JP6363894B2 - Laser processing equipment - Google Patents
Laser processing equipment Download PDFInfo
- Publication number
- JP6363894B2 JP6363894B2 JP2014141489A JP2014141489A JP6363894B2 JP 6363894 B2 JP6363894 B2 JP 6363894B2 JP 2014141489 A JP2014141489 A JP 2014141489A JP 2014141489 A JP2014141489 A JP 2014141489A JP 6363894 B2 JP6363894 B2 JP 6363894B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- debris
- workpiece
- negative pressure
- laser beam
- laser processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
Description
本発明は、半導体ウエーハ等の被加工物にレーザー加工を施すレーザー加工装置に関する。 The present invention relates to a laser processing apparatus that performs laser processing on a workpiece such as a semiconductor wafer.
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列された分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々の半導体デバイスを製造している。 In the semiconductor device manufacturing process, a plurality of regions are partitioned by division lines arranged in a lattice pattern on the surface of a substantially disc-shaped semiconductor wafer, and devices such as ICs and LSIs are formed in the partitioned regions. . Then, the semiconductor wafer is cut along the planned division line to divide the region where the device is formed to manufacture individual semiconductor devices.
上述した半導体ウエーハ等のウエーハを分割予定ラインに沿って分割する方法として、ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を分割予定ライントに沿ってパルスレーザー光線を照射することによりレーザー加工溝を形成し、ウエーハをレーザー加工溝が形成された分割予定ラインに沿って破断する方法が提案されている。このようなレーザー加工を施すレーザー加工装置は、被加工物を保持する被加工物保持手段と、該被加工物保持手段に保持された被加工物をレーザー加工するレーザー光線照射手段と、被加工物保持手段とレーザー光線照射手段を加工送り方向に相対的に移動せしめる加工送り手段とを具備している。そして、レーザー光線照射手段は、レーザー光線を発振するレーザー光線発振手段と、該レーザー光線発振手段から発振されたレーザー光線を集光して被加工物保持手段に保持された被加工物に照射する集光対物レンズを備えた集光器とから構成されている（例えば、特許文献１参照）。 As a method of dividing a wafer such as the above-mentioned semiconductor wafer along a planned division line, a laser processing groove is formed by irradiating a laser beam having a wavelength that absorbs the wafer along the planned division line with a pulse laser beam. There has been proposed a method of breaking a wafer along a planned dividing line in which a laser processing groove is formed. A laser processing apparatus for performing such laser processing includes a workpiece holding means for holding a workpiece, a laser beam irradiation means for laser processing the workpiece held by the workpiece holding means, and the workpiece Processing holding means for relatively moving the holding means and the laser beam irradiation means in the processing feeding direction is provided. The laser beam irradiating means includes a laser beam oscillating means for oscillating a laser beam, and a condensing objective lens for condensing the laser beam oscillated from the laser beam oscillating means and irradiating the workpiece held by the workpiece holding means. It is comprised from the collector with which it was equipped (for example, refer patent document 1).
而して、ウエーハの分割予定ラインに沿ってパルスレーザー光線を照射すると、デブリ（debris)が飛散し、順次照射されるパルスレーザー光線の光路が飛散したデブリによって妨げられるという問題がある。即ち、飛散したデブリにパルスレーザー光線が当たると、レーザー光線は屈曲してデバイスに照射され、デバイスを損傷させるという問題がある。 Therefore, when the pulse laser beam is irradiated along the division line of the wafer, there is a problem that debris is scattered and the optical path of the pulse laser beam sequentially irradiated is hindered by the scattered debris. That is, when the pulsed laser beam hits the scattered debris, the laser beam is bent and applied to the device, causing a problem of damaging the device.
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、飛散したデブリの影響を受けることなくレーザー加工を施すことができるレーザー加工装置を提供することである。 This invention is made | formed in view of the said fact, The main technical subject is providing the laser processing apparatus which can perform a laser processing, without being influenced by the scattered debris.
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、被加工物を保持するための被加工物保持手段と、該被加工物保持手段に保持された被加工物にレーザー光線を照射して被加工物を加工するための集光器を備えたレーザー光線照射手段と、を具備するレーザー加工装置において、
該被加工物保持手段に保持された被加工物に該集光器からレーザー光線が照射することによって飛散されるデブリを吸引するデブリ排出機構を具備し、
該デブリ排出機構は、該集光器の端部を嵌合する集光器側開口部と被加工物側開口部とを備え該集光器から照射されるレーザー光線の通過を許容する連通路と、該連通路の該被加工物側開口部に一端が連通する吸引通路とを備えたデブリ吸引ケースと、該吸引通路を通してデブリを吸引して排出するデブリ排出手段とを具備しており、
該デブリ排出手段は、該吸引通路に配設され外周面から内周面に向けて斜めにエアーを噴出して該被加工物側開口部に負圧を生成するための複数の負圧生成エアー噴出通路を備えた負圧生成筒体と、該吸引通路に設けられ該負圧生成筒体に形成された複数の負圧生成エアー噴出通路に連通する環状溝と、該環状溝に連通するとともに負圧生成用エアー供給手段に連通せしめられた負圧生成用エアー供給通路とを具備している、
ことを特徴とするレーザー加工装置が提供される。
In order to solve the above main technical problem, according to the present invention, a workpiece holding means for holding a workpiece, and a workpiece held by the workpiece holding means by irradiating a laser beam to the workpiece. In a laser processing apparatus comprising a laser beam irradiation means equipped with a condenser for processing a workpiece,
Comprising a debris discharge mechanism for sucking debris scattered by irradiating the workpiece held by the workpiece holding means with a laser beam from the condenser;
The debris discharge mechanism includes a concentrator side opening for fitting an end of the concentrator and a workpiece side opening, and a communication path that allows passage of a laser beam emitted from the concentrator; A debris suction case having a suction passage having one end communicating with the workpiece side opening of the communication passage, and debris discharge means for sucking and discharging the debris through the suction passage,
The debris discharge means includes a plurality of negative pressure generating airs that are disposed in the suction passage and inject air obliquely from the outer peripheral surface toward the inner peripheral surface to generate a negative pressure in the workpiece side opening. A negative pressure generating cylinder having an ejection passage, an annular groove provided in the suction passage and communicating with a plurality of negative pressure generating air ejection passages formed in the negative pressure generating cylinder, and communicating with the annular groove A negative pressure generating air supply passage communicated with the negative pressure generating air supply means,
A laser processing apparatus is provided.
上記ケースの該集光器側開口部には、集光器との空間を遮断しレーザー光線を透過するカバーガラスが載置するガラス載置棚と、該ガラス載置棚に載置されたカバーガラスの該被加工物側開口部側の面に対向して設けられた複数の噴出口をそれぞれ有する複数の洗浄エアー噴出通路が設けられており、該複数の洗浄エアー噴出通路は、洗浄エアー供給手段に連通せしめられた洗浄エアー供給通路と連通している。
上記ケースの該被加工物側開口部側に隣接してレーザー光線の照射によって飛散されるデブリを吹き飛ばすデブリ吹き飛ばしノズルが配設されており、該デブリ吹き飛ばしノズルは、吹き飛ばしエアー供給手段に連通せしめられた吹き飛ばしエアー供給通路と連通している。
上記負圧生成エアー噴出通路から噴出するエアーの流量は１００〜３００リットル／分・mm2に設定され、上記洗浄エアー噴出通路から噴出するエアーの流量は１０〜３０リットル／分・mm2に設定され、上記デブリ吹き飛ばしノズルから噴出するエアーの流量は３〜１０リットル／分・mm2に設定されている。
A glass mounting shelf on which a cover glass that blocks a space with the collector and transmits a laser beam is placed at the collector-side opening of the case, and a cover glass placed on the glass mounting shelf A plurality of cleaning air jet passages each having a plurality of jet outlets provided to face the workpiece side opening side surface of the workpiece, and the plurality of cleaning air jet passages are provided with cleaning air supply means. The cleaning air supply passage communicates with the cleaning air supply passage.
A debris blow-off nozzle that blows off debris scattered by the irradiation of the laser beam is disposed adjacent to the workpiece side opening side of the case, and the debris blow-off nozzle is communicated with the blow-off air supply means. It is in communication with the blow-off air supply passage.
The flow rate of air ejected from the negative pressure generating air ejection passage is set to 100 to 300 liters / minute · mm 2 , and the flow rate of air ejected from the cleaning air ejection passage is set to 10 to 30 liters / minute · mm 2 The flow rate of air ejected from the debris blowing nozzle is set to 3 to 10 liters / minute · mm 2 .
本発明によるレーザー加工装置は、被加工物保持手段に保持された被加工物に集光器からレーザー光線が照射することによって飛散されるデブリを吸引するデブリ排出機構を備え、該デブリ排出機構は、集光器の端部を嵌合する集光器側開口部と被加工物側開口部とを備え該集光器から照射されるレーザー光線の通過を許容する連通路と、該連通路の被加工物側開口部に一端が連通する吸引通路とを備えたデブリ吸引ケースと、吸引通路を通してデブリを吸引して排出するデブリ排出手段とを具備ており、該デブリ排出手段は、吸引通路に配設され外周面から内周面に向けて斜めにエアーを噴出して被加工物側開口部に負圧を生成するための複数の負圧生成エアー噴出通路を備えた負圧生成筒体と、吸引通路に設けられ負圧生成筒体に形成された複数の負圧生成エアー噴出通路に連通する環状溝と、該環状溝に連通するとともに負圧生成用エアー供給手段に連通せしめられた負圧生成用エアー供給通路とを具備しているので、負圧生成用エアー供給手段を作動し負圧生成用エアー供給通路および環状溝を介して負圧生成筒体の外周に開口する複数の負圧生成エアー噴出通路にエアーを供給する。この結果、複数の負圧生成エアー噴出通路を通して吸引通路を高速で流れるエアーの作用で吸引通路の被加工物側開口部側に負圧が生成されるため、被加工物保持手段に保持された被加工物に集光器からレーザー光線が照射されることによって飛散されるデブリは、吸引通路から吸引され負圧生成筒体を介して排出される。従って、レーザー光線が照射されることによって飛散されるデブリは、集光器から照射されるレーザー光線の光路から直ちに排除されるため、順次照射されるパルスレーザー光線が飛散したデブリに当たることがなく、飛散したデブリにレーザー光線は当たることにより屈曲してデバイスを損傷させるという問題が解消する。 A laser processing apparatus according to the present invention includes a debris discharge mechanism that sucks debris scattered by irradiating a workpiece held by a workpiece holding means with a laser beam from a condenser, and the debris discharge mechanism includes: A communication path having a collector-side opening and a workpiece-side opening for fitting the end of the collector, and allowing the laser beam irradiated from the collector to pass through, and the processing of the communication path A debris suction case having a suction passage with one end communicating with the object-side opening, and a debris discharge means for sucking and discharging the debris through the suction passage, the debris discharge means being disposed in the suction passage A negative pressure generating cylinder having a plurality of negative pressure generating air jet passages for generating a negative pressure in the workpiece side opening by jetting air obliquely from the outer peripheral surface toward the inner peripheral surface, and suction Formed in the negative pressure generating cylinder In addition, an annular groove that communicates with the plurality of negative pressure generating air ejection passages, and a negative pressure generating air supply passage that communicates with the annular groove and communicates with the negative pressure generating air supply means. The negative pressure generating air supply means is actuated to supply air to a plurality of negative pressure generating air ejection passages that open to the outer periphery of the negative pressure generating cylinder through the negative pressure generating air supply passage and the annular groove. As a result, a negative pressure is generated on the workpiece side opening side of the suction passage by the action of air flowing at high speed through the suction passage through the plurality of negative pressure generating air ejection passages, so that it is held by the workpiece holding means. The debris scattered when the workpiece is irradiated with the laser beam from the condenser is sucked from the suction passage and discharged through the negative pressure generating cylinder. Accordingly, the debris scattered when irradiated with the laser beam is immediately excluded from the optical path of the laser beam irradiated from the condenser, so that the pulsed laser beam irradiated sequentially does not hit the scattered debris, and the scattered debris is not scattered. However, the problem of bending and damaging the device when the laser beam strikes is solved.
以下、本発明に従って構成されたレーザー加工装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。 DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, a preferred embodiment of a laser processing apparatus configured according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
図１には、本発明に従って構成されたレーザー加工装置の斜視図が示されている。図１に示すレーザー加工装置は、静止基台２と、該静止基台２に矢印Ｘで示す加工送り方向（Ｘ軸方向）に移動可能に配設され被加工物を保持するチャックテーブル機構３と、基台２上に配設されたレーザー光線照射手段としてのレーザー光線照射ユニット４とを具備している。 FIG. 1 is a perspective view of a laser processing apparatus constructed according to the present invention. A laser processing apparatus shown in FIG. 1 includes a stationary base 2 and a chuck table mechanism 3 that is disposed on the stationary base 2 so as to be movable in a machining feed direction (X-axis direction) indicated by an arrow X and holds a workpiece. And a laser beam irradiation unit 4 as a laser beam irradiation means disposed on the base 2.
上記チャックテーブル機構３は、静止基台２上にＸ軸方向に沿って平行に配設された一対の案内レール３１、３１と、該案内レール３１、３１上にＸ軸方向に移動可能に配設された第１の滑動ブロック３２と、該第１の滑動ブロック３２上にY軸方向に移動可能に配設された第２の滑動ブロック３３と、該第２の滑動ブロック３３上に円筒部材３４によって支持されたカバーテーブル３５と、被加工物保持手段としてのチャックテーブル３６を具備している。このチャックテーブル３６は多孔性材料から形成された吸着チャック３６１を具備しており、吸着チャック３６１の上面である保持面上に被加工物である例えば円板形状の半導体ウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。このように構成されたチャックテーブル３６は、円筒部材３４内に配設された図示しないパルスモータによって回転せしめられる。なお、チャックテーブル３６には、半導体ウエーハ等の被加工物を保護テープを介して支持する環状のフレームを固定するためのクランプ３６２が配設されている。 The chuck table mechanism 3 includes a pair of guide rails 31 and 31 disposed in parallel along the X-axis direction on the stationary base 2, and is arranged on the guide rails 31 and 31 so as to be movable in the X-axis direction. A first sliding block 32 provided, a second sliding block 33 movably disposed on the first sliding block 32 in the Y-axis direction, and a cylindrical member on the second sliding block 33 A cover table 35 supported by 34 and a chuck table 36 as a workpiece holding means are provided. The chuck table 36 includes a suction chuck 361 formed of a porous material, and a disk-shaped semiconductor wafer, for example, a workpiece is placed on a holding surface, which is the upper surface of the suction chuck 361, by suction means (not shown). It comes to hold. The chuck table 36 configured as described above is rotated by a pulse motor (not shown) disposed in the cylindrical member 34. The chuck table 36 is provided with a clamp 362 for fixing an annular frame that supports a workpiece such as a semiconductor wafer via a protective tape.
上記第１の滑動ブロック３２は、その下面に上記一対の案内レール３１、３１と嵌合する一対の被案内溝３２１、３２１が設けられているとともに、その上面にＸ軸方向に沿って平行に形成された一対の案内レール３２２、３２２が設けられている。このように構成された第１の滑動ブロック３２は、被案内溝３２１、３２１が一対の案内レール３１、３１に嵌合することにより、一対の案内レール３１、３１に沿ってＸ軸方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第１の滑動ブロック３２を一対の案内レール３１、３１に沿ってＸ軸方向に移動させるための加工送り手段３７を具備している。加工送り手段３７は、上記一対の案内レール３１と３１の間に平行に配設された雄ネジロッド３７１と、該雄ネジロッド３７１を回転駆動するためのパルスモータ３７２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３７１は、その一端が上記静止基台２に固定された軸受ブロック３７３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３７２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３７１は、第１の滑動ブロック３２の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３７２によって雄ネジロッド３７１を正転および逆転駆動することにより、第１の滑動ブロック３２は案内レール３１、３１に沿ってＸ軸方向に移動せしめられる。 The first sliding block 32 has a pair of guided grooves 321 and 321 fitted to the pair of guide rails 31 and 31 on the lower surface thereof, and is parallel to the upper surface along the X-axis direction. A pair of formed guide rails 322 and 322 are provided. The first sliding block 32 configured in this manner moves in the X-axis direction along the pair of guide rails 31, 31 when the guided grooves 321, 321 are fitted into the pair of guide rails 31, 31. Configured to be possible. The chuck table mechanism 3 in the illustrated embodiment includes a processing feed means 37 for moving the first slide block 32 along the pair of guide rails 31, 31 in the X-axis direction. The processing feed means 37 includes a male screw rod 371 disposed in parallel between the pair of guide rails 31 and 31, and a drive source such as a pulse motor 372 for rotationally driving the male screw rod 371. One end of the male screw rod 371 is rotatably supported by a bearing block 373 fixed to the stationary base 2, and the other end is connected to the output shaft of the pulse motor 372 by transmission. The male screw rod 371 is screwed into a penetrating female screw hole formed in a female screw block (not shown) provided on the lower surface of the central portion of the first sliding block 32. Therefore, the first slide block 32 is moved in the X-axis direction along the guide rails 31 and 31 by driving the male screw rod 371 forward and backward by the pulse motor 372.
上記第２の滑動ブロック３３は、その下面に上記第１の滑動ブロック３２の上面に設けられた一対の案内レール３２２、３２２と嵌合する一対の被案内溝３３１、３３１が設けられており、この被案内溝３３１、３３１を一対の案内レール３２２、３２２に嵌合することにより、Y軸方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第２の滑動ブロック３３を第１の滑動ブロック３２に設けられた一対の案内レール３２２、３２２に沿ってY軸方向に移動させるための割り出し送り手段３８を具備している。割り出し送り手段３８は、上記一対の案内レール３２２と３２２の間に平行に配設された雄ネジロッド３８１と、該雄ネジロッド３８１を回転駆動するためのパルスモータ３８２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３８１は、その一端が上記第１の滑動ブロック３２の上面に固定された軸受ブロック３８３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３８２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３８１は、第２の滑動ブロック３３の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３８２によって雄ネジロッド３８１を正転および逆転駆動することにより、第２の滑動ブロック３３は案内レール３２２、３２２に沿ってY軸方向に移動せしめられる。 The second sliding block 33 is provided with a pair of guided grooves 331 and 331 which are fitted to a pair of guide rails 322 and 322 provided on the upper surface of the first sliding block 32 on the lower surface thereof. By fitting the guided grooves 331 and 331 to the pair of guide rails 322 and 322, the guided grooves 331 and 331 are configured to be movable in the Y-axis direction. The chuck table mechanism 3 in the illustrated embodiment includes an index feeding means 38 for moving the second sliding block 33 in the Y-axis direction along a pair of guide rails 322 and 322 provided on the first sliding block 32. It has. The index feeding means 38 includes a male screw rod 381 disposed in parallel between the pair of guide rails 322 and 322, and a drive source such as a pulse motor 382 for rotationally driving the male screw rod 381. One end of the male screw rod 381 is rotatably supported by a bearing block 383 fixed to the upper surface of the first sliding block 32, and the other end is connected to the output shaft of the pulse motor 382. The male screw rod 381 is screwed into a penetrating female screw hole formed in a female screw block (not shown) provided on the lower surface of the central portion of the second sliding block 33. Therefore, by driving the male screw rod 381 forward and backward by the pulse motor 382, the second slide block 33 is moved along the guide rails 322 and 322 in the Y-axis direction.
上記レーザー光線照射ユニット４は、上記基台２上に配設された支持部材４１と、該支持部材４１によって支持され実質上水平に延出するケーシング４２と、該ケーシング４２に配設されたレーザー光線照射手段５と、ケーシング４２の前端部に配設されレーザー加工すべき加工領域を検出する撮像手段６を具備している。レーザー光線照射手段５は、ケーシング４２内に配設されたＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器等のレーザー光線発振手段（図示せず）と、ケーシング４２の先端に配設されレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光して上記チャックテーブル３６に保持された被加工物に照射する集光器５１を具備している。上記撮像手段６は、撮像素子（ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。 The laser beam irradiation unit 4 includes a support member 41 disposed on the base 2, a casing 42 supported by the support member 41 and extending substantially horizontally, and a laser beam irradiation disposed on the casing 42. Means 5 and imaging means 6 that is disposed at the front end of the casing 42 and detects a processing region to be laser processed are provided. The laser beam irradiation means 5 includes a laser beam oscillation means (not shown) such as a YAG laser oscillator or a YVO4 laser oscillator disposed in the casing 42, and a pulse laser beam oscillated from the laser beam oscillation means disposed at the tip of the casing 42. And a light collector 51 for irradiating the workpiece held on the chuck table 36 with the light. The image pickup means 6 is composed of an image pickup device (CCD) or the like, and sends a picked up image signal to a control means (not shown).
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、チャックテーブル３６に保持された被加工物に集光器５１からレーザー光線が照射されることによって飛散されるデブリを吸引するデブリ排出機構７を具備している。このデブリ排出機構７について、図２乃至図４を参照して説明する。 The laser processing apparatus in the illustrated embodiment includes a debris discharge mechanism 7 that sucks debris scattered when a workpiece held on the chuck table 36 is irradiated with a laser beam from a condenser 51. The debris discharge mechanism 7 will be described with reference to FIGS.
図示の実施形態におけるデブリ排出機構７は、集光器５１の下側に配設されるデブリ吸引ケース７１と、該デブリ吸引ケース７１にデブリを吸引して排出するデブリ排出手段７２を具備している。デブリ吸引ケース７１は、集光器５１の端部を嵌合する集光器側開口部７１１と被加工物側開口部７１２とを備え集光器から照射されるレーザー光線の通過を許容する連通路７１３と、該連通路７１３の被加工物側開口部７１２に一端が連通し他端がデブリ吸引ケース７１の図３において左側面に開口する吸引通路７１４とを備えている。 The debris discharge mechanism 7 in the illustrated embodiment includes a debris suction case 71 disposed below the condenser 51 and a debris discharge means 72 that sucks and discharges the debris into the debris suction case 71. Yes. The debris suction case 71 includes a collector-side opening 711 and a workpiece-side opening 712 to which the end of the collector 51 is fitted, and a communication path that allows passage of a laser beam emitted from the collector. 713 and a suction passage 714 having one end communicating with the workpiece-side opening 712 of the communication passage 713 and the other end opening on the left side surface of the debris suction case 71 in FIG. 3.
デブリ排出手段７２は、吸引通路７１４に配設され被加工物側開口部７１２に負圧を生成するための負圧生成筒体７２１を備えている。この負圧生成筒体７２１は、図３および図４に示すように外周面から内周面に吸引通路７１４の一端側から他端側に向けて斜めにエアーを噴出する複数の負圧生成エアー噴出通路７２１aを備えているとともに、外周面には負圧生成エアー噴出通路７２１aの両側に形成されたシール溝７２１bを備えており、該シール溝７２１bにシールリング７２１dが装着されている。このように構成された負圧生成筒体７２１は、図３に示すように吸引通路７１４に他端側から挿入する。このようにして負圧生成筒体７２１は挿入された吸引通路７１４の内周面には、負圧生成筒体７２１の外周に開口する複数の負圧生成エアー噴出通路７２１aと対向する位置に環状溝７２１cが設けられている。この環状溝７２１cはデブリ吸引ケース７１に設けられ図２に示す負圧生成用エアー供給通路７２２に連通され、該負圧生成用エアー供給通路７２２が負圧生成用エアー供給手段７２３に連通されている。なお、負圧生成筒体７２１の他端は、集塵器７３に接続されている。 The debris discharge means 72 includes a negative pressure generating cylinder 721 that is disposed in the suction passage 714 and generates a negative pressure in the workpiece side opening 712. As shown in FIGS. 3 and 4, the negative pressure generating cylinder 721 has a plurality of negative pressure generating airs that eject air obliquely from one end side to the other end side of the suction passage 714 from the outer peripheral surface to the inner peripheral surface. In addition to the ejection passage 721a, the outer peripheral surface is provided with seal grooves 721b formed on both sides of the negative pressure generating air ejection passage 721a, and a seal ring 721d is attached to the seal groove 721b. The negative pressure generating cylinder 721 configured as described above is inserted into the suction passage 714 from the other end side as shown in FIG. In this way, the negative pressure generating cylinder 721 is annularly formed on the inner peripheral surface of the inserted suction passage 714 at a position facing the plurality of negative pressure generating air ejection paths 721a that open to the outer periphery of the negative pressure generating cylinder 721. A groove 721c is provided. The annular groove 721c is provided in the debris suction case 71 and communicates with the negative pressure generating air supply passage 722 shown in FIG. 2, and the negative pressure generating air supply passage 722 is communicated with the negative pressure generating air supply means 723. Yes. The other end of the negative pressure generating cylinder 721 is connected to the dust collector 73.
図示の実施形態におけるデブリ排出手段７２は以上のように構成されており、負圧生成用エアー供給手段７２３を作動し負圧生成用エアー供給通路７２２および環状溝７２１cを介して負圧生成筒体７２１の外周に開口する複数の負圧生成エアー噴出通路７２１aにエアーを供給すると、複数の負圧生成エアー噴出通路７２１aを通して吸引通路７１４の一端側から他端側に向けて高速で流れるエアーの作用で吸引通路７１４の一端側である連通路７１３の被加工物側開口部７１２側に負圧が生成される。この結果、チャックテーブル３６に保持された被加工物に集光器５１からレーザー光線が照射されることによって飛散されるデブリは、吸引通路７１４の一端から吸引され負圧生成筒体７２１を介して集塵器７３に排出される。なお、複数の負圧生成エアー噴出通路７２１aから噴出するエアーの流量は１００〜３００リットル／分・mm2に設定されることが望ましい。 The debris discharge means 72 in the illustrated embodiment is configured as described above, operates the negative pressure generation air supply means 723, and operates the negative pressure generation air supply passage 722 and the annular groove 721c to generate a negative pressure generation cylinder. When air is supplied to a plurality of negative pressure generating air ejection passages 721a that open to the outer periphery of 721, the action of air flowing at high speed from one end side to the other end side of the suction passage 714 through the plurality of negative pressure generating air ejection passages 721a. Thus, a negative pressure is generated on the workpiece side opening 712 side of the communication path 713 which is one end side of the suction path 714. As a result, the debris scattered when the work piece held on the chuck table 36 is irradiated with the laser beam from the condenser 51 is sucked from one end of the suction passage 714 and collected via the negative pressure generating cylinder 721. It is discharged to the duster 73. The flow rate of air ejected from the plurality of negative pressure generating air ejection passages 721a is preferably set to 100 to 300 liters / minute · mm 2 .
図２乃至図４を参照して説明を続けると、デブリ吸引ケース７１の集光器側開口部７１１には、集光器５１との空間を遮断しレーザー光線を透過するカバーガラスが載置するガラス載置棚７１１aと、該ガラス載置棚７１１aに載置されたカバーガラス７１７の該被加工物側開口部７１２側の面に対向して設けられた複数の噴出口をそれぞれ有する複数の洗浄エアー噴出通路７１１bが設けられている。この複数の洗浄エアー噴出通路７１１bはデブリ吸引ケース７１に設けられ図２に示す洗浄エアー供給通路７３１に連通され、該洗浄エアー供給通路７３１が洗浄エアー供給手段７３２に連通されている。洗浄エアー供給手段７３２を作動し洗浄エアー供給通路７３１を介して複数の洗浄エアー噴出通路７１１bにエアーを供給すると、カバーガラス７１７に向けてエアーは噴出される。この結果、カバーガラス７１７の被加工物側開口部７１２側の面が洗浄されるとともに、カバーガラス７１７に衝突したエアーが被加工物側開口部７１２側に向けて流出するので、チャックテーブル３６に保持された被加工物に集光器５１からレーザー光線が照射されることによって飛散されるデブリの集光器５１側への移動が抑制される。なお、洗浄エアー噴出通路７１１bから噴出するエアーの流量は１０〜３０リットル／分・mm2に設定されることが望ましい。 The description continues with reference to FIG. 2 to FIG. 4. A glass on which a cover glass that blocks the space with the collector 51 and transmits a laser beam is placed in the collector-side opening 711 of the debris suction case 71. A plurality of cleaning airs each having a mounting shelf 711a and a plurality of spouts provided to face a surface of the cover glass 717 mounted on the glass mounting shelf 711a on the workpiece side opening 712 side. An ejection passage 711b is provided. The plurality of cleaning air ejection passages 711 b are provided in the debris suction case 71 and communicated with the cleaning air supply passage 731 shown in FIG. 2, and the cleaning air supply passage 731 communicates with the cleaning air supply means 732. When the cleaning air supply means 732 is operated and air is supplied to the plurality of cleaning air ejection passages 711 b via the cleaning air supply passage 731, the air is jetted toward the cover glass 717. As a result, the surface on the workpiece side opening 712 side of the cover glass 717 is cleaned, and the air that collides with the cover glass 717 flows out toward the workpiece side opening 712 side. The movement of the debris scattered when the held workpiece is irradiated with the laser beam from the collector 51 to the collector 51 side is suppressed. The flow rate of air ejected from the cleaning air ejection passage 711b is preferably set to 10 to 30 liters / minute · mm 2 .
図示の実施形態におけるデブリ排出機構７は、レーザー光線の照射によって飛散されるデブリを吹き飛ばすデブリ吹き飛ばし手段７５を具備している。デブリ吹き飛ばし手段７５は、デブリ吸引ケース７１の上面から被加工物側開口部７１２における連通路７１３に開口するノズル挿入穴７１５に装着されるデブリ吹き飛ばしノズル７５１と、該デブリ吹き飛ばしノズル７５１に接続された吹き飛ばしエアー供給通路７５２と、該吹き飛ばしエアー供給通路７５２を通してデブリ吹き飛ばしノズル７５１にエアーを供給する吹き飛ばしエアー供給手段７５３とからなっている。上記デブリ吹き飛ばしノズル７５１は、その先端が被加工物側開口部７１２において吸引通路７１４の反対側に隣接して配設される。なお、デブリ吸引ケース７１には、デブリ吹き飛ばしノズル７５１の先端部が位置付けられる領域において連通路７１３に一端が開口し他端が図３において右側面に開口する連通穴７１６が設けられている。この連通穴７１６は、他端部に栓をしてもよい。 The debris discharge mechanism 7 in the illustrated embodiment includes debris blowing means 75 that blows away the debris scattered by the irradiation of the laser beam. The debris blow-off means 75 is connected to the debris blow-off nozzle 751 installed in the nozzle insertion hole 715 opened from the upper surface of the debris suction case 71 to the communication path 713 in the workpiece side opening 712 and the debris blow-off nozzle 751. A blow-off air supply passage 752 and a blow-off air supply means 753 for supplying air to the debris blow-off nozzle 751 through the blow-off air supply passage 752 are provided. The tip of the debris blowing nozzle 751 is disposed adjacent to the opposite side of the suction passage 714 in the workpiece side opening 712. The debris suction case 71 is provided with a communication hole 716 having one end opened in the communication passage 713 and the other end opened on the right side in FIG. 3 in the region where the tip of the debris blow-off nozzle 751 is positioned. The communication hole 716 may be plugged at the other end.
図示の実施形態におけるデブリ吹き飛ばし手段７５は以上のように構成されており、吹き飛ばしエアー供給手段７５３を作動し、吹き飛ばしエアー供給通路７５２を介してデブリ吹き飛ばしノズル７５１にエアーを供給すると、チャックテーブル３６に保持された被加工物に集光器５１からレーザー光線が照射されることによって飛散されるデブリがデブリ吹き飛ばしノズル７５１から噴出されるエアーによって吸引通路７１４側に向けて吹き飛ばされる。なお、デブリ吹き飛ばしノズル７５１から噴出するエアーの流量は３〜１０リットル／分・mm2に設定されことが望ましい。The debris blow-off means 75 in the illustrated embodiment is configured as described above. When the blow-off air supply means 753 is operated and air is supplied to the debris blow-off nozzle 751 through the blow-off air supply passage 752, the chuck table 36 is supplied with air. Debris that is scattered by irradiating the held workpiece with a laser beam from the condenser 51 is blown off toward the suction passage 714 by the air blown from the debris nozzle 751. The flow rate of air ejected from the debris blowing nozzle 751 is preferably set to 3 to 10 liters / minute · mm 2 .
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
図５には、上述したレーザー加工装置によって加工される被加工物としての半導体ウエーハ１０が環状のフレームFに装着されたダイシングテープTの表面に貼着された状態の斜視図が示されている。半導体ウエーハ１０は、表面１０aに格子状の分割予定ライン１０１が形成され、格子状の分割予定ライン１０１によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス１０２が形成されている。このように構成された半導体ウエーハ１０に分割予定ライン１０１に沿ってレーザー加工溝を形成するには、図１に示すレーザー加工装置のチャックテーブル３６上に半導体ウエーハ１０のダイシングテープT側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、半導体ウエーハ１０はダイシングテープTを介してチャックテーブル３６上に吸引保持する（ウエーハ保持工程）。なお、半導体ウエーハ１０をダイシングテープTを介して環状のフレームFは、チャックテーブル３６に配設されたクランプ３６２によって固定される。
The laser processing apparatus in the illustrated embodiment is configured as described above, and the operation thereof will be described below.
FIG. 5 is a perspective view showing a state in which the semiconductor wafer 10 as a workpiece to be processed by the laser processing apparatus described above is attached to the surface of the dicing tape T mounted on the annular frame F. . The semiconductor wafer 10 has a lattice-shaped scheduled division line 101 formed on the surface 10a, and devices 102 such as ICs and LSIs are formed in a plurality of regions partitioned by the lattice-shaped scheduled division line 101. In order to form a laser processing groove along the planned division line 101 in the semiconductor wafer 10 thus configured, the dicing tape T side of the semiconductor wafer 10 is placed on the chuck table 36 of the laser processing apparatus shown in FIG. To do. Then, by operating a suction means (not shown), the semiconductor wafer 10 is sucked and held on the chuck table 36 via the dicing tape T (wafer holding step). The annular frame F of the semiconductor wafer 10 is fixed by a clamp 362 disposed on the chuck table 36 via a dicing tape T.
上述したウエーハ保持工程を実施したならば、加工送り手段３７を作動して半導体ウエーハ１０を吸引保持したチャックテーブル３６を撮像手段６の直下に位置付ける。チャックテーブル３６が撮像手段６の直下に位置付けられると、撮像手段６および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ１０のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段６および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ１０の所定方向に形成されている分割予定ライン１０１に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５の集光器５１との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、半導体ウエーハ１０に形成されている所定方向と直交する方向に形成されている分割予定ライン１０１に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。 When the wafer holding process described above is performed, the machining feed means 37 is operated to position the chuck table 36 that sucks and holds the semiconductor wafer 10 directly below the imaging means 6. When the chuck table 36 is positioned immediately below the image pickup means 6, an alignment operation for detecting a processing region to be laser processed of the semiconductor wafer 10 is executed by the image pickup means 6 and a control means (not shown). That is, the image pickup means 6 and a control means (not shown) perform alignment with the condenser 51 of the laser beam irradiation means 5 that irradiates the laser beam along the predetermined division line 101 formed in a predetermined direction of the semiconductor wafer 10. Image processing such as pattern matching is executed to align the laser beam irradiation position. Similarly, the alignment of the laser beam irradiation position is also performed on the division line 101 formed in the direction orthogonal to the predetermined direction formed in the semiconductor wafer 10.
以上のようにしてチャックテーブル３６上に保持された半導体ウエーハ１０に形成されている分割予冷ラインを検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図６の（a）で示すようにチャックテーブル３６をレーザー光線照射手段５の集光器５１が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の分割予冷ライン１０１の一端(図６の（ａ）において左端)を集光器５１の直下に位置付ける。そして、集光器５１から照射されるパルスレーザー光線の集光点Ｐを半導体ウエーハ１０の表面（上面）付近に合わせる。次に、レーザー光線照射手段５の集光器５１から半導体ウエーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル３６を図６の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、分割予冷ライン１０１の他端（図６の（ｂ）において右端）が集光器５１の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル３６の移動を停止する。この結果、図６の（ｂ）に示すように半導体ウエーハ１０には、分割予冷ライン１０１に沿ってレーザー加工溝１１０が形成される（レーザー加工溝形成工程）。 If the division precooling line formed on the semiconductor wafer 10 held on the chuck table 36 is detected and the laser beam irradiation position is aligned as shown above, as shown in FIG. The chuck table 36 is moved to the laser beam irradiation region where the condenser 51 of the laser beam irradiation means 5 is located, and one end (the left end in FIG. 6A) of the predetermined divided precooling line 101 is positioned immediately below the collector 51. . Then, the condensing point P of the pulsed laser beam irradiated from the condenser 51 is matched with the vicinity of the surface (upper surface) of the semiconductor wafer 10. Next, the chuck table 36 is processed in a predetermined direction in the direction indicated by the arrow X1 in FIG. 6A while irradiating the semiconductor wafer with a pulsed laser beam having an absorptive wavelength from the condenser 51 of the laser beam irradiation means 5. Move at feed rate. When the other end of the divided precooling line 101 (the right end in FIG. 6B) reaches a position directly below the condenser 51, the irradiation of the pulse laser beam is stopped and the movement of the chuck table 36 is stopped. As a result, as shown in FIG. 6B, a laser processed groove 110 is formed in the semiconductor wafer 10 along the divided precooling line 101 (laser processed groove forming step).
なお、上記レーザー加工溝形成工程は、例えば以下の加工条件で行われる。
レーザー光線の光源 ：ＹＶＯ４レーザーまたはＹＡＧレーザー
波長 ：３５５ｎｍ
繰り返し周波数 ：５０ｋＨｚ
平均出力 ：４W
集光スポット径 ：φ２０μｍ
加工送り速度 ：１５０ｍｍ／秒
In addition, the said laser processing groove | channel formation process is performed on the following processing conditions, for example.
Laser light source: YVO4 laser or YAG laser Wavelength: 355 nm
Repetition frequency: 50 kHz
Average output: 4W
Condensing spot diameter: φ20μm
Processing feed rate: 150 mm / sec
上述したレーザー加工溝形成工程においては、半導体ウエーハ１０の表面に集光器５１からパルスレーザー光線を照射することによりデブリ１００が飛散し、順次照射されるパルスレーザー光線が飛散したデブリに当たると、レーザー光線は屈曲してデバイスに照射され、デバイスを損傷させるという問題がある。しかるに、図示の実施形態においては上述したデブリ排出機構７を備えており、デブリ排出手段７２の負圧生成用エアー供給手段７２３を作動し負圧生成用エアー供給通路７２２および環状溝７２１cを介して負圧生成筒体７２１の外周に開口する複数の負圧生成エアー噴出通路７２１aにエアーを供給する。この結果、複数の負圧生成エアー噴出通路７２１aを通して吸引通路７１４の一端側から他端側に向けて高速で流れるエアーの作用で吸引通路７１４の一端側である連通路７１３の被加工物側開口部７１２側に負圧が生成されるため、チャックテーブル３６に保持された被加工物に集光器５１からレーザー光線が照射されることによって飛散されるデブリ１００は、吸引通路７１４の一端から吸引され負圧生成筒体７２１を介して集塵器７３に排出される。従って、レーザー光線が照射されることによって飛散されるデブリ１００は、集光器５１から照射されるレーザー光線の光路から直ちに排除されるため、順次照射されるパルスレーザー光線が飛散したデブリ１００に当たることがなく、飛散したデブリ１００にレーザー光線は当たることにより屈曲してデバイスを損傷させるという問題が解消する。 In the laser processing groove forming step described above, the debris 100 is scattered by irradiating the surface of the semiconductor wafer 10 with a pulse laser beam from the condenser 51, and the laser beam is bent when the sequentially irradiated pulse laser beam hits the scattered debris. Then, there is a problem that the device is irradiated and damaged. However, in the illustrated embodiment, the above-described debris discharge mechanism 7 is provided, and the negative pressure generation air supply means 723 of the debris discharge means 72 is operated, via the negative pressure generation air supply passage 722 and the annular groove 721c. Air is supplied to a plurality of negative pressure generating air ejection passages 721 a that open to the outer periphery of the negative pressure generating cylinder 721. As a result, the workpiece side opening of the communication passage 713 that is one end side of the suction passage 714 by the action of air that flows at high speed from one end side to the other end side of the suction passage 714 through the plurality of negative pressure generating air ejection passages 721a. Since a negative pressure is generated on the part 712 side, the debris 100 that is scattered when the workpiece held on the chuck table 36 is irradiated with the laser beam from the condenser 51 is sucked from one end of the suction passage 714. It is discharged to the dust collector 73 through the negative pressure generating cylinder 721. Accordingly, the debris 100 scattered by being irradiated with the laser beam is immediately excluded from the optical path of the laser beam irradiated from the condenser 51, so that the pulsed laser beam irradiated sequentially does not hit the scattered debris 100, The problem of bending and damaging the device by the laser beam hitting the scattered debris 100 is solved.
また、図示の実施形態においては上述したデブリ排出機構７においては、洗浄エアー供給手段７３２を作動し洗浄エアー供給通路７３１を介して複数の洗浄エアー噴出通路７１１bにエアーを供給し、カバーガラス７１７に向けてエアーを噴出する。この結果、カバーガラス７１７の被加工物側開口部７１２側の面が洗浄されるとともに、カバーガラス７１７に衝突したエアーが被加工物側開口部７１２側に向けて流出するので、チャックテーブル３６に保持された被加工物に集光器５１からレーザー光線が照射されることによって飛散されるデブリの集光器５１側への移動が抑制される。従って、レーザー光線が照射されることによって飛散されるデブリ１００が集光器５１から照射されるレーザー光線の光路から直ちに排除されるため、順次照射されるパルスレーザー光線が飛散したデブリ１００に当たることがなく、飛散したデブリにレーザー光線は当たることにより屈曲してデバイスを損傷させるという問題が解消する。 In the illustrated embodiment, in the debris discharge mechanism 7 described above, the cleaning air supply means 732 is operated to supply air to the plurality of cleaning air ejection passages 711 b via the cleaning air supply passage 731, and the cover glass 717 is supplied. Air is spouted out. As a result, the surface on the workpiece side opening 712 side of the cover glass 717 is cleaned, and the air that collides with the cover glass 717 flows out toward the workpiece side opening 712 side. The movement of the debris scattered when the held workpiece is irradiated with the laser beam from the collector 51 to the collector 51 side is suppressed. Therefore, since the debris 100 scattered by the laser beam irradiation is immediately excluded from the optical path of the laser beam irradiated from the condenser 51, the pulsed laser beam irradiated sequentially does not hit the scattered debris 100, and is scattered. The problem of bending and damaging the device by the laser beam hitting the debris is solved.
更に、図示の実施形態においては上述したデブリ排出機構７は、デブリ吹き飛ばし手段７５を備え、吹き飛ばしエアー供給手段７５３を作動し、吹き飛ばしエアー供給通路７５２を介してデブリ吹き飛ばしノズル７５１にエアーを供給する。この結果、チャックテーブル３６に保持された被加工物に集光器５１からレーザー光線が照射されることによって飛散されるデブリ１００がデブリ吹き飛ばしノズル７５１から噴出されるエアーによって吸引通路７１４側に向けて吹き飛ばされる。従って、集光器５１からレーザー光線が照射されることによって飛散されるデブリは、集光器５１から照射されるレーザー光線の光路から直ちに排除されるため、順次照射されるパルスレーザー光線が飛散したデブリに当たることがなく、飛散したデブリ１００にレーザー光線は当たることにより屈曲してデバイスを損傷させるという問題が解消する。 Further, in the illustrated embodiment, the above-described debris discharge mechanism 7 includes a debris blow-off means 75, operates the blow-off air supply means 753, and supplies air to the debris blow-off nozzle 751 via the blow-off air supply passage 752. As a result, the debris 100 scattered by irradiating the workpiece held by the chuck table 36 with the laser beam from the condenser 51 is blown off toward the suction passage 714 by the air blown from the debris nozzle 751. It is. Accordingly, the debris scattered when the laser beam is irradiated from the collector 51 is immediately excluded from the optical path of the laser beam irradiated from the collector 51, so that the pulsed laser beam irradiated sequentially hits the scattered debris. However, the problem of bending and damaging the device by the laser beam hitting the scattered debris 100 is solved.
２：静止基台
３：チャックテーブル機構
３１：案内レール
３６：チャックテーブル
３７：加工送り手段
３８：割り出し送り手段
４：レーザー光線照射ユニット
５：レーザー光線照射手段
５１：集光器
６：撮像手段
７：デブリ排出機構
７１：デブリ吸引ケース
７１１：集光器側開口部
７１２：被加工物側開口部
７１３：連通路
７１４：吸引通路
７２：デブリ排出手段
７２１：負圧生成筒体
７２２：負圧生成用エアー供給通路
７２３：負圧生成用エアー供給手段
７３：集塵器
2: Stationary base 3: Chuck table mechanism 31: Guide rail 36: Chuck table 37: Processing feed means 38: Index feed means 4: Laser beam irradiation unit 5: Laser beam irradiation means 51: Condenser 6: Imaging means 7: Debris Discharge mechanism 71: Debris suction case 711: Concentrator side opening 712: Workpiece side opening 713: Communication path 714: Suction path 72: Debris discharge means 721: Negative pressure generating cylinder 722: Negative pressure generating air Supply passage 723: Negative pressure generating air supply means 73: Dust collector
Claims (6)
該被加工物保持手段に保持された被加工物に該集光器からレーザー光線が照射することによって飛散されるデブリを吸引するデブリ排出機構を具備し、
該デブリ排出機構は、該集光器の端部を嵌合する集光器側開口部と被加工物側開口部とを備え該集光器から照射されるレーザー光線の通過を許容する連通路と、該連通路の該被加工物側開口部に一端が連通する吸引通路とを備えたデブリ吸引ケースと、該吸引通路を通してデブリを吸引して排出するデブリ排出手段とを具備しており、
該デブリ排出手段は、該吸引通路に配設され外周面から内周面に向けて斜めにエアーを噴出して該被加工物側開口部に負圧を生成するための複数の負圧生成エアー噴出通路を備えた負圧生成筒体と、該吸引通路に設けられ該負圧生成筒体に形成された複数の負圧生成エアー噴出通路に連通する環状溝と、該環状溝に連通するとともに負圧生成用エアー供給手段に連通せしめられた負圧生成用エアー供給通路とを具備している、
ことを特徴とするレーザー加工装置。 Laser beam irradiation provided with a workpiece holding means for holding the workpiece, and a condenser for processing the workpiece by irradiating the workpiece held by the workpiece holding means with a laser beam A laser processing apparatus comprising:
Comprising a debris discharge mechanism for sucking debris scattered by irradiating the workpiece held by the workpiece holding means with a laser beam from the condenser;
The debris discharge mechanism includes a concentrator side opening for fitting an end of the concentrator and a workpiece side opening, and a communication path that allows passage of a laser beam emitted from the concentrator; A debris suction case having a suction passage having one end communicating with the workpiece side opening of the communication passage, and debris discharge means for sucking and discharging the debris through the suction passage,
The debris discharge means includes a plurality of negative pressure generating airs that are disposed in the suction passage and inject air obliquely from the outer peripheral surface toward the inner peripheral surface to generate a negative pressure in the workpiece side opening. A negative pressure generating cylinder having an ejection passage, an annular groove provided in the suction passage and communicating with a plurality of negative pressure generating air ejection passages formed in the negative pressure generating cylinder, and communicating with the annular groove A negative pressure generating air supply passage communicated with the negative pressure generating air supply means,
Laser processing equipment characterized by that.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014141489A JP6363894B2 (en) | 2014-07-09 | 2014-07-09 | Laser processing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014141489A JP6363894B2 (en) | 2014-07-09 | 2014-07-09 | Laser processing equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016016438A JP2016016438A (en) | 2016-02-01 |
| JP6363894B2 true JP6363894B2 (en) | 2018-07-25 |
Family
ID=55232097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014141489A Active JP6363894B2 (en) | 2014-07-09 | 2014-07-09 | Laser processing equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6363894B2 (en) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101876445B1 (en) * | 2016-06-29 | 2018-07-09 | 주식회사 필옵틱스 | Work table and laser cutting apparatus using the same |
| JP6739306B2 (en) * | 2016-09-28 | 2020-08-12 | 株式会社ディスコ | Laser processing equipment |
| CN112809170A (en) * | 2019-10-29 | 2021-05-18 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | Silicon wafer cutting device and method |
| CN116393819B (en) * | 2023-03-14 | 2024-09-10 | 广州时易中信息科技有限公司 | Laser head of engraving machine |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4010345A (en) * | 1975-05-02 | 1977-03-01 | United Technologies Corporation | Gas delivery means for cutting with laser radiation |
| DE4210518C2 (en) * | 1992-03-31 | 1994-09-15 | Wissner Rolf | Head for laser milling and engraving machines for processing essentially plate-shaped material |
| JP3397601B2 (en) * | 1995-12-08 | 2003-04-21 | 川崎製鉄株式会社 | Method and apparatus for producing amorphous metal ribbon |
| JP5739641B2 (en) * | 2010-10-26 | 2015-06-24 | 株式会社東芝 | Laser processing apparatus and processing method thereof |
| WO2013110214A1 (en) * | 2012-01-27 | 2013-08-01 | GM Global Technology Operations LLC | Method of welding coated materials |
| JP2013184190A (en) * | 2012-03-07 | 2013-09-19 | Disco Corp | Laser beam machining apparatus |
| JP6222903B2 (en) * | 2012-08-17 | 2017-11-01 | 株式会社ディスコ | Laser processing equipment |
| JP2014124648A (en) * | 2012-12-25 | 2014-07-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | Laser machining device |
-
2014
- 2014-07-09 JP JP2014141489A patent/JP6363894B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2016016438A (en) | 2016-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4993886B2 (en) | Laser processing equipment | |
| JP6196059B2 (en) | Laser processing equipment | |
| JP5431831B2 (en) | Laser processing equipment | |
| JP6647829B2 (en) | Laser processing equipment | |
| JP6104025B2 (en) | Laser processing apparatus and laser processing method | |
| JP5587595B2 (en) | Laser processing equipment | |
| JP6334235B2 (en) | Laser processing equipment | |
| JP5192216B2 (en) | Laser processing equipment | |
| JP6363894B2 (en) | Laser processing equipment | |
| JP5610991B2 (en) | Laser processing equipment | |
| JP2008098216A (en) | Wafer processing apparatus | |
| JP2016036818A (en) | Laser processing device | |
| JP2022021713A (en) | Laser processing device | |
| JP6430759B2 (en) | Laser processing equipment | |
| JP5324828B2 (en) | Laser processing equipment | |
| JP2011125871A (en) | Laser beam machining apparatus | |
| JP2013163216A (en) | Laser beam machining device | |
| JP2011092966A (en) | Laser machining device | |
| KR20160014524A (en) | Processing method of package substrate | |
| JP6407740B2 (en) | Laser processing equipment | |
| JP2016058602A (en) | Laser processing method | |
| JP6739306B2 (en) | Laser processing equipment | |
| JP2013163215A (en) | Laser beam machining device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170516 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180306 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180507 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180605 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180629 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6363894 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |