JP6369021B2 - Reflective mask manufacturing method and reflective mask - Google Patents
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Description
本発明は反射型フォトマスク製造方法に関するものである。特に、エッチングに対し、過剰な反応を示す遮光層材料に対する黒欠陥修正後の表面処理に関するものである。 The present invention relates to a reflective photomask manufacturing method. In particular, the present invention relates to a surface treatment after correcting black defects for a light shielding layer material that exhibits an excessive reaction to etching.
近年、半導体加工、特に、大規模集積回路の高集積化により、回路パターンの微細化が進められており、その結果、フォトマスクの製造においても、上記微細化に伴い、より微細かつ正確なマスクパターンを描画できる技術が求められている。 In recent years, miniaturization of circuit patterns has been promoted by semiconductor processing, in particular, high integration of large-scale integrated circuits. As a result, in the manufacture of photomasks, a finer and more accurate mask has been developed along with the above-mentioned miniaturization. There is a need for a technique capable of drawing a pattern.
そのため、反射型マスクの加工においては、より高精度のマスクパターンを形成しなければならず、それにはフォトマスクブランク上に高精度のレジストパターンとエッチングプロセスが必要になる。 For this reason, in the processing of the reflective mask, it is necessary to form a mask pattern with higher accuracy, which requires a highly accurate resist pattern and etching process on the photomask blank.
より微細なパターンを得るために、ドライエッチングによりパターン形成する際に用いられる遮光膜材料として、エッチング選択性の高い遮光膜材料が用いられるようになった。 In order to obtain a finer pattern, a light shielding film material having high etching selectivity has been used as a light shielding film material used for pattern formation by dry etching.
一方、プロセス後のフォトマスクの欠陥には、本来必要なパターンが欠損もしくは欠落しているもの（白欠陥）と、不要なパターンが余剰に存在しているもの（黒欠陥）とがある。黒欠陥の修正方法としては、アシストガスを吹き付けながら集束イオンビーム（ＦＩＢ）や電子ビーム（ＥＢ）を照射して、黒欠陥部をガスアシストエッチングすることにより除去する方法が主流となっている（特許文献１）。 On the other hand, the defect of the photomask after the process includes a defect in which an originally necessary pattern is missing or missing (white defect) and a defect in which an unnecessary pattern is excessively present (black defect). As a black defect correcting method, a method of removing a black defect portion by gas-assisted etching by irradiating a focused ion beam (FIB) or an electron beam (EB) while blowing an assist gas has become mainstream ( Patent Document 1).
前述の様なエッチング選択性の高い遮光膜材料の黒欠陥に対し、ガスアシストエッチングを用いて欠陥修正を行った後しばらくすると、欠陥修正部の遮光層側のエッジが浸食される現象が観察される。これはエッチングに対する遮光膜の反応が過剰で、ガスアシストエッチング後に残留しているエッチングガスに対しても反応していると考えられる。 For the black defect of the light-shielding film material with high etching selectivity as described above, a phenomenon was observed in which the edge on the light-shielding layer side of the defect-corrected part was eroded after a while after correcting the defect using gas-assisted etching. The It is considered that this is because the reaction of the light shielding film with respect to the etching is excessive, and it is also reacting with the etching gas remaining after the gas assist etching.
このように、欠陥修正部のパターンに経時的な形状変化があると、露光を行う際、正常なマスクパターンとして、転写されない恐れがある。 As described above, if the pattern of the defect correction portion has a shape change with time, there is a possibility that it is not transferred as a normal mask pattern when performing exposure.
近年、反射型マスクのパターンの微細化、高精度化に伴い、フォトマスクの黒欠陥を高精度に修正することができる方法が望まれている。パターンの微細化と共に、エッチング選択性の高い遮光層材料が用いられるようになった。前記吸収膜材料に対し、ガスアシストエッチングで欠陥修正をおこなうと、欠陥修正部のパターンに経時的な形状変化が発生する。 In recent years, there has been a demand for a method capable of correcting a black defect of a photomask with high accuracy along with miniaturization and high accuracy of a pattern of a reflective mask. Along with the miniaturization of patterns, a light shielding layer material having high etching selectivity has come to be used. When the defect correction is performed on the absorption film material by gas assist etching, a shape change with time occurs in the pattern of the defect correction portion.
本発明は、黒欠陥修正後、経時的な欠陥修正部のパターン形状の変化を抑制する反射型マスクの製造方法を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a manufacturing method of a reflective mask that suppresses a change in pattern shape of a defect correcting portion over time after correcting a black defect.
上記の課題を解決するための手段として、本発明は、
ＥＵＶ光を透過する基板の表面に、ＥＵＶ光を反射する多層膜と金属化合物を含有するＥＵＶ光を吸収する吸収膜を順次積層したマスクブランクに対し、
前記吸収膜上にレジスト膜を形成する工程、
前記レジスト膜にパターン描画を行う工程、
現像によりレジストパターンを形成する工程、
前記レジストパターン以外の前記吸収膜をエッチングする工程、
前記レジストパターンを除去する工程からなる反射型マスクの製造方法であって、
不要なパターンとして吸収膜が残った黒欠陥部を、フッ素系ガスやヨウ素等のエッチングアシストガスを用いたガスアシストエッチングにより除去する工程、
前記ガスアシストエッチングにより前記黒欠陥部を除去した直後に、ガスアシストエッチング部分に、酸化性ガスを吹き付けて酸化皮膜形成による表面処理を行う工程、
ガラス質の珪素有機化合物を含んだデポジションガスを噴きつけながら、集束イオンビームまたは電子ビームを照射して、堆積膜を形成させる工程を有し、
黒欠陥修正後、欠陥修正部のパターン形状の変化を±５％以内に抑制することを特徴とする反射型マスクの製造方法である。
As means for solving the above problems, the present invention provides:
For a mask blank in which a multilayer film that reflects EUV light and an absorption film that absorbs EUV light containing a metal compound are sequentially laminated on the surface of a substrate that transmits EUV light,
Forming a resist film on the absorption film;
Performing a pattern drawing on the resist film;
Forming a resist pattern by development,
Etching the absorbing film other than the resist pattern,
A method of manufacturing a reflective mask comprising a step of removing the resist pattern,
Removing the black defect portion where the absorption film remains as an unnecessary pattern by gas assist etching using an etching assist gas such as fluorine-based gas or iodine,
Step performed immediately after removing the black defect portion by the gas-assisted etching, the gas-assisted etching portion, the surface treatment with an oxide film formed by blowing an oxidizing gas,
A process of forming a deposited film by irradiating a focused ion beam or an electron beam while spraying a deposition gas containing a glassy silicon organic compound;
After the black defect is corrected, a change in the pattern shape of the defect correcting portion is suppressed to within ± 5%.
ガスアシストエッチング部分への酸化皮膜および堆積膜の形成後の基板反射率の変動が１％以内であるように抑制することが一層好ましい。It is more preferable to suppress the fluctuation of the substrate reflectance after the formation of the oxide film and the deposited film on the gas-assisted etching portion to be within 1%.
本発明による反射型マスクは、
ＥＵＶ光を透過する基板の表面にＥＵＶ光を反射する多層膜を有し、この多層膜上に、金属化合物を含有してＥＵＶ光を吸収する吸収膜をパターン状に有する反射型マスクであって、前記吸収膜パターンの側面の少なくとも一部に、酸化皮膜が形成され、および前記酸化皮膜を覆う表面に透明な堆積膜が形成されていることを特徴とする。
A reflective mask according to the present invention comprises:
A reflective mask having a multilayer film that reflects EUV light on the surface of a substrate that transmits EUV light, and an absorption film that contains a metal compound and absorbs EUV light in a pattern on the multilayer film. The oxide film is formed on at least a part of the side surface of the absorption film pattern , and a transparent deposited film is formed on the surface covering the oxide film .
