換部31−1及び第2モード変換部31−2のフォトニック結晶によってモード変換されつつ反射された1次モードのTE偏波のうち、キャビティ部234の長さに応じて位相が整合する波長の光が、入力側テーパ部232に入力される。反射光は、入力側テーパ部232を、入力部231に向かって伝播する。しかし、上述したように、入力側テーパ部232の一端232aの幅は、TE偏波に対してシングルモード条件を満たすように設定されている。そのため、反射光は、入力部231に移行することなく放射する。
On the other hand, according to the length of the
従って、第2の波長フィルタ300は、キャビティ部234によって位相整合する、特定の波長の光を取り出す波長フィルタとして使用することができる。
Therefore, the
ここで、既に説明したように、フォトニック結晶の両端部(すなわち第1モード変換部31−1及び第2モード変換部31−2それぞれの両端部)では、基本モードと1次モードとの間の反射回折のみならず、不所望な基本モード間の反射回折が生じ、基本モードの入力光が基本モードのまま反射されてしまう。その結果、キャビティ部234では、第1モード変換部31−1からキャビティ部234へ入力される基本モードのTE偏波のみならず、第2モード変換部31−2からキャビティ部234へ入力される基本モードのTE偏波が伝播する。そして、これら反対方向からの基本モードのTE偏波同士が干渉することによって、出力部237からの波長ピークに分裂が生じることが、FDTDを用いたシミュレーションにより判明した。
Here, as already described, at both ends of the photonic crystal (that is, both ends of each of the first mode conversion unit 31-1 and the second mode conversion unit 31-2), between the fundamental mode and the primary mode. In addition to the reflection diffraction, an undesired reflection diffraction between the fundamental modes occurs, and the input light in the fundamental mode is reflected in the fundamental mode. As a result, in the
しかし、第2の波長フィルタ300では、第1モード変換部31−1及び第2モード変換部31−2それぞれの両端に第1補償部131a及び第2補償部131bが設けられている。上述したように、第1補償部131a及び第2補償部131bは、基本モードの光を基本モードのまま反射する。この結果、第2モード変換部31−2からキャビティ部234へ入力される基本モードのTE偏波を第1補償部131a及び第2補償部131bにおける基本モード間の反射回折により打ち消すことができる。従って、第2の波長フィルタ300では、キャビティ部234において、基本モードのTE偏波同士が干渉することを防ぐことができる。その結果、出力部237からの波長ピークに分裂が生じるのを防ぐことができる。
However, in the
また、キャビティ部234を、基本モードの光に対してπの整数倍の位相が生じる長さとすることによって、キャビティ部234を伝播する基本モードの光に対して、複数の波長の位相を整合させることができる。従って、第2の波長フィルタ300は、出力光の波長ピークを多峰性とすることができる。
Further, the phase of the plurality of wavelengths is matched to the light of the fundamental mode propagating through the
また、第2の波長フィルタ300では、電極40を用いて第1モード変換部31−1及び第2モード変換部31−2並びにキャビティ部234に熱を与えることができる。そのため、第1モード変換部31−1及び第2モード変換部31−2による反射波長やキャビティ部234が位相整合させる波長を変化させることができる。従って、第2の波長フィルタ300は、出力波長が可変である。
In the
また、第2の波長フィルタ300は、リング共振器と等価な波長フィルタと見なすことができる。この場合、第1モード変換部31−1及び第2モード変換部31−2のフォトニック結晶が、リング共振器の方向性結合器部分に対応する。また、キャビティ部234が、リング共振器のリング導波路部分に対応する。ここで、リング共振器は、方向性結合器部分において作製誤差の影響を受けやすい。これに対し、第2の波長フィルタ300は、方向性結合器を構成として含まない。従って、第2の波長フィルタ300は、リング共振器と等価な機能を有しつつ、リング共振器と比べて作製誤差の影響を受けにくい。
The
この実施の形態では、光導波路コア30が、2つのモード変換部31(第1モード変換部31−1及び第2モード変換部31−2)と1つのキャビティ部234を含む構成について説明した。しかし、光導波路コア30が、n個(nは2以上の整数)のモード変換部31とn−1個のキャビティ部234とを含む構成とすることもできる。図6を参照して、第2の波長フィルタの変形例として、n個のモード変換部31とn−1個のキャビティ部234とを含む場合の構成について説明する。図6は、n個のモード変換部31とn−1個のキャビティ部234とを含む第2の波長フィルタの変形例(波長フィルタ350)の概略的平面図である。なお、図6では、クラッド、支持基板及び電極を省略して示してある。
In this embodiment, the configuration in which the
n個のモード変換部31−1〜nとn−1個のキャビティ部234−1〜n−1とは、入力側テーパ部232及び出力側テーパ部236間で、交互に直列に接続される。キャビティ部234を挟んで隣り合うモード変換部31間に存在する第1補償部131a及び第2補償部131bは、隣り合うモード変換部31間に挟まれたキャビティ部234の一部として形成されている。
