JP6361328B2 - Photomask manufacturing method - Google Patents

Photomask manufacturing method

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JP6361328B2 JP2014137774A JP2014137774A JP6361328B2 JP 6361328 B2 JP6361328 B2 JP 6361328B2 JP 2014137774 A JP2014137774 A JP 2014137774A JP 2014137774 A JP2014137774 A JP 2014137774A JP 6361328 B2 JP6361328 B2 JP 6361328B2
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Description

本発明は、半導体素子の製造に用いられるフォトマスクの製造方法に関し、特に、ArFエキシマレーザを用いた縮小露光に用いられるフォトマスクの残渣欠陥修正技術に関するものである。   The present invention relates to a method for manufacturing a photomask used for manufacturing a semiconductor element, and more particularly to a technique for correcting a residual defect in a photomask used for reduced exposure using an ArF excimer laser.

現在、半導体素子の高集積化および微細化は、デザインルール45nmノードから32nmノードへと進展し、さらに22nmノード以下の半導体素子の開発が進められている。半導体素子の高集積化および微細化を実現するために、波長193nmのArFエキシマレーザを用いた光学式の投影露光装置により、フォトマスクのマスクパターンを縮小露光してウェハ上にレジストパターンを形成するフォトリソグラフィ技術が使われている。   Currently, higher integration and miniaturization of semiconductor elements have progressed from a 45 nm node to a 32 nm node in the design rule, and further development of semiconductor elements having a node of 22 nm or less is underway. In order to realize high integration and miniaturization of semiconductor elements, a mask pattern of a photomask is reduced and formed on a wafer by an optical projection exposure apparatus using an ArF excimer laser having a wavelength of 193 nm. Photolithographic technology is used.

フォトリソグラフィ技術に用いられるフォトマスク(レチクルとも称する)には、透明基板上にクロム(Cr)等から構成される遮光膜を形成し、光を透過させる部分と遮光する部分でパターンを構成したバイナリ型のフォトマスク(以後、バイナリマスクとも言う)の他に、光の干渉を利用した位相シフト効果により解像度向上を図る位相シフトマスクがある。
この位相シフトマスクには、マスクパターンを挟んで交互に光の位相が反転する構成のレベンソン型位相シフトマスク、光を透過させる部分と半透過させる部分で位相が反転する構成のハーフトーン型位相シフトマスク、クロムなどの遮光層を設けないクロムレス型位相シフトマスクなどがある。中でも、ハーフトーン型マスクは、特殊なパターンのシフタが不要であることや、従来のマスクデータを利用してマスク製作ができることから、多用されている。
A photomask (also referred to as a reticle) used in photolithography technology is a binary in which a light-shielding film made of chromium (Cr) or the like is formed on a transparent substrate, and a pattern is composed of a portion that transmits light and a portion that blocks light In addition to a type photomask (hereinafter also referred to as a binary mask), there is a phase shift mask that improves resolution by a phase shift effect using light interference.
This phase shift mask has a Levenson-type phase shift mask with a configuration in which the phase of light is alternately inverted across the mask pattern, and a halftone phase shift with a configuration in which the phase is inverted between the light transmitting portion and the semi-transmitting portion There are masks, chromeless phase shift masks and the like that do not have a light shielding layer such as chrome. Among them, halftone masks are frequently used because they do not require a special pattern shifter and can be manufactured using conventional mask data.

上記のハーフトーン型位相シフトマスクは、通常の構成として、透明基板上に半透明膜からなるマスクパターン(以後、半透明マスクパターンとも言う)を有するものであり、この半透明マスクパターンが設けられた部分を透過する光と、透明基板が露出する部分を透過する光の位相が反転するように設計されている。
このようなハーフトーン型位相シフトマスクにおいては、半透明マスクパターンが設けられた部分と透明基板が露出する部分との境界部で位相反転による光強度低下が生じ、光強度分布の裾の拡がりを抑えることができる。半透明マスクパターンの材料には、主にモリブデンシリサイド(MoSi)を含む化合物、例えば、酸化窒化モリブデンシリサイド(MoSiON)等が広く用いられている(例えば、特許文献1)。
The above halftone phase shift mask has a mask pattern (hereinafter also referred to as a semitransparent mask pattern) made of a semitransparent film on a transparent substrate as a normal configuration, and this semitransparent mask pattern is provided. It is designed so that the phase of the light transmitted through the part and the light transmitted through the part where the transparent substrate is exposed are reversed.
In such a halftone phase shift mask, the light intensity decreases due to phase inversion at the boundary between the portion where the translucent mask pattern is provided and the portion where the transparent substrate is exposed, and the tail of the light intensity distribution is widened. Can be suppressed. As a material for the translucent mask pattern, a compound mainly containing molybdenum silicide (MoSi), such as molybdenum oxynitride silicide (MoSiON), is widely used (for example, Patent Document 1).

ここで、位相シフトマスクを含むフォトマスクの製造においては、マスクパターンに黒欠陥と呼ばれる不要な余剰部分である残渣欠陥部を生じることがあり、この残渣欠陥部を除去する工程を黒欠陥修正工程と呼んでいる。
位相シフトマスクを含むフォトマスクの製造工程には、多くの複雑な工程が含まれており、そのマスクパターンは極めて微細なものであることから、上記のような残渣欠陥を全く発生させないことは、技術的にも製造コスト的にも困難である。それゆえ、位相シフトマスクを含むフォトマスクの製造において残渣欠陥の修正は必須の工程になっている(例えば、特許文献2)。
この残渣欠陥の修正方法としては、例えば、アシストガスと電子線を用いた部分エッチングの方法や、原子間力顕微鏡(AFM)を利用した部分研削の方法、集束イオンビームを用いた部分エッチングの方法などがある。中でも、修正にかかる時間が短い点や、マスクパターンが受けるダメージが小さい点などから、アシストガスと電子線を用いた部分エッチングの方法が、主に用いられている。
Here, in the manufacture of a photomask including a phase shift mask, a residual defect portion that is an unnecessary surplus portion called a black defect may be generated in the mask pattern, and the step of removing this residual defect portion is a black defect correction step. I call it.
The manufacturing process of a photomask including a phase shift mask includes many complicated processes, and the mask pattern is extremely fine. It is difficult in terms of technology and manufacturing cost. Therefore, correction of residual defects is an indispensable process in manufacturing a photomask including a phase shift mask (for example, Patent Document 2).
As a method for correcting this residual defect, for example, a partial etching method using an assist gas and an electron beam, a partial grinding method using an atomic force microscope (AFM), or a partial etching method using a focused ion beam and so on. Among them, a partial etching method using an assist gas and an electron beam is mainly used because of the short time required for correction and the small damage received by the mask pattern.

特開2013−11900号公報JP2013-11900A 特開2004−294613号公報JP 2004-294613 A

ここで、従来のモリブデンシリサイド(MoSi)系材料から構成される半透明マスクパターンは、ArFエキシマレーザ露光における耐光性が十分でなく、露光時間に伴ってマスク寸法が変化してしまうという問題があったが、半透明層を構成する材料の組成を改良することにより、従来に比べて耐光性が高く、寸法安定性の高い半透明マスクパターンを得るに至った。
また、この耐光性を向上させた半透明マスクパターンは、上記の材料組成を改良した半透明層に、従来と同様のドライエッチング加工を施すことにより形成することができた。
Here, the translucent mask pattern made of a conventional molybdenum silicide (MoSi) -based material has a problem that the light resistance in the ArF excimer laser exposure is not sufficient, and the mask dimensions change with the exposure time. However, by improving the composition of the material constituting the translucent layer, a translucent mask pattern having higher light resistance and higher dimensional stability than the prior art has been obtained.
The translucent mask pattern with improved light resistance could be formed by subjecting the translucent layer with the improved material composition to the same dry etching process as before.

しかしながら、この耐光性を向上させた半透明マスクパターンにおいては、従来のアシストガスと電子線を用いた部分エッチングの修正方法では、残渣欠陥部のエッチングが進まず、従来と同程度の時間で残渣欠陥の修正工程を完了することができないという問題が判明した。
さらに、この耐光性を向上させた半透明マスクパターンにおいては、従来のアシストガスと電子線を用いた部分エッチングの修正方法では、残渣欠陥部のエッチング速度が、下地の透明基板のエッチング速度よりも小さくなってしまい、透明基板にダメージを与えずに残渣欠陥を除去することが困難であるという問題も判明した。
However, in this semitransparent mask pattern with improved light resistance, the conventional method of partial etching correction using an assist gas and an electron beam does not proceed with etching of residual defects, and the residue remains in the same amount of time as before. A problem has been found that the defect repair process cannot be completed.
Furthermore, in this semitransparent mask pattern with improved light resistance, the conventional partial etching correction method using an assist gas and an electron beam has an etching rate of residual defects higher than that of the underlying transparent substrate. It has also been found that it is difficult to remove residual defects without damaging the transparent substrate.

また、珪素(Si)からなる遮光膜から形成された遮光膜パターンにおいても、同様に、従来のアシストガスと電子線を用いた部分エッチングの修正方法では、残渣欠陥部のエッチング速度が、下地の透明基板のエッチング速度よりも小さくなってしまい、透明基板にダメージを与えずに残渣欠陥を除去することが困難であるという問題も判明した。   Similarly, in a light-shielding film pattern formed from a light-shielding film made of silicon (Si), in the conventional partial etching correction method using an assist gas and an electron beam, the etching rate of the residual defect portion is low. It has also been found that the etching rate of the transparent substrate becomes smaller and it is difficult to remove residual defects without damaging the transparent substrate.

本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、ArFエキシマレーザ露光における耐光性が高い薄膜から構成されるパターンを有するフォトマスクであっても、残渣欠陥の修正を可能とし、残渣欠陥の無いフォトマスクを製造することが可能な、フォトマスクの製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and even with a photomask having a pattern composed of a thin film having high light resistance in ArF excimer laser exposure, it is possible to correct residual defects, An object of the present invention is to provide a photomask manufacturing method capable of manufacturing a non-existent photomask.

本発明者は、種々研究した結果、耐光性を有する第1の薄膜の上に、上記第1の薄膜よりも欠陥修正容易な第2の薄膜を形成し、この第2の薄膜を加工して第2の薄膜パターンを形成した段階で欠陥検査を行い、検出した第2の薄膜パターンの残渣欠陥部を修正し、この欠陥修正した第2の薄膜パターンから露出する第1の薄膜をエッチング加工して第1の薄膜パターンを形成することで、上記課題を解決できることを見出して本発明を完成したものである。   As a result of various researches, the present inventor formed a second thin film on which the defect correction is easier than the first thin film on the first thin film having light resistance, and processed the second thin film. When the second thin film pattern is formed, defect inspection is performed, a residual defect portion of the detected second thin film pattern is corrected, and the first thin film exposed from the defect corrected second thin film pattern is etched. The present invention has been completed by finding that the above-mentioned problems can be solved by forming the first thin film pattern.

すなわち、本発明は、ArFエキシマレーザ露光に用いられるフォトマスクの製造方法であって、透明基板と、上記透明基板の上に形成された第1の薄膜と、上記第1の薄膜の上に形成された第2の薄膜と、を有するマスクブランクスを準備する工程と、上記第2の薄膜をエッチング加工して第2の薄膜パターンを形成する工程と、上記第2の薄膜パターンの残渣欠陥部を検出する欠陥検査工程と、上記検査工程で検出された上記第2の薄膜パターンの残渣欠陥部に、第1のアシストガスを供給しながら第1の電子線を照射することにより、上記第2の薄膜パターンの残渣欠陥部をエッチング除去する第2の薄膜パターン欠陥修正工程と、上記残渣欠陥部をエッチング除去した第2の薄膜パターンから露出する上記第1の薄膜をエッチング加工して第1の薄膜パターンを形成する工程と、を順に備えることを特徴とするフォトマスクの製造方法である。   That is, the present invention is a method of manufacturing a photomask used for ArF excimer laser exposure, which is formed on a transparent substrate, a first thin film formed on the transparent substrate, and the first thin film. A step of preparing a mask blank having the second thin film formed, a step of etching the second thin film to form a second thin film pattern, and a residual defect portion of the second thin film pattern. By irradiating the first electron beam while supplying the first assist gas to the defect inspection process to be detected and the residual defect portion of the second thin film pattern detected in the inspection process, the second electron beam A second thin film pattern defect correcting step for etching and removing the residual defect portion of the thin film pattern; and the first thin film exposed from the second thin film pattern obtained by etching and removing the residual defect portion. It is a manufacturing method of a photomask, characterized by comprising by the steps of: forming a first thin film pattern, the order by.

また、本発明は、上記第2の薄膜パターン欠陥修正工程において、第2のアシストガスを供給しながら第2の電子線を照射することにより、上記残渣欠陥部とは異なる位置の上記第2の薄膜パターンの上に、堆積物構造体を形成し、上記堆積物構造体を位置決め用のマークに用いて上記第1の電子線を照射する位置を補正して、上記第2の薄膜パターンの残渣欠陥部をエッチング除去することを特徴とするフォトマスクの製造方法である。   In the second thin film pattern defect correcting step, the second electron beam is applied to the second thin film pattern defect correcting step so as to irradiate the second electron beam while the second assist gas is being supplied. A deposit structure is formed on the thin film pattern, the position where the first electron beam is irradiated using the deposit structure as a positioning mark is corrected, and the residue of the second thin film pattern is corrected. A photomask manufacturing method is characterized in that a defective portion is removed by etching.

また、本発明は、上記第1の薄膜におけるモリブデン(Mo)とシリコン(Si)の原子比(AMo/ASi)が、
Mo/ASi≦1/10
の関係を満たすことを特徴とするフォトマスの製造方法である。
In the present invention, the atomic ratio (A Mo / A Si ) of molybdenum (Mo) and silicon (Si) in the first thin film is
AMo / ASi ≦ 1/10
A photomass manufacturing method characterized by satisfying the above relationship.

また、本発明は、上記第2の薄膜がクロム(Cr)を含む材料から構成されており、上記第1のアシストガスがフッ素(F)を含むガス、または、塩素(Cl)を含むガスであることを特徴とするフォトマスクの製造方法である。   In the present invention, the second thin film is made of a material containing chromium (Cr), and the first assist gas is a gas containing fluorine (F) or a gas containing chlorine (Cl). It is a photomask manufacturing method characterized by that.

また、本発明は、上記フッ素(F)を含むガスが2フッ化キセノン(XeF)を含むガスであり、上記塩素(Cl)を含むガスが塩化ニトロシル(NOCl)を含むガスであることを特徴とするフォトマスクの製造方法である。 According to the present invention, the gas containing fluorine (F) is a gas containing xenon difluoride (XeF 2 ), and the gas containing chlorine (Cl) is a gas containing nitrosyl chloride (NOCl). This is a feature of a photomask manufacturing method.

また、本発明は、上記第1のアシストガスが、酸素(O)、水蒸気(HO)、二酸化窒素(NO)、炭酸アンモニウム((NHCO)のいずれか1種または2種以上のガスが添加された混合ガスであることを特徴とするフォトマスクの製造方法である。 In the present invention, the first assist gas is any one of oxygen (O 2 ), water vapor (H 2 O), nitrogen dioxide (NO 2 ), and ammonium carbonate ((NH 4 ) 2 CO 3 ). Alternatively, the photomask manufacturing method is characterized by being a mixed gas to which two or more kinds of gases are added.

また、本発明は、上記第2のアシストガスが、クロム(Cr)を含むガス、または、シリコン(Si)を含むガスであることを特徴とするフォトマスクの製造方法である。   Further, the present invention is the photomask manufacturing method, wherein the second assist gas is a gas containing chromium (Cr) or a gas containing silicon (Si).