本発明によれば、ＥＵＶ光の吸収率が高い吸収膜材料の黒欠陥に対して、ガスアシストエッチングを行った直後、表面処理を行うので、ガスアシストエッチング後の経時的なエッチングに対する反応を抑制でき、ガスアシストエッチング部の吸収膜のエッジの侵食を抑制することができるという効果を奏する。 According to the present invention, since the surface treatment is performed immediately after performing the gas assist etching on the black defect of the absorption film material having a high EUV light absorption rate, the reaction to the etching over time after the gas assist etching is suppressed. In addition, there is an effect that the erosion of the edge of the absorption film of the gas assist etching portion can be suppressed.
本発明の反射型マスクの製造方法について、図面を参照しながら説明する。図１に示すように、保護膜２０上に、吸収膜２がパターン状に形成された反射型反射型マスク１は、吸収膜２が余剰に存在している黒欠陥部８を有している。反射型マスクに用いられる基板は、石英(ＳｉＯ２)を主成分とし酸化チタン（ＴｉＯ２)を含む材料で形成される。 The reflective mask manufacturing method of the present invention will be described with reference to the drawings. As shown in FIG. 1, the reflective reflective mask 1 in which the absorption film 2 is formed in a pattern on the protective film 20 has a black defect portion 8 in which the absorption film 2 exists excessively. . A substrate used for the reflective mask is formed of a material containing quartz (SiO 2 ) as a main component and titanium oxide (TiO 2 ).
反射型マスクを製造する際、基板上に吸収膜が形成されたマスク上に、レジスト膜を形成し、このレジスト膜にパターン描画および現像を行って、所望のレジストパターンを形成する。そして、このレジストパターンをマスクとして吸収膜をエッチングし、レジストパターンを除去し、吸収膜のパターンを形成するとよい。 When manufacturing a reflective mask, a resist film is formed on a mask having an absorption film formed on a substrate, and a desired resist pattern is formed by pattern drawing and development on the resist film. Then, it is preferable to etch the absorption film using this resist pattern as a mask, remove the resist pattern, and form the pattern of the absorption film.
ＥＵＶに対して吸収率の高い物質としては、タンタル（Ｔａ）の窒素化合物（ＴａＮ）が好適であり、他の材料として、タンタルホウ素窒化物（ＴａＢＮ）、タンタルシリコン（ＴａＳｉ）、タンタル（Ｔａ）や、それらの酸化物（ＴａＢＯＮ、ＴａＳｉＯ、ＴａＯ）でも良い。また、吸収膜２は金属化合物を含有しており、エッチングに対する反応が過剰である。 Nitrogen compound (TaN) of tantalum (Ta) is suitable as a substance having a high absorption rate with respect to EUV, and tantalum boron nitride (TaBN), tantalum silicon (TaSi), and tantalum (Ta) are preferable as other materials. Alternatively, oxides thereof (TaBON, TaSiO, TaO) may be used. Further, the absorption film 2 contains a metal compound, and the reaction to etching is excessive.
黒欠陥部８を除去するためには、まず、図１に示すように、黒欠陥部８に、エッチングアシストガス７を吹き付けながら、集束イオンビームまたは電子ビーム５を照射して、黒欠陥部８に対し、ガスアシストエッチングを行う。 In order to remove the black defect portion 8, first, as shown in FIG. 1, the black defect portion 8 is irradiated with the focused ion beam or the electron beam 5 while the etching assist gas 7 is blown onto the black defect portion 8. In contrast, gas assist etching is performed.
エネルギービームとしては、黒欠陥部８のみを局所的にエッチングできるものであれば、特に限定されるものではないが、集束イオンビームまたは電子ビームが好ましい。これらは、高度な微細加工が可能であり、微細な黒欠陥部８にも対応できるからである。 The energy beam is not particularly limited as long as only the black defect portion 8 can be locally etched, but a focused ion beam or an electron beam is preferable. This is because advanced microfabrication is possible and it is possible to deal with the fine black defect portion 8.
集束イオンビームのイオン源としては、Ｇａ、Ａｕ−Ｓｉ−Ｂｅ、Ａｕ、Ｌｉ、Ｂｅ等があげられる。また、集束イオンビームのイオン源としては、集束することができるものであれば良いが、通常は、Ｇａが用いられる。 Examples of the ion source of the focused ion beam include Ga, Au—Si—Be, Au, Li, and Be. The ion source of the focused ion beam may be any ion source that can be focused, but Ga is usually used.
また、エッチングアシストガスとしては、黒欠陥部をエッチングできるガスであれば特に限定されるものではなく、例えば、フッ化キセノン（ＸｅＦ２）などのフッ素系ガスやヨウ素等が上げられる。 The etching assist gas is not particularly limited as long as it is a gas that can etch the black defect portion, and examples thereof include fluorine-based gas such as xenon fluoride (XeF 2 ), iodine, and the like.
次に、図２に示すように、ガスアシストエッチング部９周辺に、吸収膜２側面及び表面に含まれる金属化合物を酸化させる酸化性ガス１０を吹き付けて、ガスアシストエッチング部９に接する吸収膜２の側面及び表面を酸化させて、酸化皮膜１１を形成する表面処理工程を行う。酸化皮膜１１は、吸収膜２よりもエッチング反応が鈍いので、ガスアシストエッチング後、ガスアシストエッチング部周辺９に残留しているエッチングガスによる吸収膜２の侵食が抑制され、経時的なパターン形状の変化は抑制される。 Next, as shown in FIG. 2, an oxidizing gas 10 that oxidizes a metal compound contained in the side surface and the surface of the absorption film 2 is sprayed around the gas assist etching portion 9, so that the absorption film 2 in contact with the gas assist etching portion 9. A surface treatment step for forming the oxide film 11 is performed by oxidizing the side surfaces and the surface of the film. Since the etching reaction of the oxide film 11 is slower than that of the absorption film 2, the erosion of the absorption film 2 by the etching gas remaining in the gas assist etching area 9 after the gas assisted etching is suppressed, and the pattern shape with time is reduced. Change is suppressed.
使用される酸化性ガスは、黒欠陥部に含有される金属化合物を酸化させるガスであれば、特に限定されるものではない。例えば、酸素、オゾン、水蒸気、過酸化水素、窒素酸化物、硫黄酸化物、及び二酸化塩素などがあり、特に水蒸気が一般的で、取り扱う上での安全性は高い。この、酸化性ガスを使うことによって、エッチングプロセスによりマスクパターンが正常に形成された参照部に対しての反射光強度の差異が小さくなるという効果がある。 The oxidizing gas used is not particularly limited as long as it is a gas that oxidizes the metal compound contained in the black defect portion. For example, there are oxygen, ozone, water vapor, hydrogen peroxide, nitrogen oxide, sulfur oxide, and chlorine dioxide. Especially, water vapor is common and the safety in handling is high. By using this oxidizing gas, there is an effect that the difference in reflected light intensity with respect to the reference portion where the mask pattern is normally formed by the etching process is reduced.
次いで図３に示すように、ガスアシストエッチング工程直後、酸化皮膜１１を形成したガスアシストエッチング部９周辺に、珪素有機化合物を含んだデポジションガス１２を噴きつけながら、集束イオンビームまたは電子ビーム５を照射して、堆積膜１３を形成させる。堆積膜１３もガスアシストエッチング部９周辺に残留しているエッチングガスによる吸収膜２の侵食に対する保護膜の役割を果たすため、経時的なパターン形状の変化は抑制される。また、洗浄処理に対する耐性も高くなる。 Next, as shown in FIG. 3 , immediately after the gas assist etching step, a focused ion beam or electron beam 5 is sprayed while spraying a deposition gas 12 containing a silicon organic compound around the gas assist etching portion 9 where the oxide film 11 is formed. To deposit the deposited film 13. Since the deposited film 13 also serves as a protective film against the erosion of the absorption film 2 by the etching gas remaining in the vicinity of the gas assist etching portion 9, changes in the pattern shape over time are suppressed. In addition, resistance to the cleaning process is increased.
このときの堆積膜１３は透明で、かつ、この処理以降の洗浄処理で、物理的または化学的変化が少ないものが望ましい。また、堆積量は、反射型マスクの機能に支障をきたさないように、基板反射率の変動が１％以内になるようにすることが望ましい。 The deposited film 13 at this time is preferably transparent and has a small physical or chemical change in the cleaning process after this process. Further, it is desirable that the amount of deposition is such that the substrate reflectivity fluctuation is within 1% so as not to hinder the function of the reflective mask.
また、デポジションガスは、透明な堆積膜を得るためにテトラエトキシシラン（Ｃ８Ｈ２０Ｏ４Ｓｉ）のようなガラス質の珪素有機化合物のガスが望ましい。この材料を用いることにより、局所的、かつ、高温溶融を経ずに透明な堆積膜を形成することができるため、大規模な設備が不要である。 The deposition gas is preferably a glassy silicon organic compound gas such as tetraethoxysilane (C 8 H 20 O 4 Si) in order to obtain a transparent deposited film. By using this material, a transparent deposited film can be formed locally and without high-temperature melting, so that a large-scale facility is unnecessary.
図４（ａ）は、従来の方法でガスアシストエッチング工程を実施した直後の被表面処理基板のウエハ転写後のパターン形状である。参照パターン１４ａは寸法７５ｎｍ程度のホールパターンである。それに対し、ガスアシストエッチング部パターン１５ａは、参照部とするホールパターンのひとつを、ガスアシストエッチングした直後のパターンで、７９ｎｍ程度のホールパターンである。参照パターン１４ａとガスアシストエッチング部パターン１５ａとの寸法を比較すると、ガスアシストエッチング部パターン１５ａの寸法は参照パターン１４ａの寸法に対して±５％程度以内である。 FIG. 4A shows a pattern shape after the wafer transfer of the surface-treated substrate immediately after performing the gas assist etching process by the conventional method. The reference pattern 14a is a hole pattern having a dimension of about 75 nm. On the other hand, the gas assist etching portion pattern 15a is a hole pattern of about 79 nm immediately after gas assist etching of one of the hole patterns as a reference portion. Comparing the dimensions of the reference pattern 14a and the gas assist etching pattern 15a, the dimension of the gas assist etching pattern 15a is within about ± 5% of the dimension of the reference pattern 14a.
図４（ｂ）は、従来の方法でガスアシストエッチング工程を実施した１時間後の被表面処理基板のウエハ転写後のパターン形状である。参照パターン１４ｂは寸法７５ｎｍ程度のホールパターンである。それに対しガスアシストエッチング部パターン１５ｂは、参照部とするホールパターンのひとつを、ガスアシストエッチングを実施した１時間後のパターンで、１０５ｎｍ程度のホールパターンである。参照パターン１４ｂとガスアシストエッチング部パターン１５ｂとの寸法を比較すると、ガスアシストエッチング部パターン１５ｂの寸法は参照パターン１４ｂの寸法に対して３０％程度大きい。１５ａと１５ｂを比較すると、経時的なパターン形状の変化が確認される。 FIG. 4B shows a pattern shape after the wafer transfer of the surface-treated substrate 1 hour after the gas assist etching process is performed by the conventional method. The reference pattern 14b is a hole pattern having a dimension of about 75 nm. On the other hand, the gas assist etching portion pattern 15b is a hole pattern of about 105 nm, which is one hour after the gas assist etching is performed as one of the hole patterns used as a reference portion. Comparing the dimensions of the reference pattern 14b and the gas assist etching part pattern 15b, the dimension of the gas assist etching part pattern 15b is about 30% larger than the dimension of the reference pattern 14b. Comparing 15a and 15b confirms the change in pattern shape over time.
一方、図５（ａ）は、本発明に係る表面処理実施した直後の被表面処理基板のウエハ転写後のパターン形状である。参照パターン１６ａは、寸法７５ｎｍ程度のホールパターンである。それに対し、ガスアシストエッチング後表面処理パターン１７ａは、参照部とするホールひとつを、ガスアシストエッチング後、本発明に係る製造方法を実施した直後のパターンで、７８ｎｍ程度のホールパターンである。参照パターン１６ａとガスアシストエッチング部パターン１７ａとの寸法を比較すると、ガスアシストエッチング部パターン１７ａの寸法は参照パターン１６ａの寸法に対して±５％程度以内である。 On the other hand, FIG. 5A shows a pattern shape after wafer transfer of the substrate to be treated immediately after the surface treatment according to the present invention is performed. The reference pattern 16a is a hole pattern having a dimension of about 75 nm. On the other hand, the post-gas-assisted etching surface treatment pattern 17a is a pattern immediately after performing the manufacturing method according to the present invention after gas-assisted etching of one hole serving as a reference portion, and is a hole pattern of about 78 nm. Comparing the dimensions of the reference pattern 16a and the gas assist etching pattern 17a, the dimension of the gas assist etching pattern 17a is within about ± 5% of the dimension of the reference pattern 16a.
さらに、図５（ｂ）は、本発明に係る表面処理実施した１時間後の被表面処理基板のウエハ転写後のパターン形状である。参照パターン１６ｂは寸法７５ｎｍ程度のホールパターンである。それに対し、ガスアシストエッチング後表面処理パターン１７ｂは、参照部とするホールのひとつを、ガスアシストエッチング後、本発明に係る製造方法を実施した１時間後のパターンで、７８ｎｍ程度のホールパターンである。参照パターン１６ｂとガスアシストエッチング部パターン１７ａとの寸法を比較すると、ガスアシストエッチング部パターン１７ｂの寸法は参照パターン１６ｂの寸法に対して±５％程度以内のままである。１７ａと１７ｂを比較すると、経時的なパターン形状の変化が抑制されることが確認される。 Further, FIG. 5B shows a pattern shape after the wafer transfer of the surface-treated substrate 1 hour after the surface treatment according to the present invention is performed. The reference pattern 16b is a hole pattern having a dimension of about 75 nm. On the other hand, the surface treatment pattern 17b after gas assist etching is a hole pattern of about 78 nm after one hour when the manufacturing method according to the present invention is carried out after one of the holes used as a reference portion. . Comparing the dimensions of the reference pattern 16b and the gas assist etching pattern 17a, the dimension of the gas assist etching pattern 17b remains within about ± 5% of the dimension of the reference pattern 16b. Comparing 17a and 17b confirms that the change in pattern shape over time is suppressed.
反射型マスクの吸収性材料に対して発生していた問題が、このようにエッチング選択性の高い吸収膜材料の黒欠陥に対して、ガスアシストエッチングを行った直後に酸化性ガスや珪素有機化合物を射出し表面処理を行うことによって、ガスアシストエッチング後の経時的なエッチングに対する反応を抑制でき、ガスアシストエッチング部の吸収膜のエッジの侵食を抑制することができるという効果を奏する。 The problem that has occurred with the absorbing material of the reflective mask is that the oxidizing gas or silicon organic compound immediately after performing the gas-assisted etching on the black defect of the absorbing film material having such a high etching selectivity. By performing the surface treatment by injecting the gas, it is possible to suppress the reaction to the etching over time after the gas assist etching, and to suppress the erosion of the edge of the absorption film of the gas assist etching portion.
１・・・反射型マスク
２・・・吸収膜
２０・・・保護膜
３・・・基板
３０・・・多層膜
４・・・集束イオンビーム／電子ビーム鏡筒
４０・・・導電膜
５・・・集束イオンビーム／電子ビーム
６・・・ガス供給ノズル
７・・・エッチングアシストガス
８・・・黒欠陥部
９・・・ガスアシストエッチング部
１０・・・酸化性ガス
１１・・・酸化皮膜
１２・・・デポジションガス
１３・・・堆積膜
１４ａ・・・参照パターン
１４ｂ・・・参照パターン
１５ａ・・・ガスアシストエッチング部パターン
１５ｂ・・・ガスアシストエッチング部パターン
１６ａ・・・参照パターン
１６ｂ・・・参照パターン
１７ａ・・・ガスアシストエッチング後表面処理パターン
１７ｂ・・・ガスアシストエッチング後表面処理パターン
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Reflective type mask 2 ... Absorbing film 20 ... Protective film 3 ... Substrate 30 ... Multilayer film 4 ... Focused ion beam / electron beam column 40 ... Conductive film 5 .... Focused ion beam / electron beam 6 ... Gas supply nozzle 7 ... Etching assist gas 8 ... Black defect part 9 ... Gas assist etching part 10 ... Oxidizing gas 11 ... Oxide film DESCRIPTION OF SYMBOLS 12 ... Deposition gas 13 ... Deposition film 14a ... Reference pattern 14b ... Reference pattern 15a ... Gas assist etching part pattern 15b ... Gas assist etching part pattern 16a ... Reference pattern 16b ... Reference pattern 17a ... Surface treatment pattern after gas-assisted etching 17b ... Surface treatment pattern after gas-assisted etching
Claims (3)
前記吸収膜上にレジスト膜を形成する工程、
前記レジスト膜にパターン描画を行う工程、
現像によりレジストパターンを形成する工程、
前記レジストパターン以外の前記吸収膜をエッチングする工程、
前記レジストパターンを除去する工程からなる反射型マスクの製造方法であって、
不要なパターンとして吸収膜が残った黒欠陥部を、フッ素系ガスやヨウ素等のエッチングアシストガスを用いたガスアシストエッチングにより除去する工程、
前記ガスアシストエッチングにより前記黒欠陥部を除去した直後に、ガスアシストエッチング部分に、酸化性ガスを吹き付けて酸化皮膜形成による表面処理を行う工程、
ガラス質の珪素有機化合物を含んだデポジションガスを噴きつけながら、集束イオンビームまたは電子ビームを照射して、堆積膜を形成させる工程を有し、
黒欠陥修正後、欠陥修正部のパターン形状の変化を±５％以内に抑制することを特徴とする反射型マスクの製造方法。 For a mask blank in which a multilayer film that reflects EUV light and an absorption film that absorbs EUV light containing a metal compound are sequentially laminated on the surface of a substrate that transmits EUV light,
Forming a resist film on the absorption film;
Performing a pattern drawing on the resist film;
Forming a resist pattern by development,
Etching the absorbing film other than the resist pattern,
A method of manufacturing a reflective mask comprising a step of removing the resist pattern,
Removing the black defect portion where the absorption film remains as an unnecessary pattern by gas assist etching using an etching assist gas such as fluorine-based gas or iodine,
Step performed immediately after removing the black defect portion by the gas-assisted etching, the gas-assisted etching portion, the surface treatment with an oxide film formed by blowing an oxidizing gas,
A process of forming a deposited film by irradiating a focused ion beam or an electron beam while spraying a deposition gas containing a glassy silicon organic compound;
A method of manufacturing a reflective mask, wherein after a black defect is corrected, a change in pattern shape of the defect correcting portion is suppressed to within ± 5%.
前記吸収膜パターンの側面の少なくとも一部に、酸化皮膜が形成され、および前記酸化皮膜を覆う表面に透明な堆積膜が形成されていることを特徴とする反射型マスク。 A reflective mask having a multilayer film that reflects EUV light on the surface of a substrate that transmits EUV light, and an absorption film that contains a metal compound and absorbs EUV light in a pattern on the multilayer film. ,
A reflective mask, wherein an oxide film is formed on at least a part of a side surface of the absorption film pattern , and a transparent deposited film is formed on a surface covering the oxide film .
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