The n mode conversion units 31-1 to 31-n and the n−1 cavity portions 234-1 to n−1 are alternately connected in series between the input
各モード変換部31には、上述したフォトニック結晶が全域に渡って形成されている。このフォトニック結晶により、各モード変換部31は、入力される特定の波長の伝播光を、基本モードから1次モードに変換して反射する。また、各モード変換部31は、その他の波長の伝播光を、基本モードのままで透過させる。各モード変換部31のフォトニック結晶の空孔51及び52の周期は、共通の条件で、反射すべき波長λに対して上式(1)を満たすように設計される。
In each
各キャビティ部234は、これら各キャビティ部234を伝播するTE偏波のうち、キャビティ部234の長さに応じた特定の波長の光の位相を整合させる。
Each
このように、モード変換部31及びキャビティ部234を多段に接続することによって、出力部237から出力される光の波長ピークのフラットトップ特性を向上させることができる。
Thus, by connecting the
なお、各モード変換部31の長さ(フォトニック結晶の空孔51及び52の個数)は、一部又は全部が異なるように設定することができる。この場合には、透過光の波長ピークのフラットトップ特性を向上させることができる。フラットトップ特性を向上させるための、最適な各モード変換部31の長さ(フォトニック結晶の空孔51及び52の個数)の関係は、例えばFDTDを用いたシミュレーションにより、モード変換部31及びキャビティ部234の数に応じて適宜決定することができる。一例として、モード変換部31及びキャビティ部234を多段にする場合には、キャビティ部234に挟まれたモード変換部31−2〜n−1の長さを、両端に配置されるモード変換部31−1及び31−nの長さの2倍程度とすることができる。
In addition, the length (the number of
(特性評価)
発明者は、FDTDを用いて、第2の波長フィルタ300の特性を評価するシミュレーションを行った。
(Characteristic evaluation)
The inventor performed the simulation which evaluates the characteristic of the
このシミュレーションでは、図5に示す構成例の第2の波長フィルタ300について、第1モード変換部31−1に基本モードのTE偏波を入力し、第1モード変換部31−1及び第2モード変換部31−2を透過して出力される出力光(透過光)、及び第1モード変換部31−1及び第2モード変換部31−2で反射されて出力される出力光(反射光)の強度を解析した。
In this simulation, with respect to the
また、このシミュレーションでは、第1補償部131a及び第2補償部131bを設けない(すなわちサブ空孔90を形成しない)比較用波長フィルタについても同様の解析を行った。そして、第2の波長フィルタ300と比較用波長フィルタとで特性を比較した。
In this simulation, the same analysis was performed for the comparative wavelength filter in which the
このシミュレーションでは、以下のように第2の波長フィルタを設計した。すなわち、光導波路コア30を、全体的に厚さを200nmとした。また、第1モード変換部31−1、キャビティ部234及び第2モード変換部31−2の幅を一定の1000nmとした。また、第1モード変換部31−1及び第2モード変換部31−2のフォトニック結晶における空孔51及び52それぞれの個数を20個、空孔51及び52の形成周期Λを394nm、空孔51及び空孔52間の、モード変換部31の幅方向に沿った中心間距離を500nm、空孔51及び52の直径を100nmとした。また、キャビティ部234の長さを9850nmとした。なお、このシミュレーションでは、キャビティ部234の特性を明瞭に確認するために、第1モード変換部31−1の一端31aに隣接して形成されている第1補償部131a、及び第2モード変換部31−2の他端31bに隣接して形成されている第2補償部131b、並びにこれら領域のサブ空孔90を省略した。
In this simulation, the second wavelength filter was designed as follows. That is, the entire thickness of the
なお、第1モード変換部31−1の他端31bに隣接して形成されている第2補償部131bのサブ空孔90と、第1モード変換部31−1の最も他端31b側に位置する空孔51又は52(ここでは、図5(A)において、第1モード変換部31−1内で紙面の最も右端に存在する空孔51)との長さ方向に沿った中心間距離を、空孔51及び52の形成周期Λの5/8周期に相当する長さ(ここでは246.25nm)とした。同様に、第2モード変換部31−2の一端31aに隣接して形成されている第1補償部131aのサブ空孔90についても、サブ空孔90と最も近接する空孔51及び52との長さ方向に沿った中心間距離を、空孔51及び52の形成周期Λの5/8周期に相当する長さとした。
In addition, the
一方、比較用波長フィルタは、第2の波長フィルタとサブ空孔90を形成しない点で構成が異なる以外は、上述した条件の第2の波長フィルタと共通の設計とした。 On the other hand, the comparative wavelength filter is designed in common with the second wavelength filter under the above-described conditions except that the configuration is different from the second wavelength filter in that the sub air holes 90 are not formed.