また、本発明は、上記クロム(Cr)を含むガスがクロムヘキサカルボニル(Cr(CO))を含むガスであり、上記シリコン(Si)を含むガスがオルトケイ酸テトラエチル(Si(OC)を含むガスであることを特徴とするフォトマスクの製造方法である。 Further, in the present invention, the gas containing chromium (Cr) is a gas containing chromium hexacarbonyl (Cr (CO) 6 ), and the gas containing silicon (Si) is tetraethyl orthosilicate (Si (OC 2 H 5 4 ) A method for producing a photomask, which is a gas containing 4 ).

本発明によれば、ArFエキシマレーザ露光における耐光性が高い薄膜から構成されるパターンを有するフォトマスクであっても、残渣欠陥の修正を可能とし、残渣欠陥の無いフォトマスクを製造することができる。   According to the present invention, even if the photomask has a pattern composed of a thin film having high light resistance in ArF excimer laser exposure, it is possible to correct residual defects and to manufacture a photomask free of residual defects. .

本発明に係るフォトマスクの製造方法の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of the manufacturing method of the photomask which concerns on this invention. 本発明に係るフォトマスクの製造方法の一例を示す概略工程図である。It is a schematic process drawing which shows an example of the manufacturing method of the photomask which concerns on this invention. 図2に続く本発明に係るフォトマスクの製造方法の一例を示す概略工程図である。FIG. 3 is a schematic process diagram illustrating an example of a photomask manufacturing method according to the present invention following FIG. 2. 第1の薄膜が珪素(Si)からなる遮光膜である実施態様のフォトマスクの製造方法の第1の例を示す概略工程断面図である。It is a general | schematic process sectional drawing which shows the 1st example of the manufacturing method of the photomask of the embodiment whose 1st thin film is a light shielding film which consists of silicon (Si). 第1の薄膜が珪素(Si)からなる遮光膜である実施態様のフォトマスクの製造方法の第1の例を示す概略工程断面図である。It is a general | schematic process sectional drawing which shows the 1st example of the manufacturing method of the photomask of the embodiment whose 1st thin film is a light shielding film which consists of silicon (Si). 第1の薄膜が珪素(Si)からなる遮光膜である実施態様のフォトマスクの製造方法の第2の例を示す概略工程断面図である。It is a general | schematic process sectional drawing which shows the 2nd example of the manufacturing method of the photomask of the embodiment whose 1st thin film is a light shielding film which consists of silicon (Si). 第1の薄膜が珪素(Si)からなる遮光膜である実施態様のフォトマスクの製造方法の第2の例を示す概略工程断面図である。It is a general | schematic process sectional drawing which shows the 2nd example of the manufacturing method of the photomask of the embodiment whose 1st thin film is a light shielding film which consists of silicon (Si). 本発明に係るフォトマスクの製造方法の他の例を示す概略工程図である。It is a schematic process drawing which shows the other example of the manufacturing method of the photomask which concerns on this invention. 本発明に係る位相シフトマスクの構成例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the structural example of the phase shift mask which concerns on this invention.

以下、本発明に係る位相シフトマスクの製造方法について説明する。   Hereinafter, a method for manufacturing a phase shift mask according to the present invention will be described.

(フォトマスクの製造方法)
図1は、本発明に係るフォトマスクの製造方法の一例を示すフローチャートである。
図1に示すように、本発明に係るフォトマスクの製造方法は、透明基板の上に第1の薄膜が形成され、その上に第2の薄膜が形成されたマスクブランクスを準備する工程(S1)、工程S1で準備したマスクブランクスの第2の薄膜を、エッチング加工して第2の薄膜パターンを形成する工程(S2)、工程S2で形成した第2の薄膜パターンの残渣欠陥部を検出する欠陥検査工程(S3)、工程S3で検出した第2の薄膜パターンの残渣欠陥部を除去する修正工程(S4)、工程S4で修正した第2の薄膜パターンから露出する第1の薄膜をエッチング加工して、第1の薄膜パターンを形成する工程(S5)、の各工程を順に備えている。
ここで、上記のフォトマスクがハーフトーン型の位相シフトマスクの場合には、半透明層が上記の第1の薄膜に相当し、上記のフォトマスクがバイナリマスクの場合には、遮光膜が上記の第1の薄膜に相当する。
また、第2の薄膜は、第1の薄膜をエッチング加工して第1の薄膜パターンを形成する際に、エッチングマスクとして作用するものである。
なお、通常、第2の薄膜パターンは、第1の薄膜パターンを形成する工程(S5)の後に除去される。
(Photomask manufacturing method)
FIG. 1 is a flowchart showing an example of a photomask manufacturing method according to the present invention.
As shown in FIG. 1, the method for manufacturing a photomask according to the present invention includes a step of preparing a mask blank in which a first thin film is formed on a transparent substrate and a second thin film is formed thereon (S1). ), Etching the second thin film of the mask blanks prepared in step S1 to form a second thin film pattern (S2), and detecting a residual defect portion of the second thin film pattern formed in step S2. Defect inspection step (S3), correction step (S4) for removing the residual defect portion of the second thin film pattern detected in step S3, etching of the first thin film exposed from the second thin film pattern corrected in step S4 And each process of the process (S5) of forming a 1st thin film pattern is provided in order.
Here, when the photomask is a halftone phase shift mask, the translucent layer corresponds to the first thin film, and when the photomask is a binary mask, the light shielding film is the above-described first thin film. This corresponds to the first thin film.
The second thin film serves as an etching mask when the first thin film is etched to form the first thin film pattern.
Normally, the second thin film pattern is removed after the step (S5) of forming the first thin film pattern.

ここで、従来の位相シフトマスクの製造方法においては、半透明マスクパターンを形成した後に、半透明マスクパターンを検査して半透明マスクパターンの残渣欠陥部を検出し、検出した半透明マスクパターンの残渣欠陥部を修正工程で除去していた。   Here, in the conventional method of manufacturing a phase shift mask, after the semitransparent mask pattern is formed, the semitransparent mask pattern is inspected to detect a residual defect portion of the semitransparent mask pattern, and the detected semitransparent mask pattern Residual defect portions were removed in the correction process.

一方、本発明においては、上記のように、半透明層の上に形成した第2の薄膜パターンを検査して第2の薄膜パターンの残渣欠陥部を検出し(S3)、検出した第2の薄膜パターンの残渣欠陥部を修正し(S4)、その後、上記の残渣欠陥部を修正した第2の薄膜パターンから露出する第1の薄膜をエッチング加工することで、残渣欠陥のない第1の薄膜パターンを形成する(S5)。   On the other hand, in the present invention, as described above, the second thin film pattern formed on the translucent layer is inspected to detect a residual defect portion of the second thin film pattern (S3), and the detected second thin film pattern is detected. The first thin film having no residual defect is corrected by correcting the residual defect portion of the thin film pattern (S4), and then etching the first thin film exposed from the second thin film pattern having the corrected residual defect portion. A pattern is formed (S5).

それゆえ、本発明においては、ArFエキシマレーザ露光における耐光性を向上させたことによって、第1の薄膜パターンが、従来の修正工程におけるアシストガスと電子線を用いた部分エッチングに対しても耐性を有し、部分エッチングが進行し難い性質のものになっていたとしても、残渣欠陥の無いフォトマスクを製造することが可能となる。例えば、本発明においては、ArFエキシマレーザ露光における耐光性を向上させたことによって、半透明マスクパターン(第1の薄膜パターンに相当)が、従来の修正工程におけるアシストガスと電子線を用いた部分エッチングに対しても耐性を有し、部分エッチングが進行し難い性質のものになっていたとしても、残渣欠陥の無いハーフトーン型の位相シフトマスクを製造することが可能となる。本発明においては、上記の部分エッチングが進行し難い性質の半透明マスクパターンを直接修正するのではなく、半透明マスクパターンを形成する工程の前の段階で、エッチングマスクパターンの残渣欠陥部を修正するからである。
以下、本発明の実施形態について、工程図を用いてより詳しく説明する。
Therefore, in the present invention, by improving the light resistance in ArF excimer laser exposure, the first thin film pattern is resistant to partial etching using an assist gas and an electron beam in the conventional correction process. Even if it has a property in which partial etching is difficult to proceed, a photomask free from residual defects can be manufactured. For example, in the present invention, by improving the light resistance in ArF excimer laser exposure, a translucent mask pattern (corresponding to the first thin film pattern) is a portion using an assist gas and an electron beam in a conventional correction process. A halftone phase shift mask having no residual defects can be manufactured even if it is resistant to etching and has a property that partial etching is difficult to proceed. In the present invention, the residual defect portion of the etching mask pattern is corrected at a stage prior to the process of forming the semitransparent mask pattern, not directly correcting the semitransparent mask pattern having the property that the partial etching is difficult to proceed. Because it does.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to process drawings.

A.第1の実施形態
まず、本発明に係るフォトマスクの製造方法の第1の実施形態の一例について、図2および図3を用いて説明する。
A. First Embodiment First, an example of a first embodiment of a photomask manufacturing method according to the present invention will be described with reference to FIGS.

<マスクブランクス準備工程>
図2(a)に示すように、本実施形態においては、まず、透明基板11と、透明基板11の上に形成された第1の薄膜12Aと、第1の薄膜12Aの上に形成された第2の薄膜13Aと、を有するマスクブランクスを準備する。
<Mask blanks preparation process>
As shown in FIG. 2A, in the present embodiment, first, the transparent substrate 11, the first thin film 12A formed on the transparent substrate 11, and the first thin film 12A are formed. A mask blank having the second thin film 13A is prepared.

透明基板11としては、ArFエキシマレーザを高い透過率で透過する材料であれば用いることができ、例えば、合成石英ガラス、蛍石、フッ化カルシウムなどを挙げることができるが、中でも、従来の位相シフトマスクにおける実績から、合成石英ガラスを好適に用いることができる。   As the transparent substrate 11, any material that transmits an ArF excimer laser with high transmittance can be used, and examples thereof include synthetic quartz glass, fluorite, and calcium fluoride. Synthetic quartz glass can be suitably used from the results of the shift mask.

第1の薄膜12Aは、上記のフォトマスクがハーフトーン型の位相シフトマスクの場合には、ArFエキシマレーザの位相及び透過率を制御するハーフトーン層として作用する半透明層に相当する。
第1の薄膜12Aが上記の半透明層に相当する場合、位相に関しては、この第1の薄膜12Aから形成される第1の薄膜パターン12の部分を透過する波長193nmのArFエキシマレーザと、透明基板が露出する部分を透過する波長193nmのArFエキシマレーザの位相が反転するように設計されている。
また、透過率に関しては、通常、波長193nmのArFエキシマレーザの透過率が6%となるように設計されている。
When the photomask is a halftone phase shift mask, the first thin film 12A corresponds to a semitransparent layer that functions as a halftone layer for controlling the phase and transmittance of the ArF excimer laser.
When the first thin film 12A corresponds to the above-described semi-transparent layer, regarding the phase, an ArF excimer laser with a wavelength of 193 nm that transmits the portion of the first thin film pattern 12 formed from the first thin film 12A, and transparent It is designed so that the phase of an ArF excimer laser having a wavelength of 193 nm that is transmitted through a portion where the substrate is exposed is inverted.
The transmittance is usually designed so that the transmittance of an ArF excimer laser with a wavelength of 193 nm is 6%.

一方、上記のフォトマスクがバイナリマスクの場合には、第1の薄膜12Aは、遮光膜に相当する。この場合、第1の薄膜12Aは、通常、波長193nmのArFエキシマレーザに対する光学濃度の値が概ね3となるように設計されている。   On the other hand, when the photomask is a binary mask, the first thin film 12A corresponds to a light shielding film. In this case, the first thin film 12A is usually designed such that the optical density value for an ArF excimer laser with a wavelength of 193 nm is approximately 3.

第1の薄膜12Aの材料としては、従来のArFエキシマレーザ用ハーフトーン型位相シフトマスクの半透明層やバイナリマスクの遮光膜に用いられてきたものを適用することができる。
例えば、第1の薄膜12Aとして、モリブデンシリサイド(MoSi)系材料であるモリブデンシリサイド酸化膜(MoSiO)、モリブデンシリサイド窒化膜(MoSiN)、モリブデンシリサイド酸化窒化膜(MoSiON)などを用いることができる。
As the material of the first thin film 12A, a material that has been used for a semi-transparent layer of a conventional halftone phase shift mask for ArF excimer laser or a light shielding film of a binary mask can be applied.
For example, as the first thin film 12A, a molybdenum silicide (MoSi) -based material such as a molybdenum silicide oxide film (MoSiO), a molybdenum silicide nitride film (MoSiN), a molybdenum silicide oxynitride film (MoSiON), or the like can be used.

中でも、本発明においては、第1の薄膜12Aにおけるモリブデン(Mo)とシリコン(Si)の原子比(AMo/ASi)が、
Mo/ASi≦1/10
の関係を満たすものが好ましい。
上記の関係を満たすものであれば、この第1の薄膜12Aをエッチング加工することで、ArFエキシマレーザ露光における耐光性が高く、寸法安定性の高い第1の薄膜パターンを形成することができるからである。
Among them, in the present invention, the atomic ratio (A Mo / A Si ) between molybdenum (Mo) and silicon (Si) in the first thin film 12A is
AMo / ASi ≦ 1/10
Those satisfying this relationship are preferable.
If the above relationship is satisfied, the first thin film 12A can be etched to form a first thin film pattern having high light resistance and high dimensional stability in ArF excimer laser exposure. It is.

また、例えば、第1の薄膜12Aとして、珪素(Si)からなるバイナリマスクの遮光膜を用いることもできる。   For example, a binary mask light shielding film made of silicon (Si) can be used as the first thin film 12A.

第1の薄膜12Aの形成方法としては、スパッタリング法等の従来公知の成膜方法を用いることができる。例えば、モリブデンとシリコンとの混合ターゲットを用い、アルゴンと窒素と酸素の混合ガス雰囲気で、反応性スパッタリング法により形成することができる。   As a method for forming the first thin film 12A, a conventionally known film forming method such as a sputtering method can be used. For example, it can be formed by a reactive sputtering method using a mixed target of molybdenum and silicon in a mixed gas atmosphere of argon, nitrogen, and oxygen.

第2の薄膜13Aは、第1の薄膜12Aをエッチング加工して第1の薄膜パターン12を形成する際の、エッチングマスクとして作用する第2の薄膜パターン13を形成するためのものである。
上記のように、第1の薄膜12Aには、モリブデンシリサイド(MoSi)系の化合物を用いることが好ましく、このモリブデンシリサイド(MoSi)系の化合物は、主に、フッ素系ガスを用いたドライエッチングで加工されることから、エッチングマスク層13Aは、フッ素系ガスを用いたドライエッチングに対して耐性を有する材料から構成されていることが好ましい。
このエッチングマスク層13Aを構成する材料の具体例としては、Cr、CrO、CrN、CrNO等のクロム系の材料や、Ta、TaO、TaN、TaNO等のタンタル系の材料を挙げることができる。
なお、第2の薄膜13Aは同一材料から構成される単層構造であってもよく、2種以上の異なる材料から構成される多層構造であってもよい。
The second thin film 13A is for forming the second thin film pattern 13 that acts as an etching mask when the first thin film 12A is etched to form the first thin film pattern 12.
As described above, it is preferable to use a molybdenum silicide (MoSi) -based compound for the first thin film 12A. The molybdenum silicide (MoSi) -based compound is mainly obtained by dry etching using a fluorine-based gas. Since being processed, the etching mask layer 13A is preferably made of a material having resistance to dry etching using a fluorine-based gas.
Specific examples of the material constituting the etching mask layer 13A include chromium-based materials such as Cr, CrO, CrN, and CrNO, and tantalum-based materials such as Ta, TaO, TaN, and TaNO.
The second thin film 13A may have a single layer structure made of the same material or a multilayer structure made of two or more different materials.

第2の薄膜13Aの膜厚は、第1の薄膜パターン12を形成する際のエッチングマスクとしての作用に足りる厚さを有していれば良いが、過度に厚い場合は、第2の薄膜パターン13を微細なパターンとすることが困難になる。
それゆえ、第2の薄膜13Aの膜厚は、第1の薄膜パターン12のサイズにもよるが、3nm〜50nm程度の範囲であることが好ましい。
The film thickness of the second thin film 13A only needs to have a thickness sufficient for an action as an etching mask when forming the first thin film pattern 12, but if the film is excessively thick, the second thin film pattern It becomes difficult to make 13 a fine pattern.
Therefore, although the film thickness of the second thin film 13A depends on the size of the first thin film pattern 12, it is preferably in the range of about 3 nm to 50 nm.

第2の薄膜13Aの形成は、従前公知の真空成膜の方法が適用でき、例えば第2の薄膜13Aがクロム膜(Cr)の場合は、クロムのターゲットを用い、アルゴンガス雰囲気で、反応性スパッタリング法により形成することができる。   For the formation of the second thin film 13A, a conventionally known vacuum film forming method can be applied. For example, when the second thin film 13A is a chromium film (Cr), the reaction is performed in a argon gas atmosphere using a chromium target. It can be formed by sputtering.

<第2の薄膜パターン形成工程>
次に、図2(b)に示すように、第2の薄膜13Aの上にレジスト層14Aを形成する。ここで、本実施形態においては、第2の薄膜13Aとレジスト層14の間に異物21が混入したことによって、残渣欠陥が生じる例を示している。
なお、残渣欠陥発生の形態は、上記の異物21の混入の他に、レジスト層14Aの表面に異物が付着し、電子線パターン描画に際してその部位の電子線照射量が不足し、不要な余剰部分を残したレジストパターンが形成されてしまうことによる場合や、レジストパターンの形状不良により不要な余剰部分が形成されてしまうことによる場合などもある。
また、図2および図3においては、煩雑になるのを避けるため、残渣欠陥となる箇所が1箇所の例を示しているが、通常、残渣欠陥は複数箇所に生じることが多い。
<Second thin film pattern forming step>
Next, as shown in FIG. 2B, a resist layer 14A is formed on the second thin film 13A. Here, in the present embodiment, an example is shown in which a residue defect occurs due to the contamination of the foreign matter 21 between the second thin film 13A and the resist layer 14.
As for the form of residual defects, in addition to the above-described contamination of the foreign matter 21, foreign matter adheres to the surface of the resist layer 14A, and when the electron beam pattern is drawn, the amount of electron beam irradiation at that portion is insufficient, and an unnecessary surplus portion. There may be a case where a resist pattern is left, or an unnecessary surplus portion is formed due to a defective shape of the resist pattern.
In FIGS. 2 and 3, in order to avoid complications, an example in which a portion that becomes a residue defect is one is shown, but usually a residue defect often occurs at a plurality of locations.

次に、図2(c)に示すように、電子線パターン描画等のパターン形成方法を用いてレジストパターン14を形成し、次いで、図2(d)に示すように、第2の薄膜13Aをエッチング加工して第2の薄膜パターン13を形成する。   Next, as shown in FIG. 2 (c), a resist pattern 14 is formed using a pattern forming method such as electron beam pattern drawing, and then, as shown in FIG. 2 (d), the second thin film 13A is formed. Etching is performed to form the second thin film pattern 13.

第2の薄膜13Aをエッチング加工する方法としては、例えば、第2の薄膜13Aがクロム系材料から構成されている場合は、塩素系ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングの方法を用いることができ、エッチングマスク層13Aがタンタル系材料から構成されている場合は、塩素系ガスを用いたドライエッチングの方法を用いることができる。   As a method of etching the second thin film 13A, for example, when the second thin film 13A is made of a chromium-based material, a dry etching method using a mixed gas of chlorine-based gas and oxygen gas is used. In the case where the etching mask layer 13A is made of a tantalum-based material, a dry etching method using a chlorine-based gas can be used.

第2の薄膜13Aのエッチング加工が完了した後は、図2(e)に示すように、レジストパターン14を除去する。
通常、このレジストパターン14を除去する工程(図2(e))、若しくは、その後の洗浄工程(図示せず)で、異物21も除去される。しかしながら、第2の薄膜13Aをエッチング加工する際に、異物21のレジストパターン14から露出する部分によって覆われていた第2の薄膜13Aの部分には、不要な余剰部分である残渣欠陥部22が形成される。
After the etching process of the second thin film 13A is completed, the resist pattern 14 is removed as shown in FIG.
Normally, the foreign material 21 is also removed in the step of removing the resist pattern 14 (FIG. 2E) or the subsequent cleaning step (not shown). However, when the second thin film 13A is etched, a residue defect portion 22 that is an unnecessary surplus portion is formed in the portion of the second thin film 13A that is covered with the portion exposed from the resist pattern 14 of the foreign matter 21. It is formed.

なお、残渣欠陥部22は第2の薄膜13Aから形成されたものであり、残渣欠陥部22を構成する材料は、第2の薄膜パターン13を構成する材料と同じである。ただし、図2(e)および図3(f)においては、説明容易とするために、残渣欠陥部22の断面を第2の薄膜パターン13の断面とは異なる斜線で表示している。
<第2の薄膜パターン欠陥検査工程>
The residue defect portion 22 is formed from the second thin film 13A, and the material constituting the residue defect portion 22 is the same as the material constituting the second thin film pattern 13. However, in FIG. 2 (e) and FIG. 3 (f), the cross section of the residue defect portion 22 is indicated by oblique lines different from the cross section of the second thin film pattern 13 for easy explanation.
<Second thin film pattern defect inspection step>

図示は省略するが、本発明においては、図2(e)に示す第2の薄膜パターン13の形成工程の後であって、図3(f)に示す残渣欠陥部22の修正工程の前に、残渣欠陥部22を検出する欠陥検査を行う。   Although illustration is omitted, in the present invention, after the formation process of the second thin film pattern 13 shown in FIG. 2 (e) and before the correction process of the residual defect portion 22 shown in FIG. 3 (f). A defect inspection for detecting the residue defect portion 22 is performed.

ここで、従来のハーフトーン型位相シフトマスクの残渣欠陥検査は、透明基板上の半透明マスクパターンを透過光や反射光により検査していた。
一方、本発明においては、第1の薄膜12A上の第2の薄膜パターン13を検査することになるが、例えば、第1の薄膜12Aが半透明膜の場合は、第1の薄膜12Aも従来の欠陥検査に用いられてきた検査光を一部透過するため、第1の薄膜12Aと第2の薄膜パターン13の透過率の差を利用して、既存のフォトマスク用欠陥検査装置を用いて、第2の薄膜パターン13の残渣欠陥部22を検出することができる。
また、第1の薄膜12Aが遮光膜の場合は、反射光を用いて、第1の薄膜12Aと第2の薄膜パターン13の反射率の差を利用して、既存のフォトマスク用欠陥検査装置を用いて、第2の薄膜パターン13の残渣欠陥部22を検出することができる。
<第2の薄膜パターン欠陥修正工程>
Here, in the residual defect inspection of the conventional halftone phase shift mask, the translucent mask pattern on the transparent substrate is inspected with transmitted light or reflected light.
On the other hand, in the present invention, the second thin film pattern 13 on the first thin film 12A is inspected. For example, when the first thin film 12A is a translucent film, the first thin film 12A is also conventional. In order to partially transmit the inspection light that has been used for the defect inspection, the difference between the transmittances of the first thin film 12A and the second thin film pattern 13 is used and an existing photomask defect inspection apparatus is used. The residue defect portion 22 of the second thin film pattern 13 can be detected.
Further, when the first thin film 12A is a light shielding film, an existing photomask defect inspection apparatus using reflected light and utilizing the difference in reflectance between the first thin film 12A and the second thin film pattern 13 Can be used to detect the residual defect portion 22 of the second thin film pattern 13.
<Second thin film pattern defect correcting step>

次に、図2(e)までの工程で得られた中間製造物2を欠陥修正装置に配置し、図3(f)に示すように、第1のアシストガス41を供給しながら、上記の欠陥検査工程で検出された第2の薄膜パターン13の残渣欠陥部22に第1の電子線31を照射して、図3(g)に示すように、残渣欠陥部22をエッチング除去する。   Next, the intermediate product 2 obtained in the steps up to FIG. 2 (e) is placed in the defect correction apparatus, and the first assist gas 41 is supplied as shown in FIG. The residue defect portion 22 of the second thin film pattern 13 detected in the defect inspection process is irradiated with the first electron beam 31, and the residue defect portion 22 is removed by etching as shown in FIG.

本発明において、第2の薄膜パターン13がクロム(Cr)を含む材料から構成されている場合、第1のアシストガス41には、フッ素(F)を含むガス、または、塩素(Cl)を含むガスを用いることができる。
ここで、フッ素(F)を含むガスとしては、フッ化キセノン(XeF2)を含むガスを、塩素(Cl)を含むガスとしては、塩化ニトロシル(NOCl)を含むガスを、それぞれ挙げることができる。
In the present invention, when the second thin film pattern 13 is made of a material containing chromium (Cr), the first assist gas 41 contains a gas containing fluorine (F) or chlorine (Cl). Gas can be used.
Here, examples of the gas containing fluorine (F) include a gas containing xenon fluoride (XeF 2 ), and examples of the gas containing chlorine (Cl) include a gas containing nitrosyl chloride (NOCl). .

また、第1のアシストガス41は、上記のフッ素(F)を含む化合物のガス単体、もしくは、塩素(Cl)を含む化合物のガス単体に、酸素(O)、水蒸気(HO)、二酸化窒素(NO)、炭酸アンモニウム((NHCO)のいずれか1種または2種以上のガスが添加された混合ガスであることが、エッチング促進効果を奏するために好ましい。 In addition, the first assist gas 41 includes oxygen (O 2 ), water vapor (H 2 O), a single gas of a compound containing fluorine (F), or a single gas of a compound containing chlorine (Cl), A mixed gas to which any one or two or more gases of nitrogen dioxide (NO 2 ) and ammonium carbonate ((NH 4 ) 2 CO 3 ) are added is preferable in order to exert an etching promoting effect.

なお、本発明において欠陥修正装置は、従来のフォトマスクの残渣欠陥を、アシストガスと電子線を用いた部分エッチングの方法で修正していた既存の装置を用いることができる。   In the present invention, the defect correction apparatus may be an existing apparatus that has corrected a residual defect of a conventional photomask by a partial etching method using an assist gas and an electron beam.

ここで、この残渣欠陥部22のエッチング除去においては、オーバーエッチングが許容される。
従来のハーフトーン型位相シフトマスクの黒欠陥修正工程においては、透明基板上の半透明マスクパターンを部分的にエッチング除去していた。
それゆえ、オーバーエッチングにより透明基板がエッチングされてしまうと、その部分における位相シフト効果が、他の部分と不均一になってしまうというおそれもあった。
Here, overetching is allowed in removing the residual defect 22 by etching.
In the conventional black defect correction process of the halftone phase shift mask, the semitransparent mask pattern on the transparent substrate is partially etched away.
Therefore, if the transparent substrate is etched by overetching, the phase shift effect at that portion may become non-uniform with other portions.

一方、本発明においては、残渣欠陥部22で覆われている第1の薄膜12Aの部分は、たとえ、図3(f)に示す欠陥修正においてオーバーエッチングされて膜厚が減少しても、その後の第1の薄膜パターン12の形成工程においてエッチング除去される部分であるため、上記オーバーエッチングが第1の薄膜12Aを貫通して透明基板11に達することが無い限り、位相シフト効果が不均一になるような問題は生じない。
すなわち、本発明に係るフォトマスクの製造方法は、黒欠陥修正工程におけるプロセスマージンが大きいという効果も奏するものである。
On the other hand, in the present invention, even if the portion of the first thin film 12A covered with the residual defect portion 22 is over-etched in the defect correction shown in FIG. Therefore, the phase shift effect is non-uniform unless the over-etching reaches the transparent substrate 11 through the first thin film 12A. There will be no problem.
That is, the photomask manufacturing method according to the present invention also has an effect that the process margin in the black defect correction process is large.

また、第1の薄膜12Aとして、珪素(Si)からなるバイナリマスクの遮光膜を用いた場合には、上述したモリブデンシリサイド(MoSi)系材料の膜と比較して、第1の薄膜が、珪素(Si)からなるバイナリマスクの遮光膜である後述する実施態様と同様の利点が得られる。   Further, when a light shielding film of a binary mask made of silicon (Si) is used as the first thin film 12A, the first thin film is made of silicon as compared with the above-described film of molybdenum silicide (MoSi) material. Advantages similar to those of the embodiment described later, which is a light shielding film of a binary mask made of (Si), can be obtained.

<第1の薄膜パターン形成工程>
上記のようにして、検出された全ての残渣欠陥部を修正した後は、図3(h)に示すように、第2の薄膜パターン13から露出する第1の薄膜12Aをエッチング加工して、第1の薄膜パターン12を形成し、その後、図3(i)に示すように、第2の薄膜パターン13を除去してフォトマスク1を得る。
<First thin film pattern forming step>
After correcting all the detected residual defects as described above, the first thin film 12A exposed from the second thin film pattern 13 is etched as shown in FIG. The first thin film pattern 12 is formed, and then the second thin film pattern 13 is removed to obtain the photomask 1 as shown in FIG.

第1の薄膜12Aが、モリブデンシリサイド系材料から構成される場合には、フッ素系ガス、例えば、SF、CF、CHF、Cや、これらの混合ガス、あるいはこれらのガスに酸素を混合したガスをエッチングガスとして用いることによりドライエッチングを行い、パターン形成することができる。 When the first thin film 12A is made of a molybdenum silicide-based material, a fluorine-based gas, for example, SF 6 , CF 4 , CHF 3 , C 2 F 6 , a mixed gas thereof, or a mixed gas thereof is used. By using a mixed gas of oxygen as an etching gas, dry etching can be performed to form a pattern.

なお、第1の薄膜12AがArFエキシマレーザ露光における耐光性を有する構成のものであっても、上記の第1の薄膜パターン12の形成には、従来と同様の条件でドライエッチング加工することができた。
これは、プラズマにより励起された反応性イオンによるドライエッチングは、残渣欠陥の修正工程におけるアシストガスと電子線による部分エッチングよりも、第1の薄膜12Aを構成する材料をエッチングする力が強いためと思われる。
Even if the first thin film 12A has a light resistance in ArF excimer laser exposure, the first thin film pattern 12 can be formed by dry etching under the same conditions as in the prior art. did it.
This is because dry etching with reactive ions excited by plasma has a stronger ability to etch the material constituting the first thin film 12A than partial etching with assist gas and electron beam in the residual defect correction process. Seem.

上述のように、本発明に係るフォトマスクの製造方法においては、従来のような半透明マスクパターンを直接修正する方法を用いずに、第1の薄膜パターン12を形成する工程の前の、第2の薄膜パターン13を形成した段階で欠陥検査を行い、検出した残渣欠陥部22を修正し、欠陥修正した第2の薄膜パターン13を用いて第1の薄膜12Aをエッチング加工して第1の薄膜パターン12を形成するため、たとえ、第1の薄膜12Aが、従来の黒欠陥修正工程におけるアシストガスと電子線による部分エッチングに対して耐性を有するものであっても、残渣欠陥の無いフォトマスクを製造することが可能となる。   As described above, in the photomask manufacturing method according to the present invention, the first thin film pattern 12 is formed before the step of forming the first thin film pattern 12 without using the conventional method of directly correcting the translucent mask pattern. When the second thin film pattern 13 is formed, defect inspection is performed, the detected residual defect portion 22 is corrected, and the first thin film 12A is etched using the second thin film pattern 13 with the defect corrected, thereby performing the first processing. In order to form the thin film pattern 12, even if the first thin film 12A is resistant to partial etching by an assist gas and an electron beam in the conventional black defect repairing process, a photomask having no residual defect Can be manufactured.

また、第1の薄膜12Aとして、珪素(Si)からなるバイナリマスクの遮光膜を用いた場合には、上述したモリブデンシリサイド(MoSi)系材料の膜と比較して、第1の薄膜が、珪素(Si)からなるバイナリマスクの遮光膜である後述する実施態様と同様の利点が得られる。   Further, when a light shielding film of a binary mask made of silicon (Si) is used as the first thin film 12A, the first thin film is made of silicon as compared with the above-described film of molybdenum silicide (MoSi) material. Advantages similar to those of the embodiment described later, which is a light shielding film of a binary mask made of (Si), can be obtained.

なお、残渣欠陥の修正方法としては、原子間力顕微鏡(AFM)を利用した部分研削の方法や、集束イオンビームを用いた部分エッチングの方法もあるが、前者は、AFMの探針による機械的な研削で残渣欠陥を除去するため、修正には長時間を要し、残渣欠陥の数が多い場合には、修正方法として現実的ではない。また、後者は修正に用いるイオンがフォトマスクを構成する材料に残るため、例えば、位相シフト効果に影響を及ぼすおそれがある等の点で好ましくない。   As a method for correcting residual defects, there are a partial grinding method using an atomic force microscope (AFM) and a partial etching method using a focused ion beam. The former is a mechanical method using an AFM probe. Since the residual defects are removed by smooth grinding, the correction takes a long time, and when the number of residual defects is large, it is not practical as a correction method. In addition, the latter is not preferable in that the ions used for correction remain in the material constituting the photomask, which may affect the phase shift effect, for example.

以下、本発明のフォトマスクの製造方法において、上記第1の薄膜が、珪素(Si)からなるバイナリマスクの遮光膜である実施態様について、詳細に説明する。   Hereinafter, in the photomask manufacturing method of the present invention, an embodiment in which the first thin film is a light shielding film of a binary mask made of silicon (Si) will be described in detail.

本発明において、上記第1の薄膜が上記珪素(Si)からなるバイナリマスクの遮光膜である実施態様のフォトマスクの製造方法とは、透明基板と、上記透明基板の上に形成された第1の薄膜と、上記第1の薄膜の上に形成された第2の薄膜と、を有するマスクブランクスを準備する工程と、上記第2の薄膜をエッチング加工して第2の薄膜パターンを形成する工程と、上記第2の薄膜パターンの残渣欠陥部を検出する欠陥検査工程と、上記検査工程で検出された上記第2の薄膜パターンの残渣欠陥部に、第1のアシストガスを供給しながら第1の電子線を照射することにより、上記第2の薄膜パターンの残渣欠陥部をエッチング除去する第2の薄膜パターン欠陥修正工程と、上記残渣欠陥部をエッチング除去した第2の薄膜パターンから露出する上記第1の薄膜をエッチング加工して第1の薄膜パターンを形成する工程と、を順に備えるフォトマスクの製造方法であって、上記第1の薄膜が、珪素(Si)からなる遮光膜であることを特徴とするものである。   In the present invention, a photomask manufacturing method according to an embodiment in which the first thin film is a light shielding film of a binary mask made of silicon (Si) includes a transparent substrate and a first method formed on the transparent substrate. A step of preparing a mask blank having the thin film and a second thin film formed on the first thin film, and a step of etching the second thin film to form a second thin film pattern And a defect inspection step for detecting a residual defect portion of the second thin film pattern, and a first assist gas is supplied to the residue defect portion of the second thin film pattern detected in the inspection step while supplying a first assist gas. Are exposed from the second thin film pattern defect correcting step for etching away the residual defect portion of the second thin film pattern, and the second thin film pattern from which the residual defect portion has been etched away. And a step of forming the first thin film pattern by etching the first thin film, wherein the first thin film is a light shielding film made of silicon (Si). It is characterized by being.

本発明において、このように上記第1の薄膜が、上記珪素(Si)からなる遮光膜である場合には、上記第2の薄膜パターン欠陥修正工程が、第1のアシストガスを供給しながら第1の電子線を照射することにより、上記第2の薄膜パターンの残渣欠陥部をエッチング除去する工程であり、上記第1の薄膜が、上記珪素(Si)からなる遮光膜である。このため、第2の薄膜パターンの残渣欠陥部をエッチング除去する時に、上記第1の薄膜に対する上記第2の薄膜のエッチング選択比が大きくなる。よって、本実施態様によれば、上記第2の薄膜パターン欠陥修正工程において、上記第2の薄膜パターンの残渣欠陥部をエッチング除去する時に、エッチングが上記第2の薄膜と上記第1の薄膜との界面で良好に停止するので、上記第1の薄膜は殆どエッチングされない。   In the present invention, when the first thin film is a light-shielding film made of silicon (Si), the second thin film pattern defect correcting step is performed while supplying the first assist gas. This is a step of etching away residual defect portions of the second thin film pattern by irradiating one electron beam, and the first thin film is a light shielding film made of silicon (Si). For this reason, when the residual defect portion of the second thin film pattern is removed by etching, the etching selectivity of the second thin film with respect to the first thin film is increased. Therefore, according to this embodiment, when the residual defect portion of the second thin film pattern is removed by etching in the second thin film pattern defect correcting step, the etching is performed using the second thin film and the first thin film. Therefore, the first thin film is hardly etched.

この結果、上記第2の薄膜パターン欠陥修正工程において、集束イオンビームを照射することにより、上記第2の薄膜パターンの残渣欠陥部をエッチング除去する場合とは異なり、上記珪素(Si)からなる遮光膜がエッチングされ、上記珪素(Si)からなる遮光膜をエッチング加工する時におけるトータルのエッチング量が増加してしまうことにより、上記透明基板が過剰にエッチングされてしまう問題を回避することができる。   As a result, in the second thin film pattern defect correction step, unlike the case where the residual defect portion of the second thin film pattern is etched away by irradiation with a focused ion beam, the light shielding made of silicon (Si) is performed. Since the film is etched and the total etching amount when the light shielding film made of silicon (Si) is etched is increased, the problem that the transparent substrate is excessively etched can be avoided.

また、本発明において、上述した通り、上記第1の薄膜が、上記珪素(Si)からなる遮光膜である場合には、上記第2の薄膜パターン欠陥修正工程において、ガリウムイオン源の集束イオンビームを照射するのではなく、第1のアシストガスを供給しながら第1の電子線を照射することにより、上記第2の薄膜パターンの残渣欠陥部をエッチング除去するので、上記透明基板における上記残渣欠陥周辺や上記珪素(Si)からなる遮光膜における上記残渣欠陥周辺に、ガリウムイオンが打ち込まれ、ガリウムステインと呼ばれる汚れが生じる問題を回避することができる。   In the present invention, as described above, when the first thin film is a light shielding film made of silicon (Si), the focused ion beam of the gallium ion source is used in the second thin film pattern defect correcting step. The residual defect portion of the second thin film pattern is removed by etching by irradiating the first electron beam while supplying the first assist gas instead of irradiating the first assist gas. Gallium ions are implanted into the periphery and the periphery of the residual defect in the light-shielding film made of silicon (Si), thereby avoiding the problem of causing contamination called gallium stain.

また、本発明において、上述した通り、上記第1の薄膜が、上記珪素(Si)からなる遮光膜である場合には、電子線の方が集束イオンビームよりも画像の分解能が高いため、集束イオンビームを用いる場合と比較して、欠陥修正対象となるフォトマスクの中間製造物の視認性が良好となる。このため、欠陥修正対象となるフォトマスクの中間製造物において、より微細なパターンを視認することが可能となる。   In the present invention, as described above, when the first thin film is a light-shielding film made of silicon (Si), the electron beam has higher image resolution than the focused ion beam. Compared with the case where an ion beam is used, the visibility of the intermediate product of the photomask to be defect-corrected is improved. For this reason, it becomes possible to visually recognize a finer pattern in the intermediate product of the photomask to be subjected to defect correction.

さらに、本発明において、上述した通り、上記第1の薄膜が、上記珪素(Si)からなる遮光膜である場合には、電子線の方が集束イオンビームよりもビームのスポット径を小さくすることができるので、集束イオンビームを用いる場合と比較して、上記第2の薄膜パターンの残渣欠陥部をエッチング除去する時の解像力が高くなる。このため、欠陥修正対象となるフォトマスクの中間製造物において、より微細なパターンを正確に修正することが可能となる。   Furthermore, in the present invention, as described above, when the first thin film is a light shielding film made of silicon (Si), the electron beam has a smaller beam spot diameter than the focused ion beam. Therefore, as compared with the case where a focused ion beam is used, the resolving power when the residual defect portion of the second thin film pattern is removed by etching is increased. For this reason, it is possible to accurately correct a finer pattern in an intermediate product of a photomask that is a defect correction target.

ここで、上記珪素(Si)からなる遮光膜は、バイナリマスクにおける遮光膜として作用するものである。上記珪素(Si)からなる遮光膜は、特に限定されるものではないが、不純物を含むものでもよい。上記珪素(Si)からなる遮光膜の純度としては、珪素(Si)の割合が、70%〜100%の範囲内、中でも、80%〜100%の範囲内、特に、90%〜100%の範囲内の純度が好ましい。また、上記珪素(Si)からなる遮光膜に含まれる不純物としては、例えば、窒素(N)等が挙げられる。   Here, the light shielding film made of silicon (Si) functions as a light shielding film in the binary mask. The light shielding film made of silicon (Si) is not particularly limited, but may contain impurities. As the purity of the light-shielding film made of silicon (Si), the ratio of silicon (Si) is in the range of 70% to 100%, in particular, in the range of 80% to 100%, in particular, 90% to 100%. A purity within the range is preferred. Moreover, as an impurity contained in the light shielding film which consists of said silicon (Si), nitrogen (N) etc. are mentioned, for example.

さらに、上記珪素(Si)からなる遮光膜の形成方法は、特に限定されるものではない。上記珪素(Si)からなる遮光膜の形成方法としては、例えば、上記透明基板上に、平行平板型DCマグネトロンスパッタリング装置を用いて、反応性スパッタリング法により成膜する方法を挙げることができる。この方法では、不純物イオンを含まないシリコン結晶をターゲットとし、アルゴン(Ar)ガス雰囲気で成膜することができる。   Further, the method for forming the light shielding film made of silicon (Si) is not particularly limited. Examples of the method for forming the light shielding film made of silicon (Si) include a method of forming a film on the transparent substrate by a reactive sputtering method using a parallel plate type DC magnetron sputtering apparatus. In this method, it is possible to form a film in an argon (Ar) gas atmosphere using a silicon crystal containing no impurity ions as a target.

また、ここで、上記透明基板としては、ArFエキシマレーザを高い透過率で透過する材料であれば用いることができ、例えば、合成石英ガラス、蛍石、フッ化カルシウムなどを挙げることができるが、中でも、従来の位相シフトマスクにおける実績から、合成石英ガラスを好適に用いることができる。   Here, as the transparent substrate, any material that transmits an ArF excimer laser with high transmittance can be used, and examples thereof include synthetic quartz glass, fluorite, and calcium fluoride. Among these, synthetic quartz glass can be suitably used from the results of conventional phase shift masks.

さらに、このような、上記第1の薄膜が、上記珪素(Si)からなるバイナリマスクの遮光膜であるような本実施態様のフォトマスクの製造方法において、上記第2の薄膜は、上記第1の薄膜上に形成されたハードマスク層である。   Further, in the photomask manufacturing method of this embodiment in which the first thin film is a light shielding film of a binary mask made of silicon (Si), the second thin film is the first thin film. This is a hard mask layer formed on the thin film.

上記ハードマスク層は、上記第1の薄膜パターン形成工程において、上記遮光膜をエッチング加工する時に、エッチングマスクとして用いられるハードマスク層パターンが形成されるものである。このため、エッチング加工する時に使用される反応性エッチングガスの種類が、上記遮光膜をエッチング加工する時に使用される反応性エッチングガスの種類と異なるものである。そして、上記ハードマスク層は、上記第2の薄膜パターン欠陥修正工程において、第1のアシストガスを供給しながら第1の電子線を照射することにより、上記第2の薄膜パターンの残渣欠陥部をエッチング除去する時に、上記第1の薄膜に対するエッチング選択比が大きくなるものである。   The hard mask layer is formed with a hard mask layer pattern used as an etching mask when the light shielding film is etched in the first thin film pattern forming step. For this reason, the kind of reactive etching gas used when etching is different from the kind of reactive etching gas used when etching the light shielding film. Then, in the second thin film pattern defect correcting step, the hard mask layer irradiates the first electron beam while supplying the first assist gas, thereby removing the residual defect portion of the second thin film pattern. When the etching is removed, the etching selectivity with respect to the first thin film is increased.

また、上記ハードマスク層の材料は、特に限定されるものではないが、例えば、Cr、CrO、CrN、CrON等のクロム系の材料、Ta、TaO、TaN、TaON等のタンタル系の材料、W、Mo等を挙げることができる。中でもCr、CrO、CrN、CrON等のクロム系の材料が好ましい。加工性に優れているからである。   The material of the hard mask layer is not particularly limited. For example, a chromium-based material such as Cr, CrO, CrN, and CrON, a tantalum-based material such as Ta, TaO, TaN, and TaON, W , Mo and the like. Of these, chromium-based materials such as Cr, CrO, CrN, and CrON are preferable. It is because it is excellent in workability.

また、上記ハードマスク層の厚さは、その材料の種類により異なるものであり、特に限定されるものではないが、4nm〜10nmの範囲内、中でも4nm〜7nmの範囲内、特に4nm〜6nmの範囲内であることが好ましい。膜厚が薄いほうが精度良く加工することができるからである。   The thickness of the hard mask layer varies depending on the type of the material, and is not particularly limited. However, the thickness is 4 nm to 10 nm, particularly 4 nm to 7 nm, particularly 4 nm to 6 nm. It is preferable to be within the range. This is because a thinner film can be processed with higher accuracy.

さらに、上記ハードマスク層の形成方法は、特に限定されるものではない。上記ハードマスク層の形成方法としては、例えば、上記第1の薄膜上に、平行平板型DCマグネトロンスパッタリング装置を用いて、反応性スパッタリング法により成膜する方法を挙げることができる。次に、このようなハードマスク層を第2の薄膜とした本実施態様のフォトマスクの製造方法について、具体例を示して説明する。   Furthermore, the method for forming the hard mask layer is not particularly limited. Examples of the method of forming the hard mask layer include a method of forming a film on the first thin film by a reactive sputtering method using a parallel plate type DC magnetron sputtering apparatus. Next, a method for manufacturing a photomask according to this embodiment using such a hard mask layer as a second thin film will be described with a specific example.

a.第1の例
まず、第1の例について、図4および図5を参照しながら説明する。図4および図5は、第1の薄膜が珪素(Si)からなるバイナリマスクの遮光膜である実施態様のフォトマスクの製造方法の第1の例を示す概略工程断面図である。
a. First Example First, a first example will be described with reference to FIGS. 4 and 5. 4 and 5 are schematic process cross-sectional views showing a first example of a photomask manufacturing method according to an embodiment in which the first thin film is a light shielding film of a binary mask made of silicon (Si).

本例においては、まず、図4(a)に示すように、透明基板11と、透明基板11上に形成された珪素(Si)からなる遮光膜12Aと、遮光膜12A上に形成されたハードマスク層13Aと、を有するマスクブランクス10Aを準備する。また、マスクブランクス10Aは、ArFエキシマレーザ露光光が適用されるバイナリマスクを製造するために用いられるマスクブランクスである。   In this example, first, as shown in FIG. 4A, a transparent substrate 11, a light shielding film 12A made of silicon (Si) formed on the transparent substrate 11, and a hardware formed on the light shielding film 12A. A mask blank 10A having a mask layer 13A is prepared. Further, the mask blank 10A is a mask blank used for manufacturing a binary mask to which ArF excimer laser exposure light is applied.

次に、図4(b)に示すように、ハードマスク層13A上に電子線レジストを塗布し、レジスト層14Aを形成する。本例においては、ハードマスク層13A上にレジスト層14Aを形成する時に、ハードマスク層13Aとレジスト層14Aとの間に異物21が混入する。   Next, as shown in FIG. 4B, an electron beam resist is applied on the hard mask layer 13A to form a resist layer 14A. In this example, when the resist layer 14A is formed on the hard mask layer 13A, the foreign matter 21 is mixed between the hard mask layer 13A and the resist layer 14A.

次に、図4(c)に示すように、電子線描画装置によってレジスト層14Aをパターン露光し、レジスト専用の現像液により現像し、所望形状のレジストパターン14を形成する。本例においては、レジストパターン14を形成する時に、上述した異物21が、レジストパターン14から露出されるべきハードマスク層13A表面部分の一部に残存する。   Next, as shown in FIG. 4C, the resist layer 14A is subjected to pattern exposure by an electron beam drawing apparatus and developed with a resist-dedicated developer to form a resist pattern 14 having a desired shape. In this example, when the resist pattern 14 is formed, the foreign material 21 described above remains on a part of the surface portion of the hard mask layer 13A that is to be exposed from the resist pattern 14.

次に、図4(d)に示すように、所望形状のレジストパターン14をエッチングマスクとして、ドライエッチング装置によって、反応性エッチングガスを用い、ハードマスク層13Aをドライエッチングして、ハードマスク層13Aを後述する遮光膜パターン12の形状にエッチング加工する。これにより、ハードマスク層パターン13を形成して、第2の薄膜パターンを形成する。   Next, as shown in FIG. 4D, the hard mask layer 13A is dry-etched by using a reactive etching gas with a dry etching apparatus using the resist pattern 14 having a desired shape as an etching mask. Is etched into the shape of a light shielding film pattern 12 to be described later. Thereby, the hard mask layer pattern 13 is formed, and the second thin film pattern is formed.

本例においては、ハードマスク層13Aをエッチング加工する時に使用される反応性エッチングガスの種類は、上述した通り、遮光膜12Aをエッチング加工する時に使用される反応性エッチングガスの種類と異なるものである。ハードマスク層13Aをエッチング加工する時に使用される反応性エッチングガスの種類は、特に限定されるものではないが、ハードマスク層13Aの材料が、例えば、Cr、CrO、CrN、CrON等のクロム系の材料である場合には、例えば、塩素系ガスと酸素ガスの混合ガス等の一般的に使用可能なガスを挙げることができる。また、ハードマスク層13Aの材料が、例えば、Ta、TaO、TaN、TaON等のタンタル系の材料である場合には、例えば、塩素系ガス等の一般的に使用可能なガスを挙げることができる。   In this example, the type of reactive etching gas used when etching the hard mask layer 13A is different from the type of reactive etching gas used when etching the light shielding film 12A as described above. is there. The type of reactive etching gas used when etching the hard mask layer 13A is not particularly limited, but the material of the hard mask layer 13A is, for example, a chromium-based material such as Cr, CrO, CrN, or CrON. In the case of these materials, for example, generally usable gases such as a mixed gas of chlorine-based gas and oxygen gas can be mentioned. When the material of the hard mask layer 13A is a tantalum-based material such as Ta, TaO, TaN, or TaON, for example, a generally usable gas such as a chlorine-based gas can be used. .

また、本例においては、ハードマスク層パターン13を形成する時に、上述した異物21が残存するハードマスク層13A表面部分の一部において、エッチング加工が適切にされず、ハードマスク層13Aの不要な余剰部分である残渣欠陥部22が形成される。次に、図4(e)に示すように、レジストパターン14を除去する。   Further, in this example, when the hard mask layer pattern 13 is formed, the etching process is not appropriate in a part of the surface portion of the hard mask layer 13A where the foreign material 21 remains, and the hard mask layer 13A is unnecessary. A residue defect portion 22 that is an excess portion is formed. Next, as shown in FIG. 4E, the resist pattern 14 is removed.

次に、図4(e)に示すように、遮光膜12Aとハードマスク層パターン13との反射率の差を利用して、既存のフォトマスク用欠陥検査装置を用いて、ハードマスク層パターン13の残渣欠陥部22を検出する。これにより、第2の薄膜パターンの残渣欠陥部を検出する。   Next, as shown in FIG. 4E, by using the difference in reflectance between the light shielding film 12A and the hard mask layer pattern 13, using the existing photomask defect inspection apparatus, the hard mask layer pattern 13 is obtained. The residual defect portion 22 is detected. Thereby, the residual defect part of a 2nd thin film pattern is detected.

次に、図4(e)までの工程で得られた中間製造物10Bを欠陥修正装置に配置して、図5(f)に示すように、ハードマスク層パターン13の残渣欠陥部22に、第1のアシストガス41を供給しながら第1の電子線31を照射することにより、図5(g)に示すように、ハードマスク層パターン13の残渣欠陥部22を電子線によりエッチング除去する。これにより、第2の薄膜パターンの残渣欠陥部を電子線によりエッチング除去する。   Next, the intermediate product 10B obtained through the steps up to FIG. 4 (e) is placed in a defect correction apparatus, and as shown in FIG. 5 (f), the residual defect portion 22 of the hard mask layer pattern 13 is By irradiating the first electron beam 31 while supplying the first assist gas 41, the residual defect portion 22 of the hard mask layer pattern 13 is removed by etching with an electron beam, as shown in FIG. As a result, the residual defect portion of the second thin film pattern is removed by etching with an electron beam.

本例においては、ハードマスク層パターン13の残渣欠陥部22を電子線によりエッチング除去する時に供給する第1のアシストガス41は、ハードマスク層パターン13がクロム(Cr)を含むクロム系の材料から構成されている場合、2フッ化キセノン(XeF)などのフッ素(F)を含む化合物のガス単体、塩化ニトロシル(NOCl)等の塩素(Cl)を含む化合物のガス単体、もしくは上述したフッ素(F)を含む化合物のガス、及び塩素(Cl)を含む化合物のガスに、酸素(O)、水蒸気(HO)、二酸化窒素(NO)、炭酸アンモニウム((NHCO)のいずれか1種または2種以上のガスが添加された混合ガスであることが、好ましい。エッチング促進効果を奏する場合があるからである。 In this example, the first assist gas 41 supplied when the residual defect portion 22 of the hard mask layer pattern 13 is etched away by an electron beam is used as the hard mask layer pattern 13 from a chromium-based material containing chromium (Cr). In the case where it is constituted, a simple substance gas of a compound containing fluorine (F) such as xenon difluoride (XeF 2 ), a simple substance gas of a compound containing chlorine (Cl) such as nitrosyl chloride (NOCl), or the above-described fluorine ( The compound gas containing F) and the compound gas containing chlorine (Cl) include oxygen (O 2 ), water vapor (H 2 O), nitrogen dioxide (NO 2 ), ammonium carbonate ((NH 4 ) 2 CO 3. It is preferable that it is a mixed gas to which any one kind or two or more kinds of gases are added. This is because an etching promoting effect may be exhibited.

また、ハードマスク層パターン13の残渣欠陥部22を電子線によりエッチング除去する時に供給する第1のアシストガス41は、ハードマスク層パターン13が例えばタンタル(Ta)を含むタンタル系の材料などから構成されている場合、2フッ化キセノン(XeF)などのフッ素(F)を含む化合物のガス単体、もしくは上述したフッ素(F)を含む化合物のガスに、酸素(O)、水蒸気(HO)、二酸化窒素(NO)、炭酸アンモニウム((NHCO)のいずれか1種または2種以上のガスが添加された混合ガスであることが、好ましい。また、場合により水蒸気(HO)、二酸化窒素(NO)、等を用いエッチングガスを失活化させる必要がある。2フッ化キセノン(XeF)などのフッ素(F)を含む化合物のガスはタンタル(Ta)等を含む材料に対して強い反応性を示すため、残留ガスの反応量を抑制する必要がある為である。 Further, the first assist gas 41 supplied when the residual defect portion 22 of the hard mask layer pattern 13 is removed by etching with an electron beam is configured such that the hard mask layer pattern 13 is made of, for example, a tantalum-based material containing tantalum (Ta). In this case, oxygen (O 2 ), water vapor (H 2 ) is used as a gas of a compound containing fluorine (F) such as xenon difluoride (XeF 2 ) or a compound gas containing fluorine (F). O), nitrogen dioxide (NO 2 ), or ammonium carbonate ((NH 4 ) 2 CO 3 ) is preferably a mixed gas to which one or more gases are added. In some cases, it is necessary to deactivate the etching gas using water vapor (H 2 O), nitrogen dioxide (NO 2 ), or the like. Since a compound gas containing fluorine (F) such as xenon difluoride (XeF 2 ) is highly reactive with a material containing tantalum (Ta) or the like, it is necessary to suppress the reaction amount of the residual gas. It is.

また、図5(f)に示した上記第2の薄膜パターン欠陥修正工程のように、アシストガスを供給しながら電子線を照射することにより、薄膜パターンの残渣欠陥部を電子線によりエッチング除去する工程は、供給したアシストガスを電子線により反応性の高い状態へ遷移させ、局所的な化学反応を起こし残渣欠陥部をエッチングする。   Further, as in the second thin film pattern defect correcting step shown in FIG. 5F, the residual defect portion of the thin film pattern is removed by etching with the electron beam by irradiating the electron beam while supplying the assist gas. In the process, the supplied assist gas is transited to a highly reactive state by an electron beam, a local chemical reaction is caused, and a residual defect portion is etched.

一方、図4(d)に示した上記第2の薄膜パターン形成工程のように、反応性エッチングガスを用い、薄膜をドライエッチングして加工する工程は、レジスト、ハードマスク層等をマスクとして、ドライエッチング装置中の反応性プラズマ雰囲気中へマスクブランクスを置き、引き込み電極により反応性イオン、電子、及び反応性ラジカルをマスクブランクスへ照射することによりレジスト、ハードマスク層にマスクされていない部分全体をエッチングする工程である。このため、ドライエッチング工程は残渣欠陥部のみを選択的にエッチング除去することはできない。   On the other hand, as in the second thin film pattern forming process shown in FIG. 4D, the process of dry etching the thin film using a reactive etching gas is performed using a resist, a hard mask layer, etc. as a mask. Place the mask blank in the reactive plasma atmosphere in the dry etching system, and irradiate the mask blank with reactive ions, electrons, and reactive radicals with the lead-in electrode, so that the entire part that is not masked by the resist and hard mask layer This is an etching process. For this reason, the dry etching process cannot selectively remove only the residual defect portion.

電子線により残渣欠陥をエッチング除去する工程はアシストガスを電子線により反応性の高い状態へ強制的に遷移させるため、使用できるガスの種類が多様である。一方、ドライエッチングはプラズマを安定して生成させるため使用するガスの種類などに制限がある。このため、両工程の反応機構は異なっており、エッチング対象となる薄膜を構成する材料が同一であったとしても、薄膜をドライエッチングして加工する工程において用いられる反応性エッチングガスを、薄膜パターンの残渣欠陥部をエッチング除去する工程において用いられるアシストガスに用いることはできない。   In the step of removing the residual defects by electron beam, the assist gas is forcibly shifted to a highly reactive state by the electron beam, so that there are various types of gases that can be used. On the other hand, dry etching has a limitation on the type of gas used to stably generate plasma. For this reason, the reaction mechanism of both processes is different, and even if the material constituting the thin film to be etched is the same, the reactive etching gas used in the process of dry etching the thin film is changed to the thin film pattern. It cannot be used for the assist gas used in the step of etching away the residual defect portion.

さらに、図5(f)に示した上記第2の薄膜パターン欠陥修正工程においては、欠陥修正装置として、従来技術において、フォトマスクの中間製造物の残渣欠陥部を、アシストガスを供給しながら電子線を照射することによりエッチング除去する場合に使用していた既存の欠陥修正装置を用いることができる。   Further, in the second thin film pattern defect correction step shown in FIG. 5 (f), as a defect correction apparatus, in the prior art, the residual defect portion of the intermediate product of the photomask is electronically supplied while supplying an assist gas. It is possible to use an existing defect correction apparatus that has been used when etching is removed by irradiating a line.

次に、図5(h)に示すように、残渣欠陥部22を電子線によりエッチング除去したハードマスク層パターン13をエッチングマスクとして、ドライエッチング装置によって、反応性エッチングガスを用い、遮光膜12Aをドライエッチングして、遮光膜12Aを所望の形状にエッチング加工する。これにより、ハードマスク層パターン13から露出する遮光膜12Aをエッチング加工して遮光膜パターン12を形成する。これにより、第1の薄膜パターンを形成する。   Next, as shown in FIG. 5H, the light shielding film 12A is formed using a reactive etching gas by a dry etching apparatus using the hard mask layer pattern 13 obtained by etching and removing the residual defect portion 22 with an electron beam as an etching mask. The light shielding film 12A is etched into a desired shape by dry etching. Thus, the light shielding film 12A exposed from the hard mask layer pattern 13 is etched to form the light shielding film pattern 12. Thereby, the first thin film pattern is formed.

本例においては、珪素(Si)からなる遮光膜12Aをドライエッチングする時に用いる反応性エッチングガスは、特に限定されるものではないが、例えば、フッ素(F)系ガス等を挙げることができる。中でも、CF、CHF、SFが好ましい。 In this example, the reactive etching gas used when dry-etching the light shielding film 12A made of silicon (Si) is not particularly limited, and examples thereof include fluorine (F) -based gas. Of these, CF 4 , CHF 3 , and SF 6 are preferable.

次に、図5(i)に示すように、ドライエッチング装置によって、反応性エッチングガスを用い、ハードマスク層パターン13をドライエッチングして除去する。これにより、上述したArFエキシマレーザ露光光が適用されるバイナリマスク10が製造される。   Next, as shown in FIG. 5I, the hard mask layer pattern 13 is removed by dry etching using a reactive etching gas by a dry etching apparatus. Thereby, the binary mask 10 to which the ArF excimer laser exposure light described above is applied is manufactured.

b.第2の例
第2の例について、図6および図7を参照しながら説明する。図6および図7は、第1の薄膜が珪素(Si)からなるバイナリマスクの遮光膜である実施態様のフォトマスクの製造方法の第2の例を示す概略工程断面図である。以下に、本実施態様のフォトマスクの製造方法の第1の例とは異なる点を中心に本例を説明する。
b. Second Example A second example will be described with reference to FIGS. 6 and 7. 6 and 7 are schematic process cross-sectional views showing a second example of a photomask manufacturing method according to an embodiment in which the first thin film is a light shielding film of a binary mask made of silicon (Si). In the following, this example will be described focusing on differences from the first example of the photomask manufacturing method of the present embodiment.

本例においては、まず、図6(a)に示すように、第1の例と同様に、マスクブランクス10Aを準備する。次に、図6(b)に示すように、第1の例と同様に、ハードマスク層13A上に、レジスト層14Aを形成する。   In this example, first, as shown in FIG. 6A, a mask blank 10A is prepared as in the first example. Next, as shown in FIG. 6B, a resist layer 14A is formed on the hard mask layer 13A, as in the first example.

次に、図6(c)に示すように、第1の例と同様に、所望形状のレジストパターン14を形成する。本例においては、レジストパターン14を形成する時に、異物21が、レジストパターン14から露出されるべきハードマスク層13A表面部分の一部に混入する。   Next, as shown in FIG. 6C, a resist pattern 14 having a desired shape is formed as in the first example. In this example, when forming the resist pattern 14, the foreign material 21 is mixed into a part of the surface portion of the hard mask layer 13 </ b> A to be exposed from the resist pattern 14.

次に、図6(d)に示すように、第1の例と同様に、ハードマスク層パターン13を形成して、第2の薄膜パターンを形成する。本例においては、ハードマスク層13Aをエッチング加工する時に使用される反応性エッチングガスの種類は、第1の例と同様である。   Next, as shown in FIG. 6D, similarly to the first example, a hard mask layer pattern 13 is formed to form a second thin film pattern. In this example, the type of reactive etching gas used when etching the hard mask layer 13A is the same as in the first example.

また、本例においては、ハードマスク層パターン13を形成する時に、上述した異物21が混入したハードマスク層13A表面部分の一部において、エッチング加工が適切にされず、ハードマスク層13Aの不要な余剰部分である残渣欠陥部22が形成される。次に、図6(e)に示すように、レジストパターン14を除去する。   Further, in this example, when the hard mask layer pattern 13 is formed, the etching process is not properly performed on a part of the surface portion of the hard mask layer 13A mixed with the foreign material 21 described above, and the hard mask layer 13A is unnecessary. A residue defect portion 22 that is an excess portion is formed. Next, as shown in FIG. 6E, the resist pattern 14 is removed.

次に、図6(e)に示すように、第1の例と同様に、ハードマスク層パターン13の残渣欠陥部22を検出する。これにより、第2の薄膜パターンの残渣欠陥部を検出する。   Next, as shown in FIG. 6E, the residual defect portion 22 of the hard mask layer pattern 13 is detected as in the first example. Thereby, the residual defect part of a 2nd thin film pattern is detected.

次に、図6(e)までの工程で得られた中間製造物10Bを欠陥修正装置に配置し、図7(f)および図7(g)に示すように、第1の例と同様に、ハードマスク層パターン13の残渣欠陥部22を電子線31によりエッチング除去する。これにより、第2の薄膜パターンの残渣欠陥部を電子線によりエッチング除去する。   Next, the intermediate product 10B obtained in the steps up to FIG. 6 (e) is placed in the defect correcting apparatus, and as shown in FIGS. 7 (f) and 7 (g), as in the first example. Then, the residual defect portion 22 of the hard mask layer pattern 13 is removed by etching with the electron beam 31. As a result, the residual defect portion of the second thin film pattern is removed by etching with an electron beam.

本例においては、ハードマスク層パターン13の残渣欠陥部22を電子線31によりエッチング除去する時に供給する第1のアシストガス41は、第1の例と同様である。   In this example, the first assist gas 41 supplied when the residual defect portion 22 of the hard mask layer pattern 13 is removed by etching with the electron beam 31 is the same as in the first example.

次に、図7(h)に示すように、第1の例と同様に、遮光膜パターン12を形成する。これにより、第1の薄膜パターンを形成する。   Next, as shown in FIG. 7H, the light shielding film pattern 12 is formed as in the first example. Thereby, the first thin film pattern is formed.

本例においては、遮光膜12Aをドライエッチングする時に用いる反応性エッチングガスは、第1の例と同様である。   In this example, the reactive etching gas used when dry etching the light shielding film 12A is the same as in the first example.

次に、図7(i)に示すように、第1の例と同様に、ハードマスク層パターン13をドライエッチングして除去する。これにより、ArFエキシマレーザ露光光が適用されるバイナリマスク10が製造される。   Next, as shown in FIG. 7I, the hard mask layer pattern 13 is removed by dry etching, as in the first example. Thereby, the binary mask 10 to which ArF excimer laser exposure light is applied is manufactured.

B.第2の実施形態
本発明においては、残渣欠陥修正時の第1の電子線のドリフトを補正して、高い位置精度で残渣欠陥部をエッチング除去することもできる。
B. Second Embodiment In the present invention, it is possible to correct the drift of the first electron beam at the time of residual defect correction and to etch away the residual defect portion with high positional accuracy.

上述のように、従来のハーフトーン型位相シフトマスクの黒欠陥修正工程においては、透明基板上の半透明マスクパターンの残渣欠陥部を、主に、アシストガスと電子線を用いた部分エッチングの方法で修正していた。
ここで、透明基板には絶縁性の合成石英ガラスが主に用いられており、半透明マスクパターンには導電性を有するモリブデンシリサイド(MoSi)を含む化合物が主に用いられていたことから、残渣欠陥部に電子線を照射し続けていると、残渣欠陥部が帯電し、電子線がドリフトしてしまうという問題があった。
それゆえ、半透明マスクパターンの残渣欠陥部を、高い位置精度で修正するためには、電子線がドリフトしてしまうことを補正しながら修正する必要があった。
As described above, in the black defect correction process of the conventional halftone phase shift mask, the residual defect portion of the semitransparent mask pattern on the transparent substrate is mainly subjected to a partial etching method using an assist gas and an electron beam. It was corrected in.
Here, an insulating synthetic quartz glass is mainly used for the transparent substrate, and a compound containing molybdenum silicide (MoSi) having conductivity is mainly used for the translucent mask pattern. If the defect portion is continuously irradiated with the electron beam, there is a problem that the residual defect portion is charged and the electron beam drifts.
Therefore, in order to correct the residual defect portion of the translucent mask pattern with high positional accuracy, it is necessary to correct the electron beam drift while correcting the drift.

一方、本発明においては、図3(f)に示すように、第1の薄膜12A上の第2の薄膜パターン13の残渣欠陥部22を第1の電子線31の照射によりエッチング除去するため、電子線照射される残渣欠陥部22は、導電性を有する第1の薄膜12Aと電気的に接触していることから、従来に比べて帯電が生じにくい。
しかしながら、第1の薄膜12Aを構成する材料と、残渣欠陥部22を構成する材料(すなわち、第2の薄膜パターン13を構成する材料)の間の導電率に差がある場合は、その差に応じて残渣欠陥部22に帯電が生じる。
それゆえ、本発明においても、欠陥修正時の第1の電子線31のドリフトを補正して、残渣欠陥部22をエッチング除去することは、より高い位置精度で修正を行える点で有益である。
On the other hand, in the present invention, as shown in FIG. 3F, the residual defect portion 22 of the second thin film pattern 13 on the first thin film 12A is etched away by irradiation with the first electron beam 31. Since the residue defect portion 22 irradiated with the electron beam is in electrical contact with the conductive first thin film 12A, it is less likely to be charged as compared with the conventional case.
However, if there is a difference in conductivity between the material forming the first thin film 12A and the material forming the residue defect portion 22 (that is, the material forming the second thin film pattern 13), the difference Accordingly, the residue defect portion 22 is charged.
Therefore, also in the present invention, correcting the drift of the first electron beam 31 at the time of defect correction and removing the residual defect 22 by etching is advantageous in that correction can be performed with higher positional accuracy.

本発明において、上記電子線のドリフトを補正して、高い位置精度で残渣欠陥部をエッチング除去するには、例えば、上記の図3に示す工程に変えて、図8に示す工程に従って位相シフトマスクを製造する方法を適用することができる。
この場合も、まず、上記の図2に示す各工程を経て第2の薄膜パターン13を形成し、残渣欠陥部22を検出する欠陥検査を行う。
In the present invention, in order to correct the drift of the electron beam and remove the residual defect portion with high positional accuracy by etching, for example, the phase shift mask is changed according to the process shown in FIG. 8 instead of the process shown in FIG. The method of manufacturing can be applied.
Also in this case, first, the second thin film pattern 13 is formed through the respective steps shown in FIG. 2, and a defect inspection for detecting the residual defect portion 22 is performed.

次に、図2(e)までの工程で得られた中間製造物2を欠陥修正装置に配置し、図8(a)に示すように、第2のアシストガス42を供給しながら第2の電子線32を照射することにより、図8(b)に示すように、残渣欠陥部22とは異なる位置の第2の薄膜パターン13の上に、堆積物構造体51を形成する。   Next, the intermediate product 2 obtained in the steps up to FIG. 2 (e) is placed in the defect correction apparatus, and as shown in FIG. 8 (a), the second assist gas 42 is supplied while the second assist gas 42 is being supplied. By irradiating the electron beam 32, as shown in FIG. 8B, a deposit structure 51 is formed on the second thin film pattern 13 at a position different from the residue defect portion 22.

本実施形態において、第2のアシストガス42には、クロム(Cr)を含むガス、または、シリコン(Si)を含むガスを用いることができる。
ここで、クロム(Cr)を含むガスとしては、クロムヘキサカルボニル(Cr(CO))を含むガスを、シリコン(Si)を含むガスとしては、オルトケイ酸テトラエチル(Si(OC)を含むガスを、それぞれ挙げることができる。
In the present embodiment, the second assist gas 42 can be a gas containing chromium (Cr) or a gas containing silicon (Si).
Here, the gas containing chromium (Cr) is a gas containing chromium hexacarbonyl (Cr (CO) 6 ), and the gas containing silicon (Si) is tetraethyl orthosilicate (Si (OC 2 H 5 ) 4. ) Can be mentioned respectively.

次に、図8(c)に示すように、第1のアシストガス41を供給しながら、残渣欠陥部22に第1の電子線31を照射することにより、図8(d)に示すように、残渣欠陥部22をエッチング除去する。   Next, as shown in FIG. 8C, by irradiating the first defect 31 with the first electron beam 31 while supplying the first assist gas 41, as shown in FIG. Then, the residual defect 22 is removed by etching.

ここで、第1の電子線31の照射を連続的に続けることにより残渣欠陥部22が帯電し、第1の電子線31がドリフトして欠陥修正の位置精度が劣化することを防ぐために、予め形成しておいた堆積物構造体51を位置決め用のマークに用いて、定期的に位置補正する。   Here, in order to prevent the residual defect portion 22 from being charged by continuously irradiating the first electron beam 31 and drifting the first electron beam 31 and deteriorating the positional accuracy of defect correction in advance, Using the deposited structure 51 thus formed as a positioning mark, the position is periodically corrected.

上記のようにして、検出された全ての残渣欠陥部を修正した後は、図8(e)に示すように、第2の薄膜パターン13から露出する第1の薄膜12Aをエッチング加工して、第1の薄膜パターン12を形成し、その後、図8(f)に示すように、第2の薄膜パターン13を除去して、本発明に係るフォトマスク1を得る。   After correcting all the detected residual defects as described above, as shown in FIG. 8E, the first thin film 12A exposed from the second thin film pattern 13 is etched, The first thin film pattern 12 is formed, and then, as shown in FIG. 8F, the second thin film pattern 13 is removed to obtain the photomask 1 according to the present invention.

ここで、従来のハーフトーン型位相シフトマスクの黒欠陥修正工程においては、上記の堆積物構造体51に相当する堆積物は、残渣欠陥部とは異なる位置の半透明マスクパターンの上に形成され、通常、その後除去されないことから、異物発生の原因となるおそれがある。また、上記の堆積物構造体51に相当する堆積物を除去するには、その除去のための工程を経る必要があり、工程が増加して製造に時間がかかり、製造コストも増大化するという不具合がある。   Here, in the black defect correction process of the conventional halftone phase shift mask, the deposit corresponding to the deposit structure 51 is formed on a translucent mask pattern at a position different from the residue defect portion. Usually, since it is not removed afterwards, there is a risk of causing foreign matter. Further, in order to remove the deposit corresponding to the deposit structure 51 described above, it is necessary to go through a process for removing the deposit, which increases the number of steps, takes time for manufacturing, and increases the manufacturing cost. There is a bug.

一方、本発明においては、堆積物構造体51は第2の薄膜パターン13の上に形成され、この第2の薄膜パターン13は最終的に除去されることから、特に工程を増やすことなく、第2の薄膜パターン13を除去する工程で堆積物構造体51も除去することができる。
そして、堆積物構造体51が除去されることにより、本発明に係るフォトマスクにおいては、従来よりも異物発生のおそれが低減したものとすることができる。
On the other hand, in the present invention, the deposit structure 51 is formed on the second thin film pattern 13, and the second thin film pattern 13 is finally removed. The deposit structure 51 can also be removed in the step of removing the second thin film pattern 13.
Then, by removing the deposit structure 51, in the photomask according to the present invention, it is possible to reduce the possibility of generation of foreign matter as compared with the conventional case.

(位相シフトマスク)
次に、本発明に係るフォトマスクの製造方法により得られる位相シフトマスクの形態について説明する。
図9は、本発明に係る位相シフトマスクの構成例を示す概略断面図である。
ここで、図9(a)は、第2の薄膜13Aが遮光層72を兼ねる形態を、図9(b)は、第2の薄膜13Aと遮光材71の2層で遮光層72を構成する形態を、それぞれ示している。
(Phase shift mask)
Next, the form of the phase shift mask obtained by the photomask manufacturing method according to the present invention will be described.
FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing a configuration example of the phase shift mask according to the present invention.
Here, FIG. 9A shows a form in which the second thin film 13A also serves as the light shielding layer 72, and FIG. 9B shows the light shielding layer 72 composed of two layers, the second thin film 13A and the light shielding material 71. Each form is shown.

一般に、ハーフトーン型の位相シフトマスクは、マスクパターン領域の外側の領域に、遮光層を有している。
マスクパターン領域の外側の領域もArFエキシマレーザに対して半透明(主に透過率6%)の半透明層のみで構成されている場合、マスクパターン領域の外側の領域を透過するArFエキシマレーザのエネルギーが重なって、ウェハ上のレジストを感光させてしまうという不具合を生じる場合があるため、これを防止するために上記の遮光層を設けている。
本発明においては、第2の薄膜13AがArFエキシマレーザに対して十分な遮光性を有する場合には、第2の薄膜13Aが遮光層72を兼ねる形態とすることができる。
In general, the halftone phase shift mask has a light shielding layer in an area outside the mask pattern area.
When the area outside the mask pattern area is also composed only of a semitransparent layer (mainly 6% transmittance) with respect to the ArF excimer laser, the ArF excimer laser that transmits the area outside the mask pattern area is used. In order to prevent such a problem that the energy overlaps and the resist on the wafer is exposed to light, the above-described light shielding layer is provided.
In the present invention, when the second thin film 13A has a sufficient light shielding property against the ArF excimer laser, the second thin film 13A can also serve as the light shielding layer 72.

例えば、図9(a)に示す位相シフトマスク1aにおいては、マスクパターン領域61の外側の遮光領域62に遮光層72を有しているが、この遮光層72は、本発明において、第2の薄膜13Aとして第1の薄膜12Aの上に形成したものと同じものとすることができる。言い換えれば、位相シフトマスク1aの遮光層72を、本発明の第2の薄膜13Aとして用いることもできる。   For example, in the phase shift mask 1a shown in FIG. 9A, the light shielding layer 72 is provided in the light shielding region 62 outside the mask pattern region 61. The thin film 13A can be the same as that formed on the first thin film 12A. In other words, the light shielding layer 72 of the phase shift mask 1a can also be used as the second thin film 13A of the present invention.

より詳しく述べると、マスクパターン領域61に形成された第2の薄膜13Aは、第2の薄膜パターン13に加工され、最終的には除去されるが、遮光領域62に形成された第2の薄膜13Aは、そのまま残され、位相シフトマスク1aにおいて遮光層72として作用する。   More specifically, the second thin film 13 A formed in the mask pattern region 61 is processed into the second thin film pattern 13 and finally removed, but the second thin film formed in the light shielding region 62. 13A is left as it is and acts as a light shielding layer 72 in the phase shift mask 1a.

本発明においては、上記のように、第2の薄膜13Aが、遮光層72を兼ねる形態とすることで、別途、遮光層72を形成する必要が無くなり、工程数を減らすことができ、製造コストを低減することができる。   In the present invention, as described above, since the second thin film 13A also serves as the light shielding layer 72, it is not necessary to separately form the light shielding layer 72, the number of steps can be reduced, and the manufacturing cost can be reduced. Can be reduced.

また、本発明においては、図9(b)に示す位相シフトマスク1bのように、第2の薄膜13Aと遮光材71の2層で遮光層72を構成する形態としても良い。
この場合には、遮光層72としての遮光性は、主に、遮光材71が担うため、第2の薄膜13Aは、材料選択や膜厚に関して自由度が広がることになる。
特に、半透明マスクパターンの微細化を達成するためには、第2の薄膜13Aの薄膜化が必要であり、より微細な半透明マスクパターンを形成する目的において、位相シフトマスク1bのように、第2の薄膜13Aと遮光材71の2層で遮光層72を構成する形態は有益である。
In the present invention, the light shielding layer 72 may be configured by two layers of the second thin film 13A and the light shielding material 71 as in the phase shift mask 1b shown in FIG. 9B.
In this case, since the light shielding property as the light shielding layer 72 is mainly borne by the light shielding material 71, the second thin film 13 </ b> A has a greater degree of freedom regarding material selection and film thickness.
In particular, in order to achieve miniaturization of the semitransparent mask pattern, it is necessary to reduce the thickness of the second thin film 13A. For the purpose of forming a finer semitransparent mask pattern, as in the phase shift mask 1b, A configuration in which the light shielding layer 72 is composed of two layers of the second thin film 13A and the light shielding material 71 is useful.

なお、図9(a)および図9(b)のいずれの形態においても、第2の薄膜13Aは同一材料から構成される単層構造であってもよく、2種以上の異なる材料から構成される多層構造であってもよい。
また、図9(b)に示す形態において、遮光材71は、同一材料から構成される単層構造であってもよく、2種以上の異なる材料から構成される多層構造であってもよい。
9A and 9B, the second thin film 13A may have a single-layer structure made of the same material, or may be made of two or more different materials. It may be a multilayer structure.
In the form shown in FIG. 9B, the light shielding material 71 may have a single layer structure made of the same material or a multilayer structure made of two or more different materials.

以上、本発明に係るフォトマスクの製造方法についてそれぞれの実施形態を説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。   As mentioned above, although each embodiment was described about the manufacturing method of the photomask which concerns on this invention, this invention is not limited to the said embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the technical idea described in the claims of the present invention has substantially the same configuration and exhibits the same function and effect regardless of the case. It is included in the technical scope of the invention.

以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples.

(実施例1−1)
透明基板11として光学研磨した6インチ角、0.25インチ厚の合成石英ガラス基板を用い、第1の薄膜12Aとして、Mo:Si:O:Nの原子比が、3:44:1:54となる膜厚60nmのモリブデンシリサイド酸化窒化膜(MoSiON)を形成し、第2の薄膜13Aとして、膜厚48nmのクロム膜(Cr)を形成したマスクブランクスを準備した。
(Example 1-1)
A 6-inch square and 0.25-inch thick synthetic quartz glass substrate optically polished is used as the transparent substrate 11, and the atomic ratio of Mo: Si: O: N is 3: 44: 1: 54 as the first thin film 12A. A mask blank was prepared in which a molybdenum silicide oxynitride film (MoSiON) having a thickness of 60 nm was formed, and a chromium film (Cr) having a thickness of 48 nm was formed as the second thin film 13A.

次に、上記のクロム膜(Cr)の上に電子線レジストを塗布し、電子線描画装置にてパターン描画、および現像し、レジストパターンを形成した。   Next, an electron beam resist was applied on the chromium film (Cr), and pattern drawing and development were performed with an electron beam drawing apparatus to form a resist pattern.

次に、塩素と酸素の混合ガスでレジストパターンから露出するクロム膜をドライエッチングして、第2の薄膜パターン13としてクロム膜パターンを形成し、その後、レジストパターンを、酸素プラズマでアッシング除去し、洗浄後、得られた中間製造物2のクロム膜パターンを欠陥検査装置(レーザーテック社製MATRICS X700)を用いて検査した。   Next, the chromium film exposed from the resist pattern is dry-etched with a mixed gas of chlorine and oxygen to form a chromium film pattern as the second thin film pattern 13, and then the resist pattern is removed by ashing with oxygen plasma, After washing, the chromium film pattern of the obtained intermediate product 2 was inspected using a defect inspection apparatus (MATRICS X700 manufactured by Lasertec Corporation).

次に、中間製造物2を欠陥修正装置(カールツアイス社製MeRiT)に配置し、第2のアシストガス42として、クロムヘキサカルボニル(Cr(CO))ガスを供給しながら第2の電子線32を照射することにより、上記の検査で検出した残渣欠陥部とは異なる位置のクロム膜パターンの上に、直径が概ね30nmの堆積物構造体を形成した。 Next, the intermediate product 2 is placed in a defect correction device (MeRiT manufactured by Carl Zeiss) and the second electron beam is supplied while supplying chromium hexacarbonyl (Cr (CO) 6 ) gas as the second assist gas 42. By irradiating 32, a deposit structure having a diameter of approximately 30 nm was formed on the chromium film pattern at a position different from the residue defect portion detected by the above inspection.

次に、第1のアシストガス41として、フッ化キセノン(XeF)と水蒸気(HO)の混合ガスを供給しながら、上記の検査で検出した残渣欠陥部に第1の電子線31を照射して、残渣欠陥部をエッチング除去した。この欠陥修正においては、予め形成しておいた堆積物構造体を位置決め用のマークに用いて定期的に位置補正して、第1の電子線31がドリフトすることを防止した。 Next, while supplying a mixed gas of xenon fluoride (XeF 2 ) and water vapor (H 2 O) as the first assist gas 41, the first electron beam 31 is applied to the residual defect detected by the above inspection. Irradiation was performed to remove residual defects. In this defect correction, the position of the first electron beam 31 is prevented from drifting by periodically correcting the position using a deposit structure formed in advance as a positioning mark.

上記のようにして、検出された全ての残渣欠陥部を修正した後は、クロム膜パターンから露出するモリブデンシリサイド酸化窒化膜をSFガスでドライエッチング加工して、半透明マスクパターンを形成し、その後、塩素と酸素の混合ガスでクロム膜パターンを除去して、実施例1−1のフォトマスクを得た。結果を表1に示す。 After correcting all the detected residual defects as described above, the molybdenum silicide oxynitride film exposed from the chromium film pattern is dry-etched with SF 6 gas to form a translucent mask pattern, Thereafter, the chromium film pattern was removed with a mixed gas of chlorine and oxygen to obtain a photomask of Example 1-1. The results are shown in Table 1.

(実施例1−2)
第1の薄膜12Aとして、Mo:Si:O:Nの原子比が、4:42:6:46となる膜厚63nmのモリブデンシリサイド酸化窒化膜(MoSiON)を用いた以外は、実施例1−1と同様にして、実施例1−2のフォトマスクを得た。結果を表1に示す。
(Example 1-2)
Example 1 except that a 63 nm-thickness molybdenum silicide oxynitride film (MoSiON) having an atomic ratio of Mo: Si: O: N of 4: 42: 6: 46 was used as the first thin film 12A. 1 was obtained, and a photomask of Example 1-2 was obtained. The results are shown in Table 1.

(実施例1−3)
第1の薄膜12Aとして、Mo:Si:O:Nの原子比が、0:81:18:0となる膜厚45nmのシリコン酸化膜(SiO)を用いた以外は、実施例1−1と同様にして、実施例1−3のフォトマスクを得た。結果を表1に示す。
(Example 1-3)
As Example 1-1, except that a 45 nm-thickness silicon oxide film (SiO) having an atomic ratio of Mo: Si: O: N of 0: 81: 18: 0 was used as the first thin film 12A, Similarly, the photomask of Example 1-3 was obtained. The results are shown in Table 1.

(比較例1−1)
第1の薄膜12Aとして、Mo:Si:O:Nの原子比が、6:37:3:54となる膜厚68nmのモリブデンシリサイド酸化窒化膜(MoSiON)を用いた以外は、実施例1−1と同じ構成のマスクブランクスを準備した。
(Comparative Example 1-1)
Example 1 except that a molybdenum silicide oxynitride film (MoSiON) having a film thickness of 68 nm with an atomic ratio of Mo: Si: O: N of 6: 37: 3: 54 was used as the first thin film 12A. Mask blanks having the same configuration as 1 were prepared.

このマスクブランクスを用い、実施例1−1と同様にしてクロム膜パターンを形成した。なお、この比較例1−1では実施例1−1〜1−3とは異なり、レジストパターンは除去せず、クロム膜パターンを形成した後は、続いて、レジストパターンおよびクロム膜パターンから露出するモリブデンシリサイド酸化窒化膜(Mo:Si:O:N=6:37:3:54)をSF6ガスでドライエッチング加工して、第1の薄膜パターンを形成した。
その後、レジストパターンを、酸素プラズマでアッシング除去し、次いで、塩素と酸素の混合ガスでクロム膜パターンを除去して、比較例1−1のフォトマスを得た。
Using this mask blank, a chromium film pattern was formed in the same manner as in Example 1-1. In Comparative Example 1-1, unlike Examples 1-1 to 1-3, the resist pattern is not removed, and after the chromium film pattern is formed, the resist pattern and the chromium film pattern are subsequently exposed. A molybdenum silicide oxynitride film (Mo: Si: O: N = 6: 37: 3: 54) was dry-etched with SF 6 gas to form a first thin film pattern.
Thereafter, the resist pattern was removed by ashing with oxygen plasma, and then the chromium film pattern was removed with a mixed gas of chlorine and oxygen to obtain a photomass of Comparative Example 1-1.

上記のようにして得られた比較例1−1のフォトマスクの第1の薄膜パターンを欠陥検査装置(レーザーテック社製MATRICS X700)を用いて検査した。   The first thin film pattern of the photomask of Comparative Example 1-1 obtained as described above was inspected using a defect inspection apparatus (MATRICS X700 manufactured by Lasertec Corporation).

次に、比較例1−1のフォトマスクを欠陥修正装置(カールツアイス社製MeRiT)に配置し、アシストガスとして、フッ化キセノン(XeF)と水蒸気(HO)の混合ガスを供給しながら、上記の検査で検出した残渣欠陥部に電子線を照射して、残渣欠陥部のエッチング除去を試みた。
比較例1−1の第1の薄膜パターンの残渣欠陥部は、上記条件でエッチング除去が可能であり、検出された全ての残渣欠陥部を修正することができた。結果を表1に示す。
Next, the photomask of Comparative Example 1-1 is placed in a defect correction apparatus (MeRiT manufactured by Carl Zeiss), and a mixed gas of xenon fluoride (XeF 2 ) and water vapor (H 2 O) is supplied as an assist gas. However, the residue defect portion detected by the above inspection was irradiated with an electron beam to attempt to remove the residue defect portion by etching.
The residual defect portion of the first thin film pattern of Comparative Example 1-1 could be removed by etching under the above conditions, and all detected residual defect portions could be corrected. The results are shown in Table 1.

(比較例1−2)
第1の薄膜12Aとして、Mo:Si:O:Nの原子比が、7:37:6:45となるモリブデンシリサイド酸化窒化膜(MoSiON)を用いた以外は、比較例1−1と同様にして、比較例1−2のフォトマスクを得た。
比較例1−1と同様に、比較例1−2の第1の薄膜パターンの残渣欠陥部は、エッチング除去が可能であり、検出された全ての残渣欠陥部を修正することができた。結果を表1に示す。
(Comparative Example 1-2)
As in the case of Comparative Example 1-1, a molybdenum silicide oxynitride film (MoSiON) having an Mo: Si: O: N atomic ratio of 7: 37: 6: 45 was used as the first thin film 12A. Thus, a photomask of Comparative Example 1-2 was obtained.
Similar to Comparative Example 1-1, the residual defect portion of the first thin film pattern of Comparative Example 1-2 could be removed by etching, and all detected residual defect portions could be corrected. The results are shown in Table 1.

(評価)
上記の実施例1−1〜1−3、および比較例1−1〜1−2の第1の薄膜を構成する各原子の原子百分率、第1の薄膜におけるモリブデン(Mo)とシリコン(Si)の原子比(AMo/ASi)、第1の薄膜の修正容易性、修正工程における透明基板とのエッチング選択比、ArFエキシマレーザ露光における耐光性について、表1に示す。
なお、第1の薄膜を構成する各原子の原子百分率はXPS分析により求めた。
また、修正工程における透明基板とのエッチング選択比は、透明基板のエッチング速度を1とした場合の、第1の薄膜のエッチング速度を表している。
(Evaluation)
The atomic percentage of each atom constituting the first thin film of Examples 1-1 to 1-3 and Comparative Examples 1-1 to 1-2, molybdenum (Mo) and silicon (Si) in the first thin film Table 1 shows the atomic ratio (A Mo / A Si ), the ease of correction of the first thin film, the etching selectivity with the transparent substrate in the correction process, and the light resistance in ArF excimer laser exposure.
Note that the atomic percentage of each atom constituting the first thin film was determined by XPS analysis.
Further, the etching selectivity with the transparent substrate in the correction step represents the etching rate of the first thin film when the etching rate of the transparent substrate is 1.

Figure 0006361328
Figure 0006361328

表1に示すように、比較例1−1および比較例1−2においては、アシストガスと電子線を用いた部分エッチングの修正方法により、下地の透明基板(合成石英ガラス)との選択比を2以上の値で、直接この第1の薄膜の残渣欠陥部の修正を容易に行うことができたが、得られたフォトマスクの第1の薄膜パターンのArFエキシマレーザ露光における耐光性は、不十分であった。   As shown in Table 1, in Comparative Example 1-1 and Comparative Example 1-2, the selective ratio with the underlying transparent substrate (synthetic quartz glass) was adjusted by a partial etching correction method using an assist gas and an electron beam. With a value of 2 or more, the residual defect portion of the first thin film could be easily corrected directly, but the light resistance in ArF excimer laser exposure of the first thin film pattern of the obtained photomask was not good. It was enough.

一方、表1に示すように、第1の薄膜におけるモリブデン(Mo)とシリコン(Si)の原子比(AMo/ASi)が、AMo/ASi≦1/10の関係を満たす実施例1−1〜1−3の第1の薄膜においては、アシストガスと電子線を用いた部分エッチングの修正方法では、残渣欠陥部のエッチングが進まず、また、下地の透明基板(合成石英ガラス)との選択比は0.25以下の値であり、直接この第1の薄膜の残渣欠陥部の修正を行うことは困難であった。 On the other hand, as shown in Table 1, an example in which the atomic ratio (A Mo / A Si ) of molybdenum (Mo) to silicon (Si) in the first thin film satisfies the relationship of A Mo / A Si ≦ 1/10 In the first thin film 1-1 to 1-3, in the partial etching correction method using the assist gas and the electron beam, etching of the residual defect portion does not proceed, and the underlying transparent substrate (synthetic quartz glass) Is a value of 0.25 or less, and it is difficult to directly correct the residual defect portion of the first thin film.

しかしながら、上述の本発明に係るフォトマスクの製造方法を用いることで得られた実施例1−1〜1−3のフォトマスクの第1の薄膜パターンのArFエキシマレーザ露光における耐光性は十分なものであった。   However, the light resistance in the ArF excimer laser exposure of the first thin film pattern of the photomask of Examples 1-1 to 1-3 obtained by using the above-described photomask manufacturing method according to the present invention is sufficient. Met.

すなわち、本発明によれば、ArFエキシマレーザ露光における耐光性が高い薄膜から構成されるパターンを有するフォトマスクであっても、残渣欠陥の修正を可能とし、残渣欠陥の無いフォトマスクを製造することができる。   That is, according to the present invention, even if the photomask has a pattern composed of a thin film having high light resistance in ArF excimer laser exposure, the residual defect can be corrected and a photomask having no residual defect can be manufactured. Can do.

(実施例2−1)
透明基板11として光学研磨した6インチ角、0.25インチ厚の合成石英ガラス基板を用い、遮光膜(第1の薄膜)12Aとして、珪素膜(Si)を形成し、ハードマスク層(第2の薄膜)13Aとして、クロム膜(Cr)を形成したマスクブランクスを準備した。
(Example 2-1)
A 6-inch square, 0.25-inch thick synthetic quartz glass substrate optically polished is used as the transparent substrate 11, a silicon film (Si) is formed as the light shielding film (first thin film) 12A, and a hard mask layer (second As a thin film) 13A, a mask blank formed with a chromium film (Cr) was prepared.

次に、上記クロム膜(Cr)の上に電子線レジストを塗布し、電子線描画装置にてパターン描画、および現像し、レジストパターンを形成した。   Next, an electron beam resist was applied on the chromium film (Cr), and pattern drawing and development were performed with an electron beam drawing apparatus to form a resist pattern.

次に、塩素と酸素の混合ガスでレジストパターンから露出する上記クロム膜(Cr)をドライエッチングして、ハードマスク層パターン13としてクロム膜(Cr)パターンを形成し、その後、レジストパターンを、酸素プラズマでアッシング除去した。これにより得られた中間製造物10Bのクロム膜(Cr)パターンを欠陥検査装置(レーザーテック社製MATRICS X700)を用いて検査した。   Next, the chromium film (Cr) exposed from the resist pattern is dry-etched with a mixed gas of chlorine and oxygen to form a chromium film (Cr) pattern as the hard mask layer pattern 13. Ashing was removed with plasma. The chromium film (Cr) pattern of the intermediate product 10B thus obtained was inspected using a defect inspection apparatus (MATRICS X700 manufactured by Lasertec Corporation).

次に、第1のアシストガス41として、2フッ化キセノン(XeF)を供給しながら、上記の検査で検出した残渣欠陥部に第1の電子線31を照射して、残渣欠陥部をエッチング除去した。 Next, while supplying xenon difluoride (XeF 2 ) as the first assist gas 41, the residue defect portion detected by the above inspection is irradiated with the first electron beam 31 to etch the residue defect portion. Removed.

上記のようにして、検出された全ての残渣欠陥部を修正した後は、クロム膜(Cr)パターンから露出する珪素膜(Si)をSFガスでドライエッチング加工して、遮光膜パターン12として、珪素膜(Si)パターンを形成する。その後、塩素と酸素の混合ガスでクロム膜(Cr)パターンを除去して、実施例1−1のArFエキシマレーザ露光光が適用されるバイナリマスクを得た。結果を表2に示す。 After correcting all the detected residual defects as described above, the silicon film (Si) exposed from the chromium film (Cr) pattern is dry-etched with SF 6 gas to form the light shielding film pattern 12. Then, a silicon film (Si) pattern is formed. Thereafter, the chromium film (Cr) pattern was removed with a mixed gas of chlorine and oxygen to obtain a binary mask to which the ArF excimer laser exposure light of Example 1-1 was applied. The results are shown in Table 2.

(比較例2−1)
実施例2−1と同様にして、マスクブランクスを準備した。
(Comparative Example 2-1)
Mask blanks were prepared in the same manner as Example 2-1.

次に、実施例2−1と同様にして、レジストパターンを形成した。   Next, a resist pattern was formed in the same manner as in Example 2-1.

次に、実施例2−1と同様にして、ハードマスク層パターン14としてクロム膜(Cr)パターンを形成し、その後、レジストパターンを、酸素プラズマでアッシング除去した。   Next, in the same manner as in Example 2-1, a chromium film (Cr) pattern was formed as the hard mask layer pattern 14, and then the resist pattern was removed by ashing with oxygen plasma.

次に、実施例2−1と同様にして、クロム膜(Cr)パターンから露出する珪素膜(Si)をSFガスでドライエッチング加工して、遮光膜パターン12として、珪素膜(Si)パターンを形成した。 Next, in the same manner as in Example 2-1, the silicon film (Si) exposed from the chromium film (Cr) pattern is dry-etched with SF 6 gas to form the light-shielding film pattern 12 as a silicon film (Si) pattern. Formed.

次に、これにより得られた中間製造物10Bのクロム膜(Cr)パターンおよび珪素膜(Si)パターンを欠陥検査装置(レーザーテック社製MATRICS X700)を用いて検査した。   Next, the chromium film (Cr) pattern and the silicon film (Si) pattern of the intermediate product 10B thus obtained were inspected using a defect inspection apparatus (MATRICS X700 manufactured by Lasertec Corporation).

次に、第1のアシストガス41として、2フッ化キセノン(XeF)を供給しながら、上記の検査で検出した残渣欠陥部に第1の電子線31を照射して、残渣欠陥部をエッチング除去した。 Next, while supplying xenon difluoride (XeF 2 ) as the first assist gas 41, the residue defect portion detected by the above inspection is irradiated with the first electron beam 31 to etch the residue defect portion. Removed.

上記のようにして、検出された全ての残渣欠陥部を修正した後は、塩素と酸素の混合ガスでクロム膜(Cr)パターンを除去して、比較例2−1のArFエキシマレーザ露光光が適用されるバイナリマスクを得た。結果を表3に示す。   After correcting all the detected residual defects as described above, the chromium film (Cr) pattern is removed with a mixed gas of chlorine and oxygen, and the ArF excimer laser exposure light of Comparative Example 2-1 is obtained. Got the binary mask to be applied. The results are shown in Table 3.

(評価)
上記の実施例2−1の遮光膜(第1の薄膜)12Aを構成する各原子の原子百分率、修正工程におけるハードマスク層(HM層)(第2の薄膜)13Aの遮光膜12Aとのエッチング選択比、修正方法、ハードマスク層(HM層)13Aの修正容易性、ArFエキシマレーザ露光における露光光照射耐性、露光裕度、および総合評価について、表2に示す。
なお、遮光膜12Aを構成する各原子の原子百分率はXPS分析により求めた。
また、修正工程におけるハードマスク層(HM層)13Aの遮光膜12Aとのエッチング選択比は、遮光膜12Aのエッチング速度を1とした場合の、ハードマスク層(HM層)13Aのエッチング速度を表している。さらに、本発明の修正方法とは、第2の薄膜パターンを形成した後、第1の薄膜パターンを形成する前に、第2の薄膜パターンの残渣欠陥部を検出し、第2の薄膜パターンの残渣欠陥部を電子線によりエッチング除去する方法である。
(Evaluation)
Etching of light shielding film 12A of light masking film (first thin film) 12A of Example 2-1 with atomic percentage of each atom constituting hard mask layer (HM layer) (second thin film) 13A in the correction process Table 2 shows the selection ratio, correction method, ease of correction of the hard mask layer (HM layer) 13A, exposure light irradiation resistance, exposure tolerance, and comprehensive evaluation in ArF excimer laser exposure.
The atomic percentage of each atom constituting the light shielding film 12A was determined by XPS analysis.
Further, the etching selection ratio of the hard mask layer (HM layer) 13A to the light shielding film 12A in the correction process represents the etching rate of the hard mask layer (HM layer) 13A when the etching rate of the light shielding film 12A is 1. ing. Furthermore, the correction method of the present invention is to detect a residual defect portion of the second thin film pattern after forming the second thin film pattern and before forming the first thin film pattern. In this method, the residual defect is removed by etching with an electron beam.

Figure 0006361328
Figure 0006361328

また、上記の比較例2−1の遮光膜(第1の薄膜)12Aを構成する各原子の原子百分率、修正工程における遮光膜12Aの透明基板とのエッチング選択比、修正方法、遮光膜12Aの修正容易性、ArFエキシマレーザ露光における露光光照射耐性、露光裕度、および総合評価について、表3に示す。
なお、遮光膜12Aを構成する各原子の原子百分率はXPS分析により求めた。
また、修正工程における遮光膜12Aの透明基板とのエッチング選択比は、透明基板のエッチング速度を1とした場合の、遮光膜12Aのエッチング速度を表している。さらに、従来の修正方法とは、第2の薄膜パターンおよび第1の薄膜パターンを形成した後に、第1の薄膜パターンの残渣欠陥部を検出し、第1の薄膜パターンの残渣欠陥部を電子線によりエッチング除去する方法である。
Further, the atomic percentage of each atom constituting the light shielding film (first thin film) 12A of Comparative Example 2-1 above, the etching selection ratio of the light shielding film 12A with the transparent substrate in the correction process, the correction method, and the light shielding film 12A Table 3 shows the ease of correction, exposure light irradiation resistance, exposure latitude, and overall evaluation in ArF excimer laser exposure.
The atomic percentage of each atom constituting the light shielding film 12A was determined by XPS analysis.
Further, the etching selectivity ratio of the light shielding film 12A to the transparent substrate in the correction process represents the etching rate of the light shielding film 12A when the etching rate of the transparent substrate is 1. Further, in the conventional correction method, after the second thin film pattern and the first thin film pattern are formed, the residual defect portion of the first thin film pattern is detected, and the residual defect portion of the first thin film pattern is detected by the electron beam. This is a method of removing by etching.

Figure 0006361328
Figure 0006361328

表2に示すように、本発明の修正方法を用いた実施例2−1における修正工程におけるエッチング選択比は10より大きくなった。これに対して、表3に示すように、従来の修正方法を用いた比較例2−1における修正工程におけるエッチング選択比は0に近い値となった。このため、実施例2−1における修正工程においては、比較例2−1における修正工程よりも、ずっと容易に残渣欠陥部の修正を行うことができた。   As shown in Table 2, the etching selectivity in the correction process in Example 2-1 using the correction method of the present invention was larger than 10. On the other hand, as shown in Table 3, the etching selectivity in the correction process in Comparative Example 2-1 using the conventional correction method was close to zero. For this reason, in the correction process in Example 2-1, the residual defect portion could be corrected much more easily than in the correction process in Comparative Example 2-1.

さらに、表2および表3に示すように、実施例2−1のバイナリマスクは、比較例2−1のバイナリマスクと比較して、ArFエキシマレーザ露光における露光光照射耐性および露光裕度については、大きな差がなかった。以上の結果、総合評価としては、実施例2−1のバイナリマスクが、最も優れたものとなった。   Further, as shown in Tables 2 and 3, the binary mask of Example 2-1 is more resistant to exposure light irradiation and exposure tolerance in ArF excimer laser exposure than the binary mask of Comparative Example 2-1. There was no big difference. As a result, as a comprehensive evaluation, the binary mask of Example 2-1 was the most excellent.

1・・・フォトマスク
1a、1b・・・位相シフトマスク
2・・・中間製造物
11・・・透明基板
12・・・第1の薄膜パターン
12A・・・第1の薄膜
13・・・第2の薄膜パターン
13A・・・第2の薄膜
14・・・レジストパターン
14A・・・レジスト層
21・・・異物
22・・・残渣欠陥部
31・・・第1の電子線
32・・・第2の電子線
41・・・第1のアシストガス
42・・・第2のアシストガス
51・・・堆積物構造体
61・・・マスクパターン領域
62・・・遮光領域
71・・・遮光材
72・・・遮光層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Photomask 1a, 1b ... Phase shift mask 2 ... Intermediate product 11 ... Transparent substrate 12 ... 1st thin film pattern 12A ... 1st thin film 13 ... 1st Second thin film pattern 13A ... second thin film 14 ... resist pattern 14A ... resist layer 21 ... foreign matter 22 ... residue defect 31 ... first electron beam 32 ... first 2 electron beam 41... First assist gas 42... Second assist gas 51 .. deposit structure 61... Mask pattern region 62. ... Shading layer

Claims (2)

透明基板と、前記透明基板の上に形成された第1の薄膜と、前記第1の薄膜の上に形成された第2の薄膜と、を有するマスクブランクスを準備する工程と、
前記第2の薄膜をエッチング加工して第2の薄膜パターンを形成する工程と、
前記第2の薄膜パターンの残渣欠陥部を検出する欠陥検査工程と、
前記検査工程で検出された前記第2の薄膜パターンの残渣欠陥部に、第1のアシストガスを供給しながら第1の電子線を照射することにより、前記第2の薄膜パターンの残渣欠陥部をエッチング除去する第2の薄膜パターン欠陥修正工程と、
前記残渣欠陥部をエッチング除去した第2の薄膜パターンから露出する前記第1の薄膜をエッチング加工して第1の薄膜パターンを形成する工程と、
を順に備えるフォトマスクの製造方法であって、
前記第1の薄膜をエッチング加工する工程は、前記欠陥検査工程後のみに行われ、
前記第1の薄膜が、珪素(Si)のみを含む(但し、製造上不可避の不純物は含み得る)遮光膜であることを特徴とするフォトマスクの製造方法。
Preparing a mask blank having a transparent substrate, a first thin film formed on the transparent substrate, and a second thin film formed on the first thin film;
Etching the second thin film to form a second thin film pattern;
A defect inspection step of detecting a residual defect portion of the second thin film pattern;
The residue defect portion of the second thin film pattern is irradiated with the first electron beam while supplying the first assist gas to the residue defect portion of the second thin film pattern detected in the inspection step. A second thin film pattern defect correcting step to remove by etching;
Etching the first thin film exposed from the second thin film pattern from which the residual defect has been removed by etching to form a first thin film pattern;
A photomask manufacturing method comprising:
The step of etching the first thin film is performed only after the defect inspection step,
The method of manufacturing a photomask, wherein the first thin film is a light shielding film containing only silicon (Si) (but may contain impurities inevitable in manufacturing) .
前記第2の薄膜パターン欠陥修正工程において、
第2のアシストガスを供給しながら第2の電子線を照射することにより、前記残渣欠陥部とは異なる位置の前記第2の薄膜パターンの上に、堆積物構造体を形成し、
前記堆積物構造体を位置決め用のマークに用いて前記第1の電子線を照射する位置を補正して、前記第2の薄膜パターンの残渣欠陥部をエッチング除去することを特徴とする請求項1に記載のフォトマスクの製造方法。
In the second thin film pattern defect correcting step,
By irradiating the second electron beam while supplying the second assist gas, a deposit structure is formed on the second thin film pattern at a position different from the residue defect portion,
2. The residual defect portion of the second thin film pattern is removed by etching by correcting the position of irradiation with the first electron beam using the deposit structure as a positioning mark. A method for producing a photomask according to 1.
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