このシミュレーションの結果を、図7(A)及び(B)に示す。図7(A)は、第2の波長フィルタの出力光の強度を示している。図7(B)は、比較用波長フィルタの出力光の強度を示している。図7(A)及び(B)では、縦軸に、光の強度をdB目盛で、また、横軸に波長をμm単位でとって示してある。図7(A)における曲線201及び図7(B)における曲線301は、基本モードのTE偏波の透過光の強度を示している。また、図7(A)における曲線203及び図7(B)における曲線303は、基本モードのTE偏波の反射光の強度を示している。また、図7(A)における曲線205及び図7(B)における曲線305は、1次モードのTE偏波の反射光の強度を示している。
The results of this simulation are shown in FIGS. 7 (A) and (B). FIG. 7A shows the intensity of the output light of the second wavelength filter. FIG. 7B shows the intensity of the output light of the comparative wavelength filter. In FIGS. 7A and 7B, the vertical axis indicates the light intensity in dB scale, and the horizontal axis indicates the wavelength in μm. A
図7(A)に示すように、第2の波長フィルタ300では、基本モードのTE偏波の透過光として、複数のピークが確認できる。そして、これら透過光のピークは、特に中央のピークにおいて顕著に分裂が抑えられ、シャープな形状となっていることが確認される。また、基本モードのTE偏波の反射光も、十分に抑えられていることが確認できる。
As shown in FIG. 7A, in the
一方、図7(B)に示すように、比較用波長フィルタでは、基本モードのTE偏波の透過光のピークに分裂が生じている。また、基本モードのTE偏波の反射光の強度にも、大きなピークが確認される。 On the other hand, as shown in FIG. 7B, in the comparative wavelength filter, splitting occurs in the peak of the transmitted light of the TE-polarized light in the fundamental mode. Also, a large peak is confirmed in the intensity of the reflected light of the TE polarized light in the fundamental mode.
この結果より、サブ空孔90を形成することによって、出力される透過光の波長ピークの分裂が抑えられることが確認された。 From this result, it was confirmed that the splitting of the wavelength peak of the transmitted light to be output can be suppressed by forming the sub-hole 90.
(第3の波長フィルタ)
図8を参照して、上述した光導波路素子100(図1参照)を利用した第3の波長フィルタについて説明する。図8は、第3の波長フィルタを示す概略的平面図である。なお、図8では、光導波路コアのみを示してあり、クラッド、支持基板及び電極を省略している。また、光導波路素子100、第1の波長フィルタ200及び第2の波長フィルタ300と共通する構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。
(Third wavelength filter)
With reference to FIG. 8, the 3rd wavelength filter using the optical waveguide element 100 (refer FIG. 1) mentioned above is demonstrated. FIG. 8 is a schematic plan view showing a third wavelength filter. In FIG. 8, only the optical waveguide core is shown, and the cladding, the support substrate, and the electrodes are omitted. In addition, the same reference numerals are given to components common to the
第3の波長フィルタ400は、上述した第2の波長フィルタ300に、出力導波路コア70を追加して構成されている。また、光導波路コア30は、第2の波長フィルタ300の光導波路コア30(図5参照)に追加して、入力側テーパ部232と最端に配置されたモード変換部31(ここでは第1モード変換部31−1)との間に、これら入力側テーパ部232及び第1モード変換部31−1と直列に接続された多モード導波路部34を含んでいる。なお、出力導波路コア70及び多モード導波路部34は、上述した第1の波長フィルタ200と同様である。
The
第1モード変換部31−1の、多モード導波路部34側の一端31aに隣接して形成された第1補償部131aは、多モード導波路部34の一部として形成されている。従って、多モード導波路部34の、第1モード変換部31−1側の端付近には、サブ空孔90が形成されている。そして、多モード導波路部34のサブ空孔90が形成された領域が、第1補償部131aとして機能する。
The
第3の波長フィルタ400では、基本モードの光信号が、光導波路コア30の入力部231に入力され、入力側テーパ部232及び多モード導波路部34を経て第1モード変換部31−1に送られる。
In the
第1モード変換部31−1を透過する基本モードのTE偏波、及び第2モード変換部31−2のフォトニック結晶で偏波変換されつつ反射され、さらに第1モード変換部31−1で偏波変換されつつ反射される基本モードのTE偏波のうち、キャビティ部234の長さに応じて位相が整合する波長の光が、出力部237から出力される。
The first mode conversion unit 31-1 reflects the fundamental mode TE polarized light that is transmitted through the first mode conversion unit 31-1, and the second mode conversion unit 31-2 while undergoing polarization conversion, and is further reflected by the first mode conversion unit 31-1. Of the fundamental mode TE polarized light that is reflected while being subjected to polarization conversion, light having a wavelength whose phase is matched according to the length of the
一方、第1モード変換部31−1及び第2モード変換部31−2のフォトニック結晶によってモード変換されつつ反射された1次モードのTE偏波のうち、キャビティ部234の長さに応じて位相が整合する波長の光が、多モード導波路部34に入力される。
On the other hand, according to the length of the
多モード導波路部34を伝播する1次モードのTE偏波は、結合領域80において、基本モードに変換されつつ、出力導波路コア70の結合部71へ移行する。結合部71へ移行した基本モードのTE偏波は、第2出力部72から出力される。
The primary mode TE polarized wave propagating through the
このように、第3の波長フィルタ400は、特定の波長とその他の波長とを分離し、経路を切り替えて取り出す波長フィルタとして使用することができる。そして、第1モード変換部31−1及び第2モード変換部31−2においてフォトニック結晶を利用することによって、高い回折効率で特定の波長の光を反射させることができる。従って、高効率に波長分離及び経路切替を行うことができる。
As described above, the
なお、この実施の形態では、光導波路コア30が、2つのモード変換部(第1モード変換部31−1及び第2モード変換部31−2)と1つのキャビティ部234を含む構成について説明した。しかし、第2の波長フィルタ350と同様に、光導波路コア30が、n個(nは2以上の整数)のモード変換部31とn−1個のキャビティ部234とを含む構成とすることもできる(図6参照)。
In this embodiment, the configuration in which the
(製造方法)
上述した光導波路素子100、第1の波長フィルタ200、第2の波長フィルタ300及び第3の波長フィルタ400は、例えばSOI(Silicon On Insulator)基板を利用することによって、簡易に製造することができる。以下、一例として光導波路素子100の製造方法について説明する。
(Production method)
The
すなわち、まず、支持基板層、SiO2層、及びSi層が順次積層されて構成されたSOI基板を用意する。次に、例えばエッチング技術を用い、Si層をパターニングすることによって、光導波路コア30を形成する。その結果、支持基板10としての支持基板層上にSiO2層が積層され、さらにSiO2層上に光導波路コア30が形成された構造体を得ることができる。次に、例えば化学気相成長(Chemical Vapor Deposition:CVD)法を用いて、SiO2層上に、SiO2を、光導波路コア30を被覆して形成する。その結果、SiO2のクラッド20によって光導波路コア30が包含される。次に、クラッド20上に電極40を形成して、光導波路素子100を製造することができる。なお、第1の波長フィルタ200及び第3の波長フィルタ400を製造する場合には、Si層をパターニングして光導波路コア30を形成する工程において、同時に出力導波路コア70を形成することができる。
That is, first, an SOI substrate is prepared in which a support substrate layer, a SiO 2 layer, and a Si layer are sequentially stacked. Next, the
10:支持基板
20:クラッド
30:光導波路コア
31:モード変換部
32、231:入力部
33、232:入力側テーパ部
34:多モード導波路部
35、236:出力側テーパ部
36、237:出力部
40:電極
51、52:空孔
61:第1空孔群
62:第2空孔群
70:出力導波路コア
71:結合部
72:第2出力部
80:結合領域
90:サブ空孔
100:光導波路素子
131a:第1補償部
131b:第2補償部
200:第1の波長フィルタ
234:キャビティ部
300:第2の波長フィルタ
350:変形例に係る第2の波長フィルタ
400:第3の波長フィルタ
10: Support substrate 20: Cladding 30: Optical waveguide core 31:
Claims (10)
前記光導波路コアを包含するクラッドと
を備え、
前記光導波路コアは、前記第1仮想線分及び前記第2仮想線分に沿って直列に接続された
モード変換部と、
前記モード変換部の一端に隣接して形成された第1補償部と、
前記モード変換部の他端に隣接して形成された第2補償部と
を含み、
前記モード変換部には、前記第1仮想線分と重なる位置に配列して周期的に形成された複数の空孔を含む第1空孔群、及び前記第2仮想線分と重なる位置に配列して、前記第1空孔群と同一周期で形成された複数の空孔を含む第2空孔群を含むフォトニック結晶が形成されており、
前記フォトニック結晶は、特定の波長λに対し、前記第1空孔群に含まれる空孔及び前記第2空孔群に含まれる空孔の周期をΛ、基本モードに対する等価屈折率をn0、q(qはq>0の整数)次モードに対する等価屈折率をnqとして、2π/Λ=2π(n0+nq)/λを満たし、
前記第1補償部及び前記第2補償部には、それぞれ1又は複数のサブ空孔が形成されており、前記第1補償部及び前記第2補償部は、前記特定の波長λの基本モードの光を基本モードのまま反射する
ことを特徴とする光導波路素子。 An optical waveguide core provided along a first imaginary line segment and a second imaginary line segment parallel to the first imaginary line segment and overlapping the first imaginary line segment and the second imaginary line segment;
A clad including the optical waveguide core,
The optical waveguide core includes a mode converter connected in series along the first imaginary line segment and the second imaginary line segment;
A first compensation unit formed adjacent to one end of the mode conversion unit;
A second compensator formed adjacent to the other end of the mode converter,
In the mode conversion unit, a first hole group including a plurality of holes periodically formed in a position overlapping with the first virtual line segment, and a position overlapping with the second virtual line segment A photonic crystal including a second hole group including a plurality of holes formed at the same period as the first hole group is formed,
For the specific wavelength λ, the photonic crystal has a period of holes included in the first hole group and a hole included in the second hole group as Λ, and an equivalent refractive index for the fundamental mode as n 0. , Q (q is an integer of q> 0) where n q is the equivalent refractive index for the mode, and 2π / Λ = 2π (n 0 + n q ) / λ is satisfied,
Each of the first compensation unit and the second compensation unit is formed with one or a plurality of sub-holes, and the first compensation unit and the second compensation unit have a fundamental mode of the specific wavelength λ. An optical waveguide device that reflects light in a fundamental mode.
ことを特徴とする請求項1に記載の光導波路素子。 2. The light guide according to claim 1, wherein each of the holes included in the first hole group and the second hole group has a unique diameter, and the diameter has a value of at least 2 or more. Waveguide element.
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の光導波路素子。 The holes included in the first hole group and the holes included in the second hole group excavate the mode conversion unit from the upper surface of the mode conversion unit to the middle of the mode conversion unit in the thickness direction. The optical waveguide device according to claim 1, wherein the optical waveguide device is formed by being embedded.
ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の光導波路素子。 4. The light guide according to claim 1, wherein an electrode for applying heat to the mode conversion unit is formed at a position covering the mode conversion unit via the clad. Waveguide element.
前記光導波路コアは、前記モード変換部と直列に接続され、基本モード及びq次モードの光を伝播させる多モード導波路部をさらに含み、
前記第1補償部は、前記多モード導波路部の一部として形成されており、
前記クラッドは、前記光導波路コア及び前記出力導波路コアを包含し、
前記多モード導波路部と前記結合部とが、互いに離間しかつ並んで配置された結合領域が設定されており、
前記結合領域では、前記多モード導波路部を伝播するq次モードの光と、前記結合部を伝播するr(rはr≧0の整数)次モードの光とが結合される
ことを特徴とする波長フィルタ。 The optical waveguide device according to any one of claims 1 to 4, and an output waveguide core including a coupling portion,
The optical waveguide core further includes a multimode waveguide unit connected in series with the mode conversion unit and propagating light of a fundamental mode and a q-order mode,
The first compensation unit is formed as a part of the multimode waveguide unit,
The cladding includes the optical waveguide core and the output waveguide core;
A coupling region is set in which the multimode waveguide part and the coupling part are spaced apart from each other and arranged side by side.
In the coupling region, q-order mode light propagating through the multimode waveguide section and r (r is an integer of r ≧ 0) order mode light propagating through the coupling section are coupled. Wavelength filter to be used.
前記光導波路コアは、前記第1仮想線分及び前記第2仮想線分に沿って直列に接続された
n個(nは2以上の整数)の前記モード変換部並びに前記第1補償部及び前記第2補償部と、
n−1個のキャビティ部と
を含み、
前記モード変換部と前記キャビティ部とは、交互に接続されており、
前記キャビティ部を挟んで隣り合う前記モード変換部間に存在する前記第1補償部及び前記第2補償部は、隣り合う前記モード変換部間に挟まれた前記キャビティ部の一部として形成されており、
前記キャビティ部は、当該キャビティ部を伝播する、特定の波長の基本モードの光の位相を整合させる
ことを特徴とする波長フィルタ。 Comprising the optical waveguide device according to any one of claims 1 to 4,
The optical waveguide core includes n (n is an integer of 2 or more) mode conversion units, the first compensation units, and the series connected in series along the first virtual line segment and the second virtual line segment. A second compensation unit;
n-1 cavity portions,
The mode conversion section and the cavity section are connected alternately,
The first compensation unit and the second compensation unit that exist between the mode conversion units adjacent to each other with the cavity unit interposed therebetween are formed as part of the cavity unit sandwiched between the mode conversion units adjacent to each other. And
The wavelength filter, wherein the cavity portion matches the phase of light of a fundamental mode having a specific wavelength that propagates through the cavity portion.
前記入力側テーパ部は、一端から前記第1補償部側の他端へ、連続的に幅が拡大し、
前記入力側テーパ部の一端は、基本モードに対応する幅に設定されている
ことを特徴とする請求項6に記載の波長フィルタ。 The optical waveguide core further includes an input side taper portion connected in series to the first compensation portion adjacent to one end of the mode conversion portion disposed at the outermost end,
The input side taper portion continuously increases in width from one end to the other end on the first compensation portion side,
The wavelength filter according to claim 6, wherein one end of the input side taper portion is set to a width corresponding to a fundamental mode.
前記光導波路コアは、最端に配置された前記モード変換部に直列に接続され、基本モード及びq次モードの光を伝播させる多モード導波路部をさらに含み、
前記最端に配置されたモード変換部の、前記多モード導波路部側の一端に隣接して形成された第1補償部は、前記多モード導波路部の一部として形成されており、
前記クラッドは、前記光導波路コア及び前記出力導波路コアを包含し、
前記多モード導波路部と前記結合部とが、互いに離間しかつ並んで配置された結合領域が設定されており、
前記結合領域では、前記多モード導波路部を伝播するq次モードの光と、前記結合部を伝播するr(rはr≧0の整数)次モードの光とが結合される
ことを特徴とする請求項6に記載の波長フィルタ。 Further comprising an output waveguide core including a coupling portion;
The optical waveguide core further includes a multimode waveguide unit that is connected in series to the mode conversion unit disposed at the outermost end and propagates light of a fundamental mode and a q-order mode,
The first compensation unit formed adjacent to one end of the mode conversion unit disposed at the outermost end on the multimode waveguide unit side is formed as a part of the multimode waveguide unit,
The cladding includes the optical waveguide core and the output waveguide core;
A coupling region is set in which the multimode waveguide part and the coupling part are spaced apart from each other and arranged side by side.
In the coupling region, q-order mode light propagating through the multimode waveguide section and r (r is an integer of r ≧ 0) order mode light propagating through the coupling section are coupled. The wavelength filter according to claim 6.
ことを特徴とする請求項6〜8のいずれか一項に記載の波長フィルタ。 The wavelength filter according to any one of claims 6 to 8, wherein an electrode for applying heat to the cavity portion is formed at a position covering the cavity portion via the clad.
ことを特徴とする請求項6〜9のいずれか一項に記載の波長フィルタ。 The center-to-center distance along the length direction of the mode conversion portion closest to the sub-hole is included in the holes included in the first hole group and the second hole group. The wavelength filter according to any one of claims 6 to 9, wherein the wavelength filter has a length corresponding to 5/8 period of a hole period.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017156944A JP6397973B1 (en) | 2017-08-15 | 2017-08-15 | Optical waveguide device and wavelength filter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017156944A JP6397973B1 (en) | 2017-08-15 | 2017-08-15 | Optical waveguide device and wavelength filter |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6397973B1 true JP6397973B1 (en) | 2018-09-26 |
JP2019035855A JP2019035855A (en) | 2019-03-07 |
Family
ID=63668564
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017156944A Active JP6397973B1 (en) | 2017-08-15 | 2017-08-15 | Optical waveguide device and wavelength filter |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6397973B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111175894A (en) * | 2020-01-14 | 2020-05-19 | 北京邮电大学 | Electro-optical modulator based on low-refractive-index polymer photonic crystal microcavity |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2021191954A1 (en) * | 2020-03-23 | 2021-09-30 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10104454A (en) * | 1996-09-12 | 1998-04-24 | Lucent Technol Inc | Device consisting of optical waveguide |
US6597721B1 (en) * | 2000-09-21 | 2003-07-22 | Ut-Battelle, Llc | Micro-laser |
JP2006126527A (en) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Ricoh Co Ltd | Light control element |
WO2006100905A1 (en) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Kyoto University | Polarization mode converter |
JP2015121696A (en) * | 2013-12-24 | 2015-07-02 | 沖電気工業株式会社 | Optical waveguide device |
JP6229028B1 (en) * | 2016-09-29 | 2017-11-08 | 沖電気工業株式会社 | Optical waveguide device and wavelength filter |
-
2017
- 2017-08-15 JP JP2017156944A patent/JP6397973B1/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10104454A (en) * | 1996-09-12 | 1998-04-24 | Lucent Technol Inc | Device consisting of optical waveguide |
US6597721B1 (en) * | 2000-09-21 | 2003-07-22 | Ut-Battelle, Llc | Micro-laser |
JP2006126527A (en) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Ricoh Co Ltd | Light control element |
WO2006100905A1 (en) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Kyoto University | Polarization mode converter |
JP2015121696A (en) * | 2013-12-24 | 2015-07-02 | 沖電気工業株式会社 | Optical waveguide device |
JP6229028B1 (en) * | 2016-09-29 | 2017-11-08 | 沖電気工業株式会社 | Optical waveguide device and wavelength filter |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111175894A (en) * | 2020-01-14 | 2020-05-19 | 北京邮电大学 | Electro-optical modulator based on low-refractive-index polymer photonic crystal microcavity |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019035855A (en) | 2019-03-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10228512B2 (en) | Wavelength filter | |
JP6379245B1 (en) | Optical waveguide device and receiving circuit | |
JP6554571B1 (en) | Optical wavelength filter | |
JP6028339B2 (en) | Wavelength selective path switching element | |
JP6119306B2 (en) | Optical waveguide device | |
JP6229028B1 (en) | Optical waveguide device and wavelength filter | |
JP6574818B2 (en) | Wavelength filter | |
JP4477260B2 (en) | Waveguide-type optical coupler and optical multiplexer / demultiplexer using the waveguide-type optical coupler | |
JP6397973B1 (en) | Optical waveguide device and wavelength filter | |
JP6349364B2 (en) | Wavelength filter | |
JP6298906B1 (en) | Wavelength filter | |
JP6630806B1 (en) | Optical waveguide circuit | |
JP6335238B2 (en) | Wavelength filter | |
JP2021071575A (en) | Optical wavelength filter | |
JP6476247B1 (en) | Wavelength filter | |
JP6327308B2 (en) | Optical waveguide device | |
JP2015059989A (en) | Optical waveguide element | |
JP6771606B2 (en) | Optical wavelength filter | |
JP7023318B2 (en) | Optical wavelength filter | |
JP7023317B2 (en) | Optical wavelength filter and wavelength separation optical circuit | |
JP6476265B1 (en) | Optical waveguide device | |
JP2016180867A (en) | Optical element, mach-zehnder wavelength filter and ring resonator | |
JP6656435B1 (en) | Optical waveguide circuit | |
JP6771600B2 (en) | Optical waveguide circuit | |
JP7070738B1 (en) | Optical wavelength filter |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180807 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180903 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6397973 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |